WO2022138455A1 - フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 Download PDF

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孝博 黒田
紘平 谷口
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Definitions

  • the present disclosure relates to a film-like adhesive and its manufacturing method, a dicing / die bonding integrated film, and a semiconductor device and its manufacturing method.
  • Patent Document 1 discloses an adhesive film (dicing / die bonding integrated film) having both a function of fixing a semiconductor wafer in a dicing process and a function of adhering a semiconductor chip to a substrate in a dicing process. .. By individualizing the semiconductor wafer and the adhesive layer in the dicing step, a semiconductor chip with an adhesive piece can be obtained.
  • Patent Document 2 discloses a film-like adhesive having higher heat dissipation after curing than that before curing.
  • film-like adhesives are required to have excellent heat dissipation and to be thinned (for example, 30 ⁇ m or less).
  • the conventional film-like adhesive cannot achieve heat dissipation and thin film forming property at a high level, and there is still room for improvement.
  • the main object of the present disclosure is to provide a film-like adhesive capable of producing a semiconductor device having excellent heat dissipation and thinning.
  • the inventors of the present disclosure have diligently studied the average particle size (D 50 ) of the metal particles, and found that the film-like adhesive has a predetermined average particle size (D 50 ). It has been found that the use of particles improves heat dissipation and enables thinning, and has completed the invention of the present disclosure.
  • the film-like adhesive contains metal particles, a thermosetting resin, a curing agent, and an elastomer.
  • the average particle size (D 50 ) of the metal particles is 1.0 to 2.5 ⁇ m. According to the film-shaped adhesive of the present disclosure, it is possible to manufacture a semiconductor device having excellent heat dissipation and to provide a film-shaped adhesive capable of thinning.
  • the content of the metal particles is 74.0% by mass or more based on the total amount of the metal particles, the thermosetting resin, the curing agent, and the elastomer. In another aspect of the film-like adhesive, the content of the metal particles is 24.0% by volume or more based on the total amount of the metal particles, the thermosetting resin, the curing agent, and the elastomer.
  • the total content of the thermosetting resin and the curing agent may be 13.0% by mass or more based on the total amount of the metal particles, the thermosetting resin, the curing agent, and the elastomer.
  • the thickness of the film-like adhesive may be 5 to 30 ⁇ m.
  • the thermal conductivity (25 ° C ⁇ 1 ° C) of the film-shaped adhesive after being heat-cured at 170 ° C for 3 hours may be 2.0 W / m ⁇ K or more.
  • the method for producing the film-shaped adhesive is to mix a raw material varnish containing metal particles, a thermosetting resin, a curing agent, an elastomer, and an organic solvent at a mixing temperature of 50 ° C. or higher to prepare an adhesive varnish.
  • a step of forming a film-like adhesive using an adhesive varnish is provided.
  • the dicing / die bonding integrated film includes a base material layer, an adhesive layer, and an adhesive layer made of the above-mentioned film-like adhesive in this order.
  • the semiconductor device includes a semiconductor chip, a support member on which the semiconductor chip is mounted, and an adhesive member provided between the semiconductor chip and the support member and for adhering the semiconductor chip and the support member.
  • the adhesive member is a cured product of the above-mentioned film-like adhesive.
  • the method for manufacturing the semiconductor device is a step of attaching a semiconductor wafer to the adhesive layer of the above-mentioned dicing / die bonding integrated film, and a plurality of pieces by dicing the semiconductor wafer to which the adhesive layer is attached. It includes a step of manufacturing the semiconductor chip with the adhesive piece and a step of adhering the semiconductor chip with the adhesive piece to the support member via the adhesive piece.
  • a film-like adhesive capable of producing a semiconductor device having excellent heat dissipation and thinning is provided. Further, according to the present disclosure, a dicing / die bonding integrated film using such a film-like adhesive is provided. Further, according to the present disclosure, a semiconductor device using such a film-like adhesive or a dicing / die bonding integrated film and a method for manufacturing the same are provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a film-like adhesive.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a dicing / die bonding integrated film.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device. 3 (a), (b), (c), (d), (e), and (f) are sectional views schematically showing each step.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device.
  • the numerical range indicated by using "-" indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of one step may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of another step.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • the upper limit value and the lower limit value described individually can be arbitrarily combined.
  • the term "(meth) acrylate” means at least one of acrylate and the corresponding methacrylate.
  • each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition, unless otherwise specified.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a film-like adhesive.
  • the film-like adhesive 10A shown in FIG. 1 is thermosetting and is in a semi-curing (B stage) state and then in a (complete) curing (C stage) state after a curing treatment.
  • the film-like adhesive 10A may be provided on the support film 20.
  • the film-like adhesive 10A can be a die bonding film used for bonding a semiconductor chip and a support member or bonding semiconductor chips to each other.
  • the support film 20 is not particularly limited, and examples thereof include films such as polytetrafluoroethylene, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyethylene terephthalate, and polyimide.
  • the support film may be subjected to a mold release treatment.
  • the thickness of the support film 20 may be, for example, 10 to 200 ⁇ m or 20 to 170 ⁇ m.
  • the film-shaped adhesive 10A includes metal particles (hereinafter, may be referred to as “(A) component”), a thermosetting resin (hereinafter, may be referred to as “(B) component”), and a curing agent (hereinafter, may be referred to as “(B) component”).
  • (C) component a thermosetting resin
  • (D) component a curing agent
  • the film-like adhesive 10A further contains a coupling agent (hereinafter, may be referred to as "(E) component”), a curing accelerator (hereinafter, may be referred to as "(F) component”), and the like. You may.
  • Component (A) Metal particles
  • the metal particles as the component (A) are components for enhancing heat dissipation when a film-like adhesive is applied to a semiconductor device.
  • the component (A) is a metal containing at least one metal selected from the group consisting of, for example, silver, copper, gold, aluminum, magnesium, tungsten, molybdenum, zinc, nickel, iron, platinum, tin, lead, and titanium. It may be a particle, or may be a metal particle containing at least one metal selected from the group consisting of silver, copper, and gold.
  • the component (A) may be metal particles composed of one kind of metal, or may be metal particles composed of two or more kinds of metals.
  • the metal particles composed of two or more kinds of metals may be metal-coated metal particles in which the surface of the metal particles is coated with a metal different from the metal particles.
  • the component (A) is, for example, a metal having high conductivity (for example, a metal having an electric conductivity (0 ° C.) of 40 ⁇ 106 S / m or more or a thermal conductivity (20 ° C.) of 250 W / m ⁇ K or more). It may be a conductive particle composed of a metal).
  • Examples of the metal having an electric conductivity (0 ° C.) of 40 ⁇ 10 6 S / m or more include gold (49 ⁇ 10 6 S / m), silver (67 ⁇ 10 6 S / m), and copper (65 ⁇ ). 10 6 S / m) and the like.
  • the electrical conductivity (0 ° C.) may be 45 ⁇ 10 6 S / m or more or 50 ⁇ 10 6 S / m or more. That is, the component (A) is preferably conductive particles composed of silver and / or copper.
  • Examples of the metal having a thermal conductivity (20 ° C.) of 250 W / m ⁇ K or more include gold (295 W / m ⁇ K), silver (418 W / m ⁇ K), and copper (372 W / m ⁇ K). Can be mentioned.
  • the thermal conductivity (20 ° C.) may be 300 W / m ⁇ K or more or 350 W / m ⁇ K or more. That is, the component (A) is preferably conductive particles composed of silver and / or copper.
  • the component (A) may be silver particles because it is excellent in electrical conductivity and thermal conductivity and is difficult to be oxidized.
  • the silver particles may be, for example, silver-coated particles (particles composed of silver alone, silver particles) or silver-coated metal particles having the surface of metal particles (copper particles, etc.) coated with silver. Examples of the silver-coated metal particles include silver-coated copper particles.
  • the component (A) may be particles composed of silver.
  • the silver particles are not particularly limited, and examples thereof include silver particles produced by a reducing method (silver particles produced by a liquid phase (wet) reducing method using a reducing agent), silver particles produced by an atomizing method, and the like. Can be mentioned.
  • the silver particles as the component (A) may be silver particles produced by a reduction method.
  • a surface treatment agent (lubricant) is usually added from the viewpoint of particle size control and aggregation / fusion prevention, and the liquid phase (wet) using a reducing agent is added.
  • the surface of the silver particles produced by the reducing method is coated with a surface treatment agent (lubricant). Therefore, the silver particles produced by the reduction method can also be said to be silver particles surface-treated with a surface treatment agent.
  • Surface treatment agents include oleic acid (melting point: 13.4 ° C.), myristic acid (melting point: 54.4 ° C.), palmitic acid (melting point: 62.9 ° C.), stearic acid (melting point: 69.9 ° C.), and the like.
  • Fatty acid compounds such as oleic acid amide (melting point: 76 ° C), stearic acid amide (melting point: 100 ° C), pentanol (melting point: -78 ° C), hexanol (melting point: -51.6 ° C), oleyl
  • fatty acid amide compounds such as oleic acid amide (melting point: 76 ° C), stearic acid amide (melting point: 100 ° C), pentanol (melting point: -78 ° C), hexanol (melting point: -51.6 ° C), oleyl
  • aliphatic alcohol compounds such as alcohol (melting point: 16 ° C.) and stearyl alcohol (melting point: 59.4 ° C.)
  • aliphatic nitrile compounds such as oleanitrile (melting point: -1 ° C.).
  • the surface treatment agent may be a surface treatment agent having a low
  • the shape of the component (A) is not particularly limited, and may be, for example, flake-like, resin-like, spherical, or the like, or may be spherical.
  • the shape of the component (A) is spherical, the surface roughness (Ra) of the film-like adhesive tends to be easily improved.
  • the average particle size of the component (A) is 1.0 to 2.5 ⁇ m.
  • the film-shaped adhesive contains a desired amount of the component (A), which can prevent an increase in viscosity when the adhesive varnish is produced.
  • the film-like adhesive There is a tendency for the film-like adhesive to be able to adhere to the adherend and to exhibit better adhesiveness.
  • the average particle size of the component (A) is 2.5 ⁇ m or less, the film formability is excellent, and the heat dissipation property due to the addition of the component (A) can be further improved.
  • the average particle size of the component (A) when the average particle size of the component (A) is 2.5 ⁇ m or less, the thickness of the film-like adhesive can be further reduced, the semiconductor chips can be highly laminated, and the film-like adhesive can be laminated. It is possible to further prevent the occurrence of cracks in the semiconductor chip due to the protrusion of the component (A) from the adhesive.
  • the average particle size of the component (A) may be 1.1 ⁇ m or more or 1.2 ⁇ m or more, 2.2 ⁇ m or less, 2.0 ⁇ m or less, 1.9 ⁇ m or less, 1.8 ⁇ m or less, 1.7 ⁇ m or less, Alternatively, it may be 1.6 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the component (A) means the particle size (laser 50% particle size (D 50 )) when the ratio (volume fraction) to the volume of the entire component (A) is 50%. do.
  • the average particle size (D 50 ) is determined by measuring a suspension in which component (A) is suspended in water by a laser scattering method using a laser scattering type particle size measuring device (for example, Microtrac). be able to.
  • the content of the component (A) may be 74.0% by mass or more based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D), and is 74.5. It may be 75.0% by mass or more, 75.5% by mass or more, or 76.0% by mass or more.
  • the film-like adhesive It is possible to improve the thermal conductivity of the semiconductor device and further improve the heat dissipation of the semiconductor device.
  • the content of the component (A) is, for example, 85.0% by mass or less and 84.0% by mass based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). Hereinafter, it may be 83.0% by mass or less, 82.0% by mass or less, 81.0% by mass or less, or 80.0% by mass or less.
  • the film-like adhesive Can contain other components more sufficiently. As a result, the wettability of the film-like adhesive to the adherend can be ensured and better adhesiveness can be exhibited.
  • the content of the component (A) may be 24.0% by volume or more based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D), 24.5. It may be 25.0% by volume or more, 25.5% by volume or more, or 26.0% by volume or more.
  • the film-like adhesive It is possible to improve the thermal conductivity of the semiconductor device and further improve the heat dissipation of the semiconductor device.
  • the content of the component (A) is, for example, 33.0% by volume or less and 31.0% by volume based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). Hereinafter, it may be 30.0% by volume or less, 29.0% by volume or less, or 28.0% by volume or less.
  • the film-like adhesive Can contain other components more sufficiently. As a result, the wettability of the film-like adhesive to the adherend can be ensured and better adhesiveness can be exhibited.
  • the content (% by mass) of the component (A) is, for example, x (g / cm 3 ) for the density of the film-like adhesive, y (g / cm 3 ) for the density of the component (A), and the film-like adhesive.
  • x (g / cm 3 ) for the density of the film-like adhesive
  • y (g / cm 3 ) for the density of the component (A)
  • the film-like adhesive z (mass%)
  • the mass ratio of the component (A) in the film-shaped adhesive can be determined by performing a thermogravimetric analysis using, for example, a thermogravimetric differential thermal analyzer (TG-DTA). Further, the density of the film-like adhesive and the component (A) can be determined by measuring the mass and the specific gravity using a hydrometer.
  • Component (B) Thermosetting resin
  • the component (B) is a component having a property of forming a three-dimensional bond between molecules and being cured by heating or the like, and is a component exhibiting an adhesive action after curing.
  • the component (B) may be an epoxy resin.
  • the epoxy resin can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in the molecule.
  • the epoxy resin may have two or more epoxy groups in the molecule.
  • epoxy resin examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, and bisphenol F novolak type epoxy resin.
  • Stilben type epoxy resin triazine skeleton-containing epoxy resin, fluorene skeleton-containing epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, xylylene type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type
  • examples thereof include epoxy resins, polyfunctional phenols, polycyclic aromatic diglycidyl ether compounds such as anthracene, and the like.
  • the epoxy resin may contain an epoxy resin having a softening point of 90 ° C. or lower.
  • an epoxy resin having a softening point of 90 ° C. or lower By containing the epoxy resin having a softening point of 90 ° C. or lower, the epoxy resin is sufficiently liquefied at a high temperature, so that the embedding property of the film-like adhesive tends to be further improved.
  • the softening point means a value measured by the ring-and-ball method in accordance with JIS K7234.
  • the epoxy resin may contain an epoxy resin that is liquid at 25 ° C.
  • an epoxy resin that is liquid at 25 ° C.
  • the surface roughness (Ra) of the film-like adhesive tends to be easily improved.
  • examples of commercially available products of epoxy resins liquid at 25 ° C. include EXA-830CRP (trade name, manufactured by DIC Corporation), YDF-8170C (trade name, manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd.) and the like.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is not particularly limited, but may be 90 to 300 g / eq or 110 to 290 g / eq.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is in such a range, it tends to be easy to secure the fluidity of the adhesive varnish when forming the film-like adhesive while maintaining the bulk strength of the film-like adhesive.
  • the content of the component (B) is 1.0% by mass or more, 3.0% by mass or more, based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). It may be 5.0% by mass or more, or 7.0% by mass or more, 15.0% by mass or less, 14.0% by mass or less, 13.0% by mass or less, 12.0% by mass or less, or 11. It may be 0% by mass or less.
  • Component (C) is a component that acts as a curing agent for component (B).
  • the component (B) can be an epoxy resin curing agent.
  • the component (C) include a phenol resin (phenolic curing agent), an acid anhydride-based curing agent, an amine-based curing agent, an imidazole-based curing agent, a phosphine-based curing agent, an azo compound, an organic peroxide and the like. Will be.
  • the component (B) is an epoxy resin
  • the component (C) may be a phenol resin from the viewpoints of handleability, storage stability, and curability.
  • the phenol resin can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule.
  • examples of the phenol resin include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol and aminophenol, and / or naphthols such as ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol and dihydroxynaphthalene, and formaldehyde and the like.
  • Phenols such as novolak type phenol resin, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, phenol and /
  • examples thereof include phenol aralkyl resin synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis (methoxymethyl) biphenyl, naphthol aralkyl resin, biphenyl aralkyl type phenol resin, phenyl aralkyl type phenol resin and the like.
  • the phenol resin may contain a phenol resin having a softening point of 90 ° C. or lower.
  • a phenol resin having a softening point of 90 ° C. or lower By containing the phenol resin having a softening point of 90 ° C. or lower, the phenol resin is sufficiently liquefied at a high temperature, so that the embedding property of the film-like adhesive tends to be further improved.
  • the hydroxyl group equivalent of the phenol resin may be 40 to 300 g / eq, 70 to 290 g / eq, or 100 to 280 g / eq.
  • the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is 40 g / eq or more, the storage elastic modulus of the film-like adhesive tends to be further improved, and when it is 300 g / eq or less, problems due to foaming, outgas, etc. can be prevented. It will be possible.
  • Ratio of the epoxy equivalent of the epoxy resin as the component (B) to the hydroxyl equivalent of the phenol resin as the component (C) are 0.30 / 0.70 to 0.70 / 0.30, 0.35 / 0.65 to 0.65 / 0.35, 0.40 / 0.60 to 0 from the viewpoint of curability. It may be .60 / 0.40, or 0.45 / 0.55 to 0.55 / 0.45.
  • the equivalent amount ratio is 0.30 / 0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained.
  • the equivalent equivalent ratio is 0.70 / 0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming too high, and it is possible to obtain more sufficient fluidity.
  • the content of the component (C) is 1.0% by mass or more, 2.0% by mass or more, based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). It may be 3.0% by mass or more, 4.0% by mass or more, or 5.0% by mass or more, 15.0% by mass or less, 14.0% by mass or less, 13.0% by mass or less, 12.0. It may be 1% by mass or less, 11.0% by mass or less, 10.0% by mass or less, or 9.0% by mass or less.
  • the total content of the component (B) and the component (C) is 13.0% by mass or more based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). It may be there.
  • the total content of the component (B) and the component (C) is 13.0% by mass or more based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). If there is, it is possible to secure the wettability of the film-like adhesive to the adherend and to exhibit better adhesiveness.
  • the total content of the component (B) and the component (C) is 13.2% by mass or more based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D).
  • the total content of the component (B) and the component (C) is 30.0% by mass or less based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). It may be 27.0% by mass or less, 25.0% by mass or less, 22.0% by mass or less, 20.0% by mass or less, or 18.0% by mass or less.
  • Component (D) Elastomer
  • the component (D) include polyimide resin, acrylic resin, urethane resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, phenoxy resin, modified polyphenylene ether resin and the like.
  • the component (D) may be these resins, a resin having a crosslinkable functional group, or an acrylic resin having a crosslinkable functional group.
  • the acrylic resin means a (meth) acrylic (co) polymer containing a structural unit derived from (meth) acrylate ((meth) acrylic acid ester).
  • the acrylic resin may be a (meth) acrylic (co) polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylate having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxy group. Further, the acrylic resin may be an acrylic rubber such as a copolymer of (meth) acrylate and acrylonitrile. These elastomers may be used alone or in combination of two or more.
  • acrylic resins examples include SG-P3, SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, HTR-860P-3, HTR-860P-3CSP, and HTR-860P-.
  • examples thereof include 3CSP-3DB (both manufactured by Nagase ChemteX Corporation).
  • the glass transition temperature (Tg) of the elastomer as the component (D) may be ⁇ 50 to 50 ° C. or ⁇ 30 to 20 ° C.
  • Tg temperature
  • Tg of the elastomer as the component (D) means a value measured using a DSC (heat differential scanning calorimeter) (for example, manufactured by Rigaku Co., Ltd., trade name: Thermo Plus 2).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the elastomer as the component (D) may be 50,000 to 1.6 million, 100,000 to 1.4 million, or 300,000 to 1.2 million.
  • Mw of the elastomer as the component (D) means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.
  • the measuring device for measuring Mw of the elastomer as a component, the measuring conditions, and the like are as follows, for example.
  • Column eluent hereinafter referred to as "THF" in which (diameter) x 300 mm) are connected in this order.
  • the content of the component (D) is 15.0% by mass or less, 12.0% by mass or less, based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D). It may be 10.0% by mass or less, or 9.0% by mass or less.
  • the viscosity becomes high. It is possible to prevent the dispersibility of the component (A) from being lowered and the heat dissipation from being lowered.
  • the lower limit of the content of the component (D) is 1.0% by mass based on the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) from the viewpoint of film processability. As mentioned above, it may be 1.5% by mass or more, 2.0% by mass or more, 2.5% by mass or more, or 3.0% by mass or more.
  • Component (E) Coupling agent
  • the component (E) may be a silane coupling agent.
  • the silane coupling agent include ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, and the like. Be done.
  • Component (F) Curing accelerator
  • the component (F) include imidazoles and derivatives thereof, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and the like.
  • the component (F) may be imidazoles or a derivative thereof from the viewpoint of reactivity.
  • imidazoles examples include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the film-like adhesive may further contain other components.
  • other components include pigments, ion trapping agents, antioxidants and the like.
  • the total content of the component (E), the component (F), and other components may be 0.005 to 10% by mass based on the total mass of the film-shaped adhesive.
  • the method for producing the film-shaped adhesive 10A shown in FIG. 1 is not particularly limited.
  • a raw material varnish containing at least the component (A) and an organic solvent is mixed, and the component (A) and the component (B) are mixed.
  • the adhesive varnish may further contain the component (E), the component (F), other components and the like, if necessary.
  • the mixing step the raw material varnish containing at least the component (A) and the organic solvent is mixed, and the component (A), the component (B), the component (C), the component (D), and the organic solvent are mixed. It is a step of preparing an adhesive varnish containing.
  • the organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve a component other than the component (A).
  • the organic solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesityrene, cumene, and p-simene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; cyclic alkanes such as methylcyclohexane; tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and the like.
  • Cyclic ethers acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and other ketones; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, butyl carbyl Esters such as tall acetate and ethyl carbitol acetate; carbonates such as ethylene carbonate and propylene carbonate; amides such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone, butyl carbitol, Examples thereof include alcohols such as ethyl carbitol.
  • the organic solvent is N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, butyl carbitol, ethyl carbitol, from the viewpoint of solubility and boiling point of the surface treatment agent. It may be butyl carbitol acetate, ethyl carbitol acetate, or cyclohexanone.
  • the concentration of the solid component in the raw material varnish may be 10 to 80% by mass based on the total mass of the raw material varnish.
  • the raw material varnish can be obtained, for example, by adding each component to a container used in a stirrer.
  • the order of addition of each component is not particularly limited, and can be appropriately set according to the properties of each component.
  • Mixing can be performed by appropriately combining a normal stirrer such as a homodisper, a three-one motor, a mixing grower, a planetary, and a squirrel machine.
  • the stirrer may be equipped with heating equipment such as a heater unit capable of controlling the temperature conditions of the raw material varnish or the adhesive varnish.
  • the rotation speed of the homodisper may be 3000 rpm or more.
  • the mixing temperature in the mixing step is not particularly limited, but may be 50 ° C. or higher.
  • the mixing temperature in the mixing step may be heated by a heating facility or the like, if necessary.
  • the mixing temperature in the mixing step is 50 ° C. or higher, for example, when silver particles (preferably silver particles produced by a reduction method) are used, the film is obtained.
  • the adhesive can contain a sintered body of silver particles in the C stage state. Such a phenomenon is more prominent when silver particles produced by the reduction method are used as the component (A). The reason why such a phenomenon occurs is not always clear, but the inventors of the present disclosure think as follows.
  • the surface of the silver particles (produced by a liquid phase (wet) reducing method using a reducing agent) as a component (A) is usually coated with a surface treatment agent (lubricant).
  • a surface treatment agent lubricant
  • the surface treatment agent covering the silver particles is dissociated and the silver surface (in a reduced state) is easily exposed.
  • silver particles with exposed silver surfaces are likely to come into direct contact with each other, when heated under conditions that cure the film-like adhesive, the silver particles are sintered and form a sintered body of silver particles. It is presumed that it will be easier to do. As a result, it is considered that the film-like adhesive contains a sintered body of silver particles in the C stage state.
  • the silver particles produced by the atomizing method are covered with a silver oxide film on the surface of the silver particles due to the characteristics of the production method. According to the studies by the inventors of the present disclosure, when silver particles produced by the atomizing method are used, the obtained film-like adhesive is in the C stage state even when the mixing temperature in the mixing step is 50 ° C. or higher. , It has been confirmed that it is difficult to contain a sintered body of silver particles.
  • the mixing temperature in the mixing step may be 55 ° C. or higher, 60 ° C. or higher, 65 ° C. or higher, or 70 ° C. or higher.
  • the upper limit of the mixing temperature in the mixing step may be, for example, 120 ° C. or lower, 110 ° C. or lower, 100 ° C.
  • the mixing time in the mixing step may be, for example, 1 minute or more, 5 minutes or more, 10 minutes or more, or 20 minutes or more, and may be 80 minutes or less, 60 minutes or less, or 40 minutes or less.
  • the component (B), the component (C), the component (D), the component (E), the component (F), or other components should be contained in the adhesive varnish at any stage according to the properties of each component. Can be done. These components may be contained in the adhesive varnish by adding them to the raw material varnish before the mixing step, or may be contained by adding them to the adhesive varnish after the mixing step. It is preferable that the component (B) and the component (C) are contained in the adhesive varnish by adding them to the raw material varnish before the mixing step.
  • the component (D) may be contained in the adhesive varnish by adding it to the raw material varnish before the mixing step, or may be contained by adding it to the adhesive varnish after the mixing step.
  • the component (E) and the component (F) are preferably contained by adding to the adhesive varnish after the mixing step.
  • the adhesive varnish after the mixing step When it is added to the adhesive varnish after the mixing step, it may be mixed at a temperature condition of less than 50 ° C. (for example, room temperature (25 ° C.)) after the addition.
  • the condition in this case may be 0.1 to 48 hours at room temperature (25 ° C.).
  • the mixing step is a mixing temperature of a raw material varnish containing a component (A), a component (B), a component (C), a component (D), and an organic solvent at a mixing temperature of 50 ° C. or higher. It may be a step of mixing and preparing an adhesive varnish containing a component (A), a component (B), a component (C), a component (D), and an organic solvent.
  • an adhesive varnish containing the component (A), the component (B), the component (C), the component (D), and the organic solvent can be prepared.
  • air bubbles in the varnish may be removed by vacuum degassing or the like.
  • the concentration of the solid component in the adhesive varnish may be 10 to 80% by mass based on the total mass of the adhesive varnish.
  • the forming step is a step of forming a film-like adhesive using an adhesive varnish.
  • Examples of the method for forming the film-like adhesive include a method of applying an adhesive varnish to a support film.
  • a known method can be used, and examples thereof include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. Be done.
  • the organic solvent may be heated and dried if necessary.
  • the heat-drying is not particularly limited as long as the organic solvent used is sufficiently volatilized.
  • the heat-drying temperature may be 50 to 200 ° C.
  • the heat-drying time may be 0.1 to 30 minutes. It's okay.
  • the heat drying may be carried out stepwise at different heat drying temperatures or heat drying times.
  • the film-like adhesive 10A can be obtained.
  • the thickness of the film-shaped adhesive 10A can be appropriately adjusted according to the intended use, but the film-shaped adhesive 10A of the present disclosure can be thinned, for example, the thickness may be 30 ⁇ m or less. can.
  • the thickness of the film-like adhesive 10A may be, for example, 5 to 30 ⁇ m.
  • the thickness of the film-like adhesive 10A may be 6 ⁇ m or more, 8 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more, and may be 28 ⁇ m or less, 26 ⁇ m or less, or 25 ⁇ m or less.
  • the thermal conductivity (25 ° C. ⁇ 1 ° C.) of the film-like adhesive 10A after being heat-cured at 170 ° C. for 3 hours (C stage state) may be 2.0 W / m ⁇ K or more.
  • the thermal conductivity is 2.0 W / m ⁇ K or more, the heat dissipation of the semiconductor device tends to be more excellent.
  • Thermal conductivity is 2.5 W / m ⁇ K or more, 3.0 W / m ⁇ K or more, 3.5 W / m ⁇ K or more, 4.0 W / m ⁇ K or more, 4.5 W / m ⁇ K or more, It may be 5.0 W / m ⁇ K or more, 5.5 W / m ⁇ K or more, or 6.0 W / m ⁇ K or more.
  • the upper limit of the thermal conductivity (25 ° C. ⁇ 1 ° C.) of the film-shaped adhesive 10A in the C stage state is not particularly limited, but may be 30 W / m ⁇ K or less.
  • the thermal conductivity (25 ° C. ⁇ 1 ° C.) of the film-like adhesive 10A after being heat-cured at 170 ° C. for 3 hours (C stage state) can be measured by, for example, the following method.
  • the film-like adhesive is cut into a predetermined size, and a predetermined number of film pieces are prepared so that the thickness becomes 200 ⁇ m when laminated.
  • a film-like adhesive having a thickness of 25 ⁇ m eight film pieces are prepared.
  • each laminate is heat-cured at 170 ° C. for 3 hours in a clean oven (manufactured by Espec Co., Ltd.) to obtain a sample in the C stage state.
  • the obtained sample is cut out to 1 cm ⁇ 1 cm, and this is used as a film for measuring thermal conductivity, and the thermal conductivity is measured under the following measurement items / conditions.
  • Thermal conductivity ⁇ in the thickness direction of the film for measuring thermal conductivity is calculated by the following formula.
  • Thermal conductivity ⁇ (W / m ⁇ K) thermal diffusivity ⁇ (m 2 / s) ⁇ specific heat Cp (J / kg ⁇ K) ⁇ density ⁇ (g / cm 3 )
  • the thermal diffusivity ⁇ , the specific heat Cp, and the density ⁇ are measured by the following methods.
  • a large thermal conductivity ⁇ means that the heat dissipation property is superior in the semiconductor device.
  • thermo diffusivity ⁇ A measurement sample is prepared by blackening both sides of the film for measuring thermal conductivity with a graphite spray.
  • the thermal diffusivity ⁇ of the film for measuring the thermal conductivity is determined by the laser flash method (xenon flash method) under the following conditions using the following measuring device.
  • -Measuring device Thermal diffusivity measuring device (manufactured by Netch Japan Co., Ltd., product name: LFA447 nanoflash) -Pulse width of pulsed light irradiation: 0.1 ms -Applied voltage of pulsed light irradiation: 236V -Processing of measurement sample: Blackening both sides of the film for thermal conductivity measurement with graphite spray-Measurement atmosphere temperature: 25 ° C ⁇ 1 ° C
  • the specific heat Cp (25 ° C.) of the film for measuring thermal conductivity is obtained by performing differential scanning calorimetry (DSC) under the following conditions using, for example, the following measuring device.
  • DSC differential scanning calorimetry
  • -Measuring device Differential scanning calorimetry device (manufactured by PerkinElmer Japan Co., Ltd., product name: Pyris1)
  • Reference material Sapphire
  • Temperature rise rate 10 ° C / min ⁇
  • Temperature range Room temperature (25 ° C) to 60 ° C
  • the density ⁇ of the film for measuring thermal conductivity is measured by the Archimedes method under the following conditions using, for example, the following measuring device.
  • -Measuring device Electronic hydrometer (manufactured by Alpha Mirage Co., Ltd., product name: SD200L) ⁇ Water temperature: 25 ° C
  • the thermal conductivity (25 ° C. ⁇ 1 ° C.) of the film-like adhesive 10A after being heat-cured at 170 ° C. for 3 hours (C stage state) increases, for example, the content of the component (A) ((A)). It can be improved by a method such as (reducing the content of components other than the components).
  • the shear viscosity of the film-like adhesive 10A at 110 ° C. may be, for example, 30,000 Pa ⁇ s or less, 28,000 Pa ⁇ s or less, 26,000 Pa ⁇ s or less, 24,000 Pa ⁇ s or less, or 22,000 Pa ⁇ s or less, and 3000 Pa ⁇ s or more. It may be 5000 Pa ⁇ s or more, 7000 Pa ⁇ s or more, or 10000 Pa ⁇ s or more.
  • the shear viscosity at 110 ° C. can be measured by, for example, the following method.
  • the film-like adhesive is cut to a predetermined size, and a predetermined number of film pieces are prepared so that the thickness becomes 300 ⁇ m when laminated.
  • a film-like adhesive having a thickness of 25 ⁇ m 12 film pieces are prepared.
  • a film-like adhesive having a thickness of 10 ⁇ m prepare 30 film pieces. These fimul pieces are laminated on a hot plate at 70 ° C. using a rubber roll to prepare a laminated body having a thickness of 300 ⁇ m.
  • a sample was prepared by punching the laminate with a punch of ⁇ 9 mm, and the prepared sample was used with a rotary viscoelasticity measuring device (manufactured by TA Instruments Japan Co., Ltd., trade name: ARES-RDA).
  • the shear viscosity is measured under the following measurement conditions. At this time, the measured value of the shear viscosity at 110 ° C. is the shear viscosity at 110 ° C.
  • the gap is adjusted so that the load applied to the sample is 10 to 15 g.
  • Disc plate Aluminum, 8 mm ⁇ Measurement frequency: 1Hz Temperature rise rate: 5 ° C / min Strain: 5% Measurement temperature: 35-150 ° C
  • Initial load 100g
  • the loss elastic modulus of the film-like adhesive 10A at 110 ° C. may be 200 kPa or less, 180 kPa or less, 160 kPa or less, 140 kPa or less, or 135 kPa or less, and may be 10 kPa or more, 30 kPa or more, 50 kPa or more, or 70 kPa or more. ..
  • the loss elastic modulus at 110 ° C. can be obtained from the rotary viscoelasticity measuring device in the same manner as the above-mentioned method for measuring the shear viscosity at 110 ° C.
  • the shear viscosity and loss elastic modulus at 110 ° C. are, for example, reducing the content of the component (A) (increasing the content of the component other than the component (A)), the component (A), the component (B), ( A component (B) or component (C) having a softening point of 90 ° C. or lower, which increases the ratio of the total amount of the component (B) and the component (C) to the total amount of the component (C) and the component (D), is applied. It can be reduced by a method such as applying a component (D) having a small molecular weight.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a dicing / die bonding integrated film.
  • the dicing / die bonding integrated film 100 shown in FIG. 2 includes a base material layer 40, an adhesive layer 30, and an adhesive layer 10 composed of a film-like adhesive 10A in this order.
  • the dicing / dicing-bonding integrated film 100 is provided on a dicing tape 50 (dicing film) having a base material layer 40 and a pressure-sensitive adhesive layer 30 provided on the base material layer 40, and on the pressure-sensitive adhesive layer 30 of the dicing tape 50. It can also be said that the adhesive layer 10 is provided.
  • the dicing / die bonding integrated film 100 may be in the form of a film, a sheet, a tape, or the like.
  • the dicing / die bonding integrated film 100 may be provided with the support film 20 on the surface of the adhesive layer 10 opposite to the pressure-sensitive adhesive layer 30.
  • Examples of the base material layer 40 in the dicing tape 50 include plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film. Further, the base material layer 40 may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment, if necessary.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 30 in the dicing tape 50 has sufficient adhesive strength so that the semiconductor chip does not scatter during dicing, and has a low adhesive strength that does not damage the semiconductor chip in the subsequent semiconductor chip pick-up process. Without particular limitation, conventionally known ones in the field of dicing tape can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 30 may be a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer or an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer. When the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive layer made of an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive layer can be reduced in adhesiveness by irradiating with ultraviolet rays.
  • the thickness of the dicing tape 50 may be 60 to 150 ⁇ m or 70 to 130 ⁇ m from the viewpoint of economy and handleability of the film.
  • the dicing-die bonding integrated film 100 shown in FIG. 2 is a step of preparing a dicing tape 50 including a film-like adhesive 10A and a base material layer 40 and a pressure-sensitive adhesive layer 30 provided on the base material layer 40. It can be obtained by a manufacturing method including a step of bonding the film-shaped adhesive 10A and the pressure-sensitive adhesive layer 30 of the dicing tape 50. A known method can be used as a method for bonding the film-shaped adhesive 10A and the pressure-sensitive adhesive layer 30 of the dicing tape 50.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the method for manufacturing the semiconductor device includes a step of attaching the semiconductor wafer W to the adhesive layer 10 of the above-mentioned dicing / die bonding integrated film 100 (wafer laminating step, see FIGS. 3A and 3B) and an adhesive.
  • a step of producing a plurality of individualized semiconductor chips 60 with adhesive pieces by dicing the semiconductor wafer W to which the layer 10 is attached (dicing step, see FIG. 3C), and a semiconductor chip with adhesive pieces.
  • the 60 is provided with a step of adhering the 60 to the support member 80 via the adhesive piece 10a (semiconductor chip adhering step, see FIG. 3 (f)).
  • the method for manufacturing a semiconductor device is a step of irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 30 with ultraviolet rays (via the base material layer 40) (ultraviolet irradiation step, if necessary) between the dying step and the semiconductor chip bonding step.
  • FIG. 3D a step of picking up the semiconductor chip Wa (semiconductor chip 60 with adhesive piece) to which the adhesive piece 10a is attached from the pressure-sensitive adhesive layer 30a (pickup step, see FIG. 3E), and support.
  • It may further include a step (heat curing step) of thermally curing the adhesive piece 10a in the semiconductor chip 60 with the adhesive piece adhered to the member 80.
  • ⁇ Wafer laminating process> First, the dicing / die bonding integrated film 100 is placed in a predetermined device. Subsequently, the surface Ws of the semiconductor wafer W is attached to the adhesive layer 10 of the dicing / die bonding integrated film 100 (see FIGS. 3A and 3B). The circuit surface of the semiconductor wafer W may be provided on the surface opposite to the surface Ws.
  • Examples of the semiconductor wafer W include single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, compound semiconductors such as gallium arsenide, and the like.
  • the semiconductor wafer W and the adhesive layer 10 are diced and separated into individual pieces (see FIG. 3C). At this time, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 30, or the whole of the pressure-sensitive adhesive layer 30 and a part of the base material layer 40 may be diced and individualized. As described above, the dicing-die bonding integrated film 100 also functions as a dicing sheet.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include an ultraviolet irradiation step.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 30 is irradiated with ultraviolet rays (via the base material layer 40) (see FIG. 3D).
  • the wavelength of ultraviolet rays may be 200 to 400 nm.
  • the ultraviolet irradiation conditions may be in the range of 30 to 240 mW / cm 2 and the range of 50 to 500 mJ / cm 2 , respectively, for the illuminance and the irradiation amount.
  • the semiconductor chip 60 with an adhesive piece has a semiconductor chip Wa and an adhesive piece 10a.
  • the semiconductor chip Wa is a fragmented semiconductor wafer W
  • the adhesive piece 10a is a fragmented adhesive layer 10.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 30a is a piece of the pressure-sensitive adhesive layer 30.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 30a may remain on the base material layer 40 after picking up the semiconductor chip 60 with the adhesive piece. In this step, it is not always necessary to expand the base material layer 40, but by expanding the base material layer 40, the pick-up property can be further improved.
  • the amount of push-up by the needle 72 can be set as appropriate. Further, from the viewpoint of ensuring sufficient pick-up property even for ultra-thin wafers, for example, two-stage or three-stage push-up may be performed. Further, the semiconductor chip 60 with an adhesive piece may be picked up by a method other than the method using the suction collet 74.
  • ⁇ Semiconductor chip bonding process> the picked up semiconductor chip 60 with an adhesive piece is bonded to the support member 80 via the adhesive piece 10a by thermocompression bonding (see FIG. 3 (f)). A plurality of semiconductor chips 60 with adhesive pieces may be adhered to the support member 80.
  • the heating temperature in thermocompression bonding may be, for example, 80 to 160 ° C.
  • the load in thermocompression bonding may be, for example, 5 to 15 N.
  • the heating time in thermocompression bonding may be, for example, 0.5 to 20 seconds.
  • the adhesive piece 10a in the semiconductor chip 60 with the adhesive piece adhered to the support member 80 is thermally cured.
  • the adhesive piece 10a or the cured product 10ac of the adhesive piece that adheres the semiconductor chip Wa and the support member 80 the adhesive fixing becomes possible more firmly.
  • the component (A) is silver particles (preferably silver particles produced by a reduction method)
  • the silver particles can be obtained by (further) thermally curing the adhesive piece 10a or the cured product 10ac of the adhesive piece. There is a tendency for the sintered body to be more easily obtained.
  • pressure may be applied at the same time to cure.
  • the heating temperature in this step can be appropriately changed depending on the constituent components of the adhesive piece 10a.
  • the heating temperature may be, for example, 60 to 200 ° C, 90 to 190 ° C or 120 to 180 ° C.
  • the heating time may be 30 minutes to 5 hours, and may be 1 to 3 hours or 2 to 3 hours.
  • the temperature or pressure may be changed step by step.
  • the adhesive piece 10a can be cured by undergoing a semiconductor chip bonding step or a thermosetting step to become a cured product 10ac of the adhesive piece.
  • the component (A) is silver particles (preferably silver particles produced by a reduction method)
  • the cured product 10ac of the adhesive piece may contain a sintered body of silver particles. Therefore, the obtained semiconductor device can have excellent heat dissipation.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes, if necessary, a step (wire bonding step) of electrically connecting the tip of a terminal portion (inner lead) of a support member and an electrode pad on a semiconductor element with a bonding wire. May be good.
  • a bonding wire for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, or the like is used.
  • the temperature at which wire bonding is performed may be in the range of 80 to 250 ° C or 80 to 220 ° C.
  • the heating time may be from a few seconds to a few minutes.
  • Wire bonding may be performed by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and crimping energy by applied pressurization in a state of being heated within the above temperature range.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include a step (sealing step) of sealing the semiconductor element with a sealing material, if necessary. This step is performed to protect the semiconductor element or the bonding wire mounted on the support member. This step can be performed by molding a sealing resin (sealing resin) with a mold.
  • the sealing resin may be, for example, an epoxy-based resin.
  • the support member and the residue are embedded by the heat and pressure at the time of sealing, and it is possible to prevent peeling due to air bubbles at the bonding interface.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include a step (post-curing step) of completely curing the under-cured sealing resin in the sealing step. Even if the adhesive piece is not heat-cured in the sealing step, the adhesive piece can be heat-cured together with the curing of the sealing resin to enable adhesive fixing in this step.
  • the heating temperature in this step can be appropriately set depending on the type of the sealing resin, and may be, for example, in the range of 165 to 185 ° C., and the heating time may be about 0.5 to 8 hours.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include a step (heat melting step) of heating a semiconductor element with an adhesive piece adhered to a support member using a reflow furnace.
  • a resin-sealed semiconductor device may be surface-mounted on the support member.
  • the surface mount method include reflow soldering in which solder is previously supplied onto a printed wiring board and then heated and melted by warm air or the like to perform soldering.
  • the heating method include hot air reflow and infrared reflow.
  • the heating method may be one that heats the whole or one that heats a local part.
  • the heating temperature may be, for example, in the range of 240 to 280 ° C.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device.
  • the semiconductor device 200 shown in FIG. 4 includes a semiconductor chip Wa, a support member 80 on which the semiconductor chip Wa is mounted, and an adhesive member 12.
  • the adhesive member 12 is provided between the semiconductor chip Wa and the support member 80, and adheres the semiconductor chip Wa and the support member 80.
  • the adhesive member 12 is a cured product of a film-like adhesive (a cured product of an adhesive piece 10ac).
  • the connection terminal (not shown) of the semiconductor chip Wa may be electrically connected to the external connection terminal (not shown) via the wire 70.
  • the semiconductor chip Wa may be sealed by a sealing material layer 92 formed from a sealing material.
  • Solder balls 94 may be formed on the surface of the support member 80 opposite to the surface 80A for electrical connection with an external substrate (motherboard) (not shown).
  • the semiconductor chip Wa may be, for example, an IC (integrated circuit) or the like.
  • the support member 80 includes, for example, a lead frame such as a 42 alloy lead frame or a copper lead frame; a plastic film such as a polyimide resin or an epoxy resin; a base material such as a glass non-woven fabric is impregnated with a plastic such as a polyimide resin or an epoxy resin and cured. Modified plastic film; ceramics such as alumina and the like can be mentioned.
  • the semiconductor device 200 includes a cured product of the film-like adhesive as an adhesive member, it has excellent heat dissipation.
  • A Component: Metal particle (A-1) Silver particle AG-5-1F (trade name, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd., shape: spherical, average particle size (laser 50% particle size (D 50 )): 2. 9 ⁇ m) (A-2) Silver particles AG-4-1F (trade name, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd., shape: spherical, average particle size (laser 50% particle size (D 50 )): 2.0 ⁇ m) (A-3) Silver particles AG-3-1F (trade name, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd., shape: spherical, average particle size (laser 50% particle size (D 50 )): 1.4 ⁇ m) (A-4) Silver particles AG-2-1C (trade name, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd., shape: spherical, average particle size (laser 50% particle size (D 50 )): 0.8 ⁇ m)
  • B Component: Thermosetting resin (B-1) N-500P-10 (trade name, manufactured by DIC Corporation, cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 204 g / eq, softening point: 84 ° C.)
  • B-2) EXA-830CRP trade name, manufactured by DIC Corporation, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 159 g / eq, liquid at 25 ° C
  • a film-like adhesive was prepared using each of the above adhesive varnishes. Each adhesive varnish was vacuum defoamed, and then the adhesive varnish was applied onto a support film, a polyethylene terephthalate (PET) film (thickness: 38 ⁇ m) that had been subjected to a mold release treatment. Examples 1 and 3 having a thickness of 25 ⁇ m in a B stage state on a support film by heating and drying the applied adhesive varnish at 90 ° C. for 5 minutes and then at 130 ° C. for 2 minutes. The film-like adhesives of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 and the film-like adhesive of Example 2 having a thickness of 10 ⁇ m were obtained.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the content (% by mass) of the component (A) is such that the density of the film-like adhesive is x (g / cm 3 ), the density of the component (A) is y (g / cm 3 ), and (in the film-like adhesive).
  • the mass ratio of the component (A) in the film-shaped adhesive was determined by performing a thermogravimetric analysis using a thermogravimetric differential thermal analyzer (TG-DTA).
  • the density of the film-like adhesive and the component (A) was determined by measuring the mass and the specific gravity using a hydrometer.
  • Thermal conductivity ⁇ in the thickness direction of the film for measuring thermal conductivity was calculated by the following formula. The results are shown in Table 1.
  • Thermal conductivity ⁇ (W / m ⁇ K) thermal diffusivity ⁇ (m 2 / s) ⁇ specific heat Cp (J / kg ⁇ K) ⁇ density ⁇ (g / cm 3 )
  • the thermal diffusivity ⁇ , the specific heat Cp, and the density ⁇ were measured by the following methods.
  • a large thermal conductivity ⁇ means that the heat dissipation property is superior in the semiconductor device.
  • thermo diffusivity ⁇ A measurement sample was prepared by blackening both sides of the film for measuring thermal conductivity with a graphite spray.
  • the thermal diffusivity ⁇ of the film for measuring thermal conductivity was determined by the laser flash method (xenon flash method) under the following conditions for the measurement sample using the following measuring device.
  • -Measuring device Thermal diffusivity measuring device (manufactured by Netch Japan Co., Ltd., product name: LFA447 nanoflash) -Pulse width of pulsed light irradiation: 0.1 ms -Applied voltage of pulsed light irradiation: 236V -Processing of measurement sample: Blackening both sides of the film for thermal conductivity measurement with graphite spray-Measurement atmosphere temperature: 25 ° C ⁇ 1 ° C
  • the specific heat Cp (25 ° C.) of the film for measuring thermal conductivity was determined by performing differential scanning calorimetry (DSC) under the following conditions using the following measuring device.
  • DSC differential scanning calorimetry
  • Reference material Sapphire
  • Temperature rise rate 10 ° C / min
  • Temperature range Room temperature (25 ° C) to 60 ° C
  • the density ⁇ of the film for measuring thermal conductivity was measured by the Archimedes method under the following conditions using the following measuring device.
  • -Measuring device Electronic hydrometer (manufactured by Alpha Mirage Co., Ltd., product name: SD200L) ⁇ Water temperature: 25 ° C
  • Example 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 it was found that a film-like adhesive having a thickness of 30 ⁇ m or less can be formed. Further, as shown in Table 1, the thermal conductivity has a high correlation with the size of the average particle size (D 50 ) of the component (A), and the average particle size (D 50 ) of the metal particles is 1.0 to 2.
  • the film-like adhesives of Examples 1 to 5 having a thickness of .5 ⁇ m had higher thermal conductivity than the film-like adhesives of Comparative Examples 1 and 2 which did not satisfy this requirement. From the above results, it was confirmed that the film-like adhesive of the present disclosure can produce a semiconductor device having excellent heat dissipation and can be thinned.

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Abstract

フィルム状接着剤が開示される。当該フィルム状接着剤は、金属粒子と、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーとを含有する。金属粒子の平均粒径（Ｄ５０）は、１．０～２．５μｍである。また、当該フィルム状接着剤の製造方法が開示される。当該フィルム状接着剤の製造方法は、金属粒子と、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、有機溶媒とを含有する原料ワニスを５０℃以上の混合温度で混合して、接着剤ワニスを調製する工程と、接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程とを備える。

Description

フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
　本開示は、フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
　従来、半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ダイシング用粘着シートに半導体ウェハを貼り付け、その状態で半導体ウェハを半導体チップに個片化する（ダイシング工程）。その後、ピックアップ工程、圧着工程、及びダイボンディング工程等が実施される。特許文献１には、ダイシング工程において半導体ウェハを固定する機能と、ダイボンディング工程において半導体チップを基板と接着させる機能とを併せ持つ粘接着フィルム（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）が開示されている。ダイシング工程において、半導体ウェハ及び接着剤層を個片化することによって、接着剤片付き半導体チップを得ることができる。
　近年、電力の制御等を行うパワー半導体装置と称されるデバイスが普及している。パワー半導体装置は供給される電流に起因して熱が発生し易く、優れた放熱性が求められる。特許文献２には、硬化前の放熱性より硬化後の放熱性が高いフィルム状接着剤が開示されている。
特開２００８－２１８５７１号公報 特開２０１６－１０３５２４号公報
　ところで、半導体装置の小型化に伴い、フィルム状接着剤には、優れた放熱性を有するとともに、薄膜化（例えば、３０μｍ以下）が求められている。しかしながら、従来のフィルム状接着剤は、放熱性と薄膜形成性とを高いレベルで達成できるものでなく、未だ改善の余地がある。
　そこで、本開示は、放熱性に優れる半導体装置を製造することができるとともに、薄膜化が可能なフィルム状接着剤を提供することを主な目的とする。
　本開示の発明者らが上記課題を解決すべく、金属粒子の平均粒径（Ｄ５０）に着目して鋭意検討したところ、フィルム状接着剤に所定の平均粒径（Ｄ５０）を有する金属粒子を用いることによって、放熱性が向上するとともに、薄膜化が可能であることを見出し、本開示の発明を完成するに至った。
　本開示の一側面は、フィルム状接着剤に関する。当該フィルム状接着剤は、金属粒子と、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーとを含有する。金属粒子の平均粒径（Ｄ５０）は、１．０～２．５μｍである。本開示のフィルム状接着剤によれば、放熱性に優れる半導体装置を製造することができるとともに、薄膜化が可能なフィルム状接着剤が提供される。
　フィルム状接着剤の一態様において、金属粒子の含有量は、金属粒子、熱硬化性樹脂、硬化剤、及びエラストマーの合計量を基準として、７４．０質量％以上である。フィルム状接着剤の他の態様において、金属粒子の含有量は、金属粒子、熱硬化性樹脂、硬化剤、及びエラストマーの合計量を基準として、２４．０体積％以上である。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量は、金属粒子、熱硬化性樹脂、硬化剤、及びエラストマーの合計量を基準として、１３．０質量％以上であってよい。
　フィルム状接着剤の厚さは、５～３０μｍであってよい。
　フィルム状接着剤において、１７０℃で３時間熱硬化させた後の熱伝導率（２５℃±１℃）は、２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってよい。
　本開示の他の側面は、上記のフィルム状接着剤の製造方法に関する。当該フィルム状接着剤の製造方法は、金属粒子と、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、有機溶媒とを含有する原料ワニスを５０℃以上の混合温度で混合して、接着剤ワニスを調製する工程と、接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程とを備える。
　本開示の他の側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。当該ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、粘着剤層と、上記のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える。
　本開示の他の側面は、半導体装置に関する。当該半導体装置は、半導体チップと、半導体チップを搭載する支持部材と、半導体チップ及び支持部材の間に設けられ、半導体チップと支持部材とを接着する接着部材とを備える。接着部材は、上記のフィルム状接着剤の硬化物である。
　本開示の他の側面は、半導体装置の製造方法に関する。当該半導体装置の製造方法は、上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程と、接着剤層を貼り付けた半導体ウェハをダイシングすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを作製する工程と、接着剤片付き半導体チップを支持部材に接着剤片を介して接着する工程とを備える。
　本開示によれば、放熱性に優れる半導体装置を製造することができるとともに、薄膜化が可能なフィルム状接着剤が提供される。また、本開示によれば、このようなフィルム状接着剤を用いたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが提供される。さらに、本開示によれば、このようなフィルム状接着剤又はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置及びその製造方法が提供される。
図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）は、各工程を模式的に示す断面図である。 図４は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本明細書中、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。また、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。また、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート、及び、それに対応するメタクリレートの少なくとも一方を意味する。「（メタ）アクリロイル」等の他の類似の表現においても同様である。また、「（ポリ）」とは「ポリ」の接頭語がある場合とない場合の双方を意味する。また、「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
［フィルム状接着剤及びその製造方法］
　図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示されるフィルム状接着剤１０Ａは、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に（完全）硬化（Ｃステージ）状態となるものである。フィルム状接着剤１０Ａは、図１に示すとおり、支持フィルム２０上に設けられていてもよい。フィルム状接着剤１０Ａは、半導体チップと支持部材との接着又は半導体チップ同士の接着に使用されるダイボンディングフィルムであり得る。
　支持フィルム２０としては、特に制限されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムなどが挙げられる。支持フィルムは、離型処理が施されていてもよい。支持フィルム２０の厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
　フィルム状接着剤１０Ａは、金属粒子（以下、「（Ａ）成分」という場合がある。）と、熱硬化性樹脂（以下、「（Ｂ）成分」という場合がある。）と、硬化剤（以下、「（Ｃ）成分」という場合がある。）と、エラストマー（以下、「（Ｄ）成分」という場合がある。）とを含有する。フィルム状接着剤１０Ａは、カップリング剤（以下、「（Ｅ）成分」という場合がある。）、硬化促進剤（以下、「（Ｆ）成分」という場合がある。）等をさらに含有していてもよい。
（Ａ）成分：金属粒子
　（Ａ）成分としての金属粒子は、フィルム状接着剤を半導体装置に適用したときに放熱性を高めるための成分である。
　（Ａ）成分は、例えば、銀、銅、金、アルミニウム、マグネシウム、タングステン、モリブデン、亜鉛、ニッケル、鉄、白金、スズ、鉛、及びチタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む金属粒子であってよく、銀、銅、及び金からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む金属粒子であってもよい。（Ａ）成分は、１種の金属から構成される金属粒子であってもよく、２種以上の金属から構成される金属粒子であってもよい。２種以上の金属から構成される金属粒子は、金属粒子の表面を当該金属粒子とは異なる金属で被覆した金属被覆金属粒子であってもよい。
　（Ａ）成分は、例えば、導電性の高い金属（例えば、電気伝導率（０℃）が４０×１０６Ｓ／ｍ以上である金属又は熱伝導率（２０℃）が２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である金属）から構成される導電性粒子であってよい。このような（Ａ）成分を用いることによって、放熱性をより一層向上させることができる。
　電気伝導率（０℃）が４０×１０６Ｓ／ｍ以上である金属としては、例えば、金（４９×１０６Ｓ／ｍ）、銀（６７×１０６Ｓ／ｍ）、銅（６５×１０６Ｓ／ｍ）等が挙げられる。電気伝導率（０℃）は、４５×１０６Ｓ／ｍ以上又は５０×１０６Ｓ／ｍ以上であってもよい。すなわち、（Ａ）成分は、銀及び／又は銅から構成されている導電性粒子であることが好ましい。
　熱伝導率（２０℃）が２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である金属としては、例えば、金（２９５Ｗ／ｍ・Ｋ）、銀（４１８Ｗ／ｍ・Ｋ）、銅（３７２Ｗ／ｍ・Ｋ）等が挙げられる。熱伝導率（２０℃）は、３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上又は３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってもよい。すなわち、（Ａ）成分は、銀及び／又は銅から構成されている導電性粒子であることが好ましい。
　（Ａ）成分は、電気伝導率及び熱伝導率の点に優れ、酸化され難いことから、銀粒子であってよい。銀粒子は、例えば、銀から構成される粒子（銀単独で構成される粒子、銀粒子）又は金属粒子（銅粒子等）の表面を銀で被覆した銀被覆金属粒子であってもよい。銀被覆金属粒子としては、例えば、銀被覆銅粒子等が挙げられる。（Ａ）成分は、銀から構成される粒子であってよい。
　銀粒子は、特に制限されないが、例えば、還元法によって製造された銀粒子（還元剤を用いた液相（湿式）還元法によって製造された銀粒子）、アトマイズ法によって製造された銀粒子等が挙げられる。（Ａ）成分としての銀粒子は、還元法によって製造された銀粒子であってよい。
　還元剤を用いた液相（湿式）還元法においては、通常、粒径制御、凝集・融着防止の観点から表面処理剤（滑剤）が添加されており、還元剤を用いた液相（湿式）還元法によって製造された銀粒子は、表面処理剤（滑剤）によって表面が被覆されている。そのため、還元法によって製造された銀粒子は、表面処理剤で表面処理された銀粒子ということもできる。表面処理剤は、オレイン酸（融点：１３．４℃）、ミリスチン酸（融点：５４．４℃）、パルミチン酸（融点：６２．９℃）、ステアリン酸（融点：６９．９℃）等の脂肪酸化合物、オレイン酸アミド（融点：７６℃）、ステアリン酸アミド（融点：１００℃）等の脂肪酸アミド化合物、ペンタノール（融点：－７８℃）、ヘキサノール（融点：－５１．６℃）、オレイルアルコール（融点：１６℃）、ステアリルアルコール（融点：５９．４℃）等の脂肪族アルコール化合物、オレアニトリル（融点：－１℃）等の脂肪族ニトリル化合物などが挙げられる。表面処理剤は、融点が低く（例えば、融点１００℃以下）、有機溶媒への溶解性が高い表面処理剤であってよい。
　（Ａ）成分の形状は、特に制限されず、例えば、フレーク状、樹脂状、球状等であってよく、球状であってもよい。（Ａ）成分の形状が球状であると、フィルム状接着剤の表面粗さ（Ｒａ）が改善され易い傾向にある。
　（Ａ）成分の平均粒径は、１．０～２．５μｍである。（Ａ）成分の平均粒径が１．０μｍ以上であると、接着剤ワニスを作製したときの粘度上昇を防ぎことができる、所望の量の（Ａ）成分をフィルム状接着剤に含有させることができる、フィルム状接着剤の被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる等の効果が奏される傾向にある。（Ａ）成分の平均粒径が２．５μｍ以下であると、フィルム成形性により優れ、（Ａ）成分の添加による放熱性をより向上させることができる。また、（Ａ）成分の平均粒径が２．５μｍ以下であることによって、フィルム状接着剤の厚さをより薄くすることができ、さらに半導体チップを高積層化することができるとともに、フィルム状接着剤から（Ａ）成分が突き出すことによる半導体チップのクラックの発生をより一層防止することができる。（Ａ）成分の平均粒径は、１．１μｍ以上又は１．２μｍ以上であってもよく、２．２μｍ以下、２．０μｍ以下、１．９μｍ以下、１．８μｍ以下、１．７μｍ以下、又は１．６μｍ以下であってもよい。
　本明細書において、（Ａ）成分の平均粒径は、（Ａ）成分全体の体積に対する比率（体積分率）が５０％のときの粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））を意味する。平均粒径（Ｄ５０）は、レーザー散乱型粒径測定装置（例えば、マイクロトラック）を用いて、水中に（Ａ）成分を懸濁させた懸濁液をレーザー散乱法によって測定することによって求めることができる。
　（Ａ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、７４．０質量％以上であってよく、７４．５質量％以上、７５．０質量％以上、７５．５質量％以上、又は７６．０質量％以上であってもよい。（Ａ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、７４．０質量％以上であると、フィルム状接着剤の熱伝導率を向上させて、半導体装置の放熱性をより向上させることができる。（Ａ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、例えば、８５．０質量％以下、８４．０質量％以下、８３．０質量％以下、８２．０質量％以下、８１．０質量％以下、又は８０．０質量％以下であってよい。（Ａ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、８５．０質量％以下であると、フィルム状接着剤に他の成分をより充分に含有させることができる。これによって、フィルム状接着剤の被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる。
　（Ａ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、２４．０体積％以上であってよく、２４．５体積％以上、２５．０体積％以上、２５．５体積％以上、又は２６．０体積％以上であってもよい。（Ａ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、２４．０体積％以上であると、フィルム状接着剤の熱伝導率を向上させて、半導体装置の放熱性をより向上させることができる。（Ａ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、例えば、３３．０体積％以下、３１．０体積％以下、３０．０体積％以下、２９．０体積％以下、又は２８．０体積％以下であってよい。（Ａ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、３３．０体積％以下であると、フィルム状接着剤に他の成分をより充分に含有させることができる。これによって、フィルム状接着剤の被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる。
　（Ａ）成分の含有量（体積％）は、例えば、フィルム状接着剤の密度をｘ（ｇ／ｃｍ３）、（Ａ）成分の密度をｙ（ｇ／ｃｍ３）、フィルム状接着剤中の（Ａ）成分の質量割合をｚ（質量％）としたとき、下記式（Ｉ）から算出することができる。なお、フィルム状接着剤中の（Ａ）成分の質量割合は、例えば、熱重量示差熱分析装置（ＴＧ－ＤＴＡ）を用いて、熱重量分析を行うことによって求めることができる。また、フィルム状接着剤および（Ａ）成分の密度は比重計を用いて、質量と比重とを測定することで求めることができる。
　（Ａ）成分の含有量（体積％）＝（ｘ／ｙ）×ｚ　（Ｉ）
　ＴＧ－ＤＴＡの測定条件：温度範囲３０～６００℃（昇温速度３０℃／分）、６００℃で２０分維持
　Ａｉｒ流量：３００ｍＬ／分
　熱重量示差熱分析装置：セイコーインスツル株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０
　比重計：アルファーミラージュ株式会社製、ＥＷ－３００ＳＧ
（Ｂ）成分：熱硬化性樹脂
　（Ｂ）成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有する成分であり、硬化後に接着作用を示す成分である。（Ｂ）成分は、エポキシ樹脂であってよい。エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂は、分子内に２以上のエポキシ基を有しているものであってよい。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。
　エポキシ樹脂は、軟化点が９０℃以下であるエポキシ樹脂を含んでいてもよい。軟化点が９０℃以下であるエポキシ樹脂を含むことによって、高温時においてエポキシ樹脂が充分に液状化することから、フィルム状接着剤の埋め込み性がより向上する傾向にある。
　本明細書において、軟化点とは、ＪＩＳ　Ｋ７２３４に準拠し、環球法によって測定される値を意味する。
　エポキシ樹脂は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。エポキシ樹脂として、このようなエポキシ樹脂を含むことによって、フィルム状接着剤の表面粗さ（Ｒａ）が改善され易い傾向にある。２５℃で液状のエポキシ樹脂の市販品としては、例えば、ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製）、ＹＤＦ－８１７０Ｃ（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社）等が挙げられる。
　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３００ｇ／ｅｑ又は１１０～２９０ｇ／ｅｑであってよい。エポキシ樹脂のエポキシ当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤のバルク強度を維持しつつ、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤ワニスの流動性を確保し易い傾向にある。
　（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１．０質量％以上、３．０質量％以上、５．０質量％以上、又は７．０質量％以上であってよく、１５．０質量％以下、１４．０質量％以下、１３．０質量％以下、１２．０質量％以下、又は１１．０質量％以下であってよい。
（Ｃ）成分：硬化剤
　（Ｃ）成分は、（Ｂ）成分の硬化剤として作用する成分である。（Ｂ）成分がエポキシ樹脂である場合、（Ｃ）成分は、エポキシ樹脂硬化剤であり得る。（Ｃ）成分としては、例えば、フェノール樹脂（フェノール系硬化剤）、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ホスフィン系硬化剤、アゾ化合物、有機過酸化物等が挙げられる。（Ｂ）成分がエポキシ樹脂である場合、（Ｃ）成分は、取り扱い性、保存安定性、及び硬化性の観点から、フェノール樹脂であってよい。
　フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。
　フェノール樹脂は、軟化点が９０℃以下であるフェノール樹脂を含んでいてもよい。軟化点が９０℃以下であるフェノール樹脂を含むことによって、高温時においてフェノール樹脂が充分に液状化することから、フィルム状接着剤の埋め込み性がより向上する傾向にある。
　フェノール樹脂の水酸基当量は、４０～３００ｇ／ｅｑ、７０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１００～２８０ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量が４０ｇ／ｅｑ以上であると、フィルム状接着剤の貯蔵弾性率がより向上する傾向にあり、３００ｇ／ｅｑ以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。
　（Ｂ）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量と（Ｃ）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量との比（（Ｂ）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量／（Ｃ）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
　（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１．０質量％以上、２．０質量％以上、３．０質量％以上、４．０質量％以上、又は５．０質量％以上であってよく、１５．０質量％以下、１４．０質量％以下、１３．０質量％以下、１２．０質量％以下、１１．０質量％以下、１０．０質量％以下、又は９．０質量％以下であってよい。
　（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１３．０質量％以上であってよい。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１３．０質量％以上であると、フィルム状接着剤の被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１３．２質量％以上、１３．５質量％以上、１３．７質量％以上、１４．０質量％以上、１４．５質量％以上、１５．０質量％以上、又は１５．５質量％以上であってもよい。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、３０．０質量％以下、２７．０質量％以下、２５．０質量％以下、２２．０質量％以下、２０．０質量％以下、又は１８．０質量％以下であってもよい。
（Ｄ）成分：エラストマー
　（Ｄ）成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。（Ｄ）成分は、これらの樹脂であって、架橋性官能基を有する樹脂であってよく、架橋性官能基を有するアクリル樹脂であってもよい。ここで、アクリル樹脂とは、（メタ）アクリレート（（メタ）アクリル酸エステル）に由来する構成単位を含む（メタ）アクリル（共）重合体を意味する。アクリル樹脂は、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシ基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリレートに由来する構成単位を含む（メタ）アクリル（共）重合体であってよい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリレートとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。これらのエラストマーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ＳＧ－Ｐ３、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、ＳＧ－２８０　ＥＫ２３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ－３ＤＢ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）等が挙げられる。
　（Ｄ）成分としてのエラストマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～２０℃であってよい。Ｔｇが－５０℃以上であると、フィルム状接着剤のタック性が低くなるため取り扱い性がより向上する傾向にある。Ｔｇが５０℃以下であると、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤ワニスの流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、（Ｄ）成分としてのエラストマーのＴｇは、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製、商品名：Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　２）を用いて測定した値を意味する。
　（Ｄ）成分としてのエラストマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５万～１６０万、１０万～１４０万、又は３０万～１２０万であってよい。（Ｄ）成分としてのエラストマーのガラス転移温度が５万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。（Ｄ）成分の重量平均分子量が１６０万以下であると、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤ワニスの流動性により優れる傾向にある。ここで、（Ｄ）成分としてのエラストマーのＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
　（Ｄ）成分としてのエラストマーのＭｗの測定装置、測定条件等は、例えば、以下のとおりである。
　ポンプ：Ｌ－６０００（株式会社日立製作所製）
　カラム：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４４０（日立化成株式会社製）、ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４５０（日立化成株式会社製）、及びゲルパックＧＬ－Ｒ４００Ｍ（日立化成株式会社製）（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラム
　溶離液：テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）
　サンプル：試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍＬに溶解させた溶液
　流速：１．７５ｍＬ／分
　（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１５．０質量％以下、１２．０質量％以下、１０．０質量％以下、又は９．０質量％以下であってよい。（Ｄ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１５．０質量％以下であると、粘度が高くなり過ぎて（Ａ）成分の分散性が低下し、放熱性が低下することを防ぐことができる。（Ｄ）成分の含有量の下限は、フィルム加工性の観点から、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量を基準として、１．０質量％以上、１．５質量％以上、２．０質量％以上、２．５質量％以上、又は３．０質量％以上であってよい。
（Ｅ）成分：カップリング剤
　（Ｅ）成分は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤としては、例えば、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
（Ｆ）成分：硬化促進剤
　（Ｆ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの中でも、反応性の観点から（Ｆ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってもよい。
　イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　フィルム状接着剤は、その他の成分をさらに含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、顔料、イオン補捉剤、酸化防止剤等が挙げられる。
　（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、及びその他の成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、０．００５～１０質量％であってよい。
　図１に示されるフィルム状接着剤１０Ａの製造方法は特に制限されないが、例えば、（Ａ）成分と、有機溶媒とを少なくとも含有する原料ワニスを混合し、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分と、（Ｄ）成分と、有機溶媒とを含有する接着剤ワニスを調製する工程（混合工程）と、接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程（形成工程）とを備える製造方法によって得ることができる。接着剤ワニスは、必要に応じて、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、その他の成分等をさらに含有していてもよい。
（混合工程）
　混合工程は、（Ａ）成分と、有機溶媒とを少なくとも含有する原料ワニスを混合し、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分と、（Ｄ）成分と、有機溶媒とを含有する接着剤ワニスを調製する工程である。
　有機溶媒は、（Ａ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド、ブチルカルビトール、エチルカルビトール等のアルコールなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、有機溶媒は、表面処理剤の溶解性及び沸点の観点から、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、又はシクロヘキサノンであってもよい。原料ワニス中の固形成分濃度は、原料ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
　原料ワニスは、例えば、撹拌機で使用する容器に各成分を添加することによって得ることができる。この場合、各成分の添加の順序は特に制限されず、各成分の性状に合わせて適宜設定することができる。
　混合は、ホモディスパー、スリーワンモーター、ミキシングローター、プラネタリー、らいかい機等の通常の撹拌機を適宜組み合わせて行うことができる。撹拌機は、原料ワニス又は接着剤ワニスの温度条件を管理できるヒーターユニット等の加温設備を備えていてもよい。混合にホモディスパーを用いる場合、ホモディスパーの回転数は３０００回転／分以上であってよい。
　混合工程の混合温度は、特に制限されないが、５０℃以上であってよい。混合工程の混合温度は、必要に応じて、加温設備等で加温してもよい。本開示の発明者らの検討によると、混合工程の混合温度が５０℃以上であると、例えば、銀粒子（好ましくは還元法によって製造された銀粒子）を用いた場合において、得られるフィルム状接着剤は、Ｃステージ状態において、銀粒子の焼結体を含むものとなり得ることが見出された。このような現象は、（Ａ）成分として、還元法によって製造された銀粒子を用いたときにより顕著に発現する。このような現象が発現する理由は、必ずしも明らかではないが、本開示の発明者らは、以下のように考えている。（Ａ）成分としての（還元剤を用いた液相（湿式）還元法によって製造された）銀粒子は、通常、表面処理剤（滑剤）によって表面が被覆されている。ここで、混合工程の混合温度が５０℃以上であると、銀粒子を被覆している表面処理剤が解離して（還元状態にある）銀表面が露出し易くなると推測される。さらに、このような銀表面が露出した銀粒子同士は、直接接触し易いことから、フィルム状接着剤を硬化させる条件で加熱すると、銀粒子同士が焼結して銀粒子の焼結体を形成し易くなると推測される。これによって、フィルム状接着剤は、Ｃステージ状態において、銀粒子の焼結体を含むものになると考えられる。なお、アトマイズ法によって製造された銀粒子は、その製造方法上の特性により、銀粒子の表面に酸化銀膜で覆われている。本開示の発明者らの検討によると、アトマイズ法によって製造された銀粒子を用いた場合、混合工程の混合温度が５０℃以上であっても、得られるフィルム状接着剤は、Ｃステージ状態において、銀粒子の焼結体を含むものとなり難いことを確認している。混合工程の混合温度は、５５℃以上、６０℃以上、６５℃以上、又は７０℃以上であってもよい。混合工程の混合温度の上限は、例えば、１２０℃以下、１１０℃以下、１００℃以下、９０℃以下、又は８０℃以下であってよい。混合工程の混合時間は、例えば、１分以上、５分以上、１０分以上、又は２０分以上であってよく、８０分以下、６０分以下、又は４０分以下であってよい。
　（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、又はその他の成分は、各成分の性状に合わせて、任意の段階で接着剤ワニスに含有させることができる。これらの成分は、例えば、混合工程前に原料ワニスに添加することによって接着剤ワニスに含有させてもよいし、混合工程後に、接着剤ワニスに添加することによって含有させてもよい。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分は、混合工程前に原料ワニスに添加することによって接着剤ワニスに含有させることが好ましい。（Ｄ）成分は、混合工程前に原料ワニスに添加することによって接着剤ワニスに含有させてもよいし、混合工程後に、接着剤ワニスに添加することによって含有させてもよい。（Ｅ）成分及び（Ｆ）成分は、混合工程後に、接着剤ワニスに添加することによって含有させることが好ましい。混合工程後に、接着剤ワニスに添加する場合、添加後において、例えば、５０℃未満の温度条件（例えば、室温（２５℃））下で混合してもよい。この場合の条件は、室温（２５℃））下で０．１～４８時間であってよい。
　混合工程は、一実施形態において、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分と、（Ｄ）成分と、有機溶媒とを含有する原料ワニスを、５０℃以上の混合温度で混合し、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分と、（Ｄ）成分と、有機溶媒とを含有する接着剤ワニスを調製する工程であってよい。
　このようにして、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分と、（Ｄ）成分と、有機溶媒とを含有する接着剤ワニスを調製することができる。接着剤ワニスは、調製後において、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してもよい。
　接着剤ワニス中の固形成分濃度は、接着剤ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
（形成工程）
　形成工程は、接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程である。フィルム状接着剤を形成する方法としては、例えば、接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法等が挙げられる。
　接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
　接着剤ワニスを支持フィルムに塗布した後、必要に応じて、有機溶媒を加熱乾燥してもよい。加熱乾燥は、使用した有機溶媒が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、加熱乾燥温度は５０～２００℃であってよく、加熱乾燥時間は０．１～３０分であってよい。加熱乾燥は、異なる加熱乾燥温度又は加熱乾燥時間で段階的に行ってもよい。
　このようにして、フィルム状接着剤１０Ａを得ることができる。フィルム状接着剤１０Ａの厚さは、用途に合わせて適宜調整することができるが、本開示のフィルム状接着剤１０Ａは、薄膜化が可能であり、例えば、厚さを３０μｍ以下にすることができる。フィルム状接着剤１０Ａの厚さは、例えば、５～３０μｍであってよい。フィルム状接着剤１０Ａの厚さは、６μｍ以上、８μｍ以上、又は１０μｍ以上であってよく、２８μｍ以下、２６μｍ以下、又は２５μｍ以下であってよい。
　１７０℃で３時間熱硬化させた後（Ｃステージ状態）のフィルム状接着剤１０Ａの熱伝導率（２５℃±１℃）は、２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってよい。熱伝導率が２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、半導体装置の放熱性がより優れる傾向にある。熱伝導率は、２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、４．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、４．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、又は６．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってもよい。フィルム状接着剤１０ＡのＣステージ状態における熱伝導率（２５℃±１℃）の上限は、特に制限されないが、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であってよい。
　１７０℃で３時間熱硬化させた後（Ｃステージ状態）のフィルム状接着剤１０Ａの熱伝導率（２５℃±１℃）は、例えば、以下の方法によって測定することができる。まず、フィルム状接着剤を所定のサイズに切断し、積層したときに厚さが２００μｍとなるように所定の枚数のフィルム片を用意する。例えば、厚さが２５μｍであるフィルム状接着剤を用いる場合は、８枚のフィルム片を用意する。厚さが１０μｍであるフィルム状接着剤を用いる場合は、２０枚のフィルム片を用意する。これらのフィムル片を７０℃のホットプレート上でゴムロールを用いてラミネートし、厚さが２００μｍである積層体を用意する。次いで、各積層体をクリーンオーブン（エスペック株式会社製）中で１７０℃３時間熱硬化させることによって、Ｃステージ状態にある試料を得る。得られた試料を１ｃｍ×１ｃｍに切り抜き、これを熱伝導率測定用フィルムとして、以下の測定項目／条件で熱伝導率を測定する。
（熱伝導率の算出）
　熱伝導率測定用フィルムの厚さ方向の熱伝導率λは、下記式によって算出する。
　熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）＝熱拡散率α（ｍ２／ｓ）×比熱Ｃｐ（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）×密度ρ（ｇ／ｃｍ３）
　なお、熱拡散率α、比熱Ｃｐ、及び密度ρは以下の方法によって測定する。熱伝導率λが大きいことは、半導体装置において、放熱性により優れることを意味する。
（熱拡散率αの測定）
　熱伝導率測定用フィルムの両面をグラファイトスプレーで黒化処理することによって、測定サンプルを作製する。測定サンプルを、例えば、下記の測定装置を用いて、下記の条件でレーザーフラッシュ法（キセノンフラッシュ法）によって熱伝導率測定用フィルムの熱拡散率αを求める。
・測定装置：熱拡散率測定装置（ネッチ・ジャパン株式会社社製、商品名：ＬＦＡ４４７　ｎａｎｏｆｌａｓｈ）
・パルス光照射のパルス幅：０．１ｍｓ
・パルス光照射の印加電圧：２３６Ｖ
・測定サンプルの処理：熱伝導率測定用フィルムの両面をグラファイトスプレーで黒化処理
・測定雰囲気温度：２５℃±１℃
（比熱Ｃｐ（２５℃）の測定）
　熱伝導率測定用フィルムの比熱Ｃｐ（２５℃）は、例えば、下記の測定装置を用いて、下記の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行うことによって求める。
・測定装置：示差走査熱量測定装置（株式会社パーキンエルマージャパン製、商品名：Ｐｙｒｉｓ１）
・基準物質：サファイア
・昇温速度：１０℃／分
・昇温温度範囲：室温（２５℃）～６０℃
（密度ρの測定）
　熱伝導率測定用フィルムの密度ρは、例えば、下記の測定装置を用いて、下記の条件でアルキメデス法によって測定する。
・測定装置：電子比重計（アルファーミラージュ株式会社製、商品名：ＳＤ２００Ｌ）
・水温：２５℃
　１７０℃で３時間熱硬化させた後（Ｃステージ状態）のフィルム状接着剤１０Ａの熱伝導率（２５℃±１℃）は、例えば、（Ａ）成分の含有量を多くする（（Ａ）成分以外の成分の含有量を少なくする）等の方法によって向上させることができる。
　フィルム状接着剤１０Ａの１１０℃におけるずり粘度は、例えば、３００００Ｐａ・ｓ以下、２８０００Ｐａ・ｓ以下、２６０００Ｐａ・ｓ以下、２４０００Ｐａ・ｓ以下、又は２２０００Ｐａ・ｓ以下であってよく、３０００Ｐａ・ｓ以上、５０００Ｐａ・ｓ以上、７０００Ｐａ・ｓ以上、又は１００００Ｐａ・ｓ以上であってよい。
　１１０℃におけるずり粘度は、例えば、以下の方法によって測定することができる。まず、フィルム状接着剤を所定のサイズに切断し、積層したときに厚さが３００μｍとなるように所定の枚数のフィルム片を用意する。例えば、厚さが２５μｍであるフィルム状接着剤を用いる場合は、１２枚のフィルム片を用意する。厚さが１０μｍであるフィルム状接着剤を用いる場合は、３０枚のフィルム片を用意する。これらのフィムル片を７０℃のホットプレート上でゴムロールを用いてラミネートし、厚さが３００μｍである積層体を用意する。次いで、積層体をφ９ｍｍのポンチで打ち抜いて試料を作製し、作製した試料を、回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製、商品名：ＡＲＥＳ－ＲＤＡ）を用いて以下の測定条件でずり粘度を測定する。このとき、１１０℃におけるずり粘度の測定値が１１０℃におけるずり粘度である。なお、ギャップセット時は、試料にかかる荷重が１０～１５ｇとなるようにギャップを調節する。
（測定条件）
　ディスクプレート：アルミ製、８ｍｍφ
　測定周波数：１Ｈｚ
　昇温速度：５℃／分
　ひずみ：５％
　測定温度：３５～１５０℃
　初期荷重：１００ｇ
　フィルム状接着剤１０Ａの１１０℃における損失弾性率は、２００ｋＰａ以下、１８０ｋＰａ以下、１６０ｋＰａ以下、１４０ｋＰａ以下、又は１３５ｋＰａ以下であってよく、１０ｋＰａ以上、３０ｋＰａ以上、５０ｋＰａ以上、又は７０ｋＰａ以上であってよい。
　１１０℃における損失弾性率は、上記１１０℃におけるずり粘度の測定方法と同様にして、回転式粘弾性測定装置から求めることができる。
　１１０℃におけるずり粘度及び損失弾性率は、例えば、（Ａ）成分の含有量を少なくする（（Ａ）成分以外の成分の含有量を多くする）、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計量に対する（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計量の割合を大きくする、軟化点が９０℃以下である（Ｂ）成分又は（Ｃ）成分を適用する、分子量の小さい（Ｄ）成分を適用する等の方法によって減少させることができる。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法］
　図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図２に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、基材層４０と、粘着剤層３０と、フィルム状接着剤１０Ａからなる接着剤層１０とをこの順に備えている。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、基材層４０及び基材層４０上に設けられた粘着剤層３０を備えるダイシングテープ５０（ダイシングフィルム）と、ダイシングテープ５０の粘着剤層３０上に設けられた接着剤層１０とを備えているということもできる。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、フィルム状、シート状、テープ状等であってもよい。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、接着剤層１０の粘着剤層３０とは反対側の表面上に支持フィルム２０が備えられていてもよい。
　ダイシングテープ５０における基材層４０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、基材層４０は、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が施されていてもよい。
　ダイシングテープ５０における粘着剤層３０は、ダイシング時には半導体チップが飛散しない充分な粘着力を有し、その後の半導体チップのピックアップ工程においては半導体チップを傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限されず、ダイシングテープの分野で従来公知のものを使用することができる。粘着剤層３０は、感圧型粘着剤からなる粘着剤層であっても、紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着剤層であってもよい。粘着剤層が紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着剤層である場合、粘着剤層は紫外線を照射することによって粘着性を低下させることができる。
　ダイシングテープ５０（基材層４０及び粘着剤層３０）の厚さは、経済性及びフィルムの取扱い性の観点から、６０～１５０μｍ又は７０～１３０μｍであってよい。
　図２に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、フィルム状接着剤１０Ａ、並びに、基材層４０及び基材層４０上に設けられた粘着剤層３０を備えるダイシングテープ５０を準備する工程と、フィルム状接着剤１０Ａと、ダイシングテープ５０の粘着剤層３０とを貼り合わせる工程とを備える製造方法によって得ることができる。フィルム状接着剤１０Ａと、ダイシングテープ５０の粘着剤層３０とを貼り合わせる方法としては、公知の方法を用いることができる。
［半導体装置及びその製造方法］
　図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）は、各工程を模式的に示す断面図である。半導体装置の製造方法は、上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００の接着剤層１０に半導体ウェハＷを貼り付ける工程（ウェハラミネート工程、図３（ａ）、（ｂ）参照）と、接着剤層１０を貼り付けた半導体ウェハＷをダイシングすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップ６０を作製する工程（ダイシング工程、図３（ｃ）参照）と、接着剤片付き半導体チップ６０を支持部材８０に接着剤片１０ａを介して接着する工程（半導体チップ接着工程、図３（ｆ）参照））とを備えている。半導体装置の製造方法は、ダイシング工程と半導体チップ接着工程との間に、必要に応じて、粘着剤層３０に対して（基材層４０を介して）紫外線を照射する工程（紫外線照射工程、図３（ｄ）参照）と、粘着剤層３０ａから接着剤片１０ａが付着した半導体チップＷａ（接着剤片付き半導体チップ６０）をピックアップする工程（ピックアップ工程、図３（ｅ）参照）と、支持部材８０に接着された接着剤片付き半導体チップ６０における接着剤片１０ａを熱硬化させる工程（熱硬化工程）とをさらに備えていてもよい。
＜ウェハラミネート工程＞
　本工程では、まず、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００を所定の装置に配置する。続いて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００の接着剤層１０に半導体ウェハＷの表面Ｗｓを貼り付ける（図３（ａ）、（ｂ）参照）。半導体ウェハＷの回路面は、表面Ｗｓとは反対側の面に設けられていてもよい。
　半導体ウェハＷとしては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素等の化合物半導体などが挙げられる。
＜ダイシング工程＞
　本工程では、半導体ウェハＷ及び接着剤層１０をダイシングして個片化する（図３（ｃ）参照）。このとき、粘着剤層３０の一部、又は、粘着剤層３０の全部及び基材層４０の一部がダイシングされて個片化されていてもよい。このように、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、ダイシングシートとしても機能する。
＜紫外線照射工程＞
　粘着剤層３０が紫外線硬化型の粘着剤層である場合、半導体装置の製造方法は、紫外線照射工程を備えていてもよい。本工程では、粘着剤層３０に対して（基材層４０を介して）紫外線を照射する（図３（ｄ）参照）。紫外線照射において、紫外線の波長は２００～４００ｎｍであってよい。紫外線照射条件は、照度及び照射量をそれぞれ３０～２４０ｍＷ／ｃｍ２の範囲及び５０～５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であってよい。
＜ピックアップ工程＞
　本工程では、基材層４０をエキスパンドすることによって、個片化された接着剤片付き半導体チップ６０を互いに離間させつつ、基材層４０側からニードル７２で突き上げられた接着剤片付き半導体チップ６０を吸引コレット７４で吸引して粘着剤層３０ａからピックアップする（図３（ｅ）参照）。なお、接着剤片付き半導体チップ６０は、半導体チップＷａ及び接着剤片１０ａを有する。半導体チップＷａは半導体ウェハＷが個片化されたものであり、接着剤片１０ａは接着剤層１０が個片化されたものである。また、粘着剤層３０ａは粘着剤層３０が個片化されたものである。粘着剤層３０ａは接着剤片付き半導体チップ６０をピックアップした後に基材層４０上に残存し得る。本工程では、必ずしも基材層４０をエキスパンドすることは必要ないが、基材層４０をエキスパンドすることによってピックアップ性をより向上させることができる。
　ニードル７２による突き上げ量は、適宜設定することができる。さらに、極薄ウェハに対しても充分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段の突き上げを行ってもよい。また、吸引コレット７４を用いる方法以外の方法で接着剤片付き半導体チップ６０をピックアップしてもよい。
＜半導体チップ接着工程＞
　本工程では、ピックアップされた接着剤片付き半導体チップ６０を、熱圧着によって、接着剤片１０ａを介して支持部材８０に接着する（図３（ｆ）参照）。支持部材８０には、複数の接着剤片付き半導体チップ６０を接着してもよい。
　熱圧着における加熱温度は、例えば、８０～１６０℃であってよい。熱圧着における荷重は、例えば、５～１５Ｎであってよい。熱圧着における加熱時間は、例えば、０．５～２０秒であってよい。
＜熱硬化工程＞
　本工程では、支持部材８０に接着された接着剤片付き半導体チップ６０における接着剤片１０ａを熱硬化させる。半導体チップＷａと支持部材８０とを接着している接着剤片１０ａ又は接着剤片の硬化物１０ａｃを（さらに）熱硬化させることによって、より強固に接着固定が可能となる。また、（Ａ）成分が銀粒子（好ましくは還元法によって製造された銀粒子）である場合、接着剤片１０ａ又は接着剤片の硬化物１０ａｃを（さらに）熱硬化させることによって、銀粒子の焼結体がより一層得られ易くなる傾向にある。熱硬化を行う場合、圧力を同時に加えて硬化させてもよい。本工程における加熱温度は、接着剤片１０ａの構成成分によって適宜変更することができる。加熱温度は、例えば、６０～２００℃であってよく、９０～１９０℃又は１２０～１８０℃であってもよい。加熱時間は、３０分～５時間であってよく、１～３時間又は２～３時間であってもよい。なお、温度又は圧力は、段階的に変更しながら行ってもよい。
　接着剤片１０ａは、半導体チップ接着工程又は熱硬化工程を経ることによって硬化して、接着剤片の硬化物１０ａｃとなり得る。（Ａ）成分が銀粒子（好ましくは還元法によって製造された銀粒子）である場合、接着剤片の硬化物１０ａｃは、銀粒子の焼結体を含み得る。そのため、得られる半導体装置は、優れた放熱性を有するものとなり得る。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、支持部材の端子部（インナーリード）の先端と半導体素子上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する工程（ワイヤボンディング工程）を備えていてもよい。ボンディングワイヤとしては、例えば、金線、アルミニウム線、銅線等が用いられる。ワイヤボンディングを行う際の温度は、８０～２５０℃又は８０～２２０℃の範囲内であってよい。加熱時間は数秒～数分であってよい。ワイヤボンディングは、上記温度範囲内で加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧とによる圧着エネルギーの併用によって行ってもよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止材によって半導体素子を封止する工程（封止工程）を備えていてもよい。本工程は、支持部材に搭載された半導体素子又はボンディングワイヤを保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂（封止樹脂）を金型で成型することによって行うことができる。封止樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂であってよい。封止時の熱及び圧力によって支持部材及び残渣が埋め込まれ、接着界面での気泡による剥離を防止することができる。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止工程で硬化不足の封止樹脂を完全に硬化させる工程（後硬化工程）を備えていてもよい。封止工程において、接着剤片が熱硬化されない場合でも、本工程において、封止樹脂の硬化とともに接着剤片を熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類よって適宜設定することができ、例えば、１６５～１８５℃の範囲内であってよく、加熱時間は０．５～８時間程度であってよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、支持部材に接着された接着剤片付き半導体素子に対して、リフロー炉を用いて加熱する工程（加熱溶融工程）を備えていてもよい。本工程では支持部材上に、樹脂封止した半導体装置を表面実装してもよい。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めはんだを供給した後、温風等によって加熱溶融し、はんだ付けを行うリフローはんだ付けなどが挙げられる。加熱方法としては、例えば、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、加熱方法は、全体を加熱するものであってもよく、局部を加熱するものであってもよい。加熱温度は、例えば、２４０～２８０℃の範囲内であってよい。
　図４は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図４に示される半導体装置２００は、半導体チップＷａと、半導体チップＷａを搭載する支持部材８０と、接着部材１２とを備えている。接着部材１２は、半導体チップＷａ及び支持部材８０の間に設けられ、半導体チップＷａと支持部材８０とを接着している。接着部材１２は、フィルム状接着剤の硬化物（接着剤片の硬化物１０ａｃ）である。半導体チップＷａの接続端子（図示せず）はワイヤ７０を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続されていてもよい。半導体チップＷａは、封止材から形成される封止材層９２によって封止されていてもよい。支持部材８０の表面８０Ａと反対側の面に、外部基板（マザーボード）（図示せず）との電気的な接続用として、はんだボール９４が形成されていてもよい。
　半導体チップＷａ（半導体素子）は、例えば、ＩＣ（集積回路）等であってよい。支持部材８０としては、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させた変性プラスチックフィルム；アルミナ等のセラミックスなどが挙げられる。
　半導体装置２００は、接着部材として、上記フィルム状接着剤の硬化物を備えることから、優れた放熱性を有する。
　以下に、本開示を実施例に基づいて具体的に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。
（実施例１～５及び比較例１、２）
＜接着剤ワニスの調製＞
　表１に示す記号及び組成比（単位：質量部）で、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分に、有機溶媒としてのシクロヘキサノンを加え、原料ワニスを調製した。当該原料ワニスをホモディスパー（田島化学機械株式会社製、Ｔ．Ｋ．ＨＯＭＯ　ＭＩＸＥＲ　ＭＡＲＫ　ＩＩ）を用いて、７０℃の混合温度条件で４０００回転／分で２０分撹拌し、接着剤ワニスを得た。次いで、接着剤ワニスを２０～３０℃になるまで放置した後、接着剤ワニスに（Ｅ）成分及び（Ｆ）成分を添加し、スリーワンモーターを用いて２５０回転／分で終夜撹拌した。このようにして、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の合計の含有量が６１質量％である、実施例１～５及び比較例１、２の接着剤ワニスをそれぞれ調製した。
　表１の各成分の記号は下記のものを意味する。
（Ａ）成分：金属粒子
（Ａ－１）銀粒子ＡＧ－５－１Ｆ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：２．９μｍ）
（Ａ－２）銀粒子ＡＧ－４－１Ｆ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：２．０μｍ）
（Ａ－３）銀粒子ＡＧ－３－１Ｆ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：１．４μｍ）
（Ａ－４）銀粒子ＡＧ－２－１Ｃ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：０．８μｍ）
（Ｂ）成分：熱硬化性樹脂
（Ｂ－１）Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ、軟化点：８４℃）
（Ｂ－２）ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ、２５℃で液状）
（Ｃ）成分：硬化剤
（Ｃ－１）ＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化学株式会社製、フェニルアラルキル型フェノール樹脂、水酸基当量：１７４ｇ／ｅｑ、軟化点：８０℃）
（Ｄ）成分：エラストマー
（Ｄ－１）ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：－７℃）
（Ｅ）成分：カップリング剤
（Ｅ－１）Ｚ－６１１９（商品名、ダウ・東レ株式会社製、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）
（Ｆ）成分：硬化促進剤
（Ｆ－１）２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
＜フィルム状接着剤の作製＞
　上記の各接着剤ワニスを用いてフィルム状接着剤を作製した。各接着剤ワニスについて真空脱泡を行い、その後の接着剤ワニスを、支持フィルムである離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ：３８μｍ）上に塗布した。塗布した接着剤ワニスを、９０℃で５分、続いて１３０℃で５分の２段階で加熱乾燥することによって、支持フィルム上に、Ｂステージ状態にある、厚さ２５μｍの実施例１、３～５及び比較例１、２のフィルム状接着剤、並びに、厚さ１０μｍの実施例２のフィルム状接着剤を得た。
＜体積％の算出＞
　（Ａ）成分の含有量（体積％）は、フィルム状接着剤の密度をｘ（ｇ／ｃｍ３）、（Ａ）成分の密度をｙ（ｇ／ｃｍ３）、フィルム状接着剤中の（Ａ）成分の質量割合をｚ（質量％）としたとき、下記式（Ｉ）から算出した。なお、フィルム状接着剤中の（Ａ）成分の質量割合は、熱重量示差熱分析装置（ＴＧ－ＤＴＡ）を用いて、熱重量分析を行うことによって求めた。また、フィルム状接着剤および（Ａ）成分の密度は比重計を用いて、質量と比重とを測定することで求めた。
　（Ａ）成分の含有量（体積％）＝（ｘ／ｙ）×ｚ　（Ｉ）
　ＴＧ－ＤＴＡの測定条件：温度範囲３０～６００℃（昇温速度３０℃／分）、６００℃で２０分維持
　Ａｉｒ流量：３００ｍＬ／分
　熱重量示差熱分析装置：セイコーインスツル株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０
　比重計：アルファーミラージュ株式会社製、ＥＷ－３００ＳＧ
＜熱伝導率の測定＞
（熱伝導率測定用フィルムの作製）
　フィルム状接着剤を所定のサイズに切断し、実施例１、３～５及び比較例１、２のフィルム状接着剤（厚さ：２５μｍ）は８枚、実施例２のフィルム状接着剤（厚さ：１０μｍ）は２０枚のフィルム片を用意した。次いで、これらのフィルム片を７０℃のホットプレート上でゴムロールを用いてラミネートし、厚さが２００μｍである積層体を用意した。次いで、各積層体をクリーンオーブン（エスペック株式会社製）中で１７０℃３時間熱硬化させることによって、Ｃステージ状態にある試料を得た。作製した試料を１ｃｍ×１ｃｍに切り抜き、これを熱伝導率測定用フィルムとして、以下の測定項目／条件で熱伝導率を測定した。結果を表１に示す。
（熱伝導率の算出）
　熱伝導率測定用フィルムの厚さ方向の熱伝導率λは、下記式によって算出した。結果を表１に示す。
　熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）＝熱拡散率α（ｍ２／ｓ）×比熱Ｃｐ（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）×密度ρ（ｇ／ｃｍ３）
　なお、熱拡散率α、比熱Ｃｐ、及び密度ρは以下の方法によって測定した。熱伝導率λが大きいことは、半導体装置において、放熱性により優れることを意味する。
（熱拡散率αの測定）
　熱伝導率測定用フィルムの両面をグラファイトスプレーで黒化処理することによって、測定サンプルを作製した。測定サンプルを下記の測定装置を用いて、下記の条件でレーザーフラッシュ法（キセノンフラッシュ法）によって熱伝導率測定用フィルムの熱拡散率αを求めた。
・測定装置：熱拡散率測定装置（ネッチ・ジャパン株式会社社製、商品名：ＬＦＡ４４７　ｎａｎｏｆｌａｓｈ）
・パルス光照射のパルス幅：０．１ｍｓ
・パルス光照射の印加電圧：２３６Ｖ
・測定サンプルの処理：熱伝導率測定用フィルムの両面をグラファイトスプレーで黒化処理
・測定雰囲気温度：２５℃±１℃
（比熱Ｃｐ（２５℃）の測定）
　熱伝導率測定用フィルムの比熱Ｃｐ（２５℃）は、下記の測定装置を用いて、下記の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行うことによって求めた。
・測定装置：示差走査熱量測定装置（株式会社パーキンエルマージャパン製、商品名：Ｐｙｒｉｓ１）
・基準物質：サファイア
・昇温速度：１０℃／分
・昇温温度範囲：室温（２５℃）～６０℃
（密度ρの測定）
　熱伝導率測定用フィルムの密度ρは、下記の測定装置を用いて、下記の条件でアルキメデス法によって測定した。
・測定装置：電子比重計（アルファーミラージュ株式会社製、商品名：ＳＤ２００Ｌ）
・水温：２５℃
＜フィルム状接着剤の１１０℃におけるずり粘度、貯蔵弾性率、損失弾性率、及びｔａｎδの測定＞
　フィルム状接着剤を所定のサイズに切断し、実施例１、３～５及び比較例１、２のフィルム状接着剤（厚さ：２５μｍ）は１２枚、実施例２のフィルム状接着剤（厚さ：１０μｍ）は３０枚のフィルム片を用意した。次いで、これらのフィルム片を７０℃のホットプレート上でゴムロールを用いてラミネートし、厚さが３００μｍである積層体を用意した。次いで、各積層体をφ９ｍｍのポンチで打ち抜いて試料を作製し、作製した試料を、回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製、商品名：ＡＲＥＳ－ＲＤＡ）を用いて以下の測定条件で、１１０℃におけるずり粘度、貯蔵弾性率、損失弾性率、及びｔａｎδを測定した。なお、ギャップセット時は、試料にかかる荷重が１０～１５ｇとなるようにギャップを調節した。結果を表１に示す。
（測定条件）
　ディスクプレート：アルミ製、８ｍｍφ
　測定周波数：１Ｈｚ
　昇温速度：５℃／分
　ひずみ：５％
　測定温度：３５～１５０℃
　初期荷重：１００ｇ
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例１～５及び比較例１、２においては、厚さが３０μｍ以下のフィルム状接着剤を形成できることが判明した。また、表１に示すとおり、熱伝導率は、（Ａ）成分の平均粒径（Ｄ５０）の大きさに相関性が高く、金属粒子の平均粒径（Ｄ５０）が１．０～２．５μｍである実施例１～５のフィルム状接着剤は、この要件を満たさない比較例１、２のフィルム状接着剤に比べて、熱伝導率が高かった。以上の結果から、本開示のフィルム状接着剤は、放熱性に優れる半導体装置を製造することができるとともに、薄膜化が可能であることが確認された。
　１０…接着剤層、１０Ａ…フィルム状接着剤、１０ａ…接着剤片、１０ａｃ…接着剤片の硬化物、１２…接着部材、２０…支持フィルム、３０，３０ａ…粘着剤層、４０…基材層、５０…ダイシングテープ、６０…接着剤片付き半導体チップ、７０…ワイヤ、７２…ニードル、７４…吸引コレット、８０…支持部材、９２…封止材層、９４…はんだボール、１００…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、２００…半導体装置、Ｗ…半導体ウェハ、Ｗａ…半導体チップ。

Claims (10)

  1. 　金属粒子と、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーとを含有し、
    　前記金属粒子の平均粒径（Ｄ５０）が１．０～２．５μｍである、
    　フィルム状接着剤。
  2. 　前記金属粒子の含有量が、前記金属粒子、前記熱硬化性樹脂、前記硬化剤、及び前記エラストマーの合計量を基準として、７４．０質量％以上である、
    　請求項１に記載のフィルム状接着剤。
  3. 　前記金属粒子の含有量が、前記金属粒子、前記熱硬化性樹脂、前記硬化剤、及び前記エラストマーの合計量を基準として、２４．０体積％以上である、
    である、
    　請求項１に記載のフィルム状接着剤。
  4. 　前記熱硬化性樹脂及び前記硬化剤の合計の含有量が、前記金属粒子、前記熱硬化性樹脂、前記硬化剤、及び前記エラストマーの合計量を基準として、１３．０質量％以上である、
    　請求項２又は３に記載のフィルム状接着剤。
  5. 　厚さが５～３０μｍである、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  6. 　１７０℃で３時間熱硬化させた後の熱伝導率（２５℃±１℃）が２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤の製造方法であって、
    　前記金属粒子と、前記熱硬化性樹脂と、前記硬化剤と、前記エラストマーと、有機溶媒とを含有する原料ワニスを５０℃以上の混合温度で混合して、接着剤ワニスを調製する工程と、
    　前記接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程と、
    を備える、
    　フィルム状接着剤の製造方法。
  8. 　基材層と、粘着剤層と、請求項１～６のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  9. 　半導体チップと、
    　前記半導体チップを搭載する支持部材と、
    　前記半導体チップ及び前記支持部材の間に設けられ、前記半導体チップと前記支持部材とを接着する接着部材と、
    を備え、
    　前記接着部材が、請求項１～６のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤の硬化物である、半導体装置。
  10. 　請求項８に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程と、
    　前記接着剤層を貼り付けた前記半導体ウェハをダイシングすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを作製する工程と、
    　前記接着剤片付き半導体チップを支持部材に接着剤片を介して接着する工程と、
    を備える、半導体装置の製造方法。
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