WO2019043006A1 - Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und ir-detektor - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und ir-detektor Download PDF

Info

Publication number
WO2019043006A1
WO2019043006A1 PCT/EP2018/073138 EP2018073138W WO2019043006A1 WO 2019043006 A1 WO2019043006 A1 WO 2019043006A1 EP 2018073138 W EP2018073138 W EP 2018073138W WO 2019043006 A1 WO2019043006 A1 WO 2019043006A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor chip
spacer
recess
radiation
optoelectronic
Prior art date
Application number
PCT/EP2018/073138
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michael Müller
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US16/642,333 priority Critical patent/US11495706B2/en
Publication of WO2019043006A1 publication Critical patent/WO2019043006A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Definitions

  • Optoelectronic device an optoelectronic
  • Casting compound can be specified. Furthermore, a should
  • Potting compound and an improved IR detector can be specified.
  • Optoelectronic semiconductor chip with a Radiation passage area provided.
  • Optoelectronic semiconductor chip is preferably applied to a connection carrier.
  • a deformable spacer is applied to the radiation passage area of the semiconductor chip.
  • the composite comprising the connection carrier, the semiconductor chip and the deformable spacer is inserted into a cavity of a
  • the tool deforms the deformable spacer.
  • the tool may, for example, have two mold halves or consist of two mold halves.
  • the composite comprising the
  • the deformable spacer is preferably deformed.
  • one wall borders the second
  • the deformable spacer is preferably deformed when closing the tool so that it closes the cavity to the outside. In this way, the burr formation in the encapsulation of the semiconductor chip is advantageously at least reduced.
  • the use of the deformable spacer has the
  • the semiconductor chip is enveloped with a potting compound, preferably with the tool cavity completely closed.
  • the potting compound for wrapping the semiconductor chip in the closed cavity of the tool is introduced, such as by spraying.
  • Potting compound used a housing material For example, an epoxy resin can be used as potting compound.
  • the epoxy resin is filled with filler particles.
  • the potting compound may be white or black.
  • a white potting compound is preferably used in conjunction with a light-emitting diode chip as the optoelectronic semiconductor chip, and a black potting compound in conjunction with a photodiode or a photo IC as the optoelectronic semiconductor chip.
  • the deformable spacer is applied with the following steps: A drop of a liquid material is formed on the radiation passage area of the semiconductor chip.
  • the drop in this case particularly preferably has a dome-shaped curvature. Then the liquid
  • Hardened material so that the deformable spacer is formed For example, the drop of the liquid material by jetting on the
  • Radiation passage surface of the semiconductor chip formed. This method of manufacturing the spacer allows to position the spacer exactly and to determine its shape and size exactly.
  • the jet process is comparatively fast.
  • the application of the drop of liquid material to the radiation passage area of the semiconductor chip is preferably carried out at a speed between
  • the drop of liquid material is cured by UV radiation.
  • the curing of the liquid material with the aid of UV radiation can advantageously take place particularly quickly, so that the drop does not flow down from the semiconductor chip or changes its shape undesirably.
  • the material of the deformable spacer is preferably selected to be the front of the
  • the material of the deformable spacer only partially wets the front side of the semiconductor chip, so that a partial area of the front remains free of the material of the deformable spacer.
  • Bonding wires at least in some corners of the
  • the wall of the tool which rests on the deformable spacer and deforms the spacer, is planar, particularly preferably completely flat. Particularly preferred is the wall of the tool on the deformable
  • Spacer rests and this deformed, free of a spacer structure over the radiation passage area. Instead of the spacer structure over the
  • Radiation passage area is used in the present case advantageously the deformable spacer to form a recess in the potting compound over the semiconductor chip and in particular over the radiation passage area of the semiconductor chip. This indicates the use of a
  • the film has the task of sealing the workpiece, such as the semiconductor chips, against the tool in order to avoid the formation of burrs.
  • the film can prevent adhesion of the potting compound on the tool and facilitate removal of the workpiece. All of these tasks, in the method described here, take over at least the foil instead of the foil
  • Method over the FAM method has the advantage of forming fewer burrs.
  • the spacer is removed again after the curing of the potting compound. This is particularly preferably a
  • Potting compound breaks through the potting compound particularly preferably completely.
  • a radiation passage area of the semiconductor chip is freely accessible through the recess.
  • the shape of the recess corresponds to the shape of the deformed spacer.
  • the spacer may be replaced by one of
  • the following methods are again removed from the radiation passage area: rinsing with water or air, etching, pick-and-place method, electrolytic method. Furthermore, it is also possible that the spacer is removed when opening the tool from the radiation passage area without further action.
  • the spacer may, for example, be treated with an organic etch which is selectively corrosive to the material of the
  • Spacer is and preferably the potting compound does not attack, are removed from the radiation passage area again.
  • a vacuum nozzle can be used.
  • the clear potting may be silicone potting act.
  • the recess is completely filled with the clear potting.
  • the clear potting can finish flush with a surface of the potting compound.
  • Potting advantageously improves the optical coupling of the device to the surrounding medium.
  • the optoelectronic semiconductor chip is a light-emitting diode chip which transmits electromagnetic radiation of a first wavelength range from the first
  • Radiation passage area emits.
  • the recess is in this embodiment with a
  • Radiation of a second wavelength range converts.
  • the first wavelength range is preferably different from the second wavelength range.
  • the optoelectronic component emits mixed-colored radiation, which consists of electromagnetic radiation of the first
  • the mixed-colored radiation preferably has a color locus in the white region of the CIE standard color chart.
  • the light-emitting diode chip emits blue light which is at least partially converted by the conversion element into yellow light. In this case, that sends
  • optoelectronic component preferably mixed-colored, white radiation, which is composed of blue light and yellow light.
  • the spacer is intended to remain in the finished device.
  • the radiation passage area is particularly preferably formed by an adhesion-promoting layer, which increases the adhesion of the semiconductor chip to the substrate
  • Adhesive layer hexamethyldisilazane (HDMS) or consist of hexamethyldisilazane.
  • the deformable spacer has a
  • the cured material of the deformable spacer has a comparatively large
  • the cured material of the spacer has an adjusted modulus of elasticity that is not too low and not too high at the temperature of the encapsulant encapsulation process, so that cracks in the spacer are avoided during deformation, and moreover advantageously good tool cavity sealing and of
  • a multiplicity of semiconductor chips are enveloped, preferably one after the other.
  • a deformable spacer is applied to those semiconductor chips, which are fully functional.
  • This information can be, for example, from a
  • Component or the method described are also formed in the IR detector and vice versa.
  • the optoelectronic component preferably has one
  • connection carrier comprises a lead frame or is formed from a lead frame.
  • the semiconductor chip is at least partially enveloped with a potting compound.
  • the potting compound particularly preferably has a recess.
  • Radiation passage surface may be at least partially freely accessible through the recess.
  • a border of the recess is presently particularly round
  • the border of the recess may be formed, for example, oval or circular.
  • the border of the recess is preferably free of corners and edges.
  • the round border of the recess can in particular be produced by the method described here, in which a deformable spacer is used to produce the recess.
  • the potting compound is concave on a side surface facing the recess.
  • the concave side surface of the potting compound in this case limits the recess preferably.
  • the recess facing the side surface of the potting compound preferably has one
  • the side surface is concave over its entire surface. Particularly preferred is the
  • Side surface of the potting compound can be produced in particular by the method described here, in which a deformable spacer is used to produce the recess.
  • the potting compound completely surrounds the semiconductor chip except for the recess. In particular, stands out
  • Photodiode chip or a photo IC (IC short for English "Integrated Circuit") .
  • a photo IC preferably includes a photodiode chip and other electronic elements, which are provided for example for controlling the photodiode chip.
  • the photodiode chip or the photo IC preferably has four bond pads, which are arranged on the front side of the photodiode chip.
  • a bonding pad is arranged in each case in a corner of the front side, wherein the front side of the semiconductor chip is preferably rectangular. It is also possible that the photodiode chip or the photo IC has more or less than four bond pads.
  • the radiation passage area of the semiconductor chip is covered by a front side of the semiconductor chip.
  • the front side of the semiconductor chip is rectangular.
  • the radiation passage area is particularly preferably arranged centered on the front side. In other words, a center of the front side and a center of the radiation passage area are preferably adjacent to each other. In general, it is in the
  • Radiation passage area around the optically active surface of the semiconductor chip If the semiconductor chip is a light-emitting diode chip, then the radiation passage area of the semiconductor chip.
  • the radiation passage area of a photo IC is preferably arranged centered on the front side of the semiconductor chip and surrounded by an optically inactive area Completed.
  • the optically inactive surface comprises electronic elements, such as tracks, transistors and circuits.
  • the photo-IC or the photodiode are suitable for detecting electromagnetic radiation from the infrared spectral range.
  • the potting compound is preferably formed black. The black potting compound is intended to prevent a coupling of stray light into the semiconductor chip, so that a noise signal
  • Component comprises the front side of the semiconductor chip in addition to the radiation passage area at least two bond pads, which are provided for electrical contacting of the semiconductor chip. For example, in at least two corners of the
  • the bondpads are on the optically inactive
  • the border of the recess is round, the minimum distance between the border of the recess and a center of the bond pad can advantageously be minimized. This advantageously increases the usable area of the
  • Radiation passage surface with respect to a border which is for example rectangular.
  • the recess is provided with a deformable
  • Such a spacer can be advantageously produced in particular with the embodiment of the method in which a drop of a liquid material is formed on the radiation passage area of the semiconductor chip.
  • the deformable spacer with the dome-shaped curved outer surface can serve as a lens, for example.
  • the deformable spacer particularly preferably has an outer surface which is round.
  • the outer surface of the spacer is dome-shaped or
  • the deformable spacer may be formed, for example, as a dome-shaped dome. The extent of the
  • Recess is presently determined by the size of the deformed spacer in the rule.
  • the border of the recess corresponds to the outer surface of the spacer.
  • the size and the extent and arrangement of the spacer can be adjusted with particular advantage during production, for example by jetting a drop of liquid material and frozen by curing with UV radiation.
  • the optoelectronic component described here is particularly suitable for use in an IR detector.
  • the optoelectronic Component here at least one photodiode or a photo IC as an optoelectronic semiconductor chip.
  • the IR detector and the optoelectronic semiconductor chip are particularly suitable for detecting infrared radiation.
  • the method described herein is based inter alia on the idea of using a deformable dome-like spacer with a curved outer surface instead of a foil in a FAM process.
  • This has the advantage that, due to the curved shape of the spacer, the usable area of the radiation passage area is increased compared to a rectangular area, such as can be achieved for example by a rigid glass plate as a spacer or a structured tool.
  • an expensive film as in the FAM method is not necessary because the functions of the film partially or
  • Spacer also greater heights are compensated within the workpiece to be wrapped.
  • a height difference within the workpiece to be wrapped can be compensated up to about 30 microns, while conventional methods using a rigid glass plate or a
  • FIGS. 6 and 7 show an optoelectronic component according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 8 The schematic perspective view of Figure 8 shows an IR detector according to an embodiment.
  • connection carrier 1 is provided in a first step, on which an optoelectronic semiconductor chip 2 is applied.
  • the connection carrier 1 is a leadframe, while the semiconductor chip 2 is designed as a photodiode chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip 2 has a rectangular front side which comprises a radiation passage area 3 in the middle and four bond pads 4 in each case in one corner (see also FIG. 8).
  • the bonding pads 4 are electrically connected to bonding wires 5 to the lead frame.
  • Radiation passage surface 3 of the semiconductor chip 2 is of an optically inactive surface 12 surrounded on which the
  • Bonding pads 4 are arranged.
  • a droplet 6 of a liquid material for example a silicone, is formed by jetting on the radiation passage surface 3 of the optoelectronic semiconductor chip 2.
  • the liquid material wets the
  • Semiconductor chip 2 is shown in FIG. 3 by a closed line.
  • the radiation passage surface 3 has a substantially rectangular shape with rounded corners.
  • the deformable spacer 7 has a round, present circular, border. The deformable spacer 7 is presently centered on the
  • the radiation passage area 3 is completely surrounded by the optically inactive area 12.
  • FIG. 5 shows schematically a top view of the
  • This minimum distance d m i n can advantageously be carried out comparatively small in the present method.
  • the minimum distance d m i n between the center of the bonding pad 4 and the outer surface of the spacer 7 is present preferably between 100 microns and
  • the spacer 7 can remain in the component or be removed from the component again, for example by means of water rinsing, etching, a pick-and-place method or with an electrolytic method. In addition, it is possible that the spacer 7 during removal of the
  • Component from the tool 8 of the Radiation passage area 3 is removed without additional measures.
  • connection carrier 1 with a lead frame.
  • connection carrier 1 On the connection carrier 1 is an optoelectronic
  • Semiconductor chip 2 applied, for example a
  • the LED chip with two bond pads 4 on its front.
  • the bonding pads 4 are electrically conductively connected to the lead frame, each with a bonding wire 5.
  • the semiconductor chip 2 and the bonding wires 5 are enveloped by a potting compound 9.
  • the potting compound 9 has a
  • Recess 10 which has a round, preferably circular, border.
  • the recess 10 allows free access to the radiation passage area 3 of the light-emitting diode chip.
  • the recess 10 is preferably centered on the radiation passage area 3 of the semiconductor chip 2.
  • the optoelectronic component according to the exemplary embodiment of FIG. 7 has a conversion element 11 which completely fills the recess 10 in the potting compound 9.
  • the conversion element 11 is suitable for electromagnetic radiation of a first
  • Wavelength range which is emitted by the LED chip during operation of the radiation passage area 3, at least partially in radiation of a second
  • the IR detector according to the exemplary embodiment of FIG. 8 comprises an optoelectronic component which includes the
  • the component of the IR detector according to the embodiment of Figure 8 has a photo-IC chip with a photodiode.
  • the photodiode is arranged centrally on the radiation exit surface of the semiconductor chip and completely surrounded by the optically inactive surface 12.
  • the photodiode is suitable for infrared
  • the potting compound 9 is formed black in the present device.
  • the optoelectronic semiconductor chip 2 of the component according to FIG. 8 furthermore has an edge length of approximately 1.4 millimeters and a rectangular radiation passage area 3 with a size of approximately 1 square millimeter.
  • the radiation passage area 3 of the semiconductor chip 2 can in the embodiment of Figure 8 by a
  • Bonding layer 13 is formed, which increases the adhesion of the spacer 7 to the semiconductor chip 2.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben : - Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (3) auf einem Anschlussträger (1), - Aufbringen eines verformbaren Abstandshalters (7) auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2), - Einbringen des Anschlussträgers (1) mit dem Halbleiterchip (2) in die Kavität eines Werkzeugs (8), wobei das Werkzeug (8) den verformbaren Abstandshalter (7) verformt, und - Umhüllen des Halbleiterchips (2) mit einer Vergussmasse (9). Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement und ein IR-Detektor angegeben.

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND IR-DETEKTOR
Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Bauelements, ein optoelektronisches
Bauelement und ein IR-Detektor angegeben. Optoelektronische Bauelemente und Verfahren für ihre
Herstellung sind beispielsweise in den Druckschriften US 2016/0172559 AI und DE 102013207308 AI beschrieben.
Vorliegend soll ein vereinfachtes Verfahren zur Umhüllung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer
Vergussmasse angegeben werden. Weiterhin soll ein
verbessertes optoelektronisches Bauelement mit einer
Vergussmasse und ein verbesserter IR-Detektor angegeben werden .
Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1, durch ein optoelektronisches
Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 11 und durch einen IR-Detektor mit den Merkmalen des Patentanspruchs 19 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des
Verfahrens, des optoelektronischen Bauelements und des IR- Detektors sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird ein
optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Strahlungsdurchtrittsflache bereitgestellt. Der
optoelektronische Halbleiterchip ist bevorzugt auf einem Anschlussträger aufgebracht. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird auf die Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips ein verformbarer Abstandshalters aufgebracht.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Verbund umfassend den Anschlussträger, den Halbleiterchip und den verformbaren Abstandshalter in eine Kavität eines
Werkzeugs eingebracht, wobei das Werkzeug den verformbaren Abstandshalter verformt. Das Werkzeug kann beispielsweise zwei Werkzeughälften aufweisen oder aus zwei Werkzeughälften bestehen. Beispielsweise wird der Verbund umfassend den
Anschlussträger, den Halbleiterchip und den verformbaren Abstandshalter in eine der Werkzeughälfte eingelegt und das Werkzeug mit der anderen Werkzeughälfte geschlossen, so dass eine geschlossene Kavität entsteht. Beim Schließen des
Werkzeugs wird der verformbare Abstandshalter bevorzugt verformt. Beispielsweise grenzt eine Wand der zweiten
Werkzeughälfte an den verformbaren Abstandshalter an und verformt den Abstandshalter beim Schließen des Werkzeugs. Der verformbare Abstandshalter wird beim Schließen des Werkzeuges bevorzugt so verformt, dass er die Kavität nach außen hin abschließt. Auf diese Art und Weise wird die Gratbildung bei der Umhüllung des Halbleiterchips mit Vorteil zumindest verringert . Die Verwendung des verformbaren Abstandshalters weist den
Vorteil auf, dass bei der Verformung des Abstandshalters eine gute Versiegelung zwischen der Werkzeugkavität und dem zu umhüllenden Werkstück erzielt wird. Gegenüber der Verwendung einer starren Glasplatte als Abstandshalters weist die
Verwendung eines verformbaren Abstandshalters den Vorteil auf, einfacher justiert und aufgebracht zu werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterchip mit einer Vergussmasse umhüllt, bevorzugt bei vollständig geschlossener Werkzeugkavität . Beispielsweise wird die Vergussmasse zum Umhüllen des Halbleiterchips in die geschlossene Kavität des Werkzeugs eingebracht, etwa durch Spritzen.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird als
Vergussmasse ein Gehäusematerial verwendet. Beispielsweise kann ein Epoxidharz als Vergussmasse verwendet werden.
Bevorzugt ist das Epoxidharz mit Füllpartikeln gefüllt. Die Vergussmasse kann weiß oder schwarz ausgebildet sein.
Bevorzugt wird in Verbindung mit einem Leuchtdiodenchip als optoelektronischen Halbleiterchip eine weiße Vergussmasse verwendet und in Verbindung mit einer Fotodiode oder einem Foto-IC als optoelektronischen Halbleiterchip eine schwarze Vergussmasse .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der verformbare Abstandshalter mit den folgenden Schritten aufgebracht: Es wird ein Tropfen eines flüssigen Materials auf der Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips ausgebildet. Der Tropfen weist hierbei besonders bevorzugt eine kuppeiförmige Wölbung auf. Dann wird das flüssige
Material ausgehärtet, sodass der verformbare Abstandshalter ausgebildet wird. Beispielsweise wird der Tropfen des flüssigen Materials durch Jetten auf der
Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips ausgebildet. Dieses Verfahren zur Herstellung des Abstandshalters erlaubt es, den Abstandshalter genau zu positionieren und seine Form sowie Größe genau zu bestimmen.
Besonders bevorzugt ist der Jet-Prozess vergleichsweise schnell. Die Aufbringung des Tropfen flüssigen Materials auf die Strahlungsdurchtrittsflache des Halbleiterchips erfolgt bevorzugt mit einer Geschwindigkeit, die zwischen
einschließlich 5000 Einheiten pro Stunde und einschließlich 10000 Einheiten pro Stunde liegt.
Bevorzugt wird der Tropfen flüssigen Materials durch UV- Strahlung ausgehärtet. Das Aushärten des flüssigen Materials mit Hilfe von UV-Strahlung kann mit Vorteil besonders schnell erfolgen, so dass der Tropfen nicht von dem Halbleiterchip herunterfließt oder seine Form unerwünscht verändert. Mit
Vorteil fixiert die US-Strahlung die Form des ausgebildeten Tropfens .
Das Material des verformbaren Abstandshalters wird bevorzugt derart ausgewählt, dass es die Vorderseite des
optoelektronischen Halbleiterchips in Tropfenform benetzt. Besonders bevorzugt benetzt das Material des verformbaren Abstandshalters die Vorderseite des Halbleiterchips nur teilweise, so dass ein Teilbereich der Vorderseite frei bleibt von dem Material des verformbaren Abstandshalters. Beispielsweise wird das Material des verformbaren
Abstandshalters mittig auf der Vorderseite des
Halbleiterchips angeordnet. Die Form des verformbaren
Abstandshalters wird mit Vorteil durch die Form des
gebildeten Tropfens bestimmt. Auf diese Art und Weise kann besonders bevorzugt vermieden werden, dass der Tropfen
Bonddrähte, die zumindest in manchen Ecken des
Halbleiterchips auf Bondpads angebracht sind, berührt werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens ist die Wand des Werkzeugs, die auf dem verformbaren Abstandshalter aufliegt und den Abstandshalter verformt, plan ausgebildet, besonders bevorzugt vollständig plan. Besonders bevorzugt ist die Wand des Werkzeugs, die auf dem verformbaren
Abstandshalter aufliegt und diesen verformt, frei von einer Abstandshalterstruktur über der Strahlungsdurchtrittsfläche . Anstelle der Abstandshalterstruktur über der
Strahlungsdurchtrittsfläche wird vorliegend mit Vorteil der verformbare Abstandshalter verwendet um eine Ausnehmung in der Vergussmasse über dem Halbleiterchip und insbesondere über der Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips auszubilden. Dies weist gegenüber der Verwendung eines
Werkzeugs mit einer Abstandshalterstruktur die Vorteile auf, deutlich billiger zu sein, für verschiedene Produkte
eingesetzt werden zu können und eine verminderte Gratbildung bei ungenauer Positionierung zu ermöglichen. Besonders bevorzugt wird bei dem vorliegenden Verfahren keine Folie eingesetzt, die etwa das Werkzeug zumindest teilweise auskleidet, wie beim Film-Assisted-Molding (kurz FAM- Verfahren) . Es kann also besonders bevorzugt auf den Einsatz der teuren Folie verzichtet werden. Die Folie hat bei dem FAM-Verfahren insbesondere die Aufgabe, das Werkstück, wie etwa den Halbleiterchips, gegen das Werkzeug abzudichten um die Bildung von Graten zu vermeiden.
Außerdem kann die Folie ein Anhaften der Vergussmasse am Werkzeug zu vermeiden und das Entformen des Werkstücks zu erleichtern. Alle diese Aufgaben übernimmt bei dem vorliegend beschriebenen Verfahren anstelle der Folie zumindest
teilweise und bevorzugt vollständig der verformbare Abstandshalter. Weiterhin weist das hier beschriebene
Verfahren gegenüber dem FAM-Verfahren den Vorteil auf, weniger Grate zu bilden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Abstandshalter nach dem Aushärten der Vergussmasse wieder entfernt. Hierbei entsteht besonders bevorzugt eine
Ausnehmung in der Vergussmasse. Die Ausnehmung in der
Vergussmasse durchbricht die Vergussmasse besonders bevorzugt vollständig. Bevorzugt ist eine Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips durch die Ausnehmung hindurch frei zugänglich. Bevorzugt entspricht die Form der Ausnehmung der Form des verformten Abstandshalters. Beispielsweise kann der Abstandshalter durch eine der
folgenden Methoden von der Strahlungsdurchtrittsfläche wieder entfernt werden: Spülen mit Wasser oder Luft, Ätzen, Pick- and-Place-Verfahren, elektrolytisches Verfahren. Weiterhin ist es auch möglich, dass der Abstandshalter beim Öffnen des Werkzeugs von der Strahlungsdurchtrittsfläche ohne weitere Maßnahmen entfernt wird.
Der Abstandshalter kann beispielsweise mit einer organischen Ätze, die selektiv ätzend für das Material des
Abstandshalters ist und bevorzugt die Vergussmasse nicht angreift, von der Strahlungsdurchtrittsfläche wieder entfernt werden. Bei einem Pick-and-Place-Verfahren zur Entfernung des Abstandshalters von der Strahlungsdurchtrittsfläche kann beispielsweise eine Vakuumdüse verwendet werden.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die
Ausnehmung mit einem klaren Verguss gefüllt. Beispielsweise kann es sich bei dem klaren Verguss um einen Silikonverguss handeln. Beispielsweise ist die Ausnehmung vollständig mit dem klaren Verguss gefüllt. Der klare Verguss kann mit einer Oberfläche der Vergussmasse plan abschließen. Der klare
Verguss verbessert mit Vorteil die optische Kopplung des Bauelements an das umgebende Medium.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip um einen Leuchtdiodenchip, der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von der
Strahlungsdurchtrittsfläche aussendet. Besonders bevorzugt ist die Ausnehmung bei dieser Ausführungsform mit einem
Konversionselement gefüllt, das elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische
Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt. Der erste Wellenlängenbereich ist hierbei bevorzugt verschieden von dem zweiten Wellenlängenbereich. Bevorzugt sendet das optoelektronische Bauelement mischfarbige Strahlung aus, die sich aus elektromagnetischer Strahlung des ersten
Wellenlängenbereichs und elektromagnetischer Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs zusammensetzt. Bevorzugt weist die mischfarbige Strahlung einen Farbort im weißen Bereich der CIE-Normfarbtafel auf.
Beispielsweise sendet der Leuchtdiodenchip blaues Licht aus das zumindest teilweise von dem Konversionselement in gelbe Licht umgewandelt wird. In diesem Fall sendet das
optoelektronische Bauelement bevorzugt mischfarbige, weiße Strahlung aus, die sich aus blauem Licht und gelben Licht zusammensetzt .
Weiterhin ist es auch möglich, dass der Abstandshalter dazu vorgesehen ist, in dem fertigen Bauelement zu verbleiben. Bei dieser Ausführungsform ist die Strahlungsdurchtrittsflache besonders bevorzugt durch eine Haftvermittlungsschicht gebildet, die die Haftung des Halbleiterchips zu dem
Abstandshalter verbessert. Beispielsweise kann die
Haftvermittlungsschicht Hexamethyldisilazan (HDMS) aufweisen oder aus Hexamethyldisilazan bestehen.
Beispielsweise weist der verformbare Abstandshalter ein
Silikon auf oder ist aus einem Silikon gebildet.
Besonders bevorzugt weist das ausgehärtete Material des verformbaren Abstandshalters eine vergleichsweise große
Bruchdehnung auf. Bevorzugt weist das ausgehärtete Material des Abstandshalters ein angepasstes Elastizitätsmodul auf, das nicht zu niedrig und nicht zu hoch bei der Temperatur des Umhüllungsprozesses mit der Vergussmasse ist, sodass Risse in dem Abstandshalter bei der Verformung vermieden werden und darüber hinaus mit Vorteil eine gute Versiegelung der Werkzeugkavität und des
Halbleiterchips bei der Umhüllung des Halbleiterchips mit der Vergussmasse möglich ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird eine Vielzahl von Halbleiterchips umhüllt, bevorzugt nacheinander. Bei dieser Ausführungsform wird bevorzugt nur auf diejenigen Halbleiterchips ein verformbarer Abstandshalter aufgebracht, die voll funktionsfähig sind. Beispielsweise werden die
Halbleiterchips vor dem Umhüllen mit der Vergussmasse mit Bonddrähten elektrisch kontaktiert und es wird vor dem
Umhüllen getestet, ob der Halbleiterchip voll funktionsfähig ist. Diese Information kann beispielsweise von einer
elektronischen Fehlermatrix ausgelesen werden. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens werden mit Vorteil nur funktionsfähige Bauelemente mit einem Abstandshalter
versehen, sodass defekte Bauelemente einfach erkannt
aussortiert werden können.
Das hier beschriebene Verfahren ist insbesondere dazu
geeignet, ein optoelektronisches Bauelement zu erzeugen.
Elemente, Merkmale und Ausführungsformen, die vorliegend lediglich in Verbindung mit dem Verfahren beschrieben sind, können daher ebenfalls bei dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein und umgekehrt. Weiterhin können sämtliche Merkmale, die in Verbindung mit dem optoelektronischen
Bauelement oder dem Verfahren beschrieben sind auch bei dem IR-Detektor ausgebildet sein und umgekehrt.
Das optoelektronische Bauelement weist bevorzugt einen
Anschlussträger auf, auf den ein optoelektronischer
Halbleiterchip mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche
aufgebracht ist. Beispielsweise umfasst der Anschlussträger einen Leiterrahmen oder ist aus einem Leiterrahmen gebildet.
Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen
Bauelements ist der Halbleiterchip zumindest teilweise mit einer Vergussmasse umhüllt. Die Vergussmasse weist besonders bevorzugt eine Ausnehmung auf. Die
Strahlungsdurchtrittsfläche kann zumindest teilweise frei zugänglich durch die Ausnehmung sein. Eine Umrandung der Ausnehmung ist vorliegend besonders bevorzugt rund
ausgebildet. Die Umrandung der Ausnehmung kann beispielsweise oval oder kreisförmig ausgebildet sein. Mit anderen Worten ist die Umrandung der Ausnehmung bevorzugt frei von Ecken und Kanten . Die runde Umrandung der Ausnehmung kann insbesondere durch das hier beschriebene Verfahren erzeugt werden, bei dem ein verformbarer Abstandshalter zur Erzeugung der Ausnehmung verwendet wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Vergussmasse an einer der Ausnehmung zugewandten Seitenfläche konkav ausgebildet. Die konkave Seitenfläche der Vergussmasse begrenzt hierbei die Ausnehmung bevorzugt. Mit anderen Worten weist die der Ausnehmung zugewandte Seitenfläche der Vergussmasse bevorzugt eine
Wölbung auf, sodass die Ausnehmung in einem zentralen Bereich eine größere Querschnittsfläche aufweist als in einem
Randbereich. Bevorzugt ist die Seitenfläche über ihre gesamte Fläche konkav ausgebildet. Besonders bevorzugt ist die
Seitenfläche über ihre gesamte Fläche konkav ausgebildet, wobei die Ausnehmung eine runde Umrandung aufweist.
Die konkave Seitenfläche der der Ausnehmung zugewandten
Seitenfläche der Vergussmasse kann insbesondere durch das hier beschriebene Verfahren erzeugt werden, bei dem ein verformbarer Abstandshalter zur Erzeugung der Ausnehmung verwendet wird. Bevorzugt umhüllt die Vergussmasse den Halbleiterchip bis auf die Ausnehmung vollständig. Insbesondere ragt die
Vergussmasse bevorzugt über die Vorderseite des
Halbleiterchips hinaus. Beispielsweise kann es sich bei dem optoelektronischen
Halbleiterchip um einen Leuchtdiodenchip, einen
Fotodiodenchip oder einen Foto-IC (IC kurz für Englisch „Integrated Circuit") handeln. Ein Foto-IC umfasst bevorzugt einen Fotodiodenchip und weitere elektronische Element, die beispielsweise zur Steuerung des Fotodiodenchips vorgesehen sind . Der Fotodiodenchip oder der Foto-IC weist bevorzugt vier Bondpads auf, die auf der Vorderseite des Fotodiodenchips angeordnet sind. Bevorzugt ist jeweils in einer Ecke der Vorderseite ein Bondpad angeordnet, wobei die Vorderseite des Halbleiterchips bevorzugt rechteckig ausgebildet ist. Es ist auch möglich, dass der Fotodiodenchip oder der Foto-IC mehr oder weniger als vier Bondpads aufweist.
Besonders bevorzugt ist die Strahlungsdurchtrittsflache des Halbleiterchips von einer Vorderseite des Halbleiterchips umfasst. Bevorzugt ist die Vorderseite des Halbleiterchips rechteckig ausgebildet. Die Strahlungsdurchtrittsflache ist besonders bevorzugt zentriert auf der Vorderseite angeordnet. Mit anderen Worten liegen eine Mitte der Vorderseite und eine Mitte der Strahlungsdurchtrittsflache bevorzugt aufeinander. In der Regel handelt es sich bei der
Strahlungsdurchtrittsflache um die optisch aktive Fläche des Halbleiterchips. Ist der Halbleiterchip ein Leuchtdiodenchip, so wird von der Strahlungsdurchtrittsfläche die von dem
Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung
ausgesandt. Handelt es sich bei dem optoelektronischen
Halbleiterchip um eine Fotodiode oder einen Foto-IC, so erlaubt die Strahlungsdurchtrittsfläche den Eintritt der zu detektierende elektromagnetischen Strahlung in den
Halbleiterchip .
Die Strahlungsdurchtrittsfläche eines Foto-ICs ist bevorzugt zentriert auf der Vorderseite des Halbleiterchips angeordnet und von einer optisch inaktiven Fläche umgeben, bevorzugt vollständig. Beispielsweise umfasst die optisch inaktive Fläche elektronische Elemente, wie Leiterbahnen, Transistoren und Schaltungen. Besonders bevorzugt sind der Foto-IC oder die Fotodiode dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung aus dem infraroten Spektralbereich zu detektieren. Bei dieser Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Vergussmasse bevorzugt schwarz ausgebildet. Die schwarze Vergussmasse soll eine Einkopplung von Streulicht in den Halbleiterchip verhindern, so dass ein Rauschsignal
verringert und das Verhältnis von Rauschsignal zu Messsignal mit Vorteil verbessert wird.
Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen
Bauelements umfasst die Vorderseite des Halbleiterchips neben der Strahlungsdurchtrittsfläche mindestens zwei Bondpads, die zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips vorgesehen sind. Beispielsweise ist in mindestens zwei Ecken der
Vorderseite des Halbleiterchips jeweils ein Bondpad
angeordnet. Die Bondpads sind auf der optisch inaktiven
Fläche der Vorderseite angeordnet oder bilden die optisch inaktive Fläche zumindest teilweise aus.
Ist die Umrandung der Ausnehmung rund ausgebildet, so kann mit Vorteil der minimale Abstand zwischen der Umrandung der Ausnehmung und einer Mitte des Bondpads minimiert werden. Dies erhöht mit Vorteil die nutzbare Fläche der
Strahlungsdurchtrittsfläche gegenüber einer Umrandung, die beispielsweise rechteckig ausgebildet ist. Besonders
bevorzugt liegt der minimale Abstand zwischen der Umrandung der Ausnehmung und der Mitte des Bondpads zwischen
einschließlich 100 Mikrometer und einschließlich 150
Mikrometer . Gemäß einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Ausnehmung mit einem verformbaren
Abstandshalter gefüllt, der eine kuppeiförmig gewölbte
Außenfläche aufweist. Ein derartiger Abstandshalter kann mit Vorteil insbesondere mit der Ausführungsform des Verfahrens erzeugt werden, bei dem ein Tropfen eines flüssigen Materials auf der Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips ausgebildet wird. Der verformbare Abstandshalter mit der kuppeiförmig gewölbten Außenfläche kann beispielsweise als Linse dienen. Beispielsweise kann der verformbare
Abstandshalter in Verbindung mit einem Leuchtdiodenchip als Linse wirken und die Abstrahlcharakteristik des
Leuchtdiodenchips auf gewünschte Art und Weise beeinflussen. Der verformbare Abstandshalter weist besonders bevorzugt eine Außenfläche auf, die rund ausgebildet ist. Beispielsweise ist die Außenfläche des Abstandshalters domförmig oder
ellipsoidal ausgebildet. Besonders bevorzugt weist die
Außenfläche des Abstandshalters keine Ecken und Kanten auf. Der verformbare Abstandshalter kann beispielsweise als domartige Kuppel ausgebildet sein. Die Ausdehnung der
Ausnehmung ist vorliegend in der Regel durch die Größe des verformten Abstandshalters bestimmt. Besonders bevorzugt entspricht die Umrandung der Ausnehmung der Außenfläche des Abstandshalters. Die Größe und die Ausdehnung sowie Anordnung des Abstandshalters kann mit Vorteil besonders genau während der Herstellung beispielsweise durch Jetten eines Tropfens flüssigen Materials justiert und durch Aushärten mit UV- Strahlung eingefroren werden.
Das hier beschriebene optoelektronische Bauelement ist insbesondere dazu geeignet, in einem IR-Detektor Verwendung zu finden. Insbesondere weist das optoelektronische Bauelement hierbei mindestens eine Fotodiode oder einen Foto- IC als optoelektronischen Halbleiterchip auf. Der IR-Detektor und der optoelektronische Halbleiterchips sind insbesondere dazu geeignet, infrarote Strahlung zu detektieren.
Das vorliegend beschriebene Verfahren beruht unter anderem auf der Idee, anstelle einer Folie bei einem FAM-Verfahren einen verformbaren domartigen Abstandshalter mit einer gewölbten Außenfläche zu verwenden. Dies weist den Vorteil auf, dass aufgrund der gewölbten Form des Abstandshalters den nutzbaren Bereich der Strahlungsdurchtrittsfläche gegenüber einer rechteckigen Fläche, wie sie beispielsweise durch ein starres Glasplättchen als Abstandshalter oder auch ein strukturiertes Werkzeug erzielt werden kann, erhöht wird. Weiterhin ist eine teure Folie wie beim FAM-Verfahren nicht notwendig, da die Funktionen der Folie teilweise oder
vollständig durch den verformbaren Abstandshalter übernommen werden. Gegenüber der Verwendung einer Folie wie beim FAM- Verfahren können mit Hilfe des domartigen verformbaren
Abstandshalters außerdem größere Höhen innerhalb des zu umhüllenden Werkstücks kompensiert werden. Mit Vorteil kann mit dem hier beschriebenen Verfahren eine Höhendifferenz innerhalb des zu umhüllenden Werkstücks bis zu ungefähr 30 Mikrometer kompensiert werden, während herkömmliche Verfahren unter Verwendung eines starren Glasplättchens oder einer
Folie nur die Kompensation einer Höhendifferenz bis ungefähr 10 Mikrometer erlauben.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen. Anhand der schematischen Darstellungen der Figuren 1 bis 5 wird ein Verfahren gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel näher erläutert. Die schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 6 und 7 zeigen ein optoelektronisches Bauelement gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel .
Die schematische perspektivische Darstellung der Figur 8 zeigt einen IR-Detektor gemäß einem Ausführungsbeispiel.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1 bis 5 wird in einem ersten Schritt ein Anschlussträger 1 bereitgestellt, auf dem ein optoelektronischer Halbleiterchip 2 aufgebracht ist. Bei dem Anschlussträger 1 handelt es sich vorliegend um einen Leiterrahmen, während der Halbleiterchip 2 als Fotodiodenchip ausgebildet ist.
Der optoelektronische Halbleiterchip 2 weist eine rechteckige Vorderseite auf, die eine Strahlungsdurchtrittsfläche 3 in der Mitte und vier Bondpads 4 in jeweils einer Ecke umfasst (siehe auch Figur 8) . Die Bondpads 4 sind mit Bonddrähten 5 mit dem Leiterrahmen elektrisch leitend verbunden. Die
Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des Halbleiterchips 2 ist von einer optisch inaktiven Fläche 12 umgeben, auf der die
Bondpads 4 angeordnet sind.
In einem nächsten Schritt, der schematisch in Figur 1 dargestellt ist, wird auf die Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des optoelektronischen Halbleiterchips 2 ein Tropfen 6 eines flüssigen Materials, beispielsweise eines Silikons, durch Jetten ausgebildet. Das flüssige Material benetzt die
Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des Halbleiterchips 2 derart, dass der Tropfen 6 mit einer kuppeiförmigen Wölbung auf der Strahlungsdurchtrittsfläche 3 entsteht (Figur 2). Dann wird der Tropfen 6 ausgehärtet, beispielsweise mittels UV- Strahlung, sodass ein verformbarer Abstandshalter 7 auf der Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des optoelektronischen
Halbleiterchips 2 entsteht.
Eine Draufsicht auf den Verbund aus Leiterrahmen 1,
Halbleiterchip 2 und verformbarem Abstandshalter 7 der Figur 2 ist auch in der Draufsicht der Figur 3 gezeigt. Der Rand der Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des optoelektronischen
Halbleiterchips 2 ist in der Figur 3 durch eine geschlossene Linie dargestellt. Die Strahlungsdurchtrittsfläche 3 weist im Wesentlichen eine rechteckige Form mit abgerundeten Ecken auf. Der verformbare Abstandshalter 7 weist eine runde, vorliegend kreisförmige, Umrandung auf. Der verformbare Abstandshalter 7 ist vorliegend zentriert auf die
Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des Halbleiterchips 2
aufgebracht. Die Strahlungsdurchtrittsfläche 3 ist von der optisch inaktiven Fläche 12 vollständig umgeben.
In einem nächsten Schritt, der schematisch in den Figuren 4 und 5 dargestellt ist, wird der Verbund aus Leiterrahmen 1, Halbleiterchip 2 und Abstandshalter 7 in ein Werkzeug 8 eingebracht. Das Werkzeug 8 wird geschlossen, sodass eine geschlossene Werkezugkavität entsteht. Beim Schließen des Werkzeugs 8 wird der Abstandshalter 7 so verformt, dass die Werkzeugkavität versiegelt wird. Die Wand des Werkzeugs 8, die hierbei den Abstandshalter 7 verformt, ist vorliegend vollständig plan ausgebildet. Dann wird, wie schematisch in Figur 4 dargestellt, eine Vergussmasse 9 in die Kavität des Werkzeugs 8 eingebracht, sodass der Abstandshalter 7 und der Halbleiterchip 2 zusammen mit den Bonddrähten 5 von der
Vergussmasse 9 vollständig umhüllt werden.
Figur 5 zeigt schematisch eine Draufsicht des
Verfahrensstadiums gemäß Figur 4. In der Draufsicht der Figur 5 ist der minimale Abstand dmin zwischen den Bondpads 4 in jeweils einer Ecke der Vorderseite des Halbleiterchips 2 und der Außenfläche des Abstandshalters 7 eingezeichnet. Dieser minimale Abstand dmin kann mit Vorteil bei dem vorliegenden Verfahren vergleichsweise klein ausgeführt werden. Der minimale Abstand dmin zwischen der Mitte des Bondpads 4 und der Außenfläche des Abstandshalters 7 liegt vorliegend bevorzugt zwischen einschließlich 100 Mikrometer und
einschließlich 150 Mikrometer.
In einem nächsten Schritt, der vorliegend nicht dargestellt ist, wird das Bauelement aus dem Werkzeug 8 entformt.
Der Abstandshalter 7 kann in dem Bauelement verbleiben oder aus dem Bauelement wieder entfernt werden, beispielsweise mittels Wasserspülen, Ätzen, einem Pick-and-Place-Verfahren oder mit einem elektrolytischen Verfahren. Außerdem ist es möglich, dass der Abstandshalter 7 beim Entformen des
Bauelements aus dem Werkzeug 8 von der Strahlungsdurchtrittsflache 3 ohne zusätzliche Maßnahmen entfernt wird.
Das Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 6 weist einen Anschlussträger 1 mit einen Leiterrahmen auf. Auf dem Anschlussträger 1 ist ein optoelektronischer
Halbleiterchip 2 aufgebracht, beispielsweise ein
Leuchtdiodenchip mit zwei Bondpads 4 auf seiner Vorderseite. Die Bondpads 4 sind mit jeweils einem Bonddraht 5 elektrisch leitend mit dem Leiterrahmen verbunden.
Der Halbleiterchip 2 und die Bonddrähten 5 sind mit einer Vergussmasse 9 umhüllt. Die Vergussmasse 9 weist eine
Ausnehmung 10 auf, die eine runde, bevorzugt kreisförmige, Umrandung aufweist. Die Ausnehmung 10 ermöglicht vorliegend einen freien Zugang zu der Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des Leuchtdiodenchips. Die Ausnehmung 10 ist bevorzugt zentriert auf der Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des Halbleiterchips 2 angeordnet .
Im Unterschied zu dem optoelektronischen Bauelement gemäß der Figur 6 weist das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 7 ein Konversionselement 11 auf, das die Ausnehmung 10 in der Vergussmasse 9 vollständig ausfüllt. Das Konversionselement 11 ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung eines ersten
Wellenlängenbereichs, die von dem Leuchtdiodenchip im Betrieb von der Strahlungsdurchtrittsfläche 3 ausgesandt wird, zumindest teilweise in Strahlung eines zweiten
Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Bevorzugt ist die
Vergussmasse 9 bei diesem Ausführungsbeispiel weiß
ausgebildet, um die Effizienz des Bauelements zu erhöhen. Anstelle eines Konversionselements 11 kann das optoelektronische Bauelement auch einen klaren Verguss aufweisen, der die Ausnehmung 10 bevorzugt vollständig ausfüllt . Der IR-Detektor gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 8 umfasst ein optoelektronisches Bauelement, das den
Abstandshalter 7 noch umfasst. Das Bauelement des IR- Detektors gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 8 weist einen Foto-IC-Chip mit einer Fotodiode auf. Die Fotodiode ist mittig auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet und vollständig von der optisch inaktiven Fläche 12 umgeben. Die Fotodiode ist dazu geeignet, infrarote
Strahlung zu detektieren. Die Vergussmasse 9 ist bei dem vorliegenden Bauelement schwarz ausgebildet.
Der optoelektronische Halbleiterchip 2 des Bauelements gemäß der Figur 8 weist weiterhin eine Kantenlänge von ungefähr 1,4 Millimeter und eine rechteckige Strahlungsdurchtrittsfläche 3 mit einer Größe von ungefähr 1 Quadratmillimeter auf. Die Strahlungsdurchtrittsfläche 3 des Halbleiterchips 2 kann bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 8 durch eine
Haftvermittlungsschicht 13 gebildet, die die Haftung des Abstandshalters 7 zu dem Halbleiterchip 2 erhöht. Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 102017120168.8, deren
Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichenliste
1 Anschlussträger
2 Halbleiterchip
3 Strahlungsdurchtrittsflache
4 Bondpad
5 Bonddraht
6 Tropfen
7 Abstandshalter
8 Werkzeug
9 Vergussmasse
10 Ausnehmung
11 Konversionselement
12 optisch inaktive Fläche
13 HaftvermittlungsSchicht minimaler Abstand

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungsdurchtrittsflache (3) auf einem
Anschlussträger (1),
- Aufbringen eines verformbaren Abstandshalters (7) auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2), - Einbringen des Anschlussträgers (1) mit dem Halbleiterchip (2) in die Kavität eines Werkzeugs (8), wobei das Werkzeug
(8) den verformbaren Abstandshalter (7) verformt, und
- Umhüllen des Halbleiterchips (2) mit einer Vergussmasse
(9) .
2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der verformbare Abstandshalter (7) mit den folgenden Schritten aufgebracht wird:
- Ausbilden eines Tropfens (6) eines flüssigen Materials auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2), wobei der Tropfen (6) eine kuppeiförmige Wölbung aufweist, und
- Aushärten des flüssigen Materials, so dass sich der verformbare Abstandshalter (7) ausbildet.
3. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der
Tropfen (6) durch Jetten ausgebildet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 3, bei dem das flüssige Material durch UV-Strahlung ausgehärtet wird.
5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem eine Wand des Werkzeugs (8), die auf dem verformbaren Abstandshalter (7) aufliegt und den Abstandshalter (7) verformt, plan ausgebildet ist.
6. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem der verformbare Abstandshalter (7) nach einem Aushärten der
Vergussmasse (9) wieder entfernt wird, so dass eine
Ausnehmung (10) in der Vergussmasse (9) gebildet wird.
7. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der verformbare Abstandshalter (7) durch eine der folgenden
Methoden entfernt wird: Wasserspülen, Ätzen, Pick-and-Place- Verfahren, elektrolytisches Verfahren.
8. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Ausnehmung (10) mit einem klaren Verguss gefüllt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem
- die Strahlungsdurchtrittsflache (3) durch eine
Haftvermittlungsschicht (13) gebildet ist, die die Haftung des Halbleiterchips (2) zu dem verformbaren Abstandshalter (7) verbessert, und
- der verformbare Abstandshalter (7) dazu vorgesehen ist, in dem fertigen Bauelement zu verbleiben.
10. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem eine Vielzahl von Halbleiterchips (2) umhüllt wird, und nur auf diejenigen Halbleiterchips (2) ein verformbarer
Abstandshalter (7) aufgebracht wird, die voll funktionsfähig sind .
11. Optoelektronisches Bauelement mit: - einem Anschlussträger (1), auf den ein optoelektronischer Halbleiterchip (2) aufgebracht ist, der eine
Strahlungsdurchtrittsflache (3) umfasst,
- einer Vergussmasse (9), die den Halbleiterchip (2)
zumindest teilweise umhüllt, wobei
- in der Vergussmasse (9) eine Ausnehmung (10) angeordnet ist, und
- eine Umrandung der Ausnehmung (10) rund ausgebildet ist.
12. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorherigen
Anspruch, bei dem die Vergussmasse (9) an einer der
Ausnehmung (10) zugewandten Seitenfläche konkav ausgebildet ist .
13. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 12, bei dem in mindestens zwei Ecken einer Vorderseite des Halbleiterchips (2) jeweils ein Bondpad (4) angeordnet ist .
14. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem der minimale Abstand (dmin ) zwischen der
Umrandung der Ausnehmung (10) und einer Mitte des Bondpads (4) zwischen einschließlich 100 Mikrometer und einschließlich 150 Mikrometer liegt.
15. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 14, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip (2) ein Leuchtdiodenchip, ein Foto-IC oder ein Fotodiodenchip ist.
16. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 15, bei dem die Ausnehmung (10) mit einem verformbaren Abstandshalter (7) gefüllt ist, der eine kuppeiförmig
gewölbte Außenfläche aufweist.
17. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 16, bei dem
- der optoelektronische Halbleiterchip (2) ein Foto-IC ist, der eine Strahlungsdurchtrittsflache (3) aufweist, die zentriert auf einer Vorderseite des Halbleiterchips (2) angeordnet ist,
- die Strahlungsdurchtrittsflache (3) vollständig von einer optisch inaktiven Fläche (12) umgeben ist,
- der Foto-IC dazu geeignet ist, infrarote Strahlung zu detektieren, und
- die Vergussmasse (9) schwarz ausgebildet ist.
18. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 17, bei dem
- der optoelektronische Halbleiterchip (2) ein
Leuchtdiodenchip ist, der im Betrieb elektromagnetische
Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs aussendet, und
- die Ausnehmung (10) mit einem Konversionselement (11) gefüllt ist, das elektromagnetische Strahlung des ersten
Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt.
19. IR-Detektor, der dazu geeignet ist, infrarote Strahlung zu detektieren mit einem optoelektronischen Bauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 17.
PCT/EP2018/073138 2017-09-01 2018-08-28 Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und ir-detektor WO2019043006A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/642,333 US11495706B2 (en) 2017-09-01 2018-08-28 Method for producing an optoelectronic component, optoelectronic component, and IR detector

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017120168.8A DE102017120168A1 (de) 2017-09-01 2017-09-01 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, optoelektronisches Bauelement und IR-Detektor
DE102017120168.8 2017-09-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019043006A1 true WO2019043006A1 (de) 2019-03-07

Family

ID=63442622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2018/073138 WO2019043006A1 (de) 2017-09-01 2018-08-28 Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und ir-detektor

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11495706B2 (de)
DE (1) DE102017120168A1 (de)
WO (1) WO2019043006A1 (de)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090311485A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Nec Electronics Corporation Electronic device and method of manufacturing the electronic device
EP2469614A2 (de) * 2010-12-24 2012-06-27 Samsung LED Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtungsverpackung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20130292553A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Taiwan Ic Packaging Corporation Optical proximity sensor and manufacturing method thereof
DE102013207308A1 (de) 2013-04-23 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
US20160172559A1 (en) 2013-07-04 2016-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Device
US20160187483A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Stmicroelectronics Pte Ltd Molded proximity sensor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
CN102412344A (zh) * 2010-09-23 2012-04-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
US10541153B2 (en) * 2017-08-03 2020-01-21 General Electric Company Electronics package with integrated interconnect structure and method of manufacturing thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090311485A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Nec Electronics Corporation Electronic device and method of manufacturing the electronic device
EP2469614A2 (de) * 2010-12-24 2012-06-27 Samsung LED Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtungsverpackung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20130292553A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Taiwan Ic Packaging Corporation Optical proximity sensor and manufacturing method thereof
DE102013207308A1 (de) 2013-04-23 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
US20160172559A1 (en) 2013-07-04 2016-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Device
US20160187483A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Stmicroelectronics Pte Ltd Molded proximity sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US11495706B2 (en) 2022-11-08
US20200295216A1 (en) 2020-09-17
DE102017120168A1 (de) 2019-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2606510B1 (de) Verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102013112549B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102019104325A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile
DE102012102420B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
WO2019145350A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE102010001711A1 (de) Halbleiter-Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2015018843A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102014100772B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102019104986A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
EP2308105B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE112019001007B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102013202910A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1630913B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls das eine optische oder elektronische Komponente enthält, sowie optisches oder elektronisches Modul
EP1622204B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls
DE102014118214A1 (de) Einfach herstellbares elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements
WO2019043006A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und ir-detektor
DE102016108931A1 (de) Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102013207111A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
WO2022248570A1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE102019121449A1 (de) Verfahren zur vereinzelung von bauteilen aus einem bauteilverbund sowie bauteil
WO2016015966A1 (de) Halbleiterbauelement, beleuchtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
WO2020169448A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102018104290A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102018129575A1 (de) Lichtemittereinheit mit wenigstens einem VCSEL-Chip
DE102017130574A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements und Konversionselement

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18762263

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18762263

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1