WO2022009517A1 - 接点構造物および接点構造物の製造方法 - Google Patents

接点構造物および接点構造物の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022009517A1
WO2022009517A1 PCT/JP2021/018253 JP2021018253W WO2022009517A1 WO 2022009517 A1 WO2022009517 A1 WO 2022009517A1 JP 2021018253 W JP2021018253 W JP 2021018253W WO 2022009517 A1 WO2022009517 A1 WO 2022009517A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wiring
metal ink
contact
firing
fired
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/018253
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大輔 田ノ岡
忠雷 杜
克 裴
聡 青木
前根 趙
Original Assignee
株式会社ブイ・テクノロジー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ブイ・テクノロジー filed Critical 株式会社ブイ・テクノロジー
Publication of WO2022009517A1 publication Critical patent/WO2022009517A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits

Definitions

  • the present invention relates to a contact structure for wiring using metal ink.
  • An object of the present invention is to provide a new contact structure.
  • the present invention comprises a fired metal ink wiring, the fired metal ink wiring has a contact covering another wiring or an electrode, and a recess is formed on the surface of the fired metal ink wiring at the contact.
  • the problem was solved by making the contact structure characterized by the fact that it is present.
  • Example 1 In the first embodiment, a TFT liquid crystal panel 1 using various materials such as an organic film 71 is used as a target for arranging the fired metal ink wiring 27.
  • metal ink 2 the metal ink before firing
  • metal ink 23 the metal ink after firing
  • fired metal ink wiring 27 the metal ink after firing
  • FIG. 1 is an explanatory diagram of a metal ink firing process.
  • FIG. 1B is an enlarged view of the metal ink 2.
  • the metal ink 2 is obtained by converting highly conductive metals such as gold, silver, and copper into nanoparticles and dissolving them in an organic solvent 26. The melting point of metal drops dramatically as it becomes nanoparticles.
  • the organic substance 25 is adsorbed on the surface of the metal nanoparticles 24, and the organic substances 25 disperse the metal nanoparticles 24 in the organic solvent 26 without aggregating them.
  • FIG. 1A is a conceptual diagram of a sintering process of a fired metal ink wiring 27 by scanning a firing laser.
  • FIG. 1C is an enlarged view of the fired metal ink 23, and it can be seen that they are fused to each other to form a metal lump. Only the portion irradiated with the firing laser 3 is fired to become the firing metal ink 23, and becomes the firing metal ink wiring 27 having conductivity.
  • the firing laser 3 is scanned left and right along the metal ink 2 as shown by an arrow, and the metal ink 2 is fired to form a firing metal ink wiring 27.
  • the firing can also be performed by irradiating infrared rays or the like or firing at a low temperature in an atmospheric atmosphere, and is not limited to the firing laser 3.
  • FIG. 2 is an explanatory view of the first embodiment, and FIG. 2A is an enlarged front view of the TFT liquid crystal panel 1.
  • the TFT liquid crystal panel 1 is provided with a number of wirings 11 (other wirings) connecting the field-effect transistor 12, and an organic film 71 or the like is provided on the substrate 7 (not shown). ..
  • FIG. 2B is an enlarged view within the frame of FIG. 2A.
  • the substrate 7 of the TFT liquid crystal panel 1 is provided with an organic film 71, a field effect transistor 12, and the like.
  • the metal ink 2 is used as the wiring 11, although it can be fired at a low temperature, there is an organic film 71 and a field effect transistor 12 nearby, which may affect them.
  • the wiring 11 (other wiring) of the TFT liquid crystal panel 1 has a defect 111 (disconnection). If nothing is done, it will be discarded as a defective product.
  • a detour circuit 15 that bypasses the defect 111 is provided.
  • the defect 111 may be due to dust adhering when creating the copper wiring 11 (other wiring), and the defect 111 can be directly connected, but dust, etc. Since there is a possibility that is left, the detour circuit 15 is intentionally used. Of course, it goes without saying that the wiring 11 (other wiring) may be repaired by directly connecting the defect 111.
  • the detour circuit 15 using the metal ink 2 is fired by a firing laser 3 (not shown) to form a firing metal ink wiring 27.
  • Wiring 11 (other wiring) contains copper as a main component.
  • the metal ink 2 is provided so as to cover the copper wiring 11 (other wiring).
  • the fired metal ink wiring 27 has a contact 112 with another wiring 11.
  • the contact 112 between the copper wiring 11 (other wiring) and the fired metal ink wiring 27 is intentionally provided over a wide area so that the conductivity is surely ensured after firing.
  • a recess 28 is provided above the fired metal ink wiring 27, and is dug down until the lower copper wiring 11 (other wiring) can be seen.
  • the recess 28 does not necessarily have to be deeply provided until the lower wiring 11 (other wiring) is exposed.
  • the area of the contact 112 becomes larger than when the copper wiring 11 (other wiring) is dug down until it can be seen. Further, the heat conduction to the copper wiring 11 (other wiring) can be expected to be the same as when the copper wiring 11 is dug down until the copper wiring 11 can be seen.
  • the recess 28 is created with respect to the metal ink 2 before firing by using a removal laser (not shown) consisting of a femtosecond pulse laser having a diameter of 226 nm.
  • a removal laser (not shown) consisting of a femtosecond pulse laser having a diameter of 226 nm.
  • the metal ink 2 is attached to the copper wiring 11 (other wiring) so as to cover the entire surface of the contact point 112 with the copper wiring 11 (other wiring).
  • the removal laser is scanned by a galvanoscan mirror and a 20x objective lens to repel the metal ink 2 and form a recess 28 so as to be hollowed out.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 2B. The arrows show how heat is transferred. Next, firing will be described.
  • the absorption wavelength of the metal ink 2 varies depending on the type and particle size of the metal, but is around 400 nm in the metal ink 2 containing the metal nanoparticles 24 containing silver as a main component having a particle size of 20 nm used in Example 1. Therefore, the firing laser 3 is a continuously oscillating semiconductor laser having a wavelength near the absorption wavelength. The laser beam from the firing laser 3 hits the surface 21 of the metal ink 2, and firing starts from the surface 21. In addition, since the side wall 281 of the recess 28 is also heated by the laser beam, firing starts from the side wall 281 as well.
  • the metal ink 2 and the copper wiring 11 are transmitted through the copper wiring 11 having good thermal conductivity.
  • the contact surface 1121 of the other wiring is also heated, and firing starts.
  • the fired metal ink wiring 27 that covers the contact 112 is evenly fired and exhibits good conductivity. Further, since the firing proceeds from various directions, the firing is completed in a short time, so that the heat load applied to the substrate 7 can be reduced. Further, since the recess 28 is provided immediately after the firing is completed, the heat is immediately allowed to cool and the heat load on the substrate 7 can be reduced.
  • the fired metal ink wiring 27 of Example 1 has a contact 112 that covers the other wiring 11, and a unique recess 28 is formed on the surface of the fired metal ink wiring 27 at the contact 112. It becomes the contact structure 9 (contact 112).
  • the firing is performed only from the surface 21 of the metal ink 2, so that the firing may not reach the contact surface 1121 between the other wiring 11 and the metal ink 2, which is important.
  • the contact surface 1121 of the copper wiring 11 (other wiring) and the metal ink 2 and the side surface of the recess 28 are also heated, so that firing is reliably performed.
  • Example 1 Although the removal laser was used in Example 1 to form the recess 28 in the metal ink 2, the removal laser can also be used to draw the metal ink in a wiring shape. Further, the recess 28 can be directly provided by inkjet or the like without using the removal laser, and the wiring of the metal ink 2 can be drawn. The drawing means of the wiring of the metal ink 2 does not matter. Further, although the contact 112 with the other wiring 11 has been described so far, the contact 112 with the electrode (not shown) can also be applied. When applied to an electrode, the fired metal ink wiring 27 will have a contact 112 that covers the electrode. Then, a unique recess 28 is formed on the surface of the fired metal ink wiring 27 at the contact 112 to form the contact structure 9. It can be used when the contact 112 of the field effect transistor 12) is defective.
  • Step 1 Metal ink 2 is applied to another wiring 11 or an electrode (not shown) on the substrate 7 to create a contact 112 that covers the other wiring 11 or the electrode.
  • Step 2 Step 2) Next, by firing the metal ink 2 to form a fired metal ink wiring 27, the contact structure 9 having the recess 28 formed on the surface of the fired metal ink wiring 27 at the contact 112 is formed. The process of creating.
  • the contact structure 9 can be manufactured by performing at least (step 1) and (step 2).
  • TFT LCD panel 11 wiring (other wiring) 111 Defects 112 Contact 1121 Contact surface 12 Electromagnetic effect transistor 15 Bypass circuit 2 Metal ink 21 Surface 23 Firing metal ink 24 Metal nanoparticles 25 Organic material 26 Organic solvent 27 Firing metal ink wiring 28 Recess 281 Side wall 282 Bottom 3 Firing laser 7 Substrate 71 Organic film 9 Contact structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

新たな接点構造物の提供を課題とする。　本発明は、焼成メタルインク配線２７を備え、焼成メタルインク配線２７は、他の配線１1または電極を覆う接点１１２を有しており、接点１１２における焼成メタルインク配線２７の表面２１には、凹部２８が形成されていることを特徴とする接点構造物９とすることで課題を解決できた。

Description

接点構造物および接点構造物の製造方法
　本発明は、メタルインクを用いた配線の接点構造物に関するものである。
　従来、アルミニウムなどを主材料とする配線など、配線の素材には様々な材料が用いられてきた。近年、回路の微細化に伴い、より低抵抗の金属を主材料とする配線にシフトしつつある。特許文献１のように配線を基板上に形成するのに適した、銀、金、銅といった金属ナノ粒子を溶剤に分散したメタルインクが開発されている。そして、メタルインクを用いた場合、焼成工程が伴う。
特開２０１０－４３３４６号公報
　金属はナノ粒子となることにより融点が劇的に下がることが知られている。その性質を利用して、メタルインクを焼成し、溶剤を蒸発させ、金属ナノ粒子をバルク化することで導電性を有する配線となる。しかしながら、融点が低いとはいえ、焼成工程により基板や接点に対する熱の影響が懸念されてきた。
　本発明は、新たな接点構造物の提供を課題とする。
　本発明は、焼成メタルインク配線を備え、前記焼成メタルインク配線は、他の配線または電極を覆う接点を有しており、前記接点における前記焼成メタルインク配線の表面には、凹部が形成されていることを特徴とする接点構造物とすることで課題を解決した。
　新たな接点構造物が提供できた。
メタルインクの焼成工程の説明図（Ａ）焼成用レーザの走査による焼成メタルインク配線の焼結工程概念図（Ｂ）メタルインクの拡大図（Ｃ）焼成メタルインクの拡大図 実施例１の説明図（Ａ）ＴＦＴ液晶パネルの拡大正面図（Ｂ）、図２（Ａ）の枠内の拡大図 図２（Ｂ）Ａ－Ａ間の断面図
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の説明で、異なる図における
同一符号は同一機能の部位を示しており、各図における重複説明は適宜省略する。
（実施例１）
　実施例１は、焼成メタルインク配線２７を配設する対象として、有機膜７１など種々の材料を用いるＴＦＴ液晶パネル１を用いたものである。
　以下、焼成前のメタルインクは単に「メタルインク２」といい、焼成後のメタルインクは「焼成メタルインク２３」や「焼成メタルインク配線２７」などということで区別する。
[メタルインクの焼成工程]
　図１はメタルインクの焼成工程の説明図であり。図１（Ｂ）メタルインク２の拡大図である。メタルインク２は、金、銀、銅などの導電性の高い金属をナノ粒子化し、有機溶媒２６に溶かしたものである。金属はナノ粒子化することにより融点が劇的に下がる。金属ナノ粒子２４の表面には、有機物２５が吸着されており、この有機物２５により、金属ナノ粒子２４同志が凝集することなく有機溶媒２６中に分散される。図１（Ａ）は焼成用レーザの走査による焼成メタルインク配線２７の焼結工程概念図である。メタルインク２に焼成用レーザ３を当てて加熱すると、有機溶媒２６が蒸発するとともに、金属ナノ粒子２４表面の有機物２５が脱離し、金属ナノ粒子２４同志が凝集し、溶融することで金属となり導電性を持つようになる。図１（Ｃ）は焼成メタルインク２３の拡大図であり、互いに融着し金属塊となっていることが分かる。焼成用レーザ３が照射された部位のみが、焼成され焼成メタルインク２３となり、導電性を有する焼成メタルインク配線２７となる。焼成用レーザ３は、矢印で示すようにメタルインク２に沿って左右に走査され、メタルインク２を焼成し、焼成メタルインク配線２７を作ってゆく。
　なお、焼成は、赤外線等を照射することや、大気雰囲気で低温焼成するなどでも行うことができ、焼成用レーザ３に限られるものではない。
　図２は実施例１の説明図であり、図２（Ａ）は、ＴＦＴ液晶パネル１の拡大正面図である。ＴＦＴ液晶パネル１には、電界効果型トランジスタ１２を結ぶ数々の配線１１（他の配線）が設けられており、図示はしていないが基板７の上には有機膜７１などが設けられている。
　図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の枠内の拡大図である。前述したように、ＴＦＴ液晶パネル１の基板７には有機膜７１や電界効果型トランジスタ１２などが設けられている。メタルインク２を配線１１として使用する場合、低温で焼成可能とはいえ近くに有機膜７１や電界効果型トランジスタ１２があるので、それらに影響を与える可能性があった。温度の影響を避けるため焼成用レーザ３の照射時間を短くすることもできるが、焼成用レーザ３が照射された部位、すなわち、メタルインク２の表面から焼成が始まるため、一見すると焼成されているように見えても、内部は焼成されていない可能性が残る。図１のように単に焼成メタルインク配線２７として使用するだけであれば、表面が焼成されていれば導電性が確保され十分機能する。しかしながら、電極（図示せず）や他の配線１１との接点１１２においては、完全に焼成されてないと抵抗値が上昇し、悪ければ断線状態となる。
　図２（Ｂ）から観て取れるように、ＴＦＴ液晶パネル１の配線１１（他の配線）には欠陥１１１（断線）がある。このままでは不良品として廃棄されてしまう。実施例１では、欠陥１１１を修復し製品歩留まりを良くするために、欠陥１１１を迂回する迂回回路１５を設けることとした。欠陥１１１が生じた原因は色々とあり得るが、銅の配線１１（他の配線）を作成する際にゴミが付着したことによる場合があり得、欠陥１１１を直接繋ぐこともできるが、ゴミ等が残っている可能性があるためあえて迂回回路１５としている。もちろん、直接欠陥１１１を直接繋いで配線１１（他の配線）を修復してもよいことは言うまでもない。
　メタルインク２を用いた迂回回路１５は図示していない焼成用レーザ３で焼成され、焼成メタルインク配線２７となっている。配線１１（他の配線）は銅を主成分とする。
　メタルインク２は、銅の配線１１（他の配線）を覆うように設けられる。これにより、焼成メタルインク配線２７は、他の配線１１との接点１１２を持つこととなる。
　銅の配線１１（他の配線）と焼成メタルインク配線２７との接点１１２は、焼成後確実に導電性が担保されるように、敢えて広い領域にわたって設けられている。接点１１２において、焼成メタルインク配線２７の上には、凹部２８が設けられており、下の銅の配線１１（他の配線）が見えるまで掘り下げられている。凹部２８は、必ずしも下の配線１１（他の配線）が露出するまで深く設けられる必要はない。凹部２８の底部２８２にメタルインク２が残っている場合、接点１１２の面積が、銅の配線１１（他の配線）が見えるまで掘り下げられている場合より大きくなる。また、掘り下げられている分、銅の配線１１（他の配線）への熱伝導も、銅の配線１１が見えるまで掘り下げたときと同様に期待できる。
［凹部の機能］
　凹部２８は、焼成前のメタルインク２に対して、２２６ｎｍのフェムト秒パルスレーザからなる除去用レーザ（図示せず）を用いて作成される。焼成前、メタルインク２は銅の配線１１（他の配線）との接点１１２の全面を覆うように銅の配線１１（他の配線）に付着されている。除去用レーザをガルバノスキャンミラーおよび２０倍対物レンズにより走査し、メタルインク２を弾き飛ばし、くりぬくように凹部２８を形成する。
　図３は、図２（Ｂ）のＡ－Ａ間の断面図である。矢印は、熱が伝わる様子を示している。次いで、焼成について説明する。メタルインク２の吸収波長は、金属の種類と粒径によって異なるが実施例１で用いる２０ｎｍ粒径の銀を主成分とする金属ナノ粒子２４を含むメタルインク２では、４００ｎｍ付近である。そのため、焼成用レーザ３は、当該吸収波長付近の波長を有する連続発振半導体レーザである。焼成用レーザ３からのレーザ光はメタルインク２の表面２１に当たり、表面２１から焼成が始まる。加えて、凹部２８の側壁２８１もレーザ光が当たり加熱されるため、当該側壁２８１からも焼成が始まる。さらに、凹部２８の底部の銅の配線１１（他の配線）が露出した部分もレーザ光が当たり加熱されるため、熱伝導性の良い銅の配線１１を伝わりメタルインク２と銅の配線１１（他の配線）の接触面１１２１も加熱され、焼成が始まる。
　最終的に、接点１１２を覆う焼成メタルインク配線２７は、満遍なく焼成が進み、良好な導電性を示すようになる。また、様々な方向から焼成が進むため、短時間で焼成が終了するので、基板７に与える熱負荷を軽減できる。さらに、焼成が終了した直後、凹部２８があるため、即座に放冷され基板７への熱負荷を軽減できる。
　以上のように、実施例１の焼成メタルインク配線２７は、他の配線１１を覆う接点１１２を有しており、接点１１２における焼成メタルインク配線２７の表面に、特有の凹部２８が形成された接点構造物９（接点１１２）となる。
　他方、凹部２８を設けない場合、メタルインク２の表面２１からのみ、焼成がなされるため、肝心の他の配線１１とメタルインク２の接触面１１２１まで焼成が及ばないことがあったところ、実施例１では、特に、銅の配線１１（他の配線）とメタルインク２の接触面１１２１や凹部２８の側面も加熱されるため、確実に焼成がなされる。
（実施例１の変形例）
　メタルインク２に凹部２８を形成するのに、実施例１では除去用レーザを用いたが、メタルインクを配線状に描画するのにも除去用レーザを用いることもできる。
　さらに、除去用レーザを用いることなくインクジェットなどにより、直接凹部２８を設けることもできるし、メタルインク２の配線も描画できる。メタルインク２の配線の描画手段は問わない。
　また、これまで他の配線１１との接点１１２について説明してきたが、電極（図示せず）との接点１１２にも適用できる。電極に適用した場合、焼成メタルインク配線２７は、電極を覆う接点１１２がつくられることとなる。そして、接点１１２における焼成メタルインク配線２７の表面に、特有の凹部２８が形成され接点構造物９となる。電界効果型トランジスタ１２の電極）の接点１１２に不良がある場合などに用いることができる。
（接点構造物の製造方法）
　以上の製造工程を要約すると、次の（工程１）および（工程２）を備えた接点構造物９の製造方法となる。
（工程１）基板７上の他の配線１１または電極（図示せず）にメタルインク２を塗布して、他の配線１１または電極を覆う接点１１２を作成する。インクジェットなどを用いて塗布と同時か、塗布後に除去用レーザを用いるなどして、接点１１２上の、メタルインク２の表面に凹部２８が形成された接点を作成する工程。
（工程２）
　（工程２）次いで、前記メタルインク２を焼成して焼成メタルインク配線２７とすることで、前記接点１１２における前記焼成メタルインク配線２７の表面に、前記凹部２８が形成された接点構造物９を作成する工程。
　以上のように、少なくとも（工程１）および（工程２）を行うことで、接点構造物９を製造することができる。
　以上、本発明に係る実施例１を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、これらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
　また、前述の各実施例１や変形例は、その目的および構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの技術を流用して組み合わせることが可能である。
１　　　　ＴＦＴ液晶パネル
１１　　　配線（他の配線）
１１１　　欠陥
１１２　　接点
１１２１　接触面
１２　　　電界効果型トランジスタ
１５　　　迂回回路
２　　　　メタルインク
２１　　　表面
２３　　　焼成メタルインク
２４　　　金属ナノ粒子
２５　　　有機物
２６　　　有機溶媒
２７　　　焼成メタルインク配線
２８　　　凹部
２８１　　側壁
２８２　　底部
３　　　　焼成用レーザ
７　　　　基板
７１　　　有機膜
９　　　　接点構造物

Claims (3)

  1. 　焼成メタルインク配線を備え、
    　前記焼成メタルインク配線は、他の配線または電極を覆う接点を有しており、
    　前記接点における前記焼成メタルインク配線の表面には、凹部が形成されていることを特徴とする接点構造物。
  2. 　請求項１の前記接点構造物を備えた製品。
  3. 　次の（工程１）および（工程２）を含む接点構造物の製造方法。
    　（工程１）基板上の他の配線または電極にメタルインクを塗布し、接点上のメタルインクの表面に、凹部が形成された接点を作成する工程
    　（工程２）次いで、前記メタルインクを焼成して焼成メタルインク配線とすることで、前記接点における前記焼成メタルインク配線の表面に、前記凹部が形成された接点構造物を作成する工程
PCT/JP2021/018253 2020-07-06 2021-05-13 接点構造物および接点構造物の製造方法 WO2022009517A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-116542 2020-07-06
JP2020116542A JP2022014284A (ja) 2020-07-06 2020-07-06 接点構造物および接点構造物の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022009517A1 true WO2022009517A1 (ja) 2022-01-13

Family

ID=79552890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/018253 WO2022009517A1 (ja) 2020-07-06 2021-05-13 接点構造物および接点構造物の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022014284A (ja)
TW (1) TW202212631A (ja)
WO (1) WO2022009517A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009300826A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 V Technology Co Ltd 配線の断線修正方法
JP2014075498A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板の製造方法
WO2019016920A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 株式会社Ｆｕｊｉ 配線形成方法、および配線形成装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009300826A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 V Technology Co Ltd 配線の断線修正方法
JP2014075498A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板の製造方法
WO2019016920A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 株式会社Ｆｕｊｉ 配線形成方法、および配線形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202212631A (zh) 2022-04-01
JP2022014284A (ja) 2022-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Spechler et al. Direct-write pulsed laser processed silver nanowire networks for transparent conducting electrodes
TWI427387B (zh) 導線的修補方法以及顯示面板的修補方法
Xiao et al. Laser-induced joining of nanoscale materials: processing, properties, and applications
US20080213482A1 (en) Method of making a mask for sealing a glass package
GB2483352A (en) Repairing short circuit manufacturing defects in OLED displays
Hwang et al. Laser scribing of CIGS thin-film solar cell on flexible substrate
WO2022009517A1 (ja) 接点構造物および接点構造物の製造方法
WO2022024531A1 (ja) 焼成メタルインク配線製造方法および焼成メタルインク配線製造方法で製造された製品
Liang et al. Fast welding of silver nanowires for flexible transparent conductive film by spatial light modulated femtosecond laser
JP5168884B2 (ja) Ｔｆｔ基板、表示装置、ｔｆｔ基板の製造方法、及び表示装置の製造方法
WO2022118517A1 (ja) 導電部の製造方法、導電部を含む電子部品の製造方法、導電部を含む電子部品を組み立てた製品の製造方法、導電部、導電部を有する電子部品、導電部を含む電子部品を組み込んだ製品
JP2014075461A (ja) 導電性配線及び導電性配線作製方法
Tokunaga et al. Focus movement distance per pulse dependence of electrical conductivity and diameter of diamond internal modification induced by picosecond laser
CN115171945A (zh) 一种可用于大面积制备的铜浆及制作方法
JPH09135064A (ja) 電子回路基板の配線修正方法及びその装置並びにｔｆｔ基板
Huang et al. Effect of laser scribing on coating, drying, and crystallization of absorber layer of perovskite solar cells
US20080311738A1 (en) Method of forming an interconnect joint
Choi et al. Ablation morphology and characteristic analysis of anisotropic conductive film (ACF) using femtosecond lasers with NIR, Green, and DUV wavelengths for micro-LED display repair
CN106251944A (zh) 导电图形形成底板以及底板制造方法
CN106392233A (zh) 一种电镜原位加热装置结合焊料的纳米焊接方法
JP3748703B2 (ja) チップ型抵抗器におけるトリミング溝の検査方法
TW202339876A (zh) 基於油墨的電子元件之脈衝雷射燒結
JP2007334123A (ja) パターン修正方法およびパターン修正装置
JP2010027755A (ja) パターン形成方法
JP5111206B2 (ja) パターン修正方法およびパターン部品

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21837199

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21837199

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1