WO2022044532A1

WO2022044532A1 - 高周波モジュール、通信装置、及び、複数の高周波モジュールの製造方法

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Publication number: WO2022044532A1
Application number: PCT/JP2021/024570
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Inventors: 孝紀上嶋
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date: 2021-06-29
Publication date: 2022-03-03
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Abstract

高周波モジュール（１）は、互いに対向する主面（９１ａ）及び（９１ｂ）を有するモジュール基板（９１）と、主面（９１ａ）及び（９１ｂ）の少なくとも一方に配置された複数の高周波部品と、主面（９１ａ）及び（９１ｂ）の少なくとも一方を覆っており、モジュール基板（９１）の外縁に沿って側面（９２１）及び／又は（９２３）と側面（９２２）及び／又は（９２４）とを含む複数の側面を有する樹脂部材（９２）と、側面（９２１）及び／又は（９２３）を覆わずに側面（９２２）及び／又は（９２４）を覆っているシールド電極層（９５）と、を備える。

Description

高周波モジュール、通信装置、及び、複数の高周波モジュールの製造方法

　高周波モジュール及びその製造方法並びに高周波モジュールを備える通信装置に関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンドモジュールを構成する高周波部品の配置構成が複雑化されている。特許文献１には、電力増幅器、スイッチ及びフィルタ等がパッケージ化されたフロントエンドモジュールが開示されている。

米国特許出願公開第２０１５／０１３３０６７号明細書

　このような従来のフロントエンドモジュールでは、高周波部品間の磁界結合、電界結合又は電磁界結合等により、高周波部品間のアイソレーションの劣化が懸念される。

　そこで、本発明は、磁界結合、電界結合又は電磁界結合等による高周波部品間のアイソレーションの劣化を抑制することができる高周波モジュール、通信装置、及び、複数の高周波モジュールの製造方法を提供する。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、第１主面及び第２主面の少なくとも一方に配置された複数の高周波部品と、第１主面及び第２主面の少なくとも一方を覆っており、モジュール基板の外縁に沿って第１側面及び第２側面を含む複数の側面を有する樹脂部材と、第１側面を覆わずに第２側面を覆っているシールド電極層と、を備える。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールによれば、磁界結合、電界結合又は電磁界結合等による高周波部品間のアイソレーションの劣化を抑制することができる。

図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。図２は、実施の形態１に係る高周波モジュールの平面図である。図３は、実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図である。図４は、実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図である。図５は、実施の形態１に係る高周波モジュールの製造方法を示す図である。図６は、実施の形態２に係る高周波モジュールの平面図である。図７は、実施の形態３に係る高周波モジュールの平面図である。図８は、実施の形態４に係る高周波モジュールの平面図である。図９は、実施の形態３及び４に係る高周波モジュールのための集合基板の透視図である。図１０は、他の実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

　以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。また、「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。

　本発明の部品配置において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。また、「Ａ及びＢの間の距離」とは、Ａ内の代表点とＢ内の代表点とを結ぶ線分の長さを意味する。ここで、代表点としては、物体の中心点又は相手の物体に最も近い点などを用いることができるが、これに限定されない。また、「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、及び、「矩形」などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

　また、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板と接触した状態で基板上に配置されることに加えて、基板と接触せずに基板の上方に配置されること（例えば、部品が、基板上に配置された他の部品上に積層されること）、及び、部品の一部又は全部が基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。

　（実施の形態１）
　［１．１　高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成図である。

　［１．１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、通信装置５の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。

　高周波モジュール１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の内部構成については後述する。

　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１０１に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチ及び増幅器等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波モジュール１に実装されてもよい。

　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２とＢＢＩＣ４とは、必須の構成要素ではない。つまり、通信装置５は、アンテナ２及びＢＢＩＣ４を備えなくてもよい。

　［１．１．２　高周波モジュール１の回路構成］
　次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１１と、低雑音増幅器２１と、スイッチ５１～５３と、デュプレクサ６１と、送受信フィルタ６２と、整合回路（ＭＮ）７１～７５と、アンテナ接続端子１０１と、高周波入力端子１１１と、高周波出力端子１２１と、を備える。

　アンテナ接続端子１０１は、アンテナ２に接続される。

　高周波入力端子１１１は、高周波モジュール１の外部から高周波送信信号を受けるための端子である。本実施の形態では、高周波入力端子１１１は、ＲＦＩＣ３から、通信バンドＡ及びＢの送信信号を受けるための端子である。

　高周波出力端子１２１は、高周波モジュール１の外部に高周波受信信号を提供するための端子である。本実施の形態では、高周波出力端子１２１は、ＲＦＩＣ３に、通信バンドＡ及びＢの受信信号を提供するための端子である。

　通信バンドとは、通信システムのために標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。

　ここでは、通信システムとは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これに限定されない。

　通信バンドＡとしては、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用の通信バンドが用いられる。例えば、通信バンドＡとして、ＬＴＥ及び／又は５ＧＮＲのためのバンド１、３、２５、６６等を用いることができるが、通信バンドＡは、これらに限定されない。

　通信バンドＢとしては、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用の通信バンドが用いられる。例えば、通信バンドＢとして、ＬＴＥ及び／又は５ＧＮＲのためのバンド３４、３９等を用いることができるが、通信バンドＢは、これらに限定されない。

　電力増幅器１１は、高周波入力端子１１１で受けた通信バンドＡ及びＢの送信信号を増幅することができる。電力増幅器１１の入力は、高周波入力端子１１１に接続され、電力増幅器１１の出力は、整合回路７２を介してスイッチ５２に接続されている。

　低雑音増幅器２１は、通信バンドＡ及びＢの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器の入力は、整合回路７１を介してスイッチ５３に接続され、低雑音増幅器２１の出力は、高周波出力端子１２１に接続されている。

　なお、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１の各々の構成は特に限定されない。例えば、電力増幅器１１及び／又は低雑音増幅器２１は、単段構成であってもよく、多段構成であってもよい。また例えば、電力増幅器１１及び／又は低雑音増幅器２１は、高周波信号を差動信号（つまり相補信号）に変換して増幅する差動増幅器であってもよい。

　デュプレクサ６１は、通信バンドＡの高周波信号を通過させる。デュプレクサ６１は、通信バンドＡの送信信号と受信信号とをＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ６１は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒを含む。

　送信フィルタ６１Ｔ（Ａ－Ｔｘ）は、第２フィルタ及び第３フィルタの一例であり、通信バンドＡのアップリンク動作バンド（uplink operating band）を含む通過帯域を有する。送信フィルタ６１Ｔの一端は、整合回路７３、スイッチ５１及び整合回路７５を介してアンテナ接続端子１０１に接続される。送信フィルタ６１Ｔの他端は、スイッチ５２を介して電力増幅器１１の出力に接続される。

　アップリンク動作バンドとは、通信バンドの一部分であってアップリンク用に指定された一部分を意味する。高周波モジュール１では、アップリンク動作バンドは送信帯域を意味する。

　受信フィルタ６１Ｒ（Ａ－Ｒｘ）は、第１フィルタ及び第３フィルタの一例であり、通信バンドＡのダウンリンク動作バンド（downlink operating band）を含む通過帯域を有する。受信フィルタ６１Ｒの一端は、整合回路７３、スイッチ５１及び整合回路７５を介してアンテナ接続端子１０１に接続される。受信フィルタ６１Ｒの他端は、スイッチ５３を介して低雑音増幅器２１の入力に接続される。

　ダウンリンク動作バンドとは、通信バンドの一部分であってダウンリンク用に指定された一部分を意味する。高周波モジュール１では、ダウンリンク動作バンドは受信帯域を意味する。

　送受信フィルタ６２（Ｂ－ＴＲｘ）は、第１フィルタ、第２フィルタ及び第３フィルタの一例であり、通信バンドＢを含む通過帯域を有する。送受信フィルタ６２の一端は、整合回路７４、スイッチ５１及び整合回路７５を介してアンテナ接続端子１０１に接続される。送受信フィルタ６２の他端は、スイッチ５２及び整合回路７２を介して電力増幅器１１の出力に接続され、スイッチ５２及び５３並びに整合回路７１を介して低雑音増幅器２１の入力に接続される。

　スイッチ５１は、アンテナ接続端子１０１とデュプレクサ６１及び送受信フィルタ６２との間に接続されている。スイッチ５１は、端子５１１～５１３を有する。端子５１１は、整合回路７５を介してアンテナ接続端子１０１に接続されている。端子５１２は、整合回路７３を介してデュプレクサ６１に接続されている。端子５１３は、整合回路７４を介して送受信フィルタ６２に接続されている。

　この接続構成において、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１１を端子５１２及び５１３の少なくとも１つに接続することができる。つまり、スイッチ５１は、アンテナ２及びデュプレクサ６１の間の接続及び非接続を切り替えることができ、かつ、アンテナ２及び送受信フィルタ６２の間の接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５１は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成され、アンテナスイッチと呼ばれる場合がある。

　スイッチ５２は、送信フィルタ６１Ｔ及び送受信フィルタ６２と電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１との間に接続されている。スイッチ５２は、端子５２１～５２４を有する。端子５２１及び５２２は、送信フィルタ６１Ｔ及び送受信フィルタ６２にそれぞれ接続されている。端子５２３は、整合回路７２を介して電力増幅器１１の出力に接続されている。端子５２４は、スイッチ５３の端子５３２に接続され、スイッチ５３及び整合回路７１を介して低雑音増幅器２１の入力に接続される。

　この接続構成において、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５２１を端子５２３に接続し、端子５２２を端子５２３及び５２４のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ５２は、送信フィルタ６１Ｔと電力増幅器１１との接続及び非接続を切り替えることができ、かつ、送受信フィルタ６２を電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１のいずれかに接続することができる。スイッチ５２は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　スイッチ５３は、受信フィルタ６１Ｒ及び送受信フィルタ６２と低雑音増幅器２１との間に接続されている。スイッチ５３は、端子５３１～５３３を有する。端子５３１は、整合回路７１を介して低雑音増幅器２１の入力に接続されている。端子５３２は、スイッチ５２の端子５２４に接続され、スイッチ５２を介して送受信フィルタ６２に接続される。端子５３３は、受信フィルタ６１Ｒに接続されている。

　この接続構成において、スイッチ５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５３２及び／又は５３３を端子５３１に接続することができる。つまり、スイッチ５３は、受信フィルタ６１Ｒと低雑音増幅器２１との接続及び非接続を切り替えることができ、かつ、送受信フィルタ６２と低雑音増幅器２１との接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５３は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　整合回路７１は、受信フィルタ６１Ｒ及び送受信フィルタ６２と低雑音増幅器２１との間に接続されている。具体的には、整合回路７１は、スイッチ５３と低雑音増幅器２１の入力との間に接続されている。整合回路７１は、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒ及び送受信フィルタ６２との間のインピーダンス整合をとることができる。整合回路７１は、インダクタ７１Ｌを含んでおり、さらにキャパシタを含んでもよい。

　整合回路７２は、送信フィルタ６１Ｔ及び送受信フィルタ６２と電力増幅器１１との間に接続されている。具体的には、整合回路７２は、スイッチ５２と電力増幅器１１の入力との間に接続されている。整合回路７２は、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔ及び送受信フィルタ６２との間のインピーダンス整合をとることができる。整合回路７２は、インダクタ７２Ｌを含んでおり、さらにキャパシタを含んでもよい。

　整合回路７３は、デュプレクサ６１とアンテナ接続端子１０１との間に接続されている。具体的には、整合回路７３は、デュプレクサ６１とスイッチ５１との間に接続されている。整合回路７３は、デュプレクサ６１とアンテナ２との間のインピーダンス整合をとることができる。整合回路７３は、インダクタ７３Ｌを含んでおり、さらにキャパシタを含んでもよい。

　整合回路７４は、送受信フィルタ６２とアンテナ接続端子１０１との間に接続されている。具体的には、整合回路７４は、送受信フィルタ６２とスイッチ５１との間に接続されている。整合回路７４は、送受信フィルタ６２とアンテナ２との間のインピーダンス整合をとることができる。整合回路７４は、インダクタ７４Ｌを含んでおり、さらにキャパシタを含んでもよい。

　整合回路７５は、デュプレクサ６１及び送受信フィルタ６２とアンテナ接続端子１０１との間に接続されている。具体的には、整合回路７５は、スイッチ５１とアンテナ接続端子１０１との間に接続されている。整合回路７５は、デュプレクサ６１及び送受信フィルタ６２とアンテナ２との間のインピーダンス整合をとることができる。整合回路７５は、インダクタ７５Ｌを含んでおり、さらにキャパシタを含んでもよい。

　なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール１は、電力増幅器１１、低雑音増幅器２１、スイッチ５１～５３、デュプレクサ６１、送受信フィルタ６２、及び、インダクタ７１Ｌ～７５Ｌのうちの少なくとも２つを備えればよい。

　［１．２　高周波モジュール１の部品配置］
　次に、以上のように構成された高周波モジュール１の部品配置について、図２～図４を参照しながら具体的に説明する。

　図２は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の平面図である。具体的には、図２はｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ａを見た図を示す。図３及び図４の各々は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の断面図である。図３及び図４における高周波モジュール１の断面は、それぞれ、図２のｉｉｉ－ｉｉｉ線及びｉｖ－ｉｖ線における断面である。

　図２～図４に示すように、高周波モジュール１は、図１に示された複数の高周波素子を含む複数の高周波部品に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２と、シールド電極層９５と、複数の外部接続端子１５０と、を備える。なお、図２では、樹脂部材９２とシールド電極層９５の天面との図示が省略されている。

　モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有する。本実施の形態では、モジュール基板９１は、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９１の形状は矩形状に限定されない。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　主面９１ａは、第１主面の一例である。主面９１ａには、複数の高周波部品と、樹脂部材９２と、が配置されている。ここでは、複数の高周波部品は、電力増幅器１１、低雑音増幅器２１、スイッチ５１～５３、デュプレクサ６１、送受信フィルタ６２、及び、インダクタ７１Ｌ～７５Ｌを含む。

　主面９１ｂは、第２主面の一例である。主面９１ｂには、複数の外部接続端子１５０が配置されている。

　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａ上に配置され、主面９１ａ及び主面９１ａ上の部品を覆っている。樹脂部材９２は、主面９１ａ上の部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。

　樹脂部材９２は、主面９１ａ上に直方体形状に成形されている。具体的には、樹脂部材９２は、モジュール基板９１の外縁（つまり四辺）に沿って４つの側面９２１～９２４を有し、モジュール基板９１の主面９１ａの上方に天面９２５を有する。

　側面９２１及び９２３は、第１側面及び第３側面の一例である。側面９２１及び９２３は、モジュール基板９１の短辺に沿っており、互いに対向している。また、側面９２２及び９２４は、第２側面及び第４側面の一例である。側面９２２及び９２４は、モジュール基板９１の長辺に沿っており、互いに対向している。

　シールド電極層９５は、例えばスパッタ法などにより形成された金属膜であり、樹脂部材９２の天面９２５と側面９２２及び９２４とを覆っている。シールド電極層９５は、グランド電位に設定され、外来ノイズが高周波モジュール１を構成する部品に侵入することを抑制する。

　具体的には、シールド電極層９５は、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、側面９２１及び９２３を覆わずに、側面９２２及び９２４を覆っている。言い換えると、シールド電極層９５は、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、互いに対向する２つの側面９２２及び９２４のみを覆っている。

　低雑音増幅器２１及びスイッチ５３は、１つの半導体集積回路２０に内蔵されている。半導体集積回路２０は、半導体チップ（ダイとも呼ばれる）の表面及び内部に形成された電子回路を有する電子部品である。本実施の形態では、半導体集積回路２０は、平面視において矩形状を有する。なお、半導体集積回路２０の形状は、矩形に限定されない。また、半導体集積回路２０に内蔵される回路素子は、低雑音増幅器２１及びスイッチ５３に限定されない。例えば、スイッチ５１が半導体集積回路２０に内蔵されてもよい。

　半導体集積回路２０は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより構成されてもよい。これにより、半導体集積回路２０を安価に製造することが可能となる。なお、半導体集積回路２０は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な半導体集積回路２０を実現することができる。

　送信フィルタ６１Ｔ、受信フィルタ６１Ｒ及び送受信フィルタ６２の各々は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。

　インダクタ７１Ｌ～７５Ｌの各々は、コイルで構成されており、例えば表面実装デバイス（ＳＭＤ：Surface Mount Device）として実装される。なお、インダクタ７１Ｌ～７５Ｌは、ＳＭＤでなくてもよく、モジュール基板９１内に形成されてもよい。

　インダクタ７１Ｌは、第１インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２１の近傍に配置されている。具体的には、インダクタ７１Ｌは、側面９２１及び９２２のうち側面９２１の方に近い。また、低雑音増幅器２１よりもインダクタ７１Ｌの方が側面９２１に近い。

　インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７１Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するが、側面９２２及び９２４とは交差しないので、シールド電極層９５と交差しない。

　インダクタ７２Ｌは、第２インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２３の近傍に配置されている。具体的には、インダクタ７２Ｌは、側面９２３及び９２２のうち側面９２３の方に近い。また、電力増幅器１１よりもインダクタ７２Ｌの方が側面９２３に近い。

　インダクタ７２Ｌを構成するコイルの巻回軸７２Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７２Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するが、側面９２２及び９２４とは交差しないので、シールド電極層９５と交差しない。

　インダクタ７３Ｌは、樹脂部材９２の側面９２４の近傍に配置されている。ここでは、インダクタ７３Ｌを構成するコイルの巻回軸７３Ｌａは、樹脂部材９２の側面９２１及び９２３と交差しないが、樹脂部材９２の側面９２２及び９２４と交差する。

　インダクタ７４Ｌは、第３インダクタの一例であり、モジュール基板９１の中心近傍に配置されている。インダクタ７４Ｌを構成するコイルの巻回軸７４Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７４Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するが、側面９２２及び９２４と交差しないので、シールド電極層９５と交差しない。

　インダクタ７５Ｌは、第３インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２１の近傍に配置されている。具体的には、インダクタ７５Ｌは、側面９２１及び９２４のうち側面９２１の方に近い。また、デュプレクサ６１及び送受信フィルタ６２よりもインダクタ７５Ｌの方が側面９２１に近い。

　インダクタ７５Ｌを構成するコイルの巻回軸７５Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７５Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するが、側面９２２及び９２４とは交差しないので、シールド電極層９５と交差しない。

　複数の外部接続端子１５０は、図１に示したアンテナ接続端子１０１、高周波入力端子１１１及び高周波出力端子１２１を含む。複数の外部接続端子１５０の各々は、高周波モジュール１のｚ軸負方向に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド端子等に接続される。複数の外部接続端子１５０としては、パッド電極を用いることができるが、これに限定されない。

　［１．３　高周波モジュール１の製造方法］
　ここで、高周波モジュール１の製造方法について図５を参照しながら説明する。図５は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の製造方法を示す図である。

　（ａ）準備工程
　まず、複数の高周波部品が実装された集合基板９１０を準備する。集合基板９１０は、複数のモジュール基板９１を含み、複数のモジュール基板９１の集合体である。図５では、複数のモジュール基板９１は、集合基板９１０内で一列に並んでいる。

　（ｂ）樹脂成形工程
　次に、集合基板９１０の主面及びその主面上の複数の高周波部品を覆うように、樹脂部材９２を成形する。例えば、集合基板９１０上に設置された型に樹脂を流し込み、その後、樹脂が固まることで樹脂部材９２が成形される。成形された樹脂部材９２の表面は、必要に応じて研磨又は研削される。

　（ｃ）成膜工程
　次に、集合基板９１０を覆う樹脂部材９２の表面に金属膜をシールド電極層９５として形成する。つまり、複数の高周波モジュール１のシールド電極層９５がまとめて成形される。金属膜の形成方法は、特に限定されないが、例えばスパッタ法などを用いることができる。

　（ｄ）切断工程
　最後に、樹脂部材９２及びシールド電極層９５が形成された集合基板９１０を切断することにより、複数の高周波モジュール１が製造される。その結果、各高周波モジュール１の切断面には、シールド電極層９５が形成されない。図５では、各高周波モジュール１において、樹脂部材９２の２つの側面９２２及び９２４にシールド電極層９５が形成され、２つの側面９２１及び９２３にシールド電極層９５が形成されない。

　［１．４　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方に配置された複数の高周波部品と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方を覆っており、モジュール基板９１の外縁に沿って側面９２１及び／又は９２３と側面９２２及び／又は９２４とを含む複数の側面を有する樹脂部材９２と、側面９２１及び／又は９２３を覆わずに側面９２２及び／又は９２４を覆っているシールド電極層９５と、を備える。

　これによれば、側面９２１及び／又は９２３をシールド電極層９５で覆わずに側面９２２及び／又は９２４をシールド電極層９５で覆うことができる。高周波部品は、シールド電極層９５を介して他の高周波部品と磁界結合、電界結合又は電磁界結合する可能性がある。したがって、複数の側面のうちの側面９２１及び／又は９２３をシールド電極層９５で覆わないことで、このような結合を抑制することができ、複数の高周波部品間のアイソレーションを改善することができる。さらに、複数の側面のうちの側面９２２及び／又は９２４をシールド電極層９５で覆うことで、外来ノイズが高周波部品に侵入することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、受信フィルタ６１Ｒと、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ及び低雑音増幅器２１の間に接続されたインダクタ７１Ｌを有する整合回路７１と、を含んでもよく、インダクタ７１Ｌは、側面９２１及び９２２のうち側面９２１の方に近くてもよい。

　これによれば、インダクタ７１Ｌを、シールド電極層９５で覆われている側面９２２よりもシールド電極層９５で覆われていない側面９２１の方に寄せて配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５を介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７１Ｌは、受信経路に配置されているので、インダクタ７１Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、受信フィルタ６１Ｒと、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ及び低雑音増幅器２１の間に接続されたインダクタ７１Ｌを有する整合回路７１と、を含んでもよく、低雑音増幅器２１よりもインダクタ７１Ｌの方が側面９２１に近くてもよい。

　これによれば、低雑音増幅器２１よりもインダクタ７１Ｌの方を、シールド電極層９５で覆われていない側面９２１の近くに配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５を介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７１Ｌは、受信経路に配置されているので、インダクタ７１Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、受信フィルタ６１Ｒと、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ及び低雑音増幅器２１の間に接続されたインダクタ７１Ｌを有する整合回路７１と、を含んでもよく、インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａは、側面９２１と交差してもよく、側面９２２と交差しなくてもよい。

　これによれば、インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａがシールド電極層９５で覆われた側面９２２と交差しないようにインダクタ７１Ｌを配置することができる。一般的に、インダクタは、コイルの巻回軸に沿って強い磁力を発生し、巻回軸上の部品との間で磁界結合を生じやすい。したがって、巻回軸７１Ｌａがシールド電極層９５で覆われた側面９２２と交差しないことで、インダクタ７１Ｌがシールド電極層９５を介して他の高周波部品と磁界結合することを効果的に抑制することができる。また、インダクタ７１Ｌは、受信経路に配置されているので、インダクタ７１Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、送信フィルタ６１Ｔと、電力増幅器１１と、送信フィルタ６１Ｔ及び電力増幅器１１の間に接続されたインダクタ７２Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７２Ｌは、側面９２２及び９２３のうち側面９２３の方に近くてもよい。

　これによれば、インダクタ７２Ｌを、シールド電極層９５で覆われている側面９２２よりもシールド電極層９５で覆われていない側面９２３の方に寄せて配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５を介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７２Ｌは、送信経路に配置されているので、インダクタ７２Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、送信信号の品質の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、送信フィルタ６１Ｔと、電力増幅器１１と、送信フィルタ６１Ｔ及び電力増幅器１１の間に接続されたインダクタ７２Ｌと、を含んでもよく、電力増幅器１１よりもインダクタ７２Ｌの方が側面９２３に近くてもよい。

　これによれば、電力増幅器１１よりもインダクタ７２Ｌの方を、シールド電極層９５で覆われていない側面９２３の近くに配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５を介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７２Ｌは、送信経路に配置されているので、インダクタ７２Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、送信信号の品質の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、送信フィルタ６１Ｔと、電力増幅器１１と、送信フィルタ６１Ｔ及び電力増幅器１１の間に接続されたインダクタ７２Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７２Ｌを構成するコイルの巻回軸７２Ｌａは、側面９２２と交差してもよく、側面９２３と交差しなくてもよい。

　これによれば、インダクタ７２Ｌを構成するコイルの巻回軸７２Ｌａがシールド電極層９５で覆われた側面９２２と交差しないようにインダクタ７２Ｌを配置することができる。一般的に、インダクタは、コイルの巻回軸に沿って強い磁力を発生し、巻回軸上の部品との間で磁界結合を生じやすい。したがって、巻回軸７２Ｌａがシールド電極層９５で覆われた側面９２２と交差しないことで、インダクタ７２Ｌがシールド電極層９５を介して他の高周波部品と磁界結合することを効果的に抑制することができる。また、インダクタ７２Ｌは、送信経路に配置されているので、インダクタ７２Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、送信信号の品質の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、送受信フィルタ６２と、送受信フィルタ６２及びアンテナ接続端子１０１の間に接続されたインダクタ７５Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７５Ｌは、側面９２１及び９２４のうち側面９２１の方に近くてもよい。

　これによれば、インダクタ７５Ｌを、シールド電極層９５で覆われている側面９２４よりもシールド電極層９５で覆われていない側面９２１の方に寄せて配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５を介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７５Ｌは、送受信経路に配置されているので、インダクタ７５Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、送信信号の品質の低下及び受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、送受信フィルタ６２と、送受信フィルタ６２及びアンテナ接続端子１０１の間に接続されたインダクタ７５Ｌと、を含んでもよく、送受信フィルタ６２よりもインダクタ７５Ｌの方が側面９２１に近くてもよい。

　これによれば、送受信フィルタ６２よりもインダクタ７５Ｌの方を、シールド電極層９５で覆われていない側面９２１の近くに配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５を介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７５Ｌは、送受信経路に配置されているので、インダクタ７５Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、送信信号の品質の低下及び受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の高周波部品は、送受信フィルタ６２と、送受信フィルタ６２及びアンテナ接続端子１０１の間に接続されたインダクタ７４Ｌ及び／又は７５Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７４Ｌを構成するコイルの巻回軸７４Ｌａ及び／又はインダクタ７５Ｌを構成するコイルの巻回軸７５Ｌａは、側面９２１と交差してもよく、側面９２４と交差しなくてもよい。

　これによれば、インダクタ７４Ｌを構成するコイルの巻回軸７４Ｌａ及び／又はインダクタ７５Ｌを構成するコイルの巻回軸７５Ｌａがシールド電極層９５で覆われた側面９２４と交差しないようにインダクタ７４Ｌ及び／又は７５Ｌを配置することができる。一般的に、インダクタは、コイルの巻回軸に沿って強い磁力を発生し、巻回軸上の部品との間で磁界結合を生じやすい。したがって、巻回軸７４Ｌａ及び／又は７５Ｌａがシールド電極層９５で覆われた側面９２４と交差しないことで、インダクタ７４Ｌ及び／又は７５Ｌがシールド電極層９５を介して他の高周波部品と磁界結合することを効果的に抑制することができる。また、インダクタ７５Ｌは、送受信経路に配置されているので、インダクタ７５Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、送信信号の品質の低下及び受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数の側面は、側面９２１～９２４を含み、シールド電極層９５は、側面９２１及び９２３を覆わずに側面９２２及び側面９２４を覆っていてもよい。

　これによれば、シールド電極層９５に覆われていない側面９２１及び９２３と、シールド電極層９５に覆われている側面９２２及び９２４とをそれぞれ２つずつ配置することができる。したがって、高周波部品間の結合の抑制と外来ノイズの侵入の抑制とのバランスを図ることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、側面９２１及び９２３は、互いに対向しており、側面９２２及び９２４は、互いに対向していてもよい。

　これによれば、シールド電極層９５に覆われていない側面９２１及び９２３を対向させ、シールド電極層９５に覆われている側面９２２及び９２４を対向させることができる。したがって、巻回軸がシールド電極層９５に覆われた側面と交差しないようにインダクタを配置することが容易となり、高周波部品間の結合を抑制するよりに複数の高周波部品を配置することが容易となる。

　また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

　これによれば、通信装置５において、高周波モジュール１と同様の効果を実現することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１の製造方法は、複数の高周波モジュール１を製造する製造方法であって、複数の高周波部品が配置された複数のモジュール基板９１を有する集合基板９１０の主面を覆う樹脂部材９２を成形する樹脂成形工程と、成形された樹脂部材９２の表面に金属膜をシールド電極層９５として形成する成膜工程と、シールド電極層９５が形成された後に集合基板９１０を切断することで複数の高周波モジュール１を製造する切断工程と、を含む。

　これによれば、集合基板９１０を切断する前に、複数の高周波モジュール１でまとめてシールド電極層９５を形成することができる。したがって、複数の高周波モジュール１で個別にシールド電極層９５を形成する場合よりも、複数の高周波モジュール１をより簡単に製造することができる。さらに、このように製造された複数の高周波モジュール１の切断面には、シールド電極層９５が形成されない。したがって、このように製造された複数の高周波モジュール１は、シールド電極層９５を介した複数の高周波部品間の結合を抑制することができる。

　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、シールド電極層に覆われる側面の位置が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。

　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの回路構成は、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同様であるので、図示及び説明を省略する。

　［２．１　高周波モジュール１Ａの部品配置］
　本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの部品配置について、図６を参照しながら具体的に説明する。図６は、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ａの平面図である。

　本実施の形態では、樹脂部材９２の側面９２２及び９２４が第１側面及び第３側面に相当し、側面９２１及び９２３が第２側面及び第４側面に相当する。

　シールド電極層９５Ａは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、側面９２２及び９２４を覆わずに、側面９２１及び９２３を覆っている。言い換えると、シールド電極層９５Ａは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、互いに対向する２つの側面９２１及び９２３のみを覆っている。

　インダクタ７１Ｌは、第１インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２２の近傍に配置されている。具体的には、インダクタ７１Ｌは、側面９２１及び９２２のうち側面９２２の方に近い。また、低雑音増幅器２１よりもインダクタ７１Ｌの方が側面９２２に近い。

　インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａは、側面９２１及び９２３と平行であり、かつ、側面９２２及び９２４と垂直である。つまり、巻回軸７１Ｌａは、側面９２２及び９２４と交差するが、側面９２１及び９２３とは交差しないので、シールド電極層９５と交差しない。

　インダクタ７３Ｌは、第３インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２４の近傍に配置されている。具体的には、インダクタ７３Ｌは、側面９２１及び９２４のうち側面９２４の方に近い。また、デュプレクサ６１及び送受信フィルタ６２よりもインダクタ７３Ｌの方が側面９２４に近い。

　インダクタ７３Ｌを構成するコイルの巻回軸７３Ｌａは、側面９２１及び９２３と平行であり、かつ、側面９２２及び９２４と垂直である。つまり、巻回軸７３Ｌａは、側面９２２及び９２４と交差するが、側面９２１及び９２３とは交差しないので、シールド電極層９５と交差しない。

　［２．２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方に配置された複数の高周波部品と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方を覆っており、モジュール基板９１の外縁に沿って側面９２１及び／又は９２３と側面９２２及び／又は９２４とを含む複数の側面を有する樹脂部材９２と、側面９２２及び／又は９２４を覆わずに側面９２１及び／又は９２３を覆っているシールド電極層９５Ａと、を備える。

　これによれば、側面９２２及び／又は９２４をシールド電極層９５Ａで覆わずに側面９２１及び／又は９２３をシールド電極層９５Ａで覆うことができる。高周波部品は、シールド電極層９５Ａを介して他の高周波部品と磁界結合、電界結合又は電磁界結合する可能性がある。したがって、複数の側面のうちの側面９２２及び／又は９２４をシールド電極層９５Ａで覆わないことで、このような結合を抑制することができ、複数の高周波部品間のアイソレーションを改善することができる。さらに、複数の側面のうちの側面９２１及び／又は９２３をシールド電極層９５Ａで覆うことで、外来ノイズが高周波部品に侵入することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、複数の高周波部品は、受信フィルタ６１Ｒと、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ及び低雑音増幅器２１の間に接続されたインダクタ７１Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７１Ｌは、側面９２１及び９２２のうち側面９２２の方に近くてもよい。

　これによれば、インダクタ７１Ｌを、シールド電極層９５Ａで覆われている側面９２１よりもシールド電極層９５Ａで覆われていない側面９２２の方に寄せて配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５Ａを介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７１Ｌは、受信経路に配置されているので、インダクタ７１Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、複数の高周波部品は、受信フィルタ６１Ｒと、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ及び低雑音増幅器２１の間に接続されたインダクタ７１Ｌと、を含んでもよく、低雑音増幅器２１よりもインダクタ７１Ｌの方が側面９２２に近くてもよい。

　これによれば、低雑音増幅器２１よりもインダクタ７１Ｌの方を、シールド電極層９５Ａで覆われていない側面９２２の近くに配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５Ａを介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７１Ｌは、受信経路に配置されているので、インダクタ７１Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、複数の高周波部品は、受信フィルタ６１Ｒと、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ及び低雑音増幅器２１の間に接続されたインダクタ７１Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａは、側面９２２と交差してもよく、側面９２１と交差しなくてもよい。

　これによれば、インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａがシールド電極層９５Ａで覆われた側面９２１と交差しないようにインダクタ７１Ｌを配置することができる。一般的に、インダクタは、コイルの巻回軸に沿って強い磁力を発生し、巻回軸上の部品との間で磁界結合を生じやすい。したがって、巻回軸７１Ｌａがシールド電極層９５Ａで覆われた側面９２１と交差しないことで、インダクタ７１Ｌがシールド電極層９５Ａを介して他の高周波部品と磁界結合することを効果的に抑制することができる。また、インダクタ７１Ｌは、受信経路に配置されているので、インダクタ７１Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、複数の高周波部品は、デュプレクサ６１と、デュプレクサ６１及びアンテナ接続端子１０１の間に接続されたインダクタ７３Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７３Ｌは、側面９２１及び９２４のうち側面９２４の方に近くてもよい。

　これによれば、インダクタ７３Ｌを、シールド電極層９５Ａで覆われている側面９２１よりもシールド電極層９５Ａで覆われていない側面９２４の方に寄せて配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５Ａを介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７３Ｌは、通信バンドＡの送受信経路に配置されているので、インダクタ７３Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、通信バンドＡの送信信号の品質の低下及び通信バンドＡの受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、複数の高周波部品は、デュプレクサ６１と、デュプレクサ６１及びアンテナ接続端子１０１の間に接続されたインダクタ７３Ｌと、を含んでもよく、デュプレクサ６１よりもインダクタ７３Ｌの方が側面９２４に近くてもよい。

　これによれば、デュプレクサ６１よりもインダクタ７３Ｌの方を、シールド電極層９５Ａで覆われていない側面９２４の近くに配置することができる。一般的にインダクタは他の高周波部品と結合しやすいので、シールド電極層９５Ａを介した複数の高周波部品間の結合をより効果的に抑制することができる。また、インダクタ７３Ｌは、通信バンドＡの送受信経路に配置されているので、インダクタ７３Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、通信バンドＡの送信信号の品質の低下及び通信バンドＡの受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、複数の高周波部品は、デュプレクサ６１と、デュプレクサ６１及びアンテナ接続端子１０１の間に接続されたインダクタ７３Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７３Ｌを構成するコイルの巻回軸７３Ｌａは、側面９２４と交差してもよく、側面９２１と交差しなくてもよい。

　これによれば、インダクタ７３Ｌを構成するコイルの巻回軸７３Ｌａがシールド電極層９５Ａで覆われた側面９２１と交差しないようにインダクタ７３Ｌを配置することができる。一般的に、インダクタは、コイルの巻回軸に沿って強い磁力を発生し、巻回軸上の部品との間で磁界結合を生じやすい。したがって、巻回軸７３Ｌａがシールド電極層９５Ａで覆われた側面９２１と交差しないことで、インダクタ７３Ｌがシールド電極層９５Ａを介して他の高周波部品と磁界結合することを効果的に抑制することができる。また、インダクタ７３Ｌは、通信バンドＡの送受信経路に配置されているので、インダクタ７３Ｌと他の高周波部品との間の結合を抑制することで、通信バンドＡの送信信号の品質の低下及び通信バンドＡの受信感度の低下を抑制することができる。

　（実施の形態３）
　次に、実施の形態３について説明する。本実施の形態では、樹脂部材の３つの側面がシールド電極層に覆われる点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。

　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂの回路構成は、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同様であるので、図示及び説明を省略する。

　［３．１　高周波モジュール１Ｂの部品配置］
　本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂの部品配置について、図７を参照しながら具体的に説明する。図７は、実施の形態３に係る高周波モジュール１Ｂの平面図である。

　本実施の形態では、樹脂部材９２の側面９２１が第１側面に相当し、側面９２２～９２４が第２側面～第４側面に相当する。

　シールド電極層９５Ｂは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、側面９２１を覆わずに、側面９２２～９２４を覆っている。言い換えると、シールド電極層９５Ｂは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、１つの側面９２１のみを覆っていない。

　インダクタ７１Ｌは、第１インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２１の近傍に配置されている。インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７１Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するので、側面９２３を覆うシールド電極層９５Ｂとも交差する。

　このとき、巻回軸７１Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ１とインダクタ７１Ｌの中心点Ｃ１との間の距離Ｄ１は、巻回軸７１Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ２とインダクタ７１Ｌの中心点Ｃ１との間の距離Ｄ２よりも短い。つまり、巻回軸７１Ｌａ上における、インダクタ７１Ｌ及び側面９２１間の距離Ｄ１は、インダクタ７１Ｌ及び側面９２３間の距離Ｄ２よりも短い。

　インダクタ７４Ｌは、第３インダクタの一例であり、モジュール基板９１の中心近傍に配置されている。インダクタ７４Ｌを構成するコイルの巻回軸７４Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７４Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するので、側面９２３を覆うシールド電極層９５Ｂとも交差する。

　このとき、巻回軸７４Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ３とインダクタ７４Ｌの中心点Ｃ２との間の距離Ｄ３は、巻回軸７４Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ４とインダクタ７４Ｌの中心点Ｃ２との間の距離Ｄ４よりも短い。つまり、巻回軸７４Ｌａ上における、インダクタ７４Ｌ及び側面９２１間の距離Ｄ３は、インダクタ７４Ｌ及び側面９２３間の距離Ｄ４よりも短い。

　インダクタ７５Ｌは、第３インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２１の近傍に配置されている。インダクタ７５Ｌを構成するコイルの巻回軸７５Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７５Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するので、側面９２３を覆うシールド電極層９５Ｂとも交差する。

　このとき、巻回軸７５Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ５とインダクタ７５Ｌの中心点Ｃ３との間の距離Ｄ５は、巻回軸７５Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ６とインダクタ７５Ｌの中心点Ｃ３との間の距離Ｄ６よりも短い。つまり、巻回軸７５Ｌａ上における、インダクタ７５Ｌ及び側面９２１間の距離Ｄ５は、インダクタ７５Ｌ及び側面９２３間の距離Ｄ６よりも短い。

　［３．２　高周波モジュール１Ｂの製造方法］
　ここで、高周波モジュール１Ｂの製造方法について図９を参照しながら説明する。図９は、実施の形態３及び４に係る高周波モジュール１Ｂ及び１Ｃのための集合基板９１０ＢＣの透視図である。

　図９に示すように、本実施の形態では、２つのモジュール基板９１を含む集合基板９１０ＢＣを準備する。そして、集合基板９１０ＢＣに、樹脂成形工程、成膜工程及び切断工程を実行する。これにより、集合基板９１０ＢＣ上の樹脂部材の表面にシールド電極層が形成された後に集合基板９１０ＢＣが切断される。このとき、集合基板９１０ＢＣ内の左のモジュール基板９１では、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、３つの側面９２２～９２４にシールド電極層９５Ｂが形成され、１つの側面９２１にシールド電極層９５Ｂが形成されない。つまり、高周波モジュール１Ｂが製造される。

　［３．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂは、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方に配置された複数の高周波部品と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方を覆っており、モジュール基板９１の外縁に沿って側面９２１～９２４を含む複数の側面を有する樹脂部材９２と、側面９２１を覆わずに側面９２２～９２４を覆っているシールド電極層９５Ｂと、を備える。

　これによれば、側面９２１をシールド電極層９５Ｂで覆わずに側面９２２～９２４をシールド電極層９５Ｂで覆うことができる。高周波部品は、シールド電極層９５Ｂを介して他の高周波部品と磁界結合、電界結合又は電磁界結合する可能性がある。したがって、複数の側面のうちの側面９２１をシールド電極層９５Ｂで覆わないことで、このような結合を抑制することができ、複数の高周波部品間のアイソレーションを改善することができる。さらに、複数の側面のうちの側面９２２～９２４をシールド電極層９５Ｂで覆うことで、外来ノイズが高周波部品に侵入することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂにおいて、複数の高周波部品は、受信フィルタ６１Ｒと、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ及び低雑音増幅器２１の間に接続されたインダクタ７１Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７１Ｌを構成するコイルの巻回軸７１Ｌａは、側面９２１及び９２３の各々と交差し、巻回軸７１Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ１と、インダクタ７１Ｌの中心点Ｃ１との間の距離Ｄ１は、巻回軸７１Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ２と、インダクタ７１Ｌの中心点Ｃ１との間の距離Ｄ２よりも短くてもよい。

　これによれば、インダクタ７１Ｌの巻回軸７１Ｌａがシールド電極層９５Ｂに覆われていない側面９２１及びシールド電極層９５Ｂに覆われている側面９２３の両方と交差する場合に、インダクタ７１Ｌ及び側面９２３間の巻回軸７１Ｌａ上の距離Ｄ２をインダクタ７１Ｌ及び側面９２１間の巻回軸７１Ｌａ上の距離Ｄ１よりも長くすることができる。したがって、インダクタ７１Ｌが側面９２３を覆うシールド電極層９５Ｂを介して他の高周波部品と結合することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂにおいて、複数の高周波部品は、送受信フィルタ６２と、送受信フィルタ６２とアンテナ接続端子１０１との間に接続されたインダクタ７４Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７４Ｌを構成するコイルの巻回軸７４Ｌａは、側面９２１及び９２３の各々と交差してもよく、巻回軸７４Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ３とインダクタ７４Ｌの中心点Ｃ２との間の距離Ｄ３は、巻回軸７４Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ４とインダクタ７４Ｌの中心点Ｃ２との間の距離Ｄ４よりも短くてもよい。

　これによれば、インダクタ７４Ｌの巻回軸７４Ｌａがシールド電極層９５Ｂに覆われていない側面９２１及びシールド電極層９５Ｂに覆われている側面９２３の両方と交差する場合に、インダクタ７４Ｌ及び側面９２３間の巻回軸７４Ｌａ上の距離Ｄ４をインダクタ７４Ｌ及び側面９２１間の巻回軸７４Ｌａ上の距離Ｄ３よりも長くすることができる。したがって、インダクタ７４Ｌが側面９２３を覆うシールド電極層９５Ｂを介して他の高周波部品と結合することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂにおいて、複数の高周波部品は、送受信フィルタ６２と、送受信フィルタ６２とアンテナ接続端子１０１との間に接続されたインダクタ７５Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７５Ｌを構成するコイルの巻回軸７５Ｌａは、側面９２１及び９２３の各々と交差してもよく、巻回軸７５Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ５とインダクタ７５Ｌの中心点Ｃ３との間の距離Ｄ５は、巻回軸７５Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ６とインダクタ７５Ｌの中心点Ｃ３との間の距離Ｄ６よりも短くてもよい。

　これによれば、インダクタ７５Ｌの巻回軸７５Ｌａがシールド電極層９５Ｂに覆われていない側面９２１及びシールド電極層９５Ｂに覆われている側面９２３の両方と交差する場合に、インダクタ７５Ｌ及び側面９２３間の巻回軸７５Ｌａ上の距離Ｄ６をインダクタ７５Ｌ及び側面９２１間の巻回軸７５Ｌａ上の距離Ｄ５よりも長くすることができる。したがって、インダクタ７５Ｌが側面９２３を覆うシールド電極層９５Ｂを介して他の高周波部品と結合することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂにおいて、複数の側面は、側面９２１～９２４を含み、シールド電極層９５Ｂは、側面９２１を覆わずに側面９２２～９２４を覆っていてもよい。

　これによれば、３つの側面９２２～９２４をシールド電極層９５Ｂで覆うことができるので、高周波モジュール１Ｂは、実施の形態１又は２に係る高周波モジュール１又は１Ａよりも、外来ノイズの侵入の抑制を強化することができる。

　（実施の形態４）
　次に、実施の形態４について説明する。本実施の形態では、樹脂部材の３つの側面がシールド電極層に覆われる点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。

　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃの回路構成は、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同様であるので、図示及び説明を省略する。

　［４．１　高周波モジュール１Ｃの部品配置］
　本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃの部品配置について、図８を参照しながら具体的に説明する。図８は、実施の形態４に係る高周波モジュール１Ｃの平面図である。

　本実施の形態では、樹脂部材９２の側面９２３が第１側面に相当し、側面９２１、９２２及び９２４が第２側面～第４側面に相当する。

　シールド電極層９５Ｃは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、側面９２３を覆わずに、側面９２１、９２２及び９２４を覆っている。言い換えると、シールド電極層９５Ｃは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち１つの側面９２３のみを覆っていない。

　インダクタ７２Ｌは、第２インダクタの一例であり、樹脂部材９２の側面９２３の近傍に配置されている。インダクタ７２Ｌを構成するコイルの巻回軸７２Ｌａは、側面９２２及び９２４と平行であり、かつ、側面９２１及び９２３と垂直である。つまり、巻回軸７２Ｌａは、側面９２１及び９２３と交差するので、側面９２１を覆うシールド電極層９５Ｃとも交差する。

　このとき、巻回軸７２Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ７とインダクタ７２Ｌの中心点Ｃ４との間の距離Ｄ７は、巻回軸７２Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ８とインダクタ７２Ｌの中心点Ｃ４との間の距離Ｄ８よりも短い。つまり、つまり、巻回軸７２Ｌａ上における、インダクタ７２Ｌ及び側面９２３間の距離Ｄ７は、インダクタ７２Ｌ及び側面９２１間の距離Ｄ８よりも短い。

　［４．２　高周波モジュール１Ｃの製造方法］
　ここで、高周波モジュール１Ｃの製造方法について図９を参照しながら説明する。

　図９に示すように、本実施の形態では、２つのモジュール基板９１を含む集合基板９１０ＢＣを準備する。そして、集合基板９１０ＢＣに、樹脂成形工程、成膜工程及び切断工程を実行する。これにより、集合基板９１０ＢＣ上の樹脂部材の表面にシールド電極層が形成された後に集合基板９１０ＢＣが切断される。このとき、集合基板９１０ＢＣ内の右のモジュール基板９１では、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、３つの側面９２１、９２２及び９２４にシールド電極層９５Ｃが形成され、１つの側面９２３にシールド電極層９５Ｃが形成されず、高周波モジュール１Ｃが製造される。

　［４．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃは、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方に配置された複数の高周波部品と、主面９１ａ及び９１ｂの少なくとも一方を覆っており、モジュール基板９１の外縁に沿って側面９２１～９２４を含む複数の側面を有する樹脂部材９２と、側面９２３を覆わずに側面９２１、９２２及び９２４を覆っているシールド電極層９５Ｃと、を備える。

　これによれば、側面９２３をシールド電極層９５Ｃで覆わずに側面９２１、９２２及び９２４をシールド電極層９５Ｃで覆うことができる。高周波部品は、シールド電極層９５Ｃを介して他の高周波部品と磁界結合、電界結合又は電磁界結合する可能性がある。したがって、複数の側面のうちの側面９２３をシールド電極層９５Ｃで覆わないことで、このような結合を抑制することができ、複数の高周波部品間のアイソレーションを改善することができる。さらに、複数の側面のうちの側面９２１、９２２及び９２４をシールド電極層９５Ｃで覆うことで、外来ノイズが高周波部品に侵入することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、複数の高周波部品は、送信フィルタ６１Ｔと、電力増幅器１１と、送信フィルタ６１Ｔ及び電力増幅器１１の間に接続されたインダクタ７２Ｌと、を含んでもよく、インダクタ７２Ｌを構成するコイルの巻回軸７２Ｌａは、側面９２１及び９２３の各々と交差してもよく、巻回軸７２Ｌａ及び側面９２３の交点Ｐ７と、インダクタ７２Ｌの中心点Ｃ４との間の距離Ｄ７は、巻回軸７２Ｌａ及び側面９２１の交点Ｐ８と、インダクタ７２Ｌの中心点Ｃ４との間の距離Ｄ８よりも短くてもよい。

　これによれば、インダクタ７２Ｌの巻回軸７２Ｌａがシールド電極層９５Ｃに覆われていない側面９２３及びシールド電極層９５Ｃに覆われている側面９２１の両方と交差する場合に、インダクタ７２Ｌ及び側面９２１間の巻回軸７２Ｌａ上の距離Ｄ８をインダクタ７２Ｌ及び側面９２３間の巻回軸７２Ｌａ上の距離Ｄ７よりも長くすることができる。したがって、インダクタ７２Ｌが側面９２１を覆うシールド電極層９５Ｃを介して他の高周波部品と結合することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、複数の側面は、側面９２１～９２４を含み、シールド電極層９５Ｃは、側面９２３を覆わずに側面９２１、９２２及び９２４を覆っていてもよい。

　これによれば、３つの側面９２１、９２２及び９２４をシールド電極層９５Ｃで覆うことができるので、高周波モジュール１Ｃは、実施の形態１又は２に係る高周波モジュール１又は１Ａよりも、外来ノイズの侵入の抑制を強化することができる。

　（他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュール及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記各実施の形態では、樹脂部材９２の４つの側面のうち、２つ又は３つの側面がシールド電極層で覆われていたが、これに限定されない。例えば、１つの側面のみがシールド電極層に覆われてもよい。このような高周波モジュールの一例について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、他の実施の形態に係る高周波モジュール１Ｄの平面図である。図１０では、樹脂部材９２の側面９２１が第１側面に相当し、側面９２２が第２の側面に相当し、側面９２３及び９２４が第３側面及び第４側面に相当する。そして、シールド電極層９５Ｄは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち、側面９２１、９２３及び９２４を覆わずに、側面９２２を覆っている。言い換えると、シールド電極層９５Ｄは、樹脂部材９２の４つの側面９２１～９２４のうち１つの側面９２２のみを覆っている。この場合、３つの側面９２１、９２３及び９２４がシールド電極層９５Ｄで覆われないので、高周波モジュール１Ｄは、上記各実施の形態に係る高周波モジュールよりもシールド電極層９５を介した高周波部品間の結合の抑制を強化することができる。

　なお、上記各実施の形態では、複数の高周波部品が主面９１ａに配置されていたが、これに限定されない。例えば、半導体集積回路２０及び／又はスイッチ５１は、主面９１ｂに配置されてもよい。つまり、複数の高周波部品の少なくとも１つは、主面９１ａに配置され、複数の高周波部品の他の少なくとも１つは、主面９１ｂに配置されてもよい。この場合、主面９１ａに加えて主面９１ｂも樹脂部材で覆われてもよく、複数の外部接続端子１５０として、ポスト電極及び／又はバンプ電極が用いられてもよい。これによれば、モジュール基板９１の両面に部品を配置できるので、高周波モジュールの小型化を実現することができる。このとき、スイッチ５２は、主面９１ａ及び９１ｂのどちらに配置されてもよい。

　なお、上記各実施の形態では、デュプレクサ６１及び送受信フィルタ６２と電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１との接続及び非接続に２つのスイッチ５２及び５３が用いられていたが、スイッチの構成はこれに限定されない。例えば、スイッチ５２及び５３は、単一のスイッチで構成されてもよい。この場合、単一のスイッチは、送信フィルタ６１Ｔと、受信フィルタ６１Ｒと、送受信フィルタ６２と、電力増幅器１１の出力と、低雑音増幅器２１の入力と、にそれぞれ接続される５つの端子を有すればよい。

　なお、上記各実施の形態では、高周波モジュールは、低雑音増幅器２１に接続されるフィルタを切り替えるためのスイッチ５３を備えていたが、スイッチ５３を備えなくてもよい。この場合、高周波モジュールは、低雑音増幅器２１の代わりに、２つの低雑音増幅器を備えてもよい。このとき、受信フィルタ６１Ｒの他端は、２つの低雑音増幅器の一方に接続され、送受信フィルタ６２の他端は、スイッチ５２を介して２つの低雑音増幅器の他方に接続されてもよい。

　なお、上記実施の形態１及び２において、２つの側面がシールド電極層に覆われる場合に、当該２つの側面は、互いに対向していたが、これに限定されない。シールド電極層に覆われる２つの側面は、交差していてもよい。例えば、実施の形態１において、側面９２２及び９２３がシールド電極層９５に覆われ、かつ、側面９２１及び９２４がシールド電極層９５に覆われなくてもよい。また、側面９２３及び９２４がシールド電極層９５に覆われ、かつ、側面９２１及び９２２がシールド電極層９５に覆われなくてもよい。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ　高周波モジュール
　２　アンテナ
　３　ＲＦＩＣ
　４　ＢＢＩＣ
　５　通信装置
　１１　電力増幅器
　２０　半導体集積回路
　２１　低雑音増幅器
　５１、５２、５３　スイッチ
　６１　デュプレクサ
　６１Ｒ　受信フィルタ
　６１Ｔ　送信フィルタ
　６２　送受信フィルタ
　７１、７２、７３、７４、７５　整合回路
　７１Ｌ、７２Ｌ、７３Ｌ、７４Ｌ、７５Ｌ　インダクタ
　７１Ｌａ、７２Ｌａ、７３Ｌａ、７４Ｌａ、７５Ｌａ　巻回軸
　９１　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　主面
　９２　樹脂部材
　９５、９５Ａ、９５Ｂ、９５Ｃ、９５Ｄ　シールド電極層
　１０１　アンテナ接続端子
　１１１　高周波入力端子
　１２１　高周波出力端子
　１５０　外部接続端子
　５１１、５１２、５１３、５２１、５２２、５２３、５２４、５３１、５３２、５３３　端子
　９１０、９１０ＢＣ　集合基板
　９２１、９２２、９２３、９２４　側面
　９２５　天面
　Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４　中心点
　Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８　距離
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８　交点

Claims

　互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、
　前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に配置された複数の高周波部品と、
　前記第１主面及び前記第２主面の前記少なくとも一方を覆っており、前記モジュール基板の外縁に沿って第１側面及び第２側面を含む複数の側面を有する樹脂部材と、
　前記第１側面を覆わずに前記第２側面を覆っているシールド電極層と、を備える、
　高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第１フィルタと、
　低雑音増幅器と、
　前記第１フィルタと前記低雑音増幅器との間に接続された第１インダクタと、を含み、
　前記第１インダクタは、前記第１側面及び前記第２側面のうち前記第１側面の方に近い、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第１フィルタと、
　低雑音増幅器と、
　前記第１フィルタと前記低雑音増幅器との間に接続された第１インダクタと、を含み、
　前記低雑音増幅器よりも前記第１インダクタの方が前記第１側面に近い、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第１フィルタと、
　低雑音増幅器と、
　前記第１フィルタと前記低雑音増幅器との間に接続された第１インダクタと、を含み、
　前記第１インダクタを構成するコイルの第１巻回軸は、前記第１側面と交差し、前記第２側面と交差しない、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第１フィルタと、
　低雑音増幅器と、
　前記第１フィルタと前記低雑音増幅器との間に接続された第１インダクタと、を含み、
　前記第１インダクタを構成するコイルの第１巻回軸は、前記第１側面及び前記第２側面の各々と交差し、
　前記第１巻回軸及び前記第１側面の交点と、前記第１インダクタの中心点との間の距離は、前記第１巻回軸及び前記第２側面の交点と、前記第１インダクタの前記中心点との間の距離よりも短い、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第２フィルタと、
　電力増幅器と、
　前記第２フィルタと前記電力増幅器との間に接続された第２インダクタと、を含み、
　前記第２インダクタは、前記第１側面及び前記第２側面のうち前記第１側面の方に近い、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第２フィルタと、
　電力増幅器と、
　前記第２フィルタと前記電力増幅器との間に接続された第２インダクタと、を含み、
　前記電力増幅器よりも前記第２インダクタの方が前記第１側面に近い、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第２フィルタと、
　電力増幅器と、
　前記第２フィルタと前記電力増幅器との間に接続された第２インダクタと、を含み、
　前記第２インダクタを構成するコイルの第２巻回軸は、前記第１側面と交差し、前記第２側面と交差しない、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第２フィルタと、
　電力増幅器と、
　前記第２フィルタと前記電力増幅器との間に接続された第２インダクタと、を含み、
　前記第２インダクタを構成するコイルの第２巻回軸は、前記第１側面及び前記第２側面の各々と交差し、
　前記第２巻回軸及び前記第１側面の交点と、前記第２インダクタの中心点との間の距離は、前記第２巻回軸及び前記第２側面の交点と、前記第２インダクタの前記中心点との間の距離よりも短い、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第３フィルタと、
　前記第３フィルタとアンテナ接続端子との間に接続された第３インダクタと、を含み、
　前記第３インダクタは、前記第１側面及び前記第２側面のうち前記第１側面の方に近い、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第３フィルタと、
　前記第３フィルタとアンテナ接続端子との間に接続された第３インダクタと、を含み、
　前記第３フィルタよりも前記第３インダクタの方が前記第１側面に近い、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第３フィルタと、
　前記第３フィルタとアンテナ接続端子との間に接続された第３インダクタと、を含み、
　前記第３インダクタを構成するコイルの第３巻回軸は、前記第１側面と交差し、前記第２側面と交差しない、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の高周波部品は、
　第３フィルタと、
　前記第３フィルタとアンテナ接続端子との間に接続された第３インダクタと、を含み、
　前記第３インダクタを構成するコイルの第３巻回軸は、前記第１側面及び前記第２側面の各々と交差し、
　前記第３巻回軸及び前記第１側面の交点と前記第３インダクタの中心点との間の距離は、前記第３巻回軸及び前記第２側面の交点と前記第３インダクタの前記中心点との間の距離よりも短い、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の側面は、さらに、第３側面及び第４側面を含み、
　前記シールド電極層は、前記第１側面及び前記第３側面を覆わずに前記第２側面及び前記第４側面を覆っている、
　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１側面及び前記第３側面は、互いに対向しており、
　前記第２側面及び前記第４側面は、互いに対向している、
　請求項１４に記載の高周波モジュール。
　前記複数の側面は、さらに、第３側面及び第４側面を含み、
　前記シールド電極層は、前記第１側面を覆わずに前記第２側面、第３側面及び前記第４側面を覆っている、
　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の側面は、さらに、第３側面及び第４側面を含み、
　前記シールド電極層は、前記第１側面、前記第３側面及び前記第４側面を覆わずに前記第２側面を覆っている、
　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　高周波信号を処理する信号処理回路と、
　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する、請求項１～１７のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
　通信装置。
　複数の高周波モジュールを製造する製造方法であって、
　複数の高周波部品が配置された複数のモジュール基板を有する集合基板の主面を覆う樹脂部材を成形する樹脂成形工程と、
　成形された前記樹脂部材の表面に金属膜をシールド電極層として形成する成膜工程と、
　前記シールド電極層が形成された後に前記集合基板を切断することで複数の高周波モジュールを製造する切断工程と、を含む、
　製造方法。