WO2024010022A1 - 基板、電子装置、電子モジュールおよびモジュール装置 - Google Patents

基板、電子装置、電子モジュールおよびモジュール装置 Download PDF

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    • H10W40/778—Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate on which electronic elements are mounted.
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 there are known substrates on which electronic devices are mounted, which have improved thermal conductivity in order to quickly dissipate heat generated from the electronic devices. ing.
  • a substrate includes a first surface, a second surface located on the opposite side of the first surface, at least one first recess opened in the first surface, and an opening in the second surface.
  • FIG. 1 is a perspective view of a module device according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a top view of the module device.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2;
  • FIG. 2 is a top view of a substrate according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • 1 is a diagram of a substrate and an electronic device according to Embodiment 1 of the present disclosure, viewed from the Y-axis direction.
  • FIG. FIG. 3 is a top view of a substrate according to Embodiment 2 of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a diagram of a substrate and an electronic device according to Embodiment 2 of the present disclosure, viewed from the Y-axis direction.
  • FIG. 7 is a top view of a substrate according to Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a diagram of a substrate and an electronic device according to Embodiment 3 of the present disclosure, viewed from the Y-axis direction.
  • FIG. 7 is a top view of a substrate according to Embodiment 4 of the present disclosure.
  • 11 is a sectional view taken along the line XI-XI in FIG. 10.
  • FIG. 11 is a sectional view taken along the line XII-XII in FIG. 10;
  • FIG. 7 is a top view of a substrate according to Embodiment 5 of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a diagram of a substrate and an electronic device according to Embodiment 5 of the present disclosure, viewed from the Y-axis direction.
  • thermal conductivity can be improved.
  • FIG. 1 is a perspective view of a module device 1 in this embodiment.
  • FIG. 2 is a top view of the module device 1.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along the line III--III in FIG. 2.
  • the X-axis direction in FIG. This will be explained as a direction (vertical direction).
  • the +X-axis direction is rightward, the -X-axis direction is leftward, the +Y-axis direction is backward, the -Y-axis direction is forward, the +Z-axis direction is upward, and the -Z-axis direction is downward. It will be explained as follows.
  • the module device 1 includes an electronic module 10 and a housing 2 in which the electronic module 10 is mounted.
  • the housing 2 may be composed of, for example, a cooling plate. Thereby, the electronic module 10 can be cooled.
  • the number of electronic modules included in the module device 1 may be one, or two or more.
  • the electronic module 10 may be mounted on a module board (not shown) instead of the housing 2.
  • the electronic module 10 includes a case 11, a fixing member 12, and an electronic device 20.
  • the case 11 has a housing space 11a at the center in the second direction (left-right direction), and the electronic device 20 is housed inside the housing space 11a.
  • the case 11 is fixed to the housing 2 by a fixing member 12.
  • the fixing member 12 may be, for example, a screw.
  • the material of the case 11 may be metal.
  • the electronic device 20 includes an electronic element 21, a substrate 30A, a metal plate 22, and a heat sink 23 in this order from above.
  • the electronic device 21 in this embodiment is configured with a laser diode or the like that can emit laser, and the electronic device 20 irradiates the laser emitted from the electronic device 21 to the outside.
  • the substrate 30A is required to have high heat dissipation properties. Further, a part of the heat conducted to the heat sink 23 is conducted to the casing 2 made of a cooling plate via the case 11, and is radiated in the casing 2.
  • the board 30A is an electronic element mounting board on which the electronic element 21 is mounted.
  • the substrate 30A may be used to mount heat-generating components other than electronic elements.
  • FIG. 4 is a top view of the substrate 30A.
  • an electronic element mounting portion 41a and a recess 50, which will be described later, are shown with dotted lines, and the recess 50 formed in the second surface 42 is shown with hatching.
  • FIG. 5 is a diagram of the substrate 30A and the electronic element 21 viewed from the third direction (front-back direction). In FIG. 5, the recess 50 is indicated by a dotted line.
  • the substrate 30A includes a base body 40A, a metal member 51, a first conductive film layer 31, and a second conductive film layer 32.
  • the base 40A may consist of a single layer or multiple layers.
  • the base 40A in this embodiment is a single insulating layer as shown in FIG.
  • the base 40A has a first surface 41 on which the electronic element 21 is mounted, a second surface 42 located on the opposite side of the first surface, and a recess 50.
  • the recess 50 having an opening on the first surface 41 may be described as a first recess 50A, and the recess 50 having an opening on the second surface 42 as a second recess 50B.
  • the first surface 41 and the second surface 42 are opposed to each other.
  • the first surface 41 includes an electronic element mounting section 41a in which the electronic element 21 is mounted at the center in the second direction.
  • the shape of the base 40A when viewed from above is not particularly limited, and may be, for example, rectangular or circular.
  • the base body 40A in this embodiment has a rectangular shape when viewed from above.
  • the description of "flat” or “plane” does not require that it be strictly flat or strictly flat.
  • the base 40A may have insulating properties.
  • the material of the base 40A is, for example, a ceramic such as an aluminum nitride sintered body, an aluminum oxide sintered body (alumina ceramics), a silicon nitride sintered body, a mullite sintered body, or a glass ceramic sintered body. It may be.
  • the material of the base 40A is an aluminum nitride sintered body
  • the base 40A contains aluminum nitride as a main component.
  • the base 40A when the mass of the base 40A is 100% by mass, the base 40A contains 80% by mass or more of aluminum nitride.
  • the base body 40A may contain 95% by mass or more of aluminum nitride. Thereby, the thermal conductivity of the base 40A can be easily set to 170 W/mK or more, so that the heat dissipation performance of the base 40A can be increased.
  • the base 40A has at least one recess 50 on each of the first surface 41 and the second surface 42.
  • the base body 40A has a plurality of recesses 50 on each of the first surface 41 and the second surface 42.
  • the recess 50 may have a cavity structure.
  • the opening of the recess 50 may have a circular shape when the substrate 30A is viewed in plan from the first direction.
  • the recess 50 has a bottom.
  • the method of arranging the plurality of recesses 50 is not particularly limited, but for example, as shown in FIG. As such, on each of the first surface 41 and the second surface 42, the four adjacent recesses 50 may be arranged at the apexes of the rectangle. In other words, the plurality of recesses 50 may be arranged in grid-like positions on each of the first surface 41 and the second surface 42. As a result, when the substrate 30A is viewed in plan, the plurality of recesses 50 are evenly arranged, so that variations in heat dissipation of the substrate 30A are less likely to occur.
  • the first recess 50A provided in the first surface 41 is cut along a plane parallel to the first direction (i.e., the vertical direction) orthogonal to the first surface 41 and the second surface 42. In the cross section, it may become thinner as the distance from the first surface 41 increases. In other words, in a cross section cut along a plane parallel to the first direction, the width of the first recess 50A in the second direction decreases as the distance from the first surface 41 on which the first recess 50A is provided increases. It may be.
  • the shape of the first recessed portion 50A may be a curved shape that is convex from the first surface 41 toward the second surface 42 in a cross section taken in the first direction.
  • the cross section of the first recess 50A taken along a plane parallel to the first direction may have an elliptical hemispherical shape.
  • the second recess 50B provided in the second surface 42 may become thinner as the distance from the second surface 42 increases in a cross section cut along a plane parallel to the first direction. good.
  • the width of the second recess 50B in the second direction decreases as the distance from the second surface 42 on which the second recess 50B is provided increases. It may be.
  • the shape of the second recess 50B may be a curved shape that is convex from the second surface 42 toward the first surface 41 in a cross section taken in the first direction.
  • the recess 50 can be formed by blasting the first surface 41 or the second surface 42. By forming the recess 50 by blasting, the inner surface of the recess 50 can be formed into a curved shape, as shown in FIG.
  • the opening areas of the plurality of recesses 50 are the same when the base body 40A is viewed from above, but the opening area of the plurality of recesses 50 is not limited to this. Good too.
  • An example in which the opening areas of the plurality of recesses 50 are not the same will be described in Embodiment 2.
  • the depths of the plurality of recesses 50 are the same, but the depth is not limited to this, and the depths of the plurality of recesses 50 may be different from each other.
  • the shape of the recess 50 is not limited to the above shape as long as the recess 50 is formed on each of the first surface 41 and the second surface 42.
  • the shape of the recess 50 may be, for example, cylindrical.
  • the inside of the recess 50 is filled with a metal member 51 having a higher thermal conductivity than that of the base 40A.
  • the metal member 51 is not particularly limited as long as it has a thermal conductivity higher than that of the base 40A.
  • the material of the base 40A is an aluminum nitride sintered body, it may be made of copper, copper-tungsten, It may be copper-molybdenum, aluminum, etc.
  • a plating method such as an electrolytic plating method or a metallization method can be used.
  • the metal member 51 located inside the first recess 50A may be distinguished from the first metal member 51A, and the metal member 51 located inside the second recess 50B may be described as the second metal member 51B. .
  • the base body 40A has a first recess 50A formed in the first surface 41 and a second recess 50B formed in the second surface 42 in at least one direction perpendicular to the first direction when viewed through the plane. They may be arranged alternately.
  • the centers of the openings of the first recesses 50A and the centers of the openings of the second recesses 50B are alternately arranged on the straight line L shown in FIG.
  • the plurality of recesses 50 are evenly arranged on the first surface 41 and the second surface 42, so that variations in the overall heat dissipation of the base body 40A are less likely to occur.
  • the first recess 50A provided on the first surface 41 does not overlap with the second recess 50B provided on the second surface 42. It can be provided in the area. Thereby, the first conductive film layer 31 and the second conductive film layer 32 can be prevented from being electrically connected.
  • the term "vertical" does not necessarily mean strictly vertical.
  • the base body 40A may have at least one set of recesses 50, in which a portion of the first recess 50A overlaps with the second recess 50B when viewed from a plane perpendicular to the first direction.
  • the first recess 50A formed on the first surface 41 is formed deeper than the center of the base body 40A in the first direction, and the first recess 50A formed on the second surface 42 This may be realized by forming the second recess 50B deeper than the center of the base 40A in the first direction. According to this configuration, the volume of the recess 50 formed in the base 40A can be increased, so that the thermal conductivity of the substrate 30A can be improved.
  • the substrate 30A may have a thin film layer (not shown) on the surface of the recess 50, the first surface 41, and the second surface 42.
  • the thin film layer may be comprised of, for example, tantalum nitride, nickel-chromium, nickel-chromium-silicon, tungsten-silicon, molybdenum-silicon, tungsten, molybdenum, titanium, chromium, and the like.
  • the thin film layer can be formed by a formation technique such as a vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method.
  • the inner surface of the recess 50 and the metal member 51 are bonded, and the first surface 41 and the first surface 42 are bonded. Bonding with the conductor film layer 31, bonding between the metal member 51 and the first conductor film layer 31, bonding between the second surface 42 and the second conductor film layer 32, and bonding between the metal member 51 and the second conductor film layer 32. Good bonding can be achieved.
  • the first conductive film layer 31 is located on the first surface 41 of the base 40A, as shown in FIG.
  • the first conductive film layer 31 is connected to the first metal member 51A filled in the first recess 50A.
  • the first conductive film layer 31 is connected to each of the first metal members 51A filled in the plurality of first recesses 50A provided on the first surface 41.
  • the first conductive film layer 31 is made of a material with excellent electrical conductivity, such as copper.
  • the first conductive film layer 31 is formed on the first surface 41 in two regions.
  • the electronic device 21 is mounted on one first conductor film layer 31 .
  • the other first conductive film layer 31 is used as a connection part for a connection member 33 such as a bonding wire, and electrically connects the electronic element 21 and a wiring conductor of a wiring board (not shown).
  • a connection member 33 such as a bonding wire
  • the electronic element 21 is mounted on the first conductive film layer 31
  • the electronic element 21 is mounted on the first conductive film layer 31.
  • the description will be made assuming that this is synonymous with "mounted on the electronic element mounting portion 41a of the first surface 41.”
  • the first conductive film layer 31 is formed on the first surface 41 and has a higher thermal conductivity than that of the base 40A.
  • the first conductive film layer 31 is not particularly limited as long as it has a thermal conductivity higher than that of the base 40A.
  • the material of the base 40A is an aluminum nitride sintered body, copper, copper, etc. - May be tungsten, copper-molybdenum, aluminum, etc.
  • the first conductive film layer 31 can be formed on the first surface 41 by using a plating method such as an electrolytic plating method or a metallization method.
  • the first surface 41 may have a thin film layer (not shown) on the surface. If the first conductive film layer 31 and the metal member 51 are made of the same material, for example, if the first conductive film layer 31 and the metal member 51 are made of copper, then the first conductive film layer 31 and the metal member 51 are made of copper. Good heat transfer can be achieved.
  • the electrode of the electronic element 21 and the other first conductor film layer 31 are connected via a connecting member 33 such as a bonding wire. It is mounted on the substrate 30A by being electrically connected to the conductor film layer 31.
  • a plating layer may be formed on the upper surface of the first conductor film layer 31.
  • the plating layer may be made of a metal having excellent corrosion resistance and connectivity with the connecting member 33, such as nickel, copper, gold, or silver.
  • the plating layer may be formed, for example, by sequentially depositing a nickel plating layer with a thickness of 0.5 to 5 ⁇ m and a gold plating layer with a thickness of 0.1 to 3 ⁇ m. This reduces the possibility that the first conductive film layer 31 will corrode, and also strengthens the adhesion between the first conductive film layer 31 and the electronic element 21 and the bond between the first conductive film layer 31 and the connection member 33. can.
  • the second conductive film layer 32 is located on the second surface 42 of the base 40A.
  • the second conductive film layer 32 may have the same material and configuration as the first conductive film layer 31.
  • the second conductive film layer 32 is used for bonding to the metal plate 22. If the second conductor film layer 32 and the metal member 51 are made of the same material, for example, if the second conductor film layer 32 and the metal member 51 are made of copper, then the metal member 51 is made of the same material as the metal member 51. Good heat transfer can be achieved.
  • the sum of the volume of the first metal member 51A filled in the plurality of first recesses 50A provided on the first surface 41 and the volume of the first conductive film layer 31 is the sum of the volume of the first metal member 51A filled in the plurality of first recesses 50A provided on the first surface 41
  • the volume of the second metal member 51B filled in the plurality of second recesses 50B is significantly different from the sum of the volume of the second conductive film layer 32, the coefficient of thermal expansion of the base 40A and the coefficient of thermal expansion of the metal member 51 Due to the difference, the base body 40A is warped.
  • the sum of the volume of the first metal member 51A filled in the plurality of first recesses 50A provided on the first surface 41 and the volume of the first conductive film layer 31 provided on the second surface 42 is You may set it so that it may be 90 volume % or more and 110 volume % or less of the sum of the volume of the second metal member 51B filled in the plurality of second recesses 50B and the volume of the second conductor film layer 32. Thereby, the amount of warpage of the base body 40A can be reduced.
  • the volume of the first metal member 51A filled in the plurality of first recesses 50A provided on the first surface 41 is The sum may be set to be 90 volume % or more and 110 volume % or less of the sum of the volumes of the second metal members 51B filled in the plurality of second recesses 50B provided on the second surface 42.
  • the base body 40A has a plurality of recesses 50 filled with metal members 51 on the first surface 41 and the second surface 42.
  • the volume of the metal member 51 included in the base body 40A can be increased compared to a base body in which the recess 50 is formed only on one of the first surface 41 and the second surface 42.
  • the thermal conductivity of the substrate 30A can be improved.
  • a recess 50 is formed on the first surface 41 on which the electronic element 21 is mounted, and the width in the front-rear direction decreases as the distance from the first surface 41 increases in a cross section taken along a plane parallel to the vertical direction. may have been done.
  • a recess 50 is formed on the first surface 41 and the second surface 42 on which the electronic element 21 is mounted.
  • the width of the recess 50 in the second direction becomes smaller as the distance from the first surface 41 or the second surface 42 increases in a cross section taken along a plane parallel to the first direction.
  • the diameter of the recess 50 becomes smaller as the distance from the first surface 41 or the second surface 42 increases in a cross section cut along a plane parallel to the first direction.
  • the surface area of the recess 50 can be made larger than, for example, when the recess 50 has a rectangular parallelepiped shape.
  • heat is easily transferred from the metal member 51 on the first surface 41 side to the base body 40A, and from the base body 40A to the metal member 51 on the second surface 42 side.
  • the thermal conductivity of the substrate 30A can be increased.
  • the shape of the recess 50 is a curved shape that is convex from the surface where the recess 50 is formed toward the opposite surface in a cross section cut in the first direction.
  • the first metal member 51A filled in the first recess 50A formed on the first surface 41 side is in contact with the first conductive film layer 31, as shown in FIG. Thereby, the heat conducted from the electronic element 21 to the first conductive film layer 31 is easily conducted to the first metal member 51A.
  • the second metal member 51B filled in the second recess 50B formed on the second surface 42 side is in contact with the second conductor film layer 32, as shown in FIG. Thereby, the heat transferred to the base body 40A is easily conducted to the second conductive film layer 32 via the second metal member 51B. Therefore, the thermal conductivity of the substrate 30A can be improved.
  • the substrate 30A in this embodiment has a laser diode mounted thereon as the electronic element 21, the electronic element mounted on the substrate 30A is not limited to the laser diode.
  • the electronic element mounted on the substrate 30A may be a semiconductor element such as an IC chip or an LSI chip, or a piezoelectric element such as a crystal resonator or a piezoelectric resonator.
  • FIG. 6 is a top view of the substrate 30B in this embodiment.
  • the electronic element mounting portion 41a and the recess 50 are shown with dotted lines, and the recess 50 formed in the second surface 42 is shown with hatching.
  • FIG. 7 is a diagram of the substrate 30B and the electronic element 21 viewed from the third direction (front-back direction). In FIG. 7, the recess 50 is indicated by a dotted line.
  • the substrate 30B includes a base body 40B in place of the base body 40A in the first embodiment.
  • a plurality of recesses 50 filled with metal members 51 are formed on the first surface 41 and the second surface 42, respectively.
  • the opening diameter of the recess 50 becomes smaller as the position where the recess 50 is formed moves outward from the center in the second direction.
  • the opening area of the recess 50 increases from the outside in the second direction toward the electronic element mounting portion 41a.
  • the opening area of the recess 50 provided in the electronic element mounting part 41a or a region close to the electronic element mounting part 41a is the same as that of the recess 50 provided in a region far from the electronic element mounting part 41a. It is larger than the opening area.
  • the base body 40B heat is transferred from the first surface 41 to the inside of the base body 40B in the electronic element mounting part 41a where the recess 50 with a large opening area is formed or in a region close to the electronic element mounting part 41a.
  • This makes it easier to transfer heat, and also makes it easier to transfer heat from the inside of the base 40B to the second surface 42.
  • the thermal conductivity near the electronic element mounting portion 41a is higher than that on the outside. This makes it easier to efficiently transfer the heat conducted from the electronic element 21 to the metal plate 22, making it easier to lower the temperature of the electronic element 21.
  • the base 40B is mounted at the center of the first surface 41 in the third direction.
  • the opening diameter of the recessed portion 50 may become smaller as it goes outward from the portion.
  • FIG. 8 is a top view of the substrate 30C in this embodiment.
  • the recess 50 formed in the second surface 42 is shown hatched.
  • FIG. 9 is a diagram of the substrate 30C and the electronic element 21 viewed from the third direction. In FIG. 9, the recess 50 is indicated by a dotted line.
  • the substrate 30C includes a base body 40C in place of the base body 40A in the first embodiment.
  • the base body 40C has a plurality of recesses 50 filled with metal members 51 on the first surface 41 and the second surface 42.
  • the depth is deeper than the depth of the first recess 50A provided on the first surface.
  • the distance between the first recess 50A provided on the first surface 41 and the second recess 50B provided on the second surface 42 can be reduced, so that the first metal filled in the first recess 50A can be reduced.
  • Heat is easily transferred from the member 51A to the second metal member 51B filled in the second recess 50B. As a result, the heat dissipation of the substrate 30C can be improved.
  • the depth of the first recess 50A refers to the distance from the first surface 41 to the bottom of the first recess 50A
  • the depth of the second recess 50B refers to the distance from the second surface 42 to the bottom of the second recess 50B on the Z axis. Indicates distance in direction.
  • the sum of the volume of the first metal member 51A filled in the plurality of first recesses 50A provided in the first surface 41 and the volume of the first conductive film layer 31 is the second If the volume of the second metal member 51B filled in the plurality of second recesses 50B provided in the surface 42 is significantly different from the sum of the volume of the second conductive film layer 32, the base body 40C will warp. Therefore, in the base body 40C in this embodiment, as shown in FIG. may also be configured to be smaller. Thereby, the volume of the first recess 50A formed on the first surface 41 and the volume of the second recess 50B formed on the second surface 42 can be prevented from differing greatly. Thereby, the amount of warpage of the base body 40C can be reduced.
  • FIG. 10 is a top view of the substrate 30D in this embodiment.
  • 11 is a sectional view taken along the line XI-XI in FIG. 10.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line XII-XII in FIG. 10.
  • the substrate 30D includes a base body 40D in place of the base body 40A in the first embodiment.
  • the recess 60 is a slit extending in a second direction that is perpendicular to the first direction.
  • the recess 60 may be provided in a region that overlaps with the first conductive film layer 31 when the base 40D is seen through the plane.
  • the recess 60 in this embodiment is formed so that the length in the second direction is the same as the length in the second direction of the first conductive film layer 31; It may be shorter than the length of.
  • the recess 60 having an opening on the first surface 41 may be described as a first recess 60A, and the recess 60 having an opening on the second surface 42 as a second recess 60B.
  • the first recess 60A provided in the first surface 41 has a cross-sectional shape cut along a plane perpendicular to the second direction, and as the distance from the first surface 41 increases, the shape changes in the third direction. may have a smaller length.
  • the surface area of the first recess 60A can be increased, for example, compared to a case where the cross section taken along a plane perpendicular to the second direction has a rectangular shape.
  • heat can be easily transferred from the first metal member 51A to the base 40D. Thereby, the thermal conductivity of the substrate 30D can be increased.
  • the second recess 60B provided in the second surface 42 has a cross-sectional shape taken along a plane perpendicular to the second direction such that the length in the third direction decreases as the distance from the second surface 42 increases. You can.
  • the slit can be formed by blasting the first surface 41 and the second surface 42 of the base 40D, as in the above embodiment.
  • the first recess 60A provided on the first surface 41 is provided in an area that does not overlap with the second recess 60B provided on the second surface 42 when viewed through the plane. It may be. Thereby, the first conductive film layer 31 and the second conductive film layer 32 can be prevented from being electrically connected.
  • the recess 60 in this embodiment is a slit extending in the second direction (left-right direction), it is not limited to this.
  • the recess 60 may be a slit extending in any direction as long as it is perpendicular to the up-down direction, for example, it may be a slit extending in the third direction (front-back direction).
  • the shape of the recess 60 is not limited to the above shape as long as the recess 60 is formed on each of the first surface 41 and the second surface 42.
  • the shape of the recess 60 may be, for example, rectangular or triangular in cross section perpendicular to the longitudinal direction.
  • the recesses formed in the first surface 41 and the second surface 42 are slits, but are not limited to this.
  • the cavity structure recess 50 is formed on one of the first surface 41 and the second surface 42, and the slit structure recess 60 is formed on the other surface. good.
  • FIG. 13 is a top view of the substrate 30E in this embodiment.
  • the electronic element mounting portion 41a and the recess 50 are shown with dotted lines, and the recess 50 formed in the second surface 42 is shown with hatching.
  • FIG. 14 is a diagram of the substrate 30E and the electronic element 21 viewed from the third direction (front-back direction). In FIG. 14, the recess 50 is indicated by a dotted line.
  • the substrate 30E includes a base body 40E in place of the base body 40A in the first embodiment.
  • a plurality of recesses 50 filled with metal members 51 are formed on each of the first surface 41 and the second surface 42.
  • the recess 50 has a rectangular parallelepiped shape extending in the first direction.
  • the inside of the recess 50 is filled with a metal member 51 having a higher thermal conductivity than that of the base 40E.
  • the base body 40E has a plurality of recesses 50 filled with metal members 51 on the first surface 41 and the second surface 42.
  • the volume of the metal member 51 included in the base body 40E can be increased compared to a base body in which the recessed portion 50 is formed only on one of the first surface 41 and the second surface 42.
  • the thermal conductivity of the substrate 30E can be improved.
  • the opening areas of the plurality of recesses 50 are the same when the base body 40E is viewed from above, but the opening area of the plurality of recesses 50 is not limited to this. Good too.
  • the depths of the plurality of recesses 50 are the same, but the depth is not limited to this, and the depths of the plurality of recesses 50 may be different from each other.
  • a substrate according to aspect 1 of the present disclosure includes a first surface, a second surface located on the opposite side of the first surface, at least one first recess opening in the first surface, and an opening in the second surface.
  • a base body including at least one second recess having a base body, a first metal member located inside the first recess, and a second metal member located inside the second recess; The thermal conductivity of the member and the thermal conductivity of the second metal member are higher than the thermal conductivity of the base.
  • the base body may have a plurality of the first recesses and a plurality of second recesses.
  • At least one of the first recess and the second recess may have an opening having a circular shape in plan view.
  • the base body has a plurality of the first recesses and a plurality of the second recesses, and the first recess has a plurality of the first recesses.
  • the second recesses may be arranged in a grid pattern on one surface, and the second recesses may be arranged in a grid pattern on the second surface.
  • the substrate according to aspect 5 of the present disclosure when the substrate is viewed through a plane, in at least one direction perpendicular to a first direction orthogonal to the first surface and the second surface, The first recess and the second recess may be arranged alternately.
  • the substrate according to Aspect 6 of the present disclosure may be configured such that, in any of Aspects 1 to 5 above, when the substrate is viewed through the substrate, the first recess does not overlap with the second recess. .
  • the substrate according to aspect 7 of the present disclosure when viewed through from a direction perpendicular to a first direction orthogonal to the first surface and the second surface, the substrate A part of the first recess may overlap with the second recess.
  • the sum of the volumes of the first metal members filled inside the first recess is The content may be 90% by volume or more and 110% by volume or less of the sum of the volumes of the filled second metal members.
  • a substrate according to aspect 9 of the present disclosure in any one of aspects 1 to 7 above, includes a first conductive film layer located on the first surface and a second conductive film layer located on the second surface.
  • the sum of the volume of the first metal member filled in the first recess and the volume of the first conductor film layer is the sum of the volume of the second metal member filled in the second recess.
  • a configuration may be adopted in which the sum of the volume of the member and the volume of the second conductor film layer is 90 volume % or more and 110 volume % or less.
  • the first recess in at least one cross section cut in a first direction perpendicular to the first surface and the second surface, is The width of the second recess in the direction parallel to the first surface becomes smaller as the distance from the first surface increases, and the width of the second recess in the direction parallel to the first surface becomes smaller as the distance from the first surface increases. It may become smaller as the distance from
  • the shapes of the first recess and the second recess are such that, in at least one cross section cut in the first direction, the shapes of the first surface and the second recess are It may have a curved shape toward the opposite surface from the surface where the first recess or the second recess is provided.
  • the base body includes an electronic element mounting part on the first surface, and the opening area of the second recess is The structure may be smaller than the opening area of one recess.
  • the base body includes an electronic element mounting part on the first surface, and the depth of the second recess is equal to the depth of the second recess.
  • the structure may be deeper than the depth of one recess.
  • At least one of the first recess and the second recess has the first surface and the second surface facing each other.
  • the slit may extend in a second direction perpendicular to the first direction.
  • the first recess may not overlap with the second recess when the substrate is seen through a plane.
  • An electronic device includes an electronic element mounted on the substrate according to any one of aspects 1 to 15 above.
  • the electronic device according to aspect 16 above is housed in a case.
  • the electronic module according to aspect 17 above is mounted on a module board or a casing.
  • Module device 2 Housing 10 Electronic module 11 Case 20 Electronic device 21 Electronic element 30A, 30B, 30C, 30D, 30E Substrate 31 First conductor film layer 32 Second conductor film layer 40A, 40B, 40C, 40D, 40E Base 41a Electronic element mounting portion 50, 60 Recess 50A, 60A First recess 50B, 60B Second recess 51 Metal member 51A First metal member 51B Second metal member

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Abstract

熱伝導率を向上させる。第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面、前記第１面に開口する少なくとも１つの第１凹部、および、前記第２面に開口を有する少なくとも１つの第２凹部を含む基体と、前記第１凹部の内部に位置する第１金属部材と、前記第２凹部の内部に位置する第２金属部材と、を備え　前記第１金属部材の熱伝導率および前記第２金属部材の熱伝導率は、前記基体の熱伝導率よりも高い。

Description

基板、電子装置、電子モジュールおよびモジュール装置
　本開示は、電子素子が搭載される基板などに関する。
　特許文献１および特許文献２に開示されているように、電子素子が搭載される基板であって、電子素子から発生する熱を速やかに放散させるために熱伝導率を向上させた基板が知られている。
国際公開２０１８－１１７２３２号公報 国際公開２０１１－０５９０７０号公報
　本開示の一態様に係る基板は、第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面、前記第１面に開口する少なくとも１つの第１凹部、および、前記第２面に開口を有する少なくとも１つの第２凹部を含む基体と、前記第１凹部の内部に位置する第１金属部材と、前記第２凹部の内部に位置する第２金属部材と、を備え、前記第１金属部材の熱伝導率および前記第２金属部材の熱伝導率は、前記基体の熱伝導率よりも高い。
本開示の実施形態１に係るモジュール装置の斜視図である。 上記モジュール装置の上面図である。 図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線の矢視断面図である。 本開示の実施形態１に係る基板の上面図である。 本開示の実施形態１に係る基板および電子素子をＹ軸方向から見た図である。 本開示の実施形態２に係る基板の上面図である。 本開示の実施形態２に係る基板および電子素子をＹ軸方向から見た図である。 本開示の実施形態３に係る基板の上面図である。 本開示の実施形態３に係る基板および電子素子をＹ軸方向から見た図である。 本開示の実施形態４に係る基板の上面図である。 図１０のＸＩ－ＸＩ線の矢視断面図である。 図１０のＸＩＩ－ＸＩＩ線の矢視断面図である。 本開示の実施形態５に係る基板の上面図である。 本開示の実施形態５に係る基板および電子素子をＹ軸方向から見た図である。
　電子素子などの部品が搭載される基板において、熱伝導率をさらに向上させた基板が望まれている。
　本開示の一態様によれば、熱伝導率を向上させることができる。
　〔実施形態１〕
　以下、本開示の一実施形態について、詳細に説明する。図１は、本実施形態におけるモジュール装置１の斜視図である。図２は、モジュール装置１の上面図である。図２では、説明の便宜上、後述するケース１１の上面の図示を省略して図示している。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線の矢視断面図である。以降の説明では、図１におけるＸ軸方向をモジュール装置１の第２方向（左右方向）、Ｙ軸方向をモジュール装置１の第３方向（前後方向）、Ｚ軸方向をモジュール装置１の第１方向（上下方向）として説明する。また、図１における、＋Ｘ軸方向を右方向、－Ｘ軸方向を左方向、＋Ｙ軸方向を後方向、－Ｙ軸方向を前方向、＋Ｚ軸方向を上方向、－Ｚ軸方向を下方向として説明する。
　図１～図３に示すように、モジュール装置１は、電子モジュール１０と、電子モジュール１０が搭載される筐体２とを備えている。筐体２は、例えば、冷却板にて構成されてよい。これにより、電子モジュール１０を冷却することができる。モジュール装置１が備える電子モジュールの数は、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。電子モジュール１０は、筐体２ではなく、図示しないモジュール基板に搭載されてもよい。
　電子モジュール１０は、図２および図３に示すように、ケース１１と、固定部材１２と、電子装置２０とを備えている。
　ケース１１は、第２方向（左右方向）の中央部に収容空間１１ａを有しており、収容空間１１ａに電子装置２０を内部に収容している。ケース１１は、固定部材１２によって筐体２に固定されている。固定部材１２は、例えば、ネジであってもよい。ケース１１の素材は、金属であってもよい。
　電子装置２０は、図３に示すように、電子素子２１と、基板３０Ａと、金属板２２と、ヒートシンク２３とを、上から順に備えている。
　本実施形態における電子素子２１は、レーザーを出射可能なレーザーダイオードなどによって構成されており、電子装置２０は、電子素子２１から出射されたレーザーを外部に向けて照射する。
　電子装置２０では、電子素子２１を作動させた際において発生した熱を基板３０Ａおよび金属板２２を介してヒートシンク２３に伝導させ、ヒートシンク２３で放熱させる。そのため、基板３０Ａには、高い放熱性が求められる。また、ヒートシンク２３に伝導された熱の一部は、ケース１１を介して冷却板にて構成された筐体２に伝導され、筐体２において放熱される。
　基板３０Ａは、電子素子２１を搭載するための電子素子搭載用基板である。基板３０Ａは、電子素子以外の発熱する部品を搭載するために用いられてもよい。図４は、基板３０Ａの上面図である。図４では、説明の便宜上、後述する電子素子搭載部４１ａおよび凹部５０を点線で示すとともに、第２面４２に形成されている凹部５０を、ハッチングを施して図示している。図５は、基板３０Ａおよび電子素子２１を第３方向（前後方向）から見た図である。図５では、凹部５０を点線で示している。
　図４および図５に示すように、基板３０Ａは、基体４０Ａと、金属部材５１と、第１導体膜層３１と、第２導体膜層３２とを備えている。
　基体４０Ａは、単層または複数の層からなっていてよい。本実施形態における基体４０Ａは、図５に示すように単層の絶縁層になっている。基体４０Ａは、電子素子２１が搭載される第１面４１と、第１面の反対側に位置する第２面４２と、凹部５０とを有している。以降の説明では、第１面４１に開口を有する凹部５０を第１凹部５０Ａ、第２面４２に開口を有する凹部５０を第２凹部５０Ｂと区別して説明する場合がある。第１面４１と第２面４２とは対向している。第１面４１は、図４に示すように、第２方向の中央部に、電子素子２１が搭載される電子素子搭載部４１ａを備えている。
　基体４０Ａを平面視したときの基体４０Ａの形状は、特に限定されるものではなく、例えば、矩形、円形などであってよい。本実施形態における基体４０Ａは、平面視したときに矩形状になっている。本明細書において、「平ら」或いは「平面」との記載は、厳密に平らであることまたは厳密に平面であることを求めない。
　基体４０Ａは、絶縁性を有していてもよい。この場合、基体４０Ａの材質は、例えば、窒化アルミニウム質焼結体、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）、窒化けい素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体などのセラミックであってよい。基体４０Ａの材質が窒化アルミニウム質焼結体である場合、基体４０Ａは、主成分として窒化アルミニウムを含む。この場合、基体４０Ａの質量を１００質量％とした際に、基体４０Ａは、窒化アルミニウムを８０質量％以上含む。基体４０Ａは、窒化アルミニウムを９５質量％以上含んでいてもよい。これにより、基体４０Ａの熱伝導率を１７０Ｗ／ｍＫ以上としやすいため、基体４０Ａの熱放散性を高くすることができる。
　基体４０Ａは、第１面４１および第２面４２のそれぞれに少なくとも１つの凹部５０を有している。本実施形態では、基体４０Ａは、第１面４１および第２面４２のそれぞれに複数の凹部５０を有している。
　凹部５０は、キャビティ構造になっていてよい。凹部５０の開口部の形状は、基板３０Ａを第１方向から平面視したときに、円形となっていてもよい。凹部５０は、底を有している。
　基体４０Ａが第１面４１および第２面４２のそれぞれに複数の凹部５０を有している場合、複数の凹部５０の配列方法は、特に限定されるものではないが、例えば、図４に示すように、第１面４１および第２面４２のそれぞれにおいて、隣接する４つの凹部５０が矩形の頂点の位置に位置するように配置されていてもよい。換言すれば、複数の凹部５０は、第１面４１および第２面４２のそれぞれにおいて、格子状の位置に配列してもよい。これにより、基板３０Ａを平面視したときに、複数の凹部５０が均等に配置しているため、基板３０Ａの放熱性にばらつきが生じにくくなる。
　第１面４１に設けられた第１凹部５０Ａは、図５に示すように、第１面４１と第２面４２とに直交する第１方向（すなわち、上下方向）に平行な平面で切断した断面において、第１面４１からの距離が大きくなるにつれて細くなっていてもよい。換言すれば、第１凹部５０Ａは、第１方向に平行な平面で切断した断面において、第１凹部５０Ａが設けられている第１面４１からの距離が大きくなるにつれて第２方向の幅が小さくなっていてもよい。第１凹部５０Ａの形状は、図５に示すように、第１方向に切断した断面において、第１面４１から第２面４２に向けて凸形状の曲線形状となっていてもよい。例えば、第１凹部５０Ａの、第１方向に平行な平面で切断した断面の形状は、楕円形の半球形状となっていてもよい。
　第２面４２に設けられた第２凹部５０Ｂは、図５に示すように、第１方向に平行な平面で切断した断面において、第２面４２からの距離が大きくなるにつれて細くなっていてもよい。換言すれば、第２凹部５０Ｂは、第１方向に平行な平面で切断した断面において、第２凹部５０Ｂが設けられている第２面４２からの距離が大きくなるにつれて第２方向の幅が小さくなっていてもよい。第２凹部５０Ｂの形状は、図５に示すように、第１方向に切断した断面において、第２面４２から第１面４１に向けて凸形状の曲線形状となっていてもよい。
　凹部５０は、第１面４１または第２面４２に対してブラスト加工を施すことにより形成することができる。ブラスト加工して凹部５０を形成することにより、図５に示すように、凹部５０の内面を曲面形状に形成することができる。
　本実施形態では、基体４０Ａを平面視したときの複数の凹部５０の開口面積は、同一となっているが、これに限られるものではなく、複数の凹部５０の開口面積は、互いに異なっていてもよい。複数の凹部５０の開口面積が同一でない例については、実施形態２において説明する。本実施形態では、複数の凹部５０の深さは同一となっているが、これに限られるものではなく、複数の凹部５０の深さは、互いに異なっていてもよい。
　本開示における基板３０Ａでは、第１面４１および第２面４２のそれぞれに凹部５０が形成されていれば凹部５０の形状は、上記の形状に限定されるものではない。凹部５０の形状は、例えば、円柱形状になっていてもよい。
　凹部５０の内部には、基体４０Ａの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する金属部材５１が充填されている。金属部材５１は、基体４０Ａよりも高い熱伝導率を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、基体４０Ａの材質が窒化アルミニウム質焼結体である場合、銅、銅－タングステン、銅－モリブデン、アルミニウムなどであってよい。凹部５０の内部に金属部材５１が充填されていることにより、基板３０Ａの熱伝導性を向上させることができる。凹部５０への金属部材５１の充填は、電解めっき法などのめっき法、またはメタライズ法を用いることができる。以降の説明では、第１凹部５０Ａの内部に位置する金属部材５１を第１金属部材５１Ａ、第２凹部５０Ｂの内部に位置する金属部材５１を第２金属部材５１Ｂと区別して説明する場合がある。
　基体４０Ａは、平面透視したときに、第１方向に垂直な少なくとも１つの方向において、第１面４１に形成された第１凹部５０Ａと、第２面４２に形成された第２凹部５０Ｂとが交互に配置されていてもよい。本実施形態における基体４０Ａでは、図４に示す直線Ｌ上に、第１凹部５０Ａの開口の中心と、第２凹部５０Ｂの開口の中心とが交互に配置されている。上記構成になっていることにより、第１面４１および第２面４２において複数の凹部５０が均等に配置されるため、基体４０Ａの全体の放熱性にばらつきが生じにくくなる。また、上記構成になっていることにより、基板３０Ａを平面透視したときに、第１面４１に設けられた第１凹部５０Ａが、第２面４２に設けられた第２凹部５０Ｂとは重ならない領域に設けることができる。これにより、第１導体膜層３１と第２導体膜層３２とが電気的に接続しないようにすることができる。本明細書において、「垂直」との記載は、厳密に垂直であることを求めない。
　基体４０Ａは、第１方向に対して垂直な方向から平面透視したときに、第１凹部５０Ａの一部が第２凹部５０Ｂと重なる、少なくとも一組の凹部５０を有していてもよい。当該構成は、例えば、図５に示すように、第１面４１に形成された第１凹部５０Ａが基体４０Ａの第１方向の中央よりも深く形成されるとともに、第２面４２に形成された第２凹部５０Ｂが基体４０Ａの第１方向の中央よりも深く形成されることにより実現されてよい。当該構成によれば、基体４０Ａに形成される凹部５０の体積を大きくできるので、基板３０Ａの熱伝導率を向上させることができる。
　本開示の一態様の基板３０Ａでは、凹部５０の表面、第１面４１の表面、および、第２面４２の表面に図示しない薄膜層を有していてもよい。薄膜層は、例えば、窒化タンタル、ニッケル－クロム、ニッケル－クロム－シリコン、タングステン－シリコン、モリブデン－シリコン、タングステン、モリブデン、チタン、クロムなどで構成されてよい。薄膜層は、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの形成技術により形成することができる。凹部５０の表面、第１面４１の表面、および、第２面４２の表面に薄膜層が形成されていることにより、凹部５０の内面と金属部材５１との接合、第１面４１と第１導体膜層３１との接合、金属部材５１と第１導体膜層３１との接合、第２面４２と第２導体膜層３２との接合、および、金属部材５１と第２導体膜層３２との接合を良好にすることができる。
　第１導体膜層３１は、図５に示すように、基体４０Ａの第１面４１に位置している。第１導体膜層３１は、第１凹部５０Ａに充填された第１金属部材５１Ａに接続している。第１導体膜層３１は、図５に示すように、第１面４１に設けられた複数の第１凹部５０Ａに充填された第１金属部材５１Ａにそれぞれ接続している。第１導体膜層３１は、銅などの電気伝導性に優れた材料で構成される。第１導体膜層３１は、第１面４１において、２つの領域に分けて形成されている。一方の第１導体膜層３１は、電子素子２１が搭載される。他方の第１導体膜層３１は、ボンディングワイヤなどの接続部材３３の接続部として用いられ、電子素子２１と、図示しない配線基板の配線導体とを電気的に接続する。後述するように、第１導体膜層３１は薄い膜にて構成されるため、本明細書では、「電子素子２１が第１導体膜層３１に搭載される」とは、「電子素子２１が第１面４１の電子素子搭載部４１ａに搭載される」と同義であるものとして説明する。
　第１導体膜層３１は、第１面４１に形成され、基体４０Ａの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。第１導体膜層３１は、基体４０Ａよりも高い熱伝導率を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、基体４０Ａの材質が窒化アルミニウム質焼結体である場合、銅、銅－タングステン、銅－モリブデン、アルミニウムなどであってよい。第１導体膜層３１が第１面４１上に形成されていることにより、基板３０Ａの熱伝導性を向上させることができる。第１面４１への第１導体膜層３１の形成は、電解めっき法などのめっき法、またはメタライズ法を用いることができる。上述のように、第１面４１の表面に図示しない薄膜層を有していてもよい。第１導体膜層３１と金属部材５１とが同じ材料で形成、例えば、第１導体膜層３１と金属部材５１とが銅で形成されていると、第１導体膜層３１から金属部材５１へと良好に伝熱させることができる。電子素子２１は、Ｉｎ、Ａｕ－Ｓｎなどの接合材によって、一方の第１導体膜層３１に固定された後、ボンディングワイヤなどの接続部材３３を介して電子素子２１の電極と他方の第１導体膜層３１とが電気的に接続されることによって基板３０Ａに搭載されている。
　第１導体膜層３１の上面には、めっき層が形成されていてもよい。めっき層は、ニッケル、銅、金、銀などの、耐食性および接続部材３３との接続性に優れる金属で構成されてよい。めっき層は、例えば、厚さ０．５～５μｍのニッケルめっき層と、０．１～３μｍの金めっき層とが順次被着されることによって形成されてよい。これにより、第１導体膜層３１が腐食する可能性を低減できるとともに、第１導体膜層３１と電子素子２１との固着、および第１導体膜層３１と接続部材３３との接合を強固にできる。
　第２導体膜層３２は、基体４０Ａの第２面４２に位置している。第２導体膜層３２は、第１導体膜層３１と同じ材質および構成を有していてもよい。第２導体膜層３２は、金属板２２と接合するために用いられる。第２導体膜層３２と金属部材５１とが同じ材料で形成、例えば、第２導体膜層３２と金属部材５１とが銅で形成されていると、金属部材５１から第２導体膜層３２へと良好に伝熱させることができる。
　ここで、第１面４１に設けられた複数の第１凹部５０Ａに充填される第１金属部材５１Ａの体積と第１導体膜層３１の体積との和が、第２面４２に設けられた複数の第２凹部５０Ｂに充填される第２金属部材５１Ｂの体積と第２導体膜層３２の体積との和と大きく異なっている場合、基体４０Ａの熱膨張率と金属部材５１の熱膨張率との差に起因して、基体４０Ａが反ってしまう。そのため、基板３０Ａでは、第１面４１に設けられた複数の第１凹部５０Ａに充填される第１金属部材５１Ａの体積と第１導体膜層３１の体積の和が、第２面４２に設けられた複数の第２凹部５０Ｂに充填される第２金属部材５１Ｂの体積と第２導体膜層３２の体積との和の９０体積％以上１１０体積％以下となるように設定してもよい。これにより、基体４０Ａの反り量を小さくすることができる。基板３０Ａが第１導体膜層３１および第２導体膜層３２をともに備えない場合には、第１面４１に設けられた複数の第１凹部５０Ａに充填される第１金属部材５１Ａの体積の和が、第２面４２に設けられた複数の第２凹部５０Ｂに充填される第２金属部材５１Ｂの体積の和の９０体積％以上１１０体積％以下となるように設定してもよい。
　以上のように、本実施形態における基板３０Ａでは、基体４０Ａは金属部材５１が充填された複数の凹部５０を第１面４１および第２面４２に有している。これにより、第１面４１および第２面４２の一方の面のみに凹部５０が形成された基体と比べて基体４０Ａに含まれる金属部材５１の体積を大きくすることができる。その結果、基板３０Ａの熱伝導率を向上させることができる。また、電子素子２１が搭載される第１面４１に、上下方向に平行な平面で切断した断面において第１面４１からの距離が大きくなるにつれて前後方向における幅が小さくなっている凹部５０が形成されていてもよい。
　本実施形態における基板３０Ａは、電子素子２１が搭載される第１面４１および第２面４２に、凹部５０が形成されている。凹部５０は、第１方向に平行な平面で切断した断面において第１面４１または第２面４２からの距離が大きくなるにつれて第２方向の幅が小さくなっている。換言すれば、凹部５０の径は、第１方向に平行な平面で切断した断面において第１面４１または第２面４２からの距離が大きくなるにつれて小さくなっている。これにより、例えば、凹部５０が直方体形状である場合に比べて、凹部５０の表面積を大きくすることができる。その結果、第１面４１側の金属部材５１から基体４０Ａ、および基体４０Ａから第２面４２側の金属部材５１へ熱を移動させやすくなっている。これにより、基板３０Ａの熱伝導率を高くすることができる。
　凹部５０の形状は、図５に示すように、第１方向に切断した断面において凹部５０が形成された面から反対側の面に向けて凸形状の曲線形状となっている。これにより、第１方向の荷重が基板３０Ａに印加されたときに、凹部５０が形成されている面に印加される応力を分散させることができる。その結果、基板３０Ａが破損する可能性を低減することができる。
　基板３０Ａでは、第１面４１側に形成された第１凹部５０Ａに充填された第１金属部材５１Ａは、図５に示すように、第１導体膜層３１と接している。これにより、電子素子２１から第１導体膜層３１に伝導された熱を第１金属部材５１Ａに伝導しやすくなっている。また、第２面４２側に形成された第２凹部５０Ｂに充填された第２金属部材５１Ｂは、図５に示すように、第２導体膜層３２と接している。これにより、基体４０Ａに伝熱された熱を、第２金属部材５１Ｂを介して第２導体膜層３２に伝導しやすくなっている。このため、基板３０Ａの熱伝導性を向上させることができる。
　本実施形態における基板３０Ａは、電子素子２１として、レーザーダイオードを搭載していたが、基板３０Ａに搭載される電子素子は、レーザーダイオードに限定されるものではない。例えば、基板３０Ａに搭載される電子素子は、ＩＣチップまたはＬＳＩチップなどの半導体素子であってもよいし、水晶振動子または圧電振動子などの圧電素子などであってよい。
　〔実施形態２〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図６は、本実施形態における基板３０Ｂの上面図である。図６では、説明の便宜上、電子素子搭載部４１ａおよび凹部５０を点線で示すとともに、第２面４２に形成されている凹部５０を、ハッチングを施して図示している。図７は、基板３０Ｂおよび電子素子２１を第３方向（前後方向）から見た図である。図７では、凹部５０を点線で示している。
　図６および図７に示すように、基板３０Ｂは、実施形態１における基体４０Ａに代えて基体４０Ｂを備えている。
　基体４０Ｂは、金属部材５１が充填された複数の凹部５０が第１面４１および第２面４２にそれぞれ形成されている。基体４０Ｂでは、第２方向において凹部５０が形成される位置が中央部から外側に向かうにつれて、凹部５０の開口径が小さくなっている。これにより、基板３０Ｂでは、平面視したときに、第２方向の外側から電子素子搭載部４１ａに向かうにつれて凹部５０の開口面積が大きくなっている。換言すれば、平面視したときに、電子素子搭載部４１ａまたは電子素子搭載部４１ａに近い領域に設けられた凹部５０の開口面積が、電子素子搭載部４１ａから遠い領域に設けられた凹部５０の開口面積よりも大きくなっている。
　上記の構成を有することにより、基体４０Ｂでは、開口面積が大きい凹部５０が形成された電子素子搭載部４１ａまたは電子素子搭載部４１ａに近い領域において、第１面４１から基体４０Ｂの内部へ熱を伝えやすくなっているとともに、基体４０Ｂの内部から第２面４２へ熱を伝えやすくなっている。換言すれば、基板３０Ｂでは、外側よりも電子素子搭載部４１ａ付近の熱伝導率が高くなっている。これにより、電子素子２１から伝導された熱を効率的に金属板２２に伝えやすくなっており、電子素子２１の温度を低下させやすくなっている。電子素子２１のサイズまたは形状により電子素子２１が基板３０Ｂの第１面４１における第３方向の中央部のみに搭載される場合、この場合、基体４０Ｂは、第１面４１の第３方向の中央部から外側に向かうにつれて、凹部５０の開口径が小さくなっていてもよい。
　〔実施形態３〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。図８は、本実施形態における基板３０Ｃの上面図である。図８では、説明の便宜上、第２面４２に形成されている凹部５０を、ハッチングを施して図示している。図９は、基板３０Ｃおよび電子素子２１を第３方向から見た図である。図９では、凹部５０を点線で示している。
　図８および図９に示すように、基板３０Ｃは、実施形態１における基体４０Ａに代えて基体４０Ｃを備えている。
　基体４０Ｃは、金属部材５１が充填された複数の凹部５０を第１面４１および第２面４２に有している。本実施形態における基体４０Ｃでは、図９に示すように、発熱源である電子素子２１からの距離が第１面４１よりも遠い位置に位置する第２面４２に設けられた第２凹部５０Ｂの深さが、第１面に設けられた第１凹部５０Ａの深さよりも深くなっている。これにより、第１面４１に設けられた第１凹部５０Ａと第２面４２に設けられた第２凹部５０Ｂとの距離を小さくすることができるため、第１凹部５０Ａに充填された第１金属部材５１Ａから第２凹部５０Ｂに充填された第２金属部材５１Ｂへ熱を伝達しやすくなる。その結果、基板３０Ｃの放熱性を向上させることができる。第１凹部５０Ａの深さとは、第１面４１から第１凹部５０Ａの底部までの距離を示し、第２凹部５０Ｂの深さとは、第２面４２から第２凹部５０Ｂの底部までのＺ軸方向の距離を示す。
　実施形態１において説明したように、第１面４１に設けられた複数の第１凹部５０Ａに充填される第１金属部材５１Ａの体積と第１導体膜層３１の体積との和が、第２面４２に設けられた複数の第２凹部５０Ｂに充填される第２金属部材５１Ｂの体積と第２導体膜層３２の体積との和と大きく異なっている場合、基体４０Ｃが反ってしまう。そのため、本実施形態における基体４０Ｃは、図９に示すように、第２面４２に形成される第２凹部５０Ｂの開口面積が、第１面４１に形成される第１凹部５０Ａの開口面積よりも小さくなるように構成されてもよい。これにより、第１面４１に形成される第１凹部５０Ａの体積と、第２面４２に形成される第２凹部５０Ｂの体積とが大きく異ならないようにすることができる。これにより、基体４０Ｃの反り量を小さくすることができる。
　〔実施形態４〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。図１０は、本実施形態における基板３０Ｄの上面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線の矢視断面図である。図１２は、図１０のＸＩＩ－ＸＩＩ線の矢視断面図である。
　図１０～図１２に示すように、基板３０Ｄは、実施形態１における基体４０Ａに代えて基体４０Ｄを備えている。
　基体４０Ｄは、金属部材５１が充填された複数の凹部６０が第１面４１および第２面４２のそれぞれに形成されている。凹部６０は、図１０および図１１に示すように、第１方向に対して垂直な方向である第２方向に延びたスリットである。凹部６０は、図１０に示すように、基体４０Ｄを平面透視したときに、第１導体膜層３１と重なる領域に設けられてよい。本実施形態における凹部６０は、第２方向の長さが第１導体膜層３１の第２方向の長さと同じ長さとなるように形成されているが、第１導体膜層３１の第２方向の長さよりも短くてもよい。以降の説明では、第１面４１に開口を有する凹部６０を第１凹部６０Ａ、第２面４２に開口を有する凹部６０を第２凹部６０Ｂと区別して説明する場合がある。
　図１２に示すように、第１面４１に設けられた第１凹部６０Ａは、第２方向に垂直な平面で切断した断面の形状が、第１面４１からの距離が大きくなるにつれて第３方向の長さが小さくなっていてもよい。これにより、例えば、第２方向に垂直な平面で切断した断面の形状が矩形状である場合に比べて、第１凹部６０Ａの表面積を大きくすることができる。その結果、第１金属部材５１Ａから基体４０Ｄへ熱を移動させやすくなっている。これにより、基板３０Ｄの熱伝導率を高くすることができる。
　第２面４２に設けられた第２凹部６０Ｂは、第２方向に垂直な平面で切断した断面の形状が、第２面４２からの距離が大きくなるにつれて第３方向の長さが小さくなっていてもよい。スリットは、上記実施形態と同様に、基体４０Ｄの第１面４１および第２面４２に対してブラスト加工を施すことにより形成することができる。
　基体４０Ｄでは、図１０に示すように、平面透視したときに、第１面４１に設けられた第１凹部６０Ａは、第２面４２に設けられた第２凹部６０Ｂとは重ならない領域に設けられていてもよい。これにより、第１導体膜層３１と第２導体膜層３２とが電気的に接続しないようにすることができる。
　本実施形態における凹部６０は、第２方向（左右方向）に延びたスリットであったが、これに限られない。凹部６０は、上下方向に垂直な方向であればどの方向に延びたスリットであってよく、例えば、第３方向（前後方向）に延びたスリットであってもよい。
　本開示における基板３０Ｄでは、第１面４１および第２面４２のそれぞれに凹部６０が形成されていれば凹部６０の形状は、上記の形状に限定されるものではない。凹部６０の形状は、例えば、長手方向に垂直な断面が、矩形状になっていてもよいし、三角形状になっていてもよい。
　本実施形態における基板３０Ｄでは、第１面４１および第２面４２に形成される凹部は、スリットであったがこれに限られるものではない。本開示の一態様の基板では、第１面４１および第２面４２のうちの一方の面にキャビティ構造の凹部５０が形成されるとともに、他方の面にスリット構造の凹部６０が形成されてもよい。
　〔実施形態５〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。図１３は、本実施形態における基板３０Ｅの上面図である。図１３では、説明の便宜上、電子素子搭載部４１ａおよび凹部５０を点線で示すとともに、第２面４２に形成されている凹部５０を、ハッチングを施して図示している。図１４は、基板３０Ｅおよび電子素子２１を第３方向（前後方向）から見た図である。図１４では、凹部５０を点線で示している。
　図１０～図１２に示すように、基板３０Ｅは、実施形態１における基体４０Ａに代えて基体４０Ｅを備えている。
　基体４０Ｅは、金属部材５１が充填された複数の凹部５０が第１面４１および第２面４２のそれぞれに形成されている。凹部５０は、図１３および図１４に示すように、第１方向に沿って延伸する直方体形状となっている。凹部５０の内部には、基体４０Ｅの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する金属部材５１が充填されている。
　上記の構成を有することにより、本実施形態における基板３０Ｅでは、基体４０Ｅは金属部材５１が充填された複数の凹部５０を第１面４１および第２面４２に有している。これにより、第１面４１および第２面４２の一方の面のみに凹部５０が形成された基体と比べて基体４０Ｅに含まれる金属部材５１の体積を大きくすることができる。その結果、基板３０Ｅの熱伝導率を向上させることができる。
　本実施形態では、基体４０Ｅを平面視したときの複数の凹部５０の開口面積は、同一となっているが、これに限られるものではなく、複数の凹部５０の開口面積は、互いに異なっていてもよい。本実施形態では、複数の凹部５０の深さは同一となっているが、これに限られるものではなく、複数の凹部５０の深さは、互いに異なっていてもよい。
　本開示の態様１に係る基板は、第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面、前記第１面に開口する少なくとも１つの第１凹部、および、前記第２面に開口を有する少なくとも１つの第２凹部を含む基体と、前記第１凹部の内部に位置する第１金属部材と、前記第２凹部の内部に位置する第２金属部材と、を備え、前記第１金属部材の熱伝導率および前記第２金属部材の熱伝導率は、前記基体の熱伝導率よりも高い。
　本開示の態様２に係る基板は、上記の態様１において、前記基体は、複数の前記第１凹部および複数の第２凹部を有してもよい。
　本開示の態様３に係る基板は、上記の態様１または２において、前記第１凹部および前記第２凹部の少なくとも一方は、平面視にて開口部の形状が円形であってよい。
　本開示の態様４に係る基板は、上記の態様１から３のいずれかにおいて、前記基体は、複数の前記第１凹部および複数の前記第２凹部を有し、前記第１凹部は、前記第１面において格子状に配列されて設けられており、前記第２凹部は、前記第２面において格子状に配列されて設けられていてもよい。
　本開示の態様５に係る基板は、上記の態様４において、前記基板を平面透視したときに、前記第１面と前記第２面とに直交する第１方向に垂直な少なくとも１つの方向において、前記第１凹部と前記第２凹部とが交互に配置されている構成であってもよい。
　本開示の態様６に係る基板は、上記の態様１から５のいずれかにおいて、前記基板を平面透視したときに、前記第１凹部は、前記第２凹部とは重ならない構成であってもよい。
　本開示の態様７に係る基板は、上記の態様１から６のいずれかにおいて、前記第１面と前記第２面とに直交する第１方向に対して垂直な方向から透視したときに、前記第１凹部の一部が、前記第２凹部と重なる構成であってもよい。
　本開示の態様８に係る基板は、上記の態様１から７のいずれかにおいて、前記第１凹部の内部に充填されている前記第１金属部材の体積の和は、前記第２凹部の内部に充填されている前記第２金属部材の体積の和の９０体積％以上１１０体積％以下である構成であってもよい。
　本開示の態様９に係る基板は、上記の態様１から７のいずれかにおいて、前記第１面に位置する第１導体膜層と、前記第２面に位置する第２導体膜層と、をさらに備え、前記第１凹部の内部に充填されている前記第１金属部材の体積と前記第１導体膜層の体積との和は、前記第２凹部の内部に充填されている前記第２金属部材の体積と前記第２導体膜層の体積との和の９０体積％以上１１０体積％以下である構成であってもよい。
　本開示の態様１０に係る基板は、上記の態様１から９のいずれかにおいて、前記第１面と前記第２面とに直交する第１方向に切断した少なくとも１つの断面において、前記第１凹部の前記第１面に平行な方向における幅は、前記第１面からの距離が大きくなるにつれて小さくなっており、前記第２凹部の前記第１面に平行な方向における幅は、前記第２面からの距離が大きくなるにつれて小さくなっていてもよい。
　本開示の態様１１に係る基板は、上記の態様１０において、前記第１凹部および前記第２凹部の形状は、前記第１方向に切断した少なくとも１つの断面において、前記第１面および前記第２面のうち当該第１凹部または第２凹部が設けられている面から反対側の面に向けて曲線形状であってもよい。
　本開示の態様１２に係る基板は、上記の態様１から１１のいずれかにおいて、前記基体は、前記第１面に電子素子搭載部を備えており、前記第２凹部の開口面積は、前記第１凹部の開口面積よりも小さい構成であってもよい。
　本開示の態様１３に係る基板は、上記の態様１から１２のいずれかにおいて、前記基体は、前記第１面に電子素子搭載部を備えており、前記第２凹部の深さは、前記第１凹部の深さよりも深い構成であってもよい。
　本開示の態様１４に係る基板は、上記の態様１および６～１３のいずれかにおいて、前記第１凹部および前記第２凹部の少なくとも一方は、前記第１面と前記第２面とが対向する第１方向に対して垂直な第２方向に延びたスリットであってもよい。
　本開示の態様１５に係る基板は、上記の態様１４において、前記基板を平面透視したときに、前記第１凹部は、前記第２凹部とは重ならない構成であってもよい。
　本開示の態様１６に係る電子装置は、上記の態様１から１５のいずれかに記載の基板に電子素子が搭載されている。
　本開示の態様１７に係る電子モジュールは、上記の態様１６に記載の電子装置がケースに収容されている。
　本開示の態様１８に係るモジュール装置は、上記の態様１７に記載の電子モジュールがモジュール基板または筐体に搭載されている。
　以上、本開示に係る発明について、諸図面および実施例に基づいて説明してきた。しかし、本開示に係る発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。すなわち、本開示に係る発明は本開示で示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示に係る発明の技術的範囲に含まれる。つまり、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。また、これらの変形または修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。
　１　モジュール装置
　２　筐体
　１０　電子モジュール
　１１　ケース
　２０　電子装置
　２１　電子素子
　３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅ　基板
　３１　第１導体膜層
　３２　第２導体膜層
　４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ、４０Ｅ　基体
　４１ａ　電子素子搭載部
　５０、６０　凹部
　５０Ａ、６０Ａ　第１凹部
　５０Ｂ、６０Ｂ　第２凹部
　５１　金属部材
　５１Ａ　第１金属部材
　５１Ｂ　第２金属部材

 

Claims (18)

  1. 　第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面、前記第１面に開口する少なくとも１つの第１凹部、および、前記第２面に開口を有する少なくとも１つの第２凹部を含む基体と、
    　前記第１凹部の内部に位置する第１金属部材と、
    　前記第２凹部の内部に位置する第２金属部材と、を備え、
    　前記第１金属部材の熱伝導率および前記第２金属部材の熱伝導率は、前記基体の熱伝導率よりも高い、基板。
  2. 　前記基体は、複数の前記第１凹部および複数の第２凹部を有する、請求項１に記載の基板。
  3. 　前記第１凹部および前記第２凹部の少なくとも一方は、平面視にて開口部の形状が円形である請求項１または２に記載の基板。
  4. 　前記基体は、複数の前記第１凹部および複数の前記第２凹部を有し、
    　前記第１凹部は、前記第１面において格子状に配列されて設けられており、
    　前記第２凹部は、前記第２面において格子状に配列されて設けられている、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板。
  5. 　前記基板を平面透視したときに、前記第１面と前記第２面とに直交する第１方向に垂直な少なくとも１つの方向において、前記第１凹部と前記第２凹部とが交互に配置されている、請求項４に記載の基板。
  6. 　前記基板を平面透視したときに、前記第１凹部は、前記第２凹部とは重ならない、請求項１から５のいずれか１項に記載の基板。
  7. 　前記基体は、前記第１面と前記第２面とに直交する第１方向に対して垂直な方向から透視したときに、前記第１凹部の一部が、前記第２凹部と重なる、請求項１から６のいずれか１項に記載の基板。
  8. 　前記第１凹部の内部に充填されている前記第１金属部材の体積の和は、前記第２凹部の内部に充填されている前記第２金属部材の体積の和の９０体積％以上１１０体積％以下である、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板。
  9. 　前記第１面に位置する第１導体膜層と、
    　前記第２面に位置する第２導体膜層と、をさらに備え、
    　前記第１凹部の内部に充填されている前記第１金属部材の体積と前記第１導体膜層の体積との和は、前記第２凹部の内部に充填されている前記第２金属部材の体積と前記第２導体膜層の体積との和の９０体積％以上１１０体積％以下である、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板。
  10. 　前記第１面と前記第２面とに直交する第１方向に切断した少なくとも１つの断面において、前記第１凹部の前記第１面に平行な方向における幅は、前記第１面からの距離が大きくなるにつれて小さくなっており、前記第２凹部の前記第１面に平行な方向における幅は、前記第２面からの距離が大きくなるにつれて小さくなっている、請求項１から９のいずれか１項に記載の基板。
  11. 　前記第１凹部および前記第２凹部の形状は、前記第１方向に切断した少なくとも１つの断面において、前記第１面および前記第２面のうち当該第１凹部または第２凹部が設けられている面から反対側の面に向けて曲線形状である、請求項１０に記載の基板。
  12. 　前記基体は、前記第１面に電子素子搭載部を備えており、
    　前記第２凹部の開口面積は、前記第１凹部の開口面積よりも小さい、請求項１から１１のいずれか１項に記載の基板。
  13. 　前記基体は、前記第１面に電子素子搭載部を備えており、
    　前記第２凹部の深さは、前記第１凹部の深さよりも深い、請求項１に記載の基板。
  14. 　前記第１凹部および前記第２凹部の少なくとも一方は、前記第１面と前記第２面とが対向する第１方向に対して垂直な第２方向に延びたスリットである、請求項１から１２のいずれか１項に記載の基板。
  15. 　前記基板を平面透視したときに、前記第１凹部は、前記第２凹部とは重ならない、請求項１４に記載の基板。
  16. 　請求項１から１５のいずれか１項に記載の基板に、電子素子が搭載された電子装置。
  17. 　請求項１６に記載の電子装置がケースに収容されている電子モジュール。
  18. 　請求項１７に記載の電子モジュールがモジュール基板または筐体に搭載されたモジュール装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0736468U (ja) * 1993-12-06 1995-07-04 株式会社東海理化電機製作所 電子部品の放熱構造
JPH10335571A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 T I F:Kk メモリモジュールおよびメモリシステム
US20070284711A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Lee Tien Yu T Methods and apparatus for thermal management in a multi-layer embedded chip structure
JP2022015483A (ja) * 2020-07-09 2022-01-21 Tdk株式会社 回路基板及びこれを用いた回路モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0736468U (ja) * 1993-12-06 1995-07-04 株式会社東海理化電機製作所 電子部品の放熱構造
JPH10335571A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 T I F:Kk メモリモジュールおよびメモリシステム
US20070284711A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Lee Tien Yu T Methods and apparatus for thermal management in a multi-layer embedded chip structure
JP2022015483A (ja) * 2020-07-09 2022-01-21 Tdk株式会社 回路基板及びこれを用いた回路モジュール

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