WO2023181757A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2023181757A1
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wave device
layer
piezoelectric layer
elastic wave
pattern
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PCT/JP2023/006259
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French (fr)
Inventor
琢真 葛下
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an example of an elastic wave device.
  • a piezoelectric substrate is provided on a support substrate.
  • a plurality of acoustic wave elements and wiring are formed on the piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is removed except for areas where a plurality of acoustic wave elements and wiring are formed.
  • the piezoelectric substrate is not removed as described above, variations may occur in the thickness of the piezoelectric substrate on the support substrate. Therefore, the light transmittance of the piezoelectric substrate varies depending on the position, which may cause variations in color tone. This may cause a problem that alignment cannot be achieved.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that can easily suppress variations in color on a piezoelectric substrate.
  • An elastic wave device includes a support substrate, a piezoelectric layer provided on the support substrate, an IDT electrode provided on the piezoelectric layer, and the IDT electrode on the piezoelectric layer.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing the vicinity of the electrode pad surrounded by the dashed line A in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of the portion between the elastic wave resonators surrounded by the dashed line B in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view along the first direction showing the vicinity of the structure in the first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 5A and 5B are photographs of the vicinity of electrode pads of different acoustic wave elements on a wafer in a comparative example.
  • FIGS. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing the vicinity of the electrode pad surrounded by the dashed line A in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of the portion between the elastic wave resonators surrounded by the dashed line B
  • FIG. 6A and 6B are photographs of the vicinity of electrode pads of different acoustic wave elements on a wafer in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing the vicinity of the elastic wave resonator in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view showing an example in which alignment marks remain on the piezoelectric layer.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view along the first direction showing the vicinity of the structure in the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view along the first direction showing the vicinity of a structure in a second modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view showing a pattern layer in a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing a pattern layer in a fourth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fifth modification of the first
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • each elastic wave resonator is shown as a schematic diagram with two diagonal lines added to a rectangle. The same applies to schematic plan views other than those shown in FIG.
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is a laminated substrate including a piezoelectric layer 15 and a support substrate 13.
  • a piezoelectric layer 15 is provided on the support substrate 13.
  • a plurality of elastic wave resonators 3 are configured on the piezoelectric layer 15 of the piezoelectric substrate 2. More specifically, each elastic wave resonator 3 is a surface acoustic wave resonator including an IDT electrode.
  • a plurality of electrode pads 8 and a plurality of wiring electrodes 9 are provided on the piezoelectric substrate 2. Some of the plurality of wiring electrodes 9 connect the elastic wave resonators 3 to each other. Another part of the wiring electrodes 9 connects at least one acoustic wave resonator 3 and the electrode pad 8.
  • the elastic wave device 1 of this embodiment is a filter device. However, the elastic wave device of the present invention only needs to have at least one elastic wave resonator.
  • the acoustic wave device 1 of this embodiment is obtained by dividing a wafer on which a plurality of acoustic wave elements are formed.
  • the piezoelectric substrate 2 is a substrate obtained by dividing a wafer into individual pieces.
  • FIG. 2 is a plan view showing the vicinity of the electrode pad, surrounded by the dashed line A in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of the portion between the elastic wave resonators surrounded by the dashed line B in FIG.
  • a structure 6 is provided near the electrode pad 8 on the piezoelectric layer 15.
  • the structure 6 is a structure that diffusely reflects light.
  • an alignment camera images a pattern on a wafer.
  • the structure 6 diffusely reflects light used in an alignment camera or the like. Note that after the wafer is aligned, the wafer is divided.
  • the structure 6 of this embodiment includes a plurality of pattern layers 7.
  • the plurality of pattern layers 7 have a dot-like shape.
  • a plurality of pattern layers 7 are arranged periodically in the vertical and horizontal directions in FIG. Specifically, the structure 6 has a first direction D1 and a second direction D2.
  • the first direction D1 and the second direction D2 are orthogonal to each other.
  • a plurality of pattern layers 7 are arranged periodically in both the first direction D1 and the second direction D2. However, it is sufficient that the first direction D1 and the second direction D2 intersect with each other.
  • structures 6 are also provided between the elastic wave resonators 3.
  • the pattern layer 7 of the structure 6 is made of a suitable metal.
  • the pattern layer 7 may be made of an appropriate dielectric material with low transmittance.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view along the first direction showing the vicinity of the structure in the first embodiment.
  • the plurality of pattern layers 7 of the structure 6 are arranged along the first direction D1.
  • the pattern layer 7 has a first surface 7a, a second surface 7b, and a side surface 7c.
  • the first surface 7a and the second surface 7b are opposed to each other.
  • the first surface 7a is located on the piezoelectric layer 15 side.
  • a side surface 7c is connected to the first surface 7a and the second surface 7b.
  • the angle formed by the first surface 7a and the side surface 7c is an acute angle. Therefore, in this embodiment, when the angle between the first surface 7a and the side surface 7c is ⁇ , ⁇ 90°.
  • the light indicated by the black arrow C in FIG. 4 can be suitably diffusely reflected by the structure 6 as the reflected light indicated by the white arrow D.
  • the piezoelectric layer 15 has a region where electrodes including an IDT electrode, a plurality of wiring electrodes 9, and a plurality of electrode pads 8 are provided, and a region where the electrodes are not provided.
  • the feature of this embodiment is that a structure 6 including a plurality of pattern layers 7 is provided in a region on the piezoelectric layer 15 where the electrodes are not provided, and the structure 6 includes a plurality of pattern layers 7.
  • the reason is that the angle formed by 7c is an acute angle.
  • the structure 6 can diffusely reflect light. Thereby, variations in color on the piezoelectric substrate 2 can be easily suppressed. Thereby, when a pattern on a wafer is imaged by an alignment camera, it is possible to suppress misrecognition caused by variations in color. Therefore, alignment errors can be suppressed.
  • FIGS. 5(a) and 5(b) and FIGS. 6(a) and 6(b) show the color of the wafer used when manufacturing the elastic wave devices of the first embodiment and the comparative example. A comparison is shown.
  • the wafer described above will simply be referred to as a wafer of the first embodiment or a comparative example.
  • the comparative example differs from the first embodiment in that the structure 6 is not provided on the wafer. In each of the first embodiment and the comparative example, two locations on the wafer were imaged with a camera.
  • FIGS. 5(a) and 5(b) are photographs taken near electrode pads of different acoustic wave elements on a wafer in a comparative example.
  • FIGS. 6A and 6B are photographs of the vicinity of electrode pads of different acoustic wave elements on a wafer in the first embodiment.
  • the color tone differs greatly at different positions on the wafer.
  • the color tone is significantly different in the area surrounded by the dashed line. Therefore, in the comparative example, there is a possibility that an alignment error may occur.
  • the light used for imaging can be diffusely reflected by the structure 6 regardless of variations in the light transmittance in the layer corresponding to the piezoelectric layer. Thereby, variations in color on the piezoelectric substrate 2 can be suppressed.
  • the structure 6 can be formed using, for example, a metal used for IDT electrodes. Therefore, the structure 6 can be formed in the process of forming the IDT electrode. Therefore, according to the elastic wave device 1, variations in color on the piezoelectric substrate 2 can be easily suppressed without complicating the manufacturing process.
  • the structure 6 is provided in at least a part of the region on the piezoelectric layer 15 where no electrode including an IDT electrode or the like is provided.
  • the structure 6 may be provided near the pattern used for alignment. Thereby, variations in color in the vicinity of the pattern can be suppressed. Therefore, alignment errors can be suppressed when manufacturing the elastic wave device 1.
  • the thickness of the piezoelectric layer 15 is preferably 100 nm or more and 2000 nm or less. In this case, the problem of color variation on the piezoelectric substrate 2 is particularly likely to occur, and the present invention is particularly suitable. Note that, for example, variations in the thickness of the piezoelectric layer 15 of about several tens of nanometers are particularly likely to cause changes in color.
  • FIG. 7 is a plan view showing the vicinity of the elastic wave resonator in the first embodiment.
  • An IDT electrode 4 is provided on the piezoelectric layer 15. By applying an alternating current voltage to the IDT electrode 4, elastic waves are excited.
  • a pair of reflectors 5A and 5B are provided on both sides of the IDT electrode 4 in the elastic wave propagation direction on the piezoelectric layer 15.
  • the IDT electrode 4 includes a first bus bar 18A, a second bus bar 18B, a plurality of first electrode fingers 19A, and a plurality of second electrode fingers 19B.
  • the first bus bar 18A and the second bus bar 18B are opposed to each other.
  • One end of a plurality of first electrode fingers 19A is each connected to the first bus bar 18A.
  • One end of a plurality of second electrode fingers 19B is each connected to the second bus bar 18B.
  • the plurality of first electrode fingers 19A and the plurality of second electrode fingers 19B are inserted into each other.
  • the direction in which the plurality of first electrode fingers 19A and the plurality of second electrode fingers 19B extend and the elastic wave propagation direction are orthogonal to each other.
  • the IDT electrode 4, reflector 5A, and reflector 5B may be made of a laminated metal film, or may be made of a single layer metal film.
  • the first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B may be simply referred to as electrode fingers.
  • Each elastic wave resonator other than the elastic wave resonator 3 shown in FIG. 7 is also configured in the same manner as the elastic wave resonator 3 described above. Note that the design parameters of the IDT electrode and the pair of reflectors in each elastic wave resonator may be appropriately adjusted so as to have desired electrical characteristics.
  • the pattern layer 7 has a dot-like shape in plan view. More specifically, the pattern layer 7 has a square shape in plan view.
  • the first surface 7a of the pattern layer 7 is 1 ⁇ m square.
  • a plan view refers to viewing the elastic wave device 1 from a direction corresponding to the upper side to a direction corresponding to the lower side in FIG. 4 .
  • the piezoelectric layer 15 side of the piezoelectric layer 15 and the support substrate 13 is taken as the upper side, and the support substrate 13 side is taken as the lower side.
  • the size and shape of the pattern layer 7 are not limited to the above.
  • the shape of the pattern layer 7 in plan view may be a circle, an ellipse, a triangle, a rectangle, or a polygon other than a quadrangle.
  • the term "triangle” or "polygon” includes cases where the corners are curved or chamfered.
  • the pitch at which the plurality of pattern layers 7 are lined up is 2 ⁇ m in this embodiment.
  • the above-mentioned pitch is the distance between the centers of adjacent pattern layers 7. It is preferable that the pitch is 4 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the pitch is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ m or more, for example. Thereby, the structure 6 can be easily formed.
  • the structure duty ratio E/F is 0.3 or more. Thereby, transmission of light through the piezoelectric layer 15 can be suppressed. It is preferable that the structure duty ratio E/F is 0.7 or less. This allows the structure 6 to diffusely reflect light more reliably.
  • the said pitch is 1 micrometer or more and 4 micrometers or less in at least one of the 1st direction D1 and the 2nd direction D2.
  • the structure duty ratio E/F is preferably 0.3 or more and 0.7 or less.
  • the angle ⁇ shown in FIG. 4 is 85° or less. In this case, the structure 6 can be easily formed and productivity can be improved. On the other hand, it is preferable that the angle ⁇ is 30° or more. Thereby, light can be effectively reflected diffusely.
  • the structure 6 is provided near the edge of the piezoelectric layer 15.
  • the edge portion of the piezoelectric layer 15 is the portion where the wafer is cut.
  • the alignment mark is often placed in a portion of the wafer that is cut and removed. Therefore, when the structure 6 is provided near the edge of the piezoelectric layer 15, alignment errors can be suppressed more reliably in the manufacturing process of the acoustic wave device 1.
  • the structure 6 is provided around the electrode pad 8. Thereby, alignment errors can be suppressed more reliably when electrode pad 8 is used as an alignment mark.
  • a structure 6 is provided between the IDT electrodes 4 in the plurality of elastic wave resonators 3. Thereby, occurrence of acoustic coupling between the elastic wave resonators 3 can be suppressed. Thereby, generation of unnecessary waves in the elastic wave device 1 can be suppressed.
  • an identification mark N is provided on the piezoelectric layer 15.
  • the identification mark N is identified by, for example, an alignment camera. Depending on whether or not the identification mark N is identified, it can be confirmed whether or not the coordinates of the alignment camera are accurate.
  • the identification mark N is provided near the electrode pad 8. Therefore, when using the electrode pad 8 as an alignment mark, the accuracy of the position of the alignment camera can be improved. Therefore, alignment errors can be further suppressed.
  • the identification mark N is composed of a plurality of mark structures 16 and a plurality of electrode layers 12. More specifically, a plurality of mark structures 16 and a plurality of electrode layers 12 are provided so as to be arranged alternately in the second direction D2 on the piezoelectric layer 15. This constitutes the identification mark N. More specifically, each mark structure 16 has a plurality of mark pattern layers 17. The plurality of mark pattern layers 17 have a linear shape extending in the second direction D2 in plan view. The plurality of mark pattern layers 17 are arranged in a fixed direction (first direction D1) on the piezoelectric layer 15.
  • the mark structure 16 allows light to be diffusely reflected regardless of variations in the thickness of the piezoelectric layer 15. Thereby, the contrast between the mark structure 16 and the electrode layer 12 can be increased more reliably. Therefore, the alignment camera can stably identify the identification pattern.
  • the pitch at which the plurality of mark pattern layers 17 are lined up is 1 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less. Thereby, the mark structure 16 can be easily formed, and transmission of light through the piezoelectric layer 15 can be suppressed.
  • the above structure duty ratio can be used as a design parameter of the mark structure 16. It is preferable that the structure duty ratio of the mark structure 16 is 0.3 or more and 0.7 or less. Thereby, it is possible to suppress the transmission of light through the piezoelectric layer 15, and the mark structure 16 can diffusely reflect the light more reliably.
  • the mark pattern layer 17 has a first surface, a second surface, and a side surface, similarly to the pattern layer 7 shown in FIG.
  • the angle between the first surface and the side surface is preferably 30° or more and 85° or less.
  • the mark pattern layer 17 of the mark structure 16 is made of metal.
  • the mark pattern layer 17 may be made of an appropriate dielectric material with low transmittance.
  • the side surface 7c of the pattern layer 7 of the first embodiment is planar.
  • the shape of the side surface 7c is not limited to the above.
  • the side surface 27c of the pattern layer 27A has a curved shape. Even in this case, light can be diffusely reflected by the structure 26A, and variations in color on the piezoelectric substrate 2 can be easily suppressed.
  • the piezoelectric substrate 2 of the first embodiment has an intermediate layer 14.
  • Intermediate layer 14 is provided between support substrate 13 and piezoelectric layer 15 . Therefore, the piezoelectric layer 15 is indirectly provided on the support substrate 13 via the intermediate layer 14. However, the intermediate layer 14 does not necessarily have to be provided.
  • the piezoelectric layer 15 may be provided directly on the support substrate 13.
  • the material of the piezoelectric layer 15 for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, crystal, PZT (lead zirconate titanate), or the like can be used.
  • Examples of materials for the support substrate 13 include aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and quartz. Ceramics such as stellite, spinel, and sialon; dielectrics such as aluminum oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon), diamond, and glass; semiconductors such as silicon and gallium nitride; and materials containing the above materials as main components. It can also be used.
  • the spinel includes an aluminum compound containing oxygen and one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, etc.
  • the spinel include MgAl 2 O 4 , FeAl 2 O 4 , ZnAl 2 O 4 , and MnAl 2 O 4 .
  • the main component refers to a component whose proportion exceeds 50 wt%.
  • the above-mentioned main component material may exist in any one of single crystal, polycrystal, and amorphous state, or in a mixed state of these.
  • the intermediate layer 14 is a single dielectric layer.
  • the intermediate layer 14 may be composed of a plurality of layers.
  • the intermediate layer 24 is a laminate of a high-sonic membrane 24A and a low-sonic membrane 24B.
  • a high sonic velocity film 24A is provided on the support substrate 13.
  • a low sonic velocity membrane 24B is provided on the high sonic velocity membrane 24A.
  • a piezoelectric layer 15 is provided on the low sound velocity film 24B.
  • the high-sonic membrane 24A is a relatively high-sonic membrane. More specifically, the sound speed of the bulk wave propagating through the high-sonic membrane 24A is higher than the sound speed of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 15.
  • materials for the high-sonic membrane 24A include aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, It is also possible to use ceramics such as forsterite, spinel, and sialon, dielectrics such as aluminum oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon), and diamond, semiconductors such as silicon, or materials containing the above materials as main components.
  • the spinel includes an aluminum compound containing oxygen and one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, etc.
  • the spinel include MgAl 2 O 4 , FeAl 2 O 4 , ZnAl 2 O 4 , and MnAl 2 O 4 .
  • the low sonic velocity membrane 24B is a relatively low sonic membrane. More specifically, the sound speed of the bulk wave propagating through the low sound speed film 24B is lower than the sound speed of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 15.
  • a material whose main component is glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum pentoxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide may be used. I can do it.
  • the piezoelectric substrate 22 of this modification the high sonic velocity film 24A, the low sonic velocity film 24B, and the piezoelectric layer 15 are laminated in this order. Thereby, the energy of the elastic waves can be effectively confined on the piezoelectric layer 15 side.
  • the material of the intermediate layer 14 in the first embodiment the material of the high sonic velocity film 24A or the material of the low sonic velocity film 24B may be used.
  • a dot-shaped pattern layer 7 is shown as an example of the pattern layer 7 of the structure 6. Further, an example was shown in which the plurality of pattern layers 7 are arranged in two non-parallel directions in plan view.
  • the shape of the pattern layer 7 is not limited to the dot shape.
  • the pattern layer 7 does not necessarily have to be arranged in two directions.
  • third and fourth modified examples of the first embodiment which differ from the first embodiment only in the shape of the pattern layer and the fact that the direction in which the pattern layers are arranged in one direction, will be described. show.
  • each pattern layer is indicated by hatching.
  • the plurality of pattern layers 27B have a striped shape in plan view.
  • the plurality of pattern layers 27B are arranged in a fixed direction on the piezoelectric layer 15.
  • the plurality of pattern layers 27B extend in a direction intersecting the elastic wave propagation direction. Further, the plurality of pattern layers 27B extend in a direction intersecting the direction in which the plurality of electrode fingers of the IDT electrode 4 extend.
  • the plurality of pattern layers 27C have a wavy shape in plan view.
  • the wavy shape refers to a shape that repeats a mountain-like shape and a trough-like shape, such as a sine wave.
  • the plurality of pattern layers 27C are arranged in a fixed direction on the piezoelectric layer 15.
  • the plurality of pattern layers 27C extend in a direction intersecting the elastic wave propagation direction and the direction in which the plurality of electrode fingers extend.
  • light can be diffusely reflected by the structure, and variations in color on the piezoelectric substrate 2 can be easily suppressed. I can do it.
  • the piezoelectric layer 15 in the first embodiment has a rectangular shape in plan view. Therefore, the outer peripheral edge of the piezoelectric layer 15 in plan view has portions corresponding to four sides.
  • the elastic wave propagation direction of each elastic wave resonator 3 is parallel to the direction in which portions corresponding to two sides of the outer periphery of the piezoelectric layer 15 extend.
  • the elastic wave propagation direction of each elastic wave resonator 3 is not limited to the above.
  • the elastic wave propagation direction of each elastic wave resonator 23 is the direction in which the portion corresponding to each side of the outer periphery of the piezoelectric layer 15 extends. It's crossed.
  • the structure can diffusely reflect light, and variations in color on the piezoelectric substrate 2 can be easily suppressed.
  • Second electrode finger 22 ...Piezoelectric substrate 23...Elastic wave resonator 24...Intermediate layer 24A...High sound velocity film 24B...Low sound velocity film 26A...Structures 27A to 27C...Pattern layer 27c...Side surface M...Alignment mark N ...Identification mark

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

圧電性基板上における色味のばらつきを容易に抑制することができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、支持基板１３と、支持基板１３上に設けられている圧電層１５と、圧電層１５上に設けられているＩＤＴ電極と、圧電層１５上における、ＩＤＴ電極を含む電極が設けられていない領域に配置されている、複数のパターン層７を含む構造物６とを備える。パターン層７が、対向し合う第１の面７ａ及び第２の面７ｂと、第１の面７ａ及び第２の面７ｂに接続されている側面７ｃとを有する。第１の面７ａ及び第２の面７ｂのうち第１の面７ａが圧電層１５側に位置している。第１の面７ａ及び側面７ｃがなす角の角度が鋭角である。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、支持基板上に圧電基板が設けられている。圧電基板上に、複数の弾性波素子や配線が形成されている。支持基板上においては、複数の弾性波素子及び配線が形成されている領域を除き、圧電基板が除去されている。
特開２０１６－０４０８８２号公報
　特許文献１に記載された弾性波装置を得る場合には、圧電基板を除去する工程が必要となり、製造工程が煩雑になる。加えて、圧電基板を除去する際の露光の位置ずれを考慮する必要があるため、設計が可能な領域の面積が小さくなる。
　一方で、圧電基板を上記のように除去しない場合には、支持基板上の圧電基板の厚みにばらつきが生じることがある。そのため、位置によって圧電基板の光の透過率が異なり、色味にばらつきが生じることがある。これにより、アライメントをとることができないという不具合が生じるおそれがある。
　本発明の目的は、圧電性基板上における色味のばらつきを容易に抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられている圧電層と、前記圧電層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電層上における、前記ＩＤＴ電極を含む電極が設けられていない領域に配置されている、複数のパターン層を含む構造物とを備え、前記パターン層が、対向し合う第１の面及び第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に接続されている側面とを有し、前記第１の面及び前記第２の面のうち前記第１の面が前記圧電層側に位置しており、前記第１の面及び前記側面がなす角の角度が鋭角である。
　本発明に係る弾性波装置によれば、圧電性基板上における色味のばらつきを容易に抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。 図２は、図１中の一点鎖線Ａにより囲まれた、電極パッド付近を示す平面図である。 図３は、図１中の一点鎖線Ｂにより囲まれた、弾性波共振子間の部分付近を示す略図的平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における構造物付近を示す、第１の方向に沿う模式的断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、比較例におけるウェハ上の、互いに異なる弾性波素子の電極パッド付近を撮像した写真である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、本発明の第１の実施形態におけるウェハ上の、互いに異なる弾性波素子の電極パッド付近を撮像した写真である。 図７は、本発明の第１の実施形態における弾性波共振子付近を示す平面図である。 図８は、アライメントマークが圧電層上に残っている場合の例を示す平面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における構造物付近を示す、第１の方向に沿う模式的断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における構造物付近を示す、第１の方向に沿う模式的断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例におけるパターン層を示す平面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例におけるパターン層を示す平面図である。 図１３は、本発明の第１の実施形態の第５の変形例に係る弾性波装置の略図的平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。図１においては、各弾性波共振子を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。図１以外の略図的平面図においても同様である。
　弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２は、圧電層１５及び支持基板１３を含む積層基板である。支持基板１３上に圧電層１５が設けられている。圧電性基板２の圧電層１５上において、複数の弾性波共振子３が構成されている。より具体的には、各弾性波共振子３は、ＩＤＴ電極を含む弾性表面波共振子である。
　圧電性基板２上には、複数の電極パッド８及び複数の配線電極９が設けられている。複数の配線電極９のうち一部は、弾性波共振子３同士を接続している。他の一部の配線電極９は、少なくとも１つの弾性波共振子３及び電極パッド８を接続している。本実施形態の弾性波装置１はフィルタ装置である。もっとも、本発明の弾性波装置は、少なくとも１つの弾性波共振子を有していればよい。
　本実施形態の弾性波装置１は、複数の弾性波素子が構成されたウェハを分割することにより得られる。圧電性基板２は、ウェハが個片化された基板である。
　図２は、図１中の一点鎖線Ａにより囲まれた、電極パッド付近を示す平面図である。図３は、図１中の一点鎖線Ｂにより囲まれた、弾性波共振子間の部分付近を示す略図的平面図である。
　図２に示すように、圧電層１５上における電極パッド８付近には、構造物６が設けられている。構造物６は、光を乱反射させる構造物である。例えば、弾性波装置１の製造に際し、アライメントカメラにより、ウェハ上のパターンが撮像される。構造物６は、アライメントカメラなどにおいて用いられる光を乱反射する。なお、ウェハがアライメントされた後に、ウェハが分割される。
　本実施形態の構造物６は複数のパターン層７を含む。複数のパターン層７はドット状の形状を有する。複数のパターン層７が、図２における縦横に周期的に並んでいる。具体的には、構造物６は第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２を有する。第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２は互いに直交している。第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２の双方に、複数のパターン層７が周期的に並んでいる。もっとも、第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２は、互いに交叉していればよい。
　図３に示すように、弾性波共振子３同士の間にも、構造物６が設けられている。構造物６のパターン層７は適宜の金属からなる。もっとも、パターン層７は、透過率が低い、適宜の誘電体からなっていてもよい。
　図４は、第１の実施形態における構造物付近を示す、第１の方向に沿う模式的断面図である。
　上記のように、構造物６の複数のパターン層７は、第１の方向Ｄ１に沿って並んでいる。パターン層７は、第１の面７ａ及び第２の面７ｂと、側面７ｃとを有する。第１の面７ａ及び第２の面７ｂは互いに対向している。第１の面７ａ及び第２の面７ｂのうち第１の面７ａが圧電層１５側に位置している。第１の面７ａ及び第２の面７ｂに側面７ｃが接続されている。第１の面７ａ及び側面７ｃがなす角の角度は鋭角である。よって、第１の面７ａ及び側面７ｃがなす角の角度をθとしたときに、本実施形態においては、θ＜９０°である。これにより、図４中の黒い矢印Ｃにより示す光を、構造物６によって、白い矢印Ｄにより示す反射光として、好適に乱反射させることができる。
　圧電層１５は、ＩＤＴ電極、複数の配線電極９及び複数の電極パッド８を含む電極が設けられている領域と、上記電極が設けられていない領域とを有する。本実施形態の特徴は、圧電層１５上における、上記電極が設けられていない領域に、複数のパターン層７を含む構造物６が設けられており、パターン層７の第１の面７ａ及び側面７ｃがなす角の角度が鋭角であることにある。上記のように、構造物６により、光を乱反射させることができる。それによって、圧電性基板２上における色味のばらつきを容易に抑制することができる。これにより、アライメントカメラによりウェハ上のパターンを撮像するに際し、色味のばらつきに起因する誤認識を抑制することができる。従って、アライメントエラーを抑制することができる。
　下記の図５（ａ）及び図５（ｂ）並びに図６（ａ）及び図６（ｂ）により、第１の実施形態及び比較例の弾性波装置を製造する際に用いられるウェハの色味の比較を示す。以下においては、上記ウェハを、単に第１の実施形態または比較例のウェハと記載する。比較例は、ウェハ上に構造物６が設けられていない点において、第１の実施形態と異なる。第１の実施形態及び比較例においてそれぞれ、ウェハ上の２箇所をカメラにより撮像した。
　図５（ａ）及び図５（ｂ）は、比較例におけるウェハ上の、互いに異なる弾性波素子の電極パッド付近を撮像した写真である。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１の実施形態におけるウェハ上の、互いに異なる弾性波素子の電極パッド付近を撮像した写真である。
　図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、比較例では、ウェハ上の異なる位置においては、色味が大きく異なることがわかる。特に、一点鎖線により囲んでいる部分において、色味が大きく異なる。よって、比較例では、アライメントエラーが生じるおそれがある。
　これに対して、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１の実施形態では、ウェハ上の異なる位置において、例えば一点鎖線により囲んでいる部分の色味のばらつきが抑制されていることがわかる。よって、安定してアライメントマークを検出することができる。従って、アライメントエラーを抑制することができる。
　ウェハにおいては、圧電層に相当する層において厚みのばらつきが生じることがある。そのため、上記の層における光の透過率にばらつきが生じることがある。よって、ウェハにおける支持基板に相当する層において反射される光の強度にも、ばらつきが生じることがある。これに対して、第１の実施形態においては、圧電層に相当する層における光の透過率のばらつきに関わらず、構造物６によって撮像に用いられる光を乱反射させることができる。それによって、圧電性基板２上の色味のばらつきを抑制することができる。
　構造物６は、例えば、ＩＤＴ電極に用いられる金属を用いて形成することができる。そのため、ＩＤＴ電極を形成する工程において、構造物６を形成することができる。よって、弾性波装置１によれば、製造工程の煩雑さを招くことなく、圧電性基板２上の色味のばらつきを容易に抑制することができる。
　なお、圧電層１５上における、ＩＤＴ電極などを含む電極が設けられていない領域の少なくとも一部に、構造物６が設けられていればよい。例えば、アライメントに用いられるパターン付近において、構造物６が設けられていればよい。それによって、上記パターン付近における色味のばらつきを抑制することができる。従って、弾性波装置１の製造に際し、アライメントエラーを抑制することができる。
　圧電層１５の厚みは、１００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下であることが好ましい。この場合には、圧電性基板２上における色味のばらつきの問題が特に生じ易く、本発明が特に好適である。なお、例えば、圧電層１５の厚みにおける数十ｎｍ程度のばらつきにより、色味の変化が特に生じ易い。
　以下において、本実施形態のさらなる詳細を説明する。
　図７は、第１の実施形態における弾性波共振子付近を示す平面図である。
　圧電層１５上にＩＤＴ電極４が設けられている。ＩＤＴ電極４に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電層１５上におけるＩＤＴ電極４の弾性波伝搬方向両側に、１対の反射器５Ａ及び反射器５Ｂが設けられている。
　ＩＤＴ電極４は、第１のバスバー１８Ａ及び第２のバスバー１８Ｂと、複数の第１の電極指１９Ａ及び複数の第２の電極指１９Ｂとを有する。第１のバスバー１８Ａ及び第２のバスバー１８Ｂは互いに対向している。第１のバスバー１８Ａに、複数の第１の電極指１９Ａの一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１８Ｂに、複数の第２の電極指１９Ｂの一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１９Ａ及び複数の第２の電極指１９Ｂは互いに間挿し合っている。複数の第１の電極指１９Ａ及び複数の第２の電極指１９Ｂが延びる方向と、弾性波伝搬方向とは、互いに直交している。ＩＤＴ電極４、反射器５Ａ及び反射器５Ｂは、積層金属膜からなっていてもよく、あるいは単層の金属膜からなっていてもよい。以下においては、第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂを単に電極指と記載することがある。
　図７に示す弾性波共振子３以外の各弾性波共振子も、上記弾性波共振子３と同様に構成されている。なお、各弾性波共振子におけるＩＤＴ電極及び１対の反射器の設計パラメータは、所望の電気的特性を有するように適宜調整されていればよい。
　図３などに示すように、パターン層７の平面視における形状は、ドット状である。より具体的には、パターン層７は、平面視において、正方形状の形状を有する。パターン層７の第１の面７ａは、１μｍ角である。なお、本明細書において平面視とは、図４における上方に相当する方向から下方に相当する方向に弾性波装置１を見ることをいう。図４における方向として、圧電層１５及び支持基板１３のうち圧電層１５側を上方とし、支持基板１３側を下方とする。
　もっとも、パターン層７の大きさ及び形状は上記に限定されない。例えば、パターン層７の平面視における形状は、円、楕円、三角形、矩形または四角形以外の多角形などであってもよい。本明細書において三角形や多角形は、コーナー部が曲線状である場合、及び面取りされた形状である場合を含む。
　複数のパターン層７が並んでいるピッチは、本実施形態では２μｍである。上記ピッチとは、隣り合うパターン層７の中心間距離である。上記ピッチが４μｍ以下であることが好ましい。これにより、弾性波装置１の製造に際し、撮像用の光が上記ウェハにおける圧電層１５に相当する層を透過し、支持基板１３に相当する層において反射されることを抑制できる。そのため、アライメントパターンと構造物６とのコントラストを十分に大きくすることができる。従って、アライメントエラーを効果的に抑制することができる。
　上記ピッチの下限は、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上であることが好ましい。それによって、構造物６を容易に形成することができる。
　構造物６が設けられている領域において、１つのパターン層７の中心と、該パターン層７に隣接しているパターン層７の中心とを結ぶ線上における、パターン層７が設けられた部分の長さＥの、該線の長さＦに対する比を構造物デューティ比Ｅ／Ｆとする。図４においては、該線を太い線により示している。より詳細には、長さＥは、上記線上における一方のパターン層７が設けられた部分の長さＥ１と、他方のパターン層７が設けられた部分の長さＥ２との合計である。よって、長さＥは、Ｅ＝Ｅ１＋Ｅ２により表わされる。
　構造物デューティ比Ｅ／Ｆが０．３以上であることが好ましい。それによって、圧電層１５を光が透過することを抑制できる。構造物デューティ比Ｅ／Ｆが０．７以下であることが好ましい。これにより、構造物６によって光をより確実に乱反射させることができる。
　なお、パターン層７がドット状である場合には、第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２のうち少なくとも一方において、上記ピッチが１μｍ以上、４μｍ以下であることが好ましい。第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２のうち少なくとも一方において、構造物デューティ比Ｅ／Ｆが０．３以上、０．７以下であることが好ましい。
　図４に示す上記角度θが８５°以下であることが好ましい。この場合には、構造物６を容易に形成することができ、生産性を高めることができる。他方、角度θが３０°以上であることが好ましい。それによって、光を効果的に乱反射させることができる。
　構造物６は、圧電層１５の端縁部付近に設けられていることが好ましい。圧電層１５の端縁部は、ウェハが切断された部分である。そして、アライメントマークは、ウェハにおいて切断され、除去される部分に配置されることが多い。よって、圧電層１５の端縁部付近に構造物６が設けられている場合には、弾性波装置１の製造工程において、アライメントエラーをより確実に抑制することができる。
　一方で、図８に示すように、圧電層１５上にアライメントマークＭが残っている場合には、アライメントマークＭの周囲に構造物６が設けられていることが好ましい。それによって、弾性波装置１の製造工程において、アライメントエラーをより確実に抑制することができる。
　電極パッド８の周囲に構造物６が設けられていることが好ましい。それによって、電極パッド８をアライメントマークとして用いる場合に、アライメントエラーをより確実に抑制することができる。
　図３に示すように、複数の弾性波共振子３におけるＩＤＴ電極４の間に、構造物６が設けられていることが好ましい。それによって、弾性波共振子３同士の間において、音響結合が生じることを抑制できる。これにより、弾性波装置１において不要波が生じることを抑制できる。
　図２に示すように、第１の実施形態においては、圧電層１５上に識別用マークＮが設けられている。識別用マークＮは、例えば、アライメントカメラによって識別される。識別用マークＮが識別されるか否かにより、アライメントカメラの座標が正確であるか否かを確認することができる。本実施形態では、識別用マークＮは、電極パッド８付近に設けられている。よって、電極パッド８をアライメントマークとして用いる場合において、アライメントカメラの位置の精度を高めることができる。従って、アライメントエラーをより一層抑制することができる。
　識別用マークＮは、複数のマーク用構造物１６と、複数の電極層１２とにより構成されている。より具体的には、圧電層１５上の第２の方向Ｄ２に、複数のマーク用構造物１６と、複数の電極層１２とが交互に並ぶように設けられている。それによって、識別用マークＮが構成されている。より具体的には、各マーク用構造物１６はそれぞれ、複数のマーク用パターン層１７を有する。複数のマーク用パターン層１７は、平面視において第２の方向Ｄ２に延びる直線状の形状を有する。複数のマーク用パターン層１７は、圧電層１５上において、一定の方向（第１の方向Ｄ１）に並んでいる。
　マーク用構造物１６によって、圧電層１５の厚みのばらつきに関わらず、光を乱反射させることができる。それによって、マーク用構造物１６及び電極層１２のコントラストをより確実に大きくすることができる。従って、アライメントカメラに、識別パターンを安定して識別させることができる。
　複数のマーク用パターン層１７が並んでいるピッチが１μｍ以上、４μｍ以下であることが好ましい。それによって、マーク用構造物１６を容易に形成することができ、かつ圧電層１５を光が透過することを抑制することができる。
　マーク用構造物１６の設計パラメータには、上記構造物デューティ比を用いることができる。マーク用構造物１６の構造物デューティ比が０．３以上、０．７以下であることが好ましい。それによって、圧電層１５を光が透過することを抑制することができ、かつマーク用構造物１６によって光をより確実に乱反射させることができる。
　マーク用パターン層１７は、図４に示すパターン層７と同様に、第１の面、第２の面及び側面を有する。マーク用パターン層１７における、第１の面及び側面がなす角の角度が３０°以上、８５°以下であることが好ましい。それによって、マーク用構造物１６において光をより確実に乱反射させることができ、かつマーク用構造物１６を容易に形成することができる。
　第１の実施形態においては、マーク用構造物１６のマーク用パターン層１７は金属からなる。もっとも、マーク用パターン層１７は、透過率が低い、適宜の誘電体からなっていてもよい。
　図４に示すにように、第１の実施形態のパターン層７の側面７ｃは平面状である。もっとも、側面７ｃの形状は上記に限定されない。例えば、図９に示す第１の実施形態の第１の変形例においては、パターン層２７Ａの側面２７ｃの形状は曲面状である。この場合においても、構造物２６Ａにより光を乱反射させることができ、圧電性基板２上における色味のばらつきを容易に抑制することができる。
　図４に戻り、第１の実施形態の圧電性基板２は中間層１４を有する。中間層１４は、支持基板１３及び圧電層１５の間に設けられている。よって、支持基板１３上に、中間層１４を介して間接的に圧電層１５が設けられている。もっとも、中間層１４は必ずしも設けられていなくともよい。支持基板１３上に直接的に圧電層１５が設けられていてもよい。
　圧電層１５の材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。
　支持基板１３の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、もしくはシリコン、窒化ガリウムなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。本明細書において主成分とは、占める割合が５０ｗｔ％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。
　本実施形態では、中間層１４は単層の誘電体層である。もっとも、中間層１４は、複数の層からなっていてもよい。例えば、図１０に示す第１の実施形態の第２の変形例においては、中間層２４は、高音速膜２４Ａ及び低音速膜２４Ｂの積層体である。本変形例においては、支持基板１３上に高音速膜２４Ａが設けられている。高音速膜２４Ａ上に低音速膜２４Ｂが設けられている。低音速膜２４Ｂ上に圧電層１５が設けられている。
　高音速膜２４Ａは相対的に高音速な膜である。より具体的には、高音速膜２４Ａを伝搬するバルク波の音速は、圧電層１５を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜２４Ａの材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。
　低音速膜２４Ｂは相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜２４Ｂを伝搬するバルク波の音速は、圧電層１５を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜２４Ｂの材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。
　本変形例の圧電性基板２２では、高音速膜２４Ａ、低音速膜２４Ｂ及び圧電層１５がこの順序において積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを圧電層１５側に効果的に閉じ込めることができる。
　なお、第１の実施形態の中間層１４の材料として、高音速膜２４Ａの材料または低音速膜２４Ｂの材料が用いられていてもよい。
　第１の実施形態においては、構造物６のパターン層７の一例として、ドット状のパターン層７を示した。そして、複数のパターン層７が、平面視において、平行ではない２つの方向に並んでいる例を示した。もっとも、パターン層７の形状はドット状に限定されない。パターン層７は、必ずしも２つの方向に並んでいなくともよい。以下において、パターン層の形状、及びパターン層が並んでいる方向が一方向である点のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第３の変形例及び第４の変形例を示す。なお、以下の図１１及び図１２においては、各パターン層をハッチングにより示す。
　図１１に示す第３の変形例では、複数のパターン層２７Ｂは、平面視においてストライプ状の形状を有する。複数のパターン層２７Ｂは、圧電層１５上において一定の方向に並んでいる。複数のパターン層２７Ｂは、弾性波伝搬方向と交叉する方向に延びている。さらに、複数のパターン層２７Ｂは、上記ＩＤＴ電極４の複数の電極指が延びる方向と交叉する方向に延びている。
　図１２に示す第４の変形例では、複数のパターン層２７Ｃは、平面視において波状の形状を有する。波状の形状とは、例えばＳｉｎ波などのように、山状及び谷状の形状を繰り返すものをいう。複数のパターン層２７Ｃは、圧電層１５上において一定の方向に並んでいる。複数のパターン層２７Ｃは、弾性波伝搬方向、及び複数の電極指が延びる方向と交叉する方向に延びている。第３の変形例及び第４の変形例においても、第１の実施形態と同様に、構造物によって光を乱反射させることができ、圧電性基板２上における色味のばらつきを容易に抑制することができる。
　ところで、図１に示すように、第１の実施形態における圧電層１５は、平面視において矩形状である。よって、圧電層１５の平面視における外周縁は、４本の辺に相当する部分を有する。そして、各弾性波共振子３の弾性波伝搬方向は、圧電層１５の外周縁における、２本の辺に相当する部分が延びる方向と平行である。なお、各弾性波共振子３の弾性波伝搬方向は上記に限定されない。例えば、図１３に示す第１の実施形態の第５の変形例においては、各弾性波共振子２３の弾性波伝搬方向は、圧電層１５の外周縁における各辺に相当する部分が延びる方向と交叉している。この場合においても、第１の実施形態と同様に、構造物によって光を乱反射させることができ、圧電性基板２上における色味のばらつきを容易に抑制することができる。
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…弾性波共振子
４…ＩＤＴ電極
５Ａ，５Ｂ…反射器
６…構造物
７…パターン層
７ａ，７ｂ…第１，第２の面
７ｃ…側面
８…電極パッド
９…配線電極
１２…電極層
１３…支持基板
１４…中間層
１５…圧電層
１６…マーク用構造物
１７…マーク用パターン層
１８Ａ，１８Ｂ…第１，第２のバスバー
１９Ａ，１９Ｂ…第１，第２の電極指
２２…圧電性基板
２３…弾性波共振子
２４…中間層
２４Ａ…高音速膜
２４Ｂ…低音速膜
２６Ａ…構造物
２７Ａ～２７Ｃ…パターン層
２７ｃ…側面
Ｍ…アライメントマーク
Ｎ…識別用マーク

Claims (11)

  1. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられている圧電層と、
    　前記圧電層上に設けられているＩＤＴ電極と、
    　前記圧電層上における、前記ＩＤＴ電極を含む電極が設けられていない領域に配置されている、複数のパターン層を含む構造物と、
    を備え、
    　前記パターン層が、対向し合う第１の面及び第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に接続されている側面と、を有し、前記第１の面及び前記第２の面のうち前記第１の面が前記圧電層側に位置しており、前記第１の面及び前記側面がなす角の角度が鋭角である、弾性波装置。
  2. 　前記複数のパターン層が、前記圧電層上において一定の方向に並んでいる、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記複数のパターン層が並んでいるピッチが４μｍ以下である、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記構造物が設けられている領域において、１つの前記パターン層の中心と、該パターン層に隣接している前記パターン層の中心とを結ぶ線上における、前記パターン層が設けられた部分の長さの、該線の長さに対する比を構造物デューティ比としたときに、前記構造物デューティ比が０．３以上、０．７以下である、請求項２または３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１の面及び前記側面がなす角の角度が、３０°以上、８５°以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記複数のパターン層の平面視における形状がドット状である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記複数のパターン層の平面視における形状がストライプ状である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電層上に設けられている複数のマーク用構造物と、
    　前記圧電層上に設けられており、前記複数のマーク用構造物と交互に並ぶように配置されている電極層と、
    をさらに備える、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　複数の前記ＩＤＴ電極を備え、
    　前記複数のＩＤＴ電極の間に前記構造物が配置されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記構造物が金属からなる、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記複数のパターン層が、平面視において、平行ではない２つの方向に並んでいる、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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