WO2020074252A1 - Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils - Google Patents

Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils Download PDF

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optoelectronic component
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connecting element
optoelectronic semiconductor
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Zeljko Pajkic
David Racz
Luca HAIBERGER
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Definitions

  • An optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component are specified.
  • optoelectronic component Another problem to be solved is to specify a method for producing an expandable optoelectronic component.
  • the optoelectronic component comprises at least two optoelectronic semiconductor chips which are designed to emit electromagnetic radiation during operation.
  • the optoelectronic semiconductor chips are, for example, luminescence diode chips such as light-emitting diode chips or laser diode chips.
  • this comprises
  • the optoelectronic component at least one connecting element which is electrically conductive, flexible and stretchable.
  • the connecting element can be formed, for example, with or from a wire. For example, that points
  • connection element on an electrically conductive material such as a metal can mean that the connecting element is reversibly or irreversibly bendable or flexible in at least one direction is. This means in particular that the connecting element can be reversibly or irreversibly deformed, bent or bent in at least one direction.
  • the connecting element can preferably be deformed, bent or bent in different directions.
  • the connecting element can be deformed both plastically and elastically.
  • the connecting element can thus be bendable or bendable.
  • the connecting element has no rigid shape. This can mean that the connecting element can be bent without the connecting element being destroyed or broken.
  • the fact that the connecting element is stretchable can mean that the length of the connecting element can be changed reversibly or irreversibly.
  • the length of the connecting element can be within one
  • Connecting element is destroyed.
  • a change in length can mean that the length of the connecting element is lengthened or shortened. So that can
  • Connecting element to be elastic.
  • the optoelectronic semiconductor chips and the connecting element can be mechanically connected to one another.
  • this comprises
  • the optoelectronic component a molded body which surrounds the at least two optoelectronic semiconductor chips and the at least one connecting element at least in places.
  • the molded body can be produced by means of a casting and / or injection molding process. These processes include all manufacturing processes in which a molding compound is introduced into a predetermined shape and is subsequently hardened in particular.
  • the term casting process includes casting, injection molding, transfer molding and Compression molding.
  • the molded body can be molded onto the optoelectronic semiconductor chips.
  • the molded body can be in direct contact with the
  • the molded body can be spaced in places from the connecting element.
  • the molded body can have a polymer material, such as, for example, one or more silicones.
  • the molded body is flexible and stretchable. The can continue
  • Shaped body permeable to the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips This can mean that the molded body is transparent or translucent for those of the optoelectronic
  • Semiconductor chips is emitted electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor chips are each arranged on a carrier.
  • the carrier can be, for example, a connection carrier, a circuit board, a printed circuit board or a wafer.
  • the carrier can be a three-dimensional body and
  • the carrier can be a
  • Main plane of extent The main extension plane of the carrier runs parallel to one, for example
  • the carrier can have a semiconductor material.
  • the carrier can have silicon onto and / or into which electrically conductive structures such as conductor tracks and / or contact points are applied and / or introduced.
  • the carrier can be flexible. This can mean that the carrier is reversible or irreversible in at least one
  • Direction is bendable or pliable.
  • the carrier can be reversibly or irreversibly deformed, bent or bent in at least one direction.
  • the carrier can preferably move in different directions
  • the carrier can be deformed both plastically and elastically.
  • the carrier can thus be bendable or bendable.
  • the carrier has no rigid shape. This can mean that the carrier can be bent without the carrier being destroyed.
  • the shaped body can support the carrier at least in places
  • the molded body can be in direct contact with the carrier in places. In addition, the molded body can be molded onto the carrier.
  • the optoelectronic semiconductor chips can be attached to a carrier in each case by means of an adhesive material or a solder material.
  • the optoelectronic semiconductor chips can be surface-mountable semiconductor chips. It is also possible for the optoelectronic semiconductor chips to have at least one electrical contact on a side facing away from the carrier, this electrical contact being connected to the carrier via a bonding wire.
  • Semiconductor chips can be a side facing away from the carrier.
  • the optoelectronic component comprises at least two optoelectronic semiconductor chips which are designed to emit electromagnetic radiation during operation, at least one connecting element which is electrical
  • the optoelectronic semiconductor chips Surrounds semiconductor chips and the at least one connecting element at least in places, the optoelectronic semiconductor chips each being arranged on a carrier.
  • the optoelectronic component described here is based, among other things, on the idea that the ductility of the
  • the connecting element can be made possible at least one flexible and stretchable connecting element.
  • the connecting element can be arranged between two optoelectronic semiconductor chips.
  • the optoelectronic component as a whole can be flexible and stretchable.
  • a flexible and stretchable optoelectronic component is advantageous in many applications.
  • the optoelectronic component can be adapted to different applications.
  • an optoelectronic device of one size can be used in various applications
  • optoelectronic component can be bent flexibly and the length of the optoelectronic component can be adapted to the respective application. Besides, that can
  • At least one cavity is formed in the molded body and the at least one connecting element is arranged in the cavity.
  • the cavity is a recess in the molded body. The cavity is thus free of the material of the molded body.
  • the volume of the cavity can be larger than the volume of the
  • the cavity can do that
  • Connection element from different sides at least
  • the cavity can also directly adjoin the molded body.
  • the cavity can be filled with a gas
  • Connection element movable in the cavity. This enables the connecting element to be bent or stretched in the cavity. By bending or stretching the connecting element
  • the entire optoelectronic component can also be bent or stretched. It is also possible for the connecting element to be compressed in the cavity and for the optoelectronic component to also be compressed.
  • "upsetting" can mean that the length of the connecting element is shortened.
  • the carriers are each for the respective
  • Associated optoelectronic semiconductor chip emitted electromagnetic radiation at least partially transparent. This can mean that the wearer is transparent or
  • electromagnetic radiation is electromagnetic radiation.
  • electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip can also emerge from the optoelectronic component on the side of the carrier. Therefore, the optoelectronic semiconductor chip emitted electromagnetic radiation emerge from the optoelectronic component in different directions.
  • the connecting element is designed in the form of a spring or a coil. That can mean that
  • Connecting element has at least two turns.
  • the connecting element can be in the form of a wire which is wound as a spring or coil. It is also possible that the connecting element is a spring or a coil.
  • the connecting element can have an electrically conductive material.
  • the fact that the connecting element is designed in the form of a spring or a coil enables the connecting element to be flexible and stretchable. A spring or a coil can be bent in different directions. In addition, a spring or a coil can be elongated or
  • the connecting element is electrically connected to at least one of the carriers.
  • the carrier can one
  • Connecting element is electrically connected.
  • optoelectronic semiconductor chip are supplied with energy.
  • several optoelectronic semiconductor chips can be electrically connected in series via the electrical connection between the connecting element and at least one carrier
  • the molded body has a molding compound.
  • the Molding compound can be transparent to the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips during operation. That can mean the molding compound
  • optoelectronic semiconductor chips is electromagnetic radiation emitted during operation.
  • the molding compound can be applied to the optoelectronic by means of a molding process
  • the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips during operation or a large part of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips during operation can emerge from the optoelectronic component through the shaped body.
  • the molding composition has a polymer material.
  • the polymeric material can be silicone or silicones
  • Polymer material is a material that does so
  • the polymer material is advantageously permeable to those of the optoelectronic ones
  • conversion particles and / or scattering particles are introduced into the molding composition.
  • the molding compound can thus be any suitable material.
  • the conversion particles can be designed to convert the wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips during operation. Thus the wavelength or the color of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component during operation can be set or changed.
  • the scattering particles can have different shapes and sizes. The scattering particles can be
  • the scattering particles are those of the optoelectronic
  • Semiconductor chips absorb or reflect emitted electromagnetic radiation. It is also possible that that emitted by the optoelectronic semiconductor chips
  • an outer casing surrounds the molded body.
  • the casing can completely surround the molded body.
  • the casing can be applied as a layer on the molded body
  • the sheath is nylon or polyester.
  • the sheathing can serve to protect the molded body from external environmental influences.
  • the optoelectronic semiconductor chips are arranged in such a way that their main emission directions are different from one another. That may mean that one of the
  • optoelectronic semiconductor chips has a main radiation direction of the emitted electromagnetic radiation, which is different from the main radiation direction of another optoelectronic semiconductor chip.
  • one of the optoelectronic semiconductor chips can be used with the
  • an expandable reflective layer is applied in places to the shaped body.
  • reflective layer can be applied to the molded body on one side, which faces an underside of the carrier, the underside of the carrier
  • the stretchable reflective layer can completely cover the molded body on the side facing the carrier.
  • the fact that the stretchable reflective layer is stretchable can mean that the stretchable reflective layer remains intact when the molded body is stretched, compressed or bent. In other words, the stretchable reflective layer is not damaged or broken into individual parts when the molded body is stretched, compressed or bent.
  • the stretchable reflective layer can be designed to reflect electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips during operation. This enables electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips during operation not to emerge from the molded body on all sides.
  • the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chips during operation preferably emerges from the optoelectronic component in a partial region predetermined by means of the reflective layer.
  • the optoelectronic component there are between two optoelectronic components Semiconductor chips arranged a connecting element.
  • the connecting element is mechanically connected to the carriers of the two optoelectronic semiconductor chips.
  • the connecting element can be electrically connected to both optoelectronic semiconductor chips.
  • the connecting element can be electrically connected to the two carriers. Since a connecting element is arranged between two optoelectronic semiconductor chips, the optoelectronic component is flexible and stretchable overall.
  • the optoelectronic semiconductor chips are between one connecting element and another
  • the further connecting element can have the same structure as the connecting element
  • the carrier of the optoelectronic semiconductor chip can be mechanically connected to the connecting element and the further connecting element. The can continue
  • the carrier of the optoelectronic semiconductor chip can be electrically connected to the connecting element and the further connecting element. Since the
  • the optoelectronic component is flexible and stretchable overall.
  • the optoelectronic component there are a large number of optoelectronic components
  • the optoelectronic Semiconductor chips and the connecting elements can be arranged alternately. This can mean that between two optoelectronic semiconductor chips
  • Connection element is arranged and that between two connecting elements, each an optoelectronic
  • the optoelectronic component can have at least ten optoelectronic semiconductor chips.
  • the optoelectronic component can also
  • the optoelectronic component can thus be a chain which is designed for this purpose in operation
  • the length of the optoelectronic component can be at least 10 mm and
  • optoelectronic component can be a maximum of 1 cm. Since the optoelectronic component is flexible and stretchable, it can be adapted to different geometries.
  • the optoelectronic component there are a large number of optoelectronic components
  • the ring can be a closed chain of optoelectronic
  • Connecting elements can be arranged alternately.
  • Connecting elements can be electrically connected in series.
  • the optoelectronic component can have a maximum of ten
  • optoelectronic component is flexible and stretchable, the Ring of optoelectronic semiconductor chips and
  • Fasteners can be adapted to different geometries.
  • the optoelectronic component comprises an optoelectronic component described here and one
  • Connection element is electrically connected to the power supply.
  • the energy supply is particularly designed to supply the optoelectronic semiconductor chips with energy.
  • the optoelectronic component can preferably be produced using a method described here. In other words, all for that
  • optoelectronic component are also for the method for producing an optoelectronic
  • the method comprises a method step in which at least two optoelectronic semiconductor chips are each provided on a carrier, the optoelectronic ones
  • optoelectronic semiconductor chips can each by
  • the method comprises a method step in which at least one connecting element which is electrically conductive, flexible and stretchable is provided.
  • the connecting element can be mechanically connected to two carriers.
  • connecting element can be arranged between two beams.
  • the carrier with the optoelectronic semiconductor chips and the at least one connecting element can thus be connected to one another as a chain.
  • the method comprises a method step in which the
  • optoelectronic semiconductor chips and the connecting element are formed at least in places with a molded body.
  • Connecting elements can be shaped through the molded body by means of a casting and / or injection molding process.
  • a molding compound can be introduced into a predetermined shape and subsequently hardened.
  • An optoelectronic component produced in this way can be flexible and stretchable overall. So that can
  • optoelectronic device can be used in a variety of applications.
  • the optoelectronic component can be adapted to different and complicated geometries.
  • At least one is formed before the optoelectronic semiconductor chips and the connecting element are shaped with the molded body
  • the connecting element can be arranged in the cavity.
  • the cavity can be arranged in such a way that the shaped body is arranged at least in places at a distance from the connecting element.
  • the molded body can be in direct contact with the
  • the connecting element is arranged in the cavity, which is free of the molded body, the connecting element can move freely. Due to the possibility of the connecting element to move freely in the cavity, that is also
  • Figure 1 shows a schematic cross section through an optoelectronic component according to an embodiment.
  • FIGS. 5, 6A and 6B show various applications of exemplary embodiments of the optoelectronic component
  • FIGS. 7A and 7B A further exemplary embodiment of the optoelectronic component is shown schematically in FIGS. 7A and 7B.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through an optoelectronic component 20 according to an exemplary embodiment.
  • the schematic cross section only shows a section of the optoelectronic component 20, which is shown by dashed lines on the edge.
  • the construction of the optoelectronic component 20 shown can thus continue as desired after the dashed lines.
  • the optoelectronic component 20 has a plurality of optoelectronic semiconductor chips 21.
  • Optoelectronic semiconductor chips 21 are designed to emit electromagnetic radiation during operation.
  • Semiconductor chips 21 are the same or approximately the same. Each of the optoelectronic semiconductor chips 21 is on one
  • Carrier 24 arranged.
  • the carriers 24 are transparent to the electromagnetic radiation emitted by the respectively associated optoelectronic semiconductor chip 21.
  • the optoelectronic component 20 also has at least one connecting element 22.
  • the optoelectronic component 20 has two further connecting elements 28.
  • Connecting elements 22, 28 are electrically conductive, flexible and stretchable. Each of the connecting elements 22, 28 is designed in the form of a spring or a coil and has a main direction of extension x. In addition, the connecting elements 22, 28 have at least one carrier 24 electrically connected. In this embodiment, the connecting elements 22, 28 are electrical with the respective
  • each connecting element 22, 28 is mechanically connected to two carriers 24.
  • a connecting element 22, 28 is thus arranged between each two optoelectronic semiconductor chips 21.
  • Semiconductor chips 21 are each arranged between a connecting element 22 and a further connecting element 28.
  • the optoelectronic component 20 further comprises one
  • Shaped body 23 The shaped body 23 surrounds the
  • the molded body 23 surrounds the further connecting elements 28
  • the molded body 23 has one
  • Molding composition which has a polymer material. Conversion particles and / or scattering particles can be introduced into the molding compound. Cavities 25 are in the molded body 23
  • the connecting elements 22, 28 are each arranged in the associated cavities 25.
  • the cavities 25 are free of the molding compound.
  • Connecting elements 22, 28 runs, a cavity 25 surrounds the respective associated connecting element 22, 28
  • the optoelectronic component 20 further comprises one
  • the casing 26 completely surrounds the molded body 23.
  • the optoelectronic component 20 shown in FIG. 1 can be produced by the optoelectronic
  • Semiconductor chips 21 are provided on the carriers 24.
  • the connecting elements 22, 28 are provided and electrically and mechanically connected to the carriers 24. Subsequently, the optoelectronic semiconductor chips 21 and the connecting elements 22, 28 are at least in places with the molded body 23 by means of a casting and / or
  • the molding compound is introduced into a predetermined shape and subsequently hardened.
  • the cavities 25 are formed in the molded body 23.
  • FIG. 2 shows a schematic cross section through a further exemplary embodiment of the optoelectronic component 20. In contrast to that shown in Figure 1
  • the main emission directions of the optoelectronic semiconductor chips 21 are different
  • the optoelectronic component 20 can emit electromagnetic radiation in different directions.
  • the radiation of the optoelectronic component 20 can be homogeneous.
  • the optoelectronic component 20 has none compared to the exemplary embodiment shown in FIG. 1 Jacket 26 on.
  • the casing 26 is an optional additional protective layer.
  • FIG. 3 shows a schematic cross section through a further exemplary embodiment of the optoelectronic component 20. Compared to that shown in Figure 1
  • the optoelectronic component 20 has no casing 26.
  • FIG. 4 shows a schematic cross section through a further exemplary embodiment of the optoelectronic component 20.
  • the cross section is perpendicular to
  • Optoelectronic semiconductor chips 21 The optoelectronic semiconductor chip 21 is arranged on the carrier 24. Of the
  • Shaped body 23 surrounds the optoelectronic semiconductor chip 21 and the carrier 24.
  • the shaped body 23 has the shape of a circle in cross section.
  • On the molded body 23 is
  • the stretchable reflective layer 27 is applied to a side of the molded body 23 which faces an underside 29 of the carrier 24, the
  • the stretchable reflective layer 27 covers approximately half the circumference of the cross section through the shaped body 23. Therefore, the shaped body 23 is partially free of the stretchable reflective layer 27. The shaped body 23 is free of the stretchable reflective layer 27 on a side facing the optoelectronic semiconductor chip 21
  • the stretchable reflective layer 27 is designed to be emitted by the optoelectronic semiconductor chip 21
  • the Optoelectronic component 20 thus emits electromagnetic radiation only on the side which is free of the stretchable reflecting layer 27.
  • FIG. 5 shows the use of the optoelectronic component 20 according to an embodiment in a textile.
  • the optoelectronic component 20 is embedded in the textile by a web process.
  • the textile can be a piece of clothing.
  • FIG. 6A shows a further application of the optoelectronic component 20 according to an exemplary embodiment.
  • a large number of optoelectronic components 20 are arranged in a luminaire 30. Since the
  • optoelectronic components 20 are flexible and stretchable, a complex geometry of the lamp 30 can be achieved.
  • FIG. 6B shows a further application of optoelectronic components 20 according to one exemplary embodiment in a luminaire 30.
  • the flexibility and extensibility of the optoelectronic components 20 enable a complex geometry of the luminaire 30.
  • FIG. 7A shows a schematic cross section through a further exemplary embodiment of the optoelectronic component 20.
  • the structure of the optoelectronic component 20 is shown in simplified form and corresponds to that in FIG. 3
  • the optoelectronic component 20 has a total of eight optoelectronic semiconductor chips 21.
  • optoelectronic component 20 is flexible and stretchable the diameter of the ring can be changed, which is represented by the four arrows.
  • FIG. 7B shows the exemplary embodiment of the optoelectronic component 20 shown in FIG. 7A on a camera
  • the camera is about
  • Example of a camera from a smartphone Two cameras with different diameters are shown. Since the optoelectronic component 20 is flexible and stretchable, it can be arranged on both cameras. Thus, the optoelectronic component 20 can be used in a large number of

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauteil (20) angegeben mit mindestens zwei optoelektronischen Halbleiterchips (21), die dazu ausgelegt sind im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren, mindestens einem Verbindungselement (22), welches elektrisch leitfähig, flexibel und dehnbar ist, und einem Formkörper (23), welcher die mindestens zwei optoelektronischen Halbleiterchips (21) und das mindestens eine Verbindungselement (22) zumindest stellenweise umgibt, wobei die optoelektronischen Halbleiterchips (21) jeweils auf einem Träger (24) angeordnet sind. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (20) angegeben.

Description

Beschreibung
OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS
Es werden ein optoelektronisches Bauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein dehnbares
optoelektronisches Bauteil anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines dehnbaren optoelektronischen Bauteils anzugeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das optoelektronische Bauteil mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips, die dazu ausgelegt sind im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Bei den optoelektronischen Halbleiterchips handelt es sich zum Beispiel um Lumineszenzdiodenchips wie Leuchtdiodenchips oder um Laserdiodenchips. Die optoelektronischen
Halbleiterchips können dazu ausgelegt sein im Betrieb
elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Bereich zu
emittieren .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Bauteil mindestens ein Verbindungselement, welches elektrisch leitfähig, flexibel und dehnbar ist. Das Verbindungselement kann beispielsweise mit oder aus einem Draht gebildet sein. Zum Beispiel weist das
Verbindungselement ein elektrisch leitfähiges Material wie ein Metall auf. Dass das Verbindungselement flexibel ist, kann bedeuten, dass das Verbindungselement reversibel oder irreversibel in mindestens eine Richtung biegbar oder biegsam ist. Das bedeutet insbesondere, dass das Verbindungselement reversibel oder irreversibel in mindestens eine Richtung verformt, gebogen oder verbogen werden kann. Bevorzugt kann das Verbindungselement in verschiedene Richtungen verformt, gebogen oder verbogen werden. Das Verbindungselement kann sowohl plastisch als auch elastisch verformt werden. Das Verbindungselement kann somit verbiegbar oder krümmbar sein. Insbesondere weist das Verbindungselement keine starre Form auf. Das kann bedeuten, dass das Verbindungselement verbogen werden kann, ohne dass das Verbindungselement dabei zerstört oder zerbrochen wird. Dass das Verbindungselement dehnbar ist, kann bedeuten, dass die Länge des Verbindungselements reversibel oder irreversibel geändert werden kann. Dabei kann die Länge des Verbindungselements innerhalb eines
Toleranzbereiches geändert werden, ohne dass das
Verbindungselement dabei zerstört wird. Eine Änderung der Länge kann bedeuten, dass die Länge des Verbindungselements verlängert oder verkürzt wird. Somit kann das
Verbindungselement elastisch sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips und das Verbindungselement können mechanisch miteinander verbunden sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Bauteil einen Formkörper, welcher die mindestens zwei optoelektronischen Halbleiterchips und das mindestens eine Verbindungselement zumindest stellenweise umgibt. Der Formkörper kann mittels eines Gieß- und/oder Spritzverfahrens hergestellt werden. Unter diese Verfahren fallen hierbei alle Herstellungsverfahren, bei denen eine Formmasse in eine vorgegebene Form eingebracht wird und insbesondere nachfolgend gehärtet wird. Insbesondere umfasst der Begriff Gieß-Verfahren Gießen (casting) , Spritzgießen (injection molding), Spritzpressen (transfer molding) und Formpressen (compression molding) . Der Formkörper kann an die optoelektronischen Halbleiterchips angeformt werden. Der Formkörper kann in direktem Kontakt mit den
optoelektronischen Halbleiterchips sein. Außerdem kann der Formkörper stellenweise beabstandet zum Verbindungselement angeordnet sein.
Der Formkörper kann ein Polymermaterial, wie zum Beispiel ein Silikon oder mehrere Silikone, aufweisen. Insbesondere ist der Formkörper flexibel und dehnbar. Weiter kann der
Formkörper durchlässig für die von den optoelektronischen Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung sein. Das kann bedeuten, dass der Formkörper transparent oder transluzent für die von den optoelektronischen
Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die optoelektronischen Halbleiterchips jeweils auf einem Träger angeordnet. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen Anschlussträger, eine Leiterplatte, eine bedruckte Leiterplatte oder um einen Wafer handeln. Der Träger kann ein dreidimensionaler Körper sein und
beispielsweise die Form eines Zylinders, einer Scheibe oder eines Quaders aufweisen. Der Träger kann eine
Haupterstreckungsebene aufweisen. Die Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft beispielsweise parallel zu einer
Oberfläche, zum Beispiel einer Deckfläche, des Trägers. Der Träger kann ein Halbleitermaterial aufweisen. Beispielsweise kann der Träger Silizium aufweisen, auf das und/oder in das elektrisch leitende Strukturen wie Leiterbahnen und/oder Kontaktstellen auf- und/oder eingebracht sind. Der Träger kann flexibel sein. Das kann bedeuten, dass der Träger reversibel oder irreversibel in mindestens eine
Richtung biegbar oder biegsam ist. Das bedeutet insbesondere, dass der Träger reversibel oder irreversibel in mindestens eine Richtung verformt, gebogen oder verbogen werden kann. Bevorzugt kann der Träger in verschiedene Richtungen
verformt, gebogen oder verbogen werden. Der Träger kann sowohl plastisch als auch elastisch verformt werden. Der Träger kann somit verbiegbar oder krümmbar sein. Insbesondere weist der Träger keine starre Form auf. Das kann bedeuten, dass der Träger verbogen werden kann, ohne dass der Träger dabei zerstört wird.
Der Formkörper kann den Träger zumindest stellenweise
umgeben. Der Formkörper kann stellenweise in direktem Kontakt mit dem Träger sein. Außerdem kann der Formkörper an den Träger angeformt sein.
Die optoelektronischen Halbleiterchips können mittels einem Klebematerial oder einem Lotmaterial auf jeweils einem Träger befestigt sein. Bei den optoelektronischen Halbleiterchips kann es sich um oberflächenmontierbare Halbleiterchips handeln. Es ist weiter möglich, dass die optoelektronischen Halbleiterchips mindestens einen elektrischen Kontakt an einer dem Träger abgewandten Seite aufweisen, wobei dieser elektrische Kontakt über einen Bonddraht mit dem Träger verbunden ist.
Eine Strahlungsaustrittsseite der optoelektronischen
Halbleiterchips kann eine dem Träger abgewandte Seite sein. Eine Hauptabstrahlrichtung der optoelektronischen
Halbleiterchips kann senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers sein und vom Träger weg zeigen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das optoelektronische Bauteil mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips, die dazu ausgelegt sind im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren, mindestens ein Verbindungselement, welches elektrisch
leitfähig, flexibel und dehnbar ist, und einen Formkörper, welcher die mindestens zwei optoelektronischen
Halbleiterchips und das mindestens eine Verbindungselement zumindest stellenweise umgibt, wobei die optoelektronischen Halbleiterchips jeweils auf einem Träger angeordnet sind.
Dem hier beschriebenen optoelektronischen Bauteil liegt unter anderem die Idee zugrunde, dass eine Dehnbarkeit des
optoelektronischen Bauteils durch die Verwendung von
mindestens einem flexiblen und dehnbaren Verbindungselement ermöglicht werden kann. Das Verbindungselement kann zwischen je zwei optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sein.
Da auch der Formkörper flexibel und dehnbar sein kann, kann das optoelektronische Bauteil insgesamt flexibel und dehnbar sein. Ein flexibles und dehnbares optoelektronisches Bauteil ist in vielen Anwendungen vorteilhaft. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauteil an verschiedene Anwendungen angepasst werden. Zum Beispiel kann ein optoelektronisches Bauteil einer Größe in verschiedenen Anwendungen
verschiedener Größe verwendet werden. Dazu kann das
optoelektronische Bauteil flexibel verbogen werden und die Länge des optoelektronischen Bauteils kann an die jeweilige Anwendung angepasst werden. Außerdem kann das
optoelektronische Bauteil in flexiblen Anwendungen,
beispielsweise Kleidungsstücken, verwendet werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist im Formkörper mindestens eine Kavität gebildet und das mindestens eine Verbindungselement ist in der Kavität angeordnet. Die Kavität ist eine Ausnehmung im Formkörper. Somit ist die Kavität frei vom Material des Formkörpers. Das Volumen der Kavität kann größer als das Volumen des
Verbindungselements sein. Die Kavität kann das
Verbindungselement von verschiedenen Seiten zumindest
stellenweise umgeben. Weiter kann die Kavität direkt an den Formkörper angrenzen. Die Kavität kann mit einem Gas,
beispielsweise mit Luft, gefüllt sein. Daher ist das
Verbindungselement in der Kavität beweglich. Dies ermöglicht ein Verbiegen oder ein Dehnen des Verbindungselements in der Kavität. Durch das Verbiegen oder Dehnen des
Verbindungselements in der Kavität kann auch das gesamte optoelektronische Bauteil gebogen oder gedehnt werden. Es ist weiter möglich, dass das Verbindungselement in der Kavität gestaucht wird, und dass somit auch das optoelektronische Bauteil gestaucht werden kann. „Stauchen" kann in diesem Zusammenhang bedeuten, dass die Länge des Verbindungselements verkürzt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Träger jeweils für die vom jeweils
zugehörigen optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise durchlässig. Das kann bedeuten, dass der Träger transparent oder
transluzent für die vom jeweils zugehörigen
optoelektronischen Halbleiterchip emittierte
elektromagnetische Strahlung ist. Vorteilhafterweise kann somit vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung auch an der Seite des Trägers aus dem optoelektronischen Bauteil austreten. Daher kann insgesamt die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung in verschiedenen Richtungen aus dem optoelektronischen Bauteil austreten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Verbindungselement in Form einer Feder oder einer Spule ausgebildet. Das kann bedeuten, dass das
Verbindungselement mindestens zwei Windungen aufweist. Das Verbindungselement kann in Form eines Drahtes, welcher als Feder oder Spule gewickelt ist, ausgebildet sein. Es ist weiter möglich, dass es sich bei dem Verbindungselement um eine Feder oder eine Spule handelt. Das Verbindungselement kann ein elektrisch leitfähiges Material aufweisen. Dass das Verbindungselement in Form einer Feder oder einer Spule ausgebildet ist, ermöglicht, dass das Verbindungselement flexibel und dehnbar ist. Eine Feder oder eine Spule können in verschiedene Richtungen gebogen werden. Außerdem können eine Feder oder eine Spule in die Länge gezogen oder
gestaucht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Verbindungselement mit mindestens einem der Träger elektrisch verbunden. Der Träger kann einen
elektrischen Kontakt aufweisen, mit welchem das
Verbindungselement elektrisch verbunden ist. Über den
elektrischen Kontakt des Trägers kann der zugehörige
optoelektronische Halbleiterchip mit Energie versorgt werden. Somit können über die elektrische Verbindung zwischen dem Verbindungselement und mindestens einem Träger mehrere optoelektronische Halbleiterchips elektrisch in Serie
geschaltet werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der Formkörper eine Formmasse auf. Die Formmasse kann durchlässig für die von den optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung sein. Das kann bedeuten, dass die Formmasse
transparent oder transluzent für die von den
optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung ist. Die Formmasse kann mittels eines Molding-Verfahrens an die optoelektronischen
Halbleiterchips und die Kavität angeformt sein.
Vorteilhafterweise kann somit die von den optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung oder ein Großteil der von den optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung durch den Formkörper aus dem optoelektronischen Bauteil austreten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist die Formmasse ein Polymermaterial auf. Bei dem Polymermaterial kann es sich um Silikon oder Silikone
handeln. Weiter ist es möglich, dass es sich bei dem
Polymermaterial um ein Material handelt, welches dazu
ausgelegt ist die Wellenlänge der von den optoelektronischen Halbleiterchips emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Vorteilhafterweise ist das Polymermaterial durchlässig für die von den optoelektronischen
Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind in die Formmasse Konversionspartikel und/oder Streupartikel eingebracht. Die Formmasse kann somit ein
Matrixmaterial sein. Die Konversionspartikel können dazu ausgelegt sein die Wellenlänge der von den optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Somit kann die Wellenlänge oder die Farbe der vom optoelektronischen Bauteil im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung eingestellt oder verändert werden. Die Streupartikel können unterschiedliche Formen und Größen aufweisen. Die Streupartikel können
insbesondere strahlungsundurchlässig sein. Das heißt, dass die Streupartikel die von den optoelektronischen
Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung absorbieren oder reflektieren. Es ist auch möglich, dass die von den optoelektronischen Halbleiterchips emittierte
elektromagnetische Strahlung an den Streupartikeln gestreut wird. Somit kann die von den optoelektronischen
Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung vom optoelektronischen Bauteil in verschiedene Richtungen
abgestrahlt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umgibt eine außenseitige Ummantelung den Formkörper. Die Ummantelung kann den Formkörper vollständig umgeben. Die Ummantelung kann als eine Schicht auf den Formkörper
aufgebracht sein. Zum Beispiel weist die Ummantelung Nylon oder Polyester auf. Die Ummantelung kann dazu dienen den Formkörper vor äußeren Umwelteinflüssen zu schützen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die optoelektronischen Halbleiterchips derart angeordnet, dass ihre Hauptabstrahlrichtungen verschieden voneinander sind. Das kann bedeuten, dass einer der
optoelektronischen Halbleiterchips eine Hauptabstrahlrichtung der emittierten elektromagnetischen Strahlung aufweist, welche verschieden von der Hauptabstrahlrichtung eines anderen optoelektronischen Halbleiterchips ist. Dazu kann einer der optoelektronischen Halbleiterchips mit dem
zugehörigen Träger um 180° zu einem anderen optoelektronischen Halbleiterchip mit dessen zugehörigem Träger verdreht angeordnet sein. Durch diese Anordnung kann das optoelektronische Bauteil im Betrieb elektromagnetische Strahlung in verschiedene Richtungen emittieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist auf den Formkörper stellenweise eine dehnbare reflektierende Schicht aufgebracht. Die dehnbare
reflektierende Schicht kann an einer Seite auf den Formkörper aufgebracht sein, welche einer Unterseite des Trägers zugewandt ist, wobei die Unterseite des Trägers dem
optoelektronischen Halbleiterchip abgewandt ist. Die dehnbare reflektierende Schicht kann an der dem Träger zugewandten Seite den Formkörper vollständig bedecken. Dass die dehnbare reflektierende Schicht dehnbar ist, kann bedeuten, dass die dehnbare reflektierende Schicht bei einer Dehnung, Stauchung oder Verbiegung des Formkörpers intakt bleibt. Mit anderen Worten wird die dehnbare reflektierende Schicht bei einer Dehnung, Stauchung oder Verbiegung des Formkörpers nicht beschädigt oder in einzelne Teile zerbrochen. Die dehnbare reflektierende Schicht kann dazu ausgelegt sein von den optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung reflektieren. Dies ermöglicht, dass von den optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung nicht allseitig aus dem Formkörper austritt. Zum Beispiel tritt die von den optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung bevorzugt in einem mittels der reflektierenden Schicht vorgegebenen Teilbereich aus dem optoelektronischen Bauteil aus.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist zwischen jeweils zwei optoelektronischen Halbleiterchips ein Verbindungselement angeordnet. Das kann bedeuten, dass das Verbindungselement mechanisch mit den Trägern der zwei optoelektronischen Halbleiterchips verbunden ist. Weiter kann das Verbindungselement elektrisch mit beiden optoelektronischen Halbleiterchips verbunden sein. Dazu kann das Verbindungselement elektrisch mit den zwei Trägern verbunden sein. Da jeweils ein Verbindungselement zwischen jeweils zwei optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist, ist das optoelektronische Bauteil insgesamt flexibel und dehnbar .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die optoelektronischen Halbleiterchips zwischen einem Verbindungselement und einem weiteren
Verbindungselement angeordnet. Das weitere Verbindungselement kann den gleichen Aufbau wie das Verbindungselement
aufweisen. Der Träger des optoelektronischen Halbleiterchips kann mechanisch mit dem Verbindungselement und dem weiteren Verbindungselement verbunden sein. Weiter kann der
optoelektronische Halbleiterchip elektrisch mit dem
Verbindungselement und dem weiteren Verbindungselement verbunden sein. Dazu kann der Träger des optoelektronischen Halbleiterchips elektrisch mit dem Verbindungselement und dem weiteren Verbindungselement verbunden sein. Da die
optoelektronischen Halbleiterchips zwischen einem
Verbindungselement und einem weiteren Verbindungselement angeordnet sind, ist das optoelektronische Bauteil insgesamt flexibel und dehnbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind eine Vielzahl von optoelektronischen
Halbleiterchips und eine Vielzahl von Verbindungselementen seriell angeordnet. Dabei können die optoelektronischen Halbleiterchips und die Verbindungselemente abwechselnd angeordnet sein. Das kann bedeuten, dass zwischen zwei optoelektronischen Halbleiterchips jeweils ein
Verbindungselement angeordnet ist und dass zwischen zwei Verbindungselementen jeweils ein optoelektronischer
Halbleiterchip angeordnet ist. Die optoelektronischen
Halbleiterchips und die Verbindungselemente können elektrisch seriell verbunden sein. Insgesamt kann das optoelektronische Bauteil mindestens zehn optoelektronische Halbleiterchips aufweisen. Weiter kann das optoelektronische Bauteil
höchstens 70 optoelektronische Halbleiterchips aufweisen. Somit kann es sich bei dem optoelektronischen Bauteil um eine Kette handeln, welche dazu ausgelegt ist im Betrieb
elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die Länge des optoelektronischen Bauteils kann mindestens 10 mm und
höchstens 50 cm betragen. Ein Querschnitt durch das
optoelektronische Bauteil kann höchstens 1 cm betragen. Da das optoelektronische Bauteil flexibel und dehnbar ist, kann es an verschiedene Geometrien angepasst werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind eine Vielzahl von optoelektronischen
Halbleiterchips und eine Vielzahl von Verbindungselementen entlang eines Rings angeordnet sind. Bei dem Ring kann es sich um eine geschlossene Kette von optoelektronischen
Halbleiterchips und Verbindungselementen handeln. Dabei können die optoelektronischen Halbleiterchips und die
Verbindungselemente jeweils abwechselnd angeordnet sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips und die
Verbindungselemente können elektrisch seriell verbunden sein. Das optoelektronische Bauteil kann höchstens zehn
optoelektronische Halbleiterchips aufweisen. Da das
optoelektronische Bauteil flexibel und dehnbar ist, kann der Ring von optoelektronischen Halbleiterchips und
Verbindungselementen an verschiedene Geometrien angepasst werden .
Es wird außerdem eine optoelektronische Komponente angegeben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Komponente umfasst die optoelektronische Komponente ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauteil und eine
Energieversorgung, mit welcher das optoelektronische Bauteil elektrisch verbunden ist. Mindestens einer der
optoelektronischen Halbleiterchips oder mindestens ein
Verbindungselement ist elektrisch mit der Energieversorgung verbunden. Die Energieversorgung ist insbesondere dazu ausgelegt die optoelektronischen Halbleiterchips mit Energie zu versorgen.
Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Bauteils angegeben. Das optoelektronische Bauteil ist bevorzugt mit einem hier beschriebenen Verfahren herstellbar. Mit anderen Worten, sämtliche für das
optoelektronische Bauteil offenbarte Merkmale sind auch für das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauteils offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips auf jeweils einem Träger bereitgestellt werden, wobei die optoelektronischen
Halbleiterchips dazu ausgelegt sind im Betrieb
elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die
optoelektronischen Halbleiterchips können jeweils durch
Kleben oder Löten am Träger befestigt sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem mindestens ein Verbindungselement, welches elektrisch leitfähig, flexibel und dehnbar ist, bereit gestellt wird. Das Verbindungselement kann mechanisch mit zwei Trägern verbunden sein. Das
bedeutet, dass das Verbindungselement zwischen jeweils zwei Trägern angeordnet sein kann. Somit können die Träger mit den optoelektronischen Halbleiterchips und das mindestens eine Verbindungselement als eine Kette miteinander verbunden sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem die
optoelektronischen Halbleiterchips und das Verbindungselement zumindest stellenweise mit einem Formkörper umformt werden. Die optoelektronischen Halbleiterchips und das
Verbindungselement können durch den Formkörper mittels eines Gieß- und/oder Spritzverfahrens umformt werden. Dazu kann eine Formmasse in eine vorgegebene Form eingebracht werden und nachfolgend gehärtet werden.
Ein derart hergestelltes optoelektronisches Bauteil kann insgesamt flexibel und dehnbar sein. Damit kann das
optoelektronische Bauteil in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden. Insbesondere kann das optoelektronische Bauteil an verschiedene und komplizierte Geometrien angepasst werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Umformen der optoelektronischen Halbleiterchips und des Verbindungselements mit dem Formkörper mindestens eine
Kavität im Formkörper ausgebildet. Das Verbindungselement kann in der Kavität angeordnet sein. Die Kavität kann derart angeordnet sein, dass der Formkörper zumindest stellenweise beabstandet zum Verbindungselement angeordnet ist. Außerdem kann der Formkörper in direktem Kontakt mit den
optoelektronischen Halbleiterchips sein. Da das
Verbindungselement in der Kavität angeordnet ist, welche frei vom Formkörper ist, kann sich das Verbindungselement frei bewegen. Durch die Möglichkeit des Verbindungselements sich in der Kavität frei zu bewegen, ist auch das
optoelektronische Bauteil flexibel und dehnbar.
Im Folgenden werden das hier beschriebene optoelektronische Bauteil und das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils in Verbindung mit
Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauteil gemäß einem Ausführungsbeispiel.
In den Figuren 2, 3 und 4 sind schematische Querschnitte durch zwei weitere Ausführungsbeispiele des
optoelektronischen Bauteils gezeigt.
In den Figuren 5, 6A und 6B sind verschiedene Anwendungen von Ausführungsbeispielen des optoelektronischen Bauteils
gezeigt .
In den Figuren 7A und 7B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils schematisch dargestellt.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
In Figur 1 ist ein schematischer Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauteil 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Der schematische Querschnitt zeigt lediglich einen Ausschnitt des optoelektronischen Bauteils 20, was durch gestrichelte Linien am Rand dargestellt ist. Der gezeigte Aufbau des optoelektronischen Bauteils 20 kann sich somit an die gestrichelten Linien anschließend beliebig fortsetzen.
Das optoelektronische Bauteil 20 weist eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 21 auf. Die
optoelektronischen Halbleiterchips 21 sind dazu ausgelegt im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die
Hauptabstrahlrichtungen der optoelektronischen
Halbleiterchips 21 sind gleich oder ungefähr gleich. Jeder der optoelektronischen Halbleiterchips 21 ist auf einem
Träger 24 angeordnet. Die Träger 24 sind durchlässig für die vom jeweils zugehörigen optoelektronischen Halbleiterchip 21 emittierte elektromagnetische Strahlung.
Das optoelektronische Bauteil 20 weist weiter mindestens ein Verbindungselement 22 auf. Zudem weist das optoelektronische Bauteil 20 zwei weitere Verbindungselemente 28 auf. Die
Verbindungselemente 22, 28 sind elektrisch leitfähig, flexibel und dehnbar. Jedes der Verbindungselemente 22, 28 ist in Form einer Feder oder einer Spule ausgebildet und weist eine Haupterstreckungsrichtung x auf. Außerdem sind die Verbindungselemente 22, 28 mit mindestens einem Träger 24 elektrisch verbunden. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Verbindungselemente 22, 28 elektrisch mit den jeweils
benachbarten Trägern 24 verbunden. Das bedeutet vorzugsweise, dass jedes Verbindungselement 22, 28 mechanisch mit zwei Trägern 24 verbunden ist. Somit ist zwischen jeweils zwei optoelektronischen Halbleiterchips 21 ein Verbindungselement 22, 28 angeordnet. Zudem sind die optoelektronischen
Halbleiterchips 21 jeweils zwischen einem Verbindungselement 22 und einem weiteren Verbindungselement 28 angeordnet.
Insgesamt ist somit eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 21 und eine Vielzahl von Verbindungselementen 22, 28 seriell oder in Form einer Kette angeordnet.
Das optoelektronische Bauteil 20 umfasst weiter einen
Formkörper 23. Der Formkörper 23 umgibt die
optoelektronischen Halbleiterchips 21 und das mindestens eine Verbindungselement 22 zumindest stellenweise. Außerdem umgibt der Formkörper 23 die weiteren Verbindungselemente 28
zumindest stellenweise. Der Formkörper 23 weist eine
Formmasse auf, welche ein Polymermaterial aufweist. In die Formmasse können Konversionspartikel und/oder Streupartikel eingebracht sein. Im Formkörper 23 sind Kavitäten 25
gebildet. Die Verbindungselemente 22, 28 sind jeweils in den zugeordneten Kavitäten 25 angeordnet. Die Kavitäten 25 sind frei von der Formmasse. In einem Querschnitt, welcher
senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung x der
Verbindungselemente 22, 28 verläuft, umgibt eine Kavität 25 das jeweils zugeordnete Verbindungselement 22, 28
vollständig .
Das optoelektronische Bauteil 20 umfasst weiter eine
Ummantelung 26. Die Ummantelung 26 umgibt den Formkörper 23 vollständig . Das in Figur 1 gezeigte optoelektronische Bauteil 20 kann hergestellt werden, indem die optoelektronischen
Halbleiterchips 21 auf den Trägern 24 bereitgestellt werden. Außerdem werden die Verbindungselemente 22, 28 bereitgestellt und mit den Trägern 24 elektrisch und mechanisch verbunden. Anschließend werden die optoelektronischen Halbleiterchips 21 und die Verbindungselemente 22, 28 zumindest stellenweise mit dem Formkörper 23 mittels eines Gieß- und/oder
Spritzverfahrens umformt. Dazu wird die Formmasse in eine vorgegebene Form eingebracht und nachfolgend gehärtet. Vor dem Umformen der optoelektronischen Halbleiterchips 21 und der Verbindungselemente 22, 28 mit dem Formkörper 23 werden die Kavitäten 25 im Formkörper 23 ausgebildet.
In Figur 2 ist ein schematischer Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 20 gezeigt. Im Unterschied zu dem in Figur 1 gezeigten
Ausführungsbeispiel sind die Hauptabstrahlrichtungen der optoelektronischen Halbleiterchips 21 verschieden
voneinander. Dazu sind zwei der Träger 24 mit den
optoelektronischen Halbleiterchips 21 um 180° gedreht zu den anderen zwei Trägern 24 mit den optoelektronischen
Halbleiterchips 21 angeordnet. Das bedeutet, dass die
Hauptabstrahlrichtungen von zwei benachbarten
optoelektronischen Halbleiterchips 21 entgegengesetzt
zueinander verlaufen. Auf diese Art und Weise kann das optoelektronische Bauteil 20 elektromagnetische Strahlung in verschiedene Richtungen emittieren. Die Abstrahlung des optoelektronischen Bauteils 20 kann homogen sein.
Außerdem weist das optoelektronische Bauteil 20 im Vergleich zu dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel keine Ummantelung 26 auf. Bei der Ummantelung 26 handelt es sich um eine optionale zusätzliche Schutzschicht.
In Figur 3 ist ein schematischer Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 20 gezeigt. Im Vergleich zu dem in Figur 1 gezeigten
Ausführungsbeispiel weist das optoelektronische Bauteil 20 keine Ummantelung 26 auf.
In Figur 4 ist ein schematischer Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 20 gezeigt. Der Querschnitt verläuft senkrecht zur
Haupterstreckungsrichtung x der Verbindungselemente 22, 28. Die Ebene des Querschnitts verläuft durch einen der
optoelektronischen Halbleiterchips 21. Der optoelektronische Halbleiterchip 21 ist auf dem Träger 24 angeordnet. Der
Formkörper 23 umgibt den optoelektronischen Halbleiterchip 21 und den Träger 24. Der Formkörper 23 weist im Querschnitt die Form eines Kreises auf. Auf den Formkörper 23 ist
stellenweise eine dehnbare reflektierende Schicht 27
aufgebracht. Die dehnbare reflektierende Schicht 27 ist an einer Seite des Formkörpers 23 aufgebracht, welche einer Unterseite 29 des Trägers 24 zugewandt ist, wobei die
Unterseite 29 dem optoelektronischen Halbleiterchip 21 abgewandt ist. Die dehnbare reflektierende Schicht 27 bedeckt etwa den halben Umfang des Querschnitts durch den Formkörper 23. Daher ist der Formkörper 23 stellenweise frei von der dehnbaren reflektierenden Schicht 27. Der Formkörper 23 ist an einer dem optoelektronischen Halbleiterchip 21 zugewandten Seite frei von der dehnbaren reflektierenden Schicht 27. Die dehnbare reflektierende Schicht 27 ist dazu ausgelegt vom optoelektronischen Halbleiterchip 21 emittierte
elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Das optoelektronische Bauteil 20 strahlt somit nur an der Seite, welche frei von der dehnbaren reflektierenden Schicht 27 ist, elektromagnetische Strahlung ab.
In Figur 5 ist die Anwendung des optoelektronischen Bauteils 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel in einer Textilie gezeigt. Das optoelektronische Bauteil 20 ist durch einen Web-Prozess in die Textilie eingebettet. Bei der Textilie kann es sich um ein Kleidungsstück handeln.
In Figur 6A ist eine weitere Anwendung des optoelektronischen Bauteils 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. In dieser Anwendung ist eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen 20 in einer Leuchte 30 angeordnet. Da die
optoelektronischen Bauteile 20 flexibel und dehnbar sind, kann eine komplexe Geometrie der Leuchte 30 erreicht werden.
In Figur 6B ist eine weitere Anwendung von optoelektronischen Bauteilen 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel in einer Leuchte 30 gezeigt. Auch in diesem Fall ermöglichen die Flexibilität und Dehnbarkeit der optoelektronischen Bauteile 20 eine komplexe Geometrie der Leuchte 30.
In Figur 7A ist ein schematischer Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 20 gezeigt. Der Aufbau des optoelektronischen Bauteils 20 ist vereinfacht dargestellt und entspricht dem in Figur 3
gezeigten Aufbau. Das optoelektronische Bauteil 20 weist insgesamt acht optoelektronische Halbleiterchips 21 auf.
Somit ist eine Vielzahl von optoelektronischen
Halbleiterchips 21 und eine Vielzahl von Verbindungselementen 22, 28 entlang eines Rings angeordnet. Da das
optoelektronische Bauteil 20 flexibel und dehnbar ist, kann der Durchmesser des Rings verändert werden, was durch die vier Pfeile dargestellt ist.
In Figur 7B ist das in Figur 7A gezeigte Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 20 auf einer Kamera
angeordnet gezeigt. Bei der Kamera handelt es sich zum
Beispiel um eine Kamera von einem Smartphone . Es sind zwei Kameras mit verschiedenen Durchmessern gezeigt. Da das optoelektronische Bauteil 20 flexibel und dehnbar ist, kann es auf beiden Kameras angeordnet werden. Somit kann das optoelektronische Bauteil 20 bei einer Vielzahl von
unterschiedlich großen Kameras als Blitzlicht verwendet werden .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102018124751.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste
20 optoelektronisches Bauteil
21 optoelektronischer Halbleiterchip
22 Verbindungselement
23 Formkörper
24 Träger
25 Kavität
26 Ummantelung
27 dehnbare reflektierende Schicht
28 weiteres Verbindungselement
29 Unterseite
30 Leuchte
x : HaupterStreckungsrichtung

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauteil (20) mit:
- mindestens zwei optoelektronischen Halbleiterchips (21), die dazu ausgelegt sind im Betrieb elektromagnetische
Strahlung zu emittieren,
- mindestens einem Verbindungselement (22), welches
elektrisch leitfähig, flexibel und dehnbar ist, und
- einem Formkörper (23) , welcher die mindestens zwei
optoelektronischen Halbleiterchips (21) und das mindestens eine Verbindungselement (22) zumindest stellenweise umgibt, wobei
- die optoelektronischen Halbleiterchips (21) jeweils auf einem Träger (24) angeordnet sind,
- der Formkörper an die optoelektronischen Halbleiterchips und/oder den Träger angeformt ist, und
- im Formkörper (23) mindestens eine Kavität (25) gebildet ist, und
- das mindestens eine Verbindungselement (22) in der Kavität (25) angeordnet ist.
2. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß Anspruch 1, bei dem der Formkörper (23) mit einem Gieß- und/oder Spritzverfahren gebildet ist.
3. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Träger (24) jeweils für die vom jeweils zugehörigen optoelektronischen Halbleiterchip (21) emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise durchlässig sind.
4. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Verbindungselement (22) in Form einer Feder oder einer Spule ausgebildet ist.
5. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Verbindungselement (22) mit mindestens einem der Träger (24) elektrisch verbunden ist.
6. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der Formkörper (23) eine Formmasse
aufweist .
7. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß dem vorherigen
Anspruch, bei dem die Formmasse ein Polymermaterial aufweist.
8. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der zwei vorherigen Ansprüche, bei dem in die Formmasse
Konversionspartikel und/oder Streupartikel eingebracht sind.
9. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem eine außenseitige Ummantelung (26) den Formkörper (23) umgibt.
10. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der
vorherigen Ansprüche, bei dem die optoelektronischen
Halbleiterchips (21) derart angeordnet sind, dass ihre
Hauptabstrahlrichtungen verschieden voneinander sind.
11. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der
vorherigen Ansprüche, bei dem auf den Formkörper (23)
stellenweise eine dehnbare reflektierende Schicht (27) aufgebracht ist.
12. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der
vorherigen Ansprüche, bei dem zwischen jeweils zwei
optoelektronischen Halbleiterchips (21) ein
Verbindungselement (22) angeordnet ist.
13. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der
vorherigen Ansprüche, bei dem die optoelektronischen
Halbleiterchips (21) zwischen einem Verbindungselement (22) und einem weiteren Verbindungselement (28) angeordnet sind.
14. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der
vorherigen Ansprüche, bei dem eine Vielzahl von
optoelektronischen Halbleiterchips (21) und eine Vielzahl von Verbindungselementen (22) seriell angeordnet sind.
15. Optoelektronisches Bauteil (20) gemäß einem der
vorherigen Ansprüche, bei dem eine Vielzahl von
optoelektronischen Halbleiterchips (21) und eine Vielzahl von Verbindungselementen (22) entlang eines Rings angeordnet sind .
16. Optoelektronische Komponente mit:
- einem optoelektronischen Bauteil (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, und
- einer Energieversorgung, mit welcher das optoelektronische Bauteil (20) elektrisch verbunden ist.
17. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauteils (20) mit den Schritten:
- Bereitstellen von mindestens zwei optoelektronischen
Halbleiterchips (21) auf jeweils einem Träger (24), wobei die optoelektronischen Halbleiterchips (21) dazu ausgelegt sind im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren, - Bereitstellen von mindestens einem Verbindungselement (22), welches elektrisch leitfähig, flexibel und dehnbar ist, und
- zumindest stellenweises Umformen der optoelektronischen Halbleiterchips (21) und des Verbindungselements (22) mit einem Formkörper (23) , wobei
- vor dem Umformen der optoelektronischen Halbleiterchips (21) und des Verbindungselements (22) mit dem Formkörper (23) mindestens eine Kavität (25) im Formkörper (23) ausgebildet wird, und
- das mindestens eine Verbindungselement (22) in der Kavität
(25) angeordnet ist.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020124011A1 (de) 2020-09-15 2022-03-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung mit einem dreidimensionalen körper und einem an dem körper befestigten träger

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4581687A (en) * 1984-05-16 1986-04-08 Abc Trading Company, Ltd. Lighting means for illuminative or decorative purpose and modular lighting tube used therefor
EP1357330A2 (de) * 2002-04-25 2003-10-29 Yuan Lin Flexible Beleuchtungsleiste und Verfahren zur deren Herstellung
US20130107514A1 (en) * 2011-10-24 2013-05-02 Daniel S. McNabb Flexible trouble light
US20130249394A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Lux Lighting Systems Llc Light emitting diode lighting system
US20150338080A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 Moore Holding Group, LLC Rugged light assembly having improved resiliency and method for making the same
EP3136829A1 (de) * 2015-08-27 2017-03-01 GE Lighting Solutions, LLC Verfahren und system für einen dreidimensionalen (3d) flexiblen lichtemittierenden dioden (led)-stab

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW558804B (en) * 2002-04-16 2003-10-21 Yuan Lin Flexible light emitting device and the manufacturing method thereof
TWI244535B (en) 2004-03-24 2005-12-01 Yuan Lin A full color and flexible illuminating strap device
CN100568025C (zh) 2005-08-26 2009-12-09 松下电器产业株式会社 反射体以及具备该反射体的装置
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102012105176B4 (de) * 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
CN105324841A (zh) * 2013-02-06 2016-02-10 伊利诺伊大学评议会 用于可拉伸的电子器件的自相似和分形设计
DE102013107722A1 (de) * 2013-07-19 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102014108368A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015102407A1 (de) 2015-02-20 2016-09-08 Deutsche Institute Für Textil- Und Faserforschung Denkendorf Flexible Flächenleuchte, insbesondere zur Verwendung in einem Bekleidungsstück
US9841548B2 (en) * 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
US10477688B2 (en) 2015-12-24 2019-11-12 Intel Corporation Stretchable electronic assembly

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4581687A (en) * 1984-05-16 1986-04-08 Abc Trading Company, Ltd. Lighting means for illuminative or decorative purpose and modular lighting tube used therefor
EP1357330A2 (de) * 2002-04-25 2003-10-29 Yuan Lin Flexible Beleuchtungsleiste und Verfahren zur deren Herstellung
US20130107514A1 (en) * 2011-10-24 2013-05-02 Daniel S. McNabb Flexible trouble light
US20130249394A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Lux Lighting Systems Llc Light emitting diode lighting system
US20150338080A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 Moore Holding Group, LLC Rugged light assembly having improved resiliency and method for making the same
EP3136829A1 (de) * 2015-08-27 2017-03-01 GE Lighting Solutions, LLC Verfahren und system für einen dreidimensionalen (3d) flexiblen lichtemittierenden dioden (led)-stab

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