WO2021122453A1 - Optische komponente, optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung einer optischen komponente - Google Patents

Optische komponente, optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung einer optischen komponente Download PDF

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WO2021122453A1
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optical
optic
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Andreas Hanisch
Norwin Von Malm
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • optical component is specified.
  • optoelectronic semiconductor component with such an optical component is specified.
  • a method for producing such an optical component is specified.
  • the publication WO 2010/098448 A1 relates to a polysiloxane-based surface coating.
  • One problem to be solved is to provide a temperature-resistant optical component.
  • the optical component is provided for an optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component is in particular a light-emitting diode, or LED for short, or a light-emitting diode-based component.
  • the optical component accordingly has geometric dimensions and optical, mechanical and thermal properties that are suitable for an optoelectronic semiconductor component, in particular for an LED.
  • the optical component comprises an optical body.
  • the optic body is at least partially transparent to visible light.
  • the optic body is translucent in at least a partial range of the visible spectral range, for example at wavelengths above 530 nm or above 430 nm.
  • Translucent means in particular that a transmission capacity of the optic body in the at least one relevant spectral range is at least 75% or 90%.
  • the optic body can be transparent or also have a diffuse scattering effect.
  • the optical component comprises a coating.
  • the coating is preferably attached directly to the optic body. This means that the coating covers the entire surface of the optic body or, preferably, only directly in places.
  • the coating is relatively thin. This means that the coating has an average thickness of at least 20 ⁇ m or 40 ⁇ m. Alternatively or additionally, the mean thickness of the coating is at most 200 ⁇ m or 100 ⁇ m. In particular, the coating has an average thickness between 10 ⁇ m and 100 ⁇ m inclusive or between 20 ⁇ m and 50 ⁇ m inclusive. It is possible for the coating to have a specifically set thickness gradient. However, as intended, the coating preferably has a constant, constant layer thickness.
  • the coating has a polysiloxane as the base material. The base material preferably extends continuously and / or without specific, macroscopic inhomogeneities over the entire coating.
  • the coating can consist of the base material or the base material is a matrix for a further component of the coating, for example for particles embedded in the base material. Such particles are preferably distributed homogeneously in the coating, that is to say without a specifically set macroscopic gradient.
  • the polysiloxane which forms the base material comprises -SiC> 3/2 _ units. That is to say, at least some of the basic units of the polysiloxane are so-called trifunctional main elements of the at least one silicone network by which the polysiloxane is formed. Such trifunctional units are also referred to as T units.
  • T units Such trifunctional units are also referred to as T units.
  • the terms -SiC> 3/2 _ units and T-units are used synonymously here.
  • the polysiloxane can be a silicone resin with chains crosslinked with one another and / or with T units crosslinked with one another. If there are several chains in the polysiloxane, these chains can be connected to form a single coil.
  • the optical component is provided for an optoelectronic semiconductor component.
  • the optical component comprises an optical body and one or more coatings.
  • the at least one coating is attached directly to the optic body.
  • the coating has an average thickness between 10 ⁇ m and 200 ⁇ m, in particular between including 20 mpi and 100 mpi.
  • the coating has a polysiloxane as the base material, the polysiloxane comprising T units.
  • an optoelectronic semiconductor component is specified.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises one or more optical components, as described in connection with one or more of the above-mentioned embodiments. Features of the semiconductor component are therefore also disclosed for the optical component and vice versa.
  • the semiconductor component comprises one or more radiation-emitting optoelectronic semiconductor chips.
  • the at least one semiconductor chip is in particular a light-emitting diode chip, for short LED chip, or a laser diode chip, for short LD chip.
  • the semiconductor component can comprise several structurally identical optoelectronic semiconductor chips or also contain several different types of optoelectronic semiconductor chips, for example for generating radiation in different wavelength ranges.
  • the semiconductor component may include additional semiconductor chips which, for example, represent semiconductor chips for protection against damage from electrostatic discharges or sensor chips, for example for temperature, brightness and / or color.
  • the at least one optical component is attached to the at least one optoelectronic semiconductor chip.
  • the optical component can be attached directly to the semiconductor chip, so that the optical component and the optoelectronic semiconductor chip touch one another or so that only a connecting means, for example an adhesive, is located between the optical component and the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optical component and the optoelectronic semiconductor chip can be attached close to one another, so that a distance between the optical component and the optoelectronic semiconductor chip is preferably at most 100 .mu.m or 20 .mu.m or 5 .mu.m. In particular, a distance between the optical component and the optoelectronic semiconductor chip is smaller than an average thickness of the optical component and / or the coating.
  • the optical component is arranged exclusively on a main surface of the semiconductor chip facing the optical component.
  • the main surface forms in particular an outer surface of the semiconductor chip that runs parallel to the main plane of extent of the semiconductor chip.
  • Side surfaces of the semiconductor chip which for example extend transversely or perpendicularly to the main surface, are preferably free of the optical component.
  • the optical component is designed in such a way that radiation generated by the semiconductor chip during operation is at least partially emitted through the optical component and out of the semiconductor component.
  • no or no significant portion of the radiation generated by the semiconductor chip leaves the optoelectronic semiconductor component without having passed through the optical component, in particular without the optical body. If a plurality of optoelectronic semiconductor chips are present in the semiconductor component, there can be a one-to-one association between the optoelectronic semiconductor chips and the optical components.
  • a single optical component can be assigned to a plurality of optoelectronic semiconductor chips or to all semiconductor chips taken together.
  • groups of several optoelectronic semiconductor chips can each be provided with their own optical component, so that, for example, at least two or at least four of the optoelectronic semiconductor chips and / or at most 25 or at most 16 or at most nine of the optoelectronic semiconductor chips are present per optical component.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises one or more optical components and one or more radiation-emitting optoelectronic semiconductor chips.
  • the at least one optical component is attached to the at least one optoelectronic semiconductor chip.
  • the optical component is designed in such a way that radiation generated by the semiconductor chip during operation is at least partially emitted through the optical component and out of the semiconductor component.
  • the method comprises the step of providing a multiplicity of optical bodies.
  • the optic bodies can be produced from a common starting material or from a common starting layer.
  • the optic bodies are preferably provided at a distance from one another, in particular in a common plane, specifically on a common carrier, such as a stretchable carrier film.
  • the method comprises the step of applying a liquid coating material to the optic body, in particular directly to the optic body.
  • the coating material is liquid at room temperature.
  • a viscosity of the coating material can be adjusted by a temperature during processing.
  • the coating material can be applied, for example, by means of spraying or printing.
  • liquid includes both thin-bodied materials which have a viscosity in the range of silicone oils or water, and viscous coating materials which have a viscosity in the range of honey.
  • the viscosity of the coating material during application is at least 0.3 mPas or at least 0.6 mPas or at least 5 mPas.
  • the viscosity during application is at most 100 Pa ⁇ s or 10 Pa ⁇ s or 1 Pa ⁇ s or 0.1 Pa ⁇ s.
  • the method comprises the step of solidifying the coating material to form the coating.
  • the solidification includes a Hydrolysis and / or drying, i.e. evaporation of a solvent. It is possible for the solidification to take place in several steps.
  • a first pre-consolidation step to increase the viscosity of the coating material can already take place before application to the optic body, but the main consolidation is only carried out after application to the at least one optic body.
  • This main solidification can take place in several stages and include various hardening steps, for example at different temperatures and / or atmospheric conditions.
  • the solidification is preferably thermally induced, but can also be based on irradiation.
  • the method comprises the step of separating through the coating to form the optical components.
  • the separation includes, for example, cutting, sawing, and cutting
  • the optic bodies are preferably not affected by this isolation, so that isolation lines can only lie next to the optic body.
  • the method is used to produce an optical component for an optoelectronic semiconductor component and comprises the following steps, preferably in the order given: A) providing a multiplicity of optical bodies,
  • the finished coating having an average thickness between 10 gm and 200 gm inclusive and having a polysiloxane as base material which comprises T-units.
  • Polysiloxanes with a high proportion of T units are thermally more stable than the currently commonly used silicone-based, softer materials due to the type and number of chemical linkages.
  • the use of rich polysiloxanes has an impact on the processing methods.
  • a process separation is possible, that is, a dedicated, lateral coating of an optic body can take place first, so that a T-rich polysiloxane material is applied as a thin layer, for example, on all side surfaces of an optic body, with optional embedding in a potting compound later , in particular from a softer silicone, can be made.
  • a T-rich polysiloxane material is applied as a thin layer, for example, on all side surfaces of an optic body, with optional embedding in a potting compound later , in particular from a softer silicone, can be made.
  • Corresponding components are distinguished by improved thermal stability during operation, since interfaces of the optical component are formed by the thermally more stable T-rich polysiloxane, but no thicker layers with the T-rich polysiloxane are required.
  • the use of high-index fillers in the coating is also possible, in particular around a white, reflective one
  • coating which, depending on the degree of filling and layer thickness, can have a reflectivity of more than 90% on at least one surface section of the lateral coating for light in the wavelength range from 380 nm to 780 nm, in particular in the range from 440 nm to 460 nm.
  • the process separation in creating the coating and creating the potting body also allows more degrees of freedom for the second reflective potting compound, since it no longer needs to be selected solely with regard to thermal stability and reflectivity.
  • a selection can be made according to process suitability and process effort in order to increase throughput and / or production stability, for example by using very thin potting compounds and / or by using fast-curing potting compounds.
  • spray processes on discrete optical components are possible for applying the coating material, optionally with a mask and / or a protective film for the desired optical exit surface.
  • the optical components are preferably located on a temporary carrier with a small lateral spacing. After the spraying process, the coating material is hardened to form the coating. The optical components can then be processed using pick-and-place, for example.
  • the method comprises a step B), which is preferably carried out between steps A) and C).
  • step B) a temporary mask is applied to the upper sides of the optic body.
  • the undersides of the optic bodies in step A) are preferably applied to a carrier and the upper sides are opposite the undersides.
  • the temporary mask is, for example, a hard mask, in particular made of a metal such as stainless steel, or a soft mask, for example made of a film or a photoresist.
  • the mask used in step B) is removed, especially completely removed, after step C), in particular before step E). This means that the mask is no longer present in the finished optical components and / or in the finished semiconductor components.
  • the support used in step A) can also be partially or, preferably, completely removed.
  • only side surfaces of the optic bodies are provided with the coating material and thus with the coating. That is to say, the upper sides and the lower sides of the optic body can be completely or partially free of the coating and the coating material.
  • the optic bodies taper towards the top. That is, when applied to a semiconductor chip, the optical bodies become narrower in the direction away from the semiconductor chip. In this way, a concentration or bundling of light can be achieved.
  • the finished coating for visible light has a
  • the finished coating is opaque.
  • the transmission coefficient of the coating for visible light is at least 0.01 or 0.05 or 0.1.
  • the coating can be designed to be translucent for visible light in a targeted manner.
  • the finished coating for visible light has a
  • Reflection coefficients of at least 0.7 or 0.8 or 0.9 or 0.95 or 0.98 appear to be preferably white to an observer. That is, the coating can be diffuse, highly reflective.
  • the coating material and thus the finished coating comprises particles such as scattering particles, for example oxide particles, in particular metal oxide particles, as scattering centers for different wavelength ranges.
  • the particles are embedded in the base material.
  • the particles particularly preferably have a higher refractive index than the base material.
  • the refractive index of the particles exceeds the refractive index of the base material by at least 0.3 or 0.5 or 1.0. This applies in particular at a temperature of 300 K and at a wavelength of 589 nm.
  • the particles are scattering particles made of titanium dioxide, zirconium dioxide, zinc oxide or BaS04.
  • an average diameter of the particles is at least 0.15 gm or 0.19 gm or 0.3 ⁇ m.
  • the mean diameter of the particles is at most 1 ⁇ m or 0.45 ⁇ m or 0.3 ⁇ m.
  • the particles have an average diameter between 0.15 ⁇ m and 0.5 ⁇ m, inclusive.
  • the diameter values mentioned are in particular Dgg values.
  • a proportion by weight of the particles in the coating material is at least 5% or 20% or 40%.
  • this weight fraction in the coating material that is to say in the formulation, is at most 80% or 70% or 50%.
  • the weight fraction of the particles in the formulation is between 40% and 70% inclusive.
  • the particles consist of the relevant oxidic material and do not have a dedicated coating to improve coupling to the base material.
  • the optic body is a phosphor body. That is to say, the optic body is set up to partially or completely convert a short-wave radiation impinging on the optic body or a short-wave radiation passing through the optic body into longer-wave radiation.
  • ultraviolet radiation is converted into visible light or blue light is partially or completely converted into green, yellow, orange and / or red light.
  • a white light source can be formed by the optic body.
  • the optic body prefferably be a fluorescent body and at the same time a tapering body for focusing light or for the optic body to include both a fluorescent body and a tapering body.
  • the optic body comprises a ceramic body or the optic body is a Ceramic body.
  • the ceramic body preferably contains one or more phosphors or consists of one or more phosphors.
  • the method comprises a step F), which preferably follows step D).
  • step F radiation-emitting optoelectronic semiconductor chips are attached to the optic bodies, which are preferably already coated.
  • Step F) can precede step E) or follow step E).
  • the method comprises a step G) which follows step D).
  • step G) an envelope is created, also referred to as a potting body.
  • the covering is preferably applied directly to the coating.
  • the finished casing has at least the thickness of the finished coating or an average layer thickness that is at least a factor of 1.5 or 2 or 3 greater than the finished coating.
  • the envelope is an effectively three-dimensional material, also referred to as volume material.
  • the casing has a further polysiloxane as a further base material.
  • the further polysiloxane of the envelope is preferably softer than the polysiloxane of the coating.
  • the further polysiloxane of the envelope is free or essentially free of T units.
  • a proportion of T units in the further polysiloxane of the casing is in particular around at least a factor of 5 or 10 or 100 less than a proportion of T units in the polysiloxane of the coating.
  • the envelope can have particles such as scattering particles, as can also be present in the coating. However, a concentration of the particles in the envelope is preferably lower than in the coating.
  • the casing can be free from optically effective admixtures, in particular free from particles such as scatter particles and / or oxide particles.
  • the envelope is arranged, for example, only on side surfaces of the optical component.
  • the top side of the optic body and / or a top side of the optical component is preferably free of the envelope.
  • the optic body has a mean lateral extent, for example a mean diameter or a mean edge length, of at least 0.2 mm or 0.5 mm or 1 mm when viewed from above on the top.
  • the mean lateral extension is at most 5 mm or 3 mm or 2 mm or 1.5 mm.
  • an average thickness of the finished optic body is at least 30 ⁇ m or 50 ⁇ m or 120 ⁇ m. As an alternative or in addition, this mean thickness is at most 2 mm or 1 mm or 0.4 mm.
  • the finished coating is thinner than the associated optic body.
  • the finished coating is preferably also thinner than the optionally present envelope.
  • a proportion of T units and -SiO4 / 2 _ units taken together and based on all base units of the polysiloxane of the finished coating is at least 70% or 80% or 90% or 95%.
  • -SiC> 4/2 _ units are also referred to as quadrifunctional units or Q units for short. This means that the polysiloxane of the finished coating is largely formed by T units together with Q units.
  • a proportion of the T units in the finished coating exceeds a proportion of the Q units, for example by at least a factor of 2 or 5 or 10. That is, there are significantly more T units than Q units.
  • At least 70% of the base units of the polysiloxane of the finished coating are T-units. As an alternative or in addition, this proportion is at most 90% or 80%.
  • organic residues on the T units are predominantly, that is to say at least 50% or 70% or 90%, formed by aryl groups such as phenyl groups and / or by alkyl groups such as methyl groups. That is, the polysiloxane can be a phenylpolysiloxane or a methylpolysiloxane or a mixture thereof.
  • a loss of mass of the coating material, based on a hydrolyzable, volatile organic content is at least 10% and / or at least 35%.
  • the solidification includes final hardening at a temperature of at least 150 ° C and / or at most 250 ° C, in particular at temperatures of at least 170 ° C and / or at most 220 ° C.
  • the duration of the final hardening is at least one hour or two hours and / or at most 48 hours or 24 hours or 16 hours.
  • the required temperatures and curing times can be influenced in particular by using suitable catalyst systems.
  • FIGS. 11, 13 and 15 are schematic sectional representations of method steps of an exemplary embodiment of a further method described here,
  • FIGS. 12, 14 and 16 are schematic top views of the process steps in FIGS. 11, 13 and 15,
  • FIG. 17 shows a schematic structural formula for an example of a base material of a coating described here.
  • FIG. 18 shows a schematic illustration of an internal structure of an example of a coating described here.
  • FIGS. 1 to 10 an exemplary embodiment of a production method for optical components 23 and for optoelectronic semiconductor components 1 is shown.
  • the optic bodies 2 are located with their undersides 21 on a temporary carrier 51. Upper sides 22 of the optic bodies 2 face away from the carrier 51.
  • the particularly transparent optic body 2 tapers in the direction away from the carrier 51. That is to say, side surfaces 20 of the optic body 2 approach one another when viewed in cross section in the direction away from the carrier 51.
  • each side face 20, seen in cross section has one or more sections which merge into one another with a kink.
  • the optic body 2, seen in cross section is formed from a rectangle and a subsequent symmetrical trapezoid.
  • the optic bodies 2 are, for example, square or rectangular in shape and are preferably arranged in a regular grid on the carrier 51.
  • the upper sides 22 of the optic bodies 2 are preferably covered by a temporary mask 52. Only the side surfaces 20 are thus exposed.
  • the mask 52 is formed, for example, by a photoresist or also by a hard mask, for example made of stainless steel.
  • a coating material 30 is applied over the entire area.
  • the coating material 30 is sprayed on, for example.
  • the coating material 30 is preferably deposited with a uniform thickness, in particular on the side surfaces 20 and optionally also on the mask 52 and on the carrier 51 in areas between the optical bodies 2.
  • the coating 30 is applied in a liquid state.
  • the temporary mask 52 has been removed.
  • the upper sides 22 are thus exposed.
  • the solidification of the coating material 30 results in a coating 3 which covers the side surfaces 20 with a uniform thickness all around.
  • the solidification can take place in several stages and is preferably carried out after the removal, alternatively also before the removal of the mask 52.
  • Examples of the formulation of the coating material 30 are the materials KR-220L, KR-500, KR-213, KR-510, X-40- 9227, KR-9218, KR-401N, X-40-2756 or X-40- 2667A from the manufacturer Shin-Etsu. Furthermore, the materials, for example, can be used as coating material 30 Silres SY231 or Silres IC368 from the manufacturer Wacker or silicone types from the manufacturer Evonik, for example AC1000, can be used. With regard to the
  • Coating material 30 is also referred to the publication US 2012/0058333 A1.
  • the disclosure content of this document in particular paragraphs 29, 30, 31, 35, 36,
  • Particles such as reflective particles, are preferably added to the coating material 30. The above applies in the same way to all other exemplary embodiments.
  • the processing of the coating material 30 to form the coating 3 is preferably carried out as intended for the materials mentioned by way of example.
  • the solidification of the coating material 30 to form the coating 3 comprises a temperature treatment, for example at approximately 200 ° for approximately 10 hours.
  • Coating material 30 is based in particular on hydrolysis.
  • the coating 3 has a glass-like consistency after complete solidification and is therefore comparatively brittle.
  • the coating 3 has only a small thickness, preferably approximately 50 ⁇ m, negative influences of the brittleness of the coating 3 can be reduced.
  • a single resulting optical component 23 which comprises the optical body 2 and the coating 3.
  • the bottom 21 and the top 22 are free of the preferably reflective, white coating 3.
  • the optic body 2 specifically provided for the concentration of light to be formed from a glass or from another, light-permeable material such as sapphire or silicon carbide. It is also possible for the optic body 2 to contain a phosphor.
  • the optical components 23 are applied to optoelectronic semiconductor chips 4, in particular to LED chips. This is optionally done on a further carrier 53, on which the optoelectronic semiconductor chips 4 can be attached in a regular grid.
  • the coating 3 protrudes laterally beyond the assigned semiconductor chip 4, so that the optic body 2 is flush with the semiconductor chip 4 in the lateral direction. That is to say that an upper side of the semiconductor chip 4 facing away from the further carrier 53 can be completely or essentially completely covered by the optic body 2.
  • a casing 6 is produced around the semiconductor chips 4 and around the optical components 23.
  • the casing 6 can end flush with the upper sides 22 in the direction away from the further carrier 53.
  • the sheath 6 is preferably a potting compound applied comparatively thickly and is in particular made of a relatively soft, further polysiloxane.
  • the optical component 23 can also contain a fluorescent body 7 in addition to the optic body 2.
  • the luminescent body 7 comprises one or more luminescent materials which can be embedded in a matrix material, for example a glass or a ceramic or a third polysiloxane, or the luminescent body 7 consists of one or more luminescent materials.
  • Both the fluorescent body 7 and the optic body 2 are preferably provided completely with the coating 3 on the sides.
  • the top 22 is in particular free from the casing 6.
  • the casing 6 is arranged, for example, exclusively on a side of the coating 3 facing away from the optic body 2 and on side surfaces of the semiconductor chip 4.
  • the semiconductor chip 4, the optional phosphor body 7 and the optical component 23 are, for example, glued to one another, in particular by means of a silicone adhesive, not shown. Electrical contacts of the semiconductor chips 4, not shown, are preferably each facing the further carrier 53 and thus facing away from the optical component 23. Alternatively, it is possible, not shown, for the optical component 23 and optionally the phosphor body 7 to have recesses in order to enable electrical contact to be made with the semiconductor chip 4.
  • FIG. 10 shows the finished optoelectronic semiconductor component 1, which is produced by separating the configuration from FIG. Viewed in cross section, the semiconductor component 1 can be cuboid.
  • the coating 3 preferably has an average thickness C of approximately 50 ⁇ m.
  • An average thickness T of the optic body 2 and the optical components 23 is, for example, in the range from 0.2 mm to 0.5 mm.
  • a lateral dimension D of the semiconductor chip 4 and thus also of the optic body 2 and of the optical component 23 is approximately 1 mm.
  • the optionally present sheath 6 is significantly thicker than the coating 3 and, unlike the coating 3, can be understood as volume material. It can also be seen from FIG. 10 that radiation R generated during operation of the semiconductor chip 4 can only leave the semiconductor component 1 through the optical component 23.
  • the further carrier 53 has been removed from the semiconductor chips 4 and the casing 6. Alternatively, the further carrier 53 can also remain in isolated form on the semiconductor chip 4 and on the optional casing 6, in contrast to the illustration shown in FIG.
  • the subsequent optical components 23 are first produced with the aid of a layering process or a surface process, for example by means of spraying, knife coating, screen printing or slot coating.
  • the coating is then applied in particular directly to the optic body 2 and optionally also to the temporary carrier 51, followed by separation into discrete optical components 23.
  • the temporary carrier material 51 which is, for example, a film, is preferably expanded around the necessary distance, in particular a double target layer thickness of the optional sheath 6, to achieve between the optical components.
  • a separate pick-and-place process is also conceivable.
  • an initial layer 2 ′ is applied to the carrier 51 for the optic body 2, see FIGS. 11 and 12.
  • the starting layer 2 ′ is structured to form the optical bodies 2.
  • the optic bodies 2 are preferably fluorescent bodies 7.
  • FIGS. 15 and 16 it is shown that the coating material 30 for the coating 3 is only applied between the optical bodies 2.
  • the coating 3 between the optic bodies 2 By means of capillary effects and / or surface properties, it is possible for the coating 3 between the optic bodies 2 to have a paraboloid upper side, seen in cross section. Separation lines S run between adjacent optic bodies 3 in the area of the coating 3 for subsequent separation, which takes place, for example, by means of laser radiation.
  • FIGS. 7, 8, 9 and / or 10 can follow the method of FIGS. 11 to 16 in a correspondingly adapted manner.
  • the coating material is filled into the spaces created between the optic bodies 2 to produce the lateral coating, for example by means of jetting or needle dispensing, possibly using capillary force.
  • the thin layer formed in this way which can be designed like a fillet, is hardened, separated and the processed optical components 23 can be further processed accordingly, for example by means of Pick-and-place methods.
  • An application of the coating material 30 is also possible by means of a screen printing process in connection with FIGS. 11 to 16, if necessary with suitable masking by means of a sieve and / or by means of a protective film for the light exit surfaces of the optics body 2, instead of by means of a metering process.
  • the corresponding method steps for applying and solidifying the coating material can be repeated or combined until the desired layer thickness for the coating 3 is achieved. That is to say, as in all other exemplary embodiments, the coating 3 can be composed of a plurality of partial layers, each of which is produced by applying a thinner partial layer of the coating material 30.
  • a plasma step is carried out between the application of the partial layers in order to improve the adhesion to the next partial layer to be applied.
  • a plasma step can also take place before the envelope 6 is produced, in order to ensure improved adhesion of the envelope 6 to the coating 3.
  • Such plasma steps are possible in all of the exemplary embodiments.
  • FIG. 17 An exemplary structural formula of the finished coating 3 is shown schematically in FIG. 17, optionally with additional particles not shown.
  • the polysiloxane is composed predominantly of T units, so that mostly three oxygen atoms are bound to the silicon atoms. There may also be some Q units, with those per silicon atom four oxygen atoms are attached.
  • so-called D units i.e. —SiC> 2/2 units, can be present in which two oxygen atoms are assigned to one silicon atom.
  • the radicals R can all be configured identically or different radicals R are present.
  • the radicals R are preferably organic radicals, in particular alkyl groups and / or aryl groups.
  • the radicals R are formed by methyl groups and / or by phenyl groups.
  • FIG. 18 a section from a coating 3 is shown as an example.
  • the coating 3 has the polysiloxane with the high proportion of T units as base material 31, for example as illustrated in FIG. Particles 32 are embedded in the base material 31.
  • the particles 32 are preferably metal oxide particles such as titanium dioxide particles, which act as a scattering center for electromagnetic radiation in the wavelength range in particular from 380 nm to 1500 nm, preferably 430 nm to 780 nm.
  • the particles 32 are preferably present individually in the base material 31. Alternatively, it is possible for a small proportion of the particles 32 to be present in agglomerated form, so that several of the particles 32 are located directly next to one another. In order to achieve a high reflectivity, a proportion by weight and / or a proportion by volume of the particles 32 is preferably set to be comparatively high, a significant agglomeration of particles preferably being avoided.
  • the components shown in the figures preferably follow one another in the specified order, in particular directly one after the other, unless otherwise described. Layers that do not touch one another in the figures are preferably at a distance from one another. If lines are drawn parallel to one another, the assigned surfaces are preferably also aligned parallel to one another. In addition, the relative positions of the components drawn are shown correctly in the figures, unless otherwise described.
  • T mean thickness of the optic body

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Abstract

In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung einer optischen Komponente (23) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) und umfasst die Schritte: - A) Bereitstellen einer Vielzahl von Optikkörpern (2), - C) Aufbringen eines flüssigen Beschichtungsmaterials (30) direkt auf die Optikkörper (2), - D) Verfestigen des Beschichtungsmaterials (30) zu einer Beschichtung (3), und - E) Vereinzeln durch die Beschichtung (3) hindurch zu den optischen Komponenten (23), wobei die fertige Beschichtung (3) eine mittlere Dicke zwischen einschließlich 10 Mikrometern und 200 Mikrometern aufweist, als Basismaterial (31) ein Polysiloxan aufweist, das -Si0 3/2 - Einheiten / trifunktionale Polysiloxane umfasst, und reflektierende Mikropartikel enthält, so dass ein Reflektionsgrad von 80% und mehr erreicht wird.

Description

Beschreibung
OPTISCHE KOMPONENTE, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTISCHEN KOMPONENTE
Es wird eine optische Komponente angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen optischen Komponente angegeben. Schließlich wird ein Verfahren zur Herstellung einer solchen optischen Komponente angegeben.
Die Druckschrift WO 2010/098448 Al betrifft eine polysiloxanbasierte Oberflächenbeschichtung.
In der Druckschrift US 2010/0249339 Al findet sich ein Herstellungsverfahren für Polysiloxane.
Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, eine temperaturbeständige optische Komponente anzugeben.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch eine optische Komponente, durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und durch ein Herstellungsverfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die optische Komponente für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil vorgesehen. Bei dem optoelektronischen Halbleiterbauteil handelt es sich insbesondere um eine Leuchtdiode, kurz LED, oder um ein leuchtdiodenbasiertes Bauteil. Die optische Komponente weist demgemäß geometrische Abmessungen und optische, mechanische sowie thermische Eigenschaften auf, die für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, insbesondere für eine LED, geeignet sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die optische Komponente einen Optikkörper. Der Optikkörper ist mindestens teilweise für sichtbares Licht durchlässig. Insbesondere ist der Optikkörper in mindestens einem Teilbereich des sichtbaren Spektralbereichs lichtdurchlässig, beispielsweise bei Wellenlängen oberhalb von 530 nm oder oberhalb von 430 nm. Lichtdurchlässig bedeutet insbesondere, dass ein Transmissionsvermögen des Optikkörpers in dem mindestens einen betreffenden Spektralbereich bei mindestens 75 % oder 90 % liegt. Der Optikkörper kann klarsichtig sein oder auch diffus streuend wirken.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die optische Komponente eine Beschichtung. Die Beschichtung ist bevorzugt direkt an dem Optikkörper angebracht. Das heißt, die Beschichtung bedeckt den Optikkörper ganzflächig oder, bevorzugt, lediglich stellenweise unmittelbar.
Gemäß zumindest einer Ausführung ist die Beschichtung vergleichsweise dünn ausgeprägt. Das heißt, die Beschichtung weist eine mittlere Dicke von mindestens 20 gm oder 40 gm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt die mittlere Dicke der Beschichtung bei höchstens 200 pm oder 100 pm. Insbesondere weist die Beschichtung eine mittlere Dicke zwischen einschließlich 10 pm und 100 pm oder zwischen einschließlich 20 pm und 50 pm auf. Es ist möglich, dass die Beschichtung einen gezielt eingestellten Dickengradienten aufweist. Bevorzugt jedoch weist die Beschichtung bestimmungsgemäß eine gleichbleibende, konstante Schichtdicke auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Beschichtung als Basismaterial ein Polysiloxan auf. Das Basismaterial erstreckt sich bevorzugt zusammenhängend und/oder ohne gezielte, makroskopische Inhomogenitäten über die gesamte Beschichtung hinweg. Die Beschichtung kann aus dem Basismaterial bestehen oder das Basismaterial ist eine Matrix für einen weiteren Bestandteil der Beschichtung, beispielsweise für in das Basismaterial eingebettete Partikel. Solche Partikel sind bevorzugt in der Beschichtung homogen, also ohne einen gezielt eingestellten makroskopischen Gradienten, verteilt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Polysiloxan, das das Basismaterial bildet, -SiC>3/2_Einheiten. Das heißt, zumindest einige der Basiseinheiten des Polysiloxans sind sogenannte trifunktionale Hauptelemente des zumindest einen Silikonnetzwerks, durch das das Polysiloxan gebildet ist. Solche trifunktionalen Einheiten werden auch als T-Einheiten, englisch T units, bezeichnet. Die Begriffe -SiC>3/2_Einheiten und T-Einheiten werden vorliegend synonym verwendet. Bei dem Polysiloxan kann es sich um ein Silikonharz mit untereinander vernetzten Ketten und/oder mit untereinander vernetzten T-Einheiten handeln. Sind mehrere Ketten in dem Polysiloxan vorhanden, so können diese Ketten zu einem einzigen Knäuel verbunden sein.
In mindestens einer Ausführungsform ist die optische Komponente für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil vorgesehen. Die optische Komponente umfasst einen Optikkörper und eine oder mehrere Beschichtungen. Die mindestens eine Beschichtung ist direkt an dem Optikkörper angebracht. Die Beschichtung weist eine mittlere Dicke zwischen einschließlich 10 pm und 200 pm, insbesondere zwischen einschließlich 20 mpiund 100 mpi, auf. Die Beschichtung weist als Basismaterial ein Polysiloxan auf, wobei das Polysiloxan T-Einheiten umfasst.
Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst eine oder mehrere optische Komponenten, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Halbleiterbauteils sind daher auch für die optische Komponente offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil einen oder mehrere strahlungsemittierende optoelektronische Halbleiterchips. Bei dem mindestens einen Halbleiterchip handelt es sich insbesondere um einen Leuchtdiodenchip, kurz LED-Chip, oder um einen Laserdiodenchip, kurz LD-Chip. Das Halbleiterbauteil kann mehrere baugleiche optoelektronische Halbleiterchips umfassen oder auch mehrere verschiedene Arten von optoelektronischen Halbleiterchips beinhalten, beispielsweise zur Erzeugung von Strahlung in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen.
Außerdem ist es möglich, dass das Halbleiterbauteil zusätzliche Halbleiterchips umfasst, die beispielsweise Halbleiterchips zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen oder Sensorchips, beispielsweise für Temperatur, Helligkeit und/oder Farbe, darstellen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist die zumindest eine optische Komponente an dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip angebracht. Die optische Komponente kann unmittelbar an dem Halbleiterchip angebracht sein, sodass sich die optische Komponente und der optoelektronische Halbleiterchip berühren oder sodass zwischen der optischen Komponente und dem optoelektronischen Halbleiterchip lediglich ein Verbindungsmittel, beispielsweise ein Kleber, liegt.
Die optische Komponente und der optoelektronische Halbleiterchip können nahe aneinander angebracht sein, sodass ein Abstand zwischen der optischen Komponente und dem optoelektronischen Halbleiterchip bevorzugt höchstens 100 pm oder 20 pm oder 5 pm beträgt. Insbesondere ist ein Abstand zwischen der optischen Komponente und dem optoelektronischen Halbleiterchip kleiner als eine mittlere Dicke der optischen Komponente und/oder der Beschichtung.
Beispielsweise ist die optische Komponente ausschließlich an einer der optischen Komponente zugewandten Hauptfläche des Halbleiterchips angeordnet. Die Hauptfläche bildet insbesondere eine parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips verlaufende Außenfläche des Halbleiterchips. Seitenflächen des Halbleiterchips, die sich zum Beispiel quer oder senkrecht zur Hauptfläche erstrecken, sind vorzugsweise frei von der optischen Komponente.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die optische Komponente so gestaltet, dass eine vom Halbleiterchip im Betrieb erzeugte Strahlung zumindest teilweise durch die optische Komponente hindurch aus dem Halbleiterbauteil heraus emittiert wird. Insbesondere verlässt kein oder kein signifikanter vom Halbleiterchip erzeugter Strahlungsanteil das optoelektronische Halbleiterbauteil, ohne die optische Komponente, insbesondere ohne den Optikkörper, durchlaufen zu haben. Sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips in dem Halbleiterbauteil vorhanden, so kann zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips und den optischen Komponenten eine eineindeutige Zuordnung vorliegen.
Alternativ ist es möglich, dass mehreren optoelektronischen Halbleiterchips oder allen Halbleiterchips zusammengenommen eine einzige optische Komponente zugeordnet ist. Entsprechend können Gruppierungen von mehreren optoelektronischen Halbleiterchips jeweils mit einer eigenen optischen Komponente versehen sein, sodass pro optischer Komponente beispielsweise mindestens zwei oder mindestens vier der optoelektronischen Halbleiterchips und/oder höchstens 25 oder höchstens 16 oder höchstens neun der optoelektronischen Halbleiterchips vorliegen.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil eine oder mehrere optische Komponenten und einen oder mehrere strahlungsemittierende optoelektronische Halbleiterchips. Die zumindest eine optische Komponente ist an dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip angebracht. Die optische Komponente ist so gestaltet, dass eine vom Halbleiterchip im Betrieb erzeugte Strahlung zumindest teilweise durch die optische Komponente hindurch aus dem Halbleiterbauteil heraus emittiert wird.
Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Komponente für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für die optische Komponente sowie für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens einer Vielzahl von Optikkörpern. Die Optikkörper können aus einem gemeinsamen Ausgangsmaterial oder aus einer gemeinsamen Ausgangsschicht hergestellt sein. Bevorzugt werden die Optikkörper beabstandet voneinander bereitgestellt, insbesondere in einer gemeinsamen Ebene, speziell an einem gemeinsamen Träger, wie einer streckbaren Trägerfolie.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufbringens eines flüssigen Beschichtungsmaterials auf die Optikkörper, insbesondere direkt auf die Optikkörper. Das Beschichtungsmaterial ist bei Raumtemperatur flüssig. Eine Viskosität des Beschichtungsmaterials kann durch eine Temperatur bei der Verarbeitung eingestellt werden. Das Beschichtungsmaterial kann beispielsweise mittels Aufsprühen oder Aufdrucken aufgebracht werden.
Der Begriff "flüssig" schließt sowohl dünnflüssige Materialien ein, die eine Viskosität im Bereich von Silikonölen oder von Wasser aufweisen, als auch zähflüssige Beschichtungsmaterialien, die eine Viskosität im Bereich von Honig aufweisen. Beispielsweise liegt die Viskosität des Beschichtungsmaterials beim Aufbringen bei mindestens 0,3 mPa·s oder bei mindestens 0,6 mPa·s oder bei mindestens 5 mPa-s. Alternativ oder zusätzlich liegt die Viskosität beim Aufbringen bei höchstens 100 Pa-s oder 10 Pa-s oder 1 Pa-s oder 0,1 Pa·s.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Verfestigens des Beschichtungsmaterials zu der Beschichtung. Insbesondere umfasst das Verfestigen eine Hydrolyse und/oder ein Trocknen, also ein Abdampfen eines Lösungsmittels. Es ist möglich, dass das Verfestigen in mehreren Schritten erfolgt. So kann ein erster Vorverfestigungsschritt zur Erhöhung einer Viskosität des Beschichtungsmaterials bereits vor dem Aufbringen auf den Optikkörper erfolgen, jedoch wird die hauptsächliche Verfestigung erst nach dem Aufbringen auf den mindestens einen Optikkörper durchgeführt. Dieses hauptsächliche Verfestigen kann mehrstufig erfolgen und verschiedene Härteschritte, beispielsweise bei unterschiedlichen Temperaturen und/oder atmosphärischen Bedingungen, beinhalten. Das Verfestigen ist bevorzugt thermisch induziert, kann aber auch auf einer Bestrahlung basieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Vereinzeins durch die Beschichtung hindurch zu den optischen Komponenten. Das Vereinzeln umfasst beispielsweise ein Schneiden, ein Sägen, eine
Strahlungsbehandlung, wie ein Laserschneiden , oder auch ein Brechen. Bevorzugt sind die Optikkörper von diesem Vereinzeln nicht betroffen, sodass Vereinzelungslinien ausschließlich neben den Optikkörper liegen können.
In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung einer optischen Komponente für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und umfasst die folgenden Schritte, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen einer Vielzahl von Optikkörpern,
C) Aufbringen eines flüssigen Beschichtungsmaterials direkt auf die Optikkörper,
D) Verfestigen des Beschichtungsmaterials zu einer Beschichtung, und
E) Vereinzeln durch die Beschichtung hindurch zu den optischen Komponenten, wobei die fertige Beschichtung eine mittlere Dicke zwischen einschließlich 10 gm und 200 gm aufweist und als Basismaterial ein Polysiloxan aufweist, das T-Einheiten umfasst .
Bei optoelektronischen Bauteilen hoher Leistungsklassen mit einer Reflektorgeometrie wird im Betrieb nach kurzer Zeit oft eine Versprödung eines herkömmlichen weißen Reflektormaterials beobachtet, wobei das Reflektormaterial üblicherweise aus einem Silikonmaterial mit hochbrechenden Füllstoffen wie Titandioxid gebildet ist. Solche Bauteile zeigen nach weiterer Belastung auch sichtbare Risse und werden optisch auffällig, sodass auch eine Verschiebung eines Lichtfarborts auftreten kann, und werden somit für entsprechende Anwendungen unbrauchbar. Dieses Phänomen tritt insbesondere im Bereich um optische Elemente auf, beispielsweise an insbesondere keramischen Konversionselementen oder an Elementen für eine Lichtbündelung .
Diese Problematik geht insbesondere darauf zurück, dass für Reflektoren silikonbasierte Materialien verwendet werden, die in hohen Schichtdicken als Verguss aufgebracht werden. Solche Materialien neigen zur thermisch induzierten Versprödung, wohingegen viele thermisch stabilere Materialien sich nicht unmittelbar für die Anwendung in der LED-Fertigung eignen, da solche temperaturstabileren Materialien nur in dünnen Schichten prozessiert werden können, um die intrinsisch höhere Sprödigkeit und das Vorliegen anderer Vernetzungsmechanismen handhaben zu können. Eine einfache Substitution der weicheren, dicker aufbringbaren silikonbasierten Materialien mit temperaturstabileren, an T- Einheiten reicheren Polysiloxanen ist daher prozesstechnisch nicht ohne Weiteres möglich.
Polysiloxane mit einem hohen Anteil von T-Einheiten sind aufgrund der Art und der Anzahl der chemischen Verknüpfungen thermisch stabiler als die derzeit üblicherweise verwendeten silikonbasierten, weicheren Materialien. Die Verwendung T- reicher Polysiloxane hat allerdings Einfluss auf die Verarbeitungsmethoden .
Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist eine Prozesstrennung möglich, das heißt, zuerst kann eine dezidierte, laterale Beschichtung eines Optikkörpers erfolgen, sodass ein T- reiches Polysiloxanmaterial beispielsweise an allen Seitenflächen eines Optikkörpers als dünne Schicht aufgebracht wird, wobei später optional eine Einbettung in eine Vergussmasse, insbesondere aus einem weicheren Silikon, erfolgen kann. Damit lassen sich die Probleme, die ansonsten mit der Verwendung T-reicher Polysiloxane in der LED- Technologie verbunden sind, handhaben.
Eine darauffolgende Verarbeitung entsprechender optischer Komponenten samt Beschichtung kann mit etablierten Verfahren und Materialien erfolgen. Entsprechende Bauteile zeichnen sich durch eine verbesserte thermische Stabilität im Betrieb aus, da Grenzflächen der optischen Komponente durch das thermisch stabilere T-reiche Polysiloxan gebildet sind, jedoch keine dickeren Schichten mit dem T-reichen Polysiloxan erforderlich sind.
Neben der Wahl eines T-reichen Polysiloxans ist auch die Verwendung von hochbrechenden Füllstoffen in der Beschichtung möglich, insbesondere um eine weiße, reflektierende Beschichtung zu erhalten, die je nach Füllgrad und Schichtdicke eine Reflektivität von mehr als 90 % an mindestens einem Flächenabschnitt der lateralen Beschichtung für Licht im Wellenlängenbereich von 380 nm bis 780 nm, insbesondere im Bereich von 440 nm bis 460 nm, aufweisen kann.
Neben der Verbesserung der thermischen Stabilität solcher optoelektronischen Halbleiterbauteile erlaubt die Prozesstrennung in Erstellen der Beschichtung und Erstellen des Vergusskörpers auch mehr Freiheitsgrade für die als zweites aufgebrachte reflektierende Vergussmasse, da diese nicht mehr ausschließlich hinsichtlich thermischer Stabilität und Reflektivität ausgewählt zu werden braucht.
Freiheitsgrade für die nachfolgend aufgebrachte Vergussmasse oder Umhüllung, die aus dem hier beschriebenen Verfahren resultieren, sind insbesondere:
- In mechanischer Hinsicht kann eine Auswahl primär nach Eignung bezüglich der Vereinzelungsmethode zur Gewinnung diskreter LED-Bauteile durch physikalische Trennprozesse wie Sägen, Wasserstrahlschneiden oder Laserschneiden erfolgen.
- Aus prozesstechnischer Sicht kann eine Auswahl nach Prozesseignung und Prozessaufwand erfolgen, um einen Durchsatz und/oder eine Fertigungsstabilität zu erhöhen, beispielsweise durch die Verwendung sehr dünnflüssiger Vergussmassen und/oder durch die Verwendung schnell härtender Vergussmassen .
- Hinsichtlich optischer Aspekte kann eine Reduktion eines Füllgrads an hochbrechenden Partikeln oder Pigmenten in der Vergussmasse oder Umhüllung erfolgen, da der Hauptanteil der Reflektivität bereits durch die Beschichtung auf dem Optikkörper gewährleistet werden kann. Gegebenenfalls kann ein vollständiger Verzicht auf hochbrechende Füllstoffe zur Erzeugung eines Weißeindrucks des Bauteils, eventuell kombiniert mit Ersatz durch Füllstoffe, die die Trennbarkeit oder Kundenwünsche berücksichtigen, erfolgen. So können andere Farben der Umhüllung in Betracht gezogen werden, beispielsweise für Anwendungen in Blitzlichtern für mobile Geräte wie Smartphones.
Beispielsweise sind zum Aufbringen des Beschichtungsmaterials Sprühprozesse auf diskreten optischen Komponenten möglich, gegebenenfalls mit Maske und/oder einer Schutzfolie für die gewünschte optische Austrittsfläche. Die optischen Komponenten befinden sich dabei bevorzugt mit einem geringen lateralen Abstand auf einem temporären Träger. Nach dem Sprühprozess erfolgt das Härten des Beschichtungsmaterials zu der Beschichtung. Nachfolgend kann eine Prozessierung der optischen Komponenten etwa mittels Pick-and-Place erfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt B), der bevorzugt zwischen den Schritten A) und C) durchgeführt wird. Im Schritt B) erfolgt ein Aufbringen einer temporären Maske auf Oberseiten der Optikkörper. Dabei sind Unterseiten der Optikkörper im Schritt A) bevorzugt auf einem Träger aufgebracht und die Oberseiten liegen den Unterseiten gegenüber. Die temporäre Maske ist zum Beispiel eine Hartmaske, insbesondere aus einem Metall wie Edelstahl, oder eine weiche Maske, beispielsweise aus einer Folie oder aus einem Fotolack. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die im Schritt B) verwendete Maske nach dem Schritt C), insbesondere vor dem Schritt E), entfernt, speziell vollständig entfernt. Das heißt, die Maske ist in den fertigen optischen Komponenten und/oder in den fertigen Halbleiterbauteilen nicht mehr vorhanden. Ebenso kann der im Schritt A) verwendete Träger teilweise oder, bevorzugt, vollständig entfernt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden nur Seitenflächen der Optikkörper mit dem Beschichtungsmaterial und damit mit der Beschichtung versehen. Das heißt, die Oberseiten und die Unterseiten der Optikkörper können vollständig oder teilweise frei von der Beschichtung und dem Beschichtungsmaterial sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verjüngen sich die Optikkörper in Richtung hin zur Oberseite. Das heißt, wenn auf einem Halbleiterchip aufgebracht, werden die Optikkörper in Richtung weg von dem Halbleiterchip schmäler. Hierdurch lässt sich eine Lichtkonzentration oder Lichtbündelung erreichen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die fertige Beschichtung für sichtbares Licht einen
Transmissionskoeffizienten von höchstens 0,2 oder 0,1 oder 0,05 oder 0,02 auf. Das heißt, die fertige Beschichtung ist lichtundurchlässig. Alternativ oder zusätzlich liegt der Transmissionskoeffizient der Beschichtung für sichtbares Licht bei mindestens 0,01 oder 0,05 oder 0,1. Das heißt, die Beschichtung kann gezielt durchscheinend für sichtbares Licht gestaltet sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die fertige Beschichtung für sichtbares Licht einen
Reflexionskoeffizienten von mindestens 0,7 oder 0,8 oder 0,9 oder 0,95 oder 0,98 auf. Dabei erscheint die Beschichtung einem Betrachter bevorzugt weiß. Das heißt, die Beschichtung kann diffus hochreflektierend sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Beschichtungsmaterial und damit die fertige Beschichtung Partikel wie Streupartikel, zum Beispiel Oxidpartikel, insbesondere Metalloxidpartikel, als Streuzentren für unterschiedliche Wellenlängenbereiche. Die Partikel sind in das Basismaterial eingebettet. Die Partikel weisen dabei besonders bevorzugt einen größeren Brechungsindex auf als das Basismaterial. Insbesondere übersteigt der Brechungsindex der Partikel den Brechungsindex des Basismaterials um mindestens 0,3 oder 0,5 oder 1,0. Dies gilt insbesondere bei einer Temperatur von 300 K und bei einer Wellenlänge von 589 nm. Beispielsweise sind die Partikel Streupartikel aus Titandioxid, aus Zirkoniumdioxid, aus Zinkoxid oder aus BaS04.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein mittlerer Durchmesser der Partikel bei mindestens 0,15 gm oder 0,19 gm oder 0,3 pm. Alternativ oder zusätzlich liegt der mittlere Durchmesser der Partikel bei höchstens 1 pm oder 0,45 pm oder 0,3 pm. Insbesondere weisen die Partikel einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 0,15 pm und 0,5 pm auf. Die genannten Durchmesserwerte sind insbesondere Dgg-Werte.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein Gewichtsanteil der Partikel in dem Beschichtungsmaterial bei mindestens 5 % oder 20 % oder 40 %. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Gewichtsanteil in dem Beschichtungsmaterial, also in der Formulierung, bei höchstens 80 % oder 70 % oder 50 %. Beispielsweise liegt der Gewichtsanteil der Partikel in der Formulierung zwischen einschließlich 40 % und 70 %.
Es ist möglich, dass die Partikel aus dem betreffenden oxidischen Material bestehen und keine dezidierte Beschichtung zur Verbesserung einer Ankopplung an das Basismaterial aufweisen. Alternativ ist eine Beschichtung an den Streupartikeln vorhanden, um deren Einbettung in das Basismaterial zu verbessern.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Optikkörper ein Leuchtstoffkörper . Das heißt, der Optikkörper ist dazu eingerichtet, eine auf den Optikkörper auftreffende oder eine durch den Optikkörper hindurchtretende kurzwellige Strahlung teilweise oder vollständig in eine langwelligere Strahlung umzuwandeln. Insbesondere wird ultraviolette Strahlung in sichtbares Licht umgewandelt oder blaues Licht wird teilweise oder vollständig in grünes, gelbes, oranges und/oder rotes Licht konvertiert. Somit kann im Zusammenspiel mit einem blau emittierenden LED-Chip durch den Optikkörper eine Weißlichtquelle gebildet werden.
Es ist möglich, dass der Optikkörper ein Leuchtstoffkörper und gleichzeitig ein sich verjüngender Körper zur Lichtbündelung ist oder dass der Optikkörper sowohl einen Leuchtstoffkörper als auch einen sich verjüngenden Körper umfasst.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Optikkörper einen Keramikkörper oder ist der Optikkörper ein Keramikkörper . Dabei beinhaltet der Keramikkörper bevorzugt einen oder mehrere Leuchtstoffe oder besteht aus einem oder aus mehreren Leuchtstoffen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt F), der bevorzugt dem Schritt D) nachfolgt. Im Schritt F) erfolgt ein Anbringen von strahlungsemittierenden optoelektronischen Halbleiterchips an den bevorzugt bereits fertig beschichteten Optikkörpern. Der Schritt F) kann dem Schritt E) vorausgehen oder dem Schritt E) nachfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt G), der dem Schritt D) nachfolgt. Im Schritt G) wird eine Umhüllung erstellt, auch als Vergusskörper bezeichnet. Die Umhüllung wird bevorzugt unmittelbar auf der Beschichtung aufgebracht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die fertige Umhüllung mindestens die Dicke der fertigen Beschichtung oder eine um mindestens einen Faktor 1,5 oder 2 oder 3 größere mittlere Schichtdicke auf als die fertige Beschichtung. Mit anderen Worten ist die Umhüllung im Gegensatz zur Beschichtung ein effektiv dreidimensionales Material, auch als Volumenmaterial bezeichnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Umhüllung als weiteres Basismaterial ein weiteres Polysiloxan auf. Das weitere Polysiloxan der Umhüllung ist bevorzugt weicher als das Polysiloxan der Beschichtung. Insbesondere ist das weitere Polysiloxan der Umhüllung frei oder im Wesentlichen frei von T-Einheiten. Ein Anteil an T-Einheiten in dem weiteren Polysiloxan der Umhüllung ist insbesondere um mindestens einen Faktor 5 oder 10 oder 100 geringer als ein Anteil von T-Einheiten an dem Polysiloxan der Beschichtung.
Die Umhüllung kann Partikel wie Streupartikel aufweisen, wie auch in der Beschichtung vorhanden. Bevorzugt ist eine Konzentration der Partikel in der Umhüllung allerdings geringer als in der Beschichtung. Alternativ kann die Umhüllung frei von optisch wirksamen Beimengungen, insbesondere frei von Partikeln wie Streupartikeln und/oder Oxidpartikeln, sein.
Die Umhüllung wird beispielsweise nur an Seitenflächen der optischen Komponente angeordnet. Die Oberseite des Optikkörpers und/oder eine Oberseite der optischen Komponente ist bevorzugt frei von der Umhüllung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Optikkörper in Draufsicht auf die Oberseite gesehen eine mittlere laterale Ausdehnung, beispielsweise einen mittleren Durchmesser oder eine mittlere Kantenlänge, von mindestens 0,2 mm oder 0,5 mm oder 1 mm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt die mittlere laterale Ausdehnung bei höchstens 5 mm oder 3 mm oder 2 mm oder 1,5 mm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt eine mittlere Dicke der fertigen Optikkörper bei mindestens 30 gm oder 50 gm oder 120 pm. Alternativ oder zusätzlich liegt diese mittlere Dicke bei höchstens 2 mm oder 1 mm oder 0,4 mm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die fertige Beschichtung dünner als der zugeordnete Optikkörper.
Bevorzugt ist die fertige Beschichtung auch dünner als die optional vorhandene Umhüllung. Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein Anteil von T- Einheiten und von -Si04/2_Einheiten zusammengenommen und bezogen auf alle Basiseinheiten des Polysiloxans der fertigen Beschichtung bei mindestens 70 % oder 80 % oder 90 % oder 95 %. -SiC>4/2_Einheiten werden auch als quadrifunktionale Einheiten oder kurz Q-Einheiten, englisch Q units, bezeichnet. Das heißt, das Polysiloxan der fertigen Beschichtung ist weitgehend durch T-Einheiten zusammen mit Q- Einheiten gebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform übersteigt in der fertigen Beschichtung ein Anteil der T-Einheiten einen Anteil der Q-Einheiten, beispielsweise um mindestens einen Faktor 2 oder 5 oder 10. Das heißt, es sind deutlich mehr T-Einheiten vorhanden als Q-Einheiten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mindestens 70 % der Basiseinheiten des Polysiloxans der fertigen Beschichtung T-Einheiten. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Anteil bei höchstens 90 % oder 80 %.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind organische Reste an den T-Einheiten überwiegend, also zu mindestens 50 % oder 70 % oder 90 %, durch Arylgruppen wie Phenylgruppen und/oder durch Alkylgruppen wie Methylgruppen gebildet. Das heißt, das Polysiloxan kann ein Phenylpolysiloxan oder ein Methylpolysiloxan oder eine Mischung hieraus sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt im Schritt D) ein Masseverlust des Beschichtungsmaterials, bezogen auf einen hydrolisierbaren, flüchtigen Organikanteil, bei mindestens 10 % und/oder bei mindestens 35 %. Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das Verfestigen ein finales Härten bei einer Temperatur von mindestens 150 °C und/oder höchstens 250 °C, insbesondere bei Temperaturen von mindestens 170 °C und/oder von höchstens 220 °C. Beispielsweise liegt eine Dauer des finalen Härtens bei mindestens einer Stunde oder zwei Stunden und/oder bei höchstens 48 Stunden oder 24 Stunden oder 16 Stunden. Insbesondere durch Verwendung geeigneter Katalysatorsysteme können die benötigten Temperaturen und Aushärtezeiten noch beeinflusst werden.
Nachfolgend werden eine hier beschriebene optische Komponente, ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil und ein hier beschriebenes Verfahren unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:
Figuren 1, 3, 5, 7, 8, 9 und 10 schematische
Schnittdarstellungen eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen,
Figuren 2, 4 und 6 schematische Draufsichten zu den Verfahrensschritten der Figuren 1, 3 und 5, Figuren 11, 13 und 15 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines weiteren hier beschriebenen Verfahrens,
Figuren 12, 14 und 16 schematische Draufsichten zu den Verfahrensschritten der Figuren 11, 13 und 15,
Figur 17 eine schematische Strukturformel für ein Beispiel eines Basismaterials einer hier beschriebenen Beschichtung, und
Figur 18 eine schematische Darstellung eines inneren Aufbaus eines Beispiels einer hier beschriebenen Beschichtung.
In den Figuren 1 bis 10 ist ein Ausführungsbeispiel eines Herstellungsverfahrens für optische Komponenten 23 und für optoelektronische Halbleiterbauteile 1 dargestellt. Im Verfahrensschritt der Figuren 1 und 2 werden mehrere Optikkörper 2 bereitgestellt. Die Optikkörper 2 befinden sich mit Unterseiten 21 an einem temporären Träger 51. Oberseiten 22 der Optikkörper 2 sind dem Träger 51 abgewandt.
Beispielsweise verjüngt sich der insbesondere transparente Optikkörper 2 in Richtung weg von dem Träger 51. Das heißt, Seitenflächen 20 des Optikkörpers 2 nähern sich im Querschnitt gesehen in Richtung weg von dem Träger 51 einander an. Beispielsweise weist jede Seitenfläche 20, im Querschnitt gesehen, einen oder mehrere Abschnitte auf, die mit einem Knick ineinander übergehen. Beispielsweise ist der Optikkörper 2 im Querschnitt gesehen aus einem Rechteck und einem nachfolgenden symmetrischen Trapez gebildet. Die Optikkörper 2 sind in Draufsicht gesehen beispielsweise quadratisch oder rechteckig geformt und bevorzugt in einem regelmäßigen Raster auf dem Träger 51 angeordnet.
Bevorzugt sind die Oberseiten 22 der Optikkörper 2 von einer temporären Maske 52 bedeckt. Damit liegen nur die Seitenflächen 20 frei. Die Maske 52 ist beispielsweise durch einen Fotolack gebildet oder auch durch einen Hartmaske, beispielsweise aus Edelstahl.
Im Verfahrensschritt der Figuren 3 und 4 ist dargestellt, dass ganzflächig ein Beschichtungsmaterial 30 aufgebracht wird. Das Beschichtungsmaterial 30 wird beispielsweise aufgesprüht. Bevorzugt lagert sich das Beschichtungsmaterial 30 mit einer gleichmäßigen Dicken insbesondere an den Seitenflächen 20 an sowie optional auch auf der Maske 52 und auf dem Träger 51 in Bereichen zwischen den Optikkörpern 2. Die Beschichtung 30 wird in flüssigem Zustand aufgebracht.
Im Verfahrensschritt der Figuren 5 und 6 ist zu erkennen, dass die temporäre Maske 52 entfernt wurde. Damit sind die Oberseiten 22 freigelegt. Durch das Verfestigen des Beschichtungsmaterials 30 entsteht eine Beschichtung 3, die die Seitenflächen 20 mit einer gleichmäßigen Dicke ringsum bedeckt. Das Verfestigen kann mehrstufig erfolgen und wird bevorzugt nach dem Entfernen, alternativ auch vor dem Entfernen der Maske 52 durchgeführt.
Beispiele für die Formulierung des Beschichtungsmaterials 30 sind die Materialien KR-220L, KR-500, KR-213, KR-510, X-40- 9227, KR-9218, KR-401N, X-40-2756 oder X-40-2667A des Herstellers Shin-Etsu. Weiterhin können als Beschichtungsmaterial 30 beispielsweise die Materialien Silres SY231 oder Silres IC368 des Herstellers Wacker oder Silikophen-Typen des Herstellers Evonik, beispielsweise AC1000, verwendet werden. Hinsichtlich des
Beschichtungsmaterials 30 wird auch auf die Druckschrift US 2012/0058333 Al verwiesen. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschrift, insbesondere die Absätze 29, 30, 31, 35, 36,
43, 50, 64 und 65 sowie Anspruch 1, wird durch Rückbezug mit aufgenommen. Es sind dem Beschichtungsmaterial 30 jeweils bevorzugt Partikel, wie reflektierende Partikel, beigegeben. Das Vorstehende gilt in gleicher Weise für alle anderen Ausführungsbeispiele .
Die Verarbeitung des Beschichtungsmaterials 30 zu der Beschichtung 3 erfolgt bevorzugt, wie bestimmungsgemäß für die beispielhaft genannten Materialien vorgesehen. Insbesondere umfasst das Verfestigen des Beschichtungsmaterials 30 zu der Beschichtung 3 eine Temperaturbehandlung, beispielsweise bei ungefähr 200 ° für ungefähr 10 Stunden. Das Verfestigen des
Beschichtungsmaterials 30 basiert insbesondere auf Hydrolyse.
Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich, weist die Beschichtung 3 nach dem vollständigen Verfestigen eine glasartige Konsistenz auf und ist damit vergleichsweise spröde. Da die Beschichtung 3 jedoch nur eine geringe Dicke aufweist, bevorzugt ungefähr 50 gm, sind negative Einflüsse der Sprödigkeit der Beschichtung 3 reduzierbar.
Im Verfahrensschritt der Figur 7 ist eine einzelne resultierende optische Komponente 23 gezeigt, die den Optikkörper 2 und die Beschichtung 3 umfasst. Die Unterseite 21 sowie die Oberseite 22 sind frei von der bevorzugt reflektierenden, weißen Beschichtung 3. Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es möglich, dass der speziell zur Lichtkonzentration vorgesehene Optikkörper 2 aus einem Glas gebildet ist oder auch aus einem anderen, lichtdurchlässigen Material wie Saphir oder Siliziumcarbid. Auch ist es möglich, dass der Optikkörper 2 einen Leuchtstoff enthält.
Im Schritt der Figur 8 ist dargestellt, dass die optischen Komponenten 23 auf optoelektronischen Halbleiterchips 4, insbesondere auf LED-Chips, aufgebracht werden. Dies geschieht optional an einem weiteren Träger 53, auf dem die optoelektronischen Halbleiterchips 4 in einem regelmäßigen Raster angebracht sein können.
Dabei ist gezeigt, siehe Figur 8, linke Hälfte, dass die Beschichtung 3 den zugeordneten Halbleiterchip 4 seitlich überragt, sodass der Optikkörper 2 in seitlicher Richtung bündig mit dem Halbleiterchip 4 abschließt. Das heißt, eine dem weiteren Träger 53 abgewandte Oberseite des Halbleiterchips 4 kann vollständig oder im Wesentlichen vollständig von dem Optikkörper 2 bedeckt sein.
Seitenflächen des Halbleiterchips 4, die quer zu seiner Oberseite verlaufen, sind bevorzugt frei von dem Optikkörper 2 und/oder der Beschichtung 3.
Demgegenüber ist in Figur 8, rechte Seite, zu sehen, dass die optische Komponente 23 insgesamt bündig oder näherungsweise bündig mit dem Halbleiterchip 4 in seitlicher Richtung abschließt. Das heißt, eine dem weiteren Träger 53 abgewandte Oberseite des Halbleiterchips 4 ist von dem Optikkörper 2 zusammen mit der Beschichtung 3 bedeckt. Entsprechende Konfigurationen, wie in Figur 8 gezeigt, können in gleicher Weise in allen anderen Ausführungsbeispielen vorliegen .
Im optionalen Verfahrensschritt der Figur 9 ist zu sehen, dass um die Halbleiterchips 4 und um die optischen Komponenten 23 herum eine Umhüllung 6 erzeugt wird. Die Umhüllung 6 kann in Richtung weg von dem weiteren Träger 53 bündig mit den Oberseiten 22 abschließen. Die Umhüllung 6 ist bevorzugt eine vergleichsweise dick aufgebrachte Vergussmasse und ist insbesondere aus einem relativ weichen, weiteren Polysiloxan .
Außerdem ist in Figur 9 illustriert, siehe die linke Seite, dass die optische Komponente 23 neben dem Optikkörper 2 auch einen Leuchtstoffkörper 7 beinhalten kann. Der Leuchtstoffkörper 7 umfasst einen oder mehrere Leuchtstoffe, die in ein Matrixmaterial, beispielsweise ein Glas oder eine Keramik oder ein drittes Polysiloxan, eingebettet sein können oder es besteht der Leuchtstoffkörper 7 aus einem oder aus mehreren Leuchtstoffen. Bevorzugt sind sowohl der Leuchtstoffkörper 7 als auch der Optikkörper 2 seitlich vollständig mit der Beschichtung 3 versehen.
Demgegenüber ist in Figur 9, rechte Hälfte, zu sehen, dass der separate Leuchtstoffkörper 7 zwischen dem Halbleiterchip 4 und der optischen Komponente 23 angebracht ist.
Die Oberseite 22 ist insbesondere frei von der Umhüllung 6. Die Umhüllung 6 ist beispielsweise ausschließlich an einer von dem Optikkörper 2 abgewandten Seite der Beschichtung 3 und an Seitenflächen des Halbleiterchips 4 angeordnet. Diese beiden Konfigurationen, wie in Figur 9 gezeigt, können in gleicher Weise auch in allen anderen Ausführungsbeispielen herangezogen werden.
Der Halbleiterchip 4, der optionale Leuchtstoffkörper 7 sowie die optische Komponente 23 werden beispielsweise aufeinander geklebt, insbesondere mittels eines Silikonklebers, nicht gezeigt. Elektrische Kontakte der Halbleiterchips 4, nicht gezeigt, sind bevorzugt jeweils dem weiteren Träger 53 zugewandt und damit der optischen Komponente 23 abgewandt. Alternativ ist es möglich, nicht gezeichnet, dass die optische Komponente 23 und optional der Leuchtstoffkörper 7 Ausnehmungen aufweisen, um eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips 4 zu ermöglichen.
In Figur 10 ist das fertige optoelektronische Halbleiterbauteil 1 gezeichnet, das durch Vereinzeln der Konfiguration aus Figur 9 entsteht. Im Querschnitt gesehen kann das Halbleiterbauteil 1 quaderförmig sein.
Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen weist die Beschichtung 3 bevorzugt eine mittlere Dicke C von ungefähr 50 pm auf. Eine mittlere Dicke T der Optikkörper 2 und der optischen Komponenten 23 liegt beispielsweise im Bereich von 0,2 mm bis 0,5 mm. Eine laterale Ausdehnung D des Halbleiterchips 4 und damit auch des Optikkörper 2 sowie der optischen Komponente 23 liegt bei ungefähr 1 mm. Die optional vorhandene Umhüllung 6 ist signifikant dicker als die Beschichtung 3 und kann, anders als die Beschichtung 3, als Volumenmaterial aufgefasst werden. Ferner ist der Figur 10 zu entnehmen, dass eine im Betrieb des Halbleiterchips 4 erzeugte Strahlung R das Halbleiterbauteil 1 nur durch die optische Komponente 23 hindurch verlassen kann. Es ist möglich, dass der weitere Träger 53 von den Halbleiterchips 4 und der Umhüllung 6 entfernt wurde. Alternativ kann der weitere Träger 53 in vereinzelter Form auch an dem Halbleiterchip 4 und an der optionalen Umhüllung 6 verbleiben, anders als in Figur 10 illustriert .
Zusammengefasst erfolgt beim Verfahren gemäß der Figuren 1 bis 10 zunächst eine Herstellung der späteren optischen Komponenten 23 mit Hilfe eines Schichtprozesses oder eines Flächenprozesses, beispielsweise mittels Sprühen, Rakeln, Siebdruck oder Schlitzbeschichtung. Nachfolgend wird die Beschichtung insbesondere direkt auf den Optikkörper 2 und optional auch auf dem temporären Träger 51 aufgebracht, gefolgt von einem Vereinzeln in diskrete optische Komponenten 23. Nach diesem Schritt erfolgt bevorzugt ein Expandieren des temporären Trägermaterials 51, welches beispielsweise eine Folie ist, um den notwendigen Abstand, insbesondere eine doppelte Zielschichtdicke der optionalen Umhüllung 6, zwischen den optischen Komponenten zu erreichen. Es ist aber auch ein separater Pick-and-Place-Prozess denkbar.
Beim Verfahren der Figuren 11 bis 16 wird für die Optikkörper 2 eine Ausgangsschicht 2' auf dem Träger 51 angebracht, siehe die Figuren 11 und 12.
Nachfolgend, siehe die Figuren 13 und 14, wird die Ausgangsschicht 2' zu den Optikkörpern 2 strukturiert. In diesem Fall sind die Optikkörper 2 bevorzugt Leuchtstoffkörper 7. Abweichend von der Darstellung der Figur 13 ist es nicht zwingend erforderlich, dass die Optikkörper 2 im Querschnitt gesehen rechteckig oder näherungsweise rechteckig sind. Auch Geometrien, wie zum Beispiel in Verbindung mit den Figuren 1 bis 10 dargestellt, können für die Optikkörper 2 verwendet werden.
In den Figuren 15 und 16 ist dargestellt, dass das Beschichtungsmaterial 30 für die Beschichtung 3 nur zwischen den Optikkörpern 2 angebracht wird.
Über Kapillareffekte und/oder Oberflächeneigenschaften ist es möglich, dass die Beschichtung 3 zwischen den Optikkörpern 2 im Querschnitt gesehen eine paraboloide Oberseite aufweist. Zwischen benachbarten Optikkörpern 3 im Bereich der Beschichtung 3 verlaufen Vereinzelungslinien S für eine nachfolgende Vereinzelung, die beispielsweise mittels Laserstrahlung erfolgt.
Die Verfahrensschritte der Figuren 7, 8, 9 und/oder 10 können in entsprechend angepasster Weise dem Verfahren der Figuren 11 bis 16 nachfolgen.
Insbesondere beim Verfahren der Figuren 11 bis 16 wird zur Herstellung der lateralen Beschichtung das Beschichtungsmaterial in die entstandenen Zwischenräume zwischen den Optikkörpern 2 verfüllt, beispielsweise mittels Jetting oder Nadeldispensen, gegebenenfalls unter Ausnutzung der Kapillarkraft. Die dadurch ausgeformte dünne Schicht, die kehlenartig gestaltet sein kann, wird gehärtet, vereinzelt und die prozessierten optischen Komponenten 23 können entsprechend weiterverarbeitet werden, beispielsweise mittels Pick-and-Place-Methoden . Eine Aufbringung des Beschichtungsmaterials 30 ist auch mittels eines Siebdruckprozesses im Zusammenhang mit den Figuren 11 bis 16 möglich, erforderlichenfalls mit passender Maskierung mittels eines Siebs und/oder mittels einer Schutzfolie für die Lichtaustrittsflächen der Optikkörper 2, anstatt mittels eines Dosierprozesses.
Die entsprechenden Verfahrensschritte zum Aufbringen und Verfestigen des Beschichtungsmaterials, wie in den Figuren 3 bis 6 oder 13 bis 16 illustriert, können wiederholt oder kombiniert werden, bis die gewünschte Schichtdicke für die Beschichtung 3 erreicht wird. Das heißt, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen kann die Beschichtung 3 aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt werden, die jeweils durch Aufbringen einer dünneren Teilschicht des Beschichtungsmaterials 30 erzeugt werden.
Optional wird zwischen der Aufbringung der Teilschichten je ein Plasmaschritt durchgeführt, um die Adhäsion zur nächsten aufzubringenden Teilschicht zu verbessern. Ein solcher Plasmaschritt kann auch vor dem Erzeugen der Umhüllung 6 erfolgen, um eine verbesserte Haftung der Umhüllung 6 an der Beschichtung 3 zu gewährleisten. Solche Plasmaschritte sind in allen Ausführungsbeispielen möglich.
In Figur 17 ist schematisch eine beispielhafte Strukturformel der fertigen Beschichtung 3 dargestellt, wobei optional zusätzlich vorhandene Partikel nicht gezeichnet sind. Aus Figur 17 ist zu sehen, dass das Polysiloxan überwiegend aus T-Einheiten zusammengesetzt ist, sodass an den Siliziumatomen zumeist drei Sauerstoffatome angebunden sind. Ebenso können einige Q-Einheiten vorhanden sein, bei denen pro Siliziumatom vier Sauerstoffatome angebunden sind. Außerdem können sogenannte D-Einheiten, also -SiC>2/2-Einheiten, vorhanden sein, bei denen einem Siliziumatom zwei Sauerstoffatome zugeordnet sind.
Die Reste R können alle gleich gestaltet sein oder es sind verschiedene Reste R vorhanden. Bevorzugt handelt es sich bei den Resten R um organische Reste, insbesondere um Alkylgruppen und/oder um Arylgruppen. Beispielsweise sind die Reste R durch Methylgruppen und/oder durch Phenylgruppen gebildet .
In Figur 18 ist beispielhaft ein Ausschnitt aus einer Beschichtung 3 dargestellt. Um Beschichtungen 3 zu erzeugen, die nahezu lichtundurchlässig sind und bevorzugt eine hohe Reflektivität für sichtbares Licht aufweisen, weist die Beschichtung 3 als Basismaterial 31 das Polysiloxan mit dem hohen Anteil an T-Einheiten auf, zum Beispiel wie in Figur 17 veranschaulicht. In das Basismaterial 31 sind Partikel 32 eingebettet. Die Partikel 32 sind bevorzugt Metalloxidpartikel wie Titandioxidpartikel, welche als Streuzentrum für elektromagnetische Strahlung im Wellenlängenbereich insbesondere von 380 nm bis 1500 nm, bevorzugt 430 nm bis 780 nm, fungieren.
Bevorzugt liegen die Partikel 32 einzeln in dem Basismaterial 31 vor. Alternativ ist es möglich, dass ein kleiner Anteil der Partikel 32 agglomeriert vorliegt, sodass mehrere der Partikel 32 sich unmittelbar aneinander befinden. Um eine hohe Reflektivität zu erreichen, ist ein Gewichtsanteil und/oder ein Volumenanteil der Partikel 32 bevorzugt vergleichsweise hoch eingestellt, wobei eine signifikante Agglomeration von Partikeln bevorzugt vermieden wird. Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge aufeinander, insbesondere unmittelbar aufeinander, sofern nichts anderes beschrieben ist. Sich in den Figuren nicht berührende Schichten weisen bevorzugt einen Abstand zueinander auf. Sofern Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die zugeordneten Flächen bevorzugt ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Außerdem sind die relativen Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben, falls nicht anderes beschrieben ist.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019 134 728.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
1 optoelektronisches Halbleiterbauteil
2 Optikkörper
2 Ausgangsschicht für den Optikkörper
20 Seitenfläche des Optikkörpers
21 Unterseite des Optikkörpers
22 Oberseite des Optikkörpers
23 optische Komponente
3 Beschichtung
30 Beschichtungsmaterial
31 Basismaterial
32 Streupartikel
4 optoelektronischer Halbleiterchip
51 temporärer Träger
52 temporäre Maske
53 weiterer Träger
6 Umhüllung
7 Leuchtstoffkörper
C mittlere Dicke der Beschichtung
D laterale Ausdehnung der Optikkörper
R Strahlung
5 Vereinzelungslinie
T mittlere Dicke der Optikkörper

Claims

Patentansprüche
1. Optische Komponente (23) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit einem Optikkörper (2) und mit einer Beschichtung (3) direkt an dem Optikkörper (2), wobei
- die Beschichtung (3) einen Reflexionskoeffizienten von mindestens 0,8 für mindestens einen Wellenlängenbereich im Bereich von 380 nm bis 1500 nm und eine mittlere Dicke zwischen einschließlich 10 gm und 200 gm aufweist,
- die Beschichtung (3) als Basismaterial (31) ein Polysiloxan aufweist, und
- das Polysiloxan -Si03/2_Einheiten umfasst.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit mindestens einer optischen Komponente (23) gemäß Anspruch 1 und mit mindestens einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Halbleiterchip (4), wobei
- die zumindest eine optische Komponente (23) an dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (4) angebracht ist, und
- die optische Komponente (23) so gestaltet ist, sodass eine vom Halbleiterchip (4) im Betrieb erzeugte Strahlung (R) zumindest teilweise durch die optische Komponente (23) hindurch aus dem Halbleiterbauteil (1) heraus emittiert wird.
3. Verfahren zur Herstellung einer optischen Komponente (23) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit den folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge:
A) Bereitstellen einer Vielzahl von Optikkörpern (2),
C) Aufbringen eines flüssigen Beschichtungsmaterials (30) direkt auf die Optikkörper (2),
D) Verfestigen des Beschichtungsmaterials (30) zu einer Beschichtung (3), und E) Vereinzeln durch die Beschichtung (3) hindurch zu den optischen Komponenten (23), wobei
- die fertige Beschichtung (3) eine mittlere Dicke zwischen einschließlich 10 gm und 200 gm aufweist,
- die fertige Beschichtung (30) als Basismaterial (31) ein Polysiloxan aufweist, und
- das Polysiloxan -SiC>3/2_Einheiten umfasst.
4. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, ferner umfassend einen Schritt B) zwischen den Schritten A) und C):
B) Aufbringen einer temporären Maske (52) auf Oberseiten (22) der Optikkörper (2), wobei Unterseiten (21) der Optikkörper (2) im Schritt A) auf einem Träger (51) aufgebracht werden und die Oberseiten (22) den Unterseiten (21) gegenüberliegen,
- die Maske (52) nach dem Schritt C) vollständig entfernt wird, und
- der Träger (51) nach dem Schritt D) vollständig entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, bei dem nur Seitenflächen (20) der Optikkörper (2) mit dem Beschichtungsmaterial (30) und damit mit der Beschichtung (3) versehen werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei sich die Optikkörper (2) in Richtung hin zur Oberseite (22) verjüngen.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei die fertige Beschichtung (3) für sichtbares Licht einen Transmissionskoeffizienten von höchstens 0,05 und einen Reflexionskoeffizienten von mindestens 0,8 aufzeigt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, bei dem das Beschichtungsmaterial (30) und die Beschichtung (3) Streupartikel (32) umfassen, die in das Basismaterial (31) eingebettet sind, wobei die Streupartikel (32) einen größeren Brechungsindex aufweisen als das Basismaterial (31), ein mittlerer Durchmesser der Streupartikel (32) zwischen einschließlich 0,15 gm und 0,5 gm liegt und ein Gewichtsanteil und/oder ein Volumenanteil der Streupartikel (32) an dem
Beschichtungsmaterial (30) zwischen einschließlich 40 % und 70 % liegt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, bei dem der Optikkörper (2) ein Leuchtstoffkörper ist, sodass der Optikkörper (2) dazu eingerichtet ist, eine auf den Optikkörper (2) auftreffende oder eine durch den Optikkörper (2) hindurchtretende kurzwellige Strahlung teilweise oder vollständig in eine langwelligere Strahlung umzuwandeln.
10. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Optikkörper (2) einen Keramikkörper umfasst oder ein Keramikkörper ist und der Keramikkörper einen oder mehrere Leuchtstoffe beinhaltet, wobei der mindestens eine Leuchtstoff dazu eingerichtet ist, aus blauem Licht und/oder aus ultravioletter Strahlung grünes, gelbes, oranges und/oder rotes Licht zu erzeugen.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 10, ferner umfassend einen Schritt F) nach dem Schritt D):
F) Anbringen von strahlungsemittierenden optoelektronischen Halbleiterchips (4) an den beschichteten Optikkörpern (2).
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 11, ferner umfassend einen Schritt G) nach dem Schritt D):
G) Erstellen einer Umhüllung (6) an der Beschichtung (3), wobei die fertige Umhüllung (6) eine um mindestens einen Faktor drei größere mittlere Schichtdicke aufweist als die fertige Beschichtung (3), und wobei die Umhüllung (6) als weiteres Basismaterial ein weiteres Polysiloxan aufweist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 12, bei dem eine mittlere laterale Ausdehnung (D) der Optikkörper (2) in Draufsicht gesehen zwischen einschließlich 0,2 mm und 2 mm liegt, wobei eine mittlere Dicke (T) der Optikkörper (2) zwischen einschließlich 30 pm und 2 mm liegt, und wobei die fertige Beschichtung (3) dünner ist als die Optikkörper (2).
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 12, bei dem zusammengenommen mindestens 80 % von Basiseinheiten des Polysiloxans der fertigen Beschichtung (3) durch -S1O3/2- Einheiten und durch -Si04/2_Einheiten gebildet sind, wobei ein Anteil der -Si03/2_Einheiten einen Anteil der -Si04/2_Einheiten übersteigt.
15. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem mindestens 70 % der Basiseinheiten des Polysiloxans der fertigen Beschichtung (3) -Si03/2_Einheiten sind, wobei organische Reste an den -Si03/2_Einheiten überwiegend durch Phenylgruppen und/oder durch Methylgruppen gebildet sind.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 15, bei dem im Schritt D) ein Masseverlust des Beschichtungsmaterials (30), bezogen auf einen hydrolysierbaren, flüchtigen Organikanteil, zwischen einschließlich 10 % und 35 % liegt, wobei das Verfestigen ein finales Härten bei einer Temperatur zwischen einschließlich 150 °C und 250 °C für eine Dauer von einschließlich 2 h bis 24 h beinhaltet.
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2135898A1 (de) * 2008-06-09 2009-12-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Weiße, wärmehärtbare Silikonharzzusammensetzung und optoelektronisches Teilegehäuse
WO2010098448A1 (ja) 2009-02-28 2010-09-02 神戸合成株式会社 外装面用の表面撥水保護剤
US20100249339A1 (en) 2007-11-21 2010-09-30 Evonik Goldschmidt Gmbh Method for producing branched sih functional polysiloxanes and the use thereof for producing sic- and sioc-linked, branched organomodified polysiloxanes
US20120058333A1 (en) 2009-03-27 2012-03-08 Asahi Glass Company, Limited Organo polysiloxane, hard coating composition, and resin substrate having hard coating layer
EP2879195A1 (de) * 2012-07-27 2015-06-03 Konica Minolta, Inc. Led-vorrichtung und verfahren zur herstellung davon
WO2018215204A1 (en) * 2017-05-23 2018-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light emitting device and method for producing a wavelength conversion element
WO2019141472A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102018113607A1 (de) * 2018-06-07 2019-12-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011093454A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
WO2011118109A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100249339A1 (en) 2007-11-21 2010-09-30 Evonik Goldschmidt Gmbh Method for producing branched sih functional polysiloxanes and the use thereof for producing sic- and sioc-linked, branched organomodified polysiloxanes
EP2135898A1 (de) * 2008-06-09 2009-12-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Weiße, wärmehärtbare Silikonharzzusammensetzung und optoelektronisches Teilegehäuse
WO2010098448A1 (ja) 2009-02-28 2010-09-02 神戸合成株式会社 外装面用の表面撥水保護剤
US20120058333A1 (en) 2009-03-27 2012-03-08 Asahi Glass Company, Limited Organo polysiloxane, hard coating composition, and resin substrate having hard coating layer
EP2879195A1 (de) * 2012-07-27 2015-06-03 Konica Minolta, Inc. Led-vorrichtung und verfahren zur herstellung davon
WO2018215204A1 (en) * 2017-05-23 2018-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light emitting device and method for producing a wavelength conversion element
WO2019141472A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102018113607A1 (de) * 2018-06-07 2019-12-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

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