WO2021176912A1 - 蛍光体プレート、及び発光装置 - Google Patents

蛍光体プレート、及び発光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2021176912A1
WO2021176912A1 PCT/JP2021/003451 JP2021003451W WO2021176912A1 WO 2021176912 A1 WO2021176912 A1 WO 2021176912A1 JP 2021003451 W JP2021003451 W JP 2021003451W WO 2021176912 A1 WO2021176912 A1 WO 2021176912A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
phosphor plate
phosphor
light
wavelength
intensity
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/003451
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和也 杉田
太陽 山浦
智宏 野見山
Original Assignee
デンカ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by デンカ株式会社 filed Critical デンカ株式会社
Priority to KR1020227031912A priority Critical patent/KR20220145852A/ko
Priority to JP2022505042A priority patent/JP7432705B2/ja
Priority to US17/909,659 priority patent/US20230113551A1/en
Publication of WO2021176912A1 publication Critical patent/WO2021176912A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Definitions

  • the present invention relates to a phosphor plate and a light emitting device.
  • Patent Document 1 describes a wavelength conversion member in which an inorganic phosphor is dispersed in a glass matrix (Claim 1 of Patent Document 1). According to the same document, it is described that the shape of the wavelength conversion member is not limited and may be plate-shaped (paragraph 0054).
  • the present inventor has found that when an ⁇ -type phosphor is used as the inorganic phosphor, the internal quantum efficiency and the external quantum efficiency may decrease in the phosphor plate.
  • the optical characteristics of the phosphor plate can be stably evaluated by using T1 / R1 having a wavelength of 455 nm, which is the excitation light, as an index, and the lower limit of the index T1 / R1 can be set. It has been found that the external quantum efficiency of the phosphor plate is improved by setting the value to a predetermined value or more, and the present invention has been completed.
  • a phosphor plate comprising a plate-like composite containing an inorganic base material which is a sintered product of two or more kinds of metal oxides containing SiO 2 and a phosphor contained in the inorganic base material.
  • the fluorophore contains an ⁇ -type sialone fluorophore.
  • Group III nitride semiconductor light emitting device and The phosphor plate provided on one surface of the group III nitride semiconductor light emitting device and A light emitting device is provided.
  • a phosphor plate having excellent external quantum efficiency and a light emitting device using the same are provided.
  • FIG. 1 It is a schematic diagram which shows an example of the structure of the phosphor plate of this embodiment.
  • (A) is a cross-sectional view schematically showing the structure of a flip-chip type light emitting device
  • (b) is a cross-sectional view schematically showing the structure of a wire bonding type light emitting element.
  • the phosphor plate of this embodiment will be outlined.
  • the outline of the phosphor plate of this embodiment will be described.
  • the phosphor plate of the present embodiment has a plate shape containing an inorganic base material which is a sintered product of two or more kinds of metal oxides containing SiO 2 and an ⁇ -type sialon phosphor contained in the inorganic base material. It is composed of a plate-shaped member having a composite.
  • the phosphor plate can function as a wavelength converter that converts the irradiated blue light into orange light and emits light.
  • the phosphor plate has T1 and R1 of 1.5 ⁇ 10 ⁇ , where T1 is the intensity of transmitted light having a wavelength of 455 nm and R1 is the intensity of reflected light having a wavelength of 455 nm, which is measured using a quantum efficiency measuring device. It is configured to satisfy 2 ⁇ T1 / R1 ⁇ 5.0 ⁇ 10-2.
  • the optical characteristics of the phosphor plate can be stably evaluated by using T1 / R1 having a wavelength of 455 nm, which is the excitation light, as an index, and the lower limit of the index T1 / R1 is set to the above upper limit value. It was found that the external quantum efficiency of the phosphor plate can be improved by the above.
  • T1 represents transmitted light having a wavelength of 455 nm (blue light)
  • R1 represents a reflectance having a wavelength of 455 nm (blue light).
  • This blue light having a wavelength of 455 nm becomes excitation light for causing the phosphor plate to emit light. Therefore, the absorption of a large amount of excitation light having a wavelength of 455 nm by the phosphor plate contributes to the improvement of optical characteristics.
  • T1 is a very small value of about 1/100 as compared with R1, and T1 ⁇ R1.
  • T1 / R1 when T1 / R1 becomes large, it means that R1 becomes small, that is, the excitation light having a wavelength of 455 nm is absorbed by the phosphor plate. Therefore, it is considered that the external quantum efficiency is increased by setting the lower limit of the index T1 / R1 to be equal to or higher than the above lower limit value.
  • the intensity of transmitted light having a wavelength of 455 nm is T1
  • the intensity of reflected light having a wavelength of 455 nm is R1
  • the intensity of transmitted light having a wavelength of 600 nm is T2
  • the intensity of transmitted light having a wavelength of 600 nm is measured using a quantum efficiency measuring device.
  • Let the intensity of the reflected light be R2.
  • the phosphor plate to be measured may have a thickness of about 0.17 mm to 0.22 mm.
  • the incident angle of the excitation light having a wavelength of 455 nm or 600 nm may be 90 degrees, and the reflection angle / transmission angle may be 45 degrees.
  • the lower limit of T1 / R1 is 1.5 ⁇ 10 -2 or more, preferably 1.6 ⁇ 10 -2 or more, and more preferably 1.7 ⁇ 10 -2 or more. Thereby, the external quantum efficiency and the internal quantum efficiency can be improved.
  • the upper limit of T1 / R1 may be, for example, 5.0 ⁇ 10 -2 or less, preferably 4.0 ⁇ 10 -2 or less, and more preferably 3.5 ⁇ 10 -2 or less.
  • the phosphor plate may be configured such that T1 and T2 satisfy 8.0 ⁇ 10 -2 ⁇ T1 / T2 ⁇ 2.5 ⁇ 10 -1.
  • the lower limit of T1 / T2 is 8.0 ⁇ 10 -2 or more, preferably 9.0 ⁇ 10 -2 or more, and more preferably 1.0 ⁇ 10 -1 or more. Thereby, the external quantum efficiency and the internal quantum efficiency can be improved.
  • the upper limit of T1 / T2 may be, for example, 2.5 ⁇ 10 -1 or less, preferably 2.3 ⁇ 10 -1 or less, and more preferably 2.0 ⁇ 10 -1 or less.
  • the phosphor plate may be configured to satisfy 8.5 ⁇ 10 -1 ⁇ T2 / R2 ⁇ 9.5 ⁇ 10 -1.
  • the lower limit of T2 / R2 is 8.5 ⁇ 10 -1 or more, preferably 8.8 ⁇ 10 -1 or more, and more preferably 9.0 ⁇ 10 -1 or more. Thereby, the external quantum efficiency and the internal quantum efficiency can be improved.
  • the upper limit of T2 / R2 may be, for example, 9.5 ⁇ 10 -1 or less, preferably 9.4 ⁇ 10 -1 or less, and more preferably 9.3 ⁇ 10 -1 or less.
  • the phosphor plate may be configured to satisfy 5.0 ⁇ R1 / R2 ⁇ 6.5.
  • the lower limit of R1 / R2 is 5.0 or more, preferably 5.1 or more, and more preferably 5.2 or more. Thereby, the external quantum efficiency and the internal quantum efficiency can be improved.
  • the upper limit of R1 / R2 may be, for example, 6.5 or less, preferably 6.4 or less, and more preferably 6.3.
  • appropriately performing annealing treatment and acid treatment in the manufacturing process of ⁇ -type sialon phosphor can set T1 / R1, T1 / T2, T2 / R2, and R1 / R2 in a desired numerical range. It can be mentioned as an element to make it.
  • the peak wavelength of the wavelength conversion light emitted from the phosphor plate is preferably 585 nm or more and 605 nm or less. Further, according to this, by combining a phosphor plate with a light emitting element that emits blue light, it is possible to obtain a light emitting device that emits orange light having high brightness.
  • the ⁇ -type sialone phosphor and the inorganic base material are mixed.
  • the composite may have a structure in which an ⁇ -type sialon phosphor is dispersed in a glass matrix (sintered product of SiO 2 ) constituting an inorganic base material.
  • the ⁇ -type sialon phosphor may be uniformly dispersed in the inorganic base material (sintered metal oxide) in the form of particles.
  • the ⁇ -type sialone phosphor of the present embodiment contains an ⁇ -type sialon phosphor containing an Eu element represented by the following general formula (1).
  • General formula (1) (M) m (1-x) / p (Eu) mx / 2 (Si) 12- (m + n) (Al) m + n (O) n (N) 16-n ...
  • M represents one or more elements selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Y and lanthanide elements (excluding La and Ce), and p is the valence of the M element, 0. ⁇ X ⁇ 0.5, 1.5 ⁇ m ⁇ 4.0, 0 ⁇ n ⁇ 2.0. n may be, for example, 2.0 or less, 1.0 or less, or 0.8 or less.
  • the solid solution composition of ⁇ -type sialon is such that m Si—N bonds of ⁇ -type silicon nitride unit crystals (Si 12 N 16 ) are converted into Al—N bonds and n Si—N bonds are converted into Al—O bonds.
  • m / p cations M, Eu
  • M, Eu m / p cations
  • ⁇ -type sialone is stabilized in a wide composition range, and by substituting a part of it with Eu, it is excited by light in a wide wavelength range from ultraviolet to blue, and from yellow. A phosphor exhibiting orange visible light is obtained.
  • the solid solution composition cannot be strictly defined by composition analysis or the like.
  • the crystal phase of alpha-SiAlON, alpha-sialon single-phase is preferred, beta-sialon as other crystal phases, aluminum nitride or its polytypoid may include Ca 2 Si 5 N 8, CaAlSiN 3 and the like.
  • a method for producing an ⁇ -type sialon phosphor there is a method in which a mixed powder composed of a compound of silicon nitride, aluminum nitride and an invading solid solution element is heated and reacted in a high temperature nitrogen atmosphere. In the heating step, some of the constituents form a liquid phase, and the substance moves to this liquid phase to form an ⁇ -type sialon solid solution.
  • a plurality of equiaxed primary particles are sintered to form massive secondary particles.
  • the primary particles in the present embodiment refer to the smallest particles having the same crystal orientation in the particles and capable of existing independently.
  • the lower limit of the average particle size of the ⁇ -type sialon phosphor is preferably 5 ⁇ m or more, and more preferably 10 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the average particle size of the ⁇ -type sialon phosphor is preferably 30 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the ⁇ -type sialone phosphor is the dimension of the secondary particles.
  • the average particle size of the ⁇ -type Sialon phosphor is the passage from the small particle size side in the volume-based particle size distribution obtained by measuring with a particle size distribution measuring device (Microtrac MT3000II manufactured by Microtrack Bell Co., Ltd.). Minute integration (integrated passing fraction) 50% particle size D50.
  • the lower limit of the content of the ⁇ -type sialon phosphor is, for example, 5 Vol% or more, preferably 10 Vol% or more, and more preferably 15 Vol% or more in terms of volume with respect to the entire complex. Thereby, the emission intensity in the thin-layer phosphor plate can be increased. In addition, the light conversion efficiency of the phosphor plate can be improved.
  • the upper limit of the content of the ⁇ -type sialon phosphor is, for example, 50 Vol% or less, preferably 45 Vol% or less, and more preferably 40 Vol% or less in terms of volume with respect to the entire complex. It is possible to suppress a decrease in thermal conductivity of the phosphor plate.
  • the lower limit of the content of the ⁇ -type sialon phosphor and the inorganic base material is, for example, 95 Vol% or more, preferably 98 Vol% or more, more preferably 99 Vol% or more in terms of volume with respect to the entire composite. That is, it means that the composite constituting the phosphor plate contains the ⁇ -type sialon phosphor and the inorganic base material as main components. As a result, durability can be improved and stable luminous efficiency can be realized.
  • the upper limit of the contents of the ⁇ -type sialon phosphor and the inorganic base material is not particularly limited, but may be, for example, 100 Vol% or less in terms of volume with respect to the entire composite.
  • the surface of at least the main surface or both the main surface and the back surface of the phosphor plate may be surface-treated.
  • Examples of the surface treatment include grinding using a diamond grindstone and polishing, lapping, polishing and the like.
  • the surface roughness Ra on the main surface of the phosphor plate is, for example, 0.1 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less, preferably 0.3 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Ra on the back surface of the phosphor plate is, for example, 0.1 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less, preferably 0.3 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less.
  • the surface roughness By setting the surface roughness to the above upper limit value or less, it is possible to suppress variations in light extraction efficiency and light intensity in the in-plane direction. By setting the surface roughness to the above lower limit value or more, it is expected that the adhesion to the adherend can be improved.
  • the upper limit of the light transmittance in blue light of 450 nm is, for example, 10% or less, preferably 5% or less, and more preferably 1% or less. As a result, it is possible to prevent blue light from passing through the phosphor plate, so that orange with high brightness can be emitted.
  • the light transmittance in blue light of 450 nm can be reduced.
  • the lower limit of the light transmittance in blue light of 450 nm is not particularly limited, but may be, for example, 0.01% or more.
  • the method for producing a phosphor plate of the present embodiment includes a step (1) of obtaining a mixture containing two or more kinds of metal oxides containing SiO 2 and an ⁇ -type sialon phosphor, and a step of calcining the obtained mixture (1). 2) and may have.
  • the ⁇ -type sialon phosphor or metal oxide powder used as a raw material in the step (1) is preferably as high in purity as possible, and the impurities of elements other than the constituent elements are preferably 0.1% or less.
  • ⁇ -type sialon phosphor particles used as the raw material are not pulverized as much as possible and impurities from the apparatus are not mixed as much as possible during mixing is preferable.
  • the raw material metal oxide glass powder ( powder containing SiO 2 ) may be used.
  • SiO 2 powder (silica powder) or a general glass raw material can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
  • SiO 2 powder except the components other than SiO 2 contained in the unavoidable, is intended to include only SiO 2.
  • the softening point of the glass (silica glass) obtained by firing the SiO 2 powder is, for example, about 1600 to 1700 ° C.
  • the content of SiO 2 in the silica glass may be, for example, 98% by mass or more or 99% by mass or more in terms of mass.
  • the general glass raw material may contain other components in addition to SiO 2.
  • Other components include, for example, Al 2 O 3 , BaO, Sb 2 O 3 , SrO, Na 2 O, Na 2 O 3 , CaO, MgO, K 2 O, La 2 O 3 , CeO 2 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , ZnO 2 , As 2 O 3 , TiO 2 , B 2 O 3 , Cr 2 O 3 , PbO, V 2 O 5 , SnO 2, and the like.
  • carbonates, hydroxides and oxalates which become these metal oxides by thermal decomposition may be blended as raw materials. By including other components, the softening point of the glass can be adjusted to be low.
  • the step (2) SiO 2 is sintered to form a glass matrix, and a phosphor plate in which ⁇ -type sialon phosphor particles are dispersed is formed in the glass matrix.
  • the phosphor plate is formed by melting SiO 2 , dispersing the phosphor in the molten glass, forming the lath into a plate shape, and cooling the lath.
  • the ⁇ -type sialone phosphor can exist in a particle state without melting in the glass.
  • the firing temperature may be within ⁇ 400 ° C., which is the softening point of the glass, and preferably within ⁇ 300 ° C., which is the softening point of the glass.
  • the firing method may be normal pressure sintering or pressure sintering, but in order to suppress deterioration of the characteristics of the ⁇ -type sialon phosphor and obtain a dense composite, it is easier to make it denser than normal pressure sintering. Pressure sintering is preferred.
  • the pressure sintering method examples include hot press sintering, discharge plasma sintering (SPS), and hot isotropic pressure sintering (HIP).
  • the pressure is preferably 10 MPa or more, preferably 30 MPa or more, and preferably 100 MPa or less.
  • the firing atmosphere is preferably a non-oxidizing inert gas such as nitrogen or argon, or a vacuum atmosphere for the purpose of preventing the oxidation of ⁇ -type sialon. From the above, the phosphor plate of the present embodiment is obtained.
  • the surface of the plate-shaped composite in the obtained phosphor plate may be subjected to known surface treatments such as polishing treatment, plasma treatment and surface coating treatment as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the light emitting device of this embodiment will be described.
  • the light emitting device of the present embodiment includes a group III nitride semiconductor light emitting device (light emitting element 20) and the above-mentioned phosphor plate 10 provided on one surface of the group III nitride semiconductor light emitting device.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device includes, for example, an n layer, a light emitting layer, and a p layer composed of a group III nitride semiconductor such as an AlGaN, GaN, or InAlGaN-based material.
  • a group III nitride semiconductor light emitting device a blue LED that emits blue light can be used.
  • the phosphor plate 10 may be arranged directly on one surface of the light emitting element 20, but may be arranged via a light transmitting member or a spacer.
  • the disk-shaped phosphor plate 100 (fluorescent wafer) shown in FIG. 1 may be used, but a single piece of the phosphor plate 100 is used. Can be used.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the configuration of the phosphor plate.
  • the lower limit of the thickness of the phosphor plate 100 shown in FIG. 1 is, for example, 50 ⁇ m or more, preferably 80 ⁇ m or more, and more preferably 100 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the thickness of the phosphor plate 100 is, for example, 1 mm or less, preferably 500 ⁇ m or less, and more preferably 300 ⁇ m or less.
  • the thickness of the phosphor plate 100 can be appropriately adjusted by grinding or the like after being obtained in the above manufacturing process.
  • the disk-shaped phosphor plate 100 is superior in durability and transportability because the occurrence of chipping and cracking at the corners is suppressed as compared with the case of the square shape.
  • FIGS. 2 (a) and 2 (b) An example of the above semiconductor device is shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b).
  • FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the flip-chip type light emitting device 110
  • FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the wire bonding type light emitting device 120.
  • the light emitting device 110 of FIG. 2A has a substrate 30, a light emitting element 20 electrically connected to the substrate 30 via a solder 40 (die bond material), and fluorescence provided on the light emitting surface of the light emitting element 20.
  • a body plate 10 is provided.
  • the flip-chip type light emitting device 110 may have either a face-up type or a face-down type structure.
  • the light emitting device 120 of FIG. 2B is provided on the light emitting surface of the substrate 30, the light emitting element 20 electrically connected to the substrate 30 via the bonding wire 60 and the electrode 50, and the light emitting element 20.
  • the phosphor plate 10 is provided. In FIG.
  • the light emitting element 20 and the phosphor plate 10 are attached by a known method, and may be attached by, for example, a silicone-based adhesive or a heat fusion method. Further, the light emitting device 110 and the light emitting device 120 may be entirely sealed with a transparent sealing material.
  • the individualized phosphor plate 10 may be attached to the light emitting element 20 mounted on the substrate 30.
  • a plurality of light emitting elements 20 may be attached to the large-area phosphor plate 100, and then the light emitting elements 20 with the phosphor plate 10 may be individually separated by dicing.
  • the large-area phosphor plate 100 may be attached to the semiconductor wafer on which the plurality of light emitting elements 20 are formed on the surface, and then the semiconductor wafer and the phosphor plate 100 may be individually separated.
  • Example 1 ⁇ -type sialone phosphor A
  • Example 2 ⁇ -type sialone phosphor A
  • 62.4 parts by mass of silicon nitride powder (manufactured by Ube Kosan Co., Ltd., E grade) and 22.5 parts by mass of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Co., Ltd., E grade) are used as the composition of the raw material powder.
  • Europium oxide powder (RU grade manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.) is 2.2 parts by mass
  • calcium nitride powder manufactured by High Purity Chemical Research Institute) is 12.9 parts by mass
  • the opening is 250 ⁇ m.
  • Raw material mixed powder was obtained through a nylon sieve. 120 g of the raw material mixed powder was filled in a cylindrical boron nitride container (manufactured by Denka Co., Ltd., N-1 grade) with a lid having an internal volume of 0.4 liter.
  • This raw material mixed powder was heat-treated at 1800 ° C. for 16 hours in an atmospheric pressure nitrogen atmosphere in an electric furnace of a carbon heater together with the container. Since calcium nitride contained in the raw material mixed powder is easily hydrolyzed in the air, the boron nitride container filled with the raw material mixed powder is immediately set in the electric furnace after being taken out from the glove box and immediately vacuum exhausted. However, the reaction of calcium nitride was prevented.
  • the synthetic product was lightly crushed in a mortar and passed through a sieve having a mesh size of 150 ⁇ m to obtain a fluorescent powder.
  • the obtained fluorescent powder was filled in a cylindrical boron nitride container with a lid having an internal volume of 0.4 liter, and annealed in an electric furnace at 1450 ° C. for 8 hours in a hydrogen atmosphere.
  • ⁇ Acid treatment> 50 ml of 50% hydrofluoric acid and 50 ml of 70% nitric acid were mixed to prepare a mixed stock solution.
  • 300 ml of distilled water was added to the mixed stock solution to dilute the concentration of the mixed stock solution to 25% to prepare 400 ml of a mixed acid aqueous solution.
  • 30 g of the powder composed of the above-mentioned ⁇ -type sialon phosphor particles is added, the temperature of the mixed acid aqueous solution is maintained at 80 ° C., and the acid is immersed for 60 minutes while stirring at a rotation speed of 500 rpm using a magnetic stirrer. Processing was carried out.
  • the acid-treated powder was thoroughly washed with distilled water, filtered, dried, and then passed through a sieve having a mesh size of 45 ⁇ m to prepare a powder composed of ⁇ -type sialon phosphor particles of Example 1.
  • Example 2 ⁇ -type sialone phosphor B Except that the mixed acid aqueous solution used in Example 1 was used, the temperature of the mixed acid aqueous solution was maintained at 80 ° C., and the acid treatment was carried out by immersing for 60 minutes while stirring at a rotation speed of 300 rpm using a magnetic stirrer. A powder composed of ⁇ -type sialon phosphor particles of Example 2 was prepared by the same procedure as in Example 1.
  • the composition of the raw material powder is 62.4 parts by mass of silicon nitride powder (manufactured by Ube Kosan Co., Ltd., E10 grade) and 22.5 parts by mass of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Co., Ltd., E grade).
  • Europium oxide powder (RU grade manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.) is 2.2 parts by mass
  • calcium nitride powder manufactured by High Purity Chemical Research Institute
  • the opening is 250 ⁇ m.
  • Raw material mixed powder was obtained through a nylon sieve. 120 g of the raw material mixed powder was filled in a cylindrical boron nitride container (manufactured by Denka Co., Ltd., N-1 grade) with a lid having an internal volume of 0.4 liter.
  • This raw material mixed powder was heat-treated at 1800 ° C. for 16 hours in an atmospheric pressure nitrogen atmosphere in an electric furnace of a carbon heater together with the container. Since calcium nitride contained in the raw material mixed powder is easily hydrolyzed in the air, the boron nitride container filled with the raw material mixed powder is immediately set in the electric furnace after being taken out from the glove box and immediately vacuum exhausted. However, the reaction of calcium nitride was prevented.
  • the synthetic product was lightly crushed in a mortar and passed through a sieve having a mesh size of 150 ⁇ m to obtain a phosphor powder composed of ⁇ -type sialon phosphor C.
  • Example 1 As a raw material for the phosphor plate of Example 1, glass powder and a Ca- ⁇ type sialone phosphor (obtained ⁇ type sialon phosphor A, average particle size D50: 15 ⁇ m) were used. Glass powder and Ca- ⁇ type sialon phosphor powder were dry-mixed in agate mortar at a predetermined ratio. The mixed raw material was disaggregated through a nylon mesh sieve having an opening of 75 ⁇ m to obtain a raw material mixed powder.
  • a hot press jig filled with this raw material mixed powder was set in a multipurpose high temperature furnace (manufactured by Fuji Dempa Kogyo Co., Ltd., High Multi 5000) with a carbon heater.
  • the inside of the furnace was evacuated to 0.1 Pa or less, and the upper and lower punches were pressurized with a press pressure of 55 MPa while maintaining the reduced pressure state.
  • the temperature was raised to 1450 ° C. at a rate of 5 ° C. per minute. After reaching 1450 ° C., heating was stopped, the mixture was slowly cooled to room temperature, and decompressed.
  • the calcined product having an outer diameter of 30 mm was collected, and the outer peripheral portion was ground using a surface grinding machine and a cylindrical grinding machine to obtain a disk-shaped phosphor plate having a diameter of 25 mm and a thickness of 1.5 mm.
  • a state in which Ca- ⁇ type sialon phosphor particles were dispersed between the glass matrix phases was observed.
  • the surface roughness Ra of the main surface of the phosphor plate of Example 1 measured using a surface roughness measuring instrument (manufactured by Mitutoyo, SJ-400) in accordance with JIS B0601: 1994 is 1.0 ⁇ m.
  • the surface roughness Ra of the back surface opposite to the main surface was 1.0 ⁇ m.
  • Example 2 A disk-shaped phosphor plate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained ⁇ -type sialon phosphor B was used as the Ca- ⁇ -type sialon phosphor.
  • Example 1 A disk-shaped phosphor plate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained ⁇ -type sialon phosphor C was used as the Ca- ⁇ -type sialon phosphor.
  • T1 represents the intensity of transmitted light having a wavelength of 455 nm
  • T2 represents the intensity of transmitted light having a wavelength of 600 nm
  • R1 represents the intensity of reflected light having a wavelength of 455 nm
  • R2 represents the intensity of reflected light having a wavelength of 600 nm.
  • the obtained phosphor plate was evaluated for the following evaluation items.
  • the obtained disk-shaped phosphor plate having a thickness of 1.5 mm was thinly processed to the thickness shown in Table 1 to prepare a test plate.
  • Quantum efficiency measuring device QE-2100HMB, Otsuka having a system for independently evaluating reflected light (R1, R2) and transmitted light (T1, T2) at excitation light: 455 nm and 600 nm for the obtained test plate. Measured using (manufactured by Electronics Co., Ltd.). The results are shown in Table 1.
  • Monochromatic light separated into a wavelength of 455 nm from a light emitting light source (Xe lamp) was introduced into the integrating sphere as excitation light of a phosphor using an optical fiber.
  • the phosphor plate was irradiated with this monochromatic light, and the fluorescence spectrum of the phosphor plate was measured using a quantum efficiency measuring device. From the obtained spectral data, the number of excited reflected light photons (Qref) and the number of fluorescent photons (Qem) were calculated.
  • the number of excited reflected light photons was calculated in the same wavelength range as the number of excited light photons, and the number of fluorescent photons was calculated in the range of 480 to 800 nm.
  • a standard reflector (Spectralon (registered trademark) manufactured by Labsphere) having a reflectance of 99% was attached to the opening of the integrating sphere, and the spectrum of excitation light having a wavelength of 455 nm was measured. At that time, the number of excited photons (Qex) was calculated from the spectrum in the wavelength range of 435 to 470 nm. It was determined by the 455 nm light absorption rate, internal quantum efficiency, and the following calculation formula of each of the phosphors of Examples and Comparative Examples.
  • the phosphor plates of Examples 1 and 2 showed excellent results in internal quantum efficiency and external quantum efficiency as compared with Comparative Example 1. Therefore, by using the phosphor plates of Examples 1 and 2, a light emitting device having excellent brightness can be realized.
  • Fluorescent plate 20 Light emitting element 30 Substrate 40 Solder 50 Electrode 60 Bonding wire 70 Recess 100 Fluorescent plate 100 Light emitting device 120 Light emitting device 130 LED package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本発明の蛍光体プレート（１００）は、ＳｉＯ２を含む２種類以上の金属酸化物の焼結物である無機母材と、無機母材中に含まれる蛍光体と、を含む板状の複合体を備える蛍光体プレート（１００）であって、蛍光体は、α型サイアロン蛍光体を含み、当該蛍光体プレートの、波長４５５ｎｍの透過光の強度をＴ１、波長４５５ｎｍの反射光の強度をＲ１としたとき、Ｔ１、Ｒ１が、１．５×１０－２≦Ｔ１／Ｒ１≦５．０×１０－２を満たすものである。

Description

蛍光体プレート、及び発光装置
　本発明は、蛍光体プレート、及び発光装置に関する。
　これまで蛍光体プレートについて様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１には、ガラスマトリクス中に無機蛍光体が分散してなる波長変換部材が記載されている（特許文献１の請求項１）。同文献によれば、波長変換部材の形状は限定されず板状でもよいと記載されている（段落００５４）。
特開２０１５－１９９６４０号公報
　しかしながら、本発明者が検討した結果、上記特許文献１に記載の板状の波長変換部材において、外部量子効率の点で改善の余地があることが判明した。
　本発明者はさらに検討したところ、上記無機蛍光体としてα型蛍光体を使用したとき、蛍光体プレートにおいて、内部量子効率や外部量子効率が低下する恐れがあることを見出した。このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、励起光である波長４５５ｎｍのＴ１／Ｒ１を指標とすることによって、蛍光体プレートについての光学特性を安定的に評価でき、指標Ｔ１／Ｒ１の下限を所定値以上とすることにより、蛍光体プレートの外部量子効率が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。
　本発明によれば、
　ＳｉＯ２を含む２種類以上の金属酸化物の焼結物である無機母材と、前記無機母材中に含まれる蛍光体と、を含む板状の複合体を備える蛍光体プレートであって、
　前記蛍光体は、α型サイアロン蛍光体を含み、
　下記の手順で測定される当該蛍光体プレートの、波長４５５ｎｍの透過光の強度をＴ１、波長４５５ｎｍの反射光の強度をＲ１としたとき、
　Ｔ１、Ｒ１が、１．５×１０－２≦Ｔ１／Ｒ１≦５．０×１０－２を満たす、蛍光体プレートが提供される。
（手順）
　当該蛍光体プレートにおいて、量子効率測定装置を用いて、波長４５５ｎｍおよび波長６００ｎｍの各波長における、反射光および透過光の強度を測定する。
　また本発明によれば、
　ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子と、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の一面上に設けられた、上記の蛍光体プレートと、
を備える、発光装置が提供される。
　本発明によれば、外部量子効率に優れた蛍光体プレート、及びそれを用いた発光装置が提供される。
本実施形態の蛍光体プレートの構成の一例を示す模式図である。 （ａ）はフリップチップ型の発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、（ｂ）はワイヤボンディング型の発光素子の構成を模式的に示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。
　本実施形態の蛍光体プレートを概説する。
　本実施形態の蛍光体プレートの概要を説明する。
　本実施形態の蛍光体プレートは、ＳｉＯ２を含む２種類以上の金属酸化物の焼結物である無機母材と、無機母材中に含まれるα型サイアロン蛍光体と、を含む板状の複合体を備える板状部材で構成される。
　蛍光体プレートは、照射された青色光を橙色光に変換して発光する波長変換体として機能し得る。
　蛍光体プレートは、量子効率測定装置を用いて測定される、波長４５５ｎｍの透過光の強度をＴ１、波長４５５ｎｍの反射光の強度をＲ１としたとき、Ｔ１、Ｒ１が、１．５×１０－２≦Ｔ１／Ｒ１≦５．０×１０－２を満たすように構成される。
　本発明者の知見によれば、励起光である波長４５５ｎｍのＴ１／Ｒ１を指標とすることによって、蛍光体プレートについての光学特性を安定的に評価でき、指標Ｔ１／Ｒ１の下限を上記上限値以上とすることにより、蛍光体プレートの外部量子効率を向上できることが見出された。
　詳細なメカニズムは定かではないが、次のように考えられる。
　Ｔ１は波長４５５ｎｍ（青色光）の透過光、Ｒ１は波長４５５ｎｍ（青色光）の反射率を表す。この波長４５５ｎｍの青色光は、蛍光体プレートを発光させる為の励起光となる。そのため、波長４５５ｎｍの励起光が蛍光体プレートにより多く吸収されることは、光学特性の向上に寄与することになる。
　今回、指標Ｔ１／Ｒ１が大きくなるほど、Ｔ１とＲ１の値の差が大きくなることを示す。ここで、Ｔ１は、Ｒ１と比較すると１／１００程度と非常に小さい値、Ｔ１＜＜Ｒ１となる。このため、Ｔ１／Ｒ１が大きくなることは、Ｒ１が小さくなること、すなわち、波長４５５ｎｍの励起光が蛍光体プレートにより吸収されていることを示す。したがって、指標Ｔ１／Ｒ１の下限を上記下限値以上とすることによって、外部量子効率が大きくなると考えられる。
　蛍光体プレートにおいて、量子効率測定装置を用いて測定される、波長４５５ｎｍの透過光の強度をＴ１、波長４５５ｎｍの反射光の強度をＲ１、波長６００ｎｍの透過光の強度をＴ２、および波長６００ｎｍの反射光の強度をＲ２とする。
　測定対象の蛍光体プレートは、厚みが約０．１７ｍｍ～０．２２ｍｍのものを使用してもよい。
　波長４５５ｎｍや波長６００ｎｍの励起光の入射角が９０度、反射角・透過角が４５度としてもよい。
　Ｔ１／Ｒ１の下限は、１．５×１０－２以上、好ましくは１．６×１０－２以上、より好ましくは１．７×１０－２以上である。これにより、外部量子効率および内部量子効率を向上できる。
　Ｔ１／Ｒ１の上限は、例えば、５．０×１０－２以下、好ましくは４．０×１０－２以下、より好ましくは３．５×１０－２以下でもよい。
　蛍光体プレートは、Ｔ１、Ｔ２が、８．０×１０－２≦Ｔ１／Ｔ２≦２．５×１０－１を満たすように構成されてもよい。
　Ｔ１／Ｔ２の下限は、８．０×１０－２以上、好ましくは９．０×１０－２以上、より好ましくは１．０×１０－１以上である。これにより、外部量子効率および内部量子効率を向上できる。
　Ｔ１／Ｔ２の上限は、例えば、２．５×１０－１以下、好ましくは２．３×１０－１以下、より好ましくは２．０×１０－１以下でもよい。
　蛍光体プレートは、８．５×１０－１≦Ｔ２／Ｒ２≦９．５×１０－１を満たすように構成されてもよい。
　Ｔ２／Ｒ２の下限は、８．５×１０－１以上、好ましくは８．８×１０－１以上、より好ましくは９．０×１０－１以上である。これにより、外部量子効率および内部量子効率を向上できる。
　Ｔ２／Ｒ２の上限は、例えば、９．５×１０－１以下、好ましくは９．４×１０－１以下、より好ましくは９．３×１０－１以下でもよい。
　蛍光体プレートは、５．０≦Ｒ１／Ｒ２≦６．５を満たすように構成されてもよい。
　Ｒ１／Ｒ２の下限は、５．０以上、好ましくは５．１以上、より好ましくは５．２以上である。これにより、外部量子効率および内部量子効率を向上できる。
　Ｒ１／Ｒ２の上限は、例えば、６．５以下、好ましくは６．４以下、より好ましくは６．３でもよい。
　本実施形態では、たとえば蛍光体プレート中のα型サイアロン蛍光体中に含まれる各成分の種類や配合量、α型サイアロン蛍光体や蛍光体プレートの調製方法等を適切に選択することにより、上記Ｔ１／Ｒ１、Ｔ１／Ｔ２、Ｔ２／Ｒ２、及びＲ１／Ｒ２を制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、α型サイアロン蛍光体の製造工程においてアニール処理および酸処理を適切に行うこと等が、上記Ｔ１／Ｒ１、Ｔ１／Ｔ２、Ｔ２／Ｒ２、及びＲ１／Ｒ２を所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。
　上記蛍光体プレートによれば、波長４５５ｎｍの青色光が照射された場合、蛍光体プレートから発せられる波長変換光のピーク波長は５８５ｎｍ以上６０５ｎｍ以下であることが好ましい。また、これによれば、青色光を発光する発光素子に蛍光体プレートを組み合わせることで、輝度が高い橙色を発光する発光装置を得ることができる。
　本実施形態の蛍光体プレートの構成について詳述する。
　上記蛍光体プレートを構成する複合体中は、α型サイアロン蛍光体と無機母材とが混在した状態となる。具体的には、複合体は、無機母材を構成するガラスマトリクス（ＳｉＯ２の焼結物）中にα型サイアロン蛍光体が分散された構造を有してもよい。このα型サイアロン蛍光体は、粒子の状態で、無機母材（金属酸化物の焼結物）中に均一に分散されていてもよい。
（α型サイアロン蛍光体）
　本実施形態のα型サイアロン蛍光体は、下記一般式（１）で表されるＥｕ元素を含有するα型サイアロン蛍光体を含むものである。
（Ｍ）ｍ（１－ｘ）／ｐ（Ｅｕ）ｍｘ／２（Ｓｉ）１２－（ｍ＋ｎ）（Ａｌ）ｍ＋ｎ（Ｏ）ｎ（Ｎ）１６－ｎ　・・一般式（１）
　上記一般式（１）中、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ及びランタニド元素（ＬａとＣｅを除く）からなる群から選ばれる１種以上の元素を表し、ｐはＭ元素の価数、０＜ｘ＜０．５、１．５≦ｍ≦４．０、０≦ｎ≦２．０を表す。ｎは、例えば、２．０以下でもよく、１．０以下でもよく、０．８以下でもよい。
　α型サイアロンの固溶組成は、α型窒化ケイ素の単位胞（Ｓｉ１２Ｎ１６）のｍ個のＳｉ－Ｎ結合をＡｌ－Ｎ結合に、ｎ個のＳｉ－Ｎ結合をＡｌ－Ｏ結合に置換し、電気的中性を保つために、ｍ／ｐ個のカチオン（Ｍ、Ｅｕ）が結晶格子内に侵入固溶し、上記一般式のように表される。特にＭとして、Ｃａを使用すると、幅広い組成範囲でα型サイアロンが安定化し、その一部を発光中心となるＥｕで置換することにより、紫外から青色の幅広い波長域の光で励起され、黄から橙色の可視発光を示す蛍光体が得られる。
　一般に、α型サイアロンは、当該α型サイアロンとは異なる第二結晶相や不可避的に存在する非晶質相のため、組成分析等により固溶組成を厳密に規定することができない。α型サイアロンの結晶相としては、α型サイアロン単相が好ましく、他の結晶相としてβ型サイアロン、窒化アルミニウム又はそのポリタイポイド、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８、ＣａＡｌＳｉＮ３等を含んでいてもよい。
　α型サイアロン蛍光体の製造方法としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム及び侵入固溶元素の化合物からなる混合粉末を高温の窒素雰囲気中で加熱して反応させる方法がある。加熱工程で構成成分の一部が液相を形成し、この液相に物質が移動することにより、α型サイアロン固溶体が生成する。合成後のα型サイアロン蛍光体は複数の等軸状の一次粒子が焼結して塊状の二次粒子を形成する。本実施形態における一次粒子とは、粒子内の結晶方位が同一であり、単独で存在することができる最小粒子をいう。
　α型サイアロン蛍光体の平均粒子径の下限は、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。また、α型サイアロン蛍光体の平均粒子径の上限は、３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。α型サイアロン蛍光体の平均粒子径は上記二次粒子における寸法である。α型サイアロン蛍光体の平均粒子径を５μｍ以上とすることにより、複合体の透明性をより高めることができる。一方、α型サイアロン蛍光体の平均粒子径を３０μｍ以下とすることにより、ダイサー等で蛍光体プレートを切断加工する際に、チッピングが生じることを抑制することができる。
　ここで、α型サイアロン蛍光体の平均粒子径とは、粒度分布測定装置（マイクロトラック・ベル株式会社製マイクロトラックＭＴ３０００ＩＩ）により測定して得られる体積基準粒度分布において、小粒径側からの通過分積算（積算通過分率）５０％の粒子径Ｄ５０をいう。
　α型サイアロン蛍光体の含有量の下限値は、複合体全体に対して、体積換算で、例えば、５Ｖｏｌ％以上、好ましくは１０Ｖｏｌ％以上、より好ましくは１５Ｖｏｌ％以上である。これにより、薄層の蛍光体プレートにおける発光強度を高めることができる。また、蛍光体プレートの光変換効率を向上できる。一方、α型サイアロン蛍光体の含有量の上限値は、複合体全体に対して、体積換算で、例えば、５０Ｖｏｌ％以下、好ましくは４５Ｖｏｌ％以下、より好ましくは４０Ｖｏｌ％以下である。蛍光体プレートの熱伝導性の低下を抑制できる。
　α型サイアロン蛍光体および無機母材の含有量の下限値は、例えば、複合体全体に対して、体積換算で、９５Ｖｏｌ％以上、好ましくは９８Ｖｏｌ％以上、より好ましくは９９Ｖｏｌ％以上である。つまり、蛍光体プレートを構成する複合体は、α型サイアロン蛍光体および無機母材を主成分として含むことを意味する。これにより、耐久性を高められる上に、安定的な発光効率を実現できる。一方、α型サイアロン蛍光体および無機母材の含有量の上限値は、特に限定されないが、例えば、複合体全体に対して、体積換算で、１００Ｖｏｌ％以下としてもよい。
　上記蛍光体プレートの少なくとも主面、または主面および裏面の両面における表面が表面処理されていてもよい。表面処理としては、例えば、ダイアモンド砥石等を用いた研削、ラッピング、ポリッシング等の研磨などが挙げられる。
　上記蛍光体プレートの主面における表面粗さＲａは、例えば、０．１μｍ以上２．０μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以上１．５μｍ以下である。
　一方、上記蛍光体プレートの裏面における表面粗さＲａは、例えば、０．１μｍ以上２．０μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以上１．５μｍ以下である。
　上記表面粗さを上記上限値以下とすることで、光の取り出し効率や、面内方向における光強度のバラツキを抑制できる。上記表面粗さを上記下限値以上とすることで、被着体との密着性を高められることが期待される。
　上記蛍光体プレートにおいて、４５０ｎｍの青色光における光線透過率の上限値は、例えば、１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下である。これにより、青色光が蛍光体プレートを透過することを抑制できるため、輝度が高い橙色を発光できる。α型サイアロン蛍光体の含有量や蛍光体プレートの厚みを適切に調整することで、４５０ｎｍの青色光における光線透過率を低減できる。
　なお、４５０ｎｍの青色光における光線透過率の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．０１％以上としてもよい。
　本実施形態の蛍光体プレートの製造工程について詳述する。
　本実施形態の蛍光体プレートの製造方法は、ＳｉＯ２を含む２種類以上の金属酸化物、及びα型サイアロン蛍光体を含む混合物を得る工程（１）と、得られた混合物を焼成する工程（２）と、を有してもよい。
　工程（１）において、原料として用いるα型サイアロン蛍光体や金属酸化物の粉末は、できるだけ高純度であるものが好ましく、構成元素以外の元素の不純物は０．１％以下であることが好ましい。
　原料粉末の混合は、乾式、湿式の種々の方法を適用できるが、原料として用いるα型サイアロン蛍光体粒子が極力粉砕されず、また混合時に装置からの不純物が極力混入しない方法が好ましい。
　原料の金属酸化物として、ガラス粉末（ＳｉＯ２を含む粉末）を使用してもよい。
　ガラス粉末としては、ＳｉＯ２粉末（シリカ粉末）や、一般的なガラス原料を使用できる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　ＳｉＯ２粉末は、不可避に含まれるＳｉＯ２以外の成分を除いて、ＳｉＯ２のみを含むものである。
　ＳｉＯ２粉末を焼成して得られたガラス（シリカガラス）の軟化点は、例えば、約１６００～１７００℃になる。シリカガラス中のＳｉＯ２の含有量は、例えば、質量換算で９８質量％以上、９９質量％以上でもよい。
　一般的なガラス原料は、ＳｉＯ２の他に、他の成分を含んでもよい。他の成分として、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＯ、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｒＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｋ２Ｏ、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＺｎＯ２、Ａｓ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２などが挙げられる。また、熱分解によってこれらの金属酸化物となる炭酸塩、水酸化物、シュウ酸塩を原料として配合してもよい。他の成分を含むことによってガラスの軟化点が低なるように調整できる。
　工程（２）において、ＳｉＯ２が焼結してガラスマトリックスを構成し、そのガラスマトリックス中にα型サイアロン蛍光体の粒子が分散してなる蛍光体プレートを成形する。あるいはＳｉＯ２を溶融し、溶融したガラス中に蛍光体を分散させ、ラスを板状に成形し冷却することで、蛍光体プレートを成形する。
　α型サイアロン蛍光体は、ガラス中に溶融せずに粒子状態で存在できる。
　工程（２）では、焼成温度としては、ガラスの軟化点±４００℃以内としてもよく、好ましくはガラスの軟化点±３００℃以内でもよい。
　焼成方法は常圧焼結でも加圧焼結でも構わないが、α型サイアロン蛍光体の特性低下を抑制し、且つ緻密な複合体を得るために、常圧焼結よりも緻密化させやすい加圧焼結が好ましい。
　加圧焼結方法としては、ホットプレス焼結や放電プラズマ焼結（ＳＰＳ）、熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）などが挙げられる。ホットプレス焼結やＳＰＳ焼結の場合、圧力は１０ＭＰａ以上、好ましくは３０ＭＰａ以上が好ましく、１００ＭＰａ以下が好ましい。
　焼成雰囲気はα型サイアロンの酸化を防ぐ目的のため、窒素やアルゴンなどの非酸化性の不活性ガス、もしくは真空雰囲気下が好ましい。
　以上により、本実施形態の蛍光体プレートが得られる。
　得られた蛍光体プレート中の板状の複合体の表面は、本発明の効果を損なわない範囲において研磨処理、プラズマ処理や表面コート処理等の公知の表面処理などが施されてもよい。
　本実施形態の発光装置について説明する。
　本実施形態の発光装置は、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子（発光素子２０）と、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の一面上に設けられた上記の蛍光体プレート１０と、を備えるものである。ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、例えば、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ系材料などのＩＩＩ族窒化物半導体で構成される、ｎ層、発光層、およびｐ層を備えるものである。ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子として、青色光を発光する青色ＬＥＤを用いることができる。
　蛍光体プレート１０は、発光素子２０の一面上に直接配置されてもよいが、光透過性部材またはスペーサーを介して配置され得る。
　発光素子２０の上に配置される蛍光体プレート１０は、図１に示す円板形状の蛍光体プレート１００（蛍光体ウェハ）を用いてもよいが、蛍光体プレート１００を個片化したものを用いることができる。
　図１は、蛍光体プレートの構成の一例を示す模式図である。
　図１に示す蛍光体プレート１００の厚みの下限は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上である。蛍光体プレート１００の厚みの上限は、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下である。
　蛍光体プレート１００の厚みは、上記の製造工程で得られた後、研削などにより、適当に調整され得る。
　なお、円板形状の蛍光体プレート１００は、四角形状の場合と比べて、角部における欠けや割れの発生が抑制されるため、耐久性や搬送性に優れる。
　上記の半導体装置の一例を、図２（ａ）、（ｂ）に示す。図２（ａ）はフリップチップ型の発光装置１１０の構成を模式的に示す断面図であり、図２（ｂ）はワイヤボンディング型の発光装置１２０の構成を模式的に示す断面図である。
　図２（ａ）の発光装置１１０は、基板３０と、半田４０（ダイボンド材）を介して基板３０と電気的に接続された発光素子２０と、発光素子２０の発光面上に設けられた蛍光体プレート１０と、を備える。フリップチップ型の発光装置１１０は、フェイスアップ型およびフェイスダウン型のいずれの構造でもよい。
　また、図２（ｂ）の発光装置１２０は、基板３０と、ボンディングワイヤ６０および電極５０を介して基板３０と電気的に接続された発光素子２０と、発光素子２０の発光面上に設けられた蛍光体プレート１０と、を備える。
　図２中、発光素子２０と蛍光体プレート１０とは、公知の方法で貼り付けられており、例えば、シリコーン系接着剤や熱融着等の方法で貼り合わされてもよい。
　また、発光装置１１０、発光装置１２０は、全体を透明封止材で封止されていてもよい。
　なお、基板３０に実装された発光素子２０に対し、個片化された蛍光体プレート１０を貼り付けてもよい。大面積の蛍光体プレート１００に複数の発光素子２０を貼り付けてから、ダイシングにより、蛍光体プレート１０付き発光素子２０ごとに個片化してもよい。また、複数の発光素子２０が表面に形成された半導体ウェハに、大面積の蛍光体プレート１００を貼り付け、その後、半導体ウェハと蛍光体プレート１００を一括して個片化してもよい。
　以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
　以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
＜α型サイアロン蛍光体の製造＞
　以下の手順に基づいて、α型サイアロン蛍光体Ａ～Ｃを作製した。
（実施例１：α型サイアロン蛍光体Ａ）
＜混合＞
　グローブボックス内で、原料粉末の配合組成として、窒化ケイ素粉末（宇部興産株式会社製、Ｅ１０グレード）を６２．４質量部、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ株式会社製、Ｅグレード）を２２．５質量部、酸化ユーロピウム粉末（信越化学工業社製ＲＵグレード）を２．２質量部、窒化カルシウム粉末（高純度化学研究所社製）を１２．９質量部とし、原料粉末をドライブレンド後、目開き２５０μｍのナイロン製篩を通して原料混合粉末を得た。その原料混合粉末１２０ｇを、内部の容積が０．４リットルの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（デンカ株式会社製、Ｎ－１グレード）に充填した。
＜焼成＞
　この原料混合粉末を容器ごとカーボンヒーターの電気炉で大気圧窒素雰囲気中、１８００℃で１６時間の加熱処理を行った。原料混合粉末に含まれる窒化カルシウムは、空気中で容易に加水分解しやすいので、原料混合粉末を充填した窒化ホウ素製容器はグローブボックスから取り出した後、速やかに電気炉にセットし、直ちに真空排気し、窒化カルシウムの反応を防いだ。合成物は乳鉢で軽く解砕し、目開き１５０μｍの篩を全通させ、蛍光体粉末を得た。
＜アニール＞
　得られた蛍光体粉末を、内部の容積が０．４リットルの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器に充填し、電気炉で、水素雰囲気中、１４５０℃で８時間のアニール処理を行った。
＜酸処理＞
　次に、５０％フッ酸５０ｍｌと、７０％硝酸５０ｍｌとを混合して混合原液とした。混合原液に蒸留水３００ｍｌを加え、混合原液の濃度を２５％に希釈し、混酸水溶液４００ｍｌを調製した。この混酸水溶液に、上述のα型サイアロン蛍光体粒子からなる粉末３０ｇを添加し、混酸水溶液の温度を８０℃に保ち、マグネチックスターラを用いて回転速度５００ｒｐｍで攪拌しながら、６０分浸漬する酸処理を実施した。酸処理後の粉末は、蒸留水にて十分に酸を洗い流して濾過し、乾燥させた後、目開き４５μｍの篩を通して実施例１のα型サイアロン蛍光体粒子からなる粉末を作製した。
（実施例２：α型サイアロン蛍光体Ｂ）
　実施例１で用いた混酸水溶液を用いて、混酸水溶液の温度を８０℃に保ち、マグネチックスターラを用いて回転速度３００ｒｐｍで攪拌しながら、６０分浸漬する酸処理を実施したことを除いて、実施例１と同様な手順で実施例２のα型サイアロン蛍光体粒子からなる粉末を作製した。
（比較例１：α型サイアロン蛍光体Ｃ）
＜混合＞
　グローブボックス内で、原料粉末の配合組成として、窒化ケイ素粉末（宇部興産株式会社製、Ｅ１０グレード）を６２．４質量部、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ株式会社製、Ｅグレード）を２２．５質量部、酸化ユーロピウム粉末（信越化学工業社製ＲＵグレード）を２．２質量部、窒化カルシウム粉末（高純度化学研究所社製）を１２．９質量部とし、原料粉末をドライブレンド後、目開き２５０μｍのナイロン製篩を通して原料混合粉末を得た。その原料混合粉末１２０ｇを、内部の容積が０．４リットルの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（デンカ株式会社製、Ｎ－１グレード）に充填した。
＜焼成＞
　この原料混合粉末を容器ごとカーボンヒーターの電気炉で大気圧窒素雰囲気中、１８００℃で１６時間の加熱処理を行った。原料混合粉末に含まれる窒化カルシウムは、空気中で容易に加水分解しやすいので、原料混合粉末を充填した窒化ホウ素製容器はグローブボックスから取り出した後、速やかに電気炉にセットし、直ちに真空排気し、窒化カルシウムの反応を防いだ。合成物は乳鉢で軽く解砕し、目開き１５０μｍの篩を全通させ、α型サイアロン蛍光体Ｃからなる蛍光体粉末を得た。
　実施例１、２、及び比較例１で得られた蛍光体粉末について、ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折測定（ＸＲＤ測定）により結晶相を調べたところ、結晶相は、いずれも、ＥｕおよびＣａを含むα型サイアロンであることを確認した。また、α型サイアロン型蛍光体Ａ～Ｃのいずれも、上記の一般式（１）を満たすものであった。
（実施例１）
　実施例１の蛍光体プレートの原料として、ガラス粉末、Ｃａ－α型サイアロン蛍光体（得られたα型サイアロン蛍光体Ａ、平均粒径Ｄ５０：１５μｍ）を用いた。ガラス粉末と、Ｃａ－α型サイアロン蛍光体粉末を所定量比で、メノウ乳鉢により乾式混合した。混合後の原料を目開き７５μｍのナイロン製メッシュ篩を通して凝集を解き、原料混合粉末を得た。尚、原料の真密度（ガラス粉末：３．７０ｇ／ｃｍ３、Ｃａ－α型サイアロン蛍光体：３．３４ｇ／ｃｍ３）から算出した配合比は、ガラス粉末：Ｃａ－α型サイアロン蛍光体＝７０：３０体積％である。
　約１１ｇの原料混合粉末をカーボン製下パンチをセットした内径３０ｍｍのカーボン製ダイスに充填し、カーボン製上パンチをセットし、原料粉末を挟み込んだ。尚、原料混合粉末とカーボン治具の間には固着防止のために、厚み０．１２７ｍｍのカーボンシート（ＧｒａＴｅｃｈ社製、ＧＲＡＦＯＩＬ）をセットした。
　この原料混合粉末を充填したホットプレス治具をカーボンヒーターの多目的高温炉（富士電波工業株式会社製、ハイマルチ５０００）にセットした。炉内を０．１Ｐａ以下まで真空排気し、減圧状態を保ったまま、上下パンチを５５ＭＰａのプレス圧で加圧した。加圧状態を維持したまま、毎分５℃の速さで１４５０℃まで昇温した。１４５０℃に到達後、加熱を止め、室温まで徐冷し、除圧した。その後、外径３０ｍｍの焼成物を回収し、平面研削盤と円筒研削盤を用いて、外周部を研削し、直径２５ｍｍ、厚さ１．５ｍｍの円板状の蛍光体プレートを得た。
　実施例１の蛍光体プレートを研磨してＳＥＭ観察を実施した結果、ガラスマトリクス相の間にＣａ－α型サイアロン蛍光体粒子が分散した状態が観察された。
　なお、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：１９９４に準拠し、表面粗さ測定器（ミツトヨ製、ＳＪ－４００）を用いて測定した実施例１の蛍光体プレートの主面の表面粗さＲａが１．０μｍであり、主面とは反対側の裏面の表面粗さＲａが１．０μｍであった。
（実施例２）
　Ｃａ－α型サイアロン蛍光体として、得られたα型サイアロン蛍光体Ｂを使用した以外は、実施例１と同様にして、円板状の蛍光体プレートを得た。
（比較例１）
　Ｃａ－α型サイアロン蛍光体として、得られたα型サイアロン蛍光体Ｃを使用した以外は、実施例１と同様にして、円板状の蛍光体プレートを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１中、Ｔ１は、波長４５５ｎｍ透過光の強度、Ｔ２は、波長６００ｎｍ透過光の強度、Ｒ１は、波長４５５ｎｍ反射光の強度、Ｒ２は、波長６００ｎｍ反射光の強度を表す。
　得られた蛍光体プレートについて以下の評価項目について評価を行った。
　得られた厚さ１．５ｍｍの円板状の蛍光体プレートの、表１に示す厚みまで薄く加工し、試験用プレートを作製した。
［光学特性］
　得られた試験用プレートを使用し、発光スペクトルを測定した。その結果、いずれの発光スペクトルにおいて、波長が５９５ｎｍ以上６０５ｎｍ、すなわち橙色光（Ｏｒａｎｇｅ）の波長領域に、最大の発光強度を示した。
［反射光、透過光の強度］
　得られた試験用プレートについて、励起光：４５５ｎｍおよび６００ｎｍにおける、反射光（Ｒ１、Ｒ２）や透過光（Ｔ１、Ｔ２）を、独立に評価するシステムを有する量子効率測定装置（ＱＥ－２１００ＨＭＢ、大塚電子株式会社製）を用いて測定した。結果を表１に示す。
［吸収率、反射率、透過率、外部量子効率、内部量子効率］
　また、得られた試験用プレートについて、［反射光、透過光の強度］と同様にして、量子効率測定装置（ＱＥ－２１００ＨＭＢ、大塚電子株式会社製）を用いて、４５５ｎｍにおける、吸収率、反射率、透過率、外部量子効率、内部量子効率を測定した。結果を表１に示す。
　即ち、測定する実施例、比較例の蛍光体プレートを、積分球の開口部に取り付けた。この積分球内に、発光光源（Ｘｅランプ）から４５５ｎｍの波長に分光した単色光を、光ファイバーを用いて蛍光体の励起光として導入した。この単色光を蛍光体プレートに照射し、蛍光体プレートの蛍光スペクトルを量子効率測定装置を用いて測定した。
　得られたスペクトルデータから、励起反射光フォトン数（Ｑｒｅｆ）及び蛍光フォトン数（Ｑｅｍ）を算出した。励起反射光フォトン数は、励起光フォトン数と同じ波長範囲で、蛍光フォトン数は、４８０～８００ｎｍの範囲で算出した。
　また同じ装置を用い、積分球の開口部に反射率が９９％の標準反射板（Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ社製スペクトラロン（登録商標））を取り付けて、波長４５５ｎｍの励起光のスペクトルを測定した。その際、４３５～４７０ｎｍの波長範囲のスペクトルから励起光フォトン数（Ｑｅｘ）を算出した。
実施例、比較例の各蛍光体の４５５ｎｍ光吸収率、内部量子効率、次に示す計算式によって、求めた。
４５５ｎｍ光吸収率＝（（Ｑｅｘ－Ｑｒｅｆ）／Ｑｅｘ）×１００
　　　内部量子効率＝（Ｑｅｍ／（Ｑｅｘ－Ｑｒｅｆ））×１００
　なお、外部量子効率は、以下に示す計算式により求められ、
　　　　　　　外部量子効率＝（Ｑｅｍ／Ｑｅｘ）×１００
　従って、上記式より外部量子効率は以下に示す関係となる。
　　　　　　　外部量子効率＝４５５ｎｍ光吸収率×内部量子効率
　実施例１、２の蛍光体プレートは、比較例１に比べて、内部量子効率および外部量子効率に優れる結果を示した。したがって、実施例１、２の蛍光体プレートを用いることで、輝度に優れた発光装置を実現できる。
　この出願は、２０２０年３月４日に出願された日本出願特願２０２０－０３６８７６号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１０　蛍光体プレート
２０　発光素子
３０　基板
４０　半田
５０　電極
６０　ボンディングワイヤ
７０　凹部
１００　蛍光体プレート
１００　発光装置
１２０　発光装置
１３０　ＬＥＤパッケージ 

Claims (10)

  1. 　ＳｉＯ２を含む２種類以上の金属酸化物の焼結物である無機母材と、前記無機母材中に含まれる蛍光体と、を含む板状の複合体を備える蛍光体プレートであって、
    　前記蛍光体は、α型サイアロン蛍光体を含み、
    　下記の手順で測定される当該蛍光体プレートの、波長４５５ｎｍの透過光の強度をＴ１、波長４５５ｎｍの反射光の強度をＲ１としたとき、
    　Ｔ１、Ｒ１が、１．５×１０－２≦Ｔ１／Ｒ１≦５．０×１０－２を満たす、蛍光体プレート。
    （手順）
    　当該蛍光体プレートにおいて、量子効率測定装置を用いて、波長４５５ｎｍおよび波長６００ｎｍの各波長における、反射光および透過光の強度を測定する。
  2. 　請求項１に記載の蛍光体プレートであって、
    　上記の手順で測定される当該蛍光体プレートの、波長４５５ｎｍの透過光の強度をＴ１、波長６００ｎｍの透過光の強度をＴ２としたとき、
    　Ｔ１、Ｔ２が、８．０×１０－２≦Ｔ１／Ｔ２≦２．５×１０－１を満たす、蛍光体プレート。
  3. 　請求項１又は２に記載の蛍光体プレートであって、
    　下記の手順で測定される当該蛍光体プレートの、波長６００ｎｍの透過光の強度をＴ２、波長６００ｎｍの反射光の強度をＲ２としたとき、
    　Ｔ２、Ｒ２が、８．５×１０－１≦Ｔ２／Ｒ２≦９．５×１０－１を満たす、蛍光体プレート。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の蛍光体プレートであって、
    　下記の手順で測定される当該蛍光体プレートの、波長４５５ｎｍの反射光の強度をＲ１、波長６００ｎｍの反射光の強度をＲ２としたとき、
    　Ｒ１、Ｒ２が、５．０≦Ｒ１／Ｒ２≦６．５を満たす、蛍光体プレート。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の蛍光体プレートであって、
    　前記α型サイアロン蛍光体の含有量が、前記α型サイアロン蛍光体と前記ＳｉＯ２を含む２種類以上の金属酸化物との合計体積１００Ｖｏｌ％中、体積換算で、５Ｖｏｌ％以上５０Ｖｏｌ％以下である、蛍光体プレート。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の蛍光体プレートであって、
    　前記α型サイアロン蛍光体の平均粒子径Ｄ５０が、５μｍ以上３０μｍ以下である、蛍光体プレート。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載の蛍光体プレートであって、 
    　当該蛍光体プレートの厚みが、５０μｍ以上３００μｍ以下である、蛍光体プレート。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の蛍光体プレートであって、
    　照射された青色光を橙色光に変換して発光する波長変換体として用いる、蛍光体プレート。
  9. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の蛍光体プレートであって、
    　４５５ｎｍの青色光における光線透過率が１０％以下である、蛍光体プレート。
  10. 　ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子と、
    　前記ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の一面上に設けられた請求項１～９のいずれか一項に記載の蛍光体プレートと、
    を備える、発光装置。
PCT/JP2021/003451 2020-03-04 2021-02-01 蛍光体プレート、及び発光装置 WO2021176912A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227031912A KR20220145852A (ko) 2020-03-04 2021-02-01 형광체 플레이트 및 발광 장치
JP2022505042A JP7432705B2 (ja) 2020-03-04 2021-02-01 蛍光体プレート、及び発光装置
US17/909,659 US20230113551A1 (en) 2020-03-04 2021-02-01 Phosphor plate and light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-036876 2020-03-04
JP2020036876 2020-03-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021176912A1 true WO2021176912A1 (ja) 2021-09-10

Family

ID=77614005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/003451 WO2021176912A1 (ja) 2020-03-04 2021-02-01 蛍光体プレート、及び発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230113551A1 (ja)
JP (1) JP7432705B2 (ja)
KR (1) KR20220145852A (ja)
TW (1) TW202135344A (ja)
WO (1) WO2021176912A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011168627A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 National Institute For Materials Science 波長変換部材、その製造方法、および、それを用いた発光器具
WO2012098932A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP2014003070A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Sharp Corp 発光装置および照明装置
WO2016063930A1 (ja) * 2014-10-24 2016-04-28 デンカ株式会社 波長変換体、それを用いた発光装置及び波長変換体の製造方法
JP2020059764A (ja) * 2018-10-04 2020-04-16 デンカ株式会社 複合体、発光装置および複合体の製造方法
JP2020164797A (ja) * 2020-02-21 2020-10-08 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および蛍光体粒子の製造方法
JP2020164796A (ja) * 2020-02-21 2020-10-08 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および蛍光体粒子の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015199640A (ja) 2014-04-01 2015-11-12 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011168627A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 National Institute For Materials Science 波長変換部材、その製造方法、および、それを用いた発光器具
WO2012098932A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP2014003070A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Sharp Corp 発光装置および照明装置
WO2016063930A1 (ja) * 2014-10-24 2016-04-28 デンカ株式会社 波長変換体、それを用いた発光装置及び波長変換体の製造方法
JP2020059764A (ja) * 2018-10-04 2020-04-16 デンカ株式会社 複合体、発光装置および複合体の製造方法
JP2020164797A (ja) * 2020-02-21 2020-10-08 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および蛍光体粒子の製造方法
JP2020164796A (ja) * 2020-02-21 2020-10-08 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および蛍光体粒子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202135344A (zh) 2021-09-16
JP7432705B2 (ja) 2024-02-16
US20230113551A1 (en) 2023-04-13
KR20220145852A (ko) 2022-10-31
JPWO2021176912A1 (ja) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI399422B (zh) 螢光體、其製造方法及照明器具
WO2021079739A1 (ja) 蛍光体プレート、発光装置および蛍光体プレートの製造方法
JP2023162184A (ja) 蛍光体プレートおよびそれを用いた発光装置
WO2021176912A1 (ja) 蛍光体プレート、及び発光装置
JP7339788B2 (ja) 蛍光体プレートの製造方法およびそれを用いた発光装置の製造方法
WO2021157458A1 (ja) 蛍光体プレート、及び発光装置
WO2020262315A1 (ja) 蛍光体プレートおよびそれを用いた発光装置
JP7538853B2 (ja) 蛍光体プレート、及び発光装置
WO2020262311A1 (ja) 蛍光体プレートおよびそれを用いた発光装置
TWI846967B (zh) 螢光體板、發光裝置、以及螢光體板之製造方法
WO2022202035A1 (ja) 蛍光体プレート、及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21765220

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022505042

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227031912

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21765220

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1