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Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung. Ebenso betrifft die Erfindung ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung.
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Stand der Technik
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In der
EP 1 810 947 A2 ist ein mikromechanisches Bauelement beschrieben, welches als Drucksensor einsetzbar sein soll. Das mikromechanische Bauelement weist eine als Membran ausgebildete Siliziumschicht auf, wobei an einer Membranaußenseite der Siliziumschicht mindestens eine integrierte Schaltung, d.h. mindestens eine Leiterbahn und/oder mindestens ein elektrischer Kontakt, ausgebildet ist.
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Offenbarung der Erfindung
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Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 8.
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Vorteile der Erfindung
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Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren kann aufgrund der Ausbildung der mindestens einen Leiterbahn und/oder des mindestens einen elektrischen Kontakts an einer ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bei gleichzeitiger Ausrichtung der zumindest einen Membranaußenseite zu einer von der ersten Außenseite weg gerichteten zweiten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils dazu genutzt werden, eine Vielzahl der mikromechanischen Bauteile auf Waferlevel elektrisch und mechanisch mit einer Vielzahl von weiteren Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen zu verbinden. Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist damit eine vorteilhafte Technik zum sogenannten Wafer-Level-Packaging. Die hier beschriebene Erfindung beseitigt damit die herkömmliche Notwendigkeit, einen membranbestückten Sensorchip gemäß dem Stand der Technik einzeln mit einer weiteren Vorrichtung mechanisch und elektrisch zu verbinden. Die vorliegende Erfindung trägt damit zur Reduzierung eines zum Herstellen von Sensor- oder Mikrofonvorrichtungen zu leistenden Arbeitsaufwands bei und senkt auf diese Weise die Herstellungskosten für derartige Sensor- oder Mikrofonvorrichtungen. Prinzipiell ist es auch denkbar, ein sogenanntes Chip-to-Waferbonden durchzuführen, bei dem einzelne Sensorchips mit einen ASIC-Wafer oder aber einzelne ASIC-Chips mit einen Sensorwafer mechanisch und/oder elektrisch verbunden werden. Dieses Verfahren kann dann z.B. zum Einsatz kommen, wenn die zu verbindenden Chips von einem Sensorwafer und einem ASIC-Wafer mit unterschiedlicher Wafergröße stammen.
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In einer vorteilhaften Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird die Kaverne auf ihrer von der Membran weg gerichteten Seite von mindestens einer Zwischenschicht begrenzt und die mindestens eine Leiterbahn und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt werden auf einer von der Kaverne weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht gebildet. Die Ausbildung der mindestens einen Leiterbahn und/oder des mindestens einen elektrischen Kontakts an der ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bei gleichzeitiger Ausrichtung der zumindest einen Membranaußenseite zu der zweiten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils ist damit auf vergleichsweise einfache Weise möglich.
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In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird zumindest eine Ätzstoppstruktur direkt oder indirekt auf einer Substratoberfläche eines Substrats ausgebildet, und anschließend wird eine Membranmaterialschicht derart auf der zumindest einen Ätzstoppstruktur abgeschieden, dass die zumindest eine Membran des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils mit ihrer die zumindest eine Ätzstoppstruktur kontaktierenden Membranaußenseite aus zumindest Teilbereichen der Membranmaterialschicht gebildet wird, wobei zumindest eine Aussparung derart durch das Substrat geätzt wird oder das Substrat derart entfernt wird, dass die zumindest eine Ätzstoppstruktur zumindest teilweise freigelegt wird. Auf diese Weise ist gewährleistbar, dass die Membran mittels einer Druckänderung und/oder mittels Schallwellen deformierbar/verwölbbar ist.
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Vorzugsweise wird eine von dem Substrat weg gerichtete Seite der Membranmaterialschicht zumindest teilweise mit einer ersten Opferschicht abgedeckt, und eine von der Membranmaterialschicht weg gerichtete Seite der ersten Opferschicht wird zumindest teilweise mit einer Elektrodenmaterialschicht derart abgedeckt, dass die zumindest eine Elektrodenstruktur des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils gebildet wird. Anschließend wird eine von der ersten Opferschicht weg gerichtete Seite der Elektrodenmaterialschicht zumindest teilweise mit einer zweiten Opferschicht abgedeckt. Später wird die Kaverne durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht gebildet. Zum Bilden der zumindest einen Elektrodenstruktur des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils und zum Bereitstellen von Opferschichtmaterial in einem späteren Volumen der zumindest einen Kaverne des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils können somit leicht ausführbare Abscheideverfahren ausgeführt werden.
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Beispielsweise kann mindestens ein Ätzkanal ausgebildet werden, welcher sich von der ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bis zu der ersten Opferschicht und/oder der zweiten Opferschicht erstreckt, wobei die Kaverne durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht mittels eines durch den mindestens einen Ätzkanal geleiteten Ätzmediums gebildet wird. Das Bilden der Kaverne mittels eines Ätzschritts zum zumindest teilweisen Ätzen der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht ist somit leicht ausführbar.
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In einer bevorzugten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird ein Sensorwafer aus einer Vielzahl von mikromechanischen Bauteilen hergestellt, und später werden die mikromechanischen Bauteile aus dem Sensorwafer herausgetrennt. Das hier beschriebene Herstellungsverfahren ist somit problemlos auf Waferlevel ausführbar.
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Insbesondere kann vor dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile aus dem Sensorwafer der Sensorwafer an einem weiteren Wafer aus einer Vielzahl von Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen derart befestigt werden, dass nach dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile jedes der mikromechanischen Bauteile an einer aus dem weiteren Wafer mit herausgetrennten Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung mechanisch und/oder elektrisch angebunden ist. Die hier beschriebene Ausführungsform des Herstellungsverfahrens ist deshalb eine vorteilhafte Technik zum Wafer-Level-Packaging.
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Die vorausgehend beschriebenen Vorteile sind auch bei einem entsprechenden mikromechanischen Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung gewährleistet. Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass das mikromechanische Bauteil gemäß den beschriebenen Merkmalen der oben erläuterten Ausführungsformen des Herstellungsverfahrens weitergebildet werden kann.
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Figurenliste
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Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:
- 1 bis 7 schematische Querschnitte zum Erläutern verschiedener Ausführungsformen des Herstellungsverfahrens; und
- 8 bis 10 schematische Querschnitte zum Erläutern verschiedener Ausführungsformen des mikromechanischen Bauteils.
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Ausführungsformen der Erfindung
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1a bis 1g zeigen schematische Querschnitte zum Erläutern einer ersten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
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Bei dem im Weiteren beschriebenen Herstellungsverfahren wird zumindest ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung hergestellt. Dazu wird jeweils eine Membran 10 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils mit einer Membraninnenseite 10a und einer von der Membraninnenseite 10a weg gerichteten Membranaußenseite 10b gebildet. Beispielhaft geschieht das bei der hier beschriebenen Ausführungsform des Herstellungsverfahrens, indem zuerst zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 auf einer Substratoberfläche 14a eines Substrats 14 ausgebildet wird. Das Substrat 14 kann insbesondere ein Siliziumsubstrat 14 sein. Lediglich beispielhaft werden bei der hier beschriebenen Ausführungsform eine Siliziumdioxidschicht 16 und eine siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 als die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 gebildet. Z.B. wird die Substratoberfläche 14a des Substrats 14 zumindest teilweise mit der Siliziumdioxidschicht 16 abgedeckt, wobei ein von der Siliziumdioxidschicht 16 freigehaltener/freigelegter Teilbereich der Substratoberfläche 14a, welcher einen Außenrand der späteren Membran 10 markiert, mit der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18 bedeckt wird. Wahlweise kann die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 über die Siliziumdioxidschicht 16 ragen. Mindestens ein weiterer von der Siliziumdioxidschicht 16 freigehaltener/freigelegter Teilbereich 20 der Substratoberfläche 14a kann später als Kontaktbereich eingesetzt werden.
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Anschließend wird eine Membranmaterialschicht 22 derart auf der zumindest einen Ätzstoppstruktur 12 abgeschieden, dass die zumindest eine Membran 10 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils mit ihrer die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 kontaktierenden Membranaußenseite 10b aus zumindest Teilbereichen der Membranmaterialschicht 22 gebildet wird. Die Membranmaterialschicht 22 kann insbesondere eine monokristalline und/oder polykristalline Siliziumschicht 22 sein. Optional kann nach der Abscheidung der Membranmaterialschicht 22 ein chemisch-mechanischer Polierschritt ausgeführt werden. Wahlweise kann auch jeweils ein die zumindest eine Membran 10 umlaufenden Trenngraben/Isolationstrench 24 durch die Membranmaterialschicht 22 strukturiert/geätzt werden, um eine elektrische Trennung der zumindest einen Membran 10 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils zu der umgebenden Membranmaterialschicht 22 realisieren/herstellen zu können. Mindestens ein weiterer durchgehender Graben 26 kann gleichzeitig mit dem zumindest einen Trenngraben/Isolationstrench 24 durch die Membranmaterialschicht 22 strukturiert werden. Das Zwischenprodukt ist in 1a gezeigt.
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Das hier beschriebene Herstellungsverfahren umfasst auch ein Bilden jeweils einer Kaverne des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils derart, dass die Membraninnenseite 10a der Membran 10 des jeweiligen mikromechanischen Bauteils an die Kaverne angrenzt. Außerdem wird an der Membraninnenseite 10a eine Elektrodenstruktur 28, deren Lage mittels einer Verwölbung der später freigestellten Membran 10 verstellbar ist, so angebunden, dass die an der Membraninnenseite 10a angebundene Elektrodenstruktur 28 in die spätere Kaverne ragt. Bei der hier beschriebenen Ausführungsform wird dazu zuerst eine von dem Substrat 14 weg gerichtete Seite der Membranmaterialschicht 22 zumindest teilweise mit einer ersten Opferschicht 30 abgedeckt. Vorzugsweise ist die erste Opferschicht 30 eine Siliziumdioxidschicht 30. Wahlweise kann nach der Abscheidung der ersten Opferschicht 30 noch ein chemisch-mechanischer Polierschritt ausgeführt werden. Auf die Funktion mindestens eines durch die erste Opferschicht 30 durchgehenden Grabens 31 wird nachfolgend eingegangen.
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Anschließend wird eine von der Membranmaterialschicht 22 weg gerichtete Seite der ersten Opferschicht 30 zumindest teilweise mit einer Elektrodenmaterialschicht 32 derart abgedeckt, dass die zumindest eine Elektrodenstruktur 28 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils aus zumindest Teilbereichen der Elektrodenmaterialschicht 32 gebildet wird. Es wird darauf hingewiesen, dass die auf diese Weise gebildete zumindest eine Elektrodenstruktur 28 auch zur Versteifung der zumindest einen benachbarten Membran 10 dienen kann. Durch Füllen des mindestens einen durch die erste Opferschicht 30 durchgehenden Grabens 31 mit der Elektrodenmaterialschicht 32 ist eine mechanisch feste und elektrisch leitfähige Anbindung der zumindest einen Elektrodenstruktur 28 an der Membraninnenseite 10a der benachbarten Membran 10 realisierbar. Die Elektrodenmaterialschicht 32 kann eine Siliziumschicht/Polysiliziumschicht 32 sein. Auch eine Oberfläche der Elektrodenmaterialschicht 32 kann optionaler Weise mit Hilfe eines chemisch-mechanischen Polierschrittes planarisiert werden. Wie in 1b erkennbar ist, kann aus mindestens einem weiteren Teilbereich der Elektrodenmaterialschicht 32 auch noch mindestens eine Referenzelektrode 34 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils gebildet werden, welche mittels eines Füllen des mindestens einen benachbarten Grabens 31 mit der Elektrodenmaterialschicht 32 mechanisch fest und elektrisch leitfähig an der Membranmaterialschicht 22 anbindbar ist.
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Danach wird eine von der ersten Opferschicht 30 weg gerichtete Seite der Elektrodenmaterialschicht 32 zumindest teilweise mit einer zweiten Opferschicht 36 abgedeckt. Auch für die zweite Opferschicht 36 wird Siliziumdioxid als Material bevorzugt. Zur Planarisierung der zweiten Opferschicht 36 kann außerdem ein chemisch-mechanischer Polierschritt eingesetzt werden. Auf die Funktion mindestens eines durch die zweite Opferschicht 36 durchgehenden Grabens 37 wird nachfolgend eingegangen. Wie an dem in 1b dargestellten Zwischenprodukt erkennbar ist, wird beim Abscheiden und/oder Strukturieren der Schichten 22, 30, 32 und 36 auch mindestens ein mit dem mindestens einem Opferschichtmaterial der Opferschicht 30 und 36 gefüllter und mindestens einen späteren Ätzkanals 38 begrenzender Teilgraben ausgebildet. Auf die Funktion des mindestens einen Ätzkanals 38 wird unten noch eingegangen.
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Die zumindest eine spätere Kaverne wird anschließend auf ihrer von der Membran 10 weg gerichteten Seite mit mindestens einer Zwischenschicht begrenzt. In dem Beispiel der 1a bis 1g umfasst die mindestens eine Zwischenschicht eine die zumindest eine spätere Kaverne begrenzende Verdrahtungsschicht 40, aus welcher zumindest eine Gegenelektrode 42 für die zumindest eine Elektrodenstruktur 28 des zumindest einen mikromechanischen Bauteils gebildet wird. Wie in 1b erkennbar ist, kann mittels einer Schichtdicke der zweiten Opferschicht 36 ein späterer Abstand zwischen der zumindest einen Elektrodenstruktur 28 und ihrer zumindest einen zugeordneten Gegenelektrode 42 eingestellt werden. Auch die Verdrahtungsschicht 40 kann eine Siliziumschicht/Polysiliziumschicht 40 sein. Wahlweise kann auch die Verdrahtungsschicht 40 mittels eines chemisch-mechanischen Polierschritts planarisiert werden. Optionaler Weise kann noch mindestens eine Referenz-Gegenelektrode 44 für die mindestens eine Referenzelektrode 34 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils aus der Verdrahtungsschicht 40 gebildet werden. Mittels eines Einfüllens der Verdrahtungsschicht 40 in den mindestens einen durchgehenden Graben 37 kann mindestens eine mechanisch feste und elektrisch leitfähige Anbindung der mindestens einen Referenzelektrode 34 an die Verdrahtungsschicht 40 erreicht werden. Die mindestens eine Referenzelektrode 34 und die mindestens eine zugeordnete Referenz-Gegenelektrode 44 können derart gebildet werden, dass selbst bei einer Verwölbung der zumindest einen später freigestellten Membran 10 keine/kaum eine Abstandsänderung zwischen der mindestens einen Referenzelektrode 34 und der zumindest einen zugeordneten Referenz-Gegenelektrode 44 auftritt.
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In dem Beispiel der 1a bis 1g umfasst die mindestens eine Zwischenschicht auch eine siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46, eine Siliziumdioxidschicht 48 und eine aufgewachsene Siliziumschicht 50 und 52. Die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46 und die Siliziumdioxidschicht 48 bewirken eine elektrische Isolation zwischen elektrisch leitfähigen Strukturen, wie z.B. Leiterbahnen und/oder Elektroden der Verdrahtungsschicht 40 und der aufgewachsenen Siliziumschicht. Die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46 wird dabei zumindest partiell und hier bevorzugt im Bereich der späteren Kaverne direkt/unmittelbar auf der Verdrahtungsschicht 40 vorgesehen und kann außerdem noch beim späteren Bilden der Kaverne als Ätzstoppschicht eingesetzt werden. Eine Oberfläche der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 46 und/oder der Siliziumdioxidschicht 48 können jeweils durch Ausführen eines chemisch-mechanischen Polierschrittes geglättet werden. Zum Bilden der aufgewachsenen Siliziumschicht wird zuerst eine Polysiliziumschicht 50 auf der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 46 und der Siliziumdioxidschicht 48 abgeschieden. Das Zwischenergebnis ist in 1c gezeigt.
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Die Polysiliziumschicht 50 dient als Startschicht für eine nachfolgende Siliziumepitaxie, wobei die dabei aufgewachsene Siliziumschicht 52 später als Stützschicht/Funktionsschicht des zumindest einen mikromechanischen Bauteils dient. Eine Schichtdicke der mittels der Siliziumepitaxie aufgewachsenen Siliziumschicht 52 kann beliebig gewählt werden. Vorzugsweise wird die aufgewachsene Siliziumschicht 52 so stabil ausgebildet, dass sie trotz einer mechanischen Belastung, wie z.B. einer Druckbeaufschlagung, nicht verbogen wird und ihre ursprüngliche Form behält. Optionalerweise kann die aufgewachsene Siliziumschicht 52 noch mittels eines chemisch-mechanischen Polierschritts planarisiert werden. Wie in 1d erkennbar ist, kann die aufgewachsene Siliziumschicht 52 sowohl mindestens einen direkt auf dem Siliziumsubstrat 14 aufgewachsenen Bereich 52a aus monokristallinem Silizium als auch mindestens einen direkt auf der Polysiliziumschicht 50 aufgewachsenen Bereich 52b aus polykristallinem Silizium umfassen.
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Optionalerweise kann, wie in 1e dargestellt ist, mindestens eine (integrierte) elektrische Schaltung 54 in der aufgewachsenen Siliziumschicht 52, z.B. in ihrem mindestens einen Bereich 52a aus monokristallinem Silizium, ausgebildet werden. Die mindestens eine elektrische Schaltung 54 kann beispielsweise eine Diode oder ein
Sensor, wie insbesondere ein Temperatursensor, oder aber auch eine komplexe mikroelektronische Schaltung sein.
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Mittels eines Ätzschrittes kann dann ein Ätzzugang 56 als Teil des mindestens einen Ätzkanals 38 durch die aufgewachsene Siliziumschicht 52 strukturiert werden. Der mindestens eine Ätzkanal 38 wird somit derart ausgebildet, dass er sich von einer ersten Außenseite des zumindest einen mikromechanischen Bauteils bis zu der ersten Opferschicht 30 und/oder der zweiten Opferschicht 36 erstreckt. Anschließend kann die zumindest eine Kaverne 58 problemlos durch zumindest teilweises Ätzen der ersten Opferschicht 30 und der zweiten Opferschicht 36 mittels eines durch den mindestens einen Ätzkanal 38 geleiteten Ätzmediums gebildet werden. Insbesondere aufgrund des mindestens einen Ätzkanals 38 kann beim Ätzen der Kaverne 58 das Ätzmedium großflächig verteilt werden. Die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 46 und die Verdrahtungsschicht 40 verhindern dabei einen Ätzangriff auf die Siliziumdioxidschicht 48. Der in 1e schematisch dargestellte Ätzprozess kann beispielsweise ein Fluorwasserstoff(HF)-Gasphasenätzprozess oder ein nasschemischer Ätzprozess, wie insbesondere ein BOE-Ätzprozess (Buffered Oxide Etch) sein.
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Nach dem Bilden der zumindest einen Kaverne 58 kann der mindestens eine Ätzkanal 38 durch Abscheiden einer Verschlussschicht 60 (als die mindestens eine Zwischenschicht) mediendicht/gasdicht verschlossen werden. Auf diese Weise kann ein definierter Innendruck in der zumindest einen Kaverne 58 eingeschlossen werden. Die Verschlussschicht 60 kann beispielsweise aus Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid (insbesondere siliziumreichen Siliziumnitrid), Titanoxid, Tantaloxid und/oder Aluminiumoxid sein. Vorzugsweise ist die Verschlussschicht 60 aus mindestens einem elektrisch isolierenden Material. Alternativ kann ein Verschluss des mindestens einen Ätzkanals 38 auch mittels eines eutektischen Materials bewirkt werden, indem beispielsweise Gold im Bereich des mindestens einen Ätzkanals 38 abgeschieden wird und anschließend die aufgewachsene Siliziumschicht 52 über die eutektische Temperatur von Gold-Silizium bei ca. 360°C erwärmt wird, so dass das aufschmelzende und erstarrende Eutektikum Gold-Silizium den mindestens einen Ätzkanal 38 verschließt. Ebenso kann die aufgewachsene Siliziumschicht 52 mit Hilfe eines Lasers lokal aufgeschmolzen werden, so dass der mindestens eine Ätzkanal 38 mittels der erstarrten Siliziumschmelze verschlossen wird. Des Weiteren kann die Verschlussschicht 60 auch aus einem elektrisch leitfähigen Material, welches z.B. AI, Ti, Ta, TiN, Cr, Ni, Pt, Cu, W oder Au beinhaltet, oder aus Kombinationen der genannten Verschlussmaterialien, wie z.B. TiSi2 oder AICu, oder eine Abfolge von Verschlussmaterialschichten bestehen.
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Optionalerweise kann die Verschlussschicht 60 noch mit mindestens einer weiteren Isolierschicht 62 (als die mindestens eine Zwischenschicht), wie beispielsweise einer Siliziumdioxidschicht, einer Siliziumnitridschicht (insbesondere einer siliziumreichen Siliziumnitridschicht), einer Siliziumoxidnitridschicht, einer Titanoxidschicht, einer Tantaloxidschicht, einer Aluminiumoxidschicht und/oder Schichtkombinationen aus diesen Schichten, abgedeckt werden. Wie in 1f erkennbar ist, kann das Material der Siliziumschicht 52 auch für mindestens einen Kontaktstempel 64 genutzt werden, über welchen eine elektrische Kontaktierung der einzelnen Ebenen und/oder Komponenten des späteren mikromechanischen Bauteils möglich ist. Dazu wird mindestens ein Isolationstrench 66 gebildet und mit dem Material der Isolationsschicht 62 gefüllt. Bei entsprechender Strukturierung der Siliziumdioxidschicht 48 im Bereich um den Kontaktstempel 64 herum ist es vorteilhaft möglich, den mindestens einen Ätzzugang 56 und den mindestens einen Isolatinstrench 66 zusammen herstellen zu können. Wahlweise können nach Abscheiden der Verschlussschicht 60 (und evtl. der weiteren Isolierschicht 62) noch Kontaktlöcher 68 durch die Verschlussschicht 60 (und evtl. die weitere Isolierschicht 62) strukturiert werden, um über die Kontaktlöcher 68 die elektrische Schaltung 54 und den mindestens einen Kontaktierungsstempel 64 elektrisch zu kontaktieren.
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Bei dem hier beschriebenen Herstellungsverfahren werden jeweils mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder mindestens ein elektrischer Kontakt 72 des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils gebildet. Die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 werden vorteilhafter Weise auf einer von der Kaverne 58 weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht gebildet. Die mindestens eine Leiterbahn 70 kann z.B. aus dotiertem Polysilizium und/oder aus mindestens einem Metall, wie insbesondere Aluminium, einer Aluminium-Silizium-Legierung, einer Aluminium-Kupfer-Legierung, einer Aluminium-Silizium-Kupfer-Legierung, Gold, Titandisilicid, Platinsilicid, einer Silizium-Stickstoff-Verbindung, Cobaltdisilicid, Titannitrid, Tantalnitrid, Wolfram und/oder einer Titan-Wolfram-Legierung, und/oder aus Schichtfolgen der genannten Materialien bestehen. Wahlweise kann die mindestens eine Leiterbahn 70 noch zumindest teilweise mit einer elektrisch isolierenden Deckschicht 74, insbesondere einer Siliziumdioxidschicht, einer Siliziumnitridschicht (insbesondere einer siliziumreichen Siliziumnitridschicht), einer Siliziumoxidnitridschicht, einer Titandioxidschicht, einer Tantalpentoxidschicht, einer Aluminiumoxidschicht und/oder aus Schichtfolgen der genannten Materialien, abgedeckt werden. Der mindestens eine elektrische Kontakt 72 kann beispielsweise ein Bondpad, insbesondere aus Aluminium, einer Aluminium-Silizium-Legierung, einer Aluminium-Kupfer-Legierung, einer Aluminium-Silizium-Kupfer-Legierung, Gold, Nickel, Kupfer, Wolfram, Germanium und/oder eine Schichtfolge der genannten Materialien, sein. Das Zwischenprodukt ist in 1f dargestellt.
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Mittels des hier beschriebenen Herstellungsverfahrens kann auf einfache Weise ein Sensorwafer aus einer Vielzahl von mikromechanischen Bauteilen 75 hergestellt werden. (In 1f ist jedoch nur ein mikromechanisches Bauteil 75 dargestellt.) Später können die mikromechanischen Bauteile 75 durch gezieltes vereinzeln, z.B. mit Hilfe eines Dicing Prozesses, leicht aus dem Sensorwafer herausgetrennt werden.
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Wie in 1f erkennbar ist, werden bei dem hier beschriebenen Herstellungsverfahren die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 an einer ersten Außenseite 75a des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 ausgebildet, während die zumindest eine Membranaußenseite 10b des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 zu einer von der ersten Außenseite 75a weg gerichteten zweiten Außenseite 75b des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 ausgerichtet wird. Bevorzugter weise liegen die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 direkt an der ersten Außenseite 75a des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75, während die zumindest eine Membranaußenseite 10b an die Ätzstoppstruktur 12 auf der Substratoberfläche 14a des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 angrenzt. Eine derartige Anordnung der zumindest einen Leiterbahn 70 und/oder des mindestens einen elektrischen Kontakts 72 bei entgegen gerichteter Ausrichtung der zumindest einen Membranaußenseite 10b hat den Vorteil, dass der Sensorwafer noch vor dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile 75 aus dem Sensorwafer an einem weiteren Wafer aus einer Vielzahl von Elektronik- oder Sensorvorrichtungen 76 derart befestigt werden kann, dass nach dem Heraustrennen der mikromechanischen Bauteile 75 jedes der mikromechanischen Bauteile 75 an einer aus dem weiteren Wafer mit herausgetrennten Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 mechanisch und/oder elektrisch angebunden ist. Insbesondere kann beim Befestigen des Sensorwafers an dem weiteren Wafer jedes der mikromechanischen Bauteile 75 elektrisch und mechanisch mit einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 verbunden werden. Das hier beschriebene Herstellungsverfahren eignet sich somit vorteilhaft zum Wafer-Level-Packaging. 1g zeigt beispielhaft eine Wafer-Level-Packaging Variante auf Basis des hier beschrieben Herstellugsverfahrens.
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Zum Befestigen des Sensorwafers an dem weiteren Wafer wird vorzugsweise mindestens eine elektrische und mechanische Verbindung zwischen jedem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 gebildet. Vorzugsweise wird jeweils eine Bondverbindung zwischen mindestens einem Bondpad 72 auf dem mikromechanischen Bauteil 75 und mindestens einem weiteren Bondpad 77 auf der Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 gebildet. Es wird darauf hingewiesen, dass die zum Bilden der mindestens einen Bondverbindung eingesetzten Bondpads 72 und 77 nicht zwingend die gleiche Größe haben müssen. Als mögliche Bondtechnik zum Bilden der mindestens einen Bondverbindung können z.B. ein eutektisches Bonden (wie insbesondere ein eutektisches Aluminium-Germanium-Bonden, ein eutektisches Gold-Silizium-Bonden oder ein eutektisches Gold-Germanium-Bonden), ein SLID-Bonden (Solid-Liquid Interdiffusion), insbesondere ein Kupfer-Zinn-SLID-Bonden, oder ein Thermokompressionsbonden ausgeführt werden. Als Alternative oder Ergänzung zum Bonden können auch die Flip-Chip-Technik und/oder Solder-Balls zum Bilden der mindestens einen elektrischen und mechanischen Verbindung zwischen jedem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 genutzt werden.
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Die mindestens eine auf diese Weise erzeugte elektrische und mechanische Verbindung zwischen jedem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 kann vor Umwelteinflüssen verlässlich geschützt werden, indem mindestens eine Chip-umlaufende, eine Membranbereichumlaufende und/oder Kontaktstruktur-umlaufende Dichtstruktur an dem Sensorwafer und/oder an dem weiteren Wafer ausgebildet wird. Die mindestens eine Chip-umlaufende, Membranbereichumlaufende und/oder Kontaktstrukturumlaufende Dichtstruktur kann auch aus den entsprechenden Bondmaterialien gebildet werden. Ein elektrischer Anschluss der jeweiligen Dichtstruktur muss nicht zwingend erfolgen, kann aber optional umgesetzt werden, um z.B. eine elektrische Abschirmung von Kontaktstrukturen und elektrischen Verbindungen realisieren zu können. Somit kann bei einem Ausführen des hier beschriebenen Herstellungsverfahrens auf den herkömmlicherweise notwendigen Einsatz von einem Gel oder einer speziellen Verkappung zum Schutz der mindestens einen elektrischen und mechanischen Verbindung zwischen dem mikromechanischen Bauteil 75 und einer Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 problemlos verzichtet werden. Dies trägt ebenfalls zur Reduzierung der Herstellungskosten der mittels des hier beschriebenen Herstellungsverfahrens hergestellten mikromechanischen Bauteile 75 bei.
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Sofern gewünscht, können anschließend der Sensorwafer und/oder der weitere Wafer mittels eines Schleifprozesses, eines Polierprozesses und/oder eines plasmabasierten Siliziumätzprozesses auf eine gewünschte Wafer-Stack-Dicke gedünnt werden. Nach dem Rückdünnen des Sensorwafers kann anschließend zumindest eine Aussparung 78 problemlos derart durch das Substrat 14 geätzt werden, dass die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 zumindest teilweise freigelegt wird. Sofern gewünscht, kann anschließend die Ätzstoppstruktur 12 von der Außenseite 10b der Membran 10 entfernt werden. Beispielsweise wird die Ätzstoppstruktur 12 bestehenden aus einer Siliziumdioxidschicht 16 zumindest teilweise mittels eines nasschemischen Ätzprozesses, wie beispielsweise eines BOE-Ätzprozesses, oder mittels eines Plasmaätzprozesses derart geätzt, dass die Membranaußenseite 10b freigelegt wird. Bei Verwendung eines nasschemischen Ätzprozesses, wie z.B. eines BOE-Ätzprozesses, dient die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 im Bereich des Trenngraben/Isolationstrenchs 24 als lateraler Ätzstopp. Auf diese Weise ist eine Freistellung der zumindest einen Membran 10 möglich, so dass die zumindest eine Membran 10 auf eine Druckänderung an ihrer Membranaußenseite 10b oder auf an ihrer Membranaußenseite 10b auftreffende Schallwellen mit einer Deformation/Verwölbung reagiert. Das mikromechanische Bauteil 75 eignet sich deshalb besonders vorteilhaft als zumindest Teil eines Drucksensors oder eines Mikrofons. Eine bei der Freistellung der Membran 10 erzeugte Trenchkante 80 wird vorzugsweise innerhalb des Membranbereiches vorgesehen, welcher durch den umlaufenden Trenngraben/Isolationstrench 24 definiert ist. Hierdurch kann vorteilhaft die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 im Bereich des Trenngraben/Isolationstrench 24 mechanisch verstärkt werden. Wahlweise kann zu einem optional bereits von der ersten Aussenseite 75a eingebrachten Stressentkopplungsgraben 81 noch mindestens ein weiterer StressentkopplungsGraben 82 ausgehend von der zweiten Aussenseite 75b durch das (evtl. gedünnte) Substrat 14 und optional durch das Sensorschichtsystem bestehend aus den Schichten 12, 18, 22, 30, 32, 36, 40, 46 und 48 getrencht werden, welcher zum Beispiel zur Stressentkopplung der Membran 10 vorteilhaft nutzbar ist. In den von der Markierung 84 umgebenen Bereichen kann das Schichtsystem des zumindest einen mikromechanischen Bauteils 75 außerdem so strukturiert werden, dass der Membranbereich über „Federelemente“ aufgehängt ist und die elektrische Kontaktierung der Elektroden 28, 34, 42 und 44 im Membranbereich über die „Federelemente“ erfolgt.
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2 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer zweiten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
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Bei der mittels der 2 schematisch wiedergegebenen Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird die zumindest eine Ätzstoppstruktur 12 gebildet, indem zuerst die Substratoberfläche 14a des Substrats 14 zumindest teilweise mit der Siliziumdioxidschicht 16 abgedeckt wird und anschließend die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 18 auf der Siliziumdioxidschicht 16 abgeschieden wird. Optionalerweise kann noch eine weitere Siliziumdioxidschicht 90 auf der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18 gebildet werden. Auch die in 2 schematisch wiedergegebene Ätzstoppstruktur 12 eignet sich vorteilhaft zum Ausführen des oben beschriebenen Verfahrens. Deshalb wird hier bezüglich der weiteren Verfahrensschritte der Ausführungsform der 2 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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3 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer dritten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
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Wie in 3 erkennbar ist, kann der die Membran 10 umlaufende Trenngraben/Isolationstrench 24 nicht nur als Luftspalt ausgebildet werden, sondern auch verfüllt werden. Beispielsweise kann eine weitere siliziumreiche Siliziumnitridschicht 92 auf dem Trenngraben 24 so abgeschieden werden, dass der Trenngraben 24 gefüllt wird. Optionalerweise kann vor dem Abscheiden der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 und der Herstellung des Trenngraben/Isolationstrench 24 noch eine die Membranmaterialschicht 22 zumindest teilweise abdeckende Siliziumdioxidschicht 94 gebildet werden, wonach die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 92 derart abgeschieden und strukturiert wird, dass Ätzkanten der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 auf der Siliziumdioxidschicht 94 liegen. Sofern gewünscht, kann nach dem Abscheiden der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 auch ein chemisch-mechanischer Polierschritt ausgeführt werden, mittels welchem die die Siliziumdioxidschicht 94 abdeckenden Bereiche der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 entfernt werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der 3 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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4 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer vierten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
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Wie in 4 erkennbar ist, kann der Trenngraben 24 auch mit Material der Siliziumdioxidschicht 94 gefüllt werden. Danach kann die siliziumreiche Siliziumnitridschicht 92 derart abgeschieden werden, dass mittels ihrer „brückenähnlichen Form“ ein verlässlicher Ätzschutz für das in den Trenngraben 24 eingefüllte Siliziumdioxid realisiert ist. Alternativ kann nach dem Bilden der Siliziumdioxidschicht 94 auch ein chemisch-mechanischer Polierschritt derart ausgeführt werden, dass die die Membranmaterialschicht 22 abdeckenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht 94 entfernt werden und lediglich das in den Trenngraben 24 eingefüllte Siliziumdioxid zurückbleibt. Anschließend kann mittels der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 92 auch in diesem Fall ein verlässlicher Ätzschutz gebildet werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der 4 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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5 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer fünften Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
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Bei dem mittels der 5 schematisch wiedergegebenen Herstellungsverfahren werden nach dem Abscheiden der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18, jedoch noch vor dem Abscheiden der Membranmaterialschicht 22 elektrisch isolierende Bereiche 96 auf der siliziumreichen Siliziumnitridschicht 18 abgeschieden und strukturiert. Die elektrisch isolierenden Bereiche 96 können beispielsweise aus Siliziumdioxid oder aus siliziumreichen Siliziumnitrid sein. Sofern die elektrisch isolierenden Bereiche aus Siliziumdioxid sind, können sie gemeinsam mit dem Bilden der Siliziumdioxidschicht 16 geformt werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der 5 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass auch Kombinationen der Schichten und/oder Kombinationen von zumindest Teilprozessen/Teilprozessierungen der in den 1a und 2 bis 5 schematisch wiedergegebenen Ätzstoppstrukturen 12 möglich sind.
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6 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer sechsten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
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Wie in 6 schematisch dargestellt ist, kann die (integrierte) elektrische Schaltung 54 wahlweise auch über eine Diffusionsbarriere 98 an mindestens eine elektrische Leiterbahn 100 angebunden werden. Die mindestens eine elektrische Leiterbahn 100 kann beispielsweise aus einer Aluminium-Kupfer-Legierung sein. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der 6 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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7 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer siebten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens.
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Als optionale Weiterbildung kann zur Verbesserung der Dichtheit des Verschlusses des mindestens einen Ätzkanals 38 noch mindestens ein ringförmiger/rahmenförmiger Trenngraben 102 derart durch die Verschlussschicht 60 (und evtl. die weitere Isolierschicht 62) strukturiert werden, dass der mindestens eine ringförmige/rahmenförmige Trenngraben 102 jeweils eine Mündung des mindestens einen Ätzkanals 38 an einer Grenzfläche zwischen der aufgewachsenen Siliziumschicht 52 und der Verschlussschicht 60 umrahmt. Beim Abscheiden der mindestens einen Leiterbahn 70 kann dann das Material der mindestens einen Leiterbahn 70 noch in den mindestens einen ringförmigen/rahmenförmigen Trenngraben 102 eingefüllt und auf diese Weise zum Bilden einer (optionalen) Diffusionsbarriere 104 genutzt werden. Mittels einer Anordnung jeweils eines weiteren Bondpads 106 auf der Diffusionsbarriere 104 kann diese noch zusätzlich verstärkt werden. Bezüglich weiterer Verfahrensschritte der Ausführungsform der 7 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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Mittels der oben beschriebenen Herstellungsverfahren können jeweils mehrere Tausend mikromechanischen Bauteile 75 simultan gebildet und in einem Wafer-Bond-Prozess mit einem entsprechenden weiteren Wafer mit Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen 76 verbunden werden. Nach einem Vereinzeln der Bauteile 75 und der korrespondierenden Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen 76 können diese dann per Flip-Chip und/oder per Drahtbond mit weiteren Bauteilkomponenten verbunden werden und final beispielsweise per Mold-Verfahren verpackt werden.
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8 zeigt einen schematischen Querschnitt zum Erläutern einer ersten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
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Das in 8 schematisch dargestellte mikromechanische Bauteil 75 weist eine Membran 10 mit einer Membraninnenseite 10a und einer von der Membraninnenseite 10a weg gerichteten Membranaußenseite 10b auf, wobei an der Membraninnenseite 10a eine Elektrodenstruktur 28 angebunden ist. Die Membraninnenseite 10a der Membran 10 grenzt an einer Kaverne 58 an, wobei die an der Membraninnenseite 10a angebundene Elektrodenstruktur 28 in die Kaverne 58 ragt. Das mikromechanische Bauteil 75 hat auch mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder mindestens einen elektrischen Kontakt 72. Wie in 8 erkennbar, sind die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 an einer ersten Außenseite 75a des mikromechanischen Bauteils 75 ausgebildet, während die Membranaußenseite 10b der Membran 10 zu einer von der ersten Außenseite 75a weg gerichteten zweiten Außenseite 75b des mikromechanischen Bauteils 75 ausgerichtet ist. Wahlweise kann noch mindestens ein weiteres Bondpad 108, z.B. aus einer Aluminium-Kupfer-Legierung, an der zweiten Außenseite 75b angeordnet sein.
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Vorteilhafterweise ist die Kaverne 58 auf ihrer von der Membran 10 weg gerichteten Seite von mindestens einer Zwischenschicht 40, 46, 48, 52, 60 und 62 begrenzt ist und die mindestens eine Leiterbahn 70 und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt 72 auf einer von der Kaverne 58 weg gerichteten Seite der mindestens einen Zwischenschicht 40, 46, 48, 52, 60 und 62 gebildet. Die Membran 10 ist aus zumindest Teilbereichen einer auf einer Substratoberfläche 14a eines Substrats 14 abgeschiedenen Membranmaterialschicht 22 gebildet, wobei eine Aussparung 78 derart durch das Substrat 14 geätzt ist, dass die Membranaußenseite 10b der Membran 10 (bzw. eine die Membranaußenseite 10b zumindest teilweise abdeckende Ätzstoppstruktur) zumindest teilweise freigelegt sind.
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Wie in 8 weiter zu sehen ist kann durch das Bauteil 75 hindurch auch eine elektrische Durchkontaktierung realisiert werden über welche eine elektrische Verbindung zwischen z.B. einem weiteren Bondpad 108 auf der zweiten Aussenseite 75b und der mindestens einen Leiterbahn 70 auf der ersten Aussenseite 75a des Bauteils 75 hergestellt werden kann. Hierüber ist es zudem vorteilhaft möglich, Leiterbahnen innerhalb des Bauteils 75 und/oder Elektronik- und/oder Sensorvorrichtungen 76 auf dem weiteren Wafer elektrisch zu kontaktieren.
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Das mikromechanische Bauteil 75 kann vorteilhaft für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung eingesetzt werden. Bezüglich weiterer Merkmale des mikromechanischen Bauteils 75 der 8 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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9 zeigt einen schematischen Querschnitt einer zweiten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
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Wie in 9 erkennbar ist, kann der Membranbereich durch Einsatz von mindestens einer (schematisch wiedergegebenen) Feder 110, welche z.B. im Bereich 52a aus monokristallinem Silizium ausgebildet ist, von einem umgebenden Außenbereich stresstechnisch entkoppelt sein. Eine Anzahl, eine Form und eine Abmessung der mindestens einen Feder 110 können beliebig gewählt sein. Der elektrische Anschluss der Ebenen und/oder Komponenten im stressentkoppelten Membranbereich kann über die mindestens eine Leiterbahn 70 erfolgen, wobei die mindestens eine Leiterbahn 70 insbesondere über die mindestens eine Feder 110 verlaufen kann. Die mindestens eine Leiterbahn 70 kann z.B. aus dotiertem Polysilizium und/oder aus mindestens einem Metall, wie insbesondere Aluminium, einer Aluminium-Silizium-Legierung, einer Aluminium-Kupfer-Legierung, einer Aluminium-Silizium-Kupfer-Legierung, Gold, Platin, Nickel, Wolfram und/oder Kupfer, sein. Bezüglich weiterer Merkmale des mikromechanischen Bauteils 75 der 9 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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10 zeigt einen schematischen Querschnitt einer dritten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
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Das mikromechanische Bauteil 75 kann über einen Drahtbond 112 kontaktierbar sein. Der Drahtbond 112 kann beispielsweise an einem auf der Elektronik- und/oder Sensorvorrichtung 76 befestigten Bondpad 114 oder auf einem Bondpad des mikromechanischen Bauteils 75 verankert sein. Bezüglich weiterer Merkmale des mikromechanischen Bauteils 75 der 10 wird auf die vorausgehenden Erläuterungen verwiesen.
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Prinzipiell können alle beschriebenen Mono- und Polysilizium-Schichten optional auch mit unterschiedlichen Dotierstoffen dotiert werden, um eine elektrische Funktionalität, wie z.B. die einer Diode, oder aber eine möglichst geringe bzw. einen definiert eingestellte Leitfähigkeit (Leiterbahn, Widerstand) realisieren zu können.
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Ausgehend von den zuvor gemachten Ausführungen/Erläuterungen kann die siliziumreiche Nitridschicht 18 einmal zur elektrischen Isolation der Membran 10 von der umgebenden Membranmaterialschicht 22 dienen, zu anderen aber auch als lateraler Ätzstopp bei der nasschemischen Entfernung der Ätzstoppstruktur 12 in BOE.
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Bei den Figuren 8, 9, 10 und 11 wird nach dem Rückdünnen des Sensorwafers die Herstellung einer „versenkten“ Membran 10 beschrieben. Optional ist es hier auch möglich, das vollständige Substrat 14 des Sensorwafers durch Rückdünnen mit Hilfe z.B. eines Schleif- und Polierprozesses und optionalem Einsatz eines Silizium Plasmaätzprozesses zu entfernen und die Stoppschicht 12 aus Siliziumdioxid vollflächig freizulegen. Durch einen nachfolgend Siliziumdioxidätzprozess kann dann optional vollflächig oder aber nur im Bereich der Membran 10 die Stoppschicht 12 entfernt werden.
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Weiter kann die Membran 10 aus einer Membranmaterialschicht 22 aus monokristallinem Silizium bestehen, wenn zur Realisierung der Schichtenfolgen ein SOI-Wafer verwendet wird.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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