WO2022019062A1 - 炭化珪素エピタキシャル基板 - Google Patents

炭化珪素エピタキシャル基板 Download PDF

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protrusion
carbide epitaxial
less
substrate
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貴也 宮瀬
太郎 西口
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3408—Silicon carbide

Definitions

  • Patent Document 1 describes a method for forming a silicon carbide epitaxial film using CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • the silicon carbide epitaxial substrate according to the present disclosure includes a silicon carbide substrate, a silicon carbide epitaxial layer, and a back surface.
  • the silicon carbide epitaxial layer is on a silicon carbide substrate.
  • the back surface is opposite to the silicon carbide epitaxial layer with respect to the silicon carbide substrate.
  • the back surface includes a central region having a radius of 2/3 of the radius of the back surface and surrounded by a circle centered on the center of the back surface, and an outer peripheral region surrounding the central region.
  • the surface density of the first protrusion in the central region is Xa
  • the surface density of the second protrusion in the central region is Xb
  • the surface density of the third protrusion in the central region is Xc
  • the surface density of the third protrusion in the central region is Xc.
  • the area of each of the first protrusion and the fourth protrusion is less than 100 [mu] m 2 or more 1000 .mu.m 2
  • the area of each of the second protrusion and the fifth protruding portion is less than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2
  • the The area of each of the 3 protrusions and the 6th protrusion is 5000 ⁇ m 2 or more.
  • the diameter of the back surface is 100 mm or more
  • the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) is 0.3 or more and 0.5 or less
  • Xc is 10.0 pieces / cm 2 or less
  • Yc is 12.0 pieces. It is / cm 2 or less.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the silicon carbide epitaxial substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II-II of FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic view of region III of FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged schematic view of region IV of FIG.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of region IV of FIG.
  • FIG. 6 is an enlarged schematic view of the region VI of FIG.
  • FIG. 7 is an enlarged schematic view of the region VII of FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged schematic view of the region VIII of FIG.
  • FIG. 9 is an enlarged schematic view of the region IX of FIG.
  • FIG. 10 is an enlarged schematic view of the region X of FIG. FIG.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of the region X of FIG.
  • FIG. 12 is an enlarged schematic view of the region XII of FIG.
  • FIG. 13 is an enlarged schematic view of the region XIII of FIG.
  • FIG. 14 is an enlarged schematic view of the region XIV of FIG.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a susceptor used in the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing the configuration of a susceptor used in the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the silicon carbide substrate is placed on the susceptor.
  • An object of the present disclosure is to provide a silicon carbide epitaxial substrate capable of suppressing adsorption defects.
  • defects of this disclosure According to the present disclosure, it is possible to provide a silicon carbide epitaxial substrate capable of suppressing adsorption defects.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 includes a silicon carbide substrate 10, a silicon carbide epitaxial layer 20, and a back surface 30.
  • the silicon carbide epitaxial layer 20 is on the silicon carbide substrate 10.
  • the back surface 30 is opposite to the silicon carbide epitaxial layer 20 with respect to the silicon carbide substrate 10.
  • the back surface 30 includes a central region 32 having a radius of 2/3 of the radius of the back surface 30 and surrounded by a circle centered on the center 16 of the back surface 30, and an outer peripheral region 31 surrounding the central region 32.
  • the surface density of the first protrusion 1 in the central region 32 is Xa
  • the surface density of the second protrusion 2 in the central region 32 is Xb
  • the surface density of the third protrusion 3 in the central region 32 is Xc.
  • the surface density of the fourth protrusion 4 in the outer peripheral region 31 is Ya
  • the surface density of the fifth protrusion 5 in the outer peripheral region 31 is Yb
  • the surface density of the sixth protrusion 6 in the outer peripheral region 31 is Yc.
  • the area of each of the first protruding portion 1 and the fourth protruding portion 4 is less than 100 [mu] m 2 or more 1000 .mu.m 2
  • second protruding portions 2 and the fifth protruding portion each area of 5 is less than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2
  • each of the area of the third protrusions 3 and the sixth protrusion 6 is 5000 .mu.m 2 or more.
  • the diameter of the back surface 30 is 100 mm or more, the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) is 0.3 or more and 0.5 or less, Xc is 10.0 pieces / cm 2 or less, and Yc is 12.0. Pieces / cm 2 or less.
  • the area of each of the first protrusion 1 and the fourth protrusion 4 is 100 ⁇ m 2 or more and less than 1000 ⁇ m 2. It means that the area of each of the plurality of first protrusions 1 is 100 ⁇ m 2 or more and less than 1000 ⁇ m 2 , and the area of each of the plurality of fourth protrusions 4 is 100 ⁇ m 2 or more and less than 1000 ⁇ m 2.
  • the area of each of the second protrusions 2 and the fifth protruding portion 5 is less than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2 is means that area of the plurality of second respective projections 2 is less than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2, and the area of each of the plurality of fifth projections 5 is smaller than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2.
  • the area of each of the third protrusion 3 and the sixth protrusion 6 is 5000 ⁇ m 2 or more. It means that the area of each of the third protrusions 3 is 5000 ⁇ m 2 or more, and the area of each of the plurality of sixth protrusions 6 is 5000 ⁇ m 2 or more.
  • Yb may be 30.0 pieces / cm 2 or less.
  • Xc may be 3.0 pieces / cm 2 or less.
  • Xb may be 20.0 pieces / cm 2 or less.
  • Yc may be 4.0 pieces / cm 2 or less.
  • the third protrusion 3 and the sixth protrusion 6 may contain polycrystalline silicon carbide.
  • the second protrusion 2 and the fifth protrusion 5 may contain polycrystalline silicon carbide.
  • the first protrusion 1 and the fourth protrusion 4 may contain polycrystalline silicon carbide.
  • the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) may be 0.4 or less.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II-II of FIG.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment includes a silicon carbide substrate 10, a first silicon carbide epitaxial layer 20, a second silicon carbide epitaxial layer 40, and an outer peripheral edge 15. And have.
  • the silicon carbide substrate 10 has a first main surface 17 and a second main surface 18.
  • the second main surface 18 is on the opposite side of the first main surface 17.
  • the first silicon carbide epitaxial layer 20 is on the silicon carbide substrate 10.
  • the first silicon carbide epitaxial layer 20 is in contact with the silicon carbide substrate 10 on the first main surface 17.
  • the first main surface 17 is a boundary surface between the silicon carbide substrate 10 and the first silicon carbide epitaxial layer 20.
  • the first silicon carbide epitaxial layer 20 constitutes the surface (third main surface 21) of the silicon carbide epitaxial substrate 100.
  • a silicon carbide semiconductor device (not shown) is manufactured using the silicon carbide epitaxial substrate 100, a drift region (not shown), a base region (not shown), and a source region (not shown) are placed on the third main surface 21.
  • a gate electrode (not shown) or a gate insulating film (not shown) is formed.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 is in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 has a back surface 30.
  • the back surface 30 is opposite to the silicon carbide epitaxial layer 20 with respect to the silicon carbide substrate 10.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 constitutes a part of the back surface 30 of the silicon carbide epitaxial substrate 100.
  • the silicon carbide substrate 10 is located between the first silicon carbide epitaxial layer 20 and the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the back surface 30 includes a central region 32, an outer peripheral region 31, and an edge region 33.
  • the central region 32 is a region surrounded by a circle having a radius of 2/3 of the radius R of the back surface 30 and a center 16 of the back surface 30.
  • the outer peripheral region 31 surrounds the central region 32.
  • the outer peripheral region 31 is a ring-shaped region when viewed in a direction perpendicular to the first main surface 17 (in other words, when viewed in the thickness direction of the silicon carbide substrate 10).
  • the radius of the outer circumference of the central region 32 (the boundary between the outer peripheral region 31 and the central region 32) is 2/3 of the radius R of the back surface 30.
  • the edge region 33 is a region within 3 mm from the outer peripheral edge 15 toward the center 16 of the back surface 30.
  • the outer peripheral region 31 is a region sandwiched between the central region 32 and the edge region 33.
  • the outer peripheral edge 15 has, for example, an orientation flat 13 and an arcuate portion 14.
  • the orientation flat 13 extends along the first direction 101. As shown in FIG. 1, the orientation flat 13 is linear when viewed in a direction perpendicular to the first main surface 17.
  • the arcuate portion 14 is connected to the orientation flat 13.
  • the arcuate portion 14 has an arcuate shape when viewed in a direction perpendicular to the first main surface 17.
  • the center 16 of the back surface 30 is located at the center of the circle including the arcuate portion 14 when viewed in a direction perpendicular to the first main surface 17.
  • the back surface 30 when viewed in a direction perpendicular to the first main surface 17, the back surface 30 extends along each of the first direction 101 and the second direction 102.
  • the first direction 101 is a direction perpendicular to the second direction 102.
  • the first direction 101 is, for example, the ⁇ 11-20> direction.
  • the first direction 101 may be, for example, the [11-20] direction.
  • the first direction 101 may be a direction in which the ⁇ 11-20> direction is projected onto the first main surface 17. From another point of view, the first direction 101 may be a direction including, for example, a ⁇ 11-20> direction component.
  • the second direction 102 is, for example, the ⁇ 1-100> direction.
  • the second direction 102 may be, for example, the [1-100] direction.
  • the second direction 102 may be, for example, a direction in which the ⁇ 1-100> direction is projected onto the first main surface 17. From another point of view, the second direction 102 may be a direction containing, for example, a ⁇ 1-100> direction component.
  • the first main surface 17 may be a ⁇ 0001 ⁇ surface or a surface inclined with respect to the ⁇ 0001 ⁇ surface.
  • the inclination angle (off angle) with respect to the ⁇ 0001 ⁇ surface is, for example, 2 ° or more and 6 ° or less.
  • the inclination direction (off direction) of the first main surface 17 is, for example, the ⁇ 11-20> direction.
  • the diameter (maximum diameter) of the back surface 30 is 100 mm (4 inches) or more.
  • the diameter of the back surface 30 may be 125 mm (5 inches) or more, or 150 mm (6 inches) or more.
  • the upper limit of the diameter of the back surface 30 is not particularly limited, but may be, for example, 200 mm (8 inches) or less.
  • the diameter (maximum diameter) of the back surface 30 is the longest linear distance between two different points on the outer peripheral edge 15.
  • the diameter of the back surface 30 may be the diameter of the outer peripheral edge 15 (that is, the arcuate portion 14) excluding the orientation flat 13.
  • 4 inches means 100 mm or 101.6 mm (4 inches x 25.4 mm / inch).
  • 5 inches means 125 mm or 127.0 mm (5 inches x 25.4 mm / inch).
  • 6 inches means 150 mm or 152.4 mm (6 inches x 25.4 mm / inch).
  • 8 inches means 200 mm or 203.2 mm (8 inches x 25.4 mm / inch).
  • the polytype of silicon carbide constituting the silicon carbide substrate 10 is, for example, 4H.
  • the polytype of silicon carbide constituting the first silicon carbide epitaxial layer 20 is, for example, 4H.
  • the polytype of silicon carbide constituting the second silicon carbide epitaxial layer 40 is, for example, 4H.
  • the thickness of the silicon carbide substrate 10 is, for example, 350 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the thickness of the first silicon carbide epitaxial layer 20 may be smaller than the thickness of the silicon carbide substrate 10.
  • the thickness of the second silicon carbide epitaxial layer 40 may be smaller than the thickness of the silicon carbide substrate 10.
  • the silicon carbide substrate 10 contains n-type impurities such as nitrogen (N).
  • the conductive type of the silicon carbide substrate 10 is, for example, n type.
  • the first silicon carbide epitaxial layer 20 contains n-type impurities such as nitrogen.
  • the conductive type of the first silicon carbide epitaxial layer 20 is, for example, n type.
  • the concentration of the n-type impurities contained in the first silicon carbide epitaxial layer 20 may be lower than the concentration of the n-type impurities contained in the silicon carbide substrate 10.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 contains n-type impurities such as nitrogen.
  • the conductive type of the second silicon carbide epitaxial layer 40 is, for example, n type.
  • the concentration of the n-type impurities contained in the second silicon carbide epitaxial layer 40 may be lower than the concentration of the n-type impurities contained in the silicon carbide substrate 10.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 includes, for example, a first protrusion 1, a second protrusion 2, a third protrusion 3, a fourth protrusion 4, and a fifth protrusion 5. And a sixth protrusion 6.
  • the first protrusion 1 is in the central region 32.
  • the second protrusion 2 is in the central region 32.
  • the third protrusion 3 is in the central region 32.
  • the fourth protrusion 4 is in the outer peripheral region 31.
  • the fifth protrusion 5 is in the outer peripheral region 31.
  • the sixth protrusion 6 is in the outer peripheral region 31.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic view of region III of FIG.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 has the first particle 7.
  • the first particle 7 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 may cover the first particles 7.
  • the first particle 7 may be sandwiched between the silicon carbide substrate 10 and the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the first particle 7 is, for example, a downfall.
  • the first particle 7 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the first particle 7 may contain carbon.
  • the height of the first particle 7 (first height H1) is, for example, 1 ⁇ m or more and less than 40 ⁇ m.
  • the first protrusion 1 may be composed of the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the first protrusion 1 may be formed on the surface of the second silicon carbide epitaxial layer 40 facing the first particles 7. Viewed in the thickness direction of the silicon carbide substrate 10, the area of the first protrusion 1 is less than 100 [mu] m 2 or more 1000 .mu.m 2.
  • the area of the first protrusion 1 is the area of each of the plurality of first protrusions 1.
  • the maximum width of the first protrusion 1 (first maximum width W1) is, for example, 11 ⁇ m or more and less than 36 ⁇ m.
  • the first protrusion 1 constitutes a part of the central region 32.
  • the maximum width of the protrusion is the longest straight line distance between two different points on the outer circumference of the protrusion when the protrusion is viewed in a direction perpendicular to the second main surface 18.
  • FIG. 4 is an enlarged schematic view of region IV of FIG.
  • the first protrusion 1 may have a first particle 7 and a first defect 71.
  • the first defect 71 is a defect that grows in the step flow direction according to epitaxial growth starting from the first particle 7.
  • the first defect 71 is continuous with the first particle 7.
  • the first defect 71 is, for example, a stacking defect.
  • the first defect 71 may be a triangular defect.
  • the first defect 71 may be exposed on the surface of the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of region IV of FIG.
  • the shape of the first defect 71 is, for example, a triangle when viewed in the thickness direction of the silicon carbide substrate 10.
  • one of the vertices of the triangle overlaps with the first particle 7.
  • the distance between the two sides of the triangle may increase as the distance from the first particle 7 increases.
  • the area of the first protrusion 1 is the first particle 7 and the first particle 7 from the total area of the circular first particle 7 and the triangular first defect 71. The value is obtained by subtracting the area of the overlapping portion with the defect 71.
  • FIG. 6 is an enlarged schematic view of the region VI of FIG.
  • the first protrusion 1 may be, for example, a downfall.
  • the first protrusion 1 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the first protrusion 1 may contain carbon.
  • the first protrusion 1 may be composed of the first particles 7.
  • the first protrusion 1 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 may surround a part of the side surface of the first protrusion 1.
  • FIG. 7 is an enlarged schematic view of the region VII of FIG.
  • the second protrusion 2 is, for example, a downfall.
  • the second protrusion 2 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the second protrusion 2 may contain carbon.
  • the second protrusion 2 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 may surround a part of the side surface of the second protrusion 2.
  • the height of the second protrusion 2 (second height H2) is, for example, 20 ⁇ m or more and less than 100 ⁇ m.
  • the second height H2 may be larger than the first height H1.
  • the second protrusion 2 is exposed from the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the side surface of the second protrusion 2 may be separated from the second silicon carbide epitaxial layer 40 or may be in contact with the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • an area of the second protrusions 2 is less than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2.
  • the area of the second protrusion 2 is the area of each of the plurality of second protrusions 2.
  • the maximum width of the second protrusion 2 (second maximum width W2) is, for example, 36 ⁇ m or more and less than 80 ⁇ m.
  • the second protrusion 2 constitutes a part of the central region 32.
  • the second maximum width W2 may be larger than the first maximum width W1.
  • FIG. 8 is an enlarged schematic view of the region VIII of FIG.
  • the third protrusion 3 is, for example, a downfall.
  • the third protrusion 3 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the third protrusion 3 may contain carbon.
  • the third protrusion 3 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 may surround a part of the side surface of the third protrusion 3.
  • the height of the third protrusion 3 (third height H3) is, for example, 60 ⁇ m or more.
  • the third height H3 may be larger than the second height H2.
  • the third protrusion 3 is exposed from the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the side surface of the third protrusion 3 may be separated from the second silicon carbide epitaxial layer 40 or may be in contact with the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the area of the third protrusion 3 is 5000 ⁇ m 2 or more when viewed in the thickness direction of the silicon carbide substrate 10.
  • the area of the third protrusion 3 is the area of each of the plurality of third protrusions 3.
  • the maximum width of the third protrusion 3 (third maximum width W3) is, for example, 80 ⁇ m or more.
  • the third protrusion 3 constitutes a part of the central region 32.
  • the third maximum width W3 may be larger than the second maximum width W2.
  • FIG. 9 is an enlarged schematic view of the region IX of FIG.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 has the second particle 8.
  • the second particle 8 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 covers the second particles 8.
  • the second particle 8 is sandwiched between the silicon carbide substrate 10 and the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the second particle 8 is, for example, a downfall.
  • the second particle 8 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the second particle 8 may contain carbon.
  • the height of the second particle 8 (fourth height H4) is, for example, 1 ⁇ m or more and less than 40 ⁇ m.
  • the fourth protrusion 4 may be composed of the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the fourth protrusion 4 may be formed on the surface of the second silicon carbide epitaxial layer 40 facing the second particle 8. Viewed in the thickness direction of the silicon carbide substrate 10, the area of the fourth protruding portion 4 is less than 100 [mu] m 2 or more 1000 .mu.m 2.
  • the area of the fourth protrusion 4 is the area of each of the plurality of fourth protrusions 4.
  • the maximum width of the fourth protrusion 4 (fourth maximum width W4) is, for example, 11 ⁇ m or more and less than 36 ⁇ m.
  • the fourth protrusion 4 constitutes a part of the outer peripheral region 31.
  • FIG. 10 is an enlarged schematic view of the region X in FIG.
  • the fourth protrusion 4 may have a second particle 8 and a second defect 72.
  • the second defect 72 is a defect that grows in the step flow direction according to epitaxial growth starting from the second particle 8.
  • the second defect 72 is continuous with the second particle 8.
  • the second defect 72 is, for example, a stacking defect.
  • the second defect 72 may be a triangular defect.
  • the second defect 72 may be exposed on the surface of the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of the region X in FIG.
  • the shape of the second defect 72 when viewed in the thickness direction of the silicon carbide substrate 10 is, for example, a triangle.
  • one of the vertices of the triangle overlaps with the second particle 8.
  • the distance between the two sides of the triangle may increase as the distance from the second particle 8 increases.
  • the area of the fourth protrusion 4 is the second particle 8 and the second particle 8 from the total area of the circular second particle 8 and the triangular second defect 72. It is a value obtained by subtracting the area of the overlapping portion with the defect 72.
  • FIG. 12 is an enlarged schematic view of the region XII of FIG.
  • the fourth protrusion 4 may be, for example, a downfall.
  • the fourth protrusion 4 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the fourth protrusion 4 may contain carbon.
  • the fourth protrusion 4 may be composed of the second particle 8.
  • the fourth protrusion 4 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 may surround a part of the side surface of the fourth protrusion 4.
  • FIG. 13 is an enlarged schematic view of the region XIII of FIG.
  • the fifth protrusion 5 is, for example, a downfall.
  • the fifth protrusion 5 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the fifth protrusion 5 may contain carbon.
  • the fifth protrusion 5 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 may surround a part of the side surface of the fifth protrusion 5.
  • the height of the fifth protrusion 5 (fifth height H5) is, for example, 20 ⁇ m or more and less than 100 ⁇ m.
  • the fifth height H5 may be larger than the fourth height H4.
  • the fifth protrusion 5 is exposed from the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the side surface of the fifth protrusion 5 may be separated from the second silicon carbide epitaxial layer 40 or may be in contact with the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the area of the fifth protrusion 5 is less than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2.
  • the area of the fifth protrusion 5 is the area of each of the plurality of fifth protrusions 5.
  • the maximum width of the fifth protrusion 5 (fifth maximum width W5) is, for example, 36 ⁇ m or more and less than 80 ⁇ m.
  • the fifth protrusion 5 constitutes a part of the outer peripheral region 31.
  • the fifth maximum width W5 may be larger than the fourth maximum width W4.
  • FIG. 14 is an enlarged schematic view of the region XIV of FIG.
  • the sixth protrusion 6 is, for example, a downfall.
  • the sixth protrusion 6 may contain a silicon carbide polycrystal.
  • the sixth protrusion 6 may contain carbon.
  • the sixth protrusion 6 may be in contact with the silicon carbide substrate 10 on the second main surface 18.
  • the second silicon carbide epitaxial layer 40 may surround a part of the side surface of the sixth protrusion 6.
  • the height of the sixth protrusion 6 (sixth height H6) is, for example, 60 ⁇ m or more.
  • the sixth height H6 may be larger than the fifth height H5.
  • the sixth protrusion 6 is exposed from the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the side surface of the sixth protrusion 6 may be separated from the second silicon carbide epitaxial layer 40 or may be in contact with the second silicon carbide epitaxial layer 40.
  • the area of the sixth protrusion 6 is 5000 ⁇ m 2 or more when viewed in the thickness direction of the silicon carbide substrate 10.
  • the area of the sixth protrusion 6 is the area of each of the plurality of sixth protrusions 6.
  • the maximum width of the sixth protrusion 6 (sixth maximum width W6) is, for example, 80 ⁇ m or more.
  • the sixth protrusion 6 constitutes a part of the outer peripheral region 31.
  • the sixth maximum width W6 may be larger than the fifth maximum width W5.
  • the surface density of the first protrusion 1 in the central region 32 is Xa
  • the surface density of the second protrusion 2 in the central region 32 is Xb
  • the central region The surface density of the third protrusion 3 in 32 is Xc
  • the surface density of the fourth protrusion 4 in the outer peripheral region 31 is Ya
  • the surface density of the fifth protrusion 5 in the outer peripheral region 31 is Yb.
  • the surface density of the sixth protrusion 6 in the region 31 is Yc
  • the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) is 0.3 or more and 0.5 or less
  • Xc is 10.0 pieces / cm 2 or less. Yes
  • Yc is 12.0 pieces / cm 2 or less.
  • Yb may be, for example, 30.0 pieces / cm 2 or less.
  • Yb may be, for example, 20.0 pieces / cm 2 or less, or 10.0 pieces / cm 2 or less.
  • the lower limit of Yb is not particularly limited , but may be, for example, 0.1 pieces / cm 2 or more, or 0.5 pieces / cm 2 or more.
  • Xc may be, for example, 3.0 pieces / cm 2 or less.
  • Xc may be, for example, 2.0 pieces / cm 2 or less, or 1.0 piece / cm 2 or less.
  • the lower limit of Xc is not particularly limited , but may be, for example, 0.01 pieces / cm 2 or more, or 0.05 pieces / cm 2 or more.
  • the number of Xb may be, for example, 20.0 pieces / cm 2 or less.
  • Xb may be, for example, 16.0 pieces / cm 2 or less, or 8.0 pieces / cm 2 or less.
  • the lower limit of Xb is not particularly limited , but may be, for example, 0.1 pieces / cm 2 or more, or 0.5 pieces / cm 2 or more.
  • Yc may be 4.0 pieces / cm 2 or less.
  • Yc may be, for example, 3.0 pieces / cm 2 or less, or 2.0 pieces / cm 2 or less.
  • the lower limit of Yc is not particularly limited , but may be, for example, 0.01 pieces / cm 2 or more, or 0.05 pieces / cm 2 or more.
  • the number of Xa may be, for example, 800.0 pieces / cm 2 or less, or 400.0 pieces / cm 2 or less.
  • the lower limit of Xa is not particularly limited , but may be, for example, 0.1 pieces / cm 2 or more, or 1 piece / cm 2 or more.
  • Ya may be, for example, 600.0 pieces / cm 2 or less, or 400.0 pieces / cm 2 or less.
  • the lower limit of Ya is not particularly limited , but may be, for example, 0.1 pieces / cm 2 or more, or 1 piece / cm 2 or more.
  • the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) may be 0.45 or less, or may be 0.4 or less.
  • the protrusion can be identified by observing the back surface 30 of the silicon carbide epitaxial substrate 100, for example, using a defect inspection device equipped with a confocal differential interference microscope.
  • a defect inspection device provided with a confocal differential interference microscope for example, a WASAVI series "SICA 6X” manufactured by Lasertec Co., Ltd. can be used.
  • the magnification of the objective lens is, for example, 10 times.
  • the protrusion is detected as a defect by SICA.
  • the area of the detected defect is the area of the protrusion. If there is a triangular defect connected to the protrusion, the area of the triangular defect is also included.
  • the measurement sensitivity of SICA is adjusted in advance so that the protrusion can be detected.
  • the protrusion is defined in consideration of the typical planar shape and dimensions of the protrusion.
  • the protrusions are identified based on the observed image. "Thresh S", which is an index of SICA's measurement sensitivity, is set to 40, for example.
  • a confocal differential interference contrast microscope image of the entire back surface 30 is taken.
  • the first protrusion 1, the second protrusion 2, the third protrusion 3, the fourth protrusion 4, the fifth protrusion 5, and the sixth protrusion 6 are observed. ..
  • the number of each of the first protrusion 1, the second protrusion 2, the third protrusion 3, the fourth protrusion 4, the fifth protrusion 5, and the sixth protrusion 6. Is required.
  • the value obtained by dividing the number of the first protrusion 1, the second protrusion 2, and the third protrusion 3 by the measured area in the central region 32 is the value obtained by dividing the number of the first protrusion 1, the second protrusion 2, and the third protrusion 3, respectively. It is the surface density of the part 3.
  • the value obtained by dividing the number of the fourth protrusion 4, the fifth protrusion 5, and the sixth protrusion 6 by the measured area in the outer peripheral region 31 is the value obtained by dividing the number of the fourth protrusion 4, the fifth protrusion 5, and the sixth protrusion 6, respectively. It is the surface density of the part 6.
  • the edge region 33 within 3 mm from the outer peripheral edge 15 is excluded from the measurement region of the protrusion (edge exclusion).
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a susceptor used in the method for manufacturing the silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing the configuration of a susceptor used in the method for manufacturing the silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment.
  • the material constituting the susceptor is, for example, silicon carbide.
  • the susceptor 50 is provided with a silicon carbide substrate accommodating portion 60.
  • the silicon carbide substrate accommodating portion 60 is composed of a side surface 62 and a bottom surface 61.
  • the side surface 62 is connected to the top surface 59 of the susceptor 50.
  • the bottom surface 61 is connected to the side surface 62.
  • a plurality of concentrically arranged recesses are formed on the bottom surface 61 of the silicon carbide substrate accommodating portion 60.
  • the plurality of recesses include a first recess 51, a second recess 52, a third recess 53, a fourth recess 54, a fifth recess 55, a sixth recess 56, and a seventh recess 57. And have.
  • the first recess 51 is formed so as to surround the central portion 58 of the bottom surface 61.
  • the second recess 52 is formed so as to surround the first recess 51.
  • the third recess 53 is formed so as to surround the second recess 52.
  • the fourth recess 54 is formed so as to surround the third recess 53.
  • the fifth recess 55 is formed so as to surround the fourth recess 54.
  • the sixth recess 56 is formed so as to surround the fifth recess 55.
  • the seventh recess 57 is formed so as to surround the sixth recess 56.
  • the angle ⁇ of the tip of the protrusion is, for example, 30 ° or more and 45 ° or less.
  • the height T of the protrusion is, for example, 100 ⁇ m or more.
  • the silicon carbide substrate 10 is prepared.
  • the sublimation method produces a polytype 4H silicon carbide single crystal.
  • the silicon carbide single crystal is sliced, for example, by a wire saw.
  • the silicon carbide substrate 10 contains n-type impurities such as nitrogen.
  • the conductive type of the silicon carbide substrate 10 is, for example, n type.
  • mechanical polishing, chemical mechanical polishing, and cleaning are performed on the silicon carbide substrate 10. From the above, the silicon carbide substrate 10 is prepared.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the silicon carbide substrate 10 is placed on the susceptor 50.
  • the susceptor 50 on which the silicon carbide substrate 10 is placed is installed in the CVD furnace.
  • Deposits such as crystal raw materials used in the previous epitaxial growth adhere to the inner wall of the CVD furnace.
  • the deposits are, for example, silicon carbide particles or carbon particles.
  • the inner wall of the CVD furnace is made of, for example, a carbon member.
  • the carbon member constituting the inner wall is bent.
  • the deposits adhering to the inner wall fall onto the susceptor 50.
  • the deposits that fall on the susceptor 50 are called downfalls. Downfalls are generally particulate.
  • the downfall is, for example, polycrystalline silicon carbide or carbon.
  • the diameter of the down fall is, for example, in the range of 0.1 ⁇ m or more and 1 mm or less.
  • the down fall falls on, for example, the top surface 59 of the down feather 50.
  • the down fall that has fallen on the top surface 59 of the susceptor 50 moves to the bottom surface 61 of the silicon carbide substrate accommodating portion 60 of the susceptor 50. If the bottom surface 61 of the susceptor 50 has a down fall, the down fall adheres to the back surface 30 of the silicon carbide substrate 10 when the silicon carbide substrate 10 is arranged on the bottom surface 61 of the silicon carbide substrate accommodating portion 60.
  • the downfall 9 having a large diameter enters the inside of the recesses. Since the silicon carbide substrate 10 is placed on the apex of the protrusion, it does not come into contact with the downfall 9 having a large diameter. Therefore, it is possible to prevent the downfall 9 from adhering to the back surface (second main surface 18) of the silicon carbide substrate 10. There may be a downfall with a small diameter at the apex of the protrusion. The downfall with a small diameter adheres to the back surface (second main surface 18) of the silicon carbide substrate 10.
  • the back surface (second main main) of the silicon carbide substrate 10 is adjusted.
  • the size of the downfall adhering to the surface 18), the surface density, and the like can be controlled.
  • the step of manufacturing the silicon carbide semiconductor device using the silicon carbide epitaxial substrate 100 usually includes an exposure step and an inspection step. During these steps, the back surface 30 of the silicon carbide epitaxial substrate 100 is adsorbed on the chuck.
  • a vacuum chuck, an electrostatic chuck and the like are generally used.
  • poor adsorption of the silicon carbide epitaxial substrate 100 to the chuck causes poor exposure.
  • the inventors obtained the following findings.
  • the inventor paid attention to the size of the protrusion existing on the back surface 30 of the silicon carbide epitaxial substrate 100 and the position of the protrusion.
  • six types of protrusions are focused on the area of the protrusions viewed in the direction perpendicular to the back surface 30 and the region of the back surface (central region or outer peripheral region) where the protrusions are present.
  • the surface density of the first protrusion 1 in the central region 32 is Xa
  • the surface density of the second protrusion 2 in the central region 32 is Xb
  • the central region is Xc
  • the surface density of the fourth protrusion 4 in the outer peripheral area 31 is Ya
  • the surface density of the fifth protrusion 5 in the outer peripheral area 31 is Yb.
  • the area of each of the first protruding portion 1 and the fourth protruding portion 4 is 100 [mu] m 2 or more 1000 .mu.m 2 less than a and the area of each of the second protrusion 2 and the fifth protruding portion 5 is less than 1000 .mu.m 2 or more 5000 .mu.m 2, and in a third each of the areas of the protrusions 3 and the sixth protrusion 6 5000 .mu.m 2 or more be.
  • the diameter of the back surface 30 is 100 mm or more, the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) is 0.3 or more and 0.5 or less, Xc is 10.0 pieces / cm 2 or less, and Yc is 12.0. Pieces / cm 2 or less. As a result, it is possible to suppress the adsorption failure of the silicon carbide epitaxial substrate 100.
  • the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) may be 0.4 or less. Thereby, the adsorption failure of the silicon carbide epitaxial substrate 100 can be further suppressed.
  • sample preparation First, seven silicon carbide epitaxial substrates 100 having different values obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) were prepared.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 of Samples 1 to 5 is an example.
  • the silicon carbide epitaxial substrate 100 of the samples 6 and 7 is a comparative example.
  • the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) was set to 0.3 or more and 0.5 or less.
  • the value obtained by dividing Xa by (Xa + Ya) was made larger than 0.5.
  • Table 1 shows the evaluation results of the silicon carbide substrates 10 of Samples 1 to 7.
  • the evaluation result was set to "A”.
  • the evaluation result was set to "B”.
  • the evaluation result was set to "C”.

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Abstract

中央領域にある第１突起部の面密度をＸａとし、中央領域にある第２突起部の面密度をＸｂとし、中央領域にある第３突起部の面密度をＸｃとし、外周領域にある第４突起部の面密度をＹａとし、外周領域にある第５突起部の面密度をＹｂとし、外周領域にある第６突起部の面密度をＹｃとした場合、炭化珪素基板の厚み方向に見て、第１突起部および第４突起部の各々の面積は１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であり、第２突起部および第５突起部の各々の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であり、かつ第３突起部および第６突起部の各々の面積は５０００μｍ2以上である。裏面の直径は１００ｍｍ以上であり、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．３以上０．５以下であり、Ｘｃは１０．０個／ｃｍ2以下である、かつＹｃは１２．０個／ｃｍ2以下である。

Description

炭化珪素エピタキシャル基板
　本開示は、炭化珪素エピタキシャル基板に関する。本出願は、２０２０年７月２２日に出願した日本特許出願である特願２０２０－１２５０７５号に基づく優先権を主張する。当該日本特許出願に記載された全ての記載内容は、参照によって本明細書に援用される。
　特開２０１９－４６８５５号公報（特許文献１）には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて、炭化珪素エピタキシャル膜を形成する方法が記載されている。
特開２０１９－４６８５５号公報
　本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、炭化珪素エピタキシャル層と、裏面とを備えている。炭化珪素エピタキシャル層は、炭化珪素基板上にある。裏面は、炭化珪素基板に対して炭化珪素エピタキシャル層の反対にある。裏面は、裏面の半径の２／３を半径としかつ裏面の中心を中心とする円に取り囲まれた中央領域と、中央領域を取り囲む外周領域とを含む。中央領域にある第１突起部の面密度をＸａとし、中央領域にある第２突起部の面密度をＸｂとし、中央領域にある第３突起部の面密度をＸｃとし、外周領域にある第４突起部の面密度をＹａとし、外周領域にある第５突起部の面密度をＹｂとし、外周領域にある第６突起部の面密度をＹｃとした場合、炭化珪素基板の厚み方向に見て、第１突起部および第４突起部の各々の面積は１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であり、第２突起部および第５突起部の各々の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であり、かつ第３突起部および第６突起部の各々の面積は５０００μｍ2以上である。裏面の直径は１００ｍｍ以上であり、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．３以上０．５以下であり、Ｘｃは１０．０個／ｃｍ2以下である、かつＹｃは１２．０個／ｃｍ2以下である。
図１は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の構成を示す平面模式図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面模式図である。 図３は、図２の領域ＩＩＩの拡大模式図である。 図４は、図２の領域ＩＶの拡大模式図である。 図５は、図２の領域ＩＶの平面模式図である。 図６は、図２の領域ＶＩの拡大模式図である。 図７は、図２の領域ＶＩＩの拡大模式図である。 図８は、図２の領域ＶＩＩＩの拡大模式図である。 図９は、図２の領域ＩＸの拡大模式図である。 図１０は、図２の領域Ｘの拡大模式図である。 図１１は、図２の領域Ｘの平面模式図である。 図１２は、図２の領域ＸＩＩの拡大模式図である。 図１３は、図２の領域ＸＩＩＩの拡大模式図である。 図１４は、図２の領域ＸＩＶの拡大模式図である。 図１５は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法で使用されるサセプタの構成を示す断面模式図である。 図１６は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法で使用されるサセプタの構成を示す平面模式図である。 図１７は、炭化珪素基板がサセプタに載置された状態を示す断面模式図である。
[本開示が解決しようとする課題]
　本開示の目的は、吸着不良を抑制可能な炭化珪素エピタキシャル基板を提供することである。
[本開示の効果]
　本開示によれば、吸着不良を抑制可能な炭化珪素エピタキシャル基板を提供することができる。
　［本開示の実施形態の概要］
　まず本開示の実施形態の概要について説明する。本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に”－”（バー）を付すことによって表現されるが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって結晶学上の負の指数を表現する。
　（１）本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００は、炭化珪素基板１０と、炭化珪素エピタキシャル層２０と、裏面３０とを備えている。炭化珪素エピタキシャル層２０は、炭化珪素基板１０上にある。裏面３０は、炭化珪素基板１０に対して炭化珪素エピタキシャル層２０の反対にある。裏面３０は、裏面３０の半径の２／３を半径としかつ裏面３０の中心１６を中心とする円に取り囲まれた中央領域３２と、中央領域３２を取り囲む外周領域３１とを含む。中央領域３２にある第１突起部１の面密度をＸａとし、中央領域３２にある第２突起部２の面密度をＸｂとし、中央領域３２にある第３突起部３の面密度をＸｃとし、外周領域３１にある第４突起部４の面密度をＹａとし、外周領域３１にある第５突起部５の面密度をＹｂとし、外周領域３１にある第６突起部６の面密度をＹｃとした場合、炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第１突起部１および第４突起部４の各々の面積は１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であり、第２突起部２および第５突起部５の各々の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であり、かつ第３突起部３および第６突起部６の各々の面積は５０００μｍ2以上である。裏面３０の直径は１００ｍｍ以上であり、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．３以上０．５以下であり、Ｘｃは１０．０個／ｃｍ2以下である、かつＹｃは１２．０個／ｃｍ2以下である。
　なお、第１突起部１が複数でありかつ第４突起部４が複数である場合、第１突起部１および第４突起部４の各々の面積が１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であるとは、複数の第１突起部１の各々の面積が１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であり、かつ複数の第４突起部４の各々の面積が１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であることを意味する。同様に、第２突起部２が複数でありかつ第５突起部５が複数である場合、第２突起部２および第５突起部５の各々の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であるとは、複数の第２突起部２の各々の面積が１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であり、かつ複数の第５突起部５の各々の面積が１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であることを意味する。同様に、第３突起部３が複数でありかつ第６突起部６が複数である場合、第３突起部３および第６突起部６の各々の面積は５０００μｍ2以上であるとは、複数の第３突起部３の各々の面積が５０００μｍ2以上であり、かつ複数の第６突起部６の各々の面積が５０００μｍ2以上であることを意味する。
　（２）上記（１）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｙｂは３０．０個／ｃｍ2以下であってもよい。
　（３）上記（１）または（２）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘｃは３．０個／ｃｍ2以下であってもよい。
　（４）上記（１）から（３）のいずれかに係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘｂは２０．０個／ｃｍ2以下であってもよい。
　（５）上記（１）から（４）のいずれかに係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｙｃは４．０個／ｃｍ2以下であってもよい。
　（６）上記（１）から（５）のいずれかに係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、第３突起部３および第６突起部６は、多結晶炭化珪素を含んでいてもよい。
　（７）上記（１）から（６）のいずれかに係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、第２突起部２および第５突起部５は、多結晶炭化珪素を含んでいてもよい。
　（８）上記（１）から（７）のいずれかに係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、第１突起部１および第４突起部４は、多結晶炭化珪素を含んでいてもよい。
　（９）上記（１）から（８）のいずれかに係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．４以下であってもよい。
　［本開示の実施形態の詳細］
　以下、本開示の実施形態の詳細について説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
　（炭化珪素エピタキシャル基板）
　図１は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の構成を示す平面模式図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面模式図である。図１および図２に示されるように、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００は、炭化珪素基板１０と、第１炭化珪素エピタキシャル層２０と、第２炭化珪素エピタキシャル層４０と、外周縁１５とを有している。炭化珪素基板１０は、第１主面１７と、第２主面１８とを有している。第２主面１８は、第１主面１７の反対側にある。
　第１炭化珪素エピタキシャル層２０は、炭化珪素基板１０上にある。第１炭化珪素エピタキシャル層２０は、第１主面１７において、炭化珪素基板１０に接している。第１主面１７は、炭化珪素基板１０と、第１炭化珪素エピタキシャル層２０との境界面である。第１炭化珪素エピタキシャル層２０は、炭化珪素エピタキシャル基板１００の表面（第３主面２１）を構成する。炭化珪素エピタキシャル基板１００を用いて炭化珪素半導体装置（図示せず）を製造する場合、第３主面２１上にドリフト領域（図示せず）、ベース領域（図示せず）、ソース領域（図示せず）、ゲート電極（図示せず）またはゲート絶縁膜（図示せず）などが形成される。
　図２に示されるように、第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接している。炭化珪素エピタキシャル基板１００は、裏面３０を有している。裏面３０は、炭化珪素基板１０に対して炭化珪素エピタキシャル層２０の反対にある。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、炭化珪素エピタキシャル基板１００の裏面３０の一部を構成する。炭化珪素基板１０は、第１炭化珪素エピタキシャル層２０と、第２炭化珪素エピタキシャル層４０との間にある。
　図１に示されるように、裏面３０は、中央領域３２と、外周領域３１と、エッジ領域３３とを含んでいる。中央領域３２は、裏面３０の半径Ｒの２／３を半径としかつ裏面３０の中心１６を中心とする円に取り囲まれた領域である。外周領域３１は、中央領域３２を取り囲んでいる。第１主面１７に対して垂直な方向に見て（言い換えれば、炭化珪素基板１０の厚み方向に見て）、外周領域３１は、リング状の領域である。図１に示されるように、中央領域３２の外周（外周領域３１と中央領域３２との境界）の半径は、裏面３０の半径Ｒの２／３である。エッジ領域３３は、外周縁１５から裏面３０の中心１６に向かって３ｍｍ以内の領域である。外周領域３１は、中央領域３２とエッジ領域３３とに挟まれた領域である。
　外周縁１５は、たとえばオリエンテーションフラット１３と、円弧状部１４とを有している。オリエンテーションフラット１３は、第１方向１０１に沿って延在している。図１に示されるように、オリエンテーションフラット１３は、第１主面１７に対して垂直な方向に見て、直線状である。円弧状部１４は、オリエンテーションフラット１３に連なっている。円弧状部１４は、第１主面１７に対して垂直な方向に見て、円弧状である。裏面３０の中心１６は、第１主面１７に対して垂直な方向に見て、円弧状部１４を含む円の中心に位置している。
　図１に示されるように、第１主面１７に対して垂直な方向に見て、裏面３０は、第１方向１０１および第２方向１０２の各々に沿って拡がっている。第１主面１７に対して垂直な方向に見て、第１方向１０１は、第２方向１０２に対して垂直な方向である。
　第１方向１０１は、たとえば＜１１－２０＞方向である。第１方向１０１は、たとえば［１１－２０］方向であってもよい。第１方向１０１は、＜１１－２０＞方向を第１主面１７に射影した方向であってもよい。別の観点から言えば、第１方向１０１は、たとえば＜１１－２０＞方向成分を含む方向であってもよい。
　第２方向１０２は、たとえば＜１－１００＞方向である。第２方向１０２は、たとえば［１－１００］方向であってもよい。第２方向１０２は、たとえば＜１－１００＞方向を第１主面１７に射影した方向であってもよい。別の観点から言えば、第２方向１０２は、たとえば＜１－１００＞方向成分を含む方向であってもよい。
　第１主面１７は、｛０００１｝面であってもよいし、｛０００１｝面に対して傾斜した面であってもよい。第１主面１７は、｛０００１｝面に対して傾斜している場合、｛０００１｝面に対する傾斜角（オフ角）は、たとえば２°以上６°以下である。第１主面１７が｛０００１｝面に対して傾斜している場合、第１主面１７の傾斜方向（オフ方向）は、たとえば＜１１－２０＞方向である。
　裏面３０の直径（最大径）は、１００ｍｍ（４インチ）以上である。裏面３０の直径は、１２５ｍｍ（５インチ）以上でもあってもよいし、１５０ｍｍ（６インチ）以上でもよい。裏面３０の直径の上限は、特に限定されないが、たとえば２００ｍｍ（８インチ）以下であってもよい。なお裏面３０の直径（最大径）は、外周縁１５上の異なる２点間の最長直線距離である。裏面３０の直径は、オリエンテーションフラット１３を除いた外周縁１５（つまり円弧状部１４）の直径であってもよい。
　なお本明細書において、４インチは、１００ｍｍ又は１０１．６ｍｍ（４インチ×２５．４ｍｍ／インチ）のことである。５インチは、１２５ｍｍ又は１２７．０ｍｍ（５インチ×２５．４ｍｍ／インチ）のことである。６インチは、１５０ｍｍ又は１５２．４ｍｍ（６インチ×２５．４ｍｍ／インチ）のことである。８インチは、２００ｍｍ又は２０３．２ｍｍ（８インチ×２５．４ｍｍ／インチ）のことである。
　炭化珪素基板１０を構成する炭化珪素のポリタイプは、たとえば４Ｈである。同様に、第１炭化珪素エピタキシャル層２０を構成する炭化珪素のポリタイプは、たとえば４Ｈである。同様に、第２炭化珪素エピタキシャル層４０を構成する炭化珪素のポリタイプは、たとえば４Ｈである。炭化珪素基板１０の厚みは、たとえば３５０μｍ以上５００μｍ以下である。第１炭化珪素エピタキシャル層２０の厚みは、炭化珪素基板１０の厚みよりも小さくてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０の厚みは、炭化珪素基板１０の厚みよりも小さくてもよい。
　炭化珪素基板１０は、たとえば窒素（Ｎ）などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素基板１０の導電型は、たとえばｎ型である。第１炭化珪素エピタキシャル層２０は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。第１炭化珪素エピタキシャル層２０の導電型は、たとえばｎ型である。第１炭化珪素エピタキシャル層２０が含むｎ型不純物の濃度は、炭化珪素基板１０が含むｎ型不純物の濃度より低くてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。第２炭化珪素エピタキシャル層４０の導電型は、たとえばｎ型である。第２炭化珪素エピタキシャル層４０が含むｎ型不純物の濃度は、炭化珪素基板１０が含むｎ型不純物の濃度より低くてもよい。
　図２に示されるように、炭化珪素エピタキシャル基板１００は、たとえば、第１突起部１と、第２突起部２と、第３突起部３と、第４突起部４と、第５突起部５と、第６突起部６とを有している。第１突起部１は、中央領域３２にある。第２突起部２は、中央領域３２にある。第３突起部３は、中央領域３２にある。第４突起部４は、外周領域３１にある。第５突起部５は、外周領域３１にある。第６突起部６は、外周領域３１にある。
　図３は、図２の領域ＩＩＩの拡大模式図である。図３に示されるように、炭化珪素エピタキシャル基板１００は、第１粒子７を有している。第１粒子７は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第１粒子７を覆っていてもよい。第１粒子７は、炭化珪素基板１０と、第２炭化珪素エピタキシャル層４０とに挟まれていてもよい。第１粒子７は、たとえばダウンフォールである。第１粒子７は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第１粒子７は、炭素を含んでいてもよい。第１粒子７の高さ（第１高さＨ１）は、たとえば１μｍ以上４０μｍ未満である。
　図３に示されるように、第１突起部１は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０により構成されていてもよい。第１突起部１は、第１粒子７に対面する第２炭化珪素エピタキシャル層４０の表面に形成されていてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第１突起部１の面積は１００μｍ2以上１０００μｍ2未満である。第１突起部１が複数ある場合には、第１突起部１の面積とは、複数の第１突起部１の各々の面積である。第１突起部１の最大幅（第１最大幅Ｗ１）は、たとえば１１μｍ以上３６μｍ未満である。第１突起部１は、中央領域３２の一部を構成する。なお、突起部の最大幅とは、第２主面１８に対して垂直な方向に突起部を見た場合において、突起部の外周上の異なる２点間の最長直線距離である。
　図４は、図２の領域ＩＶの拡大模式図である。図４に示されるように、第１突起部１は、第１粒子７と、第１欠陥７１とを有していてもよい。第１欠陥７１は、第１粒子７を起点として、エピタキシャル成長に従ってステップフロー方向に成長した欠陥である。第１欠陥７１は、第１粒子７に連なっている。第１欠陥７１は、たとえば積層欠陥である。第１欠陥７１は、三角欠陥であってもよい。第１欠陥７１は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０の表面に露出していてもよい。
　図５は、図２の領域ＩＶの平面模式図である。図５に示されるように、炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第１欠陥７１の形状は、たとえば三角形である。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、三角形の頂点の一つは、第１粒子７と重なっている。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第１粒子７から離れるにつれて、三角形の２辺の間隔は大きくなっていてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第１突起部１の面積は、円状の第１粒子７の面積と三角形状の第１欠陥７１の面積の合計から、第１粒子７と第１欠陥７１との重なり部分の面積を差し引いた値となる。
　図６は、図２の領域ＶＩの拡大模式図である。図６に示されるように、第１突起部１は、たとえばダウンフォールであってもよい。第１突起部１は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第１突起部１は、炭素を含んでいてもよい。第１突起部１は、第１粒子７により構成されていてもよい。第１突起部１は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第１突起部１の側面の一部を取り囲んでいてもよい。
　図７は、図２の領域ＶＩＩの拡大模式図である。図７に示されるように、第２突起部２は、たとえばダウンフォールである。第２突起部２は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第２突起部２は、炭素を含んでいてもよい。第２突起部２は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第２突起部２の側面の一部を取り囲んでいてもよい。第２突起部２の高さ（第２高さＨ２）は、たとえば２０μｍ以上１００μｍ未満である。第２高さＨ２は、第１高さＨ１よりも大きくてもよい。
　図７に示されるように、第２突起部２は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から露出している。第２突起部２の側面は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から離間していてもよいし、第２炭化珪素エピタキシャル層４０に接していてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第２突起部２の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満である。第２突起部２が複数ある場合には、第２突起部２の面積とは、複数の第２突起部２の各々の面積である。第２突起部２の最大幅（第２最大幅Ｗ２）は、たとえば３６μｍ以上８０μｍ未満である第２突起部２は、中央領域３２の一部を構成する。第２最大幅Ｗ２は、第１最大幅Ｗ１よりも大きくてもよい。
　図８は、図２の領域ＶＩＩＩの拡大模式図である。図８に示されるように、第３突起部３は、たとえばダウンフォールである。第３突起部３は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第３突起部３は、炭素を含んでいてもよい。第３突起部３は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第３突起部３の側面の一部を取り囲んでいてもよい。第３突起部３の高さ（第３高さＨ３）は、たとえば６０μｍ以上である。第３高さＨ３は、第２高さＨ２よりも大きくてもよい。
　図８に示されるように、第３突起部３は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から露出している。第３突起部３の側面は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から離間していてもよいし、第２炭化珪素エピタキシャル層４０に接していてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第３突起部３の面積は５０００μｍ2以上である。第３突起部３が複数ある場合には、第３突起部３の面積とは、複数の第３突起部３の各々の面積である。第３突起部３の最大幅（第３最大幅Ｗ３）は、たとえば８０μｍ以上である。第３突起部３は、中央領域３２の一部を構成する。第３最大幅Ｗ３は、第２最大幅Ｗ２よりも大きくてもよい。
　図９は、図２の領域ＩＸの拡大模式図である。図９に示されるように、炭化珪素エピタキシャル基板１００は、第２粒子８を有している。第２粒子８は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第２粒子８を覆っている。第２粒子８は、炭化珪素基板１０と、第２炭化珪素エピタキシャル層４０とに挟まれている。第２粒子８は、たとえばダウンフォールである。第２粒子８は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第２粒子８は、炭素を含んでいてもよい。第２粒子８の高さ（第４高さＨ４）は、たとえば１μｍ以上４０μｍ未満である。
　図９に示されるように、第４突起部４は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０により構成されていてもよい。第４突起部４は、第２粒子８に対面する第２炭化珪素エピタキシャル層４０の表面に形成されていてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第４突起部４の面積は１００μｍ2以上１０００μｍ2未満である。第４突起部４が複数ある場合には、第４突起部４の面積とは、複数の第４突起部４の各々の面積である。第４突起部４の最大幅（第４最大幅Ｗ４）は、たとえば１１μｍ以上３６μｍ未満である。第４突起部４は、外周領域３１の一部を構成する。
　図１０は、図２の領域Ｘの拡大模式図である。図１０に示されるように、第４突起部４は、第２粒子８と、第２欠陥７２とを有していてもよい。第２欠陥７２は、第２粒子８を起点として、エピタキシャル成長に従ってステップフロー方向に成長した欠陥である。第２欠陥７２は、第２粒子８に連なっている。第２欠陥７２は、たとえば積層欠陥である。第２欠陥７２は、三角欠陥であってもよい。第２欠陥７２は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０の表面に露出していてもよい。
　図１１は、図２の領域Ｘの平面模式図である。図１１に示されるように、炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第２欠陥７２の形状は、たとえば三角形である。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、三角形の頂点の一つは、第２粒子８と重なっている。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第２粒子８から離れるにつれて、三角形の２辺の間隔は大きくなっていてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第４突起部４の面積は、円状の第２粒子８の面積と三角形状の第２欠陥７２の面積の合計から、第２粒子８と第２欠陥７２との重なり部分の面積を差し引いた値となる。
　図１２は、図２の領域ＸＩＩの拡大模式図である。図１２に示されるように、第４突起部４は、たとえばダウンフォールであってもよい。第４突起部４は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第４突起部４は、炭素を含んでいてもよい。第４突起部４は、第２粒子８により構成されていてもよい。第４突起部４は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第４突起部４の側面の一部を取り囲んでいてもよい。
　図１３は、図２の領域ＸＩＩＩの拡大模式図である。図１３に示されるように、第５突起部５は、たとえばダウンフォールである。第５突起部５は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第５突起部５は、炭素を含んでいてもよい。第５突起部５は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第５突起部５の側面の一部を取り囲んでいてもよい。第５突起部５の高さ（第５高さＨ５）は、たとえば２０μｍ以上１００μｍ未満である。第５高さＨ５は、第４高さＨ４よりも大きくてもよい。
　図１３に示されるように、第５突起部５は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から露出している。第５突起部５の側面は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から離間していてもよいし、第２炭化珪素エピタキシャル層４０に接していてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第５突起部５の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満である。第５突起部５が複数ある場合には、第５突起部５の面積とは、複数の第５突起部５の各々の面積である。第５突起部５の最大幅（第５最大幅Ｗ５）は、たとえば３６μｍ以上８０μｍ未満である。第５突起部５は、外周領域３１の一部を構成する。第５最大幅Ｗ５は、第４最大幅Ｗ４よりも大きくてもよい。
　図１４は、図２の領域ＸＩＶの拡大模式図である。図１４に示されるように、第６突起部６は、たとえばダウンフォールである。第６突起部６は、炭化珪素多結晶を含んでいてもよい。第６突起部６は、炭素を含んでいてもよい。第６突起部６は、第２主面１８において、炭化珪素基板１０に接していてもよい。第２炭化珪素エピタキシャル層４０は、第６突起部６の側面の一部を取り囲んでいてもよい。第６突起部６の高さ（第６高さＨ６）は、たとえば６０μｍ以上である。第６高さＨ６は、第５高さＨ５よりも大きくてもよい。
　図１４に示されるように、第６突起部６は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から露出している。第６突起部６の側面は、第２炭化珪素エピタキシャル層４０から離間していてもよいし、第２炭化珪素エピタキシャル層４０に接していてもよい。炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第６突起部６の面積は５０００μｍ2以上である。第６突起部６が複数ある場合には、第６突起部６の面積とは、複数の第６突起部６の各々の面積である。第６突起部６の最大幅（第６最大幅Ｗ６）は、たとえば８０μｍ以上である。第６突起部６は、外周領域３１の一部を構成する。第６最大幅Ｗ６は、第５最大幅Ｗ５よりも大きくてもよい。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、中央領域３２にある第１突起部１の面密度をＸａとし、中央領域３２にある第２突起部２の面密度をＸｂとし、中央領域３２にある第３突起部３の面密度をＸｃとし、外周領域３１にある第４突起部４の面密度をＹａとし、外周領域３１にある第５突起部５の面密度をＹｂとし、外周領域３１にある第６突起部６の面密度をＹｃとした場合、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．３以上０．５以下であり、Ｘｃは１０．０個／ｃｍ2以下である、かつＹｃは１２．０個／ｃｍ2以下である。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｙｂは、たとえば３０．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｙｂは、たとえば２０．０個／ｃｍ2以下であってもよいし、１０．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｙｂの下限は、特に限定されないが、たとえば０．１個／ｃｍ2以上であってもよいし、０．５個／ｃｍ2以上であってもよい。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘｃは、たとえば３．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｘｃは、たとえば２．０個／ｃｍ2以下であってもよい、１．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｘｃの下限は、特に限定されないが、たとえば０．０１個／ｃｍ2以上であってもよいし、０．０５個／ｃｍ2以上であってもよい。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘｂは、たとえば２０．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｘｂは、たとえば１６．０個／ｃｍ2以下であってもよいし、８．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｘｂの下限は、特に限定されないが、たとえば０．１個／ｃｍ2以上であってもよいし、０．５個／ｃｍ2以上であってもよい。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｙｃは４．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｙｃは、たとえば３．０個／ｃｍ2以下であってもよい、２．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｙｃの下限は、特に限定されないが、たとえば０．０１個／ｃｍ2以上であってもよいし、０．０５個／ｃｍ2以上であってもよい。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘａは、たとえば８００．０個／ｃｍ2以下であってもよいし、４００．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｘａの下限は、特に限定されないが、たとえば０．１個／ｃｍ2以上であってもよいし、１個／ｃｍ2以上であってもよい。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｙａは、たとえば６００．０個／ｃｍ2以下であってもよいし、４００．０個／ｃｍ2以下であってもよい。Ｙａの下限は、特に限定されないが、たとえば０．１個／ｃｍ2以上であってもよいし、１個／ｃｍ2以上であってもよい。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．４５以下であってもよいし、０．４以下であってもよい。
　（突起部の測定方法）
　次に、突起部の測定方法について説明する。突起部は、たとえば共焦点微分干渉顕微鏡を備える欠陥検査装置を用いて、炭化珪素エピタキシャル基板１００の裏面３０を観察することにより特定することができる。共焦点微分干渉顕微鏡を備える欠陥検査装置としては、たとえばレーザーテック株式会社製のＷＡＳＡＶＩシリーズ「ＳＩＣＡ　６Ｘ」を用いることができる。対物レンズの倍率はたとえば１０倍である。
　突起部は、ＳＩＣＡによって欠陥として検出される。検出された欠陥の面積が突起部の面積である。突起部と連結した三角欠陥等を伴う場合は、当該三角欠陥の面積も含む。なお、ＳＩＣＡにより検出された欠陥から突起部を特定する際、予め、突起部の検出が可能なようにＳＩＣＡの測定感度が調整される。突起部の典型的な平面形状、寸法などを考慮して突起部が定義される。観察された画像に基づいて、突起部が特定される。ＳＩＣＡの測定感度の指標である「Thresh　S」は、たとえば４０とされる。
　炭化珪素エピタキシャル基板１００の表面と平行な方向に炭化珪素エピタキシャル基板１００を移動させながら、裏面３０全体の共焦点微分干渉顕微鏡画像が撮影される。取得された共焦点微分干渉顕微鏡画像において、第１突起部１、第２突起部２、第３突起部３、第４突起部４、第５突起部５および第６突起部６が観察される。取得された共焦点微分干渉顕微鏡画像において、第１突起部１、第２突起部２、第３突起部３、第４突起部４、第５突起部５および第６突起部６の各々の数が求められる。第１突起部１、第２突起部２および第３突起部３の数を、中央領域３２内の測定面積で除した値が、それぞれ第１突起部１、第２突起部２および第３突起部３の面密度とされる。第４突起部４、第５突起部５および第６突起部６の数を、外周領域３１内の測定面積で除した値が、それぞれ第４突起部４、第５突起部５および第６突起部６の面密度とされる。なお、外周縁１５から３ｍｍ以内のエッジ領域３３は、突起部の測定領域から除外される（エッジエクスクルージョン）。
　（炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法）
　次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法について説明する。
　図１５は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法で使用されるサセプタの構成を示す断面模式図である。図１６は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法で使用されるサセプタの構成を示す平面模式図である。サセプタを構成する材料は、たとえば炭化珪素である。
　図１５および図１６に示されるように、サセプタ５０には、炭化珪素基板収容部６０が設けられている。炭化珪素基板収容部６０は、側面６２と、底面６１とにより構成されている。側面６２は、サセプタ５０の頂面５９に連なっている。底面６１は、側面６２に連なっている。炭化珪素基板収容部６０の底面６１には、同心円状に配置された複数の凹部が形成されている。具体的には、複数の凹部は、第１凹部５１と、第２凹部５２と、第３凹部５３と、第４凹部５４と、第５凹部５５と、第６凹部５６と、第７凹部５７とを有している。第１凹部５１は、底面６１の中心部５８を取り囲むように形成されている。第２凹部５２は、第１凹部５１を囲むように形成されている。第３凹部５３は、第２凹部５２を囲むように形成されている。第４凹部５４は、第３凹部５３を囲むように形成されている。第５凹部５５は、第４凹部５４を囲むように形成されている。第６凹部５６は、第５凹部５５を囲むように形成されている。第７凹部５７は、第６凹部５６を囲むように形成されている。
　図１５に示されるように、隣り合う２つの凹部の間は、突出部となっている。突出部の先端の角度θは、たとえば３０°以上４５°以下である。突出部の高さＴは、たとえば１００μｍ以上である。
　次に、炭化珪素基板１０が準備される。たとえば昇華法により、ポリタイプ４Ｈの炭化珪素単結晶が製造される。次に、たとえばワイヤーソーによって、炭化珪素単結晶がスライスされる。炭化珪素基板１０は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素基板１０の導電型は、たとえばｎ型である。次に、炭化珪素基板１０に対して機械研磨、化学的機械研磨、洗浄が実施される。以上により、炭化珪素基板１０が準備される。
　次に、炭化珪素基板１０がサセプタ５０に載置される。図１７は、炭化珪素基板１０がサセプタ５０に載置された状態を示す断面模式図である。まず、炭化珪素基板１０が載置されたサセプタ５０がＣＶＤ炉内に設置される。ＣＶＤ炉の内壁には、前回までのエピタキシャル成長の際に使用された結晶原料などの堆積物が付着している。堆積物は、たとえば炭化珪素粒子または炭素粒子などである。ＣＶＤ炉の内壁は、たとえば炭素部材により構成されている。
　ＣＶＤ炉内の温度の上昇および下降を繰り返すことで、内壁を構成する炭素部材にたわみが発生する。これにより、内壁に付着していた堆積物がサセプタ５０上に落下する。サセプタ５０上に落下した堆積物は、ダウンフォールと呼ばれている。ダウンフォールは、一般的に粒子状である。ダウンフォールは、たとえば多結晶炭化珪素または炭素等である。ダウンフォールの直径は、たとえば０．１μｍ以上１ｍｍ以下の範囲にある。
　ダウンフォールは、たとえばサセプタ５０の頂面５９に落下する。サセプタ５０の頂面５９に落下したダウンフォールは、サセプタ５０の炭化珪素基板収容部６０の底面６１に移動する。サセプタ５０の底面６１にダウンフォールがあると、炭化珪素基板１０を炭化珪素基板収容部６０の底面６１に配置した際、ダウンフォールが炭化珪素基板１０の裏面３０に付着する。
　図１７に示されるように、炭化珪素基板収容部６０の底面６１に複数の凹部が設けられている場合、大きい直径のダウンフォール９は、凹部の内部に入る。炭化珪素基板１０は、突出部の頂点上に載置されるため、大きい直径のダウンフォール９には接触しない。そのため、炭化珪素基板１０の裏面（第２主面１８）にダウンフォール９が付着することを抑制することができる。突起部の頂点には小さい直径のダウンフォールが存在していてもよい。小さい直径のダウンフォールは、炭化珪素基板１０の裏面（第２主面１８）に付着する。炭化珪素基板収容部６０の底面６１に設けられた凹部の深さ、凹部の位置、突出部の頂点の面積、突出部の位置などを調整することで、炭化珪素基板１０の裏面（第２主面１８）に付着するダウンフォールのサイズ、面密度などを制御することができる。
　次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の作用効果について説明する。
　炭化珪素エピタキシャル基板１００を用いて炭化珪素半導体装置を製造する工程は、通常、露光工程および検査工程を含んでいる。これらの工程の際には、炭化珪素エピタキシャル基板１００の裏面３０がチャックに吸着される。チャックとしては、真空チャックおよび静電チャックなどが一般的に用いられている。たとえば露光工程において炭化珪素エピタキシャル基板１００のチャックに対する吸着不良は、露光不良の原因となる。発明者らは、炭化珪素エピタキシャル基板１００のチャックに対する吸着不良の原因について鋭意検討した結果、以下の知見を得た。
　まず発明者は、炭化珪素エピタキシャル基板１００の裏面３０に存在する突起部の大きさと、当該突起部の位置に着目した。具体的には、裏面３０に対して垂直な方向に見た突起部の面積と、突起部が存在している裏面の領域（中央領域または外周領域）とに着目して突起部を６種類（第１突起部１、第２突起部２，第３突起部３、第４突起部４、第５突起部５および第６突起部６）に分類し、６種類の突起部の面密度と吸着不良との関係を調査した。その結果、６種類の突起部の関係を以下のように制御することにより、吸着不良の発生が顕著に抑制されることを見出した。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、中央領域３２にある第１突起部１の面密度をＸａとし、中央領域３２にある第２突起部２の面密度をＸｂとし、中央領域３２にある第３突起部３の面密度をＸｃとし、外周領域３１にある第４突起部４の面密度をＹａとし、外周領域３１にある第５突起部５の面密度をＹｂとし、外周領域３１にある第６突起部６の面密度をＹｃとした場合、炭化珪素基板１０の厚み方向に見て、第１突起部１および第４突起部４の各々の面積は１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であり、第２突起部２および第５突起部５の各々の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であり、かつ第３突起部３および第６突起部６の各々の面積は５０００μｍ2以上である。裏面３０の直径は１００ｍｍ以上であり、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．３以上０．５以下であり、Ｘｃは１０．０個／ｃｍ2以下である、かつＹｃは１２．０個／ｃｍ2以下である。これにより、炭化珪素エピタキシャル基板１００の吸着不良を抑制することができる。
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．４以下であってもよい。これにより、炭化珪素エピタキシャル基板１００の吸着不良をさらに抑制することができる。
　（サンプル準備）
　まず、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値が異なる７枚の炭化珪素エピタキシャル基板１００を準備した。サンプル１から５の炭化珪素エピタキシャル基板１００は、実施例である。サンプル６および７の炭化珪素エピタキシャル基板１００は、比較例である。サンプル１から５の炭化珪素エピタキシャル基板１００において、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値を０．３以上０．５以下とした。サンプル６および７の炭化珪素エピタキシャル基板１００において、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値を０．５より大きくした。
　（実験方法）
　次に、サンプル１から７の炭化珪素エピタキシャル基板１００の裏面３０を真空チャックに吸着した（吸着工程）。吸着工程において、吸着エラーが発生するかどうかを確認した。次に、吸着エラーが発生しなかったサンプルについては、露光工程が実施された。露光工程において、露光不良が発生するかどうかを確認した。なお、吸着工程において吸着エラーが発生する程ではないものの、吸着が十分良好であるとはいえない場合に、露光不良が発生しているものと考えられる。
　（実験結果）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１は、サンプル１から７の炭化珪素基板１０の評価結果を示している。吸着工程において吸着エラーが発生せず、かつ露光工程において露光不良が発生しなかった場合、評価結果を「Ａ」とした。吸着エラーが発生しなかったけれども露光工程において露光不良が発生した場合、評価結果を「Ｂ」とした。吸着工程において吸着エラーが発生し、露光工程が実施できなかった場合、評価結果を「Ｃ」とした。
　表１に示されるように、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値が０．３以上０．５以下の場合、評価結果は「Ａ」または「Ｂ」であった。Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値が０．３以上０．４以下の場合、評価結果は「Ａ」であった。一方、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値が０．５より大きい場合、評価結果は「Ｃ」であった。以上の結果より、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値を０．３以上０．５以下とすることにより、吸着不良の発生を抑制可能であることが確認された。
　今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施形態および実施例ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１　第１突起部、２　第２突起部、３　第３突起部、４　第４突起部、５　第５突起部、６　第６突起部、７　第１粒子、８　第２粒子、９　ダウンフォール、１０　炭化珪素基板、１３　オリエンテーションフラット、１４　円弧状部、１５　外周縁、１６　中心、１７　第１主面、１８　第２主面、２０　第１炭化珪素エピタキシャル層（炭化珪素エピタキシャル層）、２１　第３主面、３０　裏面、３１　外周領域、３２　中央領域、３３　エッジ領域、４０　第２炭化珪素エピタキシャル層、５０　サセプタ、５１　第１凹部、５２　第２凹部、５３　第３凹部、５４　第４凹部、５５　第５凹部、５６　第６凹部、５７　第７凹部、５８　中心部、５９　頂面、６０　炭化珪素基板収容部、６１　底面、６２　側面、７１　第１欠陥、７２　第２欠陥、１００　炭化珪素エピタキシャル基板、１０１　第１方向、１０２　第２方向、Ｈ１　第１高さ、Ｈ２　第２高さ、Ｈ３　第３高さ、Ｈ４　第４高さ、Ｈ５　第５高さ、Ｈ６　第６高さ、Ｒ　半径、Ｔ　高さ、　Ｗ１　第１最大幅、Ｗ２　第２最大幅、Ｗ３　第３最大幅、Ｗ４　第４最大幅、Ｗ５　第５最大幅、Ｗ６　第６最大幅、θ　角度。

Claims (9)

  1. 　炭化珪素基板と、
    　前記炭化珪素基板上にある炭化珪素エピタキシャル層と、
    　前記炭化珪素基板に対して前記炭化珪素エピタキシャル層の反対にある裏面とを備え、
    　前記裏面は、前記裏面の半径の２／３を半径としかつ前記裏面の中心を中心とする円に取り囲まれた中央領域と、前記中央領域を取り囲む外周領域とを含み、
    　前記中央領域にある第１突起部の面密度をＸａとし、前記中央領域にある第２突起部の面密度をＸｂとし、前記中央領域にある第３突起部の面密度をＸｃとし、前記外周領域にある第４突起部の面密度をＹａとし、前記外周領域にある第５突起部の面密度をＹｂとし、前記外周領域にある第６突起部の面密度をＹｃとした場合、
    　前記炭化珪素基板の厚み方向に見て、前記第１突起部および前記第４突起部の各々の面積は１００μｍ2以上１０００μｍ2未満であり、前記第２突起部および前記第５突起部の各々の面積は１０００μｍ2以上５０００μｍ2未満であり、かつ前記第３突起部および前記第６突起部の各々の面積は５０００μｍ2以上であり、
    　前記裏面の直径は１００ｍｍ以上であり、Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．３以上０．５以下であり、Ｘｃは１０．０個／ｃｍ2以下である、かつＹｃは１２．０個／ｃｍ2以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。
  2. 　Ｙｂは３０．０個／ｃｍ2以下である、請求項１に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  3. 　Ｘｃは３．０個／ｃｍ2以下である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  4. 　Ｘｂは２０．０個／ｃｍ2以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  5. 　Ｙｃは４．０個／ｃｍ2以下である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  6. 　前記第３突起部および前記第６突起部は、多結晶炭化珪素を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  7. 　前記第２突起部および前記第５突起部は、多結晶炭化珪素を含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  8. 　前記第１突起部および前記第４突起部は、多結晶炭化珪素を含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  9. 　Ｘａを（Ｘａ＋Ｙａ）で除した値は０．４以下である、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008243900A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2008251574A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電チャック及びその製造方法ならびに半導体装置の製造方法
JP2011113997A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置とその製造方法
WO2011108137A1 (ja) * 2010-03-02 2011-09-09 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008243900A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2008251574A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電チャック及びその製造方法ならびに半導体装置の製造方法
JP2011113997A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置とその製造方法
WO2011108137A1 (ja) * 2010-03-02 2011-09-09 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法

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