WO2021244982A1 - Strahlungsemittierender halbleiterchip - Google Patents

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WO2021244982A1
WO2021244982A1 PCT/EP2021/064413 EP2021064413W WO2021244982A1 WO 2021244982 A1 WO2021244982 A1 WO 2021244982A1 EP 2021064413 W EP2021064413 W EP 2021064413W WO 2021244982 A1 WO2021244982 A1 WO 2021244982A1
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radiation
contact
layer sequence
semiconductor chip
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PCT/EP2021/064413
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Ivar Tangring
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • a radiation-emitting semiconductor chip is specified.
  • One problem to be solved consists in specifying a radiation-emitting semiconductor chip which has a particularly homogeneous brightness.
  • the radiation-emitting semiconductor chip is designed, for example, to emit electromagnetic radiation from a radiation exit surface during operation.
  • the electromagnetic radiation emitted by the radiation-emitting semiconductor chip can be near-ultraviolet radiation, visible light and / or near-infrared radiation.
  • the radiation-emitting semiconductor chip has, for example, a main plane of extent.
  • a vertical direction extends perpendicular to the main extension plane and lateral directions extend parallel to the main extension plane.
  • the radiation-emitting semiconductor chip comprises a first semiconductor layer sequence.
  • the radiation-emitting semiconductor chip comprises a second semiconductor layer sequence, which is on the first
  • semiconductor layer sequence is arranged.
  • the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence have grown epitaxially one above the other in a vertical direction.
  • the first semiconductor layer sequence is n-doped and is thus designed to be n-conductive.
  • the second semiconductor layer sequence is, for example, p-doped and thus p-conductive.
  • an active region is arranged between the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence.
  • the active area is designed to generate electromagnetic radiation during operation, which radiation is emitted from the radiation exit surface.
  • the active area is, for example, directly adjacent to the first semiconductor layer sequence and to the second semiconductor layer sequence.
  • the active area has, for example, a pn junction for generating the electromagnetic radiation, such as a double heterostructure, a single quantum well structure or a multiple quantum well structure.
  • the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence are based, for example, on a III-V compound semiconductor material.
  • Compound semiconductor material can be, for example, a nitride compound semiconductor material, a phosphide compound semiconductor material or an arsenide compound semiconductor material.
  • Compound semiconductor materials that contain nitride such as the materials from the system In x Al y Gai- xy N with 0 ⁇ x ⁇ 1.0
  • Compound semiconductor materials containing phosphide such as the materials from the system In x Al y Gai- xy P with 0 ⁇ x ⁇ 1, 0
  • arsenide compound semiconductor materials are compound semiconductor materials which contain arsenic, such as the materials from the system In x Al y Gai- xy As with 0 ⁇ x ⁇ 1.0
  • the radiation-emitting semiconductor chip comprises a first contact structure which is designed to inject charge carriers into the first semiconductor layer. That is to say that the first contact structure is designed to impress a current into the first semiconductor layer sequence.
  • the first semiconductor layer sequence is in particular an n-doped semiconductor layer sequence.
  • the first contact structure extends, for example, along a main direction of extent in lateral directions.
  • the first contact structure can extend in the lateral directions along a closed shape such as a ring or a polygon.
  • the first contact structure can extend in the lateral directions over a simply contiguous area which has the shape of a circle and / or a polygon.
  • plan view in the lateral directions is oriented here and below along the vertical direction.
  • the first contact structure has, for example, an electrically conductive metal or consists of it.
  • the metal it is, for example, one of the following materials: copper, gold, platinum, titanium, aluminum, silver.
  • the radiation-emitting semiconductor chip comprises a
  • Contact layer sequence which is designed for the injection of charge carriers into the second semiconductor layer sequence.
  • the contact layer sequence is in direct contact in places with the second semiconductor layer sequence. That is to say that the first contact structure is designed to impress a current into the first semiconductor layer sequence.
  • Contact layer sequence covers, for example, at least 90% of the second semiconductor layer sequence.
  • the contact layer sequence covers at least 95% or at least 99% of the second semiconductor layer sequence.
  • the second semiconductor layer sequence is in particular a p-doped semiconductor layer sequence.
  • the first contact structure and the contact layer sequence are formed without overlapping in lateral directions in plan view.
  • the first contact structure and the contact layer sequence do not overlap in lateral directions when viewed from above.
  • the first contact structure and the contact layer sequence are arranged, for example, at a distance from one another in lateral directions.
  • the Contact layer sequence on a sheet resistance that increases in the direction of the first contact structure has, for example, a gradient in the direction of the first contact structure.
  • the gradient can be a continuous gradient, for example. In this case, the sheet resistance of the contact layer sequence increases continuously in the direction of the first contact structure.
  • the gradient is a discrete gradient.
  • the gradient corresponds to a step function, for example.
  • the sheet resistance of the contact layer sequence increases in discrete steps in the direction of the first contact structure.
  • the second semiconductor layer sequence which is in particular p-doped, has poorer conductivity in lateral directions than the first
  • the second semiconductor layer sequence has a higher sheet resistance than the first semiconductor layer sequence.
  • a series resistance experienced by a charge carrier to be impressed into the first semiconductor layer sequence and / or a charge carrier to be impressed into the second semiconductor layer sequence is proportional to a path length of the charge carrier in the corresponding semiconductor layer sequence.
  • a series resistance along a path starting from the first contact structure becomes a fictitious one Point on the first contact layer sequence different from a series resistance along a different path starting from the first contact structure to another fictitious point on the contact layer sequence.
  • a charge carrier density and, in particular, a current density in the active region can be formed inhomogeneously.
  • the sheet resistance of the contact layer sequence increases in the direction of the first contact structure.
  • the series resistances can advantageously be matched along different paths. This equalization of the series resistances along different paths advantageously results in a particularly homogeneous current density in the active area. This also advantageously improves a quantum efficiency of the radiation-emitting semiconductor chip.
  • a second contact structure is arranged on the contact layer sequence.
  • the second contact structure and the contact layer sequence are, for example, in direct contact in areas.
  • the second contact structure is designed, for example, to impress charge carriers into the second semiconductor layer sequence. That is to say, the second contact structure is designed to impress current into the second semiconductor layer sequence via the contact layer sequence.
  • the second contact structure covers the contact layer sequence to a large extent, for example. To a large extent, this means in particular that the second contact structure covers at least 90% of the contact layer sequence. In particular, the second contact structure covers at least 95% or at least 99% of the contact layer sequence.
  • the second contact structure extends in lateral directions, for example along a main direction of extent in lateral directions.
  • the second contact structure can extend in lateral directions over a simply contiguous area which has the shape of a circle and / or a polygon.
  • the second contact structure preferably has or consists of an electrically conductive metal.
  • the metal is one of the following materials: copper, gold, platinum, titanium, aluminum, silver.
  • an electrically insulating layer is arranged in regions between the second contact structure and the contact layer sequence.
  • the second contact structure is in direct contact with the contact layer sequence in areas.
  • the electrically insulating layer covers at least 90% of the contact layer sequence. In particular, the electrically insulating layer covers at least 95% or at least 99% of the contact layer sequence.
  • the electrically insulating layer comprises, for example, an electrically insulating material such as a dielectric material.
  • the electrically insulating layer has at least one first recess in which the second contact structure and the contact layer sequence are in electrically conductive contact.
  • the first recess penetrates the electrically insulating layer completely, for example.
  • charge carriers can only be impressed through the first recess from the second contact structure via the contact layer sequence into the second semiconductor layer sequence.
  • the first recess extends, for example, along a main direction of extent in lateral directions.
  • the first recess has, for example, a width of at least 100 nm and at most 25 ⁇ m.
  • the first recess has a width of at least 1 ⁇ m and at most 10 ⁇ m or at least 1 ⁇ m and at most 5 ⁇ m.
  • the first recess has a width of approximately 5 ⁇ m.
  • the width of the first recess corresponds to a minimal extension of the first recess in lateral directions.
  • the second contact structure comprises a first partial layer and a second partial layer.
  • the first sub-layer and the second sub-layer are for example stacked one above the other in the vertical direction.
  • the first partial layer and the second partial layer are, for example, in direct contact with one another.
  • the first partial layer is a reflective layer.
  • the reflective layer is arranged, for example, between the second semiconductor layer sequence and the second partial layer.
  • the reflective layer includes, for example, a reflective metal such as silver.
  • the reflective layer is designed to be electrically conductive.
  • the reflective layer has, for example, a reflectivity of at least 90%, in particular of at least 95%, for the electromagnetic radiation generated by the active region.
  • the second partial layer is a metallic layer.
  • the metallic layer is arranged, for example, on a side of the reflective layer facing away from the second semiconductor layer sequence.
  • the metallic layer comprises, for example, one or more of the following materials: copper, gold, platinum, titanium, aluminum, silver.
  • the contact layer sequence comprises a first current spreading layer which is in direct contact with the second semiconductor layer sequence.
  • the first current spreading layer is arranged in particular between the second semiconductor layer sequence and the second contact structure.
  • the first current spreading layer is largely in direct contact with the second semiconductor layer sequence. To a large extent, this means that the first current spreading layer covers at least 90% of the second semiconductor layer sequence. In particular, the covered first current spreading layer at least 95% or at least 99% of the second semiconductor layer sequence. Alternatively, it is possible for the first current spreading layer to completely cover the second semiconductor layer sequence.
  • the contact layer sequence comprises a second current spreading layer which is in direct contact with the second contact structure in regions.
  • the second current spreading layer is arranged between the first current spreading layer and the second contact structure.
  • the first current spreading layer and / or the second current spreading layer are, for example, transparent to the electromagnetic radiation generated by the active region.
  • the first current spreading layer and / or the second current spreading layer are formed, for example, with a transparent, electrically conductive material.
  • the electrically conductive material is, for example, an electrically conductive metal or a transparent electrically conductive oxide (English: Transparent Conductive Oxide, TCO for short).
  • TCO Transparent Conductive Oxide
  • zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide are TCOs.
  • TCOs are provided with a dopant.
  • the dopant can be designed to increase the electrical conductivity of the TCOs.
  • the first current spreading layer and / or the second current spreading layer are / is preferably designed to to absorb a maximum of 4%, in particular a maximum of 2%, of the electromagnetic radiation generated by the active area. That is to say that the first current spreading layer and / or the second current spreading layer transmit at least 96%, in particular at least 98%, of the electromagnetic radiation generated by the active region.
  • a height in the vertical direction of the first current spreading layer is smaller than a height in the vertical direction of the second current spreading layer.
  • a height in the vertical direction here corresponds to a greatest extent of the first current spreading layer and / or the second current spreading layer in the vertical direction.
  • the electromagnetic radiation generated by the active area is absorbed, it is a question of free charge carrier absorption, for example. This absorption is generally proportional to the height of the first current spreading layer and / or the height of the second current spreading layer.
  • the height of the first current spreading layer is for example at least 5 nm and at most 50 nm, in particular at least 15 nm and at most 30 nm.
  • the height of the second current spreading layer is for example at least 50 nm and at most 1 gm, in particular at least 100 nm and at most 400 nm.
  • a cross-sectional area is reduced in the vertical direction of the second Current spreading layer in the direction of the first contact structure.
  • the radiation-emitting semiconductor chip can exclusively have a first current spreading layer.
  • the second current spreading layer is, for example, largely in direct contact with the second semiconductor layer sequence. To a large extent, this means in particular that the second current spreading layer covers the second semiconductor layer sequence to at least 90%. In particular, the second current spreading layer covers at least 95% or at least 99% of the second semiconductor layer sequence.
  • the first current spreading layer is arranged between the second current spreading layer and the second semiconductor layer sequence.
  • the cross-sectional area in the vertical direction of the second current spreading layer in the direction of the contact structure has, for example, a step shape.
  • the step shape has, for example, two or more steps.
  • An outer surface facing away from the second semiconductor layer sequence has, for example, the step shape. In this case, the sheet resistance of the contact layer sequence increases in discrete steps in the direction of the first contact structure.
  • the height is the second
  • the sheet resistance of the contact layer sequence is usually inversely proportional to the height of the
  • a cross-sectional area in the vertical direction of the first current spreading layer, which is arranged closest to the first contact structure has a sheet resistance which is lower by a factor of 2 to 10, in particular by a factor of 6, than a cross-sectional area in the vertical direction of the first current spreading layer, which is arranged closest to the first recess. This increases the sheet resistance of the contact layer sequence in the direction of the first contact structure.
  • the second semiconductor layer sequence prefferably be doped to different degrees in the regions of different stages.
  • a cross-sectional area decreases in lateral directions of the second current spreading layer in the direction of the first contact structure. If the radiation-emitting semiconductor chip comprises, for example, the first current spreading layer and the second current spreading layer, the first is there
  • the radiation-emitting semiconductor chip is free of the first current spreading layer.
  • the second current spreading layer is in direct contact with the second semiconductor layer sequence.
  • the second current spreading layer has at least one opening, for example. This opening extends completely through the second current spreading layer and the dielectric layer, for example in the vertical direction. A portion of the area of the opening increases, for example, in the direction of the first contact structure. This reduces the cross-sectional area in the lateral directions of the second current spreading layer in the direction of the first contact structure.
  • the opening is shaped such that the cross-sectional area tapers in lateral directions of the second current spreading layer in the direction of the first contact structure.
  • the second current spreading layer has a plurality of openings.
  • a density of the openings increases in the direction of the first contact structure.
  • cross-sectional areas in the lateral directions of the openings can decrease in size from the first contact structure towards the first recess.
  • the sheet resistance of the contact layer sequence can increase continuously in the direction of the first contact structure.
  • the sheet resistance of the contact layer sequence is, among other things, formed inversely proportional to the cross-sectional area in the lateral directions of the second current spreading layer. That is to say, if a cross-sectional area in lateral directions of the second current spreading layer decreases in the direction of the first contact structure, it increases Sheet resistance of the contact layer sequence in the direction of the first contact structure.
  • the contact layer sequence comprises a dielectric layer which is arranged in regions between the first current spreading layer and the second current spreading layer.
  • Current spreading layers are, for example, in direct contact with the dielectric layer. In areas where the dielectric layer is between the first current spreading layer and the second
  • Current spreading layer is arranged, the first current spreading layer and the second current spreading layer are not in direct contact with one another.
  • the dielectric layer comprises, for example, a dielectric material or is formed from a dielectric material. Furthermore, the dielectric layer is designed, for example, to be electrically insulating.
  • the dielectric layer preferably has a refractive index that is smaller than a refractive index of the first current spreading layer and / or a refractive index of the second current spreading layer.
  • the refractive index of the first current spreading layer and / or the refractive index of the second current spreading layer is for example at least 1.5 and at most 2.0, in particular at least 1.7 and at most 2.0.
  • the refractive index of the dielectric layer is, for example, at least 1.38 and at most 1.8, in particular approximately 1.46 or approximately 1.50.
  • the refractive index of the dielectric layer is at least 0.2 smaller than the refractive index of the first current spreading layer and / or the second current spreading layer.
  • the second current spreading layer does not have to be taken into account with regard to absorption losses of electromagnetic radiation.
  • the dielectric layer has a thickness in the vertical direction, for example. The thickness corresponds to at least 0.3 times a wavelength of the electromagnetic radiation. If the electromagnetic radiation has a wavelength of 450 nm, the thickness of the dielectric layer is at least 135 nm.
  • the dielectric layer has second recesses.
  • the second recesses penetrate the dielectric layer completely, for example.
  • the second recesses are arranged, for example, at grid points of a grid.
  • the grid is in particular a polygonal grid, such as an orthogonal grid or a hexagonal grid, for example.
  • the grid is, for example, a regular grid. Alternatively, the grid is an irregular grid.
  • the second recesses each have a diameter of at least 100 nm and at most 10 ⁇ m, for example.
  • the diameter corresponds to a maximum expansion in the lateral directions of one of the second recesses.
  • the diameter of every second recess is approximately 1 ⁇ m.
  • the second recesses also have among each other in lateral directions, for example, a distance of at least 10 mpi and at most 50 mpi.
  • the second recesses have an area proportion of at most 5%, in particular at most 1%, of an area in lateral directions of the dielectric layer.
  • the first current spreading layer is in line with the second
  • the contact layer sequence comprises at least two metallic subsegments and at least one connection layer.
  • the metallic subsegments are in direct contact with the second semiconductor layer sequence.
  • the metallic subsegments are arranged at a distance from one another, for example, in lateral directions. This means that the metallic subsegments are not in direct contact with one another at any point.
  • the metallic subsegments are also arranged, for example, in lateral directions in a common plane.
  • the metallic subsegments have, for example, a spacing in lateral directions of at least 500 nm and at most 5 ⁇ m. For example, the distance between directly adjacent metallic subsegments in about 2 gm. The distance in lateral directions corresponds in particular to a minimal distance between two directly adjacent metallic subsegments.
  • Areas in lateral directions of the metallic subsegments can furthermore be of different sizes.
  • Each of the metallic subsegments has, for example, an inhomogeneous current distribution over its surface in lateral directions.
  • an area is reduced in lateral directions of the metallic subsegments in the direction of the first contact structure. That is to say, an area in lateral directions of the metallic subsegments can decrease in size from the first recess towards the first contact structure.
  • the metallic subsegments are of the same size.
  • the metallic subsegments include, for example, an electrically conductive metal, in particular a reflective metal such as silver.
  • the connecting layer is also designed to be electrically conductive and includes, for example, electrically conductive metals or transparent, electrically conductive oxides, such as ITO.
  • the connecting layer has, for example, a height in the vertical direction of at least 1 nm and at most 100 nm, for example approximately 50 nm.
  • the connects Connecting layer the metallic subsegments are electrically conductive with one another.
  • the connecting layer connects directly adjacent metallic subsegments to one another in an electrically conductive manner.
  • the contact layer sequence can furthermore comprise a plurality of metallic subsegments.
  • a single connecting layer is arranged between directly adjacent metallic subsegments.
  • two or more connecting layers it is possible for two or more connecting layers to be arranged between directly adjacent metallic subsegments.
  • the connecting layer can furthermore completely cover each of the metallic subsegments.
  • a resistance of the connecting layer is greater than any resistance of the metallic subsegments.
  • the sheet resistance of the contact layer sequence can be increased by the connection layer in the direction of the first contact structure.
  • a connection layer that is arranged closest to the first contact structure has, for example, an area in lateral directions that is 2 to 10 times, in particular 6, smaller than a connection layer that is closest to the first recess is arranged.
  • This connecting layer, which is arranged closest to the first contact structure thus has for example a sheet resistance which is by a factor of 2 to 10, in particular a factor of 6, greater than a connecting layer which is arranged closest to the first recess.
  • the first contact structure is completely enclosed by each metallic subsegment in lateral directions.
  • the first contact structure extends in plan view in lateral directions over an area which has the shape of a circle and / or a polygon.
  • the metallic subsegments completely enclose this area in lateral directions, for example.
  • the first contact structure extends along a closed shape, such as a ring or a polygon, in lateral directions.
  • a contact structure completely encloses the metallic subsegments in lateral directions, for example.
  • the second contact structure it is possible for the second contact structure to be completely enclosed by each metallic subsegment in lateral directions.
  • the second contact structure extends in plan view in lateral directions over an area which has the shape of a circle and / or a polygon.
  • the metallic subsegments completely enclose this area in lateral directions, for example.
  • a further dielectric layer is arranged in lateral directions between the metallic subsegments.
  • the further dielectric layer is designed, for example, as a dielectric mirror layer.
  • the dielectric mirror layer is arranged completely in areas between the metallic subsegments.
  • the dielectric mirror layer is, for example, a Bragg mirror.
  • the electrically insulating layer is arranged in regions in lateral directions between the metallic subsegments, between which the connecting layer is not arranged.
  • connection layer is arranged between the further dielectric layer and the electrically insulating layer.
  • the further dielectric layer, the connecting layer and the electrically insulating layer are arranged in the area between the metallic subsegments, for example, stacked one above the other in the specified order in the vertical direction.
  • a length of the connecting layer between the metallic subsegments specifies a sheet resistance of the contact layer sequence.
  • the connection layer between the further dielectric layer and the electrically insulating layer extends in areas in lateral directions and in some areas in the vertical direction.
  • the connection layer is lengthened by a factor of 2 to 10, for example, compared to a connection layer extending only in lateral directions between the metallic subsegments.
  • Such an elongated connecting layer has, in particular, a sheet resistance which is increased by a factor of 2 to 10.
  • the first contact structure and the first recess extend parallel to one another.
  • the first contact structure and the first recess each have a main direction of extent in lateral directions.
  • the main direction of extent of the first contact structure and the main direction of extent of the first recess run parallel to one another in this case.
  • the first contact structure and the first recess each have a length.
  • the lengths correspond, for example, to a maximum extent in lateral directions.
  • the lengths extend, for example, in each case along the respective main direction of extension.
  • the sheet resistance of the contact layer sequence is specified in such a way that an average current density in the active region does not deviate by more than 10% from a specified average current density. Such a deviation means that electromagnetic radiation emitted by the radiation-emitting semiconductor chip is distributed particularly homogeneously.
  • the radiation-emitting semiconductor chip is explained in more detail below with reference to the figures on the basis of exemplary embodiments.
  • FIGS 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 and 10 are schematic sectional views of a radiation-emitting semiconductor chip in accordance with one exemplary embodiment each,
  • FIGS. 11, 12 and 13 show a schematic representation of a radiation-emitting semiconductor chip in a plan view in accordance with one exemplary embodiment each,
  • FIG. 14 shows a schematic sectional illustration of a radiation-emitting semiconductor chip in accordance with one exemplary embodiment in each case
  • FIGS. 15, 16, 17, 18, 19 and 20 show a schematic representation of a radiation-emitting semiconductor chip in a top view in accordance with one exemplary embodiment each
  • FIGS. 21, 22, 23, 24 and 25 are schematic sectional views of a region of a radiation-emitting semiconductor chip in accordance with one exemplary embodiment
  • FIGS. 15, 16, 17, 18, 19 and 20 show a schematic representation of a radiation-emitting semiconductor chip in a top view in accordance with one exemplary embodiment each
  • FIGS. 21, 22, 23, 24 and 25 are schematic sectional views of a region of a radiation-emitting semiconductor chip in accordance with one exemplary embodiment
  • FIGS. 15, 16, 17, 18, 19 and 20 show a schematic representation of a radiation-emitting semiconductor chip in a top view in accordance with one exemplary embodiment each
  • FIGS. 21, 22, 23, 24 and 25 are schematic sectional views of a region of a radiation-emitting semiconductor chip in accordance with one exemplary embodiment
  • FIGS. 15, 16, 17, 18, 19 and 20 show a schematic representation of
  • FIGS. 26 and 27 show examples of current densities for different areas for different radiation-emitting semiconductor chips.
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 according to the exemplary embodiment in FIG. 1 comprises a first epitaxial semiconductor layer sequence 2 of a first conductivity type and a second epitaxial semiconductor layer sequence 3 of a second conductivity type different from the first conductivity type.
  • the first semiconductor layer sequence 2 is n-doped.
  • the second semiconductor layer sequence 3 is formed here p-doped.
  • the first semiconductor layer sequence 2 comprises a nitride compound semiconductor material such as, for example, GaN, with a height in the vertical direction of approximately 1 ⁇ m.
  • An active region 4 is arranged between the first semiconductor layer sequence 2 and the second semiconductor layer sequence 3, which region is designed for this purpose during operation Generate electromagnetic radiation which is emitted from a radiation exit surface 20 of the semiconductor chip 1.
  • a top surface of the first semiconductor layer sequence 2 is structured.
  • electromagnetic radiation generated in the active area 4 can be coupled out particularly well.
  • a contact layer sequence 7, an electrically insulating layer 8 and a second contact structure 6 are arranged on the second semiconductor layer sequence 3, in particular in the specified order.
  • the second contact structure 6 comprises a first partial layer 10 and a second partial layer 11.
  • the first partial layer 10 is a reflective layer, such as silver, for example, which is arranged between the second semiconductor layer sequence 3 and the second partial layer 11.
  • the second partial layer 11 is a metallic layer, which is designed to be solderable, for example.
  • an electrically insulating layer 8 is arranged in regions between the contact layer sequence 7 and the first partial layer 10.
  • the electrically insulating layer 8 is in direct contact with the first partial layer 10 and the contact layer sequence 7.
  • the electrically insulating layer 8 has a first recess 9.
  • the first recess 9 penetrates the electrically insulating layer 8 completely.
  • the contact layer sequence 7 is in direct and electrically conductive contact with the first partial layer 10 in the first recess 9.
  • the contact layer sequence 7 exclusively comprises a second current spreading layer 13.
  • Current spreading layer 13 is arranged here in direct contact with a bottom surface of the second semiconductor layer sequence 3. Furthermore, the second current spreading layer 13 is formed with ITO, for example.
  • a cross-sectional area in the vertical direction of the second current spreading layer 13 has a step shape in the direction of the first contact structure 5.
  • the step shape here comprises three steps 24.
  • the cross-sectional area in the vertical direction of the second current spreading layer 13 has a height of approximately 50 nm.
  • the cross-sectional area in the vertical direction of the second current spreading layer 13 has a height of approximately 167 nm. Furthermore, the cross-sectional area in the vertical direction of the second current spreading layer 13 in the region of the step 24, which is furthest away from the first contact structure 5, has a height of approximately 300 nm. That is, a cross-sectional area in the vertical direction of the second current spreading layer 13 decreases in the direction of the first contact structure 5. In this case, the sheet resistance of the contact layer sequence 7 increases in discrete steps in the direction of the first contact structure 5.
  • a third recess 21 extends through the second semiconductor layer sequence 3 to the first semiconductor layer sequence 2.
  • the third recess 21 extends partially into the first in the vertical direction Semiconductor layer sequence 2 into it and partially exposes the first semiconductor layer sequence 2.
  • a first contact structure 5 is arranged, which is designed to impress charge carriers into the first semiconductor layer sequence 2.
  • An electrically insulating separating layer 22 is arranged between the first contact structure 5 and the second contact structure 6 and between the first contact structure 5 and the second semiconductor layer sequence 3 and the contact layer sequence 7.
  • the separating layer 22 comprises two layers, one of the layers having Al 2 O 3 and the other of the layers having S1O 2 .
  • a contact improvement layer 23 is arranged between the first contact structure 5 and the first semiconductor layer sequence 2.
  • the first contact structure 5 and the second contact structure 6 do not overlap in lateral directions in plan view. Alternatively, it is possible for the first contact structure 5 and the second contact structure 6 to overlap in lateral directions in a plan view.
  • the contact layer sequence 7 is formed with ITO, for example.
  • the first current spreading layer 12 has a height in the vertical direction of approximately 20 nm.
  • the contact layer sequence 7 comprises a dielectric layer 14, which is arranged in regions between the first current spreading layer 12 and the second current spreading layer 13.
  • the dielectric layer 14 is in direct contact with the first current spreading layer 12 and the second current spreading layer 13.
  • the dielectric layer 14 has second recesses 15.
  • the second recesses 15 penetrate the dielectric layer 14 completely.
  • the first current spreading layer 12 is in direct and electrically conductive contact with the second current spreading layer 13 in the second recesses 15.
  • the dielectric layer 14 with the second recesses 15 is arranged completely between the first current spreading layer 12 and the second current spreading layer 13.
  • the first semiconductor layer sequence 2 in contrast to FIG. 1, has a step shape.
  • the step shape here comprises two steps 24.
  • the first semiconductor layer sequence 2 has a height of approximately 1.33 ⁇ m.
  • the first semiconductor layer sequence 2 has a height of approximately 0.67 ⁇ m. That is to say that a height of the first semiconductor layer sequence 2 increases towards the first contact structure 5.
  • the step 24 of the second current spreading layer 13, which is closest to the contact structure 5, has a height in the vertical direction of 133 nm.
  • the step 24 of the second current spreading layer 13, which is furthest away from the first contact structure 5, has a height in the vertical direction of 267 nm.
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 of the exemplary embodiment in FIG. 4 does not have a third recess 21.
  • the first contact structure 5 is arranged in direct contact on the first semiconductor layer sequence 2, in particular the radiation exit area 20.
  • the first semiconductor layer sequence 2 is n-doped GaN and the second semiconductor layer sequence 3 is p-doped GaN.
  • the second contact structure 6 completely covers the second semiconductor layer sequence 3.
  • the first contact structure 5 and the second contact structure 6 thus overlap in lateral directions when viewed from above.
  • the first semiconductor layer sequence 2 according to the exemplary embodiment in FIG. 5 is n-doped InAlP with a height in the vertical direction of 3 ⁇ m.
  • the second semiconductor layer sequence 3 comprises two subregions.
  • the sub-region adjoining the first semiconductor layer sequence 2 comprises, for example, p-doped InAlP.
  • the sub-region adjoining the contact layer sequence 7 comprises, for example, p-doped GaP.
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 of the exemplary embodiment in FIG. 6 comprises a substrate 25 which is, for example, a growth substrate for the first semiconductor layer sequence 2.
  • the substrate 25 is, for example, a sapphire substrate and has a height in the vertical direction of greater than 100 ⁇ m.
  • the first contact structure 5 is arranged in the third recess 21 in direct contact on the first semiconductor layer sequence 2. Furthermore, the first contact structure 6 does not include a reflective layer, such as, for example, the semiconductor chip in FIG. 2. In addition, the second contact structure 6 extends along a main direction of extent in lateral directions.
  • the second current spreading layer 13 of the radiation-emitting semiconductor chip 1 according to the exemplary embodiment in FIG. 7, in contrast to the exemplary embodiment in FIG. 2, has a constant cross-sectional area in the vertical direction.
  • a height of the first current spreading layer 12 is smaller than a height of the second current spreading layer 13.
  • the height of the first current spreading layer 12 is approximately 20 nm in this embodiment.
  • the height of the second current expansion layer 13 is approximately 200 nm here.
  • the first semiconductor layer sequence 2 according to the exemplary embodiment of FIG. 8 is n-doped InAlP with a height in the vertical direction of 3 ⁇ m.
  • the second semiconductor layer sequence 3 comprises two subregions.
  • the sub-region adjoining the first semiconductor layer sequence 2 comprises, for example, p-doped InAlP.
  • the sub-region adjoining the contact layer sequence 7 comprises, for example, p-doped GaP.
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 is free of the first current spreading layer 12.
  • the second current spreading layer 13 is in direct contact with the second semiconductor layer sequence 3 within the second recesses 15 in the dielectric layer 14.
  • the contact layer sequence 7 of the radiation-emitting semiconductor chip 1 according to the exemplary embodiment in FIG. 9 comprises the first current spreading layer 12.
  • the second current spreading layer 13 of the radiation-emitting semiconductor chip 1 according to the exemplary embodiment in FIG. 10 has a constant cross-sectional area in the vertical direction, as explained in more detail in connection with FIG. 7, for example.
  • the first current spreading layer 12 extends between the first recess 9 and the first contact structure 5 according to the exemplary embodiment in FIG First current spreading layer 12 overlaps in plan view in lateral directions with the first recess 9.
  • the dielectric layer 14, which has second recesses 15, is arranged on the first current spreading layer 12.
  • the second current spreading layer 13, which is in direct contact with the first current spreading layer 12 in the second recesses 15, is arranged on the dielectric layer 14.
  • the second current spreading layer 13 and the dielectric layer 14 are further structured, so that a cross-sectional area in lateral directions of the second current spreading layer 13 decreases in the direction of the first contact structure 5.
  • openings 19 are made in the second current spreading layer 13 and the dielectric layer 14.
  • the openings 19 are shaped such that the cross-sectional area tapers in lateral directions of the second current spreading layer 13 in the direction of the first contact structure 5.
  • the second current spreading layer 13 structured by the openings 19 has, in plan view, the shape of a plurality of pyramids, the tip of which is directed in the direction of the first contact structure 5.
  • a base in each case of a pyramid has, for example, a length in lateral directions of at least 10 gm and at most 30 gm.
  • the first recess 9 and the first contact structure 5 have, for example, a minimum distance in lateral directions of at least 10 ⁇ m and at most 30 ⁇ m.
  • a region is in plan view in lateral directions starting from the first contact structure 5 to the first recess 9 free from the second
  • This region has a width in lateral directions of at least 10 ⁇ m and at most 30 ⁇ m.
  • the second recesses 15 are also arranged at grid points of a grid.
  • the grid is a regular hexagonal grid.
  • the openings 19 according to FIG. 12 are arranged at further grid points of a further grid.
  • the grid is in particular an elongated hexagonal grid.
  • a cross-sectional area increases in lateral directions of the openings 19 in the direction of the first contact structure 5.
  • the first contact structure 5 and the first recess 9 extend parallel to one another.
  • the first contact structure 5 and the first recess 9 each have a length. The lengths are in particular made the same size.
  • the contact layer sequence 7 of the radiation-emitting semiconductor chip in contrast to the contact layer sequence 7 in FIG. 1, has a plurality of metallic subsegments 16. Furthermore, the contact layer sequence 7 comprises at least one connecting layer 17 between directly adjacent metallic subsegments 16. The metallic subsegments 16 are in direct contact with the second semiconductor layer sequence 3. One area each in lateral Directions of the metallic subsegments 16, which are in direct contact with the second semiconductor layer sequence 3, decrease in size from the first recess 9 towards the first contact structure 5.
  • the metallic subsegments 16 are formed with silver, for example.
  • the connection layers 17 are formed with ITO, for example.
  • two metallic subsegments 16 of the same size are connected to one another in an electrically conductive manner by six connecting layers 17.
  • a trench 26 is arranged between the metallic subsegments 16.
  • the trench 26 has a width in lateral directions of approximately 2 ⁇ m.
  • the first recess 9 and the first contact structure 5 are approximately at a distance of approximately 100 ⁇ m.
  • the connecting layers 17 each have a height in lateral directions of approximately 50 nm. In this case, the connecting layers 17 have an area proportion of approximately 20% of an area of the trench 26 in plan view in lateral directions.
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 according to the exemplary embodiment in FIG. 16 has four metallic subsegments 16, each of which has an area of the same size in lateral directions. Directly adjacent subsegments 16 have a spacing in lateral directions of approximately 2 ⁇ m.
  • the first recess 9 and the first contact structure 5 are approximately at a distance of approximately 100 ⁇ m.
  • the connection layers 17 which are arranged closest to the first contact structure 5 have, for example, an area in lateral directions which is approximately six times smaller than the connection layers 17 which are arranged closest to the first recess 9.
  • the connecting layers 17 which are arranged in the middle have, for example, an area in lateral directions which is approximately two times smaller than the connecting layers 17 which are arranged closest to the first recess 9.
  • a sheet resistance of the contact layer sequence 7 thus effectively increases from the first recess 9 to the first contact structure 5.
  • the radiation-emitting semiconductor chip 1 according to the exemplary embodiments in FIGS. 17 and 18 has metallic subsegments 16 of different sizes.
  • An area in lateral directions of the metallic subsegments 16 decreases in the direction of the first contact structure 5.
  • the first contact structure 5 extends in plan view in lateral directions along a closed shape.
  • the closed shape is a hexagon.
  • the outer metallic sub-segment 16 also extends in plan view in lateral directions along a closed shape which corresponds to a hexagon.
  • the inner metallic subsegment 16 extends in a plan view in lateral directions over a simply contiguous area which has the shape of a hexagon.
  • the second contact structure 5 and / or the first recess 9 extend in a plan view in lateral directions over a simply contiguous area which has the shape of a quadrangle.
  • the first contact structure 5 In contrast to the first contact structure 5 in FIG. 19, the first contact structure 5 according to the exemplary embodiment in FIG. 20 is completely enclosed by each metallic subsegment 16 in lateral directions.
  • the first contact structure 5 extends in a plan view in lateral directions over a simply contiguous area which has the shape of a circle.
  • FIGS. 21, 22, 23, 24 and 25 each show a sectional view of a detail in an area between directly adjacent metallic subsegments 16.
  • FIGS. 21, 23 and 26 each show a sectional view in the vertical direction from the first contact structure 5 to the first recess 9 through a connecting layer 17 between directly adjacent metallic subsegments 16.
  • FIGS. 22 and 24 each show a sectional view in the vertical direction from the first contact structure 5 to the first recess 9 between directly adjacent metallic subsegments 16, where the connecting layer 17 is not arranged.
  • Directly adjacent metallic subsegments 16 are, as shown in FIG. 21, connected in an electrically conductive manner by the connecting layer 17.
  • the connection layer 17 between directly adjacent metallic subsegments 16 is arranged between the second semiconductor layer 3 and the electrically insulating layer 8. Furthermore, the connecting layer 17 is in direct contact with the second semiconductor layer 3 between directly adjacent metallic subsegments 16.
  • a trench 26 between directly adjacent metallic subsegments 16 is in the area in which the
  • Connecting layer 17 is not arranged, completely covered by the electrically insulating layer 8, as shown in FIG.
  • a further dielectric layer 18 is arranged in lateral directions between the subsegments 16.
  • the further dielectric layer 18 is arranged completely in regions between the metallic subsegments 16.
  • the connecting layer 17 is also arranged between the further dielectric layer 18 and the electrically insulating layer 8.
  • the further dielectric layer 18 is in direct contact with the electrically insulating layer 8 in the region in which the connecting layer 17 is not arranged.
  • the connecting layer 17 according to FIG. 25 extends in some areas in the lateral directions and in some areas in the vertical direction. Due to such an extension, the connecting layer 17 is only in comparison to a connecting layer 17 extending in lateral directions between the subsegments 16, as shown for example in FIG. 23.
  • a current density J in the active region 4 is shown in FIG. 26 as an example for a radiation-emitting semiconductor chip with only a single metallic subsegment 16.
  • x indicates a position in lateral directions from the first contact structure 5 to the first recess 9.
  • the current density J has a parabolic course. In this case, the current density J may differ by a factor of approximately 2 to 5.
  • FIG. 26 shows a current density J in the active region 4 by way of example for a radiation-emitting semiconductor chip 1 described here, in which a plurality of metallic subsegments 16 are connected to one another in an electrically conductive manner by connecting layers 17.
  • the current density J differs by a factor of less than 1.5.

Abstract

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, mit - einer ersten Halbleiterschichtenfolge (2), - einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (3), die auf der ersten Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, - einer ersten Kontaktstruktur (5), die zur Injektion von Ladungsträgern in die erste Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist, und - einer Kontaktschichtenfolge (7), die zur Injektion von Ladungsträgern in die zweite Halbleiterschichtenfolge (3) ausgebildet ist, wobei - die erste Kontaktstruktur (5) und die Kontaktschichtenfolge (7) in lateralen Richtungen in Draufsicht überlappungsfrei ausgebildet sind, und - die Kontaktschichtenfolge (7) einen Schichtwiderstand aufweist, der sich in Richtung der ersten Kontaktstruktur (5) vergrößert.

Description

Beschreibung
STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip anzugeben, der eine besonders homogene Helligkeit aufweist.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip ist beispielsweise dazu ausgebildet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche auszusenden. Die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Strahlung kann nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht und/oder nahinfrarote Strahlung sein.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist beispielsweise eine Haupterstreckungsebene auf. Eine vertikale Richtung erstreckt sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene und laterale Richtungen erstrecken sich parallel zur Haupterstreckungsebene.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine erste Halbleiterschichtenfolge. Zudem umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine zweite Halbleiterschichtenfolge, die auf der ersten
Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Beispielsweise sind die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge epitaktisch in einer vertikalen Richtung übereinander gewachsen. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschichtenfolge n- dotiert und damit n-leitend ausgebildet. Weiterhin ist die zweite Halbleiterschichtenfolge beispielsweise p-dotiert und damit p-leitend ausgebildet.
Zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge und der zweiten Halbleiterschichtenfolge ist beispielsweise ein aktiver Bereich angeordnet. Der aktive Bereich ist dazu ausgebildet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, die von der Strahlungsaustrittsfläche ausgesandt wird. Der aktive Bereich grenzt beispielsweise unmittelbar an die erste Halbleiterschichtenfolge und an die zweite Halbleiterschichtenfolge an. Der aktive Bereich weist beispielsweise einen pn-Übergang zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung auf, wie beispielsweise eine Doppelheterostruktur, eine EinfachquantentopfStruktur oder eine MehrfachquantentopfStruktur.
Die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge basieren beispielsweise auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem
Verbindungshalbleitermaterial kann es sich beispielsweise um ein Nitridverbindungshalbleitermaterial, ein Phosphidverbindungshalbleitermaterial oder ein Arsenidverbindungshalbleitermaterial handeln.
Nitridverbindungshalbleitermaterialien sind
Verbindungshalbleitermaterialien, die Nitrid enthalten, wie die Materialien aus dem System InxAlyGai-x-yN mit 0 < x < 1, 0
< y < 1 und x + y d 1.
Phosphidverbindungshalbleitermaterialien sind
Verbindungshalbleitermaterialien, die Phosphid enthalten, wie die Materialien aus dem System InxAlyGai-x-yP mit 0 < x < 1, 0
< y < 1 und x + y d 1.
Ferner sind Arsenidverbindungshalbleitermaterialien Verbindungshalbleitermaterialien, die Arsen enthalten, wie die Materialien aus dem System InxAlyGai-x-yAs mit 0 < x < 1, 0
< y < 1 und x + y d 1.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine erste Kontaktstruktur, die zur Injektion von Ladungsträgern in die erste Halbleiterschicht ausgebildet ist. Das heißt, die erste Kontaktstruktur ist dazu ausgebildet, einen Strom in die erste Halbleiterschichtenfolge einzuprägen. In dieser Ausführungsform handelt es sich bei der ersten Halbleiterschichtenfolge insbesondere um eine n-dotierte Halbleiterschichtenfolge .
Die erste Kontaktstruktur erstreckt sich beispielsweise entlang einer Haupterstreckungsrichtung in lateralen Richtungen. Alternativ kann sich die erste Kontaktstruktur in den lateralen Richtungen entlang einer geschlossenen Form, wie beispielsweise ein Ring oder ein Vieleck, erstrecken. Weiterhin kann sich die erste Kontaktstruktur in Draufsicht in den lateralen Richtungen über eine einfach zusammenhängende Fläche erstrecken, die eine Form eines Kreises und/oder eines Vielecks aufweist.
Die Draufsicht in den lateralen Richtungen ist hier und im Folgenden entlang der vertikalen Richtung orientiert.
Die erste Kontaktstruktur weist beispielsweise ein elektrisch leitendes Metall auf oder besteht daraus. Bei dem Metall handelt es sich beispielsweise um eines der folgenden Materialien: Kupfer, Gold, Platin, Titan, Aluminium, Silber.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine
Kontaktschichtenfolge, die zur Injektion von Ladungsträgern in die zweite Halbleiterschichtenfolge ausgebildet ist. Beispielsweise steht die Kontaktschichtenfolge mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge stellenweise in direktem Kontakt. Das heißt, die erste Kontaktstruktur ist dazu ausgebildet, einen Strom in die erste Halbleiterschichtenfolge einzuprägen. Die
Kontaktschichtenfolge bedeckt beispielsweise wenigstens 90 % der zweiten Halbleiterschichtenfolge. Insbesondere bedeckt die Kontaktschichtenfolge wenigstens 95 % oder wenigstens 99 % der zweiten Halbleiterschichtenfolge.
In dieser Ausführungsform handelt es sich bei der zweiten Halbleiterschichtenfolge insbesondere um eine p-dotierte Halbleiterschichtenfolge .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips sind die erste Kontaktstruktur und die Kontaktschichtenfolge in lateralen Richtungen in Draufsicht überlappungsfrei ausgebildet. In diesem Fall überlappen sich die erste Kontaktstruktur und die Kontaktschichtenfolge in Draufsicht in lateralen Richtungen insbesondere nicht. Weiterhin sind die erste Kontaktstruktur und die Kontaktschichtenfolge in lateralen Richtungen zum Beispiel beabstandet voneinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips weist die Kontaktschichtenfolge einen Schichtwiderstand auf, der sich in Richtung der ersten Kontaktstruktur vergrößert. Der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge weist beispielsweise einen Gradienten in Richtung der ersten Kontaktstruktur auf. Bei dem Gradienten kann es sich beispielsweise um einen kontinuierlichen Gradienten handeln. In diesem Fall vergrößert sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge kontinuierlich in Richtung der ersten Kontaktstruktur .
Alternativ ist es möglich, dass es sich bei dem Gradienten um einen diskreten Gradienten handelt. In diesem Fall entspricht der Gradient zum Beispiel einer Stufenfunktion. In diesem Fall vergrößert sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge in diskreten Schritten in Richtung der ersten Kontaktstruktur.
Zum Beispiel weist die zweite Halbleiterschichtenfolge, die insbesondere p-dotiert ist, eine schlechtere Leitfähigkeit in lateralen Richtungen auf als die erste
Halbleiterschichtenfolge, die insbesondere n-dotiert ist. Da die Leitfähigkeit in lateralen Richtungen in der Regel umgekehrt proportional zu einem Schichtwiderstand ist, weist die zweite Halbleiterschichtenfolge einen höheren Schichtwiderstand als die erste Halbleiterschichtenfolge auf.
Weiterhin gilt zum Beispiel, dass ein Serienwiderstand, den ein in die erste Halbleiterschichtenfolge und/oder ein in die zweite Halbleiterschichtenfolge einzuprägender Ladungsträger erfährt, proportional zu einer Weglänge des Ladungsträgers in der entsprechenden Halbleiterschichtenfolge ist. Beispielsweise ist ein Serienwiderstand entlang eines Pfads ausgehend von der ersten Kontaktstruktur zu einem fiktiven Punkt auf der ersten Kontaktschichtenfolge verschieden von einem Serienwiderstand entlang eines anderen Pfads ausgehend von der ersten Kontaktstruktur zu einem anderen fiktiven Punkt auf der Kontaktschichtenfolge. Damit kann eine Ladungsträgerdichte und insbesondere eine Stromdichte im aktiven Bereich inhomogen ausgebildet sein.
Eine Idee ist vorliegend unter anderem, dass sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge in Richtung der ersten Kontaktstruktur vergrößert. Durch diesen vergrößernden Schichtwiderstand können die Serienwiderstände entlang von verschiedenen Pfaden vorteilhafterweise angeglichen werden. Diese Angleichung der Serienwiderstände entlang von verschiedenen Pfaden resultiert vorteilhafterweise in einer besonders homogenen Stromdichte im aktiven Bereich. Damit ist auch eine Quanteneffizienz des strahlungsemittierenden Halbleiterchips vorteilhafterweise verbessert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist eine zweite Kontaktstruktur auf der Kontaktschichtenfolge angeordnet. Die zweite Kontaktstruktur und die Kontaktschichtenfolge stehen beispielsweise bereichsweise in direktem Kontakt. Die zweite Kontaktstruktur ist beispielsweise dazu ausgebildet, Ladungsträger in die zweite Halbleiterschichtenfolge einzuprägen. Das heißt, die zweite Kontaktstruktur ist dazu ausgebildet, Strom über die Kontaktschichtenfolge in die zweite Halbleiterschichtenfolge einzuprägen.
Die zweite Kontaktstruktur bedeckt die Kontaktschichtenfolge beispielsweise zu großen Teilen. Zu großen Teilen heißt hier insbesondere, dass die zweite Kontaktstruktur die Kontaktschichtenfolge zu wenigstens 90 % bedeckt. Insbesondere bedeckt die zweite Kontaktstruktur wenigstens 95 % oder wenigstens 99 % der Kontaktschichtenfolge. Alternativ erstreckt sich zweite Kontaktstruktur in lateralen Richtungen beispielsweise entlang einer Haupterstreckungsrichtung in lateralen Richtungen. Weiterhin kann sich die zweite Kontaktstruktur in Draufsicht in lateralen Richtungen über eine einfach zusammenhängende Fläche erstrecken, die eine Form eines Kreises und/oder eines Vielecks aufweist.
Die zweite Kontaktstruktur weist bevorzugt ein elektrisch leitendes Metall auf oder besteht daraus. Bei dem Metall handelt es sich um eines der folgenden Materialien: Kupfer, Gold, Platin, Titan, Aluminium, Silber.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist eine elektrisch isolierende Schicht bereichsweise zwischen der zweiten Kontaktstruktur und der Kontaktschichtenfolge angeordnet. Beispielsweise steht die zweite Kontaktstruktur bereichsweise in direktem Kontakt mit der Kontaktschichtenfolge. Die elektrisch isolierende Schicht bedeckt wenigstens 90 % der Kontaktschichtenfolge . Insbesondere bedeckt die elektrisch isolierende Schicht wenigstens 95 % oder wenigstens 99 % der Kontaktschichtenfolge .
Die elektrisch isolierende Schicht umfasst beispielsweise ein elektrisch isolierendes Material, wie beispielsweise ein dielektrisches Material.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips weist die elektrisch isolierende Schicht zumindest eine erste Ausnehmung auf, in der die zweite Kontaktstruktur und die Kontaktschichtenfolge in elektrisch leitendem Kontakt stehen. Die erste Ausnehmung durchdringt die elektrisch isolierende Schicht beispielsweise vollständig. Beispielsweise sind Ladungsträger ausschließlich durch die erste Ausnehmung von der zweiten Kontaktstruktur über die Kontaktschichtenfolge in die zweite Halbleiterschichtenfolge einprägbar.
Die erste Ausnehmung erstreckt sich beispielsweise entlang einer Haupterstreckungsrichtung in lateralen Richtungen. Die erste Ausnehmung weist beispielsweise eine Breite von mindestens 100 nm und höchstens 25 gm auf. Insbesondere weist die erste Ausnehmung eine Breite von mindestens 1 gm und höchstens 10 pm oder mindestens 1 pm und höchstens 5 pm auf. Beispielsweise weist die erste Ausnehmung eine Breite von etwa 5 pm auf. Die Breite der ersten Ausnehmung entspricht einer minimalen Ausdehnung der ersten Ausnehmung in lateralen Richtungen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst die zweite Kontaktstruktur eine erste Teilschicht und eine zweite Teilschicht. Die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht sind beispielsweise in vertikaler Richtung übereinander gestapelt angeordnet. Die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht stehen beispielsweise in direktem Kontakt miteinander .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die erste Teilschicht eine reflektierende Schicht. Die reflektierende Schicht ist beispielsweise zwischen der zweiten Halbleiterschichtenfolge und der zweiten Teilschicht angeordnet . Die reflektierende Schicht umfasst beispielsweise ein reflektierendes Metall, wie beispielsweise Silber. In diesem Fall ist die reflektierende Schicht elektrisch leitend ausgebildet. Die reflektierende Schicht weist beispielsweise für die vom aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung eine Reflektivität von wenigstens 90 %, insbesondere von wenigstens 95 %, auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die zweite Teilschicht eine metallische Schicht. Die metallische Schicht ist beispielsweise auf einer der zweiten Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite der reflektierenden Schicht angeordnet.
Die metallische Schicht umfasst beispielsweise eines oder mehrere der folgenden Materialien: Kupfer, Gold, Platin, Titan, Aluminium, Silber.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst die Kontaktschichtenfolge eine erste Stromaufweitungsschicht, die in direktem Kontakt zu der zweiten Halbleiterschichtenfolge steht. Die erste Stromaufweitungsschicht ist insbesondere zwischen der zweiten Halbleiterschichtenfolge und der zweiten Kontaktstruktur angeordnet.
Beispielsweise steht die erste Stromaufweitungsschicht zu großen Teilen in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge. Zu großen Teilen heißt hier, dass die erste Stromaufweitungsschicht wenigstens 90 % der zweiten Halbleiterschichtenfolge bedeckt. Insbesondere bedeckt die erste Stromaufweitungsschicht wenigstens 95 % oder wenigstens 99 % der zweiten Halbleiterschichtenfolge. Alternativ ist es möglich, dass die erste Stromaufweitungsschicht die zweite Halbleiterschichtenfolge vollständig bedeckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst die Kontaktschichtenfolge eine zweite Stromaufweitungsschicht, die bereichsweise in direktem Kontakt zu der zweiten Kontaktstruktur steht. Beispielsweise ist die zweite Stromaufweitungsschicht zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht und der zweiten Kontaktstruktur angeordnet .
Die erste Stromaufweitungsschicht und/oder die zweite Stromaufweitungsschicht sind beispielsweise für die vom aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung transparent ausgebildet. Die erste Stromaufweitungsschicht und/oder die zweite Stromaufweitungsschicht sind beispielsweise mit einem transparenten, elektrisch leitenden Material gebildet. Bei dem elektrisch leitenden Material handelt es sich beispielsweise um ein elektrisch leitendes Metall oder um ein transparentes elektrisch leitendes Oxid (englisch: Transparent Conductive Oxide, kurz TCO). Beispielsweise handelt es sich bei Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titaniumoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (englisch: Indium Tin Oxide, kurz ITO) um TCOs.
Beispielsweise sind TCOs mit einem Dotierstoff versehen. Der Dotierstoff kann dazu ausgebildet sein, die elektrische Leitfähigkeit der TCOs zu erhöhen.
Die erste Stromaufweitungsschicht und/oder die zweite Stromaufweitungsschicht sind/ist bevorzugt dazu ausgebildet, höchstens 4 %, insbesondere höchstens 2 %, der vom aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung zu absorbieren. Das heißt, die erste Stromaufweitungsschicht und/oder die zweite Stromaufweitungsschicht transmittieren wenigstens 96 %, insbesondere wenigstens 98 %, der vom aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist eine Höhe in vertikaler Richtung der ersten Stromaufweitungsschicht kleiner als eine Höhe in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht. Eine Höhe in vertikaler Richtung entspricht hierbei einer größten Ausdehnung der ersten Stromaufweitungsschicht und/oder der zweiten Stromaufweitungsschicht in vertikaler Richtung.
Wird die vom aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung absorbiert, handelt es sich beispielsweise um eine freie Ladungsträgerabsorption. Diese Absorption ist in der Regel proportional zu der Höhe der ersten Stromaufweitungsschicht und/oder der Höhe der zweiten Stromaufweitungsschicht .
Die Höhe der ersten Stromaufweitungsschicht ist beispielsweise mindestens 5 nm und höchstens 50 nm, insbesondere mindestens 15 nm und höchstens 30 nm. Die Höhe der zweiten Stromaufweitungsschicht ist beispielsweise mindestens 50 nm und höchstens 1 gm, insbesondere mindestens 100 nm und höchstens 400 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips verkleinert sich eine Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht in Richtung der ersten Kontaktstruktur . In dieser Ausführungsform kann der strahlungsemittierende Halbleiterchip ausschließlich eine erste Stromaufweitungsschicht aufweisen. In diesem Fall steht die zweite Stromaufweitungsschicht beispielsweise zu großen Teilen in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge. Zu großen Teilen heißt hier insbesondere, dass die zweite Stromaufweitungsschicht die zweite Halbleiterschichtenfolge zu wenigstens 90 % bedeckt. Insbesondere bedeckt die zweite Stromaufweitungsschicht wenigstens 95 % oder wenigstens 99 % der zweiten Halbleiterschichtenfolge. Alternativ dazu ist die erste Stromaufweitungsschicht zwischen der zweiten Stromaufweitungsschicht und der zweiten Halbleiterschichtenfolge angeordnet.
Die Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht in Richtung der Kontaktstruktur weist beispielsweise eine Stufenform auf. Die Stufenform weist beispielsweise zwei oder mehrere Stufen auf. Eine der zweiten Halbleiterschichtenfolge abgewandte Außenfläche weist beispielsweise die Stufenform auf. In diesem Fall vergrößert sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge in diskreten Schritten in Richtung der ersten Kontaktstruktur.
Beispielsweise ist die Höhe der zweiten
Stromaufweitungsschicht in einem Bereich, der am nächsten an der ersten Kontaktstruktur angeordnet ist, beispielsweise um den Faktor 2 bis 10, insbesondere um den Faktor 6, kleiner ausgebildet als die Höhe der ersten Stromaufweitungsschicht in einem Bereich, der am nächsten an der ersten Ausnehmung angeordnet ist. Der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge ist in der Regel umgekehrt proportional zu der Höhe der
Kontaktschichtenfolge ausgebildet. In diesem Fall weist eine Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der ersten Stromaufweitungsschicht, die am nächsten an der ersten Kontaktstruktur angeordnet ist, einen um den Faktor 2 bis 10, insbesondere um den Faktor 6, niedrigen Schichtwiderstand auf als eine Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der ersten Stromaufweitungsschicht, die am nächsten an der ersten Ausnehmung angeordnet ist. Damit vergrößert sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge in Richtung der ersten Kontaktstruktur.
Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass die zweite Halbleiterschichtenfolge in den Bereichen unterschiedlicher Stufen unterschiedlich stark dotiert ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips verkleinert sich eine Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht in Richtung der ersten Kontaktstruktur . Umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip beispielsweise die erste Stromaufweitungsschicht und die zweite Stromaufweitungsschicht, steht die erste
Stromaufweitungsschicht in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge .
Alternativ ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip frei von der ersten Stromaufweitungsschicht. In diesem Fall steht die zweite Stromaufweitungsschicht in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge. Die zweite Stromaufweitungsschicht weist beispielsweise zumindest eine Öffnung auf. Diese Öffnung erstreckt sich beispielsweise in vertikaler Richtung vollständig durch die zweite Stromaufweitungsschicht und die dielektrische Schicht. Ein Flächenanteil der Öffnung vergrößert sich beispielsweise in Richtung der ersten Kontaktstruktur. Damit verkleinert sich die Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht in Richtung der ersten Kontaktstruktur . Beispielsweise ist die Öffnung so geformt, dass sich die Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht in Richtung der ersten Kontaktstruktur verjüngt.
Alternativ weist die zweite Stromaufweitungsschicht eine Vielzahl von Öffnungen auf. Eine Dichte der Öffnungen nimmt in diesem Fall in Richtung der ersten Kontaktstruktur zu. Alternativ oder zusätzlich können sich Querschnittsflächen in lateralen Richtungen der Öffnungen ausgehend von der ersten Kontaktstruktur hin zu der ersten Ausnehmung verkleinern.
Mit derartigen Öffnungen in der zweiten
Stromaufweitungsschicht kann sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge kontinuierlich in Richtung der ersten Kontaktstruktur vergrößern.
Der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge ist in der Regel unter anderem umgekehrt proportional zu der Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht ausgebildet. Das heißt, wenn sich eine Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht in Richtung der ersten Kontaktstruktur verkleinert, vergrößert sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge in Richtung der ersten Kontaktstruktur.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst die Kontaktschichtenfolge eine dielektrische Schicht, die bereichsweise zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht und der zweiten Stromaufweitungsschicht angeordnet ist. Die erste Stromaufweitungsschicht und die zweite
Stromaufweitungsschicht stehen beispielsweise in direktem Kontakt mit der dielektrischen Schicht. In Bereichen, in denen die dielektrische Schicht zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht und der zweiten
Stromaufweitungsschicht angeordnet ist, stehen die erste Stromaufweitungsschicht und die zweite Stromaufweitungsschicht nicht in direktem Kontakt miteinander .
Die dielektrische Schicht umfasst beispielsweise ein dielektrisches Material oder ist aus einem dielektrischen Material gebildet. Weiterhin ist die dielektrische Schicht beispielsweise elektrisch isolierend ausgebildet.
Die dielektrische Schicht weist bevorzugt einen Brechungsindex auf, der kleiner als ein Brechungsindex der ersten Stromaufweitungsschicht und/oder ein Brechungsindex der zweiten Stromaufweitungsschicht ist. Der Brechungsindex der ersten Stromaufweitungsschicht und/oder der Brechungsindex der zweiten Stromaufweitungsschicht ist beispielsweise wenigstens 1,5 und höchstens 2,0, insbesondere wenigstens 1,7 und höchstens 2,0. Der Brechungsindex der dielektrischen Schicht ist beispielsweise mindestens 1,38 und höchstens 1,8, insbesondere ungefähr 1,46 oder ungefähr 1,50. Insbesondere ist der Brechungsindex der dielektrischen Schicht mindestens 0,2 kleiner als der Brechungsindex der ersten Stromaufweitungsschicht und/oder der zweiten Stromaufweitungsschicht .
Durch Verwendung der dielektrischen Schicht muss die zweite Stromaufweitungsschicht hinsichtlich von Absorptionsverlusten von elektromagnetischer Strahlung nicht beachtet werden. Die dielektrische Schicht weist beispielsweise eine Dicke in vertikaler Richtung auf. Die Dicke entspricht mindestens einem 0,3-fachen einer Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung. Weist die elektromagnetische Strahlung eine Wellenlänge von 450 nm auf, so ist die Dicke der dielektrischen Schicht mindestens 135 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die dielektrische Schicht zweite Ausnehmungen auf. Die zweiten Ausnehmungen durchdringen die dielektrische Schicht beispielsweise vollständig. Die zweiten Ausnehmungen sind beispielsweise an Gitterpunkten eines Gitters angeordnet. Das Gitter ist insbesondere ein polygonales Gitter, wie beispielsweise ein orthogonales Gitter oder ein hexagonales Gitter. Bei dem Gitter handelt es sich beispielsweise um ein regelmäßiges Gitter. Alternativ handelt es sich bei dem Gitter um ein unregelmäßiges Gitter.
Die zweiten Ausnehmungen weisen beispielsweise jeweils einen Durchmesser von wenigstens 100 nm und höchstens 10 gm auf.
Der Durchmesser entspricht einer maximalen Ausdehnung in lateralen Richtungen einer der zweiten Ausnehmungen. Beispielsweise sind die Durchmesser jeder zweiten Ausnehmung in etwa 1 gm. Weiterhin weisen die zweiten Ausnehmungen untereinander in lateralen Richtungen beispielsweise einen Abstand von mindestens 10 mpiund höchstens 50 mpi auf.
Beispielsweise weisen die zweiten Ausnehmungen einen Flächenanteil von höchstens 5 %, insbesondere höchstens 1 %, einer Fläche in lateralen Richtungen der dielektrischen Schicht auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips steht die erste Stromaufweitungsschicht mit der zweiten
Stromaufweitungsschicht in den zweiten Ausnehmungen in direktem Kontakt. In diesem Fall sind Ladungsträger von der zweiten Stromaufweitungsschicht ausschließlich über die zweiten Ausnehmungen in die zweite Halbleiterschichtenfolge einprägbar .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst die Kontaktschichtenfolge zumindest zwei metallische Teilsegmente und zumindest eine Verbindungsschicht. Beispielsweise stehen die metallischen Teilsegmente in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge. Die metallischen Teilsegmente sind in lateralen Richtungen beispielsweise beabstandet voneinander angeordnet. Das heißt, die metallischen Teilsegmente stehen an keiner Stelle in direktem Kontakt miteinander. Die metallischen Teilsegmente sind weiterhin beispielsweise in lateralen Richtungen in einer gemeinsamen Ebene angeordnet.
Die metallischen Teilsegmente weisen beispielsweise einen Abstand in lateralen Richtungen von wenigstens 500 nm und höchstens 5 pm auf. Beispielsweise ist der Abstand zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten in etwa 2 gm. Der Abstand in lateralen Richtungen entspricht insbesondere einer minimalen Entfernung zweier direkt benachbarter metallischer Teilsegmente.
Flächen in lateralen Richtungen der metallischen Teilsegmente können weiterhin unterschiedlich groß ausgebildet sein. Jede der metallischen Teilsegmente weist beispielsweise eine inhomogene Stromverteilung über seine Fläche in lateralen Richtungen auf. Für eine besonders homogene Stromdichte im aktiven Bereich verkleinert sich eine Fläche in lateralen Richtungen der metallischen Teilsegmente in Richtung der ersten Kontaktstruktur. Das heißt, eine Fläche in lateralen Richtungen der metallischen Teilsegmente kann sich von der ersten Ausnehmung hin zu der ersten Kontaktstruktur verkleinern. Alternativ sind die metallischen Teilsegmente gleich groß ausgebildet.
Die metallischen Teilsegmente umfassen beispielsweise ein elektrisch leitendes Metall, insbesondere ein reflektierendes Metall, wie beispielsweise Silber.
Die Verbindungsschicht ist ebenfalls elektrisch leitend ausgebildet und umfasst beispielsweise elektrisch leitende Metalle oder transparente elektrisch leitende Oxide, wie beispielsweise ITO.
Die Verbindungsschicht weist beispielsweise eine Höhe in vertikaler Richtung von wenigstens 1 nm und höchstens 100 nm, zum Beispiel in etwa 50 nm, auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips verbindet die Verbindungsschicht die metallischen Teilsegmente elektrisch leitend miteinander. Insbesondere verbindet die Verbindungsschicht direkt benachbarte metallische Teilsegmente elektrisch leitend miteinander.
Die Kontaktschichtenfolge kann weiterhin mehrere metallische Teilsegmente umfassen. Zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten ist beispielsweise jeweils eine einzelne Verbindungsschicht angeordnet. Alternativ ist es möglich, dass zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten jeweils zwei oder mehr Verbindungsschichten angeordnet sind.
Die Verbindungsschicht kann weiterhin jedes der metallischen Teilsegmente vollständig bedecken.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist ein Widerstand der Verbindungsschicht größer als jeder Widerstand der metallischen Teilsegmente. Der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge ist durch die Verbindungsschicht in Richtung der ersten Kontaktstruktur vergrößerbar.
Beispielsweise verkleinert sich eine Fläche der Verbindungsschichten zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten hin zu der ersten Kontaktstruktur. Das heißt, eine Verbindungsschicht, die am nächsten zu der ersten Kontaktstruktur angeordnet ist, weist beispielsweise eine um den Faktor 2 bis 10, insbesondere eine um den Faktor 6, kleinere Fläche in lateralen Richtungen auf als eine Verbindungsschicht, die am nächsten zu der ersten Ausnehmung angeordnet ist. Damit weist diese Verbindungsschicht, die am nächsten zu der ersten Kontaktstruktur angeordnet ist, beispielsweise einen um den Faktor 2 bis 10, insbesondere eine um den Faktor 6 größeren Schichtwiderstand auf als eine Verbindungsschicht, die am nächsten zu der ersten Ausnehmung angeordnet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die erste Kontaktstruktur von jedem metallischen Teilsegment in lateralen Richtungen vollständig umschlossen. In diesem Fall erstreckt sich die erste Kontaktstruktur in Draufsicht in lateralen Richtungen über eine Fläche, die eine Form eines Kreises und/oder eines Vielecks aufweist. Die metallischen Teilsegmente schließen diese Fläche in lateralen Richtungen beispielsweise vollständig ein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips sind alle metallischen Teilsegmente in lateralen Richtungen von der ersten Kontaktstruktur vollständig umschlossen. In diesem Fall erstreckt sich die erste Kontaktstruktur entlang einer geschlossenen Form, wie beispielsweise ein Ring oder ein Vieleck, in lateralen Richtungen. Eine derartige Kontaktstruktur schließt die metallischen Teilsegmente in lateralen Richtungen beispielsweise vollständig ein.
In dieser Ausführungsform ist es möglich, dass die zweite Kontaktstruktur von jedem metallischen Teilsegment in lateralen Richtungen vollständig umschlossen ist. In diesem Fall erstreckt sich die zweite Kontaktstruktur in Draufsicht in lateralen Richtungen über eine Fläche, die eine Form eines Kreises und/oder eines Vielecks aufweist. Die metallischen Teilsegmente schließen diese Fläche in lateralen Richtungen beispielsweise vollständig ein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine weitere dielektrische Schicht in lateralen Richtungen zwischen den metallischen Teilsegmenten angeordnet. Die weitere dielektrische Schicht ist beispielsweise als dielektrische Spiegelschicht ausgebildet. In diesem Fall ist die dielektrische Spiegelschicht vollständig in Bereichen zwischen den metallischen Teilsegmenten angeordnet. Bei der dielektrischen Spiegelschicht handelt es sich beispielsweise um einen Bragg-Spiegel.
Weist der strahlungsemittierende Halbleiterchip beispielsweise keine weitere dielektrische Schicht auf, ist die elektrisch isolierende Schicht in Bereichen in lateralen Richtungen zwischen den metallischen Teilsegmenten angeordnet, zwischen denen die Verbindungsschicht nicht angeordnet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Verbindungsschicht zwischen der weiteren dielektrischen Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet. Die weitere dielektrische Schicht, die Verbindungsschicht und die elektrisch isolierende Schicht sind im Bereich zwischen den metallischen Teilsegmenten beispielsweise in der angegebenen Reihenfolge in vertikaler Richtung übereinander gestapelt angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform gibt eine Länge der Verbindungsschicht zwischen den metallischen Teilsegmenten einen Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge vor. Beispielsweise erstreckt sich die Verbindungsschicht zwischen der weiteren dielektrischen Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht bereichsweise in lateralen Richtungen und bereichsweise in vertikaler Richtung. Durch eine derartige Erstreckung ist die Verbindungsschicht im Vergleich zu einer sich lediglich in lateralen Richtungen erstreckenden Verbindungsschicht zwischen den metallischen Teilsegmenten beispielsweise um den Faktor 2 bis 10 verlängert. Eine derartige verlängerte Verbindungsschicht weist insbesondere einen um den Faktor 2 bis 10 vergrößerten Schichtwiderstand auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips erstrecken sich die erste Kontaktstruktur und die erste Ausnehmung parallel zueinander. In dieser Ausführungsform weist die erste Kontaktstruktur und die erste Ausnehmung jeweils eine Haupterstreckungsrichtung in lateralen Richtungen auf. Die Haupterstreckungsrichtung der ersten Kontaktstruktur und die Haupterstreckungsrichtung der ersten Ausnehmung verlaufen in diesem Fall parallel zueinander.
Beispielsweise weist die erste Kontaktstruktur und die erste Ausnehmung jeweils eine Länge auf. Die Längen entsprechen beispielsweise jeweils einer maximalen Ausdehnung in lateralen Richtungen. Die Längen erstrecken sich beispielsweise jeweils entlang der jeweiligen HaupterStreckungsrichtung .
Durch eine derartige parallele Anordnung der ersten Kontaktstruktur und der ersten Ausnehmung können sich die einzuprägenden Ladungsträger besonders homogen in der ersten Halbleiterschichtenfolge und/oder der zweiten Halbleiterschichtenfolge ausbreiten. Damit ist vorteilhafterweise eine besonders hohe Homogenität der Stromdichte im aktiven Bereich erzielbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge so vorgegeben, dass eine mittlere Stromdichte im aktiven Bereich um nicht mehr als 10 % von einer vorgegebenen mittleren Stromdichte abweicht. Durch eine derartige Abweichung ist von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Strahlung besonders homogen verteilt.
Nachfolgend wird der strahlungsemittierende Halbleiterchip unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen:
Figuren 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 und 10 schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel,
Figuren 11, 12 und 13 schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips in Draufsicht gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel,
Figur 14 schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel,
Figuren 15, 16, 17, 18, 19 und 20 schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips in Draufsicht gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel, Figuren 21, 22, 23, 24 und 25 schematische Schnittdarstellung eines Bereichs eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel, und
Figuren 26 und 27 exemplarische Darstellung von Stromdichten für verschiedene Bereiche für verschiedene strahlungsemittierenden Halbleiterchips.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 umfasst eine erste epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2 eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite epitaktische Halbleiterschichtenfolge 3 eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps. In diesem Ausführungsbeispiel ist die erste Halbleiterschichtenfolge 2 n-dotiert ausgebildet. Weiterhin ist die zweite Halbleiterschichtenfolge 3 hier p-dotiert ausgebildet. Die erste Halbleiterschichtenfolge 2 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel ein Nitridverbindungshalbleitermaterial wie zum Beispiel GaN, mit einer Höhe in vertikaler Richtung von in etwa 1 pm.
Zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 und der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 ist ein aktiver Bereich 4 angeordnet, der dazu ausgebildet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, die von einer Strahlungsaustrittsfläche 20 des Halbleiterchips 1 ausgesendet wird. Eine Deckfläche der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 ist strukturiert. Vorteilhafterweise ist so im aktiven Bereich 4 erzeugte elektromagnetische Strahlung besonders gut auskoppelbar.
Auf der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 sind eine Kontaktschichtenfolge 7, eine elektrisch isolierende Schicht 8 und eine zweite Kontaktstruktur 6, insbesondere in der angegebenen Reihenfolge, angeordnet.
Die zweite Kontaktstruktur 6 umfasst eine erste Teilschicht 10 und eine zweite Teilschicht 11. Bei der ersten Teilschicht 10 handelt es sich um eine reflektierende Schicht, wie beispielsweise Silber, die zwischen der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 und der zweiten Teilschicht 11 angeordnet ist. Die zweite Teilschicht 11 ist eine metallische Schicht, die beispielsweise lötbar ausgebildet ist.
Des Weiteren ist eine elektrisch isolierende Schicht 8 bereichsweise zwischen der Kontaktschichtenfolge 7 und der ersten Teilschicht 10 angeordnet. Die elektrisch isolierende Schicht 8 steht mit der ersten Teilschicht 10 und der Kontaktschichtenfolge 7 in direktem Kontakt. Die elektrisch isolierende Schicht 8 weist eine erste Ausnehmung 9 auf. Die erste Ausnehmung 9 durchdringt die elektrisch isolierende Schicht 8 vollständig. Die Kontaktschichtenfolge 7 steht mit der ersten Teilschicht 10 in der ersten Ausnehmung 9 in direktem und in elektrisch leitendem Kontakt. Die Kontaktschichtenfolge 7 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel ausschließlich eine zweite Stromaufweitungsschicht 13. Die zweite
Stromaufweitungsschicht 13 ist hier in direktem Kontakt zu einer Bodenfläche der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 angeordnet. Weiterhin ist die zweite Stromaufweitungsschicht 13 beispielsweise mit ITO gebildet.
Eine Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 weist in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5 eine Stufenform auf. Die Stufenform umfasst hier drei Stufen 24. Im Bereich der Stufe 24, die der ersten Kontaktstruktur 5 am nächsten ist, weist die Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 eine Höhe von in etwa 50 nm auf.
Im Bereich der mittleren Stufe 24 weist die Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 eine Höhe von in etwa 167 nm auf. Weiterhin weist die Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 im Bereich der Stufe 24, die von der ersten Kontaktstruktur 5 am weitesten entfernt ist, eine Höhe von in etwa 300 nm auf. Das heißt, eine Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 verkleinert sich in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5. In diesem Fall vergrößert sich der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge 7 in diskreten Schritten in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5.
In lateraler Richtung beabstandet zu der zweiten Kontaktstruktur 6 erstreckt sich eine dritte Ausnehmung 21 durch die zweite Halbleiterschichtenfolge 3 bis hin zur ersten Halbleiterschichtenfolge 2. Die dritte Ausnehmung 21 erstreckt sich in vertikaler Richtung teilweise in die erste Halbleiterschichtenfolge 2 hinein und legt die erste Halbleiterschichtenfolge 2 teilweise frei. In dieser dritten Ausnehmung 21 ist eine erste Kontaktstruktur 5 angeordnet, die zur Einprägung von Ladungsträgern in die erste Halbleiterschichtenfolge 2 ausgebildet ist.
Zwischen der ersten Kontaktstruktur 5 und der zweiten Kontaktstruktur 6 sowie zwischen der ersten Kontaktstruktur 5 und der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 und der Kontaktschichtenfolge 7 ist eine elektrisch isolierende Trennschicht 22 angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst die Trennschicht 22 zwei Lagen, wobei eine der Lagen AI2O3 und die andere der Lagen S1O2 aufweist. Weiterhin ist eine Kontaktverbesserungsschicht 23 zwischen der ersten Kontaktstruktur 5 und der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel überlappen sich die erste Kontaktstruktur 5 und die zweite Kontaktstruktur 6 in Draufsicht in lateralen Richtungen nicht. Alternativ ist es möglich, dass sich die erste Kontaktstruktur 5 und die zweite Kontaktstruktur 6 in Draufsicht in lateralen Richtungen überlappen .
Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 1 umfasst die Kontaktschichtenfolge 7 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 eine erste Stromaufweitungsschicht 12. Die erste Stromaufweitungsschicht 12 ist hier in direktem Kontakt zu einer Bodenfläche der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 angeordnet. Weiterhin sind die erste Stromaufweitungsschicht 12 und die zweite Stromaufweitungsschicht 13 beispielsweise mit ITO gebildet. Die erste Stromaufweitungsschicht 12 umfasst eine Höhe in vertikaler Richtung von in etwa 20 nm. Zudem umfasst die Kontaktschichtenfolge 7 eine dielektrische Schicht 14, die zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht 12 und der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 bereichsweise angeordnet ist. Die dielektrische Schicht 14 steht mit der ersten Stromaufweitungsschicht 12 und der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 in direktem Kontakt. Des Weiteren weist die dielektrische Schicht 14 zweite Ausnehmungen 15 auf. Die zweiten Ausnehmungen 15 durchdringen die dielektrische Schicht 14 vollständig. Die erste Stromaufweitungsschicht 12 steht mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 in den zweiten Ausnehmungen 15 in direktem und in elektrisch leitendem Kontakt. Die dielektrische Schicht 14 mit den zweiten Ausnehmungen 15 ist vollständig zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht 12 und der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 angeordnet.
Die erste Halbleiterschichtenfolge 2 weist im Ausführungsbeispiel der Figur 3 im Unterschied zur Figur 1 eine Stufenform auf. Die Stufenform umfasst hier zwei Stufen 24. Im Bereich der Stufe 24, die über der ersten Kontaktstruktur 5 angeordnet ist, weist die erste Halbleiterschichtenfolge 2 eine Höhe von in etwa 1,33 gm auf. Im Bereich der Stufe 24, die nicht über der ersten Kontaktstruktur 5 angeordnet ist, weist die erste Halbleiterschichtenfolge 2 eine Höhe von in etwa 0,67 gm auf. Das heißt, eine Höhe der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 nimmt hin zu der ersten Kontaktstruktur 5 zu.
Durch eine derartige strukturierte erste
Halbleiterschichtenfolge 2 kann die Anzahl von Stufen 24 in der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 reduziert werden. Im Unterschied zu Figur 1 umfasst die zweite
Stromaufweitungsschicht 13 nur zwei Stufen 24. Die der ersten Kontaktstruktur 5 am nächsten liegende Stufe 24 der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 weist eine Höhe in vertikaler Richtung von 133 nm auf. Die Stufe 24 der zweiten Stromaufweitungsschicht 13, die am weitesten von der ersten Kontaktstruktur 5 entfernt ist, weist eine Höhe in vertikaler Richtung von 267 nm auf.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 des Ausführungsbeispiels der Figur 4 weist im Unterschied zu dem Halbleiterchip 1 der Figur 2 keine dritte Ausnehmung 21 auf. Die erste Kontaktstruktur 5 ist in direktem Kontakt auf der ersten Halbleiterschichtenfolge 2, insbesondere der Strahlungsaustrittsfläche 20, angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich bei der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 um n-dotiertes GaN und bei der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 um p-dotiertes GaN.
Weiterhin überdeckt die zweite Kontaktstruktur 6 die zweite Halbleiterschichtenfolge 3 vollständig. Damit überlappen die erste Kontaktstruktur 5 und die zweite Kontaktstruktur 6 in Draufsicht in lateralen Richtungen.
Im Unterschied zu Figur 4 handelt es sich bei der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 5 um n-dotiertes InAlP mit einer Höhe in vertikaler Richtung von 3 pm. Die zweite Halbleiterschichtenfolge 3 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel zwei Teilbereiche. Der an die erste Halbleiterschichtenfolge 2 angrenzende Teilbereich umfasst beispielsweise p-dotiertes InAlP. Der an die Kontaktschichtenfolge 7 angrenzende Teilbereich umfasst beispielsweise p-dotiertes GaP. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 des Ausführungsbeispiels der Figur 6 umfasst im Unterschied zum Halbleiterchip 1 der Figur 2 ein Substrat 25, das beispielsweise ein Wachstumssubstrat für die erste Halbleiterschichtenfolge 2 ist. Das Substrat 25 ist beispielsweise ein Saphirsubstrat und weist eine Höhe in vertikaler Richtung von größer 100 pm auf.
Weiterhin ist die erste Kontaktstruktur 5 in der dritten Ausnehmung 21 in direktem Kontakt auf der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 angeordnet. Weiterhin umfasst die erste Kontaktstruktur 6 keine reflektierende Schicht, wie beispielsweise der Halbeiterchip in Figur 2. Zudem erstreckt sich die zweite Kontaktstruktur 6 entlang einer Haupterstreckungsrichtung in lateralen Richtungen.
Die zweite Stromaufweitungsschicht 13 des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 7 weist im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 2 eine gleichbleibende Querschnittsfläche in vertikaler Richtung auf.
Eine Höhe der ersten Stromaufweitungsschicht 12 ist in diesem Ausführungsbeispiel kleiner als eine Höhe der zweiten Stromaufweitungsschicht 13. Die Höhe der ersten Stromaufweitungsschicht 12 ist in diesem Ausführungsbeispiel ungefähr 20 nm. Die Höhe der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 ist hier ungefähr 200 nm.
Eine Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 verkleinert sich in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5, was in Verbindung mit den Figuren 11 und 12 näher beschrieben ist. Im Unterschied zu Figur 7 handelt es sich bei der ersten Halbleiterschichtenfolge 2 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 8 um n-dotiertes InAlP mit einer Höhe in vertikaler Richtung von 3 gm. Die zweite Halbleiterschichtenfolge 3 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel zwei Teilbereiche. Der an die erste Halbleiterschichtenfolge 2 angrenzende Teilbereich umfasst beispielsweise p-dotiertes InAlP. Der an die Kontaktschichtenfolge 7 angrenzende Teilbereich umfasst beispielsweise p-dotiertes GaP.
Weiterhin ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 frei von der ersten Stromaufweitungsschicht 12. In diesem Fall steht die zweite Stromaufweitungsschicht 13 innerhalb der zweiten Ausnehmungen 15 in der dielektrischen Schicht 14 in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3.
Die Kontaktschichtenfolge 7 des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 9 umfasst im Unterschied zum Halbleiterchip 1 der Figur 8 die erste Stromaufweitungsschicht 12.
Die zweite Stromaufweitungsschicht 13 des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 10 weist im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 6 eine gleichbleibende Querschnittsfläche in vertikaler Richtung auf, wie beispielsweise näher in Verbindung mit Figur 7 erläutert.
Zwischen der ersten Ausnehmung 9 und der ersten Kontaktstruktur 5 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 11 erstreckt sich die erste Stromaufweitungsschicht 12. Die erste Stromaufweitungsschicht 12 überlappt in Draufsicht in lateralen Richtungen mit der ersten Ausnehmung 9. Auf der ersten Stromaufweitungsschicht 12 ist die dielektrische Schicht 14 angeordnet, die zweite Ausnehmungen 15 aufweist. Auf der dielektrischen Schicht 14 ist die zweite Stromaufweitungsschicht 13 angeordnet, die in den zweiten Ausnehmungen 15 in direktem Kontakt mit der ersten Stromaufweitungsschicht 12 steht.
Die zweite Stromaufweitungsschicht 13 und die dielektrische Schicht 14 sind weiterhin strukturiert, sodass sich eine Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5 verkleinert. Hierfür sind in der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 und der dielektrischen Schicht 14 Öffnungen 19 eingebracht.
Beispielsweise sind die Öffnungen 19 so geformt, dass sich die Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht 13 in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5 verjüngt. In diesem Ausführungsbeispiel weist die durch die Öffnungen 19 strukturierte zweite Stromaufweitungsschicht 13 in Draufsicht eine Form von mehreren Pyramiden auf, deren Spitze in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5 gerichtet ist. Eine Basis jeweils einer Pyramide weist beispielsweise eine Länge in lateralen Richtungen von wenigstens 10 gm und höchstens 30 gm auf. Die erste Ausnehmung 9 und die erste Kontaktstruktur 5 weisen beispielsweise einen minimalen Abstand in lateralen Richtungen von wenigstens 10 pm und höchstens 30 pm auf.
Weiterhin ist ein Bereich in Draufsicht in lateralen Richtungen ausgehend von der ersten Kontaktstruktur 5 zu der ersten Ausnehmung 9 frei von der zweiten
Stromaufweitungsschicht 13. Dieser Bereich weist eine Breite in lateralen Richtungen von wenigstens 10 gm und höchstens 30 gm auf.
Die zweiten Ausnehmungen 15 sind zudem an Gitterpunkten eines Gitters angeordnet. Das Gitter ist insbesondere ein regelmäßiges hexagonales Gitter.
Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 11 sind die Öffnungen 19 gemäß der Figur 12 an weiteren Gitterpunkten eines weiteren Gitters angeordnet. Das Gitter ist insbesondere ein gestrecktes hexagonales Gitter. Weiterhin vergrößert sich eine Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der Öffnungen 19 in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5.
Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 13 erstrecken sich die erste Kontaktstruktur 5 und die erste Ausnehmung 9 parallel zueinander. Die erste Kontaktstruktur 5 und die erste Ausnehmung 9 weisen jeweils eine Länge auf. Die Längen sind insbesondere gleich groß ausgebildet.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 14 weist die Kontaktschichtenfolge 7 des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 im Unterschied zu der Kontaktschichtenfolge 7 der Figur 1 mehrere metallische Teilsegmente 16 auf. Weiterhin umfasst die Kontaktschichtenfolge 7 zumindest eine Verbindungsschicht 17 zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten 16. Die metallischen Teilsegmente 16 stehen in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3. Jeweils eine Fläche in lateralen Richtungen der metallischen Teilsegmente 16, die mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge 3 in direktem Kontakt steht, verkleinert sich von der ersten Ausnehmung 9 hin zu der ersten Kontaktstruktur 5.
Die metallischen Teilsegmente 16 sind beispielsweise mit Silber gebildet. Zudem sind die Verbindungsschichten 17 zum Beispiel mit ITO gebildet.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 15 sind zwei gleich große metallische Teilsegmente 16 durch sechs Verbindungsschichten 17 elektrisch leitend miteinander verbunden. Zwischen den metallischen Teilsegmenten 16 ist ein Graben 26 angeordnet. Der Graben 26 weist eine Breite in lateralen Richtungen von in etwa 2 pm auf. Die erste Ausnehmung 9 und die erste Kontaktstruktur 5 weisen in etwa einen Abstand von in etwa 100 pm auf.
Weiterhin weisen die Verbindungsschichten 17 jeweils eine Höhe in lateralen Richtungen von in etwa 50 nm auf. In diesem Fall weisen die Verbindungsschichten 17 einen Flächenanteil von in etwa 20 % einer Fläche des Grabens 26 in Draufsicht in lateralen Richtungen auf.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 16 weist vier metallische Teilsegmente 16 auf, die jeweils eine gleich große Fläche in lateralen Richtungen aufweisen. Direkt benachbarte Teilsegmente 16 weisen einen Abstand in lateralen Richtungen von in etwa 2 pm auf. Die erste Ausnehmung 9 und die erste Kontaktstruktur 5 weisen in etwa einen Abstand von in etwa 100 pm auf. Die Verbindungsschichten 17, die am nächsten zu der ersten Kontaktstruktur 5 angeordnet sind, weisen beispielsweise eine Fläche in lateralen Richtungen auf, die in etwa sechs Mal kleiner ist als die Verbindungsschichten 17, die am nächsten zu der ersten Ausnehmung 9 angeordnet sind. Die Verbindungsschichten 17, die in der Mitte angeordnet sind, weisen beispielsweise eine Fläche in lateralen Richtungen auf, die in etwa zwei Mal kleiner ist als die Verbindungsschichten 17, die am nächsten zu der ersten Ausnehmung 9 angeordnet sind. Damit nimmt ein Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge 7 von der ersten Ausnehmung 9 hin zu der ersten Kontaktstruktur 5 effektiv zu.
Im Unterschied zu Figur 16 weist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß den Ausführungsbeispielen der Figuren 17 und 18 unterschiedlich groß ausgebildete metallische Teilsegmente 16 auf. Eine Fläche in lateralen Richtungen der metallischen Teilsegmente 16 nimmt in Richtung der ersten Kontaktstruktur 5 ab.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 19 erstreckt sich die erste Kontaktstruktur 5 in Draufsicht in lateralen Richtungen entlang einer geschlossenen Form. Bei der geschlossenen Form handelt es sich um ein Hexagon.
Das äußere metallische Teilsegment 16 erstreckt sich ebenfalls in Draufsicht in lateralen Richtungen entlang einer geschlossenen Form, die einem Hexagon entspricht. Das innere metallische Teilsegment 16 erstreckt sich in diesem Ausführungsbeispiel in Draufsicht in lateralen Richtungen über eine einfach zusammenhängende Fläche, die eine Form eines Hexagons aufweist. Die zweite Kontaktstruktur 5 und/oder die erste Ausnehmung 9 erstrecken/erstreckt sich in diesem Ausführungsbeispiel in Draufsicht in lateralen Richtungen über eine einfach zusammenhängende Fläche, die eine Form eines Vierecks aufweist.
Zudem sind alle metallischen Teilsegmente 16 in lateralen Richtungen von der ersten Kontaktstruktur 5 vollständig umschlossen .
Im Unterschied zu der ersten Kontaktstruktur 5 der Figur 19 ist die erste Kontaktstruktur 5 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 20 von jedem metallischen Teilsegment 16 in lateralen Richtungen vollständig umschlossen. Hier erstreckt sich die erste Kontaktstruktur 5 in Draufsicht in lateralen Richtungen über eine einfach zusammenhängende Fläche, die eine Form eines Kreises aufweist.
In den Ausführungsbeispielen der Figuren 21, 22, 23, 24 und 25 ist jeweils eine Schnittansicht eines Ausschnitts in einem Bereich zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten 16 gezeigt.
Bei den Ausführungsbeispielen der Figuren 21, 23 und 26 ist jeweils eine Schnittansicht in vertikaler Richtung von der ersten Kontaktstruktur 5 zu der ersten Ausnehmung 9 durch eine Verbindungsschicht 17 zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten 16 gezeigt. Die Figuren 22 und 24 zeigen jeweils eine Schnittansicht in vertikaler Richtung von der ersten Kontaktstruktur 5 zu der ersten Ausnehmung 9 zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten 16, wo die Verbindungsschicht 17 nicht angeordnet ist. Direkt benachbarte metallische Teilsegmente 16 sind, wie in Figur 21 gezeigt, durch die Verbindungsschicht 17 elektrisch leitend verbunden. Die Verbindungsschicht 17 zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten 16 ist zwischen der zweiten Halbleiterschicht 3 und der elektrisch isolierenden Schicht 8 angeordnet. Weiterhin steht die Verbindungsschicht 17 zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten 16 in direktem Kontakt zu der zweiten Halbleiterschicht 3.
Ein Graben 26 zwischen direkt benachbarten metallischen Teilsegmenten 16 ist im Bereich, in dem die
Verbindungsschicht 17 nicht angeordnet ist, vollständig von der elektrisch isolierenden Schicht 8 bedeckt, wie in Figur 22 gezeigt.
Gemäß Figur 23 ist eine weitere dielektrische Schicht 18 in lateralen Richtungen zwischen den Teilsegmenten 16 angeordnet. In diesem Fall ist die weitere dielektrische Schicht 18 vollständig in Bereichen zwischen den metallischen Teilsegmenten 16 angeordnet. Die Verbindungsschicht 17 ist weiterhin zwischen der weiteren dielektrischen Schicht 18 und der elektrisch isolierenden Schicht 8 angeordnet.
Gemäß Figur 24 steht die weitere dielektrische Schicht 18, im Bereich, in dem die Verbindungsschicht 17 nicht angeordnet ist, in direktem Kontakt zu der elektrisch isolierenden Schicht 8.
Im Unterschied zu Figur 23 erstreckt sich die Verbindungsschicht 17 gemäß der Figur 25 bereichsweise in lateralen Richtungen und bereichsweise in vertikaler Richtung. Durch eine derartige Erstreckung ist die Verbindungsschicht 17 im Vergleich zu einer sich lediglich in lateralen Richtungen erstreckenden Verbindungsschicht 17 zwischen den Teilsegmenten 16, wie beispielsweise in Figur 23 gezeigt, verlängert.
Eine Stromdichte J im aktiven Bereich 4 ist in Figur 26 exemplarisch für einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit nur einem einzelnen metallischen Teilsegment 16 dargestellt. Hierbei gibt x eine Position in lateralen Richtungen von der ersten Kontaktstruktur 5 zu der ersten Ausnehmung 9 an. Die Stromdichte J weist einen parabolischen Verlauf auf. In diesem Fall kann sich die Stromdichte J um einen Faktor von in etwa 2 bis 5 unterscheiden.
In Figur 26 ist eine Stromdichte J im aktiven Bereich 4 exemplarisch für einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 dargestellt, bei dem mehrere metallische Teilsegmente 16 durch Verbindungsschichten 17 elektrisch leitend miteinander verbunden sind. In diesem Fall unterscheidet sich die Stromdichte J um einen Faktor kleiner 1,5.
Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren
Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102020 114 772.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
1 strahlungsemittierender Halbleiterchip
2 erste Halbleiterschichtenfolge
3 zweite Halbleiterschichtenfolge
4 aktiver Bereich
5 erste Kontaktstruktur
6 zweite Kontaktstruktur
7 Kontaktschichtenfolge
8 elektrisch isolierende Schicht
9 erste Ausnehmung
10 erste Teilschicht
11 zweite Teilschicht
12 erste Stromaufweitungsschicht
13 zweite Stromaufweitungsschicht
14 dielektrische Schicht
15 zweite Ausnehmungen
16 metallisches Teilsegment
17 Verbindungsschicht
18 weitere dielektrische Schicht
19 Öffnung
20 Strahlungsaustrittsfläche
21 dritte Ausnehmung
22 elektrisch isolierende Trennschicht
23 Kontaktverbesserungsschicht
24 Stufen
25 Substrat
26 Graben

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit
- einer ersten Halbleiterschichtenfolge (2),
- einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (3), die auf der ersten Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist,
- einer ersten Kontaktstruktur (5), die zur Injektion von Ladungsträgern in die erste Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist, und
- einer Kontaktschichtenfolge (7), die zur Injektion von Ladungsträgern in die zweite Halbleiterschichtenfolge (3) ausgebildet ist, wobei
- die erste Kontaktstruktur (5) und die Kontaktschichtenfolge (7) in lateralen Richtungen in Draufsicht überlappungsfrei ausgebildet sind, und
- die Kontaktschichtenfolge (7) einen Schichtwiderstand aufweist, der sich in Richtung der ersten Kontaktstruktur (5) vergrößert .
2. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch
1, bei dem
- eine zweite Kontaktstruktur (6) auf der Kontaktschichtenfolge (7) angeordnet ist,
- eine elektrisch isolierende Schicht (8) bereichsweise zwischen der zweiten Kontaktstruktur (6) und der Kontaktschichtenfolge (7) angeordnet ist, und
- die elektrisch isolierende Schicht (8) zumindest eine erste Ausnehmung (9) aufweist, in der die zweite Kontaktstruktur
(6) und die Kontaktschichtenfolge (7) in elektrisch leitendem Kontakt stehen.
3. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch
2, bei dem - die zweite Kontaktstruktur (6) eine erste Teilschicht (10) und eine zweite Teilschicht (11) umfasst.
4. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktschichtenfolge (7) eine erste Stromaufweitungsschicht (12) umfasst, die in direktem Kontakt zu der zweiten Halbleiterschichtenfolge (3) steht.
5. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktschichtenfolge (7) eine zweite Stromaufweitungsschicht (13) umfasst, die bereichsweise in direktem Kontakt zu der zweiten Kontaktstruktur (6) steht.
6. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch 4 und 5, bei dem eine Höhe in vertikaler Richtung der ersten Stromaufweitungsschicht (12) kleiner als eine Höhe in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht (13) ist.
7. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 5 bis 6, bei dem sich eine Querschnittsfläche in vertikaler Richtung der zweiten Stromaufweitungsschicht (13) in Richtung der ersten Kontaktstruktur (5) verkleinert.
8. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 5 bis 7, bei dem sich eine Querschnittsfläche in lateralen Richtungen der zweiten Stromaufweitungsschicht (13) in Richtung der ersten Kontaktstruktur (5) verkleinert.
9. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 4 bis 8, bei dem die Kontaktschichtenfolge (7) eine dielektrische Schicht (14) umfasst, die bereichsweise zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht (12) und der zweiten Stromaufweitungsschicht (13) angeordnet ist.
10. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem Anspruch 9, bei dem
- die dielektrische Schicht (14) zweite Ausnehmungen (15) aufweist, und
- die erste Stromaufweitungsschicht (12) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (13) in den zweiten Ausnehmungen (15) in direktem Kontakt steht.
11. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem
- die Kontaktschichtenfolge (7) zumindest zwei metallische Teilsegmente (16) und zumindest eine Verbindungsschicht (17) umfasst,
- die Verbindungsschicht (17) die metallischen Teilsegmente (16) elektrisch leitend verbindet, und
- ein Widerstand der Verbindungsschicht (17) größer ist als jeder Widerstand der metallischen Teilsegmente (16).
12. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem Anspruch 11, bei dem die erste Kontaktstruktur (5) von jedem metallischen Teilsegment (16) in lateralen Richtungen vollständig umschlossen ist.
13. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem Anspruch 11, bei dem alle metallischen Teilsegmente (16) in lateralen Richtungen von der ersten Kontaktstruktur (5) vollständig umschlossen sind.
14. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem eine weitere dielektrische Schicht (18) in lateralen Richtungen zwischen den metallischen Teilsegmenten (16) angeordnet ist.
15. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem Anspruch 14, bei dem die Verbindungsschicht (17) zwischen der weiteren dielektrischen Schicht (18) und der elektrisch isolierenden Schicht (8) angeordnet ist.
16. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem Anspruch 15, bei dem eine Länge der Verbindungsschicht (17) zwischen den metallischen Teilsegmenten (16) einen Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge (7) vorgibt.
17. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 16, bei dem sich die erste Kontaktstruktur (5) und die erste Ausnehmung (9) parallel zueinander erstrecken.
18. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem - ein aktiver Bereich (4) zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge (2) und der zweiten Halbleiterschichtenfolge (3) angeordnet ist,
- der aktive Bereich (4) dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und
- der Schichtwiderstand der Kontaktschichtenfolge (7) so vorgegeben ist, dass eine mittlere Stromdichte im aktiven Bereich (4) um nicht mehr als 10 % von einer vorgegebenen mittleren Stromdichte abweicht.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150108492A1 (en) * 2013-10-23 2015-04-23 Lextar Electronics Corporation Light-emitting diode
EP3444855A1 (de) * 2017-08-14 2019-02-20 Lg Innotek Co. Ltd Halbleiterbauelement
US20190148601A1 (en) * 2016-04-22 2019-05-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and display comprising same
DE102018127201A1 (de) * 2018-10-31 2020-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105861B2 (en) 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
KR20130025831A (ko) 2011-09-02 2013-03-12 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 반도체 발광소자 어레이 및 차량용 등구

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150108492A1 (en) * 2013-10-23 2015-04-23 Lextar Electronics Corporation Light-emitting diode
US20190148601A1 (en) * 2016-04-22 2019-05-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and display comprising same
EP3444855A1 (de) * 2017-08-14 2019-02-20 Lg Innotek Co. Ltd Halbleiterbauelement
DE102018127201A1 (de) * 2018-10-31 2020-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips

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