WO2023068771A1 - 배터리의 충격 측정 방법 및 이를 적용한 배터리 시스템 - Google Patents

배터리의 충격 측정 방법 및 이를 적용한 배터리 시스템 Download PDF

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WO2023068771A1
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acceleration sensor
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이석진
김동현
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주식회사 엘지에너지솔루션
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    • G—PHYSICS
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    • H01M2010/4271—Battery management systems including electronic circuits, e.g. control of current or voltage to keep battery in healthy state, cell balancing

Definitions

  • the present invention relates to a method for measuring an impact of a battery and a battery system to which the same is applied.
  • Battery performance may be degraded depending on external shocks.
  • the battery system may include an acceleration sensor to measure an external shock to the battery.
  • the battery system may use the signal received from the accelerometer to measure an external shock and use the signal received from the accelerometer to analyze the battery condition.
  • an impact measurement method capable of reducing power consumption by counting an external impact applied to a battery according to an operation mode of the battery system is provided.
  • a method for measuring an impact on a battery includes the steps of a main control unit (MCU) storing an operation mode of a previous battery system in a first area of a memory; Storing, by an MCU, an operation mode of the current battery system in a second area of the memory; determining, by the MCU, whether an operation mode stored in the first area and an operation mode stored in the second area are the same; storing, by the MCU, a change flag as a first value in the third area of the memory when the operation mode stored in the first area and the operation mode stored in the second area are different from each other based on the determination result; Receiving, by an MCU, an acceleration sensor signal from an acceleration sensor when the operation mode stored in the second area is a sleep mode and the change flag is the first value; and receiving the acceleration sensor signal from the acceleration sensor when the stored operation mode is not a sleep mode.
  • MCU main control unit
  • a step of adding 1 to the count may be further included.
  • Determining, by the MCU, whether the shock count reaches a predetermined shock threshold, and performing, by the MCU, a protective operation against shock if the shock count reaches a predetermined shock threshold as a result of the determination can do.
  • the method may further include storing the stored operation mode in the first area.
  • a battery system is a battery system for measuring an impact on a battery, an acceleration sensor for measuring acceleration and generating an acceleration sensor signal, and an operation mode of a previous battery system previously stored in a first region.
  • the current operation mode is stored in the second area, and as a result of comparing the operation mode stored in the first area with the operation mode stored in the second area, if they are different, the change flag is stored in the third area as the first value. and when the operation mode stored in the second area is a sleep mode and the change flag stored in the third area is the first value or when the operation mode stored in the second area is not a sleep mode, the acceleration and a main control unit (MCU) receiving the acceleration sensor signal from a sensor.
  • MCU main control unit
  • the MCU further includes a memory including the first area, the second area, the third area, and the fourth area, and the MCU determines that an acceleration value indicated by the acceleration sensor signal exceeds a reference value.
  • An impact count indicating the number of times may be stored in the fourth area.
  • the MCU adds 1 to the shock count when the acceleration value indicated by the received acceleration sensor signal exceeds the reference value, and if the acceleration value indicated by the received acceleration sensor signal is less than or equal to the reference value, the third area
  • the stored change flag may be set to a second value and stored, and an operation mode stored in the second area may be stored in the first area.
  • the MCU may determine whether the shock count reaches a predetermined shock threshold, and as a result of the determination, if the shock count reaches the predetermined shock threshold, a protective operation against shock may be performed.
  • the MCU sets and stores the change flag stored in the third area as a second value, and sets the operation mode stored in the second area to the first 1 area can be stored.
  • an external shock applied to a battery is counted according to an operating mode of the battery system, thereby enabling shock measurement capable of reducing power consumption.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a battery system according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a method for measuring an impact of a battery according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a memory included in an MCU.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a process in which a value stored in a memory included in an MCU is changed according to time according to an embodiment.
  • a program implemented as a set of commands embodying control algorithms necessary for controlling other components may be installed in a component that controls another component under a specific control condition among components according to an embodiment.
  • the control component may generate output data by processing input data and stored data according to an installed program.
  • the control component may include a non-volatile memory for storing programs and a memory for storing data.
  • the method of measuring the impact applied to the battery system may be implemented as software installed in the battery management system or a program including a combination of software.
  • the program may be stored in a storage medium of the battery management system.
  • Storage media may be implemented as various types of memory, including non-volatile memory such as high-speed random access memory, flash memory devices, and other non-volatile solid-state memory devices.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a battery system according to an exemplary embodiment.
  • the battery system 1 includes a battery pack 10 , a battery management system 20 , an acceleration sensor 30 , and relays 40 and 41 .
  • the battery management system 20 is hereinafter referred to as a battery management system (BMS).
  • BMS battery management system
  • the number of battery packs 10 is illustrated in FIG. 1 as one, the invention is not limited thereto, and the battery system 1 may include two or more battery packs.
  • the external device 2 may include a load and charging device such as an inverter or converter.
  • a load and charging device such as an inverter or converter.
  • both ends of the battery system 1 may be connected to the charger and supplied with power from the charger to be charged.
  • both ends of the battery system 1 are connected to the load so that power supplied by the battery pack 10 can be discharged through the load.
  • a wire 400 is connected between the positive electrode of the battery pack 10 and one end (P+), and a wire 401 is connected between the negative electrode of the battery pack 10 and the other end (P ⁇ ).
  • the relays 40 and 41 are positioned on the wirings 400 and 401 to electrically control current paths during charging and discharging of the battery pack 10 .
  • the closing and opening of the relays 40 and 41 are controlled according to the relay control signals RSC1 and RSC2 supplied from the MCU 200 .
  • the battery pack 10 includes a plurality of battery cells 11-15. 1 shows that the number of the plurality of battery cells 11-15 is five, but the invention is not limited thereto, and the battery pack 10 includes two or more battery cells connected in series and two or more battery cells connected in parallel. The plurality of battery cells connected in series or two or more battery cells connected in parallel may be implemented.
  • the BMS 20 includes a battery monitoring integrated circuit 100 and a main controller 200 .
  • the battery monitoring integrated circuit is hereinafter referred to as a battery monitoring integrated circuit (BMIC).
  • the main control unit is hereinafter referred to as a Main Control Unit (MCU).
  • the acceleration sensor 30 is provided in the battery system 1 .
  • the acceleration sensor 30 measures and generates acceleration or deceleration, and transmits the generated acceleration sensor signal SS to the MCU 200 .
  • the BMIC 100 is connected to each of the plurality of battery cells 11-15 and measures a plurality of voltages measured from both ends of the plurality of battery cells 11-15 through a plurality of input terminals P1-P6. Acquire signals VS1-VS6.
  • the BMIC 100 may derive cell voltages of each of the plurality of battery cells 11 to 15 from the plurality of voltage measurement signals VS1 to VS6 .
  • the BMIC 100 may transmit a signal indicating a plurality of cell voltages to the MCU 200.
  • the request signal may include a request for cell voltages, cell temperatures, and the like of the plurality of battery cells 11 to 15 .
  • the MCU 200 may control an operation of measuring an impact applied to the battery system 1 based on an operation mode of the battery system 1 and an acceleration sensor signal SS received from the acceleration sensor 30 .
  • the MCU 200 may include a memory 2000 that stores a previous operating mode and a current operating mode of the battery system 1, a flag indicating whether the operating mode has changed, and an impact count.
  • a flag indicating whether the operation mode has been changed is referred to as a change flag.
  • the operation mode of the battery system 1 may be divided into at least one of a SLEEP mode and an ON mode.
  • the relays 40 and 41 are open, the BMIC 100 is off, and the MCU 200 is off.
  • the relays 40 and 41 are closed, the BMIC 100 is on, and the MCU 200 is on.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a method for measuring an impact of a battery according to an exemplary embodiment.
  • the previous operation mode is an operation mode of the battery system 1 previously stored in the previous mode area 2001, and may be at least a sleep mode or an on mode.
  • the previous operation mode may be an operation mode of the battery system 1 last stored in the current mode area 2002 before the time when step S1 is performed.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a memory included in an MCU.
  • the memory 2000 may include a previous mode area 2001 , a current mode area 2002 , a flag area 2003 , and a shock count area 2004 .
  • Operation modes of the battery system 1 are stored in the previous mode area 2001 and the current mode area 2002 .
  • a change flag is stored in the flag area 2003, and the change flag may be a variable indicating whether the operation mode of the memory system 1 has changed.
  • a shock count is stored in the shock count area 2004 , and the shock count may be a variable indicating the number of shocks that are greater than or equal to a predetermined reference value recognized as being applied to the battery system 1 .
  • the MCU 200 may store the current operation mode of the battery system 1 in the current mode area 2002 (S1).
  • the current operation mode is an operation mode of the battery system 1 at a specific point in time for the MCU 200 to store data in the current mode area 2002, and may be at least a sleep mode or an on mode.
  • the MCU 200 compares the operation mode stored in the previous mode area 2001 with the operation mode stored in the current mode area 2002 (S2).
  • the MCU 200 sets the change flag stored in the flag area 2003 to 0 (S3). For example, if the current operating mode is different from the previous operating mode, the change flag is 0, and if the current operating mode is the same as the previous operating mode, the change flag is 1.
  • step S3 if the operation mode stored in the previous mode area 2001 and the operation mode stored in the current mode area 2002 are the same, the MCU 200 returns to the current mode area 2002. It is determined whether the stored operation mode is the sleep mode (S4).
  • the MCU 200 determines whether the change flag stored in the flag area 2003 is 0 (S5).
  • the MCU 200 determines the acceleration An acceleration sensor signal SS is received from the sensor 30 (S6).
  • the acceleration sensor signal SS received by the MCU 200 may include a signal indicating an acceleration value measured by the acceleration sensor 30 .
  • the MCU 200 receives the acceleration sensor signal SS only when the change flag indicates 0 to determine whether an impact is applied to the battery system 1. can
  • the MCU 200 may determine whether or not to receive the acceleration sensor signal SS according to the operating mode of the battery system 1 .
  • the MCU 200 determines whether the acceleration value indicated by the acceleration sensor signal SS exceeds a reference value (S7).
  • the reference value may be preset in the MCU 200 as initial information. The MCU 200 may recognize that no shock is applied to the battery system 1 when the acceleration value is less than or equal to the reference value.
  • the MCU 200 adds 1 to the shock count stored in the shock count area 2004 (S8).
  • the MCU 200 may recognize that the acceleration value exceeds the reference value as an impact applied to the battery pack 10 .
  • the MCU 200 determines whether the shock count reaches a predetermined shock threshold (S9).
  • the impact threshold may be preset in the MCU 200 as initial information.
  • step S9 if the shock count is equal to the shock threshold, the MCU 200 may perform a protective operation and external notification for the shock (S10).
  • the MCU 200 displays a flag area
  • the change flag stored in (2003) is set to 1 (S11).
  • the MCU 200 may determine that the operation mode has changed, and thus may initialize the change flag to 1.
  • the MCU 200 stores the operation mode stored in the current mode area 2002 in the previous mode area 2001 (S12).
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a process in which a value stored in a memory included in an MCU is changed over time in one embodiment.
  • the time sequence is shown in the column including time.
  • Operation modes stored in the previous mode area 2001 are shown in the column including the previous mode area
  • operation modes stored in the current mode area 2002 are shown in the column including the current mode area
  • operation modes stored in the current mode area 2002 are shown in the column including the flag area.
  • a change flag stored in the flag area 2003 is shown
  • a shock count stored in the shock count area 2004 is shown in a column including the impact count area.
  • an acceleration value indicated by an acceleration sensor signal SS received by the MCU 200 from the acceleration sensor 30 is shown in a column including the acceleration.
  • a reference value to which acceleration values are compared is shown in the column including the reference value.
  • An impact threshold to which the impact count value is compared is shown in the column including the impact threshold.
  • Time T1 to time T5 sequentially represent specific time periods during which the impact measurement method according to an embodiment proceeds.
  • each step of FIG. 2 can be described based on each time zone from time T2 after time T1.
  • the current operation mode stored in the current mode area 2002 is a sleep mode (S1).
  • the previous operation mode stored in the previous mode area 2001 at time T2 is an on mode identical to the operation mode stored in the current operation area 2002 at time T1. Since the on mode, which is the operation mode stored in the previous mode area 2001 at time T2, and the sleep mode, which is the operation mode stored in the current mode area 2002, are not the same (S2), the MCU 200 sets the change flag to 0. (S3). Also, since the operation mode stored in the current mode area 2002 is the sleep mode (S4) and the change flag stored in the flag area 2003 is 0 (S5), the acceleration sensor signal SS is received from the acceleration sensor 30. (S6).
  • the MCU 200 Since 5 acceleration, which is the acceleration value indicated by the acceleration sensor signal SS, is less than or equal to 10 acceleration, which is the reference value, the MCU 200 does not increase the shock count stored in the shock count area 2004. Then, the change flag is set to 1 (S11). At this time, at time T3 after the change flag changes from 0 to 1, the MCU 200 stores the sleep mode, which is an operation mode stored in the current mode area 2002 at time T2, in the previous mode area 2001. Do (S12).
  • the current operation mode stored in the current mode area 2002 is the sleep mode (S1).
  • the sleep mode, which is the operation mode stored in the previous mode area 2001 at time T3, and the sleep mode, which is the operation mode stored in the current mode area 2002, are the same (S2), and the operation mode stored in the current mode area 2002 is the sleep mode. (S4), and since the change flag stored in the flag area 2003 is not 0 (S5), the MCU 200 converts the sleep mode, which is an operation mode stored in the current mode area 2002 at time T3, to a sleep mode at time T4. It is stored in the previous mode area (2001) (S12).
  • the current operation mode stored in the current mode area 2002 is the sleep mode (S1).
  • the sleep mode, which is the operation mode stored in the previous mode area 2001 at time T4, and the sleep mode, which is the operation mode stored in the current mode area 2002, are the same (S2), and the operation mode stored in the current mode area 2002 is the sleep mode. (S4), and since the change flag stored in the flag area 2003 is not 0 (S5), the MCU 200 converts the sleep mode, which is an operation mode stored in the current mode area 2002 at time T4, into a sleep mode at time T5. It is stored in the previous mode area (2001) (S12).
  • the current operation mode stored in the current mode area 2002 is an on mode (S1). Since the sleep mode, which is the operation mode stored in the previous mode area 2001 at time T4, and the sleep mode, which is the operation mode stored in the current mode area 2002, are not the same (S2), the MCU 200 sets the change flag to 0. (S3). Also, since the operation mode stored in the current mode area 2002 is not the sleep mode (S4), the acceleration sensor signal SS is received from the acceleration sensor 30 (S6). Since the acceleration value of 13 acceleration indicated by the acceleration sensor signal SS exceeds the reference value of 10 acceleration, the MCU 200 increases the shock count stored in the shock count area 2004 from 5 to 6 (S8). . Since the increased shock count reaches the shock threshold of 6, the MCU 200 performs a protective operation and an external notification for the shock (S10).

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Abstract

배터리의 충격 측정 방법은, 배터리에 대한 충격을 측정하는 방법에 있어서, MCU(Main Control Unit)가 메모리의 제1 영역에 이전의 배터리 시스템의 동작 모드를 저장하는 단계, 상기 MCU가, 현재 배터리 시스템의 동작 모드를 상기 메모리의 제2 영역에 저장하는 단계, 상기 MCU가, 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 서로 동일한지를 판단하는 단계, 상기 MCU가, 상기 판단한 결과에 기초하여 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 서로 다르면 상기 메모리의 상기 제3 영역에 변경 플래그를 제1 값으로 저장하는 단계, 상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립(Sleep) 모드이고, 상기 변경 플래그가 상기 제1 값이면, 가속도 센서로부터 가속도 센서 신호를 수신하는 단계, 및 상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립 모드가 아니면, 상기 가속도 센서로부터 상기 가속도 센서 신호를 수신하는 단계를 포함한다.

Description

배터리의 충격 측정 방법 및 이를 적용한 배터리 시스템
관련 출원(들)과의 상호 인용
본 출원은 2021년 10월 22일자 한국 특허 출원 제10-2021-0141486호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 배터리의 충격 측정 방법 및 이를 적용한 배터리 시스템에 관한 것이다.
배터리는 외부 충격에 따라 성능이 저하될 수 있다. 배터리 시스템은 배터리의 외부 충격을 측정하기 위하여 가속도 센서를 포함할 수 있다. 배터리 시스템은 가속도 센서로부터 수신한 신호를 활용하여 외부 충격을 측정하여 배터리 상태 분석에 활용할 수 있다.
다만, 배터리 시스템의 동작 모드가 슬립 모드와 같은 배터리가 저전력 상태일 때도, 가속도 센서를 이용한 외부 충격 측정에 의한 전력 소비가 발생한다. 이는 배터리를 과도하게 방전시키는 원인이 될 수 있다.
가속도 센서를 포함하는 배터리 시스템에서, 배터리 시스템의 동작 모드에 따라, 배터리에 가해지는 외부 충격을 카운트하도록 하여 전력 소비를 저감할 수 있는 충격 측정 방법을 제공하고자 한다.
발명의 한 특징에 따른 배터리의 충격 측정 방법은, 배터리에 대한 충격을 측정하는 방법에 있어서, MCU(Main Control Unit)가 메모리의 제1 영역에 이전의 배터리 시스템의 동작 모드를 저장하는 단계, 상기 MCU가, 현재 배터리 시스템의 동작 모드를 상기 메모리의 제2 영역에 저장하는 단계, 상기 MCU가, 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 서로 동일한지를 판단하는 단계, 상기 MCU가, 상기 판단한 결과에 기초하여 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 서로 다르면 상기 메모리의 상기 제3 영역에 변경 플래그를 제1 값으로 저장하는 단계, 상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립(Sleep) 모드이고, 상기 변경 플래그가 상기 제1 값이면, 가속도 센서로부터 가속도 센서 신호를 수신하는 단계, 및 상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립 모드가 아니면, 상기 가속도 센서로부터 상기 가속도 센서 신호를 수신하는 단계를 포함한다.
상기 MCU가, 상기 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하는지를 판단하는 단계, 및 상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 가속도 값이 상기 기준 값을 초과하면, 상기 메모리의 제4 영역에 저장된 충격 카운트에 1을 더하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 가속도 값이 상기 기준 값 이하이면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하는 단계, 및 상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 MCU가, 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였는지를 판단하는 단계, 및 상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였으면 충격에 대한 보호 동작을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하지 않았으면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하는 단계, 및 상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.
발명의 다른 특징에 따른 배터리 시스템은, 배터리에 대한 충격을 측정하는 배터리 시스템에 있어서, 가속도를 측정하여 가속도 센서 신호를 생성하는 가속도 센서, 및 제1 영역에 이전의 배터리 시스템의 동작 모드가 기 저장되어 있고, 현재 동작 모드를 제2 영역에 저장하며, 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 비교한 결과, 서로 다르면 제3 영역에 변경 플래그를 제1 값으로 저장하고, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립(Sleep) 모드이고 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그가 상기 제1 값인 경우 또는 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립 모드가 아닌 경우에, 상기 가속도 센서로부터 상기 가속도 센서 신호를 수신하는 MCU(Main Control Unit)를 포함한다.
상기 MCU는, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역, 상기 제3 영역, 및 제4 영역을 포함하는 메모리를 더 포함하고, 상기 MCU가, 상기 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하는 횟수를 나타내는 충격 카운트를 상기 제4 영역에 저장할 수 있다.
상기 MCU는, 상기 수신한 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하면, 상기 충격 카운트에 1을 더하고, 상기 수신한 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값 이하이면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하며, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장할 수 있다.
상기 MCU는, 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였는지를 판단하고, 상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였으면 충격에 대한 보호 동작을 수행할 수 있다.
상기 MCU는, 상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하지 않았으면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하고, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장할 수 있다.
가속도 센서를 포함하는 배터리 시스템에서, 배터리 시스템의 동작 모드에 따라 배터리에 가해지는 외부 충격을 카운트하도록 하여 전력 소비를 저감할 수 있는 충격 측정이 가능하도록 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 배터리 시스템을 나타낸 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 배터리의 충격 측정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3는 MCU에 포함된 메모리를 도식적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 일 실시예에서 MCU에 포함된 메모리에 저장되는 값이 시간에 따라 변경되는 과정을 도식적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 동일하거나 유사한 구성요소에는 동일, 유사한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및/또는 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
일 실시예에 따른 구성들 중 특정 제어 조건에서 다른 구성을 제어하는 구성에는, 다른 구성을 제어하기 위해 필요한 제어 알고리즘을 구체화한 명령어의 집합으로 구현된 프로그램이 설치될 수 있다. 제어 구성은 설치된 프로그램에 따라 입력 데이터 및 저장된 데이터를 처리하여 출력 데이터를 생성할 수 있다. 제어 구성은 프로그램을 저장하는 비휘발성 메모리 및 데이터를 저장하는 메모리를 포함할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 일 실시예에 따라 가속도 센서를 활용하여 배터리 시스템에 가해진 충격을 측정하는 방법 및 이를 적용한 배터리 시스템을 설명한다. 배터리 시스템에 가해진 충격을 측정하는 방법은 배터리 관리 시스템에 설치된 소프트웨어 또는 소프트웨어의 결합을 포함하는 프로그램으로 구현될 수 있다. 해당 프로그램은 배터리 관리 시스템의 저장 매체에 저장될 수 있다. 저장 매체는 고속 랜덤 액세스 메모리(high-speed random access memory), 플래시 메모리 장치, 기타 비휘발성 고체 상태 메모리 장치(non-volatile solid-state memory device) 등의 비휘발성 메모리 등 다양한 종류의 메모리로 구현될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 배터리 시스템을 나타낸 도면이다.
배터리 시스템(1)은, 배터리 팩(10), 배터리 관리 시스템(20), 가속도 센서(30), 및 릴레이(40, 41)를 포함한다. 배터리 관리 시스템(20)을 이하, BMS(Battery Management System)라 한다. 도 1에서는 배터리 팩(10)의 개수가 1개인 것으로 도시되어 있으나, 발명이 이에 한정되지 않으며, 배터리 시스템(1)은 2개 이상의 배터리 팩을 포함할 수 있다.
외부 장치(2)는 인버터, 컨버터 등의 부하 및 충전 장치를 포함할 수 있다. 외부 장치(2)가 충전기인 경우, 배터리 시스템(1)의 양단은 충전기에 연결되어 충전기로부터 전력을 공급받아 충전될 수 있다. 외부 장치(2)가 부하인 경우, 배터리 시스템(1)의 양단은 부하에 연결되어 배터리 팩(10)이 공급하는 전력이 부하를 통해 방전될 수 있다.
배터리 팩(10)의 양극과 일단(P+) 사이에 배선(400)이 연결되어 있고, 배터리 팩(10)의 음극과 타단(P-) 사이에 배선(401)이 연결되어 있다. 릴레이(40, 41)는 배선(400, 401) 상에 위치하여 전기적으로 배터리 팩(10)의 충전 및 방전 시의 전류 경로를 제어한다. 릴레이(40, 41)의 닫힘 및 개방은 MCU(200)로부터 공급되는 릴레이 제어 신호(RSC1, RSC2)에 따라 제어된다.
배터리 팩(10)은, 복수의 배터리 셀(11-15)을 포함한다. 도 1에서는 복수의 배터리 셀(11-15)의 개수가 5개 인 것으로 도시되어 있으나, 발명이 이에 한정되지 않으며, 배터리 팩(10)은 직렬로 연결된 2 이상의 배터리 셀, 병렬 연결된 2 이상의 배터리 셀이 복수 개 직렬 연결된 복수의 배터리 셀, 또는 병렬 연결된 2 이상의 배터리 셀로 구현될 수 있다.
BMS(20)는 배터리 모니터링 집적 회로(100) 및 메인 제어부(200)를 포함한다. 배터리 모니터링 집적 회로를 이하, BMIC(Battery Monitoring Integrated Circuit)라 한다. 메인 제어부를 이하, MCU(Main Control Unit)라 한다.
가속도 센서(30)는 배터리 시스템(1)에 구비되어 있다. 가속도 센서(30)는 가속도 또는 감속도를 측정하여 생성하고, 생성된 가속도 센서 신호(SS)를 MCU(200)에 전송한다.
BMIC(100)는, 복수의 배터리 셀(11-15) 각각의 셀에 연결되어 있고, 복수의 입력단(P1-P6)을 통해 복수의 배터리 셀(11-15) 양단으로부터 측정된 복수의 전압 측정 신호(VS1-VS6)를 획득한다. BMIC(100)는 복수의 전압 측정 신호(VS1-VS6)로부터 복수의 배터리 셀(11-15) 각각의 셀 전압을 도출할 수 있다. BMIC(100)는, MCU(200)로부터 요청 신호를 수신하면, MCU(200)에 복수의 셀 전압을 가리키는 신호를 전송할 수 있다. 요청 신호에는, 복수의 배터리 셀(11-15)의 셀 전압, 셀 온도 등에 관한 요청이 포함될 수 있다.
MCU(200)는 배터리 시스템(1)의 동작 모드 및 가속도 센서(30)로부터 수신한 가속도 센서 신호(SS)에 기초하여 배터리 시스템(1)에 가해지는 충격을 측정하는 동작을 제어할 수 있다. MCU(200)는 배터리 시스템(1)의 이전 동작 모드 및 현재 동작 모드, 동작 모드가 변경되었는지를 나타내는 플래그, 및 충격 카운트를 저장하는 메모리(2000)를 포함할 수 있다. 이하, 동작 모드가 변경되었는지를 나타내는 플래그를 변경 플래그라 한다.
배터리 시스템(1)의 동작 모드는 적어도 슬립(SLEEP) 모드와, 온(ON) 모드 중 하나로 구분될 수 있다. 슬립 모드에서, 릴레이(40, 41)는 개방되고, BMIC(100)는 오프(OFF) 상태이며, MCU(200)는 오프 상태이다. 온 모드에서, 릴레이(40, 41)는 닫히고, BMIC(100)는 온(ON) 상태이며, MCU(200)는 온 상태이다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, MCU(200)가 배터리 시스템(1)의 동작 모드와 가속도 센서로부터 수신한 가속도 센서 신호(SS)에 기초하여 배터리 팩의 충격을 측정하는 방법을 설명한다.
도 2는 일 실시예에 따른 배터리의 충격 측정 방법을 나타낸 순서도이다.
메모리(2000)의 이전 모드 영역(2001)에는, 배터리 시스템(1)의 이전 동작 모드를 지시하는 파라미터가 기 저장되어 있을 수 있다. 이전 동작 모드는, 이전 모드 영역(2001)에 기 저장되어 있는 배터리 시스템(1)의 동작 모드로, 적어도 슬립 모드 또는 온 모드일 수 있다. 이전 동작 모드는, S1 단계가 수행되는 시점 이전에 현재 모드 영역(2002)에 마지막으로 저장된 배터리 시스템(1)의 동작 모드일 수 있다.
도 3는, MCU에 포함된 메모리를 도식적으로 나타낸 도면이다.
메모리(2000)는 이전 모드 영역(2001), 현재 모드 영역(2002), 플래그 영역(2003), 및 충격 카운트 영역(2004)를 포함할 수 있다.
이전 모드 영역(2001) 및 현재 모드 영역(2002)에는 배터리 시스템(1)의 동작 모드가 저장된다. 플래그 영역(2003)에는 변경 플래그가 저장되고, 변경 플래그는, 메모리 시스템(1)의 동작 모드가 변경되었는지를 나타내는 변수일 수 있다. 충격 카운트 영역(2004)에는 충격 카운트가 저장되고, 충격 카운트는, 배터리 시스템(1)에 가해진 것으로 인식된 소정의 기준치 이상의 충격 횟수를 가리키는 변수일 수 있다.
MCU(200)는, 배터리 시스템(1)의 현재 동작 모드를 현재 모드 영역(2002)에 저장할 수 있다(S1). 현재 동작 모드는, MCU(200)가 현재 모드 영역(2002)에 데이터를 저장하기 위한 특정 시점에서의 배터리 시스템(1)의 동작 모드로서, 적어도 슬립 모드 또는 온 모드일 수 있다.
MCU(200)는, 이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드와 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드를 서로 비교한다(S2).
이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드와 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 서로 다르면, MCU(200)는, 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그를 0으로 설정한다(S3). 예를 들어, 현재 동작 모드가 이전 동작 모드와 다르면 변경 플래그는 0이고, 현재 동작 모드가 이전 동작 모드와 같으면 변경 플래그는 1이다.
S3 단계에 이어서, 또는 S2 단계의 판단 결과에서 이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드와 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 서로 같으면, MCU(200)는, 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 슬립 모드인지를 판단한다(S4).
S4 단계의 판단 결과에서 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 슬립 모드이면, MCU(200)는, 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그가 0인지를 판단한다(S5).
S4 단계의 판단 결과에서 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 슬립 모드가 아닌 경우 또는 S5 단계의 판단 결과에서 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그가 0인 경우, MCU(200)는, 가속도 센서(30)로부터 가속도 센서 신호(SS)를 수신한다(S6). MCU(200)가 수신한 가속도 센서 신호(SS)에는, 가속도 센서(30)가 측정한 가속도 값을 가리키는 신호가 포함될 수 있다. 배터리 시스템(1)의 동작 모드가 슬립 모드인 경우에는, MCU(200)가 변경 플래그가 0을 가리킬 경우에만 가속도 센서 신호(SS)를 수신하여 배터리 시스템(1)에 충격에 가해지는지를 판단할 수 있다.
배터리 시스템(1)의 동작 모드가 슬립 모드일 때, 온 모드인 경우와 마찬가지로 MCU(200)가 주기적으로 가속도 센서 신호를 수신하면, 슬립 모드에 배터리 팩(10)의 전력 소모가 과도하게 증가할 수 있다. 따라서, 배터리 팩(10)의 과도한 전력 소모를 방지하기 위하여 MCU(200)는 배터리 시스템(1)의 동작 모드에 따라 가속도 센서 신호(SS)의 수신 여부를 달리할 수 있다.
S6 단계에 이어서, MCU(200)는, 가속도 센서 신호(SS)가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하는지를 판단한다(S7). 여기서 기준 값은, MCU(200)에 초기 정보로 미리 설정될 수 있다. MCU(200)는 가속도 값이 기준 값 이하인 경우, 배터리 시스템(1)에 충격이 가해지지 않는 것으로 인식할 수 있다.
가속도 센서 신호(SS)가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하면, MCU(200)는, 충격 카운트 영역(2004)에 저장된 충격 카운트에 1을 더한다(S8). MCU(200)는 가속도 값이 기준 값을 초과하는 것을, 배터리 팩(10)에 충격이 가해진 것으로 인식할 수 있다.
S8 단계에 이어서, MCU(200)는 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였는지 판단한다(S9). 여기서 충격 임계치는, MCU(200)에 초기 정보로 미리 설정될 수 있다.
S9 단계의 판단 결과에서, 충격 카운트가 충격 임계치와 동일하면, MCU(200)는 충격에 대한 보호 동작 및 외부 알림을 수행할 수 있다(S10).
S7 단계의 판단 결과에서 가속도 센서 신호(SS)가 가리키는 가속도 값이 기준 값 이하인 경우 또는 S9 단계의 판단 결과에서, 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하지 않았으면, MCU(200)는, 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그를 1로 설정한다(S11). 변경 플래그가 0으로 유지되는 경우, MCU(200)는 동작 모드가 변경된 것으로 판단할 수 있으므로, 변경 플래그를 1로 초기화할 수 있다.
S5 단계의 판단 결과에서 변경 플래그가 0이 아닌 경우 또는 S11 단계에 이어서 MCU(200)는, 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드를 이전 모드 영역(2001)에 저장한다(S12).
이하, 도 4을 참조하여, 시간 순서에 따라 메모리(2000)에 저장되는 값에 대한 예시를 들어 일 실시예를 설명할 수 있다.
도 4는, 일 실시예에서 MCU에 포함된 메모리에 저장되는 값이 시간에 따라 변경되는 과정을 도식적으로 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 표에서, 시간이 포함된 열에는 시간 순서가 도시된다. 이전 모드 영역이 포함된 열에는 이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드가 도시되고, 현재 모드 영역이 포함된 열에는 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 도시되며, 플래그 영역이 포함된 열에는 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그가 도시되고, 충격 카운트 영역이 포함된 열에는 충격 카운트 영역(2004)에 저장된 충격 카운트가 도시된다.
도 4에 도시된 표에서, 가속도가 포함된 열에는 MCU(200)가 가속도 센서(30)로부터 수신한 가속도 센서 신호(SS)가 가리키는 가속도 값이 도시된다. 기준 값이 포함된 열에는 가속도 값의 비교 대상이 되는 기준 값이 도시된다. 여기서 가속도 값과 기준 값은 서로 동일한 단위를 가지는 것을 가정한다. 충격 임계치가 포함된 열에는 충격 카운트 값의 비교 대상이 되는 충격 임계치가 도시된다.
T1 시간 내지 T5 시간은 일 실시예에 따른 충격 측정 방법이 진행되는 특정 시간대를 순차적으로 나타낸 것이다. 이하에서는, T1 시간 이후의 T2 시간부터 각 시간대를 기준으로 도 2의 각 단계를 설명할 수 있다.
T2 시간에서, 현재 모드 영역(2002)에 저장된 현재 동작 모드는, 슬립 모드이다(S1). T2 시간의 이전 모드 영역(2001)에 저장된 이전 동작 모드는, T1 시간의 현재 동작 영역(2002)에 저장된 동작 모드와 동일하게 온 모드이다. T2 시간의 이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드인 온 모드와 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드가 동일하지 않으므로(S2), MCU(200)는 변경 플래그를 0으로 설정한다(S3). 또한 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 슬립 모드이고(S4), 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그가 0이므로(S5), 가속도 센서(30)로부터 가속도 센서 신호(SS)를 수신한다(S6). 가속도 센서 신호(SS)가 가리키는 가속도 값인 5 가속도가 기준 값인 10 가속도 이하이므로, MCU(200)는 충격 카운트 영역(2004)에 저장된 충격 카운트를 증가시키지 않는다. 이후 변경 플래그를 1로 설정한다(S11). 이 때, 변경 플래그가 0에서 1로 변경되는 시점 이후의 T3 시간에서, MCU(200)는 T2 시간에서의 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드를 이전 모드 영역(2001)에 저장한다(S12).
T3 시간에서, 현재 모드 영역(2002)에 저장된 현재 동작 모드는, 슬립 모드이다(S1). T3 시간의 이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드와 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드가 동일하고(S2), 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 슬립 모드이며(S4), 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그가 0이 아니므로(S5), MCU(200)는 T3 시간에서의 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드를 T4 시간에서의 이전 모드 영역(2001)에 저장한다(S12).
T4 시간에서, 현재 모드 영역(2002)에 저장된 현재 동작 모드는, 슬립 모드이다(S1). T4 시간의 이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드와 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드가 동일하고(S2), 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 슬립 모드이며(S4), 플래그 영역(2003)에 저장된 변경 플래그가 0이 아니므로(S5), MCU(200)는 T4 시간에서의 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드를 T5 시간에서의 이전 모드 영역(2001)에 저장한다(S12).
T5 시간에서, 현재 모드 영역(2002)에 저장된 현재 동작 모드는, 온 모드이다(S1). T4 시간의 이전 모드 영역(2001)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드와 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드인 슬립 모드가 동일하지 않으므로(S2), MCU(200)는 변경 플래그를 0으로 설정한다(S3). 또한 현재 모드 영역(2002)에 저장된 동작 모드가 슬립 모드가 아니므로(S4), 가속도 센서(30)로부터 가속도 센서 신호(SS)를 수신한다(S6). 가속도 센서 신호(SS)가 가리키는 가속도 값인 13 가속도가 기준 값인 10 가속도를 초과하므로, MCU(200)는 충격 카운트 영역(2004)에 저장된 충격 카운트를 기존의 충격 카운트 5에서 6으로 증가시킨다(S8). 증가한 충격 카운트가 충격 임계치인 6에 도달하였으므로, MCU(200)은 충격에 대한 보호 동작 및 외부 알림을 수행한다(S10).
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지로 변형 및 개량한 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.

Claims (10)

  1. 배터리에 대한 충격을 측정하는 방법에 있어서,
    MCU(Main Control Unit)가 메모리의 제1 영역에 이전의 배터리 시스템의 동작 모드를 저장하는 단계;
    상기 MCU가, 현재 배터리 시스템의 동작 모드를 상기 메모리의 제2 영역에 저장하는 단계;
    상기 MCU가, 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 서로 동일한지를 판단하는 단계;
    상기 MCU가, 상기 판단한 결과에 기초하여 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 서로 다르면 상기 메모리의 상기 제3 영역에 변경 플래그를 제1 값으로 저장하는 단계;
    상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립(Sleep) 모드이고, 상기 변경 플래그가 상기 제1 값이면, 가속도 센서로부터 가속도 센서 신호를 수신하는 단계; 및
    상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립 모드가 아니면, 상기 가속도 센서로부터 상기 가속도 센서 신호를 수신하는 단계를 포함하는, 배터리의 충격 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 MCU가, 상기 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하는지를 판단하는 단계; 및
    상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 가속도 값이 상기 기준 값을 초과하면, 상기 메모리의 제4 영역에 저장된 충격 카운트에 1을 더하는 단계를 더 포함하는, 배터리의 충격 측정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 MCU가, 상기 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하는지를 판단하는 단계;
    상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 가속도 값이 상기 기준 값 이하이면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하는 단계; 및
    상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장하는 단계를 더 포함하는, 배터리의 충격 측정 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 MCU가, 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였는지를 판단하는 단계; 및
    상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였으면 충격에 대한 보호 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는, 배터리의 충격 측정 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 MCU가, 상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하지 않았으면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하는 단계; 및
    상기 MCU가, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장하는 단계를 더 포함하는, 배터리의 충격 측정 방법.
  6. 배터리에 대한 충격을 측정하는 배터리 시스템에 있어서,
    가속도를 측정하여 가속도 센서 신호를 생성하는 가속도 센서; 및
    제1 영역에 이전의 배터리 시스템의 동작 모드가 기 저장되어 있고, 현재 동작 모드를 제2 영역에 저장하며, 상기 제1 영역에 저장된 동작 모드와 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 비교한 결과, 서로 다르면 제3 영역에 변경 플래그를 제1 값으로 저장하고, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립(Sleep) 모드이고 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그가 상기 제1 값인 경우 또는 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드가 슬립 모드가 아닌 경우에, 상기 가속도 센서로부터 상기 가속도 센서 신호를 수신하는 MCU(Main Control Unit)를 포함하는, 배터리 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 MCU는, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역, 상기 제3 영역, 및 제4 영역을 포함하는 메모리를 더 포함하고,
    상기 MCU가, 상기 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하는 횟수를 나타내는 충격 카운트를 상기 제4 영역에 저장하는, 배터리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 MCU는,
    상기 수신한 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값을 초과하면, 상기 충격 카운트에 1을 더하고, 상기 수신한 가속도 센서 신호가 가리키는 가속도 값이 기준 값 이하이면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하며, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장하는, 배터리 시스템.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 MCU는,
    상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였는지를 판단하고, 상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하였으면 충격에 대한 보호 동작을 수행하는, 배터리 시스템.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 MCU는,
    상기 판단 결과 상기 충격 카운트가 소정의 충격 임계치에 도달하지 않았으면, 상기 제3 영역에 저장된 변경 플래그를 제2 값으로 설정하여 저장하고, 상기 제2 영역에 저장된 동작 모드를 상기 제1 영역에 저장하는 단계를 더 포함하는, 배터리 시스템.
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