WO2021228755A1 - Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips - Google Patents

Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips Download PDF

Info

Publication number
WO2021228755A1
WO2021228755A1 PCT/EP2021/062303 EP2021062303W WO2021228755A1 WO 2021228755 A1 WO2021228755 A1 WO 2021228755A1 EP 2021062303 W EP2021062303 W EP 2021062303W WO 2021228755 A1 WO2021228755 A1 WO 2021228755A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
radiation
recess
semiconductor chip
stack
Prior art date
Application number
PCT/EP2021/062303
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Christoph Eichler
Lars Nähle
Sven GERHARD
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to DE112021002697.6T priority Critical patent/DE112021002697A5/de
Priority to US17/924,288 priority patent/US20230197893A1/en
Priority to JP2022568773A priority patent/JP7480350B2/ja
Publication of WO2021228755A1 publication Critical patent/WO2021228755A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H01L33/105—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0203—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0286—Coatings with a reflectivity that is not constant over the facets, e.g. apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
    • H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0045—Devices characterised by their operation the devices being superluminescent diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265—Intensity modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0287—Facet reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
    • H01S5/2086—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques lateral etch control, e.g. mask induced
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Definitions

  • a radiation-emitting semiconductor chip is specified.
  • a method for producing a radiation-emitting semiconductor chip is specified.
  • One problem to be solved consists in specifying an improved radiation-emitting semiconductor chip.
  • a method for producing such a semiconductor chip is to be specified.
  • the semiconductor chip comprises a semiconductor body with an active region which is designed to generate electromagnetic radiation.
  • the semiconductor body preferably extends in the lateral direction between a first end face of the semiconductor body and a second end face of the semiconductor body.
  • the active region is arranged in the resonator.
  • the semiconductor chip comprises a resonator which comprises a first end region and a second end region.
  • the semiconductor chip comprises at least one recess in the semiconductor body which completely penetrates the active region.
  • the recess preferably has side surfaces which run in a vertical direction.
  • the recess defines a reflectivity for the electromagnetic radiation.
  • the semiconductor chip is, for example, a semiconductor laser diode or a superluminescent light-emitting diode, or SLED for short. If the semiconductor chip is a SLED, the generated radiation is amplified in the resonator to form superluminescent radiation. If the semiconductor chip is a laser diode, the generated radiation is amplified into laser radiation in the resonator.
  • a highly reflective mirror layer is arranged on the semiconductor body in the second end region.
  • the highly reflective mirror layer preferably has a reflectivity of at least 95%, in particular at least 99%, for radiation generated in the active region.
  • the recess is arranged in the first end region.
  • the recess is preferably designed to set properties of the radiation emitted by the semiconductor chip.
  • the recess for the radiation generated in the active area and / or has Superluminescent radiation preferably has a reflectivity of at most 10%, in particular at most 1%. If the semiconductor chip is a laser diode, the recess for the radiation and / or laser radiation generated in the active area preferably has a reflectivity of at most 90%, in particular at most 10%.
  • an anti-reflective layer is preferably arranged on the first end face.
  • the anti-reflective layer preferably has a reflectivity of at most 1%, in particular at most 0.01%, for the radiation generated in the active area.
  • the recess is arranged between the first end region and the second end region.
  • the recess is preferably designed to electrically isolate regions of the semiconductor chip from one another.
  • the recess preferably has a reflectivity of at most 1%, in particular of at most 0.01%, for the radiation generated in the active area.
  • a partially reflective layer is preferably arranged on the first end face.
  • the partially reflective layer preferably has a reflectivity of at most 90%, in particular of at most 10%, for the radiation generated in the active area.
  • a first contact layer is arranged on the semiconductor body, which is designed to impress a current in the semiconductor body.
  • a second contact layer is arranged on the semiconductor body.
  • the semiconductor chip is a segmented semiconductor laser.
  • the recess is arranged between the first contact layer and the second contact layer.
  • a dielectric layer is arranged in the recess.
  • the dielectric layer completely covers at least one side surface of the recess.
  • the dielectric layer is preferably in direct contact with the side surface of the recess.
  • the dielectric layer is arranged at a distance from each side face of the recess.
  • a further dielectric layer is arranged on the dielectric layer.
  • the further dielectric layer is preferably in direct contact with the dielectric layer.
  • the further dielectric layer is arranged on at least one side surface of the recess.
  • the dielectric layer is arranged between the further dielectric layer and the side surface of the recess.
  • the further dielectric layer is in direct contact with the side surface of the recess.
  • the further dielectric layer is arranged at a distance from each side face of the recess.
  • a waveguide structure is arranged in the recess in which the dielectric layer and / or the further dielectric layer is arranged.
  • the waveguide structure preferably has the same refractive indices as the semiconductor body.
  • a radiation-emitting semiconductor component which comprises at least two of the semiconductor chips described here.
  • the semiconductor chips are arranged next to one another in the lateral direction.
  • a semiconductor body comprising an active region is provided which is designed to generate electromagnetic radiation.
  • a recess is produced in the semiconductor body, which recess completely penetrates the active region.
  • a resonator is produced which comprises a first end region and a second end region, the active region being arranged in the resonator.
  • the recess specifies a reflectivity for the electromagnetic radiation.
  • a width in the lateral direction of the recess is preferably determined.
  • the recess is etched and preferably wider than X / 4.
  • the recess has, for example, a width of at most 10 ⁇ m, in particular at most 2 ⁇ m.
  • a width of the dielectric layer to be applied and / or a width of the further dielectric layer to be applied is determined as a function of the width of the recess, for example by a transfer matrix method. Process fluctuations With regard to a reflectivity at gap edges or recesses, the specified method can advantageously be compensated for subsequently, which results in better yields and thus lower costs.
  • a method for producing semiconductor components is specified, with which a semiconductor component described here can be produced. All of the features and embodiments disclosed in connection with the method can therefore also be used in connection with the method for producing the semiconductor chip, the semiconductor chip and / or the semiconductor component, and vice versa.
  • a semiconductor wafer comprising active regions, which are each designed to generate electromagnetic radiation, is provided.
  • recesses are produced in the semiconductor wafer, which in each case completely penetrate the active regions.
  • the recesses are arranged like a matrix, along rows and columns.
  • resonators are produced which each comprise a first end region and a second end region, one of the active regions being arranged in each case in one of the resonators.
  • the semiconductor wafer is separated into semiconductor components.
  • the semiconductor wafer is separated by sawing, laser cutting, stealth dicing or breaking.
  • the recesses which each adjoin one of the resonators, specify a first reflectivity for the electromagnetic radiation in the first end region and a second reflectivity for the electromagnetic radiation in the second end region.
  • a stack of layers is produced in the recesses.
  • the layer stack comprises, for example, a stack of several dielectric layers.
  • one or more intermediate layers such as a metal layer or a semiconductor layer, can be arranged between the dielectric layers of the layer stack. Additionally or alternatively, the intermediate layer can also be arranged on an outer dielectric layer of the layer stack.
  • the dielectric layers of the layer stack are at least partially different from one another.
  • the dielectric layers of the stack of layers comprise, for example, at least partially different materials and / or are at least partially designed with different thicknesses.
  • a metallic layer can subsequently be produced on the layer stack in the recesses.
  • the metallic layer comprises or consists of at least one metal.
  • the metallic layer is, for example, designed to be reflective for the radiation generated. In this case, the metallic layer has reflectivity for the generated radiation of at least 90%, in particular of at least 95% or 98%.
  • a mask layer is applied to the layer stack.
  • the mask layer each covers a first region of the layer stack in the recesses.
  • the layer stack is at least partially removed in each case in a second region in the recesses. Furthermore, the metallic layer is also completely removed in each case in the second region in the recesses.
  • the layer stack has an etch stop layer which is arranged between dielectric layers of the layer stack. For example, the layer stack is removed by an etching process down to the etch stop layer.
  • the etch stop layer is formed here, for example, with an etch-resistant layer.
  • the etch stop layer is a predetermined layer with a predetermined material composition.
  • the layer stack in the second region in the recess is at least partially removed as a function of a predetermined material composition of the etch stop layer.
  • the etch stop layer is not designed to be etch-resistant. If, for example, the specified material composition of the etch stop layer is detected during etching, the etching process is stopped.
  • the first area and the second area each run from a side surface of the recess to a center of the recess.
  • the first area and the second area have the same width. Alternatively, the widths of the first area and the second area are different from each other.
  • a further layer stack is produced in the recesses on the mask layer and the layer stack.
  • the further layer stack can comprise further dielectric layers and / or further intermediate layers.
  • the further stack of layers is completely removed in each case in the first area in the recesses.
  • the metallic layer is also completely removed in each case in the first region in the recesses.
  • the further stack of layers is removed by removing the mask layer. This is, for example, a lift-off process.
  • the semiconductor wafer is separated by the recesses.
  • the semiconductor wafer is separated by the recesses.
  • it is possible to separate between the first area and the second area.
  • it can be separated by a cut through the first area or by a cut through the second area.
  • the layer stack in each case specifies the first reflectivity in the first regions and the layer stack in each case specifies the second reflectivity in the second regions.
  • the stack of layers and the metallic layer each specify the first reflectivity in the first regions, for example, and the stack of layers each specify the second reflectivity in the second regions.
  • the layer stack specifies the first reflectivity in each case, for example in the first regions, and the layer stack and the further layer stack each specify the second reflectivity in the second regions.
  • the stack of layers is designed, for example, in the first area to be highly reflective for the radiation generated in the active area.
  • the first reflectivity has a reflectivity for the radiation generated of at least 90%, in particular of at least 95% or 98%.
  • the stack of layers is, for example in the second area, designed to be antireflective for the radiation generated in the active area.
  • the second reflectivity has a reflectivity for the radiation generated of at most 80%, at most 50% or at most 20%, in particular of at most 1% or at most 0.01%. If, for example, green light is generated, the reflectivity is at most 80%; if, for example, blue light is generated, the reflectivity is at most 50%.
  • the semiconductor components produced in this way can subsequently be separated to form semiconductor chips.
  • FIG. 1 shows a plan view of a semiconductor chip 1 in accordance with an exemplary embodiment with a semiconductor body 2 comprising a web 21. Furthermore, a first contact layer 15 and a second contact layer 16 are arranged on the semiconductor body 2. A recess 11, in which a dielectric layer 17 is arranged, is arranged between the contact layers 15 and 16.
  • the semiconductor body 2 extends from a first end face 9 to a second end face 10.
  • An antireflective layer 13 is arranged on the first end face 9 and a highly reflective mirror layer 12 is arranged on the second end face 10.
  • a resonator 6 extends between a first end region 7 and a second end region 8.
  • the semiconductor body 2 is supplied with constant current through the first contact layer 15, while radiation generated by an active region 3 is modulated through the second contact layer 16.
  • FIG. 2 shows a plan view of a semiconductor chip 1 in accordance with a further exemplary embodiment, in which the resonator 6 extends between a first end face 9 and a second end face 10.
  • the semiconductor chip 1 can be switched on and off by operating the second contact layer 16. In this way, higher switching speeds can advantageously be achieved.
  • FIG. 3 shows a plan view of a semiconductor component 22 in accordance with an exemplary embodiment with four semiconductor chips 1 according to FIG. 2. At least two of the recesses 11 can have different reflectivities. Differences that arise as a result of different thermal coupling of the semiconductor chips 1 can thus be compensated for.
  • the recesses 11 of the semiconductor chips 1 lying on the inside can have a higher reflectivity than the recesses 11 of the semiconductor chips 1 lying on the outside, since these are more poorly cooled and thus have a higher laser threshold.
  • FIG. 4 shows a plan view of a semiconductor component 22 in accordance with an exemplary embodiment with four semiconductor chips 1 which, in contrast to FIG. 1, only have a first contact layer 16.
  • FIGS. 5 and 6 each show a plan view of a semiconductor component 22 according to an exemplary embodiment, the resonators 6 of the semiconductor chips 1 each having different lengths.
  • FIGS. 7, 8 and 9 and FIGS. 10 and 11 show process stages for producing a semiconductor component 22.
  • First recesses 11 are produced at the wafer level (FIG. 7).
  • a dielectric layer 17 is introduced into each of the recesses 11.
  • the semiconductor chips 1 are then separated at the wafer level to form semiconductor components 22.
  • FIGS. 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 and 20 each show a sectional view of a recess 11 in which a dielectric layer 17 is arranged.
  • FIGS. 21, 22, 23, 24, 25, 26 and 27 each show a sectional view of a recess 11 in which a dielectric layer 17 and a further dielectric layer 18 are arranged.
  • FIGS. 28 and 29 each show a sectional view of two recesses 11 in a semiconductor chip 1, in which a dielectric layer 17 is arranged.
  • FIG. 30 shows a sectional view of a recess 11 in which a waveguide structure 19 is arranged.
  • FIGS. 31, 32 and 33 show exemplary diagrams of a reflectivity R for radiation at a recess 11 with a dielectric layer 17, for example S1O2, as shown in FIGS.
  • the width dl is the width of a dielectric layer 17 which is arranged on a side surface of the recess 20.
  • FIGS. 34, 35, 36 and 37 each show exemplary diagrams of a reflectivity R for radiation at a recess 11 with a dielectric layer 17 as a function of a wavelength l of the radiation.
  • n HL is approximately 2.47 in each case.
  • FIG. 34, 35, 36 and 37 each show exemplary diagrams of a reflectivity R for radiation at a recess 11 with a dielectric layer 17 as a function of a wavelength l of the radiation.
  • n HL is approximately 2.47 in each case.
  • the recess has a width
  • FIG. 38 shows an exemplary diagram in which a quotient of n M and n HL as a function of reflectivity R is shown.
  • n M / n HL 1 - 0.08397 * sqrt (R) applies. This relation applies to a completely filled recess 11 according to FIGS. 19 and 20.
  • FIGS. 39 and 40 show process stages for producing a semiconductor component 22.
  • First recesses 11 are first produced in a semiconductor wafer 28 at the wafer level.
  • a stack of layers 23 is introduced into each of the recesses 11 in accordance with the process stages in FIGS. 41, 42, 43 and 44.
  • the semiconductor wafer 28 is then separated at the wafer level to form semiconductor components 22.
  • the semiconductor wafer 28 is turned into semiconductor components 22 at the wafer level by sawing, laser cutting,
  • a stack of layers 23 is produced in recess 11.
  • the layer stack 23 comprises six dielectric layers which are stacked one on top of the other.
  • the dielectric layers are in lateral Directions stacked one on top of the other and on a bottom surface of the recess, the dielectric layers are stacked one on top of the other in the vertical direction.
  • the dielectric layers of the layer stack 23 are deposited one after the other by means of an atomic layer deposition process (ALD) or a chemical one, for example
  • ALD atomic layer deposition process
  • chemical one for example
  • the dielectric layers of the layer stack 23 can also be applied by a sputtering process or a vapor deposition process.
  • the dielectric layers can be applied, for example, from a combination of these processes.
  • the fourth dielectric layer of the six dielectric layers is designed as an etch stop layer 24.
  • the etch stop layer 24 comprises tantalum oxide.
  • a mask layer 25 is applied to the layer stack 23, which mask layer covers a first region 26 of the layer stack 23 in the recess 11. A second region 27 directly adjoining it is free of the mask layer 25.
  • the mask layer 25 is, for example, a photoresist or an etch-resistant protective layer.
  • the dielectric layers of the layer stack 23 in the second region 27 up to the etch stop layer 24 are removed by means of an etching process.
  • the mask layer 25 is subsequently removed.
  • the dielectric layers of the layer stack 23 are not removed by using the mask layer 25.
  • the dielectric layers in the first region 26 are, for example, designed to be highly reflective for radiation generated in the active region.
  • the dielectric layers in the second region 27 are, for example, designed to be antireflective for radiation generated in the active region.
  • the semiconductor chips 1 are separated into semiconductor components 22.
  • the isolation takes place by separating the semiconductor chips 1 in the recess 11, where the first area 26 and the second area 27 adjoin one another.
  • a plurality of semiconductor components 22 are advantageously produced in this way, each having the dielectric layers, which are designed to be highly reflective, at a first end region 7 and the dielectric layers, which are designed to be antireflective, at a second end region 8.
  • a resonator can advantageously be generated particularly easily and precisely.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, mit: einem Halbleiterkörper (2) umfassend einen aktiven Bereich (3), der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist; einem Resonator (6), der einen ersten Endbereich (7) und einen zweiten Endbereich (8) umfasst; und zumindest einer Ausnehmung (11) in dem Halbleiterkörper (2), die den aktiven Bereich (3) vollständig durchdringt, wobei: der aktive Bereich (3) in dem Resonator (6) angeordnet ist, und die Ausnehmung (11) eine Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vorgibt. Des Weiteren werden ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (22), ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1), und ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauteilen (22) angegeben.

Description

Beschreibung
STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR
HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS
Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen verbesserten strahlungsemittierenden Halbleiterchip anzugeben. Außerdem soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben werden.
Diese Aufgaben werden durch einen Halbleiterchip mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 10 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen des Halbleiterchips und des Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterchips sind Gegenstände der jeweils abhängigen Ansprüche.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bereich, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist. Bevorzugt erstreckt sich der Halbleiterkörper in lateraler Richtung zwischen einer ersten Stirnfläche des Halbleiterkörpers und einer zweiten Stirnfläche des Halbleiterkörpers. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist der aktive Bereich in dem Resonator angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip einen Resonator, der einen ersten Endbereich und einen zweiten Endbereich umfasst. Gemäß einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip zumindest eine Ausnehmung in dem Halbleiterkörper, die den aktiven Bereich vollständig durchdringt. Die Ausnehmung weist bevorzugt Seitenflächen auf, die in einer vertikalen Richtung verlaufen .
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips gibt die Ausnehmung eine Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vor. In Abhängigkeit der Reflektivität handelt es sich bei dem Halbleiterchip beispielsweise um eine Halbleiterlaserdiode oder um eine superlumineszente lichtemittierende Diode, kurz SLED. Ist der Halbleiterchip eine SLED, wird die erzeugte Strahlung im Resonator zu superlumineszenter Strahlung verstärkt. Ist der Halbleiterchip eine Laserdiode, wird die erzeugte Strahlung im Resonator zu Laserstrahlung verstärkt.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist im zweiten Endbereich eine hochreflektierende Spiegelschicht auf dem Halbleiterkörper angeordnet. Die hochreflektierende Spiegelschicht weist für in dem aktiven Bereich erzeugte Strahlung bevorzugt eine Reflektivität von wenigstens 95 %, insbesondere wenigstens 99 %, auf.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist die Ausnehmung im ersten Endbereich angeordnet. In dieser Ausführungsform ist die Ausnehmung bevorzugt dazu ausgebildet, Eigenschaften der von dem Halbleiterchip ausgesandten Strahlung einzustellen.
Ist der Hableiterchip eine SLED, weist die Ausnehmung für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung und/oder superlumineszente Strahlung bevorzugt eine Reflektivität von höchstens 10 %, insbesondere höchstens 1 %, auf. Ist der Hableiterchip eine Laserdiode, weist die Ausnehmung für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung und/oder Laserstrahlung bevorzugt eine Reflektivität von höchstens 90 %, insbesondere höchstens 10 %, auf.
Ist die Ausnehmung im ersten Endbereich angeordnet, ist auf der ersten Stirnfläche bevorzugt eine antireflektierende Schicht angeordnet. Die antireflektierende Schicht weist für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung bevorzugt eine Reflektivität von höchstens 1 %, insbesondere höchstens 0,01 %, auf.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist die Ausnehmung zwischen dem ersten Endbereich und dem zweiten Endbereich angeordnet. In dieser Ausführungsform ist die Ausnehmung bevorzugt dazu ausgebildet, Bereiche des Halbleiterchips voneinander elektrisch zu isolieren. Die Ausnehmung weist für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung in dieser Ausführungsform bevorzugt eine Reflektivität von höchstens 1 %, insbesondere von höchstens 0,01 %, auf.
Ist die Ausnehmung zwischen dem ersten Endbereich und dem zweiten Endbereich angeordnet ist auf der ersten Stirnfläche bevorzugt eine teilreflektierende Schicht angeordnet. Die teilreflektierende Schicht weist für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung bevorzugt eine Reflektivität von höchstens 90 %, insbesondere von höchstens 10 %, auf.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist auf dem Halbleiterkörper eine erste Kontaktschicht angeordnet, die dazu ausgebildet ist, einen Strom in den Halbleiterkörper einzuprägen .
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist auf dem Halbleiterkörper eine zweite Kontaktschicht angeordnet. Bei dem Halbleiterchip handelt es sich in dieser Ausführungsform um einen segmentierten Halbleiterlaser.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist die Ausnehmung zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist eine dielektrische Schicht in der Ausnehmung angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips bedeckt die dielektrische Schicht zumindest eine Seitenfläche der Ausnehmung vollständig. Bevorzugt steht die dielektrische Schicht in direktem Kontakt mit der Seitenfläche der Ausnehmung .
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist die dielektrische Schicht beabstandet zu jeder Seitenfläche der Ausnehmung angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist eine weitere dielektrische Schicht auf der dielektrischen Schicht angeordnet. Die weitere dielektrische Schicht steht bevorzugt mit der dielektrischen Schicht in direktem Kontakt.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist die weitere dielektrische Schicht auf zumindest einer Seitenfläche der Ausnehmung angeordnet. Beispielsweise ist zwischen der weiteren dielektrischen Schicht und der Seitenfläche der Ausnehmung die dielektrische Schicht angeordnet. Alternativ steht die weitere dielektrische Schicht in direktem Kontakt mit der Seitenfläche der Ausnehmung .
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist die weitere dielektrische Schicht beabstandet zu jeder Seitenfläche der Ausnehmung angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist in der Ausnehmung, in der die dielektrische Schicht und/oder die weitere dielektrische Schicht angeordnet ist, eine Wellenleitstruktur angeordnet. Die Wellenleitstruktur weist bevorzugt gleiche Brechungsindizes wie der Halbleiterkörper auf.
Zudem wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil angegeben, das zumindest zwei der hier beschriebenen Halbleiterchips umfasst. Die Halbleiterchips sind gemäß einer Ausführungsform in lateraler Richtung nebeneinander angeordnet .
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben, mit dem ein hier beschriebener Halbleiterchip hergestellt werden kann.
Sämtliche in Verbindung mit dem Halbleiterchip offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem Verfahren und/oder dem Halbleiterbauteil anwendbar und umgekehrt. Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Halbleiterkörper umfassend einen aktiven Bereich bereitgestellt, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Ausnehmung in dem Halbleiterkörper erzeugt, die den aktiven Bereich vollständig durchdringt. Bevorzugt wird eine Soll- Breite dSoii der Ausnehmungen durch folgende Formel ermittelt: dSoii = m* l / (nHL (4-0,33588*sqrt(R))), wobei m eine ungerade natürliche Zahlt, l eine Wellenlänge der Strahlung in der Ausnehmung, nHL ein Brechungsindex des Halbleiterkörpers und R eine Reflektivität ist, die vorgegeben werden soll. Weiterhin gilt für nHL eine Toleranz von höchstens +-10% und für dSoii eine Toleranz von höchstens +-50%.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Resonator erzeugt, der einen ersten Endbereich und einen zweiten Endbereich umfasst, wobei der aktive Bereich in dem Resonator angeordnet ist.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens gibt die Ausnehmung eine Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vor. Bevorzugt wird nach dem Erzeugen der Ausnehmung eine Breite in lateraler Richtung der Ausnehmung ermittelt. Beispielsweise ist die Ausnehmung geätzt und bevorzugt breiter als X/4. Die Ausnehmung weist z.B. die Breite von höchstens 10 gm, insbesondere höchstens 2 gm, auf. Nach dem Ermitteln der Breite der Ausnehmung wird eine Breite der aufzubringenden dielektrischen Schicht und/oder eine Breite der aufzubringenden weiteren dielektrischen Schicht in Abhängigkeit der Breite der Ausnehmung, z.B. durch eine Transfermatrixmethode, ermittelt. Prozessschwankungen hinsichtlich einer Reflektivität an Spaltkanten oder Ausnehmungen können durch das angegebene Verfahren mit Vorteil nachträglich ausgeglichen werden, wodurch sich bessere Ausbeuten und damit geringere Kosten ergeben.
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen angegeben, mit dem ein hier beschriebenes Halbleiterbauteil hergestellt werden kann. Sämtliche in Verbindung mit dem Verfahren offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips, dem Halbleiterchip und/oder dem Halbleiterbauteil anwendbar und umgekehrt .
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Halbleiterwafer umfassend aktive Bereiche, die jeweils zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet sind, bereitgestellt.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens werden Ausnehmungen in dem Halbleiterwafer erzeugt, die die aktiven Bereiche jeweils vollständig durchdringen. Beispielsweise sind die Ausnehmungen matrixartig, entlang von Reihen und Spalten, angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens werden Resonatoren erzeugt, die jeweils einen ersten Endbereich und einen zweiten Endbereich umfassen, wobei jeweils einer der aktiven Bereiche in jeweils einem der Resonatoren angeordnet ist.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterwafer zu Halbleiterbauteilen vereinzelt. Beispielsweise wird der Halbleiterwafer durch Sägen, Lasertrennen, Stealthdicing oder Brechen vereinzelt.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens geben die Ausnehmungen, die jeweils an einen der Resonatoren angrenzen, in dem ersten Endbereich eine erste Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vor und in dem zweiten Endbereich eine zweite Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vor.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Schichtenstapel in den Ausnehmungen erzeugt. Der Schichtenstapel umfasst beispielsweise einen Stapel von mehreren dielektrischen Schichten. Zwischen den dielektrischen Schichten des Schichtenstapels können weiterhin eine oder mehrere Zwischenschichten angeordnet sein, wie beispielsweise eine Metallschicht oder eine Halbeiterschicht. Zusätzlich oder alternativ kann die Zwischenschicht auch auf einer äußeren dielektrischen Schicht des Schichtenstapels angeordnet sein. Die dielektrischen Schichten des Schichtenstapels sind zumindest teilweise verschieden voneinander ausgebildet. Die dielektrischen Schichten des Schichtenstapels umfassen beispielsweise zumindest teilweise unterschiedliche Materialien und/oder sind zumindest teilweise unterschiedlich dick ausgebildet.
Weiterhin kann nachfolgend eine metallische Schicht auf dem Schichtenstapel in den Ausnehmungen erzeugt werden. Die metallische Schicht umfasst oder besteht aus zumindest einem Metall. Die metallische Schicht ist beispielsweise reflektierend für die erzeugte Strahlung ausgebildet. In diesem Fall weist die metallische Schicht eine Reflektivität für die erzeugte Strahlung von wenigstens 90 %, insbesondere von wenigstens 95 % oder 98 %, auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Maskenschicht auf den Schichtenstapel aufgebracht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens bedeckt die Maskenschicht jeweils einen ersten Bereich des Schichtenstapels in den Ausnehmungen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Schichtenstapel jeweils in einem zweiten Bereich in den Ausnehmungen zumindest teilweise entfernt. Weiterhin wird auch die metallische Schicht jeweils in dem zweiten Bereich in den Ausnehmungen vollständig entfernt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Schichtenstapel eine Ätzstoppschicht auf, die zwischen dielektrischen Schichten des Schichtenstapels angeordnet ist. Beispielsweise wird der Schichtenstapel durch ein Ätzverfahren bis zur Ätzstoppschicht entfernt.
Die Ätzstoppschicht ist hierbei zum Beispiel mit einer ätzresistenten Schicht gebildet. Alternativ ist die Ätzstoppschicht eine vorgegebene Schicht mit einer vorgegebenen Materialzusammensetzung. In diesem Fall wird der Schichtenstapel in dem zweiten Bereich in der Ausnehmung zumindest teilweise in Abhängigkeit einer vorgegebenen Materialzusammensetzung der Ätzstoppschicht entfernt. Beispielsweise ist die Ätzstoppschicht nicht ätzresistent ausgebildet. Wird beim Ätzen beispielsweise die vorgegebene Materialzusammensetzung der Ätzstoppschicht detektiert, wird der Ätzvorgang gestoppt. Der erste Bereich und der zweite Bereich verlaufen jeweils von einer Seitenfläche der Ausnehmung zu einem Zentrum der Ausnehmung. Beispielsweise weisen sind der erste Bereich und der zweite Bereich gleich breit ausgebildet. Alternativ sind die Breiten des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs verschieden voneinander.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf die Maskenschicht und dem Schichtenstapel ein weiterer Schichtenstapel in den Ausnehmungen erzeugt. Der weitere Schichtenstapel kann weitere dielektrische Schichten und/oder weitere Zwischenschichten umfassen. Der weitere Schichtenstapel wird jeweils in dem ersten Bereich in den Ausnehmungen vollständig entfernt. Beispielsweise wird auch die metallische Schicht jeweils in dem ersten Bereich in den Ausnehmungen vollständig entfernt. In diesem Fall wird der weitere Schichtenstapel durch Entfernen der Maskenschicht entfernt. Hierbei handelt es sich beispielsweise um einen Lift-off Prozess.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterwafer durch die Ausnehmungen vereinzelt. Beispielsweise kann zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich vereinzelt werden. Alternativ kann durch einen Schnitt durch den ersten Bereich vereinzelt werden oder durch einen Schnitt durch den zweiten Bereich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens gibt der Schichtenstapel in den ersten Bereichen jeweils die erste Reflektivität vor und der Schichtenstapel in den zweiten Bereichen jeweils die zweite Reflektivität vor. Alternativ geben der Schichtenstapel und die metallische Schicht beispielsweise in den ersten Bereichen jeweils die erste Reflektivität vor und der Schichtenstapel in den zweiten Bereichen jeweils die zweite Reflektivität vor.
Alternativ gibt der Schichtenstapel beispielsweise in den ersten Bereichen jeweils die erste Reflektivität vor und der Schichtenstapel und der weitere Schichtenstapel gibt in den zweiten Bereichen jeweils die zweite Reflektivität vor.
Der Schichtenstapel ist beispielsweise im ersten Bereich hochreflektierend für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung ausgebildet. In diesem Fall weist die erste Reflektivität eine Reflektivität für die erzeugte Strahlung von wenigstens 90 %, insbesondere von wenigstens 95 % oder 98 %, auf.
Der Schichtenstapel ist beispielsweise im zweiten Bereich antireflektierend für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung ausgebildet. In diesem Fall weist die zweite Reflektivität eine Reflektivität für die erzeugte Strahlung von höchstens 80 %, höchstens 50 % oder höchstens 20 %, insbesondere von höchstens 1 % oder höchstens 0,01 %, auf. Wird beispielsweise grünes Licht erzeugt ist die Reflektivität höchstens 80 %, wird beispielsweise blaues Licht erzeugt ist die Reflektivität höchstens 50 %.
Die so erzeugten Halbleiterbauteile können nachfolgend zu Hableiterchips vereinzelt werden.
Im Folgenden werden der hier beschriebene Halbleiterchip, das Halbleiterbauteil und das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert .
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Halbleiterchip 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel mit einem Halbleiterkörper 2 umfassend einen Steg 21. Weiterhin sind auf dem Halbleiterkörper 2 eine erste Kontaktschicht 15 und eine zweite Kontaktschicht 16 angeordnet. Zwischen den Kontaktschichten 15 und 16 ist eine Ausnehmung 11 angeordnet, in der eine dielektrische Schicht 17 angeordnet ist. Der Halbleiterkörper 2 erstreckt sich von einer ersten Stirnfläche 9 zu einer zweiten Stirnfläche 10. Auf der ersten Stirnfläche 9 ist eine antireflektierende Schicht 13 angeordnet und auf der zweiten Stirnfläche 10 eine hochreflektierende Spiegelschicht 12. Zudem erstreckt sich ein Resonator 6 zwischen einem ersten Endbereich 7 und einen zweiten Endbereich 8.
Durch die erste Kontaktschicht 15 wird der Halbleiterkörper 2 mit konstantem Strom versorgt, während durch die zweite Kontaktschicht 16 von einem aktiven Bereich 3 erzeugte Strahlung moduliert wird.
Figur 2 zeigt eine Draufsicht auf einen Halbleiterchip 1 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, bei dem sich der Resonator 6 zwischen einer ersten Stirnfläche 9 und einer zweiten Stirnfläche 10 erstreckt. Beispielsweise kann der Halbleiterchip 1 durch Betreiben der zweiten Kontaktschicht 16 ein- und ausgeschaltet werden. Damit lassen sich vorteilhafterweise höhere Schaltgeschwindigkeiten erzielen.
Figur 3 zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil 22 gemäß einem Ausführungsbeispiel mit vier Halbleiterchips 1 gemäß der Figur 2. Zumindest zwei der Ausnehmungen 11 können verschiedene Reflektivitäten aufweisen. Damit können Unterschiede ausgeglichen werden, die durch unterschiedliche thermische Ankopplung der Halbleiterchips 1 entstehen. Die Ausnehmungen 11 der innen liegenden Halbleiterchips 1 können eine höhere Reflektivität aufweisen als die Ausnehmungen 11 der außen liegenden Halbleiterchips 1, da diese schlechter gekühlt werden und somit eine höhere Laserschwelle aufweisen.
Figur 4 zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil 22 gemäß einem Ausführungsbeispiel mit vier Halbleiterchips 1, die im Unterschied zur Figur 1 ausschließlich eine erste Kontaktschicht 16 aufweisen.
Figuren 5 und 6 zeigen jeweils eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil 22 gemäß einem Ausführungsbeispiel, wobei die Resonatoren 6 der Halbleiterchips 1 jeweils unterschiedliche Längen aufweisen.
Figuren 7, 8 und 9 und Figuren 10 und 11 zeigen Verfahrensstadien zur Herstellung eines Halbeiterbauteils 22. Auf Waverlevel werden zunächst erste Ausnehmungen 11 erzeugt (Figur 7). In die Ausnehmungen 11 wird jeweils eine dielektrische Schicht 17 eingebracht. Nachfolgend werden die Halbleiterchips 1 auf Waverlevel zu Halbeiterbauteilen 22 vereinzelt .
Figuren 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 und 20 zeigen jeweils eine Schnittansicht einer Ausnehmung 11, in der eine dielektrische Schicht 17 angeordnet ist. Die Figuren 21, 22, 23, 24, 25, 26 und 27 zeigen jeweils eine Schnittansicht einer Ausnehmung 11, in der eine dielektrische Schicht 17 und eine weitere dielektrische Schicht 18 angeordnet ist. Die Figuren 28 und 29 zeigen jeweils eine Schnittansicht von zwei Ausnehmungen 11 in einem Halbleiterchip 1, in der eine dielektrische Schicht 17 angeordnet ist.
Die Figur 30 zeigt eine Schnittansicht einer Ausnehmung 11, in der eine Wellenleiterstruktur 19 angeordnet ist.
Figuren 31, 32 und 33 zeigen exemplarische Diagramme einer Reflektivität R für Strahlung an einer Ausnehmung 11 mit einer dielektrischen Schicht 17, beispielsweise S1O2, wie in Figuren 12 und 13 dargestellt. Die Breite dl ist die Breite einer dielektrischen Schicht 17, die auf einer Seitenfläche der Ausnehmung 20 angeordnet ist. In Figur 31 ist die Breite der Ausnehmung d = dl+d2+dl = 500 nm, ein Brechungsindex des Halbleiterkörpers nHL = 2,4 und ein Brechungsindex der dielektrischen Schicht nM = 1,5. Im Unterschied dazu ist in Figur 31 die Breite der Ausnehmung d = dl+d2+dl = 560 nm und in Figur 33 d = dl+d2+dl = 620 nm. Bevorzugt wird eine Breite dl gewählt, bei der sich ein lokales Maximum oder Minimum der Reflektivität ergibt, sodass sich kleine Änderungen der Breite nicht wesentlich auf die Reflektivität auswirken.
Figuren 34, 35, 36 und 37 zeigen jeweils exemplarische Diagramme einer Reflektivität R für Strahlung an einer Ausnehmung 11 mit einer dielektrischen Schicht 17 in Abhängigkeit einer Wellenlänge l der Strahlung. Hierbei ist nHL jeweils in etwa 2,47. In Figur 34 weist die Ausnehmung eine Breite d = 570 nm auf, wobei eine Breite dl und d3 einer dielektrischen Schicht 17, z.B. S1O2 mit nM = 1,47, jeweils 41 nm aufweist. In Figur 35 weist die Ausnehmung eine Breite d = 600 nm auf, wobei eine Breite dl einer dielektrischen Schicht 17, z.B. S1O2 mit nM = 1,47, 9 nm aufweist und eine Breite d3 einer weiteren dielektrischen Schicht 18, z.B. SiN mit nM = 2,08, 22 nm aufweist. Im Unterschied zu Figur 35 weist die Ausnehmung eine Breite d = 630 nm auf, wobei eine Breite dl einer dielektrischen Schicht 17, z.B. S1O2 mit nM = 1,47, 165 nm aufweist und eine Breite d3 einer weiteren dielektrischen Schicht 18, z.B. SiN mit nM = 2,08, 51 nm aufweist. In Figur 37 weist die Ausnehmung eine Breite d =
630 nm auf, wobei eine Breite dl und d3 einer dielektrischen Schicht 17, z.B. SiN mit nM = 2,08, jeweils 41 nm aufweist.
Figur 38 zeigt ein exemplarisches Diagramm, bei dem ein Quotient aus nM und nHL in Abhängigkeit der Reflektivität R dargestellt ist. Hierbei gilt nM/nHL = 1 - 0,08397 * sqrt(R). Diese Relation gilt für eine vollständig gefüllte Ausnehmung 11 gemäß den Figuren 19 und 20.
Figuren 39 und 40 zeigen Verfahrensstadien zur Herstellung eines Halbeiterbauteils 22. Auf Waverlevel werden zunächst erste Ausnehmungen 11 in einem Halbleiterwafer 28 erzeugt. In die Ausnehmungen 11 wird jeweils ein Schichtenstapel 23 gemäß den Verfahrensstadien der Figuren 41, 42, 43 und 44 eingebracht. Nachfolgend wird der Halbleiterwafer 28 auf Waverlevel zu Halbeiterbauteilen 22 vereinzelt.
Beispielsweise wird der Halbleiterwafer 28 auf Waverlevel zu Halbeiterbauteilen 22 durch Sägen, Lasertrennen,
Stealthdicing oder Brechen vereinzelt.
Gemäß der Figur 41 wird ein Schichtenstapel 23 in der Ausnehmung 11 erzeugt. Der Schichtenstapel 23 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel sechs dielektrische Schichten, die übereinander gestapelt sind. Auf einer Seitenfläche der Ausnehmung 20 sind die dielektrischen Schichten in lateralen Richtungen übereinander gestapelt und auf einer Bodenfläche der Ausnehmung sind die dielektrischen Schichten in vertikaler Richtung übereinander gestapelt.
Die dielektrischen Schichten des Schichtenstapels 23 werden beispielsweise nacheinander mittels eines Atomlagenabscheidungsprozesses (englisch „atomic layer deposition", ALD) oder eines chemischen
Gasphasenabscheidungsverfahrens (englisch „Chemical vapour deposition", CVD) auf dem Halbleiterkörper 2 abgeschieden. Alternativ können die dielektrischen Schichten des Schichtenstapels 23 auch durch einen Sputterprozess oder einen Bedampfungsprozess aufgebracht werden. Die dielektrischen Schichten können beispielsweise aus einer Kombination dieser Prozesse aufgebracht werden.
In diesem Ausführungsbeispiel ist die vierte dielektrische Schicht der sechs dielektrischen Schichten als Ätzstoppschicht 24 ausgebildet. Beispielsweise umfasst die Ätzstoppschicht 24 Tantaloxid.
Gemäß der Figur 42 wird auf dem Schichtenstapel 23 eine Maskenschicht 25 aufgebracht, die einen ersten Bereich 26 des Schichtenstapels 23 in der Ausnehmung 11 bedeckt. Ein direkt daran angrenzender zweiter Bereich 27 ist frei von der Maskenschicht 25. Bei der Maskenschicht 25 handelt es sich beispielsweise um einen Photolack oder eine ätzresistente Schutzschicht .
Nachfolgend, werden die dielektrischen Schichten des Schichtenstapels 23 im zweiten Bereich 27 bis zur Ätzstoppschicht 24 mittels eines Ätzverfahrens entfernt. Gemäß der Figur 43 wird nachfolgend die Maskenschicht 25 entfernt. Im ersten Bereich 26 sind die dielektrischen Schichten des Schichtenstapels 23 durch Verwendung der Maskenschicht 25 nicht entfernt.
Die dielektrischen Schichten im ersten Bereich 26 sind beispielsweise hochreflektierend für in dem aktiven Bereich erzeugte Strahlung ausgebildet. Die dielektrischen Schichten im zweiten Bereich 27 sind beispielsweise antireflektierend für in dem aktiven Bereich erzeugte Strahlung ausgebildet.
Gemäß der Figur 44 werden die Halbleiterchips 1 zu Halbeiterbauteilen 22 vereinzelt. Die Vereinzelung erfolgt durch Trennung der Halbleiterchips 1 in der Ausnehmung 11, wo der erste Bereich 26 und der zweite Bereich 27 aneinander angrenzen .
Vorteilhafterweise werden so eine Vielzahl an Halbeiterbauteilen 22 erzeugt, die jeweils an einem ersten Endbereich 7 die dielektrischen Schichten aufweisen, die hochreflektierend ausgebildet sind, und an einem zweiten Endbereich 8 die dielektrischen Schichten aufweisen, die antireflektierend ausgebildet sind. Damit ist ein Resonator mit Vorteil besonders einfach und genau erzeugbar.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102020 205 940.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Bezugszeichenliste
1 strahlungsemittierender Halbleiterchip
2 Halbleiterkörper
3 aktiver Bereich
4 erste Halbleiterschichtenfolge
5 zweite Halbleiterschichtenfolge
6 Resonator
7 erster Endbereich
8 zweiter Endbereich
9 erste Stirnfläche
10 zweite Stirnfläche
11 Ausnehmung
12 hochreflektierende Spiegelschicht
13 antireflektierende Schicht
14 teilreflektierende Schicht
15 erste Kontaktschicht
16 zweite Kontaktschicht
17 dielektrische Schicht
18 weitere dielektrische Schicht
19 Wellenleiterstruktur
20 Seitenfläche der Ausnehmung
21 Steg
22 strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
23 Schichtenstapel
24 Ätzstoppschicht
25 Maskenschicht
26 erster Bereich
27 zweiter Bereich
28 Halbleiterwafer nHL Brechungsindex des Halbleiterkörpers nM Brechungsindex der dielektrischen Schicht d Breite der Ausnehmung dl...d6 Breiten l Wellenlänge

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1), mit
- einem Halbleiterkörper (2) umfassend einen aktiven Bereich (3), der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist,
- einem Resonator (6), der einen ersten Endbereich (7) und einen zweiten Endbereich (8) umfasst, und
- zumindest einer Ausnehmung (11) in dem Halbleiterkörper (2), die den aktiven Bereich (3) vollständig durchdringt, wobei
- der aktive Bereich (3) in dem Resonator (6) angeordnet ist, und
- die Ausnehmung (11) eine Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vorgibt.
2. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem
- im zweiten Endbereich (8) eine hochreflektierende Spiegelschicht (12) auf dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist, und
- die Ausnehmung (11) im ersten Endbereich (7) angeordnet ist, oder
- die Ausnehmung (11) zwischen dem ersten Endbereich (7) und dem zweiten Endbereich (8) angeordnet ist.
3. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf dem Halbleiterkörper eine erste Kontaktschicht (15) angeordnet ist, die dazu ausgebildet ist einen Strom in den Halbleiterkörper einzuprägen.
4. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem
- auf dem Halbleiterkörper (2) eine zweite Kontaktschicht
(16) angeordnet ist,
- die erste Kontaktschicht (15) in lateraler Richtung beabstandet zur zweiten Kontaktschicht (16) ist, und
- die Ausnehmung (11) zwischen der ersten Kontaktschicht (15) und der zweiten Kontaktschicht (16) angeordnet ist.
5. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine dielektrische Schicht
(17) in der Ausnehmung (11) angeordnet ist.
6. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die dielektrische Schicht (17) zumindest eine Seitenfläche der Ausnehmung (20) vollständig bedeckt, oder
- die dielektrische Schicht (17) beabstandet zu jeder Seitenfläche der Ausnehmung (20) angeordnet ist.
7. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- eine weitere dielektrische Schicht (18) auf der dielektrischen Schicht (17) angeordnet ist, und/oder
- die weitere dielektrische Schicht (18) auf zumindest einer Seitenfläche der Ausnehmung (20) angeordnet ist, oder
- die weitere dielektrische Schicht (18) beabstandet zu jeder Seitenfläche der Ausnehmung (20) angeordnet ist.
8. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 5 und 6, bei dem in der Ausnehmung (11), in der die dielektrische Schicht (17) und/oder die weitere dielektrische Schicht (18) angeordnet ist, eine Wellenleiterstruktur (19) angeordnet ist.
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (22), mit
- zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
- die Halbleiterchips (1) in lateraler Richtung nebeneinander angeordnet sind.
10. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1), mit den Schritten:
- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (2) umfassend einen aktiven Bereich (3), der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist,
- Erzeugen einer Ausnehmung (11) in dem Halbleiterkörper (2), die den aktiven Bereich (3) vollständig durchdringt,
- Erzeugen eines Resonators (6), der einen ersten Endbereich (7) und einen zweiten Endbereich (8) umfasst, wobei der aktive Bereich (3) in dem Resonator (6) angeordnet ist, wobei
- die Ausnehmung (11) eine Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vorgibt.
11. Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauteilen (22), mit den Schritten:
- Bereitstellen eines Halbleiterwafers (28) umfassend aktive Bereiche (3), die jeweils zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet sind,
- Erzeugen von Ausnehmungen (11) in dem Halbleiterwafer (28), die die aktiven Bereiche (3) jeweils vollständig durchdringen,
- Erzeugen von Resonatoren (6), die jeweils einen ersten Endbereich (7) und einen zweiten Endbereich (8) umfassen, wobei jeweils einer der aktiven Bereiche (3) in jeweils einem der Resonatoren (6) angeordnet ist,
- Vereinzeln des Halbleiterwafers (28) zu Halbleiterbauteilen (22), wobei
- die Ausnehmungen (11), die jeweils an einen der Resonatoren (6) angrenzen, in dem ersten Endbereich (7) eine erste
Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vorgeben und in dem zweiten Endbereich (7) eine zweite Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung vorgeben.
12. Verfahren gemäß dem Anspruch 11, wobei
- ein Schichtenstapel (23) in den Ausnehmungen (11) erzeugt wird.
13. Verfahren gemäß dem Anspruch 12, wobei
- eine Maskenschicht (25) auf den Schichtenstapel (23) aufgebracht wird, und
- die Maskenschicht (25) jeweils einen ersten Bereich (26) des Schichtenstapels (23) in den Ausnehmungen (11) bedeckt.
14. Verfahren gemäß dem Anspruch 13, wobei
- der Schichtenstapel (23) jeweils in einem zweiten Bereich (27) in den Ausnehmungen (11) zumindest teilweise entfernt wird.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei
- der Schichtenstapel (23) eine Ätzstoppschicht aufweist, die zwischen dielektrischen Schichten des Schichtenstapels (23) angeordnet ist.
16. Verfahren gemäß dem Anspruch 13, wobei - auf die Maskenschicht und den Schichtenstapel (23) ein weiterer Schichtenstapel in den Ausnehmungen (11) erzeugt wird, und
- der weitere Schichtenstapel jeweils in dem ersten Bereich (26) in den Ausnehmungen (11) vollständig entfernt wird.
17. Verfahren gemäß dem Anspruch 14, wobei
- der Halbleiterwafer (28) durch die Ausnehmungen (11) vereinzelt wird, und - der Schichtenstapel (23) in den ersten Bereichen (26) jeweils die erste Reflektivität vorgibt und der Schichtenstapel (23) in den zweiten Bereichen (27) jeweils die zweite Reflektivität vorgibt.
PCT/EP2021/062303 2020-05-12 2021-05-10 Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips WO2021228755A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112021002697.6T DE112021002697A5 (de) 2020-05-12 2021-05-10 Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
US17/924,288 US20230197893A1 (en) 2020-05-12 2021-05-10 Radiation-emitting semiconductor chip and method for producing a radiation-emitting semiconductor chip
JP2022568773A JP7480350B2 (ja) 2020-05-12 2021-05-10 ビーム放射半導体チップおよびビーム放射半導体チップの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020205940 2020-05-12
DE102020205940.3 2020-05-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021228755A1 true WO2021228755A1 (de) 2021-11-18

Family

ID=75888062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2021/062303 WO2021228755A1 (de) 2020-05-12 2021-05-10 Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230197893A1 (de)
JP (1) JP7480350B2 (de)
DE (1) DE112021002697A5 (de)
WO (1) WO2021228755A1 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2302747A1 (de) * 2008-06-06 2011-03-30 General Nano Optics Limited Diodenlaser, integraler diodenlaser und integraler optischer halbleiterverstärker
US20190221999A1 (en) * 2018-01-18 2019-07-18 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and light emitting device
DE102018111319A1 (de) * 2018-05-11 2019-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US20190356108A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Horiba, Ltd. Method of manufacturing semiconductor laser element, and semiconductor laser device thereof and gas analyzer
WO2020144226A1 (de) * 2019-01-10 2020-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2302747A1 (de) * 2008-06-06 2011-03-30 General Nano Optics Limited Diodenlaser, integraler diodenlaser und integraler optischer halbleiterverstärker
US20190221999A1 (en) * 2018-01-18 2019-07-18 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and light emitting device
DE102018111319A1 (de) * 2018-05-11 2019-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US20190356108A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Horiba, Ltd. Method of manufacturing semiconductor laser element, and semiconductor laser device thereof and gas analyzer
WO2020144226A1 (de) * 2019-01-10 2020-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

Also Published As

Publication number Publication date
JP7480350B2 (ja) 2024-05-09
US20230197893A1 (en) 2023-06-22
JP2023525125A (ja) 2023-06-14
DE112021002697A5 (de) 2023-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2454763B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines anorganischen optoelektronischen halbleiterbauteils
DE69909214T2 (de) Halbleitervorrichtung mit ausgerichteten Oxidöffnungen und Kontaktierung einer Zwischenschicht
DE69909343T2 (de) Halbleiterlaser mit Schutz gegen elektrostatische Entladungen
DE102018111319A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2017121701A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE102017117135A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Laserdioden und Laserdiode
WO2005055379A1 (de) Lichtemittierendes halbleiterbauelement mit einer schutzdiode
DE2447536C2 (de) Halbleiterlaser
DE112013004761B4 (de) Verfahren zum Vereinzeln von Bereichen einer Halbleiterschicht
DE112016000371B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip
WO2021228755A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE102019116862B4 (de) Techniken zur oxidation von oberflächenemittierenden lasern mit vertikalem hohlraum
EP1906497B1 (de) Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP0177828B1 (de) Verbesserung zu einem Monomoden-Diodenlaser
EP1261989B1 (de) Metall-isolator-metall-kondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE102019126506A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip
DE102013204192A1 (de) Halbleiterlaser mit verbesserter Indexführung
DE102019103638A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102018125493A1 (de) Kantenemittierender halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines kantenemittierenden halbleiterlasers
WO2021032512A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines solchen
WO2023247288A1 (de) Laserdiodenbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines laserdiodenbauelements
WO2022122347A1 (de) Halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers
WO2023104457A1 (de) Laserdiodenbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines laserdiodenbauelements
DE10245632B4 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2022223402A1 (de) Verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterchips und licht emittierender halbleiterchip

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21724679

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022568773

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112021002697

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21724679

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1