CN117642928A - 滤波器装置及高频前端电路 - Google Patents

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CN117642928A CN202280047602.5A CN202280047602A CN117642928A CN 117642928 A CN117642928 A CN 117642928A CN 202280047602 A CN202280047602 A CN 202280047602A CN 117642928 A CN117642928 A CN 117642928A
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Abstract

滤波器装置具备输入端子(T1)、输出端子(T2)、彼此相对的接地电极(G1)和接地电极(G2)、与输入端子(T1)和输出端子(T2)的其中一个端子连接的谐振器(RT10)。谐振器(RT10)具备接地电极(G3)、谐振部(RT11)、谐振部(RT12)、谐振部(RT13)。接地电极(G3)设置于接地电极(G1)和接地电极(G2)之间，与接地电极(G1)和接地电极(G2)连接。谐振部(RT11)设置于接地电极(G1)和接地电极(G3)之间，与接地电极(G3)和一个端子连接。谐振部(RT12)设置于接地电极(G1)和接地电极(G3)之间，与接地电极(G3)连接。谐振部(RT13)设置于接地电极(G2)和接地电极(G3)之间，与接地电极(G3)连接。

Description

滤波器装置及高频前端电路
技术领域
本公开涉及滤波器装置及高频前端电路，更特别涉及用于提高具备谐振器的滤波器装置的特性的技术。
背景技术
在国际公开第2009/060696号(专利文献1)中公开了一种芯片型滤波器部件，其以围绕谐振器电极的方式配置接地电极，并且具备与谐振器电极耦合的输入输出电极。在专利文献1所公开的芯片型滤波器部件中，设置于芯片本体的内部的电极部的电极长度被设定为与低于谐振器电极的谐振频率的频率相当的波长的1/2的长度。
通过如上述那样构成芯片型滤波器部件，能够降低在通频带附近产生的、由波导模式引起的不必要的杂散。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2009/060696号
发明内容
发明要解决的课题
近年来，伴随着通信标准的增加等，无线通信所使用的频带增加，有时会使用以非常狭窄的间隔相邻的频带。因此，通常寻求在专利文献1所公开的那样的滤波器装置中，能够适当地调整信号的通频带，并且在所期望的通频带中使信号以低损耗通过且在所期望的通频带之外的非通频带中使信号高效地衰减。
本公开就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，在具备谐振器的滤波器装置中，能够适当地调整信号的通频带且提高非通频带中的衰减特性。
用于解决课题的手段
本公开所涉及的滤波器装置具备：输入端子；输出端子；彼此相对的第一接地电极和第二接地电极；以及与输入端子和输出端子的其中一个端子连接的第一谐振器。第一谐振器具备第一中间接地电极、第一谐振部、第二谐振部和第三谐振部。第一中间接地电极设置于第一接地电极和第二接地电极之间，与第一接地电极和第二接地电极连接。第一谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间，与第一中间接地电极和上述的一个端子连接。第二谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间，与第一中间接地电极连接。第三谐振部设置于第二接地电极和第一中间接地电极之间，与第一中间接地电极连接。
本公开所涉及的滤波器装置具备：输入端子；输出端子；彼此相对的第一接地电极和第二接地电极；与输入端子连接的第一谐振器；与输出端子连接的第二谐振器；以及至少一个中间谐振器，通过电感性耦合与第一谐振器和第二谐振器中的至少其中之一耦合。第一谐振器具备第一中间接地电极、第一谐振部、第二谐振部和第三谐振部。第一中间接地电极设置于第一接地电极和第二接地电极之间，与第一接地电极和第二接地电极连接。第一谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间，与第一中间接地电极和输入端子连接。第二谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间，与第一中间接地电极连接。第三谐振部设置于第二接地电极和第一中间接地电极之间，与第一中间接地电极连接。第二谐振器具备第二中间接地电极、第四谐振部、第五谐振部和第六谐振部。第二中间接地电极设置于第一接地电极和第二接地电极之间，与第一接地电极和第二接地电极连接。第四谐振部设置于第一接地电极和第二中间接地电极之间，与第二中间接地电极和输出端子连接。第五谐振部设置于第一接地电极和第二中间接地电极之间，与第二中间接地电极连接。第六谐振部设置于第二接地电极和第二中间接地电极之间，与第二中间接地电极连接。
发明的效果
根据本公开所涉及的滤波器装置，通过调整设置于第二接地电极和第一中间接地电极之间的第三谐振部的位置，能够通过第一谐振部、第二谐振部和第三谐振部中的谐振而使滤波器装置的通过特性产生衰减极点。由此，能够适当地调整信号的通频带且能够提高非通频带中的衰减特性。
附图说明
图1是具有应用了实施方式1的滤波器装置的高频前端电路的通信装置的框图。
图2是表示实施方式1的滤波器装置中的耦合关系的图。
图3是实施方式1的滤波器装置的等效电路图。
图4是实施方式1的滤波器装置的立体图。
图5是表示实施方式1的滤波器装置的各叠层的一个例子的平面图。
图6是表示实施方式1的滤波器装置的层叠构造的一个例子的分解立体图。
图7是与输入端子连接的谐振器的立体图。
图8是简略地表示与输入端子连接的谐振器中的各谐振部的位置关系的图。
图9是表示图8的谐振器的通过特性的图。
图10是表示与输入端子连接的谐振器中减少谐振部的数量后的情况的例子的图。
图11是表示图10的谐振器的通过特性的图。
图12是表示与输入端子连接的谐振器中减少谐振部的数量后的情况的例子的图。
图13是表示图12的谐振器的通过特性的图。
图14是表示实施方式1的滤波器装置的通过特性的图。
图15是表示对比例的滤波器装置的通过特性的图。
图16是简略地表示变形例的谐振器中的各谐振部的位置关系的图。
图17是表示图16的谐振器的通过特性的图。
图18是简略地表示变形例的谐振器中的各谐振部的位置关系的图。
图19是表示图18的谐振器的通过特性的图。
图20是用于比较图8、图16和图18的各谐振器的通过特性的图。
图21是简略地表示变形例的谐振器中的各谐振部的位置关系的图。
图22是表示图21的谐振器的通过特性的图。
图23是用于比较图16和图21的各谐振器的通过特性的图。
图24是简略地表示实施方式2的谐振器中的各谐振部的位置关系的图。
图25是表示图24的谐振器的通过特性的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式详细地进行说明。此外，对图中相同或相当的部分标注相同标号，其说明不再重复。
[实施方式1]
(通信装置10的基本构成)
图1是具有应用了实施方式1的滤波器装置的高频前端电路20的通信装置10的框图。通信装置10例如是移动电话基站。
参照图1，通信装置10具备天线12、高频前端电路20、混频器30、本地振荡器32、D/A转换器(DAC)40和RF电路50。另外，高频前端电路20包含带通滤波器22、28、放大器24和衰减器26。此外，在图1中，针对高频前端电路20包含从天线12发送高频信号的发送电路的情况进行说明，但高频前端电路20也可以包含传输通过天线12接收到的高频信号的接收电路。
通信装置10将从RF电路50传输来的发送信号上变频为高频信号并从天线12发射。作为从RF电路50输出的发送信号的调制完毕的数字信号，通过D/A转换器40转换为模拟信号。混频器30将通过D/A转换器40从数字信号转换为模拟信号后的发送信号与来自本地振荡器32的振荡信号混合后，上变频为高频信号。带通滤波器28去除通过上变频产生的不需要的波，仅提取所期望的频带的发送信号。衰减器26调整发送信号的强度。放大器24将通过衰减器26后的发送信号功率放大至规定的级别。带通滤波器22去除在放大过程中产生的不需要的波，并且仅使根据通信标准确定的频带的信号成分通过。通过带通滤波器22后的发送信号经由天线12发射。
作为上述的通信装置10中的带通滤波器22、28，可以采用对应于本公开的滤波器装置100。
(滤波器装置100的电路构成)
使用图2和图3，说明实施方式1所涉及的滤波器装置100的电路构成。图2是表示实施方式1的滤波器装置100中的耦合关系的图。图3是实施方式1的滤波器装置100的等效电路图。
参照图2和图3，滤波器装置100具备输入端子T1、输出端子T2、设置于输入端子T1和输出端子T2之间的多个谐振器RT10～RT70。具体而言，滤波器装置100具备与输入端子T1连接的谐振器RT10、与输出端子T2连接的谐振器RT20、设置于谐振器RT10和谐振器RT20之间的多个谐振器RT30、RT40、RT50、RT60、RT70。
谐振器RT10对应于本公开的“第一谐振器”或“第二谐振器”。谐振器RT10包含谐振部RT11、谐振部RT12、谐振部RT13、与谐振部RT11和谐振部RT12连接的电容器C14。
谐振部RT11对应于本公开的“第一谐振部”或“第四谐振器”。如图3所示，谐振部RT11包含在输入端子T1和接地端子GND之间并联连接的电感器L11和电容器C11。电感器L11和电容器C11各自的一端与输入端子T1连接，电感器L11和电容器C11各自的另一端与接地端子GND连接。电感器L11包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/4的长度的导体(后述的通路V11)。谐振部RT11是所谓的λ/4谐振器。
谐振部RT12对应于本公开的“第二谐振部”或“第五谐振器”。谐振部RT12包含在电容器C14和接地端子GND之间并联连接的电感器L12和电容器C12。电容器C14的一端与输入端子T1连接，电容器C14的另一端与电感器L12和电容器C12各自的一端连接。电感器L12和电容器C12各自的一端经由电容器C14与输入端子T1连接，电感器L12和电容器C12各自的另一端与接地端子GND连接。电感器L12包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/4的长度的导体(后述的通路V12)。谐振部RT12是所谓的λ/4谐振器。
谐振部RT13对应于本公开的“第三谐振部”或“第六谐振器”。谐振部RT13包含电感器L13和电容器C13。电感器L13的一端与接地端子GND连接，电感器L13的另一端与电容器C13的一端连接。电容器C13的另一端与接地端子GND连接。电感器L13包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/4的长度的导体(后述的通路V13)。谐振部RT13是所谓的λ/4谐振器。
谐振器RT20对应于本公开的“第一谐振器”或“第二谐振器”。谐振器RT20包含谐振部RT21、谐振部RT22、谐振部RT23、与谐振部RT21和谐振部RT22连接的电容器C24。
谐振部RT21对应于本公开的“第一谐振部”或“第四谐振部”。谐振部RT21包含在输出端子T2和接地端子GND之间并联连接的电感器L21和电容器C21。电感器L21和电容器C21各自的一端与输出端子T2连接，电感器L21和电容器C21各自的另一端与接地端子GND连接。电感器L21包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/4的长度的导体(后述的通路V21)。谐振部RT21是所谓的λ/4谐振器。
谐振部RT22对应于本公开的“第二谐振部”或“第五谐振部”。谐振部RT22包含在电容器C24和接地端子GND之间并联连接的电感器L22和电容器C22。电容器C24的一端与输出端子T2连接，电容器C24的另一端与电感器L22和电容器C22各自的一端连接。电感器L22和电容器C22各自的一端经由电容器C24与输出端子T2连接，电感器L22和电容器C22各自的另一端与接地端子GND连接。电感器L22包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/4的长度的导体(后述的通路V22)。谐振部RT22是所谓的λ/4谐振器。
谐振部RT23对应于本公开的“第三谐振部”或“第六谐振部”。谐振部RT23包含电感器L23和电容器C23。电感器L23的一端与接地端子GND连接，电感器L23的另一端与电容器C23的一端连接。电容器C23的另一端与接地端子GND连接。电感器L23包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/4的长度的导体(后述的通路V23)。谐振部RT23是所谓的λ/4谐振器。
谐振器RT30对应于本公开的“中间谐振器”。谐振器RT30包含串联连接的电容器C31、电感器L31和电容器C32。电容器C31的一端与接地端子GND连接，电容器C31的另一端与电感器L31的一端连接。电容器C32的一端与接地端子GND连接，电容器C32的另一端与电感器L31的另一端连接。电感器L31包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/2的长度的导体(后述的通路V31)。谐振器RT30是所谓的λ/2谐振器。
谐振器RT40对应于本公开的“中间谐振器”。谐振器RT40包含串联连接的电容器C41、电感器L41和电容器C42。电容器C41的一端与接地端子GND连接，电容器C41的另一端与电感器L41的一端连接。电容器C42的一端与接地端子GND连接，电容器C42的另一端与电感器L41的另一端连接。电感器L41包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/2的长度的导体(后述的通路V41)。谐振器RT40是所谓的λ/2谐振器。
谐振器RT50对应于本公开的“中间谐振器”。谐振器RT50包含串联连接的电容器C51、电感器L51和电容器C52。电容器C51的一端与接地端子GND连接，电容器C51的另一端与电感器L51的一端连接。电容器C52的一端与接地端子GND连接，电容器C32的另一端与电感器L51的另一端连接。电感器L51包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/2的长度的导体(后述的通路V51)。谐振器RT50是所谓的λ/2谐振器。
谐振器RT60对应于本公开的“中间谐振器”。谐振器RT60包含串联连接的电容器C61、电感器L61和电容器C62。电容器C61的一端与接地端子GND连接，电容器C61的另一端与电感器L61的一端连接。电容器C62的一端与接地端子GND连接，电容器C62的另一端与电感器L61的另一端连接。电感器L61包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/2的长度的导体(后述的通路V61)。谐振器RT60是所谓的λ/2谐振器。
谐振器RT70对应于本公开的“中间谐振器”。谐振器RT70包含串联连接的电容器C71、电感器L71和电容器C72。电容器C71的一端与接地端子GND连接，电容器C71的另一端与电感器L71的一端连接。电容器C72的一端与接地端子GND连接，电容器C72的另一端与电感器L71的另一端连接。电感器L71包含具有对应于信号的通频带的中心频率的波长λ的1/2的长度的导体(后述的通路V71)。谐振器RT70是所谓的λ/2谐振器。
如图2所示，谐振器RT10的谐振部RT11和谐振部RT12通过电感性耦合M1耦合。谐振器RT20的谐振部RT21和谐振部RT22通过电感性耦合M2耦合。谐振器RT10的谐振部RT13和谐振器RT30通过电感性耦合M3耦合。谐振器RT30和谐振器RT40通过电感性耦合M4耦合。谐振器RT40和谐振器RT50通过电感性耦合M5耦合。谐振器RT50和谐振器RT60通过电感性耦合M6耦合。谐振器RT60和谐振器RT70通过电感性耦合M7耦合。谐振器RT70和谐振器RT20的谐振部RT23通过电感性耦合M8耦合。此外，谐振器RT40和谐振器RT60通过电感性耦合M9耦合。
(滤波器装置100的内部构成)
使用图4～图6，说明实施方式1所涉及的滤波器装置100的内部构成。图4是实施方式1的滤波器装置100的立体图。图5是表示实施方式1的滤波器装置100的各叠层的一个例子的平面图。图6是表示实施方式1的滤波器装置100的层叠构造的一个例子的分解立体图。
滤波器装置100具备将多个介质层以规定方向堆叠而形成的、长方体或大致长方体的介质基板110。在介质基板110中，将多个介质层堆叠的方向称为层叠方向。介质基板110中的各介质层例如由低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)这样的介质陶瓷、或者水晶或树脂等介质材料形成。在介质基板110的内部，通过多个电极和多个通路构成各谐振器RT10～RT70。此外，在本说明书中，“通路”表示为了连接层叠方向中的位置不同的多个电极而设置于介质基板的导体。通路例如通过导电浆料、镀覆、及/或金属引脚(metal pin)等形成。
在以下的说明中，将介质基板110的层叠方向作为“Z轴方向”，将垂直于Z轴方向且沿介质基板110的长边的方向作为“X轴方向”，将垂直于Z轴方向且沿介质基板110的短边的方向作为“Y轴方向”。另外，以下有时将各图中的Z轴的正向称为上侧，将负向称为下侧。
此外，在图4～图6和后述的图7中，为了表示内部构成，介质基板110的介质被省略，仅示出设置于内部的电极(平板电极、接地电极)、通路和端子等导电体。
参照图4～图6，介质基板110具有在XY方向上延伸的下表面111和上表面112、以及将下表面111的外缘和上表面112的外缘连接的侧面113。介质基板110沿Z轴的正向从下表面111朝向上表面112依次配置有第一层S101(图5的(A))、第二层S102(图5的(B))、第三层S103(图5的(C))、第四层S104(图5的(D))、第五层S105(图5的(E))和第六层S106(图5的(F))。
第一层S101配置有对应于接地端子GND的接地电极G100、输入端子T1、输出端子T2。接地电极G100中形成两个切口部分K1、K2，在切口部分K1处设置有输入端子T1，在切口部分K2处设置有输出端子T2。输入端子T1、输出端子T2和接地端子GND分别作为用于将滤波器装置100与外部设备连接的外部端子起作用。
第二层S102包含对应于接地端子GND的接地电极G1。接地电极G1对应于本公开的“第一接地电极”。接地电极G1中形成两个切口部分K11、K12，切口部分K11处设置有平板电极P1，切口部分K12处设置有平板电极P2。
在从介质基板110的法线方向(Z轴方向)俯视观察的情况下，第二层S102的切口部分K11、K12分别与第一层S101的切口部分K1、K2重叠。设置于第二层S102的切口部分K11处的平板电极P1，在从介质基板110的法线方向(Z轴方向)俯视观察的情况下设置于与设置于第一层S101的切口部分K1处的输入端子T1重叠的位置。设置于第二层S102的切口部分K12的平板电极P2，在从介质基板110的法线方向(Z轴方向)俯视观察的情况下设置于与设置于第一层S101的切口部分K2处的输出端子T2重叠的位置。
第三层S103包含配置于输入端子T1侧的平板电极P11、P12、以及配置于输出端子T2侧的平板电极P21、P22。平板电极P11、P12设置于在从介质基板110的法线方向(Z轴方向)俯视观察的情况下与输入端子T1和平板电极P1重叠的位置。平板电极P21、P22设置于在从介质基板110的法线方向(Z轴方向)俯视观察的情况下与输出端子T2和平板电极P2重叠的位置。平板电极P11、P12、P21、P22各自都不与接地电极G1连接，而是从接地电极G1隔开间隔地配置。
此外，第三层S103包含平板电极P311、P411、P511、P611、P711。平板电极P311、P411、P511、P611、P711各自对应于本公开的“第一平板电极”。平板电极P311、P411、P511、P611、P711各自都不与接地电极G1连接，而是以与接地电极G1相对的方式从接地电极G1隔开间隔地配置。
第四层S104包含对应于接地端子GND的接地电极G3和接地电极G4。接地电极G3、G4各自对应于本公开的“第一中间接地电极”或“第二中间接地电极”。接地电极G3配置于输入端子T1侧，而接地电极G4配置于输出端子T2侧。接地电极G3设置于在从介质基板110的法线方向(Z轴方向)俯视观察的情况下与输入端子T1、平板电极P1和平板电极P11、P12重叠的位置。接地电极G4设置于在从介质基板110的法线方向(Z轴方向)俯视观察的情况下与输出端子T2、平板电极P2和平板电极P21、P22重叠的位置。
第五层S105包含平板电极P13、P23、P312、P412、P512、P612、P712。平板电极P312、P412、P512、P612、P712各自对应于本公开的“第二平板电极”。平板电极P13、P23、P312、P412、P612、P712各自都不与后述的接地电极G2连接，而是以与接地电极G2相对的方式从接地电极G2隔开间隔地配置。
第六层S106包含对应于接地端子GND的接地电极G2。接地电极G2以与接地电极G1相对的方式配置。接地电极G2对应于本公开的“第二接地电极”。
在介质基板110中设置多个接地通路VG。多个接地通路VG分别是在Z轴方向上延伸的柱状导体，与第一层S101～第六层S106各自的接地电极连接。例如，第二层的接地电极G1、第二层的接地电极G2和第四层的接地电极G3通过包括接地通路VG11、VG12在内的多根(在本例子中为7根)接地通路VG连接。第二层的接地电极G1、第二层的接地电极G2和第四层的接地电极G4通过包括接地通路VG21、VG22在内的多根(在本例子中为5根)接地通路VG连接。
如图4和图6所示，在输入端子T1和平板电极P1之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V1。通路V1将输入端子T1和平板电极P1连接。
在平板电极P1和平板电极P11之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V10。通路V10将平板电极P1和平板电极P11连接。
在平板电极P11和接地电极G3之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V11。通路V11对应于本公开的“第一导体”，将平板电极P11和接地电极G3连接。
在平板电极P12和接地电极G3之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V12。通路V12对应于本公开的“第一导体”，将平板电极P12和接地电极G3连接。
在接地电极G3和平板电极P13之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V13。通路V13对应于本公开的“第一导体”，将接地电极G3和平板电极P13连接。
图2和图3中示出的谐振器RT10的谐振部RT11设置于接地电极G1和接地电极G3之间，与接地电极G3和输入端子T1连接。具体而言，谐振部RT11由平板电极P11、与平板电极P11相对的接地电极G3、将平板电极P11和接地电极G3连接的通路V11构成。图3的电感器L11由通路V11构成。图3的电容器C11由平板电极P11和接地电极G1构成。
图2和图3中示出的谐振器RT10的谐振部RT12设置于接地电极G1和接地电极G3之间，与接地电极G3连接。此外，谐振部RT12不与输入端子T1连接。具体而言，谐振部RT12由平板电极P12、与平板电极P12相对的接地电极G3、将平板电极P12和接地电极G3连接的通路V12构成。图3的电感器L12由通路V12构成。图3的电容器C12由平板电极P12和接地电极G1构成。
图2和图3中示出的谐振器RT10的谐振部RT13设置于接地电极G2和接地电极G3之间，与接地电极G3连接。具体而言，谐振部RT13由接地电极G3、与接地电极G3相对的平板电极P13、将接地电极G3和平板电极P13连接的通路V13构成。图3的电感器L13由通路V13构成。平板电极P13不与接地电极G2连接，因此，在平板电极P13和接地电极G2之间形成有局部电容。图3的电容器C13由平板电极P13和接地电极G2构成。
在输出端子T2和平板电极P2之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V2。通路V2将输出端子T2和平板电极P2连接。
在平板电极P2和平板电极P21之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V20。通路V20将平板电极P2和平板电极P21连接。
在平板电极P21和接地电极G4之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V21。通路V21对应于本公开的“第一导体”，将平板电极P21和接地电极G4连接。
在平板电极P22和接地电极G4之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V22。通路V22对应于本公开的“第一导体”，将平板电极P22和接地电极G4连接。
在接地电极G4和平板电极P23之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V23。通路V23对应于本公开的“第一导体”，将接地电极G4和平板电极P23连接。
图2和图3中示出的谐振器RT20的谐振部RT21设置于接地电极G1和接地电极G4之间，与接地电极G4和输出端子T2连接。具体而言，谐振部RT21由平板电极P21、与平板电极P21相对的接地电极G4、将平板电极P21和接地电极G4连接的通路V21构成。图3的电感器L21由通路V21构成。图3的电容器C21由平板电极P21和接地电极G1构成。
图2和图3中示出的谐振器RT20的谐振部RT22设置于接地电极G1和接地电极G4之间，与接地电极G4连接。此外，谐振部RT22不与输出端子T2连接。具体而言，谐振部RT22由平板电极P22、与平板电极P22相对的接地电极G4、将平板电极P22和接地电极G4连接的通路V22构成。图3的电感器L22由通路V22构成。图3的电容器C22由平板电极P22和接地电极G1构成。
图2和图3中示出的谐振器RT20的谐振部RT23设置于接地电极G2和接地电极G4之间，与接地电极G4连接。具体而言，谐振部RT23由接地电极G4、与接地电极G4相对的平板电极P23、将接地电极G4和平板电极P23连接的通路V23构成。图3的电感器L23由通路V23构成。平板电极P23不与接地电极G2连接，因此，在平板电极P23和接地电极G2之间形成有局部电容。图3的电容器C23由平板电极P23和接地电极G2构成。
在平板电极P311和平板电极P312之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V31。通路V31对应于本公开的“第二导体”，将平板电极P311和平板电极P312连接。
在平板电极P411和平板电极P412之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V41。通路V41对应于本公开的“第二导体”，将平板电极P411和平板电极P412连接。
在平板电极P511和平板电极P512之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V511、V512、V513。通路V511、V512、V513对应于本公开的“第二导体”，将平板电极P511和平板电极P512连接。
在平板电极P611和平板电极P612之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V61。通路V61对应于本公开的“第二导体”，将平板电极P611和平板电极P612连接。
在平板电极P711和平板电极P712之间设置有在Z轴方向上延伸的通路V71。通路V71对应于本公开的“第二导体”，将平板电极P711和平板电极P712连接。
图2和图3中示出的谐振器RT30设置于接地电极G1和接地电极G2之间。具体而言，谐振器RT30由平板电极P311、与平板电极P311相对的平板电极P312、将平板电极P311和平板电极P312连接的通路V31构成。图3的电感器L31由通路V31构成。平板电极P311不与接地电极G1连接，因此，在平板电极P311和接地电极G1之间形成有局部电容。图3的电容器C31由平板电极P311和接地电极G1构成。平板电极P312不与接地电极G2连接，因此，在平板电极P312和接地电极G2之间形成有局部电容。图3的电容器C32由平板电极P312和接地电极G2构成。
图2和图3中示出的谐振器RT40设置于接地电极G1和接地电极G2之间。具体而言，谐振器RT40由平板电极P411、与平板电极P411相对的平板电极P412、将平板电极P411和平板电极P412连接的通路V41构成。图3的电感器L41由通路V41构成。平板电极P411不与接地电极G1连接，因此，在平板电极P411和接地电极G1之间形成有局部电容。图3的电容器C41由平板电极P411和接地电极G1构成。平板电极P412不与接地电极G2连接，因此，在平板电极P412和接地电极G2之间形成有局部电容。图3的电容器C42由平板电极P412和接地电极G2构成。
图2和图3中示出的谐振器RT50设置于接地电极G1和接地电极G2之间。具体而言，谐振器RT50由平板电极P511、与平板电极P511相对的平板电极P512、将平板电极P511和平板电极P512连接的通路V511～V513构成。图3的电感器L51由通路V511～V513构成。平板电极P511不与接地电极G1连接，因此，在平板电极P511和接地电极G1之间形成有局部电容。图3的电容器C51由平板电极P511和接地电极G1构成。平板电极P512不与接地电极G2连接，因此，在平板电极P512和接地电极G2之间形成有局部电容。图3的电容器C52由平板电极P512和接地电极G2构成。
谐振器RT50具有在平板电极P511和平板电极P512之间通路V511～V513并联连接而成的环形状。在这种环形状的谐振器RT50中，由谐振器RT50形成的电感器的空芯直径变大，因此，能够在介质基板110的尺寸相同的情况下提高Q值。或者，能够在维持Q值的同时缩小介质基板110的尺寸。
图2和图3中示出的谐振器RT60设置于接地电极G1和接地电极G2之间。具体而言，谐振器RT60由平板电极P611、与平板电极P611相对的平板电极P612、将平板电极P611和平板电极P612连接的通路V61构成。图3的电感器L61由通路V61构成。平板电极P611不与接地电极G1连接，因此，在平板电极P611和接地电极G1之间形成有局部电容。图3的电容器C61由平板电极P611和接地电极G1构成。平板电极P612不与接地电极G2连接，因此，在平板电极P612和接地电极G2之间形成有局部电容。图3的电容器C62由平板电极P612和接地电极G2构成。
图2和图3中示出的谐振器RT70设置于接地电极G1和接地电极G2之间。具体而言，谐振器RT70由平板电极P711、与平板电极P711相对的平板电极P712、将平板电极P711和平板电极P712连接的通路V71构成。图3的电感器L71由通路V71构成。平板电极P711不与接地电极G1连接，因此，在平板电极P711和接地电极G1之间形成有局部电容。图3的电容器C71由平板电极P711和接地电极G1构成。平板电极P712不与接地电极G2连接，因此，在平板电极P712和接地电极G2之间形成有局部电容。图3的电容器C72由平板电极P712和接地电极G2构成。
如以上那样，谐振器RT10与输入端子T1连接，谐振器RT20与输出端子T2连接。谐振器RT10、RT30、RT40、RT50沿X轴的正向以此顺序配置。谐振器RT50、RT60、RT70、RT20沿X轴的负向以此顺序配置。此外，谐振器RT10和谐振器RT20、谐振器RT30和谐振器RT70、以及谐振器RT40和谐振器RT60在Y轴方向上相邻。
即，从谐振器RT10经由谐振器RT30、谐振器RT40、谐振器RT50、谐振器RT60和谐振器RT70至谐振器RT20的路径成为以谐振器RT50作为折返点而线对称地折返的形态。
谐振器RT10～RT70各自是以TE101模式作为基本模式的谐振器，以Z轴方向作为电场方向，以磁场在沿着XY平面的平面方向上旋转的谐振模式传递信号。
相邻的谐振器通过电感性耦合或电容性耦合而耦合。已知通常如果相邻的谐振器之间的耦合窗中的电场方向的间隔(即，Z轴方向的间隔)变窄则会成为电容性耦合，如果耦合窗中的与电场方向正交的方向的间隔变窄则会成为电感性耦合。
在滤波器装置100中，在谐振部RT11的平板电极P11和谐振部RT12的平板电极P12之间形成有局部电容。图3的电容器C14由平板电极P11和平板电极P12构成。在谐振部RT21的平板电极P21和谐振部RT22的平板电极P22之间形成有局部电容。图3的电容器C24由平板电极P21和平板电极P22构成。
谐振部RT11的通路V11和谐振部RT12的通路V12之间产生电感性耦合M1。谐振部RT21的通路V21和谐振部RT22的通路V22之间产生电感性耦合M2。谐振部RT13的通路V13和谐振器RT30的通路V31之间产生电感性耦合M3。谐振器RT30的通路V31和谐振器RT40的通路V41之间产生电感性耦合M4。谐振器RT40的通路V41和谐振器RT50的通路V51之间产生电感性耦合M5。谐振器RT50的通路V51和谐振器RT60的通路V61之间产生电感性耦合M6。谐振器RT60的通路V61和谐振器RT70的通路V71之间产生电感性耦合M7。谐振器RT70的通路V71和谐振部RT23的通路V23之间产生电感性耦合M8。谐振器RT40的通路V41和谐振器RT60的通路V61之间产生电感性耦合M9。
(谐振器的通过特性)
使用图7～图13说明谐振器RT10的通过特性。图7是与输入端子T1连接的谐振器RT10的立体图。图8是简略地表示与输入端子T1连接的谐振器RT10中的各谐振部RT11～RT13的位置关系的图。此外，在图8和后述的图10、图12、图16、图18、图21、图24中，简略地表示从与将以接地电极G3为基准而与谐振部RT11对称的位置A和以接地电极G3为基准而与谐振部RT12对称的位置B连结的路径正交、且与Z轴正交的方向(图7的箭头Y的方向、滤波器装置100的侧面方向)观察谐振器RT10时的、各谐振部RT11～RT13的位置关系。
参照图7和图8，谐振部RT11包含平板电极P11、与平板电极P11相对的接地电极G3、将平板电极P11和接地电极G3连接的通路V11。通路V11的一端与接地电极G3连接，通路V11的另一端经由通路V10与输入端子T1连接。谐振部RT12包含平板电极P12、与平板电极P12相对的接地电极G3、将平板电极P12和接地电极G3连接的通路V12。通路V12的一端与接地电极G3连接，通路V12的另一端成为开路端。谐振部RT13包含平板电极P13、与平板电极P12相对的接地电极G3、将平板电极P12和接地电极G3连接的通路V13。通路V12的一端与接地电极G3连接，通路V13的另一端成为开路端。
如图8所示，在从图7的箭头Y的方向观察谐振器RT10时，谐振部RT13设置于将以接地电极G3为基准而与谐振部RT11对称的位置A和以接地电极G3为基准而与谐振部RT12对称的位置B连结的路径上。换言之，在从与将位置A和位置B连结的路径正交的方向(箭头Y的方向)的侧面观察谐振器RT10时，谐振部RT13配置于位置A和位置B之间。
图9是表示图8的谐振器RT10的通过特性的图。在图9中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN11)和回波损耗(虚线LN12)。值得注意得是，在图9中，示出了信号仅通过谐振器RT10的情况下的通过特性，没有考虑其它谐振器RT20～RT70的通过特性。
参照图9，在谐振器RT10中，在与通频带相比低频侧产生一个衰减极点AP11，在与通频带相比高频侧产生一个衰减极点AP12。具体而言，与设定在29GHz附近的信号的通频带相比低频侧的约25GHz附近产生衰减极点AP11，在与通频带相比高频侧的约33GHz附近产生衰减极点AP12。
图10是表示与输入端子T1连接的谐振器RT10中减少谐振部的数量后的情况的例子的图。在图10所示的例子中，将删除了谐振部RT12的情况的谐振器RT10表示为谐振器RT10A。如图10所示，谐振器RT10A由谐振部RT11和谐振部RT13构成，谐振部RT11设置于接地电极G1和接地电极G3之间，与接地电极G3和输入端子T1连接，谐振部RT13设置于接地电极G2和接地电极G3之间，与接地电极G3连接。
图11是表示图10的谐振器RT10A的通过特性的图。在图11中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN11A)和回波损耗(虚线LN12A)。值得注意得是，在图11中，示出了信号仅通过谐振器RT10A的情况下的通过特性，没有考虑其它谐振器RT20～RT70的通过特性。
参照图11，在谐振器RT10A中，在与通频带相比低频侧的约24GHz附近产生一个衰减极点AP11A。根据这一情况，可知由于设置于接地电极G1和接地电极G3之间的谐振部RT11、设置于接地电极G2和接地电极G3之间的谐振部RT13进行作用，产生了一个低频侧的衰减极点(图9的AP11、图11的AP11A)。
图12是表示与输入端子T1连接的谐振器RT10中减少谐振部的数量后的情况的例子的图。在图12所示的例子中，将删除了谐振部RT13的情况的谐振器RT10表示为谐振器RT10B。如图12所示，谐振器RT10B由谐振部RT11和谐振部RT12构成，谐振部RT11设置于接地电极G1和接地电极G3之间，与接地电极G3和输入端子T1连接，谐振部RT12设置于接地电极G1和接地电极G3之间，与接地电极G3连接。
图13是表示图12的谐振器RT10B的通过特性的图。在图13中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN11B)和回波损耗(虚线LN12B)。值得注意得是，在图13中，示出了信号仅通过谐振器RT10B的情况下的通过特性，没有考虑其它谐振器RT20～RT70的通过特性。
参照图13，在谐振器RT10B中，在与通频带相比高频侧的约33GHz附近产生一个衰减极点AP12B。根据这一情况，可知由于设置于接地电极G1和接地电极G3之间的谐振部RT11、设置于接地电极G1和接地电极G3之间的谐振部RT12进行作用，产生了一个高频侧的衰减极点(图9的AP12、图13的AP12B)。
如图10～图13所示，在谐振器RT10中，由于谐振部RT11和谐振部RT13的作用而产生了一个低频侧的衰减极点，由于谐振部RT11和谐振部RT12的作用而产生了一个高频侧的衰减极点。
(滤波器装置的通过特性)
使用图14和图15，一边与对比例的滤波器装置的通过特性进行比较一边说明滤波器装置100的通过特性。图14是表示实施方式1的滤波器装置100的通过特性的图。图15是表示对比例的滤波器装置的通过特性的图。
此外，对比例的滤波器装置不具备实施方式1的滤波器装置100那样包含三个λ/4谐振器的谐振器RT10，替代地在输入端子T1和接地电极G2之间具备一个λ/2谐振器。具体而言，在对比例的滤波器装置中，输入端子T1侧的谐振器具备：通过电容性耦合与输入端子T1耦合且具有对应于通频带的中心频率的波长λ的1/2的长度的通路；以及与接地电极G2相对且与该通路连接的平板电极。另外，对比例的滤波器装置不具备实施方式1的滤波器装置100那样包含三个λ/4谐振器的谐振器RT20，替代地在输出端子T2和接地电极G2之间具备一个λ/2谐振器。具体而言，在对比例的滤波器装置中，输出端子T2侧的谐振器具备：通过电容性耦合与输出端子T2耦合且具有对应于通频带的中心频率的波长λ的1/2的长度的通路；以及与接地电极G2相对且与该通路连接的平板电极。
在图14和图15中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN1、LN201)和回波损耗(虚线LN2、LN202)。此外，图14和图15所示的通频带为24.25GHz～27.5GHz。
参照图14和图15，在对比例的滤波器装置中，在与通频带相比低频侧和与通频带相比高频侧的任一侧都没有产生衰减极点。与此相对，在实施方式1的滤波器装置100中，在与通频带相比低频侧产生了两个衰减极点AP1、AP2，在与通频带相比高频侧产生了三个衰减极点AP3、AP4、AP5。
如使用图10和图11说明的那样，衰减极点AP1主要是由于谐振器RT10的谐振部RT11和谐振部RT13进行作用而产生的。衰减极点AP2主要是由于谐振器RT20的谐振部RT21和谐振部RT23进行作用而产生的。如使用图12和图13说明的那样，衰减极点AP3主要是由于谐振器RT10的谐振部RT11和谐振部RT12进行作用而产生的。衰减极点AP4主要是由于谐振器RT20的谐振部RT21和谐振部RT22进行作用而产生的。此外，认为衰减极点AP5主要是由于谐振器RT40和谐振器RT60之间的电感性耦合M9而产生的。
像这样，在实施方式1的滤波器装置100中，通过各个与输入端子T1连接的谐振器RT10和与输出端子T2连接的谐振器RT20，在通频带的高频侧和低频侧分别产生了衰减极点。
另外，通过调整谐振器RT10中的谐振部RT13的位置和谐振器RT20中的谐振部RT23的位置，能够使由于谐振器RT10的谐振产生的衰减极点AP1的频率和由于谐振器RT20的谐振产生的衰减极点AP2的频率一致。由此，通过由于谐振器RT10的谐振产生的衰减极点AP1和由于谐振器RT20的谐振产生的衰减极点AP2这两者进行作用，从而能够使低频侧的衰减极点中的信号的衰减量变得更大。
可知，在实施方式1的滤波器装置100中，通过这些衰减极点AP1～AP5，在与通频带相比低频侧和高频侧中能够得到比对比例的滤波器装置陡峭且高衰减的衰减特性。特别地，在滤波器装置100中，由于在与通频带相比低频侧产生了两个衰减极点，所以得到了低频侧的陡峭度高的衰减特性，此外，由于在与通频带相比高频侧产生了三个衰减极点，所以得到了高频侧的陡峭度高的衰减特性。
另外，在滤波器装置100中，各谐振器RT10～RT70使用通路构成传输线路，因此，与使用带状线(strip line)构成传输线路的谐振器相比能够减少插入损耗。
如以上那样，在实施方式1的滤波器装置100中，能够适当地调整信号的通频带且能够提高非通频带中的衰减特性。
[变形例]
使用图16～图23说明实施方式1的谐振器的变形例。图16是简略地表示变形例的谐振器RT101中的各谐振部RT11～RT13的位置关系的图。在图16的例子中，在从图7的箭头Y的方向观察谐振器RT101时，谐振部RT13设置于以接地电极G3为基准而与谐振部RT11对称的位置A。
图17是表示图16的谐振器RT101的通过特性的图。在图17中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN21)和回波损耗(虚线LN22)。值得注意得是，在图17中，示出了信号仅通过谐振器RT101的情况下的通过特性，没有考虑其它谐振器RT20～RT70的通过特性。
参照图17，在谐振器RT101中，在与通频带相比低频侧产生一个衰减极点AP21，在与通频带相比高频侧产生一个衰减极点AP22。具体而言，与设定在29GHz附近的信号的通频带相比低频侧的约24GHz附近产生衰减极点AP21，在与通频带相比高频侧的约32GHz附近产生衰减极点AP22。
图18是简略地表示变形例的谐振器RT102中的各谐振部RT11～RT13的位置关系的图。在图18的例子中，在从图7的箭头Y的方向观察谐振器RT102时，谐振部RT13设置于以接地电极G3为基准而与谐振部RT12对称的位置B。
图19是表示图18的谐振器RT102的通过特性的图。在图19中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN31)和回波损耗(虚线LN32)。值得注意得是，在图19中，示出了信号仅通过谐振器RT102的情况下的通过特性，没有考虑其它谐振器RT20～RT70的通过特性。
参照图19，在谐振器RT102中，在与通频带相比低频侧产生一个衰减极点AP31，在与通频带相比高频侧产生一个衰减极点AP32。具体而言，与设定在29GHz附近的信号的通频带相比低频侧的约27GHz附近产生衰减极点AP31，在与通频带相比高频侧的约33GHz附近产生衰减极点AP32。
图20是用于比较图8、图16和图18的各谐振器RT的通过特性的图。参照图20，可知越使谐振部RT13接近位置A(谐振部RT11侧)，低频侧的衰减极点就越向低频侧移动，越使谐振部RT13接近位置B(谐振部RT12侧)，低频侧的衰减极点就越向高频侧移动。
图21是简略地表示变形例的谐振器RT103中的各谐振部的位置关系的图。在图21的例子中，在从图7的箭头Y的方向观察谐振器RT103时，谐振部RT13设置于不同于将以接地电极G3为基准而与谐振部RT11对称的位置A和以接地电极G3为基准而与谐振部RT12对称的位置B连结的路径的位置。换言之，在从图7的箭头Y的方向观察谐振器RT103时，谐振部RT13配置于谐振部RT11和谐振部RT12之间的区域的外侧。
图22是表示图21的谐振器RT103的通过特性的图。在图中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN41)和回波损耗(虚线LN42)。值得注意得是，在图22中，示出了信号仅通过谐振器RT103的情况下的通过特性，没有考虑其它谐振器RT20～RT70的通过特性。
参照图22，在谐振器RT103中，在与通频带相比低频侧产生一个衰减极点AP41，在与通频带相比高频侧产生一个衰减极点AP42。具体而言，与设定在29GHz附近的信号的通频带相比低频侧的约24GHz附近产生了衰减极点AP41，在与通频带相比高频侧的约32GHz附近产生了衰减极点AP42。
图23是用于比较图16和图21的各谐振器的通过特性的图。参照图23，可知如果使谐振部RT13从位置A(谐振部RT11侧)向远离位置B的方向移动，则低频侧的衰减极点会向高频侧移动。
考虑图20和图23的通过特性，可知如果使谐振部RT13从位置B向位置A移动，则低频侧的衰减极点会向低频侧移动，此外如果使谐振部RT13从位置A向远离位置B的方向移动，则低频侧的衰减极点会向高频侧返回。
像这样，在谐振器RT10中，如果谐振部RT13的位置变化，则低频侧的产生衰减极点的频率也会变化。由此，能够通过在谐振器RT10中使谐振部RT13的位置变化，从而以使得滤波器装置100中的信号的通频带成为所期望的通频带的方式适当地调整通频带。
此外，在图7～图23中示出了与输入端子T1连接的谐振器的构成和通过特性，但可以说，与输出端子T2连接的谐振器RT20的构成和通过特性与图7～图23所示的谐振器的构成和通过特性相同。即，通过使谐振器RT20的通路V2、V21～V23和平板电极P21～P23的位置分别对应于与输入端子T1连接的谐振器的通路V1、V11～V13和平板电极P11～P13的位置，从而在谐振器RT20中也能够得到与输入端子T1连接的谐振器RT10、RT101～103相同的通过特性。
在谐振器RT20中，与谐振器RT10相同地，如果谐振部RT23的位置变化，则低频侧的产生衰减极点的频率也会变化。由此，通过在谐振器RT20中使谐振部RT23的位置变化，能够以使得滤波器装置100中的信号的通频带成为所期望的通频带的方式适当地调整通频带。
此外，通过调整谐振器RT10中的谐振部RT13的位置和谐振器RT20中的谐振部RT23的位置，能够使由于谐振器RT10的谐振产生的低频侧的衰减极点的频率和由于谐振器RT20的谐振产生的低频侧的衰减极点的频率一致。由此，通过由于谐振器RT10的谐振产生的低频侧的衰减极点和由于谐振器RT20的谐振产生的低频侧的衰减极点这两者进行作用，从而能够使低频侧的衰减极点中的信号的衰减量变得更大。
[实施方式2]
在实施方式1中，谐振器RT10在接地电极G1和接地电极G3之间具备一个谐振部RT13，谐振器RT20在接地电极G1和接地电极G3之间具备一个谐振部RT23。然而，谐振器RT10和谐振器RT20各自也可以在接地电极G1和接地电极G3之间具备多个谐振部。
图24是简略地表示实施方式2的谐振器RT110中的各谐振部的位置关系的图。参照图24，实施方式2的谐振器RT110在接地电极G2和接地电极G3之间，在谐振部RT13之外还具备谐振部RT14。具体而言，在谐振器RT110中，在以接地电极G3为基准而与谐振部RT11对称的位置A设置谐振部RT13，在以接地电极G3为基准而与谐振部RT12对称的位置B设置有谐振部RT14。谐振部RT13和谐振部RT14各自与接地电极G3连接。
图25是表示图24的谐振器RT110的通过特性的图。在图25中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗(实线LN51)和回波损耗(虚线LN52)。值得注意得是，在图25中，示出了信号仅通过谐振器RT110的情况下的通过特性，没有考虑其它谐振器RT20～RT70的通过特性。
参照图25，在谐振器RT110中，在与通频带相比低频侧产生一个衰减极点AP51，在与通频带相比高频侧产生两个衰减极点AP52、AP53。
如使用图8～图23说明的那样，在接地电极G1和接地电极G3之间仅设置了一个谐振器RT13的情况下，在与通频带相比高频侧产生一个衰减极点，在接地电极G1和接地电极G3之间设置了两个谐振器RT13、RT14的情况下，在与通频带相比高频侧产生两个衰减极点AP52、AP53。如使用图10和图11说明的那样，衰减极点AP51主要是由于谐振部RT11和谐振部RT13进行作用而产生的。如使用图12和图13说明的那样，衰减极点AP52主要是由于谐振部RT11和谐振部RT12进行作用而产生的。认为追加的衰减极点AP53主要是由于谐振部RT13和谐振部RT14进行作用而产生的。
像这样，由于谐振器在接地电极G2和接地电极G3之间具备多个谐振部，所以高频侧的衰减极点的数量增加。由此，在滤波器装置100中，能够提高非通频带中的衰减特性。
此外，在图24和图25中，示出了与输入端子T1连接的谐振器RT110的构成和通过特性，但可以说，与输出端子T2连接的谐振器RT20的构成和通过特性与图24和图25所示的谐振器RT110的构成和通过特性相同。即，也可以使谐振器RT20在接地电极G2和接地电极G3之间除了谐振部RT23之外还具备一个谐振部，在此情况下，在谐振器RT20中也能够得到与谐振器RT110相同的通过特性。
[其它变形例]
本公开的滤波器装置不限定于上述实施方式，能够进一步进行各种变形、应用。以下对能够适用于本公开的滤波器装置的变形例进行说明。
实施方式的滤波器装置100具备五个谐振器RT30～RT70作为中间谐振器，但滤波器装置100只要具备至少一个中间谐振器即可。
实施方式的滤波器装置100，与输入端子T1连接的谐振器RT10和与输出端子T2连接的谐振器RT20这两者由多个λ/4谐振器构成。然而，与输入端子T1连接的谐振器RT10和与输出端子T2连接的谐振器RT20中的任意一个也可以是在输入端子T1或输出端子T2和接地电极G2之间具备一个λ/2谐振器的谐振器。
应该认为本次公开的实施方式的所有方面都仅为例示，并非限定性的内容。本公开的范围并不由上述实施方式的说明示出，而是通过权利要求书示出，其意图在于包括与权利要求书等同的意义及范围内的所有变更。
标号的说明
10通信装置；12天线；20高频前端电路；22、28带通滤波器；24放大器；26衰减器；30混频器；32本地振荡器；40转换器；50电路；100滤波器装置；110介质基板；111下表面；112上表面；113侧面；C11、C12、C14、C21、C22、C24、C31、C32、C41、C42、C51、C52、C61、C62、C71、C72电容器；G1、G2、G3、G4、G100接地电极；GND接地端子；K1、K2、K11、K12切口部分；L11、L12、L13、L21、L22、L23、L31、L41、L51、L61、L71电感器；P1、P2、P11、P12、P13、P21、P22、P23、P311、P312、P411、P412、P511、P512、P611、P612、P711、P712平板电极；RT10、RT10A、RT10B、RT13、RT14、RT20、RT30、RT40、RT50、RT60、RT70、RT101、RT102、RT103、RT110谐振器；RT11、RT12、RT13、RT14、RT21、RT22、RT23谐振部；S101第一层；S102第二层；S103第三层；S103第三层；S105第五层；S106第六层；T1输入端子；T2输出端子、V1、V2、V10、V11、V12、V13、V20、V21、V22、V23、V31、V41、V51、V61、V71、V511、V512、V513通路、VG、VG11、VG12、VG21、VG22接地通路。

Claims (14)

1.一种滤波器装置，其具备：
输入端子；
输出端子；
彼此相对的第一接地电极和第二接地电极；以及
与所述输入端子和所述输出端子的其中一个端子连接的第一谐振器，
所述第一谐振器具备：
第一中间接地电极，设置于所述第一接地电极和所述第二接地电极之间，与所述第一接地电极和所述第二接地电极连接；
第一谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第一中间接地电极之间，与所述第一中间接地电极和所述一个端子连接；
第二谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第一中间接地电极之间，与所述第一中间接地电极连接；以及
第三谐振部，设置于所述第二接地电极和所述第一中间接地电极之间，与所述第一中间接地电极连接。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述第三谐振部设置于以下路径上，该路径将以所述第一中间接地电极为基准而与所述第一谐振部对称的位置、和以所述第一中间接地电极为基准而与所述第二谐振部对称的位置连结。
3.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述第三谐振部设置于以所述第一中间接地电极为基准而与所述第一谐振部对称的位置。
4.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述第三谐振部设置于以所述第一中间接地电极为基准而与所述第二谐振部对称的位置。
5.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述第三谐振部所设置的位置不同于以下路径上的位置，该路径将以所述第一中间接地电极为基准而与所述第一谐振部对称的位置、和以所述第一中间接地电极为基准而与所述第二谐振部对称的位置连结。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第一谐振部和所述第二谐振部通过电感性耦合或电容性耦合而耦合。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第一谐振部、所述第二谐振部和所述第三谐振部各自包含第一导体，该第一导体具有对应于通频带的中心频率的波长的1/4的长度。
8.根据权利要求7所述的滤波器装置，其中，
所述第一谐振部、所述第二谐振部和所述第三谐振部各自包含：与所述第一中间接地电极连接的所述第一导体、以及与所述第一导体连接且与所述第一接地电极或者所述第二接地电极相对的平板电极。
9.根据权利要求7或8所述的滤波器装置，其中，
还具备包含第二导体的至少一个中间谐振器，所述第二导体具有对应于所述中心频率的波长的1/2的长度，
所述第一谐振器通过电感性耦合与所述至少一个中间谐振器耦合。
10.根据权利要求9所述的滤波器装置，其中，
所述至少一个中间谐振器包含所述第二导体、与所述第二导体连接且与所述第一接地电极相对的第一平板电极、与所述第二导体连接且与所述第二接地电极相对的第二平板电极。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第一谐振器具备包括所述第三谐振部在内的多个谐振部，所述第三谐振部位于所述第二接地电极和所述第一中间接地电极之间，
所述多个谐振部各自与所述第一中间接地电极连接。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的滤波器装置，其中，
还具备第二谐振器，所述第二谐振器与所述输入端子和所述输出端子之中的不同于所述一个端子的另一个端子连接，
所述第二谐振器具备：
第二中间接地电极，设置于所述第一接地电极和所述第二接地电极之间，与所述第一接地电极和所述第二接地电极连接；
第四谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第二中间接地电极之间，与所述第二中间接地电极和所述另一个端子连接；
第五谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第二中间接地电极之间，与所述第二中间接地电极连接；以及
第六谐振部，设置于所述第二接地电极和所述第二中间接地电极之间，与所述第二中间接地电极连接。
13.一种滤波器装置，其具备：
输入端子；
输出端子；
彼此相对的第一接地电极和第二接地电极；
与所述输入端子连接的第一谐振器；
与所述输出端子连接的第二谐振器；以及
至少一个中间谐振器，通过电感性耦合与所述第一谐振器和所述第二谐振器中的至少其中之一耦合，
所述第一谐振器具备：
第一中间接地电极，设置于所述第一接地电极和所述第二接地电极之间，与所述第一接地电极和所述第二接地电极连接；
第一谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第一中间接地电极之间，与所述第一中间接地电极和所述输入端子连接；
第二谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第一中间接地电极之间，与所述第一中间接地电极连接；以及
第三谐振部，设置于所述第二接地电极和所述第一中间接地电极之间，与所述第一中间接地电极连接；
所述第二谐振器具备：
第二中间接地电极，设置于所述第一接地电极和所述第二接地电极之间，与所述第一接地电极和所述第二接地电极连接；
第四谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第二中间接地电极之间，与所述第二中间接地电极和所述输出端子连接；
第五谐振部，设置于所述第一接地电极和所述第二中间接地电极之间，与所述第二中间接地电极连接；以及
第六谐振部，设置于所述第二接地电极和所述第二中间接地电极之间，与所述第二中间接地电极连接。
14.一种高频前端电路，其具备权利要求1至13中任一项所述的滤波器装置。
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