WO2020129453A1 - ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置 - Google Patents

ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置 Download PDF

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flatness
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上野　淳一
三千登 佐藤
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信越半導体株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wafer flatness evaluation method and evaluation apparatus.
  • the flatness measurement outputs the PV value (peak to valley value) of the data in the defined area range.
  • a wafer flatness evaluation method for example, in Patent Document 1, a wafer front surface and a back surface shape are measured, the wafer front surface is divided into sites, and a flatness calculation method is selected according to the position of the site to be evaluated. It is disclosed. Further, in Patent Document 2, the wafer shape is measured at a predetermined interval in the wafer surface, and a reference line or a region for calculating the reference surface from the wafer shape is set in the wafer surface and evaluated. Is disclosed.
  • the wafer flatness evaluation device outputs the PV value of the data in the defined area range.
  • the data grid was implemented with a side of about 200 ⁇ m to 500 ⁇ m.
  • the measurement definition such as ESFQR has been changed to guarantee the flatness of the wafer.
  • the data on the wafer surface at that time has conventionally been measured and calculated with the same data density regardless of the positions of the center and the outer periphery of the wafer. If the data grid is about 500 ⁇ m or a little smaller than that, there was no problem in the measurement resolution with the conventional standard.
  • one side of the data grid needs to be about 200 ⁇ m or less. Since the data grid becomes small, the number of data in one wafer measurement increases, and there is a problem that the measurement throughput decreases.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to perform a highly accurate evaluation of the flatness of a wafer, and an evaluation method and an evaluation apparatus for the flatness of a wafer in which a decrease in measurement throughput is suppressed.
  • the purpose is to provide.
  • the surface of the wafer to be evaluated to evaluate the flatness a step of dividing into a plurality of data grids, a step of measuring the wafer shape in the data grid, the measurement result Based on, a method of evaluating the flatness of the wafer having a step of calculating the flatness of the wafer, in the step of measuring the wafer shape in the data grid, in the central region of the wafer, the central region While measuring with a part of the data grid of the data grid included in, not to be measured with a part of the data grid, in the outer peripheral region outside the central region, the data grid to be measured in the central region.
  • a method for evaluating flatness of a wafer which is characterized in that the density is higher than the density to be measured.
  • Such a wafer flatness evaluation method reduces the number of data grids to be measured in the central region of the wafer (decimation), and increases the density of the data grid to be measured in the peripheral region of the wafer more than in the central region. It is possible to perform highly accurate flatness measurement and suppress a decrease in measurement throughput.
  • the step of measuring the wafer shape in the data grid it is preferable to measure all of the data grids included in the outer peripheral area.
  • the flatness in the outer peripheral area of the wafer, the flatness can be measured with higher accuracy by performing the measurement in all the data grids.
  • the step of measuring the wafer shape in the data grid it is preferable to measure at 50% or more of the data grid included in the central region.
  • the diameter of the central region is preferably 50% or less of the diameter of the wafer.
  • the accuracy of flatness measurement can be kept higher.
  • the measurement may not be performed in the data grid adjacent to the data grid in which the measurement is performed in the central region.
  • the wafer flatness evaluation method of the present invention in the central region, the data grid to be measured and the adjacent data grids are not measured in this way, so that high-precision flatness measurement and measurement throughput are achieved. It is possible to more effectively suppress the deterioration.
  • the surface of the wafer to be evaluated to evaluate the flatness means for partitioning into a plurality of data grids, means for measuring the wafer shape in the data grid, based on the measurement results, the wafer Of the flatness of the wafer, which comprises a means for calculating the flatness of the wafer, in the central region of the wafer, while measuring with a part of the data grids of the data grids included in the central region.
  • a part of the data grid is set so as not to measure, and in the outer peripheral area outside the central area, the density of the data grid to be measured is set to be higher than the density measured in the central area.
  • an apparatus for evaluating flatness of a wafer is provided.
  • Such a wafer flatness evaluation device is one in which the number of data grids to be measured in the central area of the wafer is reduced and the density of the data grid to be measured in the outer peripheral area of the wafer is higher than that in the central area. As a result, highly accurate flatness measurement can be performed, and a decrease in measurement throughput can be suppressed.
  • the wafer shape is measured in 50% or more of the data grid included in the central region.
  • the diameter of the central region is set to 50% or less of the diameter of the wafer.
  • the data grid adjacent to the data grid that performs the measurement does not perform the measurement.
  • the wafer flatness evaluation method of the present invention reduces the number of data grids for performing wafer shape measurement in the central area of the wafer (decimation), and the density of the data grid for performing wafer shape measurement in the outer peripheral area of the wafer is smaller than that in the central area. By increasing the value, it is possible to perform highly accurate flatness measurement and suppress a decrease in measurement throughput. Further, the wafer flatness evaluation device of the present invention, the number of data grids for performing wafer shape measurement in the central region of the wafer is reduced and the data grid for performing wafer shape measurement in the outer peripheral region of the wafer rather than in the central region. With a high density, the flatness can be measured with high accuracy, and a decrease in measurement throughput can be suppressed.
  • FIG. 3 is an explanatory view conceptually showing a state in which a wafer surface is divided into data grids, and conceptually showing a grid to be measured by the wafer flatness evaluation method of the present invention. It is explanatory drawing which showed notionally the state which divided the wafer surface into the data grid, and showed notionally the grid which measures by the conventional wafer flatness evaluation method.
  • 6 is a graph showing SFQR(max) values for the same wafer in an experimental example. It is a graph which showed comparison of measurement time in an example of an experiment.
  • 5 is a graph showing GBIR comparison of the same wafer in Example 1 and Comparative Example 1.
  • 5 is a graph showing comparison of SFQR(max) of the same wafer in Example 1 and Comparative Example 1.
  • 5 is a graph showing a comparison of ESFQR(max) of the same wafer in Example 1 and Comparative Example 1.
  • 5 is a graph showing a comparison of measurement times in Example 1 and Comparative Example 1.
  • the present inventors have conceived to suppress the decrease in measurement throughput by changing the data density in the wafer surface depending on the position in the wafer surface to suppress the decrease in measurement throughput, and completed the present invention.
  • the wafer flatness evaluation method of the present invention is a step of dividing the surface of the wafer to be evaluated for flatness evaluation into a plurality of data grids, a step of measuring the wafer shape in the data grid, and the measurement results. Based on the step of calculating the flatness of the wafer, in the step of measuring the wafer shape in the data grid, in the central area of the wafer, a part of the data grid included in the central area It is assumed that the data is measured by the grid and not measured by a part of the data grid, and that the density of the data grid to be measured is higher than the density measured in the central region in the outer peripheral region outside the central region.
  • the data density is made coarse in the central region of the wafer (wafer central part) and the data density is made dense in the outer peripheral region of the wafer (outer peripheral part of the wafer), and the flatness of the wafer is collected after collecting the calculation data.
  • the same flatness parameter as the current one (GBIR, SFQR(max), ESFQR(max), etc.) can be processed.
  • Such a wafer flatness evaluation method can be performed by the following wafer flatness evaluation device, for example. That is, this wafer flatness evaluation device, means for dividing the surface of the wafer to be evaluated flatness into a plurality of data grids, means for measuring the wafer shape in the data grid, based on the measurement results And a means for calculating the flatness of the wafer. In the central region of the wafer, measure with a part of the data grids included in the central region, and do not measure with a part of the data grids. In the outer peripheral area outside the central area, the density of the data grid to be measured is set to be higher than the density measured in the central area.
  • the wafer flatness evaluation device a function that can set the wafer center area arbitrarily and set the center area decimation rate (ratio of the number of data grids not measured to the number of data grids within a predetermined range) It is preferable to have. Further, the apparatus for evaluating the flatness of the wafer can use a means capable of calculating the flatness parameter under its function.
  • FIG. 1 conceptually shows how the wafer surface is divided into data grids.
  • the grid shown in FIG. 1 is a conceptual one that is much larger than the size of the grid for an actual wafer.
  • the wafer has a diameter of, for example, 300 mm, and the grid size is, for example, 200 ⁇ m ⁇ 200 ⁇ m.
  • FIG. 1 is an explanatory view conceptually shown as a grid in which a data grid to be measured by the wafer flatness evaluation method of the present invention is shaded.
  • the size of the data grid can be set appropriately, but the effect of the present invention is great when the data grid is 200 ⁇ m or less on a side.
  • Fig. 2 conceptually shows a grid that is measured by the conventional wafer flatness evaluation method.
  • the present invention is a flatness evaluation method in which, while the measurement throughput is reduced due to the miniaturization of the data grid, the number of data in the central region of the wafer is reduced to suppress the reduction in throughput.
  • the data grid at the time of wafer measurement is about 500 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m, and the data on the wafer surface at that time is measured and calculated with the same data density regardless of the position of the center or outer periphery of the wafer.
  • the data grid is about 500 ⁇ m or a little smaller than that, there was no problem in the measurement resolution with the conventional standard. Further, if such a data grid has a size of about 500 ⁇ m, even if the measurement of all data grids was performed, the measurement throughput did not drop extremely. Therefore, the flatness evaluation without changing the data density in the wafer was performed. Was going on.
  • the wafer flatness evaluation of the present invention in the wafer central region shown by the broken line in FIG. 1, as shown by the hatched grid in FIG. 1, some data grids among the data grids included in the central region are used. Measured but not measured on some data grids.
  • the density of the data grid to be measured is set higher than the density measured in the central area. That is, the entire surface of the wafer is not measured with the same density data.
  • a part of the grid data is thinned to measure the flatness.
  • the data density in a given portion on the wafer is defined as the number of data grids to be measured, relative to the number of data grids in the given portion of the surface of the wafer.
  • the data grid to be measured and the data grid not to be measured are preferably uniformly distributed so as not to be biased. In particular, as will be described later, it is preferable to skip data for adjacent data grids by skipping one.
  • the wafer shape is important in the flatness measurement at the wafer periphery. Therefore, in the present invention, the density of the data grid in the wafer plane is changed between the wafer central area and the wafer outer area (data thinning). As a result, the data measurement/processing time can be shortened.
  • the inner area shown by the broken line in FIG. 1 is the central area of the wafer.
  • the diameter of the central area of the wafer is preferably 50% or less of the diameter of the wafer.
  • a wafer diameter is 1/2 area.
  • FIG. 1 shows a state in which the diameter of the central region is 50% of the diameter of the wafer.
  • Such a wafer flatness evaluation method is highly accurate by reducing (decimating) the number of data grids to be measured in the central area of the wafer and increasing the density of the data grid to be measured in the peripheral area of the wafer more than in the central area.
  • the flatness measurement can be performed, and a decrease in measurement throughput can be suppressed.
  • the step of measuring the wafer shape in the data grid it is preferable to measure all of the data grids included in the outer peripheral area. From the current wafer processing process, it can be said that the area on the wafer where the flatness of the wafer is important is the wafer outer peripheral area. Therefore, by measuring in all of the data grids included in the outer peripheral area, it is possible to perform flatness measurement with higher accuracy.
  • the step of measuring the wafer shape in the data grid it is preferable to measure at 50% or more of the data grid included in the central area (more than half of the grid). Thereby, the flatness can be measured with higher accuracy.
  • the central area it is possible not to perform measurement on the data grid adjacent to the measurement data grid.
  • it is a method of measuring the flatness by skipping data for adjacent data grids by skipping one.
  • the wafer flatness evaluation method of the present invention as described above, the flatness measurement with high accuracy and the decrease in the measurement throughput are made by not performing the measurement in the data grid which is measured in the central region and the adjacent data grid. Can be more effectively achieved.
  • the central area it is preferable not to measure in the data grid adjacent to the data grid to be measured, but other decimation methods can be used. For example, in addition to skipping every other data grid in the vertical/horizontal direction, skipping every two data grids (in this case, the data density in the central area becomes denser), or connecting two data grids that are not measured in succession. (In this case, the data density in the central area becomes coarser).
  • Example 1 As the measured data density of the present invention, all the data grids were measured in the wafer outer peripheral region, and the grids were thinned out in the wafer central region.
  • the data grid size was 200 ⁇ m ⁇ 200 ⁇ m.
  • the central area of the wafer was set as follows. In each case, the center of the wafer is the center of the wafer central area. Diameter ⁇ 1/4 area: The diameter of the central region of the wafer is 1/4 of the wafer diameter. Diameter x 1/2 area: The diameter of the central region of the wafer is 1/2 of the wafer diameter. Diameter x 3/4 area: The diameter of the wafer central region is 3/4 of the wafer diameter.
  • the thinning rate in the wafer central region was set to 30%, 50%, and 80%.
  • the data grid to be measured and the data grid to be measured were set so as not to be biased within the central area of the wafer.
  • the data grid to be measured and the data grid not to be measured were either every other in the vertical and horizontal directions or every two.
  • the thinning rate of 50% was skipped.
  • Example 2 As shown in the concept of FIG. 2, the thinning rate was 0% on the entire surface of the wafer. That is, this experimental example is a conventional method. At this time, it can be said that the central region of the wafer is the entire surface of the wafer.
  • Table 1 shows the SFQR(max) value in each experimental example. The corresponding graph is shown in FIG.
  • Table 2 shows the measurement time in each experimental example. The corresponding graph is shown in FIG.
  • the wafer center area and the thinning rate where the SFQR (max) does not change are such that the wafer center area is 1 ⁇ 2 area of the diameter and The thinning rate is 50%.
  • the reduction time for measuring one sheet at that time was 13%.
  • the flatness measurement method By changing the flatness measurement method to one that uses the same data grid on the entire wafer, the data density in the central area of the wafer is thinned out for measurement and calculation. Time can be reduced by 13% per wafer. It was found that the measured values did not change significantly due to data thinning.
  • Example 1 Comparative Example 1
  • the flatness measurement of the wafer according to the method of the present invention and the flatness measurement of the wafer according to the conventional method were performed on the same wafer. Further, numerical values of GBIR, SFQR(max) and ESFQR(max) were compared. At that time, the measurement time per wafer was confirmed.
  • the comparison test conditions are as follows. Equipment: Fizeau interferometry flatness measuring machine Measuring wafer: Diameter 300mm P - product, main surface ⁇ 110> Data grid: 200 ⁇ m Measurement condition: Comparative Example 1: Measurement of the Same Data Density on the Whole Surface of the Wafer Example 1: Measurement of Different Data Densities in the Wafer Central Region and Peripheral Region (Wafer center area: diameter 150 mm, data density: 50% thinning)
  • FIG. 5 A GBIR comparison between Example 1 and Comparative Example 1 is shown in FIG. 5, an SFQR (max) comparison is shown in FIG. 6, and an ESFQR (max) comparison is shown in FIG. A comparison of the measurement time ratios of Example 1 and Comparative Example 1 is shown in FIG.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention, and has the same operational effect It is included in the technical scope of the invention.

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Abstract

本発明は、平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を、複数のデータグリッドに区切るステップと、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップと、該測定結果に基づいて、前記ウェーハの平坦度を算出するステップとを有するウェーハの平坦度の評価方法であって、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれる前記データグリッドのうち一部の前記データグリッドで測定するとともに、一部の前記データグリッドでは測定しないものとし、前記中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを前記中央領域において測定する密度よりも高い密度とするウェーハの平坦度の評価方法である。これにより、高精度の平坦度測定を行うことができるとともに、測定スループット低下が抑制されたウェーハの平坦度の評価方法が提供される。

Description

ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置
　本発明は、ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置に関する。
　半導体ウェーハなどのウェーハの平坦度評価装置は光干渉方式や静電容量方式等が存在している。平坦度測定は定められた領域範囲のデータのＰＶ値（ｐｅａｋ　ｔｏ　ｖａｌｌｅｙ値）を出力するものである。
　ウェーハの平坦度評価方法として、例えば、特許文献１には、ウェーハ表面と裏面形状を計測して、ウェーハの表面をサイトに区切り、評価するサイトの位置に応じて平坦度の算出方法を選択することが開示されている。また、特許文献２には、ウェーハ面内で所定の間隔をおいてウェーハ形状を測定し、そのウェーハ形状より基準線または基準面を算出するための領域をウェーハ面内に設定して評価することが開示されている。
　半導体デバイスのパターン寸法の微細化により、光リソグラフィ技術は、ＥＵＶ（極端紫外線、Ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）世代を迎えている。半導体ウェーハの平坦度測定はＥＵＶ世代を迎え、高精度で測定をする為にデータグリッドが小さくなってきている。データグリッドを小さくするとウェーハ全面測定をする際にこれまでより多くの時間を要することになる。測定スループットの低下により、ウェーハ平坦度を測定するために必要な装置数が増え、測定機間差の問題や検査コスト上昇等の問題が発生する。
特開２００４－２００６００号公報 国際公開第ＷＯ２００２／０４１３８０号
　上記のように、ウェーハの平坦度評価装置は、定められた領域範囲のデータのＰＶ値を出力する物である。その際、データグリッドは一辺が２００μｍから５００μｍ程度で実施されていた。これまで、露光装置に合わせてグローバルフラットネスしか測定していなかった物が、サイトフラットネスを測定するようになり、最近ではＥＳＦＱＲ等の測定定義を変えてウェーハの平坦度保証を対応してきた。そのときのウェーハ面上でのデータは、従来、ウェーハの中心や外周の位置に関係なく、同じデータ密度により測定、演算がなされていた。データグリッドが５００μｍ程度やそれよりやや小さくなる程度ならば、従来の基準では測定分解能に問題がなかった。また、そのようなデータグリッドが５００μｍ程度の大きさであれば、全データグリッドの測定を行っても、測定スループットが極端に落ちることがなかったため、ウェーハ内でデータ密度を変えずに平坦度測定を行っていた。
　しかしながら、高精度の平坦度測定を考えると、データグリッドの面積が大きいと微妙な変化が平均化されて見えなくなってしまう。そのため、高精度化には、例えば、データグリッドの一辺を２００μｍ程度以下にすることが必要になる。データグリッドが小さくなることによって１枚のウェーハ測定におけるデータ数が多くなり、測定スループットが低下してしまうという問題があった。
　本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、高精度のウェーハの平坦度の評価を行うことができるとともに、測定スループット低下が抑制されたウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明は、平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を、複数のデータグリッドに区切るステップと、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップと、該測定結果に基づいて、前記ウェーハの平坦度を算出するステップとを有するウェーハの平坦度の評価方法であって、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれる前記データグリッドのうち一部の前記データグリッドで測定するとともに、一部の前記データグリッドでは測定しないものとし、前記中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを前記中央領域において測定する密度よりも高い密度とすることを特徴とするウェーハの平坦度の評価方法を提供する。
　このようなウェーハの平坦度の評価方法は、ウェーハの中央領域では測定を行うデータグリッド数を減らし（間引き）、ウェーハの外周領域では中央領域よりも測定を行うデータグリッドの密度を上げることにより、高精度の平坦度測定を行うことができるとともに、測定スループット低下を抑制することができる。
　このとき、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記外周領域に含まれる前記データグリッドの全てにおいて測定することが好ましい。
　このように、ウェーハ外周領域では、データグリッドの全てにおいて測定を行うことにより、より高精度の平坦度測定を行うことができる。
　また、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記中央領域に含まれる前記データグリッドの５０％以上において測定することが好ましい。
　このように、ウェーハ中央領域では、全データグリッドの半数以上のデータグリッドにおいて測定を行うことにより、より高精度の平坦度測定を行うことができる。
　また、前記中央領域の直径を、前記ウェーハの直径の５０％以下とすることが好ましい。
　このように、ウェーハ中央領域の直径をウェーハ自体の直径の５０％以下とすることにより、平坦度測定の精度をより高く保持することができる。
　また、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記中央領域において、前記測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは前記測定を行わないものとすることができる。
　本発明のウェーハの平坦度の評価方法では、このように、中央領域において、測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは測定を行わないものとすることにより、高精度の平坦度測定と測定スループット低下の抑制をより効果的に両立することができる。
　また、本発明は、平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を、複数のデータグリッドに区切る手段と、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定する手段と、該測定結果に基づいて、前記ウェーハの平坦度を算出する手段とを具備するウェーハの平坦度の評価装置であって、前記ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれる前記データグリッドのうち一部の前記データグリッドで測定するとともに、一部の前記データグリッドでは測定しないように設定されたものであり、前記中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを前記中央領域において測定する密度よりも高い密度となるように設定されたものであることを特徴とするウェーハの平坦度の評価装置を提供する。
　このようなウェーハの平坦度の評価装置は、ウェーハの中央領域における測定を行うデータグリッド数を減らしたものであるとともにウェーハの外周領域では中央領域よりも測定を行うデータグリッドの密度が高いものであることにより、高精度の平坦度測定を行うことができるとともに、測定スループット低下を抑制することができる。
　このとき、前記外周領域に含まれる前記データグリッドの全てにおいて前記ウェーハ形状を測定するものであることが好ましい。
　このように、外周領域のデータグリッドの全てにおいてウェーハ形状を測定するものであることにより、より高精度の平坦度測定を行うことができる。
　また、前記中央領域に含まれる前記データグリッドの５０％以上において前記ウェーハ形状を測定するものであることが好ましい。
　このように、中央領域のデータグリッドの半数以上において測定するものであることにより、より高精度の平坦度測定を行うことができる。
　また、前記中央領域の直径を前記ウェーハの直径の５０％以下として設定されたものであることが好ましい。
　このような設定がされたものであれば、平坦度測定の精度をより高く保持することができる。
　また、前記中央領域において、前記測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは前記測定を行わないものであることが好ましい。
　本発明のウェーハの平坦度の評価装置では、このように、中央領域では測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは測定を行わないものとすることにより、高精度の平坦度測定と測定スループット低下の抑制をより効果的に両立することができる。
　本発明のウェーハの平坦度の評価方法は、ウェーハの中央領域におけるウェーハ形状測定を行うデータグリッド数を減らし（間引き）、ウェーハの外周領域では中央領域よりもウェーハ形状測定を行うデータグリッドの密度を上げることにより、高精度の平坦度測定を行うことができるとともに、測定スループット低下を抑制することができる。また、本発明のウェーハの平坦度の評価装置は、ウェーハの中央領域におけるウェーハ形状測定を行うデータグリッド数を減らしたものであるとともにウェーハの外周領域では中央領域よりもウェーハ形状測定を行うデータグリッドの密度が高いものであることにより、高精度の平坦度測定を行うことができるとともに、測定スループット低下を抑制することができるものとなる。
ウェーハ表面をデータグリッドに区切った様子を概念的に示し、本発明のウェーハの平坦度の評価方法で測定を行うグリッドを概念的に示した説明図である。 ウェーハ表面をデータグリッドに区切った様子を概念的に示し、従来のウェーハの平坦度の評価方法で測定を行うグリッドを概念的に示した説明図である。 実験例における、同一ウェーハについてのＳＦＱＲ（ｍａｘ）値を示したグラフである。 実験例における、測定時間の比較を示したグラフである。 実施例１及び比較例１における、同一ウェーハのＧＢＩＲの比較を示したグラフである。 実施例１及び比較例１における、同一ウェーハのＳＦＱＲ（ｍａｘ）の比較を示したグラフである。 実施例１及び比較例１における、同一ウェーハのＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）の比較を示したグラフである。 実施例１及び比較例１における、測定時間の比較を示したグラフである。
　上記のように、高精度平坦度測定を考えると、データグリッドの面積が大きいと微妙な変化が平均化されて見えなくなってしまい、高精度化には、データグリッドを例えば２００μｍ以下にすることが必要になる。しかしながら、データグリッドが小さくなることによって１枚のウェーハ測定におけるデータ数が多くなり、測定スループットが低下してしまう。一方、現在のウェーハ加工プロセスから、ウェーハの平坦度が重要になるウェーハ上の領域は、ウェーハ外周領域である。そこで、本発明者らは、ウェーハ面内でのデータ密度をウェーハ面内の位置によって変えて、データ数を下げることで測定スループット低下を抑制することに想到し、本発明を完成させた。
　以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　本発明のウェーハの平坦度の評価方法は、平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を、複数のデータグリッドに区切るステップと、データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップと、該測定結果に基づいて、ウェーハの平坦度を算出するステップとを有しており、データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれるデータグリッドのうち一部のデータグリッドで測定するとともに、一部のデータグリッドでは測定しないものとし、中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを中央領域において測定する密度よりも高い密度とする。
　このような測定条件により、ウェーハの中央領域（ウェーハ中心部）ではデータ密度を粗とし、ウェーハの外周領域（ウェーハ外周部）ではデータ密度を密として演算用データを採取した後、ウェーハの平坦度を算出するステップでは、現行と同じ平坦度パラメータ（ＧＢＩＲ、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）、ＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）等）を演算処理することができる。
　このようなウェーハ平坦度評価方法は、例えば、以下のようなウェーハの平坦度の評価装置によって行うことができる。すなわち、このウェーハの平坦度の評価装置は、平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を複数のデータグリッドに区切る手段と、データグリッド内のウェーハ形状を測定する手段と、該測定結果に基づいて、ウェーハの平坦度を算出する手段とを具備し、ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれるデータグリッドのうち一部のデータグリッドで測定するとともに、一部のデータグリッドでは測定しないように設定されたものであり、中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを前記中央領域において測定する密度よりも高い密度となるように設定されたものである。
　ウェーハの平坦度の評価装置において、ウェーハ中心領域を任意に設定できて中心領域の間引き率（所定の範囲内のデータグリッド数に対する測定を行わないデータグリッド数の割合）を任意に設定できる機能を有することが好ましい。また、ウェーハの平坦度の評価装置は、その機能下で平坦度パラメータの演算処理ができる手段を用いることができる。
　図１に、ウェーハ表面をデータグリッドに区切った様子を概念的に示した。わかりやすさのため、図１に示したグリッドは、実際のウェーハに対するグリッドの大きさより格段に大きいものを示した概念上のものである。実際にはウェーハは例えば直径３００ｍｍ、グリッドサイズは例えば２００μｍ×２００μｍである。また、図１は、本発明のウェーハの平坦度の評価方法で測定を行うデータグリッドを網掛けしたグリッドとして概念的に示した説明図である。データグリッドの大きさは適宜設定することができるが、本発明の効果が大きいのは、一辺が２００μｍ以下のデータグリッドとした場合である。
　図２には、従来のウェーハの平坦度の評価方法で測定を行うグリッドを概念的に示した。従来、図２の網掛け部に示したように、全データグリッドの測定を行って、平坦度評価に用いていた。本発明は、データグリッドの微細化により測定スループットが低下するのに対し、ウェーハ中央領域のデータ数を減らしてスループット低下を抑制した平坦度評価方法である。従来、ウェーハ測定時のデータグリッドは５００μｍ×５００μｍ程度であり、その時のウェーハ面上でのデータはウェーハの中心や外周の位置に関係なく、同じデータ密度により測定、演算がなされていた。データグリッドが５００μｍ程度やそれよりやや小さくなる程度ならば、従来の基準では測定分解能に問題がなかった。また、そのようなデータグリッドが５００μｍ程度の大きさであれば、全データグリッドの測定を行っても、測定スループットが極端に落ちることがなかったため、ウェーハ内でデータ密度を変えずに平坦度評価を行っていた。
　本発明のウェーハの平坦度評価では、図１の破線で示したウェーハ中央領域において、図１に網掛けグリッドとして示したように、該中央領域に含まれるデータグリッドのうち一部のデータグリッドで測定するとともに、一部のデータグリッドでは測定しないものとする。その一方で、中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドの密度を中央領域において測定する密度よりも高くする。すなわち、ウェーハ全面を同じ密度のデータで測定するのではない。ウェーハ中央領域では、グリッドの全データを用いるのではなく、一部のグリッドのデータを間引いて、平坦度測定をする方法である。ウェーハ上の所定の部分におけるデータ密度は、ウェーハの表面のうち当該所定の部分におけるデータグリッドの数に対して、測定するデータグリッドの数として定義される。測定するデータグリッドと測定しないデータグリッドは、偏らせないように均一に分布させることが好ましい。特に、後述するように、隣り合ったデータグリッドについて、一つ飛ばしでデータを間引くことが好ましい。
　上記のように、平坦度測定でウェーハ形状が重要になるのはウェーハ外周部である。そのため、本発明では、ウェーハ面内のデータグリッドをウェーハ中央領域とウェーハ外周領域で密度を変える（データの間引き）。これにより、データ測定・処理時間を短くすることができる。
　上記のように、図１の破線で示した内部の領域がウェーハの中央領域である。ウェーハ中央領域は、中央領域の直径を、ウェーハの直径の５０％以下とすることが好ましい。ウェーハの中央領域の直径がウェーハの直径の５０％であるとき、「ウェーハ直径１／２の面積」と称することがある。図１には、中央領域の直径をウェーハの直径の５０％とした状態を示している。
　このようなウェーハの平坦度の評価方法は、ウェーハの中央領域において測定するデータグリッド数を減らし（間引き）、ウェーハの外周領域では中央領域よりも測定するデータグリッドの密度を上げることにより、高精度の平坦度測定を行うことができるとともに、測定スループット低下を抑制することができる。
　また、データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、外周領域に含まれるデータグリッドの全てにおいて測定することが好ましい。現在のウェーハ加工プロセスから、ウェーハの平坦度が重要になるウェーハ上の領域は、ウェーハ外周領域であるといえる。従って、外周領域に含まれるデータグリッドの全てにおいて測定することにより、より高精度の平坦度測定を行うことができる。
　また、データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、中央領域に含まれるデータグリッドの５０％以上（グリッドの半数以上）において測定することが好ましい。これにより、より高精度の平坦度測定を行うことができる。
　特に、中央領域において、測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは測定を行わないものとすることができる。この場合は、隣り合ったデータグリッドについて、一つ飛ばしでデータを間引いて、平坦度測定をする方法ということになる。本発明のウェーハの平坦度の評価方法では、このように、中央領域では測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは測定を行わないものとすることにより、高精度の平坦度測定と測定スループット低下の抑制をより効果的に両立することができる。
　中央領域において、測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは測定を行わないものとすることが好ましいが、他の間引き方法とすることもできる。例えば、縦・横方向でデータグリッドを一つ置きに飛ばす他に、二つ置きに飛ばすこと（この場合中央領域のデータ密度がより密になる）や、測定しないデータグリッドを二つ連続させること（この場合中央領域のデータ密度がより粗になる）ができる。
　以下の実験により、ウェーハ中心部の面積とデータの間引き率によって平坦度パラメータのＳＦＱＲ（ｍａｘ）が変化しない測定条件を調査した。
［実験例］
　以下のように、同一ウェーハで中心部領域の範囲と間引き率を変更して平坦度測定を実施した。
（実験例１）
　本発明の測定データ密度として、ウェーハ外周領域では全データグリッドについて測定し、ウェーハ中央領域ではグリッドを間引きした。なお、データグリッドサイズを２００μｍ×２００μｍとした。また、ウェーハ中央領域として、以下のように設定した。いずれもウェーハの中心がウェーハ中央領域の中心である。
　　直径×１／４面積：ウェーハ中央領域の直径がウェーハ直径の１／４である。
　　直径×１／２面積：ウェーハ中央領域の直径がウェーハ直径の１／２である。
　　直径×３／４面積：ウェーハ中央領域の直径がウェーハ直径の３／４である。
　また、これらのウェーハ中央領域の各設定において、ウェーハ中央領域における間引き率を３０％、５０％、８０％とした。測定するデータグリッドと測定しないデータグリッドは、ウェーハ中央領域の範囲内で偏らないように設定した。測定するデータグリッドと測定しないデータグリッドは、縦・横方向で一つ置きに飛ばすか、二つ置きに飛ばすかで行った。間引き率５０％は一つ飛ばしとして行った。
（実験例２）
　図２で概念を示したように、ウェーハ全面で間引き率０％とした。すなわち、この実験例は従来法である。このとき、ウェーハ中央領域はウェーハ全面であるとも言える。
　実験例１、２の各実験例において、平坦度測定を実施し、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）値の比較を行った。また、各実験例の測定時間を測定して、実験例２（従来法）を基準として短縮した測定時間で比較した。測定時間１未満は従来法より短縮、１より大は遅延である。
　表１に各実験例におけるＳＦＱＲ（ｍａｘ）値を示した。また、対応するグラフを図３に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表２に各実験例における測定時間を示した。また、対応するグラフを図４に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１及び図３、並びに、表２及び図４から分かるように、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）が変わらないウェーハ中心領域と間引き率は、ウェーハ中心領域が直径の１／２面積であり、ウェーハ中心領域の間引き率が５０％である。その時の１枚測定時間短縮は１３％であった。
　高精度化を狙う平坦度評価装置でデータグリッドを２００μｍ以下にした物で、平坦度測定方式をウェーハ全面同一データグリッドで行うものに変えてウェーハ中心領域のデータ密度を間引くことにより、測定・演算時間をウェーハ１枚当たり１３％低減することができる。測定値はデータ間引きにより大きく変化はしないことがわかった。
　このように、測定スループットを改善することにより装置設置面積を小さくすることができ、装置台数を減らすことが可能になり、検査コストを低減できる。
　以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１、比較例１）
　本発明の方法によるウェーハの平坦度測定と、従来の方法によるウェーハの平坦度測定を、同一ウェーハで行った。また、ＧＢＩＲ、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）、ＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）について数値の比較を行った。その際、ウェーハ１枚当たりの測定時間を確認した。
　比較テスト条件は以下の通りである。
　　装置　　　　　　：　フィゾー干渉方式　平坦度測定機
　　測定ウェーハ　　：　直径３００ｍｍ　Ｐ－品、主表面＜１１０＞
　　データグリッド　：　２００μｍ□
　　測定条件：
　　　比較例１：ウェーハ全面を同一データ密度で測定する
　　　実施例１：ウェーハ中央領域と外周領域で異なるデータ密度で測定する。
　　　　　　　　（ウェーハ中央領域：直径１５０ｍｍ、データ密度：５０％間引き）
　実施例１と比較例１のＧＢＩＲの比較を図５に、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）の比較を図６に、ＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）の比較を図７に示した。また、実施例１と比較例１の測定時間比の比較を図８に示した。
　同一ウェーハを従来方式で測定して算出した平坦度（比較例１）と本発明の方式で測定して算出した平坦度（実施例１）を比較したが、ＧＢＩＲ値、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）値、ＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）値のいずれにもほとんど違いは見られず、ウェーハ中央領域のデータグリッドを間引いても問題が無いことが確認された。また、スループットもデータを間引くことで１３％短縮することができた。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (10)

  1. 　平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を、複数のデータグリッドに区切るステップと、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップと、該測定結果に基づいて、前記ウェーハの平坦度を算出するステップとを有するウェーハの平坦度の評価方法であって、
    　前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、
    　前記ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれる前記データグリッドのうち一部の前記データグリッドで測定するとともに、一部の前記データグリッドでは測定しないものとし、
    　前記中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを前記中央領域において測定する密度よりも高い密度とすることを特徴とするウェーハの平坦度の評価方法。
  2. 　前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記外周領域に含まれる前記データグリッドの全てにおいて測定することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの平坦度の評価方法。
  3. 　前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記中央領域に含まれる前記データグリッドの５０％以上において測定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハの平坦度の評価方法。
  4. 　前記中央領域の直径を、前記ウェーハの直径の５０％以下とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項の記載のウェーハの平坦度の評価方法。
  5. 　前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記中央領域において、前記測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは前記測定を行わないものとすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のウェーハの平坦度の評価方法。
  6. 　平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を、複数のデータグリッドに区切る手段と、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定する手段と、該測定結果に基づいて、前記ウェーハの平坦度を算出する手段とを具備するウェーハの平坦度の評価装置であって、
    　前記ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれる前記データグリッドのうち一部の前記データグリッドで測定するとともに、一部の前記データグリッドでは測定しないように設定されたものであり、
    　前記中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを前記中央領域において測定する密度よりも高い密度となるように設定されたものであることを特徴とするウェーハの平坦度の評価装置。
  7. 　前記外周領域に含まれる前記データグリッドの全てにおいて前記ウェーハ形状を測定するものであることを特徴とする請求項６に記載のウェーハの平坦度の評価装置。
  8. 　前記中央領域に含まれる前記データグリッドの５０％以上において前記ウェーハ形状を測定するものであることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のウェーハの平坦度の評価装置。
  9. 　前記中央領域の直径を前記ウェーハの直径の５０％以下として設定されたものであることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項の記載のウェーハの平坦度の評価装置。
  10. 　前記中央領域において、前記測定を行うデータグリッドと隣り合うデータグリッドでは前記測定を行わないものであることを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか１項に記載のウェーハの平坦度の評価装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003254741A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム
JP2004200600A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Toshiba Corp ウェーハ平坦度評価方法、その評価方法を実行するウェーハ平坦度評価装置、その評価方法を用いたウェーハの製造方法、その評価方法を用いたウェーハ品質保証方法、その評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法、およびその評価方法によって評価されたウェーハを用いた半導体デバイスの製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2017881B1 (en) * 2015-12-18 2017-10-17 Ultratech Inc Full-wafer inspection methods having selectable pixel density

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003254741A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム
JP2004200600A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Toshiba Corp ウェーハ平坦度評価方法、その評価方法を実行するウェーハ平坦度評価装置、その評価方法を用いたウェーハの製造方法、その評価方法を用いたウェーハ品質保証方法、その評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法、およびその評価方法によって評価されたウェーハを用いた半導体デバイスの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7496168B1 (ja) 2023-10-23 2024-06-06 株式会社多聞 膜厚分布測定装置及び膜厚分布測定方法

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