WO2023074765A1 - 組成物、回路基板、及び、組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

本開示は、ＵＶレーザ加工性に優れ、かつ電気特性が良好な組成物、回路基板、及び、組成物の製造方法を提供することを目的とする。パーフルオロ系フッ素樹脂及び酸化亜鉛を含有する組成物。

Description

組成物、回路基板、及び、組成物の製造方法

本開示は、組成物、回路基板、及び、組成物の製造方法に関する。

通信の高速化に伴い、電気機器、電子機器、通信機器等に用いられる回路基板には、低誘電、低損失の材料が求められている。このような材料としてフッ素樹脂が検討されているが、フッ素樹脂は、紫外線を吸収しにくく、ＵＶレーザ加工性に劣るという点で改善の余地がある。

特許文献１には、酸化チタン等をフッ素樹脂に配合し、紫外線吸収性を向上させる手法が記載されている。

また、特許文献２には、酸化亜鉛をフッ素樹脂に配合し、紫外線遮断機能を付与する手法が記載されている。

特開２０２０－３７６６２号公報 特許第５２４６６１９号公報

本開示は、ＵＶレーザ加工性に優れ、かつ電気特性が良好な組成物、回路基板、及び、組成物の製造方法を提供することを目的とする。

本開示（１）は、パーフルオロ系フッ素樹脂及び酸化亜鉛を含有する組成物（以下、「本開示の組成物」とも記載する）に関する。

本開示（２）は、上記酸化亜鉛の含有量が、上記組成物に対して０．０１～５．０質量％である本開示（１）の組成物である。

本開示（３）は、上記酸化亜鉛の平均粒子径が、０．０１～１．０μｍである本開示（１）又は（２）の組成物である。

本開示（４）は、レーザ顕微鏡観察の画像解析において、上記酸化亜鉛の１０μｍ以上の塊が１ｍｍ^２の面積あたり２００個未満である本開示（１）～（３）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（５）は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂が、不安定末端基が炭素数１×１０^６個あたり２００個未満であり、上記不安定末端基は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂の主鎖末端に存在する－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯＣＨ_３、－ＣＯＮＨ_２及び－ＣＨ_２ＯＨからなる群より選択する少なくとも１種である本開示（１）～（４）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（６）は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂が、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体及びテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも１種である本開示（１）～（５）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（７）は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、融点が２４０～３４０℃である本開示（１）～（６）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（８）は、上記酸化亜鉛以外の無機フィラーを含有する本開示（１）～（７）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（９）は、上記無機フィラーが、紫外線吸収性を持たないものである本開示（８）の組成物である。

本開示（１０）は、上記無機フィラーが、２５℃、１ＧＨｚの比誘電率が５．０以下、かつ、２５℃、１ＧＨｚの誘電正接が０．０１以下のものである本開示（８）又は（９）の組成物である。

本開示（１１）は、上記無機フィラーの含有量が、上記組成物に対して１０～６０質量％である本開示（８）～（１０）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（１２）は、２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００３以下である本開示（１）～（１１）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（１３）は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂の２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接に対して、上記組成物の２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接の増加率が３３０％以下である本開示（１）～（１２）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（１４）は、回路基板の絶縁材料である本開示（１）～（１３）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（１５）は、上記回路基板の絶縁材料は、低誘電材料である本開示（１）～（１４）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物である。

本開示（１６）はまた、本開示（１）～（１５）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物と、導電層とを有する回路基板（以下、「本開示の回路基板」とも記載する）に関する。

本開示（１７）は、上記導電層が、金属である本開示（１６）の回路基板である。

本開示（１８）は、上記金属が、上記組成物側の面の表面粗度Ｒｚが２．０μｍ以下である本開示（１７）の回路基板である。

本開示（１９）は、上記金属が、銅である本開示（１７）又は（１８）の回路基板である。

本開示（２０）は、上記銅が、圧延銅又は電解銅である本開示（１９）の回路基板である。

本開示（２１）は、プリント基板、積層回路基板又は高周波基板である本開示（１６）～（２０）のいずれかとの任意の組み合わせの回路基板である。

本開示（２２）はまた、本開示（１）～（１５）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物の製造方法であって、上記パーフルオロ系フッ素樹脂及び上記酸化亜鉛を溶融混練し、上記組成物を得る組成物の製造方法（以下、「本開示の製造方法」とも記載する）に関する。

本開示（２３）はまた、本開示（１）～（１５）のいずれかとの任意の組み合わせの組成物からなるフッ素樹脂シートの製造方法であって、上記組成物をペースト押出成形又は粉体圧延成形して、上記フッ素樹脂シートを得るフッ素樹脂シートの製造方法（以下、「本開示のフッ素樹脂シートの製造方法」とも記載する）に関する。

本開示によれば、ＵＶレーザ加工性に優れ、かつ電気特性が良好な組成物、回路基板、及び、組成物の製造方法を提供することができる。

本明細書において、「有機基」は、１個以上の炭素原子を含有する基、又は有機化合物から１個の水素原子を除去して形成される基を意味する。
当該「有機基」の例は、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
シアノ基、
ホルミル基、
ＲａＯ－、
ＲａＣＯ－、
ＲａＳＯ_２－、
ＲａＣＯＯ－、
ＲａＮＲａＣＯ－、
ＲａＣＯＮＲａ－、
ＲａＯＣＯ－、
ＲａＯＳＯ_２－、及び、
ＲａＮＲｂＳＯ_２－
（これらの式中、Ｒａは、独立して、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、又は、
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
Ｒｂは、独立して、Ｈ又は１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基である）
を包含する。
上記有機基としては、１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基が好ましい。

以下、本開示を具体的に説明する。

本開示の組成物は、パーフルオロ系フッ素樹脂及び酸化亜鉛を含有する。
本開示の組成物は、酸化亜鉛を含むことから、パーフルオロ系フッ素樹脂を含んでいるにも関わらず、ＵＶレーザ加工性に優れる。
また、特許文献１に記載された酸化チタン等を配合した場合、パーフルオロ系フッ素樹脂の電気特性が損なわれるおそれがあるが、酸化亜鉛は、電気特性への影響が少ないという利点がある。そのため、ＵＶレーザ加工性に優れるだけでなく、電気特性も良好であるため、高周波基板等に好適な組成物となる。なお、酸化亜鉛を含むフッ素樹脂が特許文献２に記載されているが、特許文献２のフッ素樹脂は農業用ハウスフィルムとして使用されるもので、電気特性の評価はなく、上記利点は示されていなかった。
さらに、酸化亜鉛は、熱に強いため、溶融混練でフッ素樹脂と混合することができる。溶融混練を行うことで、フッ素樹脂中に酸化亜鉛を良好に分散させ、ＵＶレーザ加工性をより向上させることができる。
加えて、本開示の組成物は、パーフルオロ系フッ素樹脂を使用しているため、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等の他のフッ素樹脂と比較して、良好な電気特性が得られる。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、パーフルオロモノマー等の含フッ素モノマーを主成分とする共重合体であって、主鎖を構成する繰返し単位において、炭素原子に結合した水素原子が非常に少ないフッ素樹脂であり、末端構造等、主鎖を構成する繰返し単位以外においては、炭素原子に結合した水素原子を有しても構わない。また、樹脂中の含フッ素モノマーの含有量が９０ｍｏｌ％以上であれば、含フッ素モノマー以外のモノマーを共重合しても構わない。含フッ素モノマーの含有量は、好ましくは９５ｍｏｌ％以上、より好ましくは９９ｍｏｌ％以上であり、１００ｍｏｌ％であってもよい。
上記パーフルオロ系フッ素樹脂としては、パーフルオロモノマーであるテトラフルオロエチレン［ＴＦＥ］の重合体や、ＴＦＥと共重合可能な共重合モノマーとの共重合体等を用いることができる。
なお、本明細書において、上記「パーフルオロモノマー」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなるモノマーを意味する。

上記共重合モノマーとしては、ＴＦＥとの共重合が可能なもので、かつ主鎖を構成する炭素原子に結合した水素原子を含有しないものであれば特に限定されず、例えば、ヘキサフルオロプロピレン［ＨＦＰ］や、後述のフルオロアルキルビニルエーテル、フルオロアルキルエチレン、一般式（１００）：ＣＨ_２＝ＣＦＲｆ^１０１（式中、Ｒｆ^１０１は炭素数１～１２の直鎖又は分岐したフルオロアルキル基）で表されるフルオロモノマー、フルオロアルキルアリルエーテル等の含フッ素モノマーが挙げられる。また、含フッ素モノマー以外のモノマーとしては、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、５－ノルボルネンー２，３－ジカルボン酸無水物、無水マレイン酸等が挙げられる。上記共重合モノマーは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

上記フルオロアルキルビニルエーテルとしては、例えば、
一般式（１１０）：ＣＦ_２＝ＣＦ－ＯＲｆ^１１１
（式中、Ｒｆ^１１１は、パーフルオロ有機基を表す。）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１２０）：ＣＦ_２＝ＣＦ－ＯＣＨ_２－Ｒｆ^１２１
（式中、Ｒｆ^１２１は、炭素数１～５のパーフルオロアルキル基）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１３０）：ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＲｆ^１３１
（式中、Ｒｆ^１３１は炭素数１～６の直鎖又は分岐状パーフルオロアルキル基、炭素数５～６の環式パーフルオロアルキル基、１～３個の酸素原子を含む炭素数２～６の直鎖又は分岐状パーフルオロオキシアルキル基である。）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１４０）：ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（Ｙ^１４１）Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２）_ｎＦ
（式中、Ｙ^１４１はフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。ｍは１～４の整数である。ｎは１～４の整数である。）で表されるフルオロモノマー、及び、
一般式（１５０）：ＣＦ_２＝ＣＦ－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦＹ^１５１－Ｏ）_ｎ－（ＣＦＹ^１５２）_ｍ－Ａ^１５１
（式中、Ｙ^１５１は、フッ素原子、塩素原子、－ＳＯ_２Ｆ基又はパーフルオロアルキル基を表す。パーフルオロアルキル基は、エーテル性の酸素及び－ＳＯ_２Ｆ基を含んでもよい。ｎは、０～３の整数を表す。ｎ個のＹ^１５１は、同一であってもよいし異なっていてもよい。Ｙ^１５２は、フッ素原子、塩素原子又は－ＳＯ_２Ｆ基を表す。ｍは、１～５の整数を表す。ｍ個のＹ^１５２は、同一であってもよいし異なっていてもよい。Ａ^１５１は、－ＳＯ_２Ｘ^１５１、－ＣＯＺ^１５１又は－ＰＯＺ^１５２Ｚ^１５３を表す。Ｘ^１５１は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、－ＯＲ^１５１又は－ＮＲ^１５２Ｒ^１５３を表す。Ｚ^１５１、Ｚ^１５２及びＺ^１５３は、同一又は異なって、－ＮＲ^１５４Ｒ^１５５又は－ＯＲ^１５６を表す。Ｒ^１５１、Ｒ^１５２、Ｒ^１５３、Ｒ^１５４、Ｒ^１５５及びＲ^１５６は、同一又は異なって、Ｈ、アンモニウム、アルカリ金属、フッ素原子を含んでも良いアルキル基、アリール基、若しくはスルホニル含有基を表す。）で表されるフルオロモノマー
からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

本明細書において、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。

一般式（１１０）で表されるフルオロモノマーとしては、Ｒｆ^１１１が炭素数１～１０のパーフルオロアルキル基であるフルオロモノマーが挙げられる。上記パーフルオロアルキル基の炭素数は、好ましくは１～５である。

一般式（１１０）におけるパーフルオロ有機基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。
一般式（１１０）で表されるフルオロモノマーとしては、更に、上記一般式（１１０）において、Ｒｆ^１１１が炭素数４～９のパーフルオロ（アルコキシアルキル）基であるもの、Ｒｆ^１１１が下記式：

（式中、ｍは、０又は１～４の整数を表す。）で表される基であるもの、Ｒｆ^１１１が下記式：

（式中、ｎは、１～４の整数を表す。）で表される基であるもの等が挙げられる。

一般式（１１０）で表されるフルオロモノマーとしては、なかでも、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）［ＰＡＶＥ］が好ましく、
一般式（１６０）：ＣＦ_２＝ＣＦ－ＯＲｆ^１６１
（式中、Ｒｆ^１６１は、炭素数１～１０のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるフルオロモノマーがより好ましい。Ｒｆ^１６１は、炭素数が１～５のパーフルオロアルキル基であることが好ましい。

フルオロアルキルビニルエーテルとしては、一般式（１６０）、（１３０）及び（１４０）で表されるフルオロモノマーからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

一般式（１６０）で表されるフルオロモノマー（ＰＡＶＥ）としては、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）［ＰＭＶＥ］、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）［ＰＥＶＥ］、及び、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）［ＰＰＶＥ］からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）、及び、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）からなる群より選択される少なくとも１種がより好ましい。

一般式（１３０）で表されるフルオロモノマーとしては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_３、及び、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_３からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

一般式（１４０）で表されるフルオロモノマーとしては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_３Ｆ、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_２（ＣＦ_２）_３Ｆ、及び、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_２（ＣＦ_２）_２Ｆからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

一般式（１５０）で表されるフルオロモノマーとしては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_２Ｆ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_２Ｆ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_２Ｆ）ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_２Ｆ及びＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＳＯ_２Ｆ）_２からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。

一般式（１００）で表されるフルオロモノマーとしては、Ｒｆ^１０１が直鎖のフルオロアルキル基であるフルオロモノマーが好ましく、Ｒｆ^１０１が直鎖のパーフルオロアルキル基であるフルオロモノマーがより好ましい。Ｒｆ^１０１の炭素数は１～６であることが好ましい。一般式（１００）で表されるフルオロモノマーとしては、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_３、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＨＦ＝ＣＨＣＦ_３（Ｅ体）、ＣＨＦ＝ＣＨＣＦ_３（Ｚ体）等が挙げられ、なかでも、ＣＨ_２＝ＣＦＣＦ_３で示される２，３，３，３－テトラフルオロプロピレンが好ましい。

フルオロアルキルエチレンとしては、
一般式（１７０）：ＣＨ_２＝ＣＨ－（ＣＦ_２）_ｎ－Ｘ^１７１
（式中、Ｘ^１７１はＨ又はＦであり、ｎは３～１０の整数である。）で表されるフルオロアルキルエチレンが好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ－Ｃ_４Ｆ_９、及び、ＣＨ_２＝ＣＨ－Ｃ_６Ｆ_１３からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。

上記フルオロアルキルアリルエーテルとしては、例えば、
一般式（１７１）：ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－ＯＲｆ^１１１
（式中、Ｒｆ^１１１は、パーフルオロ有機基を表す。）で表されるフルオロモノマーが挙げられる。

一般式（１７１）のＲｆ^１１１は、一般式（１１０）のＲｆ^１１１と同じである。Ｒｆ^１１１としては、炭素数１～１０のパーフルオロアルキル基または炭素数１～１０のパーフルオロアルコキシアルキル基が好ましい。一般式（１７１）で表されるフルオロアルキルアリルエーテルとしては、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－Ｃ_２Ｆ_５、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－Ｃ_３Ｆ_７、及び、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－Ｃ_４Ｆ_９からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－Ｃ_２Ｆ_５、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－Ｃ_３Ｆ_７、及び、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－Ｃ_４Ｆ_９からなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ_２－Ｏ－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３が更に好ましい。

上記共重合モノマーとしては、組成物の変形を少なくでき、線膨張率を低くできる点で、パーフルオロビニル基を有するモノマーが好ましく、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、及び、パーフルオロアリルエーテルからなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、ＰＡＶＥ、及び、ＨＦＰからなる群より選択される少なくとも１種が更に好ましく、組成物の半田加工時の変形を抑制できる点で、ＰＡＶＥが特に好ましい。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、上記共重合モノマー単位を合計で、全単量体単位の０．１質量％以上含むことが好ましく、１．０質量％以上含むことがより好ましく、１．１質量％以上含むことが更に好ましい。上記共重合モノマー単位の合計量は、また、全単量体単位の３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることが更に好ましい。
上記共重合モノマー単位の量は、^１９Ｆ－ＮＭＲ法により測定する。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂としては、組成物の変形を少なくでき、線膨張率を低くできる点で、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／パーフルオロ（アルキルビニル）エーテル（ＰＡＶＥ）共重合体（ＰＦＡ）及びテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）共重合体（ＦＥＰ）からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ＰＦＡ及びＦＥＰからなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、ＰＦＡが更に好ましい。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂がＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位を含むＰＦＡである場合、ＰＡＶＥ単位を全重合単位に対して０．１～１２質量％含むことが好ましい。ＰＡＶＥ単位の量は、全重合単位に対して０．３質量％以上であることがより好ましく、０．７質量％以上であることが更に好ましく、１．０質量％以上であることが更により好ましく、１．１質量％以上であることが特に好ましく、また、８．０質量％以下であることがより好ましく、６．５質量％以下であることが更に好ましく、６．０質量％以下であることが特に好ましい。
なお、上記ＰＡＶＥ単位の量は、^１９Ｆ－ＮＭＲ法により測定する。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂がＴＦＥ単位及びＨＦＰ単位を含むＦＥＰである場合、ＴＦＥ単位とＨＦＰ単位との質量比（ＴＦＥ／ＨＦＰ）が７０～９９／１～３０（質量％）であることが好ましい。上記質量比（ＴＦＥ／ＨＦＰ）は、８５～９５／５～１５（質量％）がより好ましい。
上記ＦＥＰは、ＨＦＰ単位を全単量体単位の１質量％以上、好ましくは１．１質量％以上含む。

上記ＦＥＰは、ＴＦＥ単位及びＨＦＰ単位とともに、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）［ＰＡＶＥ］単位を含むことが好ましい。
上記ＦＥＰに含まれるＰＡＶＥ単位としては、上述したＰＦＡを構成するＰＡＶＥ単位と同様のものを挙げることができる。なかでも、ＰＰＶＥが好ましい。
上述したＰＦＡは、ＨＦＰ単位を含まないので、その点で、ＰＡＶＥ単位を含むＦＥＰとは異なる。

上記ＦＥＰが、ＴＦＥ単位、ＨＦＰ単位、及び、ＰＡＶＥ単位を含む場合、質量比（ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＰＡＶＥ）が７０～９９．８／０．１～２５／０．１～２５（質量％）であることが好ましい。上記範囲内であると、耐熱性、耐薬品性に優れている。
上記質量比（ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＰＡＶＥ）は、７５～９８／１．０～１５／１．０～１０（質量％）であることがより好ましい。
上記ＦＥＰは、ＨＦＰ単位及びＰＡＶＥ単位を合計で全単量体単位の１質量％以上、好ましくは１．１質量％以上含む。

上記ＴＦＥ単位、ＨＦＰ単位、及び、ＰＡＶＥ単位を含むＦＥＰは、ＨＦＰ単位が全単量体単位の２５質量％以下であることが好ましい。
ＨＦＰ単位の含有量が上述の範囲内であると、耐熱性に優れた組成物を得ることができる。
ＨＦＰ単位の含有量は、２０質量％以下がより好ましく、１８質量％以下が更に好ましい。特に好ましくは１５質量％以下である。また、ＨＦＰ単位の含有量は、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましい。特に好ましくは、２質量％以上である。
なお、ＨＦＰ単位の含有量は、^１９Ｆ－ＮＭＲ法により測定することができる。

ＰＡＶＥ単位の含有量は、２０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。特に好ましくは３質量％以下である。また、ＰＡＶＥ単位の含有量は、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましい。なお、ＰＡＶＥ単位の含有量は、^１９Ｆ－ＮＭＲ法により測定することができる。

上記ＦＥＰは、更に、他のエチレン性単量体（α）単位を含んでいてもよい。
他のエチレン性単量体（α）単位としては、ＴＦＥ、ＨＦＰ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体単位であれば特に限定されず、例えば、フッ化ビニル［ＶＦ］、フッ化ビニリデン［ＶｄＦ］、クロロトリフルオロエチレン［ＣＴＦＥ］等の含フッ素エチレン性単量体や、エチレン、プロピレン、アルキルビニルエーテル等の非フッ素化エチレン性単量体等が挙げられる。

上記ＦＥＰがＴＦＥ単位、ＨＦＰ単位、ＰＡＶＥ単位、及び、他のエチレン性単量体（α）単位を含む場合、質量比（ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＰＡＶＥ／他のエチレン性単量体（α））は、７０～９８／０．１～２５／０．１～２５／０．１～１０（質量％）であることが好ましい。
上記ＦＥＰは、ＴＦＥ単位以外の単量体単位を合計で全単量体単位の１質量％以上、好ましくは１．１質量％以上含む。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、上記ＰＦＡ及び上記ＦＥＰであることも好ましい。言い換えると、上記ＰＦＡと上記ＦＥＰとを混合して使用することも可能である。上記ＰＦＡと上記ＦＥＰとの質量比（ＰＦＡ／ＦＥＰ）は、９０／１０～３０／７０であることが好ましく、９０／１０～５０／５０であることがより好ましい。

上記ＰＦＡ、上記ＦＥＰは、例えば、その構成単位となるモノマーや、重合開始剤等の添加剤を適宜混合して、乳化重合、懸濁重合を行う等の従来公知の方法により製造することができる。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、上記ＰＴＦＥであってもよい。

上記ＰＴＦＥは、変性ポリテトラフルオロエチレン（以下、変性ＰＴＦＥという）であってもよいし、ホモポリテトラフルオロエチレン（以下、ホモＰＴＦＥという）であってもよいし、変性ＰＴＦＥとホモＰＴＦＥの混合物であってもよい。なお、高分子ＰＴＦＥにおける変性ＰＴＦＥの含有割合は、ポリテトラフルオロエチレンの成形性を良好に維持させる観点から、１０重量％以上９８重量％以下であることが好ましく、５０重量％以上９５重量％以下であることがより好ましい。ホモＰＴＦＥは、特に限定されず、特開昭５３－６０９７９号公報、特開昭５７－１３５号公報、特開昭６１－１６９０７号公報、特開昭６２－１０４８１６号公報、特開昭６２－１９０２０６号公報、特開昭６３－１３７９０６号公報、特開２０００－１４３７２７号公報、特開２００２－２０１２１７号公報、国際公開第２００７／０４６３４５号パンフレット、国際公開第２００７／１１９８２９号パンフレット、国際公開第２００９／００１８９４号パンフレット、国際公開第２０１０／１１３９５０号パンフレット、国際公開第２０１３／０２７８５０号パンフレット等で開示されているホモＰＴＦＥを好適に使用できる。中でも、高い延伸特性を有する特開昭５７－１３５号公報、特開昭６３－１３７９０６号公報、特開２０００－１４３７２７号公報、特開２００２－２０１２１７号公報、国際公開第２００７／０４６３４５号パンフレット、国際公開第２００７／１１９８２９号パンフレット、国際公開第２０１０／１１３９５０号パンフレット等で開示されているホモＰＴＦＥが好ましい。

変性ＰＴＦＥは、ＴＦＥと、ＴＦＥ以外のモノマー（以下、変性モノマーという）とからなる。変性ＰＴＦＥには、変性モノマーにより均一に変性されたもの、重合反応の初期に変性されたもの、重合反応の終期に変性されたものなどが挙げられるが、特にこれらに限定されない。変性ＰＴＦＥは、ＴＦＥ単独重合体の性質を大きく損なわない範囲内で、ＴＦＥとともに微量のＴＦＥ以外の単量体をも重合に供することにより得られるＴＦＥ共重合体であることが好ましい。変性ＰＴＦＥは、例えば、特開昭６０－４２４４６号公報、特開昭６１－１６９０７号公報、特開昭６２－１０４８１６号公報、特開昭６２－１９０２０６号公報、特開昭６４－１７１１号公報、特開平２－２６１８１０号公報、特開平１１－２４０９１７、特開平１１－２４０９１８、国際公開第２００３／０３３５５５号パンフレット、国際公開第２００５／０６１５６７号パンフレット、国際公開第２００７／００５３６１号パンフレット、国際公開第２０１１／０５５８２４号パンフレット、国際公開第２０１３／０２７８５０号パンフレット等で開示されているものを好適に使用できる。中でも、高い延伸特性を有する特開昭６１－１６９０７号公報、特開昭６２－１０４８１６号公報、特開昭６４－１７１１号公報、特開平１１－２４０９１７、国際公開第２００３／０３３５５５号パンフレット、国際公開第２００５／０６１５６７号パンフレット、国際公開第２００７／００５３６１号パンフレット、国際公開第２０１１／０５５８２４号パンフレット等で開示されている変性ＰＴＦＥが好ましい。

変性ＰＴＦＥは、ＴＦＥに基づくＴＦＥ単位と、変性モノマーに基づく変性モノマー単位とを含む。変性モノマー単位は、変性ＰＴＦＥの分子構造の一部分であって変性モノマーに由来する部分である。変性ＰＴＦＥは、変性モノマー単位が全単量体単位の０．００１～０．５００重量％含まれることが好ましく、好ましくは、０．０１～０．３０重量％含まれる。全単量体単位は、変性ＰＴＦＥの分子構造における全ての単量体に由来する部分である。

変性モノマーは、ＴＦＥとの共重合が可能なものであれば特に限定されず、例えば、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）等のパーフルオロオレフィン；クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）等のクロロフルオロオレフィン；トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）等の水素含有フルオロオレフィン；パーフルオロビニルエーテル；パーフルオロアルキルエチレン（ＰＦＡＥ）、エチレン等が挙げられる。用いられる変性モノマーは１種であってもよいし、複数種であってもよい。

パーフルオロビニルエーテルは、特に限定されず、例えば、下記一般式（１）で表されるパーフルオロ不飽和化合物等が挙げられる。
ＣＦ_２＝ＣＦ－ＯＲｆ・・・（１）

式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。

本明細書において、パーフルオロ有機基は、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基である。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。

パーフルオロビニルエーテルとしては、例えば、上記一般式（１）において、Ｒｆが炭素数１～１０のパーフルオロアルキル基であるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）が挙げられる。パーフルオロアルキル基の炭素数は、好ましくは１～５である。ＰＡＶＥにおけるパーフルオロアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。ＰＡＶＥとしては、パーフルオロプロピルビニルエーテル（ＰＰＶＥ）、パーフルオロメチルビニルエーテル（ＰＭＶＥ）が好ましい。

上記パーフルオロアルキルエチレン（ＰＦＡＥ）は、特に限定されず、例えば、パーフルオロブチルエチレン（ＰＦＢＥ）、パーフルオロヘキシルエチレン（ＰＦＨＥ）等が挙げられる。

変性ＰＴＦＥにおける変性モノマーとしては、ＨＦＰ、ＣＴＦＥ、ＶＤＦ、ＰＡＶＥ、ＰＦＡＥ及びエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、溶融成形不可能であることが好ましい。溶融成形不可能であるとは、融点以上に加熱しても、樹脂が十分な流動性を有さず、樹脂において一般的に使用される溶融成形の手法によって成型することができない樹脂を意味する。ＰＴＦＥがこれに該当する。

本開示においては、このような溶融成形不可能であるようなパーフルオロ系フッ素樹脂を使用し、これをフィブリル化するような成形方法によってフッ素時樹脂シートとするものであることが好ましい。当該成型方法については、後述する。

上記ＰＴＦＥは、ＳＳＧが２．０～２．３であることが好ましい。このようなＰＴＦＥを使用すると、高い強度（凝集力及び単位厚さあたりの突き刺し強度）を有するＰＴＦＥ膜を得やすい。大きい分子量を有するＰＴＦＥは長い分子鎖を有するため、分子鎖が規則的に配列した構造を形成しにくい。この場合、非晶質部の長さが増加し、分子同士の絡み合いの度合いが増加する。分子同士の絡み合いの度合いが高い場合、ＰＴＦＥ膜は、加えられた負荷に対して変形しにくく、優れた機械的強度を示すと考えられる。また、大きい分子量を有するＰＴＦＥを使用すると、小さい平均孔径を有するＰＴＦＥ膜を得やすい。

上記ＳＳＧの下限は、２．０５であることがより好ましく、２．１であることが更に好ましい。上記ＳＳＧの上限は、２．２５であることがより好ましく、２．２であることが更に好ましい。

標準比重〔ＳＳＧ〕はＡＳＴＭ　Ｄ－４８９５－８９に準拠して試料を作製し、得られた試料の比重を水置換法によって測定したものである。

本実施形態において、ＰＴＦＥ粉末を構成するＰＴＦＥの分子量（数平均分子量）は、例えば、２００～１２００万の範囲にある。ＰＴＦＥの分子量の下限値は、３００万であってもよく、４００万であってもよい。ＰＴＦＥの分子量の上限値は、１０００万であってもよい。

ＰＴＦＥの数平均分子量の測定方法としては、標準比重（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｇｒａｖｉｔｙ）から求める方法、及び、溶融時の動的粘弾性による測定法がある。標準比重から求める方法は、ＡＳＴＭ　Ｄ－４８９５　９８に準拠して成形されたサンプルを用い、ＡＳＴＭ　Ｄ－７９２に準拠した水置換法によって実施することができる。動的粘弾性による測定法は、例えば、Ｓ．Ｗｕによって、Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　＆　Ｓｃｉｅｎｃｅ，　１９８８，　Ｖｏｌ．２８，　５３８、及び、同文献１９８９，　Ｖｏｌ．２９，　２７３に説明されている。

上記ＰＴＦＥは、屈折率が１．２～１．６の範囲内のものであることが好ましい。このような屈折率を有するものとすることで、低誘電であるという点で好ましい。屈折率を上記範囲内のものとすることは、分極率や主鎖の柔軟性を調整する方法等によって行うことができる。上記屈折率の下限は、１．２５であることがより好ましく、１．３０であることがより好ましく、１．３２であることが最も好ましい。上記屈折率の上限は、１．５５であることがより好ましく、１．５０であることがより好ましく、１．４５であることが最も好ましい。

上記屈折率は、屈折計（Ａｂｂｅｍａｔ　３００）を用いて測定した値である。

また、上記ＰＴＦＥは、最大吸熱ピーク温度（結晶融点）は３４０±７℃であることが好ましい。

ＰＴＦＥは示差走査熱量計で測定した結晶融解曲線上の吸熱カーブの最大ピーク温度が３３８℃以下の低融点ＰＴＦＥと、示差走査熱量計で測定した結晶融解曲線上の吸熱カーブの最大ピーク温度が３４２℃以上の高融点ＰＴＦＥであっても良い。

低融点ＰＴＦＥは、乳化重合法で重合し製造された粉末であり、前記の最大吸熱ピーク温度（結晶融点）を有し、誘電率（ε）は２．０８～２．２、誘電正接（ｔａｎ　δ）は１．９×１０^－４～４．０×１０^－４である。市販品としては、たとえばダイキン工業（株）製のポリフロンファインパウダーＦ２０１、同Ｆ２０３、同Ｆ２０５、同Ｆ３０１、同Ｆ３０２；旭硝子工業（株）製のＣＤ０９０、ＣＤ０７６；デュポン社製のＴＦ６Ｃ、ＴＦ６２、ＴＦ４０などがあげられる。

高融点ＰＴＦＥ粉末も、乳化重合法で重合し製造された粉末であり、前記の最大吸熱ピーク温度（結晶融点）を有し、誘電率（ε）は２．０～２．１、誘電正接（ｔａｎ　δ）は１．６×１０^－４～２．２×１０^－４と全体的に低い。市販品としては、たとえばダイキン工業（株）製のポリフロンファインパウダーＦ１０４、Ｆ１０６；旭硝子工業（株）製のＣＤ１、ＣＤ１４１、ＣＤ１２３；デュポン社製のＴＦ６、ＴＦ６５などがあげられる。

なお、両ＰＴＦＥ重合粒子が２次凝集した粉末の平均粒径は通常、２５０～２０００μｍであるのが好ましい。特に、溶媒を用いて造粒して得られる造粒粉末は予備成形の際の金型充填時の流動性が向上する点から好ましい。

上述したような各パラメータを満たす粉末形状のＰＴＦＥは、従来の製造方法により得ることができる。例えば、国際公開第２０１５／０８０２９１号パンフレットや国際公開第２０１２／０８６７１０号パンフレット等に記載された製造方法に倣って製造すればよい。

上記粉末状のＰＴＦＥは、一次粒子径が０．０５～１０μｍのものを使用することが好ましい。このようなものを使用することで、成形性、分散性に優れるという利点がある。なお、ここでの一次粒子径は、ＡＳＴＭ　Ｄ　４８９５に準拠し測定した値である。

上記粉末状のＰＴＦＥは、二次粒子径が５００μｍ以上のポリテトラフルオロエチレン樹脂を５０質量％以上含むことが好ましく、８０質量％以上含むことがより好ましい。二次粒子径が５００μｍ以上のＰＴＦＥが当該範囲内のものであることによって、強度の高い合剤シートを作製できるという点で利点を有する。
二次粒子径が５００μｍ以上のＰＴＦＥを用いることで、より抵抗が低く、靭性に富んだ合剤シートを得ることができる。

上記二次粒子径の下限は、３００μｍであることがより好ましく、３５０μｍであることが更に好ましい。上記二次粒子径の上限は、７００μｍ以下であることがより好ましく、６００μｍ以下であることが更に好ましい。二次粒子径は例えばふるい分け法などで求めることができる。

上記粉末状のＰＴＦＥは、より高強度でかつ均質性に優れるフッ素樹脂シートが得られることから、平均一次粒子径が５０ｎｍ以上であることが好ましい。より好ましくは、１００ｎｍ以上であり、更に好ましくは１５０ｎｍ以上であり、特に好ましくは２００ｎｍ以上である。
ＰＴＦＥの平均一次粒子径が大きいほど、その粉末を用いてペースト押出成形をする際に、ペースト押出圧力の上昇を抑えられ、成形性にも優れる。上限は特に限定されないが５００ｎｍであってよい。重合工程における生産性の観点からは、３５０ｎｍであることが好ましい。

上記平均一次粒子径は、重合により得られたＰＴＦＥの水性分散液を用い、ポリマー濃度を０．２２質量％に調整した水性分散液の単位長さに対する５５０ｎｍの投射光の透過率と、透過型電子顕微鏡写真における定方向径を測定して決定された平均一次粒子径との検量線を作成し、測定対象である水性分散液について、上記透過率を測定し、上記検量線をもとに決定できる。

本開示に使用するＰＴＦＥは、コアシェル構造を有していてもよい。コアシェル構造を有するＰＴＦＥとしては、例えば、粒子中に高分子量のポリテトラフルオロエチレンのコアと、より低分子量のポリテトラフルオロエチレンまたは変性のポリテトラフルオロエチレンのシェルとを含む変性ポリテトラフルオロエチレンが挙げられる。このような変性ポリテトラフルオロエチレンとしては、例えば、特表２００５－５２７６５２号公報に記載されるポリテトラフルオロエチレンが挙げられる。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、不安定末端基が炭素数１×１０^６個あたり２００個未満であることが好ましく、１２０個未満がより好ましく、７０個未満が更に好ましい。下限は特に限定されない。上記範囲内であれば、電気特性がより良好となる。
なお、上記不安定末端基は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂の主鎖末端に存在する－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯＣＨ_３、－ＣＯＮＨ_２及び－ＣＨ_２ＯＨからなる群より選択する少なくとも１種であることが好ましい。これらは、水と会合していてもよい。

上記不安定末端基の数は、例えば、上記パーフルオロ系フッ素樹脂をフッ素化処理することで低減することができる。
上記フッ素化処理は公知の方法により行うことができ、例えば、フッ素化処理されていないフッ素樹脂とフッ素含有化合物とを接触させることにより行うことができる。
また、上記フッ素含有化合物としては、フッ素化処理条件下にてフッ素ラジカルを発生するフッ素ラジカル源、例えば、Ｆ_２ガス、ＣｏＦ_３、ＡｇＦ_２、ＵＦ_６、ＯＦ_２、Ｎ_２Ｆ_２、ＣＦ_３ＯＦ、及び、フッ化ハロゲン（例えばＩＦ_５、ＣｌＦ_３）等が挙げられる。

上記不安定末端基の数は、赤外分光分析法によって測定できる。具体的には、まず、上記パーフルオロ系フッ素樹脂を溶融押出成形して、厚さ０．２５～０．３ｍｍのフィルムを作製する。このフィルムをフーリエ変換赤外分光分析により分析して、上記共重合体の赤外吸収スペクトルを得、完全にフッ素化処理されて不安定末端基が存在しないベーススペクトルとの差スペクトルを得る。この差スペクトルに現れる特定の不安定末端基の吸収ピークから、下記式（Ａ）に従って、上記共重合体における炭素原１０^６個あたりの不安定末端基数Ｎを算出する。
Ｎ＝Ｉ×Ｋ／ｔ　　（Ａ）
Ｉ：吸光度
Ｋ：補正係数
ｔ：フィルムの厚さ（ｍｍ）

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、融点が２４０～３４０℃であることが好ましい。これにより、溶融混練を容易に行うことができる。
上記パーフルオロ系フッ素樹脂の融点は、より好ましくは３１８℃以下、更に好ましくは３１５℃以下であり、また、より好ましくは２４５℃以上、更に好ましくは２５０℃以上である。
なお、パーフルオロ系フッ素樹脂の融点は、示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂は、３７２℃におけるメルトフローレート（ＭＦＲ）が０．１～１００ｇ／１０分であることが好ましい。これにより、溶融混練を容易に行うことができる。
ＭＦＲは、０．５ｇ／１０分以上がより好ましく、１．５ｇ／１０分以上が更に好ましく、８０ｇ／１０分以下がより好ましく、４０ｇ／１０分以下が更に好ましい。
ＭＦＲは、ＡＳＴＭ　Ｄ１２３８に従って、メルトインデクサー（（株）安田精機製作所製）を用いて、３７２℃、５ｋｇ荷重下で内径２ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間あたりに流出するポリマーの質量（ｇ／１０分）として得られる値である。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂の比誘電率と誘電正接は特に限定されず、２５℃、周波数１０ＧＨｚにおいて、比誘電率が４．５以下であればよいが、好ましくは４．０以下であり、より好ましくは３．５以下であり、更に好ましくは２．５以下である。また誘電正接が０．０１以下であればよいが、好ましくは０．００８以下であり、より好ましくは０．００５以下である。これらの下限は特に限定されないが、例えば、比誘電率は１．０以上、誘電正接は０．０００１以上であってよい。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂の含有量は、上記組成物に対して、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上であり、また、好ましくは９９．９質量％以下、より好ましくは９９．０質量％以下である。

上記酸化亜鉛は、平均粒子径が０．０１～１．０μｍであることが好ましい。平均粒子径が上記範囲内であると、凝集が少なく、良好なＵＶレーザ加工性を得ることができる。上記平均粒子径の下限は、０．０２μｍであることがより好ましく、０．０３μｍであることが更に好ましい。上記平均粒子径の上限は、０．５０μｍであることがより好ましく、０．３０μｍであることが更に好ましい。
上記平均粒子径は、レーザ回折・散乱法によって測定した値である。

上記酸化亜鉛は、表面処理されたものであってもよく、例えば、ケイ素酸化物で表面処理（好ましくは含水ケイ素酸化物）されたもの、すなわち、ケイ素酸化物の被覆層が表面に形成されたものであってもよい。上記ケイ素酸化物の被覆層により、上記酸化亜鉛の表面活性が抑制されるため、上記酸化亜鉛による電気特性の低下が生じにくくなり、本開示の組成物の電気特性がより良好となる。

上記ケイ素酸化物によって形成される被覆層の量は、上記酸化亜鉛に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上であり、また、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。１質量％未満では、上記酸化亜鉛の表面活性を十分に抑制することができず、５０質量％を超えると、上記酸化亜鉛の分散性が低下する傾向がある。

上記ケイ素酸化物による上記酸化亜鉛の表面処理は、例えば、特開平１１－３０２０１５号公報の段落［００２０］～［００２２］に記載の方法によって実施できる。この方法で表面処理を実施した酸化亜鉛は、例えば、２５℃における純水への溶解度がＺｎとして２ｐｐｍ以下であるとともに、０．０００５質量％硫酸水溶液への溶解度がＺｎとして２０ｐｐｍ以下となる。なお、これらの溶解度は原子吸光分析で測定できる。
このようなケイ素酸化物からなる被覆層を有する酸化亜鉛粒子の市販品として、堺化学工業（株）製の「ＮＡＮＯＦＩＮＥ」（登録商標）５０－ＬＰ、１００－ＬＰなどが挙げられる。

上記酸化亜鉛は、上述の方法でケイ素酸化物の被覆層（第１の被覆層）を形成した後、その上に第２の被覆層を形成してもよい。上記第２の被覆層としては、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓｂ及び希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を用いて形成されたものが挙げられる。上記希土類元素としては、例えば、イットリウム、ランタン、セリウム、ネオジム等を挙げることができる。

上記第２の被覆層は、例えば、特開平１１－３０２０１５号公報の段落［００２５］～［００２８］に記載の方法で形成できる。

上記第２の被覆層の量は、上記酸化亜鉛に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは２質量％以上であり、また、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下である。

上記酸化亜鉛は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂中での分散性を高めるために、上記第１の被覆層又は上記第２の被覆層を形成した後、更にオルガノポリシロキサンで表面処理してもよい。このような表面処理に用いるオルガノポリシロキサンは、上記酸化亜鉛に対して、通常、１～２０質量部の範囲であり、好ましくは、３～１０質量部の範囲である。上記オルガノポリシロキサンとしては、例えば、ジメチルポリシロキサンやメチルハイドロジェンポリシロキサン等が好ましく用いられる。

上記酸化亜鉛の含有量は、上記組成物に対して、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、更に好ましくは０．１質量％以上であり、また、好ましくは５．０質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、更に好ましくは３．０質量％以下である。

本開示の組成物は、レーザ顕微鏡観察の画像解析において、上記酸化亜鉛の１０μｍ以上の塊が１ｍｍ^２の面積あたり好ましくは２００個未満、より好ましくは１００個以下、更に好ましくは２０個以下である。下限は特に限定されない。この範囲であれば、上記酸化亜鉛が良好に分散しており、ＵＶレーザ加工性が特に良好となる。
上記レーザ顕微鏡観察の画像解析は、後述の実施例の方法で行う。

本開示の組成物は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、充填剤、架橋剤、帯電防止剤、耐熱安定剤、発泡剤、発泡核剤、酸化防止剤、界面活性剤、光重合開始剤、摩耗防止剤、表面改質剤、樹脂（但し、上記改質フッ素樹脂を除く）、液晶ポリマー等の添加剤等を挙げることができる。

上記他の成分としては、上記酸化亜鉛以外の無機フィラーが好ましい。無機フィラーを含むことで、強度の向上効果、線膨張係数の低下効果等が得られる。

上記無機フィラーは、紫外線吸収性を持たないものが好ましい。紫外線吸収性を持たないとは、波長が３５５ｎｍの光の吸光度が０．１未満であることを意味する。
なお、上記光の吸光度は、紫外可視近赤外分光光度計（例えば、日本分光株式会社製「Ｖ－７７０」）を用いて、厚み１００μｍとなるように充填した上記無機フィラーの粉末に対し、反射配置で測定した際の値である。

また、上記無機フィラーは、２５℃、１ＧＨｚの比誘電率が５．０以下、かつ、２５℃、１ＧＨｚの誘電正接が０．０１以下のものも好ましい。これらの下限は特に限定されないが、例えば、比誘電率は１．０以上、誘電正接は０．０００１以上であってよい。

上記無機フィラーの具体例としては、シリカ（より具体的には結晶性シリカ、溶融シリカ、球状溶融シリカ等）、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム、酸化インジウム、アルミナ、酸化アンチモン、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の無機化合物（酸化亜鉛を除く）が挙げられる。また、モンモリロナイト、タルク、マイカ、ベーマイト、カオリン、スメクタイト、ゾノライト、バーキュライト、セリサイト等の鉱物が挙げられる。その他の無機フィラーとしては、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブ等の炭素化合物；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物；ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラスバルーン等の各種ガラス等を挙げることができる。

上記無機フィラーは、１種であってもよいし、２種以上であってもよい。
また、上記無機フィラーは、粉体をそのまま使用してもよく、樹脂中に分散させたものを用いてもよい。

上記無機フィラーとしては、強度の向上効果、線膨張係数の低下効果に優れるという点で、シリカ、窒化ホウ素、タルク及び水酸化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、シリカが特に好ましい。

上記無機フィラーの形状としては、特に限定されず、例えば、粒状、球状、鱗片状、針状、柱状、錘状、錘台状、多面体状、中空状等を用いることが出来る。特に球状、立方体、鉢状、円盤状、八面体状、鱗片状、棒状、板状、ロッド状、テトラポッド状、中空状であることが好ましく、球状、立方状、八面体状、板状、中空状であることがより好ましい。鱗片状又は針状の形状とすることで、異方性を有するフィラーを配列させることにより、より高い密着性を得ることができる。球状のフィラーは、表面積が小さいため、フッ素樹脂の特性への影響を小さくすることができ、また、液状物に配合した場合に増粘の程度が小さい点で好ましい。

本開示の組成物が上記無機フィラーを含む場合、上記無機フィラーの含有量は、上記組成物に対して、好ましくは５質量％以上であり、より好ましくは１０質量％以上であり、また、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下、更に好ましくは４０質量％以下である。

上記無機フィラーは、平均粒子径が０．１～２０μｍであることが好ましい。平均粒子径が上記範囲内であると、凝集が少なく、良好な表面粗度を得ることができる。上記平均粒子径の下限は、０．２μｍであることがより好ましく、０．３μｍであることが更に好ましい。上記平均粒子径の上限は、５μｍであることがより好ましく、２μｍであることが更に好ましい。
上記平均粒子径は、レーザ回折・散乱法によって測定した値である。

上記無機フィラーは、最大粒子径が１０μｍ以下であることが好ましい。最大粒子径が１０μｍ以下であると、凝集が少なく、分散状態が良好である。更に、得られたフッ素樹脂材料の表面粗度を小さいものとすることができる。上記最大粒子径は、５μｍ以下であることがより好ましい。最大粒子径は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真を撮影し、ＳＥＭ用画像解析ソフトウェアを用いて、無作為に選択した粒子２００個の画像データより求めた。

上記無機フィラーは、表面処理されたものであってもよく、例えば、シリコーン化合物で表面処理されたものであってもよい。上記シリコーン化合物で表面処理することにより、無機フィラーの誘電率を低下させることができる。
上記シリコーン化合物としては特に限定されず、従来公知のシリコーン化合物を使用することができる。例えば、シランカップリング剤及びオルガノシラザンからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。
上記シリコーン化合物の表面処理量は、無機フィラー表面への表面処理剤の反応量が単位表面積（ｎｍ^２）あたり０．１～１０個であることが好ましく、０．３～７個であることがより好ましい。

上記無機フィラーは、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が、１．０～２５．０ｍ^２／ｇであることが好ましく、１．０～１０．０ｍ^２／ｇであるのがより好ましく、２．０～６．４ｍ^２／ｇであるのが更に好ましい。比表面積が上記範囲内であることにより、フッ素樹脂材料中の無機フィラーの凝集が少なく表面が平滑であるため好ましい。

本開示の組成物は、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が、好ましくは５．０以下、より好ましくは４．０以下、更に好ましくは３．５以下である。下限は特に設定されないが、例えば、１．０であってよい。

本開示の組成物は、２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が、好ましくは０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１５以下である。下限は特に限定されないが、例えば、０．０００１以上であってよい。
また、上記パーフルオロ系フッ素樹脂の２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接に対して、本開示の組成物の誘電正接の増加率は、好ましくは３３０％以下、より好ましくは３１０％以下、更に好ましくは３００％以下であり、０％であってもよい。

本開示の組成物は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂及び上記酸化亜鉛を溶融混練し、上記組成物を得る製造方法により、好適に製造することができる。本開示は、上記製造方法も提供する。
なお、本開示の組成物は、上記製造方法以外の方法、例えば、射出成形、ブロー成形、インフレーション成形、真空・圧空成形で製造されてもよい。また、溶媒に分散又は溶解させた状態であれば、ペースト押出、キャスト法等で製造されてもよい。

上記溶融混練に使用する装置は特に限定されず、二軸押出機、単軸押出機、多軸押出機、タンデム押出機等を使用できる。

上記溶融混練の時間は、１～１８００秒が好ましく、６０～１２００秒がより好ましい。時間が長すぎると、フッ素樹脂が劣化するおそれがあり、時間が短すぎると、上記酸化亜鉛を十分に分散できないおそれがある。
上記溶融混練の温度は、上記パーフルオロ系フッ素樹脂及び上記酸化亜鉛の融点以上であればよいが、２４０～４５０℃が好ましく、２６０～４００℃がより好ましい。

パーフルオロ系フッ素樹脂と酸化亜鉛とを含む本開示の組成物は、ＵＶレーザ加工性及び電気特性（低誘電率等）に優れ、さらに分散性も良好であることを本発明者らは見出した。これらの特性は、回路基板用材料に適したものである。
すなわち、本開示の組成物は、回路基板の絶縁材料（特に、低誘電材料）として好適に用いられる。
なお、本明細書において、「低誘電材料」は、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が５．０以下、かつ、２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００３以下である材料を意味し、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が４．０以下、かつ２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００２以下である材料がより好ましく、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が３．５以下、かつ２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００１５以下である材料が更に好ましい。

本開示の回路基板は、上述した本開示の組成物と、導電層とを有する。

上記導電層としては、金属を用いることが好ましい。
上記金属としては、銅、ステンレス、アルミニウム、鉄、銀、金、ルテニウム等が挙げられる。また、これらの合金も使用可能である。なかでも、銅が好ましい。

上記銅としては、圧延銅、電解銅等を使用できる。

上記金属は、上記組成物側の面の表面粗度Ｒｚが２．０μｍ以下であることが好ましい。これにより、上記組成物と上記金属とを接合した際の伝送損失が良好となる。
上記表面粗度Ｒｚは、より好ましくは１．８μｍ以下、更に好ましくは１．５μｍ以下であり、また、より好ましくは０．３μｍ以上、更に好ましくは０．５μｍ以上である。
なお、上記表面粗度Ｒｚは、ＪＩＳ　Ｃ　６５１５－１９９８の方法で算出される値（最大高さ粗さ）である。

上記導電層の厚みは、例えば、２～２００μｍであってよく、５～５０μｍであることが好ましい。

上記導電層は、本開示の組成物を含む層の片面のみに設けてもよく、両面に設けてもよい。

本開示の組成物を含む層の膜厚は、例えば、１μｍ～１ｍｍであってよく、１～５００μｍであることが好ましい。より好ましくは、１５０μｍ以下であり、更に好ましくは、１００μｍ以下である。

本開示の回路基板は、本開示の組成物及び導電層に、更にパーフルオロ系フッ素樹脂以外の樹脂が積層されたものでも構わない。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂以外の樹脂としては、熱硬化性樹脂を好適に用いることができる。
上記熱硬化性樹脂は、ポリイミド、変性ポリイミド、エポキシ樹脂、熱硬化性変性ポリフェニレンエーテルからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、エポキシ樹脂、変性ポリイミド、熱硬化性変性ポリフェニレンエーテルであることがより好ましく、エポキシ樹脂、熱硬化性変性ポリフェニレンエーテルが更に好ましい。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂以外の樹脂は、熱硬化性樹脂以外の樹脂であってもよい。
熱硬化性樹脂以外の樹脂としては、液晶ポリマー、ポリフェニレンエーテル、熱可塑性変性ポリフェニレンエーテル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレンからなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。

上記パーフルオロ系フッ素樹脂以外の樹脂の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上であり、また、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１５００μｍ以下である。
なお、上記パーフルオロ系フッ素樹脂以外の樹脂は、厚みが略一定のシート状であることが好ましいが、上記パーフルオロ系フッ素樹脂に厚みが異なる部分が存在する場合、上記厚みは、上記パーフルオロ系フッ素樹脂を長手方向に等間隔に１０分割した地点の厚みを測定し、それらを平均したものとする。

本開示の回路基板の厚みは、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上であり、また、好ましくは５０００μｍ以下、より好ましくは３０００μｍ以下である。
なお、本開示の回路基板の形状は、厚みが略一定のシート状であることが好ましいが、上記基盤に厚みが異なる部分が存在する場合、上記基板を長手方向に等間隔に１０分割した地点の厚みを測定し、それらを平均したものとする。

本開示の回路基板は、プリント基板、積層回路基板（多層基板）、高周波基板として好適に用いられる。

高周波回路基板は、高周波帯域でも動作させることが可能な回路基板である。高周波帯域とは、１ＧＨｚ以上の帯域であってよく、３ＧＨｚ以上の帯域であることが好ましく、５ＧＨｚ以上の帯域であることがより好ましい。上限は特に限定されないが、１００ＧＨｚ以下の帯域であってもよい。

本開示の回路基板は、シートであることが好ましい。本開示の回路基板の厚みは、１０～３５００μｍであることが好ましく、２０～３０００μｍであることがより好ましい。

本開示はまた、上述した本開示の組成物を成膜することによって得ることができるフッ素樹脂シートでもある。その成膜方法は限定するものではないが、ペースト押出成形、粉体圧延成形等によって行うことができる。本開示のフッ素樹脂シートは、上述した本開示の組成物をペースト押出成形又は粉体圧延成形して、上記フッ素樹脂シートを得る製造方法により、好適に製造することができる。本開示は、上記製造方法も提供する。

上述したように、本開示のフッ素樹脂シートに使用するパーフルオロ系フッ素樹脂としては、溶融成形不可能であるパーフルオロ系フッ素樹脂を使用することが好ましい。このようなパーフルオロ系フッ素樹脂を使用した場合、これをシート状に成形する場合は、原料としての粉末状のＰＴＦＥをフィブリル化することで成形することが好ましい。

ペースト押出成形、粉体圧延成形の具体的な方法は特に限定されるものではないが、以下に一般的な方法を記載する。

（ペースト押出成形）
上記フッ素樹脂シートの製造方法は、炭化水素系界面活性剤を使用して得られたパーフルオロ系フッ素樹脂（好ましくはＰＴＦＥ粉末）と酸化亜鉛と押出助剤とを混合する工程（１ａ）、得られた混合物をペースト押出成形する工程（１ｂ）、押出成形で得られた押出物を圧延する工程（１ｃ）、圧延後のシートを乾燥する工程（１ｄ）、乾燥後のシートを焼成して成形体を得る工程（１ｅ）を含むものであってよい。
上記ペースト押出成形は、上記ＰＴＦＥ粉末に顔料や充填剤等の従来公知の添加剤を加えて行うこともできる。

上記押出助剤としては特に限定されず、一般に公知のものを使用できる。例えば、炭化水素油等が挙げられる。

（粉体圧延成形）
上記フッ素樹脂シートは、粉体圧延成形によって成形することもできる。粉体圧延成形は、樹脂粉体に剪断力を付与することで、フィブリル化させ、これによってシート状に成形する方法である。その後、焼成して成形体を得る工程を含むものであってよい。
より具体的には、
パーフルオロ系フッ素樹脂と酸化亜鉛とを含む原料組成物を混合しながら、剪断力を付与する工程（１）
前記工程（１）によって得られた混合物をバルク状に成形する工程（２）及び
前記工程（２）によって得られたバルク状の混合物をシート状に圧延する工程（３）
を有する製造方法によって得ることができる。
なお、このような粉体圧延成形によってシートとする場合は、パーフルオロ系フッ素樹脂と酸化亜鉛のみを混合して成形することが好ましい。

次に実施例を挙げて本開示を更に詳しく説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

実施例で使用する材料は、以下のとおりである。
（フッ素樹脂）
ＰＦＡ（１）（ＴＦＥ／ＰＡＶＥ（質量％）：９４．６／５．４、含フッ素モノマーの含有量：１００ｍｏｌ％、融点：３０３℃、ＭＦＲ：１４ｇ／１０分、比誘電率（２５℃、１０ＧＨｚ）：２．１、誘電正接（２５℃、１０ＧＨｚ）：０．０００３１、不安定末端基の数：炭素数１×１０^６個あたり０個、不安定末端基の種類：－ＣＯＦ及び－ＣＯＯＨ、並びに、水と会合した－ＣＯＯＨ、－ＣＨ_２ＯＨ、－ＣＯＮＨ_２及び－ＣＯＯＣＨ_３）
ＰＦＡ（２）（ＴＦＥ／ＰＡＶＥ（質量％）：９４．６／５．４、含フッ素モノマーの含有量：１００ｍｏｌ％、融点：３０３℃、ＭＦＲ：１４ｇ／１０分、比誘電率（２５℃、１０ＧＨｚ）：２．１、誘電正接（２５℃、１０ＧＨｚ）：０．００１０、不安定末端基の数：炭素数１×１０^６個あたり１７８個、不安定末端基の種類：－ＣＯＦ及び－ＣＯＯＨ、並びに、水と会合した－ＣＯＯＨ、－ＣＨ_２ＯＨ、－ＣＯＮＨ_２及び－ＣＯＯＣＨ_３）
ＦＥＰ（ＴＦＥ／ＨＦＰ（質量％）：９０／１０、含フッ素モノマーの含有量：１００ｍｏｌ％、融点：２７０℃、ＭＦＲ：６ｇ／１０分、比誘電率（２５℃、１０ＧＨｚ）：２．１、誘電正接（２５℃、１０ＧＨｚ）：０．０００８０、不安定末端基の数：炭素数１×１０^６個あたり３０個、不安定末端基の種類：－ＣＯＦ及び－ＣＯＯＨ、並びに、水と会合した－ＣＯＯＨ、－ＣＨ_２ＯＨ、－ＣＯＮＨ_２及び－ＣＯＯＣＨ_３）
ＰＴＦＥ
ＥＴＦＥ（エチレン／ＴＦＥ（質量％）：２１／７９、含フッ素モノマーの含有量：５２ｍｏｌ％、比誘電率（２５℃、１０ＧＨｚ）：２．３６、誘電正接（２５℃、１０ＧＨｚ）：０．０７１６）
（無機フィラー）
酸化亜鉛（１）（平均粒子径：１５０ｎｍ、表面処理：なし）
酸化亜鉛（２）（平均粒子径：３５ｎｍ、表面処理：シラン処理（平均粒子径０．０２μｍのケイ素酸化物で処理）、ケイ素酸化物によって形成された被覆層の量：４．９質量％）
酸化チタン：（平均粒子径：１５０ｎｍ、表面処理：なし）
シリカ（紫外線吸収性なし（波長が３５５ｎｍの光の吸光度：０．１未満）、比誘電率（２５℃、１ＧＨｚ）：２．８、誘電正接（２５℃、１ＧＨｚ）：０．００１、平均粒子径：０．５μｍ、比表面積：６．１ｍ^２／ｇ、表面処理：なし）

（実施例１～７及び比較例１～４）
フッ素樹脂及び無機フィラーを、表１に示す割合（質量％）で、ラボプラストミルミキサーを用いて溶融混練（時間：６００秒、温度：３５０℃）し、組成物を得た。
得られた組成物を、表１に示す加工温度で押出成形し、表１に示す厚さのシートを得た。
実施例７は、実施例１で得られたシートを銅箔（電解銅、厚み：９μｍ、シートに接合される側の表面粗度Ｒｚ：１．５μｍ）と積層し、加熱温度：３２０℃、圧力：１５ｋＮで５分間プレスすることにより、銅箔の片面にシートが接合された接合体を得た。

実施例８：表１に示す割合（質量％）のＰＴＦＥと酸化亜鉛（１）、並びに、助剤ＩＰ２０２８　２２部を室温で混合攪拌し、１６時間熟成した混合物を出口が平板形状のダイ（厚み１ｍｍ、幅１００ｍｍ）を使用して４０℃でペースト押出し、シートを得た。得られたシートをロール圧延することで表１に示す厚さのシートを作製し、さらにこれを３６０℃で２０分間焼成することで評価用のシートを得た。

（ＵＶレーザ加工性）
上記シートに対し、以下の条件でＵＶレーザを照射した際の状態を評価した。実施例７は、接合体中のシートにＵＶレーザを照射した。
　孔径：１００μｍ
　出力：２Ｗ
　繰り返しショット数：７回
評価は、下記基準で行った。
　◎：貫通し、炭化無し
　〇：貫通しているが、炭化が発生
　×：貫通無し

（酸化亜鉛の塊の数（レーザ顕微鏡観察の画像解析）、添加剤分散性）
以下の方法で、１ｍｍ^２の面積あたりの酸化亜鉛の１０μｍ以上の塊の数を評価した。
試料（シート）を剃刀で切出し、断面をレーザ顕微鏡で観察した。酸化亜鉛の塊の数は、倍率５０倍で測定した画像で面積０．０６９ｍｍ^２（縦０．２３ｍｍ、横０．３ｍｍ）の面積当たりの塊の数を数え、１ｍｍ^２の面積あたりの塊の数に換算した。
また、以下に記した基準で、添加剤（酸化亜鉛）の分散性を評価した。
　◎：レーザ顕微鏡観察の画像解析で酸化亜鉛の１０μｍ以上の塊の数が２０個未満
　〇：レーザ顕微鏡観察の画像解析で酸化亜鉛の１０μｍ以上の塊の数が２０個以上２００個未満であるが、目視評価で均一なもの
　×：レーザ顕微鏡観察の画像解析で酸化亜鉛の１０μｍ以上の塊の数が２００個以上であり、目視評価で不均一なもの
なお、酸化亜鉛の代わりに酸化チタンを配合した比較例３は、酸化チタンについて上記と同様に評価した。

（比誘電率（Ｄｋ）、誘電正接（Ｄｆ））
実施例１、実施例２、比較例３、及び比較例４のシートに対して、スプリットシリンダ式誘電率・誘電正接測定装置（ＥＭ　ｌａｂ社製）を用いて、２５℃、１０ＧＨｚのＤｋ及びＤｆを測定した。また、測定したＤｆについて、下記の計算式により、樹脂単独のＤｆ（無機フィラー添加前のＤｆ）に対する増加率を算出した。
その結果、
実施例１はＤｋ：２．０６、Ｄｆ：０．０００８４、Ｄｆの増加率：１７１％、
実施例２はＤｋ：２．０２、Ｄｆ：０．００１２２、Ｄｆの増加率：２９４％、
比較例３はＤｋ：２．１２、Ｄｆ：０．００１５０、Ｄｆの増加率：３８４％、
比較例４はＤｋ：２．２２、Ｄｆ：０．０１３２、Ｄｆの増加率：＜１％、
であった。
比較例４はＤｆの増加率は低いものの、Ｄｆの値が高かった。
［増加率の計算式］
（増加率／％）＝（Ｄｆ２―Ｄｆ１）×１００／Ｄｆ１
Ｄｆ２：無機フィラー添加後のＤｆ／―
Ｄｆ１：無機フィラー添加前のＤｆ／―

Claims (23)

1. パーフルオロ系フッ素樹脂及び酸化亜鉛を含有する組成物。
2. 前記酸化亜鉛の含有量は、前記組成物に対して０．０１～５．０質量％である請求項１記載の組成物。
3. 前記酸化亜鉛の平均粒子径は、０．０１～１．０μｍである請求項１又は２記載の組成物。
4. レーザ顕微鏡観察の画像解析において、前記酸化亜鉛の１０μｍ以上の塊が１ｍｍ^２の面積あたり２００個未満である請求項１～３のいずれかに記載の組成物。
5. 前記パーフルオロ系フッ素樹脂は、不安定末端基が炭素数１×１０^６個あたり２００個未満であり、
   前記不安定末端基は、前記パーフルオロ系フッ素樹脂の主鎖末端に存在する－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯＣＨ_３、－ＣＯＮＨ_２及び－ＣＨ_２ＯＨからなる群より選択する少なくとも１種である請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
6. 前記パーフルオロ系フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体及びテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１～５のいずれかに記載の組成物。
7. 前記パーフルオロ系フッ素樹脂は、融点が２４０～３４０℃である請求項１～６のいずれかに記載の組成物。
8. 前記酸化亜鉛以外の無機フィラーを含有する請求項１～７のいずれかに記載の組成物。
9. 前記無機フィラーは、紫外線吸収性を持たないものである請求項８記載の組成物。
10. 前記無機フィラーは、２５℃、１ＧＨｚの比誘電率が５．０以下、かつ、２５℃、１ＧＨｚの誘電正接が０．０１以下のものである請求項８又は９記載の組成物。
11. 前記無機フィラーの含有量は、前記組成物に対して１０～６０質量％である請求項８～１０のいずれかに記載の組成物。
12. ２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接は、０．００３以下である請求項１～１１のいずれかに記載の組成物。
13. 前記パーフルオロ系フッ素樹脂の２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接に対して、前記組成物の２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接の増加率が３３０％以下である請求項１～１２のいずれかに記載の組成物。
14. 回路基板の絶縁材料である請求項１～１３のいずれかに記載の組成物。
15. 前記回路基板の絶縁材料は、低誘電材料である請求項１～１４のいずれかに記載の組成物。
16. 請求項１～１５のいずれかに記載の組成物と、導電層とを有する回路基板。
17. 前記導電層は、金属である請求項１６記載の回路基板。
18. 前記金属は、前記組成物側の面の表面粗度Ｒｚが２．０μｍ以下である請求項１７記載の回路基板。
19. 前記金属は、銅である請求項１７又は１８記載の回路基板。
20. 前記銅は、圧延銅又は電解銅である請求項１９記載の回路基板。
21. プリント基板、積層回路基板又は高周波基板である請求項１６～２０のいずれかに記載の回路基板。
22. 請求項１～１５のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、前記パーフルオロ系フッ素樹脂及び前記酸化亜鉛を溶融混練し、前記組成物を得る組成物の製造方法。
23. 請求項１～１５のいずれかに記載の組成物からなるフッ素樹脂シートの製造方法であって、前記組成物をペースト押出成形又は粉体圧延成形して、前記フッ素樹脂シートを得るフッ素樹脂シートの製造方法。