WO2024071026A1 - 導電膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

導電膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof

Abstract

導電膜を有するＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクブランク及び反射型マスクにおいて、平坦度の変化を抑制することができる導電膜付き基板を提供する。　二つの主表面を有する基板と、前記基板の一方の前記主表面の上に配置される導電膜とを含む導電膜付き基板であって、前記導電膜は、前記導電膜の前記基板とは反対側の最表面に配置される最表層と、前記最表層と前記基板との間に配置される導電層とを含み、前記最表層は、金属（Ｍ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）を含み、前記最表層は、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする導電膜付き基板である。

Description

導電膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
　本発明は、ＥＵＶリソグラフィに用いるための導電膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法に関する。
　近年、半導体産業において、半導体装置の高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられる転写用マスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。
　当該反射型マスクは、基板と、当該基板上に形成された多層反射膜と、当該多層反射膜上に形成された吸収体膜とを有する反射型マスクブランクから、フォトリソグラフィ法等により吸収体膜パターンを形成することによって製造される。
　多層反射膜及び吸収層の成膜は、スパッタリング等の成膜方法を用いて成膜されることが一般的である。その成膜の際、反射型マスクブランク用基板は、成膜装置内に、支持手段によって支持される。基板の支持手段の一つとして、静電チャックが用いられている。また、ＥＵＶ光による露光の際、露光装置内に反射型マスクを固定するために静電チャックが用いられている。そのため、ガラス基板等の絶縁性の反射型マスクブランク用基板の裏面（多層反射膜等が形成される表面とは反対側の面）には、静電チャックによる基板の固定を促進するために、導電膜（裏面導電膜）が形成される。導電膜が形成された基板のことを、導電膜付き基板という。
　導電膜付き基板の例として、特許文献１には、ガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成され、更に前記多層反射膜が設けられた面に対して、反対側の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ用多層反射膜付き基板が記載されている。特許文献１には、導電膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなることが記載されている。また、特許文献１の多層反射膜付き基板は、ガラス基板と導電膜との間にガラス基板から導電膜へ水素が侵入することを抑制する水素侵入抑制膜を備えることが記載されている。
　特許文献２には、基板の後面上に堆積させたコーティングを含むフォトリソグラフィマスクのための基板が記載されている。特許文献２には、コーティングが、少なくとも１つの導電層を含み、前記少なくとも１つの層の厚みが、３０ｎｍよりも小さいことが記載されている。
特開２０１３－２２５６６２号公報 特表２０１４－５３２３１３号公報
　反射型マスクブランクや反射型マスクに対する欠陥品質の要求レベルが年々厳しくなっている。反射型マスクブランクの製造、及び反射型マスクを使用した半導体装置の製造の際には、静電チャックに対して反射型マスクブランク及び反射型マスクを繰り返して脱着を行う。このとき、反射型マスクブランク及び反射型マスクの導電膜と静電チャックとの間で擦れが発生する。そのため、静電チャックから反射型マスクブランクや反射型マスクを脱着した後、通常、導電膜表面を酸やアルカリを使用して薬液洗浄が行われる。導電膜の材料として、耐薬性、耐摩耗性が高いタンタル（Ｔａ）を含有する材料が注目されてきている。
　また、近年、反射型マスク等の転写用マスクに対するパターン位置精度の要求レベルが特に厳しくなってきている。特に、ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクの場合には、従来技術と比べて非常に微細なパターン形成を目的として用いられるため、パターン位置精度の要求レベルは更に厳しい。高いパターン位置精度を実現するための１つの要素として、反射型マスクを作製するための原版となる反射型マスクブランクの平坦度を向上させることが挙げられる。
　特許文献１では、導電膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、ガラス基板と前記導電膜との間に前記ガラス基板から前記導電膜へ水素が侵入することを抑制する水素侵入抑制膜を備えることにより、平坦度が経時的に変化することを抑制した反射型マスクブランクを得ることができる。
　ところで、反射型マスクに反射させたＥＵＶ光により半導体基板上に集積回路パターンを転写するＥＵＶ露光装置において、ＥＵＶ光はガス分子により強く吸収されるため、一般には光学系容器内を高真空に保つ必要がある。しかし、高真空中であっても水分や炭化水素等の不純物を完全になくすことはできず、これらの不純物がＥＵＶ光に曝されると、照射光学系のミラー表面に炭素膜などが堆積し、反射率の低下をもたらす。ＥＵＶ露光装置では、このようなコンタミネーションを抑制するために、ＥＵＶ光の透過性が高い水素雰囲気中での露光が行われている。このような水素雰囲気中での露光環境において、半導体装置の製造のために反射型マスクを繰り返し使用すると、導電膜の表面からも水素が侵入し、反射型マスクの平坦度を変化させるという問題が生じる場合があることが明らかになった。
　本発明は、このような状況下になされたものであり、導電膜を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクにおいて、平坦度の変化を抑制することができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供することを目的とする。また、本発明は、上記問題を解決するための反射型マスクブランク及び反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を提供することを目的とする。また、本発明は、上記反射型マスクを用いることにより、高精度の半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため、本実施形態は下記の構成を有する。
（構成１）
　構成１は、二つの主表面を有する基板と、
　前記基板の一方の前記主表面の上に配置される導電膜と
を含む導電膜付き基板であって、
　前記導電膜は、前記導電膜の前記基板とは反対側の最表面に配置される最表層と、前記最表層と前記基板との間に配置される導電層とを含み、
　前記最表層は、金属（Ｍ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）を含み、
　前記最表層は、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする導電膜付き基板である。
（構成２）
　構成２は、前記最表層におけるＸ線光電子分光法の検出深さは、約４～５ｎｍであることを特徴とする、構成１の導電膜付き基板である。
（構成３）
　構成３は、前記最表層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーでピークを有さないことを特徴とする、構成１又は２の導電膜付き基板である。
（構成４）
　構成４は、前記最表層のホウ素（Ｂ）含有量は、０．５～２５原子％であることを特徴とする、構成１～３のいずれかの導電膜付き基板である。
（構成５）
　構成５は、前記導電層は、前記金属（Ｍ）と、ホウ素（Ｂ）とを含むことを特徴とする、構成１～４のいずれかの導電膜付き基板である。
（構成６）
　構成６は、前記導電層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする、構成１～５のいずれかの導電膜付き基板である。
（構成７）
　構成７は、前記金属（Ｍ）は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＨｆから選択される少なくとも１つである、構成１～６のいずれかの導電膜付き基板である。
（構成８）
　構成８は、構成１～７のいずれかの導電膜付き基板と、
　前記基板の他方の前記主表面の上に配置される多層反射膜と、
　前記多層反射膜の上に配置される吸収体膜と
を含む反射型マスクブランクである。
（構成９）
　構成９は、構成８の反射型マスクブランクにおける吸収体膜にパターンが形成された吸収体パターンを含む反射型マスクである。
（構成１０）
　構成１０は、構成９の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィプロセスを行い、被転写体の上に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　本発明により、導電膜を有するＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクブランク及び反射型マスクにおいて、平坦度の変化を抑制することができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供することができる。また、本発明により、上記問題を解決するための反射型マスクブランク及び反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を提供することができる。また、本発明の反射型マスクを用いることにより、高精度の半導体装置の製造方法を提供することができる。
本実施形態の導電膜付き基板の構成の一例を示す断面模式図である。 本実施形態の導電膜付き基板（多層反射膜付き基板）の構成の一例を示す断面模式図である。 本実施形態の導電膜付き基板（多層反射膜付き基板）の構成の一例を示す断面模式図である。 本実施形態の反射型マスクブランクの構成の一例を示す断面模式図である。 本実施形態の反射型マスクブランクの構成の一例を示す断面模式図である。 本実施形態の反射型マスクの製造方法の一例を示す断面模式図である。 ＥＵＶ露光装置の一例を示す模式図である。 本実施形態の実施例１及び比較例１の導電膜付き基板の導電膜の、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルを示す図である。
　以下、本発明の実施形態について、具体的に説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化する際の形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。
　図１は、本実施形態の導電膜付き基板４０の一例を示す断面模式図である。本実施形態の導電膜付き基板４０は、基板１０の一方の主表面（第２主表面、又は裏面）の上に、導電膜４２が配置された構造を有する。なお、本明細書において、導電膜付き基板４０とは、少なくとも基板１０の一方の主表面（第２主表面、又は裏面）に導電膜４２が形成されたものであり、他方の主表面（第１主表面、又は表面（front surface））の上に多層反射膜２１が形成された多層反射膜付き基板２０（図２及び３参照）、及び更に吸収体膜２４が形成された反射型マスクブランク１００（図４及び５参照）等も、導電膜付き基板４０に含まれる。本明細書では、導電膜４２を、裏面導電膜という場合がある。
　図２に、多層反射膜付き基板２０の一例を示す。図２に示す多層反射膜付き基板２０の基板１０の第１主表面に多層反射膜２１が形成されている。図２に示す多層反射膜付き基板２０の基板１０の第２主表面（裏面）には、導電膜４２が形成されている。図２に示す多層反射膜付き基板２０は、基板１０の第２主表面（裏面）に導電膜４２を含むので、導電膜付き基板４０の一種である。
　図３に、多層反射膜付き基板２０の別の一例を示す。図３に示す多層反射膜付き基板２０の主表面に多層反射膜２１及び保護膜２２が形成されている。図３に示す多層反射膜付き基板２０の基板１０の第２主表面（裏面）には、導電膜４２が形成されている。図３に示す多層反射膜付き基板２０は、基板１０の第２主表面（裏面）に導電膜４２を含むので、導電膜付き基板４０の一種である。
　図４は、本実施形態の反射型マスクブランク１００の一例を示す断面模式図である。図４の反射型マスクブランク１００は、多層反射膜２１、保護膜２２及び吸収体膜２４を有している。また、図４に示す反射型マスクブランク１００は、第２主表面（裏面）に導電膜４２を有する。したがって、図４に示す反射型マスクブランク１００は、導電膜付き基板４０の一種である。
　図５は、本実施形態の反射型マスクブランク１００の別の一例を示す断面模式図である。図５に示す反射型マスクブランク１００は、吸収体膜２４の上にエッチングマスク膜２５を有する。エッチングマスク膜２５を有する反射型マスクブランク１００を用いる場合、後述のように、吸収体膜２４に転写パターンを形成した後、エッチングマスク膜２５を剥離してもよい。また、本実施形態の反射型マスクブランク１００は、その裏面に、導電膜４２を含む。したがって、図５に示す反射型マスクブランク１００は、導電膜付き基板４０の一種である。
　また、エッチングマスク膜２５を形成しない図４に示す反射型マスクブランク１００において、吸収体膜２４を複数層の積層構造とし、この複数層を構成する材料が互いに異なるエッチング特性を有する材料にして、エッチングマスク機能を持った吸収体膜２４とした反射型マスクブランク１００としてもよい。
　本明細書において、「薄膜Ａ（又は基板１０）の上に薄膜Ｂを配置（形成）する」とは、薄膜Ｂが、薄膜Ａ（又は基板１０）の表面に接して配置（形成）されることを意味する場合の他、薄膜Ａ（又は基板１０）と、薄膜Ｂとの間に他の薄膜Ｃを有することを意味する場合も含む。また、本明細書において、例えば「薄膜Ｂが薄膜Ａ（又は基板１０）の表面に接して配置される」とは、薄膜Ａ（又は基板１０）と薄膜Ｂとの間に他の薄膜を介さずに、薄膜Ａ（又は基板１０）と薄膜Ｂとが直接、接するように配置されていることを意味する。また、本明細書において、「上に」とは、必ずしも鉛直方向における上側を意味するものではない。「上に」とは、薄膜及び基板１０などの相対的な位置関係を示しているに過ぎない。
　本実施形態の導電膜付き基板４０、多層反射膜付き基板２０及び反射型マスクブランク１００及び反射型マスク２００について、具体的に説明する。
［基板１０］
　まず、本実施形態の導電膜付き基板４０等の製造に用いることのできる基板１０について以下に説明する。
　基板１０は、ＥＵＶ光による露光時の熱による転写パターンの歪みを防止するため、０±５ｐｐｂ／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることができる。
　基板１０の転写パターン（後述の吸収体パターン２４ａ）が形成される側の主表面（第１主表面）は、平坦度を高めるために加工されることが好ましい。基板１０の主表面の平坦度を高めることによって、パターンの位置精度や転写精度を高めることができる。例えば、ＥＵＶ露光の場合、第１主表面の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．０５μｍ以下、特に好ましくは０．０３μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の第２主表面（裏面）は、露光装置に静電チャックによって固定される表面である。裏面の１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下、更に好ましくは０．０５μｍ以下、特に好ましくは０．０３μｍ以下である。なお、本明細書において平坦度は、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ　Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ　Ｒｅａｄｉｎｇ）で示される表面の反り（変形量）を表す値である。平坦度（ＴＩＲ）は、基板１０の主表面の表面を基準として最小二乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板１０の表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板１０の表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。
　ＥＵＶ露光の場合、基板１０の転写パターンが形成される側の第１主表面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．１ｎｍ以下であることが好ましい。なお表面粗さは、原子間力顕微鏡で測定することができる。
　基板１０は、その上に形成される薄膜（多層反射膜２１など）の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。
［導電膜付き基板４０］
　次に、本実施形態の導電膜付き基板４０について、説明する。
＜導電膜４２＞
　図１に示すように、本実施形態の導電膜付き基板４０は、基板１０の一方の主表面（第２主表面、裏面）に、所定の導電膜４２が配置される構造を有する。導電膜４２（裏面導電膜）は、静電チャックによる反射型マスク２００の固定を促進するために配置される。図１に示すように、本実施形態の導電膜付き基板４０の導電膜４２は、最表層４６と、導電層４４とを含む。
＜＜最表層４６＞＞
　図１に示すように、本実施形態の導電膜付き基板４０の導電膜４２に含まれる最表層４６は、導電膜４２の、基板１０とは反対側の最表面に配置される。本実施形態の導電膜付き基板４０の導電膜４２が、所定の最表層４６を含むことにより、外部に存在する水素が導電膜４２に取り込まれることを抑制することができる。
　最表層４６は、金属（Ｍ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）を含む。
　本発明者らは、金属（Ｍ）としてタンタルを含有する導電膜４２に水素が取り込まれていくことで、導電膜４２の膜応力が変化することを見出した。更に、本発明者らは、タンタル以外の金属（Ｍ）を含有する導電膜４２の場合にも、導電膜４２に水素が取り込まれていくことで、導電膜４２の体積が変化し、そのため導電膜４２の膜応力が変化する場合があることを見出した。導電膜４２の膜応力が変化することにより、反射型マスクブランク１００の平坦度が変化するという問題が生じる。更に、反射型マスク２００の作製後に時間の経過とともに反射型マスク２００のパターンの位置ずれが生じるという問題が生じる。
　本発明者らは、導電膜４２に取り込まれる水素は、ＥＵＶ露光環境において、反射型マスク２００の外部に存在する水素であることを見出した。本実施形態の導電膜付き基板４０の導電膜４２が、所定の最表層４６を含むことにより、ＥＵＶ露光環境において、反射型マスク２００の外部に存在する水素が反射型マスク２００の導電膜４２に取り込まれることを抑制することができることを見出し、本実施形態の導電膜付き基板４０に至った。本実施形態の導電膜付き基板４０を用いて反射型マスクブランク１００及び反射型マスク２００を製造することにより、反射型マスクブランク１００及び反射型マスク２００の導電膜４２に水素が取り込まれることを抑制することができる。そのため、反射型マスクブランク１００及び反射型マスク２００の導電膜４２の膜応力が変化することを抑制することができる。すなわち、本実施形態の導電膜付き基板４０により、反射型マスクブランク１００及び反射型マスク２００の平坦度の変化を抑制することができる。その結果、反射型マスク２００の作製後に時間の経過とともに反射型マスク２００のパターンの位置ずれが生じることを抑制することができる。
　最表層４６に含まれる金属（Ｍ）は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＨｆから選択される少なくとも１つであることが好ましい。最表層４６に含まれる金属（Ｍ）は、Ｔａ及びＣｒから選択される少なくとも１つであることがより好ましい。最表層４６に含まれる金属（Ｍ）が所定の元素であることにより、外部に存在する水素が導電膜４２に取り込まれることを、より確実に抑制することができる。
　本実施形態の導電膜付き基板４０は、最表層４６のホウ素（Ｂ）含有量は、０．５～２５原子％であることが好ましく、１～１５原子％であることがより好ましい。最表層４６のホウ素（Ｂ）含有量が、所定の範囲であることにより、最表層４６による水素の取り込み抑制機能を更に確実にすることができる。
　また、最表層４６の金属（Ｍ）の含有量は、１０～７０原子％であることが好ましく、２０～６０原子％であることがより好ましい。最表層４６のＯ含有量は、２０～８０原子％であることが好ましく、３０～７０原子％であることがより好ましい。
　なお、本発明者らの研究によると、金属（Ｍ）及び酸素（Ｏ）を含む膜（例えば、ＴａＯ膜）より、金属（Ｍ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）を含む膜（例えば、ＴａＢＯ膜及びＴａＢＯＮ膜）の方が水素の取り込み抑制機能が高い。したがって、最表層４６がホウ素（Ｂ）を含むことにより、導電膜４２の水素の取り込み抑制機能を高くすることができる。最表層４６のホウ素（Ｂ）と酸素（Ｏ）の比率は、Ｂ：Ｏ＝１：２０～１：７０が好ましく、１：３０～１：６０がより好ましい。
　外部に存在する水素が導電膜４２に取り込まれることを、更に確実に抑制するために、最表層４６の材料は、ＴａＢＯ又はＴａＢＯＮであることが好ましい。
　最表層４６の材料がＴａＢＯの場合、タンタル（Ｔａ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）の組成は、Ｔａが１５～６０原子％、Ｂが０．５～２５原子％、及びＯが２０～８０原子％であることが好ましく、Ｔａが２５～５０原子％、Ｂが１～１５原子％、Ｏが３０～７０原子％であることがより好ましい。なお、本実施形態の効果に影響しない範囲で、最表層４６の材料は、Ｔａ、Ｂ及びＯ以外の他の元素を含むことができる。
　最表層４６の材料がＴａＢＯＮの場合、タンタル（Ｔａ）、ホウ素（Ｂ）、酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）の組成は、Ｔａが２０～５５原子％、Ｂが０．５～２５原子％、Ｏが２５～７５原子％、及びＮが０．５～４０原子％であることが好ましく、Ｔａが２５～５０原子％、Ｂが１～１５原子％、Ｏが３０～７０原子％、及びＮが１～３０原子％であることがより好ましい。なお、本実施形態の効果に影響しない範囲で、最表層４６の材料は、Ｔａ、Ｂ、Ｏ及びＮ以外の他の元素を含むことができる。
　最表層４６の材料（ＴａＢＯ又はＴａＢＯＮ）が上述の組成であることにより、外部に存在する水素が導電膜４２に取り込まれることを、より好ましく抑制することができる。
　最表層４６は、Ｘ線光電子分光法（X-Ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ法）で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有する。ＸＰＳ法では、物質に含まれる原子の電子がＸ線により励起され、光電子として外部へ放出される。外部に放出された光電子のエネルギー（結合エネルギー）を測定することにより、光電子のエネルギー分布（スペクトル）を得ることができる。
　本実施形態の導電膜付き基板４０の導電膜４２に含まれる最表層４６は、ホウ素（Ｂ）を含む。ＸＰＳ法で結合エネルギーが１８０ｅＶから２０５ｅＶの範囲の光電子を検出することにより、最表層４６のホウ素（Ｂ）のＢ１ｓのナロースペクトルを得ることができる。本発明者らは、最表層４６のＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有する場合に、外部に存在する水素が導電膜４２に取り込まれることを抑制することができることを見出した。Ｂ１ｓのナロースペクトルの１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーのピークは、最表層４６の中のＢ－Ｏ間の結合に起因するピークと考えられる。したがって、最表層４６にＢ－Ｏ間の結合が多く存在するときには、最表層４６の水素抑制効果が高いことが推測される。
　本実施形態の導電膜付き基板４０は、最表層４６は、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーでピークを有さないことが好ましい。Ｂ１ｓのナロースペクトルの１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーのピークは、最表層４６の中のＢ－Ｍ間の結合に起因するピークと考えられる。したがって、最表層４６にＢ－Ｍ間の結合が多く存在しないか、又はまったく存在しないときには、最表層４６の水素抑制効果が高いことが推測される。
　なお、ＸＰＳ法において外部に放出された光電子のエネルギー（結合エネルギー）は、膜厚や成膜条件によって変わり、組成と一義的な関係ではないことが知られている。Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）による分析方法の具体例については、後述する。
　本実施形態の導電膜付き基板４０は、最表層４６の膜厚を２ｎｍ～３０ｎｍとすることができ、２ｎｍ～２０ｎｍとすることができる。また、最表層４６の膜厚は、２ｎｍ～１０ｎｍであることが好ましく、３ｎｍ～８ｎｍであることがより好ましく、４ｎｍ～６ｎｍであることが更に好ましい。最表層４６の膜厚が所定の範囲であることにより、最表層４６による水素の取り込み抑制機能をより確実にしつつ、導電膜４２の静電チャックとしての機能を発揮することができる。
＜＜導電層４４＞＞
　図１に示すように、本実施形態の導電膜付き基板４０の導電膜４２に含まれる導電層４４は、最表層４６と基板１０との間に配置される。導電膜４２が、所定の導電層４４を含むことにより、導電膜４２が、反射型マスク２００の固定を促進するための静電チャックという機能を有することができる。
　本実施形態の導電膜付き基板４０の導電層４４は、金属（Ｍ）と、ホウ素（Ｂ）とを含むことが好ましい。導電層４４が、ホウ素を含む材料からなることにより、耐摩耗性及び薬液耐性を有する導電膜４２を得ることができる。また、導電層４４は、窒素（Ｎ）を更に含むことができる。
　導電層４４に含まれる金属（Ｍ）は、最表層４６の場合と同様に、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＨｆから選択される少なくとも１つであることが好ましい。また、金属（Ｍ）は、最表層４６の場合と同様に、Ｔａ及びＣｒから選択される少なくとも１つであることがより好ましい。導電層４４に含まれる金属（Ｍ）は、最表層４６に含まれる金属（Ｍ）とは異なる種類の元素であることができる。ただし、導電層４４及び最表層４６の成膜を容易にするために、導電層４４に含まれる金属（Ｍ）は、最表層４６に含まれる金属（Ｍ）と同じ種類の元素であることが好ましい。導電膜４２が、所定の金属（Ｍ）を含む材料からなることにより、静電チャックが適性に動作するためシート抵抗とすることができる。
　導電層４４の金属（Ｍ）の含有量は、６０～９５原子％であることが好ましく、７０～９０原子％であることがより好ましい。導電層４４のホウ素（Ｂ）含有量は、２～４０原子％であることが好ましく、５～３０原子％であることがより好ましい。
　導電層４４に含まれる金属（Ｍ）は、Ｔａを含むことがより好ましい。導電層４４のＴａを含む材料として、具体的には、Ｔａ、ＴａＢ、ＴａＢＯ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ及びＴａＮを挙げることができる。導電層４４のＴａを含む材料として、ＴａＢを用いることが好ましい。導電層４４が、タンタル及びホウ素を含む材料からなることにより、耐摩耗性及び薬液耐性を有する導電膜４２を得ることができる。また、同様の理由により、導電層４４に含まれる酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）の合計含有量は、３０原子％以下が好ましく、２０原子％以下であることがより好ましい。
　導電層４４の材料がＴａＢの場合、タンタル（Ｔａ）及びホウ素（Ｂ）の組成は、Ｔａが７５～９５原子％、及びＢが５～２５原子％であることが好ましく、Ｔａが８０～９０原子％、及びＢが１０～２０原子％であることがより好ましい。なお、本実施形態の効果に影響しない範囲で、導電層４４の材料は、Ｔａ及びＢ以外の他の元素を含むことができる。
　導電層４４の組成は、膜厚方向に同じ組成である必要はない。導電層４４は、膜厚方向に組成が変化する組成傾斜膜とすることができる。また、最表層４６を含む導電膜４２も膜厚方向に組成が変化する組成傾斜膜とすることができる。
　また、導電層４４は、２層以上の複数の層としてもよい。この場合、導電層４４は、最表層４６側の上層と、上層以外の下層とを含むことができる。下層は、上述の導電層４４と同様の構成とすることができる。上層は、金属（Ｍ）及び窒素（Ｎ）を含むことができる。また、導電層４４の連続成膜の観点から、上層の金属（Ｍ）は、下層及び最表層４６のうち少なくとも一方と同じ金属であることが好ましい。また、上層は、更にホウ素（Ｂ）を含むことが好ましい。具体的には、上層の材料としてＴａＢＮ及びＴａＢＯＮを挙げることができる。
　上層の材料がＴａＢＮの場合の組成は、Ｔａが１５～９０原子％、Ｂが０．５～２５原子％、及びＮが５～５０原子％であることが好ましく、Ｔａが２５～８０原子％、Ｂが１～１５原子％、Ｎが１０～４０原子％であることがより好ましい。上層の材料がＴａＢＯＮの場合の組成は、上述の最表層４６と同様の組成とすることができる。また、上層の膜厚は、１～１５ｎｍが好ましく、２～１０ｎｍがより好ましい。
　導電層４４の膜厚は、適切なシート抵抗を得ることができる範囲で、適宜、制御することができる。導電層４４の膜厚は、１０ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましい。また、導電膜４２の表面粗さを小さくするために、導電層４４の膜厚は、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。
　本実施形態の導電膜付き基板４０の導電層４４は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーで最大ピークを有することが好ましい。Ｂ１ｓのナロースペクトルの１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーのピークは、導電層４４の中のＢ－Ｍ間の結合に起因するピークと考えられる。導電層４４にＢ－Ｍ間の結合が多く存在するときには、導電膜４２の表面に薄い最表層４６が存在していたとしても、導電膜４２の表面と、露光装置の静電チャックの吸着保持面との間の摩擦力（静摩擦係数）を大きくすることができる。そのため、パターン転写の際の反射型マスク２００の位置ずれを抑制することができる。
　上述のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ法）による分析は、以下のように行うことができる。
　導電膜４２に対するＸ線光電子分光法（ＸＰＳ法）での分析では、表面分析及び内部分析の２種類の分析を行うことができる。表面分析では、導電膜付き基板４０（導電膜４２）の表面に向かってＸ線源からＸ線を照射して、導電膜４２の最表層４６から放出される光電子のエネルギー分布を測定することができる。内部分析では、Ａｒガススパッタリングで導電膜４２を導電層４４が分析可能な程度まで（例えば１０ｎｍ程度）掘り込み、掘り込んだ領域の導電膜４２（導電層４４）の表面に対してＸ線を照射して導電膜４２の導電層４４から放出される光電子のエネルギー分布を測定することができる。内部分析のための掘り込み深さは、最表層４６の膜厚に応じて決めることができる。例えば、最表層４６の膜厚が２０ｎｍの場合には、内部分析の掘り込みは３０ｎｍ程度とすることができる。Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）での分析のための測定は、下記の測定条件で行うことが好ましい。
（ＸＰＳ法の測定条件）
　Ｘ線源：ＡｌＫα線（１４８６．６ｅＶ）
　光電子の検出領域：直径２００μｍ
　光電子の結合エネルギーの測定範囲：１８０ｅＶから２０５ｅＶ
　光電子の検出の取り出し角度：４５度（検出深さが約４～５ｎｍ）
　測定の際のステップサイズ：０．２５ｅＶ
　上述のＸＰＳ法の測定条件では、検出深さが約４～５ｎｍなので、表面分析では、ＸＰＳ法で分析される光電子は、ほとんどが最表層４６から放出される光電子であると考えられる。したがって、表面分析により得られる情報は、最表層４６の情報であると考えることができる。また、Ａｒガススパッタリングで導電膜４２を例えば１０ｎｍ程度掘り込む内部分析では、ＸＰＳ法で分析される光電子は、ほとんどが導電層４４から放出される光電子であると考えられる。したがって、内部分析により得られる情報は、導電層４４の情報であると考えることができる。
　本明細書において、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）で分析して得られるピークとは、上述のようにして測定した光電子の結合エネルギーのスペクトル（所定の範囲の結合エネルギーに対する信号強度）を図示したときのピークであって、測定されたスペクトルからバックグラウンドを差し引いた時のピークの信号強度が、ピーク付近のバックグラウンドのノイズの大きさ（ノイズの信号強度の振動の幅）と比べて２倍以上であるものとすることができる。ピークの結合エネルギーは、測定されたスペクトルからバックグラウンドを差し引いた時のピークの最大値を示す結合エネルギーとすることができる。また、公知のカーブフィッテイングの手法を用いて、ピークの信号強度及び結合エネルギーを決定することができる。
　静電チャックが適性に動作するために、導電膜４２のシート抵抗は好ましくは２００Ω／□（square）以下、より好ましくは１００Ω／□以下、更に好ましくは７５Ω／□以下、特に好ましくは５０Ω／□以下であることができる。シート抵抗は、導電膜４２（特に導電層４４）の組成及び膜厚を調整することにより、適切なシート抵抗の導電膜４２を得ることができる。
　導電膜４２の膜厚は、上述のシート抵抗を得ることができる範囲で、適宜、制御することができる。導電膜４２の膜厚は、１０ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましい。また、表面粗さを小さくするという観点から、導電膜４２の膜厚は、２１０ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。
　導電膜４２（導電層４４及び最表層４６）の形成方法は、導電膜４２の材料である金属を含有するスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜することが好ましい。具体的には、導電膜４２を形成するための基板１０の被成膜面を上方に向けて、基板１０を水平面上で回転させることが好ましい。また、基板１０の中心軸と、スパッタリングターゲットの中心を通り基板１０の中心軸とは平行な直線とがずれた位置に基板１０を配置することが好ましい。また、被成膜面に対して所定の角度傾斜して対向したスパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって導電膜４２（導電層４４及び最表層４６）を成膜することが好ましい。所定の角度は、スパッタリングターゲットの傾斜角度が５度以上３０度以下の角度であることが好ましい。またスパッタリング成膜中のガス圧は、０．０３Ｐａ以上０．５Ｐａ以下であることが好ましい。このような方法によって導電膜４２を成膜することにより、所望の導電膜４２（導電層４４及び最表層４６）を得ることができる。
　スパッタリング成膜に用いるガスとして希ガスを用いる場合には、アルゴン（Ａｒ）よりも原子量が大きいクリプトン（Ｋｒ）及びキセノン（Ｘｅ）を用いることにより、導電膜４２の表面の真実接触面積を大きくすることができ、この結果、導電膜４２の静摩擦係数を大きくすることができると考えられる。これにより、導電膜４２の表面と、露光装置の静電チャックの吸着保持面との間の摩擦力（静摩擦係数）を大きくすることができ、パターン転写の際の反射型マスク２００の位置ずれを抑制することができる。
＜＜その他の薄膜＞＞
　本実施形態の導電膜付き基板４０の導電膜４２は、導電層４４及び最表層４６以外の層（薄膜）を含むことができる。
　本実施形態の導電膜付き基板４０、多層反射膜付き基板２０及び反射型マスクブランク１００は、基板１０であるガラス基板と、導電層４４との間に、基板１０（ガラス基板）から導電層４４へ水素が侵入することを抑制するための中間層としての水素侵入抑制膜を備えることが好ましい。水素侵入抑制膜の存在により、導電層４４中に水素が取り込まれることを抑制でき、導電層４４の圧縮応力の増大を抑制することができる。
　水素侵入抑制膜の材料は、水素が透過しにくく、基板１０（ガラス基板）から導電膜４２への水素の侵入を抑制することができる材料であればどのような種類であってもよい。水素侵入抑制膜は、上述の最表層４６と同じ特性を有する薄膜であることができる。すなわち、水素侵入抑制膜は、最表層４６と同様に、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有する膜とすることができる。また、水素侵入抑制膜は、最表層４６と同じ材料及び／又は同じ組成を有する薄膜であることができる。
　導電膜４２への水素の侵入を確実に抑制するために、水素侵入抑制膜の材料は、タンタル及び酸素を含有する材料であることが好ましい。水素侵入抑制膜の材料として好ましい材料は、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢＯ及びＴａＢＯＮを挙げることができる。水素侵入抑制膜の材料は、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢＯ及びＴａＢＯＮから選択される材料であって、酸素含有量が５０原子％以上の材料であることがより好ましい。水素侵入抑制膜は、これらの材料の単層であることができ、また、複数層からなる膜又は組成傾斜膜であってもよい。
　水素侵入抑制膜の厚さは、１ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上、更には１０ｎｍ以上であるとより好ましい。水素侵入抑制膜の厚さが１ｎｍ未満の場合には、水素侵入抑制膜が薄すぎて水素侵入を阻止する効果が期待できない。また、水素侵入抑制膜の厚さが１ｎｍ未満の場合には、スパッタリング法であっても基板１０（ガラス基板）の主表面上にほぼ均一な膜厚で、ほぼ均一な膜組成のものを形成することは容易ではない。
　導電膜４２が基板１０（ガラス基板）に接触しないように、基板１０（ガラス基板）の主表面における導電膜４２の形成領域と同じか、又は導電膜４２の形成領域よりも広い領域に水素侵入抑制膜が形成されていることが好ましい。
［多層反射膜付き基板２０］
　次に、本実施形態の多層反射膜付き基板２０について説明する。図２及び図３に、多層反射膜付き基板２０の例の断面模式図を示す。図２及び図３に示す多層反射膜付き基板２０の第２主表面（裏面）には、上述の導電膜４２が配置される。導電膜４２を有する多層反射膜付き基板２０は、本実施形態の導電膜付き基板４０の一種である。
＜多層反射膜２１＞
　実施形態の多層反射膜付き基板２０は、基板１０の第１主表面の上に多層反射膜２１が配置される。多層反射膜２１は、反射型マスク２００において、ＥＵＶ光を反射する機能を付与するものである。多層反射膜２１は、屈折率の異なる元素を主成分とする各層が周期的に積層された多層膜である。
　一般的には、多層反射膜２１として、高屈折率材料である軽元素又はその化合物の薄膜（高屈折率層）と、低屈折率材料である重元素又はその化合物の薄膜（低屈折率層）とが交互に４０から６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
　多層反射膜２１として用いられる多層膜は、基板１０側から高屈折率層と低屈折率層をこの順に積層した高屈折率層／低屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層した構造であることができる。また、多層膜は、基板１０側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に積層した低屈折率層／高屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層した構造であることができる。なお、多層反射膜２１の最表面の層、すなわち、基板１０側と反対側の多層反射膜２１の最上層は、高屈折率層であることが好ましい。上述の多層膜において、基板１０側から高屈折率層と低屈折率層をこの順に積層した高屈折率層／低屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層する場合は、最上層が低屈折率層となる。この場合、低屈折率層が多層反射膜２１の最表面を構成すると容易に酸化されてしまい反射型マスク２００の反射率が減少する。そのため、最上層の低屈折率層上に高屈折率層を更に形成して多層反射膜２１とすることが好ましい。一方、上述の多層膜において、基板１０側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に積層した低屈折率層／高屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層する場合は、最上層が高屈折率層となる。したがって、この場合には、更なる高屈折率層を形成する必要はない。
　高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）を含む層を用いることができる。Ｓｉを含む材料としては、Ｓｉ単体の他に、Ｓｉと、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）及び／又は水素（Ｈ）とを含むＳｉ化合物を用いることができる。Ｓｉを含む高屈折率層を用いることによって、ＥＵＶ光の反射率に優れた反射型マスク２００が得られる。また、低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及び白金（Ｐｔ）から選ばれる金属単体、又はこれらの合金を用いることができる。また、これらの金属単体又は合金に、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）及び／又は水素（Ｈ）を添加してしてもよい。本実施形態の多層反射膜付き基板２０においては、低屈折率層がモリブデン（Ｍｏ）層であり、高屈折率層がケイ素（Ｓｉ）層であることが好ましい。例えば波長１３ｎｍから１４ｎｍ（例えば波長１３.５ｎｍ）のＥＵＶ光を反射するための多層反射膜２１としては、Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に４０から６０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜を好ましく用いることができる。また、本実施形態の多層反射膜付き基板２０においては、低屈折率層がルテニウム（Ｒｕ）層であり、高屈折率層がケイ素（Ｓｉ）層であることが好ましい。例えば波長１３ｎｍから１４ｎｍ（例えば波長１３.５ｎｍ）のＥＵＶ光を反射するための多層反射膜２１としては、Ｒｕ層とＳｉ層とを交互に３０から４０周期程度積層したＲｕ／Ｓｉ周期積層膜を好ましく用いることができる。
　多層反射膜２１の単独での反射率は通常６５％以上であり、上限は通常７３％である。なお、多層反射膜２１の各構成層の膜厚及び周期は、露光波長により適宜選択することができる。具体的には、多層反射膜２１の各構成層の膜厚及び周期は、ブラッグ反射の法則を満たすように選択することができる。多層反射膜２１において、高屈折率層及び低屈折率層はそれぞれ複数存在するが、高屈折率層同士の膜厚、又は低屈折率層同士の膜厚は、必ずしも同じでなくても良い。
　多層反射膜２１の形成方法は当該技術分野において公知である。多層反射膜２１は、例えばイオンビームスパッタリング法又はマグネトロンスパッタリング法により、各層を成膜することにより形成できる。上述したＭｏ／Ｓｉ周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタリング法により、まずＳｉターゲットを用いて厚さ４ｎｍ程度のＳｉ膜を基板１０の上に成膜し、その後Ｍｏターゲットを用いて厚さ３ｎｍ程度のＭｏ膜を成膜し、これを１周期として、４０～６０周期積層して、多層反射膜２１を形成する（最表面の最上層はＳｉ膜とする）。なお、６０周期とした場合、４０周期より工程数は増えるが、ＥＵＶ光に対する反射率を高めることができる。
＜保護膜２２＞
　本実施形態の多層反射膜付き基板２０（導電膜付き基板４０）は、多層反射膜２１の表面のうち、基板１０とは反対側の表面に接して配置される保護膜２２を更に含むことが好ましい。
　上述のように形成された多層反射膜２１の上に、反射型マスク２００の製造工程におけるドライエッチングやウェット洗浄からの多層反射膜２１の保護のため、保護膜２２（図３を参照）を形成することができる。このように、基板１０上に、多層反射膜２１と、保護膜２２とを有する形態も、本実施形態の多層反射膜付き基板２０（導電膜付き基板４０）とすることができる。
　本実施形態の多層反射膜付き基板２０において、多層反射膜２１上に保護膜２２が形成されていることにより、多層反射膜付き基板２０を用いて反射型マスク２００（ＥＵＶマスク）を製造する際の多層反射膜２１表面へのダメージを抑制することができる。そのため、得られる反射型マスク２００のＥＵＶ光に対する反射率特性が良好となる。
　なお、上記保護膜２２の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｕ－（Ｎｂ，Ｒｈ，Ｚｒ，Ｙ，Ｂ，Ｔｉ，Ｌａ，Ｍｏ）、Ｓｉ－（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｂ）、又はＳｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｂ等の材料を使用することができる。これらのうち、ルテニウム（Ｒｕ）を含む材料を適用すると、多層反射膜２１の反射率特性がより良好となる。具体的には、保護膜２２の材料は、Ｒｕ、又はＲｕ－（Ｎｂ，Ｒｈ，Ｚｒ，Ｙ，Ｂ，Ｔｉ，Ｌａ，Ｍｏ）であることが好ましい。このような保護膜２２は、特に、吸収体膜２４をＴａ系材料とし、Ｃｌ系ガスのドライエッチングで当該吸収体膜２４をパターニングする場合に有効である。
　また、本実施形態の多層反射膜付き基板２０（導電膜付き基板４０）では、基板１０と多層反射膜２１との間に下地層を形成しても良い。下地層は、基板１０の主表面の平滑性向上の目的、欠陥低減の目的、多層反射膜２１の反射率増強効果の目的、並びに多層反射膜２１の応力補正の目的で形成することができる。
［反射型マスクブランク１００］
　次に、本実施形態の反射型マスクブランク１００について説明する。図４は、本実施形態の反射型マスクブランク１００の一例を示す断面模式図である。本実施形態の反射型マスクブランク１００は、上述の多層反射膜付き基板２０の多層反射膜２１の上又は保護膜２２の上に、吸収体膜２４を形成した構造を有する。図４に示す反射型マスクブランク１００の基板１０の第２主表面（裏面）には、上述の導電膜４２が配置される。
＜吸収体膜２４＞
　本実施形態の反射型マスクブランク１００の吸収体膜２４は、保護膜２２の上に形成される。吸収体膜２４の基本的な機能は、ＥＵＶ光を吸収することである。吸収体膜２４は、ＥＵＶ光の吸収を目的とした吸収体膜２４であっても良いし、ＥＵＶ光の位相差も考慮した位相シフト機能を有する吸収体膜２４であっても良い。位相シフト機能を有する吸収体膜２４とは、ＥＵＶ光を吸収するとともに一部を反射させて位相をシフトさせるものである。すなわち、位相シフト機能を有する吸収体膜２４がパターニングされた反射型マスク２００において、吸収体膜２４が形成されている部分では、ＥＵＶ光を吸収して減光しつつパターン転写に悪影響がないレベルで一部の光を反射させる。また、吸収体膜２４が形成されていない領域（フィールド部）では、ＥＵＶ光は、保護膜２２を介して多層反射膜２１から反射する。そのため、位相シフト機能を有する吸収体膜２４からの反射光と、フィールド部からの反射光との間に所望の位相差を有することになる。位相シフト機能を有する吸収体膜２４は、吸収体膜２４からの反射光と、多層反射膜２１からの反射光との位相差が１７０度から２６０度となるように形成される。反転した位相差の光同士がパターンエッジ部で干渉し合うことにより、投影光学像の像コントラストが向上する。その像コントラストの向上に伴って解像度が上がり、露光量裕度、及び焦点裕度等の露光に関する各種裕度を大きくすることができる。
　吸収体膜２４は単層の薄膜（単層膜）であっても良いし、複数の膜（例えば、下層吸収体膜及び上層吸収体膜）からなる多層膜であっても良い。単層膜の場合は、マスクブランク製造時の工程数を削減できて生産効率が上がるという特徴がある。多層膜の場合には、上層吸収体膜が、光を用いたマスクパターン欠陥検査時の反射防止膜になるように、その光学定数と膜厚を適当に設定することができる。このことにより、光を用いたマスクパターン欠陥検査時の検査感度が向上する。また、上層吸収体膜に酸化耐性が向上する酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）等が添加された薄膜を用いると、経時安定性が向上する。このように、吸収体膜２４を多層膜にすることによって様々な機能を付加させることが可能となる。吸収体膜２４が位相シフト機能を有する吸収体膜２４の場合には、多層膜にすることによって光学面での調整の範囲を大きくすることができるので、所望の反射率を得ることが容易になる。
　吸収体膜２４の材料としては、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、エッチング等により加工が可能（好ましくは塩素（Ｃｌ）系ガス及び／又はフッ素（Ｆ）系ガスのドライエッチングでエッチング可能）であり、保護膜２２に対してエッチング選択比が高い材料である限り、特に限定されない。そのような機能を有するものとして、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、テルル（Ｔｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びケイ素（Ｓｉ）から選ばれる少なくとも１つの金属、２以上の金属を含む合金又はこれらの化合物を好ましく用いることができる。化合物は、上記金属又は合金に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び／又はホウ素（Ｂ）を更に含んでもよい。
　吸収体膜２４は、ＤＣスパッタリング法及びＲＦスパッタリング法などのマグネトロンスパッタリング法で形成することができる。例えば、タンタル化合物等の吸収体膜２４の場合は、タンタル及びホウ素を含むターゲットを用い、酸素又は窒素を添加したアルゴンガスを用いた反応性スパッタリング法により、吸収体膜２４を成膜することができる。
　また、平滑性及び平坦性の点から、吸収体膜２４の結晶状態は、アモルファス状又は微結晶の構造であることが好ましい。吸収体膜２４の表面が平滑・平坦でないと、吸収体パターン２４ａのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなることがある。吸収体膜２４の好ましい表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）で、０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは０．４ｎｍ以下、更に好ましくは０．３ｎｍ以下である。
＜エッチングマスク膜２５＞
　図５は、本実施形態の反射型マスクブランク１００の別の一例を示す断面模式図である。図５に示す反射型マスクブランク１００は、吸収体膜２４の上に、エッチングマスク膜２５を有することができる。エッチングマスク膜２５の材料としては、エッチングマスク膜２５に対する吸収体膜２４のエッチング選択比（吸収体膜２４のエッチング速度／エッチングマスク膜２５のエッチング速度）が高い材料を用いることが好ましい。エッチングマスク膜２５に対する吸収体膜２４のエッチング選択比は、１．５以上が好ましく、３以上が更に好ましい。
　本実施形態の反射型マスクブランク１００は、吸収体膜２４の上に、エッチングマスク膜２５を有することが好ましい。
　エッチングマスク膜２５の材料としては、クロム又はクロム化合物を使用することが好ましい。クロム化合物の例としては、Ｃｒと、Ｎ、Ｏ、Ｃ及びＨから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料が挙げられる。エッチングマスク膜２５は、ＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣ、ＣｒＣＮ又はＣｒＯＣＮを含むことがより好ましく、クロム及び酸素を含むＣｒＯ系膜（ＣｒＯ膜、ＣｒＯＮ膜、ＣｒＯＣ膜又はＣｒＯＣＮ膜）であることが更に好ましい。
　エッチングマスク膜２５の材料としては、タンタル又はタンタル化合物を使用することが好ましい。タンタル化合物の例として、Ｔａと、Ｎ、Ｏ、Ｂ及びＨから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料が挙げられる。エッチングマスク膜２５は、ＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ又はＴａＢＯＮを含むことがより好ましい。
　エッチングマスク膜２５の材料としては、ケイ素又はケイ素化合物を使用することが好ましい。ケイ素化合物の例として、Ｓｉと、Ｎ、Ｏ、Ｃ及びＨから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料、並びにケイ素及びケイ素化合物に金属を含む金属ケイ素（金属シリサイド）、及び金属ケイ素化合物（金属シリサイド化合物）などが挙げられる。金属ケイ素化合物の例としては、金属と、Ｓｉと、Ｎ、Ｏ、Ｃ及びＨから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料が挙げられる。
　エッチングマスク膜２５の膜厚は、パターンを精度よく吸収体膜２４に形成するために、３ｎｍ以上であることが好ましい。また、エッチングマスク膜２５の膜厚は、レジスト膜３２の膜厚を薄くするために、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
［反射型マスク２００］
　図６（Ｄ）に示すように、本実施形態の反射型マスク２００は、上述の反射型マスクブランク１００の吸収体膜２４をパターニングした吸収体パターン２４ａを備える。図６（Ｄ）に示す反射型マスク２００は、基板１０の第２主表面（裏面）に、上述の導電膜４２を有する。
　図６（Ａ）から図６（Ｄ）は、反射型マスク２００の製造方法の一例を示す断面模式図である。上述の本実施形態の反射型マスクブランク１００を使用して、本実施形態の反射型マスク２００を製造することができる。以下、反射型マスク２００の製造方法の例について説明する。
　まず、基板１０と、基板１０の上に形成された多層反射膜２１と、多層反射膜２１の上に形成された保護膜２２と、保護膜２２の上に形成された吸収体膜２４とを有する反射型マスクブランク１００を準備する。次に、吸収体膜２４の上に、レジスト膜３２を形成して、レジスト膜３２付きの反射型マスクブランク１００を得る（図６（Ａ））。レジスト膜３２に、電子線描画装置によってパターンを描画し、更に現像・リンス工程を経ることによって、レジストパターン３２ａを形成する（図６（Ｂ））。
　レジストパターン３２ａをマスクとして、吸収体膜２４をドライエッチングする。これにより、吸収体膜２４のレジストパターン３２ａによって被覆されていない部分がエッチングされ、吸収体パターン２４ａが形成される（図６（Ｃ））。
　吸収体膜２４のエッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガス及び／又は塩素系ガスを用いることができる。フッ素系ガスとしては、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ３Ｆ８、ＳＦ６、及びＦ２等を用いることができる。塩素系ガスとしては、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＣｌ４、及びＢＣｌ３等を用いることができる。また、フッ素系ガス及び／又は塩素系ガスと、Ｏ２とを所定の割合で含む混合ガスを用いることができる。これらのエッチングガスは、必要に応じて、更に、Ｈｅ及び／又はＡｒなどの不活性ガスを含むことができる。
　吸収体パターン２４ａが形成された後、レジスト剥離液によりレジストパターン３２ａを除去する。レジストパターン３２ａを除去した後、酸性やアルカリ性の水溶液を用いたウェット洗浄工程を経ることによって、本実施形態の反射型マスク２００を得ることができる（図６（Ｄ））。
　なお、吸収体膜２４の上にエッチングマスク膜２５が形成された反射型マスクブランク１００を用いた場合には、レジストパターン３２ａをマスクとして用いてエッチングマスク膜２５にパターン（エッチングマスクパターン）を形成した後、エッチングマスクパターンをマスクとして用いて吸収体膜２４にパターンを形成する工程が追加される。
　このようにして得られた反射型マスク２００は、基板１０の上に、多層反射膜２１、保護膜２２、及び吸収体パターン２４ａが積層された構造を有している。
　保護膜２２に覆われた多層反射膜２１が露出している領域（反射領域）は、ＥＵＶ光を反射する機能を有している。多層反射膜２１及び保護膜２２が吸収体パターン２４ａによって覆われている領域は、ＥＵＶ光を吸収する機能を有している。本実施形態の反射型マスク２００を用いることにより、ＥＵＶ光に対する高い反射率の反射領域を得ることができるので、ＥＵＶリソグラフィにおいて、より微細なパターンを被転写体に転写することができる。
　本実施形態の反射型マスク２００は、基板１０の第２主表面（裏面）に、上述の導電膜４２を有する。本実施形態の反射型マスク２００が所定の導電膜４２を有することにより、ＥＵＶ露光環境において、反射型マスク２００の外部に存在する水素が反射型マスク２００の導電膜４２に取り込まれることを抑制することができる。そのため、本実施形態の反射型マスク２００は、平坦度の変化を抑制することができる。また、本実施形態の反射型マスク２００を用いることにより、反射型マスク２００の作製後に時間の経過とともに反射型マスク２００のパターンの位置ずれが生じることを抑制することができる。
［半導体装置の製造方法］
　本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の反射型マスク２００を用いて、露光装置を使用したリソグラフィプロセスを行い、被転写体に転写パターンを形成する工程を有する。
　本実施形態の反射型マスク２００を使用したリソグラフィにより、半導体基板６０（被転写体）上に転写パターンを形成することができる。この転写パターンは、反射型マスク２００のパターンが転写された形状を有している。半導体基板６０上に反射型マスク２００によって転写パターンを形成することによって、半導体装置を製造することができる。
　本実施形態によれば、パターンの位置ずれが生じることを抑制することができる反射型マスク２００を用いて、半導体装置を製造することができる。そのため、本実施形態の反射型マスク２００を用いることにより、半導体装置を、高密度化、高精度化することができる。
　図７を用いて、レジスト付き半導体基板６０にＥＵＶ光によってパターンを転写する方法について説明する。
　図７は、半導体基板６０上に形成されているレジスト膜に転写パターンを転写するための装置であるＥＵＶ露光装置５０の概略構成を示している。ＥＵＶ露光装置５０は、ＥＵＶ光生成部５１、照射光学系５６、レチクルステージ５８、投影光学系５７及びウェハステージ５９が、ＥＵＶ光の光路軸に沿って精密に配置されている。ＥＵＶ露光装置５０の容器内には、水素ガスが充填されている。
　ＥＵＶ光生成部５１は、レーザ光源５２、スズ液滴生成部５３、捕捉部５４、及びコレクタ５５を有している。スズ液滴生成部５３から放出されたスズ液滴に、レーザ光源５２からのハイパワーの炭酸ガスレーザが照射されると、液滴状態のスズがプラズマ化しＥＵＶ光が生成される。生成されたＥＵＶ光は、コレクタ５５で集光され、照射光学系５６を経てレチクルステージ５８に設定された反射型マスク２００に入射される。ＥＵＶ光生成部５１は、例えば、１３．５３ｎｍ波長のＥＵＶ光を生成する。
　反射型マスク２００で反射されたＥＵＶ光は、投影光学系５７により通常１／４程度にパターン像光に縮小されて半導体基板６０（被転写基板）上に投影される。これにより、半導体基板６０上のレジスト膜に所与の回路パターンが転写される。露光されたレジスト膜を現像することによって、半導体基板６０上にレジストパターンを形成することができる。レジストパターンをマスクとして半導体基板６０をエッチングすることにより、半導体基板６０上に集積回路パターンを形成することができる。このような工程及びその他の必要な工程を経ることで、半導体装置が製造される。
　本実施形態の導電膜付き基板４０を用いて製造された反射型マスク２００を用いることにより、ＥＵＶ露光環境において、反射型マスク２００の外部に存在する水素が反射型マスク２００の導電膜４２に取り込まれることを抑制することができる。そのため、反射型マスク２００の平坦度の変化を抑制することができる。そのため、本実施形態の導電膜付き基板４０を用いて製造した反射型マスク２００を用いることにより、高精度の半導体装置を製造方法することができる。
　以下、本実施形態の導電膜付き基板４０、多層反射膜付き基板２０、反射型マスクブランク１００及び反射型マスク２００を製造した例を実施例として説明する。
　まず、ＥＵＶ露光用の基板１０の第２主表面（裏面）に、導電膜４２を以下に述べるように成膜して、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜付き基板４０を製造した。
＜基板１０の作製＞
　実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜付き基板４０の製造に用いる基板１０は、次のようにして製造した。
　第１主表面及び第２主表面の両主表面が研磨された６０２５サイズ（約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）の低熱膨張ガラス基板であるＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス基板を準備した。基板１０として、平坦で平滑な主表面となるように、粗研磨工程、精密研磨工程、局所加工工程、及びタッチ研磨工程よりなる研磨を行った。
＜導電膜４２の作製＞
　上述した実施例１及び２、並びに比較例１及び２の基板１０の第２主表面に、次のようにして、導電膜４２（導電層４４及び最表層４６）を形成した。
　まず、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜４２の導電層４４を成膜した。導電層４４の成膜は、ＴａＢターゲットを基板１０の裏面（第２主表面）に対向させ、Ｘｅガス雰囲気中でスパッタリング（又は反応性スパッタリング）を行った。導電層４４の成膜時間を調節することにより、導電層４４の膜厚を表１に示す膜厚とした。Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）により後述の測定条件で分析した導電層４４の組成比は、実施例１及び２、並びに比較例１及び２のいずれもＴａ：Ｂ＝８０：２０であった。
　次に、実施例１及び２、並びに比較例２の導電膜４２の最表層４６を成膜した。最表層４６の成膜は、表２に示すターゲットを基板１０の裏面（第２主表面）に対向させ、スパッタリング（又は反応性スパッタリング）を行った。最表層４６の成膜時間を調節することにより、最表層４６の膜厚を表１に示す膜厚とした。Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）により後述の測定条件で分析した最表層４６の組成比（原子％）は、表２に示す通りであった。
　なお、比較例１の導電膜４２では、導電層４４のみを成膜し、最表層４６を成膜しなかった。しかしながら、比較例１の導電層４４の表面には、自然酸化膜が形成されているものと考えられる。本明細書では、比較例１の導電層４４の表面の自然酸化膜を、最表層４６に相当する薄膜とする。
　このようにして、図１に示す構造の導電膜付き基板４０を作製した。
＜Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）の測定＞
　実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜付き基板４０の導電膜４２を、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）により分析した。具体的には、ＸＰＳ法により、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜付き基板４０の導電膜４２に照射したＸ線により励起され外部に放出された光電子の１８０ｅＶから２０５ｅＶの範囲のエネルギー（結合エネルギー）を測定することにより、光電子のエネルギー分布（Ｂ１ｓのナロースペクトル）を得た。
　導電膜４２に対するＸ線光電子分光法（ＸＰＳ法）での分析では、表面分析及び内部分析の２種類の分析を行った。表面分析では、導電膜付き基板４０の導電膜４２の表面に向かってＸ線源からＸ線を照射して、導電膜４２の最表層４６から放出される光電子のエネルギー分布を測定した。内部分析では、Ａｒガススパッタリングで導電膜４２を１０ｎｍ程度掘り込み、掘り込んだ領域の導電膜４２の表面（最表層４６）に対してＸ線を照射して導電膜４２から放出される光電子のエネルギー分布を測定することで、導電膜４２の導電層４４の分析を行った。Ｘ線光電子分光法での分析の測定条件は、下記の通りである。
　Ｘ線源：ＡｌＫα線（１４８６．６ｅＶ）
　光電子の検出領域：直径２００μｍ
　光電子の結合エネルギーの測定範囲：１８０ｅＶから２０５ｅＶ
　光電子の検出の取り出し角度：４５度（検出深さが約４～５ｎｍ）
　測定の際のステップサイズ：０．２５ｅＶ
　ＸＰＳ法による検出深さは約４～５ｎｍである。したがって、上述のＸＰＳ法の表面分析では、最表層４６の情報を得ることができる。また、上述のＸＰＳ法の内部分析では、導電膜４２の情報を得ることができる。
　図８に、実施例１及び比較例１の導電膜付き基板４０の導電膜４２の、導電層４４及び最表層４６のＢ１ｓナロースペクトルを示す。図８の横軸は光電子の結合エネルギー（単位：ｅＶ）であり、縦軸は強度（信号カウント／秒）である。Ｂ１ｓナロースペクトルにおいて、Ｂ－Ｏ間の結合に相当するピークの結合エネルギーは、図８の左側の点線付近（約１９３ｅＶ）であり、Ｂ－Ｔａ間の結合に相当するピークの結合エネルギーは、図８の右側の点線付近（約１８８ｅＶ）である。
　図８に示すように、実施例１の最表層４６のＢ１ｓナロースペクトルでは、１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有し、１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーにはピークを有さない。これに対して、比較例１の最表層４６のＢ１ｓナロースペクトルでは、１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーで最大ピークを有する。比較例１の最表層４６のＢ１ｓナロースペクトルでは、１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーでピークを有するが、１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満のピークより強度は小さい。
　また、図８に示すように、実施例１及び比較例１の導電層４４のＢ１ｓナロースペクトルでは、１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーで最大ピークを有する。実施例２及び比較例２の導電層４４及び最表層４６についても同様のＸＰＳ法による分析を行った。表１に、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜付き基板４０の導電膜４２及び最表層４６のＢ１ｓナロースペクトルにおけるピークの様子を示す。
＜導電層４４の水素含有量＞
　実施例及び比較例の導電膜付き基板４０に対し露光機の環境を想定した水素曝露処理を行い、処理後の導電層４４中の水素含有量を二次イオン質量分析法（(Secondary Ion Mass Spectrometry：ＳＩＭＳ）を用いて測定した。上述のＸＰＳ法による内部分析と同様に、Ａｒガススパッタリングで導電膜４２を１０ｎｍ程度掘り込み、掘り込んだ領域の導電膜４２（導電層４４）に対してＳＩＭＳ法により水素含有量を測定した。表１の「導電層の水素含有量（原子％）」欄に、水素含有量の測定結果を示す。導電層４４の水素含有量が少ないほど、最表層４６による、水素が導電膜４２に取り込まれることの抑制効果が高いことを意味する。
　表１に示すように、実施例１及び２の導電層４４の水素含有量は、比較例１及び２の導電層４４の水素含有量より少なかった。したがって、実施例１及び２の最表層４６による、水素が導電膜４２に取り込まれることの抑制効果が高いといえる。
＜導電膜４２のシート抵抗＞
　実施例及び比較例の導電膜付き基板４０の導電膜４２（導電層４４及び最表層４６）のシート抵抗は、４端子測定法によって、最表層４６の表面に電極を接触させて測定した。表１にシート抵抗の測定結果を示す。
＜多層反射膜付き基板２０の作製＞
　次に、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の多層反射膜付き基板２０を作製した。基板１０として、上述の実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜付き基板４０の製造に用いた基板１０と同じものを用いた。基板１０の第１主表面に、多層反射膜２１を形成した。
　実施例及び比較例の多層反射膜付き基板２０の多層反射膜２１の成膜は次のようにして行った。すなわち、Ｍｏターゲット及びＳｉターゲットを使用して、イオンビームスパッタリング法によりＭｏ層（低屈折率層、厚み２．８ｎｍ）及びＳｉ層（高屈折率層、厚み４．２ｎｍ）を交互積層し（積層数４０ペア）、多層反射膜２１を上述の基板１０上に形成した。
　多層反射膜２１の成膜後、更に連続して多層反射膜２１上にイオンビームスパッタリング法によりＲｕを材料とする保護膜２２（膜厚２．５nm）を成膜して多層反射膜付き基板２０とした。
　次に、多層反射膜付き基板２０の多層反射膜２１を形成していない裏面に、上述の実施例１及び２、並びに比較例１及び２の導電膜付き基板４０の場合と同じ導電膜４２を形成した。
　以上のようにして、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の多層反射膜付き基板２０を製造した。
＜反射型マスクブランク１００の作製＞
　上述の実施例及び比較例の多層反射膜付き基板２０の保護膜２２の上に、吸収体膜２４として膜厚５５ｎｍのＴａＢＮ膜を、マグネトロンスパッタリング（反応性スパッタリング）法により形成した。吸収体膜２４の組成は、Ｔａ：Ｂ：Ｎ＝７５：１２：１３（原子比）であり、膜厚は５５ｎｍであった。
　以上のようにして、実施例及び比較例の反射型マスクブランク１００を製造した。
＜反射型マスク２００＞
　次に、実施例及び比較例の反射型マスクブランク１００を用いて、実施例及び比較例の反射型マスク２００を製造した。図６を参照して反射型マスク２００の製造を説明する。
　まず、図６（Ａ）に示すように、反射型マスクブランク１００の吸収体膜２４の上に、レジスト膜３２を形成した。そして、このレジスト膜３２に回路パターン等の所望のパターンを描画（露光）し、更に現像、リンスすることによって所定のレジストパターン３２ａを形成した（図６（Ｂ））。次に、レジストパターン３２ａをマスクにして吸収体膜２４（ＴａＢＮ膜）を、Ｃｌ２ガスを用いてドライエッチングすることで、吸収体パターン２４ａを形成した（図６（Ｃ））。その後、レジストパターン３２ａを除去した（図６（Ｄ））。
　最後に純水（ＤＩＷ）を用いたウェット洗浄を行って、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の反射型マスク２００を製造した。
＜半導体装置の製造＞
　実施例１及び２、並びに比較例１及び２の反射型マスク２００をＥＵＶスキャナにセットし、被転写体である半導体基板６０の上に被加工膜とレジスト膜が形成されたウェハに対して水素雰囲気中でＥＵＶ露光を行った。そして、この露光済レジスト膜を現像することによって、被加工膜が形成された半導体基板６０の上にレジストパターンを形成した。
　実施例１及び２の反射型マスク２００は、導電膜４２が、所定の最表層４６を含むため、導電層４４への水素の拡散が抑制されたと考えられる。そのため、実施例１及び２の反射型マスク２００を用いることにより、半導体基板６０（被転写基板）の上に微細かつ高精度の転写パターン（レジストパターン）を形成することができた。一方、比較例１及び２の反射型マスク２００の導電膜４２の最表層４６は、所定の最表層４６ではない。そのため、比較例１及び２の反射型マスク２００の場合には、導電層４４への水素の拡散は抑制されず、平坦度を維持することできないという問題が生じた。そのため、比較例１及び２の反射型マスク２００を用いた場合には、実施例１及び２の場合と比較して、半導体基板６０（被転写基板）の上に微細かつ高精度の転写パターン（レジストパターン）を形成することができなかった。
　実施例１及び２の反射型マスク２００を用いて半導体装置を製造した場合には、レジストパターンをエッチングにより被加工膜に転写し、また、絶縁膜、導電膜の形成、ドーパントの導入、あるいはアニールなど種々の工程を経ることで、所望の特性を有する半導体装置を高い歩留まりで製造することができた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　１０　基板
　２０　多層反射膜付き基板
　２１　多層反射膜
　２２　保護膜
　２４　吸収体膜
　２４ａ　吸収体パターン
　２５　エッチングマスク膜
　３２　レジスト膜
　３２ａ　レジストパターン
　４０　導電膜付き基板
　４２　導電膜
　４４　導電層
　４６　最表層
　５０　ＥＵＶ露光装置
　５１　ＥＵＶ光生成部
　５２　レーザ光源
　５３　スズ液滴生成部
　５４　捕捉部
　５５　コレクタ
　５６　照射光学系
　５７　投影光学系
　５８　レチクルステージ
　５９　ウェハステージ
　６０　半導体基板
　１００　反射型マスクブランク
　２００　反射型マスク

Claims (22)

  1. 　二つの主表面を有する基板と、
    　前記基板の一方の前記主表面の上に配置される導電膜と
    を含む導電膜付き基板であって、
    　前記導電膜は、前記導電膜の前記基板とは反対側の最表面に配置される最表層と、前記最表層と前記基板との間に配置される導電層とを含み、
    　前記最表層は、金属（Ｍ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）を含み、
    　前記最表層は、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする導電膜付き基板。
  2. 　前記最表層におけるＸ線光電子分光法の検出深さは、約４～５ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載の導電膜付き基板。
  3. 　前記最表層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーでピークを有さないことを特徴とする、請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
  4. 　前記最表層のホウ素（Ｂ）含有量は、０．５～２５原子％であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
  5. 　前記導電層は、前記金属（Ｍ）と、ホウ素（Ｂ）とを含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
  6. 　前記導電層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
  7. 　前記金属（Ｍ）は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＨｆから選択される少なくとも１つである、請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
  8. 　二つの主表面を有する基板と、
    　前記基板の一方の前記主表面の上に配置される導電膜と、
    　前記基板の他方の前記主表面の上に配置される多層反射膜と、
    　前記多層反射膜の上に配置される吸収体膜と
    を含む反射型マスクブランクであって、
    　前記導電膜は、前記導電膜の前記基板とは反対側の最表面に配置される最表層と、前記最表層と前記基板との間に配置される導電層とを含み、
    　前記最表層は、金属（Ｍ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）を含み、
    　前記最表層は、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランク。
  9. 　前記最表層におけるＸ線光電子分光法の検出深さは、約４～５ｎｍであることを特徴とする、請求項８に記載の反射型マスクブランク。
  10. 　前記最表層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーでピークを有さないことを特徴とする、請求項８又は９に記載の反射型マスクブランク。
  11. 　前記最表層のホウ素（Ｂ）含有量は、０．５～２５原子％であることを特徴とする、請求項８又は９に記載の反射型マスクブランク。
  12. 　前記導電層は、前記金属（Ｍ）と、ホウ素（Ｂ）とを含むことを特徴とする、請求項８又は９に記載の反射型マスクブランク。
  13. 　前記導電層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする、請求項８又は９に記載の反射型マスクブランク。
  14. 　前記金属（Ｍ）は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＨｆから選択される少なくとも１つである、請求項８又は９に記載の反射型マスクブランク。
  15. 　二つの主表面を有する基板と、
    　前記基板の一方の前記主表面の上に配置される導電膜と、
    　前記基板の他方の前記主表面の上に配置される多層反射膜と、
    　前記多層反射膜の上に配置される吸収体パターンと
    を含む反射型マスクであって、
    　前記導電膜は、前記導電膜の前記基板とは反対側の最表面に配置される最表層と、前記最表層と前記基板との間に配置される導電層とを含み、
    　前記最表層は、金属（Ｍ）、ホウ素（Ｂ）及び酸素（Ｏ）を含み、
    　前記最表層は、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１９０ｅＶ以上１９５ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスク。
  16. 　前記最表層におけるＸ線光電子分光法の検出深さは、約４～５ｎｍであることを特徴とする、請求項１５に記載の反射型マスク。
  17. 　前記最表層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーでピークを有さないことを特徴とする、請求項１５又は１６に記載の反射型マスク。
  18. 　前記最表層のホウ素（Ｂ）含有量は、０．５～２５原子％であることを特徴とする、請求項１５又は１６に記載の反射型マスク。
  19. 　前記導電層は、前記金属（Ｍ）と、ホウ素（Ｂ）とを含むことを特徴とする、請求項１５又は１６に記載の反射型マスク。
  20. 　前記導電層は、前記Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＢ１ｓのナロースペクトルが１８５ｅＶ以上１９０ｅＶ未満の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする、請求項１５又は１６に記載の反射型マスク。
  21. 　前記金属（Ｍ）は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＨｆから選択される少なくとも１つである、請求項１５又は１６に記載の反射型マスク。
  22. 　請求項１５又は１６に記載の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィプロセスを行い、被転写体の上に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2022069683A (ja) * 2015-06-17 2022-05-11 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法

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