WO2023071386A1 - 光模块 - Google Patents

Abstract

一种光模块(200)，包括壳体、电路板(300)和光发射器件(400)。电路板(300)设置在壳体内；光发射器件(400)设置在壳体内，与电路板(300)电连接，被配置为发射光信号；光发射器件(400)包括管座(401)、接地管脚(4052)、陶瓷基板(450)和光发射器(440)；接地管脚(4052)穿过管座(401)，且突出于管座(401)相对的两个表面；陶瓷基板(450)设置在管座(401)上，包括至少一个薄膜电阻(460)和阻抗匹配元件；阻抗匹配元件的一端与至少一个薄膜电阻(460)的一端连接，阻抗匹配元件的另一端与接地管脚(4052)连接；光发射器(440)设置在陶瓷基板(450)上，与至少一个薄膜电阻(460)的另一端连接。

Description

光模块

本申请要求申请号为202111273810.0、2021年10月29日提交的中国专利申请、申请号为202122643142.8、2021年10月29日提交的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本公开涉及光纤通信技术领域，尤其涉及一种光模块。

背景技术

随着云计算、移动互联网、视频等新型业务和应用模式的发展，光通信技术的发展进步变的愈加重要。而在光通信技术中，光模块是实现光信号和电信号相互转换的工具，是光通信设备中的关键器件之一，并且随着光通信技术发展的需求光模块的传输速率不断提高。

发明内容

一方面，提供一种光模块。所述光模块包括壳体、电路板和光发射器件。所述电路板设置在所述壳体内。所述光发射器件设置在所述壳体内，与所述电路板电连接，被配置为发射光信号。所述光发射器件包括管座、接地管脚、陶瓷基板和光发射器。所述接地管脚穿过所述管座，且突出于所述管座相对的两个表面。所述陶瓷基板设置在所述管座上，包括至少一个薄膜电阻和阻抗匹配元件。所述阻抗匹配元件的一端与所述至少一个薄膜电阻的一端连接，所述阻抗匹配元件的另一端与所述接地管脚连接。所述光发射器设置在所述陶瓷基板上，与所述至少一个薄膜电阻的另一端连接。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例的光通信系统的连接关系图；

图2为根据一些实施例的光网络终端的结构图；

图3为根据一些实施例的一种光模块的结构图；

图4为根据一些实施例的一种光模块的分解结构图；

图5为根据一些实施例的光模块中电路板、光发射器件与光接收器件的装配图；

图6为根据一些实施例的光模块中光发射器件采用同轴封装的结构图；

图7为根据一些实施例的光模块中光发射器件的局部分解图；

图8为根据一些实施例的光模块中光发射器件的剖视图；

图9为根据一些实施例的光模块中陶瓷基板的结构图；

图10为根据一些实施例的光模块中陶瓷基板的局部结构图；

图11为根据一些实施例的光模块中光发射器件的局部结构图；

图12为根据一些实施例的光模块中一种光发射器件的连接图；

图13为根据一些实施例的光模块中光发射器件的另一种连接图；

图14为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图；

图15为根据一些实施例的光模块中光发射器件的另一种局部结构图；

图16为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图；

图17为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图；

图18为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然， 所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

光通信系统中，使用光信号携带待传输的信息，并使携带有信息的光信号通过光纤或光波导等信息传输设备传输至计算机等信息处理设备，以完成信息的传输。由于光通过光纤或光波导传输时具有无源传输特性，因此可以实现低成本、低损耗的信息传输。此外，光纤或光波导等信息传输设备传输的信号是光信号，而计算机等信息处理设备能够识别和处理的信号是电信号，因此为了在光纤或光波导等信息传输设备与计算机等信息处理设备之间建立信息连接，需要实现电信号与光信号的相互转换。

光模块在光纤通信技术领域中实现上述光信号与电信号的相互转换功能。光模块包括光口和电口，光模块通过光口实现与光纤或光波导等信息传输设备的光通信，通过电口实现与光网络终端(例如，光猫)之间的电连接，电连接主要用于供电、I2C信号传输、数据信息传输以及接地等；光网络终端通过网线或无线保真技术(Wi-Fi)将电信号传输给计算机等信息处理设备。

图1为根据一些实施例的一种光通信系统的连接关系图。如图1所示，光通信系统包括远端服务器1000、本地信息处理设备2000、光网络终端100、光模块200、光纤101及网线103。

光纤101的一端连接远端服务器1000，另一端通过光模块200与光网络终端100连接。光纤本身可支持远距离信号传输，例如数千米(6千米至8千米)的信号传输，在此基础上如果使用中继器，则理论上可以实现无限距离传输。因此在通常的光通信系统中，远端服务器1000与光网络终端100之间的距离通常可达到数千米、数十千米或数百千米。

网线103的一端连接本地信息处理设备2000，另一端连接光网络终端100。本地信息处理设备2000可以为以下设备中的任一种或几种：路由器、交换机、计算机、手机、平 板电脑、电视机等。

远端服务器1000与光网络终端100之间的物理距离大于本地信息处理设备2000与光网络终端100之间的物理距离。本地信息处理设备2000与远端服务器1000之间的连接由光纤101与网线103完成；而光纤101与网线103之间的连接由光模块200和光网络终端100完成。

光模块200包括光口和电口，光口被配置为接入光纤101，从而使得光模块200与光纤101建立双向的光信号连接；电口被配置为接入光网络终端100中，从而使得光模块200与光网络终端100建立双向的电信号连接。光模块200实现光信号与电信号的相互转换，从而使得光纤101与光网络终端100之间建立信息连接。示例地，来自光纤101的光信号由光模块200转换为电信号后输入至光网络终端100中，来自光网络终端100的电信号由光模块200转换为光信号输入至光纤101中。由于光模块200是实现光电信号相互转换的工具，不具有处理数据的功能，在上述光电转换过程中，信息并未发生变化。

光网络终端100包括大致呈长方体的壳体(housing)，以及设置在壳体上的光模块接口102和网线接口104。光模块接口102被配置为接入光模块200，从而使得光网络终端100与光模块200建立双向的电信号连接；网线接口104被配置为接入网线103，从而使得光网络终端100与网线103建立双向的电信号连接。光模块200与网线103之间通过光网络终端100建立连接。示例地，光网络终端100将来自光模块200的电信号传递给网线103，将来自网线103的电信号传递给光模块200，因此光网络终端100作为光模块200的上位机，可以监控光模块200的工作。光模块200的上位机除光网络终端100之外还可以包括光线路终端(Optical Line Terminal，OLT)等。

远端服务器1000通过光纤101、光模块200、光网络终端100及网线103，与本地信息处理设备2000之间建立了双向的信号传递通道。

图2为根据一些实施例的一种光网络终端的结构图，为了清楚地显示光模块200与光网络终端100的连接关系，图2仅示出了光网络终端100的与光模块200相关的结构。如图2所示，光网络终端100还包括设置于壳体内的电路板105，设置在电路板105表面的笼子106，设置在笼子106上的散热器107，以及设置在笼子106内部的电连接器。电连接被配置为接入光模块200的电口；散热器107具有增大散热面积的翅片等凸起结构。

光模块200插入光网络终端100的笼子106中，由笼子106固定光模块200，光模块200产生的热量传导给笼子106，然后通过散热器107进行扩散。光模块200插入笼子106中后，光模块200的电口与笼子106内部的电连接器连接，从而光模块200与光网络终端100建立双向的电信号连接。此外，光模块200的光口与光纤101连接，从而光模块200与光纤101建立双向的光信号连接。

图3为根据一些实施例的一种光模块的结构图，图4为根据一些实施例的一种光模块的分解结构图。如图3和图4所示，光模块200包括壳体、设置于壳体内的电路板300、光发射器件400和光接收器件500。

壳体包括上壳体201和下壳体202，上壳体201盖合在下壳体202上，以形成具有两个开口的上述壳体；壳体的外轮廓一般呈现方形体。

在本公开一些实施例中，下壳体202包括底板2021以及位于底板2021两侧、与底板2021垂直设置的两个下侧板2022；上壳体201包括盖板2011，盖板2011盖合在下壳体202的两个下侧板2022上，以形成上述壳体。

在一些实施例中，下壳体202包括底板2021以及位于底板2021两侧、与底板2021垂直设置的两个下侧板2022；上壳体201包括盖板2011、以及位于盖板2011两侧、与盖板2011垂直设置的两个上侧板2012，由两个上侧板2012与两个下侧板2022结合，以实现上壳体201盖合在下壳体202上。

两个开口204和205的连线所在的方向可以与光模块200的长度方向一致，也可以与光模块200的长度方向不一致。例如，开口204位于光模块200的端部(图3的左端)， 开口205也位于光模块200的端部(图3的右端)。或者，开口204位于光模块200的端部，而开口205则位于光模块200的侧部。开口204为电口，电路板300的金手指301从电口204伸出，插入上位机(例如，光网络终端100)中；开口205为光口，被配置为接入外部光纤101，以使外部光纤101连接光模块200内部的光发射器件400。

采用上壳体201、下壳体202结合的装配方式，便于将电路板300、光发射器件400和光接收器件500等器件安装到壳体中，由上壳体201、下壳体202对这些器件形成封装保护。此外，在装配电路板300、光发射器件400和光接收器件500等器件时，便于这些器件的定位部件、散热部件以及电磁屏蔽部件的部署，有利于自动化地实施生产。

在一些实施例中，上壳体201及下壳体202一般采用金属材料制成，利于实现电磁屏蔽以及散热。

在一些实施例中，光模块200还包括位于其壳体外部的解锁部件203，被配置为实现光模块200与上位机之间的固定连接，或解除光模块200与上位机之间的固定连接。

示例地，解锁部件203位于下壳体202的两个下侧板2022的外侧，具有与上位机笼子(例如，光网络终端100的笼子106)匹配的卡合部件。当光模块200插入上位机的笼子里，由解锁部件203的卡合部件将光模块200固定在上位机的笼子里；拉动解锁部件203时，解锁部件203的卡合部件随之移动，进而改变卡合部件与上位机的连接关系，以解除光模块200与上位机的卡合关系，从而可以将光模块200从上位机的笼子里抽出。

电路板300包括电路走线、电子元件及芯片，通过电路走线将电子元件和芯片按照电路设计连接在一起，以实现供电、电信号传输及接地等功能。电子元件例如可以包括电容、电阻、三极管、金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)。芯片例如可以包括微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)、限幅放大器(limiting amplifier)、时钟数据恢复芯片(Clock and Data Recovery，CDR)、电源管理芯片、数字信号处理(Digital Signal Processing，DSP)芯片。

电路板300一般为硬性电路板，硬性电路板由于其相对坚硬的材质，还可以实现承载作用，如硬性电路板可以平稳地承载上述电子元件和芯片；硬性电路板还可以插入上位机笼子106中的电连接器中。

电路板300还包括形成在其端部表面的金手指301，金手指301由相互独立的多个引脚组成。电路板300插入笼子106中，由金手指301与笼子106内的电连接器导通连接。金手指301可以仅设置在电路板300一侧的表面(例如图4所示的上表面)，也可以设置在电路板300上下两侧的表面，以适应引脚数量需求大的场合。金手指301被配置为与上位机建立电连接，以实现供电、接地、I2C信号传递、数据信号传递等。

当然，部分光模块中也会使用柔性电路板。柔性电路板一般与硬性电路板配合使用，以作为硬性电路板的补充。例如，硬性电路板与光发射器件400和光接收器件500之间可以采用柔性电路板连接。

图5为根据一些实施例的光模块中电路板、光发射器件与光接收器件的装配图，如图5所示，光发射器件400通过柔性电路板与电路板300连接，被配置将来自电路板300的电信号转换成光信号传输至外部光纤101中。光接收器件500通过柔性电路板与电路板300连接，被配置为将来自外部光纤101的光信号转换成电信号传输至电路板300。

图6为根据一些实施例的光模块中光发射器件采用同轴封装的结构图，图7为根据一些实施例的光模块中光发射器件的分解图，图8为根据一些实施例的光模块中光发射器件的剖视图。如图6、图7和图8所示，光发射器件400包括光发射器440、透镜403和光探测器4020，透镜403和光探测器4020分别位于光发射器440沿出光方向(图8中的Y方向)的相对两侧。

光发射器440包括朝向透镜403的第一出光口和朝向光探测器4020的第二出光口。透镜403被配置为会聚光发射器440的第一出光口发射的光束，使得光发射器440射出的光束为会聚光，以方便耦合至外部光纤101内。光探测器4020被配 置为接收光发射器440的第二出光口发射的光束，以检测光发射器440的光功率。示例地，光发射器440发出的光经透镜403会聚后进入光纤101中，同时光探测器4020检测光发射器440的发光功率，以保证光发射器440发射光功率的恒定性。

在一些实施例中，光发射器440可以为电吸收调制激光器(Electro-absorption Modulated Laser，简称EML)芯片，光探测器4020为光电二极管。其中，如图11所示，EML芯片440包括电吸收调制器(Electro-absorption Modulator，简称EAM)4401和DFB(Distributed Feedback)激光器4402。

光发射器件400采用晶体管外形(Transistor Out-line，简称TO)封装，又称为同轴封装。光发射器件400还包括管座401及罩设管座401的管帽402，EML芯片440、光探测器4020等光电器件设置在管座401上，且位于管座401和管帽402形成的密封腔体内，透镜403设置在管帽402内。管帽402包括用于光通过的光窗4021，光窗4021的位置与该透镜403的位置对应。

光发射器件400还包括多个管脚4050，多个管脚4050穿过管座401并突出于管座401相对的两个表面。多个管脚4050与管座401重合的部分由玻璃包裹，以实现管脚4050与管座401之间的绝缘，管脚4050与管座401不重合的部分处于裸露状态。EML芯片440、光探测器4020等光电器件与管脚4050连接，管脚4050通过柔性电路板与电路板300连接，从而实现光电器件与电路板300的电连接。

示例地，如图6所示，光发射器件400包括7个管脚4050。如图11所示，七个管脚4050中的两个分别为射频管脚4051和接地管脚4052。

为方便承载EML芯片440与光探测器4020，光发射器件400还包括第一凸台420，第一凸台420设置在管座401上。该第一凸台420为L型凸台，其包括平行于管座401的底部平台4201及垂直于管座401的侧面平台4202。底部平台4201可固定于管座401的表面上，光探测器4020固定于底部平台4201远离管座401的表面。

光发射器件400还包括陶瓷基板450，陶瓷基板450设置在侧面平台4202朝向光探测器4020的表面。该陶瓷基板450与侧面平台4202相平行，EML芯片440固定于该陶瓷基板450上。光探测器4020在底部平台4201上的位置与EML芯片440的位置对应，以采集EML芯片440发射的光束。

在一些实施例中，光发射器件400还包括半导体制冷器410，该半导体制冷器410设置于管座401与第一凸台420之间，第一凸台420设置于半导体制冷器410远离管座401的制冷面上。如此EML芯片440工作产生的热量传递至陶瓷基板450，陶瓷基板450将热量传递至第一凸台420，第一凸台420将热量传递至半导体制冷器410，半导体制冷器410将热量传递至管座401上，如此可提高EML芯片440的散热效率。

在一些实施例中，光探测器4020可使用环氧导电胶粘接于第一凸台420的底部平台4201上，半导体制冷器410可使用环氧导电胶粘接于管座401的表面上，陶瓷基板450与EML芯片440可采用金锡(AuSn)共晶焊工艺焊接，管帽402与管座401可采用电阻焊接工艺在低于-40摄氏度的环境下完成焊接。

图9为根据一些实施例的光模块中陶瓷基板的结构图。如图9所示，陶瓷基板450的表面按图形设计采用电子束蒸发形成一层镀金层。陶瓷基板450包括位于中心区域的预置焊料区4520和位于预置焊料区4520右侧的T型镀金层4510。预置焊料区4520是在镀金层基础上采用电子束蒸发形成的一层焊料层，用于完成与EML芯片440的共晶焊接。该T型镀金层4510为微带线，EML芯片440通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接。

陶瓷基板450还包括位于预置焊料区4520左侧的至少一个薄膜电阻460，该至少一个薄膜电阻460可通过连接线与EML芯片440电连接。本公开一些实施例对 薄膜电阻460的数量不做限定，其可以是一个或多个。

在一些实施例中，陶瓷基板450还包括至少一个焊盘470，至少一个焊盘470位于对应的薄膜电阻460的一端，且与对应的薄膜电阻460连接。EML芯片440的EAM 4401包括焊盘4403，焊盘4403可通过连接线与至少一个焊盘470连接，以实现EML芯片440与至少一个薄膜电阻460的一端连接。本公开一些实施例对焊盘470的数量不做限定，其可以是一个或多个。示例地，焊盘470与薄膜电阻460的数量一一对应。

陶瓷基板450还包括弯曲镀层4620，弯曲镀层4620位于薄膜电阻460的另一端，且与薄膜电阻460连接。该弯曲镀层4620可通过连接线与多个管脚4050中的接地管脚4052电连接。

本公开一些实施例提供的光模块200中，EML芯片440通过连接线与薄膜电阻460的一端连接，薄膜电阻460的另一端与弯曲镀层4620连接，弯曲镀层4620通过连接线与接地管脚4052连接。薄膜电阻460和弯曲镀层4620构成EML芯片440的驱动电路的至少一部分。在该驱动电路中，弯曲镀层4620相当于导线。弯曲镀层4620能够增加接入至EML芯片440的驱动电路中的导线的长度，弯曲镀层4620的长度变化可使得该驱动电路中的电阻变化，从而可以实现阻抗匹配，由此能够改变EML芯片440的驱动电路中的电感，通过改变电感能够降低电寄生效应，从而能够改善带宽与眼图。

以下以陶瓷基板450包括两个薄膜电阻460，分别为第一薄膜电阻461和第二薄膜电阻462；且陶瓷基板450包括两个焊盘470分别为第一焊盘471和第二焊盘472为例进行说明。

如图9所示，第一薄膜电阻461相比于第二薄膜电阻462更靠近预置焊料区4520。第一焊盘471位于第一薄膜电阻461的一端，且与第一薄膜电阻461连接。第一薄膜电阻461远离第一焊盘471的一端与弯曲镀层4620电连接。第二焊盘472位于第二薄膜电阻462的一端，且与第二薄膜电阻462连接。第二薄膜电阻462远离第二焊盘472的一端与弯曲镀层4620电连接。

在一些实施例中，EML芯片440与第一焊盘471连接，从而使得EML芯片440与第一薄膜电阻461连接，并通过弯曲镀层4620与接地管脚4052连接；或者，EML芯片440与第二焊盘472连接，从而使得EML芯片440与第二薄膜电阻462连接，并通过弯曲镀层4620与接地管脚4052连接；或者，EML芯片440分别与第一焊盘471和第二焊盘472连接，从而使得EML芯片440与并联后的第一薄膜电阻461和第二薄膜电阻462连接，并通过弯曲镀层4620与接地管脚4052连接。EML芯片440可根据需求与相应的薄膜电阻460进行电连接。

在一些实施例中，第一薄膜电阻461的电阻值小于第二薄膜电阻462的电阻值。示例地，第一薄膜电阻461的电阻值为50Ω，第二薄膜电阻462的电阻值为130Ω。

图10为根据一些实施例的光模块中陶瓷基板的局部结构图。如图10所示，弯曲镀层4620包括多个子弯曲镀层(图中虚线框中的部分)，相邻两个子弯曲镀层之间互相连接，即弯曲镀层4620为周期性弯曲设置。

每个子弯曲镀层包括一体连接的第一段镀层4630、弯曲段镀层4640与第二段镀层4650，第一段镀层4630与第二段镀层4650相对设置，弯曲段镀层4640的一端与第一段镀层4630的一端连接、另一端与第二段镀层4650的一端连接，第一段镀层4630的另一端与第二段镀层4650的另一端之间设有开口，两者之间不连接。

在一些实施例中，第一段镀层4630与第二段镀层4650可均为直线段镀层，且第一段镀层4630与第二段镀层4650关于弯曲段镀层4640的中心轴线L对称设置。示例地，第一段镀层4630与第二段镀层4650可均与弯曲段镀层4640的中心轴线L相平行，弯曲段镀层4640为半圆形镀层。即第一段镀层4630与第二段镀层4650 水平设置，每个子弯曲镀层呈U型结构。

在一些实施例中，靠近第一薄膜电阻461和第二薄膜电阻462的第一段镀层4630与第一薄膜电阻461、第二薄膜电阻462电连接，以在将第一薄膜电阻461或第二薄膜电阻462中的至少一个接入电路时，将弯曲镀层4620接入EML芯片440的回路中。

图11为根据一些实施例的光模块中光发射器件的局部结构图。如图11所示，光发射器件400还包括第二凸台430。第二凸台430设置在管座401上，且该第二凸台430垂直于管座401。光发射器件400还包括射频信号基板4310，射频信号基板4310设置在第二凸台430的表面，射频信号基板4310与第二凸台430可采用共晶焊工艺焊接。

射频信号基板4310的表面按图形设计采用电子束蒸发形成一层镀金层，射频信号基板4310远离管座401的一侧可通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510连接，射频信号基板4310靠近管座401的一侧用预置焊料片共晶焊接到射频管脚4051上，用于射频信号的传输。即射频管脚4051通过射频信号基板4310、陶瓷基板450的T型镀金层4510、以及连接线为EML芯片440提供信号输入。

在一些实施例中，光发射器件400还包括热敏电阻480，热敏电阻480设置在第一凸台420的侧面平台4202靠近陶瓷基板450的表面上。示例地，热敏电阻480可使用环氧导电胶粘接在第一凸台420上。热敏电阻480被配置为监控DFB激光器的温度。热敏电阻480的一端通过连接线与陶瓷基板450实现电连接，另一端通过连接线与接地管脚4052实现电连接。

在一些实施例中，光发射器件400还包括第一电容490，第一电容490设置在第一凸台420的侧面平台4202靠近陶瓷基板450的表面上。示例地，第一电容490可使用环氧导电胶粘接在第一凸台420上。第一电容490为接地电容，即第一电容490的一端可通过连接线与弯曲镀层4620连接，另一端可通过连接线与接地管脚4052实现电连接。如此EML芯片440可通过第一电容490与接地管脚4052电连接，从而实现滤波的效果。

在一些实施例中，光探测器4020的负极与陶瓷基板450可通过连接线电连接，光探测器4020的正极与对应的管脚4050通过连接线电连接，以实现光探测器4020与管脚4050之间的电连接。

图12为根据一些实施例的光模块中光发射器件的一种连接示意图。如图12所示，将EML芯片440与陶瓷基板450的预置焊料区4520采用共晶焊工艺焊接在一起后，将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接，将T型镀金层4510通过连接线与第二凸台430上射频信号基板4310的一端电连接，射频信号基板4310的另一端通过预置焊料片共晶焊接到射频管脚4051上，用于射频信号的传输；还将EAM 4401的焊盘4403通过第一连接线404与陶瓷基板450的第一焊盘471电连接；第一薄膜电阻461的一端与第一焊盘471电连接，第一薄膜电阻461另一端与弯曲镀层4620连接，弯曲镀层4620通过连接线与第一凸台420上的第一电容490电连接，第一电容490通过连接线与接地管脚4052电连接。

如此，EML芯片440的EAM 4401通过第一薄膜电阻461、弯曲镀层4620、第一电容490与接地管脚4052电连接，第一薄膜电阻461、弯曲镀层4620和第一电容490构成EML芯片440的驱动电路的至少一部分。在该驱动电路中，弯曲镀层4620相当于导线。弯曲镀层4620能够增加接入至EML芯片440的驱动电路中导线的长度，弯曲镀层4620的长度变化能够改变该驱动电路中电阻的大小，进而实现阻抗匹配，从而能够改变EML芯片440的驱动电路中的电感，通过调整电感来改善电寄生效应，以此来改善带宽与眼图。

在另一些实施例中，将EML芯片440与陶瓷基板450的预置焊料区4520采用共晶焊工艺焊接在一起后，将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接，将T型镀金层4510通过连接线与第二凸台430上射频信号基板4310的一端电连接，射频信号基板4310的另一端通过预置焊料片共晶焊接到射频管脚4051上，用于射频信号的传输；还将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的第二焊盘472电连接；第二薄膜电阻462的一端与第二焊盘472电连接，第二薄膜电阻462的另一端与弯曲镀层4620电连接；弯曲镀层4620通过连接线与第一凸台420上的第一电容490电连接，第一电容490通过连接线与接地管脚4052电连接。

如此，EML芯片440的EAM 4401通过第二薄膜电阻462、弯曲镀层4620、第一电容490与接地管脚4052电连接，第二薄膜电阻462、弯曲镀层4620和第一电容490构成EML芯片440的驱动电路的至少一部分。在该驱动电路中，弯曲镀层4620相当于导线。弯曲镀层4620能够增加接入至EML芯片440的驱动电路中导线的长度，弯曲镀层4620的长度变化能够改变该驱动电路中电阻的大小，进而实现阻抗匹配，从而能够改变EML芯片440的驱动电路中的电感，通过调整电感来改善电寄生效应，以此来改善带宽与眼图。

图13为根据一些实施例的光模块中光发射器件的另一种连接图。如图13所示，将EML芯片440与陶瓷基板450的预置焊料区4520采用共晶焊工艺焊接在一起后，将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接，并将T型镀金层4510通过连接线与第二凸台430上的射频信号基板4310的一端电连接，射频信号基板4310的另一端则通过预置焊料片被共晶焊接到射频管脚4051上，用于射频信号的传输；此外，还将EAM 4401的焊盘4403与至少一个薄膜电阻460电连接。在此情况下，由于需要使接入EML芯片440的至少一个薄膜电阻460具有较小的电阻值，因此可将第一薄膜电阻461与第二薄膜电阻462并联连接。

例如，将EAM 4401的焊盘4403通过第一连接线404与陶瓷基板450的第一薄膜电阻461的第一焊盘471电连接，将第一薄膜电阻461的第一焊盘471与第二薄膜电阻462的第二焊盘472通过第二连接线405电连接。在此基础上，由于第一薄膜电阻461的另一端与第二薄膜电阻462的另一端均与弯曲镀层4620电连接，因此实现了第一薄膜电阻461与第二薄膜电阻462的并联连接。

陶瓷基板450的弯曲镀层4620的一端与第一薄膜电阻461和第二薄膜电阻462电连接后，将弯曲镀层4620的另一端通过连接线与第一电容490电连接。第一电容490通过连接线与接地管脚4052电连接。

如此，EML芯片440的EAM 4401通过第一薄膜电阻461、第二薄膜电阻462、弯曲镀层4620和第一电容490与接地管脚4052电连接，第一薄膜电阻461、第二薄膜电阻462、弯曲镀层4620和第一电容490构成EML芯片440的驱动电路的至少一部分。在该驱动电路中，弯曲镀层4620相当于导线。弯曲镀层4620能够增加接入至EML芯片440的驱动电路中的导线的长度，弯曲镀层4620的长度变化能够改变该驱动电路中电阻的大小，进而实现阻抗匹配，从而能够改变EML芯片440的驱动电路中的电感，通过调整电感来改善电寄生效应，以此来改善带宽与眼图(eye diagram)。

图14为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图。如图14所示，将EML芯片440与陶瓷基板450的预置焊料区4520采用共晶焊工艺焊接在一起后，将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接，并将T型镀金层4510通过连接线与第二凸台430上的射频信号基板4310的一端电连接，射频信号基板4310的另一端则通过预置焊料片被共晶焊接到射频管脚4051上，用于射频信号的传输；此外，还将EAM 4401的焊盘4403通过第一连接线404 与第一薄膜电阻461的第一焊盘471电连接，将第一焊盘471与第二薄膜电阻462的第二焊盘472通过第二连接线405电连接；在此基础上，由于第一薄膜电阻461的另一端与第二薄膜电阻462的另一端均与弯曲镀层4620电连接，因此实现了第一薄膜电阻461与第二薄膜电阻462的并联连接。

陶瓷基板450具有两个限位区407，该两个限位区407分别位于弯曲镀层4620的相对两侧。EML芯片440的驱动电路还包括至少一根金线406，至少一根金线406位于两个限位区407之间。每根金线406的一端与一限位区407电连接，每根金线406的另一端跨过弯曲镀层4620与另一限位区407电连接。将弯曲镀层4620接入EML芯片440的驱动电路中时，弯曲镀层4620的长度变化以及跨过弯曲镀层4620的至少一根金线406的数量能够改变EML芯片440的驱动电路中的电感，通过调整电感来改善电寄生效应，以此来改善带宽与眼图。

在一些实施例中，EML芯片440的驱动电路包括设置在两个限位区407之间的至少两根金线406，至少两根金线406在至少一个薄膜电阻460的一侧沿远离至少一个薄膜电阻460的方向依次并列设置。此时，至少两根金线可产生电容效应，通过改变至少两根金线406的数量能够改变电感，接入EML芯片440的驱动电路的至少两根金线的数量越多，电感越弱，经过合理的组合后会得到最佳带宽及眼图。

图15为根据一些实施例的光模块中光发射器件的另一种局部结构图。如图15所示，陶瓷基板450的表面按图形设计采用电子束蒸发形成一层镀金层。陶瓷基板450包括位于中心区域的预置焊料区4520和位于预置焊料区4520右侧的T型镀金层4510。预置焊料区4520是在镀金层基础上采用电子束蒸发形成的一层焊料层，用于完成与EML芯片440的共晶焊接。T型镀金层4510为微带线，EML芯片440通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接。陶瓷基板450还包括位于预置焊料区4520左侧的至少一个薄膜电阻460与电容4030。至少一个薄膜电阻460的一端可单独或并联后通过连接线与EML芯片440电连接，该至少一个薄膜电阻的另一端与电容4030电连接，电容4030可为任何容值的电容。本公开一些实施例对至少一个薄膜电阻460的数量不做限定，其可以是一个或多个。以下均以陶瓷基板450包括两个薄膜电阻460，分别为第一薄膜电阻461和第二薄膜电阻462为例进行说明。

陶瓷基板450还包括至少一个焊盘470，该至少一个焊盘470分别位于至少一个薄膜电阻460的一端，EML芯片440中EAM 4401的焊盘4403可通过连接线与至少一个焊盘470电连接，以实现EML芯片440与至少一个薄膜电阻460电连接。本公开一些实施例对至少一个焊盘470的数量不做限定，其可以是一个或多个。以下均以陶瓷基板450包括两个焊盘470，分别为第一焊盘471和第二焊盘472为例进行说明。

陶瓷基板450还包括电容焊盘4720，电容焊盘4720位于至少一个薄膜电阻460的另一端。该电容焊盘4720构成电容4030的一个极板。电容4030的一端与至少一个薄膜电阻460电连接，电容4030的另一端通过连接线与接地管脚4052电连接。

当EAM 4401的焊盘4403通过连接线与至少一个焊盘470电连接时，至少一个薄膜电阻460与电容4030接入EML芯片440的驱动电路中，以在EML芯片440的驱动电路中接入电阻与电容，可根据接入的电阻与电容实现阻抗匹配，由此能够改变电感。

在一些实施例中，第一薄膜电阻461靠近预置焊料区4520，第一焊盘471位于第一薄膜电阻461的一端，第二焊盘472位于第二薄膜电阻462的一端。第一薄膜电阻461的另一端、第二薄膜电阻462的另一端均与电容焊盘4720电连接，可将第一薄膜电阻461或第二薄膜电阻462或并联后的第一薄膜电阻461与第二薄膜电阻462接入EML芯片440的驱动电路中。第一薄膜电阻461的电阻值小于第二薄 膜电阻462的电阻值，EML芯片440的EAM 4401可根据需求与相应的薄膜电阻进行电连接。

图16为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图。如图16所示，将EML芯片440与陶瓷基板450的预置焊料区4520采用共晶焊工艺焊接在一起后，将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电气连接，并将T型镀金层4510通过连接线与第二凸台430上的射频信号基板4310的一端电连接，射频信号基板4310的另一端则通过预置焊料片被共晶焊接到射频管脚4051上，用于射频信号的传输；此外，还将EAM 4401的焊盘4403通过第一连接线404与第一薄膜电阻461的第一焊盘471电气连接，第一薄膜电阻461的另一端通过电容焊盘4720与电容4030电连接，电容4030的另一端通过连接线与第一凸台420上的第一电容490电连接，第一电容490又通过连接线与接地管脚4052电连接。

将第一薄膜电阻461单独与EML芯片440的EAM 4401电连接，并将第一薄膜电阻461的另一端通过电容焊盘4720与电容4030电连接，以在EML芯片440的驱动电路中接入第一薄膜电阻461与电容4030，根据第一薄膜电阻461的阻值与电容4030的容值能够改变EML芯片440的驱动电路的电感，通过调整电感来改善电寄生效应，以此来改善带宽与眼图。

图17为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图。如图17所示，将EML芯片440与陶瓷基板450的预置焊料区4520采用共晶焊工艺焊接在一起后，将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接，并将T型镀金层4510通过连接线与第二凸台430上的射频信号基板4310的一端电连接，射频信号基板4310的另一端则通过预置焊料片被共晶焊接到的射频管脚4051上，用于射频信号的传输；此外，还将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的第二薄膜电阻462的第二焊盘472电气连接，第二薄膜电阻462另一端通过电容焊盘4720与电容4030电连接，电容4030的另一端通过连接线与第一凸台420上的第一电容490电连接，第一电容490又通过连接线与接地管脚4052电连接。

将第二薄膜电阻462单独与EML芯片440的EAM 4401电连接，并将第二薄膜电阻462的另一端通过电容焊盘4720与电容4030电连接，以在EML芯片440的驱动电路中接入第二薄膜电阻462与电容4030，根据第二薄膜电阻462的阻值与电容4030的容值能够改变EML芯片440的驱动电路的电感，通过调整电感来改善电寄生效应，以此来改善带宽与眼图。

图18为根据一些实施例的光模块中光发射器件的又一种连接图。如图18所示，将EML芯片440与陶瓷基板450的预置焊料区4520采用共晶焊工艺焊接在一起后，将EAM 4401的焊盘4403通过连接线与陶瓷基板450的T型镀金层4510电连接，并将T型镀金层4510通过连接线与第二凸台430上的射频信号基板4310的一端电连接，射频信号基板4310的另一端则通过预置焊料片被共晶焊接到的射频管脚4051上，用于射频信号的传输；此外，还将EAM 4401的焊盘4403通过第一连接线404与第一薄膜电阻461的第一焊盘471电连接，将第一焊盘471通过第二连接线405与第二薄膜电阻462的第二焊盘472电气连接；第一薄膜电阻461与第二薄膜电阻462的另一端均通过电容焊盘4720与电容4030电连接，电容4030的另一端通过连接线与第一凸台420上的第一电容490电连接，第一电容490通过连接线与接地管脚4052电连接。

将第一薄膜电阻461、第二薄膜电阻462并联后与EML芯片440的EAM 4401电连接，并将并联后的第一薄膜电阻461和第二薄膜电阻462通过电容焊盘4720与电容4030电连接，以在EML芯片440的驱动电路中接入第一薄膜电阻461、第二薄膜电阻462与电容4030，根据第一薄膜电阻461和第二薄膜电阻462并联后的阻值以及电容4030的容值能够改变EML芯片440的驱动电路的电感，通过调整电 感来改善电寄生效应，以此来改善带宽与眼图。

在本公开一些实施例提供的光模块中，光发射器件400的陶瓷基板450包括至少一个薄膜电阻460与电容4030，至少一个薄膜电阻460可单独或并联后通过连接线与EML芯片440电连接，至少一个薄膜电阻460的另一端通过电容焊盘4720与电容4030电连接，电容4030通过连接线与接地管脚4052电连接，以在EML芯片440的驱动电路中接入不同的电阻与电容，不同电阻与电容实现了阻抗匹配，由此改变了EML芯片440的驱动电路的电感，通过调整电感来改善电寄生效应，经过合理的组合后会得到最佳带宽及眼图。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1. 一种光模块，包括：

   壳体；

   电路板，设置在所述壳体内；

   光发射器件，设置在所述壳体内，与所述电路板电连接，被配置为发射光信号；其中，所述光发射器件包括：

   管座；

   接地管脚，穿过所述管座，且突出于所述管座相对的两个表面；

   陶瓷基板，设置在所述管座上，包括至少一个薄膜电阻和阻抗匹配元件，所述阻抗匹配元件的一端与所述至少一个薄膜电阻的一端连接，所述阻抗匹配元件的另一端与所述接地管脚连接；

   光发射器，设置在所述陶瓷基板上，与所述至少一个薄膜电阻的另一端连接。
2. 根据权利要求1所述的光模块，其中，所述阻抗匹配元件包括弯曲镀层或电容。
3. 根据权利要求2所述的光模块，其中，所述弯曲镀层包括多个子弯曲镀层，相邻两个子弯曲镀层之间互相连接；

   每个子弯曲镀层包括第一段镀层、弯曲段镀层和第二段镀层；

   所述弯曲段镀层的一端与所述第一段镀层连接，所述弯曲镀层的另一端与所述第二段镀层连接。
4. 根据权利要求2所述的光模块，其中，所述陶瓷基板还包括两个限位区，所述两个限位区分别位于所述弯曲镀层的相对两侧，所述两个限位区通过至少一根连接线连接。
5. 根据权利要求1所述的光模块，其中，所述陶瓷基板包括一个薄膜电阻；或者，所述陶瓷基板包括两个薄膜电阻。
6. 根据权利要求5所述的光模块，其中，在所述陶瓷基板包括两个薄膜电阻的情况下，所述两个薄膜电阻的阻值分别为50Ω和130Ω。
7. 根据权利要求1所述的光模块，其中，所述光发射器包括EML芯片。
8. 根据权利要求7所述的光模块，其中，所述EML芯片包括电吸收调制器，所述电吸收调制器与所述至少一个薄膜电阻的另一端连接。
9. 根据权利要求1所述的光模块，其中，所述光发射器件还包括第一凸台，所述第一凸台包括：

   底部平台，设置在所述管座上，且与所述管座平行；

   侧面平台，与所述底部平台连接，且与所述底部平台垂直，所述陶瓷基板设置在所述侧面平台上。
10. 根据权利要求9所述的光模块，其中，所述光发射器件还包括热敏电阻，所述热敏电阻设置在所述侧面平台上，所述热敏电阻的一端与所述陶瓷基板连接，另一端与所述接地管脚连接。
11. 根据权利要求9所述的光模块，其中，所述光发射器件还包括第一电容，所述第一电容设置在所述侧面平台上，所述第一电容的一端与所述阻抗匹配元件连接，另一端与所述接地管脚连接。
12. 根据权利要求1所述的光模块，其中，所述光发射器件还包括：

    射频管脚，穿过所述管座，且突出于所述管座相对的两个表面；

    射频信号基板，所述射频信号基板的一端与所述光发射器连接，另一端与所述射频管脚连接。
13. 根据权利要求12所述的光模块，其中，所述光发射器件还包括第二凸台，所述第二凸台设置在所述管座上，所述射频信号基板设置在所述第二凸台上。
14. 根据权利要求12所述的光模块，其中，所述陶瓷基板还包括T型镀金层，所述T型镀金层位于所述光发射器和所述射频信号基板之间，所述T型镀金层的一端与所述光发射器连接，另一端与所述射频信号基板连接。
15. 根据权利要求1所述的光模块，其中，所述陶瓷基板还包括至少一个焊盘，所述至少一个焊盘位于所述至少一个薄膜电阻远离所述阻抗匹配元件的一端，且与对应的薄膜电阻连接，所述光发射器与所述至少一个焊盘连接。
16. 根据权利要求1所述的光模块，还包括：

    管帽，与所述管座形成密封腔体；

    光探测器，设置在所述管座上，被配置为检测所述光发射器的光功率；

    透镜，设置在所述管帽内，被配置为会聚所述光发射器发出的光。

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