WO2019136831A1 - 波长转换装置及其光源 - Google Patents

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Abstract

一种波长转换装置及其光源，所述波长转换装置包括：基板(110)；以及荧光陶瓷层(220)，所述荧光陶瓷层用于吸收激发光并出射波长不同于所述激发光的受激光；其中，所述基板和荧光陶瓷层之间层叠有无机漫反射层(210)和胶粘层(500)，所述无机漫反射层用于反射所述受激光和部分未转换的所述激发光。本发明通过设置荧光陶瓷层和散热鳍片，有效的提高了波长转换装置的散热效果，通过胶粘层保证了多个组件之间的紧密结合，陶瓷基板的设置则减少了热膨胀系数差异引起的应力拉裂现象，提高了波长转换装置的可靠性和使用寿命。

Description

波长转换装置及其光源 技术领域
本发明涉及一种波长转换装置及其光源，属于照明及显示技术领域。
背景技术
在照明显示领域，激光光源成为近年来的研发热点。由于红色激光和绿色激光的电光转换效率低，尤其是绿色激光的成本居高不下，以及散热和散斑的问题严重，因此红绿蓝三色激光的光源难以被市场接受。蓝激光远程激发荧光粉获得可见光的技术应运而生，迅速地发展了起来，成为当前激光显示市场的主流。
在现有技术中，为了获得高亮度的激发光，激光光源中的光学转换装置，已经从硅胶封装荧光粉的有机色轮，发展到了玻璃封装荧光粉的无机色轮，无机色轮的发光层采用玻璃封装荧光粉，反射层采用玻璃封装的漫反射粒子，基板采用氮化铝陶瓷基板，这几层结构通过共同烧结而结合在一起。
在更高功率的激光光源中发现，无机荧光色轮的性能提升瓶颈主要是玻璃封装荧光粉层的热导率太低(主要受玻璃影响，导热率小于2W/m·k)，在激光激发荧光粉产生可见光的过程中，产生的大量热量无法迅速有效地扩散和传递，因此为了获得更高性能的荧光色轮和激光光源，需要克服发光层的性能瓶颈。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对现有技术的不足，提供一种波长转换装置及其光源，通过设置荧光陶瓷层和散热鳍片，有效的提高了波长转换装置的散热效果，通过胶粘层保证了多个组件之间的紧密结合，陶瓷基板的设置则减少了热膨胀系数差异引起的应力拉裂现 象，提高了波长转换装置的可靠性和使用寿命。
本发明所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的：
一种波长转换装置，所述波长转换装置包括：基板；以及荧光陶瓷层，所述荧光陶瓷层用于吸收激发光并出射波长不同于所述激发光的受激光；
其中，所述基板和荧光陶瓷层之间层叠有无机漫反射层和胶粘层，所述无机漫反射层用于反射所述受激光和部分未转换的所述激发光。
优选的，所述无机漫反射层包括白色散射粒子和粘接所述白色散射粒子的玻璃粉。
优选的，所述白色散射粒子为Al 2O 3、TiO 2、AlN、MgO、BN、ZnO、ZrO 2及BaSO 4中的一种或几种。
优选的，所述荧光陶瓷层的材质为纯相荧光陶瓷或复合陶瓷。
为了避免基板在高温下变性，所述无机漫反射层与荧光陶瓷层通过烧结粘接，所述无机漫反射层与基板之间通过胶粘层粘接。
为了避免热膨胀系数差异引起的应力拉裂或拉脱胶层，所述基板与无机漫反射层之间设置陶瓷基板，其中所述基板为热传导金属基板。
优选的，所述陶瓷基板与基板之间通过胶粘或焊接的方式粘接；所述陶瓷基板与无机漫反射层之间通过烧结粘接，所述无机漫反射层通过胶粘层与荧光陶瓷层粘接；或者，所述荧光陶瓷层与无机漫反射层之间通过烧结粘接，所述无机漫反射层通过胶粘层与陶瓷基板粘接。
优选的，所述陶瓷基板的厚度为500μm-3mm，无机漫反射层的厚度为50μm-150μm，荧光陶瓷层的厚度为80μm-300μm。
为了提高波长转换装置的散热效果，所述基板远离荧光陶瓷层的一侧设有散热鳍片。
本发明还提供一种光源，所述光源包括激发光发出装置以及如上所述的波长转换装置，所述激发光发出装置为所述波长转换装置的入射光源。
综上所述，本发明通过设置荧光陶瓷层和散热鳍片，有效的提高了波长转换装置的散热效果，通过胶粘层保证了多个组件之间的紧密结合，陶瓷基板的设置则减少了热膨胀系数差异引起的应力拉裂现象， 提高了波长转换装置的可靠性和使用寿命。
下面结合附图和具体实施例，对本发明的技术方案进行详细地说明。
附图说明
图1为本发明波长转换装置的结构剖视图；
图2为本发明波长转换装置另一实施例的结构剖视图；
图3为图2的俯视图。
具体实施方式
图1为本发明波长转换装置的结构剖视图；图2为本发明波长转换装置另一实施例的结构剖视图；图3为图2的俯视图。如图1至图3所示，本发明提供一种波长转换装置，包括基板110以及荧光陶瓷层220，所述荧光陶瓷层220用于吸收激发光并出射波长不同于所述激发光的受激光；所述基板110和荧光陶瓷层220之间层叠有无机漫反射层210和胶粘层500，所述无机漫反射层210用于反射所述受激光和部分未转换的所述激发光。
为了提高波长转换装置的散热能力，所述基板110远离荧光陶瓷层220的一侧设有散热鳍片120，所述基板110为圆盘型，其设有散热鳍片120的一侧还可与驱动设备300连接(如旋转马达等)，所述驱动设备300用于驱动基板110围绕其中心轴旋转，以使得激发光在荧光陶瓷层220上形成的光斑按照圆形路径周期性的作用于所述荧光陶瓷层220。
优选的，所述基板110与散热鳍片120一体成型，从而保证较好的热传导，所述基板110与散热鳍片120的材质为导热性好的金属或金属合金，金属如铝、铜或银等，由于铜较重，也可在用铝制成后，表面镀铜；金属合金如黄铜、铝合金、铜铝合金。为达到良好的散热效果，散热鳍片120遍布基板110设置，仅留出驱动设备300的容置空间。
所述无机漫反射层210包括白色散射粒子和粘接所述白色散射粒 子的玻璃粉，用于对入射光进行反射。白色散射粒子一般为盐类或者氧化物类粉末，例如粒径大小从50nm到5μm范围内的Al 2O 3、TiO 2、AlN、MgO、BN、ZnO、ZrO 2、BaSO 4等白色单体粉末，或者至少两种以上粉末的混合体。这些白色散射粒子基本上不会对光进行吸收，并且性质稳定，不会在高温下氧化或分解。考虑到无机漫反射层210需要较好的反射率和散热效果，优选地选择综合性能较高的Al 2O 3粉末。当然，为了实现无机漫反射层210的反射受激光的功能，白色散射粒子在无机漫反射层中需要有一定致密度和厚度，该致密度和厚度可以通过实验确定。优选的，无机漫反射层210的厚度为50μm-150μm。所述玻璃粉是一种无定形颗粒状的玻璃均质体，如硅酸盐玻璃粉颗粒等，其透明度高且化学性质稳定。
本发明通过设置无机漫反射层来代替传统的金属反射层，如银层等，可以避免传统金属反射层在大功率长时间工作后老化的问题，并且能够在保持一定的热传导性能的同时获得更高的反射率。
在本发明实施方式中，荧光陶瓷层220的作用在于接收激发光的照射，并将激发光转换为波长不同的受激光。这里的激发光可以为固态光源发出的光，如LED光、激光二极管光、激光器光，也可以为其他任何本发明申请前公开的光源光。由于荧光陶瓷层220为陶瓷结构，其热稳定性及导热性能远远优于以玻璃或硅胶为基质的荧光粉层(即将荧光粉封装在连续的玻璃或硅胶中)，能够承受大功率激发光的照射，可以适用于高亮度激光荧光照明/显示领域。
荧光陶瓷层可以是纯相的荧光陶瓷，具体可以是各种氧化物陶瓷、氮化物陶瓷或氮氧化物陶瓷，如纯相YAG或YAG-Al 2O 3类型的PIA发光陶瓷，通过在陶瓷制备过程中掺入微量的激活剂元素(如镧系元素)，形成发光中心。由于一般激活剂元素的掺杂量较小(一般小于1％)，该类荧光陶瓷通常是透明或半透明发光陶瓷，激发光容易直接穿过该发光陶瓷层后出射，因此该荧光陶瓷层的发光效率不高，更适于较低功率的激发光应用场景。在本发明的一个实施方式中，荧光陶瓷层是Ce掺杂YAG陶瓷；在本发明的另一个实施方式中，荧光陶瓷层为Ce掺杂LuAG陶瓷。
荧光陶瓷层还可以是复合陶瓷层，其以透明/半透明陶瓷作为基质，在陶瓷基质内分布着发光陶瓷颗粒(如荧光粉颗粒)。透明/半透明陶瓷基质可以是各种氧化物陶瓷(如氧化铝陶瓷、Y 3Al 5O 12陶瓷)、氮化物陶瓷(如氮化铝陶瓷)或氮氧化物陶瓷，陶瓷基质的作用在于对光和热进行传导，使得激发光能够入射到发光陶瓷颗粒上，并使受激光能够从发光陶瓷层中出射；发光陶瓷颗粒承担发光陶瓷层的主要发光功能，用于吸收激发光并将其转换为受激光。发光陶瓷颗粒的晶粒粒径较大，而且激活剂元素的掺杂量较大(如1％-5％)，使得其发光效率高；而且发光陶瓷颗粒分散于陶瓷基质中，避免了位于发光陶瓷层较深位置的发光陶瓷颗粒无法被激发光照射到的情况，还避免了纯相荧光陶瓷整体掺杂量较大而导致的激活剂元素浓度中毒的情况，从而提高了荧光陶瓷层的发光效率。
进一步的，荧光陶瓷层还可以是另外一种复合陶瓷层，该复合陶瓷层与上述复合陶瓷层的区别仅在于陶瓷基质不同。在本实施方式中，陶瓷基质是纯相的荧光陶瓷，即陶瓷基质本身具有激活剂，能够在激发光的照射下发出受激光。该技术方案综合了上述复合陶瓷层的发光陶瓷颗粒具有高发光效率的优势以及上述纯相的荧光陶瓷具有发光性能的优势，同时利用发光陶瓷颗粒与陶瓷基质进行发光，进一步提高了荧光陶瓷层的发光效率，而且该陶瓷基质虽然具有一定的激活剂掺杂量，但是掺杂量较低，能够保证该陶瓷基质具有足够的透光性。在该发光陶瓷层中，同样可以增加散射颗粒或气孔增强发光陶瓷层的内部散射。
本发明通过荧光陶瓷材料代替传统的玻璃陶瓷，如采用荧光陶瓷Al 2O 3-YAG-MgO-Y 2O 3时，其热导率可以达到20W/m·k-30W/m·k，导热性能较玻璃陶瓷提高了一个数量级，极大的提高了发光层的性能。本发明并不限制荧光陶瓷层220的具体结构，如其可以是一个圆环，也可以是多个圆环段拼接而成的整的圆环，还可以是多种不同类型发光陶瓷拼接而成的圆环，更可以是不同颜色的发光陶瓷拼接而成的圆环。优选的，荧光陶瓷层220的厚度为80μm-300μm。
在本发明中，由于无机漫反射层210需要烧结成型，而通常的烧 结温度是在700℃-1000℃之间，由于基板110在该温度下容易变性，因此不能将无机漫反射层直接烧结在该基板110上。首先需要通过烧结的方式将无机漫反射层210与荧光陶瓷层220紧密结合。然后将烧结有无机漫反射层210的荧光陶瓷层220与基板110通过胶粘层500粘接。所述胶粘层500优选为导热硅胶或导热银胶，其厚度＜5μm。
由于无机漫反射层210和荧光陶瓷层220的热膨胀系数与金属或金属合金材质的基板110(热传导金属基板)的热膨胀系数相差较大，二者粘接在一起后，随着温度变化，二者的变形量不同，热膨胀系数差异引起的应力拉裂或拉脱胶层，易出现整体脱落。为解决上述问题，还可在基板110与无机漫反射层210之间设置陶瓷基板400。其中，陶瓷基板400与基板110之间可以通过胶粘或焊接的方式(图中未示出)连接。无机漫反射层210与陶瓷基板400之间通过胶粘层(图中未示出)粘接。
本发明并不限制陶瓷基板400的形状，其可以与荧光陶瓷层220的形状对应，如圆环形，也可以与基板110的形状对应，如圆盘形。进一步地，陶瓷基板400也可以不是一个整体，可以由多个圆环段或者扇形拼接而成。
优选的，陶瓷基板400的厚度为500μm-3mm，陶瓷基板400的厚度太薄时易发生变形，过厚时重量较大，影响驱动设备300的转速及使用寿命。
所述陶瓷基板400可以为蓝宝石基板、AlN基板、Si 3N 4基板、SiC基板，它们都是具有致密结构的陶瓷板，并不具有多孔结构，这些材料的导热率在80W/m·k以上，且熔点基本上在2000℃以上，因此它们在实现导热的同时，还可以耐受较高的温度。当然，在对陶瓷基板的导热率要求不是很高的场合中，陶瓷基板也可以采用其他种类的陶瓷材料制成。
由于在荧光陶瓷层220表面烧结了无机漫反射层210之后，无机漫反射层210厚度均匀性以及烧结中的应力都会对其造成影响，且由于无机漫反射层210的厚度较薄，很容易被应力拉弯曲，最后获得的无机漫反射层210表面不平整，与荧光陶瓷层220之间易出现未粘接 区域，可靠性不够高。
当设置了陶瓷基板400后，为了避免上述粘接不牢固的情况，可以将无机漫反射层210烧结在陶瓷基板400上，由于无机漫反射层210与陶瓷基板400之间的紧密结合对波长转换装置的散热贡献更大，因此，这种结构的波长转换装置转换效率更高，散热性更好。另外，由于陶瓷基板400的厚度比荧光陶瓷层220的厚度大，无机漫反射层210附着在陶瓷基板400上不容易引起形状和应力的变化。
此时，无机漫反射层210与荧光陶瓷层220之间可以通过胶粘层500的方式连接。需要补充的是，由于无机漫反射层210和胶粘层的厚度较薄，已经可以顺畅的将荧光陶瓷层220产生的热量全部导通到基板110，因此，无机漫反射层210和胶粘层500的散热性能对其整体性能的影响可以忽略。
下面结合具体实施例对波长转换装置的结构及其制备方法进行说明。
实施例一
在本实施例中，选用Al 2O 3纳米颗粒、YAG荧光粉颗粒、MgO纳米颗粒、Y 2O 3纳米颗粒制作荧光陶瓷层220。其中，Al 2O 3纳米颗粒与YAG荧光粉颗粒的质量比为1:1～2:1，MgO纳米颗粒、Y 2O 3纳米颗粒为烧结助剂，这两种助剂占Al 2O 3纳米颗粒的0.2wt％-2wt％。将上述四种材料的混合粉末放入石墨模具中，在热压烧结炉或者放电等离子体烧结炉(SPS)中烧结，烧结温度为1300℃-1600℃，烧结压力为30MPa-80Mpa，从而获得荧光陶瓷Al 2O 3-YAG-MgO-Y 2O 3，之后将荧光陶瓷切片、减薄、磨平、抛光后，用激光切割机切割成圆环状薄片，优选的，圆环直径为50mm-80mm，即为荧光陶瓷层220。
选用Al 2O 3纳米颗粒、TiO 2纳米颗粒作为白色散射粒子，选用硅酸盐玻璃粉颗粒作为玻璃粉，将白色散射粒子、玻璃粉以及乙基纤维素有机载体混合成浆料，采用丝网印刷法印刷于荧光陶瓷层220之上，在加热台或烘箱中表干之后，放入马弗炉中烧结，烧结温度650℃-980℃，获得带有无机漫反射层210的荧光陶瓷层220。
在基板110没有设置散热鳍片120的一面旋涂一层导热硅胶(胶 粘层500)，厚度控制为10μm以下。将带有无机漫反射层210的荧光陶瓷层220平放在导热硅胶上，其中无机漫反射层210朝下，荧光陶瓷层220朝上。之后在荧光陶瓷层220上盖上一层软质胶垫和一层硬质厚板，并施加向下压力，使压力均匀传递到无机漫反射层210和荧光陶瓷层220，通过压力，可以使无机漫反射层210和基板110之间胶粘层500的厚度进一步减薄，例如厚度可小于5μm，然后放入烤箱中150℃固化。
通过上述步骤，可以制得如图1所示的含散热鳍片的荧光陶瓷波长转换装置，所述波长转换装置从上到下依次包括荧光陶瓷层220、无机漫反射层210、胶粘层500、基板110和散热鳍片120。
实施例二
在本实施例中，选用Al 2O 3纳米颗粒、YAG荧光粉颗粒、MgO纳米颗粒、Y 2O 3纳米颗粒制作荧光陶瓷层220。其中，Al 2O 3纳米颗粒与YAG荧光粉颗粒的质量比为1:1～2:1，MgO纳米颗粒、Y 2O 3纳米颗粒为烧结助剂，这两种助剂占Al 2O 3纳米颗粒的0.2wt％-2wt％。将上述四种材料的混合粉末放入石墨模具中，在热压烧结炉或者放电等离子体烧结炉(SPS)中烧结，烧结温度为1300℃-1600℃，烧结压力为30MPa-80Mpa，从而获得荧光陶瓷Al 2O 3-YAG-MgO-Y 2O 3，之后将荧光陶瓷切片、减薄、磨平、抛光后，用激光切割机切割成圆环状薄片，优选的，圆环直径为50mm-80mm，即为荧光陶瓷层220。
选用Al 2O 3纳米颗粒、TiO 2纳米颗粒作为白色散射粒子，选用硅酸盐玻璃粉颗粒作为玻璃粉，将白色散射粒子、玻璃粉以及乙基纤维素有机载体混合成浆料，采用丝网印刷法印刷于荧光陶瓷层220之上，在加热台或烘箱中表干之后，放入马弗炉中烧结，烧结温度650℃-980℃，获得带有无机漫反射层210的荧光陶瓷层220。
选用高导热的AlN基板作为陶瓷基板400，陶瓷基板400与基板110之间可以通过胶粘或焊接的方式粘接连接。例如，在陶瓷基板400上旋涂一层导热硅胶，厚度控制为10μm以下。将陶瓷基板400平放在基板110上，使得导热硅胶夹在二者之间，之后在陶瓷基板400上盖上一层软质胶垫和一层硬质厚板，并施加向下压力，使压力均匀传递 到陶瓷基板400，通过压力，可以使陶瓷基板400和基板110之间导热硅胶的厚度进一步减薄，例如厚度可小于5μm，然后放入烤箱中150℃固化。或者，在陶瓷基板400面向基板110的表面做表面金属化处理，如覆铜或镀膜，然后用金锡或银锡焊料进行焊接粘接。
之后在陶瓷基板400远离基板110的一面旋涂一层导热硅胶(胶粘层500)，厚度控制为10μm以下。将带有无机漫反射层210的荧光陶瓷层220平放在导热硅胶上，其中无机漫反射层210朝下，荧光陶瓷层220朝上。之后在荧光陶瓷层220上盖上一层软质胶垫和一层硬质厚板，并施加向下压力，使压力均匀传递到无机漫反射层210和荧光陶瓷层220，通过压力，可以使无机漫反射层210和陶瓷基板400之间胶粘层500的厚度进一步减薄，例如厚度可小于5μm，然后放入烤箱中150℃固化。
通过上述步骤，可以制得含散热鳍片的荧光陶瓷波长转换装置，所述波长转换装置从上到下依次包括荧光陶瓷层220、无机漫反射层210、胶粘层500、陶瓷基板400、基板110和散热鳍片120。
上述实施例中，无机漫反射层210被印刷烧结在荧光陶瓷层220上，但由于无机漫反射层210的厚度较薄，很容易被应力拉弯曲，最后获得的无机漫反射层210表面不平整，与荧光陶瓷层220之间易出现未粘接区域，可靠性不够高。为解决上述问题，本发明对上述实施例进行改进，具体来说，在得到荧光陶瓷层220后，选用高导热的AlN基板作为陶瓷基板400，选用Al 2O 3纳米颗粒、TiO 2纳米颗粒作为白色散射粒子，选用硅酸盐玻璃粉颗粒作为玻璃粉，将白色散射粒子、玻璃粉以及乙基纤维素有机载体混合成浆料，采用丝网印刷法印刷于陶瓷基板400之上，在加热台或烘箱中表干之后，放入马弗炉中烧结，烧结温度650℃-980℃，获得带有无机漫反射层210的陶瓷基板400，即将无机漫反射层210烧结在陶瓷基板400而非荧光陶瓷层220上。
陶瓷基板400与基板110之间可以通过胶粘或焊接的方式粘接连接。在陶瓷基板400与基板110粘接好之后，在无机漫反射层210上旋涂一层导热硅胶，厚度控制为10μm以下。将荧光陶瓷层220平放在导热硅胶上，之后在荧光陶瓷层220上盖上一层软质胶垫和一层硬质 厚板，并施加向下压力，使压力均匀传递到荧光陶瓷层220，通过压力，可以使无机漫反射层210和荧光陶瓷层220之间的导热硅胶的厚度进一步减薄，例如厚度可小于5μm，然后放入烤箱中150℃固化。
通过上述步骤，可以制得如图2所示的含陶瓷基板的荧光陶瓷波长转换装置，所述波长转换装置从上到下依次包括荧光陶瓷层220、胶粘层500、无机漫反射层210、陶瓷基板400、基板110和散热鳍片120。
上述改进实施例与实施例一相比，包含高导热的AlN基板，由于AlN基板的热膨胀系数与荧光陶瓷层及无机漫反射层接近，形成一个良好的导热过渡结构，且由于陶瓷基板400的厚度比荧光陶瓷层220的厚度大，无机漫反射层210附着在陶瓷基板400上不容易引起形状和应力的变化，再结合设置的散热鳍片，波长转换装置的散热性能得到了大幅度的提高，荧光陶瓷层、无机漫反射层、陶瓷基板和基板之间的结合牢固，可靠性高。
本发明还提供一种光源，所述光源包括激发光发出装置以及如上所述的波长转换装置，所述激发光发出装置为所述波长转换装置的入射光源，能够发出如LED光、激光二极管光、激光器光或现有技术中其他类型的光源光。
综上所述，本发明通过设置荧光陶瓷层和散热鳍片，有效的提高了波长转换装置的散热效果，通过胶粘层保证了多个组件之间的紧密结合，陶瓷基板的设置则减少了热膨胀系数差异引起的应力拉裂现象，提高了波长转换装置的可靠性和使用寿命。

Claims (10)

  1. 一种波长转换装置，其特征在于，所述波长转换装置包括：
    基板(110)；以及
    荧光陶瓷层(220)，所述荧光陶瓷层用于吸收激发光并出射波长不同于所述激发光的受激光；
    其中，所述基板和荧光陶瓷层之间层叠有无机漫反射层(210)和胶粘层(500)，所述无机漫反射层用于反射所述受激光和部分未转换的所述激发光。
  2. 如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述无机漫反射层(210)包括白色散射粒子和粘接所述白色散射粒子的玻璃粉。
  3. 如权利要求2所述的波长转换装置，其特征在于，所述白色散射粒子为Al 2O 3、TiO 2、AlN、MgO、BN、ZnO、ZrO 2及BaSO 4中的一种或几种。
  4. 如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述荧光陶瓷层(220)的材质为纯相荧光陶瓷或复合陶瓷。
  5. 如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述无机漫反射层(210)与荧光陶瓷层(220)通过烧结粘接，所述无机漫反射层与基板(110)之间通过胶粘层(500)粘接。
  6. 如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述基板(110)与无机漫反射层(210)之间设置陶瓷基板(400)，其中所述基板为热传导金属基板。
  7. 如权利要求6所述的波长转换装置，其特征在于，所述陶瓷基板(400)与基板(110)之间通过胶粘或焊接的方式粘接；所述陶瓷基板与无机漫反射层(210)之间通过烧结粘接，所述无机漫反射层通 过胶粘层(500)与荧光陶瓷层(220)粘接；或者，
    所述荧光陶瓷层与无机漫反射层之间通过烧结粘接，所述无机漫反射层通过胶粘层与陶瓷基板粘接。
  8. 如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述陶瓷基板(400)的厚度为500μm-3mm，无机漫反射层(210)的厚度为50μm-150μm，荧光陶瓷层(220)的厚度为80μm-300μm。
  9. 如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述基板(110)远离荧光陶瓷层(220)的一侧设有散热鳍片(120)。
  10. 一种光源，其特征在于，所述光源包括激发光发出装置以及如权利要求1-9中任一项所述的波长转换装置，所述激发光发出装置为所述波长转换装置的入射光源。
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