WO2023281942A1 - フィルタ装置および高周波フロントエンド回路 - Google Patents

フィルタ装置および高周波フロントエンド回路 Download PDF

Info

Publication number
WO2023281942A1
WO2023281942A1 PCT/JP2022/022348 JP2022022348W WO2023281942A1 WO 2023281942 A1 WO2023281942 A1 WO 2023281942A1 JP 2022022348 W JP2022022348 W JP 2022022348W WO 2023281942 A1 WO2023281942 A1 WO 2023281942A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ground electrode
resonator
electrode
filter device
plate electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/022348
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
誠之 菊田
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2023533466A priority Critical patent/JPWO2023281942A1/ja
Priority to CN202280047602.5A priority patent/CN117642928A/zh
Publication of WO2023281942A1 publication Critical patent/WO2023281942A1/ja
Priority to US18/530,295 priority patent/US20240235515A9/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/40—Structural association with built-in electric component, e.g. fuse
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09—Filters comprising mutual inductance

Definitions

  • the present disclosure relates to a filter device and a high-frequency front-end circuit, and more specifically to technology for improving the characteristics of a filter device that includes a resonator.
  • Patent Document 1 discloses a chip-type filter component having a ground electrode arranged to surround a resonator electrode and input/output electrodes coupled to the resonator electrode.
  • the electrode length of the electrode portion provided inside the chip body is half the length of the wavelength corresponding to the frequency lower than the resonance frequency of the resonator electrode. is set.
  • the filter device disclosed in Patent Document 1 generally, the passband of the signal can be appropriately adjusted, and the signal can pass through the desired passband with low loss. It is required to efficiently attenuate signals in non-pass bands other than the pass band.
  • the present disclosure has been made to solve the problems described above, and an object of the present disclosure is to make it possible to appropriately adjust the passband of a signal in a filter device including resonators, and to It is to improve damping characteristics.
  • a filter device includes an input terminal, an output terminal, a first ground electrode and a second ground electrode facing each other, and a first resonance connected to one of the input terminal and the output terminal. Equipped with a vessel.
  • the first resonator includes a first intermediate ground electrode, a first resonator, a second resonator, and a third resonator.
  • the first intermediate ground electrode is provided between the first ground electrode and the second ground electrode and is connected to the first ground electrode and the second ground electrode.
  • the first resonance section is provided between the first ground electrode and the first intermediate ground electrode, and is connected to the first intermediate ground electrode and the one terminal.
  • the second resonance section is provided between the first ground electrode and the first intermediate ground electrode and connected to the first intermediate ground electrode.
  • the third resonance section is provided between the second ground electrode and the first intermediate ground electrode and connected to the first intermediate ground electrode.
  • a filter device includes an input terminal, an output terminal, a first ground electrode and a second ground electrode facing each other, a first resonator connected to the input terminal, and a second resonator connected to the output terminal.
  • a resonator and at least one intermediate resonator coupled to at least one of the first resonator and the second resonator by inductive coupling.
  • the first resonator includes a first intermediate ground electrode, a first resonator, a second resonator, and a third resonator.
  • the first intermediate ground electrode is provided between the first ground electrode and the second ground electrode and is connected to the first ground electrode and the second ground electrode.
  • the first resonance section is provided between the first ground electrode and the first intermediate ground electrode, and is connected to the first intermediate ground electrode and the input terminal.
  • the second resonance section is provided between the first ground electrode and the first intermediate ground electrode and connected to the first intermediate ground electrode.
  • the third resonance section is provided between the second ground electrode and the first intermediate ground electrode and connected to the first intermediate ground electrode.
  • the second resonator includes a second intermediate ground electrode, a fourth resonator, a fifth resonator, and a sixth resonator.
  • a second intermediate ground electrode is provided between the first ground electrode and the second ground electrode and is connected to the first ground electrode and the second ground electrode.
  • the fourth resonator is provided between the first ground electrode and the second intermediate ground electrode, and is connected to the second intermediate ground electrode and the output terminal.
  • the fifth resonance section is provided between the first ground electrode and the second intermediate ground electrode and connected to the second intermediate ground electrode.
  • the sixth resonance section is provided between the second ground electrode and the second intermediate ground electrode and connected to the second intermediate ground electrode.
  • the filter device by adjusting the position of the third resonator provided between the second ground electrode and the first intermediate ground electrode, the first resonator, the second resonator, and the An attenuation pole can be generated in the pass characteristic of the filter device by resonance in the third resonance section.
  • the passband of the signal can be adjusted appropriately, and the attenuation characteristics in the non-passband can be improved.
  • FIG. 1 is a block diagram of a communication device having a high-frequency front-end circuit to which the filter device of Embodiment 1 is applied;
  • FIG. FIG. 3 is a diagram showing coupling relationships in the filter device of Embodiment 1;
  • 2 is an equivalent circuit diagram of the filter device of Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a perspective view of a filter device according to Embodiment 1;
  • FIG. 4 is a plan view showing an example of each lamination of the filter device of Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 2 is an exploded perspective view showing an example of the layered structure of the filter device of Embodiment 1;
  • FIG. 4 is a perspective view of a resonator connected to input terminals;
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the positional relationship of each resonating section in a resonator connected to an input terminal;
  • FIG. 9 is a diagram showing pass characteristics of the resonator of FIG. 8;
  • FIG. 10 is a diagram showing an example in which the number of resonating sections is reduced in a resonator connected to an input terminal;
  • FIG. 11 is a diagram showing pass characteristics of the resonator of FIG. 10;
  • FIG. 10 is a diagram showing an example in which the number of resonating sections is reduced in a resonator connected to an input terminal;
  • FIG. 13 is a diagram showing pass characteristics of the resonator of FIG. 12;
  • 4 is a diagram showing pass characteristics of the filter device of Embodiment 1;
  • FIG. 17 is a diagram showing pass characteristics of the resonator of FIG. 16; It is a figure which shows simply the positional relationship of each resonance part in the resonator of a modification.
  • FIG. 22 is a diagram showing pass characteristics of the resonator of FIG.
  • FIG. 21 is a diagram for comparing the pass characteristics of the resonators of FIGS. 16 and 21;
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing the positional relationship of each resonating section in the resonator of the second embodiment;
  • FIG. 25 is a diagram showing pass characteristics of the resonator of FIG. 24;
  • FIG. 1 is a block diagram of a communication device 10 having a high frequency front-end circuit 20 to which the filter device of Embodiment 1 is applied.
  • Communication device 10 is, for example, a mobile phone base station.
  • communication device 10 includes antenna 12 , high frequency front end circuit 20 , mixer 30 , local oscillator 32 , D/A converter (DAC) 40 and RF circuit 50 .
  • High frequency front end circuit 20 also includes bandpass filters 22 and 28 , amplifier 24 and attenuator 26 .
  • the high-frequency front-end circuit 20 includes a transmission circuit that transmits a high-frequency signal from the antenna 12 will be described. may contain
  • the communication device 10 up-converts the transmission signal transmitted from the RF circuit 50 into a high-frequency signal and radiates it from the antenna 12 .
  • a modulated digital signal that is a transmission signal output from the RF circuit 50 is converted into an analog signal by the D/A converter 40 .
  • the mixer 30 mixes the transmission signal, which has been converted from a digital signal to an analog signal by the D/A converter 40, with an oscillation signal from the local oscillator 32 and up-converts it into a high-frequency signal.
  • a band-pass filter 28 removes unwanted waves generated by up-conversion and extracts only the transmission signal in the desired frequency band.
  • Attenuator 26 adjusts the strength of the transmitted signal.
  • Amplifier 24 power-amplifies the transmission signal that has passed through attenuator 26 to a predetermined level.
  • the band-pass filter 22 removes unwanted waves generated in the amplification process and allows only signal components in the frequency band specified by the communication standard to pass. A transmission signal that has passed through the bandpass filter 22 is radiated via the antenna 12 .
  • a filter device 100 corresponding to the present disclosure can be employed as the bandpass filters 22 and 28 in the communication device 10 as described above.
  • FIG. 2 is a diagram showing coupling relationships in the filter device 100 of the first embodiment.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the filter device 100 according to the first embodiment.
  • filter device 100 includes an input terminal T1, an output terminal T2, and a plurality of resonators RT10 to RT70 provided between input terminal T1 and output terminal T2.
  • the filter device 100 includes a resonator RT10 connected to an input terminal T1, a resonator RT20 connected to an output terminal T2, and a plurality of resonators RT10 and RT20 provided between the resonators RT10 and RT20. It includes resonators RT30, RT40, RT50, RT60 and RT70.
  • the resonator RT10 corresponds to the "first resonator” or "second resonator” of the present disclosure.
  • Resonator RT10 includes a resonator RT11, a resonator RT12, a resonator RT13, and a capacitor C14 connected to resonators RT11 and RT12.
  • the resonator RT11 corresponds to the "first resonator” or the “fourth resonator” of the present disclosure.
  • resonance unit RT11 includes inductor L11 and capacitor C11 connected in parallel between input terminal T1 and ground terminal GND. One end of each of inductor L11 and capacitor C11 is connected to input terminal T1, and the other end of each of inductor L11 and capacitor C11 is connected to ground terminal GND.
  • Inductor L11 includes a conductor (via V11 described later) having a length of 1/4 wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT11 is a so-called ⁇ /4 resonator.
  • the resonator RT12 corresponds to the "second resonator” or the "fifth resonator” of the present disclosure.
  • Resonator RT12 includes inductor L12 and capacitor C12 connected in parallel between capacitor C14 and ground terminal GND. One end of capacitor C14 is connected to input terminal T1, and the other end of capacitor C14 is connected to one end of each of inductor L12 and capacitor C12. One end of each of inductor L12 and capacitor C12 is connected to input terminal T1 via capacitor C14, and the other end of each of inductor L12 and capacitor C12 is connected to ground terminal GND.
  • Inductor L12 includes a conductor (via V12 described below) having a length of 1/4 wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT12 is a so-called ⁇ /4 resonator.
  • the resonator RT13 corresponds to the "third resonator” or the “sixth resonator” of the present disclosure.
  • Resonator RT13 includes inductor L13 and capacitor C13. One end of inductor L13 is connected to ground terminal GND, and the other end of inductor L13 is connected to one end of capacitor C13. The other end of capacitor C13 is connected to ground terminal GND.
  • Inductor L13 includes a conductor (via V13 described later) having a length of 1/4 wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT13 is a so-called ⁇ /4 resonator.
  • the resonator RT20 corresponds to the "first resonator” or "second resonator” of the present disclosure.
  • Resonator RT20 includes a resonator RT21, a resonator RT22, a resonator RT23, and a capacitor C24 connected to resonators RT21 and RT22.
  • the resonance part RT21 corresponds to the "first resonance part” or the "fourth resonance part” of the present disclosure.
  • Resonator RT21 includes an inductor L21 and a capacitor C21 connected in parallel between output terminal T2 and ground terminal GND. One end of each of inductor L21 and capacitor C21 is connected to output terminal T2, and the other end of each of inductor L21 and capacitor C21 is connected to ground terminal GND.
  • Inductor L21 includes a conductor (via V21 described later) having a length of 1/4 wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT21 is a so-called ⁇ /4 resonator.
  • the resonance part RT22 corresponds to the "second resonance part” or the "fifth resonance part” of the present disclosure.
  • Resonator RT22 includes inductor L22 and capacitor C22 connected in parallel between capacitor C24 and ground terminal GND. One end of capacitor C24 is connected to output terminal T2, and the other end of capacitor C24 is connected to one end of each of inductor L22 and capacitor C22. One end of each of inductor L22 and capacitor C22 is connected to output terminal T2 via capacitor C24, and the other end of each of inductor L22 and capacitor C22 is connected to ground terminal GND.
  • Inductor L22 includes a conductor (via V22 described later) having a length of 1/4 wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT22 is a so-called ⁇ /4 resonator.
  • the resonance part RT23 corresponds to the "third resonance part” or the “sixth resonance part” of the present disclosure.
  • Resonator RT23 includes inductor L23 and capacitor C23. One end of inductor L23 is connected to ground terminal GND, and the other end of inductor L23 is connected to one end of capacitor C23. The other end of capacitor C23 is connected to ground terminal GND.
  • Inductor L23 includes a conductor (via V23 described later) having a length of 1/4 wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT23 is a so-called ⁇ /4 resonator.
  • the resonator RT30 corresponds to the "intermediate resonator" of the present disclosure.
  • Resonator RT30 includes series-connected capacitor C31, inductor L31, and capacitor C32.
  • One end of capacitor C31 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C31 is connected to one end of inductor L31.
  • One end of capacitor C32 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C32 is connected to the other end of inductor L31.
  • Inductor L31 includes a conductor (via V31 described later) having a length of half the wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT30 is a so-called ⁇ /2 resonator.
  • the resonator RT40 corresponds to the "intermediate resonator" of the present disclosure.
  • Resonator RT40 includes series-connected capacitor C41, inductor L41, and capacitor C42.
  • One end of capacitor C41 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C41 is connected to one end of inductor L41.
  • One end of capacitor C42 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C42 is connected to the other end of inductor L41.
  • Inductor L41 includes a conductor (via V41 described later) having a length of half the wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT40 is a so-called ⁇ /2 resonator.
  • the resonator RT50 corresponds to the "intermediate resonator" of the present disclosure.
  • Resonator RT50 includes series-connected capacitor C51, inductor L51, and capacitor C52.
  • One end of capacitor C51 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C51 is connected to one end of inductor L51.
  • One end of capacitor C52 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C32 is connected to the other end of inductor L51.
  • Inductor L51 includes a conductor (via V51 described later) having a length of half the wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT50 is a so-called ⁇ /2 resonator.
  • the resonator RT60 corresponds to the "intermediate resonator" of the present disclosure.
  • Resonator RT60 includes series-connected capacitor C61, inductor L61, and capacitor C62.
  • One end of capacitor C61 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C61 is connected to one end of inductor L61.
  • One end of capacitor C62 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C62 is connected to the other end of inductor L61.
  • Inductor L61 includes a conductor (via V61 described later) having a length of half the wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT60 is a so-called ⁇ /2 resonator.
  • the resonator RT70 corresponds to the "intermediate resonator" of the present disclosure.
  • Resonator RT70 includes series-connected capacitor C71, inductor L71, and capacitor C72.
  • One end of capacitor C71 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C71 is connected to one end of inductor L71.
  • One end of capacitor C72 is connected to ground terminal GND, and the other end of capacitor C72 is connected to the other end of inductor L71.
  • Inductor L71 includes a conductor (via V71 described later) having a length of half the wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband of the signal.
  • the resonator RT70 is a so-called ⁇ /2 resonator.
  • the resonator RT11 and RT12 of the resonator RT10 are coupled by an inductive coupling M1.
  • Resonator part RT21 and resonator part RT22 of resonator RT20 are coupled by inductive coupling M2.
  • the resonator RT13 of the resonator RT10 and the resonator RT30 are coupled by an inductive coupling M3.
  • Resonator RT30 and resonator RT40 are coupled by inductive coupling M4.
  • Resonator RT40 and resonator RT50 are coupled by inductive coupling M5.
  • Resonator RT50 and resonator RT60 are coupled by inductive coupling M6.
  • Resonator RT60 and resonator RT70 are coupled by inductive coupling M7.
  • the resonator RT70 and the resonator RT23 of the resonator RT20 are coupled by an inductive coupling M8.
  • resonator RT40 and resonator RT60 are coupled by inductive coupling M9.
  • FIG. 4 is a perspective view of the filter device 100 of Embodiment 1.
  • FIG. 5 is a plan view showing an example of each lamination of the filter device 100 of Embodiment 1.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view showing an example of the laminated structure of the filter device 100 of Embodiment 1.
  • the filter device 100 includes a rectangular parallelepiped or substantially rectangular parallelepiped dielectric substrate 110 formed by stacking a plurality of dielectric layers along a predetermined direction.
  • the direction in which a plurality of dielectric layers are stacked is defined as the stacking direction.
  • Each dielectric layer in the dielectric substrate 110 is made of dielectric ceramic such as Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) or dielectric material such as crystal or resin.
  • LTCC Low Temperature Co-fired Ceramics
  • each of the resonators RT10 to RT70 is configured by a plurality of electrodes and a plurality of vias.
  • via refers to a conductor provided on a dielectric substrate for connecting a plurality of electrodes located at different positions in the stacking direction. Vias are formed, for example, by conductive paste, plating, and/or metal pins.
  • the stacking direction of the dielectric substrate 110 is defined as the "Z-axis direction”
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction and along the long side of the dielectric substrate 110 is defined as the "X-axis direction”
  • the Z-axis A direction perpendicular to the direction and along the short side of the dielectric substrate 110 is defined as a “Y-axis direction”.
  • the positive direction of the Z-axis in each drawing may be referred to as the upper side
  • the negative direction may be referred to as the lower side.
  • the dielectric of the dielectric substrate 110 is omitted in order to show the internal configuration. , and only conductors such as terminals are shown.
  • dielectric substrate 110 has lower surface 111 and upper surface 112 extending in the XY directions, and side surfaces 113 connecting the outer edges of lower surface 111 and upper surface 112 .
  • the dielectric substrate 110 has a first layer S101 (FIG. 5(A)), a second layer S102 (FIG. 5(B)), a third A layer S103 (FIG. 5(C)), a fourth layer S104 (FIG. 5(D)), a fifth layer S105 (FIG. 5(E)), and a sixth layer S106 (FIG. 5(F)) are arranged.
  • a ground electrode G100 corresponding to the ground terminal GND, an input terminal T1, and an output terminal T2 are arranged on the first layer S101.
  • Two cutouts K1 and K2 are formed in the ground electrode G100.
  • An input terminal T1 is provided in the cutout K1, and an output terminal T2 is provided in the cutout K2.
  • Each of input terminal T1, output terminal T2, and ground terminal GND functions as an external terminal for connecting filter device 100 and an external device.
  • the second layer S102 includes a ground electrode G1 corresponding to the ground terminal GND.
  • the ground electrode G1 corresponds to the "first ground electrode” of the present disclosure.
  • Two cutouts K11 and K12 are formed in the ground electrode G1, the flat plate electrode P1 is provided in the cutout K11, and the flat plate electrode P2 is provided in the cutout K12.
  • the cutout portions K11 and K12 of the second layer S102 overlap with the cutout portions K1 and K2 of the first layer S101, respectively.
  • the plate electrode P1 provided in the cutout portion K11 of the second layer S102 is provided in the cutout portion K1 of the first layer S101 when viewed from the normal direction (Z-axis direction) of the dielectric substrate 110. It is provided at a position overlapping with the input terminal T1.
  • the flat plate electrode P2 provided in the cutout portion K12 of the second layer S102 is provided in the cutout portion K2 of the first layer S101 when viewed in plan from the normal direction (Z-axis direction) of the dielectric substrate 110. It is provided at a position overlapping with the output terminal T2.
  • the third layer S103 includes flat plate electrodes P11 and P12 arranged on the input terminal T1 side and flat plate electrodes P21 and P22 arranged on the output terminal T2 side.
  • the flat plate electrodes P11 and P12 are provided at positions overlapping the input terminal T1 and the flat plate electrode P1 when viewed from above in the normal direction (Z-axis direction) of the dielectric substrate 110 .
  • the flat plate electrodes P21 and P22 are provided at positions overlapping the output terminal T2 and the flat plate electrode P2 when viewed from above in the normal direction (Z-axis direction) of the dielectric substrate 110 .
  • Each of the plate electrodes P11, P12, P21, and P22 is spaced apart from the ground electrode G1 without being connected to the ground electrode G1.
  • the third layer S103 includes plate electrodes P311, P411, P511, P611, and P711.
  • Each of the plate electrodes P311, P411, P511, P611, and P711 corresponds to the "first plate electrode” of the present disclosure.
  • Each of the plate electrodes P311, P411, P511, P611, and P711 is not connected to the ground electrode G1 and is spaced apart from the ground electrode G1 so as to face the ground electrode G1.
  • the fourth layer S104 includes a ground electrode G3 and a ground electrode G4 corresponding to the ground terminal GND.
  • Each of the ground electrodes G3, G4 corresponds to the "first intermediate ground electrode” or "second intermediate ground electrode” of the present disclosure.
  • the ground electrode G3 is arranged on the input terminal T1 side, while the ground electrode G4 is arranged on the output terminal T2 side.
  • the ground electrode G3 is provided at a position overlapping the input terminal T1, the plate electrode P1, and the plate electrodes P11 and P12 when viewed from above in the normal direction (Z-axis direction) of the dielectric substrate 110 .
  • the ground electrode G4 is provided at a position overlapping with the output terminal T2, the plate electrode P2, and the plate electrodes P21 and P22 when viewed from the normal direction (Z-axis direction) of the dielectric substrate 110 in plan view.
  • the fifth layer S105 includes plate electrodes P13, P23, P312, P412, P512, P612, P712.
  • Each of the plate electrodes P312, P412, P512, P612, P712 corresponds to the "second plate electrode” of the present disclosure.
  • Each of the plate electrodes P13, P23, P312, P412, P612, and P712 is not connected to the ground electrode G2, which will be described later, but is spaced apart from the ground electrode G2 so as to face the ground electrode G2.
  • the sixth layer S106 includes a ground electrode G2 corresponding to the ground terminal GND.
  • the ground electrode G2 is arranged so as to face the ground electrode G1.
  • the ground electrode G2 corresponds to the "second ground electrode" of the present disclosure.
  • a plurality of ground vias VG are provided on the dielectric substrate 110 .
  • Each of the plurality of ground vias VG is a columnar conductor extending in the Z-axis direction and connected to ground electrodes of each of the first layer S101 to sixth layer S106.
  • the second-layer ground electrode G1, the second-layer ground electrode G2, and the fourth-layer ground electrode G3 are connected by a plurality of (seven in this example) ground vias VG including ground vias VG11 and VG12. It is The second-layer ground electrode G1, the second-layer ground electrode G2, and the fourth-layer ground electrode G4 are connected by a plurality of (five in this example) ground vias VG including ground vias VG21 and VG22.
  • a via V1 extending in the Z-axis direction is provided between the input terminal T1 and the plate electrode P1.
  • the via V1 connects the input terminal T1 and the plate electrode P1.
  • a via V10 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P1 and the flat plate electrode P11.
  • the via V10 connects the plate electrode P1 and the plate electrode P11.
  • a via V11 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P11 and the ground electrode G3.
  • the via V11 corresponds to the "first conductor" of the present disclosure and connects the plate electrode P11 and the ground electrode G3.
  • a via V12 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P12 and the ground electrode G3.
  • the via V12 corresponds to the "first conductor" of the present disclosure and connects the plate electrode P12 and the ground electrode G3.
  • a via V13 extending in the Z-axis direction is provided between the ground electrode G3 and the plate electrode P13.
  • the via V13 corresponds to the "first conductor" of the present disclosure and connects the ground electrode G3 and the plate electrode P13.
  • the resonator RT11 of the resonator RT10 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G3, and is connected to the ground electrode G3 and the input terminal T1.
  • the resonance part RT11 is composed of a plate electrode P11, a ground electrode G3 facing the plate electrode P11, and a via V11 connecting the plate electrode P11 and the ground electrode G3.
  • Inductor L11 in FIG. 3 is configured by via V11.
  • a capacitor C11 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P11 and a ground electrode G1.
  • the resonator RT12 of the resonator RT10 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G3 and is connected to the ground electrode G3.
  • the resonance unit RT12 is not connected to the input terminal T1.
  • the resonance part RT12 is composed of a plate electrode P12, a ground electrode G3 facing the plate electrode P12, and a via V12 connecting the plate electrode P12 and the ground electrode G3.
  • Inductor L12 in FIG. 3 is formed by via V12.
  • a capacitor C12 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P12 and a ground electrode G1.
  • the resonator RT13 of the resonator RT10 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G2 and the ground electrode G3 and is connected to the ground electrode G3.
  • the resonance part RT13 is composed of a ground electrode G3, a plate electrode P13 facing the ground electrode G3, and a via V13 connecting the ground electrode G3 and the plate electrode P13.
  • Inductor L13 in FIG. 3 is configured by via V13. Since the flat plate electrode P13 is not connected to the ground electrode G2, a local capacitance is formed between the flat plate electrode P13 and the ground electrode G2.
  • a capacitor C13 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P13 and a ground electrode G2.
  • a via V2 extending in the Z-axis direction is provided between the output terminal T2 and the plate electrode P2.
  • the via V2 connects the output terminal T2 and the plate electrode P2.
  • a via V20 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P2 and the flat plate electrode P21.
  • the via V20 connects the plate electrode P2 and the plate electrode P21.
  • a via V21 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P21 and the ground electrode G4.
  • the via V21 corresponds to the "first conductor" of the present disclosure and connects the plate electrode P21 and the ground electrode G4.
  • a via V22 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P22 and the ground electrode G4.
  • the via V22 corresponds to the "first conductor" of the present disclosure and connects the plate electrode P22 and the ground electrode G4.
  • a via V23 extending in the Z-axis direction is provided between the ground electrode G4 and the plate electrode P23.
  • the via V23 corresponds to the "first conductor" of the present disclosure and connects the ground electrode G4 and the plate electrode P23.
  • the resonator RT21 of the resonator RT20 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G4, and is connected to the ground electrode G4 and the output terminal T2.
  • the resonance part RT21 is composed of a plate electrode P21, a ground electrode G4 facing the plate electrode P21, and a via V21 connecting the plate electrode P21 and the ground electrode G4.
  • Inductor L21 in FIG. 3 is configured by via V21.
  • a capacitor C21 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P21 and a ground electrode G1.
  • the resonator RT22 of the resonator RT20 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G4 and is connected to the ground electrode G4. Note that the resonance unit RT22 is not connected to the output terminal T2.
  • the resonance part RT22 is composed of a plate electrode P22, a ground electrode G4 facing the plate electrode P22, and a via V22 connecting the plate electrode P22 and the ground electrode G4.
  • Inductor L22 in FIG. 3 is configured by via V22.
  • the capacitor C22 in FIG. 3 is composed of the plate electrode P22 and the ground electrode G1.
  • the resonator RT23 of the resonator RT20 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G2 and the ground electrode G4 and connected to the ground electrode G4.
  • the resonance part RT23 is composed of a ground electrode G4, a plate electrode P23 facing the ground electrode G4, and a via V23 connecting the ground electrode G4 and the plate electrode P23.
  • Inductor L23 in FIG. 3 is configured by via V23. Since the plate electrode P23 is not connected to the ground electrode G2, a local capacitance is formed between the plate electrode P23 and the ground electrode G2.
  • a capacitor C23 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P23 and a ground electrode G2.
  • a via V31 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P311 and the flat plate electrode P312.
  • the via V31 corresponds to the "second conductor" of the present disclosure, and connects the flat plate electrode P311 and the flat plate electrode P312.
  • a via V41 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P411 and the flat plate electrode P412.
  • the via V41 corresponds to the "second conductor" of the present disclosure and connects the flat plate electrode P411 and the flat plate electrode P412.
  • Vias V511, V512, and V513 extending in the Z-axis direction are provided between the flat plate electrode P511 and the flat plate electrode P512.
  • Vias V511, V512, V513 correspond to the "second conductor" of the present disclosure, and connect the plate electrode P511 and the plate electrode P512.
  • a via V61 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P611 and the flat plate electrode P612.
  • the via V61 corresponds to the "second conductor" of the present disclosure, and connects the flat plate electrode P611 and the flat plate electrode P612.
  • a via V71 extending in the Z-axis direction is provided between the flat plate electrode P711 and the flat plate electrode P712.
  • the via V71 corresponds to the "second conductor" of the present disclosure and connects the flat plate electrode P711 and the flat plate electrode P712.
  • the resonator RT30 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G2.
  • the resonator RT30 includes a plate electrode P311, a plate electrode P312 facing the plate electrode P311, and a via V31 connecting the plate electrode P311 and the plate electrode P312.
  • Inductor L31 in FIG. 3 is configured by via V31. Since the plate electrode P311 is not connected to the ground electrode G1, a local capacitance is formed between the plate electrode P311 and the ground electrode G1.
  • a capacitor C31 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P311 and a ground electrode G1. Since the plate electrode P312 is not connected to the ground electrode G2, a local capacitance is formed between the plate electrode P312 and the ground electrode G2.
  • a capacitor C32 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P312 and a ground electrode G2.
  • the resonator RT40 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G2.
  • the resonator RT40 is composed of a flat plate electrode P411, a flat plate electrode P412 facing the flat plate electrode P411, and a via V41 connecting the flat plate electrode P411 and the flat plate electrode P412.
  • Inductor L41 in FIG. 3 is configured by via V41. Since the plate electrode P411 is not connected to the ground electrode G1, a local capacitance is formed between the plate electrode P411 and the ground electrode G1.
  • a capacitor C41 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P411 and a ground electrode G1. Since the plate electrode P412 is not connected to the ground electrode G2, a local capacitance is formed between the plate electrode P412 and the ground electrode G2.
  • a capacitor C42 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P412 and a ground electrode G2.
  • the resonator RT50 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G2.
  • the resonator RT50 is composed of a plate electrode P511, a plate electrode P512 facing the plate electrode P511, and vias V511 to V513 connecting the plate electrodes P511 and P512.
  • Inductor L51 in FIG. 3 is configured by vias V511 to V513. Since the plate electrode P511 is not connected to the ground electrode G1, a local capacitance is formed between the plate electrode P511 and the ground electrode G1.
  • a capacitor C51 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P511 and a ground electrode G1. Since the plate electrode P512 is not connected to the ground electrode G2, a local capacitance is formed between the plate electrode P512 and the ground electrode G2.
  • Capacitor C52 in FIG. 3 is composed of plate electrode P512 and ground electrode G2.
  • the resonator RT50 has a loop shape in which vias V511 to V513 are connected in parallel between a plate electrode P511 and a plate electrode P512.
  • the air core diameter of the inductor formed by the resonator RT50 is large, so the Q value can be improved when the size of the dielectric substrate 110 is the same.
  • the size of the dielectric substrate 110 can be reduced while maintaining the Q factor.
  • the resonator RT60 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G2.
  • the resonator RT60 is composed of a plate electrode P611, a plate electrode P612 facing the plate electrode P611, and a via V61 connecting the plate electrode P611 and the plate electrode P612.
  • Inductor L61 in FIG. 3 is configured by via V61. Since the plate electrode P611 is not connected to the ground electrode G1, a local capacitance is formed between the plate electrode P611 and the ground electrode G1.
  • a capacitor C61 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P611 and a ground electrode G1. Since the plate electrode P612 is not connected to the ground electrode G2, a local capacitance is formed between the plate electrode P612 and the ground electrode G2.
  • Capacitor C62 in FIG. 3 is composed of plate electrode P612 and ground electrode G2.
  • the resonator RT70 shown in FIGS. 2 and 3 is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G2.
  • the resonator RT70 includes a plate electrode P711, a plate electrode P712 facing the plate electrode P711, and a via V71 connecting the plate electrode P711 and the plate electrode P712.
  • Inductor L71 in FIG. 3 is configured by via V71. Since the plate electrode P711 is not connected to the ground electrode G1, a local capacitance is formed between the plate electrode P711 and the ground electrode G1.
  • a capacitor C71 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P711 and a ground electrode G1. Since the plate electrode P712 is not connected to the ground electrode G2, a local capacitance is formed between the plate electrode P712 and the ground electrode G2.
  • Capacitor C72 in FIG. 3 is composed of plate electrode P712 and ground electrode G2.
  • the resonator RT10 is connected to the input terminal T1
  • the resonator RT20 is connected to the output terminal T2.
  • the resonators RT10, RT30, RT40, RT50 are arranged in this order in the positive direction of the X-axis.
  • the resonators RT50, RT60, RT70 and RT20 are arranged in this order in the negative direction of the X-axis.
  • the resonators RT10 and RT20, the resonators RT30 and RT70, and the resonators RT40 and RT60 are adjacent in the Y-axis direction.
  • the path from the resonator RT10 to the resonator RT20 via the resonator RT30, the resonator RT40, the resonator RT50, the resonator RT60, and the resonator RT70 is line-symmetrical with the resonator RT50 as a turn-around point. It has a folded form.
  • Each of the resonators RT10 to RT70 is a resonator whose fundamental mode is the TE101 mode, and signals are transmitted in a resonance mode in which the electric field direction is the Z-axis direction and the magnetic field rotates in the plane direction along the XY plane.
  • Adjacent resonators are coupled by inductive or capacitive coupling.
  • the interval in the electric field direction that is, the interval in the Z-axis direction
  • capacitive coupling occurs, and when the interval in the coupling window in the direction orthogonal to the electric field direction is narrowed, It is known to result in inductive coupling.
  • a local capacitance is formed between the plate electrode P11 of the resonance part RT11 and the plate electrode P12 of the resonance part RT12.
  • the capacitor C14 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P11 and a plate electrode P12.
  • a local capacitance is formed between the plate electrode P21 of the resonance part RT21 and the plate electrode P22 of the resonance part RT22.
  • the capacitor C24 in FIG. 3 is composed of a plate electrode P21 and a plate electrode P22.
  • An inductive coupling M1 occurs between the via V11 of the resonator RT11 and the via V12 of the resonator RT12.
  • An inductive coupling M2 is generated between the via V21 of the resonator RT21 and the via V22 of the resonator RT22.
  • An inductive coupling M3 is generated between the via V13 of the resonator RT13 and the via V31 of the resonator RT30.
  • An inductive coupling M4 is generated between the via V31 of the resonator RT30 and the via V41 of the resonator RT40.
  • An inductive coupling M5 is generated between the via V41 of the resonator RT40 and the via V51 of the resonator RT50.
  • An inductive coupling M6 is generated between the via V51 of the resonator RT50 and the via V61 of the resonator RT60.
  • An inductive coupling M7 is generated between the via V61 of the resonator RT60 and the via V71 of the resonator RT70.
  • An inductive coupling M8 is generated between the via V71 of the resonator RT70 and the via V23 of the resonator RT23.
  • An inductive coupling M9 is generated between the via V41 of the resonator RT40 and the via V61 of the resonator RT60.
  • FIG. 7 is a perspective view of resonator RT10 connected to input terminal T1.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing the positional relationship of each of the resonators RT11 to RT13 in the resonator RT10 connected to the input terminal T1. 8 and FIGS.
  • the resonator RT10 is viewed from a direction orthogonal to the path connecting the portion RT12 and the symmetrical position B and orthogonal to the Z axis (the direction of the arrow Y in FIG. 7, the lateral direction of the filter device 100).
  • the positional relationship of each of the resonators RT11 to RT13 is simply shown.
  • the resonance part RT11 includes a plate electrode P11, a ground electrode G3 facing the plate electrode P11, and a via V11 connecting the plate electrode P11 and the ground electrode G3.
  • One end of the via V11 is connected to the ground electrode G3, and the other end of the via V11 is connected to the input terminal T1 through the via V10.
  • the resonance part RT12 includes a plate electrode P12, a ground electrode G3 facing the plate electrode P12, and a via V12 connecting the plate electrode P12 and the ground electrode G3.
  • One end of the via V12 is connected to the ground electrode G3, and the other end of the via V12 is an open end.
  • the resonance part RT13 includes a plate electrode P12, a ground electrode G3 facing the plate electrode P12, and a via V12 connecting the plate electrode P12 and the ground electrode G3.
  • One end of the via V12 is connected to the ground electrode G3, and the other end of the via V12 is an open end.
  • FIG. 9 is a diagram showing pass characteristics of the resonator RT10 of FIG.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid line LN11) and reflection loss (broken line LN12). Note that FIG. 9 shows the pass characteristics when the signal passes through the resonator RT10 only, and does not consider the pass characteristics of the other resonators RT20 to RT70.
  • one attenuation pole AP11 occurs on the lower frequency side than the passband, and one attenuation pole AP12 occurs on the higher frequency side than the passband.
  • an attenuation pole AP11 occurs near about 25 GHz on the lower frequency side than the pass band of the signal set near 29 GHz, and an attenuation pole AP12 occurs near about 33 GHz on the higher frequency side than the pass band. .
  • FIG. 10 is a diagram showing an example in which the number of resonant parts is reduced in the resonator RT10 connected to the input terminal T1.
  • the resonator RT10 with the resonator RT12 removed is shown as a resonator RT10A.
  • the resonator RT10A is provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G3, and includes a resonator part RT11 connected to the ground electrode G3 and the input terminal T1, and a ground electrode G2 and a ground electrode G3. and a resonance part RT13 connected to the ground electrode G3.
  • FIG. 11 is a diagram showing pass characteristics of the resonator RT10A of FIG.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid line LN11A) and reflection loss (broken line LN12A). Note that FIG. 11 shows the pass characteristics when the signal passes through only the resonator RT10A, and does not consider the pass characteristics of the other resonators RT20 to RT70.
  • one attenuation pole AP11A occurs near about 24 GHz on the lower frequency side than the passband. Therefore, the resonance part RT11 provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G3 and the resonance part RT13 provided between the ground electrode G2 and the ground electrode G1 act to generate one low It can be seen that attenuation poles (AP11 in FIG. 9 and AP11A in FIG. 11) occur on the frequency side.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example in which the number of resonant parts is reduced in the resonator RT10 connected to the input terminal T1.
  • the resonator RT10 with the resonator RT13 removed is shown as a resonator RT10B.
  • the resonator RT10B includes a resonator RT11 provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G3 and connected to the ground electrode G3 and the input terminal T1, and a resonator portion RT12 connected to the ground electrode G3.
  • FIG. 13 is a diagram showing pass characteristics of the resonator RT10B in FIG.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid line LN11B) and reflection loss (broken line LN12B). Note that FIG. 13 shows the pass characteristics when the signal passes through only the resonator RT10B, and does not consider the pass characteristics of the other resonators RT20 to RT70.
  • one attenuation pole AP12B occurs near about 33 GHz on the higher frequency side than the passband. Therefore, the resonance part RT11 provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G3 and the resonance part RT12 provided between the ground electrode G1 and the ground electrode G3 act to generate one high voltage. It can be seen that attenuation poles (AP12 in FIG. 9 and AP12B in FIG. 13) occur on the frequency side.
  • one attenuation pole on the low frequency side is generated by the action of the resonators RT11 and RT13, and the action of the resonators RT11 and RT12 produces one attenuation pole on the high frequency side.
  • FIG. 14 is a diagram showing pass characteristics of the filter device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram showing pass characteristics of a filter device of a comparative example.
  • the filter device of the comparative example does not include the resonator RT10 including three ⁇ /4 resonators as in the filter device 100 of the first embodiment. It has one ⁇ /2 resonator.
  • the resonator on the input terminal T1 side is capacitively coupled to the input terminal T1 and has a length of 1/2 of the wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband. and a plate electrode facing the ground electrode G2 and connected to the via.
  • the filter device of the comparative example does not have the resonator RT20 including the three ⁇ /4 resonators as in the filter device 100 of the first embodiment, but instead has a It has one ⁇ /2 resonator.
  • the resonator on the output terminal T2 side is capacitively coupled to the output terminal T2 and has a length of 1/2 of the wavelength ⁇ corresponding to the center frequency of the passband. and a plate electrode facing the ground electrode G2 and connected to the via.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid lines LN1, LN201) and reflection loss (broken lines LN2, LN202).
  • the passband shown in FIGS. 14 and 15 is from 24.25 GHz to 27.5 GHz.
  • no attenuation pole occurs on the lower frequency side than the passband and on the higher frequency side than the passband.
  • two attenuation poles AP1, AP2 occur on the lower frequency side than the passband, and three attenuation poles AP3, AP4, AP4, AP2 occur on the higher frequency side than the passband.
  • AP5 is occurring.
  • the attenuation pole AP1 is mainly caused by the action of the resonance parts RT11 and RT13 of the resonator RT10, as described with reference to FIGS.
  • the attenuation pole AP2 is mainly caused by the action of the resonance parts RT21 and RT23 of the resonator RT20.
  • the attenuation pole AP3 is mainly caused by the action of the resonance parts RT11 and RT12 of the resonator RT10, as described with reference to FIGS. 12 and 13 .
  • the attenuation pole AP4 is mainly caused by the action of the resonator RT21 and RT22 of the resonator RT20.
  • the attenuation pole AP5 is considered to be mainly caused by the inductive coupling M9 between the resonators RT40 and RT60.
  • resonator RT10 connected to input terminal T1 and resonator RT20 connected to output terminal T2 respectively operate the high-frequency side and low-frequency side of the passband. Attenuation poles occur in each of
  • the frequency of the attenuation pole AP1 generated by the resonance of the resonator RT10 and the frequency of the attenuation pole AP1 generated by the resonance of the resonator RT20 are adjusted.
  • the frequency of the attenuation pole AP2 can be matched.
  • both the attenuation pole AP1 caused by the resonance of the resonator RT10 and the attenuation pole AP2 caused by the resonance of the resonator RT20 act to further increase the attenuation of the signal at the attenuation pole on the low frequency side. can be done.
  • these attenuation poles AP1 to AP5 provide steeper and higher attenuation characteristics than the filter device of the comparative example on the low frequency side and the high frequency side of the passband. I understand.
  • the filter device 100 since two attenuation poles occur on the lower frequency side than the passband, an attenuation characteristic with a high steepness on the low frequency side is obtained. Since three attenuation poles are generated, attenuation characteristics with high sharpness on the high frequency side can be obtained.
  • each of the resonators RT10 to RT70 forms a transmission line using vias, so that the insertion loss can be made smaller than that of the resonators forming the transmission line using striplines. can be done.
  • the filter device 100 of Embodiment 1 it is possible to appropriately adjust the passband of the signal and improve the attenuation characteristics in the non-passband.
  • FIG. FIG. 16 is a diagram schematically showing the positional relationship of each of the resonators RT11 to RT13 in the resonator RT101 of the modified example.
  • the resonator RT13 is provided at a position A symmetrical to the resonator RT11 with respect to the ground electrode G3.
  • FIG. 17 is a diagram showing pass characteristics of the resonator RT101 of FIG.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid line LN21) and reflection loss (broken line LN22). Note that FIG. 17 shows the pass characteristics when the signal passes through the resonator RT101 only, and does not consider the pass characteristics of the other resonators RT20 to RT70.
  • one attenuation pole AP21 occurs on the lower frequency side than the passband, and one attenuation pole AP22 occurs on the higher frequency side than the passband.
  • the attenuation pole AP21 occurs near about 24 GHz on the lower frequency side than the pass band of the signal set around 29 GHz, and the attenuation pole AP22 occurs near about 32 GHz on the higher frequency side than the pass band. .
  • FIG. 18 is a diagram simply showing the positional relationship of each of the resonators RT11 to RT13 in the resonator RT102 of the modified example.
  • the resonator RT13 is provided at a position B symmetrical to the resonator RT12 with respect to the ground electrode G3.
  • FIG. 19 is a diagram showing pass characteristics of the resonator RT102 of FIG.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid line LN31) and reflection loss (broken line LN32). Note that FIG. 19 shows the pass characteristics when the signal passes through only the resonator RT102, and does not consider the pass characteristics of the other resonators RT20 to RT70.
  • one attenuation pole AP31 occurs on the lower frequency side than the passband, and one attenuation pole AP32 occurs on the higher frequency side than the passband.
  • an attenuation pole AP31 occurs near about 27 GHz on the lower frequency side than the pass band of the signal set around 29 GHz, and an attenuation pole AP32 occurs near about 33 GHz on the higher frequency side than the pass band. .
  • FIG. 20 is a diagram for comparing the pass characteristics of each resonator RT in FIGS. 8, 16, and 18.
  • FIG. 20 the closer the resonator RT13 is to the position A (resonator RT11 side), the more the attenuation pole on the low frequency side moves toward the low frequency side, and the closer the resonator RT13 is to the position B (resonator RT11 side). (RT12 side), the attenuation pole on the low frequency side moves toward the high frequency side.
  • FIG. 21 is a diagram schematically showing the positional relationship of each resonator in the resonator RT103 of the modified example.
  • the resonator RT103 when the resonator RT103 is viewed from the direction of arrow Y in FIG. It is provided at a position different from the path connecting the resonance part RT12 and the symmetrical position B.
  • FIG. In other words, when the resonator RT103 is viewed from the direction of arrow Y in FIG. 7, the resonator RT13 is arranged outside the region between the resonators RT11 and RT12.
  • FIG. 22 is a diagram showing pass characteristics of the resonator RT103 of FIG.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid line LN31) and reflection loss (broken line LN32). Note that FIG. 22 shows the pass characteristics when the signal passes through only the resonator RT103, and does not consider the pass characteristics of the other resonators RT20 to RT70.
  • one attenuation pole AP41 occurs on the lower frequency side than the passband, and one attenuation pole AP42 occurs on the higher frequency side than the passband.
  • an attenuation pole AP41 occurs near about 24 GHz on the lower frequency side than the signal pass band set around 29 GHz, and an attenuation pole AP42 occurs near about 32 GHz on the higher frequency side than the pass band. .
  • FIG. 23 is a diagram for comparing the pass characteristics of each resonator in FIGS. 16 and 21.
  • FIG. 23 it can be seen that when the resonator RT13 is moved away from the position A (on the side of the resonator RT11) away from the position B, the attenuation pole on the low frequency side moves toward the high frequency side.
  • the passband of the signal in the filter device 100 can be appropriately adjusted to a desired passband.
  • FIGS. 7 to 23 show the configuration and pass characteristics of the resonator connected to the input terminal T1
  • the configuration and pass characteristics of the resonator RT20 connected to the output terminal T2 are shown in FIG.
  • the same can be said for the configuration and pass characteristics of the resonators shown in FIGS. That is, the positions of the vias V2, V21 to V23 and the plate electrodes P21 to P23 of the resonator RT20 are made to correspond to the positions of the vias V1, V11 to V13 and the plate electrodes P11 to P13 of the resonator connected to the input terminal T1.
  • the resonator RT20 can also obtain pass characteristics similar to those of the resonators RT10 and RT101 to 103 connected to the input terminal T1.
  • the passband of the signal in the filter device 100 can be appropriately adjusted so that it becomes a desired passband.
  • the frequency of the attenuation pole on the low frequency side caused by the resonance of the resonator RT10 and the frequency of the resonator RT20 It is possible to match the frequency of the attenuation pole of the attenuation on the low frequency side caused by resonance.
  • both the attenuation pole on the low frequency side caused by the resonance of the resonator RT10 and the attenuation pole on the low frequency side caused by the resonance of the resonator RT20 act to attenuate the signal at the attenuation pole on the low frequency side. Quantities can be larger.
  • the resonator RT10 includes one resonator RT13 between the ground electrodes G1 and G3, and the resonator RT20 includes one resonator RT23 between the ground electrodes G1 and G3.
  • each of resonator RT10 and resonator RT20 may include a plurality of resonators between ground electrode G1 and ground electrode G3.
  • FIG. 24 is a diagram simply showing the positional relationship of each resonator in the resonator RT110 of the second embodiment.
  • resonator RT110 of the second embodiment further includes resonator RT14 in addition to resonator RT13 between ground electrode G2 and ground electrode G3.
  • the resonator RT13 is provided at a position A symmetrical to the resonator RT11 with respect to the ground electrode G3, and at a position B symmetrical to the resonator RT12 with respect to the ground electrode G3.
  • a resonator RT14 is provided.
  • Resonator RT13 and resonator RT14 are each connected to ground electrode G3.
  • FIG. 25 is a diagram showing pass characteristics of the resonator RT110 of FIG.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis indicates insertion loss (solid line LN51) and reflection loss (broken line LN52). Note that FIG. 25 shows the pass characteristics when the signal passes through only the resonator RT110, and does not consider the pass characteristics of the other resonators RT20 to RT70.
  • one attenuation pole AP51 occurs on the lower frequency side than the passband, and two attenuation poles AP52 and AP53 occur on the higher frequency side than the passband.
  • the attenuation pole AP51 is mainly caused by the action of the resonance units RT11 and RT13, as described with reference to FIGS. 10 and 11 .
  • the attenuation pole AP52 is mainly caused by the action of the resonators RT11 and RT12, as described with reference to FIGS. 12 and 13 . It is considered that the added attenuation pole AP53 is mainly caused by the action of the resonators RT13 and RT14.
  • the resonator has a plurality of resonance parts between the ground electrode G2 and the ground electrode G3, so the number of attenuation poles on the high frequency side increases. Thereby, in the filter device 100, the attenuation characteristic in the non-pass band can be improved.
  • the resonator RT20 may include one more resonator in addition to the resonator RT23 between the ground electrode G2 and the ground electrode G3. Similar pass characteristics can be obtained.
  • the filter device of the present disclosure is not limited to the above embodiments, and various modifications and applications are possible. Modifications applicable to the filter device of the present disclosure will be described below.
  • the filter device 100 of the embodiment includes five resonators RT30 to RT70 as intermediate resonators, the filter device 100 may include at least one intermediate resonator.
  • both the resonator RT10 connected to the input terminal T1 and the resonator RT20 connected to the output terminal T2 are composed of a plurality of ⁇ /4 resonators.
  • one of the resonator RT10 connected to the input terminal T1 and the resonator RT20 connected to the output terminal T2 has one ⁇ between the input terminal T1 or the output terminal T2 and the ground electrode G2. It may be a resonator such as a /2 resonator.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

フィルタ装置は、入力端子（Ｔ１）と、出力端子（Ｔ２）と、互いに対向する接地電極（Ｇ１）および接地電極（Ｇ２）と、入力端子（Ｔ１）および出力端子（Ｔ２）のうちのいずれか一方の端子に接続された共振器（ＲＴ１０）とを備える。共振器（ＲＴ１０）は、接地電極（Ｇ３）と、共振部（ＲＴ１１）と、共振部（ＲＴ１２）と、共振部（ＲＴ１３）とを備える。接地電極（Ｇ３）は、接地電極（Ｇ１）と接地電極（Ｇ２）との間に設けられ、接地電極（Ｇ１）および接地電極（Ｇ２）に接続されている。共振部（ＲＴ１１）は、接地電極（Ｇ１）と接地電極（Ｇ３）との間に設けられ、接地電極（Ｇ３）および一方の端子に接続されている。共振部（ＲＴ１２）は、接地電極（Ｇ１）と接地電極（Ｇ３）との間に設けられ、接地電極（Ｇ３）に接続されている。共振部（ＲＴ１３）は、接地電極（Ｇ２）と接地電極（Ｇ３）との間に設けられ、接地電極（Ｇ３）に接続されている。

Description

フィルタ装置および高周波フロントエンド回路
　本開示は、フィルタ装置および高周波フロントエンド回路に関し、より特定的には、共振器を備えるフィルタ装置の特性を向上させる技術に関する。
　国際公開第２００９／０６０６９６号（特許文献１）には、共振器電極を囲むようにグランド電極が配置されるとともに、共振器電極に結合された入出力電極を備えるチップ型フィルタ部品が開示されている。特許文献１に開示されたチップ型フィルタ部品では、チップ本体の内部に設けられた電極部の電極長さが共振器電極の共振周波数よりも低い周波数に相当する波長の１／２の長さに設定されている。
　上記のようにチップ型フィルタ部品を構成することで、通過帯域近傍に生じる導波管モードによる不要なスプリアスを低減することができる。
国際公開第２００９／０６０６９６号
　近年、通信規格の増加などに伴って無線通信に使用される周波数帯域が増加しており、非常に狭い間隔で隣接する周波数帯域が使用される場合がある。このため、特許文献１に開示されるようなフィルタ装置においては、一般的に、信号の通過帯域を適切に調整可能であるとともに、所望の通過帯域においては低損失で信号を通過させ、所望の通過帯域以外の非通過帯域においては効率的に信号を減衰させることが求められている。
　本開示は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、共振器を備えるフィルタ装置において、信号の通過帯域を適切に調整可能にするとともに、非通過帯域における減衰特性を向上させることである。
　本開示に係るフィルタ装置は、入力端子と、出力端子と、互いに対向する第１接地電極および第２接地電極と、入力端子および出力端子のうちのいずれか一方の端子に接続された第１共振器とを備える。第１共振器は、第１中間接地電極と、第１共振部と、第２共振部と、第３共振部とを備える。第１中間接地電極は、第１接地電極と第２接地電極との間に設けられ、第１接地電極および第２接地電極に接続されている。第１共振部は、第１接地電極と第１中間接地電極との間に設けられ、第１中間接地電極および上記の一方の端子に接続されている。第２共振部は、第１接地電極と第１中間接地電極との間に設けられ、第１中間接地電極に接続されている。第３共振部は、第２接地電極と第１中間接地電極との間に設けられ、第１中間接地電極に接続されている。
　本開示に係るフィルタ装置は、入力端子と、出力端子と、互いに対向する第１接地電極および第２接地電極と、入力端子に接続された第１共振器と、出力端子に接続された第２共振器と、第１共振器および第２共振器のうちの少なくともいずれか一方と誘導性結合によって結合された少なくとも１つの中間共振器とを備える。第１共振器は、第１中間接地電極と、第１共振部と、第２共振部と、第３共振部とを備える。第１中間接地電極は、第１接地電極と第２接地電極との間に設けられ、第１接地電極および第２接地電極に接続されている。第１共振部は、第１接地電極と第１中間接地電極との間に設けられ、第１中間接地電極および入力端子に接続されている。第２共振部は、第１接地電極と第１中間接地電極との間に設けられ、第１中間接地電極に接続されている。第３共振部は、第２接地電極と第１中間接地電極との間に設けられ、第１中間接地電極に接続されている。第２共振器は、第２中間接地電極と、第４共振部と、第５共振部と、第６共振部とを備える。第２中間接地電極は、第１接地電極と第２接地電極との間に設けられ、第１接地電極および第２接地電極に接続されている。第４共振部は、第１接地電極と第２中間接地電極との間に設けられ、第２中間接地電極および出力端子に接続されている。第５共振部は、第１接地電極と第２中間接地電極との間に設けられ、第２中間接地電極に接続されている。第６共振部は、第２接地電極と第２中間接地電極との間に設けられ、第２中間接地電極に接続されている。
　本開示に係るフィルタ装置によれば、第２接地電極と第１中間接地電極との間に設けられた第３共振部の位置を調整することで、第１共振部、第２共振部、および第３共振部における共振によってフィルタ装置の通過特性に減衰極を生じさせることができる。これにより、信号の通過帯域を適切に調整することができるとともに、非通過帯域における減衰特性を向上させることができる。
実施の形態１のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路を有する通信装置のブロック図である。 実施の形態１のフィルタ装置における結合関係を示す図である。 実施の形態１のフィルタ装置の等価回路図である。 実施の形態１のフィルタ装置の斜視図である。 実施の形態１のフィルタ装置の各積層の一例を示す平面図である。 実施の形態１のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。 入力端子に接続された共振器の斜視図である。 入力端子に接続された共振器における各共振部の位置関係を簡略的に示す図である。 図８の共振器の通過特性を示す図である。 入力端子に接続された共振器において共振部の数を減らした場合の例を示す図である。 図１０の共振器の通過特性を示す図である。 入力端子に接続された共振器において共振部の数を減らした場合の例を示す図である。 図１２の共振器の通過特性を示す図である。 実施の形態１のフィルタ装置の通過特性を示す図である。 比較例のフィルタ装置の通過特性を示す図である。 変形例の共振器における各共振部の位置関係を簡略的に示す図である。 図１６の共振器の通過特性を示す図である。 変形例の共振器における各共振部の位置関係を簡略的に示す図である。 図１８の共振器の通過特性を示す図である。 図８、図１６、および図１８の各共振器の通過特性を比較するための図である。 変形例の共振器における各共振部の位置関係を簡略的に示す図である。 図２１の共振器の通過特性を示す図である。 図１６および図２１の各共振器の通過特性を比較するための図である。 実施の形態２の共振器における各共振部の位置関係を簡略的に示す図である。 図２４の共振器の通過特性を示す図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
　［実施の形態１］
　（通信装置１０の基本構成）
　図１は、実施の形態１のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路２０を有する通信装置１０のブロック図である。通信装置１０は、たとえば、携帯電話基地局である。
　図１を参照して、通信装置１０は、アンテナ１２と、高周波フロントエンド回路２０と、ミキサ３０と、局部発振器３２と、Ｄ／Ａコンバータ（ＤＡＣ）４０と、ＲＦ回路５０とを備える。また、高周波フロントエンド回路２０は、バンドパスフィルタ２２，２８と、増幅器２４と、減衰器２６とを含む。なお、図１においては、高周波フロントエンド回路２０が、アンテナ１２から高周波信号を送信する送信回路を含む場合について説明するが、高周波フロントエンド回路２０はアンテナ１２で受信した高周波信号を伝達する受信回路を含んでいてもよい。
　通信装置１０は、ＲＦ回路５０から伝達された送信信号を高周波信号にアップコンバートしてアンテナ１２から放射する。ＲＦ回路５０から出力された送信信号である変調済みのデジタル信号は、Ｄ／Ａコンバータ４０によってアナログ信号に変換される。ミキサ３０は、Ｄ／Ａコンバータ４０によってデジタル信号からアナログ信号に変換された送信信号を、局部発振器３２からの発振信号と混合して高周波信号へとアップコンバートする。バンドパスフィルタ２８は、アップコンバートによって生じた不要波を除去して、所望の周波数帯域の送信信号のみを抽出する。減衰器２６は、送信信号の強度を調整する。増幅器２４は、減衰器２６を通過した送信信号を、所定のレベルまで電力増幅する。バンドパスフィルタ２２は、増幅過程で生じた不要波を除去するとともに、通信規格で定められた周波数帯域の信号成分のみを通過させる。バンドパスフィルタ２２を通過した送信信号は、アンテナ１２を介して放射される。
　上記のような通信装置１０におけるバンドパスフィルタ２２，２８として、本開示に対応したフィルタ装置１００を採用することができる。
　（フィルタ装置１００の回路構成）
　図２および図３を用いて、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の回路構成について説明する。図２は、実施の形態１のフィルタ装置１００における結合関係を示す図である。図３は、実施の形態１のフィルタ装置１００の等価回路図である。
　図２および図３を参照して、フィルタ装置１００は、入力端子Ｔ１と、出力端子Ｔ２と、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に設けられた複数の共振器ＲＴ１０～ＲＴ７０とを備える。具体的には、フィルタ装置１００は、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０と、出力端子Ｔ２に接続された共振器ＲＴ２０と、共振器ＲＴ１０と共振器ＲＴ２０との間に設けられた複数の共振器ＲＴ３０，ＲＴ４０，ＲＴ５０，ＲＴ６０，ＲＴ７０とを備える。
　共振器ＲＴ１０は、本開示の「第１共振器」または「第２共振器」に対応する。共振器ＲＴ１０は、共振部ＲＴ１１と、共振部ＲＴ１２と、共振部ＲＴ１３と、共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１２とに接続されたキャパシタＣ１４とを含む。
　共振部ＲＴ１１は、本開示の「第１共振部」または「第４共振器」に対応する。図３に示されるように、共振部ＲＴ１１は、入力端子Ｔ１と接地端子ＧＮＤとの間で並列接続されたインダクタＬ１１とキャパシタＣ１１とを含む。インダクタＬ１１およびキャパシタＣ１１の各々の一方端は入力端子Ｔ１に接続され、インダクタＬ１１およびキャパシタＣ１１の各々の他方端は接地端子ＧＮＤに接続されている。インダクタＬ１１は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／４の長さを有する導体（後述するビアＶ１１）を含む。共振部ＲＴ１１は、所謂λ／４共振器である。
　共振部ＲＴ１２は、本開示の「第２共振部」または「第５共振器」に対応する。共振部ＲＴ１２は、キャパシタＣ１４と接地端子ＧＮＤとの間で並列接続されたインダクタＬ１２とキャパシタＣ１２とを含む。キャパシタＣ１４の一方端は入力端子Ｔ１に接続され、キャパシタＣ１４の他方端はインダクタＬ１２およびキャパシタＣ１２の各々の一方端に接続されている。インダクタＬ１２およびキャパシタＣ１２の各々の一方端はキャパシタＣ１４を介して入力端子Ｔ１に接続され、インダクタＬ１２およびキャパシタＣ１２の各々の他方端は接地端子ＧＮＤに接続されている。インダクタＬ１２は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／４の長さを有する導体（後述するビアＶ１２）を含む。共振部ＲＴ１２は、所謂λ／４共振器である。
　共振部ＲＴ１３は、本開示の「第３共振部」または「第６共振器」に対応する。共振部ＲＴ１３は、インダクタＬ１３とキャパシタＣ１３とを含む。インダクタＬ１３の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、インダクタＬ１３の他方端はキャパシタＣ１３の一方端に接続されている。キャパシタＣ１３の他方端は接地端子ＧＮＤに接続されている。インダクタＬ１３は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／４の長さを有する導体（後述するビアＶ１３）を含む。共振部ＲＴ１３は、所謂λ／４共振器である。
　共振器ＲＴ２０は、本開示の「第１共振器」または「第２共振器」に対応する。共振器ＲＴ２０は、共振部ＲＴ２１と、共振部ＲＴ２２と、共振部ＲＴ２３と、共振部ＲＴ２１と共振部ＲＴ２２とに接続されたキャパシタＣ２４とを含む。
　共振部ＲＴ２１は、本開示の「第１共振部」または「第４共振部」に対応する。共振部ＲＴ２１は、出力端子Ｔ２と接地端子ＧＮＤとの間で並列接続されたインダクタＬ２１とキャパシタＣ２１とを含む。インダクタＬ２１およびキャパシタＣ２１の各々の一方端は出力端子Ｔ２に接続され、インダクタＬ２１およびキャパシタＣ２１の各々の他方端は接地端子ＧＮＤに接続されている。インダクタＬ２１は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／４の長さを有する導体（後述するビアＶ２１）を含む。共振部ＲＴ２１は、所謂λ／４共振器である。
　共振部ＲＴ２２は、本開示の「第２共振部」または「第５共振部」に対応する。共振部ＲＴ２２は、キャパシタＣ２４と接地端子ＧＮＤとの間で並列接続されたインダクタＬ２２とキャパシタＣ２２とを含む。キャパシタＣ２４の一方端は出力端子Ｔ２に接続され、キャパシタＣ２４の他方端はインダクタＬ２２およびキャパシタＣ２２の各々の一方端に接続されている。インダクタＬ２２およびキャパシタＣ２２の各々の一方端はキャパシタＣ２４を介して出力端子Ｔ２に接続され、インダクタＬ２２およびキャパシタＣ２２の各々の他方端は接地端子ＧＮＤに接続されている。インダクタＬ２２は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／４の長さを有する導体（後述するビアＶ２２）を含む。共振部ＲＴ２２は、所謂λ／４共振器である。
　共振部ＲＴ２３は、本開示の「第３共振部」または「第６共振部」に対応する。共振部ＲＴ２３は、インダクタＬ２３とキャパシタＣ２３とを含む。インダクタＬ２３の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、インダクタＬ２３の他方端はキャパシタＣ２３の一方端に接続されている。キャパシタＣ２３の他方端は接地端子ＧＮＤに接続されている。インダクタＬ２３は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／４の長さを有する導体（後述するビアＶ２３）を含む。共振部ＲＴ２３は、所謂λ／４共振器である。
　共振器ＲＴ３０は、本開示の「中間共振器」に対応する。共振器ＲＴ３０は、直列接続されたキャパシタＣ３１と、インダクタＬ３１と、キャパシタＣ３２とを含む。キャパシタＣ３１の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ３１の他方端はインダクタＬ３１の一方端に接続されている。キャパシタＣ３２の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ３２の他方端はインダクタＬ３１の他方端に接続されている。インダクタＬ３１は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／２の長さを有する導体（後述するビアＶ３１）を含む。共振器ＲＴ３０は、所謂λ／２共振器である。
　共振器ＲＴ４０は、本開示の「中間共振器」に対応する。共振器ＲＴ４０は、直列接続されたキャパシタＣ４１と、インダクタＬ４１と、キャパシタＣ４２とを含む。キャパシタＣ４１の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ４１の他方端はインダクタＬ４１の一方端に接続されている。キャパシタＣ４２の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ４２の他方端はインダクタＬ４１の他方端に接続されている。インダクタＬ４１は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／２の長さを有する導体（後述するビアＶ４１）を含む。共振器ＲＴ４０は、所謂λ／２共振器である。
　共振器ＲＴ５０は、本開示の「中間共振器」に対応する。共振器ＲＴ５０は、直列接続されたキャパシタＣ５１と、インダクタＬ５１と、キャパシタＣ５２とを含む。キャパシタＣ５１の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ５１の他方端はインダクタＬ５１の一方端に接続されている。キャパシタＣ５２の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ３２の他方端はインダクタＬ５１の他方端に接続されている。インダクタＬ５１は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／２の長さを有する導体（後述するビアＶ５１）を含む。共振器ＲＴ５０は、所謂λ／２共振器である。
　共振器ＲＴ６０は、本開示の「中間共振器」に対応する。共振器ＲＴ６０は、直列接続されたキャパシタＣ６１と、インダクタＬ６１と、キャパシタＣ６２とを含む。キャパシタＣ６１の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ６１の他方端はインダクタＬ６１の一方端に接続されている。キャパシタＣ６２の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ６２の他方端はインダクタＬ６１の他方端に接続されている。インダクタＬ６１は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／２の長さを有する導体（後述するビアＶ６１）を含む。共振器ＲＴ６０は、所謂λ／２共振器である。
　共振器ＲＴ７０は、本開示の「中間共振器」に対応する。共振器ＲＴ７０は、直列接続されたキャパシタＣ７１と、インダクタＬ７１と、キャパシタＣ７２とを含む。キャパシタＣ７１の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ７１の他方端はインダクタＬ７１の一方端に接続されている。キャパシタＣ７２の一方端は接地端子ＧＮＤに接続され、キャパシタＣ７２の他方端はインダクタＬ７１の他方端に接続されている。インダクタＬ７１は、信号の通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／２の長さを有する導体（後述するビアＶ７１）を含む。共振器ＲＴ７０は、所謂λ／２共振器である。
　図２に示されるように、共振器ＲＴ１０の共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１２とは、誘導性結合Ｍ１によって結合されている。共振器ＲＴ２０の共振部ＲＴ２１と共振部ＲＴ２２とは、誘導性結合Ｍ２によって結合されている。共振器ＲＴ１０の共振部ＲＴ１３と共振器ＲＴ３０とは、誘導性結合Ｍ３によって結合されている。共振器ＲＴ３０と共振器ＲＴ４０とは、誘導性結合Ｍ４によって結合されている。共振器ＲＴ４０と共振器ＲＴ５０とは、誘導性結合Ｍ５によって結合されている。共振器ＲＴ５０と共振器ＲＴ６０とは、誘導性結合Ｍ６によって結合されている。共振器ＲＴ６０と共振器ＲＴ７０とは、誘導性結合Ｍ７によって結合されている。共振器ＲＴ７０と共振器ＲＴ２０の共振部ＲＴ２３とは、誘導性結合Ｍ８によって結合されている。さらに、共振器ＲＴ４０と共振器ＲＴ６０とは、誘導性結合Ｍ９によって結合されている。
　（フィルタ装置１００の内部構成）
　図４～図６を用いて、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の内部構成について説明する。図４は、実施の形態１のフィルタ装置１００の斜視図である。図５は、実施の形態１のフィルタ装置１００の各積層の一例を示す平面図である。図６は、実施の形態１のフィルタ装置１００の積層構造の一例を示す分解斜視図である。
　フィルタ装置１００は、複数の誘電体層が所定の方向に沿って積み上げられて形成された、直方体または略直方体の誘電体基板１１０を備えている。誘電体基板１１０において、複数の誘電体層が積み上げられている方向を積層方向とする。誘電体基板１１０における各誘電体層は、たとえば低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low　Temperature　Co-fired　Ceramics）のような誘電体セラミック、あるいは、水晶または樹脂などの誘電体材料によって形成される。誘電体基板１１０の内部において、複数の電極および複数のビアによって各共振器ＲＴ１０～ＲＴ７０が構成される。なお、本明細書において「ビア」とは、積層方向における位置が異なる複数の電極を接続するために、誘電体基板に設けられた導体を示す。ビアは、たとえば、導電ペースト、めっき、および／または金属ピンなどによって形成される。
　以下の説明においては、誘電体基板１１０の積層方向を「Ｚ軸方向」とし、Ｚ軸方向に垂直であって誘電体基板１１０の長辺に沿った方向を「Ｘ軸方向」とし、Ｚ軸方向に垂直であって誘電体基板１１０の短辺に沿った方向を「Ｙ軸方向」とする。また、以下では、各図におけるＺ軸の正方向を上側、負方向を下側と称する場合がある。
　なお、図４～図６および後述する図７においては、内部構成を示すために、誘電体基板１１０の誘電体が省略されており、内部に設けられた電極（平板電極，接地電極）、ビア、および端子などの導電体のみが示されている。
　図４～図６を参照して、誘電体基板１１０は、ＸＹ方向に延伸する下面１１１および上面１１２と、下面１１１の外縁および上面１１２の外縁をつなぐ側面１１３とを有する。誘電体基板１１０は、Ｚ軸の正方向に沿って下面１１１から上面１１２に向かって順に、第１層Ｓ１０１（図５（Ａ））、第２層Ｓ１０２（図５（Ｂ））、第３層Ｓ１０３（図５（Ｃ））、第４層Ｓ１０４（図５（Ｄ））、第５層Ｓ１０５（図５（Ｅ））、および第６層Ｓ１０６（図５（Ｆ））が配置されている。
　第１層Ｓ１０１は、接地端子ＧＮＤに対応する接地電極Ｇ１００と、入力端子Ｔ１と、出力端子Ｔ２とが配置されている。接地電極Ｇ１００には、２つの切り欠き部分Ｋ１，Ｋ２が形成されており、切り欠き部分Ｋ１に入力端子Ｔ１が設けられ、切り欠き部分Ｋ２に出力端子Ｔ２が設けられている。入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２、および接地端子ＧＮＤの各々は、フィルタ装置１００と外部機器とを接続するための外部端子として機能する。
　第２層Ｓ１０２は、接地端子ＧＮＤに対応する接地電極Ｇ１を含む。接地電極Ｇ１は、本開示の「第１接地電極」に対応する。接地電極Ｇ１には、２つの切り欠き部分Ｋ１１，Ｋ１２が形成されており、切り欠き部分Ｋ１１に平板電極Ｐ１が設けられ、切り欠き部分Ｋ１２に平板電極Ｐ２が設けられている。
　誘電体基板１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合、第２層Ｓ１０２の切り欠き部分Ｋ１１，Ｋ１２は第１層Ｓ１０１の切り欠き部分Ｋ１，Ｋ２とそれぞれ重なる。第２層Ｓ１０２の切り欠き部分Ｋ１１に設けられた平板電極Ｐ１は、誘電体基板１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合に、第１層Ｓ１０１の切り欠き部分Ｋ１に設けられた入力端子Ｔ１と重なる位置に設けられている。第２層Ｓ１０２の切り欠き部分Ｋ１２に設けられた平板電極Ｐ２は、誘電体基板１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合に、第１層Ｓ１０１の切り欠き部分Ｋ２に設けられた出力端子Ｔ２と重なる位置に設けられている。
　第３層Ｓ１０３は、入力端子Ｔ１側に配置された平板電極Ｐ１１，Ｐ１２と、出力端子Ｔ２側に配置された平板電極Ｐ２１，Ｐ２２とを含む。平板電極Ｐ１１，Ｐ１２は、誘電体基板１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合に、入力端子Ｔ１および平板電極Ｐ１と重なる位置に設けられている。平板電極Ｐ２１，Ｐ２２は、誘電体基板１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合に、出力端子Ｔ２および平板電極Ｐ２と重なる位置に設けられている。平板電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２の各々は、接地電極Ｇ１に接続されることなく、接地電極Ｇ１から間隔を空けて配置されている。
　さらに、第３層Ｓ１０３は、平板電極Ｐ３１１，Ｐ４１１，Ｐ５１１，Ｐ６１１，Ｐ７１１を含む。平板電極Ｐ３１１，Ｐ４１１，Ｐ５１１，Ｐ６１１，Ｐ７１１の各々は、本開示の「第１平板電極」に対応する。平板電極Ｐ３１１，Ｐ４１１，Ｐ５１１，Ｐ６１１，Ｐ７１１の各々は、接地電極Ｇ１に接続されることなく、接地電極Ｇ１に対向するように接地電極Ｇ１から間隔を空けて配置されている。
　第４層Ｓ１０４は、接地端子ＧＮＤに対応する接地電極Ｇ３および接地電極Ｇ４を含む。接地電極Ｇ３，Ｇ４の各々は、本開示の「第１中間接地電極」または「第２中間接地電極」に対応する。接地電極Ｇ３は、入力端子Ｔ１側に配置される一方で、接地電極Ｇ４は、出力端子Ｔ２側に配置されている。接地電極Ｇ３は、誘電体基板１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合に、入力端子Ｔ１、平板電極Ｐ１および平板電極Ｐ１１，Ｐ１２と重なる位置に設けられている。接地電極Ｇ４は、誘電体基板１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合に、出力端子Ｔ２、平板電極Ｐ２および平板電極Ｐ２１，Ｐ２２と重なる位置に設けられている。
　第５層Ｓ１０５は、平板電極Ｐ１３，Ｐ２３，Ｐ３１２，Ｐ４１２，Ｐ５１２，Ｐ６１２，Ｐ７１２を含む。平板電極Ｐ３１２，Ｐ４１２，Ｐ５１２，Ｐ６１２，Ｐ７１２の各々は、本開示の「第２平板電極」に対応する。平板電極Ｐ１３，Ｐ２３，Ｐ３１２，Ｐ４１２，Ｐ６１２，Ｐ７１２の各々は、後述する接地電極Ｇ２に接続されることなく、接地電極Ｇ２に対向するように接地電極Ｇ２から間隔を空けて配置されている。
　第６層Ｓ１０６は、接地端子ＧＮＤに対応する接地電極Ｇ２を含む。接地電極Ｇ２は、接地電極Ｇ１と対向するように配置されている。接地電極Ｇ２は、本開示の「第２接地電極」に対応する。
　誘電体基板１１０には、複数のグランドビアＶＧが設けられている。複数のグランドビアＶＧの各々は、Ｚ軸方向に延伸する柱状導体であり、第１層Ｓ１０１～第６層Ｓ１０６の各々の接地電極に接続されている。たとえば、第２層の接地電極Ｇ１、第２層の接地電極Ｇ２、および第４層の接地電極Ｇ３は、グランドビアＶＧ１１，ＶＧ１２を含む複数本（この例では７本）のグランドビアＶＧによって接続されている。第２層の接地電極Ｇ１、第２層の接地電極Ｇ２、および第４層の接地電極Ｇ４は、グランドビアＶＧ２１，ＶＧ２２を含む複数本（この例では５本）のグランドビアＶＧによって接続されている。
　図４および図６に示されるように、入力端子Ｔ１と平板電極Ｐ１との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ１が設けられている。ビアＶ１は、入力端子Ｔ１と平板電極Ｐ１とを接続する。
　平板電極Ｐ１と平板電極Ｐ１１との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ１０が設けられている。ビアＶ１０は、平板電極Ｐ１と平板電極Ｐ１１とを接続する。
　平板電極Ｐ１１と接地電極Ｇ３との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ１１が設けられている。ビアＶ１１は、本開示の「第１導体」に対応し、平板電極Ｐ１１と接地電極Ｇ３とを接続する。
　平板電極Ｐ１２と接地電極Ｇ３との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ１２が設けられている。ビアＶ１２は、本開示の「第１導体」に対応し、平板電極Ｐ１２と接地電極Ｇ３とを接続する。
　接地電極Ｇ３と平板電極Ｐ１３との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ１３が設けられている。ビアＶ１３は、本開示の「第１導体」に対応し、接地電極Ｇ３と平板電極Ｐ１３とを接続する。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ１０の共振部ＲＴ１１は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられ、接地電極Ｇ３および入力端子Ｔ１に接続されている。具体的には、共振部ＲＴ１１は、平板電極Ｐ１１と、平板電極Ｐ１１に対向する接地電極Ｇ３と、平板電極Ｐ１１と接地電極Ｇ３とを接続するビアＶ１１とから構成される。図３のインダクタＬ１１は、ビアＶ１１によって構成される。図３のキャパシタＣ１１は、平板電極Ｐ１１と接地電極Ｇ１とによって構成される。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ１０の共振部ＲＴ１２は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられ、接地電極Ｇ３に接続されている。なお、共振部ＲＴ１２は、入力端子Ｔ１に接続されていない。具体的には、共振部ＲＴ１２は、平板電極Ｐ１２と、平板電極Ｐ１２に対向する接地電極Ｇ３と、平板電極Ｐ１２と接地電極Ｇ３とを接続するビアＶ１２とから構成される。図３のインダクタＬ１２は、ビアＶ１２によって構成される。図３のキャパシタＣ１２は、平板電極Ｐ１２と接地電極Ｇ１とによって構成される。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ１０の共振部ＲＴ１３は、接地電極Ｇ２と接地電極Ｇ３との間に設けられ、接地電極Ｇ３に接続されている。具体的には、共振部ＲＴ１３は、接地電極Ｇ３と、接地電極Ｇ３に対向する平板電極Ｐ１３と、接地電極Ｇ３と平板電極Ｐ１３とを接続するビアＶ１３とから構成される。図３のインダクタＬ１３は、ビアＶ１３によって構成される。平板電極Ｐ１３は、接地電極Ｇ２に接続されていないため、平板電極Ｐ１３と接地電極Ｇ２との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ１３は、平板電極Ｐ１３と接地電極Ｇ２とによって構成される。
　出力端子Ｔ２と平板電極Ｐ２との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ２が設けられている。ビアＶ２は、出力端子Ｔ２と平板電極Ｐ２とを接続する。
　平板電極Ｐ２と、平板電極Ｐ２１との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ２０が設けられている。ビアＶ２０は、平板電極Ｐ２と平板電極Ｐ２１とを接続する。
　平板電極Ｐ２１と接地電極Ｇ４との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ２１が設けられている。ビアＶ２１は、本開示の「第１導体」に対応し、平板電極Ｐ２１と接地電極Ｇ４とを接続する。
　平板電極Ｐ２２と接地電極Ｇ４との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ２２が設けられている。ビアＶ２２は、本開示の「第１導体」に対応し、平板電極Ｐ２２と接地電極Ｇ４とを接続する。
　接地電極Ｇ４と平板電極Ｐ２３との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ２３が設けられている。ビアＶ２３は、本開示の「第１導体」に対応し、接地電極Ｇ４と平板電極Ｐ２３とを接続する。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ２０の共振部ＲＴ２１は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ４との間に設けられ、接地電極Ｇ４および出力端子Ｔ２に接続されている。具体的には、共振部ＲＴ２１は、平板電極Ｐ２１と、平板電極Ｐ２１に対向する接地電極Ｇ４と、平板電極Ｐ２１と接地電極Ｇ４とを接続するビアＶ２１とから構成される。図３のインダクタＬ２１は、ビアＶ２１によって構成される。図３のキャパシタＣ２１は、平板電極Ｐ２１と接地電極Ｇ１とによって構成される。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ２０の共振部ＲＴ２２は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ４との間に設けられ、接地電極Ｇ４に接続されている。なお、共振部ＲＴ２２は、出力端子Ｔ２に接続されていない。具体的には、共振部ＲＴ２２は、平板電極Ｐ２２と、平板電極Ｐ２２に対向する接地電極Ｇ４と、平板電極Ｐ２２と接地電極Ｇ４とを接続するビアＶ２２とから構成される。図３のインダクタＬ２２は、ビアＶ２２によって構成される。図３のキャパシタＣ２２は、平板電極Ｐ２２と接地電極Ｇ１とによって構成される。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ２０の共振部ＲＴ２３は、接地電極Ｇ２と接地電極Ｇ４との間に設けられ、接地電極Ｇ４に接続されている。具体的には、共振部ＲＴ２３は、接地電極Ｇ４と、接地電極Ｇ４に対向する平板電極Ｐ２３と、接地電極Ｇ４と平板電極Ｐ２３とを接続するビアＶ２３とから構成される。図３のインダクタＬ２３は、ビアＶ２３によって構成される。平板電極Ｐ２３は、接地電極Ｇ２に接続されていないため、平板電極Ｐ２３と接地電極Ｇ２との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ２３は、平板電極Ｐ２３と接地電極Ｇ２とによって構成される。
　平板電極Ｐ３１１と平板電極Ｐ３１２との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ３１が設けられている。ビアＶ３１は、本開示の「第２導体」に対応し、平板電極Ｐ３１１と平板電極Ｐ３１２とを接続する。
　平板電極Ｐ４１１と平板電極Ｐ４１２との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ４１が設けられている。ビアＶ４１は、本開示の「第２導体」に対応し、平板電極Ｐ４１１と平板電極Ｐ４１２とを接続する。
　平板電極Ｐ５１１と平板電極Ｐ５１２との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ５１１，Ｖ５１２，Ｖ５１３が設けられている。ビアＶ５１１，Ｖ５１２，Ｖ５１３は、本開示の「第２導体」に対応し、平板電極Ｐ５１１と平板電極Ｐ５１２とを接続する。
　平板電極Ｐ６１１と平板電極Ｐ６１２との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ６１が設けられている。ビアＶ６１は、本開示の「第２導体」に対応し、平板電極Ｐ６１１と平板電極Ｐ６１２とを接続する。
　平板電極Ｐ７１１と平板電極Ｐ７１２との間には、Ｚ軸方向に延伸するビアＶ７１が設けられている。ビアＶ７１は、本開示の「第２導体」に対応し、平板電極Ｐ７１１と平板電極Ｐ７１２とを接続する。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ３０は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ２との間に設けられている。具体的には、共振器ＲＴ３０は、平板電極Ｐ３１１と、平板電極Ｐ３１１に対向する平板電極Ｐ３１２と、平板電極Ｐ３１１と平板電極Ｐ３１２とを接続するビアＶ３１とから構成される。図３のインダクタＬ３１は、ビアＶ３１によって構成される。平板電極Ｐ３１１は、接地電極Ｇ１に接続されていないため、平板電極Ｐ３１１と接地電極Ｇ１との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ３１は、平板電極Ｐ３１１と接地電極Ｇ１とによって構成される。平板電極Ｐ３１２は、接地電極Ｇ２に接続されていないため、平板電極Ｐ３１２と接地電極Ｇ２との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ３２は、平板電極Ｐ３１２と接地電極Ｇ２とによって構成される。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ４０は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ２との間に設けられている。具体的には、共振器ＲＴ４０は、平板電極Ｐ４１１と、平板電極Ｐ４１１に対向する平板電極Ｐ４１２と、平板電極Ｐ４１１と平板電極Ｐ４１２とを接続するビアＶ４１とから構成される。図３のインダクタＬ４１は、ビアＶ４１によって構成される。平板電極Ｐ４１１は、接地電極Ｇ１に接続されていないため、平板電極Ｐ４１１と接地電極Ｇ１との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ４１は、平板電極Ｐ４１１と接地電極Ｇ１とによって構成される。平板電極Ｐ４１２は、接地電極Ｇ２に接続されていないため、平板電極Ｐ４１２と接地電極Ｇ２との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ４２は、平板電極Ｐ４１２と接地電極Ｇ２とによって構成される。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ５０は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ２との間に設けられている。具体的には、共振器ＲＴ５０は、平板電極Ｐ５１１と、平板電極Ｐ５１１に対向する平板電極Ｐ５１２と、平板電極Ｐ５１１と平板電極Ｐ５１２とを接続するビアＶ５１１～Ｖ５１３とから構成される。図３のインダクタＬ５１は、ビアＶ５１１～Ｖ５１３によって構成される。平板電極Ｐ５１１は、接地電極Ｇ１に接続されていないため、平板電極Ｐ５１１と接地電極Ｇ１との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ５１は、平板電極Ｐ５１１と接地電極Ｇ１とによって構成される。平板電極Ｐ５１２は、接地電極Ｇ２に接続されていないため、平板電極Ｐ５１２と接地電極Ｇ２との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ５２は、平板電極Ｐ５１２と接地電極Ｇ２とによって構成される。
　共振器ＲＴ５０は、平板電極Ｐ５１１と平板電極Ｐ５１２との間にビアＶ５１１～Ｖ５１３が並列に接続された、ループ形状を有している。このようなループ形状の共振器ＲＴ５０では、共振器ＲＴ５０で形成されるインダクタの空芯径が大きくなるので、誘電体基板１１０のサイズが同じ場合にはＱ値を向上させることができる。あるいは、Ｑ値を維持しながら、誘電体基板１１０のサイズを小さくすることができる。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ６０は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ２との間に設けられている。具体的には、共振器ＲＴ６０は、平板電極Ｐ６１１と、平板電極Ｐ６１１に対向する平板電極Ｐ６１２と、平板電極Ｐ６１１と平板電極Ｐ６１２とを接続するビアＶ６１とから構成される。図３のインダクタＬ６１は、ビアＶ６１によって構成される。平板電極Ｐ６１１は、接地電極Ｇ１に接続されていないため、平板電極Ｐ６１１と接地電極Ｇ１との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ６１は、平板電極Ｐ６１１と接地電極Ｇ１とによって構成される。平板電極Ｐ６１２は、接地電極Ｇ２に接続されていないため、平板電極Ｐ６１２と接地電極Ｇ２との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ６２は、平板電極Ｐ６１２と接地電極Ｇ２とによって構成される。
　図２および図３に示した共振器ＲＴ７０は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ２との間に設けられている。具体的には、共振器ＲＴ７０は、平板電極Ｐ７１１と、平板電極Ｐ７１１に対向する平板電極Ｐ７１２と、平板電極Ｐ７１１と平板電極Ｐ７１２とを接続するビアＶ７１とから構成される。図３のインダクタＬ７１は、ビアＶ７１によって構成される。平板電極Ｐ７１１は、接地電極Ｇ１に接続されていないため、平板電極Ｐ７１１と接地電極Ｇ１との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ７１は、平板電極Ｐ７１１と接地電極Ｇ１とによって構成される。平板電極Ｐ７１２は、接地電極Ｇ２に接続されていないため、平板電極Ｐ７１２と接地電極Ｇ２との間には、局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ７２は、平板電極Ｐ７１２と接地電極Ｇ２とによって構成される。
　以上のように、共振器ＲＴ１０は入力端子Ｔ１に接続され、共振器ＲＴ２０は出力端子Ｔ２に接続されている。共振器ＲＴ１０，ＲＴ３０，ＲＴ４０，ＲＴ５０は、Ｘ軸の正方向に、この順に配置されている。共振器ＲＴ５０，ＲＴ６０，ＲＴ７０，ＲＴ２０は、Ｘ軸の負方向に、この順に配置されている。さらに、共振器ＲＴ１０と共振器ＲＴ２０、共振器ＲＴ３０と共振器ＲＴ７０、および共振器ＲＴ４０と共振器ＲＴ６０とは、Ｙ軸方向に隣接している。
　すなわち、共振器ＲＴ１０から、共振器ＲＴ３０、共振器ＲＴ４０、共振器ＲＴ５０、共振器ＲＴ６０、および共振器ＲＴ７０を経由して、共振器ＲＴ２０へ至る経路は、共振器ＲＴ５０を折り返し点として線対称に折り返された形態となっている。
　共振器ＲＴ１０～ＲＴ７０の各々は、ＴＥ１０１モードを基本モードとする共振器であり、Ｚ軸方向を電界方向とし、ＸＹ平面に沿った面方向に磁界が回る共振モードで信号が伝達される。
　隣接する共振器は、誘導性結合あるいは容量性結合によって結合される。一般的に、隣接する共振器間の結合窓における電界方向の間隔（すなわち、Ｚ軸方向の間隔）が狭められると容量性結合となり、結合窓における電界方向に直交する方向の間隔が狭められると誘導性結合となることが知られている。
　フィルタ装置１００においては、共振部ＲＴ１１の平板電極Ｐ１１と共振部ＲＴ１２の平板電極Ｐ１２との間に局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ１４は、平板電極Ｐ１１と平板電極Ｐ１２とによって構成される。共振部ＲＴ２１の平板電極Ｐ２１と共振部ＲＴ２２の平板電極Ｐ２２との間に局部的な容量が形成されている。図３のキャパシタＣ２４は、平板電極Ｐ２１と平板電極Ｐ２２とによって構成される。
　共振部ＲＴ１１のビアＶ１１と共振部ＲＴ１２のビアＶ１２との間には、誘導性結合Ｍ１が生じている。共振部ＲＴ２１のビアＶ２１と共振部ＲＴ２２のビアＶ２２との間には、誘導性結合Ｍ２が生じている。共振部ＲＴ１３のビアＶ１３と共振器ＲＴ３０のビアＶ３１との間には、誘導性結合Ｍ３が生じている。共振器ＲＴ３０のビアＶ３１と共振器ＲＴ４０のビアＶ４１との間には、誘導性結合Ｍ４が生じている。共振器ＲＴ４０のビアＶ４１と共振器ＲＴ５０のビアＶ５１との間には、誘導性結合Ｍ５が生じている。共振器ＲＴ５０のビアＶ５１と共振器ＲＴ６０のビアＶ６１との間には、誘導性結合Ｍ６が生じている。共振器ＲＴ６０のビアＶ６１と共振器ＲＴ７０のビアＶ７１との間には、誘導性結合Ｍ７が生じている。共振器ＲＴ７０のビアＶ７１と共振部ＲＴ２３のビアＶ２３との間には、誘導性結合Ｍ８が生じている。共振器ＲＴ４０のビアＶ４１と共振器ＲＴ６０のビアＶ６１との間には、誘導性結合Ｍ９が生じている。
　（共振器の通過特性）
　図７～図１３を用いて、共振器ＲＴ１０の通過特性について説明する。図７は、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０の斜視図である。図８は、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０における各共振部ＲＴ１１～ＲＴ１３の位置関係を簡略的に示す図である。なお、図８および後述する図１０、図１２、図１６、図１８、図２１、図２４では、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１１と対称的な位置Ａと、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１２と対称的な位置Ｂとを結ぶ経路に対して直交し、かつＺ軸に対して直交する方向（図７の矢印Ｙの方向，フィルタ装置１００の側面方向）から、共振器ＲＴ１０をみたときの各共振部ＲＴ１１～ＲＴ１３の位置関係が簡略的に示されている。
　図７および図８を参照して、共振部ＲＴ１１は、平板電極Ｐ１１と、平板電極Ｐ１１に対向する接地電極Ｇ３と、平板電極Ｐ１１と接地電極Ｇ３とを接続するビアＶ１１とを含む。ビアＶ１１の一方端は接地電極Ｇ３に接続され、ビアＶ１１の他方端はビアＶ１０を介して入力端子Ｔ１に接続されている。共振部ＲＴ１２は、平板電極Ｐ１２と、平板電極Ｐ１２に対向する接地電極Ｇ３と、平板電極Ｐ１２と接地電極Ｇ３とを接続するビアＶ１２とを含む。ビアＶ１２の一方端は接地電極Ｇ３に接続され、ビアＶ１２の他方端は開放端となっている。共振部ＲＴ１３は、平板電極Ｐ１２と、平板電極Ｐ１２に対向する接地電極Ｇ３と、平板電極Ｐ１２と接地電極Ｇ３とを接続するビアＶ１２とを含む。ビアＶ１２の一方端は接地電極Ｇ３に接続され、ビアＶ１２の他方端は開放端となっている。
　図８に示されるように、図７の矢印Ｙの方向から共振器ＲＴ１０をみたときに、共振部ＲＴ１３は、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１１と対称的な位置Ａと、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１２と対称的な位置Ｂとを結ぶ経路上に設けられている。言い換えると、位置Ａと位置Ｂとを結ぶ経路に対して直交する方向（矢印Ｙの方向）の側面から共振器ＲＴ１０をみたときに、共振部ＲＴ１３は、位置Ａと位置Ｂとの間に配置されている。
　図９は、図８の共振器ＲＴ１０の通過特性を示す図である。図９において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ１１）および反射損失（破線ＬＮ１２）が示されている。なお、図９においては、信号が共振器ＲＴ１０のみを通過した場合の通過特性が示されており、他の共振器ＲＴ２０～ＲＴ７０の通過特性は考慮されていない。
　図９を参照して、共振器ＲＴ１０においては、通過帯域よりも低周波数側に１つの減衰極ＡＰ１１が生じ、通過帯域よりも高周波数側に１つの減衰極ＡＰ１２が生じている。具体的には、２９ＧＨｚ付近に設定された信号の通過帯域よりも低周波数側の約２５ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ１１が生じ、通過帯域よりも高周波数側の約３３ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ１２が生じている。
　図１０は、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０において共振部の数を減らした場合の例を示す図である。図１０に示す例では、共振部ＲＴ１２を削除した場合の共振器ＲＴ１０を、共振器ＲＴ１０Ａとして示す。図１０に示されるように、共振器ＲＴ１０Ａは、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられ、接地電極Ｇ３および入力端子Ｔ１に接続された共振部ＲＴ１１と、接地電極Ｇ２と接地電極Ｇ３との間に設けられ、接地電極Ｇ３に接続された共振部ＲＴ１３とから構成されている。
　図１１は、図１０の共振器ＲＴ１０Ａの通過特性を示す図である。図１１において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ１１Ａ）および反射損失（破線ＬＮ１２Ａ）が示されている。なお、図１１においては、信号が共振器ＲＴ１０Ａのみを通過した場合の通過特性が示されており、他の共振器ＲＴ２０～ＲＴ７０の通過特性は考慮されていない。
　図１１を参照して、共振器ＲＴ１０Ａにおいては、通過帯域よりも低周波数側の約２４ＧＨｚ付近で１つの減衰極ＡＰ１１Ａが生じている。このことから、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられた共振部ＲＴ１１と、接地電極Ｇ２と接地電極Ｇ１との間に設けられた共振部ＲＴ１３とが作用することで、１つの低周波数側の減衰極（図９のＡＰ１１，図１１のＡＰ１１Ａ）が生じることが分かる。
　図１２は、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０において共振部の数を減らした場合の例を示す図である。図１２に示す例では、共振部ＲＴ１３を削除した場合の共振器ＲＴ１０を、共振器ＲＴ１０Ｂとして示す。図１２に示されるように、共振器ＲＴ１０Ｂは、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられ、接地電極Ｇ３および入力端子Ｔ１に接続された共振部ＲＴ１１と、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられ、接地電極Ｇ３に接続された共振部ＲＴ１２とから構成されている。
　図１３は、図１２の共振器ＲＴ１０Ｂの通過特性を示す図である。図１３において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ１１Ｂ）および反射損失（破線ＬＮ１２Ｂ）が示されている。なお、図１３においては、信号が共振器ＲＴ１０Ｂのみを通過した場合の通過特性が示されており、他の共振器ＲＴ２０～ＲＴ７０の通過特性は考慮されていない。
　図１３を参照して、共振器ＲＴ１０Ｂにおいては、通過帯域よりも高周波数側の約３３ＧＨｚ付近で１つの減衰極ＡＰ１２Ｂが生じている。このことから、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられた共振部ＲＴ１１と、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に設けられた共振部ＲＴ１２とが作用することで、１つの高周波数側の減衰極（図９のＡＰ１２，図１３のＡＰ１２Ｂ）が生じることが分かる。
　図１０～図１３に示されたように、共振器ＲＴ１０においては、共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１３との作用によって１つの低周波数側の減衰極が生じ、共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１２との作用によって１つの高周波数側の減衰極が生じる。
　（フィルタ装置の通過特性）
　図１４および図１５を用いて、比較例のフィルタ装置の通過特性と比較しながら、フィルタ装置１００の通過特性について説明する。図１４は、実施の形態１のフィルタ装置１００の通過特性を示す図である。図１５は、比較例のフィルタ装置の通過特性を示す図である。
　なお、比較例のフィルタ装置は、実施の形態１のフィルタ装置１００のように３つのλ／４共振器を含む共振器ＲＴ１０を備えていない代わりに、入力端子Ｔ１と接地電極Ｇ２との間に１つのλ／２共振器を備えている。具体的には、比較例のフィルタ装置においては、入力端子Ｔ１側の共振器が、容量性結合によって入力端子Ｔ１に結合されかつ通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／２の長さを有するビアと、接地電極Ｇ２と対向しかつ当該ビアに接続される平板電極とを備えている。また、比較例のフィルタ装置は、実施の形態１のフィルタ装置１００のように３つのλ／４共振器を含む共振器ＲＴ２０を備えていない代わりに、出力端子Ｔ２と接地電極Ｇ２との間に１つのλ／２共振器を備えている。具体的には、比較例のフィルタ装置においては、出力端子Ｔ２側の共振器が、容量性結合によって出力端子Ｔ２に結合されかつ通過帯域の中心周波数に対応する波長λの１／２の長さを有するビアと、接地電極Ｇ２と対向しかつ当該ビアに接続される平板電極とを備えている。
　図１４および図１５において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ１，ＬＮ２０１）および反射損失（破線ＬＮ２，ＬＮ２０２）が示されている。なお、図１４および図１５に示されている通過帯域は、２４．２５ＧＨｚ～２７．５ＧＨｚである。
　図１４および図１５を参照して、比較例のフィルタ装置においては、通過帯域よりも低周波数側および通過帯域よりも高周波数側のいずれにも減衰極が生じていない。これに対して、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、通過帯域よりも低周波数側に２つの減衰極ＡＰ１，ＡＰ２が生じ、通過帯域よりも高周波数側に３つの減衰極ＡＰ３，ＡＰ４，ＡＰ５が生じている。
　減衰極ＡＰ１は、図１０および図１１を用いて説明したように、共振器ＲＴ１０の共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１３とが作用することで主に生じている。減衰極ＡＰ２は、共振器ＲＴ２０の共振部ＲＴ２１と共振部ＲＴ２３とが作用することで主に生じている。減衰極ＡＰ３は、図１２および図１３を用いて説明したように、共振器ＲＴ１０の共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１２とが作用することで主に生じている。減衰極ＡＰ４は、共振器ＲＴ２０の共振部ＲＴ２１と共振部ＲＴ２２とが作用することで主に生じている。なお、減衰極ＡＰ５は、共振器ＲＴ４０と共振器ＲＴ６０との間の誘導性結合Ｍ９によって主に生じていると考えられる。
　このように、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０および出力端子Ｔ２に接続された共振器ＲＴ２０の各々によって、通過帯域の高周波数側および低周波数側の各々に減衰極が生じる。
　また、共振器ＲＴ１０における共振部ＲＴ１３の位置と、共振器ＲＴ２０における共振部ＲＴ２３の位置とを調整することで、共振器ＲＴ１０の共振によって生じる減衰極ＡＰ１の周波数と、共振器ＲＴ２０の共振によって生じる減衰極ＡＰ２の周波数とを一致させることができる。これにより、共振器ＲＴ１０の共振によって生じる減衰極ＡＰ１と、共振器ＲＴ２０の共振によって生じる減衰極ＡＰ２との両方が作用することで、低周波数側の減衰極における信号の減衰量をより大きくすることができる。
　実施の形態１のフィルタ装置１００においては、これらの減衰極ＡＰ１～ＡＰ５によって、通過帯域よりも低周波数側および高周波数側において、比較例のフィルタ装置よりも急峻かつ高減衰の減衰特性を得られることが分かる。特に、フィルタ装置１００においては、通過帯域よりも低周波数側に２つの減衰極が生じているため、低周波数側の急峻性が高い減衰特性が得られ、さらに、通過帯域よりも高周波数側に３つの減衰極が生じているため、高周波数側の急峻性が高い減衰特性が得られる。
　また、フィルタ装置１００においては、各共振器ＲＴ１０～ＲＴ７０がビアを用いて伝送線路を構成しているため、ストリップラインを用いて伝送線路を構成している共振器よりも挿入損失を小さくすることができる。
　以上のように、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、信号の通過帯域を適切に調整可能にするとともに、非通過帯域における減衰特性を向上させることができる。
　［変形例］
　図１６～図２３を用いて実施の形態１の共振器の変形例について説明する。図１６は、変形例の共振器ＲＴ１０１における各共振部ＲＴ１１～ＲＴ１３の位置関係を簡略的に示す図である。図１６の例では、図７の矢印Ｙの方向から共振器ＲＴ１０をみたときに、共振部ＲＴ１３は、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１１と対称的な位置Ａに設けられている。
　図１７は、図１６の共振器ＲＴ１０１の通過特性を示す図である。図１７において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ２１）および反射損失（破線ＬＮ２２）が示されている。なお、図１７においては、信号が共振器ＲＴ１０１のみを通過した場合の通過特性が示されており、他の共振器ＲＴ２０～ＲＴ７０の通過特性は考慮されていない。
　図１７を参照して、共振器ＲＴ１０１においては、通過帯域よりも低周波数側に１つの減衰極ＡＰ２１が生じ、通過帯域よりも高周波数側に１つの減衰極ＡＰ２２が生じている。具体的には、２９ＧＨｚ付近に設定された信号の通過帯域よりも低周波数側の約２４ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ２１が生じ、通過帯域よりも高周波数側の約３２ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ２２が生じている。
　図１８は、変形例の共振器ＲＴ１０２における各共振部ＲＴ１１～ＲＴ１３の位置関係を簡略的に示す図である。図１８の例では、図７の矢印Ｙの方向から共振器ＲＴ１０２をみたときに、共振部ＲＴ１３は、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１２と対称的な位置Ｂに設けられている。
　図１９は、図１８の共振器ＲＴ１０２の通過特性を示す図である。図１９において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ３１）および反射損失（破線ＬＮ３２）が示されている。なお、図１９においては、信号が共振器ＲＴ１０２のみを通過した場合の通過特性が示されており、他の共振器ＲＴ２０～ＲＴ７０の通過特性は考慮されていない。
　図１９を参照して、共振器ＲＴ１０２においては、通過帯域よりも低周波数側に１つの減衰極ＡＰ３１が生じ、通過帯域よりも高周波数側に１つの減衰極ＡＰ３２が生じている。具体的には、２９ＧＨｚ付近に設定された信号の通過帯域よりも低周波数側の約２７ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ３１が生じ、通過帯域よりも高周波数側の約３３ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ３２が生じている。
　図２０は、図８、図１６、および図１８の各共振器ＲＴの通過特性を比較するための図である。図２０を参照して、共振部ＲＴ１３を位置Ａ（共振部ＲＴ１１側）に近づければ近づけるほど、低周波数側の減衰極が低周波数側に向かって移動し、共振部ＲＴ１３を位置Ｂ（共振部ＲＴ１２側）に近づければ近づけるほど、低周波数側の減衰極が高周波数側に向かって移動することが分かる。
　図２１は、変形例の共振器ＲＴ１０３における各共振部の位置関係を簡略的に示す図である。図２１の例では、図７の矢印Ｙの方向から共振器ＲＴ１０３をみたときに、共振部ＲＴ１３は、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１１と対称的な位置Ａと、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１２と対称的な位置Ｂとを結ぶ経路とは異なる位置に設けられている。言い換えると、図７の矢印Ｙの方向から共振器ＲＴ１０３をみたときに、共振部ＲＴ１３は、共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１２との間の領域よりも外側に配置されている。
　図２２は、図２１の共振器ＲＴ１０３の通過特性を示す図である。図において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ３１）および反射損失（破線ＬＮ３２）が示されている。なお、図２２においては、信号が共振器ＲＴ１０３のみを通過した場合の通過特性が示されており、他の共振器ＲＴ２０～ＲＴ７０の通過特性は考慮されていない。
　図２２を参照して、共振器ＲＴ１０３においては、通過帯域よりも低周波数側に１つの減衰極ＡＰ４１が生じ、通過帯域よりも高周波数側に１つの減衰極ＡＰ４２が生じている。具体的には、２９ＧＨｚ付近に設定された信号の通過帯域よりも低周波数側の約２４ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ４１が生じ、通過帯域よりも高周波数側の約３２ＧＨｚ付近で減衰極ＡＰ４２が生じている。
　図２３は、図１６および図２１の各共振器の通過特性を比較するための図である。図２３を参照して、共振部ＲＴ１３を位置Ａ（共振部ＲＴ１１側）から、位置Ｂから遠ざかる方向に移動させると、低周波数側の減衰極が高周波数側に向かって移動することが分かる。
　図２０および図２３の通過特性を考慮すれば、共振部ＲＴ１３を位置Ｂから位置Ａに向かって移動させると、低周波数側の減衰極が低周波数側に向かって移動し、さらに、共振部ＲＴ１３を位置Ａから、位置Ｂから遠ざかる方向に移動させると、低周波数側の減衰極が高周波数側に向かって戻ることが分かる。
　このように、共振器ＲＴ１０においては、共振部ＲＴ１３の位置が変化すると、低周波数側の減衰極が生じる周波数が変化する。これにより、共振器ＲＴ１０において共振部ＲＴ１３の位置を変化させることで、フィルタ装置１００における信号の通過帯域が所望の通過帯域となるように、通過帯域を適切に調整することができる。
　なお、図７～図２３においては、入力端子Ｔ１に接続された共振器の構成および通過特性が示されているが、出力端子Ｔ２に接続された共振器ＲＴ２０の構成および通過特性は、図７～図２３に示す共振器の構成および通過特性と同様のことが言える。すなわち、共振器ＲＴ２０のビアＶ２，Ｖ２１～Ｖ２３および平板電極Ｐ２１～Ｐ２３の位置を、入力端子Ｔ１に接続された共振器のビアＶ１，Ｖ１１～Ｖ１３および平板電極Ｐ１１～Ｐ１３の位置にそれぞれ対応させることで、共振器ＲＴ２０においても、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０、ＲＴ１０１～１０３と同じような通過特性を得ることができる。
　共振器ＲＴ２０においては、共振器ＲＴ１０と同様に、共振部ＲＴ２３の位置が変化すると、低周波数側の減衰極が生じる周波数が変化する。これにより、共振器ＲＴ２０において共振部ＲＴ２３の位置を変化させることで、フィルタ装置１００における信号の通過帯域が所望の通過帯域となるように、通過帯域を適切に調整することができる。
　さらに、共振器ＲＴ１０における共振部ＲＴ１３の位置と、共振器ＲＴ２０における共振部ＲＴ２３の位置とを調整することで、共振器ＲＴ１０の共振によって生じる低周波数側の減衰極の周波数と、共振器ＲＴ２０の共振によって生じる低周波数側減の衰極の周波数とを一致させることができる。これにより、共振器ＲＴ１０の共振によって生じる低周波数側の減衰極と、共振器ＲＴ２０の共振によって生じる低周波数側の減衰極との両方が作用することで、低周波数側の減衰極における信号の減衰量をより大きくすることができる。
　［実施の形態２］
　実施の形態１においては、共振器ＲＴ１０が接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に１つの共振部ＲＴ１３を備え、共振器ＲＴ２０が接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に１つの共振部ＲＴ２３を備えていた。しかしながら、共振器ＲＴ１０および共振器ＲＴ２０の各々は、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に複数の共振部を備えていてもよい。
　図２４は、実施の形態２の共振器ＲＴ１１０における各共振部の位置関係を簡略的に示す図である。図２４を参照して、実施の形態２の共振器ＲＴ１１０は、接地電極Ｇ２と接地電極Ｇ３との間において、共振部ＲＴ１３に加えて共振部ＲＴ１４をさらに備える。具体的には、共振器ＲＴ１１０においては、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１１と対称的な位置Ａに共振部ＲＴ１３が設けられ、接地電極Ｇ３を基準として共振部ＲＴ１２と対称的な位置Ｂに共振部ＲＴ１４が設けられている。共振部ＲＴ１３および共振部ＲＴ１４の各々は、接地電極Ｇ３に接続されている。
　図２５は、図２４の共振器ＲＴ１１０の通過特性を示す図である。図２５において、横軸には周波数が示されており、縦軸には挿入損失（実線ＬＮ５１）および反射損失（破線ＬＮ５２）が示されている。なお、図２５においては、信号が共振器ＲＴ１１０のみを通過した場合の通過特性が示されており、他の共振器ＲＴ２０～ＲＴ７０の通過特性は考慮されていない。
　図２５を参照して、共振器ＲＴ１１０においては、通過帯域よりも低周波数側に１つの減衰極ＡＰ５１が生じ、通過帯域よりも高周波数側に２つの減衰極ＡＰ５２，ＡＰ５３が生じている。
　図８～図２３を用いて説明したように、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に１つの共振器ＲＴ１３のみを設けた場合は通過帯域よりも高周波数側に１つの減衰極が生じるが、接地電極Ｇ１と接地電極Ｇ３との間に２つの共振器ＲＴ１３，ＲＴ１４を設けた場合は通過帯域よりも高周波数側に２つの減衰極ＡＰ５２，ＡＰ５３が生じる。減衰極ＡＰ５１は、図１０および図１１を用いて説明したように、共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１３とが作用することで主に生じる。減衰極ＡＰ５２は、図１２および図１３を用いて説明したように、共振部ＲＴ１１と共振部ＲＴ１２とが作用することで主に生じる。追加された減衰極ＡＰ５３は、共振部ＲＴ１３と共振部ＲＴ１４とが作用することで主に生じていると考えられる。
　このように、共振器は、接地電極Ｇ２と接地電極Ｇ３との間に複数の共振部を備えるため、高周波数側の減衰極の数が増加する。これにより、フィルタ装置１００においては、非通過帯域における減衰特性を向上させることができる。
　なお、図２４および図２５においては、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１１０の構成および通過特性が示されているが、出力端子Ｔ２に接続された共振器ＲＴ２０の構成および通過特性は、図２４および図２５に示す共振器ＲＴ１１０の構成および通過特性と同様のことが言える。すなわち、共振器ＲＴ２０は、接地電極Ｇ２と接地電極Ｇ３との間において、共振部ＲＴ２３に加えて共振部をさらに１つ備えていてもよく、その場合、共振器ＲＴ２０においても、共振器ＲＴ１１０と同じような通過特性を得ることができる。
　［その他の変形例］
　本開示のフィルタ装置は、上記の実施形態に限られず、さらに種々の変形、応用が可能である。以下、本開示のフィルタ装置に適用可能な変形例について説明する。
　実施の形態のフィルタ装置１００は、中間共振器として、５つの共振器ＲＴ３０～ＲＴ７０を備えていたが、フィルタ装置１００は、少なくとも１つの中間共振器を備えていればよい。
　実施の形態のフィルタ装置１００は、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０および出力端子Ｔ２に接続された共振器ＲＴ２０の両方が複数のλ／４共振器によって構成されていた。しかしながら、入力端子Ｔ１に接続された共振器ＲＴ１０および出力端子Ｔ２に接続された共振器ＲＴ２０のうちのいずれか１つは、入力端子Ｔ１または出力端子Ｔ２と接地電極Ｇ２との間に１つのλ／２共振器を備えるような共振器であってもよい。
　今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１０　通信装置、１２　アンテナ、２０　高周波フロントエンド回路、２２，２８　バンドパスフィルタ、２４　増幅器、２６　減衰器、３０　ミキサ、３２　局部発振器、４０　コンバータ、５０　回路、１００　フィルタ装置、１１０　誘電体基板、１１１　下面、１１２　上面、１１３　側面、Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１４，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ２４，Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ４１，Ｃ４２，Ｃ５１，Ｃ５２，Ｃ６１，Ｃ６２，Ｃ７１，Ｃ７２　キャパシタ、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ１００　接地電極、ＧＮＤ　接地端子、Ｋ１，Ｋ２，Ｋ１１，Ｋ１２　切り欠き部分、Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ３１，Ｌ４１，Ｌ５１，Ｌ６１，Ｌ７１　インダクタ、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ３１１，Ｐ３１２，Ｐ４１１，Ｐ４１２，Ｐ５１１，Ｐ５１２，Ｐ６１１，Ｐ６１２，Ｐ７１１，Ｐ７１２　平板電極、ＲＴ１０，ＲＴ１０Ａ，ＲＴ１０Ｂ，ＲＴ１３，ＲＴ１４，ＲＴ２０，ＲＴ３０，ＲＴ４０，ＲＴ５０，ＲＴ６０，ＲＴ７０，ＲＴ１０１，ＲＴ１０２，ＲＴ１０３，ＲＴ１１０　共振器、ＲＴ１１，ＲＴ１２，ＲＴ１３，ＲＴ１４，ＲＴ２１，ＲＴ２２，ＲＴ２３　共振部、Ｓ１０１　第１層、Ｓ１０２　第２層、Ｓ１０３　第３層、Ｓ１０３　第３層、Ｓ１０５　第５層、Ｓ１０６　第６層、Ｔ１　入力端子、Ｔ２　出力端子、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１０，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２０，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３１，Ｖ４１，Ｖ５１，Ｖ６１，Ｖ７１，Ｖ５１１，Ｖ５１２，Ｖ５１３　ビア、ＶＧ，ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ２１，ＶＧ２２　グランドビア。

Claims (14)

  1. 　入力端子と、
    　出力端子と、
    　互いに対向する第１接地電極および第２接地電極と、
    　前記入力端子および前記出力端子のうちのいずれか一方の端子に接続された第１共振器とを備え、
    　前記第１共振器は、
    　前記第１接地電極と前記第２接地電極との間に設けられ、前記第１接地電極および前記第２接地電極に接続された第１中間接地電極と、
    　前記第１接地電極と前記第１中間接地電極との間に設けられ、前記第１中間接地電極および前記一方の端子に接続された第１共振部と、
    　前記第１接地電極と前記第１中間接地電極との間に設けられ、前記第１中間接地電極に接続された第２共振部と、
    　前記第２接地電極と前記第１中間接地電極との間に設けられ、前記第１中間接地電極に接続された第３共振部とを備える、フィルタ装置。
  2. 　前記第３共振部は、前記第１中間接地電極を基準として前記第１共振部と対称的な位置と、前記第１中間接地電極を基準として前記第２共振部と対称的な位置とを結ぶ経路上に設けられる、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記第３共振部は、前記第１中間接地電極を基準として前記第１共振部と対称的な位置に設けられる、請求項１に記載のフィルタ装置。
  4. 　前記第３共振部は、前記第１中間接地電極を基準として前記第２共振部と対称的な位置に設けられる、請求項１に記載のフィルタ装置。
  5. 　前記第３共振部は、前記第１中間接地電極を基準として前記第１共振部と対称的な位置と、前記第１中間接地電極を基準として前記第２共振部と対称的な位置とを結ぶ経路上の位置とは異なる位置に設けられる、請求項１に記載のフィルタ装置。
  6. 　前記第１共振部と前記第２共振部とは、誘導性結合または容量性結合によって結合される、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  7. 　前記第１共振部、前記第２共振部、および前記第３共振部の各々は、通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４の長さを有する第１導体を含む、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  8. 　前記第１共振部、前記第２共振部、および前記第３共振部の各々は、前記第１中間接地電極に接続された前記第１導体と、前記第１導体に接続され前記第１接地電極または前記第２接地電極に対向する平板電極とを含む、請求項７に記載のフィルタ装置。
  9. 　前記中心周波数に対応する波長の１／２の長さを有する第２導体を含む少なくとも１つの中間共振器をさらに備え、
    　前記第１共振器は、前記少なくとも１つの中間共振器と誘導性結合によって結合される、請求項７または請求項８に記載のフィルタ装置。
  10. 　前記少なくとも１つの中間共振器は、前記第２導体と、前記第２導体に接続され前記第１接地電極に対向する第１平板電極と、前記第２導体に接続され前記第２接地電極に対向する第２平板電極とを含む、請求項９に記載のフィルタ装置。
  11. 　前記第１共振器は、前記第２接地電極と前記第１中間接地電極との間に前記第３共振部を含む複数の共振部を備え、
    　前記複数の共振部の各々は、前記第１中間接地電極に接続されている、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  12. 　前記入力端子および前記出力端子のうちの前記一方の端子とは異なる他方の端子に接続された第２共振器をさらに備え、
    　前記第２共振器は、
    　前記第１接地電極と前記第２接地電極との間に設けられ、前記第１接地電極および前記第２接地電極に接続された第２中間接地電極と、
    　前記第１接地電極と前記第２中間接地電極との間に設けられ、前記第２中間接地電極および前記他方の端子に接続された第４共振部と、
    　前記第１接地電極と前記第２中間接地電極との間に設けられ、前記第２中間接地電極に接続された第５共振部と、
    　前記第２接地電極と前記第２中間接地電極との間に設けられ、前記第２中間接地電極に接続された第６共振部とを備える、請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  13. 　入力端子と、
    　出力端子と、
    　互いに対向する第１接地電極および第２接地電極と、
    　前記入力端子に接続された第１共振器と、
    　前記出力端子に接続された第２共振器と、
    　前記第１共振器および前記第２共振器のうちの少なくともいずれか一方と誘導性結合によって結合された少なくとも１つの中間共振器とを備え、
    　前記第１共振器は、
    　前記第１接地電極と前記第２接地電極との間に設けられ、前記第１接地電極および前記第２接地電極に接続された第１中間接地電極と、
    　前記第１接地電極と前記第１中間接地電極との間に設けられ、前記第１中間接地電極および前記入力端子に接続された第１共振部と、
    　前記第１接地電極と前記第１中間接地電極との間に設けられ、前記第１中間接地電極に接続された第２共振部と、
    　前記第２接地電極と前記第１中間接地電極との間に設けられ、前記第１中間接地電極に接続された第３共振部とを備え、
    　前記第２共振器は、
    　前記第１接地電極と前記第２接地電極との間に設けられ、前記第１接地電極および前記第２接地電極に接続された第２中間接地電極と、
    　前記第１接地電極と前記第２中間接地電極との間に設けられ、前記第２中間接地電極および前記出力端子に接続された第４共振部と、
    　前記第１接地電極と前記第２中間接地電極との間に設けられ、前記第２中間接地電極に接続された第５共振部と、
    　前記第２接地電極と前記第２中間接地電極との間に設けられ、前記第２中間接地電極に接続された第６共振部とを備える、フィルタ装置。
  14. 　請求項１～請求項１３のいずれか１項に記載のフィルタ装置を備える、高周波フロントエンド回路。
PCT/JP2022/022348 2021-07-06 2022-06-01 フィルタ装置および高周波フロントエンド回路 WO2023281942A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023533466A JPWO2023281942A1 (ja) 2021-07-06 2022-06-01
CN202280047602.5A CN117642928A (zh) 2021-07-06 2022-06-01 滤波器装置及高频前端电路
US18/530,295 US20240235515A9 (en) 2021-07-06 2023-12-06 Filter device and radio frequency front end circuit

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-112053 2021-07-06
JP2021112053 2021-07-06

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/530,295 Continuation US20240235515A9 (en) 2021-07-06 2023-12-06 Filter device and radio frequency front end circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023281942A1 true WO2023281942A1 (ja) 2023-01-12

Family

ID=84800584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/022348 WO2023281942A1 (ja) 2021-07-06 2022-06-01 フィルタ装置および高周波フロントエンド回路

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2023281942A1 (ja)
CN (1) CN117642928A (ja)
WO (1) WO2023281942A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005104149A1 (en) * 2004-04-19 2005-11-03 Wemtec, Inc. Systems and methods for blocking microwave propagation in parallel plate structures utilizing cluster vias
JP2009231793A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 電磁気バンドギャップ構造物及び印刷回路基板
WO2009131140A1 (ja) * 2008-04-22 2009-10-29 日本電気株式会社 電磁バンドギャップ構造及びその製造方法、フィルタ素子、フィルタ素子内蔵プリント基板
US20100134212A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electromagnetic bandgap structure and printed circuit board
US20130057362A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 National Taiwan University Multilayer circuit board structure and circuitry thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005104149A1 (en) * 2004-04-19 2005-11-03 Wemtec, Inc. Systems and methods for blocking microwave propagation in parallel plate structures utilizing cluster vias
JP2009231793A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 電磁気バンドギャップ構造物及び印刷回路基板
WO2009131140A1 (ja) * 2008-04-22 2009-10-29 日本電気株式会社 電磁バンドギャップ構造及びその製造方法、フィルタ素子、フィルタ素子内蔵プリント基板
US20100134212A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electromagnetic bandgap structure and printed circuit board
US20130057362A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 National Taiwan University Multilayer circuit board structure and circuitry thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN117642928A (zh) 2024-03-01
US20240136995A1 (en) 2024-04-25
JPWO2023281942A1 (ja) 2023-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9503051B2 (en) High-frequency module having a matching element coupled to a connection unit
US6982612B2 (en) Duplexer and communication apparatus with a matching circuit including a trap circuit for harmonic suppression
EP0336255B1 (en) Surface mount filter with integral transmission line connection
US8120447B2 (en) Multilayer balanced filter
JP5936133B2 (ja) 伝送線路共振器並びに伝送線路共振器を用いた帯域通過フィルタ、分波器、平衡−不平衡変換器、電力分配器、不平衡−平衡変換器、周波数混合器及びバランス型フィルタ
US9602078B2 (en) High-frequency module having a matching element coupled to a connection unit
US20230170870A1 (en) Filter device and radio-frequency front-end circuit including the same
WO2020090382A1 (ja) マルチプレクサ、フィルタおよび通信装置
US7443262B2 (en) Two-port isolator, characteristic adjusting method therefor, and communication apparatus
WO2023281942A1 (ja) フィルタ装置および高周波フロントエンド回路
US20040183626A1 (en) Electronically tunable block filter with tunable transmission zeros
US20240235515A9 (en) Filter device and radio frequency front end circuit
CN116057832A (zh) 高频电路和通信装置
WO2022019041A1 (ja) バンドパスフィルタおよびそれを備える高周波フロントエンド回路
WO2022209122A1 (ja) 誘電体フィルタ
WO2022215353A1 (ja) フィルタ装置およびそれを備えた高周波フロントエンド回路
TWI837616B (zh) 介電體共振器、以及使用其之介電體濾波器及多工器
US11863151B2 (en) Multiplexer
KR100456004B1 (ko) 듀플렉서의 송신대역 통과필터
US20230208041A1 (en) Filter device, and high-frequency front end circuit and diplexer that are equipped with the filter device
JP7448011B2 (ja) フィルタ装置およびそれを備える高周波フロントエンド回路
US20240178866A1 (en) Filter apparatus and radio-frequency front end circuit including the same
WO2023106068A1 (ja) ノイズ除去回路およびそれを搭載した通信装置
JP3521868B2 (ja) フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置
KR100305577B1 (ko) 유전체 듀플렉서의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22837363

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023533466

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202280047602.5

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE