WO2022173039A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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克也 大門
健太郎 中村
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to elastic wave devices such as elastic wave resonators and elastic wave filters.
  • Acoustic wave devices are conventionally known in which a silicon oxide film is provided between a piezoelectric layer and an IDT electrode.
  • a piezoelectric layer is laminated directly or indirectly on a high acoustic velocity member.
  • a silicon oxide film is laminated on the piezoelectric layer, and an IDT electrode is provided on the silicon oxide film.
  • the acoustic wave device described in Patent Document 1 uses a silicon oxide film to improve temperature characteristics.
  • the IDT electrode provided on the silicon oxide film did not become an epitaxial film even if a metal film was formed.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device in which the IDT electrode is an epitaxial film.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer made of lithium tantalate or lithium niobate, a dielectric provided on the piezoelectric layer, and an IDT electrode provided on the dielectric.
  • the dielectric is a dielectric selected from the group consisting of TiO2 , TaO2 , MnO2 , GeO2 , RuO2 , OsO2 , IrO2 , SnO2 , and PbO2 do.
  • the specific dielectric is provided between the piezoelectric layer and the IDT electrode, it is possible to form an IDT electrode having an electrode portion that is an epitaxial film.
  • FIG. 1 is a front cross-sectional view showing a main part of an elastic wave device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing the electrode structure of the acoustic wave device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing crystallinity of an IDT electrode in a comparative acoustic wave device having no dielectric film.
  • FIG. 4 is a diagram showing crystallinity of an IDT electrode in an acoustic wave device of an example having a dielectric film.
  • FIG. 1 is a front cross-sectional view showing essential parts of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 shows an electrode structure of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention. It is a schematic plan view.
  • the support substrate 2 is made of silicon in this embodiment.
  • the support substrate 2 can be composed of a semiconductor such as silicon or silicon carbide, an appropriate dielectric such as silicon nitride or aluminum oxide, or a piezoelectric material such as aluminum nitride or crystal.
  • the intermediate layer 5 is composed of a laminate of the high acoustic velocity film 3 and the low acoustic velocity film 4 .
  • the high acoustic velocity film 3 is made of a high acoustic velocity material in which the acoustic velocity of propagating bulk waves is higher than the acoustic velocity of elastic waves propagating through the piezoelectric layer 6 .
  • Such high sonic materials include aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite. , magnesia, a DLC (diamond-like carbon) film or diamond, a medium containing the above materials as a main component, and a medium containing a mixture of the above materials as a main component.
  • the high acoustic velocity film 3 is made of a silicon nitride film.
  • the low-temperature-velocity film 4 is made of a low-temperature-velocity material in which the acoustic velocity of the propagating bulk wave is lower than the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 6 .
  • the low sound velocity film 4 is made of silicon oxide.
  • Examples of the low-frequency material include silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, compounds obtained by adding fluorine, carbon, boron, hydrogen, or silanol groups to silicon oxide, and media containing the above materials as main components. Various materials can be used.
  • the support substrate 2 is made of a high acoustic velocity material
  • the high acoustic velocity film 3 may be omitted.
  • the piezoelectric layer 6 is made of lithium tantalate or lithium niobate. In this embodiment, the piezoelectric layer 6 is made of 50° Y-cut X-propagation LiTaO 3 .
  • the crystal orientation in the piezoelectric layer 6 is not limited to this.
  • a dielectric film 7 is provided on the piezoelectric layer 6 .
  • the dielectric film 7 is made of a kind of dielectric selected from the group consisting of TiO2 , TaO2 , MnO2 , GeO2 , RuO2 , OsO2 , IrO2, SnO2 and PbO2 .
  • the dielectric film 7 is made of TiO2 .
  • An IDT electrode 8 is provided on the dielectric film 7 .
  • FIG. 1 shows only a portion where a part of the IDT electrode 8 is provided, as shown in FIG. It has reflectors 9, 10 provided on both sides in the direction of wave propagation. This constitutes a one-port elastic wave resonator.
  • the dielectric film 7 is made of the above specific dielectric material. Therefore, when the IDT electrode 8 provided on the dielectric film 7 is formed, the metal film forming the IDT electrode 8 becomes an epitaxial film.
  • Si having a plane orientation of (100) and a third Euler angle of 45° was used for the support substrate 2 .
  • a SiN film having a film thickness of 900 nm was used as the high acoustic velocity film 3 .
  • a SiO 2 film with a film thickness of 600 nm was used as the low sound velocity film 4 .
  • the piezoelectric layer 6 50° Y-cut X-propagation LiTaO 3 was used, and the thickness was 600 nm.
  • the dielectric film 7 is made of TiO 2 and has a thickness of 10 nm. This TiO 2 film was formed using an ALD apparatus.
  • the wavelength determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode 8 was set to 2 ⁇ m, and the duty was set to 0.5.
  • an acoustic wave device of a comparative example was produced in the same manner as in the example except that no TiO 2 film was provided.
  • FIG. 3 is a diagram showing the crystallinity of the IDT electrodes in the elastic wave device of the comparative example
  • FIG. 4 is a diagram showing the crystallinity of the IDT electrodes in the elastic wave device of the above example.
  • the IDT electrode is not epitaxially grown, whereas in FIG. 4, as is clear from the parts indicated by arrows A and B, the crystal orientation of Al can be seen, indicating that it is epitaxially grown.
  • an IDT electrode having excellent crystal orientation can be formed without performing such acid cleaning.
  • the upper surface of the piezoelectric layer 6 may be washed with acid.
  • the epitaxial properties of the TiO 2 film can be further enhanced, and the epitaxial properties of the IDT electrodes 8 can be further improved.
  • the reason why the IDT electrode 8 becomes an epitaxial film by providing the TiO 2 film as the dielectric film 7 between the piezoelectric layer 6 and the IDT electrode 8 as described above is considered as follows.
  • Table 1 below shows the crystal structures of LiTaO 3 and LiNbO 3 , lattice constants, and the lattice misfit ratio between the oxygen interatomic distance in the Z plane and Ti(001).
  • the dielectric film 7 is made of TiO2
  • the piezoelectric layer 6 is made of LiTaO3 .
  • the distance between oxygen atoms in the Z plane of LiTaO 3 is 2.976 ⁇ .
  • the oxygen interatomic distance of TiO 2 is 2.9575 ⁇ .
  • the lattice misfit ratio is expressed as ⁇ (d L ⁇ d U )/d L ⁇ 100. where dL is the distance between oxygen atoms in the Z plane of LiTaO3 and dU is the lattice constant in TiO2 .
  • the lattice constant of Ti (001) is 2.951 ⁇
  • the lattice constant of Al (111) is 2.864 ⁇ .
  • the laminated structure of the elastic wave device 1 is Ti/Al/Ti (laminated electrode layer)/TiO 2 /LiTaO 3 . Therefore, the lattice misfit ratio at the interface from the Al layer of the IDT electrode 8 to LiTaO 3 is Al—Ti (2.95%)//Ti—TiO 2 (0.22%)//TiO 2 —LiTaO 3 ( 0.62%).
  • the laminated structure of Ti/Al/Ti (laminated electrode layer)/LiTaO 3 is formed. 95%)//Ti—LiTaO 3 (0.84%).
  • the lattice misfit rate between the LiTaO 3 that is the piezoelectric layer and the Ti film that constitutes the IDT electrode is as large as 0.84%.
  • the lattice misfit ratio between the LiTaO 3 as the piezoelectric layer 6 and the TiO 2 film as the dielectric film 7 is as small as 0.62%. Therefore, the TiO 2 film becomes an epitaxial film. Therefore, when the IDT electrode 8, that is, the Ti film and the Al film are formed on the dielectric film 7, the Ti film and the Al film are formed as epitaxial films.
  • a silicon oxide film is used as the dielectric film.
  • the IDT electrode does not grow epitaxially. This is believed to be due to the very large lattice misfit ratio of 100% or more between silicon oxide and LiTaO 3 .
  • the dielectric film 7 is epitaxially grown, and the IDT electrode 8 is epitaxially grown.
  • TiO 2 , TaO 2 , MnO 2 , GeO 2 , RuO 2 , OsO 2 , IrO 2 , SnO 2 , PbO 2 or the like can be used as the dielectric. Examples of lattice misfit ratios between these materials and the Z-face of LiTaO 3 are shown in Table 2 below.
  • the piezoelectric layer 6 may be made of LiNbO 3 .
  • the dielectric one selected from the group consisting of TiO 2 , TaO 2 , MnO 2 and GeO 2 is preferably used, and TiO 2 is more preferably used.
  • the electrode portion of the IDT electrode 8 in contact with the dielectric film 7 was made of Ti in the above embodiment, but may be made of Pt. Preferably Ti or Pt is used.
  • the electrode portion above the electrode portion in contact with the dielectric film 7 can be made of various metals or alloys such as W, in addition to Al and AlCu.
  • the electrode portion of the IDT electrode 8 that is in contact with the dielectric film 7 is an epitaxial film.
  • the intermediate layer 5 is laminated between the supporting substrate 2 and the piezoelectric layer 6.
  • This intermediate layer 5 may be an acoustic reflection layer comprising a laminate of a low acoustic impedance layer and a high acoustic impedance layer.
  • the piezoelectric layer 6 may be a piezoelectric substrate made of lithium tantalate or lithium niobate. That is, the intermediate layer 5 and the support substrate 2 may not be provided.

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Abstract

ＩＤＴ電極がエピタキシャル膜である、弾性波装置を提供する。　タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる圧電体層６と、圧電体層６上に設けられた誘電体膜７と、誘電体膜７上に設けられたＩＤＴ電極８と、を備え、誘電体膜７が、ＴｉＯ２、ＴａＯ２、ＭｎＯ２、ＧｅＯ２、ＲｕＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、及びＰｂＯ２からなる群から選択された一種の誘電体である、弾性波装置１。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波共振子や弾性波フィルタ等の弾性波装置に関する。
　従来、圧電体層とＩＤＴ電極との間に酸化ケイ素膜が設けられている弾性波装置が知られている。例えば、下記の特許文献１では、高音速部材上に直接又は間接に圧電体層が積層されている。圧電体層上に酸化ケイ素膜が積層されており、酸化ケイ素膜上にＩＤＴ電極が設けられている。
特許第６７６６８９６号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置では、酸化ケイ素膜を用いることにより、温度特性の改善が図られている。しかしながら、酸化ケイ素膜上に設けられたＩＤＴ電極は、金属膜を成膜したとしても、エピタキシャル膜にはならなかった。
　本発明の目的は、ＩＤＴ電極がエピタキシャル膜である、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた誘電体と、前記誘電体上に設けられたＩＤＴ電極と、を備え、前記誘電体が、ＴｉＯ２、ＴａＯ２、ＭｎＯ２、ＧｅＯ２、ＲｕＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、及びＰｂＯ２からなる群から選択された一種の誘電体であることを特徴とする。
　本発明によれば、上記特定の誘電体が、圧電体層とＩＤＴ電極との間に設けられているので、エピタキシャル膜である電極部分を有するＩＤＴ電極を形成することが可能となる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の要部を示す正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図３は、誘電体膜を有しない比較例の弾性波装置における、ＩＤＴ電極の結晶性を示す図である。 図４は、誘電体膜を有する実施例の弾性波装置における、ＩＤＴ電極の結晶性を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の要部を示す正面断面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。
　弾性波装置１では、支持基板２と、圧電体層６との間に中間層５が積層されている。支持基板２は、本実施形態では、シリコンからなる。もっとも、支持基板２は、シリコンや炭化ケイ素等の半導体や、窒化ケイ素、酸化アルミニウム等の適宜の誘電体、窒化アルミニウム、水晶等の圧電体により構成することができる。
　中間層５は、高音速膜３と低音速膜４との積層体からなる。高音速膜３は、伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる。このような高音速材料としては、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等の様々な材料を用いることができる。
　本実施形態では、高音速膜３は、窒化ケイ素膜からなる。
　低音速膜４は、伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い低音速材料からなる。本実施形態では、低音速膜４は、酸化ケイ素からなる。
　上記低音速材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素、水素、あるいはシラノール基を加えた化合物、上記材料を主成分とする媒質等の様々な材料を用いることができる。
　なお、支持基板２が高音速材料からなる場合、高音速膜３を除いてもよい。
　圧電体層６は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる。本実施形態では、圧電体層６は、５０°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３からなる。
　また、圧電体層６における結晶方位はこれに限定されるものではない。
　圧電体層６上に、誘電体膜７が設けられている。誘電体膜７は、ＴｉＯ２、ＴａＯ２、ＭｎＯ２、ＧｅＯ２、ＲｕＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、及びＰｂＯ２からなる群から選択された一種の誘電体からなる。本実施形態では、誘電体膜７は、ＴｉＯ２からなる。
　誘電体膜７上に、ＩＤＴ電極８が設けられている。
　図１では、ＩＤＴ電極８の一部が設けられている部分のみを図示しているが、図２に示すように、弾性波装置１の電極構造は、ＩＤＴ電極８と、ＩＤＴ電極８の弾性波伝搬方向両側に設けられた反射器９，１０とを有する。それによって、１ポート型の弾性波共振子が構成されている。
　弾性波装置１では、誘電体膜７が上記特定の誘電体材料からなる。そのため、誘電体膜７上に設けられるＩＤＴ電極８を成膜した場合、ＩＤＴ電極８を構成している金属膜が、エピタキシャル膜となる。
　以下の実施例及び比較例を挙げて、ＩＤＴ電極が実施例においてエピタキシャル成長していることを示す。
　実施例として、支持基板２には、面方位が（１００）の第３オイラー角が４５°であるＳｉを用いた。高音速膜３として、膜厚９００ｎｍのＳｉＮ膜を用いた。
　低音速膜４として、膜厚６００ｎｍのＳｉＯ２膜を用いた。圧電体層６として、５０°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３を用い、厚みは６００ｎｍとした。
　誘電体膜７の材料をＴｉＯ２とし、膜厚は１０ｎｍとした。このＴｉＯ２膜はＡＬＤ装置を用いて成膜した。
　ＩＤＴ電極８は、Ｔｉ膜／Ａｌ膜／Ｔｉ膜の積層体とし、膜厚は、Ｔｉ膜／Ａｌ膜／Ｔｉ膜＝１２ｎｍ／１４０ｎｍ／４ｎｍとした。なお、１２ｎｍのＴｉ膜が、誘電体膜７側に位置しているＴｉ膜である。
　ＩＤＴ電極８の電極指ピッチで定まる波長は２μｍとし、デューティは０．５とした。
　比較のために、ＴｉＯ２膜を設けなかったことを除いては、実施例と同様にして比較例の弾性波装置を作成した。
　図３は、比較例の弾性波装置における、ＩＤＴ電極の結晶性を示す図であり、図４は、上記実施例の弾性波装置における、ＩＤＴ電極の結晶性を示す図である。
　図３では、ＩＤＴ電極がエピタキシャル成長していないのに対し、図４では、矢印Ａ及び矢印Ｂで示す部分から明らかなように、Ａｌの結晶配向が見られ、エピタキシャル成長していることがわかる。
　なお、従来、ＬｉＴａＯ３膜の上面をあらかじめ酸で洗浄した後に、ＩＤＴ電極を高温で成膜する方法が知られている。それによって、ＩＤＴ電極がエピタキシャル膜となる。しかしながら、この場合、煩雑な酸による洗浄が必要である。
　これに対して、上記実施例では、このような酸洗浄を施さずとも、結晶配向性に優れたＩＤＴ電極を形成することができる。
　なお、本発明においても、圧電体層６の上面を酸で洗浄してもよい。その場合には、ＴｉＯ２膜のエピタキシャル性をより一層高めることができ、ＩＤＴ電極８のエピタキシャル性をより一層改善することができる。
　上記のように、誘電体膜７として、ＴｉＯ２膜を圧電体層６とＩＤＴ電極８との間に設けたことにより、ＩＤＴ電極８がエピタキシャル膜となる理由は以下の理由と考えられる。
　下記の表１に、ＬｉＴａＯ３及びＬｉＮｂＯ３の結晶構造、格子定数、Ｚ面の酸素原子間距離とＴｉ（００１）との格子ミスフィット率を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　弾性波装置１では、誘電体膜７がＴｉＯ２からなり、圧電体層６がＬｉＴａＯ３からなる。ＬｉＴａＯ３のＺ面の酸素原子間距離は、２．９７６Åである。これに対して、ＴｉＯ２の酸素原子間距離は、２．９５７５Åである。格子ミスフィット率は｛（ｄＬ－ｄＵ）／ｄＬ｝×１００で表される。ここで、ｄＬは、ＬｉＴａＯ３のＺ面の酸素原子間距離であり、ｄＵは、ＴｉＯ２における格子定数である。
　なお、Ｔｉ（００１）の格子定数は、２．９５１Åであり、Ａｌ（１１１）の格子定数は、２．８６４Åである。
　弾性波装置１の積層構造は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ（積層電極層）／ＴｉＯ２／ＬｉＴａＯ３である。そのため、ＩＤＴ電極８のＡｌ層からＬｉＴａＯ３までの界面における格子ミスフィット率は、Ａｌ－Ｔｉ（２．９５％）／／Ｔｉ－ＴｉＯ２（０．２２％）／／ＴｉＯ２－ＬｉＴａＯ３（０．６２％）となる。
　これに対して、ＴｉＯ２膜が設けられていない比較例では、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ（積層電極層）／ＬｉＴａＯ３の積層構造となり、その場合、格子ミスフィット率は、Ａｌ－Ｔｉ（２．９５％）／／Ｔｉ－ＬｉＴａＯ３（０．８４％）となる。
　すなわち、比較例では、圧電体層であるＬｉＴａＯ３と、ＩＤＴ電極を構成しているＴｉ膜との間の格子ミスフィット率が、０．８４％と大きい。これに対して、弾性波装置１では、圧電体層６であるＬｉＴａＯ３と、誘電体膜７であるＴｉＯ２膜との間の格子ミスフィット率が、０．６２％と小さくなっている。そのため、ＴｉＯ２膜がエピタキシャル膜となる。よって、誘電体膜７上にＩＤＴ電極８、すなわちＴｉ膜及びＡｌ膜を成膜した場合、Ｔｉ膜及びＡｌ膜が、エピタキシャル膜として成膜される。
　特許文献１に記載の弾性波装置では、誘電体膜として酸化ケイ素膜が用いられていた。酸化ケイ素膜上にＩＤＴ電極を高温成膜した場合、ＩＤＴ電極はエピタキシャル成長しない。これは、酸化ケイ素とＬｉＴａＯ３との間の格子ミスフィット率が１００％以上と、非常に大きいことによると考えられる。
　上記のように、ＬｉＴａＯ３と誘電体膜７との間の格子ミスフィット率が小さければ、誘電体膜７がエピタキシャル成長し、さらにＩＤＴ電極８がエピタキシャル成長する。上記誘電体としては、ＴｉＯ２、ＴａＯ２、ＭｎＯ２、ＧｅＯ２、ＲｕＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、またはＰｂＯ２等を用いることができる。これらの材料と、ＬｉＴａＯ３のＺ面との間の格子ミスフィット率の例は、下記の表２に示すとおりとなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本発明においては、圧電体層６はＬｉＮｂＯ３からなるものであってもよい。前述の表１に示したように、ＬｉＮｂＯ３の場合、Ｚ面の酸素原子間距離は、２．９７２Åである。そのため、Ｔｉ（００１）との格子ミスフィット率は、０．７１％と大きいが、ＴｉＯ２とＬｉＮｂＯ３との間の格子ミスフィット率は、｛（２．９７２－２．９５７５）／２．９７２｝×１００＝０．４９％と、０．７１％よりも小さくなる。従って、圧電体層６としてニオブ酸リチウムを用いた場合にも、上記実施形態と同様に、誘電体膜７がエピタキシャル成長し、ＩＤＴ電極８もエピタキシャル膜となる。
　なお、上記誘電体としては、好ましくは、上記ＴｉＯ２、ＴａＯ２、ＭｎＯ２及びＧｅＯ２からなる群から選択された一種が用いられ、さらに好ましくは、ＴｉＯ２が用いられる。
　なお、ＩＤＴ電極８の誘電体膜７に接する電極部分は、上記実施形態ではＴｉであったが、Ｐｔであってもよい。好ましくは、Ｔｉ又はＰｔが用いられる。なお、誘電体膜７に接する電極部分よりも上方の電極部分は、ＡｌやＡｌＣｕの他、Ｗなど様々な金属若しくは合金により構成することができる。
　また、ＩＤＴ電極８は、誘電体膜７に接している電極部分がエピタキシャル膜となるが、その上に積層されるＡｌ膜やＡｌＣｕ膜も、下地のエピタキシャル性の影響で、エピタキシャル膜として成膜され得る。
　なお、弾性波装置１では、支持基板２と圧電体層６との間に中間層５が積層されていた。この中間層５については、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層との積層体からなる音響反射層であってもよい。
　また、本発明における弾性波装置１では、圧電体層６が、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる圧電基板であってもよい。すなわち、中間層５や支持基板２が設けられずともよい。
　１…弾性波装置
　２…支持基板
　３…高音速膜
　４…低音速膜
　５…中間層
　６…圧電体層
　７…誘電体膜
　８…ＩＤＴ電極
　９，１０…反射器

Claims (10)

  1. 　タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられた誘電体と、
    　前記誘電体上に設けられたＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記誘電体が、ＴｉＯ２、ＴａＯ２、ＭｎＯ２、ＧｅＯ２、ＲｕＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、及びＰｂＯ２からなる群から選択された一種の誘電体である、弾性波装置。
  2. 　前記誘電体が、ＴｉＯ２、ＴａＯ２、ＭｎＯ２及びＧｅＯ２からなる群から選択された一種の誘電体である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記誘電体が、ＴｉＯ２である、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記ＩＤＴ電極の前記誘電体に接する電極部分がＴｉ又はＰｔからなる、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記誘電体に接している前記ＩＤＴ電極の電極部分がエピタキシャル膜である、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記ＩＤＴ電極がエピタキシャル膜である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記誘電体とは反対側に設けられている中間層と、前記中間層の前記圧電体層とは反対側に設けられている支持基板とをさらに備え、
    　伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速膜を、前記中間層が有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記中間層が、前記低音速膜と前記支持基板との間に配置されており、伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる高音速膜を、さらに有する、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記支持基板が、伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる、請求項７に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電体層が、前記タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる圧電基板である、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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