WO2022110151A1

WO2022110151A1 - 阵列基板、触控显示装置

Info

Publication number: WO2022110151A1
Application number: PCT/CN2020/132801
Authority: WO
Inventors: 苏秋杰; 廖燕平; 缪应蒙; 赵重阳; 胡波; 尹晓峰
Original assignee: 京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方显示技术有限公司
Priority date: 2020-11-30
Filing date: 2020-11-30
Publication date: 2022-06-02
Also published as: EP4163768A4; US20240061521A1; EP4163768A1; US11829540B2; US20230176667A1; WO2022110151A9; CN115280266A

Abstract

一种阵列基板、触控显示装置，阵列基板中，第一控制单元（21）和第二控制单元（22）沿第一方向相对设置；多个触控感测块（30）划分为沿第一方向排列的第一组电极块（31）和第二组电极块（32）；多条触控信号线（40）划分为第一组触控信号线（41）和第二组触控信号线（42），第一组触控信号线（41）和第二组触控信号线（42）沿第一方向排列；第一组触控信号线（41）中包括的多条触控信号线（40）与第一组电极块（31）中的多个触控感测块（30）分别对应耦接，第一组触控信号线（41）中包括的多条触控信号线（40）的一端分别与第一控制单元（21）耦接；第二组触控信号线（42）中包括的多条触控信号线（40）与第二组电极块（32）中的多个触控感测块（30）分别对应耦接，第二组触控信号线（42）中包括的多条触控信号线（40）的一端分别与第二控制单元（22）耦接。

Description

阵列基板、触控显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、触控显示装置。

背景技术

触控屏在我们身边随处可见。触控屏节省了空间便于携带，还有更好的人机交互性。在各类触控屏中，电容式触控屏具有较强的灵敏度、可实现多点触控等优点而被广泛应用。

电容式触控屏的工作原理是：在基板的表面设置导电物质作为触控电极；当触摸物(例如用户的手指)触碰触控屏时，位于触摸点处的触控电极的电容发生变化，根据该变化可以检测出触摸点在触控屏上的位置。

电容式触控技术可分为利用互电容原理的触控技术和利用自电容原理的触控技术。

内嵌式触控屏是一种将触控电极设置于显示面板的阵列基板和对置基板之间的触控屏。内嵌式触控屏具有较高的集成度、更加轻薄，因此具有广泛的应用前景。

发明内容

本公开的目的在于提供一种阵列基板、触控显示装置。

为了实现上述目的，本公开提供如下技术方案：

本公开的第一方面提供一种阵列基板，包括：

基底；

沿第一方向相对设置的第一控制单元和第二控制单元；

相互独立的多个触控感测块，所述多个触控感测块呈阵列分布在所述基底上，所述多个触控感测块划分为第一组电极块和第二组电极块，所述第一组电极块和所述第二组电极块沿第一方向排列；

相互独立的多条触控信号线，每条所述触控信号线的至少部分沿所述第一方向延伸，所述多条触控信号线划分为第一组触控信号线和第二组触控信号线，所述第一组触控信号线和所述第二组触控信号线沿所述第一方向排列；

所述第一组触控信号线中包括的多条触控信号线沿第二方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第一组触控信号线中包括的多条触控信号线与所述第一组电极块中的多个触控感测块分别对应耦接，所述第一组触控信号线中包括的多条触控信号线的一端分别与所述第一控制单元耦接；

所述第二组触控信号线中包括的多条触控信号线沿所述第二方向排列，所述第二组触控信号线中包括的多条触控信号线与所述第二组电极块中的多个触控感测块分别对应耦接，所述第二组触控信号线中包括的多条触控信号线的一端分别与所述第二控制单元耦接。

可选的，沿所述第一方向相对的两条触控信号线在第一方向上具有静电保护距离。

可选的，所述阵列基板还包括：多个像素电极；所述静电保护距离L1满足：L1＝k*H；H代表所述像素电极在所述第一方向上的最大长度，2％≤k≤6％。

可选的，所述静电保护距离大于或等于10微米。

可选的，至少部分所述触控信号线包括多个直边部和多个弯曲部，所述直边部与所述弯曲部交替设置；

在一条触控信号线中，至少部分所述弯曲部与所述像素电极在所述基底上的正投影交叠。

可选的，所述第一组触控信号线中包括至少一条第一目标触控信号线，所述至少一条第一目标触控信号线靠近所述第二组触控信号线的一端包括第一目标弯曲部；所述第二组触控信号线中包括至少一条第二目标触控信号线，所述至少一条第二目标触控信号线靠近所述第一组触控信号线的一端包括第二目标弯曲部；所述第一目标弯曲部与所述第二目标弯曲部之间具有第一保护距离，所述第一保护距离大于或等于所述静电保护距离。

可选的，所述第一目标弯曲部在所述基底上的正投影，与所述像素电极在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第一目标弯曲部包括延伸部，所述延伸部向远离所述第二组触控信号线的方向延伸。

可选的，所述第一组触控信号线中包括至少一条第三目标触控信号线，所述至少一条第三目标触控信号线靠近所述第二组触控信号线的一端包括第一目标直边部；所述第二组触控信号线中包括至少一条第四目标触控信号线，所述至少一条第四目标触控信号线靠近所述第一组触控信号线的一端包括第二目标直边部；所述第一目标直边部与所述第二目标直边部之间具有第二保护距离，所述第二保护距离大于或等于所述静电保护距离。

可选的，所述阵列基板还包括：

多条数据线，所述数据线的至少部分沿第一方向延伸；

多个开关元件，每个开关元件位于相邻的一个弯曲部与一条数据线之间。

可选的，所述第一组电极块和所述第二组电极块包括的触控感测块的数量相等；所述第一组触控信号线和所述第二组触控信号线包括的触控信号线的数量相等。

可选的，所述阵列基板还包括多条数据线，所述数据线的至少部分沿第一方向延伸；

每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；

所述第一组触控信号线和所述第二组触控信号线中的至少一个能够被划分为多个子触控信号线组，每个子触控信号线组均包括沿所述第二方向相邻的两条触控信号线，所述相邻的两条触控信号线在所述基底上的正投影分别位于同一条数据线在所述基底上的正投影的两侧，所述相邻的两条触控信号线的正投影以及所述同一条数据线的正投影，均包括位于相邻的触控电极在所述基底上的正投影之间的部分。

可选的，所述相邻的两条触控信号线所在的层不同于所述同一条数据线所在的层。

可选的，所述阵列基板还包括多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；

至少部分所述直边部包括相耦接的第一子部和第二子部，在平行于所述基底，且垂直于所述触控信号线的延伸方向的方向上，所述第一子部的宽度大于所述第二子部的宽度；所述第一子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅线的至少部分侧面在所述基底上的正投影；

和/或，

至少部分所述弯曲部包括相耦接的第三子部和第四子部，在平行于所述基底，且垂直于所述触控信号线的延伸方向的方向上，所述第三子部的宽度大于所述第四子部的宽度；所述第三子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅线的至少部分侧面在所述基底上的正投影。

可选的，所述栅线包括多个栅图形和多个栅连接部；所述栅图形和所述栅连接部沿所述第二方向交替设置，相邻的所述栅图形之间通过所述栅连接部耦接；沿所述第一方向，所述栅图形的宽度大于所述栅连接部的宽度；

所述第一子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅连接部的至少部分侧面在所述基底上的正投影；

所述第三子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅图形的至少部分侧面在所述基底上的正投影。

可选的，所述第一子部沿所述第一方向延伸，所述栅连接部沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一方向之间的夹角小于90度。

可选的，至少部分所述栅图形包括实体区和第一镂空区，所述实体区在所述基底上的正投影与所述第三子部在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第一镂空区在所述基底上的正投影与所述第四子部在所述基底上的正投影至少部分交叠。

可选的，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；所述多个触控电极呈阵列分布，所述多个触控电极划分为沿所述第一方向排列的多行触控电极，每行触控电极均包括沿所述第二方向排列的多个所述触控电极；

每个触控感测块还包括：

多个第一公共连接部，所述第一公共连接部与所述多行触控电极一一对应，每个所述第一公共连接部与其对应的一行触控电极分别耦接；

多个第二公共连接部，相邻两行触控电极之间通过至少一个所述第二公共连接部耦接。

可选的，所述阵列基板还包括多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；所述第一公共连接部与所述栅线同层同材料设置。

可选的，所述第一公共连接部直接搭接在其对应的一行触控电极的表面。

可选的，沿所述第二方向相邻的所述第一公共连接部之间具有间隔区，所述间隔区在所述第二方向的宽度大于或等于5微米。

沿所述第二方向相邻的两条第一公共连接部中，至少一条所述第一公共连接部朝向所述间隔区的一端在所述基底上的正投影，与所述数据线在所述基底上的正投影具有第一交叠区域，沿所述第二方向，所述第一交叠区域的宽度等于所述数据线的宽度。

可选的，所述阵列基板还包括多条数据线，所述数据线的至少部分沿第一方向延伸；所述第二公共连接部与所述数据线同层同材料设置。

可选的，沿所述第一方向，所述第一公共连接部位于其对应的一行触控电极的第一侧；

所述第二公共连接部的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第二公共连接部的第一端与所述相邻两行触控电极中的一行触控电极耦接的第一公共连接部耦接，所述第二公共连接部的第二端与所述相邻两行触控电极中的另一行触控电极中的至少一个触控电极耦接。

可选的，所述阵列基板还包括多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；至少部分所述栅线上设置有第二镂空区，所述第二公共连接部在所述基底上的正投影，与所述第二镂空区在所述基底上的正投影交叠。

可选的，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；所述阵列基板还包括：

多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；

多个第三公共连接部，沿所述第一方向相邻的触控感测块之间，设置有至少一个所述第三公共连接部，所述第三公共连接部的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第三公共连接部的第一端与相邻的触控感测块中的第一个触控感测块中的触控电极耦接，所述第三公共连接部的第二端与相邻的触控感测块中的第二个触控感测块不耦接；所述第三公共连接部的至少部分在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影具有第二交叠区域；

所述第二公共连接部的至少部分在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影具有第三交叠区域，沿所述第一方向，所述第二交叠区域的宽度等于所述第三交叠区域的宽度。

可选的，至少部分所述栅线上设置有第三镂空区，所述第三公共连接部在所述基底上的正投影，与所述第三镂空区在所述基底上的正投影至少部分交叠。

可选的，所述第三公共连接部的第二端在所述基底上的正投影，与所述栅线在所述基底上的正投影不交叠。

可选的，所述第三公共连接部的第二端在所述基底上的正投影，与相邻的触控感测块中的第二个触控感测块包括第一公共连接部在所述基底上的正投影不交叠。

基于上述阵列基板的技术方案，本公开的第二方面提供一种触控显示装置，包括上述阵列基板。

可选的，所述触控显示装置还包括：对向基板和液晶层，所述对向基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层位于所述对向基板与所述阵列基板之间。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本公开的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：

图1为相关技术中阵列基板的结构示意图；

图2为本公开提供的阵列基板的第一结构示意图；

图3为本公开提供的阵列基板的第二结构示意图；

图4为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第一示意图；

图5为本公开提供的阵列基板的第三结构示意图；

图6为本公开提供的阵列基板的第四结构示意图；

图7为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第二示意图；

图8为图7中触控信号线的示意图；

图9为图7中沿D1D2方向的截面示意图；

图10本公开提供的在阵列基板内部相邻子像素区的结构示意图；

图11为图10中触控信号线的示意图；

图12为本公开提供的触控感测块的布局示意图；

图13为本公开提供的一个触控感测块的部分结构示意图；

图14为本公开提供的沿第一方向相邻触控感测块之间的部分的结构示意图；

图15为图14中第三公共连接部与栅线的示意图；

图16为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第三示意图；

图17为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第四示意图；

图18为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第五示意图；

图19为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第六示意图；

图20为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第七示意图；

图21为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第八示意图；

图22为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第九示意图；

图23为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十示意图；

图24为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十一示意图；

图25为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十二示意图；

图26为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十三示意图；

图27为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十四示意图；

图28为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十五示意图；

图29为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十六示意图；

图30为本公开提供的在阵列基板中间区域附近的部分结构的第十七示意图。

具体实施方式

为了进一步说明本公开实施例提供的阵列基板、触控显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

内嵌式触控面板相对于外嵌式触控面板等触控面板在成本、稳定性等方面有较大优势。内嵌式触控面板是将触控电极设置于面板内部的一种设计，对于像素设计要求较高。一般应用于TPC和MNT领域的中小尺寸面板，触控感测(Touch sensor)块面积在4mm～6mm之间。以10英寸TPC产品为例，整个面板的触控感测块数量为1500块左右。以23.8英寸MNT产品为例，整个面板的触控感测块数量为3600块左右。而对于TV和IWB产品来说，触控感测块数量在1万～几万块。

如图1所示，面板中的触控感测块数量越多，需要对应设置的触控信号线的数量越多，而面板内的布局空间有限，在设置较多数量的触控信号线时，触控信号线的布局难度，以及触控信号线与触控芯片200之间的连接难度均会大大增加。

请参阅图2～图4，本公开实施例提供了一种阵列基板，包括：基底，第一控制单元21，第二控制单元22，多个触控感测块30和多条触控信号线40。

所述第一控制单元21和所述第二控制单元22沿第一方向相对设置。

所述多个触控感测块30相互独立，所述多个触控感测块30呈阵列分布在所述基底上，所述多个触控感测块30划分为第一组电极块31和第二组电极块32，所述第一组电极块31和所述第二组电极块32沿第一方向排列。

所述多条触控信号线40相互独立，每条所述触控信号线40的至少部分沿所述第一方向延伸，所述多条触控信号线40划分为第一组触控信号线41和第二组触控信号线42，所述第一组触控信号线41和所述第二组触控信号线42沿所述第一方向排列。

所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40沿第二方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40与所述第一组电极块31中的多个触控感测块30分别对应耦接，所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40的一端分别与所述第一控制单元21耦接。

所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40沿所述第二方向排列，所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40与所述第二组电极块32中的多个触控感测块30分别对应耦接，所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40的一端分别与所述第二控制单元22耦接。

示例性的，所述第一控制单元21包括至少一个触控芯片200，所述第二控制单元22包括至少一个触控芯片200。

示例性的，所述触控芯片200用于提供触控信号和公共电极信号等。

示例性的，所述触控芯片200绑定在所述基底上。

示例性的，采用覆晶薄膜技术将所述触控芯片200与所述基底耦接。

示例性的，所述多个触控感测块30呈阵列分布在所述基底上，所述多个触控感测块30间隔设置。

示例性的，所述多个触控感测块30划分为第一组电极块31和第二组电极块32，所述第一组电极块31包括阵列分布的多个触控感测块30，所述第二组电极块32包括阵列分布的多个触控感测块30。

示例性的，所述第一组电极块31和所述第二组电极块32中包括的触控感测块30的数量相同。

示例性的，所述第一组电极块31和所述第二组电极块32中包括的触控感测块30的排布方式相同。

示例性的，所述第一组电极块31和所述第二组电极块32对称设置。

示例性的，所述多条触控信号线40划分为第一组触控信号线41和第二组触控信号线42，所述第一组触控信号线41和所述第二组触控信号线42沿所述第一方向排列。

示例性的，所述第一组触控信号线41和所述第二组触控信号线42包括的触控信号线40的数量相同。

示例性的，所述第一组触控信号包括的多条触控信号线40在所述第一方向的长度大致相同，所述第二组触控信号包括的多条触控信号线40在所述第一方向的长度大致相同。

示例性的，所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40沿第二方向排列，所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40沿所述第二方向排列。

示例性的，所述第一方向包括竖直方向，所述第二方向包括水平方向。

示例性的，所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40与所述第一组电极块31中的多个触控感测块30一一对应，所述第一组触控信号线41中包括的各条触控信号线40与对应的触控感测块30耦接。

示例性的，所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40与所述第一控制单元21中的多个触控引脚一一对应，所述第一组触控信号线41中的各触控信号线40的一端与对应的触控引脚耦接。

示例性的，所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40与所述第二组电极块32中的多个触控感测块30一一对应，所述第二组触控信号线42中包括的各条触控信号线40与对应的触控感测块30耦接。

示例性的，所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40与所述第二控制单元22中的多个触控引脚一一对应，所述第二组触控信号线42中的各触控信号线40的一端与对应的触控引脚耦接。

每一块触控感测块30通过触控信号线40连到控制单元上，控制单元与触控微处理器(Touch MCU)连接，以便触控微处理器(Touch MCU)能够定位触控发生的坐标，做出下一步处理动作。

示例性的，所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40与所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40一一对应，相对应的两条触控信号线40沿所述第一方向相对设置。

示例性的，所述第一组触控信号线41中包括的多条触控信号线40远离所述第一控制单元21的一端平齐。

示例性的，所述第二组触控信号线42中包括的多条触控信号线40远离所述第二控制单元22的一端平齐。

需要说明，图2、图3、图5和图6中黑色圆点表示用于电连接的过孔，触控信号线40通过至少一个过孔与对应的触控感测块30电连接。示例性的，所述触控信号线40通过过孔与对应的触控感测块30中的至少一个第一公共连接部电连接。示例性的，所述触控信号线40通过过孔与对应的触控感测块30中的至少一个触控电极300电连接。

根据上述阵列基板的具体结构可知，本公开实施例提供的阵列基板中，沿第一方向相对设置了第一控制单元21和第二控制单元22，将所述多个触控感测块30划分为所述第一组电极块31和所述第二组电极块32，同时设置了所述第一组触控信号线41和所述第二组触控信号线42，使得所述第一组触控信号线41分别与第一组电极块31和第一控制单元21耦接，由第一控制单元21通过第一组触控信号线41控制向第一组电极块31写入信号或接收第一组电极块31反馈的信号；使得所述第二组触控信号线42分别与第二组电极块32和第二控制单元22耦接，由第二控制单元22通过第二组触控信号线42控制向第二组电极块32写入信号或接收第二组电极块32反馈的信号。

因此，本公开实施例提供的阵列基板中，将整个阵列基板划分为沿第一方向排布，且能够分别控制触控的两部分，这样在布局所述触控信号线40时，能够提高起有效连接作用的触控信号线的数量，每条触控信号线40不必沿第一方向穿过整块阵列基板，只需穿过其对应的一组电极块所在区域即可，这样不仅降低了阵列基板中触控信号线40所需的布局空间，有效降低了大尺寸阵列基板中触控信号线40的布局难度，而且还改善了布局所述触控信号线40时，对阵列基板中各子像素的开口率的影响。

另外，上述设置方式使得整个阵列基板中的触控信号线40划分为两组，每组触控信号线40连接对应的控制单元，实现了阵列基板的双边驱动，从而很好的降低了触控信号线40与控制单元之间的连接难度。

如图12所示，在一些实施例中，每个触控感测块30包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极300；

如图4所示，所述阵列基板还包括：

多条栅线50，所述栅线50的至少部分沿所述第二方向延伸；

多条数据线51，所述数据线51的至少部分沿所述第一方向延伸，所述多条数据线51与所述多条栅线50交叉设置，限定出多个子像素区；

多个像素电极52，所述多个像素电极52与所述多个子像素区一一对应，所述像素电极52位于对应的子像素区中。

示例性的，每个触控感测块30包括的多个触控电极300呈阵列分布，相邻的触控电极300之间间隔设置，每个触控感测块30包括的多个触控电极300彼此电连接。

示例性的，所述触控电极300复用为阵列基板中的公共电极。在将所述阵列基板应用于显示装置中时，当显示装置正常显示时，触控电极300作为公共电极；当显示装置实现触控功能时，控制单元控制触控扫描，触控电极300作为触控感应传感器。

值得注意，所述阵列基板中的触控感测块不是覆盖阵列基板部分连续区域的一整块电极层，而是由多块独立的公共电极构成，示例性的，所述公共电极与所述阵列基板中的子像素一一对应。

示例性的，所述多条栅线50沿所述第一方向排列，每条栅线50的至少部分沿所述第二方向延伸。

示例性的，所述多条数据线51沿所述第二方向排列，每条数据线51的至少部分沿所述第一方向延伸。

示例性的，所述多条数据线51与所述多条栅线50交叉设置，限定出呈阵列分布的多个子像素区。

示例性的，所述像素电极52采用透明导电材料制作，例如采用氧化铟锡材料制作。

示例性的，所述像素电极52接收数据线51提供的数据信号，每个子像素在对应的像素电极52和公共电极的共同控制下，实现显示功能。

示例性的，所述阵列基板还包括多个开关元件53，所述多个开关元件53与所述多个像素电极52一一对应，例如所述开关元件53为薄膜晶体管(TFT，thin film transistor)，所述开关元件53包括第一极、第二极以及控制极，控制极为栅线的一部分，所述开关元件53的第二极与对应的像素电极52耦接。

示例性的，所述多个开关元件53呈阵列分布，能够划分为沿所述第一方向排列的多行开关元件53，也能够划分为沿所述第二方向排列的多列开关元件53。所述多条栅线50与所述多行开关元件53一一对应，每条栅线50与其对应的一行开关元件53的控制端分别耦接，用于控制其耦接的一行开关元件53的导通与截止。

所述多条数据线51与多列开关元件53的耦接方式多种多样，示例性的，所述多条数据线51与多列开关元件53一一对应，每条数据线51与其对应的一列开关元件53中各开关元件53的第一极分别耦接，用于向所述各开关元件53的第一极写入数据信号。示例性的，所述数据线51采用与其两侧相邻的两列开关元件53中耦接，与该数据线51连接的开关元件53交替位于该数据线51的两侧，该结构可以实现在驱动时，沿第一方向排布的一行数据线51交替给正负极性的信号，且使得一列像素电极52交替获得正负极性的信号。

值得注意，上述阵列基板中，由于触控感测块30数量较多，且每个触控感测块30都需要连接一根触控信号线40，因此，通过设置双边绑定焊盘(Bonding PAD)，即通过双边驱动来克服触控信号线40布局和与触控芯片200连接的难题。

如图4和图5所示，在采用上述结构的阵列基板时，以每边PAD上的触控芯片200驱动半边屏的触控感测块30为例，为了保证阵列基板中各区域的负载一致，第一组触控信号线41和第二组触控信号线42均会延伸至阵列基板的中间区域，使沿第一方向相正对的两条触控信号线40之间距离较近，一般保证不会发生short即可，示例性的，距离L0设置为大于或等于4μm，同时触控信号线40一般比较细，常见的宽度在4μm～10μm之间。

发明人在实验过程中发现，上述实施例提供的阵列基板中，分别驱动半边屏的触控信号线40会沿第一方向正对着，在所述中间区域形成正对着的尖端，使所述中间区域容易发生静电释放现象(ESD)，造成触控信号线40烧毁，引起两根相对的触控信号线40短路。

如图6～图8所示，在一些实施例中，设置沿所述第一方向相对的两条触控信号线40在第一方向上具有静电保护距离。

示例性的，所述沿所述第一方向相对的两条触控信号线40中，其中一条触控信号线40属于第一组触控信号线41，另一条触控信号线40属于第二组触控信号线42。

示例性的，所述静电保护距离大于或等于10微米。示例性的，所述静电保护距离大于或等于20微米。具体的，所述静电保护距离可以为10微米、12微米、15微米、18微米、20微米、22微米。

上述设置方式增加了沿第一方向相对的两条触控信号线40之间的间距，有效改善了沿第一方向相对的两条触控信号线40之间发生的ESD不良，同时保证了阵列基板应用于显示装置中时的显示和触控性能。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括：多个像素电极52；所述静电保护距离L1满足：L1＝k*H；H代表所述像素电极52在所述第一方向上的最大长度，2％≤k≤6％。

所述静电保护距离取值在2％H至6％H之间，可以包括2％H、3％H、4％H、5％H和6％H。

在设置所述静电保护距离满足上述条件时，增加了沿第一方向相对的两条触控信号线40之间的间距，有效改善了沿第一方向相对的两条触控信号线40之间发生的ESD不良，同时保证了阵列基板应用于显示装置中时的显示和触控性能。

如图7～图9、图11所示，在一些实施例中，设置至少部分所述触控信号线40包括多个直边部401和多个弯曲部402，所述直边部401与所述弯曲部402交替设置；在一条触控信号线40中，至少部分所述弯曲部402与所述像素电极52在所述基底10上的正投影交叠。

示例性的，同一条触控信号线40包括的多个直边部401和多个弯曲部402形成为一体结构。

示例性的，所述触控信号线40与所述数据线51同层同材料设置。

示例性的，所述触控信号线40与所述数据线51异层设置。

示例性的，所述触控信号线40采用金属材料制作。

示例性的，所述直边部401沿所述第一方向延伸。

示例性的，所述直边部401与所述数据线51平行。

示例性的，所述弯折部在所述基底10上的正投影与相邻的数据线51在所述基底10上的正投影之间的距离，大于所述直边部401在所述基底10上的正投影与相邻的数据线51在所述基底10上的正投影之间的距离。

示例性的，在同一条触控信号线40中，至少部分所述弯曲部402与所述像素电极52在所述基底10上的正投影交叠。

示例性的，所述弯折部在所述基底10上的正投影，与所述开关元件53 在所述基底10上的正投影不交叠。

上述设置方式有利于降低所述触控信号线40的布局难度，减小所述触控信号线40与阵列基板中的其他结构形成寄生电容。

如图7和图8所示，在一些实施例中，设置所述第一组触控信号线41中包括至少一条第一目标触控信号线，所述至少一条第一目标触控信号线靠近所述第二组触控信号线42的一端包括第一目标弯曲部4021；所述第二组触控信号线42中包括至少一条第二目标触控信号线，所述至少一条第二目标触控信号线靠近所述第一组触控信号线41的一端包括第二目标弯曲部4022；所述第一目标弯曲部4021与所述第二目标弯曲部4022之间具有第一保护距离L2，所述第一保护距离L2大于或等于所述静电保护距离L1。

示例性的，所述第一组触控信号线41中包括多条第一目标触控信号线，所述第二组触控信号线42中包括多条第二目标触控信号线，所述第一目标触控信号线与所述第二目标触控信号线一一对应，相对应的所述第一目标触控信号线和所述第二目标触控信号线沿所述第一方向相对设置。

相对应的所述第一目标触控信号线和所述第二目标触控信号线中，所述第一目标触控信号线靠近所述第二目标触控信号线的一端包括第一目标弯曲部4021，所述第二目标触控信号线靠近所述第一目标触控信号线的一端包括第二目标弯曲部4022，该第一目标弯曲部4021与该第二目标弯曲部4022沿所述第一方向正对，该第一目标弯曲部4021与该第二目标弯曲部4022沿第一方向具有所述第一保护距离L2。

示例性的，通过去除所述第一目标弯曲部4021靠近所述第二目标弯曲部4022的部分，使所述第一目标弯曲部4021与所述第二目标弯曲部4022之间具有所述第一保护距离L2。

值得注意，上述实施例提供的阵列基板中，在一条触控信号线40中，至少部分所述弯曲部402与所述像素电极52在所述基底10上的正投影交叠，产生一个小的交叠电容，该交叠电容是像素存储电容Cst的一部分。由于为了克服上述提到的ESD问题，阵列基板中增加了沿第一方向相对的两条触控信号线40之间的间距，而该距离增加的较大时，会导致在所述中间区域附近像素电极52形成的交叠电容与其他位置不一致，容易造成显示不良。

如图7和图8所示，在一些实施例中，设置所述第一目标弯曲部4021在所述基底10上的正投影，与所述像素电极52在所述基底10上的正投影至少部分交叠；所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述延伸部4023向远离所述第二组触控信号线42(即向远离所述第二目标弯曲部4022)的方向延伸。

示例性的，所述延伸部4023与所述第一目标弯曲部4021形成为一体结构。

示例性的，所述延伸部4023沿所述第二方向延伸。

示例性的，所述延伸部4023在所述基底10上的正投影与所述像素电极52在所述基底10上的正投影交叠。

需要说明，所述延伸部4023的尺寸可以根据实际需要设置，要能够保证该处子像素的Cst与其他位置的子像素的Cst大小保持一致。

上述设置方式在保证所述第一目标触控信号线和第二目标触控信号线之间具有静电保护距离L1的同时，对所述第一目标弯曲部4021与像素电极52之间的交叠面积做了补偿，保证了该处子像素的Cst与其他位置的子像素的Cst大小保持一致，降低了显示异常的风险。

另外，上述设置所述延伸部4023向远离所述第二组触控信号线42的方向延伸，使得触控信号线的端部(即延伸部4023的端部)远离所述第二目标弯曲部4022，避免端部相对引发静电击穿短路。

值得注意，如图8所示，所述第一目标弯曲部4021与所述延伸部4023接触的部分包括弯折部X，通过设置所述弯折部X，不仅使得所述第一目标弯曲部4021能够与开关元件53的第二极相距较远，避免所述第一目标弯曲部4021与开关元件53的第二极发生短路，还使得所述第一目标弯曲部4021更靠近栅线，有利于更好的提升像素开口率。

如图7和图8所示，在一些实施中，所述第一组触控信号线41中包括至少一条第三目标触控信号线，所述至少一条第三目标触控信号线靠近所述第二组触控信号线42的一端包括第一目标直边部4011；所述第二组触控信号线42中包括至少一条第四目标触控信号线，所述至少一条第四目标触控信号线靠近所述第一组触控信号线41的一端包括第二目标直边部4012；所述第一目标直边部4011与所述第二目标直边部4012之间具有第二保护距离L3，所述第二保护距离L3大于或等于所述静电保护距离L1。

示例性的，所述第一组触控信号线41中包括多条第三目标触控信号线，所述第二组触控信号线42中包括多条第四目标触控信号线，所述第三目标触控信号线与所述第四目标触控信号线一一对应，相对应的所述第三目标触控信号线和所述第四目标触控信号线沿所述第一方向相对设置。

相对应的所述第三目标触控信号线和所述第四目标触控信号线中，所述第三目标触控信号线靠近所述第四目标触控信号线的一端包括第一目标直边部4011，所述第四目标触控信号线靠近所述第三目标触控信号线的一端包括第二目标直边部4012，该第一目标直边部4011与该第二目标直边部4012沿所述第一方向正对，该第一目标直边部4011与该第二目标直边部4012沿第一方向具有第二保护距离L3。

在一些实施例中，所述第二保护距离L3大于所述第一保护距离L2。

值得注意，由于所述第一目标直边部4011和所述第二目标直边部4012不会对像素存储电容Cst产生影响，且所述第一目标直边部4011和所述第二目标直边部4012在所述中间区域有尖端相对，所以可以适当增加所述第二保护距离L3，示例性的，设置所述第二保护距离L3大于20微米，从而更好的降低所述第一目标直边部4011和所述第二目标直边部4012在所述中间区域发生ESD不良的风险。

而所述第一目标弯曲部4021和所述第二目标弯曲部4022在所述中间区域没有尖端相对，所以所述第一保护距离L2可以设置相对较小的数值，同样也能够降低ESD不良的发生风险。

如图16所示，在一些实施例中，所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述第二目标弯曲部4022的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第一目标直边部4011的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第二目标直边部4012的至少部分沿所述第二方向延伸。

如图17所示，在一些实施例中，所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述第二目标弯曲部4022的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第一目标直边部4011的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第二目标直边部4012的至少部分沿所述第二方向延伸。

如图18所示，在一些实施例中，所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述第二目标弯曲部4022的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第一目标直边部4011的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第二目标直边部4012的至少部分沿所述第一方向延伸。

如图19所示，在一些实施例中，所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述第二目标弯曲部4022的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第一目标直边部4011的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第二目标直边部4012的至少部分沿所述第一方向延伸。

如图20所示，在一些实施例中，所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述第二目标弯曲部4022的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第一目标直边部4011的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第二目标直边部4012的至少部分沿所述第二方向延伸。

如图21所示，在一些实施例中，所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述第二目标弯曲部4022的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第一目标直边部4011的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第二目标直边部4012的至少部分沿所述第二方向延伸。

如图22所示，在一些实施例中，所述第一目标弯曲部4021包括延伸部4023，所述第二目标弯曲部4022的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第一目标直边部4011的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第二目标直边部4012的至少部分沿所述第一方向延伸。

值得注意，上述实施例提供的阵列基板包括ADS模式阵列基板和IPS模式阵列基板等。

如图23～图30所示，所述IPS模式阵列基板中，每个子像素中的像素电极52和公共电极70形成为插指状结构，不同子像素中的公共电极70可以通过公共电极线71耦接。所述像素电极52和所述公共电极70可以采用金属材料同层制作。

如图23所示，在一些实施例中，沿所述第一方向相对的触控信号线40中，各触控信号线40靠近所述中间区域的端部均沿所述第一方向延伸。

如图24～图29所示，在一些实施例中，沿所述第一方向相对的触控信号线40中，至少一条触控信号线40靠近所述中间区域的端部沿所述第二方向延伸。

如图30所示，在一些实施例中，沿所述第一方向相对的触控信号线40中，各触控信号线40靠近所述中间区域的端部均沿所述第二方向延伸。

需要说明，图16至图30中的保护距离L4和L5均大于或等于所述静电保护距离。

如图4所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括：

多条数据线51，所述数据线51的至少部分沿第一方向延伸；

多个开关元件53，每个开关元件53位于相邻的一个弯曲部402与一条数据线51之间。

示例性的，所述开关元件53包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与对应的栅线50耦接，所述薄膜晶体管的第一极与对应的数据线51耦接，所述薄膜晶体管的第二极与对应的像素电极52耦接。

在对应的栅线50的控制下，薄膜晶体管导通，将其耦接的数据线51提供的数据信号写入对应的像素电极52中。

如图6所示，在一些实施例中，所述第一组电极块31和所述第二组电极块32包括的触控感测块30的数量相等；所述第一组触控信号线和所述第二组触控信号线包括的触控信号线40的数量相等。

在一些实施例中，所述第一组电极块31包括的触控感测块30的数量大于所述第二组电极块32包括的触控感测块30的数量；所述第一组触控信号线41包括的触控信号线40的数量大于所述第二组触控信号线42包括的触控信号线40的数量。

如图4所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条数据线51，所述数据线51的至少部分沿第一方向延伸；每个触控感测块30包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极300；

设置所述第一组触控信号线41和所述第二组触控信号线42中的至少一个能够被划分为多个子触控信号线组43，每个子触控信号线组43均包括沿所述第二方向相邻的两条触控信号线40，所述相邻的两条触控信号线40在所述基底10上的正投影分别位于同一条数据线51在所述基底10上的正投影的两侧，所述相邻的两条触控信号线40的正投影以及所述同一条数据线51的正投影，均包括位于相邻的触控电极300在所述基底上的正投影之间的部分。

示例性的，所述多个子触控信号线组43沿所述第二方向排列。

示例性的，子触控信号线组43包括沿所述第二方向排列的至少一条所述触控信号线40。

示例性的，每个子触控信号线组43均包括沿所述第二方向相邻的两条触控信号线40。

示例性的，每一条触控信号线40仅能够属于一个子触控信号线组43。

示例性的，所述多个子触控信号线组43与所述多条数据线51一一对应，所述相邻的两条触控信号线40在所述基底10上的正投影分别位于对应的数据线51在所述基底10上的正投影的两侧。

上述设置所述相邻的两条触控信号线40的正投影以及所述同一条数据线51的正投影，均包括位于相邻的触控电极300在所述基底上的正投影之间的部分，有效减小了触控信号线40对像素开口区的遮挡，从而很好的保证了像素开口率。

在一些实施例中，设置所述相邻的两条触控信号线40所在的层不同于所述同一条数据线51所在的层。

上述设置方式有利于避免所述触控信号线40与所述数据线51之间发生短路，保证了所述阵列基板的信赖性。

而且上述设置方式还可以缩小所述触控信号线40在所述基底10上的正投影，与所述数据线51在所述基底10上的正投影之间的距离，有利于降低触控信号线40的布局难度，进一步提升像素开口率。

如图10和图11所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条栅线50，所述栅线50的至少部分沿所述第二方向延伸；设置至少部分所述直边部401包括相耦接的第一子部4013和第二子部4014，在平行于所述基底10，且垂直于所述触控信号线40的延伸方向的方向上，所述第一子部4013的宽度b大于所述第二子部4014的宽度a；所述第一子部4013在所述基底10上的正投影，覆盖所述栅线50的至少部分侧面在所述基底10上的正投影；和/或，至少部分所述弯曲部402包括相耦接的第三子部4024和第四子部4025，在平行于所述基底10，且垂直于所述触控信号线40的延伸方向的方向上，所述第三子部4024的宽度b大于所述第四子部4025的宽度a；所述第三子部4024在所述基底10上的正投影，覆盖所述栅线50的至少部分侧面在所述基底10上的正投影。

示例性的，所述第一子部4013与所述第二子部4014形成为一体结构。

示例性的，所述第三子部4024与所述第四子部4025形成为一体结构。

示例性的，所述触控信号线40位于所述栅线50背向所述基底10的一侧，所述触控信号线40与所述栅线50之间具有绝缘层。

上述设置方式使得触控信号线40中与所述栅线50的侧面(即栅线50形成段差的一面)交叠的部分加宽，从而降低了触控信号线40中与栅线50侧面交叠的部分发生断裂的风险。

需要说明，线宽b的设计标准为：(1)、与栅线50在垂直于基底10方向上的厚度相关，栅线50越厚，触控信号线40与栅线50交叠的部分发生断裂的风险越高，为了降低触控信号线40断裂的风险，a的值会设置得比较大，一般在6μm～20μm之间。(2)、触控信号线40与栅线50之间形成交叠电容，为了避免交叠电容过大，b的值在满足条件(1)后，应该尽量取较小的值。

线宽a的设计标准为：(1)、保证触控信号线40的电阻满足要求，触控信号线40的线宽a越大，触控信号线40的电阻越小；(2)降低触控信号线40与其他导电结构的侧向场电容。侧向场电容与触控信号线40的宽度，以及触控信号线40与其他导电结构的距离有关，触控信号线40的宽度越小，触控信号线40到其他导电结构的距离越大，触控信号线40与其他导电结构的侧向场电容越小。

上述设置所述第一子部4013的宽度b大于所述第二子部4014的宽度a，以及所述第三子部4024的宽度b大于所述第四子部4025的宽度a，减小了部分触控信号线40的线宽，缩短了触控线到其他导电结构的水平距离，实现了在满足触控信号线40电阻要求的基础上，使触控信号线40与其他导电结构(包括栅线50、数据线51，像素电极52和触控电极300等)形成的侧向场电容较小。

如图10和图11所示，在一些实施例中，设置所述栅线50包括多个栅图形501和多个栅连接部502；所述栅图形501和所述栅连接部502沿所述第二方向交替设置，相邻的所述栅图形501之间通过所述栅连接部502耦接；沿所述第一方向，所述栅图形501的宽度大于所述栅连接部502的宽度；

所述第一子部4013在所述基底10上的正投影，覆盖所述栅连接部502的至少部分侧面在所述基底10上的正投影；

所述第三子部4024在所述基底10上的正投影，覆盖所述栅图形501的至少部分侧面在所述基底10上的正投影。

示例性的，同一条栅线50包括的多个栅图形501和多个栅连接部502形成为一体结构。

示例性的，所述栅图形501复用为开关元件53的栅极。

上述设置至少部分所述第一子部4013在所述基底10上的正投影，覆盖所述栅连接部502的至少部分侧面在所述基底10上的正投影，不仅使得所述第一子部4013在与所述栅连接部502的至少部分侧面交叠的区域不容易断裂，还有利于降低所述第一子部4013与所述栅线50之间形成的交叠电容。

同样的，上述设置至少部分所述第三子部4024在所述基底10上的正投影，覆盖所述栅图形501的至少部分侧面在所述基底10上的正投影，使得所述第三子部4024在与所述栅图形501的至少部分侧面交叠的区域不容易断裂。

上述设置沿所述第一方向，所述栅图形501的宽度大于所述栅连接部502的宽度，有效减小了栅线50的电阻。

在一些实施例中，设置所述第一子部4013沿所述第一方向延伸，所述栅连接部502沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一方向之间的夹角小于90度。

上述设置方式增大了所述第一子部4013与由所述栅连接部502产生的段差处的接触面积，从而有效降低了所述第一子部4013发生断裂的风险。

在一些实施例中，设置至少部分所述栅图形501包括实体区5011和第一镂空区5012，所述实体区5011在所述基底10上的正投影与所述第三子部4024在所述基底10上的正投影至少部分交叠；所述第一镂空区5012在所述基底10上的正投影与所述第四子部4025在所述基底10上的正投影至少部分交叠。

上述设置方式使得所述第三子部4024中与所述实体区5011交叠的部分不容易断裂。

上述设置所述第一镂空区5012在所述基底10上的正投影与所述第四子部4025在所述基底10上的正投影至少部分交叠，有效降低了触控信号线40与栅线50之间形成的耦合电容。

如图12和图13所示，在一些实施例中，每个触控感测块30包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极300；所述多个触控电极300呈阵列分布，所述多个触控电极300划分为沿所述第一方向排列的多行触控电极300，每行触控电极300均包括沿所述第二方向排列的多个所述触控电极300；

每个触控感测块30还包括：

多个第一公共连接部301，所述第一公共连接部301与所述多行触控电极300一一对应，每个所述第一公共连接部301与其对应的一行触控电极300分别耦接；

多个第二公共连接部302，相邻两行触控电极300之间通过至少一个所述第二公共连接部302耦接。

示例性的，所述多个触控电极300独立间隔设置，所述多个触控电极300与阵列基板中的多个子像素区一一对应，每个触控电极300的至少部分位于对应的子像素区中。

示例性的，所述第一公共连接部301的至少部分沿所述第二方向延伸，所述第一公共连接部301能够将与其对应的一行触控电极300中的各触控电极300电连接在一起。

示例性的，所述第一公共连接部301与所述栅线50大致平行。

示例性的，在同一个触控感测块30中，相邻两行触控电极300之间通过多个所述第二公共连接部302耦接，多个所述第二公共连接部302间隔设置。

示例性的，多个所述第二公共连接部302中，每相邻的两个第二公共连接部302之间间隔至少三个触控电极300的宽度。

上述实施例提供的阵列基板中，通过所述第一公共连接部301和所述第二公共连接部302，将多个间隔设置的触控电极300电连接在一起，形成一个触控感测块30。各触控电极300能够分时复用，显示时用作公共电极，触控时用于实现触控功能。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条栅线50，所述栅线50的至少部分沿所述第二方向延伸；将所述第一公共连接部301与所述栅线50同层同材料设置。

上述设置方式使得所述第一公共连接部301与所述栅线50能够在同一次构图工艺中形成，从而有效简化了阵列基板的制作工艺流程，降低了阵列基板的制作成本。

在一些实施例中，所述第一公共连接部301直接搭接在其对应的一行触控电极300的表面，实现第一公共连接部和触控电极的连接。

示例性的，所述第一公共连接部301与所述触控电极300之间没有绝缘层，在制作完触控电极300后，可以直接制作所述第一公共连接部301，将所述第一公共连接部301直接搭接在其对应的一行触控电极300的表面。

示例性的，所述触控电极300采用透明导电材料制作，如采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)材料制作。

如图9所示，示例性的，按照如下制作流程制作阵列基板：先制作第一氧化铟锡层(即1ITO层)，然后在1ITO背向基底10的一侧制作第一栅金属层，然后在第一栅金属层背向基底10的一侧制作栅绝缘层GI，然后在栅绝缘层GI背向基底10的一侧制作有源层，然后在有源层背向基底10的一侧制作源漏金属层，然后在源漏金属层背向基底10的一侧制作第一钝化层PVX1，然后在第一钝化层PVX1背向基底10的一侧制作触控信号线40层，然后在触控信号线40层背向基底10的一侧制作第二钝化层PVX2，最后在第二钝化层PVX2背向基底10的一侧制作第二氧化铟锡层(即2ITO层)。

需要说明，图9中还示意了开关元件53包括的有源图形530，第一极531和第二极532。图7中开关元件53处的虚线框代表有源图形530。

示例性的，所述1ITO层包括触控电极300，所述第一栅金属层包括栅线50和第一公共连接部301，所述有源层包括所述开关元件53的有源图形，所述源漏金属层包括数据线51，以及开关元件53的第一极和第二极，所述触控信号线40层包括触控信号线40，所述2ITO层包括像素电极52。

需要说明，也可以采用1ITO层制作像素电极52，采用2ITO层制作触控电极300，这种情况下，阵列基板中的其他结构可相应改变。

在一些实施例中，设置沿所述第二方向相邻的所述第一公共连接部301之间具有间隔区，所述间隔区在所述第二方向的宽度大于或等于5微米，曝光机分辨率是可以实现5微米精度的，沿第二方向的第一公共连接部301都是一小段一小段的，不会聚集大量电荷造成ESD，因此，5微米就可以实现两者不短路的效果。

示例性的，沿所述第二方向相邻的触控感测块30中，各触控感测块30中的第一公共连接部301之间具有所述间隔区。

上述设置方式使得沿所述第二方向相邻的所述第一公共连接部301之间间隔较远的距离，从而有效避免了沿所述第二方向相邻的所述第一公共连接部301之间发生短路。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条数据线51，所述数据线51的至少部分沿第一方向延伸；设置沿所述第二方向相邻的两条第一公共连接部301中，至少一条所述第一公共连接部301朝向所述间隔区的一端在所述基底10上的正投影，与所述数据线51在所述基底10上的正投影具有第一交叠区域，沿所述第二方向，所述第一交叠区域的宽度等于所述数据线的宽度。

示例性的，所述阵列基板中，各条所述数据线51与所述第一公共连接部301之间形成的交叠面积均相同。

上述设置方式使得各条所述数据线51与所述第一公共连接部301形成的寄生电容均一致，避免了子像素出现充电率不均的现象。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条数据线51，所述数据线51的至少部分沿第一方向延伸；将所述第二公共连接部302与所述数据线51同层同材料设置。

上述设置方式使得所述第二公共连接部302与所述数据线51能够在同一次构图工艺中形成，从而有效简化了阵列基板的制作工艺流程，降低了阵列基板的制作成本。

在一些实施例中，所述第二公共连接部302与所述触控信号线40同层同材料设置，所述第二公共连接部302与所述触控信号线40能够在同一次构图工艺中形成。

如图13所示，在一些实施例中，沿所述第一方向，所述第一公共连接部301位于其对应的一行触控电极300的第一侧；

所述第二公共连接部302的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第二公共连接部302的第一端与所述相邻两行触控电极300中的一行触控电极300耦接的第一公共连接部301耦接，所述第二公共连接部302的第二端与所述相邻两行触控电极300中的另一行触控电极300中的至少一个触控电极300耦接。

示例性的，所述第二公共连接部302的第一端在所述基底10上的正投影，与所述相邻两行触控电极300中的一行触控电极300耦接的第一公共连接部301在所述基底10上的正投影交叠，所述第二公共连接部302的第一端与所述相邻两行触控电极300中的一行触控电极300耦接的第一公共连接部301在该交叠处通过第一过孔63和第一连接部64耦接，示例性的，该第一连接部64采用2ITO制作。

示例性的，所述第一连接部64通过所述第一过孔63，将所述第二公共连接部302的第一端与所述相邻两行触控电极300中的一行触控电极300耦接的第一公共连接部301耦接。

示例性的，所述第二公共连接部302的第二端在所述基底10上的正投影，与所述相邻两行触控电极300中的另一行触控电极300中的至少一个触控电极300在所述基底10上的正投影交叠，所述第二公共连接部302的第二端与所述相邻两行触控电极300中的另一行触控电极300中的至少一个触控电极300在该交叠处通过第二过孔61和第二连接部62耦接，示例性的，该第二连接部62采用2ITO制作。

示例性的，所述第二连接部62通过所述第二过孔61，将所述第二公共连接部302的第二端与所述相邻两行触控电极300中的另一行触控电极300中的至少一个触控电极300耦接。

示例性的，所述第一过孔63与所述第二过孔61在同一次构图工艺中形成，所述第一连接部64与所述第二连接部62在同一次构图工艺中形成。

上述实施例提供的阵列基板中，能够通过第二公共连接部302将属于同一个触控感测块30中相邻的两行触控电极300电连接在一起。

如图13所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条栅线50，所述栅线50的至少部分沿所述第二方向延伸；至少部分所述栅线50上设置有第二镂空区5013，所述第二公共连接部302在所述基底10上的正投影，与所述第二镂空区5013在所述基底10上的正投影交叠。

上述设置方式有效降低了所述第二公共连接部302与所述栅线50的交叠面积，减小了所述第二公共连接部302与所述栅线50之间形成的寄生电容。

如图14和图15所示，在一些实施例中，每个触控感测块30包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极300；所述阵列基板还包括：

多条栅线50，所述栅线50的至少部分沿所述第二方向延伸；

多个第三公共连接部54，沿所述第一方向相邻的触控感测块30之间，设置有至少一个所述第三公共连接部54，所述第三公共连接部54的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第三公共连接部54的第一端541与相邻的触控感测块30中的第一个触控感测块30中的触控电极300耦接，所述第三公共连接部54的第二端542与相邻的触控感测块30中的第二个触控感测块30不耦接；所述第三公共连接部54的至少部分在所述基底10上的正投影与所述栅线50在所述基底10上的正投影具有第二交叠区域，所述第二公共连接部302的至少部分在所述基底上的正投影与所述栅线50在所述基底上的正投影具有第三交叠区域，沿所述第一方向，所述第二交叠区域的宽度等于所述第三交叠区域的宽度。

示例性的，所述第三公共连接部54与所述数据线51同层同材料设置，或者所述第三公共连接部54与所述触控信号线40同层同材料设置。

示例性的，沿所述第一方向相邻的触控感测块30之间，设置的所述第三公共连接部54的数量，与一个触控感测块30内部相邻两行触控电极300之间设置的所述第二公共连接部302的数量相同。

示例性的，所述第三公共连接部54的第一端541在所述基底10上的正投影，与相邻的触控感测块30中的第一个触控感测块30中的触控电极300在所述基底10上的正投影交叠，所述第三公共连接部54的第一端541与相邻的触控感测块30中的第一个触控感测块30中的触控电极300，在该交叠处通过第三过孔65和第三连接部66耦接。

示例性的，所述第三连接部66通过所述第三过孔65，将所述第三公共连接部54的第一端541与相邻的触控感测块30中的第一个触控感测块30中的触控电极300耦接。

示例性的，所述第三过孔65与所述第一过孔61和所述第二过孔63在同一次构图工艺中形成，所述第三连接部66与所述第一连接部62和所述第二连接部64在同一次构图工艺中形成。

上述设置所述第三公共连接部54的第二端542与相邻的触控感测块30中的第二个触控感测块30不耦接，保证了沿所述第一方向相邻的触控感测块30之间绝缘。

上述设置所述第二公共连接部302的至少部分在所述基底上的正投影与所述栅线50在所述基底上的正投影具有第三交叠区域，沿所述第一方向，所述第二交叠区域的宽度等于所述第三交叠区域的宽度，使得各条所述栅线50与所述第一公共连接部301和/或第二公共连接部302形成的寄生电容均一致，避免了个别栅线50出现信号延迟的现象，以及个别子像素出现的充电率不均的现象。

如图14和图15所示，在一些实施例中，至少部分所述栅线50上设置有第三镂空区5014，所述第三公共连接部54在所述基底10上的正投影，与所述第三镂空区5014在所述基底10上的正投影至少部分交叠。

上述设置方式有效降低了所述第三公共连接部54与所述栅线50的交叠面积，减小了所述第三公共连接部54与所述栅线50之间形成的寄生电容。

如图14和图15所示，在一些实施例中，设置所述第三公共连接部54的第二端542在所述基底10上的正投影，与所述栅线50在所述基底10上的正投影不交叠。

示例性的，所述第三公共连接部54沿所述第一方向延伸，所述第三公共连接部54的第一端541与相邻的触控感测块30中的第一个触控感测块30中的触控电极300耦接，所述第三公共连接部54的第二端542与相邻的触控感测块30中的第二个触控感测块30不耦接；所述第三公共连接部54中位于所述第一端和所述第二端之间的部分与所述栅线50交叠。

所述第三公共连接部54的第二端542沿所述第一方向的长度大于或等于1微米，示例性的，所述第三公共连接部54的第二端542沿所述第一方向的长度在1微米～2微米之间，可包括端点值。

上述设置方式能够保证所述第三公共连接部54与所述栅线50的交叠面积，使各条所述栅线50与所述第一公共连接部301和/或第二公共连接部302形成的寄生电容均一致。

如图14和图15所示，在一些实施例中，设置所述第三公共连接部54的第二端542在所述基底10上的正投影，与相邻的触控感测块30中的第二个触控感测块30包括第一公共连接部301在所述基底10上的正投影不交叠。

上述设置方式能够减少相邻触控感测块30之间产生的寄生电容，保证阵列基板工作的稳定性。

本公开实施例还提供了一种触控显示装置，包括上述阵列基板。

上述实施例提供的阵列基板中，将整个阵列基板划分为沿第一方向排布，且能够分别控制触控的两部分，这样在布局所述触控信号线40时，每条触控信号线40不必沿第一方向穿过整块阵列基板，只需穿过其对应的一组电极块所在区域即可，这样不仅降低了阵列基板中，触控信号线40所需的布局空间，有效降低了大尺寸阵列基板中触控信号线40的布局难度，而且还改善了布局所述触控信号线40时，对阵列基板中各子像素的开口率的影响。另外，上述设置方式使得整个阵列基板中的触控信号线40划分为两组，每组触控信号线40连接对应的控制单元，实现了阵列基板的双边驱动，从而很好的降低了触控信号线40与控制单元之间的连接难度。

因此，本公开实施例提供的触控显示装置在包括上述阵列基板时同样具有上述有益效果，此处不再赘述。

在一些实施例中，所述触控显示装置还包括：对向基板和液晶层，所述对向基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层位于所述对向基板与所述阵列基板之间。

示例性的，所述对向基板包括彩膜基板。

所述液晶层在所述像素电极52和公共电极的驱动下发生偏转，从而实现触控显示装置的显示功能。

需要说明的是，所述触控显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

一种阵列基板，包括：

基底；

沿第一方向相对设置的第一控制单元和第二控制单元；

相互独立的多个触控感测块，所述多个触控感测块呈阵列分布在所述基底上，所述多个触控感测块划分为第一组电极块和第二组电极块，所述第一组电极块和所述第二组电极块沿第一方向排列；

相互独立的多条触控信号线，每条所述触控信号线的至少部分沿所述第一方向延伸，所述多条触控信号线划分为第一组触控信号线和第二组触控信号线，所述第一组触控信号线和所述第二组触控信号线沿所述第一方向排列；

所述第一组触控信号线中包括的多条触控信号线沿第二方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第一组触控信号线中包括的多条触控信号线与所述第一组电极块中的多个触控感测块分别对应耦接，所述第一组触控信号线中包括的多条触控信号线的一端分别与所述第一控制单元耦接；

所述第二组触控信号线中包括的多条触控信号线沿所述第二方向排列，所述第二组触控信号线中包括的多条触控信号线与所述第二组电极块中的多个触控感测块分别对应耦接，所述第二组触控信号线中包括的多条触控信号线的一端分别与所述第二控制单元耦接。
根据权利要求1所述的阵列基板，其中，沿所述第一方向相对的两条触控信号线在第一方向上具有静电保护距离。
根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括：多个像素电极；所述静电保护距离L1满足：L1＝k*H；H代表所述像素电极在所述第一方向上的最大长度，2％≤k≤6％。
根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述静电保护距离大于或等于10微米。
根据权利要求2所述的阵列基板，其中，至少部分所述触控信号线包括多个直边部和多个弯曲部，所述直边部与所述弯曲部交替设置；

在一条触控信号线中，至少部分所述弯曲部与所述像素电极在所述基底上的正投影交叠。
根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第一组触控信号线中包括至少一条第一目标触控信号线，所述至少一条第一目标触控信号线靠近所述第二组触控信号线的一端包括第一目标弯曲部；所述第二组触控信号线中包括至少一条第二目标触控信号线，所述至少一条第二目标触控信号线靠近所述第一组触控信号线的一端包括第二目标弯曲部；所述第一目标弯曲部与所述第二目标弯曲部之间具有第一保护距离，所述第一保护距离大于或等于所述静电保护距离。
根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一目标弯曲部在所述基底上的正投影，与所述像素电极在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第一目标弯曲部包括延伸部，所述延伸部向远离所述第二组触控信号线的方向延伸。
根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第一组触控信号线中包括至少一条第三目标触控信号线，所述至少一条第三目标触控信号线靠近所述第二组触控信号线的一端包括第一目标直边部；所述第二组触控信号线中包括至少一条第四目标触控信号线，所述至少一条第四目标触控信号线靠近所述第一组触控信号线的一端包括第二目标直边部；所述第一目标直边部与所述第二目标直边部之间具有第二保护距离，所述第二保护距离大于或等于所述静电保护距离。
根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括：

多条数据线，所述数据线的至少部分沿第一方向延伸；

多个开关元件，每个开关元件位于相邻的一个弯曲部与一条数据线之间。
根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一组电极块和所述第二组电极块包括的触控感测块的数量相等；所述第一组触控信号线和所述第二组触控信号线包括的触控信号线的数量相等。
根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条数据线，所述数据线的至少部分沿第一方向延伸；

每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；

所述第一组触控信号线和所述第二组触控信号线中的至少一个能够被划分为多个子触控信号线组，每个子触控信号线组均包括沿所述第二方向相邻的两条触控信号线，所述相邻的两条触控信号线在所述基底上的正投影分别位于同一条数据线在所述基底上的正投影的两侧，所述相邻的两条触控信号线的正投影以及所述同一条数据线的正投影，均包括位于相邻的触控电极在所述基底上的正投影之间的部分。
根据权利要求11所述的阵列基板，其中，所述相邻的两条触控信号线所在的层不同于所述同一条数据线所在的层。
根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；

至少部分所述直边部包括相耦接的第一子部和第二子部，在平行于所述基底，且垂直于所述触控信号线的延伸方向的方向上，所述第一子部的宽度大于所述第二子部的宽度；所述第一子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅线的至少部分侧面在所述基底上的正投影；

和/或，

至少部分所述弯曲部包括相耦接的第三子部和第四子部，在平行于所述基底，且垂直于所述触控信号线的延伸方向的方向上，所述第三子部的宽度大于所述第四子部的宽度；所述第三子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅线的至少部分侧面在所述基底上的正投影。
根据权利要求13所述的阵列基板，其中，

所述栅线包括多个栅图形和多个栅连接部；所述栅图形和所述栅连接部沿所述第二方向交替设置，相邻的所述栅图形之间通过所述栅连接部耦接；沿所述第一方向，所述栅图形的宽度大于所述栅连接部的宽度；

所述第一子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅连接部的至少部分侧面在所述基底上的正投影；

所述第三子部在所述基底上的正投影，覆盖所述栅图形的至少部分侧面在所述基底上的正投影。
根据权利要求14所述的阵列基板，其中，所述第一子部沿所述第一方向延伸，所述栅连接部沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一方向之间的夹角小于90度。
根据权利要求14所述的阵列基板，其中，至少部分所述栅图形包括实体区和第一镂空区，所述实体区在所述基底上的正投影与所述第三子部在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第一镂空区在所述基底上的正投影与所述第四子部在所述基底上的正投影至少部分交叠。
根据权利要求1所述的阵列基板，其中，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；所述多个触控电极呈阵列分布，所述多个触控电极划分为沿所述第一方向排列的多行触控电极，每行触控电极均包括沿所述第二方向排列的多个所述触控电极；

每个触控感测块还包括：

多个第一公共连接部，所述第一公共连接部与所述多行触控电极一一对应，每个所述第一公共连接部与其对应的一行触控电极分别耦接；

多个第二公共连接部，相邻两行触控电极之间通过至少一个所述第二公共连接部耦接。
根据权利要求17所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；所述第一公共连接部与所述栅线同层同材料设置。
根据权利要求17所述的阵列基板，其中，所述第一公共连接部直接搭接在其对应的一行触控电极的表面。
根据权利要求17所述的阵列基板，其中，沿所述第二方向相邻的所述第一公共连接部之间具有间隔区，所述间隔区在所述第二方向的宽度大于或等于5微米。
根据权利要求20所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条数据线，所述数据线的至少部分沿第一方向延伸；

沿所述第二方向相邻的两条第一公共连接部中，至少一条所述第一公共连接部朝向所述间隔区的一端在所述基底上的正投影，与所述数据线在所述基底上的正投影具有第一交叠区域，沿所述第二方向，所述第一交叠区域的宽度等于所述数据线的宽度。
根据权利要求17所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条数据线，所述数据线的至少部分沿第一方向延伸；所述第二公共连接部与所述数据线同层同材料设置。
根据权利要求17所述的阵列基板，其中，沿所述第一方向，所述第一公共连接部位于其对应的一行触控电极的第一侧；

所述第二公共连接部的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第二公共连接部的第一端与所述相邻两行触控电极中的一行触控电极耦接的第一公共连接部耦接，所述第二公共连接部的第二端与所述相邻两行触控电极中的另一行触控电极中的至少一个触控电极耦接。
根据权利要求17所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；至少部分所述栅线上设置有第二镂空区，所述第二公共连接部在所述基底上的正投影，与所述第二镂空区在所述基底上的正投影交叠。
根据权利要求17所述的阵列基板，其中，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；所述阵列基板还包括：

多条栅线，所述栅线的至少部分沿所述第二方向延伸；

多个第三公共连接部，沿所述第一方向相邻的触控感测块之间，设置有至少一个所述第三公共连接部，所述第三公共连接部的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第三公共连接部的第一端与相邻的触控感测块中的第一个触控感测块中的触控电极耦接，所述第三公共连接部的第二端与相邻的触控感测块中的第二个触控感测块不耦接；所述第三公共连接部的至少部分在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影具有第二交叠区域；

所述第二公共连接部的至少部分在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影具有第三交叠区域，沿所述第一方向，所述第二交叠区域的宽度等于所述第三交叠区域的宽度。
根据权利要求25所述的阵列基板，其中，至少部分所述栅线上设置有第三镂空区，所述第三公共连接部在所述基底上的正投影，与所述第三镂空区在所述基底上的正投影至少部分交叠。
根据权利要求25所述的阵列基板，其中，所述第三公共连接部的第二端在所述基底上的正投影，与所述栅线在所述基底上的正投影不交叠。
根据权利要求25所述的阵列基板，其中，所述第三公共连接部的第二端在所述基底上的正投影，与相邻的触控感测块中的第二个触控感测块包括第一公共连接部在所述基底上的正投影不交叠。
一种触控显示装置，包括如权利要求1～28中任一项所述的阵列基板。
根据权利要求29所述的触控显示装置，其中，所述触控显示装置还包括：对向基板和液晶层，所述对向基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层位于所述对向基板与所述阵列基板之间。