WO2023209986A1 - 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法 - Google Patents

薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2023209986A1
WO2023209986A1 PCT/JP2022/019395 JP2022019395W WO2023209986A1 WO 2023209986 A1 WO2023209986 A1 WO 2023209986A1 JP 2022019395 W JP2022019395 W JP 2022019395W WO 2023209986 A1 WO2023209986 A1 WO 2023209986A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wiring
layer
manufacturing
thin
support layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2022/019395
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
恵一 畠山
一行 満倉
克彦 鈴木
央視 出口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Resonac Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Resonac Corp filed Critical Resonac Corp
Priority to JP2024517792A priority Critical patent/JP7861840B2/ja
Priority to PCT/JP2022/019395 priority patent/WO2023209986A1/ja
Priority to CN202280095271.2A priority patent/CN119256632A/zh
Priority to US18/857,186 priority patent/US20250266342A1/en
Priority to KR1020247035200A priority patent/KR20250002275A/ko
Priority to TW112115757A priority patent/TW202410764A/zh
Publication of WO2023209986A1 publication Critical patent/WO2023209986A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007—Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/401—Package configurations characterised by multiple insulating or insulated package substrates, interposers or RDLs
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/281—Applying non-metallic protective coatings by means of a preformed insulating foil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a thin wiring member, a thin wiring member, and a method for manufacturing a wiring board.
  • Patent Document 1 discloses an example of a fan-out type semiconductor device.
  • a rewiring layer is provided between the semiconductor chip and the external connection terminal, and the rewiring layer widens the interval between the terminals of the semiconductor chip and connects the semiconductor chip to the external connection terminal.
  • a rewiring layer is sometimes formed on a substrate, but it is sometimes difficult to miniaturize the rewiring layer due to reasons such as large variations in the height of the substrate. Therefore, a method is being considered in which a rewiring layer consisting of fine wiring is created by patterning on a flat glass carrier and then transferred.
  • the rewiring layer is a thin member with a thickness of, for example, 50 ⁇ m, has adhesiveness and elasticity, and has an unstable shape, making it difficult to handle during transfer. More specifically, when a large number of redistribution layers are fabricated on a glass carrier all at once, it is necessary to separate them into individual redistribution layers, but it is difficult to dice them with precision. .
  • An object of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a thin wiring member, a thin wiring member, and a method for manufacturing a wiring board, which can accurately separate thin wiring members with unstable shapes into individual pieces. do.
  • This manufacturing method is a method of manufacturing a plurality of thin wiring members, and includes a step of preparing a first carrier, a plurality of wiring parts corresponding to the plurality of thin wiring members, and insulation existing around the plurality of wiring parts. forming a support layer harder than the insulating part of the wiring layer on the first carrier; forming a support layer having at least one of the plurality of wiring parts; The method includes a step of separating a wiring body including a wiring layer and a support layer into pieces.
  • a support layer is formed which is harder than the insulating part of the wiring layer, and the wiring includes the wiring layer and the support layer so that each wiring part has at least one wiring part among the plurality of wiring parts. It separates the body into pieces.
  • the wiring layer having an unstable shape can be separated into pieces while the hard support layer supports the wiring layer. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to accurately separate a thin wiring member having an unstable shape into individual pieces.
  • the wiring layer may peel up due to impact during singulation (for example, dicing), but with this manufacturing method, the support layer supports the wiring layer. , it is possible to suppress such turning up.
  • the wiring body in the step of singulating, may be singulated with the support layer stuck to one surface of the wiring layer.
  • the wiring body in the step of dividing into pieces, may be diced with a blade from the support layer toward the wiring layer to be divided into pieces.
  • the wiring layer since dicing is performed from the hard support layer side, the wiring layer, which is cut after the support layer and whose shape is unstable, can be diced with precision by the blade, and it is possible to improve dicing performance. .
  • the wiring body in the step of dividing into pieces, may be diced into pieces with the wiring layer sandwiched between the first carrier and the support layer. In this case, dicing is performed with the wiring layer whose shape is unstable being sandwiched between the first carrier and the hard support layer and its movement is fixed, making it possible to perform dicing with higher precision.
  • the method for manufacturing the above-mentioned thin wiring member includes a step of pasting the singulated wiring body on an adhesive film, a step of removing the first carrier from the wiring body after being pasted on the adhesive film, and a step of attaching the singulated wiring body to the adhesive film.
  • the method may further include the step of dividing the adhesive film to which the body is attached.
  • the dividing method for example, a method of burning out with a laser, a method of dividing with a blade, a method of dividing by expanding, etc. can be applied.
  • the adhesive film in the pasting step, the adhesive film may be pasted on the support layer of the wiring body, and in the dividing step, the adhesive film may be divided along the cutting region of the support layer.
  • the support layer in the step of forming the support layer, the support layer may be formed on the first carrier, and in the step of forming the wiring layer, the wiring layer may be formed on the support layer.
  • the hard support layer makes it possible to more reliably fix the wiring layer, which is unstable in shape, and to separate it into pieces. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to singulate pieces with high precision.
  • the wiring body in the step of separating into pieces, may be diced with a blade from the wiring layer toward the support layer to be separated into pieces.
  • the wiring layer is diced, since the wiring layer is firmly supported by the hard support layer on the opposite side, the wiring layer can be diced with the wiring layer fixed to some extent. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to accurately dice a thin wiring member having an unstable shape.
  • the wiring layer is thin, it is expected that the wiring layer will roll up due to the water pressure during dicing, but by providing a support layer under the wiring layer, it is possible to suppress this rolling up. becomes.
  • the method for manufacturing the thin wiring member described above includes the steps of attaching a second carrier to the surface of the wiring layer opposite to the surface to which the support layer is attached, and after attaching the second carrier,
  • the method may include a step of removing the carrier, and a step of attaching the wiring body to which the second carrier is attached to an adhesive film.
  • the step of singulating after being attached to the adhesive film, the wiring layer, the support layer, and the adhesive film may be diced and separated into pieces.
  • the first carrier to which the support layer is attached can be removed, the support layer can be removed by etching or the like.
  • the adhesive film is also diced, there is no need for expansion, and when the adhesive film is expanded, it is possible to prevent deterioration in the dimensional accuracy of the wiring layer due to division of the adhesive film.
  • the method for manufacturing a thin wiring member described above further includes a step of removing the second carrier, and in the step of separating into pieces, after removing the second carrier, the wiring layer, the support layer, and the adhesive film are diced and separated. It may be fragmented.
  • the material of the second carrier can be selected more freely.
  • the dicing speed can be increased, and the manufacturing efficiency can be improved.
  • the second carrier, the wiring layer, the support layer, and the adhesive film may be diced into pieces.
  • dicing is performed with the wiring layer whose shape is unstable being sandwiched between the second carrier and the hard support layer and its movement is fixed, making it possible to perform dicing with high precision.
  • the thickness of the wiring layer may be 200 ⁇ m or less. In this case, the thickness of the thin wiring member can be reduced more reliably. Moreover, even if the thickness of the wiring layer is 200 ⁇ m or less, according to any of the above-mentioned manufacturing methods, it is possible to precisely separate a wiring body having a wiring layer whose shape is unstable.
  • the thickness of the support layer may be 25% or more and 3000% or less of the thickness of the wiring layer.
  • the thickness of the support layer is 25% or more of the thickness of the wiring layer, it becomes possible to firmly support the wiring layer whose shape is unstable with the support layer and to accurately separate the wiring layer into pieces. Further, since the thickness of the support layer is 3000% or less of the thickness of the wiring layer, the thickness of the thin wiring member can be kept thin without increasing the thickness.
  • the support layer may be formed of a material with a bending modulus of 3 GPa or more (or a bending strength of 700 MPa or more).
  • the hard support layer can reliably support the wiring layer whose shape is unstable. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to separate into pieces with high precision.
  • the support layer may include a thermosetting resin layer containing an inorganic filler.
  • the inorganic filler allows the blade to exhibit a self-sharpening effect.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer is preferably 40% by mass or more and 90% by mass or less. This makes it possible to achieve both supportability and cuttability of the wiring layer.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably 0.05 ⁇ m or more, more preferably 0.1 ⁇ m or more.
  • the first carrier may be a glass carrier having an arithmetic mean roughness of 50 nm or less. In this case, it becomes possible to accurately miniaturize the wiring layer formed on the first carrier.
  • the wiring layer may include wiring with a line width of 5 ⁇ m or less. In this case, a thin wiring member having fine wiring can be obtained.
  • the present disclosure relates to a thin wiring member.
  • This thin wiring member includes wiring and a wiring layer having a resin composition or a cured product thereof existing around the wiring, and a support layer provided on one surface of the wiring layer.
  • the support layer is made of a material harder than the resin composition of the wiring layer or its cured product.
  • This thin wiring member has a support layer made of a material harder than the resin composition of the wiring layer or its cured product. In this case, when manufacturing a wiring board or a semiconductor device using the thin wiring member, it is possible to prevent the thin wiring member from warping or curling, and the shape can be stabilized.
  • the thickness of the wiring layer is 200 ⁇ m or less
  • the thickness of the support layer is 50 ⁇ m or more and 1200 ⁇ m or less
  • the wiring layer may have wiring with a line width of 5 ⁇ m. In this case, a thin wiring member having fine wiring can be obtained.
  • the support layer may be formed of a material with a bending modulus of 3 GPa or more (or a bending strength of 700 MPa or more). In this case, it is possible to more reliably prevent the thin wiring member from warping or curling, and the shape can be stabilized.
  • the support layer may include a thermosetting resin layer containing an inorganic filler.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer may be 40% by mass or more and 90% by mass or less. In this case, it becomes possible to achieve both supportability and cuttability of the wiring layer.
  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a wiring board.
  • This wiring board manufacturing method includes a step of preparing a thin wiring member manufactured by any of the above-mentioned thin wiring member manufacturing methods, a step of arranging the thin wiring member on or in the board, and a step of preparing the thin wiring member. and a step of connecting the wiring to the connection terminal.
  • FIG. 1 is a sectional view showing an example of a thin wiring member.
  • FIGS. 2A to 2C are diagrams sequentially showing a method for manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1.
  • FIGS. 3A to 3C are views sequentially showing a method for manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1, and show steps performed subsequent to the step shown in FIG. 2.
  • FIGS. 4A to 4C are views sequentially showing a method for manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1, and show steps performed subsequent to the step shown in FIG. 3.
  • FIGS. 5A to 5C are diagrams sequentially showing a method of manufacturing a wiring board using a thin wiring member.
  • FIGS. 6(a) to 6(c) are views sequentially showing another method of manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1.
  • FIGS. 7A to 7C are views sequentially showing another method of manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1, and show steps performed subsequent to the step shown in FIG. 6.
  • FIGS. 8(a) to 8(c) are views sequentially showing another method of manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1, and show steps performed subsequent to the step shown in FIG. 7.
  • FIGS. 9(a) to 9(c) are views sequentially showing still another method of manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1, and show steps performed subsequent to the step shown in FIG. 7.
  • FIGS. 10A to 10D are diagrams sequentially showing another method of manufacturing a wiring board using a thin wiring member.
  • the term “layer” includes not only a structure formed on the entire surface but also a structure formed on a part of the layer when observed in a plan view.
  • the term “process” is included in the present term not only when it refers to an independent process but also when it cannot be clearly distinguished from other processes, as long as the intended purpose of the process is achieved.
  • a numerical range indicated using “ ⁇ ” indicates a range that includes the numerical values written before and after " ⁇ " as the minimum and maximum values, respectively. Further, in the numerical ranges described stepwise in this specification, the upper limit or lower limit of the numerical range of one step may be replaced with the upper limit or lower limit of the numerical range of another step.
  • FIG. 1 is a sectional view showing an example of a thin wiring member.
  • the thin wiring member 1 is a member used, for example, to configure a rewiring layer (RDL) of a wiring portion of a wiring board 200, which will be described later (see FIG. 5).
  • RDL rewiring layer
  • the thin wiring member 1 may be used for wiring or connection in a semiconductor device or the like.
  • the thin wiring member 1 includes a fine wiring layer 10, a support layer 20, and an adhesive layer 30.
  • the thin wiring member 1 is a minute wiring member that can be built into various wiring boards, semiconductor devices, etc., and may have, for example, a rectangular shape of 50 mm in height x 50 mm in width when viewed from above, or 20 mm in height x 50 mm in width. It may have a rectangular shape with a width of 20 mm. Further, the thin wiring member 1 is a thin wiring member, has a fine wiring layer 10 having a thickness of about 50 ⁇ m, and has a thin overall thickness of, for example, 30 ⁇ m to 1 mm. Note that the thickness of the fine wiring layer 10 is, for example, 200 ⁇ m or less. Since the thin wiring member 1 has such a thickness, it has characteristics of being easily curled and difficult to handle.
  • the fine wiring layer 10 is a fine wiring layer formed by providing copper wiring 14 (wiring) having a three-dimensional wiring configuration within the insulating layer 12 (insulating part).
  • the copper wiring 14 is a wiring having a fine line width of, for example, 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the copper wiring 14 preferably has a fine line width of 0.7 to 4 ⁇ m, more preferably a fine line width of 1 to 3 ⁇ m.
  • the connection end 14a of the copper wiring 14 is exposed to the outside from the first surface 10a of the fine wiring layer 10.
  • the connection end 14a of the copper wiring 14 is electrically and mechanically connected to the connection terminal.
  • the second surface 10b of the fine wiring layer 10 is adhesively fixed to the first surface 20a of the support layer 20.
  • the copper wiring 14 forms a three-dimensional wiring layer by sequentially stacking each wiring layer from the second surface 10b toward the first surface 10a as described later.
  • the insulating layer 12 is formed by laminating a plurality of layers, and for example, from the viewpoint of forming fine vias and grooves, each layer may have a thickness of 10 ⁇ m or less, and may have a thickness of 5 ⁇ m or less. It may have.
  • the insulating layer 12 is formed so as to fill the area around the copper wiring 14 and exist around the copper wiring 14 .
  • each layer of the insulating layer 12 may have a thickness of 1 ⁇ m or more from the viewpoint of electrical reliability.
  • the insulating layer 12 may have a total thickness of 10 to 200 ⁇ m or 10 to 100 ⁇ m.
  • the insulating layer 12 may have a coefficient of thermal expansion (after curing) of, for example, 80 ppm/° C. or less.
  • the insulating layer 12 may have a coefficient of thermal expansion (after curing) of, for example, 70 ppm/° C. or less from the viewpoint of suppressing peeling or cracking during a reflow process and a temperature cycle test.
  • the insulating layer 12 may have a linear expansion coefficient (after curing) of 20 ppm/°C or more from the viewpoint of improving stress relaxation properties and forming fine vias or grooves. Note that the linear expansion coefficient of the insulating layer 12 may be the same as the linear expansion coefficient of the support layer 20, may be smaller than the linear expansion coefficient of the support layer 20, or may be larger than the linear expansion coefficient of the support layer 20.
  • Such an insulating layer 12 is made of a material such as polyimide resin, maleimide resin, epoxy resin, phenoxy resin, polybenzoxazole resin, acrylic resin, or acrylate resin. Further, the insulating layer 12 may contain a filler, and from the viewpoint of forming fine details, the average particle size of the filler contained therein may be 500 nm or less. This filler may be contained in the insulating layer 12 so that the content of the filler with respect to the total amount of the insulating material is less than 1% by mass. The insulating layer 12 does not need to contain filler. Note that the insulating layer 12 is made of the above-mentioned material, has adhesiveness and elasticity, and is formed as a member with an unstable shape.
  • the support layer 20 is a layer that supports the fine wiring layer 10 including the insulating layer 12, which is such an unstable member, and is made of a material harder than the resin composition of the insulating layer 12 or its cured product. . More specifically, the support layer 20 is made of a material with a bending modulus of 3 GPa or more (or a bending strength of 700 MPa or more). The thickness of the support layer 20 may be thinner than the fine wiring layer 10, or conversely may be thicker than the fine wiring layer 10. The support layer 20 may have a thickness of 25 to 3000% of the thickness of the fine wiring layer 10, for example.
  • the support layer 20 may be formed from a resin molded body filled with fillers, and the filling rate of the fillers may be 50 to 55% by mass, or 80% by mass or more.
  • the filler cut diameter of the filled filler may be 20 ⁇ m or more.
  • the support layer 20 may be a resin sheet having glass cloth, or may be a resin sheet having a hard layer (a layer containing silicon, carbon, or copper) on the surface.
  • the thermal expansion coefficient of the support layer 20 may be 5 to 50 ppm/°C. Since the support layer 20 has such a coefficient of thermal expansion, it is possible to suppress warpage and the like.
  • the support layer 20 may be formed from a thermosetting resin layer containing an inorganic filler.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer constituting the support layer 20 may be 40 to 90% by mass.
  • the average particle size of the inorganic filler may be, for example, 0.05 ⁇ m or more.
  • the average particle diameter here is, for example, a value calculated by SEM.
  • the thermosetting resin layer is a layer formed from a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin and an inorganic filler, and the thermosetting resin contained in the thermosetting resin composition is N- It may be one or more selected from the group consisting of maleimide resins having one or more substituted maleimide groups and derivatives thereof.
  • One or more types selected from the group consisting of maleimide resins having one or more N-substituted maleimide groups and derivatives thereof have a structure derived from a maleimide resin having two or more N-substituted maleimide groups, and a primary amino group. It may be a resin containing a structure derived from a silicone compound having.
  • the support layer 20 may further include a second thermosetting resin layer containing a rubber component.
  • the second thermosetting resin layer is a layer formed from a second thermosetting resin composition containing a thermosetting resin and a rubber component, and is a layer formed from a second thermosetting resin composition containing a thermosetting resin and a rubber component.
  • the thermosetting resin may be an epoxy resin.
  • the second thermosetting resin composition may further contain a phenolic resin curing agent.
  • the rubber component may be crosslinked rubber particles.
  • the content of the inorganic filler in the second thermosetting resin layer may be 0 to 20% by mass, or 0 to 5% by mass.
  • the adhesive layer 30 is a layer for attaching the thin wiring member 1 to a predetermined location on a wiring board or the like.
  • the adhesive layer 30 is made of epoxy resin or the like, and includes, for example, a mixed resin such as epoxy resin and acrylic rubber, filler, and the like.
  • the thickness of the adhesive layer 30 is, for example, 5 to 40 ⁇ m.
  • the adhesive layer 30 is made of, for example, die attach film (DAF). This adhesive layer may be integrally formed on a dicing tape having an adhesive layer.
  • This adhesive layer may contain, for example, an ultraviolet curable resin.
  • FIGS. 2 to 4 are diagrams sequentially showing a method for manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1.
  • FIG. 2(a) first, a glass carrier 100 (first carrier) is prepared.
  • the glass carrier 100 is a carrier substrate having a thickness of, for example, 0.7 mm, and has a flatness with an arithmetic mean roughness of 50 nm or less.
  • the glass carrier 100 is, for example, in the shape of a wafer or a panel, and is not particularly limited, but may be, for example, a circular wafer with a diameter of 200 mm, 300 mm, or 450 mm, or a rectangular panel with a side of 200 to 700 mm.
  • a temporary fixing material 101 is pasted onto such a glass carrier 100.
  • the temporary fixing material 101 is a resin layer for temporarily fixing the object onto the glass carrier 100, and is configured so that the object once fixed by heating or laser can be peeled off in a later step.
  • a fine wiring layer 102 corresponding to the fine wiring layer 10 is formed.
  • the method for forming the fine wiring layer 102 is not particularly limited, a semi-additive process (SAP) or a trench method can be used.
  • SAP semi-additive process
  • a trench method can be used.
  • the seed layer there are no particular limitations as long as the method can form a metal layer on the surface layer of the glass carrier 100 (temporary fixing material 101), but electroless plating or sputtering can be used.
  • a metal layer (seed layer) is formed on the temporary fixing material 101.
  • the method of forming the metal layer by electroless plating is not particularly limited, but the resin surface of the temporary fixing material 101 is roughened by desmear or plasma, and the metal layer is formed on the roughened surface.
  • a low-pressure mercury lamp can be used as a method for irradiating ultraviolet light of 200 nm or less.
  • a metal layer can also be formed by sputtering. By suppressing roughening of the resin surface, the seed layer can be easily removed.
  • the thickness of the metal layer to be formed may be 200 nm or less from the viewpoint of improving the yield when forming fine wiring.
  • a resist pattern is formed on the metal layer formed on the temporary fixing material 101.
  • the space width of the groove portion is, for example, 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the resist used for the resist pattern may be either a liquid resist or a film resist.
  • the resist pattern can be formed by exposure using a stepper exposure machine and development using an alkaline aqueous solution.
  • a photolithography process can be used.
  • a photosensitive resin material can be used as the insulating material.
  • a known projection exposure method, a contact exposure method, a direct exposure method, etc. can be used, and as a developing method, an alkaline aqueous solution such as sodium carbonate or TMAH can be used.
  • the insulating layer may be further heated and hardened. The heating temperature may be 100 to 200°C and the heating time may be 30 minutes to 3 hours.
  • the thickness of the metal layer may be 10 ⁇ m or less.
  • the space width of the resist pattern is 0.5 to 5 ⁇ m
  • the line width of the copper wiring portion within the resist pattern formed by electrolytic plating is also 0.5 to 5 ⁇ m.
  • a wiring body 103 in which a fine wiring layer 102 is provided on a temporary fixing material 101 as shown in FIG. 2(b) is formed.
  • FIG. 2B shows an example in which four wiring layers 102a are stacked, the present invention is not limited to this.
  • the insulating portion 102b other than the wiring of the fine wiring layer 102 is made of a resin material such as polyimide resin, maleimide resin, epoxy resin, phenoxy resin, polybenzoxazole resin, acrylic resin, or acrylate resin.
  • the insulating portion 102b is formed so as to fill the area around the wiring layer 102a and exist around the wiring layer 102a.
  • Such an insulating portion 102b has adhesiveness and elasticity, and has a configuration that tends to make the shape unstable.
  • the fine wiring layer 102 is provided with a plurality of fine wiring layers 102c (wiring portions) corresponding to the fine wiring layers 10 of the plurality of thin wiring members 1, respectively.
  • Each fine wiring layer 102c includes a part of the wiring layer 102a and a part of the insulating part 102b. Note that after forming the fine wiring layer 102, chemical mechanical polishing (CMP) may be performed to flatten surface irregularities.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a support layer 104 corresponding to the support layer 20 is formed on the fine wiring layer 102.
  • the support layer 104 is a film-like member, and is attached to the upper surface 102d of the fine wiring layer 102, for example, by lamination.
  • the support layer 104 is made of a material harder than the resin portion 102b of the fine wiring layer 102, and supports the fine wiring layer 102.
  • As the support layer 104 a resin molded body filled with about 50 to 55% by mass of filler, a resin sheet having glass cloth, or a resin sheet having a hard layer on the surface can be used.
  • the support layer 104 is preferably a resin molded body with a filler filling rate of 80% or more, and in this case, it is more preferable that the cut diameter of the filler is 20 ⁇ m or more. .
  • a resin sheet having a hard layer containing silicon, carbon, copper, etc. on the surface is also preferable from the viewpoint of self-sharpening of the blade.
  • the support layer 104 is preferably formed from a material with a low coefficient of thermal expansion, for example, preferably 50 ppm/° C. or less.
  • the outer surface of the support layer 104 (the surface on which dicing is performed) is preferably smooth, and, for example, preferably has an arithmetic mean roughness Ra of 50 nm or less.
  • the support layer 104 is made of a material harder than the resin composition of the insulating portion 102b of the fine wiring layer 102 or its cured product. More specifically, the support layer 104 is made of a material with a bending modulus of 3 GPa or more (or a bending strength of 700 MPa or more).
  • the thickness of the support layer 104 may be thinner than the fine wiring layer 102, and may be, for example, 20 to 80% of the thickness of the fine wiring layer 102. Further, the thickness of the support layer 104 may be 25 to 3000% of the thickness of the fine wiring layer 102.
  • thermosetting resin layer containing an inorganic filler can be used as an example of such a support layer 104.
  • the content of the inorganic filler in this thermosetting resin layer is, for example, 40 to 90% by mass.
  • the thermosetting resin layer constituting the support layer 104 is a thermosetting resin layer containing an inorganic filler.
  • This thermosetting resin layer is a layer that forms a cured material layer that is melted and hardened by heating.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer is 40 to 90% by mass.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer is at least the above lower limit, excellent low thermal expansion and heat resistance can be obtained.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer is below the above upper limit value, excellent moldability and conductor adhesion can be obtained.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer is not particularly limited, but is preferably 55 to 80% by mass, more preferably 60 to 75% by mass, and even more preferably 65 to 70% by mass. It is.
  • the thickness of the thermosetting resin layer is not particularly limited, but is preferably 4 to 100 ⁇ m, more preferably 6 to 60 ⁇ m, and still more preferably 8 to 40 ⁇ m. Further, the thickness of the thermosetting resin layer may be 50 ⁇ m to 1200 ⁇ m.
  • thermosetting resin contained in the thermosetting resin layer examples include epoxy resin, phenol resin, maleimide resin, cyanate resin, isocyanate resin, benzoxazine resin, oxetane resin, amino resin, unsaturated polyester resin, and allyl resin. , dicyclopentadiene resin, silicone resin, triazine resin, melamine resin and the like.
  • maleimide resins, epoxy resins, and cyanate resins are preferred, maleimide resins and epoxy resins are more preferred, and maleimide resins are even more preferred.
  • One type of such thermosetting resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the maleimide resin is preferably one or more selected from the group consisting of maleimide resins having one or more N-substituted maleimide groups and derivatives thereof.
  • the thermosetting resin layer is a layer formed from a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin and an inorganic filler, and the thermosetting resin contained in the thermosetting resin composition is Preferably, it is one or more selected from the group consisting of maleimide resins having one or more N-substituted maleimide groups and derivatives thereof.
  • the one or more types selected from the group consisting of maleimide resins having one or more N-substituted maleimide groups and derivatives thereof include maleimide resins having two or more N-substituted maleimide groups, and maleimide resins having two or more N-substituted maleimide groups.
  • a resin containing a structure derived from a maleimide resin having a primary amino group and a structure derived from a silicone compound having a primary amino group is preferred, and a silicone-modified maleimide resin is more preferred from the viewpoint of heat resistance and low thermal expansion. Note that in this embodiment, the silicone-modified maleimide resin is one embodiment of the maleimide resin.
  • Examples of the inorganic filler contained in the thermosetting resin layer constituting the support layer 104 include silica, alumina, titanium oxide, mica, beryllia, barium titanate, potassium titanate, strontium titanate, calcium titanate, Examples include aluminum carbonate, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, aluminum silicate, calcium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, silicon nitride, boron nitride, clay, talc, aluminum borate, and silicon carbide.
  • silica, alumina, mica, and talc are preferred, silica and alumina are more preferred, and silica is even more preferred.
  • silica examples include precipitated silica that is produced by a wet process and has a high water content, and dry process silica that is produced by a dry process and contains almost no bound water.
  • dry process silica examples include crushed silica, fumed silica, and fused silica, depending on the manufacturing method.
  • the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but from the viewpoint of dispersibility and fine wiring of the inorganic filler, it is 0.01 to 20 ⁇ m, preferably 0.05 to 20 ⁇ m, more preferably 0.1 to 10 ⁇ m. , more preferably 0.2 to 1 ⁇ m, particularly preferably 0.3 to 0.8 ⁇ m.
  • the average particle diameter refers to the particle diameter at a point corresponding to 50% of the volume when a cumulative frequency distribution curve based on the particle diameter is determined with the total volume of the particles as 100%.
  • the average particle diameter of the inorganic filler can be measured, for example, with a particle size distribution measuring device using a laser diffraction scattering method.
  • Examples of the shape of the inorganic filler include spherical and crushed shapes, with spherical being preferred.
  • a coupling agent may be used in the thermosetting resin composition for the purpose of improving the dispersibility of the inorganic filler and the adhesion with the organic component.
  • the coupling agent include a silane coupling agent and a titanate coupling agent. Among these, silane coupling agents are preferred.
  • the silane coupling agent include an aminosilane coupling agent, a vinylsilane coupling agent, an epoxysilane coupling agent, and the like.
  • the surface treatment method for the inorganic filler is an integral blend treatment method in which the coupling agent is added after blending the inorganic filler into the resin composition.
  • a method in which the surface of the inorganic filler is previously treated with a coupling agent in a dry or wet manner is preferred.
  • the inorganic filler may be previously dispersed in an organic solvent to form a slurry, and then mixed with other components.
  • the support layer 104 may further include a second thermosetting resin layer containing a rubber component as an optional layer.
  • the content of the inorganic filler in the second thermosetting resin layer is, for example, 0 to 20% by mass.
  • the "rubber component” means a crosslinked elastomer or a crosslinkable elastomer.
  • the rubber component contained in the second thermosetting resin layer may exist in the form of a reaction with other components.
  • the content of the inorganic filler in the second thermosetting resin layer is 0 to 20% by mass. When the content of the inorganic filler in the second thermosetting resin layer is below the above upper limit, cracks in the resin layer can be sufficiently suppressed.
  • the content of the inorganic filler in the second thermosetting resin layer is not particularly limited, but is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 0 to 5% by mass, and even more preferably It is 0 to 1% by mass.
  • the inorganic filler in the second thermosetting resin layer the same inorganic filler as in the above-mentioned thermosetting resin layer can be used.
  • the second thermosetting resin layer is a layer formed from a second thermosetting resin composition containing a thermosetting resin and a rubber component.
  • the thermosetting resin used in the second thermosetting resin layer include epoxy resin, phenol resin, maleimide resin, cyanate resin, isocyanate resin, benzoxazine resin, oxetane resin, amino resin, unsaturated polyester resin, Examples include allyl resin, dicyclopentadiene resin, silicone resin, triazine resin, and melamine resin. Among these, from the viewpoint of heat resistance, maleimide resins, epoxy resins, and cyanate resins are preferred, maleimide resins and epoxy resins are more preferred, and epoxy resins are even more preferred.
  • the thermosetting resin (a) may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the rubber component used in the second thermosetting resin layer include crosslinked rubber particles, liquid rubber, and the like. Among these, crosslinked rubber particles are preferred from the viewpoint of suppressing cracks in the resin layer.
  • Examples of crosslinked rubber particles include butadiene rubber particles, isoprene rubber particles, chloroprene rubber particles, styrene rubber particles, acrylic rubber particles, silicone rubber particles, natural rubber particles, styrene-butadiene rubber particles, acrylonitrile-butadiene rubber particles, and carboxylic acid-modified rubber particles. Examples include acrylonitrile butadiene rubber particles, core-shell type rubber particles, and the like.
  • acrylonitrile butadiene rubber particles and carboxylic acid-modified acrylonitrile butadiene rubber particles are preferred, and carboxylic acid-modified acrylonitrile butadiene rubber particles are more preferred.
  • the rubber component (b) may be used alone or in combination of two or more.
  • a wiring body 105 including a fine wiring layer 102 and a support layer 104 is formed so that each of the plurality of fine wiring layers 102c has at least one fine wiring layer 102c.
  • the fine wiring layer 102 is cut from the supporting layer 104 side with a blade D by dicing using a dicer to form individual pieces.
  • the support layer 104 separated into pieces becomes a plurality of support layers 104a.
  • a cutting region 104b is formed between each support layer 104a. Note that during this dicing, the temporary fixing material 101 may not be cut or may be partially cut.
  • the diced wiring body 105A is attached to a dicing tape 107 via an adhesive film 106.
  • the temporary fixing material 101 is irradiated with a laser L to separate the glass carrier 100 and the temporary fixing material 101 from the wiring body 105A.
  • the dicing tape 107 is expanded radially outward to separate the adhesive film 106 into individual adhesive films 106a in the same way as the wiring body 105. .
  • the adhesive film 106 may be expanded while being cooled to separate the adhesive film 106 into pieces.
  • the adhesive film 106 is divided into pieces by expanding, the tearing force is transmitted to the surrounding film, etc., but in this manufacturing method, a hard support layer 104a is provided thereon. Therefore, no force is propagated to the fine wiring layer 102c, and the dimensional accuracy of the fine wiring layer 102c that has been separated into pieces is not affected.
  • the adhesive film 106 is directly cut along the cutting region 104b of the support layer 104a, and a layer corresponding to the adhesive layer 30 described above is formed. Thereafter, as shown in FIG. 4(b), the thin wiring members 1 that have been separated into pieces are each picked up to obtain the thin wiring members 1 shown in FIG. 4(c).
  • FIG. 5 is a diagram sequentially showing a method of manufacturing a wiring board using a thin wiring member.
  • the thin wiring member 1 and the board main body 201 are prepared.
  • the substrate main body 201 is a member formed into a substrate shape by alternately laminating insulating layers 202 and wiring layers 203.
  • the substrate body 201 is provided with an opening 204 for arranging the thin wiring member 1.
  • the thin wiring member 1 is installed in the opening 204 of the substrate body 201.
  • the adhesive layer 30 of the thin wiring member 1 is attached to the bottom surface of the opening 204.
  • an insulating resin portion 205 is formed on the remaining portion of the opening 204 where the thin wiring member 1 is installed and on the surface 201a of the substrate body 201.
  • the insulating resin portion 205 may be formed using an insulating resin film, or may be formed by applying or filling a liquid resin composition. Further, the insulating resin portion 205 is patterned to form a wiring 206. Thereafter, as shown in FIG. 5C, a connection terminal 208 is provided, and the copper wiring 14 of the thin wiring member 1 and the connection terminal 208 are electrically connected. Through the above steps, the wiring board 200 can be obtained.
  • the supporting layer 104 is formed which is harder than the insulating portion 102b of the fine wiring layer 102, and the fine wiring layer 102 is formed so that each fine wiring layer 102 has at least one fine wiring layer 102c.
  • the wiring body 105 including the support layer 104 and the support layer 104 is separated into individual pieces.
  • the fine wiring layer 102 having an unstable shape can be separated into pieces while the hard support layer 104 supports the fine wiring layer 102 . Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to accurately separate the thin wiring member 1, which is thin and unstable in shape, into individual pieces.
  • the fine wiring layer 102 may be turned up due to impact (for example, water pressure) during singulation (for example, dicing), but according to this manufacturing method, the supporting layer 104 supports the fine wiring layer 102, so it is possible to suppress such turning up.
  • the wiring body 105 is singulated with the supporting layer 104, which is harder than other parts, stuck to one surface of the fine wiring layer 102, thereby making it possible to perform the singulation more reliably. becomes possible.
  • the wiring body 105 when dividing into pieces, the wiring body 105 is diced with a blade D from the support layer 104 toward the fine wiring layer 102 to separate it into pieces. Therefore, since dicing is performed from the hard support layer 104 side, the fine wiring layer 102 whose shape is unstable and which is cut following the support layer 104 can be diced with high accuracy, and dicing performance can be improved. It is.
  • the wiring body 105 when singulating the wiring body 105 with the fine wiring layer 102 sandwiched between the glass carrier 100 and the support layer 104, the wiring body 105 is cut into pieces with the blade D. It is diced into individual pieces. In this case, dicing is performed with the fine wiring layer 102 whose shape is unstable being sandwiched between the glass carrier 100 and the hard support layer 104 and its movement is fixed, making it possible to perform dicing with higher precision.
  • the method for manufacturing a thin wiring member includes a step of pasting the individualized wiring bodies 105 onto the adhesive film 106, and removing the glass carrier 100 from the wiring bodies 105 after being pasted on the adhesive film 106.
  • the method may further include a step of expanding the adhesive film 106 to which the individualized wiring bodies 105 are attached.
  • the adhesive film 106 in the pasting step, is pasted on the support layer 104 of the wiring body 105, and in the expanding step, the adhesive film 106 is divided along the cutting region 104b in the support layer 104.
  • the fine wiring layer 102 which has an unstable shape, from being stretched and deteriorating the dimensional accuracy due to the division of the adhesive film 106 during expansion. Therefore, according to this manufacturing method, the dimensional accuracy of the thin wiring member can be kept high.
  • the thickness of the fine wiring layer 102 may be 200 ⁇ m or less. In this case, the thickness of the thin wiring member 1 can be reduced more reliably. Further, even if the thickness of the fine wiring layer 10 is 200 ⁇ m or less, according to any of the above-mentioned manufacturing methods, it is possible to accurately separate a wiring body having a wiring layer whose shape is unstable. be.
  • the thickness of the support layer 104 may be 25 to 3000% or less of the thickness of the fine wiring layer 102. Since the thickness of the support layer 104 is 25% or more of the thickness of the fine wiring layer 102, it is possible to firmly support the wiring layer whose shape is unstable with the support layer 104 and to accurately separate the wiring layer into pieces. becomes. Further, since the thickness of the support layer 104 is 3000% or less of the thickness of the fine wiring layer 102, the thickness of the thin wiring member can be kept thin without increasing the thickness.
  • the support layer 104 may be formed of a material having a bending elastic modulus of 3 GPa or more (or a bending strength of 700 MPa or more). In this case, when dividing into pieces, the hard support layer 104 can reliably support the fine wiring layer 102 whose shape is unstable. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to separate into pieces with high precision.
  • the support layer 104 may include a thermosetting resin layer containing an inorganic filler.
  • the inorganic filler allows the blade to exhibit a self-sharpening effect.
  • the content of the inorganic filler in the thermosetting resin layer is preferably 40 to 90% by mass or less.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably 0.05 ⁇ m or more, more preferably 0.1 ⁇ m or more.
  • the glass carrier 100 may have an arithmetic mean roughness Ra of 50 nm or less. In this case, it becomes possible to accurately miniaturize the wiring layer formed on the glass carrier 100.
  • the fine wiring layer 102 may include wiring with a line width of 5 ⁇ m or less. In this case, a thin wiring member having fine wiring can be obtained.
  • FIGS. 6 to 8. are diagrams sequentially showing another method of manufacturing the thin wiring member shown in FIG. 1.
  • differences from the method for manufacturing a thin wiring member described above will be mainly explained, and descriptions of the same parts or members will be omitted.
  • a glass carrier 100 is prepared. Then, a temporary fixing material 101 is attached onto the glass carrier 100. In this other manufacturing method, a support layer 104 is further formed on this temporary fixing material 101.
  • the support layer 104 is a layer made of a hard material as described above.
  • a fine wiring layer 102 is formed on the support layer 104.
  • the fine wiring layer 102 can be manufactured using the same process as described above, for example, using a semi-additive process (SAP) or a trench method.
  • SAP semi-additive process
  • another carrier 110 (second carrier) is pasted onto the fine wiring layer 102.
  • the carrier 110 may be provided with an adhesive layer 111.
  • the carrier 110 may be made of glass like the glass carrier 100, or may be made of other materials.
  • the glass carrier 100 used for producing the fine wiring layer 102 is peeled off. This peeling is performed by peeling off the temporary fixing material 101 by laser irradiation, similarly to the above manufacturing method.
  • the surface of the support layer 104 is wet-etched as shown in FIG. 7(b).
  • components of the temporary fixing material adhering to the support layer are removed.
  • the fine wiring layer 102 is attached to the dicing tape 107 via the adhesive film 106.
  • the carrier 110 is peeled off using a laser or the like, as shown in FIG. 8(a).
  • the fine wiring layer 102 and the supporting layer 104 are diced into pieces from the fine wiring layer 102 toward the supporting layer 104 using a blade D of a dicer.
  • the adhesive film 106 is also separated into pieces.
  • the supporting layer 104 is formed which is harder than the insulating portion 102b of the fine wiring layer 102, and at least one fine wiring layer 102c is formed.
  • the wiring body including the fine wiring layer 102 and the support layer 104 is divided into pieces so that each of them has the following.
  • the fine wiring layer 102 having an unstable shape can be separated into pieces while the hard support layer 104 supports the fine wiring layer 102 . Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to accurately separate the thin wiring member 1, which is thin and unstable in shape, into individual pieces.
  • the fine wiring layer 102 may be turned up due to impact (for example, water pressure) during singulation (for example, dicing), but according to this manufacturing method, the supporting layer 104 supports the fine wiring layer 102, so it is possible to suppress such turning up.
  • the support layer 104 supports the lower part of the fine wiring layer 102, it is possible to suitably suppress such turning-up.
  • this manufacturing method by dividing the wiring body into pieces with the hard support layer 104 stuck to one surface of the fine wiring layer 102, it is possible to more reliably suppress such curling up. ing.
  • the wiring body when dividing into pieces, is diced with a blade D from the fine wiring layer 102 toward the support layer 104.
  • the fine wiring layer 102 is diced, since the fine wiring layer 102 is firmly supported by the hard support layer 104 on the opposite side, the fine wiring layer 102 can be diced with the fine wiring layer 102 fixed to some extent. can. Therefore, according to this other manufacturing method, it is possible to accurately dice a wiring member that is thin and unstable in shape.
  • the method for manufacturing a thin wiring member includes a step of pasting the carrier 110 on the surface of the fine wiring layer 102 that is opposite to the surface to which the support layer 104 is pasted, and The process includes a step of removing the glass carrier 100 after pasting, and a step of pasting the wiring body to which the carrier 110 is pasted to the adhesive film 106.
  • the step of separating into pieces after being attached to the adhesive film 106, the fine wiring layer 102, the support layer 104, and the adhesive film 106 may be diced and separated into pieces.
  • the glass carrier 100 to which the support layer 104 is attached can be removed, the components of the temporary fixing material attached to the support layer 104 can be removed by etching the support layer 104 or the like.
  • the adhesive film 106 is also diced, it is possible to prevent the dimensional accuracy of the fine wiring layer 102 from deteriorating due to division of the adhesive film 106 when the adhesive film 106 is expanded.
  • the method for manufacturing a thin wiring member according to the present embodiment further includes a step of removing the carrier 110, and in the step of singulating, after removing the carrier 110, the fine wiring layer 102, the support layer 104, and the adhesive
  • the film 106 is diced into individual pieces. In this way, since there is no need to dice the carrier 110, the material of the carrier 110 can be selected more freely. Further, since the carrier 110 does not need to be diced, the dicing speed can be increased, and the manufacturing efficiency can be improved. Note that it is obvious that the other manufacturing method according to the present embodiment can also achieve the other effects of the above-described manufacturing method in the same manner, and the description thereof will be omitted.
  • FIG. 9 is a diagram sequentially showing still another manufacturing method of the thin wiring member shown in FIG. 1.
  • differences from the above-described thin wiring member manufacturing method and other manufacturing methods will be mainly described, and descriptions of the same parts or members will be omitted.
  • FIG. 9(a) corresponds to FIG. 7(c).
  • the adhesive film 106 is attached to the fine wiring layer 102 to which the carrier 110 is attached as shown in FIG. 9(a)
  • FIG. 9(b) The wiring body is diced into individual pieces by dicing using a dicer without peeling off the carrier 110.
  • the thin wiring member 1A includes the fine wiring layer 102c (10), the support layer 104a (20), the adhesive film 106a (30), and the carrier 110a. is formed.
  • the carrier 110, the fine wiring layer 102, the support layer 104, and the adhesive film 106 are diced and separated into pieces.
  • dicing is performed with the fine wiring layer 102 whose shape is unstable being sandwiched between the hard carrier 110 and the hard support layer 104 and its movement is fixed, so that it is possible to perform dicing with high precision.
  • the still another manufacturing method according to the present embodiment can achieve the other effects in the above-described manufacturing method and another manufacturing method in the same manner, and the description thereof will be omitted.
  • FIG. 10 is a diagram sequentially showing another method of manufacturing a wiring board using a thin wiring member.
  • the thin wiring member 1 and the board main body 301 are prepared.
  • the substrate body 301 is a member in which insulating layers 302 and wiring layers 303 are alternately laminated, as shown in FIG. 10(a). Further, the substrate body 301 is provided with an installation layer 304 for arranging the thin wiring member 1.
  • the thin wiring member 1 is installed on the installation layer 304 of the board main body 301, as shown in FIG. 10(b). At this time, the adhesive layer 30 of the thin wiring member 1 is attached to the installation layer 304.
  • an insulating resin portion 305 is formed on the installation layer 304 of the board body 301 on which the thin wiring member 1 is installed. Further, the insulating resin portion 305 is patterned to form a wiring 306. After that, further connection terminals may be provided. Through the above steps, the wiring board 300 can be obtained.
  • the present disclosure is not limited to the above-described embodiment; Changes may be made as appropriate without departing from the spirit.
  • the fine wiring layer 102 is diced by dicing using a dicer (blade D), but the fine wiring layer 102 may be diced by a laser or the like.
  • the method of dividing the adhesive film 106 to which the individualized wiring bodies are pasted is not limited to the above-mentioned expanding method, but also a method of burning out predetermined portions of the adhesive film 106 with a laser, or a method of dividing with a blade. etc. may also be used.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

複数の薄型配線部材を製造する方法を開示する。この薄型配線部材の製造方法は、第１キャリアを準備する工程と、複数の薄型配線部材に対応する複数の配線部と複数の配線部の周りに存在する絶縁部とを有する配線層を第１キャリア上に作製する工程と、配線層の絶縁部よりも硬い支持層を形成する工程と、複数の配線部のうち少なくとも１の配線部をそれぞれが有するように配線層と支持層とを含む配線体を個片化する工程と、を備える。

Description

薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法
　本開示は、薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法に関する。
　特許文献１には、ファンアウト型の半導体装置の一例が開示されている。この半導体装置では、半導体チップと外部接続端子との間に再配線層が設けられ、再配線層により半導体チップの端子間隔が広げられて外部接続端子に接続される。
特開２０１９－０２９５５７号公報
　従来の方法では、基板上に再配線層を形成することがあるが、基板の高さバラツキが大きい等の理由により、再配線層の微細配線化が難しい場合がある。そこで、平坦なガラスキャリア上にパターニングによって微細配線からなる再配線層を作製し、それをトランスファーする方法が検討されている。しかしながら、再配線層は、例えば厚さが５０μｍと薄く、また、粘着性や弾力性を有して形状が不安点な部材であり、トランスファーする際の取り扱いが難しい。より具体的には、多数の再配線層をガラスキャリア上に一括して作製する場合、個別の再配線層に個片化する必要があるが、その際に精度よくダイシングすることが困難である。
　本開示は、薄型で形状が不安定な配線部材を精度よく個片化することが可能な、薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示は、一側面として、薄型配線部材の製造方法に関する。この製造方法は、複数の薄型配線部材を製造する方法であって、第１キャリアを準備する工程と、複数の薄型配線部材に対応する複数の配線部と複数の配線部の周りに存在する絶縁部とを有する配線層を第１キャリア上に作製する工程と、配線層の絶縁部よりも硬い支持層を形成する工程と、複数の配線部のうち少なくとも１の配線部をそれぞれが有するように配線層と支持層とを含む配線体を個片化する工程と、を備えている。
　上記の薄型配線部材の製造方法では、配線層の絶縁部よりも硬い支持層を形成し、複数の配線部のうち少なくとも１の配線部をそれぞれが有するように配線層と支持層とを含む配線体を個片化している。この場合、形状が不安点な配線層を硬い支持層が支持した状態で個片化を行うことができる。よって、この製造方法によれば、薄型で形状が不安定な配線部材を精度よく個片化することが可能となる。また、配線層が薄い場合、個片化（例えばダイシング）の際の衝撃等により配線層がめくりあがってしまうことがあるが、この製造方法によれば支持層が配線層を支持しているため、そのようなめくりあがりを抑制することが可能である。なお、上記の薄型配線部材の製造方法において、個片化する工程では、支持層が配線層の一面に貼り付いた状態で配線体の個片化が行われてもよい。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、個片化する工程では、支持層から配線層に向けて配線体をブレードでダイシングして個片化してもよい。この場合、硬い支持層側からダイシングが行われるため、支持層に続いて切断される形状が不安定な配線層をブレードによって精度よくダイシングすることができ、ダイシング性を向上させることが可能である。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、個片化する工程では、配線層が第１キャリアと支持層との間に挟まれた状態で配線体をダイシングして個片化してもよい。この場合、形状が不安定な配線層を第１キャリアと硬い支持層とで挟んで動きを固定した状態でダイシングを行うため、更に精度よくダイシングすることが可能となる。
　上記の薄型配線部材の製造方法は、個片化された配線体を接着フィルムに貼り付ける工程と、接着フィルムに貼付けられた後に第１キャリアを配線体から取り外す工程と、個片化された配線体が貼り付けられた接着フィルムを分割する工程と、を更に備えてもよい。分割方法については、例えば、レーザで焼き切る方式、ブレードで分割する方式、エキスパンドで分割する方式などが適用可能である。この製造方法において、貼り付ける工程では、接着フィルムを配線体の支持層に貼り付け、分割する工程では、接着フィルムが支持層における切断領域に沿って分断されてもよい。この場合、分割する際の接着フィルムの分断によって形状が不安定な配線層が引っ張られたりして寸法精度を悪化させてしまうことを抑制することが可能である。よって、この製造方法によれば、薄型配線部材の寸法精度を高いままとすることができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、支持層を形成する工程では、第１キャリア上に支持層を形成し、配線層を作製する工程では、支持層の上に配線層を作製してもよい。この場合、硬い支持層によって形状が不安定な配線層をより確実に固定して個片化を行うことが可能となる。よって、この製造方法によれば、精度よく個片化することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、個片化する工程では、配線層から支持層に向けて配線体をブレードでダインシグして個片化してもよい。この場合、配線層からダイシングされるものの、配線層が逆側の面で硬い支持層によってしっかりと支持されているため、配線層をある程度固定した状態でダイシングすることができる。よって、この製造方法によれば、薄型で形状が不安定な配線部材を精度よくダイシングすることが可能となる。また、配線層が薄い場合、ダイシング時の水圧によって配線層がめくりあがってしまうことが想定されるが、配線層の下に支持層を設けることにより、このようなめくりあがりを抑制することが可能となる。
　上記の薄型配線部材の製造方法は、配線層の面であって支持層が貼り付いている面とは逆の面に第２キャリアを貼り付ける工程と、第２キャリアを貼り付けた後に第１キャリアを取り外す工程と、第２キャリアが貼り付けられた配線体を接着フィルムに貼り付ける工程と、を備えていてもよい。個片化する工程では、接着フィルムに貼り付けられた後に、配線層、支持層、及び、接着フィルムをダイシングして個片化してもよい。この場合、支持層が貼り付いている第１キャリアを取り外すことができるため、支持層をエッチング等により除去することが可能となる。また、接着フィルムまでダイシングしていることからエキスパンドが不要であり、接着フィルムをエキスパンドした際に接着フィルムの分断に伴う配線層の寸法精度の悪化を防止することができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法は、第２キャリアを取り外す工程を更に備え、個片化する工程では、第２キャリアを取り外した後に、配線層、支持層、及び、接着フィルムをダイシングして個片化してもよい。この場合、第２キャリアをダイシングしなくてもよいため、第２キャリアの材質をより自由に選択することが可能となる。また、第２キャリアをダイシングしなくてもよい分、ダイシングの速度を速めることができ、作製効率を向上することが可能である。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、個片化する工程では、第２キャリア、配線層、支持層、及び、接着フィルムをダイシングして個片化してもよい。この場合、形状が不安定な配線層を第２キャリアと硬い支持層とで挟んで動きを固定した状態でダイシングを行うため、精度よくダイシングすることが可能となる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、配線層の厚さが２００μｍ以下であってもよい。この場合、薄型配線部材の厚みをより確実に薄くすることができる。また、配線層の厚さが２００μｍ以下であっても、上述した何れかの製造方法によれば、形状が不安点な配線層を有する配線体を精度よく個片化することが可能である。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、支持層の厚さは、配線層の厚さの２５％以上且つ３０００％以下であってもよい。支持層の厚さが配線層の厚さの２５％以上であることにより、形状が不安定な配線層を支持層でしっかりと支持して、精度よく個片化させることが可能となる。また、支持層の厚さが配線層の厚さの３０００％以下であることにより、薄型配線部材の厚みを厚くすることなく、薄いままとすることができる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、支持層は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上（又は曲げ強度が７００ＭＰａ以上）の材料から形成されていてもよい。この場合、個片化する際に、硬い支持層によって形状が不安点な配線層を確実に支持することができる。よって、この製造方法によれば、精度よく個片化することが可能となる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、支持層は、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層を含んでもよい。この場合、無機充填材によってブレードの自生発刃作用を発揮させることが可能となる。この場合において、熱硬化性樹脂層における無機充填材の含有量が４０質量％以上９０質量％以下であることが好ましい。これにより、配線層の支持性と切断性を両立することが可能となる。また、無機充填材の平均粒径は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上であることが更に好ましい。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、第１キャリアは、算術平均粗さが５０ｎｍ以下であるガラスキャリアであってもよい。この場合、第１キャリア上に作製される配線層を精度よく微細化することが可能となる。
　上記の薄型配線部材の製造方法において、配線層は、ライン幅が５μｍ以下の配線を含んでもよい。この場合、微細な配線を有する薄型配線部材を得ることができる。
　また、本開示は、別の側面として、薄型配線部材に関する。この薄型配線部材は、配線及び配線の周りに存在する樹脂組成物又はその硬化物を有する配線層と、配線層の一方の面上に設けられた支持層と、を備えている。この薄型配線部材では、支持層は、配線層の樹脂組成物又はその硬化物より硬い材料から形成されている。
　この薄型配線部材は、配線層の樹脂組成物又はその硬化物より硬い材料から形成されている支持層を有している。この場合、薄型配線部材を使用して配線基板または半導体装置を作製する際に薄型配線部材が反ってしまったり、丸まってしまったりということを防止でき、形状を安定化させることができる。
　上記の薄型配線部材において、配線層の厚さが２００μｍ以下であり、支持層の厚さが５０μｍ以上１２００μｍ以下であり、配線層は、ライン幅が５μｍの配線を有していてもよい。この場合、微細な配線を有する薄型配線部材とすることができる。
　上記の薄型配線部材において、支持層は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上（又は曲げ強度が７００ＭＰａ以上）の材料から形成されていてもよい。この場合、薄型配線部材が反ってしまったり、丸まってしまったりということをより確実に防止することができ、形状を安定化させることができる。
　上記の薄型配線部材において、支持層は、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層を含んでもよい。この場合において、熱硬化性樹脂層における無機充填材の含有量が４０質量％以上９０質量％以下であってもよい。この場合、配線層の支持性と切断性を両立することが可能となる。
　また、本開示は、更に別の側面として、配線基板の製造方法に関する。この配線基板の製造方法は、上述した何れかの薄型配線部材の製造方法によって製造された薄型配線部材を準備する工程と、薄型配線部材を基板上又は基板内に配置する工程と、薄型配線部材の配線を接続端子に接続する工程と、を備えている。
　本開示によれば、薄型で形状が不安定な配線部材を精度よく個片化することができる。
図１は、薄型配線部材の一例を示す断面図である。 図２の（ａ）～（ｃ）は、図１に示す薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。 図３の（ａ）～（ｃ）は、図１に示す薄型配線部材の製造方法を順に示す図であり、図２の工程に続いて行われる工程を示す。 図４の（ａ）～（ｃ）は、図１に示す薄型配線部材の製造方法を順に示す図であり、図３の工程に続いて行われる工程を示す。 図５の（ａ）～（ｃ）は、薄型配線部材を用いて配線基板を製造する方法を順に示す図である。 図６の（ａ）～（ｃ）は、図１に示す薄型配線部材の別の製造方法を順に示す図である。 図７の（ａ）～（ｃ）は、図１に示す薄型配線部材の別の製造方法を順に示す図であり、図６の工程に続いて行われる工程を示す。 図８の（ａ）～（ｃ）は、図１に示す薄型配線部材の別の製造方法を順に示す図であり、図７の工程に続いて行われる工程を示す。 図９の（ａ）～（ｃ）は、図１に示す薄型配線部材の更に別の製造方法を順に示す図であり、図７の工程に続いて行われる工程を示す。 図１０の（ａ）～（ｄ）は、薄型配線部材を用いて配線基板を製造する別の方法を順に示す図である。
　以下、図面を参照しながら本実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
　本明細書及び請求項において「左」、「右」、「正面」、「裏面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「第１」、「第２」等の用語が利用されている場合、これらは、説明を意図したものであり、必ずしも永久にこの相対位置である、という意味ではない。また、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても、その工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。
［薄型配線部材の構成］
　図１は、薄型配線部材の一例を示す断面図である。図１に示すように、薄型配線部材１は、例えば、後述する配線基板２００の配線部の再配線層（ＲＤＬ）を構成するために用いられる部材である（図５を参照）。但し、薄型配線部材１は、半導体装置等における配線又はその接続に用いられてもよい。薄型配線部材１は、微細配線層１０、支持層２０、及び、接着層３０を備える。薄型配線部材１は、各種の配線基板や半導体装置等に内蔵可能な微小な配線部材であり、例えば平面視した際に縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ角の矩形形状を有してもよく、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍの矩形形状を有してもよい。また、薄型配線部材１は、薄型の配線部材であり、５０μｍ程度の厚みを有する微細配線層１０を有し、全体の厚みが例えば、３０μｍ～１ｍｍと薄くなっている。なお、微細配線層１０の厚みは、例えば２００μｍ以下である。薄型配線部材１は、このような厚みであるため、カールしやすいといった特性及び取り扱いがしづらいといった特性がある。
　微細配線層１０は、絶縁層１２（絶縁部）内に三次元的な配線構成を有する銅配線１４（配線）を設けることにより、微細配線層を形成したものである。銅配線１４は、例えば０．５～５μｍの微細なライン幅を有する配線である。銅配線１４は、好ましくは、０．７～４μｍの微細なライン幅を有し、更に好ましくは、１～３μｍの微細なライン幅を有する。微細配線層１０の第１面１０ａからは銅配線１４の接続端１４ａが外部に露出する。銅配線１４の接続端１４ａは、接続端子に電気的且つ機械的に接続される。微細配線層１０の第２面１０ｂは、支持層２０の第１面２０ａに接着して固定されている。銅配線１４は、後述するように第２面１０ｂから第１面１０ａに向かって各配線層を順に積層することにより、三次元的な配線層を形成するものである。
　絶縁層１２は、複数の層が積層されて形成されるものであり、例えば、微細なビア及び溝部を形成する観点で、例えば各層が１０μｍ以下の厚みを有してもよく、５μｍ以下の厚みを有してもよい。絶縁層１２は、銅配線１４の周りを埋めて、銅配線１４の周りに存在するように形成されている。一方、絶縁層１２は、電気的な信頼性の観点から、各層が１μｍ以上の厚みを有してもよい。絶縁層１２は、全体としては、その厚みが１０～２００μｍであってもよいし、１０～１００μｍであってもよい。また、絶縁層１２は、反り抑制の観点から、例えば８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（硬化後）を有してもよい。絶縁層１２は、リフロー工程及び温度サイクル試験での剥離又はクラックを抑制する観点から、例えば７０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（硬化後）を有してもよい。一方、絶縁層１２は、応力緩和性を向上させて微細なビア又は溝部を形成するといった観点から、２０ｐｐｍ／℃以上の線膨張係数（硬化後）を有してもよい。なお、絶縁層１２の線膨張係数は、支持層２０の線膨張係数と同じであってもよいし、支持層２０の線膨張係数より小さくてもよいし、大きくてもよい。
　このような絶縁層１２は、例えば、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、アクレート樹脂といった材料から構成される。また、絶縁層１２は、フィラを含有してもよく、微細な細部を形成できる観点から、含有されるフィラの平均粒径は５００ｎｍ以下であってもよい。このフィラは、絶縁材料の総量に対するフィラの含有量が１質量％未満となるに、絶縁層１２に含有されていてもよい。絶縁層１２には、フィラが含有されていなくてもよい。なお、絶縁層１２は、上述した材料から形成されており、粘着性及び弾力性を有した層となっており、形状が不安定な部材として形成されている。
　支持層２０は、このような不安定な部材である絶縁層１２を含む微細配線層１０を支持する層であり、絶縁層１２の樹脂組成物又はその硬化物よりも硬い材料から構成されている。より具体的には、支持層２０は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上（又は曲げ強度が７００ＭＰａ以上）の材料から形成されている。支持層２０の厚さは、微細配線層１０より薄くてもよいし、逆に微細配線層１０より厚くてもよい。支持層２０は、例えば、微細配線層１０の厚さに対して２５～３０００％であってもよい。また、支持層２０は、フィラが充填された樹脂成形体から形成されてもよく、フィラの充填率は５０～５５質量％であってもよく、８０質量％以上であってもよい。充填されるフィラのフィラーカット径は２０μｍ以上であってもよい。更に、支持層２０は、ガラスクロスを有する樹脂シートであってもよく、表面に硬い層（シリコン、カーボン、銅を含む層）を有する樹脂シートであってもよい。なお、支持層２０の熱膨張係数は、５～５０ｐｐｍ／℃であってもよい。支持層２０がこのような熱膨張係数を有していることにより、反り等を抑制することが可能である。
　支持層２０は、より具体的には、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層から形成されていてもよい。支持層２０を構成する熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は４０～９０質量％であってもよい。無機充填材の平均粒径は、例えば、０．０５μｍ以上であってもよい。ここでいう平均粒径は、例えば、ＳＥＭによって算出した値である。熱硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂及び無機充填材を含有する熱硬化性樹脂組成物から形成される層であり、熱硬化性樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂が、Ｎ－置換マレイミド基を１個以上有するマレイミド樹脂及びその誘導体からなる群から選択される１種以上であってもよい。このＮ－置換マレイミド基を１個以上有するマレイミド樹脂及びその誘導体からなる群から選択される１種以上が、Ｎ－置換マレイミド基を２個以上有するマレイミド樹脂由来の構造と、第１級アミノ基を有するシリコーン化合物由来の構造と、を含む樹脂であってもよい。
　支持層２０は、上述した熱硬化性樹脂層に加えて、ゴム成分を含有する第２の熱硬化性樹脂層を更に備えてもよい。第２の熱硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂及びゴム成分を含有する第２の熱硬化性樹脂組成物から形成される層であり、第２の熱硬化性樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であってもよい。また、第２の熱硬化性樹脂組成物が、さらに、フェノール樹脂系硬化剤を含有していてもよい。また、ゴム成分は、架橋ゴム粒子であってもよい。第２の熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は０～２０質量％であってもよく、０～５質量％であってもよい。
　接着層３０は、薄型配線部材１を配線基板等の所定の箇所に取り付ける為の層である。接着層３０は、エポキシ樹脂等から形成されており、例えば、エポキシ樹脂とアクリルゴムなどの混合樹脂及びフィラなどを含んで形成されている。接着層３０の厚さは、例えば、５～４０μｍである。接着層３０は、例えば、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）などから構成される。この接着層は、粘着層を有するダイシングテープ上に一体で形成されていてもよい。この粘着層は、例えば紫外線硬化性の樹脂を含んでもよい。
［薄型配線部材の製造方法］
　次に、図２～図４を参照して、薄型配線部材１の製造方法について説明する。図２～図４は、図１に示す薄型配線部材の製造方法を順に示す図である。図２の（ａ）に示すように、まずは、ガラスキャリア１００（第１キャリア）を準備する。ガラスキャリア１００は、例えば厚さが０．７ｍｍのキャリア基板であり、算術平均粗さが５０ｎｍ以下の平坦度を有している。ガラスキャリア１００は、例えばウェハ状又はパネル状であり、特に限定されないが、例えば、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ若しくは直径４５０ｍｍの円形ウェハ、又は、一辺が２００～７００ｍｍ以下の矩形パネルであってもよい。このようなガラスキャリア１００上には仮固定材１０１が貼り付けられている。仮固定材１０１は、対象物をガラスキャリア１００上に仮固定するための樹脂層であり、加熱またはレーザによって一旦固定した対象物を後の工程で剥離可能なように構成されている。
　続いて、微細配線層１０に対応する微細配線層１０２を形成する。微細配線層１０２の形成方法は特に限定されないが、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）又はトレンチ工法を用いることができる。シード層を形成する場合は、ガラスキャリア１００（仮固定材１０１）の表層に金属層が形成できる方法であれば特に制限はないが、無電解めっき法又はスパッタリング法を用いることができる。
　微細配線層１０２の形成方法の一例では、まず、仮固定材１０１上に金属層（シード層）を形成する。無電解めっきによって金属層を形成する方法としては、特に限定はされないが、デスミア又はプラズマによって仮固定材１０１の樹脂表面を粗化して、その粗化面に金属層を形成する。微細配線を良好な歩留まりで形成する方法として、２００ｎｍ以下の紫外線を照射することによって樹脂表面の粗化を抑制しながら、樹脂表面の表面エネルギーを向上させて金属層を形成する方法が好ましい。２００ｎｍ以下の紫外線を照射する方法としては、例えば、低圧水銀灯を用いることができる。表面の粗化を抑制する方法として、スパッタリングによって金属層を形成することもできる。樹脂表面の粗化を抑制することでシード層を容易に除去することができる。形成する金属層の厚さは、微細配線形成時の歩留まりを向上する観点から、２００ｎｍ以下であってもよい。
　続いて、仮固定材１０１上に形成した金属層の上にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、溝の部分のスペース幅が例えば０．５～５μｍである。レジストパターンに使用するレジストは、液状又はフィルム状のレジストの何れであってもよい。レジストパターンは、ステッパ露光機による露光とアルカリ水溶液による現像によって形成することができる。
　レジストパターンにおけるビア又は溝部の形成方法は、レーザアブレーション、フォトリソグラフィー、インプリント等を用いることができるが、微細化及びコストの観点から、フォトリソグラフィープロセスを用いることができる。この場合、絶縁材料としては、感光性樹脂材料を用いることができる。感光性樹脂材料の露光方法としては、公知の、投影露光方式、コンタクト露光方式、直描露光方式等を用いることができ、現像方法としては、炭酸ナトリウム、ＴＭＡＨ等のアルカリ性水溶液を用いることができる。ビア及び溝部を形成した後、絶縁層をさらに加熱硬化させてもよい。加熱温度は１００～２００℃で、加熱時間は３０分～３時間で実施してもよい。
　続いて、電解めっきにより、金属層上であってレジストパターンの溝内に銅による配線部分を形成する。微細配線形成時の歩留まりを向上する観点から、金属層の厚みは１０μｍ以下であってもよい。なお、レジストパターンのスペース幅が０．５～５μｍである場合、電解めっきで形成されるレジストパターン内の銅配線部分のライン幅も０．５～５μｍになる。銅による配線部分が形成された後は、レジストパターンを剥離すると共に、金属層を除去する。レジストパターンの剥離は、既知の方法にて行う。また、金属層の除去は、市販のエッチング液を用いて行う。
　このような配線層の形成を繰り返すことにより、図２の（ｂ）に示す、仮固定材１０１上に微細配線層１０２が設けられた配線体１０３を形成する。図２の（ｂ）では、配線層１０２ａを４層重ねた例を示しているが、これに限定されない。微細配線層１０２の配線以外の絶縁部分１０２ｂは、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、アクレート樹脂といった樹脂材料から構成される。絶縁部分１０２ｂは、配線層１０２ａの周りを埋めて、配線層１０２ａの周りに存在するように形成されている。このような絶縁部分１０２ｂは、粘着性及び弾力性を有しており、形状が不安定になりやすい構成となっている。また、微細配線層１０２には、複数の薄型配線部材１の微細配線層１０にそれぞれ対応する微細配線層１０２ｃ（配線部）が複数設けられている。各微細配線層１０２ｃは、配線層１０２ａの一部と絶縁部分１０２ｂの一部とを有して構成されている。なお、微細配線層１０２を形成した後に表面の凹凸を平坦化するため、化学機械的研磨（ＣＭＰ）を行ってもよい。
　続いて、図２の（ｃ）に示すように、微細配線層１０２の上に、支持層２０に対応する支持層１０４を形成する。支持層１０４は、フィルム状の部材であり、例えばラミネートによって微細配線層１０２の上面１０２ｄに貼り付けられる。支持層１０４は、微細配線層１０２の樹脂部分１０２ｂよりも硬い材料から形成されており、微細配線層１０２を支持する。支持層１０４としては、フィラが５０～５５質量％程度充填された樹脂成形体、ガラスクロスを有する樹脂シート、又は、表面に硬い層を有する樹脂シートを用いることができる。支持層１０４は、ブレードの自生発刃の観点からは、フィラの充填率が８０％以上である樹脂成形体であることが好ましく、この場合、フィラのカット径が２０μｍ以上であることがより好ましい。また、支持層１０４として、硬い層であるシリコン、カーボン、銅等を含む層を表面に有する樹脂シートも、ブレードの自生発刃の観点からは好ましい。支持層１０４は、熱膨張係数が低い材料から形成されることが好ましく、例えば、５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。また、支持層１０４の外表面（ダイシングが行われる側の面）は平滑であることが好ましく、例えば、算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下であることが好ましい。
　支持層１０４は、微細配線層１０２の絶縁部分１０２ｂの樹脂組成物又はその硬化物よりも硬い材料から構成されている。より具体的には、支持層１０４は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上（又は曲げ強度が７００ＭＰａ以上）の材料から形成されている。支持層１０４の厚さは、微細配線層１０２よりも薄くてもよく、例えば、微細配線層１０２の厚さに対して２０～８０％であってもよい。また、支持層１０４の厚さは、微細配線層１０２の厚さに対して２５～３０００％であってもよい。
　このような支持層１０４の一例としては、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層を用いることができる。この熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は、例えば４０～９０質量％である。
　支持層１０４を構成する熱硬化性樹脂層は、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層である。この熱硬化性樹脂層は、加熱によって溶融及び硬化する硬化物層を形成する層である。熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は、４０～９０質量％である。熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量が上記下限値以上であると、優れた低熱膨張性及び耐熱性が得られる。また、熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量が上記上限値以下であると、優れた成形性及び導体接着性が得られる。同様の観点から、熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は、特に限定されないが、好ましくは５５～８０質量％、より好ましくは６０～７５質量％、さらに好ましくは６５～７０質量％である。熱硬化性樹脂層の厚さは、特に限定されないが、好ましくは４～１００μｍ、より好ましくは６～６０μｍ、さらに好ましくは８～４０μｍである。また、熱硬化性樹脂層の厚さは、５０μｍ～１２００μｍであってもよい。
　熱硬化性樹脂層に含有される熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、オキセタン樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、シリコーン樹脂、トリアジン樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性の観点から、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂が好ましく、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましく、マレイミド樹脂がさらに好ましい。このような熱硬化性樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　マレイミド樹脂としては、Ｎ－置換マレイミド基を１個以上有するマレイミド樹脂及びその誘導体からなる群から選択される１種以上が好ましい。すなわち、熱硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂及び無機充填材を含有する熱硬化性樹脂組成物から形成される層であり、熱硬化性樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂が、Ｎ－置換マレイミド基を１個以上有するマレイミド樹脂及びその誘導体からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。Ｎ－置換マレイミド基を１個以上有するマレイミド樹脂及びその誘導体からなる群から選択される１種以上としては、Ｎ－置換マレイミド基を２個以上有するマレイミド樹脂、Ｎ－置換マレイミド基を２個以上有するマレイミド樹脂由来の構造と、第１級アミノ基を有するシリコーン化合物由来の構造と、を含む樹脂が好ましく、耐熱性及び低熱膨張性の観点から、シリコーン変性マレイミド樹脂がより好ましい。なお、本実施形態において、シリコーン変性マレイミド樹脂は、マレイミド樹脂の一態様である。
　支持層１０４を構成する熱硬化性樹脂層に含有される無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、酸化チタン、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、クレー、タルク、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。これらの中でも、低熱膨張性、耐熱性及び難燃性の観点から、シリカ、アルミナ、マイカ、タルクが好ましく、シリカ、アルミナがより好ましく、シリカがさらに好ましい。
　シリカとしては、例えば、湿式法で製造され含水率の高い沈降シリカと、乾式法で製造され結合水等をほとんど含まない乾式法シリカ等が挙げられる。乾式法シリカとしては、さらに、製造法の違いによって、例えば、破砕シリカ、フュームドシリカ、溶融シリカ等が挙げられる。
　無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、無機充填材の分散性及び微細配線性の観点から、０．０１～２０μｍ、好ましくは０．０５～２０μｍ、より好ましくは０．１～１０μｍ、さらに好ましくは０．２～１μｍ、特に好ましくは０．３～０．８μｍである。なお、本明細書において平均粒子径とは、粒子の全体積を１００％として粒子径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒子径のことである。無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザ回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。無機充填材の形状としては、例えば、球状、破砕状等が挙げられ、球状であることが好ましい。
　熱硬化性樹脂組成物には、無機充填材の分散性及び有機成分との密着性を向上させる目的で、カップリング剤を用いてもよい。カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等が挙げられる。これらの中でも、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、例えば、アミノシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤、エポキシシランカップリング剤等が挙げられる。
　熱硬化性樹脂組成物にカップリング剤を用いる場合、無機充填材の表面処理方法は、樹脂組成物中に無機充填材を配合した後、カップリング剤を添加するインテグラルブレンド処理方法であってもよいが、予め無機充填材にカップリング剤を乾式又は湿式で表面処理する方法が好ましい。無機充填材は、分散性を向上させる目的で、予め有機溶媒中に分散させたスラリーの状態にしてから、他の成分と混合してもよい。
　また、支持層１０４は、任意の層として、ゴム成分を含有する第２の熱硬化性樹脂層を更に備えてもよい。第２の熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は、例えば０～２０質量％である。第２の熱硬化性樹脂層を設けることによって、樹脂層におけるクラックの発生が抑制される。なお、本明細書において「ゴム成分」とは、架橋したエラストマー又は架橋可能なエラストマーを意味する。第２の熱硬化性樹脂層に含有されるゴム成分は、他の成分と反応した形態で存在していてもよい。第２の熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は、０～２０質量％である。第２の熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量が上記上限値以下であると、樹脂層におけるクラックを十分に抑制することができる。
　上記と同様の観点から、第２の熱硬化性樹脂層中における無機充填材の含有量は、特に限定されないが、好ましくは０～１０質量％、より好ましくは０～５質量％、さらに好ましくは０～１質量％である。第２の熱硬化性樹脂層中における無機充填材としては、上記した熱硬化性樹脂層中における無機充填材と同じものを用いることができる。
　第２の熱硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂及びゴム成分を含有する第２の熱硬化性樹脂組成物から形成される層である。第２の熱硬化性樹脂層に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、オキセタン樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、シリコーン樹脂、トリアジン樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性の観点から、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂が好ましく、マレイミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましく、エポキシ樹脂がさらに好ましい。熱硬化性樹脂（ａ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　第２の熱硬化性樹脂層に用いられるゴム成分としては、例えば、架橋ゴム粒子、液状ゴム等が挙げられる。これらの中でも、樹脂層のクラックを抑制する観点から、架橋ゴム粒子が好ましい。架橋ゴム粒子としては、例えば、ブタジエンゴム粒子、イソプレンゴム粒子、クロロプレンゴム粒子、スチレンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーンゴム粒子、天然ゴム粒子、スチレン・ブタジエンゴム粒子、アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、コアシェル型ゴム粒子等が挙げられる。これらの中でも、アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子が好ましく、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子がより好ましい。ゴム成分（ｂ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　続いて、図３の（ａ）に示すように、複数の微細配線層１０２ｃのうち少なくとも１の微細配線層１０２ｃをそれぞれが有するように微細配線層１０２と支持層１０４とを含む配線体１０５を個片化する。この個片化工程では、ダイサーを用いたダイシングにより、支持層１０４側から微細配線層１０２をブレードＤで切断して、各個片にする。個片化された支持層１０４は、複数の支持層１０４ａとなる。また、各支持層１０４ａの間には切断領域１０４ｂが形成される。なお、このダイシングの際、仮固定材１０１は切断しなくてもよいし、一部が切断されてもよい。
　続いて、図３の（ｂ）に示すように、ダイシングされた配線体１０５Ａを接着フィルム１０６を介してダイシングテープ１０７に貼り付ける。その後、図３の（ｃ）に示すように、仮固定材１０１に対してレーザＬを照射して、ガラスキャリア１００と仮固定材１０１とを配線体１０５Ａから剥離させる。
　続いて、図４の（ａ）に示すように、ダイシングテープ１０７を径方向の外側にエキスパンドして、接着フィルム１０６を配線体１０５と同様に個片化して個別の接着フィルム１０６ａへと分割する。このエキスパンドの際、接着フィルム１０６を冷却しながらエキスパンドすることで個片化を行ってもよい。接着フィルム１０６がエキスパンドによって個片化される際、その周りのフィルム等にその引き裂き力が伝搬されるが、この製造方法では、その上に硬い支持層１０４ａを設けている。このため、微細配線層１０２ｃには力が伝搬されず、個片化された微細配線層１０２ｃの寸法精度には影響が与えられない。このように、接着フィルム１０６は、支持層１０４ａの切断領域１０４ｂに沿ってそのまま分断され、上述した接着層３０に対応する層が形成される。その後、図４の（ｂ）に示すように、個片化された薄型配線部材１をそれぞれピックアップし、図４の（ｃ）に示す薄型配線部材１を得る。
［配線基板の製造方法］
　次に、図５を参照して、上述した薄型配線部材１を用いて配線基板を製造する方法について説明する。図５は、薄型配線部材を用いて配線基板を製造する方法を順に示す図である。この配線基板の製造方法では、まず、薄型配線部材１を準備すると共に、基板本体２０１を準備する。基板本体２０１は、図５の（ａ）に示すように、絶縁層２０２と配線層２０３とが交互に積層されて基板状に形成された部材である。また、基板本体２０１には、薄型配線部材１を配置するための開口部２０４が設けられている。薄型配線部材１等の準備が終了すると、薄型配線部材１を基板本体２０１の開口部２０４内に設置する。この際、薄型配線部材１の接着層３０が開口部２０４の底面に貼り付けられる。
　続いて、図５の（ｂ）に示すように、薄型配線部材１が設置された開口部２０４の残りの部分及び基板本体２０１の表面２０１ａ上に絶縁樹脂部分２０５を形成する。絶縁樹脂部分２０５は、絶縁樹脂フィルムを用いて形成してもよいし、液状の樹脂組成物を塗布・充填等して形成してもよい。また、絶縁樹脂部分２０５をパターニングして配線２０６を形成する。その後、図５の（ｃ）に示すように、接続端子２０８を設け、薄型配線部材１の銅配線１４と接続端子２０８とを電気的に接続する。以上により、配線基板２００を得ることができる。
　以上、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１０２の絶縁部分１０２ｂよりも硬い支持層１０４を形成し、少なくとも１の微細配線層１０２ｃをそれぞれが有するように微細配線層１０２と支持層１０４とを含む配線体１０５を個片化している。これにより、形状が不安点な微細配線層１０２を硬い支持層１０４が支持した状態で個片化を行うことができる。よって、この製造方法によれば、薄型で形状が不安定な薄型配線部材１を精度よく個片化することが可能となる。また、微細配線層１０２が薄い場合、個片化（例えばダイシング）の際の衝撃（例えば水圧）等により微細配線層１０２がめくりあがってしまうことがあるが、この製造方法によれば支持層１０４が微細配線層１０２を支持しているため、そのようなめくりあがりを抑制することが可能である。なお、この製造方法では、他の部分よりも硬い支持層１０４が微細配線層１０２の一面に貼り付いた状態で配線体１０５の個片化を行うことにより、より確実に個片化を行うことが可能となる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、個片化する際に、支持層１０４から微細配線層１０２に向けてブレードＤで配線体１０５をダイシングして個片化している。このため、硬い支持層１０４側からダイシングが行われるため、支持層１０４に続いて切断される形状が不安定な微細配線層１０２を精度よくダイシングすることができ、ダイシング性を向上させることが可能である。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、個片化する際に、微細配線層１０２がガラスキャリア１００と支持層１０４との間に挟まれた状態で配線体１０５をブレードＤでダイシングして個片化している。この場合、形状が不安定な微細配線層１０２をガラスキャリア１００と硬い支持層１０４とで挟んで動きを固定した状態でダイシングを行うため、更に精度よくダイシングすることが可能となる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法は、個片化された配線体１０５を接着フィルム１０６に貼り付ける工程と、接着フィルム１０６に貼付けられた後にガラスキャリア１００を配線体１０５から取り外す工程と、個片化された配線体１０５が貼り付けられた接着フィルム１０６をエキスパンドする工程と、を更に備えてもよい。この製造方法において、貼り付ける工程では、接着フィルム１０６を配線体１０５の支持層１０４に貼り付け、エキスパンドする工程では、接着フィルム１０６が支持層１０４における切断領域１０４ｂに沿って分断される。この場合、エキスパンドする際の接着フィルム１０６の分断によって、形状が不安定な微細配線層１０２が引っ張られたりして寸法精度を悪化させてしまうことを抑制することが可能である。よって、この製造方法によれば、薄型配線部材の寸法精度を高いままとすることができる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１０２の厚さが２００μｍ以下であってもよい。この場合、薄型配線部材１の厚みをより確実に薄くすることができる。また、微細配線層１０の厚さが２００μｍ以下であっても、上述した何れかの製造方法によれば、形状が不安点な配線層を有する配線体を精度よく個片化することが可能である。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、支持層１０４の厚さは、微細配線層１０２の厚さの２５～３０００％以下であってもよい。支持層１０４の厚さが微細配線層１０２の厚さの２５％以上であることにより、形状が不安定な配線層を支持層１０４でしっかりと支持して、精度よく個片化させることが可能となる。また、支持層１０４の厚さが微細配線層１０２の厚さの３０００％以下であることにより、薄型配線部材の厚みを厚くすることなく、薄いままとすることができる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、支持層１０４は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上（又は曲げ強度が７００ＭＰａ以上）の材料から形成されていてもよい。この場合、個片化する際に、硬い支持層１０４によって形状が不安点な微細配線層１０２を確実に支持することができる。よって、この製造方法によれば、精度よく個片化することが可能となる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、支持層１０４は、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層を含んでもよい。この場合、無機充填材によってブレードの自生発刃作用を発揮させることが可能となる。この場合において、熱硬化性樹脂層における無機充填材の含有量が４０～９０質量％以下であることが好ましい。また、無機充填材の平均粒径は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上であることが更に好ましい。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、ガラスキャリア１００は、その算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下であってもよい。この場合、ガラスキャリア１００上に作製される配線層を精度よく微細化することが可能となる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法では、微細配線層１０２は、ライン幅が５μｍ以下の配線を含んでもよい。この場合、微細な配線を有する薄型配線部材を得ることができる。
［薄型配線部材の別の製造方法］
　次に、図６～図８を参照して、薄型配線部材１の別の製造方法について説明する。図６～図８は、図１に示す薄型配線部材の別の製造方法を順に示す図である。以下では、上述した薄型配線部材の製造方法と異なる点を主に説明し、同じ部分又は同じ部材についての説明は省略する。
　図６の（ａ）に示すように、まずは、ガラスキャリア１００を準備する。そして、ガラスキャリア１００上に仮固定材１０１を貼り付ける。この別の製造方法では、この仮固定材１０１の上に更に支持層１０４を形成する。支持層１０４は、上述したように硬い材料から構成される層である。
　続いて、図６の（ｂ）に示すように、支持層１０４の上に微細配線層１０２を作製する。微細配線層１０２の作製方法は上述した方法と同じプロセスを用いることができ、例えば、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）又はトレンチ工法を用いて作製する。
　続いて、図６の（ｃ）に示すように、微細配線層１０２の上に別のキャリア１１０（第２キャリア）を貼り付ける。キャリア１１０には粘着層１１１が設けられていてもよい。キャリア１１０は、ガラスキャリア１００と同様にガラスから構成されてもよいし、他の材料から構成されてもよい。
　続いて、微細配線層１０２上にキャリア１１０が貼り付けられると、図７の（ａ）に示すように、微細配線層１０２の作製に供したガラスキャリア１００を剥離する。この剥離は、上記の製法と同様にレーザ照射により、仮固定材１０１を剥離することにより行われる。
　続いて、ガラスキャリア１００を剥離すると、図７の（ｂ）に示すように、支持層１０４の表面をウェットエッチングする。これにより、支持層に付着した仮固定材の成分除去が行われる。その後、図７の（ｃ）に示すように、接着フィルム１０６を介して、微細配線層１０２をダイシングテープ１０７に貼り付ける。
　続いて、微細配線層１０２のダイシングテープへの貼り付けが終了すると、図８の（ａ）に示すように、キャリア１１０をレーザ等により剥離する。そして、図８の（ｂ）に示すように、微細配線層１０２から支持層１０４に向けて微細配線層１０２及び支持層１０４をダイサーのブレードＤを用いたダイシングにより個片化する。このダイシングの際、接着フィルム１０６も個片化される。このようなダイシングにより、図８の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、微細配線層１０２ｃ、支持層１０４ａ及び接着フィルム１０６ａをそれぞれが備えた薄型配線部材１が形成される。
　以上、本実施形態に係る薄型配線部材の別の製造方法では、上記の製造方法と同様に、微細配線層１０２の絶縁部分１０２ｂよりも硬い支持層１０４を形成し、少なくとも１の微細配線層１０２ｃをそれぞれが有するように微細配線層１０２と支持層１０４とを含む配線体を個片化している。これにより、形状が不安点な微細配線層１０２を硬い支持層１０４が支持した状態で個片化を行うことができる。よって、この製造方法によれば、薄型で形状が不安定な薄型配線部材１を精度よく個片化することが可能となる。また、微細配線層１０２が薄い場合、個片化（例えばダイシング）の際の衝撃（例えば水圧）等により微細配線層１０２がめくりあがってしまうことがあるが、この製造方法によれば支持層１０４が微細配線層１０２を支持しているため、そのようなめくりあがりを抑制することが可能である。特に微細配線層１０２の下方を支持層１０４が支持しているため、このようなめくりあがりを好適に抑えることが可能となっている。なお、この製造方法では、硬い支持層１０４が微細配線層１０２の一面に貼り付いた状態で配線体の個片化を行うことにより、このようなめくりあがりをより確実に抑えることが可能となっている。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の別の製造方法では、個片化する際、微細配線層１０２から支持層１０４に向けて配線体をブレードＤでダインシグして個片化している。この場合、微細配線層１０２からダイシングされるものの、微細配線層１０２が逆側の面で硬い支持層１０４によってしっかりと支持されているため、微細配線層１０２をある程度固定した状態でダイシングすることができる。よって、この別の製造方法によれば、薄型で形状が不安定な配線部材を精度よくダイシングすることが可能となる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法は、微細配線層１０２の面であって支持層１０４が貼り付いている面とは逆の面にキャリア１１０を貼り付ける工程と、キャリア１１０を貼り付けた後にガラスキャリア１００を取り外す工程と、キャリア１１０が貼り付けられた配線体を接着フィルム１０６に貼り付ける工程と、を備えている。個片化する工程では、接着フィルム１０６に貼り付けられた後に、微細配線層１０２、支持層１０４、及び、接着フィルム１０６をダイシングして個片化してもよい。この場合、支持層１０４が貼り付いているガラスキャリア１００を取り外すことができるため、支持層１０４をエッチング等により、支持層に付着した仮固定材の成分を除去することが可能となる。また、接着フィルム１０６までダイシングしていることから、接着フィルム１０６をエキスパンドした際に接着フィルム１０６の分断に伴う微細配線層１０２の寸法精度の悪化を防止することができる。
　また、本実施形態に係る薄型配線部材の製造方法は、キャリア１１０を取り外す工程を更に備え、個片化する工程では、キャリア１１０を取り外した後に、微細配線層１０２、支持層１０４、及び、接着フィルム１０６をダイシングして個片化している。このように、キャリア１１０をダイシングしなくてもよいため、キャリア１１０の材質をより自由に選択することが可能となる。また、キャリア１１０をダイシングしなくてもよい分、ダイシングの速度を速めることができ、作製効率を向上することが可能である。なお、本実施形態に係る別の製造方法は、上述した製造方法におけるその他の作用効果も同様に奏することができるのは明らかであり、説明を省略する。
［薄型配線部材の更に別の製造方法］
　次に、図９を参照して、薄型配線部材１の更に別の製造方法について説明する。図９は、図１に示す薄型配線部材の更に別の製造方法を順に示す図である。以下では、上述した薄型配線部材の製造方法及び別の製造方法と異なる点を主に説明し、同じ部分又は同じ部材についての説明は省略する。
　この更に別の製造方法では、上述した別の製造方法の図６の（ａ）～図７の（ｃ）に示す工程をまずは同様に行う。図９の（ａ）は、図７の（ｃ）に対応する。この更に別の製造方法では、図９の（ａ）に示すようにキャリア１１０が貼り付けられた微細配線層１０２に接着フィルム１０６が貼り付けられると、図９の（ｂ）に示すように、キャリア１１０を剥離することなく、ダイサーを用いたダイシングにより、配線体を個片化する。これにより、図９の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、微細配線層１０２ｃ（１０）、支持層１０４ａ（２０）、接着フィルム１０６ａ（３０）、及びキャリア１１０ａを備えた薄型配線部材１Ａが形成される。
　以上、この実施形態に係る薄型配線部材の更に別に製造方法では、個片化する際に、キャリア１１０、微細配線層１０２、支持層１０４、及び、接着フィルム１０６をダイシングして個片化している。この場合、形状が不安定な微細配線層１０２を硬いキャリア１１０と硬い支持層１０４とで挟んで動きを固定した状態でダイシングを行うため、精度よくダイシングすることが可能となる。なお、本実施形態に係る更に別の製造方法は、上述した製造方法及び別の製造方法におけるその他の作用効果も同様に奏することができるのは明らかであり、説明を省略する。
［配線基板の別の製造方法］
　次に、図１０を参照して、上述した薄型配線部材１を用いて配線基板を製造する別の方法について説明する。図１０は、薄型配線部材を用いて配線基板を製造する別の方法を順に示す図である。この配線基板の製造方法では、まず、薄型配線部材１を準備すると共に、基板本体３０１を準備する。基板本体３０１は、図１０の（ａ）に示すように、絶縁層３０２と配線層３０３とが交互に積層された部材である。また、基板本体３０１には、薄型配線部材１を配置するための設置層３０４が設けられている。
　続いて、薄型配線部材１等の準備が終了すると、図１０の（ｂ）に示すように、薄型配線部材１を基板本体３０１の設置層３０４上に設置する。この際、薄型配線部材１の接着層３０が設置層３０４に貼り付けられる。
　続いて、図１０の（ｃ）に示すように、薄型配線部材１が設置された基板本体３０１の設置層３０４上に絶縁樹脂部分３０５を形成する。また、絶縁樹脂部分３０５をパターニングして配線３０６を形成する。その後、更に、接続端子を設けてもよい。以上により、配線基板３００を得ることができる。
　以上、本開示の一実施形態に係る、薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法について説明したが、本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行うことが可能である。例えば、上述した実施形態では、微細配線層１０２の個片化をダイサー（ブレードＤ）を用いたダイシングで行う場合を説明したが、レーザ等によって微細配線層１０２を個片化してもよい。また、個片化された配線体が貼り付けられた接着フィルム１０６の分割方法は、上述したエキスパンドする方法に限られず、接着フィルム１０６の所定箇所をレーザで焼き切る方法、又は、ブレードで分割する方法等を用いてもよい。
　１，１Ａ…薄型配線部材、１０…微細配線層、２０…支持層、３０…接着層、１００…ガラスキャリア（第１キャリア）、１０２…微細配線層、１０２ｂ…絶縁部分（絶縁部）、１０２ｃ…微細配線層（配線部）、１０４…支持層、１０５，１０５Ａ…配線体、１０６…接着フィルム、１１０…キャリア（第２キャリア）、２０１，３０１…基板本体（基板）、２０６，２０８，３０６…接続端子、２００，３００…配線基板。

 

Claims (23)

  1. 　複数の薄型配線部材を製造する方法であって、
    　第１キャリアを準備する工程と、
    　前記複数の薄型配線部材に対応する複数の配線部と前記複数の配線部の周りに存在する絶縁部とを有する配線層を前記第１キャリア上に作製する工程と、
    　前記配線層の前記絶縁部よりも硬い支持層を形成する工程と、
    　前記複数の配線部のうち少なくとも１の配線部をそれぞれが有するように前記配線層と前記支持層とを含む配線体を個片化する工程と、
    を備える、薄型配線部材の製造方法。
  2. 　前記個片化する工程では、前記支持層から前記配線層に向けて前記配線体をブレードでダイシングして個片化する、
    請求項１に記載の薄型配線部材の製造方法。
  3. 　前記個片化する工程では、前記配線層が前記第１キャリアと前記支持層との間に挟まれた状態で前記配線体をダイシングして個片化する、
    請求項２に記載の薄型配線部材の製造方法。
  4. 　前記個片化された前記配線体を接着フィルムに貼り付ける工程と、
    　前記接着フィルムに貼付けられた後に前記第１キャリアを前記配線体から取り外す工程と、
    　前記個片化された前記配線体が貼り付けられた前記接着フィルムを分割する工程と、を更に備え、
    　前記貼り付ける工程では、前記接着フィルムを前記配線体の前記支持層に貼り付け、
    　前記分割する工程では、前記接着フィルムが前記支持層における切断領域に沿って分断される、
    請求項２又は３に記載の薄型配線部材の製造方法。
  5. 　前記支持層を形成する工程では、前記第１キャリア上に前記支持層を形成し、
    　前記配線層を作製する工程では、前記支持層の上に前記配線層を作製する、
    請求項１に記載の薄型配線部材の製造方法。
  6. 　前記個片化する工程では、前記配線層から前記支持層に向けて前記配線体をブレードでダインシグして個片化する、
    請求項５に記載の薄型配線部材の製造方法。
  7. 　前記配線層の面であって前記支持層が貼り付いている面とは逆の面に第２キャリアを貼り付ける工程と、
    　前記第２キャリアを貼り付けた後に前記第１キャリアを取り外す工程と、
    　前記第２キャリアが貼り付けられた前記配線体を接着フィルムに貼り付ける工程と、を備え、
    　前記個片化する工程では、前記接着フィルムに貼り付けられた後に、前記配線層、前記支持層、及び、前記接着フィルムをダイシングして個片化する、
    請求項６に記載の薄型配線部材の製造方法。
  8. 　前記第２キャリアを取り外す工程を更に備え、
    　前記個片化する工程では、前記第２キャリアを取り外した後に、前記配線層、前記支持層、及び、前記接着フィルムをダイシングして個片化する、
    請求項７に記載の薄型配線部材の製造方法。
  9. 　前記個片化する工程では、前記第２キャリア、前記配線層、前記支持層、及び、前記接着フィルムをダイシングして個片化する、
    請求項７に記載の薄型配線部材の製造方法。
  10. 　前記配線層の厚さが２００μｍ以下である、
    請求項１～９の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  11. 　前記支持層の厚さは、前記配線層の厚さの２５％以上且つ３０００％以下である、
    請求項１～１０の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  12. 　前記支持層は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上の材料から形成されている、
    請求項１～１１の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  13. 　前記支持層は、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層を含む、
    請求項１～１２の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  14. 　前記熱硬化性樹脂層における前記無機充填材の含有量が４０質量％以上９０質量％以下である、
    請求項１３に記載の薄型配線部材の製造方法。
  15. 　前記無機充填材の平均粒径が０．０５μｍ以上である、
    請求項１３又は１４に記載の薄型配線部材の製造方法。
  16. 　前記第１キャリアは、算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下のガラスキャリアである、
    請求項１～１５の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  17. 　前記配線層は、ライン幅が５μｍ以下の配線を含む、
    請求項１～１６の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法。
  18. 　配線及び前記配線の周りに存在する樹脂組成物又はその硬化物を有する配線層と、
    　前記配線層の一方の面上に設けられた支持層と、を備え、
    　前記支持層は、前記配線層の前記樹脂組成物又はその硬化物より硬い材料から形成されている、薄型配線部材。
  19. 　前記配線層の厚さが２００μｍ以下であり、
    　前記支持層の厚さが５０μｍ以上１２００μｍ以下であり、
    　前記配線層は、ライン幅が５μｍの配線を有している、
    請求項１８に記載の薄型配線部材。
  20. 　前記支持層は、曲げ弾性率が３ＧＰａ以上の材料から形成されている、
    請求項１８又は１９に記載の薄型配線部材。
  21. 　前記支持層は、無機充填材を含有する熱硬化性樹脂層を含む、
    請求項１８～２０の何れか一項に記載の薄型配線部材。
  22. 　前記熱硬化性樹脂層における前記無機充填材の含有量が４０質量％以上９０質量％以下である、
    請求項２１に記載の薄型配線部材。
  23. 　請求項１～１７の何れか一項に記載の薄型配線部材の製造方法によって製造された薄型配線部材を準備する工程と、
    　前記薄型配線部材を基板上又は基板内に配置する工程と、
    　前記薄型配線部材の前記配線を接続端子に接続する工程と、
    を備える、配線基板の製造方法。
PCT/JP2022/019395 2022-04-28 2022-04-28 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法 Ceased WO2023209986A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024517792A JP7861840B2 (ja) 2022-04-28 薄型配線部材の製造方法、及び、配線基板の製造方法
PCT/JP2022/019395 WO2023209986A1 (ja) 2022-04-28 2022-04-28 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法
CN202280095271.2A CN119256632A (zh) 2022-04-28 2022-04-28 薄型配线部件的制造方法、薄型配线部件及配线基板的制造方法
US18/857,186 US20250266342A1 (en) 2022-04-28 2022-04-28 Manufacturing method for thin wiring member, thin wiring member, and manufacturing method for wiring board
KR1020247035200A KR20250002275A (ko) 2022-04-28 2022-04-28 박형 배선 부재의 제조 방법, 박형 배선 부재, 및, 배선 기판의 제조 방법
TW112115757A TW202410764A (zh) 2022-04-28 2023-04-27 薄型配線構件之製造方法、薄型配線構件、配線基板之製造方法及配線基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2022/019395 WO2023209986A1 (ja) 2022-04-28 2022-04-28 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023209986A1 true WO2023209986A1 (ja) 2023-11-02

Family

ID=88518140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/019395 Ceased WO2023209986A1 (ja) 2022-04-28 2022-04-28 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20250266342A1 (ja)
KR (1) KR20250002275A (ja)
CN (1) CN119256632A (ja)
TW (1) TW202410764A (ja)
WO (1) WO2023209986A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010103695A1 (ja) * 2009-03-09 2010-09-16 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュールの製造方法及び部品内蔵モジュール
JP2013214578A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Ibiden Co Ltd 配線板及びその製造方法
WO2020194613A1 (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、ダイボンディングフィルム、及びダイシング・ダイボンディング一体型接着シート

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7088640B2 (ja) 2017-08-01 2022-06-21 旭化成株式会社 半導体装置、及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010103695A1 (ja) * 2009-03-09 2010-09-16 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュールの製造方法及び部品内蔵モジュール
JP2013214578A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Ibiden Co Ltd 配線板及びその製造方法
WO2020194613A1 (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、ダイボンディングフィルム、及びダイシング・ダイボンディング一体型接着シート

Also Published As

Publication number Publication date
KR20250002275A (ko) 2025-01-07
CN119256632A (zh) 2025-01-03
US20250266342A1 (en) 2025-08-21
TW202410764A (zh) 2024-03-01
JPWO2023209986A1 (ja) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6874350B2 (ja) 樹脂シート
TWI904118B (zh) 半導體裝置以及製造半導體裝置的方法
TWI590331B (zh) 藉由多孔與非多孔層所強化的電子結構及製造方法
WO2015019769A1 (ja) 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
JP6891427B2 (ja) 樹脂シート
WO2023182226A1 (ja) 半導体用接着フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、及び半導体装置の製造方法
JP2018019071A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2017212416A (ja) 電子装置の製造方法
JP6116476B2 (ja) チップスタックを製造するための方法及びその方法を実施するためのキャリア
JP7861840B2 (ja) 薄型配線部材の製造方法、及び、配線基板の製造方法
WO2016080116A1 (ja) 半導体装置の製造方法
US20250266342A1 (en) Manufacturing method for thin wiring member, thin wiring member, and manufacturing method for wiring board
TW200933844A (en) Wafer level package with die receiving through-hole and method of the same
TW201126666A (en) Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same
TW202107671A (zh) 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法及支持片的製造方法
JP3855900B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2023090013A1 (ja) ヒートシンク付回路基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP5354841B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
TWI844668B (zh) 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法、支撐片的製造方法、以及支撐片形成用積層膜
US20250324520A1 (en) Thin wiring member production method, thin wiring member, and wiring board production method
JP2016143671A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP7836765B2 (ja) 電極付き硬化樹脂シートの製造方法、電極付き硬化樹脂シート、および熱硬化性樹脂シート
JP6630861B2 (ja) セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
TW202234538A (zh) 半導體裝置的製造方法、帶配線之基板、及半導體裝置
WO2026034215A1 (ja) 接着剤組成物

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22940259

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18857186

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2024517792

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202280095271.2

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 202280095271.2

Country of ref document: CN

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22940259

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 18857186

Country of ref document: US