WO2022091830A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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WO2022091830A1
WO2022091830A1 PCT/JP2021/038369 JP2021038369W WO2022091830A1 WO 2022091830 A1 WO2022091830 A1 WO 2022091830A1 JP 2021038369 W JP2021038369 W JP 2021038369W WO 2022091830 A1 WO2022091830 A1 WO 2022091830A1
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power amplifier
high frequency
temperature sensor
frequency module
main surface
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基嗣 津田
隼人 中村
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module and a communication device.
  • Patent Document 1 discloses a front-end circuit (high frequency module) including a PA circuit (transmission amplifier circuit) for transmitting a high frequency transmission signal and an LNA circuit (reception amplification circuit) for transmitting a high frequency reception signal.
  • the PA control unit that controls the amplification characteristics of the power amplifier is arranged in the transmission amplifier circuit, and the LNA control unit that controls the amplification characteristics of the low noise amplifier is arranged in the reception amplifier circuit.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and is a high-frequency module and communication in which the temperature when a plurality of high-frequency signals are simultaneously transmitted is measured with high accuracy and the performance deterioration of the power amplifier is suppressed.
  • the purpose is to provide the device.
  • the high-frequency module is a high-frequency module capable of simultaneously transmitting a first transmission signal and a second transmission signal, and is arranged on the module substrate and the module substrate to amplify the high-frequency signal.
  • the first power amplifier that outputs the first transmission signal
  • the second power amplifier that is arranged on the module board and amplifies the high frequency signal and outputs the second transmission signal
  • the temperature sensor arranged on the module board, and the module. It is arranged on the board and includes a control circuit that controls the amplification operation of the first power amplifier and the second power amplifier according to the measured value of the temperature sensor, and the maximum output power of the first power amplifier is the maximum output power of the second power amplifier. Greater than the maximum output power, the distance between the temperature sensor and the first power amplifier is less than or equal to the distance between the temperature sensor and the second power amplifier.
  • the present invention it is possible to provide a high frequency module and a communication device that can measure the temperature when a plurality of high frequency signals are simultaneously transmitted with high accuracy and suppress the deterioration of the performance of the power amplifier.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the high frequency module according to the first modification.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the high frequency module according to the second modification.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the high frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic plan view and a schematic cross-sectional structure of the high frequency module according to the third embodiment.
  • FIG. 7A is a schematic plan view of the high frequency module according to the fourth embodiment.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional configuration diagram of the high frequency module according to the fourth embodiment.
  • C is arranged between A and B in the plan view of the substrate (or the main surface of the substrate)" means that the substrate is used. It means that at least one of a plurality of line segments connecting an arbitrary point in A and an arbitrary point in B passes through the region C in a plan view.
  • the plan view of the substrate means that the substrate and the circuit elements mounted on the substrate are orthographically projected onto a plane parallel to the main surface of the substrate.
  • A is arranged on the first main surface of the substrate.
  • A is not only mounted directly on the first main surface but also on the first main surface side separated by the substrate. It means that A is arranged in the space on the first main surface side among the space on the second main surface side and the space on the second main surface side. That is, it includes that A is mounted on the first main surface via other circuit elements, electrodes, and the like.
  • the "transmission path” is a transmission line composed of a wiring for transmitting a transmission signal, an electrode directly connected to the wiring, and a wiring or a terminal directly connected to the electrode.
  • the "reception path” means a transmission line composed of a wiring for transmitting a received signal, an electrode directly connected to the wiring, the wiring or a terminal directly connected to the electrode, and the like.
  • the "signal path” means a transmission line composed of a wiring for transmitting a high frequency signal, an electrode directly connected to the wiring, and the wiring or a terminal directly connected to the electrode. ..
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 1 and a communication device 5 according to an embodiment.
  • the communication device 5 includes a high frequency module 1, an antenna 2, an RF signal processing circuit (RFIC) 3, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 4.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • the RFIC 3 is an RF signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by the antenna 2. Specifically, the RFIC 3 processes the received signal input via the reception path of the high frequency module 1 by down-conversion or the like, and outputs the received signal generated by the signal processing to the BBIC 4. Further, the RFIC 3 processes the transmission signal input from the BBIC 4 by up-conversion or the like, and outputs the transmission signal generated by the signal processing to the transmission path of the high frequency module 1.
  • the BBIC 4 is a circuit that processes a signal using an intermediate frequency band having a lower frequency than the high frequency signal transmitted through the high frequency module 1.
  • the signal processed by the BBIC 4 is used, for example, as an image signal for displaying an image, or as an audio signal for a call via a speaker.
  • the RFIC 3 also has a function as a control unit that controls the connection of the switch 41 of the high frequency module 1 based on the communication band (frequency band) used. Specifically, the RFIC 3 switches the connection of the switch 41 of the high frequency module 1 by a control signal (not shown). Specifically, the RFIC 3 outputs a digital control signal for controlling the switch 41 to the PA control circuit 50.
  • the PA control circuit 50 of the high frequency module 1 controls the connection and disconnection of the switch 41 by outputting the digital control signal to the switch 41 by the digital control signal input from the RFIC 3.
  • the connection and non-connection of the switch 41 may not be controlled by the PA control circuit 50, or may be controlled by another control circuit.
  • the RFIC 3 also has a function as a control unit for controlling the gains of the power amplifiers 11 and 12 of the high frequency module 1, the power supply voltage Vcc supplied to the power amplifiers 11 and 12, and the bias voltage Vbias. Specifically, the RFIC 3 outputs digital control signals such as MIPI and GPIO to the control signal terminal 113 of the high frequency module 1.
  • the PA control circuit 50 of the high frequency module 1 outputs a control signal, a power supply voltage Vcc or a bias voltage Vbias to the power amplifiers 11 and 12 by a digital control signal input via the control signal terminal 113, whereby the power amplifier 11 And 12 gains are adjusted.
  • the control signal terminal that receives the digital control signal that controls the gain of the power amplifiers 11 and 12 from the RFIC3, and the digital control signal that controls the power supply voltage Vcc and the bias voltage Vbias supplied to the power amplifiers 11 and 12 are received from the RFIC3. It may be different from the control signal terminal.
  • the control unit may be provided outside the RFIC3, or may be provided, for example, in the BBIC4.
  • the antenna 2 is connected to the antenna connection terminal 100 of the high frequency module 1, emits a high frequency signal output from the high frequency module 1, receives a high frequency signal from the outside, and outputs the high frequency signal to the high frequency module 1.
  • the antenna 2 and the BBIC 4 are not essential components.
  • the high frequency module 1 includes an antenna connection terminal 100, power amplifiers 11 and 12, low noise amplifiers 21 and 22, a PA control circuit 50, a temperature sensor 51, and transmission filters 61T and 62T.
  • the antenna connection terminal 100 is an example of an input / output terminal, and is an antenna common terminal connected to the antenna 2.
  • the power amplifier 11 is an example of the first power amplifier, and is an amplifier that amplifies the high frequency signal of the communication band A input from the transmission input terminal 111 and outputs the first transmission signal.
  • the power amplifier 12 is an example of a second power amplifier, which is an amplifier that amplifies the high frequency signal of the communication band B input from the transmission input terminal 112 and outputs the second transmission signal.
  • the power amplifier 11 includes, for example, an amplification transistor Tr1 (first amplification transistor element) and a first bias circuit.
  • the amplification transistor Tr1 has, for example, a collector, an emitter and a base, and is a grounded-emitter bipolar transistor, and amplifies a high frequency current input to the base and outputs it from the collector.
  • the amplification transistor Tr1 may be a field effect transistor having a drain, a source, and a gate.
  • the first bias circuit is electrically connected to the base of the amplification transistor Tr1 and has a function of optimizing the operating point of the amplification transistor Tr1 by applying a bias voltage to the base.
  • the high frequency signal input from the input terminal becomes the base current Ib flowing from the base of the amplification transistor Tr1 to the emitter.
  • the base current Ib is amplified by the amplification transistor Tr1 to become the collector current Ic, and the high frequency signal corresponding to the collector current Ic is output from the output terminal.
  • a large current which is the sum of the base current Ib and the collector current Ic, flows from the emitter terminal to the ground.
  • the power amplifier 12 includes, for example, an amplification transistor Tr2 (second amplification transistor element) and a second bias circuit.
  • the amplification transistor Tr2 has, for example, a collector, an emitter and a base, and is a grounded-emitter bipolar transistor, and amplifies a high frequency current input to the base and outputs it from the collector.
  • the amplification transistor Tr2 may be a field effect transistor having a drain, a source, and a gate.
  • the second bias circuit is electrically connected to the base of the amplification transistor Tr2 and has a function of optimizing the operating point of the amplification transistor Tr2 by applying a bias voltage to the base.
  • the high frequency signal input from the input terminal becomes the base current Ib flowing from the base of the amplification transistor Tr2 to the emitter.
  • the base current Ib is amplified by the amplification transistor Tr2 to become the collector current Ic, and the high frequency signal corresponding to the collector current Ic is output from the output terminal.
  • a large current which is the sum of the base current Ib and the collector current Ic, flows from the emitter terminal to the ground.
  • the temperature sensor 51 is arranged on the surface or inside of the high frequency module 1 and measures the temperature at the point where the temperature sensor 51 contacts.
  • the PA control circuit 50 is an example of a control circuit, and controls the amplification operation of the power amplifiers 11 and 12 according to the measured value of the temperature sensor 51. Specifically, the PA control circuit 50 adjusts the gains of the power amplifiers 11 and 12 by the measured values of the temperature sensor 51 and the digital control signals MIPI and GPIO input via the control signal terminal 113.
  • the PA control circuit 50 may be formed of one semiconductor IC (Integrated Circuit).
  • the semiconductor IC is composed of, for example, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Specifically, the semiconductor IC is formed by an SOI (Silicon On Insulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be composed of at least one of GaAs, SiGe, and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal having high quality amplification performance and noise performance.
  • the low noise amplifier 21 is an amplifier that amplifies the high frequency signal of the communication band A with low noise and outputs it to the reception output terminal 121.
  • the low noise amplifier 22 is an amplifier that amplifies the high frequency signal of the communication band B with low noise and outputs it to the reception output terminal 122.
  • the transmission filter 61T is an example of the first filter, is connected to the output terminal of the power amplifier 11 via the matching circuit 31, and passes the first transmission signal of the communication band A.
  • the transmission filter 61T is arranged in the transmission path AT connecting the transmission input terminal 111 and the antenna connection terminal 100.
  • the transmission filter 62T is an example of the second filter, is connected to the output terminal of the power amplifier 12 via the matching circuit 32, and passes the second transmission signal of the communication band B.
  • the transmission filter 62T is connected to a transmission path BT connecting the transmission input terminal 112 and the antenna connection terminal 100.
  • the reception filter 61R is connected to the reception path AR connecting the reception output terminal 121 and the antenna connection terminal 100, and passes the first reception signal of the communication band A. Further, the reception filter 62R is connected to the reception path BR connecting the reception output terminal 122 and the antenna connection terminal 100, and passes the second reception signal of the communication band B.
  • the transmission filter 61T and the reception filter 61R constitute a duplexer 61 having a communication band A as a pass band. Further, the transmission filter 62T and the reception filter 62R constitute a duplexer 62 having a communication band B as a pass band.
  • Each of the duplexers 61 and 62 may be a multiplexer composed of only a plurality of transmission filters or a multiplexer composed of a plurality of duplexers.
  • the transmission path AT transmits the first transmission signal of the communication band A.
  • One end of the transmission path AT is connected to the antenna connection terminal 100, and the other end of the transmission path AT is connected to the transmission input terminal 111.
  • the transmission path BT transmits the second transmission signal of the communication band B.
  • One end of the transmission path BT is connected to the antenna connection terminal 100, and the other end of the transmission path BT is connected to the transmission input terminal 112.
  • the reception path AR transmits the first reception signal of the communication band A.
  • One end of the reception path AR is connected to the antenna connection terminal 100, and the other end of the reception path AR is connected to the reception output terminal 121.
  • the reception path BR transmits the second reception signal of the communication band B.
  • One end of the reception path BR is connected to the antenna connection terminal 100, and the other end of the reception path BR is connected to the reception output terminal 122.
  • the matching circuit 31 is connected to a transmission path connecting the power amplifier 11 and the transmission filter 61T, and impedance matching is performed between the power amplifier 11 and the transmission filter 61T.
  • the matching circuit 32 is connected to a transmission path connecting the power amplifier 12 and the transmission filter 62T, and impedance matching is performed between the power amplifier 12 and the transmission filter 62T.
  • the matching circuit 33 is connected to the reception path connecting the low noise amplifier 21 and the reception filter 61R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 21 and the reception filter 61R.
  • the matching circuit 34 is connected to a reception path connecting the low noise amplifier 22 and the reception filter 62R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 22 and the reception filter 62R.
  • the matching circuit 35 is connected to the path connecting the switch 41 and the duplexer 61, and performs impedance matching between the antenna 2 and the switch 41 and the duplexer 61.
  • the matching circuit 36 is connected to a path connecting the switch 41 and the duplexer 62, and performs impedance matching between the antenna 2 and the switch 41 and the duplexer 62.
  • the switch 41 is an example of an antenna switch, and is (1) connected to the antenna connection terminal 100 and connected to the antenna connection terminal 100 with the transmission path AT and the reception path AR, and (2) the antenna connection terminal 100 and the transmission path.
  • the connection with the BT and the reception path BR is switched.
  • the switch 41 is composed of a multi-connection type switch circuit capable of simultaneously connecting the above (1) and (2).
  • the power amplifiers 11 and 12 and the low noise amplifiers 21 and 22 are composed of, for example, a field effect transistor (FET) or a heterobipolar transistor (HBT) made of Si-based CMOS or GaAs. There is.
  • FET field effect transistor
  • HBT heterobipolar transistor
  • the power amplifier 11, the matching circuit 31, the transmission filter 61T, the matching circuit 35, and the switch 41 transmit the first transmission signal of the communication band A toward the antenna connection terminal 100.
  • the switch 41, the matching circuit 35, the receiving filter 61R, the matching circuit 33, and the low noise amplifier 21 have a first receiving circuit for transmitting the first receiving signal of the communication band A from the antenna 2 via the antenna connection terminal 100.
  • the power amplifier 12, the matching circuit 32, the transmission filter 62T, the matching circuit 36, and the switch 41 constitute a second transmission circuit that transmits the first transmission signal of the communication band B toward the antenna connection terminal 100.
  • the switch 41, the matching circuit 36, the receiving filter 62R, the matching circuit 34, and the low noise amplifier 22 provide a second receiving circuit for transmitting the second receiving signal of the communication band B from the antenna 2 via the antenna connection terminal 100.
  • the high frequency module 1 can simultaneously transmit at least the first transmission signal of the communication band A and the second transmission signal of the communication band B.
  • the above two transmitting circuits and the above two receiving circuits do not have to be connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 41, and the above two transmitting circuits and the above two receiving circuits are not required.
  • the circuit may be connected to the antenna 2 via different terminals.
  • the high frequency module according to the present invention may have at least a first transmission circuit and a second transmission circuit, a temperature sensor 51, and a PA control circuit 50.
  • the first transmission circuit may have at least a power amplifier 11.
  • the second transmission circuit may have at least a power amplifier 12.
  • the high frequency module 1 when a high output transmission signal is simultaneously transmitted from the power amplifiers 11 and 12, it is assumed that the temperature of the high frequency module 1 locally rises due to the heat generated by the power amplifiers 11 and 12. .. At this time, the temperature of the high frequency module 1 cannot be measured accurately due to the temperature unevenness caused by the local temperature rise, and the temperature of either the power amplifiers 11 and 12 rises more than expected, and the performance of the power amplifiers 11 and 12 becomes higher than expected. Occurs the problem of deterioration.
  • the configuration of the high frequency module 1 in which the temperature when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted is measured with high accuracy and the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 is suppressed will be described. explain.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the high frequency module 1A according to the first embodiment. Note that FIG. 2 shows a layout of circuit elements when the main surface of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the high frequency module 1A according to the first embodiment specifically shows an example of the arrangement configuration of each circuit element constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1A according to the present embodiment further has a module board 91 in addition to the circuit configuration shown in FIG.
  • the module board 91 has a first main surface and a second main surface facing each other, and is a board on which the transmission circuit and the reception circuit are mounted.
  • the module substrate 91 include a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a high temperature co-fired ceramics (HTCC) substrate, and the like.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • HTCC high temperature co-fired ceramics
  • RDL redistribution layer
  • the antenna connection terminal 100, the transmission input terminals 111 and 112, the reception output terminals 121 and 122, and the control signal terminal 113 may be formed on the module board 91.
  • the power amplifiers 11 and 12 are arranged on the main surface of the module board 91.
  • the matching circuits 35 and 36 are not shown in FIG. 2, they may be arranged on the main surface of the module board 91, or may be built in the module board 91.
  • the transmission paths AT and BT shown in FIG. 1 and the wiring constituting the reception paths AR and BR are formed inside and on the main surface of the module board 91. ..
  • the wiring may be a bonding wire having both ends bonded to either the main surface or the circuit element constituting the high frequency module 1A, or formed on the surface of the circuit element constituting the high frequency module 1A. It may be a terminal, an electrode or a wiring.
  • a resin member may be arranged on the main surface of the module board 91 so as to cover the circuit elements constituting the transmission circuit and the reception circuit. This makes it possible to improve reliability such as mechanical strength and moisture resistance of the circuit elements constituting the transmission circuit and the reception circuit.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Dpp between the power amplifier 11 and the power amplifier 12. Further, the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 is equal to or less than the distance Dpp.
  • the temperature of the high frequency module 1 rises locally due to the heat generated by the power amplifiers 11 and 12.
  • the temperature sensor 51 is arranged close to the power amplifiers 11 and 12 at a distance of Dpp or less, the power amplifier 11 in which the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are added to the maximum. And the local temperature rise in the 12 adjacent regions can be measured with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with high accuracy, and the performance deterioration due to the temperature rise of the power amplifiers 11 and 12 is suppressed. It becomes possible.
  • the maximum output power of the power amplifier 11 is larger than the maximum output power of the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12.
  • the power amplifiers 11 and 12 correspond to, for example, a high power class and a non-high power class, respectively.
  • the power class is a classification of the output power of the terminal defined by the maximum output power and the like, and the smaller the value, the higher the power output.
  • the maximum output power of the high power class is larger than the maximum output power of the non-high power class.
  • the maximum output power is measured by a method defined by, for example, 3GPP (3rd Generation Partnership Project) or the like.
  • the power amplifier 11 corresponds to, for example, power class 2
  • the power amplifier 12 corresponds to, for example, power class 3.
  • the temperature of the high frequency module 1 rises locally due to the heat generated by the power amplifiers 11 and 12.
  • the maximum output power of the power amplifier 11 is larger than the maximum output power of the power amplifier 12
  • the local peak temperature of the high frequency module 1A appears in a region closer to the power amplifier 11 than the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 is equal to or less than the distance Ds2
  • the local temperature rise in the region where the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are maximally added can be measured with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with high accuracy, and the performance deterioration due to the temperature rise of the power amplifiers 11 and 12 is suppressed. It becomes possible.
  • the temperature sensor 51 is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12.
  • the region between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 is a region where a local peak temperature appears when a high output transmission signal is simultaneously transmitted from the power amplifiers 11 and 12. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with higher accuracy. Further, the above arrangement of the temperature sensor 51 makes it possible to suppress thermal interference between the power amplifier 11 and the power amplifier 12.
  • the temperature sensor 51 is arranged between the amplification transistor Tr1 and the amplification transistor Tr2.
  • the region is a region in which a local peak temperature appears when a high-output transmission signal is simultaneously transmitted from the power amplifiers 11 and 12. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with higher accuracy.
  • the high frequency module 1A according to the present embodiment, no other circuit component is arranged between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11.
  • the heat generated by the power amplifier 11 can be transmitted to the temperature sensor 51 without being absorbed by other circuit components. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with higher accuracy.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 61T, and the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 Is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 62T.
  • the transmission filters 61T and 62T are circuit components that easily generate heat because they pass high-output transmission signals.
  • the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 11 than the transmission filter 61T and arranging the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 12 than the transmission filter 62T the heat generated by the power amplifiers 11 and 12 is generated. It is possible to measure the local peak temperature with high accuracy.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the high frequency module 1B according to the modified example 1. Note that FIG. 3 shows a layout of circuit elements when the main surface of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the high-frequency module 1B according to the first modification specifically shows an example of the arrangement configuration of each circuit element constituting the high-frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1B according to this modification is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in the arrangement configuration of the power amplifiers 11 and 12, the temperature sensor 51, and the PA control circuit 50.
  • the same configuration as the high frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and different configurations will be mainly described.
  • the maximum output power of the power amplifier 11 is larger than the maximum output power of the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12.
  • the temperature sensor 51 distance Ds1 is equal to or less than the distance Ds2
  • the local temperature rise in the region where the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are maximally added is measured with high accuracy. can. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1B can be measured with high accuracy, so that the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 can be suppressed. It becomes.
  • the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 are arranged facing each other in the x-axis direction, and are located between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11. No other circuit components are placed.
  • the heat generated by the power amplifier 11 can be transmitted to the temperature sensor 51 without being absorbed by other circuit components. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1B can be measured with higher accuracy.
  • the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 are arranged facing each other in the y-axis direction, and other circuit components are arranged between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12. It has not been.
  • the heat generated by the power amplifier 12 can be transmitted to the temperature sensor 51 without being absorbed by other circuit components. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1B can be measured with higher accuracy.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 61T, and the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 Is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 62T.
  • the transmission filters 61T and 62T are circuit components that easily generate heat because they pass high-output transmission signals.
  • the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 11 than the transmission filter 61T and arranging the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 12 than the transmission filter 62T the heat generated by the power amplifiers 11 and 12 is generated. It is possible to measure the local peak temperature with high accuracy.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the high frequency module 1C according to the second modification. Note that FIG. 4 shows a layout of circuit elements when the main surface of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the high-frequency module 1C according to the second modification specifically shows an example of the arrangement configuration of each circuit element constituting the high-frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high-frequency module 1C according to the present modification is different from the high-frequency module 1B according to the modification 1 in the arrangement configuration of the power amplifiers 11 and 12, the temperature sensor 51, and the PA control circuit 50.
  • the same configuration as the high frequency module 1B according to the modification 1 will be omitted, and different configurations will be mainly described.
  • the maximum output power of the power amplifier 11 is larger than the maximum output power of the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 is equal to or less than the distance Ds2
  • the local temperature rise in the region where the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are maximally added can be measured with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1C can be measured with high accuracy, so that the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 can be suppressed. It becomes.
  • the high frequency module 1C when the module board 91 is viewed in a plan view, no other circuit components are arranged between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11, and the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 are not arranged. No other circuit components are arranged between and.
  • the heat generated by the power amplifier 11 can be transmitted to the temperature sensor 51 without being absorbed by other circuit components. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1C can be measured with higher accuracy.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 61T, and the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 Is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 62T.
  • the transmission filters 61T and 62T are circuit components that easily generate heat because they pass high-output transmission signals.
  • the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 11 than the transmission filter 61T and arranging the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 12 than the transmission filter 62T the heat generated by the power amplifiers 11 and 12 is generated. It is possible to measure the local peak temperature with high accuracy.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the high frequency module 1D according to the second embodiment. Note that FIG. 5 shows a layout of circuit elements when the main surface of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the high frequency module 1D according to the second embodiment specifically shows an example of the arrangement configuration of each circuit element constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1D according to this modification is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in the arrangement configuration of the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50.
  • the same configuration as the high frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and different configurations will be mainly described.
  • the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are included in one semiconductor IC 70.
  • a plurality of circuit elements are included in the semiconductor IC in a state where the plurality of circuit elements are formed on the surface or inside of one semiconductor substrate, or are integrated and arranged in one package. Defined as a state.
  • the one semiconductor substrate and the one package are different from the module substrate 91, and are different from the external substrate on which the high frequency module 1D is mounted.
  • the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are formed in one semiconductor IC 70, the miniaturization of the high frequency module 1D can be promoted. Further, when the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are arranged on the same semiconductor substrate in the semiconductor IC 70, the wiring for connecting the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 formed on the semiconductor substrate. This makes it possible to transmit a temperature warning when the specified temperature is exceeded to the PA control circuit 50 with a low delay.
  • the maximum output power of the power amplifier 11 is larger than the maximum output power of the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 is equal to or less than the distance Ds2
  • the local temperature rise in the region where the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are maximally added can be measured with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1D can be measured with high accuracy, so that the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 can be suppressed. It becomes.
  • the semiconductor IC 70 is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12.
  • the region between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 is a region where a local peak temperature appears when a high output transmission signal is simultaneously transmitted from the power amplifiers 11 and 12. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1D can be measured with higher accuracy. Further, the above arrangement of the semiconductor IC 70 makes it possible to suppress thermal interference between the power amplifier 11 and the power amplifier 12.
  • the high frequency module 1D according to this embodiment, no other circuit component is arranged between the semiconductor IC 70 and the power amplifier 11.
  • the heat generated by the power amplifier 11 can be transmitted to the temperature sensor 51 without being absorbed by other circuit components. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1D can be measured with higher accuracy.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 61T, and the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 Is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 62T.
  • the transmission filters 61T and 62T are circuit components that easily generate heat because they pass high-output transmission signals.
  • the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 11 than the transmission filter 61T and arranging the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 12 than the transmission filter 62T the heat generated by the power amplifiers 11 and 12 is generated. It is possible to measure the local peak temperature with high accuracy.
  • FIG. 6 is a schematic plan view and a schematic cross-sectional structure of the high frequency module 1E according to the third embodiment. Note that FIG. 6 shows a plan layout of the circuit elements when the main surface of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis, and a cross-sectional view taken along the VI-VI line of the plan layout. ..
  • the high frequency module 1E according to the third embodiment specifically shows an example of the arrangement configuration of each circuit element constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1E according to the present embodiment is different from the high frequency module 1D according to the second embodiment in the arrangement configuration of the power amplifiers 11 and 12, the temperature sensor 51, and the PA control circuit 50.
  • the same configuration as the high frequency module 1D according to the second embodiment of the high frequency module 1E according to the present embodiment will be omitted, and different configurations will be mainly described.
  • the maximum output power of the power amplifier 11 is larger than the maximum output power of the power amplifier 12.
  • the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are included in one semiconductor IC 71.
  • the semiconductor IC 71 is arranged above the main surface of the module substrate 91 (in the positive z-axis direction), and the power amplifier 11 is arranged between the main surface and the semiconductor IC 71. According to this, since the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are formed in one semiconductor IC 71, and the power amplifier 11 and the semiconductor IC 71 are stacked and arranged on each other, the high frequency module 1E can be miniaturized and the area can be saved. Can promote the conversion.
  • the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 at least partially overlap each other.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 is the distance Ds2 or less
  • the local temperature rise in the region where the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are maximally added can be measured with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1E can be measured with high accuracy, so that the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 can be suppressed. It becomes.
  • the temperature sensor 51 and the amplification transistor Tr1 overlap at least partially when the main surface of the module substrate 91 is viewed in a plan view.
  • the distance between the amplification transistor Tr1 which is the heat generation source of the power amplifier 11 and the temperature sensor 51 can be made smaller. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1E can be measured with higher accuracy.
  • the high frequency module 1E according to the present embodiment, no other circuit component is arranged between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11.
  • the heat generated by the power amplifier 11 can be transmitted to the temperature sensor 51 without being absorbed by other circuit components. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1E can be measured with higher accuracy.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 61T, and the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 Is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 62T.
  • the transmission filters 61T and 62T are circuit components that easily generate heat because they pass high-output transmission signals.
  • the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 11 than the transmission filter 61T and arranging the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 12 than the transmission filter 62T the heat generated by the power amplifiers 11 and 12 is generated. It is possible to measure the local peak temperature with high accuracy.
  • the electrode formed on the top surface of the semiconductor IC 71 and the electrode formed on the top surface of the power amplifier 11 are connected via bonding wires 81 and 82. Further, the electrode formed on the top surface of the power amplifier 11 and the electrode formed on the main surface of the module substrate 91 are connected via a bonding wire 83.
  • the region for forming the electrodes on the main surface of the module substrate 91 can be omitted, so that the high frequency module 1E can be miniaturized.
  • FIG. 7A is a schematic plan view of the high frequency module 1F according to the fourth embodiment.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional configuration diagram of the high frequency module 1F according to the fourth embodiment, and specifically, is a cross-sectional view taken along the line VIIB-VIIB of FIG. 7A.
  • FIG. 7A shows an arrangement diagram of circuit elements when the main surface 91a is viewed from the z-axis positive direction side among the main surfaces 91a and 91b of the module substrate 91 facing each other. ..
  • FIG. 7A (b) shows a perspective view of the arrangement of the circuit elements when the main surface 91b is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the high frequency module 1E according to the fourth embodiment specifically shows an example of the arrangement configuration of each circuit element constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1F according to the present embodiment is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in that each circuit element is mounted on both sides of the module substrate 91.
  • the same configuration as the high frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and different configurations will be mainly described.
  • the high frequency module 1F according to the present embodiment further includes a module substrate 91, resin members 92 and 93, and an external connection terminal 150. And have.
  • the module board 91 has a main surface 91a (first main surface) and a main surface 91b (second main surface) facing each other, and is a board on which the transmission circuit and the reception circuit are mounted.
  • the module substrate 91 for example, an LTCC substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, an HTCC substrate, a component built-in substrate, a substrate having an RDL, a printed circuit board, or the like is used.
  • the antenna connection terminal 100, the transmission input terminals 111 and 112, the reception output terminals 121 and 122, and the control signal terminal 113 may be formed on the module board 91.
  • the resin member 92 is arranged on the main surface 91a of the module board 91, covers a part of the transmission circuit, a part of the reception circuit, and the main surface 91a of the module board 91, and covers the transmission circuit and the reception circuit. It has a function to ensure reliability such as mechanical strength and moisture resistance of the circuit elements constituting the above.
  • the resin member 93 is arranged on the main surface 91b of the module board 91 and covers a part of the transmission circuit, a part of the reception circuit, and the main surface 91b of the module board 91, and the transmission circuit and the reception circuit. It has a function to ensure reliability such as mechanical strength and moisture resistance of the circuit elements constituting the above.
  • the resin members 92 and 93 are not essential components for the high frequency module according to the present invention.
  • the power amplifiers 11 and 12, the duplexers 61 and 62, and the matching circuits 31, 32, 33 and 34 are arranged on the main surface 91a of the module board 91.
  • the PA control circuit 50, the temperature sensor 51, the switch 41, and the low noise amplifiers 21 and 22 are arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the matching circuits 35 and 36 are not shown in FIG. 7A, they may be arranged on any of the main surfaces 91a and 91b of the module board 91, or may be built in the module board 91. ..
  • the transmission paths AT and BT shown in FIG. 1 and the wiring constituting the reception paths AR and BR are formed inside and on the main surface of the module board 91.
  • the wiring may be a bonding wire having both ends bonded to either the main surface or the circuit element constituting the high frequency module 1F, or formed on the surface of the circuit element constituting the high frequency module 1A. It may be a terminal, an electrode or a wiring.
  • the maximum output power of the power amplifier 11 is larger than the maximum output power of the power amplifier 12.
  • the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are included in one semiconductor IC 72. According to this, since the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are formed in one semiconductor IC 72, the miniaturization of the high frequency module 1F can be promoted.
  • the semiconductor IC 72 is arranged on the main surface 91b, and when the module substrate 91 is viewed in a plan view, the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 at least partially overlap each other. As a result, the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 is the distance Ds2 or less
  • the local temperature rise in the region where the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are maximally added can be measured with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1F can be measured with high accuracy, so that the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 can be suppressed. It becomes.
  • the temperature sensor 51 and the amplification transistor Tr1 are at least partially overlapped when the module substrate 91 is viewed in a plan view.
  • the distance between the amplification transistor Tr1 which is the heat generation source of the power amplifier 11 and the temperature sensor 51 can be made smaller. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1F can be measured with higher accuracy.
  • the power amplifier 11 and the semiconductor IC 72 overlap at least partially when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Further, when the module board 91 is viewed in a plan view, it is desirable that the power amplifier 12 and the semiconductor IC 72 overlap at least partially. As a result, the control wiring connecting the power amplifiers 11 and 12 and the semiconductor IC 72 can be shortened.
  • the module substrate 91 has a multilayer structure in which a plurality of dielectric layers are laminated, and a ground electrode pattern is formed on at least one of the plurality of dielectric layers. This improves the electromagnetic field shielding function of the module board 91.
  • a plurality of external connection terminals 150 are arranged on the main surface 91b side of the module board 91.
  • the high-frequency module 1F exchanges electric signals with an external board arranged on the negative side of the z-axis of the high-frequency module 1F via a plurality of external connection terminals 150. Further, some of the plurality of external connection terminals 150 are set to the ground potential of the external board.
  • the power amplifiers 11 and 12 which are difficult to reduce in height are not arranged on the main surface 91b facing the external board, and the low noise amplifiers 21 and 22 and the semiconductor IC 72 which are easy to reduce in height are easily arranged.
  • the switch 41 is arranged, so that the entire high frequency module 1F can be made low in height.
  • the external connection terminal 150 may be a columnar electrode penetrating the resin member 93 in the z-axis direction, or may be a bump electrode formed on the main surface 91b. There may be.
  • the external connection terminal 150 is a bump electrode, the resin member 93 on the main surface 91b side may not be present.
  • the power amplifiers 11 and 12 are arranged on the main surface 91a.
  • the power amplifiers 11 and 12 are components having a large amount of heat generation among the circuit components of the high frequency module 1F. In order to improve the heat dissipation of the high frequency module 1F, it is important to dissipate the heat generated by the power amplifiers 11 and 12 to the external substrate through a heat dissipation path having a small thermal resistance. If the power amplifiers 11 and 12 are arranged on the main surface 91b, the electrode wiring connected to the power amplifiers 11 and 12 is arranged on the main surface 91b. Therefore, the heat dissipation path includes the heat dissipation path only via the plane wiring pattern (along the xy plane direction) on the main surface 91b. Since the plane wiring pattern is formed of a metal thin film, it has a large thermal resistance. Therefore, when the power amplifiers 11 and 12 are arranged on the main surface 91b, the heat dissipation property is deteriorated.
  • the power amplifiers 11 and 12 are arranged on the main surface 91a, the power amplifiers 11 and 12 and the external connection terminal 150 are connected via a through electrode penetrating between the main surface 91a and the main surface 91b. You can connect. Therefore, as the heat dissipation path of the power amplifiers 11 and 12, it is possible to eliminate the heat dissipation path via only the plane wiring pattern along the xy plane direction having a large thermal resistance among the wiring in the module substrate 91. Therefore, it is possible to provide a small high-frequency module 1F having improved heat dissipation from the power amplifiers 11 and 12 to the external substrate.
  • the low noise amplifiers 21 and 22 and the switch 41 may be built in one semiconductor IC. As a result, the height of the main surface 91b in the z-axis direction can be reduced, and the component mounting area of the main surface 91b can be reduced. Therefore, the high frequency module 1F can be miniaturized.
  • the low noise amplifiers 21 and 22 are arranged on the main surface 91b.
  • the power amplifiers 11 and 12 for amplifying the transmission signal and the low noise amplifiers 21 and 22 for amplifying the reception signal are distributed and arranged on both sides of the module board 91, so that the isolation between transmission and reception can be achieved. improves.
  • the high frequency module 1A can simultaneously transmit the first transmission signal and the second transmission signal, and is arranged on the module board 91 and the module board 91 to amplify the high frequency signal.
  • a power amplifier 11 that outputs a first transmission signal
  • a power amplifier 12 that is arranged on a module board 91 and amplifies a high-frequency signal and outputs a second transmission signal
  • a temperature sensor 51 that is arranged on a module board 91, and a module.
  • a PA control circuit 50 arranged on the board 91 and controlling the amplification operation of the power amplifiers 11 and 12 according to the measured value of the temperature sensor 51 is provided, and the maximum output power of the power amplifier 11 is the maximum output of the power amplifier 12. Greater than power, the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is less than or equal to the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12.
  • the distance Ds1 is the distance Ds2 or less
  • the local temperature rise in the region where the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are maximally added can be measured with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with high accuracy, and the performance deterioration due to the temperature rise of the power amplifiers 11 and 12 is suppressed. It becomes possible.
  • the high frequency module 1A can simultaneously transmit the first transmission signal and the second transmission signal, and is arranged on the module board 91 and the module board 91 to amplify the high frequency signal.
  • a power amplifier 11 that outputs a first transmission signal
  • a power amplifier 12 that is arranged on a module board 91 and amplifies a high-frequency signal and outputs a second transmission signal
  • a temperature sensor 51 that is arranged on a module board 91, and a module.
  • a PA control circuit 50 arranged on the substrate 91 and controlling the amplification operation of the power amplifiers 11 and 12 according to the measured value of the temperature sensor 51 is provided, and the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is a power amplifier.
  • the distance Dps between 11 and the power amplifier 12 is equal to or less than the distance Dpp
  • the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 is equal to or less than the distance Dpp.
  • the temperature sensor 51 is arranged close to the power amplifiers 11 and 12 at a distance of Dpp or less, the power amplifier in which the heat generated by the power amplifier 11 and the heat generated by the power amplifier 12 are added to the maximum. It is possible to measure the local temperature rise in the vicinity of 11 and 12 with high accuracy. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with high accuracy, and the performance deterioration due to the temperature rise of the power amplifiers 11 and 12 is suppressed. It becomes possible.
  • the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 may be included in one semiconductor IC.
  • the temperature sensor 51 and the PA control circuit 50 are formed in one semiconductor IC, it is possible to promote the miniaturization of the high frequency modules 1D, 1E and 1F.
  • the semiconductor IC 71 is arranged above the main surface of the module substrate 91, the power amplifier 11 is arranged between the main surface and the semiconductor IC 71, and when the main surface is viewed in a plan view.
  • the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 may overlap at least partially.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1E can be measured with high accuracy, so that the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 can be suppressed. It becomes.
  • the power amplifier 11 has an amplification transistor Tr, and the temperature sensor 51 and the amplification transistor Tr1 may at least partially overlap when the main surface of the module substrate 91 is viewed in a plan view.
  • the distance between the amplification transistor Tr1 which is the heat generation source of the power amplifier 11 and the temperature sensor 51 can be made smaller. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1E can be measured with higher accuracy.
  • the electrode formed on the top surface of the semiconductor IC 71 and the electrode formed on the top surface of the power amplifier 11 may be connected via a bonding wire 81.
  • the high frequency module 1E can be miniaturized.
  • the module substrate 91 has main surfaces 91a and 91b facing each other, the power amplifiers 11 and 12 are arranged on the main surface 91a, the semiconductor IC 72 is arranged on the main surface 91b, and the module substrate 91.
  • the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 may overlap at least partially when viewed in a plan view.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is equal to or less than the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1F can be measured with high accuracy, so that the performance deterioration of the power amplifiers 11 and 12 can be suppressed. It becomes.
  • the power amplifier 11 has an amplification transistor Tr1, and the temperature sensor 51 and the amplification transistor Tr1 may at least partially overlap when the module substrate 91 is viewed in a plan view.
  • the distance between the amplification transistor Tr1 which is the heat generation source of the power amplifier 11 and the temperature sensor 51 can be made smaller. Therefore, when the first transmission signal and the second transmission signal are simultaneously transmitted, the local peak temperature of the high frequency module 1F can be measured with higher accuracy.
  • the high frequency module 1F may further include an external connection terminal 150 arranged on the main surface 91b.
  • the high frequency module 1F may further include low noise amplifiers 21 and 22 arranged on the main surface 91b.
  • the power amplifiers 11 and 12 for amplifying the transmission signal and the low noise amplifiers 21 and 22 for amplifying the reception signal are distributed and arranged on both sides of the module board 91, so that the isolation between transmission and reception can be achieved. improves.
  • the temperature sensor 51 may be arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12.
  • the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with even higher accuracy. Further, the above arrangement of the temperature sensor 51 makes it possible to suppress thermal interference between the power amplifier 11 and the power amplifier 12.
  • the high frequency module 1A even if the power amplifier 11 has an amplification transistor Tr1, the power amplifier 12 has an amplification transistor Tr2, and the temperature sensor 51 is arranged between the amplification transistor Tr1 and the amplification transistor Tr2. good.
  • the region is a region in which a local peak temperature appears when a high-output transmission signal is simultaneously transmitted from the power amplifiers 11 and 12. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with higher accuracy.
  • the high frequency module 1A no other circuit component is arranged between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11.
  • the heat generated by the power amplifier 11 can be transmitted to the temperature sensor 51 without being absorbed by other circuit components. Therefore, the local peak temperature of the high frequency module 1A can be measured with higher accuracy.
  • the high frequency module 1A is further connected to a transmission filter 61T connected to the output terminal of the power amplifier 11 to pass the first transmission signal, and a transmission filter connected to the output terminal of the power amplifier 12 to pass the second transmission signal.
  • the distance Ds1 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 11 is smaller than the distance between the temperature sensor 51 and the transmission filter 61T, and the distance Ds2 between the temperature sensor 51 and the power amplifier 12 is the temperature sensor 51. It may be smaller than the distance from the transmission filter 62T.
  • the transmission filters 61T and 62T are circuit components that easily generate heat because they pass high-output transmission signals.
  • the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 11 than the transmission filter 61T and arranging the temperature sensor 51 closer to the power amplifier 12 than the transmission filter 62T the heat generated by the power amplifiers 11 and 12 is generated. It is possible to measure the local peak temperature with high accuracy.
  • the communication device 5 includes an RFIC 3 that processes a transmission signal transmitted by the antenna 2, and a high frequency module 1 that transmits a transmission signal between the antenna 2 and the RFIC 3.
  • the high frequency module and the communication device according to the embodiment of the present invention have been described above with reference to the embodiments, examples and modifications, the high frequency module and the communication device according to the present invention have the above-mentioned embodiments and embodiments. It is not limited to examples and variations. To the extent that the gist of the present invention is not deviated from the other embodiments realized by combining arbitrary components in the above-described embodiments, examples and modifications, and the above-described embodiments, examples and modifications. The present invention also includes various modifications obtained by performing various modifications that can be conceived by those skilled in the art, and various devices incorporating the high frequency module and the communication device.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as a high-frequency module arranged in a multi-band compatible front end portion.
  • Radio Frequency Module 2 Antenna 3 RF Signal Processing Circuit (RFIC) 4 Baseband signal processing circuit (BBIC) 5 Communication equipment 11, 12 Power amplifier 21, 22 Low noise amplifier 31, 32, 33, 34, 35, 36 Matching circuit 41 Switch 50 PA control circuit 51 Temperature sensor 61, 62 Duplexer 61R, 62R Receive filter 61T, 62T Transmission filter 70, 71, 72 Semiconductor IC 81, 82, 83 Bonding wire 91 Module board 91a, 91b Main surface 92, 93 Resin member 100 Antenna connection terminal 111, 112 Transmission input terminal 113 Control signal terminal 121, 122 Receive output terminal 150 External connection terminal Dpp, Ds1, Ds2 Distance Tr1, Tr2 amplification transistor

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Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、第１送信信号と第２送信信号とを同時伝送することが可能であり、モジュール基板（９１）と、モジュール基板（９１）に配置され、高周波信号を増幅して第１送信信号を出力する電力増幅器（１１）と、モジュール基板（９１）に配置され、高周波信号を増幅して第２送信信号を出力する電力増幅器（１２）と、モジュール基板（９１）に配置された温度センサ（５１）と、モジュール基板（９１）に配置され、温度センサ（５１）の計測値に応じて電力増幅器（１１および１２）の増幅動作を制御するＰＡ制御回路（５０）と、を備え、電力増幅器（１１）の最大出力パワーは、電力増幅器（１２）の最大出力パワーよりも大きく、温度センサ（５１）と電力増幅器（１１）との距離（Ｄｓ１）は、温度センサ（５１）と電力増幅器（１２）との距離（Ｄｓ２）以下である。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
　携帯電話などの移動体通信機器には、高周波送信信号を増幅する電力増幅器が搭載される。特許文献１には、高周波送信信号を伝送するＰＡ回路（送信増幅回路）と、高周波受信信号を伝送するＬＮＡ回路（受信増幅回路）とを備えるフロントエンド回路（高周波モジュール）が開示されている。送信増幅回路には電力増幅器の増幅特性を制御するＰＡ制御部が配置され、受信増幅回路には低雑音増幅器の増幅特性を制御するＬＮＡ制御部が配置されている。
特開２０１８－１３７５２２号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された高周波モジュールにおいて、複数の電力増幅器から同時に、様々な電力量の送信信号が伝送された場合、当該複数の電力増幅器の発熱により高周波モジュールの温度が局所的に上昇することが想定される。このとき、局所的な温度上昇に起因した温度ムラによりＲＦモジュールの温度を精度よく測定できず、上記複数の電力増幅器のいずれかの温度が想定以上に上昇し、当該電力増幅器の性能が劣化してしまうという問題が発生する。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、複数の高周波信号が同時伝送される場合の温度を高精度に測定し、電力増幅器の性能劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１送信信号と第２送信信号とを同時伝送することが可能な高周波モジュールであって、モジュール基板と、モジュール基板に配置され、高周波信号を増幅して第１送信信号を出力する第１電力増幅器と、モジュール基板に配置され、高周波信号を増幅して第２送信信号を出力する第２電力増幅器と、モジュール基板に配置された温度センサと、モジュール基板に配置され、温度センサの計測値に応じて第１電力増幅器および第２電力増幅器の増幅動作を制御する制御回路と、を備え、第１電力増幅器の最大出力パワーは、第２電力増幅器の最大出力パワーよりも大きく、温度センサと第１電力増幅器との距離は、温度センサと第２電力増幅器との距離以下である。
　本発明によれば、複数の高周波信号が同時伝送される場合の温度を高精度に測定し、電力増幅器の性能劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 図２は、実施例１に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図３は、変形例１に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図４は、変形例２に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図５は、実施例２に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図６は、実施例３に係る高周波モジュールの平面構成概略図および断面構成概略図である。 図７Ａは、実施例４に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図７Ｂは、実施例４に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例及び変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。
　また、以下において、平行及び垂直等の要素間の関係性を示す用語、及び、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
　また、以下において、基板に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「基板（または基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つがＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。
　また、以下において、「Ａが基板の第１主面に配置されている」とは、Ａが第１主面上に直接実装されているだけでなく、基板で隔された第１主面側の空間および第２主面側の空間のうち、Ａが第１主面側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。
　また、以下において、「送信経路」とは、送信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、受信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「信号経路」とは、高周波信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ４１の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ４１の接続を切り替える。具体的には、ＲＦＩＣ３は、スイッチ４１を制御するためのディジタル制御信号をＰＡ制御回路５０に出力する。高周波モジュール１のＰＡ制御回路５０は、ＲＦＩＣ３から入力されたディジタル制御信号によって、スイッチ４１にディジタル制御信号を出力することで、スイッチ４１の接続および非接続を制御する。なお、スイッチ４１の接続および非接続は、ＰＡ制御回路５０により制御されなくてもよく、その他の制御回路により制御されてもよい。
　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する電力増幅器１１および１２の利得、電力増幅器１１および１２に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＭＩＰＩおよびＧＰＩＯなどのディジタル制御信号を高周波モジュール１の制御信号端子１１３に出力する。高周波モジュール１のＰＡ制御回路５０は、制御信号端子１１３を介して入力されたディジタル制御信号によって、電力増幅器１１および１２に制御信号、電源電圧Ｖｃｃまたはバイアス電圧Ｖｂｉａｓを出力することで、電力増幅器１１および１２の利得を調整する。なお、電力増幅器１１および１２の利得を制御するディジタル制御信号をＲＦＩＣ３から受ける制御信号端子と、電力増幅器１１および１２に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御するディジタル制御信号をＲＦＩＣ３から受ける制御信号端子とは、異なっていてもよい。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。
　図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１００と、電力増幅器１１および１２と、低雑音増幅器２１および２２と、ＰＡ制御回路５０と、温度センサ５１と、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔと、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒと、整合回路３１、３２、３３、３４、３５および３６と、スイッチ４１と、送信入力端子１１１および１１２と、受信出力端子１２１および１２２と、制御信号端子１１３と、を備える。
　アンテナ接続端子１００は、入出力端子の一例であり、アンテナ２に接続されるアンテナ共通端子である。
　電力増幅器１１は、第１電力増幅器の一例であり、送信入力端子１１１から入力された通信バンドＡの高周波信号を増幅して第１送信信号を出力する増幅器である。また、電力増幅器１２は、第２電力増幅器の一例であり、送信入力端子１１２から入力された通信バンドＢの高周波信号を増幅して第２送信信号を出力する増幅器である。
　電力増幅器１１は、例えば、増幅トランジスタＴｒ１（第１増幅トランジスタ素子）と、第１バイアス回路と、を備える。増幅トランジスタＴｒ１は、例えば、コレクタ、エミッタおよびベースを有し、エミッタ接地型のバイポーラトランジスタであり、ベースに入力された高周波電流を増幅してコレクタから出力する。なお、増幅トランジスタＴｒ１は、ドレイン、ソースおよびゲートを有する電界効果型のトランジスタであってもよい。第１バイアス回路は、増幅トランジスタＴｒ１のベースに電気的に接続され、当該ベースにバイアス電圧を印加することで、増幅トランジスタＴｒ１の動作点を最適化する機能を有する。
　電力増幅器１１の上記回路構成によれば、入力端子から入力された高周波信号は、増幅トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れるベース電流Ｉｂとなる。増幅トランジスタＴｒ１によりベース電流Ｉｂが増幅されてコレクタ電流Ｉｃとなり、当該コレクタ電流Ｉｃに対応した高周波信号が出力端子から出力される。このとき、エミッタ端子からグランドには、ベース電流Ｉｂおよびコレクタ電流Ｉｃが合算された大電流が流れる。
　電力増幅器１２は、例えば、増幅トランジスタＴｒ２（第２増幅トランジスタ素子）と、第２バイアス回路と、を備える。増幅トランジスタＴｒ２は、例えば、コレクタ、エミッタおよびベースを有し、エミッタ接地型のバイポーラトランジスタであり、ベースに入力された高周波電流を増幅してコレクタから出力する。なお、増幅トランジスタＴｒ２は、ドレイン、ソースおよびゲートを有する電界効果型のトランジスタであってもよい。第２バイアス回路は、増幅トランジスタＴｒ２のベースに電気的に接続され、当該ベースにバイアス電圧を印加することで、増幅トランジスタＴｒ２の動作点を最適化する機能を有する。
　電力増幅器１２の上記回路構成によれば、入力端子から入力された高周波信号は、増幅トランジスタＴｒ２のベースからエミッタに流れるベース電流Ｉｂとなる。増幅トランジスタＴｒ２によりベース電流Ｉｂが増幅されてコレクタ電流Ｉｃとなり、当該コレクタ電流Ｉｃに対応した高周波信号が出力端子から出力される。このとき、エミッタ端子からグランドには、ベース電流Ｉｂおよびコレクタ電流Ｉｃが合算された大電流が流れる。
　温度センサ５１は、高周波モジュール１の表面または内部に配置され、温度センサ５１が接触する箇所の温度を計測する。
　ＰＡ制御回路５０は、制御回路の一例であり、温度センサ５１の計測値に応じて電力増幅器１１および１２の増幅動作を制御する。具体的には、ＰＡ制御回路５０は、温度センサ５１の計測値、ならびに、制御信号端子１１３を介して入力されたディジタル制御信号ＭＩＰＩおよびＧＰＩＯなどによって、電力増幅器１１および１２の利得を調整する。
　なお、ＰＡ制御回路５０は、１つの半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）で形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。具体的には、半導体ＩＣは、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　低雑音増幅器２１は、通信バンドＡの高周波信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２１へ出力する増幅器である。また、低雑音増幅器２２は、通信バンドＢの高周波信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２２へ出力する増幅器である。
　送信フィルタ６１Ｔは、第１フィルタの一例であり、整合回路３１を介して電力増幅器１１の出力端子に接続され、通信バンドＡの第１送信信号を通過させる。送信フィルタ６１Ｔは、送信入力端子１１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＡＴに配置されている。また、送信フィルタ６２Ｔは、第２フィルタの一例であり、整合回路３２を介して電力増幅器１２の出力端子に接続され、通信バンドＢの第２送信信号を通過させる。送信フィルタ６２Ｔは、送信入力端子１１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＢＴに接続されている。
　受信フィルタ６１Ｒは、受信出力端子１２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＡＲに接続され、通信バンドＡの第１受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、受信出力端子１２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＢＲに接続され、通信バンドＢの第２受信信号を通過させる。
　送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。
　なお、デュプレクサ６１および６２のそれぞれは、複数の送信フィルタのみで構成されたマルチプレクサ、複数のデュプレクサで構成されたマルチプレクサであってもよい。
　送信経路ＡＴは、通信バンドＡの第１送信信号を伝送する。送信経路ＡＴの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、送信経路ＡＴの他端は送信入力端子１１１に接続されている。送信経路ＢＴは、通信バンドＢの第２送信信号を伝送する。送信経路ＢＴの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、送信経路ＢＴの他端は送信入力端子１１２に接続されている。
　受信経路ＡＲは、通信バンドＡの第１受信信号を伝送する。受信経路ＡＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＡＲの他端は受信出力端子１２１に接続されている。受信経路ＢＲは、通信バンドＢの第２受信信号を伝送する。受信経路ＢＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＢＲの他端は受信出力端子１２２に接続されている。
　整合回路３１は、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとを結ぶ送信経路に接続され、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３２は、電力増幅器１２と送信フィルタ６２Ｔとを結ぶ送信経路に接続され、電力増幅器１２と送信フィルタ６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。
　整合回路３３は、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとを結ぶ受信経路に接続され、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路３４は、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６２Ｒとを結ぶ受信経路に接続され、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。
　整合回路３５は、スイッチ４１とデュプレクサ６１とを結ぶ経路に接続され、アンテナ２およびスイッチ４１と、デュプレクサ６１とのインピーダンス整合をとる。整合回路３６は、スイッチ４１とデュプレクサ６２とを結ぶ経路に接続され、アンテナ２およびスイッチ４１と、デュプレクサ６２とのインピーダンス整合をとる。
　スイッチ４１は、アンテナスイッチの一例であり、（１）アンテナ接続端子１００に接続され、アンテナ接続端子１００と送信経路ＡＴおよび受信経路ＡＲとの接続、ならびに、（２）アンテナ接続端子１００と送信経路ＢＴおよび受信経路ＢＲとの接続、を切り替える。なお、スイッチ４１は、上記（１）および（２）の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。
　また、電力増幅器１１および１２、ならびに、低雑音増幅器２１および２２は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳまたはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
　上記高周波モジュール１の構成において、電力増幅器１１、整合回路３１、送信フィルタ６１Ｔ、整合回路３５、およびスイッチ４１は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの第１送信信号を伝送する第１送信回路を構成する。また、スイッチ４１、整合回路３５、受信フィルタ６１Ｒ、整合回路３３、および低雑音増幅器２１は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの第１受信信号を伝送する第１受信回路を構成する。
　また、電力増幅器１２、整合回路３２、送信フィルタ６２Ｔ、整合回路３６、およびスイッチ４１は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの第１送信信号を伝送する第２送信回路を構成する。また、スイッチ４１、整合回路３６、受信フィルタ６２Ｒ、整合回路３４、および低雑音増幅器２２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの第２受信信号を伝送する第２受信回路を構成する。
　上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、少なくとも、通信バンドＡの第１送信信号と、通信バンドＢの第２送信信号とを、同時伝送することが可能である。
　なお、本発明に係る高周波モジュールでは、上記２つの送信回路および上記２つの受信回路がスイッチ４１を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記２つの送信回路および上記２つの受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールは、第１送信回路および第２送信回路と、温度センサ５１と、ＰＡ制御回路５０とを、少なくとも有していればよい。
　また、本発明に係る高周波モジュールにおいて、第１送信回路は、電力増幅器１１を少なくとも有していればよい。また、第２送信回路は、電力増幅器１２を少なくとも有していればよい。
　ここで、高周波モジュール１において、電力増幅器１１および１２から同時に高出力の送信信号が伝送された場合、電力増幅器１１および１２の発熱により高周波モジュール１の温度が局所的に上昇することが想定される。このとき、局所的な温度上昇に起因した温度ムラにより高周波モジュール１の温度を精度よく測定できず、電力増幅器１１および１２のいずれかの温度が想定以上に上昇し、電力増幅器１１および１２の性能が劣化してしまうという問題が発生する。
　これに対して、以下では、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合の温度を高精度に測定し、電力増幅器１１および１２の性能劣化が抑制された高周波モジュール１の構成について説明する。
　［２．実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
　図２は、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。なお、図２には、モジュール基板９１の主面をｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。
　実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成の一例を具体的に示したものである。
　図２に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１を有している。
　モジュール基板９１は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板９１上に、アンテナ接続端子１００、送信入力端子１１１および１１２、受信出力端子１２１および１２２、ならびに制御信号端子１１３が形成されていてもよい。
　図２に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１１および１２、ＰＡ制御回路５０、温度センサ５１、デュプレクサ６１および６２、スイッチ４１、整合回路３１、３２、３３および３４、低雑音増幅器２１および２２は、モジュール基板９１の主面に配置されている。なお、整合回路３５および３６は、図２には図示されていないが、モジュール基板９１の主面に配置されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。
　また、図２には図示していないが、図１に示された送信経路ＡＴおよびＢＴ、ならびに、受信経路ＡＲおよびＢＲを構成する配線は、モジュール基板９１の内部および主面に形成されている。また、上記配線は、両端が主面および高周波モジュール１Ａを構成する回路素子のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路素子の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　なお、モジュール基板９１の主面上に、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子を覆うように樹脂部材が配置されていてもよい。これにより、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を向上させることが可能となる。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、図２に示すように、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、電力増幅器１１と電力増幅器１２との距離Ｄｐｐ以下である。また、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、距離Ｄｐｐ以下である。
　電力増幅器１１および１２から同時に高出力の送信信号が伝送されている場合、電力増幅器１１および１２の発熱により高周波モジュール１の温度が局所的に上昇する。これに対して、温度センサ５１は、電力増幅器１１および１２から距離Ｄｐｐ以下の距離で近接配置されているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される電力増幅器１１および１２の近接領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の温度上昇による性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１１の最大出力パワーは、電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きい。この関係において、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下である。
　なお、電力増幅器１１および１２は、それぞれ、例えば、ハイパワークラスおよびノンハイパワークラスに対応している。パワークラスとは、最大出力パワーなどで定義される端末の出力パワーの分類であり、値が小さいほど高いパワーの出力に対応することを示す。ハイパワークラスの最大出力パワーは、ノンハイパワークラスの最大出力パワーよりも大きい。最大出力パワーの測定は、例えば、３ＧＰＰ（３ｒｄ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　Ｐａｒｔｎｅｒｓｈｉｐ　Ｐｒｏｊｅｃｔ）等によって定義された方法で行われる。
　電力増幅器１１は、例えば、パワークラス２に対応しており、電力増幅器１２は、例えば、パワークラス３に対応している。
　電力増幅器１１および１２から同時に高出力の送信信号が伝送されている場合、電力増幅器１１および１２の発熱により高周波モジュール１の温度が局所的に上昇する。特に、電力増幅器１１の最大出力パワーが電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きい場合、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度は、電力増幅器１２よりも電力増幅器１１に近い領域に発現する。これに対して、距離Ｄｓ１が距離Ｄｓ２以下となっているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の温度上昇による性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、温度センサ５１は、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置されている。
　これによれば、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間の領域は、電力増幅器１１および１２から同時に高出力の送信信号が伝送されている場合における局所的なピーク温度が発現する領域である。よって、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。また、温度センサ５１の上記配置により、電力増幅器１１と電力増幅器１２との熱干渉を抑制することが可能となる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、温度センサ５１は、増幅トランジスタＴｒ１と増幅トランジスタＴｒ２との間に配置されている。
　これによれば、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間の領域のなかでも、特に、電力増幅器１１の発熱源である増幅トランジスタＴｒ１と電力増幅器１２の発熱源である増幅トランジスタＴｒ２との間の領域は、電力増幅器１１および１２から同時に高出力の送信信号が伝送されている場合における局所的なピーク温度が発現する領域である。よって、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、温度センサ５１と電力増幅器１１との間には、他の回路部品が配置されていない。
　これによれば、電力増幅器１１の発熱を他の回路部品に吸収されずに温度センサ５１に伝えることができる。よって、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と送信フィルタ６１Ｔとの距離よりも小さく、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、温度センサ５１と送信フィルタ６２Ｔとの距離よりも小さい。
　送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、高出力の送信信号を通過させるので、発熱し易い回路部品である。これに対して、温度センサ５１を送信フィルタ６１Ｔよりも電力増幅器１１に近接配置し、かつ、温度センサ５１を送信フィルタ６２Ｔよりも電力増幅器１２に近接配置することで、電力増幅器１１および１２の発熱による局所的なピーク温度を高精度に計測できる。
　［３．変形例１に係る高周波モジュール１Ｂの回路素子配置構成］
　図３は、変形例１に係る高周波モジュール１Ｂの平面構成概略図である。なお、図３には、モジュール基板９１の主面をｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。変形例１に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成の一例を具体的に示したものである。本変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、電力増幅器１１および１２、温度センサ５１、およびＰＡ制御回路５０の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　本変形例に係る高周波モジュール１Ｂでは、電力増幅器１１の最大出力パワーは、電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きい。この関係において、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下である。
　これによれば、温度センサ５１距離Ｄｓ１が距離Ｄｓ２以下となっているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｂの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の性能劣化を抑制することが可能となる。
　本変形例に係る高周波モジュール１Ｂでは、モジュール基板９１を平面視した場合、温度センサ５１と電力増幅器１１とは、ｘ軸方向に対面して配置され、温度センサ５１と電力増幅器１１との間には、他の回路部品が配置されていない。
　これによれば、電力増幅器１１の発熱を他の回路部品に吸収されずに温度センサ５１に伝えることができる。よって、高周波モジュール１Ｂの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、モジュール基板９１を平面視した場合、温度センサ５１と電力増幅器１２とは、ｙ軸方向に対面して配置され、温度センサ５１と電力増幅器１２との間には、他の回路部品が配置されていない。
　これによれば、電力増幅器１２の発熱を他の回路部品に吸収されずに温度センサ５１に伝えることができる。よって、高周波モジュール１Ｂの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂでは、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と送信フィルタ６１Ｔとの距離よりも小さく、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、温度センサ５１と送信フィルタ６２Ｔとの距離よりも小さい。
　送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、高出力の送信信号を通過させるので、発熱し易い回路部品である。これに対して、温度センサ５１を送信フィルタ６１Ｔよりも電力増幅器１１に近接配置し、かつ、温度センサ５１を送信フィルタ６２Ｔよりも電力増幅器１２に近接配置することで、電力増幅器１１および１２の発熱による局所的なピーク温度を高精度に計測できる。
　［４．変形例２に係る高周波モジュール１Ｃの回路素子配置構成］
　図４は、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃの平面構成概略図である。なお、図４には、モジュール基板９１の主面をｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。変形例２に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成の一例を具体的に示したものである。本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｂと比較して、電力増幅器１１および１２、温度センサ５１、およびＰＡ制御回路５０の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃについて、変形例１に係る高周波モジュール１Ｂと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　本変形例に係る高周波モジュール１Ｃでは、電力増幅器１１の最大出力パワーは、電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きい。この関係において、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下である。
　これによれば、距離Ｄｓ１が距離Ｄｓ２以下となっているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｃの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の性能劣化を抑制することが可能となる。
　本変形例に係る高周波モジュール１Ｃでは、モジュール基板９１を平面視した場合、温度センサ５１と電力増幅器１１との間には、他の回路部品が配置されておらず、温度センサ５１と電力増幅器１２との間には、他の回路部品が配置されていない。
　これによれば、電力増幅器１１の発熱を他の回路部品に吸収されずに温度センサ５１に伝えることができる。よって、高周波モジュール１Ｃの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃでは、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と送信フィルタ６１Ｔとの距離よりも小さく、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、温度センサ５１と送信フィルタ６２Ｔとの距離よりも小さい。
　送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、高出力の送信信号を通過させるので、発熱し易い回路部品である。これに対して、温度センサ５１を送信フィルタ６１Ｔよりも電力増幅器１１に近接配置し、かつ、温度センサ５１を送信フィルタ６２Ｔよりも電力増幅器１２に近接配置することで、電力増幅器１１および１２の発熱による局所的なピーク温度を高精度に計測できる。
　［５．実施例２に係る高周波モジュール１Ｄの回路素子配置構成］
　図５は、実施例２に係る高周波モジュール１Ｄの平面構成概略図である。なお、図５には、モジュール基板９１の主面をｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。実施例２に係る高周波モジュール１Ｄは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成の一例を具体的に示したものである。本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、温度センサ５１およびＰＡ制御回路５０の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、温度センサ５１とＰＡ制御回路５０とが、１つの半導体ＩＣ７０に含まれている。なお、複数の回路素子が半導体ＩＣに含まれているとは、当該複数の回路素子が１枚の半導体基板表面または内部に形成されている状態、または、１つのパッケージ内に集積配置されている状態と定義される。なお、上記１枚の半導体基板および上記１つのパッケージは、モジュール基板９１とは異なるものであり、また、高周波モジュール１Ｄが実装される外部基板とは異なるものである。
　これによれば、温度センサ５１およびＰＡ制御回路５０が、１つの半導体ＩＣ７０に形成されているので、高周波モジュール１Ｄの小型化を促進できる。また、半導体ＩＣ７０内において温度センサ５１とＰＡ制御回路５０とが同一半導体基板に配置されている場合には、当該半導体基板上に形成された、温度センサ５１とＰＡ制御回路５０とを接続する配線により、規定温度を超えた場合の温度警告をＰＡ制御回路５０に低遅延で伝えることが可能となる。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、電力増幅器１１の最大出力パワーは、電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きい。この関係において、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下である。
　これによれば、距離Ｄｓ１が距離Ｄｓ２以下となっているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｄの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、半導体ＩＣ７０は、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置されている。
　これによれば、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間の領域は、電力増幅器１１および１２から同時に高出力の送信信号が伝送されている場合における局所的なピーク温度が発現する領域である。よって、高周波モジュール１Ｄの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。また、半導体ＩＣ７０の上記配置により、電力増幅器１１と電力増幅器１２との熱干渉を抑制することが可能となる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、半導体ＩＣ７０と電力増幅器１１との間には、他の回路部品が配置されていない。
　これによれば、電力増幅器１１の発熱を他の回路部品に吸収されずに温度センサ５１に伝えることができる。よって、高周波モジュール１Ｄの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と送信フィルタ６１Ｔとの距離よりも小さく、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、温度センサ５１と送信フィルタ６２Ｔとの距離よりも小さい。
　送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、高出力の送信信号を通過させるので、発熱し易い回路部品である。これに対して、温度センサ５１を送信フィルタ６１Ｔよりも電力増幅器１１に近接配置し、かつ、温度センサ５１を送信フィルタ６２Ｔよりも電力増幅器１２に近接配置することで、電力増幅器１１および１２の発熱による局所的なピーク温度を高精度に計測できる。
　［６．実施例３に係る高周波モジュール１Ｅの回路素子配置構成］
　図６は、実施例３に係る高周波モジュール１Ｅの平面構成概略図および断面構成概略図である。なお、図６には、モジュール基板９１の主面をｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の平面配置図、および、当該平面配置図のＶＩ－ＶＩ線における断面図が示されている。実施例３に係る高周波モジュール１Ｅは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成の一例を具体的に示したものである。本実施例に係る高周波モジュール１Ｅは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｄと比較して、電力増幅器１１および１２、ならびに、温度センサ５１およびＰＡ制御回路５０の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅについて、実施例２に係る高周波モジュール１Ｄと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ｅでは、電力増幅器１１の最大出力パワーは、電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きい。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅでは、温度センサ５１とＰＡ制御回路５０とが、１つの半導体ＩＣ７１に含まれている。半導体ＩＣ７１は、モジュール基板９１の主面の上方（ｚ軸正方向）に配置され、電力増幅器１１は、当該主面と半導体ＩＣ７１との間に配置されている。これによれば、温度センサ５１およびＰＡ制御回路５０が、１つの半導体ＩＣ７１に形成され、かつ、電力増幅器１１と半導体ＩＣ７１とが互いに積層配置されているので、高周波モジュール１Ｅの小型化および省面積化を促進できる。
　ここで、図６に示すように、モジュール基板９１の主面を平面視した場合に、温度センサ５１と電力増幅器１１とは少なくとも一部重なっている。これにより、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下である。
　上記構成によれば、距離Ｄｓ１が距離Ｄｓ２以下となっているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｅの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅでは、モジュール基板９１の主面を平面視した場合に、温度センサ５１と増幅トランジスタＴｒ１とは、少なくとも一部重なっている。
　これによれば、電力増幅器１１のなかでも、特に、電力増幅器１１の発熱源である増幅トランジスタＴｒ１と温度センサ５１との距離をより小さくできる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｅの局所的なピーク温度を、より高精度に測定できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅでは、温度センサ５１と電力増幅器１１との間には、他の回路部品が配置されていない。
　これによれば、電力増幅器１１の発熱を他の回路部品に吸収されずに温度センサ５１に伝えることができる。よって、高周波モジュール１Ｅの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅでは、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と送信フィルタ６１Ｔとの距離よりも小さく、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、温度センサ５１と送信フィルタ６２Ｔとの距離よりも小さい。
　送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、高出力の送信信号を通過させるので、発熱し易い回路部品である。これに対して、温度センサ５１を送信フィルタ６１Ｔよりも電力増幅器１１に近接配置し、かつ、温度センサ５１を送信フィルタ６２Ｔよりも電力増幅器１２に近接配置することで、電力増幅器１１および１２の発熱による局所的なピーク温度を高精度に計測できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅでは、半導体ＩＣ７１の天面に形成された電極と電力増幅器１１の天面に形成された電極とはボンディングワイヤ８１および８２を介して接続されている。また、電力増幅器１１の天面に形成された電極と、モジュール基板９１の主面に形成された電極とはボンディングワイヤ８３を介して接続されている。
　ボンディングワイヤ８１および８２によれば、モジュール基板９１の主面に電極を形成する領域を省略できるので、高周波モジュール１Ｅを小型化できる。
　［７．実施例４に係る高周波モジュール１Ｆの回路素子配置構成］
　図７Ａは、実施例４に係る高周波モジュール１Ｆの平面構成概略図である。また、図７Ｂは、実施例４に係る高周波モジュール１Ｆの断面構成概略図であり、具体的には、図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における断面図である。なお、図７Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図７Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
　実施例４に係る高周波モジュール１Ｅは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成の一例を具体的に示したものである。本実施例に係る高周波モジュール１Ｆは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、各回路素子がモジュール基板９１に両面実装されている点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　図７Ａおよび図７Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、外部接続端子１５０と、を有している。
　モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板９１上に、アンテナ接続端子１００、送信入力端子１１１および１１２、受信出力端子１２１および１２２、ならびに制御信号端子１１３が形成されていてもよい。
　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ｂを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　図７Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６１および６２、整合回路３１、３２、３３および３４は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置されている。一方、ＰＡ制御回路５０、温度センサ５１、スイッチ４１、低雑音増幅器２１および２２は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。なお、整合回路３５および３６は、図７Ａには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに配置されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。
　また、図７Ａおよび図７Ｂには図示していないが、図１に示された送信経路ＡＴおよびＢＴ、ならびに、受信経路ＡＲおよびＢＲを構成する配線は、モジュール基板９１の内部および主面に形成されている。また、上記配線は、両端が主面および高周波モジュール１Ｆを構成する回路素子のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路素子の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、電力増幅器１１の最大出力パワーは、電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きい。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、温度センサ５１とＰＡ制御回路５０とが、１つの半導体ＩＣ７２に含まれている。これによれば、温度センサ５１およびＰＡ制御回路５０が、１つの半導体ＩＣ７２に形成されているので、高周波モジュール１Ｆの小型化を促進できる。
　また、図７Ｂに示すように、半導体ＩＣ７２は主面９１ｂに配置され、モジュール基板９１を平面視した場合に、温度センサ５１と電力増幅器１１とは少なくとも一部重なっている。これにより、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下である。
　上記構成によれば、距離Ｄｓ１が距離Ｄｓ２以下となっているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｆの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、モジュール基板９１を平面視した場合に、温度センサ５１と増幅トランジスタＴｒ１とは、少なくとも一部重なっている。
　これによれば、電力増幅器１１のなかでも、特に、電力増幅器１１の発熱源である増幅トランジスタＴｒ１と温度センサ５１との距離をより小さくできる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｆの局所的なピーク温度を、より高精度に測定できる。
　なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、モジュール基板９１を平面視した場合に、電力増幅器１１と半導体ＩＣ７２とが少なくとも一部重なっていることが望ましい。また、モジュール基板９１を平面視した場合に、電力増幅器１２と半導体ＩＣ７２とが少なくとも一部重なっていることが望ましい。これにより、電力増幅器１１および１２と半導体ＩＣ７２とを結ぶ制御配線を短くできる。
　なお、モジュール基板９１は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板９１の電磁界遮蔽機能が向上する。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ｆは、高周波モジュール１Ｆのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。主面９１ａおよび９１ｂのうち、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が困難な電力増幅器１１および１２が配置されず、低背化が容易な低雑音増幅器２１および２２、半導体ＩＣ７２、ならびにスイッチ４１が配置されているので、高周波モジュール１Ｆ全体を低背化することが可能となる。
　なお、外部接続端子１５０は、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。外部接続端子１５０がバンプ電極である場合には、主面９１ｂ側の樹脂部材９３はなくてもよい。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、電力増幅器１１および１２は、主面９１ａに配置されている。
　電力増幅器１１および１２は、高周波モジュール１Ｆが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ｆの放熱性を向上させるには、電力増幅器１１および１２の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、電力増幅器１１および１２を主面９１ｂに配置した場合、電力増幅器１１および１２に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、電力増幅器１１および１２を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。
　これに対して、電力増幅器１１および１２を主面９１ａに配置した場合、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、電力増幅器１１および１２と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、電力増幅器１１および１２の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器１１および１２からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１Ｆを提供することが可能となる。
　なお、低雑音増幅器２１および２２、ならびにスイッチ４１は、１つの半導体ＩＣに内蔵されていてもよい。これにより、主面９１ｂ側のｚ軸方向の高さを低減でき、また主面９１ｂの部品実装面積を小さくできる。よって、高周波モジュール１Ｆを小型化できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｆでは、低雑音増幅器２１および２２は主面９１ｂに配置されている。
　これによれば、送信信号を増幅する電力増幅器１１および１２と、受信信号を増幅する低雑音増幅器２１および２２とがモジュール基板９１の両面に振り分けられて配置されるので、送受信間のアイソレーションが向上する。
　［８．効果など］
　以上、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、第１送信信号と第２送信信号とを同時伝送することが可能であり、モジュール基板９１と、モジュール基板９１に配置され、高周波信号を増幅して第１送信信号を出力する電力増幅器１１と、モジュール基板９１に配置され、高周波信号を増幅して第２送信信号を出力する電力増幅器１２と、モジュール基板９１に配置された温度センサ５１と、モジュール基板９１に配置され、温度センサ５１の計測値に応じて電力増幅器１１および１２の増幅動作を制御するＰＡ制御回路５０と、を備え、電力増幅器１１の最大出力パワーは、電力増幅器１２の最大出力パワーよりも大きく、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下である。
　上記構成によれば、距離Ｄｓ１が距離Ｄｓ２以下となっているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の温度上昇による性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、第１送信信号と第２送信信号とを同時伝送することが可能であり、モジュール基板９１と、モジュール基板９１に配置され、高周波信号を増幅して第１送信信号を出力する電力増幅器１１と、モジュール基板９１に配置され、高周波信号を増幅して第２送信信号を出力する電力増幅器１２と、モジュール基板９１に配置された温度センサ５１と、モジュール基板９１に配置され、温度センサ５１の計測値に応じて電力増幅器１１および１２の増幅動作を制御するＰＡ制御回路５０と、を備え、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、電力増幅器１１と電力増幅器１２との距離Ｄｐｐ以下であり、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、距離Ｄｐｐ以下である。
　上記構成によれば、温度センサ５１は、電力増幅器１１および１２から距離Ｄｐｐ以下の距離で近接配置されているので、電力増幅器１１の発熱と電力増幅器１２の発熱とが最大に加算される電力増幅器１１および１２の近接領域の局所的な温度上昇を高精度に計測できる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の温度上昇による性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、高周波モジュール１Ｄ、１Ｅおよび１Ｆにおいて、温度センサ５１とＰＡ制御回路５０とは、１つの半導体ＩＣに含まれていてもよい。
　これによれば、温度センサ５１およびＰＡ制御回路５０が、１つの半導体ＩＣに形成されているので、高周波モジュール１Ｄ、１Ｅおよび１Ｆの小型化を促進できる。
　また、高周波モジュール１Ｅにおいて、半導体ＩＣ７１は、モジュール基板９１の主面の上方に配置され、電力増幅器１１は上記主面と半導体ＩＣ７１との間に配置され、上記主面を平面視した場合に、温度センサ５１と電力増幅器１１とは少なくとも一部重なっていてもよい。
　これによれば、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下となる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｅの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、高周波モジュール１Ｅにおいて、電力増幅器１１は、増幅トランジスタＴｒを有し、モジュール基板９１の主面を平面視した場合に、温度センサ５１と増幅トランジスタＴｒ１とは少なくとも一部重なっていてもよい。
　これによれば、電力増幅器１１のなかでも、特に、電力増幅器１１の発熱源である増幅トランジスタＴｒ１と温度センサ５１との距離をより小さくできる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｅの局所的なピーク温度を、より高精度に測定できる。
　また、高周波モジュール１Ｅにおいて、半導体ＩＣ７１の天面に形成された電極と、電力増幅器１１の天面に形成された電極とは、ボンディングワイヤ８１を介して接続されていてもよい。
　これによれば、モジュール基板９１の主面に電極を形成する領域を省略できるので、高周波モジュール１Ｅを小型化できる。
　また、高周波モジュール１Ｆにおいて、モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有し、電力増幅器１１および１２は主面９１ａに配置され、半導体ＩＣ７２は主面９１ｂに配置され、モジュール基板９１を平面視した場合に、温度センサ５１と電力増幅器１１とは少なくとも一部重なっていてもよい。
　これによれば、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２以下となる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｆの局所的なピーク温度を高精度に測定できるので、電力増幅器１１および１２の性能劣化を抑制することが可能となる。
　また、高周波モジュール１Ｆにおいて、電力増幅器１１は、増幅トランジスタＴｒ１を有し、モジュール基板９１を平面視した場合に、温度センサ５１と増幅トランジスタＴｒ１とは少なくとも一部重なっていてもよい。
　これによれば、電力増幅器１１のなかでも、特に、電力増幅器１１の発熱源である増幅トランジスタＴｒ１と温度センサ５１との距離をより小さくできる。よって、第１送信信号および第２送信信号が同時伝送される場合において、高周波モジュール１Ｆの局所的なピーク温度を、より高精度に測定できる。
　また、高周波モジュール１Ｆは、さらに、主面９１ｂに配置された外部接続端子１５０を備えてもよい。
　また、高周波モジュール１Ｆは、さらに、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器２１および２２を備えてもよい。
　これによれば、送信信号を増幅する電力増幅器１１および１２と、受信信号を増幅する低雑音増幅器２１および２２とがモジュール基板９１の両面に振り分けられて配置されるので、送受信間のアイソレーションが向上する。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、温度センサ５１は、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置されていてもよい。
　これによれば、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。また、温度センサ５１の上記配置により、電力増幅器１１と電力増幅器１２との熱干渉を抑制することが可能となる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、電力増幅器１１は増幅トランジスタＴｒ１を有し、電力増幅器１２は増幅トランジスタＴｒ２を有し、温度センサ５１は、増幅トランジスタＴｒ１と増幅トランジスタＴｒ２との間に配置されていてもよい。
　これによれば、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間の領域のなかでも、特に、電力増幅器１１の発熱源である増幅トランジスタＴｒ１と電力増幅器１２の発熱源である増幅トランジスタＴｒ２との間の領域は、電力増幅器１１および１２から同時に高出力の送信信号が伝送されている場合における局所的なピーク温度が発現する領域である。よって、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、温度センサ５１と電力増幅器１１との間には、他の回路部品が配置されていない。
　これによれば、電力増幅器１１の発熱を他の回路部品に吸収されずに温度センサ５１に伝えることができる。よって、高周波モジュール１Ａの局所的なピーク温度をより一層高精度に測定できる。
　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、電力増幅器１１の出力端子に接続され、第１送信信号を通過させる送信フィルタ６１Ｔと、電力増幅器１２の出力端子に接続され、第２送信信号を通過させる送信フィルタ６２Ｔと、を備え、温度センサ５１と電力増幅器１１との距離Ｄｓ１は、温度センサ５１と送信フィルタ６１Ｔとの距離よりも小さく、温度センサ５１と電力増幅器１２との距離Ｄｓ２は、温度センサ５１と送信フィルタ６２Ｔとの距離よりも小さくてもよい。
　送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、高出力の送信信号を通過させるので、発熱し易い回路部品である。これに対して、温度センサ５１を送信フィルタ６１Ｔよりも電力増幅器１１に近接配置し、かつ、温度センサ５１を送信フィルタ６２Ｔよりも電力増幅器１２に近接配置することで、電力増幅器１１および１２の発熱による局所的なピーク温度を高精度に計測できる。
　また、通信装置５は、アンテナ２で送信される送信信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で送信信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
　これにより、複数の高周波信号が同時伝送される場合の温度を高精度に測定し、電力増幅器の性能劣化が抑制された通信装置５を提供することが可能となる。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態、実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ　　高周波モジュール
　２　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、１２　　電力増幅器
　２１、２２　　低雑音増幅器
　３１、３２、３３、３４、３５、３６　　整合回路
　４１　　スイッチ
　５０　　ＰＡ制御回路
　５１　　温度センサ
　６１、６２　　デュプレクサ
　６１Ｒ、６２Ｒ　　受信フィルタ
　６１Ｔ、６２Ｔ　　送信フィルタ
　７０、７１、７２　　半導体ＩＣ
　８１、８２、８３　　ボンディングワイヤ
　９１　　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　　主面
　９２、９３　　樹脂部材
　１００　　アンテナ接続端子
　１１１、１１２　　送信入力端子
　１１３　　制御信号端子
　１２１、１２２　　受信出力端子
　１５０　　外部接続端子
　Ｄｐｐ、Ｄｓ１、Ｄｓ２　　距離
　Ｔｒ１、Ｔｒ２　　増幅トランジスタ

Claims (15)

  1. 　第１送信信号と第２送信信号とを同時伝送することが可能な高周波モジュールであって、
    　モジュール基板と、
    　前記モジュール基板に配置され、高周波信号を増幅して前記第１送信信号を出力する第１電力増幅器と、
    　前記モジュール基板に配置され、高周波信号を増幅して前記第２送信信号を出力する第２電力増幅器と、
    　前記モジュール基板に配置された温度センサと、
    　前記モジュール基板に配置され、前記温度センサの計測値に応じて前記第１電力増幅器および前記第２電力増幅器の増幅動作を制御する制御回路と、を備え、
    　前記第１電力増幅器の最大出力パワーは、前記第２電力増幅器の最大出力パワーよりも大きく、
    　前記温度センサと前記第１電力増幅器との距離は、前記温度センサと前記第２電力増幅器との距離以下である、
    　高周波モジュール。
  2. 　第１送信信号と第２送信信号とを同時伝送することが可能な高周波モジュールであって、
    　モジュール基板と、
    　前記モジュール基板に配置され、高周波信号を増幅して前記第１送信信号を出力する第１電力増幅器と、
    　前記モジュール基板に配置され、高周波信号を増幅して前記第２送信信号を出力する第２電力増幅器と、
    　前記モジュール基板に配置された温度センサと、
    　前記モジュール基板に配置され、前記温度センサの計測値に応じて前記第１電力増幅器および前記第２電力増幅器の増幅動作を制御する制御回路と、を備え、
    　前記温度センサと前記第１電力増幅器との距離は、前記第１電力増幅器と前記第２電力増幅器との距離以下であり、
    　前記温度センサと前記第２電力増幅器との距離は、前記第１電力増幅器と前記第２電力増幅器との距離以下である、
    　高周波モジュール。
  3. 　前記温度センサと前記制御回路とは、１つの半導体ＩＣに含まれる、
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記半導体ＩＣは、前記モジュール基板の主面の上方に配置され、
    　前記第１電力増幅器は、前記主面と前記半導体ＩＣとの間に配置され、
    　前記主面を平面視した場合に、前記温度センサと前記第１電力増幅器とは少なくとも一部重なっている、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第１電力増幅器は、第１増幅トランジスタ素子を有し、
    　前記主面を平面視した場合に、前記温度センサと前記第１増幅トランジスタ素子とは少なくとも一部重なっている、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記半導体ＩＣの天面に形成された電極と、前記第１電力増幅器の天面に形成された電極とは、ボンディングワイヤを介して接続されている、
    　請求項４または５に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、
    　前記第１電力増幅器および前記第２電力増幅器は、前記第１主面に配置され、
    　前記半導体ＩＣは、前記第２主面に配置され、
    　前記モジュール基板を平面視した場合に、前記温度センサと前記第１電力増幅器とは少なくとも一部重なっている、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第１電力増幅器は、第１増幅トランジスタ素子を有し、
    　前記モジュール基板を平面視した場合に、前記温度センサと前記第１増幅トランジスタ素子とは少なくとも一部重なっている、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　さらに、前記第２主面に配置された外部接続端子を備える、
    　請求項８に記載の高周波モジュール。
  10. 　さらに、前記第２主面に配置された低雑音増幅器を備える、
    　請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記温度センサは、前記第１電力増幅器と前記第２電力増幅器との間に配置されている、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 　前記第１電力増幅器は、第１増幅トランジスタ素子を有し、
    　前記第２電力増幅器は、第２増幅トランジスタ素子を有し、
    　前記温度センサは、前記第１増幅トランジスタ素子と前記第２増幅トランジスタ素子との間に配置されている、
    　請求項１１に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記温度センサと前記第１電力増幅器との間には、他の回路部品が配置されていない、
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  14. 　さらに、
    　前記第１電力増幅器の出力端子に接続され、前記第１送信信号を通過させる第１フィルタと、
    　前記第２電力増幅器の出力端子に接続され、前記第２送信信号を通過させる第２フィルタと、を備え、
    　前記温度センサと前記第１電力増幅器との距離は、前記温度センサと前記第１フィルタとの距離よりも小さく、
    　前記温度センサと前記第２電力増幅器との距離は、前記温度センサと前記第２フィルタとの距離よりも小さい、
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  15. 　アンテナで送信される送信信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記送信信号を伝送する請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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