WO2020255582A1 - 研磨液、及び、化学的機械的研磨方法 - Google Patents

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上村　哲也
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    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Definitions

  • the present invention relates to a polishing liquid and a chemical mechanical polishing method.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • Patent Document 1 states, "A polishing liquid for CMP used for polishing a surface to be polished, which has at least a cobalt-containing portion and a metal-containing portion containing a metal other than cobalt, and is a polishing particle, a metal anticorrosive agent, and the like.
  • the corrosion potential E A of cobalt and the corrosion potential E B of the metal are measured in the polishing liquid for CMP, which contains water and water and has a pH of 4.0 or less, the corrosion potential E A and the corrosion potential E the absolute value of the corrosion potential E a -E B and B is 0 ⁇ 300 mV, CMP polishing liquid. "is disclosed.
  • the dishing (Dishing: when wiring is formed by CMP) that occurs on the surface to be polished of the object to be polished after polishing is applied to the surface to be polished. It was found that there is room for improvement in the phenomenon that the surface of the exposed wiring is dented in a dish shape).
  • an object of the present invention is to provide a polishing liquid in which dishing on the surface to be polished of the object to be polished after polishing is less likely to occur when applied to CMP of the object to be polished having a cobalt-containing film.
  • Another object of the present invention is to provide a chemical mechanical polishing method using the above polishing liquid.
  • the present inventor has found that the above problem can be solved by the following configuration.
  • a polishing liquid used for chemical mechanical polishing of an object to be polished having a cobalt-containing film Contains colloidal silica, nitrogen-containing aromatic heterocyclic compounds, and hydrogen peroxide.
  • the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound at least a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1) and a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (2) different from the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1) are contained.
  • the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1) and the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (2) are a compound represented by the general formula (I) described later, a compound represented by the general formula (II) described later, and a compound described later.
  • the above [1] further comprises one or more passivation film forming agents selected from the group consisting of the compound represented by the general formula (1) described later and the compound represented by the general formula (2) described later.
  • the polishing liquid described in. [3] The polishing solution according to the above [2], wherein the passivation film forming agent has a ClogP value of 1.0 to 3.8.
  • Immobilizing film-forming agents include 4-methylphthalic acid, 4-nitrophthalic acid, salicylic acid, 4-methylsalicylic acid, anthranilic acid, 4-methylbenzoic acid, 4-tert-butylbenzoic acid, 4-propylbenzoic acid, 1,4. , 5,8-Naphthalenetetracarboxylic acid, 6-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid, 1-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid, 3-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid, quinaldic acid, 8-hydroxyquinoline, and The polishing solution according to the above [2] or [3], which comprises one or more selected from the group consisting of 2-methyl-8-hydroxyquinoline.
  • the content of colloidal silica is 10% by mass or less with respect to the total mass of the polishing liquid.
  • the solid content concentration is 5% by mass or more,
  • a chemical-mechanical polishing method comprising a step of relatively moving a pad to polish a surface to be polished to obtain a polished object to be polished.
  • the object to be polished has at least a first layer containing cobalt and a second layer other than the first layer.
  • the second layer contains one or more materials selected from the group consisting of tantalum, tantalum nitride, titanium nitride, silicon nitride, tetraethoxysilane, silicon oxide, and silicon carbide.
  • the chemical mechanical polishing method according to any one of. [22] The chemical mechanical polishing method according to any one of [18] to [21] above, further comprising a step of cleaning the polished object to be polished with an alkaline cleaning solution after the step of obtaining the polished object to be polished. [23] A polishing liquid used for chemical and mechanical polishing of the object to be polished.
  • the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1) and the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (2) are a compound represented by the general formula (I) described later, a compound represented by the general formula (II) described later, and a compound described later.
  • a polishing solution which is two kinds selected from the group consisting of compounds.
  • the present invention it is possible to provide a polishing liquid in which dishing on the surface to be polished of the object to be polished after polishing is less likely to occur when applied to CMP of the object to be polished having a cobalt-containing film. Further, it is possible to provide a chemical mechanical polishing method using the above polishing liquid.
  • the numerical range represented by using “-” means a range including the numerical values before and after "-” as the lower limit value and the upper limit value.
  • ppm means “parts-per-parts ( 10-6 )
  • ppb means “parts-per-parts ( 10-9 )”
  • ppt Means "parts-per-partions ( 10-12 )”.
  • the ClogP value is a value obtained by calculating the common logarithm logP of 1-octanol and the partition coefficient P to water.
  • the polishing liquid of the present invention (hereinafter, also referred to as "the main polishing liquid") is a polishing liquid used for chemical mechanical polishing (CMP) of an object to be polished (preferably an object to be polished having a cobalt-containing film).
  • the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1) contains abrasive grains (preferably colloidal silica), a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound, and hydrogen peroxide, and as the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound, A nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (2) different from the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1), which contains at least a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1) and a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (2).
  • polishing liquid which is two kinds selected from the group consisting of a compound represented by the general formula (IV) described later and a compound represented by the general formula (V) described later.
  • excellent performance of making it difficult for the object to be polished to be dished on the surface to be polished is also referred to as simply being excellent in anti-dishing property, and is also said to be excellent in the effect of the present invention.
  • each component described below may be ionized in this polishing liquid.
  • the content of each component in the following description is intended to be the content obtained by conversion on the assumption that the components existing ionized in the present polishing solution are not ionized.
  • a carboxylic acid group (-COOH) is a carboxylic acid anion in the compound represented by formula (1) described below - are included as going on Compound (Ion) (-COO)
  • the polishing solution is considered to contain the compound represented by the general formula (1).
  • This polishing liquid contains colloidal silica (silica colloidal particles). Colloidal silica functions as abrasive grains for polishing the object to be polished.
  • the polishing solution comprises abrasive grains.
  • the abrasive grains include inorganic abrasive grains such as silica, alumina, zirconia, ceria, titania, germania, and silicon carbide; and organic abrasive grains such as polystyrene, polyacrylic, and polyvinyl chloride.
  • silica particles are preferable as the abrasive grains in that the dispersion stability in the polishing liquid is excellent and the number of scratches (polishing scratches) generated by CMP is small.
  • the silica particles are not particularly limited, and examples thereof include precipitated silica, fumed silica, and colloidal silica. Of these, colloidal silica is more preferable.
  • the polishing liquid is preferably a slurry.
  • the average primary particle size of colloidal silica is preferably 60 nm or less, more preferably 30 nm or less, from the viewpoint of further suppressing the occurrence of defects on the surface to be polished.
  • the lower limit of the average primary particle size of colloidal silica is preferably 1 nm or more, more preferably 3 nm or more, from the viewpoint of suppressing aggregation of colloidal silica and improving the stability of the polishing solution over time.
  • the average primary particle size is the particle size (equivalent to a circle) of 1000 primary particles arbitrarily selected from images taken with a transmission electron microscope TEM2010 (pressurized voltage 200 kV) manufactured by JEOL Ltd. Measure and calculate them by arithmetic mean.
  • the equivalent circle diameter is the diameter of the circle assuming a perfect circle having the same projected area as the projected area of the particles at the time of observation.
  • the catalog value is preferentially adopted as the average primary particle size of the colloidal silica.
  • the average aspect ratio of colloidal silica is preferably 1.5 to 2.0, more preferably 1.55 to 1.95, and even more preferably 1.6 to 1.9, from the viewpoint of improving polishing power.
  • the major axis and minor axis were measured for each of the 100 arbitrary particles observed by the above-mentioned transmission electron microscope, and the aspect ratio (major axis / minor axis) for each particle was calculated. , 100 aspect ratios are calculated by arithmetic averaging.
  • the major axis of the particle means the length of the particle in the major axis direction
  • the minor axis of the particle means the length of the particle orthogonal to the major axis direction of the particle.
  • the catalog value is preferentially adopted as the average aspect ratio of the colloidal silica.
  • the degree of association of colloidal silica is preferably 1 to 3 in that the polishing rate is further improved.
  • the average secondary particle diameter corresponds to the average particle diameter (circle equivalent diameter) of the agglomerated secondary particles, and can be obtained by the same method as the above-mentioned average primary particle diameter.
  • the catalog value is preferentially adopted as the degree of association of the colloidal silica.
  • Colloidal silica may have a surface modifying group (sulfonic acid group, phosphonic acid group, and / or carboxylic acid group, etc.) on the surface.
  • the group may be ionized in the polishing liquid.
  • the method for obtaining colloidal silica having a surface modifying group is not particularly limited, and examples thereof include the methods described in JP-A-2010-269985.
  • colloidal silica a commercially available product may be used, and examples thereof include PL1, PL3, PL7, PL10H, PL1D, PL07D, PL2D, and PL3D (product names, manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd.).
  • the upper limit of the content of colloidal silica is preferably 15.0% by mass or less, preferably 10.0% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the present polishing liquid. Is more preferable, and 5.0% by mass or less is further preferable.
  • the lower limit is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, based on the total mass of the polishing liquid.
  • the upper limit of the content of colloidal silica is preferably 0.5% by mass or less with respect to the total mass of the main polishing liquid. More preferably, it is 25% by mass or less.
  • the lower limit of the content of colloidal silica is preferably 1.0% by mass or more with respect to the total mass of the polishing liquid. More preferably, it is 0% by mass or more.
  • One type of colloidal silica may be used alone, or two or more types may be used. When two or more kinds of colloidal silica are used, the total content is preferably within the above range.
  • the preferred range of the abrasive grain content in the polishing liquid is the same as the preferred range of the colloidal silica content described above.
  • This polishing solution contains a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound.
  • the nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound is a compound having a heterocyclic structure having aromaticity in the molecule.
  • this polishing solution contains a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (1) (hereinafter, also simply referred to as “compound (1)”) and a nitrogen-containing aromatic compound different from the compound (1). It includes at least the heterocyclic compound (2) (hereinafter, also simply referred to as “compound (2)”).
  • the compound (1) and the compound (2) consist of a group consisting of a compound represented by the following general formula (I), a compound represented by the following general formula (II), and a compound represented by the following general formula (III). Two types are selected, or two types are selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (IV) and a compound represented by the following general formula (V).
  • R 11 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group. Further, R 11 and R 12 may be combined with each other to form a ring.
  • an alkyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 3 carbon atoms).
  • Alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms), alkynyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms), aryl group (6 carbon atoms are preferable).
  • ⁇ 18 is preferable, carbon number 6-14 is more preferable, carbon number 6-10 is more preferable), and aralkyl group (carbon number 7-23 is preferable, carbon number 7-15 is more preferable, carbon number 7 ⁇ 11 is more preferable).
  • the hydrocarbon groups represented by R 11 and R 12 may have a substituent.
  • substituents include an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 3 carbon atoms), and an aryl group (preferably 6 to 18 carbon atoms, carbon). Numbers 6 to 14 are more preferable, and carbon numbers 6 to 10 are even more preferable), hydroxyl groups, carboxy groups, and ⁇ N ( Ra ) (R b ).
  • R a and R b independently represent a hydrogen atom or an organic group.
  • the organic group is an alkyl group (for example, 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms), or a hydroxyalkyl group (for example, 1 to 12 carbon atoms). , 1 to 6 carbon atoms are preferable, and 1 to 4 carbon atoms are more preferable).
  • the ring formed by bonding R 11 and R 12 to each other is not particularly limited, but an aromatic ring (either a monocyclic ring or a polycyclic ring) is preferable, and a benzene ring is more preferable. Further, the ring formed by bonding R 11 and R 12 to each other may have a substituent.
  • the substituent is not particularly limited, and examples thereof include those exemplified as the substituent of the hydrocarbon group represented by R 11 and R 12 .
  • Compound represented by the general formula (I) preferably has a benzotriazole skeleton R 11 and R 12 are formed by bonding to form a benzene ring system with one another, R 11 and R 12 and are attached It is more preferable to have a benzotriazole skeleton having a substituent on the benzene ring formed therein.
  • the compound represented by the general formula (I) shall include the tautomer thereof.
  • R 21 and R 22 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group. However, when R 21 is a hydrogen atom, R 22 represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • the substituted or unsubstituted hydrocarbon group represented by R 21 and R 22 is synonymous with the substituted or unsubstituted hydrocarbon group represented by R 11 and R 12 .
  • the hydrocarbon group represented by R 21 among them, an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 3 carbon atoms) or an aryl group (preferably having 1 to 3 carbon atoms) or an aryl group (carbon number) 6 to 18 is preferable, carbon number 6 to 14 is more preferable, and carbon number 6 to 10 is further preferable).
  • the hydrocarbon group represented by R 21 may have a substituent.
  • substituents examples include those exemplified as the substituent of the hydrocarbon group represented by R 11 and R 12 .
  • the hydrocarbon group represented by R 22 an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 3 carbon atoms) is preferable.
  • the hydrocarbon group represented by R 22 may have a substituent. Examples of the substituent include those exemplified as the substituent of the hydrocarbon represented by R 11 and R 12 .
  • the present polishing liquid contains the compound represented by the above general formula (I) as one of the compounds (1) and (2), and the above general formula (II) as the other of the compounds (1) and (2).
  • Is included, and R 11 and R 12 in the general formula (I) are bonded to each other to form a benzene ring, and the benzene ring has a substituent.
  • R 21 is a hydrogen atom
  • R 22 represents a group different from the above-mentioned substituent.
  • the carbon number of R 22 is preferably larger than the carbon number in the above-mentioned substituent.
  • R 31 represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • R 32 represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • the substituted or unsubstituted hydrocarbon group represented by R 31 has the same meaning as the substituted or unsubstituted hydrocarbon group represented by R 21 , and the preferred embodiment is also the same.
  • R 32 has the same meaning as R 22 in the general formula (II), and the preferred embodiment is also the same.
  • R 41 represents a hydrogen atom.
  • R 42 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, or an amino group.
  • R 42 is preferably a hydrogen atom or an amino group, and more preferably a hydrogen atom.
  • R 51 and R 52 each independently represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group. However, at least one of R 51 and R 52 represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • the substituted or unsubstituted hydrocarbon group represented by R 51 and R 52 is synonymous with the substituted or unsubstituted hydrocarbon group represented by R 11 and R 12 .
  • an alkyl group preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 3 carbon atoms
  • nitrogen-containing aromatic heterocyclic compounds are shown below, but the present invention is not limited thereto.
  • Examples of the compound represented by the above general formula (I) or general formula (II) and having a benzotriazole skeleton include benzotriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 5-aminobenzotriazole, and 1-hydroxy.
  • the compound (1) is represented by a compound represented by the general formula (I), a compound represented by the general formula (II), and a compound represented by the general formula (IV). Examples thereof include at least one selected from the group consisting of.
  • the compound (1) is a compound represented by the general formula (I) or a compound represented by the general formula (II)
  • the compound (2) is a general formula (2).
  • the compound (2) is a compound represented by the general formula (V).
  • compound (1) is a compound represented by the general formula (I) or a compound represented by the general formula (II)
  • the compound (1) is benzotriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 5-. Aminobenzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, or 5,6-dimethylbenzotriazole is preferable, and benzotriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, or 1-hydroxybenzotriazole is more preferable.
  • the compound (2) is represented by the general formula (II) and R 21 is represented by the general formula (II).
  • R 22 is represented by a compound representing an alkyl group or a compound represented by the general formula (III).
  • R 31 represents a substituted or unsubstituted aryl group (more preferably, a phenyl group which may be substituted with an alkyl group) and R 32 represents an alkyl group is preferable.
  • the compound (1) is preferably tetrazole or 5-aminotetrazole, and more preferably tetrazole.
  • the compound (2) is a 1-alkyl substituted phenyltetrazole (a tetrazole in which the phenyl group substituted with an alkyl group is substituted at the 1-position), Alternatively, 5-alkyl-substituted phenyltetrazole (tetrazole in which the phenyl group substituted with the alkyl group is substituted at the 5-position) is preferable.
  • Compound (1) may be used alone or in combination of two or more. Further, the compound (2) may be used alone or in combination of two or more.
  • the mass ratio (content of compound (1) / content of compound (2)) is preferably 1 or more, more preferably 5 or more, further preferably 30 or more, and particularly preferably 100 or more.
  • the upper limit of the mass ratio is not particularly limited, but 100,000 or less is preferable, 30,000 or less is more preferable, 20,000 or less is further preferable, 15,000 or less is particularly preferable, and 3,000 or less is most preferable in terms of excellent polishing speed.
  • the content of compound (1) in this polishing liquid is preferably 0.0001 to 1% by mass, preferably 0.0005 to 0.3, based on the total mass of the polishing liquid.
  • the mass% is more preferable, and 0.003 to 0.1% by mass is further preferable.
  • the amount of the compound (2) contained in the polishing liquid is preferably 0.001 to 1000% by mass, preferably 0.001 to 100% by mass, based on the total mass of the polishing liquid. Is more preferable, 0.005 to 3 mass ppm is further preferable, and 0.01 to 1 mass ppm is particularly preferable.
  • the present polishing liquid is a nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound (3) other than the compounds represented by the above general formulas (I) to (V) in that the effect of the present invention is more excellent (hereinafter, simply "compound (3)”. ) ”) Is included. Further, the present polishing liquid preferably contains compound (3) because it is excellent in polishing speed when used for polishing and removing the bulk layer. Examples of the compound (3) include azole compounds other than the compounds represented by the general formulas (I) to (V), pyridine compounds, pyrazine compounds, pyrimidine compounds, and piperazin compounds.
  • Examples of the azole compound other than the compounds represented by the general formulas (I) to (V) include an imidazole compound in which one of the atoms constituting the azole ring is a nitrogen atom and two of the atoms constituting the azole ring.
  • Specific examples of the 1,2,4-triazole compound include 1,2,4-triazol, 3-methyl-1,2,4-triazole, and 3-amino-1,2,4-. Triazole can be mentioned.
  • the pyridine compound is a compound having a hetero 6-membered ring (pyridine ring) containing one nitrogen atom and having aromaticity.
  • the pyrazine compound is a compound having aromaticity and having a hetero 6-membered ring (pyrazine ring) containing two nitrogen atoms located at the para position, and the pyrimidine compound has aromaticity and is at the meta position. It is a compound having a hetero 6-membered ring (pyrimidine ring) containing two located nitrogen atoms.
  • the piperazine compound is a compound having a hetero 6-membered ring (piperazine ring) in which the opposite -CH- group of the cyclohexane ring is replaced with a nitrogen atom. Further, the pyridine compound, the pyrazine compound, the pyrimidine compound, and the piperazine compound may have a substituent on the hetero 6-membered ring.
  • the polishing liquid preferably contains a 1,2,4-triazole compound as the compound (3), and more preferably 1,2,4-triazole, because the effect of the present invention is more excellent.
  • the content of the compound (3) in the polishing solution (the total of a plurality of types if present) is preferably 0.001 to 10% by mass, preferably 0.01 to 3% by mass, based on the total mass of the polishing solution. Is more preferable, and 0.1 to 1% by mass is further preferable.
  • This polishing liquid contains hydrogen peroxide (H 2 O 2 ).
  • the content of hydrogen peroxide is preferably 0.1 to 10.0% by mass, more preferably 0.2 to 5.0% by mass, and 0.5 to 3.0% of the total mass of the polishing solution. Mass% is more preferred.
  • the polishing liquid preferably contains water.
  • the water contained in the polishing liquid is not particularly limited, and examples thereof include ion-exchanged water and pure water.
  • the water content is preferably 90 to 99% by mass with respect to the total mass of the polishing liquid.
  • the polishing liquid preferably contains an organic solvent.
  • the organic solvent is preferably a water-soluble organic solvent.
  • the organic solvent include a ketone solvent, an ether solvent, an alcohol solvent, a glycol solvent, a glycol ether solvent, and an amide solvent. More specifically, for example, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dioxane, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, acetonitrile, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, ethylene glycol, propylene glycol. , And ethoxyethanol. Of these, ethylene glycol is preferable.
  • the content of the organic solvent is preferably 0.001 to 10% by mass, preferably 0, based on the total mass of the polishing solution, in that the performance balance of the polishing solution is excellent. .005 to 5% by mass is more preferable, and 0.01 to 1% by mass is further preferable.
  • One type of organic solvent may be used alone, or two or more types may be used. When two or more kinds of organic solvents are used, the total content is preferably within the above range.
  • the polishing solution preferably contains a passivation film forming agent.
  • the polishing solution containing the passivation film forming agent is preferable in that the polishing solution is excellent in polishing speed when the polishing solution is used for polishing and removing the bulk layer, and the polishing solution is used for polishing and removing the barrier layer. In this case, it is preferable in that it is excellent in suppressing erosion (a phenomenon in which a portion other than the wiring is partially sharpened when the wiring is formed by CMP).
  • the passivation film forming agent used in this polishing liquid is not particularly limited, but is selected from the group consisting of the compound represented by the following general formula (1) and the compound represented by the general formula (2). One or more passivation film forming agents are preferred.
  • R 1 to R 5 independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituents include an alkyl group (which may be linear or branched, preferably having 1 to 6 carbon atoms), a nitro group, an amino group, a hydroxyl group, and a carboxylic acid group.
  • Two adjacent two in R 1 to R 5 may be combined with each other to form a ring.
  • the ring formed by bonding two adjacent rings in R 1 to R 5 to each other include an aromatic ring (either a monocyclic ring or a polycyclic ring, preferably a benzene ring or a pyridine ring).
  • the ring (preferably an aromatic ring, more preferably a benzene ring or a pyridine ring) may further have a substituent.
  • R 6 to R 10 independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituents include an alkyl group (which may be linear or branched, preferably having 1 to 6 carbon atoms), a nitro group, an amino group, a hydroxyl group, and a carboxylic acid group.
  • Two adjacent two in R 6 to R 10 may be combined with each other to form a ring.
  • the ring formed by bonding two adjacent rings in R 6 to R 10 to each other include an aromatic ring (either a monocyclic ring or a polycyclic ring, preferably a benzene ring or a pyridine ring).
  • the ring (preferably an aromatic ring, more preferably a benzene ring or a pyridine ring) may further have a substituent.
  • the ClogP value of the passivation film forming agent used in this polishing solution is not particularly limited, but is preferably 1.0 or more, more preferably 1.0 to 6.0, and even more preferably 1.0 to 3.8.
  • the passivation film forming agent having a ClogP value of 1.0 or more has an excellent polishing rate when the main polishing liquid is used for polishing and removing the bulk layer, and when the main polishing liquid is used for polishing and removing the barrier layer. Is excellent in suppressing erosion.
  • the immobile film-forming agents are 4-methylphthalic acid, 4-nitrophthalic acid, salicylic acid, 4-methylsalicylic acid, anthranylic acid, 4-methylbenzoic acid, 4-tert-butylbenzoic acid, 4-propylbenzoic acid, 1,4.
  • the present polishing liquid when used for polishing and removing the bulk layer, the present polishing liquid is a compound (3) and a passivation film forming agent in that the effect of the present invention is more excellent and the polishing speed is excellent. It is preferable to include both of the above.
  • the content of the passivation film forming agent is preferably 0.001 to 5.0% by mass, preferably 0.01 to 1.0% by mass, based on the total mass of the polishing liquid, in that the effect of the present invention is more excellent. % Is more preferable, and 0.01 to 0.3% by mass is further preferable.
  • the passivation film forming agent may be used alone or in combination of two or more. When two or more passivation film forming agents are used, the total content is preferably within the above range.
  • the polishing solution preferably contains an anionic surfactant.
  • an anionic surfactant when this polishing liquid is used for polishing and removing the barrier layer, it is preferable to contain an anionic surfactant because it is excellent in suppressing erosion.
  • the anionic surfactant is not particularly limited, but typically has a hydrophilic group and a lipophilic group in the molecule, and the hydrophilic group portion is dissociated in an aqueous solution to become an anion. Or, it means an anionic compound.
  • the anionic surfactant may exist as an acid accompanied by a hydrogen atom, may be a dissociated anion, or may be a salt thereof. As long as it is anionic, it may be non-dissociative, and includes acid esters and the like.
  • the anionic surfactant is one or more selected from the group consisting of a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, a phosphonic acid group, a sulfuric acid ester group, a phosphoric acid ester group, and a group which is a salt thereof.
  • Anionic surfactants having an anionic group are preferred.
  • An anionic surfactant having one or more anions selected from the group consisting of (* and * represent bonding positions with atoms other than hydrogen atoms) is preferable.
  • the anionic surfactant preferably has two or more of the above anionic groups in the polishing liquid. In this case, the two or more anionic groups may be the same or different.
  • anionic surfactants include sulfonic acid compounds, alkyl sulfate esters, alkyl sulfonic acids, alkylbenzene sulfonic acids (preferably having 8 to 20 carbon atoms), alkylnaphthalene sulfonic acids, alkyldiphenyl ether sulfonic acids, and polyoxyethylene alkyl ethers.
  • examples thereof include carboxylic acids, polyoxyethylene alkyl ether acetic acids, polyoxyethylene alkyl ether propionic acids, alkyl phosphates, and salts thereof.
  • the "salt" include ammonium salt, sodium salt, potassium salt, trimethylammonium salt, and triethanolamine salt.
  • the ClogP value of the anionic surfactant is preferably 1.00 to 15.00, more preferably 2.50 to 10.00.
  • the present polishing solution contains an anionic surfactant
  • the effect of the present invention is more excellent, and the content of the anion-based surfactant is 0.0005 to 5.0 with respect to the total mass of the present polishing solution. It is preferably by mass%, more preferably 0.001 to 0.5% by mass.
  • One type of anionic surfactant may be used alone, or two or more types may be used. When two or more kinds of anionic surfactants are used, the total content is preferably within the above range.
  • the polishing liquid preferably contains both a passivation film forming agent and an anionic surfactant in that the effect of the present invention is more excellent.
  • the present polishing solution contains a kinematic film-forming agent and an anionic surfactant, the effect of the present invention is more excellent, and the mass ratio of the content of the dysmotive film-forming agent to the content of the anionic surfactant (
  • the content of the conductor film forming agent / the content of the anionic surfactant) is preferably 500 or less, more preferably less than 300, further preferably less than 200, and particularly preferably less than 150.
  • the lower limit of the mass ratio of the content of the passivation film-forming agent to the content of the anionic surfactant is not particularly limited, but is preferably 0.001 or more, and more preferably more than 0.01.
  • the difference value obtained by subtracting the ClogP value of the immobile membrane-forming agent from the ClogP value of the anionic surfactant is 1.00. It is preferably ⁇ 12.00, more preferably more than 2.00 and less than 8.00, further preferably 2.50 to 6.00.
  • polishing solution it is preferable to satisfy "ClogP value of immobility film forming agent +1.00 ⁇ ClogP value of anionic surfactant ⁇ ClogP value of immobility film forming agent + 12.00", and "immobility film It is more preferable to satisfy the ClogP value of the forming agent +2.00 ⁇ ClogP value of the anionic surfactant ⁇ ClogP value of the immobile membrane forming agent +8.00 ".
  • the polishing solution contains two or more passivation film-forming agents and / or anionic surfactants, a combination of at least one set of passivation film-forming agents and an anionic surfactant (preferably the highest content). It is preferable that the combination of the passivation film forming agent and the anionic surfactant having the highest content) satisfies the range of the above difference values.
  • the polishing liquid when used for polishing and removing the barrier layer, it is preferable to contain both the compound (3) and the anionic surfactant in that the effect of the present invention is more excellent.
  • the polishing liquid may contain an organic acid.
  • the organic acid is preferably a compound different from the passivation film forming agent, and more specifically, it may not correspond to the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2). preferable. Further, the organic acid is preferably a compound different from the surfactant (particularly an anionic surfactant).
  • the organic acid contained in the polishing solution one or more organic acids selected from the group consisting of glycine, alanine, sarcosine, iminodiacetic acid, polycarboxylic acid and polyphosphonic acid are preferable because the effects of the present invention are more excellent. ..
  • the alanine may be either ⁇ -alanine (2-aminopropionic acid) or ⁇ -alanine (3-aminopropionic acid), and ⁇ -alanine is preferable.
  • Polycarboxylic acid is a compound having two or more carboxylic acid groups in one molecule
  • polyphosphonic acid is a compound having two or more phosphonic acid groups in one molecule.
  • Examples of the polycarboxylic acid include citric acid, malonic acid, maleic acid, and succinic acid.
  • Examples of the polyphosphonic acid include etidronic acid and ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid.
  • the organic acid may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the combination using two or more kinds include a combination of glycine and alanine, a combination of glycine and sarcosine, a combination of citric acid and malonic acid, and a combination of malonic acid and ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid. Be done.
  • the mass ratio of the content of the organic acid having the highest content to the content of the organic acid having the second highest content (the organic having the second highest content).
  • the content of the acid / the content of the organic acid having the highest content) is preferably 0.1 to 1.0, more preferably 0.2 to 1.0.
  • the content of the organic acid having the highest content may be substantially the same as the content of the organic acid having the second highest content.
  • This polishing liquid preferably contains one or more compounds (hereinafter, also referred to as "specific compounds") selected from the group consisting of glycine, alanine, sarcosine, and iminodiacetic acid in terms of excellent polishing speed.
  • specific compounds selected from the group consisting of glycine, alanine, sarcosine, and iminodiacetic acid in terms of excellent polishing speed.
  • the lower limit of the content of the specific compound is not particularly limited, but is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.6% by mass or more, based on the total mass of the polishing liquid, in that the polishing rate is more excellent. ..
  • the upper limit of the content is not particularly limited, but is preferably 10.0% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less, based on the total mass of the polishing liquid, in that the effect of the present invention is more excellent. .. When two or more specific compounds are used, the total content is preferably within the above range.
  • the mass ratio of the content of the specific compound (total of multiple types if present) to the content of compound (2) (total of multiple types if present) (the total of multiple types) is that the polishing speed is more excellent.
  • the content of the specific compound / the content of the compound (2)) is preferably 1000 or more, more preferably 10,000 or more, still more preferably 100,000 or more.
  • the upper limit of the mass ratio is not particularly limited, but 100000000 (1 ⁇ 10 8 ) or less is preferable, and 10000000 (1 ⁇ 10 7 ) or less is more preferable, and 3000000 (3 ⁇ 10 6 ) or less is more preferable in that the effect of the present invention is more excellent. ) The following is more preferable.
  • the polishing liquid preferably contains one or more organic acids (hereinafter, also referred to as "specific organic acids") selected from the group consisting of polycarboxylic acids and polyphosphonic acids because the effects of the present invention are more excellent.
  • specific organic acids organic acids selected from the group consisting of polycarboxylic acids and polyphosphonic acids because the effects of the present invention are more excellent.
  • the specific organic acid can be used in terms of the superior effect of the present invention and the ability to further suppress erosion. It is preferable to include it. In this case, it is more preferable to use two or more kinds of specific organic acids.
  • the combination of two or more kinds of specific organic acids is as described above.
  • the content of the specific organic acid is preferably 0.001 to 5% by mass, more preferably 0.1 to 1.5% by mass, based on the total mass of the polishing solution.
  • the total content thereof is preferably within the above range.
  • the effect of the present invention is more excellent, and the content of the specific organic acid (the total if a plurality of types exist) with respect to the content of the compound (2) (the total if a plurality of types exist).
  • the mass ratio (content of compound (2) / content of compound (2)) is preferably 400 or more, more preferably 1000 or more, still more preferably 10,000 or more.
  • the upper limit of the mass ratio is not particularly limited, but it is preferably 10,000,000 or less, more preferably 1,000,000 or less, and further preferably 500,000 or less in that erosion can be further suppressed.
  • the polishing solution preferably contains a polymer compound, and more preferably contains an anionic polymer compound in that the effect of the present invention is more excellent.
  • this polishing liquid having a pH of 2.0 to 4.5 it is preferable to contain an anionic polymer compound.
  • anionic polymer compound examples include polymers having a monomer having a carboxyl group as a basic constituent unit, salts thereof, and copolymers containing them. More specifically, polyacrylic acid and salts thereof, and copolymers containing them; polymethacrylic acid and salts thereof, and copolymers containing them; polyamic acid and salts thereof, and copolymers containing them. Examples thereof include polycarboxylic acids such as polymaleic acid, polyitaconic acid, polyfumaric acid, poly (p-styrenecarboxylic acid) and polyglioxylic acid and salts thereof, and copolymers containing them.
  • the anionic polymer compound may be ionized in the polishing liquid.
  • the weight average molecular weight of the polymer compound is preferably 500 to 100,000, more preferably 5000 to 50,000.
  • the weight average molecular weight of the polymer compound is a polystyrene-equivalent value obtained by a GPC (gel permeation chromatography) method.
  • GPC gel permeation chromatography
  • HLC-8020GPC manufactured by Tosoh Corporation
  • TSKgel SuperHZM-H TSKgel SuperHZ4000
  • TSKgel SuperHZ2000 manufactured by Tosoh Corporation, 4.6 mm ID x 15 cm
  • THF tetrahydrofuran, manufactured by Tosoh Corporation
  • the lower limit of the content of the polymer compound is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, based on the total mass of the polishing liquid, in that the effect of the present invention is more excellent.
  • the upper limit of the content of the polymer compound is preferably 10.0% by mass or less, preferably 5.0% by mass or less, based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of further suppressing the occurrence of defects on the surface to be polished. Is more preferable, and 3.0% by mass or less is further preferable.
  • the polymer compound may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds of polymer compounds are used in combination, the total content is preferably within the above range.
  • the polishing solution preferably contains a cationic compound.
  • the cationic compound is used in that the effect of the present invention is more excellent and erosion can be further suppressed. It is preferable to include it.
  • the central element of the cation (onium ion) contained in the cation compound is preferably a phosphorus atom or a nitrogen atom.
  • the cations having a nitrogen atom as a central element include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrapropylammonium, tetrabutylammonium, tetrapentylammonium, tetraoctylammonium, ethyltrimethylammonium, and diethyldimethyl.
  • ammonium such as ammonium.
  • the cations having a phosphorus atom as a central element include tetramethylphosphonium, tetraethylphosphonium, tetrapropylphosphonium, tetrabutylphosphonium, tetraphenylphosphonium, methyltriphenylphosphonium, ethyltriphenylphosphonium and butyl.
  • phosphoniums such as triphenylphosphonium, benzyltriphenylphosphonium, dimethyldiphenylphosphonium, hydroxymethyltriphenylphosphonium and hydroxyethyltriphenylphosphonium.
  • the cation contained in the cation compound preferably has a symmetrical structure.
  • “having a symmetric structure” means that the molecular structure corresponds to any of point symmetry, line symmetry, and rotational symmetry.
  • the cation contained in the cation compound is preferably a quaternary cation in which a hydrogen atom bonded to a central element is replaced with an atomic group other than a hydrogen atom. Examples of the quaternary cation include a quaternary ammonium cation and a quaternary phosphonium cation.
  • anion constituting the cationic compound examples include hydroxide ion, chlorine ion, bromine ion, iodine ion and fluorine ion, and hydroxide ion is more preferable from the viewpoint of further suppressing the occurrence of defects on the surface to be polished. ..
  • the cationic compound may be ionized in the polishing solution.
  • the cation contained in the cation compound includes a phosphorus atom or a nitrogen atom as a central element and a group containing 2 to 10 (preferably 3 to 8, more preferably 4 to 8) carbon atoms bonded to the central element. And, are preferable. As a result, the occurrence of defects on the surface to be polished can be further suppressed.
  • specific examples of the group containing 2 to 10 carbon atoms bonded to the central element include a linear, branched or cyclic alkyl group, an aryl group which may be substituted with an alkyl group, and a benzyl group. , And the aralkyl group.
  • cations having a phosphorus atom or nitrogen atom as a central element and a group containing 2 to 10 carbon atoms bonded to the central element include tetraethylammonium, tetrapropylammonium, tetrabutylammonium, and tetrapentylammonium. , Tetraoctylammonium, tetraethylphosphonium, tetrapropylphosphonium, tetrabutylphosphonium, and tetraphenylphosphonium.
  • the cationic compound can further suppress the occurrence of defects on the surface to be polished, and therefore, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide (TBAH), and tetraoctylammonium. It preferably contains at least one selected from the group consisting of hydroxydos, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxides (choline), tetrabutylphosphonium hydroxides (TBPH), and tetrapropylphosphonium hydroxides (TPPH). Among them, TBAH, TMAH, choline, TBPH, or TPPH is preferable, and TBAH is more preferable.
  • the content of the cation compound is preferably more than 0.01% by mass, more preferably 0.1% by mass or more, based on the total mass of the polishing solution.
  • the upper limit of the content of the cation compound is preferably 5.0% by mass or less, more preferably 3.0% by mass or less, based on the total mass of the polishing solution.
  • the cation compound may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds of cationic compounds are used in combination, the total content is preferably within the above range.
  • the polishing solution may contain a pH adjusting agent for adjusting the pH to a predetermined range.
  • the pH adjusting agent for adjusting the pH to the acidic side include sulfuric acid
  • examples of the pH adjusting agent for adjusting the pH to the basic side include TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and ammonia.
  • potassium hydroxide An appropriate amount of the pH adjuster may be used to bring the pH to a predetermined pH.
  • One type of pH adjuster may be used alone, or two or more types may be used.
  • the polishing liquid may contain components (other components) other than the above-mentioned components as long as the above-mentioned effects of the present invention are not impaired.
  • other components include surfactants other than the above-mentioned surfactants, organic acids other than the above-mentioned organic acids, and particles other than colloidal silica.
  • the pH of this polishing liquid is preferably 2.0 to 12.0.
  • the pH of the polishing liquid is preferably 5.5 or more, more preferably 6.0 or more in terms of excellent polishing speed, and the effect of the present invention. 6.8 or more is more preferable in terms of being superior in polishing speed.
  • the pH of the polishing solution is preferably 8.0 or less, more preferably 7.7 or less in terms of being superior to the effects of the present invention and being excellent in polishing speed. 5 or less is more preferable.
  • the pH of the polishing liquid is preferably 2.0 to 4.5 or 7.8 to 12.0.
  • the pH of the polishing solution is more preferably 8.0 or higher in terms of excellent erosion inhibitory property, and further preferably 8.7 or higher in terms of the effect of the present invention and excellent erosion inhibitory property. Further, it is more preferably less than 10.5 and further preferably 10.0 or less in that it is more excellent in the effect of the present invention and the erosion inhibitory property.
  • the pH of the polishing solution is more preferably 2.2 or more in that it is excellent in erosion inhibitory property, and further preferably 2.7 or more in that it is excellent in the effect of the present invention and erosion inhibitory property. Further, it is more preferably less than 4.0, still more preferably 3.8 or less, in that it is more excellent in the effect of the present invention and the erosion inhibitory property.
  • the polishing solution has a particularly high polishing rate with respect to the cobalt-containing film. Further, it is preferable that the polishing liquid has a selectivity in polishing speed, and it is preferable that the polishing speed is slow except for a predetermined polishing object (that is, a cobalt-containing film or the like). For example, when the object to be polished has a first layer which is a cobalt-containing film and a second layer (barrier layer and / or interlayer insulating film or the like) other than the cobalt-containing film, the first layer is under the same polishing conditions.
  • the ratio of the polishing rate of the first layer, which is a cobalt-containing film, to the polishing rate of the two layers is preferably more than 1 and 2000 or less. More than 20 and less than 1000 is more preferable.
  • the first layer include a cobalt-containing film described later.
  • the second layer include an interlayer insulating film described later and a barrier layer described later.
  • Specific materials constituting the second layer include, for example, tantalum (Ta), tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), titanium tungsten (TiW), tungsten (W), silicon nitride (SiN), and tetra.
  • Ethoxysilane (TEOS), silicon oxide (SiOC), and silicon carbide (SiC) are mentioned, and one or more selected from the group consisting of Ta, TaN, TiN, SiN, TEOS, SiOC, and SiC is preferable. ..
  • the method for producing the polishing liquid is not particularly limited, and a known production method can be used.
  • the main polishing liquid may be produced by mixing the above-mentioned components to a predetermined concentration.
  • the raw materials used are desalted (filtered, etc.) before mixing, or the mixture is desalted (filtered, etc.) after mixing the raw materials. Is also preferable.
  • the main polishing liquid adjusted to a high concentration may be diluted to obtain the main polishing liquid having the desired composition.
  • the high-concentration polishing solution is a mixture whose composition is adjusted so that the main polishing solution having the desired composition can be produced by diluting with a solvent such as water.
  • the dilution ratio when diluting the high-concentration polishing liquid is preferably 2 times or more, more preferably 2 to 20 times, based on the mass.
  • the solid content concentration of the high-concentration polishing liquid is preferably 5% by mass or more, and more preferably 5 to 50% by mass.
  • the present polishing solution having a preferable solid content concentration (for example, 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.5% by mass or more and less than 5% by mass).
  • the solid content is intended to be all components other than water, hydrogen peroxide, and an organic solvent in this polishing solution.
  • the surface to be polished of the object to be polished is supplied while supplying the above-mentioned polishing liquid to the polishing pad attached to the polishing platen. It includes a step of contacting the polishing pad and relatively moving the polishing body and the polishing pad to polish the surface to be polished to obtain a polished body to be polished.
  • the material to be polished to which the CMP method according to the above embodiment can be applied is not particularly limited, and has a film containing at least one metal selected from the group consisting of copper, copper alloys and cobalt as a wiring metal element. Aspects are mentioned, and an aspect having a cobalt-containing film is preferable.
  • the cobalt-containing film may contain at least cobalt (Co) and may contain other components.
  • the state of cobalt in the cobalt-containing film is not particularly limited, and may be, for example, a simple substance or an alloy. Above all, the cobalt in the cobalt-containing film is preferably elemental cobalt.
  • the content of cobalt (preferably simple cobalt) in the cobalt-containing film is preferably 50 to 100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass, and 99 to 100% by mass with respect to the total mass of the cobalt-containing film. Is more preferable.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a body to be polished for carrying out this CMP method.
  • FIG. 1 shows the upper part of the cross section of the object to be polished.
  • the object to be polished 10a of FIG. 1 includes a substrate (not shown), an interlayer insulating film 16 having a groove (for example, a groove for wiring) arranged on the substrate, and a barrier layer 14 arranged along the shape of the groove.
  • the cobalt-containing film 12 is arranged so as to fill the groove.
  • the cobalt-containing film fills the groove and is arranged at a position higher than the opening of the groove so as to further overflow.
  • the portion of the cobalt-containing film 12 formed at a position higher than the opening of such a groove is referred to as a bulk layer 18.
  • This CMP method can be applied to a method of polishing the surface to be polished of the body to be polished 10a having the bulk layer 18 and removing the bulk layer 18. That is, this polishing liquid can be used as a bulk polishing liquid.
  • the surface to be treated which is the surface of the bulk layer 18, and polishing until the barrier layer 14 is exposed on the surface of the surface to be polished
  • the bulk layer 18 is removed and the object to be polished 10b shown in FIG. 2 is obtained. ..
  • the polishing of the bulk layer 18 by this CMP method may be completed before the bulk layer 18 is completely removed. Good. That is, polishing may be completed with the bulk layer 18 partially or completely covering the barrier layer 14.
  • the barrier layer 14 was present between the interlayer insulating film 16 and the cobalt-containing film 12, but this CMP method has the object to be polished having no barrier layer. It may be applied to the removal of the bulk layer.
  • FIG. 2 is a schematic view showing another example of the object to be polished in which the present CMP method is carried out.
  • the bulk layer 18 is removed from the object 10a to be polished of FIG. 1, and the barrier layer 14 and the cobalt-containing film 12 are exposed on the surface to be processed.
  • this CMP method the barrier layer 14 exposed on the surface of the surface to be treated and the cobalt-containing film 12 are simultaneously polished, and the interlayer insulating film 16 is polished until it is exposed on the surface of the surface to be polished to obtain the barrier layer 14.
  • this polishing liquid can be used as a barrier polishing liquid.
  • the barrier layer 14 is removed from the object to be polished 10b by polishing, the polished object 10c shown in FIG. 3 is obtained.
  • the interlayer insulating film 16 Even after the interlayer insulating film 16 is exposed on the surface of the surface to be polished, the interlayer insulating film 16, the barrier layer 14 arranged along the shape of the groove of the interlayer insulating film 16, and / or the groove is filled.
  • Polishing of the cobalt-containing film 12 (wiring) to be formed may be intentionally or unavoidably continued. Further, in the object to be polished 10b of FIG. 2, the bulk layer is completely removed, but a part of the bulk layer may not be completely removed, and the bulk layer that has not been completely removed may be partially or partially removed. The surface to be processed of the object to be polished 10b may be completely covered. In this CMP method, such a bulk layer that has not been completely removed may also be polished and removed. Further, in the polished body 10c of FIG. 3, the barrier layer 14 on the interlayer insulating film 16 is completely removed, but the polishing is performed before the barrier layer 14 on the interlayer insulating film 16 is completely removed. It may end in. That is, the polished body may be obtained by finishing the polishing in a state where the barrier layer 14 partially or completely covers the interlayer insulating film 16.
  • the interlayer insulating film 16 includes, for example, a group consisting of silicon nitride (SiN), silicon oxide, silicon carbide (SiC), silicon carbide, silicon oxide (SiOC), silicon oxynitride, and TEOS (tetraethoxysilane).
  • SiN silicon nitride
  • SiC silicon carbide
  • SiOC silicon oxide
  • TEOS tetraethoxysilane
  • An interlayer insulating film containing one or more materials selected from the above can be mentioned. Of these, silicon nitride (SiN), TEOS, silicon carbide (SiC), or silicon oxide (SiOC) is preferable. Further, the interlayer insulating film 16 may be composed of a plurality of films.
  • the interlayer insulating film 16 composed of a plurality of films include an insulating film formed by combining a film containing silicon oxide and a film containing silicon carbide.
  • the barrier layer 14 includes, for example, one or more materials selected from the group consisting of Ta, tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), tungsten nitride (TiW), W, and tungsten nitride (WN). Barrier layer can be mentioned. Of these, Ta, TaN, or TiN is preferable.
  • the substrate include a semiconductor substrate composed of a single layer and a semiconductor substrate composed of multiple layers.
  • Specific examples of the material constituting the semiconductor substrate composed of a single layer include group III-V compounds such as silicon, silicon germanium, and GaAs, or any combination thereof.
  • Specific examples of the semiconductor substrate composed of multiple layers include a substrate in which an exposed integrated circuit structure such as an interconnect structure such as a metal wire and a dielectric material is arranged on the above-mentioned semiconductor substrate such as silicon. Be done. Examples of commercially available products of the object to be polished to which this CMP method is applied include SEMATECH 754TEG (manufactured by SEMATECH).
  • a polishing apparatus capable of carrying out this CMP method a known chemical mechanical polishing apparatus (hereinafter, also referred to as "CMP apparatus") can be used.
  • the CMP apparatus includes, for example, a holder for holding the object to be polished having a surface to be polished, and a polishing surface plate to which a polishing pad is attached (a motor or the like whose rotation speed can be changed is attached). Can be mentioned.
  • the polishing pressure in this CMP method is preferably 0.1 to 5.0 psi, preferably 0.5 to 5.0 psi, because it can suppress the occurrence of scratch-like defects on the surface to be polished and the surface to be polished tends to be uniform after polishing. 3.0 psi is more preferable, and 1.0 to 3.0 psi is further preferable.
  • the polishing pressure means the pressure generated on the contact surface between the surface to be polished and the polishing pad.
  • the rotation speed of the polishing surface plate in this CMP method is preferably 50 to 200 rpm, more preferably 60 to 150 rpm.
  • the holder may be rotated and / or oscillated, the polishing surface plate may be rotated by a planet, or the belt-shaped polishing pad may be long. It may be moved linearly in one direction.
  • the holder may be in any of fixed, rotating, and rocking states. These polishing methods can be appropriately selected depending on the surface to be polished and / or the polishing apparatus as long as the object to be polished and the polishing pad are relatively moved.
  • the polishing liquid is continuously supplied to the polishing pad on the polishing surface plate by a device such as a pump while the surface to be polished is polished.
  • the amount of the main polishing liquid supplied is not limited, but it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the main polishing liquid.
  • the polishing liquid supply rate is 0.05 to 0.75 ml / (min ⁇ cm 2 ) in that the occurrence of scratch-like defects on the surface to be polished can be suppressed and the surface to be polished tends to be uniform after polishing. Is preferable, 0.14 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ) is more preferable, and 0.21 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ) is further preferable.
  • ⁇ Washing process> it is also preferable to have a cleaning step of cleaning the obtained polished object to be polished after the step of obtaining the polished object to be polished.
  • the cleaning step the residue of polishing debris generated by polishing and / or the residue based on the components contained in the polishing solution can be removed.
  • the cleaning liquid used in the cleaning process is not limited, and examples thereof include alkaline cleaning liquid (alkaline cleaning liquid), acidic cleaning liquid (acidic cleaning liquid), water, and organic solvent. Among them, residue removability and polishing after cleaning are included.
  • An alkaline cleaning solution is preferable because it can suppress surface roughness of a surface (for example, a wiring made of a cobalt-containing film exposed on the surface of the surface to be polished by the polishing step).
  • a post-cleaning step for removing the cleaning liquid adhering to the polished object to be polished may be further performed.
  • Post-cleaning step As a specific embodiment of this step, for example, a method of further cleaning the polished object to be polished after the cleaning step with a post-cleaning solution such as an organic solvent or water can be mentioned.
  • Example 1A [Preparation of polishing liquid] ⁇ Raw materials> The polishing solutions shown in Tables 1-1 to 1-3 below were prepared using the following raw materials.
  • N-LSAR N-lauroyl sarcosinate
  • the components of the produced polishing liquid are shown in Tables 1-1 to 1-3 below.
  • the "Amount” column in the table indicates the content of each component with respect to the total mass of the polishing liquid.
  • the description of "%” and “ppm” indicates “mass%” and “mass ppm”, respectively.
  • the content of each component in the table indicates the content of each component as a compound. For example, hydrogen peroxide was added in the state of an aqueous hydrogen peroxide solution in the preparation of the polishing solution, but the description of the content in the "hydrogen peroxide” column in the table indicates the aqueous hydrogen peroxide solution added to the polishing solution. Instead, the content of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) itself contained in the polishing liquid is shown.
  • the content of colloidal silica indicates the content of the silica colloidal particles themselves in the polishing liquid.
  • adjusted as the content of the pH adjuster, either H 2 SO 4 or KOH was added in an amount such that the pH of the finally obtained polishing liquid becomes the value shown in the "pH” column. Show that.
  • residual portion as the amount of water added indicates that the component other than the components shown in the table in the polishing liquid is water.
  • the "ratio 1" column indicates the mass ratio of the content of the compound (1) to the content of the compound (2) in the polishing liquid (content of compound (1) / content of compound (2)). ..
  • the “ratio 2" column indicates the mass ratio of the content of the organic acid to the content of the compound (2) in the polishing liquid (content of the organic acid / content of the compound (2)).
  • the " ⁇ ClogP” column the difference value obtained by subtracting the ClogP value of the passivation film-forming agent from the ClogP value of the anionic surfactant (ClogP value of the anionic surfactant-ClogP value of the passivation film-forming agent) is entered. Shown.
  • the polishing solution of Example 1 contains 0.10% by mass of PL1 which is colloidal silica, 1.0% by mass of glycine which is an organic acid, and 0.003% by mass of 5-methylbenzotriazole which is compound (1).
  • % Compound A having the above structural formula, which is compound (2), is 0.01% by mass, hydrogen peroxide is 1.0% by mass, ethylene glycol as an organic solvent is 0.05% by mass, and the final polishing liquid as a whole. It contains an amount of pH adjuster having a pH of 7.2, and the remaining component is water.
  • ⁇ RR (polishing speed) evaluation-1> A wafer (12 inches in diameter) having a film made of Co on the surface under the conditions that the polishing pressure is 2.0 psi and the polishing liquid supply speed is 0.28 ml / (min ⁇ cm 2 ) using a FREX300SII (polishing device). (30.48 cm)) was polished. The film thickness before and after polishing was measured with the polishing time as 1 minute, the polishing rate RR (nm / min) was calculated from the difference, and the polishing rate was evaluated in the following categories.
  • AAA RR is 600 nm / min or more AA: RR is 550 nm / min or more and less than 600 nm / min A: RR is 500 nm / min or more and less than 550 nm / min B: RR is 450 nm / min or more and less than 500 nm / min C: RR is 400 nm / min Min or more and less than 550 nm / min D: RR is less than 400 nm / min
  • the wafer was polished using a FREX300SII (polishing apparatus) under the conditions that the polishing pressure was 2.0 psi and the polishing liquid supply speed was 0.28 ml / (min ⁇ cm 2 ).
  • an interlayer insulating film made of silicon oxide is formed on a silicon substrate having a diameter of 12 inches (30.48 cm), and the interlayer insulating film has a line-and-space pattern consisting of a line of 10 ⁇ m and a space of 10 ⁇ m.
  • a groove is carved.
  • a barrier layer material: TiN, film thickness: 10 nm
  • Co is filled in the groove.
  • a bulk layer made of Co having a film thickness of 150 to 300 nm is formed on the upper part of the line and space portion so that Co overflows from the groove.
  • polishing was further performed for 10 seconds.
  • the step (height difference) between the reference surface (the highest position in the polished wafer) and the central portion of the line portion (the portion where each wiring is formed) is measured, and the entire wafer is measured.
  • the average value of the steps in the above was compared with the following categories. It can be evaluated that the step is dishing, and the smaller the step (average value of the steps), the better the dishing inhibitory property.
  • AAA Step is less than 20 nm AA: Step is 20 nm or more and less than 30 nm A: Step is 30 nm or more and less than 40 nm B: Step is 40 nm or more and less than 50 nm C: Step is 50 nm or more and less than 55 nm D: Step is 55 nm or more
  • Tables 1-1 to 1-3 below show the evaluation results of the tests conducted using each polishing solution of Example or Comparative Example.
  • the effect of the present invention is more excellent when the mass ratio (ratio 1) of the content of the compound (1) to the content of the compound (2) is 30 or more (in Examples 11 and 15). See comparison of results, etc.). Further, it was confirmed that the polishing rate was excellent when the mass ratio (ratio 1) of the content of the compound (1) to the content of the compound (2) was 15,000 or less (Examples 21 to 28 and 30 to 33). Refer to the comparison of the results of).
  • polishing solution contains both the compound (3) and the passivation film forming agent, the effect of the present invention and the polishing rate are more excellent (see comparison of the results of Examples 6 and 8 to 20). ).
  • this polishing solution contains 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid or 6-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid as a passivation film-forming agent, compared with the case where other passivation film-forming agents are contained. , It was confirmed that the effect of the present invention is more excellent (see comparison of results of Examples 8 to 20 and the like).
  • this polishing liquid contains a passivation film forming agent having a ClogP value of 1.0 or more, the polishing rate is superior to that of a case containing a passivation film forming agent having a ClogP value of less than 1.0. Was confirmed (see comparison of results of Examples 21 and 23, etc.).
  • polishing rate was excellent when the difference value ( ⁇ ClogP value) obtained by subtracting the ClogP value of the passivation film forming agent from the ClogP value of the anionic surfactant was 2.50 or more (implementation). See comparison of results in Examples 22-33).
  • the mass ratio (ratio 3) of the content of the passivation film forming agent to the content of the anionic surfactant is less than 300, the effect of the present invention and the polishing rate are more excellent, and the ratio 3 When is less than 200, it was confirmed that the effect of the present invention is further excellent (see comparison of the results of Examples 42, 48 and 49, etc.).
  • Example 1B ⁇ Example 1B >> Further, using the polishing liquids of Examples 34 to 40 described above, the following tests were performed while changing the polishing pressure (contact pressure for contacting the surface to be polished and the polishing pad).
  • a cleaning solution (pCMP solution) (alkaline cleaning solution: CL9010 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials)) for 1 minute in a cleaning unit, and then IPA (isopropanol) cleaning is performed for 30 minutes. It was dried.
  • the obtained wafer was measured by a defect detection device, and the coordinates where defects having a major axis of 0.06 ⁇ m or more were identified were then classified into the types of defects at the identified coordinates.
  • the number of Scratch (scratch-like defects) detected on the wafer was compared with the following categories. It can be evaluated that the smaller the number of Scratch, the better the Scratch inhibitory property.
  • AAA 1 or less Scratch AA: 2 to 3 Scratch A: 4 to 5 Scratch B: 6 to 10 Scratch C: 11 to 15 Scratch D: 16 or more Scratch
  • the step referred to here is the erosion value (height difference between the reference surface and the central portion of the space portion) and the dishing value (height difference between the reference plane and the central portion of the line portion). ) And the total value. It can be evaluated that the smaller the difference between the steps, the better the Uniformity.
  • AAA Step difference is less than 3 nm AA: Step difference is 3 or more and less than 5 nm A: Step difference is 5 or more and less than 8 nm B: Step difference is 8 or more and less than 10 nm C: Step difference is 10 nm or more
  • the polishing pressure is preferably 0.5 to 3.0 psi, more preferably 1.0 to 3.0 psi.
  • Example 1C ⁇ Example 1C >> Further, using the polishing liquids of Examples 34 to 40 described above, the following tests were performed while changing the polishing liquid supply speed (the amount of the polishing liquid supplied to the polishing pad during polishing).
  • the polishing liquid supply rate is preferably 0.14 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ), more preferably 0.21 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ). It was.
  • Example 1D ⁇ Example 1D >> Further, using the above-mentioned polishing solutions of Examples 34 to 40, the following tests were performed while changing the type of cleaning solution (pCMP solution).
  • AAA Number of Desidees is less than 200 AA: Number of Desides is 200 or more and less than 350 A: Number of Desides is 350 or more and less than 500 B: Numbers of Desides is 500 or more and less than 750 Less than D: Number of Deside is 1000 or more
  • Ra of measurement area 5 ⁇ m is less than 1.0 nm AA: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 1.0 nm or more and less than 1.5 nm A: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 1.5 nm or more and less than 2.0 nm B: Measurement area 5 ⁇ m Ra is 2.0 nm or more and less than 2.5 nm C: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 2.5 nm or more and less than 3.0 nm D: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 3.0 nm or more
  • DIW Water Acidic: CLEAN100 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials: acidic cleaning solution)
  • Alkaline CL9010 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials: alkaline cleaning solution)
  • the alkaline cleaning solution is preferable as the cleaning solution.
  • Example 1E Furthermore, using the above-mentioned polishing liquids of Examples 34 to 40, the following tests were performed while changing the type of the object to be polished.
  • the evaluation results are shown below.
  • the ratio of the polishing rate of Co or Cu to the polishing rate of TiN, Ta, TaN, SiC or SiC (polishing rate of Co or Cu / polishing rate of TiN, Ta, TaN, SiC or SiC) is 20 in any case. It was in the range of less than 1000.
  • polishing rate (RR) for TiN, Ta, TaN, SiN and SiC was less than 1 nm / min, and the polishing selectivity was also good.
  • Example 2A [Preparation of polishing liquid] ⁇ Raw materials> The raw materials used for producing the polishing liquid in Example 1A described above and the following raw materials were used to prepare the polishing liquids shown in Tables 6-1 to 6-4 below.
  • the polishing liquid of Example 101 has the above structural formula of 4.50% by mass of PL1 which is colloidal silica, 0.005% by mass of 5-methylbenzotriazole which is compound (1), and compound (2).
  • Compound A is 0.03% by mass
  • hydrogen is 1.0% by mass
  • ethylene glycol is 0.05% by mass as an organic solvent
  • the pH of the final polishing liquid is adjusted to 9.0 as a whole. Contains the agent, the remaining component is water.
  • the step (height difference) between the reference surface (the highest position in the polished wafer) and the central portion of the line portion (the portion where each wiring is formed) is measured, and the entire wafer is measured.
  • the average value of the steps in the above was compared with the following categories. It can be evaluated that the step is dishing, and the smaller the step (average value of the steps), the better the dishing inhibitory property.
  • AAA Step is less than 1 nm AA: Step is 1 nm or more and less than 3 nm A: Step is 3 nm or more and less than 5 nm B: Step is 5 nm or more and less than 8 nm C: Step is 8 nm or more and less than 10 nm D: Step is 10 nm or more
  • ⁇ Evaluation of Erosion Suppression-1> The polishing of the wafer and the step on the polished surface were measured in the same manner as in ⁇ Evaluation of Dishing Suppression-2> except that the line and space of the wafer used in the test was 9 ⁇ m in line and 1 ⁇ m in space. Measure the step (height difference) between the reference surface (the highest position on the polished wafer) and the central part of the space (the part where the barrier layer or the interlayer insulating film is exposed) on the polished wafer. Then, the average value of the steps in the entire wafer was compared with the following categories. The above-mentioned step is erosion, and it can be evaluated that the smaller the step (average value of the step), the better the erosion suppression property.
  • the table below shows the evaluation results of the tests conducted using each polishing solution of the example or the comparative example.
  • this polishing solution contains an anionic surfactant, it has excellent erosion inhibitory properties (see comparison of results of Examples 106 and 111, etc.).
  • this polishing solution contains a passivation film forming agent, it has excellent erosion inhibitory properties (see comparison of results of Examples 106 and 112 to 124). Above all, when this polishing liquid contains 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid or 6-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid as a passivation film forming agent, it is compared with the case where it contains other passivation film forming agents. It was confirmed that the effect of the present invention was more excellent (see comparison of the results of Examples 112 to 124, etc.).
  • polishing solution contains a passivation film forming agent having a ClogP value of 1.0 or more
  • erosion inhibitory property is compared with the case where the present polishing solution contains a passivation film forming agent having a ClogP value of less than 1.0. Was confirmed to be superior (see comparison of results of Examples 125 and 127, etc.).
  • the effect of the present invention is more excellent and the erosion inhibitory property is excellent (see comparison of the results of Examples 126, 138 to 144 and 149 to 154, etc.). ). Above all, it was confirmed that the effect of the present invention is more excellent when the mass ratio (ratio 2) of the content of the organic acid to the content of the compound (2) in the polishing liquid is 400 or more (Example 147). And comparison of 148 results, etc.). Further, it was confirmed that the effect of the present invention is more excellent when the mass ratio (ratio 1) of the content of the compound (1) to the content of the compound (2) is 20000 or less (in Examples 145 and 146). See comparison of results, etc.).
  • Example 2B >> Further, the following tests were performed using the polishing solutions of Examples 144, 146, 147 and 149 to 152 described above while changing the polishing pressure (contact pressure for contacting the surface to be polished and the polishing pad).
  • the polished wafer is washed with a cleaning solution (pCMP solution) (alkaline cleaning solution: CL9010 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials)) for 1 minute in a cleaning unit, and then IPA (isopropanol) cleaning is performed for 30 minutes. It was dried.
  • pCMP solution alkaline cleaning solution: CL9010 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials)
  • IPA isopropanol cleaning is performed for 30 minutes. It was dried.
  • the obtained wafer was measured by a defect detection device, and the coordinates where defects having a major axis of 0.06 ⁇ m or more were identified were then classified into the types of defects at the identified coordinates.
  • the number of Scratch (scratch-like defects) detected on the wafer was compared with the following categories. It can be evaluated that the smaller the number of Scratch, the better the Scratch inhibitory property.
  • AAA 1 or less Scratch AA: 2 to 3
  • the polishing pressure is preferably 0.5 to 3.0 psi, more preferably 1.0 to 3.0 psi.
  • Example 2C >> Further, using the above-mentioned polishing solutions of Examples 144, 146, 147 and 149 to 152, the following tests were performed while changing the polishing solution supply rate.
  • the polishing liquid supply rate is preferably 0.14 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ), more preferably 0.21 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ). It was.
  • Example 2D >> Further, using the above-mentioned polishing solutions of Examples 144, 146, 147 and 149 to 152, the following tests were performed while changing the type of cleaning solution (pCMP solution).
  • AAA Number of Desidees is less than 200 AA: Number of Desides is 200 or more and less than 350 A: Number of Desides is 350 or more and less than 500 B: Numbers of Desides is 500 or more and less than 750 Less than D: Number of Deside is 1000 or more
  • Ra of measurement area 5 ⁇ m is less than 1.0 nm AA: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 1.0 nm or more and less than 1.5 nm A: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 1.5 nm or more and less than 2.0 nm B: Measurement area 5 ⁇ m Ra is 2.0 nm or more and less than 2.5 nm C: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 2.5 nm or more and less than 3.0 nm D: Ra of measurement area 5 ⁇ m is 3.0 nm or more
  • DIW Water Acidic: CLEAN100 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials: acidic cleaning solution)
  • Alkaline CL9010 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials: alkaline cleaning solution)
  • the alkaline cleaning solution is preferable as the cleaning solution.
  • Example 2E >> Further, the following tests were performed using the above-mentioned polishing solutions of Examples 134 to 140 while changing the type of the object to be polished.
  • RR is 50 nm / min or more
  • B RR is less than 50 nm / min
  • the evaluation results are shown below.
  • the ratio of the polishing rate of Co to the polishing rate of TiN, Ta, TaN, SiN, TEOS, SiOC, or SiC (Co polishing rate / TiN, Ta, TaN, SiN, TEOS, SiOC, or SiC).
  • the polishing rate was in the range of more than 0.05 and less than 5 in each case.
  • this polishing liquid has no extreme speed difference between the polishing speed for Co and the polishing speed for TiN, Ta, TaN, SiN, TEOS, SiOC, or SiC, and the barrier layer or the like. It was confirmed that it is suitable as a polishing liquid used for removal.
  • the polishing speed with respect to Co can be arbitrarily adjusted (for example, adjusted between 0 and 30 nm / min) by adjusting the content of hydrogen peroxide in the polishing liquid.
  • Example 3A [Preparation of polishing liquid]
  • the raw materials used for producing the polishing liquid in Example 1A described above and the following raw materials were used to prepare the polishing liquids shown in Tables 11-1 to 11-4 below.
  • the polishing liquid of Example 201 has the above structural formula of 2.00% by mass of PL1 which is colloidal silica, 0.005% by mass of 5-methylbenzotriazole which is compound (1), and compound (2).
  • Compound A has 0.03% by mass, polyacrylic acid which is a high molecular compound is 0.1% by mass, hydrogen peroxide is 1.0% by mass, and ethylene glycol as an organic solvent is 0.05% by mass, and finally.
  • the polishing liquid as a whole contains an amount of a pH adjusting agent that makes the pH 3.2, and the remaining component is water.
  • Tables 11-1 to 11-4 below show the evaluation results of the tests conducted using each of the polishing solutions of Examples or Comparative Examples.
  • this polishing solution contains an anionic surfactant, it has excellent erosion inhibitory properties (see comparison of results of Examples 210 and 211, etc.).
  • this polishing solution contains a passivation film forming agent, it has excellent erosion inhibitory properties (see comparison of results of Examples 210 and 212 to 224).
  • this polishing liquid contains 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid or 6-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid as a passivation film forming agent, it is compared with the case where it contains other passivation film forming agents. Therefore, it was confirmed that the effect of the present invention is more excellent (see comparison of the results of Examples 212 to 224, etc.).
  • polishing solution contains a passivation film forming agent having a ClogP value of 1.0 or more
  • erosion inhibitory property is compared with the case where the present polishing solution contains a passivation film forming agent having a ClogP value of less than 1.0. (See Comparison of Results of Examples 225 and 227, etc.).
  • Example 3B >> Further, using the above-mentioned polishing liquids of Examples 244 to 250, the following tests were performed while changing the polishing pressure (contact pressure for contacting the surface to be polished and the polishing pad).
  • the polishing pressure is preferably 0.5 to 3.0 psi, more preferably 1.0 to 3.0 psi.
  • Example 3C Furthermore, using the above-mentioned polishing solutions of Examples 244 to 250, the following tests were performed while changing the polishing solution supply rate.
  • the polishing liquid supply rate is preferably 0.14 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ), more preferably 0.21 to 0.35 ml / (min ⁇ cm 2 ). It was.
  • Example 3D Furthermore, using the above-mentioned polishing solutions of Examples 244 to 250, the following tests were performed while changing the type of cleaning solution (pCMP solution).
  • DIW Water Acidic: CLEAN100 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials: acidic cleaning solution)
  • Alkaline CL9010 (manufactured by FUJIFILM Electronics Materials: alkaline cleaning solution)
  • the alkaline cleaning solution is preferable as the cleaning solution.
  • Example 3E Further, the following tests were carried out using the above-mentioned polishing solutions of Examples 244 to 250 while changing the type of the object to be polished.
  • the evaluation results are shown below.
  • the ratio of the polishing rate of Co to the polishing rate of TiN, Ta, TaN, SiN, TEOS, SiOC, or SiC (Co polishing rate / TiN, Ta, TaN, SiN, TEOS, SiOC, or SiC).
  • the polishing rate was in the range of more than 0.05 and less than 5 in each case.
  • this polishing liquid has no extreme speed difference between the polishing speed for Co and the polishing speed for TiN, Ta, TaN, SiN, TEOS, SiOC, or SiC, and the barrier layer or the like. It was confirmed that it is suitable as a polishing liquid used for removal.
  • the polishing speed with respect to Co can be arbitrarily adjusted (for example, adjusted between 0 and 30 nm / min) by adjusting the content of hydrogen peroxide in the polishing liquid.

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Abstract

本発明は、コバルト含有膜を有する被研磨体のＣＭＰに適用した場合に、研磨後の被研磨体の被研磨面におけるディッシングがより生じにくい研磨液を提供することを課題とする。また、本発明は、上記研磨液を用いた化学的機械的研磨方法を提供することを課題とする。　本発明の研磨液は、コバルト含有膜を有する被研磨体の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、コロイダルシリカと、含窒素芳香族複素環と、過酸化水素と、を含み、含窒素芳香族複素環化合物として、特定の含窒素芳香族複素環化合物（１）と、含窒素芳香族複素環化合物（１）とは異なる特定の含窒素芳香族複素環化合物（２）と、を少なくとも含む。

Description

研磨液、及び、化学的機械的研磨方法
　本発明は、研磨液、及び、化学的機械的研磨方法に関する。
　半導体集積回路（ＬＳＩ：ｌａｒｇｅ－ｓｃａｌｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）の製造において、ベアウェハの平坦化、層間絶縁膜の平坦化、金属プラグの形成及び埋め込み配線形成等に化学的機械的研磨（ＣＭＰ：ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法が用いられている。
　ところで、昨今では、配線の微細化の要求に伴い、銅にかわる配線金属元素としてコバルトが注目されている。配線金属元素としてコバルトを用いる場合、コバルトを除去できるＣＭＰ用研磨液を用いる必要がある。
　例えば、特許文献１には「コバルト含有部と、コバルト以外の金属を含有する金属含有部とを少なくとも有する被研磨面の研磨に用いられるＣＭＰ用研磨液であって、研磨粒子、金属防食剤、及び水を含有し、ｐＨが４．０以下であり、当該ＣＭＰ用研磨液中でコバルトの腐食電位ＥＡと前記金属の腐食電位ＥＢとを測定した場合、腐食電位ＥＡと腐食電位ＥＢとの腐食電位差ＥＡ－ＥＢの絶対値が０～３００ｍＶである、ＣＭＰ用研磨液。」が開示されている。
国際公開第２０１６／００６６３１号
　本発明者は、特許文献１に記載のＣＭＰ用研磨液を検討したところ、研磨後の被研磨体の被研磨面において生じるディッシング（Ｄｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰで配線を形成した場合に研磨によって被研磨面に露出する配線の表面が皿状に窪む現象）について、改善の余地があることを知見した。
　そこで、本発明は、コバルト含有膜を有する被研磨体のＣＭＰに適用した場合に、研磨後の被研磨体の被研磨面におけるディッシングがより生じにくい研磨液の提供を課題とする。
　また、上記研磨液を用いた化学的機械的研磨方法の提供を課題とする。
　本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
　［１］
　コバルト含有膜を有する被研磨体の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、
　コロイダルシリカと、含窒素芳香族複素環化合物と、過酸化水素と、を含み、
　含窒素芳香族複素環化合物として、含窒素芳香族複素環化合物（１）と、含窒素芳香族複素環化合物（１）とは異なる含窒素芳香族複素環化合物（２）と、を少なくとも含み、
　含窒素芳香族複素環化合物（１）及び含窒素芳香族複素環化合物（２）は、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物、後述する一般式（ＩＩ）で表される化合物及び後述する一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される２種であるか、又は、後述する一般式（ＩＶ）で表される化合物及び後述する一般式（Ｖ）で表される化合物からなる群から選択される２種である、研磨液。
　［２］
　後述する一般式（１）で表される化合物、及び、後述する一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される１以上の不動態膜形成剤を更に含む、上記［１］に記載の研磨液。
　［３］
　不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値が、１．０～３．８である、上記［２］に記載の研磨液。
　［４］
　不動態膜形成剤が、４－メチルフタル酸、４－ニトロフタル酸、サリチル酸、４－メチルサリチル酸、アントラニル酸、４－メチル安息香酸、４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、４－プロピル安息香酸、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、１－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、３－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、キナルジン酸、８－ヒドロキシキノリン、及び、２－メチル－８－ヒドロキシキノリンからなる群から選択される１種以上を含む、上記［２］又は［３］に記載の研磨液。
　［５］
　アニオン系界面活性剤を更に含む、上記［２］～［４］のいずれかに記載の研磨液。
　［６］
　アニオン系界面活性剤の含有量に対する不動態膜形成剤の含有量の質量比が、０．０１超１５０未満である、上記［５］に記載の研磨液。
　［７］
　アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値が、２．００超８．００未満である、上記［５］又は［６］に記載の研磨液。
　［８］
　アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値が、２．５０～６．００である、上記［５］～［７］のいずれかに記載の研磨液。
　［９］
　グリシン、アラニン、サルコシン、イミノジ酢酸、ポリカルボン酸及びポリホスホン酸からなる群から選択される１以上の有機酸を更に含む、上記［１］～［８］のいずれかに記載の研磨液。
　［１０］
　一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物以外の含窒素芳香族複素環化合物を更に含む、上記［１］～［９］のいずれかに記載の研磨液。
　［１１］
　高分子化合物を更に含む、上記［１］～［１０］のいずれかに記載の研磨液。
　［１２］
　カチオン化合物を更に含む、上記［１］～［１１］のいずれかに記載の研磨液。
　［１３］
　含窒素芳香族複素環化合物（２）の含有量に対する含窒素芳香族複素環化合物（１）の含有量の質量比が、３０～１５０００である、上記［１］～［１２］のいずれかに記載の研磨液。
　［１４］
　研磨液のｐＨが２．０～１２．０である、上記［１］～［１３］のいずれかに記載の研磨液。
　［１５］
　有機溶剤を更に含む、上記［１］～［１４］のいずれかに記載の研磨液。
　［１６］
　コロイダルシリカの含有量が、研磨液の全質量に対して１０質量％以下であり、
　コロイダルシリカの平均一次粒子径が、６０ｎｍ以下である、上記［１］～［１５］のいずれかに記載の研磨液。
　［１７］
　固形分濃度が５質量％以上であり、
　質量基準で２倍以上に希釈して用いられる、上記［１］～［１６］のいずれかに記載の研磨液。
　［１８］
　上記［１］～［１６］のいずれかに記載の研磨液を研磨定盤に取り付けられた研磨パッドに供給しながら、被研磨体の被研磨面を研磨パッドに接触させ、被研磨体及び研磨パッドを相対的に動かして被研磨面を研磨して、研磨済み被研磨体を得る工程を含む、化学的機械的研磨方法。
　［１９］
　研磨圧力が０．５～３．０ｐｓｉである、上記［１８］に記載の化学的機械的研磨方法。
　［２０］
　研磨パッドに供給する研磨液の供給速度が、０．１４～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）である、上記［１８］又は［１９］に記載の化学的機械的研磨方法。
　［２１］
　被研磨体が、コバルトを含有する第１層と、第１層以外である第２層とを少なくとも有し、
　第２層が、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、窒化珪素、テトラエトキシシラン、酸化炭化珪素、及び、炭化珪素からなる群から選択される１以上の材料を含む、上記［１８］～［２０］のいずれかに記載の化学的機械的研磨方法。
　［２２］
　研磨済み被研磨体を得る工程の後、研磨済み被研磨体をアルカリ洗浄液で洗浄する工程を更に含む、上記［１８］～［２１］のいずれかに記載の化学的機械的研磨方法。
　［２３］
　被研磨体の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、
　砥粒と、含窒素芳香族複素環化合物と、過酸化水素と、を含み、
　含窒素芳香族複素環化合物として、含窒素芳香族複素環化合物（１）と、含窒素芳香族複素環化合物（１）とは異なる含窒素芳香族複素環化合物（２）と、を少なくとも含み、
　含窒素芳香族複素環化合物（１）及び含窒素芳香族複素環化合物（２）は、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物、後述する一般式（ＩＩ）で表される化合物及び後述する一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される２種であるか、又は、後述する一般式（ＩＶ）で表される化合物及び後述する一般式（Ｖ）で表される化合物からなる群から選択される２種である、研磨液。
　本発明によれば、コバルト含有膜を有する被研磨体のＣＭＰに適用した場合に、研磨後の被研磨体の被研磨面におけるディッシングがより生じにくい研磨液を提供できる。
　また、上記研磨液を用いた化学的機械的研磨方法を提供できる。
化学的機械的研磨方法を実施する被研磨体の一例を示す模式図である。 化学的機械的研磨方法を実施する被研磨体の他の例を示す模式図である。 化学的機械的研磨方法を実施して得られる研磨済み被研磨体の一例を示す模式図である。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
　なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　また、本明細書において、「ｐｐｍ」は「ｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｍｉｌｌｉｏｎ（１０－６）」を意味し、「ｐｐｂ」は「ｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｂｉｌｌｉｏｎ（１０－９）」を意味し、「ｐｐｔ」は「ｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｔｒｉｌｌｉｏｎ（１０－１２）」を意味する。
　本明細書において、ＣｌｏｇＰ値とは、１－オクタノールと水への分配係数Ｐの常用対数ｌｏｇＰを計算によって求めた値である。ＣｌｏｇＰ値の計算に用いる方法及びソフトウェアについては公知の物を使用できるが、特に断らない限り、本発明ではＣａｍｂｒｉｄｇｅｓｏｆｔ社のＣｈｅｍＢｉｏＤｒａｗＵｌｔｒａ１２．０に組み込まれたＣｌｏｇＰプログラムを用いる。
　本明細書において、ｐＨは、ｐＨメータによって測定でき、測定温度は２５℃である。なお、ｐＨメータには、製品名「ＬＡＱＵＡシリーズ」（（株）堀場製作所製）を使用できる。
　本明細書においてｐｓｉとは、ｐｏｕｎｄ－ｆｏｒｃｅ　ｐｅｒ　ｓｑｕａｒｅ　ｉｎｃｈ；重量ポンド毎平方インチを意図し、１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａを意図する。
［研磨液］
　本発明の研磨液（以下、「本研磨液」ともいう。）は、被研磨体（好ましくはコバルト含有膜を有する被研磨体）の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）に用いられる研磨液であって、砥粒（好ましくはコロイダルシリカ）と、含窒素芳香族複素環化合物と、過酸化水素と、を含み、含窒素芳香族複素環化合物として、含窒素芳香族複素環化合物（１）と、含窒素芳香族複素環化合物（１）とは異なる含窒素芳香族複素環化合物（２）と、を少なくとも含み、含窒素芳香族複素環化合物（１）及び含窒素芳香族複素環化合物（２）が、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物、後述する一般式（ＩＩ）で表される化合物及び後述する一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される２種であるか、又は、後述する一般式（ＩＶ）で表される化合物及び後述する一般式（Ｖ）で表される化合物からなる群から選択される２種である、研磨液である。
　以下、研磨液において、被研磨体の被研磨面でのディッシングを生じにくくする性能に優れることを、単にディッシング抑制性に優れるとも言い、本発明の効果が優れるとも言う。
〔成分〕
　以下において、本研磨液に含まれる成分及び含まれ得る成分について説明する。
　なお、以降に説明する各成分は、本研磨液中で電離していてもよい。以降の説明中における各成分の含有量は、本研磨液中で電離して存在している成分については電離していない状態になったと仮定して、換算して求められる含有量を意図する。
　例えば、本研磨液中に、後述する一般式（１）で表される化合物におけるカルボン酸基（－ＣＯＯＨ）がカルボン酸アニオン（－ＣＯＯ－）となっている化合物（イオン）が含まれている場合、本研磨液は一般式（１）で表される化合物を含むとみなす。
＜コロイダルシリカ（砥粒）＞
　本研磨液は、コロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）を含む。コロイダルシリカは、被研磨体を研磨する砥粒として機能する。
　本発明の別の態様では、本研磨液は、砥粒を含む。砥粒としては例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、ゲルマニア、及び炭化珪素等の無機物砥粒；ポリスチレン、ポリアクリル、及びポリ塩化ビニル等の有機物砥粒が挙げられる。中でも、研磨液中での分散安定性が優れる点、及びＣＭＰにより発生するスクラッチ（研磨傷）の発生数の少ない点で、砥粒としてはシリカ粒子が好ましい。
　シリカ粒子としては特に制限されず、例えば、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、及びコロイダルシリカが挙げられる。中でも、コロイダルシリカがより好ましい。
　本研磨液はスラリーであるのが好ましい。
　コロイダルシリカの平均一次粒子径は、被研磨面の欠陥の発生をより抑制できる点から、６０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましい。
　コロイダルシリカの平均一次粒子径の下限値は、コロイダルシリカの凝集が抑制されて、本研磨液の経時安定性が向上する点から、１ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましい。
　平均一次粒子径は、日本電子（株）社製の透過型電子顕微鏡ＴＥＭ２０１０（加圧電圧２００ｋＶ）を用いて撮影された画像から任意に選択した一次粒子１０００個の粒子径（円相当径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、円相当径とは、観察時の粒子の投影面積と同じ投影面積をもつ真円を想定したときの当該円の直径である。
　ただし、コロイダルシリカとして市販品を用いる場合には、コロイダルシリカの平均一次粒子径としてカタログ値を優先的に採用する。
　コロイダルシリカの平均アスペクト比は、研磨力が向上するという点から、１．５～２．０が好ましく、１．５５～１．９５がより好ましく、１．６～１．９が更に好ましい。
　コロイダルシリカの平均アスペクト比は、上述の透過型電子顕微鏡にて観察された任意の１００個の粒子毎に長径と短径を測定して、粒子毎のアスペクト比（長径／短径）を計算し、１００個のアスペクト比を算術平均して求められる。なお、粒子の長径とは、粒子の長軸方向の長さを意味し、粒子の短径とは、粒子の長軸方向に直交する粒子の長さを意味する。
　ただし、コロイダルシリカとして市販品を用いる場合には、コロイダルシリカの平均アスペクト比としてカタログ値を優先的に採用する。
　コロイダルシリカの会合度は、研磨速度がより向上する点で、１～３が好ましい。
　本明細書において、会合度とは、会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径で求められる。平均二次粒子径は、凝集した状態である二次粒子の平均粒子径（円相当径）に相当し、上述した平均一次粒子径と同様の方法により求めることができる。
　ただし、コロイダルシリカとして市販品を用いる場合には、コロイダルシリカの会合度としてカタログ値を優先的に採用する。
　コロイダルシリカは、表面に、表面修飾基（スルホン酸基、ホスホン酸基、及び／又は、カルボン酸基等）を有していてもよい。
　なお、上記基は、研磨液中で電離していてもよい。
　表面修飾基を有するコロイダルシリカを得る方法としては、特に限定されないが、例えば、特開２０１０－２６９９８５号公報に記載の方法が挙げられる。
　コロイダルシリカは、市販品を用いてもよく、例えば、ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ７、ＰＬ１０Ｈ、ＰＬ１Ｄ、ＰＬ０７Ｄ、ＰＬ２Ｄ、及び、ＰＬ３Ｄ（いずれも製品名、扶桑化学工業社製）が挙げられる。
　本発明の効果がより優れる点で、コロイダルシリカの含有量の上限値は、本研磨液の全質量（１００質量％）に対して、１５．０質量％以下が好ましく、１０．０質量％以下がより好ましく、５．０質量％以下が更に好ましい。下限値は、本研磨液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましい。
　なお、本研磨液を後述するバルク層の研磨及び除去に使用する場合、コロイダルシリカの含有量の上限値は、本研磨液の全質量に対して、０．５質量％以下が好ましく、０．２５質量％以下がより好ましい。
　また、本研磨液を後述するバリア層の研磨及び除去に使用する場合、コロイダルシリカの含有量の下限値は、本研磨液の全質量に対して、１．０質量％以上が好ましく、２．０質量％以上がより好ましい。
　コロイダルシリカは１種を単独で用いても、２種以上を使用してもよい。２種以上のコロイダルシリカを使用する場合には、合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
　研磨液中の砥粒の含有量の好適な範囲は、上述したコロイダルシリカの含有量の好適な範囲と同じである。
＜含窒素芳香族複素環化合物＞
　本研磨液は、含窒素芳香族複素環化合物を含む。含窒素芳香族複素環化合物は、分子内に芳香族性を有するヘテロ環構造を有する化合物である。
　本研磨液は、含窒素芳香族複素環化合物として、含窒素芳香族複素環化合物（１）（以下、単に「化合物（１）」ともいう）と、化合物（１）とは異なる含窒素芳香族複素環化合物（２）（以下、単に「化合物（２）」ともいう）と、を少なくとも含む。
　化合物（１）及び化合物（２）は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物及び下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される２種であるか、又は、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物及び下記一般式（Ｖ）で表される化合物からなる群から選択される２種である。
　以下に、一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物について説明する。
（一般式（Ｉ）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　一般式（Ｉ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。また、Ｒ１１及びＲ１２は、互いに結合して環を形成してもよい。
　一般式（Ｉ）中、Ｒ１１及びＲ１２で表される炭化水素基としては、アルキル基（炭素数１～１２が好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～１２が好ましく、炭素数２～６がより好ましい）、アルキニル基（炭素数２～１２が好ましく、炭素数２～６がより好ましい）、アリール基（炭素数６～１８が好ましく、炭素数６～１４がより好ましく、炭素数６～１０が更に好ましい）、及び、アラルキル基（炭素数７～２３が好ましく、炭素数７～１５がより好ましく、炭素数７～１１が更に好ましい）が挙げられる。
　また、Ｒ１１及びＲ１２で表される炭化水素基は、置換基を有していてもよい。上記置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～１２が好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～１８が好ましく、炭素数６～１４がより好ましく、炭素数６～１０が更に好ましい）、水酸基、カルボキシ基、及び－Ｎ（Ｒａ）（Ｒｂ）が挙げられる。Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、アルキル基（例えば、炭素数１～１２であり、炭素数１～６が好ましく、炭素数１～４がより好ましい）、又はヒドロキシアルキル基（例えば、炭素数１～１２であり、炭素数１～６が好ましく、炭素数１～４がより好ましい）が好ましい。
　Ｒ１１及びＲ１２が互いに結合して形成する環としては特に制限されないが、芳香族環（単環及び多環のいずれであってもよい）が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。更に、Ｒ１１及びＲ１２が互いに結合して形成する環は置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されないが、例えば、Ｒ１１及びＲ１２で表される炭化水素基の置換基として例示したものが挙げられる。
　一般式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ１１及びＲ１２が互いに結合してベンゼン環を形成してなる構造であるベンゾトリアゾール骨格を有することが好ましく、Ｒ１１とＲ１２とが結合して形成されるベンゼン環上に置換基を有するベンゾトリアゾール骨格を有することがより好ましい。
　なお、本明細書において、一般式（Ｉ）で表される化合物は、その互変異性体を包含するものとする。
（一般式（ＩＩ）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　一般式（ＩＩ）中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、又は置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。但し、Ｒ２１が水素原子である場合、Ｒ２２は置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
　一般式（ＩＩ）中、Ｒ２１及びＲ２２で表される置換若しくは無置換の炭化水素基としては、Ｒ１１及びＲ１２で表される置換若しくは無置換の炭化水素基と同義である。
　Ｒ２１で表される炭化水素基としては、中でも、アルキル基（炭素数１～１２が好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい）、又はアリール基（炭素数６～１８が好ましく、炭素数６～１４がより好ましく、炭素数６～１０が更に好ましい）が好ましい。なお、Ｒ２１で表される炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、Ｒ１１及びＲ１２で表される炭化水素基の置換基として例示したもの挙げられる。
　Ｒ２２で表される炭化水素基としては、中でも、アルキル基（炭素数１～１２が好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい）が好ましい。なお、Ｒ２２で表される炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、Ｒ１１及びＲ１２で表される炭化水素の置換基として例示したものが挙げられる。
　また、本研磨液が、化合物（１）及び（２）の一方として、上記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、化合物（１）及び（２）の他方として、上記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含む場合であって、上記一般式（Ｉ）中のＲ１１及びＲ１２が互いに結合してベンゼン環を形成し、且つベンゼン環が置換基を有する場合、上記一般式（ＩＩ）で表される化合物において、Ｒ２１が水素原子であるときのＲ２２は、上記置換基とは異なる基を表す。このとき、Ｒ２２の炭素数は、上記置換基中の炭素数よりも大きいことが好ましい。
（一般式（ＩＩＩ）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３１は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
　また、Ｒ３２は、水素原子、又は置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
　一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３１で表される置換若しくは無置換の炭化水素基としては、Ｒ２１で表される置換若しくは無置換の炭化水素基と同義であり、好適態様も同じである。
　また、Ｒ３２は、一般式（ＩＩ）中のＲ２２と同義であり、好適態様も同じである。
（一般式（ＩＶ）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　一般式（ＩＶ）中、Ｒ４１は、水素原子を表す。Ｒ４２は、水素原子、水酸基、メルカプト基、又は、アミノ基を表す。Ｒ４２は、水素原子、又は、アミノ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
（一般式（Ｖ）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　一般式（Ｖ）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。ただし、Ｒ５１及びＲ５２の少なくとも一方は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
　Ｒ５１及びＲ５２で表される置換若しくは無置換の炭化水素基としては、Ｒ１１及びＲ１２で表される置換若しくは無置換の炭化水素基と同義である。
　Ｒ５１及びＲ５２で表される炭化水素基としては、中でも、アルキル基（炭素数１～１２が好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～３が更に好ましい）が置換していてもよいアリール基（炭素数６～１８が好ましく、炭素数６～１４がより好ましく、炭素数６～１０が更に好ましい）が好ましい。
　以下に、含窒素芳香族複素環化合物の具体例を示すが、本発明はこれに制限されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　また、上記一般式（Ｉ）又は一般式（ＩＩ）で表され、ベンゾトリアゾール骨格を有する化合物としては、例えば、ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－アミノベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、５，６－ジメチルベンゾアトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノエチル］ベンゾトリアゾール、１－（１，２－ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール、２，２’－｛［（メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ビスエタノール、及び、カルボキシベンゾトリアゾールが挙げられる。
　本研磨液の好適な態様としては、化合物（１）が、一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（ＩＩ）で表される化合物、及び、一般式（ＩＶ）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種である態様が挙げられる。
　本研磨液のより好適な態様としては、化合物（１）が一般式（Ｉ）で表される化合物又は一般式（ＩＩ）で表される化合物であり、且つ、化合物（２）が一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（ＩＩ）で表される化合物又は一般式（ＩＩＩ）で表される化合物である態様、並びに、化合物（１）が一般式（ＩＶ）で表される化合物であり、且つ、化合物（２）が一般式（Ｖ）で表される化合物である態様が挙げられる。
　化合物（１）が一般式（Ｉ）で表される化合物又は一般式（ＩＩ）で表される化合物である場合、化合物（１）は、ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－アミノベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、又は、５，６－ジメチルベンゾアトリアゾールが好ましく、ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、又は、１－ヒドロキシベンゾトリアゾールがより好ましい。
　また、化合物（１）が一般式（Ｉ）で表される化合物又は一般式（ＩＩ）で表される化合物である場合、化合物（２）は、一般式（ＩＩ）で表され、Ｒ２１が水酸基、又は、置換若しくは無置換のアリール基（より好ましくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基）を表し、Ｒ２２がアルキル基を表す化合物、又は、一般式（ＩＩＩ）で表され、Ｒ３１が置換若しくは無置換のアリール基（より好ましくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基）を表し、Ｒ３２がアルキル基を表す化合物が好ましい。
　化合物（１）が一般式（ＩＶ）で表される化合物である場合、化合物（１）は、テトラゾール、又は、５－アミノテトラゾールが好ましく、テトラゾールがより好ましい。
　化合物（１）が一般式（ＩＶ）で表される化合物である場合、化合物（２）は、１－アルキル置換フェニルテトラゾール（アルキル基が置換されたフェニル基が１位に置換されたテトラゾール）、又は、５－アルキル置換フェニルテトラゾール（アルキル基が置換されたフェニル基が５位に置換されたテトラゾール）が好ましい。
　化合物（１）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、化合物（２）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　本研磨液中、本発明の効果がより優れる点で、化合物（２）の含有量（複数種存在する場合はその合計）に対する化合物（１）の含有量（複数種存在する場合はその合計）の質量比（化合物（１）の含有量／化合物（２）の含有量）は、１以上が好ましく、５以上がより好ましく、３０以上が更に好ましく、１００以上が特に好ましい。当該質量比の上限は特に制限されないが、研磨速度が優れる点で、１０００００以下が好ましく、３００００以下がより好ましく、２００００以下が更に好ましく、１５０００以下が特に好ましく、３０００以下が最も好ましい。
　本研磨液中、化合物（１）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、研磨液の全質量に対して、０．０００１～１質量％が好ましく、０．０００５～０．３質量％がより好ましく、０．００３～０．１質量％が更に好ましい。
　本研磨液中、化合物（２）の含有（複数種存在する場合はその合計）量は、研磨液の全質量に対して、０．００１～１０００質量ｐｐｍが好ましく、０．００１～１００質量ｐｐｍがより好ましく、０．００５～３質量ｐｐｍが更に好ましく、０．０１～１質量ｐｐｍが特に好ましい。
（含窒素芳香族複素環化合物（３））
　本研磨液は、本発明の効果がより優れる点で、上記一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物以外の含窒素芳香族複素環化合物（３）（以下、単に「化合物（３）」ともいう）を含むことが好ましい。また、本研磨液は、バルク層の研磨及び除去に使用する場合の研磨速度に優れる点で、化合物（３）を含むことが好ましい。
　上記化合物（３）としては、例えば、一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物以外のアゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリミジン化合物、及び、ピペラジン化合物が挙げられる。
　一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物以外のアゾール化合物としては、例えば、アゾール環を構成する原子のうち１つが窒素原子であるイミダゾール化合物、アゾール環を構成する原子のうち２つが窒素原子であるピラゾール化合物、アゾール環を構成する原子のうち１つが窒素原子であり、他の１つが硫黄原子であるチアゾール化合物、及び、１，２，４－トリアゾール環構造を有する１，２，４－トリアゾール化合物が挙げられる。
　これらのアゾール化合物はいずれも、ヘテロ５員環上に置換基を有してもよい。
　１，２，４－トリアゾール化合物の具体例としては、１，２，４－トリアゾ－ル、３－メチル－１，２，４－トリアゾ－ル、及び、３－アミノ－１，２，４－トリアゾールが挙げられる。
　ピリジン化合物は、窒素原子を１つ含み、芳香族性を有するヘテロ６員環（ピリジン環）を有する化合物である。
　ピラジン化合物は、芳香族性を有し、パラ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピラジン環）を有する化合物であり、ピリミジン化合物は、芳香族性を有し、メタ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピリミジン環）を有する化合物である。
　ピペラジン化合物は、シクロヘキサン環の対向する－ＣＨ－基が窒素原子に置き換わったヘテロ６員環（ピペラジン環）を有する化合物である。
　また、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリミジン化合物、及び、ピペラジン化合物は、ヘテロ６員環上に置換基を有してもよい。
　本研磨液は、本発明の効果がより優れる点で、化合物（３）として１，２，４－トリアゾール化合物を含むことが好ましく、１，２，４－トリアゾールを含むことがより好ましい。
　本研磨液中の化合物（３）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、研磨液の全質量に対して、０．００１～１０質量％が好ましく、０．０１～３質量％がより好ましく、０．１～１質量％が更に好ましい。
＜過酸化水素＞
　本研磨液は、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を含む。
　過酸化水素の含有量は、本研磨液の全質量に対して、０．１～１０．０質量％が好ましく、０．２～５．０質量％がより好ましく、０．５～３．０質量％が更に好ましい。
＜水＞
　本研磨液は、水を含有することが好ましい。本研磨液が含有する水としては、特に制限されず、例えば、イオン交換水及び純水が挙げられる。
　水の含有量は、本研磨液の全質量に対して、９０～９９質量％が好ましい。
＜有機溶剤＞
　本研磨液は、有機溶剤を含むのも好ましい。
　有機溶剤は水溶性の有機溶剤が好ましい。
　有機溶剤としては、例えば、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、グリコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、及び、アミド系溶剤が挙げられる。
　より具体的には、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、及び、エトキシエタノールが挙げられる。
　中でも、エチレングリコールが好ましい。
　本研磨液が有機溶剤を含む場合、本研磨液の性能のバランスが優れる点で、有機溶剤の含有量は、本研磨液の全質量に対して、０．００１～１０質量％が好ましく、０．００５～５質量％がより好ましく、０．０１～１質量％が更に好ましい。
　有機溶剤は１種を単独で用いても、２種以上を使用してもよい。２種以上の有機溶剤を使用する場合には、合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
＜不動態膜形成剤＞
　本研磨液は、不動態膜形成剤を含むことが好ましい。
　不動態膜形成剤を含む本研磨液は、本研磨液をバルク層の研磨及び除去に使用する場合、研磨速度に優れる点で好ましく、また、本研磨液をバリア層の研磨及び除去に使用する場合、エロージョン（Ｅｒｏｓｉｏｎ：ＣＭＰで配線を形成した場合に配線以外の部分が部分的に大きく削れてしまう現象）の抑制に優れる点で好ましい。
　本研磨液で用いられる不動態膜形成剤としては、特に限定されないが、下記一般式（１）で表される化合物、及び、一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される１以上の不動態膜形成剤が好ましい。
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　一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
　上記置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよい。炭素数は１～６が好ましい）、ニトロ基、アミノ基、水酸基、及び、カルボン酸基が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ５中の隣り合う２つ同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒ１～Ｒ５中の隣り合う２つ同士が互いに結合して形成される環としては、例えば、芳香環（単環でも多環でもよい。好ましくは、ベンゼン環又はピリジン環）が挙げられる。上記環（好ましくは芳香環、より好ましくはベンゼン環又はピリジン環）は更に置換基を有してもよい。
　一般式（２）中、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
　上記置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよい。炭素数は１～６が好ましい）、ニトロ基、アミノ基、水酸基、及び、カルボン酸基が挙げられる。
　Ｒ６～Ｒ１０中の隣り合う２つ同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒ６～Ｒ１０中の隣り合う２つ同士が互いに結合して形成される環としては、例えば、芳香環（単環でも多環でもよい。好ましくは、ベンゼン環又はピリジン環）が挙げられる。上記環（好ましくは芳香環、より好ましくはベンゼン環又はピリジン環）は更に置換基を有してもよい。
　本研磨液で用いられる不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値は特に制限されないが、１．０以上が好ましく、１．０～６．０がより好ましく、１．０～３．８が更に好ましい。
　ＣｌｏｇＰ値が１．０以上である不動態膜形成剤は、本研磨液をバルク層の研磨及び除去に使用する場合は研磨速度に優れ、本研磨液をバリア層の研磨及び除去に使用する場合はエロージョンの抑制に優れる。
　不動態膜形成剤は、４－メチルフタル酸、４－ニトロフタル酸、サリチル酸、４－メチルサリチル酸、アントラニル酸、４－メチル安息香酸、４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、４－プロピル安息香酸、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、１－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、３－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、キナルジン酸、８－ヒドロキシキノリン、及び、２－メチル－８－ヒドロキシキノリンからなる群から選択される１以上が好ましく、本発明の効果がより優れる点で、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸又は６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸がより好ましい。
　また、本研磨液をバルク層の研磨及び除去に使用する場合、本発明の効果がより優れる点、及び、研磨速度が優れる点で、本研磨液は、化合物（３）及び不動態膜形成剤の両者を含むことが好ましい。
　本発明の効果がより優れる点で、不動態膜形成剤の含有量は、本研磨液の全質量に対して、０．００１～５．０質量％が好ましく、０．０１～１．０質量％がより好ましく、０．０１～０．３質量％が更に好ましい。
　不動態膜形成剤は１種を単独で用いても、２種以上を使用してもよい。２種以上の不動態膜形成剤を使用する場合には、合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
＜アニオン系界面活性剤＞
　本研磨液は、アニオン系界面活性剤を含むことが好ましい。
　特に本研磨液をバリア層の研磨及び除去に使用する場合、エロージョンの抑制に優れる点で、アニオン系界面活性剤を含むことが好ましい。
　本明細書においてアニオン系界面活性剤とは、特に限定されないが、典型的には、親水基と親油基とを分子内に有し、親水基の部分が水溶液中で解離してアニオンとなるか、アニオン性を帯びる化合物を意味する。ここでアニオン系界面活性剤は、水素原子を伴う酸として存在しても、それが解離したアニオンであっても、その塩であってもよい。アニオン性を帯びていれば、非解離性のものでもよく、酸エステルなども含まれる。
　アニオン系界面活性剤は、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、及び、これらの塩である基からなる群から選択される１以上のアニオン性基を有するアニオン系界面活性剤が好ましい。
　言い換えると、アニオン系界面活性剤は、本研磨液中において、カルボン酸アニオン（－ＣＯＯ－）、スルホン酸アニオン（－ＳＯ３ －）、リン酸アニオン（－ＯＰＯ３Ｈ－、－ＯＰＯ３ ２－）、ホスホン酸アニオン（－ＰＯ３Ｈ－、－ＰＯ３ ２－）、硫酸エステルアニオン（－ＯＳＯ３ －）、及び、リン酸エステルアニオン（＊－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）Ｏ－－Ｏ－＊、＊は水素原子以外の原子との結合位置を表す）からなる群から選択される１以上のアニオンを有するアニオン系界面活性剤が好ましい。
　また、アニオン系界面活性剤は、本研磨液中において、上記アニオン性基を２つ以上有するのも好ましい。この場合２つ以上存在するアニオン性基は同一でも異なっていてもよい。
　アニオン系界面活性剤としては、例えば、スルホン酸化合物、アルキル硫酸エステル、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸（好ましくは炭素数８～２０）、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルカルボン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルプロピオン酸、リン酸アルキル、及び、これらの塩が挙げられる。「塩」としては、例えば、アンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、トリメチルアンモニウム塩、及び、トリエタノールアミン塩が挙げられる。
　アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値は、１．００～１５．００が好ましく、２．５０～１０．００がより好ましい。
　本研磨液がアニオン系界面活性剤を含む場合、本発明の効果がより優れる点で、アニオン系界面活性剤の含有量は、本研磨液の全質量に対して、０．０００５～５．０質量％が好ましく、０．００１～０．５質量％がより好ましい。
　アニオン系界面活性剤は１種を単独で使用しても、２種以上を使用してもよい。２種以上のアニオン系界面活性剤を使用する場合には、合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
　本研磨液は、本発明の効果がより優れる点で、不動態膜形成剤及びアニオン系界面活性剤の両者を含むことが好ましい。
　本研磨液が不動態膜形成剤及びアニオン系界面活性剤を含む場合、本発明の効果がより優れる点で、アニオン系界面活性剤の含有量に対する不動態膜形成剤の含有量の質量比（導体膜形成剤の含有量／アニオン系界面活性剤の含有量）は、５００以下が好ましく、３００未満がより好ましく、２００未満が更に好ましく、１５０未満が特に好ましい。アニオン系界面活性剤の含有量に対する不動態膜形成剤の含有量の質量比の下限は特に制限されないが、０．００１以上が好ましく、０．０１超がより好ましい。
　また、アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から、不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値（アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値－不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値）は、１．００～１２．００が好ましく、２．００超８．００未満がより好ましく、２．５０～６．００が更に好ましい。
　つまり本研磨液において、「不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値＋１．００　≦　アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値　≦　不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値＋１２．００」を満たすことが好ましく、「不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値＋２．００　＜　アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値　＜　不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値＋８．００」を満たすことがより好ましい。
　本研磨液が不動態膜形成剤及び／又はアニオン系界面活性剤を２種以上含む場合、少なくとも１組の不動態膜形成剤とアニオン系界面活性剤との組み合わせ（好ましくは最も含有量の多い不動態膜形成剤と最も含有量の多いアニオン系界面活性剤との組み合わせ）が上記差の値の範囲を満たすのが好ましい。
　また、本研磨液は、バリア層の研磨及び除去に使用する場合、本発明の効果がより優れる点で、化合物（３）及びアニオン系界面活性剤の両者を含むことが好ましい。
＜有機酸＞
　本研磨液は、有機酸を含んでいてもよい。
　有機酸は、不動態膜形成剤とは異なる化合物が好ましく、より具体的には、一般式（１）で表される化合物、及び、一般式（２）で表される化合物に該当しないことが好ましい。また、有機酸は、界面活性剤（特にアニオン系界面活性剤）とは異なる化合物が好ましい。
　本研磨液に含まれる有機酸としては、本発明の効果がより優れる点で、グリシン、アラニン、サルコシン、イミノジ酢酸、ポリカルボン酸及びポリホスホン酸からなる群から選択される１以上の有機酸が好ましい。アラニンは、α－アラニン（２－アミノプロピオン酸）、及びβ－アラニン（３－アミノプロピオン酸）のいずれであってもよく、β－アラニンが好ましい。
　ポリカルボン酸は、カルボン酸基を一分子中に２以上有する化合物であり、ポリホスホン酸はホスホン酸基を一分子中に２以上有する化合物である。
　ポリカルボン酸としては、例えば、クエン酸、マロン酸、マレイン酸、及び、コハク酸が挙げられる。
　ポリホスホン酸としては、例えば、エチドロン酸、及び、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸が挙げられる。
　有機酸は、単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。
　２種以上を使用する組み合わせとしては、例えば、グリシンとアラニンとの組み合わせ、グリシンとサルコシンとの組み合わせ、クエン酸とマロン酸との組み合わせ、及び、マロン酸とエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸との組み合わせが挙げられる。
　２種以上の有機酸を使用する場合、１番目に含有量が多い有機酸の含有量に対する、２番目に含有量が多い有機酸の含有量との質量比（２番目に含有量が多い有機酸の含有量／１番目に含有量が多い有機酸の含有量）は、０．１～１．０が好ましく、０．２～１．０がより好ましい。なお、１番目に含有量が多い有機酸の含有量と、２番目に含有量が多い有機酸の含有量とは実質的に同一であってもよい。
　本研磨液は、研磨速度が優れる点で、グリシン、アラニン、サルコシン、及び、イミノジ酢酸からなる群から選択される１以上の化合物（以下「特定化合物」ともいう）を含むことが好ましく、特に本研磨液を後述するバルク層の研磨及び除去に使用する場合に、上記の特定化合物を含むことが好ましい。
　特定化合物の含有量の下限値は特に制限されないが、研磨速度がより優れる点で、本研磨液の全質量に対して、０．１質量％以上が好ましく、０．６質量％以上がより好ましい。
　上記含有量の上限値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、本研磨液の全質量に対して、１０．０質量％以下が好ましく、４．０質量％以下がより好ましい。
　２種以上の特定化合物を使用する場合には、合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
　本研磨液中、研磨速度がより優れる点で、化合物（２）の含有量（複数種存在する場合はその合計）に対する特定化合物の含有量（複数種存在する場合はその合計）の質量比（特定化合物の含有量／化合物（２）の含有量）は、１０００以上が好ましく、１００００以上がより好ましく、１０００００以上が更に好ましい。当該質量比の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１００００００００（１×１０８）以下が好ましく、１０００００００（１×１０７）以下がより好ましく、３００００００（３×１０６）以下が更に好ましい。
　本研磨液は、本発明の効果がより優れる点で、ポリカルボン酸及びポリホスホン酸からなる群より選択される１以上の有機酸（以下「特定有機酸」ともいう）を含むことが好ましい。特にｐＨが７．８～１０．５である本研磨液を後述するバリア層の研磨及び除去に使用する場合、本発明の効果がより優れる点及びエロージョンをより抑制できる点で、特定有機酸を含むことが好ましい。
　この場合、特定有機酸の２種以上を使用することがより好ましい。特定有機酸の２種以上の組み合わせについては、上述のとおりである。
　特定有機酸の含有量は、本研磨液の全質量に対して、０．００１～５質量％が好ましく、０．１～１．５質量％がより好ましい。
　２種以上の特定有機酸を使用する場合は、それらの合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
　本研磨液中、本発明の効果がより優れる点で、化合物（２）の含有量（複数種存在する場合はその合計）に対する特定有機酸の含有量（複数種存在する場合はその合計）の質量比（の含有量／化合物（２）の含有量）は、４００以上が好ましく、１０００以上がより好ましく、１００００以上が更に好ましい。当該質量比の上限は特に制限されないが、エロージョンをより抑制できる点で、１０００００００以下が好ましく、１００００００以下がより好ましく、５０００００以下が更に好ましい。
＜高分子化合物＞
　本研磨液は、高分子化合物を含むことが好ましく、本発明の効果がより優れる点で、アニオン性高分子化合物を含むことがより好ましい。
　特に、ｐＨが２．０～４．５である本研磨液を後述するバリア層の研磨及び除去に使用する場合、アニオン性高分子化合物を含むことが好ましい。
　アニオン性高分子化合物としては、カルボキシル基を有するモノマーを基本構成単位とするポリマー及びその塩、並びにそれらを含む共重合体が挙げられる。より具体的には、ポリアクリル酸及びその塩、並びにそれらを含む共重合体；ポリメタクリル酸及びその塩、並びにそれらを含む共重合体；ポリアミド酸及びその塩、並びに、それらを含む共重合体；ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ－スチレンカルボン酸）及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩、並びに、それらを含む共重合体；が挙げられる。
　中でも、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸及びポリメタクリル酸を含む共重合体、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
　なお、アニオン性高分子化合物は、研磨液中で電離していてもよい。
　高分子化合物の重量平均分子量は、５００～１０００００が好ましく、５０００～５００００がより好ましい。
　高分子化合物の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）法によるポリスチレン換算値である。ＧＰＣ法は、ＨＬＣ－８０２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ２０００（東ソー（株）製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）を、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いる方法に基づく。
　高分子化合物の含有量の下限値は、本発明の効果がより優れる点で、本研磨液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましい。
　高分子化合物の含有量の上限値は、被研磨面の欠陥の発生をより抑制できる点から、本研磨液の全質量に対して、１０．０質量％以下が好ましく、５．０質量％以下がより好ましく、３．０質量％以下が更に好ましい。
　なお、高分子化合物は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。２種以上の高分子化合物を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。
＜カチオン化合物＞
　本研磨液は、カチオン化合物を含むことが好ましい。
　特に、ｐＨが２．０～４．５である本研磨液を後述するバリア層の研磨及び除去に使用する場合、本発明の効果がより優れる点及びエロージョンをより抑制できる点で、カチオン化合物を含むことが好ましい。
　カチオン化合物に含まれるカチオン（オニウムイオン）の中心元素は、リン原子又は窒素原子が好ましい。
　カチオン化合物に含まれるカチオンのうち、中心元素として窒素原子をもつカチオンとしては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、エチルトリメチルアンモニウム、及びジエチルジメチルアンモニウム等のアンモニウムが挙げられる。
　カチオン化合物に含まれるカチオンのうち、中心元素としてリン原子をもつカチオンとしては、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラフェニルホスホニウム、メチルトリフェニルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウム、ブチルトリフェニルホスホニウム、ベンジルトリフェニルホスホニウム、ジメチルジフェニルホスホニウム、ヒドロキシメチルトリフェニルホスホニウム及びヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム等のホスホニウムが挙げられる。
　カチオン化合物に含まれるカチオンは、対称構造をもつことが好ましい。ここで、「対称構造をもつ」とは、分子構造が点対称、線対称、及び、回転対称のいずれかに該当するものを意味する。
　また、カチオン化合物に含まれるカチオンは、中心元素に結合する水素原子が水素原子以外の原子団に置換してなる第四級カチオンであることが好ましい。第四級カチオンとしては、第四級アンモニウムカチオン及び第四級ホスホニウムカチオンが挙げられる。
　カチオン化合物を構成するアニオンとしては、水酸化物イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン及びフッ素イオンが挙げられ、被研磨面の欠陥の発生がより抑制できる点から、水酸化物イオンがより好ましい。
　カチオン化合物は、研磨液中で電離していてもよい。
　カチオン化合物に含まれるカチオンとしては、中心元素としてリン原子又は窒素原子と、中心元素に結合する２～１０個（好ましくは３～８個、より好ましくは４～８個）の炭素原子を含む基と、を有するものが好ましい。これにより、被研磨面の欠陥の発生がより抑制できる。
　ここで、中心元素に結合する２～１０個の炭素原子を含む基の具体例としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルキル基で置換されていてもよいアリール基、ベンジル基、及び、アラルキル基が挙げられる。
　中心元素としてリン原子又は窒素原子と、中心元素に結合する２～１０個の炭素原子を含む基と、を有するカチオンの具体例としては、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、及び、テトラフェニルホスホニウムが挙げられる。
　カチオン化合物は、被研磨面の欠陥の発生がより抑制できる点から、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド（ＴＢＰＨ）、及び、テトラプロピルホスホニウムヒドロキシド（ＴＰＰＨ）からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
　中でも、ＴＢＡＨ、ＴＭＡＨ、コリン、ＴＢＰＨ、又は、ＴＰＰＨが好ましく、ＴＢＡＨはより好ましい。
　カチオン化合物の含有量は、本研磨液の全質量に対して、０．０１質量％超が好ましく、０．１質量％以上がより好ましい。
　カチオン化合物の含有量の上限値としては、本研磨液の全質量に対して、５．０質量％以下が好ましく、３．０質量％以下がより好ましい。
　なお、カチオン化合物は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。２種以上のカチオン化合物を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。
＜ｐＨ調整剤＞
　本研磨液は、上述した成分以外に、ｐＨを所定の範囲に調整するためにｐＨ調整剤を含んでもよい。
　ｐＨを酸性側に調整するためのｐＨ調整剤としては、例えば、硫酸が挙げられ、ｐＨを塩基性側に調整するためのｐＨ調整剤としては、例えば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、アンモニア及び水酸化カリウムが挙げられる。
　ｐＨ調整剤は、所定のｐＨにするための適当量を使用すればよい。
　ｐＨ調整剤は１種を単独で用いても、２種以上を使用してもよい。
＜他の成分＞
　本研磨液は、本発明の上述した効果を損なわない範囲で、上述した成分以外の成分（他の成分）を含んでいてもよい。
　他の成分としては、例えば、上述した界面活性剤以外の界面活性剤、上述した有機酸以外の有機酸、及び、コロイダルシリカ以外の粒子が挙げられる。
〔物性等〕
＜ｐＨ＞
　本研磨液のｐＨは、２．０～１２．０であることが好ましい。
　本研磨液を後述するバルク層の研磨及び除去に使用する場合、本研磨液のｐＨは、５．５以上が好ましく、研磨速度に優れる点で、６．０以上がより好ましく、本発明の効果及び研磨速度により優れる点で、６．８以上が更に好ましい。バルク層の研磨及び除去に使用する場合の本研磨液のｐＨは、８．０以下が好ましく、本発明の効果により優れる点及び研磨速度に優れる点で、７．７以下がより好ましく、７．５以下が更に好ましい。
　また、本研磨液を後述するバリア層の研磨及び除去に使用する場合、本研磨液のｐＨは、２．０～４．５又は７．８～１２．０が好ましい。
　本研磨液のｐＨは、エロージョン抑制性に優れる点で、８．０以上がより好ましく、本発明の効果及びエロージョン抑制性により優れる点で、８．７以上が更に好ましい。また、本発明の効果及びエロージョン抑制性により優れる点で、１０．５未満がより好ましく、１０．０以下が更に好ましい。
　一方、本研磨液のｐＨは、エロージョン抑制性に優れる点で、２．２以上がより好ましく、本発明の効果及びエロージョン抑制性により優れる点で、２．７以上が更に好ましい。また、本発明の効果及びエロージョン抑制性により優れる点で、４．０未満がより好ましく、３．８以下が更に好ましい。
＜研磨速度の比＞
　本研磨液は、コバルト含有膜に対して特に研磨速度が速いことが好ましい。
　また、本研磨液は研磨速度に選択性があるのが好ましく、所定の研磨対象物（つまりコバルト含有膜等）以外に対しては、研磨速度が遅いのが好ましい。
　例えば、被研磨体が、コバルト含有膜である第１層と、コバルト含有膜以外である第２層（バリア層及び／又は層間絶縁膜等）とを有する場合、同様の研磨条件下において、第２層の研磨速度に対する、コバルト含有膜である第１層の研磨速度の速度比（コバルト含有膜である第１層の研磨速度／第２層の研磨速度）は、１超２０００以下が好ましく、２０超１０００未満がより好ましい。
　なお、上記第１層としては、例えば、後述するコバルト含有膜が挙げられる。
　なお、上記第２層としては、例えば、後述する層間絶縁膜及び後述するバリア層が挙げられる。第２層を構成する具体的な材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、タングステン（Ｗ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、酸化炭化珪素（ＳｉＯＣ）、及び、炭化珪素（ＳｉＣ）が挙げられ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、及び、ＳｉＣからなる群から選択される１以上が好ましい。
〔研磨液の製造方法〕
　本研磨液の製造方法としては特に制限されず、公知の製造方法を使用できる。
　例えば、上述した各成分を所定の濃度になるように混合して本研磨液を製造してもよい。
　本研磨液における、不純物又は粗大粒子等を除去するために、使用する原料をそれぞれ混合前に脱塩処理（ろ過など）したり、原料の混合後に混合物を脱塩処理（ろ過など）したりするのも好ましい。
　また、高濃度に調整した本研磨液（高濃度研磨液）を希釈して、目的とする配合の本研磨液を得てもよい。上記高濃度研磨液は、水等の溶剤で希釈をすることで、目的とする配合の本研磨液を製造できるように配合が調整された混合物である。
　高濃度研磨液を希釈する際の希釈倍率は、質量基準で２倍以上が好ましく、２～２０倍がより好ましい。
　高濃度研磨液の固形分濃度は、５質量％以上が好ましく、５～５０質量％がより好ましい。高濃度研磨液を希釈して、好ましい固形分濃度（例えば０．１～１０質量％、より好ましくは０．５質量％以上５質量％未満）の本研磨液を得るのが好ましい。
　なお、固形分とは、本研磨液において、水、過酸化水素、及び、有機溶剤以外の全成分を意図する。
［化学的機械的研磨方法］
　本発明の化学的機械的研磨方法（以下、「本ＣＭＰ方法」ともいう。）は、上述した研磨液を研磨定盤に取り付けられた研磨パッドに供給しながら、被研磨体の被研磨面を上記研磨パッドに接触させ、上記被研磨体及び上記研磨パッドを相対的に動かして上記被研磨面を研磨して、研磨済み被研磨体を得る工程を含む。
＜被研磨体＞
　上記実施態様に係るＣＭＰ方法を適用できる被研磨体としては、特に制限されず、配線金属元素として、銅、銅合金及びコバルトからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含有する膜を有する態様が挙げられ、コバルト含有膜を有する態様が好ましい。
　コバルト含有膜は、少なくともコバルト（Ｃｏ）を含めばよく、その他の成分を含んでもよい。コバルト含有膜中のコバルトの状態は特に制限されず、例えば、単体でも合金でもよい。中でも、コバルト含有膜中のコバルトは単体のコバルトであるのが好ましい。コバルト含有膜中のコバルト（好ましくは単体のコバルト）の含有量は、コバルト含有膜の全質量に対して、５０～１００質量％が好ましく、８０～１００質量％がより好ましく、９９～１００質量％が更に好ましい。
　被研磨体の一例として、表面に、コバルト含有膜を有する基板が挙げられる。
　図１は、本ＣＭＰ方法を実施する被研磨体の一例を示す模式図である。図１には、被研磨体の断面上部が表されている。
　図１の被研磨体１０ａは、図示しない基板と、基板上に配置された溝（例えば配線用の溝）を有する層間絶縁膜１６と、上記溝の形状に沿って配置されたバリア層１４と、上記溝を充填するように配置されたコバルト含有膜１２とを有する。上記コバルト含有膜は、上記溝を充填して、更に溢れるように上記溝の開口部よりも高い位置にまで配置されている。コバルト含有膜１２における、このような溝の開口部よりも高い位置に形成されている部分をバルク層１８という。
　本ＣＭＰ方法は、バルク層１８を有する被研磨体１０ａの被研磨面を研磨し、バルク層１８を除去する方法に適用できる。つまり、本研磨液はバルク用研磨液として使用できる。
　バルク層１８の表面である被処理面を研磨し、バリア層１４が被研磨面の表面に露出するまで研磨することにより、バルク層１８が除去され、図２に示す被研磨体１０ｂが得られる。
　なお、図２に示す被研磨体１０ｂでは、バルク層１８が完全に除去されているが、本ＣＭＰ方法によるバルク層１８の研磨は、バルク層１８が完全に除去される前に終了してもよい。つまりバルク層１８がバリア層１４上を部分的又は全面的に覆っている状態で、研磨を終えてもよい。
　また、図１に示す被研磨体１０ａでは、層間絶縁膜１６とコバルト含有膜１２の間にバリア層１４が存在していたが、本ＣＭＰ方法は、バリア層を有さない被研磨体が有するバルク層の除去に適用してもよい。
　被研磨体の他の例として、図２に示す被研磨体１０ｂが挙げられる。
　図２は、本ＣＭＰ方法を実施する被研磨体の他の例を表す模式図である。
　図２の被研磨体１０ｂでは、図１の被研磨体１０ａからバルク層１８が除去されて、被処理面にバリア層１４とコバルト含有膜１２とが露出している。
　本ＣＭＰ方法は、上記被処理面の表面に露出したバリア層１４とコバルト含有膜１２とを同時に研磨し、層間絶縁膜１６が被研磨面の表面に露出するまで研磨して、バリア層１４を除去する方法に適用できる。つまり、本研磨液はバリア用研磨液として使用できる。
　被研磨体１０ｂからバリア層１４が研磨によって除去されると、図３に示す研磨済み被研磨体１０ｃが得られる。
　なお、層間絶縁膜１６が被研磨面の表面に露出してからも、層間絶縁膜１６、層間絶縁膜１６の溝の形状に沿って配置されたバリア層１４、及び／又は、上記溝を充填するコバルト含有膜１２（配線）に対して、意図的又は不可避的に、研磨を継続してもよい。
　また、図２の被研磨体１０ｂでは、バルク層が完全に除去されているが、バルク層の一部は完全には除去されていなくてもよく、除去されきっていないバルク層が部分的又は全面的に被研磨体１０ｂの被処理面を覆っていてもよい。本ＣＭＰ方法では、このような除去されきっていないバルク層の研磨及び除去も行ってよい。
　また、図３の研磨済み被研磨体１０ｃでは、層間絶縁膜１６上のバリア層１４が完全に除去されているが、研磨は、層間絶縁膜１６上のバリア層１４が完全に除去される前に終了してもよい。つまりバリア層１４が層間絶縁膜１６上に部分的又は全面的に覆っている状態で研磨を終えて研磨済み被研磨体を得てもよい。
　層間絶縁膜１６としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化珪素、炭化珪素（ＳｉＣ）、炭窒化珪素、酸化炭化珪素（ＳｉＯＣ）、酸窒化珪素、及び、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）からなる群から選択される１以上の材料を含む層間絶縁膜が挙げられる。中でも、窒化珪素（ＳｉＮ）、ＴＥＯＳ、炭化珪素（ＳｉＣ）、又は、酸化炭化珪素（ＳｉＯＣ）が好ましい。また、層間絶縁膜１６は複数の膜で構成されていてもよい。複数の膜で構成される層間絶縁膜１６としては、例えば、酸化珪素を含む膜と酸化炭化珪素を含む膜とを組み合わせてなる絶縁膜が挙げられる。
　バリア層１４としては、例えば、Ｔａ、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、Ｗ、及び、窒化タングステン（ＷＮ）からなる群から選択される１以上の材料を含むバリア層が挙げられる。中でも、Ｔａ、ＴａＮ、又は、ＴｉＮが好ましい。
　基板の具体例としては、単層からなる半導体基板、及び、多層からなる半導体基板が挙げられる。
　単層からなる半導体基板を構成する材料の具体例としては、シリコン、シリコンゲルマニウム、ＧａＡｓのような第ＩＩＩ－Ｖ族化合物、又は、それらの任意の組み合わせが挙げられる。
　多層からなる半導体基板の具体例としては、上述のシリコン等の半導体基板上に、金属線及び誘電材料のような相互接続構造（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　ｆｅａｔｕｒｅｓ）等の露出した集積回路構造が配置された基板が挙げられる。
　本ＣＭＰ方法の適用対象となる被研磨体の市販品としては、例えば、ＳＥＭＡＴＥＣ７５４ＴＥＧ（ＳＥＭＡＴＥＣＨ社製）が挙げられる。
＜研磨装置＞
　本ＣＭＰ方法を実施できる研磨装置は、公知の化学的機械的研磨装置（以下、「ＣＭＰ装置」ともいう。）を使用できる。
　ＣＭＰ装置としては、例えば、被研磨面を有する被研磨体を保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）研磨定盤と、を有するＣＭＰ装置が挙げられる。
＜研磨圧力＞
　本ＣＭＰ方法における研磨圧力は、被研磨面の傷状の欠陥の発生を抑制でき、研磨後の被研磨面が均一になりやすい点で、０．１～５．０ｐｓｉが好ましく、０．５～３．０ｐｓｉがより好ましく、１．０～３．０ｐｓｉが更に好ましい。なお、研磨圧力とは、被研磨面と研磨パッドとの接触面に生ずる圧力を意味する。
＜研磨定盤の回転数＞
　本ＣＭＰ方法における研磨定盤の回転数は、５０～２００ｒｐｍが好ましく、６０～１５０ｒｐｍがより好ましい。
　なお、被研磨体及び研磨パッドを相対的に動かすために、ホルダーを回転及び／又は揺動させてもよいし、研磨定盤を遊星回転させてもよいし、ベルト状の研磨パッドを長尺方向の一方向に直線状に動かしてもよい。なお、ホルダーは、固定、回転又は揺動のいずれの状態であってもよい。これらの研磨方法は、被研磨体及び研磨パッドを相対的に動かすのであれば、被研磨面及び／又は研磨装置により適宜選択できる。
＜研磨液の供給方法＞
　本ＣＭＰ方法では、被研磨面を研磨する間、研磨定盤上の研磨パッドに本研磨液をポンプ等の装置で連続的に供給するのが好ましい。本研磨液の供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本研磨液で覆われているのが好ましい。
　例えば、研磨液供給速度は、被研磨面における傷状の欠陥の発生を抑制でき、研磨後の被研磨面が均一になりやすい点で、０．０５～０．７５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）が好ましく、０．１４～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）がより好ましく、０．２１～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）が更に好ましい。
＜洗浄工程＞
　本ＣＭＰ方法においては、研磨済み被研磨体を得る工程の後、得られた研磨済み被研磨体を洗浄する洗浄工程を有するのも好ましい。
　洗浄工程によって、研磨によって生じた研磨屑の残渣、及び／又は、本研磨液に含まれる成分に基づく残渣等を除去できる。
　洗浄工程に使用される洗浄液に制限はなく、例えば、アルカリ性の洗浄液（アルカリ洗浄液）、酸性の洗浄液（酸性洗浄液）、水、及び有機溶剤が挙げられ、中でも、残渣除去性及び洗浄後の被研磨面（例えば、研磨工程によって被研磨面の表面に露出したコバルト含有膜からなる配線等）の表面荒れを抑制できる点で、アルカリ洗浄液が好ましい。
　また、洗浄工程の後に、更に、研磨済み被研磨体に付着する洗浄液を除去するための後洗浄工程を実施してもよい。後洗浄工程本工程の具体的な実施態様としては、例えば、有機溶剤又は水等の後洗浄液で、洗浄工程後の研磨済み被研磨体を更に洗浄する方法が挙げられる。
　以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容又は処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、特に断らない限り「％」は「質量％」を意図する。
≪実施例１Ａ≫
［研磨液の作製］
＜原料＞
　以下の原料を使用して、下記表１－１～表１－３に記載の研磨液を作製した。
（コロイダルシリカ）
・ＰＬ１（製品名、扶桑化学工業社製、コロイダルシリカ、平均一次粒子径１５ｎｍ、会合度２．７）
（有機酸）
・Ｇｌｙ（グリシン）
（化合物（１））
・５－ＭＢＴＡ（５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、一般式（Ｉ）で表される化合物に該当）
・ＢＴＡ（ベンゾトリアゾール、一般式（Ｉ）で表される化合物に該当）
・Ｔｅｔｒａｚｏｌｅ（テトラゾール、一般式（ＩＶ）で表される化合物に該当）
・１－ＨＢＴＡ（１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、一般式（ＩＩ）で表される化合物に該当）
（化合物（２））
・化合物Ａ：下記構造式で表される化合物（一般式（ＩＩ）で表される化合物に該当）
・化合物Ｂ：下記構造式で表される化合物（一般式（ＩＩＩ）で表される化合物に該当）
・化合物Ｃ：下記構造式で表される化合物（一般式（ＩＩ）で表される化合物に該当）
・化合物Ｄ：１－アルキル置換フェニルテトラゾール（アルキル基が置換されたフェニル基が１位に置換されたテトラゾール。一般式（Ｖ）で表される化合物に該当）
・化合物Ｅ：５－アルキル置換フェニルテトラゾール（アルキル基が置換されたフェニル基が５位に置換されたテトラゾール。一般式（Ｖ）で表される化合物に該当）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
（化合物（３））
・１，２，４－Ｔｅｔｒａｚｏｌｅ（１，２，４－テトラゾール）
・５－Ａｔｅ（５－アミノテトラゾール）
（不動態膜形成剤）
・フタル酸
・４－Ｍｅフタル酸（４－メチルフタル酸）
・４－ニトロフタル酸
・サリチル酸
・４－Ｍｅサリチル酸（４－メチルサリチル酸）
・アントラニル酸
・４－Ｍｅ安息香酸（４－メチル安息香酸）
・４－ｔＢｕ安息香酸（４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸）
・４－Ｐｒ安息香酸（４－プロピル安息香酸）
・１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸
・６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸
・１－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸
・３－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸
（アニオン系界面活性剤）
・Ｎ－ＬＳＡＲ（Ｎ－ラウロイルサルコシナート）
（Ｈ２Ｏ２）
・過酸化水素
（有機溶剤）
・ＥＴＧ（エチレングリコール）
（ｐＨ調整剤）
・Ｈ２ＳＯ４（硫酸）
・ＮＨ３（アンモニア）
（水）
・水（超純水）
＜研磨液の調製＞
　各原料（又はその水溶液）を、高密度ポリエチレンフィルターをろ過処理した。この際、コロイダルシリカの水溶液は孔径０．１μｍのフィルターでろ過し、それ以外の原料（又はその水溶液）については、孔径０．０２μｍのフィルターでろ過した。ろ過処理によって、原料（又はその水溶液）中の金属成分の含有量を低減させた。
　ろ過処理後の各原料（又はその水溶液）を混合して、下記表１－１～表１－３に示す実施例又は比較例の研磨液を調製した。
　製造した研磨液の成分を下記表１－１～表１－３に示す。
　表中の「量」欄は、各成分の、研磨液の全質量に対する含有量を示す。
　「％」及び「ｐｐｍ」の記載は、それぞれ「質量％」及び「質量ｐｐｍ」を示す。
　表中における各成分の含有量は、各成分の化合物としての含有量を示す。例えば、研磨液の調製に当たって過酸化水素は、過酸化水素水溶液の状態で添加されたが、表中の「過酸化水素」欄における含有量の記載は、研磨液に添加された過酸化水素水溶液ではなく、研磨液に含まれる過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）そのものの含有量を示す。
　コロイダルシリカの含有量は、シリカコロイド粒子そのものが、研磨液中で占める含有量を示す。
　ｐＨ調整剤の含有量としての「調整」の記載は、Ｈ２ＳＯ４及びＫＯＨのいずれか一方を、最終的に得られる研磨液のｐＨが「ｐＨ」欄に示す値となる量を添加したことを示す。
　水の添加量としての「残部」の記載は、研磨液における表中に示した成分以外の成分は水であることを示す。
　「比率１」欄は、研磨液中の、化合物（２）の含有量に対する、化合物（１）の含有量の質量比（化合物（１）の含有量／化合物（２）の含有量）を示す。
　「比率２」欄は、研磨液中の、化合物（２）の含有量に対する、有機酸の含有量の質量比（有機酸の含有量／化合物（２）の含有量）を示す。
　「ΔＣｌｏｇＰ」欄は、アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から、不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値（アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値－不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値）を示す。
　「比率３」欄は、研磨液中の、アニオン系界面活性剤の含有量に対する、不動態膜形成剤の含有量の質量比（不動態膜形成剤の含有量／アニオン系界面活性剤の含有量）を示す。
　例えば、実施例１の研磨液は、コロイダルシリカであるＰＬ１を０．１０質量％、有機酸であるグリシンを１．０質量％、化合物（１）である５－メチルベンゾトリアゾールを０．００３質量％、化合物（２）である上記構造式を有する化合物Ａを０．０１質量ｐｐｍ、過酸化水素を１．０質量％、有機溶剤としてエチレングリコールを０．０５質量％、最終的な研磨液全体としてｐＨが７．２となる量のｐＨ調整剤を含み、残りの成分は水である。
［試験］
　得られた研磨液を使用してそれぞれ以下の評価を行った。
＜ＲＲ（研磨速度）の評価－１＞
　ＦＲＥＸ３００ＳＩＩ（研磨装置）を用いて、研磨圧力を２．０ｐｓｉとし、研磨液供給速度を０．２８ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）とした条件で、表面にＣｏからなる膜を有するウエハ（直径１２インチ（３０．４８ｃｍ））を研磨した。
　研磨時間を１分として、研磨前後の膜厚を測定、その差分にて研磨速度ＲＲ（ｎｍ／ｍｉｎ）を算出し、下記区分で研磨速度を評価した。
ＡＡＡ　：　ＲＲが６００ｎｍ／ｍｉｎ以上
ＡＡ　　：　ＲＲが５５０ｎｍ／ｍｉｎ以上６００ｎｍ／ｍｉｎ未満
Ａ　　　：　ＲＲが５００ｎｍ／ｍｉｎ以上５５０ｎｍ／ｍｉｎ未満
Ｂ　　　：　ＲＲが４５０ｎｍ／ｍｉｎ以上５００ｎｍ／ｍｉｎ未満
Ｃ　　　：　ＲＲが４００ｎｍ／ｍｉｎ以上５５０ｎｍ／ｍｉｎ未満
Ｄ　　　：　ＲＲが４００ｎｍ／ｍｉｎ未満
＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－１＞
　ＦＲＥＸ３００ＳＩＩ（研磨装置）を用いて、研磨圧力を２．０ｐｓｉとし、研磨液供給速度を０．２８ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）とした条件で、ウエハを研磨した。
　なお、上記ウエハでは、直径１２インチ（３０．４８ｃｍ）のシリコン基板上に、酸化ケイ素からなる層間絶縁膜が形成され、上記層間絶縁膜にはライン１０μｍ及びスペース１０μｍからなるラインアンドスペースパターンを有する溝が刻まれている。上記溝には、溝の形状に沿ってバリア層（材料：ＴｉＮ、膜厚：１０ｎｍ）が配置されるとともに、Ｃｏが充填されている。更に、溝からＣｏがあふれるような形で、ラインアンドスペース部の上部に１５０～３００ｎｍ膜厚のＣｏからなるバルク層が形成されている。
　非配線部のＣｏ（バルク）が完全に研磨されてから、更に１０秒間研磨を行った。研磨後のウエハにおける、基準面（研磨後のウエハにおける最も高い位置）と、ライン部（各配線が形成されている部分）の中心部分との間の段差（高低差）を測定し、ウエハ全体での段差の平均値を、下記区分に照らした。
　上記段差がディッシングであり、この段差（段差の平均値）が小さいほどＤｉｓｈｉｎｇ抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　段差が２０ｎｍ未満
ＡＡ　　：　段差が２０ｎｍ以上３０ｎｍ未満
Ａ　　　：　段差が３０ｎｍ以上４０ｎｍ未満
Ｂ　　　：　段差が４０ｎｍ以上５０ｎｍ未満
Ｃ　　　：　段差が５０ｎｍ以上５５ｎｍ未満
Ｄ　　　：　段差が５５ｎｍ以上
　下記表１－１～表１－３に、実施例又は比較例の各研磨液を用いて行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000033
　上記表に示した結果より、本研磨液を用いれば、所望の結果が得られることが確認された。
　中でも、化合物（２）の含有量に対する化合物（１）の含有量の質量比（比率１）が３０以上である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例１１及び１５の結果の比較等を参照）。
　また、化合物（２）の含有量に対する化合物（１）の含有量の質量比（比率１）が１５０００以下である場合、研磨速度に優れることが確認された（実施例２１～２８及び３０～３３の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が化合物（３）及びアニオン系界面活性剤の両者を含む場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例６及び７の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が化合物（３）及び不動態膜形成剤の両者を含む場合、本発明の効果及び研磨速度がより優れることが確認された（実施例６及び８～２０の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が不動態膜形成剤として１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸又は６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸を含む場合、他の不動態膜形成剤を含む場合と比較して、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例８～２０の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が、ＣｌｏｇＰ値が１．０以上である不動態膜形成剤を含む場合、ＣｌｏｇＰ値が１．０未満である不動態膜形成剤を含む場合と比較して、研磨速度により優れることが確認された（実施例２１及び２３の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が不動態膜形成剤及びアニオン系界面活性剤の両者を含む場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例６及び２１～３３の結果の比較等を参照）。
　中でも、アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から、不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値（ΔＣｌｏｇＰ値）が２．５０以上である場合、研磨速度に優れることが確認された（実施例２２～３３の結果の比較等を参照）。
　また、アニオン系界面活性剤の含有量に対する不動態膜形成剤の含有量の質量比（比率３）が３００未満である場合、本発明の効果及び研磨速度がより優れること、並びに、当該比率３が２００未満である場合、本発明の効果が更に優れることが確認された（実施例４２、４８及び４９の結果の比較等を参照）。
　本研磨液のｐＨが６．０以上である場合、研磨速度が優れること、並びに、本研磨液のｐＨが６．８以上である場合、本発明の効果及び研磨速度がより優れることが確認された（実施例３４、５０及び５１の結果の比較等を参照）。
　また、本研磨液のｐＨが７．７以下である場合、本発明の効果及び研磨速度がより優れることが確認された（実施例３４及び５２の結果の比較等を参照）。
≪実施例１Ｂ≫
　更に、上述の実施例３４～４０の研磨液を使用して、研磨圧力（被研磨面と研磨パッドとを接触させる接触圧力）を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－１＞
　ＦＲＥＸ３００ＳＩＩ（研磨装置）を用いて、下記表２に示す研磨圧力とした条件で、研磨液供給速度を０．２８ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）とし、上述の＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－１＞で使用したウエハと同様のウエハを研磨した。非配線部のＣｏ（バルク）が完全に研磨されてから、更に１０秒間研磨を行った。その後、上記ウエハを、洗浄ユニットにて、洗浄液（ｐＣＭＰ液）（アルカリ洗浄液：ＣＬ９０１０（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製））で１分間洗浄し、更に、３０分ＩＰＡ（イソプロパノール）洗浄を行ってから乾燥処理させた。
　得られたウエハを欠陥検出装置で測定し、長径が０．０６μｍ以上の欠陥が存在する座標を特定してから、特定された座標における欠陥の種類を分類した。ウエハ上に検出されたＳｃｒａｔｃｈ（傷状の欠陥）の数を、下記区分に照らした。
　Ｓｃｒａｔｃｈの数が少ないほどＳｃｒａｔｃｈ抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが１個以下
　ＡＡ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが２～３個
　　Ａ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが４～５個
　　Ｂ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが６～１０個
　　Ｃ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが１１～１５個
　　Ｄ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが１６個以上
＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－１＞
　試験に用いるウエハのラインアンドスペースがライン９μｍ、スペース１μｍの構成であることと、研磨圧力を下記表２に示すようにそれぞれ変更したこと以外は上述の＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－１＞に記載の方法に従って、研磨されたウエハを得た。
　研磨後のウエハにつき、研磨面の中心付近に形成されたチップ及び研磨面のエッジ付近に形成されたチップにおけるそれぞれの段差を測定し、中心付近に形成されたチップにおいて測定された段差とエッジ付近に形成されたチップにおいて測定された段差との差を比較して、下記区分に照らした。
　なお、ここで言う段差とは、エロージョンの値（基準面と、スペース部の中心部分との間の高低差）と、ディッシングの値（基準面と、ライン部の中心部分との間の高低差）との合計値である。
　上記段差の差が小さいほどＵｎｉｆｏｒｍｉｔｙに優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　段差の差が３ｎｍ未満
　ＡＡ　：　段差の差が３以上５ｎｍ未満
　　Ａ　：　段差の差が５以上８ｎｍ未満
　　Ｂ　：　段差の差が８以上１０ｎｍ未満
　　Ｃ　：　段差の差が１０ｎｍ以上
　以下に、接触圧力を変更しながら行った上記試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000034
　上記表に示す通り、研磨圧力は、０．５～３．０ｐｓｉが好ましく、１．０～３．０ｐｓｉがより好ましいことが確認された。
≪実施例１Ｃ≫
　更に、上述の実施例３４～４０の研磨液を使用して、研磨液供給速度（研磨中に研磨パットに供給する研磨液の供給量）を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－２＞
　研磨液供給速度を表３に示すようにそれぞれ変更したことと、研磨圧力を２．０ｐｓｉに固定したこと以外は、＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－１＞と同様にしてＳｃｒａｔｃｈ抑制性の評価を行った。
＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－２＞
　また、研磨液供給速度を表３に示すようにそれぞれ変更したことと、研磨圧力を２．０ｐｓｉに固定したこと以外は、＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－１＞と同様にしてＵｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価を行った。
　以下に、研磨液供給速度を変更しながら行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000035
　上記表に示す通り、研磨液供給速度は、０．１４～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）が好ましく、０．２１～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）がより好ましいことが確認された。
≪実施例１Ｄ≫
　更に、上述の実施例３４～４０の研磨液を使用して、洗浄液（ｐＣＭＰ液）の種類を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｒｅｓｉｄｕｅ抑制性の評価－１＞
　研磨圧力を２．０ｐｓｉに固定したことと、使用する洗浄液の種類を表４に示すとおりにそれぞれ変更したこと以外は、＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－１＞と同様にしてウエハを処理した。
　得られたウエハを欠陥検出装置で測定し、長径が０．０６μｍ以上の欠陥が存在する座標を特定してから、特定された座標における欠陥の種類を分類した。ウエハ上に検出されたＲｅｓｉｄｕｅ（残渣物に基づく欠陥）の数を、下記区分に照らした。
　Ｒｅｓｉｄｕｅの数が少ないほどＲｅｓｉｄｕｅ抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が２００個未満
ＡＡ　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が２００個以上３５０個未満
Ａ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が３５０個以上５００個未満
Ｂ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が５００個以上７５０個未満
Ｃ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が７５０個以上１０００個未満
Ｄ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が１０００個以上
＜Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価－１＞
　上述の＜Ｒｅｓｉｄｕｅ抑制性の評価－１＞と同様にしてウエハを処理した。
　得られたウエハにおける被研磨面の表面に露出したＣｏ配線（１００μｍ幅の配線）上のＳｕｒｆａｃｅ　Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ（表面粗さＲａ）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）にてＮ＝３で測定し、その平均のＲａを下記区分に照らした。
　Ｒａが小さいほどＣｏｒｒｏｓｉｏｎ（腐食）抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　測定エリア５μｍのＲａが１．０ｎｍ未満
ＡＡ　　：　測定エリア５μｍのＲａが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ未満
Ａ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが１．５ｎｍ以上２．０ｎｍ未満
Ｂ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが２．０ｎｍ以上２．５ｎｍ未満
Ｃ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが２．５ｎｍ以上３．０ｎｍ未満
Ｄ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが３．０ｎｍ以上
　以下に、洗浄液の種類を変更しながら行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000036
ＤＩＷ：水
Ａｃｉｄｉｃ：ＣＬＥＡＮ１００（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製：酸性洗浄液）
Ａｌｋａｌｉｎｅ：ＣＬ９０１０（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製：アルカリ洗浄液）
　上記表に示す通り、洗浄液は、アルカリ洗浄液が好ましいことが確認された。
≪実施例１Ｅ≫
　更に、上述の実施例３４～４０の研磨液を使用して、被研磨体の種類を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜ＲＲ（研磨速度）の評価－２＞
　上述の＜ＲＲ（研磨速度）の評価＞において、ウエハが表面に有する膜を、Ｃｏからなる膜から、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ又はＳｉＣからなる膜に変更したこと以外は同様にして、研磨速度を評価した。
　以下に、評価結果を示す。
　ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ又はＳｉＣの研磨速度に対する、Ｃｏ又はＣｕの研磨速度の速度比（Ｃｏ又はＣｕの研磨速度／ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ又はＳｉＣの研磨速度）は、いずれにおいても２０超１０００未満の範囲内であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000037
　上記表に示す通り、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ及びＳｉＣに対する研磨速度（ＲＲ）は、いずれも１ｎｍ／ｍｉｎ未満であり、研磨の選択性も良好であることが確認された。
≪実施例２Ａ≫
［研磨液の作製］
＜原料＞
　上述の実施例１Ａにおいて研磨液の作製に使用した原料、及び、以下の原料を使用して、下記表６－１～表６－４に記載の研磨液を作製した。
（有機酸）
・マロン酸
・ＣＡ（クエン酸）
（ｐＨ調整剤）
・ＫＯＨ（水酸化カリウム）
＜研磨液の調製＞
　上述の実施例１Ａにおける＜研磨液の調製＞と同様にして、各原料（又はその水溶液）のろ過処理を行い、ろ過処理後の各原料（又はその水溶液）を混合して、下記表６－１～表６－４に示す実施例又は比較例の研磨液を調製した。
　製造した研磨液の成分を下記表６－１～表６－４に示す。
　表６－１～表６－４中の「量」欄、「％」欄、「ｐｐｍ」欄、ｐＨ調整剤の含有量としての「調整」の記載、水の添加量としての「残部」の記載、「ΔＣｌｏｇＰ」欄、「比率１」、「比率２」、及び、「比率３」欄はいずれも、上述の実施例１Ａにおける表中の各欄の記載と同じ事項を示す。
　例えば、実施例１０１の研磨液は、コロイダルシリカであるＰＬ１を４．５０質量％、化合物（１）である５－メチルベンゾトリアゾールを０．００５質量％、化合物（２）である上記構造式を有する化合物Ａを０．０３質量ｐｐｍ、過酸化水素を１．０質量％、有機溶剤としてエチレングリコールを０．０５質量％、最終的な研磨液全体としてｐＨが９．０となる量のｐＨ調整剤を含み、残りの成分は水である。
［試験］
　得られた研磨液を使用してそれぞれ以下の評価を行った。
＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－２＞
　ＦＲＥＸ３００ＳＩＩ（研磨装置）を用いて、研磨圧力を２．０ｐｓｉとし、研磨液供給速度を０．２８ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）とした条件で、＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－１＞で使用したウエハと同様のウエハを研磨した。
　まず、研磨液としてＣＳＬ５２５０Ｃ（商品名、富士フイルムプラナーソルーション社製）を使用し、非配線部のＣｏ（バルク）が完全に研磨されてから、更に１０秒間研磨を行った。その後、実施例又は比較例の各研磨液を用いて同様の条件で１分間研磨した。
　研磨後のウエハにおける、基準面（研磨後のウエハにおける最も高い位置）と、ライン部（各配線が形成されている部分）の中心部分との間の段差（高低差）を測定し、ウエハ全体での段差の平均値を下記区分に照らした。
　上記段差がディッシングであり、この段差（段差の平均値）が小さいほどＤｉｓｈｉｎｇ抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　段差が１ｎｍ未満
ＡＡ　　：　段差が１ｎｍ以上３ｎｍ未満
Ａ　　　：　段差が３ｎｍ以上５ｎｍ未満
Ｂ　　　：　段差が５ｎｍ以上８ｎｍ未満
Ｃ　　　：　段差が８ｎｍ以上１０ｎｍ未満
Ｄ　　　：　段差が１０ｎｍ以上
＜Ｅｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価－１＞
　試験に用いるウエハのラインアンドスペースがライン９μｍ、スペース１μｍの構成であること以外は＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－２＞と同様にしてウエハの研磨及び研磨面における段差の測定を行った。
　研磨後のウエハにおける、基準面（研磨後のウエハにおける最も高い位置）と、スペース部（バリア層又は層間絶縁膜が露出している部分）の中心部分との間の段差（高低差）を測定し、ウエハ全体での段差の平均値を下記区分に照らした。
　上記段差がエロージョンであり、この段差（段差の平均値）が小さいほどＥｒｏｓｉｏｎ抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　段差が５ｎｍ未満
　ＡＡ　：　段差が５ｎｍ以上８ｎｍ未満
　　Ａ　：　段差が８ｎｍ以上１０ｎｍ未満
　　Ｂ　：　段差が１０ｎｍ以上１２ｎｍ未満
　　Ｃ　：　段差が１２ｎｍ以上１５ｎｍ未満
　　Ｄ　：　段差が１５ｎｍ以上
　下記表に、実施例又は比較例の各研磨液を用いて行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000048
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000049
　上記表に示した結果より、本研磨液を用いれば、所望の結果が得られることが確認された。
　中でも、化合物（２）の含有量に対する化合物（１）の含有量の質量比（比率１）が１００以上である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例１０８及び１１０の結果の比較等を参照）。
　また、化合物（２）の含有量に対する化合物（１）の含有量の質量比（比率１）が２００００以下である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例１０７及び１０９の結果の比較等を参照）。
　本研磨液がアニオン系界面活性剤を含む場合、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例１０６及び１１１の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が不動態膜形成剤を含む場合、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例１０６及び１１２～１２４の結果の比較等を参照）。
　中でも、本研磨液が不動態膜形成剤として１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸又は６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸を含む場合、他の不動態膜形成剤を含む場合と比較して、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例１１２～１２４の結果の比較等を参照）。
　また、本研磨液が、ＣｌｏｇＰ値が１．０以上である不動態膜形成剤を含む場合、ＣｌｏｇＰ値が１．０未満である不動態膜形成剤を含む場合と比較して、エロージョン抑制性により優れることが確認された（実施例１２５及び１２７の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が不動態膜形成剤及びアニオン系界面活性剤の両者を含む場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例１１１～１３７の結果の比較等を参照）。
　中でも、アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値（ΔＣｌｏｇＰ値）が２．５０以上である場合、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例１２６～１３７の結果の比較等を参照）。
　また、アニオン系界面活性剤の含有量に対する不動態膜形成剤の含有量の質量比（比率３）が３００未満である場合、本発明の効果がより優れること、並びに、当該比率３が２００未満である場合、本発明の効果が更に優れること及びエロージョン抑制性により優れることが確認された（実施例１４９、１６２及び１６３の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が有機酸を含む場合、本発明の効果がより優れること、及び、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例１２６、１３８～１４４及び１４９～１５４の結果の比較等を参照）。
　中でも、研磨液中の、化合物（２）の含有量に対する有機酸の含有量の質量比（比率２）が４００以上である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例１４７及び１４８の結果の比較等を参照）。
　また、化合物（２）の含有量に対する化合物（１）の含有量の質量比（比率１）が２００００以下である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例１４５及び１４６の結果の比較等を参照）。
　本研磨液のｐＨが８．０以上である場合、エロージョン抑制性に優れること、並びに、本研磨液のｐＨが８．７以上である場合、本発明の効果及びエロージョン抑制性により優れることが確認された（実施例１４４、１６４及び１６５の結果の比較等を参照）。
　また、本研磨液のｐＨが１０．５未満である場合、本発明の効果及びエロージョン抑制性がより優れることが確認された（実施例１４４及び１６６の結果の比較等を参照）。
≪実施例２Ｂ≫
　更に、上述の実施例１４４、１４６、１４７及び１４９～１５２の研磨液を使用して、研磨圧力（被研磨面と研磨パッドとを接触させる接触圧力）を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－３＞
　ＦＲＥＸ３００ＳＩＩ（研磨装置）を用いて、研磨液供給速度を０．２８ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）に固定し、下記表７に示す研磨圧力とした条件で、上述の＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－１＞で使用したウエハと同様のウエハを研磨した。
　まず、ＣＳＬ５２５０Ｃ（商品名、富士フイルムプラナーソルーション社製）を使用し、非配線部のＣｏ（バルク）が完全に研磨されてから、更に１０秒間研磨を行った。その後、実施例１３４～１４０の各研磨液を用いて同様の条件で１分間研磨した。
　研磨後のウエハを、洗浄ユニットにて、洗浄液（ｐＣＭＰ液）（アルカリ洗浄液：ＣＬ９０１０（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製））で１分洗浄し、更に、３０分間ＩＰＡ（イソプロパノール）洗浄を行ってから乾燥処理させた。
　得られたウエハを欠陥検出装置で測定し、長径が０．０６μｍ以上の欠陥が存在する座標を特定してから、特定された座標における欠陥の種類を分類した。ウエハ上に検出されたＳｃｒａｔｃｈ（傷状の欠陥）の数を、下記区分に照らした。
　Ｓｃｒａｔｃｈの数が少ないほどＳｃｒａｔｃｈ抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが１個以下
　ＡＡ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが２～３個
　　Ａ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが４～５個
　　Ｂ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが６～１０個
　　Ｃ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが１１～１５個
　　Ｄ　：　Ｓｃｒａｔｃｈが１６個以上
＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－３＞
　上述の実施例１４４、１４６、１４７及び１４９～１５２の研磨液を使用すること以外は、＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－１＞と同様にしてＵｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価を行った。
　以下に、接触圧力を変更しながら行った上記試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000050
　上記表に示す通り、研磨圧力は、０．５～３．０ｐｓｉが好ましく、１．０～３．０ｐｓｉがより好ましいことが確認された。
≪実施例２Ｃ≫
　更に、上述の実施例１４４、１４６、１４７及び１４９～１５２の研磨液を使用して、研磨液供給速度を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－４＞
　研磨液供給速度を下記表に示すようにそれぞれ変更したことと、研磨圧力を２．０ｐｓｉに固定したこと以外は、＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－３＞と同様にしてＳｃｒａｔｃｈ抑制性の評価を行った。
＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－４＞
　また、研磨液供給速度を下記表に示すようにそれぞれ変更したことと、研磨圧力を２．０ｐｓｉに固定したこと以外は、＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－３＞と同様にしてＵｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価を行った。
　以下に、研磨液供給速度を変更しながら行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000051
　上記表に示す通り、研磨液供給速度は、０．１４～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）が好ましく、０．２１～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）がより好ましいことが確認された。
≪実施例２Ｄ≫
　更に、上述の実施例１４４、１４６、１４７及び１４９～１５２の研磨液を使用して、洗浄液（ｐＣＭＰ液）の種類を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｒｅｓｉｄｕｅ抑制性の評価－２＞
　研磨圧力を２．０ｐｓｉに固定したことと、使用する洗浄液の種類を表９に示すとおりにそれぞれ変更したこと以外は、＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－３＞と同様にしてウエハを処理した。
　得られたウエハを欠陥検出装置で測定し、長径が０．０６μｍ以上の欠陥が存在する座標を特定してから、特定された座標における欠陥の種類を分類した。ウエハ上に検出されたＲｅｓｉｄｕｅ（残渣物に基づく欠陥）の数を、下記区分に照らした。
　Ｒｅｓｉｄｕｅの数が少ないほどＲｅｓｉｄｕｅ抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が２００個未満
ＡＡ　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が２００個以上３５０個未満
Ａ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が３５０個以上５００個未満
Ｂ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が５００個以上７５０個未満
Ｃ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が７５０個以上１０００個未満
Ｄ　　　：　Ｒｅｓｉｄｕｅ数が１０００個以上
＜Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価－２＞
　上述の＜Ｒｅｓｉｄｕｅ抑制性の評価－２＞と同様にしてウエハを処理した。
　得られたウエハにおける被研磨面の表面に露出したＣｏ配線（１００μｍ幅の配線）上のＳｕｒｆａｃｅ　Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ（表面粗さＲａ）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）にてＮ＝３で測定し、その平均のＲａを下記区分に照らした。
　Ｒａが小さいほどＣｏｒｒｏｓｉｏｎ（腐食）抑制性に優れると評価できる。
ＡＡＡ　：　測定エリア５μｍのＲａが１．０ｎｍ未満
ＡＡ　　：　測定エリア５μｍのＲａが１．０ｎｍ以上１．５ｎｍ未満
Ａ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが１．５ｎｍ以上２．０ｎｍ未満
Ｂ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが２．０ｎｍ以上２．５ｎｍ未満
Ｃ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが２．５ｎｍ以上３．０ｎｍ未満
Ｄ　　　：　測定エリア５μｍのＲａが３．０ｎｍ以上
　以下に、洗浄液の種類を変更しながら行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000052
ＤＩＷ：水
Ａｃｉｄｉｃ：ＣＬＥＡＮ１００（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製：酸性洗浄液）
Ａｌｋａｌｉｎｅ：ＣＬ９０１０（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製：アルカリ洗浄液）
　上記表に示す通り、洗浄液は、アルカリ洗浄液が好ましいことが確認された。
≪実施例２Ｅ≫
　更に、上述の実施例１３４～１４０の研磨液を使用して、被研磨体の種類を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜ＲＲ（研磨速度）の評価－３＞
　ＦＲＥＸ３００ＳＩＩ（研磨装置）を用いて、研磨圧力を２．０ｐｓｉとし、研磨液供給速度を０．２８ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）とした条件で、表面にＣｏ、Ｃｕ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、又は、ＳｉＣからなる膜を有するウエハ（直径１２インチ（３０．４８ｃｍ））を研磨した。
　研磨時間を１分間として、研磨前後の膜厚を測定し、その差分にて研磨速度ＲＲ（ｎｍ／ｍｉｎ）を算出し、下記区分で各材料に対する研磨速度を評価した。
（膜が、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴＥＯＳ、又は、ＳｉＯＣの場合）
Ａ　：　ＲＲが５０ｎｍ／ｍｉｎ以上
Ｂ　：　ＲＲが５０ｎｍ／ｍｉｎ未満
（膜が、Ｃｏ、ＳｉＮ、又は、ＳｉＣの場合）
Ａ　：　ＲＲが２０ｎｍ／ｍｉｎ以上
Ｂ　：　ＲＲが２０ｎｍ／ｍｉｎ未満
　以下に、評価結果を示す。
　なお、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、又は、ＳｉＣの研磨速度に対する、Ｃｏの研磨速度の速度比（Ｃｏの研磨速度／ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、又は、ＳｉＣの研磨速度）は、いずれにおいても０．０５超５未満の範囲内であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000053
　上記結果に示す通り、本研磨液は、Ｃｏに対する研磨速度と、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、又は、ＳｉＣに対する研磨速度との間で極端な速度差が無く、バリア層等の除去に用いられる研磨液として好適であることが確認された。
　なお、本研磨液は、研磨液中の過酸化水素の含有量を調整することにより、Ｃｏに対する研磨速度を任意に調整（例えば、０～３０ｎｍ／ｍｉｎの間で調整）できる。
≪実施例３Ａ≫
［研磨液の作製］
＜原料＞
　上述の実施例１Ａにおいて研磨液の作製に使用した原料、及び、以下の原料を使用して、下記表１１－１～表１１－４に記載の研磨液を作製した。
（高分子化合物）
・ＰＡＡ（ポリアクリル酸）
（カチオン化合物）
・ＴＢＡＨ（テトラブチルアンモニウムヒドロキシド）
＜研磨液の調製＞
　上述の実施例１Ａにおける＜研磨液の調製＞と同様にして、各原料（又はその水溶液）のろ過処理を行い、ろ過処理後の各原料（又はその水溶液）を混合して、下記表１１－１～表１１－４に示す実施例又は比較例の研磨液を調製した。
　製造した研磨液の成分を下記表１１－１～表１１－４に示す。
　表中の「量」欄、「％」欄、「ｐｐｍ」欄、ｐＨ調整剤の含有量としての「調整」の記載、水の添加量としての「残部」の記載、「ΔＣｌｏｇＰ」欄、及び、「比率１」欄はいずれも、上述の実施例２Ａにおける表６中の各欄の記載と同じ事項を示す。
　表中の「比率２」欄は、研磨液中の、アニオン系界面活性剤の含有量に対する、不動態膜形成剤の含有量の質量比（不動態膜形成剤の含有量／アニオン系界面活性剤の含有量）を示す。
　「ΔＣｌｏｇＰ」欄は、アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から、不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値（アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値－不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値）を示す。
　表中、「分子量」欄は、ＨＬＣ－８０２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ２０００（東ソー（株）製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）を、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて、ＧＰＣ法により測定された、高分子化合物の重量平均分子量のポリスチレン換算値を示す。
　例えば、実施例２０１の研磨液は、コロイダルシリカであるＰＬ１を２．００質量％、化合物（１）である５－メチルベンゾトリアゾールを０．００５質量％、化合物（２）である上記構造式を有する化合物Ａを０．０３質量ｐｐｍ、高分子化合物であるポリアクリル酸を０．１質量％、過酸化水素を１．０質量％、有機溶剤としてエチレングリコールを０．０５質量％、最終的な研磨液全体としてｐＨが３．２となる量のｐＨ調整剤を含み、残りの成分は水である。
［試験］
　得られた研磨液を使用してそれぞれ以下の評価を行った。
＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－３＞
　実施例２Ａの＜Ｄｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価－２＞と同様にしてＤｉｓｈｉｎｇ抑制性の評価を行った。
＜Ｅｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価－２＞
　実施例２Ａの＜Ｅｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価－１＞と同様にしてＥｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価を行った。
　下記表１１－１～表１１－４に、実施例又は比較例の各研磨液を用いて行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000054
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000055
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000056
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000060
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000062
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000063
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000064
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000065
　上記表に示した結果より、本研磨液を用いれば、所望の結果が得られることが確認された。
　中でも、化合物（２）の含有量に対する化合物（１）の含有量の質量比（比率１）が１００以上である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例２０７及び２０９の結果の比較等を参照）。
　また、化合物（２）の含有量に対する化合物（１）の含有量の質量比（比率１）が２００００以下である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例２０６及び２０８の結果の比較等を参照）。
　本研磨液がアニオン系界面活性剤を含む場合、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例２１０及び２１１の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が不動態膜形成剤を含む場合、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例２１０及び２１２～２２４の結果の比較等を参照）。
　中でも、本研磨液が不動態膜形成剤として１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸又は６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸を含む場合、他の不動態膜形成剤を含む場合と比較して、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例２１２～２２４の結果の比較等を参照）。
　また、本研磨液が、ＣｌｏｇＰ値が１．０以上である不動態膜形成剤を含む場合、ＣｌｏｇＰ値が１．０未満である不動態膜形成剤を含む場合と比較して、エロージョン抑制性により優れることが確認された（実施例２２５及び２２７の結果の比較等を参照）。
　本研磨液が不動態膜形成剤及びアニオン系界面活性剤の両者を含む場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例２１１～２３７の結果の比較等を参照）。
　中でも、アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値（ΔＣｌｏｇＰ値）が２．５０以上である場合、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例２２４～２３７の結果の比較等を参照）。
　また、アニオン系界面活性剤の含有量に対する不動態膜形成剤の含有量の質量比（比率２）が３００未満である場合、本発明の効果がより優れること、並びに、当該比率２が２００未満である場合、本発明の効果が更に優れることが確認された（実施例２５２、２５８及び２５９の結果の比較等を参照）。
　本研磨液がカチオン化合物を含む場合、本発明の効果がより優れること、及び、エロージョン抑制性に優れることが確認された（実施例２２６及び２３８～２５７の結果の比較等を参照）。
　本研磨液のｐＨが２．２以上である場合、エロージョン抑制性に優れること、並びに、本研磨液のｐＨが２．７以上である場合、本発明の効果及びエロージョン抑制性により優れることが確認された（実施例２２６、２６０及び２６１の結果の比較等を参照）。
　また、本研磨液のｐＨが４．０未満である場合、本発明の効果及びエロージョン抑制性がより優れることが確認された（実施例２２６及び２６２の結果の比較等を参照）。
≪実施例３Ｂ≫
　更に、上述の実施例２４４～２５０の研磨液を使用して、研磨圧力（被研磨面と研磨パッドとを接触させる接触圧力）を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－５＞
　実施例２Ｂの＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－３＞と同様にしてＳｃｒａｔｃｈ抑制性の評価を行った。
＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－５＞
　実施例２Ｂの＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ抑制性の評価－３＞と同様にしてＵｎｉｆｏｒｍｉｔｙ抑制性の評価を行った。
　以下に、接触圧力を変更しながら行った上記試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000066
　上記表に示す通り、研磨圧力は、０．５～３．０ｐｓｉが好ましく、１．０～３．０ｐｓｉがより好ましいことが確認された。
≪実施例３Ｃ≫
　更に、上述の実施例２４４～２５０の研磨液を使用して、研磨液供給速度を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－６＞
　実施例２Ｃの＜Ｓｃｒａｔｃｈ抑制性の評価－４＞と同様にしてＳｃｒａｔｃｈ抑制性の評価を行った。
＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙの評価－６＞
　実施例２Ｃの＜Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ抑制性の評価－４＞と同様にしてＵｎｉｆｏｒｍｉｔｙ抑制性の評価を行った。
　以下に、研磨液供給速度を変更しながら行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000067
　上記表に示す通り、研磨液供給速度は、０．１４～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）が好ましく、０．２１～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）がより好ましいことが確認された。
≪実施例３Ｄ≫
　更に、上述の実施例２４４～２５０の研磨液を使用して、洗浄液（ｐＣＭＰ液）の種類を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜Ｒｅｓｉｄｕｅ抑制性の評価－３＞
　実施例２Ｄの＜Ｒｅｓｉｄｕｅ抑制性の評価－２＞と同様にしてＲｅｓｉｄｕｅ抑制性の評価を行った。
＜Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価－３＞
　実施例２Ｄの＜Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価－２＞と同様にしてＣｏｒｒｏｓｉｏｎ抑制性の評価を行った。
　以下に、洗浄液の種類を変更しながら行った試験の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000068
ＤＩＷ：水
Ａｃｉｄｉｃ：ＣＬＥＡＮ１００（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製：酸性洗浄液）
Ａｌｋａｌｉｎｅ：ＣＬ９０１０（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製：アルカリ洗浄液）
　上記表に示す通り、洗浄液は、アルカリ洗浄液が好ましいことが確認された。
≪実施例３Ｅ≫
　更に、上述の実施例２４４～２５０の研磨液を使用して、被研磨体の種類を変更しながら以下の試験を行った。
［試験］
＜ＲＲ（研磨速度）の評価－４＞
　実施例２Ｅの＜ＲＲ（研磨速度）の評価－３＞と同様にして研磨速度の評価を行った。
　以下に、評価結果を示す。
　なお、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、又は、ＳｉＣの研磨速度に対する、Ｃｏの研磨速度の速度比（Ｃｏの研磨速度／ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、又は、ＳｉＣの研磨速度）は、いずれにおいても０．０５超５未満の範囲内であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000069
　上記結果に示す通り、本研磨液は、Ｃｏに対する研磨速度と、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ、ＳｉＯＣ、又は、ＳｉＣに対する研磨速度との間で極端な速度差が無く、バリア層等の除去に用いられる研磨液として好適であることが確認された。
　なお、本研磨液は、研磨液中の過酸化水素の含有量を調整することにより、Ｃｏに対する研磨速度を任意に調整（例えば、０～３０ｎｍ／ｍｉｎの間で調整）できる。
１０ａ，１０ｂ　被研磨体
１０ｃ　研磨済み被研磨体
１２　コバルト含有膜
１４　バリア層
１６　層間絶縁膜
１８　バルク層

Claims (23)

  1. 　コバルト含有膜を有する被研磨体の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、
    　コロイダルシリカと、
    　含窒素芳香族複素環化合物と、
    　過酸化水素と、を含み、
    　前記含窒素芳香族複素環化合物として、含窒素芳香族複素環化合物（１）と、前記含窒素芳香族複素環化合物（１）とは異なる含窒素芳香族複素環化合物（２）と、を少なくとも含み、
    　前記含窒素芳香族複素環化合物（１）及び前記含窒素芳香族複素環化合物（２）は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物及び下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される２種であるか、又は、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物及び下記一般式（Ｖ）で表される化合物からなる群から選択される２種である、研磨液。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    　一般式（Ｉ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。また、Ｒ１１及びＲ１２は、互いに結合して環を形成してもよい。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    　一般式（ＩＩ）中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。但し、Ｒ２１が水素原子である場合、Ｒ２２は置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    　一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３１は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。Ｒ３２は、水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    　一般式（ＩＶ）中、Ｒ４１は、水素原子を表す。Ｒ４２は、水素原子、水酸基、メルカプト基、又は、アミノ基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    　一般式（Ｖ）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。ただし、Ｒ５１及びＲ５２の少なくとも一方は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
  2. 　下記一般式（１）で表される化合物、及び、下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される１以上の不動態膜形成剤を更に含む、請求項１に記載の研磨液。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    　一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
    　Ｒ１～Ｒ５中の隣り合う２つ同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
    　一般式（２）中、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
    　Ｒ６～Ｒ１０中の隣り合う２つ同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
  3. 　前記不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値が、１．０～３．８である、請求項２に記載の研磨液。
  4. 　前記不動態膜形成剤が、４－メチルフタル酸、４－ニトロフタル酸、サリチル酸、４－メチルサリチル酸、アントラニル酸、４－メチル安息香酸、４－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、４－プロピル安息香酸、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、１－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、３－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、キナルジン酸、８－ヒドロキシキノリン、及び、２－メチル－８－ヒドロキシキノリンからなる群から選択される１種以上を含む、請求項２又は３に記載の研磨液。
  5. 　アニオン系界面活性剤を更に含む、請求項２～４のいずれか１項に記載の研磨液。
  6. 　前記アニオン系界面活性剤の含有量に対する前記不動態膜形成剤の含有量の質量比が、０．０１超１５０未満である、請求項５に記載の研磨液。
  7. 　前記アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から前記不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値が、２．００超８．００未満である、請求項５又は６に記載の研磨液。
  8. 　前記アニオン系界面活性剤のＣｌｏｇＰ値から前記不動態膜形成剤のＣｌｏｇＰ値を引いた差の値が、２．５０～６．００である、請求項５～７のいずれか１項に記載の研磨液。
  9. 　グリシン、アラニン、サルコシン、イミノジ酢酸、ポリカルボン酸及びポリホスホン酸からなる群から選択される１以上の有機酸を更に含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の研磨液。
  10. 　前記一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物以外の含窒素芳香族複素環化合物を更に含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の研磨液。
  11. 　高分子化合物を更に含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の研磨液。
  12. 　カチオン化合物を更に含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の研磨液。
  13. 　前記含窒素芳香族複素環化合物（２）の含有量に対する前記含窒素芳香族複素環化合物（１）の含有量の質量比が、３０～１５０００である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の研磨液。
  14. 　前記研磨液のｐＨが２．０～１２．０である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の研磨液。
  15. 　有機溶剤を更に含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の研磨液。
  16. 　前記コロイダルシリカの含有量が、前記研磨液の全質量に対して１０質量％以下であり、
    　前記コロイダルシリカの平均一次粒子径が、６０ｎｍ以下である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の研磨液。
  17. 　固形分濃度が５質量％以上であり、
    　質量基準で２倍以上に希釈して用いられる、請求項１～１６のいずれか１項に記載の研磨液。
  18. 　請求項１～１６のいずれか１項に記載の研磨液を研磨定盤に取り付けられた研磨パッドに供給しながら、被研磨体の被研磨面を前記研磨パッドに接触させ、前記被研磨体及び前記研磨パッドを相対的に動かして前記被研磨面を研磨して、研磨済み被研磨体を得る工程を含む、化学的機械的研磨方法。
  19. 　研磨圧力が０．５～３．０ｐｓｉである、請求項１８に記載の化学的機械的研磨方法。
  20. 　前記研磨パッドに供給する前記研磨液の供給速度が、０．１４～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ２）である、請求項１８又は１９に記載の化学的機械的研磨方法。
  21. 　前記被研磨体が、コバルトを含有する第１層と、前記第１層以外である第２層とを少なくとも有し、
    　前記第２層が、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、窒化珪素、テトラエトキシシラン、酸化炭化珪素、及び、炭化珪素からなる群から選択される１以上の材料を含む、請求項１８～２０のいずれか１項に記載の化学的機械的研磨方法。
  22. 　前記研磨済み被研磨体を得る工程の後、前記研磨済み被研磨体をアルカリ洗浄液で洗浄する工程を更に含む、請求項１８～２１のいずれか１項に記載の化学的機械的研磨方法。
  23. 　被研磨体の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、
    　砥粒と、
    　含窒素芳香族複素環化合物と、
    　過酸化水素と、を含み、
    　前記含窒素芳香族複素環化合物として、含窒素芳香族複素環化合物（１）と、前記含窒素芳香族複素環化合物（１）とは異なる含窒素芳香族複素環化合物（２）と、を少なくとも含み、
    　前記含窒素芳香族複素環化合物（１）及び前記含窒素芳香族複素環化合物（２）は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物及び下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される２種であるか、又は、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物及び下記一般式（Ｖ）で表される化合物からなる群から選択される２種である、研磨液。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    　一般式（Ｉ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。また、Ｒ１１及びＲ１２は、互いに結合して環を形成してもよい。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
    　一般式（ＩＩ）中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。但し、Ｒ２１が水素原子である場合、Ｒ２２は置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
    　一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３１は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。Ｒ３２は、水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
    　一般式（ＩＶ）中、Ｒ４１は、水素原子を表す。Ｒ４２は、水素原子、水酸基、メルカプト基、又は、アミノ基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
    　一般式（Ｖ）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。ただし、Ｒ５１及びＲ５２の少なくとも一方は、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
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