WO2019132280A1 - Device for measuring reduction rate of nickel ore - Google Patents

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WO2019132280A1
WO2019132280A1 PCT/KR2018/015173 KR2018015173W WO2019132280A1 WO 2019132280 A1 WO2019132280 A1 WO 2019132280A1 KR 2018015173 W KR2018015173 W KR 2018015173W WO 2019132280 A1 WO2019132280 A1 WO 2019132280A1
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light
dry
wet
sampling
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정선광
최주
문기현
이재영
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주식회사 포스코
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    • G01N27/72—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables

Definitions

  • ores containing nickel contain cobalt and iron at the same time, and these ores are limonite and ore such as sapolite.
  • HEAP method leaching method in which nickel ore is piled up and nickel is leached for a long time with an acid.
  • the reduction rate of the nickel reduction light is measured since the nickel wetting smelting process greatly affects the operation efficiency such as the nickel leaching rate and the recovery rate in the wet smelting process according to the reduction rate of the nickel light reduced through the hydrogen reduction of the dry process.
  • the reduction light is quenched by water in a cooling bath and then supplied to a wet smelting process in a slurry state.
  • the wet reduction optical sample chamber is taken out from the wet reduction optical sample chamber through a slurry discharge tube installed in the bottom of the cooling bath, and the wet reduction optical sample chamber is taken into the analysis room and subjected to chemical analysis to measure the reduction ratio.
  • An object of the present invention is to provide an apparatus for measuring the reduction rate of nickel light, which can easily and rapidly calculate the reduction rate in a preliminary dry process for the wet smelting of nickel light and improve the operation efficiency and the operation stability of the nickel wet smelting process according to the reduction ratio.
  • the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a cooling bath for quenching the dry reduction light emitted from the reducing furnace of the nickel light preheater for nickel wet smelting into water .
  • the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a reduction light discharge pipe for discharging the dry reduction light of the reduction furnace to the cooling bath.
  • the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may further include a dry reduction optical sampling device including a dry reduction optical sampling pipe branched from the reduction light discharge pipe to collect a dry reduction light sample from the reduction light discharge pipe.
  • the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a dry reduction optical susceptibility measurement device provided in the dry reduction optical sampling device and measuring the susceptibility of the dry reduction optical sample taken in the dry reduction optical sampling tube.
  • the dry reduction optical susceptibility measuring apparatus may include a dry reduction optical probe for contacting the dry reduction light collected in the dry reduction light collection tube to probe the dry reduction light.
  • the dry reduction optical susceptibility measuring apparatus may include a dry reduction optical susceptibility measuring unit connected to the dry reduction optical probe and measuring the dry reduction optical susceptibility using the probe information of the dry reduction optical probe.
  • the dry reduction optical sampling device may include a first sampling opening and closing valve and a second sampling opening and closing valve for opening and closing the dry reduction light sampling pipes, respectively, which are provided to be spaced apart from each other in the dry reduction optical sampling pipe.
  • the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve may be installed apart from the dry reduction optical probe.
  • a temperature measuring system installed between the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve and measuring the temperature of the dry reduction light collected in the dry reduction light sampling pipe.
  • the dry reduction light collecting device may include first and second gas purging pipes each having an inert gas purged to the dry reduction light collecting pipe and having first and second gas purging pipe open / close valves, respectively.
  • the first gas purifying pipe may be installed between the reduction light discharge pipe and the first sampling pipe opening / closing valve
  • the second gas purifying pipe may be installed between the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve.
  • the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light includes a cooling bath for quenching the dry reduction light emitted from the reducing furnace of the nickel light pre-drying process for nickel wet smelting into water .
  • the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a wet reduction light collecting apparatus including a wet reduction light collecting pipe branched in a cooling bath to collect a wet reducing light sample slurried from the lower part of the cooling bath.
  • the wet reduction photometric susceptibility measuring apparatus may include a wet reduction optical probe for contacting the wet reduction light collected in the wet reduction light collection tube to probe the wet reduction light.
  • the wet reduction photometric susceptibility measuring apparatus may include a wet reduction photometric measurement unit connected to the wet reduction photometric probe and measuring the wet reduction photodimerization rate using probe information of the wet reduction photometric probe.
  • the wet reduction light collecting device may include a third collecting pipe opening / closing valve and a fourth collecting pipe opening / closing valve for opening / closing the wet reducing light collecting pipe, respectively, which are provided separately from each other in the wet reducing light collecting pipe.
  • the wet reduction light collecting apparatus may include first and second cooling water supply pipes respectively supplying cooling water to the wet reduction light collecting pipe and having first and second cooling water supply pipe opening and closing valves, respectively.
  • the first cooling water supply pipe may be installed between the cooling bath and the third sampling pipe opening and closing valve and the second cooling water supply pipe may be installed between the third sampling pipe opening and closing valve and the fourth sampling pipe opening and closing valve.
  • a wet sample discharge chamber for discharging the wet reduction light sample remaining in the wet reduction light sampling pipe may be provided at the lower portion of the wet reduction light sampling pipe.
  • the reduction ratio of the low-grade nickel reduction light emitted from the reduction furnace can be measured quickly in real time.
  • FIG. 2 is a graph showing a correlation between the susceptibility and the reduction ratio of the dry reduction light in the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment of the present invention.
  • the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light 100 comprises a cooling bath 20 for quenching the dry reduction light emitted from the reduction furnace 10 into water and a cooling bath 20 for cooling the dry reduction light of the reducing furnace 10 And a reduction light discharge pipe (30) for discharging the reduced light.
  • the temperature of the dry reduction light collected in the dry reduction light collection tube 111 is measured using the temperature measurement system 117.
  • the measured susceptibility can be calculated using the relational expression (1) between the susceptibility of the dry reduction light and the reduction ratio set in advance in the dry reduction light reduction rate calculating device 130.
  • the second sampling pipe opening / closing valve 115 is opened to discharge the dry reduction light sample remaining in the dry reduction light sampling pipe 111 to the dry sample discharge chamber 150 do.
  • a wet reduction photometric reduction rate calculating device (hereinafter referred to as " wet reduction photometric reduction rate calculating device ") for calculating the wet reduction photometric reduction ratio using the relational expression (2) between the susceptibility of the wet- 230).
  • a wet reduction light sample is sampled using water, not inert gas such as nitrogen, and the susceptibility is measured.

Abstract

A device for measuring the reduction rate of nickel ore is provided. The device for measuring the reduction rate of nickel ore, according to the present invention, comprises: a dry reduced iron ore collection device including a reduced iron ore discharge pipe for discharging dry reduced iron ore to a cooling tank, and a dry reduced iron ore collection pipe; and a dry reduced iron ore susceptibility measurement device for measuring the susceptibility of a dry reduced iron ore sample.

Description

니켈광의 환원율 측정 장치Reduction rate measuring device of nickel light
본 발명은 니켈광의 환원율 측정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for measuring the reduction rate of nickel light.
일반적으로, 니켈을 함유하고 있는 광석은 코발트 및 철도 동시에 함유하며 이러한 광석으로는 리모나이트(Limonite)와 사포라이트(Sapolite)와 같은 광석이 있다. Generally, ores containing nickel contain cobalt and iron at the same time, and these ores are limonite and ore such as sapolite.
이들 광석으로부터 니켈광을 습식제련에 의해 니켈을 회수하는 방법으로는, 니켈광석을 쌓아두고 오랜 시간 동안 산으로 니켈을 침출하는 침출법(HEAP법)이 있다. As a method for recovering nickel by wet smelting of nickel light from these ores, there is a leaching method (HEAP method) in which nickel ore is piled up and nickel is leached for a long time with an acid.
한편, 이들 광석으로부터 빠르고 효과적으로 니켈을 침출하기 위하여 고온 고압하의 오토클레이브(Autoclave)에서 산으로 용해하여 니켈을 회수하는 침출법(HPAL법)이 개시되어 있다. On the other hand, a leaching method (HPAL method) for dissolving nickel in an acid in an autoclave under high temperature and high pressure to quickly and effectively leach nickel from these ores has been disclosed.
이와 같은 침출법에 의할 경우 짧은 시간에 90% 이상의 니켈 침출이 가능하며, 니켈 습식제련의 대표적인 방법이라 할 수 있다. According to this leaching method, it is possible to leach at least 90% of nickel in a short time, which is a representative method of nickel wet smelting.
그러나, 침출법은 오토클레이브의 고온 고압 하에서 수행해야 하며, 산성이 강하여 타이타늄 재질만 주로 사용이 가능한 것으로 알려져 있으며, 이에 따라 설비비가 매우 높고 유지 보수비가 많이 드는 단점이 있다. However, it is known that the leaching method should be performed under the high temperature and high pressure of the autoclave, and it is known that only the titanium material can be mainly used because of the strong acidity, and accordingly, the equipment cost is very high and the maintenance cost is high.
또한, 니켈 농축에 고가의 침전제인 가성 소다를 사용하거나 환원유해성 침전제(H2S)를 사용해야 하므로 이를 처리하기 위한 설비비 등이 높아지는 단점이 있다. In addition, the use of caustic soda, which is an expensive precipitation agent, or the use of a reducing toxic precipitant (H 2 S) is required for nickel concentration, which increases the equipment cost for treating the nickel concentrate.
이러한 단점을 극복하기 위하여, 니켈광석을 사전에 수소로 환원하여 니켈을 습식 제련하는 방법이 있다. In order to overcome this disadvantage, there is a method of wet smelting nickel by reducing nickel ore in advance with hydrogen.
이러한 니켈 습식 제련 공정에서 앞서 건식공정의 수소환원을 거쳐 환원된 니켈광의 환원율에 따라 습식 제련 공정에서의 니켈 침출율 및 회수율 등 조업 효율성에 막대한 영향을 미치므로 니켈 환원광의 환원율을 측정하고 있다. The reduction rate of the nickel reduction light is measured since the nickel wetting smelting process greatly affects the operation efficiency such as the nickel leaching rate and the recovery rate in the wet smelting process according to the reduction rate of the nickel light reduced through the hydrogen reduction of the dry process.
그러나, 이러한 환원광은 대기중으로 노출 시 재산화 되어 정확한 환원율 분석이 곤란하여 환원광을 냉각조에서 물에 의해 퀜칭(quenching) 시킨 후 슬러리 상태로 습식제련공정에 제공한다. However, such reduction light is reoxidized when exposed to the atmosphere, and it is difficult to analyze the reduction ratio accurately. Thus, the reduction light is quenched by water in a cooling bath and then supplied to a wet smelting process in a slurry state.
이러한 건식공정에서 습식공정으로 넘어가는 과정에서 환원율은 냉각조에서 물과 함께 슬러리 형태로 채취하여 이를 시약 등을 이용한 기존의 습식 분석으로 환원율을 측정하고 있는 실정이다. In this process from the dry process to the wet process, the reduction rate is collected in the form of a slurry together with water in the cooling bath, and the reduction rate is measured by the conventional wet analysis using the reagent.
즉, 종래의 환원율 측정은 냉각조 하부에 설치된 슬러리 배출관을 통하여 습식 환원광 시료 챔버로 채취한 후 습식 환원광 시료 챔버를 분리하여 이를 분석실로 가지고가 화학 분석을 실시하여 환원율을 측정하고 있다. That is, in the conventional reduction ratio measurement, the wet reduction optical sample chamber is taken out from the wet reduction optical sample chamber through a slurry discharge tube installed in the bottom of the cooling bath, and the wet reduction optical sample chamber is taken into the analysis room and subjected to chemical analysis to measure the reduction ratio.
그러나, 이러한 일련의 과정에서 시료 채취 및 분석 시간이 장시간 소요되어 실제 분석 결과를 조업에 피드백 시키고자 하여도 이미 그 분석 슬러리는 습식 공정에 제공되어 처리되고 있다. However, in the course of such a series of steps, sampling and analysis takes a long time, and the analytical slurry is already supplied to the wet process and processed even if the actual analysis result is fed back to the operation.
따라서, 니켈광 습식제련공정에서 습식제련 공정 최적화를 위해서는 반드시 실시간 환원율 분석이 절실히 필요하다.Therefore, in order to optimize the wet smelting process in the nickel optical wet smelting process, the real-time reduction ratio analysis is desperately needed.
본 발명은 니켈광의 습식제련을 위한 사전 건식 공정에서 간단하고 신속히 환원율을 실시간 산출하여 환원율에 따른 니켈 습식제련 공정의 조업 효율성 및 조업 안정성을 향상시킬 수 있는 니켈광의 환원율 측정 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus for measuring the reduction rate of nickel light, which can easily and rapidly calculate the reduction rate in a preliminary dry process for the wet smelting of nickel light and improve the operation efficiency and the operation stability of the nickel wet smelting process according to the reduction ratio.
본 발명의 일 구현예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치는, 니켈 습식제련을 위한 니켈광 사전 건식 공정의 환원로에서 배출되는 건식 환원광을 물에 퀜칭(quenching)하기 위한 냉각조를 포함할 수 있다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to an embodiment of the present invention may include a cooling bath for quenching the dry reduction light emitted from the reducing furnace of the nickel light preheater for nickel wet smelting into water .
니켈광의 환원율 측정 장치는 환원로의 건식 환원광을 냉각조로 배출하기 위한 환원광 배출관을 포함할 수 있다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a reduction light discharge pipe for discharging the dry reduction light of the reduction furnace to the cooling bath.
또한, 니켈광의 환원율 측정 장치는, 환원광 배출관에서 건식 환원광 시료를 채취하기 위해 상기 환원광 배출관에서 분기되는 건식 환원광 채취관을 포함하는 건식 환원광 채취 장치를 포함할 수 있다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may further include a dry reduction optical sampling device including a dry reduction optical sampling pipe branched from the reduction light discharge pipe to collect a dry reduction light sample from the reduction light discharge pipe.
니켈광의 환원율 측정 장치는, 건식 환원광 채취 장치에 설치되어 건식 환원광 채취관에 채취된 건식 환원광 시료의 자화율을 측정하기 위한 건식 환원광 자화율 측정 장치를 포함할 수 있다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a dry reduction optical susceptibility measurement device provided in the dry reduction optical sampling device and measuring the susceptibility of the dry reduction optical sample taken in the dry reduction optical sampling tube.
건식 환원광 자화율 측정 장치는, 건식 환원광 채취관에 채취된 건식 환원광과 접촉하여 건식 환원광을 탐침하기 위한 건식 환원광 프로브를 포함할 수 있다. The dry reduction optical susceptibility measuring apparatus may include a dry reduction optical probe for contacting the dry reduction light collected in the dry reduction light collection tube to probe the dry reduction light.
건식 환원광 자화율 측정 장치는, 건식 환원광 프로브와 연결되고, 건식 환원광 프로브의 탐침 정보를 이용하여 건식 환원광 자화율을 측정하는 건식 환원광 자화율 측정부를 포함할 수 있다. The dry reduction optical susceptibility measuring apparatus may include a dry reduction optical susceptibility measuring unit connected to the dry reduction optical probe and measuring the dry reduction optical susceptibility using the probe information of the dry reduction optical probe.
건식 환원광 채취 장치는 건식 환원광 채취관에 서로 이격되어 설치되고, 건식 환원광 채취관을 각각 개폐하기 위한 제1 채취관 개폐 밸브 및 제2 채취관 개폐 밸브를 포함할 수 있다. The dry reduction optical sampling device may include a first sampling opening and closing valve and a second sampling opening and closing valve for opening and closing the dry reduction light sampling pipes, respectively, which are provided to be spaced apart from each other in the dry reduction optical sampling pipe.
제1 채취관 개폐 밸브와 제2 채취관 개폐 밸브는 건식 환원광 프로브를 기준으로 이격되어 설치되는 것일 수 있다. The first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve may be installed apart from the dry reduction optical probe.
제1 채취관 개폐 밸브와 제2 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되어, 건식 환원광 채취관에 채취된 건식 환원광의 온도를 측정하기 위한 온도 측정계를 포함할 수 있다. And a temperature measuring system installed between the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve and measuring the temperature of the dry reduction light collected in the dry reduction light sampling pipe.
건식 환원광 채취 장치는 건식 환원광 채취관에 불활성 가스를 각각 퍼징하고, 제1, 제2 가스 퍼징관 개폐 밸브를 각각 갖는 제1, 제2 가스 퍼징관을 포함할 수 있다. The dry reduction light collecting device may include first and second gas purging pipes each having an inert gas purged to the dry reduction light collecting pipe and having first and second gas purging pipe open / close valves, respectively.
제1 가스 퍼징관은 환원광 배출관과 제1 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되고, 제2 가스 퍼징관은 제1 채취관 개폐 밸브와 제2 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되는 것일 수 있다. The first gas purifying pipe may be installed between the reduction light discharge pipe and the first sampling pipe opening / closing valve, and the second gas purifying pipe may be installed between the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve.
건식 환원광 채취관의 하부에는 건식 환원광 채취관에 잔류하고 있는 건식 환원광 시료를 배출하기 위한 건식 시료 배출 챔버가 설치되는 것일 수 있다. And a dry sample discharge chamber for discharging the dry reduction light sample remaining in the dry reduction light sampling pipe may be installed in the lower part of the dry reduction light sampling pipe.
건식 시료 배출 챔버에는 건식 시료 배출 챔버에 불활성 가스를 퍼징하고, 제3 가스 퍼징관 개폐 밸브를 갖는 제3 가스 퍼징관이 설치되는 것일 수 있다. The dry sample discharge chamber may be provided with a third gas purging pipe having a third gas purging pipe open / close valve, and purging an inert gas into the dry sample discharge chamber.
또한, 본 발명의 다른 구현예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치는, 니켈 습식제련을 위한 니켈광 사전 건식 공정의 환원로에서 배출되는 건식 환원광을 물에 퀜칭(quenching)하기 위한 냉각조를 포함할 수 있다. Further, the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to another embodiment of the present invention includes a cooling bath for quenching the dry reduction light emitted from the reducing furnace of the nickel light pre-drying process for nickel wet smelting into water .
니켈광의 환원율 측정 장치는, 냉각조의 하부에서 슬러리화 된 습식 환원광 시료를 채취하기 위해 냉각조에서 분기되는 습식 환원광 채취관을 포함하는 습식 환원광 채취 장치를 포함할 수 있다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a wet reduction light collecting apparatus including a wet reduction light collecting pipe branched in a cooling bath to collect a wet reducing light sample slurried from the lower part of the cooling bath.
또한, 니켈광의 환원율 측정 장치는, 습식 환원광 채취 장치에 설치되고 습식 환원광 채취관에 채취된 습식 환원광 시료의 자화율을 측정하기 위한 습식 환원광 자화율 측정 장치를 포함할 수 있다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light may include a wet reduction optical susceptibility measuring apparatus provided in the wet reduction optical sampling apparatus and for measuring the susceptibility of the wet reduction optical sample taken in the wet reduction optical sampling tube.
습식 환원광 자화율 측정 장치는, 습식 환원광 채취관에 채취된 습식 환원광과 접촉하여 습식 환원광을 탐침하기 위한 습식 환원광 프로브를 포함할 수 있다. The wet reduction photometric susceptibility measuring apparatus may include a wet reduction optical probe for contacting the wet reduction light collected in the wet reduction light collection tube to probe the wet reduction light.
습식 환원광 자화율 측정 장치는, 습식 환원광 프로브와 연결되고 습식 환원광 프로브의 탐침 정보를 이용하여 습식 환원광 자화율을 측정하는 습식 환원광 자화율 측정부를 포함할 수 있다. The wet reduction photometric susceptibility measuring apparatus may include a wet reduction photometric measurement unit connected to the wet reduction photometric probe and measuring the wet reduction photodimerization rate using probe information of the wet reduction photometric probe.
습식 환원광 채취 장치는 습식 환원광 채취관에 서로 이격되어 설치되고, 습식 환원광 채취관을 각각 개폐하기 위한 제3 채취관 개폐 밸브 및 제4 채취관 개폐 밸브를 포함할 수 있다. The wet reduction light collecting device may include a third collecting pipe opening / closing valve and a fourth collecting pipe opening / closing valve for opening / closing the wet reducing light collecting pipe, respectively, which are provided separately from each other in the wet reducing light collecting pipe.
제3 채취관 개폐 밸브와 상기 제4 채취관 개폐 밸브는 습식 환원광 프로브를 기준으로 이격되어 설치되는 것일 수 있다. And the third sampling pipe opening / closing valve and the fourth sampling pipe opening / closing valve may be installed apart from the wet reduction optical probe.
습식 환원광 채취 장치는 습식 환원광 채취관에 냉각수를 각각 공급하고, 제1, 제2 냉각수 공급관 개폐 밸브를 각각 갖는 제1, 제2 냉각수 공급관을 포함할 수 있다. The wet reduction light collecting apparatus may include first and second cooling water supply pipes respectively supplying cooling water to the wet reduction light collecting pipe and having first and second cooling water supply pipe opening and closing valves, respectively.
제1 냉각수 공급관은 냉각조와 제3 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되고, 제2 냉각수 공급관은 제3 채취관 개폐 밸브와 제4 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되는 것일 수 있다. The first cooling water supply pipe may be installed between the cooling bath and the third sampling pipe opening and closing valve and the second cooling water supply pipe may be installed between the third sampling pipe opening and closing valve and the fourth sampling pipe opening and closing valve.
습식 환원광 채취관의 하부에는 습식 환원광 채취관에 잔류하고 있는 습식 환원광 시료를 배출하기 위한 습식 시료 배출 챔버가 설치되는 것일 수 있다. And a wet sample discharge chamber for discharging the wet reduction light sample remaining in the wet reduction light sampling pipe may be provided at the lower portion of the wet reduction light sampling pipe.
습식 시료 배출 챔버에는 습식 시료 배출 챔버에 냉각수를 공급하고, 제3 냉각수 공급관 개폐 밸브를 갖는 제3 냉각수 공급관이 설치되는 것일 수 있다. The wet sample discharge chamber may be provided with a cooling water supply chamber for the wet sample discharge chamber and a third cooling water supply pipe with the third cooling water supply pipe open / close valve.
본 발명의 구현예에 따르면, 환원로에서 배출된 저품위 니켈 환원광의 환원율을 신속하게 실시간으로 측정할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the reduction ratio of the low-grade nickel reduction light emitted from the reduction furnace can be measured quickly in real time.
이러한 환원율에 따라 이후 습식제련 공정에서 니켈 침출율 및 회수율을 향상시킬 수 있는 습식 조업 조건을 최적화할 수 있다. This reduction ratio can optimize the wet operating conditions to improve the nickel leaching rate and recovery rate in subsequent wet smelting processes.
또한, 환원광의 환원율을 원래 목표 수준까지 조절하는 환원로 조업 조건을 최적화하여 니켈 생산성과 조업 효율성을 지속적으로 향상 유지시킬 수 있다.In addition, it is possible to continuously improve the nickel productivity and the operation efficiency by optimizing the reducing furnace operating conditions for controlling the reduction rate of the reducing light to the original target level.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치의 개략적인 구성도이다. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment of the present invention. FIG.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치에서 건식 환원광의 자화율과 환원율과의 상관 관계를 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing a correlation between the susceptibility and the reduction ratio of the dry reduction light in the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치의 개략적인 구성도이다. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the second embodiment of the present invention.
도 4은 본 발명의 제2 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치에서 습식 환원광의 자화율과 환원율과의 상관 관계를 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing a correlation between the susceptibility of the wet reduction light and the reduction ratio in the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the second embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 도면부호를 사용하여 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Wherever possible, the same or similar parts are denoted using the same reference numerals in the drawings.
이하에서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는" 의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the invention. The singular forms as used herein include plural forms as long as the phrases do not expressly express the opposite meaning thereto. Means that a particular feature, region, integer, step, operation, element and / or component is specified, and that other specific features, regions, integers, steps, operations, elements, components, and / And the like.
이하에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.All terms including technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Predefined terms are further interpreted as having a meaning consistent with the relevant technical literature and the present disclosure, and are not to be construed as ideal or very formal meanings unless defined otherwise.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치에서 건식 환원광의 자화율과 환원율과의 상관 관계를 나타낸 그래프이다.FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the magnetization rate and the reduction ratio of the dry reduction light in the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment of the present invention FIG.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치(100)는, 니켈 습식제련을 위한 니켈광 사전 건식 공정의 환원로(10)에서 배출된 환원광의 환원율을 측정하는 장치이다. 1 and 2, the apparatus 100 for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment of the present invention is characterized in that the reduction ratio of the reduction light emitted from the reduction furnace 10 of the nickel light pre- .
니켈광의 환원율 측정 장치(100)는, 환원로(10)에서 배출되는 건식 환원광을 물에 퀜칭(quenching)하기 위한 냉각조(20)와, 환원로(10)의 건식 환원광을 냉각조(20)로 배출하기 위한 환원광 배출관(30)을 포함할 수 있다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light 100 comprises a cooling bath 20 for quenching the dry reduction light emitted from the reduction furnace 10 into water and a cooling bath 20 for cooling the dry reduction light of the reducing furnace 10 And a reduction light discharge pipe (30) for discharging the reduced light.
또한, 니켈광의 환원율 측정 장치(100)는, 환원광 배출관(30)에서 설정량의 건식 환원광 시료를 채취하기 위해 환원광 배출관(30)에서 분기되는 건식 환원광 채취관(111)을 포함하는 건식 환원광 채취 장치(110)를 포함할 수 있다. The nickel light reduction rate measuring apparatus 100 further includes a dry reduction light collecting pipe 111 branched from the reduction light discharge pipe 30 to collect a predetermined amount of the dry reduction light sample from the reduction light discharge pipe 30 And a dry reduction light collecting device 110.
니켈광의 환원율 측정 장치(100)는, 건식 환원광 채취 장치(110)에 설치되고 건식 환원광 채취관(111)에 채취된 건식 환원광 시료의 자화율을 측정하기 위한 건식 환원광 자화율 측정 장치(120)를 포함할 수 있다. The apparatus 100 for measuring the reduction rate of nickel light is provided with a dry reduction optical susceptibility measuring device 120 for measuring the susceptibility of the dry reduction optical sample taken in the dry reduction optical sampling device 111, ).
건식 환원광 자화율 측정 장치(120)에서 측정된 건식 환원광 시료의 자화율을 미리 설정된 건식 환원광의 자화율과 환원율의 관계식(1)을 이용하여 건식 환원광 환원율을 산출하기 위한 건식 환원광 환원율 산출 장치(130)를 포함할 수 있다. The dry reduction photon reduction ratio calculating device (hereinafter referred to as " dry reduction photon reduction ratio calculating device ") for calculating the dry reduction photon reduction ratio using the relational expression (1) of the susceptibility and the reduction ratio of the previously set dry reduction light, 130).
건식 환원광 환원율 = (1.1194 × 자화율) + 33.281 --- (1)Dry reduction light reduction ratio = (1.1194 x magnetic susceptibility) + 33.281 --- (1)
상기 관계식(1)은 사용되는 니켈광의 종류에 따라 변경될 수 있음은 물론이다. It is a matter of course that the relational expression (1) can be changed according to the kind of the nickel light used.
건식 환원광 자화율 측정 장치(120)는 건식 환원광 채취관(111)에 채취된 건식 환원광과 직접 접촉하여 건식 환원광을 탐침하기 위한 건식 환원광 프로브(121)를 포함할 수 있다. The dry reduction optical susceptibility measuring apparatus 120 may include a dry reduction optical probe 121 for directly contacting the dry reduction light collected in the dry reduction light collection tube 111 to probe the dry reduction light.
건식 환원광 자화율 측정장치(120)는 건식 환원광 프로브(121)와 케이블(123)에 의하여 연결되고 건식 환원광 프로브(121)의 탐침 정보를 이용하여 건식 환원광 자화율을 측정하는 건식 환원광 자화율 측정부(125)를 포함할 수 있다.The dry reduction optical susceptibility measuring device 120 is connected to the dry reduction optical probe 121 through a cable 123 and detects the dry reduction optical magnetic susceptibility And may include a measurement unit 125.
건식 환원광 채취 장치(110)는 건식 환원광 채취관(111)에 건식 환원광 프로브(121)를 기준으로 이격되어 설치되고, 건식 환원광 채취관(111)을 각각 개폐하기 위한 제1 채취관 개폐 밸브(113) 및 제2 채취관 개폐 밸브(115)를 포함할 수 있다. The dry reduction optical sampling device 110 is installed in the dry reduction optical sampling pipe 111 with a distance to the dry reduction optical probe 121 as a reference and includes a first sampling pipe 111 for opening and closing the dry reduction optical sampling pipe 111, An open / close valve 113 and a second sampling pipe opening / closing valve 115.
즉, 건식 환원광 프로브(121)는 제1 채취관 개폐 밸브(113)와 제2 채취관 개폐 밸브(115) 사이의 건식 환원광 채취관(111)에 채취된 건식 환원광에 접촉될 수 있다. That is, the dry reduction optical probe 121 can be brought into contact with the dry reduction light collected in the dry reduction light collecting pipe 111 between the first sampling pipe opening / closing valve 113 and the second sampling pipe opening / closing valve 115 .
건식 환원광 채취관(111)에 설치되어, 건식 환원광 채취관(111)에 채취된 건식 환원광의 온도를 측정하기 위한 온도 측정계(117)를 포함할 수 있다. And a temperature measurement system 117 provided in the dry reduction light collection tube 111 for measuring the temperature of the dry reduction light collected in the dry reduction light collection tube 111. [
온도 측정계(117)는 제1 채취관 개폐 밸브(113)와 제2 채취관 개폐 밸브(115)의 사이에 설치될 수 있다. The temperature measuring instrument 117 may be installed between the first sampling pipe opening / closing valve 113 and the second sampling pipe opening / closing valve 115.
건식 환원광 채취 장치(110)는 건식 환원광 채취관(111)에 채취된 건식 환원광의 온도를 설정 온도로 하락시켜 주기 위한 질소(N2)와 같은 불활성 가스(140)를 퍼징하기 위한 제1, 제2 가스 퍼징관(141, 143)을 포함할 수 있다. The dry reduction optical sampling device 110 includes a first reduction optical source 110 for purging an inert gas 140 such as nitrogen (N 2 ) for lowering the temperature of the dry reduction light sampled in the dry reduction optical sampling tube 111 to a predetermined temperature , And a second gas purifying pipe (141, 143).
제1, 제2 가스 퍼징관(141, 143)에는 각각 이를 개폐하기 위한 제1, 제2 가스 퍼징관 개폐 밸브(142, 144)가 설치될 수 있다. The first and second gas purging pipes 141 and 143 may be provided with first and second gas purging pipe open / close valves 142 and 144 for opening and closing the first and second gas purging pipes 141 and 143, respectively.
제1 가스 퍼징관(141)은 환원광 배출관(30)에서 건식 환원광 채취관(111)으로 배출되는 건식 환원광의 온도를 하락시키기 위하여 환원광 배출관(30)과 제1 채취관 개폐 밸브(113) 사이에 설치될 수 있다. The first gas purifying pipe 141 is connected to the reduction light discharge pipe 30 and the first sampling pipe opening and closing valve 113 to reduce the temperature of the dry reduction light emitted from the reduction light discharge pipe 30 to the dry reduction light collecting pipe 111 As shown in FIG.
또한, 제2 가스 퍼징관(143)은 제1 채취관 개폐 밸브(113)와 제2 채취관 개폐 밸브(115) 사이에 채취된 건식 환원광의 온도를 하락시키기 위하여 제1 채취관 개폐 밸브(113)와 제2 채취관 개폐 밸브(115) 사이에 설치될 수 있다. The second gas purifying pipe 143 is connected to the first sampling pipe opening / closing valve 113 (see FIG. 1) to lower the temperature of the dry reduction light collected between the first sampling pipe opening / closing valve 113 and the second sampling pipe opening / closing valve 115 ) And the second sampling pipe opening / closing valve 115. [
건식 환원광 채취관(111)의 하부에는 건식 환원광 채취관(111)에 잔류하고 있는 건식 환원광 시료를 배출하기 위한 건식 시료 배출 챔버(150)가 설치될 수 있다. A dry sample discharge chamber 150 for discharging the dry reduction light sample remaining in the dry reduction light sampling pipe 111 may be installed in the lower part of the dry reduction light sampling pipe 111.
건식 시료 배출 챔버(150)에는 건식 시료 배출 챔버(150)로 배출된 건식 환원광 시료의 온도를 설정 온도로 하락시켜 주기 위한 질소(N2)와 같은 불활성 가스(151)를 퍼징하기 위한 제3 가스 퍼징관(153)이 설치될 수 있다. The dry sample discharge chamber 150 is provided with a third sample discharge chamber 150 for purging an inert gas 151 such as nitrogen (N 2 ) to lower the temperature of the dry reduction sample discharged into the dry sample discharge chamber 150 to a set temperature. A gas purifying pipe 153 may be installed.
또한, 제3 가스 퍼징관(153)에는 이를 개폐하기 위한 제3 가스 퍼징관 개폐 밸브(155)가 설치될 수 있다. The third gas purging pipe 153 may be provided with a third gas purging pipe opening / closing valve 155 for opening and closing the third gas purging pipe opening / closing valve 155.
건식 시료 배출 챔버(150)에는 건식 시료 배출 챔버(150) 내의 가스를 배출하기 위한 제1 가스 배출관(157)이 설치될 수 있다. The dry sample discharge chamber 150 may be provided with a first gas discharge pipe 157 for discharging the gas in the dry sample discharge chamber 150.
제1 가스 배출관(157)에는 이를 개폐하기 위한 제1 가스 배출관 개폐 밸브(159)가 설치될 수 있다. The first gas exhaust pipe 157 may be provided with a first gas exhaust pipe opening / closing valve 159 for opening and closing the first gas exhaust pipe 157.
이하에서, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 니켈광 환원율 측정 장치의 작동에 대해서 설명한다.Hereinafter, the operation of the apparatus for measuring the nickel reduction rate according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig.
니켈광 환원율 측정 장치(100)는 상온 상압의 니켈광 습식제련을 위한 사전 건식공정에서 환원시켜 침출하여 회수하고자 하는 니켈과 코발트뿐만 아니라 니켈광 내 가장 많이 함유하는 철성분을 회수하기 위하여 철산화물까지 환원시킨다. The nickel photometric reduction rate measuring apparatus 100 is a device for measuring the nickel reduction rate of nickel and cobalt as well as nickel and cobalt to be recovered by leaching in a preliminary dry process for nickel- .
이에 따라 철보다 피환원성이 우수한 니켈은 물론 코발트도 환원되어 금속상으로 습식 공정에 제공되어 산에 의한 용이한 침출이 가능하게 되어 회수할 수 있게 된다. As a result, cobalt as well as nickel, which is more excellent than iron, can be reduced and provided to the wet process in the form of a metal, which enables easy leaching by acid and can be recovered.
이러한 저품위 니켈광을 습식제련의 효율성을 향상시키기 위하여 최대 800℃ 이상의 온도로 상승되는 환원로(10)에서 수소와 같은 환원 가스에 의해 환원시켜 건식 환원광을 생성한다. In order to improve the efficiency of the wet smelting, such low-grade nickel light is reduced by a reducing gas such as hydrogen in a reducing furnace 10 which is raised to a temperature of 800 ° C or higher to generate dry reduction light.
이와 같이 환원된 건식 환원광을 그대로 물속에서 퀜칭(quenching) 시키는 냉각조(20)에서 대기 노출에 의한 재산화를 방지하며 냉각시켜 습식제련 공정에 슬러리 형태로 제공한다.In the cooling tank 20 in which the reduced dry reduction light is quenched in the water as it is, the reoxidization by the exposure to the atmosphere is prevented and cooled to provide the slurry in the wet smelting process.
제1 실시예에 따른 니켈광 환원율 측정 장치(100)를 이용하여 니켈광의 환원율을 실시간 신속하고 간단하게 측정할 수 있다. It is possible to quickly and simply measure the reduction rate of nickel light in real time using the apparatus for measuring the optical reduction rate of nickel 100 according to the first embodiment.
먼저, 환원로(10)에서 냉각조(20)로 배출되는 환원광 배출관(110)에서 건식 환원광을 설정량 채취한다. First, a predetermined amount of dry reduction light is collected from the reduction light discharge pipe 110 discharged from the reduction furnace 10 to the cooling bath 20.
즉, 제2 채취관 개폐 밸브(115)를 닫은 상태에서 제1 채취관 개폐 밸브(113)를 열어 환원광 배출관(110)의 건식 환원광을 제2 채취관 개폐 밸브(115)의 상단으로부터 건식 환원광 채취관(111)에 채취한다. The first sampling pipe opening / closing valve 113 is opened to open the dry reduction light of the reduction light emission pipe 110 from the upper end of the second sampling pipe opening / closing valve 115 to the outside of the second sampling pipe opening / And collected in a reduced light sampling pipe 111.
그리고, 건식 환원광 채취관(111)에 설정량의 건식 환원광이 채취되면, 제1 채취관 개폐 밸브(113)를 닫는다. When the predetermined amount of dry reduction light is collected in the dry reduction light collection tube 111, the first collection tube opening and closing valve 113 is closed.
이 때, 제2 채취관 개폐 밸브(115)의 상단의 건식 환원광 채취관(111)에 채취된 건식 환원광은 건식 환원광 프로브(121)와 직접 접촉된다.At this time, the dry reduction light collected in the dry reduction light collection pipe 111 at the upper end of the second sampling pipe opening / closing valve 115 is directly in contact with the dry reduction light probe 121.
이와 아울러, 온도 측정계(117)를 이용하여 건식 환원광 채취관(111)에 채취된 건식 환원광의 온도를 측정한다. In addition, the temperature of the dry reduction light collected in the dry reduction light collection tube 111 is measured using the temperature measurement system 117.
온도 측정계(117)에서 측정된 건식 환원광의 온도가 설정 온도, 예컨대, 100℃ 이하로 되면, 건식 환원광 자화율 측정부(125)가 가동되고 건식 환원광 프로브(121)의 탐침 정보를 전달받아 건식 환원광의 자화율을 측정한다. When the temperature of the dry reduction light measured by the temperature measurement unit 117 reaches a set temperature, for example, 100 캜 or less, the dry reduction optical susceptibility measurement unit 125 is activated and receives the probe information of the dry reduction optical probe 121, The susceptibility of the reduced light is measured.
이와 같이 측정된 자화율은 건식 환원광 환원율 산출 장치(130)에서 사전에 미리 설정된 건식 환원광의 자화율과 환원율간의 관계식(1)을 이용하여 환원율을 산출할 수 있다. The measured susceptibility can be calculated using the relational expression (1) between the susceptibility of the dry reduction light and the reduction ratio set in advance in the dry reduction light reduction rate calculating device 130. [
또한, 건식 환원광의 자화율 측정 시 건식 환원광의 온도을 신속히 저하시키고자 한다면, 제2 채취관 개폐 밸브(115)의 직상부에 위치한 제2 가스 퍼징관 개폐 밸브(144)를 열어 준다. If the temperature of the dry reduction light is to be rapidly lowered in measuring the susceptibility of the dry reduction light, the second gas purging pipe opening / closing valve 144 located directly above the second sampling pipe opening / closing valve 115 is opened.
제2 가스 퍼징관 개폐 밸브(144)이 열림에 따라, 제2 가스 퍼징관(143)을 통하여 건식 환원광 채취관(111)으로 질소와 같은 불활성 가스가 퍼징되고, 건식 환원광의 온도를 설정 온도 이하로 효과적으로 하락시킬 수 있다. As the second gas purging pipe opening / closing valve 144 is opened, an inert gas such as nitrogen is purged into the dry reduction light collecting pipe 111 through the second gas purging pipe 143, and the temperature of the dry reduction light is set to a set temperature Or more.
또한, 환원광 배출관(30)에서 건식 환원광 채취관(111)으로 배출되는 건식 환원광의 온도를 설정 온도로 하락시키고자 하면, 제1 가스 퍼징관 개폐 밸브(142)를 열어 준다. When the temperature of the dry reduction light emitted from the reduction light discharge pipe 30 to the dry reduction light collection pipe 111 is lowered to the set temperature, the first gas firedpipe opening / closing valve 142 is opened.
제1 가스 퍼징관 개폐 밸브(142)가 열림에 따라, 제1 가스 퍼징관(141)을 통하여 건식 환원광 채취관(111)으로 질소와 같은 불황성 가스가 퍼징되고, 건식 환원관의 온도를 설정 온도로 효과적으로 하락시킬 수 있다. As the first gas purging pipe opening / closing valve 142 is opened, a non-reducing gas such as nitrogen is purged into the dry reduction light collecting pipe 111 through the first gas purging pipe 141, and the temperature of the dry reducing pipe It can be effectively lowered to the set temperature.
그리고, 건식 환원광의 자화율 측정이 종료된 후에는, 제2 채취관 개폐 밸브(115)를 열어 건식 환원광 채취관(111)에 잔류하고 있는 건식 환원광 시료를 건식 시료 배출 챔버(150)로 배출한다. After the measurement of the susceptibility of the dry reduction light is completed, the second sampling pipe opening / closing valve 115 is opened to discharge the dry reduction light sample remaining in the dry reduction light sampling pipe 111 to the dry sample discharge chamber 150 do.
이와 같이, 건식 환원광 채취관(111)에 잔류하고 있는 건식 환원광 시료를 건식 시료 배출 챔버(150)로 배출하여 건식 환원광 채취관(111) 내부를 깨끗하게 비움으로써, 다음 건식 환원광 시료를 채취할 수 있도록 준비한다. In this way, the dry reduction light sample remaining in the dry reduction light sampling tube 111 is discharged to the dry sample discharge chamber 150, and the inside of the dry reduction light sampling tube 111 is cleanly cleaned to remove the next dry reduction light sample Prepare to collect.
또한, 이러한 일련의 건식 환원광을 채취하여 자화율을 측정하는 과정에서 시료에 의한 막힘이나 온도 저하를 위하여 제1, 제2 가스 퍼징관(141, 143)과 제1 가스 배출관(157)을 이용하여 해결할 수 있다. The first and second gas purging tubes 141 and 143 and the first gas discharging tube 157 are used for the purpose of clogging and temperature drop by the sample in the process of measuring the susceptibility by collecting such a series of dry reduction light Can be solved.
<실시예><Examples>
니켈 습식제련을 위한 니켈광 사전 건식 공정에서 배출된 건식 환원광의 환원율을 신속하게 측정하기 위하여 조업 중 설정량의 건식 환원광 시료를 채취하여 건식 환원광 자화율 측정 장치를 이용하여 건식 환원광 시료의 자화율을 측정한다. In order to quickly measure the reduction rate of the dry reduction light emitted from the nickel light pre-dry process for nickel-wet smelting, a dry reduction light sample of a predetermined amount during operation is sampled, and the dry reduction optical susceptibility .
그리고, 이와 같이 측정된 건식 환원광의 자화율을 사전에 미리 설정된 건식 환원광의 자화율과 환원율 간의 관계식에 의해 건식 환원광 시료의 환원율을 산출할 수 있다. The reduction ratio of the dry reduction light sample can be calculated by the relational expression between the susceptibility of the dry reduction light and the reduction ratio of the dry reduction light previously determined in advance.
이를 위하여, 우선 환원광 배출관(30)에서 채취한 건식 환원광 시료의 자화율과 환원율을 각각 측정하여 이 둘 사이의 상관 관계식을 산출하였다. For this purpose, the relationship between the two is calculated by measuring the susceptibility and reduction ratio of the dry reduction light sample collected from the reduction light discharge pipe 30, respectively.
도 2는 동시에 채취한 건식 환원광의 자화율과 환원율 간의 상관 관계를 도시한 그래프로, 자화율과 환원율간의 상관 관계가 1차식으로 전 환원율 구간에 대하여 잘 일치하고 있는 것을 알 수 있다.FIG. 2 is a graph showing the correlation between the susceptibility and the reduction rate of the dry reduction light sampled at the same time, and it can be seen that the correlation between the susceptibility and the reduction ratio coincides linearly with the reduction ratio in the first order.
따라서, 건식 환원광의 자화율을 측정한다면 아래 식(1)을 이용하여 용이하게 건식 환원광의 환원율을 산출할 수 있다.Therefore, if the susceptibility of the dry reduction light is measured, the reduction ratio of the dry reduction light can easily be calculated using the following equation (1).
건식 환원광 환원율 = (1.1194 × 자화율) + 33.281 --- (1)Dry reduction light reduction ratio = (1.1194 x magnetic susceptibility) + 33.281 --- (1)
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치의 개략적인 구성도이다. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the second embodiment of the present invention.
본 발명의 제2 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치는 하기에서 특별히 설명하는 사항 이외에는 본 발명의 제1 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치에서 설명한 사항과 동일하므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the second embodiment of the present invention is the same as the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment of the present invention except for the details described below, .
제2 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치가 제1 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치와 크게 다른 점은, 건식 환원광이 아닌 슬러리 형태의 습식 환원광을 채취하여 자화율을 측정하는 것이다. The apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the second embodiment differs greatly from the apparatus for measuring the reduction rate of nickel light according to the first embodiment in that the wet reduction light in the form of slurry is measured instead of the dry reduction light to measure the susceptibility.
도 3을 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 니켈광의 환원율 측정 장치(200)는, 니켈 습식제련을 위한 니켈광 사전 건식 공정의 환원로(10)에서 배출된 환원광의 환원율을 측정하는 장치이다.3, the apparatus 200 for measuring the reduction rate of nickel light according to the second embodiment of the present invention measures the reduction rate of the reduced light emitted from the reduction furnace 10 of the nickel light pre- Device.
니켈광의 환원율 측정 장치(200)는, 환원로(10)에서 배출되는 건식 환원광을 물에 퀜칭(quenching)하기 위한 냉각조(20)를 포함할 수 있다. The apparatus 200 for measuring the reduction rate of nickel light may include a cooling bath 20 for quenching the dry reduction light emitted from the reduction furnace 10 into water.
또한, 니켈광의 환원율 측정 장치(200)는, 냉각조(20)의 하부에서 슬러리화 된 습식 환원광 시료를 설정량 채취하기 위해 냉각조(20)에서 분기되는 습식 환원광 채취관(211)을 포함하는 습식 환원광 채취 장치(210)를 포함할 수 있다. The nickel light reduction rate measuring apparatus 200 further includes a wet reduction light collecting tube 211 branched from the cooling bath 20 to collect a predetermined amount of the wet reducing light sample slurried from the lower portion of the cooling bath 20 And a wet reduction optical harvesting apparatus 210 including the wet reduction optical harvesting apparatus 210.
니켈광의 환원율 측정 장치(200)는, 습식 환원광 채취 장치(210)에 설치되고 습식 환원광 채취관(211)에 채취된 습식 환원광 시료의 자화율을 측정하기 위한 습식 환원광 자화율 측정 장치(220)를 포함할 수 있다.The apparatus 200 for measuring the reduction rate of nickel light has a wet reduction optical susceptibility measuring device 220 installed in the wet reduction optical sampling device 210 and for measuring the susceptibility of the wet reduction optical sample taken in the wet reduction optical sampling pipe 211 ).
습식 환원광 자화율 측정 장치(220)에서 측정된 습식 환원광 시료의 자화율을 미리 설정된 습식 환원광의 자화율과 환원율의 관계식(2)을 이용하여 습식 환원광 환원율을 산출하기 위한 습식 환원광 환원율 산출 장치(230)를 포함할 수 있다. A wet reduction photometric reduction rate calculating device (hereinafter referred to as &quot; wet reduction photometric reduction rate calculating device &quot;) for calculating the wet reduction photometric reduction ratio using the relational expression (2) between the susceptibility of the wet- 230).
습식 환원광 환원율 = (0.9168 × 자화율) + 32.492 --- (2)Wet reduction light reduction ratio = (0.9168 x magnetic susceptibility) +32.492 (2)
상기 관계식(2)은 사용되는 니켈광의 종류에 따라 변경될 수 있음은 물론이다. It is needless to say that the relational expression (2) can be changed depending on the kind of the nickel light used.
습식 환원광 자화율 측정 장치(220)는 습식 환원광 채취관(211)에 채취된 습식 환원광과 직접 접촉하여 습식 환원광을 탐침하기 위한 습식 환원광 프로브(221)를 포함할 수 있다. The wet reduction photometric susceptibility measuring device 220 may include a wet reduction optical probe 221 for directly contacting the wet reduction light collected in the wet reduction light collection pipe 211 to probe the wet reduction light.
습식 환원광 자화율 측정장치(220)는 습식 환원광 프로브(221)와 케이블(223)에 의하여 연결되고 습식 환원광 프로브(221)의 탐침 정보를 이용하여 습식 환원광 자화율을 측정하는 습식 환원광 자화율 측정부(225)를 포함할 수 있다.The wet reduction photometric susceptibility measuring device 220 is connected to the wet reduction photometric probe 221 through a cable 223 and detects the wet reduction photodimerization rate And a measurement unit 225.
습식 환원광 채취 장치(210)는 습식 환원광 채취관(211)에 습식 환원광 프로브(221)를 기준으로 이격되어 설치되고, 습식 환원광 채취관(211)을 각각 개폐하기 위한 제3 채취관 개폐 밸브(213) 및 제4 채취관 개폐 밸브(215)를 포함할 수 있다. The wet reduction optical sampling device 210 is installed on the wet reduction optical sampling pipe 211 in a spaced relation to the wet type reducing optical probe 221 and has a third sampling pipe 212 for opening / An open / close valve 213 and a fourth sampler open / close valve 215.
즉, 습식 환원광 프로브(221)는 제3 채취관 개폐 밸브(213)와 제4 채취관 개폐 밸브(215) 사이의 습식 환원광 채취관(211)에 채취된 건식 환원광에 접촉될 수 있다. That is, the wet reduction optical probe 221 can be brought into contact with the dry reduction light collected in the wet reduction light collection pipe 211 between the third sampling pipe opening / closing valve 213 and the fourth sampling pipe opening / closing valve 215 .
습식 환원광 채취 장치(210)는 습식 환원광 채취관(211)에 채취된 습식 환원광의 온도를 설정 온도로 하락시켜 주기 위한 냉각수(240)를 공급하기 위한 제1, 제2 냉각수 공급관(241, 243)을 포함할 수 있다. The wet reduction optical sampling apparatus 210 includes first and second cooling water supply tubes 241 and 242 for supplying cooling water 240 for lowering the temperature of the wet reduction light sampled in the wet reduction optical sampling tube 211 to a set temperature, 243).
제1, 제2 냉각수 공급관(241, 243)에는 각각 이를 개폐하기 위한 제1, 제2 냉각수 공급관 개폐 밸브(242, 244)가 설치될 수 있다. The first and second cooling water supply pipes 241 and 243 may be provided with first and second cooling water supply pipe opening / closing valves 242 and 244 for opening and closing the first and second cooling water supply pipes 241 and 243, respectively.
제1 냉각수 공급관(241)은 습식 환원광 채취관(211)으로 배출되는 습식 환원광의 온도를 하락시키기 위하여 냉각조(20)와 제3 채취관 개폐 밸브(213) 사이에 설치될 수 있다. The first cooling water supply pipe 241 may be installed between the cooling bath 20 and the third sampling pipe opening / closing valve 213 to lower the temperature of the wet reduction light emitted to the wet reduction light sampling pipe 211.
또한, 제2 냉각수 공급관(243)은 제3 채취관 개폐 밸브(213)와 제4 채취관 개폐 밸브(215) 사이에 채취된 습식 환원광의 온도를 하락시키기 위하여 제3 채취관 개폐 밸브(213)와 제4 채취관 개폐 밸브(215) 사이에 설치될 수 있다. The second cooling water supply pipe 243 is connected to the third sampling pipe opening / closing valve 213 to lower the temperature of the wet reduction light collected between the third sampling pipe opening / closing valve 213 and the fourth sampling pipe opening / And the fourth sampler on / off valve 215.
습식 환원광 채취관(211)의 하부에는 습식 환원광 채취관(211)에 잔류하고 있는 습식 환원광 시료를 배출하기 위한 습식 시료 배출 챔버(250)가 설치될 수 있다. A wet sample discharge chamber 250 for discharging the wet type reduced light sample remaining in the wet type reduced light sampling tube 211 may be provided below the wet type reduced light sampling tube 211.
습식 시료 배출 챔버(250)에는 습식 시료 배출 챔버(250)로 배출된 습식 환원광 시료의 온도를 설정 온도로 하락시켜 주기 위한 냉각수(251)를 공급하기 위한 제3 냉각수 공급관(253)이 설치될 수 있다. A third cooling water supply pipe 253 for supplying the cooling water 251 for lowering the temperature of the wet reduction light sample discharged into the wet sample discharge chamber 250 to the set temperature is installed in the wet sample discharge chamber 250 .
또한, 제3 냉각수 공급관(253)에는 이를 개폐하기 위한 제3 냉각수 공급관 개폐 밸브(255)가 설치될 수 있다. The third cooling water supply pipe 253 may be provided with a third cooling water supply pipe opening / closing valve 255 for opening and closing the third cooling water supply pipe 253.
습식 시료 배출 챔버(250)에는 습식 시료 배출 챔버(250) 내의 가스를 배출하기 위한 제2 가스 배출관(257)이 설치될 수 있다. The wet sample discharge chamber 250 may be provided with a second gas discharge pipe 257 for discharging the gas in the wet sample discharge chamber 250.
제2 가스 배출관(257)에는 이를 개폐하기 위한 제2 가스 배출관 개폐 밸브(259)가 설치될 수 있다. The second gas discharge pipe 257 may be provided with a second gas discharge pipe opening / closing valve 259 for opening and closing the second gas discharge pipe 257.
제1 실시예와 같이 환원로(10)에서 배출된 건식 환원광을 냉각조(20)로 들어가지 전에 환원광 배출관(110)에서 채취하여 자화율을 측정하여 환원율을 산출할 수도 있다.The reduction rate may be calculated by measuring the susceptibility of the dry reduction light emitted from the reduction furnace 10 in the reducing light exhaust pipe 110 before entering the cooling bath 20 as in the first embodiment.
그러나, 제2 실시예와 같이, 기존의 냉각조(20)에서 슬러리 상태의 습식 환원광 시료를 채취하여 자화율을 측정하여 환원율을 산출할 수 있다. However, as in the second embodiment, it is possible to calculate the reduction ratio by measuring the susceptibility and collecting the wet-reduced light sample in the slurry state in the conventional cooling bath 20.
제2 실시예에 따른 습식 환원광 시료를 채취하여 자화율을 측정하는 장치는, 제1 실시예에 따른 건식 환원광 시료를 채취하여 자화율을 측정하는 장치와 거의 동일하며, 이하의 점에서 다소 상이하다. The device for measuring the susceptibility by collecting the wet-reduced light sample according to the second embodiment is almost the same as the device for measuring the susceptibility by collecting the dry-reduced light sample according to the first embodiment, and is somewhat different from the following .
제2 실시예에 따른 습식 환원광 시료 채취 및 자화율 측정 장치에서는, 단지 건식 환원광이 아닌 슬러리 형태의 습식 환원광을 채취하여 자화율을 측정한다. In the wet reduction optical sampling apparatus and the apparatus for measuring the susceptibility according to the second embodiment, the wet reduction light in the form of a slurry instead of the dry reduction light is sampled to measure the susceptibility.
따라서, 습식 환원광 시료 채취 시 사용하는 퍼징 물질로서 질소와 같은 불활성 가스가 아닌 물을 사용하여 습식 환원광 시료를 채취하고 자화율을 측정한다.Therefore, as a purging material to be used in wet reduction light sampling, a wet reduction light sample is sampled using water, not inert gas such as nitrogen, and the susceptibility is measured.
또한, 이미 물에 의해 환원광이 퀜칭(quenching) 되었으므로 습식 환원광 시료 채취 후 별도의 온도 측정이나 냉각 시간을 필요로 하지 않고 채취 즉시 자화율을 측정한다. In addition, since the reduction light is already quenched by water, it is necessary to measure the susceptibility immediately after collecting the wet reduction light sample without taking any temperature measurement or cooling time.
슬러리 형태의 습식 환원광 시료의 자화율을 측정하므로 건식 환원광의 자화율과는 다소 차이가 발생하므로 습식 환원광의 자화율과 환원율의 별도의 관계식(2)을 이용하여 습식 환원광 시료의 자화율을 측정하여 환원율을 산출 할 수 있다.Since the susceptibility of the slurry-type wet-reduced light sample is measured, the susceptibility of the wet-reduced light is slightly different from that of the dry-reduced light. Therefore, the susceptibility of the wet-reduced light sample is measured using a separate equation (2) Can be calculated.
습식 환원광 환원율 = (0.9168 × 자화율) + 32.492 --- (2)Wet reduction light reduction ratio = (0.9168 x magnetic susceptibility) +32.492 (2)
도 4는 습식 환원광의 자화율과 환원율과의 관계식을 나타내는 그래프로서, 회귀식 그림은 도 2의 건식 환원광의 자화율과 환원율과의 관계식을 나타내는 그래프와 거의 유사하나 R-squre(R2) 값이 건식 대비 다소 저하된 것을 알 수 있다. Figure 4 is the wet-reduction of light susceptibility and a graph showing the relationship between the reduction rate, a regression equation figure also substantially similar to R-squre (R 2) value and the graph of the drying-reduction optical susceptibility and relationship between the reduction rate of 2 dry It can be seen that it is somewhat lowered.
(부호의 설명)(Explanation of Symbols)
10: 환원로10: Reduction furnace
20: 냉각조20: Cooling tank
30: 환원광 배출관30: Reduction light pipe
100: 니켈광의 환원율 측정 장치100: Reduction rate measuring device of nickel light
110: 건식 환원광 채취 장치110: Dry reduction light collecting device
120: 건식 황원광 자화율 측정 장치120: Dry sulfur photoluminescence measurement device
130: 건식 환원광 환원율 산출 장치130: Dry reduction photometric reduction rate calculating device
200: 니켈광의 환원율 측정 장치200: Reduction rate measuring device of nickel light
210: 습식 환원광 채취 장치210: wet reduction light collecting device
220: 습식 황원광 자화율 측정 장치220: Measuring apparatus for wet sulfur photoluminescence
230: 습식 환원광 환원율 산출 장치230: wet reduction photometric reduction rate calculating device

Claims (17)

  1. 니켈 습식제련을 위한 니켈광 사전 건식 공정의 환원로에서 배출되는 건식 환원광을 물에 퀜칭(quenching)하기 위한 냉각조, A cooling bath for quenching the dry reduction light emitted from the reduction furnace of the nickel light pre-dry process for nickel wet smelting to water,
    상기 환원로의 건식 환원광을 상기 냉각조로 배출하기 위한 환원광 배출관, A reduction light discharge pipe for discharging the dry reduction light of the reduction furnace to the cooling bath,
    상기 환원광 배출관에서 건식 환원광 시료를 채취하기 위해 상기 환원광 배출관에서 분기되는 건식 환원광 채취관을 포함하는 건식 환원광 채취 장치, 및 A dry reduction light sampling device including a dry reduction light sampling pipe branched at the reduction light discharge pipe to collect a dry reduction light sample from the reduction light discharge pipe,
    상기 건식 환원광 채취 장치에 설치되어 상기 건식 환원광 채취관에 채취된 건식 환원광 시료의 자화율을 측정하기 위한 건식 환원광 자화율 측정 장치A dry reduction photodetector for measuring the susceptibility of the dry reduction light sample taken in the dry reduction light sampling pipe installed in the dry reduction light sampling device,
    를 포함하는 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the nickel-red conversion ratio measuring device comprises:
  2. 제1항에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 건식 환원광 자화율 측정 장치는, 상기 건식 환원광 채취관에 채취된 건식 환원광과 접촉하여 건식 환원광을 탐침하기 위한 건식 환원광 프로브, 및 The apparatus for measuring the dry reduction photon susceptibility comprises a dry reduction optical probe for making contact with dry reduction light collected in the dry reduction light collection tube to probe dry reduction light,
    상기 건식 환원광 프로브와 연결되고, 상기 건식 환원광 프로브의 탐침 정보를 이용하여 건식 환원광 자화율을 측정하는 건식 환원광 자화율 측정부를 포함하는, 니켈광의 환원율 측정 장치.And a dry reduction optical susceptibility measuring unit connected to the dry reduction optical probe for measuring a dry reduction photon susceptibility using probe information of the dry reduction optical probe.
  3. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2,
    상기 건식 환원광 채취 장치는 상기 건식 환원광 채취관에 서로 이격되어 설치되고, 상기 건식 환원광 채취관을 각각 개폐하기 위한 제1 채취관 개폐 밸브 및 제2 채취관 개폐 밸브를 포함하는, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the dry reduction optical sampling device comprises a first sampling pipe opening / closing valve and a second sampling pipe opening / closing valve which are provided to be spaced apart from each other in the dry reduction light sampling pipe and open / close the dry reduction light sampling pipe, Reduction rate measuring device.
  4. 제3항에 있어서,The method of claim 3,
    상기 제1 채취관 개폐 밸브와 상기 제2 채취관 개폐 밸브는 상기 건식 환원광 프로브를 기준으로 이격되어 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve are spaced apart from each other with respect to the dry reduction optical probe.
  5. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4,
    상기 제1 채취관 개폐 밸브와 상기 제2 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되어, 상기 건식 환원광 채취관에 채취된 건식 환원광의 온도를 측정하기 위한 온도 측정계를 포함하는, 니켈광의 환원율 측정 장치.And a temperature measurement unit provided between the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve for measuring the temperature of the dry reduction light collected in the dry reduction light sampling pipe.
  6. 제5항에 있어서,6. The method of claim 5,
    상기 건식 환원광 채취 장치는 상기 건식 환원광 채취관에 불활성 가스를 각각 퍼징하고, 제1, 제2 가스 퍼징관 개폐 밸브를 각각 갖는 제1, 제2 가스 퍼징관을 포함하는, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the dry reduction light collecting device comprises a first and a second gas purging tube each having an inert gas purged to the dry reduction light collecting pipe and having first and second gas purging pipe opening and closing valves, Device.
  7. 제6항에 있어서,The method according to claim 6,
    상기 제1 가스 퍼징관은 상기 환원광 배출관과 상기 제1 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되고, Wherein the first gas purifying pipe is installed between the reduction light discharge pipe and the first sampling pipe opening / closing valve,
    상기 제2 가스 퍼징관은 상기 제1 채취관 개폐 밸브와 상기 제2 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.And the second gas purifying pipe is installed between the first sampling pipe opening / closing valve and the second sampling pipe opening / closing valve.
  8. 제7항에 있어서,8. The method of claim 7,
    상기 건식 환원광 채취관의 하부에는 상기 건식 환원광 채취관에 잔류하고 있는 건식 환원광 시료를 배출하기 위한 건식 시료 배출 챔버가 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.And a dry sample discharge chamber for discharging the dry reduction light sample remaining in the dry reduction light sampling pipe is provided in the lower part of the dry reduction light sampling pipe.
  9. 제8항에 있어서,9. The method of claim 8,
    상기 건식 시료 배출 챔버에는 상기 건식 시료 배출 챔버에 불활성 가스를 퍼징하고, 제3 가스 퍼징관 개폐 밸브를 갖는 제3 가스 퍼징관이 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the dry sample discharge chamber is provided with a third gas purging tube having an inert gas purged into the dry sample discharge chamber and having a third gas purging pipe open / close valve.
  10. 니켈 습식제련을 위한 니켈광 사전 건식 공정의 환원로에서 배출되는 건식 환원광을 물에 퀜칭(quenching)하기 위한 냉각조, A cooling bath for quenching the dry reduction light emitted from the reduction furnace of the nickel light pre-dry process for nickel wet smelting to water,
    상기 냉각조의 하부에서 슬러리화 된 습식 환원광 시료를 채취하기 위해 상기 냉각조에서 분기되는 습식 환원광 채취관을 포함하는 습식 환원광 채취 장치, 및 A wet reduction optical sampling device including a wet reduction optical sampling tube which is branched in the cooling bath to collect slurry-form wet reduced light samples from the lower part of the cooling bath, and
    상기 습식 환원광 채취 장치에 설치되고 상기 습식 환원광 채취관에 채취된 습식 환원광 시료의 자화율을 측정하기 위한 습식 환원광 자화율 측정 장치A wet reduction photodetection apparatus for measuring the susceptibility of a wet-reduced light sample collected in the wet-reduction light sampling apparatus and installed in the wet-
    를 포함하는 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the nickel-red conversion ratio measuring device comprises:
  11. 제10항에 있어서,11. The method of claim 10,
    상기 습식 환원광 자화율 측정 장치는, 상기 습식 환원광 채취관에 채취된 습식 환원광과 접촉하여 습식 환원광을 탐침하기 위한 습식 환원광 프로브, 및 Wherein the wet reduction optical susceptibility measuring apparatus comprises a wet reduction optical probe for making contact with the wet reduction light collected in the wet reduction light collection tube to probe the wet reduction light,
    상기 습식 환원광 프로브와 연결되고 상기 습식 환원광 프로브의 탐침 정보를 이용하여 습식 환원광 자화율을 측정하는 습식 환원광 자화율 측정부를 포함하는, 니켈광의 환원율 측정 장치.And a wet reduction photodetection unit connected to the wet reduction photodetector and measuring the wet reduction photodetection rate using probe information of the wet reduction photodetector.
  12. 제11항에 있어서,12. The method of claim 11,
    상기 습식 환원광 채취 장치는 상기 습식 환원광 채취관에 서로 이격되어 설치되고, 상기 습식 환원광 채취관을 각각 개폐하기 위한 제3 채취관 개폐 밸브 및 제4 채취관 개폐 밸브를 포함하는, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the wet type reducing optical pick-up apparatus includes a third sampling pipe opening / closing valve and a fourth sampling pipe opening / closing valve, which are provided to be spaced apart from each other in the wet type reducing optical sampling pipe and open / close the wet type reducing optical sampling pipe, Reduction rate measuring device.
  13. 제12항에 있어서,13. The method of claim 12,
    상기 제3 채취관 개폐 밸브와 상기 제4 채취관 개폐 밸브는 상기 습식 환원광 프로브를 기준으로 이격되어 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the third sampler open / close valve and the fourth sampler open / close valve are spaced apart from each other with respect to the wet type reducing optical probe.
  14. 제13항에 있어서,14. The method of claim 13,
    상기 습식 환원광 채취 장치는 상기 습식 환원광 채취관에 냉각수를 각각 공급하고, 제1, 제2 냉각수 공급관 개폐 밸브를 각각 갖는 제1, 제2 냉각수 공급관을 포함하는, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the wet reduction optical sampling device includes first and second cooling water supply pipes respectively supplying cooling water to the wet reduction optical sampling pipe and having first and second cooling water supply pipe opening and closing valves respectively.
  15. 제14항에 있어서,15. The method of claim 14,
    상기 제1 냉각수 공급관은 상기 냉각조와 상기 제3 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되고, Wherein the first cooling water supply pipe is installed between the cooling bath and the third sampling pipe opening / closing valve,
    상기 제2 냉각수 공급관은 상기 제3 채취관 개폐 밸브와 상기 제4 채취관 개폐 밸브 사이에 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.And the second cooling water supply pipe is installed between the third sampler open / close valve and the fourth sampler open / close valve.
  16. 제15항에 있어서,16. The method of claim 15,
    상기 습식 환원광 채취관의 하부에는 상기 습식 환원광 채취관에 잔류하고 있는 습식 환원광 시료를 배출하기 위한 습식 시료 배출 챔버가 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.And a wet sample discharge chamber for discharging the wet type reduced light sample remaining in the wet type reduced light sampling tube is provided in the lower portion of the wet type reduced light sampling tube.
  17. 제16항에 있어서,17. The method of claim 16,
    상기 습식 시료 배출 챔버에는 상기 습식 시료 배출 챔버에 냉각수를 공급하고, 제3 냉각수 공급관 개폐 밸브를 갖는 제3 냉각수 공급관이 설치되는 것인, 니켈광의 환원율 측정 장치.Wherein the wet sample discharge chamber is provided with a cooling water supply pipe for supplying the cooling water to the wet sample discharge chamber and a third cooling water supply pipe having a third cooling water supply pipe open / close valve.
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