WO2023203599A1 - Diode électroluminescente ultraviolette à semi-conducteur au nitrure - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne une diode électroluminescente ultraviolette à semi-conducteur au nitrure présentant une longueur d'onde d'émission de pic dans la plage de 300 à 320 nm et comprenant une structure de diode électroluminescente dans laquelle une couche de type n, une couche active et une couche de type p constituées de semi-conducteurs à base d'AlGaN sont stratifiées. Chaque couche de semi-conducteurs dans la couche de type n, la couche active et la couche de type p est une couche de croissance épitaxiale présentant une surface sur laquelle des terrasses à étages multiples parallèles au plan (0001) sont formées, la couche active présente une structure de puits quantique comprenant au moins une couche de puits, la fraction molaire totale moyenne dans chaque couche de puits est dans la plage d'au moins 0,21 et inférieure à 0,25, l'épaisseur de film moyenne de chaque couche de puits est dans la plage de 2,0 à 3,5 nm, et une première émission par Al1/4Ga3/4N et une seconde émission par Al1/6Ga5/6N sont mélangées dans l'émission par l'au moins une couche de puits. Dans le spectre EL de l'émission par la couche active, une première longueur d'onde, constituant la longueur d'onde de pic de la première émission, est plus courte qu'une seconde longueur d'onde, constituant la longueur d'onde de pic de la seconde émission, et l'intensité EL à la première longueur d'onde est supérieure à l'intensité EL à la seconde longueur d'onde.
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