WO2020045147A1 - 発光装置および表示装置 - Google Patents

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light emitting
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卓矢 中村
直樹 小川
博之 柏原
剣人 小林
利昭 長谷川
保宏 水間
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/80—Constructional details
    • H10H29/85—Packages
    • H10H29/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H29/8552—Light absorbing arrangements, e.g. black matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/80—Constructional details
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    • H10H29/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations

Definitions

  • the present technology relates to a light emitting device and a display device having a light emitting element and a semiconductor element on a substrate.
  • Light emitting elements such as a light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) are applied to various devices (for example, see Patent Document 1).
  • LED Light Emitting Diode
  • a plurality of light emitting elements and a plurality of semiconductor elements are provided on a substrate.
  • the semiconductor element is, for example, an IC (Integrated Circuit) chip or the like.
  • a light-emitting device includes a substrate, a light-emitting element provided on the substrate, and a multi-layer wiring layer and a semiconductor layer provided on the substrate in this order from the substrate side.
  • a semiconductor element having a light-shielding portion for suppressing light from entering the element, wherein the light-shielding portion is provided between the first light-shielding surface and the multilayer wiring layer facing the substrate with the semiconductor layer interposed therebetween.
  • a second light-shielding surface arranged in a direction intersecting the first light-shielding surface.
  • a display device includes the light emitting device according to the embodiment of the present technology.
  • the semiconductor element is provided with the light shielding portion that suppresses the incidence of light from the light emitting element, the incidence of light from the light emitting element to the semiconductor element is suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a display device according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of an overall circuit configuration of the display device illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a driving IC illustrated in FIG. 1 in an enlarged manner.
  • FIG. 4 is a schematic sectional view illustrating a configuration of a terminal region of the drive IC illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a bump connecting the drive IC and the substrate illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic plan view illustrating a configuration of a first light shielding surface illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic plan view illustrating a configuration of a groove illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 7 is a schematic view illustrating another example (1) of the planar configuration of the groove illustrated in FIG. 6.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating another example (2) of the planar configuration of the groove illustrated in FIG. 6.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating another example (1) of the cross-sectional configuration of the groove illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating another example (2) of the cross-sectional configuration of the groove illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating another example (3) of the cross-sectional configuration of the groove illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating another example (1) of a cross-sectional configuration of a light-shielding portion illustrated in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating another example (2) of a cross-sectional configuration of the light-shielding portion illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating another example (3) of a cross-sectional configuration of a light-shielding portion illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating another example (4) of a cross-sectional configuration of the light-shielding portion illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating one process of a method of manufacturing the drive IC illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 13B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 13A.
  • FIG. 13C is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 13B.
  • FIG. 13B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 13B.
  • FIG. 13C is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 13C.
  • FIG. 13C is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 13D.
  • FIG. 13C is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 13E.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a display device according to a comparative example.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a path of light emitted from the light emitting element illustrated in FIG. 1.
  • 13 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a drive IC according to Modification Example 1.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a drive IC according to Modification Example 2.
  • FIG. FIG. 18 is a schematic cross-sectional view illustrating another example of the configuration of the drive IC illustrated in FIG. 17.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a relationship between a thickness of a light shielding portion illustrated in FIG. 18 and a transmittance of light to a semiconductor layer.
  • FIG. 18 is a schematic sectional view illustrating one step of a method for manufacturing the drive IC illustrated in FIG. 17 and the like.
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view illustrating another example of the method for manufacturing the drive IC illustrated in FIG. 20.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a display device according to a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a display device according to a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 23 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 22.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view illustrating one process of a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 22.
  • FIG. 25B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 24A.
  • 13 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a display device according to Modification Example 3.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a display device according to Modification Example 4.
  • FIG. FIG. 26 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 25.
  • FIG. 27 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 26.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a display device according to a third embodiment of the present technology.
  • FIG. 30 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 29.
  • FIG. 30 is a schematic diagram illustrating a planar configuration of a groove illustrated in FIG. 29 and the like.
  • FIG. 30 is a schematic diagram illustrating another example of the planar configuration of the groove illustrated in FIG. 29 and the like.
  • FIG. 30 is a schematic diagram illustrating another example (1) of the cross-sectional configuration of the groove illustrated in FIG. 29 and the like.
  • FIG. 30 is a schematic diagram illustrating another example (2) of the cross-sectional configuration of the groove illustrated in FIG. 29 and the like.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view illustrating an example in which the display device illustrated in FIG. 29 or the like includes an antireflection film.
  • FIG. 34B is a schematic sectional view illustrating another example of the configuration of the antireflection film illustrated in FIG. 34A.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view illustrating one process of a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 29.
  • FIG. 35C is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 35A.
  • 15 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a display device according to Modification Example 5.
  • FIG. FIG. 37 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 36.
  • FIG. 39 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 38.
  • FIG. 39 is a schematic cross-sectional view illustrating one process of a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 38.
  • FIG. 40C is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 40A.
  • FIG. 40 is a schematic sectional view illustrating another example (1) of the method of manufacturing the display device illustrated in FIGS. 40A and 40B.
  • FIG. 39 is a schematic sectional view illustrating another example (2) of the method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 38.
  • FIG. 42B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 42A.
  • FIG. 39 is a schematic cross-sectional view illustrating another example (3) of the method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 38.
  • FIG. 43B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 43A.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a display device according to a fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 45 is a schematic sectional view illustrating another example (1) of the display device illustrated in FIG. 44.
  • FIG. 45 is a schematic sectional view illustrating another example (2) of the display device illustrated in FIG. 44. It is a cross section showing the composition of the principal section of the display concerning a 6th embodiment of this art.
  • FIG. 48 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 47.
  • FIG. 48 is a schematic sectional view illustrating another example of the display device illustrated in FIG. 47.
  • FIG. 48 is a schematic view illustrating another example of the cross-sectional configuration of the light-blocking member illustrated in FIG. 47 and the like.
  • FIG. 48 is a schematic view illustrating an example of a planar configuration of a light shielding member illustrated in FIG. 47 and the like.
  • FIG. 50B is a schematic view illustrating another example (1) of the planar configuration of the light shielding member illustrated in FIG. 50A.
  • FIG. 50B is a schematic view illustrating another example (2) of the planar configuration of the light shielding member illustrated in FIG. 50A.
  • FIG. 50B is a schematic view illustrating another example (3) of the planar configuration of the light shielding member illustrated in FIG. 50A.
  • FIG. 50B is a schematic view illustrating another example (4) of the planar configuration of the light shielding member illustrated in FIG. 50A.
  • FIG. 48 is a schematic sectional view illustrating one step of a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 47 and the like.
  • FIG. 52B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 52A.
  • FIG. 53 is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 52B.
  • FIG. 52C is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 52C.
  • FIG. 53D is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 52D.
  • FIG. 52 is a schematic cross-sectional view illustrating another example of a method for manufacturing the display device illustrated in FIGS. 52A to 52E.
  • FIG. 53B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 53A.
  • FIG. 53B is a schematic sectional view illustrating a step following FIG. 53B.
  • First embodiment display device including semiconductor element having light-shielding portion
  • Modification 1 an example in which the light-shielding portion has a third light-shielding surface in addition to the first light-shielding surface and the second light-shielding surface
  • Modification 2 an example in which the light shielding portion is made of an inorganic insulating material
  • Second embodiment display device having a protective layer provided with a thick film portion and a thin film portion
  • Modification 3 an example in which the surface of the thin film portion has a lens shape
  • Modified example 4 (an example having a dug portion in a thin film portion) 7.
  • Third embodiment (display device having light-shielding film embedded in groove of protective layer) 8.
  • Modification 5 (an example in which a light-shielding film is embedded in an opening of a protective layer) 9.
  • Fourth embodiment (display device having a protective layer provided with a plurality of irregularities on the surface) 10.
  • Fifth embodiment (display device having protective layer including low refractive index film and high refractive index film) 11.
  • Sixth embodiment (display device having light blocking member between light emitting element and semiconductor element)
  • FIG. 1 schematically illustrates a cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 1) according to a first embodiment of the present technology.
  • the display device 1 includes, for example, a package 12 and a drive IC 13 on a substrate 11.
  • the package 12 includes, for example, three light-emitting elements (light-emitting elements 12R, 12G, and 12B) and a protective body P that covers the light-emitting elements 12R, 12G, and 12B.
  • the display device 1 further includes, on the substrate 11, a protective layer 14 covering the package 12 and the driving IC 13, and a light-shielding film 15 on the protective layer 14.
  • the light-shielding film 15 has an opening 15 ⁇ / b> A in a region facing the package 12.
  • the drive IC 13 is a specific example of a semiconductor element of the present technology
  • the display device 1 is a specific example of a light emitting device of the present technology.
  • FIG. 2 shows an example of the overall circuit configuration of the display device 1.
  • a plurality of pixels 10 are arranged in a matrix.
  • Each of the plurality of pixels 10 includes a package 12 and a driving IC 13.
  • the display device 1 has, for example, a plurality of signal lines (data lines Sig) extending in the column direction and a plurality of selection lines (gate lines Gate) extending in the row direction, for example.
  • the data line Sig and the gate line Gate are formed of, for example, copper.
  • the display device 1 further includes a plurality of saw voltage lines Saw, a plurality of power lines VDD1 and VDD2, a plurality of reference voltage lines Ref1 and Ref2, and a plurality of ground lines GND.
  • Each saw voltage line Saw extends, for example, in the row direction.
  • Each power supply line VDD1, each power supply line VDD2, each reference voltage line Ref1, each reference voltage line Ref2, and each ground line GND extend, for example, in the column direction.
  • At least one of the sawtooth voltage line Saw, the power supply lines VDD1 and VDD2, the reference voltage lines Ref1 and Ref2, and the ground line GND may be omitted depending on the driving method.
  • the saw voltage line Saw, the power lines VDD1 and VDD2, the reference voltage lines Ref1 and Ref2, and the ground line GND are formed of, for example, copper.
  • Each data line Sig is a wiring to which a signal corresponding to a video signal is input by a control circuit (not shown).
  • the signal corresponding to the video signal controls, for example, the light emission luminance of the light emitting elements 12R, 12G, and 12B.
  • the plurality of data lines Sig include, for example, wiring of a type corresponding to the number of emission colors of the package 12.
  • the plurality of data lines Sig include, for example, a plurality of data lines SigR, a plurality of data lines SigG, and a plurality of data lines.
  • SigB is a wiring to which a signal corresponding to a video signal is input by a control circuit (not shown).
  • the signal corresponding to the video signal controls, for example, the light emission luminance of the light emitting elements 12R, 12G, and 12B.
  • the plurality of data lines Sig include, for example, wiring of a type corresponding to the number of emission colors of the package 12.
  • Each data line SigR is a wiring to which a signal corresponding to a red video signal is input by a control circuit.
  • Each data line SigG is a wiring to which a signal corresponding to a green video signal is input by a control circuit.
  • Each data line SigB is a wiring to which a signal corresponding to a blue video signal is input by a control circuit.
  • the light emission color of the package 12 is not limited to three colors (R, G, B), but may be four or more colors (R, G, B, W).
  • the plurality of data lines Sig include a plurality of data lines SigR, a plurality of data lines SigG, and a plurality of data lines SigB, one data line SigR, one data line SigG, and one data line SigB. Is assigned to each pixel column, for example.
  • the set of data lines Sig is assigned to each of a plurality of pixel columns. Further, depending on the driving method, the set of data lines Sig can be replaced with a single data line Sig.
  • Each gate line Gate is a wiring to which a signal for selecting the package 12 is input by the control circuit.
  • the signal for selecting the package 12 is, for example, a signal that starts sampling a signal input to the data line Sig, causes the sampled signal to be input to the package 12, and causes the package 12 to start emitting light.
  • One gate line Gate is allocated, for example, for each pixel row.
  • Each saw voltage line Saw is a wiring to which a signal having a saw-like waveform is input by the control circuit, for example.
  • the signal having the sawtooth waveform is compared with the sampled signal.For example, the signal having the sawtooth waveform is sampled only while the peak value of the signal having the sawtooth waveform is higher than the peak value of the sampled signal.
  • a signal is input to the package 12.
  • One saw voltage line Saw is allocated, for example, every two pixel rows.
  • Each power supply line VDD2 is a wiring to which a drive current supplied to the package 12 is input by the control circuit.
  • One power supply line VDD2 is allocated, for example, for every two pixel columns.
  • Each power supply line VDD1, each reference voltage line Ref1, each reference voltage line Ref2, and each ground line GND are wirings to which a fixed voltage is input by the control circuit.
  • a ground potential is input to each ground line GND.
  • One power supply line VDD1 is allocated, for example, for every two pixel columns.
  • One reference voltage line Ref1 is assigned, for example, every two pixel columns.
  • One reference voltage line Ref2 is assigned, for example, every two pixel columns.
  • One ground line GND is assigned, for example, for every two pixel columns.
  • the substrate 11 (FIG. 1) is for mounting a plurality of packages 12 and a plurality of driving ICs 13, and is made of, for example, a glass substrate or a resin substrate.
  • the substrate 11 may be constituted by a printed circuit board.
  • the substrate 11 may be provided with wiring constituting the above circuit.
  • the light emitting elements 12R, 12G, and 12B (FIG. 1) of the package 12 are, for example, light emitting elements that emit light in different wavelength ranges, and include an inorganic semiconductor material.
  • the light emitting element 12R is an LED chip that emits light in a red wavelength range
  • the light emitting element 12G is an LED chip that emits light in a green wavelength range
  • the light emitting element 12B is an LED chip that emits light in a blue wavelength range. It is.
  • the light emitting elements 12R, 12G, and 12B include, for example, an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, an n-type electrode, and a p-type electrode.
  • the protective body P covering the light emitting elements 12R, 12G, 12B is made of, for example, a resin material.
  • the package 12 is electrically connected to the drive IC 13 (FIG. 2).
  • One electrode (for example, an n-type electrode) of each of the light emitting elements 12R, 12G, and 12B is electrically connected to the drive IC 13 via, for example, a pad electrode (not shown).
  • the other electrode (for example, a p-type electrode) of each of the light emitting elements 12R, 12G, and 12B is electrically connected to a ground line GND via, for example, a pad electrode (not shown).
  • the drive IC 13 electrically connected to the package 12 is for controlling light emission of the light emitting elements 12R, 12G, and 12B.
  • the drive IC 13 is electrically connected to the package 12, and is also electrically connected to the data line Sig, the power supply line VDD1, and the gate line Gate (FIG. 2).
  • the specific configuration of the driving IC 13 will be described later.
  • the protective layer 14 is provided, for example, over the entire surface of the substrate 11 so as to cover the plurality of packages 12 and the plurality of drive ICs 13 (FIG. 1).
  • the protective layer 14 is for protecting the package 12 and the driving IC 13, and is made of an insulating organic material or an insulating inorganic material.
  • the insulating organic material include silicone and the like.
  • the insulating inorganic material include silicon oxide (SiO) and silicon nitride (SiN).
  • the light-shielding film 15 faces the substrate 11 with the protective layer 14 interposed therebetween.
  • This light shielding film 15 is a so-called black mask.
  • the opening 15A provided in the light shielding film 15 is for taking out light emitted from each package 12 (light emitting elements 12R, 12G, 12B), and is arranged in a region facing each package 12. .
  • the size of the opening 15A is such that light emitted from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B can be sufficiently extracted.
  • the light shielding film 15 is made of, for example, a resin material containing carbon black, for example.
  • the light-shielding film 15 may be made of, for example, a metal material such as titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tungsten (W), and molybdenum (Mo).
  • FIG. 3 is an enlarged view of the driving IC 13 shown in FIG. 1 together with the substrate 11.
  • the drive IC 13 has, for example, a multilayer wiring layer 131, a semiconductor layer 132, an inorganic insulating layer 133, and an organic insulating layer 134 in this order from the substrate 11 side.
  • the drive IC 13 has a size of, for example, about 200 ⁇ m square.
  • the multilayer wiring layer 131 includes, for example, a plurality of wirings 131W and an interlayer insulating film 131Z.
  • the plurality of wirings 131W are separated from each other by an interlayer insulating film 131Z.
  • the wiring 131W of the multilayer wiring layer 131 is electrically connected to, for example, the data lines SigG, SigR, SigB, and the like.
  • the driving IC 13 is electrically connected to the substrate 11 by the multilayer wiring layer 131.
  • FIG. 4A and 4B show an example of the configuration of the drive IC 13 electrically connected to the substrate 11.
  • the driving IC 13 may be electrically connected to the substrate 11 by the terminal region 131WA of the multilayer wiring layer 131 shown in FIG. 4A. In the terminal region 131WA, for example, a part of the wiring 131W is exposed from the interlayer insulating film 131Z.
  • the driving IC 13 may be electrically connected to the substrate 11 by bumps 136, as shown in FIG. 4B.
  • the bump 136 is arranged, for example, between the multilayer wiring layer 131 and the substrate 11.
  • the semiconductor layer 132 provided between the multilayer wiring layer 131 and the inorganic insulating layer 133 is made of, for example, silicon (Si).
  • the inorganic insulating layer 133 is made of, for example, silicon oxide (SiO), and the organic insulating layer 134 is made of, for example, a resin material.
  • the driving IC 13 further has a light shielding unit 135.
  • the light-shielding portion 135 is for suppressing light emitted from each of the light-emitting elements 12R, 12G, and 12B from being incident on the drive IC 13. As will be described later in detail, it is possible to suppress occurrence of characteristic fluctuation of the driving IC 13 due to light incident on the driving IC 13 from the light emitting elements 12R, 12G, 12B.
  • the light-shielding portion 135 includes, for example, a first light-shielding surface S1 facing the substrate 11 with the semiconductor layer 132 therebetween, and a second light-shielding surface S2 arranged in a direction intersecting the first light-shielding surface S1.
  • the second light shielding surface S2 is provided between the first light shielding surface S1 and the multilayer wiring layer 131.
  • FIG. 5 shows an example of a plane (XY plane in FIG. 3) configuration of the first light shielding surface S1.
  • the first light-shielding surface S1 is provided substantially parallel to the substrate 11 between the semiconductor layer 132 and the organic insulating layer 134, for example.
  • the first light-shielding surface S1 is embedded in the inorganic insulating layer 133, and is disposed between the first light-shielding surface S1 and the semiconductor layer 132 and between the first light-shielding surface S1 and the organic insulating layer 134. 133 are provided.
  • the first light-shielding surface S1 has, for example, a rectangular planar shape (FIG. 5).
  • the first light shielding surface S1 is provided inside the peripheral edge 13E of the driving IC 13.
  • the peripheral edge 13E is, for example, a surface exposed by chip separation (separation groove G in FIG. 13F described later) when the drive IC 13 is formed.
  • the second light-shielding surface S2 is provided, for example, substantially perpendicular to the first light-shielding surface S1 (FIG. 3).
  • the second light-shielding surface S2 is buried in a groove 132g provided from the inorganic insulating layer 133 to the semiconductor layer 132.
  • a second light-shielding surface S2 is provided via an inorganic insulating layer 133.
  • the groove 132g is provided, for example, from the inorganic insulating layer 133 to the vicinity of the interface between the multilayer wiring layer 131 and the semiconductor layer 132.
  • the groove 132g is gradually narrowed, for example, from the inorganic insulating layer 133 toward the multilayer wiring layer 131. That is, the thickness of the light shielding material embedded in the groove 132 g gradually decreases from the inorganic insulating layer 133 toward the multilayer wiring layer 131.
  • One end (the upper end in FIG. 3) of the second light shielding surface S2 is in contact with, for example, the first light shielding surface S1, and the other end (the lower end in FIG. 3) is It is preferable to be provided in the vicinity of the interface with. Thereby, the light shielding unit 135 can sufficiently shield the driving IC 13 from light.
  • FIG. 6 shows an example of a plane (XY plane in FIG. 3) configuration of the groove 132g.
  • the groove 132g is provided, for example, along the periphery of the first light-shielding surface S1, and has a square planar shape.
  • the groove 132g is provided over the entire circumference of the drive IC 13, and is disposed inside the peripheral edge 13E.
  • four second light-shielding surfaces S2 (second light-shielding surfaces S2A, S2B, S2C, S2D) are provided in the groove 132g.
  • the second light-shielding surfaces S2A, S2B, S2C, S2D are provided over the entire periphery of the drive IC 13.
  • the second light-shielding surfaces S2A and S2B are provided substantially parallel to each other.
  • the second light-shielding surfaces S2C and S2D are provided between the second light-shielding surface S2A and the second light-shielding surface S2B, and are in contact with the second light-shielding surfaces S2A and S2B.
  • the second light-shielding surfaces S2C and S2D are provided substantially parallel to each other. That is, the plurality of second light shielding surfaces S2 (second light shielding surfaces S2A, S2B, S2C, S2D) are in contact with each other. Thereby, since the second light-shielding surfaces S2A, S2B, S2C, S2D are provided without gaps over the entire circumference of the drive IC 13, the drive IC 13 is sufficiently shielded from light.
  • FIG. 5 A cross-sectional configuration along the line III-III shown in FIGS. 5 and 6 corresponds to FIG.
  • FIGS. 7 and 8 show another example of the planar configuration of the groove 132g.
  • the groove 132g may not be provided over the entire circumference of the driving IC 13.
  • a groove 132g may be provided on three sides of the drive IC 13 having a substantially square planar shape, and three second light-shielding surfaces S2 (second light-shielding surfaces S2B, S2C, S2D) may be provided in the groove 132g.
  • the second light-shielding surfaces S2B, S2C, S2D (or the groove 132g) be provided at a position facing the package 12 (right side in FIG. 7) around the drive IC 13.
  • the second light-shielding surfaces S2B, S2C, S2D can effectively shield light from the package 12 (light-emitting elements 12R, 12G, 12B).
  • the groove 132g may not be provided continuously.
  • the second light-shielding surfaces S2A, S2B, S2C, S2D may be provided in each of the plurality of grooves 132g separated from each other.
  • 9A, 9B, and 9C show another example of the sectional configuration of the groove 132g.
  • the groove 132g (the second light-shielding surface S2) may extend from the inorganic insulating layer 133 through the semiconductor layer 132 to reach the multilayer wiring layer 131.
  • the groove 132g (the second light-shielding surface S2) may not extend from the inorganic insulating layer 133 to the vicinity of the interface between the semiconductor layer 132 and the multilayer wiring layer 131.
  • the second light-shielding surface S2 may be provided along at least a part of the semiconductor layer 132 in the thickness direction.
  • the groove 132g may be gradually thicker from the inorganic insulating layer 133 toward the multilayer wiring layer 131. That is, the thickness of the light shielding material embedded in the groove 132g may be gradually increased from the inorganic insulating layer 133 toward the multilayer wiring layer 131.
  • the direction of the taper can be changed depending on the forming direction of the groove 132g (described later).
  • FIGS. 10, 11, 12A, and 12B show other examples of the cross-sectional configuration of the light-shielding portion 135 (the first light-shielding surface S1 and the second light-shielding surface S2).
  • the first light-shielding surface S1 and the second light-shielding surface S2 may be separated from each other, and a gap may be formed therebetween.
  • the light-shielding unit 135 can sufficiently shield the drive IC 13 from light.
  • sufficient light shielding can be performed.
  • the first light-shielding surface S1 may be exposed on the upper surface of the drive IC 13.
  • the inorganic insulating layer 133 and the organic insulating layer 134 that cover the first light shielding surface S1 may not be provided.
  • the first light-shielding surface S1 may be exposed on the peripheral edge 13E of the drive IC 13.
  • the second light-shielding surface S2 may be exposed on the peripheral edge 13E of the drive IC 13.
  • the provision of the light-shielding portion 135 (the first light-shielding surface S1 and the second light-shielding surface S2) inside the peripheral edge 13E of the drive IC 13 facilitates the manufacture of the drive IC 13 (described later).
  • the light-shielding portion 135 including the first light-shielding surface S1 and the second light-shielding surface S2 shields light in a wavelength band (for example, light in a visible region) emitted from the light-emitting elements 12R, 12G, and 12B. It is made of a material having properties.
  • the light shielding portion 135 is made of a metal material such as tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum (Al), and copper (Cu).
  • the light shielding portion 135 may be made of a resin material containing carbon black or the like.
  • the drive IC 13 having such a light shielding portion 135 can be manufactured, for example, by the following method (FIGS. 13A to 13F).
  • a multilayer wiring layer 131 is formed on a semiconductor layer 132 made of, for example, silicon (Si).
  • a groove 132g may be formed in the semiconductor layer 132 from the surface on which the multilayer wiring layer 131 is formed before forming the multilayer wiring layer 131. As a result, a groove 132g (FIG. 9C) that gradually becomes thicker toward the multilayer wiring layer 131 is formed.
  • the laminate of the multilayer wiring layer 131 and the semiconductor layer 132 is bonded to the temporary substrate 51 using, for example, an adhesive 52 as shown in FIG. 13B.
  • the temporary substrate 51 is made of, for example, a quartz substrate.
  • the semiconductor substrate 132 is bonded to the temporary substrate 51 with the multilayer wiring layer 131 interposed therebetween.
  • the semiconductor layer 132 is thinned to a desired thickness.
  • the inorganic insulating layer 133 and the light shielding portion 135 are formed. Specifically, after a groove 132g is formed in the semiconductor layer 132, for example, silicon oxide (SiO) and tungsten (W) are formed on the entire surface of the semiconductor layer 132 in this order. Thus, silicon oxide and tungsten are formed on the semiconductor layer 132 and buried in the grooves 132g.
  • the first light-shielding surface S1 is formed of tungsten formed on the semiconductor layer 132, and the second light-shielding surface S2 is formed of a light-shielding material embedded in the groove 132g.
  • An inorganic insulating layer 133 is formed of silicon oxide between the semiconductor layer 132 and the first light-shielding surface S1 and in the groove 132g.
  • an inorganic insulating layer 133 covering the first light shielding surface S1 is further formed.
  • the first light-shielding surface S1 is etched to a desired size, and an end of the first light-shielding surface S1 is covered with the inorganic insulating layer 133.
  • the surface of the inorganic insulating layer 133 is subjected to a flattening process such as CMP (Chemical Mechanical Planarization).
  • the multilayer body of the multilayer wiring layer 131, the semiconductor layer 132, and the inorganic insulating layer 133 is inverted, and another temporary substrate ( It is bonded to the temporary substrate 51A).
  • the multilayer wiring layer 131 faces the temporary substrate 51A with the inorganic insulating layer 133 and the semiconductor layer 132 therebetween.
  • the laminate is bonded to the temporary substrate 51A with, for example, an adhesive 52A.
  • chip separation is performed by the separation groove G as shown in FIG. 13F.
  • the chip separation is performed using, for example, dry etching.
  • the separation groove G is formed, for example, outside the groove 132g.
  • the light shielding portion 135 is formed inside the peripheral edge 13E of the drive IC 13 (FIG. 3 and the like).
  • a chip material can be easily separated because the metal material or the like constituting the light shielding portion 135 is not etched.
  • the first light-shielding surface S1 and the second light-shielding surface S2 may overlap the separation groove G (see FIGS.
  • the separation groove G is formed by using laser processing or mechanical processing, the first light shielding surface S1 and the second light shielding surface S2 may overlap the separation groove G.
  • a light shielding material in the separation groove G after performing chip separation.
  • a light-shielding material such as tungsten (W) is in contact with the temporary substrate 51A. Therefore, when mounting (pickup) the drive IC 13 on the substrate 11, a problem is likely to occur. Therefore, it is preferable to form the light shielding portion 135 before chip separation.
  • the drive IC 13 shown in FIG. 3 and the like can be formed in this way.
  • the display device for example, when a drive signal is input to each of the light emitting elements 12R, 12G, and 12B via the drive IC 13, light in the red wavelength range is emitted from the light emitting element 12R, and light in the green wavelength range is emitted from the light emitting element 12G. Light and light in the blue wavelength range are emitted from the light emitting element 12B. This light is extracted through the opening 15A of the light shielding film 15. That is, in the display device 1, the light shielding film 15 side is a display surface.
  • the drive IC 13 is provided with the light shielding portion 135 for suppressing the incidence of light from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B, the light from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B to the drive IC 13 is provided. Light incidence is suppressed. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of the characteristic fluctuation of the drive IC 13 due to the light incident on the drive IC 13 from the light emitting elements 12R, 12G, 12B.
  • this operation and effect will be described.
  • FIG. 14 illustrates a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 100) according to a comparative example.
  • the display device 100 has a package 12 and a drive IC (drive IC 113) on a substrate 11.
  • the drive IC 113 has a multilayer wiring layer 131, a semiconductor layer 132, and an inorganic insulating layer 133 in this order from the substrate 11 side.
  • This drive IC 113 does not have a light-shielding portion (light-shielding portion 135 in FIG. 3). In this point, the drive IC 113 of the display device 100 is different from the drive IC 13 of the display device 1.
  • the display device 100 has, on a substrate 11, a protective layer 14 that covers the package 12 and the driving IC 113, and a light-shielding film 15 on the protective layer 14.
  • An opening 15 ⁇ / b> A is provided in the light shielding film 15 at a position facing the package 12.
  • a method of packaging the drive IC 113 with a light-shielding protective body is also conceivable.
  • the drive IC 113 of about 200 ⁇ m square is very small.
  • the number of drive ICs 113 mounted on the substrate 11 is large. Packaging each of these small drive ICs 113 and mounting a large number of them on the substrate 11 is difficult to mount. Furthermore, this manufacturing process is costly.
  • the drive IC 13 since the drive IC 13 has the light blocking portion 135, the incidence of the light L2 from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B to the drive IC 13 is suppressed. Thereby, the occurrence of the characteristic fluctuation of the driving IC 13 due to the light L2 is suppressed.
  • the drive IC 13 is provided with the light shielding portion 135 for suppressing the incidence of light (light L2) from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B. It is possible to suppress occurrence of characteristic fluctuation of the driving IC 13 due to light incident on the IC 13. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability.
  • the light shielding portion 135 has a first light shielding surface S1 facing the substrate 11 with the semiconductor layer 132 therebetween, and a second light shielding surface S2 arranged in a direction intersecting the first light shielding surface S1. .
  • the step of chip separation (FIG. 13F) when forming the drive IC 13 is facilitated. Therefore, the drive IC 13 can be easily manufactured.
  • the display device 1 may include, instead of the drive IC 13, drive ICs (drive ICs 13A and 13B) according to the following modifications (Modifications 1 and 2).
  • FIG. 16 illustrates a schematic cross-sectional configuration of the drive IC 13A according to the first modification.
  • the light shielding unit 135 of the driving IC 13A has a third light shielding surface S3 in addition to the first light shielding surface S1 and the second light shielding surface S2.
  • the third light-shielding surface S3 is provided on, for example, the multilayer wiring layer 131.
  • the third light-shielding surface S3 is opposed to the first light-shielding surface S1 with the second light-shielding surface S2 therebetween, and is in contact with the second light-shielding surface S2.
  • the light-shielding portion 135 has the third light-shielding surface S3 in addition to the first light-shielding surface S1 and the second light-shielding surface S2, light from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B is more effectively incident on the drive IC 13. Is suppressed.
  • FIG. 17 illustrates a schematic cross-sectional configuration of a drive IC 13B according to the second modification.
  • the light shielding portion 135 of the driving IC 13B is made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO).
  • the light shielding portion 135 has, for example, a first light shielding surface S1 and a second light shielding surface S2.
  • the first light-shielding surface S1 faces the substrate 11 with the semiconductor layer 132 therebetween.
  • the first light shielding surface S1 is exposed on the upper surface of the drive IC 13.
  • the second light-shielding surface S2 is disposed, for example, between the multilayer wiring layer 131 and the first light-shielding surface S1 substantially perpendicular to the first light-shielding surface S1.
  • the second light-shielding surface S2 is exposed, for example, on the peripheral edge 13E of the drive IC 13B.
  • the light shielding unit 135 is provided so as to cover the side surface from the upper surface of the driving IC 13B.
  • the side surfaces of the multilayer wiring layer 131 and the semiconductor layer 132 may be tapered. This facilitates the formation of the second light-shielding surface S2.
  • FIG. 18 shows another example of the driving IC 13B.
  • the light shielding unit 135 of the driving IC 13B may be configured by the first light shielding surface S1. In other words, the light shielding unit 135 may not have the second light shielding surface (the second light shielding surface S2 in FIG. 17).
  • the inorganic insulating material forming the light shielding unit 135 is, for example, silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiN), SOG (Spin On Glass), or the like.
  • the light shield 135 may include a plurality of inorganic insulating materials.
  • the thickness of at least the inorganic insulating material forming the first light-shielding surface S1 is preferably 500 nm or more.
  • FIG. 19 is a simulation result showing a relationship between the thickness of the silicon oxide forming the first light-shielding surface S1 and the transmittance of light to the semiconductor layer 132.
  • This simulation assumes that light is incident on the upper surface of the drive IC 13B at an incident angle of 75 ° to 89 °. From this result, it was found that when the thickness of the inorganic insulating material forming the first light-shielding surface S1 was 500 nm or more, the transmittance of light to the semiconductor layer 132 was reduced to 0.5%.
  • FIG. 20 illustrates one step of a method of manufacturing the drive IC 13B.
  • an inorganic insulating layer is formed on the semiconductor layer 132 by using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the material is deposited.
  • a light shielding portion 135 is formed.
  • the driving IC 13B can be formed by the same method as that described in the first embodiment.
  • FIG. 21 shows another example of a method of manufacturing the driving IC 13B.
  • the light-shielding portion 135 may be formed after the multilayer body of the multilayer wiring layer 131 and the semiconductor layer 132 is mounted on the substrate 11 (after the step of FIG. 21).
  • the light shielding portion 135 can be formed by, for example, a sputtering method, an inkjet printing method, a screen printing method, or the like.
  • the second light-shielding surface S2 is easily formed in the step of forming the light-shielding portion 135.
  • the manufacturing process can be simplified as compared with the driving IC 13 in which the light shielding portion 135 is formed of a metal material or the like.
  • FIGS. 22 and 23 illustrate a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 2) according to the second embodiment of the present technology.
  • the thickness of the protective layer 14 at the portion facing the drive ICs 13 and 113 is different from the thickness of the protective layer 14 at the portion facing the package 12 (light emitting elements 12R, 12G and 12B).
  • the display device 2 may have the drive IC 113 (see FIG. 14) (FIG. 22) or may have the drive IC 13 (see FIG. 1) (FIG. 23). Except for this point, the display device 2 has the same configuration and effects as the display device 1 of the first embodiment.
  • the protective layer 14 is provided, for example, over the entire surface of the substrate 11 so as to cover the package 12 and the driving ICs 13 and 113.
  • the protective layer 14 has the thick film portion 14S covering the drive ICs 13 and 113 and the periphery thereof, and the thin film portion 14R covering the package 12 and the periphery thereof.
  • the thick film portion 14S is provided to face the drive ICs 13 and 113
  • the thin film portion 14R is provided to face the package 12 (the light emitting elements 12R, 12G and 12B).
  • the thick film portion 14S has a thickness TS on the drive ICs 13 and 113.
  • the thin film portion 14R has a thickness TR smaller than the thickness TS on the package 12 (TR ⁇ TS).
  • the thickness TS is, for example, 2 ⁇ m to 10 ⁇ m, and the thickness TR is, for example, 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the light-shielding film 15 faces the substrate 11 with the protective layer 14 interposed therebetween.
  • the light-shielding film 15 has an opening 15 ⁇ / b> A at a position facing the package 12.
  • the size of the opening 15A in a plan view is smaller than the size of the thin film portion 14R in a plan view.
  • the light shielding film 15 is provided so as to cover a part of the thin film portion 14R from the thick film portion 14S. That is, the light shielding film 15 covers the step between the thick film portion 14S and the thin film portion 14R.
  • the display device 2 can be manufactured as follows (FIGS. 24A and 24B).
  • the protection layer 14 is formed.
  • the package 12 is mounted on the substrate 11 by bumps 121
  • the drive IC 113 is mounted on the substrate 11 by bumps 136.
  • the protective layer 14 is formed with a substantially uniform thickness over the entire surface of the substrate 11, for example.
  • a portion of the protective layer 14 that covers the package 12 and its periphery is selectively etched.
  • the thickness of the protective layer 14 covering the package 12 and the periphery thereof is reduced, and the thin film portion 14R and the thick film portion 14S are formed.
  • the upper surface of the package 12 may be exposed.
  • the light shielding film 15 is formed on the protective layer 14. Thereafter, an opening 15A is formed in the light shielding film 15.
  • the display device 2 shown in FIGS. 22 and 23 can be formed in this manner.
  • the protective layer 14 since the protective layer 14 has the thin film portion 14R facing the package 12 (the light emitting elements 12R, 12G, and 12B), the light incident on the driving IC 13 from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B is reduced. It is possible to suppress the occurrence of the characteristic fluctuation of the driving IC 13 due to the occurrence. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability.
  • FIG. 25 illustrates a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 2A) according to a modified example (modified example 3) of the second embodiment.
  • the surface of the thin film portion 14R of the protective layer 14 may have a convex lens shape. This makes it difficult for the light emitted from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B to be totally reflected on the surface of the protective layer 14 (the thin film portion 14R). Therefore, light emitted from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B and diffused into the protective layer 14 can be further reduced.
  • FIG. 26 illustrates a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 2B) according to a modified example (modified example 4) of the second embodiment.
  • the dug portion 14H may be provided in the thin film portion 14R.
  • the digging portion 14H is disposed, for example, near the boundary with the thick film portion 14S in the thin film portion 14R. That is, the dug portion 14H is disposed at the edge of the thin film portion 14R. In the dug portion 14H, a part of the thin film portion 14R is dug in a groove shape. It is preferable that the dug portion 14H is provided as deep as possible within a range where the flatness of the light shielding film 15 can be maintained. For example, a light shielding film 15 extending from the thick film portion 14S is embedded in the dug portion 14H.
  • reflected light generated in the upper layer of the package 12 is absorbed by the light shielding film 15 embedded in the dug portion 14H.
  • the reflected light generated in the upper layer of the package 12 is, for example, light reflected at the interface between the package 12 (protective body P) and the protective layer 14, light reflected on the surface of the protective layer 14, and the like. Therefore, by providing the dug portion 14H, the light emitted from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B and diffused into the protective layer 14 can be further reduced.
  • the surface of the thin film portion 14R may be formed in a lens shape (FIG. 25), and the dug portion 14H may be provided.
  • FIG. 27 shows another example of the display device 2A
  • FIG. 28 shows another example of the display device 2B.
  • the thickness of the protective layer 14 may be reduced over the entire surface of the substrate 11.
  • the surface of the portion of the protective layer 14 facing the package 12 may be formed in a lens shape (FIG. 27), or a dug portion 14H may be provided around the package 12 (FIG. 28).
  • Such a protective layer 14 is formed, for example, by forming a constituent material of the protective layer 14 on the entire surface of the substrate 11 and then thinning the film by a method such as etch-back.
  • a patterning step for selectively forming a thin film portion is not required. Therefore, the manufacturing process is simplified, and the productivity can be improved.
  • FIGS. 29 and 30 illustrate a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 3) according to the third embodiment of the present technology.
  • the light-shielding film 15 is embedded in the thickness direction of the protective layer 14 (the Z direction in FIGS. 29 and 30).
  • the display device 3 may have the drive IC 113 (see FIG. 14) (FIG. 29) or may have the drive IC 13 (see FIG. 1) (FIG. 30). Except for this point, the display device 3 has the same configuration and effects as the display device 1 of the first embodiment.
  • the protective layer 14 has, for example, a groove 14G between the package 12 (the light emitting elements 12R, 12G, and 12B) and the driving ICs 13 and 113.
  • the light shielding film 15 is embedded in the groove 14G.
  • the light-shielding film 15 is provided continuously from, for example, the protective layer 14 to the bottom of the groove 14G.
  • the groove 14 ⁇ / b> G is provided, for example, from the surface of the protective layer 14 to the vicinity of the interface between the protective layer 14 and the substrate 11.
  • the cross-sectional shape of the groove 14 ⁇ / b> G gradually decreases from the surface of the protective layer 14 toward the substrate 11. That is, the groove 14G has a wedge-shaped cross-sectional shape.
  • FIGS. 31A and 31B show an example of a plane (XY plane in FIGS. 29 and 30) configuration of the groove 14G.
  • the groove 14G is provided so as to surround the drive ICs 13 and 113, for example, as shown in FIG. 31A.
  • a groove 14G may be provided so as to surround the package 12.
  • FIGS. 32 and 33 show other examples of the cross-sectional shape of the groove 14G.
  • the groove 14G may not be provided over the entire protective layer 14 in the thickness direction.
  • the groove 14G may be provided in a part of the protective layer 14 in the thickness direction.
  • the thickness of the groove 14G in the depth direction may be constant.
  • the groove 14G has, for example, a rectangular cross-sectional shape.
  • the light shielding film 15 is provided between the package 12 (light emitting elements 12R, 12G, 12B) and the driving ICs 13, 113. Therefore, light emitted from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B and propagating through the protective layer 14 is absorbed by the light shielding film 15 embedded in the groove 14G. Therefore, the occurrence of the characteristic fluctuation of the driving IC 13 due to the light (the light L2 in FIG. 14) propagating through the protection layer 14 can be suppressed.
  • FIGS. 34A and 34B show a cross-sectional configuration of the display device 3 having the light-shielding film 15 and the antireflection film (the antireflection film 16) in the grooves 14G of the protective layer 14.
  • FIG. 34A and 34B show a cross-sectional configuration of the display device 3 having the light-shielding film 15 and the antireflection film (the antireflection film 16) in the grooves 14G of the protective layer 14.
  • the anti-reflection film 16 is provided, for example, between the protection layer 14 and the light-shielding film 15 and is provided continuously from above the protection layer 14 to the bottom of the groove 14G.
  • the antireflection film 16 has, for example, the same planar shape as the light shielding film 15 and has an opening corresponding to the opening 15A of the light shielding film 15 (FIG. 34A).
  • the antireflection film 16 may be provided over the entire surface of the substrate 11 (FIG. 34B).
  • the antireflection film 16 is made of, for example, a material having a refractive index different from that of the protective layer 14.
  • the antireflection film 16 is made of, for example, a silicon oxide film, an ITO (Indium Tin Oxide) film, an IZO (Indium Zinc Oxide) film, a silicon nitride film, or an acrylic transparent resin film.
  • the display device 3 can be manufactured as follows (FIGS. 35A and 35B).
  • the protective layer 14 is formed (FIG. 24A).
  • a groove 14G is formed in the protective layer 14 around the driving IC 113.
  • the formation of the groove 14G is performed using, for example, a laser beam LL.
  • the groove 14G can be easily formed in a short time.
  • the light shielding film 15 is formed so as to fill the groove 14G from above the protective layer 14. Thereafter, an opening 15A is formed in the light shielding film 15.
  • the display device 3 shown in FIGS. 29 and 30 can be formed in this manner.
  • the light-shielding film 15 is embedded in the groove 14G of the protective layer 14, it is possible to suppress the occurrence of the characteristic fluctuation of the drive IC 13 due to the light incident on the drive IC 13 from the light emitting elements 12R, 12G, 12B. Can be. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability.
  • FIG. 36 illustrates a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 3A) according to a modification (modification 5) of the third embodiment.
  • a light-shielding film 15 is embedded in a region where the protective layer 14 is removed (removed region 14A). As described above, the light shielding film 15 may be embedded in the thickness direction of the protective layer 14.
  • the removal region 14A is a region where the protective layer 14 has been removed.
  • the removal region 14A is provided in a region facing the driving IC 113 (or the driving IC 13) and its periphery.
  • the drive IC 113 is provided in the removal area 14A, and the periphery of the drive IC 113 is covered with the light shielding film 15.
  • the light shielding film 15 is in contact with, for example, the upper surface and the side surface of the drive IC 113.
  • FIG. 37 shows another example of the display device 3A.
  • the entire protective layer 14 may not be removed.
  • the protective layer 14 may partially remain in the thickness direction.
  • ⁇ Fourth embodiment> 38 and 39 illustrate a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (the display device 4) according to the fourth embodiment of the present technology.
  • a plurality of irregularities 14B are provided on the surface of the protective layer 14 (the surface on the side of the light-shielding film 15).
  • the display device 4 may have the drive IC 113 (see FIG. 14) (FIG. 39) or may have the drive IC 13 (see FIG. 1) (FIG. 38). Except for this point, the display device 4 has the same configuration and effects as those of the display device 1 of the first embodiment.
  • the unevenness 14B provided on the surface of the protective layer 14 is provided, for example, on the entire surface of the protective layer 14.
  • the unevenness 14B has, for example, a substantially rectangular cross-sectional shape.
  • the unevenness 14B may have, for example, a cross-sectional shape including a curve such as a substantially semicircular shape (see FIG. 43B described later).
  • the unevenness 14B is provided at a pitch of, for example, about 200 nm (for example, the size in the X direction and the Y direction in FIGS. 38 and 39), and the height of the unevenness 14B (for example, FIG. 39 (the size in the Z direction in FIG. 39) is about 200 nm.
  • a light shielding film 15 is provided so as to cover the irregularities 14B.
  • the change in the refractive index on the surface of the protective layer 14 becomes gentle. Thereby, reflection of light emitted from the package 12 (the light emitting elements 12R, 12G, and 12B) on the surface of the protective layer 14 is suppressed. That is, the same effect as the moth-eye structure can be obtained by the plurality of irregularities 14B provided on the surface of the protective layer 14. Therefore, the occurrence of the characteristic fluctuation of the driving IC 13 due to the light (the light L2 in FIG. 14) propagating through the protection layer 14 can be suppressed.
  • the display device 4 can be manufactured as follows (FIGS. 40A and 40B).
  • the protective layer 14 is formed (FIG. 24A).
  • a resist pattern 61 is formed on the surface of the protective layer.
  • the resist pattern 61 is for forming a plurality of irregularities 14B, and corresponds to the shape of the irregularities 14B.
  • the resist pattern 61 can be formed, for example, by forming a resist material on the surface of the protective layer 14 and then patterning the resist material into a predetermined shape.
  • a plurality of irregularities 14B are formed on the surface of the protective layer 14, as shown in FIG. 40B.
  • the plurality of irregularities 14B are formed by, for example, dry etching using the resist pattern 61.
  • the resist pattern 61 is removed.
  • a light-shielding film 15 is formed on the surface of the protective layer 14.
  • an opening 15A is formed in the light shielding film 15.
  • the display device 4 shown in FIGS. 38 and 39 can be formed in this manner.
  • FIGS. 41 to 43B show another example of a method of forming the plurality of irregularities 14B.
  • the surface of the protective layer 14 may be subjected to an ashing process to form a plurality of irregularities 14B.
  • a plurality of irregularities 14B may be formed by pressing a mold 62 for nanoimprint on the surface of the protective layer 14.
  • a square mold 62 may be used (FIGS. 42A and 42B), or a round mold 62 may be used (FIGS. 43A and 43B).
  • ⁇ Fifth embodiment> 44 and 45 illustrate a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (the display device 5) according to the fifth embodiment of the present technology.
  • the protective layer 14 of the display device 5 includes a low refractive index film 141 and a high refractive index film 142.
  • the display device 5 may have the drive IC 113 (see FIG. 14) (FIG. 45) or may have the drive IC 13 (see FIG. 1) (FIG. 44). Except for this point, the display device 5 has the same configuration and effect as the display device 1 of the first embodiment.
  • the low-refractive-index film 141 and the high-refractive-index film 142 are laminated in this order from the substrate 11 side.
  • the thickness of the low refractive index film 141 is larger than the thickness of the high refractive index film 142, for example.
  • the package 12 and the driving ICs 13 and 113 on the substrate 11 are covered with the low refractive index film 141.
  • the low refractive index film 141 is made of, for example, a resin material.
  • the refractive index of the low refractive index film 141 is, for example, about 1.5.
  • the high refractive index film 142 has a higher refractive index than the low refractive index film 141.
  • the high refractive index film 142 is made of, for example, silicon nitride (SiN).
  • the refractive index of the high refractive index film 142 is, for example, about 2.0.
  • the high refractive index film 142 is provided between the low refractive index film 141 and the light shielding film 15.
  • the protective layer 14 has such a laminated structure of the low-refractive-index film 141 and the high-refractive-index film 142, the vicinity of the surface of the protective layer 14 for light emitted from the package 12 (the light emitting elements 12R, 12G, and 12B). Reflection at the surface is suppressed. Therefore, the occurrence of the characteristic fluctuation of the driving IC 13 due to the light (the light L2 in FIG. 14) propagating through the protection layer 14 can be suppressed.
  • FIG. 46 shows another example of the display device 5.
  • a plurality of minute irregularities 14B may be provided on the surface of the high refractive index film 142. Thereby, reflection near the surface of the protective layer 14 is more effectively suppressed.
  • the display device 5 can be manufactured as follows.
  • the low refractive index film 141 is formed over the entire surface of the substrate 11.
  • a high refractive index film 142 is formed on the low refractive index film 141.
  • the protective layer 14 is formed.
  • a light-shielding film 15 is formed on the surface of the protective layer 14.
  • an opening 15A is formed in the light shielding film 15.
  • the display device 5 shown in FIGS. 44 and 45 can be formed in this manner.
  • the protective layer 14 since the protective layer 14 has a laminated structure of the low-refractive-index film 141 and the high-refractive-index film 142, the driving IC 13 caused by light incident on the driving IC 13 from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B. Can be suppressed from occurring. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability.
  • FIGS. 47 and 48 illustrate a schematic cross-sectional configuration of a main part of a display device (the display device 6) according to the sixth embodiment of the present technology.
  • the display device 6 has a light-shielding member (light-shielding member 17) between the drive ICs 13 and 113 and the package 12.
  • the display device 6 may have the drive IC 113 (see FIG. 14) (FIG. 47) or may have the drive IC 13 (see FIG. 1) (FIG. 48). Except for this point, the display device 6 has the same configuration and effect as the display device 1 of the first embodiment.
  • the light shielding member 17 extends, for example, in the thickness direction of the protective layer 14, and the lower surface of the light shielding member 17 is in contact with the substrate 11, and the upper surface of the light shielding member 17 is in contact with the light shielding film 15. It is preferable that the light shielding film 15 is provided so as to cover the light shielding member 17.
  • FIG. 49 shows another example of the cross-sectional configuration of the light blocking member 17.
  • the light shielding member 17 does not need to extend over the entire thickness of the protective layer 14, and may extend, for example, to a part of the surface of the protective layer 14.
  • FIGS. 50A, 50B, and 50C show an example of a plane configuration (XY plane in FIGS. 47 and 48) of the light shielding member 17.
  • the light shielding member 17 is provided in a wall shape so as to partition between the drive IC 13 (or the drive IC 113) and the package 12, for example.
  • the light blocking members 17 may be provided in a lattice shape.
  • the light blocking member 17 may be provided so as to surround either the driving IC 13 or the package 12.
  • FIGS. 51A and 51B show another example of the planar configuration of the light shielding member 17.
  • the light blocking member 17 may be, for example, columnar.
  • a plurality of pillar-shaped light shielding members 17 are provided between the drive IC 13 (or the drive IC 113) and the package 12.
  • the light blocking member 17 may be cylindrical.
  • the light blocking member 17 may have a prismatic shape.
  • the light-blocking member 17 is made of a material having a light-blocking property with respect to light in a wavelength range (for example, light in a visible range) emitted from the light emitting elements 12R, 12G, and 12B.
  • the light blocking member 17 is made of a metal material such as tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum (Al), and copper (Cu).
  • the light shielding member 17 may be made of an organic material including carbon black or the like, or may be made of an inorganic material.
  • the display device 6 can be manufactured as follows (FIGS. 52A to 52E).
  • the substrate 11 is formed as shown in FIG. 52A.
  • a resist pattern 64 is formed on the substrate 11 by using a photolithography method.
  • the resist pattern 64 has a pattern corresponding to the light shielding member 17.
  • a light-shielding material 17A is formed on the resist pattern 64.
  • the unnecessary light shielding material 17A is removed by, for example, etching. Thereby, the light blocking member 17 is formed.
  • the resist pattern 64 is removed.
  • the drive ICs 13 and 113 and the package 12 are mounted on the substrate 11 on which the light shielding member 17 is provided.
  • the protective layer 14 and the light shielding film 15 are formed in this order.
  • an opening 15A is formed in the light shielding film 15.
  • the display device 6 shown in FIGS. 47 and 48 can be formed in this manner.
  • FIGS. 53A to 53C show another example of the method of manufacturing the display device 6.
  • the protective layer 14 is formed (FIG. 24A).
  • a resist pattern 65 is formed on the protective layer 14.
  • the resist pattern 64 has a pattern corresponding to the light shielding member 17.
  • a groove M is formed in the protective layer 14 using the resist pattern 64.
  • a light-shielding material 17A is formed from above the resist pattern 65 so as to fill the groove M.
  • the unnecessary light shielding material 17A and the resist pattern 65 are removed by, for example, etching. Thereby, the light blocking member 17 is formed.
  • the light shielding film 15 is formed so as to cover the light shielding member 17 and the protective layer 14. Thereafter, an opening 15A is formed in the light shielding film 15.
  • the display device 6 shown in FIGS. 47 and 48 can be formed by such a method.
  • the light shielding member 17 is formed by embedding the light shielding material 17A in the groove M of the protective layer 14, the height of the plurality of light shielding members 17 (for example, the size in the Z direction in FIGS. 47 and 48).
  • the planarization of the protective layer 14 and the depth of the groove M are important. Therefore, processing difficulty is high.
  • the light shielding member 17 is formed before the package 12 and the driving ICs 13 and 113 are mounted on the substrate 11 (FIGS. 52A to 52E), the height of the light shielding member 17 is easily adjusted, and a plurality of light shielding members are adjusted. It is easy to make the height of the member 17 uniform.
  • the light shielding member 17 is provided between the driving ICs 13 and 113 and the package 12 (light emitting elements 12R, 12G and 12B), light incident on the driving IC 13 from the light emitting elements 12R, 12G and 12B. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of the characteristic fluctuation of the driving IC 13 caused by the above. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability.
  • the display devices 1, 2, 2A, 2B, 3, 3A, 4, 5, and 6 (hereinafter, abbreviated as the display device 1) described in the first to sixth embodiments and the like include a plurality of substrates 11 May be a display device in which tiles are laid out in a tile shape, a so-called tiling display.
  • the display device 1 described in the first to sixth embodiments and the like is input from the outside, such as a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a portable terminal device such as a mobile phone, or a video camera.
  • the present invention can be applied to an electronic device of any field that displays a video signal or an internally generated video signal as an image or a video.
  • the present technology has been described using the drive IC 13 as a specific example of the semiconductor device of the present technology.
  • the semiconductor device of the present technology is not limited thereto.
  • the package 12 includes three light emitting elements (light emitting elements 12R, 12G, and 12B) has been described.
  • the number of light emitting elements included in the package 12 is, for example, one. Or four or more.
  • the present technology may be applied to another device such as a lighting device.
  • the present technology can also have the following configurations.
  • the semiconductor element is provided with the light-shielding portion that suppresses the incidence of light from the light-emitting element. Occurrence can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability.
  • the light shielding unit is A first light-shielding surface facing the substrate with the semiconductor layer interposed;
  • a light-emitting device comprising: a second light-shielding surface disposed between the first light-shielding surface and the multilayer wiring layer in a direction crossing the first light-shielding surface.
  • the semiconductor layer has a groove
  • or (9) which has a light-shielding member provided between the said light emitting element and the said semiconductor element, and which suppresses incidence of light from the said light emitting element to the said semiconductor element.
  • Light emitting device (11) Further, a protective layer provided on the substrate and covering the light emitting element and the semiconductor element; The light-emitting device according to any one of (1) to (10), further including a light-shielding film facing the substrate with the protective layer therebetween and having an opening at a position facing the light-emitting element. . (12) The light emitting device according to (11), wherein the light shielding film is embedded in a thickness direction of the protective layer between the light emitting element and the semiconductor element. (13) The light emitting device according to (11), wherein the protective layer includes a thick film portion facing the semiconductor element and a thin film portion facing the light emitting element and having a smaller thickness than the thick film portion.
  • the protective layer includes a low refractive index film and a high refractive index film in order from the substrate side.
  • the light shielding unit includes a metal material or a resin material.
  • the light shielding unit includes an inorganic insulating material.
  • the light shielding unit is A first light-shielding surface facing the substrate with the semiconductor layer interposed;
  • (22) Board and A light-emitting element provided on the substrate A semiconductor element provided on the substrate, having a multilayer wiring layer and a semiconductor layer in this order from the substrate side; A protective layer provided on the substrate and covering the light emitting element and the semiconductor element; A light-shielding film having an opening at a position facing the substrate with the protective layer therebetween and facing the light-emitting element, The light-emitting device, wherein the light-shielding film is embedded in a thickness direction of the protective layer between the light-emitting element and the semiconductor element.
  • (23) Board and A light-emitting element provided on the substrate A semiconductor element provided on the substrate, having a multilayer wiring layer and a semiconductor layer in this order from the substrate side;
  • a protective layer provided on the substrate and covering the light emitting element and the semiconductor element;
  • a light-shielding film having an opening at a position facing the substrate with the protective layer therebetween and facing the light-emitting element,
  • the protective layer includes a thick film portion facing the semiconductor element and a thin film portion facing the light emitting element and having a smaller thickness than the thick film portion.
  • (25) Board and A light-emitting element provided on the substrate A semiconductor element provided on the substrate, having a multilayer wiring layer and a semiconductor layer in this order from the substrate side;
  • a protective layer provided on the substrate and covering the light emitting element and the semiconductor element;
  • a light-shielding film having an opening at a position facing the substrate with the protective layer therebetween and facing the light-emitting element,
  • the light emitting device wherein the protective layer includes a low refractive index film and a high refractive index film in order from the substrate side.

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Abstract

基板と、前記基板上に設けられた発光素子と、前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、前記遮光部は、前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む発光装置。

Description

発光装置および表示装置
　本技術は、基板上に発光素子および半導体素子を有する発光装置および表示装置に関する。
　発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）等の発光素子は、様々な装置に適用されている（例えば、特許文献１参照）。このような装置では、例えば、基板上に、複数の発光素子とともに、複数の半導体素子が設けられている。半導体素子は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ等である。
特開２０１７－９８５７１号公報
　このような発光素子および半導体素子を有する発光装置では、信頼性の低下を抑えることが望まれている。
　したがって、信頼性の低下を抑えることが可能な発光装置、およびこの発光装置を備えた表示装置を提供することが望ましい。
　本技術の一実施の形態に係る発光装置は、基板と、基板上に設けられた発光素子と、基板上に設けられ、基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、遮光部は、半導体層を間にして基板に対向する第１遮光面と、第１遮光面と多層配線層との間に、第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含むものである。
　本技術の一実施の形態に係る表示装置は、上記本技術の一実施の形態に係る発光装置を備えたものである。
　本技術の一実施の形態に係る発光装置または表示装置では、半導体素子に、発光素子からの光の入射を抑える遮光部が設けられているので、発光素子から半導体素子への光の入射が抑えられる。
本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図１に示した表示装置の全体の回路構成の一例を表す図である。 図１に示した駆動ＩＣを拡大して表す断面模式図である。 図３に示した駆動ＩＣの端子領域の構成を表す断面模式図である。 図３に示した駆動ＩＣと基板とを接続するバンプの構成を表す断面模式図である。 図３に示した第１遮光面の構成を表す平面模式図である。 図３に示した溝の構成を表す平面模式図である。 図６に示した溝の平面構成の他の例（１）を表す模式図である。 図６に示した溝の平面構成の他の例（２）を表す模式図である。 図３に示した溝の断面構成の他の例（１）を表す模式図である。 図３に示した溝の断面構成の他の例（２）を表す模式図である。 図３に示した溝の断面構成の他の例（３）を表す模式図である。 図３に示した遮光部の断面構成の他の例（１）を表す模式図である。 図３に示した遮光部の断面構成の他の例（２）を表す模式図である。 図３に示した遮光部の断面構成の他の例（３）を表す模式図である。 図３に示した遮光部の断面構成の他の例（４）を表す模式図である。 図３に示した駆動ＩＣの製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図１３Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図１３Ｂに続く工程を表す断面模式図である。 図１３Ｃに続く工程を表す断面模式図である。 図１３Ｄに続く工程を表す断面模式図である。 図１３Ｅに続く工程を表す断面模式図である。 比較例に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図１に示した発光素子から出射される光の経路の一例について説明するための断面模式図である。 変形例１に係る駆動ＩＣの構成を表す断面模式図である。 変形例２に係る駆動ＩＣの構成を表す断面模式図である。 図１７に示した駆動ＩＣの構成の他の例を表す断面模式図である。 図１８に示した遮光部の厚みと半導体層への光の透過率との関係を表す図である。 図１７等に示した駆動ＩＣの製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図２０に示した駆動ＩＣの製造方法の他の例を表す断面模式図である。 本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図２２に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。 図２２に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図２４Ａに続く工程を表す断面模式図である。 変形例３に係る表示装置の構成を表す断面模式図である。 変形例４に係る表示装置の構成を表す断面模式図である。 図２５に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。 図２６に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。 本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図２９に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。 図２９等に示した溝の平面構成を表す模式図である。 図２９等に示した溝の平面構成の他の例を表す模式図である。 図２９等に示した溝の断面構成の他の例（１）を表す模式図である。 図２９等に示した溝の断面構成の他の例（２）を表す模式図である。 図２９等に示した表示装置が反射防止膜を有する例を表す断面模式図である。 図３４Ａに示した反射防止膜の構成の他の例を表す断面模式図である。 図２９に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図３５Ａに続く工程を表す断面模式図である。 変形例５に係る表示装置の構成を表す断面模式図である。 図３６に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。 本技術の第４の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図３８に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。 図３８に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図４０Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図４０Ａ，図４０Ｂに示した表示装置の製造方法の他の例（１）を表す断面模式図である。 図３８に示した表示装置の製造方法の他の例（２）を表す断面模式図である。 図４２Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図３８に示した表示装置の製造方法の他の例（３）を表す断面模式図である。 図４３Ａに続く工程を表す断面模式図である。 本技術の第５の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図４４に示した表示装置の他の例（１）を表す断面模式図である。 図４４に示した表示装置の他の例（２）を表す断面模式図である。 本技術の第６の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図４７に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。 図４７等に示した遮光部材の断面構成の他の例を表す模式図である。 図４７等に示した遮光部材の平面構成の一例を表す模式図である。 図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（１）を表す模式図である。 図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（２）を表す模式図である。 図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（３）を表す模式図である。 図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（４）を表す模式図である。 図４７等に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図５２Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図５２Ｂに続く工程を表す断面模式図である。 図５２Ｃに続く工程を表す断面模式図である。 図５２Ｄに続く工程を表す断面模式図である。 図５２Ａ～図５２Ｅに示した表示装置の製造方法の他の例を表す断面模式図である。 図５３Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図５３Ｂに続く工程を表す断面模式図である。
　以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（遮光部を有する半導体素子を含む表示装置）
２．変形例１（遮光部が、第１遮光面および第２遮光面に加えて第３遮光面を有する例）
３．変形例２（遮光部が無機絶縁材料により構成されている例）
４．第２の実施の形態（厚膜部および薄膜部が設けられた保護層を有する表示装置）
５．変形例３（薄膜部の表面がレンズ形状を有する例）
６．変形例４（薄膜部内に掘込部を有する例）
７．第３の実施の形態（保護層の溝に埋設された遮光膜を有する表示装置）
８．変形例５（遮光膜が保護層の開口に埋設されている例）
９．第４の実施の形態（表面に複数の凹凸が設けられた保護層を有する表示装置）
１０．第５の実施の形態（低屈折率膜および高屈折率膜を含む保護層を有する表示装置）
１１．第６の実施の形態（発光素子と半導体素子との間に遮光部材を有する表示装置）
＜第１の実施の形態＞
（表示装置１の全体構成）
　図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の要部の断面構成を模式的に表したものである。この表示装置１は、例えば、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を有している。パッケージ１２は、例えば、３つの発光素子（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）と、この発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを被覆する保護体Ｐを含んでいる。表示装置１は、更に、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を覆う保護層１４と、この保護層１４上の遮光膜１５とを有している。遮光膜１５には、パッケージ１２に対向する領域に開口１５Ａが設けられている。ここでは、駆動ＩＣ１３が、本技術の半導体素子の一具体例であり、表示装置１が、本技術の発光装置の一具体例である。
　図２は、表示装置１の全体の回路構成の一例を表している。表示装置１には、例えば、複数の画素１０が行列状に配置されている。この複数の画素１０各々が、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を含んでいる。
　表示装置１は、例えば列方向に延在する複数の信号線（データ線Ｓｉｇ）と、例えば行方向に延在する複数の選択線（ゲート線Ｇａｔｅ）とを有している。データ線Ｓｉｇおよびゲート線Ｇａｔｅは、例えば銅によって形成されている。
　例えば、表示装置１は、更に、複数ののこぎり電圧線Ｓａｗと、複数の電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２と、複数の参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２と、複数のグラウンド線ＧＮＤとを有している。各のこぎり電圧線Ｓａｗは、例えば、行方向に延在している。各電源線ＶＤＤ１、各電源線ＶＤＤ２、各参照電圧線Ｒｅｆ１、各参照電圧線Ｒｅｆ２および各グラウンド線ＧＮＤは、それぞれ、例えば、列方向に延在している。のこぎり電圧線Ｓａｗ、電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２およびグラウンド線ＧＮＤの少なくとも１つについては、駆動方式によっては省略され得る。のこぎり電圧線Ｓａｗ、電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２およびグラウンド線ＧＮＤは、例えば、銅によって形成されている。
　各データ線Ｓｉｇは、映像信号に応じた信号が制御回路（図示せず）によって入力される配線である。映像信号に応じた信号は、例えば、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの発光輝度を制御するものである。複数のデータ線Ｓｉｇは、例えば、パッケージ１２の発光色数に対応した種類の配線からなる。パッケージ１２が、例えば３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光色を有する場合には、複数のデータ線Ｓｉｇは、例えば、複数のデータ線ＳｉｇＲと、複数のデータ線ＳｉｇＧと、複数のデータ線ＳｉｇＢとを含む。各データ線ＳｉｇＲは、赤色の映像信号に応じた信号が制御回路によって入力される配線である。各データ線ＳｉｇＧは、緑色の映像信号に応じた信号が制御回路によって入力される配線である。各データ線ＳｉｇＢは、青色の映像信号に応じた信号が制御回路によって入力される配線である。
　パッケージ１２の発光色は、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に限られず、４色以上（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ）であってもよい。複数のデータ線Ｓｉｇが、複数のデータ線ＳｉｇＲと、複数のデータ線ＳｉｇＧと、複数のデータ線ＳｉｇＢとを含む場合には、１つのデータ線ＳｉｇＲ、１つのデータ線ＳｉｇＧおよび１つのデータ線ＳｉｇＢからなる一組のデータ線Ｓｉｇが、例えば、１画素列ごとに割り当てられる。駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Ｓｉｇは、複数画素列ごとに割り当てられる。また、駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Ｓｉｇは、単一のデータ線Ｓｉｇに置き換えられ得る。
　各ゲート線Ｇａｔｅは、パッケージ１２を選択する信号が制御回路によって入力される配線である。パッケージ１２を選択する信号は、例えば、データ線Ｓｉｇに入力された信号のサンプリングを開始するとともに、サンプリングされた信号をパッケージ１２に入力させ、パッケージ１２の発光を開始させる信号である。１つのゲート線Ｇａｔｅが、例えば、１画素行ごとに割り当てられる。
　各のこぎり電圧線Ｓａｗは、例えば、のこぎり状の波形を有する信号が制御回路によって入力される配線である。のこぎり状の波形を有する信号は、サンプリングされた信号と対比され、例えば、のこぎり状の波形を有する信号の波高値が、サンプリングされた信号の波高値よりも高くなっている期間だけ、サンプリングされた信号がパッケージ１２に入力される。１つののこぎり電圧線Ｓａｗが、例えば、２画素行ごとに割り当てられる。
　各電源線ＶＤＤ２は、パッケージ１２に対して供給される駆動電流が制御回路によって入力される配線である。１つの電源線ＶＤＤ２が、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。各電源線ＶＤＤ１、各参照電圧線Ｒｅｆ１、各参照電圧線Ｒｅｆ２および各グラウンド線ＧＮＤは、固定の電圧が制御回路によって入力される配線である。
　各グラウンド線ＧＮＤには、グラウンド電位が入力される。１つの電源線ＶＤＤ１が、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。１つの参照電圧線Ｒｅｆ１が、例えば、２画素列ごとに割り当てられている。１つの参照電圧線Ｒｅｆ２が、例えば、２画素列ごとに割り当てられている。１つのグラウンド線ＧＮＤが、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。
（表示装置１の各部の構成）
　以下では、図１および図２を用いて、表示装置１の各部について具体的に説明する。
　基板１１（図１）は、複数のパッケージ１２および複数の駆動ＩＣ１３を実装するためのものであり、例えばガラス基板または樹脂基板等により構成されている。プリント基板により基板１１が構成されていてもよい。基板１１には、上記回路を構成する配線が設けられていてもよい。
　パッケージ１２の発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（図１）は、例えば、互いに異なる波長域の光を出射する発光素子であり、無機半導体材料を含んでいる。例えば、発光素子１２Ｒは赤色波長域の光を出射するＬＥＤチップであり、発光素子１２Ｇは緑色波長域の光を出射するＬＥＤチップであり、発光素子１２Ｂは青色波長域の光を出射するＬＥＤチップである。この発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、ｎ型電極およびｐ型電極を含んでいる。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを覆う保護体Ｐは、例えば樹脂材料等により構成されている。
　各画素１０では、パッケージ１２が駆動ＩＣ１３に電気的に接続されている（図２）。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ各々の一方の電極（例えば、ｎ型電極）は、例えばパッド電極（図示せず）を介して駆動ＩＣ１３に電気的に接続されている。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ各々の他方の電極（例えば、ｐ型電極）は、例えばパッド電極（図示せず）を介してグラウンド線ＧＮＤに電気的に接続されている。
　パッケージ１２に電気的に接続された駆動ＩＣ１３は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの発光を制御するためのものである。この駆動ＩＣ１３は、パッケージ１２に電気的に接続されるとともに、データ線Ｓｉｇ、電源線ＶＤＤ１およびゲート線Ｇａｔｅに電気的に接続されている（図２）。駆動ＩＣ１３の具体的な構成については、後述する。
　保護層１４は、複数のパッケージ１２および複数の駆動ＩＣ１３を覆うように、例えば、基板１１の全面にわたって設けられている（図１）。この保護層１４は、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を保護するためのものであり、絶縁性の有機材料または絶縁性の無機材料等により構成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、シリコーン等が挙げられる。絶縁性の無機材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）および窒化シリコン（ＳｉＮ）等が挙げられる。
　遮光膜１５は、保護層１４を間にして基板１１に対向している。この遮光膜１５は、いわゆるブラックマスクである。遮光膜１５に設けられた開口１５Ａは、各々のパッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）から出射された光を取り出すためのものであり、各々のパッケージ１２に対向する領域に配置されている。この開口１５Ａの大きさは、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射された光を十分に取り出すことができる程度の大きさである。遮光膜１５は、例えば、例えば、カーボンブラックを含有する樹脂材料等により構成されている。遮光膜１５は、例えば、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）等の金属材料により構成されていてもよい。
（駆動ＩＣ１３の構成）
　次に、駆動ＩＣ１３の具体的な構成について説明する。
　図３は、図１に示した駆動ＩＣ１３を基板１１とともに、拡大して表したものである。駆動ＩＣ１３は、例えば、基板１１側から、多層配線層１３１、半導体層１３２、無機絶縁層１３３および有機絶縁層１３４をこの順に有している。駆動ＩＣ１３は、例えば、２００μｍ四方程度の大きさを有している。
　多層配線層１３１は、例えば、複数の配線１３１Ｗおよび層間絶縁膜１３１Ｚを含んでいる。複数の配線１３１Ｗは、互いに層間絶縁膜１３１Ｚにより分離されている。この多層配線層１３１の配線１３１Ｗが、例えば、上記データ線ＳｉｇＧ，ＳｉｇＲ，ＳｉｇＢ等に電気的に接続されている。例えば、駆動ＩＣ１３は、多層配線層１３１により基板１１に電気的に接続されている。
　図４Ａ，図４Ｂは、基板１１に電気的に接続された駆動ＩＣ１３の構成の一例を表している。駆動ＩＣ１３は、図４Ａに示した多層配線層１３１の端子領域１３１ＷＡにより基板１１に電気的に接続されていてもよい。端子領域１３１ＷＡでは、例えば、配線１３１Ｗの一部が、層間絶縁膜１３１Ｚから露出されている。駆動ＩＣ１３は、図４Ｂに示したように、バンプ１３６により基板１１に電気的に接続されていてもよい。バンプ１３６は、例えば、多層配線層１３１と基板１１との間に配置されている。
　多層配線層１３１と無機絶縁層１３３との間に設けられた半導体層１３２は、例えばシリコン（Ｓｉ）等により構成されている。無機絶縁層１３３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）等により構成され、有機絶縁層１３４は、例えば、樹脂材料等により構成されている。
　本実施の形態では、この駆動ＩＣ１３が、更に、遮光部１３５を有している。この遮光部１３５は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ各々から出射された光が、当該駆動ＩＣ１３に入射するのを抑えるためのものである。詳細は後述するが、これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
　遮光部１３５は、例えば、半導体層１３２を間にして基板１１に対向する第１遮光面Ｓ１と、第１遮光面Ｓ１に交差する方向に配置された第２遮光面Ｓ２を含んでいる。第２遮光面Ｓ２は、第１遮光面Ｓ１と多層配線層１３１との間に設けられている。
　図５は、第１遮光面Ｓ１の平面（図３のＸＹ平面）構成の一例を表している。
　第１遮光面Ｓ１は、例えば、半導体層１３２と有機絶縁層１３４との間に、基板１１に略平行に設けられている（図３）。この第１遮光面Ｓ１は、無機絶縁層１３３に埋め込まれており、第１遮光面Ｓ１と半導体層１３２との間、および、第１遮光面Ｓ１と有機絶縁層１３４との間に無機絶縁層１３３が設けられている。第１遮光面Ｓ１は、例えば、四角形の平面形状を有している（図５）。第１遮光面Ｓ１は、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅよりも内側に設けられている。周縁１３Ｅは、例えば、駆動ＩＣ１３を形成する際のチップ分離（後述の図１３Ｆの分離溝Ｇ）によって露出された面である。
　第２遮光面Ｓ２は、例えば、第１遮光面Ｓ１に略垂直に設けられている（図３）。この第２遮光面Ｓ２は、無機絶縁層１３３から半導体層１３２にわたって設けられた溝１３２ｇに埋設されている。溝１３２ｇには、例えば、無機絶縁層１３３を介して第２遮光面Ｓ２が設けられている。溝１３２ｇは、例えば、無機絶縁層１３３から、多層配線層１３１と半導体層１３２との界面近傍まで設けられている。溝１３２ｇは、例えば、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に細くなっている。即ち、溝１３２ｇに埋設された遮光材料の厚みは、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に薄くなっている。第２遮光面Ｓ２の一端（図３の上側の端）は、例えば、第１遮光面Ｓ１に接しており、他端（図３の下側の端）は、多層配線層１３１と半導体層１３２との界面近傍に設けられていることが好ましい。これにより、遮光部１３５が当該駆動ＩＣ１３を十分に遮光することが可能となる。
　図６は、溝１３２ｇの平面（図３のＸＹ平面）構成の一例を表している。
　溝１３２ｇは、例えば、第１遮光面Ｓ１の周囲に沿って設けられ、四角形の平面形状を有している。溝１３２ｇは、駆動ＩＣ１３の全周にわたって設けられ、周縁１３Ｅよりも内側に配置されている。例えば、この溝１３２ｇに４つの第２遮光面Ｓ２（第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ）が設けられている。換言すれば、この第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄは、駆動ＩＣ１３の全周にわたって設けられている。
　第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂは、互いに略平行に設けられている。第２遮光面Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄは、第２遮光面Ｓ２Ａと第２遮光面Ｓ２Ｂとの間に設けられ、第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂに接している。第２遮光面Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄは、互いに略平行に設けられている。即ち、複数の第２遮光面Ｓ２（第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ）は、互いに接している。これにより、駆動ＩＣ１３の全周にわたって第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄが隙間なく設けられるので、当該駆動ＩＣ１３が十分に遮光される。
　図５および図６に示したＩＩＩ－ＩＩI’線に沿った断面構成が図３に対応している。
　図７および図８は、溝１３２ｇの平面構成の他の例を表している。
　図７に示したように、溝１３２ｇは、駆動ＩＣ１３の全周にわたって設けられていなくてもよい。例えば、略四角形の平面形状を有する駆動ＩＣ１３の３辺にわたって溝１３２ｇが設けられ、この溝１３２ｇに３つの第２遮光面Ｓ２（第２遮光面Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ）が設けられていてもよい。このとき、第２遮光面Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ（または溝１３２ｇ）は、駆動ＩＣ１３の周囲のうち、パッケージ１２に臨む位置（図７の右側）に設けられていることが好ましい。これにより、第２遮光面Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄが、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）からの光を効果的に遮光することができる。
　図８に示したように、溝１３２ｇは、連続して設けられていなくてもよい。互いに分断された複数の溝１３２ｇ各々に第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄが設けられていてもよい。
　図９Ａ，図９Ｂおよび図９Ｃは、溝１３２ｇの断面構成の他の例を表している。
　図９Ａに示したように、溝１３２ｇ（第２遮光面Ｓ２）は、無機絶縁層１３３から半導体層１３２を貫通して多層配線層１３１に達していてもよい。あるいは、図９Ｂに示したように、溝１３２ｇ（第２遮光面Ｓ２）は、無機絶縁層１３３から半導体層１３２と多層配線層１３１との間の界面近傍まで延在していなくてもよい。換言すれば、半導体層１３２の厚み方向の少なくとも一部に沿って、第２遮光面Ｓ２が設けられていればよい。
　図９Ｃに示したように、溝１３２ｇは、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に太くなっていてもよい。即ち、溝１３２ｇに埋設された遮光材料の厚みは、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に厚くなっていてもよい。溝１３２ｇの形成方向によって、テーパの向きを変えることができる（後述）。
　図１０，図１１，図１２Ａおよび図１２Ｂは、遮光部１３５（第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２）の断面構成の他の例を表している。
　図１０に示したように、第１遮光面Ｓ１と第２遮光面Ｓ２とが離れ、これらの間に隙間が生じていてもよい。上記のように、第１遮光面Ｓ１と第２遮光面Ｓ２とが接していることにより、遮光部１３５は当該駆動ＩＣ１３を十分に遮光することが可能となる。しかし、駆動ＩＣ１３への光の入射量によっては、第１遮光面Ｓ１と第２遮光面Ｓ２との間に隙間が生じていても、十分な遮光が可能となる。
　図１１に示したように、第１遮光面Ｓ１は、駆動ＩＣ１３の上面に露出されていてもよい。換言すれば、第１遮光面Ｓ１を覆う無機絶縁層１３３および有機絶縁層１３４が設けられていなくてもよい。
　図１２Ａに示したように、第１遮光面Ｓ１が駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅに露出されていてもよい。あるいは、図１２Ｂに示したように、第２遮光面Ｓ２が駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅに露出されていてもよい。しかし、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅの内側に遮光部１３５（第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２）を設けることにより、駆動ＩＣ１３の製造が容易となる（後述）。
　このような第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２を含む遮光部１３５は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射される波長域の光（例えば、可視領域の波長の光）に対して遮光性を有する材料により構成されている。例えば、遮光部１３５は、タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）等の金属材料により構成されている。あるいは、遮光部１３５は、カーボンブラック等を含む樹脂材料等により構成されていてもよい。
（駆動ＩＣ１３の製造方法）
　このような遮光部１３５を有する駆動ＩＣ１３は、例えば、以下のような方法で製造することができる（図１３Ａ～図１３Ｆ）。
　まず、図１３Ａに示したように、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体層１３２上に多層配線層１３１を形成する。
　図示は省略するが、多層配線層１３１を形成する前に、多層配線層１３１を形成する側の面から半導体層１３２に溝１３２ｇを形成するようにしてもよい。これにより、多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に太くなる溝１３２ｇ（図９Ｃ）が形成される。
　半導体層１３２上に多層配線層１３１を形成した後、図１３Ｂに示したように、例えば、接着剤５２を用いて、多層配線層１３１および半導体層１３２の積層体を仮基板５１に貼り合わせる。仮基板５１は、例えば、石英基板により構成されている。このとき、多層配線層１３１を間にして仮基板５１に半導体層１３２が対向するように貼り合わせる。次いで、半導体層１３２を所望の厚みまで薄くする。
　続いて、図１３Ｃに示したように、無機絶縁層１３３および遮光部１３５を形成する。具体的には、半導体層１３２に溝１３２ｇを形成した後、半導体層１３２の全面に、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）およびタングステン（Ｗ）をこの順に成膜する。これにより、酸化シリコンおよびタングステンは、半導体層１３２上に成膜されるとともに、溝１３２ｇに埋め込まれる。半導体層１３２上に成膜されたタングステンにより第１遮光面Ｓ１が形成され、溝１３２ｇに埋め込まれた遮光材料により第２遮光面Ｓ２が形成される。酸化シリコンにより、半導体層１３２と第１遮光面Ｓ１との間、および溝１３２ｇ内に無機絶縁層１３３が形成される。
　遮光部１３５を形成した後、図１３Ｄに示したように、更に、第１遮光面Ｓ１を覆う無機絶縁層１３３を形成する。このとき、第１遮光面Ｓ１を所望の大きさにエッチングしておき、第１遮光面Ｓ１の端部を無機絶縁層１３３で覆うようにする。無機絶縁層１３３の表面には、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization）等の平坦化処理を施しておく。
　第１遮光面Ｓ１を覆う無機絶縁層１３３を形成した後、図１３Ｅに示したように、多層配線層１３１、半導体層１３２および無機絶縁層１３３の積層体を反転させて、別の仮基板（仮基板５１Ａ）に貼り合わせる。このとき、無機絶縁層１３３および半導体層１３２を間にして、多層配線層１３１が仮基板５１Ａに対向している。積層体は、例えば、接着剤５２Ａにより、仮基板５１Ａに貼り合わされる。
　積層体を仮基板５１Ａに貼り合わせた後、図１３Ｆに示したように、分離溝Ｇにより、チップ分離を行う。チップ分離は、例えば、ドライエッチングを用いて行う。このとき、分離溝Ｇは例えば、溝１３２ｇの外側に形成する。これにより、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅの内側に遮光部１３５が形成される（図３等）。分離溝Ｇを溝１３２ｇの外側に形成することにより、遮光部１３５を構成する金属材料等がエッチングされないので、容易にチップ分離を行うことができる。製造条件によっては、分離溝Ｇに第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２が重なってもよい（図１２Ａ，図１２Ｂ参照）。例えば、金属加工によって発生する２次生成物および処理時間の長さ等の点を考慮すればよい。あるいは、レーザ加工または機械加工等を用いて分離溝Ｇを形成する場合には、分離溝Ｇに第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２が重なってもよい。
　例えば、チップ分離を行った後に、分離溝Ｇに遮光材料を成膜することも考えうる。この場合には、例えばタングステン（Ｗ）等の遮光材料が仮基板５１Ａに接するため、駆動ＩＣ１３を基板１１に実装（ピックアップ）する際に、不具合が生じやすい。したがって、チップ分離の前に遮光部１３５を形成しておくことが好ましい。
　例えば、このようにして図３等に示した駆動ＩＣ１３を形成することができる。
（表示装置１の動作）
　表示装置１では、例えば、駆動ＩＣ１３を介して各々の発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに駆動信号が入力されると、発光素子１２Ｒからは赤色波長域の光、発光素子１２Ｇからは緑色波長域の光、発光素子１２Ｂからは青色波長域の光が各々出射される。この光は、遮光膜１５の開口１５Ａを介して取り出される。即ち、表示装置１では、遮光膜１５側が、表示面となる。
（表示装置１の作用・効果）
　本実施の形態の表示装置１では、駆動ＩＣ１３に、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからの光の入射を抑える遮光部１３５が設けられているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３への光の入射が抑えられる。これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。以下、この作用および効果について説明する。
　図１４は比較例に係る表示装置（表示装置１００）の要部の模式的な断面構成を表したものである。この表示装置１００は、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ（駆動ＩＣ１１３）を有している。この駆動ＩＣ１１３は、基板１１側から、多層配線層１３１、半導体層１３２および無機絶縁層１３３をこの順に有している。この駆動ＩＣ１１３は、遮光部（図３の遮光部１３５）を有していない。この点において、表示装置１００の駆動ＩＣ１１３は、表示装置１の駆動ＩＣ１３と異なっている。表示装置１００は、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ１１３を覆う保護層１４と、保護層１４上の遮光膜１５とを有している。遮光膜１５には、パッケージ１２に対向する位置に開口１５Ａが設けられている。
　発光素子１２Ｒ，１２Ｇ、１２Ｂから出射された光のほとんど（光Ｌ１）は、遮光膜１５の開口１５Ａから取り出される。一方、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ、１２Ｂから出射された光の一部（光Ｌ２）は、横方向への漏れ光となり、駆動ＩＣ１１３に向かって伝搬される。表示装置１００では、駆動ＩＣ１１３に遮光部が設けられていないので、この光Ｌ２が駆動ＩＣ１１３に入射しやすい。この駆動ＩＣ１１３に入射した光Ｌ２は、駆動ＩＣ１１３の特性変動を引き起こすおそれがある。
　駆動ＩＣ１１３を、遮光性の保護体によりパッケージングする方法も考えうる。しかし、例えば、２００μｍ四方程度の駆動ＩＣ１１３は非常に小さい。また、表示装置１００では、基板１１に実装する駆動ＩＣ１１３の数も多い。この小さい駆動ＩＣ１１３各々をパッケージングして、基板１１に多数実装することは、実装難易度が高い。更に、この製造工程では、コストがかかる。
　これに対し、表示装置１では、図１５に示したように、駆動ＩＣ１３が遮光部１３５を有しているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３への光Ｌ２の入射が抑えられる。これにより、光Ｌ２に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　また、駆動ＩＣ１３各々を、遮光性の保護体によりパッケージングする必要がないので、基板１１への実装も容易となる。更に、製造に要するコストも抑えることができる。
　このように本実施の形態では、駆動ＩＣ１３に、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからの光（光Ｌ２）の入射を抑える遮光部１３５を設けるようにしたので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
　また、遮光部１３５は、半導体層１３２を間にして基板１１に対向する第１遮光面Ｓ１と、第１遮光面Ｓ１に交差する方向に配置された第２遮光面Ｓ２とを有している。これにより、多方向で駆動ＩＣ１３への光の入射が抑えられる。したがって、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
　更に、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅよりも内側に遮光部１３５を設けることにより、駆動ＩＣ１３を形成する際のチップ分離の工程（図１３Ｆ）が容易となる。よって、駆動ＩＣ１３を容易に製造することができる。
　以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記第１の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
　上記第１の実施の形態に係る表示装置１は、駆動ＩＣ１３に代えて、以下の変形例（変形例１，２）に係る駆動ＩＣ（駆動ＩＣ１３Ａ，１３Ｂ）を有していてもよい。
＜変形例１＞
　図１６は、変形例１に係る駆動ＩＣ１３Ａの模式的な断面構成を表している。駆動ＩＣ１３Ａの遮光部１３５は、第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２に加えて、第３遮光面Ｓ３を有している。
　第３遮光面Ｓ３は、例えば、多層配線層１３１に設けられている。この第３遮光面Ｓ３は、第２遮光面Ｓ２を間にして第１遮光面Ｓ１に対向しており、第２遮光面Ｓ２に接している。
　遮光部１３５が、第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２に加えて、第３遮光面Ｓ３を有することにより、より効果的に発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから当該駆動ＩＣ１３への光の入射が抑えられる。
＜変形例２＞
　図１７は、変形例２に係る駆動ＩＣ１３Ｂの模式的な断面構成を表している。駆動ＩＣ１３Ｂの遮光部１３５は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）等の無機絶縁材料により構成されている。
　この遮光部１３５は、例えば、第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２を有している。第１遮光面Ｓ１は、半導体層１３２を間にして基板１１に対向している。この第１遮光面Ｓ１は、駆動ＩＣ１３の上面に露出されている。第２遮光面Ｓ２は、例えば、多層配線層１３１と第１遮光面Ｓ１との間に、第１遮光面Ｓ１にほぼ垂直に配置されている。この第２遮光面Ｓ２は、例えば、駆動ＩＣ１３Ｂの周縁１３Ｅに露出されている。即ち、駆動ＩＣ１３Ｂの上面から側面を覆うように遮光部１３５が設けられている。多層配線層１３１および半導体層１３２の側面には、テーパが設けられていてもよい。これにより、第２遮光面Ｓ２を形成しやすくなる。
　図１８は、駆動ＩＣ１３Ｂの他の例を表している。駆動ＩＣ１３Ｂの遮光部１３５は、第１遮光面Ｓ１により構成されていてもよい。換言すれば、遮光部１３５は、第２遮光面（図１７の第２遮光面Ｓ２）を有していなくてもよい。
　遮光部１３５を構成する無機絶縁材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ），酸窒化シリコン（ＳｉＮ）およびＳＯＧ（Spin On Glass）等である。遮光部１３５は、複数の無機絶縁材料を含んでいてもよい。
　遮光部１３５のうち、少なくとも第１遮光面Ｓ１を構成する無機絶縁材料の厚みは、５００ｎｍ以上であることが好ましい。
　図１９は、第１遮光面Ｓ１を構成する酸化シリコンの厚みと、半導体層１３２への光の透過率との関係を表すシミュレーション結果である。このシミュレーションは、駆動ＩＣ１３Ｂの上面に７５°～８９°の入射角で光が入射する場合を想定している。この結果より、第１遮光面Ｓ１を構成する無機絶縁材料の厚みが５００ｎｍ以上であるとき、半導体層１３２への光の透過率が０．５％と小さくなることがわかった。
　図２０は、駆動ＩＣ１３Ｂの製造方法の一工程を表している。仮基板５１に、多層配線層１３１および半導体層１３２の積層体を貼り合わせた後（図１３Ｂの工程の後）、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、半導体層１３２上に無機絶縁材料を成膜する。これにより、遮光部１３５が形成される。この後は、上記第１の実施の形態で説明したのと同様の方法で駆動ＩＣ１３Ｂを形成することができる。
　図２１は、駆動ＩＣ１３Ｂの製造方法の他の例を表している。遮光部１３５は、基板１１に多層配線層１３１および半導体層１３２の積層体を実装した後（図２１の工程の後）、形成するようにしてもよい。遮光部１３５は、例えば、スパッタ法，インクジェット印刷法またはスクリーン印刷法等により形成することができる。チップ分離の工程（図１３Ｆ参照）で、半導体層１３２および多層配線層１３１の側面にテーパを形成しておくことにより、この遮光部１３５の形成工程で第２遮光面Ｓ２が形成され易くなる。
　駆動ＩＣ１３Ｂでは、遮光部１３５が無機絶縁材料により形成されているので、金属材料等により遮光部１３５を形成する駆動ＩＣ１３に比べて、製造工程を簡便にすることが可能となる。
＜第２の実施の形態＞
　図２２および図２３は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置２では、駆動ＩＣ１３，１１３に対向する部分の保護層１４の厚みと、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）に対向する部分の保護層１４の厚みとが異なっている。表示装置２は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図２２）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図２３）。この点を除き、表示装置２は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
　保護層１４は、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３，１１３を覆うように、例えば、基板１１の全面にわたって設けられている。表示装置２では、この保護層１４が、駆動ＩＣ１３，１１３およびその周囲を覆う厚膜部１４Ｓと、パッケージ１２およびその周囲を覆う薄膜部１４Ｒとを有している。換言すれば、厚膜部１４Ｓは、駆動ＩＣ１３，１１３に対向して設けられ、薄膜部１４Ｒは、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）に対向して設けられている。
　厚膜部１４Ｓは、駆動ＩＣ１３，１１３上に、厚みＴＳを有している。薄膜部１４Ｒは、パッケージ１２上に、厚みＴＳより小さい厚みＴＲを有している（ＴＲ＜ＴＳ）。厚みＴＳは例えば２μｍ～１０μｍであり、厚みＴＲは例えば０．５μｍ～３μｍである。このように、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）の直上の保護層１４の厚みＴＲを小さくすることにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射されて保護層１４内に拡散される光を少なくすることができる。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　遮光膜１５は、保護層１４を間にして基板１１に対向している。この遮光膜１５は、パッケージ１２に対向する位置に開口１５Ａを有している。例えば、平面（図２２，図２３のＸＹ平面）視での開口１５Ａの大きさは、平面視での薄膜部１４Ｒの大きさよりも小さくなっている。換言すれば、遮光膜１５は、厚膜部１４Ｓから薄膜部１４Ｒの一部を覆うように設けられている。即ち、遮光膜１５は、厚膜部１４Ｓと薄膜部１４Ｒとの間の段差を覆っている。これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、開口１５Ａを介して取り出された光（例えば、図１４の光Ｌ１）が、保護層１４内に戻りにくくなる。よって、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　例えば、表示装置２は以下のようにして製造することができる（図２４Ａ，図２４Ｂ）。
　まず、図２４Ａに示したように、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する。例えば、パッケージ１２はバンプ１２１により基板１１に実装され、駆動ＩＣ１１３はバンプ１３６により基板１１に実装される。保護層１４は、例えば、基板１１の全面にわたって略均一な厚みで形成する。
　次いで、図２４Ｂに示したように、保護層１４のうち、パッケージ１２およびその周囲を覆う部分を選択的にエッチングする。これにより、パッケージ１２およびその周囲を覆う部分の保護層１４の厚みが小さくなり、薄膜部１４Ｒおよび厚膜部１４Ｓが形成される。この保護層１４のエッチングの際には、パッケージ１２の上面が露出されてもよい。
　薄膜部１４Ｒおよび厚膜部１４Ｓを形成した後、保護層１４上に遮光膜１５を形成する。この後、この遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図２２，図２３に示した表示装置２を形成することができる。
　本実施の形態では、保護層１４が、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）に対向する薄膜部１４Ｒを有しているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
　また、厚膜部１４Ｓと薄膜部１４Ｒとの段差を覆うように、遮光膜１５を設けることにより、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
＜変形例３＞
　図２５は、上記第２の実施の形態の変形例（変形例３）に係る表示装置（表示装置２Ａ）の要部の模式的な断面構成を表している。このように、保護層１４の薄膜部１４Ｒの表面が凸レンズ形状を有していてもよい。これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射された光が、保護層１４（薄膜部１４Ｒ）の表面で全反射しにくくなる。したがって、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、保護層１４内に拡散される光を更に、少なくすることができる。
＜変形例４＞
　図２６は、上記第２の実施の形態の変形例（変形例４）に係る表示装置（表示装置２Ｂ）の要部の模式的な断面構成を表している。このように、薄膜部１４Ｒ内に掘込部１４Ｈが設けられていてもよい。
　掘込部１４Ｈは、例えば、薄膜部１４Ｒのうち、厚膜部１４Ｓとの境界近傍に配置されている。即ち、掘込部１４Ｈは、薄膜部１４Ｒの縁に配置されている。この掘込部１４Ｈでは、薄膜部１４Ｒの一部が溝状に掘りこまれている。掘込部１４Ｈは、遮光膜１５の平坦性を維持可能な範囲で深く設けることが好ましい。掘込部１４Ｈには、例えば、厚膜部１４Ｓから延在する遮光膜１５が埋め込まれている。
　このような掘込部１４Ｈを薄膜部１４Ｒの縁に設けることにより、パッケージ１２の上層で生じた反射光が、掘込部１４Ｈに埋め込まれた遮光膜１５に吸収される。パッケージ１２の上層で生じる反射光は、例えば、パッケージ１２（保護体Ｐ）と保護層１４との界面で反射される光、および、保護層１４の表面で反射される光等である。したがって、掘込部１４Ｈを設けることにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射されて保護層１４内に拡散される光を更に、少なくすることができる。薄膜部１４Ｒの表面をレンズ形状にし（図２５）、かつ、掘込部１４Ｈを設けるようにしてもよい。
　図２７は表示装置２Ａの他の例を表し、図２８は表示装置２Ｂの他の例を表している。このように、基板１１の全面にわたって保護層１４の厚みを小さくするようにしてもよい。この保護層１４のうち、パッケージ１２に対向する部分の表面をレンズ形状にし（図２７）、あるいは、パッケージ１２の周囲に掘込部１４Ｈを設けるようにしてもよい（図２８）。
　このような保護層１４は、例えば、基板１１の全面に保護層１４の構成材料を成膜した後、この膜をエッチバック等の方法により薄膜化して形成する。このような保護層１４の形成工程では、選択的に薄膜部（図２５および図２６の薄膜部１４Ｒ）を形成するためのパターニング工程が不要となる。よって、製造工程が簡便となり、生産性を向上させることができる。
＜第３の実施の形態＞
　図２９および図３０は、本技術の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置３では、保護層１４の厚み方向（図２９，図３０のＺ方向）に遮光膜１５が埋め込まれている。表示装置３は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図２９）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図３０）。この点を除き、表示装置３は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
　保護層１４は、例えば、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）と駆動ＩＣ１３，１１３との間に溝１４Ｇを有している。この溝１４Ｇに遮光膜１５が埋め込まれている。遮光膜１５は、例えば、保護層１４上から溝１４Ｇの底まで連続して設けられている。
　溝１４Ｇは、例えば、保護層１４の表面から、保護層１４と基板１１との界面近傍にわたって設けられている。この溝１４Ｇの断面形状は、保護層１４の表面から基板１１に向かうに連れて徐々に細くなっている。即ち、溝１４Ｇは楔形の断面形状を有している。楔型の断面形状を有する溝１４Ｇを設けることにより、一定の太さの溝１４Ｇ（例えば、後述の図３３）を設ける場合に比べて、保護層１４上の遮光膜１５の平坦性を維持し易くなる。よって、遮光膜１５の平坦性の悪化に起因した表示ムラの発生を抑え、画質を向上させることができる。
　図３１Ａ，図３１Ｂは、溝１４Ｇの平面（図２９，図３０のＸＹ平面）構成の一例を表している。溝１４Ｇは、例えば、図３１Ａに示したように、駆動ＩＣ１３，１１３を囲むように設けられている。あるいは、図３１Ｂに示したように、パッケージ１２を囲むように、溝１４Ｇを設けるようにしてもよい。
　図３２および図３３は、溝１４Ｇの断面形状の他の例を表している。図３２に示したように、溝１４Ｇは、保護層１４の厚み方向の全部にわたって設けられていなくてもよい。溝１４Ｇは、保護層１４の厚み方向の一部に設けられていてもよい。図３３に示したように、溝１４Ｇの深さ方向の太さが一定であってもよい。溝１４Ｇは、例えば矩形の断面形状を有している。
　このような保護層１４の溝１４Ｇに遮光膜１５が埋め込まれることにより、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）と駆動ＩＣ１３，１１３との間に遮光膜１５が設けられる。したがって、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、保護層１４を伝搬する光が溝１４Ｇに埋め込まれた遮光膜１５に吸収される。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　図３４Ａ，図３４Ｂは、保護層１４の溝１４Ｇに、遮光膜１５とともに反射防止膜（反射防止膜１６）を有する表示装置３の断面構成を表している。
　反射防止膜１６は、例えば、保護層１４と遮光膜１５との間に設けられており、保護層１４上から溝１４Ｇの底まで連続して設けられている。反射防止膜１６は、例えば、遮光膜１５と同じ平面形状を有しており、遮光膜１５の開口１５Ａに対応する開口を有している（図３４Ａ）。あるいは、反射防止膜１６は、基板１１の全面にわたって設けられていてもよい（図３４Ｂ）。
　反射防止膜１６は、例えば、保護層１４の屈折率とは異なる屈折率を有する材料により構成されている。反射防止膜１６は、例えば、シリコン酸化膜，ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜，ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜，シリコン窒化膜またはアクリル系透明樹脂膜等により構成されている。保護層１４と遮光膜１５との間に、このような反射防止膜１６を設けることにより、保護層１４を伝搬する光を更に少なくすることができる。したがって、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　例えば、表示装置３は以下のようにして製造することができる（図３５Ａ，図３５Ｂ）。
　まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する（図２４Ａ）。
　次いで、図３５Ａに示したように、例えば、駆動ＩＣ１１３の周囲の保護層１４に溝１４Ｇを形成する。溝１４Ｇの形成は、例えば、レーザ光ＬＬを用いて行う。レーザ光ＬＬを用いることにより、溝１４Ｇを短時間、かつ、容易に形成することができる。
　保護層１４に溝１４Ｇを形成した後、図３５Ｂに示したように、保護層１４上から溝１４Ｇを埋め込むように遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図２９，図３０に示した表示装置３を形成することができる。
　本実施の形態では、保護層１４の溝１４Ｇに遮光膜１５が埋め込まれているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
　また、溝１４Ｇを保護層１４の厚み方向の略全部にわたって設けることにより、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
＜変形例５＞
　図３６は、上記第３の実施の形態の変形例（変形例５）に係る表示装置（表示装置３Ａ）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置３Ａでは、保護層１４の除去領域（除去領域１４Ａ）に遮光膜１５が埋め込まれている。このように、遮光膜１５を保護層１４の厚み方向に埋め込むようにしてもよい。
　除去領域１４Ａは、保護層１４が除去された領域である。この除去領域１４Ａは、駆動ＩＣ１１３（または駆動ＩＣ１３）およびその周辺に対向する領域に設けられている。換言すれば、除去領域１４Ａに駆動ＩＣ１１３が設けられ、この駆動ＩＣ１１３の周囲が遮光膜１５で覆われている。遮光膜１５は、例えば、駆動ＩＣ１１３の上面および側面に接している。
　図３７は、表示装置３Ａの他の例を表している。除去領域１４Ａでは、保護層１４が全て除去されていなくてもよい。例えば、保護層１４が厚み方向に一部残っていてもよい。
＜第４の実施の形態＞
　図３８および図３９は、本技術の第４の実施の形態に係る表示装置（表示装置４）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置４では、保護層１４の表面（遮光膜１５側の面）に複数の凹凸１４Ｂが設けられている。表示装置４は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図３９）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図３８）。この点を除き、表示装置４は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
　保護層１４の表面に設けられた凹凸１４Ｂは、例えば、保護層１４の表面全面に設けられている。凹凸１４Ｂは、例えば、略四角形の断面形状を有している。凹凸１４Ｂは、例えば、略半円形等の曲線を含む断面形状を有していてもよい（後述の図４３Ｂ参照）。凹凸１４Ｂこの複数の凹凸１４Ｂは、例えば、２００ｎｍ程度のピッチ（例えば、図３８，図３９のＸ方向およびＹ方向の大きさ）で設けられており、凹凸１４Ｂの高さ（例えば、図３８，図３９のＺ方向の大きさ）は２００ｎｍ程度である。この凹凸１４Ｂを覆うように遮光膜１５が設けられている。
　保護層１４の表面に複数の微小な凹凸１４Ｂを設けることにより、保護層１４の表面での屈折率の変化が緩やかになる。これにより、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）から出射された光の保護層１４の表面での反射が抑えられる。即ち、保護層１４の表面に設けられた複数の凹凸１４Ｂによりモスアイ構造と同様の効果が得られる。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　例えば、表示装置４は以下のようにして製造することができる（図４０Ａ，図４０Ｂ）。
　まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する（図２４Ａ）。
　次いで、図４０Ａに示したように、保護層１４の表面にレジストパターン６１を形成する。このレジストパターン６１は、複数の凹凸１４Ｂを形成するためのものであり、凹凸１４Ｂの形状に対応している。レジストパターン６１は、例えば、保護層１４の表面にレジスト材料を成膜した後、これを所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。
　レジストパターン６１を形成した後、図４０Ｂに示したように、保護層１４の表面に複数の凹凸１４Ｂを形成する。複数の凹凸１４Ｂは、例えば、レジストパターン６１を用いたドライエッチングにより形成する。複数の凹凸１４Ｂを形成した後、レジストパターン６１を除去する。続いて、保護層１４の表面に遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図３８，図３９に示した表示装置４を形成することができる。
　図４１～図４３Ｂは、複数の凹凸１４Ｂの形成方法の他の例を表している。
　図４１に示したように、保護層１４を形成した後、保護層１４の表面にアッシング処理を施すことにより複数の凹凸１４Ｂを形成するようにしてもよい。
　図４２Ａ～図４３Ｂに示したように、保護層１４を形成した後、保護層１４の表面にナノインプリント用のモールド６２を押し当てることにより、複数の凹凸１４Ｂを形成するようにしてもよい。角型のモールド６２を用いるようにしてもよく（図４２Ａ，図４２Ｂ）、丸形のモールド６２を用いるようにしてもよい（図４３Ａ，図４３Ｂ）。
　本実施の形態では、保護層１４の表面に複数の微小な凹凸１４Ｂが設けられているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
＜第５の実施の形態＞
　図４４および図４５は、本技術の第５の実施の形態に係る表示装置（表示装置５）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置５の保護層１４は、低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２を含んでいる。表示装置５は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図４５）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図４４）。この点を除き、表示装置５は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
　例えば、基板１１側から低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２がこの順に積層されている。低屈折率膜１４１の厚みは、例えば、高屈折率膜１４２の厚みよりも大きくなっている。この低屈折率膜１４１により、基板１１上のパッケージ１２および駆動ＩＣ１３，１１３が覆われている。低屈折率膜１４１は、例えば、樹脂材料等により構成されている。この低屈折率膜１４１の屈折率は、例えば、１．５程度である。
　高屈折率膜１４２は、低屈折率膜１４１の屈折率よりも高い屈折率を有している。高屈折率膜１４２は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等により構成されている。この高屈折率膜１４２の屈折率は、例えば、２．０程度である。高屈折率膜１４２は、低屈折率膜１４１と遮光膜１５との間に設けられている。
　保護層１４が、このような低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２の積層構造を有することにより、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）から出射された光の保護層１４の表面近傍での反射が抑えられる。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　図４６は、表示装置５の他の例を表している。表示装置５では、高屈折率膜１４２の表面に複数の微小な凹凸１４Ｂを設けるようにしてもよい。これにより、より効果的に保護層１４の表面近傍での反射が抑えられる。
　例えば、表示装置５は以下のようにして製造することができる。
　まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、基板１１の全面にわたって低屈折率膜１４１を形成する。次いで、低屈折率膜１４１上に高屈折率膜１４２を形成する。これにより、保護層１４が形成される。続いて、保護層１４の表面に遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図４４，図４５に示した表示装置５を形成することができる。
　本実施の形態では、保護層１４が低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２の積層構造を有しているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
＜第６の実施の形態＞
　図４７および図４８は、本技術の第６の実施の形態に係る表示装置（表示装置６）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置６は、駆動ＩＣ１３，１１３とパッケージ１２との間に遮光部材（遮光部材１７）を有している。表示装置６は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図４７）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図４８）。この点を除き、表示装置６は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
　この遮光部材１７は、例えば、保護層１４の厚み方向に沿って延在しており、遮光部材１７の下面が基板１１に接し、遮光部材１７の上面が遮光膜１５に接している。遮光部材１７にかかるように遮光膜１５が設けられていることが好ましい
　図４９は、遮光部材１７の断面構成の他の例を表している。遮光部材１７は、保護層１４の厚み方向の全部にわたって延在していなくてもよく、例えば、保護層１４の表面側の一部に延在していてもよい。
　図５０Ａ，図５０Ｂ，図５０Ｃは、遮光部材１７の平面（図４７，図４８のＸＹ平面）構成の一例を表している。遮光部材１７は、例えば、駆動ＩＣ１３（または駆動ＩＣ１１３）とパッケージ１２との間を仕切るように、壁状に設けられている。図５０Ａに示したように、遮光部材１７を格子状に設けるようにしてもよい。あるいは、図５０Ｂ，図５０Ｃに示したように、駆動ＩＣ１３またはパッケージ１２のどちらか一方を囲むように、遮光部材１７を設けるようにしてもよい。
　図５１Ａ，図５１Ｂは、遮光部材１７の平面構成の他の例を表している。遮光部材１７は、例えば、柱状であってもよい。駆動ＩＣ１３（または駆動ＩＣ１１３）とパッケージ１２との間に、複数の柱状の遮光部材１７が設けられている。図５１Ａに示したように、遮光部材１７は円柱状であってもよい。あるいは、図５１Ｂに示したように、遮光部材１７は角柱状であってもよい。
　遮光部材１７は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射される波長域の光（例えば、可視領域の波長の光）に対して遮光性を有する材料により構成されている。例えば、遮光部材１７は、タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）等の金属材料により構成されている。あるいは、遮光部材１７は、カーボンブラック等を含む有機材料等により構成されていてもよく、無機材料により構成されていてもよい。
　このような遮光部材１７を、駆動ＩＣ１３，１１３とパッケージ１２（発光素子１２Ｒ、２Ｇ，１２Ｂ）との間に設けることにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、保護層１４を伝搬する光が遮光部材１７に吸収される。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
　例えば、表示装置６は以下のようにして製造することができる（図５２Ａ～図５２Ｅ）。
　まず、図５２Ａに示したように基板１１を形成する。
　次いで、図５２Ｂに示したように、フォトリソグラフィ法を用いて、基板１１上にレジストパターン６４を形成する。このレジストパターン６４は、遮光部材１７に対応するパターンを有している。
　次いで、図５２Ｃに示したように、レジストパターン６４上に、遮光材料１７Ａを成膜する。続いて、図５２Ｄに示したように、例えばエッチングにより不要な遮光材料１７Ａを除去する。これにより、遮光部材１７が形成される。
　次に、図５２Ｅに示したように、レジストパターン６４を除去する。続いて、この遮光部材１７が設けられた基板１１上に、駆動ＩＣ１３，１１３およびパッケージ１２を実装する。次に、保護層１４および遮光膜１５をこの順に形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図４７，図４８に示した表示装置６を形成することができる。
　図５３Ａ～図５３Ｃは、表示装置６の製造方法の他の例を表している。
　まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する（図２４Ａ）。
　次に、図５３Ａに示したように、保護層１４上にレジストパターン６５を形成する。このレジストパターン６４は、遮光部材１７に対応するパターンを有している。続いて、図５３Ｂに示したように、このレジストパターン６４を用いて、保護層１４に溝Ｍを形成する。
　保護層１４に溝Ｍを形成した後、図５３Ｃに示したように、レジストパターン６５上から溝Ｍを埋め込むように遮光材料１７Ａを成膜する。続いて、例えばエッチングにより不要な遮光材料１７Ａおよびレジストパターン６５を除去する。これにより、遮光部材１７が形成される。次に、遮光部材１７および保護層１４を覆うように遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このような方法でも図４７，図４８に示した表示装置６を形成することができる。
　この方法では、保護層１４の溝Ｍに遮光材料１７Ａを埋め込んで遮光部材１７を形成しているので、複数の遮光部材１７の高さ（例えば、図４７，図４８のＺ方向の大きさ）を揃えるためには、保護層１４の平坦化および溝Ｍの深さが重要となる。したがって、加工難易度が高い。一方、基板１１にパッケージ１２および駆動ＩＣ１３，１１３を実装する前に、遮光部材１７を形成する場合（図５２Ａ～図５２Ｅ）には、容易に遮光部材１７の高さを調整し、複数の遮光部材１７の高さを揃えやすい。
　本実施の形態では、駆動ＩＣ１３，１１３とパッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）との間に遮光部材１７を設けるようにしたので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
　上記第１～第６の実施の形態等において説明した表示装置１，２，２Ａ，２Ｂ，３，３Ａ，４，５，６（以下、略して表示装置１とする）は、複数の基板１１がタイル状に敷き詰められた表示装置、いわゆる、タイリングディスプレイであってもよい。
＜適用例＞
　上記第１～第６の実施の形態等において説明した表示装置１は、例えば、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
　以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各部の材料および厚みなどは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
　また、上記実施の形態等では、本技術の半導体素子の一具体例として、駆動ＩＣ１３を挙げて本技術を説明したが、本技術の半導体素子はこれに限られない。
　また、上記実施の形態等では、パッケージ１２が３つの発光素子（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）を含む場合について説明したが、パッケージ１２に含まれる発光素子の数は、例えば、１つであってもよく、あるいは、４つ以上であってもよい。
　また、上記実施の形態等では、画素１０毎に駆動ＩＣ１３が設けられている場合について説明したが（図２）、複数の画素１０で駆動ＩＣ１３が共有されていてもよい。
　また、上記実施の形態等では、本技術の発光装置を表示装置に適用する場合について説明したが、本技術は例えば、照明装置等の他のデバイスに適用することも可能である。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
　なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。以下の構成の本技術によれば、半導体素子に、発光素子からの光の入射を抑える遮光部を設けるようにしたので、発光素子から半導体素子に入射する光に起因した半導体素子の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
（１）
　基板と、
　前記基板上に設けられた発光素子と、
　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
　前記遮光部は、
　前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
　前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
　発光装置。
（２）
　前記遮光部は、前記半導体素子の周縁よりも内側に設けられている
　前記（１）に記載の発光装置。
（３）
　前記第２遮光面は、前記半導体素子のうち、少なくとも前記発光素子に臨む位置に設けられている
　前記（１）または（２）に記載の発光装置。
（４）
　前記第２遮光面は、前記半導体素子の全周にわたって設けられている
　前記（１）ないし（３）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（５）
　複数の前記第２遮光面を有する
　前記（１）ないし（４）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（６）
　複数の前記第２遮光面は、互いに接して配置されている
　前記（５）に記載の発光装置。
（７）
　前記半導体層は溝を有し、
　前記溝内に、前記第２遮光面が配置されている
　前記（１）ないし（６）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（８）
　前記第２遮光面は前記第１遮光面に接している
　前記（１）ないし（７）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（９）
　前記遮光部は、更に、前記第２遮光面を間にして前記第１遮光面に対向する第３遮光面を有する
　前記（１）ないし（８）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１０）
　更に、前記発光素子と前記半導体素子との間に設けられ、前記発光素子から前記半導体素子への光の入射を抑える遮光部材を有する
　前記（１）ないし（９）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１１）
　更に、前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
　前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを有する
　前記（１）ないし（１０）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１２）
　前記遮光膜は、前記発光素子と前記半導体素子との間の前記保護層の厚み方向に埋設されている
　前記（１１）に記載の発光装置。
（１３）
　前記保護層は、前記半導体素子に対向する厚膜部と、前記発光素子に対向するとともに、前記厚膜部よりも厚みの小さい薄膜部とを有する
　前記（１１）に記載の発光装置。
（１４）
　前記遮光膜は、前記薄膜部と前記厚膜部との間の段差を覆っている
　前記（１３）に記載の発光装置。
（１５）
　前記保護層の表面には、複数の凹凸が設けられている
　前記（１１）ないし（１４）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１６）
　前記保護層は、前記基板側から順に、低屈折率膜および高屈折率膜を含む
　前記（１１）ないし（１５）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１７）
　前記遮光部は、金属材料または樹脂材料を含む
　前記（１）ないし（１６）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１８）
　前記遮光部は、無機絶縁材料を含む
　前記（１）ないし（１７）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１９）
　前記遮光部の少なくとも一部は、厚み５００ｎｍ以上を有する
　前記（１８）に記載の発光装置。
（２０）
　発光装置を備え、
　前記発光装置は、
　基板と、
　前記基板上に設けられた発光素子と、
　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
　前記遮光部は、
　前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
　前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
　表示装置。
（２１）
　基板と、
　前記基板上に設けられた発光素子と、
　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
　前記発光素子と前記半導体素子との間に設けられ、前記発光素子から前記半導体素子への光の入射を抑える遮光部材と
　を備えた発光装置。
（２２）
　基板と、
　前記基板上に設けられた発光素子と、
　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
　前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
　前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
　前記遮光膜は、前記発光素子と前記半導体素子との間の前記保護層の厚み方向に埋設されている
　発光装置。
（２３）
　基板と、
　前記基板上に設けられた発光素子と、
　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
　前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
　前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
　前記保護層は、前記半導体素子に対向する厚膜部と、前記発光素子に対向するとともに、前記厚膜部よりも厚みの小さい薄膜部とを有する
　発光装置。
（２４）
　基板と、
　前記基板上に設けられた発光素子と、
　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
　前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
　前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
　前記保護層の表面には、複数の凹凸が設けられている
　発光装置。
（２５）
　基板と、
　前記基板上に設けられた発光素子と、
　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
　前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
　前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
　前記保護層は、前記基板側から順に、低屈折率膜および高屈折率膜を含む
　発光装置。
　本出願は、日本国特許庁において２０１８年８月３１日に出願された日本特許出願番号第２０１８－１６３０２３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (20)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に設けられた発光素子と、
    　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
    　前記遮光部は、
    　前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
    　前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
    　発光装置。
  2. 　前記遮光部は、前記半導体素子の周縁よりも内側に設けられている
    　請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第２遮光面は、前記半導体素子のうち、少なくとも前記発光素子に臨む位置に設けられている
    　請求項１に記載の発光装置。
  4. 　前記第２遮光面は、前記半導体素子の全周にわたって設けられている
    　請求項１に記載の発光装置。
  5. 　複数の前記第２遮光面を有する
    　請求項１に記載の発光装置。
  6. 　複数の前記第２遮光面は、互いに接して配置されている
    　請求項５に記載の発光装置。
  7. 　前記半導体層は溝を有し、
    　前記溝内に、前記第２遮光面が配置されている
    　請求項１に記載の発光装置。
  8. 　前記第２遮光面は前記第１遮光面に接している
    　請求項１に記載の発光装置。
  9. 　前記遮光部は、更に、前記第２遮光面を間にして前記第１遮光面に対向する第３遮光面を有する
    　請求項１に記載の発光装置。
  10. 　更に、前記発光素子と前記半導体素子との間に設けられ、前記発光素子から前記半導体素子への光の入射を抑える遮光部材を有する
    　請求項１に記載の発光装置。
  11. 　更に、前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
    　前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを有する
    　請求項１に記載の発光装置。
  12. 　前記遮光膜は、前記発光素子と前記半導体素子との間の前記保護層の厚み方向に埋設されている
    　請求項１１に記載の発光装置。
  13. 　前記保護層は、前記半導体素子に対向する厚膜部と、前記発光素子に対向するとともに、前記厚膜部よりも厚みの小さい薄膜部とを有する
    　請求項１１に記載の発光装置。
  14. 　前記遮光膜は、前記薄膜部と前記厚膜部との間の段差を覆っている
    　請求項１３に記載の発光装置。
  15. 　前記保護層の表面には、複数の凹凸が設けられている
    　請求項１１に記載の発光装置。
  16. 　前記保護層は、前記基板側から順に、低屈折率膜および高屈折率膜を含む
    　請求項１１に記載の発光装置。
  17. 　前記遮光部は、金属材料または樹脂材料を含む
    　請求項１に記載の発光装置。
  18. 　前記遮光部は、無機絶縁材料を含む
    　請求項１に記載の発光装置。
  19. 　前記遮光部の少なくとも一部は、厚み５００ｎｍ以上を有する
    　請求項１８に記載の発光装置。
  20. 　発光装置を備え、
    　前記発光装置は、
    　基板と、
    　前記基板上に設けられた発光素子と、
    　前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
    　前記遮光部は、
    　前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
    　前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
    　表示装置。
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