WO2022014332A1 - 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents

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electrode
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter and a multiplexer.
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave filter including a filter circuit having a predetermined frequency band as a pass band and a loop circuit connected in parallel to the filter circuit.
  • a loop circuit is used to apply an antiphase to unnecessary waves outside the pass band, cancel unnecessary waves, and increase the amount of attenuation outside the pass band.
  • this elastic wave filter it is difficult to adjust the phase and the like by the loop circuit, and it may not be possible to secure a sufficient amount of attenuation outside the pass band.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an elastic wave filter or the like that can secure an amount of attenuation outside the frequency passband.
  • the elastic wave filter has a predetermined frequency band as a passing band and is arranged on a first path connecting the first signal terminal and the second signal terminal.
  • a first filter circuit and an additional circuit having an elastic wave resonator group and being connected to a plurality of nodes on the first path are provided, and the elastic wave resonator group is along the elastic wave propagation direction.
  • the plurality of IDT electrodes have a plurality of first comb-shaped electrodes and a plurality of second comb-shaped electrodes, the first comb-shaped electrode and the first comb-shaped electrode.
  • the two comb-shaped electrodes are opposed to each other, and the plurality of first comb-shaped electrodes are electrically connected to the plurality of nodes, and some of the plurality of second comb-shaped electrodes are connected to each other.
  • the second comb-shaped electrode is connected to the ground, and the other second comb-shaped electrode different from the part of the second comb-shaped electrode is not connected to the ground and is open.
  • the multiplexer has a pass band of the elastic wave filter, the first signal terminal, the second signal terminal and the third signal terminal, and a frequency band different from that of the first filter circuit.
  • a second filter circuit arranged on a third path connecting the second signal terminal and the third signal terminal is provided.
  • the elastic wave filter or the like according to the present invention, it is possible to secure the amount of attenuation outside the frequency passband.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a multiplexer including an elastic wave filter according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing the structure of the elastic wave resonator group shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter of the comparative example.
  • FIG. 5 is a diagram showing the passage characteristics of the elastic wave filter according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing the isolation characteristics of the multiplexer according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the third modification of the embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the modified example 4 of the embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the modified example 5 of the embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the modified example 6 of the embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the modified example 7 of the embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing a group of elastic wave resonators included in the additional circuit of the elastic wave filter according to the modified example 8 of the embodiment.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a multiplexer 5 including the elastic wave filter 1 according to the embodiment. Note that FIG. 1 also shows the antenna element 9.
  • the multiplexer 5 is a demultiplexer or combiner including a plurality of filters having different frequency pass bands. As shown in FIG. 1, the multiplexer 5 includes an elastic wave filter 1 having a first filter circuit 10 and an additional circuit 20, and a second filter circuit 50. Further, the multiplexer 5 includes a first signal terminal T1, a second signal terminal T2, and a third signal terminal T3.
  • the first signal terminal T1 is connected to the elastic wave filter 1. Further, the first signal terminal T1 is connected to an RF signal processing circuit (not shown) via an amplifier circuit or the like (not shown) outside the multiplexer 5.
  • the second signal terminal T2 is a common terminal connected to each of the elastic wave filter 1 and the second filter circuit 50. Specifically, the second signal terminal T2 is connected to the elastic wave filter 1 via the node n0 between the elastic wave filter 1 and the second signal terminal T2, and is also connected to the elastic wave filter 1 via the node n0. It is connected to 50. Further, the second signal terminal T2 is connected to the antenna element 9 outside the multiplexer 5. The second signal terminal T2 is also an antenna terminal of the multiplexer 5.
  • the third signal terminal T3 is connected to the second filter circuit 50. Further, the third signal terminal T3 is connected to an RF signal processing circuit (not shown) via an amplifier circuit or the like (not shown) outside the multiplexer 5.
  • the elastic wave filter 1 is arranged on the first path r1 connecting the first signal terminal T1 and the second signal terminal T2.
  • the elastic wave filter 1 is, for example, a transmission filter having an uplink frequency band (transmission band) as a pass band, and is set so that the frequency pass band is lower than that of the second filter circuit 50.
  • the elastic wave filter 1 includes a first filter circuit 10 and an additional circuit 20 additionally connected to the first filter circuit 10.
  • the additional circuit 20 is a circuit for canceling unnecessary waves outside the frequency pass band of the first filter circuit 10. The additional circuit 20 will be described later.
  • the second filter circuit 50 is arranged on the third path r3 connecting the second signal terminal T2 and the third signal terminal T3.
  • the second filter circuit 50 is, for example, a reception filter having a downlink frequency band (reception band) as a pass band.
  • the second filter circuit 50 is composed of, for example, a series arm resonator RS1 and a plurality of vertically coupled elastic wave resonators 60.
  • Each of the elastic wave filter 1 and the second filter circuit 50 is required to have a characteristic of passing through a predetermined frequency band and attenuating a band outside the frequency band.
  • the elastic wave filter 1 includes a first filter circuit 10 and an additional circuit 20.
  • the first filter circuit 10 includes series arm resonators S1, S2, S3, S4 and parallel arm resonators P1, P2, P3, and P4, which are elastic wave resonators.
  • the series arm resonators S1 to S4 are arranged on the first path (series arm) r1 connecting the first signal terminal T1 and the second signal terminal T2.
  • the series arm resonators S1 to S4 are connected in series from the first signal terminal T1 toward the second signal terminal T2 in this order.
  • the parallel arm resonators P1 to P4 are paths (parallel) connecting the nodes n1, n2, n3, n4 between the adjacent series arm resonators S1 to S4 on the first path r1 and the reference terminal (ground). Arms) are connected in parallel to each other. Specifically, among the parallel arm resonators P1 to P4, the parallel arm resonator P1 closest to the first signal terminal T1 is connected to the node n1 between the series arm resonators S1 and S2. The parallel arm resonator P2 is connected to the node n2 between the series arm resonators S1 and S2. The parallel arm resonator P3 is connected to the node n3 between the series arm resonators S2 and S3. The parallel arm resonator P4 is connected to the node n4 between the series arm resonators S3 and S4.
  • the first filter circuit 10 is arranged on the four series arm resonators S1 to S4) arranged on the first path r1 and on the path connecting the first path r1 and the reference terminal. It has a T-shaped ladder filter structure composed of four parallel arm resonators P1 to P4).
  • the number of series arm resonators and parallel arm resonators constituting the first filter circuit 10 is not limited to four, respectively, and may be two or more series arm resonators and one or more parallel arm resonators. Just do it.
  • the parallel arm resonator may be connected to the reference terminal via an inductor.
  • an impedance element such as an inductor and a capacitor may be inserted or connected on the series arm or the parallel arm.
  • the reference terminal (ground) to which the parallel arm resonators are connected is standardized, but whether the reference terminal is standardized or individualized depends on, for example, the mounting layout of the first filter circuit 10. It can be appropriately selected due to restrictions and the like.
  • the additional circuit 20 is a circuit that suppresses the output of unnecessary waves from the elastic wave filter 1 by applying an antiphase to unnecessary waves outside the frequency passband generated by the first filter circuit 10.
  • the additional circuit 20 is connected to a plurality of different nodes on the first path r1 so as to be connected in parallel to all or part of the first filter circuit 10.
  • the additional circuit 20 includes a first terminal 21 that is a connection node on one end side of the additional circuit 20, a second terminal 22 that is a connection node on the other end side, and a second terminal that connects the first terminal 21 and the second terminal 22. It has an elastic wave resonator group 25 arranged on the path r2 of the above.
  • the terminal here means an inlet or an outlet of a high frequency signal.
  • the first terminal 21 is electrically connected to the elastic wave resonator group 25 via the capacitive element C1.
  • the second terminal 22 is connected to the elastic wave resonator group 25 via the capacitive element C2.
  • the first terminal 21 and the second terminal 22 are acoustically connected via the elastic wave resonator group 25.
  • each of the first terminal 21 and the second terminal 22 is connected to a different node on the first path r1.
  • the first terminal 21 is connected to the node n1 between the series arm resonators S1 and S2
  • the second terminal 22 is the node n5 between the series arm resonator S4 and the second signal terminal T2. It is connected to the.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25 included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1.
  • the electrodes and the wiring are shown by solid lines.
  • the elastic wave resonator group 25 includes a plurality of IDT (InterDigital Transducer) electrodes 31 and 32.
  • the elastic wave resonator group 25 is, for example, a vertically coupled resonator.
  • the plurality of IDT electrodes 31 and 32 are arranged adjacent to each other along the elastic wave propagation direction D1.
  • the electrode parameters of the plurality of IDT electrodes 31 and 32 are different from each other.
  • the additional circuit 20 has a plurality of reflectors 40.
  • the plurality of reflectors 40 are arranged on both outer sides of the plurality of IDT electrodes 31 and 32 so as to sandwich the plurality of IDT electrodes 31 and 32 in the elastic wave propagation direction D1.
  • FIG. 2 illustrates an additional circuit 20 with two IDT electrodes 31, 32 and two reflectors 40.
  • the plurality of IDT electrodes 31 and 32 have a plurality of first comb-shaped electrodes 31a and 32a and a plurality of second comb-shaped electrodes 31b and 32b.
  • one of the IDT electrodes 31 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 31a and a second comb-shaped electrode 31b.
  • the other IDT electrode 32 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 32a and a second comb-shaped electrode 32b.
  • the first comb-shaped electrode 31a and the second comb-shaped electrode 31b face each other.
  • the first comb-shaped electrode 32a and the second comb-shaped electrode 32b face each other.
  • the first comb-shaped electrodes 31a and 32a are arranged in the same direction.
  • the second comb-shaped electrodes 31b and 32b are arranged in the same direction as each other and in the opposite directions to the first comb-shaped electrodes 31a and 32a.
  • the first comb-shaped electrode 31a is a part of the first comb-shaped electrode
  • the first comb-shaped electrode 32a is a part of the first comb.
  • Another first comb-shaped electrode different from the tooth-shaped electrode 31a is used.
  • the second comb-shaped electrode 31b is used as a part of the second comb-shaped electrode
  • the second comb-shaped electrode 32b is used as a part of the second comb-shaped electrode.
  • a second comb-shaped electrode different from the shaped electrode 31b is used.
  • the plurality of first comb-shaped electrodes 31a and 32a are electrically connected to a plurality of different nodes on the first path r1. Specifically, a part of the first comb-shaped electrode 31a is connected to the node n1 by the first terminal 21, and the other first comb-shaped electrode 32a is connected to the node n5 by the second terminal 22. ..
  • the phase of the additional circuit 20 is adjusted. It is possible to widen the adjustment range of. As a result, it is possible to suppress unnecessary waves outside the frequency passband of the elastic wave filter 1 and secure an amount of attenuation outside the frequency passband.
  • first terminal 21 of the additional circuit 20 is connected to the node n1 and the second terminal 22 is connected to the node n5, but the present invention is not limited to this.
  • Each of the first terminal 21 and the second terminal 22 may be connected to the outer nodes of two or more series arm resonators adjacent to each other on the first path r1.
  • the first terminal 21 may be connected to a node on the first path r1 connecting the first signal terminal T1 and the series arm resonator S1, or may be connected to the node n3.
  • the second terminal 22 may be connected to the node n3 or the node n4.
  • the additional circuit 20 does not have to include the capacitive elements C1 and C2.
  • the elastic wave resonator group 25 may be connected to each of the first terminal 21 and the second terminal 22 by wiring without a capacitive element, as long as the unnecessary wave can be appropriately suppressed.
  • the surface acoustic wave resonator group 25 is composed of, for example, a plurality of surface acoustic wave (SAW) resonators.
  • FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing the structure of the elastic wave resonator group 25.
  • the elastic wave resonator shown in FIG. 3 is for explaining a typical structure of the resonator, and the number and length of the electrode fingers constituting the comb-shaped electrode are included in this. Not limited.
  • the elastic wave resonator group 25 is composed of a substrate 320 having piezoelectricity and a plurality of IDT electrodes 31 and 32 formed on the substrate 320.
  • a plurality of reflectors 40 are provided on both outer sides of the plurality of IDT electrodes 31 and 32 in the elastic wave propagation direction D1.
  • the elastic wave resonator group 25 is placed on the substrate 320 so as to cover the substrate 320, the electrode layer 325 constituting the IDT electrodes 31 and 32, and the IDT electrodes 31 and 32. It is formed by the provided dielectric layer 326. Since the cross-sectional structure of the reflector 40 is the same as the cross-sectional structure of the IDT electrodes 31 and 32, the description thereof will be omitted below.
  • the substrate 320 is, for example, a LiNbO 3 substrate (lithium niobate substrate) having a cut angle of 127.5 °.
  • the cut angle of the substrate 320 is preferably 120 ° ⁇ 20 ° or 300 ° ⁇ 20 °.
  • the electrode layer 325 has a structure in which a plurality of metal layers are laminated.
  • the electrode layer 325 is formed by, for example, laminating a Ti layer, an Al layer, a Ti layer, a Pt layer, and a NiCr layer in order from the top.
  • the dielectric layer 326 is, for example, a film containing silicon dioxide (SiO 2 ) as a main component.
  • the dielectric layer 326 is provided for the purpose of adjusting the frequency and temperature characteristics of the elastic wave resonator group 25, protecting the electrode layer 325 from the external environment, or enhancing the moisture resistance.
  • the IDT electrode 31 has a pair of first comb-shaped electrodes 31a and second comb-shaped electrodes 31b facing each other.
  • the IDT electrode 32 has a pair of first comb-shaped electrodes 32a and second comb-shaped electrodes 32b facing each other.
  • Each of the first comb-shaped electrodes 31a and 32a has a comb-shaped shape and is composed of a plurality of electrode fingers 36a parallel to each other and a bus bar electrode 37a connecting one ends of the plurality of electrode fingers 36a to each other.
  • Each of the second comb-shaped electrodes 31b and 32b has a comb-tooth shape and is composed of a plurality of electrode fingers 36b parallel to each other and a bus bar electrode 37b connecting one ends of the plurality of electrode fingers 36b to each other. ing.
  • the plurality of electrode fingers 36a and 36b are formed so as to extend in the orthogonal direction D2 of the elastic wave propagation direction D1, intersperse with each other in the orthogonal direction D2, and face the elastic wave propagation direction D1.
  • the pitches (distances) of the plurality of electrode fingers 36a in the elastic wave propagation direction D1 are different between the IDT electrode 31 and the IDT electrode 32. Further, the pitches (distances) of the plurality of electrode fingers 36b in the elastic wave propagation direction D1 are different between the IDT electrode 31 and the IDT electrode 32.
  • the bus bar electrodes 37a and 37b are formed so as to extend along the elastic wave propagation direction D1.
  • a lead-out wiring d1a is connected to the bus bar electrode 37a of the first comb-shaped electrode 31a.
  • the first comb-shaped electrode 31a is connected to the first terminal 21 via the lead-out wiring d1a and the capacitive element C1.
  • a lead-out wiring d2a is connected to the bus bar electrode 37a of the first comb-shaped electrode 32a.
  • the first comb-shaped electrode 32a is connected to the second terminal 22 via the lead-out wiring d2a and the capacitive element C2.
  • a lead-out wiring d1b is connected to the bus bar electrode 37b of the second comb-shaped electrode 31b.
  • the second comb-shaped electrode 31b is connected to the ground via the lead-out wiring d1b.
  • the ground may be a ground connection electrode (not shown) provided on the substrate of the multiplexer 5.
  • the lead-out wiring is not connected to the bus bar electrode 37b of the second comb-shaped electrode 32b, and the second comb-shaped electrode 32b is in an electrically float state, that is, an open state.
  • the plurality of reflectors 40 are arranged so as to sandwich the IDT electrodes 31 and 32 in the elastic wave propagation direction D1.
  • Each reflector 40 is composed of a plurality of reflective electrode fingers parallel to each other and a reflective bus bar electrode connecting both ends of the plurality of reflective electrode fingers.
  • the plurality of reflective electrode fingers are formed so as to extend in the orthogonal direction D2 of the elastic wave propagation direction D1.
  • the reflector 40 shown in FIG. 3 is in an open state, but the present invention is not limited to this, and the reflector 40 may be connected to the ground or may be connected to a hot terminal (signal terminal).
  • the elastic wave filter of the comparative example includes a first filter circuit 10 and an additional circuit 120 additionally connected to the first filter circuit 10.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 125 included in the additional circuit 120 of the elastic wave filter of the comparative example.
  • the elastic wave resonator group 125 of the comparative example is composed of a plurality of IDT electrodes, and all of the plurality of second comb-shaped electrodes 31b and 32b are connected to the ground.
  • FIG. 5 is a diagram showing the passing characteristics of the elastic wave filter 1.
  • FIG. 6 is a diagram showing the isolation characteristics of the multiplexer 5.
  • the elastic wave filter 1 is used as a transmission filter
  • the second filter circuit 50 is used as a reception filter
  • the frequency passband of the elastic wave filter 1 is set to 703 MHz to 733 MHz
  • the frequency passband of the second filter circuit 50 is set. Is shown as an example in which 758 MHz to 788 MHz is set.
  • FIG. 5 shows an insertion loss between the first signal terminal T1 and the second signal terminal T2
  • FIG. 6 shows the insertion loss between the first signal terminal T1 and the third signal terminal T3. There is.
  • the peak of the insertion loss is 37 dB in the frequency pass band of the second filter circuit 50, and the attenuation amount is compared with 33 dB, which is the peak of the insertion loss in the comparative example. Is getting bigger.
  • the peak of the insertion loss is 39 dB in the frequency pass band of the second filter circuit 50, which is compared with the peak of the insertion loss of 36 dB in the comparative example. The isolation characteristics are improved.
  • the frequency of the elastic wave filter 1 is reached. It is possible to secure the amount of attenuation outside the pass band.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25A included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 1.
  • the elastic wave resonator group 25A includes a plurality of IDT electrodes 31 and 32.
  • the plurality of IDT electrodes 31 and 32 have a plurality of first comb-shaped electrodes 31a and 32a and a plurality of second comb-shaped electrodes 31b and 32b.
  • the IDT electrode 31 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 31a and a second comb-shaped electrode 31b.
  • the IDT electrode 32 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 32a and a second comb-shaped electrode 32b.
  • the first comb-shaped electrode 32a is a part of the first comb-shaped electrode, and the first comb-shaped electrode 31a is a part of the first comb-shaped electrode.
  • a first comb-shaped electrode different from the comb-shaped electrode 32a is used.
  • the second comb-shaped electrode 32b is used as a part of the second comb-shaped electrode, and the second comb-shaped electrode 31b is used as a part of the second comb-shaped electrode.
  • a second comb-shaped electrode different from the shaped electrode 32b is used.
  • the part of the second comb-shaped electrode 32b faces the part of the first comb-shaped electrode 32a, and the other second comb-shaped electrode 31b is the other first comb. It is configured to face the dentate electrode 31a. Further, a part of the first comb-shaped electrode 32a is connected to the node n5 by the second terminal 22, and the other first comb-shaped electrode 31a is connected to the node n1 by the first terminal 21.
  • a part of the second comb-shaped electrode 32b is connected to the ground, and the other second comb-shaped electrode 31b is connected to the ground. It is open without being open. Also in the elastic wave filter 1 of the modification 1, at least one of the plurality of second comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25A is in an open state.
  • the elastic wave filter 1 according to the second modification of the embodiment will be described.
  • the second modification an example in which the first comb-shaped electrode 31a and the second comb-shaped electrode 31b of the IDT electrode 31 are arranged in the orthogonal direction D2 in the opposite direction to the embodiment will be described. That is, in the second modification, the direction of the first comb-shaped electrode 31a is opposite to the direction of the first comb-shaped electrode 32a, and the direction of the second comb-shaped electrode 31b is the direction of the second comb-shaped electrode 32b. The opposite. Also in this example, the comb-shaped electrode connected to the first terminal 21 or the second terminal 22 is called the first comb-shaped electrode, and the comb-shaped electrode in the ground-connected state or the open state is the second comb-shaped electrode. Called.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25B included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 2.
  • the elastic wave resonator group 25B includes a plurality of IDT electrodes 31 and 32.
  • the IDT electrode 31 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 31a and a second comb-shaped electrode 31b.
  • the IDT electrode 32 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 32a and a second comb-shaped electrode 32b.
  • first comb-shaped electrodes 31a and 32a Of the plurality of first comb-shaped electrodes 31a and 32a, some of the first comb-shaped electrodes 31a are electrically connected to the first terminal 21, and the other first comb-shaped electrodes 32a are second. It is electrically connected to the terminal 22.
  • the elastic wave filter 1 of the modification 2 at least one of the plurality of second comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25B is in an open state.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25C included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 3.
  • the elastic wave resonator group 25C includes a plurality of IDT electrodes 31 and 32.
  • the IDT electrode 31 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 31a and a second comb-shaped electrode 31b.
  • the IDT electrode 32 is composed of one first comb-shaped electrode 32a and a plurality of second comb-shaped electrodes.
  • FIG. 9 shows two second comb-shaped electrodes 32c and 32d as an example of the plurality of second comb-shaped electrodes.
  • Each of the plurality of second comb-shaped electrodes 32c and 32d faces the first comb-shaped electrode 32a.
  • the plurality of second comb-shaped electrodes 32c and 32d are independent electrodes that are not connected to each other.
  • the second comb-shaped electrode 32c is used as a part of the second comb-shaped electrode
  • the second comb-shaped electrode 32d is used as a part of the second comb.
  • a second comb-shaped electrode different from the tooth-shaped electrode 32c is used.
  • the third modification of the plurality of second comb-shaped electrodes 32c and 32d, a part of the second comb-shaped electrodes 32c is connected to the ground, and the other second comb-shaped electrodes 32d are connected to the ground. It is open without being open.
  • the number of electrode fingers of the second comb-shaped electrode 32d in the open state is smaller than the number of electrode fingers of the second comb-shaped electrodes 31b and 32c in the ground connection state. In other words, the number of electrode fingers is larger in the second comb-shaped electrode in the ground-connected state than in the open state.
  • at least one of the plurality of second comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25C is in an open state.
  • the IDT electrode 32 is composed of one first comb tooth electrode and a plurality of second comb tooth electrodes, but the present invention is not limited to this, and the IDT electrode 31 is 1. It may be composed of one first comb tooth electrode and a plurality of second comb tooth electrodes. Further, although two second comb-tooth electrodes 32c and 32d are exemplified as the plurality of second comb-tooth electrodes, the number of the second comb-tooth electrodes is not limited to that, and may be three or more. The same applies to each of the following modifications.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25D included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 4.
  • the elastic wave resonator group 25D includes a plurality of IDT electrodes 31 and 32.
  • the IDT electrode 31 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 31a and a second comb-shaped electrode 31b.
  • the second comb-shaped electrode 31b is not connected to the ground and is open.
  • the number of electrode fingers of the second comb-shaped electrodes 31b and 32d in the open state is larger than the number of electrode fingers of the second comb-shaped electrodes 32c in the ground connection state. In other words, the number of electrode fingers is smaller in the second comb-shaped electrode in the ground-connected state than in the open state.
  • the second comb-shaped electrode 31c in the ground connection state is arranged between the second comb-shaped electrodes 31b and 32d in the open state. The second comb-shaped electrode 31b is not connected to the other second comb-shaped electrode 32d.
  • at least one of the plurality of second comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25D is in an open state.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25E included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 5.
  • a part of the second comb-shaped electrode 32c is connected to the ground, and the other second comb-shaped electrode 32d is not connected to the ground and is open. Further, the second comb-shaped electrode 31b and the second comb-shaped electrode 32c have a common ground.
  • the common ground is realized, for example, by connecting the lead-out wiring of the second comb-toothed electrode 31b and the pull-out wiring of the second comb-toothed electrode 32c to the ground connection electrode. Further, even if the common ground is realized by connecting the bus bar electrode of the second comb tooth electrode 31b and the bus bar electrode of the second comb tooth electrode 32c to the ground connection electrode. good.
  • At least one of the plurality of second comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25E is in an open state.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25F included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 6.
  • the IDT electrode 32 is composed of one first comb-shaped electrode 32a and a plurality of second comb-shaped electrodes 32c and 32d. Each of the two second comb-shaped electrodes 32c and 32d faces the first comb-shaped electrode 32a.
  • the second comb-shaped electrode 32d is used as a part of the first comb-shaped electrode, and the second comb-shaped electrode 32c is used as a part of the second comb.
  • a second comb-shaped electrode different from the tooth-shaped electrode 32d is used.
  • a part of the second comb-shaped electrodes 32d is connected to the ground, and the other second comb-shaped electrodes 32c are connected to the ground. It is open without being open. Further, the second comb-shaped electrode 31b and the second comb-shaped electrode 32d have a common ground. Further, in this example, the second comb-shaped electrode 31c in the open connection state is arranged between the second comb-shaped electrodes 31b and 32d in the ground-connected state.
  • At least one of the plurality of second comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25F is in an open state.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25G included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 7.
  • the elastic wave resonator group 25G includes a plurality of IDT electrodes 31 and 32.
  • the IDT electrode 31 is composed of one first comb tooth electrode 31a and a plurality of second comb tooth electrodes 31c and 31d
  • the IDT electrode 32 is composed of one first comb tooth electrode 32a and a plurality of second comb tooth electrodes 31c and 31d. It is composed of a plurality of second comb tooth-shaped electrodes 32c and 32d.
  • Each of the two second comb-shaped electrodes 31c and 31d faces the first comb-shaped electrode 31a
  • each of the two second comb-shaped electrodes 32c and 32d faces the first comb-shaped electrode 32a. is doing.
  • a part of the second comb-shaped electrode 31c is connected to the ground, and the other second comb-shaped electrode 31d is connected to the ground. It is open to the public. Further, of the plurality of second comb-shaped electrodes 32c and 32d, a part of the second comb-shaped electrodes 32c is connected to the ground, and the other second comb-shaped electrodes 32d are not connected to the ground and are opened. Has been done. Further, the second comb-shaped electrode 31c and the second comb-shaped electrode 32c have a common ground.
  • At least one of the plurality of second comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25G is in an open state.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing an elastic wave resonator group 25H included in the additional circuit 20 of the elastic wave filter 1 according to the modified example 8.
  • the elastic wave resonator group 25H includes a plurality of IDT electrodes 31, 32, 33.
  • the plurality of IDT electrodes 31, 32, 33 have a plurality of first comb-shaped electrodes 31a, 32a, 33a and a plurality of second comb-shaped electrodes 31b, 32b, 33b.
  • the IDT electrode 31 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 31a and a second comb-shaped electrode 31b.
  • the IDT electrode 32 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 32a and a second comb-shaped electrode 32b.
  • the IDT electrode 33 is composed of a pair of a first comb-shaped electrode 33a and a second comb-shaped electrode 33b.
  • the first comb-shaped electrodes 32a, 33a are partially used as the first comb-shaped electrodes, and the first comb-shaped electrodes 31a are partially used.
  • the first comb-shaped electrode is different from the first comb-shaped electrodes 32a and 33a.
  • the second comb-shaped electrodes 32b, 33b are used as a part of the second comb-shaped electrode, and the second comb-shaped electrode 31b is used as a part of the second comb-shaped electrode 31b.
  • Other second comb-shaped electrodes different from the second comb-shaped electrodes 32b and 33b are used.
  • a plurality of first comb-shaped electrodes 31a, 32a, 33a are electrically connected to a plurality of nodes on the first path r1. Specifically, some of the first comb-shaped electrodes 32a and 33a are connected to the node n1 by the first terminal 21, and the other first comb-shaped electrodes 31a are connected to the node n5 by the second terminal 22. Will be done.
  • the second comb-shaped electrodes 32b, 33b are connected to the ground, and the other second comb-shaped electrodes 31b are connected to the ground. It is not connected and is open. In this way, at least one of the plurality of comb-shaped electrodes of the elastic wave resonator group 25H included in the additional circuit 20 is not connected to the ground and is in an open state, so that the phase of the additional circuit 20 is adjusted. It is possible to widen the adjustment range. As a result, it is possible to suppress unnecessary waves outside the frequency passband of the elastic wave filter 1 and secure an amount of attenuation outside the frequency passband.
  • first comb-shaped electrodes 32a and 33a a part of the first comb-shaped electrodes 32a and 33a is connected to the node n1, and another first comb-shaped electrode 31a is connected to the node n5.
  • first comb-shaped electrodes need to be connected to different nodes on the first path r1, but two or more first comb-shaped electrodes that are part of all (eg, 31a, 32a). Is connected to a different node on the first path r1.
  • each comb-shaped electrode is not limited to this.
  • one of a part of the second comb-shaped electrodes 32b and 33b may be open without being connected to the ground.
  • another second comb-shaped electrode 31b may be connected to the ground, and some of the second comb-shaped electrodes 32b and 33b may be open without being connected to the ground.
  • FIG. 14 in FIG. 14, one of a part of the second comb-shaped electrodes 32b and 33b may be open without being connected to the ground.
  • another second comb-shaped electrode 31b may be connected to the ground, and some of the second comb-shaped electrodes 32b and 33b may be open without being connected to the ground.
  • the first comb-shaped electrode 31a is connected to the first terminal 21, the first comb-shaped electrodes 32a and 33a are connected to the second terminal 22, and the second comb-shaped electrode 31b is connected to the ground.
  • the second comb-shaped electrodes 32b and 33b may be open without being connected to the ground.
  • the elastic wave filter 1 has a predetermined frequency band as a pass band and is arranged on the first path r1 connecting the first signal terminal T1 and the second signal terminal T2.
  • a first filter circuit 10 and an additional circuit 20 having an elastic wave resonator group 25 and being connected to a plurality of nodes (for example, n1 and n5) on the first path r1 are provided.
  • the elastic wave resonator group 25 has a plurality of IDT electrodes 31 and 32 arranged along the elastic wave propagation direction D1.
  • the plurality of IDT electrodes 31 and 32 have a plurality of first comb-shaped electrodes (for example, 31a, 32a) and a plurality of second comb-shaped electrodes (for example, 31b, 32b).
  • the first comb-shaped electrode and the second comb-shaped electrode face each other.
  • a part of the first comb-shaped electrodes 31a and 32a (for example, 31a) and another first comb-shaped electrode different from the above-mentioned first comb-shaped electrodes (for example, 31a). 32a) is electrically connected to the plurality of nodes.
  • some of the second comb-shaped electrodes are connected to the ground, and the other second comb-shaped electrodes different from the above-mentioned some second comb-shaped electrodes are It is open without being connected to the ground.
  • each of the plurality of IDT electrodes 31 and 32 may be composed of a pair of first comb-shaped electrodes 31a and 32a and second comb-shaped electrodes 31b and 32b.
  • At least one of the plurality of second comb-shaped electrodes 31b and 32b included in the plurality of IDT electrodes 31 and 32 can be opened without being connected to the ground, and the phase of the additional circuit 20 is adjusted. It is possible to widen the adjustment range. As a result, it is possible to suppress unnecessary waves outside the frequency passband of the elastic wave filter 1 and secure an amount of attenuation outside the frequency passband.
  • the part of the second comb-shaped electrode (for example, 31b) faces the first comb-shaped electrode (for example, 31a), and the other second comb-shaped electrode (for example, 32b) faces the first comb-shaped electrode (for example, 31a).
  • the phase of the additional circuit 20 is adjusted by using the second comb-shaped electrode 32b not connected to the ground and the first comb-shaped electrode 32a facing the second comb-shaped electrode 32b. It becomes possible. As a result, it is possible to suppress unnecessary waves outside the frequency passband of the elastic wave filter 1 and secure an amount of attenuation outside the frequency passband.
  • At least one IDT electrode (for example, 32) among the plurality of IDT electrodes 31 and 32 is provided by one first comb-tooth electrode (for example, 32a) and the plurality of second comb-tooth electrodes (for example, 32c, 32d). It may be configured.
  • At least one of the plurality of second comb-shaped electrodes 32c and 32d included in the IDT electrode 32 can be opened without being connected to the ground, and the phase of the additional circuit 20 can be adjusted. It is possible to widen the adjustment range. As a result, it is possible to suppress unnecessary waves outside the frequency passband of the elastic wave filter 1 and secure an amount of attenuation outside the frequency passband.
  • some of the second comb-shaped electrodes are connected to the ground, and other second comb-shaped electrodes different from some of the second comb-shaped electrodes are connected. May be open without being connected to the ground.
  • some of the second comb-shaped electrodes may be composed of two or more second comb-shaped electrodes (for example, 31b, 32c or 31b, 32d).
  • the second or more second comb-shaped electrodes may be connected to a ground, and the ground may be shared.
  • the phase of the additional circuit 20 can be adjusted accurately. As a result, it is possible to suppress unnecessary waves outside the frequency passband of the elastic wave filter 1 and secure an amount of attenuation outside the frequency passband.
  • the multiplexer 5 has a pass band different from that of the elastic wave filter 1, the first signal terminal T1, the second signal terminal T2, the third signal terminal T3, and the first filter circuit 10.
  • a second filter circuit 50 arranged on a third path r3 connecting the second signal terminal T2 and the third signal terminal T3 is provided.
  • the elastic wave filter is provided with two or three IDT electrodes, but the number of IDT electrodes is not limited to this, and the number of IDT electrodes may be four or five or more.
  • the frequency passband of the elastic wave filter 1 is set to be lower than the frequency passband of the second filter circuit 50, but the present invention is not limited to this, and the frequency passband of the elastic wave filter 1 is not limited to this. May be set to be higher than the frequency passband of the second filter circuit 50.
  • the elastic wave filter 1 is a transmission filter
  • the present invention is not limited to this, and the elastic wave filter 1 may be a reception filter.
  • the multiplexer 5 is not limited to the configuration including both the transmission filter and the reception filter, and may be configured to include only the transmission filter or only the reception filter.
  • a multiplexer including two filters has been described as an example, but in the present invention, for example, a triplexer having common antenna terminals of three filters and a hexaplexer having common antenna terminals of six filters have been described. Can also be applied to. That is, the multiplexer need only have two or more filters.
  • first signal terminal T1 and the second signal terminal T2 may be either an input terminal or an output terminal.
  • first signal terminal T1 when the first signal terminal T1 is an input terminal, the second signal terminal T2 becomes an output terminal, and when the second signal terminal T2 is an input terminal, the first signal terminal T1 becomes an output terminal.
  • the second filter circuit 50 is not limited to the above-mentioned filter configuration, and can be appropriately designed according to the required filter characteristics and the like.
  • the second filter circuit 50 may have a vertically coupled filter structure or a ladder type filter structure.
  • each resonator constituting the second filter circuit 50 is not limited to the SAW resonator, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) resonator.
  • the second filter circuit 50 may be configured without using a resonator, and may be, for example, an LC resonance filter or a dielectric filter.
  • the materials constituting the electrode layers 325 and the dielectric layer 326 of the IDT electrodes 31 and 32 and the reflector 40 are not limited to the above-mentioned materials. Further, the IDT electrodes 31 and 32 do not have to have the above-mentioned laminated structure.
  • the IDT electrodes 31 and 32 may be made of, for example, a metal or alloy such as Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Pd, or from a plurality of laminates made of the above metal or alloy. It may be configured.
  • a substrate having piezoelectricity is shown as the substrate 320, but the substrate may be a piezoelectric substrate composed of a single layer of a piezoelectric layer.
  • the piezoelectric substrate in this case is composed of, for example, a piezoelectric single crystal of LiTaO 3 or another piezoelectric single crystal such as LiNbO 3.
  • the substrate 320 on which the IDT electrodes 31 and 32 are formed may be entirely composed of a piezoelectric layer or may have a structure in which the piezoelectric layer is laminated on the support substrate, as long as the substrate 320 has piezoelectricity.
  • the cut angle of the substrate 320 according to the above embodiment is not limited.
  • the laminated structure, material, and thickness may be appropriately changed according to the required passing characteristics of the surface acoustic wave filter, and the LiTaO 3 piezoelectric substrate or LiNbO having a cut angle other than the cut angle shown in the above embodiment may be changed. 3 It is possible to obtain the same effect even with an elastic surface wave filter using a piezoelectric substrate or the like.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as mobile phones as a multiplexer having an elastic wave filter, a front-end circuit, and a communication device.
  • Elastic wave filter 5 multiplexer 9 antenna element 10 1st filter circuit 20 additional circuit 21 1st terminal 22 2nd terminal 25, 25A, 25B, 25C, 25D, 25E, 25F, 25G, 25H Elastic wave resonator group 31, 32 , 33 IDT electrodes 31a, 32a, 33a 1st comb tooth electrode 31b, 31c, 31d, 32b, 32c, 32d, 33b 2nd comb tooth electrode 36a, 36b electrode finger 37a, 37b Bus bar electrode 40 reflector 50 second Filter circuit 60 Vertical coupling type elastic wave resonator 320 Substrate 325 Electrode layer 326 Dielectric layer C1, C2 Capacitive element D1 Elastic wave propagation direction D2 Orthogonal direction d1a, d1b, d2a Drawer wiring n0, n1, n2, n3, n4, n5 Nodes P1, P2, P3, P4 Parallel arm resonator r1, r2, r3 Path S1, S2, S3, S4, S

Landscapes

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Abstract

弾性波フィルタ（１）は、第１信号端子（Ｔ１）と第２信号端子（Ｔ２）とを結ぶ第１の経路（ｒ１）上に配置された第１フィルタ回路（１０）と、弾性波共振子群（２５）を有し、第１の経路（ｒ１）上の複数のノードに接続される付加回路（２０）と、を備える。弾性波共振子群（２５）は、弾性波伝搬方向（Ｄ１）に沿って配置された複数のＩＤＴ電極（３１、３２）を有する。複数のＩＤＴ電極（３１、３２）は、複数の第１櫛歯状電極（３１ａ、３２ａ）および複数の第２櫛歯状電極（３１ｂ、３２ｂ）を有している。複数の第１櫛歯状電極（３１ａ、３２ａ）は、上記複数のノードに電気的に接続されている。複数の第２櫛歯状電極（３１ｂ、３２ｂ）のうち、一部の第２櫛歯状電極はグランドに接続され、上記一部の第２櫛歯状電極と異なる他の第２櫛歯状電極はグランドに接続されず開放されている。

Description

弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
　本発明は、弾性波フィルタおよびマルチプレクサに関する。
　従来、直列腕共振子および並列腕共振子を備えるラダー型の弾性波フィルタが知られている。この種の弾性波フィルタの一例として、特許文献１には、所定の周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路と、フィルタ回路に並列接続されたループ回路とを備える弾性波フィルタが開示されている。
特開２０１８－８８６７８号公報
　特許文献１に開示された弾性波フィルタでは、ループ回路を用いて通過帯域外の不要波に逆位相をかけ、不要波をキャンセルし、通過帯域外における減衰量を大きくしている。しかしながら、この弾性波フィルタでは、ループ回路による位相等の調整が難しく、通過帯域外における減衰量を十分に確保できないことがある。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる弾性波フィルタ等を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波フィルタは、所定の周波数帯域を通過帯域とし、第１信号端子と第２信号端子とを結ぶ第１の経路上に配置された第１フィルタ回路と、弾性波共振子群を有し、前記第１の経路上の複数のノードに接続される付加回路と、を備え、前記弾性波共振子群は、弾性波伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ電極を有し、前記複数のＩＤＴ電極は、複数の第１櫛歯状電極および複数の第２櫛歯状電極を有し、前記第１櫛歯状電極および前記第２櫛歯状電極は、互いに対向しており、前記複数の第１櫛歯状電極は、前記複数のノードに電気的に接続され、前記複数の第２櫛歯状電極のうち、一部の第２櫛歯状電極はグランドに接続され、前記一部の第２櫛歯状電極と異なる他の第２櫛歯状電極はグランドに接続されず開放されている。
　また、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、上記弾性波フィルタと、前記第１信号端子、前記第２信号端子および第３信号端子と、前記第１フィルタ回路とは異なる周波数帯域を通過帯域とし、前記第２信号端子と前記第３信号端子とを結ぶ第３の経路上に配置された第２フィルタ回路とを備える。
　本発明に係る弾性波フィルタ等によれば、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
図１は、実施の形態に係る弾性波フィルタを備えるマルチプレクサの回路構成図である。 図２は、実施の形態に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図３は、図２に示す弾性波共振子群の構造を模式的に示す平面図および断面図である。 図４は、比較例の弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図５は、実施の形態に係る弾性波フィルタの通過特性を示す図である。 図６は、実施の形態に係るマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図である。 図７は、実施の形態の変形例１に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図８は、実施の形態の変形例２に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図９は、実施の形態の変形例３に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図１０は、実施の形態の変形例４に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図１１は、実施の形態の変形例５に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図１２は、実施の形態の変形例６に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図１３は、実施の形態の変形例７に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。 図１４は、実施の形態の変形例８に係る弾性波フィルタの付加回路に含まれる弾性波共振子群を示す模式図である。
　以下、本発明の実施の形態について、実施の形態および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または大きさの比は、必ずしも厳密ではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。また、以下の実施の形態において、「接続される」とは、直接接続される場合だけでなく、他の素子等を介して電気的に接続される場合も含まれる。
　（実施の形態）
　［１．マルチプレクサの構成］
　実施の形態に係る弾性波フィルタを備えるマルチプレクサの構成について、図１を参照しながら説明する。
　図１は、実施の形態に係る弾性波フィルタ１を備えるマルチプレクサ５の回路構成図である。なお、図１にはアンテナ素子９も示されている。
　マルチプレクサ５は、周波数通過帯域が異なる複数のフィルタを備える分波器または合波器である。図１に示すように、マルチプレクサ５は、第１フィルタ回路１０および付加回路２０を有する弾性波フィルタ１と、第２フィルタ回路５０とを備えている。また、マルチプレクサ５は、第１信号端子Ｔ１、第２信号端子Ｔ２および第３信号端子Ｔ３を備えている。
　第１信号端子Ｔ１は、弾性波フィルタ１に接続されている。また、第１信号端子Ｔ１は、マルチプレクサ５の外部において、増幅回路等（図示せず）を介してＲＦ信号処理回路（図示せず）に接続される。
　第２信号端子Ｔ２は、弾性波フィルタ１および第２フィルタ回路５０のそれぞれに接続される共通端子である。具体的には、第２信号端子Ｔ２は、弾性波フィルタ１と第２信号端子Ｔ２との間のノードｎ０を介して弾性波フィルタ１に接続され、また、ノードｎ０を介して第２フィルタ回路５０に接続されている。また、第２信号端子Ｔ２は、マルチプレクサ５の外部でアンテナ素子９に接続される。第２信号端子Ｔ２は、マルチプレクサ５のアンテナ端子でもある。
　第３信号端子Ｔ３は、第２フィルタ回路５０に接続されている。また、第３信号端子Ｔ３は、マルチプレクサ５の外部において、増幅回路等（図示せず）を介してＲＦ信号処理回路（図示せず）に接続される。
　弾性波フィルタ１は、第１信号端子Ｔ１と第２信号端子Ｔ２とを結ぶ第１の経路ｒ１上に配置されている。弾性波フィルタ１は、例えば、上り周波数帯（送信帯域）を通過帯域とする送信フィルタであり、第２フィルタ回路５０よりも周波数通過帯域が低くなるように設定される。弾性波フィルタ１は、第１フィルタ回路１０と、第１フィルタ回路１０に付加接続された付加回路２０とを備える。付加回路２０は、第１フィルタ回路１０の周波数通過帯域外の不要波をキャンセルするための回路である。付加回路２０については後述する。
　第２フィルタ回路５０は、第２信号端子Ｔ２と第３信号端子Ｔ３とを結ぶ第３の経路ｒ３上に配置されている。第２フィルタ回路５０は、例えば、下り周波数帯（受信帯域）を通過帯域とする受信フィルタである。第２フィルタ回路５０は、例えば、直列腕共振子ＲＳ１と、複数の縦結合型弾性波共振器６０とによって構成される。
　弾性波フィルタ１および第２フィルタ回路５０のそれぞれには、予め決められた周波数帯域を通過させ、当該周波数帯域外の帯域を減衰させるような特性が求められる。
　［２．弾性波フィルタの構成］
　次に、弾性波フィルタ１の構成について、図１および図２を参照しながら説明する。
　図１に示すように、弾性波フィルタ１は、第１フィルタ回路１０と付加回路２０とを備えている。
　第１フィルタ回路１０は、弾性波共振子である直列腕共振子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４および並列腕共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を備えている。
　直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４は、第１信号端子Ｔ１と第２信号端子Ｔ２とを結ぶ第１の経路（直列腕）ｒ１上に配置されている。直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４は、第１信号端子Ｔ１から第２信号端子Ｔ２に向かって、この順で直列に接続されている。
　並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４は、第１の経路ｒ１上にて隣り合う直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４の間の各ノードｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４と基準端子（グランド）とを結ぶ経路（並列腕）上に互いに並列に接続されている。具体的には、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうち、第１信号端子Ｔ１に最も近い並列腕共振子Ｐ１は、直列腕共振子Ｓ１とＳ２との間のノードｎ１に接続されている。並列腕共振子Ｐ２は、直列腕共振子Ｓ１とＳ２との間のノードｎ２に接続されている。並列腕共振子Ｐ３は、直列腕共振子Ｓ２とＳ３との間のノードｎ３に接続されている。並列腕共振子Ｐ４は、直列腕共振子Ｓ３とＳ４との間のノードｎ４に接続されている。
　このように第１フィルタ回路１０は、第１の経路ｒ１上に配置された４つの直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４）、および、第１の経路ｒ１と基準端子とを結ぶ経路上に配置された４つの並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４）で構成されるＴ型のラダーフィルタ構造を有している。
　なお、第１フィルタ回路１０を構成する直列腕共振子および並列腕共振子の数は、それぞれ４つに限定されず、直列腕共振子が２つ以上かつ並列腕共振子が１つ以上であればよい。また、並列腕共振子は、インダクタを介して、基準端子に接続されていてもよい。また、直列腕上あるいは並列腕上に、インダクタおよびキャパシタ等のインピーダンス素子が挿入または接続されていてもよい。また図１では、並列腕共振子が接続される基準端子（グランド）が共通化されているが、基準端子を共通化するか個別化するかは、例えば、第１フィルタ回路１０の実装レイアウトの制約等によって適宜選択され得る。
　次に、弾性波フィルタ１の付加回路２０について説明する。付加回路２０は、第１フィルタ回路１０で発生する周波数通過帯域外の不要波に逆位相をかけることで、弾性波フィルタ１から不要波が出力されることを抑制する回路である。
　付加回路２０は、第１フィルタ回路１０の全部または一部に並列接続されるように、第１の経路ｒ１上の異なる複数のノードに接続される。付加回路２０は、付加回路２０の一端側の接続ノードとなる第１端子２１、他端側の接続ノードとなる第２端子２２、および、第１端子２１と第２端子２２とを結ぶ第２の経路ｒ２上に配置された弾性波共振子群２５を有している。なお、ここでいう端子は、高周波信号の入口または出口を意味する。
　第１端子２１は、容量素子Ｃ１を介して弾性波共振子群２５に電気的に接続されている。第２端子２２は、容量素子Ｃ２を介して弾性波共振子群２５に接続されている。第１端子２１および第２端子２２は、弾性波共振子群２５を介して音響的接続されている。
　また、第１端子２１および第２端子２２のそれぞれは、第１の経路ｒ１上の異なるノードに接続される。図１では、第１端子２１は、直列腕共振子Ｓ１とＳ２との間のノードｎ１に接続され、第２端子２２は、直列腕共振子Ｓ４と第２信号端子Ｔ２との間のノードｎ５に接続されている。
　図２は、弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５を示す模式図である。なお図２では、電極および配線が実線で示されている。
　弾性波共振子群２５は、複数のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３１および３２からなる。弾性波共振子群２５は、例えば、縦結合型共振器である。複数のＩＤＴ電極３１、３２は、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って隣り合って配置されている。複数のＩＤＴ電極３１、３２の電極パラメータは、互いに異なっている。
　なお、付加回路２０は、複数の反射器４０を有している。複数の反射器４０は、弾性波伝搬方向Ｄ１において、複数のＩＤＴ電極３１、３２を挟み込むように、複数のＩＤＴ電極３１、３２の両外側に配置されている。図２には、２つのＩＤＴ電極３１、３２および２つの反射器４０を備える付加回路２０が例示されている。
　複数のＩＤＴ電極３１、３２は、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａおよび複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂを有している。複数のＩＤＴ電極３１、３２のうち、一方のＩＤＴ電極３１は、一対となる第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂによって構成されている。他方のＩＤＴ電極３２は、一対となる第１櫛歯状電極３２ａおよび第２櫛歯状電極３２ｂによって構成されている。
　第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂは、互いに対向している。第１櫛歯状電極３２ａおよび第２櫛歯状電極３２ｂは、互いに対向している。ＩＤＴ電極３１、３２を基板３２０（図３参照）に垂直な方向から見た場合に、第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａは、互いに同じ向きで配置されている。また、第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂは、互いに同じ向きで、かつ、第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａとは反対向きで配置されている。
　ここで、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａのうち、第１櫛歯状電極３１ａを一部の第１櫛歯状電極とし、第１櫛歯状電極３２ａを一部の第１櫛歯状電極３１ａと異なる他の第１櫛歯状電極とする。また、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂのうち、第２櫛歯状電極３１ｂを一部の第２櫛歯状電極とし、第２櫛歯状電極３２ｂを一部の第２櫛歯状電極３１ｂと異なる他の第２櫛歯状電極とする。
　本実施の形態では、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａは、第１の経路ｒ１上の異なる複数のノードに電気的に接続される。具体的には、一部の第１櫛歯状電極３１ａが、第１端子２１によってノードｎ１に接続され、他の第１櫛歯状電極３２ａが、第２端子２２によってノードｎ５に接続される。
　また、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂのうち、一部の第２櫛歯状電極３１ｂが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３２ｂが、グランドに接続されず開放されている。このように、弾性波共振子群２５の複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つが、グランドに接続されずオープン（ｏｐｅｎ）状態となっていることで、付加回路２０の位相を調整する際の調整幅を広げることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　なお、上記では、付加回路２０の第１端子２１がノードｎ１に接続され、第２端子２２がノードｎ５に接続されている例を示したが、それに限られない。第１端子２１および第２端子２２のそれぞれは、第１の経路ｒ１上にて隣り合う２以上の直列腕共振子の両外側のノードに接続されていればよい。例えば、第１端子２１は、第１信号端子Ｔ１と直列腕共振子Ｓ１とを結ぶ第１の経路ｒ１上のノードに接続されていてもよいし、ノードｎ３に接続されていてもよい。例えば、第２端子２２は、ノードｎ３またはノードｎ４に接続されていてもよい。
　また、付加回路２０は、容量素子Ｃ１、Ｃ２を備えていなくてもよい。不要波を適度に抑制できるのであれば、弾性波共振子群２５は、第１端子２１および第２端子２２のそれぞれに、容量素子を介さずに配線接続されていてもよい。
　［３．弾性波共振子群の構造］
　次に、付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５の構造について説明する。弾性波共振子群２５は、例えば、複数の弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）共振子によって構成される。
　図３は、弾性波共振子群２５の構造を模式的に示す平面図および断面図である。なお、図３に示された弾性波共振子は、共振子の典型的な構造を説明するためのものであって、櫛歯状電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。
　弾性波共振子群２５は、圧電性を有する基板３２０と、基板３２０上に形成された複数のＩＤＴ電極３１、３２とによって構成される。弾性波伝搬方向Ｄ１における複数のＩＤＴ電極３１、３２の両外側には、複数の反射器４０が設けられている。
　図３の断面図に示すように、弾性波共振子群２５は、基板３２０と、各ＩＤＴ電極３１、３２を構成する電極層３２５と、各ＩＤＴ電極３１、３２を覆うように基板３２０上に設けられた誘電体層３２６とによって形成される。なお、反射器４０の断面構造は、ＩＤＴ電極３１、３２の断面構造と同様のため、以下ではその説明を省略する。
　基板３２０は、例えば、カット角１２７．５°のＬｉＮｂＯ３基板（ニオブ酸リチウム基板）ある。基板３２０内を伝搬する弾性波としてレイリー波が使用される場合、基板３２０のカット角は、１２０°±２０°、または、３００°±２０°であることが望ましい。
　電極層３２５は、複数の金属層が積層された構造を有している。電極層３２５は、例えば、上から順に、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層、ＮｉＣｒ層が積層されることで形成されている。
　誘電体層３２６は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする膜である。誘電体層３２６は、弾性波共振子群２５の周波数温度特性を調整すること、電極層３２５を外部環境から保護すること、または、耐湿性を高めることなどを目的として設けられている。
　図３の平面図に示すように、ＩＤＴ電極３１は、互いに対向する一対の第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂを有している。ＩＤＴ電極３２は、互いに対向する一対の第１櫛歯状電極３２ａおよび第２櫛歯状電極３２ｂを有している。
　各第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａは、櫛歯状の形状を有し、互いに平行な複数の電極指３６ａと、複数の電極指３６ａのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極３７ａとで構成されている。各第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂは、櫛歯の形状を有し、互いに平行な複数の電極指３６ｂと、複数の電極指３６ｂのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極３７ｂとで構成されている。
　複数の電極指３６ａおよび３６ｂは、弾性波伝搬方向Ｄ１の直交方向Ｄ２に延びるように形成され、直交方向Ｄ２に互いに間挿し合い、弾性波伝搬方向Ｄ１に対向している。弾性波伝搬方向Ｄ１における複数の電極指３６ａのピッチ（距離）は、ＩＤＴ電極３１とＩＤＴ電極３２とで異なっている。また、弾性波伝搬方向Ｄ１における複数の電極指３６ｂのピッチ（距離）は、ＩＤＴ電極３１とＩＤＴ電極３２とで異なっている。
　各バスバー電極３７ａおよび３７ｂは、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って延びるように形成されている。
　第１櫛歯状電極３１ａのバスバー電極３７ａには、引き出し配線ｄ１ａが接続されている。第１櫛歯状電極３１ａは、この引き出し配線ｄ１ａおよび容量素子Ｃ１を介して第１端子２１に接続される。第１櫛歯状電極３２ａのバスバー電極３７ａには、引き出し配線ｄ２ａが接続されている。第１櫛歯状電極３２ａは、この引き出し配線ｄ２ａおよび容量素子Ｃ２を介して第２端子２２に接続される。
　第２櫛歯状電極３１ｂのバスバー電極３７ｂには、引き出し配線ｄ１ｂが接続されている。第２櫛歯状電極３１ｂは、この引き出し配線ｄ１ｂを介してグランドに接続される。なお、グランドは、マルチプレクサ５の基板等に設けられたグランド接続用電極（図示省略）であってもよい。一方、第２櫛歯状電極３２ｂのバスバー電極３７ｂには、引き出し配線が接続されず、第２櫛歯状電極３２ｂは電気的なフロート状態、すなわちオープン状態となっている。
　複数の反射器４０は、弾性波伝搬方向Ｄ１において、ＩＤＴ電極３１、３２を挟むように配置されている。各反射器４０は、互いに平行な複数の反射電極指と、複数の反射電極指の両端同士を接続する反射バスバー電極と、で構成されている。複数の反射電極指は、弾性波伝搬方向Ｄ１の直交方向Ｄ２に延びるように形成されている。図３に示す反射器４０は、オープン状態となっているが、それに限られず、反射器４０は、グランドに接続されてもよいし、ホット端子（信号端子）に接続されてもよい。
　［４．効果等］
　本実施の形態による効果を説明するため、比較例の弾性波フィルタについて説明する。比較例の弾性波フィルタは、第１フィルタ回路１０、および、第１フィルタ回路１０に付加接続された付加回路１２０を備えている。
　図４は、比較例の弾性波フィルタの付加回路１２０に含まれる弾性波共振子群１２５を示す模式図である。比較例の弾性波共振子群１２５は、複数のＩＤＴ電極で構成され、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂの全てがグランドに接続されている。
　以下、本実施の形態の弾性波フィルタ１の通過特性、および、マルチプレクサ５のアイソレーション特性について、比較例と比べながら説明する。
　図５は、弾性波フィルタ１の通過特性を示す図である。図６は、マルチプレクサ５のアイソレーション特性を示す図である。
　図５および図６には、弾性波フィルタ１を送信フィルタとし、第２フィルタ回路５０を受信フィルタとし、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域を７０３ＭＨｚ－７３３ＭＨｚとし、第２フィルタ回路５０の周波数通過帯域を７５８ＭＨｚ－７８８ＭＨｚとした例が示されている。また、図５には、第１信号端子Ｔ１－第２信号端子Ｔ２間の挿入損失が示され、図６には、第１信号端子Ｔ１－第３信号端子Ｔ３間の挿入損失が示されている。
　図５に示すように、実施の形態では、第２フィルタ回路５０の周波数通過帯域において、挿入損失のピークが３７ｄＢとなっており、比較例の挿入損失のピークである３３ｄＢに比べて、減衰量が大きくなっている。また、図６に示すように、実施の形態では、第２フィルタ回路５０の周波数通過帯域において、挿入損失のピークが３９ｄＢとなっており、比較例の挿入損失のピークである３６ｄＢに比べて、アイソレーション特性が向上している。
　本実施の形態のように、付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５の複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つをグランドに接続せず開放することで、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　（実施の形態の変形例１）
　実施の形態の変形例１に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例１では、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂのうち、第２櫛歯状電極３２ｂがグランドに接続され、第２櫛歯状電極３１ｂがグランドに接続されず開放されている例について説明する。
　図７は、変形例１に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ａを示す模式図である。
　図７に示すように、弾性波共振子群２５Ａは、複数のＩＤＴ電極３１、３２を備えている。複数のＩＤＴ電極３１、３２は、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａおよび複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂを有している。ＩＤＴ電極３１は、一対となる第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂによって構成されている。ＩＤＴ電極３２は、一対となる第１櫛歯状電極３２ａおよび第２櫛歯状電極３２ｂによって構成されている。
　変形例１では、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａのうち、第１櫛歯状電極３２ａを一部の第１櫛歯状電極とし、第１櫛歯状電極３１ａを一部の第１櫛歯状電極３２ａと異なる他の第１櫛歯状電極とする。また、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂのうち、第２櫛歯状電極３２ｂを一部の第２櫛歯状電極とし、第２櫛歯状電極３１ｂを一部の第２櫛歯状電極３２ｂと異なる他の第２櫛歯状電極とする。
　この例では、上記一部の第２櫛歯状電極３２ｂが、上記一部の第１櫛歯状電極３２ａに対向し、上記他の第２櫛歯状電極３１ｂが、上記他の第１櫛歯状電極３１ａと対向する構成となっている。また、一部の第１櫛歯状電極３２ａが、第２端子２２によってノードｎ５に接続され、他の第１櫛歯状電極３１ａが、第１端子２１によってノードｎ１に接続される。
　変形例１では、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂのうち、一部の第２櫛歯状電極３２ｂが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３１ｂが、グランドに接続されず開放されている。変形例１の弾性波フィルタ１も、弾性波共振子群２５Ａの複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つがオープン状態となっている。
　（実施の形態の変形例２）
　実施の形態の変形例２に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例２では、ＩＤＴ電極３１の第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂが、直交方向Ｄ２において、実施の形態と逆に配置されている例について説明する。すなわち変形例２では、第１櫛歯状電極３１ａの向きが第１櫛歯状電極３２ａの向きと反対であり、第２櫛歯状電極３１ｂの向きが第２櫛歯状電極３２ｂの向きと反対である。この例でも、第１端子２１または第２端子２２に接続される櫛歯状電極を第１櫛歯状電極と呼び、グランド接続状態またはオープン状態となる櫛歯状電極を第２櫛歯状電極と呼ぶ。
　図８は、変形例２に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｂを示す模式図である。
　図８に示すように、弾性波共振子群２５Ｂは、複数のＩＤＴ電極３１、３２を備えている。ＩＤＴ電極３１は、一対となる第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂによって構成されている。ＩＤＴ電極３２は、一対となる第１櫛歯状電極３２ａおよび第２櫛歯状電極３２ｂによって構成されている。
　複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａのうち、一部の第１櫛歯状電極３１ａは、第１端子２１に電気的に接続され、他の第１櫛歯状電極３２ａは、第２端子２２に電気的に接続される。
　また、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂのうち、一部の第２櫛歯状電極３１ｂは、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３２ｂは、グランドに接続されず開放されている。変形例２の弾性波フィルタ１も、弾性波共振子群２５Ｂの複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つがオープン状態となっている。
　（実施の形態の変形例３）
　実施の形態の変形例３に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例３では、少なくとも１つのＩＤＴ電極が、１つの第１櫛歯状電極と、複数の第２櫛歯状電極とによって構成されている例について説明する。
　図９は、変形例３に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｃを示す模式図である。
　図９に示すように、弾性波共振子群２５Ｃは、複数のＩＤＴ電極３１、３２を備えている。ＩＤＴ電極３１は、一対となる第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂによって構成されている。
　変形例３では、ＩＤＴ電極３２が、１つの第１櫛歯状電極３２ａおよび複数の第２櫛歯状電極によって構成されている。図９には、複数の第２櫛歯状電極の一例として、２つの第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄが示されている。複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのそれぞれは、第１櫛歯状電極３２ａに対向している。複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄは、互いに接続されていない独立した電極である。
　ここで、複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのうち、第２櫛歯状電極３２ｃを一部の第２櫛歯状電極とし、第２櫛歯状電極３２ｄを一部の第２櫛歯状電極３２ｃと異なる他の第２櫛歯状電極とする。
　変形例３では、複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのうち、一部の第２櫛歯状電極３２ｃが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３２ｄが、グランドに接続されず開放されている。この例では、オープン状態となっている第２櫛歯状電極３２ｄの電極指の数が、グランド接続状態となっている第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｃの電極指の数よりも少ない。言い換えれば、オープン状態よりもグランド接続状態となっている第２櫛歯状電極のほうが、電極指の数が多い。変形例３の弾性波フィルタ１も、弾性波共振子群２５Ｃの複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つがオープン状態となっている。
　なお、本変形例では、ＩＤＴ電極３２が、１つの第１櫛歯状電極および複数の第２櫛歯状電極によって構成されている例を示したが、それに限られず、ＩＤＴ電極３１が、１つの第１櫛歯状電極および複数の第２櫛歯状電極によって構成されていてもよい。また、複数の第２櫛歯状電極として２つの第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄを例示したが、第２櫛歯状電極の数はそれに限られず、３つ以上であってもよい。以下の各変形例においても同様である。
　（実施の形態の変形例４）
　実施の形態の変形例４に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例４では、変形例３に示す第２櫛歯状電極３１ｂが、グランドに接続されず開放されている例について説明する。
　図１０は、変形例４に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｄを示す模式図である。
　図１０に示すように、弾性波共振子群２５Ｄは、複数のＩＤＴ電極３１、３２を備えている。ＩＤＴ電極３１は、一対となる第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂによって構成されている。
　変形例４では、第２櫛歯状電極３１ｂが、グランドに接続されず開放されている。この例では、オープン状態となっている第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｄの電極指の数が、グランド接続状態となっている第２櫛歯状電極３２ｃの電極指の数よりも多い。言い換えれば、オープン状態よりもグランド接続状態となっている第２櫛歯状電極のほうが、電極指の数が少ない。また、この例では、オープン状態となっている第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｄの間に、グランド接続状態となっている第２櫛歯状電極３１ｃが配置されている。なお、第２櫛歯状電極３１ｂは、他の第２櫛歯状電極３２ｄに接続されていない。変形例４の弾性波フィルタ１も、弾性波共振子群２５Ｄの複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つがオープン状態となっている。
　（実施の形態の変形例５）
　実施の形態の変形例５に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例５では、変形例３における第２櫛歯状電極３１ｂおよび３２ｃのグランドが、共通化されている例について説明する。
　図１１は、変形例５に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｅを示す模式図である。
　変形例５では、一部の第２櫛歯状電極３２ｃが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３２ｄが、グランドに接続されず開放されている。さらに、第２櫛歯状電極３１ｂおよび第２櫛歯状電極３２ｃは、グランドが共通化されている。
　グランドの共通化は、例えば、第２櫛歯状電極３１ｂの引き出し配線と第２櫛歯状電極３２ｃの引き出し配線とが結線された後、グランド接続用電極に接続されることで実現される。また、グランドの共通化は、第２櫛歯状電極３１ｂのバスバー電極と第２櫛歯状電極３２ｃのバスバー電極とが接続された後、グランド接続用電極に接続されることで実現されてもよい。
　変形例５の弾性波フィルタ１も、弾性波共振子群２５Ｅの複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つがオープン状態となっている。
　（実施の形態の変形例６）
　実施の形態の変形例６に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例６では、変形例５における第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのグランドまたはオープンの接続状態が、逆になっている例について説明する。
　図１２は、変形例６に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｆを示す模式図である。
　図１２に示すように、ＩＤＴ電極３２は、１つの第１櫛歯状電極３２ａおよび複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄによって構成されている。２つの第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのそれぞれは、第１櫛歯状電極３２ａに対向している。
　ここで、複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのうち、第２櫛歯状電極３２ｄを一部の第１櫛歯状電極とし、第２櫛歯状電極３２ｃを一部の第２櫛歯状電極３２ｄと異なる他の第２櫛歯状電極とする。
　変形例６では、複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのうち、一部の第２櫛歯状電極３２ｄが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３２ｃが、グランドに接続されず開放されている。さらに、第２櫛歯状電極３１ｂおよび第２櫛歯状電極３２ｄは、グランドが共通化されている。また、この例では、グランド接続状態となっている第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｄの間に、オープン接続状態となっている第２櫛歯状電極３１ｃが配置されている。
　変形例６の弾性波フィルタ１も、弾性波共振子群２５Ｆの複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つがオープン状態となっている。
　（実施の形態の変形例７）
　実施の形態の変形例７に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例７では、ＩＤＴ電極３１、３２のそれぞれが、１つの第１櫛歯状電極と、複数の第２櫛歯状電極とによって構成されている例について説明する。
　図１３は、変形例７に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｇを示す模式図である。
　図１３に示すように、弾性波共振子群２５Ｇは、複数のＩＤＴ電極３１、３２を備えている。変形例７では、ＩＤＴ電極３１が、１つの第１櫛歯状電極３１ａおよび複数の第２櫛歯状電極３１ｃ、３１ｄによって構成され、ＩＤＴ電極３２が、１つの第１櫛歯状電極３２ａおよび複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄによって構成されている。２つの第２櫛歯状電極３１ｃ、３１ｄのそれぞれは、第１櫛歯状電極３１ａに対向し、２つの第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのそれぞれは、第１櫛歯状電極３２ａに対向している。
　変形例７では、複数の第２櫛歯状電極３１ｃ、３１ｄのうち、一部の第２櫛歯状電極３１ｃが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３１ｄがグランドに接続されず開放されている。また、複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのうち、一部の第２櫛歯状電極３２ｃが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３２ｄが、グランドに接続されず開放されている。さらに、第２櫛歯状電極３１ｃおよび第２櫛歯状電極３２ｃは、グランドが共通化されている。
　変形例７の弾性波フィルタ１も、弾性波共振子群２５Ｇの複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つがオープン状態となっている。
　（実施の形態の変形例８）
　実施の形態の変形例８に係る弾性波フィルタ１について説明する。変形例８では、弾性波共振子群２５Ｈが３つのＩＤＴ電極３１、３２、３３で構成されている例について説明する。
　図１４は、変形例８に係る弾性波フィルタ１の付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｈを示す模式図である。
　図１４に示すように、弾性波共振子群２５Ｈは、複数のＩＤＴ電極３１、３２、３３を備えている。複数のＩＤＴ電極３１、３２、３３は、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａ、３３ａおよび複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂ、３３ｂを有している。ＩＤＴ電極３１は、一対となる第１櫛歯状電極３１ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂによって構成されている。ＩＤＴ電極３２は、一対となる第１櫛歯状電極３２ａおよび第２櫛歯状電極３２ｂによって構成されている。ＩＤＴ電極３３は、一対となる第１櫛歯状電極３３ａおよび第２櫛歯状電極３３ｂによって構成されている。
　ここで、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａ、３３ａのうち、第１櫛歯状電極３２ａ、３３ａを一部の第１櫛歯状電極とし、第１櫛歯状電極３１ａを一部の第１櫛歯状電極３２ａ、３３ａと異なる他の第１櫛歯状電極とする。また、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂ、３３ｂのうち、第２櫛歯状電極３２ｂ、３３ｂを一部の第２櫛歯状電極とし、第２櫛歯状電極３１ｂを一部の第２櫛歯状電極３２ｂ、３３ｂと異なる他の第２櫛歯状電極とする。
　本変形例では、複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａ、３３ａが、第１の経路ｒ１上の複数のノードに電気的に接続される。具体的には、一部の第１櫛歯状電極３２ａ、３３ａが、第１端子２１によってノードｎ１に接続され、他の第１櫛歯状電極３１ａが、第２端子２２によってノードｎ５に接続される。
　また、複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂ、３３ｂのうち、一部の第２櫛歯状電極３２ｂ、３３ｂが、グランドに接続され、他の第２櫛歯状電極３１ｂが、グランドに接続されず開放されている。このように、付加回路２０に含まれる弾性波共振子群２５Ｈの複数の櫛歯状電極の少なくとも１つが、グランドに接続されずオープン状態となっていることで、付加回路２０の位相を調整する際の調整幅を広げることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　なお、上記では、一部の第１櫛歯状電極３２ａ、３３ａがノードｎ１に接続され、他の第１櫛歯状電極３１ａがノードｎ５に接続される例を示したが、このように、全ての第１櫛歯状電極が第１の経路ｒ１上の異なるノードに接続されている必要はなく、全てのうちの一部である２以上の第１櫛歯状電極（例えば３１ａ、３２ａ）が第１の経路ｒ１上の異なるノードに接続されていればよい。
　また、本変形例では、３つのＩＤＴ電極３１～３３で構成される弾性波共振子群２５Ｈの一例を示したが、各櫛歯状電極の接続関係はこれに限られない。例えば図１４において、一部の第２櫛歯状電極３２ｂおよび３３ｂのいずれか一方が、グランドに接続されず開放されていてもよい。例えば図１４において、他の第２櫛歯状電極３１ｂがグランドに接続され、一部の第２櫛歯状電極３２ｂ、３３ｂがグランドに接続されず開放されていてもよい。例えば図１４において、第１櫛歯状電極３１ａが第１端子２１に接続され、第１櫛歯状電極３２ａ、３３ａが第２端子２２に接続され、第２櫛歯状電極３１ｂがグランドに接続され、第２櫛歯状電極３２ｂ、３３ｂがグランドに接続されず開放されていてもよい。
　（まとめ）
　以上説明したように、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１は、所定の周波数帯域を通過帯域とし、第１信号端子Ｔ１と第２信号端子Ｔ２とを結ぶ第１の経路ｒ１上に配置された第１フィルタ回路１０と、弾性波共振子群２５を有し、第１の経路ｒ１上の複数のノード（例えばｎ１、ｎ５）に接続される付加回路２０と、を備える。弾性波共振子群２５は、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って配置された複数のＩＤＴ電極３１、３２を有する。複数のＩＤＴ電極３１、３２は、複数の第１櫛歯状電極（例えば３１ａ、３２ａ）および複数の第２櫛歯状電極（例えば、３１ｂ、３２ｂ）を有している。第１櫛歯状電極および第２櫛歯状電極は、互いに対向している。複数の第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａのうちの一部の第１櫛歯状電極（例えば３１ａ）および上記一部の第１櫛歯状電極と異なる他の第１櫛歯状電極（例えば３２ａ）は、上記複数のノードに電気的に接続されている。複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂのうち、一部の第２櫛歯状電極はグランドに接続され、上記一部の第２櫛歯状電極と異なる他の第２櫛歯状電極はグランドに接続されず開放されている。
　このように、弾性波共振子群２５の複数の第２櫛歯状電極の少なくとも１つをグランドに接続せず開放することで、付加回路２０の位相を調整する際の調整幅を広げることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　また、複数のＩＤＴ電極３１、３２のそれぞれは、一対となる第１櫛歯状電極３１ａ、３２ａおよび第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂによって構成されていてもよい。
　これによれば、複数のＩＤＴ電極３１、３２に含まれる複数の第２櫛歯状電極３１ｂ、３２ｂの少なくとも１つをグランドに接続せず開放することができ、付加回路２０の位相を調整する際の調整幅を広げることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　また、上記一部の第２櫛歯状電極（例えば３１ｂ）は、上記一部の第１櫛歯状電極（例えば３１ａ）に対向し、上記他の第２櫛歯状電極（例えば３２ｂ）は、上記他の第１櫛歯状電極（例えば３２ａ）に対向していてもよい。
　これによれば、グランドに接続されていない第２櫛歯状電極３２ｂと、第２櫛歯状電極３２ｂに対向する第１櫛歯状電極３２ａとを用いて、付加回路２０の位相を調整することが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　また、複数のＩＤＴ電極３１、３２のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極（例えば３２）は、１つの第１櫛歯状電極（例えば３２ａ）および複数の第２櫛歯状電極（例えば３２ｃ、３２ｄ）によって構成されていてもよい。
　これによれば、例えば、ＩＤＴ電極３２に含まれる複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄの少なくとも１つをグランドに接続せず開放することができ、付加回路２０の位相を調整する際の調整幅を広げることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　また、複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄのうち、一部の第２櫛歯状電極はグランドに接続され、一部の第２櫛歯状電極と異なる他の第２櫛歯状電極はグランドに接続されず開放されていてもよい。
　このように、複数の第２櫛歯状電極３２ｃ、３２ｄの少なくとも１つをグランドに接続せず開放することで、付加回路２０の位相を調整する際の調整幅をさらに広げることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　また、上記一部の第２櫛歯状電極は、２以上の第２櫛歯状電極（例えば、３１ｂ、３２ｃまたは３１ｂ、３２ｄ）によって構成されていてもよい。
　これによれば、グランドに接続された２以上の第２櫛歯状電極を用いて、付加回路２０の位相を調整する際の調整幅を広げることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　また、上記２以上の第２櫛歯状電極（例えば、３１ｂ、３２ｃまたは３１ｂ、３２ｄ）はグランドに接続され、当該グランドが共通化されていてもよい。
　このように、グランドを共通化することで、付加回路２０の位相を的確に調整することができる。これにより、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域外における不要波を抑制し、周波数通過帯域外における減衰量を確保することができる。
　本実施の形態に係るマルチプレクサ５は、上記弾性波フィルタ１と、第１信号端子Ｔ１、第２信号端子Ｔ２および第３信号端子Ｔ３と、第１フィルタ回路１０とは異なる周波数帯域を通過帯域とし、第２信号端子Ｔ２と第３信号端子Ｔ３とを結ぶ第３の経路ｒ３上に配置された第２フィルタ回路５０とを備える。
　これによれば、周波数通過帯域外における減衰量が確保された弾性波フィルタ１を備えるマルチプレクサ５を提供することができる。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明の実施の形態に係る弾性波フィルタおよびマルチプレクサについて、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る弾性波フィルタまたはマルチプレクサを含む高周波フロントエンド回路および通信装置も本発明に含まれる。
　上記では、弾性波フィルタが２つまたは３つのＩＤＴ電極を備えている例を示したが、それに限られず、ＩＤＴ電極の数は、４つでもよいし、５つ以上であってもよい。
　上記では、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域が、第２フィルタ回路５０の周波数通過帯域よりも低くなるように設定されている例を示したが、それに限られず、弾性波フィルタ１の周波数通過帯域は、第２フィルタ回路５０の周波数通過帯域よりも高くなるように設定されていてもよい。
　上記では、弾性波フィルタ１が送信フィルタである例を示したが、それに限られず、弾性波フィルタ１は受信フィルタであってもよい。また、マルチプレクサ５は、送信フィルタおよび受信フィルタの双方を備える構成に限られず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもよい。
　また、上記では、２つのフィルタを含むマルチプレクサを例に説明したが、本発明は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサについても適用することができる。つまり、マルチプレクサは、２以上のフィルタを備えていればよい。
　また、第１信号端子Ｔ１および第２信号端子Ｔ２は、入力端子および出力端子のいずれかであってもよい。例えば、第１信号端子Ｔ１が入力端子である場合は、第２信号端子Ｔ２が出力端子となり、第２信号端子Ｔ２が入力端子である場合は、第１信号端子Ｔ１が出力端子となる。
　また、第２フィルタ回路５０は、前述したフィルタの構成に限定されず、要求されるフィルタ特性等に応じて適宜設計され得る。具体的には、第２フィルタ回路５０は、縦結合型のフィルタ構造であってもよいし、ラダー型のフィルタ構造であってもよい。また、第２フィルタ回路５０を構成する各共振子は、ＳＡＷ共振子に限らず、例えば、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）共振子であってもよい。さらには、第２フィルタ回路５０は、共振子を用いずに構成されていてもよく、例えば、ＬＣ共振フィルタあるいは誘電体フィルタであってもよい。
　また、ＩＤＴ電極３１、３２および反射器４０の電極層３２５および誘電体層３２６を構成する材料は、前述した材料に限定されない。また、ＩＤＴ電極３１、３２は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極３１、３２は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。
　また、実施の形態では、基板３２０として圧電性を有する基板を示したが、当該基板は、圧電体層の単層からなる圧電基板であってもよい。この場合の圧電基板は、例えば、ＬｉＴａＯ３の圧電単結晶、または、ＬｉＮｂＯ３などの他の圧電単結晶で構成される。また、ＩＤＴ電極３１、３２が形成される基板３２０は、圧電性を有する限り、全体が圧電体層からなるものの他、支持基板上に圧電体層が積層されている構造を用いてもよい。また、上記実施の形態に係る基板３２０のカット角は限定されない。つまり、弾性波フィルタの要求通過特性などに応じて、適宜、積層構造、材料、および厚みを変更してもよく、上記実施の形態に示すカット角以外のカット角を有するＬｉＴａＯ３圧電基板またはＬｉＮｂＯ３圧電基板などを用いた弾性表面波フィルタであっても、同様の効果を奏することが可能となる。
　本発明は、弾性波フィルタを有するマルチプレクサ、フロントエンド回路および通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１　　弾性波フィルタ
　５　　マルチプレクサ
　９　　アンテナ素子
　１０　第１フィルタ回路
　２０　付加回路
　２１　第１端子
　２２　第２端子
　２５、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｄ、２５Ｅ、２５Ｆ、２５Ｇ、２５Ｈ　弾性波共振子群
　３１、３２、３３　ＩＤＴ電極
　３１ａ、３２ａ、３３ａ　第１櫛歯状電極
　３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３３ｂ　第２櫛歯状電極
　３６ａ、３６ｂ　電極指
　３７ａ、３７ｂ　バスバー電極
　４０　反射器
　５０　第２フィルタ回路
　６０　縦結合型弾性波共振器
　３２０　基板
　３２５　電極層
　３２６　誘電体層
　Ｃ１、Ｃ２　容量素子
　Ｄ１　弾性波伝搬方向
　Ｄ２　直交方向
　ｄ１ａ、ｄ１ｂ、ｄ２ａ　引き出し配線
　ｎ０、ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５　ノード
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４　並列腕共振子
　ｒ１、ｒ２、ｒ３　経路
　Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、ＲＳ１　直列腕共振子
　Ｔ１　第１信号端子
　Ｔ２　第２信号端子
　Ｔ３　第３信号端子

Claims (8)

  1. 　所定の周波数帯域を通過帯域とし、第１信号端子と第２信号端子とを結ぶ第１の経路上に配置された第１フィルタ回路と、
    　弾性波共振子群を有し、前記第１の経路上の複数のノードに接続される付加回路と、
    　を備え、
    　前記弾性波共振子群は、弾性波伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ電極を有し、
    　前記複数のＩＤＴ電極は、複数の第１櫛歯状電極および複数の第２櫛歯状電極を有し、
    　前記第１櫛歯状電極および前記第２櫛歯状電極は、互いに対向しており、
    　前記複数の第１櫛歯状電極は、前記複数のノードに電気的に接続され、
    　前記複数の第２櫛歯状電極のうち、一部の第２櫛歯状電極はグランドに接続され、前記一部の第２櫛歯状電極と異なる他の第２櫛歯状電極はグランドに接続されず開放されている
    　弾性波フィルタ。
  2. 　前記複数のＩＤＴ電極のそれぞれは、一対となる前記第１櫛歯状電極および前記第２櫛歯状電極によって構成されている
    　請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 　前記一部の第２櫛歯状電極は、前記複数の第１櫛歯状電極のうちの一部の第１櫛歯状電極に対向し、
    　前記他の第２櫛歯状電極は、前記一部の第１櫛歯状電極と異なる他の第１櫛歯状電極に対向している
    　請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 　前記複数のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極は、１つの前記第１櫛歯状電極および複数の前記第２櫛歯状電極によって構成されている
    　請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  5. 　複数の前記第２櫛歯状電極のうち、一部の前記第２櫛歯状電極はグランドに接続され、一部の前記第２櫛歯状電極と異なる他の前記第２櫛歯状電極はグランドに接続されず開放されている
    　請求項４に記載の弾性波フィルタ。
  6. 　前記一部の第２櫛歯状電極は、２以上の第２櫛歯状電極によって構成されている
    　請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  7. 　前記２以上の第２櫛歯状電極は前記グランドに接続され、当該グランドは共通化されている
    　請求項６に記載の弾性波フィルタ。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    　前記第１信号端子、前記第２信号端子および第３信号端子と、
    　前記第１フィルタ回路とは異なる周波数帯域を通過帯域とし、前記第２信号端子と前記第３信号端子とを結ぶ第３の経路上に配置された第２フィルタ回路と
    　を備えるマルチプレクサ。
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