WO2022239752A1 - 反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付き基板 - Google Patents

反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付き基板 Download PDF

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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source

Definitions

  • the present invention relates to a reflective mask blank, a manufacturing method thereof, and a substrate with a reflective layer for the mask blank.
  • EUV Ultra Violet
  • EUV light with a shorter wavelength than ArF excimer laser light is used as the light source for exposure.
  • EUV light refers to light having a wavelength in the soft X-ray region or vacuum ultraviolet region, and specifically, light having a wavelength of approximately 0.2 to 100 nm. EUV light with a wavelength of about 13.5 nm, for example, is used as the EUV light.
  • EUV light is easily absorbed by all substances, so the refractive optics used in conventional exposure technology cannot be used. Therefore, in EUV lithography, a reflective optical system such as a reflective mask and a mirror is used. In EUV lithography, a reflective mask is used as a transfer mask.
  • a mask blank is a pre-patterned laminate used in photomask manufacturing.
  • a reflective mask blank has a structure in which a reflective layer that reflects EUV light and an absorption layer that absorbs EUV light are formed in this order on a substrate made of glass or the like.
  • As the reflective layer by alternately laminating a low refractive index layer that has a low refractive index for EUV light and a high refractive index layer that has a high refractive index for EUV light, EUV light can be reflected on the layer surface.
  • a reflective multi-layer film having an enhanced light reflectance upon irradiation is usually used.
  • a molybdenum (Mo) layer is usually used as the low refractive index layer of the reflective multilayer film, and a silicon (Si) layer is usually used as the high refractive index layer.
  • a material having a high absorption coefficient for EUV light specifically a material containing chromium (Cr) or tantalum (Ta) as a main component, for example, is used.
  • the sputtering method can be used to form a reflective multilayer film and an absorption layer. It is preferably used for a reason.
  • an ion beam sputtering method is preferably used for forming the high refractive index layer and the low refractive index layer that constitute the reflective multilayer film (Patent Document 1).
  • the sputtering method is a film forming method in which charged particles impact the surface of a sputtering target, eject the sputtered particles from the target, and deposit the sputtered particles on a substrate placed facing the target to form a thin film.
  • a sputtering gas is introduced into the ion source, and thermal electrons generated from the filament inside the ion source collide with the introduced gas to ionize and generate plasma. Let By applying an electric field to the grid electrode, this plasma is extracted as an ion beam, accelerated, and made to collide with a target for sputtering.
  • the extracted ion beam travels straight with a constant diffusion angle. Therefore, there is a problem that the ion beam collides with peripheral members other than the target.
  • the collision of the ion beam advances the sputtering of the target peripheral member, for example, the anti-adhesion shield, generating sputtered particles.
  • contamination hereinafter, sometimes referred to as "contamination derived from the target peripheral member" in the specification of the present application
  • the refractive index of these layers changes. This may reduce the reflectance.
  • the peak reflectance of light in the EUV wavelength region on the surface of the reflective multilayer film is locally low at the site where the contamination occurs. As a result, the intensity of the peak reflectance of light in the EUV wavelength region is reduced on the surface of the reflective multilayer film.
  • the resist on the wafer is irradiated when EUV lithography is performed using a reflective mask made from a reflective mask blank. Insufficient EUV exposure may occur. This results in insufficient patterning within the exposure field, which is a factor that hinders high-precision patterning.
  • An object of the present invention is to provide a reflective mask blank in which a reflective multilayer film has excellent reflectance characteristics, a method for manufacturing the same, and a substrate with a reflective layer for the mask blank.
  • Ions generated by using a process gas containing at least one inert gas selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn and N2 as an ion source and applying a voltage to the grid is accelerated and the ions are made to collide with a target to perform sputtering, forming a reflective multilayer film on a substrate using an ion beam sputtering apparatus, comprising:
  • the product of the effective area (cm 2 ) of the grid and the flow rate (sccm) of the process gas supplied to the ion beam sputtering apparatus during film formation is 3600 (cm 2 ⁇ sccm) or less.
  • a method for manufacturing a reflective mask blank [2] The method for producing a reflective mask blank according to [1], wherein in the ion beam sputtering apparatus, an anti-adhesion shield is arranged so as to cover the target. [3] The constituent material of the anti-adhesion shield is at least one selected from the group consisting of Al, Fe, Cr, Ni, Y, Cu, Mn, Zn, Si, Mg, V, Sn, Mo and Zr. The method for producing a reflective mask blank according to [2], containing the element.
  • the product of the effective area (cm 2 ) of the grid and the flow rate (sccm) of the process gas supplied to the ion beam sputtering apparatus during film formation is 1000 (cm 2 ⁇ sccm) or more.
  • the reflective layer is a reflective multilayer film formed by alternately laminating a low refractive index layer and a high refractive index layer multiple times,
  • the metal atom having the highest content in the low refractive index layer is defined as metal X, the metal constituting the substrate, the metal constituting the low refractive index layer, and the high refractive index layer.
  • the metal Y is a metal other than the metal constituting the component of the protective layer
  • the metal Y with respect to the peak attributed to the metal X A substrate with a reflective layer, wherein the intensity ratio of the peak attributed to metal Y (the intensity of the peak attributed to metal Y/the intensity of the peak attributed to metal X) is 0.0060 or less.
  • the metal Y is at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Cr, Ni, Y, Cu, Mn, Zn, Si, Mg, V, Sn, Mo and Zr, [ 6], the substrate with a reflective layer.
  • the metal Y is at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Cr, Ni, Y, Cu, Mn, Zn, Si, Mg, V, Sn and Zr, [8] The substrate with a reflective layer according to .
  • a reflective mask blank in which an absorption layer for absorbing EUV light is formed on the protective layer of the substrate with a reflective layer according to any one of [6] to [10].
  • the reflective mask blank according to [11] wherein a low reflection layer for inspection light used for mask pattern inspection is formed on the absorption layer.
  • the present invention can provide a reflective mask blank in which the reflective multilayer film has excellent reflectance characteristics, a method for manufacturing the same, and a substrate with a reflective layer for the mask blank.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the substrate with a reflective layer of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the reflective mask blank of the present invention.
  • the method for manufacturing a reflective mask blank of the present embodiment uses, as an ion source, a process gas containing at least one inert gas selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn and N2 , It includes a procedure for forming a reflective multilayer film on a substrate using an ion beam sputtering apparatus that accelerates ions generated by applying a voltage to a grid and causes the ions to collide with a target for sputtering.
  • the ion beam sputtering apparatus described above is used to form a low refractive index layer having a low refractive index for EUV light and a high refractive index layer for EUV light on the substrate.
  • a reflective multi-layer film is formed by alternately laminating high refractive index layers.
  • the inventors of the present application have obtained the following knowledge regarding the occurrence of contamination originating from members surrounding the target in the reflective multilayer film formed on the substrate using the ion beam sputtering apparatus described above.
  • the inventors of the present application have found that the product of the effective area S (cm 2 ) of the grid and the flow rate F (sccm) of the process gas supplied to the ion beam sputtering apparatus during film formation (S ⁇ F ) to a predetermined value or less, the occurrence of contamination in the reflective multilayer film originating from members surrounding the target is suppressed, and the reflectance characteristics of the reflective multilayer film are improved.
  • the inventors have found that the intensity of the peak reflectance of light in the EUV wavelength region on the surface of the reflective multilayer film is improved by the above.
  • the manufacturing method of the reflective mask blank of the present embodiment is based on the product ( S ⁇ F) is 3600 (cm 2 ⁇ sccm) or less.
  • the product (S ⁇ F) of the effective area S of the grid and the flow rate F of the process gas during film formation satisfies the above range, the occurrence of contamination originating from members around the target in the reflective multilayer film is suppressed. This improves the reflectance characteristics of the reflective multilayer film, specifically, improves the in-plane uniformity of the peak reflectance of light in the EUV wavelength region on the surface of the reflective multilayer film.
  • the product (S ⁇ F) of the effective area S (cm 2 ) of the grid and the flow rate F (sccm) of the process gas during film formation is 3000 (cm 2 ). ⁇ sccm) or less, and more preferably 2500 (cm 2 ⁇ sccm) or less.
  • the product (S ⁇ F) of the effective area S (cm 2 ) of the grid and the flow rate F (sccm) of the process gas during film formation is 1000 (cm 2 ). ⁇ sccm) or more, more preferably 1500 (cm 2 ⁇ sccm) or more, and even more preferably 1800 (cm 2 ⁇ sccm) or more. If the product (S ⁇ F) of the effective area S of the grid and the flow rate F of the process gas during film formation is 1000 (cm 2 ⁇ sccm) or more, electrons are generated by gas collision in the ion beam sputtering apparatus. This is excellent in that the ion beam is sufficiently neutralized.
  • the effective area S (cm 2 ) of the grid refers to the area of the portion of the grid provided with the lattice-shaped openings.
  • r is the radius (cm) of the portion of the grid provided with the grid-like openings
  • the nominal diameter (cm) of the portion of the grid provided with the grid-like openings is 1. /2 times.
  • the shape of the part of the grid where the grid-shaped openings are provided is often circular. Among them, the equivalent circle diameter of the portion where the grid-shaped opening is provided is obtained, and r is obtained therefrom.
  • the effective area S of the grid is preferably 200 cm 2 or less.
  • the effective area S of the grid is more preferably 190 cm 2 or less.
  • the effective area S of the grid is preferably 100 cm 2 or more. If the effective area S of the grid is 100 cm 2 or more, the productivity of the reflective mask blank is excellent. More preferably, the effective area S of the grid is 110 cm 2 or more.
  • the flow rate F of the process gas supplied to the ion beam sputtering apparatus during film formation is preferably 18 sccm or less.
  • the flow rate F of the process gas during film formation is preferably 5 sccm or more. If the flow rate F of the process gas during film formation is 5 sccm or more, the discharge stability is excellent.
  • the process gas supplied to the ion beam sputtering apparatus may contain only one of He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn and N2 , Two or more types may be included.
  • the process gas supplied to the ion beam sputtering apparatus preferably contains Ar from the viewpoint of economic efficiency and ease of discharge.
  • ion beam sputtering may be performed by selecting a sputtering target according to the reflective multilayer film to be formed.
  • the reflective multilayer film is a Mo/Si reflective multilayer film
  • a Mo target is used as the target, and at least one selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn and N as the ion source.
  • a process gas containing an inert gas a voltage is applied to the grid to accelerate the ions generated, and the ions are made to collide with a Mo target to perform sputtering, thereby forming a Mo layer as a low refractive index layer.
  • a process gas containing at least one inert gas selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn and N2 as the ion source, and grid A voltage is applied to accelerate the generated ions, the ions are made to collide with the Si target, and sputtering is performed to form a Si layer as a high refractive index layer.
  • This procedure is alternately repeated to form a reflective multilayer film in which Mo layers and Si layers are alternately laminated a predetermined number of times on the substrate.
  • the ion beam sputtering conditions for forming the reflective multilayer film other than the effective area S of the grid and the flow rate F of the process gas during film formation are the reflective multilayer film to be formed. Select accordingly.
  • the beam voltage is preferably 100-1500V, more preferably 150-1200V, even more preferably 200-1000V.
  • the pressure in the chamber is preferably 1.0 Pa or less, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa or less, even more preferably 8.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa or less, particularly 6.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa or less. preferable.
  • an anti-adhesion shield is arranged so as to cover the target in order to prevent foreign matter from adhering to the target.
  • the target and the anti-adhesion shield placed around the target may be rotated, and Al, which is lighter than SUS (stainless steel), may be used in consideration of the load on the servomotor.
  • the sputtering apparatus may be provided with an anti-adhesion plate to prevent deposition of a film in the chamber, but the anti-adhesion plate and the anti-adhesion shield are generally different in material and pretreatment.
  • the constituent material of the anti-adhesion shield is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of Al, Fe, Cr, Ni, Y, Cu, Mn, Zn, Si, Mg, V, Sn, Mo and Zr. It is preferable to contain an element for reasons of workability and material stability during use, and it is more preferable to contain Al.
  • the constituent material of the anti-adhesion shield may contain two or more of the above elements.
  • the procedure for forming the reflective multilayer film on the substrate there is no particular limitation other than the procedure for forming the reflective multilayer film on the substrate.
  • the protective layer is formed using a well-known film forming method such as magnetron sputtering or ion beam sputtering.
  • a Ru layer is formed as a protective layer using the ion beam sputtering apparatus described above, a Ru target is used as the target, and He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn and N are used as the ion source.
  • a process gas containing at least one selected inert gas a voltage is applied to the grid to accelerate generated ions, and the ions are made to collide with a Ru target for sputtering to form a Ru layer. .
  • the effective area of the grid S (cm 2 ), the flow rate F (sccm) of the process gas during film formation, the effective area S (cm 2 ) of the grid and the flow rate F (of the process gas during film formation) sccm) and the product (S ⁇ F) preferably satisfies the conditions described for the reflective multilayer film.
  • the beam voltage and the preferred range of pressure in the chamber are the same as those described for the reflective multilayer film.
  • the absorption layer In the procedure for forming the absorption layer, it is formed using a dry film forming method such as a magnetron sputtering method or a sputtering method such as an ion beam sputtering method.
  • a dry film forming method such as a magnetron sputtering method or a sputtering method such as an ion beam sputtering method.
  • Ta target Sputtering gas Mixed gas of Ar, N2 and H2 (H2 gas concentration 1-30 vol %, N2 gas concentration 5-75 vol%, Ar gas concentration 10-94 vol%, gas pressure 0.5 ⁇ 10 -1 Pa to 1.0 Pa)
  • Input power 300-2000W
  • a dry film-forming method such as magnetron sputtering or ion beam sputtering is used.
  • Ta target Sputtering gas Mixed gas of Ar, O 2 and N 2 (O 2 gas concentration 5-80 vol%, N 2 gas concentration 5-75 vol%, Ar gas concentration 5-90 vol%, gas pressure 1.0 ⁇ 10 -1 Pa to 50 ⁇ 10 -1 Pa)
  • Input power 30 to 1000W
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the substrate with a reflective layer of the present invention.
  • a substrate 1 with a reflective layer shown in FIG. 1 has a reflective layer 12 and a protective layer 13 for the reflective layer 12 formed on a substrate 11 in this order.
  • the reflective layer 12 is a reflective multilayer film formed by alternately stacking low refractive index layers and high refractive index layers multiple times.
  • the substrate with a reflective layer of the present invention is manufactured by the method of manufacturing a reflective mask blank of the present invention.
  • the metal atom having the highest content in the low refractive index layer is the metal X, the metal constituting the substrate 11, the metal constituting the low refractive index layer, and the high refractive index layer.
  • metal Y a metal other than the metal constituting the index layer and the metal constituting the protective layer 13
  • XRF X-ray fluorescence analysis
  • the metal atom having the highest content in the low refractive index layer is the metal X.
  • a molybdenum (Mo) layer is usually used as the low refractive index layer of the reflective multilayer film, and a silicon (Si) layer is usually used as the high refractive index layer. Therefore, the metal atom with the highest content in the high refractive index layer is generally Si.
  • SiO 2 —TiO 2 -based glass is usually used for the substrate and contains Si.
  • Mo is generally the metal atom with the highest content in the low refractive index layer.
  • the substrate underlying the reflective multilayer film generally does not contain Mo. Therefore, when measuring the substrate with the reflective layer by XRF, it is easy to identify the peak attributed to Mo in the reflective multilayer film.
  • any one of these metal atoms is defined as metal X.
  • a metal that constitutes a component of the substrate 11 refers to a metal that is intentionally blended as a component of the substrate 11 .
  • Metals mixed into the substrate 11 as impurities are not included. The same applies to the metal forming the component of the low refractive index layer, the metal forming the component of the high refractive index layer, and the component constituting the protective layer. Therefore, representative examples of the metal Y are metals that form contamination derived from target peripheral members in the reflective multilayer film. , Mo, and Zr.
  • Intensity ratio of the peak attributed to metal Y to the peak attributed to metal X when measuring the substrate with a reflective layer by XRF is 0.0060 or less
  • the amount of metal Y, which forms contamination derived from members surrounding the target in the reflective multilayer film, is extremely small relative to the metal X constituting the low refractive index layer of the reflective multilayer film. Therefore, a decrease in intensity of the peak reflectance of light in the EUV wavelength region on the surface of the reflective multilayer film is suppressed.
  • the intensity ratio of the peak attributed to metal Y to the peak attributed to metal X is preferably 0.0055 or less, and 0.0055 or less. 0050 or less is more preferable.
  • the intensity ratio of the peak attributed to metal Y to the peak attributed to metal X is preferably 0.00001 or more.
  • the peak intensity attributed to metal Y is the maximum value among the peak intensities attributed to these elements.
  • the substrate with a reflective layer of this embodiment will be further described.
  • the substrate 11 satisfies the properties as a substrate for EUV mask blanks. Therefore, the substrate 11 preferably has a low thermal expansion coefficient (specifically, a thermal expansion coefficient of 0 ⁇ 0.05 ⁇ 10 ⁇ 7 /° C. at 20° C., more preferably 0 ⁇ 0.03 ⁇ 10 ⁇ 7 /° C.). ), and is excellent in smoothness, flatness, and resistance to cleaning solutions used for cleaning mask blanks or photomasks after pattern formation.
  • glass having a low coefficient of thermal expansion such as SiO 2 —TiO 2 -based glass, is specifically used.
  • Substrates such as metal can also be used.
  • the substrate 11 preferably has a smooth surface with a surface roughness (rms) of 0.15 nm or less and a flatness of 100 nm or less, because high reflectance and transfer accuracy can be obtained in the photomask after pattern formation.
  • rms surface roughness
  • the size, thickness, etc. of the substrate 11 are appropriately determined according to the design values of the mask. It is preferable that the surface of the substrate 11 on which the reflective multilayer film is formed has no defects. However, even if defects are present, the concave defects and/or the convex defects should not cause topological defects. Specifically, the depth of the concave defect and the height of the convex defect are preferably 2 nm or less, and the half width of these concave and convex defects is preferably 60 nm or less.
  • the half-value width of the concave defect indicates the width of the concave defect at a half depth position.
  • the half-value width of a convex defect refers to the width of the convex defect at a half height position.
  • the reflective multilayer film achieves high EUV light reflectance by alternately laminating high refractive index layers and low refractive index layers multiple times.
  • Si is widely used for high refractive index layers
  • Mo is widely used for low refractive index layers. That is, the Mo/Si reflective multilayer film is the most common.
  • the reflective multilayer film is not particularly limited as long as it has the desired properties as the reflective layer of the reflective mask blank.
  • a property particularly required for the reflective multilayer film is high EUV light reflectance.
  • the peak reflectance of light in the EUV wavelength region that is, the light reflectance in the vicinity of a wavelength of 13.5 nm
  • the maximum value, hereinafter referred to as "EUV light peak reflectance" in the specification of the present application is preferably 60% or more, more preferably 65% or more.
  • the peak reflectance of EUV light is preferably 60% or more, more preferably 65% or more.
  • each layer constituting the reflective multilayer film and the number of layer repeating units can be appropriately selected according to the film material used and the EUV light reflectance required for the reflective layer.
  • the reflective multilayer film has a Mo layer with a thickness of 2.3 nm ⁇ 0.1 nm, A Si layer having a film thickness of 4.5 nm ⁇ 0.1 nm may be laminated so that the number of repeating units is 30 to 60.
  • the uppermost layer of the reflective multilayer film be a layer of a material that is difficult to oxidize.
  • the layer of material resistant to oxidation functions as a cap layer for the reflective multilayer.
  • a specific example of a layer of a material that is resistant to oxidation that functions as a cap layer is a Si layer.
  • the reflective multilayer film is a Mo/Si reflective multilayer film
  • the uppermost layer functions as a cap layer by using a Si layer as the uppermost layer. In that case, the film thickness of the cap layer is preferably 11 ⁇ 2 nm.
  • the protective layer 13 is provided for the purpose of protecting the reflective multilayer film from being damaged by the etching process when patterning the absorbing layer 14 by an etching process, typically a dry etching process. Therefore, as the material for the protective layer, a material is selected which is less affected by the etching process of the absorption layer 14, that is, a material which has a lower etching rate than the absorption layer 14 and which is less likely to be damaged by this etching process. In order to satisfy the above characteristics, the protective layer 13 preferably contains Ru.
  • the film thickness of the protective layer 13 is preferably 1 to 60 nm, more preferably 1 to 40 nm.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the reflective mask blank of the present invention.
  • a reflective mask blank 10 shown in FIG. 2 has a reflective layer 12, a protective layer 13, and an absorbing layer 14 formed on a substrate 11 in this order.
  • a reflective mask blank 10 shown in FIG. 2 is formed by forming an absorption layer 14 on a protective layer 13 of a substrate 1 with a reflective layer shown in FIG.
  • a characteristic particularly required for the absorption layer 14 is an extremely low EUV light reflectance.
  • the peak reflectance of EUV light when the surface of the absorption layer 14 is irradiated with rays in the wavelength range of EUV light is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, and particularly preferably 1% or less.
  • the absorption layer 14 is made of a material with a high absorption coefficient for EUV light.
  • a material containing tantalum (Ta) as a main component is preferable as a material having a high absorption coefficient of EUV light.
  • a material containing tantalum (Ta) as a main component means a material containing 20 atomic % or more of Ta.
  • Materials containing Ta as a main component used for the absorption layer 14 include, in addition to Ta, hafnium (Hf), Si, zirconium (Zr), germanium (Ge), boron (B), palladium (Pd), tin (Sn), and chromium.
  • materials containing the above elements other than Ta include TaN, TaNH, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN, TaPd, TaSn, and TaPdN. , TaSn, TaCr, TaMn, TaFe, TaCo, TaAg, TaCd, TaIn, TaSb, TaW and the like.
  • the film thickness of the absorption layer 14 is preferably 20-90 nm.
  • a low reflection layer for inspection light used for inspection of the mask pattern may be formed on the absorption layer 14 .
  • the low-reflection layer is composed of a film that has low reflection in the inspection light used for mask pattern inspection.
  • a reflective mask After forming a pattern in the absorbing layer, it is inspected whether the pattern is formed as designed.
  • an inspection machine that uses light of about 257 nm as inspection light is used. That is, the difference in reflectance of light of about 257 nm, specifically, the difference in reflectance between the surface exposed by removing the absorption layer by pattern formation and the surface of the absorption layer left without being removed by pattern formation. inspected by Here, the former is the protective layer surface. Therefore, if the difference in reflectance with respect to the wavelength of the inspection light between the surface of the protective layer and the surface of the absorption layer is small, the contrast at the time of inspection deteriorates, making accurate inspection impossible. When the difference in reflectance between the protective layer surface and the absorption layer surface with respect to the wavelength of the inspection light is small, the formation of the low-reflection layer improves the contrast during inspection.
  • the low-reflection layer When the low-reflection layer is formed on the absorption layer, the low-reflection layer has a maximum reflectance of 15% or less for the wavelength of the inspection light when the low-reflection layer surface is irradiated with light rays in the wavelength region of the inspection light. is preferred, 10% or less is more preferred, and 5% or less is even more preferred.
  • the low-reflection layer is preferably made of a material having a lower refractive index for the wavelength of the inspection light than that of the absorption layer.
  • a low-reflection layer that satisfies this property contains at least one selected from the group consisting of Ta, Pd, Cr, Si, and Hf and at least one selected from the group consisting of oxygen (O) and N. be.
  • Preferred examples of such a low-reflection layer include a TaPdO layer, TaPdON layer, TaON layer, CrO layer, CrON layer, SiON layer, SiN layer, HfO layer, and HfON layer.
  • the reflective mask blank 10 of the present embodiment includes functional films known in the field of reflective mask blanks, in addition to the reflective multilayer film, the protective layer 13, the absorbing layer 14, and the low-reflection layer formed as necessary. may have.
  • a functional film for example, as described in Japanese Patent Publication No. 2003-501823, it is applied to the back side of the substrate in order to promote electrostatic chucking of the substrate. High dielectric coatings are included.
  • the reflective mask of the present embodiment is obtained by patterning at least the absorption layer (the absorption layer and the low-reflection layer when the low-reflection layer is formed on the absorption layer) of the reflective mask blank of the present embodiment. be done.
  • Example 1 to 4 are examples, and Example 4 is a comparative example.
  • Example 1 a substrate 1 with a reflective layer shown in FIG. 1 was produced.
  • a substrate 11 for film formation a SiO 2 —TiO 2 -based glass substrate (external size: 6 inches (152 mm) square, thickness: 6.3 mm) was used.
  • the thermal expansion coefficient of this glass substrate at 20° C. was 0.02 ⁇ 10 ⁇ 7 /° C.
  • Young's modulus was 67 GPa
  • Poisson's ratio was 0.17
  • specific rigidity was 3.07 ⁇ 10 7 m 2 /s 2 .
  • This glass substrate was polished to form a smooth surface with a surface roughness (rms) of 0.15 nm or less and a flatness of 100 nm or less.
  • a high dielectric coating with a sheet resistance of 100 ⁇ / ⁇ was applied to the rear surface of the substrate 11 by depositing a Cr film with a thickness of 100 nm using a magnetron sputtering method.
  • a substrate 11 (outer shape: 6 inches (152 mm) square, thickness: 6.3 mm) was fixed to a flat plate-shaped ordinary electrostatic chuck via a formed Cr film, and ion beam sputtering was performed on the surface of the substrate 11.
  • a Mo/Si reflective multilayer film with a total film thickness of 272 nm ((2.3 nm + 4.5 nm) x 40) was formed as the reflective layer 12 by repeating 40 cycles of alternately forming a Mo film and a Si film using the method. formed.
  • a Ru layer with a film thickness of 2.5 nm was formed as a protective layer 13 on the Mo/Si reflective multilayer film using an ion beam sputtering method.
  • an anti-adhesion shield made of Al is arranged to cover the target. A portion of the grid where the grid-like openings are provided is circular.
  • an anti-adhesion shield an anti-adhesion shield whose outermost surface was thermally sprayed with Al was used.
  • Ar gas was used as the process gas.
  • the following table shows the product (F ⁇ S) of the radius r of the portion where the grid-like openings are provided, the effective area S of the grid, and the effective area S of the grid and the flow rate F of Ar of the process gas during film formation. Street.
  • the beam voltage was 600 V and the pressure inside the chamber was 2.7 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa.
  • the metal X with the highest content in the low refractive index layer is Mo.
  • the metal Y other than the metal constituting the substrate 11, the metal constituting the low refractive index layer, the metal constituting the high refractive index layer, and the metal constituting the protective layer 13 is Al. Therefore, the obtained substrate with a reflective layer was measured by XRF, and the intensity ratio of the peak attributed to Al to the peak attributed to Mo (intensity of the peak attributed to Al/intensity of the peak attributed to Mo ). Peak intensities were calculated using background-subtracted net intensities.
  • the XRF measurement conditions are as follows.
  • X-ray source target tube Rh Excitation voltage/X-ray power: 3 kW
  • Type of analyzing crystal Al PETH (pentaerythritol) Mo:LiF(200) Degree of vacuum: 7 Pa The results are shown in the table below.
  • the surface of the Ru layer was irradiated with EUV light at an incident angle of 6 degrees.
  • the reflected light in the EUV wavelength range at this time is measured using an EUV reflectometer, the minimum value of the in-plane distribution of the peak reflectance in the same wavelength range is obtained, and the surface of the peak reflectance in the same wavelength range in Example 1
  • the increase/decrease rate of the peak reflectance was calculated based on the minimum value of the inner distribution. When the increase/decrease rate of the peak reflectance is a positive value, it represents the increase rate of the peak reflectance, and when it is a negative value, it represents the decrease rate of the peak reflectance.
  • the rate of change in the peak reflectance of EUV light was evaluated according to the following criteria.
  • Increase/decrease rate (%) of the peak reflectance of light in the EUV wavelength region is greater than 0.20%.
  • Increase/decrease rate (%) of peak reflectance of light in the EUV wavelength region is less than 0% (decrease rate (%) is more than 0%)
  • the substrate with the reflective layer is measured by XRF, and the intensity ratio of the peak attributed to Al to the peak attributed to Mo (intensity of the peak attributed to Al/intensity of the peak attributed to Mo) is obtained.
  • the surface of the Ru layer was irradiated with EUV light at an incident angle of 6 degrees.
  • the reflected light in the EUV wavelength range at this time is measured using an EUV reflectometer, the minimum value of the in-plane distribution of the peak reflectance in the same wavelength range is obtained, and the surface of the peak reflectance in the same wavelength range in Example 1
  • the increase/decrease rate of the peak reflectance was calculated based on the minimum value of the inner distribution.
  • Example 5 A substrate with a reflective layer was produced in the same manner as in Example 1, except that an anti-adhesion shield whose outermost surface was thermally sprayed with Y 2 O 3 (yttrium oxide) was used.
  • Y 2 O 3 yttrium oxide
  • the substrate with the reflective layer is measured by XRF, and the intensity ratio of the peak attributed to Al to the peak attributed to Mo (intensity of the peak attributed to Al/intensity of the peak attributed to Mo) is obtained.
  • rice field Further, under the following conditions, the substrate with a reflective layer was measured by XRF, and the intensity ratio of the peak attributed to Y (yttrium) to the peak attributed to Mo (intensity of the peak attributed to Y (yttrium)/Mo attributed peak intensity) was determined. The peak intensity was calculated using the net intensity from which the background was subtracted.
  • X-ray source target tube Rh Excitation voltage/X-ray power: 3 kW
  • Type of analyzing crystal Y PET (pentaerythritol) Mo:LiF(200) Degree of vacuum: 7 Pa
  • the surface of the Ru layer was irradiated with EUV light at an incident angle of 6 degrees.
  • the reflected light in the EUV wavelength range at this time is measured using an EUV reflectometer, the minimum value of the in-plane distribution of the peak reflectance in the same wavelength range is obtained, and the surface of the peak reflectance in the same wavelength range in Example 1
  • the increase/decrease rate of the peak reflectance was calculated based on the minimum value of the inner distribution.
  • the intensity of the peak attributed to Al/the intensity of the peak attributed to Mo was 0.0060 or less, and the evaluation of the increase/decrease rate of the peak reflectance was 0 or more. Therefore, there was no decrease in peak reflectance.
  • Example 5 in which the product (F ⁇ S) of the effective area S of the grid and the flow rate F of Ar of the process gas during film formation is 3600 (cm 2 ⁇ sccm) or less, is the substrate with a reflective layer formed ( The intensity of the peak attributed to Y/the intensity of the peak attributed to Mo) was 0.0060 or less, and the evaluation of the increase/decrease rate of the peak reflectance was ⁇ . Therefore, there was no decrease in peak reflectance. Examples 2 and 3, in which the product (F ⁇ S) of the effective area S of the grid and the flow rate F of Ar in the process gas during film formation is 2500 (cm 2 ⁇ sccm) or less, have a reflective multilayer film formed.
  • Example 4 Intensity of peak attributed to Al/Intensity of peak attributed to Mo was 0.0050 or less.
  • the formed substrate with a reflective layer is ( The intensity of the peak attributed to Al/the intensity of the peak attributed to Mo) exceeded 0.0060, the peak reflectance of EUV light decreased, and the rate of increase/decrease was evaluated as x.
  • Substrate with reflective layer 10 Reflective mask blank 11: Substrate 12: Reflective layer 13: Protective layer 14: Absorbing layer

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Abstract

本発明は、特定の不活性ガスを含むプロセスガスを使用し、グリッドに電圧を印加して発生したイオンを加速し、該イオンをターゲットに衝突させてスパッタを行うイオンビームスパッタリング装置を用いて基板上に反射多層膜を形成する手順を含む、反射型マスクブランクの製造方法であって、グリッドの有効面積（ｃｍ２）と、成膜時のイオンビームスパッタリング装置に供給されるプロセスガスの流量（ｓｃｃｍ）との積が、３６００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下である反射型マスクブランクの製造方法に関する。

Description

反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付き基板
　本発明は、反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付き基板に関する。
　近年、半導体デバイスを構成する集積回路の微細化に伴い、可視光や紫外光（波長１９３～３６５ｎｍ）またはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等を用いた従来の露光技術に代わる露光方法として、極端紫外光（Ｅｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）リソグラフィが検討されている。
　ＥＵＶリソグラフィでは、露光に用いる光源として、ＡｒＦエキシマレーザ光よりも短波長のＥＵＶ光が用いられる。なお、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光をいい、具体的には、波長が０．２～１００ｎｍ程度の光である。ＥＵＶ光としては、例えば、波長が１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光が使用される。
　ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収され易いため、従来の露光技術で用いられていた屈折光学系を使用できない。そのため、ＥＵＶリソグラフィでは、反射型マスクやミラー等の反射光学系が用いられる。ＥＵＶリソグラフィにおいては、反射型マスクが転写用マスクとして用いられる。
　マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。反射型マスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる高屈折率層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた反射多層膜が通常用いられる。反射多層膜の低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）層が、高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）層が通常用いられる。
　吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
　反射型マスクブランクの製造時において、反射多層膜、および、吸収層の成膜には、スパッタリング法が均質な膜厚を作製し易い点、タクトが短い点、膜厚制御がしやすい点等の理由から好ましく用いられる。ここで、反射多層膜を構成する高屈折率層および低屈折率層の形成には、イオンビームスパッタリング法が好ましく用いられる（特許文献１）。　　　
　スパッタリング法は、荷電粒子によりスパッタリングターゲット表面に衝撃を与え、ターゲットからスパッタ粒子を叩き出し、ターゲットと対向させて配置した基板上にスパッタ粒子を堆積させて薄膜を形成する成膜法である。
　イオンビームスパッタリング法の場合、装置内を高真空に排気後、スパッタ用ガスをイオン源に導入し、イオン源内のフィラメントから発生した熱電子が、導入したガスと衝突することによってイオン化されプラズマを発生させる。このプラズマをグリッド電極に電界を印加することによってイオンビームとして引き出して加速し、ターゲットに衝突させてスパッタを行う。
日本国特開２００４－２４６３６６号公報
　イオンビームスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と違い、引き出したイオンビームが一定の拡散角をもって直進する。そのため、ターゲット以外の周辺部材にもイオンビームが衝突する問題がある。
　イオンビームが衝突することで、ターゲット周辺部材、例えば防着シールドのスパッタが進行し、スパッタ粒子を発生させる。ターゲット周辺部材で発生したスパッタ粒子が形成する薄膜に混入すると、形成する薄膜にコンタミ（以下、本願明細書において、「ターゲット周辺部材由来のコンタミ」という場合がある。）を生じさせる。
　反射多層膜を構成する高屈折率層および低屈折率層にターゲット周辺部材由来のコンタミが生じるとこれらの層の屈折率が変化する。これにより、反射率が低下するおそれがある。この場合、コンタミが生じた部位は、反射多層膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が局所的に低くなる。その結果、反射多層膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の強度低下が生じる。
　反射多層膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の強度低下が生じると、反射型マスクブランクから作製した反射型マスクを用いてＥＵＶリソグラフィを実施した際に、ウェハ上レジストへ照射されるＥＵＶ露光量の不足が生じるおそれがある。このことは、露光フィールド内におけるパターニングが不十分となり、高精度のパターニングを阻害する要因となる。
　本発明は、反射多層膜の反射率特性に優れた反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付き基板の提供を課題とする。
　本願発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
　［１］　イオン源として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＲｎおよびＮ２から選択される少なくとも１種の不活性ガスを含むプロセスガスを使用し、グリッドに電圧を印加して発生したイオンを加速し、該イオンをターゲットに衝突させてスパッタを行うイオンビームスパッタリング装置を用いて基板上に反射多層膜を形成する手順を含む、反射型マスクブランクの製造方法であって、
　上記グリッドの有効面積（ｃｍ２）と、成膜時の上記イオンビームスパッタリング装置に供給される上記プロセスガスの流量（ｓｃｃｍ）との積が、３６００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下であることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
　［２］　上記イオンビームスパッタリング装置において、上記ターゲットを覆うように防着シールドが配置されている、［１］に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
　［３］　上記防着シールドの構成材料が、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、Ｓｎ、ＭｏおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む、［２］に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
　［４］　上記グリッドの有効面積（ｃｍ２）と、成膜時の上記イオンビームスパッタリング装置に供給される上記プロセスガスの流量（ｓｃｃｍ）との積が、１０００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以上である、［１］～［３］のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
　［５］　上記プロセスガスがＡｒを含む、［１］～［４］のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
　［６］　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層の保護層とがこの順に形成された反射層付き基板であって、
　上記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる反射多層膜であり、
　上記低屈折率層中の最も含有量が多い金属原子を金属Ｘとし、上記基板の構成成分をなす金属、上記低屈折率層の構成成分をなす金属、上記高屈折率層の構成成分をなす金属、上記保護層の構成成分をなす金属以外の金属を金属Ｙとするとき、上記反射層付き基板を蛍光Ｘ線分析により測定した際に、上記金属Ｘに帰属されるピークに対する上記金属Ｙに帰属されるピークの強度比（金属Ｙに帰属されるピークの強度／金属Ｘに帰属されるピークの強度）が０．００６０以下である、反射層付き基板。
　［７］　上記金属ＹがＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、Ｓｎ、ＭｏおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素である、［６］に記載の反射層付き基板。
　［８］　上記低屈折率層がＭｏを含む、［６］または［７］に記載の反射層付き基板。
　［９］　前記金属ＹがＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、ＳｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素である、［８］に記載の反射層付き基板。
　［１０］　上記高屈折率層がＳｉを含む、［６］～［９］のいずれかに記載の反射層付き基板。
　［１１］　［６］～［１０］のいずれかに記載の反射層付き基板の上記保護層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成してなる反射型マスクブランク。
　［１２］　上記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成された、［１１］に記載の反射型マスクブランク。
　［１３］　［１１］または［１２］に記載の反射型マスクブランクをパターニングした反射型マスク。
　本発明は、反射多層膜の反射率特性に優れた反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付き基板を提供できる。
図１は、本発明の反射層付き基板の一実施形態を示す概略断面図である。 図２は、本発明の反射型マスクブランクの一実施形態を示す概略断面図である。
　以下、本発明の実施形態について説明する。
　まず初めに、本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法について記載する。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法は、イオン源として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＲｎおよびＮ２から選択される少なくとも１種の不活性ガスを含むプロセスガスを使用し、グリッドに電圧を印加して発生したイオンを加速し、該イオンをターゲットに衝突させてスパッタを行うイオンビームスパッタリング装置を用いて基板上に反射多層膜を形成する手順を含む。
　基板上に反射多層膜を形成する手順では、上記したイオンビームスパッタリング装置を用いて、基板上に、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる高屈折率層とを交互に積層して反射多層膜を形成する。
　本願発明者らは、上記したイオンビームスパッタリング装置を用いて基板上に形成される反射多層膜におけるターゲット周辺部材由来のコンタミの発生について以下の知見を得た。
（１）成膜時のイオンビームスパッタリング装置に供給されるプロセスガスの流量Ｆを減らすと、形成される反射多層膜中のターゲット周辺部材由来のコンタミが少なくなった。これは、成膜時のプロセスガスの流量が減少することにより、イオンビームの平均自由工程が伸び、防着シールド等のターゲット周辺部材への衝突によるターゲット周辺部材のスパッタが起こりにくくなったことが原因と推測される。
（２）グリッドの有効面積Ｓが小さくなると、形成される反射多層膜中のターゲット周辺部材由来のコンタミが少なくなった。これは、イオンビームを引き出すグリッドの有効面積が小さくなったため、同じ拡散角だったとしても、イオンビームがターゲットを配置した部位に到達した際の照射径が小さくなるため、ターゲット周辺部材へのイオンビームの衝突が起こりにくくなったためと推測される。
　上記の知見に基づき、本願発明者らは、グリッドの有効面積Ｓ（ｃｍ２）と、成膜時のイオンビームスパッタリング装置に供給されるプロセスガスの流量Ｆ（ｓｃｃｍ）との積（Ｓ×Ｆ）を所定の数値以下とすることにより、反射多層膜におけるターゲット周辺部材由来のコンタミの発生が抑制され、反射多層膜の反射率特性が良好になることを見出した。具体的には、上記により、反射多層膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の強度が向上することを見出した。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法は、グリッドの有効面積Ｓ（ｃｍ２）と、成膜時のイオンビームスパッタリング装置に供給されるプロセスガスの流量Ｆ（ｓｃｃｍ）との積（Ｓ×Ｆ）が、３６００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下である。グリッドの有効面積Ｓと成膜時のプロセスガスの流量Ｆとの積（Ｓ×Ｆ）が上記範囲を満たすことにより、反射多層膜におけるターゲット周辺部材由来のコンタミの発生が抑制される。これにより、反射多層膜の反射率特性が良好になる、具体的には、反射多層膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性が向上する。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法において、グリッドの有効面積Ｓ（ｃｍ２）と、成膜時のプロセスガスの流量Ｆ（ｓｃｃｍ）との積（Ｓ×Ｆ）が、３０００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下が好ましく、２５００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下がより好ましい。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法において、グリッドの有効面積Ｓ（ｃｍ２）と、成膜時のプロセスガスの流量Ｆ（ｓｃｃｍ）との積（Ｓ×Ｆ）が、１０００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以上が好ましく、１５００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以上がより好ましく、１８００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以上がさらに好ましい。グリッドの有効面積Ｓと成膜時のプロセスガスの流量Ｆとの積（Ｓ×Ｆ）が１０００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以上であれば、イオンビームスパッタリング装置内でのガスの衝突による電子の生成とそれによるイオンビームの中和が十分に行われる点で優れている。
　本願明細書において、グリッドの有効面積Ｓ（ｃｍ２）とは、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の面積を指す。グリッドの有効面積Ｓは、下記式を用いて算出する。
　Ｓ＝π×ｒ２（ｃｍ２）
　上記式中、ｒはグリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の半径（ｃｍ）であり、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の公称直径（ｃｍ）を１／２倍して求める。グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の形状は円形であることが多いが、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の形状が円形以外の場合は、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の円相当径を求め、そこからｒを求める。
　グリッドの有効面積Ｓは、２００ｃｍ２以下が好ましい。グリッドの有効面積Ｓが２００ｃｍ２以下であると、同じ拡散角だったとしても、イオンビームがターゲットを配置した部位に到達した際の照射径が小さくなるため、ターゲット周辺部材へのイオンビームの衝突が起こりにくくなる。そのため、反射多層膜におけるターゲット周辺部材由来のコンタミの発生の抑制という点で優れている。グリッドの有効面積Ｓは、１９０ｃｍ２以下がより好ましい。
　グリッドの有効面積Ｓは、１００ｃｍ２以上が好ましい。グリッドの有効面積Ｓが１００ｃｍ２以上であれば、反射型マスクブランクの生産性の点で優れている。グリッドの有効面積Ｓは、１１０ｃｍ２以上がより好ましい。
　成膜時にイオンビームスパッタリング装置に供給されるプロセスガスの流量Ｆは、１８ｓｃｃｍ以下が好ましい。成膜時のプロセスガスの流量Ｆが１８ｓｃｃｍ以下であると、イオンビームの平均自由工程が伸び、ターゲット周辺部材への衝突によるターゲット周辺部材のスパッタが起こりにくくなる。そのため、反射多層膜におけるターゲット周辺部材由来のコンタミの発生の抑制という点で優れている。
　成膜時のプロセスガスの流量Ｆは、５ｓｃｃｍ以上が好ましい。成膜時のプロセスガスの流量Ｆが５ｓｃｃｍ以上であれば、放電安定性の点で優れている。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法において、イオンビームスパッタリング装置に供給されるプロセスガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＲｎおよびＮ２のうち、１種のみを含んでもよく、２種以上を含んでもよい。
　イオンビームスパッタリング装置に供給されるプロセスガスは、Ａｒを含むことが経済性および放電のしやすさの点から好ましい。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法において、形成する反射多層膜に応じて、スパッタリングターゲットを選択して、イオンビームスパッタリングを実施すればよい。
　例えば、反射多層膜が、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜の場合、ターゲットとして、Ｍｏターゲットを使用し、イオン源として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＲｎおよびＮ２から選択される少なくとも１種の不活性ガスを含むプロセスガスを使用し、グリッドに電圧を印加して発生したイオンを加速し、該イオンをＭｏターゲットに衝突させてスパッタを行い、低屈折率層としてＭｏ層を形成する。
　次に、ターゲットとして、Ｓｉターゲットを使用し、イオン源として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＲｎおよびＮ２から選択される少なくとも１種の不活性ガスを含むプロセスガスを使用し、グリッドに電圧を印加して発生したイオンを加速し、該イオンをＳｉターゲットに衝突させてスパッタを行い、高屈折率層としてＳｉ層を形成する。この手順を交互に繰り返して、基板上に、Ｍｏ層およびＳｉ層が交互に所定回数積層した反射多層膜を形成する。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法において、グリッドの有効面積Ｓおよび成膜時のプロセスガスの流量Ｆ以外の、反射多層膜の形成時におけるイオンビームスパッタリングの条件は、形成する反射多層膜に応じて適宜選択する。
　反射多層膜が、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜の場合、ビーム電圧は１００～１５００Ｖが好ましく、１５０～１２００Ｖがより好ましく、２００～１０００Ｖがさらに好ましい。チャンバ内の圧力は、１．０Ｐａ以下が好ましく、１．０×１０－１Ｐａ以下がより好ましく、８．０×１０－２Ｐａ以下がさらに好ましく、６．０×１０－２Ｐａ以下が特に好ましい。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法に用いるイオンビームスパッタリング装置はターゲットを覆うように防着シールドが配置されていることが、ターゲットへの異物の付着を防止するため好ましい。ターゲットやターゲット周辺に配置される防着シールド等は回転させる場合があり、サーボモーターへの負荷を考慮しＳＵＳ（ステンレススチール）よりも軽量なＡｌを使用する場合がある。そのため、スパッタ装置にはチャンバー内の着膜防止の為に防着板を設ける場合があるが、防着板と防着シールドとは材質や事前処理が一般的に異なる。
　防着シールドの構成材料は特に限定されないが、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、Ｓｎ、ＭｏおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことが、加工性、および使用時の材料安定性の理由から好ましく、Ａｌを含むことがより好ましい。防着シールドの構成材料は、上記の元素を２種以上含んでいてもよい。
　本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法において、基板上に反射多層膜を形成する手順以外は特に限定されない。例えば、以下の手順を実施する。
・反射多層膜上に、反射多層膜の保護層を形成する手順
・保護層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する手順
　反射型マスクブランクが、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層を有する場合、さらに、以下の手順を実施する。
・吸収層上に低反射層を形成する手順
　保護層を形成する手順では、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の周知の成膜法を用いて保護層を形成する。例えば上記したイオンビームスパッタリング装置を使用して、保護層としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｕターゲットを使用し、イオン源として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＲｎおよびＮ２から選択される少なくとも１種の不活性ガスを含むプロセスガスを使用し、グリッドに電圧を印加して発生したイオンを加速し、該イオンをＲｕターゲットに衝突させてスパッタを行い、Ｒｕ層を形成する。
　イオンビームスパッタリングの実施時、グリッドの有効面積Ｓ（ｃｍ２）、成膜時のプロセスガスの流量Ｆ（ｓｃｃｍ）、グリッドの有効面積Ｓ（ｃｍ２）と成膜時のプロセスガスの流量Ｆ（ｓｃｃｍ）との積（Ｓ×Ｆ）が、反射多層膜について記載した条件を満たすことが好ましい。
　また、ビーム電圧、およびチャンバ内の圧力の好適範囲は、反射多層膜について記載したのと同様である。
　吸収層を形成する手順では、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法等の乾式成膜法を用いて形成する。
　例えば、吸収層として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮＨ層を形成する場合、以下の条件で形成する。
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２とＨ２の混合ガス（Ｈ２ガス濃度１～３０ｖｏｌ％、Ｎ２ガス濃度５～７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度１０～９４ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０－１Ｐａ～１．０Ｐａ）
投入電力：３００～２０００Ｗ
　低反射層を形成する手順では、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法等の乾式成膜法を用いて形成する。
　例えば、低反射層として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＯＮ層を形成する場合、以下の条件で形成する。
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度５～８０ｖｏｌ％、Ｎ２ガス濃度５～７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度５～９０ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０－１Ｐａ～５０×１０－１Ｐａ）
投入電力：３０～１０００Ｗ
　次に、本実施形態の反射層付き基板について記載する。反射層付き基板は、反射型マスクブランクの前駆体として用いられる。
　図１は、本発明の反射層付き基板の一実施形態を示す概略断面図である。図１に示す反射層付き基板１は、基板１１上に、反射層１２と、該反射層１２の保護層１３とがこの順に形成されている。反射層１２は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる反射多層膜である。
　本発明の反射層付き基板は、本発明の反射型マスクブランクの製造方法により製造される。
　本実施形態の反射層付き基板は、低屈折率層中の最も含有量が多い金属原子を金属Ｘとし、基板１１の構成成分をなす金属、低屈折率層の構成成分をなす金属、高屈折率層の構成成分をなす金属、保護層１３の構成成分をなす金属以外の金属を金属Ｙとするとき、反射層付き基板を蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）により測定した際に、金属Ｘに帰属されるピークに対する金属Ｙに帰属されるピークの強度比（金属Ｙに帰属されるピークの強度／金属Ｘに帰属されるピークの強度）が０．００６０以下である。
　低屈折率層中の最も含有量が多い金属原子を金属Ｘとする理由を以下に記載する。
　反射多層膜の低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）層が、高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）層が通常用いられる。そのため、高屈折率層中の最も含有量が多い金属原子はＳｉが一般的である。一方、基板には、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラスが通常用いられ、Ｓｉを含む。ＸＲＦにより反射層付き基板を測定した際に、反射多層膜の下地の基板のＳｉが検出され、反射多層膜中のＳｉに帰属されるピークを特定するのが困難な場合がある。
　これに対し、低屈折率層中の最も含有量が多い金属原子はＭｏが一般的である。反射多層膜の下地の基板は、通常Ｍｏを含まない。そのため、ＸＲＦにより反射層付き基板を測定した際に、反射多層膜中のＭｏに帰属されるピークを特定するのが容易である。
　低屈折率層中の最も含有量が多い金属原子が２種以上ある場合、それらのうち、いずれか１種の金属原子を金属Ｘとする。
　本願明細書において、基板１１の構成成分をなす金属とは、基板１１の構成成分として、意図的に配合する金属を指す。不純物として基板１１に混入する金属は含まない。低屈折率層の構成成分をなす金属、高屈折率層の構成成分をなす金属、および保護層の構成成分についても同様である。したがって、金属Ｙの代表例は、反射多層膜におけるターゲット周辺部材由来のコンタミをなす金属であり、例えば、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｚｒである。
　反射層付き基板をＸＲＦにより測定した際の金属Ｘに帰属されるピークに対する金属Ｙに帰属されるピークの強度比（金属Ｙに帰属されるピークの強度／金属Ｘに帰属されるピークの強度）が０．００６０以下であれば、反射多層膜の低屈折率層を構成する金属Ｘに対し、反射多層膜におけるターゲット周辺部材由来のコンタミをなす金属Ｙがきわめて少ない。そのため、反射多層膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の強度低下が抑制される。
　金属Ｘに帰属されるピークに対する金属Ｙに帰属されるピークの強度比（金属Ｙに帰属されるピークの強度／金属Ｘに帰属されるピークの強度）は、０．００５５以下が好ましく、０．００５０以下がより好ましい。金属Ｘに帰属されるピークに対する金属Ｙに帰属されるピークの強度比（金属Ｙに帰属されるピークの強度／金属Ｘに帰属されるピークの強度）は、０．００００１以上が好ましい。
　金属Ｙとして、２種以上の元素が検出された場合、これらの元素に帰属されるピークの強度のうち最大値を金属Ｙに帰属されるピークの強度とする。
　本実施形態の反射層付き基板についてさらに記載する。
　基板１１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たす。そのため、基板１１は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０－７／℃が好ましく、より好ましくは０±０．０３×１０－７／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れる。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属等の基板も使用できる。
　基板１１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有すると、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるため好ましい。
　基板１１の大きさや厚さ等はマスクの設計値等により適宜決定される。
　基板１１の反射多層膜が形成される側の表面に欠点が存在しないのが好ましい。しかし、欠点が存在していても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じなければよい。具体的には、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅は６０ｎｍ以下が好ましい。凹状欠点の半値幅とは、凹状欠点の深さの１／２深さ位置での幅を指す。凸状欠点の半値幅とは、凸状欠点の高さの１／２高さ位置での幅を指す。
　反射多層膜は、高屈折率層と低屈折率層を交互に複数回積層させることにより、高ＥＵＶ光線反射率を達成する。反射多層膜において、高屈折率層には、Ｓｉが広く使用され、低屈折率層にはＭｏが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜が最も一般的である。
　反射多層膜は、反射型マスクブランクの反射層として所望の特性を有する限り特に限定されない。ここで、反射多層膜に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を入射角６度で反射多層膜表面に照射した際に、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率（すなわち、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の極大値。以下、本願明細書において、「ＥＵＶ光のピーク反射率」という。）は６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。また、反射多層膜の上に保護層１３を設けた状態でも、ＥＵＶ光のピーク反射率は６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。
　反射多層膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射多層膜とするには、反射多層膜は膜厚２．３ｎｍ±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５ｎｍ±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０～６０になるように積層させればよい。
　反射多層膜表面の酸化を防止するため、反射多層膜の最上層は酸化されにくい材料の層とするのが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射多層膜のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層がある。反射多層膜がＭｏ／Ｓｉ反射多層膜である場合、最上層をＳｉ層とすることにより、該最上層がキャップ層として機能する。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍが好ましい。
（保護層）
　保護層１３は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収層１４にパターン形成する際に、反射多層膜がエッチングプロセスによりダメージを受けないよう、反射多層膜の保護を目的として設けられる。したがって、保護層の材質としては、吸収層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。上記の特性を満たすため、保護層１３は、Ｒｕを含むことが好ましい。
　保護層１３の膜厚は、１～６０ｎｍが好ましく、１～４０ｎｍがより好ましい。
　次に、本実施形態の反射型マスクブランクについて記載する。
　図２は、本発明の反射型マスクブランクの一実施形態を示す概略断面図である。図２に示す反射型マスクブランク１０は、基板１１上に、反射層１２と、保護層１３と、吸収層１４とがこの順に形成されている。図２に示す反射型マスクブランク１０は、図１に示す反射層付き基板１の保護層１３上に吸収層１４を形成してなる。
　吸収層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層１４表面に照射した際の、ＥＵＶ光のピーク反射率は５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、１％以下が特に好ましい。
　上記の特性を達成するため、吸収層１４は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成される。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が好ましい。本願明細書において、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料と言った場合、当該材料中Ｔａを２０ａｔ％以上含有する材料を意味する。
　吸収層１４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、Ｓｉ、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、錫（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、Ｍｏ、Ｒｕ、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、Ａｌ、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含むことが好ましい。Ｔａ以外の上記の元素を含む材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＳｎ、ＴａＰｄＮ、ＴａＳｎ、ＴａＣｒ、ＴａＭｎ、ＴａＦｅ、ＴａＣｏ、ＴａＡｇ、ＴａＣｄ、ＴａＩｎ、ＴａＳｂ、ＴａＷ等が挙げられる。
　吸収層１４の膜厚は、２０～９０ｎｍが好ましい。
　さらに、本実施形態の反射型マスクブランクでは、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されていてもよい。
　低反射層はマスクパターンの検査に使用する検査光において、低反射となるような膜で構成される。反射型マスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。
　このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層表面との反射率の差によって検査される。ここで、前者は保護層表面である。したがって、検査光の波長に対する保護層表面と、吸収層表面と、の反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査ができないことになる。検査光の波長に対する保護層表面と、吸収層表面と、の反射率の差が小さい場合は、低反射層の形成により、検査時のコントラストが良好となる。
　吸収層上に低反射層を形成する場合、低反射層は、検査光の波長領域の光線を低反射層表面に照射した際における該検査光の波長の最大反射率が、１５％以下であることが好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
　低反射層は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層よりも低い材料で構成されることが好ましい。
　この特性を満たす低反射層としては、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｈｆからなる群から選ばれる少なくとも一つと、酸素（Ｏ）およびＮからなる群から選ばれる少なくとも一つと、を含有するものがある。このような低反射層の好適例としては、ＴａＰｄＯ層、ＴａＰｄＯＮ層、ＴａＯＮ層、ＣｒＯ層、ＣｒＯＮ層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層、ＨｆＯ層、ＨｆＯＮ層が挙げられる。
　本実施形態の反射型マスクブランク１０は、反射多層膜、保護層１３、吸収層１４、および、必要に応じて形成される低反射層以外に、反射型マスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、日本国特表２００３－５０１８２３号公報に記載されているもののように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される高誘電性コーティングが挙げられる。
　本実施形態の反射型マスクブランクの吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）を少なくともパターニングすることで、本実施形態の反射型マスクが得られる。
　以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。例１～例４のうち、例１～例３が実施例であり、例４が比較例である。
（例１）
　例１では、図１に示す反射層付き基板１を作製した。
　成膜用の基板１１として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の２０℃における熱膨張係数は０．０２×１０－７／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０７ｍ２／ｓ２であった。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
　基板１１の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の高誘電性コーティングを施した。
　平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を介して基板１１（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返すことにより、反射層１２として合計膜厚２７２ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×４０）のＭｏ／Ｓｉ反射多層膜を形成した。
　さらに、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜上に、イオンビームスパッタリング法を用いて、保護層１３として膜厚２．５ｎｍのＲｕ層を形成した。
　使用したイオンビームスパッタリング装置は、ターゲットを覆うように、Ａｌ製の防着シールドが配置されている。グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位は円形である。なお防着シールドは最表面がＡｌ溶射された防着シールドを用いた。
　プロセスガスは、Ａｒガスを使用した。成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆ、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の公称直径（下記表では、「グリッドの公称直径」と記載する。）、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の半径ｒ、グリッドの有効面積Ｓ、グリッドの有効面積Ｓと成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆとの積（Ｆ×Ｓ）は下記表に示す通りである。ビーム電圧は６００Ｖとし、チャンバ内の圧力は、２．７×１０－２Ｐａとした。
　得られた反射層付き基板は、低屈折率層中の最も含有量が多い金属ＸはＭｏである。基板１１の構成成分をなす金属、低屈折率層の構成成分をなす金属、高屈折率層の構成成分をなす金属、保護層１３の構成成分をなす金属以外の金属ＹはＡｌである。そのため、得られた反射層付き基板をＸＲＦにより測定し、Ｍｏに帰属されるピークに対する、Ａｌに帰属されるピークの強度比（Ａｌに帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）を求めた。ピーク強度はバックグラウンドを差し引いたネット強度を用いて算出した。なお、ＸＲＦの測定条件は以下に示す通りである。
Ｘ線源ターゲット管球：Ｒｈ
励起電圧／Ｘ線の出力：３ｋＷ
分光結晶の種類
　Ａｌ：ＰＥＴＨ（ペンタエリスリトール）
　Ｍｏ：ＬｉＦ（２００）
真空度：７Ｐａ
　結果を下記表に示した。
　また、Ｒｕ層表面に、ＥＵＶ光を入射角６度で照射した。この時のＥＵＶ波長域の反射光を、ＥＵＶ反射率計を用いて測定し、同波長域のピーク反射率の面内分布の最小値を求め、例１の同波長域のピーク反射率の面内分布の最小値を基準としたピーク反射率の増減率を算出した。なお、ピーク反射率の増減率が正の値の場合、ピーク反射率の増加率を表し、負の値の場合、ピーク反射率の減少率を表す。ＥＵＶ光のピーク反射率の増減率を以下の基準で評価した。
　◎　ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の増減率（％）が０．２０％より大きい
　〇　ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の増減率（％）が０％以上、０．２０％以下
　×　ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の増減率（％）が０％未満（減少率（％）が０％超）
（例２～４）
　成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆ、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の公称直径、グリッドのうち、格子状の開口部が設けられた部位の半径ｒ、グリッドの有効面積Ｓ、グリッドの有効面積Ｓと、成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆとの積（Ｆ×Ｓ）は下記表に示す条件として、例１と同様の手順で反射層付き基板を作製した。
　次いで、反射層付き基板をＸＲＦにより測定し、Ｍｏに帰属されるピークに対する、Ａｌに帰属されるピークの強度比（Ａｌに帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）を求めた。また、Ｒｕ層表面に、ＥＵＶ光を入射角６度で照射した。この時のＥＵＶ波長域の反射光を、ＥＵＶ反射率計を用いて測定し、同波長域のピーク反射率の面内分布の最小値を求め、例１の同波長域のピーク反射率の面内分布の最小値を基準としたピーク反射率の増減率を算出した。
（例５）
　最表面がＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）によって溶射された防着シールドを用いたこと以外、例１と同様の手順で反射層付き基板を作製した。
　次いで、反射層付き基板をＸＲＦにより測定し、Ｍｏに帰属されるピークに対する、Ａｌに帰属されるピークの強度比（Ａｌに帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）を求めた。また下記条件で、反射層付き基板をＸＲＦにより測定し、Ｍｏに帰属されるピークに対する、Ｙ（イットリウム）に帰属されるピークの強度比（Ｙ（イットリウム）に帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）を求めた。なおピーク強度はバックグラウンドを差し引いたネット強度を用いて算出した。
Ｘ線源ターゲット管球：Ｒｈ
励起電圧／Ｘ線の出力：３ｋＷ
分光結晶の種類
　Ｙ：ＰＥＴ（ペンタエリスリトール）
　Ｍｏ：ＬｉＦ（２００）
真空度：７Ｐａ
　また、Ｒｕ層表面に、ＥＵＶ光を入射角６度で照射した。この時のＥＵＶ波長域の反射光を、ＥＵＶ反射率計を用いて測定し、同波長域のピーク反射率の面内分布の最小値を求め、例１の同波長域のピーク反射率の面内分布の最小値を基準としたピーク反射率の増減率を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　グリッドの有効面積Ｓと、成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆとの積（Ｆ×Ｓ）が、３６００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下の例１～３は、形成される反射層付き基板の（Ａｌに帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）が０．００６０以下であり、ピーク反射率の増減率の評価が〇以上であった。そのため、ピーク反射率の低下がなかった。グリッドの有効面積Ｓと、成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆとの積（Ｆ×Ｓ）が、３６００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下の例５は、形成される反射層付き基板の（Ｙに帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）が０．００６０以下であり、ピーク反射率の増減率の評価が〇であった。そのため、ピーク反射率の低下がなかった。グリッドの有効面積Ｓと、成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆとの積（Ｆ×Ｓ）が、２５００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下の例２、３は、形成される反射多層膜の（Ａｌに帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）が０．００５０以下であり、ＥＵＶ光のピーク反射率の増減率が高く、増減率の評価が◎であった。グリッドの有効面積Ｓと、成膜時のプロセスガスのＡｒの流量Ｆとの積（Ｆ×Ｓ）が、３６００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）超の例４は、形成される反射層付き基板が（Ａｌに帰属されるピークの強度／Ｍｏに帰属されるピークの強度）が０．００６０超であり、ＥＵＶ光のピーク反射率は減少し、増減率の評価が×であった。
　本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は２０２１年５月１４日出願の日本特許出願（特願２０２１－０８２６３１）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　１：反射層付き基板
１０：反射型マスクブランク
１１：基板
１２：反射層
１３：保護層
１４：吸収層

Claims (13)

  1. 　イオン源として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＲｎおよびＮ２から選択される少なくとも１種の不活性ガスを含むプロセスガスを使用し、グリッドに電圧を印加して発生したイオンを加速し、該イオンをターゲットに衝突させてスパッタを行うイオンビームスパッタリング装置を用いて基板上に反射多層膜を形成する手順を含む、反射型マスクブランクの製造方法であって、
    　前記グリッドの有効面積（ｃｍ２）と、成膜時の前記イオンビームスパッタリング装置に供給される前記プロセスガスの流量（ｓｃｃｍ）との積が、３６００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以下であることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
  2. 　前記イオンビームスパッタリング装置において、前記ターゲットを覆うように防着シールドが配置されている、請求項１に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  3. 　前記防着シールドの構成材料が、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、Ｓｎ、ＭｏおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む、請求項２に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  4. 　前記グリッドの有効面積（ｃｍ２）と、成膜時の前記イオンビームスパッタリング装置に供給される前記プロセスガスの流量（ｓｃｃｍ）との積が、１０００（ｃｍ２・ｓｃｃｍ）以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  5. 　前記プロセスガスがＡｒを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  6. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層の保護層とがこの順に形成された反射層付き基板であって、
    　前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる反射多層膜であり、
    　前記低屈折率層中の最も含有量が多い金属原子を金属Ｘとし、前記基板の構成成分をなす金属、前記低屈折率層の構成成分をなす金属、前記高屈折率層の構成成分をなす金属、前記保護層の構成成分をなす金属以外の金属を金属Ｙとするとき、前記反射層付き基板を蛍光Ｘ線分析により測定した際に、前記金属Ｘに帰属されるピークに対する前記金属Ｙに帰属されるピークの強度比（金属Ｙに帰属されるピークの強度／金属Ｘに帰属されるピークの強度）が０．００６０以下である、反射層付き基板。
  7. 　前記金属ＹがＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、Ｓｎ、ＭｏおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素である、請求項６に記載の反射層付き基板。
  8. 　前記低屈折率層がＭｏを含む、請求項６または７に記載の反射層付き基板。
  9. 　前記金属ＹがＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｖ、ＳｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素である、請求項８に記載の反射層付き基板。
  10. 　前記高屈折率層がＳｉを含む、請求項６～９のいずれか１項に記載の反射層付き基板。　
  11. 　請求項６～１０のいずれか１項に記載の反射層付き基板の前記保護層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成してなる反射型マスクブランク。
  12. 　前記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成された、請求項１１に記載の反射型マスクブランク。
  13. 　請求項１１または１２に記載の反射型マスクブランクをパターニングした反射型マスク。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025037533A1 (ja) * 2023-08-16 2025-02-20 Ａｇｃ株式会社 多層反射膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6345370A (ja) * 1986-08-12 1988-02-26 Nissin Electric Co Ltd イオンビ−ムスパツタリング装置
JP2012208505A (ja) * 2008-02-27 2012-10-25 Hoya Corp フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法
JP2013199420A (ja) * 2012-02-21 2013-10-03 Asahi Glass Co Ltd チタニア含有シリカガラス体の製造方法
JP2017082289A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 住友金属鉱山株式会社 成膜方法及びその装置並びに成膜体製造装置
WO2021044890A1 (ja) * 2019-09-04 2021-03-11 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040159538A1 (en) 2003-02-13 2004-08-19 Hans Becker Photo mask blank, photo mask, method and apparatus for manufacturing of a photo mask blank

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6345370A (ja) * 1986-08-12 1988-02-26 Nissin Electric Co Ltd イオンビ−ムスパツタリング装置
JP2012208505A (ja) * 2008-02-27 2012-10-25 Hoya Corp フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法
JP2013199420A (ja) * 2012-02-21 2013-10-03 Asahi Glass Co Ltd チタニア含有シリカガラス体の製造方法
JP2017082289A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 住友金属鉱山株式会社 成膜方法及びその装置並びに成膜体製造装置
WO2021044890A1 (ja) * 2019-09-04 2021-03-11 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025037533A1 (ja) * 2023-08-16 2025-02-20 Ａｇｃ株式会社 多層反射膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法

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