WO2022019132A1 - 発光素子及び表示装置 - Google Patents

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WO2022019132A1
WO2022019132A1 PCT/JP2021/025747 JP2021025747W WO2022019132A1 WO 2022019132 A1 WO2022019132 A1 WO 2022019132A1 JP 2021025747 W JP2021025747 W JP 2021025747W WO 2022019132 A1 WO2022019132 A1 WO 2022019132A1
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light
electrode
layer
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英輔 根岸
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Definitions

  • This disclosure relates to a light emitting element and a display device.
  • organic EL display device using an organic electroluminescence (EL) element as a light emitting element
  • EL organic electroluminescence
  • an organic layer including at least a light emitting layer and a second electrode are placed on a first electrode (lower electrode, for example, an anode electrode) formed separately for each pixel.
  • first electrode lower electrode, for example, an anode electrode
  • it has a plurality of light emitting elements on which a cathode electrode
  • each of the red light emitting element, the green light emitting element, and the blue light emitting element is provided as sub-pixels, and one pixel is composed of these sub-pixels, for example, from the light emitting layer via the second electrode (upper electrode). Light is emitted to the outside.
  • a display device provided with a plurality of types of color conversion filters is known, for example, from Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-243153, and is emitted from an organic EL layer.
  • the color conversion filter includes, for example, a laminate of a color filter layer and a fluorescence conversion layer, and a black mask.
  • the light in the near-ultraviolet to visible region emitted from the organic EL layer constituting a certain sub-pixel is a sub-pixel adjacent to this sub-pixel.
  • the light emitted in this subpixel is wasted because it is incident on the organic EL layer constituting the above, or so-called optical crosstalk occurs.
  • an object of the present disclosure is to provide a plurality of light emitting elements having a structure and a structure in which light emitted from an organic layer can be efficiently used for image formation and in which optical crosstalk is unlikely to occur.
  • the purpose is to provide a display device.
  • the light emitting device for achieving the above object is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • the light emitting device for achieving the above object is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • the second electrode formed on the organic layer, The first light emitted from the organic layer formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion has a wavelength of ⁇ 2 (where ⁇ 2 > ⁇ 1 ).
  • 1-A wavelength conversion layer that converts to a second light having It is formed in a region between the second portion of the first electrode and the portion of the organic layer formed above the protruding portion, which is different from the region where the 1-A wavelength conversion layer is formed, and is formed from the organic layer.
  • a 1-B wavelength conversion layer that converts the emitted first light into a third light having a wavelength ⁇ 3 (where ⁇ 3 > ⁇ 2). It is equipped with.
  • the display device of the present disclosure for achieving the above object is A display device in which a plurality of light emitting element units including a first light emitting element, a second light emitting element, and a third light emitting element are arranged.
  • the first light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • An organic layer formed on the first electrode and emitting a first light having a wavelength ⁇ 1 and The second electrode formed on the organic layer, Equipped with The second light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • An organic layer formed on and above the first electrode and emitting the first light, The second electrode formed on the organic layer, The first light emitted from the organic layer formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion has a wavelength of ⁇ 2 (where ⁇ 2 > ⁇ 1 ).
  • the third light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • the first light emitted from the organic layer formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion has a wavelength of ⁇ 3 (provided that ⁇ 3 > ⁇ 2 ).
  • 1-B wavelength conversion layer that converts to a third light having A second 2-B wavelength conversion layer, which is formed on or above the second electrode and converts the first light emitted from the organic layer into the third light. It is equipped with.
  • FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 1 of the light emitting element and the display device of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 2 of the light emitting element and the display device of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view of a modification 3 of the light emitting element and the display device of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic partial cross-sectional view of a modification 4 of the light emitting element and the display device of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic partial cross-sectional view of a modified example 5 of the light emitting element and the display device of the first embodiment.
  • FIG. 7A is a diagram schematically showing an arrangement of light emitting elements in the display device of the first embodiment.
  • FIG. 7B is a diagram schematically showing an arrangement of light emitting elements in the display device of the first embodiment.
  • FIG. 7C is a diagram schematically showing an arrangement of light emitting elements in the display device of the first embodiment.
  • FIG. 7D is a diagram schematically showing an arrangement of light emitting elements in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 8A is a diagram schematically showing an arrangement state of the substrate and the arrangement state of the protrusion in the display device of the first embodiment.
  • FIG. 8B is a diagram schematically showing the arrangement state of the first electrode.
  • FIG. 9A is a diagram schematically showing the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer in the display device of the first embodiment.
  • FIG. 9B is a diagram schematically showing the arrangement state of the second electrode.
  • FIG. 10A is a diagram schematically showing an arrangement state of the arrangement state of the first electrode in the modification-1 of the display device of the first embodiment.
  • FIG. 10B is a diagram schematically showing the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer.
  • FIG. 11 is a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the second embodiment.
  • FIG. 12A is a diagram schematically showing an arrangement state of the substrate and the arrangement state of the protrusion in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 12B is a diagram schematically showing the arrangement state of the first electrode.
  • FIG. 13A is a diagram schematically showing the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 13B is a diagram schematically showing an arrangement state of the second electrode.
  • FIG. 14 is a diagram schematically showing the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer in the modification-1 of the display device of the second embodiment.
  • FIG. 15A is a diagram schematically showing an arrangement state of the first electrode in the modification 2 of the display device of the second embodiment.
  • FIG. 15B is a diagram schematically showing the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer.
  • FIG. 16 is a diagram schematically showing the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer in the modification 3 of the display device of the second embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic partial cross-sectional view of a modification 3 of the light emitting element and the display device of the second embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the third embodiment.
  • FIG. 19A is a diagram schematically showing an arrangement state of a substrate and a protrusion in the display device of the third embodiment.
  • FIG. 19B is a diagram schematically showing an arrangement state of the first electrode.
  • FIG. 20A is a diagram schematically showing the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer in the display device of the third embodiment.
  • FIG. 20B is a diagram schematically showing an arrangement state of the second electrode.
  • FIG. 21 is a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 22 is a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the fifth embodiment.
  • FIG. 23 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 1 of the light emitting element and the display device of the fifth embodiment.
  • FIG. 24 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 2 of the display device and the light emitting element of the fifth embodiment.
  • FIG. 25 is a schematic partial cross-sectional view of a modification 3 of the display device and the light emitting element of the fifth embodiment.
  • FIG. 26 is a schematic partial cross-sectional view of a modified example -4 of the display device of the fifth embodiment in which the optical path control means is composed of a light reflecting member.
  • FIG. 27 is a schematic partial cross-sectional view of the display device of the sixth embodiment.
  • FIG. 28 is for explaining the distance (offset amount) D 0 between the normal LN passing through the center of the light emitting region and the normal LN'passing through the center of the optical path control means in the display device of the sixth embodiment.
  • D 0 the distance between the normal LN passing through the center of the light emitting region and the normal LN'passing through the center of the optical path control means in the display device of the sixth embodiment.
  • FIG. 29A is a schematic diagram showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the display device of the sixth embodiment.
  • FIG. 29B is a schematic diagram showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the display device of the sixth embodiment.
  • FIG. 30A is a diagram schematically showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the modified example of the display device of the sixth embodiment.
  • FIG. 30B is a diagram schematically showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the modified example of the display device of the sixth embodiment.
  • Figure 31A is a variation of the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 31B is a variation of the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 31C is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 31D is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 32A the change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 32B is a variation of the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 32C is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 32D is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 33A is a variation of the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 33B is a variation of the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 33C is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 33D is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 34A is a variation of the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 34B is a variation of the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 34C is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • FIG. 34D is a change in D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • FIG. 35A is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit. be.
  • FIG. 35B is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit. be.
  • FIG. 35A is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit. be.
  • FIG. 35C is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit.
  • FIG. 36 is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit.
  • FIG. 37A is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit. be.
  • FIG. 37B is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit.
  • FIG. 38 is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting region, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit.
  • FIG. 39A is a schematic plan view of an optical path control means having the shape of a truncated quadrangular pyramid.
  • FIG. 39B is a schematic perspective view of an optical path control means having the shape of a truncated quadrangular pyramid.
  • FIG. 40 is a schematic partial cross-sectional view of another modification of the display device of the first embodiment.
  • FIG. 41 is a schematic partial cross-sectional view of still another modification of the display device of the first embodiment.
  • FIG. 42A is a front view of a digital still camera showing an example in which the display device of the present disclosure is applied to a mirrorless type digital still camera with interchangeable lenses.
  • FIG. 42B is a rear view of a digital still camera showing an example in which the display device of the present disclosure is applied to an interchangeable lens type mirrorless type digital still camera.
  • Example 1 Light emitting device according to the first aspect of the present disclosure and the display device of the present disclosure
  • Example 2 Mode of Example 1
  • Example 3 Alternative variant of Example 1
  • Example 4 Light emitting device according to the second aspect of the present disclosure and the display device of the present disclosure
  • Example 5 Modifications of Examples 1 to 4)
  • Example 6 Modifications of Examples 1 to 5
  • the light emitting region is composed of a central portion of the light emitting region and an outer peripheral portion of the light emitting region surrounding the central portion of the light emitting region.
  • the first wavelength conversion layer may have a form extending above the portion of the substrate constituting the outer peripheral portion of the light emitting region. That is, the first wavelength conversion layer is a portion of the first electrode located above the portion of the substrate constituting the outer peripheral portion of the light emitting region and a portion of the organic layer located above the portion of the substrate constituting the outer peripheral portion of the light emitting region. It can be in the form of an extension between and. Such a form can be applied to the 1-A wavelength conversion layer and the 1-B wavelength conversion layer in the light emitting device according to the second aspect of the present disclosure.
  • the size of the light emitting region may be changed according to the color of the light emitted by the light emitting element, or the light emitting region may be changed according to the color of the light emitted by the light emitting element.
  • the size of the protrusion may be changed.
  • the size of the light emitting region of the second light emitting element may be larger than the size of the light emitting region of the first light emitting element and the size of the light emitting region of the third light emitting element. ..
  • the light emitting amount of the second light emitting element can be made larger than the light emitting amount of the first light emitting element and the light emitting amount of the third light emitting element, or also, the light emitting amount of the first light emitting element, the first.
  • the amount of light emitted from the two light emitting elements and the amount of light emitted from the third light emitting element can be optimized, and the image quality can be improved.
  • the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer can be made of the same material.
  • the present invention is not limited to this, and as long as the light emitted from the first wavelength conversion layer and the light emitted from the second wavelength conversion layer have the same color, the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are used. It may be composed of a material different from that of.
  • the light emitting device or the like according to the first aspect of the present disclosure including various preferable forms described above can be further provided with a wavelength selection unit through which light from at least the second wavelength conversion layer passes. .. That is, when the light emitting element has a wavelength selection unit, a second wavelength conversion layer, a second 2-A wavelength conversion layer, and a second 2-B wavelength conversion layer (hereinafter, these are collectively referred to as "second wavelength conversion layer, etc.”". It is possible to form a form in which a wavelength selection unit is provided above (sometimes referred to as) (on the light emitting side of the second wavelength conversion layer or the like). It should be noted that a form in which the light from the first wavelength conversion layer passes through the wavelength selection unit can be included.
  • the wavelength selection unit may be provided on the first substrate side or may be provided on the second substrate side. In the former case, it is preferable to form the wavelength selection unit on the flattening layer formed on the second wavelength conversion layer or the like. On the other hand, in the latter case, it is preferable to form a wavelength selection unit between the second wavelength conversion layer or the like and the first surface of the second substrate.
  • the wavelength selection unit can be composed of, for example, a color filter layer.
  • the color filter layer is composed of a resin to which a colorant composed of a desired pigment or dye is added. By selecting the pigment or dye, the light transmittance in the target wavelength range such as red, green, or blue can be obtained. It is adjusted so that it is high and the light transmittance in other wavelength ranges is low.
  • the wavelength selection unit is a wavelength selection element to which a photonic crystal or plasmon is applied (a color filter layer having a conductor lattice structure in which a lattice-shaped hole structure is provided in a conductor thin film.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-177191 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-177191. It can also be composed of a thin film made of an inorganic material such as amorphous silicon and quantum dots.
  • the wavelength selection unit may be described as a representative of the color filter layer, but the wavelength selection unit is not limited to the color filter layer.
  • the size of the wavelength selection unit may be appropriately changed according to the light emitted by the light emitting element, or the wavelength selection unit (for example, the color filter layer) of the adjacent light emitting element may be changed.
  • the size of the light absorbing layer black matrix layer
  • the size of the wavelength selection unit is set to the distance (offset amount) between the normal passing through the center of the light emitting region and the normal passing through the center of the wavelength selection unit (for example, the color filter layer).
  • D 0 (described later) may be changed as appropriate.
  • the planar shape of the wavelength selection unit may be the same as the planar shape of the light emitting region, may be a similar shape, may be an approximate shape, or may be different. However, it is preferable that the wavelength selection unit is larger than the light emitting region. Alternatively, the planar shape of the wavelength selection unit may be the same as the planar shape of the optical path control means described later, may be a similar shape, may be an approximate shape, or may be different. good.
  • the center of the light emitting area refers to the area center of gravity of the area occupied by the light emitting area.
  • the center of the wavelength selection unit refers to the area center of gravity point of the area occupied by the wavelength selection unit.
  • the planar shape of the wavelength selection part is circular, elliptical, square (including a square with rounded corners), rectangular (including a rectangle with rounded corners), and a regular polygon (corner part).
  • the center of these figures corresponds to the center of the wavelength selection part, and if a part of these figures is a notched figure, it is notched.
  • the center of the optical path control means refers to the area center of gravity point of the plane shape when the plane shape of the optical path control means is assumed.
  • the planar shape of the optical path control means is circular, elliptical, square (including a square with rounded corners), rectangular (including a square with rounded corners), and a regular polygon (corners). In the case of (including a rounded regular polygon), the center of these figures corresponds to the center of the optical path control means.
  • the first part of the first electrode and the second part of the first electrode are made of the same material. It can be, or it can be in the form of being composed of different materials. These embodiments can be applied to the light emitting device according to the second aspect of the present disclosure.
  • the first wavelength conversion layer may be in the form of being covered with a transparent insulating material layer. ..
  • the refractive index value n 1 of the material constituting the first wavelength conversion layer may be higher than the refractive index value n 2 of the material constituting the insulating material layer.
  • n 1 ⁇ n 2 ⁇ 0.1 Can be exemplified. Such a form can be applied to the 1-A wavelength conversion layer and the 1-B wavelength conversion layer in the light emitting device according to the second aspect of the present disclosure.
  • the protruding portion may be in a forward tapered shape, or the side surface of the protruding portion may be formed.
  • 15 to 75 degrees can be exemplified as the maximum tilt angle of the forward taper shape, and the side surface of the protruding portion shall have an angle of 90 degrees ⁇ 10 degrees with respect to the substrate. Can be done.
  • the light emitting device according to the second aspect of the present disclosure including such a form can be in a form of emitting white light to the outside.
  • the 1-A wavelength conversion layer and the 2-A wavelength conversion layer can be made of the same material, and the 1-B wavelength conversion layer and the 2-B wavelength conversion layer can be formed. Can be in the form of being composed of the same material.
  • the present invention is not limited to this, and as long as the light emitted from the 1-A wavelength conversion layer and the light emitted from the 2-A wavelength conversion layer have the same color, the 1-A wavelength conversion layer is used. And the second 2-A wavelength conversion layer may be made of a different material. Similarly, as long as the light emitted from the 1-B wavelength conversion layer and the light emitted from the 2-B wavelength conversion layer have the same color, the 1-B wavelength conversion layer and the 2-B wavelength conversion layer are converted. It may be composed of a material different from the layer.
  • the light emitting element unit includes, in addition to the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element, a fourth light emitting element including the light emitting element according to the second aspect of the present disclosure.
  • the fourth light emitting element emits white light to the outside. In this case, from the viewpoint of luminance, it is preferable that the size of the light emitting region of the second light emitting element or the fourth light emitting element is larger than the size of the light emitting region of the first light emitting element or the third light emitting element.
  • the size of the light emitting region of the first light emitting element is larger than the size of the light emitting region of the second light emitting element, the third light emitting element, and the fourth light emitting element.
  • the size of the light emitting region of the first light emitting element is larger than the size of the light emitting region of the second light emitting element, the third light emitting element, and the fourth light emitting element.
  • planar shape of the light emitting element examples include a circle, an ellipse, and an oval, and a polygon including a triangle, a quadrangle, a hexagon, and an octagon.
  • the polygon includes a regular polygon (including a regular polygon such as a rectangle or a regular hexagon (honeycomb shape)).
  • the display device of the present disclosure is, for example, for example. 1st board and 2nd board, A substrate provided on the first substrate, Multiple light emitting elements arranged two-dimensionally on the substrate, and A sealing resin layer provided between the light emitting element and the second substrate, At least have.
  • the surface of the first substrate facing the second substrate is referred to as "the second surface of the first substrate", and the surface of the second substrate facing the first substrate is referred to as "the first surface of the second substrate”. Called “face”. Further, the surface of the first substrate facing the second surface of the first substrate is referred to as “the first surface of the first substrate”, and the surface of the second substrate facing the first surface of the second substrate is referred to as "the second substrate”. The second side of the.
  • the organic layer can be in the form of including an organic electroluminescence layer. That is, the display device of the present disclosure can be in the form of being composed of an organic electroluminescence display device (organic EL display device), and the light emitting element is composed of an organic electroluminescence element (organic EL element). It can be in the form of OLED.
  • the display device of the present disclosure may be a top emission type (top emission type) display device (top emission type display device) that emits light from the second substrate, or emits light from the first substrate. It can also be a bottom emission type (bottom emission type) display device (bottom emission type display device).
  • the second wavelength conversion layer or the like may be provided on the first substrate side or may be provided on the second substrate side.
  • the second wavelength conversion layer or the like may be formed on the second electrode or on the protective layer formed on the second electrode. It may be formed.
  • the second wavelength conversion layer or the like may be formed on the first surface of the second substrate. In this case, the light emitting element is above the second electrode.
  • a second wavelength conversion layer or the like is provided via a sealing resin layer.
  • an optical path control means through which the light emitted from the light emitting region passes, for example, a lens member may be provided.
  • the optical path control means will be described in detail in Examples 5 to 6.
  • the organic EL display device preferably has a resonator structure in order to further improve the light extraction efficiency.
  • the resonator structure will be described in detail in Example 4.
  • the distance (offset amount) D 0 between the lines may be changed as appropriate.
  • a light absorption layer (black matrix) between the wavelength selection unit and the wavelength selection unit, above the wavelength selection unit and the wavelength selection unit, or between adjacent optical path control means. It can be in the form of a layer). Further, it is also possible to form a form in which a light-shielding portion is formed between adjacent light emitting elements. As a result, it is possible to reliably suppress the generation of color mixing between adjacent light emitting elements.
  • a light absorption layer is provided between the wavelength selection unit and the optical path control means of the adjacent light emitting element, the size of the light absorption layer may be appropriately changed according to the light emitted by the light emitting element. ..
  • the light absorption layer (black matrix layer) is made of, for example, a black resin film (specifically, for example, a black polyimide resin) having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant, or is also a thin film. It is composed of a thin film filter that utilizes the interference of.
  • the thin film filter is formed by stacking two or more thin films made of, for example, a metal, a metal nitride or a metal oxide, and attenuates light by utilizing the interference of the thin films.
  • Specific examples of the thin film filter include those in which Cr and chromium (III) oxide (Cr 2 O 3 ) are alternately laminated.
  • the light-shielding material constituting the light-shielding portion specifically, light such as titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta), aluminum (Al), MoSi 2 and the like is shielded.
  • the materials that can be used can be mentioned.
  • the light-shielding portion can be formed by an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like.
  • a delta arrangement can be mentioned, or a striped arrangement, a diagonal arrangement, etc. Rectangle arrangement and pentile arrangement can be mentioned.
  • the arrangement of the wavelength selection unit may be a delta arrangement, or a stripe arrangement, a diagonal arrangement, a rectangle arrangement, or a pentile arrangement according to the arrangement of pixels (or sub-pixels).
  • the organic layer constituting the light emitting element includes an organic electroluminescence layer
  • the display device of the present disclosure is composed of an organic electroluminescence display device (organic EL display device)
  • the organic EL display device is The first board, the second board, and A plurality of light emitting elements arranged two-dimensionally between the first substrate and the second substrate, Equipped with Each light emitting element provided on the substrate formed on the first substrate is 1st electrode, 2nd electrode and An organic layer sandwiched between a first electrode and a second electrode (including a light emitting layer composed of an organic electroluminescence layer), At least have The light from the organic layer is emitted to the outside through the second substrate or the first substrate.
  • the organic layer constituting the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element emits blue light (wavelength ⁇ 1 : 450 nm to 495 nm).
  • the first light emitting element emits blue light toward the outside
  • the second light emitting element emits green light (wavelength ⁇ 2 : 495 nm to 570 nm) toward the outside
  • the third light emitting element emits red light toward the outside. It can be in the form of emitting (wavelength ⁇ 3: 620 nm to 750 nm).
  • the first light emitting element may be composed of a blue light emitting element
  • the second light emitting element may be composed of a green light emitting element
  • the third light emitting element may be composed of a red light emitting element.
  • the organic layer may be shared by a plurality of light emitting elements, or may be individually provided in each light emitting element.
  • the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer convert blue light into green light or red light (color conversion).
  • the 1st 1-A wavelength conversion layer and the 2-A wavelength conversion layer convert blue light into green light (color conversion).
  • the first 1-B wavelength conversion layer and the 2-B wavelength conversion layer convert blue light into red light (color conversion).
  • a wavelength conversion material that is excited by blue light and emits green light (wavelengths constituting the first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, or the first 1-A wavelength conversion layer and the second 2-A wavelength conversion layer ( Specific examples of the color) conversion material) include coumarin-based dyes and naphthalimide-based dyes, or green light-emitting fluorescent material particles, and more specifically, (ME: Eu) Ga 2 S.
  • ME means at least one kind of atom selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, and the same applies to the following]
  • (M: RE) x (Si, Al) 12 (O, N) 16 [However, "RE” means Tb and Yb], (M: Tb) x (Si, Al) 12 (O, N) 16 , (M: Yb) x (Si, Al) 12 (O, N) 16 , Si 6-Z Al Z O Z N 8-Z : Eu can be mentioned.
  • wavelength conversion material first wavelength conversion layer, second wavelength conversion layer, or first 1-B wavelength conversion layer, second 2-B wavelength conversion layer
  • the wavelength (color) conversion material include pyridine-based dyes, rhodamine-based dyes, and oxazine-based dyes, or red-emitting phosphor particles, and more specifically, (ME :. Eu) S, (M: Sm) x (Si, Al) 12 (O, N) 16
  • M means at least one kind of atom selected from the group consisting of Li, Mg and Ca. , The same applies to the following]
  • ME 2 Si 5 N 8 Eu, (Ca: Eu) SiN 2 , and (Ca: Eu) AlSiN 3 .
  • the wavelength conversion material may be one type or a mixture of two or more types.
  • the wavelength conversion material is not limited to the phosphor particles, and for example, in the indirect transition type silicon-based material, the carrier is efficiently converted into light as in the direct transition type.
  • the quantum dots As the size (diameter) of the quantum dot becomes smaller, the bandgap energy becomes larger and the wavelength of the light emitted from the quantum dot becomes shorter. That is, the smaller the size of the quantum dot, the shorter the wavelength of light (light on the blue light side) is emitted, and the larger the size of the quantum dot, the longer the light having a wavelength (red light side) is emitted. Therefore, by using the same material for forming the quantum dots and adjusting the size of the quantum dots, it is possible to obtain quantum dots that emit light having a desired wavelength (color conversion to a desired color).
  • the quantum dots preferably have a core-shell structure.
  • Materials constituting the quantum dots include, for example, Si; Se; cadmium telluride compounds CIGS (CuInGaSe), CIS (CuInSe 2 ), CuInS 2 , CuAlS 2 , CuAlSe 2 , CuGaS 2 , CuGaSe 2 , AgAlS 2 , AgAlSe.
  • Perovskite-based materials Perovskite-based materials; III-V group compounds GaAs, GaP, InP, InAs, InGaAs, AlGaAs, InGaP, AlGaInP, InGaAsP, GaN; CdSe, CdSeS, CdS, CdTe, In 2 Se 3 , In 2 S 3 , Bi 2 Se 3 , Bi 2 S 3 , ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe, HgS, PbSe, PbS, TiO 2, and the like, but are not limited thereto.
  • the substrate is formed on or above the first substrate.
  • an insulating material such as SiO 2 , SiN, and SiON can be exemplified.
  • the substrate is formed by a forming method suitable for the material constituting the substrate, specifically, various printing methods such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including sputtering method and vacuum vapor deposition method, screen printing method, and plating. It can be formed based on known methods such as a method, an electrodeposition method, a dipping method, and a sol-gel method.
  • a drive circuit (light emitting element drive unit) is provided below or below the substrate, but not limited to.
  • the drive circuit is composed of, for example, a transistor (specifically, for example, MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate constituting the first substrate, and a thin film transistor (TFT) provided on various substrates constituting the first substrate. Has been done.
  • the transistor or TFT constituting the drive circuit and the first electrode can be connected to each other via a contact hole (contact plug) formed in a substrate or the like.
  • the drive circuit may have a well-known circuit configuration.
  • the second electrode is connected to the drive circuit, for example, at the outer peripheral portion of the display device (specifically, the outer peripheral portion of the pixel array portion) via a contact hole (contact plug) formed in a substrate or the like.
  • the first substrate or the second substrate may be a silicon semiconductor substrate, a high-strain point glass substrate, a soda glass (Na 2 O / CaO / SiO 2 ) substrate, or a borosilicate glass (Na 2 O / B 2 O 3 / SiO 2 ) substrate.
  • forsterite (2MgO ⁇ SiO 2) substrate lead glass (Na 2 O ⁇ PbO ⁇ SiO 2) substrate, various glass substrates having an insulating film formed on the surface, a quartz substrate, a quartz substrate having an insulating film formed on the surface , Polymethylmethacrylate (polymethylmethacrylate, PMMA), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinylphenol (PVP), polyether sulfone (PES), polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN).
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • PVA polyvinyl alcohol
  • PVP polyvinylphenol
  • PES polyether sulfone
  • polyimide polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the first substrate can be composed of an organic polymer (having the form of a polymer material such as a flexible plastic film, a plastic sheet, or a plastic substrate made of a polymer material).
  • the materials constituting the first substrate and the second substrate may be the same or different.
  • the second substrate is required to be transparent to the light from the light emitting element
  • the first substrate is required to be transparent to the light from the light emitting element. It is required to be transparent.
  • the first electrode is provided for each light emitting element.
  • the second electrode may be a common electrode in a plurality of light emitting elements. That is, the second electrode may be a so-called solid electrode.
  • the first substrate is arranged below or below the substrate, and the second substrate is arranged above the second electrode.
  • a light emitting element is formed on the first substrate side, and a light emitting region is provided on the substrate.
  • the first electrode functions as an anode electrode as a material constituting the first electrode, for example, platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), chromium (Cr), tungsten (W), nickel (Ni). ), Copper (Cu), Iron (Fe), Cobalt (Co), Tantal (Ta) and other metal or alloy materials with high work function (for example, silver as the main component, 0.3% by mass to 1% by mass).
  • hole injection is performed by providing an appropriate hole injection layer. By improving the characteristics, it can be used as an anode electrode.
  • a highly light-reflecting reflective film such as a dielectric multilayer film or aluminum (Al) or an alloy thereof (for example, Al—Cu—Ni alloy), an oxide of indium and tin (ITO) or indium and zinc. It is also possible to have a structure in which a transparent conductive material having excellent hole injection characteristics such as an oxide (IZO) of aluminum is laminated.
  • the thickness of the first electrode 0.1 ⁇ m to 1 ⁇ m can be exemplified.
  • the first part of the first electrode and the second part of the first electrode are made of different materials. Is preferable.
  • the material constituting the first portion of the first electrode is required to be transparent to the light from the light emitting element, and therefore, as a material constituting the first portion of the first electrode, it is oxidized.
  • Indium, Indium Tin Oxide including ITO, Indium Tin Oxide, Sn-doped In 2 O 3 , crystalline ITO and Amorphous ITO
  • Indium-Zinc Oxide IZO, Indium Zinc Oxide
  • Indium-Gallium Oxide IGO
  • indium-doped gallium-zinc oxide IGZO, In-GaZnO 4
  • IFO F-doped In 2 O 3
  • ITOO Ti-doped In 2 O 3
  • InSn, InSnZnO tin oxide.
  • SnO 2 SnO 2
  • ATO Sb-doped SnO 2
  • FTO F-doped SnO 2
  • zinc oxide ZnO
  • aluminum oxide-doped zinc oxide AZO
  • gallium-doped zinc oxide GZO
  • B-doped ZnO AlMgZnO (aluminum oxide and magnesium oxide-doped zinc oxide)
  • antimony oxide titanium oxide, NiO, spinel-type oxide, oxide having a YbFe 2 O 4 structure, gallium oxide, titanium oxide, Examples thereof include various transparent conductive materials such as transparent conductive materials having a base layer of nioboxide, nickel oxide and the like.
  • a material constituting the second portion of the first electrode a dielectric multilayer film, aluminum (Al) or an alloy thereof (for example, Al—Cu—Ni alloy), and among the above-mentioned metal materials and alloy materials, A material having a high light reflectance (for example, silver or a silver alloy) can be mentioned.
  • the first electrode functions as a cathode electrode, it is desirable that the first electrode is made of a conductive material having a small work function and a high light reflectance, but a conductive material having a high light reflectance used as an anode electrode is used. It can also be used as a cathode electrode by improving the electron injection characteristics by providing an appropriate electron injection layer.
  • the display device is a top emission type display device
  • the second electrode functions as a material (semi-light transmitting material or a light transmitting material) constituting the second electrode and the second electrode functions as a cathode electrode
  • a conductive material with a small work function value so that electrons can be efficiently injected into the organic layer (light emitting layer), for example, aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg).
  • Mg-Ag Alloy , Calcium (Ca), Sodium (Na), Strontium (Sr), Alkali Metal or Alkaline Earth Metal and Silver (Ag)
  • the thickness of the second electrode 4 nm to 50 nm, preferably 4 nm to 20 nm, and more preferably 6 nm to 12 nm can be exemplified.
  • at least one material selected from the group consisting of Ag-Nd-Cu, Ag-Cu, Au and Al-Cu can be mentioned.
  • the second electrode is laminated from the organic layer side with the above-mentioned material layer and a so-called transparent electrode made of, for example, ITO or IZO (for example, a thickness of 3 ⁇ 10 -8 m to 1 ⁇ 10 -6 m).
  • a bus electrode made of a low resistance material such as aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy, copper, copper alloy, gold, and gold alloy is provided for the second electrode to reduce the resistance of the second electrode as a whole. May be planned.
  • the average light transmittance of the second electrode is preferably 50% to 90%, preferably 60% to 90%.
  • the second electrode when the second electrode functions as an anode electrode, it is desirable that the second electrode is made of a conductive material that transmits emitted light as needed and has a large work function value.
  • the material constituting the second electrode may be appropriately selected from the materials having high light reflectance.
  • Examples of the method for forming the first electrode and the second electrode include an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor phase growth method (CVD method), a MOCVD method, and an ion. Combination of plating method and etching method; Various printing methods such as screen printing method, inkjet printing method, metal mask printing method; Plating method (electric plating method and electroless plating method); Lift-off method; Laser ablation method; Zol gel The law etc. can be mentioned. According to various printing methods and plating methods, it is possible to directly form the first electrode and the second electrode having a desired shape (pattern).
  • the second electrode When the second electrode is formed after the organic layer is formed, it may be formed based on a film forming method such as a vacuum vapor deposition method in which the energy of the formed particles is small, or a film forming method such as a MOCVD method. , It is preferable from the viewpoint of preventing the occurrence of damage to the organic layer.
  • a film forming method such as a vacuum vapor deposition method in which the energy of the formed particles is small
  • a film forming method such as a MOCVD method.
  • the protective layer can be formed so as to cover the second electrode, whereby the occurrence of current leakage can be prevented.
  • a flattening layer may be further formed on the protective layer and the second wavelength conversion layer or the like.
  • a flattening layer that functions as a wavelength selection unit may be provided. That is, a flattening layer that functions as a red color filter layer and a flattening layer that functions as a green color filter layer may be provided.
  • Such a flattening layer may be made of a well-known color resist material.
  • the light emitting device according to the second aspect of the present disclosure that emits white color may be provided with a transparent filter layer.
  • the flattening layer also function as a color filter layer in this way, the organic layer and the flattening layer (color filter layer) are close to each other, so that color mixing can be prevented even if the light emitted from the light emitting element is widened. It can be effectively achieved and the viewing angle characteristics are improved.
  • acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, and polysiloxane can be exemplified, and various inorganic materials (for example, SiO 2 , SiN, SiON, SiC, amorphous) can be exemplified. Silicon ( ⁇ -Si), Al 2 O 3 , TiO 2 ) can also be exemplified.
  • the protective layer and the flattening layer may be composed of a single layer or may be composed of a plurality of layers.
  • the protective layer and the flattening layer As a method for forming the protective layer and the flattening layer, it can be formed based on known methods such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including a sputtering method and a vacuum vapor deposition method, and various printing methods such as a screen printing method. .. Further, as a method for forming the protective layer and the flattening layer, an ALD (Atomic Layer Deposition) method can also be adopted.
  • the protective layer and the flattening layer may be shared by a plurality of light emitting elements, or may be individually provided in each light emitting element.
  • the portion of the first substrate facing the second substrate and the portion of the second substrate facing the first substrate are joined via, for example, a resin layer (sealing resin layer).
  • a resin layer sealing resin layer
  • the material constituting the sealing resin layer include heat-curable adhesives such as acrylic adhesives, epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, and cyanoacrylate adhesives, and ultraviolet curable adhesives. be able to.
  • the sealing resin layer may also serve as the flattening layer.
  • An intermediate layer may be formed on the first substrate side of the sealing resin layer.
  • the intermediate layer may be in a form having a function as a color filter layer.
  • Such an intermediate layer may be made of a well-known color resist material.
  • a transparent filter layer may be provided for a light emitting element that emits white color.
  • an acrylic resin, an epoxy resin, and various inorganic materials for example, SiN, SiON, SiO, Al 2 O 3 , TiO 2
  • a method for forming the intermediate layer it can be formed based on a known method such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including a sputtering method and a vacuum vapor deposition method, and various printing methods such as a screen printing method.
  • the intermediate layer may be shared by a plurality of light emitting elements, or may be individually provided in each light emitting element.
  • the outermost surface (specifically, for example, the second surface of the second substrate or the first surface of the first substrate) that emits the light of the display device has an ultraviolet absorbing layer, a contamination prevention layer, a hard coat layer, and an antistatic layer.
  • a layer may be formed, or a protective member (for example, a cover glass) may be arranged.
  • a protruding portion, an interlayer insulating layer (base) and an interlayer insulating material layer, which will be described later, are formed.
  • insulating materials constituting these SiO 2 , NSG (non-doped silicate glass), BPSG ( SiO X- based materials such as boron, phosphorus, silicate, glass), PSG, BSG, AsSG, SbSG, PbSG, SOG (spin-on glass), LTO (Low Temperature Oxide, low temperature CVD-SiO 2 ), low melting point glass, glass paste, etc. (Material constituting the silicon oxide film); SiN-based material including SiON-based material; SiOC; SiOF; SiCN.
  • inorganic insulating materials such as (Nb 2 O 5 ), tin oxide (SnO 2 ), and vanadium oxide (VO x).
  • Is for example, a material of 3.5 or less, specifically, for example, fluorocarbon, cycloperfluorocarbon polymer, benzocyclobutene, cyclic fluororesin, polytetrafluoroethylene, amorphous tetrafluoroethylene, polyaryl ether, and foot.
  • Aryl etheric acid, polyimide fluoride, amorphous carbon, parylene (polyparaxylylene), fullerene fluoride) can be mentioned, and it is a trademark of Silk (The Dow Chemical Co.), and is a coating type low dielectric constant interlayer insulating film.
  • the substrate may be composed of the materials described above.
  • the transparent insulating material layer may also be appropriately selected from the above-mentioned materials, polysiloxane, and the like.
  • the protrusion, the interlayer insulating layer (base), and the interlayer insulating material layer are formed by various printing methods such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including sputtering methods and vacuum vapor deposition methods, various printing methods such as screen printing methods, plating methods, and electrodeposition methods. , It can be formed based on a known method such as a dipping method or a sol-gel method.
  • the organic layer includes a light emitting layer containing an organic light emitting material.
  • the organic layer also serves as a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer, and a hole transport layer and an electron transport layer. It can be composed of a laminated structure with a light emitting layer, a laminated structure with a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like.
  • a physical vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method
  • a printing method such as a screen printing method or an inkjet printing method
  • a lamination of a laser absorption layer and an organic layer formed on a transfer substrate
  • PVD method physical vapor deposition method
  • a laser transfer method in which the organic layer on the laser absorption layer is separated by irradiating the structure with a laser and the organic layer is transferred, and various coating methods can be exemplified.
  • a so-called metal mask is used, and the organic layer can be obtained by depositing a material that has passed through an opening provided in the metal mask.
  • the thickness of the hole transport layer (hole supply layer) and the thickness of the electron transport layer (electron supply layer) are approximately equal.
  • the electron transport layer (electron supply layer) may be thicker than the hole transport layer (hole supply layer), which is necessary for high efficiency with a low drive voltage and sufficient for the light emitting layer.
  • Electronic supply is possible. That is, the hole supply can be increased by arranging the hole transport layer between the first electrode corresponding to the anode electrode and the light emitting layer and forming the hole transport layer with a film thickness thinner than that of the electron transport layer. It will be possible.
  • the display device can be used, for example, as a monitor device constituting a personal computer, a television receiver, a mobile phone, a PDA (personal digital assistant), a monitor device incorporated in a game device, and a projector. It can be used as a display device built into the computer. Alternatively, it can be applied to an electronic view finder (Electronic View Finder, EVF), a head-mounted display (Head Mounted Display, HMD), eyewear, AR glass, EVR, and VR. It can be applied to a display device for (Virtual Reality), MR (Mixed Reality), or AR (Augmented Reality).
  • EVF Electronic View Finder
  • HMD head-mounted display
  • AR Augmented Reality
  • a display device can be configured.
  • the display device of the present disclosure can be used as a light emitting device to configure various lighting devices including a backlight device for a liquid crystal display device and a planar light source device.
  • Example 1 relates to a light emitting device according to the first aspect of the present disclosure and a display device of the present disclosure.
  • FIG. 1 shows a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the first embodiment
  • FIGS. 7A, 7B and 7C show an arrangement of the light emitting elements (sub-pixels) in the display device of the first embodiment. Shown schematically.
  • FIG. 8A schematically shows the arrangement state of the substrate and the protrusion in the display device of the first embodiment
  • FIG. 8B schematically shows the arrangement state of the first electrode
  • FIG. 9A shows the organic state.
  • the arrangement state of the layer and the arrangement state of the first wavelength conversion layer is schematically shown
  • FIG. 9B schematically shows the arrangement state of the second electrode.
  • the light emitting element is composed of an organic electroluminescence element (organic EL element), and the display device is composed of an organic electroluminescence display device (organic EL display device). It is also an active matrix display device.
  • the light emitting layer includes an organic electroluminescence layer.
  • the display device is a top emission type (top emission type) display device (top emission type display device) that emits light from the second substrate. It should be noted that the schematic partial cross-sectional view of the display device and the arrangement state of the light emitting element in the display device may not match in order to simplify the drawing.
  • the light emitting elements 10 2 and 10 3 of the first embodiment are Projection 28 surrounding the light emitting region 30, A first portion 31A formed on the portion of the substrate 26 constituting the light emitting region 30, and a second portion 31B extending from the first portion 31A and formed on the protruding portion 28.
  • 1 electrode 31 The organic layer 33 formed on and above the first electrode 31, The second electrode 32 formed on the organic layer 33, A first unit formed between the second portion 31B of the first electrode 31 and the portion of the organic layer 33 formed above the protruding portion 28, and converting the light emitted from the organic layer 33 into the light on the long wavelength side.
  • wavelength converting layer 41 (41 1, 41 2), and, Is formed on or above the second electrode 32, the second wavelength conversion layer 42 for converting light emitted from the organic layer 33 to light of a long wavelength side (42 1, 42 2), It is equipped with.
  • the first light emitting element 10 1 which is a display device in which the second light-emitting element 10 2 and the third light emitting unit having a light emitting element 10 3 (pixels), which are arrayed.
  • the first light emitting element 10 1 , the second light emitting element 10 2, and the third light emitting element 10 3 correspond to sub-pixels.
  • 1 electrode 31 The organic layer 33 formed on the first electrode 31 and emitting the first light having the wavelength ⁇ 1 and the like.
  • the first light emitting element 10 1 is not provided with the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer.
  • the first light emitting element 10 1 emits blue light to the outside.
  • the second light emitting element 10 2 corresponds to the light emitting element of the first embodiment.
  • 1 electrode 31 The organic layer 33, which is formed on and above the first electrode 31 and emits the first light,
  • the first light emitted from the organic layer 33 formed between the second portion 31B of the first electrode 31 and the portion of the organic layer 33 formed above the protruding portion 28 has a wavelength of ⁇ 2 (provided that it is ⁇ ).
  • the second light emitting element 10 2 emits a green light to the outside.
  • the third light emitting element 10 3 corresponds to the light emitting element of the first embodiment.
  • 1 electrode 31 The organic layer 33, which is formed on and above the first electrode 31 and emits the first light,
  • the first light emitted from the organic layer 33 formed between the second portion 31B of the first electrode 31 and the portion of the organic layer 33 formed above the protruding portion 28 has a wavelength of ⁇ 3 (provided that it is ⁇ ).
  • the 1-B wavelength conversion layer 41 2 that converts the third light having, as well, Is formed on or above the second electrode 32, the 2-B wavelength conversion layer 42 for converting the first light emitted from the organic layer 33 to the third light 2, It is equipped with.
  • the third light-emitting element 10 3 emits red light to the outside.
  • the light emitting element of the first embodiment and the second light emitting element 10 2 and the third light emitting element 10 3 constituting the display device of the first embodiment are collectively referred to as "the light emitting element of the first embodiment and the like”. ] May be called.
  • the wavelength selection units CF 2 and CF 3 are composed of, for example, a color filter layer.
  • the first light emitting element 10 1 also, the wavelength selection portion CF 1, specifically, includes a color filter layer.
  • the formation of wavelength selection units CF 1 , CF 2 , and CF 3 is not essential.
  • the first portion 31A of the first electrode 31 and the second portion 31B of the first electrode 31 are made of the same material.
  • the protrusion 28 has a forward taper shape. That is, the size of the cross section of the opening 28a provided in the protrusion 28 when the protrusion 28 is cut in a virtual plane parallel to the base 26 increases as the distance from the base 26 increases.
  • the material constituting the wavelength converting blue light into green light first wavelength conversion layer 41 (41 1) and the second wavelength conversion layer 42 (color conversion) (42 1) include coumarin dyes However, it is composed of a resist material whose main component is an acrylic resin or an eposikiimide resin. Further, the material constituting the wavelength conversion of blue light into red light first wavelength conversion layer 41 (41 2) and the second wavelength conversion layer 42 (color conversion) (42 2), the acrylic containing rhodamine dye It is composed of a resist material whose main component is a resin or an eposikiimide-based resin.
  • the materials constituting the first portion 31A and the second portion 31B of the first electrode 31 are light reflecting materials, specifically, for example, an Al—Nd alloy layer, an Al—Cu alloy layer, and an Al—Ti alloy layer.
  • the second electrode 32 is made of a transparent conductive material such as IZO or ITO.
  • the first electrode 31 functions as an anode electrode, and the second electrode 32 functions as a cathode electrode. Further, the first electrode 31 also has a function of reflecting light.
  • the maximum inclination angle of the protrusion 28 is 75 degrees.
  • the light-emitting region 30 (30 1, 30 2, 30 3), as described above, the first electrode 31, an organic layer ( It includes a light emitting layer) 33 and a second electrode 32.
  • the first electrode 31, the organic layer 33, and the second electrode 32 are sequentially formed on the substrate 26.
  • the substrate 26 is formed on the first substrate 51.
  • insulating materials such as SiO 2 , SiN, and SiON can be exemplified.
  • Each light emitting element is composed of the light emitting elements of Example 1 or Examples 2 to 6 described later.
  • the display device of the embodiment is a top emission type (top light emitting method) display device (top light emitting type display device) that emits light from the second substrate 52.
  • the organic electroluminescent The luminescence layer (light emitting layer) 33 is included.
  • the second electrode 32 is covered with a protective layer 34.
  • the 2-A wavelength conversion layer 421 on the protective layer 34, the 2-B wavelength conversion layer 42 2 is formed, the protective layer 34 and the 2-A wavelength conversion layer 42 1, the 2-B Wavelength on the conversion layer 42 2 is formed planarization layer 35.
  • a wavelength selection unit made of a well-known material (specifically, a first color filter layer CF 1 that selectively passes blue light, and a second color that selectively passes green light)
  • a filter layer CF 2 and a third color filter layer CF 3 that selectively pass red light are formed.
  • the color filter layers CF 1 , CF 2 , and CF 3 are OCCFs (on-chip color filter layers) formed on the first substrate side.
  • the color filter layers CF 1 , CF 2 , CF 3 and the second substrate 52 are heat-curable adhesives such as acrylic adhesives, epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, and cyanoacrylate adhesives. It is bonded by a sealing resin layer 36 made of an ultraviolet curable adhesive or an ultraviolet curable adhesive.
  • the planar shape of the color filter layer CF may be appropriately matched to the planar shape of the light emitting region 30.
  • the organic layer 33 has a blue light emitting layer and emits blue light.
  • the first light emitting element 10 1 is composed of a combination of an organic layer 33 and the color filter layer CF 1 emitting blue light.
  • the second light emitting element 10 2 is composed of a combination of an organic layer 33 that emits blue light, a first 1-A wavelength conversion layer 41 1 , a second 2-A wavelength conversion layer 42 1, and a color filter layer CF 2.
  • the third light emitting element 10 2 is composed of a combination of an organic layer 33 and the first 1-B wavelength conversion layer 41 2 and the 2-B wavelength conversion layer 42 second color filter layer CF 2 that emits blue light Has been done.
  • the number of pixels is, for example, 1920 ⁇ 1080, one light emitting element (display element) constitutes one sub-pixel, and the light emitting element (specifically, an organic EL element) is three times the number of pixels, for example. ..
  • the delta arrangement shown in FIG. 7A can be mentioned, the stripe arrangement as shown in FIG. 7B, and the diagonal arrangement shown in FIG. 7C can be used. However, it can also be a rectangle array.
  • the planar shape of the light emitting element and the light emitting region 30 is rectangular or elliptical, but the present invention is not limited to this.
  • the display device may include a fourth light emitting element that emits complementary color light.
  • a drive circuit (light emitting element drive unit) is provided below the substrate (interlayer insulation layer) 26 formed based on the CVD method.
  • the drive circuit may have a well-known circuit configuration.
  • the drive circuit is composed of, for example, a transistor (specifically, for example, a MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate constituting the first substrate 51.
  • the transistor 20 composed of the MOSFET includes a gate insulating layer 22 formed on the first substrate 51, a gate electrode 21 formed on the gate insulating layer 22, and a source / drain region 24 formed on the first substrate 51. It is composed of a channel forming region 23 formed between the source / drain region 24, and an element separation region 25 surrounding the channel forming region 23 and the source / drain region 24.
  • the substrate 26 is composed of a lower interlayer insulating layer 26A and an upper interlayer insulating layer 26B.
  • the transistor 20 and the first electrode 31 constituting the drive circuit are provided on the contact plug 27A provided on the lower interlayer insulating layer 26A, the pad portion 27C provided on the lower interlayer insulating layer 26A, and the upper interlayer insulating layer 26B. It is electrically connected via the contact plug 27B.
  • one transistor 20 is shown for each drive circuit.
  • the second electrode 32 is a drive circuit on the outer peripheral portion of the display device (specifically, the outer peripheral portion of the pixel array portion) via a contact hole (contact plug) (not shown) formed on the substrate (interlayer insulation layer) 26. It is connected to (light emitting element drive unit).
  • an auxiliary electrode connected to the second electrode 32 may be provided below the second electrode 32, and the auxiliary electrode may be connected to the drive circuit.
  • the first electrode 31 is formed on the substrate (interlayer insulating layer) 26 and the protrusion 28 based on the combination of the vacuum vapor deposition method and the etching method.
  • the first electrode 31 is provided for each light emitting element.
  • the second electrode 32 is formed by a film forming method such as a vacuum vapor deposition method in which the energy of the formed particles is small, and is not patterned. That is, the second electrode 32 is a common electrode in the plurality of light emitting elements. In other words, the second electrode 32 is a so-called solid electrode.
  • the organic layer 33 is also not patterned. That is, the organic layer 33 is commonly provided in the light emitting element. That is, the organic layer 33 is also a solid film.
  • the present invention is not limited to this, and the organic layer 33 may be patterned. That is, the organic layer 33 may be painted separately for each sub-pixel.
  • the first substrate 51 is arranged below the substrate 26, and the second substrate 52 is arranged above the second electrode 32.
  • a light emitting element is formed on the first substrate side, and the light emitting region 30 is provided on the substrate 26.
  • the organic layer 33 includes a hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer), a hole transport layer (HTL: Hole Transport Layer), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL: Electron Transport Layer), and an electron transport layer. It has a laminated structure of an electron injection layer (EIL: Electron Injection Layer). As described above, the light emitted from the organic layer 33 is blue.
  • HIL Hole Injection Layer
  • HTL Hole Transport Layer
  • ETL Electron Transport Layer
  • ETL Electron Transport Layer
  • the hole injection layer is a layer that enhances the hole injection efficiency and also functions as a buffer layer that prevents leaks, and has a thickness of, for example, about 2 nm to 10 nm.
  • the hole injection layer is composed of, for example, a hexaazatriphenylene derivative represented by the following formula (A) or formula (B).
  • R 1 to R 6 are independently hydrogen, halogen, hydroxy group, amino group, allulamino group, substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or non-substituted group having 20 or less carbon atoms, respectively.
  • the hole transport layer is a layer that enhances the hole transport efficiency to the light emitting layer.
  • the electron transport layer is a layer that enhances the electron transport efficiency to the light emitting layer
  • the electron injection layer is a layer that enhances the electron injection efficiency into the light emitting layer.
  • the hole transport layer is composed of, for example, 4,4', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or ⁇ -naphthylphenyldiamine ( ⁇ NPD) having a thickness of about 40 nm. ..
  • Such a blue light emitting layer when an electric field is applied, a part of the holes injected from the first electrode 31 and a part of the electrons injected from the second electrode 32 are recombinated to generate blue light. do.
  • a blue light emitting layer contains, for example, at least one kind of a blue light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and a bicharge transporting material.
  • the blue light emitting material may be a fluorescent material or a phosphorescent material.
  • DPAVBi 4,4'-bis [2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl] biphenyl
  • the electron transport layer having a thickness of about 20 nm is made of, for example, 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3).
  • the electron injection layer having a thickness of about 0.3 nm is made of, for example, LiF or Li 2 O.
  • the materials constituting each layer are examples, and are not limited to these materials.
  • the organic layer 33 is represented by one layer in the drawing.
  • a drive circuit (light emitting element drive unit) is formed on a silicon semiconductor substrate (first substrate 51) based on a known MOSFET manufacturing process.
  • the lower interlayer insulating layer 26A is formed on the entire surface based on the CVD method. Then, a connection hole is formed in the portion of the lower interlayer insulating layer 26A located above one source / drain region 24 of the transistor 20 based on the photolithography technique and the etching technique, and the lower interlayer insulating layer 26A including the connection hole is formed.
  • a contact hole (contact plug) 27A and a pad portion 27C are formed by forming a conductive material layer on the surface based on, for example, a sputtering method, and further patterning the conductive material layer based on a photolithography technique and an etching technique. Can be done.
  • the upper interlayer insulating layer 26B is formed on the entire surface, and a connecting hole is formed in the portion of the upper interlayer insulating layer 26B located above the desired pad portion 27C based on the photolithography technique and the etching technique, and includes the connecting hole.
  • a connecting hole is formed in the portion of the upper interlayer insulating layer 26B located above the desired pad portion 27C based on the photolithography technique and the etching technique, and includes the connecting hole.
  • an insulating layer 28' is formed on the entire surface based on the CVD method, and then the insulating layer 28'is patterned based on a photolithography technique and an etching technique to form a protruding portion 28 from the insulating layer 28'.
  • the substrate 26 and the contact plug 27B are exposed at the bottom of the protrusion 28.
  • the arrangement state of the substrate 26 and the protrusion 28 is schematically shown in FIG. 8A, but the exposed contact plug 27B is not shown in FIG. 8A.
  • a conductive material layer is formed on the substrate 26, the contact plug 27B, and the protrusion 28 by, for example, a sputtering method, and then the conductive material layer is patterned based on a photolithography technique and an etching technique to form the substrate 26 and the conductive material layer.
  • the first electrode 31 can be formed on the protrusion 28.
  • the first electrode 31 is connected to the contact plug 27B.
  • the arrangement state of the first electrodes 31 (31A, 31B) is schematically shown in FIG. 8B.
  • the first wavelength conversion layer forming layer is patterned based on the photolithography technique and the etching technique, so that the first wavelength conversion layer forming layer is formed on the protruding portion 28. on the second portion 31B of the electrode 31, it is possible to form the first wavelength conversion layer 41 (the 1-a wavelength conversion layer 41 1, the 1-B wavelength conversion layer 41 2).
  • the arrangement of the arrangement of organic layers 33 and the first wavelength conversion layer 41 1, 41 2 is schematically shown in Figure 9A.
  • an organic layer 33 Is formed by, for example, a PVD method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method, a coating method such as a spin coating method or a die coating method, or the like. In some cases, the organic layer 33 may be patterned into a desired shape.
  • the second electrode 32 is formed on the entire surface based on, for example, a vacuum vapor deposition method. In some cases, the second electrode 32 may be patterned into a desired shape. In this way, the organic layer 33 and the second electrode 32 can be formed on the first electrode 31.
  • the arrangement state of the second electrode 32 is schematically shown in FIG. 9B.
  • the protective layer 34 is formed on the entire surface, for example, based on the PVD method.
  • the flattening layer 35 is formed on the entire surface based on the coating method. Since the flattening layer 35 can be formed based on the coating method, there are few restrictions on the processing process, the material selection range is wide, and a high refractive index material can be used. Then, the color filter layers CF 1 , CF 2 , and CF 3 are formed on the flattening layer 35 by a well-known method.
  • the color filter layers CF 1 , CF 2 , CF 3 and the second substrate 52 are bonded together by, for example, a sealing resin layer 36 made of an acrylic adhesive.
  • a sealing resin layer 36 made of an acrylic adhesive the light emitting element (organic EL element) and display device of the first embodiment shown in FIG. 1 can be obtained.
  • the organic layer 33 and the color filter layer CF are provided on the first substrate side instead of providing the color filter layer CF on the second substrate side, between the organic layer 33 and the color filter layer CF. The distance between the two can be shortened, and there is little possibility that a problem will occur in the alignment with the organic layer 33.
  • the second light emitting element constituting the display device, and the third light emitting element a part of the light emitted by the organic layer is a second wavelength conversion layer (2-A wavelength conversion layer, It passes through the second 2-B wavelength conversion layer), further passes through the wavelength selection unit, and is emitted to the outside. Further, the rest of the light emitted from the organic layer (light emitted laterally or diagonally from the organic layer) is a first wavelength conversion layer (first wavelength conversion layer) formed in the second portion of the first electrode above the protruding portion.
  • -A wavelength conversion layer, 1-B wavelength conversion layer collides with the second part of the first electrode above the protrusion, and again the first wavelength conversion layer (1-A wavelength conversion layer, It invades the 1-B wavelength conversion layer) and is emitted from the 1st wavelength conversion layer (1-A wavelength conversion layer, 1-B wavelength conversion layer), and in some cases, the second wavelength conversion layer (second).
  • -A wavelength conversion layer, 2-B wavelength conversion layer and further passes through a wavelength selection unit, and is emitted to the outside. Therefore, the light emitted from the organic layer can be efficiently used for image formation.
  • a display device including a light emitting element having a structure and a structure in which optical crosstalk is unlikely to occur, and a plurality of such light emitting elements.
  • the first wavelength conversion layer (1-A wavelength conversion layer, 1-B wavelength conversion layer) invades another adjacent light emitting element, it is finally adjacent. Since it is absorbed by the wavelength selection unit of other light emitting elements and does not easily pass through the wavelength selection unit, optical crosstalk is unlikely to occur.
  • FIG. 2 shows a schematic partial cross-sectional view of a modified example-1 of the light emitting element and the display device of the first embodiment. Further, the arrangement state of the first electrode in the modified example-1 of the display device of the first embodiment is schematically shown in FIG. 10A, and the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer is schematically shown in FIG. 10B. show.
  • the light emitting region 30 is composed of a light emitting region central portion 30A and a light emitting region outer peripheral portion 30B surrounding the light emitting region central portion 30A.
  • the first wavelength conversion layer 41 (41 1, 41 2) extends to the upper portion of the substrate 26 constituting the light-emitting region outer peripheral portion 30B. That is, the first wavelength conversion layer 41 (41 1, 41 2) has a first portion 31A of the first electrode 31 located on a portion of the substrate 26 constituting the light-emitting region outer peripheral portion 30B, the light-emitting region outer peripheral portion 30B It extends between the portion of the organic layer 33 located above the portion of the substrate 26 constituting the substrate 26.
  • the light emitting element of the first embodiment and the modified example -1 of the display device can be the same as the configuration and the structure of the light emitting element and the display device of the first embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted. ..
  • FIG. 3 shows a schematic partial cross-sectional view of Modification 2 of the display device of the first embodiment.
  • second wavelength conversion layer 42 (42 1, 42 2) is formed above the second electrode 32.
  • a protective layer 34 is formed on the second electrode 32
  • a flattening layer 35 is formed on the protective layer 34
  • a second wavelength conversion layer 42 (421 1) is formed on the flattening layer 35.
  • 42 2 is formed.
  • a wavelength selection unit (color filter layer) CF 1, CF 2, CF 3 is formed on the second wavelength conversion layer 42 (42 1, 42 2) and the planarizing layer 35.
  • the light emitting element of the first embodiment and the modified example-2 of the display device can be the same as the configuration and structure of the light emitting element, the display device or the modified example-1 of the first embodiment.
  • the explanation is omitted.
  • FIG. 4 shows a schematic partial cross-sectional view of Modification 3 of the display device of the first embodiment.
  • the wavelength selection unit (color filter layer) CF 1 , CF 2 , and CF 3 are formed on the first surface 52A of the second substrate 52.
  • the flattening layer 35 and the wavelength selection unit (color filter layer) CF 1 , CF 2 , and CF 3 are bonded to each other by a sealing resin layer 36.
  • the light emitting element and the modification 3 of the light emitting device of the first embodiment have the same configuration and structure as the light emitting element, the display device or the modification 1 to the second of the first embodiment. Therefore, detailed explanation will be omitted.
  • FIG. 4, FIG. 5, FIG. 6, FIG. 11, FIG. 17, FIG. 18, FIG. 21, FIG. 22, FIG. 23, FIG. 24, FIG. 25, FIG. 26, and FIG. A schematic partial cross-sectional view based on No. 1 is shown, but the present invention is not limited thereto.
  • FIG. 5 shows a schematic partial cross-sectional view of Modification 4 of the display device of the first embodiment.
  • the wavelength selection unit (color filter layer) CF 1 , CF 2 , and CF 3 are formed on the first surface 52A of the second substrate 52.
  • the wavelength selection portion facing the protective layer 34 on the surface of the (color filter layer) CF 1, CF 2, CF 3, the second wavelength conversion layer 42 (42 1, 42 2) is formed.
  • the planarizing layer 35 and the wavelength selection portion (color filter layer) CF 1, CF 2, CF 3 and the second wavelength conversion layer 42 (42 1, 42 2) are bonded by the sealing resin layer 36.
  • the light emitting element of the first embodiment and the modified example -4 of the display device can be the same as the configuration and structure of the light emitting element, the display device or the modified example -1 of the first embodiment.
  • the explanation is omitted.
  • FIG. 6 shows a schematic partial cross-sectional view of Modification 5 of the display device of the first embodiment.
  • the first wavelength conversion layer 41 is covered with the transparent insulating material layer 43.
  • the material constituting the transparent insulating material layer 43 include polysiloxane and fluororesin having a refractive index n 2 of 1.3 to 1.4.
  • the value n 1 of the refractive index of the material constituting the first 1-A wavelength conversion layer 41 1 is 1.6 to 1.7
  • the refractive index of the material of the first 1-B wavelength conversion layer 41 2 The value n 1 is 1.6 to 1.7.
  • the refractive index by defining in this way, light incident from the first wavelength conversion layer 41 (41 1, 41 2) in the insulating material layer 43 depends on the angle of incidence on the insulating material layer 43, an insulating material is totally reflected at the layer 43, the first wavelength conversion layer 41 (41 1, 41 2) results phenomenon back occurs to the wavelength conversion efficiency in the first wavelength conversion layer 41 can be further improved.
  • the refractive index of 1.6 to 1.7 can be increased in the first 1-A wavelength conversion layer 41 1 and the second 1-B wavelength conversion layer 41 2, by increasing the refractive index by mixing titania particles or zirconia particles, the refractive index of 1.6 to 1.7 Can be.
  • the light emitting element and the modified example -5 of the light emitting device of the first embodiment may have the same configuration and structure as the light emitting element, the display device or the modified example 1 to 4 of the first embodiment. Since it can be done, detailed explanation is omitted.
  • the second embodiment relates to a light emitting device according to the second aspect of the present disclosure.
  • a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element 10 4 of the second embodiment is shown in FIG. 11, and the arrangement of the light emitting elements in the display device of the second embodiment is schematically shown in FIG. 7D.
  • the arrangement state of the substrate and the protrusion in the display device of the second embodiment is schematically shown in FIG. 12A
  • the arrangement state of the first electrode is schematically shown in FIG. 12B
  • the organic layer and the first wavelength conversion are shown.
  • the arrangement state of the layer arrangement state is schematically shown in FIG. 13A
  • the arrangement state of the second electrode is schematically shown in FIG. 13B.
  • the light emitting element 10 4 of the second embodiment is Projection 28 surrounding the light emitting region 30, A first portion 31A formed on the portion of the substrate 26 constituting the light emitting region 30, and a second portion 31B extending from the first portion 31A and formed on the protruding portion 28.
  • 1 electrode 31 The organic layer 33, which is formed on and above the first electrode 31 and emits first light (specifically, blue light) having a wavelength ⁇ 1.
  • the second electrode 32 formed on the organic layer 33, The first light emitted from the organic layer 33 formed between the second portion 31B of the first electrode 31 and the portion of the organic layer 33 formed above the protruding portion 28 has a wavelength of ⁇ 2 (provided that it is ⁇ ).
  • conversion layer 44 2 It is equipped with.
  • the 1-A wavelength conversion layer 44 1 it can be configured from the 1-A same material as the wavelength converting layer 41 1 in Example 1, the 1-B wavelength conversion layer 44 2, in Example 1 it can be composed of the same material as the first 1-B wavelength conversion layer 41 2.
  • the light emitting element unit (pixel) is the first light emitting element 10 1 , the second light emitting element 10 2 and the third light emitting element 10 3 described in the first embodiment, and the light emitting element unit (pixel) of the second embodiment.
  • a fourth light emitting element composed of a light emitting element 10 4 is provided, whereby one pixel is formed.
  • the fourth light-emitting element 104 emits white outside.
  • a transparent filter layer CF 4 is arranged instead of the color filter layer.
  • the first light emitting element 10 1 , the second light emitting element 10 2 , the third light emitting element 10 3 , and the fourth light emitting element 10 4 correspond to sub-pixels.
  • the protruding portion 28 has a forward taper shape as in the first embodiment.
  • the organic layer 33 and the 1-A wavelength conversion layer 44 an example of the arrangement of the 1-B wavelength conversion layer 41 2 as shown schematically in FIG. 13A, first on one half of the protrusion 28 1- a wavelength conversion layer 44 1 is formed, the 1-B wavelength conversion layer 44 2 is formed on the other half of the projection 28. Then, the blue light emitted from the organic layer 33, the 1-A green light emitted from the wavelength conversion layer 44 1, and, by the red light emitted from the 1-B wavelength conversion layer 44 2, Example 2 White light is emitted to the outside from the light emitting element (fourth light emitting element) 10 4.
  • the configuration of the light emitting element and the display device of the second embodiment can be the same as that of the light emitting element and the display device of the first embodiment or the modified examples -1 to 5 thereof.
  • the explanation is omitted.
  • FIG. 14 schematically shows the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer in the modification-1 of the display device of the second embodiment, but the light emitting element (fourth light emitting element) of the modification-1 in the 10 4 is the 1-a wavelength conversion layer 44 1 is formed on the (1/4) strong projection portion 28, on the other (1/4) strong projection portion 28 the 1-B wavelength conversion layer 44 2 is formed, the organic layer 33 extends over the remainder of the projection 28. Then, again, the blue light emitted from the organic layer 33, the 1-A green light emitted from the wavelength conversion layer 44 1, and, by the red light emitted from the 1-B wavelength conversion layer 44 2, carried White light is emitted to the outside from the light emitting element (fourth light emitting element) 10 4 of the modification-1 of Example 2.
  • FIG. 15A schematically shows the arrangement state of the first electrode in the modified example-2 of the display device of the second embodiment
  • FIG. 15B schematically shows the arrangement state of the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer.
  • the planar shape of the light emitting region 30 can also be circular.
  • FIG. 16 schematically shows the arrangement state of the organic layer and the first wavelength conversion layer, but the first 1-A wavelength is on the (1/2) of the protrusion 28.
  • conversion layer 44 1 is formed, the 1-B wavelength conversion layer 44 2 may be formed on the other (1/2) of the projection 28.
  • FIG. 17 shows a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element 10 4 of the second embodiment and the modification 3 of the display device.
  • a second 2-A wavelength conversion layer 45 1 formed on or above the second electrode 32 and converting the first light emitted from the organic layer 33 into the second light, and Is formed on or above the second electrode 32, the organic layer 33 second 2-B wavelength conversion layer 45 2 that converts the first light emitted in the third light from, There is further provided, which emits white light to the outside from the light emitting element 10 4.
  • the configuration of the light emitting element of the second embodiment and the modified example 3 of the display device may be the same as that of the light emitting element of the second embodiment, the display device or the modified examples -1 to 2 thereof. Since it can be done, detailed explanation is omitted.
  • Example 3 is a modification of Examples 1 and 2.
  • FIG. 18 shows a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the third embodiment.
  • FIG. 19A schematically shows the arrangement state of the substrate and the protrusion in the display device of the third embodiment
  • FIG. 19B schematically shows the arrangement state of the first electrode
  • FIG. 20A shows the organic state.
  • the arrangement state of the layer and the arrangement state of the first wavelength conversion layer is schematically shown
  • FIG. 20B schematically shows the arrangement state of the second electrode.
  • the boundary between the light emitting element and the light emitting element is shown by a dotted line.
  • the side surface 28B of the protruding portion 28A forms an angle of 90 degrees ⁇ 10 degrees with respect to the substrate 26.
  • a part of the light emitted by the organic layer 33 is a second wavelength conversion layer (second 2-A). It passes through the wavelength conversion layer, the second 2-B wavelength conversion layer), and further passes through the wavelength selection units CF 2 and CF 3, and is emitted to the outside. Further, the rest of the light emitted by the organic layer 33 (light emitted laterally or obliquely from the organic layer 33) is formed on the second portion 31B of the first electrode on the side surface 28B of the protruding portion 28A.
  • the first wavelength conversion layer 41 (the 1-a wavelength conversion layer 41 1, the 1-B wavelength conversion layer 41 2) through the, the second portion 31B of the first electrode on the side surface 28B of the projecting portion 28A collide, is reflected, the first wavelength conversion layer 41 (the 1-a wavelength conversion layer 41 1, the 1-B wavelength conversion layer 41 2) is returned to the first wavelength conversion layer 41 (the 1-a wavelength conversion layers 41 1, is emitted from the 1-B wavelength conversion layer 41 2), and finally, the second wavelength conversion layer 42 (the 2-a wavelength conversion layer 42 21, the first 2-B wavelength conversion layer 42 2) It passes through, and further passes through the wavelength selection units CF 2 and CF 3, and is emitted to the outside. Therefore, the light emitted by the organic layer 33 can be used more efficiently for image formation.
  • a display device including a light emitting element having a structure and a structure in which optical crosstalk is unlikely to occur, and a plurality of such light emitting elements.
  • the behavior of the fourth light emitting element 10 4 when the light emitting element of the second embodiment is applied is also substantially the same.
  • the light emitting element and the display device of the third embodiment are the light emitting element and the display device of the first embodiment or its modifications 1 to 5, and the second embodiment or its modifications 1 to 3. Since it can be the same as the above, a detailed description will be omitted.
  • Example 4 is a modification of Example 3.
  • the light emitting device of the fourth embodiment has a resonator structure.
  • the organic EL display device preferably has a resonator structure in order to further improve the light extraction efficiency. Specifically, in a structure in which an interface between the first electrode and the organic layer (or an interlayer insulating material layer is provided under the first electrode and a light reflection layer is provided under the interlayer insulating material layer). , An interface composed of an interface between a light reflecting layer and an interlayer insulating material layer) and a light emitting layer between a second interface composed of an interface between a second electrode and an organic layer. The light emitted in is resonated, and a part of the light is emitted from the second electrode.
  • the distance from the maximum light emitting position (light emitting surface) of the light emitting layer to the first interface is L 1
  • the optical distance is OL 1
  • the distance from the maximum light emitting position (light emitting surface) of the light emitting layer to the second interface is L 2 .
  • ⁇ Maximum peak wavelength of the spectrum of light generated in the light emitting layer (or the desired wavelength of the light generated in the light emitting layer)
  • ⁇ 1 Phase shift amount of light reflected at the first interface (unit: radian).
  • -2 ⁇ ⁇ 1 ⁇ 0 ⁇ 2 Phase shift amount of light reflected at the second interface (unit: radians).
  • the value of m 1 is larger than or equal to zero
  • the value of m 2 is independently a value of m 1, is a value of 0 or more
  • (m 1, m 2) (0,0 )
  • (M 1 , m 2 ) (0, 1)
  • (m 1 , m 2 ) (1, 0)
  • the distance L 1 from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface refers to the actual distance (physical distance) from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface, and is the second from the maximum light emitting position of the light emitting layer.
  • the distance L 2 to the interface refers to the actual distance (physical distance) from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the second interface.
  • the optical distance is also referred to as an optical path length, and generally refers to n ⁇ L when a light ray passes through a medium having a refractive index n by a distance L. The same applies to the following.
  • the average refractive index n ave is the sum of the products of the refractive index and the thickness of each layer constituting the organic layer (or the organic layer, the first electrode, and the interlayer insulating material layer), and the organic layer (or organic). It is divided by the thickness of the layer, the first electrode, and the interlayer insulating material layer).
  • the desired wavelength ⁇ 1 (specifically, the wavelength of blue) in the light generated in the light emitting layer is determined, and OL 1 , OL in the light emitting device is determined based on the equations (1-1) and (1-2).
  • the light emitting element may be designed by obtaining various parameters such as 2.
  • the first electrode or the light reflecting layer and the second electrode absorb a part of the incident light and reflect the rest. Therefore, a phase shift occurs in the reflected light.
  • the values of the real and imaginary parts of the complex refractive index of the material constituting the first electrode or the light reflecting layer and the second electrode are measured using, for example, an ellipsometer, and these are measured. It can be calculated by performing a calculation based on the value (for example, "Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS)). reference).
  • the refractive index of the organic layer, the interlayer insulating material layer, or the like, or when the first electrode absorbs a part of the incident light and reflects the rest can be determined by measuring with an ellipsometer.
  • aluminum As a material constituting the light reflecting layer, aluminum, an aluminum alloy (for example, Al—Nd or Al—Cu), an Al / Ti laminated structure, an Al—Cu / Ti laminated structure, chromium (Cr), silver (Ag), silver. Alloys (eg, Ag-Cu, Ag-Pd-Cu, Ag-Sm-Cu) can be mentioned. Then, for example, an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method or an ion plating method; a plating method (electroplating method or electroless plating method); a lift-off method; a laser.
  • Al—Nd or Al—Cu aluminum alloy
  • Al / Ti laminated structure an Al—Cu / Ti laminated structure
  • chromium (Cr) chromium
  • silver silver
  • Alloys eg, Ag-Cu, Ag
  • Ablation method It can be formed by a sol-gel method or the like.
  • a base layer made of, for example, TiN in order to control the crystal state of the light-reflecting layer to be formed.
  • the blue light emitted by the organic layer is resonated.
  • the first electrode 31 also functions as a light reflecting material layer. Therefore, the organic layer 33 is used as a resonance portion, and a resonator structure sandwiched between the first electrode 31 and the second electrode 32 is formed.
  • the thickness of the organic layer 33 is, for example, 8 ⁇ .
  • the first portion 31A of the first electrode 31 and the second portion 31B of the first electrode 31 are made of different materials.
  • the second portion 31B of the first electrode 31 is made of a material constituting the first electrode 31 described in the first embodiment.
  • the first portion 31A of the first electrode 31 is made of a transparent conductive material, for example, ITO.
  • a light reflecting layer 61 is formed below the first electrode 31 (on the first substrate side), the organic layer 33 is used as a resonance portion, and a resonator structure sandwiched between the light reflecting layer 61 and the second electrode 32.
  • the light reflecting layer 61 is provided on the substrate 26, the interlayer insulating material layer 62 made of the above-mentioned material is provided on the light reflecting layer 61, and the first electrode 31 is provided on the interlayer insulating material layer 62.
  • the thickness of the interlayer insulating material layer 62 it is possible to set an optical distance that causes optimum resonance with respect to the emission wavelength ⁇ 1 of the emission region 30.
  • the light reflecting layer 61 may or may not be connected to the contact hole (contact plug) 27B.
  • the interlayer insulating material layer 62 can also be composed of an oxide film in which the surface of the light reflecting layer 61 is oxidized.
  • the interlayer insulating material layer 62 made of an oxide film is made of, for example, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, etc., depending on the material constituting the light reflecting layer 61. .. Oxidation of the surface of the light reflecting layer 61 can be performed by, for example, the following method. That is, the first substrate 51 on which the light reflecting layer 61 is formed is immersed in the electrolytic solution filled in the container. Further, the cathode is arranged so as to face the light reflecting layer 61.
  • the light reflecting layer 61 is anodized with the light reflecting layer 61 as an anode.
  • the thickness of the oxide film due to anodization is proportional to the potential difference between the light reflecting layer 61, which is the anode, and the cathode. Therefore, anodizing is performed with an appropriate voltage applied.
  • the interlayer insulating material layer 62 can be collectively formed on the surface of the light reflecting layer 61.
  • a base film (not shown) may be arranged under the light reflecting layer 61.
  • Example 5 is a modification of Examples 1 to 4.
  • the display device of the fifth embodiment includes an optical path control means through which the light emitted from the light emitting region passes.
  • a schematic partial cross-sectional view of the display device and the light emitting element of the fifth embodiment is shown in FIGS. 22, 23, 24, 25, and 26.
  • the display device or the light emitting element of the present disclosure may be provided with an optical path control means through which the light emitted from the light emitting region passes.
  • the optical path control means is provided above the light emitting region.
  • the optical path control means is formed on or above the flattening layer, or the optical path control means is formed on or above the wavelength selection unit, or the flattening layer.
  • the optical path control means may be formed above or above the optical path control means, and the wavelength selection unit may be formed above or above the optical path control means.
  • the optical path control means is provided on the first substrate side or the second substrate side.
  • a second flattening layer for flattening the unevenness of the wavelength selection unit is formed between the wavelength selection unit and the optical path control means. The form that has been done is included.
  • the optical path control means is composed of, for example, a lens member (on-chip microlens).
  • the lens member can be in the form of being convex (along) toward the direction away from the light emitting region. Then, in this case, the light emitted from the light emitting region passes through the lens member, and further, for example, passes through the sealing resin layer and the second substrate and is emitted to the outside, but the material constituting the lens member It is desirable to lower the value of the refractive index in the order of the refractive index, the refractive index of the material constituting the sealing resin layer, and the refractive index of the material constituting the second substrate.
  • the lens member can be in a concave shape (along) in a direction away from the light emitting region. Then, in this case, the light emitted from the light emitting region passes through, for example, the sealing resin layer and the lens member, and further passes through the second substrate and is emitted to the outside, which constitutes the sealing resin layer. It is desirable to increase the value of the refractive index in the order of the refractive index of the material, the refractive index of the material constituting the lens member, and the refractive index of the material constituting the second substrate.
  • the light (image) emitted from the entire display device is, for example, a focusing system, but the degree of focusing system depends on the specifications of the display device, and the viewing angle depends on the display device and is wide. It also depends on whether viewing angle characteristics are required.
  • a light emitting element having a lens member that is convex toward the direction away from the light emitting region and a light emitting element having a lens member that is concave toward the direction away from the light emitting region are mixed. You can also.
  • the lens member may be hemispherical or may be formed of a part of a sphere, or broadly, may be formed of a shape suitable for functioning as a lens. Can be done.
  • the lens member may be composed of a convex lens member (on-chip micro-convex lens) or a concave lens member (on-chip micro-concave lens).
  • the convex lens member and the concave lens member may be collectively referred to as a "lens member”.
  • the lens member may be a spherical lens or an aspherical lens.
  • the convex lens member can be composed of a plano-convex lens
  • the concave lens member can be composed of a plano-concave lens.
  • the lens member may be a refraction type lens or a diffraction type lens.
  • a lens member having four side surfaces and one top surface of this rectangular parallelepiped having a convex or planar shape. Can be done. Further, in this case, the portion of the ridge where the side surface and the side surface intersect is rounded, and the portion of the ridge where the top surface and the side surface intersect is also rounded, resulting in a rounded three-dimensional shape as a whole. It can also be a lens member to have.
  • the lens member can be obtained by melt-flowing the transparent resin material constituting the lens member, or can be obtained by etching back, and a photo using a gray tone mask or a halftone mask. It can be obtained by a combination of a lithography technique and an etching method, or it can be obtained by a method such as forming a transparent resin material into a lens shape based on a nanoimprint method.
  • the material constituting the lens member include a high refraction resin material (for convex lens), a high refraction inorganic material (for convex lens), a low refraction resin material (for concave lens), and a low refraction inorganic material (for concave lens). Can be done.
  • the lens member can be made of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polycarbonate resin, or a polyimide resin, or a transparent inorganic material such as SiO 2. It is not limited to these.
  • the optical path control means may be formed of a light emission direction control member having a rectangular or isosceles trapezoidal cross-sectional shape when cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the thickness direction. can.
  • the cross-sectional shape of the light emission direction control member is constant or changes (specifically, convexally curved or concavely) along the thickness direction thereof. It can be in the form of being composed of a light emission direction control member (which is curved).
  • the cross-sectional shape of the side surface of the light emission direction control member in the thickness direction may be linear, may be curved in a convex shape, or may be curved in a concave shape. That is, the side surface of the prism or the truncated pyramid shape described below may be flat, may be curved in a convex shape, or may be curved in a concave shape.
  • a cylindrical shape, an elliptical pillar shape, a long columnar shape, a cylindrical shape, a prismatic shape (a square pillar, a hexagonal pillar, an octagonal pillar, or a prismatic shape with a rounded ridge) are used. Included), truncated cones, truncated prisms (including truncated prisms with rounded edges) can be exemplified. Prism and truncated pyramids include regular prisms and truncated pyramids. The portion of the ridge where the side surface and the top surface of the light emission direction control member intersect may be rounded.
  • the bottom surface of the truncated pyramid shape may be located on the first substrate side or may be located on the second electrode side.
  • specific examples include a circle, an ellipse and an oval, and a polygon including a triangle, a quadrangle, a hexagon and an octagon.
  • the polygon includes a regular polygon (including a regular polygon such as a rectangle or a regular hexagon (honeycomb shape)).
  • the light emission direction control member can be made of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polycarbonate resin, or a polyimide resin, or a transparent inorganic material such as SiO 2.
  • the shortest distance between the side surfaces of the adjacent light emission direction control members is 0.4 ⁇ m or more and 1.2 ⁇ m or less, preferably 0.6 ⁇ m or more and 1.2 ⁇ m or less, more preferably 0.8 ⁇ m or more and 1.2 ⁇ m or less. More preferably, 0.8 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less can be mentioned, but the present invention is not limited thereto.
  • the minimum value of the shortest distance between the side surfaces of the adjacent light emission direction control members is about the same as the lower limit value of the wavelength band of visible light.
  • the light collection effect in the vicinity of the outer edge portion (side surface) of the light emission direction control member is effectively enhanced. Can be done.
  • the maximum value of the shortest distance between the side surfaces of the adjacent light emission direction control members as 1.2 ⁇ m, the size of the light emission direction control member can be reduced, and as a result, the outer edge of the light emission direction control member can be reduced. The light collection effect in the vicinity of the portion (side surface) can be effectively enhanced.
  • the display device In order to improve the light utilization efficiency of the display device as a whole, it is preferable to effectively collect the light at the outer edge of the light emitting element.
  • the effect of condensing light near the center of the light emitting element to the front is large, but the effect of condensing light near the outer edge of the light emitting element may be small.
  • the light extraction efficiency in the vicinity of the outer edge portion (side surface) of the light emission direction control member is improved. Therefore, as a result of being able to effectively collect the light near the outer edge portion of the light emitting element, the light extraction efficiency in the front direction of the entire light emitting element is improved. Therefore, it is possible to achieve high efficiency of light emission of the display device. That is, it is possible to realize high brightness and low power consumption of the display device. Further, since the light emission direction control member has a flat plate shape, it is easy to form, and the manufacturing process can be simplified.
  • An extending portion of the light emission direction control member having a thickness thinner than that of the light emission direction control member may be formed between the adjacent light emission direction control member and the light emission direction control member.
  • the top surface of the light emission direction control member may be flat, may have an upward convex shape, or may have a concave shape, but the image display area of the display device may be formed. From the viewpoint of improving the brightness in the front direction of the (display panel), it is preferable that the top surface of the light emission direction control member is flat.
  • the light emission direction control member can be obtained, for example, by a combination of a photolithography technique and an etching method, or can be formed based on a nanoprint method.
  • the size of the planar shape of the light emission direction control member may be changed depending on the light emitting element. For example, when one pixel is composed of three sub-pixels, the size of the planar shape of the light emission direction control member may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel, or one. The values may be the same in the two sub-pixels except for the sub-pixels, or may be different values in the three sub-pixels. Further, the refractive index of the material constituting the light emission direction control member may be changed depending on the light emitting element. For example, when one pixel is composed of three sub-pixels, the refractive index of the material constituting the light emission direction control member may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel. The values may be the same in the two sub-pixels except for one sub-pixel, or may be different in the three sub-pixels.
  • the planar shape of the light emission direction control member is preferably similar to the light emitting region, or the light emission region is preferably included in the normal projection image of the light emission direction control member.
  • the present invention is not limited to this, and the orthophoto image of the optical path control means can be in a form that matches the orthophoto image of the wavelength selection unit, or is included in the orthophoto image of the wavelength selection unit. It can be in the form. By adopting the latter configuration, it is possible to reliably suppress the occurrence of color mixing between adjacent light emitting elements.
  • the normal projection image is a normal projection image when projected onto the first substrate, and the same applies to the following.
  • the side surface of the light emission direction control member is vertical or substantially vertical.
  • the inclination angle of the side surface of the light emission direction control member is 80 degrees to 100 degrees, preferably 81.8 degrees or more, 98.2 degrees or less, more preferably 84.0 degrees or more, and 96.0 degrees.
  • 86.0 degrees or more, 94.0 degrees or less, particularly preferably 88.0 degrees or more, 92.0 degrees or less, and most preferably 90 degrees can be exemplified.
  • the average height of the light emission direction control member can be exemplified as 1.5 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less, thereby effectively enhancing the light collection effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member. Can be done.
  • the height of the light emission direction control member may be changed depending on the light emitting element. For example, when one pixel is composed of three sub-pixels, the height of the light emission direction control member may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel, or one sub-pixel may be used. Except for the two sub-pixels, the same value may be used, or the three sub-pixels may have different values.
  • the distance between the centers of adjacent light emission direction control members is not limited, but is preferably 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and by setting it to 10 ⁇ m or less, the wave nature of light is remarkable. Therefore, it is possible to impart a high light-collecting effect to the light emission direction control member.
  • the maximum distance (maximum distance in the height direction) from the light emitting region to the bottom surface of the light emission direction control member is more than 0.35 ⁇ m and 7 ⁇ m or less, preferably 1.3 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or less, more preferably 2.8 ⁇ m or more. , 7 ⁇ m or less, more preferably 3.8 ⁇ m or more, and 7 ⁇ m or less.
  • the maximum distance from the light emitting region to the light emission direction control member exceeds 0.35 ⁇ m, it is possible to effectively enhance the light-collecting effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member.
  • the maximum distance from the light emitting region to the light emitting direction control member is 7 ⁇ m or less, it is possible to suppress the deterioration of the viewing angle characteristic.
  • the number of light emission direction control members for one pixel is essentially arbitrary, and may be 1 or more.
  • one light emission direction control member may be provided corresponding to one sub-pixel, or one light may be provided corresponding to a plurality of sub-pixels.
  • An emission direction control member may be provided, or a plurality of light emission direction control members may be provided corresponding to one sub-pixel.
  • p ⁇ q light emission direction control members are provided corresponding to one sub-pixel, the values of p and q may be 10 or less, 5 or less, and 3 or less.
  • the optical path control means may be composed of a light reflecting member.
  • the light-reflecting member include a single metal such as aluminum (Al) and silver (Ag), an alloy, and a dielectric multilayer film, and as a material constituting the light-reflecting member in the light emitting element and the like of the present disclosure, Examples thereof include materials having a refractive index such that when light from a light emitting region collides with a light reflecting member, the light is totally reflected by the light reflecting member.
  • the light reflecting member may be in the form of filling between the flattening layer and the flattening layer, for example.
  • the light reflecting member preferably has a forward taper shape (a shape extending from the light incident surface side toward the light emitting surface side).
  • the cross section of the forward-tapered slope when the light-reflecting member is cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the axis of the light-reflecting member may be composed of a curved line or a line segment. ..
  • the orthophoto image of the optical path control means can be in a form that matches the orthophoto image of the wavelength selection unit, or can be included in the orthophoto image of the wavelength selection unit. By adopting the latter configuration, it is possible to reliably suppress the occurrence of color mixing between adjacent light emitting elements.
  • FIG. 22 shows a schematic partial cross-sectional view of the light emitting element and the display device of the fifth embodiment.
  • the second flattening layer 37 is formed on the wavelength selection units CF 1 , CF 2 , and CF 3 , and the optical path control is performed on the second flattening layer 37.
  • Means, specifically, for example, a lens member (on-chip microlens) 38A is formed.
  • the lens member 38A is, for example, convex (along) toward a direction away from the light emitting region 30, and is specifically composed of a plano-convex lens.
  • FIG. 23 as shown in FIG.
  • the lens member 38B moves toward (along with) the light emitting region 30. ) It is concave and consists of a plano-concave lens.
  • a second flattening layer 37 is formed between the lens member 38B and the second substrate 52.
  • the lens member 38B and the color filter layer CF are joined to each other via, for example, a sealing resin layer 36.
  • Acrylic transparent resin can be mentioned as a material constituting the lens members 38A and 38B.
  • the light emitted from the light emitting region passes through the lens members 38A and 38B, and further passes through the sealing resin layer 36, the second flattening layer 37, and the second substrate 52 and is emitted to the outside. Will be done.
  • the light (image) emitted from the entire display device is, for example, a focusing system, but the degree of focusing system depends on the specifications of the display device, and the viewing angle depends on the display device and is wide. It also depends on whether viewing angle characteristics are required.
  • a light emitting element having a lens member that is convex toward the direction away from the light emitting region and a light emitting element having a lens member that is concave toward the direction away from the light emitting region are mixed. You can also.
  • one lens member is provided for one light emitting region, but in some cases, one lens member may be shared by a plurality of light emitting elements.
  • a light emitting element may be arranged at each of the vertices of an equilateral triangle (a total of three light emitting elements are arranged), and one lens member may be shared by these three light emitting elements, or at each of the vertices of a rectangle.
  • a light emitting element may be arranged (a total of four light emitting elements are arranged), and one lens member may be shared by these four light emitting elements.
  • a plurality of lens members may be provided for one light emitting region.
  • the lens member 38A can be manufactured, for example, by the following method. That is, a lens member forming layer for forming the lens member 38A is formed on the second flattening layer 37, and a resist material layer is formed on the lens member forming layer. Then, the resist material layer is patterned and further heat-treated to form the resist material layer into the shape of the lens member. Next, by etching back the resist material layer and the lens member forming layer, the shape formed in the resist material layer is transferred to the lens member forming layer. In this way, the lens member 38A can be obtained.
  • the light emission direction control member 38C which is an optical path control means, is above the light emitting region 30. Specifically, it is provided above the color filter layer CF via the second flattening layer 37. The color filter layer CF and the light emission direction control member 38C are covered with the flattening layer 35, and the flattening layer 35 and the second substrate 52 are joined to each other via, for example, a sealing resin layer 36.
  • the cross-sectional shape of the light emission direction control member 38C when the light emission direction control member is cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the thickness direction of the light emission direction control member 38C is rectangular.
  • the three-dimensional shape of the light emission direction control member 38C is, for example, a cylinder or a quadrangle. If the refractive index of the material constituting the light emission direction control member 38C is n R and the refractive index of the material constituting the sealing resin layer 36 is n M ( ⁇ n R ), the light emission direction control member 38C is sealed. Since it is surrounded by the resin layer 36, the light emission direction control member 38C has a function as a kind of lens, and moreover, it is possible to effectively enhance the light collection effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member 38C. can. Further, since the light emission direction control member 38C has a flat plate shape, it is easy to form, and the manufacturing process can be simplified.
  • the light emission direction control member 38C may be surrounded by a material different from the material constituting the flattening layer 35 as long as the refractive index condition (n M ⁇ n R) is satisfied.
  • the light emission direction control member 38C may be surrounded by, for example, an air layer or a pressure reducing layer (vacuum layer).
  • FIG. 25 a schematic partial cross-sectional view is shown between the optical path control means 38C of the adjacent light emitting element, and a light absorption layer (black matrix layer). ) It is also possible to form a form in which a BM is formed, whereby the occurrence of color mixing between adjacent light emitting elements can be reliably suppressed.
  • the optical path control means may be configured from the light reflection member 38D.
  • the light reflecting member 38D include simple substances or alloys of metals such as aluminum (Al) and silver (Ag), and dielectric multilayer films.
  • the light reflection member 38D constituting the optical path control means fills the space between the second flattening layer 37 and the second flattening layer 37.
  • the light reflecting member 38D has a forward taper shape (a shape extending from the light incident surface side toward the light emitting surface side).
  • the cross section of the forward tapered slope when the light reflecting member 38D is cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the axis of the light reflecting member 38D may be composed of a curved line, or as shown in FIG. 26. It may be composed of a line segment.
  • Example 6 is a modification of Examples 1 to 5.
  • various normals are vertical lines with respect to the light emitting surface of the display device.
  • FIG. 28 shows a conceptual diagram of the distance (offset amount) D 0 between the normal LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal LN'passing through the center of the optical path control means in the display device of the sixth embodiment.
  • FIGS. 29A and 29B showing the positional relationship of the luminous elements and the reference point in the display device of Example 6, as well, shown in FIGS. 30A and 30B, D to changes in D 1-X 0-X 31A, 31B, 31C and 31D, 32A, 32B, 32C and 32D, 33A, 33B, schematically showing the changes in D 0-Y with respect to the changes in D 1-Y. 33C and 33D, and FIGS. 34A, 34B, 34C and 34D.
  • the relationship between the normal LN, the normal LN'and the normal LN' can be as follows. That is, the normal passing through the center of the light emitting region 30 and the method passing through the center of the optical path control means.
  • the value of the distance (offset amount) D 0 between the lines is 0, Can be given form to match the [A] LN and LN 'and LN ".
  • the distance (offset amount) between the normal LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal LN'passing through the center of the optical path control means when the D 0, at least part of the light emitting element 10 constituting a display device, a distance (offset amount) a value of D 0 may be in the form not zero.
  • the straight line LL is a straight line connecting the center of the light emitting region 30 and the center of the optical path control means. Further, in the following, an example in which the optical path control means is composed of the lens member 38A will be described.
  • a reference point (reference area) P is assumed in the display panel (area for displaying an image) constituting the display device of the sixth embodiment, and the offset amount D 0 is the reference point (reference area). It depends on the distance D 1 from P to the normal LN passing through the center of the light emitting region 30.
  • the distance D 0 may be changed in a plurality of light emitting elements (sub-pixels) constituting one pixel. That is, for example, when one pixel is composed of three sub-pixels, the value of D 0 may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel, or 2 except for one sub-pixel. The same value may be used in one sub-pixel, or different values may be used in three sub-pixels.
  • the reference point (reference region) may include a certain degree of spread.
  • the reference point P can be configured to be assumed in the display panel constituting the display device, and in this case, the reference point P can be configured not to be located in the central region of the display panel.
  • the reference point P can be configured to be located in the central region of the display panel, and further, in these cases, one reference point P can be configured to be assumed.
  • the configuration may be such that a plurality of reference points P are assumed. In these cases, the value of the distance D 0 in a part of the light-emitting element is 0 (e.g., see FIG. 22), the value of the distance D 0 in the remaining light-emitting element can have a structure not zero.
  • the reference point P can be configured not to be included in the central region of the display panel, or the reference point P can be included in the central region of the display panel. It can be a configuration that is included. Further, when a plurality of reference points P are assumed, at least one reference point P can be configured not to be included in the central region of the display panel.
  • the reference point P can be configured to be assumed outside (outside) the display panel, in which case one reference point P can be assumed to be configured, or also. It is possible to have a configuration in which a plurality of reference points P are assumed. In these cases, the value of the distance D 0 can be non-zero in all the light emitting elements.
  • each light emitting element and passing through the lens member 38A can be in a form of being focused (condensed) in a certain region of the space outside the display device, or each of them.
  • the light emitted from the light emitting element and passing through the lens member 38A can be in the form of being emitted in the space outside the display device, or the light emitted from each light emitting element and passing through the lens member 38A can be emitted.
  • the value of the distance (offset amount) D 0 may be different depending on the position where the light emitting element occupies the display panel.
  • the reference point P is set,
  • the plurality of light emitting elements are arranged in a first direction and a second direction different from the first direction.
  • D 1 be the distance from the reference point P to the normal LN passing through the center of the light emitting region 30, and let D 0-X and D 0-Y be the values in the first direction and the second direction of the distance D 0.
  • the values of the first direction and the second direction of the distance D 1 are D 1-X and D 1-Y , respectively.
  • D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed linearly, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes linearly, or, D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed linearly, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes nonlinearly, or, D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes linearly, or, D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y can be in the form of changes nonlinearly.
  • the value of the distance D 0 can be increased as the value of the distance D 1 increases. That is, in the display device of the sixth embodiment, The reference point P is set, When the distance from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light-emitting region 30 was set to D 1, as the value of the distance D 1 is increased, it is possible that the value of the distance D 0 is a form increases.
  • the D 0-X with respect to the change in D 1-X changes linearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y varies linearly
  • the D 0-X k X ⁇ D 1-X
  • D 0-Y k Y ⁇ D 1-Y Means that holds true.
  • k X and k Y are constants. That is, D 0-X and D 0-Y change based on the linear function.
  • the D 0-X with respect to the change in D 1-X changes nonlinearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y varies linearly
  • the D 0-X f X (D 1-X )
  • D 0-Y f Y (D 1-Y ) Means that holds true.
  • f X and f Y are functions that are not linear functions (for example, quadratic functions).
  • changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X may be a step change.
  • the change when the step-like change is viewed as a whole, the change may be in a form in which the change changes linearly, or may be in a form in which the change changes non-linearly.
  • the change in D 0-X with respect to a change in D 1-X a change in the D 0-Y to changes in D 1-Y , It may be unchanged or it may be a constant change.
  • the number of light emitting elements in one region is not limited, but 10 ⁇ 10 can be mentioned.
  • the normal projection image of the lens member can be in a form that matches the normal projection image of the wavelength selection unit or is included in the normal projection image of the wavelength selection unit.
  • FIG. 27 shows a schematic partial cross-sectional view of the display device of the sixth embodiment.
  • the display device is configured when the distance (offset amount) between the normal line LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal line LN'passing through the center of the lens member 38A is D 0.
  • the value of the distance (offset amount) D 0 is not 0 in at least a part of the light emitting element 10 provided in the display panel.
  • a reference point (reference region) is assumed, and the distance D 0 depends on the distance D 1 from the reference point (reference region) to the normal LN passing through the center of the light emitting region 30.
  • the reference point P is assumed in the display panel. However, the reference point P is not located (not included) in the central region of the display panel. That is, the normal projection image of the reference point P is included in the image display area (display panel) of the display device, but the reference point P is not located in the central area of the display device (display area of the display device, display panel). ..
  • the central region of the display panel is indicated by a black triangle mark
  • the light emitting element 10 is indicated by a square mark
  • the center of the light emitting region 30 is indicated by a black square mark
  • the reference point P is shown.
  • the positional relationship between the light emitting element 10 and the reference point P is schematically shown in FIG. 29A, but one reference point P is assumed. Since the reference point P may include some extent, the value of the distance D 0 at some of the light emitting elements 10 (specifically, one or more light emitting elements 10 included in the normal projection image of the reference point P). Is 0, and the value of the distance D 0 is not 0 in the remaining light emitting elements 10.
  • the value of the distance (offset amount) D 0 differs depending on the position occupied by the light emitting element on the display panel.
  • the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the lens member 38A is focused (condensed) on a certain area of the space outside the display device.
  • the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the lens member 38A is emitted in the space outside the display device.
  • the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the lens member 38A is parallel light. Whether the light that has passed through the lens member 38A is focused light, divergent light, or parallel light depends on the specifications required for the display device, and how much viewing angle depends on the display device. It also depends on whether wide viewing angle characteristics are required. Then, based on this specification, the power of the lens member 38A and the like may be designed.
  • the position of the space where the image emitted from the display device is formed may or may not be on the normal line of the reference point P, and the display device may not.
  • an optical system through which the image emitted from the display device passes may be arranged. What kind of optical system is arranged also depends on the specifications required for the display device, but for example, an imaging lens system can be exemplified.
  • the reference point P is set, and the plurality of light emitting elements 10 are arranged in the first direction and the second direction different from the first direction. Then, the distance from the reference point P to the normal LN passing through the center of the light emitting region 30 is set to D 1, and the values in the first direction and the second direction of the distance D 0 are D 0-X and D 0-.
  • D the values in the first direction and the second direction of the distance D 1 are set to D 1-X and D 1-Y , respectively.
  • D 0-X with respect to changes in the [A] D 1-X is changed linearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y is may be designed to vary linearly
  • D 0-X is changed linearly relative to changes in the [B] D 1-X
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y is may be designed to vary nonlinearly
  • D 0-X to changes in [C] D 1-X is changed to a non-linear
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y is may be designed to vary linearly
  • [D] D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y may be designed to vary nonlinearly.
  • the distance D 0 increases as the value of the distance D 1 increases. It may be designed to increase the value.
  • the changes in D 0-X and D 0-Y depending on the changes in D 1-X and D 1-Y may be determined based on the specifications required for the display device.
  • a plurality of reference points P may be assumed.
  • the plurality of reference points P are arranged in the display area of the display panel.
  • the positional relationship between the light emitting element 10 and the reference points P 1 and P 2 is schematically shown in FIG. 29B, but in the illustrated example, two reference points P 1 and P 2 are assumed.
  • the two reference points P 1, P 2 are arranged in two-rotation symmetric.
  • at least one reference point P is not included in the central region of the display panel.
  • the two reference points P 1, P 2 is not included in the central region of the display panel.
  • one or more light emitting elements included in the reference point P portion of the light emitting element value of the distance D 0 in is 0, the value of the distance D 0 in the remaining light-emitting element not zero.
  • the distance D 1 of the from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light emitting region 30 the distance D 1 the distance between the reference point P closer to the normal LN passing through the center of a certain light-emitting region 30 do.
  • the reference point P is assumed to be outside the display panel.
  • the positional relationship between the light emitting element 10 and the reference points P, P 1 , and P 2 is schematically shown in FIGS. 30A and 30B, but one reference point P can be assumed (FIG. 30A). see), or alternatively, may be a structure in which a plurality of reference points P (showing two reference points P 1, P 2 in FIG. 30B) is assumed.
  • the two reference points P 1, P 2 are arranged in two-rotation symmetric.
  • at least one reference point P is not included in the central region of the display panel.
  • the two reference points P 1, P 2 is not included in the central region of the display panel. (Specifically, one or more light emitting elements included in the reference point P) portion of the light emitting element value of the distance D 0 in is 0, the value of the distance D 0 in the remaining light-emitting element not zero. With respect to the distance D 1 of the from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light emitting region 30, the distance D 1 the distance between the reference point P closer to the normal LN passing through the center of a certain light-emitting region 30 do. Alternatively, the value of the distance D 0 is not 0 in all the light emitting elements.
  • the distance D 1 of the from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light emitting region 30 the distance D 1 the distance between the reference point P closer to the normal LN passing through the center of a certain light-emitting region 30 do.
  • the distance D 1 the distance between the reference point P closer to the normal LN passing through the center of a certain light-emitting region 30 do.
  • the normal line LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal line LN passing through the center of the wavelength selection portion coincide with the normal line LN'passing through the center of the lens member 38A.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal LN passing through the center of the wavelength selection portion coincide with each other.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting region 30, the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit, and the normal LN'passing through the center of the lens member 38A are one.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting region 30 coincides with the normal LN passing through the center of the wavelength selection portion and the normal LN'passing through the center of the lens member 38A.
  • the normal LN'passing through the center of the lens member 38A does not coincide with the normal LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit.
  • the center of the wavelength selection unit (indicated by a black square in FIG. 36) is located on the straight line LL connecting the center of the light emitting region 30 and the center of the lens member 38A (indicated by a black circle in FIG. 36). ..
  • the distance from the center of the light emitting region 30 in the thickness direction to the center of the wavelength selection unit is LL 1
  • the distance from the center of the wavelength selection unit in the thickness direction to the center of the lens member 38A is LL 2 .
  • the normal line LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal line LN passing through the center of the wavelength selection portion coincide with the normal line LN'passing through the center of the lens member 38A.
  • the normal line LN passing through the center of the light emitting region 30, the normal line LN passing through the center of the wavelength selection unit, and the normal line LN'passing through the center of the lens member 38A are one.
  • the normal LN'passing through the center of the lens member 38A does not match the normal LN passing through the center of the light emitting region 30 and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit.
  • the center of the wavelength selection unit is located on the straight line LL connecting the center of the light emitting region 30 and the center of the lens member 38A.
  • the distance from the center of the light emitting region 30 in the thickness direction to the center of the wavelength selection section is LL 1
  • the distance from the center of the wavelength selection section in the thickness direction to the lens member 38A is LL 2
  • the light emission constituting the display device is configured. Since the value of the distance D 0 is not 0 in at least a part of the element, the direction of the light emitted from the light emitting layer and passing through the optical path control means is surely determined depending on the position of the light emitting element in the display device. Moreover, it can be controlled accurately. That is, it is possible to reliably and accurately control to which region of the external space the image from the display device is emitted in what state.
  • the optical path control means it is possible not only to increase the brightness (luminance) of the image emitted from the display device and prevent color mixing between adjacent pixels, but also to obtain light according to the required viewing angle. Can be appropriately diverged, and the life of the light emitting element and the display device can be extended and the brightness can be increased. Therefore, it is possible to reduce the size, weight, and quality of the display device.
  • the applications for eyewear, AR (Augmented Reality) glass, and EVR will be greatly expanded.
  • the present disclosure has been described above based on preferable examples, the present disclosure is not limited to these examples.
  • the configuration and structure of the display device (organic EL display device) and the light emitting element (organic EL element) described in the examples are examples, and can be appropriately changed, and the manufacturing method of the light emitting element and the display device is also possible. It is an example and can be changed as appropriate.
  • the drive circuit is composed of MOSFETs, but it can also be composed of TFTs.
  • the first electrode and the second electrode may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • a display device that emits light of three colors is configured, but a display device that emits light of four colors or more may be used, or a display device that emits light of two colors may be used. You can also.
  • the planar shape of the lens member may be circular, but the present invention is not limited to this, and the lens member 38E may be a truncated quadrangular pyramid as shown in FIGS. 39A and 39B. ..
  • FIG. 39A is a schematic plan view of a lens member having the shape of a truncated quadrangular pyramid
  • FIG. 39B is a schematic perspective view.
  • a light-shielding portion is provided between the light-emitting element and the light-emitting element in order to prevent light emitted from the light-emitting element from entering the light-emitting element adjacent to the light-emitting element and causing optical crosstalk.
  • You may. That is, a groove may be formed between the light emitting element and the light emitting element, and the groove may be embedded with a light shielding material to form a light shielding portion.
  • the color filter layer is arranged for each pixel in order to improve color purity, depending on the configuration of the light emitting element, the color filter layer can be thinned or the color filter layer can be omitted, and the color filter can be omitted. It becomes possible to take out the light absorbed by the layer, and as a result, the light emission efficiency is improved.
  • the light absorption layer black matrix layer
  • a light absorption layer (black matrix layer) BM' may be formed between the wavelength selection unit and the wavelength selection unit, and is shown in FIG. 41.
  • the light absorption layer (black matrix layer) BM' may be formed above between the wavelength selection unit and the wavelength selection unit.
  • the light absorption layer is made of, for example, a black resin film (specifically, for example, a black polyimide resin) having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant.
  • the display device of the present disclosure can be applied to a mirrorless type digital still camera with interchangeable lenses.
  • a front view of the digital still camera is shown in FIG. 42A, and a rear view is shown in FIG. 42B.
  • This interchangeable lens mirrorless type digital still camera has, for example, an interchangeable shooting lens unit (interchangeable lens) 212 on the front right side of the camera body (camera body) 211, and is gripped by the photographer on the front left side. It has a grip portion 213 for the purpose.
  • a monitor device 214 is provided substantially in the center of the back surface of the camera body 211.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 215 is provided above the monitor device 214.
  • the photographer can visually recognize the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 212 and determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the electronic viewfinder 215.
  • the first light emitting element in the display device of the present disclosure is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first portion formed on the portion of the substrate 26 constituting the light emitting region, and a first electrode formed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • the second electrode formed on the organic layer, The ultraviolet light (wavelength: ⁇ 0 ) formed between the second portion of the first electrode and the portion of the organic layer formed above the protruding portion and emitted from the organic layer has a wavelength of ⁇ 1 (however, ⁇ 1).
  • the second light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first portion formed on the portion of the substrate 26 constituting the light emitting region, and a first electrode formed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • the second electrode formed on the organic layer It is formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion, and has a wavelength ⁇ 2 (where ⁇ 2 > ⁇ 1 ) for the ultraviolet light emitted from the organic layer.
  • An organic layer that is formed on and above the first electrode and emits ultraviolet light.
  • the second electrode formed on the organic layer It is formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion, and has a wavelength ⁇ 3 (where ⁇ 3 > ⁇ 2 ) for the ultraviolet light emitted from the organic layer.
  • the 1-C wavelength conversion layer that converts to the third light
  • a second 2-C wavelength conversion layer which is formed on or above the second electrode and converts ultraviolet light emitted from the organic layer into third light. It is equipped with.
  • the configurations and structures of the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element are basically the same as the configurations and structures of the light emitting element, the first light emitting element, and the second light emitting element in the first embodiment. And it is sufficient.
  • blue light emitting phosphor particles As a wavelength conversion material that is excited by ultraviolet rays and emits blue light, specifically, blue light emitting phosphor particles, more specifically, BaMgAl 10 O 17 : Eu, BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, Sr 2 P 2 O 7 : Eu, Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu, CaWO 4 , CaWO 4 : Pb can be mentioned.
  • green light emitting phosphor particles more specifically, LaPO 4 : Ce, Tb, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn, Zn 2 SiO 4 : Mn, MgAl 11 O 19 : Ce, Tb, Y 2 SiO 5 : Ce, Tb, MgAl 11 O 19 : CE, Tb, Mn, Si 6-Z Al Z O Z N 8-Z : Eu Can be mentioned.
  • red light emitting fluorescent material particles more specifically, Y 2 O 3 : Eu, YVO 4 : Eu, Y (P). , V) O 4: Eu, 3.5MgO ⁇ 0.5MgF 2 ⁇ Ge 2: Mn, CaSiO 3: Pb, Mn, Mg 6 AsO 11: Mn, (Sr, Mg) 3 (PO 4) 3: Sn, La 2 O 2 S: Eu and Y 2 O 2 S: Eu can be mentioned.
  • examples of the wavelength conversion material excited by blue light and emitting yellow light include yellow-emitting phosphor particles, and more specifically, YAG (yttrium aluminum garnet) -based phosphor particles. be able to.
  • the emission light of a color other than yellow, green, and red it is possible to configure the emission light of a color other than yellow, green, and red to be emitted from the wavelength conversion material mixture.
  • it may be configured to emit cyan color, and in this case, green light emitting fluorescent material particles (for example, LaPO 4 : Ce, Tb, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn, Zn 2 SiO 4).
  • examples of the wavelength conversion material excited by ultraviolet rays and emitting yellow light include yellow-emitting fluorescent particles, and more specifically, YAG-based fluorescent particles.
  • the wavelength conversion material may be one type or a mixture of two or more types. Further, by using a mixture of two or more kinds of wavelength conversion materials, it is possible to configure the emission light of a color other than yellow, green, and red to be emitted from the wavelength conversion material mixture. Specifically, it may be configured to emit cyan color, and in this case, a mixture of the above-mentioned green light emitting phosphor particles and blue light emitting phosphor particles may be used.
  • the present disclosure may also have the following structure.
  • a light emitting element equipped with [A02]
  • the light emitting region is composed of a central portion of the light emitting region and an outer peripheral portion of the light emitting region surrounding the central portion of the light emitting region.
  • the light emitting element according to [A01] or [A02], wherein the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are made of the same material.
  • [A05] The light emitting device according to any one of [A01] to [A04], wherein the first portion of the first electrode and the second portion of the first electrode are made of the same material.
  • [A06] The light emitting device according to any one of [A01] to [A04], wherein the first portion of the first electrode and the second portion of the first electrode are made of different materials.
  • [A07] The light emitting device according to any one of [A01] to [A06], wherein the first wavelength conversion layer is covered with a transparent insulating material layer.
  • a protrusion that surrounds the light emitting area A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • the second electrode formed on the organic layer, The first light emitted from the organic layer formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion has a wavelength of ⁇ 2 (where ⁇ 2 > ⁇ 1 ).
  • 1-A wavelength conversion layer that converts to a second light having It is formed in a region between the second portion of the first electrode and the portion of the organic layer formed above the protruding portion, which is different from the region where the 1-A wavelength conversion layer is formed, and is formed from the organic layer.
  • a 1-B wavelength conversion layer that converts the emitted first light into a third light having a wavelength ⁇ 3 (where ⁇ 3 > ⁇ 2).
  • a second 2-A wavelength conversion layer formed on or above the second electrode and converting the first light emitted from the organic layer into the second light, and A second 2-B wavelength conversion layer, which is formed on or above the second electrode and converts the first light emitted from the organic layer into the third light.
  • the light emitting region is composed of a central portion of the light emitting region and an outer peripheral portion of the light emitting region surrounding the central portion of the light emitting region.
  • [B06] The light emitting device according to any one of [B01] to [B05], wherein the 1-A wavelength conversion layer and the 1-B wavelength conversion layer are covered with a transparent insulating material layer.
  • [B07] The light emitting element according to [B06], wherein the value of the refractive index of the material constituting the first wavelength conversion layer is higher than the value of the refractive index of the material constituting the insulating material layer.
  • a second 2-A wavelength conversion layer formed on or above the second electrode and converting the first light emitted from the organic layer into the second light
  • a second 2-B wavelength conversion layer which is formed on or above the second electrode and converts the first light emitted from the organic layer into the third light.
  • the light emitting device according to any one of [B01] to [B07].
  • the 1-A wavelength conversion layer and the 2-A wavelength conversion layer are made of the same material, and the 1-B wavelength conversion layer and the 2-B wavelength conversion layer are made of the same material.
  • [B10] The light emitting element according to any one of [B01] to [B09] that emits white light to the outside.
  • [B11] The light emitting element according to any one of [B01] to [B10], wherein the protruding portion has a forward taper shape.
  • [B12] The light emitting element according to any one of [B01] to [B10], wherein the side surface of the protruding portion is perpendicular to the substrate.
  • Display device A display device in which a plurality of light emitting element units including a first light emitting element, a second light emitting element, and a third light emitting element are arranged.
  • the first light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • An organic layer formed on the first electrode and emitting a first light having a wavelength ⁇ 1 and The second electrode formed on the organic layer, Equipped with The second light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • An organic layer formed on and above the first electrode and emitting the first light, The second electrode formed on the organic layer, The first light emitted from the organic layer formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion has a wavelength of ⁇ 2 (where ⁇ 2 > ⁇ 1 ).
  • the third light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • 1-B wavelength conversion layer that converts to a third light having A second 2-B wavelength conversion layer, which is formed on or above the second electrode and converts the first light emitted from the organic layer into the third light.
  • the first light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate 26 constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • An organic layer that is formed on and above the first electrode and emits ultraviolet light.
  • the second electrode formed on the organic layer, The ultraviolet light (wavelength: ⁇ 0 ) formed between the second portion of the first electrode and the portion of the organic layer formed above the protruding portion and emitted from the organic layer has a wavelength of ⁇ 1 (however, ⁇ 1).
  • the second light emitting element is A protrusion that surrounds the light emitting area, A first electrode formed on a portion of the substrate 26 constituting the light emitting region, and a first electrode composed of a second portion extending from the first portion and formed on the protruding portion.
  • the second electrode formed on the organic layer It is formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion, and has a wavelength ⁇ 2 (where ⁇ 2 > ⁇ 1 ) for the ultraviolet light emitted from the organic layer.
  • the second electrode formed on the organic layer It is formed between the second part of the first electrode and the part of the organic layer formed above the protrusion, and has a wavelength ⁇ 3 (where ⁇ 3 > ⁇ 2 ) for the ultraviolet light emitted from the organic layer.
  • the 1-C wavelength conversion layer that converts to the third light
  • a second 2-C wavelength conversion layer which is formed on or above the second electrode and converts ultraviolet light emitted from the organic layer into third light. Display device equipped with.
  • Light emitting region central part, 30B Light emitting region outer peripheral part, 31 ... First electrode, 31A ... First part of first electrode , 31B ... the second part of the first electrode, 32 ... the second electrode, 33 ... the organic layer, 34 ... the protective layer, 35 ... the flattening layer, 36 ... the encapsulating resin.
  • Optical path control means (lens member), 38C ... Optical path control means (light emission direction control member), 38D ... Optical path control means (light reflecting member), 41 1, 41 2, 44 1, 44 2 ...
  • first wavelength conversion layer (the 1-A wavelength conversion layer, the 1-B wavelength converting layer), 42 1, 42 2 , 45 1 , 45 2 ... Second wavelength conversion layer (2-A wavelength conversion layer, 2-B wavelength conversion layer), 43 ... Insulation material layer, 51 ... First substrate, 52 ... 2nd substrate, 52A ... 1st surface of 2nd substrate, 61 ... light reflecting layer, 62 ... interlayer insulating material layer, CF 1 , CF 2 , CF 3 ... wavelength selection Part (color filter layer), CF 4 ... transparent filter layer, LN ... normal line passing through the center of the light emitting region, LN'... normal line passing through the center of the optical path control means (lens member), LN "... Normal line passing through the center of the wavelength selection part, BM, BM'... Light absorption layer (black matrix layer), P, P 1 , P 2 ... Reference point

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Abstract

発光素子は、発光領域（３０）を取り囲む突出部（２８）、発光領域（２８）を構成する基体（２６）の部分の上に形成された第１部分（３１Ａ）、及び、第１部分（３１Ａ）から延在し、突出部（２８）の上に形成された第２部分（３１Ｂ）から構成された第１電極（３１）、第１電極（３１）上及び上方に形成された有機層（３３）、有機層（３３）上に形成された第２電極（３２）、第１電極（３１）の第２部分（３１Ｂ）と突出部（２８）の上方に形成された有機層（３３）の部分との間に形成され、有機層（３３）から出射された光を長波長側の光に変換する第１波長変換層（４１1，４１2）、並びに、第２電極（３２）の上又は上方に形成され、有機層（３３）から出射された光を長波長側の光に変換する第２波長変換層（４２1，４２2）を備えている。

Description

発光素子及び表示装置
　本開示は、発光素子及び表示装置に関する。
　近年、発光素子として有機電界発光（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の開発が進んでいる。この有機ＥＬ表示装置は、例えば、画素毎に分離して形成された第１電極（下部電極、例えば、アノード電極）の上に、少なくとも発光層を含む有機層、及び、第２電極（上部電極、例えば、カソード電極）が形成された発光素子を、複数、有する。そして、例えば、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子のそれぞれが副画素として設けられ、これらの副画素から１画素が構成され、例えば、第２電極（上部電極）を介して発光層からの光が外部に出射される。
　コントラスト比が改善された視認性の良好な有機ＥＬ表示装置として、複数種の色変換フィルタを備えた表示装置が、例えば、特開２００３－２４３１５３号公報から知られており、有機ＥＬ層から発せられる近紫外から可視領域の光、好ましくは青色から青緑色領域の光を色変換フィルタ層に入射させて、所望される色を有する可視光を放出する。色変換フィルタは、例えば、カラーフィルタ層と蛍光変換層との積層体、及び、ブラックマスクを含む。
特開２００３－２４３１５３号公報
　ところで、特開２００３－２４３１５３号公報に開示された表示装置にあっては、或るサブピクセルを構成する有機ＥＬ層から発せられる近紫外から可視領域の光が、このサブピクセルに隣接したサブピクセルを構成する有機ＥＬ層に入射してしまい、このサブピクセルにおいて発光した光が無駄になり、あるいは又、所謂、光学的クロストークが発生するといった問題がある。
　従って、本開示の目的は、有機層で発光した光を効率良く画像形成に用いることができ、しかも、光学的クロストークが発生し難い構成、構造を有する発光素子、係る発光素子の複数を備えた表示装置を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成された有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された光を長波長側の光に変換する第１波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された光を長波長側の光に変換する第２波長変換層、
を備えている。
　上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、波長λ1を有する第１の光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間であって、第１－Ａ波長変換層が形成された領域とは異なる領域に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、
を備えている。
　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
　第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を備えた発光素子ユニットが複数配列されて成る表示装置であって、
　第１発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上に形成され、波長λ1を有する第１の光を出射する有機層、並びに、
　有機層上に形成された第２電極、
を備えており、
　第２発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層、
を備えており、
　第３発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
を備えている。
図１は、実施例１の発光素子及び表示装置の模式的な一部断面図である。 図２は、実施例１の発光素子及び表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図である。 図３は、実施例１の発光素子及び表示装置の変形例－２の模式的な一部断面図である。 図４は、実施例１の発光素子及び表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図である。 図５は、実施例１の発光素子及び表示装置の変形例－４の模式的な一部断面図である。 図６は、実施例１の発光素子及び表示装置の変形例－５の模式的な一部断面図である。 図７Ａは、実施例１の表示装置における発光素子の配列を模式的に示す図である。 図７Ｂは、実施例１の表示装置における発光素子の配列を模式的に示す図である。 図７Ｃは、実施例１の表示装置における発光素子の配列を模式的に示す図である。 図７Ｄは、実施例２の表示装置における発光素子の配列を模式的に示す図である。 図８Ａは、実施例１の表示装置における基体及び突出部の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図８Ｂは、第１電極の配置状態を模式的に示す図である。 図９Ａは、実施例１の表示装置における有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図９Ｂは、第２電極の配置状態を模式的に示す図である。 図１０Ａは、実施例１の表示装置の変形例－１における第１電極の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図１０Ｂは、有機層及び第１波長変換層の配置状態を模式的に示す図である。 図１１は、実施例２の発光素子及び表示装置の模式的な一部断面図である。 図１２Ａは、実施例２の表示装置における基体及び突出部の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図１２Ｂは、第１電極の配置状態を模式的に示す図である。 図１３Ａは、実施例２の表示装置における有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図１３Ｂは、第２電極の配置状態を模式的に示す図である。 図１４は、実施例２の表示装置の変形例－１における有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図１５Ａは、実施例２の表示装置の変形例－２における第１電極の配置状態を模式的に示す図である。 図１５Ｂは、有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図１６は、実施例２の表示装置の変形例－３における有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図１７は、実施例２の発光素子及び表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図である。 図１８は、実施例３の発光素子及び表示装置の模式的な一部断面図である。 図１９Ａは、実施例３の表示装置における基体及び突出部の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図１９Ｂは、第１電極の配置状態を模式的に示す図である。 図２０Ａは、実施例３の表示装置における有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示す図である。 図２０Ｂは、第２電極の配置状態を模式的に示す図である。 図２１は、実施例４の発光素子及び表示装置の模式的な一部断面図である。 図２２は、実施例５の発光素子及び表示装置の模式的な一部断面図である。 図２３は、実施例５の発光素子及び表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図である。 図２４は、実施例５の表示装置及び発光素子の変形例－２の模式的な一部断面図である。 図２５は、実施例５の表示装置及び発光素子の変形例－３の模式的な一部断面図である。 図２６は、光路制御手段を光反射部材から構成した実施例５の表示装置の変形例－４の模式的な一部断面図である。 図２７は、実施例６の表示装置の模式的な一部断面図である。 図２８は、実施例６の表示装置においては、発光領域の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）Ｄ0を説明するための概念図である。 図２９Ａは、実施例６の表示装置における発光素子と基準点との位置関係を示す模式図である。 図２９Ｂは、実施例６の表示装置における発光素子と基準点との位置関係を示す模式図である。 図３０Ａは、実施例６の表示装置の変形例における発光素子と基準点との位置関係を模式的に示す図である。 図３０Ｂは、実施例６の表示装置の変形例における発光素子と基準点との位置関係を模式的に示す図である。 図３１Ａは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３１Ｂは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３１Ｃは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３１Ｄは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３２Ａは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３２Ｂは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３２Ｃは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３２Ｄは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３３Ａは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３３Ｂは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３３Ｃは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３３Ｄは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３４Ａは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３４Ｂは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３４Ｃは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３４Ｄは、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図３５Ａは、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３５Ｂは、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３５Ｃは、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３６は、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３７Ａは、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３７Ｂは、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３８は、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３９Ａは、切頭四角錐の形状を有する光路制御手段の模式的な平面図である。 図３９Ｂは、切頭四角錐の形状を有する光路制御手段の模式的な斜視図である。 図４０は、実施例１の表示装置の別の変形例の模式的な一部断面図である。 図４１は、実施例１の表示装置の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図４２Ａは、本開示の表示装置をレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示す、デジタルスチルカメラの正面図である。 図４２Ｂは、本開示の表示装置をレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示す、デジタルスチルカメラの背面図である。
　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様～第２の態様に係る発光素子及び本開示の表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る発光素子及び本開示の表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（本開示の第２の態様に係る発光素子及び本開示の表示装置）
６．実施例５（実施例１～実施例４の変形）
７．実施例６（実施例１～実施例５の変形）
８．その他
〈本開示の第１の態様～第２の態様に係る発光素子及び本開示の表示装置、全般に関する説明〉
　以下の説明において、本開示の第１の態様に係る発光素子、並びに、本開示の表示装置を構成する第２発光素子及び第３発光素子を、総称して、『本開示の第１の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。
　本開示の第１の態様に係る発光素子等において、
　発光領域は、発光領域中央部、及び、発光領域中央部を囲む発光領域外周部から構成されており、
　第１波長変換層は、発光領域外周部を構成する基体の部分の上方まで延在している形態とすることができる。即ち、第１波長変換層は、発光領域外周部を構成する基体の部分の上に位置する第１電極の部分と、発光領域外周部を構成する基体の部分の上方に位置する有機層の部分との間に、延在している形態とすることができる。このような形態は、本開示の第２の態様に係る発光素子における第１－Ａ波長変換層及び第１－Ｂ波長変換層に対して適用することができる。
　本開示の第１の態様に係る発光素子等において、発光素子が出射する光の色に応じて発光領域の大きさを変えてもよいし、発光素子が出射する光の色に応じて発光領域及び突出部の大きさを変えてもよい。例えば、限定するものではないが、第２発光素子の発光領域の大きさは、第１発光素子の発光領域の大きさ及び第３発光素子の発光領域の大きさよりも大きい形態とすることができる。そして、これによって、第２発光素子の発光量を、第１発光素子の発光量、第３発光素子の発光量よりも多くすることができるし、あるいは又、第１発光素子の発光量、第２発光素子の発光量、第３発光素子の発光量の適切化を図ることができ、画質の向上を図ることができる。
　上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子等において、第１波長変換層と第２波長変換層とは同じ材料から構成されている形態とすることができる。但し、これに限定するものではなく、第１波長変換層から出射される光と、第２波長変換層から出射される光が同じ色である限り、第１波長変換層と第２波長変換層とは異なる材料から構成されていてもよい。
　以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子等において、少なくとも第２波長変換層からの光が通過する波長選択部を更に備えている形態とすることができる。即ち、発光素子が波長選択部を有する場合、第２波長変換層、第２－Ａ波長変換層、第２－Ｂ波長変換層（以下、これらを総称して、『第２波長変換層等』と呼ぶ場合がある）の上方に（第２波長変換層等の光出射側に）、波長選択部が設けられている形態とすることができる。尚、第１波長変換層からの光が波長選択部を通過する形態を含めることができる。波長選択部は、第１基板側に設けられていてもよいし、第２基板側に設けられていてもよい。前者の場合、第２波長変換層等の上に形成された平坦化層の上に波長選択部を形成することが好ましい。一方、後者の場合、第２波長変換層等と第２基板の第１面の間に波長選択部を形成することが好ましい。
　波長選択部は、例えば、カラーフィルタ層から構成することができる。カラーフィルタ層は、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色、青色等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。あるいは又、波長選択部は、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８－１７７１９１号公報参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜、量子ドットから構成することもできる。以下、カラーフィルタ層で波長選択部を代表して説明を行う場合があるが、波長選択部はカラーフィルタ層に限定するものではない。
　発光素子が出射する光に対応して、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、適宜、変えてもよいし、隣接する発光素子の波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）が設けられている場合、発光素子が出射する光に対応して、光吸収層（ブラックマトリクス層）の大きさを、適宜、変えてもよい。また、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、発光領域の中心を通る法線と波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ0（後述する）に応じて、適宜、変えてもよい。波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の平面形状は、発光領域の平面形状と同じであってもよいし、相似形であってもよいし、近似形であってもよいし、異なっていてもよいが、波長選択部は発光領域よりも大きいことが好ましい。あるいは又、波長選択部の平面形状は、後述する光路制御手段の平面形状と同じであってもよいし、相似形であってもよいし、近似形であってもよいし、異なっていてもよい。
　発光領域の中心とは、発光領域が占める領域の面積重心点を指す。また、波長選択部の中心とは、波長選択部が占める領域の面積重心点を指す。あるいは又、波長選択部の平面形状が、円形、楕円形、正方形（コーナー部が丸みを帯びた正方形を含む）、長方形（コーナー部が丸みを帯びた長方形を含む）、正多角形（コーナー部が丸みを帯びた正多角形を含む）の場合、これらの図形の中心が波長選択部の中心に該当するし、これらの図形の一部が切り欠かれた図形である場合、切り欠かれた部分を補完した図形の中心が波長選択部の中心に該当するし、これらの図形が連結された図形である場合、連結部分を除去し、除去した部分を補完した図形の中心が波長選択部の中心に該当する。更には、光路制御手段の中心とは、光路制御手段の平面形状を想定したとき、この平面形状の面積重心点を指す。あるいは又、光路制御手段の平面形状が、円形、楕円形、正方形（コーナー部が丸みを帯びた正方形を含む）、長方形（コーナー部が丸みを帯びた長方形を含む）、正多角形（コーナー部が丸みを帯びた正多角形を含む）の場合、これらの図形の中心が光路制御手段の中心に該当する。
　以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子等において、第１電極の第１部分及び第１電極の第２部分は同じ材料から構成されている形態とすることができるし、あるいは又、異なる材料から構成されている形態とすることができる。これらの形態は、本開示の第２の態様に係る発光素子に対して適用することができる。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子等において、第１波長変換層は、透明な絶縁材料層で被覆されている形態とすることができる。そして、この場合、第１波長変換層を構成する材料の屈折率の値ｎ1は、絶縁材料層を構成する材料の屈折率の値ｎ2よりも高い形態とすることができる。これによって、第１波長変換層から絶縁材料層に入射する光が、絶縁材料層への入射角に依存するが、絶縁材料層において全反射し、第１波長変換層へと戻されるといった現象が生じる結果、第１波長変換層における波長変換効率を一層向上させることができる。ここで、
ｎ1－ｎ2≧０．１
を例示することができる。このような形態は、本開示の第２の態様に係る発光素子における第１－Ａ波長変換層及び第１－Ｂ波長変換層に対して適用することができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子等において、突出部は、順テーパー状である形態とすることができるし、あるいは又、突出部の側面は、基体に対して垂直である形態とすることができる。ここで、順テーパー状の最大傾斜角として１５度乃至７５度を例示することができるし、突出部の側面は、基体に対して９０度±１０度の角度を成している形態とすることができる。これらの形態は、本開示の第２の態様に係る発光素子に対して適用することができる。
　本開示の第２の態様に係る発光素子において、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層、及び、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
が更に備えられている形態とすることができる。そして、このような形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子にあっては、白色光を外部に出射する形態とすることができる。尚、第１－Ａ波長変換層と第２－Ａ波長変換層とは同じ材料から構成されている形態とすることができるし、第１－Ｂ波長変換層と第２－Ｂ波長変換層とは同じ材料から構成されている形態とすることができる。但し、これに限定するものではなく、第１－Ａ波長変換層から出射される光と、第２－Ａ波長変換層から出射される光が同じ色である限り、第１－Ａ波長変換層と第２－Ａ波長変換層とは異なる材料から構成されていてもよい。同様に、第１－Ｂ波長変換層から出射される光と、第２－Ｂ波長変換層から出射される光が同じ色である限り、第１－Ｂ波長変換層と第２－Ｂ波長変換層とは異なる材料から構成されていてもよい。
　本開示の表示装置において、発光素子ユニットは、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子に加えて、本開示の第２の態様に係る発光素子から成る第４発光素子を備えていてもよい。第４発光素子は白色光を外部に出射する。そして、この場合、輝度の観点からは、第２発光素子や第４発光素子の発光領域の大きさを、第１発光素子や第３発光素子の発光領域の大きさよりも大きくすることが好ましい。また、発光素子の寿命の観点からは、第１発光素子の発光領域の大きさを、第２発光素子や第３発光素子、第４発光素子の発光領域の大きさよりも大きくすることが好ましい。但し、これらに限定するものではない。
　発光素子の平面形状（より具体的には、発光領域の平面形状）として、円形、楕円形及び長円形、並びに、三角形、四角形、六角形及び八角形を含む多角形を挙げることができる。多角形には正多角形（長方形や正六角形（ハニカム状）等の正多角形を含む）が含まれる。
　本開示の表示装置は、具体的には、例えば、
　第１基板、及び、第２基板、
　第１基板の上に設けられた基体、
　基体の上に、２次元状に配列された複数の発光素子、並びに、
　発光素子と第２基板との間に設けられた封止樹脂層、
を少なくとも備えている。
　尚、以下の説明において、第２基板と対向する第１基板の面を『第１基板の第２面』と呼び、第１基板と対向する第２基板の面を『第２基板の第１面』と呼ぶ。また、第１基板の第２面と対向する第１基板の面を『第１基板の第１面』と呼び、第２基板の第１面と対向する第２基板の面を『第２基板の第２面』と呼ぶ。
　本開示の第１の態様～第２の態様に係る発光素子、本開示の表示装置を構成する発光素子において、有機層は有機エレクトロルミネッセンス層を含む形態とすることができる。即ち、本開示の表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されている形態とすることができるし、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から構成されている形態とすることができる。ここで、本開示の表示装置を、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）とすることもできるし、第１基板から光を出射するボトムエミッション方式（下面発光方式）の表示装置（下面発光型表示装置）とすることもできる。
　第２波長変換層等は、第１基板側に設けられていてもよいし、第２基板側に設けられていてもよい。第２波長変換層等を第１基板側に設ける場合、第２波長変換層等は、第２電極の上に形成されていてもよいし、第２電極上に形成された保護層の上に形成されていてもよい。第２波長変換層等を第２基板側に設ける場合、第２波長変換層等を、第２基板の第１面の上に形成すればよく、この場合、発光素子は、第２電極の上方に封止樹脂層を介して第２波長変換層等を備えている形態となる。
　発光素子から出射される光の集光性を制御するために、発光領域から出射された光が通過する光路制御手段、例えば、レンズ部材を設けてもよい。光路制御手段については、実施例５～実施例６において詳しく説明する。また、有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。共振器構造については、実施例４において詳しく説明する。波長選択部、及び、発光領域から出射された光が通過する光路制御手段が設けられている場合、発光領域から出射された光は、波長選択部、光路制御手段の順に通過する形態とすることができるし、光路制御手段、波長選択部の順に通過する形態とすることもできる。発光領域の中心を通る法線と波長選択部の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ0に応じて、発光領域の中心を通る法線と光路制御手段の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）Ｄ0を、適宜、変えてもよい。
　波長選択部と波長選択部との間には、あるいは又、波長選択部と波長選択部との間の上方には、あるいは又、隣接する光路制御手段の間には、光吸収層（ブラックマトリクス層）が形成されている形態とすることができる。また、隣接する発光素子の間に遮光部が形成されている形態とすることもできる。そして、これらによって、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。隣接する発光素子の波長選択部や光路制御手段の間に光吸収層が設けられている場合、発光素子が出射する光に対応して、光吸収層の大きさを、適宜、変えてもよい。光吸収層（ブラックマトリクス層）は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成り、あるいは又、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものを挙げることができる。また、遮光部を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ2等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光部は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。
　本開示の表示装置において、画素（発光素子ユニット）における第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の配列として、デルタ配列を挙げることができるし、あるいは又、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列、ペンタイル配列を挙げることができる。波長選択部の配列も、画素（あるいは副画素）の配列に準拠して、デルタ配列、あるいは又、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列、ペンタイル配列とすればよい。
　以下、発光素子を構成する有機層が有機エレクトロルミネッセンス層を含む形態に関して、即ち、本開示の表示装置が有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から成る形態に関して、説明を行う。
　有機ＥＬ表示装置は、
　第１基板、及び、第２基板、並びに、
　第１基板と第２基板との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子、
を備えており、
　第１基板の上に形成された基体上に設けられた各発光素子は、
　第１電極、
　第２電極、及び、
　第１電極と第２電極とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層から成る発光層を含む）、
を少なくとも備えており、
　有機層からの光は、第２基板又は第１基板を介して外部に出射される。
　第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を構成する有機層は、青色光（波長λ1：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を出射する。第１発光素子は外部に向けて青色光を出射し、第２発光素子は外部に向けて緑色光（波長λ2：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を出射し、第３発光素子は外部に向けて赤色光（波長λ3：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を出射する形態とすることができる。即ち、第１発光素子は青色発光素子から構成され、第２発光素子は緑色発光素子から構成され、第３発光素子は赤色発光素子から構成される形態とすることができる。有機層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。
　第１波長変換層、第２波長変換層は、青色光を緑色光あるいは赤色光に波長変換（色変換）する。第１－Ａ波長変換層及び第２－Ａ波長変換層は、青色光を緑色光に波長変換（色変換）する。第１－Ｂ波長変換層及び第２－Ｂ波長変換層は、青色光を赤色光に波長変換（色変換）する。
　青色光によって励起され、緑色光を出射する波長変換材料（第１波長変換層、第２波長変換層、あるいは又、第１－Ａ波長変換層、第２－Ａ波長変換層を構成する波長（色）変換材料）として、具体的には、クマリン系色素、ナフタルイミド系色素を挙げることができるし、あるいは又、緑色発光蛍光体粒子、より具体的には、（ＭＥ：Ｅｕ）Ｇａ2Ｓ4［但し、「ＭＥ」は、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから成る群から選択された少なくとも１種類の原子を意味し、以下においても同様である］、（Ｍ：ＲＥ）x（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16［但し、「ＲＥ」は、Ｔｂ及びＹｂを意味する］、（Ｍ：Ｔｂ）x（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16、（Ｍ：Ｙｂ）x（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16、Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z：Ｅｕを挙げることができる。
　また、青色光によって励起され、赤色光を出射する波長変換材料（第１波長変換層、第２波長変換層、あるいは又、第１－Ｂ波長変換層、第２－Ｂ波長変換層を構成する波長（色）変換材料）として、具体的には、ピリジン系色素、ローダミン系色素、オキサジン系色素を挙げることができるし、あるいは又、赤色発光蛍光体粒子、より具体的には、（ＭＥ：Ｅｕ）Ｓ、（Ｍ：Ｓｍ）x（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16［但し、「Ｍ」は、Ｌｉ、Ｍｇ及びＣａから成る群から選択された少なくとも１種類の原子を意味し、以下においても同様である］、ＭＥ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ、（Ｃａ：Ｅｕ）ＳｉＮ2、（Ｃａ：Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ3を挙げることができる。
　尚、波長変換材料は、１種類であってもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
　但し、波長変換材料（色変換材料）は、蛍光体粒子に限定されず、例えば、間接遷移型のシリコン系材料において、直接遷移型のように、キャリアを効率良く光へ変換させるために、キャリアの波動関数を局所化し、量子効果を用いた、２次元量子井戸構造、１次元量子井戸構造（量子細線）、０次元量子井戸構造（量子ドット）等の量子井戸構造を適用した発光粒子を挙げることもできるし、半導体材料に添加された希土類原子は殻内遷移により鋭く発光することが知られており、このような技術を適用した発光粒子を挙げることもできる。
　量子ドットの大きさ（直径）が小さくなるに従い、バンドギャップエネルギーが大きくなり、量子ドットから出射される光の波長は短くなる。即ち、量子ドットの大きさが小さいほど短い波長を有する光（青色光側の光）を発光し、大きさが大きいほど長い波長を有する光（赤色光側の光）を発光する。それ故、量子ドットを構成する材料を同じとし、量子ドットの大きさを調整することで、所望の波長を有する光を出射する（所望の色に色変換する）量子ドットを得ることができる。具体的には、量子ドットは、コア－シェル構造を有することが好ましい。量子ドットを構成する材料として、例えば、Ｓｉ；Ｓｅ；カルコパイライト系化合物であるＣＩＧＳ（ＣｕＩｎＧａＳｅ）、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2）、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＡｌＳ2、ＣｕＡｌＳｅ2、ＣｕＧａＳ2、ＣｕＧａＳｅ2、ＡｇＡｌＳ2、ＡｇＡｌＳｅ2、ＡｇＩｎＳ2、ＡｇＩｎＳｅ2；ペロブスカイト系材料；ＩＩＩ－Ｖ族化合物であるＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮ；ＣｄＳｅ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、Ｉｎ2Ｓｅ3、Ｉｎ2Ｓ3、Ｂｉ2Ｓｅ3、Ｂｉ2Ｓ3、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＨｇＴｅ、ＨｇＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ、ＴｉＯ2等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
　基体は、第１基板の上あるいは上方に形成されている。基体を構成する材料として、絶縁材料、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。基体は、基体を構成する材料に適した形成方法、具体的には、例えば、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
　基体の下あるいは下方には、限定するものではないが、駆動回路（発光素子駆動部）が設けられている。駆動回路は、例えば、第１基板を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）や、第１基板を構成する各種基板に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されている。駆動回路を構成するトランジスタやＴＦＴと第１電極とは、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して接続されている形態とすることができる。駆動回路は、周知の回路構成とすることができる。第２電極は、例えば、表示装置の外周部（具体的には、画素アレイ部の外周部）において、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して駆動回路と接続される。
　第１基板あるいは第２基板を、シリコン半導体基板、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）基板、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）基板、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）から構成することができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。上面発光型表示装置の場合、第２基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求されるし、下面発光型表示装置の場合、第１基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求される。
　第１電極は、発光素子毎に設けられている。第２電極は、複数の発光素子において共通電極とされていてもよい。即ち、第２電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。基体の下方あるいは下には第１基板が配置されており、第２電極の上方に第２基板が配置されている。第１基板側に発光素子が形成されており、発光領域は基体上に設けられている。
　第１電極を構成する材料として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属材料あるいは合金材料（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金や、Ａｌ－Ｎｄ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入特性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）あるいはその合金（例えば、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、後述する共振器構造を構成する光反射層を設ける場合やボトムエミッション方式の表示装置とする場合、第１電極の第１部分と第１電極の第２部分とは異なる材料から構成されていることが好ましい。そして、この場合、第１電極の第１部分を構成する材料は、発光素子からの光に対して透明であることが要求されるので、第１電極の第１部分を構成する材料として、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium　Tin　Oxide，ＳｎドープのＩｎ2Ｏ3、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium　Zinc　Oxide）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ－ＧａＺｎＯ4）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ、酸化錫（ＳｎＯ2）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ2）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＢドープのＺｎＯ、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）、酸化アンチモン、酸化チタン、ＮｉＯ、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ2Ｏ4構造を有する酸化物、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電性材料といった各種透明導電材料を挙げることができる。また、第１電極の第２部分を構成する材料として、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）あるいはその合金（例えば、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）、並びに、上記の金属材料や合金材料の内、光反射率の高い材料（例えば、銀や銀合金）を挙げることができる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入特性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。
　表示装置をトップエミッション方式の表示装置とする場合、第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層（発光層）に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金）］、マグネシウム－カルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ－Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１～３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１～１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、Ａｇ－Ｎｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ及びＡｌ－Ｃｕから成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ）との積層構造とすることもできる。第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、必要に応じて発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。表示装置をボトムエミッション方式の表示装置とする場合、第２電極を構成する材料は、光反射率の高い材料から、適宜、選択すればよい。
　第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。
　第２電極を覆うように、前述したとおり、保護層が形成されている形態とすることができ、これによって、電流リークの発生を防止することができる。そして、保護層の上及び第２波長変換層等の上に、前述したとおり、更に、平坦化層が形成されている形態とすることができる。波長選択部として機能する平坦化層を設けてもよい。即ち、赤色カラーフィルタ層として機能する平坦化層や、緑色カラーフィルタ層として機能する平坦化層を設けてもよい。このような平坦化層は、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。白色を出射する本開示の第２の態様に係る発光素子にあっては透明なフィルタ層を配設すればよい。このように平坦化層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と平坦化層（カラーフィルタ層）とが近接するので、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。
　保護層や平坦化層を構成する材料として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリシロキサンを例示することができるし、各種無機材料（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、アモルファスシリコン（α－Ｓｉ）、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2）を例示することもできる。保護層や平坦化層は、単層構成とすることもできるし、複数層から構成することもできる。保護層や平坦化層の形成方法として、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、保護層や平坦化層の形成方法として、更には、ＡＬＤ（Atomic　Layer　Deposition）法を採用することもできる。保護層や平坦化層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。
　第２基板と対向する第１基板の部分と、第１基板と対向する第２基板の部分とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）を介して接合される。封止樹脂層を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。表示装置の構造に依っては、封止樹脂層が平坦化層を兼用していてもよい。
　封止樹脂層の第１基板側には、中間層を形成してもよい。場合によっては、中間層はカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。このような中間層は、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。白色を出射する発光素子にあっては透明なフィルタ層を配設すればよい。
　中間層を構成する材料として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、各種無機材料（例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2）を例示することができる。中間層の形成方法として、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知の方法に基づき形成することができる。中間層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。
　表示装置の光を出射する最外面（具体的には、例えば、第２基板の第２面あるいは第１基板の第１面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。
　表示装置においては、突出部や、後述する層間絶縁層（基体）、層間絶縁材料層が形成されるが、これらを構成する絶縁材料として、ＳｉＯ2、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low　Temperature　Oxide、低温ＣＶＤ－ＳｉＯ2）、低融点ガラス、ガラスペースト等のＳｉＯX系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化バナジウム（ＶＯx）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂といった各種樹脂や、各種フォトレジスト材料、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε0）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The　Dow　Chemical　Co.　の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell　Electronic　Materials　Co.　の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、基体を、以上に説明した材料から構成してもよい。透明な絶縁材料層も、上述した材料やポリシロキサン等から、適宜、選択すればよい。突出部や層間絶縁層（基体）、層間絶縁材料層は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
　有機層は有機発光材料を含む発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。
　有機ＥＬ表示装置にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、発光層への十分な電子供給が可能となる。即ち、アノード電極に相当する第１電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。
　表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal　Digital　Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置、プロジェクタに組み込まれた表示装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ（Electronic　View　Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head　Mounted　Display，ＨＭＤ）に適用することができるし、アイウエア、ＡＲグラス、ＥＶＲに適用することができるし、ＶＲ（Virtual　Reality）用、ＭＲ（Mixed　Reality）用、あるいは、ＡＲ（Augmented　Reality）用の表示装置に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の表示装置を発光装置として使用し、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。
　実施例１は、本開示の第１の態様に係る発光素子及び本開示の表示装置に関する。図１に、実施例１の発光素子及び表示装置の模式的な一部断面図を示し、図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃに、実施例１の表示装置における発光素子（副画素）の配列を模式的に示す。また、図８Ａに、実施例１の表示装置における基体及び突出部の配置状態の配置状態を模式的に示し、図８Ｂに、第１電極の配置状態を模式的に示し、図９Ａに、有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示し、図９Ｂに、第２電極の配置状態を模式的に示す。実施例１あるいは後述する実施例２～実施例６において、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から構成されており、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されており、また、アクティブマトリクス表示装置である。発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む。表示装置は、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。尚、表示装置の模式的な一部断面図と、表示装置における発光素子の配置状態とは、図面を簡素化するために、一致していない場合がある。
　実施例１の発光素子１０2，１０3は、
　発光領域３０を取り囲む突出部２８、
　発光領域３０を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分３１Ａ、及び、第１部分３１Ａから延在し、突出部２８の上に形成された第２部分３１Ｂから構成された第１電極３１、
　第１電極３１上及び上方に形成された有機層３３、
　有機層３３上に形成された第２電極３２、
　第１電極３１の第２部分３１Ｂと突出部２８の上方に形成された有機層３３の部分との間に形成され、有機層３３から出射された光を長波長側の光に変換する第１波長変換層４１（４１1，４１2）、並びに、
　第２電極３２の上又は上方に形成され、有機層３３から出射された光を長波長側の光に変換する第２波長変換層４２（４２1，４２2）、
を備えている。
　また、実施例１の表示装置は、第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3を備えた発光素子ユニット（画素）が複数配列されて成る表示装置である。第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3は副画素に相当する。
　そして、第１発光素子１０1は、
　発光領域３０を取り囲む突出部２８、
　発光領域３０を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分３１Ａ、及び、第１部分３１Ａから延在し、突出部２８の上に形成された第２部分３１Ｂから構成された第１電極３１、
　第１電極３１上に形成され、波長λ1を有する第１の光を出射する有機層３３、並びに、
　有機層３３上に形成された第２電極３２、
を備えている。第１発光素子１０1は、第１波長変換層及び第２波長変換層を備えていない。第１発光素子１０1は、青色光を外部に出射する。
　また、第２発光素子１０2は、実施例１の発光素子に該当し、
　発光領域３０を取り囲む突出部２８、
　発光領域３０を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分３１Ａ、及び、第１部分３１Ａから延在し、突出部２８の上に形成された第２部分３１Ｂから構成された第１電極３１、
　第１電極３１上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層３３、
　有機層３３上に形成された第２電極３２、
　第１電極３１の第２部分３１Ｂと突出部２８の上方に形成された有機層３３の部分との間に形成され、有機層３３から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ａ波長変換層４１1、並びに、
　第２電極３２の上又は上方に形成され、有機層３３から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層４２1、
を備えている。第２発光素子１０2は、緑色光を外部に出射する。
　更には、第３発光素子１０3は、実施例１の発光素子に該当し、
　発光領域３０を取り囲む突出部２８、
　発光領域３０を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分３１Ａ、及び、第１部分３１Ａから延在し、突出部２８の上に形成された第２部分３１Ｂから構成された第１電極３１、
　第１電極３１上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層３３、
　有機層３３上に形成された第２電極３２、
　第１電極３１の第２部分３１Ｂと突出部２８の上方に形成された有機層３３の部分との間に形成され、有機層３３から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｂ波長変換層４１2、並びに、
　第２電極３２の上又は上方に形成され、有機層３３から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層４２2、
を備えている。第３発光素子１０3は、赤色光を外部に出射する。
　以下の説明において、実施例１の発光素子、並びに、実施例１の表示装置を構成する第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3を、総称して、『実施例１の発光素子等』と呼ぶ場合がある。
　実施例１の発光素子等において、第１波長変換層４１（４１1，４１2）と第２波長変換層４２（４２1，４２2）とは同じ材料から構成されている。また、少なくとも第２波長変換層４２からの光が通過する波長選択部ＣＦ2，ＣＦ3を更に備えている。ここで、波長選択部ＣＦ2，ＣＦ3は、例えば、カラーフィルタ層から構成されている。また、第１発光素子１０1も、波長選択部ＣＦ1、具体的には、カラーフィルタ層を備えている。但し、波長選択部ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3の形成は必須ではない。更には、第１電極３１の第１部分３１Ａ及び第１電極３１の第２部分３１Ｂは同じ材料から構成されている。突出部２８は、順テーパー状である。即ち、基体２６と平行な仮想平面で突出部２８を切断したときの突起部２８に設けられた開口部２８ａの断面の大きさは、基体２６から離れるに従い大きくなる。
　具体的には、青色光を緑色光に波長変換（色変換）する第１波長変換層４１（４１1）及び第２波長変換層４２（４２1）を構成する材料は、クマリン系色素を含んだアクリル系樹脂やエポシキイミド系樹脂を主成分とするレジスト材料から成る。また、青色光を赤色光に波長変換（色変換）する第１波長変換層４１（４１2）及び第２波長変換層４２（４２2）を構成する材料は、ローダミン系色素を含んだアクリル系樹脂やエポシキイミド系樹脂を主成分とするレジスト材料から成る。また、第１電極３１の第１部分３１Ａ及び第２部分３１Ｂを構成する材料は、光反射材料、具体的には、例えば、Ａｌ－Ｎｄ合金層やＡｌ－Ｃｕ合金層、Ａｌ－Ｔｉ合金層とＩＴＯ層の積層構造といった導電材料から成り、第２電極３２はＩＺＯやＩＴＯ等の透明導電材料から成る。第１電極３１はアノード電極として機能し、第２電極３２はカソード電極として機能する。更には、第１電極３１は、光を反射させる機能も有する。突出部２８の最大傾斜角は７５度である。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例６の表示装置における各発光素子ユニットにおいて、発光領域３０（３０1，３０2，３０3）は、上述したとおり、第１電極３１、有機層（発光層を含む）３３、及び、第２電極３２を備えている。第１電極３１、有機層３３及び第２電極３２は、具体的には、基体２６の上に、順次、形成されている。また、基体２６は、第１基板５１の上に形成されている。基体２６を構成する材料として、絶縁材料、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。第１基板５１の上に形成された基体２６上に設けられた各発光素子１０（１０1，１０2，１０3）は、
　第１電極３１、
　第２電極３２、及び、
　第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層から成る発光層を含む）３３、
を少なくとも備えている。あるいは又、云い換えれば、
　第１基板５１及び第２基板５２、
　第１基板５１の上に設けられた基体２６、
　基体２６の上に、２次元状に配列された複数の発光素子１０、並びに、
　発光素子１０と第２基板５２との間に設けられた封止樹脂層３６、
を少なくとも備えている。各発光素子は、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例６の発光素子から構成されている。そして、発光領域３０からの光が、第２基板５２を介して外部に出射され、あるいは又、第１基板５１を介して外部に出射される。具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例６にあっては、第２基板５２を介して外部に出射される。即ち、実施例の表示装置は、第２基板５２から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例６の発光素子１０（１０1，１０2，１０3）において、発光領域３０（３０1，３０2，３０3）は、このように、有機エレクトロルミネッセンス層（発光層）３３を含む。
　第２電極３２は保護層３４によって覆われている。保護層３４の上に第２－Ａ波長変換層４２1、第２－Ｂ波長変換層４２2が形成されており、保護層３４及び第２－Ａ波長変換層４２1、第２－Ｂ波長変換層４２2の上には平坦化層３５が形成されている。平坦化層３５の上には、周知の材料から成る波長選択部（具体的には、青色光を選択的に通過させる第１カラーフィルタ層ＣＦ1、緑色光を選択的に通過させる第２カラーフィルタ層ＣＦ2、赤色光を選択的に通過させる第３カラーフィルタ層ＣＦ3）が形成されている。カラーフィルタ層ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3は、第１基板側に形成されたＯＣＣＦ（オンチップカラーフィルタ層）である。そして、これによって、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができ、有機層３３から出射した光が隣接する他色のカラーフィルタ層ＣＦに入射して混色が生じることを抑制することができる。カラーフィルタ層ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3と第２基板５２とは、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や紫外線硬化型接着剤から成る封止樹脂層３６によって貼り合わされている。カラーフィルタ層ＣＦの平面形状は、発光領域３０の平面形状に、適宜、合わせればよい。
　有機ＥＬ素子から成る実施例１の発光素子１０において、有機層３３は青色発光層を有し、青色光を発光する。１つの発光素子ユニット（１画素）は、第１発光素子（青色発光素子）１０1、第２発光素子（緑色発光素子）１０2及び第３発光素子（赤色発光素子）１０3の３種類の発光素子から構成されており、複数の発光素子ユニットは、２次元状に（具体的には、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に沿って）、配列されている。第１発光素子１０1は、青色光を発光する有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦ1との組合せから構成されている。また、第２発光素子１０2は、青色光を発光する有機層３３と第１－Ａ波長変換層４１1と第２－Ａ波長変換層４２1とカラーフィルタ層ＣＦ2との組合せから構成されている。更には、第３発光素子１０2は、青色光を発光する有機層３３と第１－Ｂ波長変換層４１2と第２－Ｂ波長変換層４２2とカラーフィルタ層ＣＦ2との組合せから構成されている。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子（表示素子）は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）は画素数の、例えば、３倍である。実施例１の表示装置にあっては、副画素の配列として、図７Ａに示すデルタ配列を挙げることができるし、図７Ｂに示すようなストライプ配列、図７Ｃに示すダイアゴナル配列とすることもできるし、レクタングル配列とすることもできる。発光素子、発光領域３０の平面形状を矩形あるいは楕円形としたが、これに限定するものではない。また、表示装置は、補色光を出射する第４番目の発光素子を備えていてもよい。
　ＣＶＤ法に基づき形成された基体（層間絶縁層）２６の下方には、駆動回路（発光素子駆動部）が設けられている。駆動回路は周知の回路構成とすることができる。駆動回路は、例えば、第１基板５１を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）から構成されている。ＭＯＳＦＥＴから構成されたトランジスタ２０は、第１基板５１上に形成されたゲート絶縁層２２、ゲート絶縁層２２上に形成されたゲート電極２１、第１基板５１に形成されたソース／ドレイン領域２４、ソース／ドレイン領域２４の間に形成されたチャネル形成領域２３、並びに、チャネル形成領域２３及びソース／ドレイン領域２４を取り囲む素子分離領域２５から構成されている。基体２６は、下層層間絶縁層２６Ａ及び上層層間絶縁層２６Ｂから構成されている。駆動回路を構成するトランジスタ２０と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ、上層層間絶縁層２６Ｂに設けられたコンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの駆動回路につき、１つのトランジスタ２０を図示した。
　第２電極３２は、表示装置の外周部（具体的には、画素アレイ部の外周部）において、基体（層間絶縁層）２６に形成された図示しないコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して駆動回路（発光素子駆動部）と接続されている。表示装置の外周部において、第２電極３２の下方に第２電極３２に接続された補助電極を設け、補助電極を駆動回路と接続してもよい。
　第１電極３１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、基体（層間絶縁層）２６及び突出部２８の上に形成されている。第１電極３１は、発光素子毎に設けられている。また、第２電極３２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングされていない。即ち、第２電極３２は、複数の発光素子において共通電極とされている。云い換えれば、第２電極３２は、所謂ベタ電極とされている。有機層３３もパターニングされていない。即ち、有機層３３は、発光素子に共通して設けられている。即ち、有機層３３もベタ膜である。但し、これに限定するものではなく、有機層３３をパターニングしてもよい。即ち、有機層３３を副画素毎に塗り分けてもよい。基体２６の下には第１基板５１が配置されており、第２電極３２の上方に第２基板５２が配置されている。第１基板側に発光素子が形成されており、発光領域３０は基体２６の上に設けられている。
　実施例１において、有機層３３は、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole　Injection　Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole　Transport　Layer）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron　Transport　Layer）、及び、電子注入層（ＥＩＬ：Electron　InjectionLayer）の積層構造を有する。前述したとおり、有機層３３から出射される光は青色である。
　正孔注入層は、正孔注入効率を高める層であると共に、リークを防止するバッファ層として機能し、厚さは、例えば２ｎｍ乃至１０ｎｍ程度である。正孔注入層は、例えば、以下の式（Ａ）又は式（Ｂ）で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。尚、正孔注入層の端面が第２電極と接した状態になると、画素間の輝度バラツキ発生の主たる原因となり、表示画質の低下につながる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　ここで、Ｒ1～Ｒ6は、それぞれ、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、又は、シリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲm（ｍ＝１～６）は環状構造を介して互いに結合してもよい。また、Ｘ1～Ｘ6は、それぞれ、独立に、炭素又は窒素原子である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　正孔輸送層は発光層への正孔輸送効率を高める層である。発光層では、電界が加わると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層は発光層への電子輸送効率を高める層であり、電子注入層は発光層への電子注入効率を高める層である。
　正孔輸送層は、例えば、厚さが４０ｎｍ程度の４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）又はα－ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。
　青色発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光が発生する。このような青色発光層は、例えば、青色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種類の材料を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが３０ｎｍ程度の青色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。
　厚さが２０ｎｍ程度の電子輸送層は、例えば、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）から成る。厚さが０．３ｎｍ程度の電子注入層は、例えば、ＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等から成る。
　但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。また、図面の簡素化のため、図面では、有機層３３を１層で表した。
　以下、図１に示した実施例１の発光素子１０の製造方法の概要を説明する。
　　［工程－１００］
　先ず、シリコン半導体基板（第１基板５１）に駆動回路（発光素子駆動部）を公知のＭＯＳＦＥＴ製造プロセスに基づき形成する。
　　［工程－１１０］
　次いで、ＣＶＤ法に基づき全面に下層層間絶縁層２６Ａを形成する。そして、トランジスタ２０の一方のソース／ドレイン領域２４の上方に位置する下層層間絶縁層２６Ａの部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成し、接続孔を含む下層層間絶縁層２６Ａの上に導電材料層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、更に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき導電材料層をパターニングすることで、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ａ及びパッド部２７Ｃを形成することができる。
　　［工程－１２０］
　そして、全面に上層層間絶縁層２６Ｂを形成し、所望のパッド部２７Ｃの上方に位置する上層層間絶縁層２６Ｂの部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成し、接続孔を含む上層層間絶縁層２６Ｂの上に導電材料層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき導電材料層をパターニングすることで、接続孔内に第１電極３１とトランジスタ２０とを電気的に接続するコンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ｂを形成することができる。
　　［工程－１３０］
　次に、例えば、ＣＶＤ法に基づき、全面に絶縁層２８’を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき絶縁層２８’をパターニングして、絶縁層２８’から突出部２８を形成する。突出部２８の底部には基体２６及びコンタクトプラグ２７Ｂが露出している。基体２６及び突出部２８の配置状態の配置状態を模式的に図８Ａに示すが、図８Ａにおいては、露出したコンタクトプラグ２７Ｂの図示は省略している。
　　［工程－１４０Ａ］
　その後、基体２６、コンタクトプラグ２７Ｂ及び突出部２８の上に導電材料層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき導電材料層をパターニングすることで、基体２６及び突出部２８の上に第１電極３１を形成することができる。第１電極３１はコンタクトプラグ２７Ｂと接続されている。第１電極３１（３１Ａ，３１Ｂ）の配置状態を模式的に図８Ｂに示す。
　　［工程－１４０Ｂ］
　そして、全面に、周知の方法で第１波長変換層形成層を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき第１波長変換層形成層をパターニングすることで、突出部２８の上の第１電極３１の第２部分３１Ｂの上に、第１波長変換層４１（第１－Ａ波長変換層４１1，第１－Ｂ波長変換層４１2）を形成することができる。有機層３３及び第１波長変換層４１1，４１2の配置状態の配置状態を模式的に図９Ａに示す。
　　［工程－１４０Ｃ］
　その後、第１電極３１の第１部分３１Ａ、第１波長変換層４１（第１－Ａ波長変換層４１1，第１－Ｂ波長変換層４１2）及び絶縁層２８の上に、有機層３３を、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、スピンコート法やダイコート法等のコーティング法等によって成膜する。場合によっては、有機層３３を所望の形状にパターニングしてもよい。
　　［工程－１４０Ｃ］
　次いで、例えば真空蒸着法等に基づき、全面に第２電極３２を形成する。場合によっては、第２電極３２を所望の形状にパターニングしてもよい。このようにして、第１電極３１上に、有機層３３及び第２電極３２を形成することができる。第２電極３２の配置状態を模式的に図９Ｂに示す。
　　［工程－１４０Ｄ］
　その後、全面に、例えば、ＰＶＤ法に基づき保護層３４を形成する。
　　［工程－１５０］
　そして、第２電極３２の上方に、第２－Ａ波長変換層４２1及び第２－Ｂ波長変換層４２2を形成する。具体的には、保護層３４の上に、周知の方法で第２波長変換層形成層を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき第２波長変換層形成層をパターニングすることで、第２電極３２の上方に、第２－Ａ波長変換層４２1及び第２－Ｂ波長変換層４２2を形成することができる。
　　［工程－１６０］
　次いで、例えば、塗布法に基づき全面に平坦化層３５を形成する。塗布法に基づき平坦化層３５を形成することができるので、加工プロセスの制約が少なく、材料選択幅が広く、高屈折率材料の使用が可能となる。その後、周知の方法で、平坦化層３５上に、カラーフィルタ層ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3を形成する。
　　［工程－１７０］
　次いで、カラーフィルタ層ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3と第２基板５２とを、例えばアクリル系接着剤から成る封止樹脂層３６によって貼り合わせる。こうして、図１に示した実施例１の発光素子（有機ＥＬ素子）、表示装置を得ることができる。このように、第２基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設けるのではなく、第１基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設ける、所謂ＯＣＣＦ型とすることで、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができるし、有機層３３との間の位置合わせに問題が生じる可能性が少ない。
　実施例１の発光素子、表示装置を構成する第２発光素子、第３発光素子にあっては、有機層で発光した光の一部は第２波長変換層（第２－Ａ波長変換層、第２－Ｂ波長変換層）を通過し、更に、波長選択部を通過して、外部に出射される。また、有機層で発光した光の残部（有機層から横方向あるいは斜め方向に出射した光）は、突出部の上の第１電極の第２部分に形成された第１波長変換層（第１－Ａ波長変換層、第１－Ｂ波長変換層）を通過し、突出部の上の第１電極の第２部分に衝突し、再度、第１波長変換層（第１－Ａ波長変換層、第１－Ｂ波長変換層）に侵入し、第１波長変換層（第１－Ａ波長変換層、第１－Ｂ波長変換層）から出射され、場合によっては、第２波長変換層（第２－Ａ波長変換層、第２－Ｂ波長変換層）を通過し、更に、波長選択部を通過して、外部に出射される。従って、有機層で発光した光を効率良く画像形成に用いることができる。しかも、光学的クロストークが発生し難い構成、構造を有する発光素子、係る発光素子の複数を備えた表示装置を提供することができる。即ち、たとえ、第１波長変換層（第１－Ａ波長変換層、第１－Ｂ波長変換層）に侵入した光が、隣接する他の発光素子に侵入しても、最終的には、隣接する他の発光素子における波長選択部に吸収され、波長選択部を通過し難いので、光学的クロストークが発生し難い。
　実施例１の発光素子、表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図を図２に示す。また、実施例１の表示装置の変形例－１における第１電極の配置状態の配置状態を模式的に図１０Ａに示し、有機層及び第１波長変換層の配置状態を模式的に図１０Ｂに示す。
　この変形例－１にあっては、
　発光領域３０は、発光領域中央部３０Ａ、及び、発光領域中央部３０Ａを囲む発光領域外周部３０Ｂから構成されており、
　第１波長変換層４１（４１1，４１2）は、発光領域外周部３０Ｂを構成する基体２６の部分の上方まで延在している。即ち、第１波長変換層４１（４１1，４１2）は、発光領域外周部３０Ｂを構成する基体２６の部分の上に位置する第１電極３１の第１部分３１Ａと、発光領域外周部３０Ｂを構成する基体２６の部分の上方に位置する有機層３３の部分との間に、延在している。
　以上の点を除き、実施例１の発光素子、表示装置の変形例－１は、実施例１の発光素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例１の表示装置の変形例－２の模式的な一部断面図を図３に示す。この変形例－２において、第２波長変換層４２（４２1，４２2）は、第２電極３２の上方に形成されている。具体的には、第２電極３２の上には保護層３４が形成され、保護層３４の上に平坦化層３５が形成され、平坦化層３５の上に第２波長変換層４２（４２1，４２2）が形成されている。第２波長変換層４２（４２1，４２2）と第２波長変換層４２（４２1，４２2）との間には、平坦化層３５が形成されている。第２波長変換層４２（４２1，４２2）及び平坦化層３５の上に、波長選択部（カラーフィルタ層）ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3が形成されている。
　以上の点を除き、実施例１の発光素子、表示装置の変形例－２は、実施例１の発光素子、表示装置あるいは変形例－１の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例１の表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図を図４に示す。この変形例－３において、波長選択部（カラーフィルタ層）ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3は、第２基板５２の第１面５２Ａの上に形成されている。平坦化層３５と波長選択部（カラーフィルタ層）ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3とは、封止樹脂層３６によって貼り合わされている。
　以上の点を除き、実施例１の発光素子、表示装置の変形例－３は、実施例１の発光素子、表示装置あるいは変形例－１～変形例－２の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　尚、図４、図５、図６、図１１、図１７、図１８、図２１、図２２、図２３、図２４、図２５、図２６、図２７には、実施例１の変形例－１に基づく模式的な一部断面図を示すが、これに限定するものではない。
　実施例１の表示装置の変形例－４の模式的な一部断面図を図５に示す。この変形例－４において、波長選択部（カラーフィルタ層）ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3は、第２基板５２の第１面５２Ａの上に形成されている。そして、保護層３４と対向する波長選択部（カラーフィルタ層）ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3の面の上に、第２波長変換層４２（４２1，４２2）が形成されている。平坦化層３５と波長選択部（カラーフィルタ層）ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3及び第２波長変換層４２（４２1，４２2）とは、封止樹脂層３６によって貼り合わされている。
　以上の点を除き、実施例１の発光素子、表示装置の変形例－４は、実施例１の発光素子、表示装置あるいは変形例－１の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例１の表示装置の変形例－５の模式的な一部断面図を図６に示す。この変形例－５において、第１波長変換層４１は、透明な絶縁材料層４３で被覆されている。透明な絶縁材料層４３を構成する材料として、屈折率ｎ2が１．３乃至１．４のポリシロキサン、フッ素樹脂等を挙げることができる。尚、第１－Ａ波長変換層４１1を構成する材料の屈折率の値ｎ1は１．６乃至１．７であり、第１－Ｂ波長変換層４１2を構成する材料の屈折率の値ｎ1は１．６乃至１．７である。屈折率をこのように規定することで、第１波長変換層４１（４１1，４１2）から絶縁材料層４３に入射した光が、絶縁材料層４３への入射角に依存するが、絶縁材料層４３において全反射され、第１波長変換層４１（４１1，４１2）へと戻されるといった現象が生じる結果、第１波長変換層４１における波長変換効率を一層向上させることができる。尚、第１－Ａ波長変換層４１1や第１－Ｂ波長変換層４１2においては、チタニア粒子やジルコニア粒子を混ぜて高屈折率化することで、屈折率を１．６乃至１．７にすることができる。
　以上の点を除き、実施例１の発光素子、表示装置の変形例－５は、実施例１の発光素子、表示装置あるいは変形例－１～実施例４の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例２は、本開示の第２の態様に係る発光素子に関する。実施例２の発光素子１０4の模式的な一部断面図を図１１に示し、実施例２の表示装置における発光素子の配列を図７Ｄに模式的に示す。また、実施例２の表示装置における基体及び突出部の配置状態の配置状態を模式的に図１２Ａに示し、第１電極の配置状態を模式的に図１２Ｂに示し、有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に図１３Ａに示し、第２電極の配置状態を模式的に図１３Ｂに示す。
　実施例２の発光素子１０4は、
　発光領域３０を取り囲む突出部２８、
　発光領域３０を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分３１Ａ、及び、第１部分３１Ａから延在し、突出部２８の上に形成された第２部分３１Ｂから構成された第１電極３１、
　第１電極３１上及び上方に形成され、波長λ1を有する第１の光（具体的には、青色光）を出射する有機層３３、
　有機層３３上に形成された第２電極３２、
　第１電極３１の第２部分３１Ｂと突出部２８の上方に形成された有機層３３の部分との間に形成され、有機層３３から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光（具体的には、緑色光）に変換する第１－Ａ波長変換層４４1、並びに、
　第１電極３１の第２部分３１Ｂと突出部２８の上方に形成された有機層３３の部分との間であって、第１－Ａ波長変換層４４1が形成された領域とは異なる領域に形成され、有機層３３から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光（具体的には、赤色光）に変換する第１－Ｂ波長変換層４４2、
を備えている。
　第１－Ａ波長変換層４４1は、実施例１における第１－Ａ波長変換層４１1と同じ材料から構成することができるし、第１－Ｂ波長変換層４４2は、実施例１における第１－Ｂ波長変換層４１2と同じ材料から構成することができる。
　実施例２の表示装置において、発光素子ユニット（画素）は、実施例１において説明した第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3に加えて、実施例２の発光素子１０4から成る第４発光素子を備えており、これによって１画素が構成される。第４発光素子１０4は、白色を外部に出射する。尚、第４発光素子１０4にあっては、カラーフィルタ層の代わりに透明なフィルタ層ＣＦ4が配設されている。第１発光素子１０1、第２発光素子１０2、第３発光素子１０3、及び、第４発光素子１０4は、副画素に相当する。
　突出部２８は、実施例１と同様に、順テーパー状である。
　有機層３３及び第１－Ａ波長変換層４４1、第１－Ｂ波長変換層４１2の配置状態の一例を模式的に図１３Ａに示すように、突出部２８の半分の上に第１－Ａ波長変換層４４1が形成されており、突出部２８の残りの半分の上に第１－Ｂ波長変換層４４2が形成されている。そして、有機層３３から出射された青色光、第１－Ａ波長変換層４４1から出射された緑色光、及び、第１－Ｂ波長変換層４４2から出射された赤色光によって、実施例２の発光素子（第４の発光素子）１０4から外部には白色光が出射される。
　以上の点を除き、実施例２の発光素子、表示装置の構成は、実施例１の発光素子、表示装置あるいはその変形例－１～変形例－５と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例２の表示装置の変形例－１における有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に図１４に示すが、変形例－１の発光素子（第４の発光素子）１０4にあっては、突出部２８の（１／４）強の上に第１－Ａ波長変換層４４1が形成されており、突出部２８の他の（１／４）強の上に第１－Ｂ波長変換層４４2が形成されており、突出部２８の残部の上に有機層３３が延在している。そして、やはり、有機層３３から出射された青色光、第１－Ａ波長変換層４４1から出射された緑色光、及び、第１－Ｂ波長変換層４４2から出射された赤色光によって、実施例２の変形例－１の発光素子（第４の発光素子）１０4から外部には白色光が出射される。
　発光素子、発光領域３０の平面形状を矩形としたが、これに限定するものではない。実施例２の表示装置の変形例－２における第１電極の配置状態を模式的に図１５Ａに示し、有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に図１５Ｂに示すが、発光領域３０の平面形状を円形とすることもできる。そして、この変形例－２の発光素子（第４の発光素子）１０4にあっては、突出部２８の（１／３）の上に第１－Ａ波長変換層４４1が形成されており、突出部２８の他の（１／３）の上に第１－Ｂ波長変換層４４2が形成されており、突出部２８の残部の上に有機層３３が延在しているが、第１－Ａ波長変換層４４1及び第１－Ｂ波長変換層４４2は形成されていない。あるいは又、変形例－３として、図１６に有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示すが、突出部２８の（１／２）の上に第１－Ａ波長変換層４４1が形成されており、突出部２８の他の（１／２）の上に第１－Ｂ波長変換層４４2が形成されていてもよい。そして、これらの変形例－２、変形例－３にあっても、やはり、有機層３３から出射された青色光、第１－Ａ波長変換層４４1から出射された緑色光、及び、第１－Ｂ波長変換層４４2から出射された赤色光によって、外部には白色光が出射される。
　実施例２の発光素子１０4及び表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図を図１７に示す。この発光素子１０4にあっては、
　第２電極３２の上又は上方に形成され、有機層３３から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層４５1、及び、
　第２電極３２の上又は上方に形成され、有機層３３から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層４５2、
が更に備えられており、発光素子１０4から白色光を外部に出射する。
　以上の点を除き、実施例２の発光素子、表示装置の変形例－３の構成は、実施例２の発光素子、表示装置あるいはその変形例－１～変形例－２と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例３は、実施例１～実施例２の変形である。実施例３の発光素子、表示装置の模式的な一部断面図を図１８に示す。また、図１９Ａに、実施例３の表示装置における基体及び突出部の配置状態の配置状態を模式的に示し、図１９Ｂに、第１電極の配置状態を模式的に示し、図２０Ａに、有機層及び第１波長変換層の配置状態の配置状態を模式的に示し、図２０Ｂに、第２電極の配置状態を模式的に示す。尚、図１９Ａ、図１９Ｂ及び図２０Ｂにおいて、発光素子と発光素子の境界を点線で示す。
　実施例３の発光素子、表示装置において、突出部２８Ａの側面２８Ｂは、基体２６に対して９０度±１０度の角度を成している。
　そして、実施例３の発光素子、表示装置を構成する第２発光素子、第３発光素子にあっては、有機層３３で発光した光の一部は、第２波長変換層（第２－Ａ波長変換層、第２－Ｂ波長変換層）を通過し、更に、波長選択部ＣＦ2，ＣＦ3を通過して、外部に出射される。また、有機層３３で発光した光の残部（有機層３３から横方向あるいは斜め方向に出射した光）は、突出部２８Ａの側面２８Ｂの上の第１電極の第２部分３１Ｂの上に形成された第１波長変換層４１（第１－Ａ波長変換層４１1、第１－Ｂ波長変換層４１2）を通過し、突出部２８Ａの側面２８Ｂの上の第１電極の第２部分３１Ｂに衝突し、反射され、第１波長変換層４１（第１－Ａ波長変換層４１1、第１－Ｂ波長変換層４１2）に戻され、第１波長変換層４１（第１－Ａ波長変換層４１1、第１－Ｂ波長変換層４１2）から出射され、最終的に、第２波長変換層４２（第２－Ａ波長変換層４２21、第２－Ｂ波長変換層４２2）を通過し、更に、波長選択部ＣＦ2，ＣＦ3を通過して、外部に出射される。従って、有機層３３で発光した光を一層効率良く画像形成に用いることができる。しかも、光学的クロストークが発生し難い構成、構造を有する発光素子、係る発光素子の複数を備えた表示装置を提供することができる。実施例２の発光素子を適用する場合の第４発光素子１０4の挙動も、実質的には同様である。
　以上の点を除き、実施例３の発光素子、表示装置は、実施例１あるいはその変形例１～変形例－５、実施例２あるいはその変形例１～変形例－３の発光素子、表示装置と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例４は、実施例３の変形である。実施例４の発光素子は、共振器構造を有する。
　有機ＥＬ表示装置にあっては、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。具体的には、第１電極と有機層との界面（あるいは、第１電極の下に層間絶縁材料層が設けられ、層間絶縁材料層の下に光反射層が設けられた構造にあっては、光反射層と層間絶縁材料層との界面によって構成された界面）によって構成された第１界面と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる。そして、発光層の最大発光位置（発光面）から第１界面までの距離をＬ1、光学距離をＯＬ1、発光層の最大発光位置（発光面）から第２界面までの距離をＬ2、光学距離をＯＬ2とし、ｍ1及びｍ2を整数としたとき、以下の式（１－１）及び式（１－２）を満たす構成とすることができる。
０．７｛－Φ1／（２π）＋ｍ1｝≦２×ＯＬ1／λ≦１．２｛－Φ1／（２π）＋ｍ1｝　　　（１－１）
０．７｛－Φ2／（２π）＋ｍ2｝≦２×ＯＬ2／λ≦１．２｛－Φ2／（２π）＋ｍ2｝　　　（１－２）
ここで、
λ　：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ1≦０
Φ2：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ2≦０
である。
　ここで、ｍ1の値は０以上の値であり、ｍ2の値は、ｍ1の値と独立して、０以上の値であるが、（ｍ1，ｍ2）＝（０，０）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（０，１）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（１，０）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（１，１）である形態を例示することができる。
　発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ1とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ2とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎaveとしたとき、
ＯＬ1＝Ｌ1×ｎave
ＯＬ2＝Ｌ2×ｎave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎaveとは、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁材料層）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁材料層）の厚さで除したものである。
　発光層で発生した光の内の所望の波長λ1（具体的には、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき発光素子におけるＯＬ1，ＯＬ2等の各種パラメータを求めて、発光素子を設計すればよい。
　第１電極又は光反射層及び第２電極は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ1，Φ2は、第１電極又は光反射層及び第２電極を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、”Principles　of　Optic”,　Max　Born　and　Emil　Wolf,　1974　(PERGAMON　PRESS)
参照）。有機層や層間絶縁材料層等の屈折率も、あるいは又、第１電極が入射した光の一部を吸収し、残りを反射する場合、エリプソメータを用いて測定することで求めることができる。
　光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ－ＮｄやＡｌ－Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ－Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ）を挙げることができる。そして、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。光反射層を構成する材料に依っては、成膜される光反射層の結晶状態の制御のために、例えば、ＴｉＮから成る下地層を形成しておくことが好ましい。
　このように、共振器構造を有する発光素子１０にあっては、有機層で発光した青色光を共振させる。各種の変形例を含む実施例１～実施例３にあっては、第１電極３１を光反射材料層としても機能させている。従って、有機層３３を共振部とし、第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造が構成される。発光面から反射面までの距離（具体的には、発光面から第１電極３１及び第２電極３２までの距離）を適切に調整するために、有機層３３の厚さは、例えば、８×１０-8ｍ以上、５×１０-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０-7ｍ以上、３．５×１０-7ｍ以下であることがより好ましい。（Ｌ1＋Ｌ2＝Ｌ0）の値は、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子において同じとすればよい。
　模式的な一部断面図を図２１に示すように、第１電極３１の第１部分３１Ａ及び第１電極３１の第２部分３１Ｂは、異なる材料から構成されている。具体的には、第１電極３１の第２部分３１Ｂは、実施例１において説明した第１電極３１を構成する材料から成る。一方、第１電極３１の第１部分３１Ａは、透明導電材料、例えば、ＩＴＯから成る。そして、第１電極３１よりも下方に（第１基板側に）光反射層６１を形成し、有機層３３を共振部とし、光反射層６１と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造を構成する。即ち、基体２６の上に光反射層６１を設け、光反射層６１の上に、前述した材料から成る層間絶縁材料層６２を設け、層間絶縁材料層６２の上に第１電極３１を設ける。層間絶縁材料層６２の厚さを適切に設定することで、発光領域３０の発光波長λ1に対して最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。光反射層６１は、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ｂに接続されていてもよいし、接続されていなくともよい。
　層間絶縁材料層６２は、光反射層６１の表面が酸化された酸化膜から構成することもできる。酸化膜から成る層間絶縁材料層６２は、光反射層６１を構成する材料に依存して、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。光反射層６１の表面の酸化は、例えば、以下の方法で行うことができる。即ち、容器の中に充填された電解液中に、光反射層６１が形成された第１基板５１を浸漬する。また、光反射層６１と対向するように陰極を配置する。そして、光反射層６１を陽極として、光反射層６１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、陽極である光反射層６１と陰極との電位差に比例する。それ故、適切な電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、層間絶縁材料層６２を、一括して、光反射層６１の表面に形成することができる。尚、光反射層６１の下に下地膜（図示せず）が配設されていてもよい。
　実施例５は、実施例１～実施例４の変形である。実施例５の表示装置は、発光領域から出射された光が通過する光路制御手段を備えている。実施例５の表示装置及び発光素子の模式的な一部断面図を図２２、図２３、図２４、図２５、図２６に示す。
　本開示の表示装置あるいは発光素子にあっては、発光領域から出射された光が通過する光路制御手段を設けてもよい。光路制御手段は、発光領域の上方に設けられている。具体的には、平坦化層の上あるいは上方に光路制御手段が形成されている形態、あるいは又、波長選択部の上あるいは上方に光路制御手段が形成されている形態、あるいは又、平坦化層の上あるいは上方に光路制御手段が形成され、光路制御手段の上あるいは上方に波長選択部が形成されている形態とすることができる。光路制御手段は第１基板側あるいは第２基板側に設けられている。波長選択部の上に光路制御手段が形成されている形態にあっては、波長選択部と光路制御手段との間に、波長選択部の凹凸を平坦化するための第２平坦化層が形成されている形態が含まれる。
　光路制御手段は、例えば、レンズ部材（オンチップマイクロレンズ）から成る。光路制御手段をレンズ部材から構成する場合、レンズ部材は、発光領域から離れる方向に向かって（沿って）凸状である形態とすることができる。そして、この場合、発光領域から出射された光は、レンズ部材を通過し、更に、例えば、封止樹脂層、第２基板を通過して外部に出射されるが、レンズ部材を構成する材料の屈折率、封止樹脂層を構成する材料の屈折率、第２基板を構成する材料の屈折率の順に、屈折率の値を低くすることが望ましい。あるいは又、レンズ部材は、発光領域から離れる方向に向かって（沿って）凹状である形態とすることができる。そして、この場合、発光領域から出射された光は、例えば、封止樹脂層及びレンズ部材を通過し、更に、第２基板を通過して外部に出射されるが、封止樹脂層を構成する材料の屈折率、レンズ部材を構成する材料の屈折率、第２基板を構成する材料の屈折率の順に、屈折率の値を高くすることが望ましい。表示装置の全体から出射される光（画像）は例えば集束系であるが、どの程度の集束系とするかは、表示装置の仕様に依るし、表示装置にどの程度の視野角依存性、広視野角特性が要求されるかにも依存する。場合によっては　発光領域から離れる方向に向かって凸状であるレンズ部材を有する発光素子と、発光領域から離れる方向に向かって凹状であるレンズ部材を有する発光素子とが混在している形態とすることもできる。
　レンズ部材は、半球状、あるいは、球の一部から構成されている形態とすることができるし、あるいは又、広くは、レンズとして機能するのに適した形状から構成されている形態とすることができる。具体的には、レンズ部材は、凸レンズ部材（オンチップマイクロ凸レンズ）から成り、あるいは又、凹レンズ部材（オンチップマイクロ凹レンズ）から成る構成とすることができる。以下の説明において、凸レンズ部材及び凹レンズ部材を纏めて『レンズ部材』と呼ぶ場合がある。レンズ部材は、球面レンズとすることもできるし、非球面レンズとすることもできる。また、凸レンズ部材は平凸レンズから構成することができるし、凹レンズ部材は平凹レンズから構成することができる。更には、レンズ部材は、屈折型レンズとすることもできるし、回折型レンズとすることもできる。
　あるいは又、底面が正方形あるいは長方形である直方体（直方体に近似した立方体を含む）を想定し、この直方体の４つの側面及び１つの頂面が凸状あるいは平面状の形状を有するレンズ部材とすることができる。そして、この場合、更には、側面と側面とが交わる稜の部分は丸みを帯びており、頂面と側面とが交わる稜の部分も丸みを帯びており、全体として丸みを帯びた立体形状を有するレンズ部材とすることもできる。
　レンズ部材は、レンズ部材を構成する透明樹脂材料を、メルトフローさせることで得ることができるし、あるいは又、エッチバックすることで得ることができるし、グレートーンマスクやハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることもできるし、ナノインプリント法に基づき透明樹脂材料をレンズ形状に形成するといった方法によって得ることもできる。レンズ部材（マイクロレンズ）を構成する材料として、高屈折樹脂材料（凸レンズ用）、高屈折無機材料（凸レンズ用）、低屈折樹脂材料（凹レンズ用）、低屈折無機材料（凹レンズ用）を挙げることができる。あるいは又、レンズ部材（オンチップマイクロレンズ）は、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂等の透明樹脂材料、ＳｉＯ2等の透明無機材料から構成することができるが、これらに限定するものではない。
　あるいは又、光路制御手段は、厚さ方向を含む仮想平面（垂直仮想平面）で切断したときの断面形状が矩形や等脚台形である光出射方向制御部材から構成されている形態とすることもできる。云い換えれば、光出射方向制御部材は、断面形状が、その厚さ方向に沿って、一定であり、又は、変化する（具体的には、凸状に湾曲しており、あるいは又、凹状に湾曲している）光出射方向制御部材から構成されている形態とすることができる。厚さ方向の光出射方向制御部材の側面の断面形状は、直線状であってもよいし、凸状に湾曲していてもよいし、凹状に湾曲していてもよい。即ち、次に述べる角柱や切頭角錐形の側面は、平坦であってもよいし、凸状に湾曲していてもよいし、凹状に湾曲していてもよい。
　具体的には、光出射方向制御部材の立体形状として、円柱形、楕円柱形、長円柱形、シリンドリカル形状、角柱形（四角柱や六角柱、八角柱、稜が丸みを帯びた角柱形を含む）、切頭円錐形、切頭角錐形（稜が丸みを帯びた切頭角錐形を含む）を例示することができる。角柱や切頭角錐形には、正角柱や正切頭角錐形が含まれる。光出射方向制御部材の側面と頂面とが交わる稜の部分は、丸みを帯びていてもよい。切頭角錐形の底面は、第１基板側に位置していてもよいし、第２電極側に位置していてもよい。あるいは又、光出射方向制御部材の平面形状として、具体的には、円形、楕円形及び長円形、並びに、三角形、四角形、六角形及び八角形を含む多角形を挙げることができる。多角形には正多角形（長方形や正六角形（ハニカム状）等の正多角形を含む）が含まれる。光出射方向制御部材は、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂等の透明樹脂材料、ＳｉＯ2等の透明無機材料から構成することができる。
　隣接する光出射方向制御部材の側面間の最短距離として、０．４μｍ以上、１．２μｍ以下、好ましくは０．６μｍ以上、１．２μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上、１．２μｍ以下、一層好ましくは０．８μｍ以上、１．０μｍ以下を挙げることができるが、これに限定するものではない。隣接する光出射方向制御部材の側面間の最短距離の最低値を０．４μｍと規定することで、隣接する光出射方向制御部材の間の最短距離を可視光の波長帯域の下限値と同程度とすることができるので、光出射方向制御部材を囲む材料あるいは層の機能低下を抑制することができる結果、光出射方向制御部材の外縁部（側面）近傍における集光効果を効果的に高めることができる。一方、隣接する光出射方向制御部材の側面間の最短距離の最大値を１．２μｍと規定することで、光出射方向制御部材のサイズを小さくすることができる結果、光出射方向制御部材の外縁部（側面）近傍における集光効果を効果的に高めることができる。
　表示装置全体として光利用効率を上げるためには、発光素子の外縁部の光を効果的に集光することが好ましい。しかしながら、半球状のレンズでは、発光素子の中央付近の光を正面へ集光する効果は大きいが、発光素子の外縁部付近の光を集光する効果が小さい場合がある。
　光出射方向制御部材の側面が、光出射方向制御部材を構成する材料の屈折率ｎRよりも低い屈折率ｎMを有する材料と接する状態を得ることができ、光出射方向制御部材に導波路効果を付与することが可能となり、光出射方向制御部材の外縁部（側面）近傍における集光効果を効果的に高めることができる。幾何光学で考えた場合、光線が光出射方向制御部材の側面に入射した場合、入射角と反射角が等しくなるため、正面方向の取り出しは向上し難い。しかしながら、波動解析（ＦＤＴＤ）で考えると、光出射方向制御部材の外縁部（側面）近傍の光取出し効率が向上する。それ故、発光素子の外縁部付近の光を効果的に集光することができる結果、発光素子全体の正面方向の光取出し効率が向上する。従って、表示装置の発光の高効率化を達成することができる。即ち、表示装置の高輝度化及び低消費電力化を実現することができる。また、光出射方向制御部材は平板状であるが故に、形成も容易であり、作製プロセスの簡素化を図ることができる。
　隣接する光出射方向制御部材と光出射方向制御部材との間に、光出射方向制御部材よりも厚さが薄い光出射方向制御部材延在部が形成されていてもよい。
　光出射方向制御部材の頂面は、平坦であってもよいし、上に凸の形状を有していてもよいし、凹の形状を有していてもよいが、表示装置の画像表示領域（表示パネル）の正面方向の輝度向上といった観点からは、光出射方向制御部材の頂面は平坦であることが好ましい。光出射方向制御部材は、例えば、フォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることができるし、ナノプリント法に基づき形成することもできる。
　光出射方向制御部材の平面形状の大きさを、発光素子に依って変えてもよい。例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、光出射方向制御部材の平面形状の大きさは、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。また、光出射方向制御部材を構成する材料の屈折率を、発光素子に依って変えてもよい。例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、光出射方向制御部材を構成する材料の屈折率は、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。
　光出射方向制御部材の平面形状は、発光領域と相似形であることが好ましく、あるいは又、発光領域は光出射方向制御部材の正射影像に含まれることが好ましい。但し、これに限定するものではなく、光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像と一致する形態とすることができるし、あるいは又、波長選択部の正射影像に含まれる形態とすることができる。後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。尚、正射影像は、第１基板に射影したときの正射影像であり、以下においても同様である。
　光出射方向制御部材の側面は、垂直、あるいは、概ね垂直であることが好ましい。具体的には、光出射方向制御部材の側面の傾斜角度として、８０度乃至１００度、好ましくは８１．８度以上、９８．２度以下、より好ましくは８４．０度以上、９６．０度以下、一層好ましくは８６．０度以上、９４．０度以下、特に好ましくは８８．０度以上、９２．０度以下、最も好ましくは９０度を例示することができる。
　また、光出射方向制御部材の平均高さとして１．５μｍ以上、２．５μｍ以下を例示することができ、これによって、光出射方向制御部材の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。発光素子に依って、光出射方向制御部材の高さを変えてもよい。例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、光出射方向制御部材の高さは、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。
　隣接する光出射方向制御部材の中心と中心との間の距離は、限定するものではないが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下に設定することによって、光の波動性が顕著に現れるため、光出射方向制御部材に高い集光効果を付与することができる。
　発光領域から光出射方向制御部材の底面までの最大距離（高さ方向の最大距離）は、０．３５μｍを超え、７μｍ以下、好ましくは１．３μｍ以上、７μｍ以下、より好ましくは２．８μｍ以上、７μｍ以下、一層好ましくは３．８μｍ以上、７μｍ以下であることが望ましい。発光領域から光出射方向制御部材までの最大距離が０．３５μｍを超えると規定することで、光出射方向制御部材の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。一方、発光領域から光出射方向制御部材までの最大距離が７μｍ以下であると規定することで、視野角特性の低下を抑制することができる。
　１つの画素に対する光出射方向制御部材の数は、本質的に任意であり、１以上であればよい。例えば、１つの画素が複数の副画素から構成されている場合、１つの副画素に対応して１つの光出射方向制御部材を設けてもよいし、複数の副画素に対応して１つの光出射方向制御部材を設けてもよいし、１つの副画素に対応して複数の光出射方向制御部材を設けてもよい。１つの副画素に対応してｐ×ｑ個の光出射方向制御部材を設ける場合、ｐ，ｑの値として、１０以下、５以下、３以下を挙げることができる。
　あるいは又、光路制御手段を光反射部材から構成してもよい。光反射部材として、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属の単体又は合金、誘電体多層膜を挙げることができるし、本開示の発光素子等において、光反射部材を構成する材料として、発光領域からの光が光反射部材と衝突したとき、光反射部材によって全反射されるような屈折率を有する材料を挙げることができる。具体的には、光反射部材は、例えば、平坦化層と平坦化層との間を充填している形態とすることができる。光反射部材は、順テーパー状（光入射面側から光出射面側に向かって広がっている形状）とすることが好ましい。光反射部材の軸線を含む仮想平面（垂直仮想平面）で光反射部材を切断したときの順テーパー状の斜面の断面は、曲線から構成されていてもよいし、線分から構成されていてもよい。
　光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像と一致する形態とすることができるし、あるいは又、波長選択部の正射影像に含まれる形態とすることができる。後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。
　実施例５の発光素子、表示装置の模式的な一部断面図を図２２に示す。
　実施例５の発光素子、表示装置にあっては、波長選択部ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3の上に第２平坦化層３７が形成され、第２平坦化層３７の上に、光路制御手段、具体的には、例えば、レンズ部材（オンチップマイクロレンズ）３８Ａが形成されている。レンズ部材３８Ａは、例えば、発光領域３０から離れる方向に向かって（沿って）凸状であり、具体的には、平凸レンズから構成されている。あるいは又、実施例５の発光素子、表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図を図２３に示すように、レンズ部材３８Ｂは、発光領域３０から離れる方向に向かって（沿って）凹状であり、平凹レンズから構成されている。レンズ部材３８Ｂと第２基板５２の間には第２平坦化層３７が形成されている。レンズ部材３８Ｂとカラーフィルタ層ＣＦとは、例えば、封止樹脂層３６を介して接合されている。レンズ部材３８Ａ、３８Ｂを構成する材料としてアクリル系透明樹脂を挙げることができる。
　そして、これらの場合、発光領域から出射された光は、レンズ部材３８Ａ，３８Ｂを通過し、更に、封止樹脂層３６や第２平坦化層３７、第２基板５２を通過して外部に出射される。表示装置の全体から出射される光（画像）は例えば集束系であるが、どの程度の集束系とするかは、表示装置の仕様に依るし、表示装置にどの程度の視野角依存性、広視野角特性が要求されるかにも依存する。場合によっては　発光領域から離れる方向に向かって凸状であるレンズ部材を有する発光素子と、発光領域から離れる方向に向かって凹状であるレンズ部材を有する発光素子とが混在している形態とすることもできる。
　図示した例では、１つの発光領域に対して１つのレンズ部材を設けたが、場合によっては、複数の発光素子で１つのレンズ部材を共有してもよい。例えば、正三角形の頂点のそれぞれに発光素子を配置し（合計３つの発光素子を配置し）、これらの３つの発光素子で１つのレンズ部材を共有してもよいし、矩形の頂点のそれぞれに発光素子を配置し（合計４つの発光素子を配置し）、これらの４つの発光素子で１つのレンズ部材を共有してもよい。あるいは又、１つの発光領域に対して複数のレンズ部材を設けてもよい。
　レンズ部材３８Ａは、例えば、以下の方法で作製することができる。即ち、第２平坦化層３７の上に、レンズ部材３８Ａを形成するためのレンズ部材形成層を形成し、その上にレジスト材料層を形成する。そして、レジスト材料層をパターニングし、更に、加熱処理を施すことで、レジスト材料層をレンズ部材の形状とする。次いで、レジスト材料層及びレンズ部材形成層をエッチバックすることで、レジスト材料層に形成された形状をレンズ部材形成層に転写する。こうして、レンズ部材３８Ａを得ることができる。
　あるいは又、実施例５の表示装置の変形例－２として、模式的な一部断面図を図２４に示すように、光路制御手段である光出射方向制御部材３８Ｃは、発光領域３０の上方に、具体的には、カラーフィルタ層ＣＦの上方に第２平坦化層３７を介して上に設けられている。カラーフィルタ層ＣＦ及び光出射方向制御部材３８Ｃは平坦化層３５で覆われており、平坦化層３５と第２基板５２とは、例えば、封止樹脂層３６を介して接合されている。この光出射方向制御部材３８Ｃの厚さ方向を含む仮想平面（垂直仮想平面）で光出射方向制御部材を切断したときの光出射方向制御部材３８Ｃの断面形状は、矩形である。光出射方向制御部材３８Ｃの立体形状は、例えば、円柱形あるいは四角形である。光出射方向制御部材３８Ｃを構成する材料の屈折率をｎR、封止樹脂層３６を構成する材料の屈折率をｎM（＜ｎR）とすれば、光出射方向制御部材３８Ｃが封止樹脂層３６によって囲まれているので、光出射方向制御部材３８Ｃは一種のレンズとしての機能を有し、しかも、光出射方向制御部材３８Ｃの外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。また、光出射方向制御部材３８Ｃは平板状であるが故に、形成も容易であり、作製プロセスの簡素化を図ることができる。光出射方向制御部材３８Ｃは、屈折率の条件（ｎM＜ｎR）を満足すれば、平坦化層３５を構成する材料とは異なる材料によって囲まれていてもよい。あるいは又、光出射方向制御部材３８Ｃは、例えば、空気層や減圧層（真空層）によって囲まれていてもよい。
　また、実施例５の表示装置の変形例－３として、模式的な一部断面図を図２５に示すように、隣接する発光素子の光路制御手段３８Ｃの間に、光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭが形成されている形態とすることもでき、これによって、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。
　実施例５の変形例－４として模式的な一部断面図を図２６に示すように、光路制御手段を光反射部材３８Ｄから構成することもできる。光反射部材３８Ｄとして、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属の単体又は合金、誘電体多層膜を挙げることができる。あるいは又、光反射部材３８Ｄとして、発光領域３０からの光が、光反射部材３８Ｄと衝突したとき、光反射部材３８Ｄによって全反射されるような屈折率ｎM’を有する材料（例えば、ｎM’＝１．５２のＳｉＯ2）を挙げることができる。具体的には、光路制御手段を構成する光反射部材３８Ｄは、第２平坦化層３７と第２平坦化層３７との間を充填している。光反射部材３８Ｄは、順テーパー状（光入射面側から光出射面側に向かって広がっている形状）である。光反射部材３８Ｄの軸線を含む仮想平面（垂直仮想平面）で光反射部材３８Ｄを切断したときの順テーパー状の斜面の断面は、曲線から構成されていてもよいし、図２６に示すように線分から構成されていてもよい。
　実施例６は、実施例１～実施例５の変形である。実施例６にあっては、発光領域の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部（カラーフィルタ層ＣＦ）の中心を通る法線ＬＮ”との関係、及び、その変形例を説明する。ここで、各種の法線は、表示装置の光出射面に対する垂直線である。
　実施例６の表示装置における、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）Ｄ0の概念図を図２８に示す。また、実施例６の表示装置における発光素子と基準点との位置関係を示す模式図を図２９Ａ及び図２９Ｂ、並びに、図３０Ａ及び図３０Ｂに示し、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に、図３１Ａ、図３１Ｂ、図３１Ｃ及び図３１Ｄ、図３２Ａ、図３２Ｂ、図３２Ｃ及び図３２Ｄ、図３３Ａ、図３３Ｂ、図３３Ｃ及び図３３Ｄ、並びに、図３４Ａ、図３４Ｂ、図３４Ｃ及び図３４Ｄに示す。
　具体的には、法線ＬＮと法線ＬＮ’と法線ＬＮ”との関係として、以下を挙げることができる。即ち、発光領域３０の中心を通る法線と光路制御手段の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）Ｄ0の値が０である発光素子において、
［Ａ］ＬＮとＬＮ’とＬＮ”とは一致している形態
を挙げることができる。また、オフセット量Ｄ0の値が０でない発光素子において、
［Ｂ］ＬＮとＬＮ’とは一致しているが、ＬＮ”とは一致していない形態
［Ｃ］ＬＮとＬＮ”とは一致しているが、ＬＮ’とは一致していない形態
［Ｄ］ＬＮ’とＬＮ”とは一致しているが、ＬＮとは一致していない形態
［Ｅ］ＬＮとＬＮ’とＬＮ”とは一致していない形態
を挙げることができる。これらの形態を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。
　図２８に概念図を示すように、実施例６の表示装置においては、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）をＤ0としたとき、表示装置を構成する発光素子１０の少なくとも一部において、距離（オフセット量）Ｄ0の値は０でない形態とすることができる。直線ＬＬは、発光領域３０の中心と光路制御手段の中心とを結ぶ直線である。また、以下においては、光路制御手段をレンズ部材３８Ａから構成する例を挙げて説明する。
　そして、実施例６の表示装置を構成する表示パネル（画像を表示する領域）にあっては、基準点（基準領域）Ｐが想定されており、オフセット量Ｄ0は、基準点（基準領域）Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に依存する。１画素を構成する複数の発光素子（副画素）において、距離Ｄ0を変えてもよい。即ち、例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、Ｄ0の値は、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。尚、基準点（基準領域）は或る程度の広がりを含み得る。
　そして、基準点Ｐは表示装置を構成する表示パネル内に想定されている構成とすることができ、この場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置していない構成とすることができるし、あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置している構成とすることができるし、更には、これらの場合、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし、あるいは又、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることができる。そして、これらの場合、一部の発光素子において距離Ｄ0の値は０であり（例えば、図２２参照）、残りの発光素子において距離Ｄ0の値は０でない構成とすることができる。
　あるいは又、基準点Ｐが１つ想定されている場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない構成とすることができるし、あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に含まれる構成とすることができる。また、基準点Ｐが複数想定されている場合、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない構成とすることができる。
　あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの外側（外部）に想定されている構成とすることができ、この場合、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし、あるいは又、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることができる。そして、これらの場合、全ての発光素子において距離Ｄ0の値は０でない構成とすることができる。
　更には、各発光素子から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に集束する（集光される）形態とすることができるし、あるいは又、各発光素子から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する形態とすることができるし、あるいは又、各発光素子から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、平行光である形態とすることができる。
　更には、実施例６の表示装置にあっては、発光素子が表示パネルを占める位置に応じて距離（オフセット量）Ｄ0の値が異なる形態とすることができる。具体的には、
　基準点Ｐが設定されており、
　複数の発光素子は、第１の方向及び第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
　基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1とし、距離Ｄ0の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ0-X，Ｄ0-Yとし、距離Ｄ1の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ1-X，Ｄ1-Yとしたとき、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化する形態とすることができる。
　あるいは又、距離Ｄ1の値が増加するに従い、距離Ｄ0の値が増加する形態とすることができる。即ち、実施例６の表示装置において、
　基準点Ｐが設定されており、
　基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1としたとき、距離Ｄ1の値が増加するに従い、距離Ｄ0の値が増加する形態とすることができる。
　ここで、Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するとは、
Ｄ0-X＝ｋX・Ｄ1-X
Ｄ0-Y＝ｋY・Ｄ1-Y
が成立することを意味する。但し、ｋX，ｋYは定数である。即ち、Ｄ0-X，Ｄ0-Yは、１次関数に基づき変化する。一方、Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するとは、
Ｄ0-X＝ｆX（Ｄ1-X）
Ｄ0-Y＝ｆY（Ｄ1-Y）
が成立することを意味する。ここで、ｆX，ｆYは、１次関数ではない関数（例えば、２次関数）である。
　あるいは又、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を、階段状の変化とすることもできる。そして、この場合、階段状の変化を全体として眺めたとき、変化が線形に変化する形態とすることもできるし、変化が非線形に変化する形態とすることもできる。更には、表示パネルをＭ×Ｎの領域に区分したとき、１つの領域内では、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を、不変としてもよいし、一定の変化としてもよい。１つの領域内の発光素子の数として、限定するものではないが、１０×１０を挙げることができる。
　更には、実施例６の表示装置において、レンズ部材の正射影像は、波長選択部の正射影像と一致し、又は、波長選択部の正射影像に含まれる形態とすることができる。後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。
　実施例６の表示装置の模式的な一部断面図を図２７に示す。
　実施例６にあっては、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮとレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）をＤ0としたとき、表示装置を構成する表示パネルに備えられた発光素子１０の少なくとも一部において、距離（オフセット量）Ｄ0の値は０でない。表示装置にあっては、基準点（基準領域）が想定されており、距離Ｄ0は基準点（基準領域）から発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に依存する。
　図２９Ａ、図２９Ｂに概念図を示す実施例６の表示装置において、基準点Ｐは表示パネル内に想定されている。但し、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置していない（含まれない）。即ち、基準点Ｐの正射影像は、表示装置の画像表示領域（表示パネル）に含まれるが、基準点Ｐは表示装置（表示装置の表示領域、表示パネル）の中心領域に位置していない。図２９Ａ、図２９Ｂ、図３０Ａ、図３０Ｂにおいては、表示パネルの中心領域を黒三角印で示し、発光素子１０を四角印で示し、発光領域３０の中心を黒四角印で示し、基準点Ｐを黒丸で示す。そして、発光素子１０と基準点Ｐとの位置関係を模式的に図２９Ａに示すが、１つの基準点Ｐが想定されている。基準点Ｐは或る程度の広がりを含み得るので、一部の発光素子１０（具体的には、基準点Ｐの正射影像に含まれる１又は複数の発光素子１０）において距離Ｄ0の値は０であり、残りの発光素子１０において距離Ｄ0の値は０でない。発光素子が表示パネルに占める位置に応じて距離（オフセット量）Ｄ0の値は異なる。
　実施例６の表示装置において、各発光素子１０から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に集束する（集光される）。あるいは又、各発光素子１０から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する。あるいは又、各発光素子１０から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、平行光である。レンズ部材３８Ａを通過した光を、集束光とするか、発散光とするか、平行光とするかは、表示装置に要求される仕様に依るし、表示装置にどの程度の視野角依存性、広視野角特性が要求されるかにも依存する。そして、この仕様に基づき、レンズ部材３８Ａのパワー等を設計すればよい。レンズ部材３８Ａを通過した光が集束光である場合、表示装置から出射された画像が形成される空間の位置は、基準点Ｐの法線上にある場合もあるし、無い場合もあり、表示装置に要求される仕様に依存する。表示装置から出射された画像の表示寸法、表示位置等を制御するために表示装置から出射された画像が通過する光学系を配置してもよい。如何なる光学系を配置するかも表示装置に要求される仕様に依存するが、例えば、結像レンズ系を例示することができる。
　また、実施例６の表示装置において、基準点Ｐが設定されており、複数の発光素子１０は、第１の方向及び第１の方向とは異なる第２の方向に配列されている。そして、基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1とし、距離Ｄ0の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ0-X，Ｄ0-Yとし、距離Ｄ1の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ1-X，Ｄ1-Yとしたとき、
［Ａ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｂ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｃ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｄ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化するように設計してもよい。
　図３１Ａ、図３１Ｂ、図３１Ｃ、図３１Ｄ、図３２Ａ、図３２Ｂ、図３２Ｃ、図３２Ｄ、図３３Ａ、図３３Ｂ、図３３Ｃ、図３３Ｄ、図３４Ａ、図３４Ｂ、図３４Ｃ及び図３４Ｄに、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す。これらの図において、白抜きの矢印は線形の変化を示し、黒矢印は非線形の変化を示す。また、矢印が表示パネルの外側に向かっている場合、レンズ部材３８Ａを通過した光が発散光であることを示し、矢印が表示パネルの内部に向かっている場合、レンズ部材３８Ａを通過した光が集束光あるいは平行光であることを示す。
　あるいは又、基準点Ｐが設定されており、基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1としたとき、距離Ｄ1の値が増加するに従い、距離Ｄ0の値が増加するように設計してもよい。
　即ち、Ｄ1-X，Ｄ1-Yの変化に依存したＤ0-X，Ｄ0-Yの変化は、表示装置に要求される仕様に基づき決定すればよい。
　実施例６の表示装置において、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることもできる。尚、複数の基準点Ｐは、表示パネルの表示領域内に配置されている。発光素子１０と基準点Ｐ1，Ｐ2との位置関係を模式的に図２９Ｂに示すが、図示した例では、２つの基準点Ｐ1，Ｐ2が想定されている。具体的には、表示パネルの中心を対称点として、２つの基準点Ｐ1，Ｐ2は２回・回転対称に配置されている。ここで、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない。図示した例では、２つの基準点Ｐ1，Ｐ2は、表示パネルの中心領域には含まれない。一部の発光素子（具体的には、基準点Ｐに含まれる１又は複数の発光素子）において距離Ｄ0の値は０であり、残りの発光素子において距離Ｄ0の値は０でない。基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に関しては、或る発光領域３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ1とする。
　実施例６の変形例の表示装置において、基準点Ｐは表示パネルの外側に想定されている。発光素子１０と基準点Ｐ，Ｐ1，Ｐ2との位置関係を模式的に図３０Ａ及び図３０Ｂに示すが、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし（図３０Ａ参照）、あるいは又、複数の基準点Ｐ（図３０Ｂには２つの基準点Ｐ1，Ｐ2を示す）が想定されている構成とすることもできる。表示パネルの中心を対称点として、２つの基準点Ｐ1，Ｐ2は２回・回転対称に配置されている。ここで、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない。図示した例では、２つの基準点Ｐ1，Ｐ2は、表示パネルの中心領域には含まれない。一部の発光素子（具体的には、基準点Ｐに含まれる１又は複数の発光素子）において距離Ｄ0の値は０であり、残りの発光素子において距離Ｄ0の値は０でない。基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に関しては、或る発光領域３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ1とする。あるいは又、全ての発光素子において距離Ｄ0の値は０でない。基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に関しては、或る発光領域３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ1とする。基準点Ｐから発光領域３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に関しては、或る発光領域３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ1とする。そして、これらの場合、各発光素子１０から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に集束する（集光される）。あるいは又、各発光素子１０から出射され、レンズ部材３８Ａを通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する。
　概念図を図３５Ａに示すように、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合がある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＝０である（例えば、図１や図２２等を参照）。尚、ｄ0は、前述したとおり、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との間の距離（オフセット量）である。
　また、図２７に示した例では、概念図を図３５Ｂに示すように、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致しているが、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致していない。即ち、Ｄ0≠ｄ0＝０である。
　更には、概念図を図３５Ｃに示すように、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＞０である。
　また、概念図を図３６に示すように、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、レンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’は、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない場合もある。ここで、発光領域３０の中心とレンズ部材３８Ａの中心（図３６において黒丸で示す）とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心（図３６において黒四角で示す）が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光領域３０の中心から波長選択部の中心までの距離をＬＬ1、厚さ方向の波長選択部の中心からレンズ部材３８Ａの中心までの距離をＬＬ2としたとき、
Ｄ0＞ｄ0＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
ｄ0：Ｄ0＝ＬＬ1：（ＬＬ1＋ＬＬ2）
を満足することが好ましい。
　あるいは又、概念図を図３７Ａに示すように、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＝０である。
　また、概念図を図３７Ｂに示すように、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＞０である。
　更には、概念図を図３８に示すように、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、レンズ部材３８Ａの中心を通る法線ＬＮ’は、発光領域３０の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない場合もある。ここで、発光領域３０の中心とレンズ部材３８Ａの中心とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光領域３０の中心から波長選択部の中心（図３８において黒四角で示す）までの距離をＬＬ1、厚さ方向の波長選択部の中心からレンズ部材３８Ａの中心（図３８において黒丸で示す）までの距離をＬＬ2としたとき、ｄ0＞Ｄ0＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
Ｄ0：ｄ0＝ＬＬ2：（ＬＬ1＋ＬＬ2）
を満足することが好ましい。
　実施例６の表示装置にあっては、発光領域の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離をＤ0としたとき、表示装置を構成する発光素子の少なくとも一部において、距離Ｄ0の値は０でないので、表示装置における発光素子の位置に依存して、発光層から出射され、光路制御手段を経由した光の進む方向を、確実に、且つ、的確に制御することができる。即ち、外部の空間のどの領域に向けて表示装置からの画像をどのような状態で出射するかを、確実に、且つ、的確に制御することができる。また、光路制御手段を設けることで、表示装置から出射される画像の明るさ（輝度）の増加、隣接画素間の混色防止を図ることができるだけでなく、必要とされる視野角に応じて光を、適宜、発散させることができるし、発光素子、表示装置の長寿命化、高輝度化が実現可能である。従って、表示装置の小型、軽量化、高品位化を図ることが可能である。また、アイウエア、ＡＲ（拡張現実，Augmented　Reality）グラス、ＥＶＲへの用途が格段に広がる。
　以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した表示装置（有機ＥＬ表示装置）、発光素子（有機ＥＬ素子）の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができるし、発光素子や表示装置の製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。実施例においては、駆動回路をＭＯＳＦＥＴから構成したが、ＴＦＴから構成することもできる。第１電極や第２電極を、単層構造としてもよいし、多層構造としてもよい。実施例においては、３色の光を出射する表示装置を構成したが、４色あるいはそれ以上の光を出射する表示装置とすることもできるし、２色の光を出射する表示装置とすることもできる。
　実施例においては、レンズ部材の平面形状を円形とすることもできるが、これに限定するものではなく、図３９Ａ及び図３９Ｂに示すように、レンズ部材３８Ｅを切頭四角錐とすることもできる。尚、図３９Ａは、切頭四角錐の形状を有するレンズ部材の模式的な平面図であり、図３９Ｂは、模式的な斜視図である。
　或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光部を形成してもよい。このように遮光部を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。また、色純度を向上させるため各画素に対してカラーフィルタ層を配置しているが、発光素子の構成に依っては、カラーフィルタ層の薄膜化若しくはカラーフィルタ層の省略が可能となり、カラーフィルタ層で吸収されていた光を取り出すことが可能となり、結果として発光効率の向上につながる。あるいは又、光吸収層（ブラックマトリクス層）に遮光性を付与してもよい。
　図４０に示すように、実施例１における表示装置において、波長選択部と波長選択部との間に、光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭ’が形成されていてもよいし、図４１に示すように、波長選択部と波長選択部との間の上方に光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭ’が形成されていてもよい。光吸収層は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成る。
　本開示の表示装置をレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラに適用することができる。デジタルスチルカメラの正面図を図４２Ａに示し、背面図を図４２Ｂに示す。このレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ装置２１４が設けられている。モニタ装置２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このような構成のレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。
　発光素子１０を構成する有機層３３において紫外光を生成させてもよい。この場合、本開示の表示装置における第１発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、紫外光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された紫外光（波長：λ0）を波長λ1（但し、λ1＞λ0）を有する第１の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された紫外光を第１の光に変換する第２－Ａ波長変換層、
を備えており、
　第２発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、紫外光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された紫外光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された紫外光を第２の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
を備えており、
　第３発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、紫外光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された紫外光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｃ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された紫外光を第３の光に変換する第２－Ｃ波長変換層、
を備えている。そして、これらの第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子の構成、構造は、基本的に、実施例１における発光素子、第１発光素子、第２発光素子の構成、構造と同様とすればよい。
　紫外線によって励起され、青色光を出射する波長変換材料として、具体的には、青色発光蛍光体粒子、より具体的には、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ、ＣａＷＯ4、ＣａＷＯ4：Ｐｂを挙げることができる。
　また、紫外線によって励起され、緑色光を出射する波長変換材料として、具体的には、緑色発光蛍光体粒子、より具体的には、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ，Ｔｂ、ＭｇＡｌ11Ｏ19：ＣＥ，Ｔｂ，Ｍｎ、Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z：Ｅｕを挙げることができる。
　更には、紫外線によって励起され、赤色光を出射する波長変換材料として、具体的には、赤色発光蛍光体粒子、より具体的には、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ、ＹＶＯ4：Ｅｕ、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ2・Ｇｅ2：Ｍｎ、ＣａＳｉＯ3：Ｐｂ，Ｍｎ、Ｍｇ6ＡｓＯ11：Ｍｎ、（Ｓｒ，Ｍｇ）3（ＰＯ4）3：Ｓｎ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕを挙げることができる。
　更には、青色光によって励起され、黄色光を出射する波長変換材料として、具体的には、黄色発光蛍光体粒子、より具体的には、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体粒子を挙げることができる。
　波長変換材料を２種類以上を混合して用いることで、黄色、緑色、赤色以外の色の出射光が波長変換材料混合品から出射される構成とすることもできる。具体的には、例えば、シアン色を発光する構成としてもよく、この場合には、緑色発光蛍光体粒子（例えば、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ，Ｔｂ、ＭｇＡｌ11Ｏ19：ＣＥ，Ｔｂ，Ｍｎ）と青色発光蛍光体粒子（例えば、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ、ＣａＷＯ4、ＣａＷＯ4：Ｐｂ）とを混合したものを用いればよい。
　更には、紫外線によって励起され、黄色光を出射する波長変換材料として、具体的には、黄色発光蛍光体粒子、より具体的には、ＹＡＧ系蛍光体粒子を挙げることができる。尚、波長変換材料は、１種類であってもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。更には、波長変換材料を２種類以上を混合して用いることで、黄色、緑色、赤色以外の色の出射光が波長変換材料混合品から出射される構成とすることもできる。具体的には、シアン色を発光する構成としてもよく、この場合には、上記の緑色発光蛍光体粒子と青色発光蛍光体粒子を混合したものを用いればよい。
　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子・・・第１の態様》
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成された有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された光を長波長側の光に変換する第１波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された光を長波長側の光に変換する第２波長変換層、
を備えている発光素子。
［Ａ０２］発光領域は、発光領域中央部、及び、発光領域中央部を囲む発光領域外周部から構成されており、
　第１波長変換層は、発光領域外周部を構成する基体の部分の上方まで延在している［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０３］第１波長変換層と第２波長変換層とは同じ材料から構成されている［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の発光素子。
［Ａ０４］少なくとも第２波長変換層からの光が通過する波長選択部を更に備えている［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０５］第１電極の第１部分及び第１電極の第２部分は同じ材料から構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０６］第１電極の第１部分と第１電極の第２部分とは異なる材料から構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０７］第１波長変換層は、透明な絶縁材料層で被覆されている［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０８］第１波長変換層を構成する材料の屈折率の値は、絶縁材料層を構成する材料の屈折率の値よりも高い［Ａ０７］に記載の発光素子。
［Ａ０９］突出部は、順テーパー状である［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１０］突出部の側面は、基体に対して垂直である［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０１］《発光素子・・・第２の態様》
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、波長λ1を有する第１の光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間であって、第１－Ａ波長変換層が形成された領域とは異なる領域に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、
を備えている発光素子。
［Ｂ０２］第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層、及び、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
を更に備えている［Ｂ０１］に記載の発光素子。
［Ｂ０３］発光領域は、発光領域中央部、及び、発光領域中央部を囲む発光領域外周部から構成されており、
　第１波長変換層は、発光領域外周部を構成する基体の部分の上方まで延在している［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｂ０４］第１電極の第１部分及び第１電極の第２部分は同じ材料から構成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０５］第１電極の第１部分と第１電極の第２部分とは異なる材料から構成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０６］第１－Ａ波長変換層及び第１－Ｂ波長変換層は、透明な絶縁材料層で被覆されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０７］第１波長変換層を構成する材料の屈折率の値は、絶縁材料層を構成する材料の屈折率の値よりも高い［Ｂ０６］に記載の発光素子。
［Ｂ０８］第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層、及び、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
を更に備えている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０９］第１－Ａ波長変換層と第２－Ａ波長変換層とは同じ材料から構成されており、第１－Ｂ波長変換層と第２－Ｂ波長変換層とは同じ材料から構成されている［Ｂ０８］に記載の発光素子。
［Ｂ１０］白色光を外部に出射する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０９］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１１］突出部は、順テーパー状である［Ｂ０１］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１２］突出部の側面は、基体に対して垂直である［Ｂ０１］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０１］《表示装置》
　第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を備えた発光素子ユニットが複数配列されて成る表示装置であって、
　第１発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上に形成され、波長λ1を有する第１の光を出射する有機層、並びに、
　有機層上に形成された第２電極、
を備えており、
　第２発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層、
を備えており、
　第３発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
を備えている表示装置。
［Ｃ０２］《表示装置》
　第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を備えた発光素子ユニットが複数配列されて成る表示装置であって、
　第１発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、紫外光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された紫外光（波長：λ0）を波長λ1（但し、λ1＞λ0）を有する第１の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された紫外光を第１の光に変換する第２－Ａ波長変換層、
を備えており、
　第２発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、紫外光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された紫外光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された紫外光を第２の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
を備えており、
　第３発光素子は、
　発光領域を取り囲む突出部、
　発光領域を構成する基体２６の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
　第１電極上及び上方に形成され、紫外光を出射する有機層、
　有機層上に形成された第２電極、
　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された紫外光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｃ波長変換層、並びに、
　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された紫外光を第３の光に変換する第２－Ｃ波長変換層、
を備えている表示装置。
１０，１０1，１０2，１０3，１０4・・・発光素子、２０・・・トランジスタ、２１・・・ゲート電極、２２・・・ゲート絶縁層、２３・・・チャネル形成領域、２４・・・ソース／ドレイン領域、２５・・・素子分離領域、２６・・・基体（層間絶縁層）、２６Ａ・・・下層層間絶縁層、２６Ｂ・・・上層層間絶縁層、２７Ａ，２７Ｂ・・・コンタクトプラグ、２７Ｃ・・・パッド部、２８，２８Ａ・・・突出部、２８ａ・突起部に設けられた開口部、２８Ｂ・・・突出部の側面、２８’・・・絶縁層、３０，３０1，３０2，３０3・・・発光領域、３０Ａ・・・発光領域中央部、３０Ｂ・・・発光領域外周部、３１・・・第１電極、３１Ａ・・・第１電極の第１部分、３１Ｂ・・・第１電極の第２部分、３２・・・第２電極、３３・・・有機層、３４・・・保護層、３５・・・平坦化層、３６・・・封止樹脂層、３７・・・第２平坦化層、３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｅ・・・光路制御手段（レンズ部材）、３８Ｃ・・・光路制御手段（光出射方向制御部材）、３８Ｄ・・・光路制御手段（光反射部材）、４１，４１1，４１2，４４1，４４2・・・第１波長変換層（第１－Ａ波長変換層、第１－Ｂ波長変換層）、４２，４２1，４２2，４５1，４５2・・・第２波長変換層（第２－Ａ波長変換層、第２-Ｂ波長変換層）、４３・・・絶縁材料層、５１・・・第１基板、５２・・・第２基板、５２Ａ・・・第２基板の第１面、６１・・・光反射層、６２・・・層間絶縁材料層、ＣＦ1，ＣＦ2，ＣＦ3・・・波長選択部（カラーフィルタ層）、ＣＦ4・・・透明なフィルタ層、ＬＮ・・・発光領域の中心を通る法線、ＬＮ’・・・光路制御手段（レンズ部材）の中心を通る法線、ＬＮ”・・・波長選択部の中心を通る法線、ＢＭ，ＢＭ’・・・光吸収層（ブラックマトリクス層）、Ｐ，Ｐ1，Ｐ2・・・基準点

Claims (16)

  1. 　発光領域を取り囲む突出部、
    　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
    　第１電極上及び上方に形成された有機層、
    　有機層上に形成された第２電極、
    　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された光を長波長側の光に変換する第１波長変換層、並びに、
    　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された光を長波長側の光に変換する第２波長変換層、
    を備えている発光素子。
  2. 　発光領域は、発光領域中央部、及び、発光領域中央部を囲む発光領域外周部から構成されており、
    　第１波長変換層は、発光領域外周部を構成する基体の部分の上方まで延在している請求項１に記載の発光素子。
  3. 　第１波長変換層と第２波長変換層とは同じ材料から構成されている請求項１に記載の発光素子。
  4. 　少なくとも第２波長変換層からの光が通過する波長選択部を更に備えている請求項１に記載の発光素子。
  5. 　第１電極の第１部分及び第１電極の第２部分は同じ材料から構成されている請求項１に記載の発光素子。
  6. 　第１電極の第１部分と第１電極の第２部分とは異なる材料から構成されている請求項１に記載の発光素子。
  7. 　第１波長変換層は、透明な絶縁材料層で被覆されている請求項１に記載の発光素子。
  8. 　第１波長変換層を構成する材料の屈折率の値は、絶縁材料層を構成する材料の屈折率の値よりも高い請求項７に記載の発光素子。
  9. 　突出部は、順テーパー状である請求項１に記載の発光素子。
  10. 　突出部の側面は、基体に対して垂直である請求項１に記載の発光素子。
  11. 　発光領域を取り囲む突出部、
    　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
    　第１電極上及び上方に形成され、波長λ1を有する第１の光を出射する有機層、
    　有機層上に形成された第２電極、
    　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
    　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間であって、第１－Ａ波長変換層が形成された領域とは異なる領域に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、
    を備えている発光素子。
  12. 　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層、及び、
    　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
    を更に備えている請求項１１に記載の発光素子。
  13. 　白色光を外部に出射する請求項１１に記載の発光素子。
  14. 　突出部は、順テーパー状である請求項１１に記載の発光素子。
  15. 　突出部の側面は、基体に対して垂直である請求項１１に記載の発光素子。
  16. 　第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を備えた発光素子ユニットが複数配列されて成る表示装置であって、
    　第１発光素子は、
    　発光領域を取り囲む突出部、
    　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
    　第１電極上に形成され、波長λ1を有する第１の光を出射する有機層、並びに、
    　有機層上に形成された第２電極、
    を備えており、
    　第２発光素子は、
    　発光領域を取り囲む突出部、
    　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
    　第１電極上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層、
    　有機層上に形成された第２電極、
    　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ2（但し、λ2＞λ1）を有する第２の光に変換する第１－Ａ波長変換層、並びに、
    　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第２の光に変換する第２－Ａ波長変換層、
    を備えており、
    　第３発光素子は、
    　発光領域を取り囲む突出部、
    　発光領域を構成する基体の部分の上に形成された第１部分、及び、第１部分から延在し、突出部の上に形成された第２部分から構成された第１電極、
    　第１電極上及び上方に形成され、第１の光を出射する有機層、
    　有機層上に形成された第２電極、
    　第１電極の第２部分と突出部の上方に形成された有機層の部分との間に形成され、有機層から出射された第１の光を波長λ3（但し、λ3＞λ2）を有する第３の光に変換する第１－Ｂ波長変換層、並びに、
    　第２電極の上又は上方に形成され、有機層から出射された第１の光を第３の光に変換する第２－Ｂ波長変換層、
    を備えている表示装置。
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