WO2023167440A1 - Substrate processing device and method - Google Patents

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WO2023167440A1
WO2023167440A1 PCT/KR2023/001592 KR2023001592W WO2023167440A1 WO 2023167440 A1 WO2023167440 A1 WO 2023167440A1 KR 2023001592 W KR2023001592 W KR 2023001592W WO 2023167440 A1 WO2023167440 A1 WO 2023167440A1
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bending deformation
state
unit
deformation state
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PCT/KR2023/001592
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임유성
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피에스케이홀딩스 (주)
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Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method capable of changing and changing a warpage state of a substrate.
  • Semiconductor integrated circuits such as wafers are generally very small and thin silicon chips, but they are composed of various electronic components, such as an alignment process, photo process, etching process, deposition process, package process, etc. until a single semiconductor chip is produced. It goes through various manufacturing processes, including At this time, warpage may occur in the substrate due to factors such as different thermal expansion rates during the process, and this warpage may act as a cause of reducing the yield of the substrate.
  • the present disclosure provides a substrate processing apparatus and method capable of measuring a current bending strain state of a substrate and changing the bending strain state of the substrate based on the measurement result.
  • a substrate processing apparatus for processing a substrate includes a support portion for supporting a substrate, a fixing portion positioned adjacent to a circumferential region of a substrate supported on the support portion and configured to fix the substrate, and a lower surface of the substrate. and an adsorption unit configured to change a bending deformation state of the substrate by being adsorbed to and applying force in a vertical direction to a central region of the substrate.
  • a substrate processing apparatus for processing a substrate includes a sensing unit that measures a variable associated with a bending deformation state of a substrate and a control unit that controls driving of a fixing unit and an adsorption unit based on the variable measured by the sensing unit. may further include.
  • the sensing unit may include a sensor for measuring a distance to a central region of the substrate.
  • the adsorption unit may change the bending deformation state of the substrate by adhering to the lower surface of the substrate and applying downward force to the central region of the substrate.
  • the fixing unit fixes the substrate by applying force to the circumferential region of the substrate, and the adsorption unit adsorbs to the lower surface of the substrate to move upward to the central region of the substrate.
  • the bending deformation state of the substrate can be changed.
  • one surface of the adsorption unit may include a flexible member that is deformed in a form corresponding to the bending deformation state of the substrate when the adsorption unit is adsorbed to the lower surface of the substrate.
  • the bending deformation state may include at least one of a flat state in which the substrate is flat, a smile state in which the substrate is concave, and a cry state in which the substrate is convex.
  • the fixing portion is movable to apply force to the circumferential region of the substrate in a direction for maintaining the changed bending deformation state.
  • a substrate processing method of processing a substrate by a substrate processing apparatus includes controlling driving of a fixing unit and an adsorption unit based on a variable measured by a sensing unit, wherein the fixing unit controls the operation of the substrate. It is located adjacent to the circumferential region and is configured to fix the substrate, the adsorption unit is adsorbed on the substrate and applies force in a vertical direction to the central region of the substrate to change the bending deformation state of the substrate, and the sensing unit changes the variable related to the bending deformation state can be measured
  • a computer program recorded on a computer-readable recording medium may be provided to execute a substrate processing method of processing a substrate by a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present disclosure.
  • process efficiency may be increased by transforming a substrate into a shape suitable for a specific process.
  • a substrate processing apparatus may be applied to various processes by variously changing a warpage state of a substrate.
  • a warpage state suitable for a specific process may be continuously maintained by applying force to the substrate in an appropriate direction and intensity according to the bending state of the substrate.
  • the bending deformation state of the substrate can be finely controlled by stably maintaining the adsorption force of the adsorption unit moving the substrate.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 illustrates an example in which a bending deformation state of a substrate is changed to a smile state according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 shows an example in which an adsorption unit is detached from a substrate changed to a smile state according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 illustrates an example in which a bending deformation state of a substrate is changed to a cry state according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG 5 illustrates an example in which an adsorption unit is detached from a substrate changed to a cry state according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 shows an example of a flexible member included in an adsorption unit according to an embodiment of the present disclosure.
  • 'module' or 'unit' used in the specification means a software or hardware component, and the 'module' or 'unit' performs certain roles.
  • 'module' or 'unit' is not meant to be limited to software or hardware.
  • a 'module' or 'unit' may be configured to reside in an addressable storage medium and may be configured to reproduce one or more processors.
  • 'module' or 'unit' refers to components such as software components, object-oriented software components, class components, and task components, processes, functions, properties, It may include at least one of procedures, subroutines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuitry, data, databases, data structures, tables, arrays, or variables.
  • a 'module' or 'unit' may be implemented as a processor and a memory.
  • 'Processor' should be interpreted broadly to include general-purpose processors, central processing units (CPUs), microprocessors, digital signal processors (DSPs), controllers, microcontrollers, state machines, and the like.
  • 'processor' may refer to an application specific integrated circuit (ASIC), programmable logic device (PLD), field programmable gate array (FPGA), or the like.
  • ASIC application specific integrated circuit
  • PLD programmable logic device
  • FPGA field programmable gate array
  • 'Processor' refers to a combination of processing devices, such as, for example, a combination of a DSP and a microprocessor, a combination of a plurality of microprocessors, a combination of one or more microprocessors in conjunction with a DSP core, or a combination of any other such configurations. You may. Also, 'memory' should be interpreted broadly to include any electronic component capable of storing electronic information.
  • 'Memory' includes random access memory (RAM), read-only memory (ROM), non-volatile random access memory (NVRAM), programmable read-only memory (PROM), erasable-programmable read-only memory (EPROM), It may also refer to various types of processor-readable media, such as electrically erasable PROM (EEPROM), flash memory, magnetic or optical data storage, registers, and the like.
  • RAM random access memory
  • ROM read-only memory
  • NVRAM non-volatile random access memory
  • PROM programmable read-only memory
  • EPROM erasable-programmable read-only memory
  • a memory is said to be in electronic communication with the processor if the processor can read information from and/or write information to the memory.
  • Memory integrated with the processor is in electronic communication with the processor.
  • 'upper', 'lower', 'upper', 'lower', 'side', 'vertical' and 'horizontal' mean relative directions and/or positions with respect to any reference. That is, it is not interpreted as being limited to the absolute direction and / or position shown in the drawings.
  • 'B' adsorbed on the lower surface of 'A' can be interpreted as 'B' adsorbed on the upper surface of 'A' at the same time.
  • the vertical movement of 'C' can be interpreted as the horizontal movement of 'C' at the same time.
  • the substrate processing apparatus 100 is a device that performs a process of processing the substrate 140 .
  • the substrate processing apparatus 100 may perform an align process, a plasma process, a package process, a reflow process, a vision process, a deposition process, a photo process, or a heat treatment process. It may include a device that performs
  • the substrate processing apparatus 10 may be provided as a separate device for changing the bending deformation state of the substrate 140 .
  • the substrate 140 processed by the substrate processing apparatus 100 may be provided as a semiconductor wafer, a mask, a glass substrate, or a liquid crystal display (LCD) panel, but is not limited thereto.
  • LCD liquid crystal display
  • the substrate processing apparatus 100 includes support parts 124 and 134 provided in the chamber 110, fixing parts 126 and 136, a plurality of driving members 122, 128, 132 and 138, adsorption. It may include a unit 150 and a processing unit 160 .
  • the chamber 110 may have a processing space in which the substrate 140 is positioned and processed. Additionally, in the substrate processing apparatus 100 , various member(s) required for processing the substrate 140 according to the type of process may be provided inside and/or outside the chamber 110 .
  • the substrate processing apparatus 100 is a device for processing the substrate 140 using plasma
  • At least one of a component (for example, a high-frequency generator) or a component for exhausting process gas and plasma in the chamber 110 may be provided.
  • the supports 124 and 134 may be provided to support the substrate 140 .
  • the support units 124 and 134 may be provided with a plurality of support pins or electrostatic chucks that support the lower surface of the circumferential region of the substrate 140 .
  • the support portions 124 and 134 may be provided as guide rings that support the lower surface of the circumferential region of the substrate 140 .
  • the fixing parts 126 and 136 may be provided to fix the substrate 140 by being positioned adjacent to a circumferential area of the substrate 140 supported on the support parts 124 and 134 .
  • the fixing parts 126 and 136 may fix the substrate 140 or release the fixation to the substrate 140 by moving in a vertical direction by the driving members 122 , 128 , 132 , and 138 .
  • the fixing parts 126 and 136 may have a weight capable of preventing bending deformation of the substrate 140 .
  • the fixing parts 126 and 136 may be provided as clamp rings, respectively.
  • the clamp ring may include a ring-shaped disc and a load applying plate extending downward from an inner diameter of the disc to apply a load to the circumference of the substrate 140 and having a cylindrical or square cylinder shape.
  • the load application plate may be provided in the same shape as the circumferential area of the substrate 140 .
  • the adsorption unit 150 may change a warpage state of the substrate 140 by applying force to the substrate 140 while being adsorbed to the lower surface of the substrate 140 . Specifically, when the interior 152 of the adsorption unit 150 is converted to a vacuum state, the adsorption unit 150 may be adsorbed to the central region of the substrate 140 . Then, the adsorption unit 150 may be configured to change the bending deformation state of the substrate 140 by moving downward and applying tension downward to the central region of the substrate 140 .
  • the bending deformation state a flat state in which the substrate 140 is flat, a smile state in which the substrate 140 is concave, and a cry state in which the substrate 140 is convex are disclosed, but are not limited thereto.
  • the bending deformation state may refer to any shape of the substrate 140 deformed by applying a certain force.
  • one adsorption unit 150 is illustrated as being adsorbed to the central region of the substrate 140, but is not limited thereto, and the adsorption unit 150 may include a plurality of adsorption members.
  • the adsorption unit 150 includes a plurality of adsorption members, and the plurality of adsorption members are arranged at regular intervals around the midpoint of the substrate 140 so as to apply a uniform force to the substrate 140.
  • the plurality of suction members may be arranged in a type corresponding to the shape of the substrate 140 based on the shape of the substrate 140 .
  • the adsorption force of each of the plurality of adsorption members to the substrate 140 may be controlled to have different magnitudes.
  • the substrate processing apparatus 100 can change the substrate 140 into various bending deformation states by more finely adjusting the shape of the substrate 140 .
  • the sensing unit 170 may measure and acquire variables related to the bending deformation state of the substrate 140 .
  • the sensing unit 170 may measure the distance d0 to the substrate 140 (or a central area of the substrate 140).
  • the detector 170 may measure a value related to the curvature of the substrate 140 .
  • the sensing unit 170 is shown to be located on the lower part of the substrate 140, but is not limited thereto, and the substrate 140 may be located in various places such as the upper part and/or the side part of the substrate 140. .
  • the sensing unit 170 is shown as a separate configuration distinct from the adsorption unit 150, but is embedded in and/or attached to the center of the adsorption unit 150, or the chamber 110, the support unit 122, 132), fixing parts 126, 136, etc. may be configured in a form attached to one surface.
  • the sensing unit 170 may measure and acquire variables related to the position of the substrate 140 .
  • the detector 170 measures a variable related to the position of the substrate 140. and can be obtained.
  • the sensor 170 may start an operation of measuring a variable associated with a bending deformation state of the substrate 140 .
  • the controller 180 may be connected to the substrate processing apparatus 100 wirelessly and/or wired, and may receive data and/or signals from the substrate processing apparatus 100 .
  • the controller 180 may refer to a separate system configured to control the substrate processing apparatus 100 and/or at least one processor of a user terminal.
  • the controller 180 may refer to an internal processor mounted in the substrate processing apparatus 100 to control the substrate processing apparatus 100 .
  • the control unit 180 generates a control signal for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on data and/or signals received from the substrate processing apparatus 100 to generate a substrate processing apparatus ( 100) can be transmitted.
  • data and/or signals may refer to data and/or signals received from the substrate processing apparatus 100 .
  • the substrate processing apparatus 100 controls the driving members 122, 128, 132, and 138, the fixing units 126 and 138, and/or adsorption, based on data and/or signals received from the sensing unit 170. Driving of the unit 150 may be controlled.
  • control unit 180 calculates data for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on data associated with the substrate 140, and calculates data for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on the data. You can control the action.
  • the data related to the substrate 140 may include data related to a process type, a substrate type, physical properties, and/or a target bending strain state.
  • the process type refers to a classification code representing the type of process such as a plasma process, a package process, a reflow process, an etching process, a deposition process, a photo process, a heat treatment process, and the like
  • a substrate type refers to a semiconductor wafer, mask, glass substrate or It may refer to a classification code indicating the type of substrate 140, such as a liquid crystal display.
  • physical properties of the substrate 140 may include the material, size, thickness, stiffness/strength of the substrate 140 .
  • the control unit 180 calculates data for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on data associated with the fixing units 126 and 138, and based on the data, the substrate processing apparatus ( 100) can be controlled.
  • the data associated with the fixing parts 126 and 138 may include the load of the fixing parts 126 and 138, the number of members (eg, clamp rings) included in the fixing parts 126 and 138, and the like. .
  • the substrate processing apparatus 100 may increase process efficiency of the substrate 140 by changing the bending deformation state of the substrate 140 in a form suitable for a specific process.
  • the substrate processing apparatus 100 can be applied to various processes.
  • the substrate 140 may be provided in a form in which the relative position of the center region is lower than that of the circumference region. That is, when the bending deformation state of the substrate 140 is a smile state, the substrate 140 may be provided in a concave shape.
  • the adsorption unit 150 may be converted to a vacuum state and adsorbed to the lower surface of the substrate 140 .
  • the case where the distance to the central region of the substrate 140 is greater than or equal to the reference distance may include a case where the substrate 140 is in a flat state or a cry state.
  • the reference distance may refer to a threshold distance previously determined by a user.
  • the suction unit 150 may change the bending deformation state of the substrate 140 into a smile state by applying downward force to the central region of the substrate 140 .
  • the adsorbing unit 150 may apply tension to the central region of the substrate 140 by moving downward while being adsorbed to the substrate 140 .
  • the flexible substrate 140 is deformed into a smile shape in which the central region where the tension is applied is concave. can That is, when the bending deformation state of the substrate 140 is changed into a smile shape, fixing of the substrate 140 by the fixing units 126 and 136 may not be required.
  • the substrate 140 may not move horizontally or the fixing parts 126 and 136 may be provided to maintain the bending deformation state of the substrate 140. there is. Operations of the fixing parts 126 and 136 for the above-described embodiments will be described later with reference to FIG. 3 .
  • the adsorption unit 150 when the distance to the central region of the substrate 140 is 'd1' when the substrate 140 is in a smiling state, the adsorption unit 150 has a distance to the central region of the substrate 140 'd1'. It can move downward until 'd3' is smaller than d1'. This is to prevent the substrate 140 from deviating from the target smile state as the central region of the substrate 140 rises slightly as the stress of the substrate 140 decreases when the substrate 140 is detached from the adsorption unit 150.
  • the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state.
  • the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated as a higher value.
  • the adsorption unit 150 may maintain an adsorption state to the substrate 140 for a predetermined time from when the movement is completed (ie, when the substrate 140 reaches a target bending deformation state). .
  • the time during which the stress due to the adsorption unit 150 acts on the substrate 140 can be adjusted.
  • the holding time during which the adsorption unit 150 maintains the adsorption state may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state. For example, the higher the rigidity of the substrate 140 is, the higher the retention time may be calculated. For another example, the retention time may be calculated as a higher value as the adsorption force of the adsorption unit 150 is lower.
  • FIG. 3 shows an example in which the adsorption unit 150 is detached from the substrate 140 changed to a smile state according to an embodiment of the present disclosure.
  • the adsorption unit 150 can stop movement and release the vacuum.
  • the reference distance may mean a distance to a central region of the substrate 140 that causes the substrate 140 to be in a smile state.
  • the fixing parts 126 and 136 may move downward to apply force (ie, pressure) to the circumferential region of the substrate 140 .
  • the substrate 140 is fixed in the horizontal direction, and processing of the substrate 140 can be performed at a constant position.
  • the changed bending deformation state (here, a smile state) of the substrate 140 may be maintained, so that the bending deformation state of the substrate 140 suitable for a specific process may be continuously maintained.
  • the substrate 140 may be provided in a form in which a relative position of the center region is higher than that of the circumference region. That is, when the bending deformation state of the substrate 140 is a cry state, the substrate 140 may be provided in a convex shape.
  • the adsorption unit 150 may be converted to a vacuum state and adsorbed to the lower surface of the substrate 140 .
  • the case where the distance to the central region of the substrate 140 is equal to or less than the reference distance may include a case where the substrate 140 is in a flat state or a smile state.
  • the reference distance may refer to a threshold distance previously determined by a user.
  • the adsorption unit 150 may change the bending deformation state of the substrate 140 to a cry state by applying force upward to the central region of the substrate 140 .
  • the adsorbing unit 150 may apply pressure to the central region of the substrate 140 by moving upward while being adsorbed to the substrate 140 .
  • fixation to the circumferential region of the substrate 140 may be required so that the substrate 140 is not lifted by the pressure of the adsorption unit 150. there is.
  • the distance to the central region of the substrate 140 for example, the distance d0 in FIG. 1 or the distance d1 in FIG.
  • the fixing units 126 and 136 move downward, respectively.
  • force ie, pressure
  • the substrate 140 may be fixed so that the circumferential area of the substrate 140 is not lifted by the pressure of the suction unit 150.
  • the fixing parts 126 and 136 may be provided so that the substrate 140 does not move horizontally or to maintain the bending deformation state of the substrate 140 even before or after the bending deformation state of the substrate 140 is changed. . Operations of the fixing parts 126 and 136 for the above-described embodiments will be described later with reference to FIG. 5 .
  • the adsorbing unit 150 when the distance to the central region of the substrate 140 is 'd1' when the substrate 140 is in a cry state, the adsorbing unit 150 has a distance to the central region of the substrate 140 'd1'. You can move upward until 'd4' is greater than d1'. This is to prevent the substrate 140 from deviating from a target cry state as the central region of the substrate 140 slightly descends as the stress of the substrate 140 decreases when the substrate 140 is detached from the adsorption unit 150.
  • the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state.
  • the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated as a higher value.
  • the adsorption unit 150 may maintain an adsorption state to the substrate 140 for a predetermined time from when the movement is completed (ie, when the substrate 140 reaches a target bending deformation state). .
  • the time during which the stress due to the adsorption unit 150 acts on the substrate 140 can be adjusted.
  • the holding time during which the adsorption unit 150 maintains the adsorption state may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state. For example, the higher the rigidity of the substrate 140 is, the higher the retention time may be calculated. For another example, the retention time may be calculated as a higher value as the adsorption force of the adsorption unit 150 is lower.
  • FIG. 5 shows an example in which the adsorption unit 150 is detached from the substrate 140 changed to a cry state according to an embodiment of the present disclosure.
  • the adsorption unit 150 can stop movement and release the vacuum.
  • the reference distance may mean a distance to a central region of the substrate 140 that causes the substrate 140 to be in a cry state.
  • the fixing parts 126 and 136 may move downward to apply force (ie, pressure) to the circumferential region of the substrate 140 .
  • the substrate 140 is fixed in the horizontal direction, and processing of the substrate 140 can be performed at a constant position.
  • the changed bending deformation state (here, the cry state) of the substrate 140 is maintained, the substrate 140 can be processed while maintaining a current state suitable for the process. Furthermore, this may lead to an improvement in yield of the substrate 140 .
  • FIG. 6 shows an example of a flexible member 154 included in the adsorption unit 150 according to an embodiment of the present disclosure.
  • (a) of FIG. 6 shows the adsorption unit 150 before adsorption to the substrate 140 and/or the adsorption unit 150 after adsorption has been released from the substrate 140 .
  • a flexible member 154 having flexibility may be provided on the top of the adsorption unit 150 .
  • the flexible member 154 may refer to a part (or all) of the adsorption unit 150 including one side of the adsorption unit 150 in contact with the substrate 140 .
  • the shape of the flexible member 154 may be deformed into a shape corresponding to the bending deformation state of the substrate 140.
  • the flexible member 154 may be adsorbed to the substrate 140 in a concave or convex shape, respectively.
  • the flexible member 154 may be adsorbed to the substrate 140 in a flat shape.
  • example implementations may refer to utilizing aspects of the presently disclosed subject matter in the context of one or more standalone computer systems, the subject matter is not so limited, but rather in conjunction with any computing environment, such as a network or distributed computing environment. may be implemented. Further, aspects of the presently-disclosed subject matter may be implemented in or across a plurality of processing chips or devices, and storage may be similarly affected across a plurality of devices. Such devices may include PCs, network servers, and handheld devices.

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Abstract

A substrate processing device for processing a substrate, according to one embodiment of the present disclosure, may comprise: a support unit for supporting a substrate; a fixing unit positioned at a location adjacent to a circumferential region of the substrate supported on the support unit, so as to fix the substrate; and an adsorption unit, which absorbs at the bottom surface of the substrate so as to apply force in the vertical direction to a central region of the substrate, and thus changes a warpage state of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법Substrate processing apparatus and method
본 개시는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 굽힘 변형(warpage) 상태를 및 변경할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method capable of changing and changing a warpage state of a substrate.
웨이퍼(wafer)와 같은 반도체 집적회로는 일반적으로 매우 작고 얇은 실리콘 칩이지만 다양한 전자 부품들로 구성되어 있으며, 하나의 반도체 칩이 나오기까지 얼라인 공정, 포토 공정, 식각 공정, 증착 공정, 패키지 공정 등을 포함한 다양한 제조 공정들을 거치게 된다. 이 때, 공정 과정에서 서로 다른 열 팽창률 등의 요인으로 인해 기판에 굽힘 변형(warpage)이 발생할 수 있는데, 이러한 굽힘 변형은 기판의 수율을 감소시키는 원인으로 작용할 수 있다.Semiconductor integrated circuits such as wafers are generally very small and thin silicon chips, but they are composed of various electronic components, such as an alignment process, photo process, etching process, deposition process, package process, etc. until a single semiconductor chip is produced. It goes through various manufacturing processes, including At this time, warpage may occur in the substrate due to factors such as different thermal expansion rates during the process, and this warpage may act as a cause of reducing the yield of the substrate.
한편, 이와는 반대로 기판에 의도적으로 굽힘 변형을 발생시켜야 하는 공정도 존재하는데, 기판을 변형시키기 위해서는 기판의 강도/강성, 취성 등과 같은 물성뿐만 아니라 기판 상 전자 부품의 물리적 손상이 고려되어야 한다. 나아가, 굽힘 변형이 발생 또는 제거된 기판의 현상태를 유지하면서 공정을 진행하기 위해서는 종래 일반적인 방식의 공정을 방해하지 않으면서 동시에 미세하게 기판의 형상을 제어할 수 있는 장치가 요구된다.On the other hand, on the other hand, there is also a process in which bending deformation must be intentionally generated in the board. In order to deform the board, physical damage of electronic components on the board as well as physical properties such as strength/stiffness and brittleness of the board must be considered. Furthermore, in order to carry out the process while maintaining the current state of the substrate from which bending deformation has occurred or been removed, a device capable of finely controlling the shape of the substrate without interfering with the conventional process is required.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해 본 개시는 기판의 현재 굽힘 변형 상태를 측정하고, 측정 결과를 기초로 기판의 굽힘 변형 상태를 변경할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법이 제공된다.In order to solve the above problems, the present disclosure provides a substrate processing apparatus and method capable of measuring a current bending strain state of a substrate and changing the bending strain state of the substrate based on the measurement result.
본 개시의 일 실시예에 따른, 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지부, 지지부 상에 지지되는 기판의 둘레 영역과 인접한 곳에 위치하여 기판을 고정하도록 구성된 고정부 및 기판의 하면에 흡착하여 기판의 중심 영역에 수직방향으로 힘을 가함으로써 기판의 굽힘 변형 상태를 변경하도록 구성된 흡착부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a substrate processing apparatus for processing a substrate includes a support portion for supporting a substrate, a fixing portion positioned adjacent to a circumferential region of a substrate supported on the support portion and configured to fix the substrate, and a lower surface of the substrate. and an adsorption unit configured to change a bending deformation state of the substrate by being adsorbed to and applying force in a vertical direction to a central region of the substrate.
일 실시예에 따르면, 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치는, 기판의 굽힘 변형 상태와 연관된 변수를 측정하는 감지부 및 감지부에 의하여 측정된 변수를 기초로 고정부 및 흡착부의 구동을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a substrate processing apparatus for processing a substrate includes a sensing unit that measures a variable associated with a bending deformation state of a substrate and a control unit that controls driving of a fixing unit and an adsorption unit based on the variable measured by the sensing unit. may further include.
일 실시예에 따르면, 감지부는 기판의 중심 영역까지의 거리를 측정하는 센서를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the sensing unit may include a sensor for measuring a distance to a central region of the substrate.
일 실시예에 따르면, 기판의 중심 영역까지의 거리가 기준 거리 이상인 경우, 흡착부는 기판의 하면에 흡착하여 기판의 중심 영역에 하방으로 힘을 가함으로써 기판의 굽힘 변형 상태를 변경할 수 있다.According to an embodiment, when the distance to the central region of the substrate is greater than or equal to the reference distance, the adsorption unit may change the bending deformation state of the substrate by adhering to the lower surface of the substrate and applying downward force to the central region of the substrate.
일 실시예에 따르면, 기판의 중심 영역까지의 거리가 기준 거리 이하인 경우, 고정부는 기판의 둘레 영역에 힘을 가함으로써 기판을 고정하고, 흡착부는 기판의 하면에 흡착하여 기판의 중심 영역에 상방으로 힘을 가함으로써 기판의 굽힘 변형 상태를 변경할 수 있다.According to one embodiment, when the distance to the central region of the substrate is less than or equal to the reference distance, the fixing unit fixes the substrate by applying force to the circumferential region of the substrate, and the adsorption unit adsorbs to the lower surface of the substrate to move upward to the central region of the substrate. By applying a force, the bending deformation state of the substrate can be changed.
일 실시예에 따르면, 흡착부의 일면은 흡착부가 기판의 하면에 흡착할 때 기판의 굽힘 변형 상태와 대응되는 형태로 변형되는 유연 부재를 포함할 수 있다.According to an embodiment, one surface of the adsorption unit may include a flexible member that is deformed in a form corresponding to the bending deformation state of the substrate when the adsorption unit is adsorbed to the lower surface of the substrate.
일 실시예에 따르면, 굽힘 변형 상태는 기판이 평평한 플랫 상태, 기판이 오목한 스마일 상태 및 기판이 볼록한 크라이 상태 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the bending deformation state may include at least one of a flat state in which the substrate is flat, a smile state in which the substrate is concave, and a cry state in which the substrate is convex.
일 실시예에 따르면, 고정부는 기판의 둘레 영역에 대하여, 변경된 굽힘 변형 상태를 유지하기 위한 방향으로 힘을 가하도록 이동할 수 있다.According to one embodiment, the fixing portion is movable to apply force to the circumferential region of the substrate in a direction for maintaining the changed bending deformation state.
본 개시의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법은, 감지부에 의하여 측정된 변수를 기초로 고정부 및 흡착부의 구동을 제어하는 단계를 포함하고, 고정부는 기판의 둘레 영역과 인접한 곳에 위치하여 기판을 고정하도록 구성되고, 흡착부는 기판에 흡착하여 기판의 중심 영역에 수직방향으로 힘을 가함으로써 기판의 굽힘 변형 상태를 변경하고, 감지부는 굽힘 변형 상태와 연관된 변수를 측정할 수 있다.A substrate processing method of processing a substrate by a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present disclosure includes controlling driving of a fixing unit and an adsorption unit based on a variable measured by a sensing unit, wherein the fixing unit controls the operation of the substrate. It is located adjacent to the circumferential region and is configured to fix the substrate, the adsorption unit is adsorbed on the substrate and applies force in a vertical direction to the central region of the substrate to change the bending deformation state of the substrate, and the sensing unit changes the variable related to the bending deformation state can be measured
본 개시의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 실행시키도록 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록된 컴퓨터 프로그램이 제공될 수 있다.A computer program recorded on a computer-readable recording medium may be provided to execute a substrate processing method of processing a substrate by a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present disclosure.
본 개시의 일부 실시예에 따르면, 특정 공정에 적합한 형태로 기판을 변형함으로써 공정의 효율을 증가시킬 수 있다.According to some embodiments of the present disclosure, process efficiency may be increased by transforming a substrate into a shape suitable for a specific process.
본 개시의 일부 실시예에 따르면, 기판의 굽힘 변형(warpage) 상태를 다양하게 변경함으로써 기판 처리 장치를 다양한 공정에 적용할 수 있다.According to some embodiments of the present disclosure, a substrate processing apparatus may be applied to various processes by variously changing a warpage state of a substrate.
본 개시의 일부 실시예에 따르면, 기판의 굽힘 변형 상태에 따라 기판에 적절한 방향 및 세기로 힘을 가함으로써, 특정 공정에 적합한 기판의 굽힘 변형(warpage) 상태를 지속적으로 유지시킬 수 있다.According to some embodiments of the present disclosure, a warpage state suitable for a specific process may be continuously maintained by applying force to the substrate in an appropriate direction and intensity according to the bending state of the substrate.
본 개시의 일부 실시예에 따르면, 기판을 이동시키는 흡착부의 흡착력을 안정적으로 유지함으로써 기판의 굽힘 변형 상태를 미세하게 조절할 수 있다.According to some embodiments of the present disclosure, the bending deformation state of the substrate can be finely controlled by stably maintaining the adsorption force of the adsorption unit moving the substrate.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따라 기판의 굽힘 변형 상태가 스마일 상태로 변경된 예시를 나타낸다.2 illustrates an example in which a bending deformation state of a substrate is changed to a smile state according to an embodiment of the present disclosure.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따라 스마일 상태로 변경된 기판으로부터 흡착부가 탈착되는 예시를 나타낸다.FIG. 3 shows an example in which an adsorption unit is detached from a substrate changed to a smile state according to an embodiment of the present disclosure.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따라 기판의 굽힘 변형 상태가 크라이 상태로 변경된 예시를 나타낸다.4 illustrates an example in which a bending deformation state of a substrate is changed to a cry state according to an embodiment of the present disclosure.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따라 크라이 상태로 변경된 기판으로부터 흡착부가 탈착되는 예시를 나타낸다.5 illustrates an example in which an adsorption unit is detached from a substrate changed to a cry state according to an embodiment of the present disclosure.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따라 흡착부에 포함된 유연 부재의 예시를 나타낸다.6 shows an example of a flexible member included in an adsorption unit according to an embodiment of the present disclosure.
이하, 본 개시의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 다만, 이하의 설명에서는 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 우려가 있는 경우, 널리 알려진 기능이나 구성에 관한 구체적 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, specific details for the implementation of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in the following description, if there is a risk of unnecessarily obscuring the gist of the present disclosure, detailed descriptions of well-known functions or configurations will be omitted.
첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응되는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다.In the accompanying drawings, identical or corresponding elements are given the same reference numerals. In addition, in the description of the following embodiments, overlapping descriptions of the same or corresponding components may be omitted. However, omission of a description of a component does not intend that such a component is not included in an embodiment.
개시된 실시예의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 개시는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 개시가 완전하도록 하고, 본 개시가 통상의 기술자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것일 뿐이다.Advantages and features of the disclosed embodiments, and methods of achieving them, will become apparent with reference to the following embodiments in conjunction with the accompanying drawings. However, the present disclosure is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, only the present embodiments make the present disclosure complete, and the present disclosure fully covers the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided only to inform you.
본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 간략히 설명하고, 개시된 실시예에 대해 구체적으로 설명하기로 한다. 본 명세서에서 사용되는 용어는 본 개시에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 관련 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 개시에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 개시의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.Terms used in this specification will be briefly described, and the disclosed embodiments will be described in detail. The terms used in this specification have been selected from general terms that are currently widely used as much as possible while considering the functions in the present disclosure, but they may vary according to the intention of a person skilled in the related field, a precedent, or the emergence of new technologies. In addition, in a specific case, there is also a term arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the meaning will be described in detail in the description of the invention. Therefore, terms used in the present disclosure should be defined based on the meaning of the term and the general content of the present disclosure, not simply the name of the term.
본 명세서에서의 단수의 표현은 문맥상 명백하게 단수인 것으로 특정하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한, 복수의 표현은 문맥상 명백하게 복수인 것으로 특정하지 않는 한, 단수의 표현을 포함한다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함'한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. Expressions in the singular number in this specification include plural expressions unless the context clearly dictates that they are singular. Also, plural expressions include singular expressions unless the context clearly specifies that they are plural. When it is said that a certain part 'includes' a certain element in the entire specification, it means that other elements may be further included without excluding other elements unless otherwise stated.
또한, 명세서에서 사용되는 '모듈' 또는 '부'라는 용어는 소프트웨어 또는 하드웨어 구성요소를 의미하며, '모듈' 또는 '부'는 어떤 역할들을 수행한다. 그렇지만 '모듈' 또는 '부'는 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '모듈' 또는 '부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. 따라서, 일 예로서 '모듈' 또는 '부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 또는 변수들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구성요소들과 '모듈' 또는 '부'들은 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '모듈' 또는 '부'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '모듈' 또는 '부'들로 더 분리될 수 있다.Also, the term 'module' or 'unit' used in the specification means a software or hardware component, and the 'module' or 'unit' performs certain roles. However, 'module' or 'unit' is not meant to be limited to software or hardware. A 'module' or 'unit' may be configured to reside in an addressable storage medium and may be configured to reproduce one or more processors. Thus, as an example, 'module' or 'unit' refers to components such as software components, object-oriented software components, class components, and task components, processes, functions, properties, It may include at least one of procedures, subroutines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuitry, data, databases, data structures, tables, arrays, or variables. Functions provided within components and 'modules' or 'units' may be combined into a smaller number of components and 'modules' or 'units', or further components and 'modules' or 'units'. can be further separated.
본 개시의 일 실시예에 따르면 '모듈' 또는 '부'는 프로세서 및 메모리로 구현될 수 있다. '프로세서'는 범용 프로세서, 중앙 처리 장치(CPU), 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 제어기, 마이크로제어기, 상태 머신 등을 포함하도록 넓게 해석되어야 한다. 몇몇 환경에서는, '프로세서'는 주문형 반도체(ASIC), 프로그램 가능 로직 디바이스(PLD), 필드 프로그램가능 게이트 어레이(FPGA) 등을 지칭할 수도 있다. '프로세서'는, 예를 들어, DSP와 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들의 조합, DSP 코어와 결합한 하나 이상의 마이크로프로세서들의 조합, 또는 임의의 다른 그러한 구성들의 조합과 같은 처리 디바이스들의 조합을 지칭할 수도 있다. 또한, '메모리'는 전자 정보를 저장 가능한 임의의 전자 컴포넌트를 포함하도록 넓게 해석되어야 한다. '메모리'는 임의 액세스 메모리(RAM), 판독-전용 메모리(ROM), 비-휘발성 임의 액세스 메모리(NVRAM), 프로그램가능 판독-전용 메모리(PROM), 소거-프로그램가능 판독 전용 메모리(EPROM), 전기적으로 소거가능 PROM(EEPROM), 플래쉬 메모리, 자기 또는 광학 데이터 저장장치, 레지스터들 등과 같은 프로세서-판독가능 매체의 다양한 유형들을 지칭할 수도 있다. 프로세서가 메모리로부터 정보를 판독하고/하거나 메모리에 정보를 기록할 수 있다면 메모리는 프로세서와 전자 통신 상태에 있다고 불린다. 프로세서에 집적된 메모리는 프로세서와 전자 통신 상태에 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a 'module' or 'unit' may be implemented as a processor and a memory. 'Processor' should be interpreted broadly to include general-purpose processors, central processing units (CPUs), microprocessors, digital signal processors (DSPs), controllers, microcontrollers, state machines, and the like. In some circumstances, 'processor' may refer to an application specific integrated circuit (ASIC), programmable logic device (PLD), field programmable gate array (FPGA), or the like. 'Processor' refers to a combination of processing devices, such as, for example, a combination of a DSP and a microprocessor, a combination of a plurality of microprocessors, a combination of one or more microprocessors in conjunction with a DSP core, or a combination of any other such configurations. You may. Also, 'memory' should be interpreted broadly to include any electronic component capable of storing electronic information. 'Memory' includes random access memory (RAM), read-only memory (ROM), non-volatile random access memory (NVRAM), programmable read-only memory (PROM), erasable-programmable read-only memory (EPROM), It may also refer to various types of processor-readable media, such as electrically erasable PROM (EEPROM), flash memory, magnetic or optical data storage, registers, and the like. A memory is said to be in electronic communication with the processor if the processor can read information from and/or write information to the memory. Memory integrated with the processor is in electronic communication with the processor.
본 개시의 일 실시예에 따르면, '상방', '하방', '상면', '하면', '측면', '수직' 및 '수평'은 임의의 기준에 대한 상대적인 방향 및/또는 위치를 의미하는 것으로, 도면에 도시된 절대적인 방향 및/또는 위치로 한정하여 해석되지 않는다. 예를 들어, 'A'의 하면에 흡착된 'B'는 동시에 'A'의 상면에 흡착된 'B'로 해석될 수 있다. 다른 예를 들어, 'C'의 수직 이동은 동시에 'C'의 수평 이동으로 해석될 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, 'upper', 'lower', 'upper', 'lower', 'side', 'vertical' and 'horizontal' mean relative directions and/or positions with respect to any reference. That is, it is not interpreted as being limited to the absolute direction and / or position shown in the drawings. For example, 'B' adsorbed on the lower surface of 'A' can be interpreted as 'B' adsorbed on the upper surface of 'A' at the same time. For another example, the vertical movement of 'C' can be interpreted as the horizontal movement of 'C' at the same time.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는 기판(140)을 처리하는 공정을 수행하는 장치이다. 예를 들어, 기판 처리 장치(100)는 얼라인(align) 공정, 플라즈마(plasma) 공정, 패키지(package) 공정, 리플로우(reflow) 공정, 시각 공정, 증착 공정, 포토 공정 또는 열처리 공정 등을 수행하는 장치를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 변경시키기 위한 별도의 장치로 제공될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(100)에서 처리되는 기판(140)은 반도체 웨이퍼(wafer), 마스크(mask), 유리 기판 또는 액정 디스플레이(LCD) 패널 등으로 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present disclosure. As shown, the substrate processing apparatus 100 is a device that performs a process of processing the substrate 140 . For example, the substrate processing apparatus 100 may perform an align process, a plasma process, a package process, a reflow process, a vision process, a deposition process, a photo process, or a heat treatment process. It may include a device that performs For another example, the substrate processing apparatus 10 may be provided as a separate device for changing the bending deformation state of the substrate 140 . In addition, the substrate 140 processed by the substrate processing apparatus 100 may be provided as a semiconductor wafer, a mask, a glass substrate, or a liquid crystal display (LCD) panel, but is not limited thereto.
일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치(100)는 챔버(110) 내에 제공되는 지지부(124, 134), 고정부(126, 136), 복수의 구동 부재(122, 128, 132, 138), 흡착부(150) 및 처리부(160)를 포함할 수 있다. 여기서, 챔버(110)는 내부에 기판(140)이 위치하여 처리되는 처리 공간을 가질 수 있다. 추가적으로, 기판 처리 장치(100)는 챔버(110)의 내부 및/또는 외부에 공정의 종류에 따른 기판(140)의 처리에 요구되는 다양한 부재(들)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(100)가 플라즈마를 이용하여 기판(140)을 처리하는 장치인 경우, 챔버(110) 내에 플라즈마 발생을 위한 공정가스를 제공하기 위한 구성, 공정가스를 플라즈마로 변환하기 위한 구성(예를 들어, 고주파 발생기) 또는 챔버(110) 내의 공정가스 및 플라즈마를 배기하기 위한 구성 중 적어도 하나가 제공될 수 있다.According to an embodiment, the substrate processing apparatus 100 includes support parts 124 and 134 provided in the chamber 110, fixing parts 126 and 136, a plurality of driving members 122, 128, 132 and 138, adsorption. It may include a unit 150 and a processing unit 160 . Here, the chamber 110 may have a processing space in which the substrate 140 is positioned and processed. Additionally, in the substrate processing apparatus 100 , various member(s) required for processing the substrate 140 according to the type of process may be provided inside and/or outside the chamber 110 . For example, when the substrate processing apparatus 100 is a device for processing the substrate 140 using plasma, a configuration for providing a process gas for generating plasma into the chamber 110 and converting the process gas into plasma At least one of a component (for example, a high-frequency generator) or a component for exhausting process gas and plasma in the chamber 110 may be provided.
일 실시예에 따르면, 지지부(124, 134)는 기판(140)을 지지하기 위해 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지부(124, 134)는 기판(140)의 둘레 영역의 저면을 지지하는 다수의 지지핀, 정전척 등으로 제공될 수 있다. 다른 예를 들어, 지지부(124, 134)는 기판(140)의 둘레 영역의 저면을 지지하는 가이드링으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the supports 124 and 134 may be provided to support the substrate 140 . For example, the support units 124 and 134 may be provided with a plurality of support pins or electrostatic chucks that support the lower surface of the circumferential region of the substrate 140 . For another example, the support portions 124 and 134 may be provided as guide rings that support the lower surface of the circumferential region of the substrate 140 .
일 실시예에 따르면, 고정부(126, 136)는 지지부(124, 134) 상에 지지되는 기판(140)의 둘레 영역과 인접한 곳에 위치하여 기판(140)을 고정하기 위해 제공될 수 있다. 구체적으로, 고정부(126, 136)는 구동 부재(122, 128, 132, 138)에 의해 수직 방향으로 이동함으로써 기판(140)을 고정하거나, 기판(140)에 대한 고정을 해제할 수 있다. 이를 위해, 고정부(126, 136)는 기판(140)의 굽힘 변형을 방지할 수 있는 무게를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 고정부(126, 136)는 각각 클램프링으로 제공될 수 있다. 여기서, 클램프링은 링 형상의 원판 및 해당 원판의 내경부로부터 하부로 연장되어 기판(140)의 둘레 영역에 하중을 가하도록 원통 또는 사각통 형상으로 형성되는 하중 인가판을 포함할 수 있다. 이 경우, 하중 인가판은 기판(140)의 둘레 영역과 동일한 형상으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the fixing parts 126 and 136 may be provided to fix the substrate 140 by being positioned adjacent to a circumferential area of the substrate 140 supported on the support parts 124 and 134 . Specifically, the fixing parts 126 and 136 may fix the substrate 140 or release the fixation to the substrate 140 by moving in a vertical direction by the driving members 122 , 128 , 132 , and 138 . To this end, the fixing parts 126 and 136 may have a weight capable of preventing bending deformation of the substrate 140 . According to one embodiment, the fixing parts 126 and 136 may be provided as clamp rings, respectively. Here, the clamp ring may include a ring-shaped disc and a load applying plate extending downward from an inner diameter of the disc to apply a load to the circumference of the substrate 140 and having a cylindrical or square cylinder shape. In this case, the load application plate may be provided in the same shape as the circumferential area of the substrate 140 .
일 실시예에 따르면, 흡착부(150)는 기판(140)의 하면에 흡착한 상태로 기판(140)에 힘을 가함으로써 기판(140)의 굽힘 변형(warpage) 상태를 변경할 수 있다. 구체적으로, 흡착부(150)의 내부(152)가 진공 상태로 전환될 때, 흡착부(150)는 기판(140)의 중심 영역에 흡착될 수 있다. 그리고 나서, 흡착부(150)가 하방으로 이동하여 기판(140)의 중심 영역에 하방으로 장력을 가함으로써 기판의 굽힘 변형 상태를 변경하도록 구성될 수 있다. 본 개시에서는 굽힘 변형 상태의 예시로서, 기판(140)이 평평한 플랫 상태, 기판(140)이 오목한 스마일 상태 및 기판(140)이 볼록한 크라이 상태를 개시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 굽힘 변형 상태는 일정한 힘을 가함으로써 변형된 기판(140)의 모든 형태를 지칭할 수 있다.According to an embodiment, the adsorption unit 150 may change a warpage state of the substrate 140 by applying force to the substrate 140 while being adsorbed to the lower surface of the substrate 140 . Specifically, when the interior 152 of the adsorption unit 150 is converted to a vacuum state, the adsorption unit 150 may be adsorbed to the central region of the substrate 140 . Then, the adsorption unit 150 may be configured to change the bending deformation state of the substrate 140 by moving downward and applying tension downward to the central region of the substrate 140 . In the present disclosure, as examples of the bending deformation state, a flat state in which the substrate 140 is flat, a smile state in which the substrate 140 is concave, and a cry state in which the substrate 140 is convex are disclosed, but are not limited thereto. For example, the bending deformation state may refer to any shape of the substrate 140 deformed by applying a certain force.
한편, 도 1에서는 하나의 흡착부(150)가 기판(140)의 중심 영역에 흡착된 것으로 도시되었으나 이에 한정되지 않고, 흡착부(150)는 복수의 흡착 부재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 흡착부(150)는 복수의 흡착 부재를 포함하고, 복수의 흡착 부재는 기판(140)에 균일한 힘을 가할 수 있도록, 기판(140)의 중점을 중심으로 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 다른 예를 들어, 복수의 흡착 부재는 기판(140)의 형상을 기초로 기판(140)의 형상과 대응되는 유형으로 배치될 수 있다. 이 때, 기판(140)에 대한 복수의 흡착 부재 각각의 흡착력은 서로 다른 크기를 갖도록 제어될 수 있다. 이러한 구성에 의해, 기판 처리 장치(100)는 기판(140)의 형상을 보다 미세하게 조정함으로써, 기판(140)을 다양한 굽힘 변형 상태로 변경할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 1 , one adsorption unit 150 is illustrated as being adsorbed to the central region of the substrate 140, but is not limited thereto, and the adsorption unit 150 may include a plurality of adsorption members. For example, the adsorption unit 150 includes a plurality of adsorption members, and the plurality of adsorption members are arranged at regular intervals around the midpoint of the substrate 140 so as to apply a uniform force to the substrate 140. can For another example, the plurality of suction members may be arranged in a type corresponding to the shape of the substrate 140 based on the shape of the substrate 140 . At this time, the adsorption force of each of the plurality of adsorption members to the substrate 140 may be controlled to have different magnitudes. With this configuration, the substrate processing apparatus 100 can change the substrate 140 into various bending deformation states by more finely adjusting the shape of the substrate 140 .
일 실시예에 따르면, 감지부(170)는 기판(140)의 굽힘 변형 상태와 연관된 변수를 측정 및 획득할 수 있다. 예를 들어, 감지부(170)는 기판(140)(또는, 기판(140)의 중심 영역)까지의 거리(d0)를 측정할 수 있다. 다른 예를 들어, 감지부(170)는 기판(140)의 곡률(curvature)과 연관된 값을 측정할 수 있다. According to an embodiment, the sensing unit 170 may measure and acquire variables related to the bending deformation state of the substrate 140 . For example, the sensing unit 170 may measure the distance d0 to the substrate 140 (or a central area of the substrate 140). For another example, the detector 170 may measure a value related to the curvature of the substrate 140 .
한편, 도 1에서는 감지부(170)가 기판(140)의 하부에 위치하는 것으로 도시되었으나 이에 한정되지 않고, 기판(140)은 기판(140)의 상부 및/또는 측면부 등 다양한 곳에 위치할 수 있다. 또한, 도 1에서는 감지부(170)가 흡착부(150)와 구분되는 별도의 구성으로 도시되어 있으나, 흡착부(150)의 중심부에 내장 및/또는 부착되거나 챔버(110), 지지부(122, 132), 고정부(126, 136) 등의 일면에 부착된 형태로 구성될 수 있다.Meanwhile, in FIG. 1 , the sensing unit 170 is shown to be located on the lower part of the substrate 140, but is not limited thereto, and the substrate 140 may be located in various places such as the upper part and/or the side part of the substrate 140. . In addition, in FIG. 1, the sensing unit 170 is shown as a separate configuration distinct from the adsorption unit 150, but is embedded in and/or attached to the center of the adsorption unit 150, or the chamber 110, the support unit 122, 132), fixing parts 126, 136, etc. may be configured in a form attached to one surface.
추가적으로, 감지부(170)는 기판(140)의 위치와 연관된 변수를 측정 및 획득할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(100)가 기판(140)을 사전 결정된 일정한 위치에 배치하는 기능을 수행하는 얼라인 장치인 경우, 감지부(170)는 기판(140)의 위치와 연관된 변수를 측정 및 획득할 수 있다. 나아가, 감지부(170)는 기판(140)이 사전 결정된 위치에 배치된 때, 기판(140)의 굽힘 변형 상태와 연관된 변수 측정 동작을 개시할 수 있다.Additionally, the sensing unit 170 may measure and acquire variables related to the position of the substrate 140 . For example, when the substrate processing apparatus 100 is an aligning device that performs a function of arranging the substrate 140 at a predetermined location, the detector 170 measures a variable related to the position of the substrate 140. and can be obtained. Furthermore, when the substrate 140 is disposed at a predetermined position, the sensor 170 may start an operation of measuring a variable associated with a bending deformation state of the substrate 140 .
일 실시예에 따르면, 제어부(180)는 기판 처리 장치(100)에 무선 및/또는 유선으로 연결되어, 기판 처리 장치(100)로부터 데이터 및/또는 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, 제어부(180)는 기판 처리 장치(100)를 제어하기 위하여 구성된 별도의 시스템 및/또는 사용자 단말의 적어도 하나의 프로세서를 지칭할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어부(180)는 기판 처리 장치(100)를 제어하기 위하여 기판 처리 장치(100)에 장착된 내부 프로세서를 지칭할 수도 있다. According to an embodiment, the controller 180 may be connected to the substrate processing apparatus 100 wirelessly and/or wired, and may receive data and/or signals from the substrate processing apparatus 100 . For example, the controller 180 may refer to a separate system configured to control the substrate processing apparatus 100 and/or at least one processor of a user terminal. For another example, the controller 180 may refer to an internal processor mounted in the substrate processing apparatus 100 to control the substrate processing apparatus 100 .
일 실시예에 따르면, 제어부(180)는 기판 처리 장치(100)로부터 수신한 데이터 및/또는 신호에 기초하여, 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하여 기판 처리 장치(100)로 전송할 수 있다. 여기서, 데이터 및/또는 신호는 기판 처리 장치(100)로부터 수신한 데이터 및/또는 신호를 지칭할 수 있다. 이 경우, 기판 처리 장치(100)는 감지부(170)로부터 수신한 데이터 및/또는 신호에 기초하여, 구동 부재(122, 128, 132, 138), 고정부(126, 138) 및/또는 흡착부(150)의 구동을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the control unit 180 generates a control signal for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on data and/or signals received from the substrate processing apparatus 100 to generate a substrate processing apparatus ( 100) can be transmitted. Here, data and/or signals may refer to data and/or signals received from the substrate processing apparatus 100 . In this case, the substrate processing apparatus 100 controls the driving members 122, 128, 132, and 138, the fixing units 126 and 138, and/or adsorption, based on data and/or signals received from the sensing unit 170. Driving of the unit 150 may be controlled.
일 실시예에 따르면, 제어부(180)는 기판(140)과 연관된 데이터를 기초로 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어하기 위한 데이터를 산출하고, 해당 데이터를 기초로 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어할 수 있다. 여기서, 기판(140)과 연관된 데이터는 공정 유형, 기판 유형, 물성 및/또는 목표 굽힘 변형 상태와 연관된 데이터를 포함할 수 있다. 여기서, 공정 유형은 플라즈마 공정, 패키지 공정, 리플로우 공정, 식각 공정, 증착 공정, 포토 공정, 열처리 공정 등과 같이 공정의 종류를 나타내는 분류 코드를 지칭하고, 기판 유형은 반도체 웨이퍼, 마스크, 유리 기판 또는 액정 디스플레이 등과 같이 기판(140)의 종류를 나타내는 분류 코드를 지칭할 수 있다. 또한, 기판(140)의 물성은 기판(140)의 재질, 크기, 두께, 강성/강도 등을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the control unit 180 calculates data for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on data associated with the substrate 140, and calculates data for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on the data. You can control the action. Here, the data related to the substrate 140 may include data related to a process type, a substrate type, physical properties, and/or a target bending strain state. Here, the process type refers to a classification code representing the type of process such as a plasma process, a package process, a reflow process, an etching process, a deposition process, a photo process, a heat treatment process, and the like, and a substrate type refers to a semiconductor wafer, mask, glass substrate or It may refer to a classification code indicating the type of substrate 140, such as a liquid crystal display. In addition, physical properties of the substrate 140 may include the material, size, thickness, stiffness/strength of the substrate 140 .
일 실시예에 따르면, 제어부(180)는 고정부(126, 138)와 연관된 데이터를 기초로 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어하기 위한 데이터를 산출하고, 해당 데이터를 기초로 기판 처리 장치(100)의 동작을 제어할 수 있다. 여기서, 고정부(126, 138)와 연관된 데이터는 고정부(126, 138)의 하중, 고정부(126, 138)에 포함된 부재(예를 들어, 클램프 링)의 개수 등을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the control unit 180 calculates data for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100 based on data associated with the fixing units 126 and 138, and based on the data, the substrate processing apparatus ( 100) can be controlled. Here, the data associated with the fixing parts 126 and 138 may include the load of the fixing parts 126 and 138, the number of members (eg, clamp rings) included in the fixing parts 126 and 138, and the like. .
상술한 구성에 의해, 기판 처리 장치(100)는 특정 공정에 적합한 형태로 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 변경시켜 기판(140)의 공정 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 다양하게 변경할 수 있으므로 기판 처리 장치(100)가 다양한 공정에 적용될 수 있다.With the configuration described above, the substrate processing apparatus 100 may increase process efficiency of the substrate 140 by changing the bending deformation state of the substrate 140 in a form suitable for a specific process. In addition, since the bending deformation state of the substrate 140 can be changed in various ways, the substrate processing apparatus 100 can be applied to various processes.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따라 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 스마일 상태로 변경된 예시를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 스마일 상태인 때, 기판(140)은 중심 영역은 둘레 영역보다 상대 위치가 낮은 형태로 제공될 수 있다. 즉, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 스마일 상태인 때, 기판(140)은 오목한 형태로 제공될 수 있다.2 shows an example in which the bending deformation state of the substrate 140 is changed to a smile state according to an embodiment of the present disclosure. As shown, when the bending deformation state of the substrate 140 is a smile state, the substrate 140 may be provided in a form in which the relative position of the center region is lower than that of the circumference region. That is, when the bending deformation state of the substrate 140 is a smile state, the substrate 140 may be provided in a concave shape.
일 실시예에 따르면, 감지부(170)에 의하여 측정된 기판(140)의 중심 영역까지의 거리(예: 도 1의 거리(d0) 또는 도 4의 거리(d2))가 기준 거리 이상인 경우, 흡착부(150)는 진공 상태로 전환되어 기판(140)의 하면에 흡착될 수 있다. 여기서, 기판(140)의 중심 영역까지의 거리가 기준 거리 이상인 경우는, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 플랫 상태 또는 크라이 상태인 경우를 포함할 수 있다. 또한, 기준 거리는 사용자에 의해 미리 결정된 임계 거리를 지칭할 수 있다.According to an embodiment, when the distance to the central region of the substrate 140 measured by the sensing unit 170 (eg, the distance d0 in FIG. 1 or the distance d2 in FIG. 4) is equal to or greater than the reference distance, The adsorption unit 150 may be converted to a vacuum state and adsorbed to the lower surface of the substrate 140 . Here, the case where the distance to the central region of the substrate 140 is greater than or equal to the reference distance may include a case where the substrate 140 is in a flat state or a cry state. Also, the reference distance may refer to a threshold distance previously determined by a user.
일 실시예에 따르면, 흡착부(150)는 기판(140)의 중심 영역에 하방으로 힘을 가함으로써 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 스마일 상태로 변경할 수 있다. 구체적으로, 흡착부(150)는 기판(140)에 흡착된 상태에서 하방으로 이동함으로써, 기판(140)의 중심 영역에 장력을 가할 수 있다. 이 때, 기판(140)의 둘레 영역에는 지지부(124, 134)에 의하여 수직 상방으로 수직 항력이 가해지므로, 유연성이 있는 기판(140)은 장력이 가해지는 중심 영역이 오목해지는 스마일 형태로 변형될 수 있다. 즉, 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 스마일 형태로 변경하는 경우에는, 고정부(126, 136)에 의한 기판(140)의 고정이 요구되지 않을 수 있다. 추가적으로, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 변경되기 이전 또는 이후에는, 기판(140)이 수평 이동하지 않거나 기판(140)의 굽힘 변형 상태의 유지를 위해 고정부(126, 136)가 제공될 수 있다. 상술한 실시예들을 위한 고정부(126, 136)의 동작은 도 3에서 후술된다.According to an embodiment, the suction unit 150 may change the bending deformation state of the substrate 140 into a smile state by applying downward force to the central region of the substrate 140 . Specifically, the adsorbing unit 150 may apply tension to the central region of the substrate 140 by moving downward while being adsorbed to the substrate 140 . At this time, since a vertical drag force is applied vertically upward to the circumferential region of the substrate 140 by the support portions 124 and 134, the flexible substrate 140 is deformed into a smile shape in which the central region where the tension is applied is concave. can That is, when the bending deformation state of the substrate 140 is changed into a smile shape, fixing of the substrate 140 by the fixing units 126 and 136 may not be required. Additionally, before or after the bending deformation state of the substrate 140 is changed, the substrate 140 may not move horizontally or the fixing parts 126 and 136 may be provided to maintain the bending deformation state of the substrate 140. there is. Operations of the fixing parts 126 and 136 for the above-described embodiments will be described later with reference to FIG. 3 .
일 실시예에 따르면, 기판(140)이 스마일 상태인 때 기판(140)의 중심 영역까지의 거리가 'd1'인 경우, 흡착부(150)는 기판(140)의 중심 영역까지의 거리가 'd1'보다 작은 'd3'가 될 때까지 하방으로 이동할 수 있다. 이는 기판(140)이 흡착부(150)로부터 탈착 될 때 기판(140)의 응력이 감소함으로써, 기판(140)의 중심 영역이 미세하게 상승함에 따라 목표했던 스마일 상태로부터 벗어나는 것을 방지하기 위함이다. 이 경우, 흡착부(150)의 이동 거리는 흡착부(150)의 흡착력, 공정 유형, 기판 유형, 물성 및/또는 목표 굽힘 변형 상태와 연관된 데이터를 기초로 산출될 수 있다. 예를 들어, 공정 유형에 따라 공정에 사용되는 가스의 온도가 높은 경우, 흡착부(150)의 이동 거리는 더 높은 값으로 산출될 수 있다. 다른 예를 들어, 기판(140)의 강성이 강할수록, 흡착부(150)의 이동거리가 더 높은 값으로 산출될 수 있다.According to an embodiment, when the distance to the central region of the substrate 140 is 'd1' when the substrate 140 is in a smiling state, the adsorption unit 150 has a distance to the central region of the substrate 140 'd1'. It can move downward until 'd3' is smaller than d1'. This is to prevent the substrate 140 from deviating from the target smile state as the central region of the substrate 140 rises slightly as the stress of the substrate 140 decreases when the substrate 140 is detached from the adsorption unit 150. In this case, the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state. For example, when the temperature of the gas used in the process is high according to the process type, the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated as a higher value. For another example, the stronger the rigidity of the substrate 140 is, the higher the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated.
일 실시예에 따르면, 흡착부(150)는 이동을 완료한 때(즉, 기판(140)이 목표 굽힘 변형 상태에 도달한 때)부터 일정 시간동안 기판(140)에 대한 흡착 상태를 유지할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 기판(140)에 흡착부(150)에 의한 응력이 작용하는 시간을 조절할 수 있다. 이 경우, 흡착부(150)가 흡착 상태를 유지하는 유지 시간은 흡착부(150)의 흡착력, 공정 유형, 기판 유형, 물성 및/또는 목표 굽힘 변형 상태와 연관된 데이터를 기초로 산출될 수 있다. 예를 들어, 기판(140)의 강성이 강할 수록 유지 시간은 더 높은 값으로 산출될 수 있다. 다른 예를 들어, 흡착부(150) 흡착력이 낮을수록 유지 시간은 더 높은 값으로 산출될 수 있다.According to an embodiment, the adsorption unit 150 may maintain an adsorption state to the substrate 140 for a predetermined time from when the movement is completed (ie, when the substrate 140 reaches a target bending deformation state). . With this configuration, the time during which the stress due to the adsorption unit 150 acts on the substrate 140 can be adjusted. In this case, the holding time during which the adsorption unit 150 maintains the adsorption state may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state. For example, the higher the rigidity of the substrate 140 is, the higher the retention time may be calculated. For another example, the retention time may be calculated as a higher value as the adsorption force of the adsorption unit 150 is lower.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따라 스마일 상태로 변경된 기판(140)으로부터 흡착부(150)가 탈착되는 예시를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 흡착부(150)가 하방으로 이동하는 도중에 감지부(170)에 의하여 측정된 기판(140)의 중심 영역까지의 거리(d1)가 기준 거리에 도달하면, 흡착부(150)는 이동을 정지하고 진공 상태를 해제할 수 있다. 여기서, 기준 거리는 기판(140)이 스마일 상태가 되도록 하는 기판(140)의 중심 영역까지의 거리를 의미할 수 있다. 이 경우, 고정부(126, 136)는 각각 하방으로 이동하여 기판(140)의 둘레 영역에 힘(즉, 압력)을 가할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 기판(140)이 수평 방향으로 고정되어, 기판(140)에 대한 처리가 일정한 위치에서 수행될 수 있다. 또한, 기판(140)의 변경된 굽힘 변형 상태(여기서, 스마일 상태)가 유지되어, 특정 공정에 적합한 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 지속적으로 유지시킬 수 있다.FIG. 3 shows an example in which the adsorption unit 150 is detached from the substrate 140 changed to a smile state according to an embodiment of the present disclosure. As shown, when the distance d1 to the central region of the substrate 140 measured by the sensing unit 170 while the adsorption unit 150 moves downward reaches the reference distance, the adsorption unit 150 can stop movement and release the vacuum. Here, the reference distance may mean a distance to a central region of the substrate 140 that causes the substrate 140 to be in a smile state. In this case, the fixing parts 126 and 136 may move downward to apply force (ie, pressure) to the circumferential region of the substrate 140 . With this configuration, the substrate 140 is fixed in the horizontal direction, and processing of the substrate 140 can be performed at a constant position. In addition, the changed bending deformation state (here, a smile state) of the substrate 140 may be maintained, so that the bending deformation state of the substrate 140 suitable for a specific process may be continuously maintained.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따라 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 크라이 상태로 변경된 예시를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 크라이 상태인 때, 기판(140)은 중심 영역은 둘레 영역보다 상대 위치가 높은 형태로 제공될 수 있다. 즉, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 크라이 상태인 때, 기판(140)은 볼록한 형태로 제공될 수 있다.4 illustrates an example in which the bending deformation state of the substrate 140 is changed to a cry state according to an embodiment of the present disclosure. As shown, when the bending deformation state of the substrate 140 is a cry state, the substrate 140 may be provided in a form in which a relative position of the center region is higher than that of the circumference region. That is, when the bending deformation state of the substrate 140 is a cry state, the substrate 140 may be provided in a convex shape.
일 실시예에 따르면, 감지부(170)에 의하여 측정된 기판(140)의 중심 영역까지의 거리(예: 도 1의 거리(d0) 또는 도 2의 거리(d1))가 기준 거리 이하인 경우, 흡착부(150)는 진공 상태로 전환되어 기판(140)의 하면에 흡착될 수 있다. 여기서, 기판(140)의 중심 영역까지의 거리가 기준 거리 이하인 경우는, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 플랫 상태 또는 스마일 상태인 경우를 포함할 수 있다. 또한, 기준 거리는 사용자에 의해 미리 결정된 임계 거리를 지칭할 수 있다.According to an embodiment, when the distance to the central region of the substrate 140 measured by the sensing unit 170 (eg, the distance d0 in FIG. 1 or the distance d1 in FIG. 2 ) is less than or equal to the reference distance, The adsorption unit 150 may be converted to a vacuum state and adsorbed to the lower surface of the substrate 140 . Here, the case where the distance to the central region of the substrate 140 is equal to or less than the reference distance may include a case where the substrate 140 is in a flat state or a smile state. Also, the reference distance may refer to a threshold distance previously determined by a user.
일 실시예에 따르면, 흡착부(150)는 기판(140)의 중심 영역에 상방으로 힘을 가함으로써 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 크라이 상태로 변경할 수 있다. 구체적으로, 흡착부(150)는 기판(140)에 흡착된 상태에서 상방으로 이동함으로써, 기판(140)의 중심 영역에 압력을 가할 수 있다. 다만, 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 크라이 상태로 변경하는 경우에는, 기판(140)이 흡착부(150)의 압력에 의해 들려지지 않도록 기판(140)의 둘레 영역에 대한 고정이 요구될 수 있다. 이를 위해, 기판(140)의 중심 영역까지의 거리(예: 도 1의 거리(d0) 또는 도 2의 거리(d1))가 기준 거리 이하인 경우, 고정부(126, 136)는 각각 하방으로 이동하여 기판(140)의 둘레 영역에 힘(즉, 압력)을 가함으로써, 기판(140) 둘레 영역이 흡착부(150)의 압력에 의해 들려지지 않도록 기판(140)을 고정할 수 있다. 추가적으로, 기판(140)의 굽힘 변형 상태가 변경되기 이전 또는 이후에도, 기판(140)이 수평 이동하지 않거나 기판(140)의 굽힘 변형 상태의 유지를 위해 고정부(126, 136)가 제공될 수도 있다. 상술한 실시예들을 위한 고정부(126, 136)의 동작은 도 5에서 후술된다.According to an embodiment, the adsorption unit 150 may change the bending deformation state of the substrate 140 to a cry state by applying force upward to the central region of the substrate 140 . Specifically, the adsorbing unit 150 may apply pressure to the central region of the substrate 140 by moving upward while being adsorbed to the substrate 140 . However, when the bending deformation state of the substrate 140 is changed to a cry state, fixation to the circumferential region of the substrate 140 may be required so that the substrate 140 is not lifted by the pressure of the adsorption unit 150. there is. To this end, when the distance to the central region of the substrate 140 (for example, the distance d0 in FIG. 1 or the distance d1 in FIG. 2) is less than or equal to the reference distance, the fixing units 126 and 136 move downward, respectively. By applying force (ie, pressure) to the circumferential area of the substrate 140, the substrate 140 may be fixed so that the circumferential area of the substrate 140 is not lifted by the pressure of the suction unit 150. Additionally, the fixing parts 126 and 136 may be provided so that the substrate 140 does not move horizontally or to maintain the bending deformation state of the substrate 140 even before or after the bending deformation state of the substrate 140 is changed. . Operations of the fixing parts 126 and 136 for the above-described embodiments will be described later with reference to FIG. 5 .
일 실시예에 따르면, 기판(140)이 크라이 상태인 때 기판(140)의 중심 영역까지의 거리가 'd1'인 경우, 흡착부(150)는 기판(140)의 중심 영역까지의 거리가 'd1'보다 큰 'd4'가 될 때까지 상방으로 이동할 수 있다. 이는 기판(140)이 흡착부(150)로부터 탈착 될 때 기판(140)의 응력이 감소함으로써, 기판(140)의 중심 영역이 미세하게 하강함에 따라 목표했던 크라이 상태로부터 벗어나는 것을 방지하기 위함이다. 이 경우, 흡착부(150)의 이동 거리는 흡착부(150)의 흡착력, 공정 유형, 기판 유형, 물성 및/또는 목표 굽힘 변형 상태와 연관된 데이터를 기초로 산출될 수 있다. 예를 들어, 공정 유형에 따라 공정에 사용되는 가스의 온도가 높은 경우, 흡착부(150)의 이동 거리는 더 높은 값으로 산출될 수 있다. 다른 예를 들어, 기판(140)의 강성이 강할수록, 흡착부(150)의 이동거리가 더 높은 값으로 산출될 수 있다.According to an embodiment, when the distance to the central region of the substrate 140 is 'd1' when the substrate 140 is in a cry state, the adsorbing unit 150 has a distance to the central region of the substrate 140 'd1'. You can move upward until 'd4' is greater than d1'. This is to prevent the substrate 140 from deviating from a target cry state as the central region of the substrate 140 slightly descends as the stress of the substrate 140 decreases when the substrate 140 is detached from the adsorption unit 150. In this case, the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state. For example, when the temperature of the gas used in the process is high according to the process type, the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated as a higher value. For another example, the stronger the rigidity of the substrate 140 is, the higher the moving distance of the adsorption unit 150 may be calculated.
일 실시예에 따르면, 흡착부(150)는 이동을 완료한 때(즉, 기판(140)이 목표 굽힘 변형 상태에 도달한 때)부터 일정 시간동안 기판(140)에 대한 흡착 상태를 유지할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 기판(140)에 흡착부(150)에 의한 응력이 작용하는 시간을 조절할 수 있다. 이 경우, 흡착부(150)가 흡착 상태를 유지하는 유지 시간은 흡착부(150)의 흡착력, 공정 유형, 기판 유형, 물성 및/또는 목표 굽힘 변형 상태와 연관된 데이터를 기초로 산출될 수 있다. 예를 들어, 기판(140)의 강성이 강할 수록 유지 시간은 더 높은 값으로 산출될 수 있다. 다른 예를 들어, 흡착부(150) 흡착력이 낮을수록 유지 시간은 더 높은 값으로 산출될 수 있다.According to an embodiment, the adsorption unit 150 may maintain an adsorption state to the substrate 140 for a predetermined time from when the movement is completed (ie, when the substrate 140 reaches a target bending deformation state). . With this configuration, the time during which the stress due to the adsorption unit 150 acts on the substrate 140 can be adjusted. In this case, the holding time during which the adsorption unit 150 maintains the adsorption state may be calculated based on data associated with the adsorption force of the adsorption unit 150, the process type, the substrate type, physical properties, and/or the target bending deformation state. For example, the higher the rigidity of the substrate 140 is, the higher the retention time may be calculated. For another example, the retention time may be calculated as a higher value as the adsorption force of the adsorption unit 150 is lower.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따라 크라이 상태로 변경된 기판(140)으로부터 흡착부(150)가 탈착되는 예시를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 흡착부(150)가 상방으로 이동하는 도중에 감지부(170)에 의하여 측정된 기판(140)의 중심 영역까지의 거리(d2)가 기준 거리에 도달하면, 흡착부(150)는 이동을 정지하고 진공 상태를 해제할 수 있다. 여기서, 기준 거리는 기판(140)이 크라이 상태가 되도록 하는 기판(140)의 중심 영역까지의 거리를 의미할 수 있다. 이 경우, 고정부(126, 136)는 각각 하방으로 이동하여 기판(140)의 둘레 영역에 힘(즉, 압력)을 가할 수 있다.FIG. 5 shows an example in which the adsorption unit 150 is detached from the substrate 140 changed to a cry state according to an embodiment of the present disclosure. As shown, when the distance d2 to the central region of the substrate 140 measured by the sensing unit 170 while the adsorption unit 150 moves upward reaches the reference distance, the adsorption unit 150 can stop movement and release the vacuum. Here, the reference distance may mean a distance to a central region of the substrate 140 that causes the substrate 140 to be in a cry state. In this case, the fixing parts 126 and 136 may move downward to apply force (ie, pressure) to the circumferential region of the substrate 140 .
이러한 구성에 의해, 기판(140)이 수평 방향으로 고정되어, 기판(140)에 대한 처리가 일정한 위치에서 수행될 수 있다. 또한, 기판(140)의 변경된 굽힘 변형 상태(여기서, 크라이 상태)가 유지되므로, 기판이 공정에 적합한 현상태를 유지하면서 처리될 수 있다. 나아가, 이는 기판(140) 수율의 향상으로 이어질 수 있다. With this configuration, the substrate 140 is fixed in the horizontal direction, and processing of the substrate 140 can be performed at a constant position. In addition, since the changed bending deformation state (here, the cry state) of the substrate 140 is maintained, the substrate 140 can be processed while maintaining a current state suitable for the process. Furthermore, this may lead to an improvement in yield of the substrate 140 .
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따라 흡착부(150)에 포함된 유연 부재(154)의 예시를 나타낸다. 도 6의 (a)는 기판(140)에 흡착되기 이전의 흡착부(150) 및/또는 기판(140)으로부터 흡착이 해제된 흡착부(150)를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 흡착부(150)의 상부 유연성을 가진 유연 부재(154)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 유연 부재(154)는 여기서, 상부는 기판(140)에 접촉되는 흡착부(150) 일면을 포함하는 흡착부(150)의 일부(또는, 전부)를 지칭할 수 있다. 6 shows an example of a flexible member 154 included in the adsorption unit 150 according to an embodiment of the present disclosure. (a) of FIG. 6 shows the adsorption unit 150 before adsorption to the substrate 140 and/or the adsorption unit 150 after adsorption has been released from the substrate 140 . As shown, a flexible member 154 having flexibility may be provided on the top of the adsorption unit 150 . For example, the flexible member 154 may refer to a part (or all) of the adsorption unit 150 including one side of the adsorption unit 150 in contact with the substrate 140 .
일 실시예에 따르면, 흡착부(150)가 수직 방향으로 이동하여 기판(140)에 흡착될 때, 유연 부재(154)의 형태가 기판(140)의 굽힘 변형 상태와 대응되는 형태로 변형될 수 있다. 예를 들어, 기판(140)이 스마일 상태 또는 크라이 상태인 경우, 유연 부재(154)는 각각 오목 또는 볼록한 형태로 기판(140)에 흡착될 수 있다. 다른 예를 들어, 기판(140)이 플랫 상태인 경우, 유연 부재(154)는 평평한 형태로 기판(140)에 흡착될 수 있다. 이러한 구성에 의해, 흡착부(150)가 기판(140)의 굽힘 변형 상태를 변경하기 위하여 수직 방향으로 이동하는 동안에도, 기판(140)에 대한 흡착부(150)의 흡착력을 안정적으로 유지시킬 수 있다. According to an embodiment, when the adsorption unit 150 moves in a vertical direction and is adsorbed to the substrate 140, the shape of the flexible member 154 may be deformed into a shape corresponding to the bending deformation state of the substrate 140. there is. For example, when the substrate 140 is in a smile state or a cry state, the flexible member 154 may be adsorbed to the substrate 140 in a concave or convex shape, respectively. For another example, when the substrate 140 is in a flat state, the flexible member 154 may be adsorbed to the substrate 140 in a flat shape. With this configuration, even while the adsorption unit 150 moves in the vertical direction to change the bending deformation state of the substrate 140, the adsorption force of the adsorption unit 150 to the substrate 140 can be stably maintained. there is.
본 개시의 앞선 설명은 통상의 기술자들이 본 개시를 행하거나 이용하는 것을 가능하게 하기 위해 제공된다. 본 개시의 다양한 수정예들이 통상의 기술자들에게 쉽게 자명할 것이고, 본원에 정의된 일반적인 원리들은 본 개시의 취지 또는 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형예들에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 개시는 본원에 설명된 예들에 제한되도록 의도된 것이 아니고, 본원에 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위가 부여되도록 의도된다.The preceding description of the present disclosure is provided to enable any person skilled in the art to make or use the present disclosure. Various modifications of this disclosure will be readily apparent to those skilled in the art, and the general principles defined herein may be applied in various modifications without departing from the spirit or scope of this disclosure. Thus, the present disclosure is not intended to be limited to the examples set forth herein but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and novel features disclosed herein.
비록 예시적인 구현예들이 하나 이상의 독립형 컴퓨터 시스템의 맥락에서 현재 개시된 주제의 양태들을 활용하는 것을 언급할 수도 있으나, 본 주제는 그렇게 제한되지 않고, 오히려 네트워크나 분산 컴퓨팅 환경과 같은 임의의 컴퓨팅 환경과 연계하여 구현될 수도 있다. 또 나아가, 현재 개시된 주제의 양상들은 복수의 프로세싱 칩들이나 디바이스들에서 또는 그들에 걸쳐 구현될 수도 있고, 스토리지는 복수의 디바이스들에 걸쳐 유사하게 영향을 받게 될 수도 있다. 이러한 디바이스들은 PC들, 네트워크 서버들, 및 핸드헬드 디바이스들을 포함할 수도 있다.Although example implementations may refer to utilizing aspects of the presently disclosed subject matter in the context of one or more standalone computer systems, the subject matter is not so limited, but rather in conjunction with any computing environment, such as a network or distributed computing environment. may be implemented. Further, aspects of the presently-disclosed subject matter may be implemented in or across a plurality of processing chips or devices, and storage may be similarly affected across a plurality of devices. Such devices may include PCs, network servers, and handheld devices.
본 명세서에서는 본 개시가 일부 실시예들과 관련하여 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자가 이해할 수 있는 본 개시의 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 할 것이다. 또한, 그러한 변형 및 변경은 본 명세서에서 첨부된 특허청구의 범위 내에 속하는 것으로 생각되어야 한다.Although the present disclosure has been described in relation to some embodiments in this specification, it should be noted that various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present disclosure that can be understood by those skilled in the art. something to do. Moreover, such modifications and variations are intended to fall within the scope of the claims appended hereto.

Claims (11)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus,
    상기 기판을 지지하는 지지부;a support portion supporting the substrate;
    상기 지지부 상에 지지되는 상기 기판의 둘레 영역과 인접한 곳에 위치하여 상기 기판을 고정하도록 구성된 고정부; 및a fixing portion positioned adjacent to a circumferential region of the substrate supported on the support portion and configured to fix the substrate; and
    상기 기판의 하면에 흡착하여 상기 기판의 중심 영역에 수직방향으로 힘을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형 상태를 변경하도록 구성된 흡착부; 및 an adsorption unit configured to change a bending deformation state of the substrate by adhering to a lower surface of the substrate and applying force in a vertical direction to a central region of the substrate; and
    상기 기판의 상기 굽힘 변형 상태와 연관된 변수를 측정하는 감지부A sensing unit for measuring a variable related to the bending deformation state of the substrate
    를 포함하는, 기판 처리 장치.Including, the substrate processing apparatus.
  2. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 감지부에 의하여 측정된 상기 변수를 기초로 상기 고정부 및 상기 흡착부의 구동을 제어하는 제어부A control unit for controlling driving of the fixing unit and the suction unit based on the variable measured by the sensing unit.
    를 더 포함하는, 기판 처리 장치.Further comprising a substrate processing apparatus.
  3. 제2항에 있어서,According to claim 2,
    상기 감지부는 상기 기판의 상기 중심 영역까지의 거리를 측정하는 센서를 포함하는, 기판 처리 장치.Wherein the sensing unit includes a sensor for measuring a distance to the central region of the substrate.
  4. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 기판의 중심 영역까지의 거리가 기준 거리 이상인 경우, 상기 흡착부는 상기 기판의 하면에 흡착하여 상기 기판의 중심 영역에 하방으로 힘을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형 상태를 변경하는, 기판 처리 장치.When the distance to the central region of the substrate is equal to or greater than the reference distance, the adsorption unit changes the bending deformation state of the substrate by adhering to the lower surface of the substrate and applying downward force to the central region of the substrate.
  5. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 기판의 중심 영역까지의 거리가 기준 거리 이하인 경우, 상기 고정부는 상기 기판의 둘레 영역에 힘을 가함으로써 상기 기판을 고정하고, 상기 흡착부는 상기 기판의 하면에 흡착하여 상기 기판의 중심 영역에 상방으로 힘을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형 상태를 변경하는, 기판 처리 장치.When the distance to the central region of the substrate is less than or equal to the reference distance, the fixing part fixes the substrate by applying force to the circumferential region of the substrate, and the adsorption part adsorbs to the lower surface of the substrate and moves upward to the central region of the substrate. A substrate processing apparatus for changing a bending deformation state of the substrate by applying a force to the substrate.
  6. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 흡착부의 일면은 상기 흡착부가 상기 기판의 하면에 흡착할 때 상기 기판의 굽힘 변형 상태와 대응되는 형태로 변형되는 유연 부재를 포함하는, 기판 처리 장치.One side of the adsorption unit includes a flexible member that is deformed in a form corresponding to a bending deformation state of the substrate when the adsorption unit is adsorbed to the lower surface of the substrate.
  7. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 굽힘 변형 상태는 상기 기판이 평평한 플랫 상태, 상기 기판이 오목한 스마일 상태 및 상기 기판이 볼록한 크라이 상태 중 적어도 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.The bending deformation state includes at least one of a flat state in which the substrate is flat, a smile state in which the substrate is concave, and a cry state in which the substrate is convex.
  8. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 흡착부가 상기 기판의 하면에 흡착하여 이동하는 거리는 상기 기판에 대한 공정 유형, 기판 유형, 기판의 물성 또는 목표 굽힘 변형 상태 중 적어도 하나를 기초로 산출되는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the distance that the adsorber moves by being adsorbed to the lower surface of the substrate is calculated based on at least one of a process type for the substrate, a substrate type, a physical property of the substrate, or a target bending deformation state.
  9. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 고정부는 상기 기판의 둘레 영역에 대하여, 변경된 상기 굽힘 변형 상태를 유지하기 위한 방향으로 힘을 가하도록 이동하는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the fixing part moves to apply force to a circumferential region of the substrate in a direction for maintaining the changed bending deformation state.
  10. 제1항의 기판 처리 장치에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,A substrate processing method of processing a substrate by the substrate processing apparatus of claim 1,
    감지부에 의하여 측정된 변수를 기초로 고정부 및 흡착부의 구동을 제어하는 단계Controlling the driving of the fixing unit and the suction unit based on the variable measured by the sensing unit
    를 포함하고,including,
    상기 고정부는 상기 기판의 둘레 영역과 인접한 곳에 위치하여 상기 기판을 고정하도록 구성되고,The fixing part is located adjacent to the circumferential area of the substrate and is configured to fix the substrate,
    상기 흡착부는 상기 기판에 흡착하여 상기 기판의 중심 영역에 수직방향으로 힘을 가함으로써 상기 기판의 굽힘 변형 상태를 변경하고,The adsorbing unit adsorbs on the substrate and applies a force in a vertical direction to a central region of the substrate to change a bending deformation state of the substrate;
    상기 감지부는 상기 굽힘 변형 상태와 연관된 상기 변수를 측정하는, 기판 처리 방법.Wherein the sensing unit measures the variable associated with the bending deformation state.
  11. 제10항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 비일시적 기록매체.A computer-readable non-transitory recording medium on which a program for executing the substrate processing method according to claim 10 is recorded.
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