WO2020226231A1 - 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계, 그 타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법 - Google Patents

고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계, 그 타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법 Download PDF

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magnification optical
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high magnification
spectroscopic ellipsometer
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김상열
김상준
이민호
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(주)엘립소테크놀러지
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    • G01N21/211—Ellipsometry
    • G01N2021/213—Spectrometric ellipsometry

Definitions

  • the present invention relates to a micro-spot spectroscopic ellipsometer to which a high magnification optical system is applied, and more particularly, it is possible to irradiate the focused light irradiated onto a sample in a spot form, and improve the reliability of measurement by ignoring the change in polarization state caused by the focusing optical system.
  • the present invention relates to a micro-spot spectroscopic ellipsometer to which a four-reflector is applied, and a technology to improve measurement accuracy by correcting changes in polarization state and distortion of elliptic constants caused by optical elements with a large numerical aperture.
  • Ellipsometry is variously used as a non-destructive measurement method in the industrial field using various thin films, and is particularly useful in non-destructively measuring the thickness of a thin film in the semiconductor field.
  • Ellipsometry is a method of measuring and analyzing the changed polarization state of the reflected light after incident light having a specific polarization state on a sample to determine the change in density, optical thickness, and complex orange index, which are the factors that changed the polarization.
  • the device for this is called an elliptic system.
  • An elliptical system including a focusing optical system that makes the area illuminating the surface of the sample very small is called a micro-spot ellipsometer.
  • the lens when a refractive transmissive lens is used as the focusing optical system, the lens is limitedly applied according to the characteristics according to the wavelength of the applied optical medium.
  • a spectroscopic ellipsometer it is not easy to keep the spot size on the sample surface very small even when an optimized focusing optical system is applied due to chromatic aberration caused by a change in wavelength.
  • the difference in the reflection or transmission coefficient between the p-wave and the s-wave increases, and the polarization state of the reflected or transmitted light changes. Is distorted.
  • An object of the present invention is a micro-spot spectroscopic ellipsometer that allows the focused light irradiated to a sample to be irradiated in a spot form without increasing the size of the optical system without changing the optical axis, and the change in polarization state by optical elements with a large numerical aperture. And a technique for correcting the distortion of the elliptic constant.
  • a method for correcting distortion of a micro-spot spectroscopic ellipsometer to which a high magnification optical system is applied comprising: obtaining a distortion size by the high magnification optical system; Calculating an ideal elliptic constant by using the distortion magnitude by the high magnification optical system;
  • a method of correcting and applying distortion of a micro-spot spectroscopic ellipsometer using a high magnification optical system comprising the step of correcting spectral elliptic data of a sample using the calculated ideal elliptic constant.
  • the amount of distortion due to the high magnification optical system is defined by simulation using at least one of refractive index, thin film thickness information, and incident angle for the high magnification optical system, or by arranging the system with an incidence angle of 90° and using an elliptic constant measured without a sample.
  • a method of correcting and applying distortion of a micro-spot spectroscopic ellipsometer to which a high magnification optical system is applied is provided.
  • the amount of distortion by the high magnification optical system is expressed by the following equation, and tan ⁇ eff and ⁇ eff represent the amount of distortion of the elliptic constant. Is provided.
  • the micro-spot spectroscopic ellipsometer has a first focusing optical system composed of four reflectors to focus polarized light on a sample, and has a symmetrical structure with the first focusing optical system and is positioned symmetrically with the first focusing optical system.
  • the distortion correction method of the micro-spot spectroscopic ellipsometer using a high magnification optical system comprising a second focusing optical system consisting of four reflectors to convert the light reflected from the surface of the sample into parallel light Is provided.
  • a micro-spot spectroscopic ellipsometer employing a high-magnification optical system, characterized in that the reflection coefficients of the elliptic constant p-wave and s-wave according to reflection of the incident light are canceled by making the incident angle of light incident on each of the reflectors less than 10° A method of correcting the distortion of the is provided.
  • chromatic aberration does not occur and is not limited to a wavelength band, so that a high-resolution focusing optical system can be constructed.
  • the optical axis alignment is easy and the polarization state is affected. There is an advantage in that measurement reliability can be improved because it is not applied.
  • FIG. 1 is a block diagram of a micro-spot spectroscopic ellipsometer according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 to 4 are cross-sectional configuration diagrams illustrating embodiments of the focusing optical system of FIG. 1.
  • FIG. 1 is a block diagram of a micro-spot spectroscopic ellipsometer according to an embodiment of the present invention
  • FIGS. 2 to 4 are cross-sectional views showing embodiments of the focusing optical system of FIG. 1.
  • a micro-spot spectroscopic ellipsometer includes a light source 100, a polarization control module 200, a motor and an encoder 300, a first focusing optical system 400, and 2 It includes a focusing optical system 500, an analyzer module 600, and a spectrometer 700.
  • the light source 100 is a light generating device irradiated to the sample s, and generates light in various wavelength bands ranging from deep ultra violet (DUV) to near infrared rays.
  • DUV deep ultra violet
  • the polarization control module 200 is positioned between the light source 100 and the sample, and polarizes the light generated from the light source 100 in a controlled polarization state. That is, since the light generated from the light source 100 generally appears as non-polarized light that cannot be expressed in a specific polarization state, the polarization control module 200 passes the light generated from the light source 100 to measure light controlled in a specific polarization state Polarized.
  • the motor and encoder 300 are coupled to the polarization control module 200 and the analyzer module 600 to rotate by a unit angle each time a motor driving pulse is applied, so that the polarization control module 200 or the analyzer module 600 ) It plays a role of periodically changing the polarization direction of light passing through ).
  • the first focusing optical system 400 is positioned between the polarization control module 200 and the sample (s) to focus the measurement light polarized by the polarization control module 200 to the sample (s), and consists of four reflectors. do.
  • the first focusing optical system 400 is composed of two reflecting mirrors in the first half and two reflecting mirrors in the second half, and the degree of focusing of light is superior to that of the inverse cassegrain method, which is a focusing optical system of the two reflector structure, and thus micro-spot spectroscopy There is an advantage in the structure of the elliptic system.
  • the measurement light incident on the surface of the sample s reflects polarized light modified according to optical and structural characteristics such as refractive index and thickness of the sample.
  • the second focusing optical system 500 is composed of four reflectors for converting light reflected from the surface of the sample s into parallel light so as to be transmitted to the analyzer module.
  • the second focusing optical system 500 is located at a position symmetrical with the first focusing optical system 400 and has a symmetrical structure with the first focusing optical system 400.
  • the analyzer module 600 is disposed on a reflection path of light to detect a polarization state of the converted light through the second focusing optical system 500.
  • the spectrometer 700 divides the detected light by wavelength and then measures the amount of light by wavelength of the spectroscopic light.
  • the first focusing optical system 400 includes four reflectors.
  • the first reflectors 410a and 420a located at the front ends are located on the central axis to block the central axis light, and the second reflectors 410b and 420b are separated from the central axis by a certain distance from the rear ends of the first reflectors 410a and 420a. It is located in a location Accordingly, light reflected from the reflective surfaces of the second reflectors 410b and 420b is incident on the reflective surfaces of the first reflectors 410a and 420a.
  • the first reflecting mirrors 410a and 420a and the second reflecting mirrors 410b and 420b serve to transmit measurement light traveling from the polarization control module 200 in the direction of the sample (s) close to parallel light, and have a radius of curvature of 90 Try to have a size around mm ⁇ 110 mm.
  • the radius of curvature of the first reflectors 410a and 420a is larger than the radius of curvature of the second reflectors 410b and 420b so that the light reflected from the first reflectors 410a and 420a is Although it is allowed to proceed with respect to (410b, 420b) without passing through the optical axis, as shown in FIG. 3, the radius of curvature of the first reflecting mirrors 410a and 420a is smaller than the radius of curvature of the second reflecting mirrors 410b and 420b. The light reflected from may pass through the optical axis with respect to the second reflectors 410b and 420b.
  • the third reflecting mirrors 410c and 420c positioned at the rear end serve to reflect the light reflected from the first reflecting mirrors 410a and 420a by being positioned on the central axis of the rear end of the second reflecting mirrors 410b and 420b.
  • the fourth reflecting mirrors 410d and 420d are positioned at a position spaced apart from the central axis by a predetermined distance between the third reflecting mirrors 410c and 420c and the second reflecting mirrors 410b and 420b, and are reflected from the third reflecting mirrors 410c and 420c.
  • the focused light in the form of a micro spot is irradiated on the surface of the sample (s).
  • the third reflecting mirrors 410c and 420c and the fourth reflecting mirrors 410d and 420d have a radius of curvature of 5 mm to 30 mm in order to focus the measurement light into micro-spot light of 10 ⁇ m or less.
  • the first reflector 430a is positioned at a position spaced apart from the central axis by a predetermined distance so that light proceeds to the central axis, and the second reflector 43b is formed at the rear end of the first reflector 430a. It is positioned on the central axis and configured to reflect light to the reflective surface of the first reflector 430a.
  • the third reflector 430c is configured to be positioned at a position spaced apart from the central axis of the rear end of the second reflector 430b by a predetermined distance to reflect the light reflected from the first reflector
  • the fourth reflector 430d is It is positioned at a central axis between the third reflector 430c and the second reflector 430b, and is configured to focus light reflected from the third reflector 430c on the surface of the sample s.
  • the converging optical system shown in FIGS. 3 and 4 is configured with a non-axis optical system structure, the optical system may be manufactured so that only one surface can be used with respect to the central axis of the optical system.
  • the reflectors constituting the focusing optical system according to the embodiments of the present invention have an incidence angle of 10° or less of light incident on the reflective surface, so that the reflection coefficient of the elliptic constant p-wave and s-wave according to the reflection of the incident light is very small. To have.
  • the difference in the reflection coefficient between the p-wave and the s-wave is approximately canceled if the incident angle of the reflector is 10° or less, and thus the change in the polarization state due to reflection within the four reflective boundaries can be ignored.
  • the p-wave is polarized light parallel to the incident plane
  • the s-wave is polarized light perpendicular to the incident plane and originated from senkrecht in German.
  • the general ellipsometer has a disadvantage in that the size of the entire optical system is increased or the optical axis is distorted in order to sufficiently secure a distance between the optical system and the sample because the measurement light is incident on the sample surface at an angle.
  • it may be considered to use a reflector in the optical system, but in this case, the polarization state changes while being reflected from the light reflector, which may cause measurement errors.
  • the reflector of the reflecting boundary has a very high reflectivity and light is incident on each reflector at 10° or less, the reflection coefficient of the elliptic constant p-wave and s-wave according to the reflection of the incident light is very small, thereby reducing the polarization state. It is to be able to ignore it.
  • Equation 3 is .
  • Equation 4 is Becomes.
  • r p and r s are Fresnel coefficients expressing the reflection coefficients of the p-wave and s-wave that appear after incident on the reflecting mirror surface, respectively.
  • Equation 5 te is a transmission axis, fs is a fast axis, T is a matrix representing an action of each element, and R is a rotation matrix.
  • a high-magnification optical system is symmetrically positioned between the polarizer/top box and the sample, and between the sample and the analyzer, and the polarization action by the optical elements constituting the high-magnification optical system is reflected as follows. For example, each Jones matrix between the polarizer/top box and the sample , , , When there are four optical devices, the electric field of light incident on the sample surface is as shown in Equation 6.
  • Equation 7 the electric field after the light reflected from the sample passes through the same four high-magnification optical elements and the analyzer positioned symmetrically between the sample and the analyzer is shown in Equation 7.
  • the effective Jones matrix of the high magnification optical device is defined as follows.
  • the pseudo-Jones matrix can be expressed as a simple expression as shown in Equation 10.
  • Equation 11 the electric field of light passing through each element and reaching the photodetector in the PCSA ellipsometer having a high magnification optical system is expressed as Equation 11.
  • Equation 1 and Equation 7 shows that the elliptic constant measured in an elliptic system with a high magnification optical system is included in the pseudo-Jones matrix of the sample, and is related to the elliptic constant obtained using a general elliptic system as shown in Equation 6. I can confirm. Therefore, the effective Jones matrix of the high-magnification optical elements represented by Equation 5 is first calculated, and then the similar Jones matrix of the sample is substituted in Equation 8 below, which is calculated in reverse direction, and the Jones matrix of the sample is obtained, and the elliptic constant is obtained from this. .
  • Equation 10 Since the pseudo-Jones matrix also has only diagonal components, it can be written as in Equation 10.
  • Equation 14 the pseudo value refers to an elliptic constant measured when distortion occurs by a high magnification optical system.
  • the final goal of the present invention is to obtain the elliptic constants ( ⁇ , ⁇ ) in a state without distortion as shown in Equation 2.
  • the elliptic constants of Equation 2 are simple and specific expressions as shown in Equations 15 and 16 below.
  • the amount of distortion caused by the optical system (Equation 9) is defined by simulation using the refractive index, thin film thickness information, and angle of incidence for the high-magnification optical system, or by placing the system at 90° and using the elliptic constant measured without a sample. Can be defined.
  • Equations 11 and 12 can be obtained by substituting the Jones matrices, Equations 9, and 10 representing the action of Equation Samples, into Equation 8 and arranging them.
  • the ideal elliptic constant (tan ⁇ ) can be obtained by measuring tan ⁇ pseudo distorted by a high magnification optical system and then calculating the distortion amount tan 2 ⁇ eff by a high magnification optical system as a correction value as shown in Equation 11.
  • the ideal elliptic constant ( ⁇ ) can be obtained by measuring ⁇ pseudo distorted by the high magnification optical system and then calculating the distortion amount ⁇ eff by the high magnification optical system as a correction value as shown in Equation 12.
  • the intensity of light received from the analyzer can be expressed as, where ⁇ and ⁇ denote Fourier coefficients. 1 and 2 illustrate changes in ⁇ and ⁇ values for photon energy among spectral ellipse data components of a sample.
  • the applied and calculated spectral ellipse graph is indicated by a dotted line.
  • the ideal spectral ellipse graph (solid line) is very different from the measured value of a spectroscopic ellipsometer to which a high magnification optical system with elliptic constant distortion by a high magnification optical element is applied, but a subdivision ellipse graph calculated by applying distortion It can be confirmed that the (dotted line) agrees well with the measured value.

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Abstract

본 발명은 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계에 관한 것으로서,고배율 광학계에 의한 왜곡 크기를 구하는 단계, 상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기를 이용하여 이상적인 타원상수를 계산하는 단계 및 상기 계산된 이상적인 타원상수를 이용하여 시료의 분광타원 데이터를 보정 및 적용하는 단계를 포함하는 고배율의 광학계를 갖는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용방법과, 4개의 반사경으로 구성되는 한 쌍의 집속광학계를 포함하는 마이크로 스폿 분광 타원계의 광학 구조를 갖는 것이 특징이다. 본 발명에 따르면, 개구수가 큰 광학소자들에 의한 편광상태의 변화 및 타원상수의 왜곡을 보정하여 측정 정확도를 높일 수 있음과 아울러, 다수의 반사경을 이용하여 광축의 변화없이 광학계의 크기를 증가시키지 않고도 시료에 조사되는 집속광을 스폿 형태로 조사할 수 있고 집속 광학계에 의한 편광상태 변화를 무시하여 측정의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

Description

고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계, 그 타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법
본 발명은 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 시료에 조사되는 집속광을 스폿 형태로 조사할 수 있고 집속 광학계에 의한 편광상태 변화를 무시하여 측정의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 4-반사경을 적용한 마이크로 스폿 분광 타원계와, 개구수가 큰 광학소자들에 의한 편광상태의 변화 및 타원상수의 왜곡을 보정하여 측정 정확도를 높이는 기술에 관한 것이다.
타원해석 기술(Ellipsometry)은 다양한 박막을 사용하는 산업 분야에서 비 파괴적 측정 방법으로 다양하게 사용되고 있고, 특히 반도체 분야에서 박막의 두께를 비파괴적으로 측정하는데 매우 유용하게 사용되고 있다.
타원해석 기술(Ellipsometry)은 특정 편광상태를 갖는 빛을 시료에 입사시킨 후 반사광의 변화된 편광상태를 측정 및 분석하여 편광을 변화시킨 요인인 조밀도 변화, 광학적인 두께, 복소귤절율 등을 구하는 방법으로서, 이를 위한 장치를 타원계라 칭한다.
최근 반도체 공정은 회로 선폭 1x nm 대의 공정으로 진행됨에 따라 박막의 공정 두께와 선폭 또한 작아지며 반도체분야에서 박막의 두께를 모니터링 하는 데 필수적으로 사용되고 있는 분광 타원계 분야에서도 공간 분해능을 향상시키는 요구가 커지고 있다.
시료 표면을 조명하는 면적을 매우 작게 하는 집속 광학계를 포함한 타원계를 마이크로 스폿 타원계라 한다.
이때, 집속 광학계로서 굴절 투과형 렌즈를 사용하는 경우 적용하는 광학 매질의 파장에 따른 특성에 따라 렌즈가 제한적으로 적용된다. 또한, 분광 타원계의 경우 파장의 변화에 따라 발생하는 색 수차로 인해 최적화된 집속 광학계를 적용 하더라도 시료 표면에서의 스폿 크기를 매우 작게 유지하는 것에 용이하지 않다.
고배율을 제공하기 위한 목적으로 거울로의 입사각이 커지는 경우 빛의 반사에 따른 편광상태의 변화를 무시할 수 없는 수준이 되면 측정되는 타원상수의 왜곡이 커지므로 마이크로 스폿 분광타원법을 적용할 수 없게 되는 단점이 발생한다.
빛이 광학계의 반사면에 큰 각도로 입사한 후 반사 또는 굴절할 경우 p파와 s파간의 반사계수 또는 투과계수의 차이가 커지고, 이로 인하여 반사광 또는 투과광의 편광상태가 달라지므로 측정되는 타원상수
Figure PCTKR2019009704-appb-I000001
가 왜곡된다.
타원상수
Figure PCTKR2019009704-appb-I000002
의 왜곡은 결정하려는 박막의 두께나 조성비 또는 광학물성 값들을 왜곡시키므로 마이크로 스폿 분광타원계의 활용에 심각한 악영향을 끼친다.
이에 따라, 개구수가 큰 광학소자들에 의한 편광상태의 변화 및 타원상수의 왜곡을 보정하여 측정 정확도를 높일 수 있는 기술에 대한 개발이 절실하게 필요한 시점이다.
본 발명의 목적은 광축의 변화 없이 광학계의 크기를 증가시키지 않고도 시료에 조사되는 집속광을 스폿 형태로 조사할 수 있도록 하는 마이크로 스폿 분광 타원계와, 개구수가 큰 광학소자들에 의한 편광상태의 변화 및 타원상수의 왜곡을 보정하는 기술을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법에 있어서, 상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기를 구하는 단계; 상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기를 이용하여 이상적인 타원상수를 계산하는 단계; 상기 계산된 이상적인 타원상수를 이용하여 시료의 분광타원 데이터를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법이 제공된다.
또한, 상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기는 고배율 광학계에 대한 굴절률, 박막두께 정보, 입사각 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하여 시뮬레이션하여 정의되거나 입사각을 90°로 시스템을 배치하고 시료 없이 측정되는 타원상수를 이용하여 정의되는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법이 제공된다.
또한, 상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기는 아래 수학식으로 표현되고, tanψeff, Δeff는 타원상수의 왜곡량을 나타내는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법이 제공된다.
Figure PCTKR2019009704-appb-I000003
또한, 이상적인 타원상수 tanψ와 Δ는 하기 수학식을 통해 계산되는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법이 제공된다.
Figure PCTKR2019009704-appb-I000004
,
Figure PCTKR2019009704-appb-I000005
또한, 상기 마이크로 스폿 분광타원계는 편광된 광을 시료에 집속시키도록 4개의 반사경으로 구성되는 제 1 집속 광학계와, 상기 제 1 집속 광학계와 대칭 구조를 갖고 상기 제 1 집속 광학계와 대칭적으로 위치하며, 상기 시료의 표면에서 반사하여 발산하는 빛을 평행광으로 변환시키도록 4개의 반사경으로 구성되는 제 2 집속광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법이 제공된다.
또한, 상기 각 반사경에 입사하는 광의 입사각이 10°이하가 되도록 하여 입사광의 반사에 따른 타원 상수 p파와 s파의 반사계수가 서로 상쇄되도록 하는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법이 제공된다.
본 발명은 4개의 반사경을 이용하여 집속 광학계를 구성함으로써 색수차가 발생하지 않으며 파장대역에 제한을 받지 않아 고해상 집속 광학계를 구성할 수 있고, 동축 광학계로 구성함으로써 광축 정렬이 용이하고 편광상태에 영향을 주지 않아 측정 신뢰도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
그리고, 개구수가 큰 광학소자들에 의한 편광상태의 변화 및 타원상수의 왜곡을 보정하여 측정 정확도를 높일 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 스폿 분광 타원계 구성도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 집속 광학계 실시예들을 나타낸 단면 구성도이다.
도 5와 도 6은 분광타원계를 사용하여 측정 또는 계산한 SiO2(d=100 nm)/c-Si 시료의 분광타원 데이터이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 스폿 분광 타원계 구성도이고, 도 2 내지 도 4는 도 1의 집속 광학계 실시예들을 나타낸 단면 구성도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 스폿 분광 타원계는 광원(100), 편광제어 모듈(200), 모터와 인코더(300), 제 1 집속 광학계(400), 제 2 집속 광학계(500), 검광자 모듈(600), 분광기(700)를 포함한다.
광원(100)은 시료(s)에 조사되는 광 발생 장치로서, 원자외선(Deep Ultra Violet; DUV)에서부터 근적외선에 걸친 다양한 파장대역의 광을 발생한다.
편광제어 모듈(200)은 광원(100)과 시료 사이에 위치하고, 광원(100)에서 발생된 광을 제어된 편광 상태로 편광시킨다. 즉, 광원(100)에서 발생한 빛은 일반적으로 특정 편광상태로 나타낼 수 없는 무 편광으로 나타나기 때문에 편광제어 모듈(200)은 광원(100)에서 발생한 빛을 통과시켜 특정 편광 상태로 제어된 측정 광으로 편광시킨다.
모터와 인코더(300)는 편광제어 모듈(200)과 검광자 모듈(600)에 결합되어 모터구동펄스가 인가될 때 마다 단위각도 만큼씩 회전함으로써, 편광제어 모듈(200) 또는 검광자 모듈(600)을 통과하는 광의 편광 방향을 주기적으로 변화시키는 역할을 한다.
제 1 집속 광학계(400)는 편광제어 모듈(200)과 시료(s) 사이에 위치하여 편광제어 모듈(200)에 의해 편광된 측정 광을 시료(s)의 집속시키는 것으로서, 4개의 반사경으로 구성된다.
즉, 제 1 집속 광학계(400)는 전반부의 2개의 반사경과 후반부의 2개의 반사경으로 구성되는데, 2반사경 구조의 집속 광학계인 역 카세그레인(Inverse Cassegrain) 방식보다 빛의 집속 정도가 우수하여 마이크로 스폿 분광 타원계의 구조에 유리한 장점이 있다.
또한, 반사경만으로 구성되므로 색수차가 발생하지 않으며 파장대역에 제한을 받지 않아 고해상 집속 광학계의 제작에 유리하고, 투과 매질을 사용하지 않아 파장변화에 따른 특성이 없으므로 DUV(Deep Ultra Violet)로부터 근적외선에 걸친 넓은 파장대역에 적용할 수 있다.
한편, 시료(s)의 표면에 입사된 측정 광은 시료의 굴절률, 두께와 같은 광학적, 구조적 특성에 따라 변형된 편광을 반사하게 된다.
제 2 집속 광학계(500)는 시료(s)의 표면에서 반사하여 발산하는 빛을 검광자모듈로 보낼 수 있도록 평행광으로 변환시키는 4개의 반사경으로 구성된다. 이때, 제 2 집속 광학계(500)는 제 1 집속 광학계(400)와 대칭되는 위치에 위치하며, 제 1 집속 광학계(400)와는 대칭 구조를 갖는다.
검광자 모듈(600)은 광의 반사경로 상에 배치되어 제 2 집속 광학계(500)를 통해 변환된 광의 편광 상태를 검지한다.
분광기(700)는 검지된 광을 파장별로 분광시킨 후, 분광된 광의 파장별 광량을 측정한다.
이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명에 사용되는 집속 광학계의 구성을 설명하도록 한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제 1 집속 광학계(400)는 4개의 반사경으로 이루어진다.
선단에 위치하는 제 1 반사경(410a, 420a)은 중심축 광을 차단하도록 중심축에 위치하고, 제 2 반사경(410b, 420b)은 제 1 반사경(410a, 420a)의 후단에서 중심축과 일정 거리 이격되는 위치에 위치한다. 이에 따라, 제 2 반사경(410b, 420b)의 반사면에서 반사된 광은 제 1 반사경(410a, 420a)의 반사면에 입사된다.
제 1 반사경(410a, 420a)과 제 2 반사경(410b, 420b)은 편광제어 모듈(200)로부터 시료(s) 방향으로 진행하는 측정 광을 평행 광에 가깝게 보내는 역할을 하는 것으로서, 곡률 반경이 90 mm ~ 110 mm 부근의 크기를 갖도록 한다.
이때, 도 2의 실시예에서는 제 1 반사경(410a, 420a)의 곡률 반경을 제 2 반사경(410b, 420b)의 곡률 반경보다 크게 하여 제 1 반사경(410a, 420a)에서 반사된 광이 제 2 반사경(410b, 420b)에 대하여 광축을 통과하지 않고 진행할 수 있도록 하였으나, 도 3과 같이 제 1 반사경(410a, 420a)의 곡률 반경을 제 2 반사경(410b, 420b)의 곡률 반경보다 작게 하여 제 1 반사경에서 반사된 광이 제 2 반사경(410b, 420b)에 대하여 광축을 통과하여 진행하도록 할 수 있다.
또한, 후단에 위치하는 제 3 반사경(410c, 420c)은 제 2 반사경(410b, 420b)의 후단 중심축에 위치하여 제 1 반사경(410a, 420a)에서 반사된 광을 반사시키는 역할을 한다.
제 4 반사경(410d, 420d)은 제 3 반사경(410c, 420c)과 제 2 반사경(410b, 420b) 사이에서 중심축과 일정 거리 이격되는 위치에 위치하여 제 3 반사경(410c, 420c)에서 반사된 광을 반사시켜 시료(s)의 표면에 마이크로 스폿 형태의 집속광이 조사되도록 한다.
이때, 제 3 반사경(410c, 420c)과 제 4 반사경(410d, 420d)은 측정광을 10 ㎛ 이하의 마이크로 스폿 광으로 집속하기 위해 5 mm ~ 30 mm 의 곡률 반경을 갖도록 한다.
도 4를 참조하면, 제 1 반사경(430a)은 중심축과 일정 거리 이격되는 위치에 위치하여 중심축으로 광이 진행하도록 구성되고, 제 2 반사경(43b)은 제 1 반사경(430a)의 후단의 중심축에 위치하여 제 1 반사경(430a)의 반사면으로 광을 반사하도록 구성된다.
또한, 제 3 반사경(430c)은 제 1 반사경에서 반사된 광을 반사시키도록 제 2 반사경(430b)의 후단의 중심축과 일정 거리 이격되는 위치에 위치하도록 구성되고, 제 4 반사경(430d)은 제 3 반사경(430c)과 제 2 반사경(430b) 사이의 중심축에 위치하여 제 3 반사경(430c)에서 반사된 광이 시료(s) 표면에 집속되도록 구성된다.
한편, 도 3 및 도 4에 도시된 집속광학계의 경우 비축 광학계 구조로 구성되기 때문에 되어 있기 때문에, 광학계의 중심축에 대해 한쪽 면만 사용 가능하도록 광학계를 제작할 수도 있다.
이상의 본 발명의 실시예들에 따른 집속 광학계를 구성하는 반사경 들은 반사면에 입사하는 광의 입사각이 10° 이하가 되도록 하여, 입사광의 반사에 따른 타원 상수 p파와 s파의 반사계수는 매우 작은 차이를 갖도록 한다.
본 발명에서는 동축 광을 사용하기 때문에 반사경의 입사각이 10°이하가 되도록 하면 p파와 s파의 반사계수 차이는 근사적으로 상쇄하므로, 4반사경계 내에서 반사에 의한 편광상태 변화를 무시할 수 있다.
여기서 p파는 입사되는 평면과 평행(parallel)한 상태의 편광이며, s파는 입사되는 평면에 수직한 상태의 편광으로 독일어의 senkrecht에서 유래하였다.
즉, 일반적인 타원계는 측정 광이 시료표면에 비스듬하게 입사하기 때문에 광학계와 시료 사이의 거리를 충분하게 확보하기 위해서는 전체 광학계의 크기가 커지거나 광축이 틀어지는 단점이 있다. 이를 방지하기 위하여 광학계에 반사경을 사용하는 것을 고려할 수 있으나, 이런 경우에는 빛 반사경에서 반사되면서 편광상태가 변화되어 측정 오차를 유발할 수 있다.
이에, 본 발명은 반사경계의 반사경이 매우 높은 반사율을 갖도록 하고 각 반사경에 10° 이하로 광을 입사시킴에 따라 입사광의 반사에 따른 타원 상수 p파와 s파의 반사계수는 매우 작게 하여 편광 상태를 무시할 수 있도록 하는 것이다.
이를 수학식으로 통해 증명하면 다음과 같다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000001
Figure PCTKR2019009704-appb-M000002
Figure PCTKR2019009704-appb-M000003
Figure PCTKR2019009704-appb-M000004
단,
Figure PCTKR2019009704-appb-I000006
(반사의 법칙)
Figure PCTKR2019009704-appb-I000007
(코사인 수열)
Figure PCTKR2019009704-appb-I000008
(반사율이 클 경우)
따라서, 수학식 3은
Figure PCTKR2019009704-appb-I000009
, 수학식 4는
Figure PCTKR2019009704-appb-I000010
가 된다.
즉, 반사경면에 대한 입사각
Figure PCTKR2019009704-appb-I000011
가 작은 경우
Figure PCTKR2019009704-appb-I000012
,
Figure PCTKR2019009704-appb-I000013
가 되어 편광 변화가 없음을 알 수 있다. 여기서 rp와 rs는 각각 반사경면에 입사된 후 나타나는 p파와 s파의 반사계수를 표현하는 프레넬 계수(Fresnel Coefficients)이다.
이하에서는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법에 대해 설명한다.
일반적인 타원계에서 적용되는 PCSA(P : 편광자, C : 보상기, S : 시료, A : 검광기) 배치의 타원계에서 각 소자를 지나 광검출기에 도달하는 빛의 전기장은 존스행렬, 존스벡터를 사용하면 다음과 같이 표현된다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000005
수학식 5에서 te는 투과축, fs는 빠른축, T는 각 요소의 작용을 나타내는 행렬, R은 회전 행렬을 나타낸다. 이 중
Figure PCTKR2019009704-appb-I000014
는 시료의 작용을 나타내는 존스행렬로서, 분광 타원계로 측정하고자 하는 시료의 타원상수(ψ, Δ)에 대한 이상적인 측정값을 나타낸다.
마이크로 스폿 분광타원계에서는 편광자/위상자와 시료 사이, 그리고 시료와 검광자 사이에 고배율 광학계가 대칭적으로 위치하게 되는데 이 고배율 광학계를 구성하는 광학소자들에 의한 편광작용을 다음과 같이 반영한다. 예를 들어 편광자/위상자와 시료 사이에 각각의 존스행렬이
Figure PCTKR2019009704-appb-I000015
,
Figure PCTKR2019009704-appb-I000016
,
Figure PCTKR2019009704-appb-I000017
,
Figure PCTKR2019009704-appb-I000018
인 4개의 광학소자가 있을 경우 시료면에 입사하는 빛의 전기장은 수학식 6와 같다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000006
또한 시료에서 반사한 빛이 시료와 검광자 사이에 대칭적으로 위치하는 동일한 4개의 고배율 광학소자와 검광자를 통과한 후의 전기장은 수학식 7과 같다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000007
고배율 광학소자들에 의한 편광작용이 타원상수에 미치는 영향을 알아보기 위해 다음과 같이 시료의 유사존스행렬(pseudo Jones matrix)
Figure PCTKR2019009704-appb-I000019
을 수학식 8과 같이 정의한다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000008
여기에서 고배율 광학소자의 유효존스행렬 을 다음과 같이 정의하면 수학식 9와 같다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000009
유사존스행렬 는 수학식 10과 같이 간단한 표현으로 나타낼 수 있다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000010
수학식 6를 수학식 7에 대입하고 수학식 10을 이용하면 고배율 광학계를 가지는 PCSA 타원계에서 각 소자를 지나 광검출기에 도달하는 빛의 전기장은 수학식 11과 같이 표현된다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000011
수학식 1과 수학식 7을 비교하면 고배율 광학계를 가진 타원계에서 측정하는 타원상수는 시료의 유사존스행렬 에 포함되어 있으며 일반적인 타원계를 사용하여 구한 타원상수와는 수학식 6와 같이 관계지어짐을 확인할 수 있다. 따라서 수학식 5로 표현되는 고배율 광학소자들의 유효존스행렬 을 먼저 구한 다음 수확식 6을 역방계산한 아래 수학식 8에 시료의 유사존스행렬 을 대입하여 시료의 존스행렬 을 구하고 이로부터 타원상수를 얻는다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000012
한편 고배율 광학소자들이 회전 대칭성을 가지고 있고 이 광학소자에 입사하는 빛들이 시료면을 기준으로 한 입사면상에 있을 경우 고배율 광학소자의 유효존스행렬 의 비대각선 성분들은 0이므로 고배율 광학소자들의 유효존스행렬은 수학식 9와 같이 쓸 수 있다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000013
이 때 유사존스행렬 도 대각성분만을 가지므로 수학식 10과 같이 쓸 수 있다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000014
수학식 14에서 pseudo 값은 고배율 광학계에 의해 왜곡이 발생한 경우에 측정된 타원상수를 의미한다.
본 발명의 최종 목표는 수학식 2과 같이 왜곡이 없는 상태의 타원상수(ψ, Δ)를 구하는 것이다. 이러한 수학식 2의 타원상수들은 아래 수학식 15, 16과 같이 간단하며 구체적인 표현을 가진다.
Figure PCTKR2019009704-appb-M000015
Figure PCTKR2019009704-appb-M000016
광학계에 의한 왜곡의 크기(수학식 9)는 고배율 광학계에 대한 굴절률, 박막두께 정보, 입사각 등을 이용하여 시뮬레이션하여 정의하거나, 입사각을 90°로 시스템을 배치하고 시료 없이 측정되는 타원상수를 이용하여 정의할 수 있다.
수학식 시료의 작용을 나타내는 존스행렬, 수학식 9, 10을 수학식 8에 대입하여 정리하면 수학식 11과 12를 얻을 수 있다.
이상적인 타원상수(tanψ)는 고배율 광학계에 의해 왜곡된 tanψpseudo를 측정한 후 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기 tan2ψeff를 보정값으로 하여 수학식 11과 같이 계산하여 얻을 수 있다.
그리고, 이상적인 타원상수(Δ)는 고배율 광학계에 의해 왜곡된 Δpseudo를 측정한 후 고배율 광학계의 의한 왜곡 크기 Δeff를 보정값으로 하여 수학식 12와 같이 계산하여 얻을 수 있다.
도 5와 도 6은 분광타원계를 사용하여 측정 또는 계산한 SiO2(d=100 nm)/c-Si 시료의 분광타원 데이터이다.
검광자에서 수신되는 빛의 세기는 과 같이 표현될 수 있으며, 여기서, α 및 β는 푸리에 계수를 의미한다. 도 1과 도 2는 시료의 분광타원 데이터 성분 중 포톤 에너지에 대한 α 및 β값의 변화를 나타낸 것이다.
도 5와 6의 그래프에는 3개의 곡선이 도시되어 있다. 이중에서 "□"로 이루어진 선은 고배율 반사형 마이크로 스폿(스폿크기 5 um) 광학계를 적용한 분광타원계를 사용하여 측정한 SiO2(d=100 nm)/c-Si 시료의 분광타원 데이터를 나타낸다. 그리고, SiO2(d=100 nm)/c-Si 구조를 갖는 시료의 이상적인 분광타원 그래프가 실선으로 도시되어 있고, 고배율 광학소자에 의한 타원상수의 왜곡을 적용하여 계산한 분광타원 그래프가 점선으로 표시되어 있다.
도 1과 도 2를 참고하면, 이상적인 분광타원 그래프(실선)는 고배율 광학소자에 의한 타원상수 왜곡이 있는 고배율 광학계를 적용한 분광타원계의 측정치와 매우 차이가 나지만 왜곡을 적용하여 계산한 분과타원 그래프(점선)은 측정치와 잘 일치하는 것을 확인 할 수 있다.
따라서, 상술한 방법을 통해 고배율 광학소자에 의한 타원상수의 왜곡이 있는 상태에서도 이상적인 측정 결과를 얻을 수 있게 된다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.

Claims (6)

  1. 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법에 있어서,
    상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기를 구하는 단계;
    상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기를 이용하여 이상적인 타원상수를 계산하는 단계;
    상기 계산된 이상적인 타원상수를 이용하여 시료의 분광타원 데이터를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기는 고배율 광학계에 대한 굴절률, 박막두께 정보, 입사각 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하여 시뮬레이션하여 정의되거나 입사각을 90°로 시스템을 배치하고 시료 없이 측정되는 타원상수를 이용하여 정의되는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 고배율 광학계에 의한 왜곡 크기는 아래 수학식으로 표현되고, tanψeff, Δeff는 타원상수의 왜곡량을 나타내는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 및 적용 방법.
    Figure PCTKR2019009704-appb-I000020
  4. 제 3항에 있어서,
    이상적인 타원상수 tanψ와 Δ는 하기 수학식을 통해 계산되는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법.
    Figure PCTKR2019009704-appb-I000021
    Figure PCTKR2019009704-appb-I000022
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 마이크로 스폿 분광타원계는 편광된 광을 시료에 집속시키도록 4개의 반사경으로 구성되는 제 1 집속 광학계와, 상기 제 1 집속 광학계와 대칭 구조를 갖고 상기 제 1 집속 광학계와 대칭적으로 위치하며, 상기 시료의 표면에서 반사하여 발산하는 빛을 평행광으로 변환시키도록 4개의 반사경으로 구성되는 제 2 집속광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 각 반사경에 입사하는 광의 입사각이 10°이하가 되도록 하여 입사광의 반사에 따른 타원 상수 p파와 s파의 반사계수가 서로 상쇄되도록 하는 것을 특징으로 하는 고배율 광학계를 적용하는 마이크로 스폿 분광타원계의 왜곡 보정 방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009210457A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Omron Corp 分光偏光計測装置
WO2012158279A2 (en) * 2011-05-13 2012-11-22 Kla-Tencor Corporation Reconfigurable spectroscopic ellipsometer
KR20150012509A (ko) * 2013-07-25 2015-02-04 삼성전자주식회사 피측정물의 두께를 측정하는 방법 및 장치
KR20160109786A (ko) * 2015-03-13 2016-09-21 한국표준과학연구원 무색수차 광소자-회전형 타원계측기 및 이를 이용한 시편의 뮬러-행렬 측정 방법
KR20180087691A (ko) * 2017-01-25 2018-08-02 (주)엘립소테크놀러지 4-반사경을 적용한 마이크로 스폿 분광 타원계

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9442016B2 (en) 2014-06-06 2016-09-13 J.A. Woollam Co., Inc Reflective focusing optics

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009210457A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Omron Corp 分光偏光計測装置
WO2012158279A2 (en) * 2011-05-13 2012-11-22 Kla-Tencor Corporation Reconfigurable spectroscopic ellipsometer
KR20150012509A (ko) * 2013-07-25 2015-02-04 삼성전자주식회사 피측정물의 두께를 측정하는 방법 및 장치
KR20160109786A (ko) * 2015-03-13 2016-09-21 한국표준과학연구원 무색수차 광소자-회전형 타원계측기 및 이를 이용한 시편의 뮬러-행렬 측정 방법
KR20180087691A (ko) * 2017-01-25 2018-08-02 (주)엘립소테크놀러지 4-반사경을 적용한 마이크로 스폿 분광 타원계

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