WO2023186964A1 - Verfahren und vorrichtung zur chemischen bearbeitung einer oberfläche - Google Patents

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WO2023186964A1
WO2023186964A1 PCT/EP2023/058108 EP2023058108W WO2023186964A1 WO 2023186964 A1 WO2023186964 A1 WO 2023186964A1 EP 2023058108 W EP2023058108 W EP 2023058108W WO 2023186964 A1 WO2023186964 A1 WO 2023186964A1
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WO
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fluid
area
designed
reaction
spray
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Application number
PCT/EP2023/058108
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English (en)
French (fr)
Inventor
Jan Philip KRAACK
Andreas SIEBLIST
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10—Scanning systems
    • G02B26/101—Scanning systems with both horizontal and vertical deflecting means, e.g. raster or XY scanners
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors

Definitions

  • the invention relates to a method and a device for chemically processing a surface. It relates in particular to the chemical processing of a surface of a substrate for a component of a projection exposure system for semiconductor lithography.
  • Such substrates can in particular be parts of optical components, such as mirrors used for imaging or illuminating a mask.
  • photolithographic processes are often used in which a radiation-sensitive coating, such as a photoresist, is applied to the surface to be structured and irradiated using masks or locally applied jet writing devices using electromagnetic radiation and then developed. In this way, the desired structures can be created on a substrate.
  • the coating can be irradiated with a wavelength in the range of approximately 500 nm and below.
  • the subsequent development dissolves the exposed areas, creating the desired structure in the coating.
  • the uniform and complete removal of the coating is essential for the further process steps, so that high demands are placed on the development rate, i.e. the amount of coating dissolved per unit of time, across the substrate.
  • the development of the coating is a heterogeneous chemical reaction, which can occur by spraying or spraying a chemical reaction fluid onto a surface from a single spray unit, or a collection of spray units, such as an array.
  • a movable spray unit can be spatially moved in at least two dimensions relative to a surface.
  • the object of the present invention is to provide a method and a device which eliminates the disadvantages of the prior art described above.
  • a method according to the invention for chemical processing of a surface by applying a chemical reaction fluid is characterized in that the chemical processing caused by the reaction fluid is limited to a predetermined area by applying a further fluid.
  • This has the advantage that the reaction dynamics of a reaction fluid designed, for example, as a developer can be spatially controlled with high precision.
  • the limited one Area moves across the surface so that the entire surface of the substrate can be chemically processed in a defined manner.
  • the temporal aspect of the chemical reaction can also be controlled in addition to the spatial control of the chemical reaction.
  • a very high level of prediction accuracy of the reaction dynamics of the chemical processing on the surface i.e. the development rate, can be achieved and the development of the coating can be controlled with high spatial and temporal precision.
  • the predetermined range can be limited by neutralizing the effect of the reaction fluid.
  • the additional fluid can be applied to the surface in such a way that two areas with different fluids are formed on the surface. The fluids mix in the contact area of the two areas, whereby the chemical effect of the reaction fluid, such as a developer for coatings, can be neutralized.
  • the chemical effect of the reaction fluid such as a developer for coatings
  • the further fluid can be designed as a neutralization fluid, i.e. it can prevent the chemical reaction of the reaction fluid through its chemical properties and in particular a chemical reaction brought about thereby.
  • the further fluid can be designed as a dilution fluid.
  • the dilution fluid neutralizes the effect of the reaction fluid not by stopping the chemical reaction itself, but by diluting the reaction fluid, as a result of which the chemical reaction is slowed down to such an extent that it no longer has a relevant reaction rate and is thereby neutralized.
  • the predetermined area can be limited by displacing the reaction fluid.
  • the surface of the substrate can be exposed to the additional fluid in such a way that it passes through Displacement can limit the expansion of the area exposed to reaction fluids.
  • the further fluid can have physical properties, which means that even when the further fluid is applied to an area already wetted with the reaction fluid, the reaction fluid is displaced instead of mixing with the reaction fluid.
  • the further fluid can be designed as a displacement fluid.
  • the displacement fluid can comprise dry air. This can displace the reaction fluid from the surface and can be designed, for example, in the form of an air sword, i.e. a linear air jet.
  • At least one first spray unit can apply reaction fluid to a first area of the surface and at least one second spray unit can apply a further fluid to a second area of the surface.
  • the two areas can border one another.
  • the reaction rate of the reaction fluid can be reduced, as explained above.
  • a first spray unit for the reaction fluid can be assigned a plurality of second spray units, so that the area wetted by the first spray unit can be delimited by a plurality of areas sprayed with a further fluid.
  • An array with several first spray units for the reaction fluid can also be assigned several second spray units.
  • the second area can partially enclose the first area.
  • the second area can partially enclose the first.
  • the individual second areas can partially enclose the first area.
  • the second area can completely enclose the first area. This allows the expansion of the first region, which is wetted with reaction fluid, to be completely spatially controlled. Furthermore, the two areas can overlap. Particularly in the case in which the reaction fluid is limited by dilution, as explained above, overlapping the areas can cause the reaction dynamics to decrease continuously towards the edge of the area, which can be advantageous for the edge of the coating.
  • the surface can be located on an optical element.
  • the surface can be spherical or aspherical and/or at least partially have a free-form surface.
  • the surface can have a macroscopically spherical or aspherical shape and/or can be at least partially overlaid by a microscopically formed free-form surface.
  • the method can be used advantageously for processing a substrate of a component of a projection exposure system for semiconductor lithography.
  • the method can be used for related tasks from practically all areas of technology.
  • the device can include a drying unit. This can effectively prevent wetting of certain areas of the surface, especially areas that should not be wetted.
  • the drying unit can completely prevent the reaction dynamics of the reaction fluid by drying it out, taking into account the initial concentration of the reaction fluid caused by the drying out.
  • the drying unit can be designed as an air sword.
  • the air sword can, on the one hand, be used for drying, but can also be used to displace and thus limit areas on the surface.
  • the device can include a suction unit.
  • a suction unit This can be arranged inside or in the direction of movement of the air sword in front of an air sword and suck out the fluids located on the surface.
  • the reaction fluid loses chemical reaction dynamics due to the reaction with the coating and is therefore continually renewed.
  • a flow can form within the first area from a central point, which is supplied with fresh reaction fluid, towards the edge of the area.
  • There the reaction effect of the reaction fluid is first neutralized or weakened and the reaction fluid is then sucked out through the suction unit.
  • the air sword ensures that no fluid remains on the surface outside of the currently processed area.
  • the area in which the reaction fluid works can only be limited by air blades and the suction unit.
  • the device can comprise at least one sensor for detecting the topography of the surface.
  • the sensor can be arranged in such a way that it detects the surface before the coating is wetted and transmits the signals to a control of the device.
  • the control can determine the parameters for the spray units from the detected signals, which can result in a development rate that is optimized for the actual topography of the surface.
  • FIG. 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography
  • FIGS 3a, b schematic representations of the invention
  • Figure 4 shows a further embodiment of the invention.
  • a lighting system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a radiation source 3, lighting optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6.
  • the light source 3 can also be provided as a module separate from the other lighting system. In this case, the lighting system does not include the light source 3.
  • a reticle 7 arranged in the object field 5 is illuminated.
  • the reticle 7 is held by a reticle holder 8.
  • the reticle holder 8 can be displaced in particular in a scanning direction via a reticle displacement drive 9.
  • FIG. 1 A Cartesian xyz coordinate system is shown in FIG. 1 for explanation purposes.
  • the x direction runs perpendicular to the drawing plane.
  • the y-direction is horizontal and the z-direction is vertical.
  • the scanning direction in FIG. 1 runs along the y-direction.
  • the z direction runs perpendicular to the object plane 6.
  • the projection exposure system 1 includes projection optics 10.
  • the projection optics 10 is used to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12.
  • the image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, an angle other than 0 ° is also between the object plane 6 and the Image level 12 possible.
  • a structure on the reticle 7 is imaged on a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the area of the image field 11 in the image plane 12.
  • the wafer 13 is held by a wafer holder 14.
  • the wafer holder 14 is over a wafer displacement drive 15 can be displaced in particular along the y direction.
  • the displacement, on the one hand, of the reticle 7 via the reticle displacement drive 9 and, on the other hand, of the wafer 13 via the wafer displacement drive 15 can take place in synchronization with one another.
  • the radiation source 3 is an EUV radiation source.
  • the radiation source 3 emits in particular EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation or illumination light.
  • the useful radiation in particular has a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm.
  • the radiation source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (Laser Produced Plasma) or a DPP source. Source (Gas Discharged Produced Plasma, plasma produced by gas discharge). It can also be a synchrotron-based radiation source.
  • the radiation source 3 can be a free electron laser (FEL).
  • the illumination radiation 16, which emanates from the radiation source 3, is focused by a collector 17.
  • the collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloid reflection surfaces.
  • the at least one reflection surface of the collector 17 can be in grazing incidence (Grazing Incidence, Gl), i.e. with angles of incidence greater than 45° compared to the normal direction of the mirror surface, or in normal incidence (Normal Incidence, NI), i.e. with angles of incidence smaller than 45°. with the lighting radiation 16 are applied.
  • Gl grazing Incidence
  • NI normal incidence
  • the optical surface of the collector 17 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress false light.
  • the intermediate focus plane 18 can represent a separation between a radiation source module, having the radiation source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.
  • the lighting optics 4 comprises a deflection mirror 19 and, downstream of it in the beam path, a first facet mirror 20.
  • the deflection mirror 19 can be a flat deflection mirror or alternatively a mirror with an effect that influences the bundle beyond the pure deflection effect.
  • the deflection mirror 19 can be designed as a spectral filter which separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from false light of a wavelength that deviates from this.
  • first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4, which is optically conjugate to the object plane 6 as a field plane, it is also referred to as a field facet mirror.
  • the first facet mirror 20 includes a large number of individual first facets 21, which are also referred to below as field facets. Some of these facets 21 are shown in FIG. 1 only as examples.
  • the first facets 21 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or part-circular edge contour.
  • the first facets 21 can be designed as flat facets or alternatively as convex or concave curved facets.
  • the first facets 21 themselves can also each be composed of a large number of individual mirrors, in particular a large number of micromirrors.
  • the first facet mirror 20 can in particular be designed as a microelectromechanical system (MEMS system).
  • MEMS system microelectromechanical system
  • the illumination radiation 16 runs horizontally, i.e. along the y-direction.
  • a second facet mirror 22 is located downstream of the first facet mirror 20 in the beam path of the illumination optics 4. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the lighting optics 4. In this case, the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1, EP 1 614 008 B1 and US 6,573,978.
  • the second facet mirror 22 comprises a plurality of second facets 23.
  • the second facets 23 are also referred to as pupil facets.
  • the second facets 23 can also be macroscopic facets, which can have, for example, round, rectangular or even hexagonal edges, or alternatively they can be facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to DE 10 2008 009 600 A1.
  • the second facets 23 can have flat or alternatively convex or concave curved reflection surfaces.
  • the lighting optics 4 thus forms a double faceted system.
  • This basic principle is also known as the honeycomb condenser (fly's eye integrator).
  • the second facet mirror 22 may be arranged tilted relative to a pupil plane of the projection optics 10, as described for example in DE 10 2017 220 586 A1.
  • the second facet mirror 22 is the last beam-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path in front of the object field 5.
  • transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5, which contributes in particular to the imaging of the first facets 21 into the object field 5.
  • the transmission optics can do exactly one Mirror, but alternatively also have two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the lighting optics 4.
  • the transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for perpendicular incidence (NL mirror, normal incidence mirror) and/or one or two mirrors for grazing incidence (Gl mirror, gracing incidence mirror).
  • the lighting optics 4 has exactly three mirrors after the collector 17, namely the deflection mirror 19, the field facet mirror 20 and the pupil facet mirror 22.
  • the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the lighting optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.
  • the imaging of the first facets 21 into the object plane 6 by means of the second facets 23 or with the second facets 23 and a transmission optics is generally only an approximate image.
  • the projection optics 10 comprises a plurality of mirrors Mi, which are numbered consecutively according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1.
  • the projection optics 10 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible.
  • the penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16.
  • the projection optics 10 are double-obscured optics.
  • the projection optics 10 has an image-side numerical aperture that is larger than 0.5 and which can also be larger than 0.6 and which can be, for example, 0.7 or 0.75.
  • Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without an axis of rotational symmetry.
  • the reflection surfaces of the mirrors Mi be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape.
  • the mirrors Mi just like the mirrors of the lighting optics 4, can have highly reflective coatings for the lighting radiation 16. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.
  • the projection optics 10 has a large object image offset in the y direction between a y coordinate of a center of the object field 5 and a y coordinate of the center of the image field 11.
  • This object-image offset in the y direction can be approximately as large as a z distance between the object plane 6 and the image plane 12.
  • the projection optics 10 can in particular be anamorphic. In particular, it has different imaging scales ßx, ßy in the x and y directions.
  • a positive magnification ß means an image without image reversal.
  • a negative sign for the image scale ß means an image with image reversal.
  • the projection optics 10 thus leads to a reduction in size in the x direction, that is to say in the direction perpendicular to the scanning direction, in a ratio of 4:1.
  • the projection optics 10 leads to a reduction of 8:1 in the y direction, that is to say in the scanning direction.
  • Image scales are also possible. Image scales of the same sign and absolutely the same in the x and y directions, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.
  • the number of intermediate image planes in the x and y directions in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or, depending on the design of the projection optics 10, can be different. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x and y directions are known from US 2018/0074303 A1.
  • One of the pupil facets 23 is assigned to exactly one of the field facets 21 to form an illumination channel for illuminating the object field 5. This can in particular result in lighting based on Köhler's principle.
  • the far field is broken down into a large number of object fields 5 using the field facets 21.
  • the field facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the pupil facets 23 assigned to them.
  • the field facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an assigned pupil facet 23, superimposed on one another, in order to illuminate the object field 5.
  • the illumination of the object field 5 is in particular as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. Field uniformity can be achieved by overlaying different lighting channels.
  • the illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be geometrically defined by an arrangement of the pupil facets.
  • the intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 10 can be adjusted. This intensity distribution is also referred to as the lighting setting.
  • a likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.
  • the projection optics 10 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.
  • the entrance pupil of the projection optics 10 cannot regularly be illuminated precisely with the pupil facet mirror 22.
  • the aperture rays often do not intersect at a single point.
  • an area can be found in which the pairwise distance of the aperture beams becomes minimal.
  • This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in local space. In particular, this surface shows a finite curvature.
  • the projection optics have 10 different positions of the entrance pupil for the tangential and sagittal beam paths.
  • an imaging element in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 22 and the reticle 7. With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.
  • the pupil facet mirror 22 is arranged in a surface conjugate to the entrance pupil of the projection optics 10.
  • the field facet mirror 20 is tilted relative to the object plane 6.
  • the first facet mirror 20 is arranged tilted to an arrangement plane that is defined by the deflection mirror 19.
  • the first facet mirror 20 is arranged tilted to an arrangement plane that is defined by the second facet mirror 22.
  • Figure 2 shows a schematic meridional section of another projection exposure system 101 for DUV projection lithography, in which the invention can also be used.
  • the structure of the projection exposure system 101 and the principle of the imaging is comparable to the structure and procedure described in Figure 1.
  • the same components are designated with a reference number increased by 100 compared to Figure 1, so the reference numbers in Figure 2 begin with 101.
  • DUV radiation 116 in the range from 100 nm to 300 nm, in particular from 193 nm, in the DUV projection exposure system 101 for imaging or illuminating refractive, diffractive and / or reflective optical elements 117, such as lenses, mirrors, prisms, end plates and the like can be used.
  • the projection exposure system 101 essentially comprises an illumination system 102, a reticle holder 108 for holding and precisely positioning a reticle 107 provided with a structure, through which the later structures on a wafer 113 are determined, and a wafer holder 114 for holding, moving and precisely positioning this wafer 113 and a projection lens 110, with a plurality of optical elements 117, which are held via mounts 118 in a lens housing 119 of the projection lens 110.
  • the illumination system 102 provides DUV radiation 116 required for imaging the reticle 107 on the wafer 113.
  • a laser, a plasma source or the like can be used as the source for this radiation 116.
  • the radiation 116 is shaped in the illumination system 102 via optical elements in such a way that the DUV radiation 116 has the desired properties in terms of diameter, polarization, shape of the wavefront and the like when it hits the reticle 107.
  • the structure of the subsequent projection optics 110 with the lens housing 119 does not differ in principle from the structure described in Figure 1 except for the additional use of refractive optical elements 117 such as lenses, prisms, end plates and is therefore not described further.
  • Figure 3a shows a sectional view of the invention, in which an optical element Mx, 117, as explained for example in Figure 1 and Figure 2, is shown in a device 30 according to the invention.
  • the optical element Mx, 117 comprises a substrate 31 with a surface 32 on which a coating 33 to be structured is formed.
  • a coating 33 to be structured is formed.
  • other bodies or elements to be structured photolithographically can of course also be processed in the device 30.
  • the in the embodiment shown in FIG. 3a, device 30 comprises a first spray unit 34, which wets a first region 36 of the surface 32 with a reaction fluid designed as a developer 38. This develops the coating 33 exposed, for example, by a lithographic process.
  • Second spray units 35 are arranged on one of the two sides of the first spray unit 34.
  • the second spray units 35 each wet second areas 37, which delimit the first area 36, with a further fluid designed as a dilution fluid 39.
  • the dilution of the developer 38 stops or slows down the chemical reaction of the developer 38 in such a way that it no longer causes a significant development rate, whereby the chemical reaction is spatially limited to the first area 36.
  • a neutralization fluid can also be used as a further fluid, which also limits the chemical reaction to the first region 36.
  • the substrate 31 is moved relative to the stationary device 30 on a positioning device, not shown, such as a robot arm, so that the first region 36 moves over the surface 32, thereby developing the entire coating 33 of the surface 32.
  • the distance between the spray units 34, 35 and the surface 32 also has an influence on the chemical reaction, as does the arrangement of the coating 33 of the substrate 31 relative to gravity, the surface topography of the coating 33 and other parameters.
  • the amount and concentration, i.e. reactivity of the developer 38 and the amount of diluent 39 are just a few parameters of the spray units 34, 35, which contribute to the homogeneous development of the coating 33.
  • the relative movement between the substrate 31 and the device 30 expediently comprises six degrees of freedom, whereby the inclination of the affected areas can also be adjusted during the process over the surface 32, thereby ensuring an at least approximately constant flow behavior of the fluids 38, 39 on the surface 32.
  • the device 30 can also be moved relative to the substrate 31 or a combination can be selected from both methods, so that, for example, the device 30 carries out linear movements relative to the substrate 31 while the latter additionally rotates about at least one axis.
  • FIG. 3b shows a top view of the surface 32 of the optical element Mx, 117.
  • the device 30 includes ten second spray units 35, which are arranged rotationally symmetrically around the first spray unit 34 .
  • the areas 36, 37 wetted by the spray patterns of the individual spray units 34, 35 are shown in FIG. 3b as circles on the surface 32 of the substrate 31.
  • a circular spray pattern almost any form of spray pattern can be used, such as fully conical, flat jet and hollow cone profiles.
  • wetting can also be achieved by misting or spraying.
  • the first area 36 wetted with developer 38 is limited in all directions by the second areas 37 wetted with dilution fluid 39 by the second spray units 35. This ensures a clear spatial effect of the developer 38.
  • the amount of fluid, the temperature, the pressure in front of the spray unit 34, 35 and the concentration of the developer 38 are just some of the parameters that can be controlled to set the predetermined reaction dynamics of the developer 38 on the coating 33.
  • FIG. 4 shows a further embodiment of the invention, with the optical element Mx, 117 again being shown in a top view.
  • this device 30 includes a drying unit designed as an air sword 40.
  • the air sword 40 is a linear air jet, which is designed in such a way that each fluid 38, 39 is limited in its extent on the surface 32 by the air jet. This means that areas of the coating 33 can be protected from contact with the developer 38 and/or the dilution fluid 39.
  • the air sword 40 can also remove fluids 38, 39 from the surface 32 in its direction of movement by displacing them through the air sword 40 and thereby driving them in front of it.
  • a suction unit 41 can be arranged in front of the air sword 40, which is shown in dashed lines in FIG. This sucks away the fluid 38, 39 located on the surface 32, which is composed of developer 38 and dilution fluid 39, with the air sword 40 in turn pushing the fluid 38, 39 in front of it, thereby ensuring a dry surface 32 outside the air sword 40 can.
  • the device 30 includes, for example, three sensors 42, which are arranged in front of the spray units 34, 35 in the direction of movement, which is indicated by an arrow, and detect the exact surface topography of the coating 33. The detected signals are transmitted via signal lines to a control of the device 30, not shown. The control determines the parameters of the spray units 34, 35 in order to ensure a homogeneous development rate over the entire surface 32.
  • the air sword 40 and also the suction unit 41 can also be arranged in the device 30 in such a way that the first area 36 wetted by the developer 38 is limited in order to ensure the spatial effect of the developer 38 instead of dilution by another fluid 39 to control.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche, insbesondere (32) eines Substrats (31) einer Komponente (Mx,117) einer Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithografie durch Aufbringen eines chemischen Reaktionsfluids (38), welches sich dadurch auszeichnet, dass die durch das Reaktionsfluid (38) bewirkte chemische Bearbeitung in einen vorbestimmten Bereich (36) durch Aufbringen von einem weiteren Fluid (39) auf diesen Bereich (36) begrenzt wird. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Vorrichtung (30) zur chemischen Bearbeitung mindestens einer Oberfläche (32), wobei die Vorrichtung (30) ein Sprüharray mit mindestens zwei Sprüheinheiten (34,35) zum Aufbringen eines Fluids (38,39) umfasst. Die Vorrichtung (30) zeichnet sich dadurch aus, dass eine erste Sprüheinheit (34) derart ausgebildet ist, dass ein erster Bereich (36) der Oberfläche (32) mit einem Reaktionsfluid (38) beaufschlagt wird und eine zweite Sprüheinheit (35) derart ausgebildet ist, dass ein zweiter Bereich (37) der Oberfläche (32) mit einem weiteren Fluid (39) beaufschlagt wird.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche
Die vorliegende Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2022 203 298.5 vom 01.04.2022 in Anspruch, deren Inhalt hierin durch Bezugnahme vollumfänglich aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche. Sie betrifft insbesondere die chemische Bearbeitung einer Oberfläche eines Substrates für eine Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie.
Bei derartigen Substraten kann es sich insbesondere um Teile optischer Komponenten, wie beispielsweise zur Abbildung oder Beleuchtung einer Maske verwendeter Spiegel handeln. Zur Herstellung von Schichtstrukturen auf derartigen Substraten werden oftmals fotolithografische Verfahren eingesetzt, indem eine strahlungsempfindliche Beschichtung, wie beispielsweise ein Fotolack, auf die zu strukturierende Oberfläche aufgebracht und mit Hilfe von Masken oder lokal angewandten Strahlschreibgeräten unter Anwendung von elektromagnetischer Strahlung bestrahlt und anschließend entwickelt wird. Auf diese Weise lassen sich die gewünschten Strukturen auf einem Substrat erzeugen.
Dabei kann die Bestrahlung der Beschichtung mit einer Wellenlänge im Bereich von ca. 500nm und darunter erfolgen. Die nachfolgende Entwicklung löst die belichteten Bereiche auf, wodurch die gewünschte Struktur in der Beschichtung erzeugt wird. Der gleichmäßige und vollständige Abtrag der Beschichtung ist für die weiteren Prozessschritte essentiell, so dass hohe Anforderungen an die Entwicklungsrate, also die pro Zeiteinheit aufgelöste Menge an Beschichtung, über das Substrat hinweg gestellt werden. Die Entwicklung der Beschichtung ist eine heterogene chemische Reaktion, welche durch Aufsprühen oder Aufspritzen eines chemischen Reaktionsfluids auf eine Oberfläche aus einer einzelnen Sprüheinheit, oder einer Ansammlung von Sprüheinheiten, wie beispielsweise einem Array, erfolgen kann. Dabei kann beispielsweise eine bewegliche Sprüheinheit relativ zu einer Oberfläche räumlich in mindestens zwei Dimensionen verfahren werden.
Um eine zeitlich und räumlich homogene Reaktionsführung, also Entwicklung der Beschichtung, über eine relativ zur Ausdehnung der Sprüheinheit des Reaktionsfluids große zu bearbeitende Oberfläche zu gewährleisten, muss das chemische Reaktionsfluid kontinuierlich auf der zu bearbeitenden Fläche ausgetauscht beziehungsweise erneuert werden. Der Nachteil derartiger Verfahren ist ein unkontrolliertes, überwiegend von der Gravitation und/oder der Topografie der zu entwickelnden Oberfläche getriebenes Flussverhalten des Reaktionsfluids auf der zu bearbeitenden Oberfläche insbesondere auch außerhalb der direkt durch die Sprüheinheit benetzten Fläche. Dies bedingt eine räumliche und zeitliche Unsicherheit der Entwicklungsrate der Oberfläche.
Eine Anwendung dieses Verfahrens für Substrate einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie, welche beispielsweise makroskopisch sphärische oder asphärische Oberflächen, welche teilweise mit mikroskopischen Freiformflächen überlagert sind, aufweisen, führt zu einer nachteiligen Verstärkung dieses Effektes.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, welches bzw. welche die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren und eine Vorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche durch Aufbringen eines chemischen Reaktionsfluids zeichnet sich dadurch aus, dass die durch das Reaktionsfluid bewirkte chemische Bearbeitung durch Aufbringen eines weiteren Fluides auf einen vorbestimmten Bereich begrenzt wird. Dies hat den Vorteil, dass die Reaktionsdynamik eines beispielsweise als Entwickler ausgebildeten Reaktionsfluids räumlich hochgenau gesteuert werden kann. Der begrenzte Bereich bewegt sich über die Oberfläche hinweg, so dass die gesamte Oberfläche des Substrats definiert chemisch bearbeitet werden kann. Durch die Bewegung des Bereichs über die Oberfläche kann also neben der räumlichen Steuerung der chemischen Reaktion auch der zeitliche Aspekt der chemischen Reaktion gesteuert werden. In Summe kann dadurch eine sehr hohe Vorhersagegenauigkeit der Reaktionsdynamik der chemischen Bearbeitung auf der Oberfläche, also der Entwicklungsrate, erreicht werden und die Entwicklung der Beschichtung räumlich und zeitlich hoch genau gesteuert werden.
In einer ersten Ausführungsform kann der vorbestimmte Bereich durch Neutralisieren der Wirkung des Reaktionsfluids begrenzt werden. Das weitere Fluid kann derart auf die Oberfläche aufgebracht werden, dass sich zwei Bereiche mit verschiedenen Fluiden auf der Oberfläche ausbilden. Im Kontaktbereich der beiden Bereiche vermischen sich die Fluide, wodurch die chemische Wirkung des Reaktionsfluids, wie beispielsweise eines Entwicklers für Beschichtungen, neutralisiert werden kann. Durch eine Relativbewegung der Vorrichtung zur Oberfläche kann der mit Reaktionsfluid beaufschlagte Bereich mit dem weiteren Fluid beaufschlagt werden, wodurch ebenfalls die chemische Wirkung des Reaktionsfluids neutralisiert wird.
Insbesondere kann das weitere Fluid als ein Neutralisationsfluid ausgebildet sein, also die chemische Reaktion des Reaktionsfluids durch seine chemischen Eigenschaften und insbesondere eine dadurch herbeigeführte chemische Reaktion unterbinden.
Daneben kann das weitere Fluid als Verdünnungsfluid ausgebildet sein. Das Verdünnungsfluid neutralisiert die Wirkung des Reaktionsfluids nicht durch das unterbinden der chemischen Reaktion an sich, sondern durch Verdünnen des Reaktionsfluids, in dessen Folge die chemische Reaktion derart verlangsamt wird, dass sie keine relevante Reaktionsrate mehr aufweist und dadurch neutralisiert wird.
In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens kann der vorbestimmte Bereich durch Verdrängen des Reaktionsfluids begrenzt werden. Die Oberfläche des Substrates kann derart mit dem weiteren Fluid beaufschlagt werden, dass es durch Verdrängung die Ausdehnung des mit Reaktionsfluids beaufschlagten Bereichs begrenzen kann. Das weitere Fluid kann physikalische Eigenschaften aufweisen, wodurch es auch bei einem Beaufschlagen des weiteren Fluids auf einen bereits mit dem Reaktionsfluid benetzten Bereich zu einem Verdrängen des Reaktionsfluids anstelle eines Vermischens mit dem Reaktionsfluid kommt.
Insbesondere kann das weitere Fluid als Verdrängungsfluid ausgebildet sein.
Weiterhin kann das Verdrängungsfluid trockene Luft umfassen. Diese kann das Reaktionsfluid von der Oberfläche verdrängen und dabei beispielsweise in Form eines Luftschwertes, also eines linienförmigen Luftstrahls, ausgebildet sein.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann mindestens eine erste Sprüheinheit einen ersten Bereich der Oberfläche mit Reaktionsfluid beaufschlagen und mindestens eine zweite Sprüheinheit einen zweiten Bereich der Oberfläche mit einem weiteren Fluid beaufschlagen.
Insbesondere können die beiden Bereiche aneinandergrenzen. An der Grenzfläche kann die Reaktionsrate des Reaktionsfluids, wie weiter oben erläutert, verringert werden. Einer ersten Sprüheinheit für das Reaktionsfluid können mehrere zweite Sprüheinheiten zugeordnet sein, so dass der durch die erste Sprüheinheit benetze Bereich durch eine Vielzahl von mit einem weiteren Fluid besprühten Bereichen begrenzt werden kann. Es können auch einem Array mit mehreren ersten Sprüheinheiten für das Reaktionsfluid mehrere zweite Sprüheinheiten zugeordnet sein.
Daneben kann der zweite Bereich den ersten Bereich teilweise umschließen. Je nach Ausbildung des Sprühbildes einer Düse einer zweiten Sprüheinheit kann der zweite Bereich den ersten teilweise umschließen. Im Fall von mehreren zweiten Sprüheinheiten können die einzelnen zweiten Bereiche den ersten Bereich teilweise umschließen.
Insbesondere kann der zweite Bereich den ersten Bereich vollständig umschließen. Dadurch kann die Ausdehnung des ersten Bereichs, welcher mit Reaktionsfluid benetzt ist, vollständig räumlich gesteuert werden. Weiterhin können sich die beiden Bereiche überlappen. Insbesondere in dem Fall, in dem das Reaktionsfluid, wie weiter oben erläutert, durch Verdünnen begrenzt wird, kann ein Überlappen der Bereiche eine kontinuierlich zum Rand des Bereiches hin abnehmende Reaktionsdynamik bewirken, welche für den Rand der Beschichtung von Vorteil sein kann.
Insbesondere kann die Oberfläche sich auf einem optischen Element befinden.
Weiterhin kann die Oberfläche sphärisch oder asphärisch ausgebildet sein und/oder zumindest teilweise eine Freiformfläche aufweisen. Die Oberfläche kann dabei eine makroskopisch sphärische oder asphärische Form aufweisen und/oder zumindest teilweise von einer mikroskopisch ausgebildeten Freiformfläche überlagert sein.
Das Verfahren kann wie bereits erwähnt vorteilhaft zur Bearbeitung eines Substrats einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie verwendet werden. Prinzipiell kann das Verfahren jedoch für verwandte Aufgabenstellungen aus praktisch allen Bereichen der Technik zur Anwendung kommen.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung mindestens einer Oberfläche umfasst ein Sprüharray mit mindestens zwei Sprüheinheiten zum Aufbringen eines Fluids. Sie zeichnet sich dadurch aus, dass eine erste Sprüheinheit derart ausgebildet ist, dass ein erster Bereich der Oberfläche mit einem Reaktionsfluid beaufschlagt wird und eine zweite Sprüheinheit derart ausgebildet ist, dass ein zweiter Bereich der Oberfläche mit einem weiteren Fluid beaufschlagt wird.
Weiterhin kann die Vorrichtung eine Trocknungseinheit umfassen. Diese kann ein Benetzen von bestimmten Bereichen der Oberfläche wirksam verhindern, insbesondere von Bereichen, welche nicht benetzt werden sollen. Alternativ kann die Trocknungseinheit die Reaktionsdynamik des Reaktionsfluids durch Austrocknung vollständig unterbinden, wobei eine durch das Austrocknen zunächst bewirkte Aufkonzentration des Reaktionsfluids zu beachten ist.
Insbesondere kann die Trocknungseinheit als Luftschwert ausgebildet sein. Wie weiter oben bereits erläutert, kann das Luftschwert einerseits zum Trocknen, aber auch zu einer Verdrängung und damit einer Begrenzung von Bereichen auf der Oberfläche eingesetzt werden.
Daneben kann die Vorrichtung eine Absaugungseinheit umfassen. Diese kann innerhalb oder in Bewegungsrichtung des Luftschwertes vor einem Luftschwert angeordnet sein und die auf der Oberfläche befindlichen Fluide absaugen. Das Reaktionsfluid verliert durch die Reaktion mit der Beschichtung an chemischer Reaktionsdynamik und wird daher fortlaufend erneuert. Durch das Absaugen kann sich ein Fluss innerhalb des ersten Bereiches von einem zentralen Punkt, welcher mit frischem Reaktionsfluid beaufschlagt wird, hin zum Rand des Bereiches ausbilden. Dort wird die Reaktionswirkung des Reaktionsfluids zunächst neutralisiert oder abgeschwächt und darauffolgend das Reaktionsfluid durch die Absaugungseinheit abgesaugt. Das Luftschwert stellt sicher, dass kein Fluid außerhalb des aktuell bearbeiteten Bereichs auf der Oberfläche verbleibt. Alternativ kann der Bereich, in welchem das Reaktionsfluid wirkt, auch nur durch Luftschwerte und die Absaugungseinheit begrenzt werden.
Weiterhin kann die Vorrichtung mindestens einen Sensor zur Erfassung der Topografie der Oberfläche umfassen. Der Sensor kann derart angeordnet sein, dass er die Oberfläche vor der Benetzung der Beschichtung erfasst und die Signale an eine Ansteuerung der Vorrichtung übermittelt. Die Ansteuerung kann aus den erfassten Signalen die Parameter für die Sprüheinheiten bestimmen, wodurch eine auf die tatsächliche Topografie der Oberfläche optimierte Entwicklungsrate bewirkt werden kann.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Figur 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
Figur 2 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
Figuren 3a, b schematische Darstellungen der Erfindung, und Figur 4 eine weitere Ausführungsform der Erfindung.
Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die Figur 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sind hierbei nicht einschränkend verstanden.
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlage- rungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
In der Figur 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der Fig. 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, Gl), also mit Einfallswinkeln größer als 45° gegenüber der Normalenrichtung der Spiegeloberfläche, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Die optische Oberfläche des Kollektors 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen. Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21 , welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der Fig. 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978.
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (Nl- Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der Fig. 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der Figur 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y- Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11 . Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y- Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy in x- und y- Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (ßx, ßy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y- Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1. Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.
Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der Figur 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur E intrittspupi Ile der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.
Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
Figur 2 zeigt schematisch im Meridionalschnitt eine weitere Projektionsbelichtungsanlage 101 für die DUV-Projektionslithografie, in welcher die Erfindung ebenfalls zur Anwendung kommen kann.
Der Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 101 und das Prinzip der Abbildung ist vergleichbar mit dem in Figur 1 beschriebenen Aufbau und Vorgehen. Gleiche Bauteile sind mit einem um 100 gegenüber Figur 1 erhöhten Bezugszeichen bezeichnet, die Bezugszeichen in Figur 2 beginnen also mit 101.
Im Unterschied zu einer wie in Figur 1 beschriebenen EUV-Projektionsbelichtungs- anlage 1 können auf Grund der größeren Wellenlänge der als Nutzlicht verwendeten DUV-Strahlung 116 im Bereich von 100 nm bis 300 nm, insbesondere von 193 nm, in der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 101 zur Abbildung beziehungsweise zur Beleuchtung refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elementen 117, wie beispielsweise Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen verwendet werden. Die Projektionsbelichtungsanlage 101 umfasst dabei im Wesentlichen ein Beleuchtungssystem 102, einen Retikelhalter 108 zur Aufnahme und exakten Positionierung eines mit einer Struktur versehenen Retikels 107, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 113 bestimmt werden, einen Waferhalter 114 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 113 und einem Projektionsobjektiv 110, mit mehreren optischen Elementen 117, die über Fassungen 118 in einem Objektivgehäuse 119 des Projektionsobjektives 110 gehalten sind.
Das Beleuchtungssystem 102 stellt eine für die Abbildung des Retikels 107 auf dem Wafer 113 benötigte DUV-Strahlung 116 bereit. Als Quelle für diese Strahlung 116 kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung 116 wird in dem Beleuchtungssystem 102 über optische Elemente derart geformt, dass die DUV-Strahlung 116 beim Auftreffen auf das Retikel 107 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
Der Aufbau der nachfolgenden Projektionsoptik 110 mit dem Objektivgehäuse 119 unterscheidet sich außer durch den zusätzlichen Einsatz von refraktiven optischen Elementen 117 wie Linsen, Prismen, Abschlussplatten prinzipiell nicht von dem in Figur 1 beschriebenen Aufbau und wird daher nicht weiter beschrieben.
Figur 3a zeigt eine Schnittdarstellung der Erfindung, in welcher exemplarisch ein optisches Element Mx, 117, wie beispielsweise in der Figur 1 und der Figur 2 erläutert, in einer erfindungsgemäßen Vorrichtung 30 dargestellt ist. Das optische Element Mx, 117 umfasst ein Substrat 31 mit einer Oberfläche 32, auf welcher eine zu strukturierende Beschichtung 33 ausgebildet ist. Anstelle des optischen Elementes Mx, 177 können selbstverständlich auch andere fotolithographisch zu strukturierende Körper bzw. Elemente in der Vorrichtung 30 bearbeitet werden. Die Vorrichtung 30 umfasst in der in der Figur 3a dargestellten Ausführungsform eine erste Sprüheinheit 34, welche einen ersten Bereich 36 der Oberfläche 32 mit einem als Entwickler 38 ausgebildeten Reaktionsfluid benetzt. Dadurch wird die beispielsweise durch einen lithografischen Prozess belichtete Beschichtung 33 entwickelt. Die Konstanz der Entwicklungsrate ist für die Qualität der Strukturierung der Beschichtung 33 entscheidend, so dass die Reaktionsdynamik des Entwicklers 38 räumlich und zeitlich homogen auf der Oberfläche 32 gesteuert werden muss. Jeweils auf einer der beiden Seiten der ersten Sprüheinheit 34 sind zweite Sprüheinheiten 35 angeordnet. Die zweiten Sprüheinheiten 35 benetzen jeweils zweite Bereiche 37, welche den ersten Bereich 36 begrenzen, mit einem als Verdünnungsfluid 39 ausgebildeten weiteren Fluid. Die Verdünnung des Entwicklers 38 stoppt beziehungsweise verlangsamt die chemische Reaktion des Entwicklers 38 derart, dass diese keine signifikante Entwicklungsrate mehr bewirkt, wodurch die chemische Reaktion auf den ersten Bereich 36 räumlich begrenzt wird. Alternativ oder zusätzlich kann auch ein Neutralisierungsfluid als weiteres Fluid verwendet werden, wodurch ebenfalls ein Begrenzen der chemischen Reaktion auf den ersten Bereich 36 bewirkt wird. Das Substrat 31 wird auf einer nicht dargestellten Positionierungsvorrichtung, wie beispielsweise einem Roboterarm, relativ zu der stationären Vorrichtung 30 bewegt, so dass sich der erste Bereich 36 über die Oberfläche 32 bewegt, wodurch die gesamte Beschichtung 33 der Oberfläche 32 entwickelt wird. Der Abstand der Sprüheinheiten 34, 35 zur Oberfläche 32 hat ebenso Einfluss auf die chemische Reaktion wie die Anordnung der Beschichtung 33 des Substrates 31 zur Schwerkraft, die Oberflächentopografie der Beschichtung 33 und weitere Parameter. Die Menge und die Konzentration, also Reaktionsfähigkeit des Entwicklers 38 und die Menge des Verdünnungsfluids 39 sind nur einige Parameter der Sprüheinheiten 34, 35, welche einen Beitrag zu einer homogenen Entwicklung der Beschichtung 33 liefern. Die Relativbewegung zwischen Substrat 31 und Vorrichtung 30 umfasst zweckmäßigerweise sechs Freiheitsgrade, wodurch auch die Neigung der beaufschlagten Bereiche während des Verfahrens über die Oberfläche 32 angepasst werden kann, wodurch ein zumindest annähernd konstantes Flussverhalten der Fluide 38, 39 auf der Oberfläche 32 sichergestellt wird. Alternativ kann auch die Vorrichtung 30 gegenüber dem Substrat 31 bewegt werden oder eine Kombination aus beiden Verfahren gewählt werden, so dass beispielsweise die Vorrichtung 30 lineare Bewegungen relativ zum Substrat 31 ausführt, während dieses zusätzlich um mindestens eine Achse rotiert.
Figur 3b zeigt eine Draufsicht auf die Oberfläche 32 des optischen Elementes Mx, 117. Die Vorrichtung 30 umfasst neben der zentral angeordneten ersten Sprüheinheit 34 in der in der Figur 3b dargestellten Ausführungsform zehn zweite Sprüheinheiten 35, welche rotationssym metrisch um die erste Sprüheinheit 34 angeordnet sind. Die durch die Sprühbilder der einzelnen Sprüheinheiten 34, 35 benetzten Bereiche 36, 37 sind in der Figur 3b als Kreise auf der Oberfläche 32 des Substrats 31 dargestellt. Neben einem kreisförmigen Sprühbild können nahezu beliebige Formen von Sprühbildern, wie beispielsweise vollkonische, Flachstrahl- und Hohl- konusprofile zur Anwendung kommen. Daneben kann die Benetzung außer durch Aufsprühen auch durch Vernebeln oder Spritzen bewirkt werden. Der mit Entwickler 38 benetzte erste Bereich 36 wird durch die von den zweiten Sprüheinheiten 35 mit Verdünnungsfluid 39 benetzten zweiten Bereiche 37 in alle Richtungen begrenzt. Dadurch ist eine klare räumliche Wirkung des Entwicklers 38 sichergestellt. Die Fluidmenge, die Temperatur, der Druck vor der Sprüheinheit 34, 35 und die Konzentration des Entwicklers 38 sind wie weiter oben bereits erläutert nur einige der Parameter, welche zur Einstellung der vorbestimmten Reaktionsdynamik des Entwicklers 38 auf die Beschichtung 33 gesteuert werden können.
Figur 4 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, wobei das optische Element Mx, 117 wiederum in einer Draufsicht dargestellt ist. Neben den bereits in der Figur 3b erläuterten Sprüheinheiten 34, 35 umfasst diese Vorrichtung 30 eine als Luftschwert 40 ausgebildete Trocknungseinheit. Das Luftschwert 40 ist ein linienförmiger Luftstrahl, welcher derart ausgebildet ist, dass jedes Fluid 38, 39 durch den Luftstrahl in seiner Ausdehnung auf der Oberfläche 32 begrenzt wird. Dies führt dazu, dass Bereiche der Beschichtung 33 vor Kontakt mit dem Entwickler 38 und/oder dem Verdünnungsfluid 39 geschützt werden können. Daneben kann das Luftschwert 40 auch Fluide 38, 39 in seiner Bewegungsrichtung von der Oberfläche 32 entfernen, indem diese durch das Luftschwert 40 verdrängt und dadurch vor diesem hergetrieben werden. Optional kann wiederum in Bewegungsrichtung des Luftschwertes 40 vor dem Luftschwert 40 noch eine Absaugungseinheit 41 angeordnet sein, welche in der Figur 4 gestrichelt dargestellt ist. Diese saugt das auf der Oberfläche 32 befindliche Fluid 38, 39, welches sich aus Entwickler 38 und Verdünnungsfluid 39 zusammensetzt, ab, wobei das Luftschwert 40 das Fluid 38, 39 wiederum vor sich herschiebt, wodurch eine trockene Oberfläche 32 außerhalb des Luftschwertes 40 sichergestellt werden kann. Weiterhin umfasst die Vorrichtung 30 beispielhaft drei Sensoren 42, welche in Bewegungsrichtung, welche mit einem Pfeil angedeutet ist, vor den Sprüheinheiten 34, 35 angeordnet sind und die genaue Oberflächentopografie der Beschichtung 33 erfassen. Die erfassten Signale werden über Signalleitungen zu einer nicht dargestellten Ansteuerung der Vorrichtung 30 übertragen. Die Ansteuerung bestimmt die Parameter der Sprüheinheiten 34, 35, um dadurch eine homogene Entwicklungsrate über die gesamte Oberfläche 32 zu gewährleisten.
Alternativ zu der dargestellten Ausführungsform kann das Luftschwert 40 und auch die Absaugungseinheit 41 auch derart in der Vorrichtung 30 angeordnet sein, dass dadurch der vom Entwickler 38 benetzte ersten Bereich 36 begrenzt wird, um die räumliche Wirkung des Entwicklers 38 anstelle einer Verdünnung durch ein weiteres Fluid 39 zu steuern.
Bezugszeichenliste
1 Projektionsbelichtungsanlage
2 Beleuchtungssystem
3 Strahlungsquelle
4 Beleuchtungsoptik
5 Objektfeld
6 Objektebene
7 Retikel
8 Retikelhalter
9 Retikelverlagerungsantrieb
10 Projektionsoptik
11 Bildfeld
12 Bildebene
13 Wafer
14 Waferhalter
15 Waferverlagerungsantrieb
16 EUV-Strahlung
17 Kollektor
18 Zwischenfokusebene
19 Umlenkspiegel
20 Facettenspiegel
21 Facetten
22 Facettenspiegel
23 Facetten
30 Vorrichtung
31 Substrat
32 Oberfläche
33 Beschichtung
34 erste Sprüheinheit
35 zweite Sprüheinheit 6 erster Bereich 7 zweiter Bereich 8 Reaktionsfluid 9 weiteres Fluid 0 Luftschwert 1 Absaugungseinheit 2 Sensor
101 Projektionsbelichtungsanlage
102 Beleuchtungssystem
107 Retikel
108 Retikelhalter
110 Projektionsoptik
113 Wafer
114 Waferhalter
116 DUV-Strahlung
117 optisches Element
118 Fassungen
119 Objektivgehäuse
M1-M6 Spiegel

Claims

Patentansprüche erfahren zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche (32) durch Aufbringen eines chemischen Reaktionsfluids (38), dadurch gekennzeichnet, dass die durch das Reaktionsfluid (38) bewirkte chemische Bearbeitung in einen vorbestimmten Bereich (36) durch Aufbringen eines weiteren Fluides (39) auf diesen Bereich (36) begrenzt wird. erfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei beiden Fluiden (38,39) um Flüssigkeiten handelt. erfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der vorbestimmte Bereich (36) durch Neutralisieren der Wirkung des Reaktionsfluids (38) begrenzt wird. erfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Fluid (39) als ein Neutralisationsfluid ausgebildet ist. erfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Fluid (39) als Verdünnungsfluid ausgebildet ist. erfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorbestimmte Bereich (36) durch Verdrängen des Reaktionsfluids (38) begrenzt wird. erfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Fluid (39) als Verdrängungsfluid ausgebildet ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Verdrängungsfluid (39) trockene Luft umfasst.
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine erste Sprüheinheit (34) einen ersten Bereich (36) der Oberfläche (32) mit Reaktionsfluid (38) beaufschlagt und mindestens eine zweite Sprüheinheit (35) einen zweiten Bereich (37) der Oberfläche (32) mit einem weiteren Fluid (39) beaufschlagt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Bereiche (36,37) aneinandergrenzen.
11 .Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Bereich (37) den ersten Bereich (36) teilweise umschließt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Bereich (37) den ersten Bereich (36) vollständig umschließt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Bereiche (36,37) überlappen.
14. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (32) sich auf einem optischen Element befindet.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche sphärisch oder asphärisch ausgebildet ist und/oder zumindest teilweise eine Freiformfläche aufweist. 6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (32) sich auf einem Substrat (31 ) einer Komponente (Mx,117) einer Projektionsbelichtungsanlage (1 ,101 ) für die Halbleiterlithografie befindet. /.Vorrichtung (30) zur chemischen Bearbeitung mindestens einer Oberfläche (32), wobei die Vorrichtung (30) ein Sprüharray mit mindestens zwei Sprüheinheiten (34,35) zum Aufbringen mindestens eines Fluids (38,39) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Sprüheinheit (34) derart ausgebildet ist, dass ein erster Bereich
(36) der Oberfläche (32) mit einem Reaktionsfluid (38) beaufschlagt wird und eine zweite Sprüheinheit (35) derart ausgebildet ist, dass ein zweiter Bereich
(37) der Oberfläche (32) mit einem weiteren Fluid (39) beaufschlagt wird. 8. Vorrichtung (30) nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (30) eine Trocknungseinheit (40) umfasst. 9. Vorrichtung (30) nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Trocknungseinheit als Luftschwert (40) ausgebildet ist. 0. Vorrichtung (30) nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (30) eine Absaugungseinheit (41 ) umfasst. orrichtung (30) nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (30) mindestens einen Sensor (42) zur Erfassung der Topografie der Oberfläche (32) umfasst.
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