WO2019076900A1 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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WO2019076900A1
WO2019076900A1 PCT/EP2018/078253 EP2018078253W WO2019076900A1 WO 2019076900 A1 WO2019076900 A1 WO 2019076900A1 EP 2018078253 W EP2018078253 W EP 2018078253W WO 2019076900 A1 WO2019076900 A1 WO 2019076900A1
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semiconductor
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semiconductor component
radiation
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Tilman RÜGHEIMER
Hubert Halbritter
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices

Definitions

  • the invention relates to a semiconductor device and the
  • Optical sensors may comprise a combination of one or more transmitters and one or more receivers and a measurement path.
  • the receivers detect from the
  • Emitters emitted radiation after passing through the measuring section Based on the detected value, an environmental property can be detected quantitatively or qualitatively.
  • the radiation is usually light in the visible and / or non-visible region.
  • a reflective sensor is reflected, is referred to as a reflective sensor.
  • Optical sensors find use in, for example
  • Infrared emitting chip based on the
  • Material system AlGaAs, light off, and a silicon-based detector detects the backscattered light, from which the distance to the head can be closed.
  • the silicon chip has a larger area than the light
  • PCB printed circuit board
  • PCB-based packages are used which allow design flexibility and low cost the printed circuit board is mounted, eg glued, and then optical elements, such as barriers, lenses and / or filters, are added, and all chips and optical elements are assembled sequentially on the printed circuit board.
  • PCB is in the range of about 200 ym.
  • Chip thicknesses are in the range of about 100-150 ym.
  • Total structural height of the component to flow other optical elements e.g. Frame for avoiding crosstalk (cross-talk), as well as provisions for bonding wires, potting, etc.
  • Such sensors are used, for example, for measuring
  • Proximity or ambient light sensor used.
  • the invention relates to a semiconductor device comprising a first semiconductor body having a substrate having a first thickness and a second semiconductor body having a second thickness less than the first thickness
  • Abrissstelle has arranged on the substrate and is electrically conductively connected to the first semiconductor body.
  • a semiconductor body is an integrated circuit applied to a carrier material which comprises an assembly or only a single component, eg an LED. Such a semiconductor body may also be referred to as a chip.
  • the first semiconductor body comprises the substrate in or on which the integrated circuit is applied, for example by means of a structured layer sequence.
  • the first semiconductor body may be a silicon chip.
  • the substrate also serves as a carrier for the second semiconductor body. It is not necessary for it to be placed directly on the substrate, but it can also be applied to it
  • the first thickness is advantageously equal to or less than 200 ym, especially in the range of 100-200 ym.
  • the second thickness is only a few micrometers.
  • the second semiconductor body has a break-off point resulting from the production process, in which the second
  • Semiconductor bodies are manufactured in a composite, so that the still interconnected second semiconductor body are connected to each other via reaching the second semiconductor body holding structures and form a composite.
  • the connection area between the actual semiconductor body and the support structures is small compared to
  • Semiconductor body may be a web-shaped extension of the connection with the support structure stems, with the
  • Step takes place, as long as the first semiconductor bodies are still in the wafer composite, parallel to a plurality of semiconductor body with a stamp, the same time several second
  • Semiconductor body receives and then deposited on their positions on the first semiconductor bodies, so that this
  • the first semiconductor body may include a first active region provided for generating radiation or for receiving radiation
  • the second semiconductor body may comprise a second active region provided for generating radiation or for receiving radiation. This allows the second active zone to generate radiation and to use the first active zone to detect them
  • Design semiconductor device as a reflective sensor.
  • the radiation is emitted from the upper side of the semiconductor component, reflected on the measuring path, and the radiation component reflected back to the upper side is detected.
  • the semiconductor device is designed for this purpose so that the first active zone at an upper side of the first Semiconductor body is arranged and on or at the
  • Top side and the second semiconductor body is arranged.
  • Such a sensor differs from a conventional sensor in that instead of the individual chips on one
  • one of the chips is used as a carrier for the others. Usually this is the
  • the semiconductor body which has the integrated circuit or active zone with the largest spatial extent, also serves as a carrier for other semiconductor bodies.
  • Amplifier circuit digitizing, memory, as well as a pure detector, e.g. PIN diode, phototransistor, are
  • Such a highly integrated reflective sensor can be designed as a chip scale package (CSP).
  • the chip scale package is a semiconductor device with a housing in the
  • the sensor is suitable for all applications of reflective optical measurement. In particular, extremely compact proximity and gesture sensors and sensors for the measurement of heart rate or other body functions are possible.
  • the electrical connection between the first and the second semiconductor body can be effected by means of flip-chip contacting, in which the second semiconductor body has contacts which point to the first semiconductor body and are connected to contacts of the first semiconductor body.
  • second semiconductor body When arranged at the top of the semiconductor device second semiconductor body may at the top of the second Semiconductor body run after its placement applied structure, by means of which it is contacted, for example.
  • Such a second semiconductor body can on its side facing away from the first semiconductor body side
  • a conductor structure extends from the top side of the first semiconductor body to that of the first semiconductor body
  • the conductor structure applied for contacting advantageously does not cover the entire upper side of the second semiconductor body, but still leaves a portion free to allow radiation.
  • the sidewalls of the sink may be mirrored to reduce crosstalk to the first active zone.
  • the first semiconductor body has contacts on its underside for connection and control of the semiconductor component.
  • the semiconductor device in SMT technology can be transformed into a system
  • a cell phone to be integrated.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a
  • FIG. 2 a shows a schematic illustration of a plurality of second semiconductor bodies, which are connected to one another via a holding structure.
  • FIG. 2b shows a schematic representation of a plurality of second semiconductor bodies, which are based on first
  • Semiconductor bodies are arranged in a composite.
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a further exemplary embodiment of a semiconductor component.
  • FIG. 4 shows a schematic representation of another embodiment of a semiconductor device.
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a further exemplary embodiment of a semiconductor component.
  • FIG. 6 shows a schematic representation of a further exemplary embodiment of a semiconductor component.
  • Figure 7 shows a schematic representation of another embodiment of a semiconductor device.
  • Figure 8 shows a schematic representation of another embodiment of a semiconductor device.
  • FIG. 9 shows a schematic representation of a further exemplary embodiment of a semiconductor component.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a
  • Embodiment of a semiconductor device It comprises a first semiconductor body 1 and a second Semiconductor Body 2.
  • Semiconductor bodies may also be referred to as chips.
  • the first semiconductor body 1 comprises a substrate 10 and an integrated circuit with an active zone 11 for radiation reception.
  • the first semiconductor body 1 is a silicon chip with silicon as the substrate.
  • the substrate 10 typically has a thickness of 150 ym and serves as a support for integrated analog or digital electronics.
  • the substrate 10 has an upper side 15 and a lower side 16. At the upper side 15, the active zone 11 is located as a photosensitive area on the silicon chip. This may, for example, an implanted PIN diode or a
  • a dielectric filter for wavelength selectivity may also be provided.
  • the first semiconductor body 1 is not just a chip having the electrical functionality of the integrated one
  • Circuit circuit provides, but it also serves as a support for the second semiconductor body.
  • the second semiconductor body 2 with an active zone 21 for radiation emission is on the upper side 15 of the first
  • the second semiconductor body 2 is a
  • the thickness of the second semiconductor body 2 is significantly lower than that
  • the second semiconductor body 2 may for example by
  • Ladder structures It is also possible to provide contacts, in the simplest case one each above and below, both on the side facing the first semiconductor body 1 and the side facing away from the first semiconductor body 1.
  • the semiconductor component has electrical contacts 12 which are arranged on the underside 16 of the first semiconductor body 1. These serve for contacting and for
  • the electrical contacts 12 may be formed, for example, as copper contacts with gold finish.
  • the production of the first semiconductor body 1 takes place simultaneously for a plurality of first semiconductor bodies 1 and in the (wafer) composite. This form of manufacture allows
  • Semiconductor bodies 1 run simultaneously, as long as they are still connected. These process steps include in particular the application or growth of layers and structures and, if necessary, also their partial removal in order to form the integrated circuit with the active zone 11. Only in a final step, the first semiconductor body 1 are separated and separated. As part of the production, the second semiconductor body 2 are placed on the first semiconductor body 1 and each other in a parallel assembly process
  • Elastomerst At a plurality of second semiconductor bodies 2 are transferred from a sacrificial wafer 52 to the target wafer 54 with the first semiconductor bodies 1 and placed on this such that the second semiconductor body 2 at their intended positions on the first
  • the stamp plate has a structure with the size and positions of the second
  • Semiconductor body 2 on the target wafer 54 corresponds.
  • the corresponding wafer is referred to as sacrificial wafer 52.
  • the second semiconductor bodies 2 are not separated by the wafer 52 being separated. Rather, the second semiconductor bodies 2 are produced on a sacrificial layer in such a way that all later second semiconductor bodies 2 are connected to one another via holding structures 30. At the end of the so-called
  • Front-end-of-line (FE) fabrication becomes the sacrificial layer
  • the second semiconductor body 2 produced in this way are arranged in grid form in the composite.
  • the thickness of chips produced in this way can be significantly lower than in the case of the conventional singulated chips and in the range of a few micrometers.
  • the stamp is applied to the
  • the second semiconductor body 2 are separated from the support structures 30 by the webs 32 or their approach on the second semiconductor body 2 tear off.
  • a break point 40 which may be located on a web-shaped extension 38, which is part of the web of the support structure 30.
  • FIG. 2a shows a schematic illustration of the sacrificial wafer 52 with a plurality of second semiconductor bodies 2 and the holding structure 30.
  • the second semiconductor bodies 2 are free-standing after removal of the sacrificial layer and only via webs 32 with an armature structure 34 which forms the connection between holder structure 30 and wafer substrate , connected.
  • FIG. 2b shows a schematic representation of the target wafer 54 with a plurality of first semiconductor bodies 1 in the composite. On the first semiconductor bodies 1, in each case a second semiconductor body 2 has already been placed, which has been released from the sacrificial wafer 52 corresponding to its position on the target wafer 54 and by means of the punch on the
  • Target wafers 54 have been transferred.
  • the break point 40 is located on a web-shaped extension 38, which is a part of the original web 32.
  • you can the tear-off point 40 are also located directly on an outer side of the second semiconductor body 2.
  • a plurality of second semiconductor bodies 2 are simultaneously transferred by breaking the chips to be transferred on contact with the stamp from the sacrificial wafer 52 and depositing them on the target wafer 54 after the transfer. Then you can get more
  • optical filters For example, applying an electrical contact, optical filters, optical barriers, lenses or
  • the contacts 12 are opened or defined only at the end of the process chain.
  • Assembly process is also referred to as transfer printing.
  • the semiconductor devices produced in this way have a very small thickness in comparison with conventional components, since neither a printed circuit board nor bonding wire are required.
  • the essential contribution to the component thickness provides the
  • Substrate 10 of the first semiconductor body 1 which is a must have sufficient mechanical stability. It is thus possible to manufacture semiconductor components whose
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a
  • Embodiment of a semiconductor device Around
  • the second semiconductor body 2 is a
  • the second semiconductor body 2 has a thin, conductive layer 22 for contacting the upper side of the second semiconductor body 2
  • Such a layer 22 may consist of a transparent, electrically conducting oxide (TCO), in particular indium tin oxide (ITO),
  • a conductor structure 14 extends from the upper side of the first semiconductor body 1 to the side of the second semiconductor body 2 facing away from the first semiconductor body 1 in order to produce an electrically conductive connection between the semiconductor bodies 1, 2. Such a conductor structure 14 can after the placement of the second semiconductor body 2 by a
  • suitable process can be formed as long as the first semiconductor body 1 is still in the wafer composite.
  • the conductor structure 14 extends only over a portion of the
  • FIG. 4 shows a schematic illustration of an exemplary embodiment of a semiconductor component.
  • the contacting of the second semiconductor body 2 with the first semiconductor body 1 can take place as described in connection with FIG. 3;
  • the second semiconductor body 2 has a thin, conductive layer 22 for contacting the upper side of the second
  • Semiconductor body 2 while transmitting for light on.
  • an optical barrier 18 is provided between the active zones 11, 21 on the first and second semiconductor bodies 1, 2, which are a direct
  • the optical barrier may be formed as a rod-shaped dielectric structured layer, which serves as an optical separation between the active zones 11, 21. To prevent lateral radiation, frame-shaped
  • optical barriers 18 may be provided around the active zones 11, 21 so that substantially the reflected radiated radiation of the second semiconductor body 2 is detected. In other words, it is detected to what extent the emitted light is reflected. Such barriers 18 can still be used as dielectric layer structures in the
  • Wafer composite are produced. This embodiment supports the use of the
  • Semiconductor device as a reflective optical measuring sensor.
  • Such a highly integrated reflective sensor may be formed as a chip scale package (CSP). So can utmost compact proximity or gesture sensors, sensors for measuring heart rate or other bodily functions.
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a CSP
  • Embodiment of a semiconductor device Around
  • Optical barriers 18 may optionally be provided.
  • FIG. 6 shows a schematic representation of a
  • Embodiment of a semiconductor device Around
  • the second semiconductor body 2 is placed in the depression 19 and electrically connected to its underside.
  • the recess prevents crosstalk by laterally emitting light to the first semiconductor body 1 serving as a detector, so that an optical barrier 18 can be dispensed with, but need not be.
  • the contacting of the second semiconductor body 2 with the first semiconductor body can be carried out as described in connection with FIG. 1 or FIG. 3, in which case the second
  • Semiconductor body 2 having a contact at the top and bottom has a thin, conductive layer 22 for contacting the top of the second semiconductor body 2 with simultaneous transmission of light.
  • FIG. 7 shows a schematic representation of a
  • Embodiment of a semiconductor device Around
  • the second semiconductor body 2 is an LED chip with contacts 23 on its underside. The connection with the first semiconductor body 1
  • Semiconductor body 1 is effected by means of flip-chip contacting.
  • the second semiconductor body 2 by means of
  • the second semiconductor body 2 has two contacts 23 at its first semiconductor body 1
  • soldering soldering, conductive bonding or pressure welding are used as the joining method.
  • the recess 19 with mirror coating 24 improves the balance
  • FIG. 8 shows a schematic representation of a
  • Embodiment of a semiconductor device Around
  • This embodiment has two LED flip chips, as described in connection with Figure 7, as the second
  • FIG. 9 shows a schematic representation of a
  • Embodiment of a semiconductor device Around
  • This exemplary embodiment has a plurality of photosensitive regions as active zones 11 on the upper side 15 of the first semiconductor body 1. They have different spectral sensitivities. They can, for example, be broadband, or be based on the curative sensitivity curve V (X), ie the spectral sensitivity of the human eye to light in daylight, or serve as a daylight barrier.
  • V (X) curative sensitivity curve

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Abstract

Halbleiterbauteil umfassend - einen ersten Halbleiterkörper (1) mit einem Substrat (10), das eine erste Dicke hat, sowie - einen zweiten Halbleiterkörper (2), die eine zweite Dicke geringer als die erste Dicke hat, eine Abrissstelle (40) aufweist, auf dem Substrat (10) angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterkörper(1) verbunden ist.

Description

Beschreibung
HALBLEI ERBAUTEIL Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil und die
Verwendung eines solchen.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102017124319.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Optische Sensoren können eine Kombination von einem oder mehreren Sendern und einem oder mehreren Empfängern und einer Messstrecke umfassen. Die Empfänger detektieren von den
Sendern emittierte Strahlung nach Durchlauf der Messstrecke. Anhand des detektierten Wertes kann eine Umgebungseigenschaft quantitativ oder qualitativ erfasst werden. Bei der Strahlung handelt es sich üblicherweise um Licht im sichtbaren und/oder nichtsichtbaren Bereich. Ein optischer Sensor, der
detektiert, in welchem Ausmaß das emittierte Licht
reflektiert wird, wird als reflektiver Sensor bezeichnet.
Optische Sensoren finden beispielsweise Verwendung in
Smartphones, bei denen das Display abdunkelt, sobald das Gerät an den Kopf geführt wird. Hierzu sendet ein im
Infraroten emittierender Chip, basierend auf dem
Materialsystem AlGaAs, Licht aus, und ein siliziumbasierter Detektor detektiert das rückgestreute Licht, woraus auf den Abstand zum Kopf geschlossen werden kann. Üblicherweise weist der Siliziumchip eine größere Fläche als der Licht
emittierende Chip auf. Derartige Sensoren basieren auf der Integration vereinzelter Sender- und Empfängerchips auf Package-Ebene . Üblicherweise werden Anordnungen mit Gehäuse und gedruckter Leiterplatte (englisch „printed circuit board", PCB) mit Chips, auch als PCB-basierte Gehäuse bezeichnet, verwendet, die Flexibilität hinsichtlich des Designs und niedrige Kosten ermöglichen. Bei der Fertigung werden die zu integrierenden Chips auf die Leiterplatte montiert, z.B. geklebt. Anschließend werden optische Elemente, z.B. Barrieren, Linsen und/oder Filter, hinzugefügt. Bei der Herstellung werden alle Chips und optischen Elemente sequenziell auf der Leiterplatte montiert.
Die übliche Dicke von für solche Sensoren verwendete
Leiterplatten liegt im Bereich von ca. 200 ym. Übliche
Chipdicken liegen im Bereich von ca. 100-150 ym. In die
Gesamtbauhöhe des Bauteils fließen noch weitere optische Elemente, z.B. Rahmen zur Vermeidung von Übersprechen (cross- talk) , sowie Vorhalte für Bonddrähte, Verguss usw. ein. Solche Sensoren werden beispielsweise zur Messung von
Herzfrequenz und/oder BlutsauerstoffSättigung sowie als
Näherungs- oder Umgebungslichtsensor eingesetzt.
Es stellt sich die Aufgabe ein flacheres Bauteil
bereitzustellen.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil umfassend einen ersten Halbleiterkörper mit einem Substrat, das eine erste Dicke hat, und einen zweiten Halbleiterkörper, der eine zweite Dicke geringer als die erste Dicke hat, eine
Abrissstelle aufweist, auf dem Substrat angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterkörper verbunden ist . Ein Halbleiterkörper ist eine auf einem Trägermaterial aufgebrachte integrierte Schaltung, die eine Baugruppe oder lediglich ein einzelnes Bauelement, z.B. eine LED, umfasst. Solch ein Halbleiterkörper kann auch als Chip bezeichnet werden .
Der erste Halbleiterkörper umfasst das Substrat, in oder auf dem die integrierte Schaltung beispielsweise mittels einer strukturierten Schichtenfolge aufgebracht ist. Der erste Halbleiterkörper kann ein Siliziumchip sein. Das Substrat dient auch als Träger für den zweiten Halbleiterkörper. Es ist nicht erforderlich, dass er direkt auf dem Substrat aufgesetzt wird, sondern er kann auch auf den darauf
angeordneten Schichten oder Strukturen montiert sein. Auch nach dem Aufsetzen des zweiten Halbleiterkörpers können weitere strukturierte Schichten auf den ersten und auch den zweiten Halbleiterkörper aufgebracht werden. Die erste Dicke ist vorteilhafterweise gleich oder geringer als 200 ym, insbesondere im Bereich von 100-200 ym. Die zweite Dicke beträgt lediglich einige Mikrometer.
Der zweite Halbleiterkörper weist eine Abrissstelle auf, die vom Produktionsvorgang herrührt, bei der die zweiten
Halbleiterkörper im Verbund gefertigt werden, sodass die noch miteinander verbundenen zweiten Halbleiterkörper über an die zweiten Halbleiterkörper heranreichende Haltestrukturen miteinander verbunden sind und einen Verbund bilden. Der Verbindungsbereich zwischen dem eigentlichen Halbleiterkörper und den Haltestrukturen ist klein im Vergleich zum
Halbleiterkörper und erlaubt einen leichten Abriss des
Halbleiterkörpers von den Haltestrukturen. Der zweite
Halbleiterkörper kann einen stegförmigen Fortsatz, der von der Verbindung mit der Haltestruktur herrührt, mit der
Abrissstelle an seinem Ende umfassen.
Die Trennung des zweiten Halbleiterkörpers von den
Haltestrukturen erfolgt während eines Montageschritts, bei dem der zweite Halbleiterkörper mittels eines
Elastomerstempels aufgenommen, abgerissen und mit dem Stempel auf dem ersten Halbleiterkörper aufgesetzt wird. Dieser
Schritt erfolgt, solange die ersten Halbleiterkörper noch im Waferverbund sind, parallel für mehrere Halbleiterkörper mit einem Stempel, der gleichzeitig mehrere zweite
Halbleiterkörper aufnimmt und dann auf ihre Positionen auf den ersten Halbleiterkörpern absetzt, sodass dieser
Prozessschritt auch als paralleler Bestückungsprozess
bezeichnet wird. Auf Grund der Ähnlichkeit mit einem
Druckprozess wird der oben kurz geschilderte parallele
Bestückungsprozess auch mit dem englischen Begriff
„ (Micro- ) Transfer-Printing" bezeichnet. Dies entspricht dem deutschen Begriff „Transferdrucken".
Der erste Halbleiterkörper kann eine erste aktive Zone, die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, umfasssen, und der zweite Halbleiterkörper kann eine zweite aktive Zone, die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, umfassen. Dies erlaubt die zweite aktive Zone zur Erzeugung von Strahlung und die erste aktive Zone zu deren Detektion zu verwenden, um das
Halbleiterbauteil als reflektiven Sensor auszugestalten. Die Strahlung wird von der Oberseite des Halbleiterbauteils emittiert, auf der Messstrecke reflektiert und der auf die Oberseite zurückgeworfene Strahlungsanteil wird detektiert. Das Halbleiterbauteil ist zu diesem Zweck so ausgebildet, dass die erste aktive Zone an einer Oberseite des ersten Halbleiterkörpers angeordnet ist und auf oder an der
Oberseite ist auch der zweite Halbleiterkörper angeordnet.
Solch ein Sensor unterscheidet sich von einem konventionellen Sensor dadurch, dass anstatt die einzelnen Chips auf eine
Leiterplatte zu montieren, einer der Chips als Träger für die anderen verwendet wird. Üblicherweise ist dies der
flächenmäßig größte (Silizium-) Chip . Mit anderen Worten: Der Halbleiterkörper, der die integrierte Schaltung oder aktive Zone mit der größten räumlichen Ausdehnung hat, dient auch als Träger für andere Halbleiterkörper. Sowohl eine Silizium- Technologie mit integrierter Elektronik, z.B.
Verstärkerschaltung, Digitalisierung, Speicher, als auch ein reiner Detektor, z.B. PIN-Diode, Fototransistor, sind
möglich.
Solch ein hochintegrierter reflektiver Sensor kann als Chip- Scale-Package (CSP) ausgebildet sein. Das Chip-Scale-Package ist ein Halbleiterbauteil mit einem Gehäuse in der
Größenordnung des ersten Halbleiterkörpers. Der Sensor ist für alle Anwendungen reflektiver optischer Messung geeignet. Insbesondere werden dadurch äußerst kompakte Näherungs- und Gestensensoren und Sensoren für die Messung von Herzfrequenz oder anderen Körperfunktionen möglich.
Die elektrische Verbindung zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterkörper kann mittels Flip-Chip-Kontaktierung erfolgen, bei der der zweite Halbleiterkörper Kontakte aufweist, die zum ersten Halbleiterkörper weisen und mit Kontakten des ersten Halbleiterkörpers verbunden sind.
Beim an der Oberseite des Halbleiterbauteils angeordneten zweiten Halbleiterkörper kann an der Oberseite des zweiten Halbleiterkörpers eine nach dessen Aufsetzen aufgebrachte Struktur verlaufen, mittels der er beispielsweise kontaktiert wird. Solch ein zweiter Halbleiterkörper kann auf seiner vom ersten Halbleiterkörper abgewandten Seite eine
strahlungsdurchlässige elektrisch leitende Schicht aufweisen. Eine Leiterstruktur verläuft von der Oberseite des ersten Halbleiterkörpers auf die vom ersten Halbleiterkörper
abgewandte Seite des zweiten Halbleiterkörpers. Allerdings bedeckt die zur Kontaktierung aufgebrachte Leiterstruktur vorteilhafterweise nicht die gesamte Oberseite des zweiten Halbleiterkörpers, sondern lässt noch einen Teil frei, um Abstrahlung zu ermöglichen.
In einer Ausführung ist eine Senke im Substrat, in die der zweite Halbleiterkörper zumindest teilweise versenkt
eingesetzt ist. Dies ermöglicht ein noch flacheres
Halbleiterbauelement zu fertigen. Die Seitenwände der Senke können verspiegelt sein, um Übersprechen zur ersten aktiven Zone zu reduzieren.
Der erste Halbleiterkörper weist in einer Ausführung auf seiner Unterseite Kontakte zum Anschluss und zur Steuerung des Halbleiterbauteils auf. Mittels dieser Kontakte kann das Halbleiterbauteil in SMT-Technologie in ein System,
beispielsweise ein Handy, integriert werden.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Zeichnungen in den folgenden Figuren veranschaulicht. Figur 1 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Figur 2a zeigt eine schematische Darstellung einer Mehrzahl von zweiten Halbleiterkörpern, die über eine Haltestruktur miteinander verbunden sind. Figur 2b zeigt eine schematische Darstellung einer Mehrzahl von zweiten Halbleiterkörpern, die auf ersten
Halbleiterkörpern im Verbund angeordnet sind.
Figur 3 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils.
Figur 4 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Figur 5 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils.
Figur 6 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils.
Figur 7 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils.
Figur 8 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils.
Figur 9 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils.
Figur 1 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Es umfasst einen ersten Halbleiterkörper 1 und einen zweiten Halbleiterkörper 2. Halbleiterkörper können auch als Chips bezeichnet werden.
Der erste Halbleiterkörper 1 umfasst ein Substrat 10 und einen integrierten Schaltkreis mit einer aktiven Zone 11 zum Strahlungsempfang. In diesem Ausführungsbeispiel ist der erste Halbleiterkörper 1 ein Siliziumchip mit Silizium als Substrat. Das Substrat 10 hat typischerweise eine Dicke von 150 ym und dient als Träger für integrierte analoge oder digitale Elektronik.
Das Substrat 10 hat eine Oberseite 15 und eine Unterseite 16. An der Oberseite 15 befindet sich die aktive Zone 11 als lichtempfindlicher Bereich auf dem Siliziumchip. Dies kann beispielsweise eine implantierte PIN-Diode oder ein
Fototransistor sein. Optional kann zudem ein dielektrisches Filter für Wellenlängenselektivität vorgesehen sein.
Der erste Halbleiterkörper 1 ist nicht nur ein Chip, der die elektrische Funktionalität des darauf integrierten
Schaltungskreises bereitstellt, sondern er dient auch als Träger für den zweiten Halbleiterkörper 2.
Der zweite Halbleiterkörper 2 mit einer aktiven Zone 21 zur Strahlungsemission ist auf der Oberseite 15 des ersten
Halbleiterkörpers 1 angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel ist der zweite Halbleiterkörper 2 ein
oberflächenemittierender LED-Chip, der elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterkörper 1 verbunden ist. Die Dicke des zweiten Halbleiterkörpers 2 ist deutlich geringer als die
Dicke des Substrats 10. Auf Grund seiner geringen Dicke von wenigen Mikrometern wird solch ein LED-Chip auch als
Dünnfilm-LED bezeichnet. Der zweite Halbleiterkörper 2 kann beispielsweise durch
Kontakte auf seiner dem ersten Halbleiterkörper 1 zugewandten Seite mit letzterem elektrisch leitend verbunden werden. Aber auch eine Kontaktierung über Kontakte auf seiner dem ersten Halbleiterkörper 1 abgewandten Seite ist denkbar. Die
Kontaktierung kann in solch einem Fall über nach dem
Aufsetzen des zweiten Halbleiterkörpers 2 aufgebrachte
Leiterstrukturen erfolgen. Es können auch Kontakte, im einfachsten Fall je einer oben und unten, sowohl auf der dem ersten Halbleiterkörper 1 zugewandten als auch der dem ersten Halbleiterkörper 1 abgewandten Seite vorgesehen sein.
Ferner weist das Halbleiterbauteil elektrische Kontakte 12 auf, die auf der Unterseite 16 des ersten Halbleiterkörpers 1 angeordnet sind. Diese dienen zum Kontaktieren und zur
Ansteuerung des gesamten Halbleiterbauteils. Die elektrischen Kontakte 12 können beispielsweise als Kupferkontakte mit Gold-Finish ausgebildet sein.
Die Herstellung des ersten Halbleiterkörpers 1 erfolgt für eine Mehrzahl von ersten Halbleiterkörpern 1 gleichzeitig und im (Wafer- ) Verbund . Diese Form der Herstellung erlaubt
Prozessschritte für die Fertigung der Mehrzahl von ersten Halbleiterkörpern 1 parallel bei allen ersten
Halbleiterkörpern 1 gleichzeitig auszuführen, solange sie noch miteinander verbunden sind. Diese Prozessschritte umfassen insbesondere das Aufbringen oder Aufwachsen von Schichten und Strukturen sowie, falls erforderlich, auch deren teilweisen Abtrag, um die integrierte Schaltung mit der aktiven Zone 11 auszubilden. Erst in einen abschließenden Schritt werden die ersten Halbleiterkörper 1 vereinzelt und voneinander getrennt. Im Rahmen der Fertigung werden in einem parallelen Bestückungsprozess die zweiten Halbleiterkörper 2 auf die ersten Halbleiterkörper 1 aufgesetzt und miteinander
verbunden solange letztere sich noch im Verbund befinden. Diese Bestückung erfolgt für alle ersten Halbleiterkörper 1 im Verbund gleichzeitig, indem mittels eines
Elastomerstempels eine Mehrzahl von zweiten Halbleiterkörpern 2 von einem Opferwafer 52 zum Zielwafer 54 mit den ersten Halbleiterkörpern 1 transferiert und auf diesen derart aufgesetzt werden, dass sich die zweiten Halbleiterkörper 2 an ihren vorgesehenen Positionen auf den ersten
Halbleiterkörpern 1 befinden. Die Stempelplatte weist eine Struktur auf, die mit Größe und Positionen der zweiten
Halbleiterkörper 2 auf dem Zielwafer 54 korrespondiert.
Die Fertigung der zweiten Halbleiterkörper 2 erfolgt
ebenfalls parallel im Waferverbund . Der entsprechende Wafer wird als Opferwafer 52 bezeichnet. Dabei werden die zweiten Halbleiterkörper 2 jedoch nicht vereinzelt indem der Wafer 52 getrennt wird. Die zweiten Halbleiterkörper 2 werden vielmehr auf einer Opferschicht gleichzeigt derart gefertigt, dass alle späteren zweiten Halbleiterkörper 2 über Haltestrukturen 30 miteinander verbunden sind. Am Ende der sogenannten
Frontend-of-Line- (FE-) Fertigung wird die Opferschicht
entfernt, beispielsweise durch trockenchemische Ätzung, sodass die einzelnen zweiten Halbleiterkörper 2 nur noch über die Haltestrukturen 30 miteinander und mit dem Wafersubstrat verbunden sind, wobei freistehende Stege 32 die zweiten
Halbleiterkörper 2 mit einer Ankerstruktur 34, die ihrerseits mit dem Wafersubstrat verbunden ist, verbinden. Die so gefertigten zweiten Halbleiterkörper 2 sind im Verbund rasterförmig angeordnet. Die Dicke derart hergestellter Chips kann deutlich geringer sein als bei den konventionell vereinzelten Chips und im Bereich weniger Mikrometer liegen.
Beim Paralleltransfer wird der Stempel auf die zu
transferierenden zweiten Halbleiterkörper 2 gedrückt, sodass sie am Stempel anhaften. Sobald der Stempel sich in die
Gegenrichtung bewegt, werden die zweiten Halbleiterkörper 2 von den Haltestrukturen 30 getrennt, indem die Stege 32 oder ihr Ansatz am zweiten Halbleiterkörper 2 abreißen. Am zweiten Halbleiterkörper 2 bleibt eine Abrissstelle 40, die sich an einem stegförmigen Fortsatz 38, der ein Teil des Stegs der Haltestruktur 30 ist, befinden kann.
Figur 2a zeigt eine schematische Darstellung des Opferwafers 52 mit einer Mehrzahl von zweiten Halbleiterkörpern 2 und der Haltestruktur 30. Die zweiten Halbleiterkörper 2 sind nach Abtrag der Opferschicht freistehend und nur über Stege 32 mit einer Ankerstruktur 34, die die Verbindung von Halterstruktur 30 und Wafersubstrat bildet, verbunden. Figur 2b zeigt eine schematische Darstellung des Zielwafers 54 mit einer Mehrzahl von ersten Halbleiterkörpern 1 im Verbund. Auf den ersten Halbleiterkörpern 1 sind bereits jeweils ein zweiter Halbleiterkörper 2 aufgesetzt, die korrespondierend ihrer Position auf dem Zielwafer 54 aus dem Opferwafer 52 herausgelöst worden und mittels des Stempels auf den
Zielwafer 54 transferiert worden sind.
Beim herausgelösten zweiten Halbleiterkörper 2 befindet sich die Abrissstelle 40 an einem stegförmigen Fortsatz 38, der ein Teil des ursprünglichen Stegs 32 ist. Alternativ kann sich die Abrissstelle 40 auch direkt an einer Außenseite des zweiten Halbleiterkörpers 2 befinden.
Im parallelen Bestückungsprozess wird eine Mehrzahl von zweiten Halbleiterkörpern 2 gleichzeitig übertragen, indem die zu übertragenden Chips bei Kontakt mit dem Stempel aus dem Opferwafer 52 herausgebrochen und nach dem Transfer auf dem Zielwafer 54 abgelegt werden. Dann können weitere
Prozessschritte auf Waferebene ausgeführt werden,
beispielsweise Aufbringen einer elektrischen Kontaktierung, optischer Filter, optischer Barrieren, Linsen oder
Reflektoren. In einem Ausführungsbeispiel werden auch die Kontakte 12 erst am Ende der Prozesskette geöffnet oder definiert .
Die Fertigstellung des Halbleiterbauteils erfolgt im Verbund, sodass alle verfügbaren FE-Prozesse verwendet werden können, insbesondere können dielektrische Beschichtungen räumlich selektiv appliziert werden, beispielsweise um die
Spektrallinienbefindlichkeit des Bauteils zu beeinflussen. Abschließend werden die Halbleiterbauteile vereinzelt;
beispielsweise mittels eines Lasers oder eines
trockenchemischen Prozess. Der Paralleltransfer reduziert die Kosten im Vergleich zur seriellen Bestückung. Der oben geschilderte parallele
Bestückungsprozess wird auch als Transferdrucken bezeichnet.
Die so gefertigten Halbleiterbauteile haben eine sehr geringe Dicke im Vergleich mit konventionellen Bauteilen, da weder eine gedruckte Leiterplatte noch Bonddraht erforderlich sind. Den wesentlichen Beitrag zur Bauteilsdicke liefert das
Substrat 10 des ersten Halbleiterkörpers 1, welches eine ausreichende mechanische Stabilität aufweisen muss. Es ist somit möglich Halbleiterbauteile zu fertigen, deren
Gesamtdicke im Bereich von ca. 200 ym, insbesondere weniger als 200 ym, liegt.
Figur 3 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Um
Wiederholungen zu vermeiden, werden nur die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel in Figur 1 beschrieben.
Der zweite Halbleiterkörper 2 ist ein
oberflächenemittierender LED-Chip mit je einen Kontakt auf seiner Ober- und Unterseite. Der zweite Halbleiterkörper 2 weist eine dünne, leitfähige Schicht 22 für die Kontaktierung der Oberseite des zweiten Halbleiterkörpers 2 bei
gleichzeitiger Transmission für Licht auf. Solch eine Schicht 22 kann aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid (englisch „transparent conducting oxides", TCO) , insbesondere Indiumzinnoxid (englisch „indium tin oxide", ITO) ,
ausgebildet sein.
Eine Leiterstruktur 14 verläuft von der Oberseite des ersten Halbleiterkörpers 1 auf die vom ersten Halbleiterkörper 1 abgewandte Seite des zweiten Halbleiterkörpers 2, um eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Halbleiterkörpern 1, 2 herzustellen. Solch eine Leiterstruktur 14 kann nach dem Aufsetzen des zweiten Halbleiterkörpers 2 durch einen
geeigneten Prozess ausgebildet werden, solange der erste Halbleiterkörper 1 noch im Waferverbund ist. Um die
Abstrahlung nicht übermäßig zu beeinflussen, verläuft die Leiterstruktur 14 lediglich über einen Teilbereich der
Oberseite des zweiten Halbleiterkörpers 2. Figur 4 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Um
Wiederholungen zu vermeiden, werden nur die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel in Figur 1 beschrieben. Nichtsdestotrotz kann die Kontaktierung des zweiten Halbleiterkörpers 2 mit dem ersten Halbleiterkörper 1 wie in Zusammenhang mit Figur 3 beschrieben erfolgen; in jenem Ausführungsbeispiel weist der zweite Halbleiterkörper 2 eine dünne, leitfähige Schicht 22 für die Kontaktierung der Oberseite des zweiten
Halbleiterkörpers 2 bei gleichzeitiger Transmission für Licht auf .
In diesem Ausführungsbeispiel ist eine optische Barriere 18 zwischen den aktiven Zonen 11, 21 auf den ersten und zweiten Halbleiterkörpern 1, 2 vorgesehen, die eine direkte
Einstrahlung auf die aktive Zone 11 des ersten
Halbleiterelements 1 entlang der Bauteilsoberfläche
verhindern soll. Die optische Barriere kann als stabförmige dielektrische strukturierte Schicht ausgebildet sein, die als optische Trennung zwischen den aktiven Zonen 11, 21 dient. Um Seiteneinstrahlung zu verhindern können rahmenförmige
optische Barrieren 18 um die aktiven Zonen 11, 21 vorgesehen sein, sodass im Wesentlichen die reflektierte abgestrahlte Strahlung des zweiten Halbleiterkörpers 2 detektiert wird. Mit anderen Worten: Es wird detektiert in welchem Umfang das abgestrahlte Licht reflektiert wird. Solche Barrieren 18 können als dielektrische Schichtstrukturen noch im
Waferverbund hergestellt werden. Diese Ausgestaltung unterstützt die Verwendung des
Halbleiterbauteils als reflektiven optischer Messsensor.
Solche ein hochintegrierter reflektiver Sensor kann als Chip- Scale-Package (CSP) ausgebildet sein. So können äußerste kompakte Näherungs- oder Gestensensoren, Sensoren für die Messung der Herzfrequenz oder anderer Körperfunktionen hergestellt werden. Figur 5 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Um
Wiederholungen zu vermeiden, werden nur die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel in Figur 1 beschrieben. In diesem Ausführungsbeispiel sind zwei zweite
Halbleiterkörper 2 auf dem ersten Halbleiterbauelement 1 angeordnet. Diese können während desselben parallelen
Transferschritts aufgebracht werden. Das Vorsehen von zwei zweiten Halbleiterkörpern 2 erlaubt
Licht verschiedener oder gleicher Wellenlängen abzustrahlen. Es auch möglich ein Halbleiterbauteil mit mehr als zwei zweiten Halbleiterkörpern 2 vorzusehen. Die Kontaktierung der zwei zweiten Halbleiterkörper 2 mit dem ersten Halbleiterkörper kann wie in Zusammenhang mit Figur 1 oder Figur 3 beschrieben erfolgen, bei dem die zweiten
Halbleiterkörper 2 mit jede einem Kontakt oben und unten eine dünne, leitfähige Schicht 22 für die Kontaktierung der
Oberseite der zweiten Halbleiterkörper 2 bei gleichzeitiger Transmission für Licht aufweisen. Optische Barrieren 18 können optional vorgesehen sein.
Figur 6 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Um
Wiederholungen zu vermeiden, werden nur die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel in Figur 1 beschrieben. In diesem Ausführungsbeispiel weist der erste
Halbleiterkörper 1 eine Senke 19 auf, die beispielsweise als in den Silizium-Chip geätzte Vertiefung ausgebildet sein kann. Beim Paralleltransfer wird der zweite Halbleiterkörper 2 in die Senke 19 gesetzt und elektrisch an seiner Unterseite angebunden. Die Vertiefung verhindert Übersprechen durch seitlich emittierendes Licht zum als Detektor dienenden ersten Halbleiterkörper 1, sodass auf eine optische Barriere 18 verzichtet werden kann, aber nicht muss.
Die Kontaktierung des zweiten Halbleiterkörpers 2 mit dem ersten Halbleiterkörper kann wie in Zusammenhang mit Figur 1 oder Figur 3 beschrieben erfolgen, bei dem der zweite
Halbleiterkörper 2 mit einem Kontakt an Ober- und Unterseite eine dünne, leitfähige Schicht 22 für die Kontaktierung der Oberseite des zweiten Halbleiterkörpers 2 bei gleichzeitiger Transmission für Licht aufweist.
Figur 7 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Um
Wiederholungen zu vermeiden, werden nur die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel in Figur 6 beschrieben.
Der zweite Halbleiterkörper 2 ist ein LED-Chip mit Kontakten 23 auf seiner Unterseite. Die Verbindung mit dem ersten
Halbleiterkörper 1 erfolgt mittels Flip-Chip-Kontaktierung . Dazu wird der zweite Halbleiterkörper 2 mittels
Paralleltransfer in die zuvor ins Siliziumsubstrat 10 geätzte Vertiefung mit verspiegelten Seitenwänden 24 gesetzt und elektrisch angebunden. Der zweite Halbleiterkörper 2 hat zwei Kontakte 23 an seiner dem ersten Halbleiterkörper 1
zugewandten Seite und wird ohne weitere Anschlussdrähte montiert. Um die Chips elektrisch anzubinden, kann Löten, leitfähiges Kleben oder Pressschweißen als Fügeverfahren angewendet werden.
Die Vertiefung 19 mit Verspiegelung 24 verbessert die
Auskopplung und verhindert Übersprechen durch seitlich emittiertes Licht zum Detektor.
Figur 8 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Um
Wiederholungen zu vermeiden, werden nur die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel in Figur 7 beschrieben.
Dieses Ausführungsbeispiel weist zwei LED-Flip-Chips, wie in Zusammenhang mit Figur 7 beschrieben, als zweite
Halbleiterkörper 2 in der Senke 19 mit verspiegelten
Seitenwänden 24 auf.
Figur 9 zeigt eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauteils. Um
Wiederholungen zu vermeiden, werden nur die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel in Figur 7 beschrieben.
Dieses Ausführungsbeispiel weist mehrere lichtempfindliche Bereiche als aktive Zonen 11 an der Oberseite 15 des ersten Halbleiterkörpers 1 auf. Sie haben unterschiedliche spektrale Empfindlichkeiten. Sie können beispielsweise breitbandig sein, oder an die Heilempfindlichkeitskurve V(X), also die spektrale Hellsempfindlichkeit des menschlichen Auges bei Tageslicht, angelehnt sein oder als Tageslichtsperre dienen.
Die Merkmale der Ausführungsbeispiele sind kombinierbar. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen i den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichen
1, 2 Halbleiterkörper
10 Substrat
11, 21 aktive Zone
12, 23 Kontakte
15 Oberseite
16 Unterseite
18 optische Barriere
19 Senke
22 leitfähige Schicht
24 verspiegelte Seitenwand
30 Haltestruktur
32 Steg
34 Ankerstruktur
38 Fortsatz
40 Abrissstelle
52 Opferwafer
54 Zielwafer

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterbauteil umfassend
- einen ersten Halbleiterkörper (1) mit einem Substrat (10), das eine erste Dicke hat, sowie
- einen zweiten Halbleiterkörper (2), der eine zweite Dicke geringer als die erste Dicke hat, eine Abrissstelle (40) aufweist, auf dem Substrat (10) angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterkörper (1) verbunden ist wobei der erste Halbleiterkörper (1) eine erste aktive Zone (11), die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, umfasst und
wobei der zweite Halbleiterkörper (2) eine zweite aktive Zone (21), die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, umfasst.
2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1,
wobei die zweite aktive Zone (21) zur Erzeugung von Strahlung und die erste aktive Zone (11) zu deren Detektion vorgesehen sind.
3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2,
wobei der erste Halbleiterkörper (1) eine Oberseite (15) hat, an der die aktive Zone (11) angeordnet ist und auf oder an der der zweite Halbleiterkörper (2) angeordnet ist.
4. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Halbleiterkörper (2) Kontakte (23) aufweist, die mit Kontakten des ersten Halbleiterkörper (1) durch Flip- Chip-Kontaktierung verbunden sind.
5. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, umfassend eine Senke (19) im Substrat (10), in die der zweite Halbleiterkörper (2) zumindest teilweise versenkt eingesetzt ist .
6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5,
wobei Seitenwände (24) der Senke (19) verspiegelt sind.
7. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Halbleiterkörper (1) auf seiner Unterseite Kontakte (12) zum Anschluss des Halbleiterbauteils aufweist.
8. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Dicke geringer oder gleich 200 ym ist.
9. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Halbleiterkörper (1) ein Siliziumchip ist.
10. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei der zweite Halbleiterkörper (2) auf seiner vom ersten Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite eine
strahlungsdurchlässige elektrisch leitende Schicht (22) aufweist .
11. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei eine Leiterstruktur (14) vom ersten Halbleiterkörper (1) auf die vom ersten Halbleiterkörper abgewandte Seite des zweiten Halbleiterkörper (2) verläuft.
12. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, wobei der zweite Halbleiterkörper (2) einen stegförmigen Fortsatz (38) mit der Abrissstelle (40) an seinem Ende umfasst .
13. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei der zweite Halbleiterkörper (2) eine Dünnschicht-LED ist .
14. Verwendung des Halbleiterbauteils nach einem der vorhergehenden Ansprüche als Näherungs-, Gesten-,
Herzfrequenz- oder Körperfunktionssensor.
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