WO2021241037A1

WO2021241037A1 - 面発光レーザ装置、電子機器及び面発光レーザ装置の製造方法

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Publication number: WO2021241037A1
Application number: PCT/JP2021/015166
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Inventors: 重吾御友
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Filing date: 2021-04-12
Publication date: 2021-12-02
Anticipated expiration: 2022-11-29
Also published as: US20230283048A1

Abstract

歩留まりを向上することができる面発光レーザ装置を提供する。　本技術は、第１の酸化狭窄層を含む少なくとも１つの発光部と、第２の酸化狭窄層を含む電極部とを面内方向の異なる位置に有する積層構造と、前記発光部と前記電極部とを導通させる導電層と、を備え、前記導電層は、前記積層構造の、前記発光部と前記電極部との間の領域を覆う第１の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から近い近半部を覆う第２の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から遠い遠半部を覆う第３の部分と、を有し、前記第１の部分及び／又は前記第２の部分と、前記第３の部分とに、ガス抜き部が設けられる。

Description

面発光レーザ装置、電子機器及び面発光レーザ装置の製造方法

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ装置、電子機器及び面発光レーザ装置の製造方法に関する。

　従来、第１の酸化狭窄層を含む発光部と第２の酸化狭窄層を含むパッド形成領域とを面内方向の異なる位置に有する積層構造と、発光部とパッド形成領域とを導通させる導電層とを備える面発光レーザ装置が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２００７－１７３５１３号公報

　しかしながら、従来の面発光レーザ装置は、歩留まりを向上することに関して改善の余地があった。

　そこで、本技術は、歩留まりを向上することができる面発光レーザ装置を提供することを主目的とする。

　本技術は、第１の酸化狭窄層を含む少なくとも１つの発光部と、第２の酸化狭窄層を含む電極部とを面内方向の異なる位置に有する積層構造と、
　前記発光部と前記電極部とを導通させる導電層と、
　を備え、
　前記導電層は、
　前記積層構造の、前記発光部と前記電極部との間の領域を覆う第１の部分と、
　前記電極部の相対的に前記発光部から近い近半部を覆う第２の部分と、
　前記電極部の相対的に前記発光部から遠い遠半部を覆う第３の部分と、
　を有し、
　前記第１の部分及び／又は前記第２の部分と、前記第３の部分とに、ガス抜き部が設けられる、面発光レーザ装置を提供する。
　前記ガス抜き部は、開口部、切り欠き部又は薄膜部であってもよい。
　前記面発光レーザ装置は、前記第１の部分と前記積層構造との間及び／又は前記２の部分と前記近半部との間と、前記第３の部分と前記遠半部との間とに配置される絶縁層を更に備えていてもよい。
　前記絶縁層の厚さは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下であってもよい。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の側面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の側面を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の側面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の側面を覆う部位の、前記第２の酸化狭窄層の外周面に対応する位置に少なくとも設けられていてもよい。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の上面を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面の外周部を覆う部位及び／又は前記第３部分の、前記遠半部の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面と側面とで形成される角部を覆う部位及び／又は前記第３部分の、前記遠半部の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。
　前記ガス抜き部は、前記第１の部分と前記第２の部分との境界部に少なくとも設けられていてもよい。
　前記ガス抜き部は、前記導電層の、前記第２の酸化狭窄層の酸化領域から３５μｍ以内の位置に少なくとも一部が設けられていてもよい。
　前記少なくとも１つの発光部は、複数の発光部であり、前記導電層は、前記複数の発光部のうち少なくとも２つの発光部の各々と前記電極部とを導通させてもよい。
　前記導電層は、前記積層構造の、前記複数の発光部の各々と前記電極部との間の領域及び前記電極部の外周面及び上面の外周部を覆っていてもよい。
　前記複数の発光部のうち隣り合う２つの発光部の中心間隔は、３５μｍ以下であってもよい。
　前記発光部は、前記第１の酸化狭窄層を内部に含む第１の多層膜反射鏡と、第２の多層膜反射鏡と、前記第１及び第２の多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、を含み、前記電極部は、前記第２の酸化狭窄層を内部に含む第１の多層膜反射鏡と、第２の多層膜反射鏡と、該第１及び第２の多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、を含んでいてもよい。
　前記発光部は、前記第１の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に配置され、前記発光部の発振波長に対して透明な基板を含み、前記発光部は、前記基板の裏面側へ光を出射してもよい。
　本技術は、前記面発光レーザ装置を備える電子機器も提供する。
　本技術は、基板上に被選択酸化層を内部に含む第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、前記被選択酸化層の一部を含む第１のメサと、前記被選択酸化層の他部を含む第２のメサとを形成する工程と、
　前記被選択酸化層の一部及び他部を側面から酸化して、第１の酸化狭窄層を含む発光部と第２の酸化狭窄層を含む電極部とを有する積層構造を形成する工程と、
　前記積層構造の前記発光部と前記電極部との間の領域を覆う第１の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から近い近半部を覆う第２の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から遠い遠半部を覆う第３の部分とを有する導電層を形成する工程と、
　を含み、
　前記導電層を形成する工程では、
　前記第１の部分及び／又は前記第２の部分と、前記第３の部分とに、ガス抜き部が形成される、面発光レーザ装置の製造方法も提供する。
　前記ガス抜き部は、開口部、切り欠き部又は薄膜部であってもよい。
　前記面発光レーザ装置の製造方法は、前記積層構造を形成する工程の後で、且つ、前記導電層を形成する工程の前に、前記積層構造の前記発光部と前記電極部との間の領域及び／又は前記近半部と、前記遠半部とに絶縁層を形成する工程を更に含んでいてもよい。

本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の平面図である。図１のＡ－Ａ線断面図である。図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１のＣ－Ｃ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その１）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その２）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その３）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その４）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その５）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その６）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その７）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法の工程毎の断面図（その８）である。本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ装置の平面図である。図１４のＡ－Ａ線断面図である。図１４のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ装置の平面図である。図１７のＡ－Ａ線断面図である。図１７のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ装置の平面図である。図２０のＡ－Ａ線断面図である。図２０のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ装置の平面図である。図２３のＡ－Ａ線断面図である。図２３のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ装置の平面図である。図２６のＡ－Ａ線断面図である。図２６のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ装置の平面図である。図２９のＡ－Ａ線断面図である。図２９のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ装置の平面図である。図３２のＡ－Ａ線断面図である。図３２のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ装置の平面図である。図３５のＡ－Ａ線断面図である。図３５のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ装置の平面図である。図３８のＡ－Ａ線断面図である。図３８のＢ－Ｂ線断面図である。本技術の一実施形態の変形例１に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例２に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例３に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例４に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例５に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例６に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例７に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例８に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例９に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の変形例１０に係る面発光レーザ装置の断面図である。本技術の一実施形態の各実施例及び各変形例に係る面発光レーザ装置の距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ装置、電子機器及び面発光レーザ装置の製造方法の各々が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ装置、電子機器及び面発光レーザ装置の製造方法の各々は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の構成
２．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の動作
３．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法
４．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の作用
５．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の効果及びその製造方法の効果
６．本技術の一実施形態の実施例２～１０に係る面発光レーザ装置
７．本技術の一実施形態の変形例１～１０に係る面発光レーザ装置
８．本技術の一実施形態の他の変形例
９．面発光レーザ装置を距離測定装置に適用した例
１０．距離測定装置を移動体に搭載した例

１．＜本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の構成＞
（全体構成）
　図１は、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置１－１の平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図４は、図１のＣ－Ｃ線断面図である。図１のＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　なお、以下に説明する本技術の一実施形態の各実施例及び各変形例に係る面発光レーザ装置を「面発光レーザ装置１」と総称する。
　面発光レーザ装置１－１は、図１に示すように、複数（例えば６つ）の発光部１０（１０－１～１０－６）と電極部２０と、複数の発光部１０と電極部２０とを導通させる（電気的に接続する）導電層１１３－１とを備える。
　各発光部１０及び電極部２０は、メサ構造を有する（図２～図４参照）。
　電極部２０は、一例として複数の発光部１０に共通の共通電極部である。図１には、複数の発光部１０と電極部２０との組み合わせが１組のみ図示されているが、面発光レーザ装置１－１は、この組み合わせを複数組有していてもよい。
　複数の発光部１０は、一例として電極部２０を取り囲むように配置されている。複数の発光部１０及び電極部２０は、例えば平面視略円形の外形を有する。各発光部１０は、一例として電極部２０の中心を中心とする正六角形の互いに異なる頂点に中心が位置するように配置されている。

　面発光レーザ装置１－１は、図２～図４に示すように、積層構造ＬＳを有する。
　積層構造ＬＳでは、基板１００上に第１のコンタクト層１０１と、第１の多層膜反射鏡１０２と、第１のスペーサ層１０４と、活性層１０５と、第２のスペーサ層１０６と、第２の多層膜反射鏡１０７と、第２のコンタクト層１０８と、電極とがこの順に積層されている。第１の多層膜反射鏡１０２の内部には、酸化狭窄層（第１又は第２の酸化狭窄層１０３、１０３’）が配置されている。
　すなわち、積層構造ＬＳは、酸化狭窄層を内部に含む第１の多層膜反射鏡１０２と、第２の多層膜反射鏡１０７と、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７の間に配置された活性層１０５とを含んでいる。

　各発光部１０は、積層構造ＬＳの面内方向（積層方向に直交する方向、以下同様）の一部を構成する。電極部２０は、積層構造ＬＳの面内方向の他部を構成する。
　各発光部１０は、第１の酸化狭窄層１０３を含むメサ構造ＭＳ１を有する。電極部２０は、第２の酸化狭窄層１０３’を含むメサ構造ＭＳ２を有する。
　すなわち、積層構造ＬＳは、第１の酸化狭窄層１０３を含むメサ構造ＭＳ１を有する複数の発光部１０と、第２の酸化狭窄層１０３’を含む電極部２０とを面内方向の異なる位置に有する。
　第１及び第２の酸化狭窄層１０３、１０３’は、一例として、略同一平面（積層構造ＬＳの積層方向に直交する平面）上にある。

　詳述すると、発光部１０は、第１の酸化狭窄層１０３を内部に含む第１の多層膜反射鏡１０２と、第２の多層膜反射鏡１０７と、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７の間に配置された活性層１０５とを含む。
　電極部２０は、第２の酸化狭窄層１０３’を内部に含む第１の多層膜反射鏡１０２と、第２の多層膜反射鏡１０７と、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７の間に配置された活性層と１０５とを含む。

　メサ構造ＭＳ１は、発光部１０においてレーザ共振器として機能する。すなわち、発光部１０は、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。
　各メサ構造は、平面視において、例えば略円柱形状であるが、例えば多角柱形状等の他の柱形状であってもよい。
　複数の発光部１０のうち隣り合う２つの発光部１０の中心間隔は、３５μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。

　電極部２０は、ドライバＩＣを含むレーザドライバに電気的に接続され、該レーザドライバから電流が供給されるようになっている。

　積層構造ＬＳは、電極が配置される領域を除いて、絶縁層１０９で覆われている。絶縁層１０９は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等からなる。
　メサ構造ＭＳ１の頂部を覆う絶縁層１０９には、電極引き出し用のコンタクトホールＣＨ１が形成されている。コンタクトホールＣＨ１内には、カソード電極１１０がメサ構造ＭＳ１の第２のコンタクト層１０８に接するように配置されている。
　メサ構造ＭＳ２の頂部を覆う絶縁層１０９には、電極引き出し用のコンタクトホールＣＨ２が形成されている。コンタクトホールＣＨ２内には、電極１１２がメサ構造ＭＳ２の第２のコンタクト層１０８に接するように配置されている。

　基板１００は、一例として、第１導電型のＧａＡｓ基板である。
　基板１００は、第１の多層膜反射鏡１０２に対して活性層１０５側とは反対側に配置されている。基板１００は、発光部１０の発振波長に対して透明である。

　第１のコンタクト層１０１は、一例として、第１導電型のＧａＡｓ系化合物半導体からなる。第１のコンタクト層１０１は、複数の発光部１０及び電極部２０とで共有されている。

　積層構造ＬＳにおける互いに隣接するメサ構造ＭＳ１とメサ構造ＭＳ２との間の部分を覆う絶縁層１０９には、電極引き出し用のコンタクトホールＣＨ３が形成されている。コンタクトホールＣＨ３内には、アノード電極１１１が第１のコンタクト層１０１に接するように配置されている。
　アノード電極１１１は、導電層１１３－１を介して、メサ構造ＭＳ２の頂部に設けられた電極１１２と電気的に接続されている。
　導電層１１３－１は、例えば金メッキ、銀メッキ、銅メッキ等の金属メッキからなる。導電層１１３－１の詳細は、後述する。

　アノード電極１１１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　アノード電極１１１は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
　アノード電極１１１が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。

　第１の多層膜反射鏡１０２は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。多層膜反射鏡（分布型ブラッグ反射鏡）の一種である半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、高反射率及び導電性を有する。第１の多層膜反射鏡１０２は、下部ＤＢＲとも呼ばれる。

　第１の多層膜反射鏡１０２は、一例として、第１導電型の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１の多層膜反射鏡１０２の各屈折率層は、例えば第１導電型のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

　発光部１０の第１の多層膜反射鏡１０２の内部には、第１の酸化狭窄層１０３が配置されている。第１の酸化狭窄層１０３は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域１０３ａと、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）からなる酸化領域１０３ｂとを有する。
　電極部２０の第１の多層膜反射鏡１０２の内部には、第２の酸化狭窄層１０３’が配置されている。第２の酸化狭窄層１０３’は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域１０３ａ’と、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）からなる酸化領域１０３ｂ’とを有する。

　第１のスペーサ層１０４は、第１導電型のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。「スペーサ層」は「クラッド層」とも呼ばれる。

　活性層１０５は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。

　第２のスペーサ層１０６（上部スペーサ層）は、第２導電型のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。「スペーサ層」は「クラッド層」とも呼ばれる。

　第２の多層膜反射鏡１０７は、一例として、第２導電型の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２の多層膜反射鏡１０７の各屈折率層は、例えば第２導電型のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

　第２のコンタクト層１０８は、例えば第２導電型のＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

　カソード電極１１０は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　カソード電極１１０は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
　カソード電極１１０が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。

　電極１１２は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　電極１１２は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
　電極１１２が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。

（導電層）
　導電層１１３－１は、複数（例えば６つ）の発光部１０－１の各々と電極部２０とを導通させる。
　導電層１１３－１は、一例として、図２～図４に示すように、積層構造ＬＳの、複数の発光部１０－１の各々と電極部２０との間の領域及び電極部２０の外周面及び上面の外周部を覆っている。
　詳述すると、導電層１１３－１は、積層構造ＬＳの、各発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１と、電極部２０の相対的に該発光部１０から近い近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２と、電極部２０の相対的に該発光部１０から遠い遠半部ＦＨを覆う第３の部分Ｐ３とを有する。
　一例として、導電層１１３－１において、第１～第３の部分Ｐ１～Ｐ３は、一連一体である。

　例えば、図１及び図２において、導電層１１３－１の、発光部１０－１と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１が第１の部分Ｐ１－１である。
　例えば、図１及び図２において、導電層１１３－１の、電極部２０の相対的に発光部１０－１から近い近半部ＮＨ１を覆う第２の部分Ｐ２が第２の部分Ｐ２－１である。
　例えば、図１及び図２において、導電層１１３－１の、電極部２０の相対的に発光部１０－１から遠い遠半部ＦＨ１を覆う第３の部分Ｐ３が第３の部分Ｐ３－１である。

　例えば、図１及び図４において、導電層１１３－１の、発光部１０－２と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１が第１の部分Ｐ１－２である。
　例えば、図１及び図４において、導電層１１３－１の、電極部２０の相対的に発光部１０－２から近い近半部ＮＨ２を覆う第２の部分Ｐ２が第２の部分Ｐ２－２である。
　例えば、図１及び図４において、導電層１１３－１の、電極部２０の相対的に発光部１０－２から遠い遠半部ＦＨ２を覆う第３の部分Ｐ３が第３の部分Ｐ３－２である。

　導電層１１３－１は、各発光部１０に対応する第１の部分Ｐ１及び／又は第２の部分Ｐ２と、第３の部分Ｐ３とにガス抜き部１１３－１ａが設けられている。ガス抜き部１１３－１ａは、図１～図３に示すように、例えば切り欠き部である。
　ガス抜き部１１３－１ａは、一例として、図１に示すように、電極部２０の周方向に等間隔で４つ設けられている。

　ガス抜き部１１３－１ａは、少なくとも一部が、導電層１１３－１の、第２の酸化狭窄層１０３’の酸化領域１０３ｂ’から３５μｍ以内の位置に設けられることが好ましく、３０μｍ以内の位置に設けられることがより好ましく、２５μｍ以内の位置に設けられることがさらにより好ましく、２０μｍ以内の位置に設けられることがさらにより一層好ましい。

　以下、図１における複数の発光部１０と電極部２０と複数のガス抜き部１１３－１ａ（１１３－１ａ－１～１１３－１ａ－４）との配置の対称性から、代表的に発光部１０－１、発光部１０－２に関連する説明のみを行う。

（発光部１０－１に関連する説明）
　例えば、図１において、発光部１０－１に対応する第２の部分Ｐ２－１に設けられたガス抜き部１１３－１ａがガス抜き部１１３－１ａ－１である。
　例えば、図１において、発光部１０－１に対応する第３の部分Ｐ３－１に設けられたガス抜き部１１３－１ａがガス抜き部１１３－１ａ－３である。
　例えば、図１において、発光部１０－１に対応する第２の部分Ｐ２－１と第３の部分Ｐ３－１とに跨って設けられたガス抜き部１１３－１ａがガス抜き部１１３－１ａ－２及びガス抜き部１１３－１ａ－４である。

　詳述すると、図１及び図２に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の側面を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の側面を覆う部位に少なくとも設けられている。
　図１及び図３に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－２は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の側面を覆う部位と第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の側面を覆う部位とに跨って設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－４は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の側面を覆う部位と第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の側面を覆う部位とに跨って設けられている。

　図１及び図２に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面（酸化領域１０３ｂ’の外周面）に対応する位置に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面（酸化領域１０３ｂ’の外周面）に対応する位置に少なくとも設けられている。
　図１及び図３に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－２は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面（酸化領域１０３ｂ’の外周面）に対応する位置と、第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面（酸化領域１０３ｂ’の外周面）に対応する位置とに跨って設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－４は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面（酸化領域１０３ｂ’の外周面）に対応する位置と、第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面（酸化領域１０３ｂ’の外周面）に対応する位置とに跨って設けられている。

　図１及び図２に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の上面を覆う部位に少なくとも設けられている。より詳細には、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の上面を覆う部位に少なくとも設けられている。より詳細には、ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨの上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　図１及び図３に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－２は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の上面（より詳細には、該上面の外周部）を覆う部位と第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の上面（より詳細には、該上面の外周部）を覆う部位とに跨って設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－４は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の上面を覆う部位と第３の部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の上面を覆う部位とに跨って設けられている。

　図１及び図２に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　図１及び図３に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－２は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の上面と側面とで形成される角部を覆う部位と第３部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の上面と側面とで形成される角部を覆う部位とに跨って設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－４は、少なくとも、第２の部分Ｐ２－１の、近半部ＮＨ１の上面と側面とで形成される角部を覆う部位と第３部分Ｐ３－１の、遠半部ＦＨ１の上面と側面とで形成される角部を覆う部位とに跨って設けられている。

　図１及び図２に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第１の部分Ｐ１－１と第２の部分Ｐ２－１との境界部に少なくとも設けられている。

　図２に示すように、導電層１１３－１の第２の部分Ｐ２－１と電極部２０の近半部ＮＨ１との間と、導電層１１３－１の第３の部分Ｐ３－１と電極部２０の遠半部ＦＨ１との間とには、絶縁層１０９が配置されている。
　一般に、絶縁体は、金属及び半導体に比べて、ガスバリア性が低い。
　すなわち、絶縁層１０９は、導電層１１３－１及び電極部２０の各半導体層に比べてガスバリア性が低い。
　絶縁層１０９の厚さは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。

（発光部１０－２に関連する説明）
　例えば、図１において、発光部１０－２に対応する第２の部分Ｐ２－２に設けられたガス抜き部１１３－１ａがガス抜き部１１３－１ａ－１及びガス抜き部１１３－１ａ－２である。
　例えば、図１において、発光部１０－２に対応する第３の部分Ｐ３－２に設けられたガス抜き部１１３－１ａがガス抜き部１１３－１ａ－３及びガス抜き部１１３－１ａ－４である。　

　詳述すると、図１～図４に示すように、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の側面を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－２は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の側面を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３の部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の側面を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－４は、第３の部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の側面を覆う部位に少なくとも設けられている。

　ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の上面を覆う部位に少なくとも設けられている。より詳細には、ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－２は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の上面を覆う部位に少なくとも設けられている。より詳細には、ガス抜き部１１３－１ａ－２は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３の部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の上面を覆う部位に少なくとも設けられている。より詳細には、ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３の部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－４は、第３の部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の上面を覆う部位に少なくとも設けられている。より詳細には、ガス抜き部１１３－１ａ－４は、第３の部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。

　ガス抜き部１１３－１ａ－１は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－２は、第２の部分Ｐ２－２の、近半部ＮＨ２の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－３は、第３部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　ガス抜き部１１３－１ａ－４は、第３部分Ｐ３－２の、遠半部ＦＨ２の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。

　図４に示すように、導電層１１３－１の第２の部分Ｐ２－２と電極部２０の近半部ＮＨ２との間と、導電層１１３－１の第３の部分Ｐ３－２と電極部２０の遠半部ＦＨ２との間とには、絶縁層１０９が配置されている。
　絶縁層１０９は、導電層１１３－１及び電極部２０の各半導体層に比べてガスバリア性が低い。
　絶縁層１０９の厚さは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。

２．＜本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の動作＞
　面発光レーザ装置１－１では、レーザドライバから電極部２０を介してアノード電極１１１に注入された電流は、第１のコンタクト層１０１を介して発光対象の発光部１０に供給される。当該発光部１０に供給された電流は、当該発光部１０の第１の多層膜反射鏡１０２、第１の酸化狭窄層１０３及び第１のスペーサ層１０４を介して活性層１０５に注入される。これにより、活性層１０５が発光し、その光が第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７間で繰り返し反射しながら増幅されて発振条件を満たしたときに、基板１００の裏面側へレーザ光として出射される。

３．＜本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の製造方法＞
　以下、実施例１に係る面発光レーザ装置１－１の製造方法について、図５のフローチャート、図６～図１３の断面図を参照して説明する。
　ここでは、一例として、半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ装置１－１を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ装置１－１をダイシングにより互いに分離して、装置毎（チップ毎）の複数の面発光レーザ装置１－１を得る。

　最初のステップＳ１では、積層体Ｌを生成する。具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、図６に示すように、基板１００上に第１のコンタクト層１０１と、第１の多層膜反射鏡１０２と、第１のスペーサ層１０４と、活性層１０５と、第２のスペーサ層１０６と、被選択酸化層１０３Ｓを内部に含む第２の多層膜反射鏡１０７と、第２のコンタクト層１０８をこの順に積層して積層体Ｌを生成する。

　次のステップＳ２では、メサを形成する。
　具体的には、図７に示すように、積層体ＬをエッチングしてメサＭ１、Ｍ２を形成する。
　詳述すると、先ず、積層体Ｌの第２のコンタクト層１０８上にメサ構造ＭＳ１、ＭＳ２となるメサＭ１、Ｍ２を形成するためのレジストパターンを生成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして積層体Ｌをエッチング（例えば硫酸系のエッチャントを用いたウェットエッチング）して、メサＭ１、Ｍ２を形成する。ここでは、第１のコンタクト層１０１が露出するまでエッチングを行う。その後、当該レジストパターンを除去する。

　次のステップＳ３では、酸化狭窄層を形成する。
　具体的には、図８に示すように、メサＭ１、Ｍ２の被選択酸化層１０３Ｓの周囲部を酸化して第１及び第２の酸化狭窄層１０３、１０３’を生成する。
　具体的には、メサＭ１、Ｍ２を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０３Ｓを側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域の周りが酸化領域に取り囲まれた第１及び第２の酸化狭窄層１０３、１０３’を形成する。
　この際、選択酸化時の熱により各酸化狭窄層の酸化領域から断続的又は継続的にガスが発生する。

　次のステップＳ４では、絶縁層１０９を形成する。
　具体的には、図９に示すように、メサＭ１、Ｍ２が形成された積層体上に絶縁層１０９を成膜する。

　次のステップＳ５では、コンタクトホールを形成する。
　具体的には、メサＭ１、Ｍ２が形成され絶縁層１０９が成膜された積層体上に、カソード電極１１０、電極１１２及びアノード電極１１１を形成するためのレジストパターンを生成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、カソード電極１１０、電極１１２及びアノード電極１１１が設けられることとなる箇所の絶縁層１０９をエッチング（例えばフッ酸系のエッチャントを用いたエッチング）により除去してコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３を形成する（図１０参照）。

　次のステップＳ６では、電極を形成する。
　具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３が形成された積層体上に、例えばＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上の例えばＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、カソード電極１１０、電極１１２及びアノード電極１１１を形成する（図１１参照）。

　最後のステップＳ７では、導電層を形成する。
　具体的には、先ず、例えば、メッキ法を用いて、金属膜ＭＦ（例えば金メッキ）を成膜する（図１２参照）。なお、メッキ法を用いる前に、絶縁層１０９のうち、導電層１１３－１が形成されることとなる箇所に、例えば、蒸着、スパッタ等を用いて、メッキの種となる下地層（例えばニッケルメッキ、クロムメッキ等）を形成しておく。金属膜ＭＦの厚さは、電圧降下を十分に防ぐことの可能な厚さ（例えば、２μｍ程度）となっている。
　次いで、金属膜ＭＦ上に各電極を覆う部分及びガス抜き部１１３－１ａが形成されることとなる部分を除去するためのレジストパターンを形成する。
　最後に、該レジストパターンをマスクとして金属膜ＭＦをエッチング（例えば硫酸系のエッチャントを用いたウェットエッチング）することにより、ガス抜き部１１３－１ａを有する導電層１１３－１を形成する（図１３参照）。なお、エッチングに代えてリフトオフにより導電層１１３－１を形成してもよい。

　この後、アニール、ウェハの裏面を研磨することによる薄膜化、ウェハの裏面に対する無反射コート等の処理がなされ、１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ装置１－１が形成される。その後、ダイシングにより、複数の面発光レーザ装置１－１が装置毎（チップ毎）に分離される。

４．＜本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の作用＞
　面発光レーザ装置１－１では、電極部２０の第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスの一部が絶縁層１０９をその厚さ方向に貫通（通過）してガス抜き部１１３－１ａから外部に放出され、他部が絶縁層１０９内を該絶縁層１０９の面内方向に沿って移動してガス抜き部１１３－１ａから外部に放出される。

５．＜本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ装置の効果及びその製造方法の効果＞
　以下に、本技術の一実施形態に係る面発光レーザ装置及びその製造方法の効果について説明する。

　実施例１に係る面発光レーザ装置１－１は、第１の酸化狭窄層１０３を含む複数の発光部１０と、第２の酸化狭窄層１０３’を含む電極部２０とを面内方向の異なる位置に有する積層構造ＬＳと、各発光部２０と電極部２０とを導通させる導電層１１３－１と、を備える。導電層１１３－１は、積層構造ＬＳの、各発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１と、電極部２０の相対的に該発光部１０から近い近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２と、電極部２０の相対的に該発光部１０から遠い遠半部を覆う第３の部分と、を有する。第１の部分Ｐ１及び／又は第２の部分Ｐ２と、第３の部分Ｐ３とに、ガス抜き部１１３－１ａが設けられる。
　この場合、第２の酸化狭窄層１０３’の酸化領域で発生したガスは、第１の部分Ｐ１及び／又は第２の部分Ｐ２と、第３の部分Ｐ３とに設けられたガス抜き部１１３－１ａを介して外部に放出される。
　この結果、導電層１１３－１のガス膨れ等の不良を抑制できる。さらに、電極部２０の頂部に設けられた電極１１２のガス膨れ等の不良も抑制できる。
　結果として、面発光レーザ装置１－１によれば、歩留まりを向上できる面発光レーザ装置を提供できる。
　なお、面発光レーザ装置１－１では、製造後にも例えば動作時に発生する熱、環境温度等により第２の酸化狭窄層１０３’でガスが発生するおそれがあるため、ガス抜き部１１３－１ａが設けられることにより、製品となった後の面発光レーザ装置１－１の信頼性の向上も図り得る。

　一方、仮に導電層の第１の部分Ｐ１及び／又は第２の部分Ｐ２（前者）、及び／又は、第３の部分Ｐ３（後者）にガス抜き部が設けられない場合には、ガス抜き部が設けられない部分（前者及び／又は後者）から、外部にガスを放出できなくなり、該部分及び電極部の頂部に設けられた電極にガス膨れ等の不良が発生してしまう。このため、歩留まりを向上できず、製品としての信頼性にも劣る。

　ガス抜き部１１３－１ａは、切り欠き部である。これにより、導電層１１３－１にガス抜き部１１３－１ａを容易に形成することができる。具体的には、ガス抜き部１１３－１ａは、導電層１１３－１のパターンニング時に形成することができる。

　実施例１に係る面発光レーザ装置１－１は、第１の部分Ｐ１と積層構造ＬＳとの間及び第２の部分Ｐ２と近半部ＮＨとの間と、第３の部分Ｐ３と遠半部ＦＨとの間とに配置される絶縁層１０９を更に備える。
　これにより、第２の酸化狭窄層１０３’の酸化領域で発生したガスをガスバリア性の低い絶縁層１０９を介して（通過させて）ガス抜き部１１３－１ａに速やかに導くことができ、ガス抜き効率を高めることができる。

　ここで、絶縁層１０９の厚さが厚いほど、第２の酸化狭窄層１０３’の酸化領域で発生し絶縁層１０９内をその面内方向に沿って移動してガス抜き部１１３－１ａに到達するガスの、絶縁層１０９内の通過性が向上する。一方、絶縁層１０９の厚さが薄いほど、第２の酸化狭窄層１０３’で発生し絶縁層１０９をその厚さ方向に通過して（貫通して）ガス抜き部１１３－１ａに到達するガスの、絶縁層１０９の貫通性が向上する。
　しかし、絶縁層１０９の厚さが薄すぎると、絶縁層１０９を電極部２０の側面（メサ構造ＭＳ２の側面）に安定して形成することができず、導電層１１３－１と電極部２０の各半導体層との絶縁性が低下してしまう。
　そこで、実施例１に係る面発光レーザ装置１－１では、絶縁層１０９の厚さが、０．１μｍ以上２．０μｍ以下に設定されている。

　ガス抜き部１１３－１ａは、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの側面を覆う部位及び第３の部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの側面を覆う部位に少なくとも設けられている。これにより、第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスの少なくとも一部を比較的短い経路でガス抜き部１１３－１ａに送ることができる。

　ガス抜き部１１３－１ａは、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの側面を覆う部位及び第３の部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置に設けられている。これにより、第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスの少なくとも一部を最短経路でガス抜き部１１３－１ａに送ることができる。

　ガス抜き部１１３－１ａは、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの上面を覆う部位及び第３の部分の、遠半部ＦＨの上面を覆う部位に少なくとも設けられている。これにより、第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスの少なくとも一部を比較的短い経路でガス抜き部１１３－１ａに送ることができる。

　ガス抜き部１１３－１ａは、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの上面の外周部を覆う部位及び第３部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。これにより、第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスの少なくとも一部をより短い経路でガス抜き部１１３－１ａに送ることができる。

　ガス抜き部１１３－１ａは、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位及び第３部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。これにより、第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスの少なくとも一部を比較的短い経路でガス抜き部１１３－１ａに送ることができる。

　ガス抜き部１１３－１ａは、第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２との境界部に少なくとも設けられている。第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスの少なくとも一部を比較的短い経路でガス抜き部１１３－１ａに送ることができる。

　ガス抜き部１１３－１ａは、導電層１１３－１の、第２の酸化狭窄層１０３’の酸化領域から３５μｍ以内の位置に少なくとも一部が設けられることが好ましい。これにより、ガスの発生源である第２の酸化狭窄層１０３’からガス抜き部１１３－１ａまでの距離を、ガスを迅速かつ確実に放出可能な距離とすることができる。

　導電層１１３－１は、複数の発光部１０の各々と電極部２０とを導通させる。これにより、電極部２０を少なくすることができ、構成を簡素化できる。

　導電層１１３－１は、積層構造ＬＳの、複数の発光部１０の各々と電極部２０との間の領域及び電極部２０の外周面及び上面の外周部を覆う。これにより、電極部２０から各発光部１０に効率的に電流を供給することができる。

　複数の発光部１０のうち隣り合う２つの発光部１０の中心間隔は、３５μｍ以下であることが好ましい。この場合、複数の発光部１０に共通の電極部２０の電流密度が高くなり高温になりやすいので、第２の酸化狭窄層１０３’で発生したガスのガス圧が上昇しやすい。このため、導電層１１３－１にガス抜き部１１３－１ａを設けることが特に有効となる。この他、高出力が求められる場合にも、電極部２０の電流密度が高くなりガス圧が上昇しやすいので、導電層１１３－１にガス抜き部１１３－１ａを設けることが特に有効となる。

　発光部２０は、第１の酸化狭窄層１０３を内部に含む第１の多層膜反射鏡１０２と、第２の多層膜反射鏡１０７と、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７の間に配置された活性層１０５と、を含み、電極部２０は、第２の酸化狭窄層１０３’を内部に含む第１の多層膜反射鏡１０２と、第２の多層膜反射鏡１０７と、該第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７の間に配置された活性層１０５と、を含む。これにより、半導体製造工程により、発光部１０及び電極部２０を並行して形成することができる。

　発光部２０は、第１の多層膜反射鏡１０２に対して活性層１０５側とは反対側に配置され、発光部２０の発振波長に対して透明な基板１００を含み、発光部２０は、基板１００の裏面側へ光を出射する。これにより、薄型かつ低消費電力の面発光レーザ装置１－１を実現できる。

　実施例１に係る面発光レーザ装置１－１の製造方法は、基板１００上に被選択酸化層１０３Ｓを内部に含む第１の多層膜反射鏡１０２、活性層１０５及び第２の多層膜反射鏡１０７をこの順に積層して積層体Ｌを生成する工程と、積層体Ｌをエッチングして、被選択酸化層１０３Ｓの一部を含む第１のメサＭ１と、被選択酸化層１０３Ｓの他部を含む第２のメサＭ２とを形成する工程と、被選択酸化層１０３Ｓの一部及び他部を側面から酸化して、第１の酸化狭窄層１０３を含む発光部１０と第２の酸化狭窄層１０３’を含む電極部２０とを有する積層構造ＬＳを形成する工程と、該積層構造ＬＳの発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１と、電極部２０の相対的に発光部１０から近い近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２と、電極部２０の相対的に発光部１０から遠い遠半部ＦＨを覆う第３の部分Ｐ３とを有する導電層１１３－１を形成する工程と、を含む。導電層１１３－１を形成する工程では、第１の部分Ｐ１及び／又は第２の部分Ｐ２と、第３の部分Ｐ３とに、ガス抜き部１１３－１ａを形成する。
　この場合、第２の酸化狭窄層１０３’の酸化領域で発生したガスは、第１の部分Ｐ１及び／又は第２の部分Ｐ２と、第３の部分Ｐ３とに設けられたガス抜き部１１３－１ａを介して外部に放出される。
　この結果、導電層１１３－１のガス膨れ等の不良を抑制できる。さらに、電極部２０の頂部に設けられた電極１１２のガス膨れ等の不良も抑制できる。
　結果として、面発光レーザ装置１－１の製造方法によれば、歩留まりを向上できる面発光レーザ装置１－１を製造できる。

　ガス抜き部１１３－１ａは、切り欠き部である。これにより、導電層１１３－１にガス抜き部１１３－１ａを容易に形成することができる。ガス抜き部１１３－１ａは、導電層１１３－１のパターンニング時に形成することができる。

　実施例１に係る面発光レーザ装置１－１の製造方法は、積層構造ＬＳを形成する工程の後で、且つ、導電層１１３－１を形成する工程の前に、積層構造ＬＳの発光部１０と電極部２０との間の領域及び近半部ＮＨと、遠半部ＦＨとに絶縁層１０９を形成する工程を更に含む。これにより、ガス抜き効率の高い面発光レーザ装置１－１を製造できる。

６．＜本技術の一実施形態の実施例２～１０に係る面発光レーザ装置＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例２～１０に係る面発光レーザ装置１－２～１－１０について説明する。
　実施例２～１０に係る面発光レーザ装置１－２～１－１０は、導電層におけるガス抜き部が設けられる位置が、実施例１に係る面発光レーザ装置１－１と異なる。実施例２～１０に係る面発光レーザ装置１－２～１－１０は、実施例１に係る面発光レーザ装置１－１の製造方法と同様の製造方法で製造することができる。
　実施例２～１０に係る面発光レーザ装置１－２～１～１０については、各発光部１０に関連する共通の説明を行う。

（実施例２に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例２に係る面発光レーザ装置１－２について、図１４～図１６を参照して説明する。図１４は、面発光レーザ装置１－２の平面図である。図１５は、図１４のＡ－Ａ線断面図である。図１６は、図１４のＢ－Ｂ線断面図である。図１４のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図１４～図１６に示すように、面発光レーザ装置１－２では、ガス抜き部１１３－２ａは、導電層１１３－２の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの上面の外周部を覆う部位及び導電層１１３－２の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　より詳細には、各ガス抜き部１１３－２ａは、導電層１１３－２の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位及び導電層１１３－２の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位に設けられた切り欠き部である。

（実施例３に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例３に係る面発光レーザ装置１－３について、図１７～図１９を参照して説明する。図１７は、面発光レーザ装置１－３の平面図である。図１８は、図１７のＡ－Ａ線断面図である。図１９は、図１７のＢ－Ｂ線断面図である。図１７のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図１７～図１９に示すように、面発光レーザ装置１－３では、各ガス抜き部１１３－３ａは、導電層１１３－３の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの側面を覆う部位及び導電層１１３－３の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３の部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの側面を覆う部位に設けられた開口部である。

（実施例４に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例４に係る面発光レーザ装置１－４について、図２０～図２２を参照して説明する。図２０は、面発光レーザ装置１－４の平面図である。図２１は、図２０のＡ－Ａ線断面図である。図２２は、図２０のＢ－Ｂ線断面図である。図２０のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図２０～図２２に示すように、面発光レーザ装置１－４では、各ガス抜き部１１３－４ａは、導電層１１３－４の、積層構造ＬＳにおける発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１と近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２との境界部（メサ構造ＭＳ２の底部近傍）に設けられた開口部である。
　各ガス抜き部１１３－４ａは、導電層１１３－４の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの側面を覆う部位における第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置及び導電層１１３－４の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３の部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの側面を覆う部位における第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置に少なくとも設けられている。

（実施例５に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例５に係る面発光レーザ装置１－５について、図２３～図２５を参照して説明する。図２３は、面発光レーザ装置１－５の平面図である。図２４は、図２３のＡ－Ａ線断面図である。図２５は、図２３のＢ－Ｂ線断面図である。図２３のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図２３～図２５に示すように、面発光レーザ装置１－５では、各ガス抜き部１１３－５ａは、導電層１１３－５の、積層構造ＬＳの発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１に設けられた開口部である。

（実施例６に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例６に係る面発光レーザ装置１－６について、図２６～図２８を参照して説明する。図２６は、面発光レーザ装置１－６の平面図である。図２７は、図２６のＡ－Ａ線断面図である。図２８は、図２６のＢ－Ｂ線断面図である。図２６のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図２６～図２８に示すように、面発光レーザ装置１－６では、各ガス抜き部１１３－６ａは、導電層１１３－６の、積層構造ＬＳにおける発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１に設けられた切り欠き部又は開口部である。

（実施例７に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例７に係る面発光レーザ装置１－７について、図２９～図３１を参照して説明する。図２９は、面発光レーザ装置１－７の平面図である。図３０は、図２９のＡ－Ａ線断面図である。図３１は、図２９のＢ－Ｂ線断面図である。図２９のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図２９～図３１に示すように、面発光レーザ装置１－７では、各ガス抜き部１１３－７ａは、導電層１１３－７の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの上面の外周部を覆う部位及び導電層１１３－７の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの上面の外周部を覆う部位に設けられた切り欠き部である。

（実施例８に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例８に係る面発光レーザ装置１－８について、図３２～図３４を参照して説明する。図３２は、面発光レーザ装置１－８の平面図である。図３３は、図３２のＡ－Ａ線断面図である。図３４は、図３２のＢ－Ｂ線断面図である。図３２のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図３２～図３４に示すように、面発光レーザ装置１－８では、各ガス抜き部１１３－８ａは、導電層１１３－８の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの上面の外周部を覆う部位及び導電層１１３－８の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　各ガス抜き部１１３－８ａは、導電層１１３－８の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位及び導電層１１３－８の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている。
　各ガス抜き部１１３－８ａは、導電層１１３－８の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの側面を覆う部位及び導電層１１３－８の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３の部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの側面を覆う部位に少なくとも設けられている。
　各ガス抜き部１１３－８ａは、導電層１１３－８の、積層構造ＬＳにおける発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２との境界部（メサ構造ＭＳ２の底部近傍）に少なくとも設けられている。
　各ガス抜き部１１３－８ａは、導電層１１３－８の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの側面を覆う部位における第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置及び導電層１１３－４の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３の部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの側面を覆う部位における第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置に少なくとも設けられている。
　各ガス抜き部１１３－８ａは、開口部である。

（実施例９に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例９に係る面発光レーザ装置１－９について、図３５～図３７を参照して説明する。図３５は、面発光レーザ装置１－９の平面図である。図３６は、図３５のＡ－Ａ線断面図である。図３７は、図３５のＢ－Ｂ線断面図である。図３５のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図３５～図３７に示すように、面発光レーザ装置１－９では、各ガス抜き部１１３－９ａは、導電層１１３－９の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位及び導電層１１３－９の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位に設けられた開口部である。

（実施例１０に係る面発光レーザ装置）
　以下、実施例１０に係る面発光レーザ装置１－１０について、図３８～図４０を参照して説明する。図３８は、面発光レーザ装置１－１０の平面図である。図３９は、図３８のＡ－Ａ線断面図である。図４０は、図３８のＢ－Ｂ線断面図である。図３８のＣ－Ｃ線断面及びＤ－Ｄ線断面は、図１のＣ－Ｃ線断面と同様である。
　図３８～図４０に示すように、面発光レーザ装置１－１０では、各ガス抜き部１１３－１０ａは、導電層１１３－１０の、積層構造ＬＳにおける発光部１０と電極部２０との間の領域を覆う第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２との境界部（メサ構造ＭＳ２の底部近傍）に設けられた開口部である。
　各ガス抜き部１１３－１０ａは、導電層１１３－１０の、電極部２０の近半部ＮＨを覆う第２の部分Ｐ２の、該近半部ＮＨの側面を覆う部位における第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置及び導電層１１３－１０の、電極部２０の遠半部ＦＨを覆う第３の部分Ｐ３の、該遠半部ＦＨの側面を覆う部位における第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置に少なくとも設けられている。

７．＜本技術の一実施形態の変形例１～１０に係る面発光レーザ装置＞
　以下、本技術の一実施形態の変形例１～１０に係る面発光レーザ装置１－１１～１－１２０について説明する。
　変形例１～１０に係る面発光レーザ装置１－１１～１－２０は、ガス抜き部が薄膜部である点が、上記各実施例に係る面発光レーザ装置と異なる。実施例２～１０に係る面発光レーザ装置１－２～１－１０は、実施例１に係る面発光レーザ装置１－１の製造方法と同様の製造方法で製造することができる。
　各変形例では、導電層を形成する際に、レジストパターンを用いてリフトオフにより下地層（例えばニッケルメッキ、クロムメッキ等）を形成した後、レジストパターンを用いてガス抜き部である薄膜部が設けられることとなる箇所以外の領域に金属膜（例えば金属メッキ）を成膜する。
　各変形例では、導電層において、下地層のみで構成される薄膜部は、下地層にメッキ層が積層された部分に比べて、ガスバリア性が格段に低くなっている。
　各変形例に係る面発光レーザ装置は、平面視で、図１と概ね同様の構成を有する。図４１～図５０は、各変形例に係る面発光レーザ装置の断面図（図１のＡ－Ａ線断面図に相当）である。各変形例に係る面発光レーザ装置の他の断面は、図１のＢ－Ｂ線断面、Ｃ－Ｃ線断面、Ｄ－Ｄ線断面と概ね同様である。

（変形例１に係る面発光レーザ装置）
　変形例１に係る面発光レーザ装置１－１１では、図４１に示すように、導電層１１３－１１に設けられるガス抜き部１１３－１１ａの位置は、図１～図４に示す実施例１に係る面発光レーザ装置１－１におけるガス抜き部１１３－１ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１１ａは、導電層１１３－１１の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例２に係る面発光レーザ装置）
　変形例２に係る面発光レーザ装置１－１２では、図４２に示すように、導電層１１３－１２に設けられるガス抜き部１１３－１２ａの位置は、図１４～図１６に示す実施例２に係る面発光レーザ装置１－２におけるガス抜き部１１３－２ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１２ａは、導電層１１３－１２の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例３に係る面発光レーザ装置）
　変形例３に係る面発光レーザ装置１－１３では、図４３に示すように、導電層１１３－１３に設けられるガス抜き部１１３－１３ａの位置は、図１７～図１９に示す実施例３に係る面発光レーザ装置１－３におけるガス抜き部１１３－３ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１３ａは、導電層１１３－１３の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例４に係る面発光レーザ装置）
　変形例４に係る面発光レーザ装置１－１４では、図４４に示すように、導電層１１３－１４に設けられるガス抜き部１１３－１４ａの位置は、図２０～図２２に示す実施例４に係る面発光レーザ装置１－４におけるガス抜き部１１３－４ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１４ａは、導電層１１３－１４の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例５に係る面発光レーザ装置）
　変形例５に係る面発光レーザ装置１－１５では、図４５に示すように、導電層１１３－１５に設けられるガス抜き部１１３－１５ａの位置は、図２３～図２５に示す実施例５に係る面発光レーザ装置１－５におけるガス抜き部１１３－５ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１５ａは、導電層１１３－１５の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例６に係る面発光レーザ装置）
　変形例６に係る面発光レーザ装置１－１６では、図４６に示すように、導電層１１３－１６に設けられるガス抜き部１１３－１６ａの位置は、図２６～図２８に示す実施例６に係る面発光レーザ装置１－６におけるガス抜き部１１３－６ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１６ａは、導電層１１３－１６の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例７に係る面発光レーザ装置）
　変形例７に係る面発光レーザ装置１－１７では、図４７に示すように、導電層１１３－１７に設けられるガス抜き部１１３－１７ａの位置は、図２９～図３１に示す実施例７に係る面発光レーザ装置１－７におけるガス抜き部１１３－７ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１７ａは、導電層１１３－１７の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例８に係る面発光レーザ装置）
　変形例８に係る面発光レーザ装置１－１８では、図４８に示すように、導電層１１３－１８に設けられるガス抜き部１１３－１８ａの位置は、図３２～図３４に示す実施例８に係る面発光レーザ装置１－８におけるガス抜き部１１３－８ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１８ａは、導電層１１３－１８の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例９に係る面発光レーザ装置）
　変形例９に係る面発光レーザ装置１－１９では、図４９に示すように、導電層１１３－１９に設けられるガス抜き部１１３－１９ａの位置は、図３５～図３７に示す実施例９に係る面発光レーザ装置１－９におけるガス抜き部１１３－９ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－１９ａは、導電層１１３－１９の下地層のみで構成される薄膜部である。

（変形例１０に係る面発光レーザ装置）
　変形例１０に係る面発光レーザ装置１－２０では、図５０に示すように、導電層１１３－２０に設けられるガス抜き部１１３－２０ａの位置は、図３８～図４０に示す実施例１０に係る面発光レーザ装置１－１０におけるガス抜き部１１３－１０ａの位置に対応している。
　ガス抜き部１１３－２０ａは、導電層１１３－２０の下地層のみで構成される薄膜部である。

８．＜本技術の一実施形態の他の変形例＞
　本技術の一実施形態に係る面発光レーザ装置１の発光部１０及び電極部２０の数は、適宜変更可能である。
　例えば、本技術に係る面発光レーザ装置１は、単一の発光部１０及び単一の電極部２０の組を少なくとも１組有していてもよい。

　本技術の一実施形態に係る面発光レーザ装置１のガス抜き部の数は、１つの電極部２０に対して、４つに限らず、１つ～３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。

　本技術の一実施形態に係る面発光レーザ装置１のガス抜き部の配置は、導電層及び／又は電極部の形状等に応じて、適宜変更可能である。例えば、複数のガス抜き部は、必ずしも等間隔で配置されなくてもよい。

　例えば、絶縁層１０９は、第１の部分Ｐ１と積層構造ＬＳとの間又は第２の部分Ｐ２と近半部ＮＨとの間と、第３の部分Ｐ３と遠半部ＦＨとの間とに配置されていてもよい。

　例えば、ガス抜き部が、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置に設けられる場合には、第２の部分Ｐ２と近半部ＮＨとの間に絶縁層１０９の厚さを極力薄くしても（例えば０．１μｍに極力近づけても）よい。

　例えば、ガス抜き部が、第３の部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置に設けられる場合には、第３の部分Ｐ３と遠半部ＦＨとの間に絶縁層１０９の厚さを極力薄くしても（例えば０．１μｍに極力近づけても）よい。

　例えば、絶縁層の厚さは、０．１μｍ未満であってもよいし、２．０μｍより厚くてもよい。

　上記各実施例及び各変形例の面発光レーザ装置１のガス抜き部の位置及び形態（開口部、切り欠き部及び薄膜部の別）は、相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　例えば、ガス抜き部は、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの側面を覆う部位又は前記第３の部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの側面を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。

　例えば、ガス抜き部は、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの側面を覆う部位又は第３の部分の、遠半部ＦＨの側面を覆う部位の、第２の酸化狭窄層１０３’の外周面に対応する位置に設けられていてもよい。

　例えば、ガス抜き部は、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの上面を覆う部位又は第３の部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの上面を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。

　例えば、ガス抜き部は、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの上面の外周部を覆う部位又は第３部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。

　例えば、ガス抜き部は、第２の部分Ｐ２の、近半部ＮＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位又は第３部分Ｐ３の、遠半部ＦＨの上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられていてもよい。

　例えば、ガス抜き部は、導電層１１３－１の、第２の酸化狭窄層１０３’の酸化領域１０３ｂ’から３５μｍを超えた位置に全体が設けられていてもよい。

　複数の発光部１０のうち隣り合う２つの発光部１０の中心間隔は、３５μｍを超えていてもよい。

　上記各実施例及び各変形例では、本技術の面発光レーザ装置１として発光部が基板の裏面側へ光を出射する裏面出射型を例にとって説明したが、本技術の面発光レーザ装置は発光部がメサ構造の頂部から光を出射する表面出射型にも適用可能である。

　上記実施形態及び変形例では、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７のいずれも半導体多層膜反射鏡であるが、これに限らない。
　例えば、第１の多層膜反射鏡１０２が半導体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡１０７が誘電体多層膜反射鏡であってもよい。誘電体多層膜反射鏡も、分布型ブラッグ反射鏡の一種である。
　例えば、第１の多層膜反射鏡１０２が誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡１０７が半導体多層膜反射鏡であってもよい。
　例えば、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７のいずれも誘電体多層膜反射鏡であってもよい。

　本技術に係る面発光レーザ装置１において、第１及び第２のスペーサ層１０４、１０６は、必ずしも設けられていなくてもよい。
　本技術に係る面発光レーザ装置１において、各酸化狭窄層は、第２の多層膜反射鏡１０７の内部に配置されてもよい。
　本技術に係る面発光レーザ装置１において、第１及び第２のコンタクト層１０１、１０８の少なくとも一方は、必ずしも設けられていなくてもよい。

９．＜面発光レーザ装置を距離測定装置に適用した例＞
以下に、上記各実施例及び各変形例に係る面発光レーザ装置１の適用例について説明する。

　図５１は、本技術に係る電子機器の一例としての、面発光レーザ装置１を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体２００までの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ装置１を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ装置１、受光装置１２０、レンズ１１５，１３０、信号処理部１４０、制御部１５０、表示部１６０および記憶部１７０を備えている。

　受光装置１２０は、被検体２００で反射された光を検出する。レンズ１１５は、面発光レーザ装置１から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３０は、被検体２００で反射された光を集光し、受光装置１２０に導くためのレンズであり、集光レンズである。

信号処理部１４０は、受光装置１２０から入力された信号と、制御部１５０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５０から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ装置１の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５０は、例えば、面発光レーザ装置１、受光装置１２０、信号処理部１４０、表示部１６０および記憶部１７０を制御するプロセッサである。制御部１５０は、信号処理部１４０で生成された信号に基づいて、被検体２００までの距離を計測する回路である。制御部１５０は、被検体２００までの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６０に出力する。表示部１６０は、制御部１５０から入力された映像信号に基づいて、被検体２００までの距離についての情報を表示する。制御部１５０は、被検体２００までの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。

　本適用例では、面発光レーザ装置１が距離測定装置１０００に適用される。

１０．＜距離測定装置を移動体に搭載した例＞
[応用例１]
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

　図５２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図５２に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体２００）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図５２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図５３は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図５３では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図５３には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　本技術に係る面発光レーザ装置１は、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源として実現されてもよい。

　以上説明した各実施例及び各変形例において、記載した具体的な数値、形状、材料、構造、層構成等は、一例であって、これらに限定されるものではない。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）第１の酸化狭窄層を含む少なくとも１つの発光部と、第２の酸化狭窄層を含む電極部とを面内方向の異なる位置に有する積層構造と、
　前記発光部と前記電極部とを導通させる導電層と、
　を備え、
　前記導電層は、
　前記積層構造の、前記発光部と前記電極部との間の領域を覆う第１の部分と、
　前記電極部の相対的に前記発光部から近い近半部を覆う第２の部分と、
　前記電極部の相対的に前記発光部から遠い遠半部を覆う第３の部分と、
　を有し、
　前記第１の部分及び／又は前記第２の部分と、前記第３の部分とに、ガス抜き部が設けられる、面発光レーザ装置。
（２）前記ガス抜き部は、開口部、切り欠き部又は薄膜部である、（１）に記載の面発光レーザ装置。
（３）前記第１の部分と前記積層構造との間及び／又は前記２の部分と前記近半部との間と、前記第３の部分と前記遠半部との間とに配置される絶縁層を更に備える、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ装置。
（４）前記絶縁層の厚さは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下である、（３）に記載の面発光レーザ装置。
（５）前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の側面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の側面を覆う部位に少なくとも設けられている、（１）～（４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（６）前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の側面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の側面を覆う部位の、前記第２の酸化狭窄層の外周面に対応する位置に少なくとも設けられている、（１）に記載の面発光レーザ装置。
（７）前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の上面を覆う部位に少なくとも設けられている、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（８）前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面の外周部を覆う部位及び／又は前記第３部分の、前記遠半部の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている、（１）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（９）前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面と側面とで形成される角部を覆う部位及び／又は前記第３部分の、前記遠半部の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている、（１）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（１０）前記ガス抜き部は、前記第１の部分と前記第２の部分との境界部に少なくとも設けられている、（１）～（９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（１１）前記ガス抜き部は、前記導電層の、前記第２の酸化狭窄層の酸化領域から３５μｍ以内の位置に少なくとも一部が設けられている、（１）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（１２）前記少なくとも１つの発光部は、複数の発光部であり、前記導電層は、前記複数の発光部のうち少なくとも２つの発光部の各々と前記電極部とを導通させる、（１）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（１３）前記導電層は、前記積層構造の、前記複数の発光部の各々と前記電極部との間の領域及び前記電極部の外周面及び上面の外周部を覆う、（１２）に記載の面発光レーザ装置。
（１４）前記複数の発光部のうち隣り合う２つの発光部の中心間隔は、３５μｍ以下である、（１２）又は（１３）に記載の面発光レーザ装置。
（１５）前記発光部は、前記第１の酸化狭窄層を内部に含む第１の多層膜反射鏡と、第２の多層膜反射鏡と、前記第１及び第２の多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、を含み、前記電極部は、前記第２の酸化狭窄層を内部に含む第１の多層膜反射鏡と、第２の多層膜反射鏡と、該第１及び第２の多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、を含む、（１）～（１４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置。
（１６）前記発光部は、前記第１の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に配置され、前記発光部の発振波長に対して透明な基板を含み、前記発光部は、前記基板の裏面側へ光を出射する、（１５）に記載の面発光レーザ。
（１７）（１）～（１６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ装置を備える電子機器。
（１８）基板上に被選択酸化層を内部に含む第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、前記被選択酸化層の一部を含む第１のメサと、前記被選択酸化層の他部を含む第２のメサとを形成する工程と、
　前記被選択酸化層の一部及び他部を側面から酸化して、第１の酸化狭窄層を含む発光部と第２の酸化狭窄層を含む電極部とを有する積層構造を形成する工程と、
　前記積層構造の前記発光部と前記電極部との間の領域を覆う第１の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から近い近半部を覆う第２の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から遠い遠半部を覆う第３の部分とを有する導電層を形成する工程と、
　を含み、
　前記導電層を形成する工程では、
　前記第１の部分及び／又は前記第２の部分と、前記第３の部分とに、ガス抜き部が形成される、面発光レーザ装置の製造方法。
（１９）前記ガス抜き部は、開口部、切り欠き部又は薄膜部である、（１８）に記載の面発光レーザ装置の製造方法。
（２０）前記積層構造を形成する工程の後で、且つ、前記導電層を形成する工程の前に、前記積層構造の前記発光部と前記電極部との間の領域及び／又は前記近半部と、前記遠半部とに絶縁層を形成する工程を更に含む、（１８）又は（１９）に記載の面発光レーザ装置の製造方法。

　１（１－１～１－２０）：面発光レーザ装置、１０（１０－１～１０－６）：発光部、２０：電極部、１００：基板、１０２：第１の多層膜反射鏡、１０３：第１の酸化狭窄層、１０３’：第２の酸化狭窄層、１０３Ｓ：被選択酸化層、１０５：活性層、１０７：第２の多層膜反射鏡、１０９：絶縁層、１１３－１～１１３－２０：導電層、１１３－１ａ～１１３－２０ａ：ガス抜き部、ＬＳ：積層構造、ＮＨ：近半部、ＦＨ：遠半部、Ｐ１：第１の部分、Ｐ２：第２の部分、Ｐ３：第３の部分。

Claims

　第１の酸化狭窄層を含む少なくとも１つの発光部と、第２の酸化狭窄層を含む電極部とを面内方向の異なる位置に有する積層構造と、
　前記発光部と前記電極部とを導通させる導電層と、
　を備え、
　前記導電層は、
　前記積層構造の、前記発光部と前記電極部との間の領域を覆う第１の部分と、
　前記電極部の相対的に前記発光部から近い近半部を覆う第２の部分と、
　前記電極部の相対的に前記発光部から遠い遠半部を覆う第３の部分と、
　を有し、
　前記第１の部分及び／又は前記第２の部分と、前記第３の部分とに、ガス抜き部が設けられる、面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、開口部、切り欠き部又は薄膜部である、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記第１の部分と前記積層構造との間及び／又は前記２の部分と前記近半部との間と、前記第３の部分と前記遠半部との間とに配置される絶縁層を更に備える、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記絶縁層の厚さは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下である、請求項３に記載の面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の側面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の側面を覆う部位に少なくとも設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の側面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の側面を覆う部位の、前記第２の酸化狭窄層の外周面に対応する位置に少なくとも設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面を覆う部位及び／又は前記第３の部分の、前記遠半部の上面を覆う部位に少なくとも設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面の外周部を覆う部位及び／又は前記第３部分の、前記遠半部の上面の外周部を覆う部位に少なくとも設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、前記第２の部分の、前記近半部の上面と側面とで形成される角部を覆う部位及び／又は前記第３部分の、前記遠半部の上面と側面とで形成される角部を覆う部位に少なくとも設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、前記第１の部分と前記第２の部分との境界部に少なくとも設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記ガス抜き部は、前記導電層の、前記第２の酸化狭窄層の酸化領域から３５μｍ以内の位置に少なくとも一部が設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記少なくとも１つの発光部は、複数の発光部であり、
　前記導電層は、前記複数の発光部のうち少なくとも２つの発光部の各々と前記電極部とを導通させる、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記導電層は、前記積層構造の、前記複数の発光部の各々と前記電極部との間の領域及び前記電極部の外周面及び上面の外周部を覆う、請求項１２に記載の面発光レーザ装置。
　前記複数の発光部のうち隣り合う２つの発光部の中心間隔は、３５μｍ以下である、請求項１２に記載の面発光レーザ装置。
　前記発光部は、
　前記第１の酸化狭窄層を内部に含む第１の多層膜反射鏡と、
　第２の多層膜反射鏡と、
　前記第１及び第２の多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、
　を含み、
　前記電極部は、
　前記第２の酸化狭窄層を内部に含む第１の多層膜反射鏡と、
　第２の多層膜反射鏡と、
　該第１及び第２の多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、
　を含む、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記発光部は、前記第１の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に配置され、前記発光部の発振波長に対して透明な基板を含み、
　前記発光部は、前記基板の裏面側へ光を出射する、請求項１５に記載の面発光レーザ。
　請求項１に記載の面発光レーザ装置を備える電子機器。
　基板上に被選択酸化層を内部に含む第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、前記被選択酸化層の一部を含む第１のメサと、前記被選択酸化層の他部を含む第２のメサとを形成する工程と、
　前記被選択酸化層の一部及び他部を側面から酸化して、第１の酸化狭窄層を含む発光部と第２の酸化狭窄層を含む電極部とを有する積層構造を形成する工程と、
　前記積層構造の前記発光部と前記電極部との間の領域を覆う第１の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から近い近半部を覆う第２の部分と、前記電極部の相対的に前記発光部から遠い遠半部を覆う第３の部分とを有する導電層を形成する工程と、
　を含み、
　前記導電層を形成する工程では、
　前記第１の部分及び／又は前記第２の部分と、前記第３の部分とに、ガス抜き部が形成される、面発光レーザ装置の製造方法。
　前記ガス抜き部は、開口部、切り欠き部又は薄膜部である、請求項１８に記載の面発光レーザ装置の製造方法。
　前記積層構造を形成する工程の後で、且つ、前記導電層を形成する工程の前に、前記積層構造の前記発光部と前記電極部との間の領域及び／又は前記近半部と、前記遠半部とに絶縁層を形成する工程を更に含む、請求項１８に記載の面発光レーザ装置の製造方法。