WO2023103841A1 - 缓启动电路及电子设备 - Google Patents

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WO2023103841A1
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李文祥
苏华
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中兴通讯股份有限公司
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Definitions

  • This application aims to solve at least one of the technical problems existing in the prior art. For this reason, the application proposes a slow start circuit and electronic equipment.
  • Fig. 4 is a schematic diagram of a specific implementation of a slow start circuit provided by another embodiment of the present application.
  • the first switching transistor Q1 is an N-type metal-oxide-semiconductor (N-Metal-Oxide-Semiconductor, NMOS) transistor.
  • the control terminal, the first switch pin, and the second switch pin of the first switch tube Q1 are respectively the gate, source, and drain of the NMOS tube, wherein the driving voltage of the first switch tube Q1 is the gate-source voltage Vgs.
  • the gate-source voltage Vgs of the NMOS transistor can be quickly discharged when the load sub-device 200 is pulled out and powered off.
  • the first control circuit 721 and the slow start module 600 are turned on, and the first control circuit 721 quickly discharges the driving voltage of the first switching tube Q1, which can accelerate the turn-off of the first switching tube Q1, thereby reducing the occurrence of excessive surge current. Big or even "striking" situations.
  • the first control circuit 721 includes a second switch tube VT1 and a third resistor R3, the third resistor R3 is used to discharge energy, and the control terminal of the second switch tube VT1 Connected to the first power input terminal 400, the first switch pin of the second switch tube VT1 is connected to the connection point of the first resistor R1 and the second resistor R2, the second switch pin of the second switch tube VT1 is connected to the third resistor One end of R3 is connected, and the other end of the third resistor R3 is connected to the second power input end 500 .
  • the voltage detection unit 710 includes a voltage regulator transistor Z1, the positive pole of the voltage regulator transistor Z1 is connected to the second control circuit 722, and the negative pole of the voltage regulator transistor Z1 is connected to the first power supply. Input 400.
  • the second control circuit 722 also includes a fourth resistor R4, and the two ends of the fourth resistor R4 are respectively connected to the positive electrode of the voltage regulator transistor Z1 and the control of the third switching transistor VT2. end connection.
  • the discharge unit 720 includes a fifth resistor R5, and the fifth resistor R5 is respectively connected to the first power input terminal 400, the first control circuit 721 and the second control circuit 722 .

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Abstract

本申请公开了一种缓启动电路(300)及电子设备。缓启动电路(300)包括第一电源输入端(400)、第二电源输入端(500)、第一电容(Cout)、缓启模块(600)和泄放控制模块(700)；第一电容(Cout)的一端与第一电源输入端(400)连接；缓启模块(600)包括第一开关管(Q1)，第一开关管(Q1)分别与第二电源输入端(500)和第一电容(Cout)的另一端连接；泄放控制模块(700)包括电压检测单元(710)和泄放单元(720)，泄放单元(720)包括第一控制电路(721)，第一控制电路(721)用于泄放第一开关管(Q1)的驱动电压，电压检测单元(710)用于检测第一电容(Cout)的电压值，以及根据电压值控制第一控制电路(721)导通或关断。

Description

缓启动电路及电子设备
相关申请的交叉引用
本申请基于申请号为202111476413.3、申请日为2021年12月6日的中国专利申请提出，并要求该中国专利申请的优先权。该中国专利申请的全部内容在此引入本申请作为参考。
技术领域
本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种缓启动电路及电子设备。
背景技术
目前，在电子设备应用领域，直流电源的热拔插缓启动电路得到广泛应用，通常设置于供电设备和可热拔插的负载子设备之间，常见的热拔插缓启动电路设置有金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)管，在对负载子设备热拔插过程中，能够起到电流缓启动作用。但是，当负载子设备被拔出掉电时，MOS管的驱动电压下降缓慢，导致MOS管无法快速关断，此时，若将负载子设备重新插入上电，则缓启动电路容易失效，使得供电设备直接对负载子设备充电，容易产生过大冲击电流，甚至出现“打火”、电压抖动等情况，使得负载子设备上的器件被烧坏。在实际应用中，经常会出现快速反复插拔的情况，容易引起缓启动电路失效问题，降低电路的可靠性。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种缓启动电路及电子设备。
第一方面，本申请实施例提供一种缓启动电路，用于与负载子设备的接入端连接，缓启动电路包括第一电源输入端、第二电源输入端、第一电容、缓启模块和泄放控制模块；所述第一电容的一端与所述第一电源输入端连接；所述缓启模块包括第一开关管，所述第一开关管的第一开关引脚与所述第二电源输入端连接，所述第一开关管的第二开关引脚与所述第一电容的另一端连接；所述泄放控制模块包括电压检测单元和泄放单元，所述泄放单元包括第一控制电路，第一控制电路分别与所述第一电源输入端、所述第二电源输入端和所述缓启模块连接，所述第一控制电路用于泄放所述第一开关管的驱动电压，所述电压检测单元用于检测所述第一电容的电压值，以及根据所述电压值控制所述第一控制电路导通或关断，所述电压检测单元与所述第一电源输入端连接。
第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括本申请第一方面实施例所述的缓启动电路。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
下面结合附图和实施例对本申请进一步地说明；
图1是本申请的一个实施例提供的缓启动电路的结构示意图；
图2是本申请的另一个实施例提供的缓启动电路的结构示意图；
图3是本申请的另一个实施例提供的缓启动电路的具体实施示意图；
图4是本申请的另一个实施例提供的缓启动电路的具体实施示意图。
具体实施方式
本部分将详细描述本申请的具体实施例，本申请之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本申请的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本申请保护范围的限制。
在本申请的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，高于、低于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。
下面结合附图，对本申请实施例作进一步阐述。
如图1至图3所示，本申请的第一方面实施例提供一种缓启动电路300，用于与负载子设备200的接入端连接，缓启动电路300包括第一电源输入端400、第二电源输入端500、第一电容Cout、缓启模块600和泄放控制模块700；第一电容Cout的一端与第一电源输入端400连接；缓启模块600包括第一开关管Q1，第一开关管Q1的第一开关引脚与第二电源输入端500连接，第一开关管Q1的第二开关引脚与第一电容Cout的另一端连接；泄放控制模块700包括电压检测单元710和泄放单元720，泄放单元720包括第一控制电路721，第一控制电路721分别与第一电源输入端400、第二电源输入端500和缓启模块600连接，第一控制电路721用于泄放第一开关管Q1的驱动电压，电压检测单元710用于检测第一电容Cout的电压值，以及根据电压值控制第一控制电路721导通或关断，电压检测单元710与第一电源输入端400连接。
在本实施例中，第一电源输入端400和第二电源输入端500用于接入供电电源，第一电容Cout为负载子设备200的稳压电容，通过设置缓启模块600，当负载子设备200接入供电电源时，通过限制第一开关管Q1的电流上升速度，能够实现第一开关管Q1的缓慢开启，从而达到缓启动目的，通过设置泄放控制模块700，利用电容充放电时电压呈指数变化的特性，通过电压检测单元710检测第一电容Cout两端的电压值，能够根据电压值控制第一控制电路721导通或关断，当负载子设备200被拔出掉电时，第一控制电路721导通，通过第一控制电路721迅速泄放第一开关管Q1的驱动电压，能够加速第一开关管Q1的关断，缩短缓启动电路300的掉电恢复时间，减少出现冲击电流过大的情况，有利于增强电路的可靠性。
需要说明的是，缓启动电路300通常位于供电设备100和可热拔插的负载子设备200之间，负载子设备200可以为业务单板，供电设备100用于提供直流供电电源，其中，第一电 源输入端400为供电电源输入正端，第二电源输入端500为供电电源输入负端，第一电容Cout的一端与第一电源输入端400连接，另一端与第一开关管Q1的第二开关引脚连接，作为负载子设备200的输出稳压电容。在实际应用中，经常出现在插拔瞬间连接器机械抖动，或者快速反复插拔、二次插拔的时间间隔过短的情况，上述情况容易引起缓启动电路300失效的问题，且随着负载子设备200功率增大，第一电容Cout容值增大，掉电时第一电容Cout的电压下降缓慢，第一开关管Q1关断缓慢，使得现有的热插拔缓启动电路300可靠性不佳。可以理解的是，在负载子设备200被拔出掉电时，第一电容Cout的电压会下降，通过电压检测单元710检测第一电容Cout的电压值，将第一电容Cout的电压值作为负载子设备200的掉电指示变量，并根据电压值控制第一控制电路721导通，第一控制电路721可以快速泄放第一开关管Q1的驱动电压，加速缓启动电路300在掉电时第一开关管Q1的关断，能够有效解决因上述情况所引起的缓启动电路300失效的问题，增加其电路可靠性。
如图3所示，在一实施例中，第一开关管Q1为N型金属氧化物半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)管。第一开关管Q1的控制端、第一开关引脚、第二开关引脚分别为NMOS管的栅极、源极、漏极，其中，第一开关管Q1的驱动电压为栅源电压Vgs。通过设置第一控制电路721，能够在负载子设备200被拔出掉电时快速泄放NMOS管的栅源电压Vgs。
需要说明的是，第一电容Cout的一端接第一电源输入端400，另一端接NMOS管的漏极，且第一电容Cout与供电电源并联，第一电容Cout作为负载子设备200的稳压电容，随着负载子设备200的功率增大，第一电容Cout的选型容值变大。
如图2和图3所示，在上述的缓启动电路300中，泄放单元720还包括第二控制电路722，第二控制电路722分别与电压检测单元710、第二电源输入端500和第一控制电路721连接，电压检测单元710用于在第一电容Cout的电压值高于预设门限电压时导通电压检测单元710和第二控制电路722，以及在第一电容Cout的电压值低于或等于预设门限电压时导通第一控制电路721。
在本实施例中，通过以电压检测单元710检测出的第一电容Cout的电压值作为负载子设备200的掉电指示变量，当第一电容Cout的电压值高于预设门限电压时，电压检测单元710、第二控制电路722和缓启模块600导通，通过限制第一开关管Q1的电流上升速度，实现第一开关管Q1的缓慢开启，从而实现缓启动的效果。由于电容放电时电压呈指数变化，当负载子设备200从供电设备100里拔出掉电时，第一电容Cout两端电压会迅速下降到预设门限电压，此时，第二控制电路722关断，第一控制电路721、缓启模块600导通，通过第一控制电路721快速泄放第一开关管Q1的驱动电压，可以加速第一开关管Q1的关断，从而减少出现冲击电流过大甚至“打火”的情况。
如图2和图3所示，在上述的缓启动电路300中，缓启模块600包括分压单元610和第二电容C1，分压单元610分别与第一电源输入端400、第二电源输入端500和第一控制电路721连接，第二电容C1的一端与分压单元610、第一开关管Q1的控制端连接，第二电容C1的另一端与第一开关管Q1的第一开关引脚、第二电源输入端500连接。
在本实施例中，当负载子设备200上电时，即插入供电设备100时，通过分压单元610给第二电容C1充电，能够使得第二电容C1两端电压缓慢上升，由于第二电容C1的一端与第一开关管Q1的控制端连接，另一端与第一开关管Q1的第一开关引脚连接，第二电容C1两端 的电压即第一开关管Q1的驱动电压，则第一开关管Q1的驱动电压缓慢上升，可以减小第一开关管Q1的开启速度和电流上升速率，达到负载子设备200上电时缓启动的目的，实现连接器插入瞬间电压防抖的效果。
由于负载子设备200被拔出时第一电容Cout掉电缓慢，第二电容C1两端电压可维持一段时间，使得第一开关管Q1无法快速关断，此时，若将负载子设备200重新插入上电，容易使得缓启动电路300失效，本申请实施例通过设置第一控制电路721，能够快速泄放第二电容C1的电压，即快速泄放第一开关管Q1的驱动电压，从而达到加速第一开关管Q1关断的目的。
如图2和图3所示，在上述的缓启动电路300中，分压单元610包括第一电阻R1和第二电阻R2，第一电阻R1和第二电阻R2串联，第二电容C1的一端连接至第一电阻R1和第二电阻R2的连接点。
在本实施例中，分压单元610包括第一电阻R1和第二电阻R2，第一电阻R1和第二电阻R2串联后，并联于供电电源两端，第二电容C1的一端与第一开关管Q1的控制端、第一电阻R1和第二电阻R2的连接点相连，第二电容C1的另一端与第一开关管Q1的第一开关引脚、第二电源输入端500相连。在负载子设备200上电时，供电电源通过第一电阻R1和第二电阻R2缓慢地给第二电容C1充电，第二电容C1两端电压缓慢上升，以此来控制第一开关管Q1的驱动电压的上升速度，从而控制第一开关管Q1的开启速度，实现负载子设备200上电时的电流缓启动。
在一实施例中，第一开关管Q1为NMOS管，供电电源通过第一电阻R1和第二电阻R2给第二电容C1充电，当第二电容C1两端的电压达到NMOS管的开启电压，NMOS管漏源电流开始上升，第二电容C1的电压即第一开关管Q1的驱动电压，由于NMOS管的器件特性，当第二电容C1的电压(即栅源电压Vgs)介于开启电压和弥勒平台电压期间，NMOS管漏源电流与第二电容C1的电压成线性关系。因此，通过控制对第二电容C1的充电速度，来限制第一开关管Q1的电流上升速度，以达到缓启动的目的。
如图3所示，在上述的缓启动电路300中，第一控制电路721包括第二开关管VT1和第三电阻R3，第三电阻R3用于泄放能量，第二开关管VT1的控制端连接至第一电源输入端400，第二开关管VT1的第一开关引脚连接至第一电阻R1和第二电阻R2的连接点，第二开关管VT1的第二开关引脚与第三电阻R3的一端连接，第三电阻R3的另一端连接至第二电源输入端500。
在本实施例中，第一控制电路721包括第二开关管VT1和第三电阻R3，当第一控制电路721导通，第二电容C1通过第三电阻R3迅速泄放电压，第一开关管Q1的驱动电压迅速泄放，能够加速第一开关管Q1的关断，缩短缓启动电路300的恢复时间，避免因快速再次上电而出现冲击电流过大的问题，增强缓启动电路300的可靠性。
需要说明的是，第三电阻R3的取值影响第二电容C1的电压泄放速度，本领域技术人员可根据实际情况对第三电阻R3选型。
在上述的缓启动电路300中，第二开关管VT1可以三极管或金属氧化物半导体MOS管，同样能够实现驱动控制的功能。在一实施例中，第二开关管VT1为三极管，第二开关管VT1的控制端、第一开关引脚和第二开关引脚分别为三极管的基极、集电极和发射极。
如图3所示，在上述的缓启动电路300中，电压检测单元710包括稳压管Z1，当稳压管Z1检测到第一电容Cout的电压值低于或等于预设门限电压时，电压检测单元710和第二控 制电路722截止，第一控制电路721导通，通过第三电阻R3迅速泄放第二电容C1两端的电容，即迅速泄放第一开关管Q1的驱动电压。在一实施例中，供电电源输入电压Vin为54V，第三电阻R3取500欧姆，稳压管Z1的反向击穿电压(即预设门限电压)为27V,可加速第一开关管Q1的关断。
如图3所示，在上述的缓启动电路300中，电压检测单元710包括稳压管Z1，稳压管Z1的正极连接至第二控制电路722，稳压管Z1的负极连接至第一电源输入端400。
在本实施例中，通过稳压管Z1检测第一电容Cout的电压值，以第一电容Cout的电压值作为负载子设备200的掉电指示变量，当电压值高于预设门限电压时导通电压检测单元710和第二控制电路722，以及在第一电容Cout的电压值低于或等于预设门限电压时导通第一控制电路721，稳压管Z1的反向击穿电压即预设门限电压，可以理解的是，预设门限电压决定负载子设备200开始掉电至第一控制电路721导通的延时，本领域技术人员可以根据实际情况对稳压管Z1选型，从而确定导通第一控制电路721的预设门限电压。
如图3所示，在上述的缓启动电路300中，第二控制电路722包括第三开关管VT2，第三开关管VT2的控制端连接至稳压管Z1的正极，第三开关管VT2的第一开关引脚与第一控制电路721和第一电源输入端400连接，第三开关管VT2的第二开关引脚连接至第二电源输入端500。
在本实施例中，第二控制电路722包括第三开关管VT2，当第一电容Cout的电压值高于预设门限电压，稳压管Z1和第三开关管VT2导通，即电压检测单元710和第二控制电路722导通，第一控制电路721关断，第一开关管Q1的电压缓慢上升，从而实现第一开关管Q1的缓慢开启，有利于达到缓启动目的。
在上述的缓启动电路300中，第三开关管VT2可以为三极管或金属氧化物半导体MOS管，同样能够实现驱动控制的功能。在一实施例中，第三开关管VT2为三极管，第三开关管VT2的控制端、第一开关引脚和第二开关引脚分别为三极管的基极、集电极和发射极。
如图3所示，在上述的缓启动电路300中，第二控制电路722还包括第四电阻R4，第四电阻R4的两端分别与稳压管Z1的正极和第三开关管VT2的控制端连接。
在本实施例中，第四电阻R4为限流电阻，能够起到限流作用，稳压管Z1的正极经过第四电阻R4连接至第三开关管VT2的控制端，能够有效地减少流经第三开关管VT2的电流，保证第三开关管VT2能够稳定工作。
如图3所示，在上述的缓启动电路300中，泄放单元720包括第五电阻R5，第五电阻R5分别与第一电源输入端400、第一控制电路721和第二控制电路722连接。
在本实施例中，第五电阻R5为限流电阻，能够起到限流作用，第一控制电路721和第二控制电路722经第五电阻R5与第一电源输入端400连接，通过设置第五电阻R5，能够保证缓启动电路300的稳定工作。
如图3所示，由于电压检测单元710检测得到的第一电容Cout的电压值会存在高于预设门限电压，以及低于或等于预设门限电压两种情况，以下将对这两种情况作详细介绍。
情况1：当负载子设备200插入供电设备100时，第一电容Cout的电压值Vo、第二电容C1的电压值为零，当连接器稳定时，供电设备100的直流供电电源直接加到负载子设备200的输入端，使得第一电容Cout的电压值Vo高于稳压管Z1的预设门限电压，此时，稳压管Z1、第三开关管VT2导通，第二开关管VT1关断，即第一控制电路721关断，输入电压Vin 通过第一电阻R1和第二电阻R2给第二电容C1缓慢充电，当第二电容C1的电压(相当于第一开关管的栅源电压Vgs)达到第一开关管Q1的开启电压时，第一开关管Q1的电流开始上升，通过控制对第二电容C1的充电速度，来限制第一开关管Q1的电流上升速度，实现第一开关管Q1的缓慢开启，达到缓启动目的。
情况2：当负载子设备200稳定工作后，将其拔出，第一电容Cout的电压值Vo开始下降，由于电容放电时电压呈指数波形减小，第一电容Cout的电压值Vo很快下降到稳压管Z1的反向击穿电压，出现低于或等于预设门限电压的情况，则稳压管Z1、第三开关管VT2截止，第二开关管VT1导通，第二电容C1通过第三电阻R3迅速泄放能量，直到第二电容C1两端电压低于第一开关管Q1的开启电压，即第一开关管Q1的驱动电压低于开启电压，使得第一开关管Q1快速关断。此时，虽然第一电容Cout的电压值Vo可能仍保持较高值，负载子设备200再次上电，缓启动电路300依然可正常工作，从而再次进入情况1的工作状态。
本申请实施例的缓启动电路300以第一电容Cout的电压值作为负载子设备200的掉电指示变量，稳压管Z1的反向击穿电压作为第二电容C1电压泄放的门限值，在负载子设备200掉电时，能够极大程度地加速第一开关管Q1的驱动电压(相当于第二电容C1两端的电压)的下降速度，从而加速第一开关管Q1的关断，有效地解决了传统缓启动电路300在快速反复插拔时导致的冲击电流过大等问题。
此外，本申请实施例的缓启动电路300采用分立器件实现，具备结构简单、成本低、可靠性高等优点。
需要说明的是，电压检测单元710可以设置在负载子设备200的接入端，例如图3示出的实施例，或者设置在供电设备100上，例如图4示出的实施例，能够检测到第一电容Cout的电压值即可。
如图4所示，通过将电压检测单元710设置在供电设备100上，稳压管Z1的正极通过插拔信号端800连接至第二控制电路722，稳压管Z1的负极连接至第一电源输入端400。
本申请的实施例还提供一种电子设备，包括如上实施例的缓启动电路300。
如图1至图4所示，在本实施例提供的电子设备中，设置有缓启动电路300，缓启动电路300包括第一电源输入端400、第二电源输入端500、第一电容Cout、缓启模块600和泄放控制模块700，第一电源输入端400和第二电源输入端500用于接入供电电源，第一电容Cout为负载子设备200的稳压电容，通过设置缓启模块600，当负载子设备200接入供电电源时，通过限制第一开关管Q1的电流上升速度，能够实现第一开关管Q1的缓慢开启，从而达到缓启动目的，通过设置泄放控制模块700，利用电容充放电时电压呈指数变化的特性，通过电压检测单元710检测第一电容Cout两端的电压值，能够根据电压值控制第一控制电路721导通或关断，当负载子设备200被拔出掉电时，第一控制电路721导通，通过第一控制电路721迅速泄放第一开关管Q1的驱动电压，能够加速第一开关管Q1的关断，缩短缓启动电路300的掉电恢复时间，减少出现冲击电流过大的情况，有利于增强电路的可靠性。
需要说明的是，上述实施例中的电子设备可以为负载子设备200，也可以包括供电设备100组件和负载子设备200，缓启动电路300与负载子设备200的接入端连接。本申请实施例的缓启动电路300适用于电子设备中负载子设备200带热插拔的场景，可以解决传统热插拔缓启动电路300在插拔瞬间连接器机械抖动或快速反复插拔时出现的冲击电流过大等问题。
本申请实施例包括：缓启动电路及电子设备。缓启动电路包括所述第一电容连接至所述 负载子设备的接入端，所述第一电容的一端与所述第一电源输入端连接；所述缓启模块包括第一开关管，所述第一开关管的第一开关引脚与所述第二电源输入端连接，所述第一开关管的第二开关引脚与所述第一电容的另一端连接；所述泄放控制模块包括电压检测单元和泄放单元，所述泄放单元包括第一控制电路，第一控制电路分别与所述第一电源输入端、所述第二电源输入端和所述缓启模块连接，所述第一控制电路用于泄放所述第一开关管的驱动电压，所述电压检测单元用于检测所述第一电容的电压值，以及根据所述电压值控制所述第一控制电路导通或关断，所述电压检测单元与所述第一电源输入端连接。根据本申请实施例提供的方案，第一电源输入端和第二电源输入端用于接入供电电源，第一电容为负载子设备的稳压电容，通过设置缓启模块，当负载子设备接入供电电源时，通过限制第一开关管的电流上升速度，能够实现第一开关管的缓慢开启，从而达到缓启动目的，通过设置泄放控制模块，利用电容充放电时电压呈指数变化的特性，通过电压检测单元检测第一电容两端的电压值，能够根据电压值控制第一控制电路导通或关断，当负载子设备被拔出掉电时，第一控制电路导通，通过第一控制电路迅速泄放第一开关管的驱动电压，能够加速第一开关管的关断，缩短缓启动电路的掉电恢复时间，减少出现冲击电流过大的情况，有利于增强电路的可靠性。
由此，本申请实施例提出的缓启动电路及电子设备，能够缩短缓启动电路的掉电恢复时间，减少出现冲击电流过大的情况，有利于增强电路的可靠性。
上面结合附图对本申请实施例作了详细说明，但是本申请不限于上述实施例，在所述技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本申请宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (13)

  1. 一种缓启动电路，用于与负载子设备的接入端连接，包括：
    第一电源输入端；
    第二电源输入端；
    第一电容，所述第一电容的一端与所述第一电源输入端连接；
    缓启模块，包括第一开关管，所述第一开关管的第一开关引脚与所述第二电源输入端连接，所述第一开关管的第二开关引脚与所述第一电容的另一端连接；
    泄放控制模块，包括电压检测单元和泄放单元，所述泄放单元包括第一控制电路，第一控制电路分别与所述第一电源输入端、所述第二电源输入端和所述缓启模块连接，所述第一控制电路用于泄放所述第一开关管的驱动电压，所述电压检测单元用于检测所述第一电容的电压值，以及根据所述电压值控制所述第一控制电路导通或关断，所述电压检测单元与所述第一电源输入端连接。
  2. 根据权利要求1所述的缓启动电路，其中，所述泄放单元还包括第二控制电路，所述第二控制电路分别与所述电压检测单元、所述第二电源输入端和所述第一控制电路连接，所述电压检测单元用于在所述第一电容的电压值高于预设门限电压时导通所述电压检测单元和所述第二控制电路，以及在所述第一电容的电压值低于或等于预设门限电压时导通所述第一控制电路。
  3. 根据权利要求1所述的缓启动电路，其中，所述缓启模块包括分压单元和第二电容，所述分压单元分别与所述第一电源输入端、所述第二电源输入端和所述第一控制电路连接，所述第二电容的一端与所述分压单元、所述第一开关管的控制端连接，所述第二电容的另一端与所述第一开关管的第一开关引脚、所述第二电源输入端连接。
  4. 根据权利要求3所述的缓启动电路，其中，所述分压单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻串联，所述第二电容的一端连接至所述第一电阻和所述第二电阻的连接点。
  5. 根据权利要求4所述的缓启动电路，其中，所述第一控制电路包括第二开关管和第三电阻，所述第三电阻用于泄放能量，所述第二开关管的控制端连接至所述第一电源输入端，所述第二开关管的第一开关引脚连接至所述第一电阻和所述第二电阻的连接点，所述第二开关管的第二开关引脚与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端连接至所述第二电源输入端。
  6. 根据权利要求2所述的缓启动电路，其中，所述电压检测单元包括稳压管，所述稳压管的正极连接至所述第二控制电路，所述稳压管的负极连接至所述第一电源输入端。
  7. 根据权利要求6所述的缓启动电路，其中，所述第二控制电路包括第三开关管，所述第三开关管的控制端连接至所述稳压管的正极，所述第三开关管的第一开关引脚与所述第一控制电路和所述第一电源输入端连接，所述第三开关管的第二开关引脚连接至所述第二电源输入端。
  8. 根据权利要求7所述的缓启动电路，其中，所述第二控制电路还包括第四电阻，所述第四电阻的两端分别与所述稳压管的正极和所述第三开关管的控制端连接。
  9. 根据权利要求2所述的缓启动电路，其中，所述泄放单元包括第五电阻，所述第五电 阻分别与所述第一电源输入端、所述第一控制电路和所述第二控制电路连接。
  10. 根据权利要求1所述的缓启动电路，其中，所述第一开关管为N型金属氧化物半导体NMOS管。
  11. 根据权利要求5所述的缓启动电路，其中，所述第二开关管为三极管或金属氧化物半导体MOS管。
  12. 根据权利要求7所述的缓启动电路，其中，所述第三开关管为三极管或金属氧化物半导体MOS管。
  13. 一种电子设备，包括权利要求1至12任意一项所述的缓启动电路。
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