WO2020129441A1 - 封止部材の形成方法 - Google Patents
封止部材の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2020129441A1 WO2020129441A1 PCT/JP2019/043430 JP2019043430W WO2020129441A1 WO 2020129441 A1 WO2020129441 A1 WO 2020129441A1 JP 2019043430 W JP2019043430 W JP 2019043430W WO 2020129441 A1 WO2020129441 A1 WO 2020129441A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- sealing member
- resin
- substrate
- forming
- sealing
- Prior art date
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 75
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 25
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 10
- 238000001879 gelation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- BSYQEPMUPCBSBK-UHFFFAOYSA-N [F].[SiH4] Chemical compound [F].[SiH4] BSYQEPMUPCBSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Definitions
- the present invention relates to a method for forming a sealing member.
- the lighting device in which a plurality of light sources are arranged, by using a light emitting device having a wide light distribution characteristic as a light source, even if the distance between the light emitting surface and the light source is reduced, the uniformity of the brightness of the light emitting surface is maintained. You can Therefore, the lighting device can be made thin.
- a batwing-shaped light distribution characteristic having a peak of emission intensity on the wide-angle side is realized by providing a light-reflecting film that reduces the brightness directly above the light-emitting element on the light-emitting element. doing.
- the alignment characteristic can be controlled by adjusting the shape of the sealing member, and further, a wide alignment characteristic can be obtained.
- An object of the present invention is to provide a method for forming a sealing resin by a dropping method in order to solve the above problems, and to provide a method for forming a sealing member, which is excellent in the forming speed and moldability of the sealing member. Especially.
- one aspect of the present invention provides the following method [1] to [10] for forming a sealing member.
- a method for forming a sealing member [2] The method for forming a sealing member according to the above [1], wherein the sealing resin is a silicone resin. [3] The method for forming a sealing member according to the above [2], wherein the sealing resin is organically modified silicone or phenyl silicone.
- Method of forming member [8] The method for forming a sealing member according to any one of the above [1] to [7], wherein the temperature of the substrate in the step of forming the sealing member is 150° C. or lower. [9] The method for forming a sealing member according to any one of the above [1] to [8], wherein the contact angle between the surface of the substrate and the sealing member is 56.2° or more. [10] The method for forming a sealing member according to any one of the above [1] to [9], wherein the ratio of the width to the height of the sealing member is 2.4 or less.
- the present invention it is possible to provide a method for forming a sealing resin by a dropping method, which is excellent in the forming speed and moldability of the sealing member, and can be provided.
- FIG. 1 is a vertical sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a graph schematically showing the relationship between the temperature and the viscosity of the thermosetting resin before being cured.
- FIG. 3A is an image observed from the side of the dropped resin when the material of the dropped resin is phenyl silicone and the material of the surface of the base material is a fluorinated silane-based resin.
- FIG. 3B is an observation image from the side of the dropped resin when the material of the dropped resin is phenyl silicone and the material of the surface of the base material is methyl silicone.
- FIG. 3C is an image observed from the side of the dropped resin when the material of the dropped resin is phenyl silicone and the material of the surface of the base material is epoxy.
- FIG. 4A is an observation image from the side of the dropped resin when the material of the dropped resin is methylphenyl silicone and the material of the surface of the substrate is a fluorinated silane-based resin.
- FIG. 4B is an observation image from the side of the dropped resin when the material of the dropped resin is methylphenyl silicone and the material of the surface of the base material is methyl silicone.
- FIG. 4C is an image observed from the side of the dropped resin when the material of the dropped resin is methylphenyl silicone and the material of the surface of the base material is epoxy.
- FIG. 1 is a vertical sectional view of a light emitting device 1 according to a first embodiment of the present invention.
- the light emitting device 1 includes a substrate 10, a light emitting element 13 mounted on the substrate 10, and a sealing member 15 that seals the light emitting element 13.
- the substrate 10 has a plate-shaped base material 11 and wirings 12 formed on the surface of the base material 11.
- the light emitting element 13 is connected to the wiring 12 by a conductive joining member 14 made of solder or the like.
- the substrate 10 may be provided with a white resist or a coating film on the outermost surface thereof.
- the light emitting element 13 is, for example, an LED having a chip substrate and a crystal layer including a light emitting layer and a clad layer sandwiching the light emitting layer, and is, for example, an LED called a mini LED having a chip size of 100 to 200 ⁇ m.
- the mounting form of the light emitting element 13 on the substrate 10 is not particularly limited, but it does not require a joining member such as a wire and does not hinder the sealing at a high speed. Therefore, the flip-flop shown in FIG. Chip mounting is preferred.
- the light emitting element 13 may be a light emitting element such as a laser diode other than the LED.
- the sealing member 15 is made of transparent resin such as silicone resin. Although a resin other than a silicone resin such as an epoxy resin can be used as the material of the sealing member 15, a silicone resin is preferably used from the viewpoint of light resistance.
- the silicone resin includes organic modified silicone, phenyl silicone, methylphenyl silicone, methyl silicone and the like. Further, the sealing member 15 is formed by curing the dropped resin without using a dam, has a lens shape whose surface is a convex curved surface, and functions as a lens of the light emitting element 13.
- FIG. 2 is a graph schematically showing the relationship between temperature and viscosity of a thermosetting silicone resin before being cured.
- the gelling temperature of the silicone resin before curing is approximately 70 to 100° C. regardless of the type of silicone resin (80° C. is the gelling temperature in the example of FIG. 2). As shown in FIG. 2, as the temperature approaches the gelling temperature from room temperature, the viscosity simply decreases, and above the gelling temperature, crosslinking begins to occur and curing begins.
- the viscosity of the silicone resin is low and it easily spreads on the substrate. Therefore, when the silicone resin at room temperature is dropped and heating is started on the substrate, it takes a long time for the temperature to reach the gelation temperature, and the spread amount of the silicone resin on the substrate becomes large. Therefore, it is difficult to form a sealing member having a large height with respect to the width (diameter of the bottom surface). That is, the moldability of the sealing member deteriorates.
- the temperature of the silicone resin, which is the material of the sealing member 15 is lower than the gelation temperature thereof just before being supplied onto the substrate 10. Be heated. Then, the temperature of the substrate 10 in the step of forming the sealing member 15, that is, the temperature of the substrate 10 between the time when the silicone resin is supplied onto the substrate 10 and the time when the resin is cured and the sealing member 15 is obtained is the silicone. It is set above the gelling temperature of the resin.
- the moldability of the sealing member 15 can be improved without increasing the viscosity of the silicone resin.
- the heating of the silicone resin before dropping is typically performed in the dropping device.
- the temperature of the silicone resin immediately before being supplied onto the substrate 10 is the temperature of the silicone resin in the syringe of the dropping device.
- the temperature of the silicone resin immediately before being supplied onto the substrate 10 is preferably 40° C. or higher, and more preferably 50° C. or higher.
- the temperature of the silicone resin immediately before being supplied onto the substrate 10 is 40° C. or higher, a sufficient discharge rate can be obtained, and for example, the silicone resin can be discharged 50 times or more per second. That is, the silicone resin for 50 sealing members 15 can be discharged in 1 second. Then, when the temperature of the silicone resin immediately before being supplied onto the substrate 10 is 50° C. or higher, the viscosity of the silicone resin becomes almost the lower limit value, and a higher ejection speed can be obtained.
- the effect of improving the formation speed of the sealing member 15 by improving the discharge speed of the silicone resin is that the light emitting device 1 in which a large number of light emitting elements 13 are mounted, for example, thousands of light emitting elements 13 are mounted. It is very important in the production of direct type backlights and the like.
- the temperature of the silicone resin immediately before being supplied onto the substrate 10 is set so as not to exceed the gelling temperature before dropping. It is preferably 70° C. or lower. Further, when a margin from the gelling temperature is required to improve productivity, the temperature of the silicone resin immediately before being supplied onto the substrate 10 is preferably 10° C. or more lower than the gelling temperature, and 60° C. The following is preferable.
- the discharge amount of the silicone resin per time that is, the discharge amount for forming one sealing member 15 is preferably 0.012 mm 3 or more and 1.527 mm 3 or less.
- the discharge amount of the silicone resin per time is preferably 0.01325 mg or more and 1.89325 mg or less, although it depends on the type of the silicone resin.
- the specific gravity in this case is 1.09 g/cm 3 or more and 1.24 g/cm 3 or less.
- the lower limit value of the ejection amount is set as a minimum value required to sufficiently protect the light emitting element 13. Further, the upper limit value is set as a value for preventing adjacent sealing members 15 from interfering with each other.
- the spread amount of the silicone resin on the substrate 10 in the step of forming the sealing member 15 can be more effectively reduced, and the sealing member The moldability of 15 can be further improved.
- the contact angle between the surface of the substrate 10 and the sealing member 15 increases as the surface free energy (surface tension) of the raw material resin increases and the surface free energy (surface tension) of the substrate 10 decreases.
- a material having a relatively large surface free energy such as organic modified silicone or phenyl silicone is used as the material of the sealing member 15, and a coating film made of fluorinated silane-based resin or methyl silicone is used on the outermost surface of the substrate 10.
- the contact angle between the surface of the substrate 10 and the sealing member 15 can be increased by providing a member made of a material having a relatively small surface free energy such as a white resist.
- the effect of the present invention is exerted regardless of the shape of the target sealing resin, it is exerted in the formation of the sealing member for realizing various orientation characteristics.
- the viscosity of the silicone resin to be dropped should be lower than usual due to its excellent moldability, instead of reducing the spread amount of the silicone resin. You can As a result, the ejection property from the nozzle of the dropping device can be further improved, and the forming speed of the sealing member can be further increased.
- the contact angle between the surface of the substrate 10 and the sealing member 15 and each material is changed for each material. While measuring. In each case, the temperature before the resin was supplied and the substrate temperature were 25°C. In addition, the discharge speed of the resin was 100 times per second in all cases.
- 3A to 3C show that the material of the dropped resin is phenyl silicone, the material of the surface of the substrate is fluorinated silane resin (assuming a coating film), methyl silicone (assuming a white resist), epoxy (white resist). Is assumed)) is an observation image from the side of the dropped resin.
- the material of the dropped resin is methylphenyl silicone
- the material of the surface of the substrate is fluorinated silane resin (assuming a coating film)
- methyl silicone assuming a white resist
- epoxy white
- Table 1 shows the contact angle between the surface of the substrate and the cured dropping resin in each case of FIGS. 3A to 3C and 4A to 4C, and the ratio of the height and the width of the dropping resin after curing. Indicates.
- the shape of the sealing member 15 is changed. It is difficult to realize by a normal dropping method, a shape in which the contact angle between the surface of the substrate 10 and the sealing member 15 is 56.2° or more, and a shape in which the ratio of the width to the height is 2.4 or less. You can see that you can.
- thermosetting silicone resin is mainly used as the sealing resin
- a resin further having photocurability by ultraviolet rays a resin may be discharged while irradiating the mounting region of the light emitting element with light.
- the sealing member only the lens shape is mentioned, but for example, in order to suppress the brightness directly above the light emitting element in the center of the lens, a light shielding part or the like may be arranged on the upper surface of the sealing member.
- the light-shielding portion can be easily provided by printing or the like.
- the light-shielding portion is made of a material such as a black material that absorbs light from the light-emitting element, stray light due to diffused reflection can be suppressed, and it can be used in light-emitting device applications. Improves usability.
- a method of forming a sealing resin by a dropping method which is excellent in the forming speed and moldability of a sealing member and provides a method of forming a sealing member.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
基板１０上に封止樹脂を滴下により供給し、基板１０上に実装された発光素子１３を封止するレンズ形状の封止部材１５を形成する工程を含み、前記封止樹脂が、基板１０上に供給される直前までに、前記封止樹脂のゲル化温度よりも低い温度に加熱され、封止部材１５を形成する工程における基板１０の温度が、前記封止樹脂のゲル化温度以上である、封止部材１５の形成方法を提供する。
Description
本発明は、封止部材の形成方法に関する。
従来、液晶テレビに使用されるバックライトや一般照明器具などを薄型化することのできる広い配向特性を有する発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
複数の光源が並べられる照明装置においては、広い配光特性を有する発光装置を光源として用いることにより、発光面と光源との距離を小さくしても、発光面の明るさの均一性を保つことができる。このため、照明装置を薄くすることができる。
特許文献１に記載の発光装置においては、発光素子の直上輝度を低減する光反射膜を発光素子の上に設けることにより、広角側に発光強度のピークを有するバットウィング状の配光特性を実現している。
発光素子がレンズ形状の封止部材に封止されている場合、封止部材の形状を調整することにより配向特性を制御することができ、さらに、広い配向特性を得ることも可能である。
しかしながら、従来の滴下した樹脂を硬化させて封止部材を形成する方法では、滴下した樹脂が硬化するまでに基板上で広がってしまうことから、幅に対する高さが大きい封止部材を形成することは困難である。一方で、硬化前の樹脂の広がりを抑えるためには、粘度の高い樹脂を用いる方法があるが、滴下装置のノズルからの吐出性が低下するため、封止部材の形成速度が著しく低下するという問題がある。特に、バックライト用の発光装置を製造する場合、数千個の発光素子を１個ずつ封止していく必要があり、形成速度（タクトタイム）が生産性に及ぼす影響が大きい。
本発明の目的は、上記の問題を解決するため、滴下法により封止樹脂を形成する方法であって、封止部材の形成速度及び成形性に優れた、封止部材の形成方法を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］～［１０］の封止部材の形成方法を提供する。
［１］基板上に封止樹脂を滴下により供給し、前記基板上に実装された発光素子を封止するレンズ形状の封止部材を形成する工程を含み、前記封止樹脂が、前記基板上に供給される直前までに、前記封止樹脂のゲル化温度よりも低い温度に加熱され、前記封止部材を形成する工程における前記基板の温度が、前記封止樹脂のゲル化温度以上である、封止部材の形成方法。
［２］前記封止樹脂がシリコーン樹脂である、上記［１］に記載の封止部材の形成方法。
［３］前記封止樹脂が有機変性シリコーン又はフェニルシリコーンである、上記［２］に記載の封止部材の形成方法。
［４］前記封止樹脂の前記ゲル化温度が７０℃以上、１００℃以下である、上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［５］前記基板上に供給される直前の前記封止樹脂の温度が４０℃以上、かつ７０℃以下である、上記［４］に記載の封止部材の形成方法。
［６］前記封止樹脂の供給のための吐出速度が、毎秒５０回以上である、上記［１］～［５］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［７］前記封止樹脂の１回あたりの吐出量が、体積で０．０１２ｍｍ3以上、１．５２７ｍｍ3以下である、上記［１］～［６］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［８］前記封止部材を形成する工程における前記基板の温度が、１５０℃以下である、上記［１］～［７］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［９］前記基板の表面と前記封止部材の接触角が５６．２°以上である、上記［１］～［８］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［１０］前記封止部材の幅の高さに対する比の値が２．４以下である、上記［１］～［９］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［２］前記封止樹脂がシリコーン樹脂である、上記［１］に記載の封止部材の形成方法。
［３］前記封止樹脂が有機変性シリコーン又はフェニルシリコーンである、上記［２］に記載の封止部材の形成方法。
［４］前記封止樹脂の前記ゲル化温度が７０℃以上、１００℃以下である、上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［５］前記基板上に供給される直前の前記封止樹脂の温度が４０℃以上、かつ７０℃以下である、上記［４］に記載の封止部材の形成方法。
［６］前記封止樹脂の供給のための吐出速度が、毎秒５０回以上である、上記［１］～［５］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［７］前記封止樹脂の１回あたりの吐出量が、体積で０．０１２ｍｍ3以上、１．５２７ｍｍ3以下である、上記［１］～［６］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［８］前記封止部材を形成する工程における前記基板の温度が、１５０℃以下である、上記［１］～［７］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［９］前記基板の表面と前記封止部材の接触角が５６．２°以上である、上記［１］～［８］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
［１０］前記封止部材の幅の高さに対する比の値が２．４以下である、上記［１］～［９］のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
本発明によれば、滴下法により封止樹脂を形成する方法であって、封止部材の形成速度及び成形性に優れた、封止部材の形成方法を提供することができる。
〔実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の垂直断面図である。発光装置１は、基板１０と、基板１０上に実装された発光素子１３と、発光素子１３を封止する封止部材１５とを備える。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の垂直断面図である。発光装置１は、基板１０と、基板１０上に実装された発光素子１３と、発光素子１３を封止する封止部材１５とを備える。
基板１０は、板状の基材１１と、基材１１の表面上に形成された配線１２とを有する。発光素子１３は、半田などからなる導電性の接合部材１４により配線１２に接続されている。また、基板１０は、その最表面に白色レジストやコーティング膜を備えていてもよい。
発光素子１３は、例えば、チップ基板と、発光層及びそれを挟むクラッド層を含む結晶層とを有するＬＥＤであり、例えば、チップサイズが１００～２００μｍのミニＬＥＤと呼ばれるＬＥＤである。発光素子１３の基板１０への実装形態は特に限定されないが、ワイヤーなどの接合部材を要せず、高速での封止を阻害しないため、フェイスアップ実装よりも、図１に示されるようなフリップチップ実装が好ましい。なお、発光素子１３は、レーザーダイオード等のＬＥＤ以外の発光素子であってもよい。
封止部材１５は、シリコーン樹脂などの透明樹脂からなる。封止部材１５の材料としてエポキシ樹脂などのシリコーン樹脂以外の樹脂を用いることもできるが、耐光性の観点から、シリコーン樹脂を用いることが好ましい。シリコーン樹脂には、有機変性シリコーン、フェニルシリコーン、メチルフェニルシリコーン、メチルシリコーンなどが含まれる。また、封止部材１５は、ダムを用いずに滴下した樹脂を硬化させることにより形成され、表面が凸状の曲面であるレンズ形状を有し、発光素子１３のレンズとして機能する。
図２は、熱硬化性のシリコーン樹脂の硬化前の状態における温度と粘度の関係を模式的に示すグラフである。
硬化前のシリコーン樹脂のゲル化温度は、シリコーン樹脂の種類によらず、およそ７０～１００℃である（図２の例では８０℃をゲル化温度とする）。図２に示されるように、室温からゲル化温度に近づくにつれて、粘度が単純に低下し、ゲル化温度を超えると架橋が生じ始め、硬化が始まる。
温度がゲル化温度に達するまではシリコーン樹脂の粘度は低く、基板上で広がりやすい。このため、室温のシリコーン樹脂を滴下して基板上で加熱を開始した場合、温度がゲル化温度に達するまでの時間が長く、基板上でのシリコーン樹脂の広がり量が大きくなる。このため、幅（底面の直径）に対する高さが大きい封止部材を形成することが困難である。すなわち、封止部材の成形性が悪くなる。
一方で、硬化前のシリコーン樹脂の基板上での広がり量を小さくためには、粘度の高いシリコーン樹脂を用いる方法があるが、滴下装置のノズルからの吐出性が低下するため、封止部材の形成速度が著しく低下するという問題がある。すなわち、封止部材の成形性を高める代わりに生産性が低下する。
そこで、本実施の形態に係る封止部材１５の形成工程においては、封止部材１５の材料であるシリコーン樹脂が、基板１０上に供給される直前までに、そのゲル化温度よりも低い温度に加熱される。そして、封止部材１５を形成する工程における基板１０の温度、すなわちシリコーン樹脂が基板１０上に供給されてから、硬化し、封止部材１５が得られるまでの間の基板１０の温度が、シリコーン樹脂のゲル化温度以上に設定される。
それによって、シリコーン樹脂が基板１０上に供給されてからそのゲル化温度に達するまでの時間を短縮し、シリコーン樹脂の基板１０上での広がり量を小さくすることができる。このため、シリコーン樹脂の粘度を高めることなく、封止部材１５の成形性を高めることができる。
滴下前のシリコーン樹脂の加熱は、典型的には、滴下装置内で実施される。この場合、例えば、基板１０上に供給される直前のシリコーン樹脂の温度は、滴下装置のシリンジ内のシリコーン樹脂の温度である。
また、滴下装置のノズルからの吐出性を向上させるため、基板１０上に供給される直前のシリコーン樹脂の温度は、４０℃以上であることが好ましく、５０℃以上であることがより好ましい。
基板１０上に供給される直前のシリコーン樹脂の温度が４０℃以上であれば、十分な吐出速度が得られ、例えば、毎秒５０回以上、シリコーン樹脂を吐出することができる。すなわち、封止部材１５が５０個分のシリコーン樹脂を１秒間に吐出することができる。そして、基板１０上に供給される直前のシリコーン樹脂の温度が５０℃以上の場合は、シリコーン樹脂の粘度がほぼ下限値となり、より高い吐出速度が得られる。
シリコーン樹脂の吐出速度を向上させることによる、封止部材１５の形成速度の向上の効果は、多数の発光素子１３が実装される発光装置１、例えば、数千個の発光素子１３が実装される直下型バックライトなどの製造においては、非常に重要である。
また、上述のように、シリコーン樹脂のゲル化温度は、およそ７０～１００℃であるため、滴下前にゲル化温度を超えないように、基板１０上に供給される直前のシリコーン樹脂の温度は７０℃以下であることが好ましい。さらに、生産性を向上させるためにゲル化温度からのマージンが求められる場合は、基板１０上に供給される直前のシリコーン樹脂の温度は、ゲル化温度より１０℃以上低いことが好ましく、６０℃以下であることが好ましい。
封止部材１５を形成する工程における基板１０の温度は、高いほどシリコーン樹脂の硬化までの時間を短縮できるが、シリコーン樹脂及びその他の部材に損傷や変質などの悪影響が生じない範囲で設定されることが好ましい。例えば、基板１０に変色が生じやすい１５０℃以下に設定されることが好ましい。
シリコーン樹脂の１回あたりの吐出量、すなわち１個の封止部材１５を形成するための吐出量は、体積で０．０１２ｍｍ3以上、１．５２７ｍｍ3以下であることが好ましい。また、シリコーン樹脂の１回あたりの吐出量は、重さでは、シリコーン樹脂の種類にもよるが、０．０１３２５ｍｇ以上、１．８９３２５ｍｇ以下であることが好ましい。なお、この場合の比重は１．０９ｇ／ｃｍ3以上、１．２４ｇ／ｃｍ3以下である。この吐出量の下限値は、発光素子１３を十分に保護するために最低限必要な値として定められている。また、上限値は、隣接する封止部材１５同士が干渉しないための値として定められている。
また、基板１０の表面と硬化前のシリコーン樹脂との接触角を大きくすることにより、封止部材１５の形成工程におけるシリコーン樹脂の基板１０での広がり量をより効果的に低減し、封止部材１５の成形性をより高めることができる。
基板１０の表面と封止部材１５との接触角は、原料樹脂の表面自由エネルギー（表面張力）が大きいほど、また、基板１０の表面自由エネルギー（表面張力）が小さいほど、大きくなる。
例えば、基板１０の表面や封止部材１５の材料に用いることのできる樹脂の典型例を、表面自由エネルギーの大きい順に並べると、エポキシ、有機変性シリコーン、フェニルシリコーン、メチルフェニルシリコーン、メチルシリコーン、フッ化シラン系樹脂、となる。
このため、例えば、封止部材１５の材料に有機変性シリコーンやフェニルシリコーンなどの比較的表面自由エネルギーが大きい材料を用いて、基板１０の最表面にフッ化シラン系樹脂からなるコーティング膜やメチルシリコーンからなる白色レジストなどの比較的表面自由エネルギーが小さい材料からなる部材を設けることにより、基板１０の表面と封止部材１５との接触角を大きくすることができる。
（実施の形態の効果）
上記実施の形態によれば、滴下時のシリコーン樹脂の粘度を小さくすることにより、封止樹脂の形成速度を向上させ、また、硬化前のシリコーン樹脂の基板上での広がり量を小さくすることにより、封止樹脂の成形性を向上させることができる。
上記実施の形態によれば、滴下時のシリコーン樹脂の粘度を小さくすることにより、封止樹脂の形成速度を向上させ、また、硬化前のシリコーン樹脂の基板上での広がり量を小さくすることにより、封止樹脂の成形性を向上させることができる。
また、この本発明の効果は、目的とする封止樹脂の形状に依らず発揮されるため、様々な配向特性を実現するための封止部材の形成において発揮される。
例えば、幅に対する高さが比較的小さい封止部材を形成する場合には、その優れた成形性により、シリコーン樹脂の広がり量を小さくする代わりに、滴下するシリコーン樹脂の粘度を通常よりも下げることができる。それによって、滴下装置のノズルからの吐出性をさらに向上させ、封止部材の形成速度をさらに増加させることができる。
基板１０の表面と封止部材１５との接触角とそれぞれの材料との具体的な関係を調べるため、滴下樹脂とその樹脂を滴下する基材の表面との接触角を、それぞれの材料を変えながら測定した。いずれの場合も、樹脂の供給前の温度と基板温度は、２５℃とした。また、樹脂の吐出速度は、いずれの場合も、毎秒１００回とした。
図３Ａ～図３Ｃは、滴下樹脂の材料がいずれもフェニルシリコーン、基材の表面の材料がそれぞれフッ化シラン系樹脂（コーティング膜を想定）、メチルシリコーン（白色レジストを想定）、エポキシ（白色レジストを想定）である場合の、滴下樹脂の側方からの観察像である。
図４Ａ～図４Ｃは、滴下樹脂の材料がいずれもメチルフェニルシリコーン、基材の表面の材料がそれぞれフッ化シラン系樹脂（コーティング膜を想定）、メチルシリコーン（白色レジストを想定）、エポキシ（白色レジストを想定）である場合の、滴下樹脂の側方からの観察像である。
次の表１に、図３Ａ～図３Ｃ、図４Ａ～図４Ｃに係るそれぞれの場合の基材の表面と硬化後の滴下樹脂との接触角、及び滴下樹脂の硬化後の高さと幅の比を示す。
上記の結果から、基板１０の表面と封止部材１５との接触角や、封止部材１５の高さと幅の比をそれぞれの材料の種類によって調整できることが確認された。すなわち、封止部材１５の形状を基板１０の表面や封止部材１５の材料によって調整できることが確認された。
例えば、封止部材１５としてフェニルシリコーンやより表面自由エネルギーが大きい有機変性シリコーンを用いて、基板１０の表面の材料としてメチルシリコーンやフッ化シラン系樹脂を用いることにより、封止部材１５の形状を通常の滴下法では実現が難しいもの、基板１０の表面と封止部材１５との接触角が５６．２°以上の形状や、幅の高さに対する比の値が２．４以下である形状とすることができることがわかる。
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、本発明は、上記実施の形態及び実施例に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
例えば、上記実施の形態及び実施例においては、封止樹脂として主に熱硬化性のシリコーン樹脂を用いる場合について説明したが、紫外線などによる光硬化性をさらに有する樹脂を用いる場合は、基板上の発光素子の実装領域に光を照射しながら樹脂を吐出してもよい。
また、封止部材については、そのレンズ形状にのみ言及したが、例えば、レンズ中心の発光素子の直上の明るさを抑えるため、封止部材の上面に遮光部などを配置してもよい。遮光部は、印刷などにより簡単に設けることができ、遮光部が黒色材料などの発光素子の光を吸収する材料からなる場合は、乱反射などによる迷光を抑えることができ、発光装置のアプリケーションでの使い勝手がよくなる。
また、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
滴下法により封止樹脂を形成する方法であって、封止部材の形成速度及び成形性に優れた、封止部材の形成方法を提供する。
１ 発光装置
１０ 基板
１３ 発光素子
１５ 封止部材
１０ 基板
１３ 発光素子
１５ 封止部材
Claims (10)
- 基板上に封止樹脂を滴下により供給し、前記基板上に実装された発光素子を封止するレンズ形状の封止部材を形成する工程を含み、
前記封止樹脂が、前記基板上に供給される直前までに、前記封止樹脂のゲル化温度よりも低い温度に加熱され、
前記封止部材を形成する工程における前記基板の温度が、前記封止樹脂のゲル化温度以上である、
封止部材の形成方法。 - 前記封止樹脂がシリコーン樹脂である、
請求項１に記載の封止部材の形成方法。 - 前記封止樹脂が有機変性シリコーン又はフェニルシリコーンである、
請求項２に記載の封止部材の形成方法。 - 前記封止樹脂の前記ゲル化温度が７０℃以上、１００℃以下である、
請求項１～３のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。 - 前記基板上に供給される直前の前記封止樹脂の温度が４０℃以上、かつ７０℃以下である、
請求項４に記載の封止部材の形成方法。 - 前記封止樹脂の供給のための吐出速度が、毎秒５０回以上である、
請求項１～５のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。 - 前記封止樹脂の１回あたりの吐出量が、体積で０．０１２ｍｍ3以上、１．５２７ｍｍ3以下である、
請求項１～６のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。 - 前記封止部材を形成する工程における前記基板の温度が、１５０℃以下である、
請求項１～７のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。 - 前記基板の表面と前記封止部材の接触角が５６．２°以上である、
請求項１～８のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。 - 前記封止部材の幅の高さに対する比の値が２．４以下である、
請求項１～９のいずれか１項に記載の封止部材の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-239303 | 2018-12-21 | ||
| JP2018239303A JP2020102512A (ja) | 2018-12-21 | 2018-12-21 | 封止部材の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020129441A1 true WO2020129441A1 (ja) | 2020-06-25 |
Family
ID=71101226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2019/043430 WO2020129441A1 (ja) | 2018-12-21 | 2019-11-06 | 封止部材の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2020102512A (ja) |
| WO (1) | WO2020129441A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7505395B2 (ja) * | 2020-12-21 | 2024-06-25 | 豊田合成株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196936A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | ポッティング装置 |
| US20090065792A1 (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an led device having a dome lens |
| JP2011249856A (ja) * | 2011-09-14 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2014082284A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Dow Corning Toray Co Ltd | 凸状硬化物及び基材を備える一体化物の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013082537A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Quarkstar Llc | Solid-state lighting device and method of manufacturing same |
-
2018
- 2018-12-21 JP JP2018239303A patent/JP2020102512A/ja active Pending
-
2019
- 2019-11-06 WO PCT/JP2019/043430 patent/WO2020129441A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196936A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | ポッティング装置 |
| US20090065792A1 (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an led device having a dome lens |
| JP2011249856A (ja) * | 2011-09-14 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2014082284A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Dow Corning Toray Co Ltd | 凸状硬化物及び基材を備える一体化物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020102512A (ja) | 2020-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI393841B (zh) | 背光用發光二極體之寬發光透鏡 | |
| WO2020211597A1 (zh) | 一种背光模组及显示装置 | |
| TWI463189B (zh) | 光學構件、包含其之顯示裝置、及其製造方法 | |
| WO2016199804A1 (ja) | Ｌｅｄ光源装置およびプロジェクター | |
| US20180340672A1 (en) | Light emitting module and lens | |
| US20170126944A1 (en) | Led lighting unit | |
| WO2020261766A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2008294224A (ja) | 半導体発光装置 | |
| TWI464923B (zh) | 光學發射器及其製作方法以及發光元件 | |
| JP5698808B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| US11579486B2 (en) | Light emitting device, backlight, and display panel with reflective layer | |
| CN109814189B (zh) | 光学器件以及包括光学器件的光源模块 | |
| US20120168798A1 (en) | Led package | |
| US9733514B2 (en) | Light emitting diode light source, manufacturing method thereof, backlight source and display device | |
| WO2020129441A1 (ja) | 封止部材の形成方法 | |
| US11152549B2 (en) | Light-emitting diode device and display device | |
| KR20150129890A (ko) | 발광각도 조절이 가능한 형광필름이 구비된 led 조명 모듈 제조 방법 | |
| KR20110111121A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| CN111722432A (zh) | 一种led灯板、制备方法、背光模组和显示装置 | |
| KR102533254B1 (ko) | 디스플레이용 백라이트 장치 | |
| CN212725360U (zh) | 一种led发光件 | |
| TW202129949A (zh) | 顯示基板及其製備方法、顯示裝置 | |
| KR101413241B1 (ko) | 측광렌즈가 구비된 엘이디 조명장치 | |
| KR20090102121A (ko) | 발광 장치 제조방법 | |
| CN113054085A (zh) | 一种led发光件和发光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19899278 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 19899278 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |