WO2023194100A1 - Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement - Google Patents

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WO2023194100A1
WO2023194100A1 PCT/EP2023/057316 EP2023057316W WO2023194100A1 WO 2023194100 A1 WO2023194100 A1 WO 2023194100A1 EP 2023057316 W EP2023057316 W EP 2023057316W WO 2023194100 A1 WO2023194100 A1 WO 2023194100A1
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photo
semiconductor chips
carrier
functional layer
exposable
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PCT/EP2023/057316
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Bernd Böhm
Markus Klein
Matthias Bruckschloegl
Sebastian Wittmann
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Ams-Osram International Gmbh
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Definitions

  • Optoelectronic components can have at least one semiconductor chip that emits electromagnetic radiation in a specific wavelength range.
  • the optoelectronic component is a semiconductor laser component or a light-emitting diode.
  • a carrier is provided.
  • the carrier is in particular a carrier for optoelectronic components and serves for mechanical fastening and stability.
  • the carrier is designed, for example, as a flat and planar plate with a main direction of extension.
  • the carrier can be designed as a substrate, wafer or artificial wafer.
  • the carrier can have any shape, for example the carrier can be angular, in particular 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 2 - be rectangular or square, round or oval.
  • a dimension of the carrier can also vary. If the carrier is rectangular, the carrier can have a dimension of 125 mm x 70 mm.
  • the carrier is square, it can have a dimension of 4 inches x 4 inches.
  • the diameter can be 4 inches, 150 mm or 200 mm.
  • a thickness of the carrier is preferably less than 1000 micrometers.
  • a thickness of the carrier is particularly preferably in a range between 500 micrometers and 1000 micrometers.
  • the carrier has glass or a polymer as a material.
  • the carrier is particularly preferably a silicon wafer, a printed circuit board (PCB) made of, for example, fiber-reinforced plastic or a stainless steel plate. According to at least one embodiment of the method, a large number of semiconductor chips are applied to the carrier.
  • PCB printed circuit board
  • the large number of semiconductor chips is, for example, a large number of light-emitting diode chips or a large number of laser diode chips.
  • the plurality of semiconductor chips preferably has an epitaxially grown semiconductor layer sequence with an active zone which is designed to generate primary radiation.
  • the active zone has, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well or, particularly preferably, a multiple quantum well structure.
  • each of the plurality of semiconductor chips emits primary radiation of a first wavelength range from a radiation exit surface.
  • the large number of semiconductor chips emit primary radiation from the ultraviolet spectral range and/or from the during operation 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 3 - visible spectral range, particularly preferably from the blue spectral range.
  • the semiconductor chips can also be a side-emitting semiconductor chip.
  • primary radiation is emitted on at least one side surface of the semiconductor chip.
  • the radiation exit surface is transverse or perpendicular to the main extension direction.
  • the primary radiation emerges exclusively through at least one side surface and not through a top surface and/or a bottom surface.
  • the primary radiation can only emerge through exactly one side surface, at least two side surfaces or all side surfaces of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chips preferably have a thickness of more than 3 ⁇ m.
  • the semiconductor chips particularly preferably have a thickness of more than 4 ⁇ m.
  • the semiconductor chips have a thickness between 5 ⁇ m and 120 ⁇ m inclusive.
  • the thickness corresponds to a vertical extent, which is arranged transversely to the main direction of extent.
  • the plurality of semiconductor chips is preferably arranged on the carrier in a common area, in particular in a plane.
  • the carrier includes a first side.
  • the semiconductor chips are preferably arranged on the first side. Applying the large number of semiconductor chips to the carrier leads to cost advantages and an improvement in process speed. 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 4 - According to at least one embodiment of the method, the plurality of semiconductor chips is applied at a distance from one another in such a way that cavities form between the semiconductor chips. This means that a cavity is formed between two adjacent semiconductor chips. The cavities are empty spaces. The cavities extend in particular to the carrier. A width of the cavities, which extends between two semiconductor chips, is preferably in a range between 50 ⁇ m and 200 ⁇ m inclusive. The width of the cavities corresponds to a lateral extent which is arranged parallel to the main direction of extent.
  • the semiconductor chips on the carrier have a spacing of between 50 ⁇ m and 200 ⁇ m inclusive.
  • the distance between the individual semiconductor chips can vary.
  • a height of the cavities, which corresponds to a vertical extent, is preferably in a range between 5 ⁇ m and 120 ⁇ m inclusive.
  • the height of the cavities is particularly preferred between 5 ⁇ m and 100 ⁇ m inclusive.
  • the height of the cavities corresponds in particular to the thickness of the semiconductor chips.
  • a photo-exposable material is introduced.
  • the photo-exposable material is formed, for example, from a polymer which has a photoinitiator.
  • Photo-exposable materials include, for example, polymethyl methacrylate, novolac or polymethyl glutarimide or epoxy resins, for example SU-8.
  • solvents such as cyclopentanone or gammabutyrolactone can be a component of the photoimageable material. 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 5 -
  • the photoinitiator causes a crosslinking reaction and thus causes the polymer to harden.
  • the photoinitiator causes bonds to break and thus the polymer to dissolve.
  • the photo-exposable material is preferably a photoresist. According to at least one embodiment, at least the cavities are filled with the photo-exposable material.
  • the photo-exposable material is in particular formed as a layer or introduced into the cavities in liquid form.
  • the photo-exposable material can preferably be introduced into the cavities over several steps. For example, the photo-exposable material is applied using the spin coating process. Preferably, thin and uniform layers of the photo-exposable material are introduced into the cavities.
  • the photo-exposable material is additionally arranged on the semiconductor chips. In addition, the photo-exposable material can be arranged between the semiconductor chips and the carrier.
  • the photo-exposable material is particularly preferably introduced directly into the cavities by spray coating and/or by means of an inkjet process. Spray painting is carried out particularly over large areas. If the dosage volume and viscosity are selected favorably, the degree of filling of the cavities can be controlled without applying photo-exposable material to the semiconductor chips. 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 6 - According to at least one embodiment, the photo-exposable material is exposed, with parts of the photo-exposable material that are downstream of the semiconductor chips with respect to the exposure remaining unexposed.
  • the exposure is preferably carried out with a UV light source, for example at 365 nm, or with an LDI laser (English: Laser Diode Illuminator), for example at 355 nm.
  • a UV light source for example at 365 nm
  • an LDI laser International: Laser Diode Illuminator
  • the advantage of using a laser is that the laser has a very parallel beam path and this reduces side-scattered light.
  • the beam path of the laser is perpendicular to the main direction of extension of the carrier. This enables deeper penetration into the photo-exposable material, thereby enabling complete exposure of the photo-exposable material, for example in the cavities.
  • the duration of the exposure depends on the thickness of the photoimageable material to be exposed and on the light source.
  • the solubility of the photoexposable material is locally changed by the light source, for example ultraviolet light source, and an exposure mask.
  • the semiconductor chips are preferably used as the exposure mask here. This means that the photo-exposable material, which is downstream of the semiconductor chips in terms of exposure, remains unexposed. The unexposed part of the photo-exposable material is therefore precisely limited or matched to the semiconductor chip area. This advantageously makes the exact determination of the semiconductor chip position on the carrier irrelevant.
  • a temperature step preferably takes place. This serves in addition to the exposure to harden the photo-exposable material. 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 7 -
  • the photo-exposable material located in the cavities is preferably exposed.
  • the unexposed parts of the photo-exposable material are removed, with recesses being formed.
  • the recesses are preferably located between two adjacent cavities.
  • the recesses in particular have a depth that extends from the upper edge of the photo-exposed material in the cavities to a side of the semiconductor chip facing away from the carrier.
  • the upper edge of the photo-exposable material faces away from the wearer.
  • the recess is arranged on the semiconductor chip. “On the semiconductor chip” means here and below on the side of the semiconductor chip that faces away from the carrier.
  • the removal of the unexposed part of the photo-exposable material is preferably carried out using a developer liquid.
  • a developer liquid is, for example, an alkaline liquid or an alkaline medium.
  • a functional layer is applied to the semiconductor chips.
  • the functional layer is applied to the side of the semiconductor chips facing away from the carrier.
  • the functional layer is applied, for example, by knife coating, sputtering, vapor deposition or spray coating.
  • the functional layer can have a thickness of up to 20 ⁇ m. The thickness of the functional layer depends, for example, on the depth of the recess. 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 8 -
  • the functional layer can, for example, convert primary radiation into secondary radiation.
  • particles can be incorporated into the functional layer.
  • the functional layer is designed as a reflection layer, as a conversion layer or as a combination thereof. If the functional layer is designed as a reflection layer, it has the property of reflecting primary radiation, preferably emitted by the semiconductor chips.
  • the exposed photoimageable material is removed.
  • the exposed photo-exposable material is preferably removed in a solvent and/or in an alkaline medium.
  • this process can also be supported by high pressure. This process is called wet chemical stripping. Removal of the exposed photo-exposable material can also be done in a plasma incinerator. A microwave-excited oxygen plasma is used to isotropically etch the photoresist. This process is called ashing.
  • the exposed photo-exposable material is preferably removed in the cavities.
  • a carrier is provided.
  • a large number of semiconductor chips are then applied to the carrier, the semiconductor chips being applied at a distance from one another in such a way that cavities are formed between the semiconductor chips.
  • a photo-exposable material is introduced, with at least the cavities being filled with the photo-exposable material.
  • the photo-exposable is then processed 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 9 - material exposed, with parts of the photo-exposable material, which are downstream of the semiconductor chips with respect to the exposure, remaining unexposed. Unexposed parts of the photo-exposable material are then removed, forming recesses.
  • a functional layer is applied to the semiconductor chips and the exposed photo-exposable material is removed.
  • the method for producing an optoelectronic component takes place in the sequence described.
  • One idea of the method for producing an optoelectronic component is to apply a functional layer to a large number of radiation-emitting semiconductor chips in order to thus provide a cost-effective and simplified method for producing optoelectronic components.
  • a complex, precise position measurement and a position-dependent (adjusted) exposure derived from it, for example exposure via Laser Direct Imaging (LDI), are no longer necessary.
  • adjustment structures that offer sufficiently good contrast and visibility are no longer necessary.
  • the recesses are at least partially filled by the functional layer.
  • the recesses are preferably completely filled by the functional layer.
  • the thickness of the functional layer can thus advantageously be adjusted by means of the depth of the recesses.
  • the depth of the recesses can advantageously be controlled by the thickness of the photo-exposable material used in the recesses. 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 10 -
  • the exposure occurs selectively. This means that a specific area can be advantageously exposed.
  • the exposure takes place over the entire area and is self-adjusted. The exposure takes place over the entire area, for example through flood exposure.
  • the photo-exposable material is exposed in a self-adjusting manner.
  • AOI automatic optical inspection
  • LDI Laser Direct Imaging
  • Full-surface exposure can occur because the semiconductor chips themselves are used to define the later unexposed parts of the photo-exposable material. This advantageously reduces the complexity of the process chain. For full-surface exposure, there are no special requirements for overlay and dimensional accuracy. It is therefore irrelevant which exact position the semiconductor chips occupy on the carrier.
  • a negative lacquer is used as the photo-exposable material. The negative resist polymerizes through exposure and a subsequent baking step. After development, the exposed areas remain.
  • the photo-exposable material is a dry resist and/or a wet resist.
  • wet paint the wet paint is preferably applied to the carrier and spun off in a process chamber. The final thickness of the wet paint can be specifically adjusted via the speed of rotation coating.
  • the dry varnish is applied in particular to a predetermined thickness on the carrier or on the semiconductor chips.
  • the dry lacquer is deposited, for example, on a carrier film with a certain thickness and is then preferably placed on the semiconductor chips or on the carrier and removed from the carrier film under vacuum and by increasing the temperature.
  • An advantage of dry varnish is that only small inclusions are formed in the dry varnish and therefore a uniform layer can be formed.
  • wet paint the surface can be made wavy, which can impair the light extraction of the optoelectronic component.
  • wet paint is that it can flow better into cavities or recesses.
  • the photo-exposable material is applied using a curtain coating.
  • curtain coating is that the photo-exposable material can be applied particularly evenly.
  • the photo-exposable material can be applied with particularly little waste.
  • the functional layer has a thickness and the recess has a depth, the thickness of the functional layer corresponding at most to the depth of the recess.
  • vertical means transverse or perpendicular to the main direction of extension.
  • the thickness of the functional layer can advantageously be determined by the photo-exposable material in the recesses or by the photo-exposable material in the cavities.
  • a portion of the photo-exposable material is applied between the carrier and the semiconductor chips and the exposure occurs from the side of the semiconductor chip that is free of the photo-exposable material.
  • the photo-exposable material is preferably applied between the carrier and the semiconductor chip in the form of a layer.
  • the layer is particularly preferably applied contiguously.
  • the photo-exposable material is in particular a photoresist layer.
  • the photo-exposable material preferably has a thickness between 0.5 ⁇ m and 100 ⁇ m inclusive.
  • the photo-exposable material has a thickness between 5 ⁇ m and 100 ⁇ m inclusive.
  • the semiconductor chips serve as an exposure mask and the part of the photo-exposable material, which is arranged between the semiconductor chip and the carrier, remains unexposed.
  • the thickness of the photo-exposable material between the semiconductor chips and 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 13 - the depth of the recesses can be determined by the carrier. The depth of the recesses in turn determines the thickness of the functional layer.
  • the part of the photo-exposable material which is located between the carrier and the semiconductor chip is a wet paint or dry paint and the photo-exposable material which is located in the cavities is a wet paint.
  • wet paint the thickness can be determined via the speed of rotation coating and with dry paint, the thickness is already predetermined.
  • the wet paint can advantageously be selectively introduced into the cavities using an inkjet process.
  • An advantage of using a dry varnish as a layer between the semiconductor chips and the carrier is that it is more difficult for the semiconductor chips to sink into the dry varnish.
  • Wet paint is particularly suitable for filling the cavities because it has better flow properties than dry paint and can therefore be applied better into the cavities.
  • a wet paint is preferably used and with a thickness of, for example, approximately 10 ⁇ m of the photo-exposable material between the carrier and the semiconductor chips, a dry paint is used.
  • the dry paint and the wet paint are preferably the same material.
  • AZ15nXT from MERCK is used as the wet paint
  • WBR2075 from DuPont is used as the dry paint.
  • an auxiliary carrier is arranged on the side of the semiconductor chips facing away from the carrier and the 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 14 - Carrier is replaced.
  • This process step is also referred to as re-taping or re-bonding.
  • Re-taping exposes the part of the photo-exposable material that is unexposed. This allows the unexposed portion of the photoexposable material to be removed during development.
  • the functional layer can then be applied to the exposed semiconductor chips.
  • the auxiliary carrier preferably has the same properties as the carrier. According to at least one embodiment, before the plurality of semiconductor chips are applied, a portion of the photo-exposable material is applied between the carrier and the semiconductor chips and the exposure occurs from the side of the semiconductor chip that is free of the photo-exposable material.
  • the part of the photo-exposable material which is located between the carrier and the semiconductor chips is in particular a dry lacquer and the photo-exposable material which is located in the cavities is a wet lacquer.
  • an auxiliary carrier is arranged on the side of the semiconductor chips facing away from the carrier and the carrier is removed.
  • the carrier is designed to be transparent to radiation. Radiation-permeable means that it is transparent to radiation, that is to say that the carrier is preferably designed to be transparent.
  • the carrier is preferably designed to be transparent to radiation for a wavelength of exposure, for example for a UV light source. This is advantageous if the exposure occurs through the carrier.
  • an adhesive layer is arranged between the carrier and the plurality of semiconductor chips.
  • the adhesive layer is preferably designed to be transparent or transparent to radiation for the exposure wavelength.
  • the adhesive layer is applied thinly to the carrier and then the large number of semiconductor chips are arranged on the adhesive layer.
  • an anti-reflection layer is arranged between the carrier and the adhesive layer or between the adhesive layer and the plurality of semiconductor chips. The anti-reflection layer preferably serves to minimize lateral scattering from the optoelectronic component.
  • the exposure takes place through the carrier, so that the part of the photo-exposable material that is located on the semiconductor chips remains unexposed.
  • the exposure preferably takes place through the support and through the adhesive layer.
  • the semiconductor chips preferably serve as an exposure mask for the exposure and thus the part of the photo-exposable material which is located on the side of the semiconductor chip that is not directly exposed remains unexposed.
  • the carrier is designed to be transparent to radiation and an adhesive layer, which is also transparent to radiation, is arranged between the carrier and the plurality of semiconductor chips. The photo-exposable material is applied to the semiconductor chips and into the cavities in one step.
  • the photo-exposable material is first introduced into the cavities in the form of a wet paint, so that the wet paint is flush with the semiconductor chip on the top side of the semiconductor chip.
  • the photo-exposable material is applied in the form of a dry varnish to the semiconductor chip and to the photo-exposable material in the cavities as a layer.
  • the wet paint and the dry paint preferably have the same material.
  • the exposure takes place through the carrier and through the adhesive layer, so that the part of the photo-exposable material that is on the semiconductor chips remains unexposed.
  • the two-stage process is preferably used for semiconductor chips with a thickness of 5 ⁇ m to 120 ⁇ m.
  • the application of the wet paint depends in particular on the thickness of the semiconductor chips. The smaller the thickness of the semiconductor chips, the more likely the photo-exposable material is to be applied using spin coating. For thicker semiconductor chips, the photo-exposable material is preferably applied using an inkjet process. According to at least one embodiment of the method, after the exposed photo-exposable material has been removed, the semiconductor chips are separated to produce optoelectronic components. Separating means that the semiconductor chips with the respective functional layer are removed from the carrier or the adhesive layer and fixed in a desired location.
  • the carrier is, for example, sawn through, etched, broken or separated by laser dicing, so that part of the carrier, the semiconductor chip and the functional layer each form an optoelectronic component.
  • saw marks can only appear on the carrier.
  • the side surfaces of the 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 17 - functional layer and the semiconductor chip advantageously remain free of traces of a separation process.
  • An optoelectronic component is also specified.
  • an optoelectronic component described here can be produced using the described method for producing an optoelectronic component. This means that all features that are disclosed for the method for producing an optoelectronic component are also disclosed for the optoelectronic component and vice versa.
  • the optoelectronic component has a semiconductor chip which, during operation, emits primary radiation of a first wavelength range.
  • the semiconductor chip preferably has a radiation exit surface.
  • the radiation exit surface can be parallel to the main extension direction or it can be arranged on the side surface of the semiconductor chip. This means that the radiation exit surface can be formed parallel to the main direction of extension or transverse to the main direction of extension. If the radiation exit surface is arranged on the side surface of the semiconductor chip, it is a side-emitting semiconductor chip.
  • the optoelectronic component has a functional layer that is arranged on the semiconductor chip.
  • the functional layer is preferably in direct contact with the semiconductor chip. This means that no further layer is arranged between the semiconductor chip and the functional layer.
  • the 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 18 - Functional layer is described, for example, as a conversion layer, absorption layer or reflection layer.
  • side surfaces of the functional layer and the semiconductor chip are flush with one another.
  • the side surfaces are the surfaces of the semiconductor chip and the functional layer that limit the lateral extent of the semiconductor chip and the functional layer.
  • the side surfaces of the functional layer preferably do not protrude beyond the side surfaces of the semiconductor chip in the lateral direction.
  • the side surfaces are preferably free of traces of a separation process.
  • the optoelectronic component comprises a semiconductor chip which, during operation, emits primary radiation of a first wavelength range, a functional layer which is arranged on the semiconductor chip, and side surfaces of the functional layer and the semiconductor chip are flush with one another.
  • the optoelectronic component comprises a carrier.
  • the carrier can be designed to be transparent to radiation.
  • the functional layer has a thickness of up to 20 ⁇ m.
  • the functional layer comprises a conversion layer.
  • the conversion layer is preferred 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 19 - designed to emit secondary radiation of a second wavelength range.
  • the conversion layer preferably converts the primary radiation of the semiconductor chip into secondary radiation.
  • the conversion layer is arranged on the radiation exit surface of the semiconductor chip.
  • the conversion layer has, for example, phosphors and a matrix.
  • the matrix is preferably designed to be transparent or transparent to electromagnetic radiation, for example visible light.
  • the phosphors are preferably introduced into the matrix in the form of phosphor particles.
  • the matrix preferably completely envelops the phosphor particles, that is, the phosphor particles are preferably embedded in the matrix.
  • the phosphor particles convert the primary radiation of a first wavelength range into secondary radiation of a second wavelength range.
  • the primary radiation is preferably different from the secondary radiation.
  • the phosphor particles that are embedded in the matrix preferably give the conversion layer wavelength-converting properties.
  • the conversion layer with the phosphor particles only partially converts the primary radiation of the semiconductor chip into secondary radiation, while a further part of the primary radiation of the semiconductor chip is transmitted by the conversion layer.
  • the phosphor is, for example, a ceramic phosphor and/or a quantum dot phosphor.
  • the ceramic phosphors preferably have a garnet phosphor.
  • the garnet phosphor is particularly preferably a YAG phosphor with the chemical formula Y 3 Al 5 O 12 :Ce 3+ or a LuAG phosphor with the chemical formula Lu3Al5O12:Ce 3+ .
  • the ceramic phosphors can also have one 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 20 - have nitride phosphor.
  • the nitride phosphors preferentially convert blue primary radiation into red secondary radiation.
  • the nitride phosphor can be, for example, an alkaline earth metal silicon nitride, an oxynitride, an aluminum oxynitride, a silicon nitride or a sialon.
  • the nitride phosphor is (Ca,Sr,Ba)AlSiN 3 :Eu 2+ (CASN).
  • the ceramic phosphors are particularly preferably selected from the following group: Ce 3+ doped garnets such as YAG and LuAG, for example (Y, Lu,Gd,Tb) 3 (Al 1-x ,Ga x ) 5 O 12 :Ce 3+ ; Eu 2+ doped nitrides, for example (Ca,Sr)AlSiN 3 :Eu 2+ , Sr(Ca,Sr)Si 2 Al 2 N 6 :Eu2+ (SCASN), (Sr,Ca)AlSiN 3 *Si 2 N 2 O :Eu 2+ , (Ca,Ba,Sr) 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ , SrLiAl 3 N 4 :Eu 2+ , SrLi 2 Al 2 O 2 N 2 :Eu 2
  • phosphors are in particular the following aluminum-containing and/or silicon-containing phosphor particles: (Ba 1-xy Sr x Ca y )SiO 4 :Eu 2+ (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1), (Ba 1 -x- y Sr x Ca y ) 3 SiO 5 :Eu 2+ (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1), Li 2 SrSiO 4 :Eu 2+ , oxo-nitrides such as (Ba 1-xy Sr x Ca y )Si 2 O 2 N 2 :Eu 2+ (0 ⁇ x ⁇ 1; 0 ⁇ y ⁇ 1), SrSiAl 2 O 3 N 2 :Eu 2+ , Ba 4-x Ca x Si 6 ON 10 :Eu 2+ (0 ⁇ x ⁇ 1), (Ba 1- x Sr x )Y 2 Si 2 Al 2 O
  • the functional layer comprises a reflection layer.
  • the reflection layer serves to adjust the degree of transmission of the primary radiation of the semiconductor chip.
  • the reflection layer preferably has a matrix material into which reflection particles are introduced.
  • the reflection particles are preferably selected from the following group: TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , BaTiO 3 , SrTiO 3 , TCO (transparent conductive oxides), Nb 2 O 5 , HfO 2 , ZnO.
  • the reflection layer particularly preferably has TiO 2 or ZrO 2 or a combination thereof.
  • the reflection particles for example TiO2 or ZrO2
  • the semiconductor chip is a side-emitting semiconductor chip.
  • the functional layer comprises or consists of the reflection layer.
  • the semiconductor chips are side-emitting semiconductor chips and the functional layer has TiO 2 or ZrO 2 or consists of TiO 2 or ZrO 2 .
  • the functional layer can also have TiO 2 or ZrO 2 particles at the same time. It is advantageous here to apply a defined thickness of the functional layer with TiO 2 and/or ZrO 2 in order to adjust the degree of partial transmission.
  • the thickness of the functional layer with TiO 2 and/or ZrO 2 can be adjusted via the depth of the recesses. The depth of the recesses then defines the thickness and thus the transmission of the functional layer with TiO 2 and/or ZrO 2 .
  • One idea of the present method for producing an optoelectronic component is to dispense with measuring the position of the semiconductor chips on the carrier. By exposing the entire area, the time-consuming steps AOI and LDI can be eliminated.
  • Exposure preferably takes place over the entire surface and the semiconductor chip itself is used to define the areas that are to be freely developed later. This procedure reduces the complexity of the process chain. In addition, the production costs of the process are reduced and the processes are stabilized because position measurement of the semiconductor chips and adjusted LDI exposure can be dispensed with. 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 23 - In this process, the semiconductor chips serve as an exposure mask for the unexposed parts of the photo-exposable material. The position of the semiconductor chips is therefore irrelevant and the process adjusts itself. This also lowers the requirement for the placement accuracy of the semiconductor chips on the carrier.
  • FIG. 1A to 1G and Figures 2A to 2E schematic sectional views of various process stages of a process for producing an optoelectronic component, each according to an exemplary embodiment.
  • Figure 3 shows a schematic sectional view of an optoelectronic component according to an exemplary embodiment.
  • Identical, similar or identically acting elements are provided with the same reference numerals in the figures.
  • the figures and the size relationships between the elements shown in the figures should not be considered to scale. Rather, individual elements, in particular layer thicknesses, can be shown exaggeratedly large for better representation and/or better understanding.
  • a carrier 2 is provided in a first step, see FIG. 1A.
  • the carrier 2 is, for example, a wafer or a substrate which is angular.
  • a photo-exposable material 5 is applied to the carrier 2.
  • the photo-exposable material 5 is applied as a layer on the carrier 2.
  • the photo-exposable material 5 is formed, for example, from a polymer which has a photoinitiator.
  • the photoinitiator causes a crosslinking reaction during exposure 6 or irradiation of the photopolymer with electromagnetic radiation of a certain wavelength and thus causes the polymer to harden or the photoexposable material to harden.
  • the photo-exposable material 5 is a negative lacquer.
  • the photo-exposable material 5, which is arranged as a layer between the carrier 2 and the semiconductor chips 3, is applied as a dry varnish or wet varnish, preferably as a dry varnish.
  • a plurality of semiconductor chips 3 are applied to the photo-exposable material 5, the semiconductor chips 3 being applied at a distance from one another in such a way that cavities 4 are formed between the semiconductor chips 3.
  • the semiconductor chips 3 are designed to emit primary radiation of a first wavelength range during operation.
  • the cavities 4 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 25 - extend to the photo-exposable material 5, which is arranged between the semiconductor chips 3 and the carrier 2.
  • the photo-exposable material 5 is introduced, with at least the cavities 4 be filled with the photo-exposable material 5.
  • the photo-exposable material 5, which is located in the cavities 4, preferably has the same material as the photo-exposable material 5, which is applied as a layer between the semiconductor chips 3 and the carrier 2.
  • the photo-exposable material 5, which is located in the cavities 4, is flush with the semiconductor chips 3 on the top side of the semiconductor chips 3.
  • the photo-exposable material 5 is preferably a wet paint.
  • the thickness of the photo-exposable material 5 can be adjusted by spin coating, that is, via the speed.
  • the cavities 4 can be filled with the photo-exposable material 5 using the inkjet process.
  • preferably only the cavities 4 are filled with the photo-exposable material 5.
  • the photo-exposable material 5 is exposed, with parts of the photo-exposable material 7, which are downstream of the semiconductor chips 3 with respect to the exposure 6, remaining unexposed.
  • the exposure 6 takes place from the side that faces the semiconductor chips 3.
  • Exposure 6 hardens the photo-exposable material 8 in the cavities 4 and the photo-exposable material 7, which is located between the semiconductor chip 3 and the carrier 2, i.e. arranged downstream of the exposure 6 remains unexposed and therefore does not harden.
  • the exposure 6 is preferably carried out using a flood exposure in the UV range. Furthermore, the exposure 6 is over the entire surface and is self-adjusted. This has the advantage that the position of the semiconductor chips 3 is irrelevant, since the semiconductor chips 3 themselves serve as an exposure mask for the exposure 6. Optionally, the exposure 6 can also be carried out selectively.
  • an auxiliary carrier 9 is arranged on the side of the semiconductor chips 3 facing away from the carrier 2 and the carrier 2 is detached. This makes it possible for the semiconductor chips 3 to be in direct contact with the subcarrier 9.
  • the opposite side of the semiconductor chips 3, which is not located on the auxiliary carrier 9, has the unexposed photo-exposable material 7 on the surface. This process is also known as turning, re-taping or re-bonding.
  • Figure 1E the unexposed part of the photoexposable material 7 is removed. This creates recesses 10.
  • the recesses 10 have a depth 15.
  • the unexposed portion of the photoexposable material 7 is removed by the developing process.
  • An alkaline medium is applied.
  • the recesses 10 are located on the semiconductor chips 3.
  • a functional layer 11 is applied to the semiconductor chips 3.
  • the functional layer 11 can 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 27 - for example, be a conversion layer or a reflection layer.
  • a reflection layer is advantageous if the semiconductor chip 3 is a side-emitting semiconductor chip 3.
  • the functional layer 11 has a thickness of up to 20 ⁇ m.
  • the recesses 10 are at least partially filled by the functional layer 11.
  • the recesses 10 are in particular completely filled by the functional layer 11.
  • the functional layer 11 has a thickness 16 and the recess 10 has a depth 15.
  • the thickness 16 of the functional layer 11 corresponds at most to the depth 15 of the recess 10.
  • the exposed photo-exposable material 8, which is located in the cavities 4, is removed. This happens in an alkaline medium or in a solvent.
  • the semiconductor chips 3 with the functional layer 11 can then be separated by detaching them from the auxiliary carrier 9 and placing them at a desired location.
  • the auxiliary carrier 9 can be divided so that the auxiliary carrier 9, the semiconductor chip 3 and the functional layer 11 remain as an optoelectronic component 1.
  • a carrier 2 is first provided, see FIG. 2A.
  • An adhesive layer 12 is arranged on the carrier 2.
  • the adhesive layer 12 and the carrier 2 are designed to be radiation-permeable to the radiation of an exposure wavelength.
  • the exposure is preferably carried out with a UV light source.
  • a large number of semiconductor chips 3 are then placed on the adhesive layer 12 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 28 - arranged, the semiconductor chips 3 being applied at a distance from one another in such a way that cavities 4 form between the semiconductor chips 3.
  • a photo-exposable material 5 is introduced, with at least the cavities 4 being filled with the photo-exposable material 5.
  • the cavities 4 and the area above the semiconductor chips 3 can be filled with the photo-exposable material 5 in one step.
  • a two-stage process can be used.
  • the photo-exposable material 5 is first introduced into the cavities 4.
  • the photo-exposable material 5 in the cavities 4 and the semiconductor chips 3 are flush with each other on their surface.
  • a dry lacquer is then applied to the photo-exposable material 5 in the cavities 4 and to the semiconductor chips 3 as a preferably continuous layer.
  • a wet paint is preferably used as the photo-exposable material 5 in the first step.
  • FIG. 2B the exposure 6 of the photo-exposable material 5 takes place, with parts of the photo-exposable material 7, which are downstream of the semiconductor chips 3 with respect to the exposure 6, being unexposed 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 29 - remain.
  • the exposure 6 takes place through the carrier 2 and through the adhesive layer 12, so that the part of the photo-exposable material 7, which is located on the semiconductor chips 3, remains unexposed.
  • the photo-exposable material 8 in the cavities 4 is exposed and hardens.
  • 2C shows that the unexposed parts of the photo-exposable material 7 have been removed. This creates recesses 10.
  • a functional layer 11 is applied to the semiconductor chips 3.
  • the functional layer 11 is, for example, a conversion layer or a reflection layer. If the semiconductor chip 3 is a side-emitting semiconductor chip 3, the functional layer 11 has TiO 2 and/or ZrO 2 .
  • the functional layer 11 has a thickness 16 and the recess 10 has a depth 15, the thickness 16 of the functional layer 11 corresponding to at most the depth 15 of the recess 10.
  • the exposed photo-exposable material 8 is removed in the cavities 4. Removal is carried out using solvents and/or in an alkaline medium.
  • the exemplary embodiment of Figure 3 shows a semiconductor chip 3, which emits primary radiation of a first wavelength range during operation, a functional layer 11, which is arranged on the semiconductor chip 3, and a side surface of the functional layer 13 and a side surface 2021PF01914 March 22, 2023 P2021,1355 WO N - 30 - of the semiconductor chip 14 which are flush with each other.
  • the functional layer 11 is arranged in direct contact with the semiconductor chip 3.
  • the side surfaces of the functional layer 13 and the side surfaces of the semiconductor chip 14 are free of traces of a separation process.
  • the functional layer 11 has a thickness between 5 micrometers and 120 micrometers inclusive.
  • the functional layer 11 preferably has a thickness of up to 20 ⁇ m.
  • the functional layer 11 also includes a conversion layer or a reflection layer.
  • a reflection layer is preferably used.
  • the conversion layer has a matrix in which phosphor particles are embedded.
  • the reflection layer has a matrix material into which reflection particles are introduced.
  • the reflection particles are preferably selected from the following group: TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , BaTiO 3 , SrTiO 3 , TCO (transparent conductive oxides), Nb 2 O 5 , HfO 2 , ZnO.

Abstract

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägers (2); - Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterchips (3) auf dem Träger (2), wobei die Halbleiterchips (3) derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips (3) Kavitäten (4) bilden; - Einbringen eines fotobelichtbaren Materials (5), wobei zumindest die Kavitäten (4) mit dem fotobelichtbaren Material (5) befüllt werden; - Belichtung (6) des fotobelichtbaren Materials 5, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials 5, welche den Halbleiterchips (3) in Bezug auf die Belichtung (6) nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben; - Entfernen von unbelichteten Teilen des fotobelichtbaren Materials (7), wobei Ausnehmungen (10) gebildet werden; - Aufbringen einer Funktionsschicht (11) auf die Halbleiterchips (3) - Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials (8). Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauelement (1), welches durch das Verfahren hergestellt wird, angegeben.

Description

2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 1 - Beschreibung VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit verbesserten Eigenschaften anzugeben. Zusätzlich soll ein optoelektronisches Bauelement mit verbesserten Eigenschaften angegeben werden. Optoelektronische Bauelemente können zumindest einen Halbleiterchip aufweisen, der elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich aussendet. Beispielsweise handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement um ein Halbleiterlaserbauelement oder eine Leuchtdiode. Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger bereitgestellt. Der Träger ist insbesondere ein Träger für optoelektronische Bauelemente und dient der mechanischen Befestigung sowie Stabilität. Der Träger ist beispielsweise als eine ebene und plan ausgeführte Platte mit einer Haupterstreckungsrichtung ausgeführt. Der Träger kann als Substrat, Wafer oder künstlicher Wafer ausgebildet sein. Der Träger kann eine beliebige Form aufweisen, beispielsweise kann der Träger eckig, insbesondere 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 2 - rechteckig oder quadratisch, rund oder oval ausgebildet sein. Eine Abmessung des Trägers kann ebenso variieren. Ist der Träger rechteckig ausgebildet kann der Träger eine Abmessung von 125 mm x 70 mm aufweisen. Ist der Träger quadratisch ausgebildet, kann er eine Abmessung von 4 Zoll x 4 Zoll aufweisen. Bei einem runden Träger kann der Durchmesser 4 Zoll, 150 mm oder 200 mm betragen. Bevorzugt ist eine Dicke des Trägers kleiner als 1000 Mikrometer. Eine Dicke des Trägers liegt besonders bevorzugt in einem Bereich zwischen 500 Mikrometer und 1000 Mikrometer. Beispielsweise weist der Träger Glas oder ein Polymer als Material auf. Besonders bevorzugt ist der Träger ein Silizium Wafer, eine Leiterplatte (PCB) aus beispielsweise faserverstärkten Kunststoff oder eine Edelstahlplatte. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Vielzahl von Halbleiterchips auf dem Träger aufgebracht. Bei der Vielzahl von Halbleiterchips handelt es sich zum Beispiel um eine Vielzahl von Leuchtdiodenchips oder eine Vielzahl von Laserdiodenchips. Bevorzugt weist die Vielzahl von Halbleiterchips eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone auf, die dazu eingerichtet ist, Primärstrahlung zu erzeugen. Hierzu weist die aktive Zone beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopf- oder insbesondere bevorzugt eine Mehrfachquantentopfstruktur auf. Bevorzugt emittiert jede der Vielzahl von Halbleiterchips eine Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche. Insbesondere sendet die Vielzahl von Halbleiterchips im Betrieb Primärstrahlung aus dem ultravioletten Spektralbereich und/oder aus dem 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 3 - sichtbaren Spektralbereich, besonders bevorzugt aus dem blauen Spektralbereich aus. Die Halbleiterchips können außerdem ein seitenemittierender Halbleiterchip sein. Bei seitenemittierenden Halbleiterchips wird eine Primärstrahlung an zumindest einer Seitenfläche des Halbleiterchips abgestrahlt. Mit anderen Worten ist bei seitenemittierenden Halbleiterchips die Strahlungsaustrittsfläche quer bzw. senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung. Insbesondere ist es möglich, dass bei einem seitenemittierenden Halbleiterchip die Primärstrahlung ausschließlich durch zumindest eine Seitenfläche austritt und nicht durch eine Deckfläche und/oder eine Bodenfläche. Dabei kann die Primärstrahlung ausschließlich durch genau eine Seitenfläche, mindestens zwei Seitenflächen oder alle Seitenflächen des Halbleiterchips austreten. Die Halbleiterchips weisen bevorzugt eine Dicke von mehr als 3 µm auf. Besonders bevorzugt weisen die Halbleiterchips eine Dicke von mehr als 4 µm auf. Beispielsweise weisen die Halbleiterchips eine Dicke zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 120 µm auf. Die Dicke entspricht einer vertikalen Erstreckung, welche quer zur Haupterstreckungsrichtung angeordnet ist. Die Vielzahl der Halbleiterchips ist vorzugsweise auf dem Träger in einer gemeinsamen Fläche, insbesondere Ebene, angeordnet. Der Träger umfasst eine erste Seite. Auf der ersten Seite sind bevorzugt die Halbleiterchips angeordnet. Das Aufbringen der Vielzahl von Halbleiterchips auf den Träger führt zu Kostenvorteilen und zu einer Verbesserung der Prozessgeschwindigkeit. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 4 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Vielzahl von Halbleiterchips derart beabstandet zueinander aufgebracht, dass sich zwischen den Halbleiterchips Kavitäten bilden. Das heißt, zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips bildet sich eine Kavität. Die Kavitäten sind Leerräume. Die Kavitäten erstrecken sich insbesondere bis zu dem Träger. Eine Breite der Kavitäten, welche sich zwischen zwei Halbleiterchips erstreckt, liegt bevorzugt in einem Bereich zwischen einschließlich 50 µm und einschließlich 200 µm. Die Breite der Kavitäten entspricht einer lateralen Erstreckung, welche parallel zur Haupterstreckungsrichtung angeordnet ist. Mit anderen Worten weisen die Halbleiterchips auf dem Träger einen Abstand von zwischen einschließlich 50 µm und einschließlich 200 µm auf. Der Abstand der einzelnen Halbleiterchips zueinander kann variieren. Eine Höhe der Kavitäten, welche einer vertikalen Erstreckung entspricht, liegt bevorzugt in einem Bereich zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 120 µm. Besonders bevorzugt ist die Höhe der Kavitäten zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 100 µm. Die Höhe der Kavitäten entspricht insbesondere der Dicke der Halbleiterchips. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein fotobelichtbares Material eingebracht. Das fotobelichtbare Material ist beispielsweise aus einem Polymer gebildet, welches einen Fotoinitiator aufweist. Fotobelichtbare Materialien sind zum Beispiel Polymethylmetacrylat, Novolack oder Polymethylglutarimid beziehungsweise Epoxidharze, beispielsweise SU-8. Außerdem können noch Lösungsmittel wie Cyclopentanon oder Gammabutyrolacton eine Komponente des fotobelichtbaren Materials sein. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 5 - Beispielsweise ruft der Fotoinitiator bei einer Bestrahlung beziehungsweise Belichtung des Polymers mit elektromagnetischer Strahlung einer bestimmten Wellenlänge eine Vernetzungsreaktion hervor und bedingt somit eine Aushärtung des Polymers. Alternativ bedingt der Fotoinitiator bei der Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung eine Auflösung von Bindungen und somit eine Lösung des Polymers. Ein gängiges Einsatzgebiet des fotobelichtbaren Materials ist beispielsweise der Einsatz in der Lithographie. Bevorzugt ist das fotobelichtbare Material ein Fotolack. Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden zumindest die Kavitäten mit dem fotobelichtbaren Material befüllt. Das fotobelichtbare Material wird insbesondere als Schicht ausgebildet oder in flüssiger Form in die Kavitäten eingebracht. Bevorzugt kann das fotobelichtbare Material über mehrere Schritte in die Kavitäten eingebracht werden. Beispielsweise wird das fotobelichtbare Material über das Verfahren der Rotationsbeschichtung aufgebracht. Vorzugsweise werden dünne und gleichmäßige Schichten des fotobelichtbaren Materials in die Kavitäten eingebracht. Beispielsweise wird das fotobelichtbare Material zusätzlich auf den Halbleiterchips angeordnet. Außerdem kann das fotobelichtbare Material zwischen den Halbleiterchips und dem Träger angeordnet werden. Besonders bevorzugt wird das fotobelichtbare Material durch Sprühbelackung und/oder mittels eines Inkjet-Verfahrens direkt in die Kavitäten eingebracht. Das Sprühbelacken erfolgt insbesondere flächig. Bei günstig gewähltem Dosiervolumen und Viskosität kann der Füllgrad der Kavitäten gesteuert werden ohne fotobelichtbares Material auf die Halbleiterchips aufzubringen. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 6 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das fotobelichtbare Material belichtet, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials, welche den Halbleiterchips in Bezug auf die Belichtung nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben. Das Belichten erfolgt bevorzugt mit einer UV- Lichtquelle, beispielsweise bei 365 nm oder mit einem LDI- Laser (englisch: Laser Diode Illuminator), beispielsweise bei 355 nm. Der Vorteil bei der Benutzung eines Lasers ist, dass der Laser einen sehr parallelen Strahlengang aufweist und dadurch wird seitlich gestreutes Licht reduziert. Der Strahlengang des Lasers ist senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung des Trägers. Dies ermöglicht ein tieferes Eindringen in das fotobelichtbare Material wodurch eine vollständige Belichtung des fotobelichtbaren Materials, beispielsweise in den Kavitäten, ermöglicht wird. Die Dauer der Belichtung hängt von der Dicke des zu belichteten fotobelichtbaren Materials ab und von der Lichtquelle. Beim Belichten wird die Löslichkeit des fotobelichtbaren Materials durch die Lichtquelle, beispielsweise Ultraviolett- Lichtquelle, und einer Belichtungsmaske lokal verändert. Als Belichtungsmaske dienen hier bevorzugt die Halbleiterchips. Das heißt, dass das fotobelichtbare Material, welche den Halbleiterchips in Bezug auf die Belichtung nachgeordnet ist, unbelichtet bleibt. Der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials ist somit exakt auf die Halbleiterchipfläche beschränkt beziehungsweise abgestimmt. Hierdurch ist mit Vorteil die genaue Bestimmung der Halbleiterchipposition auf dem Träger irrelevant. Nach dem Belichten erfolgt bevorzugt ein Temperaturschritt. Dies dient zusätzlich zu der Belichtung zur Aushärtung des fotobelichtbaren Materials. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 7 - Das fotobelichtbare Material, welches sich in den Kavitäten befindet, wird bevorzugt belichtet. Dadurch wird bevorzugt ein ausgehärtetes fotobelichtbares Material gebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials entfernt, wobei Ausnehmungen gebildet werden. Die Ausnehmungen befinden sich bevorzugt zwischen zwei benachbarten Kavitäten. Die Ausnehmungen weisen insbesondere eine Tiefe auf, die sich von der Oberkante des fotobelichteten Materials in den Kavitäten bis zu einer dem Träger abgewandten Seite des Halbleiterchips erstreckt. Die Oberkante des fotobelichtbaren Materials ist dem Träger abgewandt. Insbesondere ist die Ausnehmung auf dem Halbleiterchip angeordnet. „Auf dem Halbleiterchip“ bedeutet hier und im Folgenden auf der Seite des Halbleiterchips, die dem Träger abgewandt ist. Die Entfernung des unbelichteten Teils des fotobelichtbaren Materials erfolgt bevorzugt durch eine Entwicklerflüssigkeit. Eine Entwicklerflüssigkeit ist beispielsweise eine alkalische Flüssigkeit beziehungsweise ein alkalisches Medium. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Funktionsschicht auf die Halbleiterchips aufgebracht. Mit anderen Worten wird die Funktionsschicht auf die dem Träger abgewandte Seite der Halbleiterchips aufgebracht. Die Funktionsschicht wird beispielsweise durch Rakeln, Sputtern, Bedampfen oder Sprühbeschichten aufgebracht. Die Funktionsschicht kann eine Dicke von bis zu 20 µm aufweisen. Die Dicke der Funktionsschicht ist beispielsweise abhängig von der Tiefe der Ausnehmung. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 8 - Die Funktionsschicht kann beispielsweise eine Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung konvertieren. Außerdem können in der Funktionsschicht Partikel eingebracht sein. Beispielsweise ist die Funktionsschicht als Reflexionsschicht, als Konversionsschicht oder als eine Kombination daraus ausgebildet. Ist die Funktionsschicht als Reflexionsschicht ausgebildet, so hat diese die Eigenschaft, eine Primärstrahlung, vorzugsweise ausgesendet von den Halbleiterchips, zu reflektieren. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das belichtete fotobelichtbare Material entfernt. Das Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials erfolgt bevorzugt in einem Lösungsmittel und/oder in einem alkalischen Medium. Optional wird dieser Vorgang auch durch Hochdruck unterstützt. Dieser Vorgang wird als nasschemisches Strippen bezeichnet. Das Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials kann ebenso in einem Plasma-Verascher erfolgen. Hierbei wird ein mikrowellenangeregtes Sauerstoff-Plasma genutzt, um den Fotolack isotrop abzuätzen. Dieser Vorgang wird als Veraschen bezeichnet. Das Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials erfolgt bevorzugt in den Kavitäten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger bereitgestellt. Anschließend wird eine Vielzahl von Halbleiterchips auf dem Träger aufgebracht, wobei die Halbleiterchips derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips Kavitäten bilden. Ein fotobelichtbares Material wird eingebracht, wobei zumindest die Kavitäten mit dem fotobelichtbaren Material befüllt werden. Im Anschluss wird das fotobelichtbare 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 9 - Material belichtet, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials, welche den Halbleiterchips in Bezug auf die Belichtung nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben. Danach werden unbelichtete Teile des fotobelichtbaren Materials entfernt, wobei Ausnehmungen gebildet werden. Eine Funktionsschicht wird auf die Halbleiterchips aufgebracht und das belichtete fotobelichtbare Material wird entfernt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements nach der geschilderten Reihenfolge. Eine Idee des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements ist es, eine Funktionsschicht auf eine Vielzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips aufzubringen, um somit ein kostengünstiges und ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen bereitzustellen. Eine aufwändige, exakte Positionsvermessung und eine daraus abgeleitete positionsabhängige (justierte) Belichtung, beispielsweise eine Belichtung über Laser Direct Imaging (LDI), sind nicht mehr notwendig. Außerdem sind zudem Justagestrukturen, die einen ausreichend guten Kontrast und Sichtbarkeit bieten, nicht mehr nötig. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Ausnehmungen zumindest teilweise von der Funktionsschicht gefüllt. Bevorzugt werden die Ausnehmungen komplett von der Funktionsschicht gefüllt. Durch die Tiefe der Ausnehmungen kann somit vorteilhaft die Dicke der Funktionsschicht eingestellt werden. Mit Vorteil kann die Tiefe der Ausnehmungen durch die Dicke des verwendeten fotobelichtbaren Materials in den Ausnehmungen gesteuert werden. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 10 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Belichtung selektiv. Dadurch kann mit Vorteil gezielt ein bestimmter Bereich belichtet werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Belichtung vollflächig und selbstjustiert. Die Belichtung erfolgt vollflächig beispielsweise durch eine Flutbelichtung (englisch „Flood Exposure“). Das fotobelichtbare Material wird selbstjustierend belichtet. Ein Vorteil hiervon ist, dass die beiden zeitintensiven Schritte AOI und LDI (AOI = automatische optische Inspektion, LDI = Laser Direct Imaging) entfallen. Die vollflächige Belichtung kann erfolgen, da die Halbleiterchips selbst dazu genutzt werden, um die später unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials zu definieren. Dies reduziert vorteilhafterweise die Komplexität der Prozesskette. Bei der vollflächigen Belichtung sind insbesondere keine besonderen Anforderungen an Überlagerung und Maßhaltigkeit zu erbringen. Somit ist unerheblich, welche exakte Position die Halbleiterchips auf dem Träger einnehmen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird als fotobelichtbares Material ein Negativlack verwendet. Der Negativlack polymerisiert durch Belichtung und einem nachfolgenden Ausheizschritt. Nach der Entwicklung bleiben die belichteten Bereiche stehen. Als Negativlack wird bevorzugt Polymethylmetacrylat, Novolack, Polymethylglutarimid, Epoxidharze, beispielsweise SU-8 oder Kombinationen daraus verwendet. Außerdem können als fotobelichtbare Materialien auch positive Image Reversal- Lacke (Umkehrlacke) verwendet werden. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 11 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das fotobelichtbare Material ein Trockenlack (englisch: „Dry Resist“) und/oder ein Nasslack (englisch: „Wet Resist“). Bei einem Nasslack wird bevorzugt der Nasslack auf den Träger aufgebracht und in einer Prozesskammer abgeschleudert. Die finale Dicke des Nasslacks kann über die Drehzahl bei der Rotationsbeschichtung gezielt eingestellt werden. Der Trockenlack wird insbesondere in einer vorgegebenen Dicke auf den Träger beziehungsweise auf die Halbleiterchips aufgebracht. Der Trockenlack ist beispielsweise auf einer Trägerfolie mit einer bestimmten Dicke abgeschieden und wird dann bevorzugt auf die Halbleiterchips oder auf den Träger aufgelegt und unter Vakuum und durch Temperaturerhöhungen von der Trägerfolie abgelöst. Ein Vorteil des Trockenlacks ist, dass nur geringe Einschlüsse in dem Trockenlack gebildet werden und dadurch kann eine gleichmäßige Schicht gebildet werden. Hingegen kann bei dem Nasslack die Oberfläche wellenförmig ausgebildet werden, wodurch die Lichtauskopplung des optoelektronischen Bauelements beeinträchtigt werden kann. Ein Vorteil des Nasslacks ist, dass dieser besser in Kavitäten beziehungsweise Ausnehmungen fließen kann. Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform wird das fotobelichtbare Material mittels einer Vorhangbeschichtung (engl.: Curtain Coating) aufgebracht. Der Vorteil der Vorhangbeschichtung ist, dass das fotobelichtbare Material besonders gleichmäßig aufgebracht werden kann. Außerdem kann besonders abfallarm das fotobelichtbare Material aufgebracht werden. Mehrlagiges Aufbringen des fotobelichtbaren Materials ist ebenso möglich. Außerdem kann eine Dicke des fotobelichtbaren Materials besonders gut durch die Vorhangbeschichtung eingestellt werden. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 12 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Funktionsschicht eine Dicke und die Ausnehmung eine Tiefe auf, wobei die Dicke der Funktionsschicht höchstens der Tiefe der Ausnehmung entspricht. Mit anderen Worten heißt dies, dass die Funktionsschicht und die Ausnehmung jeweils eine vertikale Erstreckung aufweisen, wobei die vertikale Erstreckung der Funktionsschicht höchstens der vertikalen Erstreckung der Ausnehmung entspricht. Vertikal heißt im Folgenden quer beziehungsweise senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung. Dadurch kann mit Vorteil durch das fotobelichtbare Material in den Ausnehmungen beziehungsweise durch das fotobelichtbare Material in den Kavitäten die Dicke der Funktionsschicht bestimmt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird vor dem Aufbringen der Vielzahl von Halbleiterchips ein Teil des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips aufgebracht und die Belichtung erfolgt von der Seite des Halbleiterchips, welche frei von dem fotobelichtbaren Material ist. Das fotobelichtbare Material wird bevorzugt zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip in Form einer Schicht aufgebracht. Besonders bevorzugt wird die Schicht zusammenhängend aufgebracht. Das fotobelichtbare Material ist insbesondere eine Fotolackschicht. Das fotobelichtbare Material weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 0,5 µm und einschließlich 100 µm auf. Beispielsweise weist das fotobelichtbare Material eine Dicke zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 100 µm auf. Die Halbleiterchips dienen hierbei als Belichtungsmaske und der Teil des fotobelichtbaren Materials, welches zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger angeordnet ist, bleibt unbelichtet. Mit Vorteil kann über die Dicke des fotobelichtbaren Materials zwischen den Halbleiterchips und 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 13 - dem Träger, die Tiefe der Ausnehmungen bestimmt werden. Die Tiefe der Ausnehmungen bestimmt wiederum die Dicke der Funktionsschicht. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip befindet, ein Nasslack oder Trockenlack und das fotobelichtbare Material, welches sich in den Kavitäten befindet, ein Nasslack. Bei dem Nasslack lässt sich die Dicke über die Drehzahl bei der Rotationsbeschichtung bestimmen und bei dem Trockenlack ist die Dicke bereits vorgegeben. Alternativ kann der Nasslack mit Vorteil mittels eines Inkjet-Verfahrens selektiv in die Kavitäten eingebracht werden. Ein Vorteil der Verwendung eines Trockenlacks als Schicht zwischen den Halbleiterchips und dem Träger ist, dass die Halbleiterchips nur erschwert in den Trockenlack einsinken können. Der Nasslack bietet sich zur Befüllung der Kavitäten besonders gut an, da dieser ein besseres Fließverhalten aufweist als ein Trockenlack und somit besser in die Kavitäten eingebracht werden kann. Bei einer Dicke von beispielsweise etwa 1 µm des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips wird bevorzugt ein Nasslack verwendet und bei einer Dicke von beispielsweise etwa 10 µm des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips wird ein Trockenlack verwendet. Bei dem Trockenlack und bei dem Nasslack handelt es sich bevorzugt um das gleiche Material. Beispielsweise wird als Nasslack AZ15nXT der Firma MERCK und als Trockenlack WBR2075 der Firma DuPont verwendet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Belichten ein Hilfsträger auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet und der 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 14 - Träger wird abgelöst. Das führt dazu, dass nun die Halbleiterchips in direktem Kontakt bevorzugt mit dem Hilfsträger sind. Dieser Verfahrensschritt wird außerdem als Umtapen oder Umbonden bezeichnet. Durch das Umtapen wird der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher unbelichtet ist, freigelegt. Dadurch kann der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials durch das Entwickeln entfernt werden. Anschließend kann auf die freigelegten Halbleiterchips die Funktionsschicht aufgebracht werden. Der Hilfsträger weist bevorzugt die gleichen Eigenschaften wie der Träger auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird vor dem Aufbringen der Vielzahl von Halbleiterchips ein Teil des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips aufgebracht und die Belichtung erfolgt von der Seite des Halbleiterchips, welche frei von dem fotobelichtbaren Material ist. Der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich zwischen dem Träger und den Halbleiterchips befindet, ist insbesondere ein Trockenlack und das fotobelichtbare Material, welches sich in den Kavitäten befindet, ist ein Nasslack. Nach dem Belichten wird ein Hilfsträger auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet und der Träger wird abgelöst. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Träger strahlungsdurchlässig ausgebildet. Strahlungsdurchlässig bedeutet, dass er für Strahlung durchlässig ist, das heißt, dass der Träger bevorzugt transparent ausgebildet ist. Bevorzugt ist der Träger strahlungsdurchlässig für eine Wellenlänge der Belichtung, beispielsweise für eine UV- Lichtquelle, ausgebildet. Dies ist dann von Vorteil, wenn die Belichtung durch den Träger hindurch erfolgt. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 15 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen dem Träger und der Vielzahl der Halbleiterchips eine Haftschicht angeordnet. Die Haftschicht ist bevorzugt transparent oder strahlungsdurchlässig für die Belichtungswellenlänge ausgebildet. Die Haftschicht wird dünn auf den Träger aufgebracht und anschließend wird die Vielzahl der Halbleiterchips auf der Haftschicht angeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Antireflexionsschicht zwischen dem Träger und der Haftschicht oder zwischen der Haftschicht und der Vielzahl der Halbleiterchips angeordnet. Die Antireflexionsschicht dient bevorzugt dazu, seitliche Streuung aus dem optoelektronischen Bauelement zu minimieren. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Belichtung durch den Träger hindurch, so dass der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich auf den Halbleiterchips befindet, unbelichtet bleibt. Bevorzugt erfolgt die Belichtung durch den Träger und durch die Haftschicht hindurch. Bevorzugt dienen die Halbleiterchips als Belichtungsmaske für die Belichtung und somit bleibt der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich auf der Seite des Halbleiterchips befindet, die nicht direkt belichtet wird, unbelichtet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Träger strahlungsdurchlässig ausgebildet und zwischen dem Träger und der Vielzahl der Halbleiterchips ist eine Haftschicht angeordnet, welche ebenso strahlungsdurchlässig ist. Auf den Halbleiterchips und in die Kavitäten wird in einem Schritt das fotobelichtbare Material aufgebracht. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 16 - Optional wird in einem zweistufigen Verfahren zunächst das fotobelichtbare Material in Form eines Nasslacks in die Kavitäten eingebracht, so dass der Nasslack bündig an der Oberseite des Halbleiterchips mit dem Halbleiterchip abschließt. In einem zweiten Schritt wird das fotobelichtbare Material in Form eines Trockenlacks auf den Halbleiterchip und auf das fotobelichtbare Material in den Kavitäten als Schicht aufgebracht. Der Nasslack und der Trockenlack weisen vorzugsweise das gleiche Material auf. Die Belichtung erfolgt durch den Träger und durch die Haftschicht hindurch, so dass der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich auf den Halbleiterchips befindet, unbelichtet bleibt. Das zweistufige Verfahren wird bevorzugt bei Halbleiterchips mit einer Dicke von 5 µm bis 120 µm angewendet. Das Aufbringen des Nasslacks hängt insbesondere von der Dicke der Halbleiterchips ab. Je geringer die Dicke der Halbleiterchips ist, desto eher wird das fotobelichtbare Material mittels Rotationsbeschichtung (engl.: Spin coating) aufgebracht. Bei dickeren Halbleiterchips wird bevorzugt das fotobelichtbare Material mittels eines Inkjet-Verfahrens aufgebracht. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden nach dem Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials die Halbleiterchips vereinzelt zur Erzeugung optoelektronischer Bauelemente. Vereinzeln bedeutet, dass die Halbleiterchips mit der jeweiligen Funktionsschicht von dem Träger oder der Haftschicht abgenommen werden und auf einen gewünschten Ort fixiert werden. Alternativ wird der Träger beispielsweise durchgesägt, geätzt, gebrochen oder durch Laser Dicing getrennt, so dass ein Teil des Trägers, der Halbleiterchip und die Funktionsschicht jeweils ein optoelektronisches Bauelement bilden. Somit können lediglich an dem Träger Sägespuren auftreten. Die Seitenflächen der 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 17 - Funktionsschicht und des Halbleiterchips bleiben mit Vorteil frei von Spuren eines Vereinzelungsprozesses. Es wird weiter ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Insbesondere kann mit dem beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement erfolgen. Das heißt, sämtliche Merkmale, die für das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements offenbart sind, sind auch für das optoelektronische Bauelement offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip auf, der im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert. Der Halbleiterchip weist bevorzugt eine Strahlungsaustrittsfläche auf. Die Strahlungsaustrittsfläche kann parallel zu der Haupterstreckungsrichtung sein oder sie kann an der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet sein. Das heißt, dass die Strahlungsaustrittsfläche parallel zu der Haupterstreckungsrichtung oder quer zu der Haupterstreckungsrichtung ausgebildet sein kann. Wenn die Strahlungsaustrittsfläche an der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet ist, handelt es sich um einen seitenemittierenden Halbleiterchip. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement eine Funktionsschicht, die auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, auf. Die Funktionsschicht ist bevorzugt in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip. Das heißt, dass zwischen dem Halbleiterchip und der Funktionsschicht keine weitere Schicht angeordnet ist. Die 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 18 - Funktionsschicht ist beispielsweise als Konversionsschicht, Absorptionsschicht oder Reflexionsschicht beschrieben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließen Seitenflächen der Funktionsschicht und des Halbleiterchips bündig miteinander ab. Die Seitenflächen sind die Flächen des Halbleiterchips und der Funktionsschicht, die den Halbleiterchip und die Funktionsschicht in ihrer lateralen Ausdehnung begrenzen. Mit anderen Worten, die Seitenflächen der Funktionsschicht überragen bevorzugt die Seitenflächen des Halbleiterchips in lateraler Richtung nicht. Die Seitenflächen sind bevorzugt frei von Spuren eines Vereinzelungsprozesses. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip, der im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert, eine Funktionsschicht, die auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, und Seitenflächen der Funktionsschicht und des Halbleiterchips bündig miteinander abschließen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement einen Träger. Der Träger kann strahlungsdurchlässig ausgebildet sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Funktionsschicht eine Dicke bis zu 20 µm auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des optoelektronischen Bauelements umfasst die Funktionsschicht eine Konversionsschicht. Die Konversionsschicht ist bevorzugt 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 19 - dazu eingerichtet, Emission von Sekundärstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs zu emittieren. Die Konversionsschicht wandelt bevorzugt die Primärstrahlung des Halbleiterchips in Sekundärstrahlung um. Insbesondere ist die Konversionsschicht auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet. Die Konversionsschicht weist beispielsweise Leuchtstoffe und eine Matrix auf. Die Matrix ist bevorzugt durchlässig oder klarsichtig transparent für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, ausgebildet. Die Leuchtstoffe sind bevorzugt in Form von Leuchtstoffpartikel in die Matrix eingebracht. Die Matrix umhüllt hierbei die Leuchtstoffpartikel bevorzugt vollständig, das heißt die Leuchtstoffpartikel sind bevorzugt in die Matrix eingebettet. Die Leuchtstoffpartikel wandeln im Betrieb die Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in Sekundärstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs um. Die Primärstrahlung ist von der Sekundärstrahlung bevorzugt verschieden. Die Leuchtstoffpartikel, die in die Matrix eingebettet sind, verleihen der Konversionsschicht bevorzugt wellenlängenkonvertierende Eigenschaften. Beispielsweise wandelt die Konversionsschicht mit den Leuchtstoffpartikeln die Primärstrahlung des Halbleiterchips lediglich teilweise in Sekundärstrahlung um, während ein weiterer Teil der Primärstrahlung des Halbleiterchips von der Konversionsschicht transmittiert wird. Der Leuchtstoff ist beispielsweise ein keramischer Leuchtstoff und/oder ein Quantenpunktleuchtstoff. Bevorzugt weisen die keramischen Leuchtstoffe einen Granatleuchtstoff auf. Besonders bevorzugt ist der Granatleuchtstoff ein YAG- Leuchtstoff mit der chemischen Formel Y3Al5O12:Ce3+ oder ein LuAG-Leuchtstoff der chemischen Formel Lu3Al5O12:Ce3+. Weiterhin können die keramischen Leuchtstoffe auch einen 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 20 - Nitridleuchtstoff aufweisen. Die Nitridleuchtstoffe wandeln bevorzugt blaue Primärstrahlung in rote Sekundärstrahlung um. Bei dem Nitridleuchtstoff kann es sich beispielsweise um ein Erdalkalisiliziumnitrid, ein Oxynitrid, ein Aluminiumoxynitrid, ein Siliziumnitrid oder ein Sialon handeln. Beispielsweise handelt es sich bei dem Nitridleuchtstoff um (Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu2+ (CASN). Besonders bevorzugt sind die keramischen Leuchtstoffe aus der folgenden Gruppe ausgewählt: Ce3+ dotierte Granate wie YAG und LuAG, beispielsweise (Y, Lu,Gd,Tb)3(Al1-x,Gax)5O12:Ce3+; Eu2+ dotierte Nitride, beispielsweise (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+, Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+ (SCASN), (Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+, (Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+, SrLiAl3N4:Eu2+, SrLi2Al2O2N2:Eu2+; Ce3+ dotierte Nitride, beispielsweise (Ca,Sr)Al(1-4x/3)Si(1+x)N3:Ce; (x = 0,2 – 0,5); Eu2+ dotierte Sulfide, (Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu2+, SiAlONe, Nitrido-Orthosilikate (z.B. AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx), Orthosilikate (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+; Chlorosilikate (z.B. Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+); Mn4+ dotierte Fluoride, beispielsweise (K,Na)2(Si,Ti)F6:Mn4+; Eu2+ bzw Ce3+ dotierte Litho-Silikate, wie (Li,Na,K,Rb,Cs)(Li3SiO4):E mit E als Eu2+, Ce3+, bzw. (Sr,Li)Li3AlO4:Eu2+ oder SrLi3AlO4:Eu2+. Weitere mögliche Materialien für die Leuchtstoffe sind insbesondere die folgenden aluminiumhaltigen und/oder siliziumhaltigen Leuchtstoffpartikel: (Ba1-x-ySrxCay)SiO4:Eu2+ (0 ^ x ^ 1, 0 ^ y ^ 1), (Ba1-x- ySrxCay)3SiO5:Eu2+ (0 ^ x ^ 1, 0 ^ y ^ 1), Li2SrSiO4:Eu2+, Oxo- Nitride wie (Ba1-x-ySrxCay)Si2O2N2:Eu2+ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), SrSiAl2O3N2:Eu2+, Ba4-xCaxSi6ON10:Eu2+ (0 ^ x ^ 1), (Ba1- xSrx)Y2Si2Al2O2N5:Eu2+ (0 ^ x ^ 1), SrxSi(6-y)AlyOyN(8-y):Eu2+ (0,05 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 21 - ^ x ^ 0,5; 0,001 ^ y ^ 0,5), Ba3Si6O12N2:Eu2+, Si 2+ 6-zAlzOzN8-z:Eu (0 ^ z ^ 0,42), MxSi12-m-nAlm+nOnN16-n:Eu2+ (M = Li, Mg, Ca, Y; x = m/v; v = Wertigkeit von M, x ^ 2), MxSi12-m-nAlm+nOnN16-n:Ce3+, AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx (AE = Sr, Ba, Ca, Mg; RE = Seltenerdmetallelemente), AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx (AE = Sr, Ba, Ca, Mg; RE = Seltenerdmetallelemente), Ba3Si6O12N2:Eu2+oder Nitride wie La3Si6N11:Ce3+, (Ba1-x-ySrxCay)2Si5N8:Eu2+, (Ca1-x- ySrxBay)AlSiN3:Eu2+ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), Sr(Sr1- xCax)Al2Si2N6:Eu2+ (0 ^ x ^ 0,2), Sr(Sr1-xCax)Al2Si2N6:Ce3+ (0 ^ x ^ 0,2) SrAlSi4N7:Eu2+, (Ba1-x-ySrxCay)SiN2:Eu2+ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), (Ba1-x-ySrxCay)SiN2:Ce3+ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), (Sr1- xCax)LiAl3N4:Eu2+ (0 ^ x ^ 1), (Ba1-x-ySrxCay)Mg2Al2N4:Eu2+ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), (Ba1-x-ySrxCay)Mg3SiN4:Eu2+ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1). Beispielsweise ist die Kombination mehrerer verschiedener Leuchtstoffe bzw. Leuchtstoffpartikel möglich. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des optoelektronischen Bauelements umfasst die Funktionsschicht eine Reflexionsschicht. Die Reflexionsschicht dient dazu, den Grad der Transmission der Primärstrahlung des Halbleiterchips einzustellen. Bevorzugt weist die Reflexionsschicht ein Matrixmaterial auf, in das Reflexionspartikel eingebracht sind. Die Reflexionspartikel sind bevorzugt aus der folgenden Gruppe ausgewählt: TiO2, SiO2, ZrO2, Al2O3, BaTiO3, SrTiO3, TCO (transparent leitfähige Oxide), Nb2O5, HfO2, ZnO. Besonders bevorzugt weist die Reflexionsschicht TiO2 oder ZrO2 oder eine Kombination daraus auf. Die Reflexionspartikel, beispielsweise TiO2oder ZrO2, können in Form von Partikeln in die Reflexionsschicht eingebracht werden oder die Reflexionsschicht besteht aus beispielsweise TiO2 oder ZrO2. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 22 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Halbleiterchip ein seitenemittierender Halbleiterchip. Insbesondere umfasst in dieser Ausführungsform die Funktionsschicht die Reflexionsschicht oder besteht daraus. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des optoelektronischen Bauelements sind die Halbleiterchips seitenemittierende Halbleiterchips und die Funktionsschicht weist TiO2 oder ZrO2 auf oder besteht aus TiO2 oder ZrO2. Insbesondere kann die Funktionsschicht auch gleichzeitig TiO2 oder ZrO2 Partikel aufweisen. Hierbei ist es vorteilhaft, eine definierte Dicke der Funktionsschicht mit TiO2 und/oder ZrO2 aufzubringen, um darüber den Grad der Teiltransmission einzustellen. Die Dicke der Funktionsschicht mit TiO2 und/oder ZrO2 lässt sich über die Tiefe der Ausnehmungen einstellen. Die Tiefe der Ausnehmungen definiert im Anschluss die Dicke und somit die Transmission der Funktionsschicht mit TiO2 und/oder ZrO2. Eine Idee des vorliegenden Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements ist der Verzicht auf eine Positionsvermessung der Halbleiterchips auf dem Träger. Durch eine vollflächige Belichtung können die zeitintensiven Schritte AOI und LDI entfallen. Eine Belichtung findet bevorzugt vollflächig statt und der Halbleiterchip selbst wird benutzt, um die später frei zu entwickelnden Flächen zu definieren. Dieses Verfahren reduziert die Komplexität der Prozesskette. Außerdem werden die Kosten der Produktion des Verfahrens reduziert und die Prozesse werden stabilisiert, da auf eine Positionsvermessung der Halbleiterchips und justierte LDI-Belichtung verzichtet werden kann. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 23 - In diesem Verfahren dienen die Halbleiterchips als Belichtungsmaske für die unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials. Somit ist die Position der Halbleiterchips unerheblich und das Verfahren justiert sich selbst. Dadurch ist auch die Anforderung an die Platziergenauigkeit der Halbleiterchips auf dem Träger niedriger. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und des optoelektronischen Bauelements ergeben sich aus dem im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiel. Es zeigen: Figuren 1A bis 1G und Figuren 2A bis 2E schematische Schnittdarstellungen verschiedener Verfahrensstadien eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel. Figur 3 eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 24 - Zur besseren Übersichtlichkeit sind nicht alle Elemente mit einem Bezugszeichen versehen. Bei dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1A bis 1F wird in einem ersten Schritt ein Träger 2 bereitgestellt, siehe Figur 1A. Der Träger 2 ist beispielsweise ein Wafer oder ein Substrat, welcher eckig ausgebildet ist. Auf dem Träger 2 wird in einem nächsten Schritt ein fotobelichtbares Material 5 aufgebracht. Das fotobelichtbare Material 5 wird als Schicht auf dem Träger 2 aufgebracht. Das fotobelichtbare Material 5 ist beispielsweise aus einem Polymer gebildet, welches einen Fotoinitiator aufweist. Beispielsweise ruft der Fotoinitiator bei einer Belichtung 6 oder Bestrahlung des Fotopolymers mit elektromagnetischer Strahlung einer bestimmten Wellenlänge eine Vernetzungsreaktion hervor und bedingt somit eine Aushärtung des Polymers beziehungsweise eine Aushärtung des fotobelichtbaren Materials. Das fotobelichtbare Material 5 ist ein Negativlack. Das fotobelichtbare Material 5, welches als Schicht zwischen dem Träger 2 und den Halbleiterchips 3 angeordnet ist, wird als Trockenlack oder Nasslack, bevorzugt als Trockenlack, aufgebracht. In einem nächsten Schritt wird eine Vielzahl von Halbleiterchips 3 auf das fotobelichtbare Material 5 aufgebracht, wobei die Halbleiterchips 3 derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips 3 Kavitäten 4 bilden. Die Halbleiterchips 3 sind dazu eingerichtet, im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren. Die Kavitäten 4 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 25 - erstrecken sich bis zu dem fotobelichtbaren Material 5, welches zwischen den Halbleiterchips 3 und dem Träger 2 angeordnet ist. Es werden insbesondere zwischen 100 und 10000 Halbleiterchips 3 auf dem Träger 2 aufgebracht. Die Anzahl der Halbleiterchips 3 ist abhängig von der Größe des Trägers 2, von der Größe der Halbleiterchips 3 und von dem Abstand zwischen den Halbleiterchips 3. In einem nächsten Schritt, Figur 1B, wird ein fotobelichtbares Material 5 eingebracht, wobei zumindest die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt werden. Das fotobelichtbare Material 5, welches sich in den Kavitäten 4 befindet, weist bevorzugt das gleiche Material auf wie das fotobelichtbare Material 5, welches zwischen den Halbleiterchips 3 und dem Träger 2 als Schicht aufgebracht ist. Das fotobelichtbare Material 5, welches sich in den Kavitäten 4 befindet, schließt bündig an der Oberseite der Halbleiterchips 3 mit den Halbleiterchips 3 ab. Das fotobelichtbare Material 5 ist bevorzugt ein Nasslack. Die Dicke des fotobelichtbaren Materials 5 kann durch Rotationsbeschichtung, das heißt über die Drehzahl, eingestellt werden. Außerdem können die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 mittels Inkjet-Verfahren befüllt werden. Hierbei werden bevorzugt nur die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt. In Figur 1C wird das fotobelichtbare Material 5 belichtet, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials 7, welche den Halbleiterchips 3 in Bezug auf die Belichtung 6 nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben. Die Belichtung 6 erfolgt von der Seite, die den Halbleiterchips 3 zugewandt ist. Durch die 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 26 - Belichtung 6 härtet das fotobelichtbare Material 8 in den Kavitäten 4 aus und das fotobelichtbare Material 7, welches sich zwischen dem Halbleiterchip 3 und dem Träger 2 befindet, also nachgeordnet zu der Belichtung 6 angeordnet ist, bleibt unbelichtet und härtet somit nicht aus. Die Belichtung 6 erfolgt vorzugsweise mit Hilfe einer Flutbelichtung im UV- Bereich. Weiterhin ist die Belichtung 6 vollflächig und erfolgt selbstjustiert. Dies hat den Vorteil, dass die Position der Halbleiterchips 3 unerheblich ist, da die Halbleiterchips 3 selbst als Belichtungsmaske für die Belichtung 6 dienen. Optional kann die Belichtung 6 auch selektiv erfolgen. In einem nächsten Schritt, Figur 1D, wird nach dem Belichten ein Hilfsträger 9 auf der dem Träger 2 abgewandten Seite der Halbleiterchips 3 angeordnet und der Träger 2 wird abgelöst. Dadurch wird ermöglicht, dass die Halbleiterchips 3 in direktem Kontakt mit dem Hilfsträger 9 stehen. Die gegenüberliegende Seite der Halbleiterchips 3, die sich nicht auf dem Hilfsträger 9 befindet, weist an der Oberfläche das unbelichtete fotobelichtbare Material 7 auf. Dieser Vorgang wird auch als Wenden, Umtapen oder Umbonden bezeichnet. In Figur 1E wird der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials 7 entfernt. Dadurch werden Ausnehmungen 10 gebildet. Die Ausnehmungen 10 weisen eine Tiefe 15 auf. Der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials 7 wird durch das Verfahren des Entwickelns entfernt. Dabei wird ein alkalisches Medium aufgebracht. Die Ausnehmungen 10 befinden sich auf den Halbleiterchips 3. In der Figur 1F wird eine Funktionsschicht 11 auf die Halbleiterchips 3 aufgebracht. Die Funktionsschicht 11 kann 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 27 - beispielsweise eine Konversionsschicht oder eine Reflexionsschicht sein. Eine Reflexionsschicht ist dann von Vorteil, wenn der Halbleiterchip 3 ein seitenemittierender Halbleiterchip 3 ist. Die Funktionsschicht 11 weist eine Dicke bis zu 20 µm auf. Die Ausnehmungen 10 sind zumindest teilweise von der Funktionsschicht 11 gefüllt. Die Ausnehmungen 10 sind insbesondere komplett von der Funktionsschicht 11 gefüllt. Weiterhin weist die Funktionsschicht 11 eine Dicke 16 und die Ausnehmung 10 eine Tiefe 15 auf. Die Dicke 16 der Funktionsschicht 11 entspricht höchstens der Tiefe 15 der Ausnehmung 10. In einem weiteren Schritt, Figur 1G, wird das belichtete fotobelichtbare Material 8, welches sich in den Kavitäten 4 befindet, entfernt. Dies geschieht in einem alkalischen Medium oder in einem Lösungsmittel. Im Anschluss können die Halbleiterchips 3 mit der Funktionsschicht 11 vereinzelt werden, indem diese von dem Hilfsträger 9 abgelöst werden und an einem gewünschten Ort platziert werden. Alternativ kann der Hilfsträger 9 zerteilt werden, sodass der Hilfsträger 9, der Halbleiterchip 3 und die Funktionsschicht 11 als optoelektronisches Bauelement 1 übrig bleiben. In dem Verfahren des Ausführungsbeispiels 2 gemäß den Figuren 2A bis 2E wird zunächst ein Träger 2 bereitgestellt, siehe Figur 2A. Auf dem Träger 2 wird eine Haftschicht 12 angeordnet. Die Haftschicht 12 und der Träger 2 sind strahlungsdurchlässig für die Strahlung einer Belichtungswellenlänge ausgebildet. Das Belichten erfolgt bevorzugt mit einer UV-Lichtquelle. Im Anschluss wird eine Vielzahl von Halbleiterchips 3 auf der Haftschicht 12 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 28 - angeordnet, wobei die Halbleiterchips 3 derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips 3 Kavitäten 4 bilden. Ein fotobelichtbares Material 5 wird eingebracht, wobei zumindest die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt werden. Zum einen können die Kavitäten 4 und der Bereich oberhalb der Halbleiterchips 3 in einem Schritt mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt werden. Alternativ kann ein zweistufiges Verfahren angewandt werden. Hierbei wird zunächst das fotobelichtbare Material 5 in die Kavitäten 4 eingebracht. Das fotobelichtbare Material 5 in den Kavitäten 4 und die Halbleiterchips 3 schließen bündig an deren Oberfläche miteinander ab. In einem zweiten Schritt wird dann ein Trockenlack auf das fotobelichtbare Material 5 in den Kavitäten 4 und auf die Halbleiterchips 3 als bevorzugt durchgängige Schicht aufgebracht. Als fotobelichtbares Material 5 wird im ersten Schritt bevorzugt ein Nasslack verwendet. Der Vorteil des zweistufigen Verfahrens ist, dass der Trockenlack als vordefinierte sehr homogene Schicht auf den Halbleiterchip 3 und auf die mit fotobelichtbaren Material 5 befüllten Kavitäten 4 aufgebracht werden kann, wohingegen der Nasslack durch das Aufspinnen über die gesetzten Halbleiterchips deutlich größere Inhomogenitäten ausbilden kann, wodurch die Lichtauskopplung des optoelektronischen Bauelements 1 beeinträchtigt werden würde. In einem nächsten Schritt, Figur 2B, erfolgt die Belichtung 6 des fotobelichtbaren Materials 5, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials 7, welche den Halbleiterchips 3 in Bezug auf die Belichtung 6 nachgeordnet sind, unbelichtet 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 29 - bleiben. Die Belichtung 6 erfolgt durch den Träger 2 und durch die Haftschicht 12 hindurch, sodass der Teil des fotobelichtbaren Materials 7, welcher sich auf den Halbleiterchips 3 befindet, unbelichtet bleibt. Das fotobelichtbare Material 8 in den Kavitäten 4 wird belichtet und härtet aus. In Figur 2C ist gezeigt, dass die unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials 7 entfernt wurden. Dadurch werden Ausnehmungen 10 gebildet. Diese Ausnehmungen 10 weisen die gleiche Tiefe 15 auf wie die Dicke des unbelichteten Teils des fotobelichtbaren Materials 7. In einem nächsten Schritt, Figur 2D, wird eine Funktionsschicht 11 auf die Halbleiterchips 3 aufgebracht. Die Funktionsschicht 11 ist beispielsweise eine Konversionsschicht oder eine Reflexionsschicht. Ist der Halbleiterchip 3 ein seitenemittierender Halbleiterchip 3, so weist die Funktionsschicht 11 TiO2 und/oder ZrO2 auf. Die Funktionsschicht 11 weist eine Dicke 16 und die Ausnehmung 10 weist eine Tiefe 15 auf, wobei die Dicke 16 der Funktionsschicht 11 höchstens der Tiefe 15 der Ausnehmung 10 entspricht. In Figur 2E wird das belichtete fotobelichtbare Material 8 in den Kavitäten 4 entfernt. Die Entfernung erfolgt durch Lösungsmittel und/oder in einem alkalischen Medium. Das Ausführungsbeispiel der Figur 3 zeigt einen Halbleiterchip 3, der im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert, eine Funktionsschicht 11, die auf dem Halbleiterchip 3 angeordnet ist, und eine Seitenfläche der Funktionsschicht 13 und eine Seitenfläche 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 30 - des Halbleiterchips 14 die bündig miteinander abschließen. Die Funktionsschicht 11 ist in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip 3 angeordnet. Die Seitenflächen der Funktionsschicht 13 und die Seitenflächen des Halbleiterchips 14 sind frei von Spuren eines Vereinzelungsprozesses. Die Funktionsschicht 11 weist eine Dicke zwischen einschließlich 5 Mikrometer und einschließlich 120 Mikrometer auf. Bevorzugt west die Funktionsschicht 11 eine Dicke bis zu 20 µm auf. Außerdem umfasst die Funktionsschicht 11 eine Konversionsschicht oder eine Reflexionsschicht. Bei seitenemittierenden Halbleiterchips 3 wird bevorzugt eine Reflexionsschicht verwendet. Die Konversionsschicht weist eine Matrix, in der Leuchtstoffpartikel eingebettet sind, auf. Die Reflexionsschicht weist ein Matrixmaterial auf, in das Reflexionspartikel eingebracht sind. Die Reflexionspartikel sind bevorzugt aus der folgenden Gruppe ausgewählt: TiO2, SiO2, ZrO2, Al2O3, BaTiO3, SrTiO3, TCO (transparent leitfähige Oxide), Nb2O5, HfO2, ZnO. Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102022108133.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 31 - Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 32 - Bezugszeichenliste 1 optoelektronisches Bauelement 2 Träger 3 Halbleiterchip 4 Kavität 5 fotobelichtbares Material 6 Belichtung 7 unbelichtetes fotobelichtbares Material 8 belichtetes fotobelichtbares Material 9 Hilfsträger 10 Ausnehmung 11 Funktionsschicht 12 Haftschicht 13 Seitenfläche der Funktionsschicht 14 Seitenfläche des Halbleiterchips 15 Tiefe 16 Dicke

Claims

2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 33 - Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) umfassend die Schritte: - Bereitstellen eines Trägers (2); - Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterchips (3) auf dem Träger (2), wobei die Halbleiterchips (3) derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips (3) Kavitäten (4) bilden; - Einbringen eines fotobelichtbaren Materials (5), wobei zumindest die Kavitäten (4) mit dem fotobelichtbaren Material (5) befüllt werden; - Belichtung (6) des fotobelichtbaren Materials (5), wobei Teile des fotobelichtbaren Materials (5), welche den Halbleiterchips (3) in Bezug auf die Belichtung (6) nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben; - Entfernen von unbelichteten Teilen des fotobelichtbaren Materials (7), wobei Ausnehmungen (10) gebildet werden; - Aufbringen einer Funktionsschicht (11) auf die Halbleiterchips (3) - Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials (8). 2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ausnehmungen (10) zumindest teilweise von der Funktionsschicht (11) gefüllt werden. 3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Belichtung (6) selektiv erfolgt. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die Belichtung (6) vollflächig und selbstjustiert erfolgt. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 34 - 5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei als fotobelichtbares Material (5) ein Negativlack verwendet wird. 6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Funktionsschicht (11) eine Dicke (16) und die Ausnehmung (10) eine Tiefe (15) aufweist, wobei die Dicke (16) der Funktionsschicht (16) höchstens der Tiefe (15) der Ausnehmung (15) entspricht. 7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei vor dem Aufbringen der Vielzahl von Halbleiterchips (3) auf dem Träger (2) ein Teil des fotobelichtbaren Materials (5) zwischen dem Träger (2) und den Halbleiterchips (3) aufgebracht wird und wobei die Belichtung (6) von der Seite des Halbleiterchips (3) erfolgt, welche frei von dem fotobelichtbaren Material (5) ist. 8. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei der Teil des fotobelichtbaren Materials (5), welcher sich zwischen dem Träger (2) und den Halbleiterchips (3) befindet, ein Nasslack oder Trockenlack ist und das fotobelichtbare Material (5), welches sich in den Kavitäten (4) befindet, ein Nasslack ist. 9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei nach dem Belichten ein Hilfsträger (9) auf der dem Träger (2) abgewandten Seite der Halbleiterchips (3) angeordnet wird und der Träger (2) abgelöst wird. 10. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Träger (2) strahlungsdurchlässig ausgebildet ist. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 35 - 11. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zwischen dem Träger (2) und der Vielzahl der Halbleiterchips (3) eine Haftschicht (12) angeordnet ist. 12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Belichtung (6) durch den Träger (2) hindurch erfolgt, so dass der Teil des fotobelichtbaren Materials (5), welcher sich auf den Halbleiterchips (3) befindet, unbelichtet bleibt. 13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei nach dem Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials (8) die Halbleiterchips (3) vereinzelt werden. 14. Optoelektronisches Bauelement (1) mit, - einem Halbleiterchip (3), der im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert; - einer Funktionsschicht (11), die auf dem Halbleiterchip (3) angeordnet ist, und - Seitenflächen der Funktionsschicht (13) und Seitenflächen des Halbleiterchips (14) bündig miteinander abschließen. 15. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Funktionsschicht (11) eine Dicke bis zu 20 Mikrometer aufweist. 16. Verfahren oder optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Funktionsschicht (11) eine Konversionsschicht umfasst. 17. Verfahren oder optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 36 - wobei die Funktionsschicht (11) eine Reflexionsschicht umfasst. 18. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei - der Halbleiterchip (3) ein seitenemittierender Halbleiterchip (3) ist, und - die Funktionsschicht (11) eine Reflexionsschicht umfasst. 19. Verfahren oder optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Halbleiterchips (3) seitenemittierende Halbleiterchips (3) sind und die Funktionsschicht (11) TiO2 aufweist oder aus TiO2 besteht.
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