WO2021250826A1 - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2021250826A1 WO2021250826A1 PCT/JP2020/022904 JP2020022904W WO2021250826A1 WO 2021250826 A1 WO2021250826 A1 WO 2021250826A1 JP 2020022904 W JP2020022904 W JP 2020022904W WO 2021250826 A1 WO2021250826 A1 WO 2021250826A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- polymer
- light emitting
- layer
- transporting material
- group
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 281
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 235
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 55
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 51
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 47
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 104
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 104
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 25
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 16
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 181
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 140
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 69
- 102100027095 Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Human genes 0.000 description 53
- 101001057939 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Proteins 0.000 description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 27
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 24
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 24
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 22
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 21
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 21
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 21
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 8
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 5
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 5
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical group [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical group C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQVYIPWLBNFVHD-UHFFFAOYSA-N 3-carbazol-9-ylpropyl(triethoxy)silane Chemical compound C1=CC=C2N(CCC[Si](OCC)(OCC)OCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 IQVYIPWLBNFVHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000033444 hydroxylation Effects 0.000 description 1
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTDRQHXSYGDMNJ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3-pyrrol-1-ylpropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN1C=CC=C1 FTDRQHXSYGDMNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
発光素子（１０）は、陽極（１）と、陰極（５）と、ＥＭＬ（３）と、ＨＴＬ（２）と、を備えている。ＨＴＬ（２）は、正孔輸送性材料（２ａ）と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子（２ｂ）と、を含んでいる。
Description
本開示は、キャリア輸送性を有する層を備えた発光素子に関する。
発光デバイスにおいて、電子の移動度と正孔の移動度とが大きく異なると、発光効率が低下することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
このため、キャリアバランスの向上が望まれている。
本開示の一態様は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、キャリアバランスを従来よりも向上させることができる発光素子を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、前記第１電極と前記発光層との間に設けられた、キャリア輸送性を有する第１の層と、を備えており、前記第１の層は、第１キャリア輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子と、を含む。
本開示の一態様によれば、キャリアバランスを従来よりも向上させることができる発光素子を提供することができる。
〔実施形態１〕
以下に、本開示の実施の一形態について説明する。なお、以下では、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されている層を「下層」とし、比較対象の層よりも後のプロセスで形成されている層を「上層」とする。また、本開示では、２つの数ＡおよびＢについての「Ａ～Ｂ」という記載は、特に明示されない限り、「Ａ以上かつＢ以下」を意味するものとする。
以下に、本開示の実施の一形態について説明する。なお、以下では、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されている層を「下層」とし、比較対象の層よりも後のプロセスで形成されている層を「上層」とする。また、本開示では、２つの数ＡおよびＢについての「Ａ～Ｂ」という記載は、特に明示されない限り、「Ａ以上かつＢ以下」を意味するものとする。
（発光素子の概略構成）
本実施形態に係る発光素子は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられた発光層と、第１電極と発光層との間に設けられた、第１キャリア輸送性材料と第１高分子とを含む層（キャリア輸送性を有する第１の層）と、を備えている。また、本実施形態に係る発光素子は、第２電極と発光層との間に、第２キャリア輸送性材料と第２高分子とを含む層（キャリア輸送性を有する第２の層）をさらに備えている。第１高分子は、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する高分子である。第２高分子は、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する高分子である。
本実施形態に係る発光素子は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられた発光層と、第１電極と発光層との間に設けられた、第１キャリア輸送性材料と第１高分子とを含む層（キャリア輸送性を有する第１の層）と、を備えている。また、本実施形態に係る発光素子は、第２電極と発光層との間に、第２キャリア輸送性材料と第２高分子とを含む層（キャリア輸送性を有する第２の層）をさらに備えている。第１高分子は、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する高分子である。第２高分子は、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する高分子である。
以下では、第１電極が陽極（アノード）であり、第２電極が陰極（カソード）であり、キャリア輸送性を有する第１の層（以下、「第１層」と記す）が正孔輸送層であり、キャリア輸送性を有する第２の層（以下、「第２層」と記す）が電子輸送層である場合を例に挙げて説明する。以下、発光層を「ＥＭＬ」と記すとともに、正孔輸送層を「ＨＴＬ」と記し、電子輸送層を「ＥＴＬ」と記す。
図１は、本実施形態に係る発光素子１０の概略構成の一例を、その要部を拡大して模式的に示す図と併せて示す断面図である。
図１に示す発光素子１０は、陽極１（第１電極）、ＨＴＬ２（第１層）、ＥＭＬ３、ＥＴＬ４（第２層）、陰極５（第２電極）が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
図１に示す例では、陽極１が、下層側に設けられた下部電極であり、陰極５が、上層側に設けられた上部電極である。以下、本実施形態では、陽極１から陰極５に向かう方向を上方向と称する。また、上方向とは反対の方向を下方向と称する。
また、一般的に、下部電極は、発光素子を形成するための支持体としての基板上に形成される。したがって、発光素子１０は、支持体としての図示しない基板を備えていてもよい。この場合、発光素子１０が備える基板としては、例えば、ガラス基板、あるいは、樹脂基板等のフレキシブル基板であってもよい。なお、発光素子１０が例えば表示装置等の発光装置の一部である場合、上記基板には、該発光装置の基板が用いられる。したがって、上記基板は、例えば、複数の薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板であってもよい。この場合、下部電極は、アレイ基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される。
なお、上記基板は、光透過性材料によって構成されてもよいし、光反射性材料によって構成されてもよい。但し、発光素子１０が、ボトムエミッション構造もしくは両面発光構造を有する場合、上記基板には、光透過性材料からなる透光性基板が用いられる。
陽極１は、ＨＴＬ２を介してＥＭＬ３に正孔を注入する。一方、陰極５は、ＥＴＬ４を介してＥＭＬ３に電子を注入する。
陽極１および陰極５は、それぞれ導電性材料からなる。陽極１は、ＨＴＬ２に正孔を注入する正孔注入層（以下、「ＨＩＬ」と記す）としての機能を有していてもよい。陰極５は、ＥＴＬ４に電子を注入する電子注入層（以下、「ＥＩＬ」と記す）としての機能を有していてもよい。
また、陽極１および陰極５のうち、光の取出し面側の電極は、光透過性を有する電極である必要がある。一方、光の取出し面とは反対側の電極は、光透過性を有する電極であってもよく、光反射性を有する電極であってもよい。
したがって、陽極１および陰極５の少なくとも一方は、光透過性材料からなる。また、陽極１および陰極５の何れか一方は、光反射性材料で形成してもよい。
光透過性材料としては、例えば、透明導電膜材料を用いることができる。透明導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等を用いることができる。
光反射性材料としては、可視光の反射率の高い材料が好ましい。光反射性材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、等の金属、上記金属の合金等を用いることができる。
また、陽極１および陰極５の何れか一方を、光透過性材料と光反射性材料との積層体とすることで、光反射性を有する電極としてもよい。
ＥＭＬ３は、発光材料を含み、陽極１から輸送された正孔と、陰極５から輸送された電子との再結合により光を発する層である。
ＥＭＬ３は、発光材料として、例えば、ナノサイズの量子ドット（半導体ナノ粒子）を含んでいてもよい。上記量子ドットには、公知の量子ドットを用いることができる。上記量子ドットは、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている少なくとも一種の半導体材料を含んでいてもよい。また、上記量子ドットは、二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型、コアシェル型またはコアマルチシェル型であってもよい。また、上記量子ドットは、上記元素の少なくとも一種がドープされたナノ粒子を含んでいてもよく、組成傾斜した構造を備えていてもよい。
ＨＴＬ２は、ＥＭＬ３に正孔を輸送する層である。ＨＴＬ２は、ＥＭＬ３と接触して設けられている。なお、ＨＴＬ２は、正孔の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＨＴＬ２は、図１に示すように、キャリア輸送性材料（第１キャリア輸送性材料）として正孔輸送性材料２ａを含むとともに、バインダとして第１高分子２ｂを含んでいる。
上記正孔輸送性材料としては、ｐ型半導体等の無機化合物が挙げられる。上記ｐ型半導体としては、例えば、金属酸化物、ＩＶ族半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、非晶質半導体等が挙げられる。上記金属酸化物としては、例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２、ＭｏＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ランタン酸ニッケル（ＬａＮｉＯ３）等が挙げられる。上記ＩＶ族半導体としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等が挙げられる。上記ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）等が挙げられる。上記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体としては、例えば、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）等が挙げられる。上記非晶質半導体としては、例えば、ｐ型水素化アモルファスシリコン、ｐ型水素化アモルファス炭化シリコン等が挙げられる。これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよい。また、これら正孔輸送性材料は、適宜、二種類以上を混合して用いてもよく、これら正孔輸送性材料の混晶であってもよい。
これら正孔輸送性材料２ａは、耐久性に優れ、信頼性が高いとともに、塗布法で成膜が可能であり、成膜が容易であることから、無機粒子であることが望ましく、上記例示の無機化合物からなる微粒子（ナノ粒子）であることがより望ましい。そのなかでも、上記正孔輸送性材料２ａは、金属酸化物または該金属酸化物の混晶系の微粒子（ナノ粒子）であることが、特に望ましい。なお、説明の便宜上、以下、金属酸化物または該金属酸化物の混晶系の微粒子を総称して、単に「金属酸化物ナノ粒子」と記す）。上記金属酸化物ナノ粒子が特に好ましい理由としては、上記金属酸化物ナノ粒子が、特に耐久性が高く、また、第１高分子２ｂが金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基と脱水縮合することで第１高分子２ｂと化学的に結合が可能であることが挙げられる。また、正孔輸送性材料２ａは、正孔輸送性を有するワイドギャップの金属酸化物ナノ粒子であることが好ましい。したがって、上記正孔輸送性材料２ａは、例えば、酸化ニッケル、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化マグネシウム、ランタン酸ニッケルからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物ナノ粒子を含むことが望ましい。
また、上記正孔輸送性材料２ａに用いられるナノ粒子は、ナノ粒子であれば、その形状並びにサイズは特に限定されるものではないが、個数平均粒径（直径）が０．５～２０ｎｍの範囲内の球状のナノ粒子であることが好ましい。上記個数平均粒径が小さすぎると、キャリア輸送性が低下するとともに、上記ナノ粒子の凝集が生じ易くなる。このため、上記個数平均粒径は、０．５ｎｍ以上であることが望ましい。一方、上記ナノ粒子の個数平均粒径（直径）が大きすぎると、得られるナノ粒子膜の表面粗さが大きくなり、電界集中が起こり易くなる。このため、上記個数平均粒径は、成膜後のナノ粒子膜の平滑性の観点から、２０ｎｍ以下であることが望ましい。
なお、本開示において、ナノ粒子の個数平均粒径は、その種類に拘らず、溶液中では、動的光散乱、薄膜中では、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて測定できる。本開示において、ナノ粒子の平均粒径とは、粒度分布における積算値５０％におけるナノ粒子の直径を示す。
第１高分子２ｂは、主鎖に、ケイ素原子（Ｓｉ原子）と酸素原子（Ｏ原子）とが結合したシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ結合）の繰り返しであるポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する高分子である。また、上記第１高分子２ｂの重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、溶液中では、溶媒への溶解度の観点から、１０００以上、１００００以下の範囲内であることが好ましく、成膜後に加熱した後の状態では、１００００以上であることが望ましい。
上記第１高分子２ｂは、導電性の高分子である。上記第１高分子２ｂは、上述したように、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する高分子であればよい。したがって、上記第１高分子２ｂは、例えば、上記ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子が三つの酸素原子および一つの有機基と結合したＴ体（Ｔ単位）のＳｉ原子であり、上記有機基が、π共役電子対を有する官能基である高分子であってもよい。また、上記第１高分子２ｂは、上記ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子が二つの酸素原子および二つの有機基と結合したＤ体（Ｄ単位）のＳｉ素原子であり、二つの有機基のうち少なくとも一方がπ共役電子対を有する官能基である高分子であってもよい。なお、上記ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子がＤ体のＳｉ素原子である場合、一方の有機基がπ共役電子対を有する官能基であれば、他方の有機基は、特に限定されない。上記他方の官能基は、例えば、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基であってもよい。勿論、上記Ｓｉ原子に結合する二つの有機基がそれぞれπ共役電子対を有する官能基であることが、より望ましい。また、上記第１高分子２ｂは、上記ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子が、Ｄ体のＳｉ原子およびＴ体のＳｉ原子を含み、側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する高分子であってもよい。
つまり、上記第１高分子２ｂは、例えば、下記構造式（１）で示される繰り返し構造を有する、Ｔ体（Ｔ単位：－Ｒ１ＳｉＯ３－）のＳｉ原子を有するポリシロキサンであってもよい。また、上記第１高分子２ｂは、Ｔ体のＳｉ原子と、下記構造式（２）で示される繰り返し単位を有する、Ｄ体（Ｄ単位：－Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２－）のＳｉ原子と、を有するポリシロキサンであってもよい。このようにＴ体のＳｉ原子とＤ体のＳｉ原子との両方を含むポリシロキサンにおいて、下記構造式（２）で示されるＤ体の繰り返し単位の含有率は、モル比で２０％以下であることが好ましい。上記Ｄ体の繰り返し単位の含有率がモル比で２０％を超えると、ポリシロキサンがオイル状になるおそれがある。また、上記第１高分子２ｂは、例えば、下記構造式（３）で示される構造単位と、下記構造式（４）で示される構造単位とをそれぞれ有する、ブロック共重合体、あるいはランダム共重合体、あるいは交互共重合体等であってもよい。つまり、下記構造式（３）で示される構造単位と、下記構造式（４）で示される構造単位とは、互いに結合されていてもよい。
固体に含まれるＴ体およびＤ体のＳｉ原子の比率は、固体２９Ｓｉ－ＮＭＲ測定により定量することができる。
本実施形態によれば、上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３で示される官能基の種類を変更することで、正孔移動度を変更することが可能であり、これにより、正孔移動度を制御することができる。
これらポリシロキサンのなかでも、上記第１高分子２ｂとしては、上記構造式（１）で示される、Ｔ単位のＳｉ原子を有するポリシロキサンであるポリシルセスキオキサン（以下、「ＰＳＱ」と記す）が特に望ましい。ＰＳＱは、耐久性および塗布性が高く、熱硬化性を有している。このため、上記第１高分子２ｂは、上記ＰＳＱを主成分として含むことが望ましい。ＰＳＱは、シロキサン結合を構成するＳｉ原子が３つの酸素原子と結合し、該Ｓｉ原子１つにつき有機基を１つ有する、Ｔ体のＳｉ原子を有するポリシロキサンの総称である。
上記構造式（１）で示されるＰＳＱとしては、例えば、下記構造式（５）で示されるＰＳＱが挙げられる。
但し、構造式（１）で示されるＰＳＱは、上記構造式（５）で示される、ランダム構造のシルセスキオキサン骨格を有するＰＳＱに限定されるものではない。構造式（１）で示されるＰＳＱは、規則的な分子構造および高次構造を有する可溶性のラダー状構造を持つシルセスキオキサン骨格を有するＰＳＱであってもよく、籠状構造を持つシルセスキオキサン骨格を有するＰＳＱをランダム構造の中に含んでいてもよい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３で示される、π共役電子対を有する官能基としては、五員環、六員環、七員環、の何れかからなるアリール基；上記アリール基の融合環（縮合環）；上記アリール基の誘導体；上記アリール基の融合環の誘導体；五員環、六員環、七員環、の何れかからなり、かつ、窒素、硫黄、酸素、ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種のヘテロ原子を１～３個含むヘテロアリール基；上記ヘテロアリール基の融合環；上記ヘテロアリール基の誘導体；上記ヘテロアリール基の融合環の誘導体；からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基が挙げられる。なお、ここで、上記アリール基とは、五員環、六員環、七員環、の何れかからなるアリール基を示す。また、上記ヘテロアリール基とは、五員環、六員環、七員環、の何れかからなり、かつ、窒素、硫黄、酸素、ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種のヘテロ原子を１～３個含むヘテロアリール基を示す。上記ヘテロアリール基としては、例えば、含窒素ヘテロアリール基、含硫黄ヘテロアリール基、含酸素ヘテロアリール基、含ホウ素ヘテロアリール基等が挙げられる。これら含窒素ヘテロアリール基、含硫黄ヘテロアリール基、含酸素ヘテロアリール基、含ホウ素ヘテロアリール基は、上記アリール基に含まれるメチン（－ＣＨ＝）基およびビニレン（－ＣＨ＝ＣＨ－）基のうち少なくとも一方が、１～３個、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、またはホウ素原子に置換されていればよい。
正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとは、前述したように化学的に結合され、それにより複合化されていてもよく、化学的に結合することなく、単に混合されていてもよい。
例えば、第１高分子２ｂは、図１に一点鎖線で枠囲みして示すように、シロキサン結合により、正孔輸送性材料２ａの表面に結合していてもよい。図１は、一例として、第１高分子２ｂにおけるπ共役電子対を有する官能基がフェニル基である場合を例に挙げて図示している。
なお、第１高分子２ｂは、正孔輸送性材料２ａが例えば金属酸化物ナノ粒子である場合、複数の金属酸化物ナノ粒子と複合化されていてもよい。具体的には、例えば、１つの第１高分子２ｂが、複数の金属酸化物ナノ粒子とそれぞれ化学的に結合していてもよい。
詳しくは後述するが、第１高分子２ｂは、その出発物質を加水分解することでシラノール（－ＳｉＯＨ）基を生成する。正孔輸送性材料２ａが例えば前述したように金属酸化物のナノ粒子である場合、上記シラノール基が金属酸化物のナノ粒子の表面の水酸基と脱水縮合し、さらに自己縮合することで、金属酸化物のナノ粒子と第１高分子２ｂとが複合化する。なお、このとき、ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子がＤ体であるかＴ体であるかに拘らず、正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとの複合体を得ることはできる。しかしながら、上記第１高分子２ｂがＰＳＱであれば、上記第１高分子２ｂとして、正孔輸送性材料２ａを被覆する被膜を形成することができる。したがって、上記第１高分子２ｂがＰＳＱであれば、上記複合体として、第１高分子２ｂが例えば金属酸化物のナノ粒子を被覆した複合体を得ることができる。
このように、第１高分子２ｂが正孔輸送性材料２ａを被覆していることで、キャリア（この場合は正孔）のホッピング伝導の頻度を高めることができる。
また、金属酸化物のナノ粒子の表面には、一般的に、水酸基が存在する。前述したようにＥＭＬ３が発光材料として量子ドットを含む場合、金属酸化物のナノ粒子が量子ドットと接触すると、発光素子１０の発光効率が低下する。これは、水酸基が有する双極子モーメントが発生する電場に量子ドットが晒されると、量子ドットの励起子が、電子と正孔とに分離してしまう可能性があるためである。このように、水酸基が有する双極子モーメントは、量子ドットの励起子を、電子と正孔とに分離し、消光（励起子消光）してしまう可能性がある。
しかしながら、上述したように金属酸化物のナノ粒子と第１高分子２ｂとが化学的に結合しているとともに、第１高分子２ｂが金属酸化物のナノ粒子を覆っていることで、金属酸化物のナノ粒子の表面の水酸基をほぼ完全に消失させることができる。このため、上述したようにＥＭＬ３に隣接するＨＴＬ２が金属酸化物のナノ粒子を含むことで、量子ドットと、金属酸化物のナノ粒子との間の距離が近くても、励起子消光が発生せず、発光効率を増大させることができる。したがって、この場合、ＥＭＬ３に隣接するＨＴＬ２が金属酸化物のナノ粒子を含んでいたとしても、駆動電圧の上昇を招くことなく、発光効率、耐久性、並びにキャリアバランスを従来よりも向上させることができる。
また、前述したようにＰＳＱは熱硬化性樹脂である。このように第１高分子２ｂとして熱硬化性樹脂を使用することで、例えばＥＭＬ３の塗布プロセスで、溶媒によって溶解されることを、抑制もしくは防止することができる。
以上のように、ＨＴＬ２は、正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとを含む混合膜で形成される。ＨＴＬ２は、正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとの堆積層で形成されていることが望ましく、正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとの複合体の堆積層で形成されていることがより望ましい。しかしながら、これに限定されるものではなく、ＨＴＬ２は、正孔輸送性材料２ａおよび第１高分子２ｂ以外の、他の材料を含んでいてもよい。
上記他の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、ＴＦＢ（ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン］）等の正孔輸送性の高分子が挙げられる。
また、ＨＴＬ２における、正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとの混合割合（正孔輸送性材料２ａ：第１高分子２ｂ）は、後述する、ＥＴＬ４における、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとの混合割合と同じ理由から、体積比で、１５：８５～９０：１０であることが望ましく、３０：７０～８０：３０であることがより望ましい。上記理由については、後で、図を参照して説明する。
なお、ＨＴＬ２が、上記他の材料を含む場合、ＨＴＬ２における、上記他の材料の含有量は、高分子の縮合を妨げないために、体積比で２０％以下であることが望ましく、１０％以下であることがより望ましい。
ＥＴＬ４は、ＥＭＬ３に電子を輸送する層である。ＥＴＬ４は、ＥＭＬ３と接触して設けられている。なお、ＥＴＬ４は、正孔の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＥＴＬ４は、キャリア輸送性材料（第２キャリア輸送性材料）として、電子輸送性材料４ａを含むとともに、バインダとして第２高分子４ｂを含んでいる。
上記電子輸送性材料としては、ｎ型半導体等の無機化合物が挙げられる。上記ｎ型半導体としては、例えば、金属酸化物、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＶ－ＩＶ族化合物半導体、非晶質半導体等が挙げられる。上記金属酸化物としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ、ＳｎＯ２）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）等が挙げられる。上記ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）等が挙げられる。上記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体としては、例えば、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）等が挙げられる。上記ＩＶ－ＩＶ族化合物半導体としては、例えば、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等が挙げられる。上記非晶質半導体としては、例えば、水素化アモルファスシリコン等が挙げられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよく、これら電子輸送性材料の混晶系であってもよい。
これら電子輸送性材料４ａは、耐久性に優れ、信頼性が高いとともに、塗布法で成膜が可能であり、成膜が容易であることから、無機粒子であることが望ましく、上記例示の無機化合物からなる微粒子（ナノ粒子）であることがより望ましい。そのなかでも、上記電子輸送性材料４ａは、正孔輸送性材料２ａ同様、金属酸化物ナノ粒子（つまり、金属酸化物または該金属酸化物の混晶系の微粒子）であることが、特に望ましい。この理由としては、金属酸化物ナノ粒子が、特に耐久性が高く、また、第２高分子４ｂが金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基と脱水縮合することで第２高分子４ｂと化学的に結合が可能であることが挙げられる。また、電子輸送性材料４ａは、電子輸送性を有するワイドギャップの金属酸化物ナノ粒子であることが好ましい。したがって、上記電子輸送性材料４ａは、例えば、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化セリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物ナノ粒子を含むことが望ましい。
また、上記電子輸送性材料４ａに用いられるナノ粒子は、正孔輸送性材料２ａ同様、ナノ粒子であれば、その形状並びにサイズは特に限定されるものではないが、個数平均粒径（直径）が０．５ｎｍ～２０ｎｍの範囲内の球状のナノ粒子であることが好ましい。上記個数平均粒径が小さすぎると、キャリア輸送性が低下するとともに、上記ナノ粒子の凝集が生じ易くなる。このため、上記個数平均粒径は、０．５ｎｍ以上であることが望ましい。一方、上記ナノ粒子の個数平均粒径（直径）が大きすぎると、成膜されるナノ粒子膜の表面粗さが大きくなり、電界集中が生じ易くなる。このため、上記個数平均粒径は、成膜後のナノ粒子膜の平滑性の観点から、２０ｎｍ以下であることが望ましい。なお、ナノ粒子の平均粒径の定義並びにその測定方法は、前述した通りである。
第２高分子４ｂは、主鎖に、ケイ素原子（Ｓｉ原子）と酸素原子（Ｏ原子）とが結合したシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ結合）の繰り返しであるポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する高分子である。また、上記第２高分子４ｂの重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、溶液中では、溶媒への溶解度の観点から、１０００以上、１００００以下の範囲内であることが好ましく、成膜後に加熱した後の状態では、１００００以上であることが望ましい。
上記第２高分子４ｂは、絶縁性、あるいは、第１高分子２ｂよりもキャリア移動度の低い導電性の高分子である。上記第２高分子４ｂは、上述したように、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する高分子であればよい。したがって、上記第２高分子４ｂは、例えば、上記ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子がＴ体（Ｔ単位）のＳｉ原子であり、該Ｓｉ原子に結合する有機基が、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基である高分子であってもよい。また、上記第２高分子４ｂは、上記ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子がＤ体（Ｄ単位）のＳｉ素原子であり、該Ｓｉ原子に結合する二つの有機基が、それぞれ炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基である高分子であってもよい。また、上記第２高分子４ｂは、上記ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子が、Ｄ体のＳｉ原子およびＴ体のＳｉ原子を含み、側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する高分子であってもよい。
つまり、上記第２高分子４ｂは、例えば、下記構造式（６）で示される繰り返し構造を有する、Ｔ体（Ｔ単位：－Ｒ４ＳｉＯ３－）のＳｉ原子を有するポリシロキサンであってもよい。また、上記第２高分子４ｂは、Ｔ体のＳｉ原子と、下記構造式（７）で示される繰り返し単位を有する、Ｄ体（Ｄ単位：－Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ２－）のＳｉ原子と、を有するポリシロキサンであってもよい。このようにＴ体のＳｉ原子とＤ体のＳｉ原子との両方を含むポリシロキサンにおいて、下記構造式（７）で示されるＤ体の繰り返し単位の含有率は、モル比で２０％以下であることが好ましい。上記Ｄ体の繰り返し単位の含有率がモル比で２０％を超えると、ポリシロキサンがオイル状になるおそれがある。また、上記第２高分子４ｂは、例えば、下記構造式（８）で示される構造単位と、下記構造式（９）で示される構造単位とをそれぞれ有する、ブロック共重合体、あるいはランダム共重合体、あるいは交互共重合体等であってもよい。つまり、下記構造式（８）で示される構造単位と、下記構造式（９）で示される構造単位とは、互いに結合されていてもよい。
なお、上記Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ、炭素数１～５の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基であることがより望ましく、炭素数１～５の無置換のアルキル基であることがより一層望ましい。上記Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の炭素数が大きくなればなるだけ、ＥＴＬ４における、隣り合う電子輸送性材料４ａ間の距離ｄ２が長くなる。この結果、電子輸送性材料４ａ同士のキャリア輸送性が悪化される。そのため、上記Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、なるべく、炭素数が小さい官能基であることが望ましい。
本実施形態によれば、上記Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６で示される官能基の種類を変更することで、電子移動度を変更することが可能であり、これにより、電子移動度を制御することができる。
これらポリシロキサンのなかでも、上記第２高分子４ｂとしては、上記構造式（６）で示される、Ｔ単位のＳｉ原子を有するポリシロキサンであるＰＳＱが特に望ましい。ＰＳＱは、耐久性および塗布性が高く、熱硬化性を有している。このため、上記第２高分子４ｂは、上記ＰＳＱを主成分として含むことが望ましい。
上記構造式（６）で示されるＰＳＱとしては、例えば、下記構造式（１０）で示されるＰＳＱが挙げられる。
但し、構造式（６）で示されるＰＳＱは、上記構造式（１０）で示される、ランダム構造のシルセスキオキサン骨格を有するＰＳＱに限定されるものではない。構造式（６）で示されるＰＳＱは、規則的な分子構造および高次構造を有する可溶性のラダー状構造を持つシルセスキオキサン骨格を有するＰＳＱであってもよく、籠状構造を持つシルセスキオキサン骨格を有するＰＳＱをランダム構造の中に含んでいてもよい。
なお、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６において、アルキル基が有し得る置換基（言い替えれば、一部の水素原子が置換されていてもよい置換基）としては、例えば、アミノ（－ＮＨ２）基、メルカプト（－ＳＨ）基、ビニル（ＣＨ２＝ＣＨ－）基、フルオロ（－Ｆ）基等が挙げられる。
電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとは、前述したように化学的に結合され、それにより複合化されていてもよく、化学的に結合することなく、単に混合されていてもよい。
例えば、第２高分子４ｂは、図１に一点鎖線で枠囲みして示すように、シロキサン結合により、電子輸送性材料４ａの表面に結合していてもよい。図１は、一例として、第２高分子４ｂにおける側鎖（炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基）が、メチル基である場合を例に挙げて図示している。
なお、第２高分子４ｂは、電子輸送性材料４ａが例えば金属酸化物ナノ粒子である場合、複数の金属酸化物ナノ粒子と複合化されていてもよい。具体的には、例えば、１つの第２高分子４ｂが、複数の金属酸化物ナノ粒子とそれぞれ化学的に結合していてもよい。
第２高分子４ｂは、第１高分子２ｂと同じく、その出発物質を加水分解することでシラノール（－ＳｉＯＨ）基を生成する。電子輸送性材料４ａが例えば前述したように金属酸化物のナノ粒子である場合、上記シラノール基が金属酸化物のナノ粒子の表面の水酸基と脱水縮合し、さらに自己縮合することで、金属酸化物のナノ粒子と第２高分子４ｂとが複合化する。なお、このとき、ポリシロキサン結合を構成するＳｉ原子がＤ体であるかＴ体であるかに拘らず、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとの複合体を得ることはできる。しかしながら、上記第２高分子４ｂがＰＳＱであれば、上記第２高分子４ｂとして、電子輸送性材料４ａを被覆する被膜を形成することができる。したがって、上記第２高分子４ｂがＰＳＱであれば、上記複合体として、第２高分子４ｂが例えば金属酸化物のナノ粒子を被覆した複合体を得ることができる。
このように、電子輸送性材料４ａが金属酸化物ナノ粒子である場合、上述したように金属酸化物ナノ粒子と第２高分子４ｂとが化学的に結合しているとともに、第２高分子４ｂが金属酸化物ナノ粒子を覆っていることで、金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基をほぼ完全に消失させることができる。このため、上述したようにＥＭＬ３に隣接するＥＴＬ４が金属酸化物ナノ粒子を含むことで、量子ドットと、金属酸化物ナノ粒子との間の距離が近くても、励起子消光が発生せず、発光効率を増大させることができる。したがって、この場合、ＥＭＬ３に隣接するＥＴＬ４が金属酸化物ナノ粒子を含んでいたとしても、駆動電圧の上昇を招くことなく、発光効率、耐久性、並びにキャリアバランスを従来よりも向上させることができる。
以上のように、ＥＴＬ４は、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとを含む混合膜で形成される。ＥＴＬ４は、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとの堆積層で形成されていることが望ましく、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとの複合体の堆積層で形成されていることがより望ましい。しかしながら、これに限定されるものではなく、ＥＴＬ４は、電子輸送性材料４ａおよび第２高分子４ｂ以外の、他の材料を含んでいてもよい。
上記他の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸）、ＰＥＩ（ポリエチレンイミン）、ＰＥＩＥ（ポリエチレンイミンエトキシド）等の絶縁性高分子；ＰＣＢＭ（［６，６］－フェニル－Ｃ６１－酪酸メチルエステル）等の電子輸送性高分子；等が挙げられる。
なお、ＥＴＬ４における、電子輸送性材料４ａの含有量、例えば、上記混合膜の体積に対する電子輸送性材料４ａの体積比（より具体的には、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとの合計の体積に対する電子輸送性材料４ａの体積の比率）については、後で説明する。また、ＥＴＬ４における、第２高分子４ｂの含有量等についても、後で併せて説明する。
なお、上記発光素子１０における各層の層厚は、従来と同様に設定することができ、特に限定されない。例えば、キャリア輸送層（ＨＴＬ２、ＥＴＬ４）の層厚は、２ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内に設定される。各層の層厚は、薄いとピンホールによる短絡が生じやすくなり、厚いと駆動電圧が上昇する。このため、各層の層厚は、２ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることが望ましく、２０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内であることがより望ましい。
（発光素子１０の製造方法）
次に、発光素子１０の製造方法の一例について、図１を参照して以下に説明する。
次に、発光素子１０の製造方法の一例について、図１を参照して以下に説明する。
図１に示すように、本実施形態に係る発光素子１０の製造工程では、まず、図示しない基板上に、陽極１を形成する（ステップＳ１、第１電極形成工程）。陽極１の形成には、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等、陰極の形成方法として従来公知の各種方法を用いることができる。
次いで、陽極１上に、ＨＴＬ２を形成（積層）する（ステップＳ２、第１層形成工程）。ＨＴＬ２の形成には、例えば、ゾルゲル法、スパッタ法、ＣＶＤ法、スピンコート法、ディップコート法等の塗布法が用いられる。
例えば、陽極１上における、ＨＴＬ２を形成すべき位置に、正孔輸送性材料２ａと、第１高分子２ｂもしくはその前駆体のシラノール（モノマー、オリゴマー等）と、を含む混合液を塗布し、乾燥させることにより、ＨＴＬ２を形成（積層）することができる。
上記混合液には、正孔輸送性材料２ａと、第１高分子２ｂの原料となるモノマーおよび該モノマーを縮合した分子の少なくとも一方を含む化合物と、をゾルゲル反応させてなる混合液を使用してもよい。第１高分子２ｂの原料となるモノマーとしては、例えば、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン等が挙げられる。これにより、正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとの複合体を含むＨＴＬ２を形成することができる。
但し、反応性の官能基を持たないジアルコキシシランを主とする前駆体は、重合して高分子化しても固化せず、最終的に得られる膜（具体的には、正孔輸送性材料２ａとして用いられる金属酸化物ナノ粒子と、第１高分子２ｂとして上記前躯体からなる高分子とを含む混合膜）が固体とならない。アクリル基やエポキシ基等、反応性の官能基を持つジアルコキシシランは、重合開始剤を高分子と共に混合することにより固化することができるが、重合開始剤はデバイス中に残存すると、耐久性の劣化を招くという課題があるため好ましくない。このため、前駆体がジアルコキシシランを含む場合は、反応性の官能基を持たないジアルコキシシランがトリアルコキシランに対してモル比で２０％以下となるようにジアルコキシシランを含むことが好ましい。
なお、ゾルゲル反応では、溶液中で、加水分解を行い、その後、脱水縮合を行うことで、溶液をゾルに変える。その後、さらに反応を進めることで、ゾルをゲルに変える。この場合の反応については、後で例を挙げて具体的に説明する。
次いで、ＨＴＬ２上に、該ＨＴＬ２に接して、ＥＭＬ３を形成（積層）する（ステップＳ３、発光層形成工程）。ＥＭＬ３の形成には、ＥＭＬの形成方法として従来公知の各種方法を用いることができる。ＥＭＬの形成方法としては、例えば、蒸着法、印刷法、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法、フォトリソグラフィー法、自己組織化法（交互吸着法、自己組織化単分子膜法）等が挙げられる。
その後、ＥＭＬ３上に、ＥＴＬ４を形成（積層）する（ステップＳ４、第２層形成工程）。ＥＴＬ４の形成には、ＨＴＬ２と同じく、例えば、ゾルゲル法、スパッタ法、ＣＶＤ法、スピンコート法、ディップコート法等の塗布法が用いられる。
この場合、ＥＭＬ３上における、ＥＴＬ４を形成すべき位置に、電子輸送性材料４ａと、第２高分子４ｂもしくはその前駆体のシラノール（モノマー、オリゴマー等）と、を含む混合液を塗布し、乾燥させることにより、ＥＴＬ４を形成（積層）することができる。
上記混合液には、電子輸送性材料４ａと、第２高分子４ｂの原料となるモノマーおよび該モノマーを縮合した分子の少なくとも一方を含む化合物と、をゾルゲル反応させてなる混合液を使用してもよい。第２高分子４ｂの原料となるモノマーとしては、例えば、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン等が挙げられる。これにより、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとの複合体を含むＥＴＬ４を形成することができる。この場合にも、上記ゾルゲル反応では、ステップＳ２と同じく、溶液中で、加水分解を行い、その後、脱水縮合を行うことで、溶液をゾルに変える。その後、さらに反応を進めることで、ゾルをゲルに変える。
次いで、陰極５を形成（積層）する（ステップＳ５、第２電極形成工程）。陰極５の形成には、陽極の形成方法として従来公知の各種方法を用いることができる。具体的には、陰極５の形成には、前述した、陽極１の形成方法と同様の方法を用いることができる。以上の方法により、発光素子１０を製造することができる。
（ゾルゲル法を用いたＨＴＬ２およびＥＴＬ４の形成）
以下では、第１高分子２ｂの原料となるモノマー並びに第２高分子４ｂの原料となるモノマーがトリアルコキシシランである場合を例に挙げて、上記原料の加水分解並びに脱水縮合によるＨＴＬ２およびＥＴＬ４の形成方法について説明する。
以下では、第１高分子２ｂの原料となるモノマー並びに第２高分子４ｂの原料となるモノマーがトリアルコキシシランである場合を例に挙げて、上記原料の加水分解並びに脱水縮合によるＨＴＬ２およびＥＴＬ４の形成方法について説明する。
図２は、トリアルコキシシランの加水分解を示す反応スキームを示す図である。なお、図２中、Ｒは、前記Ｒ１またはＲ４を示す。また、Ｙ１は、互いに独立して、炭素数１～４のアルキル基を示す。
上記トリアルコキシシランとしては、例えば、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３―アミノプロピルトリエトキシシラン、３－カルバゾリルプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３，３，３－トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、３－カルバゾリルプロピルエトキシシラン、Ｎ－（３－トリメトキシシリルプロピル）ピロール等が挙げられる。
図２に示すように、トリアルコキシシランを、酸または塩基触媒下で加水分解すると、アルコキシ（－ＯＹ１）基の一部または全部が水酸基化（シラノール基化）したシランが得られる。トリアルコキシ基を水酸基化すると、脱水縮合が生じ易くなる。なお、前記Ｒ１およびＲ４は、加水分解を受けない。
なお、図示はしないが、ジアルコキシシランを、酸または塩基触媒下で加水分解した場合にも、アルコキシ（－ＯＹ１）基の一部または全部が水酸基化したシランが得られる。ジアルコキシ基を水酸基化した場合にも、脱水縮合が生じ易くなる。なお、前記Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５およびＲ６は、加水分解を受けない。
図３は、水酸基を有するシランの一例として、トリアルコキシシランのトリアルコキシ基が全て水酸基化したトリシラノールの脱水縮合を示す反応スキームを示す図である。
図２に示すトリアルコキシシランの加水分解後、引き続き脱水縮合を行うことで、図３に示すように、例えば前記構造式（５）または前記構造式（１０）で示されるＰＳＱが得られる。
図４は、正孔輸送性材料２ａが金属酸化物ナノ粒子である場合に、トリアルコキシシランの加水分解により得られたトリシラノールが、金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基と反応して金属酸化物ナノ粒子の表面に固定される反応スキームを模式的に示す図である。
図４に示すようにトリアルコキシシランの加水分解によりシラノール（－ＳｉＯＨ）基が生成されると、図５に示すように、このシラノール基が金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基に吸着される。その後、例えば加熱処理を行うことで、金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基に吸着したシラノール基が、脱水縮合によってシロキサン結合を形成し、金属酸化物ナノ粒子の表面に固定される。これにより、金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基を消失させることができる。
一方、図３に示したように、トリアルコキシシランの加水分解により得られたトリシラノールは、自己縮合により、ＰＳＱを形成する。
図５は、正孔輸送性材料２ａが金属酸化物ナノ粒子である場合に、トリアルコキシシランの加水分解により得られたトリシラノールが、金属酸化物ナノ粒子の表面に固定される一方、自己縮合によりＰＳＱを形成する反応スキームを模式的に示す図である。
図５に示すように、トリアルコキシシランの加水分解により得られたトリシラノールは、例えば加熱することによって、金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基と脱水縮合する一方、トリシラノール同士（つまり、水酸基を有するシラン同士）で脱水縮合する。これにより、金属酸化物ナノ粒子の表面に、ＰＳＱまたはその前駆体のシラノール（モノマー、オリゴマー等）が固定される。トリアルコキシシランおよびトリアルコキシシランを縮合した分子（ＰＳＱの前駆体のシラノール）は、重合がある程度進んだ状態でも溶解性があり、かつ、金属酸化物ナノ粒子のような酸化物の表面と結合を生じる。
なお、図５では、正孔輸送性材料２ａが金属酸化物ナノ粒子である場合を例に挙げて図示しているが、電子輸送性材料４ａが金属酸化物ナノ粒子である場合も、図５と同じである。
前述したように、上記加水分解は、溶液中で行われる。このため、上記加水分解を行う場合、反応容器内に、例えば金属酸化物ナノ粒子を溶媒に分散させた分散液と、第１高分子２ｂあるいは第２高分子４ｂの出発原料となるモノマーと、加水分解用の水および触媒とを加えて、上記反応容器を密閉する。そして、撹拌しながら上記モノマーの加水分解を行う。撹拌には、公知の各種撹拌装置を用いることができる。
前述したように上記触媒は塩基触媒であってもよいが、上記触媒には、ギ酸、塩酸、硝酸等の酸触媒が好適に用いられる。
また、上記溶媒には、エタノール等のアルコール溶媒；トルエン；等の有機溶媒が用いられる。
上記モノマーに対する触媒の添加量は、上記溶媒に対し、０．１～１０体積％の範囲内であることが好ましい。
上記溶媒中の金属酸化物ナノ粒子の濃度は、高濃度では金属酸化物ナノ粒子同士の凝集が生じることから、上記溶媒に対し１～１００ｍｇ／ｍｌの範囲内であることが好ましい。
上記金属酸化物ナノ粒子に対する上記モノマーの混合割合は、例えば、最終的に得られる混合膜における金属酸化物ナノ粒子の体積と第１高分子２ｂあるいは第２高分子４ｂの体積との比率と同じである。上記混合膜が、金属酸化物ナノ粒子と第１高分子２ｂあるいは第２高分子４ｂとの複合体からなる場合、金属酸化物ナノ粒子の体積に対する第１高分子２ｂあるいは第２高分子４ｂの体積は、上記混合膜の体積に対する金属酸化物ナノ粒子の体積比で規定される。
なお、加水分解用の水は、上記モノマーにおけるアルコキシ基と等モルの水を使用すればよい。
また、加水分解における反応温度並びに反応時間は、該反応（つまり、加水分解）が完結するように適宜設定すればよい。このため、加水分解における反応温度は、特に限定されるものではないが、トリアルコキシシランの加水分解の速度および重合反応の速度を調節する上で、０～１００℃の範囲内とすることが好ましい。加水分解における反応時間は、金属酸化物ナノ粒子表面の水酸基を十分に反応させるため、１～４８時間の範囲内とすることが好ましい。
脱水縮合は室温でも生じるが、熱を加えると速やかに進む。このため、縮合後のＰＳＱの熱分解温度未満の温度で加熱することにより、上記脱水縮合を行ってもよい。前記Ｒ（つまり、Ｒ１またはＲ４）が例えばメチル基またはフェニル基であるＰＳＱは、４５０℃の熱分解温度を有する。したがって、前記ステップＳ２およびステップＳ４では、前記混合液を、４５０℃未満の温度で加熱してもよい。これにより、メチル基またはフェニル基が熱分解してシリカが生成されないように、前記Ｒ１またはＲ４で示される官能基を保護することができるとともに、脱水縮合を速やかに進行させることができる。
脱水縮合は、溶媒の酸性度に関わらず進行する。したがって、上記加水分解後、そのまま脱水縮合を行うことができる。この際、ギ酸、アンモニア等の低分子量の触媒を用いると、揮発、洗浄等によって触媒が高分子中に残存しにくくなるため、より望ましい。
なお、脱水縮合は、溶媒中の金属酸化物ナノ粒子の濃度、並びに、ＰＳＱおよびその前駆体となる化合物の濃度を保ちながら行われる。このため、加水分解後、反応容器を開放し、溶媒を滴下して、金属酸化物ナノ粒子の濃度、並びに、ＰＳＱおよびその前駆体となる化合物の濃度を保ちながら、触媒および水を揮発させる。
脱水縮合における反応時間は、該反応（つまり、脱水縮合）が完結するように適宜設定すればよく、特に限定されないが、加水分解および脱水縮合を十分に行うためには、１～４８時間の範囲内とすることが好ましい。
このように、ゾルゲル法を用いて例えばＨＴＬ２を形成する場合、まず、金属酸化物ナノ粒子と第１高分子２ｂとの複合体を含む混合液（ゾル）を、陽極１上における、ＨＴＬ２を形成すべき位置に塗布する。そして、上記混合液（ゾル）を焼成する等して、脱水縮合反応を完結させてゾルをゲル化（高分子量化）させ、さらに、溶媒を完全に除去して乾燥させることで、上記複合体を固形化させる。これにより、ＨＴＬ２として、金属酸化物ナノ粒子と第１高分子２ｂとの複合体からなる膜が形成される。
同様に、上述したようにゾルゲル法を用いてＥＴＬ４を形成する場合、まず、金属酸化物ナノ粒子と第２高分子４ｂとの複合体を含む混合液（ゾル）を、ＥＭＬ３上における、ＥＴＬ４を形成すべき位置に塗布する。そして、上記混合液（ゾル）を、焼成する等して、脱水縮合反応を完結させてゾルをゲル化（高分子量化）させ、さらに、溶媒を完全に除去して乾燥させることで、上記複合体を固形化させる。これにより、ＥＴＬ４として、金属酸化物ナノ粒子と第２高分子４ｂとの複合体からなる膜が形成される。
（効果）
上述したように、本実施形態に係る発光素子１０は、ＨＴＬ２が、正孔輸送性材料２ａと、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子２ｂと、を含んでいる。このため、図１に示すように、ＨＴＬ２では、正孔が、正孔輸送性材料２ａから他の正孔輸送性材料２ａに、直接ホッピング伝導するだけでなく、間に、第１高分子２ｂの側鎖のπ共役電子対を有する官能基を介して段階的にホッピング伝導する。つまり、本実施形態によれば、正孔が、正孔輸送性材料２ａから他の正孔輸送性材料２ａにホッピング伝導する際に、正孔輸送性材料２ａから一旦上記官能基にホッピング伝導した後、該官能基から上記他の正孔輸送性材料２ａにホッピング伝導することが可能となる。このため、ＨＴＬ２の正孔移動度が改善される。
上述したように、本実施形態に係る発光素子１０は、ＨＴＬ２が、正孔輸送性材料２ａと、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子２ｂと、を含んでいる。このため、図１に示すように、ＨＴＬ２では、正孔が、正孔輸送性材料２ａから他の正孔輸送性材料２ａに、直接ホッピング伝導するだけでなく、間に、第１高分子２ｂの側鎖のπ共役電子対を有する官能基を介して段階的にホッピング伝導する。つまり、本実施形態によれば、正孔が、正孔輸送性材料２ａから他の正孔輸送性材料２ａにホッピング伝導する際に、正孔輸送性材料２ａから一旦上記官能基にホッピング伝導した後、該官能基から上記他の正孔輸送性材料２ａにホッピング伝導することが可能となる。このため、ＨＴＬ２の正孔移動度が改善される。
一方、本実施形態に係る発光素子１０は、ＥＴＬ４が、電子輸送性材料４ａと、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する第２高分子４ｂと、を含んでいる。このため、図１に示すように、ＥＴＬ４において、電子は、電子輸送性材料４ａから他の電子輸送性材料４ａに直接ホッピング伝導することで移動する。
このように、本実施形態によれば、上記第１高分子２ｂと上記第２高分子４ｂとに異なる高分子を使用する（具体的には、上述したように官能基を変える）ことで、キャリアのホッピング伝導の頻度を調整し、ＨＴＬ２とＥＴＬ４とのキャリア移動度を制御することができる。
特に、電界発光素子は、一般的に、ＥＴＬと比較して、ＨＴＬのキャリア移動度が低い傾向にある。このため、ＥＭＬにおいて、正孔の注入量よりも電子の注入量の方が多く、従来、電子供給過多、正孔不足が問題となっている。
本実施形態によれば、上述したようにＨＴＬ２における正孔のホッピング伝導の頻度をＥＴＬ４における電子のホッピング伝導の頻度よりも高くすることで、正孔注入を促進し、電子注入を抑制することができる。このように、本実施形態によれば、キャリア移動度が異なるキャリア輸送性材料からなるＨＴＬ２とＥＴＬ４との導電性を揃え、キャリア移動度を揃えることができるので、正孔と電子とのキャリアバランスを改善することができる。この結果、本実施形態によれば、正孔と電子との再結合確率を従来よりも向上させることができ、従来よりも発光効率を向上させることができる。
また、本実施形態によれば、上記第１高分子２ｂおよび第２高分子４ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、耐久性が向上するとともに、成膜性が向上し、ピンホールを抑制することができる。さらに、上記第１高分子２ｂおよび第２高分子４ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、上記正孔輸送性材料２ａおよび上記電子輸送性材料４ａに金属酸化物ナノ粒子を用いた場合の該金属酸化物ナノ粒子表面の水酸基に由来する消光を抑制することができる。この結果、外部量子効率が高い発光素子１０を提供することができる。
また、上記第１高分子２ｂおよび第２高分子４ｂは、例えば金属酸化物ナノ粒子と化学的に結合することで、薄い高分子被膜を形成する。このため、駆動電圧が上昇せず、駆動電圧の低いデバイスが作製できる。
しかも、本実施形態によれば、上述したように塗布プロセスで容易に上記ＨＴＬ２およびＥＴＬ４を形成することができる。したがって、製造コストを抑えることができる。
（ＥＴＬ４における電子輸送性材料４ａおよび第２高分子４ｂの含有量）
次に、ＥＴＬ４における電子輸送性材料４ａの含有量として、前記混合膜の体積に対する電子輸送性材料４ａの体積比について、図６を参照して以下に説明する。以下では、電子輸送性材料４ａが、半導体ナノ粒子（具体的には、金属酸化物ナノ粒子）であり、第２高分子４ｂが、前記構造式（１０）で示されるＰＳＱである場合を例に挙げて説明する。
次に、ＥＴＬ４における電子輸送性材料４ａの含有量として、前記混合膜の体積に対する電子輸送性材料４ａの体積比について、図６を参照して以下に説明する。以下では、電子輸送性材料４ａが、半導体ナノ粒子（具体的には、金属酸化物ナノ粒子）であり、第２高分子４ｂが、前記構造式（１０）で示されるＰＳＱである場合を例に挙げて説明する。
電子輸送性材料４ａ（半導体ナノ粒子）の体積および第２高分子４ｂの体積は、これら電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとを含む混合液中のそれぞれの重量をそれぞれの密度（単位体積当たりの重量）で割ることで求めることができる。例えば、π共役電子対を有する官能基がフェニル基であるＰＳＱの密度は１．５６ｇ／ｃｍ３であり、ＺｎＯの密度は５．６１ｇ／ｃｍ３である。
ここで、半導体ナノ粒子の体積と高分子の体積との和を、これら半導体ナノ粒子と高分子とからなる混合膜の体積とし、半導体ナノ粒子が混合膜中に均一に分散すると仮定する。この場合、上記混合膜中における個数平均半導体ナノ粒子間距離（以下、「ナノ粒子間距離」と記す）は、図６に示すように近似的に表せる。
上記ナノ粒子間距離は、半導体ナノ粒子の平均粒子中心間距離から該半導体ナノ粒子の個数平均粒径を引いた値を示す。半導体ナノ粒子の平均粒子中心間距離は、半導体ナノ粒子を含む膜の小角Ｘ線散乱あるいはＴＥＭを用いて測定できる。半導体ナノ粒子の個数平均粒径は、前述したように、動的光散乱あるいはＴＥＭを用いて測定できる。半導体ナノ粒子の個数平均粒径とは、前述したように、粒度分布における積算値５０％における半導体ナノ粒子の直径を示す。
また、図６中、「ナノ粒子体積／混合膜体積」とは、上記混合膜の体積に対する、半導体ナノ粒子の体積の比率を示す。図６中、「半導体ナノ粒子径」とは、上記「半導体ナノ粒子の個数平均粒径」を示す。
なお、半導体ナノ粒子が球状と仮定すると、六方最密充填構造でも空隙が生じ、上記混合膜の体積に対する半導体ナノ粒子の体積は、上記混合膜の体積に上記空隙分の体積を含めれば、７４％程度が限界（半導体ナノ粒子同士が接触）となる。図６は、上記混合膜の体積から上記空隙分の体積を差し引いた図を示している。
金属酸化物ナノ粒子等の半導体ナノ粒子の集積膜中では、トンネル効果によるキャリアのホッピング伝導により、キャリア移動が生じる。ＥＴＬ４のように絶縁体で覆われた半導体ナノ粒子間のトンネル電流は、ナノ粒子間距離が短いほど生じ易い。より具体的には、上記トンネル電流は、一般的には、ナノ粒子間距離が３ｎｍ以下の場合に生じる。また、上記トンネル電流は、ナノ粒子間距離が１．５ｎｍ以下の場合に特に生じ易い。
第２高分子４ｂは、バンドギャップが大きい絶縁体であり、第２高分子４ｂはキャリア輸送性材料として用いることはできないが、半導体ナノ粒子と第２高分子４ｂとの複合体は、キャリア輸送性材料として用いることができる。
図６では、半導体ナノ粒子にＺｎＯナノ粒子を使用している。したがって、図６は、ＥＴＬ４を構成する、電子輸送性材料４ａ（半導体ナノ粒子）と第２高分子４ｂとを含む混合膜の体積に対する電子輸送性材料４ａの体積の比率と、上記混合膜における個数平均半導体ナノ粒子間距離との関係を示している。また、図６に示す「ナノ粒子間距離」（つまり、個数平均半導体ナノ粒子間距離）は、図１に示す、ＥＴＬ４における、隣り合う電子輸送性材料４ａ間の距離ｄ２に相当する。なお、前記「個数平均半導体ナノ粒子間距離」あるいは「ナノ粒子間距離」は、「個数平均金属酸化物ナノ粒子間距離」（言い換えれば、隣り合う金属酸化物の微粒子間の個数平均粒子間距離）と読み替えることができる。
図６は、半導体ナノ粒子と第２高分子４ｂとの混合膜の体積に対する半導体ナノ粒子の体積比がどの程度であれば、半導体ナノ粒子と第２高分子４ｂとの混合膜における、隣り合う半導体ナノ粒子間の平均の距離がどの程度になるかを概算した結果である。したがって、図６から、半導体ナノ粒子を被覆する第２高分子４ｂの量がどの程度であれば、隣り合う半導体ナノ粒子間の平均の距離がどの程度になるかが判る。
前述したように、トンネル電流は、半導体ナノ粒子間距離が３ｎｍ以下の場合に生じる。したがって、上記混合膜がキャリア移動度を有するためには、ナノ粒子間距離を３ｎｍ以下とする必要がある。図６に示すように、ナノ粒子間距離を３ｎｍ以下とするためには、上記混合膜（言い替えれば、上記混合膜からなるＥＴＬ４）の体積に対する半導体ナノ粒子の体積比が１５％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。
一方で、上記混合膜の体積に対する半導体ナノ粒子の体積比が多いと、半導体ナノ粒子の表面の水酸基が反応せずに残存する。このため、上記混合膜の体積に対する半導体ナノ粒子の体積比は、９０％以下であることが好ましく、８０％以下であることがより好ましい。
したがって、上記混合膜の体積（言い替えれば、ＥＴＬ４の体積）に対する電子輸送性材料４ａの体積の比率は、１５％以上、９０％以下であることが好ましい。また、上記混合膜の体積に対する電子輸送性材料４ａの体積の比率の下限値としては、３０％がより好ましく、上限値としては、８０％がより好ましい。
上記比率が９０％以下であることで、水酸基の残存量を少なくしつつ、上記比率が１５％以上であることにより、良好なキャリア移動度（本実施形態では電子移動度）を実現することができる。
以上のように、ＥＴＬ４における、電子輸送性材料４ａと第２高分子４ｂとの混合割合（電子輸送性材料４ａ：第２高分子４ｂ）は、体積比で、１５：８５～９０：１０であることが望ましく、３０：７０～８０：３０であることがより望ましい。
なお、図６では、半導体ナノ粒子に、電子輸送性材料であるＺｎＯナノ粒子を使用したが、半導体ナノ粒子に、正孔輸送性材料を用いた場合にも、図６で示す結果と同様の結果が得られる。このため、前述したように、ＨＴＬ２における、正孔輸送性材料２ａと第１高分子２ｂとの混合割合（正孔輸送性材料２ａ：第１高分子２ｂ）もまた、体積比で、１５：８５～９０：１０であることが望ましく、３０：７０～８０：３０であることがより望ましい。
なお、ＥＴＬ４が、上記他の材料を含む場合、ＥＴＬ４における、上記他の材料の含有量は、高分子の縮合を妨げないために、体積比で２０％以下であることが望ましく、１０％以下であることがより望ましい。
また、ＥＴＬ４における、隣り合う電子輸送性材料４ａ間の距離ｄ２（ナノ粒子間距離）は、前述した理由から、３ｎｍ以下であることが好ましく、１．５ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、前述したように、ＨＴＬ２では、第１高分子２ｂにおけるπ共役電子対を有する官能基を介して正孔のホッピング伝導が可能である。このため、ＨＴＬ２では、例えば、ＥＴＬ４よりもナノ粒子間距離を大きくすることも可能である。つまり、図１に示す、ＨＴＬ２における、隣り合う正孔輸送性材料２ａ間の距離ｄ１（ナノ粒子間距離）は、ＥＴＬ４における、隣り合う電子輸送性材料４ａ間の距離ｄ２よりも大きくてもよい。
具体的には、ＨＴＬ２における、隣り合う正孔輸送性材料２ａ間の距離ｄ１は、５ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以下であることがより好ましい。ＨＴＬ２における、隣り合う正孔輸送性材料２ａ間の距離ｄ１が５ｎｍ以下であれば、第１高分子２ｂにおけるπ共役電子対を有する官能基を介して正孔のホッピング伝導が可能であり、ＥＴＬ４よりもキャリアのホッピング伝導の頻度を高くすることができる。
（変形例１）
なお、本実施形態では、ＥＭＬ３が、発光材料として量子ドットを含む量子ドット発光層である場合を例に挙げて説明した。
なお、本実施形態では、ＥＭＬ３が、発光材料として量子ドットを含む量子ドット発光層である場合を例に挙げて説明した。
従来、量子ドット発光層を備えている発光素子では、キャリア輸送層に金属酸化物ナノ粒子を用いた場合、該金属酸化物ナノ粒子の表面の水酸基による量子ドットの失活が顕著であった。しかしながら、本実施形態によれば、この量子ドットの失活を防ぐことができる。
しかしながら、ＥＭＬ３は、量子ドット発光層に限定されるものではない。ＥＭＬ３は、発光材料として、量子ドットに代えて、例えば、各色に発光する有機発光材料を備えていてもよい。
発光素子１０が、上述したように量子ドットを発光材料とするＱＬＥＤである場合、陽極１と陰極５との間の駆動電流によって電子と正孔とがＥＭＬ３内で再結合する。そして、この再結合によって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位から価電子帯準位に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
一方、発光素子１０が、発光材料として有機発光材料を用いたＯＬＥＤである場合、陽極１と陰極５との間の駆動電流によって電子と正孔とがＥＭＬ３内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。
また、発光素子１０は、ＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（例えば無機発光ダイオード等）であってもよい。
（変形例２）
また、図１では、発光素子１０が、陽極１、ＨＴＬ２（第１層）、ＥＭＬ３、ＥＴＬ４（第２層）、陰極５が、下層側からこの順に積層された構成を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。発光素子１０は、陰極５、ＥＴＬ４（第２層）、ＥＭＬ３、ＨＴＬ２（第１層）、陽極１が、下層側からこの順に積層された構成を有していてもよい。また、陰極５とＥＭＬ３との間には、陰極５とＥＭＬ３との間の中間層として、ＨＩＬおよびＥＴＬ４が、陰極５側からこの順に設けられていてもよい。また、陽極１とＨＴＬ２との間には、陽極１とＨＴＬ２との間の中間層として、例えば、ＥＩＬが別途設けられていてもよい。何れの場合にも、上述した効果と同じ効果を得ることができる。
また、図１では、発光素子１０が、陽極１、ＨＴＬ２（第１層）、ＥＭＬ３、ＥＴＬ４（第２層）、陰極５が、下層側からこの順に積層された構成を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。発光素子１０は、陰極５、ＥＴＬ４（第２層）、ＥＭＬ３、ＨＴＬ２（第１層）、陽極１が、下層側からこの順に積層された構成を有していてもよい。また、陰極５とＥＭＬ３との間には、陰極５とＥＭＬ３との間の中間層として、ＨＩＬおよびＥＴＬ４が、陰極５側からこの順に設けられていてもよい。また、陽極１とＨＴＬ２との間には、陽極１とＨＴＬ２との間の中間層として、例えば、ＥＩＬが別途設けられていてもよい。何れの場合にも、上述した効果と同じ効果を得ることができる。
〔実施形態２〕
本実施形態では、実施形態１との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態では、実施形態１との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
図７は、本実施形態に係る発光素子２０の概略構成の一例を、その要部を拡大して模式的に示す図と併せて示す断面図である。
図７に示す発光素子２０は、陽極１、ＨＴＬ２（第１層）、ＥＭＬ３、ＥＴＬ４１、陰極５が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
本実施形態に係る発光素子２０は、図７に示すように、ＥＴＬ４に代えてＥＴＬ４１が設けられている点でのみ、実施形態１に係る発光素子１０と異なっている。
ＥＴＬ４１は、ＥＴＬ４同様、ＥＭＬ３に電子を輸送する層であり、ＥＭＬ３と接触して設けられている。なお、ＥＴＬ４１は、ＥＴＬ４同様、正孔の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＥＴＬ４１は、前記第２高分子４ｂを含んでいない点が、ＥＴＬ４と異なる。つまり、ＥＴＬ４１は、キャリア輸送性材料（第２キャリア輸送性材料）として、電子輸送性材料４１ａを含んでいる。電子輸送性材料４１ａとしては、公知の各種電子輸送性材料を用いることができる。したがって、電子輸送性材料４１ａは、電子輸送性材料４ａと同じであってもよい。なお、電子輸送性材料４１ａとしては、オキサジアゾール類、トリアゾール類、フェナントロリン類、シロール誘導体、シクロペンタジエン誘導体等の有機電子輸送性材料を用いてもよい。上記オキサジアゾール誘導体としては、（２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）等が挙げられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
前述したように、電界発光素子は、一般的に、ＥＴＬと比較して、ＨＴＬのキャリア移動度が低い傾向にある。このため、ＥＭＬにおいて、正孔の注入量よりも電子の注入量の方が多く、従来、電子供給過多、正孔不足が問題となっている。
実施形態１で説明したように、ＨＴＬ２が正孔輸送性材料２ａと前記第１高分子２ｂとを含むことで、従来よりも正孔のホッピング伝導の頻度を高めることが可能であり、ＨＴＬ２の正孔移動度を改善することができる。
したがって、本実施形態によれば、ＥＴＬ４１において電子注入を抑制することはできないものの、ＨＴＬ２において、正孔注入を促進することはできる。つまり、本実施形態によれば、第１高分子２ｂによって、キャリアのホッピング伝導の頻度を調整し、ＨＴＬ２のキャリア移動度を制御することができる。したがって、本実施形態でも、正孔と電子とのキャリアバランスを従来よりも改善することができる。この結果、本実施形態でも、正孔と電子との再結合確率を従来よりも向上させることができ、従来よりも発光効率を向上させることができる。
（変形例）
なお、図７では、発光素子２０がＥＴＬ４１を含む場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態に係る発光素子２０は、図７に示す構成に限定されるものではない。上記発光素子２０は、ＥＴＬを有さない構成であっても構わない。また、陰極５とＥＭＬ３との間には、陰極５とＥＭＬ３との間の中間層として、ＥＩＬおよびＥＴＬ４１が、陰極５側からこの順に設けられていてもよい。また、陽極１とＨＴＬ２との間には、陽極１とＨＴＬ２との間の中間層として、例えば、ＨＩＬが別途設けられていてもよい。
なお、図７では、発光素子２０がＥＴＬ４１を含む場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態に係る発光素子２０は、図７に示す構成に限定されるものではない。上記発光素子２０は、ＥＴＬを有さない構成であっても構わない。また、陰極５とＥＭＬ３との間には、陰極５とＥＭＬ３との間の中間層として、ＥＩＬおよびＥＴＬ４１が、陰極５側からこの順に設けられていてもよい。また、陽極１とＨＴＬ２との間には、陽極１とＨＴＬ２との間の中間層として、例えば、ＨＩＬが別途設けられていてもよい。
〔実施形態３〕
本実施形態では、実施形態１、２との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１、２で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態では、実施形態１、２との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１、２で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
図８は、本実施形態に係る発光素子３０の概略構成の一例を、その要部を拡大して模式的に示す図と併せて示す断面図である。
図８に示す発光素子３０は、陽極１、ＨＩＬ２１（第１層）、ＨＴＬ２２、ＥＭＬ３、ＥＴＬ４（第２層）、陰極５が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
実施形態１、２では、第１層が正孔輸送層である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、キャリアバランスを調整するためには、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に設けられていればよい。したがって、第１電極が陽極であり、第１層が正孔輸送性を有する層である場合、第１層は、必ずしもＨＴＬである必要はなく、ＨＩＬであってもよい。
図８に示す発光素子３０は、ＨＴＬ２に代えてＨＩＬ２１およびＨＴＬ２２が設けられている点でのみ、実施形態１に係る発光素子１０と異なっている。
ＨＩＬ２１は、ＨＴＬ２２に正孔を輸送する層であり、ＨＴＬ２２は、ＨＴＬ２同様、ＥＭＬ３に電子を輸送する層である。なお、ＨＩＬ２１またはＨＴＬ２２は、電子の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＨＩＬ２１は、図８に示すように、キャリア輸送性材料（第１キャリア輸送性材料）として正孔輸送性材料２１ａを含むとともに、バインダとして第１高分子２１ｂを含んでいる。正孔輸送性材料２１ａとしては、正孔輸送性材料２ａと同じ材料を用いることができる。第１高分子２１ｂとしては、第１高分子２ｂと同じ材料を用いることができる。したがって、ＨＩＬ２１における、隣り合う正孔輸送性材料２１ａ間の距離ｄ３（ナノ粒子間距離）は、ＨＴＬ２における、隣り合う正孔輸送性材料２ａ間の距離ｄ１と同様に設定することができる。
ＨＴＬ２２は、前記第１高分子２ｂを含んでいない点が、ＨＴＬ２と異なる。つまり、ＨＴＬ２２は、キャリア輸送性材料（第３キャリア輸送性材料）として、正孔輸送性材料２２ａを含んでいる。正孔輸送性材料２２ａとしては、公知の各種正孔輸送性材料を用いることができる。したがって、正孔輸送性材料２２ａは、正孔輸送性材料２ａと同じであってもよい。なお、正孔輸送性材料２２ａとしては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（４－スチレンスルホネート））、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、ＴＦＢ（ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）等の有機正孔輸送性材料を用いてもよい。これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
本実施形態に係る発光素子３０は、ＨＩＬ２１が、正孔輸送性材料２１ａと、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子２１ｂと、を含んでいる。このため、図８に示すように、ＨＩＬ２１では、正孔が、正孔輸送性材料２１ａから他の正孔輸送性材料２１ａに、直接ホッピング伝導するだけでなく、間に、第１高分子２１ｂの側鎖のπ共役電子対を有する官能基を介して段階的にホッピング伝導する。つまり、正孔が、正孔輸送性材料２１ａから他の正孔輸送性材料２１ａにホッピング伝導する際に、正孔輸送性材料２１ａから一旦上記官能基にホッピング伝導した後、該官能基から上記他の正孔輸送性材料２１ａにホッピング伝導することが可能となる。このため、ＨＩＬ２１の正孔移動度が改善される。
一方、本実施形態に係る発光素子３０は、ＥＴＬ４が、電子輸送性材料４ａと、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する第２高分子４ｂと、を含んでいる。このため、図８に示すように、ＥＴＬ４において、電子は、電子輸送性材料４ａから他の電子輸送性材料４ａに直接ホッピング伝導することで移動する。
したがって、本実施形態によれば、第１高分子２１ｂと第２高分子４ｂとに異なる高分子を使用する（具体的には、上述したように官能基を変える）ことで、キャリアのホッピング伝導の頻度を調整し、ＨＩＬ２１とＥＴＬ４とのキャリア移動度を制御することができる。
本実施形態によれば、上述したようにＨＩＬ２１における正孔のホッピング伝導の頻度をＥＴＬ４における電子のホッピング伝導の頻度よりも高くすることで、正孔注入を促進し、電子注入を抑制することができる。したがって、実施形態１と同じく、本実施形態でも、ＥＭＬ３に注入される正孔および電子の注入量を揃えることができるので、正孔と電子とのキャリアバランスを改善することができる。この結果、本実施形態によれば、正孔と電子との再結合確率を従来よりも向上させることができ、従来よりも発光効率を向上させることができる。
なお、本実施形態でも、上記第１高分子２１ｂおよび第２高分子４ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、耐久性が向上するとともに、成膜性が向上し、ピンホールを抑制することができる。また、本実施形態でも、第２高分子４ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、上記電子輸送性材料４ａに金属酸化物ナノ粒子を用いた場合の該金属酸化物ナノ粒子表面の水酸基に由来する消光を抑制することができる。この結果、外部量子効率が高い発光素子３０を提供することができる。
また、上記第１高分子２１ｂおよび第２高分子４ｂは、例えば金属酸化物ナノ粒子と化学的に結合することで、薄い高分子被膜を形成する。このため、駆動電圧が上昇せず、駆動電圧の低いデバイスが作製できる。
また、本実施形態でも、塗布プロセスで容易に上記ＨＩＬ２１およびＥＴＬ４を形成することができる。したがって、製造コストを抑えることができる。
（変形例１）
なお、図８では、図１に示す発光素子１０において、ＨＴＬ２に代えてＨＩＬ２１およびＨＴＬ２２が設けられている場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。本実施形態に係る発光素子３０は、例えば、図７に示す発光素子２０において、ＨＴＬ２に代えてＨＩＬ２１およびＨＴＬ２２が設けられている構成を有していてもよい。この場合、本実施形態に係る効果と、実施形態２に係る効果とを併せ持つ発光素子を提供することができる。なお、本実施形態でも、実施形態１、２と同様の変形が可能であることは言うまでもない。
なお、図８では、図１に示す発光素子１０において、ＨＴＬ２に代えてＨＩＬ２１およびＨＴＬ２２が設けられている場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。本実施形態に係る発光素子３０は、例えば、図７に示す発光素子２０において、ＨＴＬ２に代えてＨＩＬ２１およびＨＴＬ２２が設けられている構成を有していてもよい。この場合、本実施形態に係る効果と、実施形態２に係る効果とを併せ持つ発光素子を提供することができる。なお、本実施形態でも、実施形態１、２と同様の変形が可能であることは言うまでもない。
（変形例２）
前述したように、キャリアバランスを調整するためには、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に設けられていればよい。したがって、第１電極が陽極であり、第１層が正孔輸送性を有する層である場合、ＨＩＬおよびＨＴＬが、それぞれ、正孔輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子と、を含んでいてもよい。つまり、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に少なくとも一層設けられていればよく、複数層設けられていてもよい。
前述したように、キャリアバランスを調整するためには、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に設けられていればよい。したがって、第１電極が陽極であり、第１層が正孔輸送性を有する層である場合、ＨＩＬおよびＨＴＬが、それぞれ、正孔輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子と、を含んでいてもよい。つまり、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に少なくとも一層設けられていればよく、複数層設けられていてもよい。
同様に、第２電極が陰極であり、第２層が電子輸送性を有する層である場合、ＥＩＬおよびＥＴＬが、それぞれ、電子輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する第２高分子と、を含んでいてもよい。つまり、第２層は、第２電極とＥＭＬとの間に少なくとも一層設けられていればよく、複数層設けられていてもよい。
また、図１あるいは図８に示すＥＴＬに代えて、ＥＩＬが第２層であっても構わない。つまり、図１あるいは図８において、ＥＴＬ４に代えて、電子輸送性材料と第２高分子とを含むＥＩＬと、第２高分子を含まないＥＴＬとが、陰極５側からこの順に設けられていても構わない。
〔実施形態４〕
本実施形態では、実施形態１～３との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１～３で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態では、実施形態１～３との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１～３で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
実施形態１～３では、第１電極が陽極１であり、第２電極が陰極５である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、第１電極が陰極５であり、第２電極が陽極１であってもよい。
キャリアバランスは、陽極１と陰極５との間の各層（機能層）の材料並びに層厚、エネルギー準位等の組み合わせによって変わる。したがって、ＥＭＬ３において電子の注入量よりも正孔の注入量の方が多い場合（例えば、ＨＴＬと比較してＥＴＬのキャリア移動度が低い組み合わせの場合）、陰極５とＥＭＬ３との間に、第１層が設けられていてもよい。前述したように、第１層は、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子と、第１キャリア輸送性材料と、を含む。この場合、第１キャリア輸送性材料には、電子輸送性材料が用いられる。
また、このとき、陽極１とＥＭＬ３との間に、第２層が設けられていてもよい。前述したように、第２層は、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する第２高分子と、第２キャリア輸送性材料と、を含む。この場合、第２キャリア輸送性材料には、正孔輸送性材料が用いられる。
図９は、本実施形態に係る発光素子４０の概略構成の一例を、その要部を拡大して模式的に示す図と併せて示す断面図である。
図９に示す発光素子４０は、以下の点を除けば、実施形態１に係る発光素子１０と同じである。
図９に示す発光素子４０は、陰極５（第１電極）、ＥＴＬ４２（第１層）、ＥＭＬ３、ＨＴＬ２３（第２層）、陽極１が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
なお、図９に示す例では、陰極５が、下層側に設けられた下部電極であり、陽極１が、上層側に設けられた上部電極である。したがって、本実施形態では、陰極５から陽極１に向かう方向を上方向と称し、その反対の方向を下方向と称する。
ＥＴＬ４２は、ＥＴＬ４同様、ＥＭＬ３に電子を輸送する層であり、ＥＭＬ３と接触して設けられている。なお、ＥＴＬ４２は、ＥＴＬ４同様、正孔の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＥＴＬ４２は、図９に示すように、キャリア輸送性材料（第１キャリア輸送性材料）として電子輸送性材料４２ａを含むとともに、バインダとして第１高分子４２ｂを含んでいる。電子輸送性材料４２ａとしては、電子輸送性材料４ａと同じ材料を用いることができる。第１高分子４２ｂとしては、第１高分子２ｂと同じ材料を用いることができる。
また、ＨＴＬ２３はＨＴＬ２同様、ＥＭＬ３に正孔を輸送する層であり、ＥＭＬ３と接触して設けられている。なお、ＨＴＬ２３は、ＨＴＬ２同様、電子の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＨＴＬ２３は、図９に示すように、キャリア輸送性材料（第２キャリア輸送性材料）として正孔輸送性材料２３ａを含むとともに、バインダとして第２高分子２３ｂを含んでいる。正孔輸送性材料２３ａとしては、正孔輸送性材料２ａと同じ材料を用いることができる。第２高分子２３ｂとしては、第２高分子４ｂと同じ材料を用いることができる。
したがって、ＨＴＬ２３における、隣り合う正孔輸送性材料２３ａ間の距離ｄ５（ナノ粒子間距離）は、ＥＴＬ４における、隣り合う電子輸送性材料４ａ間の距離ｄ２と同様に設定することができる。
また、ＥＴＬ４２における、隣り合う電子輸送性材料４２ａ間の距離ｄ４（ナノ粒子間距離）は、ＨＴＬ２における、隣り合う正孔輸送性材料２ａ間の距離ｄ１と同様に設定することができる。
つまり、実施形態１で説明したように、トンネル電流は、半導体ナノ粒子間距離が３ｎｍ以下の場合に生じる。また、上記トンネル電流は、ナノ粒子間距離が１．５ｎｍ以下の場合に特に生じ易い。図９に示すように、ＨＴＬ２３において、正孔は、正孔輸送性材料２３ａから他の正孔輸送性材料２３ａに直接ホッピング伝導することで移動する。したがって、ＨＴＬ２３における、隣り合う正孔輸送性材料２３ａ間の距離ｄ５は、３ｎｍ以下であることが好ましく、１．５ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、本実施形態では、上述したように、ＥＴＬ４２が、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子４２ｂを含む。このため、ＥＴＬ４２では、電子が、電子輸送性材料４２ａから他の電子輸送性材料４２ａに、直接ホッピング伝導するだけでなく、間に、第１高分子４２ｂの側鎖のπ共役電子対を有する官能基を介して段階的にホッピング伝導する。つまり、電子が、電子輸送性材料４２ａから他の電子輸送性材料４２ａにホッピング伝導する際に、電子輸送性材料４２ａから一旦上記官能基にホッピング伝導した後、該官能基から上記他の電子輸送性材料４２ａにホッピング伝導することが可能となる。
したがって、図９に示す、ＥＴＬ４２における、隣り合う電子輸送性材料４２ａ間の距離ｄ４は、ＨＴＬ２３における、隣り合う正孔輸送性材料２３ａ間の距離ｄ５よりも大きくてもよい。
具体的には、上記距離ｄ４は、上記距離ｄ１と同じく、５ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以下であることがより好ましい。上記距離ｄ４が５ｎｍ以下であれば、第１高分子４２ｂにおけるπ共役電子対を有する官能基を介して電子のホッピング伝導が可能であり、ＨＴＬ２３よりもキャリアのホッピング伝導の頻度を高くすることができる。
また、実施形態１で図６を参照して説明したように、キャリア輸送性材料として半導体ナノ粒子を含むとともにバインダとして高分子を含む混合膜の体積に対する半導体ナノ粒子の体積比は、１５％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。また、実施形態１で説明したように、半導体ナノ粒子の表面の水酸基の残存を考えれば、上記混合膜の体積に対する半導体ナノ粒子の体積比は、９０％以下であることが好ましく、８０％以下であることがより好ましい。したがって、実施形態１～３とはキャリア輸送性材料と高分子との組みあわせが異なるものの、本実施形態でも、キャリア輸送性材料と高分子とを含む層における、キャリア輸送性材料と高分子との混合割合は、実施形態１～３と同じ範囲内に設定される。
なお、本実施形態に係る発光素子４０の製造方法は、実施形態１に係る発光素子１０の製造方法において、「陽極１」、「ＨＴＬ２」、「ＥＴＬ４」、「陰極５」、「正孔輸送性材料２ａ」、「第１高分子２ｂ」、「電子輸送性材料４ａ」、「第２高分子４ｂ」を、順に、「陰極５」、「ＥＴＬ４２」、「ＨＴＬ２３」、「陽極１」、「電子輸送性材料４２ａ」、「第１高分子４２ｂ」、「正孔輸送性材料２３ａ」、「第２高分子２３ｂ」と読み替えればよい。
本実施形態によれば、第１高分子４２ｂと第２高分子２３ｂとに異なる高分子を使用することで、ホッピング伝導の頻度を調整し、ＥＴＬ４２とＨＴＬ２３とのキャリア移動度を制御することができる。
本実施形態によれば、上述したようにＥＴＬ４２におけるホッピング伝導の頻度をＨＴＬ２３におけるホッピング伝導の頻度よりも高くすることで、電子注入を促進し、正孔注入を抑制することができる。このように、本実施形態によれば、ＥＭＬ３において電子の注入量よりも正孔の注入量の方が多い場合（例えば、ＨＴＬ２３と比較してＥＴＬ４２のキャリア移動度が低い組み合わせの場合）、電子のホッピング伝導の頻度を高め、電子注入を促進することができる。したがって、本実施形態でも、ＥＭＬ３に注入される正孔および電子の注入量を揃えることができるので、正孔と電子とのキャリアバランスを改善することができる。この結果、本実施形態によれば、正孔と電子との再結合確率を従来よりも向上させることができ、従来よりも発光効率を向上させることができる。
また、本実施形態でも、上記第１高分子４２ｂおよび第２高分子２３ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、耐久性が向上するとともに、成膜性が向上し、ピンホールを抑制することができる。また、本実施形態でも、上記第１高分子４２ｂおよび第２高分子２３ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、上記電子輸送性材料４２ａおよび上記正孔輸送性材料２３ａに金属酸化物ナノ粒子を用いた場合の該金属酸化物ナノ粒子表面の水酸基に由来する消光を抑制することができる。この結果、外部量子効率が高い発光素子４０を提供することができる。
また、上記第１高分子４２ｂおよび第２高分子２３ｂは、例えば金属酸化物ナノ粒子と化学的に結合することで、薄い高分子被膜を形成する。このため、駆動電圧が上昇せず、駆動電圧の低いデバイスが作製できる。
また、本実施形態でも、塗布プロセスで容易に上記ＥＴＬ４２およびＨＴＬ２３を形成することができる。したがって、製造コストを抑えることができる。
〔実施形態５〕
本実施形態では、主に、実施形態４との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態４で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態では、主に、実施形態４との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態４で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
図１０は、本実施形態に係る発光素子５０の概略構成の一例を、その要部を拡大して模式的に示す図と併せて示す断面図である。
図１０に示す発光素子５０は、陰極５、ＥＴＬ４２（第１層）、ＥＭＬ３、ＨＴＬ２４、陽極１が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
本実施形態に係る発光素子５０は、図１０に示すように、ＨＴＬ２３に代えてＨＴＬ２４が設けられている点でのみ、実施形態４に係る発光素子４０と異なっている。
ＨＴＬ２４は、ＨＴＬ２３同様、ＥＭＬ３に正孔を輸送する層であり、ＥＭＬ３と接触して設けられている。なお、ＨＴＬ２４は、ＨＴＬ２３同様、正孔の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＨＴＬ２４は、前記第２高分子２３ｂを含んでいない点が、ＨＴＬ２３と異なる。つまり、ＨＴＬ２４は、キャリア輸送性材料（第２キャリア輸送性材料）として、正孔輸送性材料２４ａを含んでいる。正孔輸送性材料２４ａとしては、実施形態３に係る正孔輸送性材料２２ａと同様の材料を用いることができる。
本実施形態によれば、実施形態４で説明したように、ＥＴＬ４２が電子輸送性材料４２ａと前記第１高分子４２ｂとを含むことで、従来よりも電子のホッピング伝導の頻度を高めることが可能であり、ＥＴＬ４２の電子移動度を改善することができる。
したがって、本実施形態によれば、ＨＴＬ２４において正孔注入を抑制することはできないものの、ＥＴＬ４２において、電子注入を促進することはできる。つまり、本実施形態によれば、第１高分子４２ｂによって、キャリアのホッピング伝導の頻度を調整し、ＥＴＬ４２のキャリア移動度を制御することができる。したがって、本実施形態でも、正孔と電子とのキャリアバランスを従来よりも改善することができる。この結果、本実施形態でも、正孔と電子との再結合確率を従来よりも向上させることができ、従来よりも発光効率を向上させることができる。
（変形例）
なお、図１０では、発光素子５０がＨＴＬ２４を含む場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態に係る発光素子５０は、図１０に示す構成に限定されるものではない。上記発光素子５０は、ＨＴＬを有さない構成であっても構わない。また、陽極１とＥＭＬ３との間には、陽極１とＥＭＬ３との間の中間層として、ＨＩＬおよびＨＴＬ２４が、陽極１側からこの順に設けられていてもよい。また、陰極５とＥＴＬ４２との間には、陰極５とＥＴＬ４２との間の中間層として、例えば、ＥＩＬが別途設けられていてもよい。
なお、図１０では、発光素子５０がＨＴＬ２４を含む場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態に係る発光素子５０は、図１０に示す構成に限定されるものではない。上記発光素子５０は、ＨＴＬを有さない構成であっても構わない。また、陽極１とＥＭＬ３との間には、陽極１とＥＭＬ３との間の中間層として、ＨＩＬおよびＨＴＬ２４が、陽極１側からこの順に設けられていてもよい。また、陰極５とＥＴＬ４２との間には、陰極５とＥＴＬ４２との間の中間層として、例えば、ＥＩＬが別途設けられていてもよい。
〔実施形態６〕
本実施形態では、主に、実施形態４、５との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態４、５で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態では、主に、実施形態４、５との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態４、５で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
図１１は、本実施形態に係る発光素子６０の概略構成の一例を、その要部を拡大して模式的に示す図と併せて示す断面図である。
図１１に示す発光素子６０は、陰極５、ＥＩＬ４３（第１層）、ＥＴＬ４４、ＥＭＬ３、ＨＴＬ２３（第２層）、陽極１が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
実施形態４、５では、第１層が電子輸送層である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、キャリアバランスを調整するためには、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に設けられていればよい。したがって、第１電極が陰極であり、第１層が電子輸送性を有する層である場合、第１層は、必ずしもＥＴＬである必要はなく、ＥＩＬであってもよい。
図１１に示す発光素子６０は、ＥＴＬ４２に代えてＥＩＬ４３およびＥＴＬ４４が設けられている点でのみ、実施形態５に係る発光素子５０と異なっている。
ＥＩＬ４３は、ＥＴＬ４４に電子を輸送する層であり、ＥＴＬ４４は、ＥＴＬ４２同様、ＥＭＬ３に電子を輸送する層である。なお、ＥＩＬ４３またはＥＴＬ４４は、正孔の輸送を阻害する機能を有していてもよい。
ＥＩＬ４３は、図１１に示すように、キャリア輸送性材料（第１キャリア輸送性材料）として電子輸送性材料４３ａを含むとともに、バインダとして第１高分子４３ｂを含んでいる。電子輸送性材料４３ａとしては、電子輸送性材料４２ａと同じ材料を用いることができる。第１高分子４３ｂとしては、第１高分子４２ｂと同じ材料を用いることができる。したがって、ＥＩＬ４３における、隣り合う電子輸送性材料４３ａ間の距離ｄ６（ナノ粒子間距離）は、ＥＴＬ４２における、隣り合う電子輸送性材料４２ａ間の距離ｄ４と同様に設定することができる。
ＥＴＬ４４は、前記第１高分子４２ｂを含んでいない点が、ＥＴＬ４２と異なる。つまり、ＥＴＬ４４は、キャリア輸送性材料（第３のキャリア輸送性材料）として、電子輸送性材料４４ａを含んでいる。電子輸送性材料４４ａとしては、実施形態２に係る電子輸送性材料４１ａと同様の材料を用いることができる。
本実施形態に係る発光素子６０は、ＥＩＬ４３が、電子輸送性材料４３ａと、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子４３ｂと、を含んでいる。このため、図１１に示すように、ＥＩＬ４３では、電子が、電子輸送性材料４３ａから他の電子輸送性材料４３ａに、直接ホッピング伝導するだけでなく、間に、第１高分子４３ｂの側鎖のπ共役電子対を有する官能基を介して段階的にホッピング伝導する。つまり、電子が、電子輸送性材料４３ａから他の電子輸送性材料４３ａにホッピング伝導する際に、電子輸送性材料４３ａから一旦上記官能基にホッピング伝導した後、該官能基から上記他の電子輸送性材料４３ａにホッピング伝導することが可能となる。このため、ＥＩＬ４３の電子移動度が改善される。
一方、本実施形態に係る発光素子６０は、ＨＴＬ２３が、正孔輸送性材料２３ａと、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する第２高分子２３ｂと、を含んでいる。このため、図１１に示すように、ＨＴＬ２３において、正孔は、正孔輸送性材料２３ａから他の正孔輸送性材料２３ａに直接ホッピング伝導することで移動する。
したがって、本実施形態によれば、第１高分子４３ｂと第２高分子２３ｂとに異なる高分子を使用することで、キャリアのホッピング伝導の頻度を調整し、ＥＩＬ４３とＨＴＬ２３とのキャリア移動度を制御することができる。
本実施形態によれば、上述したようにＥＩＬ４３における電子のホッピング伝導の頻度をＨＴＬ２３における正孔のホッピング伝導の頻度よりも高くすることで、電子注入を促進し、正孔注入を抑制することができる。したがって、実施形態４と同じく、本実施形態でも、ＥＭＬ３に注入される正孔および電子の注入量を揃えることができるので、正孔と電子とのキャリアバランスを改善することができる。この結果、本実施形態によれば、正孔と電子との再結合確率を従来よりも向上させることができ、従来よりも発光効率を向上させることができる。
なお、本実施形態でも、上記第１高分子４３ｂおよび第２高分子２３ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、耐久性が向上するとともに、成膜性が向上し、ピンホールを抑制することができる。また、本実施形態でも、第２高分子２３ｂが、主成分としてＰＳＱを含むことで、上記正孔輸送性材料２３ａに金属酸化物ナノ粒子を用いた場合の該金属酸化物ナノ粒子表面の水酸基に由来する消光を抑制することができる。この結果、外部量子効率が高い発光素子６０を提供することができる。
また、上記第１高分子４３ｂおよび第２高分子２３ｂは、例えば金属酸化物ナノ粒子と化学的に結合することで、薄い高分子被膜を形成する。このため、駆動電圧が上昇せず、駆動電圧の低いデバイスが作製できる。
また、本実施形態でも、塗布プロセスで容易に上記ＥＩＬ４３およびＨＴＬ２３を形成することができる。したがって、製造コストを抑えることができる。
（変形例１）
なお、図１１では、図９に示す発光素子４０において、ＥＴＬ４２に代えてＥＩＬ４３およびＥＴＬ４４が設けられている場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。本実施形態に係る発光素子６０は、例えば、図１０に示す発光素子５０において、ＥＴＬ４２に代えてＥＩＬ４３およびＥＴＬ４４が設けられている構成を有していてもよい。この場合、本実施形態に係る効果と、実施形態５に係る効果とを併せ持つ発光素子を提供することができる。なお、本実施形態でも、実施形態４、５と同様の変形が可能であることは言うまでもない。
なお、図１１では、図９に示す発光素子４０において、ＥＴＬ４２に代えてＥＩＬ４３およびＥＴＬ４４が設けられている場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。本実施形態に係る発光素子６０は、例えば、図１０に示す発光素子５０において、ＥＴＬ４２に代えてＥＩＬ４３およびＥＴＬ４４が設けられている構成を有していてもよい。この場合、本実施形態に係る効果と、実施形態５に係る効果とを併せ持つ発光素子を提供することができる。なお、本実施形態でも、実施形態４、５と同様の変形が可能であることは言うまでもない。
（変形例２）
前述したように、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に少なくとも一層設けられていればよく、複数層設けられていてもよい。したがって、第１電極が陰極であり、第１層が電子輸送性を有する層である場合、ＥＩＬおよびＥＴＬが、それぞれ、電子輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子と、を含んでいてもよい。
前述したように、第１層は、第１電極とＥＭＬとの間に少なくとも一層設けられていればよく、複数層設けられていてもよい。したがって、第１電極が陰極であり、第１層が電子輸送性を有する層である場合、ＥＩＬおよびＥＴＬが、それぞれ、電子輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子と、を含んでいてもよい。
また、前述したように、第２層は、第２電極とＥＭＬとの間に少なくとも一層設けられていればよく、複数層設けられていてもよい。したがって、第２電極が陽極であり、第２層が正孔輸送性を有する層である場合、ＨＩＬおよびＨＴＬが、それぞれ、正孔輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する第２高分子と、を含んでいてもよい。つまり、図９あるいは図１１に示すＨＴＬに代えて、ＥＩＬが第２層であっても構わない。つまり、図９あるいは図１１において、ＨＴＬ２３に代えて、正孔輸送性材料と第２高分子とを含むＥＩＬと、第２高分子を含まないＨＴＬとが、陽極１側からこの順に設けられていても構わない。
本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１ 陽極（第１電極）
２ ＨＴＬ（第１の層）
２ａ、２１ａ 正孔輸送性材料（第１キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
２ｂ、２１ｂ、４２ｂ 第１高分子
３ ＥＭＬ（発光層）
４ ＥＴＬ（第２の層）
４ａ、２４ａ 電子輸送性材料（第２キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
４ｂ、２３ｂ 第２高分子
５ 陰極（第２電極）
１０、２０、３０、４０、５０、６０ 発光素子
２１ ＨＩＬ（第１の層）
２２、２４ ＨＴＬ
２３ ＨＴＬ（第２の層）
２３ａ、２４ａ 正孔輸送性材料（第２キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
４１、４４ ＥＴＬ
４２ ＥＴＬ（第１の層）
４２ａ、４３ａ 電子輸送性材料（第１キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
４３ ＥＩＬ（第１の層）
２ ＨＴＬ（第１の層）
２ａ、２１ａ 正孔輸送性材料（第１キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
２ｂ、２１ｂ、４２ｂ 第１高分子
３ ＥＭＬ（発光層）
４ ＥＴＬ（第２の層）
４ａ、２４ａ 電子輸送性材料（第２キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
４ｂ、２３ｂ 第２高分子
５ 陰極（第２電極）
１０、２０、３０、４０、５０、６０ 発光素子
２１ ＨＩＬ（第１の層）
２２、２４ ＨＴＬ
２３ ＨＴＬ（第２の層）
２３ａ、２４ａ 正孔輸送性材料（第２キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
４１、４４ ＥＴＬ
４２ ＥＴＬ（第１の層）
４２ａ、４３ａ 電子輸送性材料（第１キャリア輸送性材料、金属酸化物の微粒子）
４３ ＥＩＬ（第１の層）
Claims (10)
- 第１電極と、第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
前記第１電極と前記発光層との間に設けられた、キャリア輸送性を有する第１の層と、を備えており、
前記第１の層は、第１キャリア輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖にπ共役電子対を有する官能基を有する第１高分子と、を含むことを特徴とする発光素子。 - 前記第１高分子は、前記π共役電子対を有する官能基として、五員環、六員環、七員環、の何れかからなるアリール基；上記アリール基の融合環；上記アリール基の誘導体；上記アリール基の融合環の誘導体；五員環、六員環、七員環、の何れかからなり、かつ、窒素、硫黄、酸素、ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種のヘテロ原子を１～３個含むヘテロアリール基；上記ヘテロアリール基の融合環；上記ヘテロアリール基の誘導体；上記ヘテロアリール基の融合環の誘導体；からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有していることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
- 前記第２電極と前記発光層との間に設けられた、キャリア輸送性を有する第２の層をさらに備え、
前記第２の層は、第２キャリア輸送性材料と、主鎖にポリシロキサン結合を含み、その側鎖に、炭素数１～１０の、無置換または一部の水素原子が置換されたアルキル基を有する第２高分子と、を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。 - 前記アルキル基は、炭素数１～３の無置換のアルキル基であることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
- 前記第１電極がアノードであり、
前記第２電極がカソードであり、
前記第１の層が正孔輸送層であり、
前記第２の層が電子輸送層であることを特徴とする請求項３または４に記載の発光素子。 - 前記第１キャリア輸送性材料は、酸化ニッケル、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化マグネシウム、ランタン酸ニッケルからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物またはその混晶系の微粒子を含むことを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
- 前記第２キャリア輸送性材料は、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化セリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物またはその混晶系の微粒子を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の発光素子。
- 前記第１電極がカソードであり、
前記第２電極がアノードであり、
前記第１の層が電子輸送層であり、
前記第２の層が正孔輸送層であることを特徴とする請求項３または４に記載の発光素子。 - 前記第２キャリア輸送性材料と、前記第２高分子と、が化学的に結合していることを特徴とする請求項３～８の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記第１キャリア輸送性材料と、前記第１高分子と、が化学的に結合していることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2020/022904 WO2021250826A1 (ja) | 2020-06-10 | 2020-06-10 | 発光素子 |
| US18/008,524 US20230217675A1 (en) | 2020-06-10 | 2020-06-10 | Light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2020/022904 WO2021250826A1 (ja) | 2020-06-10 | 2020-06-10 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2021250826A1 true WO2021250826A1 (ja) | 2021-12-16 |
Family
ID=78847071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2020/022904 WO2021250826A1 (ja) | 2020-06-10 | 2020-06-10 | 発光素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230217675A1 (ja) |
| WO (1) | WO2021250826A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024087230A1 (zh) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005090365A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機シラン化合物、その製造方法及びその用途 |
| JP2006144002A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 複合材料及び発光素子 |
-
2020
- 2020-06-10 WO PCT/JP2020/022904 patent/WO2021250826A1/ja active Application Filing
- 2020-06-10 US US18/008,524 patent/US20230217675A1/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005090365A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機シラン化合物、その製造方法及びその用途 |
| JP2006144002A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 複合材料及び発光素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024087230A1 (zh) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230217675A1 (en) | 2023-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11005058B2 (en) | Light-emitting device including quantum dots | |
| US10403690B2 (en) | Light emitting device including tandem structure with quantum dots and nanoparticles | |
| CN108075043B (zh) | 量子点发光二极管和使用该二极管的发光显示装置 | |
| Jin et al. | Balancing the electron and hole transfer for efficient quantum dot light-emitting diodes by employing a versatile organic electron-blocking layer | |
| US10014438B2 (en) | Light emitting device including semiconductor nanocrystals | |
| Ji et al. | 1, 2-Ethanedithiol treatment for AgIn5S8/ZnS quantum dot light-emitting diodes with high brightness | |
| Ponomarenko et al. | Conjugated organosilicon materials for organic electronics and photonics | |
| US8334527B2 (en) | Electroluminescent device | |
| KR102649297B1 (ko) | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| Gu et al. | Silicon-quantum-dot light-emitting diodes with interlayer-enhanced hole transport | |
| Ghosh et al. | Inverted device architecture for enhanced performance of flexible silicon quantum dot light-emitting diode | |
| TW201236230A (en) | Organic light emitting device with outcoupling layer for improved light extraction | |
| US20110079273A1 (en) | Photovoltaic devices | |
| Huang et al. | Efficient polymer light-emitting diodes with ZnO nanoparticles and interpretation of observed sub-bandgap turn-on phenomenon | |
| Wei et al. | Coordinatable and High Charge‐Carrier‐Mobility Water‐Soluble Conjugated Copolymers for Effective Aqueous‐Processed Polymer–Nanocrystal Hybrid Solar Cells and OFET Applications | |
| Zhao et al. | Al 2 O 3-interlayer-enhanced performance of all-inorganic silicon-quantum-dot near-infrared light-emitting diodes | |
| Xu et al. | Phase engineering for highly efficient quasi-two-dimensional all-inorganic perovskite light-emitting diodes via adjusting the ratio of Cs cation | |
| Chao et al. | Cross-linkable hole transporting layers boost operational stability of high-performance quantum dot light-emitting device | |
| WO2021250826A1 (ja) | 発光素子 | |
| Xue et al. | Highly flexible light emitting diodes based on a quantum dots-polymer composite emitting layer | |
| Nguyen et al. | Hybrid nanocomposites for optical applications | |
| Borriello et al. | Electroluminescence properties of poly (3‐hexylthiophene)–cadmium sulfide nanoparticles grown in situ | |
| WO2021250820A1 (ja) | 発光素子 | |
| Nguyen et al. | Investigation the effect of different surface ligand treatments on luminescence and performance of quantum dot LEDs | |
| GB2516929A (en) | Light Emitting Device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 20939619 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 20939619 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |