WO2019101488A1 - Anordnung für eine euv-lithographieanlage - Google Patents

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Holger Kierey
Wolfgang Merkel
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Carl Zeiss SMT GmbH
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    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

Definitions

  • the invention relates to an arrangement for an EUV lithography system, with a
  • reflective optical element having an optically effective surface adapted to reflect incident EUV radiation, and having a filament assembly for producing a reagent that cleans the optically active surface, the filament assembly having at least one filament that is referred to as an anneal or heating element is formed.
  • lithography system is used for example for the production of
  • EUV radiation may have a wavelength of about 13 nm.
  • the EUV radiation source is typically a plasma source.
  • Plasma is often a so-called target irradiated with long-wavelength laser light, as a target, for example tin (Sn) is used.
  • a target for example tin (Sn) is used.
  • the generated plasma then emits the EUV radiation.
  • the reflective optical elements present in an EUV lithography system must have the highest possible reflectivity in order to ensure a sufficiently high overall reflectivity of the optical system of the EUV lithography system.
  • the reflectivity and the lifetime of the reflective optical elements can be undesirably reduced by contaminating the optically effective surfaces of the reflective optical elements.
  • Particularly contaminated by contamination is the collector mirror, which is located closest to the target.
  • the collector mirror collects the EUV radiation emanating from the plasma and collects it to feed the EUV radiation into the further beam path.
  • deposits of the target material, for example Sn, and of chemical compounds thereof can form on the optically active surface of the collector mirror.
  • other deposits such as carbon compounds can also be deposited on the collector mirror and other reflective optical elements of the lithography system.
  • the optical surfaces with activated hydrogen ie hydrogen, which is present for example in the form of H * , H + and / or H 2 + to bring in contact.
  • a reagent for the purposes of the present invention may be, for example, activated hydrogen.
  • a nested collector mirror which has a plurality of mutually nested mirror shells, wherein the optically effective surfaces of the individual mirror shells are operated in grazing incidence.
  • a plurality of filaments which are formed as filaments, on a rear surface of the individual mirror shells, i. a non-optically effective surface, which faces away from the optically active surface of the respective mirror shell, so that the filaments are in the shadow region of the EUV radiation.
  • Incidence of the EUV radiation is formed, a plurality of filaments in the form of glow wires outside the optically active surface in the immediate vicinity of the outer edge region of the optically active surface of the collector mirror symmet- around the center of the EUV collector mirror.
  • Molecular hydrogen is thereby converted by the hot filaments into activated hydrogen, for example into hydrogen radicals, which etch Sn, which has deposited on the optically active surface.
  • this object is achieved in that arranged at least one filament in close proximity to and along the optically active surface of the reflective optical element, wherein a thickness and / or positioning of the at least one filament is chosen such / in that an optical influence of the at least one filament is minimized at least in the far field of the EUV radiation reflected by the optically active surface.
  • the present invention resolves the concept of placing the filament assembly outside the optically effective surface.
  • the filament arrangement according to the invention is arranged in the immediate vicinity of the optically effective surface of the reflective optical element to be cleaned. The cleaning effect of the filament arrangement is thus significantly improved. Since the filament or filaments in the arrangement according to the invention are located in the reflection region of the optically active surface, the optical arrangement of the at least one filament is at least provided by suitable choice of thickness and / or positioning of the at least one filament Far field to minimize the reflected from the optically effective surface EUV radiation. Positioning here also means the orientation of the at least one filament.
  • far field of the EUV radiation reflected by the optically effective surface is understood to mean the radiation field or the wavefront of the EUV radiation far away from the reflective optical element. critical It is not whether the filament or filaments have an optical influence on the reflected EUV radiation in the immediate vicinity of the reflective optical element, but whether any disturbance of the wavefront in the image plane of the imaging system of the EUV lithography system, ie the level of the wafer to be exposed.
  • suitable choice of thickness and / or positioning of the at least one filament along the optically effective surface such adverse optical influences on the reflected EUV radiation can be minimized to such an extent that the wavefront of the EUV radiation in the wafer plane is within one for the respective exposure case required specification.
  • the filament arrangement may have a single filament which has such a great length that it can be distributed over the optically active surface, for example meandering, can be arranged.
  • the filament assembly may also include a plurality of individual filaments distributed along the surface, wherein the filaments or a portion of the filaments may be interconnected.
  • the reflective optical element is a collector mirror of an EUV light source, such a collector mirror being in particular a collector mirror designed for normal incidence ,
  • the thickness of the at least one filament is less than 3 mm, preferably less than 2 mm, more preferably less than 1 mm.
  • the at least one filament is in one
  • Distance is arranged in a range of 5 mm to 50 mm from the optically effective surface.
  • the spacing may be in a range of 5 mm to 30 mm, further in a range of 5 mm to 20 mm.
  • the filament arrangement has a
  • a plurality of filaments which are arranged distributed uniformly along the optically active surface.
  • the at least one filament is positioned substantially radially extending between a center of the optically effective surface and a radially outer edge region of the optically effective surface.
  • the filament assembly comprises a plurality of filaments
  • Filament arrangement with respect to the center of the optically active surface preferably be formed centrally-radially symmetrical.
  • the at least one filament is positioned substantially circularly or partially circularly extending around the center of the optically effective surface.
  • the at least one filament is in the
  • the reflective optical element is arranged in operation in a lithography system upstream of a facet mirror which has facets which have a larger dimension in a first direction than in a direction perpendicular to the first direction second direction, advantageous if the at least one filament extends in a direction substantially parallel to the first direction of the facets direction along the optically active surface.
  • the optical influence in the case of a linear positioning of the at least one filament is particularly small or negligible if the filament (s) extend in the direction of the longer dimension of the facets of the facet mirror.
  • optical influence can also be minimized by the fact that the at least one
  • Filament extends along a portion of the optically effective surface from which a far-field unused portion of the EUV radiation is reflected.
  • the at least one filament is designed as a resistance heating element.
  • the filament or filaments can be operated with DC or AC voltage.
  • the electrical supply conductor for supplying the at least one filament is connected to electrical power, wherein the at least one supply conductor is preferably formed as a holder for the at least one filament.
  • the one or more electrical supply conductor can have a greater thickness than the at least one filament.
  • a filament may have a thickness of 1 mm and the electrical supply conductor a thickness of up to 3 mm.
  • the one or more supply conductors may advantageously be formed as wires.
  • the at least one extends
  • Supply conductor radially between a center and a radially outer edge region of the optically active surface along the optically active surface.
  • This arrangement of the at least one supply conductor can be advantageously selected in one of the above embodiments of the positioning of the at least one filament, according to which the filament (s) also extend radially, or in which the filament (s) is circular or partially circular extend the center of the optically active surface.
  • Supply conductors may be alternating, which has the advantage that electric fields generated by the supply conductors cancel each other out, or the polarities of the electrical voltage may be equal under the supply conductors, which has the advantage that a unipolar connection is used for several supply conductors can, which simplifies the construction, because the number of required connections is reduced.
  • the supply conductor (s) extend straight, but perpendicular to the Filaments along the optically effective surface.
  • the electrical supply conductors can also be arranged completely outside the optically effective surface, as is provided in a further preferred embodiment.
  • the electrical supply conductors have no optical influence on the EUV radiation, which is reflected by the optically effective surface.
  • one or more additional electrically isolated or electrically non-conductive holding elements may be arranged to hold the at least one filament in position along the optically effective surface. That or the additional holding elements serve to stabilize the arrangement and positioning of the at least one filament.
  • the filament or filaments are operated with a bias
  • An EUV lithography system has an arrangement according to one or more of the aforementioned embodiments.
  • Fig. 1 is a schematic diagram of an EUV lithography system
  • FIGS. 2A and 2B show a reflective optical element with an arrangement of filaments according to an embodiment, wherein Fig. 2A shows a plan view and Fig. 2B shows a cross section through the reflective optical element;
  • characters 3A and 3B show a reflective optical element with an arrangement of filaments according to a further embodiment, wherein Fig. 3A shows a plan view and Fig. 3B shows a cross section of the reflective optical element;
  • FIG. 4A and 4B show a reflective optical element with an arrangement of filaments according to a further embodiment, wherein Fig. 4A shows a plan view and Fig. 4B shows a cross section of the reflective optical element;
  • FIG. 5A and 5B show a reflective optical element with an arrangement of filaments according to a further embodiment, wherein Fig. 5A shows a plan view and Fig. 5B shows a cross section of the reflective optical element;
  • FIG. 6A and 6B show a reflective optical element with an array of filaments according to another embodiment, wherein Fig. 6A shows a top view and Fig. 6B shows a cross section of the reflective optical element;
  • FIG. 7 shows a facet arrangement of a facet mirror of an EUV lithography system according to an example
  • FIG. 8 shows on the left a reflective optical element with an arrangement of filaments and on the right a diagram illustrating the optical influence of the filaments on the EUV radiation reflected by the reflective optical element in an image plane;
  • 9 shows on the left a reflective optical element with an arrangement of filaments and on the right a diagram illustrating the optical influence of the filaments on the EUV radiation reflected by the reflective optical element in an image plane; 10 shows a reflective optical element with an arrangement of filaments and on the right a diagram which illustrates the optical influence of the filaments on the EUV radiation reflected by the reflective optical element in an image plane;
  • FIGS. 11A and 11B show a reflective optical element with an arrangement of filaments according to a further exemplary embodiment, wherein FIG. 11A shows a plan view and FIG. 1B shows a cross section of the reflective optical element;
  • FIG. 12A and 12B show a reflective optical element with an arrangement of filaments according to a further embodiment, wherein FIG. 12A shows a plan view and FIG. 12B shows a cross section of the reflective optical element; and
  • FIG. 13A and 13B show a reflective optical element with an arrangement of filaments according to a further embodiment, wherein FIG. 13A shows a plan view and FIG. 13B shows a cross section of the reflective optical element.
  • FIG 1 shows an EUV indicated by the general reference numeral 10.
  • the EUV lithography system 10 can be used for producing finely structured semiconductor components.
  • the EUV lithography system 10 has an illumination system 12 and a
  • the illumination system 12 has an EUV radiation source 16.
  • the EUV radiation source 16 is, for example, a plasma-based radiation source in which a target 17, which is formed for example by tin (Sn) droplets, is formed by means of an excitation light source 18, for example an infrared laser a plasma is stimulated.
  • the generated plasma emits EUV radiation which is collected by a collector mirror 20 and fed to an EUV beam path 21.
  • the illumination system has in the radiation propagation direction further mirrors 22, 24,
  • the projection lens 14 has in the propagation direction of the EUV radiation
  • a wafer 50 for example, a semiconductor substrate
  • the EUV lithography system 10 has as optical elements exclusively reflective optical elements, which were referred to above as mirrors.
  • reflective optical elements that is, the aforementioned mirror, have the highest possible reflectivity in order to ensure a sufficiently high overall reflectivity of the optical system of the EUV lithography system 10.
  • the reflectivity and the lifetime of the reflective optical elements can be undesirably reduced by contaminating the optically effective surfaces of the reflective optical elements.
  • Such contaminants may, for example, carbon compounds, but also
  • a filament assembly comprising at least one or a plurality of filaments formed as heating filaments, said filament (s) being along the optically effective surface of the reflective optical element to be cleaned for generating a reagent proximate the optically effective surface are arranged to clean the optically active surface in situ.
  • the reagent to be generated is, for example, activated hydrogen, which is generated from molecular hydrogen by means of the filament (s) which are hot during operation.
  • the filament or filaments do not have to be permanently annealed, but this can also be done in time intervals.
  • Figs. 2A and 2B illustrate one embodiment of a device having a reflective optical element 60 in accordance with the principles of the present invention.
  • the reflective optical element 60 can, in particular, be the collector mirror 20 of the EUV lithography system 10 in FIG. 1, without limiting the generality.
  • the collector mirror 20 is due to its proximity to the target 17 by deposits of the target material of the target 17 particularly contaminated by contaminants.
  • the reflective optical element 60 has an optically active surface 62.
  • the optically active surface 62 has a center 64, in which the optically active surface 62 has a breakthrough, through which the Excitation light of the excitation light source 18 can pass.
  • the optically active surface 62 of the optical element 60 is concavely shaped such that EUV radiation incident on the surface 62 is collectively reflected.
  • the element 60 is operated in the normal incidence.
  • Filament arranged 65 evenly distributed, which are formed as annealing or heating wires. In the exemplary embodiment shown, a total of eight filaments 66 are distributed along the optically active surface 62.
  • the filaments 66 are positioned so that they extend radially between the center 64 and an outer edge region 68 of the optically active surface 62.
  • the filaments 66 may, as shown here, be designed coiled, wherein the
  • the thickness of the individual filaments 66 is chosen as small as possible
  • At least the thickness of the filaments 66 should each be less than 3 mm, preferably even less than 2 mm or even more preferably less than 1 mm.
  • the filaments 66 may be made of a material which is also very high
  • a suitable material is tungsten, for example.
  • the filaments 66 are, as shown in Fig. 2B, from the optically effective surface
  • the distance can be selected in a range of 5 mm to 50 mm.
  • the filaments 66 are formed as resistance heating elements and are characterized by a
  • FIG. 3A shows by "+" and by way of example the polarity or the potential distribution of the voltage supply. In the embodiment shown, the polarities of the electrical voltage under the filaments 66 are equal, whereby the electrical contact of the Filaments 66 in the center 64 on the one hand and in the edge region 68 on the other hand is simplified.
  • the arrangement of the filaments 66 in the embodiment of FIGS. 2A and 2B represents a center-symmetrical arrangement in which the filaments 66 along the optically active surface 62 at a uniform distance, which here the angular distance to understand, are arranged distributed to each other ,
  • the filaments 66 may be secured in the edge region 68 to a holder 70, and in the region close to the center at an annular web 72, which bounds the opening in the center 64.
  • molecular hydrogen H 2 is produced on the filaments 66 when heated by current flow, for example, activated hydrogen H * , H + , H 2 + , which cleans contaminations, such as deposits of the target material of the target 17 by etching, by depositing the deposits in volatile compounds are converted.
  • FIGS. 3A and 3B show a further embodiment, wherein the same
  • FIGS. 2A and 2B Reference numerals as in FIGS. 2A and 2B have been used for identical or comparable elements as in FIGS. 2A and 2B.
  • the filaments 66 extend in the embodiment in Figures 2A and 2B over the entire radial extent of the optically active surface 62
  • the filaments 66 of the filament assembly 65 are shorter in Figures 3A and 3B, that is, extend along the optical effective surface 62 between the center 64 and the edge region 68 not over the entire radial extent of the optically active surface 62. This may have a positive effect on the optical influence of the filaments 66.
  • the filaments 66 are connected to electrical supply conductors 74 and 78, which supply the filaments 66 with electric current, and also the filaments 66 at a distance from the optically active surface 62 in Hold position.
  • the supply conductor 74 which may be formed as wires, thus have the function of holding the filaments 66 and their power supply.
  • the supply conductors 74, 78 may have a greater thickness than the filaments 66.
  • the conductors 74, 78 are not or only slightly heated due to their lower resistance through the current flow.
  • the supply conductors 74, 78 extend like the filaments 66 between the center
  • FIGS 4A and 4B show another embodiment, again with the same
  • Filaments 66 of the filament assembly 65 are arranged in series, which are interconnected via an additional supply conductor 80.
  • the cleaning effect of the filaments 66 can be increased compared to the previous embodiment, while compared to the embodiment in FIGS. 2A and 2B, the optical influence of the filaments 66 is lower.
  • FIGS. 5A and 5B show a further embodiment, in which again the
  • center-symmetric filament arrays 65 are shown, in the exemplary embodiment according to FIGS. 5A and 5B, the filaments 66 are distributed rotationally symmetrically around the center 64 along the optically active surface 62. The filaments 66 thereby extend in a circle around the center 64 of the optically active surface 62. The filaments 66 thus extend along circular lines along the optically active surface 62.
  • radially extending electrical supply conductors 80 are distributed along the optically active surface 62 between the radially outer edge region 68 and the center 64. The polarities ("+""-") alternate here between adjacent ones of the conductors 80.
  • FIGS. 6A and 6B show a further embodiment in which the same is again used
  • the filaments 66 are the
  • Filament assembly 65 is not distributed along a respective full circle along the optically effective surface 62, but only along partial circle lines, wherein the filaments 66 are arranged in four sectors along the optically active surface 62.
  • the electrical conductors 80 for supplying current to the filaments 66 extend radially between the center 64 and the radially outer edge region 68 and also serve to retain the filaments 66 at a distance from the optically active surface 62.
  • the following describes how the positioning, including orientation, and the thickness of the filaments 66 affect the optical influence of the at least one filament 66 on the EUV radiation reflected by the optically active surface 62 in the far field.
  • FIG. 1 shows by way of example a facet arrangement 90 of a facet mirror.
  • Facet assembly 90 has a plurality of individual facets 92, shown in FIG. 7 as white rectangles.
  • the facets have an extent in a first direction (x-direction) which is greater than their extent in a second direction (y-direction).
  • the facets 92 provide a reflective surface and, as shown, may be grouped into four columns of six to eight facet groups 94, 95, 96, 97, respectively.
  • the facet groups 94, 95, 96, 97 each have, for example, seven facets 92.
  • Fig. 8 shows the case where the filaments 66 are parallel to the shorter dimension of the
  • Facets 92 extend, i. in the y direction.
  • a line 100 indicates the specification required for the uniformity U. In that
  • the UV values of the EUV radiation are plotted in the wafer plane.
  • the values for U for all filament thicknesses are 1 mm, 2 mm, 3 mm outside the required specification, ie the image in the wafer plane W does not meet the required specification for all three filament thicknesses. It can also be seen that with increasing thickness of the at least one filament 66, the image values increasingly fall outside specification.
  • Fig. 9 now shows the case that the filaments 66 extend parallel to the longer dimension (x direction) of the facets 92 in Fig. 7.
  • the diagram for the parameter U shows now, that the uniformity U of the optically effective surface 62 of the
  • Collector mirror 20 reflected EUV radiation in the wafer plane W is even at a thickness of at least one filament 66 of 3 mm (right point in the diagram) within the specification (line 100), that is, the image in the wafer plane W meets in this Orientation of the at least one filament 66 the required specification.
  • the optical influence of the filaments 66 is minimal in the far field of the EUV radiation reflected from the optically active surface 62, in the long-distance positioning of the facets 92, so that the required specification of the figure is fulfilled.
  • FIG. 10 shows the case that the filaments 66 extend circularly around the center 64 of the optically effective surface 62.
  • Figures 1A and 1B show a further embodiment of a reflective optical
  • the filaments 66 of the filament assembly 65 extend straight and tangent to the center 64 of the optically active surface 62, the direction of the filaments 66 being parallel to the x direction of the longer dimension of the facets 92 can be directed.
  • such a positioning of the filaments 66 is in terms of a possible optical influence on the EUV radiation in the far field and thus on the image plane 48 of the EUV lithography system 10 advantageous.
  • Electrical supply conductors 110 connect the filaments 66 to one another and keep them at a distance from the optically active surface 62 (see FIG. 11B).
  • Further supply conductors 1 12 extending perpendicularly to the filaments 66 also serve to supply the filaments 66 with current, with "+" and the polarities of the connections being illustrated. light, and they may further serve to hold the filaments 66 in place.
  • the conductors 112 extend perpendicular to the direction of the longer extension of the facets 92, that is to say in the y-direction, these can advantageously be positioned in such a way that they are interposed in gaps 1 14, 16, 18 (see FIG respective facet groups 94,
  • This latter positioning principle can also be used in other embodiments for the filaments 66 themselves by the filaments are positioned so that they extend along one or more areas of the optically active surface 62, of which a portion of the unused in the far field EUV radiation is reflected.
  • Figs. 12A and 12B show a modification of the embodiment of Figs. 11A and 11B in which the filaments 66 of the filament assembly 65 are straight and tangent to the center, as in Figs. 11A and 11B, for example in the direction of Figs longer extension of the facets 92 in Fig. 7, extend (x-direction), the filaments 66 are now formed in contrast to the previous embodiment, respectively along the optically active surface 62, while the power supply via the supply conductor 1 12 to the outside the optically effective surface 62 is laid. As a result, elements over the optically active surface 62, which extend in the y direction, can be avoided.
  • This arrangement of filaments 66 and supply conductors 1 12 is advantageous, for example, if the conductors 1 12 shown in FIG. 11A can not be positioned so that they optically fall into the gaps 1 14, 116, 1 18 of the facet arrangement 90.
  • Figures 13A and 13B show a modification of the embodiment in Figures 12A and 12B, again using like reference numerals for the same or similar elements as in Figures 12A and 12B.
  • filaments 66 of long length may not be adequately supported between their support points (bracket 70 and ring land 72) and may touch the optically effective surface 62.
  • additional support wires 120 are provided on which the filaments 66 are held, in particular as in FIG. 13B is recognizable.
  • the retaining wires 120 are electrically non-conductive, but formed as insulators, or formed as metal wires with insulation on the outside.
  • the retaining wires 120 may advantageously extend in the x-direction, ie in the direction of the longer dimension of the facets 92 in FIG. 7, as a result of which their optical influence in the far field on the EUV radiation or on the image in the image plane 48 is minimized by means of the EUV radiation, as described with reference to FIG. 8.

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Abstract

Eine Anordnung für eine EUV-Lithographieanlage weist ein reflektives optisches Element (60), das eine optisch wirksame Oberfläche (62) aufweist, die dazu ausgebildet ist, einfallende EUV-Strahlung zu reflektieren, und eine Filamentanordnung (65) zur Erzeugung eines die optisch wirksame Oberfläche (62) reinigenden Reagenzes auf, wobei die Filamentanordnung (65) zumindest ein Filament (66) aufweist, das als Glüh-oder Heizelement ausgebildet ist. Das zumindest eine Filament (66) ist entlang der optisch wirksamen Oberfläche (62) des reflektiven optischen Elements (60) angeordnet, wobei eine Dicke und/oder Positionierung des zumindest einen Filaments (66) derart gewählt ist/sind, dass ein optischer Einfluss des zumindest einen Filaments (66) im Fernfeld der von der optisch wirksamen Oberfläche (62) reflektierten EUV-Strahlung minimiert ist.

Description

Anordnung für eine EUV-Lithoqraphieanlaqe
Die vorliegende Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 221 143.1 vom 27. November 2017 in Anspruch, deren gesamter Inhalt durch Bezugnah- me in die vorliegende Anmeldung aufgenommen ist.
[0001] Die Erfindung betrifft eine Anordnung für eine EUV-Lithographieanlage, mit einem
reflektiven optischen Element, das eine optisch wirksame Oberfläche aufweist, die dazu ausgebildet ist, einfallende EUV-Strahlung zu reflektieren, und mit einer Filamentanord- nung zur Erzeugung eines die optisch wirksame Oberfläche reinigenden Reagenzes, wobei die Filamentanordnung zumindest ein Filament aufweist, das als Glüh-oder Heiz- element ausgebildet ist.
[0002] Eine Anordnung der eingangs genannten Art ist aus US 2010/0051827 A1 bekannt.
[0003] Allgemein dient eine Lithographieanlage beispielsweise zur Herstellung von
mikrostrukturierten Halbleiterbauelementen. Mit der Lithographieanlage wird dabei ein Muster einer Maske auf einen Wafer mittels Projektionsstrahlung abgebildet. Bei der lithographischen Herstellung von Halbleiterbauelementen ist die Auflösung, mit der eine Struktur auf das Substrat (Wafer) abgebildet werden kann, mitunter durch die Wellenlänge der Projektionsstrahlung begrenzt. Um integrierte Schaltkreise mit sehr hoher Struktur- dichte und kleinen Strukturabmessungen zu erhalten, ist daher vorgeschlagen worden, Projektionsstrahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV) einzusetzen. EUV- Strahlung kann bspw. eine Wellenlänge von etwa 13 nm aufweisen.
[0004] Die EUV-Strahlungsquelle ist typischerweise eine Plasmaquelle. Zur Erzeugung eines
Plasmas wird häufig ein sogenanntes Target mit langwelligem Laserlicht bestrahlt, wobei als Target beispielsweise Zinn (Sn) verwendet wird. Das erzeugte Plasma emittiert dann die EUV-Strahlung.
[0005] In EUV-Litographieanlagen werden als optische Elemente ausschließlich reflektive
optische Elemente verwendet, da es keine Linsenmaterialien gibt, die im EUV-Bereich Strahlung durchlassen. Die in einer EUV-Litographieanlage vorhandenen reflektiven optischen Elemente müssen eine möglichst hohe Reflektivität aufweisen, um eine hinrei- chend hohe Gesamtreflektivität des optischen Systems der EUV-Lithographieanlage zu gewährleisten. Die Reflektivität und die Lebensdauer der reflektiven optischen Elemente kann durch Kontaminationen der optisch wirksamen Oberflächen der reflektiven optischen Elemente unerwünscht reduziert werden. Durch Kontaminationen besonders belastet ist dabei der Kollektorspiegel, der dem Target am nächsten angeordnet ist. Der Kollektor- spiegel fängt die vom Plasma ausgehende EUV-Strahlung auf und sammelt diese zur Zuführung der EUV-Strahlung in den weiteren Strahlengang. An der optisch wirksamen Oberfläche des Kollektorspiegels können sich insbesondere Ablagerungen des Targetma- terials, beispielsweise Sn, und von chemischen Verbindungen desselben bilden. Aber auch andere Ablagerungen wie Kohlenstoffverbindungen können sich auf dem Kollektor- spiegel und anderen reflektiven optischen Elementen der Lithographieanlage ablagern.
[0006] Zur Abreinigung von Kontaminationen der optisch wirksamen Oberflächen reflektiver optischer Elemente in EUV-Lithgraphieanlagen ist es bekannt, die optischen Oberflächen mit aktiviertem Wasserstoff, d.h. Wasserstoff, der beispielsweise in der Form von H*, H+ und/oder H2 + vorliegt, in Kontakt zu bringen. Hierdurch können Kontaminationen auf den optisch wirksamen Oberflächen in leicht flüchtige Verbindungen umgewandelt werden, die an der optisch wirksamen Oberfläche nicht länger anhaften. Ein Reagenz im Sinne der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise aktivierter Wasserstoff sein.
[0007] Es ist wünschenswert, dass die optisch wirksamen Oberflächen der optisch reflektiven
Elemente, beispielsweise mithilfe von aktiviertem Wasserstoff, auch während des Belich- tungsbetriebs der Lithographieanlage gereinigt werden können. Hierzu sind verschiedene Ansätze im Stand der Technik bekannt. In dem oben genannten Dokument US 2010/0051827 A1 ist ein genesteter Kollektorspiegel beschrieben, der eine Mehrzahl von ineinander genesteten Spiegelschalen aufweist, wobei die optisch wirksamen Oberflächen der einzelnen Spiegelschalen im streifenden Einfall betrieben werden. Für die Abreinigung von Kontaminationen während des Betriebes wird unter anderem vorgeschlagen, eine Mehrzahl von Filamenten, die als Glühdrähte ausgebildet sind, auf einer rückseitigen Oberfläche der einzelnen Spiegelschalen anzuordnen, d.h. einer optisch nicht wirksamen Oberfläche, die von der optisch wirksamen Oberfläche der jeweiligen Spiegelschale abgewandt ist, so dass sich die Glühdrähte im Schattenbereich der EUV-Strahlung befinden. Hierdurch soll das optische Leistungsvermögen des Kollektorspiegels nicht beeinträchtigt werden. Dieser Ansatz ist jedoch für nicht-genestete Spiegel, insbesondere für Kollektorspiegel, die nur eine optisch wirksame Oberfläche für die Reflektion der EUV- Strahlung besitzen, nicht oder nur weniger geeignet. Eine Anordnung der Filamente auf der Spiegelrückseite hätte nämlich keinen ausreichenden Reingungseffekt auf die optisch wirksame Oberfläche.
[0008] Andere Ansätze im Stand der Technik, wie beispielsweise in DE 10 2008 040 720 A1 beschrieben, sehen einen oder mehrere Reinigungsköpfe vor, die eine Zufuhr für ein Reinigungsgas, beispielsweise molekularen Wasserstoff, einen Glühdraht und eine Ableitung für atomaren und/oder molekularen Wasserstoff aufweisen, wobei der Auslass der Reinigungsvorrichtung so positioniert ist, dass er außerhalb des Reflexionsbereiches des zu reinigenden reflektiven optischen Elements angeordnet ist.
[0009] In US 2017/0064800 A1 wird vorgeschlagen, bei einem Kollektorspiegel, der für normalen
Einfall der EUV-Strahlung ausgebildet ist, eine Mehrzahl von Filamenten in Form von Glühdrähten außerhalb der optisch wirksamen Oberfläche in unmittelbarer Nähe zum äußeren Randbereich der optisch wirksamen Oberfläche des Kollektorspiegels symmet- risch um das Zentrum des EUV-Kollektorspiegels herum anzuordnen. Molekularer Was- serstoff wird dabei durch die heißen Glühdrähte in aktivierten Wasserstoff umgewandelt, beispielsweise in Wasserstoffradikale, die Sn, das sich auf der optisch wirksamen Ober- fläche abgelagert hat, abätzen.
[0010] Trotz der zahlreichen Ansätze zur Reinigung optisch wirksamer Oberflächen in EUV- Lithographieanlagen besteht weiterhin ein Bedarf an einer Anordnung der eingangs genannten Art, die hinsichtlich der Reinigungswirkung auf die optisch wirksame Oberflä- che des reflektiven optischen Elements verbessert ist.
[0011] Hinsichtlich der eingangs genannten Anordnung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass das zumindest eine Filament in unmittelbarer Nähe zu und entlang der optisch wirksamen Oberfläche des reflektiven optischen Elements angeordnet, wobei eine Dicke und/oder Positionierung des zumindest einen Filaments derart gewählt ist/sind, dass ein optischer Einfluss des zumindest einen Filaments zumindest im Fernfeld der von der optisch wirksamen Oberfläche reflektierten EUV-Strahlung minimiert ist.
[0012] Im Stand der Technik wurde nicht erkannt, dass die Ätzrate des an einem heißen
Filament erzeugten Reagenzes zur Reinigung der optisch wirksamen Oberfläche mit zunehmendem Abstand von dem Filament stark abnimmt. Daher löst sich die vorliegende Erfindung von dem Konzept, die Filamentanordnung außerhalb der optisch wirksamen Oberfläche anzuordnen. Die Filamentanordnung ist erfindungsgemäß in unmittelbarer Nähe der zu reinigenden optisch wirksamen Oberfläche des reflektiven optischen Ele- ments angeordnet. Die Reinigungswirkung der Filamentanordnung ist somit deutlich verbessert. Da sich das oder die Filamente bei der erfindungsgemäßen Anordnung im Reflektionsbereich der optisch wirksamen Oberfläche befinden, ist bei der erfindungsge- mäßen Anordnung weiterhin vorgesehen, den optischen Einfluss des zumindest einen Filaments durch geeignete Wahl der Dicke und/oder Positionierung des zumindest einen Filaments zumindest im Fernfeld der von der optisch wirksamen Oberfläche reflektierten EUV-Strahlung zu minimieren. Unter Positionierung ist hier auch die Orientierung des zumindest einen Filaments zu verstehen. Unter "Fernfeld der von der optisch wirksamen Oberfläche reflektierten EUV-Strahlung" ist das Strahlungsfeld oder die Wellenfront der EUV-Strahlung fernab von dem reflektiven optischen Element zu verstehen. Entscheidend ist nicht, ob das oder die Filamente einen optischen Einfluss auf die reflektierte EUV- Strahlung in unmittelbarer Nähe des reflektiven optischen Elements haben, sondern entscheidend ist, ob sich eine etwaige Störung der Wellenfront in der Bildebene des abbildenden Systems der EUV-Lithographieanlage, d.h. in der Ebene des zu belichtenden Wafers bemerkbar macht. Durch geeignete Wahl von Dicke und/oder Positionierung des zumindest einen Filaments entlang der optisch wirksamen Oberfläche können derartige abträgliche optische Einflüsse auf die reflektierte EUV-Strahlung so weit minimiert wer- den, dass die Wellenfront der EUV-Strahlung in der Waferebene innerhalb einer für den jeweiligen Belichtungsfall geforderten Spezifikation liegt.
[0013] Die Filamentanordnung kann ein einzelnes Filament aufweisen, das eine so große Länge aufweist, dass es über die optisch wirksame Oberfläche verteilt, beispielsweise mäandrie- rend, angeordnet werden kann. Die Filamentanordnung kann jedoch auch eine Mehrzahl einzelner Filamente aufweisen, die entlang der Oberfläche verteilt angeordnet sind, wobei die Filamente oder ein Teil der Filamente miteinander verbunden sein können.
[0014] Besonders vorteilhaft ist die erfindungsgemäße Anordnung im Fall, dass das reflektive optische Element ein Kollektorspiegel einer EUV-Lichtquelle ist, wobei ein solcher Kollek- torspiegel insbesondere ein Kollektorspiegel ist, der für normalen Einfall ("normal in- cidence") konzipiert ist.
[0015] In einer bevorzugten Ausführungsform beträgt die Dicke des zumindest einen Filaments weniger als 3 mm, vorzugsweise weniger als 2 mm, weiter vorzugsweise weniger als 1 mm.
[0016] Je kleiner die Dicke des zumindest einen Filaments ist, umso geringer ist der optische
Einfluss desselben im Fernfeld der von der optisch wirksamen Oberfläche reflektierten EUV-Strahlung.
[0017] In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist das zumindest eine Filament in einem
Abstand in einem Bereich von 5 mm bis 50 mm von der optisch wirksamen Oberfläche angeordnet. [0018] Eine Beabstandung des zumindest einen Filaments von der optisch wirksamen
Oberfläche hat zum einen den Vorteil eines geringeren optischen Einflusses auf die reflektierte EUV-Strahlung, und zum anderen ist der Wärmeeinfluss des zumindest einen Filaments auf die optisch wirksame Oberfläche hierdurch verringert. Der Wärmeeinfluss kann durch geeignete Kühlung des optischen Elements weiter reduziert oder beseitigt werden. Die Beabstandung kann in einem Bereich von 5 mm bis 30 mm, weiterhin in einem Bereich von 5 mm bis 20 mm liegen.
[0019] In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die Filamentanordnung eine
Mehrzahl an Filamenten auf, die entlang der optisch wirksamen Oberfläche gleichmäßig verteilt angeordnet sind.
[0020] Hierbei ist von Vorteil, dass sich über die optisch wirksame Oberfläche eine gleichmäßige
Reinigungswirkung einstellt. Zum anderen können hierdurch auch über die optisch wirksame Oberfläche ungleichmäßig verteilte Wärmeeinflüsse der Filamente auf die optisch wirksame Oberfläche vermieden werden.
[0021] Hinsichtlich der Positionierung des zumindest einen Filaments entlang der optisch
wirksamen Oberfläche werden nachfolgend bevorzugte Ausführungsformen beschrieben.
[0022] In einer Ausführungsform ist das zumindest eine Filament sich zwischen einem Zentrum der optisch wirksamen Oberfläche und einem radial äußeren Randbereich der optisch wirksamen Oberfläche im Wesentlichen radial erstreckend positioniert.
[0023] Wenn die Filamentanordnung eine Mehrzahl an Filamenten aufweist, kann die
Filamentanordnung in Bezug auf das Zentrum der optisch wirksamen Oberfläche vor- zugsweise zentral-radialsymmetrisch ausgebildet sein.
[0024] In einer weiteren Ausführungsform ist das zumindest eine Filament sich im Wesentlichen kreis- oder teilkreisförmig um das Zentrum der optisch wirksamen Oberfläche herum erstreckend positioniert. [0025] Hierdurch kann eine bezüglich des Zentrums rotationssymetrische Filamentanordnung bereitgestellt werden.
[0026] In einer noch weiteren Ausführungsform ist das zumindest eine Filament sich im
Wesentlichen tangential zum Zentrum der optisch wirksamen Oberfläche erstreckend positioniert.
[0027] Im Zusammenhang mit der zuvor genannten Ausführungsform und/oder weiter oben
genannten Ausführungsform einer radialen Positionierung ist es im Fall, dass das reflekti- ve optische Element im Betrieb in einer Lithographieanlage stromaufwärts eines Facet- tenspiegels angeordnet ist, der Facetten aufweist, die in einer ersten Richtung eine größere Abmessung aufweisen als in einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung, vorteilhaft, wenn sich das zumindest eine Filament in einer zur ersten Richtung der Facetten im Wesentlichen parallelen Richtung entlang der optisch wirksamen Oberflä- che erstreckt.
[0028] Es hat sich gezeigt, dass der optische Einfluss im Fall einer geradlinigen Positionierung des zumindest einen Filaments besonders gering bzw. vernachlässigbar ist, wenn sich das oder die Filamente in Richtung der längeren Dimension der Facetten des Facetten- spiegels erstrecken.
[0029] Der optische Einfluss kann auch dadurch minimiert werden, dass das zumindest eine
Filament sich entlang eines Bereichs der optisch wirksamen Oberfläche erstreckt, von dem ein im Fernfeld nicht genutzter Teil der EUV-Strahlung reflektiert wird.
[0030] Bei dieser Maßnahme kann man sich zunutze machen, dass nicht die gesamte von der optisch wirksamen Oberfläche reflektierte EUV-Strahlung zur Abbildung in die Waferebe- ne beiträgt. Dies ist beispielsweise der Fall, wenn im weiteren Strahlengang der EUV- Strahlung segmentierte reflektive optische Elemente angeordnet sind, wie beispielsweise die bereits genannten Facettenspiegel, die nicht-reflektierende Bereiche, wie beispiels- weise Lücken zwischen Spiegelsegmenten, aufweisen, so dass der Teil der EUV- Strahlung, der auf die nicht-reflektierenden Bereiche fällt, nicht weiter in Richtung Waferebene geleitet wird. Durch Rückverfolgung des Strahlengangs von den nicht- reflektiven Bereichen zu dem zu reinigenden optischen Element, insbesondere Kollektor- spiegel, lassen sich die Bereiche auf der zu reinigenden optisch wirksamen Oberfläche ermitteln, in denen das oder die Filamente angeordnet werden können, ohne einen störenden optischen Einfluss im Fernfeld zu entfalten.
[0031] In weiteren Ausführungsformen ist das zumindest eine Filament als Widerstandsheizele- ment ausgebildet.
[0032] Der Vorteil der Ausgestaltung des zumindest einen Filaments als Widerstandsheizelement mit entsprechender Spannungs- bzw. Stromversorgung hat gegenüber anderen Arten der Aufheizung des oder der Filamente, wie beispielsweise durch Wärmestrahlung, den Vorteil, dass die Filamente auf sehr hohe Temperaturen aufgeheizt werden können und somit das Reagenz, bspw. aktivierter Wasserstoff, wirksam erzeugt werden kann. Außer- dem werden Streuwärmeeffekte durch externe Heizungen vermieden. Das oder die Filamente können mit Gleichspannung oder mit Wechselspannung betrieben werden.
[0033] Als Material für die Filamente kann insbesondere ein solches in Betracht gezogen
werden, das bei hohen Temperaturen nicht oder nur wenig verdampft, wie beispielsweise Wolfram.
[0034] Weiter vorteilhaft ist es, wenn das zumindest eine Filament mit zumindest einem
elektrischen Versorgungsleiter zur Versorgung des zumindest einen Filaments mit elektri- schem Strom verbunden ist, wobei der zumindest eine Versorgungsleiter vorzugsweise als Halter für das zumindest eine Filament ausgebildet ist.
[0035] Der oder die elektrischen Versorgungsleiter können dabei eine größere Dicke aufweisen als das zumindest eine Filament. Beispielsweise kann ein Filament eine Dicke von 1 mm aufweisen, und der elektrische Versorgungsleiter eine Dicke von bis zu 3 mm. Der oder die Versorgungsleiter können vorteilhaft als Drähte ausgebildet sein. [0036] In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform erstreckt sich der zumindest eine
Versorgungsleiter radial zwischen einem Zentrum und einem radial äußeren Randbereich der optisch wirksamen Oberfläche entlang der optisch wirksamen Oberfläche.
[0037] Diese Anordnung des zumindest einen Versorgungsleiters kann vorteilhafterweise bei einer der oben genannten Ausführungsformen der Positionierung des zumindest einen Filaments gewählt werden, gemäß der sich das oder die Filamente ebenfalls radial erstrecken, oder bei der sich das oder die Filamente kreis- oder teilkreisförmig um das Zentrum der optisch wirksamen Fläche erstrecken.
[0038] Die Polaritäten der elektrischen Spannung zwischen jeweils benachbarten
Versorgungsleitern kann alternierend sein, was den Vorteil hat, dass sich von den Versor- gungsleitern versursachte elektrische Felder gegenseitig aufheben, oder die Polaritäten der elektrischen Spannung kann unter den Versorgungsleitern gleich sein, was den Vorteil hat, dass für mehrere Versorgungsleiter ein gleichpoliger Anschluss verwendet werden kann, was den Aufbau vereinfacht, weil sich die Anzahl an erforderlichen Anschlüssen reduziert.
[0039] Bei einer der oben genannten Ausführungsformen hinsichtlich der Positionierung des zumindest einen Filaments, bei der sich das oder die Filamente linear, das heißt gerade entlang der optisch wirksamen Oberfläche erstrecken, erstrecken sich vorzugsweise auch der oder die Versorgungsleiter gerade, jedoch senkrecht zu den Filamenten entlang der optisch wirksamen Oberfläche.
[0040] Die elektrischen Versorgungsleiter können jedoch im Unterschied zu den Filamenten auch vollständig außerhalb der optisch wirksamen Oberfläche angeordnet sein, wie in einer weiteren bevorzugten Ausführungsform vorgesehen ist. In dieser Ausführungsform haben die elektrischen Versorgungsleiter keinerlei optischen Einfluss auf die EUV-Strahlung, die von der optisch wirksamen Oberfläche reflektiert wird. Im Zusammenhang mit der zuvor genannten Ausführungsform können ein oder mehrere zusätzliche elektrisch isolierte oder elektrisch nicht leitende Halteelemente zum In-Position-Halten des zumindest einen Filaments entlang der optisch wirksamen Oberfläche angeordnet sein. Das oder die zusätzlichen Halteelemente dienen der Stabilisierung der Anordnung und Positionierung des zumindest einen Filaments.
[0041] Vorzugsweise werden das oder die Filamente mit einer Vorspannung betrieben, die
vermeidet, dass geladene Teilchen, insbesondere Ionen zur optisch wirksamen Oberflä- che hin beschleunigt werden, wodurch die optisch wirksame Oberfläche beschädigt werden könnte.
[0042] Eine erfindungsgemäße EUV-Lithographieanlage weist eine Anordnung nach einer oder mehreren der vorstehend genannten Ausführungsformen auf.
[0043] Weitere Vorteile und Merkmale ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung und der beigefügten Zeichnung.
[0044] Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu
erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
[0045] Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden mit
Bezug auf diese näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Prinzipdarstellung einer EUV-Lithographieanlage;
Figuren
2A und 2B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 2A eine Draufsicht und Fig. 2B einen Querschnitt durch das reflektive optische Element zeigen;
Figuren 3A und 3B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 3A eine Draufsicht und Fig. 3B einen Querschnitt des reflektiven optischen Elements zeigen;
Figuren
4A und 4B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 4A eine Draufsicht und Fig. 4B einen Querschnitt des reflektiven optischen Elements zeigen;
Figuren
5A und 5B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 5A eine Draufsicht und Fig. 5B einen Querschnitt des reflektiven optischen Elements zeigen;
Figuren
6A und 6B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 6A eine Draufsicht und Fig. 6B einen Querschnitt des reflektiven optischen Elements zeigen;
Fig. 7 eine Facettenanordnung eines Facettenspiegels einer EUV- Lithographieanlage gemäß einem Beispiel;
Fig. 8 links ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten und rechts ein Diagramm, das den optischen Einfluss der Filamente auf die von dem reflektiven optischen Element reflektierte EUV-Strahlung in einer Bildebene veranschaulicht;
Fig. 9 links ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten und rechts ein Diagramm, das den optischen Einfluss der Filamente auf die von dem reflektiven optischen Element reflektierte EUV-Strahlung in einer Bildebene veranschaulicht; Fig. 10 ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten und rechts ein Diagramm, das den optischen Einfluss der Filamente auf die von dem reflektiven optischen Element reflektierte EUV-Strahlung in einer Bild- ebene veranschaulicht;
Figuren
1 1 A und 11 B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 11 A eine Drauf- sicht und Fig. 1 1 B einen Querschnitt des reflektiven optischen Elements zeigen;
Figuren
12A und 12B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 12A eine Drauf- sicht und Fig. 12B einen Querschnitt des reflektiven optischen Elements zeigen; und
Figuren
13A und 13B ein reflektives optisches Element mit einer Anordnung von Filamenten gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wobei Fig. 13A eine Drauf- sicht und Fig. 13B einen Querschnitt des reflektiven optischen Elements zeigen.
[0046] Fig. 1 zeigt eine mit dem allgemeinen Bezugszeichen 10 versehene EUV-
Lithographieanlage. Die EUV-Lithographieanlage 10 kann zur Herstellung fein strukturier- ter Halbleiterbauelemente verwendet werden.
[0047] Die EUV-Lithographieanlage 10 weist ein Beleuchtungssystem 12 und ein
Projektionsobjektiv 14 auf. Das Beleuchtungssystem 12 weist eine EUV-Strahlungsquelle 16 auf. Die EUV-Strahlungsquelle 16 ist beispielsweise eine plasmabasierte Strahlungs- quelle, bei der ein Target 17, das beispielsweise durch Zinn (Sn)-Tröpfchen gebildet ist, mittels einer Anregungslichtquelle 18, beispielsweise einem Infrarot-Laser, zur Bildung eines Plasmas angeregt wird. Das erzeugte Plasma emittiert EUV-Strahlung, die von einem Kollektorspiegel 20 gesammelt und einem EUV-Strahlengang 21 zu geführt wird.
[0048] Das Beleuchtungssystem weist in Strahlungsausbreitungsrichtung weitere Spiegel 22, 24,
26, 28 und 30 auf, über die die von der EUV-Strahlungsquelle 16 erzeugte EUV-Strahlung in eine Objektebene 32 gerichtet wird, in der ein reflektives Retikel 34 angeordnet ist.
[0049] Das Projektionsobjektiv 14 weist in Ausbreitungsrichtung der EUV-Strahlung eine
Spiegelanordnung mit Spiegeln 36, 38, 40, 42, 44 und 46 auf, über die ein hier nicht dargestelltes Muster des Retikels 34 in eine Bildebene 48 abgebildet wird, in der ein Wafer 50, beispielsweise ein Halbleitersubstrat, angeordnet ist.
[0050] Aus der vorangegangenen Beschreibung ergibt sich, dass die EUV-Lithographieanlage 10 als optische Elemente ausschließlich reflektive optische Elemente aufweist, die vorste- hend als Spiegel bezeichnet wurden.
[0051] Für die Leistungsfähigkeit der EUV-Lithographieanlage ist es wesentlich, dass die
reflektiven optischen Elemente, dass heißt die vorstehend genannten Spiegel, eine möglichst hohe Reflektivität aufweisen, um eine hinreichend hohe Gesamtreflektivität des optischen Systems der EUV-Lithographieanlage 10 zu gewährleisten. Die Reflektivität und die Lebensdauer der reflektiven optischen Elemente kann jedoch durch Kontaminationen der optisch wirksamen Oberflächen der reflektiven optischen Elemente unerwünscht reduziert werden.
[0052] Derartige Kontaminationen können beispielsweise Kohlenstoffverbindungen, aber auch
Ablagerungen von atomaren Verbindungen des Targetmaterials des Targets 17 beinhal- ten. Es ist daher von Bedeutung, dass derartige Kontaminationen von den optisch wirk- samen Oberflächen abgereinigt werden, wobei eine Abreinigung insbesondere während des Betriebs der EUV-Lithographieanlage 10 möglich sein sollte (In-situ-Reinigung). Zu diesem Zweck werden nachfolgend Ausführungsbeispiele von reflektiven optischen Elementen beschrieben, die eine Abreinigung von Kontaminationen während des Betriebs der EUV-Lithographieanlage 10 ermöglichen. [0053] Das Grundprinzip der hier beschriebenen Ausführungsbeispiele besteht in einer
Filamentanordnung, die zumindest ein oder eine Mehrzahl an Filamenten aufweist, das oder die als Heiz- oder Glühdrähte ausgebildet sind, wobei das oder die Filamente entlang der optisch wirksamen Oberfläche des zu reinigenden reflektiven optischen Elements zur Erzeugung eines Reagenzes in unmittelbarer Nähe der optisch wirksamen Oberfläche angeordnet sind, um die optisch wirksame Oberfläche in situ zu reinigen. Das zu erzeugende Reagenz ist dabei beipielsweise aktivierter Wasserstoff, der aus molekula- rem Wasserstoff mittels des oder der im Betrieb heißen Filamente erzeugt wird. Das oder die Filamente müssen dabei nicht permanent zum Glühen gebracht werden, sondern dies kann auch in zeitlichen Intervallen erfolgen.
[0054] Da das oder die Filamente in unmittelbarer Nähe zu und entlang der optisch wirksamen
Oberfläche des zu reinigenden reflektiven optischen Elements angeordnet sind, sollten sie dennoch einen so gering wie möglichen optischen Einfluss auf die von der optisch wirk- samen Oberfläche reflektierte EUV-Strahlung im Fernfeld haben, insbesondere in der Bildebene 48 der EUV-Lithographieanlage 10.
[0055] Fig. 2A und 2B zeigen ein Ausführungsbeispiel einer Anordnung mit einem reflektiven optischen Element 60 gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung. Das reflektive optische Element 60 kann ohne Beschränkung der Allgemeinheit insbesondere der Kollektorspiegel 20 der EUV-Lithographieanlage 10 in Fig. 1 sein. Der Kollektorspiegel 20 ist aufgrund seiner Nähe zum Target 17 durch Ablagerungen des Targetmaterials des Targets 17 besonders durch Kontaminationen belastet.
[0056] Das reflektive optische Element 60 weist eine optisch wirksame Oberfläche 62 auf. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel, bei dem das reflektive optische Element 60 der Kollektorspiegel 20 der EUV-Lithographieanlage 10 ist, weist die optisch wirksame Oberfläche 62 ein Zentrum 64 auf, in dem die optisch wirksame Fläche 62 eine Durchbre- chung aufweist, durch die das Anregungslicht der Anregungslichtquelle 18 durchtreten kann. Die optisch wirksame Oberfläche 62 des optischen Elements 60 ist konkav geformt, derart, dass auf die Oberfläche 62 einfallende EUV-Strahlung sammelnd reflektiert wird. Das Element 60 wird im normalen Einfall (normal incidence) betrieben. [0057] Entlang der optischen wirksamen Oberfläche 62 sind mehrere Filamente 66 einer
Filamentanordnung 65 gleichmäßig verteilt angeordnet, die als Glüh- oder Heizdrähte ausgebildet sind. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind insgesamt acht Filamente 66 entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 verteilt angeordnet.
[0058] Die Filamente 66 sind dabei so positioniert, dass sie sich radial zwischen dem Zentrum 64 und einem äußeren Randbereich 68 der optisch wirksamen Fläche 62 erstrecken.
[0059] Die Glühdrähte 66 können, wie hier gezeigt, gewendelt ausgeführt sein, wobei die
Wendeln nicht eng aneinander liegen sollten, sondern zwischen jeweils benachbarten Wendeln eine Lücke vorhanden ist. Hierdurch wird die Abschattungswirkung der Filamen- te 66 auf die optisch wirksame Oberfläche 62 reduziert.
[0060] Die Dicke der einzelnen Filamente 66 wird dabei so gering wie möglich gewählt,
zumindest sollte die Dicke der Filamente 66 jeweils kleiner als 3 mm sein, vorzugsweise sogar kleiner als 2 mm oder noch weiter vorzugsweise kleiner als 1 mm.
[0061] Die Filamente 66 können aus einem Material gefertigt sein, das auch bei sehr hohen
Temperaturen nicht zur Verdampfung neigt. Ein geeignetes Material ist beispielsweise Wolfram.
[0062] Die Filamente 66 sind, wie aus Fig. 2B hervorgeht, von der optisch wirksamen Oberfläche
62 beabstandet, wobei ein Abstand von etwa 1 cm geeignet ist. Allgemein kann der Abstand in einem Bereich von 5 mm bis 50 mm gewählt werden.
[0063] Die Filamente 66 sind als Widerstandsheizelemente ausgebildet und werden durch eine
(nicht gezeigte) Spannungsversorgungsquelle mit elektrischer Spannung beaufschlagt, wobei die Spannung Gleichspannung oder Wechselspannung sein kann. In Fig. 3A ist mit "+" und beispielhaft die Polarität bzw. die Potentialverteilung der Spannungsversor- gung gezeigt. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Polaritäten der elektrischen Spannung unter den Filamenten 66 gleich, wodurch die elektrische Kontaktierung der Filamente 66 im Zentrum 64 einerseits und im Randbereich 68 andererseits vereinfacht ist.
[0064] Die Anordnung der Filamente 66 in dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2A und 2B stellt eine zentrumssymmetrische Anordnung dar, bei der die Filamente 66 entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 mit gleichmäßigem Abstand, worunter hier der Winkelabstand zu verstehen sind, zueinander verteilt angeordnet sind.
[0065] Die Filamente 66 können im Randbereich 68 an einer Halterung 70 befestigt sein, und im zentrumsnahen Bereich an einem ringförmigen Steg 72, der die Durchbrechung im Zentrum 64 berandet.
[0066] Durch Beaufschlagen der Umgebung des reflektiven optischen Elements 60 mit
beispielsweise molekularem Wasserstoff H2 wird an den Filamenten 66, wenn diese durch Stromfluss aufgeheizt werden, beispielsweise aktivierter Wasserstoff H*, H+, H2 + erzeugt, der Kontaminationen, beispielsweise Ablagerungen des Targetmaterials des Targets 17 durch Ätzen abreinigt, indem die Ablagerungen in flüchtige Verbindungen umgewandelt werden.
[0067] Figuren 3A und 3B zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei gleiche
Bezugszeichen wie in Figuren 2A und 2B für gleiche oder vergleichbare Elemente wie in Figuren 2A und 2B verwendet wurden.
[0068] Während sich die Filamente 66 in dem Ausführungsbeispiel in Figuren 2A und 2B über die gesamte radiale Erstreckung der optisch wirksamen Oberfläche 62 erstrecken, sind die Filamente 66 der Filamentanordnung 65 in Figuren 3A und 3B kürzer ausgebildet, dass heißt erstrecken sich entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 zwischen dem Zent- rum 64 und dem Randbereich 68 nicht über die gesamte radiale Erstreckung der optisch wirksamen Oberfläche 62. Dies kann sich hinsichtlich des optischen Einflusses der Filamente 66 positiv auswirken. Die Filamente 66 sind mit elektrischen Versorgungsleitern 74 und 78 verbunden, die die Filamente 66 mit elektrischem Strom versorgen, und die außerdem die Filamente 66 im Abstand von der optisch wirksamen Oberfläche 62 in Position halten. Die Versorgungsleiter 74, die als Drähte ausgebildet sein können, haben somit die Funktion der Halterung der Filamente 66 sowie deren Stromversorgung. Die Versorgungsleiter 74, 78 können eine größere Dicke als die Filamente 66 aufweisen. Die Leiter 74, 78 bleiben werden aufgrund ihres geringeren Widerstandes durch den Strom- fluss nicht oder nur geringfügig erwärmt.
[0069] Die Versorgungsleiter 74, 78 erstrecken sich wie die Filamente 66 zwischen dem Zentrum
64 und dem radial äußeren Randbereich 68 radial.
[0070] Figuren 4A und 4B zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei wiederum gleiche
Bezugszeichen für gleiche oder vergleichbare Elemente wie in Figuren 2A und 2B ver- wendet wurden.
[0071] In dem Ausführungsbeispiel in Figuren 4A und 4B sind in radialer Richtung jeweils zwei
Filamente 66 der Filamentanordnung 65 in Reihe angeordnet, die über einen zusätzlichen Versorgungsleiter 80 untereinander verbunden sind. Durch eine derartige Anordnung kann die Reinigungswirkung der Filamente 66 gegenüber dem vorherigen Ausführungs- beispiel erhöht werden, während gegenüber dem Ausführungsbeispiel in Fig. 2A und 2B der optische Einfluss der Filamente 66 geringer ist.
[0072] Figuren 5A und 5B zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem wiederum die
gleichen Bezugszeichen für gleiche oder vergleichbare Elemente wie in Fig. 2A und 2B verwendet wurden.
[0073] Während in den Ausführungsbeispielen gemäß Figuren 2A, 2B, 3A, 3B und 4A, 4B
zentrumssymmetrische Filamentanordnungen 65 gezeigt sind, sind in dem Ausführungs- beispiel gemäß Figuren 5A und 5B die Filamente 66 rotationssymmetrisch um das Zentrum 64 herum entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 verteilt angeordnet. Die Filamente 66 erstrecken sich dabei kreisförmig um das Zentrum 64 der optisch wirksamen Oberfläche 62 herum. Die Filamente 66 erstrecken sich somit entlang von Kreislinien entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62. [0074] Zur Halterung der Filamente 66 sind jeweils zwischen dem radial äußeren Randbereich 68 und dem Zentrum 64 sich radial erstreckende elektrische Versorgungsleiter 80 entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 verteilt angeordnet. Die Polaritäten ("+" "-") alternie- ren hier zwischen jeweils benachbarten der Leiter 80.
[0075] Figuren 6A und 6B zeigen ein weiteren Ausführungsbeispiel, bei dem wiederum gleiche
Bezugszeichen für gleiche oder vergleichbare Elemente wie in Figuren 2A und 2B ver- wendet wurden.
[0076] Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel in 5A und 5B sind die Filamente 66 der
Filamentanordnung 65 nicht entlang einer jeweiligen Vollkreislinie entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 verteilt angeordnet, sondern nur entlang von Teilkreislinien, wobei die Filamente 66 in vier Sektoren entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 angeordnet sind.
[0077] Die elektrischen Leiter 80 zur Versorgung der Filamente 66 mit Strom erstrecken sich radial zwischen dem Zentrum 64 und dem radial äußeren Randbereich 68 und dienen außerdem der Halterung der Filamente 66 im Abstand von der optisch wirksamen Ober- fläche 62.
[0078] Nachfolgend wird beschrieben, wie sich die Positionierung, einschließlich Orientierung, und die Dicke der Filamente 66 auf den optischen Einfluss des zumindest einen Filaments 66 auf die von der optisch wirksamen Oberfläche 62 reflektierte EUV-Strahlung im Fern- feld auswirkt.
[0079] In einer EUV-Lithographieanlage wie der EUV-Lithographieanlage 10 in Fig. 1 wird
typischerweise zumindest ein Facettenspiegel zur Einstellung einer gewünschten Be- leuchtungsart des Retikels 34 in der Objektebene 32 verwendet. Üblicherweise wird ein Feldfacettenspiegel und ein Pupillenfacettenspiegel verwendet. Beispielsweise kann der Spiegel 22 in Fig. 1 ein Facettenspiegel sein. [0080] Fig. 7 zeigt beispielhaft eine Facettenanordnung 90 eines Facettenspiegels. Die
Facettenanordnung 90 weist eine Vielzahl von einzelnen Facetten 92 auf, die in Fig. 7 als weiße Rechtecke gezeigt sind. Die Facetten haben eine Erstreckung in einer ersten Richtung (x-Richtung), die größer ist als ihre Erstreckung in einer zweiten Richtung (y- Richtung). Die Facetten 92 geben eine Reflektionsfläche vor und können, wie hier ge- zeigt, in vier Spalten zu je sechs bis acht Facettengruppen 94, 95, 96, 97 gruppiert sein. Die Facettengruppen 94, 95, 96, 97 haben jeweils beispielsweise sieben Facetten 92.
[0081] Mit Bezug auf Figuren 8 bis 10 wird nachfolgend beschrieben, welchen optischen Einfluss die Positionierung der Filamente 66 und deren Dicke auf die von der optisch wirksamen Oberfläche 62 reflektierte EUV-Strahlung im Fernfeld, insbesondere in der Bildebene 48 der EUV-Lithographieanlage, haben, wenn sich im EUV-Strahlengang ein Facettenspiegel mit einer Facettenanordnung wie beispielsweise in Fig. 7 gezeigt befindet.
[0082] Fig. 8 zeigt den Fall, dass sich die Filamente 66 parallel zur kürzeren Abmessung der
Facetten 92 erstrecken, d.h. in y-Richtung.
[0083] In Fig. 8 rechts ist ein Diagramm gezeigt, das die Gleichförmigkeit U der von der optisch wirksamen Oberfläche 62 des Kollektorspiegels 20 reflektierten EUV-Strahlung in der Waferebene W (Abszisse) zeigt.
[0084] Eine Linie 100 zeigt die für die Gleichförmigkeit U geforderte Spezifikation an. In dem
Diagramm sind für eine Filamentdicke von 1 mm (Punkt 102), von 2 mm (Punkt 104) und von 3 mm (Punkt 106) die U-Werte der EUV-Strahlung in der Waferebene eingezeichnet. Wie aus dem Diagramm hervorgeht, liegen die Werte für U für alle Filamentdicken 1 mm, 2mm, 3mm außerhalb der geforderten Spezifikation, dass heißt die Abbildung in der Waferebene W erfüllt für alle drei Filamentdicken nicht die geforderte Spezifikation. Zu erkennen ist auch, dass mit zunehmender Dicke des zumindest einen Filaments 66 die Abbildungswerte zunehmend außer Spezifikation geraten.
[0085] Fig. 9 zeigt nun den Fall, dass sich die Filamente 66 parallel zur längeren Dimension (x- Richtung) der Facetten 92 in Fig. 7 erstrecken. Das Diagramm für den Parameter U zeigt nun, dass die Gleichförmigkeit U der von der optisch wirksamen Oberfläche 62 des
Kollektorspiegels 20 reflektierten EUV-Strahlung in der Waferebene W selbst bei einer Dicke des zumindest einen Filaments 66 von 3 mm (rechter Punkt im Diagramm) inner- halb der Spezifikation (Linie 100) liegt, dass heißt die Abbildung in der Waferebene W erfüllt bei dieser Orientierung des zumindest einen Filaments 66 die geforderte Spezifika- tion. Mit anderen Worten ist der optische Einfluss der Filamente 66 bei der zur längeren Dimension der Facetten 92 parallelen Positionierung im Fernfeld der von der optisch wirksamen Oberfläche 62 reflektierten EUV-Strahlung minimal, so dass die geforderte Spezifikation der Abbildung erfüllt ist.
[0086] Fig. 10 zeigt den Fall, dass sich die Filamente 66 kreisförmig um das Zentrum 64 der optisch wirksamen Oberfläche 62 herum erstrecken.
[0087] Aus dem Diagramm in Fig. 10 geht hervor, dass die Spezifikation für U (Linie 100)
zumindest bei einer Dicke der Filamente 66 von 1 mm (linker Punkt im Diagramm) nähe- rungsweise erfüllt werden kann.
[0088] Figuren 1 1A und 1 1 B zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel eines reflektiven optischen
Elements 60, wobei für gleiche oder vergleichbare Elemente wie in Fig. 2A und 2B gleiche Bezugszeichen verwendet wurden.
[0089] Bei dem Ausführungsbeispiel in Figuren 11 A und 11 B erstrecken sich die Filamente 66 der Filamentanordnung 65 gerade und tangential zum Zentrum 64 der optisch wirksamen Oberfläche 62, wobei die Richtung der Filamente 66 parallel zur x-Richtung der längeren Abmessung der Facetten 92 gerichtet sein kann. Wie zuvor mit Bezug auf Fig. 9 be- schrieben wurde, ist eine solche Positionierung der Filamente 66 in Bezug auf einen möglichen optischen Einfluss auf die EUV-Strahlung im Fernfeld und somit auf die Abbil- dung in die Bildebene 48 der EUV-Lithographieanlage 10 vorteilhaft. Elektrische Versor- gungsleiter 110 verbinden die Filamente 66 untereinander und halten diese im Abstand zur optisch wirksamen Oberfläche 62 (siehe Fig. 1 1 B). Weitere sich senkrecht zu den Filamenten 66 erstreckende Versorgungsleiter 1 12 dienen ebenso der Versorgung der Filamente 66 mit Strom, wobei mit "+" und die Polaritäten der Anschlüsse veranschau- licht sind, und sie können des Weiteren dem In-Position-Halten der Filamente 66 dienen.
Da sich die Leiter 112 senkrecht zur Richtung der längeren Erstreckung der Facetten 92 erstrecken, dass heißt in y-Richtung, können diese vorteilhaft so positioniert werden, dass sie in Lücken 1 14, 1 16, 1 18 (siehe Fig. 7) zwischen den jeweiligen Facettengruppen 94,
96 angeordnet sind, wodurch ihr optischer Einfluss ebenfalls minimiert ist.
[0090] Dieses letztere Positionierungsprinzip kann in anderen Ausführungsbeispielen auch für die Filamente 66 selbst genutzt werden, indem die Filamente so positioniert werden, dass sie sich entlang eines oder mehrerer Bereiche der optisch wirksamen Oberfläche 62 erstrecken, von dem ein im Fernfeld nicht genutzter Teil der EUV-Strahlung reflektiert wird.
[0091] Fig. 12A und 12B zeigen eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels in Fig. 11A und 1 1 B, bei der sich die Filamente 66 der Filamentanordnung 65 wie in Figuren 11 A und 1 1 B gerade und tangential zum Zentrum, beispielsweise in Richtung der längeren Erstreckung der Facetten 92 in Fig. 7, erstrecken (x-Richtung), wobei die Filamente 66 nun im Unter- schied zum vorherigen Ausführungsbeispiel jeweils entlang der optisch wirksamen Oberfläche 62 durchgehend ausgebildet sind, während die Stromversorgung über die Versorgungsleiter 1 12 nach außerhalb der optisch wirksamen Oberfläche 62 verlegt ist. Hierdurch können Elemente über der optisch wirksamen Oberfläche 62, die sich in y- Richtung erstrecken, vermieden werden. Diese Anordnung aus Filamenten 66 und Versorgungsleitern 1 12 ist beispielsweise vorteilhaft, wenn die in Fig. 11 A gezeigten Leiter 1 12 nicht so positioniert werden können, dass sie optisch in die Lücken 1 14, 116, 1 18 der Facettenanordnung 90 fallen.
Figuren 13A und 13B zeigen eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels in Fig. 12A und 12B, wobei wiederum gleiche Bezugszeichen für gleiche oder vergleichbare Elemente wie in Figuren 12A und 12B verwendet wurden. Bei dem Ausführungsbeispiel in Fig., 12A und 12B kann es bei Filamenten 66 von großer Länge Vorkommen, dass diese zwischen Ihren Haltepunkten (Halterung 70 und Ringsteg 72) nicht hinreichend gestützt sind und die optisch wirksame Oberfläche 62 berühren können. Bei dem Ausführungsbeispiel in Figuren 13A und 13B sind zur Lösung dieses Problems zusätzliche Haltedrähte 120 vorgesehen, an denen die Filamente 66 gehalten sind, insbesondere wie in Fig. 13B erkennbar ist. Die Haltedrähte 120 sind elektrisch nicht leitend, sondern als Isolatoren ausgebildet, oder als Metalldrähte mit einer Isolierung außenseitig ausgebildet. Die Haltedrähte 120 können sich wie die Filamente 66 vorteilhaft in x-Richtung erstrecken, dass heißt in Richtung der längeren Abmessung der Facetten 92 in Fig. 7, wodurch ihr optischer Einfluss im Fernfeld auf die EUV-Strahlung bzw. auf die Abbildung in die Bildebene 48 mittels der EUV-Strahlung minimiert ist, wie mit Bezug auf Fig. 8 beschrie- ben wurde.

Claims

Patentansprüche
1. Anordnung für eine EUV-Lithographieanlage, mit einem reflektiven optischen
Element (60), das eine optisch wirksame Oberfläche (62) aufweist, die dazu aus- gebildet ist, einfallende EUV-Strahlung zu reflektieren, und mit einer Filamentan- ordnung (65) zur Erzeugung eines die optisch wirksame Oberfläche (62) reinigen- den Reagenzes, wobei die Filamentanordnung (65) zumindest ein Filament (66) aufweist, das als Glüh- oder Heizelement ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) in unmittelbarer Nähe zu und entlang der optisch wirksamen Oberfläche (62) des reflektiven optischen Elements (60) ange- ordnet ist, wobei eine Dicke und/oder Positionierung des zumindest einen Fila- ments (66) derart gewählt ist/sind, dass ein optischer Einfluss des zumindest einen Filaments (66) im Fernfeld der von der optisch wirksamen Oberfläche (62) reflek- tierten EUV-Strahlung minimiert ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des zumin- dest einen Filaments (66) weniger als 3 mm, vorzugsweise weniger als 2 mm, wei- ter vorzugsweise weniger als 1 mm beträgt.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) in einem Abstand in einem Bereich von 5 mm bis 50 mm von der optisch wirksamen Oberfläche (62) angeordnet ist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Filamentanordnung (65) eine Mehrzahl an Filamenten (66) aufweist, die entlang der optisch wirksamen Oberfläche (62) gleichmäßig verteilt angeordnet sind.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) sich zwischen einem Zentrum (64) der optisch wirk- samen Oberfläche (62) und einem radial äußeren Randbereich (68) der optisch wirksamen Oberfläche (62) im Wesentlichen radial erstreckend positioniert ist.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) sich im Wesentlichen kreis- oder teilkreisförmig um ein Zentrum (64) der optisch wirksamen Oberfläche (62) herum erstreckend positi- oniert ist.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) sich im Wesentlichen tangential zu einem Zentrum (64) der optisch wirksamen Oberfläche (62) erstreckend positioniert ist.
8. Anordnung nach Anspruch 5 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass das reflektive optische Element (60) im Betrieb in einer Lithographieanlage (10) stromaufwärts eines Facettenspiegels angeordnet ist, der Facetten (92) aufweist, die in einer ers- ten Richtung (x) eine größere Abmessung aufweisen als in einer zur ersten Rich- tung senkrechten zweiten Richtung (y), und dass sich das zumindest eine Filament (66) in einer zur ersten Richtung (x) der Facetten (92) im Wesentlichen parallelen Richtung erstreckt.
9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) sich entlang eines Bereichs der optisch wirksamen Oberfläche (62) erstreckt, von dem ein im Fernfeld nicht genutzter Teil der EUV- Strahlung reflektiert wird.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) als Widerstandsheizelement ausgebildet ist.
1 1. Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest eine Filament (66) mit zumindest einem elektrischen Versorgungsleiter (74, 78, 80; 110, 1 12) zur Versorgung des Filaments (66) mit elektrischem Strom verbunden ist.
12. Anordnung nach Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine Versorgungsleiter (74, 78, 80; 1 10 1 12) als Halter für das zumindest eine Filament (66) ausgebildet ist.
13. Anordnung nach Anspruch 1 1 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass sich der zumindest eine Versorgungsleiter (74, 78, 80) radial zwischen einem Zentrum (64) und einem radial äußeren Randbereich (68) der optisch wirksamen Oberfläche (62) entlang der optisch wirksamen Oberfläche (62) erstreckt.
14. Anordnung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass sich der zumindest eine Versorgungsleiter (80; 1 12) senkrecht zu dem zumindest einen Filament (66) entlang der optisch wirksamen Oberfläche (62) erstreckt.
15. Anordnung nach Anspruch 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine Versorgungsleiter (1 12) außerhalb der optisch wirksamen Oberfläche (62) ange- ordnet ist.
16. Anordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein
vorzugsweise elektrisch isoliertes oder elektrisch nicht leitendes Halteelement (120) zum Halten des zumindest einen Filaments (66) angeordnet ist, das sich ent- lang der optisch wirksamen Oberfläche erstreckt.
17. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 oder 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung dazu ausgebildet ist, das zumindest eine Filament (66) mit einer Vorspannung zu beaufschlagen.
18. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das reflektive optische Element (60) ein Kollektorspiegel (20) einer EUV- Strahlungsquelle (16) ist.
19. EUV-Lithographieanlage, mit einer Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 18.
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