WO2022124203A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

高周波モジュール（１）は、主面（９０ａ）を有するモジュール基板（９０）と、主面（９０ａ）に配置され、電力増幅回路（１１）が形成された集積回路（７０）と、主面（９０ａ）に配置され、電力増幅回路（１１）に直接接続される回路素子が形成されたＳＭＤ（４１ｄ）と、を備え、集積回路（７０）は、少なくとも一部が第１半導体材料で構成された第１基材（７１）と、少なくとも一部が第２半導体材料で構成され、電力増幅回路（１１）が形成された第２基材（７２）と、を備え、第１基材（７１）は、平面視において互いに対向する辺（７１ｓ１）及び（７１ｓ２）を有し、ＳＭＤ（４１ｄ）は、平面視において辺（７１ｓ２）よりも辺（７１ｓ１）の方に近く、第２基材（７２）は、平面視において、第１基材（７１）よりも小さく、辺（７１ｓ２）よりも辺（７１ｓ１）の方に近い位置で第１基材（７１）と重なっている。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、高周波モジュール及び通信装置に関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。

　特許文献１の高周波モジュールでは、パッケージ基板上に配置された電力増幅器の上方にコントローラを積層することで、高周波モジュールの小型化が実現されている。

米国特許出願公開第２０１７／０３３８８４７号明細書

　しかしながら、上記従来技術では、電力増幅器が形成された下方の基材（以下、第２基材という）が上方の基材（以下、第１基材という）よりも小さい場合に、電力増幅器と他の回路素子とを接続する配線が冗長となる場合がある。

　そこで、本発明は、第１基材に重ねて配置された第２基材に形成された電力増幅回路と回路素子とを接続する配線を短縮することができる高周波モジュール及び通信装置を提供する。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、主面を有するモジュール基板と、主面に配置され、電力増幅回路が形成された集積回路と、主面に配置され、電力増幅回路に直接接続される回路素子が形成された電子部品と、を備え、集積回路は、少なくとも一部が第１半導体材料で構成された第１基材と、少なくとも一部が第１半導体材料と異なる第２半導体材料で構成され、電力増幅回路が形成された第２基材と、を備え、第１基材は、平面視において互いに対向する第１辺及び第２辺を有し、電子部品は、平面視において第２辺よりも第１辺の方に近く、第２基材は、平面視において、第１基材よりも小さく、第２辺よりも第１辺の方に近い位置で第１基材と重なっている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールによれば、第１基材に重ねて配置された第２基材に形成された電力増幅回路と回路素子とを接続する配線を短縮することができる。

図１は、実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。 図２は、実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図３は、実施の形態に係る高周波モジュールの断面図である。 図４は、実施の形態に係る高周波モジュールの部分断面図である。 図５は、実施の形態に係る高周波モジュールの部分断面図である。 図６は、実施の形態に係る高周波モジュールの部分平面図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

　以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「直接接続される」とは、他の回路素子を介さずに接続端子及び／又は配線導体で直接接続されることを意味する。「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味し、Ａ及びＢを結ぶ経路に直列に接続されることに加えて、当該経路とグランドとの間に接続されることを含む。

　本発明の部品配置において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「平面視において、ＡはＢと重なる」とは、ｘｙ平面に正投影されたＡの領域が、ｘｙ平面に正投影されたＢの領域と重なることを意味する。「ＡがＢ及びＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。また、「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、及び、「矩形」などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

　また、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板と接触した状態で基板上に配置されることに加えて、基板と接触せずに基板の上方に配置されること（例えば、部品が、基板上に配置された他の部品上に積層されること）、及び、部品の一部又は全部が基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。

　本発明の材料構成において、「物体Ａが材料Ｂで構成される」とは、Ａの主成分がＢであることを意味する。ここで、主成分とは、物体に含まれる複数の成分のうち最も大きい重量比率を有する成分を意味する。

　（実施の形態）
　［１．１　高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波モジュール１及びそれを備える通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成図である。

　［１．１．１　通信装置５の回路構成］
　図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。

　高周波モジュール１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の内部構成については後述する。

　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチ回路及び増幅回路等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に構成されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波モジュール１に構成されてもよい。

　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２とＢＢＩＣ４とは、必須の構成要素ではない。

　［１．１．２　高周波モジュール１の回路構成］
　次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅回路１１と、低雑音増幅回路２１と、インピーダンス整合回路（ＭＮ）４１～４４と、スイッチ回路５１～５５と、デュプレクサ回路６１及び６２と、制御回路８０と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１及び１１２と、高周波出力端子１２１及び１２２と、制御端子１３０と、を備える。

　アンテナ接続端子１００は、高周波モジュール１の外部でアンテナ２に接続されている。

　高周波入力端子１１１及び１１２の各々は、高周波モジュール１の外部から高周波送信信号を受けるための入力端子である。本実施の形態では、高周波入力端子１１１及び１１２は、高周波モジュール１の外部でＲＦＩＣ３に接続されている。

　高周波出力端子１２１及び１２２の各々は、高周波モジュール１の外部に高周波受信信号を提供するための出力端子である。本実施の形態では、高周波出力端子１２１及び１２２は、高周波モジュール１の外部でＲＦＩＣ３に接続されている。

　制御端子１３０は、制御信号を伝送するための端子である。つまり、制御端子１３０は、高周波モジュール１の外部から制御信号を受けるための端子、及び／又は、高周波モジュール１の外部に制御信号を供給するための端子である。制御信号とは、高周波モジュール１に含まれる電子部品の制御に関する信号である。具体的には、制御信号は、例えば、電力増幅回路１１、低雑音増幅回路２１、スイッチ回路５１～５５、又は、これらの任意の組み合わせを制御するためのデジタル信号である。

　電力増幅回路１１は、バンドＡ及びＢの送信信号を増幅することができる。電力増幅回路１１の入力端は、スイッチ回路５２を介して高周波入力端子１１１及び１１２に接続される。電力増幅回路１１の出力端は、インピーダンス整合回路４１及びスイッチ回路５１を介して送信フィルタ回路６１Ｔ及び６２Ｔに接続される。

　なお、電力増幅回路１１は、電源から電力を供給され、供給された電力を基に入力信号（送信信号）よりも大きなエネルギーの出力信号を得るための回路である。電力増幅回路１１は、増幅トランジスタを含み、インダクタ及び／又はキャパシタなどを含んでもよい。

　本実施の形態では、電力増幅回路１１は、多段増幅回路であり、電力増幅器１１Ａ及び１１Ｂを備える。電力増幅器１１Ａは、電力増幅回路１１の出力段に相当する。電力増幅器１１Ａは、電力増幅器１１Ｂ及びスイッチ回路５１の間に接続されている。具体的には、電力増幅器１１Ａの入力端は、電力増幅器１１Ｂの出力端に接続されている。電力増幅器１１Ａの出力端は、インピーダンス整合回路４１に接続されている。

　電力増幅器１１Ｂは、電力増幅回路１１の入力段に相当する。電力増幅器１１Ｂは、スイッチ回路５２及び電力増幅器１１Ａの間に接続されている。具体的には、電力増幅器１１Ｂの入力端は、スイッチ回路５２に接続されている。電力増幅器１１Ｂの出力端は、電力増幅器１１Ａの入力端に接続されている。

　なお、電力増幅回路１１の構成は、上記構成に限定されない。例えば、電力増幅回路１１は、単段増幅回路であってもよく、差動増幅型の増幅回路又はドハティ増幅回路であってもよい。

　低雑音増幅回路２１は、バンドＡ及びＢの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅回路２１の入力端は、インピーダンス整合回路４２及びスイッチ回路５４を介して受信フィルタ回路６１Ｒ及び６２Ｒに接続される。低雑音増幅回路２１の出力端は、スイッチ回路５５を介して高周波出力端子１２１及び１２２に接続される。

　インピーダンス整合回路４１は、電力増幅回路１１の出力端に接続され、かつ、スイッチ回路５１を介して送信フィルタ回路６１Ｔ及び６２Ｔの入力端に接続される。インピーダンス整合回路４１は、電力増幅回路１１の出力インピーダンスとスイッチ回路５１の入力インピーダンスとの間でインピーダンス整合をとることができる。

　インピーダンス整合回路４２は、低雑音増幅回路２１の入力端に接続され、かつ、スイッチ回路５４を介して受信フィルタ回路６１Ｒ及び６２Ｒの出力端に接続される。インピーダンス整合回路４２は、スイッチ回路５４の出力インピーダンスと低雑音増幅回路２１の入力インピーダンスとの間でインピーダンス整合をとることができる。

　インピーダンス整合回路４３は、送信フィルタ回路６１Ｔの出力端及び受信フィルタ回路６１Ｒの入力端に接続され、かつ、スイッチ回路５３を介してアンテナ接続端子１００に接続される。インピーダンス整合回路４３は、スイッチ回路５３とデュプレクサ回路６１との間でインピーダンス整合をとることができる。

　インピーダンス整合回路４４は、送信フィルタ回路６２Ｔの出力端及び受信フィルタ回路６２Ｒの入力端に接続され、かつ、スイッチ回路５３を介してアンテナ接続端子１００に接続される。インピーダンス整合回路４４は、スイッチ回路５３とデュプレクサ回路６２との間でインピーダンス整合をとることができる。

　スイッチ回路５１は、第１スイッチ回路の一例であり、電力増幅回路１１の出力端と送信フィルタ回路６１Ｔ及び６２Ｔの入力端との間に接続されている。スイッチ回路５１は、端子５１１～５１３を有する。端子５１１は、インピーダンス整合回路４１を介して電力増幅回路１１の出力端に接続されている。端子５１２は、送信フィルタ回路６１Ｔの入力端に接続されている。端子５１３は、送信フィルタ回路６２Ｔの入力端に接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１１を端子５１２及び５１３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ回路５１は、電力増幅回路１１の出力端の接続を送信フィルタ回路６１Ｔ及び６２Ｔの間で切り替えることができる。スイッチ回路５１は、例えばＳＰＤＴ（Single-Pole Double-Throw）型のスイッチを用いて構成され、バンドセレクトスイッチと呼ばれる場合もある。

　スイッチ回路５２は、第２スイッチ回路の一例であり、高周波入力端子１１１及び１１２と電力増幅回路１１の入力端との間に接続されている。スイッチ回路５２は、端子５２１～５２３を有する。端子５２１は、電力増幅回路１１の入力端に接続されている。端子５２２及び５２３は、高周波入力端子１１１及び１１２にそれぞれ接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５２１を端子５２２及び５２３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ回路５２は、電力増幅回路１１の入力端の接続を高周波入力端子１１１及び１１２の間で切り替えることができる。スイッチ回路５２は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチを用いて構成され、インスイッチと呼ばれる場合もある。

　スイッチ回路５３は、第３スイッチ回路の一例であり、アンテナ接続端子１００とデュプレクサ回路６１及び６２との間に接続されている。スイッチ回路５３は、端子５３１～５３３を有する。端子５３１は、アンテナ接続端子１００に接続されている。端子５３２は、インピーダンス整合回路４３を介して送信フィルタ回路６１Ｔの出力端及び受信フィルタ回路６１Ｒの入力端に接続されている。端子５３３は、インピーダンス整合回路４４を介して送信フィルタ回路６２Ｔの出力端及び受信フィルタ回路６２Ｒの入力端に接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５３１を端子５３２及び５３３の一方又は両方に接続することができる。つまり、スイッチ回路５３は、アンテナ接続端子１００及びデュプレクサ回路６１の接続及び非接続を切り替え、アンテナ接続端子１００及びデュプレクサ回路６２の接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ回路５３は、例えばマルチ接続型のスイッチを用いて構成され、アンテナスイッチと呼ばれる場合もある。

　スイッチ回路５４は、低雑音増幅回路２１の入力端と受信フィルタ回路６１Ｒ及び６２Ｒの出力端との間に接続されている。スイッチ回路５４は、端子５４１～５４３を有する。端子５４１は、インピーダンス整合回路４２を介して低雑音増幅回路２１の入力端に接続されている。端子５４２は、受信フィルタ回路６１Ｒの出力端に接続されている。端子５４３は、受信フィルタ回路６２Ｒの出力端に接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５４１を端子５４２及び５４３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ回路５４は、低雑音増幅回路２１の入力端の接続を受信フィルタ回路６１Ｒ及び６２Ｒの間で切り替えることができる。スイッチ回路５４は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチを用いて構成される。

　スイッチ回路５５は、高周波出力端子１２１及び１２２と低雑音増幅回路２１の出力端との間に接続されている。スイッチ回路５５は、端子５５１～５５３を有する。端子５５１は、低雑音増幅回路２１の出力端に接続されている。端子５５２及び５５３は、高周波出力端子１２１及び１２２にそれぞれ接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５５は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５５１を端子５５２及び５５３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ回路５５は、低雑音増幅回路２１の出力端の接続を高周波出力端子１２１及び１２２の間で切り替えることができる。スイッチ回路５５は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチを用いて構成され、アウトスイッチと呼ばれる場合もある。

　デュプレクサ回路６１は、バンドＡの高周波信号を通過させることができる。デュプレクサ回路６１は、バンドＡの送信信号と受信信号とを、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）方式で伝送する。デュプレクサ回路６１は、送信フィルタ回路６１Ｔ及び受信フィルタ回路６１Ｒを含む。

　送信フィルタ回路６１Ｔ（Ａ－Ｔｘ）は、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、送信フィルタ回路６１Ｔは、バンドＡの送信信号を通過させることができる。送信フィルタ回路６１Ｔは、電力増幅回路１１とアンテナ接続端子１００との間に接続される。具体的には、送信フィルタ回路６１Ｔの入力端は、スイッチ回路５１及びインピーダンス整合回路４１を介して電力増幅回路１１の出力端に接続される。一方、送信フィルタ回路６１Ｔの出力端は、インピーダンス整合回路４３及びスイッチ回路５３を介してアンテナ接続端子１００に接続される。

　受信フィルタ回路６１Ｒ（Ａ－Ｒｘ）は、バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、受信フィルタ回路６１Ｒは、バンドＡの受信信号を通過させることができる。受信フィルタ回路６１Ｒは、アンテナ接続端子１００と低雑音増幅回路２１との間に接続される。具体的には、受信フィルタ回路６１Ｒの入力端は、インピーダンス整合回路４３及びスイッチ回路５３を介してアンテナ接続端子１００に接続される。一方、受信フィルタ回路６１Ｒの出力端は、スイッチ回路５４及びインピーダンス整合回路４２を介して低雑音増幅回路２１に接続される。

　デュプレクサ回路６２は、バンドＢの高周波信号を通過させることができる。デュプレクサ回路６２は、バンドＢの送信信号と受信信号とを、ＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ回路６２は、送信フィルタ回路６２Ｔ及び受信フィルタ回路６２Ｒを含む。

　送信フィルタ回路６２Ｔ（Ｂ－Ｔｘ）は、バンドＢのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、送信フィルタ回路６２Ｔは、バンドＢの送信信号を通過させることができる。送信フィルタ回路６２Ｔは、電力増幅回路１１とアンテナ接続端子１００との間に接続される。具体的には、送信フィルタ回路６２Ｔの入力端は、スイッチ回路５１及びインピーダンス整合回路４１を介して電力増幅回路１１の出力端に接続される。一方、送信フィルタ回路６２Ｔの出力端は、インピーダンス整合回路４４及びスイッチ回路５３を介してアンテナ接続端子１００に接続される。

　受信フィルタ回路６２Ｒ（Ｂ－Ｒｘ）は、バンドＢのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、受信フィルタ回路６２Ｒは、バンドＢの受信信号を通過させることができる。受信フィルタ回路６２Ｒは、アンテナ接続端子１００と低雑音増幅回路２１との間に接続される。具体的には、受信フィルタ回路６２Ｒの入力端は、インピーダンス整合回路４４及びスイッチ回路５３を介してアンテナ接続端子１００に接続される。一方、受信フィルタ回路６２Ｒの出力端は、スイッチ回路５４及びインピーダンス整合回路４２を介して低雑音増幅回路２１に接続される。

　制御回路８０は、電力増幅回路１１を制御するパワーアンプコントローラである。制御回路８０は、ＲＦＩＣ３から制御端子１３０を介して制御信号を受けて、電力増幅回路１１に制御信号を出力する。

　なお、図１に表された回路のうちの１以上の回路は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール１は、少なくとも、電力増幅回路１１を備えればよく、他の回路を備えなくてもよい。

　［１．２　高周波モジュール１の部品配置］
　次に、以上のように構成された高周波モジュール１の部品配置の一例について、図２及び図３を参照しながら具体的に説明する。

　図２は、実施の形態に係る高周波モジュール１の平面図である。図３は、実施の形態に係る高周波モジュール１の断面図である。図３における高周波モジュール１の断面は、図２のｉｉｉ－ｉｉｉ線における断面である。

　高周波モジュール１は、図１に示された回路が構成された部品に加えて、さらに、モジュール基板９０と、樹脂部材９１と、シールド電極層９２と、複数の外部接続端子１５０と、を備える。なお、図２では、樹脂部材９１及びシールド電極層９２の図示が省略されている。さらに、図２及び図３では、モジュール基板９０に配置された複数の部品をそれぞれ接続する配線の図示が省略されている。

　モジュール基板９０は、互いに対向する主面９０ａ及び９０ｂを有する。本実施の形態では、モジュール基板９０は、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９０の形状はこれに限定されない。モジュール基板９０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　主面９０ａには、集積回路２０及び７０と、表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）４１ｄ～４４ｄと、スイッチ回路５３と、デュプレクサ回路６１及び６２と、が配置されている。主面９０ａ及び主面９０ａ上の部品は、樹脂部材９１で覆われている。

　集積回路２０は、低雑音増幅回路２１とスイッチ回路５４及び５５を含む。集積回路２０は、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより製造されてもよい。これにより、集積回路２０を安価に製造することが可能となる。なお、集積回路２０は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な低雑音増幅回路２１とスイッチ回路５４及び５５とを実現することができる。

　集積回路７０は、第１基材７１及び第２基材７２を含む。第２基材７２及び第１基材７１は、モジュール基板９０の主面９０ａ側からこの順で積層されている。集積回路７０の詳細については、図４～図６を用いて後述する。

　ＳＭＤ４１ｄ～４４ｄには、インピーダンス整合回路４１～４４を構成するインピーダンス整合素子がそれぞれ形成されている。特に、ＳＭＤ４１ｄには、電力増幅回路１１の出力端に直接接続されるインピーダンス整合素子が形成されている。インピーダンス整合素子としては、例えばインダクタ及び／又はキャパシタを用いることができるが、これに限定されない。なお、インピーダンス整合素子が形成される電子部品は、ＳＭＤに限定されない。例えば、ＳＭＤの代わりに、集積型受動デバイス（ＩＰＤ：Integrated PassiveDevice）が用いられてもよい。また、インピーダンス整合回路４１～４４を構成するインピーダンス整合素子は、モジュール基板９０内で構成されてもよい。

　スイッチ回路５３は、例えば直列接続された複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）などによって構成されている。ＭＯＳＦＥＴの直列接続の段数は、必要な耐電圧に応じて決定されればよく、特に限定されない。

　デュプレクサ回路６１及び６２の各々は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体フィルタのいずれを用いて構成されてもよく、さらには、これらには限定されない。

　樹脂部材９１は、主面９０ａ及び主面９０ａ上の部品を覆っている。樹脂部材９１は、主面９０ａ上の部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。なお、樹脂部材９１は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。

　シールド電極層９２は、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜であり、樹脂部材９１の上面及び側面と、モジュール基板９０の側面と、を覆うように形成されている。シールド電極層９２は、グランド電位に設定され、外来ノイズが高周波モジュール１を構成する部品に侵入することを抑制する。

　主面９０ｂには、複数の外部接続端子１５０が配置されている。複数の外部接続端子１５０は、図１に示したアンテナ接続端子１００、高周波入力端子１１１及び１１２、高周波出力端子１２１及び１２２、並びに、制御端子１３０に加えて、グランド端子を含む。複数の外部接続端子１５０の各々は、高周波モジュール１のｚ軸負方向に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド端子等に接合される。複数の外部接続端子１５０としては、例えばバンプ電極を用いることができるが、これに限定されない。

　なお、図２及び図３に示す部品配置は、一例であり、これに限定されない。例えば、複数の部品のうちの一部又は全部は、モジュール基板９０の主面９０ｂに配置されてもよい。この場合、主面９０ｂ及び主面９０ｂ上の部品は樹脂部材で覆われてもよい。

　［１．３　集積回路７０の構成］
　次に、集積回路７０の構成について、図４～図６を参照しながら説明する。

　図４及び図５は、実施の形態に係る高周波モジュール１の部分断面図である。具体的には、図４は、集積回路７０の拡大断面図であり、図５は、第２基材７２の拡大断面図である。なお、図４及び図５において、配線及び電極の図示は一部を除いて省略されている。

　図４に示すように、集積回路７０は、第１基材７１及び第２基材７２を有する。

　［１．３．１　第１基材７１の構成］
　まず、第１基材７１について説明する。第１基材７１の少なくとも一部は、第１半導体材料で構成されている。ここでは、第１半導体材料として、シリコン（Ｓｉ）が用いられている。なお、第１半導体材料は、シリコンに限定されない。例えば、第１半導体材料としては、ガリウムヒ素、ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化ガリウム、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、及び、酸化ガリウム（III）（Ｇａ_２Ｏ_３）のいずれかを主成分として含む材料又はこれら材料のうち複数の材料からなる多元系混晶材料を主成分として含む材料を用いることができ、これらに限定されない。

　第１基材７１には、スイッチ回路５１及び５２と制御回路８０とが形成されている。なお、第１基材７１に形成される電気回路は、スイッチ回路５１及び５２と制御回路８０とに限定されない。例えば、スイッチ回路５１及び５２と制御回路８０とのうちのいずれか又はいくつかのみが第１基材７１に形成されてもよい。また、スイッチ回路５１及び／又は５２を制御する制御回路（図示せず）が第１基材７１に形成されてもよい。

　第１基材７１は、シリコン基板７１１と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層７１２と、シリコン層７１３と、二酸化シリコン層７１４と、窒化シリコン（ＳｉＮ）層７１５と、を含む板状部材である。二酸化シリコン層７１２、シリコン層７１３、二酸化シリコン層７１４及び窒化シリコン層７１５は、シリコン基板７１１上にこの順で積層されている。

　シリコン基板７１１は、例えば、シリコン単結晶で構成され、支持基板として用いられている。

　二酸化シリコン層７１２は、シリコン基板７１１上に配置され、絶縁層として用いられている。

　シリコン層７１３は、二酸化シリコン層７１２上に配置され、デバイス層として用いられている。図４の断面では、シリコン層７１３に、制御回路８０を構成する複数の回路素子７１３０が形成されている。

　二酸化シリコン層７１４は、シリコン層７１３上に配置され、配線形成層として用いられている。二酸化シリコン層７１４には、シリコン層７１３に形成された制御回路８０並びにスイッチ回路５１及び５２を、窒化シリコン層７１５の表面に形成された電極７１６に接続するための配線が形成されている。この配線は、複数の配線層（図示せず）と、複数の配線層間を接続する複数のビア電極７１４０と、を含む。複数の配線層及び複数のビア電極７１４０は、例えば、銅又はアルミニウムで構成されている。

　窒化シリコン層７１５は、二酸化シリコン層７１４上に配置され、パッシベーション層として用いられている。窒化シリコン層７１５の表面の一部には、再配線層として電極７１６が形成されている。

　電極７１６は、電極７１７を介してモジュール基板９０に配置された電極（図示せず）に接合されている。電極７１６の表面は、樹脂層７１８で絶縁皮膜されている。

　複数の電極７１７は、第１電極の一例であり、第１基材７１において第２基材７２と向かい合う面に配置されている。複数の電極７１７の各々は、第１基材７１からモジュール基板９０の主面９０ａに向かって突出する電極であり、その先端が主面９０ａに接合されている。複数の電極７１７の各々は、柱状導体７１７ａ及びバンプ電極７１７ｂを有する。バンプ電極７１７ｂは、モジュール基板９０の主面９０ａに配置された電極（図示せず）に接合されている。

　なお、第１基材７１は、図４の構成に限定されない。例えば、第１基材７１は、シリコン基板７１１上の複数の層のうちの１つ又はいくつかを含まなくてもよい。

　［１．３．２　第２基材７２の構成］
　次に、第２基材７２について説明する。第２基材７２の少なくとも一部は、第１半導体材料と異なる第２半導体材料で構成されている。第２半導体材料としては、第１半導体材料よりも熱伝導率が低い材料が用いられ、例えばガリウムヒ素が用いられる。なお、第２半導体材料は、ガリウムヒ素に限定されない。例えば、第２半導体材料としては、ガリウムヒ素、ヒ化アルミニウム、ヒ化インジウム、リン化インジウム、リン化ガリウム、アンチモン化インジウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、酸化ガリウム（III）、及び、ガリウムビスマス（ＧａＢｉ）のいずれかを主成分として含む材料又はこれら材料のうち複数の材料からなる多元系混晶材料を主成分として含む材料を用いることができ、これらに限定されない。

　第２基材７２には、電力増幅回路１１が形成されている。具体的には、第２基材７２には、複数の回路素子７２１と、複数の回路素子７２１に電圧を印加するための電極（図示せず）、又は、電流を供給するための電極（図示せず）とが形成されている。複数の回路素子７２１は、例えば、複数の単位トランジスタが並列接続されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）であり、電力増幅回路１１を構成する。

　第２基材７２は、半導体層７２ａと、半導体層７２ａの表面に形成されたエピタキシャル層７２ｂと、複数の回路素子７２１と、電極７２２及び７２３と、を備える。半導体層７２ａは、第２半導体材料で構成されており、第１基材７１の窒化シリコン層７１５に接合されている。半導体層７２ａは、例えばＧａＡｓ層である。回路素子７２１は、コレクタ層７２１Ｃ、ベース層７２１Ｂ及びエミッタ層７２１Ｅを有する。コレクタ層７２１Ｃ、ベース層７２１Ｂ及びエミッタ層７２１Ｅは、エピタキシャル層７２ｂ上にこの順で積層されている。つまり、回路素子７２１において、コレクタ層７２１Ｃ、ベース層７２１Ｂ及びエミッタ層７２１Ｅが、第１基材７１側からこの順で積層されている。

　一例として、コレクタ層７２１Ｃはｎ型ガリウムヒ素で構成され、ベース層７２１Ｂはｐ型ガリウムヒ素で構成され、エミッタ層７２１Ｅはｎ型インジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）で構成されている。エミッタ層７２１Ｅは、第２基材７２の表面に形成された電極７２２を介して電極７２３に接合されている。電極７２３は、電極７２４を介してモジュール基板９０の主面９０ａに接合されている。

　電極７２４は、第２電極の一例であり、第２基材７２において第１基材７１と向かい合う面と反対側の面に配置されている。電極７２４は、第２基材７２からモジュール基板９０の主面９０ａに向かって突出しており、その先端が主面９０ａに接合されている。電極７２４は、電力増幅回路１１で発生した熱の放熱経路として機能する。電極７２４は、柱状導体７２４ａ及びバンプ電極７２４ｂを有する。バンプ電極７２４ｂは、モジュール基板９０の主面９０ａに配置された電極（図示せず）に接合されている。

　なお、第２基材７２は、図４及び図５の構成に限定されない。

　［１．３．３　第１基材７１、第２基材７２及びＳＭＤ４１ｄの平面配置］
　次に、平面視における第１基材７１、第２基材７２及びＳＭＤ４１ｄの配置について図６を参照しながら説明する。図６は、実施の形態に係る高周波モジュール１の部分平面図である。なお、図６において、集積回路７０は透視されており、破線は、第１基材７１及び第２基材７２内の回路及び電極の外形を表す。また、図６において、配線及び電極の図示は一部を除いて省略されている。

　第１基材７１は、４つの辺７１ｓ１～７１ｓ４からなる矩形状を有する。辺７１ｓ１及び７１ｓ２は、それぞれ第１辺及び第２辺の一例であり、互いに対向している。また、辺７１ｓ３及び７１ｓ４も、互いに対向している。

　第２基材７２は、第１基材７１よりも小さく、４つの辺７２ｓ１～７２ｓ４からなる矩形状を有する。辺７２ｓ１及び７２ｓ２は、互いに対向している。また、辺７２ｓ３及び７２ｓ４も、互いに対向している。

　第２基材７２は、第１基材７１の辺７１ｓ２よりも辺７１ｓ１の方に近い。つまり、第２基材７２及び辺７１ｓ１の間の距離ｄ１は、第２基材７２及び辺７１ｓ２の間の距離ｄ２よりも短い。なお、物体と辺との距離とは、物体と辺との間の最短距離を意味する。

　ＳＭＤ４１ｄは、第１基材７１の辺７１ｓ２よりも辺７１ｓ１の方に近い。つまり、ＳＭＤ４１ｄ及び辺７１ｓ１の間の距離ｄ３は、ＳＭＤ４１ｄ及び辺７１ｓ２の間の距離ｄ４よりも短い。

　第１基材７１の外縁に沿って複数の電極７１７が配置されている。しかし、複数の電極７１７は、第１基材７１の辺７１ｓ１と第２基材７２との間には配置されていない。スイッチ回路５１及び５２並びに制御回路８０も、第１基材７１の辺７１ｓ１と第２基材７２との間には配置されていない。第１基材７１に形成されたスイッチ回路５１及び５２と制御回路８０との各々は、第２基材７２と重なっていない。

　複数の電極７１７は、第１基材７１の外縁に沿って配置されている。複数の電極７１７のうちの１つは、モジュール基板９０に形成された配線パターン９０ｐ１を介してＳＭＤ４１ｄに接続されている。このとき、ＳＭＤ４１ｄに接続された電極７１７は、辺７１ｓ１に沿って配置されている。つまり、ＳＭＤ４１ｄに接続された電極７１７は、４つの辺７１ｓ１～７１ｓ４のうち、辺７１ｓ２～７１ｓ４よりも辺７１ｓ１の方に近い。

　複数の電極７２４は、第２基材７２の外縁に沿って配置され、さらに、電力増幅回路１１と重なる位置に配置されている。複数の電極７２４のうちの１つは、モジュール基板９０に形成された配線パターン９０ｐ２を介してＳＭＤ４１ｄに接続されている。このとき、複数の電極７２４のうち、ＳＭＤ４１ｄに接続された電極７２４の方が残りの電極７２４よりもＳＭＤ４１ｄに近い。

　なお、図２～図６に示した第１基材７１及び第２基材７２の形状及び配置は、例示であり、これに限定されない。例えば、第１基材７１及び第２基材７２の形状は、矩形でなくてもよい。

　［１．４　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、主面９０ａを有するモジュール基板９０と、主面９０ａに配置され、電力増幅回路１１が形成された集積回路７０と、主面９０ａに配置され、電力増幅回路１１に直接接続される回路素子が形成されたＳＭＤ４１ｄと、を備え、集積回路７０は、少なくとも一部が第１半導体材料で構成された第１基材７１と、少なくとも一部が第１半導体材料と異なる第２半導体材料で構成され、電力増幅回路１１が形成された第２基材７２と、を備え、第１基材７１は、平面視において互いに対向する辺７１ｓ１及び７１ｓ２を有し、ＳＭＤ４１ｄは、平面視において辺７１ｓ２よりも辺７１ｓ１の方に近く、第２基材７２は、平面視において、第１基材７１よりも小さく、辺７１ｓ２よりも辺７１ｓ１の方に近い位置で第１基材７１と重なっている。

　これによれば、第２基材７２が辺７１ｓ１の近くに配置されるので、第２基材７２に形成された電力増幅回路１１とＳＭＤ４１ｄに形成された回路素子とを接続する配線を短縮することができる。したがって、配線ロス及び配線の浮遊容量による不整合損を低減することでき、高周波モジュール１の電気特性（例えば送信パワー効率など）を改善することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第１基材７１には、電気回路が形成されてもよい。

　これによれば、電気回路が形成された第１基材７１に、電力増幅回路１１が形成された第２基材７２が平面視で重ねられるので、集積回路７０は、高周波モジュール１の小型化に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電気回路は、平面視において第２基材７２と第１基材７１の辺７１ｓ１との間に配置されなくてもよい。

　これによれば、第２基材７２を辺７１ｓ１のより近くに配置することができ、第２基材７２に形成された電力増幅回路１１とＳＭＤ４１ｄに形成された回路素子とを接続する配線をさらに短縮することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電気回路は、電力増幅回路１１を制御する制御回路８０、電力増幅回路１１の出力端に接続されるスイッチ回路５１、及び、電力増幅回路１１の入力端に接続されるスイッチ回路５２のうちの少なくとも１つを含んでもよい。

　これによれば、第２基材７２に形成された電力増幅回路１１に接続される制御回路８０並びにスイッチ回路５１及び５２のうちの少なくとも１つが第１基材７１に形成されるので、電力増幅回路１１と制御回路８０並びにスイッチ回路５１及び５２のうちの少なくとも１つとの間の配線長を短縮することができる。したがって、制御信号によるデジタルノイズの影響を低減したり、配線ロス及び配線の浮遊容量による不整合損を低減したりすることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電気回路は、平面視において第２基材７２と重ならなくてもよい。

　これによれば、第２基材７２から電気回路への熱の影響を低減することができ、熱による電気回路の特性劣化を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第１基材７１は、第２基材７２と向かい合う面に配置された電極７１７を有してもよい。

　これによれば、第２基材７２内の電力増幅回路１１で発生した熱を、第１基材７１及び電極７１７を介してモジュール基板９０に排出することができ、熱による電力増幅回路１１の特性劣化を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第１基材７１の外縁に沿って複数の電極７１７を有し、複数の電極７１７は、第２基材７２と第１基材７１の辺７１ｓ１との間に配置されなくてもよい。

　これによれば、第２基材７２を辺７１ｓ１のより近くに配置することができ、第２基材７２とＳＭＤ４１ｄとの間に電極７１７が介在することを避けることができる。したがって、第２基材７２に形成された電力増幅回路１１とＳＭＤ４１ｄに形成された回路素子とを接続する配線が電極７１７を避けるために冗長となることを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の電極７１７のうちＳＭＤ４１ｄに接続される電極７１７は、辺７１ｓ１に沿って配置されてもよい。

　これによれば、ＳＭＤ４１ｄに接続される電極７１７をＳＭＤ４１ｄの近くに配置することができ、ＳＭＤ４１ｄと電極７１７とを接続する配線を短縮することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第２基材７２は、第１基材７１と向かい合う面と反対側の面に配置された電極７２４を有してもよい。

　これによれば、第２基材７２は、第１基材７１とは反対側の面から電極７２４を介してモジュール基板９０に熱を排出することができ、集積回路７０の放熱性を向上させることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第２基材７２は、複数の電極７２４を有し、複数の電極７２４のうちＳＭＤ４１ｄに接続される電極７２４は、残りの電極７２４よりもＳＭＤ４１ｄの近くに配置されてもよい。

　これによれば、ＳＭＤ４１ｄに接続される電極７２４をＳＭＤ４１ｄの近くに配置することができ、ＳＭＤ４１ｄと電極７２４とを接続する配線を短縮することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電力増幅回路１１に直接接続される回路素子は、インピーダンス整合素子であってもよい。また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、インピーダンス整合素子は、インダクタ又はキャパシタであってもよい。

　これによれば、電力増幅回路１１の出力端に直接接続されるインピーダンス整合回路４１を構成するインピーダンス整合素子をＳＭＤ４１ｄに形成することができる。したがって、電力増幅回路１１とインピーダンス整合回路４１との間の配線長を短縮することができ、配線ロス及び配線の浮遊容量による不整合損を低減ることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電力増幅回路１１は、コレクタ層７２１Ｃ、ベース層７２１Ｂ及びエミッタ層７２１Ｅを有する回路素子７２１を含み、コレクタ層７２１Ｃ、ベース層７２１Ｂ及びエミッタ層７２１Ｅは、第１基材７１側からこの順で積層されてもよい。

　これによれば、製造プロセスにおいてコレクタ層７２１Ｃ、ベース層７２１Ｂ及びエミッタ層７２１Ｅの各々に接続される配線を簡単にすることができる。また、平面視において、コレクタ層７２１Ｃの面積は、ベース層７２１Ｂ及びエミッタ層７２１Ｅの各々の面積よりも大きい。したがって、コレクタ層７２１Ｃを第１基材７１に接合することで、ベース層７２１Ｂ又はエミッタ層７２１Ｅを第１基材７１に接合する場合よりも、接合面積を増加させることができる。その結果、第１基材７１と第２基材７２との接合を強化して第２基材７２が第１基材７１から剥離することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第１半導体材料の熱伝導率は、第２半導体材料の熱伝導率よりも高くてもよい。

　これによれば、第２基材７２に形成された電力増幅回路１１で発生した熱を、第２基材７２を構成する第２半導体材料よりも高い熱伝導率を有する第１半導体材料で構成された第１基材７１に排出することができ、第２基材７２の放熱を促進することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第１半導体材料は、シリコン又は窒化ガリウムであり、第２半導体材料は、ガリウムヒ素又はシリコンゲルマニウムであってもよい。

　これによれば、第２基材７２に形成された電力増幅回路１１で発生した熱を、第２基材７２を構成するガリウムヒ素又はシリコンゲルマニウムよりも高い熱伝導率を有するシリコン又は窒化ガリウムで構成された第１基材７１に排出することができ、第２基材７２の放熱を促進することができる。

　本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

　これによれば、通信装置５において、高周波モジュール１と同様の効果を奏することができる。

　（他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態では、高周波モジュール１は、ＦＤＤ用バンドに対応していたが、これに限定されない。例えば、高周波モジュール１は、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用バンドに対応してもよく、ＦＤＤ用バンド及びＴＤＤ用バンドの両方に対応してもよい。この場合、高周波モジュール１は、ＴＤＤ用のバンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路と、送信及び受信を切り替えるスイッチ回路とを備えればよい。

　なお、上記実施の形態において、集積回路に含まれる第２基材の数は、１つであったが、これに限定されない。集積回路に含まれる第２基材の数は、２以上であってもよい。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１　高周波モジュール
　２　アンテナ
　３　ＲＦＩＣ
　４　ＢＢＩＣ
　５　通信装置
　１１　電力増幅回路
　１１Ａ、１１Ｂ　電力増幅器
　２０、７０　集積回路
　２１　低雑音増幅回路
　４１、４２、４３、４４　インピーダンス整合回路
　４１ｄ、４２ｄ、４３ｄ、４４ｄ　ＳＭＤ
　５１、５２、５３、５４、５５　スイッチ回路
　６１、６２　デュプレクサ回路
　６１Ｒ、６２Ｒ　受信フィルタ回路
　６１Ｔ、６２Ｔ　送信フィルタ回路
　７１　第１基材
　７１ｓ１、７１ｓ２、７１ｓ３、７１ｓ４、７２ｓ１、７２ｓ２、７２ｓ３、７２ｓ４　辺
　７２　第２基材
　７２ａ　半導体層
　７２ｂ　エピタキシャル層
　８０　制御回路
　９０　モジュール基板
　９０ａ、９０ｂ　主面
　９０ｐ１、９０ｐ２　配線パターン
　９１　樹脂部材
　９２　シールド電極層
　１００　アンテナ接続端子
　１１１、１１２　高周波入力端子
　１２１、１２２　高周波出力端子
　１３０　制御端子
　１５０　外部接続端子
　７１１　シリコン基板
　７１２、７１４　二酸化シリコン層
　７１３　シリコン層
　７１５　窒化シリコン層
　７１６、７１７、７２２、７２３、７２４　電極
　７１７ａ、７２４ａ　柱状導体
　７１７ｂ、７２４ｂ　バンプ電極
　７１８　樹脂層
　７２１、７１３０　回路素子
　７２１Ｂ　ベース層
　７２１Ｃ　コレクタ層
　７２１Ｅ　エミッタ層
　７１４０　ビア電極

Claims (16)

1. 　主面を有するモジュール基板と、
   　前記主面に配置され、電力増幅回路が形成された集積回路と、
   　前記主面に配置され、前記電力増幅回路に直接接続される回路素子が形成された電子部品と、を備え、
   　前記集積回路は、
   　少なくとも一部が第１半導体材料で構成された第１基材と、
   　少なくとも一部が前記第１半導体材料と異なる第２半導体材料で構成され、前記電力増幅回路が形成された第２基材と、を備え、
   　前記第１基材は、平面視において互いに対向する第１辺及び第２辺を有し、
   　前記電子部品は、前記平面視において前記第２辺よりも前記第１辺の方に近く、
   　前記第２基材は、前記平面視において、前記第１基材よりも小さく、前記第２辺よりも前記第１辺の方に近い位置で前記第１基材と重なっている、
   　高周波モジュール。
2. 　前記第１基材には、電気回路が形成されている、
   　請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 　前記電気回路は、前記平面視において前記第２基材及び前記第１辺の間に配置されていない、
   　請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 　前記電気回路は、前記電力増幅回路を制御する制御回路、前記電力増幅回路の出力端に接続される第１スイッチ回路、及び、前記電力増幅回路の入力端に接続される第２スイッチ回路のうちの少なくとも１つを含む、
   　請求項２又は３に記載の高周波モジュール。
5. 　前記電気回路は、前記平面視において前記電力増幅回路と重なっていない、
   　請求項２～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
6. 　前記第１基材は、前記第２基材と向かい合う面に配置された第１電極を有する、
   　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
7. 　前記第１基材は、前記第１基材の外縁に沿って前記第１電極を含む複数の第１電極を有し、
   　前記複数の第１電極は、前記第２基材及び前記第１辺の間に配置されていない、
   　請求項６に記載の高周波モジュール。
8. 　前記複数の第１電極のうち前記電子部品に接続される第１電極は、前記第１辺に沿って配置されている、
   　請求項７に記載の高周波モジュール。
9. 　前記第２基材は、前記第１基材と向かい合う面と反対側の面に配置された第２電極を有する、
   　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
10. 　前記第２基材は、前記第２電極を含む複数の第２電極を有し、
    　前記複数の第２電極のうち前記電子部品に接続される第２電極は、残りの第２電極よりも前記電子部品の近くに配置されている、
    　請求項９に記載の高周波モジュール。
11. 　前記回路素子は、インピーダンス整合素子である、
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
12. 　前記インピーダンス整合素子は、インダクタ又はキャパシタである、
    　請求項１１に記載の高周波モジュール。
13. 　前記電力増幅回路は、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層を有する回路素子を含み、
    　前記コレクタ層、前記ベース層及び前記エミッタ層は、前記第１基材側からこの順で積層されている、
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
14. 　前記第１半導体材料の熱伝導率は、前記第２半導体材料の熱伝導率よりも高い、
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
15. 　前記第１半導体材料は、シリコン又は窒化ガリウムであり、
    　前記第２半導体材料は、ガリウムヒ素又はシリコンゲルマニウムである、
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
16. 　高周波信号を処理する信号処理回路と、
    　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。

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