WO2021187964A1 - 금속 소결체의 형성 방법 - Google Patents

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    • Y02E30/10—Nuclear fusion reactors

Definitions

  • the present invention relates to a method of forming a sintered metal, and more particularly, to a method of forming a sintered metal capable of suppressing carburization and oxidation.
  • Tungsten is the most resistant to heat among metal elements (atomic number: 74, melting point: 3,410 °C), high temperature and wear resistance are required, and is used in extreme situations. is becoming In particular, due to its low coefficient of thermal expansion and excellent high-temperature mechanical properties, it is currently in the spotlight as a material used in extreme environments as aircraft structural materials, military structural materials, and nuclear fusion facing materials. However, in the case of tungsten, its application is limited because it exhibits high brittle behavior at room temperature due to its high ductile-brittle transition temperature (DBTT). The DBTT temperature and room temperature brittle physical properties further deteriorate the physical properties of tungsten as it acts as a crack propagation path in the presence of fine oxides and carbides inside tungsten.
  • DBTT ductile-brittle transition temperature
  • tungsten At high temperatures, tungsten (W) is very easy to form carbides and oxides, and easily forms a brittle phase in the form of W 1-x C x , W 1-y O y . Therefore, in order to compensate for the above disadvantages, it is necessary to minimize contamination of impurities (C, O, etc.) that may occur during manufacturing of a tungsten material. However, it is quite difficult to precisely control such impurities in the process.
  • the technical problem to be achieved by the technical idea of the present invention is to provide a method of forming a metal sintered body that is considerably simpler than the conventional manufacturing technology and can realize great energy savings in the process by using a balance between thermodynamics and kinetics.
  • these tasks are exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.
  • the third step is to prevent carbon diffusion into the metal sintered body by carburizing to prevent the formation of carbides of the first metal, the carbide of the second metal is formed in the foil and the third step may include forming an oxide of the second metal in the foil to prevent oxygen from diffusing into the metal sintered body to form an oxide of the first metal.
  • the rate at which carbon diffuses in the foil may be lowered after the carbide of the second metal is formed in the third step.
  • a carbide of the second metal may be formed at an interface of the foil adjacent to the metal sintered body.
  • the mold may include a graphite mold, and the sintering process may include a discharge active sintering process performed in a vacuum chamber having an internal oxygen partial pressure.
  • a method of forming a sintered metal comprising a.
  • the third step is to prevent carbon diffusion into the tungsten sintered body by carburizing to prevent tungsten carbide from being formed, tantalum carbide (Ta 2 C) is formed in the tantalum foil. and the third step may include forming tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) in the tantalum foil to prevent oxygen from diffusing into the tungsten sintered body and forming tungsten oxide. have.
  • the second step is the tantalum foil and the graphite
  • the method may include further interposing a carbon-containing foil between the molds.
  • the sintering process may include a discharge active sintering process performed in a vacuum chamber having an internal oxygen partial pressure.
  • the present invention it may be possible to effectively suppress impurities that may be introduced during the process by utilizing thermodynamic and kinetic relationships in the manufacture of various materials using the discharge active sintering (SPS) process.
  • SPS discharge active sintering
  • SPS discharge active sintering
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the thermodynamic relationship for the compound forming between W, Mo, and Ta and C (graphite)
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the thermodynamic relationship for the compound forming between W, Mo, and Ta and O 2 (g). It is a drawing.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a sintering apparatus applied to the method of forming a sintered metal according to Experimental Example 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a sintering apparatus applied to a method of forming a metal sintered body according to Experimental Examples 2 to 4 of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic side view of a graphite mold for carbon/oxygen penetration and discharge active sintering (SPS) in the method for forming a metal sintered body according to an experimental example of the present invention, and a cylindrical surface as a microstructure observation area. .
  • SPS carbon/oxygen penetration and discharge active sintering
  • FIG. 6 is a view showing the results of analyzing the area of the yellow dotted line box (Cylindrical surface) shown in FIG. 5 by SEM (BSE mode).
  • FIG. 9 is a graph illustrating solid solubility of carbon in a method of forming a metal sintered body according to an experimental example of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an Ellingum diagram of Mo, Ta, and W in a method of forming a sintered metal according to an experimental example of the present invention.
  • a method of forming a metal sintered body includes a first step of disposing a powder made of a first metal in a mold; a second step of interposing a foil made of a second metal between the powder and the mold; and a third step of forming a metal sintered body from the powder by a sintering process; wherein the second metal has a higher carbon affinity and oxygen affinity than the first metal, and wherein the carbon diffusion coefficient in the carbide of the second metal is lower than the carbon diffusion coefficient in the second metal. do. Furthermore, the carbon diffusion coefficient in the second metal is higher than the carbon diffusion coefficient in the first metal, and the carbon diffusion coefficient in the carbide of the first metal is higher than the carbon diffusion coefficient in the carbide of the second metal. characterized by high.
  • the first metal may include tungsten (W)
  • the second metal may include tantalum (Ta) or molybdenum (Mo).
  • the third step in the method of forming a sintered metal body according to an embodiment of the present invention is to prevent carbon diffusion into the inside of the metal sintered body by carburizing to prevent the formation of carbides of the first metal in the foil. It may include the step of forming a carbide of the metal. That is, the carbide of the second metal is formed in the foil by carburizing in the third step, so that carbon is diffused into the metal sintered body to prevent the carbide of the first metal from being formed.
  • the carbide of the second metal may also be formed at an interface of the foil adjacent to the metal sintered body.
  • the third step in the method for forming a metal sintered body according to an embodiment of the present invention is to prevent oxygen from diffusing into the metal sintered body to prevent the formation of an oxide of the first metal, the oxide of the second metal in the foil
  • This may include the step of forming. That is, the oxide of the second metal is formed in the foil by oxidation in the third step, thereby preventing oxygen from diffusing into the sintered metal and forming the oxide of the first metal.
  • the second of the third step After the carbide of the metal is formed since the carbon diffusion coefficient in the carbide of the second metal is lower than the carbon diffusion coefficient in the second metal, the second of the third step After the carbide of the metal is formed, the rate of diffusion of carbon in the foil may be lower. Further, the carbon diffusion coefficient in the carbide of the second metal is lower than the carbon diffusion coefficient in the second metal, so the rate at which carbon in the foil is diffused as more carbides of the second metal are formed in the third step may be lower.
  • the mold may include a graphite mold, and the sintering process may include a discharge active sintering process performed in a vacuum chamber having an internal oxygen partial pressure.
  • the carburization / oxidation that may occur from the low oxygen partial pressure of the graphite mold and the vacuum chamber is suppressed to produce a material of a metal sintered body.
  • impurities C, O
  • a balance relation between thermodynamics and kinetics between the tungsten material to be sintered and the metal foil for carburizing/oxidation inhibition etc) can be controlled.
  • the metal suitable for use as the carburizing/oxidation inhibiting foil is preferably selected in a range similar to or higher than that of tungsten in thermodynamic stability with carbon/oxygen.
  • Elements stably forming carbides and oxides may be selected from groups IVa, Va, and VIa of the periodic table, and considering that the SPS sintering temperature of tungsten is 1600 to 2000°C (1873 to 2273K), the melting point is 2500°C for stable utilization (2773K) or higher, Ta of group Va and Mo and W of group VIa were used as barriers for carburizing/oxidation inhibition.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the thermodynamic relationship for the compound forming between W, Mo, and Ta and C (graphite)
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the thermodynamic relationship for the compound forming between W, Mo, and Ta and O 2 (g). It is a drawing.
  • thermodynamic stability of W and Mo with C (graphite) or O 2 (g) is in the same or similar range compared to that of C (graphite) or O 2 (g) of tungsten powder.
  • thermodynamic stability of Ta with C (graphite) or O 2 (g) is more stable than that of tungsten, which is a powder material, with C (graphite) or O 2 (g). That is, it can be understood that Ta has higher carbon affinity and oxygen affinity than tungsten.
  • Table 1 shows the carburizing / oxidation inhibiting foil applied to the method for forming a metal sintered body according to an experimental example of the present invention.
  • the thickness of the C graphite foil is 250 ⁇ m
  • the thickness of the W foil is 25 ⁇ m
  • the thickness of the Mo foil is 25 ⁇ m
  • the thickness of the Ta foil is 25 ⁇ m.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a sintering apparatus applied to the method for forming a metal sintered body according to Experimental Example 1 of the present invention
  • FIG. 4 is a sintering apparatus applied to the method of forming a metal sintered body according to Experimental Examples 2 to 4 of the present invention.
  • SPS discharge active sintering
  • Experimental Example 1 is a case where there is no separate barrier for carburizing/oxidation other than C graphite foil
  • Experimental Example 2 is a case where the barrier for carburizing/oxidation inhibition is used with the same material as that of a tungsten sintered body
  • Experimental Example 3 is a case where there is no barrier for carburizing/oxidation inhibition.
  • the inhibitory barrier has thermodynamic stability in a range similar to that of the tungsten sintered body
  • Experimental Example 4 is a case where the carburizing/oxidation inhibiting barrier has a higher thermodynamic stability than the tungsten sintered body.
  • C graphite foil was applied to all the experimental examples to prevent chemical bonding between the graphite mold and the tungsten material and to easily remove the material when removing it from the graphite mold.
  • a discharge active sintering (SPS) process was performed.
  • the diffusion of C and O is related to Fick's law, and among the factors of Fick's law, the diffusion coefficient (Diffusivity, D) increases exponentially with temperature, so the traces of internal diffusion of C or O are sintered.
  • the tungsten material was manufactured by maintaining the sintering temperature at 1700 to 1900 ° C (1973 to 2173 K) at 1700 to 1900 ° C (1973 to 2173 K) for 10 minutes, respectively, and the pressure at 65 MPa to confirm this expected to appear clearly as the temperature increases, and the microstructure change was observed with SEM.
  • the amount of carburization/oxidation generated from the low oxygen partial pressure in the graphite mold or vacuum chamber is very small. Therefore, it is somewhat difficult to quantify the amount of oxygen and carbon in the tungsten sintered body through the corresponding results. Therefore, in this experimental example, the microstructure of the cylindrical surface was observed to find traces of carbon and oxygen diffusion into the W sintered body, and the traces of carbon and oxygen were traced/observed.
  • FIG. 5 is a schematic side view of a graphite mold for carbon/oxygen penetration and discharge active sintering (SPS) in the method for forming a metal sintered body according to an experimental example of the present invention, and a cylindrical surface as a microstructure observation area. .
  • SPS carbon/oxygen penetration and discharge active sintering
  • a powder made of a first metal is placed in a graphite mold, and a foil made of a second metal is interposed between the powder and the graphite mold. to start the configuration.
  • SPS discharge active sintering
  • the tungsten sintered body to which this technology is applied is manufactured by inhibiting diffusion/inflow into the interior by attracting carbon and oxygen by a metal foil used as a barrier. Therefore, in order to apply this technology, thermodynamic stability and kinetic balance between a metal foil to be used as a barrier and a metal powder to be sintered are very important. Through this embodiment, it can be confirmed that if the relationship between the thermodynamics and kinetics of the material used and the metal foil used as a barrier is utilized, it can be confirmed that the control of impurities is possible effectively.
  • FIG. 6 is a result of SEM (BSE mode) analysis of the yellow dotted box (Cylindrical surface) region shown in FIG. 5, and FIGS. 7 and 8 are FE-EPMA quantitative analysis and mapping results in the experimental example of the present invention. will be.
  • the W powder becomes W 2 C and the microstructure is realized in the form of growing attached to the W foil.
  • Mo foil as a barrier
  • the internal diffusion of carbon occurred more deeply than when the W foil was used as the barrier, and the thickness was almost similar to that of the case of using the C foil. From this, it can be confirmed that when Mo foil is used as a barrier, it is not effective in suppressing carburization.
  • Ta foil when Ta foil is used, a subsurface due to internal diffusion of carbon is not found, and it can be confirmed that various phases are formed in the Ta foil (point 1, point 2, and point 4 in the Ta foil). In the case of using the Ta foil, it can be confirmed that the Ta foil effectively suppresses the internal diffusion of C as a barrier. It can be seen that the tantalum carbide (Ta 2 C) formed at point 4 in the Ta foil is located at the interface with W and prevents the internal diffusion of carbon from proceeding further.
  • Ta 2 C tantalum carbide
  • FIG. 9 is a graph illustrating solid solubility of carbon in a method of forming a metal sintered body according to an experimental example of the present invention
  • FIG. 10 is Mo, Ta, A diagram illustrating W's Ellingham diagram.
  • the present inventors confirmed that the diffusion coefficient of carbon in the metal is in the order Mo>Ta>W, and the diffusion coefficient of carbon in the carbide is Mo>W>Ta.
  • Delta G for forming the carbide of FIG. 1 as seen above is confirmed in the order of Ta>Mo>W. That is, the affinity between Ta and C is the best (thermodynamic point of view), and after the carbide (Ta 2 C) is formed, the carbon rate in Ta 2 C is the slowest.
  • the Ta foil has a fairly large carbon solid solution so that it can contain more carbon under the same sintering conditions. Therefore, Ta easily forms Ta 2 C, and it is possible to effectively prevent carbon diffusion into the W sintered body.
  • Ta has a very high affinity for O in the vacuum degree 10 -5 atm shown in FIG. 10 . It can be confirmed that this aspect appears the same at all vacuum degrees above the degree of vacuum (about 10 -2 atm) during sintering. From this, it can be understood that oxides in Ta are observed, and the presence of the oxides effectively suppresses diffusion of oxygen into the tungsten material. In contrast, no oxygen-rich regions were observed in the other foils. Except for Ta, W and Mo have relatively similar oxygen affinity (O affinity). Therefore, in the case of oxygen (O), even if a barrier exists, it can be understood that diffusion into the tungsten material easily proceeds. For this reason, it can be assumed that the oxygen distribution is uniformly spread to the inside as in the results of EPMA.
  • the foil used in the present invention can be selected from groups IVa, Va and VIa of the periodic table that thermodynamically form carbides and oxides well to act as a carburizing/oxidation barrier, and is a foil with higher oxygen and carbon affinity than the material being sintered. can be selected.
  • the diffusion coefficient of carbon should be sufficiently small after the formation of carbides in the carburizing inhibiting foil, and that the diffusion of carbon into the sintered body can be minimized when the carbon solid solution of the carburizing inhibiting foil is sufficient.
  • the tungsten material When the tungsten material is manufactured using this embodiment, the formation of fine carbides and oxides in the tungsten material is effectively suppressed, and thus it can be used in various fields such as defense weapons, propulsion engines of aircraft rockets, and nuclear fusion.
  • the thermodynamic relationship is well utilized in addition to tungsten, it can be applied to sintering of various materials, so that the content of carbon and oxygen can be low.
  • the method of forming a metal sintered body can effectively suppress impurities that may be introduced during the process by utilizing thermodynamic and kinetic relationships when manufacturing various materials using the discharge active sintering (SPS) process.
  • SPS discharge active sintering

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법은 텡스텐(W) 분말을 흑연몰드 내에 배치하는 제 1 단계; 상기 텡스텐 분말과 상기 흑연몰드 사이에 탄탈륨(Ta) 호일을 개재하는 제 2 단계; 및 소결공정으로 상기 텅스텐 분말로부터 텅스텐 소결체를 형성하는 제 3 단계;를 포함한다.

Description

금속 소결체의 형성 방법
본 발명은 금속 소결체의 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 침탄 및 산화를 억제할 수 있는 금속 소결체의 형성 방법에 관한 것이다.
텅스텐(W)은 금속원소 중 열에 가장 강하며 (원자번호 : 74번, 녹는점 : 섭씨 3,410 ℃), 고온, 내마모성이 요구되고 극한상황에서 사용되는 재료로 대면재로 여러 산업분야에서 광범위하게 응용되고 있다. 특히 낮은 열팽창 계수와 우수한 고온 기계적 성질로 항공기 구조재료, 군수용 구조재료 및 핵융합 대면재로써 극한환경에 사용되는 재료로써 현재 각광 받고 있다. 그러나 텅스텐의 경우, 높은 연성-취성 천이온도(Ductile-Brittle Transition Temperature, DBTT)로 인해 상온에서 높은 취성 거동을 나타내어 그 응용이 제한적이다. 이와 같은 DBTT온도 및 상온 취성 물성은 텅스텐 내부의 미세 산화물 및 탄화물이 존재시 크랙의 전파경로로 작용하여 그 물성이 더욱 저하된다. 고온에서 텅스텐(W)은 탄화물 및 산화물을 형성하기 매우 용이하며, W 1-xC x, W 1-yO y 형태의 취성을 가지는 상(brittle phase)을 쉽게 형성한다. 따라서 상기의 단점을 보완하기 위해서는 텅스텐 소재 제조 시 발생할 수 있는 불순물(C, O등)의 오염을 최소화하는 것이 필요하다. 하지만, 이와 같은 불순물을 공정 상에서 정밀하게 제어하는 것은 상당한 난제이다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 열역학 및 속도론의 균형을 이용하여, 기존의 제조기술에 비해 상당히 단순하며 공정과정에서 큰 에너지 절감을 구현할 수 있는 금속 소결체의 형성 방법을 제공하는 것이다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 제 1 금속으로 이루어진 분말을 몰드 내에 배치하는 제 1 단계; 상기 분말과 상기 몰드 사이에 제 2 금속으로 이루어진 호일을 개재하는 제 2 단계; 및 소결공정으로 상기 분말로부터 금속 소결체를 형성하는 제 3 단계; 를 포함하되, 제 2 금속은 제 1 금속 보다 탄소 친화도 및 산소 친화도가 더 높으며, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 더 낮으며, 제 1 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높으며, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 1 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높은 것을 특징으로 하는 금속 소결체의 형성 방법이 제공된다.
상기 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 제 3 단계는, 침탄에 의하여 상기 금속 소결체의 내부로 탄소가 확산되어 제 1 금속의 탄화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 탄화물이 형성되는 단계를 포함하고, 상기 제 3 단계는, 상기 금속 소결체의 내부로 산소가 확산되어 제 1 금속의 산화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 산화물이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
상기 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 제 3 단계 중 제 2 금속의 탄화물이 형성된 후에 상기 호일 내 탄소가 확산하는 속도가 더 낮아질 수 있다.
상기 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 금속 소결체에 인접한 상기 호일의 계면에 제 2 금속의 탄화물이 형성될 수 있다.
상기 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 몰드는 흑연몰드를 포함하고, 상기 소결공정은 내부 산소 분압을 가지는 진공챔버 내에 수행되는 방전 활성 소결 공정을 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 텡스텐(W) 분말을 흑연몰드 내에 배치하는 제 1 단계; 상기 텡스텐 분말과 상기 흑연몰드 사이에 탄탈륨(Ta) 호일을 개재하는 제 2 단계; 및 소결공정으로 상기 텅스텐 분말로부터 텅스텐 소결체를 형성하는 제 3 단계; 를 포함하는 금속 소결체의 형성 방법이 제공된다.
상기 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 제 3 단계는, 침탄에 의하여 상기 텅스텐 소결체의 내부로 탄소가 확산되어 텅스텐 탄화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 탄탈륨 호일 내에 탄탈륨 탄화물(Ta 2C)이 형성되는 단계를 포함하고, 상기 제 3 단계는, 상기 텅스텐 소결체의 내부로 산소가 확산되어 텅스텐 산화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 탄탈륨 호일 내에 탄탈륨 산화물(Ta 2O 5)이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
상기 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 소결공정에서 텅스텐과 상기 흑연몰드 간의 화학적 결합을 방지하고 상기 소결공정 후에 상기 흑연몰드로부터 상기 금속 소결체를 분리하기 위하여, 상기 제 2 단계는 상기 탄탈륨 호일과 상기 흑연몰드 사이에 탄소를 함유하는 호일을 더 개재하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 소결공정은 내부 산소 분압을 가지는 진공챔버 내에 수행되는 방전 활성 소결공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의할 경우, 방전 활성 소결(SPS) 공정을 이용한 다양한 소재 제조 시 열역학 및 속도론적인 관계를 활용하여 공정 시 유입될 수 있는 불순물을 효과적으로 억제 가능할 수 있다. 예를 들어, 방전 활성 소결(SPS) 공정를 이용한 소결체 제조 시 발생하는 침탄/산화를 억제하는 금속 소결체의 형성 방법을 제공할 수 있다. 상술한 본 발명의 효과들은 예시적으로 기재되었고, 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 W, Mo 및 Ta와 C(graphite) 간의 형성화합물에 대한 열역학적 관계를 도해하는 도면이고, 도 2는 W, Mo 및 Ta와 O 2(g)간의 형성화합물에 대한 열역학적 관계를 도해하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실험예1에 따른 금속 소결체의 형성 방법에 적용한 소결 장치를 도해한 것이다.
도 4는 본 발명의 실험예2 내지 실험예4에 따른 금속 소결체의 형성 방법에 적용한 소결 장치를 도해한 것이다.
도 5는 본 발명의 실험예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 탄소/산소의 침입 경로 및 방전 활성 소결(SPS)용 흑연몰드의 측면 모식도 및 미세구조 관찰 영역인 원통 표면(cylindrical surface)을 나타낸 것이다.
도 6은 도 5에 도시된 노란 점선 박스 (Cylindrical surface) 부위를 SEM(BSE 모드)으로 분석한 결과를 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실험예에서 FE-EPMA 정량분석 및 Mapping 결과를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 실험예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 탄소의 고용한(Solid solubility)을 도해하는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실험예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 Mo, Ta, W의 엘링검 도표를 도해하는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법은 제 1 금속으로 이루어진 분말을 몰드 내에 배치하는 제 1 단계; 상기 분말과 상기 몰드 사이에 제 2 금속으로 이루어진 호일을 개재하는 제 2 단계; 및 소결공정으로 상기 분말로부터 금속 소결체를 형성하는 제 3 단계; 를 포함하되, 제 2 금속은 제 1 금속 보다 탄소 친화도 및 산소 친화도가 더 높으며, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 더 낮은 것을 특징으로 한다. 나아가, 제 1 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높으며, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 1 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높은 것을 특징으로 한다. 예를 들어, 상기 제 1 금속은 텅스텐(W)을 포함할 수 있으며, 상기 제 2 금속은 탄탈륨(Ta) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 상기 제 3 단계는, 침탄에 의하여 상기 금속 소결체의 내부로 탄소가 확산되어 제 1 금속의 탄화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 탄화물이 형성되는 단계를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 3 단계에서 침탄에 의하여 상기 호일 내에 제 2 금속의 탄화물이 형성됨으로써 탄소가 상기 금속 소결체의 내부로 확산되어 제 1 금속의 탄화물이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 제 2 금속의 탄화물은 상기 금속 소결체에 인접한 상기 호일의 계면에도 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 상기 제 3 단계는, 상기 금속 소결체의 내부로 산소가 확산되어 제 1 금속의 산화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 산화물이 형성되는 단계를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 3 단계에서 산화에 의하여 상기 호일 내에 제 2 금속의 산화물이 형성됨으로써 산소가 상기 금속 소결체의 내부로 확산되어 제 1 금속의 산화물이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 상기 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 더 낮기 때문에, 상기 제 3 단계 중 제 2 금속의 탄화물이 형성된 후에 상기 호일 내 탄소가 확산하는 속도가 더 낮아질 수 있다. 나아가, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 더 낮아, 상기 제 3 단계에서 제 2 금속의 탄화물이 더 많이 형성될수록 상기 호일 내 탄소가 확산하는 속도가 더 낮아질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서, 상기 몰드는 흑연몰드를 포함하고, 상기 소결공정은 내부 산소 분압을 가지는 진공챔버 내에 수행되는 방전 활성 소결 공정을 포함할 수 있다.
이하에서는 상술한 본 발명의 기술적 사상에 따른 금속 소결체의 형성 방법을 구체적으로 설명하는 실험예를 설명한다. 이러한 실험예는 본 발명을 구체적으로 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의하여 본 발명의 기술적 사상을 제한하는 것은 아니다.
본 실험예를 통하여, 예를 들어, 방전 활성 소결(Spark Plasma Sintering, SPS) 공정을 활용 시 흑연몰드 및 진공 챔버의 낮은 산소 분압으로부터 발생할 수 있는 침탄/산화를 억제하여 소재를 제조하는 금속 소결체의 형성 방법을 도출하고자 한다. 예컨대, 상기 금속 소결체의 형성 방법의 일 실시예에서는 소결하고자 하는 텅스텐 소재와 침탄/산화 억제용 금속호일 간의 열역학(Thermodynamics) 및 속도론(Kinetics)적 균형(balance) 관계를 이용하여 불순물(C, O 등)을 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 침탄/산화 억제 호일로 사용이 적합한 금속은 탄소/산소와의 열역학적 안정도가 텅스텐과 비슷하거나 더 높은 범위에서 선택되는 것이 바람직하다. 탄화물 및 산화물을 안정적으로 형성하는 원소는 주기율표 Ⅳa, Ⅴa 및 Ⅵa 족에서 선택될 수 있으며, 텅스텐의 SPS 소결 온도가 1600 내지 2000℃(1873 내지 2273K)를 감안하여, 안정적으로 활용하기 위해 융점 2500℃(2773K) 이상의 온도인 Ⅴa 족의 Ta, Ⅵa 족의 Mo와 W를 침탄/산화 억제의 장벽(Barrier)으로 활용하였다.
도 1은 W, Mo 및 Ta와 C(graphite) 간의 형성화합물에 대한 열역학적 관계를 도해하는 도면이고, 도 2는 W, Mo 및 Ta와 O 2(g)간의 형성화합물에 대한 열역학적 관계를 도해하는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 세로축의 깁스 프리 에너지의 변화값(Delta G)이 음수일 때, 그 반응은 자발적으로 일어난다고 할 수 있으며 그 값이 더 클 때 더 안정하다. 이에 의하면, W, Mo의 C(graphite) 혹은 O 2(g)와의 열역학적 안정도는 분말 소재인 텅스텐의 C(graphite) 혹은 O 2(g)와의 열역학적 안정도와 비교하여 동일하거나 비슷한 범위에 있다는 것을 확인할 수 있다.
한편, Ta의 C(graphite) 혹은 O 2(g)와의 열역학적 안정도는 분말 소재인 텅스텐의 C(graphite) 혹은 O 2(g)와의 열역학적 안정도와 비교하여 더욱 안정하다는 것을 확인할 수 있다. 즉, Ta은 텅스텐 보다 탄소 친화도 및 산소 친화도가 더 높음을 이해할 수 있다.
표 1은 본 발명의 실험예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에 적용한 침탄/산화 억제 호일을 나타낸 것이다. C graphite foil의 두께는 250㎛이며, W foil의 두께는 25㎛이며, Mo foil의 두께는 25㎛이며, Ta foil의 두께는 25㎛이다.
도 3은 본 발명의 실험예1에 따른 금속 소결체의 형성 방법에 적용한 소결 장치를 도해한 것이며, 도 4는 본 발명의 실험예2 내지 실험예4에 따른 금속 소결체의 형성 방법에 적용한 소결 장치를 도해한 것이다. 도 3 내지 도 4를 참조하면, 방전 활성 소결(SPS) 장치에서는 한 쌍의 흑연몰드(Graphite die) 사이에 금속 분말(Sample)을 장입하고, 펀치(Punch)와 연결된 전극(Electrode)을 통하여 전류와 압력을 인가한다. 흑연몰드와 금속 분말 사이에 그라파이트 호일(Graphite foil) 및/또는 금속 호일(Metal foil)을 개재할 수 있다.
실험예 침탄/산화 억제 호일
실험예1 C graphite foil
실험예2 C graphite foil + W foil
실험예3 C graphite foil + Mo foil
실험예4 C graphite foil + Ta foil
실험예1은 C graphite foil 외에 별도의 침탄/산화 억제용 장벽이 없는 경우이며, 실험예2는 침탄/산화 억제용 장벽이 텅스텐 소결체와 동일한 소재로 사용된 경우이며, 실험예3은 침탄/산화 억제용 장벽이 텅스텐 소결체와 비슷한 범위의 열역학적 안정도를 가지는 경우이며, 실험예4는 침탄/산화 억제용 장벽이 텅스텐 소결체보다 더 높은 열역학적 안정도를 가지는 경우이다. 실험예들에서 C graphite foil은 흑연몰드와 텅스텐 소재 간의 화학적 결합을 방지하고 소재를 흑연몰드에서 제거 시 쉽게 제거하기 위해 모든 실험예들에 대해 적용하였다.
상기에 명시한 호일과 텅스텐 분말(0.5㎛)을 활용하여, 방전 활성 소결(SPS) 공정을 진행하였으다. 또한, C와 O의 확산은 픽의 법칙(Fick’s law)에 관계되어 있고 픽의 법칙의 인자 중 확산계수(Diffusivity, D)는 온도에 지수적으로 증가하므로, C 또는 O의 내부 확산 흔적을 소결 온도가 높아짐에 따라 뚜렷하게 나타날 것으로 예상하고 이를 확인하고자 소결온도를 1700 내지 1900℃(1973 내지 2173K)에서 각각 10분, 압력은 65MPa로 유지하여 텅스텐 소재를 제작하고 미세구조 변화를 SEM으로 관찰하였다.
흑연몰드 혹은 진공챔버의 낮은 산소 분압으로부터 발생하는 침탄/산화의 양은 매우 적은 양으로 이를 정량화하는 것은 매우 최첨단의 기술을 필요로 하며, 매우 높은 레벨에서의 분석 감도가 필요하다. 따라서, 해당 결과를 통해 텅스텐 소결체 내부의 산소 및 탄소의 양을 정량화하는 것은 다소 어려움이 존재한다. 따라서, 본 실험예에서는 W 소결체 내로의 탄소 및 산소 확산의 흔적을 찾기 위해 원통 표면(cylindrical surface)의 미세구조를 관찰하여, 탄소 및 산소의 발자취를 추적/관찰하였다.
도 5는 본 발명의 실험예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 탄소/산소의 침입 경로 및 방전 활성 소결(SPS)용 흑연몰드의 측면 모식도 및 미세구조 관찰 영역인 원통 표면(cylindrical surface)을 나타낸 것이다.
도 5를 참조하면, 제 1 금속으로 이루어진 분말(specimen)을 흑연몰드(mold) 내에 배치하고, 상기 분말(specimen)과 상기 흑연몰드(mold) 사이에 제 2 금속으로 이루어진 호일(foil)을 개재하는 구성을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 방전 활성 소결(SPS)을 활용한 소결체 제조시 침탄/산화가 억제된 소결체 제조를 구현할 수 있다. 구체적으로, SPS용 흑연몰드 및 진공챔버의 내부 산소 분압으로부터 나타날 수 있는, 불순물 오염을 금속호일(Metal foil)을 장벽으로 활용하여 탄소 및 산소의 내부 유입을 최소할 수 있다. 이 기술을 적용한 텅스텐 소결체는 장벽으로 활용된 금속호일(Metal foil)이 탄소 및 산소를 끌어들여 내부(specimen)로의 확산/유입이 억제되어 제조된다. 따라서, 이와 같은 기술을 적용하기 위해서는 장벽으로 활용될 금속호일(Metal foil)과 소결하고자 하는 금속분말(specimen) 간의 열역학적 안정도 및 속도론적인 균형이 매우 중요하다. 본 실시예를 통해서 사용하는 소재(specimen)와 장벽으로 활용된 금속호일(Metal foil)의 열역학 및 속도론의 관계를 활용하면, 불순물의 제어가 효과적으로 가능할 수 있음을 확인할 수 있다.
방전 활성 소결(SPS) 공정을 활용한 소결체 제조 시 흑연몰드와 텅스텐 소재간의 화학적 반응을 억제하기 위해 흑연호일을 장입하여 활용할 수 있다. 이때, 흑연호일을 이용해서는 탄소의 텅스텐 소재 내부 확산 및 진공챔버 내 낮은 산소 분압으로부터의 텅스텐 소재로의 산소 유입을 억제하는 것은 불가능하다. 본 발명의 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서는 텅스텐 소결 시 흑연호일 이외에도 금속호일(Metal foil)을 추가로 활용하여 침탄 및 산화가 효과적으로 억제된 소재를 제공하는 효과를 확보할 수 있다. 본 발명의 열역학 및 속도론적인 컨셉을 잘 활용한다면, 텅스텐 소재에 국한되어 활용되지 않고 다양한 소재의 소결에도 널리 이용될 수 있을 것으로 기대된다.
도 6은 도 5에 도시된 노란 점선 박스 (Cylindrical surface) 부위를 SEM(BSE 모드)으로 분석한 결과이며, 도 7 및 도 8은 본 발명의 실험예에서 FE-EPMA 정량분석 및 Mapping 결과를 나타낸 것이다.
도 5 내지 도 6을 참조하면, 실험예1, 실험예2 및 실험예3의 경우 모든 소결 온도대에서 텅스텐 소결체의 원통 표면(cylindrical surface)에서 소위 ‘서브표면(subsurface)’이 형성된 것을 확인할 수 있다. 소결온도가 증가함에 따라 서브표면(subsurface)의 두께가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 서브표면(subsurface)은 탄소(C) 혹은 산소(O)가 내부 확산하여 상호작용한 영역으로 판단되며, 구체적인 상분석은 도 7 및 도 8에 도시된 것과 같이 FE-EPMA를 통하여 분석을 진행하였다.그러나, 실험예4의 경우 Ta foil을 장벽으로 사용한 경우에는 서브표면(subsurface)이 관찰되지 않으며, 이로부터 Ta 호일이 침탄/산화 억제용 호일로 사용 시 효과적일 수 있음을 보여준다. 또한, 도 8을 참조하면, Ta 호일 내에 다양한 2차상이 관찰되는 것으로 관찰되며 이와 같은 상의 발현이 호일의 종류에 따라 존재하는 차이점과 어떠한 열역학 및 속도론적인 관계를 가지는지 하기 FE-EPMA 결과 및 열역학 해석으로 자세히 상술한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 서브표면(Subsurface) 및 2차상들에 대해 정밀한 분석을 진행하기 위해 1700℃(1973K)의 온도에서 10분 동안 소결한 결과들에 대해 EPMA의 정량분석(point 분석)을 수행하였다. FE-EPMA은 분석감도가 높은 WDS를 통해 분석을 진행하였다. 해당 결과로부터 C foil, W foil, Mo foil을 사용 시 나타나는 서브표면의 상은 W 2C 상으로 확인된다. 이로부터 서브표면(subsurface)은 카본의 내부 확산으로 형성된 상으로 확인된다. C foil의 경우와 W foil을 장벽으로 사용한 경우에 대해서는 비슷한 미세구조로 나타나고 있으며, 다만 W 호일 장벽으로 인해 확산이 지연되어 W 2C상의 두께가 작은 것이 확인된다. W호일이 W 2C로 먼저 바뀐 후, W분말이 W 2C가 되어 W호일에 붙어서 성장하는 형태로 미세구조가 구현된다. Mo 호일을 장벽으로 사용한 경우에는 W 호일을 장벽으로 사용한 경우보다 더 깊이 카본의 내부 확산이 발생한 것을 확인할 수 있으며, C 호일을 사용한 경우와 거의 비슷한 두께로 나타난다. 이로부터 Mo 호일이 장벽으로 사용될 경우, 침탄 억제에 효과적이지 못한 것을 확인할 수 있다.
이와 달리 Ta 호일을 사용한 경우, 카본의 내부 확산을 인한 서브표면(subsurface)이 발견되지 않으며, Ta 호일 내에 다양한 상이 형성된 것을 확인할 수 있다(Ta foil 내 point 1, point 2, 및 point 4). Ta 호일을 사용한 경우, Ta 호일이 장벽으로써 C의 내부 확산이 효과적으로 억제되는 것을 확인할 수 있다. Ta 호일 내의 point 4에 형성된 탄탈륨 탄화물(Ta 2C)이 W과의 계면에 위치하면서 탄소의 내부 확산이 더 이상 진행되지 않도록 막아주는 미세구조 양상을 확인할 수 있다. 이와 같은 EPMA 정량분석 결과는 매핑(mapping) 이미지 결과와 비슷한 경향을 보여주고 있다.
산소(O)의 경우에는 Ta 호일의 point 2에 짙은 회색으로 나타나고 있으며, 탄소(C)와 마찬가지로 Ta이 O의 W 내부 확산을 억제하는 것으로 이해된다. 이와는 다르게, W, Mo, C호일을 적용한 경우, 산소(O)가 풍부(rich)한 영역이 미세구조상에 나타나고 있지 않으며, 이는 내부로의 산소 확산 억제가 이루어지지 못한 점에 기인한 것으로 보인다. 따라서, Ta 호일이 C, O의 내부 확산 억제에 효과적인 것으로 나타나며, 해당 미세구조의 변화 거동은 열역학적인 정보 뿐만이 아니라 속도론적인 관계로부터 복잡하게 기인하므로, 해당 미세구조 변화 이유를 확인하기 위해 금속 및 탄화물에서의 탄소확산계수, 금속 내 탄소의 고용도 및 엘링검 도표(ellingham diagram)를 살펴본다. 엘링검 도표는 여러 고체상의 상대적인 환원성 또는 산화성을 쉽게 비교할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실험예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 탄소의 고용한(Solid solubility)을 도해하는 그래프이고, 도 10은 본 발명의 실험예에 따른 금속 소결체의 형성 방법에서 Mo, Ta, W의 엘링검 도표를 도해하는 도면이다.
본 발명자는 금속 내 탄소의 확산계수는 Mo>Ta>W순서이며, 탄화물 내 탄소의 확산계수는 Mo>W>Ta임을 확인하였다. 또한, 앞에서 살펴본 도 1의 탄화물 형성을 위한 Delta G는 Ta>Mo>W순으로 확인된다. 즉, Ta와 C과의 친화도가 가장 우수하며(열역학적 관점), 탄화물 (Ta 2C)이 형성된 이후에는 Ta 2C 내 카본 속도가 가장 느리게 된다. 또한, 도 9를 참조하면, Ta foil은 상당히 큰 탄소 고용한을 가지고 있어 동일한 소결 조건에서 더 많은 탄소를 함유할 수 있게 된다. 따라서, Ta는 Ta 2C를 쉽게 형성하며, W 소결체로의 카본 확산을 효과적으로 방지할 수 있게 된다. 이와 다르게 Mo foil의 경우, W과의 열역학적 안정도가 비슷할지라도 금속 및 탄화물에서의 확산계수가 상대적으로 매우 크고, Mo foil 내 탄소(C)의 고용한이 작으므로, 탄소의 침투가 쉽게 되어 확산장벽(diffusion barrier)로서의 효과가 떨어지게 된다.
산소(O)의 경우는 도 10에 도시된 진공도 10 -5 atm에서 Ta의 O에 대한 affinity가 매우 큰 것을 확인할 수 있다. 이러한 양상은 소결시 진공도(약 10 -2 atm) 이상의 모든 진공도에서 동일하게 나타남을 확인할 수 있다. 이로부터 Ta 내 산화물이 관찰되며, 해당 산화물의 존재는 텅스텐 소재 내로 산소가 확산되는 것을 효과적으로 억제함을 이해할 수 있다. 이와 다르게 다른 호일 내에서는 산소가 풍부한 영역이 관찰되지 않는다. Ta을 제외한 W, Mo의 경우는 상대적으로 비슷한 산소 친화도(O affinity)를 가진다. 따라서, 산소(O)의 경우 장벽이 존재하더라도 텅스텐 소재 내부로의 확산이 쉽게 진행되는 것으로 이해될 수 있다. 이와 같은 이유로 EPMA의 결과에서처럼 산소의 분포가 내부까지 균일하게 퍼져있을 것으로 추정될 수 있다.
지금까지 방전 활성 소결(SPS) 공정을 활용한 소재 제작 시, 흑연몰드 혹은 진공챔버의 내부 산소 분압으로부터 침탄/산화를 억제할 수 있는 금속 소결체의 형성 방법을 설명하였다. 본 발명에 사용되는 호일은 침탄/산화 장벽의 역할을 하기 위해 열역학적으로 탄화물 및 산화물을 잘 형성하는 주기율표 Ⅳa, Ⅴa 및 Ⅵa 족에서 선택될 수 있으며, 소결하는 소재보다 산소 및 탄소 친화도가 높은 호일을 선택할 수 있다. 또한, 침탄 억제 호일 내 탄화물 형성 후 탄소의 확산계수가 충분히 작아져야 하며, 침탄 억제 호일의 탄소 고용한이 충분한 경우에 탄소의 확산이 소결체 내부로 진행되는 것이 최소화될 수 있음을 확인하였다.
본 실시예를 활용하여 텅스텐 소재 제조 시 텅스텐 소재 내 미세 탄화물 및 산화물의 형성이 효과적으로 억제되어, 국방 무기, 항공기 로켓의 추진기관 및 핵융합 등 다양한 분야에 활용될 수 있다. 또한, 텅스텐 이외에도 열역학적인 관계만 잘 활용한다면 다양한 소재의 소결에도 적용이 가능하여, 탄소 및 산소의 함량을 낮게 제조할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 기술적 사상이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명의 기술적 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속 소결체의 형성방법은, 방전 활성 소결(SPS) 공정을 이용한 다양한 소재 제조 시 열역학 및 속도론적인 관계를 활용하여 공정 시 유입될 수 있는 불순물을 효과적으로 억제할 수 있다.

Claims (9)

  1. 제 1 금속으로 이루어진 분말을 몰드 내에 배치하는 제 1 단계;
    상기 분말과 상기 몰드 사이에 제 2 금속으로 이루어진 호일을 개재하는 제 2 단계; 및
    소결공정으로 상기 분말로부터 금속 소결체를 형성하는 제 3 단계; 를 포함하되,
    제 2 금속은 제 1 금속 보다 탄소 친화도 및 산소 친화도가 더 높으며,
    제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 더 낮으며, 제 1 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높으며, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 1 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높은 것을 특징으로 하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 단계는, 침탄에 의하여 상기 금속 소결체의 내부로 탄소가 확산되어 제 1 금속의 탄화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 탄화물이 형성되는 단계를 포함하고,
    상기 제 3 단계는, 상기 금속 소결체의 내부로 산소가 확산되어 제 1 금속의 산화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 산화물이 형성되는 단계를 포함하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 단계 중 제 2 금속의 탄화물이 형성된 후에 상기 호일 내 탄소가 확산하는 속도가 더 낮아지는 것을 특징으로 하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 소결체에 인접한 상기 호일의 계면에 제 2 금속의 탄화물이 형성되는 것을 특징으로 하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰드는 흑연몰드를 포함하고, 상기 소결공정은 내부 산소 분압을 가지는 진공챔버 내에 수행되는 방전 활성 소결공정을 포함하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  6. 텡스텐(W) 분말을 흑연몰드 내에 배치하는 제 1 단계;
    상기 텡스텐 분말과 상기 흑연몰드 사이에 탄탈륨(Ta) 호일을 개재하는 제 2 단계; 및
    소결공정으로 상기 텅스텐 분말로부터 텅스텐 소결체를 형성하는 제 3 단계; 를 포함하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 단계는, 침탄에 의하여 상기 텅스텐 소결체의 내부로 탄소가 확산되어 텅스텐 탄화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 탄탈륨 호일 내에 탄탈륨 탄화물(Ta 2C)이 형성되는 단계를 포함하고,
    상기 제 3 단계는, 상기 텅스텐 소결체의 내부로 산소가 확산되어 텅스텐 산화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 탄탈륨 호일 내에 탄탈륨 산화물(Ta 2O 5)이 형성되는 단계를 포함하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 소결공정에서 텅스텐과 상기 흑연몰드 간의 화학적 결합을 방지하고 상기 소결공정 후에 상기 흑연몰드로부터 상기 금속 소결체를 분리하기 위하여, 상기 제 2 단계는 상기 탄탈륨 호일과 상기 흑연몰드 사이에 탄소를 함유하는 호일을 더 개재하는 단계를 포함하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 소결공정은 내부 산소 분압을 가지는 진공챔버 내에 수행되는 방전 활성 소결공정을 포함하는,
    금속 소결체의 형성 방법.
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