WO2019083084A1 - 발광 패키지 - Google Patents

발광 패키지

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WO2019083084A1
WO2019083084A1 PCT/KR2017/014120 KR2017014120W WO2019083084A1 WO 2019083084 A1 WO2019083084 A1 WO 2019083084A1 KR 2017014120 W KR2017014120 W KR 2017014120W WO 2019083084 A1 WO2019083084 A1 WO 2019083084A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thin film
film layer
light emitting
substrate
present
Prior art date
Application number
PCT/KR2017/014120
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English (en)
French (fr)
Inventor
이상일
손삼철
지태구
신동현
Original Assignee
루미마이크로 주식회사
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Filing date
Publication date
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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • An embodiment of the present invention relates to a light emitting package.
  • a light emitting diode is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor.
  • Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, and can be driven at a low voltage. Further, such an LED is resistant to impact and vibration, does not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or lead frame in various forms, and can be modularized for various purposes.
  • CSP chip scale package
  • LED light emitting diode
  • a chip scale package has a structure in which light emitted from a semiconductor structure is emitted to the upper side via a layer containing a phosphor and is protected by a silicon encapsulation portion in a lead frame .
  • the present invention has been conceived to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a light emitting package having excellent reliability and high light extraction efficiency by forming a thin film layer made of a material having a functional oxidation resistance characteristic and a low refractive index on an LED element and a substrate .
  • a light emitting package includes: an LED chip disposed on a substrate; A resin part formed on the substrate so as to include an inclined surface and reflecting light emitted from the LED chip; A reflective layer formed on an inclined surface of the resin portion; And a thin film layer formed on the LED chip and the substrate.
  • the LED chip may further include an encapsulant formed on the reflective layer and the thin film layer to embed the LED chip.
  • the sealing portion may be formed of a material having a refractive index higher than that of the thin film layer.
  • the thin film layer may be formed of an oxidation-resistant material.
  • the reflective layer and the thin film layer may form a coating layer covering the substrate, the LED chip, and the resin part.
  • the thin film layer may have a refractive index (RI) of less than 1.5, and the sealing portion may have a refractive index (RI) of 1.5 or more.
  • the thin film layer may be formed to a thickness of 1 to 30 mu m.
  • the light emitting package is formed of an LED element as a light emitting element and a thin film layer applied to a substrate, which are formed of a material having a functional oxidation resistance characteristic and a low refractive index, thereby providing excellent reliability and high light extraction efficiency.
  • the light emitting package according to an embodiment of the present invention can improve the light efficiency by improving not only the acid resistance but also the light extraction efficiency through the refraction of light due to the structure of the thin film layer and the reflective layer.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting package according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2 to 4 are views for explaining experimental results of a light emitting package according to an embodiment of the present invention.
  • 5 to 7 are views for explaining experimental results of a light emitting package according to another embodiment of the present invention.
  • FIGS. 8 to 10 are views for explaining experimental results of a light emitting package according to another embodiment of the present invention.
  • FIGS. 11 to 14 are views for explaining the results of increasing the amount of light according to the light emitting package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting package according to an embodiment of the present invention.
  • a light emitting package includes an LED chip 120, a resin part 130, a reflective layer 135, a thin film layer 115, and an encapsulation part 140 .
  • the LED chip 120 is disposed on the substrate 110 to emit light.
  • the resin part 130 is disposed on the substrate 110 together with the LED chip 120 to reflect the light emitted from the LED chip 120.
  • the resin part 130 is formed to include an inclined surface in order to facilitate reflection of the light emitted from the LED chip 120.
  • the reflective layer 135 is formed by applying a resin on an inclined surface of the resin portion 130.
  • the reflective layer 135 may be formed by applying a resin having a high reflectivity.
  • the thin film layer 115 is formed on the LED chip 120 and the substrate 110, and has a resistance to oxidation and may be formed of a material having a low refractive index.
  • the thin film layer 115 may be formed on all surfaces of the substrate 110 so as to surround all surfaces including the upper surface and the side surface of the LED chip 120.
  • the reflective layer 135 and the thin film layer 115 may form a coating layer covering the substrate 110, the LED chip 120, and the resin part 130.
  • the encapsulant 140 may be formed to embed the LED chip 120 and the encapsulant 140 may be formed on the reflective layer 135 and the thin film layer 115.
  • the sealing portion 140 may be formed of a silicon material.
  • the thin film layer 115 is formed of a material having a low refractive index
  • the encapsulation part 140 is formed of a material having a high refractive index
  • the thin film layer 115 may be formed of a material having a refractive index (RI) of less than 1.5, and the sealing portion 140 may be formed of a material having a refractive index (RI) of 1.5 or more.
  • the refractive index RI of the thin film layer 115 is 1.46
  • the refractive index RI of the sealing portion 140 may be 1.53, which is relatively high.
  • the thin film layer 115 may be formed to a thickness of 1 to 30 ⁇ , and when the thin film layer 115 having a thickness exceeding 1 to 30 ⁇ is formed, .
  • the light emitting package according to the embodiment of the present invention improves the light extraction efficiency by improving not only the acid resistance function but also the light extraction efficiency by the light refraction change, by the constitution of the thin film layer 115 and the reflection layer 135 .
  • FIGS. 2 to 4 are diagrams for explaining experimental results of a light emitting package according to an embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 2 to FIG. 4 are schematic views illustrating a light emitting package according to an embodiment of the present invention, Fig.
  • 2 to 4 are views for explaining a change in light extraction efficiency according to an acid-resistant fire discharge time of low refraction for forming a thin film layer between 0 times (Ref.) And three times of 0.01 second.
  • FIG. 7 is a view for explaining characteristics of a package.
  • 5 to 7 are diagrams for explaining a change in the light extraction efficiency according to the acid-resistant fire discharge time of low refraction for the formation of the thin film layer between 0 times (Ref.) To 3 times 0.04 seconds.
  • the intensity of the blue chip region increases only at the time of one application, and when the application is performed twice or three times, the intensity of the blue chip region is rather reduced, It can be seen that the light extraction efficiency is rather reduced when the coating is performed.
  • the thin film layer 115 according to the present invention may be formed to a thickness of 1 to 30 ⁇ in order to maximize the light efficiency.
  • the thin film layer 115 having a thickness exceeding 1 to 30 mu m is formed, the light efficiency is rather reduced.
  • FIGS. 8 to 10 are views for explaining experimental results of a light emitting package for comparing the present invention, and more specifically, the characteristics of a light emitting package composed of a low refractive film layer and a low refractive index sealing portion.
  • FIGS. 8 to 10 are diagrams for explaining the change of the low refractive index thin film layer according to the acid rain discharge time of low refraction between 0 times and three times of 0.04 seconds when the sealing portion of the low refractive silicon material is used.
  • FIGS. 8 to 10 it can be seen that there is no significant difference in light extraction efficiency even when the number of application of low-refractive-index acid-resistant fire is varied when the sealing portion of the low refractive silicone material is used.
  • FIGS. 11 to 14 are views for explaining the results of increasing the amount of light according to the light emitting package according to an embodiment of the present invention.
  • the light emitting package according to an embodiment of the present invention has an increase in light amount as compared with the conventional art. Compared with the conventional art of FIG. 12, It can be seen that the efficiency increased about 1.5%.
  • FIG. 14 is a graph showing the relationship between the present invention and the prior art luminous flux retention when the lamp is exposed to the sulfided gas for 500 hours in a chamber maintaining a humidity of 75% .
  • '5630 + C' denotes a light emitting package having a width of 56 mm and a length of 30 mm and a C type silicon
  • '3030 + C' denotes a light emitting package having a size of 30 mm width and 30 mm length
  • the light emitting package using the oxide thin film layer of the present invention has a synergistic effect of a light flux retention ratio of about 20% as compared with the comparative group (prior art).
  • the light emitting package is formed of an LED element as a light emitting element and a thin film layer applied to a substrate, which are formed of a material having a functional oxidation resistance characteristic and a low refractive index, It is possible to improve not only the acid resistance function but also the light extraction efficiency through the change of light refraction to further improve the light efficiency.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 패키지에 관한 것으로, 기판 상에 배치되는 LED 칩; 상기 기판 상에 경사면을 포함하도록 형성되어 상기 LED 칩으로부터 조사되는 광을 반사하는 수지부; 상기 수지부의 경사면 상에 형성되는 반사층; 및 상기 LED 칩 및 상기 기판 상에 형성되는 박막층;을 포함하여 구성된다.

Description

발광 패키지
본 발명의 실시예는 발광 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드 프레임에 실장 한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화할 수 있다.
이러한 패키지 구조물은, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)용 칩스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)의 구조가 각광을 받고 있다.
일례로, 이러한 종래 기술에 따른 칩스케일 패키지는 반도체 구조물로부터 조사되는 빛이 형광체를 포함하는 층을 경유하여 상부로 출사광를 출사하며, 실리콘 봉지부를 통해 리드 프레임 내의 도금면을 보호하는 구성을 가지고 있다.
그러나, 종래 기술에 따른 칩스케일 패키지의 실리콘 봉지부의 구성만으로는 도금면의 산화 방지에 한계가 있으며, 발광 다이오드로부터 출사된 광이 내부 반사면에 흡습되어 광 추출 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명은 기능성 내산화 특성과 저굴절률의 재료로 이루어진 박막층을 LED 소자와 기판에 형성하여, 신뢰성이 우수하며 광 추출 효율이 높은 발광 패키지를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 내산 기능뿐만 아니라, 빛의 굴절변화를 통한 광 추출 효율을 개선하여 광효율이 더욱 향상된 발광 패키지를 제공하고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 발광 패키지는 기판 상에 배치되는 LED 칩; 상기 기판 상에 경사면을 포함하도록 형성되어 상기 LED 칩으로부터 조사되는 광을 반사하는 수지부; 상기 수지부의 경사면 상에 형성되는 반사층; 및 상기 LED 칩 및 상기 기판 상에 형성되는 박막층;을 포함한다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 LED 칩을 매립하는 구조로 상기 반사층 및 상기 박막층 상에 형성되는 봉지부;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 봉지부는 상기 박막층의 굴절률 보다 높은 굴절률의 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 박막층은 내산화 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 반사층 및 상기 박막층은 상기 기판, 상기 LED 칩 및 상기 수지부를 덮는 코팅층을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 박막층은 굴절률(RI)이 1.5 미만으로 형성되고, 상기 봉지부는 굴절률(RI)이 1.5 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 박막층은 1 내지 30 ㎛의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 발광 패키지는 발광 소자인 LED 소자와 기판에 도포되는 박막층은 기능성 내산화 특성과 저굴절률의 재료로 형성하여 신뢰성이 우수하며 광 추출 효율이 매우 높은 장점이 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지는 박막층과 반사층의 구성에 의하여, 내산 기능뿐만 아니라, 빛의 굴절변화를 통한 광 추출 효율을 개선하여 광효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지의 단면도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지의 실험 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 발광 패키지의 실험 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 발광 패키지의 실험 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지에 따른 광량 상승 결과를 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 본 발명의 일실시예에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 실시형태를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지의 단면도이다.
이후부터는 도 1을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지의 구성을 설명하기로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지는 LED 칩(120), 수지부(130), 반사층(135), 박막층(115) 및 봉지부(140)를 포함하여 구성될 수 있다.
LED 칩(120)은 기판(110) 상에 배치되어 광을 조사한다.
또한, 수지부(130)는 상기 LED 칩(120)과 함께 상기 기판(110) 상에 배치되어, 상기 LED 칩(120)으로부터 조사되는 광을 반사한다. 상기 LED 칩(120)으로부터 조사되는 광을 반사하기 용이하도록 하기 위하여 상기 수지부(130)는 경사면을 포함하도록 형성된다.
반사층(135)은 상기 수지부(130)의 경사면 상에 레진(resin)을 도포하여 형성되며, 이때, 상기 반사층(135)은 고반사율의 레진(resin)을 도포하여 형성할 수 있다.
박막층(115)은 상기 LED 칩(120) 및 기판(110) 상에 형성되며, 내산화 특성을 가지며, 저굴절률의 재료로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 박막층(115)은 상기 LED 칩(120)의 상부면과 측면을 포함하는 모든 면을 둘러싸도록 형성되고, 상기 기판(110)의 모든 면에 형성될 수 있다.
그에 따라, 상기 반사층(135) 및 상기 박막층(115)은 상기 기판(110), 상기 LED 칩(120) 및 상기 수지부(130)를 덮는 코팅층(coating layer)을 형성할 수 있다.
또한, 봉지부(140)는 상기 LED 칩(120)을 매립하는 구조로 형성되며, 상기 봉지부(140)는 상기 반사층(135) 및 상기 박막층(115) 상에 형성될 수 있으며, 이때, 상기 봉지부(140)는 실리콘 재료로 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따르면 상기 박막층(115)은 저굴절률의 재료로 형성되고, 상기 봉지부(140)는 고굴절률의 재료로 형성되며, 상기 봉지부(140)는 상기 박막층(115)의 굴절률 보다 상대적으로 높은 굴절률의 재료로 형성된다.
이때, 본 발명의 일실시예에 따르면 상기 박막층(115)은 굴절률(RI)이 1.5 미만의 재료로 형성되고, 상기 봉지부(140)는 굴절률(RI)이 1.5 이상의 재료로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 박막층(115)이 굴절률(RI)이 1.46인 경우에 상기 봉지부(140)의 굴절률(RI)은 상대적으로 높은 1.53으로 구성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따르면 상기 박막층(115)은 1 내지 30 ㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 1 내지 30 ㎛의 두께를 초과하는 두께의 박막층(115)을 형성하면 오히려 광효율이 감소하게 된다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지는 상기 박막층(115)과 상기 반사층(135)의 구성에 의하여, 내산 기능뿐만 아니라, 빛의 굴절변화를 통한 광 추출 효율을 개선하여 광효율을 향상시킬 수 있다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지의 실험 결과를 설명하기 위한 도면으로서, 보다 상세하게는 본 발명의 일실시예에 따른 저굴절 박막층과 고굴절 봉지부로 구성되는 발광 패키지의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
이때, 도 2 내지 도 4는 0회(Ref.) 내지 3회의 0.01 초 간의 박막층의 형성을 위한 저굴절의 내산화재 토출 시간에 따른 광추출 효율의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 각 횟수마다 형광체 배합비를 동일하게 적용하였을 경우, 저굴절의 내산화재를 도포하지 않은 경우에 비교하여, 0.01 초간의 저굴절의 내산화재의 도포를 1회에서 3회까지 실행하는 경우에는 광추출 효율이 떨어지는 것을 알 수 있다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 발광 패키지의 실험 결과를 설명하기 위한 도면으로서, 보다 상세하게는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 저굴절 박막층과 고굴절 봉지부로 구성되는 발광 패키지의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
즉, 도 5 내지 도 7은 0회(Ref.) 내지 3회의 0.04 초 간의 박막층의 형성을 위한 저굴절의 내산화재 토출 시간에 따른 광추출 효율의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 각 횟수마다 형광체 배합비를 동일하게 적용하였을 경우, 저굴절의 내산화재를 도포하지 않은 경우에 비교하여, 0.04 초간의 저굴절의 내산화재의 1회에서 3회까지 실행하는 경우에는 광추출 효율이 떨어지는 것을 알 수 있다.
이때, 도 6 및 도 7에서와 같이, 1회 도포시에만 형광체(blue chip) 영역의 세기가 증가하고, 2회 및 3회 실시할 시는 오히려 감소하는 경향을 나타내며, 일정 두께 이상으로 내산화 코팅을 진행하면 오히려 광추출 효율이 감소하는 것을 알 수 있다.
이와 같은 시험 결과에 따라, 광효율을 최대화 하기 위하여 본 발명에 따른 박막층(115)은 1 내지 30 ㎛의 두께로 형성될 수 있다. 한편, 1 내지 30 ㎛의 두께를 초과하는 두께의 박막층(115)을 형성하면 오히려 광효율이 감소한다.
도 8 내지 도 10은 본 발명을 비교하기 위한 발광 패키지의 실험 결과를 설명하기 위한 도면으로서, 보다 상세하게는 저굴절 박막층과 저굴절 봉지부로 구성되는 발광 패키지의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
즉, 도 8 내지 도 10은 저굴절 실리콘 재료의 봉지부를 사용한 경우, 0회 내지 3회의 0.04 초 간의 저굴절의 내산화재 토출 시간에 따른 저굴절 박막층의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 저굴절 실리콘 재료의 봉지부를 사용한 경우에는, 저굴절의 내산화재를 도포 횟수를 달리하는 경우에도 광추출 효율에 큰 차이가 없음을 알 수 있다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지에 따른 광량 상승 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 패키지는 종래 기술과 비교하여 전체적으로 광량이 상승했음을 확인할 수 있으며, 도 12의 종래 기술에 비교하여 도 13의 본 발명의 일실시예에서는 광 효율이 약 1.5% 상승하였음을 알 수 있다.
한편, 도 14는 본 발명과 종래기술의 황화가스에 주입에 따른 가스부식시험으로서, 75%의 습도를 유지하는 챔버 내에서 황화가스에 500시간 노출된 경우의 본 발명과 종래기술의 광속 유지율을 비교하고 있다.
도 14에서 '5630 + C'는 가로 56mm, 세로 30mm 크기로서 C타입의 실리콘을 적용한 발광 패키지를 의미하며, '3030 + C'는 가로 30mm, 세로 30mm 크기로서 A타입의 실리콘을 적용한 발광 패키지를 의미하며, 내산화 박막층(Anti sulfur coating)을 적용한 본 발명과 내산화 박막층을 적용하지 않은 비교군(종래기술)의 광속 변화율의 평균을 비교하고 있다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 내산화 박막층을 적용한 발광 패키지가 비교군(종래기술)에 비하여 약 20%의 광속 유지율의 상승효과가 있음을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면 발광 패키지는 발광 소자인 LED 소자와 기판에 도포되는 박막층은 기능성 내산화 특성과 저굴절률의 재료로 형성하여 신뢰성이 우수하며 광 추출 효율이 매우 높은 장점이 있으며, 내산 기능뿐만 아니라, 빛의 굴절변화를 통한 광 추출 효율을 개선하여 광효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 배치되는 LED 칩;
    상기 기판 상에 경사면을 포함하도록 형성되어 상기 LED 칩으로부터 조사되는 광을 반사하는 수지부;
    상기 수지부의 경사면 상에 형성되는 반사층; 및
    상기 LED 칩 및 상기 기판 상에 형성되는 박막층;
    을 포함하는 발광 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 LED 칩을 매립하는 구조로 상기 반사층 및 상기 박막층 상에 형성되는 봉지부;
    를 더 포함하는 발광 패키지.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 박막층은,
    상기 LED 칩의 상부면 및 측면을 모두 둘러싸는 구조로 구현되는,
    발광 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 박막층은,
    상기 반사층의 말단부와 접촉하는 구조로 기판 상부면을 덮는 구조로 구현되는,
    발광 패키지.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 봉지부는,
    상기 박막층의 굴절률 보다 높은 굴절률의 재료로 형성되는 발광 패키지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 박막층은,
    굴절률(RI)이 1.5 미만으로 형성되는,
    발광패키지.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 봉지부는,
    굴절률(RI)이 1.5 이상으로 형성되는 발광 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막층은,
    내산화 재료로 형성되는 발광 패키지.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사층 및 상기 박막층은,
    상기 기판, 상기 LED 칩 및 상기 수지부를 덮는 코팅층을 형성하는 발광 패키지.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막층은,
    1㎛ 내지 30 ㎛의 두께로 형성되는 발광 패키지.
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