WO2022044589A1 - 受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイス - Google Patents

受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイス Download PDF

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WO2022044589A1
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light
receiving
layer
emitting
electron
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PCT/JP2021/026353
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English (en)
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修平 山本
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東レ株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a light receiving / receiving element having both a function as a light receiving element and a function as a light emitting element, an electronic device using the same, and a biological sensing device.
  • optical sensing is one of the highly useful sensing technologies because it can be used for various purposes such as changing the target wavelength to change the target wavelength. It is one.
  • an optical sensor is provided with a light emitting element and a light receiving element independently, irradiates an object with light from the light emitting element, and receives or senses light transmitted or reflected from the object by the light receiving element.
  • Such an optical sensor can read biological information, for example, by using near-infrared light as a wavelength.
  • the substrate, the light emitting element, and the light receiving element mainly from an organic substance, it is possible to construct a thin and flexible device (see, for example, Non-Patent Document 1).
  • Non-Patent Document 2 discloses a flexible imaging device capable of reading biological information in which an organic light receiving element is arranged on a thin transistor array (TFT array) substrate.
  • TFT array thin transistor array
  • Patent Document 1 discloses a light-receiving / light-receiving integrated device in which a plurality of light-emitting elements and a plurality of light-receiving elements are arranged independently on a substrate.
  • Patent Document 1 can be integrated with light and receive, so that an external light source can be eliminated, and a thinner and more flexible device can be configured.
  • it takes a lot of time and effort to independently create a large number of a plurality of light emitting elements and a plurality of light receiving elements on a substrate, and there is a limit to reducing the area of one element depending on the manufacturing method. be.
  • the light emitting element and the light receiving element are independently manufactured on the same substrate, the light receiving region for sensing in the substrate is reduced, and there is a limit to high definition.
  • Patent Document 2 discloses an image pickup device having both a light receiving function and a light emitting function.
  • an element having both a light receiving function and a light emitting function it is not necessary to separate the light emitting element and the light receiving element, and the manufacturing becomes easy.
  • an element having such a function an element in which rubrene and fullerene are laminated and an element in which a triphenylamine compound and fullerene are laminated are also proposed (see, for example, Non-Patent Documents 3 and 4).
  • an element in which a small amount of rubrene is added to a mixed layer of polythiophene and a fullerene derivative has also been proposed (see, for example, Non-Patent Document 5).
  • the present inventors can configure a thin and flexible optical sensing device without requiring an external light source as long as it is an element having both a light receiving function and a light emitting function (hereinafter referred to as a light receiving and emitting element), and various applications can be made. I thought it was applicable to. However, the conventionally proposed light-receiving element has insufficient light-receiving sensitivity to light emitted from a light-receiving element having the same configuration.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a light-receiving element having good light-receiving sensitivity to light emitted from a light-receiving element having the same configuration, an electronic device using the same, and a biological sensing device. The purpose.
  • the light emitting / receiving element according to the present invention is located between the anode, the cathode, the anode and the cathode, and is composed of two or more kinds of organic materials.
  • the light receiving and receiving layer comprises an electron donating material and an electron accepting material that satisfy the relationship of energy spectrum represented by the following formulas (1) and (2).
  • At least one of the electron-donating material and the electron-accepting material is a light-receiving layer material having a band gap smaller than the maximum emission wavelength energy when a voltage is applied to the light-receiving layer, and the electron-donating material. Is unevenly distributed on the anode side in the light receiving / receiving layer, and the region where the standardized light receiving sensitivity spectrum and the standardized light emitting spectrum overlap occupies 50% or more of the region of the standardized light emitting spectrum. It is a feature.
  • the region where the light receiving sensitivity spectrum before standardization and the light emitting spectrum standardized overlap occupies 5% or more of the region of the normalized light emitting spectrum. , Characterized by that.
  • the light-receiving element according to the present invention is the light-receiving layer material having a band gap in which the electron-donating material has a band gap smaller than the maximum light-emitting wavelength energy when a voltage is applied to the light-receiving layer. It is characterized by being.
  • the light emitting / receiving element according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the absorbance at the maximum light emitting wavelength when a voltage is applied to the light receiving / emitting layer is 0.1 or more.
  • the light-receiving element according to the present invention has an extinction coefficient of a single film of the light-receiving layer material of 30,000 cm -1 or more at the maximum light-emitting wavelength when a voltage is applied to the light-receiving layer. It is characterized by being.
  • the light receiving / receiving element according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the light receiving / emitting layer has at least one of a light receiving portion and a light emitting portion having a domain size of 40 nm or more.
  • the light emitting / receiving element according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the maximum light emitting wavelength when a voltage is applied to the light receiving / emitting layer is 700 nm or more.
  • the light-receiving element according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the light-receiving layer contains a diketopyrrolopyrrole boron complex compound and a fullerene compound.
  • the light-receiving element according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the light-receiving layer contains a rubrene compound and a thiophene compound.
  • the electronic device is characterized in that a plurality of light receiving / receiving elements according to any one of the above inventions are provided on the substrate.
  • the electronic device is characterized in that, in the above invention, the plurality of light receiving and emitting elements are light receiving and emitting elements having the same configuration as each other.
  • the electronic device includes a plurality of light receiving / emitting elements according to any one of the above inventions, and the plurality of light receiving / emitting elements are light receiving / emitting elements having the same configuration as each other, and the plurality of light receiving / receiving elements are received. At least one first light receiving / emitting element among the light emitting elements emits light to irradiate the object, and the second light receiving / emitting element other than the first light receiving / emitting element emits light transmitted or reflected from the object. It is characterized by receiving light.
  • the electronic device is characterized in that the light receiving / receiving element according to any one of the above inventions is provided on the TFT array substrate.
  • the biological sensing device is characterized by comprising the light receiving / receiving element according to any one of the above inventions.
  • a light receiving / receiving element which is easy to manufacture and has good light receiving sensitivity to light emitted from a light receiving / emitting element having the same configuration, an electronic device using the same, and a biological sensing device.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a standardized light-receiving sensitivity spectrum and a standardized light-emitting spectrum of a light-receiving element according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of a light receiving sensitivity spectrum (external quantum yield spectrum) before standardization and a standardized emission spectrum of the light receiving / receiving element according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing one aspect of the light receiving / receiving element according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of pulse wave measurement results by the biological sensing device produced in Example 13.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of pulse wave measurement results by the biological sensing device produced in Example 14.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of pulse wave measurement results by the biological sensing device produced in Comparative Example 6.
  • the light-receiving element includes an anode and a cathode, and a light-receiving layer made of two or more kinds of organic materials is provided between the anode and the cathode.
  • the light-receiving layer is a layer that exhibits a light-emitting function when a positive voltage is applied to the anode and a light-receiving function when a zero or negative voltage is applied to the anode.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a standardized light-receiving sensitivity spectrum and a standardized light-emitting spectrum of a light-receiving element according to an embodiment of the present invention.
  • the normalized light-receiving sensitivity spectrum 101 partially overlaps with the normalized emission spectrum 102.
  • the overlapping region 103 of the normalized light-receiving sensitivity spectrum 101 and the normalized emission spectrum 102 occupies 50% or more of the region of the normalized emission spectrum 102. That is, the ratio of the overlapping region 103 to the entire region of the normalized emission spectrum 102 is 50% or more.
  • the light receiving sensitivity spectrum is a spectrum showing the photoelectric conversion responsiveness when the light receiving / receiving element is irradiated with light of each wavelength in terms of external quantum yield.
  • the standardized light-receiving sensitivity spectrum is a standardized light-receiving sensitivity spectrum by a method described later.
  • the standardized emission spectrum is obtained by standardizing the emission spectrum of the light receiving / receiving element by a method described later.
  • the standardized light-receiving sensitivity is a standardized value of the light-receiving sensitivity indicated by the standardized light-receiving sensitivity spectrum.
  • the standardized emission intensity is a standardized value of emission intensity indicated by a standardized emission spectrum.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of a light receiving sensitivity spectrum before standardization and a standardized light emitting spectrum of the light receiving / receiving element according to the embodiment of the present invention.
  • the light-receiving sensitivity spectrum 101A before normalization partially overlaps with the normalized emission spectrum 102.
  • the overlapping region 103A of the light receiving sensitivity spectrum 101A before standardization and the emission spectrum 102 standardized occupies 5% or more of the region of the emission spectrum 102 standardized. That is, the ratio of the overlapping region 103A to the entire region of the normalized emission spectrum 102 is preferably 5% or more. The ratio of the overlapping region 103A is more preferably 10% or more. As a result, the light-receiving sensitivity of the light-receiving element to the light emitted from the light-receiving element itself can be further increased.
  • the light-receiving sensitivity spectrum before standardization is the one before standardizing the light-receiving sensitivity spectrum of the light-receiving / light-receiving element (that is, the light-receiving sensitivity spectrum that has not been standardized).
  • the light receiving sensitivity spectrum can be measured by a spectral sensitivity measuring device.
  • the current light-receiving sensitivity spectrum when the light-receiving element is irradiated with monochromatic light is measured by a spectral sensitivity measuring device, and the photoelectric conversion response is converted into an external quantum yield to display the desired light-receiving sensitivity spectrum.
  • the light receiving sensitivity spectrum can be normalized by dividing the external quantum yield of each wavelength by the maximum value of the wavelength dependence of the external quantum yield obtained as described above.
  • the emission spectrum is obtained by measuring the amount of emission at each wavelength using a spectroscopic irradiance meter.
  • the emission spectrum can be standardized by dividing the emission amount of each wavelength by the maximum value of the wavelength dependence of the emission amount obtained as described above.
  • the absorbance of the light-receiving element at the maximum emission wavelength when a voltage is applied to the light-receiving layer is preferably 0.1 or more.
  • the absorbance of the light receiving / receiving element is obtained by measuring the reflection / absorption spectrum of the light receiving / receiving element.
  • the minimum absorbance of the light-receiving element measured in the wavelength range of 300 nm to 1200 nm is used as the baseline for correction, and the difference between the measured reflection absorption spectrum of the light-receiving element and the baseline value (minimum absorbance) is the purpose. It becomes the absorbance.
  • the maximum emission wavelength is the wavelength at which the emission amount (emission intensity) reaches the maximum peak in the emission spectrum.
  • the maximum light emitting wavelength when a voltage is applied to the light receiving / emitting layer is preferably 700 nm or more (that is, a wavelength in the infrared light wavelength region).
  • the optical sensor to which the light receiving / receiving element is applied can be operated by receiving / emitting light that is invisible to the human eye.
  • the wavelength range of 700 nm to 1400 nm is a region called a window of a living body.
  • the light-receiving element according to the embodiment of the present invention can be suitably applied to biological sensing because it has a light-receiving response in this wavelength range.
  • the half width of the emission spectrum is narrower. Further, in order to select the sensing target according to the wavelength, it is preferable that the half width of the emission spectrum is narrower. Specifically, the half width of the emission spectrum is preferably 60 nm or less.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing one aspect of the light receiving / receiving element according to the embodiment of the present invention.
  • the light emitting / receiving element 10 includes an anode 2, a cathode 6, and a light receiving / receiving layer 4 located between the anode 2 and the cathode 6 on a substrate 1.
  • the light receiving / receiving element 10 includes a hole transporting layer 3 located between the anode 2 and the light receiving / emitting layer 4, and an electron transporting layer 5 located between the cathode 6 and the light receiving / light receiving layer 4.
  • the light receiving / receiving element 10 shown in FIG. 3 has an anode 2, a hole transporting layer 3, a light receiving / receiving layer 4, an electron transporting layer 5, and a cathode 6 in this order on the substrate 1.
  • the light emitting / receiving element 10 is not limited to the laminated structure shown in FIG. Although not particularly shown, for example, as another embodiment of the light receiving / receiving element 10, the light receiving / receiving / emitting light having the cathode 6, the electron transporting layer 5, the light receiving / receiving layer 4, the hole transporting layer 3 and the anode 2 on the substrate 1 in this order. It can also be an element.
  • the anode 2 or the cathode 6 has light transmission.
  • those having light transmittance may be the electrode on the substrate 1 side (anode 2 in FIG. 3) or the electrode on the opposite side to the substrate 1 (cathode 6 in FIG. 3). May be good.
  • the substrate 1 is a substrate on which an electrode material and an organic semiconductor layer can be laminated according to the type and application.
  • a film or plate made of an inorganic material or an organic material by an arbitrary method can be used as the substrate 1.
  • the inorganic material constituting the substrate 1 include alloys such as non-alkali glass, quartz glass, aluminum, iron, copper, and stainless steel.
  • the organic material constituting the substrate 1 include polyester, polycarbonate, polyolefin, polyamide, polyimide, polyphenylene sulfide, polyparaxylene polymethylmethacrylate, epoxy resin, fluororesin and the like.
  • the film or plate used as the substrate 1 preferably has a light transmittance of about 80%.
  • the substrate 1 is preferably a combination with a TFT array (TFT array substrate). It is also one of the preferable aspects to form the TFT array on the substrate 1.
  • the anode 2 and the cathode 6 are made of a conductive material.
  • electrode materials gold, platinum, silver, copper, iron, zinc, tin, aluminum, indium, chromium, nickel, cobalt, scandium, vanadium, ittrium, cerium, sumarium, europium, terbium, itterbium, molybdenum,
  • metal oxides composite metal oxides (indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), etc.
  • Alkali metals and alkaline earth metals (lithium, magnesium, sodium, potassium, calcium, strontium, barium) and the like are preferably used.
  • an electrode made of an alloy made of these metals or a laminate of these metals is also preferably used.
  • electrodes containing graphite, graphite intercalation compounds, carbon nanotubes, graphene, polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives are also preferably used.
  • the electrode may be a mixed layer made of two or more kinds of materials, or may be a layer having a laminated structure in which a plurality of layers made of two or more kinds of compounds are laminated.
  • At least one of the anode 2 and the cathode 6 has light transmission.
  • either the anode 2 or the cathode 6 may have light transmission, but both the anode 2 and the cathode 6 may have light transmission.
  • “having light transmission” means “the degree to which incident light reaches the light receiving / emitting layer to generate an electromotive force, and the degree to which the light generated by applying a voltage to the light receiving / receiving layer is taken out to the outside.” It means “to transmit light to the surface”. That is, when the electrode has a value of more than 0% as the light transmittance, the electrode has the light transmittance.
  • the electrode having this light transmittance preferably has a light transmittance of 60% to 100% in all wavelength regions of 400 nm or more and 900 nm or less.
  • the thickness of the electrode having light transmission may be as long as it is thick enough to obtain sufficient conductivity, and varies depending on the material, but is preferably 20 nm to 300 nm. It should be noted that the electrode having no light transmittance is sufficient if it has conductivity, and its thickness is not particularly limited.
  • the hole transport layer 3 is not an essential component of the light receiving / receiving element in the present invention. However, by providing the hole transport layer 3, it is possible to form an interface state suitable for taking out or injecting carriers, and there is an effect of preventing a short circuit between the electrodes. Therefore, in the present invention, it is preferable that the light receiving / receiving element is provided with the hole transport layer 3.
  • the light-receiving element 10 shown in FIG. 3 includes a hole transport layer 3 between the anode 2 and the light-receiving layer 4.
  • a polythiophene-based polymer for example, a polythiophene-based polymer, a poly-p-phenylene vinylene-based polymer, a polyfluorene-based polymer, a polypyrrole polymer, a polyaniline polymer, a polyfuran polymer, and a polypyridine polymer are used.
  • Polycarbazole polymers and other conductive polymers phthalocyanine derivatives (H 2 Pc, CuPc, ZnPc, etc.), porphyrin derivatives, acene compounds (tetracene, pentacene, etc.) and other low-molecular-weight organic compounds exhibiting p-type semiconductor properties.
  • Inorganic compounds such as ruthenium oxide (ReO x ) such as are preferably used.
  • PEDOT polyethylenedioxythiophene
  • PSS polystyrene sulfonate
  • molybdenum oxide, vanadium oxide, and tungsten oxide are preferably used as materials for the hole transport layer 3.
  • the hole transport layer 3 may be a layer composed of a single compound, a mixed layer composed of two or more kinds of compounds, or a laminate in which a plurality of layers composed of two or more kinds of compounds are laminated. It may be a layer of structure.
  • the hole transporting layer 3 applies a voltage to the light receiving / receiving element 10 (specifically, the light receiving / emitting layer 4). It is preferable that the light transmittance is high with respect to the emission wavelength at the time of emission. That is, in this case, it is more preferable that the material of the hole transport layer 3 is a material having no light absorption ability with respect to the emission wavelength.
  • the thickness of the hole transport layer 3 is not particularly limited, but is preferably 5 nm or more and 600 nm or less, and more preferably 10 nm or more and 200 nm or less.
  • the light receiving / receiving layer 4 is formed between the anode 2 and the cathode 6.
  • the light-receiving layer 4 is formed between the hole transport layer 3 on the anode 2 side and the electron transport layer 5 on the cathode 6 side.
  • a voltage is applied to the light receiving / receiving layer 4 by applying a positive voltage to the anode 2.
  • the light receiving / receiving layer 4 is a layer that exhibits a light emitting function when a positive voltage is applied in this way, and exhibits a light receiving function when a zero or negative voltage is applied to the anode 2.
  • the light receiving / receiving layer 4 has the above-mentioned light emitting function and light receiving function, and is made of two or more kinds of organic materials.
  • the organic material refers to a high molecular weight material or a low molecular weight material, and also includes a complex having a metal atom as a part of its chemical structure.
  • the light receiving / receiving layer 4 contains an electron donating material and an electron accepting material. By including these materials in the light receiving / emitting layer 4, charge separation when the light receiving / light receiving layer 4 receives light is promoted, and the light receiving sensitivity of the light receiving / light receiving layer 4 can be enhanced.
  • These electron-donating materials and electron-accepting materials satisfy the relationship of energy levels represented by the following equations (1) and (2).
  • HOMO of electron-donating material > HOMO of electron-accepting material ...
  • LUMO of electron-donating material > LUMO of electron-accepting material ...
  • the energy level difference between the electron donating material and the electron accepting material preferably satisfies the following formulas (3) and (4).
  • the energy level difference between the electron donating material and the electron accepting material satisfies the following formula (5).
  • At least one of the electron donating material and the electron accepting material contained in the light receiving and receiving layer 4 is a material having a band gap smaller than the maximum light emitting wavelength energy when a voltage is applied to the light receiving and emitting layer 4 (hereinafter, It is called a light receiving / receiving layer material).
  • a light receiving / receiving layer material By including the light receiving / emitting layer material in the light receiving / receiving layer 4, the ratio of the overlapping region of the above-mentioned normalized light receiving sensitivity spectrum and the normalized light emitting spectrum to the entire region of the normalized light emitting spectrum can be easily obtained. Can be increased to 50% or more.
  • the above-mentioned electron donating material is unevenly distributed on the anode 2 side.
  • the light receiving / receiving layer 4 has an asymmetrical structure as described above with respect to the electron donating material, the light receiving / receiving layer 4 enhances charge transportability and improves light receiving sensitivity, and the charge block improves recombination.
  • the emission intensity can also be improved.
  • "unevenly distributed on the anode side” means that the concentration is higher on the anode side than on the cathode side in the distribution of the light receiving and receiving layer in the film thickness direction.
  • the concentration in the region on the anode 2 side of the light emitting / receiving layer 4 in the film thickness direction is the cathode rather than the center position in the film thickness direction of the light receiving / receiving layer 4. It is higher than the area on the 6th side.
  • examples of such a structure include a laminated structure of an electron donating material and an electron accepting material, and a laminated structure including a mixed layer of an electron donating material and an electron accepting material.
  • the electron donating material is unevenly distributed on the cathode 6 side inside the light receiving / emitting layer 4, charge injection into the light receiving / receiving layer 4 is less likely to occur, and the effect of charge blocking is obtained.
  • the emission intensity is lowered. Further, the uneven distribution of the electron donating material toward the cathode 6 reduces the light receiving sensitivity because the electrons generated inside the light receiving / receiving layer 4 do not easily move to the electron donating material when the light receiving function is to be used. Also causes.
  • the electron-donating material has a band gap smaller than the maximum emission wavelength energy when a voltage is applied to the light-receiving and light-receiving layer 4. It is preferably a light receiving / receiving layer material.
  • Organic materials strongly exhibit p-type semiconductor properties due to the influence of various external factors (oxygen, etc.), that is, they are suitable for electron donating materials. Therefore, it is easier to obtain higher light-receiving sensitivity when the electron-donating material is used as the light-receiving layer material than when the electron-accepting material is used as the light-receiving layer material.
  • the light receiving / receiving layer 4 may contain a material other than the above.
  • the material may form a single material layer or a mixed layer inside the light receiving / receiving layer 4.
  • Examples of the single material layer or the mixed layer made of the material include a light emitting layer in which a light emitting dopant material is mixed with a host material.
  • the thickness of the light receiving / receiving layer 4 is not particularly limited, but is preferably 30 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably 40 nm or more and 1000 nm or less.
  • the light receiving / receiving layer 4 has at least one of a light receiving portion and a light emitting portion having a domain size of 40 nm or more.
  • the light receiving and emitting layer 4 is a single material layer, if the thickness is sufficiently smaller than the length (width or depth, etc.) in the plane direction of the light receiving and emitting layer 4, the average thickness of the light receiving and emitting layer 4 is the light receiving and emitting light.
  • 90% or more of the light-receiving layer 4 is an organic semiconductor. Is preferable.
  • the light emitting / receiving layer 4 contains a light emitting material in any of the layers regardless of its configuration.
  • the light-emitting material may form a single material layer in the light-receiving layer 4, or may form a mixed layer in which a host material and a light-emitting dopant material are mixed in the light-receiving layer 4 as described above. If the light emitting material corresponds to the above-mentioned electron donating material, a mixed layer with the electron accepting material may be formed in the light receiving layer 4. If the light emitting material corresponds to the above-mentioned electron accepting material, a mixed layer with the electron donating material may be formed in the light receiving layer 4.
  • the light-receiving layer material having a bandgap smaller than the maximum emission wavelength energy preferably has an extinction coefficient of 30,000 cm -1 or more at the maximum emission wavelength of the single film when a voltage is applied to the light-receiving layer 4.
  • the extinction coefficient is more preferably 50,000 cm -1 or more, and further preferably 90000 cm -1 or more.
  • the light emitting / receiving layer material may be a light emitting material or may be a material different from the light emitting material.
  • the light emitting material is a light emitting material
  • the light emitting material is preferably a material having a small Stokes shift.
  • the maximum emission wavelength energy is the emission energy at the maximum emission wavelength.
  • E max the maximum emission wavelength energy
  • Examples of the material for forming the light receiving / receiving layer 4 as described above include a polythiophene-based polymer, a poly-p-phenylene vinylene-based polymer, a polyfluorene-based polymer, a polypyrrole polymer, a polyaniline polymer, and a polyfuran polymer.
  • Low molecular weight organics exhibiting p-type semiconductor properties such as conductive polymers such as polypyridine polymers and polycarbazole polymers, phthalocyanine derivatives (H2Pc, CuPc, ZnPc, etc.), porphyrin derivatives, and aceno compounds (tetracene, pentacene, etc.)
  • Compounds, electron-accepting organic materials NTCDA, PTCDA, PTCDI-C8H, oxazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, phosphine oxide derivatives, phosphine sulfide derivatives, quinoline derivatives, fullerene compounds, CNTs, CN-PPV, IEICO, ITIC, Y6
  • Examples thereof include organic materials exhibiting n-type semiconductor properties, rubrene, quinacridone compounds, coumarin compounds, pyrromethene compounds, diketopyrrolopyrrole compounds, diketopyrrolo
  • the diketopyrrolopyrrole boron complex compound has a small Stokes shift and is an effective material for imparting both light-emitting and light-receiving functions to the light-receiving layer 4. Further, since the diketopyrrolopyrrole boron complex compound has an emission wavelength of 700 nm or more, the light emitting / receiving layer 4 has a maximum emission wavelength of 700 nm or more when a voltage is applied to the light receiving / emitting layer 4. It is one of the preferable materials contained in.
  • the material contained in the light emitting / receiving layer 4 it is also one of the preferable embodiments of the material contained in the light emitting / receiving layer 4 to combine the diketopyrrolopyrrole boron complex compound and the fullerene compound. Is.
  • diketopyrrolopyrrole boron complex compound examples include, for example, the following compounds described in the non-patent document "Scientific Report (SCIENTIFIC REPOTS)", 2016, Vol. 6, pp. 34096.
  • fullerene compound examples include unsubstituted ones such as C 60 fullerene, C 70 fullerene, C 76 fullerene, C 78 fullerene, C 82 fullerene, C 84 fullerene, C 90 fullerene, and C 94 fullerene, and [6, 6 ] -Phenyl-C61-Butylic Acid Methyl Estel ([6,6] -C61-PCBM, or [60] PCBM), [5,6] -Phenyl-C61-Butylic Acid Methyl Estel, [6,6] Examples thereof include substitution derivatives such as -phenyl-C61-butyric acid hexyl ester, [6,6] -phenyl-C61-butyric acid dodecyl ester, and phenyl-C71-butyric acid methyl ester ([70] PCBM). .. Of these, C 60 fullerenes are more preferable.
  • rubrene compound examples include unsubstituted rubrene and rubrene substituted with an alkyl group or a halogen group.
  • thiophene compound examples include unsubstituted oligothiophene (terthiophene, quarterthiophene, sexithiophene, octthiophene, etc.), oligothiophene substituted with an alkyl group or a halogen group, and oligothiophene substituted with a dicyanovinylene group.
  • Oligothiophene substituted with an alkyl group, a halogen group and a dicyanovinylene group and the like.
  • the dicyanovinylene group is substituted at both ends of the oligothiophene. Examples of such a compound include 3', 4'-dibutyl-5,5 "-bis (dicyanovinyl) -2,2'-5', 2" -terthiophene (DCV3T).
  • the electron transport layer 5 is not an essential component of the light receiving / receiving element in the present invention. However, by providing the electron transport layer 5, it is possible to form an interface state suitable for taking out or injecting a carrier, and there is an effect of preventing a short circuit between electrodes. Therefore, in the present invention, it is preferable that the light receiving / receiving element is provided with the electron transport layer 5.
  • the light-receiving element 10 shown in FIG. 3 includes an electron transport layer 5 between the cathode 6 and the light-receiving layer 4.
  • examples of the material forming the electron transport layer 5 include the above-mentioned electron-accepting organic materials (NTCDA, PTCDA, PTCDI-C8H, oxazole derivative, triazole derivative, phenanthroline derivative, phosphine oxide derivative, phosphine sulfide derivative, quinoline derivative, fullerene).
  • Organic materials exhibiting n-type semiconductor properties such as compounds, CNTs, CN-PPV, etc.
  • ionic substituted fluorene-based polymers (“Advanced Materials", 2011, Vol. 23, pp. 4636-4634, "Organic Electronics", 2009, Vol. 10, pp. 496-500.
  • the material of the electron transport layer 5 includes a compound having an ionic group, for example, an ammonium salt, an amine salt, a pyridinium salt, an imidazolium salt, a phosphonium salt, a carboxylate, a sulfonate, a phosphate, and a sulfate ester. Salts, phosphate ester salts, sulfates, nitrates, acetonate salts, oxolate salts, metal complexes and the like can also be used.
  • examples of the compound having an ionic group include ammonium chloride, ammonium acetate, ammonium phosphate, hexyltrimethylammonium bromide, tetrabutylammonium bromide, octadecyltrimethylammonium bromide, hexadecylpyridinium bromide, and 1-butyl-3.
  • the material of the electron transport layer 5 includes, for example, titanium oxide (TiO x ) such as TiO 2 , zinc oxide (ZnO x ) such as ZnO, silicon oxide (SiO x ) such as SiO 2 , and oxidation of SnO 2 .
  • Tin (SnO x ) Tungsten oxide (WO x ) such as WO 3
  • tantalum oxide (TaO x ) such as Ta 2 O 3
  • barium titanate (BaTi x O y ) such as BaTIO 3
  • zirconic acid such as BaZrO 3 .
  • ZrO x Zinc Oxidation of barium (BaZr x Oy), zinc oxide (ZrO x ) such as ZrO 2 , hafnium oxide (HfO x ) such as HfO 2 , aluminum oxide (AlO x ) such as Al 2 O 3 , and Y 2 O 3
  • Metal oxides such as zirconium silicate ( ZrSi x Oy) such as yttrium (YO x ) and ZrSiO 4 , nitrides such as silicon nitride (SiN x ) such as Si 3N 4 , and cadmium sulfide such as CdS (CdS).
  • Inorganic materials such as semiconductors such as zinc selenium (ZnSe x ) such as CdS x ) and ZnSe, zinc sulfide (ZnS x ) such as ZnS, and cadmium (CdTe x ) tellurized such as CdTe are also preferably used.
  • semiconductors such as zinc selenium (ZnSe x ) such as CdS x ) and ZnSe
  • zinc sulfide (ZnS x ) such as ZnS
  • CdTe x cadmium tellurized such as CdTe
  • Examples of the method for forming the electron transport layer 5 from the inorganic material include a method in which a precursor solution such as a metal salt or a metal alkoxide of the inorganic material is applied to a substrate and then heated to form a layer, or nanoparticles. There is a method of applying a dispersion liquid to a substrate to form a layer. At this time, depending on the heating temperature, heating time, and nanoparticle synthesis conditions, the reaction did not proceed completely, and partial hydrolysis or partial condensation resulted in the intermediate product. It may be a mixture of the precursor and the intermediate product, or a mixture of the precursor and the final product.
  • the electron transporting layer 5 receives a voltage applied to the light receiving / receiving element 10 (specifically, the light receiving / emitting layer 4). It is preferable that the light transmittance is high with respect to the emission wavelength of. That is, in this case, it is more preferable that the material of the electron transport layer 5 is a material having no light absorption ability with respect to the emission wavelength.
  • a transparent electrode such as ITO is formed on the substrate 1 by a sputtering method or the like.
  • the transparent electrode corresponds to the anode 2 shown in FIG.
  • PEDOT: PSS layer corresponds to the hole transport layer 3 shown in FIG.
  • the hole transport layer 3 is formed by spin coating, blade coating, slit die coating, screen printing, bar coater coating, mold coating, print transfer method, immersion pulling method, inkjet method, spray method, and vacuum vapor deposition method. Any method may be used.
  • the method for forming the hole transport layer 3 may be selected according to the characteristics of the photoelectric conversion layer to be obtained, such as film thickness control and orientation control.
  • a diketopyrrolopyrrole boron complex compound is dissolved in a solvent to prepare a solution, and this solution is applied onto the hole transport layer 3 and dried. As a result, a layer of the light emitting portion is formed on the hole transport layer 3. At this time, the diketopyrrolopyrrole boron complex compound functions as an electron donating material and a light emitting material.
  • the solvent used at this time is preferably an organic solvent, for example, methanol, ethanol, butanol, toluene, xylene, o-chlorophenol, acetone, ethyl acetate, ethylene glycol, tetrahydrofuran, dichloromethane, chloroform, dichloroethane, chlorobenzene, etc.
  • organic solvent for example, methanol, ethanol, butanol, toluene, xylene, o-chlorophenol, acetone, ethyl acetate, ethylene glycol, tetrahydrofuran, dichloromethane, chloroform, dichloroethane, chlorobenzene, etc.
  • Examples thereof include dichlorobenzene, trichlorobenzene, chloronaphthalene, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, ⁇ -butyrolactone and the like.
  • a layer of a fullerene compound (for example, C 60 fullerene) to be an electron-accepting material, that is, a fullerene layer is formed on the layer of the light emitting portion by a vacuum vapor deposition method.
  • This fullerene layer corresponds to the layer of the light receiving portion.
  • FIG. 3 shows a mixed layer of the above-mentioned layer of the light emitting portion (layer made of a diketopyrrolopyrrole boron complex compound) and a layer of the light receiving portion (fullerene layer), or a layer having a laminated structure in which these layers are laminated.
  • the light receiving / receiving layer 4 is configured.
  • an electron extraction layer is formed on the fullerene layer in the light receiving / receiving layer 4 by a vacuum vapor deposition method or a sputtering method.
  • This electron extraction layer corresponds to the electron transport layer 5 shown in FIG.
  • a metal electrode such as Al or Ag is formed on the electron extraction layer by a vacuum vapor deposition method or a sputtering method.
  • the electron extraction layer is formed by the vacuum vapor deposition method, it is preferable to continue to form the metal electrode while maintaining the vacuum.
  • This metal electrode corresponds to the cathode 6 shown in FIG.
  • the light-receiving element of the present invention (for example, the light-receiving element 10 shown in FIG. 3) can be applied to various electronic devices and optical sensing devices using the light-receiving function and the like.
  • the electronic device includes a plurality of the above-mentioned light receiving and receiving elements on a substrate.
  • the electronic device includes the above-mentioned light receiving / receiving element on the TFT array substrate.
  • the biological sensing device, the optical sensor, and the optical switch each include the above-mentioned light receiving / receiving element on a substrate, in a substrate, or in a housing.
  • the plurality of light receiving and emitting elements may be light receiving and emitting elements having the same configuration as each other.
  • the light receiving and receiving elements having different configurations may be used.
  • the electronic device includes a plurality of the above-mentioned light receiving and emitting elements on the substrate, in the substrate, or in the housing, it is preferable that the plurality of light receiving and emitting elements have the same configuration as each other.
  • at least one first light receiving / emitting element among these plurality of light receiving / emitting elements can emit light to irradiate the object, and the second light receiving / emitting element other than the first light receiving / emitting element is. , Can receive light transmitted or reflected through this object.
  • the light emitted from at least one of the first light receiving and emitting elements is applied to the object, and the object is transmitted or reflected.
  • Optical sensing is possible, in which light is received by the second light-receiving element (that is, another light-receiving element that does not emit light).
  • ITO Indium tin oxide
  • LiF Lithium fluoride
  • DPPcy DPPcy, which is an example of a diketopyrrolopyrrole boron complex compound, is a compound represented by the following chemical formula.
  • TDCV-TPA Tris [4- (5-dicyanomethylidenemethyl-2-thienyl) phenyl] amine
  • TDCV-TPA is a compound represented by the following chemical formula.
  • DPPcy was synthesized by the method described in the non-patent document ("SCIENTIFIC REPOTS", 2016, Vol. 6, p. 34096) and the patent document (International Publication No. 2019/151121).
  • Example 1 An evaluation sample of a light-receiving element was prepared by the method shown below, and the prepared light-receiving element was evaluated.
  • Example 1 In the method for producing a light emitting / receiving element of Example 1, first, chloroform (0.2 mL) is added into a sample bottle containing DPPcy (0.2 mg), and further, ultrasonic waves are generated in an ultrasonic cleaner for 30 minutes. Solution A was obtained by irradiation. Further, PEDOT: PSS solution (6.0 mL) and isopropyl alcohol (4.0 mL) were placed in a sample bottle and stirred to obtain a solution B for forming a hole transport layer. As the above PEDOT: PSS solution, H. C. "CLEVIOS P VP AI4083" manufactured by Stark Co., Ltd. was used.
  • an ITO transparent conductive layer (hereinafter abbreviated as ITO layer) serving as a cathode is deposited on a glass substrate by a sputtering method at 125 nm, the glass substrate is cut into a size of 38 mm ⁇ 46 mm, and then the ITO layer is photolithographically formed. It was patterned into a 38 mm ⁇ 13 mm rectangular shape by a lithography method. Subsequently, this glass substrate was ultrasonically cleaned with an alkaline cleaning solution (“Semicoclean” EL56 manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 10 minutes, and then washed with ultrapure water.
  • ITO layer an ITO transparent conductive layer serving as a cathode is deposited on a glass substrate by a sputtering method at 125 nm, the glass substrate is cut into a size of 38 mm ⁇ 46 mm, and then the ITO layer is photolithographically formed. It was patterned into a 38 mm
  • the above solution A was dropped onto the PEDOT: PSS layer and applied by a spin coating method.
  • a DPPcy layer having a film thickness of 8 nm was formed on the hole transport layer.
  • the glass substrate on which the DPPcy layer is formed and the vapor deposition mask are installed in a vacuum vapor deposition apparatus, and the inside of the apparatus is exhausted until the degree of vacuum becomes 1 ⁇ 10 -3 Pa or less, and the resistance heating method is used.
  • C 60 fullerene having a thickness of 25 nm was deposited on the DPPcy layer.
  • a light receiving / receiving layer having a laminated structure of a DPPcy layer and a layer of C 60 fullerene (hereinafter, abbreviated as C60 layer) was formed.
  • the glass substrate formed up to the C60 layer was taken out into the atmosphere, the vapor deposition mask was replaced with the electrode vapor deposition mask, and then the glass substrate and the electrode vapor deposition mask were installed in the vacuum vapor deposition apparatus.
  • the vacuum was exhausted again until the degree of vacuum was 1 ⁇ 10 -3 Pa or less.
  • a LiF layer having a thickness of 0.5 nm and an aluminum layer having a thickness of 100 nm as an electrode (anode) were deposited on the C60 layer of this glass substrate by a resistance heating method.
  • Example 1 a light-receiving element having an area of 5 mm ⁇ 5 mm at the intersection of the striped ITO layer and the silver layer was produced by the above-mentioned manufacturing method. After that, the glass substrate of this light receiving / receiving element was transferred to a glove box under a nitrogen atmosphere, and a photocurable resin (XNR5570 manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was applied to a glass (gas barrier layer base material) having a size of 20 mm ⁇ 20 mm. This was attached to the center of the glass substrate. Then, the photocurable resin was cured by irradiating with ultraviolet light (wavelength 365 nm, intensity 100 mWcm -2 ) for 1 minute.
  • a photocurable resin XNR5570 manufactured by Nagase ChemteX Corporation
  • Example 1 the external quantum yield spectrum (light receiving sensitivity spectrum) of the anode and cathode of the light emitting / receiving element manufactured as described above when the applied voltage is 0 V using a spectral sensitivity measuring device. was measured. Next, using a spectral irradiance measuring device, the emission spectrum when a current of 50 mA was applied to the light receiving / receiving element was measured. The obtained external quantum yield spectrum and the emission spectrum are each normalized to the maximum value, the region where each of these normalized spectra overlaps (overlap region) is estimated, and the overlap region with respect to the entire region of the normalized emission spectrum is obtained. Estimated percentage. Further, the overlapping region between the obtained external quantum yield spectrum (light receiving sensitivity spectrum before normalization) and the normalized emission spectrum was also estimated in the same manner.
  • the silicon photodiode is irradiated with light emitted when a current of 50 mA is applied to the light-receiving element of Example 1, and the current value of the silicon photodiode is measured to measure the amount of light emitted from the light-receiving element. did.
  • the reflection / absorption spectrum of the light-receiving / light-receiving element of Example 1 was measured when it received light that was specularly reflected at an angle of 5 °. From the obtained reflection absorption spectrum, the absorbance of the light receiving / receiving element was estimated by correcting the baseline by taking the difference from the minimum value in the wavelength range of 300 nm to 1200 nm.
  • the band gap (Eg) of each of the single material films was estimated from the absorption edge wavelength of the transmission absorption spectrum from the following equation.
  • Eg (eV) 1240 / Absorption end wavelength (nm)
  • HOMO HOMO (eV) -Eg (eV)
  • Example 1 the two light-receiving elements produced as described above are separated from each other so as to have a distance of 5 mm in a dark room, and the glass substrate surfaces on the ITO layer side of these light-receiving elements are separated from each other.
  • a current of 50 mA was applied to one of the light receiving and emitting elements to emit light, and a 2400 series source meter manufactured by Caseley Co., Ltd. was connected to the other light receiving and emitting element to change the applied voltage from -1V to + 1V. The current value at that time was measured. In addition, the current value when the applied voltage was changed from -1V to + 1V even in the dark without emitting light was measured.
  • the light receiving sensitivity to the light emitted from the light receiving / emitting element having the same configuration was measured, and used as an index of the light receiving sensitivity to the light emitted from the light emitting / receiving element itself. Further, from the current-voltage characteristics measured at the time of light emission, the open circuit voltage (voltage at which the current becomes 0) for light emission from the light receiving / receiving element having the same configuration was read.
  • Example 2 In Example 2, chloroform (0.2 mL) was added to a sample bottle containing DPPcy (0.4 mg), and the solution C was further obtained by ultrasonic irradiation for 30 minutes in an ultrasonic cleaner. .. Further, in Example 2, the light emitting / receiving element is manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 1 except that the solution A in the above-mentioned Example 1 is replaced with the solution C and the film thickness of the DPPcy layer is set to 15 nm. Was done.
  • Example 3 In Example 3, chloroform (0.2 mL) was added to a sample bottle containing DPPcy (1.0 mg), and the solution D was further obtained by ultrasonic irradiation for 30 minutes in an ultrasonic cleaner. .. Further, in Example 3, the light emitting / receiving element is manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 1 except that the solution A in Example 1 described above is replaced with the solution D and the film thickness of the DPPcy layer is set to 40 nm. Was done.
  • Example 4 In Example 4, chloroform (0.2 mL) was added to a sample bottle containing DPPcy (2.0 mg), and the solution E was further obtained by ultrasonic irradiation for 30 minutes in an ultrasonic cleaner. .. Further, in Example 4, the light emitting / receiving element is manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 1 except that the solution A in Example 1 described above is replaced with the solution E and the film thickness of the DPPcy layer is 70 nm. Was done.
  • Example 5 the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 1 except that the film thickness of the C60 layer was set to 40 nm.
  • Example 6 the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 2 except that the film thickness of the C60 layer was set to 40 nm.
  • Example 7 the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 3 except that the film thickness of the C60 layer was set to 40 nm.
  • Example 8 the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 4 except that the film thickness of the C60 layer was set to 40 nm.
  • Example 9 the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 2 except that the film thickness of the C60 layer was 75 nm.
  • Example 10 the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 3 except that the film thickness of the C60 layer was 75 nm.
  • Example 11 In Example 11, the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 4 except that the film thickness of the C60 layer was 75 nm.
  • Example 12 In Example 12, chloroform (0.2 mL) was added to a sample bottle containing 1.0 mg of rubrene and further ultrasonically irradiated for 30 minutes in an ultrasonic cleaner to obtain Solution I. Further, in Example 12, the solution A in Example 1 described above was replaced with the solution I, the DPPcy layer was made into a rubrene layer having a film thickness of 40 nm, and the DCV3T layer was made 25 nm by a vacuum vapor deposition method instead of the C60 layer. The light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 1 except that the film was formed with a film thickness.
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1, chloroform (0.2 mL) is added to a sample bottle containing 1.0 mg of rubrene (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and further, ultrasonic irradiation is performed in an ultrasonic cleaner for 30 minutes. To obtain solution F. Further, in Comparative Example 1, the light emitting / receiving element was manufactured and emitted in exactly the same manner as in Example 1 except that the solution A in the above-mentioned Example 1 was replaced with the solution F to form a rubrene layer having a film thickness of 40 nm. Measurements were made.
  • Comparative Example 2 In Comparative Example 2, chloroform (0.2 mL) is added to a sample bottle containing 1.0 mg of TDCV-TPA (manufactured by Aldrich), and further ultrasonically irradiated in an ultrasonic cleaner for 30 minutes. To obtain solution G. Further, in Comparative Example 2, the light emitting / receiving element was similarly subjected to the same as that of Example 1 except that the solution A in the above-mentioned Example 1 was replaced with the solution G to form a TDCV-TPA layer having a film thickness of 40 nm. Fabrication and measurement were performed.
  • Comparative Example 3 (Comparative Example 3)
  • an Alq3 layer having a thickness of 40 nm was deposited on the ITO substrate, then a quinacridone layer having a thickness of 40 nm was deposited on the Alq3 layer, and then an electrode was formed on the quinacridone layer.
  • the aluminum layer was deposited so as to have a thickness of 100 nm.
  • the light receiving / receiving element of Comparative Example 3 was manufactured.
  • the light emitting / receiving element was measured in the same manner as in Example 1 except that the current condition for causing the light receiving / emitting element to emit light was changed from 50 mA to 3 mA.
  • the light emitting condition of Comparative Example 3 was changed because the light emitting / receiving element deteriorates and does not emit light when a current larger than 3 mA is applied.
  • Comparative Example 4 (Comparative Example 4)
  • chloroform (0.2 mL) is added to a sample bottle containing 1.0 mg of DPPcy and 1.0 mg of 60 PCBM, and further ultrasonically irradiated in an ultrasonic cleaner for 30 minutes.
  • solution H Further, in Comparative Example 4, except that the solution A in Example 1 described above was replaced with the solution H to form a uniform mixed layer (thickness 100 nm) of DPPcy and 60 PCBM, and C 60 fullerene was not deposited.
  • the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 1.
  • Comparative Example 5 (Comparative Example 5) In Comparative Example 5, ethyl acetate (0.2 mL) was added to a sample bottle containing 1.0 mg of DPPcy, and the solution J was further obtained by ultrasonic irradiation for 30 minutes in an ultrasonic cleaner. .. Further, in Comparative Example 5, a C60 layer having a film thickness of 40 nm was formed by a vacuum vapor deposition method instead of the DPPcy layer in Example 1, and the solution J was applied by a spin coating method instead of the C60 layer in Example 1. A DPPcy layer having a film thickness of 40 nm was formed.
  • Comparative Example 5 the light emitting / receiving element was manufactured and measured in exactly the same manner as in Example 1 except for the formation of the C60 layer and the DPPcy layer. In Comparative Example 5, as a result of the emission measurement, there was no emission, and the maximum emission wavelength and the emission spectrum could not be specified, so that the light absorption characteristics and the emission reception characteristics could not be evaluated.
  • Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 5 described above are summarized in Tables 1-1 to 1-3 below.
  • C60 in the "light emitting / receiving layer material” column and the "light absorption characteristic” column means C 60 fullerene.
  • Em in the "emission characteristic” column means the maximum emission wavelength energy
  • current value means the current value of the silicon photodiode.
  • the “absorbance” in the "light absorption characteristic” column means the absorbance of the light receiving / receiving element at the maximum emission wavelength.
  • the “specific material” means a light emitting / receiving layer material having Eg smaller than the maximum emission wavelength energy.
  • the “absorption coefficient” means the single film extinction coefficient at the maximum emission wavelength of the light receiving and receiving layer material of Eg smaller than the maximum emission wavelength energy.
  • the "light receiving sensitivity” in the “light receiving characteristics” column means the light receiving sensitivity (external quantum yield) of the light receiving / receiving element at the maximum emission wavelength.
  • the “ratio of overlapping regions (1)” in the “reception / emission characteristics” column means the ratio of the overlapping region of the normalized light-receiving sensitivity spectrum and the normalized emission spectrum to the entire region of the normalized emission spectrum. ..
  • the “ratio of overlapping regions (2)” means the ratio of the overlapping region of the light receiving sensitivity spectrum before standardization and the standardized emission spectrum to the entire region of the standardized emission spectrum.
  • the "light receiving sensitivity" in the "light receiving / emitting characteristic” column means the light receiving sensitivity to the light emitted from the light receiving / emitting element having the same configuration.
  • “Open-circuit voltage” means an open-circuit voltage for light emission from a light-receiving element having the same configuration.
  • Example 13 In the thirteenth embodiment, by the same manufacturing method as that of the seventh embodiment, two independent light receiving and emitting elements having a size of 5 mm ⁇ 5 mm are placed on the same glass substrate so that the distance between them is 3 mm. A biological sensing device was manufactured in which these two light receiving / receiving elements were provided on the glass substrate. Further, in Example 13, the pulse wave of the human body was measured by using the produced biological sensing device. Specifically, first, the middle finger of the subject was brought into contact with the glass substrate surface of this biological sensing device.
  • one of the light-receiving elements is energized with a current of 50 mA to emit light, and the other light-receiving element is connected to a 2400 series source meter manufactured by Caseley Co., Ltd. and applied.
  • the current value (light receiving current) when the voltage was 0 V was measured every 0.1 seconds, and the pulse wave was measured.
  • Example 13 for example, as shown in FIG. 4, the measurement result of the pulse wave represented by the received light current for each measurement time was obtained.
  • Example 14 In Example 14, two independent light-receiving elements having a size of 5 mm ⁇ 5 mm are placed on the same glass substrate by the same method for producing the light-receiving element as in Example 12, so that the distance between them is 3 mm.
  • a biological sensing device was manufactured in which these two light receiving / receiving elements were provided on the glass substrate. Further, in Example 14, the pulse wave of the human body was measured using the produced biological sensing device. Specifically, first, the middle finger of the subject was brought into contact with the glass substrate surface of this biological sensing device.
  • one of the light-receiving elements is energized with a current of 50 mA to emit light, and the other light-receiving element is connected to a 2400 series source meter manufactured by Caseley Co., Ltd. and applied.
  • the current value (light receiving current) when the voltage was 0 V was measured every 0.1 seconds, and the pulse wave was measured.
  • Example 14 for example, as shown in FIG. 5, the measurement result of the pulse wave represented by the received light current for each measurement time was obtained.
  • Comparative Example 6 In Comparative Example 6, two independent light-receiving elements having a size of 5 mm ⁇ 5 mm are placed on the same glass substrate with a distance of 3 mm from each other by the same method for producing the light-receiving element as in Comparative Example 1. A biological sensing device was formed and equipped with these two light receiving / receiving elements on the glass substrate. Further, in Comparative Example 6, the pulse wave of the human body was measured using the produced biological sensing device. Specifically, first, the middle finger of the subject was brought into contact with the glass substrate surface of the produced biological sensing device.
  • one of the light-receiving elements is energized with a current of 50 mA to emit light, and the other light-receiving element is connected to a 2400 series source meter manufactured by Caseley Co., Ltd. and applied.
  • the current value (light receiving current) when the voltage was 0 V was measured every 0.1 seconds, and the pulse wave was measured.
  • Comparative Example 6 for example, as shown in FIG. 6, a clear measurement result of the pulse wave could not be obtained.
  • the light receiving / receiving element according to the present invention, the electronic device using the same, and the biological sensing device are the light receiving / receiving element having good light receiving sensitivity to the light emitted from the light receiving / emitting element having the same configuration, and the electronic device using the light receiving / receiving element. And suitable for biosensing devices.
  • Substrate 2 Anode 3 Hole transport layer 4 Light receiving / emitting layer 5 Electron transporting layer 6
  • Cathode 10 Light receiving / emitting element 101 Normalized light receiving sensitivity spectrum 101A

Abstract

受発光素子(10)は、陽極(2)と、陰極(6)と、これら陽極(2)および陰極(6)の間に位置し、2種以上の有機材料から成る受発光層(4)とを備える。受発光層(4)は、「電子供与性材料のHOMO>電子受容性材料のHOMO」と「電子供与性材料のLUMO>電子受容性材料のLUMO」とによって表されるエネルギー凖位の関係性を満たす電子供与性材料および電子受容性材料を含む。これらの材料のうち少なくとも一方は、受発光層(4)への電圧印加時の最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップを有する。電子供与性材料は、受発光層(4)内の陽極側に偏在する。この受発光素子(10)の規格化した受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なる領域は、前記規格化した発光スペクトルの領域の50%以上を占める。

Description

受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイス
 本発明は、受光素子としての機能と発光素子としての機能を併せ持つ受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイスに関する。
 近年、IoT(Internet of Things)やビッグデータが注目を集めており、それを支える様々なデータを取得するセンシング技術の重要度が増している。センシング技術には様々な方式が存在するが、中でも、光センシングは、対象波長を変えることによりセンシング対象を変えることができるなど、多様な用途展開が可能であり、有用性が高いセンシング技術の一つである。
 光センサーは、一般に、発光素子と受光素子とを独立に備え、発光素子からの光を対象物に照射し、対象物を透過もしくは反射した光を受光素子により受光してセンシングする。このような光センサーは、例えば、波長として近赤外光を用いることにより、生体情報を読み取ることが可能である。さらに、基板や発光素子、受光素子を主に有機物で形成することにより、薄型でフレキシブルなデバイスを構成することが可能である(例えば非特許文献1参照)。
 また、これら発光素子と受光素子とを基板上に多数並べて配置し、アレイ化することにより、撮像デバイスとして用いることも可能である。このような技術として、例えば、非特許文献2には、有機受光素子を薄型トランジスタアレイ(TFTアレイ)基板上に配置した、生体情報を読み取り可能なフレキシブル撮像デバイスが開示されている。しかしながら、このデバイスには発光素子は組み込まれていないため、別途外部からの光源が必要となる。また、特許文献1には、複数の発光素子と複数の受光素子とを基板上に多数独立に並べて配置した受発光一体型デバイスが開示されている。特許文献1に記載のデバイスでは、受発光一体型とすることにより、外部からの光源を不要とすることができ、より薄型でフレキシブルなデバイスが構成可能である。しかしながら、このように、複数の発光素子と複数の受光素子とを基板上に多数独立に作り分けるには、多大な手間がかかるとともに、製造方法によっては一素子の領域を小さくすることに限界がある。さらに、発光素子と受光素子とを同一基板内に独立に作り分けることから、基板内でセンシングを行う受光領域が少なくなり、高精細化にも限界が生じる。
 一方で、特許文献2には、受光機能と発光機能とを併せ持つ撮像素子が開示されている。受光機能と発光機能とを併せ持つ素子を用いることにより、発光素子と受光素子とを作り分ける必要がなくなり、製造が容易となる。さらに、このような機能を持つ素子として、ルブレンとフラーレンとを積層した素子や、トリフェニルアミン化合物とフラーレンとを積層した素子も提案されている(例えば、非特許文献3および4参照)。また、ポリチオフェンとフラーレン誘導体との混合層にルブレンを少量添加した素子も提案されている(例えば、非特許文献5参照)。
「サイエンス アドバンスズ(Science Advances」、2016年、2巻、e1501856頁 「ネイチャー エレクトロニクス(Nature Electronics」、2020年、3巻、113-121頁 「アドヴァンスト マテリアルズ(Advanced Materials)」、2007年、19巻、3613-3617頁 「アドヴァンスト マテリアルズ(Advanced Materials)」、2006年、18巻、3033-3037頁 「シンセティック メタルズ(Synthetic Metals)」、2012年、162巻、281-284頁
特開2013-73965号公報 特開2009-81297号公報
 本発明者らは、受光機能と発光機能とを併せ持つ素子(以下、受発光素子と称する)であれば、外部光源を必要とせず、薄型でフレキシブルな光センシングデバイスが構成可能となり、様々な用途へ適用可能と考えた。しかしながら、従来提案されてきた受発光素子では、同一構成の受発光素子からの発光に対する受光感度が不十分であった。
 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、同一構成の受発光素子からの発光に対する受光感度が良好な受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイスを提供することを目的とする。
 本発明者らは、検討を重ねた結果、受発光素子の受光感度スペクトルと発光スペクトルとの重なりが特に重要であることを見出した。すなわち、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る受発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に位置し、2種以上の有機材料から成る受発光層と、を備え、前記受発光層は、下記の式(1)および式(2)によって表されるエネルギー凖位の関係性を満たす電子供与性材料および電子受容性材料を含み、前記電子供与性材料および前記電子受容性材料のうち少なくとも一方は、前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップを有する受発光層材料であり、前記電子供与性材料は、前記受発光層内において前記陽極側に偏在し、規格化した受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なる領域は、前記規格化した発光スペクトルの領域の50%以上を占める、ことを特徴とする。
電子供与性材料のHOMO>電子受容性材料のHOMO・・・(1)
電子供与性材料のLUMO>電子受容性材料のLUMO・・・(2)
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、規格化前の受光感度スペクトルと前記規格化した発光スペクトルとの重なる領域は、前記規格化した発光スペクトルの領域の5%以上を占める、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、前記電子供与性材料が、前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップを有する前記受発光層材料である、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長における吸光度が0.1以上である、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長における、前記受発光層材料の単一膜の吸光係数が30000cm-1以上である、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、前記受発光層は、ドメインサイズが40nm以上の受光部および発光部のうち少なくとも一つを有する、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長が700nm以上である、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、前記受発光層は、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物およびフラーレン化合物を含む、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る受発光素子は、上記の発明において、前記受発光層は、ルブレン化合物およびチオフェン化合物を含む、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る電子デバイスは、上記の発明のいずれか一つに記載の受発光素子を基板上に複数備える、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る電子デバイスは、上記の発明において、複数の前記受発光素子は、互いに同一構成の受発光素子である、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る電子デバイスは、上記の発明のいずれか一つに記載の受発光素子を複数備え、複数の前記受発光素子は、互いに同一構成の受発光素子であり、複数の前記受発光素子のうち、少なくとも一つの第1受発光素子は、対象物に光を発光して照射し、前記第1受発光素子以外の第2受発光素子は、前記対象物を透過または反射した光を受光する、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る電子デバイスは、上記の発明のいずれか一つに記載の受発光素子をTFTアレイ基板上に備える、ことを特徴とする。
 また、本発明に係る生体センシングデバイスは、上記の発明のいずれか一つに記載の受発光素子を備える、ことを特徴とする。
 本発明によれば、製造が容易で、かつ同一構成の受発光素子からの発光に対する受光感度が良好な受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイスを提供することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る受発光素子の規格化した受光感度スペクトルおよび規格化した発光スペクトルの一例を示す図である。 図2は、本発明の実施形態に係る受発光素子の規格化前の受光感度スペクトル(外部量子収率スペクトル)および規格化した発光スペクトルの一例を示す図である。 図3は、本発明の実施形態に係る受発光素子の一態様を示す断面模式図である。 図4は、実施例13において作製した生体センシングデバイスによる脈波計測結果の一例を示す図である。 図5は、実施例14において作製した生体センシングデバイスによる脈波計測結果の一例を示す図である。 図6は、比較例6において作製した生体センシングデバイスによる脈波計測結果の一例を示す図である。
 以下、本発明に係る受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイスの実施形態を具体的に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、目的や用途に応じて種々に変更して実施することができる。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。
(受発光素子)
 本発明の実施形態に係る受発光素子は、陽極と陰極とを備え、これら陽極および陰極の間に、2種以上の有機材料から成る受発光層を備えている。この受発光素子において、受発光層は、陽極に正の電圧を印加したときに発光機能を示し、陽極にゼロまたは負の電圧を印加した場合には受光機能を示す層である。また、陽極および陰極のうち少なくとも一方は、光透過性を有することが好ましい。
 本発明の実施形態に係る受発光素子は、「規格化した受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なる領域(以下、重なり領域と適宜略す)が、この規格化した発光スペクトルの領域の50%以上を占める」という条件を満足する。図1は、本発明の実施形態に係る受発光素子の規格化した受光感度スペクトルおよび規格化した発光スペクトルの一例を示す図である。例えば図1に示すように、この規格化した受光感度スペクトル101は、この規格化した発光スペクトル102と一部重なった状態にある。これら規格化した受光感度スペクトル101と規格化した発光スペクトル102との重なり領域103は、この規格化した発光スペクトル102の領域の50%以上を占めている。すなわち、この規格化した発光スペクトル102の全領域に対する重なり領域103の割合は、50%以上である。このように上記両スペクトル同士の重なりを設定することによって、当該受発光素子は、これと同一構成の受発光素子からの発光に対して高い受光感度を達成することができる。
 本発明において、受光感度スペクトルとは、受発光素子に各波長の光を照射した際の光電変換応答性を外部量子収率で示したスペクトルのことである。規格化した受光感度スペクトルとは、当該受光感度スペクトルを後述の手法によって規格化したものである。規格化した発光スペクトルは、当該受発光素子の発光スペクトルを後述の手法によって規格化したものである。また、図1において、規格化受光感度は、規格化した受光感度スペクトルによって示される受光感度の規格化値である。規格化発光強度は、規格化した発光スペクトルによって示される発光強度の規格化値である。
 また、本発明の実施形態に係る受発光素子は、「規格化前の受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なる領域が、この規格化した発光スペクトルの領域の5%以上を占める」という条件を満足することが、さらに好ましい。図2は、本発明の実施形態に係る受発光素子の規格化前の受光感度スペクトルおよび規格化した発光スペクトルの一例を示す図である。例えば図2に示すように、この規格化前の受光感度スペクトル101Aは、この規格化した発光スペクトル102と一部重なった状態にある。これら規格化前の受光感度スペクトル101Aと規格化した発光スペクトル102との重なり領域103Aは、この規格化した発光スペクトル102の領域の5%以上を占めることが好ましい。すなわち、この規格化した発光スペクトル102の全領域に対する重なり領域103Aの割合は、5%以上であることが好ましい。当該重なり領域103Aの割合として、より好ましくは10%以上である。これにより、当該受発光素子自身からの発光に対する当該受発光素子の受光感度をより高めることができる。なお、規格化前の受光感度スペクトルとは、当該受発光素子の受光感度スペクトルを規格化する前のもの(すなわち規格化していない受光感度スペクトル)である。
 受光感度スペクトルは、分光感度測定装置によって測定することができる。例えば、受発光素子に単色光を照射した際の電流応答性を分光感度測定装置によって測定し、その光電変換応答性を外部量子収率に変換することにより、目的の受光感度スペクトルを表示することができる。受光感度スペクトルは、上記のようにして得られた外部量子収率の波長依存性の最大値で各波長の外部量子収率を割ることにより、規格化することができる。また、発光スペクトルは、分光放射照度計を用いて、各波長の発光量を測定することで得られる。発光スペクトルは、上記のようにして得られた発光量の波長依存性の最大値で各波長の発光量を割ることにより、規格化することができる。
 さらに、本発明の実施形態に係る受発光素子において、受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長における受発光素子の吸光度は、0.1以上であることが好ましい。この吸光度を0.1以上とすることにより、受発光素子自身からの発光に対する受光感度をより高めることができる。ここで、受発光素子の吸光度は、受発光素子の反射吸収スペクトルを測定することにより得られる。このとき、例えば300nm~1200nmの波長範囲で測定した受発光素子の最小吸光度をベースラインとして補正を行い、実測した受発光素子の反射吸収スペクトルとベースライン値(最小吸光度)との差分が、目的とする吸光度となる。なお、最大発光波長は、発光スペクトルにおいて発光量(発光強度)が最大ピークとなるときの波長である。
 このように、同一構成の受発光素子からの発光に対して高い受光感度を達成することにより、受光素子と発光素子とを作り分ける必要がなくなり、製造が容易であり且つ受光機能と発光機能とを併せ持つ受発光素子を実現することが可能となる。このような受発光素子を用いることにより、当該受発光素子の作用効果を享受し得る光センサーを実現することが可能となる。
 また、本発明の実施形態に係る受発光素子において、受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長は、700nm以上(すなわち赤外光波長領域の波長)であることが好ましい。このような赤外光波長領域に最大発光波長を有することにより、当該受発光素子を適用した光センサーは、人の目に不可視な光の受発光によって動作可能なものとなる。また、700nm~1400nmの波長範囲は、生体の窓と呼ばれる領域である。本発明の実施形態に係る受発光素子は、この波長範囲の受発光応答性を有することにより、生体センシングに好適に適用することができる。発光スペクトルは、その形状がシャープであるほうが、ブロード化しやすい受光感度スペクトルとの重なりを大きくしやすい。このため、発光スペクトルの半値幅は、より狭いことが好ましい。また、波長によってセンシング対象を選別するためにも、発光スペクトルの半値幅は、より狭いことが好ましい。具体的には、発光スペクトルの半値幅は、60nm以下であることが好ましい。
 図3は、本発明の実施形態に係る受発光素子の一態様を示す断面模式図である。図3に示すように、本実施形態に係る受発光素子10は、基板1の上に、陽極2と、陰極6と、これら陽極2および陰極6の間に位置する受発光層4とを備えている。また、受発光素子10は、陽極2および受発光層4の間に位置する正孔輸送層3と、陰極6および受発光層4の間に位置する電子輸送層5とを備えている。例えば、図3に示す受発光素子10は、基板1の上に、陽極2、正孔輸送層3、受発光層4、電子輸送層5および陰極6をこの順に有している。
 なお、受発光素子10は、図3に示す積層構造のものに限定されない。特に図示しないが、例えば、受発光素子10の他の態様として、基板1の上に、陰極6、電子輸送層5、受発光層4、正孔輸送層3および陽極2をこの順に有する受発光素子とすることも可能である。
 受発光素子10が発光および受光を行うために、陽極2および陰極6のいずれか一方は光透過性を有することが好ましい。これらの電極のうち光透過性を有するものは、基板1側の電極(図3では陽極2)であってもよいし、基板1とは反対側の電極(図3では陰極6)であってもよい。
 基板1は、種類や用途に応じて、電極材料や有機半導体層が積層できる基板である。例えば、基板1として、無機材料または有機材料から任意の方法によって作製されたフィルムや板が使用可能である。基板1を構成する無機材料としては、無アルカリガラス、石英ガラス、アルミニウム、鉄、銅、およびステンレスなどの合金等が挙げられる。基板1を構成する有機材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレンポリメチルメタクリレート、エポキシ樹脂やフッ素系樹脂等が挙げられる。また、受発光素子10が基板1側から発光または受光する場合、基板1として用いられるフィルムまたは板は、80%程度の光透過性を持たせたものであることが好ましい。また、複数の受発光素子10を多数配列して使用する場合、基板1は、TFTアレイと組み合わせたもの(TFTアレイ基板)であることが好ましい。基板1上にTFTアレイを形成しておくことも好ましい態様の一つである。
 陽極2および陰極6(以下、これらを総称して「電極」と適宜略す)は、導電性材料から構成される。例えば、電極の素材としては、金、白金、銀、銅、鉄、亜鉛、錫、アルミニウム、インジウム、クロム、ニッケル、コバルト、スカンジウム、バナジウム、イットリウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、モリブデン、タングステン、チタンなどの金属のほか、金属酸化物、複合金属酸化物(インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、アルミニウム亜鉛酸化物(AZO)、ガリウム亜鉛酸化物(GZO)など)、アルカリ金属やアルカリ土類金属(リチウム、マグネシウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム)などが好ましく用いられる。さらに、これらの金属からなる合金やこれらの金属の積層体からなる電極も好ましく用いられる。また、グラファイト、グラファイト層間化合物、カーボンナノチューブ、グラフェン、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体を含む電極も好ましく用いられる。また、電極は、2種以上の材料から成る混合層であってもよいし、2種以上の化合物から成る複数の層を積層した積層構造の層であってもよい。
 また、陽極2および陰極6のうち少なくとも一方は、光透過性を有することが好ましい。本発明においては、陽極2および陰極6のいずれか一方が光透過性を有すればよいが、これら陽極2および陰極6の両方が光透過性を有してもよい。ここで、「光透過性を有する」とは、「受発光層に入射光が到達して起電力が発生する程度、および受発光層に電圧を印加して発生した光が外部へ取り出される程度に光を透過すること」を意味する。すなわち、電極が光透過率として0%を超える値を有する場合、当該電極は光透過性を有することとなる。この光透過性を有する電極は、400nm以上900nm以下の全ての波長領域において60%~100%の光透過率を有することが好ましい。また、光透過性を有する電極の厚さは、十分な導電性が得られる程度の厚さであればよく、材料によって異なるが、20nm~300nmであることが好ましい。なお、光透過性を有しない電極は、導電性があれば十分であり、厚さも特に限定されない。
 正孔輸送層3は、本発明における受発光素子に必須の構成部ではない。しかし、正孔輸送層3を設けることによって、キャリアを取り出したり或いは注入したりするのに適した界面状態を形成できるとともに、電極間の短絡を防止する効果がある。したがって、本発明において、受発光素子は、正孔輸送層3が設けられていることが好ましい。例えば、図3に示す受発光素子10は、陽極2と受発光層4との間に正孔輸送層3を備えている。
 例えば、正孔輸送層3を形成する材料としては、ポリチオフェン系重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体、ポリピロール重合体、ポリアニリン重合体、ポリフラン重合体、ポリピリジン重合体、ポリカルバゾール重合体などの導電性高分子や、フタロシアニン誘導体(H2Pc、CuPc、ZnPcなど)、ポルフィリン誘導体、アセン系化合物(テトラセン、ペンタセンなど)などのp型半導体特性を示す低分子有機化合物、カーボンナノチューブやグラフェン、酸化グラフェンなどの炭素化合物、MoO3などの酸化モリブデン(MoOx)、WO3などの酸化タングステン(WOx)、NiOなどの酸化ニッケル(NiOx)、V25などの酸化バナジウム(VOx)、ZrO2などの酸化ジルコニウム(ZrOx)、Cu2Oなどの酸化銅(CuOx)、ヨウ化銅、RuO4などの酸化ルテニウム(RuOx)、Re27などの酸化ルテニウム(ReOx)などの無機化合物が好ましく用いられる。特に、ポリチオフェン系重合体であるポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)やPEDOTにポリスチレンスルホネート(PSS)が添加されたもの、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステンは、正孔輸送層3の材料として好ましく用いられる。正孔輸送層3は、単独の化合物から成る層であってもよいし、2種以上の化合物から成る混合層であってもよいし、2種以上の化合物から成る複数の層を積層した積層構造の層であってもよい。
 正孔輸送層3と隣接する陽極2が光透過性を有する構成を受発光素子10に適用する場合、正孔輸送層3は、受発光素子10(詳細には受発光層4)に電圧印加した際の発光波長に対して光透過性が高いことが好ましい。すなわち、この場合、正孔輸送層3の材料が、上記発光波長に対して光吸収能を持たない材料であることがより好ましい。また、正孔輸送層3の厚さは、特に限定されないが、5nm以上600nm以下であることが好ましく、10nm以上200nm以下であることがより好ましい。
 受発光層4は、陽極2および陰極6の間に形成される。例えば図3に示す受発光素子10では、受発光層4は、陽極2側の正孔輸送層3と陰極6側の電子輸送層5との間に形成されている。受発光層4は、陽極2に正の電圧を印加することによって電圧が印可される。受発光層4は、このように正の電圧が印可された場合に発光機能を示し、陽極2にゼロまたは負の電圧が印加された場合に受光機能を示す層である。
 受発光層4は、上記の発光機能および受光機能を有するものであり、2種以上の有機材料から成る。有機材料とは、高分子材料や低分子材料のことを指し、化学構造の一部に金属原子を含むような錯体も含む。また、受発光層4は、電子供与性材料および電子受容性材料を含む。これらの材料を受発光層4が含むことで、受発光層4が受光した際の電荷分離が促進され、受発光層4の受光感度を高めることができる。これらの電子供与性材料および電子受容性材料は、下記の式(1)および式(2)によって表されるエネルギー凖位の関係性を満たす。
  電子供与性材料のHOMO>電子受容性材料のHOMO・・・(1)
  電子供与性材料のLUMO>電子受容性材料のLUMO・・・(2)
式(1)および式(2)において、HOMOは、最高被占軌道のエネルギー準位であり、LUMOは、最低空軌道のエネルギー準位である。
 また、これら電子供与性材料および電子受容性材料のエネルギー準位差は、下記の式(3)および式(4)を満たすことが好ましい。
  電子供与性材料のHOMO-電子受容性材料のHOMO>0.5eV ・・・(3)
  電子供与性材料のLUMO-電子受容性材料のLUMO>0.5eV ・・・(4)
また、高い開放電圧を得るという観点から、これら電子供与性材料および電子受容性材料のエネルギー準位差は、下記の式(5)を満たすことが好ましい。
  電子供与性材料のHOMO-電子受容性材料のLUMO>1.0eV ・・・(5)
 また、受発光層4に含まれる電子供与性材料および電子受容性材料のうち少なくとも一方は、当該受発光層4に電圧を印加した際の最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップの材料(以下、受発光層材料という)である。このような受発光層材料を受発光層4が含むことで、上述の規格化した受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なり領域の、当該規格化した発光スペクトルの全領域に対する割合を容易に50%以上に高めることができる。
 さらに、受発光層4の内部において、上述した電子供与性材料は、陽極2側に偏在している。受発光層4が電子供与性材料について上記のような非対称の構成をとることで、受発光層4は、電荷輸送性を高めて受光感度を向上させるとともに、電荷ブロックにより再結合性が向上して発光強度も向上させることができる。ここで、「陽極側に偏在している」とは、受発光層の膜厚方向の分布において、陰極側よりも陽極側で濃度が高いことを指す。具体的には、受発光層4の膜厚方向の中心位置よりも陽極2側の領域における濃度(例えば電子供与性材料の濃度)が、受発光層4の膜厚方向の中心位置よりも陰極6側の領域に比べて高いことである。このような構成として、例えば、電子供与性材料と電子受容性材料との積層構造や、それらに電子供与性材料と電子受容性材料との混合層を含む積層構造などが挙げられる。これとは逆に、受発光層4の内部において、電子供与性材料が陰極6側に偏在している場合、受発光層4への電荷注入が生じにくくなり、さらに、電荷ブロックの効果が得られなくなるため、発光強度の低下を招く。また、上記電子供与性材料の陰極6側への偏在は、受光機能を用いようとする場合、受発光層4の内部で発生した電子が電子供与性材料を移動しにくいため、受光感度の低下も引き起こす。
 また、受発光層4に含まれる電子供与性材料および電子受容性材料のうち、電子供与性材料が、当該受発光層4に電圧を印加した際の最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップを有する受発光層材料であることが好ましい。有機材料は、種々の外部要因(酸素など)の影響によってp型半導体性を示すことが強く、すなわち電子供与性材料に適する。したがって、電子供与性材料を上記受発光層材料とした方が、電子受容性材料を上記受発光層材料とした場合に比べて高い受光感度を得やすい。
 また、受発光層4は、上記以外の材料を含んでいてもよい。当該材料は、受発光層4の内部において、単一材料層を形成するものであってもよいし、混合層を形成するものであってもよい。当該材料から成る単一材料層または混合層としては、例えば、ホスト材料に発光性ドーパント材料を混合した発光層などが挙げられる。また、受発光層4の厚さは、特に限定されないが、30nm以上1000nm以下であることが好ましく、40nm以上1000nm以下であることがより好ましい。
 また、受発光層4は、ドメインサイズが40nm以上の受光部および発光部のうち少なくとも一つを有することが好ましい。受発光層4が単一材料層である場合、受発光層4の平面方向の長さ(幅または奥行きなど)よりも厚みが十分に小さければ、受発光層4の平均厚みが、当該受発光層4における単一組成部分の平均ドメインサイズである。上記の構成によって受発光層4の発光機能が高まる原因は明らかではないが、発光材料の励起子を閉じ込めて、無輻射失活を抑えることができるため、受発光層4の発光機能が高まると考えられる。
 また、受発光層4の発光波長および受光波長の制御性や、受発光素子10のフレキシブル化への対応性、さらに、電荷輸送性の観点から、受発光層4の90%以上は、有機半導体であることが好ましい。
 また、受発光層4は、その構成に依らず、いずれかの層に発光材料を含む。当該発光材料は、受発光層4において単一材料層を形成してもよいし、前述のようにホスト材料に発光性ドーパント材料を混合した混合層を受発光層4において形成してもよい。当該発光材料は、上述した電子供与性材料に該当するのであれば、電子受容性材料との混合層を受発光層4において形成してもよい。当該発光材料は、上述した電子受容性材料に該当するのであれば、電子供与性材料との混合層を受発光層4において形成してもよい。
 最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップの受発光層材料は、その単一膜の、受発光層4に電圧を印加した際の最大発光波長における吸光係数が30000cm-1以上であることが好ましい。当該吸光係数として、より好ましくは50000cm-1以上であり、さらに好ましくは90000cm-1以上である。このような受発光層材料を用いることで、受発光素子10の受光感度を一層高めることができる。受発光層材料は、発光材料であってもよいし、発光材料とは別の材料であってもよい。受発光層材料が発光材料である場合、当該発光材料は、ストークスシフトが小さい材料であることが好ましい。ストークスシフトが十分に小さい材料を受発光層材料として用いることで、発光と受光との両方の機能を受発光層4に容易に持たせることが可能である。なお、最大発光波長エネルギーは、最大発光波長における発光エネルギーであり、最大発光波長エネルギーをEmaxとし、最大発光波長をλmaxとした場合、プランク定数hと光速cとを用いて次式で表される。
  Emax=h×c/λmax
 以上のような受発光層4を形成する材料としては、例えば、ポリチオフェン系重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体、ポリピロール重合体、ポリアニリン重合体、ポリフラン重合体、ポリピリジン重合体、ポリカルバゾール重合体などの導電性高分子や、フタロシアニン誘導体(H2Pc、CuPc、ZnPcなど)、ポルフィリン誘導体、アセン系化合物(テトラセン、ペンタセンなど)などのp型半導体特性を示す低分子有機化合物、電子受容性有機材料(NTCDA、PTCDA、PTCDI-C8H、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ホスフィンスルフィド誘導体、キノリン誘導体、フラーレン化合物、CNT、CN-PPV、IEICO、ITIC、Y6など)のようにn型半導体特性を示す有機材料、ルブレン、キナクリドン化合物、クマリン化合物、ピロメテン化合物、ジケトピロロピロール化合物、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物などの発光材料などが挙げられる。受発光層4を形成する材料は、これら例示したものに限定されず、所望の発光波長、受光波長に応じて、有機半導体や発光材料から適宜選択して組み合わせればよい。
 中でも、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物は、ストークスシフトが小さく、受発光層4に発光と受光との両方の機能を持たせることについて有効な材料である。さらに、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物は、700nm以上の発光波長を有していることから、受発光層4に電圧を印可した際の最大発光波長を700nm以上とするうえで、受発光層4に含まれる好ましい材料の一つである。また、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物を電子供与性材料として機能させるために、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物とフラーレン化合物とを組み合わせることも、受発光層4に含まれる材料の好ましい態様の一つである。
 また、上記ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物とフラーレン化合物との組み合わせ以外では、可視光領域で発光するルブレン化合物と、可視光領域における光吸収性の高いチオフェン化合物とを組み合わせることも、受発光層4に含まれる材料の好ましい態様の一つである。
 ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物の具体的な構造としては、例えば、非特許文献「サイエンティフィックレポート(SCIENTIFIC REPOTS)」、2016年、6巻、34096頁に記載の下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 フラーレン化合物の具体例として、C60フラーレン、C70フラーレン、C76フラーレン、C78フラーレン、C82フラーレン、C84フラーレン、C90フラーレン、C94フラーレンなどの無置換のものと、[6,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドメチルエステル([6,6]-C61-PCBM、または[60]PCBM)、[5,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドメチルエステル、[6,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドヘキシルエステル、[6,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドドデシルエステル、フェニル-C71-ブチリックアシッドメチルエステル([70]PCBM)などの置換誘導体などが挙げられる。なかでも、C60フラーレンがより好ましい。
 ルブレン化合物としては、例えば、置換されていないルブレンや、アルキル基やハロゲン基で置換されたルブレンなどが挙げられる。
 チオフェン化合物としては、例えば、無置換のオリゴチオフェン(ターチオフェン、クウォーターチオフェン、セキシチオフェン、オクチチオフェンなど)や、アルキル基やハロゲン基で置換されたオリゴチオフェン、ジシアノビニレン基で置換されたオリゴチオフェン、アルキル基やハロゲン基およびジシアノビニレン基で置換されたオリゴチオフェンなどが挙げられる。ジシアノビニレン基で置換する場合、ジシアノビニレン基はオリゴチオフェンの両末端に置換されていることが好ましい。このような化合物として、例えば、3’,4’-ジブチル-5,5”-ビス(ジシアノビニル)-2,2’-5’,2”-ターチオフェン(DCV3T)などが挙げられる。
 電子輸送層5は、本発明における受発光素子に必須の構成部ではない。しかし、電子輸送層5を設けることによって、キャリアを取り出したり或いは注入したりするのに適した界面状態を形成できるとともに、電極間の短絡を防止する効果がある。したがって、本発明において、受発光素子は、電子輸送層5が設けられていることが好ましい。例えば、図3に示す受発光素子10は、陰極6と受発光層4との間に電子輸送層5を備えている。
 例えば、電子輸送層5を形成する材料としては、上述の電子受容性有機材料(NTCDA、PTCDA、PTCDI-C8H、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ホスフィンスルフィド誘導体、キノリン誘導体、フラーレン化合物、CNT、CN-PPVなど)のようにn型半導体特性を示す有機材料が好ましく用いられる。また、イオン性の置換フルオレン系ポリマー(「アドバンスド マテリアルズ(Advanced Materials)」、2011年、23巻、4636-4643頁、「オーガニック エレクトロニクス(Organic Electronics)」、2009年、10巻、496-500頁)や、イオン性の置換フルオレン系ポリマーと置換チオフェン系ポリマーとの組み合わせ(「ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイエティー(Journal of American Chemical Society)」、2011年、133巻、8416-8419頁)などのイオン性化合物、ポリエチレンオキサイド(「アドバンスド マテリアルズ(Advanced Materials)」、2007年、19巻、1835-1838頁)なども、電子輸送層5の材料として用いることができる。
 また、電子輸送層5の材料としては、イオン性基を有する化合物、例えば、アンモニウム塩、アミン塩、ピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、ホスホニウム塩、カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩、硫酸塩、硝酸塩、アセトナート塩、オキソ酸塩、ならびに金属錯体なども用いることができる。
 具体的には、上記イオン性基を有する化合物としては、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、ヘキシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルピリジニウムブロミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムブロミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、ギ酸亜鉛、酢酸亜鉛、プロピオン酸亜鉛、酪酸亜鉛、シュウ酸亜鉛、ヘプタデカフルオロノナン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、1-ヘキサデカンスルホン酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウム、リン酸モノドデシルナトリウム、亜鉛アセチルアセトナート、クロム酸アンモニウム、メタバナジン酸アンモニウム、モリブデン酸アンモニウム、六フッ化ジルコニウム酸アンモニウム、タングステン酸ナトリウム、テトラクロロ亜鉛酸アンモニウム、オルトチタン酸テトライソプロピル、ニッケル酸リチウム、過マンガン酸カリウム、銀フェナントロリン錯体、AgTCNQや特開2013-58714記載の電子輸送層に用いられる化合物などが挙げられる。
 また、電子輸送層5の材料としては、例えば、TiO2などの酸化チタン(TiOx)、ZnOなどの酸化亜鉛(ZnOx)、SiO2などの酸化ケイ素(SiOx)、SnO2などの酸化錫(SnOx)、WO3などの酸化タングステン(WOx)、Ta23などの酸化タンタル(TaOx)、BaTiO3などのチタン酸バリウム(BaTixy)、BaZrO3などのジルコン酸バリウム(BaZrxy)、ZrO2などの酸化ジルコニウム(ZrOx)、HfO2などの酸化ハフニウム(HfOx)、Al23などの酸化アルミニウム(AlOx)、Y23などの酸化イットリウム(YOx)、ZrSiO4などのケイ酸ジルコニウム(ZrSixy)のような金属酸化物、Si34などの窒化ケイ素(SiNx)のような窒化物、CdSなどの硫化カドミウム(CdSx)、ZnSeなどのセレン化亜鉛(ZnSex)、ZnSなどの硫化亜鉛(ZnSx)、CdTeなどのテルル化カドミウム(CdTex)のような半導体などの無機材料も好ましく用いられる。
 上記無機材料で電子輸送層5を形成する方法としては、例えば、上記無機材料の金属塩や金属アルコキシドなどの前駆体溶液を基板に塗布した後、加熱して層を形成する方法や、ナノ粒子分散液を基板に塗布して層を形成する方法がある。このとき、加熱温度や加熱時間、及びナノ粒子の合成条件により、完全には反応が進行しておらず、部分的に加水分解したり、部分的に縮合したりすることで、中間生成物となったり、上記前駆体と上記中間生成物との混合物となったり、上記前駆体と最終生成物などとの混合物となったりしてもよい。
 電子輸送層5と隣接する陰極6が光透過性を有する構成を受発光素子10に適用する場合、電子輸送層5は、受発光素子10(詳細には受発光層4)に電圧印加した際の発光波長に対して光透過性が高いことが好ましい。すなわち、この場合、電子輸送層5の材料が、上記発光波長に対して光吸収能を持たない材料であることがより好ましい。
(受発光素子の製造方法)
 次に、本発明の実施形態に係る受発光素子の製造方法について、図3に示した受発光素子10を例に挙げて説明する。
 受発光素子10を製造する際には、まず、基板1の上に、ITOなどの透明電極をスパッタリング法などにより形成する。本実施形態において、この透明電極は、図3に示した陽極2に相当する。
 次に、上記透明電極の上にPEDOTとPSSとの混合物を塗布して乾燥し、これにより、PEDOT:PSS層を透明電極上に形成する。このPEDOT:PSS層は、図3に示した正孔輸送層3に相当する。正孔輸送層3の形成には、スピンコート塗布、ブレードコート塗布、スリットダイコート塗布、スクリーン印刷塗布、バーコーター塗布、鋳型塗布、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法、スプレー法、真空蒸着法など、何れの方法を用いてもよい。正孔輸送層3の形成方法は、膜厚制御や配向制御など、得ようとする光電変換層特性に応じて選択すればよい。
 次に、例えば、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物を溶媒に溶解させて溶液を作り、この溶液を正孔輸送層3の上に塗布して乾燥させる。これにより、発光部の層を正孔輸送層3の上に形成する。このとき、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物は、電子供与性材料兼発光材料として機能する。また、このとき用いられる溶媒としては、有機溶媒が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール、トルエン、キシレン、o-クロロフェノール、アセトン、酢酸エチル、エチレングリコール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、クロロナフタレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。上記溶媒は、これらの有機溶媒を2種以上用いたものでもよい。上記発光部の層の形成には、正孔輸送層3と同様の形成方法を用いることができる。
 次に、上記発光部の層上に、電子受容性材料となるフラーレン化合物(例えばC60フラーレン)の層すなわちフラーレン層を真空蒸着法によって形成する。このフラーレン層は、受光部の層に相当する。上述した発光部の層(ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物からなる層)と受光部の層(フラーレン層)との混合層、または、これらの層を積層した積層構造の層により、図3に示した受発光層4が構成される。
 次に、受発光層4におけるフラーレン層の上に、電子取出し層を真空蒸着法やスパッタ法により形成する。この電子取出し層は、図3に示した電子輸送層5に相当する。次に、この電子取出し層の上に、AlやAgなどの金属電極を真空蒸着法やスパッタ法により形成する。この電子取出し層を真空蒸着法によって形成した場合は、引き続き、真空を保持したまま続けて、この金属電極を形成することが好ましい。この金属電極は、図3に示した陰極6に相当する。
(受発光素子の応用例)
 本発明の受発光素子(例えば図3に示す受発光素子10)は、受発光機能などを利用した種々の電子デバイス、光センシングデバイスへの応用が可能である。例えば、指紋や静脈などの生体情報を撮像する電子デバイスや、脈波や血中酸素濃度をモニタリングする生体センシングデバイス、物体の形状変化や動作を検知する光センサー、光スイッチなどに有用である。特に図示しないが、上記電子デバイスは、上述した受発光素子を基板上に複数備えている。または、上記電子デバイスは、上述した受発光素子をTFTアレイ基板上に備えている。上記生体センシングデバイス、光センサーおよび光スイッチは、それぞれ、上述した受発光素子を基板上、基板内または筐体内に備えている。これらの電子デバイス、生体センシングデバイス、光センサーおよび光スイッチが、それぞれ、上述した受発光素子を複数備える場合、これら複数の受発光素子は、互いに同一構成の受発光素子であってもよいし、互いに異なる構成の受発光素子であってもよい。
 また、本発明に係る電子デバイスが、上述した受発光素子を基板上、基板内または筐体内に複数備える場合、これら複数の受発光素子は、互いに同一構成の受発光素子であることが好ましい。この場合、これら複数の受発光素子のうち、少なくとも一つの第1受発光素子は、対象物に光を発光して照射することができ、当該第1受発光素子以外の第2受発光素子は、この対象物を透過または反射した光を受光することができる。このように同一構成の受発光素子を複数備えている電子デバイスであれば、「少なくとも一つの上記第1受発光素子から発光された光を対象物に照射し、この対象物を透過または反射した光を、上記第2受発光素子(すなわち発光させていない別の受発光素子)で受光する」という光センシングが可能である。
 以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する。なお、本発明は、下記の実施例に限定されるものではない。また、実施例等で用いた化合物のうち、略語を使用しているものについては、以下に示すように定義される。
  ITO:インジウム錫酸化物
  LiF:フッ化リチウム
  Eg:バンドギャップ
  DPPcy:ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物の一例となる化合物
DPPcyは、下記の化学式で表される化合物である。
  TDCV-TPA:トリス[4-(5-ジシアノメチリデンメチル-2-チエニル)フェニル]アミン
TDCV-TPAは、下記の化学式で表される化合物である。
  Alq3:トリス(8-キノリノラト)アルミニウム
  60PCBM:フェニルC61酪酸メチルエステル
  DCV3T:3’,4’-ジブチル-5,5”-ビス(ジシアノビニル)-2,2’-5’,2”-ターチオフェン
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 なお、DPPcyは、非特許文献(「サイエンティフィックレポート(SCIENTIFIC REPOTS)」、2016年、6巻、34096頁)、特許文献(国際公開第2019/151121号)に記載の方法で合成した。
(実施例1)
 実施例1では、以下に示す方法によって受発光素子の評価サンプルを作製し、この作製した受発光素子について評価を行った。
 実施例1の受発光素子の製造方法では、まず、クロロホルム(0.2mL)を、DPPcy(0.2mg)の入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Aを得た。また、PEDOT:PSS溶液(6.0mL)とイソプロピルアルコール(4.0mL)とをサンプル瓶に入れて攪拌することで、正孔輸送層形成用の溶液Bを得た。上記のPEDOT:PSS溶液としては、H.C.スタルク社製の「CLEVIOS P VP AI4083」を用いた。
 つぎに、陰極となるITO透明導電層(以下、ITO層と略記する)をスパッタリング法によってガラス基板上に125nm堆積させ、このガラス基板を38mm×46mmのサイズに切断した後、このITO層をフォトリソグラフィー法によって38mm×13mmの長方形状にパターニングした。続いて、このガラス基板を、アルカリ洗浄液(フルウチ化学社製、“セミコクリーン”EL56)で10分間超音波洗浄した後、超純水で洗浄した。
 次いで、このガラス基板を30分間UV/オゾン処理した後に、上記の溶液Bを、このガラス基板のITO層上に滴下し、スピンコート法により3000rpmで塗布し、ホットプレート上で100℃30分間、熱処理した。これにより、膜厚が約30nmのPEDOT:PSS層(正孔輸送層)をITO層上に形成した。
 次いで、上記の溶液Aを、このPEDOT:PSS層上に滴下し、スピンコート法により塗布した。これにより、膜厚が8nmのDPPcy層を正孔輸送層上に形成した。その後、上記DPPcy層が形成されたガラス基板と蒸着用マスクとを真空蒸着装置内に設置して、この装置内の真空度が1×10-3Pa以下になるまで排気し、抵抗加熱法によって、厚さが25nmのC60フラーレンをDPPcy層上に蒸着した。これにより、DPPcy層とC60フラーレンの層(以下、C60層と略記する)との積層構造を有する受発光層を形成した。
 次いで、C60層まで形成したガラス基板を大気中へ取出し、蒸着用マスクを電極蒸着用マスクに交換した後、このガラス基板と電極蒸着用マスクとを真空蒸着装置内に設置して、この装置内の真空度が1×10-3Pa以下になるまで再び排気した。続いて、このガラス基板のC60層上に、抵抗加熱法によって、厚さが0.5nmのLiF層と、電極(陽極)となる厚さが100nmのアルミニウム層とを蒸着した。
 実施例1では、以上のような製造方法により、ストライプ状のITO層と銀層とが交差する部分の面積が5mm×5mmである受発光素子を作製した。その後、この受発光素子のガラス基板を窒素雰囲気下のグローブボックスに移し、光硬化性樹脂(ナガセケムテックス社製XNR5570)を20mm×20mmの大きさのガラス(ガスバリア層基材)に塗布し、これを上記ガラス基板の中心に貼り付けた。次いで、紫外光(波長365nm,強度100mWcm-2)を1分間照射して、この光硬化性樹脂を硬化させた。
 また、実施例1では、上記のようにして作製された受発光素子の陽極と陰極とについて、分光感度測定装置を用いて、印加電圧が0Vのときの外部量子収率スペクトル(受光感度スペクトル)を測定した。次に、分光放射照度測定装置を用いて、受発光素子に50mAの電流を通電したときの発光スペクトルを測定した。得られた外部量子収率スペクトルと発光スペクトルとをそれぞれ最大値で規格化し、これらの規格化した各スペクトルが重なり合う領域(重なり領域)を見積もり、規格化した発光スペクトルの全領域に対する当該重なり領域の割合を見積もった。また、上記得られた外部量子収率スペクトル(規格化前の受光感度スペクトル)と上記規格化した発光スペクトルとの重なり領域も同様に見積もった。
 次に、実施例1の受発光素子に50mAの電流を通電したときの発光をシリコンフォトダイオードに照射し、このシリコンフォトダイオードの電流値を測定することにより、この受発光素子の発光量を測定した。
 次に、分光光度計を用いて、実施例1の受発光素子に角度5°で正反射させた光を受光させたときの当該受発光素子の反射吸収スペクトルを測定した。なお、得られた反射吸収スペクトルから、300nm~1200nmの波長範囲における最小値との差分をとることにより、ベースラインを補正して当該受発光素子の吸光度を見積もった。
 次に、5g/Lの濃度に調製したDPPcyのクロロホルム溶液をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、膜厚が50nmのDPPcy層を形成した。また、別のガラス基板上に、C60フラーレンを膜厚が50nmとなるように蒸着してC60層を形成した。これらの各単一材料膜について、分光光度計を用いて、透過吸収スペクトルを得た。得られた透過吸収スペクトルから、次式を用いて、吸光係数を見積もった。
 吸光係数(cm-1)=吸光度/0.434/膜厚(cm-1
 また、上記透過吸収スペクトルの吸収端波長から、上記各単一材料膜のバンドギャップ(Eg)を次式より見積もった。
 Eg(eV)=1240/吸収端波長(nm)
 さらに、上記各単一材料膜について、大気中光電子分光法(理研 AC-2)を用いて、HOMOの測定を行い、次式を用いて、LUMOを見積もった。
 LUMO(eV)=HOMO(eV)-Eg(eV)
 次に、実施例1では、上記のように作製した2枚の受発光素子を、暗室内にて5mmの距離をとるように離して、これらの受発光素子におけるITO層側のガラス基板面同士を対向させた。その後、片方の受発光素子には50mAの電流を通電して発光させ、もう片方の受発光素子にはケースレー社製2400シリーズソースメータを接続して、印加電圧を-1Vから+1Vまで変化させたときの電流値を測定した。また、発光させずに暗時においても印加電圧を-1Vから+1Vまで変化させたときの電流値を測定した。0Vにおける発光時の電流値から暗時の電流値を差し引くことにより、同一構成の受発光素子からの発光への受光感度を測定し、受発光素子自身からの発光に対する受光感度の指標とした。また、発光時に測定した電流-電圧特性から、同一構成の受発光素子からの発光に対する開放電圧(電流が0となる電圧)を読み取った。
(実施例2)
 実施例2では、クロロホルム(0.2mL)を、DPPcy(0.4mg)の入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Cを得た。また、実施例2では、上述した実施例1における溶液Aを溶液Cに替えて、DPPcy層の膜厚を15nmとしたこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例3)
 実施例3では、クロロホルム(0.2mL)を、DPPcy(1.0mg)の入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Dを得た。また、実施例3では、上述した実施例1における溶液Aを溶液Dに替えて、DPPcy層の膜厚を40nmとしたこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例4)
 実施例4では、クロロホルム(0.2mL)を、DPPcy(2.0mg)の入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Eを得た。また、実施例4では、上述した実施例1における溶液Aを溶液Eに替えて、DPPcy層の膜厚を70nmとしたこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例5)
 実施例5では、C60層の膜厚を40nmとしたこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例6)
 実施例6では、C60層の膜厚を40nmとしたこと以外、実施例2と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例7)
 実施例7では、C60層の膜厚を40nmとしたこと以外、実施例3と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例8)
 実施例8では、C60層の膜厚を40nmとしたこと以外、実施例4と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例9)
 実施例9では、C60層の膜厚を75nmとしたこと以外、実施例2と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例10)
 実施例10では、C60層の膜厚を75nmとしたこと以外、実施例3と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例11)
 実施例11では、C60層の膜厚を75nmとしたこと以外、実施例4と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(実施例12)
 実施例12では、クロロホルム(0.2mL)を、1.0mgのルブレンが入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Iを得た。また、実施例12では、上述した実施例1における溶液Aを溶液Iに替えて、DPPcy層を、膜厚40nmのルブレン層とし、C60層の替わりに、DCV3Tの層を真空蒸着法によって25nmの膜厚で形成したこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(比較例1)
 比較例1では、クロロホルム(0.2mL)を、1.0mgのルブレン(東京化成工業社製)が入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Fを得た。また、比較例1では、上述した実施例1における溶液Aを溶液Fに替えて、膜厚が40nmのルブレン層を形成したこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(比較例2)
 比較例2では、クロロホルム(0.2mL)を、1.0mgのTDCV-TPA(アルドリッチ社製)が入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Gを得た。また、比較例2では、上述した実施例1における溶液Aを溶液Gに替えて、膜厚が40nmのTDCV-TPA層を形成したこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(比較例3)
 比較例3では、ITO基板上に、厚さが40nmのAlq3層を蒸着し、次いで、このAlq3層上に、厚さが40nmのキナクリドン層を蒸着し、その後、このキナクリドン層上に、電極となるアルミニウム層を厚さが100nmとなるように蒸着した。このようにして、比較例3の受発光素子を作製した。また、比較例3では、受発光素子を発光させる際の電流条件を50mAから3mAに替えたこと以外、実施例1と同様にして、受発光素子の測定を行った。なお、比較例3の発光条件を変更したのは、3mAより大きい電流を通電することで受発光素子が劣化して発光しなくなるためである。
(比較例4)
 比較例4では、クロロホルム(0.2mL)を、1.0mgのDPPcyと1.0mgの60PCBMとが入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Hを得た。また、比較例4では、上述した実施例1における溶液Aを溶液Hに替えて、DPPcyと60PCBMとの均一混合層(膜厚100nm)を形成し、C60フラーレンを蒸着しなかったこと以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。
(比較例5)
 比較例5では、酢酸エチル(0.2mL)を、1.0mgのDPPcyが入ったサンプル瓶の中に加え、さらに、超音波洗浄機中で30分間超音波照射することにより溶液Jを得た。また、比較例5では、実施例1におけるDPPcy層の替わりに、膜厚40nmのC60層を真空蒸着法で形成し、実施例1におけるC60層の替わりに、溶液Jをスピンコート法で塗布して膜厚40nmのDPPcy層を形成した。比較例5では、これらC60層およびDPPcy層の形成以外、実施例1と全く同様にして、受発光素子の作製および測定を行った。比較例5では、発光測定の結果、発光はなく、最大発光波長および発光スペクトルが特定できないため、光吸収特性および受発光特性を評価することができなかった。
 上述した実施例1~12および比較例1~5の各材料および測定結果は、以下の表1-1~1-3にまとめた。表1-1、1-2において、「受発光層材料」欄および「光吸収特性」欄の「C60」は、C60フラーレンを意味する。表1-2において、「発光特性」欄の「Em」は、最大発光波長エネルギーを意味し、「電流値」は、シリコンフォトダイオードの電流値を意味する。「光吸収特性」欄の「吸光度」は、最大発光波長における受発光素子の吸光度を意味する。「特定材料」は、最大発光波長エネルギーよりも小さいEgの受発光層材料を意味する。「吸光係数」は、最大発光波長エネルギーよりも小さいEgの受発光層材料の、最大発光波長における単一膜吸光係数を意味する。表1-3において、「受光特性」欄の「受光感度」は、最大発光波長における受発光素子の受光感度(外部量子収率)を意味する。「受発光特性」欄の「重なり領域の割合(1)」は、規格化した受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なる領域の、当該規格化した発光スペクトルの全領域に対する割合を意味する。「重なり領域の割合(2)」は、規格化前の受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なる領域の、当該規格化した発光スペクトルの全領域に対する割合を意味する。「受発光特性」欄の「受光感度」は、同一構成の受発光素子からの発光に対する受光感度を意味する。「開放電圧」は、同一構成の受発光素子からの発光に対する開放電圧を意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
(実施例13)
 実施例13では、実施例7と同様の受発光素子の作製方法により、同一ガラス基板上に、5mm×5mmサイズのそれぞれ独立した2個の受発光素子を、互いの離間距離が3mmとなるように形成し、これら2個の受発光素子を上記ガラス基板上に備える生体センシングデバイスを作製した。また、実施例13では、この作製した生体センシングデバイスを用いて、人体の脈波を計測した。詳細には、まず、この生体センシングデバイスのガラス基板面上に、被験者の中指を接触させた。次いで、これら独立した2個の受発光素子のうち、一方の受発光素子に50mAの電流を通電して発光させ、他方の受発光素子にはケースレー社製2400シリーズソースメータを接続して、印加電圧を0Vとした時の電流値(受光電流)を0.1秒毎に測定し、脈波計測を行った。実施例13では、例えば図4に示すように、測定時間毎の受光電流によって表される脈波の計測結果が得られた。
(実施例14)
 実施例14では、実施例12と同様の受発光素子の作製方法により、同一ガラス基板上に、5mm×5mmサイズのそれぞれ独立した2個の受発光素子を、互いの離間距離が3mmとなるように形成し、これら2個の受発光素子を上記ガラス基板上に備える生体センシングデバイスを作製した。また、実施例14では、この作製した生体センシングデバイスを用いて、人体の脈波を計測した。詳細には、まず、この生体センシングデバイスのガラス基板面上に、被験者の中指を接触させた。次いで、これら独立した2個の受発光素子のうち、一方の受発光素子に50mAの電流を通電して発光させ、他方の受発光素子にはケースレー社製2400シリーズソースメータを接続して、印加電圧を0Vとした時の電流値(受光電流)を0.1秒毎に測定し、脈波計測を行った。実施例14では、例えば図5に示すように、測定時間毎の受光電流によって表される脈波の計測結果が得られた。
(比較例6)
 比較例6では、比較例1と同様の受発光素子の作製方法により、同一ガラス基板上に、5mm×5mmサイズのそれぞれ独立した2個の受発光素子を、互いに離間距離が3mmとなるように形成し、これら2個の受発光素子を上記ガラス基板上に備える生体センシングデバイスを作製した。また、比較例6では、この作製した生体センシングデバイスを用いて、人体の脈波を計測した。詳細には、まず、この作製した生体センシングデバイスのガラス基板面上に、被験者の中指を接触させた。次いで、これら独立した2個の受発光素子のうち、一方の受発光素子に50mAの電流を通電して発光させ、他方の受発光素子にはケースレー社製2400シリーズソースメータを接続して、印加電圧を0Vとした時の電流値(受光電流)を0.1秒毎に測定し、脈波計測を行った。比較例6では、例えば図6に示すように、脈波の明確な計測結果を得ることができなかった。
 以上のように、本発明に係る受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイスは、同一構成の受発光素子からの発光に対する受光感度が良好な受発光素子、これを用いた電子デバイスおよび生体センシングデバイスに適している。
 1 基板
 2 陽極
 3 正孔輸送層
 4 受発光層
 5 電子輸送層
 6 陰極
 10 受発光素子
 101 規格化した受光感度スペクトル
 101A 受光感度スペクトル
 102 規格化した発光スペクトル
 103、103A 重なり領域

Claims (14)

  1.  陽極と、
     陰極と、
     前記陽極および前記陰極の間に位置し、2種以上の有機材料から成る受発光層と、
     を備え、
     前記受発光層は、下記の式(1)および式(2)によって表されるエネルギー凖位の関係性を満たす電子供与性材料および電子受容性材料を含み、
     前記電子供与性材料および前記電子受容性材料のうち少なくとも一方は、前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップを有する受発光層材料であり、
     前記電子供与性材料は、前記受発光層内において前記陽極側に偏在し、
     規格化した受光感度スペクトルと規格化した発光スペクトルとの重なる領域は、前記規格化した発光スペクトルの領域の50%以上を占める、
     ことを特徴とする受発光素子。
    電子供与性材料のHOMO>電子受容性材料のHOMO・・・(1)
    電子供与性材料のLUMO>電子受容性材料のLUMO・・・(2)
  2.  規格化前の受光感度スペクトルと前記規格化した発光スペクトルとの重なる領域は、前記規格化した発光スペクトルの領域の5%以上を占める、
     ことを特徴とする請求項1に記載の受発光素子。
  3.  前記電子供与性材料が、前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長エネルギーよりも小さいバンドギャップを有する前記受発光層材料である、
     ことを特徴とする請求項1または2に記載の受発光素子。
  4.  前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長における吸光度が0.1以上である、
     ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の受発光素子。
  5.  前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長における、前記受発光層材料の単一膜の吸光係数が30000cm-1以上である、
     ことを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の受発光素子。
  6.  前記受発光層は、ドメインサイズが40nm以上の受光部および発光部のうち少なくとも一つを有する、
     ことを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の受発光素子。
  7.  前記受発光層に電圧を印加した際の最大発光波長が700nm以上である、
     ことを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の受発光素子。
  8.  前記受発光層は、ジケトピロロピロールホウ素錯体化合物およびフラーレン化合物を含む、
     ことを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載の受発光素子。
  9.  前記受発光層は、ルブレン化合物およびチオフェン化合物を含む、
     ことを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載の受発光素子。
  10.  請求項1~9のいずれか一つに記載の受発光素子を基板上に複数備える、
     ことを特徴とする電子デバイス。
  11.  複数の前記受発光素子は、互いに同一構成の受発光素子である、
     ことを特徴とする請求項10に記載の電子デバイス。
  12.  請求項1~9のいずれか一つに記載の受発光素子を複数備え、
     複数の前記受発光素子は、互いに同一構成の受発光素子であり、
     複数の前記受発光素子のうち、少なくとも一つの第1受発光素子は、対象物に光を発光して照射し、前記第1受発光素子以外の第2受発光素子は、前記対象物を透過または反射した光を受光する、
     ことを特徴とする電子デバイス。
  13.  請求項1~9のいずれか一つに記載の受発光素子をTFTアレイ基板上に備える、
     ことを特徴とする電子デバイス。
  14.  請求項1~9のいずれか一つに記載の受発光素子を備える、
     ことを特徴とする生体センシングデバイス。
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