WO2021144236A1 - Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches bauteil und mikromechanisches bauteil für eine sensor- oder mikrofonvorrichtung - Google Patents

Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches bauteil und mikromechanisches bauteil für eine sensor- oder mikrofonvorrichtung Download PDF

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WO2021144236A1
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membrane
micromechanical component
layer
cavity
micromechanical
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PCT/EP2021/050426
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Hans Artmann
Torsten Kramer
Uwe Schiller
Andreas Scheurle
Volkmar Senz
Thomas Friedrich
Peter Schmollngruber
Heribert Weber
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Robert Bosch Gmbh
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    • B81C2201/014—Controlling etch progression by depositing an etch stop layer, e.g. silicon nitride, silicon oxide, metal

Definitions

  • the invention relates to a manufacturing method for at least one micromechanical component for a sensor or microphone device.
  • the invention also relates to a micromechanical component for a sensor or microphone device.
  • EP 1 810947 A2 describes a micromechanical component which is intended to be used as a pressure sensor.
  • the micromechanical component has a silicon layer in the form of a membrane, with at least one integrated circuit, i.e. at least one conductor track and / or at least one electrical contact, being formed on a membrane outside of the silicon layer.
  • the invention creates a manufacturing method for at least one micromechanical component for a sensor or microphone device with the features of claim 1 and a micromechanical component for a sensor or microphone device with the features of claim 8.
  • the production method according to the invention can be based on the formation of the at least one conductor track and / or the at least one electrical Contact on a first outside of the at least one micromechanical component with simultaneous alignment of the at least one membrane outside to a second outside of the at least one micromechanical component directed away from the first outside can be used to electrically and mechanically connect a large number of the micromechanical components at wafer level with a large number of to connect further electronic and / or sensor devices.
  • the production method according to the invention is therefore an advantageous technique for what is known as wafer-level packaging.
  • the invention described here thus eliminates the conventional need to individually mechanically and electrically connect a membrane-equipped sensor chip according to the prior art to a further device.
  • the present invention thus contributes to reducing the amount of work to be done to produce sensor or microphone devices and in this way lowers the production costs for such sensor or microphone devices.
  • This method can be used, for example, when the chips to be connected come from a sensor wafer and an ASIC wafer with different wafer sizes.
  • the cavity is delimited on its side facing away from the membrane by at least one intermediate layer and the at least one conductor track and / or the at least one electrical contact are formed on a side of the at least one intermediate layer facing away from the cavity.
  • At least one etch stop structure is formed directly or indirectly on a substrate surface of a substrate, and then a membrane material layer is deposited on the at least one etch stop structure in such a way that the at least one membrane of the at least one later micromechanical component with its membrane outside contacting the at least one etch stop structure is formed from at least partial areas of the membrane material layer, with at least one recess in this way the substrate is etched or the substrate is removed in such a way that the at least one etch stop structure is at least partially exposed. In this way it can be ensured that the membrane can be deformed / warped by means of a pressure change and / or by means of sound waves.
  • a side of the membrane material layer facing away from the substrate is at least partially covered with a first sacrificial layer, and a side of the first sacrificial layer facing away from the membrane material layer is at least partially covered with an electrode material layer in such a way that the at least one electrode structure of the at least one subsequent micromechanical component is formed.
  • a side of the electrode material layer facing away from the first sacrificial layer is at least partially covered with a second sacrificial layer.
  • the cavern is later formed by at least partial etching of the first sacrificial layer and the second sacrificial layer.
  • At least one etching channel can be formed which extends from the first outer side of the at least one micromechanical component to the first sacrificial layer and / or the second sacrificial layer, the cavity being formed by at least partial etching of the first sacrificial layer and the second sacrificial layer by means of a at least one etching channel guided etching medium is formed.
  • the formation of the cavern by means of an etching step for at least partial etching of the first sacrificial layer and the second sacrificial layer can thus be easily carried out.
  • a sensor wafer is produced from a multiplicity of micromechanical components, and the micromechanical components are later separated from the sensor wafer. The manufacturing method described here can therefore be carried out at the wafer level without any problems.
  • the sensor wafer can be attached to a further wafer from a large number of electronic and / or sensor devices in such a way that after the micromechanical components have been separated out, each of the micromechanical components on one of the further wafer Electronics and / or sensor device is mechanically and / or electrically connected.
  • the embodiment of the manufacturing method described here is therefore an advantageous technique for wafer-level packaging.
  • micromechanical component for a sensor or microphone device. It is expressly pointed out that the micromechanical component can be developed in accordance with the described features of the embodiments of the manufacturing method explained above.
  • 1 to 7 are schematic cross-sections for explaining various
  • Embodiments of the micromechanical component Embodiments of the invention
  • FIGS. La to lg show schematic cross sections for explaining a first embodiment of the production method.
  • a membrane 10 of the at least one later micromechanical component is formed with a membrane inside 10a and a membrane outside 10b directed away from the membrane inside 10a.
  • this is done, for example, in that at least one etch stop structure 12 is first formed on a substrate surface 14a of a substrate 14.
  • the substrate 14 can in particular be a silicon substrate 14.
  • a silicon dioxide layer 16 and a silicon-rich silicon nitride layer 18 are formed as the at least one etch stop structure 12.
  • the substrate surface 14a of the substrate 14 is at least partially covered with the silicon dioxide layer 16, a portion of the substrate surface 14a kept / exposed by the silicon dioxide layer 16, which marks an outer edge of the later membrane 10, is covered with the silicon-rich silicon nitride layer 18.
  • the silicon-rich silicon nitride layer 18 can protrude over the silicon dioxide layer 16.
  • At least one further partial area 20 of the substrate surface 14a that is kept free / exposed by the silicon dioxide layer 16 can later be used as a contact area.
  • a membrane material layer 22 is then deposited on the at least one etch stop structure 12 in such a way that the at least one membrane 10 of the at least one later micromechanical component with its membrane outer side 10b contacting the at least one etch stop structure 12 is formed from at least partial areas of the membrane material layer 22.
  • the membrane material layer 22 can in particular be a monocrystalline and / or polycrystalline silicon layer 22.
  • a chemical-mechanical polishing step can be carried out after the membrane material layer 22 has been deposited.
  • one of the at least one membrane 10 circumferential separating trench / isolation trench 24 can be structured / etched through the membrane material layer 22 in order to be able to realize / produce an electrical separation of the at least one membrane 10 of the at least one later micromechanical component from the surrounding membrane material layer 22.
  • At least one further continuous trench 26 can be structured through the membrane material layer 22 at the same time as the at least one separating trench / isolation trench 24.
  • the intermediate product is shown in Fig. La.
  • the manufacturing method described here also includes the formation of a respective cavity of the at least one later micromechanical component in such a way that the membrane inside 10a of the membrane 10 of the respective micromechanical component adjoins the cavity.
  • an electrode structure 28, the position of which can be adjusted by means of a curvature of the later exposed membrane 10, is attached to the membrane inner side 10a in such a way that the electrode structure 28 attached to the membrane inner side 10a protrudes into the later cavity.
  • a side of the membrane material layer 22 facing away from the substrate 14 is first covered at least partially with a first sacrificial layer 30.
  • the first sacrificial layer 30 is preferably a silicon dioxide layer 30.
  • a chemical-mechanical polishing step can also be carried out after the deposition of the first sacrificial layer 30. The function of at least one trench 31 extending through the first sacrificial layer 30 is discussed below.
  • a side of the first sacrificial layer 30 facing away from the membrane material layer 22 is at least partially covered with an electrode material layer 32 such that the at least one electrode structure 28 of the at least one later micromechanical component is formed from at least partial areas of the electrode material layer 32.
  • the at least one electrode structure 28 formed in this way can also serve to stiffen the at least one adjacent membrane 10.
  • a surface of the electrode material layer 32 can optionally also be planarized with the aid of a chemical-mechanical polishing step.
  • at least one reference electrode 34 of the at least one subsequent micromechanical component can also be formed from at least one further partial area of the electrode material layer 32, which is mechanically and electrically fixed by filling the at least one adjacent trench 31 with the electrode material layer 32 can be connected to the membrane material layer 22 in a conductive manner.
  • a side of the electrode material layer 32 facing away from the first sacrificial layer 30 is at least partially covered with a second sacrificial layer 36.
  • Silicon dioxide is also preferred as the material for the second sacrificial layer 36.
  • a chemical-mechanical polishing step can also be used to planarize the second sacrificial layer 36.
  • the function of at least one trench 37 extending through the second sacrificial layer 36 is discussed below.
  • at least one partial trench is also filled with the at least one sacrificial layer material of the sacrificial layer 30 and 36 and delimits at least one later etching channel 38 educated.
  • the function of the at least one etching channel 38 will be discussed below.
  • the at least one subsequent cavity is then delimited on its side facing away from the membrane 10 with at least one intermediate layer.
  • the at least one intermediate layer comprises a wiring layer 40 delimiting the at least one subsequent cavity, from which at least one counter electrode 42 for the at least one electrode structure 28 of the at least one micromechanical component is formed.
  • a later distance between the at least one electrode structure 28 and its at least one associated counter-electrode 42 can be set by means of a layer thickness of the second sacrificial layer 36.
  • the wiring layer 40 can also be a silicon layer / polysilicon layer 40.
  • the wiring layer 40 can also be planarized by means of a chemical-mechanical polishing step.
  • At least one reference counter-electrode 44 can also be formed from the wiring layer 40 for the at least one reference electrode 34 of the at least one later micromechanical component.
  • the wiring layer 40 By filling the wiring layer 40 into the at least one continuous trench 37, at least one mechanically firm and electrically conductive connection of the at least one reference electrode 34 to the wiring layer 40 can be achieved.
  • the at least one reference electrode 34 and the at least one associated reference counterelectrode 44 can be formed in such a way that even if the at least one later exposed membrane 10 is warped, no / hardly any change in distance between the at least one reference electrode 34 and the at least one associated reference counterelectrode 44 occurs.
  • the at least one intermediate layer also comprises a silicon-rich silicon nitride layer 46, a silicon dioxide layer 48 and a grown silicon layer 50 and 52 Conductor tracks and / or electrodes of the wiring layer 40 and the grown silicon layer.
  • the silicon-rich silicon nitride layer 46 is provided at least partially and here preferably in the area of the later cavern directly on the wiring layer 40 and can also be used as an etch stop layer when the cavern is later formed.
  • a surface of the silicon-rich silicon nitride layer 46 and / or the silicon dioxide layer 48 can each be smoothed by performing a chemical-mechanical polishing step.
  • a polysilicon layer 50 is first deposited on the silicon-rich silicon nitride layer 46 and the silicon dioxide layer 48. The intermediate result is shown in FIG.
  • the polysilicon layer 50 serves as a starting layer for a subsequent silicon epitaxy, with the silicon layer 52 grown later than Support layer / functional layer of the at least one micromechanical component is used.
  • a layer thickness of the silicon layer 52 grown by means of the silicon epitaxy can be selected as desired.
  • the grown silicon layer 52 is made so stable that it is not bent despite a mechanical load, such as the application of pressure, and retains its original shape.
  • the grown silicon layer 52 can also be planarized by means of a chemical-mechanical polishing step.
  • the grown silicon layer 52 can comprise both at least one area 52a made of monocrystalline silicon grown directly on the silicon substrate 14 and at least one area 52b made of polycrystalline silicon grown directly on the polysilicon layer 50.
  • At least one (integrated) electrical circuit 54 can be formed in the grown silicon layer 52, for example in its at least one region 52a made of monocrystalline silicon.
  • the at least one electrical circuit 54 can, for example, be a diode or a
  • Sensor such as a temperature sensor in particular, or else a complex microelectronic circuit.
  • An etching access 56 can then be structured as part of the at least one etching channel 38 through the grown silicon layer 52 by means of an etching step.
  • the at least one etching channel 38 is thus formed in such a way that it extends from a first outer side of the at least one micromechanical component to the first sacrificial layer 30 and / or the second sacrificial layer 36.
  • the at least one cavern 58 can then be formed without problems by at least partial etching of the first sacrificial layer 30 and the second sacrificial layer 36 by means of an etching medium conducted through the at least one etching channel 38.
  • the etching medium can be distributed over a large area when the cavern 58 is etched.
  • the silicon-rich silicon nitride layer 46 and the wiring layer 40 prevent an etching attack on the silicon dioxide layer 48.
  • the at least one etching channel 38 can be closed in a media-tight / gas-tight manner by depositing a sealing layer 60 (as the at least one intermediate layer).
  • a sealing layer 60 can be made of silicon, silicon dioxide, silicon nitride (in particular silicon-rich silicon nitride), titanium oxide, tantalum oxide and / or aluminum oxide, for example.
  • the sealing layer 60 is preferably made of at least one electrically insulating material.
  • the at least one etching channel 38 can also be closed by means of a eutectic material, for example by depositing gold in the area of the at least one etching channel 38 and then heating the grown silicon layer 52 above the eutectic temperature of gold-silicon at approx. 360 ° C is, so that the melting and solidifying eutectic gold-silicon closes the at least one etching channel 38.
  • the grown silicon layer 52 can be melted locally with the aid of a laser, so that the at least one etching channel 38 is closed by means of the solidified silicon melt.
  • the sealing layer 60 can also be made of an electrically conductive material, which contains, for example, Al, Ti, Ta, TiN, Cr, Ni, Pt, Cu, W or Au, or of combinations of the mentioned sealing materials, such as, for example, TiSi2 or AlCu, or a sequence of sealing material layers exist.
  • an electrically conductive material which contains, for example, Al, Ti, Ta, TiN, Cr, Ni, Pt, Cu, W or Au, or of combinations of the mentioned sealing materials, such as, for example, TiSi2 or AlCu, or a sequence of sealing material layers exist.
  • the sealing layer 60 can also be made with at least one further insulating layer 62 (as the at least one intermediate layer), such as a silicon dioxide layer, a silicon nitride layer (in particular a silicon-rich silicon nitride layer), a silicon oxide nitride layer, a titanium oxide layer, a tantalum oxide layer, an aluminum oxide layer and / or layer combinations these layers, to be covered.
  • the material of the silicon layer 52 can also be used for at least one contact stamp 64, via which electrical contacting of the individual planes and / or components of the later micromechanical component is possible. This will be at least one insulation trench 66 is formed and filled with the material of the insulation layer 62.
  • contact holes 68 can be structured through the closing layer 60 (and possibly the further insulating layer 62) in order to connect the electrical circuit 54 and the at least one contacting stamp 64 via the contact holes 68 to contact electrically.
  • At least one conductor track 70 and / or at least one electrical contact 72 of the at least one subsequent micromechanical component are formed in each case.
  • the at least one conductor track 70 and / or the at least one electrical contact 72 are advantageously formed on a side of the at least one intermediate layer facing away from the cavity 58.
  • the at least one conductor track 70 can be made of doped polysilicon and / or of at least one metal, such as in particular aluminum, an aluminum-silicon alloy, an aluminum-copper alloy, an aluminum-silicon-copper alloy, gold, titanium disilicide, platinum silicide , a silicon-nitrogen compound, cobalt disilicide, titanium nitride, tantalum nitride, tungsten and / or a titanium-tungsten alloy, and / or consist of layer sequences of the materials mentioned.
  • at least one metal such as in particular aluminum, an aluminum-silicon alloy, an aluminum-copper alloy, an aluminum-silicon-copper alloy, gold, titanium disilicide, platinum silicide , a silicon-nitrogen compound, cobalt disilicide, titanium nitride, tantalum nitride, tungsten and / or a titanium-tungsten alloy, and / or consist of layer sequences of the materials mentioned.
  • the at least one conductor track 70 can also be at least partially covered with an electrically insulating cover layer 74, in particular a silicon dioxide layer, a silicon nitride layer (in particular a silicon-rich silicon nitride layer), a silicon oxide nitride layer, a titanium dioxide layer, a tantalum pentoxide layer, an aluminum oxide layer and / or layer sequences of the materials mentioned, to be covered.
  • the at least one electrical contact 72 can, for example, be a bond pad, in particular made of aluminum, an aluminum-silicon alloy, an aluminum-copper alloy, an aluminum-silicon-copper alloy, gold, nickel, copper, tungsten, germanium and / or a sequence of layers of the materials mentioned.
  • a sensor wafer can be manufactured in a simple manner from a multiplicity of micromechanical components 75. (Only one micromechanical component 75 is shown in FIG. 1f, however.)
  • the micromechanical components 75 can later be easily separated from the sensor wafer by means of targeted singulation, for example with the aid of a dicing process.
  • the at least one conductor track 70 and / or the at least one electrical contact 72 are formed on a first outer side 75a of the at least one micromechanical component 75, while the at least one membrane outer side 10b of the at least one micromechanical component 75 is aligned with a second outside 75b of the at least one micromechanical component 75, which is directed away from the first outside 75a.
  • the at least one conductor track 70 and / or the at least one electrical contact 72 are preferably located directly on the first outside 75a of the at least one micromechanical component 75, while the at least one membrane outside 10b is adjacent to the etch stop structure 12 on the substrate surface 14a of the at least one micromechanical component 75 adjoins.
  • Such an arrangement of the at least one conductor track 70 and / or the at least one electrical contact 72 with the at least one membrane outer side 10b being oriented in the opposite direction has the advantage that the sensor wafer can be placed on a further wafer from a further wafer before the micromechanical components 75 are separated from the sensor wafer
  • a plurality of electronic or sensor devices 76 can be attached in such a way that after the micromechanical components 75 have been separated out, each of the micromechanical components 75 is mechanically and / or electrically connected to an electronic and / or sensor device 76 separated from the further wafer.
  • each of the micromechanical components 75 can be electrically and mechanically connected to an electronics and / or sensor device 76.
  • FIG. 1g shows an example of a wafer-level packaging variant based on the manufacturing method described here.
  • At least one electrical and mechanical connection is preferably formed between each micromechanical component 75 and an electronics and / or sensor device 76.
  • a bond connection is preferably formed in each case between at least one bond pad 72 on the micromechanical component 75 and at least one further bond pad 77 on the electronics and / or sensor device 76. It is pointed out that the bond pads 72 and 77 used to form the at least one bond connection do not necessarily have to be of the same size.
  • Eutectic bonding (such as, in particular, eutectic aluminum-germanium bonding, eutectic gold-silicon bonding or eutectic gold-germanium bonding), SLID bonding (solid liquid Interdiffusion), in particular copper-tin SLID bonding, or thermocompression bonding can be carried out.
  • the flip-chip technology and / or solder balls can also be used to form the at least one electrical and mechanical connection between each micromechanical component 75 and an electronics and / or sensor device 76.
  • each micromechanical component 75 and an electronics and / or sensor device 76 can be reliably protected from environmental influences by using at least one chip-encircling, one
  • Membrane area circumferential and / or contact structure circumferential sealing structure is formed on the sensor wafer and / or on the further wafer.
  • the at least one sealing structure running around the chip, running around the membrane area and / or running around the contact structure can also be formed from the corresponding bonding materials.
  • An electrical connection of the respective sealing structure does not have to take place, but can be implemented optionally in order to be able to implement electrical shielding of contact structures and electrical connections, for example.
  • the conventionally necessary use of a gel or a special capping to protect the at least one electrical and mechanical Connection between the micromechanical component 75 and an electronics and / or sensor device 76 can be dispensed with without any problems. This also contributes to reducing the manufacturing costs of the micromechanical components 75 manufactured by means of the manufacturing method described here.
  • the sensor wafer and / or the further wafer can then be thinned to a desired wafer stack thickness by means of a grinding process, a polishing process and / or a plasma-based silicon etching process.
  • at least one recess 78 can then be etched through the substrate 14 without any problems in such a way that the at least one etch stop structure 12 is at least partially exposed. If desired, the etch stop structure 12 can then be removed from the outside 10b of the membrane 10.
  • the etch stop structure 12 consisting of a silicon dioxide layer 16 is at least partially etched by means of a wet chemical etching process, such as a BOE etching process, or by means of a plasma etching process in such a way that the membrane outer side 10b is exposed.
  • a wet chemical etching process such as a BOE etching process
  • the silicon-rich silicon nitride layer 18 is used in the area of the
  • the at least one membrane 10 can be exposed, so that the at least one membrane 10 reacts to a change in pressure on its membrane outer side 10b or to sound waves striking its membrane outer side 10b with a deformation / warping.
  • the micromechanical component 75 is therefore particularly advantageously suitable as at least part of a pressure sensor or a microphone.
  • a trench edge 80 produced when the membrane 10 is exposed is preferably provided within the membrane area which is defined by the circumferential separating trench / insulation trench 24.
  • the silicon-rich silicon nitride layer 18 can advantageously be mechanically reinforced in the region of the separating trench / insulation trench 24.
  • At least one further stress decoupling trench 82 starting from the second outside 75b through the (possibly thinned) substrate 14 and optionally through the sensor layer system are separated from the layers 12, 18, 22, 30, 32, 36, 40, 46 and 48, which can be used advantageously for stress decoupling of the membrane 10, for example.
  • the layer system of the at least one micromechanical component 75 can also be structured in such a way that the membrane area is suspended via “spring elements” and the electrical contacting of the electrodes 28, 34, 42 and 44 in the membrane area via the “spring elements” " he follows.
  • FIG. 2 shows a schematic cross section to explain a second specific embodiment of the micromechanical component.
  • the at least one etch stop structure 12 is formed by first covering the substrate surface 14a of the substrate 14 at least partially with the silicon dioxide layer 16 and then depositing the silicon-rich silicon nitride layer 18 on the silicon dioxide layer 16.
  • the silicon dioxide layer 16 depositing the silicon-rich silicon nitride layer 18 on the silicon dioxide layer 16.
  • yet another silicon dioxide layer 90 can be formed on the silicon-rich silicon nitride layer 18.
  • the etch stop structure 12 shown schematically in FIG. 2 is also advantageously suitable for carrying out the method described above. Therefore, with regard to the further method steps of the embodiment of FIG. 2, reference is made to the preceding explanations.
  • FIG. 3 shows a schematic cross section to explain a third embodiment of the production method.
  • the separating trench / insulation trench 24 surrounding the membrane 10 can not only be designed as an air gap, but can also be filled.
  • a further silicon-rich silicon nitride layer 92 can be deposited on the separating trench 24 in such a way that the separating trench 24 is filled.
  • a silicon dioxide layer 94 at least partially covering the membrane material layer 22 can also be formed, after which the silicon-rich silicon nitride layer 92 is deposited in this way and is structured so that etched edges of the silicon-rich silicon nitride layer 92 lie on the silicon dioxide layer 94.
  • a chemical mechanical polishing step can also be carried out, by means of which the regions of the silicon-rich silicon nitride layer 92 covering the silicon dioxide layer 94 are removed.
  • FIG. 4 shows a schematic cross section for explaining a fourth embodiment of the production method.
  • the separating trench 24 can also be filled with material of the silicon dioxide layer 94.
  • the silicon-rich silicon nitride layer 92 can then be deposited in such a way that, by means of its “bridge-like shape”, reliable etching protection is implemented for the silicon dioxide filled into the separating trench 24.
  • a chemical-mechanical polishing step can also be carried out in such a way that the regions of the silicon dioxide layer 94 covering the membrane material layer 22 are removed and only the silicon dioxide filled into the separating trench 24 remains.
  • a reliable etch protection can then also be formed in this case by means of the silicon-rich silicon nitride layer 92.
  • FIG. 5 shows a schematic cross section for explaining a fifth embodiment of the production method.
  • electrically insulating regions 96 are deposited and structured on the silicon-rich silicon nitride layer 18.
  • the electrically insulating regions 96 can be made of silicon dioxide or of silicon-rich silicon nitride, for example. Unless the electric If the insulating regions are made of silicon dioxide, they can be molded together with the formation of the silicon dioxide layer 16. With regard to further method steps of the embodiment of FIG. 5, reference is made to the preceding explanations.
  • Partial processes / partial processing of the etch stop structures 12 shown schematically in FIGS. 1 a and 2 to 5 are possible.
  • FIG. 6 shows a schematic cross section for explaining a sixth embodiment of the production method.
  • the (integrated) electrical circuit 54 can optionally also be connected to at least one electrical conductor track 100 via a diffusion barrier 98.
  • the at least one electrical conductor track 100 can be made of an aluminum-copper alloy, for example.
  • FIG. 7 shows a schematic cross section for explaining a seventh embodiment of the production method.
  • At least one ring-shaped / frame-shaped separating trench 102 can be structured through the closing layer 60 (and possibly the further insulating layer 62) in such a way that the at least one ring-shaped / frame-shaped separating trench 102 each an opening of the at least one etching channel 38 at an interface between the grown silicon layer 52 and the sealing layer 60 is framed.
  • the material of the at least one conductor track 70 can then still be filled into the at least one ring-shaped / frame-shaped separating trench 102 and used in this way to form an (optional) diffusion barrier 104.
  • this can be reinforced.
  • micromechanical components 75 can be formed simultaneously and connected to a corresponding further wafer with electronic and / or sensor devices 76 in a wafer bonding process. After the components 75 and the corresponding electronic and / or sensor devices 76 have been separated, they can then be connected to further component components by flip-chip and / or wire bond and finally packaged, for example, by a molding process.
  • FIG. 8 shows a schematic cross section to explain a first specific embodiment of the micromechanical component.
  • the micromechanical component 75 shown schematically in FIG. 8 has a membrane 10 with a membrane inside 10a and a membrane outside 10b directed away from the membrane inside 10a, an electrode structure 28 being connected to the membrane inside 10a.
  • the membrane inside 10a of the membrane 10 adjoins a cavity 58, the electrode structure 28 connected to the membrane inside 10a protruding into the cavity 58.
  • the micromechanical component 75 also has at least one conductor track 70 and / or at least one electrical contact 72. As can be seen in FIG.
  • the at least one conductor track 70 and / or the at least one electrical contact 72 are on a first outer side 75a of the micromechanical component 75 formed, while the membrane outer side 10b of the membrane 10 is aligned with a second outer side 75b of the micromechanical component 75 directed away from the first outer side 75a.
  • at least one further bond pad 108 for example made of an aluminum-copper alloy, can be arranged on the second outer side 75b.
  • the cavity 58 is delimited on its side facing away from the membrane 10 by at least one intermediate layer 40, 46, 48, 52, 60 and 62 and the at least one conductor track 70 and / or the at least an electrical contact 72 is formed on a side of the at least one intermediate layer 40, 46, 48, 52, 60 and 62 facing away from the cavity 58.
  • the membrane 10 is formed from at least partial areas of a membrane material layer 22 deposited on a substrate surface 14a of a substrate 14, a recess 78 being etched through the substrate 14 in such a way that the membrane outer side 10b of the membrane 10 (or an etch stop structure at least partially covering the membrane outer side 10b ) are at least partially exposed.
  • an electrical plated through-hole can also be implemented through the component 75, via which an electrical connection between, for example, a further bond pad 108 on the second outer side 75b and the at least one conductor track 70 on the first outer side 75a of the component 75 can be produced.
  • a further bond pad 108 on the second outer side 75b and the at least one conductor track 70 on the first outer side 75a of the component 75 can be produced.
  • the micromechanical component 75 can advantageously be used for a sensor or microphone device. With regard to further features of the micromechanical component 75 of FIG. 8, reference is made to the preceding explanations.
  • FIG. 9 shows a schematic cross section of a second specific embodiment of the micromechanical component.
  • the diaphragm area can be stress-decoupled from a surrounding outer area by using at least one (schematically reproduced) spring 110, which is formed from monocrystalline silicon in area 52a, for example.
  • a number, a shape and a dimension of the at least one spring 110 can be selected as desired.
  • the electrical connection of the levels and / or components in the stress-decoupled membrane area can take place via the at least one conductor track 70, wherein the at least one conductor track 70 can in particular run over the at least one spring 110.
  • the at least one conductor track 70 can for example be made of doped polysilicon and / or of at least one metal, such as in particular aluminum, an aluminum-silicon alloy, an aluminum-copper alloy, an aluminum-silicon-copper alloy, gold, platinum, nickel, tungsten and / or Copper, be.
  • at least one metal such as in particular aluminum, an aluminum-silicon alloy, an aluminum-copper alloy, an aluminum-silicon-copper alloy, gold, platinum, nickel, tungsten and / or Copper, be.
  • FIG. 10 shows a schematic cross section of a third specific embodiment of the micromechanical component.
  • the micromechanical component 75 can be contacted via a wire bond 112.
  • the wire bond 112 can be anchored, for example, on a bond pad 114 fastened on the electronics and / or sensor device 76 or on a bond pad of the micromechanical component 75.
  • all the mono- and polysilicon layers described can optionally also be doped with different dopants in order to be able to implement an electrical functionality, such as that of a diode, or the lowest possible or a defined conductivity (conductor track, resistance).
  • the silicon-rich nitride layer 18 can serve on the one hand to electrically isolate the membrane 10 from the surrounding membrane material layer 22, on the other hand also as a lateral etch stop during the wet-chemical removal of the etch stop structure 12 in BOE.
  • FIGS. 8, 9, 10 and 11 the production of a “recessed” membrane 10 is described after the thinning of the sensor wafer.
  • the stop layer 12 can then optionally be removed over the entire area or only in the area of the membrane 10.
  • the membrane 10 can consist of a membrane material layer 22 made of monocrystalline silicon if an SOI wafer is used to implement the layer sequences.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil (75) für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit zumindest den Schritten: Bilden jeweils einer Membran (10) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) mit einer Membraninnenseite (10a) und einer Membranaußenseite (10b), wobei an der Membraninnenseite (10a) eine Elektrodenstruktur (28) angebunden wird, Bilden jeweils einer Kaverne (58) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) derart, dass die Membraninnenseite (10a) der Membran (10) an die Kaverne (58) angrenzt, und Bilden jeweils mindestens einer Leiterbahn (70) und/oder mindestens eines elektrischen Kontakts (72) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75), wobei die mindestens eine Leiterbahn (70) und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt (72) an einer ersten Außenseite (75a) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) ausgebildet werden, während die zumindest eine Membranaußenseite (10b) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) zu einer von der ersten Außenseite (75a) weg gerichteten zweiten Außenseite (75b) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) ausgerichtet wird.

Description

Beschreibung
Titel
Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil und mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung
Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung. Ebenso betrifft die Erfindung ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung.
Stand der Technik
In der EP 1 810947 A2 ist ein mikromechanisches Bauelement beschrieben, welches als Drucksensor einsetzbar sein soll. Das mikromechanische Bauelement weist eine als Membran ausgebildete Siliziumschicht auf, wobei an einer Membranaußenseite der Siliziumschicht mindestens eine integrierte Schaltung, d.h. mindestens eine Leiterbahn und/oder mindestens ein elektrischer Kontakt, ausgebildet ist.
Offenbarung der Erfindung
Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 8.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren kann aufgrund der Ausbildung der mindestens einen Leiterbahn und/oder des mindestens einen elektrischen Kontakts an einer ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bei gleichzeitiger Ausrichtung der zumindest einen Membranaußenseite zu einer von der ersten Außenseite weg gerichteten zweiten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils dazu genutzt werden, eine Vielzahl der mikromechanischen Bauteile auf Waferlevel elektrisch und mechanisch mit einer Vielzahl von weiteren Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen zu verbinden. Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist damit eine vorteilhafte Technik zum sogenannten Wafer-Level-Packaging. Die hier beschriebene Erfindung beseitigt damit die herkömmliche Notwendigkeit, einen membranbestückten Sensorchip gemäß dem Stand der Technik einzeln mit einer weiteren Vorrichtung mechanisch und elektrisch zu verbinden. Die vorliegende Erfindung trägt damit zur Reduzierung eines zum Herstellen von Sensor- oder Mikrofonvorrichtungen zu leistenden Arbeitsaufwands bei und senkt auf diese Weise die Herstellungskosten für derartige Sensor- oder Mikrofonvorrichtungen. Prinzipiell ist es auch denkbar, ein sogenanntes Chip-to-Waferbonden durchzuführen, bei dem einzelne Sensorchips mit einen ASIC-Wafer oder aber einzelne ASIC-Chips mit einen Sensorwafer mechanisch und/oder elektrisch verbunden werden. Dieses Verfahren kann dann z.B. zum Einsatz kommen, wenn die zu verbindenden Chips von einem Sensorwafer und einem ASIC-Wafer mit unterschiedlicher Wafergröße stammen.
In einer vorteilhaften Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird die Kaverne auf ihrer von der Membran weg gerichteten Seite von mindestens einer Zwischenschicht begrenzt und die mindestens eine Leiterbahn und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt werden auf einer von der Kaverne weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht gebildet. Die Ausbildung der mindestens einen Leiterbahn und/oder des mindestens einen elektrischen Kontakts an der ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bei gleichzeitiger Ausrichtung der zumindest einen Membranaußenseite zu der zweiten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils ist damit auf vergleichsweise einfache Weise möglich.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird zumindest eine Ätzstoppstruktur direkt oder indirekt auf einer Substratoberfläche eines Substrats ausgebildet, und anschließend wird eine Membranmaterialschicht derart auf der zumindest einen Ätzstoppstruktur abgeschieden, dass die zumindest eine Membran des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils mit ihrer die zumindest eine Ätzstoppstruktur kontaktierenden Membranaußenseite aus zumindest Teilbereichen der Membranmaterialschicht gebildet wird, wobei zumindest eine Aussparung derart durch das Substrat geätzt wird oder das Substrat derart entfernt wird, dass die zumindest eine Ätzstoppstruktur zumindest teilweise freigelegt wird. Auf diese Weise ist gewährleistbar, dass die Membran mittels einer Druckänderung und/oder mittels Schallwellen deformierbar/verwölbbar ist.
Vorzugsweise wird eine von dem Substrat weg gerichtete Seite der Membranmaterialschicht zumindest teilweise mit einer ersten Opferschicht abgedeckt, und eine von der Membranmaterialschicht weg gerichtete Seite der ersten Opferschicht wird zumindest teilweise mit einer Elektrodenmaterialschicht derart abgedeckt, dass die zumindest eine Elektrodenstruktur des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils gebildet wird. Anschließend wird eine von der ersten Opferschicht weg gerichtete Seite der Elektrodenmaterialschicht zumindest teilweise mit einer zweiten Opferschicht abgedeckt. Später wird die Kaverne durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht gebildet. Zum Bilden der zumindest einen Elektrodenstruktur des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils und zum Bereitstellen von Opferschichtmaterial in einem späteren Volumen der zumindest einen Kaverne des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils können somit leicht ausführbare Abscheideverfahren ausgeführt werden.
Beispielsweise kann mindestens ein Ätzkanal ausgebildet werden, welcher sich von der ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bis zu der ersten Opferschicht und/oder der zweiten Opferschicht erstreckt, wobei die Kaverne durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht mittels eines durch den mindestens einen Ätzkanal geleiteten Ätzmediums gebildet wird. Das Bilden der Kaverne mittels eines Ätzschritts zum zumindest teilweisen Ätzen der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht ist somit leicht ausführbar. In einer bevorzugten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird ein Sensorwafer aus einer Vielzahl von mikromechanischen Bauteilen hergestellt, und später werden die mikromechanischen Bauteile aus dem Sensorwafer herausgetrennt. Das hier beschriebene Herstellungsverfahren ist somit problemlos auf Waferlevel ausführbar.
Insbesondere kann vor dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile aus dem Sensorwafer der Sensorwafer an einem weiteren Wafer aus einer Vielzahl von Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen derart befestigt werden, dass nach dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile jedes der mikromechanischen Bauteile an einer aus dem weiteren Wafer mit herausgetrennten Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung mechanisch und/oder elektrisch angebunden ist. Die hier beschriebene Ausführungsform des Herstellungsverfahrens ist deshalb eine vorteilhafte Technik zum Wafer-Level- Packaging.
Die vorausgehend beschriebenen Vorteile sind auch bei einem entsprechenden mikromechanischen Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung gewährleistet. Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass das mikromechanische Bauteil gemäß den beschriebenen Merkmalen der oben erläuterten Ausführungsformen des Herstellungsverfahrens weitergebildet werden kann.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 bis 7 schematische Querschnitte zum Erläutern verschiedener
Ausführungsformen des Herstellungsverfahrens; und
Fig. 8 bis 10 schematische Querschnitte zum Erläutern verschiedener
Ausführungsformen des mikromechanischen Bauteils. Ausführungsformen der Erfindung
Fig. la bis lg zeigen schematische Querschnitte zum Erläutern einer ersten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
Bei dem im Weiteren beschriebenen Herstellungsverfahren wird zumindest ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung hergestellt. Dazu wird jeweils eine Membran 10 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils mit einer Membraninnenseite 10a und einer von der Membraninnenseite 10a weg gerichteten Membranaußenseite 10b gebildet. Beispielhaft geschieht das bei der hier beschriebenen Ausführungsform des Herstellungsverfahrens, indem zuerst zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 auf einer Substratoberfläche 14a eines Substrats 14 ausgebildet wird. Das Substrat 14 kann insbesondere ein Siliziumsubstrat 14 sein. Lediglich beispielhaft werden bei der hier beschriebenen Ausführungsform eine Siliziumdioxidschicht 16 und eine siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 als die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 gebildet. Z.B. wird die Substratoberfläche 14a des Substrats 14 zumindest teilweise mit der Siliziumdioxidschicht 16 abgedeckt, wobei ein von der Siliziumdioxidschicht 16 freigehaltener/freigelegter Teilbereich der Substratoberfläche 14a, welcher einen Außenrand der späteren Membran 10 markiert, mit der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18 bedeckt wird. Wahlweise kann die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 über die Siliziumdioxidschicht 16 ragen. Mindestens ein weiterer von der Siliziumdioxidschicht 16 freigehaltener/freigelegter Teilbereich 20 der Substratoberfläche 14a kann später als Kontaktbereich eingesetzt werden.
Anschließend wird eine Membranmaterialschicht 22 derart auf der zumindest einen Ätzstoppstruktur 12 abgeschieden, dass die zumindest eine Membran 10 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils mit ihrer die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 kontaktierenden Membranaußenseite 10b aus zumindest Teilbereichen der Membranmaterialschicht 22 gebildet wird. Die Membranmaterialschicht 22 kann insbesondere eine monokristalline und/oder polykristalline Siliziumschicht 22 sein. Optional kann nach der Abscheidung der Membranmaterialschicht 22 ein chemisch-mechanischer Polierschritt ausgeführt werden. Wahlweise kann auch jeweils ein die zumindest eine Membran 10 umlaufenden Trenngraben/Isolationstrench 24 durch die Membranmaterialschicht 22 strukturierl/geätzt werden, um eine elektrische Trennung der zumindest einen Membran 10 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils zu der umgebenden Membranmaterialschicht 22 realisieren/herstellen zu können. Mindestens ein weiterer durchgehender Graben 26 kann gleichzeitig mit dem zumindest einen Trenngraben/Isolationstrench 24 durch die Membranmaterialschicht 22 strukturiert werden. Das Zwischenprodukt ist in Fig. la gezeigt.
Das hier beschriebene Herstellungsverfahren umfasst auch ein Bilden jeweils einer Kaverne des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils derart, dass die Membraninnenseite 10a der Membran 10 des jeweiligen mikromechanischen Bauteils an die Kaverne angrenzt. Außerdem wird an der Membraninnenseite 10a eine Elektrodenstruktur 28, deren Lage mittels einer Verwölbung der später freigestellten Membran 10 verstellbar ist, so angebunden, dass die an der Membraninnenseite 10a angebundene Elektrodenstruktur 28 in die spätere Kaverne ragt. Bei der hier beschriebenen Ausführungsform wird dazu zuerst eine von dem Substrat 14 weg gerichtete Seite der Membranmaterialschicht 22 zumindest teilweise mit einer ersten Opferschicht 30 abgedeckt. Vorzugsweise ist die erste Opferschicht 30 eine Siliziumdioxidschicht 30. Wahlweise kann nach der Abscheidung der ersten Opferschicht 30 noch ein chemisch-mechanischer Polierschritt ausgeführt werden. Auf die Funktion mindestens eines durch die erste Opferschicht 30 durchgehenden Grabens 31 wird nachfolgend eingegangen.
Anschließend wird eine von der Membranmaterialschicht 22 weg gerichtete Seite der ersten Opferschicht 30 zumindest teilweise mit einer Elektrodenmaterialschicht 32 derart abgedeckt, dass die zumindest eine Elektrodenstruktur 28 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils aus zumindest Teilbereichen der Elektrodenmaterialschicht 32 gebildet wird. Es wird darauf hingewiesen, dass die auf diese Weise gebildete zumindest eine Elektrodenstruktur 28 auch zur Versteifung der zumindest einen benachbarten Membran 10 dienen kann. Durch Füllen des mindestens einen durch die erste Opferschicht 30 durchgehenden Grabens 31 mit der Elektrodenmaterialschicht 32 ist eine mechanisch feste und elektrisch leitfähige Anbindung der zumindest einen Elektrodenstruktur 28 an der Membraninnenseite 10a der benachbarten Membran 10 realisierbar. Die Elektrodenmaterialschicht 32 kann eine Siliziumschichl/Polysiliziumschicht 32 sein. Auch eine Oberfläche der Elektrodenmaterialschicht 32 kann optionaler Weise mit Hilfe eines chemisch-mechanischen Polierschrittes planarisiert werden. Wie in Fig. lb erkennbar ist, kann aus mindestens einem weiteren Teilbereich der Elektrodenmaterialschicht 32 auch noch mindestens eine Referenzelektrode 34 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils gebildet werden, welche mittels eines Füllen des mindestens einen benachbarten Grabens 31 mit der Elektrodenmaterialschicht 32 mechanisch fest und elektrisch leitfähig an der Membranmaterialschicht 22 anbindbar ist.
Danach wird eine von der ersten Opferschicht 30 weg gerichtete Seite der Elektrodenmaterialschicht 32 zumindest teilweise mit einer zweiten Opferschicht 36 abgedeckt. Auch für die zweite Opferschicht 36 wird Siliziumdioxid als Material bevorzugt. Zur Planarisierung der zweiten Opferschicht 36 kann außerdem ein chemisch-mechanischer Polierschritt eingesetzt werden. Auf die Funktion mindestens eines durch die zweite Opferschicht 36 durchgehenden Grabens 37 wird nachfolgend eingegangen. Wie an dem in Fig. lb dargestellten Zwischenprodukt erkennbar ist, wird beim Abscheiden und/oder Strukturieren der Schichten 22, 30, 32 und 36 auch mindestens ein mit dem mindestens einem Opferschichtmaterial der Opferschicht 30 und 36 gefüllter und mindestens einen späteren Ätzkanals 38 begrenzender Teilgraben ausgebildet. Auf die Funktion des mindestens einen Ätzkanals 38 wird unten noch eingegangen.
Die zumindest eine spätere Kaverne wird anschließend auf ihrer von der Membran 10 weg gerichteten Seite mit mindestens einer Zwischenschicht begrenzt. In dem Beispiel der Fig. la bis lg umfasst die mindestens eine Zwischenschicht eine die zumindest eine spätere Kaverne begrenzende Verdrahtungsschicht 40, aus welcher zumindest eine Gegenelektrode 42 für die zumindest eine Elektrodenstruktur 28 des zumindest einen mikromechanischen Bauteils gebildet wird. Wie in Fig. lb erkennbar ist, kann mittels einer Schichtdicke der zweiten Opferschicht 36 ein späterer Abstand zwischen der zumindest einen Elektrodenstruktur 28 und ihrer zumindest einen zugeordneten Gegenelektrode 42 eingestellt werden. Auch die Verdrahtungsschicht 40 kann eine Siliziumschicht/Polysiliziumschicht 40 sein. Wahlweise kann auch die Verdrahtungsschicht 40 mittels eines chemisch-mechanischen Polierschritts planarisiert werden. Optionaler Weise kann noch mindestens eine Referenz- Gegenelektrode 44 für die mindestens eine Referenzelektrode 34 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils aus der Verdrahtungsschicht 40 gebildet werden. Mittels eines Einfüllens der Verdrahtungsschicht 40 in den mindestens einen durchgehenden Graben 37 kann mindestens eine mechanisch feste und elektrisch leitfähige Anbindung der mindestens einen Referenzelektrode 34 an die Verdrahtungsschicht 40 erreicht werden. Die mindestens eine Referenzelektrode 34 und die mindestens eine zugeordnete Referenz-Gegenelektrode 44 können derart gebildet werden, dass selbst bei einer Verwölbung der zumindest einen später freigestellten Membran 10 keine/kaum eine Abstandsänderung zwischen der mindestens einen Referenzelektrode 34 und der zumindest einen zugeordneten Referenz- Gegenelektrode 44 auftritt.
In dem Beispiel der Fig. la bis lg umfasst die mindestens eine Zwischenschicht auch eine siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46, eine Siliziumdioxidschicht 48 und eine aufgewachsene Siliziumschicht 50 und 52. Die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46 und die Siliziumdioxidschicht 48 bewirken eine elektrische Isolation zwischen elektrisch leitfähigen Strukturen, wie z.B. Leiterbahnen und/oder Elektroden der Verdrahtungsschicht 40 und der aufgewachsenen Siliziumschicht. Die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46 wird dabei zumindest partiell und hier bevorzugt im Bereich der späteren Kaverne direkl/unmittelbar auf der Verdrahtungsschicht 40 vorgesehen und kann außerdem noch beim späteren Bilden der Kaverne als Ätzstoppschicht eingesetzt werden. Eine Oberfläche der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 46 und/oder der Siliziumdioxidschicht 48 können jeweils durch Ausführen eines chemisch-mechanischen Polierschrittes geglättet werden. Zum Bilden der aufgewachsenen Siliziumschicht wird zuerst eine Polysiliziumschicht 50 auf der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 46 und der Siliziumdioxidschicht 48 abgeschieden. Das Zwischenergebnis ist in Fig. lc gezeigt.
Die Polysiliziumschicht 50 dient als Startschicht für eine nachfolgende Siliziumepitaxie, wobei die dabei aufgewachsene Siliziumschicht 52 später als Stützschicht/Funktionsschicht des zumindest einen mikromechanischen Bauteils dient. Eine Schichtdicke der mittels der Siliziumepitaxie aufgewachsenen Siliziumschicht 52 kann beliebig gewählt werden. Vorzugsweise wird die aufgewachsene Siliziumschicht 52 so stabil ausgebildet, dass sie trotz einer mechanischen Belastung, wie z.B. einer Druckbeaufschlagung, nicht verbogen wird und ihre ursprüngliche Form behält. Optionalerweise kann die aufgewachsene Siliziumschicht 52 noch mittels eines chemisch-mechanischen Polierschritts planarisiert werden. Wie in Fig. Id erkennbar ist, kann die aufgewachsene Siliziumschicht 52 sowohl mindestens einen direkt auf dem Siliziumsubstrat 14 aufgewachsenen Bereich 52a aus monokristallinem Silizium als auch mindestens einen direkt auf der Polysiliziumschicht 50 aufgewachsenen Bereich 52b aus polykristallinem Silizium umfassen.
Optionalerweise kann, wie in Fig. le dargestellt ist, mindestens eine (integrierte) elektrische Schaltung 54 in der aufgewachsenen Siliziumschicht 52, z.B. in ihrem mindestens einen Bereich 52a aus monokristallinem Silizium, ausgebildet werden. Die mindestens eine elektrische Schaltung 54 kann beispielsweise eine Diode oder ein
Sensor, wie insbesondere ein Temperatursensor, oder aber auch eine komplexe mikroelektronische Schaltung sein.
Mittels eines Ätzschrittes kann dann ein Ätzzugang 56 als Teil des mindestens einen Ätzkanals 38 durch die aufgewachsene Siliziumschicht 52 strukturiert werden. Der mindestens eine Ätzkanal 38 wird somit derart ausgebildet, dass er sich von einer ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bis zu der ersten Opferschicht 30 und/oder der zweiten Opferschicht 36 erstreckt. Anschließend kann die zumindest eine Kaverne 58 problemlos durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht 30 und der zweiten Opferschicht 36 mittels eines durch den mindestens einen Ätzkanal 38 geleiteten Ätzmediums gebildet werden. Insbesondere aufgrund des mindestens einen Ätzkanals 38 kann beim Ätzen der Kaverne 58 das Ätzmedium großflächig verteilt werden. Die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46 und die Verdrahtungsschicht 40 verhindern dabei einen Ätzangriff auf die Siliziumdioxidschicht 48. Der in Fig. le schematisch dargestellte Ätzprozess kann beispielsweise ein Fluorwasserstoff(HF)-Gasphasenätzprozess oder ein nasschemischer Ätzprozess, wie insbesondere ein BOE-Ätzprozess (Buffered Oxide Etch) sein.
Nach dem Bilden der zumindest einen Kaverne 58 kann der mindestens eine Ätzkanal 38 durch Abscheiden einer Verschlussschicht 60 (als die mindestens eine Zwischenschicht) mediendicht/gasdicht verschlossen werden. Auf diese Weise kann ein definierter Innendruck in der zumindest einen Kaverne 58 eingeschlossen werden. Die Verschlussschicht 60 kann beispielsweise aus Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid (insbesondere siliziumreichen Siliziumnitrid), Titanoxid, Tantaloxid und/oder Aluminiumoxid sein. Vorzugsweise ist die Verschlussschicht 60 aus mindestens einem elektrisch isolierenden Material. Alternativ kann ein Verschluss des mindestens einen Ätzkanals 38 auch mittels eines eutektischen Materials bewirkt werden, indem beispielsweise Gold im Bereich des mindestens einen Ätzkanals 38 abgeschieden wird und anschließend die aufgewachsene Siliziumschicht 52 über die eutektische Temperatur von Gold-Silizium bei ca. 360°C erwärmt wird, so dass das aufschmelzende und erstarrende Eutektikum Gold-Silizium den mindestens einen Ätzkanal 38 verschließt. Ebenso kann die aufgewachsene Siliziumschicht 52 mit Hilfe eines Lasers lokal aufgeschmolzen werden, so dass der mindestens eine Ätzkanal 38 mittels der erstarrten Siliziumschmelze verschlossen wird. Des Weiteren kann die Verschlussschicht 60 auch aus einem elektrisch leitfähigen Material, welches z.B. AI, Ti, Ta, TiN, Cr, Ni, Pt, Cu, W oder Au beinhaltet, oder aus Kombinationen der genannten Verschlussmaterialien, wie z.B. TiSi2 oder AICu, oder eine Abfolge von Verschlussmaterialschichten bestehen.
Optionalerweise kann die Verschlussschicht 60 noch mit mindestens einer weiteren Isolierschicht 62 (als die mindestens eine Zwischenschicht), wie beispielsweise einer Siliziumdioxidschicht, einer Siliziumnitridschicht (insbesondere einer siliziumreichen Siliziumnitridschicht), einer Siliziumoxidnitridschicht, einer Titanoxidschicht, einer Tantaloxidschicht, einer Aluminiumoxidschicht und/oder Schichtkombinationen aus diesen Schichten, abgedeckt werden. Wie in Fig. lf erkennbar ist, kann das Material der Siliziumschicht 52 auch für mindestens einen Kontaktstempel 64 genutzt werden, über welchen eine elektrische Kontaktierung der einzelnen Ebenen und/oder Komponenten des späteren mikromechanischen Bauteils möglich ist. Dazu wird mindestens ein Isolationstrench 66 gebildet und mit dem Material der Isolationsschicht 62 gefüllt. Bei entsprechender Strukturierung der Siliziumdioxidschicht 48 im Bereich um den Kontaktstempel 64 herum ist es vorteilhaft möglich, den mindestens einen Ätzzugang 56 und den mindestens einen Isolatinstrench 66 zusammen hersteilen zu können. Wahlweise können nach Abscheiden der Verschlussschicht 60 (und evtl, der weiteren Isolierschicht 62) noch Kontaktlöcher 68 durch die Verschlussschicht 60 (und evtl, die weitere Isolierschicht 62) strukturiert werden, um über die Kontaktlöcher 68 die elektrische Schaltung 54 und den mindestens einen Kontaktierungsstempel 64 elektrisch zu kontaktieren.
Bei dem hier beschriebenen Herstellungsverfahren werden jeweils mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder mindestens ein elektrischer Kontakt 72 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils gebildet. Die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 werden vorteilhafter Weise auf einer von der Kaverne 58 weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht gebildet. Die mindestens eine Leiterbahn 70 kann z.B. aus dotiertem Polysilizium und/oder aus mindestens einem Metall, wie insbesondere Aluminium, einer Aluminium-Silizium-Legierung, einer Aluminium- Kupfer- Legierung, einer Aluminium-Silizium-Kupfer-Legierung, Gold, Titandisilicid, Platinsilicid, einer Silizium-Stickstoff-Verbindung, Cobaltdisilicid, Titannitrid, Tantalnitrid, Wolfram und/oder einer Titan-Wolfram-Legierung, und/oder aus Schichtfolgen der genannten Materialien bestehen. Wahlweise kann die mindestens eine Leiterbahn 70 noch zumindest teilweise mit einer elektrisch isolierenden Deckschicht 74, insbesondere einer Siliziumdioxidschicht, einer Siliziumnitridschicht (insbesondere einer siliziumreichen Siliziumnitridschicht), einer Siliziumoxidnitridschicht, einer Titandioxidschicht, einer Tantalpentoxidschicht, einer Aluminiumoxidschicht und/oder aus Schichtfolgen der genannten Materialien, abgedeckt werden. Der mindestens eine elektrische Kontakt 72 kann beispielsweise ein Bondpad, insbesondere aus Aluminium, einer Aluminium-Silizium-Legierung, einer Aluminium-Kupfer- Legierung, einer Aluminium-Silizium-Kupfer-Legierung, Gold, Nickel, Kupfer, Wolfram, Germanium und/oder eine Schichtfolge der genannten Materialien, sein. Das Zwischenprodukt ist in Fig. lf dargestellt. Mittels des hier beschriebenen Herstellungsverfahrens kann auf einfache Weise ein Sensorwafer aus einer Vielzahl von mikromechanischen Bauteilen 75 hergestellt werden. (In Fig. lf ist jedoch nur ein mikromechanisches Bauteil 75 dargestellt.) Später können die mikromechanischen Bauteile 75 durch gezieltes vereinzeln, z.B. mit Hilfe eines Dicing Prozesses, leicht aus dem Sensorwafer herausgetrennt werden.
Wie in Fig. lf erkennbar ist, werden bei dem hier beschriebenen Herstellungsverfahren die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 an einer ersten Außenseite 75a des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 ausgebildet, während die zumindest eine Membranaußenseite 10b des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 zu einer von der ersten Außenseite 75a weg gerichteten zweiten Außenseite 75b des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 ausgerichtet wird. Bevorzugter weise liegen die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 direkt an der ersten Außenseite 75a des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75, während die zumindest eine Membranaußenseite 10b an die Ätzstoppstruktur 12 auf der Substratoberfläche 14a des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 angrenzt. Eine derartige Anordnung der zumindest einen Leiterbahn 70 und/oder des mindestens einen elektrischen Kontakts 72 bei entgegen gerichteter Ausrichtung der zumindest einen Membranaußenseite 10b hat den Vorteil, dass der Sensorwafer noch vor dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile 75 aus dem Sensorwafer an einem weiteren Wafer aus einer Vielzahl von Elektronik- oder Sensorvorrichtungen 76 derart befestigt werden kann, dass nach dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile 75 jedes der mikromechanischen Bauteile 75 an einer aus dem weiteren Wafer mit herausgetrennten Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 mechanisch und/oder elektrisch angebunden ist. Insbesondere kann beim Befestigen des Sensorwafers an dem weiteren Wafer jedes der mikromechanischen Bauteile 75 elektrisch und mechanisch mit einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 verbunden werden. Das hier beschriebene Herstellungsverfahren eignet sich somit vorteilhaft zum Wafer-Level-Packaging. Fig. lg zeigt beispielhaft eine Wafer-Level-Packaging Variante auf Basis des hier beschrieben Herstellugsverfahrens. Zum Befestigen des Sensorwafers an dem weiteren Wafer wird vorzugsweise mindestens eine elektrische und mechanische Verbindung zwischen jedem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 gebildet. Vorzugsweise wird jeweils eine Bondverbindung zwischen mindestens einem Bondpad 72 auf dem mikromechanischen Bauteil 75 und mindestens einem weiteren Bondpad 77 auf der Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 gebildet. Es wird darauf hingewiesen, dass die zum Bilden der mindestens einen Bondverbindung eingesetzten Bondpads 72 und 77 nicht zwingend die gleiche Größe haben müssen. Als mögliche Bondtechnik zum Bilden der mindestens einen Bondverbindung können z.B. ein eutektisches Bonden (wie insbesondere ein eutektisches Aluminium-Germanium-Bonden, ein eutektisches Gold-Silizium-Bonden oder ein eutektisches Gold-Germanium- Bonden), ein SLID-Bonden (Solid-Liquid Interdiffusion), insbesondere ein Kupfer- Zinn-SLID-Bonden, oder ein Thermokompressionsbonden ausgeführt werden.
Als Alternative oder Ergänzung zum Bonden können auch die Flip-Chip-Technik und/oder Solder-Balls zum Bilden der mindestens einen elektrischen und mechanischen Verbindung zwischen jedem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 genutzt werden.
Die mindestens eine auf diese Weise erzeugte elektrische und mechanische Verbindung zwischen jedem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 kann vor Umwelteinflüssen verlässlich geschützt werden, indem mindestens eine Chip-umlaufende, eine
Membranbereichumlaufende und/oder Kontaktstruktur-umlaufende Dichtstruktur an dem Sensorwafer und/oder an dem weiteren Wafer ausgebildet wird. Die mindestens eine Chip-umlaufende, Membranbereichumlaufende und/oder Kontaktstrukturumlaufende Dichtstruktur kann auch aus den entsprechenden Bondmaterialien gebildet werden. Ein elektrischer Anschluss der jeweiligen Dichtstruktur muss nicht zwingend erfolgen, kann aber optional umgesetzt werden, um z.B. eine elektrische Abschirmung von Kontaktstrukturen und elektrischen Verbindungen realisieren zu können. Somit kann bei einem Ausführen des hier beschriebenen Herstellungsverfahrens auf den herkömmlicherweise notwendigen Einsatz von einem Gel oder einer speziellen Verkappung zum Schutz der mindestens einen elektrischen und mechanischen Verbindung zwischen dem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 problemlos verzichtet werden. Dies trägt ebenfalls zur Reduzierung der Herstellungskosten der mittels des hier beschriebenen Herstellungsverfahrens hergestellten mikromechanischen Bauteile 75 bei.
Sofern gewünscht, können anschließend der Sensorwafer und/oder der weitere Wafer mittels eines Schleifprozesses, eines Polierprozesses und/oder eines plasmabasierten Siliziumätzprozesses auf eine gewünschte Wafer- Stack- Dicke gedünnt werden. Nach dem Rückdünnen des Sensorwafers kann anschließend zumindest eine Aussparung 78 problemlos derart durch das Substrat 14 geätzt werden, dass die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 zumindest teilweise freigelegt wird. Sofern gewünscht, kann anschließend die Ätzstoppstruktur 12 von der Außenseite 10b der Membran 10 entfernt werden. Beispielsweise wird die Ätzstoppstruktur 12 bestehenden aus einer Siliziumdioxidschicht 16 zumindest teilweise mittels eines nasschemischen Ätzprozesses, wie beispielsweise eines BOE-Ätzprozesses, oder mittels eines Plasmaätzprozesses derart geätzt, dass die Membranaußenseite 10b freigelegt wird. Bei Verwendung eines nasschemischen Ätzprozesses, wie z.B. eines BOE-Ätzprozesses, dient die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 im Bereich des
Trenngraben/Isolationstrenchs 24 als lateraler Ätzstopp. Auf diese Weise ist eine Freistellung der zumindest einen Membran 10 möglich, so dass die zumindest eine Membran 10 auf eine Druckänderung an ihrer Membranaußenseite 10b oder auf an ihrer Membranaußenseite 10b auftreffende Schallwellen mit einer Deformation/Verwölbung reagiert. Das mikromechanische Bauteil 75 eignet sich deshalb besonders vorteilhaft als zumindest Teil eines Drucksensors oder eines Mikrofons. Eine bei der Freistellung der Membran 10 erzeugte Trenchkante 80 wird vorzugsweise innerhalb des Membranbereiches vorgesehen, welcher durch den umlaufenden Trenngraben/Isolationstrench 24 definiert ist. Hierdurch kann vorteilhaft die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 im Bereich des Trenngraben/Isolationstrench 24 mechanisch verstärkt werden. Wahlweise kann zu einem optional bereits von der ersten Aussenseite 75a eingebrachten Stressentkopplungsgraben 81 noch mindestens ein weiterer Stressentkopplungs- Graben 82 ausgehend von der zweiten Aussenseite 75b durch das (evtl, gedünnte) Substrat 14 und optional durch das Sensorschichtsystem bestehend aus den Schichten 12, 18, 22, 30, 32, 36, 40, 46 und 48 getrencht werden, welcher zum Beispiel zur Stressentkopplung der Membran 10 vorteilhaft nutzbar ist. In den von der Markierung 84 umgebenen Bereichen kann das Schichtsystem des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 außerdem so strukturiert werden, dass der Membranbereich über „Federelemente“ aufgehängt ist und die elektrische Kontaktierung der Elektroden 28, 34, 42 und 44 im Membranbereich über die „Federelemente“ erfolgt.
Fig. 2 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer zweiten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
Bei der mittels der Fig. 2 schematisch wiedergegebenen Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 gebildet, indem zuerst die Substratoberfläche 14a des Substrats 14 zumindest teilweise mit der Siliziumdioxidschicht 16 abgedeckt wird und anschließend die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 auf der Siliziumdioxidschicht 16 abgeschieden wird. Optionalerweise kann noch eine weitere Siliziumdioxidschicht 90 auf der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18 gebildet werden. Auch die in Fig. 2 schematisch wiedergegebene Ätzstoppstruktur 12 eignet sich vorteilhaft zum Ausführen des oben beschriebenen Verfahrens. Deshalb wird hier bezüglich der weiteren Verfahrensschritte der Ausführungsform der Fig. 2 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Fig. 3 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer dritten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
Wie in Fig. 3 erkennbar ist, kann der die Membran 10 umlaufende Trenngraben/Isolationstrench 24 nicht nur als Luftspalt ausgebildet werden, sondern auch verfüllt werden. Beispielsweise kann eine weitere siliziumreiche Siliziumnitridschicht 92 auf dem Trenngraben 24 so abgeschieden werden, dass der Trenngraben 24 gefüllt wird. Optionalerweise kann vor dem Abscheiden der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 und der Herstellung des Trenngraben/Isolationstrench 24 noch eine die Membranmaterialschicht 22 zumindest teilweise abdeckende Siliziumdioxidschicht 94 gebildet werden, wonach die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 92 derart abgeschieden und strukturiert wird, dass Ätzkanten der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 auf der Siliziumdioxidschicht 94 liegen. Sofern gewünscht, kann nach dem Abscheiden der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 auch ein chemisch mechanischer Polierschritt ausgeführt werden, mittels welchem die die Siliziumdioxidschicht 94 abdeckenden Bereiche der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 entfernt werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der Fig. 3 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Fig. 4 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer vierten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
Wie in Fig. 4 erkennbar ist, kann der Trenngraben 24 auch mit Material der Siliziumdioxidschicht 94 gefüllt werden. Danach kann die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 92 derart abgeschieden werden, dass mittels ihrer „brückenähnlichen Form“ ein verlässlicher Ätzschutz für das in den Trenngraben 24 eingefüllte Siliziumdioxid realisiert ist. Alternativ kann nach dem Bilden der Siliziumdioxidschicht 94 auch ein chemisch-mechanischer Polierschritt derart ausgeführt werden, dass die die Membranmaterialschicht 22 abdeckenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht 94 entfernt werden und lediglich das in den Trenngraben 24 eingefüllte Siliziumdioxid zurückbleibt. Anschließend kann mittels der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 auch in diesem Fall ein verlässlicher Ätzschutz gebildet werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der Fig. 4 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Fig. 5 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer fünften Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
Bei dem mittels der Fig. 5 schematisch wiedergegebenen Herstellungsverfahren werden nach dem Abscheiden der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18, jedoch noch vor dem Abscheiden der Membranmaterialschicht 22 elektrisch isolierende Bereiche 96 auf der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18 abgeschieden und strukturiert. Die elektrisch isolierenden Bereiche 96 können beispielsweise aus Siliziumdioxid oder aus siliziumreichen Siliziumnitrid sein. Sofern die elektrisch isolierenden Bereiche aus Siliziumdioxid sind, können sie gemeinsam mit dem Bilden der Siliziumdioxidschicht 16 geformt werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der Fig. 5 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass auch Kombinationen der Schichten und/oder Kombinationen von zumindest
Teilprozessen/Teilprozessierungen der in den Fig. la und 2 bis 5 schematisch wiedergegebenen Ätzstoppstrukturen 12 möglich sind.
Fig. 6 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer sechsten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
Wie in Fig. 6 schematisch dargestellt ist, kann die (integrierte) elektrische Schaltung 54 wahlweise auch über eine Diffusionsbarriere 98 an mindestens eine elektrische Leiterbahn 100 angebunden werden. Die mindestens eine elektrische Leiterbahn 100 kann beispielsweise aus einer Aluminium- Kupfer- Legierung sein. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der Fig. 6 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Fig. 7 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer siebten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
Als optionale Weiterbildung kann zur Verbesserung der Dichtheit des Verschlusses des mindestens einen Ätzkanals 38 noch mindestens ein ringförmiger/rahmenförmiger Trenngraben 102 derart durch die Verschlussschicht 60 (und evtl, die weitere Isolierschicht 62) strukturiert werden, dass der mindestens eine ringförmige/rahmenförmige Trenngraben 102 jeweils eine Mündung des mindestens einen Ätzkanals 38 an einer Grenzfläche zwischen der aufgewachsenen Siliziumschicht 52 und der Verschlussschicht 60 umrahmt. Beim Abscheiden der mindestens einen Leiterbahn 70 kann dann das Material der mindestens einen Leiterbahn 70 noch in den mindestens einen ringförmigen/rahmenförmigen Trenngraben 102 eingefüllt und auf diese Weise zum Bilden einer (optionalen) Diffusionsbarriere 104 genutzt werden. Mittels einer Anordnung jeweils eines weiteren Bondpads 106 auf der Diffusionsbarriere 104 kann diese noch zusätzlich verstärkt werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der Fig. 7 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Mittels der oben beschriebenen Herstellungsverfahren können jeweils mehrere Tausend mikromechanischen Bauteile 75 simultan gebildet und in einem Wafer- Bond-Prozess mit einem entsprechenden weiteren Wafer mit Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen 76 verbunden werden. Nach einem Vereinzeln der Bauteile 75 und der korrespondierenden Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen 76 können diese dann per Flip-Chip und/oder per Drahtbond mit weiteren Bauteilkomponenten verbunden werden und final beispielsweise per Mold-Verfahren verpackt werden.
Fig. 8 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer ersten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
Das in Fig. 8 schematisch dargestellte mikromechanische Bauteil 75 weist eine Membran 10 mit einer Membraninnenseite 10a und einer von der Membraninnenseite 10a weg gerichteten Membranaußenseite 10b auf, wobei an der Membraninnenseite 10a eine Elektrodenstruktur 28 angebunden ist. Die Membraninnenseite 10a der Membran 10 grenzt an einer Kaverne 58 an, wobei die an der Membraninnenseite 10a angebundene Elektrodenstruktur 28 in die Kaverne 58 ragt. Das mikromechanische Bauteil 75 hat auch mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder mindestens einen elektrischen Kontakt 72. Wie in Fig. 8 erkennbar, sind die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 an einer ersten Außenseite 75a des mikromechanischen Bauteils 75 ausgebildet, während die Membranaußenseite 10b der Membran 10 zu einer von der ersten Außenseite 75a weg gerichteten zweiten Außenseite 75b des mikromechanischen Bauteils 75 ausgerichtet ist. Wahlweise kann noch mindestens ein weiteres Bondpad 108, z.B. aus einer Aluminium-Kupfer- Legierung, an der zweiten Außenseite 75b angeordnet sein.
Vorteilhafterweise ist die Kaverne 58 auf ihrer von der Membran 10 weg gerichteten Seite von mindestens einer Zwischenschicht 40, 46, 48, 52, 60 und 62 begrenzt ist und die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 auf einer von der Kaverne 58 weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht 40, 46, 48, 52, 60 und 62 gebildet. Die Membran 10 ist aus zumindest Teilbereichen einer auf einer Substratoberfläche 14a eines Substrats 14 abgeschiedenen Membranmaterialschicht 22 gebildet, wobei eine Aussparung 78 derart durch das Substrat 14 geätzt ist, dass die Membranaußenseite 10b der Membran 10 (bzw. eine die Membranaußenseite 10b zumindest teilweise abdeckende Ätzstoppstruktur) zumindest teilweise freigelegt sind.
Wie in Fig. 8 weiter zu sehen ist kann durch das Bauteil 75 hindurch auch eine elektrische Durchkontaktierung realisiert werden über welche eine elektrische Verbindung zwischen z.B. einem weiteren Bondpad 108 auf der zweiten Aussenseite 75b und der mindestens einen Leiterbahn 70 auf der ersten Aussenseite 75a des Bauteils 75 hergestellt werden kann. Hierüber ist es zudem vorteilhaft möglich, Leiterbahnen innerhalb des Bauteils 75 und/oder Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen 76 auf dem weiteren Wafer elektrisch zu kontaktieren.
Das mikromechanische Bauteil 75 kann vorteilhaft für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung eingesetzt werden. Bezüglich weiterer Merkmale des mikromechanischen Bauteils 75 der Fig. 8 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Fig. 9 zeigt einen schematischen Querschnitt einer zweiten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
Wie in Fig. 9 erkennbar ist, kann der Membranbereich durch Einsatz von mindestens einer (schematisch wiedergegebenen) Feder 110, welche z.B. im Bereich 52a aus monokristallinem Silizium ausgebildet ist, von einem umgebenden Außenbereich stresstechnisch entkoppelt sein. Eine Anzahl, eine Form und eine Abmessung der mindestens einen Feder 110 können beliebig gewählt sein. Der elektrische Anschluss der Ebenen und/oder Komponenten im stressentkoppelten Membranbereich kann über die mindestens eine Leiterbahn 70 erfolgen, wobei die mindestens eine Leiterbahn 70 insbesondere über die mindestens eine Feder 110 verlaufen kann. Die mindestens eine Leiterbahn 70 kann z.B. aus dotiertem Polysilizium und/oder aus mindestens einem Metall, wie insbesondere Aluminium, einer Aluminium-Silizium-Legierung, einer Aluminium- Kupfer-Legierung, einer Aluminium-Silizium-Kupfer-Legierung, Gold, Platin, Nickel, Wolfram und/oder Kupfer, sein. Bezüglich weiterer Merkmale des mikromechanischen Bauteils 75 der Fig. 9 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Fig. 10 zeigt einen schematischen Querschnitt einer dritten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
Das mikromechanische Bauteil 75 kann über einen Drahtbond 112 kontaktierbar sein. Der Drahtbond 112 kann beispielsweise an einem auf der Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 befestigten Bondpad 114 oder auf einem Bondpad des mikromechanischen Bauteils 75 verankert sein. Bezüglich weiterer Merkmale des mikromechanischen Bauteils 75 der Fig. 10 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
Prinzipiell können alle beschriebenen Mono- und Polysilizium-Schichten optional auch mit unterschiedlichen Dotierstoffen dotiert werden, um eine elektrische Funktionalität, wie z.B. die einer Diode, oder aber eine möglichst geringe bzw. einen definiert eingestellte Leitfähigkeit (Leiterbahn, Widerstand) realisieren zu können.
Ausgehend von den zuvor gemachten Ausführungen/Erläuterungen kann die siliziumreiche Nitridschicht 18 einmal zur elektrischen Isolation der Membran 10 von der umgebenden Membranmaterialschicht 22 dienen, zu anderen aber auch als lateraler Ätzstopp bei der nasschemischen Entfernung der Ätzstoppstruktur 12 in BOE.
Bei den Figuren Fig. 8, 9, 10 und 11 wird nach dem Rückdünnen des Sensorwafers die Herstellung einer „versenkten“ Membran 10 beschrieben. Optional ist es hier auch möglich, das vollständige Substrat 14 des Sensorwafers durch Rückdünnen mit Hilfe z.B. eines Schleif- und Polierprozesses und optionalem Einsatz eines Silizium Plasmaätzprozesses zu entfernen und die Stoppschicht 12 aus Siliziumdioxid vollflächig freizulegen. Durch einen nachfolgend Siliziumdioxidätzprozess kann dann optional vollflächig oder aber nur im Bereich der Membran 10 die Stoppschicht 12 entfernt werden.
Weiter kann die Membran 10 aus einer Membranmaterialschicht 22 aus monokristallinem Silizium bestehen, wenn zur Realisierung der Schichtenfolgen ein SOI-Wafer verwendet wird.

Claims

Ansprüche
1. Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil (75) für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit zumindest den Schritten:
Bilden jeweils einer Membran (10) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) mit einer Membraninnenseite (10a) und einer von der Membraninnenseite (10a) weg gerichteten Membranaußenseite (10b), wobei an der Membraninnenseite (10a) eine Elektrodenstruktur (28) angebunden wird;
Bilden jeweils einer Kaverne (58) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) derart, dass die Membraninnenseite (10a) der Membran (10) an die Kaverne (58) angrenzt und die an der Membraninnenseite (10a) angebundene Elektrodenstruktur (28) in die Kaverne (58) ragt, und
Bilden jeweils mindestens einer Leiterbahn (70) und/oder mindestens eines elektrischen Kontakts (72) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75); dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Leiterbahn (70) und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt (72) an einer ersten Außenseite (75a) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) ausgebildet werden, während die zumindest eine Membranaußenseite (10b) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) zu einer von der ersten Außenseite (75a) weg gerichteten zweiten Außenseite (75b) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) ausgerichtet wird.
2. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die Kaverne (58) auf ihrer von der Membran (10) weg gerichteten Seite von mindestens einer Zwischenschicht (40, 46, 48, 52, 60 und 62) begrenzt wird und die mindestens eine Leiterbahn (70) und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt (72) auf einer von der Kaverne (58) weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht (40, 46, 48, 52, 60 und 62) gebildet werden.
3. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei zumindest eine Ätzstoppstruktur (12) direkt oder indirekt auf einer Substratoberfläche (14a) eines Substrats (14) ausgebildet wird und anschließend eine Membranmaterialschicht (22) derart auf der zumindest einen Ätzstoppstruktur (12) abgeschieden wird, dass die zumindest eine Membran (10) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) mit ihrer die zumindest eine Ätzstoppstruktur (12) kontaktierenden Membranaußenseite (10b) aus zumindest Teilbereichen der Membranmaterialschicht (22) gebildet wird, und wobei zumindest eine Aussparung (78) derart durch das Substrat (14) geätzt wird oder das Substrat (14) derart entfernt wird, dass die zumindest eine Ätzstoppstruktur (12) zumindest teilweise freigelegt wird.
4. Herstellungsverfahren nach Anspruch 3, wobei eine von dem Substrat (14) weg gerichtete Seite der Membranmaterialschicht (22) zumindest teilweise mit einer ersten Opferschicht (30) abgedeckt wird, eine von der Membranmaterialschicht (22) weg gerichtete Seite der ersten Opferschicht (30) zumindest teilweise mit einer Elektrodenmaterialschicht (32) derart abgedeckt wird, dass die zumindest eine Elektrodenstruktur (28) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) aus zumindest Teilbereichen der Elektrodenmaterialschicht (32) gebildet wird, und eine von der ersten Opferschicht (30) weg gerichtete Seite der Elektrodenmaterialschicht (32) zumindest teilweise mit einer zweiten Opferschicht (36) abgedeckt wird, und wobei die Kaverne (58) durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht (30) und der zweiten Opferschicht (36) gebildet wird.
5. Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, wobei mindestens ein Ätzkanal (38) ausgebildet wird, welcher sich von der ersten Außenseite (75a) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) bis zu der ersten Opferschicht (30) und/oder der zweiten Opferschicht (36) erstreckt, und wobei die Kaverne (58) durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht (30) und der zweiten Opferschicht (36) mittels eines durch den mindestens einen Ätzkanal (38) geleiteten Ätzmediums gebildet wird.
6. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Sensorwafer aus einer Vielzahl von mikromechanischen Bauteilen (75) hergestellt wird, und später die mikromechanischen Bauteile (75) aus dem Sensorwafer herausgetrennt werden.
7. Herstellungsverfahren nach Anspruch 6, wobei vor dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile (75) aus dem Sensorwafer der Sensorwafer an einem weiteren Wafer aus einer Vielzahl von Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen (76) derart befestigt wird, dass nach dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile (75) jedes der mikromechanischen Bauteile (75) an einer aus dem weiteren Wafer mit herausgetrennten Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung (76) mechanisch und/oder elektrisch angebunden ist.
8. Mikromechanisches Bauteil (75) für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit: einer Membran (10) mit einer Membraninnenseite (10a) und einer von der Membraninnenseite (10a) weg gerichteten Membranaußenseite (10b), wobei an der Membraninnenseite (10a) eine Elektrodenstruktur (28) angebunden ist; einer Kaverne (58), wobei die Membraninnenseite (10a) der Membran (10) an die Kaverne (58) angrenzt und die an der Membraninnenseite (10a) angebundene Elektrodenstruktur (28) in die Kaverne (58) ragt; und mindestens einer Leiterbahn (70) und/oder mindestens einem elektrischen Kontakt (72); dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Leiterbahn (70) und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt (72) an einer ersten Außenseite (75a) des mikromechanischen Bauteils (75) ausgebildet sind, während die Membranaußenseite (10b) der Membran (10) zu einer von der ersten Außenseite (75a) weg gerichteten zweiten Außenseite (75b) des mikromechanischen Bauteils (75) ausgerichtet ist.
9. Mikromechanisches Bauteil (75) nach Anspruch 8, wobei die Kaverne (58) auf ihrer von der Membran (10) weg gerichteten Seite von mindestens einer Zwischenschicht (40, 46, 48, 52, 60 und 62) begrenzt ist und die mindestens eine Leiterbahn (70) und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt (72) auf einer von der Kaverne (58) weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht (40, 46, 48, 52, 60 und 62) gebildet sind.
10. Mikromechanisches Bauteil (75) nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Membran (10) aus zumindest Teilbereichen einer auf einer Substratoberfläche (14a) eines Substrats (14) abgeschiedenen Membranmaterialschicht (22) gebildet ist, und wobei eine Aussparung (78) derart durch das Substrat (14) geätzt ist, dass die Membranaußenseite (10b) der Membran (10) und/oder eine die Membranaußenseite (10b) zumindest teilweise abdeckende Ätzstoppstruktur (12) zumindest teilweise freigelegt sind.
PCT/EP2021/050426 2020-01-14 2021-01-12 Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches bauteil und mikromechanisches bauteil für eine sensor- oder mikrofonvorrichtung WO2021144236A1 (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1810947A2 (de) 2000-07-05 2007-07-25 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
US20150061049A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Robert Bosch Gmbh Micromechanical component for a capacitive sensor device, and manufacturing method for a micromechanical component for a capacitive sensor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1810947A2 (de) 2000-07-05 2007-07-25 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
US20150061049A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Robert Bosch Gmbh Micromechanical component for a capacitive sensor device, and manufacturing method for a micromechanical component for a capacitive sensor device

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