WO2021033758A1 - ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法 Download PDF

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WO2021033758A1
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glass
face
heating
manufacturing
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利雄 滝澤
修平 東
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Hoya株式会社
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    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a glass plate including chamfering of the end face of the glass plate, a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk, and a method for manufacturing a magnetic disk.
  • a magnetic disk in which a magnetic film is provided on a glass substrate for a magnetic disk made of a ring-shaped non-magnetic material is used.
  • the end face of the annular glass plate which is the base of the glass substrate for the magnetic disk, which is the final product, has fine particles adhering to the main surface and adversely affects the performance of the magnetic disk. It is preferable to smooth the surface of the end face where particles are likely to be generated.
  • the glass plate is suitable for gripping a jig for gripping the outer peripheral end surface of the glass substrate when forming the magnetic film on the main surface of the glass substrate. It is preferable to align the end faces with the target shape.
  • a method for shaping the end face of the glass plate into a target shape a method of chamfering the edge of the glass plate using laser light is known. For example, while the entire glass member, which is a glass plate, is held at a predetermined temperature higher than room temperature, the irradiation spot moves along the corner portion of the glass member over at least a part of the entire length of the corner portion. As described above, by irradiating the glass plate, at least a part of the corner portion is heated to a higher temperature than the other portion to be softened and chamfered (Patent Document 1).
  • the step of keeping the entire glass member at a predetermined temperature higher than room temperature and the corner while moving the laser beam along the corner of the glass member A total of three steps are performed: a step of irradiating the portion and a step of heating the entire chamfered glass with a heater and gradually cooling it from a predetermined temperature to return it to room temperature. Therefore, the time required for chamfering becomes long, and the production efficiency of the glass plate decreases.
  • the present invention includes a chamfering process in which the production efficiency of the glass plate is improved as compared with the conventional case when the end face of the glass plate is chamfered by irradiating the laser beam to achieve the target shape of the end face. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a glass plate, a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk, and a method for manufacturing a magnetic disk.
  • One aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass plate, which includes a chamfering process in which an end surface of a disk-shaped glass plate is chamfered.
  • the chamfering process A step of arranging the glass plate so that a part of the glass plate is arranged in a heating space for heating the glass plate and the remaining part is arranged outside the heating space. While rotating the glass plate in one direction around the center of the glass plate, a part of the end face is softened by irradiating a part of the peripheral surface of the end face of the glass plate with a laser beam outside the heating space. A step of heating the softened portion of the end face that has reached the heating space by the rotation.
  • the rotation speed of the glass plate around the center is preferably lower than the rotation speed set value set according to the heating area of the main surface determined by arranging the main surface of the glass plate in the heating space. ..
  • the average coefficient of linear expansion of the glass plate in the temperature range of 100 to 300 ° C. is preferably 100 ⁇ 10-7 / ° C. or less.
  • the softened portion starts to enter the heating space before the temperature of the softened portion of the end face irradiated with the laser beam becomes less than 50 ° C. lower than the strain point temperature of the glass plate. It is preferable that the irradiation position of the laser beam on the end face is determined.
  • the area of the main surface of the glass plate arranged in the heating space is at least half the area of the main surface of the glass plate.
  • the softened portion of the end face is heated in the heating space at a temperature lower than the glass transition temperature of the glass plate.
  • the glass plate is a base plate of a glass plate for a magnetic disk.
  • Yet another aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk. After manufacturing the glass plate by the method for manufacturing the glass plate, the main surface of the glass plate is ground or polished.
  • Yet another aspect of the present invention is characterized in that a magnetic film is formed on the main surface of the glass substrate for a magnetic disk after the glass substrate for a magnetic disk is manufactured by the method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk. , A method for manufacturing a magnetic disk.
  • the chamfering device includes a laser light irradiation unit that irradiates an end face of a glass plate with a laser beam, a heating unit having a heating space for heating the end face after irradiation with the laser light, and the glass plate in the heating space.
  • a moving table for moving the mounting table on which the glass plate is placed so as to be taken in and out, and a rotary motor for rotating the glass plate on the above-mentioned table are provided.
  • a heat dissipation region of the end face heated by the irradiation of the laser light is provided between the irradiation position of the laser light and the start position of entering the heating space.
  • the end face of the glass plate is chamfered by irradiation with laser light to set the end face shape to the target shape.
  • (A) is a perspective view of an example of a glass plate manufactured by the method for manufacturing a glass plate according to an embodiment
  • (b) is a view showing an example of a cross-sectional shape of a chamfered surface
  • (c). ) Is a diagram showing an example of the shape of the end face of the glass plate before the chamfering process.
  • (A) and (b) are diagrams for explaining an example of a chamfering device that chamfers an end surface of a disk-shaped glass plate in one embodiment. It is a figure explaining the relationship between a heating area and a preferable rotation speed of a glass plate in one Embodiment.
  • the glass plate manufactured by the method for manufacturing a glass plate of one embodiment is obtained by chamfering the end face of a disk-shaped glass plate, and is used for, for example, a glass substrate for a magnetic disk.
  • FIG. 1A is a perspective view of an example of a ring-shaped glass plate manufactured by the method for manufacturing a glass plate according to the embodiment.
  • the disk-shaped glass plate is a glass plate having a circular outer circumference. Further, the disk-shaped glass plate may be a ring-shaped glass plate having a circular hole concentric with the circular circle and having an inner circumference. Therefore, the disk shape also includes an annular shape.
  • the glass plate 1 shown in FIG. 1A is an annular thin glass plate having a circular hole 3 in the center.
  • the glass plate 1 can be used as a glass substrate for a magnetic disk.
  • the size of the glass substrate for the magnetic disk is not limited, but is, for example, the size of the glass substrate for a magnetic disk having a nominal diameter of 2.5 inches or 3.5 inches.
  • the outer diameter is 65 mm or 67 mm
  • the inner diameter of the circular hole is 20 mm
  • the plate thickness is 0.3 to 1.3 mm.
  • the outer diameter is 85 to 100 mm, for example, the outer diameter is 95 mm or 97 mm, the inner diameter of the circular hole is 25 mm, and the plate thickness is 0.3 to 1. It is .3 mm.
  • FIG. 1B is a diagram showing an example of the cross-sectional shape of the chamfered surface.
  • the cross-sectional shape is the shape when the glass plate 1 is cut along the radial direction through the central axis of the glass plate.
  • the cross-sectional shape of the chamfered surface 5 is a curved surface shape formed by a smooth curve protruding outward in the radial direction.
  • FIG. 1B is a diagram showing an example of the cross-sectional shape of the chamfered surface.
  • the cross-sectional shape is the shape when the glass plate 1 is cut along the radial direction through the central axis of the glass plate.
  • the cross-sectional shape of the chamfered surface 5 is a curved surface shape formed by a smooth curve protruding outward in the radial direction.
  • FIG. 1B is a diagram showing an example of the cross-sectional shape of the chamfered surface.
  • the cross-sectional shape is the shape when the glass plate 1 is cut
  • a chamfered surface connected to each of the two main surfaces is formed in two curved shapes, and a side wall surface existing between the two chamfered surfaces is formed. It may be formed in a linear shape orthogonal to the main surface or a slightly curved curved shape.
  • the main surface of the glass plate 1 is ground and polished as necessary, and then a magnetic layer is formed on the main surface of the glass plate 1 to form a magnetic disk. ..
  • FIG. 1C is a diagram showing an example of the shape of the end face of the glass plate before chamfering.
  • the end surface 7 of the glass plate before chamfering is a surface substantially orthogonal to the main surface of the glass plate. Such a surface can form a chamfered surface 5 by irradiating such an end surface 7 with a laser beam described later.
  • the shape of the end surface 7 shown in FIG. 1 (c) is an example, and is not limited to a shape substantially orthogonal to the main surface, and has a slightly rounded corner or an inclination with respect to the main surface.
  • the cross-sectional shape of the end face 7 is approximately line-symmetrical with respect to a line that is half the thickness of the glass plate, the cross-sectional shape after chamfering surface formation is also approximately line-symmetrical. It is preferable because it tends to be.
  • the chamfering device 10 includes a heating unit 16 provided with a heating space 14 for heating a part of the ring-shaped glass plate 12 before the chamfering process, a drive unit 18 for moving the glass plate 12 in and out of the heating space 14, and laser irradiation. It includes a unit 40.
  • the heating unit 16 includes a wall 20 that forms a heating space 14, and a part of the wall 20 is opened to form an opening 21 through which the glass plate 12 can be taken in and out.
  • a heating heater 22 is provided substantially uniformly on the inner wall surface of the wall 20 in contact with the heating space 14. The heat generated by the heating heater 22 heats the glass plate 12 in the heating space 14.
  • the opening 21 has an opening size slightly larger than the size of the glass plate 12 so that the heat in the heating space 14 does not easily leak to the outside.
  • the drive unit 18 includes a mounting table 24 on which the glass plate 12 is placed, a rotary motor 28 that is connected to the mounting table 24 and rotates the rotating shaft 26 to rotate the glass plate 12, and the glass plate 12 from the heating space 14. It is provided with a moving table 30 that can be moved in the X direction (see FIG. 2B) so that it can be taken in and out.
  • the glass plate 12 is preferably mounted on the mounting table 24 via the heat insulating material 24a. Since the heat insulating material 24a can suppress heat dissipation from the heated glass plate 12 to the rotating shaft 26, the heating efficiency can be improved and the temperature distribution (temperature variation) depending on the position in the glass plate 12 can be reduced. .. Further, the glass plate 12 is placed on the mounting table 24 so that the center position of the glass plate 12 substantially coincides with the rotation center position of the rotating shaft 26.
  • the laser irradiation unit 40 irradiates a part of the end face with the laser beam L in order to soften a part on the periphery of the end face 12a of the glass plate 12 located outside the heating space 14.
  • the type of laser light L is not particularly limited as long as the irradiated portion is softened, but for example, a CO 2 laser is preferably used.
  • the oscillation form of the laser light L is not particularly limited, and may be any of continuous oscillation light (CW light), pulse oscillation light, and modulation light of continuous oscillation light. When using CO 2 laser light, the wavelength is preferably 3 ⁇ m or more.
  • the wavelength is shorter than 3 ⁇ m, it becomes difficult for the glass to absorb the laser beam L, and the outer peripheral end surface 28a and the inner peripheral end surface 28b of the annular glass plate 28 may not be sufficiently heated. Further, if the wavelength is longer than 11 ⁇ m, it may be difficult to obtain a laser device. Therefore, the wavelength is more preferably 11 ⁇ m or less.
  • pulsed laser light for example, laser light having a repetition period of 5 KHz or more and a power density of 100 W / cm or less per pulse per unit area can be used.
  • the glass plate 12 is irradiated with the laser beam L while rotating. Therefore, the portion of the end face that has been irradiated with the laser beam L is radiated until it enters the heating space 14, and then enters the heating space 14 and is heated.
  • the glass plate 12 is arranged so that a part of the glass plate 12 is arranged in the heating space 14 and the remaining part is arranged outside the heating space 14.
  • the chamfering device 10 irradiates a part of the peripheral surface of the end surface of the glass plate 12 with laser light L outside the heating space 14 while rotating the glass plate 12 in one direction around the center of the glass plate 12.
  • a part of 12a is softened, and the softened part of the end portion 12a that reaches the heating space 14 by rotation is heated. It is preferable that the laser beam L is irradiated over the entire thickness direction of the glass plate 12 of the end face 12a. Irradiation of the end face 12a of the laser beam L is completed by, for example, rotating the glass plate 12 once. In this case, even after the end face of the laser beam L is irradiated, the rotation of the glass plate 12 is continued until the heating of the portion softened by the irradiation in the heating space 14 is completed. As shown in FIG.
  • the inner peripheral end surface is also provided with the outer peripheral end surface in the same manner as the outer peripheral end surface.
  • the chamfered surface 5 can be formed by irradiating the laser beam L. It is also possible to simultaneously irradiate the inner peripheral end face and the outer peripheral end face with different laser beams L to process them at the same time.
  • the outer peripheral end face or the inner peripheral end face may be irradiated with the laser beam L from the normal direction of the end face to be irradiated by using a mirror or the like, or may be appropriately inclined from the normal direction. Good.
  • the chamfered surface may not be formed well from the normal direction of the end face.
  • the inclination is preferably within 60 degrees.
  • the glass on the end face can be softened by the irradiation of the end face of the laser beam L to form a chamfered surface 5 having a curved surface shape as shown in FIG. 1 (b), for example.
  • the surface roughness of the chamfered end face can be reduced, for example, the arithmetic average roughness Ra (JIS B0601 2001) is 50 nm or less, and / or Rz (JIS B0601 2001) is 500 nm or less.
  • the arithmetic average roughness Ra is more preferably 30 nm or less, and further preferably 10 nm or less.
  • the Rz is more preferably 300 nm or less, further preferably 100 nm or less, and even more preferably 50 nm or less.
  • the string-shaped glass pieces may be peeled off from the end surface 12a of the glass plate 12 along the circumferential direction of the glass plate 12, and the end surface 12a may be partially separated. It was sometimes scraped off greatly.
  • the surface roughness of the end face after the glass piece was peeled off may become abnormally large. The mechanism of peeling of the glass piece is assumed as follows.
  • the glass near the surface of the end face 12a of the glass is softened by heating the local surface of the end face 12a, but since the thermal conductivity of the glass plate 12 is small, the laser beam L is irradiated.
  • the temperature difference between the glass near the surface of the end face 12a and the glass inside the glass plate 12 becomes large.
  • the temperature near the surface of the end face 12a of the glass is lowered and hardened, but along with this, thermal distortion is caused by the difference in thermal expansion between the glass near the surface of the end face 12a of the glass plate 12 and the glass inside. Occurs.
  • the temperature difference between the glass near the surface of the softened end face 12a and the glass inside becomes small, and the difference in thermal expansion between the glass near the surface of the end face 12a of the glass plate 12 and the glass inside It is assumed that the thermal strain generated by the above is suppressed.
  • the rotation around the central axis can be used, so that the portion of the glass plate 12 in the irradiation position of the laser beam L and the heat radiation region until heating after irradiation is excluded. It is particularly preferable to heat the entire rest in the heating space 14. By doing so, it becomes possible to continuously and efficiently perform the softening of the end face by the irradiation of the laser beam L and the heating by the heating space 14.
  • a part of the glass plate 12 is made to protrude from the heating space 12.
  • the chamfered surface is subjected to two processes of irradiation with the laser beam L and heating of the softened portion of the end surface 12a. Since 5 can be formed, the entire glass member is kept at a predetermined temperature higher than normal temperature as in the conventional case, and the laser beam is irradiated to the corners while moving along the corners of the glass member. The time required for the chamfering process can be shortened as compared with the case of performing the three processes of heating the entire chamfered glass with a heater and gradually cooling it from a predetermined temperature to return it to room temperature. The production efficiency of the glass plate is increased.
  • the end surface 12a is not largely scraped off and the surface roughness is not abnormally increased, and the chamfered surface 5 having a desired shape can be formed.
  • each corner of the glass member in the plate thickness direction is chamfered separately by using one laser beam, so that the production efficiency is higher. descend.
  • the corners on both sides of one end face are chamfered at the same time using two laser beams, a device configuration for simultaneously irradiating the two laser beams is required, which complicates the device configuration.
  • the corners on both sides can be chamfered at the same time, as compared with the conventional case. Production efficiency is improved and the equipment configuration is simplified.
  • the heat of the heated glass plate 12 is dissipated between the irradiation position of the laser beam L and the start position of entering the heating space 14, so that it becomes a heat dissipation region. Further, the irradiation position of the laser beam L is outside the heating space 14 and is in the non-heating region. Therefore, the end face 12a is sequentially irradiated with the laser beam L in the non-heated region, dissipated heat, and heated.
  • the chamfering device 10 includes a heating unit 16 including a laser light irradiation unit 40 that irradiates the end surface 12a of the glass plate 12 with the laser light L, and a heating space 14 for heating the end surface 12a after the irradiation of the laser light L.
  • a moving table 30 for moving the mounting table 24 on which the glass plate 12 is placed so as to move the glass plate 12 in and out of the heating space 14, and a rotary motor 28 for rotating the glass plate 12 on the mounting table 24 are provided. ..
  • a heat dissipation region of the end face 12a heated by the irradiation of the laser light L is provided between the irradiation position of the laser light L and the start position of entering the heating space 14.
  • the rotation speed around the center of the glass plate 12 (glass plate 12) in order to further reduce the occurrence of the above-mentioned peeling depends on the heating area A (the area of the shaded area shown in FIG. 2B) of the main surface determined by arranging the main surface of the glass plate 12 in the heating space 14. It is preferable that the rotation speed is lower than the set value set.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between the heating area A and the preferable rotation speed of the glass plate 12. In FIG.
  • the change in the rotation speed set value with respect to the heating area A is shown by a straight line B.
  • it is preferable to increase the rotation speed of the glass plate 12 but if the rotation speed is excessively increased, it becomes near the surface of the end face 12a. On the other hand, since the glass inside is not sufficiently heated, peeling is likely to occur. Therefore, as shown in FIG.
  • the rotation speed setting value which is the upper limit of the rotation speed is set according to the heating area A. Even if the rotation speed is increased within the range lower than the rotation speed set value, if the heating area A is large, the temperature difference between the end face of the glass plate 12 and the glass inside and the difference in thermal expansion due to heating for a long heating time In addition to being able to reduce the temperature variation of the heated glass plate 12, it is possible to reliably reduce the occurrence of peeling. Moreover, by increasing the rotation speed, the total processing time of the chamfering process is shortened, and the production efficiency of the glass plate is improved. Therefore, it is preferable that the heating area A is large.
  • the rotation speed of the glass plate 12 (movement speed in the rotation direction on the end face 12a of the glass plate 12) is V [mm / sec] and the heating area is A [mm 2 ], V ⁇ It is preferable to satisfy 1/50 ⁇ A.
  • the rotation speed set value is preferably 1/50 ⁇ A.
  • V ⁇ 1/50 ⁇ A can be set, for example, under the following conditions. This condition is a normal condition when chamfering the end face 12a. -Using a laser beam with an output of 18.29 W and a spot diameter of 1.23 mm, -Using a glass plate 12 with a nominal diameter of 3.5 inches of aluminosilicate glass used as a glass substrate for magnetic disks.
  • the glass plate 12 is heated at a temperature 50 ° C. lower than the strain point temperature of the glass plate 12 and a temperature lower than the glass transition point temperature.
  • the lower limit of the rotation speed V is not particularly limited, but from the viewpoint of improving productivity, the rotation speed V is preferably 10 mm / sec or more, and more preferably 30 mm / sec or more.
  • the coefficient of linear expansion of the glass plate 12 determines the difference in thermal expansion between the end face 12a of the glass plate 12 and the inside, and the magnitude of thermal strain is determined. Therefore, the temperature range of the glass plate 12 is 100 to 300 ° C.
  • the average coefficient of linear expansion in the above is preferably 100 ⁇ 10 -7 / ° C. or less. When the average linear expansion coefficient of the glass plate 12 exceeds 100 ⁇ 10 -7 / ° C, the influence of thermal strain due to the temperature difference in the plane of the glass plate 12 becomes too large, and the flatness deteriorates after the chamfering treatment. There is.
  • the temperature of the softened portion of the end face 12a irradiated with the laser beam L is 50 ° C. lower than the strain point temperature of the glass plate 12 (the temperature at which the glass viscosity becomes 10 14.5 [dPa ⁇ sec]). before below the temperature, as softened portion begins to enter the heating space 14, the irradiation position P 1 to the end surface of the laser beam L is preferably determined. As a result, the thermal strain formed between the end face of the glass plate 12 and the inside can be efficiently alleviated.
  • the temperature of the softened portion when the softened portion starts to enter the heating space 14 is preferably a temperature 50 ° C. lower than the strain point temperature and 50 ° C. higher than the strain point temperature.
  • the irradiation position P 1 may be appropriately adjusted from the above viewpoint, but the specific distance is preferably within 50 mm from the position P 2 entering the heating space 14, for example. On the other hand, in order to provide a heat dissipation region to some extent, it is more preferable that the irradiation position P 1 is separated from the above position P 2 by 5 mm or more.
  • the heating region A arranged in the heating space 14 on the main surface of the glass plate 12 is the main surface of the glass plate 12. It is preferably at least half the surface area. By setting the heating region A to half or more of the area of the main surface, it is possible to reduce the variation in temperature during heating of the glass plate 12, and it is possible to surely reduce the occurrence of peeling.
  • the heating temperature of the glass plate 12 in the heating space 14 is preferably lower than the glass transition temperature of the glass plate 12. That is, it is preferable that the softened portion of the end face 12a is heated in the heating space 14 at a temperature lower than the glass transition temperature of the glass plate 12. When the heating temperature is equal to or higher than the glass transition temperature, the flatness of the glass plate 12 may be deteriorated. Further, the heating temperature in the heating space 14 is preferably, for example, a temperature 50 ° C. lower than the strain point temperature of the glass plate 12. If the heating temperature is lower than the temperature 50 ° C. lower than the strain point temperature, peeling may not be stably prevented.
  • the glass plate 12 after such a chamfering treatment may have some strain remaining on the glass plate 12 due to the local heating of the end surface 12a.
  • the annealing treatment for example, from room temperature (25 ° C.), the temperature is several tens of degrees higher than the slow cooling point temperature (the temperature at which the glass viscosity becomes 10 13 [dPa ⁇ sec]), or slightly higher than the glass transition point.
  • the temperature of the glass plate 12 is raised to a low temperature for several tens of minutes, held at the above temperature for several tens of minutes to one hour, and then slowly lowered to a temperature several tens of degrees lower than the strain point temperature for about one hour.
  • the glass plate 12 having a retardation value of more than 5 [nm] due to the residual strain can have a retardation value of 5 [nm] or less, which is extremely low.
  • the retardation value is further increased to 1.08 [nm]. I was able to make it a low value.
  • the production of the glass plate chamfered in this way is not particularly limited, but is produced by, for example, a float method, a down draw method, or a press method. It is possible to take out a plurality of disk-shaped glass plates having inner holes from a wide sheet-shaped glass plate manufactured by the float method or the down draw method.
  • the method of taking out the disk-shaped glass plate from the wide sheet-shaped glass plate may be performed by cutting using a well-known scriber, or by irradiating the glass plate with laser light to form a defect in the circular shape. It may be cut out in an annular shape.
  • the chamfered glass plate 12 is subjected to a main surface grinding / polishing treatment.
  • polishing is performed after grinding the glass plate 12.
  • a double-sided grinding device equipped with a planetary gear mechanism is used to grind the main surface of the glass plate 12. Specifically, the main surfaces on both sides of the glass plate 12 are ground while holding the outer peripheral end surface of the glass plate 12 in the holding holes provided in the holding member of the double-sided grinding device.
  • the double-sided grinding device has a pair of upper and lower surface plates (upper surface plate and lower surface plate), and a glass plate 12 is sandwiched between the upper surface plate and the lower surface plate.
  • both main surfaces of the glass plate 12 are moved.
  • a grinding member in which fixed abrasive grains in which diamond is fixed with a resin is formed in a sheet shape can be mounted on a surface plate to perform a grinding process.
  • the first polishing is applied to the main surface of the glass plate 12 after grinding. Specifically, the main surfaces on both sides of the glass plate 12 are polished while holding the outer peripheral end faces of the glass plate 12 in the holding holes provided in the polishing carrier of the double-sided polishing apparatus.
  • the purpose of the first polishing is to remove scratches and strains remaining on the main surface after the grinding process, or to adjust minute surface irregularities (microwaveness, roughness).
  • the glass plate 12 is polished while applying a polishing slurry by using a double-sided polishing device having the same configuration as the double-sided grinding device used for the above-mentioned grinding process using fixed abrasive grains.
  • a polishing slurry containing free abrasive grains is used.
  • the free abrasive grains used for the first polishing for example, abrasive grains such as cerium oxide or zirconia are used.
  • the glass plate 12 is sandwiched between the pair of upper and lower surface plates.
  • An annular flat plate polishing pad (for example, a resin polisher) is attached to the upper surface of the lower surface plate and the bottom surface of the upper surface plate as a whole. Then, by moving one or both of the upper surface plate and the lower surface plate, the glass plate 12 and each surface plate are relatively moved to polish both main surfaces of the glass plate 12. ..
  • the size of the abrasive grains is preferably in the range of 0.5 to 3 ⁇ m in terms of average particle size (D50).
  • the glass plate 12 may be chemically strengthened.
  • a mixed melt of potassium nitrate and sodium nitrate is used as the chemical strengthening liquid, and the glass plate 12 is immersed in the chemical strengthening liquid.
  • a compressive stress layer can be formed on the surface of the glass plate 12 by ion exchange.
  • the second polishing treatment aims at mirror polishing of the main surface.
  • a double-sided polishing apparatus having the same configuration as the double-sided polishing apparatus used for the first polishing is used. Specifically, the main surfaces on both sides of the glass plate 12 are polished while holding the outer peripheral end faces of the glass plate 12 in the holding holes provided in the polishing carrier of the double-sided polishing apparatus.
  • the type and particle size of the free abrasive grains are different from those in the first polishing treatment, and the hardness of the resin polisher is different. The hardness of the resin polisher is preferably smaller than that during the first polishing treatment.
  • a polishing liquid containing colloidal silica as free abrasive grains is supplied between the polishing pad of the double-sided polishing apparatus and the main surface of the glass plate 12, and the main surface of the glass plate 12 is polished.
  • the size of the abrasive grains used for the second polishing is preferably in the range of 5 to 50 nm in terms of average particle size (d50).
  • the necessity of the chemical strengthening treatment may be appropriately selected in consideration of the glass composition and necessity.
  • another polishing treatment may be added, or the polishing treatment of the two main surfaces may be completed by one polishing treatment. Further, the order of each of the above processes may be changed as appropriate.
  • the main surface of the glass plate 12 is ground or polished, which is required for a glass plate for a magnetic disk.
  • a glass substrate for a magnetic disk satisfying the conditions is manufactured.
  • the magnetic disk is manufactured by forming a magnetic film on the main surface of the glass substrate for the magnetic disk.
  • the glass plate 12 is subjected to an end face polishing treatment for polishing the end face 12a of the glass plate 12 before the first polishing, for example, after the first grinding, before the first polishing, or before the first grinding. May be. Even when such end face polishing treatment is performed, the arithmetic average roughness Ra of the end face of the glass plate 12 that has been chamfered by irradiation with laser light L in advance is set to 50 nm or less and / or Rz. Since the thickness is 500 nm or less, the time required for the end face polishing process can be shortened.
  • a polishing brush method for polishing with a polishing brush while supplying free abrasive grains to the end face may be used, or a polishing method using a magnetically functional fluid may be used.
  • a polishing method using a magnetically functional fluid for example, a slurry in which abrasive grains are contained in a ferrofluid is agglomerated by a magnetic field, and the end face 12a of the glass plate 12 is thrust into the agglomerate to form the agglomerate and a glass substrate. Is a method of polishing the end face 12a by relatively rotating the glass. However, in order to increase the production efficiency, it is preferable not to perform the end face polishing treatment.
  • the chamfering treatment it is preferable to grind or polish the main surface of the glass plate 12 while maintaining the surface roughness of the end surface 12a of the glass plate 12 with the surface roughness of the end surface 12a obtained by the chamfering treatment. Since the surface roughness of the chamfered surface formed by the chamfering treatment performed in the present embodiment is small, it may be said that the chamfering treatment also serves as the end face polishing treatment. In this case, it is preferable not to perform an additional end face polishing treatment other than the end face polishing performed at the same time in the chamfering treatment.
  • the glass transition temperature Tg of the glass plate 12 is preferably 450 to 800 ° C, more preferably 480 to 750 ° C.
  • Amorphous glass such as aluminosilicate glass, soda lime glass, and borosilicate glass can be used as the glass material of the glass plate 12.
  • aluminosilicate glass which can be chemically strengthened and can obtain a glass substrate for a magnetic disk which is excellent in the flatness of the main surface and the strength of the substrate. it can.
  • the composition of the glass of the glass plate 12 is not limited, but according to one embodiment, in terms of oxide, 50 to 75% of SiO 2 and 1 to 1 to Al 2 O 3 are expressed in mol%. 15%, at least one component selected from Li 2 O, Na 2 O and K 2 O, 5 to 35% in total, at least one component selected from MgO, CaO, SrO, BaO and ZnO. A total of 0 to 20%, and a total of 0 to at least one component selected from ZrO 2 , TiO 2 , La 2 O 3 , Y 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 and HfO 2. It is an amorphous aluminosilicate glass having a composition of 10%.
  • SiO 2 is 57 to 75%
  • Al 2 O 3 is 5 to 20%
  • the total amount of SiO 2 and Al 2 O 3 is 74% or more.
  • ZrO 2 , HfO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , La 2 O 3 , Y 2 O 3 and TiO 2 total more than 0%, 6% or less, Li 2 O 1% 9% or less, Na 2 O 5 to 28% (however, mass ratio Li 2 O / Na 2 O is 0.5 or less), K 2 O 0 to 6%, Mg O 0 to 4%, Composition having CaO of more than 0% and 5% or less (however, the total amount of MgO and CaO is 5% or less, and the content of CaO is larger than the content of MgO) and SrO + BaO is 0 to 3%. It is an amorphous aluminosilicate glass made of.
  • the essential components include SiO 2 , Li 2 O, Na 2 O, and one or more alkaline earth metal oxides selected from the group consisting of MgO, CaO, SrO and BaO.
  • the molar ratio of CaO content to the total content of MgO, CaO, SrO and BaO (CaO / (MgO + CaO + SrO + BaO)) may be 0.20 or less, and the glass transition temperature Tg may be 650 ° C. or higher.
  • glass having such a composition is suitable for a glass substrate for a magnetic disk used for an energy-assisted magnetic recording magnetic disk.
  • a ring-shaped glass plate 12 (outer diameter 95 mm, inner diameter 25 mm, plate thickness 0.7 mm) is used and the heating area A (circular hole 3) is used. (Excluding the portion), the rotation speed V was variously changed and chamfering was performed to evaluate the presence or absence of peeling.
  • the end face of the glass plate 12 before the chamfering treatment was an end face 7 perpendicular to the main surface as shown in FIG. 1 (c).
  • the glass of the glass plate 12 was an amorphous aluminosilicate glass having a glass transition temperature of 500 ° C., a strain point temperature of 450 ° C., and an average linear expansion coefficient of 95 ⁇ 10-7 at 100 to 300 ° C.
  • the laser irradiation unit 40 was arranged at a position as shown in FIG. 2B with respect to the outer peripheral end surface of the glass plate 12, and the laser beam L was irradiated on the outer peripheral end surface as shown in FIG. 2B.
  • the heating temperature in the heating space 14 was adjusted to 480 ° C.
  • the irradiation position P 1 of the laser beam L is set to a position apart 25mm in the circumferential direction of the glass plate 12 from the position P 2.
  • the angle of incidence of the laser beam L on the end face was set to be an angle inclined by 45 degrees from the normal direction of the end face to the in-plane direction of the main surface. Table 1 below shows the evaluation results when the chamfering process was performed under the conditions 1 to 26.
  • the present invention is not limited to the above embodiment and deviates from the gist of the present invention. Of course, various improvements and changes may be made as long as they are not.

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Abstract

円板形状のガラス板の端面に面取加工を行う面取処理は、前記ガラス板の一部が、前記ガラス板を加熱する加熱空間内に配置され、残りの部分が、前記加熱空間の外部に配置されるように、前記ガラス板を配置するステップと、前記ガラス板を前記ガラス板の中心周りに一方向に回転させながら、前記加熱空間の外部において前記ガラス板の端面の周上の一部にレーザー光を照射して前記端面の一部を軟化させ、前記回転によって前記加熱空間に到達した前記端面の軟化した部分を加熱するステップと、を備える。

Description

ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法
　本発明は、ガラス板の端面の面取処理を含むガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法に関する。
　データ記録のためのハードディスク装置には、円環形状の非磁性体の磁気ディスク用ガラス基板に磁性膜が設けられた磁気ディスクが用いられる。
　磁気ディスク用ガラス基板を製造するとき、最終製品である磁気ディスク用ガラス基板の素となる円環状のガラス板の端面は、微細なパーティクルが主表面に付着して磁気ディスクの性能に悪影響を与えないためにも、パーティクルの発生しやすい端面の表面を滑らかにすることが好ましい。また、磁気ディスクを精度よくＨＤＤ装置に組み込む点から、さらには、ガラス基板の主表面に磁性膜を形成する際にガラス基板の外周端面を把持する治具の把持に適するように、ガラス板の端面を目標形状に揃えることが好ましい。
　ガラス板の端面を目標形状にするための方法として、ガラス板のエッジを、レーザー光を用いて面取加工する方法が知られている。例えば、ガラス板であるガラス部材の全体を常温より高い所定温度に保持した状態で、レーザー光を、照射スポットがガラス部材の角部に沿って該角部の全長のうちの少なくとも一部分にわたって移動するように、上記ガラス板に照射することにより、上記角部の少なくとも一部分をその他の部分よりさらに高温に加熱して軟化させて面取りする（特許文献１）。
特許第２６１２３３２号公報
　しかし、上述の方法でガラス板の端面をレーザー光で加工した場合、ガラス部材の全体を常温より高い所定温度に保持するステップと、レーザー光を、ガラス部材の角部に沿って移動しながら角部に照射するステップと、面取りされたガラス全体をヒータで加熱して所定の温度から徐々に冷却して常温にまで戻すステップとの、計３段階のステップを行う。このため、面取りに要する時間が長くなり、ガラス板の生産効率が低下する。
　そこで、本発明は、ガラス板の端面をレーザー光の照射により面取加工を行って、端面形状を目標形状にする際、従来に比べてガラス板の生産効率が向上する、面取処理を含むガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の一態様は、円板形状のガラス板の端面に面取加工を行う面取処理を含むガラス板の製造方法である。
　前記面取処理は、
　前記ガラス板の一部が、前記ガラス板を加熱する加熱空間内に配置され、残りの部分が、前記加熱空間の外部に配置されるように、前記ガラス板を配置するステップと、
　前記ガラス板を前記ガラス板の中心周りに一方向に回転させながら、前記加熱空間の外部において前記ガラス板の端面の周上の一部にレーザー光を照射して前記端面の一部を軟化させ、前記回転によって前記加熱空間に到達した前記端面の軟化した部分を加熱するステップと、を備える。
　前記ガラス板の前記中心周りの回転速度は、前記ガラス板の主表面が前記加熱空間に配置されて定まる前記主表面の加熱面積に応じて設定される回転速度設定値よりも低い、ことが好ましい。
　前記ガラス板の前記回転速度をＶ［ｍｍ／秒］とし、前記加熱面積をＡ［ｍｍ２］としたとき、Ｖ＜１／５０・Ａを満足する、ことが好ましい。
　前記ガラス板の１００～３００℃の温度範囲における平均線膨張係数は１００×１０－７／℃以下である、ことが好ましい。
　前記レーザー光を照射した前記端面の前記軟化した部分の温度が前記ガラス板の歪点温度より５０℃低い温度未満になる前に、前記軟化した部分が前記加熱空間への進入を開始するように、前記レーザー光の前記端面への照射位置は定められる、ことが好ましい。
　前記ガラス板の主表面における前記加熱空間内に配置される領域は、前記ガラス板の前記主表面の面積の半分以上である、ことが好ましい。
　前記端面の前記軟化した部分は、前記加熱空間において、前記ガラス板のガラス転移点温度よりも低い温度で加熱される、ことが好ましい。
　加熱した後の前記端面を研磨処理することなく、前記ガラス板の主表面を研削あるいは研磨するステップを備える、ことが好ましい。すなわち、前記ガラス板の前記端面の表面粗さを、前記面取処理によって得られる前記端面の表面粗さに保持したまま、前記ガラス板の主表面を研削あるいは研磨するステップを備える、ことが好ましい。
　前記ガラス板は、磁気ディスク用ガラス板の素板であること、が好ましい。
　本発明のさらに他の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
　前記ガラス板の製造方法によってガラス板を製造した後、前記ガラス板の主表面を研削あるいは研磨する。
　本発明のさらに他の一態様は、前記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって磁気ディスク用ガラス基板を製造した後、前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁性膜を形成することを特徴とする、磁気ディスクの製造方法である。
　本発明の他の一実施形態は、円板形状のガラス板の端面に面取加工を行う面取装置である。当該面取装置は、ガラス板の端面にレーザー光を照射するレーザー光照射ユニットと、前記レーザー光の照射後の前記端面を加熱する加熱空間を備える加熱ユニットと、前記加熱空間に前記ガラス板を出し入れするように前記ガラス板を載置する載置台を移動させる移動台と、前記載置台上の前記ガラス板を回転させる回転モータと、を備える。前記レーザー光の照射位置と前記加熱空間に入る開始位置との間には、前記レーザー光の照射により加熱された前記端面の放熱領域が設けられる。
　上述のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法によれば、ガラス板の端面をレーザー光の照射により面取加工を行って、端面形状を目標形状にする際、従来に比べてガラス板の生産効率は向上する。
（ａ）は、一実施形態であるガラス板の製造方法で製造されるガラス板の一例の斜視図であり、（ｂ）は、面取面の断面形状の一例を示す図であり、（ｃ）は、面取処理前のガラス板の端面の形状の一例を示す図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態における、円板形状のガラス板の端面に面取処理を行う面取装置の一例を説明する図である。 一実施形態における、加熱面積とガラス板の好ましい回転速度の関係を説明する図である。
　以下、一実施形態のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法について詳細に説明する。
　一実施形態のガラス板の製造方法で製造されるガラス板は、円板形状のガラス板の端面に面取加工が施されたもので、例えば磁気ディスク用ガラス基板に用いられる。図１（ａ）は、一実施形態であるガラス板の製造方法で製造される円環形状のガラス板の一例の斜視図である。円板形状のガラス板は、外周が円形状をしたガラス板である。また、円板形状のガラス板は、上記円形状の円と同心円の円孔があいて内周を有する円環形状のガラス板であってもよい。したがって、円板形状には、円環形状も含まれる。
　図１（ａ）に示すガラス板１は、中心部に円孔３を有する円環状の薄板のガラス板である。ガラス板１は磁気ディスク用ガラス基板として用いることができる。ガラス板１を磁気ディスク用ガラス基板として用いる場合、磁気ディスク用ガラス基板のサイズは制限されないが、例えば、公称直径２．５インチや３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板のサイズである。公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径が６５ｍｍや６７ｍｍ、円孔の内径が２０ｍｍ、板厚が０．３～１．３ｍｍである。公称直径３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、外径が８５～１００ｍｍ、例えば、外径が９５ｍｍや９７ｍｍであり、円孔の内径が２５ｍｍであり、板厚が０．３～１．３ｍｍである。
　図１（ａ）に示すガラス板１には、端面の面取加工により端面と主表面との間の角部に面取面が形成されている。図１（ｂ）は、面取面の断面形状の一例を示す図である。断面形状は、ガラス板の中心軸を通り半径方向に沿ってガラス板１を切断したときの形状である。図１（ｂ）に示すように、面取面５の断面形状は、径方向外側に突出した滑らかな曲線によって作られる湾曲面形状を成している。なお、図１（ｂ）に示す断面形状の他の例として、２つの主表面にそれぞれ接続する面取面が２つの湾曲形状で形成され、２つの面取面の間に存在する側壁面が主表面に直交する直線形状又は僅かに湾曲した曲線形状で形成されてもよい。
　磁気ディスク用ガラス基板の場合、このガラス板１に対して必要に応じて、主表面の研削及び研磨を行った後、ガラス板１の主表面上に磁性層が形成されて磁気ディスクが作られる。
　図１（ｃ）は、面取加工前のガラス板の端面の形状の一例を示す図である。面取加工前のガラス板の端面７は、ガラス板の主表面に対して略直交する面である。このような面が、後述するレーザー光を、このような端面７に照射することにより、面取面５を形成させることができる。なお、図１（ｃ）に示す端面７の形状は、一例であって、主表面に対して略直交する形状に制限されず、角部が僅かに丸まっている形状や主表面に対して傾斜した形状であってもよいが、端面７の断面形状において、ガラス板の厚みの半分の線に対してほぼ線対象となっていると、面取面形成後の断面形状も同様にほぼ線対称になりやすいので好ましい。
　図２（ａ），（ｂ）は、円環形状のガラス板１２の端面に面取処理を行う面取装置１０の一例を説明する図である。
　面取装置１０は、面取処理前の円環形状のガラス板１２の一部分を加熱する加熱空間１４を備える加熱ユニット１６と、ガラス板１２を加熱空間１４に出し入れさせる駆動ユニット１８と、レーザー照射ユニット４０と、を備える。
　加熱ユニット１６は、加熱空間１４を形成する壁２０を備え、壁２０の一部が開口して、ガラス板１２が出し入れ可能な開口部２１を形成している。壁２０の加熱空間１４に接する内壁面には、加熱ヒータ２２が略一様に設けられている。加熱ヒータ２２の発熱により、加熱空間１４内のガラス板１２は加熱される。開口部２１は、加熱空間１４内の熱が外部に漏れにくいように、ガラス板１２のサイズよりもやや大きい開口サイズを有する。
　駆動ユニット１８は、ガラス板１２を載置する載置台２４と、載置台２４に接続され回転シャフト２６を回転させることでガラス板１２を回転させる回転モータ２８と、加熱空間１４からガラス板１２を出し入れ可能なように、Ｘ方向（図２（ｂ）参照）に移動することができる移動台３０と、を備える。
　ガラス板１２は、載置台２４に、断熱材２４ａを介して載置されるのが好ましい。断熱材２４ａにより、加熱されたガラス板１２から回転軸２６に放熱されることを抑えることができるので、加熱効率がよくなるほか、ガラス板１２内の位置による温度分布（温度のバラツキ）を小さくできる。また、ガラス板１２は、ガラス板１２の中心位置が、回転シャフト２６の回転中心位置に略一致するように、載置台２４に載置される。
　レーザー照射ユニット４０は、加熱空間１４の外部に位置するガラス板１２の端面１２ａの周上の一部を軟化させるために、端面の一部にレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌの種類は、照射した部分が軟化する限り、特に制限されないが、例えばＣＯ2レーザーが好適に用いられる。レーザー光Ｌの発振形態は特に限定されず、連続発振光（ＣＷ光）、パルス発振光、連続発振光の変調光のいずれであってもよい。ＣＯ2レーザー光を用いる場合、波長は３μｍ以上とすることが好ましい。波長が３μｍよりも短いと、ガラスがレーザー光Ｌを吸収しにくくなり、円環形状のガラス板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂを十分に加熱できない場合がある。また、波長が１１μｍより長いと、レーザー装置の入手が困難である場合があるので、波長は１１μｍ以下であるとより好ましい。なお、パルスレーザー光の場合、例えば、繰り返し周期が５ＫＨｚ以上であって、単位面積当たりの１パルスあたりのパワー密度が１００Ｗ／ｃｍ以下のレーザー光を用いることができる。
　ガラス板１２は、図２（ｂ）に示すように、回転しながらレーザー光Ｌの照射を受ける。このため、レーザー光Ｌの照射を受けた端面の部分は、加熱空間１４内に入るまで放熱された後、加熱空間１４内に入り加熱される。
　面取装置１０では、ガラス板１２の一部が、加熱空間１４内に配置され、残りの部分が、加熱空間１４の外部に配置されるように、ガラス板１２は配置される。面取装置１０は、ガラス板１２をガラス板１２の中心周りに一方向に回転させながら、加熱空間１４の外部においてガラス板１２の端面の周上の一部にレーザー光Ｌを照射して端面１２ａの一部を軟化させるとともに、回転によって加熱空間１４に到達した端部１２ａの軟化した部分を加熱する。レーザー光Ｌは端面１２ａのガラス板１２の板厚方向全体に亘って照射されるのが好ましい。
　レーザー光Ｌの端面１２ａへの照射は、例えばガラス板１２を１回転させることで終了する。この場合、レーザー光Ｌの端面への照射が終わっても、照射により軟化した部分の、加熱空間１４内での加熱が終了するまで、ガラス板１２の回転は継続される。なお、図２（ｂ）に示すように、ガラス板１２の中心に、内孔があいて内孔に沿って内周端面が設けられている場合、内周端面にも外周端面と同様に、レーザー光Ｌを照射して面取面５を形成することができる。内周端面と外周端面に同時に異なるレーザー光Ｌを照射して同時に加工することもできる。ここで、外周端面又は内周端面へのレーザー光Ｌの照射については、適宜ミラー等を用いて照射対象の端面の法線方向から照射してもよいし、法線方向から適宜傾斜させてもよい。ただし、法線方向からの傾斜が過度に大きいと、大部分の光が反射して端面１２ａが十分に軟化せず面取面がうまく形成されない場合もあることから、端面の法線方向からの傾斜は６０度以内であることが好ましい。
　このように、レーザー光Ｌの端面の照射により端面のガラスは軟化して、例えば図１（ｂ）に示すような湾曲面形状の面取面５を形成することができる。これにより、面取処理が施された端面の表面粗さを小さくすることができ、例えば算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ　Ｂ０６０１　２００１）を５０ｎｍ以下、及び／又は、Ｒｚ（ＪＩＳ　Ｂ０６０１　２００１）を５００ｎｍ以下にすることができる。なお、上記算術平均粗さＲａは３０ｎｍ以下とするとより好ましく、１０ｎｍ以下とするとさらに好ましい。また、上記Ｒｚは３００ｎｍ以下とするとより好ましく、１００ｎｍ以下とするとさらに好ましく、５０ｎｍ以下とするとさらに一層好ましい。
　しかし、上記レーザー光Ｌの照射によって、ガラス板１２の周方向に沿ってガラス板１２の端面１２ａから紐状のガラス片が剥がれて分離離脱する場合があり、これによって、端面１２ａが部分的に大きく削り取られる場合があった。また、ガラス片が剥がれた後の端面は表面粗さが異常に大きくなる場合もあった。このガラス片の剥がれの発生メカニズムは、以下のように想定される。すなわち、レーザー光Ｌの照射により、端面１２ａの局所的な表面の加熱によってガラスの端面１２ａの表面近傍にあるガラスは軟化するが、ガラス板１２の熱伝導率は小さいため、レーザー光Ｌが照射された端面１２ａの表面近傍のガラスと、ガラス板１２の内部のガラスとの間の温度差は大きくなる。レーザー光Ｌの照射後、ガラスの端面１２ａの表面近傍は、降温して硬化するが、それに伴って、ガラス板１２の端面１２ａの表面近傍のガラスと内部のガラスの熱膨張の差によって熱歪みが発生する。これにより、端面１２ａの表面近傍のガラスと内部のガラスとの間で分離が始まり、端面１２ａの表面近傍のガラスの一部がガラス板１２から分離離脱して上記紐状のガラス片が形成されると想定される。紐状のガラス片が形成されることを、以降、ピーリングが発生するという。
　このようなピーリングが発生すると、端面１２ａが大きく削り取られるため、ガラス板１２の端面１２ａを図１（ｂ）に示すような湾曲面形状に形成することができない。このため、加熱空間１４の外部においてガラス板１２の端面１２ａの周上の一部にレーザー光Ｌを照射して端面１２ａの一部を軟化させるとともに、回転によって加熱空間１４に到達した端部１２ａの軟化した部分に対して加熱を開始する。これにより、ピーリングの発生を抑制することができる。加熱空間１４内で、軟化した端面１２ａの表面近傍のガラスと、内部のガラスとの間の温度差が小さくなり、ガラス板１２の端面１２ａの表面近傍のガラスと内部のガラスの熱膨張の差によって発生する熱歪みが抑制されると想定される。
　なお、ガラス板１２が円盤形状である場合、中心軸周りの回転を利用することができるため、レーザー光Ｌの照射位置と照射後加熱を受けるまでの放熱領域にあるガラス板１２の部分を除く、残り全部を加熱空間１４にて加熱することが、特に好ましい。こうすることで、レーザー光Ｌの照射による端面の軟化と、加熱空間１４による加熱とを、連続的に効率よく実施することが可能となる。換言すれば、一実施形態では、ガラス板１２の一部を加熱空間１２からはみ出させる。こうすることによって、ガラス板１２の一部が常に放熱領域となるので、ガラス板１２が過度に加熱されず、その結果、加熱後の冷却時間を短縮でき、生産性を向上させることができる。
　このように、ガラス板１２の端面１２ａに面取加工を行う上述の面取処理では、レーザー光Ｌによる照射と、端面１２ａの軟化した部分の加熱の２つの処理を行うことにより、面取面５を形成することができるので、従来のように、ガラス部材の全体を常温より高い所定温度に保持すること、レーザー光を、ガラス部材の角部に沿って移動しながら角部に照射すること、及び、面取りされたガラス全体をヒータで加熱して所定の温度から徐々に冷却して常温にまで戻すこと、の３つの処理を行う場合に比べて、面取処理に要する時間を短くでき、ガラス板の生産効率が上がる。しかも、紐状のガラス片の発生を抑制するので、端面１２ａが大きく削り取られることや表面粗さの異常な増大がなくなり、所望の形状の面取面５を形成させることができる。
　また、従来のように、ガラス部材の角部毎に面取りを行う場合、ガラス部材の板厚方向の両側の角部それぞれの面取りを１つのレーザー光を用いて別々に行うので、生産効率はより低下する。また、２つのレーザー光を用いてある一つの端面の両側の角部の面取りを同時に行うと、２つのレーザー光を同時に照射させる装置構成が必要となり、装置構成が煩雑になる。これに対して、本実施形態では、レーザー光Ｌを端面１２ａのガラス板１２の板厚方向全体に亘って照射することにより、両側の角部を同時に面取りすることができるので、従来に比べて生産効率は向上し、装置構成は簡素化される。
　上記面取装置１０では、レーザー光Ｌの照射位置と加熱空間１４に入る開始位置との間は、加熱されたガラス板１２の熱が放熱されるので放熱領域となる。また、レーザー光Ｌの照射位置は、加熱空間１４の外側にあり非加熱領域にある。したがって、端面１２ａは、非加熱領域におけるレーザー光Ｌの照射、放熱、加熱を順番に受ける。
　このように、面取装置１０は、ガラス板１２の端面１２ａにレーザー光Ｌを照射するレーザー光照射ユニット４０と、レーザー光Ｌの照射後の端面１２ａを加熱する加熱空間１４を備える加熱ユニット１６と、加熱空間１４にガラス板１２を出し入れするようにガラス板１２を載置する載置台２４を移動させる移動台３０と、載置台２４上のガラス板１２を回転させる回転モータ２８と、を備える。レーザー光Ｌの照射位置と加熱空間１４に入る開始位置との間には、レーザー光Ｌの照射により加熱された端面１２ａの放熱領域が設けられる。
　一実施形態によれば、図２（ａ），（ｂ）に示す面取処理を行う場合、上述したピーリングの発生をより少なくするために、ガラス板１２の中心周りの回転速度（ガラス板１２の端面１２ａにおける回転方向の移動速度をいう）は、ガラス板１２の主表面が加熱空間１４に配置されて定まる主表面の加熱面積Ａ（図２（ｂ）に示す斜線部分の面積）に応じて設定される回転速度設定値よりも低いことが好ましい。図３は、加熱面積Ａとガラス板１２の好ましい回転速度の関係を説明する図である。図３では、加熱面積Ａに対する回転速度設定値の変化を直線Ｂで示している。直線Ｂは、加熱面積Ａ＝０において、回転速度０の原点を通る。この直線Ｂよりも回転速度を低くする、即ち、図中の領域Ｒの範囲内で回転速度を設定することが好ましい。面取処理に要する時間を短くして、ガラス板の生産効率を向上させるためには、ガラス板１２の回転速度を上げることが好ましいが、過度に回転速度を上げると、端面１２ａの表面近傍に対して内部のガラスの加熱が十分でないのでピーリングが発生しやすい。このため、図３に示すように、回転速度の上限となる回転速度設定値が、加熱面積Ａに応じて設定される。回転速度設定値よりも低い範囲内で回転速度を上げても、加熱面積Ａが大きければ、長い加熱時間の加熱により、上述したガラス板１２の端面と内部のガラスの温度差及び熱膨張の差を小さくすることができるほか、加熱されたガラス板１２の温度のばらつきを小さくすることができ、ピーリングの発生を確実に低下させることができる。しかも、回転速度を上げることで、面取処理のトータルの処理時間が短くなり、ガラス板の生産効率が向上する。このため、加熱面積Ａは大きいことが好ましい。
　一実施形態によれば、ガラス板１２の回転速度（ガラス板１２の端面１２ａにおける回転方向の移動速度）をＶ［ｍｍ／秒］とし、加熱面積をＡ［ｍｍ２］としたとき、Ｖ＜１／５０・Ａを満足することが好ましい。一実施形態によれば、回転速度設定値は、１／５０・Ａであることが好ましい。このようなＶ＜１／５０・Ａは、例えば以下の条件で設定され得る。この条件は、端面１２ａを面取処理する際の通常の条件である。
・出力１８．２９Ｗ、スポット径１．２３ｍｍのレーザー光を用い、
・磁気ディスク用ガラス基板として用いるアルミノシリケートガラスの公称直径３．５インチのガラス板１２を用い、
・ガラス板１２をガラス板１２の歪点温度より５０℃低い温度以上、ガラス転移点温度よりも低い温度で加熱する。
　なお、回転速度Ｖの下限値は特に制限されないが、生産性向上の観点から、回転速度Ｖは１０ｍｍ／秒以上が好ましく、３０ｍｍ／秒以上であることがより好ましい。
　なお、ガラス板１２の線膨張係数によって、上述したガラス板１２の端面１２ａと内部の熱膨張の差が定まり、熱歪みの大きさが定まることから、ガラス板１２の１００～３００℃の温度範囲における平均線膨張係数は１００×１０－７／℃以下であることが好ましい。ガラス板１２の平均線膨張係数が１００×１０－７／℃を超える場合、ガラス板１２の面内の温度差による熱歪みの影響が大きくなりすぎて、面取処理後に平坦度が悪化する場合がある。
　一実施形態によれば、レーザー光Ｌを照射した端面１２ａの軟化した部分の温度がガラス板１２の歪点温度（ガラス粘度が１０１４．５［ｄＰａ・秒］となる温度）より５０℃低い温度未満になる前に、軟化した部分が加熱空間１４への進入を開始するように、レーザー光Ｌの端面への照射位置Ｐ1は定められることが好ましい。これにより、ガラス板１２の端面と内部との間にできる熱歪みを効率よく緩和させることができる。軟化した部分が加熱空間１４への進入を開始するときの軟化した部分の温度は、歪点温度より５０℃低い温度以上、歪点温度より５０℃高い温度以下であることが好ましい。照射位置Ｐ1は、上記観点から適宜調整すればよいが、具体的な距離としては例えば加熱空間１４に入る位置Ｐ2から５０ｍｍ以内であることが好ましい。他方、放熱領域をある程度設けるために、照射位置Ｐ1は、上記位置Ｐ 2から５ｍｍ以上離すことがより好ましい。
　一実施形態によれば、図２（ａ），（ｂ）に示す面取処理を行う場合、ガラス板１２の主表面における加熱空間１４内に配置される加熱領域Ａは、ガラス板１２の主表面の面積の半分以上である、ことが好ましい。加熱領域Ａを主表面の面積の半分以上とすることにより、ガラス板１２の加熱時の温度のばらつきを小さくすることができ、ピーリングの発生を確実に少なくすることができる。
　なお、加熱空間１４におけるガラス板１２の加熱温度は、ガラス板１２のガラス転移点温度よりも低いことが好ましい。すなわち、端面１２ａの軟化した部分は、加熱空間１４において、ガラス板１２のガラス転移点温度よりも低い温度で加熱されることが好ましい。上記加熱温度がガラス転移点温度以上である場合、ガラス板１２の平坦度を悪化させる恐れがある。また、加熱空間１４における加熱温度は、例えばガラス板１２の歪点温度より５０℃低い温度以上であることが好ましい。上記加熱温度が歪点温度より５０℃低い温度より低い場合、ピーリングを安定して防止できない場合がある。
　このような面取処理後のガラス板１２は、端面１２ａの局部的な加熱を行なったことでガラス板１２に歪みが残留する場合がある。この場合、面取処理後、アニール処理を行うことが好ましい。アニール処理では、一例を挙げると、室温（２５℃）から、徐冷点温度（ガラス粘度が１０１３［ｄＰａ・秒］となる温度）より数１０度高い温度、あるいは、ガラス転移点よりもやや低い温度まで数１０分かけてガラス板１２を昇温させて、上記温度で数１０分～１時間保持した後、歪点温度より数１０度低い温度まで１時間程度かけてゆっくり降温させ、その後、室温まで自然冷却する。これにより、残留する歪みによりリターデーション値が５［ｎｍ］超であるガラス板１２を、リターデーション値を５［ｎｍ］以下の極めて低い値にすることができる。本発明者らの検討によると、例えばリターデーション値が６．２５［ｎｍ］と既に低い値であるガラス板１２に対してアニール処理することで、リターデーション値は１．０８［ｎｍ］とさらに低い値にすることができた。
　このように面取処理されるガラス板の製造は、特に制限されないが、例えば、フロート法、ダウンドロー法、あるいはプレス法により製造される。フロート法やダウンドロー法により製造された広いシート状のガラス板から内孔の設けられた円盤形状のガラス板を複数枚、取りだすことができる。広いシート状のガラス板から円盤形状のガラス板を取りだす方法は、周知のスクライバを用いた割断によって行ってもよいし、レーザー光をガラス板に照射して、円形状に欠陥を形成して、円環形状に切り出してもよい。
　磁気ディスク用ガラス板を、面取処理の施されたガラス板から製造する場合、最終製品である磁気ディスク用ガラス板に適した特性を有するように各種処理が行われる。以降、ガラス板１２を用いて説明する。
　面取処理されたガラス板１２は、主表面の研削・研磨処理が行われる。
　研削・研磨処理では、ガラス板１２の研削後、研磨が行われる。
　研削処理では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、ガラス板１２の主表面に対して研削加工を行う。具体的には、ガラス板１２の外周端面を、両面研削装置の保持部材に設けられた保持孔内に保持しながらガラス板１２の両側の主表面の研削を行う。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス板１２が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させ、クーラントを供給しながらガラス板１２と各定盤とを相対的に移動させることにより、ガラス板１２の両主表面を研削することができる。例えば、ダイヤモンドを樹脂で固定した固定砥粒をシート状に形成した研削部材を定盤に装着して研削処理をすることができる。
　次に、研削後のガラス板１２の主表面に第１研磨が施される。具体的には、ガラス板１２の外周端面を、両面研磨装置の研磨用キャリアに設けられた保持孔内に保持しながらガラス板１２の両側の主表面の研磨が行われる。第１研磨は、研削処理後の主表面に残留したキズや歪みの除去、あるいは微小な表面凹凸（マイクロウェービネス、粗さ）の調整を目的とする。
　第１研磨処理では、固定砥粒による上述の研削処理に用いる両面研削装置と同様の構成を備えた両面研磨装置を用いて、研磨スラリを与えながらガラス板１２が研磨される。第１研磨処理では、遊離砥粒を含んだ研磨スラリが用いられる。第１研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、酸化セリウム、あるいはジルコニア等の砥粒が用いられる。両面研磨装置も、両面研削装置と同様に、上下一対の定盤の間にガラス板１２が狭持される。下定盤の上面及び上定盤の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド（例えば、樹脂ポリッシャ）が取り付けられている。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス板１２と各定盤とを相対的に移動させることにより、ガラス板１２の両主表面を研磨する。研磨砥粒の大きさは、平均粒径（Ｄ５０）で０．５～３μｍの範囲内であることが好ましい。
　第１研磨後、ガラス板１２を化学強化してもよい。この場合、化学強化液として、例えば硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合熔融液等を用い、ガラス板１２を化学強化液中に浸漬する。これにより、イオン交換によってガラス板１２の表面に圧縮応力層を形成することができる。
　次に、ガラス板１２に第２研磨が施される。第２研磨処理は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨においても、第１研磨に用いる両面研磨装置と同様の構成を有する両面研磨装置が用いられる。具体的には、ガラス板１２の外周端面を、両面研磨装置の研磨用キャリアに設けられた保持孔内に保持させながら、ガラス板１２の両側の主表面の研磨が行われる。第２研磨処理では、第１研磨処理に対して、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なる。樹脂ポリッシャの硬度は第１研磨処理時よりも小さいことが好ましい。例えばコロイダルシリカを遊離砥粒として含む研磨液が両面研磨装置の研磨パッドとガラス板１２の主表面との間に供給され、ガラス板１２の主表面が研磨される。第２研磨に用いる研磨砥粒の大きさは、平均粒径（ｄ５０）で５～５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
　化学強化処理の要否については、ガラス組成や必要性を考慮して適宜選択すればよい。第１研磨処理及び第２研磨処理の他にさらに別の研磨処理を加えてもよく、２つの主表面の研磨処理を１つの研磨処理で済ませてもよい。また、上記各処理の順番は、適宜変更してもよい。
　こうして、上述したレーザー光の端面への照射により端面の面取処理をしたガラス板１２を製造した後、ガラス板１２の主表面を研削あるいは研磨することにより、磁気ディスク用ガラス板に要求される条件を満足した磁気ディスク用ガラス基板が製造される。
　この後、磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁性膜を形成することにより、磁気ディスクが製造される。
　なお、ガラス板１２は、第１研磨を行う前に、例えば、第１研削後、第１研磨前に、あるいは、第１研削前に、ガラス板１２の端面１２ａを研磨する端面研磨処理を行ってもよい。
　このような端面研磨処理を行う場合であっても、事前にレーザー光Ｌの照射によって面取処理が施されたガラス板１２の端面の算術平均粗さＲａを５０ｎｍ以下、及び／または、Ｒｚを５００ｎｍ以下にできているので、端面研磨処理に要する時間を短くすることができる。
　端面研磨処理は、遊離砥粒を端面に供給しながら研磨ブラシを用いて研磨する研磨ブラシ方式を用いてもよく、あるいは、磁気機能性流体を用いた研磨方式を用いてもよい。磁気機能性流体を用いた研磨方式は、例えば、磁気粘性流体に研磨砥粒を含ませたスラリを磁界によって塊にし、この塊の内部にガラス板１２の端面１２ａを突っ込んで、塊とガラス基板を相対的に回転させることにより、端面１２ａを研磨する方式である。しかし、生産効率を高めるためには、端面研磨処理をしないことが好ましい。ガラス板１２の端面１２ａの表面粗さを、面取処理によって得られる端面１２ａの表面粗さに保持したまま、ガラス板１２の主表面を研削あるいは研磨することが好ましい。なお、本実施形態で行う面取処理で形成される面取面の表面粗さは小さいので、面取処理は端面研磨処理を兼ねているといえる場合がある。この場合、面取処理で同時に行われる端面研磨以外に、追加の端面研磨処理をしないことが好ましい。
　ガラス板１２のガラス転移温度Ｔｇは、４５０～８００℃であることが好ましく、４８０～７５０℃であることがより好ましい。
　ガラス板１２のガラスの材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどのアモルファスのガラスを用いることができる。磁気ディスク用ガラス基板を作製する場合、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を得ることができるアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。
　ガラス板１２のガラスの組成は、限定するものではないが、一実施形態によれば、酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ２を５０～７５％、Ａｌ２Ｏ３を１～１５％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５～３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０～２０％、ならびにＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５及びＨｆＯ２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０～１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。
　また、一実施形態によれば、質量％表示にて、ＳｉＯ２を５７～７５％、Ａｌ２Ｏ３を５～２０％、（ただし、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の合計量が７４％以上）、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３およびＴｉＯ２を、合計で０％を超え、６％以下、Ｌｉ２Ｏを、１％を超え、９％以下、Ｎａ２Ｏを５～２８％（ただし、質量比Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏが０．５以下）、Ｋ２Ｏを０～６％、ＭｇＯを０～４％、ＣａＯを０％を超え、５％以下（ただし、ＭｇＯとＣａＯの合計量は５％以下であり、かつＣａＯの含有量はＭｇＯの含有量よりも多い）、ＳｒＯ＋ＢａＯを０～３％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。
　また、一実施形態によれば、必須成分として、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ならびに、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群から選ばれる一種以上のアルカリ土類金属酸化物を含み、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＣａＯの含有量のモル比（ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が０．２０以下であって、ガラス転移温度Ｔｇが６５０℃以上であってもよい。このような組成のガラスは、磁気ディスク用ガラス基板に用いる場合、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に好適である。
（実験例）
　本実施形態のガラス板の製造方法の効果を確認するために、円環形状のガラス板１２（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、板厚０．７ｍｍ）を用いて、加熱面積Ａ（円孔３の部分は除く）、回転速度Ｖを種々変更して面取処理を行って、ピーリング発生の有無を評価した。面取処理前のガラス板１２の端面は、図１（ｃ）に示すような主表面に垂直な端面７であった。ガラス板１２のガラスは、ガラス転移温度５００℃、歪点温度４５０℃、１００～３００℃の平均線膨張係数９５×１０－７のアモルファスのアルミノシリケートガラスであった。
　ガラス板１２の外周端面に対して、図２（ｂ）に示すような位置にレーザー照射ユニット４０を配置し、レーザー光Ｌを図２（ｂ）に示すように外周端面に照射した。加熱空間１４における加熱温度は４８０℃に調整した。レーザー光Ｌの照射位置Ｐ１は、位置Ｐ２からガラス板１２の周方向に２５ｍｍ離れた位置とした。また、レーザー光Ｌの端面への入射角度は、端面の法線方向から主表面の面内方向に４５度傾けた角度とした。
　下記表１は、条件１～２６で面取処理を行ったときの評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　なお、ガラス板１２全体を加熱空間１４に入れた場合、ガラス板１２の冷却に時間を要し、生産効率が極端に低下して好ましくないことから、上記条件には含めなかった。
　条件１～２６の評価結果より、Ｖ＜１／５０・Ａとすることで、ピーリングの発生がみられなかった。ピーリングが発生しなかったガラス板１２の端面はいずれも図１（ｂ）に類似の断面形状であり、面取面が形成されていた。また、端面の表面粗さは算術平均粗さＲａで５０ｎｍ以下であった。
　これより、Ｖ＜１／５０・Ａとすることが、ピーリング発生を防止する点から好ましいことがわかる。
　以上、本発明のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更してもよいのはもちろんである。
１　ガラス板
３　円孔
５　面取面
７　端面
１０　面取装置
１２　ガラス板
１２ａ，５０　端面
１４　加熱空間
１６　加熱ユニット
１８　駆動ユニット
２０　壁
２１　開口部
２２　加熱ヒータ
２４　載置台
２４ａ　断熱材
２６　回転シャフト
２８　回転モータ
３０　移動台
４０　レーザー照射ユニット

Claims (11)

  1. 　円板形状のガラス板の端面に面取加工を行う面取処理を含むガラス板の製造方法であって、
    　前記面取処理は、
    　前記ガラス板の一部が、前記ガラス板を加熱する加熱空間内に配置され、残りの部分が、前記加熱空間の外部に配置されるように、前記ガラス板を配置するステップと、
    　前記ガラス板を前記ガラス板の中心周りに一方向に回転させながら、前記加熱空間の外部において前記ガラス板の端面の周上の一部にレーザー光を照射して前記端面の一部を軟化させ、前記回転によって前記加熱空間に到達した前記端面の軟化した部分を加熱するステップと、
    　を備える、ことを特徴とするガラス板の製造方法。
  2. 　前記ガラス板の前記中心周りの回転速度は、前記ガラス板の主表面が前記加熱空間に配置されて定まる前記主表面の加熱面積に応じて設定される回転速度設定値よりも低い、請求項１に記載のガラス板の製造方法。
  3. 　前記ガラス板の前記回転速度をＶ［ｍｍ／秒］とし、前記加熱面積をＡ［ｍｍ２］としたとき、Ｖ＜１／５０・Ａを満足する、請求項２に記載のガラス板の製造方法。
  4. 　前記ガラス板の１００～３００℃の温度範囲における平均線膨張係数は１００×１０－７／℃以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  5. 　前記レーザー光を照射した前記端面の前記軟化した部分の温度が前記ガラス板の歪点温度より５０℃低い温度未満になる前に、前記軟化した部分が前記加熱空間への進入を開始するように、前記レーザー光の前記端面への照射位置は定められる、請求項１～４のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  6. 　前記ガラス板の主表面における前記加熱空間内に配置される領域は、前記ガラス板の前記主表面の面積の半分以上である、請求項１～５のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  7. 　前記端面の前記軟化した部分は、前記加熱空間において、前記ガラス板のガラス転移点温度よりも低い温度で加熱される、請求項１～６のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  8. 　加熱した後の前記端面を研磨処理することなく、前記ガラス板の主表面を研削あるいは研磨するステップを備える、請求項１～７のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  9. 　前記ガラス板は、磁気ディスク用ガラス板の素板であることを特徴とする、請求項１～８のいずれか１項に記載されたガラス板の製造方法。
  10. 　磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
    　請求項９に記載のガラス板の製造方法によってガラス板を製造した後、前記ガラス板の主表面を研削あるいは研磨することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
  11. 　請求項１０に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって磁気ディスク用ガラス基板を製造した後、前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁性膜を形成することを特徴とする、磁気ディスクの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022114060A1 (ja) * 2020-11-25 2022-06-02 Hoya株式会社 ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び円環形状のガラス板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114940582B (zh) * 2022-06-30 2023-06-27 成都光明光电股份有限公司 玻璃片加工方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002150546A (ja) * 2000-11-06 2002-05-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び該製造方法により製造された情報記録媒体用ガラス基板、並びに情報記録媒体
JP2010519164A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 コーニング インコーポレイテッド 熱的エッジ仕上げ
JP2016124757A (ja) * 2015-01-05 2016-07-11 日本電気硝子株式会社 ガラス板及びその製造方法
JP2017186202A (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 川崎重工業株式会社 加熱装置
JP2017197414A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 日本電気硝子株式会社 円形状ガラス板及びその製造方法
JP2018123013A (ja) * 2017-01-30 2018-08-09 日本電気硝子株式会社 板ガラスの製造方法及び製造装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003160348A (ja) * 2001-11-21 2003-06-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
JP6251826B1 (ja) * 2017-01-16 2017-12-20 川崎重工業株式会社 脆性材料基板の端部仕上げ装置、及び脆性材料基板の端部仕上げ方法
CN207375951U (zh) * 2017-10-30 2018-05-18 浙江晶华玻璃有限公司 一种玻璃瓶的自动火抛装置
CN109514103A (zh) * 2018-12-28 2019-03-26 蓝思智能机器人(长沙)有限公司 一种玻璃盖板的加工系统及加工方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002150546A (ja) * 2000-11-06 2002-05-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び該製造方法により製造された情報記録媒体用ガラス基板、並びに情報記録媒体
JP2010519164A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 コーニング インコーポレイテッド 熱的エッジ仕上げ
JP2016124757A (ja) * 2015-01-05 2016-07-11 日本電気硝子株式会社 ガラス板及びその製造方法
JP2017186202A (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 川崎重工業株式会社 加熱装置
JP2017197414A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 日本電気硝子株式会社 円形状ガラス板及びその製造方法
JP2018123013A (ja) * 2017-01-30 2018-08-09 日本電気硝子株式会社 板ガラスの製造方法及び製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022114060A1 (ja) * 2020-11-25 2022-06-02 Hoya株式会社 ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び円環形状のガラス板

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