WO2021044929A1 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

フッ素のバリア性と低抵抗を両立するタングステン膜を成膜する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。　下地膜が形成された基板上に、第１タングステン含有ガスを用いて第１タングステン膜を成膜する工程と、前記第１タングステン膜の上に、第２タングステン含有ガスを用いて第２タングステン膜を成膜する工程と、を有し、記第１タングステン含有ガスと前記第２タングステン含有ガスとは異なるガスである、基板処理方法。

Description

基板処理方法及び基板処理装置
　本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
　例えば、基板にタングステン膜を成膜する成膜装置が知られている。
　特許文献１には、基板の表面にタングステンの核を生成するための初期タングステン膜を形成する工程と、初期タングステン膜の表面に核形成のための物質を含むガスを吸着させる工程と、初期タングステン膜の結晶性を遮断する結晶性遮断タングステン膜を成膜する工程と、主タングステン膜を成膜する工程とを有することを特徴とするタングステン膜の成膜方法が開示されている。
特開２０１３－２１３２７４号公報
　一の側面では、本開示は、フッ素のバリア性と低抵抗を両立するタングステン膜を成膜する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
　上記課題を解決するために、一の態様によれば、下地膜が形成された基板上に、第１タングステン含有ガスを用いて第１タングステン膜を成膜する工程と、前記第１タングステン膜の上に、第２タングステン含有ガスを用いて第２タングステン膜を成膜する工程と、を有し、前記第１タングステン含有ガスと前記第２タングステン含有ガスとは異なるガスである、基板処理方法が提供される。
　一の側面によれば、フッ素のバリア性と低抵抗を両立するタングステン膜を成膜する基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
基板処理システムの構成例を示す概略図。 第１の成膜装置の構成例を示す概略図。 第２の成膜装置の構成例を示す概略図。 第３の成膜装置の構成例を示す概略図。 成膜装置動作の一例を示すタイムチャート。 基板処理システムの動作の一例を示すフローチャート。 基板処理システムによりタングステン膜が成膜されたウェハの一例。 基板処理システムの動作の他の一例を示すフローチャート。 基板処理システムによりタングステン膜が成膜されたウェハの他の一例。 フッ素の拡散の一例を示すグラフ。 タングステン膜の膜厚と比抵抗との関係の一例を示すグラフ。 タングステン膜の膜厚と比抵抗との関係の一例を示すグラフ。
　以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〔基板処理システム〕
　本実施形態に係る基板処理システムについて、図１を用いて説明する。図１は、基板処理システムの構成例を示す概略図である。
　図１に示されるように、基板処理システムは、成膜装置１０１～１０４と、真空搬送室２００と、ロードロック室３０１～３０３と、大気搬送室４００と、ロードポート５０１～５０３と、全体制御部６００と、を備える。
　成膜装置１０１～１０４は、それぞれゲートバルブＧ１１～Ｇ１４を介して真空搬送室２００と接続されている。成膜装置１０１～１０４内は所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にてウエハＷに所望の処理を施す。一実施形態では、成膜装置１０１～１０３はタングステン膜を形成する装置である。成膜装置１０４は、成膜装置１０１～１０３のいずれかと同じ装置であってもよく、別の処理を行う装置であってもよい。
　真空搬送室２００内は、所定の真空雰囲気に減圧されている。真空搬送室２００には、減圧状態でウエハＷを搬送可能な搬送機構２０１が設けられている。搬送機構２０１は、成膜装置１０１～１０４、ロードロック室３０１～３０３に対して、ウエハＷを搬送する。搬送機構２０１は、例えば２つの搬送アーム２０２ａ，２０２ｂを有する。
　ロードロック室３０１～３０３は、それぞれゲートバルブＧ２１～Ｇ２３を介して真空搬送室２００と接続され、ゲートバルブＧ３１～Ｇ３３を介して大気搬送室４００と接続されている。ロードロック室３０１～３０３内は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるようになっている。
　大気搬送室４００内は、大気雰囲気となっており、例えば清浄空気のダウンフローが形成されている。大気搬送室４００内には、ウエハＷのアライメントを行うアライナ４０１が設けられている。また、大気搬送室４００には、搬送機構４０２が設けられている。搬送機構４０２は、ロードロック室３０１～３０３、後述するロードポート５０１，５０２のキャリアＣ、アライナ４０１に対して、ウエハＷを搬送する。
　ロードポート５０１～５０３は、大気搬送室４００の長辺の壁面に設けられている。ロードポート５０１～５０３は、ウエハＷが収容されたキャリアＣ又は空のキャリアＣが取り付けられる。キャリアＣとしては、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を利用できる。
　全体制御部６００は、基板処理システムの各部を制御する。例えば、全体制御部６００は、成膜装置１０１～１０４の動作、搬送機構２０１，４０２の動作、ゲートバルブＧ１１～Ｇ１４，Ｇ２１～Ｇ２３，Ｇ３１～Ｇ３３の開閉、ロードロック室３０１～３０３内の雰囲気の切り替え等を実行する。全体制御部６００は、例えばコンピュータであってよい。
　次に、成膜装置１０１の構成例について説明する。成膜装置１０１は、減圧状態の処理容器内でＡＬＤ法又はＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する第１の成膜装置の一例である。図２は、成膜装置１０１の構成例を示す概略図である。
　図２に示されるように、成膜装置１０１は、処理容器１と、載置台２と、シャワーヘッド３と、排気部４と、ガス供給機構６と、制御部９とを有している。
　処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器１は、ウエハＷを収容する。処理容器１の側壁にはウエハＷを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成され、搬入出口１１はゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と天壁１４との間はシールリング１５で気密に封止されている。区画部材１６は、載置台２（およびカバー部材２２）が後述する処理位置へと上昇した際、処理容器１の内部を上下に区画する。
　載置台２は、処理容器１内でウエハＷを水平に支持する。載置台２は、ウエハＷに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材２３に支持されている。載置台２は、ＡｌＮ等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部にウエハＷを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、ウエハＷが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
　載置台２の底面には、載置台２を支持する支持部材２３が設けられている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図２で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示すウエハＷの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられており、処理容器１の底面と鍔部２５の間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２６が設けられている。
　処理容器１の底面の近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２７が設けられている。ウエハ支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。ウエハ支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２７を昇降させることにより、搬送機構（図示せず）と載置台２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
　シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、金属製であり、載置台２に対向するように設けられており、載置台２とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド３は、処理容器１の天壁１４に固定された本体部３１と、本体部３１の下に接続されたシャワープレート３２とを有している。本体部３１とシャワープレート３２との間にはガス拡散空間３３が形成されており、ガス拡散空間３３には処理容器１の天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６，３７が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には下方に突出する環状突起部３４が形成されている。環状突起部３４の内側の平坦面には、ガス吐出孔３５が形成されている。載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。
　排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気部４は、排気口１３ｂに接続された排気配管４１と、排気配管４１に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構４２とを有する。処理に際しては、処理容器１内のガスがスリット１３ａを介して排気ダクト１３に至り、排気ダクト１３から排気配管４１を通って排気機構４２により排気される。
　ガス供給機構６は、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構６は、ＷＣｌｘガス供給源６１ａ、Ｎ２ガス供給源６２ａ、Ｎ２ガス供給源６３ａ、Ｈ２ガス供給源６４ａ、Ｈ２ガス供給源６５ａ、Ｎ２ガス供給源６６ａ、Ｎ２ガス供給源６７ａを有する。
　ＷＣｌｘガス供給源６１ａは、ガス供給ライン６１ｂを介してＷＣｌｘガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６１ｂには、上流側から流量制御器６１ｃ、貯留タンク６１ｄ及びバルブ６１ｅが介設されている。ガス供給ライン６１ｂのバルブ６１ｅの下流側は、ガス導入孔３６に接続されている。ＷＣｌｘガス供給源６１ａから供給されるＷＣｌｘガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク６１ｄで一旦貯留され、貯留タンク６１ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク６１ｄから処理容器１へのＷＣｌｘガスの供給及び停止は、バルブ６１ｅの開閉により行われる。このように貯留タンク６１ｄへＷＣｌｘガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のＷＣｌｘガスを処理容器１内に安定して供給できる。
　Ｎ２ガス供給源６２ａは、ガス供給ライン６２ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６２ｂには、上流側から流量制御器６２ｃ、貯留タンク６２ｄ及びバルブ６２ｅが介設されている。ガス供給ライン６２ｂのバルブ６２ｅの下流側は、ガス供給ライン６１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源６２ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク６２ｄで一旦貯留され、貯留タンク６２ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク６２ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ６２ｅの開閉により行われる。このように貯留タンク６２ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のＮ２ガスを処理容器１内に安定して供給できる。
　Ｎ２ガス供給源６３ａは、ガス供給ライン６３ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６３ｂには、上流側から流量制御器６３ｃ、バルブ６３ｅ及びオリフィス６３ｆが介設されている。ガス供給ライン６３ｂのオリフィス６３ｆの下流側は、ガス供給ライン６１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源６３ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源６３ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ６３ｅの開閉により行われる。貯留タンク６１ｄ，６２ｄによってガス供給ライン６１ｂ，６２ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス６３ｆによってガス供給ライン６１ｂ，６２ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン６３ｂに逆流することが抑制される。
　Ｈ２ガス供給源６４ａは、ガス供給ライン６４ｂを介して添加還元ガスであるＨ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６４ｂには、上流側から流量制御器６４ｃ、バルブ６４ｅ及びオリフィス６４ｆが介設されている。ガス供給ライン６４ｂのオリフィス６４ｆの下流側は、ガス導入孔３７に接続されている。Ｈ２ガス供給源６４ａから供給されるＨ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｈ２ガス供給源６４ａから処理容器１へのＨ２ガスの供給及び停止は、バルブ６４ｅの開閉により行われる。貯留タンク６５ｄ，６６ｄによってガス供給ライン６５ｂ，６６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス６４ｆによってガス供給ライン６５ｂ，６６ｂに供給されるガスがＨ２ガス供給ライン６４ｂに逆流することが抑制される。
　Ｈ２ガス供給源６５ａは、ガス供給ライン６５ｂを介して還元ガスであるＨ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６５ｂには、上流側から流量制御器６５ｃ、貯留タンク６５ｄ及びバルブ６５ｅが介設されている。ガス供給ライン６５ｂのバルブ６５ｅの下流側は、ガス供給ライン６４ｂに接続されている。Ｈ２ガス供給源６５ａから供給されるＨ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク６５ｄで一旦貯留され、貯留タンク６５ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク６５ｄから処理容器１へのＨ２ガスの供給及び停止は、バルブ６５ｅの開閉により行われる。このように貯留タンク６５ｄへＨ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のＨ２ガスを処理容器１内に安定して供給できる。
　Ｎ２ガス供給源６６ａは、ガス供給ライン６６ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６６ｂには、上流側から流量制御器６６ｃ、貯留タンク６６ｄ及びバルブ６６ｅが介設されている。ガス供給ライン６６ｂのバルブ６６ｅの下流側は、ガス供給ライン６４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源６６ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク６６ｄで一旦貯留され、貯留タンク６６ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク６６ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ６６ｅの開閉により行われる。このように貯留タンク６６ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のＮ２ガスを処理容器１内に安定して供給できる。
　Ｎ２ガス供給源６７ａは、ガス供給ライン６７ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６７ｂには、上流側から流量制御器６７ｃ、バルブ６７ｅ及びオリフィス６７ｆが介設されている。ガス供給ライン６７ｂのオリフィス６７ｆの下流側は、ガス供給ライン６４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源６７ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源６７ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ６７ｅの開閉により行われる。貯留タンク６５ｄ，６６ｄによってガス供給ライン６５ｂ，６６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス６７ｆによってガス供給ライン６５ｂ，６６ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン６７ｂに逆流することが抑制される。
　制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、成膜装置１０１の動作を制御する。制御部９は、成膜装置１０１の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部９が成膜装置１０１の外部に設けられている場合、制御部９は、有線又は無線等の通信手段によって、成膜装置１０１を制御できる。
　次に、成膜装置１０２の構成例について説明する。成膜装置１０２は、減圧状態の処理容器内でＡＬＤ法又はＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する第２の成膜装置の一例である。図３は、成膜装置１０２の構成例を示す概略図である。
　図３に示されるように、成膜装置１０２は、成膜装置１０１におけるガス供給機構６に代えてガス供給機構６Ａを有している点で成膜装置１０１と異なる。なお、その他の点については成膜装置１０１と同様であるので、成膜装置１０１と異なる点を中心に説明する。
　ガス供給機構６Ａは、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構６Ａは、ＷＦ６ガス供給源６８ａ、Ｎ２ガス供給源６２ａ、Ｎ２ガス供給源６３ａ、Ｂ２Ｈ６ガス供給源６９ａ、Ｎ２ガス供給源６６ａ、及びＮ２ガス供給源６７ａを有する。
　ＷＦ６ガス供給源６８ａは、ガス供給ライン６８ｂを介してＷＦ６ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６８ｂには、上流側から流量制御器６８ｃ、貯留タンク６８ｄ及びバルブ６８ｅが介設されている。ガス供給ライン６８ｂのバルブ６８ｅの下流側は、ガス導入孔３６に接続されている。ＷＦ６ガス供給源６８ａから供給されるＷＦ６ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク６８ｄで一旦貯留され、貯留タンク６８ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク６８ｄから処理容器１へのＷＦ６ガスの供給及び停止は、バルブ６８ｅの開閉により行われる。このように貯留タンク６８ｄへＷＦ６ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のＷＦ６ガスを処理容器１内に安定して供給できる。
　ガス供給ライン６２ｂのバルブ６２ｅの下流側は、ガス供給ライン６８ｂに接続されている。ガス供給ライン６３ｂのオリフィス６３ｆの下流側は、ガス供給ライン６８ｂに接続されている。なお、Ｎ２ガス供給源６２ａ及びＮ２ガス供給源６３ａの構成は、成膜装置１０１のガス供給機構６と同様であり、重複する説明を省略する。
　Ｂ２Ｈ６ガス供給源６９ａは、ガス供給ライン６９ｂを介して還元ガスであるＢ２Ｈ６ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６９ｂには、上流側から流量制御器６９ｃ、貯留タンク６９ｄ及びバルブ６９ｅが介設されている。ガス供給ライン６９ｂのバルブ６９ｅの下流側は、ガス導入孔３７に接続されている。Ｂ２Ｈ６ガス供給源６９ａから供給されるＢ２Ｈ６ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク６９ｄで一旦貯留され、貯留タンク６９ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク６９ｄから処理容器１へのＢ２Ｈ６ガスの供給及び停止は、バルブ６９ｅの開閉により行われる。このように貯留タンク６９ｄへＢ２Ｈ６ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のＢ２Ｈ６ガスを処理容器１内に安定して供給できる。
　ガス供給ライン６６ｂのバルブ６６ｅの下流側は、ガス供給ライン６９ｂに接続されている。ガス供給ライン６７ｂのオリフィス６７ｆの下流側は、ガス供給ライン６９ｂに接続されている。なお、Ｎ２ガス供給源６６ａ及びＮ２ガス供給源６７ａの構成は、成膜装置１０１のガス供給機構６と同様であり、重複する説明を省略する。
　次に、成膜装置１０３の構成例について説明する。成膜装置１０３は、減圧状態の処理容器内でＡＬＤ法又はＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する第３の成膜装置の一例である。図４は、成膜装置１０３の構成例を示す概略図である。
　図４に示されるように、成膜装置１０３は、成膜装置１０１におけるガス供給機構６に代えてガス供給機構６Ｂを有している点で成膜装置１０１と異なる。なお、その他の点については成膜装置１０１と同様であるので、成膜装置１０１と異なる点を中心に説明する。
　ガス供給機構６Ｂは、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構６Ｂは、ＷＦ６ガス供給源６８ａ、Ｎ２ガス供給源６２ａ、Ｎ２ガス供給源６３ａ、Ｈ２ガス供給源６４ａ、Ｈ２ガス供給源６５ａ、Ｎ２ガス供給源６６ａ、Ｎ２ガス供給源６７ａを有する。なお、ＷＦ６ガス供給源６８ａ、Ｎ２ガス供給源６２ａ、Ｎ２ガス供給源６３ａ、Ｈ２ガス供給源６４ａ、Ｈ２ガス供給源６５ａ、Ｎ２ガス供給源６６ａ、Ｎ２ガス供給源６７ａの構成は、成膜装置１０１のガス供給機構６及び成膜装置１０２のガス供給機構６Ａと同様であり、重複する説明を省略する。
　次に、成膜装置１０１の動作の一例について、ＡＬＤプロセスによりタングステン膜を成膜する場合を例に図５を用いて説明する。
　図５に示されるＡＬＤプロセスは、ＷＣｌｘガスを供給する工程Ｓ５０１、Ｎ２ガスを供給する工程Ｓ５０２、Ｈ２ガスを供給する工程Ｓ５０３、及びＮ２ガスを供給する工程Ｓ５０４を所定サイクル繰り返し、ＷＣｌｘガスとＨ２ガスを交互に供給して基板Ｗの上に所望の膜厚のタングステン膜を形成するプロセスである。なお、図５では、１サイクルのみを示す。
　ＷＣｌｘガスを供給する工程Ｓ５０１は、ＷＣｌｘガスを処理空間３８に供給する工程である。ＷＣｌｘガスを供給する工程Ｓ５０１では、まず、バルブ６３ｅ，６７ｅを開いた状態で、Ｎ２ガス供給源６３ａ，６７ａから、ガス供給ライン６３ｂ，６７ｂを経てＮ２ガス（キャリアＮ２ガス）を供給する。また、バルブ６１ｅを開くことにより、ＷＣｌｘガス供給源６１ａからガス供給ライン６１ｂを経てＷＣｌｘガスを処理容器１内の処理空間３８に供給する。このとき、ＷＣｌｘガスは、貯留タンク６１ｄに一旦貯留された後に処理容器１内に供給される。また、バルブ６４ｅを開くことにより、Ｈ２ガスを処理空間３８に供給する。ＷＣｌｘガスを供給する工程５０１において、ＷＣｌｘガスと同時に添加還元ガスとしてＨ２ガスを供給することにより、供給されたＷＣｌｘガスが活性化され、その後のＨ２ガスを供給する工程５０３の際の成膜反応が生じやすくなる。そのため、高いステップカバレッジを維持し、且つ１サイクルあたりの堆積膜厚を厚くして成膜速度を大きくすることができる。添加還元ガスとしてのＨ２ガスの流量としては、ＷＣｌｘガスを供給する工程５０１においてＣＶＤ反応が生じない程度の流量とすることができる。
　Ｎ２ガスを供給する工程Ｓ５０２は、処理空間３８の余剰のＷＣｌｘガス等をパージする工程である。Ｎ２ガスを供給する工程Ｓ５０２では、ガス供給ライン６３ｂ，６７ｂを介してのＮ２ガス（キャリアＮ２ガス）の供給を継続した状態で、バルブ６１ｅを閉じてＷＣｌｘガスの供給を停止する。また、バルブ６２ｅ，６６ｅを開く。これにより、Ｎ２ガス供給源６２ａ，６６ａからガス供給ライン６２ｂ，６６ｂを経てＮ２ガス（パージＮ２ガス）を処理容器１内の処理空間３８に供給する。このとき、Ｎ２ガスは、貯留タンク６２ｄ，６６ｄに一旦貯留された後に処理容器１内に供給されるので、比較的大きい流量を供給することができる。これにより、処理空間３８の余剰のＷＣｌｘガス等をパージする。
　Ｈ２ガスを供給する工程Ｓ５０３は、Ｈ２ガスを処理空間３８に供給する工程である。Ｈ２ガスを供給する工程Ｓ５０３では、ガス供給ライン６３ｂ，６７ｂを介してＮ２ガス（キャリアＮ２ガス）の供給を継続した状態で、バルブ６５ｅを開く。これにより、Ｈ２ガス供給源６５ａからガス供給ライン６５ｂを経てＨ２ガスを処理空間３８に供給する。このとき、Ｈ２ガスは、貯留タンク６５ｄに一旦貯留された後に処理容器１内に供給される。Ｈ２ガスを供給する工程Ｓ５０３により、基板Ｗ上に吸着したＷＣｌｘが還元される。このときのＨ２ガスの流量は、十分に還元反応が生じる量とすることができる。なお、ガス供給ライン６４ｂにより処理空間３８に供給されるＨ２ガスの流量は、ガス供給ライン６５ｂにより処理空間３８に供給されるＨ２ガスの流量よりも小さい。
　Ｎ２ガスを供給する工程Ｓ５０４は、処理空間３８の余剰のＨ２ガスをパージする工程である。Ｎ２ガスを供給する工程Ｓ５０４では、ガス供給ライン６３ｂ，６７ｂを介してのＮ２ガス（キャリアＮ２ガス）の供給を継続した状態で、バルブ６５ｅを閉じてＨ２ガスの供給を停止する。また、バルブ６２ｅ，６６ｅを開く。これにより、Ｎ２ガス供給源６２ａ，６６ａからガス供給ライン６２ｂ，６６ｂを経てＮ２ガス（パージＮ２ガス）を処理容器１内の処理空間３８に供給する。このとき、Ｎ２ガスは、貯留タンク６２ｄ，６６ｄに一旦貯留された後に処理容器１内に供給されるので、比較的大きい流量を供給することができる。これにより、処理空間３８の余剰のＨ２ガス等をパージする。
　以上のサイクルを繰り返すことで、ウェハＷにタングステン膜を成膜する。
　以上、図５を用いて成膜装置１０１の動作の一例について説明した。成膜装置１０２の動作の一例は、図５において、括弧内に示すように、原料ガスＷＣｌｘからＷＦ６と読み替えて、還元ガスをＨ２からＢ２Ｈ６に読み替えて、常時供給される添加還元ガスのＨ２がないものとして読み替えればよい。また、成膜装置１０３の動作の一例は、図５において、原料ガスＷＣｌｘからＷＦ６と読み替えればよい。
　〔基板処理システムの動作〕
　次に、基板処理システムの動作の一例について図１、図６及び図７を用いて説明する。図６は、基板処理システムの動作の一例を示すフローチャートである。図７は、基板処理システムによってタングステン膜が成膜されたウェハＷの一例である。
　ステップＳ１０１において、基板Ｗを準備する。例えば、ロードポート５０１のキャリアＣに収容されたウエハＷを準備する。ここで、ウェハＷは、図７に示すように、ＳＩＯ２層７０１の上に、ＡｌＯ膜７０２及びＴｉＮ膜７０３が成膜されている。
　ステップＳ１０２において、ＷＣｌｘガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０４を成膜する。具体的には、まず、全体制御部６００は、ゲートバルブＧ３１を開けると共に、搬送機構４０２を制御して、例えばロードポート５０１のキャリアＣに収容されたウエハＷをアライナ４０１を介してロードロック室３０１に搬送させる。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ３１を閉じ、ロードロック室３０１内を真空雰囲気とする。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１１，Ｇ２１を開けると共に、搬送機構２０１を制御して、ロードロック室３０１のウエハＷを成膜装置１０１に搬送させる。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１１，Ｇ２１を閉じ、成膜装置１０１を動作させる。これにより、成膜装置１０１でウエハＷにタングステン膜を形成する処理を施す。
　ここで、ステップＳ１０２におけるＷＣｌｘガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０４の成膜条件の好ましい範囲を以下に示す。
温度：２５０～６００℃
圧力：０．１～５０Ｔｏｒｒ
ＷＣｌｘガス流量：１０～２０００ｍｇ/ｍｉｎ
キャリアガス（Ｎ２）流量：５００～３００００ｓｃｃｍ
パージガス（Ｎ２）流量：０～２００００ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス流量：５００～２００００ｓｃｃｍ
ＷＣｌｘガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
Ｈ２ガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
　ステップＳ１０３において、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０６を成膜する。具体的には、全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１１，Ｇ１２を開けると共に、搬送機構２０１を制御して、成膜装置１０１にて処理されたウエハＷを成膜装置１０３に搬送させる。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１２，Ｇ１３を閉じ、成膜装置１０３を動作させる。これにより、成膜装置１０３でウエハＷにタングステン膜を形成する処理を施す。
　ここで、ステップＳ１０３におけるＷＦ６ガスとＨ２ガスをいたタングステン膜７０６の成膜条件の好ましい範囲を以下に示す。
温度：２５０～５５０℃
圧力：０．１～１０Ｔｏｒｒ
ＷＦ６ガス流量：１００～５００ｓｃｃｍ
キャリアガス（Ｎ２）流量：３０００～３００００ｓｃｃｍ
パージガス（Ｎ２）流量：１０００～１００００ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス流量：１０００～１００００ｓｃｃｍ
ＷＦ６ガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
Ｈ２ガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
　続いて、全体制御部６００は、成膜装置１０３にて処理されたウエハＷを、搬送機構２０１を制御して、例えばロードロック室３０３に搬送させる。全体制御部６００は、ロードロック室３０３内を大気雰囲気とする。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ３３を開けると共に、搬送機構４０２を制御して、ロードロック室３０３のウエハＷを例えばロードポート５０３のキャリアＣに搬送して収容させる。
　このように、図１に示す基板処理システムによれば、各成膜装置によってウエハＷに処理が施される間、ウエハＷを大気に曝露することなく、つまり、真空を破らずにウエハＷに所定の処理を施すことができる。
　次に、基板処理システムの動作の他の一例について図１、図８及び図９を用いて説明する。図８は、基板処理システムの動作の他の一例を示すフローチャートである。図９は、基板処理システムによってタングステン膜が成膜されたウェハＷの他の一例である。
　ステップＳ２０１において、基板Ｗを準備する。例えば、ロードポート５０１のキャリアＣに収容されたウエハＷを準備する。ここで、ウェハＷは、図９に示すように、ＳＩＯ２層７０１の上に、ＡｌＯ膜７０２及びＴｉＮ膜７０３が成膜されている。
　ステップＳ２０２において、ＷＣｌｘガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０４を成膜する。具体的には、まず、全体制御部６００は、ゲートバルブＧ３１を開けると共に、搬送機構４０２を制御して、例えばロードポート５０１のキャリアＣに収容されたウエハＷをアライナ４０１を介してロードロック室３０１に搬送させる。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ３１を閉じ、ロードロック室３０１内を真空雰囲気とする。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１１，Ｇ２１を開けると共に、搬送機構２０１を制御して、ロードロック室３０１のウエハＷを成膜装置１０１に搬送させる。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１１，Ｇ２１を閉じ、成膜装置１０１を動作させる。これにより、成膜装置１０１でウエハＷにタングステン膜を形成する処理を施す。
　ここで、ステップＳ２０２におけるＷＣｌｘガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０４の成膜条件の好ましい範囲を以下に示す。
温度：２５０～６００℃
圧力：０．１～５０Ｔｏｒｒ
ＷＣｌｘガス流量：１０～２０００ｍｇ/ｍｉｎ
キャリアガス（Ｎ２）流量：５００～３００００ｓｃｃｍ
パージガス（Ｎ２）流量：０～２００００ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス流量：５００～２００００ｓｃｃｍ
ＷＣｌｘガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
Ｈ２ガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
　ステップＳ２０３において、ＷＦ６ガスとＢ２Ｈ６ガスを用いたタングステン膜７０５を成膜する。具体的には、全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１１，Ｇ１２を開けると共に、搬送機構２０１を制御して、成膜装置１０１にて処理されたウエハＷを成膜装置１０２に搬送させる。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１１，Ｇ１２を閉じ、成膜装置１０２を動作させる。これにより、成膜装置１０２でウエハＷにタングステン膜を形成する処理を施す。
　ここで、ステップＳ２０３におけるＷＦ６ガスとＢ２Ｈ６ガスを用いたタングステン膜７０５の成膜条件の好ましい範囲を以下に示す。なお、還元ガスとしてのＢ２Ｈ６ガスは、ＳｉＨ４ガスであってもよい。
温度：１５０～５５０℃
圧力：０．１～５０Ｔｏｒｒ
ＷＦ６ガス流量：１０～５００ｓｃｃｍ
キャリアガス（Ｎ２）流量：３０００～３００００ｓｃｃｍ
パージガス（Ｎ２）流量：１０００～１００００ｓｃｃｍ
ＳｉＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６ガス流量：１０～１０００ｓｃｃｍ
ＷＦ６ガス供給時間：０．０５～５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～５秒
ＳｉＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６ガス供給時間：０．０５～５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～５秒
　ステップＳ２０４において、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０６を成膜する。具体的には、全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１２，Ｇ１３を開けると共に、搬送機構２０１を制御して、成膜装置１０２にて処理されたウエハＷを成膜装置１０３に搬送させる。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ１２，Ｇ１３を閉じ、成膜装置１０３を動作させる。これにより、成膜装置１０３でウエハＷにタングステン膜を形成する処理を施す。
　ここで、ステップＳ２０４におけるＷＦ６ガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０６の成膜条件の好ましい範囲を以下に示す。
温度：２５０～５５０℃
圧力：０．１～１０Ｔｏｒｒ
ＷＦ６ガス流量：１００～５００ｓｃｃｍ
キャリアガス（Ｎ２）流量：３０００～３００００ｓｃｃｍ
パージガス（Ｎ２）流量：１０００～１００００ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス流量：１０００～１００００ｓｃｃｍ
ＷＦ６ガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
Ｈ２ガス供給時間：０．０５～１５秒
パージガス（Ｎ２）供給時間：０．０５～１５秒
　続いて、全体制御部６００は、成膜装置１０３にて処理されたウエハＷを、搬送機構２０１を制御して、例えばロードロック室３０３に搬送させる。全体制御部６００は、ロードロック室３０３内を大気雰囲気とする。全体制御部６００は、ゲートバルブＧ３３を開けると共に、搬送機構４０２を制御して、ロードロック室３０３のウエハＷを例えばロードポート５０３のキャリアＣに搬送して収容させる。
　このように、図１に示す基板処理システムによれば、各成膜装置によってウエハＷに処理が施される間、ウエハＷを大気に曝露することなく、つまり、真空を破らずにウエハＷに所定の処理を施すことができる。
　〔評価〕
　次に、積層膜におけるフッ素（Ｆ）の拡散状態について図１０を用いて説明する。図１０は、積層膜におけるフッ素濃度を示すグラフである。ここでは、図６に示す処理によって、図７に示すタングステン膜の積層膜を成膜する。横軸はタングステン膜の表面からの深さを示し、縦軸はフッ素濃度を示す。ここでは、ＳｉＯ２層７０１の上に５ｎｍのＴｉＮ膜７０３が成膜されたウェハＷの上に、１５ｎｍのタングステン膜を成膜した。
　なお、一点鎖線は、ＴｉＮ膜７０３上に、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０６を１５ｎｍ成膜した場合を示す。破線は、ＴｉＮ膜７０３上にＷＣｌｘガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０４を３ｎｍ成膜した後に、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０６を１２ｎｍ成膜した場合を示す。実線は、ＴｉＮ膜７０３上にＷＣｌｘガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０４を５ｎｍ成膜した後に、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを用いたタングステン膜７０６を１０ｎｍ成膜した場合を示す。
　図１０のグラフに示すように、主タングステン膜であるタングステン膜７０６と、ＴｉＮ膜７０３との間に、フッ素を含まないガスを用いるタングステン膜７０４を成膜することにより、ＴｉＮ膜７０３及びＳｉＯ２層７０１へのフッ素の拡散を抑制することができる。また、タングステン膜７０４の膜厚を増加させることにより、フッ素の拡散を更に抑制することができる。
　次に、積層されたタングステン膜における抵抗について図１１を用いて説明する。図１１は、タングステン膜７０５の膜厚を変化させた場合におけるタングステン膜の膜厚と、比抵抗との関係を示すグラフである。ここでは、図８に示す処理によって、図９に示すタングステン膜の積層膜を成膜する。横軸は、積層されたタングステン膜の膜厚（タングステン膜７０４～７０６の合計膜厚）を示し、縦軸は、積層されたタングステン膜の比抵抗を示す。ここでは、タングステン膜７０４の膜厚を４ｎｍとした。また、タングステン膜７０５の膜厚を０ｎｍ，１ｎｍ，２ｎｍ，３ｎｍのそれぞれについて測定した。
　タングステン膜７０４におけるタングステンの結晶粒の大きさ（グレインサイズ）は、下地膜であるＴｉＮ膜７０３におけるＴｉＮの結晶性を反映して、小さくなる。
　タングステン膜７０４の上にタングステン膜７０６を成膜する場合（即ち、タングステン膜７０５の膜厚が０ｎｍ）においては、タングステン膜７０６におけるグレインサイズは、下地膜であるタングステン膜７０４の結晶性を反映して、小さくなる。このため、図１１に示すように、比抵抗は大きくなる。
　これに対し、タングステン膜７０４とタングステン膜７０６との間に、結晶性をキャンセルするための核生成膜であるタングステン膜７０５を設ける。タングステン膜７０５を設けることにより、下地膜であるタングステン膜７０４の結晶性をキャンセルして、主タングステン膜であるタングステン膜７０６におけるグレインサイズを大きくすることができる。また、主タングステン膜（タングステン膜７０６）のグレインサイズを大きくすることにより、比抵抗を低減することができる。
　図１１に示すように、タングステン膜７０５の膜厚が１ｎｍにおいて、０ｎｍの場合と比較して、比抵抗を低減することができる。ここで、タングステン膜７０５の膜厚を更に小さくすると、下地膜であるタングステン膜７０４の結晶性をキャンセルする効果が薄くなり、タングステン膜の抵抗値減少の効果が小さくなる。
　タングステン膜７０５の膜厚が２ｎｍにおいて、下地膜であるタングステン膜７０４の結晶性をキャンセルする効果を有する。また、図１１に示すように、タングステン膜の抵抗値減少の効果が得られる。
　図１１に示すように、タングステン膜７０５の膜厚が３ｎｍにおいて、０ｎｍの場合と比較して、比抵抗を低減することができる。ここで、タングステン膜７０５中の不純物（Ｂ）により、タングステン膜７０５の抵抗は、タングステン膜７０６よりも高くなる。このため、タングステン膜７０５の膜厚を更に大きくすると、タングステン膜の抵抗値減少の効果が小さくなる。
　即ち、タングステン膜７０５の膜厚を１ｎｍ以上、３ｎｍ以下とすることにより、下地膜であるタングステン膜７０４の結晶性をキャンセルする効果を有するとともに、タングステン膜の抵抗値減少の効果を得ることができる。例えばＷ膜厚１５ｎｍで比較したときの比抵抗の減少は、核生成膜（タングステン膜７０５）１ｎｍで約６％、２ｎｍで約３３％、３ｎｍで約９％の低抵抗化ができる。
　図１２は、タングステン膜７０５の成膜温度を変化させた場合におけるタングステン膜の膜厚と、比抵抗との関係を示すグラフである。横軸は、積層されたタングステン膜の膜厚を示し、縦軸は、積層されたタングステン膜全体の比抵抗を示す。ここでは、タングステン膜７０５の成膜時における処理温度を２００℃（Low temp），２６０℃（Mid temp）のそれぞれについて測定した。また、一点鎖線の比較例の処理温度を３００℃として測定した。
　タングステン膜７０５の成膜時における処理温度を２００℃とした場合、結晶性をキャンセルする効果が薄くなる。このため、図１２に示すように、タングステン膜の抵抗値減少の効果が小さくなる。
　タングステン膜７０５の成膜時における処理温度を２６０℃とした場合、結晶性をキャンセルする効果を有する。また、図１２に示すように、タングステン膜の抵抗値減少の効果が得られる。
　即ち、タングステン膜７０５の成膜時における処理温度を２４０℃以上３００℃以下とすることにより、結晶性をキャンセルする効果を有するとともに、タングステン膜の抵抗値減少の効果を得ることができる。
　以上、本実施形態に係る基板処理システムによるタングステン膜の成膜方法によれば、フッ素の拡散を抑制するバリア性と、タングステン膜の低抵抗化を両立させることができる。
　以上、成膜装置１０１～１０３による本実施形態の成膜方法について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
　基板Ｗの下地膜は、ＴｉＮ膜であるものとして説明したが、これに限られるものではなく、ＴｉＳｉＮ膜、ＴｉＡｌＮ膜のいずれかであってもよい。
　還元ガスは、Ｈ２ガス及びＢ２Ｈ６ガスであるものとして説明したが、これに限られるものではなく、Ｈ２ガス、Ｂ２Ｈ６ガス、ＮＨ３ガス、ＰＨ３ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス、ＳｉＨ４ガスのうちいずれかであってもよい。
　主タングステン膜であるタングステン膜７０６を成膜する成膜装置１０３において、還元ガスとしてＨ２ガスを用いる場合を例に挙げて説明したが、水素を含む還元性のガスであればよく、Ｈ２ガスの他に、ＳｉＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６ガス、ＮＨ３ガス等を用いることもできる。Ｈ２ガス、ＳｉＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６ガス、及びＮＨ３ガスのうち２つ以上を供給できるようにしてもよい。また、これら以外の他の還元ガス、例えばＰＨ３ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスを用いてもよい。膜中の不純物をより低減して低抵抗値を得る観点からは、Ｈ２ガスを用いることが好ましい。さらに、パージガス及びキャリアガスとしてＮ２ガスの代わりにＡｒガス等の他の不活性ガスを用いることもできる。
　尚、本願は、２０１９年９月４日に出願した日本国特許出願２０１９－１６１４９２号に基づく優先権を主張するものであり、これらの日本国特許出願の全内容を本願に参照により援用する。
Ｗ　　　　　ウエハ（基板）
１　　　　　処理容器
２　　　　　載置台
６，６Ａ，６Ｂ　ガス供給機構
９　　　　　制御部
３８　　　　処理空間
６１ａ　　　ＷＣｌｘガス供給源
６２ａ　　　Ｎ２ガス供給源
６３ａ　　　Ｎ２ガス供給源
６４ａ　　　Ｈ２ガス供給源
６５ａ　　　Ｈ２ガス供給源
６６ａ　　　Ｎ２ガス供給源
６７ａ　　　Ｎ２ガス供給源
６８ａ　　　ＷＦ６ガス供給源
６９ａ　　　Ｂ２Ｈ６ガス供給源
１０１～１０４　成膜装置
２００　　　真空搬送室
２０１　　　搬送機構
６００　　　全体制御部
７０３　　　ＴｉＮ膜（下地膜）
７０４　　　タングステン膜（第１タングステン膜）
７０５　　　タングステン膜（第２タングステン膜、核生成膜）
７０６　　　タングステン膜（第２タングステン膜、主タングステン膜）

Claims (12)

  1. 　下地膜が形成された基板上に、第１タングステン含有ガスを用いて第１タングステン膜を成膜する工程と、
    　前記第１タングステン膜の上に、第２タングステン含有ガスを用いて第２タングステン膜を成膜する工程と、を有し、
    前記第１タングステン含有ガスと前記第２タングステン含有ガスとは異なるガスである、
    基板処理方法。
  2. 　前記第１タングステン含有ガスは、塩化タングステン含有ガスであり、
    　前記第２タングステン含有ガスは、フッ化タングステン含有ガスである、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記第１タングステン膜を成膜する工程は、
    　前記第１タングステン含有ガスである塩化タングステン含有ガスと、第１還元ガスである水素含有ガスと、を交互に供給して前記第１タングステン膜を成膜する、
    請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記第２タングステン膜を成膜する工程は、
    　前記第１タングステン膜の上に、核生成膜を成膜する工程と、
    　前記核生成膜の上に、主タングステン膜を成膜する工程と、を有する、
    請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 　前記核生成膜を成膜する工程は、
    　前記第２タングステン含有ガスであるフッ化タングステン含有ガスと、第２還元ガスである水素含有ガスと、を交互に供給して前記核生成膜を成膜する、
    請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 　前記主タングステン膜を成膜する工程は、
    　前記第２タングステン含有ガスであるフッ化タングステン含有ガスと、前記第２還元ガスとは異なる第３還元ガスである水素含有ガスと、を交互に供給して前記主タングステン膜を成膜する、
    請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 　前記第１還元ガスと、前記第３還元ガスとは、同じ種類のガスである、
    請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 　前記水素含有ガスは、Ｈ２ガス、Ｂ２Ｈ６ガス、ＮＨ３ガス、ＰＨ３ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス、ＳｉＨ４ガスのうちいずれかである、
    請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 　前記下地膜は、ＴｉＮ膜、ＴｉＳｉＮ膜、ＴｉＡｌＮ膜のいずれかである、
    請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  10. 　前記第１タングステン膜を成膜する工程と前記第２タングステン膜を成膜する工程とは、
    　真空を破ることなく処理される、
    請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  11. 　下地膜が形成された基板上に、第１タングステン含有ガスを用いて第１タングステン膜を成膜する第１の成膜装置と、
    　前記第１タングステン膜の上に、第２タングステン含有ガスを用いて第２タングステン膜を成膜する第２の成膜装置と、を有し、
    前記第１タングステン含有ガスと前記第２タングステン含有ガスとは異なるガスである、
    基板処理装置。
  12. 　前記第２の成膜装置は、
    　前記第１タングステン膜の上に、核生成膜を成膜する第３の成膜装置と、
    　前記核生成膜の上に、主タングステン膜を成膜する第４の成膜装置と、を有する、
    請求項１１に記載の基板処理装置。
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