WO2019039361A1

WO2019039361A1 - 保持装置

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Publication number: WO2019039361A1
Application number: PCT/JP2018/030349
Authority: WO
Inventors: 清大森; 泰敏小畑
Original assignee: ミネベアミツミ株式会社
Priority date: 2017-08-24
Filing date: 2018-08-15
Publication date: 2019-02-28

Abstract

レベルセンサを搭載した保持装置の計測精度を向上させる。保持装置（１）は、保持対象のチャンバ（５００）を収容可能な収容空間（２００）を画成する収容部（２４）を有し、収容部（２４）に背向する側に内部空間（２１０）が形成されたベース部材（２）と、内部空間（２１０）に配置され、収容部（２４）に収容されたチャンバ（５００）の内容物のレベルを計測するレベルセンサ（８）とを備える。レベルセンサ（８）は、複数の送信電極（Ｔａ，Ｔｂ）と、複数の受信電極（Ｒａ，Ｒｂ）と、複数の送信電極（Ｔａ，Ｔｂ）と複数の受信電極（Ｒａ，Ｒｂ）との間の電気力線の変化に基づいて、内容物のレベルを計測する計測部（８５）とを有する。

Description

保持装置

　本発明は、チャンバを保持する保持装置に関し、特に、保持するチャンバの内容物のレベルを検出するセンサを搭載した保持装置に関する。

　従来、腎臓の機能を人工的に代替する医療システムとして血液透析システムが知られている。血液透析システムは、患者の身体から体外に取り出した血液と透析液とをダイアライザに供給し、ダイアライザにおいて半透膜を介して血液中の老廃物を透析液に移行させることによって血液を浄化して体内に戻すシステムである。

　血液透析システムでは、そのシステム中を流れる液体（血液や透析液等）の流路の適切な箇所には、例えば、流路を流れる液体を一定量滞留させるとともに一定量の液体を流出させる筒状の容器であるドリップチャンバが接続されている（特許文献１参照）。

特開２０１２－１１０７６号公報

　従来、ドリップチャンバ内の液体の量が十分であるか否かは、医療従事者がドリップチャンバ内を目視で確認することにより行われていた。しかしながら、近年、目視だけでなく、センサを用いてドリップチャンバ内の液体の量を計測することが望まれている。

　本願発明者らは、本願発明に先立って、ドリップチャンバ内の液体の量を計測するために、ドリップチャンバを保持する保持装置に相互容量方式の静電容量型レベルセンサを搭載することを検討した。その検討の結果、以下に示す課題があることが明らかとなった。

　一般に、相互容量方式の静電容量型レベルセンサは、例えば同一平面上に送信電極と受信電極とを並べて配置した構造を有し、送信電極にパルスを印加したときに送信電極と受信電極との間に発生する電気力線（電界）の変化に基づいて、送信電極と受信電極との間に存在する対象物の量（レベル）を検出する。例えば、計測対象の液体の傍に相互容量方式の静電容量型レベルセンサの送信電極および受信電極を配置した場合、電界の一部が液体に移ることにより、受信電極で検知する電気力線が減少し、送信電極と受信電極との間の静電容量が減少する。この静電容量の変化を検出することにより、計測対象の液体の液面の高さ（レベル）を検出することができる。

　しかしながら、保持装置に搭載した相互容量方式の静電容量型レベルセンサに不具合が発生した場合、ドリップチャンバ内の液体の液面の高さ（レベル）を正確に計測することができないため、血液透析システムに大きな問題が発生するおそれがある。例えば、送信電極または受信電極の不具合により、ドリップチャンバ内に必要な量の液体が存在しないにも関わらず、十分な量の液体が存在していることを示す計測結果が静電容量型レベルセンサから出力された場合、血液透析システムにおいて患者の生命や身体に関わる大きなトラブルが発生するおそれがある。

　また、ドリップチャンバで扱う液体が血液等の粘性の高い液体である場合、ドリップチャンバの内壁に液体が付着すると、内壁に付着した液体によって静電容量が変化し、液体の液面の高さの正確な計測結果を静電容量型レベルセンサが出力できない場合がある。

　特に、血液透析システムにおいて用いられるドリップチャンバでは、上下の両方向から血液の出入りがあるため、ドリップチャンバの内壁に血液が付着しやすいという問題がある。

　本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、レベルセンサを搭載した保持装置の計測精度向上させることにある。

　本発明の代表的な実施の形態に係る保持装置は、保持対象のチャンバを収容可能な収容空間を画成する収容部を有し前記収容部に背向する側に内部空間が形成されたベース部材と、前記内部空間に配置され、前記収容部に収容された前記チャンバの内容物のレベルを計測するレベルセンサとを備え、前記レベルセンサは、複数の送信電極と、複数の受信電極と、前記複数の送信電極と前記複数の受信電極との間の電気力線の変化に基づいて、前記内容物のレベルを計測する計測部とを有することを特徴とする。

　本発明の一態様によれば、レベルセンサを搭載した保持装置の計測精度を向上させることが可能となる。

実施の形態１に係る保持装置の斜視図である。実施の形態１に係る保持装置の主面側から見た分解斜視図である。実施の形態１に係る保持装置のドリップチャンバを取り付けた状態の斜視図である。図３Ａにおける保持装置のＢ－Ｂ面での断面図である。実施の形態１に係る保持装置の蓋部側から見た分解斜視図である。ベース部材のｙ方向負側から見た平面図である。図５Ａに示すベース部材のＡ－Ａ面での断面斜視図である。実施の形態１に係るレベルセンサを構成する基板の主面側から見た平面図である。実施の形態１に係るレベルセンサを構成する基板の裏面側から見た平面図である。基板を収容した状態のベース部材の斜視図である。実施の形態１に係るレベルセンサの機能ブロックの構成を示す図である。異常判定用計測値とレベル計測値の組み合わせに応じた判定条件と、各判定条件において計測結果出力部から出力される信号の一例を示す図である。実施の形態１に係るレベルセンサによる計測方法を説明するための図である。実施の形態１に係るレベルセンサによる計測方法を説明するための図である。実施の形態１に係るレベルセンサによる計測方法を説明するための図である。実施の形態１に係るシールド部材の斜視図である。実施の形態１に係るシールド部材のｙ方向正側から見た平面図である。実施の形態１に係るシールド部材のｚ方向正側から見た平面図である。実施の形態１に係る保持装置において、内部空間にシールド部材を収容した状態のベース部材の断面斜視図である。実施の形態１に係る保持装置において、内部空間にシールド部材および基板を収容した状態のベース部材の断面斜視図である。実施の形態１に係る保持装置の斜視図である。シールド部材による効果を説明するための図である。シールド部材による効果を説明するための図である。ドリップチャンバが不適切に取り付けられた保持装置のｘ方向負側から見た平面図である。実施の形態１に係るレベルセンサを構成する基板の別の一例を示す平面図である。実施の形態１に係るレベルセンサを構成する基板の更に別の一例を示す平面図である。実施の形態１に係るレベルセンサのハードウェア構成の別の一例を示す図である。実施の形態１に係るレベルセンサのハードウェア構成の更に別の一例を示す図である。実施の形態２に係る保持装置の主面側から見た分解斜視図である。実施の形態２に係る保持装置の蓋部側から見た分解斜視図である。実施の形態２に係るレベルセンサを構成する基板ユニットの斜視図である。実施の形態２に係るレベルセンサを構成する基板ユニットのｙ方向正側から見た平面図である。実施の形態２に係るレベルセンサを構成する基板ユニットのｙ方向負側から見た平面図である。実施の形態２に係るレベルセンサを構成する基板ユニットの分解斜視図である。実施の形態２に係る保持装置の送信電極および受信電極を示す図である。実施の形態２に係るレベルセンサの機能ブロックの構成を示す図である。実施の形態２に係るシールド部材の斜視図である。実施の形態２に係るシールド部材のｙ方向正側から見た平面図である。実施の形態２に係るシールド部材のｚ方向正側から見た平面図である。実施の形態２に係る保持装置において、内部空間にシールド部材を収容した状態のベース部材の断面斜視図である。実施の形態２に係る保持装置において、内部空間にシールド部材および基板ユニットを収容した状態のベース部材の断面斜視図である。実施の形態２に係る保持装置の斜視図である。実施の形態２に係る保持装置における送信電極と受信電極との間に発生する電界を模式的に示す図である。実施の形態２に係る保持装置の比較例として、メイン基板にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置における送信電極と受信電極間に発生する電界を模式的に示す図である。実施の形態２に係る保持装置の実験結果を示す図である。実施の形態３に係る保持装置の送信電極および受信電極を示す図である。図２９に示した送信電極および受信電極を有する保持装置の実験結果を示す図である。実施の形態４に係る保持装置の送信電極および受信電極を示す図である。図３１に示した保持装置における送信電極と受信電極との間に発生する電界を模式的に示す図である。

１．実施の形態の概要
　先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。なお、以下の説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の参照符号を、括弧を付して記載している。

　〔１〕本発明の代表的な実施の形態に係る保持装置（１，１Ｃ～１Ｅ）は、保持対象のチャンバ（５００）を収容可能な収容空間（２００）を画成する収容部（２４）を有し、前記収容部に背向する側に内部空間（２１０）が形成されたベース部材（２）と、前記内部空間に配置され、前記収容部に収容された前記チャンバの内容物のレベルを計測するレベルセンサ（８，８Ａ～８Ｃ）とを備え、前記レベルセンサは、複数の送信電極（Ｔａ，Ｔｂ，Ｔ１，Ｔ２）と、複数の受信電極（Ｒａ，Ｒｂ，Ｒ１，Ｒ２）と、前記複数の送信電極と前記複数の受信電極との間の電気力線の変化に基づいて前記内容物のレベルを計測する計測部（８５，８５Ｃ）とを有することを特徴とする。

　〔２〕上記保持装置（１）において、前記複数の送信電極として第１送信電極（Ｔａ）および第２送信電極（Ｔｂ）を含み、前記複数の受信電極として第１受信電極（Ｒａ）および第２受信電極（Ｒｂ）を含み、前記計測部は、前記第１送信電極と前記第１受信電極との間の静電容量の変化と、前記第２送信電極と前記第２受信電極との間の静電容量の変化とに基づいて前記内容物のレベルを計測し、前記第１送信電極および前記第１受信電極を含む第１電極対と前記第２送信電極および前記第２受信電極を含む第２電極対とは、前記収容部が延在する方向（ｚ方向）に互いに離間して配置されていてもよい。

　〔３〕上記保持装置において、前記計測部は、前記第１送信電極と前記第１受信電極との間の静電容量の変化に基づいて前記内容物のレベルを計測した第１計測値（８５４ａ）と、前記第２送信電極と前記第２受信電極との間の静電容量の変化に基づいて前記内容物のレベルを計測した第２計測値（８５４ｂ）との組み合わせに基づいて、前記内容物の計測結果を出力してもよい。

　〔４〕上記保持装置において、前記計測部は、前記第１計測値が第１基準値（危険レベル）よりも大きい場合（Ｃ１，Ｃ２）に、前記第２計測値に基づく信号（８５４ｂ，警告信号）を出力し、前記第１計測結果が前記第１基準値よりも小さい場合（Ｃ３，Ｃ４）に、異常が検出されたことを示す信号（問題発生信号、危険信号）を出力してもよい。

　〔５〕上記保持装置において、前記計測部は、前記第１計測値が前記第１基準値よりも小さく、且つ前記第２計測値が前記第１基準値以上の第２基準値よりも大きい場合（Ｃ３）に、第１異常検出信号（問題発生信号）を出力してもよい。

　〔６〕上記保持装置において、前記計測部は、前記第１計測値が前記第１基準値よりも小さく、且つ前記第２計測値が前記第２基準値も小さい場合（Ｃ４）に、前記第１異常検出信号と異なる第２異常検出信号（危険信号）を出力してもよい。

　〔７〕上記保持装置において、前記計測部は、前記第１計測値が前記第１基準値よりも大きく、且つ前記第２計測値が前記第２基準値よりも小さい場合（Ｃ２）に、警告信号を出力してもよい。

　〔８〕上記保持装置において、前記第１電極対を複数組（８７ａ＿１，８７ａ＿２）含み、前記計測部は、前記第１送信電極と前記第１受信電極との間の静電容量の変化を前記第１電極対毎に検出し、それぞれの前記電極対の検出結果に基づいて前記第１計測値を生成してもよい。

　〔９〕上記保持装置において、前記レベルセンサは、主面（８０１）と、前記主面と背向する裏面（８０２）とを含む基板（８００）を有し、前記第１送信電極、前記第１受信電極、前記第２送信電極、および前記第２受信電極は、前記主面に形成された金属薄膜によってそれぞれ構成され、前記基板は、前記内部空間において、前記主面が前記収容部を向いた状態で配置されていてもよい。

　〔１０〕上記保持装置において、前記レベルセンサ（８Ａ）は、第１主面（８０１）と、前記第１主面と背向する第１裏面（８０２）とを含む第１基板（８００）と、第２主面（８０１Ａ）と、前記第２主面と背向する第２裏面（８０２Ａ）とを含む第２基板（８００Ａ）とを更に有し、前記第１送信電極および前記第１受信電極は、前記第１基板の前記第１主面に形成された金属薄膜によってそれぞれ構成され、前記第２送信電極および前記第２受信電極は、前記第２基板の前記第２主面に形成された金属薄膜によってそれぞれ構成され、前記第１基板は、前記内部空間において、前記第１主面が前記収容部を向いた状態で配置され、前記第２基板は、前記内部空間において、前記第２主面が前記第１基板の前記第１主面に対して傾斜し、且つ前記収容部を向いた状態で配置されていてもよい。

　〔１１〕上記保持装置において、前記レベルセンサ（８Ｂ）は、第１主面（８０１）と、前記第１主面と背向する第１裏面（８０２）とを含む第１基板（８００）と、第２主面（８０１Ａ）と、前記第２主面と背向する第２裏面（８０２Ａ）とを含む第２基板（８００Ａ）と、第３主面（８０１Ｂ）と、前記第３主面と背向する第３裏面（８０２Ｂ）とを含む第３基板（８００Ｂ）とを更に有し、前記第１基板は、前記内部空間において、前記第１主面が前記収容部を向いた状態で配置され、前記第２基板は、前記内部空間において、前記第２主面が前記第１基板の前記第１主面に対して傾斜し、且つ前記収容部を向いた状態で配置され、前記第３基板は、前記内部空間において、前記第２主面が前記第１基板の前記第１主面に対して傾斜し、且つ前記第３主面が前記第２基板の前記第２主面と対向した状態で配置され、前記第１電極対（８７ａ）は、前記第１基板の前記第１主面に形成され、前記第２電極対（８７ｂ＿１，８７ｂ＿２，８７ｂ＿３）は、前記第１主面、前記第２主面、および前記第３主面のうち少なくとも２つの面に形成され、前記第１送信電極、前記第１受信電極、前記第２送信電極、および前記第２受信電極は、金属薄膜によってそれぞれ構成されていてもよい。

　〔１２〕上記保持装置において、前記内部空間において前記収容部を覆うように配置されたシールド部材（７）を更に備え、前記シールド部材は、第１開口（７３ａ）および第２開口（７３ｂ）を有し、前記第１開口は、前記収容空間側から前記内部空間側を見て、前記第１電極対（８７ａ）の少なくとも一部と重なるように形成され、前記第２開口は、前記収容空間側から前記内部空間側を見て、前記第２電極対（８７ｂ）の少なくとも一部と重なるように形成されていてもよい。

　〔１３〕上記保持装置（１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ）において、前記複数の送信電極として第１送信電極（Ｔ１）および第２送信電極（Ｔ２）を含み、前記複数の受信電極として第１受信電極（Ｒ１）および第２受信電極（Ｒ２）を含み、前記内部空間において、前記第１送信電極および前記第１受信電極は前記収容部側を向いて配置され、前記内部空間において、前記第２送信電極は、前記第１送信電極および前記第１受信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置され、前記内部空間において、前記第２受信電極は、前記第１送信電極、前記第１受信電極、および前記第２送信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置されていてもよい。

　〔１４〕上記保持装置において、前記第２送信電極と前記第２受信電極とは、前記収容空間を挟んで互いに対向して配置されていてもよい。

　〔１５〕上記保持装置において、前記レベルセンサは、前記第１送信電極および前記第１受信電極が形成された第１主面（８１１）を有する第１基板（８１０）と、前記第２送信電極が形成された第２主面（８２１）を有する第２基板（８２０）と、前記第２受信電極が形成された第３主面（８３１）を有する第３基板（８３０）と、を有していてもよい。

　〔１６〕上記保持装置において、前記第２基板および前記第３基板は、前記第２主面および前記第３主面と前記第１主面とが直交するように配置されてもよい。

　〔１７〕上記保持装置において、前記第２受信電極を構成する金属薄膜の表面積は、前記第２送信電極を構成する金属薄膜の表面積より小さくてもよい。

　〔１８〕上記保持装置において、前記第２受信電極を構成する金属薄膜には、スリット（８３３）が形成されていてもよい。

２．実施の形態の具体例
　以下、本発明の実施の形態の具体例について図を参照して説明する。なお、以下の説明において、各実施の形態において共通する構成要素には同一の参照符号を付し、繰り返しの説明を省略する。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

　≪実施の形態１≫
　図１は、実施の形態１に係る保持装置１の斜視図であり、図２は、保持装置１の主面側から見た分解斜視図である。
　図１に示す保持装置１は、チャンバ５００を保持するとともに、チャンバ５００の内容物のレベルを検出するセンサを搭載した装置である。
　以下の説明では、保持装置１の保持対象であるチャンバ５００が、血液透析システムにおいて、そのシステム中を流れる血液や透析液等の液体の流路に直列に接続されて、その液体を一定量滞留させるドリップチャンバである場合を例にとり、説明する。以降の説明では、チャンバ５００を「ドリップチャンバ５００」とも称する。

　図２に示すように、ドリップチャンバ５００は、例えば、筒状のチャンバ本体５０１と、チャンバ本体５０１の上端部に装着された上蓋５０２と、チャンバ本体５０１の下端部に装着された下蓋５０３とを含む。ドリップチャンバ５００には、複数の管５０４が上蓋５０２からチャンバ本体５０１の内部に挿入されている。

　ドリップチャンバ５００は、保持装置１によって保持される。保持装置１は、例えば固定具６によって、棒状の支持部材５に連結され、支持部材５を介して血液透析システムを構成する機器や点滴スタンド等に固定される。

　また、保持装置１は、レベルセンサ８（図４参照）を備えており、後述するように、保持したドリップチャンバ５００の内容物（血液や透析液等の液体）の液面の高さ（レベル）をレベルセンサ８によって計測し、その計測結果を例えば血液透析システム内の図示されない上位の制御装置等に送信する。

　以下、実施の形態１に係る保持装置１を構成する各構成要素について、ドリップチャンバ５００を保持するための構成要素と、ドリップチャンバ５００内の液体の液面の高さを検出するための構成要素とに分けて説明する。

　先ず、ドリップチャンバ５００を保持するための構成要素について説明する。
　図２に示すように、保持装置１は、ドリップチャンバ５００を保持するための構成要素として、ベース部材２および保持部材３を備えている。

　ベース部材２は、例えば樹脂から構成されている。図２に示すように、ベース部材２は、例えば平面視略矩形状（例えば長方形状）に形成された板状部材２０と、収容部２４とを有する。本実施の形態では、板状部材２０と収容部２４とが別々に形成される場合を例示している。板状部材２０は、主面２１、上面２０１、および下面２０２を有する。上面２０１および下面２０２は、例えば主面２１に略垂直な面である。

　以下では、３次元のｘｙｚ空間において、主面２１が図１，２におけるｘ－ｚ平面と平行に配置され、上面２０１および下面２０２がｘ－ｙ平面と平行に配置されているものとして説明する。また、以下では、ｚ方向を鉛直方向とし、ｚ方向正側（鉛直上向き側）を上側、ｚ方向負側（鉛直下向き側）を下側、ｘ方向正側を右側、ｘ方向負側を左側、ｙ方向正側を前側、ｙ方向負側を後側と称する場合がある。

　収容部２４は、板状部材２０の主面２１から突出して配置されている。例えば、収容部２４は、主面２１から主面２１と垂直な方向（ｙ方向正側）に突出して配置されている。図１，２に示すように、収容部２４は、例えば長方形状のベース部材２における長手方向（ｘ方向）の両端部側にそれぞれ一つずつ形成されている。

　なお、ベース部材２に形成される収容部２４の個数は、特に限定されない。例えば、１つの収容部２４がベース部材２に形成されていてもよいし、３つ以上の収容部２４がベース部材２に形成されていてもよい。

　以上の説明では、板状部材２０と収容部２４とが別々に形成される場合を例示したが、板状部材２０と収容部２４とは、一体に形成されていてもよい。

　収容部２４は、保持対象のドリップチャンバ５００を収容可能な収容空間２００を画成する。収容部２４には、収容空間２００にドリップチャンバ５００を挿入可能な開口２２が形成されている。

　収容部２４は、一方向（上下方向）に、上面２０１から下面２０２まで延在する凹部である。換言すれば、収容部２４は、主面２１から突出した側の面から蓋部９側（ｙ方向負側）に向かって深さを有する。

　より具体的には、収容部２４は、ベース部材２の主面２１から突出した２つの突出部２７Ａおよび突出部２７Ｂと、突出部２７Ａと突出部２７Ｂとの間で収容空間２００を画成する収容面２５とを有している。収容面２５の少なくとも一部は、例えば、ドリップチャンバ５００の側面形状に対応する曲面となっている。

　保持部材３は、収容部２４に収容したドリップチャンバ５００をベース部材２に保持する。保持部材３は、例えば樹脂または金属から成る板状部材を部分的に塑性変形させることにより、構成されている。保持部材３は、例えば、金属から成るねじ等の固定部材４によって、ベース部材２の突出部２７Ａ，２７Ｂにそれぞれ固定されている。

　なお、一つの収容部２４の突出部２７Ａ，２７Ｂにそれぞれ設けられる一対の保持部材３は、図１，２に示すように一組であってもよいし、複数組であってもよく、その組数は特に限定されない。

　図３Ａ，３Ｂは、ドリップチャンバ５００を収容した保持装置１を示す図である。図３Ａには、ドリップチャンバ５００を収容した状態の保持装置１の斜視図が示され、図３Ｂには、図３Ａにおける保持装置１のＢ－Ｂ断面が示されている。

　図３Ａ，３Ｂに示すように、ドリップチャンバ５００を開口２２側から収容部２４に押し込んだ場合、収容部２４の上下方向の同じ高さに設置された一組の保持部材３によってドリップチャンバ５００が保持される。これにより、ベース部材２の収容部２４にドリップチャンバ５００を安定して保持することが可能となる。

　次に、ドリップチャンバ５００内の液体の液面の高さを検出するための構成要素について説明する。
　図４は、実施の形態１に係る保持装置１の蓋部側から見た分解斜視図である。
　図４に示すように、保持装置１は、ドリップチャンバ５００内の液体の液面の高さを検出するための構成要素として、ベース部材２、シールド部材７、レベルセンサ８、蓋部９、および固定部材１１を備えている。

　ベース部材２は、上述した収容部２４に背向する側に形成された内部空間２１０を有している。内部空間２１０は、少なくともシールド部材７およびレベルセンサ８を収容可能な空間寸法を有している。

　図５Ａは、ベース部材２のｙ方向負側から見た平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示すベース部材２のＡ－Ａ面での断面斜視図である。
　図５Ａ，５Ｂに示すように、内部空間２１０は、板状部材２０の主面２１に背向する裏面を形成する底部２１Ｂと、板状部材２０の底部２１Ｂから突出し底部２１Ｂを囲む側壁部２１Ｃと、収容部２４とによって画成されている。

　内部空間２１０は、収容部２４の形状に対応して形成された空間２１２を有する。図５Ａ，５Ｂに示すように、空間２１２は、収容部２４の収容面２５を挟むように形成された一対の空間である。

　より具体的には、空間２１２は、板状部材２０の底部２１Ｂから収容部２４の突出部２７Ａ，２７Ｂが突出する方向（ｙ方向正側）に向かって深さを有し、収容部２４の延在方向（保持装置１の上下方向）と同じ方向に形成された溝２１２０によって、画成されている。以下、空間２１２を「溝空間２１２」とも称する。

　底部２１Ｂにおける一対の溝空間２１２によって挟まれる領域には、凸部２１３が形成されている。凸部２１３は、内部空間２１０におけるシールド部材７の位置決めのための部位である。例えば、凸部２１３は、底部２１Ｂからｙ方向負側に突出して形成され、後述するシールド部材７に応じた形状を有している。

　内部空間２１０には、突起部２１４が複数形成されている。突起部２１４は、レベルセンサ８（基板８００）の取付をガイドし、内部空間２１０にレベルセンサ８を固定するための部材である。突起部２１４は、例えば円柱状に形成されている。各突起部２１４には、その軸線に沿って後述する固定部材１１を係止するための係止孔２１４０がそれぞれ形成されている。

　レベルセンサ８は、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物の高さ（レベル）を検出する。レベルセンサ８は、例えば相互容量方式の静電容量型のレベルセンサである。

　レベルセンサ８は、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測するレベル計測機能のみならず、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルが極端に低下した状態やレベル計測機能に不具合が生じた場合等の異常な状態を判定する異常判定機能を有している。以下、レベルセンサ８について詳細に説明する。

　先ず、レベルセンサ８のハードウェア構成について説明する。
　図６Ａ，６Ｂは、レベルセンサ８のハードウェア構成を示す図である。図６Ａには、レベルセンサ８の構成要素の一つである基板８００のｙ方向正側から見た平面図が示され、図６Ｂには、基板８００のｙ方向負側から見た平面図が示されている。

　図６Ａ，６Ｂに示すように、レベルセンサ８は、第１送信電極Ｔａおよび第１受信電極Ｒａから成る第１電極対８７ａと、第２送信電極Ｔｂおよび第２受信電極Ｒｂから成る第２電極対８７ｂと、計測部８５とが、基板８００に搭載されることによって実現される。

　ここで、第１電極対８７ａは、上述した異常判定機能に用いられる電極対であり、第２電極対８７ｂは、上述したレベル計測機能に用いられる電極対である。

　以下、第１電極対８７ａを「異常判定用電極対８７ａ」と、第２電極対８７ｂを「レベル計測用電極対８７ｂ」と称し、第１送信電極Ｔａ、第１受信電極Ｒａ、第２送信電極Ｔｂ、第２受信電極Ｒｂを、単に「電極Ｔａ」、「電極Ｒａ」、「電極Ｔｂ」、「電極Ｒｂ」とそれぞれ称する場合がある。

　レベルセンサ８は、異常判定用電極対８７ａ、レベル計測用電極対８７ｂ、および計測部８５を収容部２４毎に有しており、それぞれの収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを個別に計測することが可能となっている。

　なお、図６Ａ，６Ｂでは、レベルセンサ８を構成する構成要素のうち異常判定用電極対８７ａ、レベル計測用電極対８７ｂおよび計測部８５等の一部の構成要素が図示され、異常判定用電極対８７ａおよびレベル計測用電極対８７ｂと計測部８５とを接続する配線パターン等のその他の構成要素の図示を省略している。

　基板８００は、例えばプリント基板であり、図６Ａ，６Ｂに示すように、異常判定用電極対８７ａおよびレベル計測用電極対８７ｂが形成された主面８０１と、主面８０１に背向する裏面８０２とを有する。

　図７は、基板８００を収容した状態のベース部材２の斜視図である。同図では、ベース部材２の主面２１側（ｙ方向正側）から見たときのベース部材２が示され、左側の収容部２４、板状部材２０の一部、およびシールド部材７の図示を省略している。
　図７に示すように、基板８００は、ベース部材２の内部空間２１０において、主面８０１が収容部２４を向いた状態で配置される。

　電極Ｔａ、Ｒａ、Ｔｂ、およびＲｂは、例えば、主面８０１上に形成された金属薄膜（例えば、銅箔）によって構成され、例えば、公知のプリント基板作製技術によって基板８００の主面８０１上に形成されている。

　図６Ａ、６Ｂおよび図７に示すように、電極Ｔａ，Ｒａから成る異常判定用電極対８７ａと、電極Ｔｂ，Ｒｂから成るレベル計測用電極対８７ｂとは、収容部２４が延在する方向に互いに離間して配置されている。具体的には、基板８００の主面８０１をＸ―Ｚ平面と平行に配置した場合において、異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂとは、Ｚ方向に互いに離間して配置されている。

　これによれば、図７に示すように、ドリップチャンバ５００が収容部２４に適切に取り付けられた場合において、ドリップチャンバ５００のチャンバ本体５０１が延在する方向に沿って異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂとが互いに離間して配置されることになる。これにより、ドリップチャンバ５００に対してｚ方向の異なる２つの位置において、ドリップチャンバ５００内の内容物のレベルを計測することが可能となる。

　また、図６Ａに示すように、第１送信電極Ｔａは、主面８０１上において、例えば第１受信電極Ｒａを囲む態様で配置されている。同様に、第２送信電極Ｔｂは、主面８０１上において、例えば第２受信電極Ｒｂを囲む態様で配置されている。第１受信電極Ｒａを構成する各金属薄膜は、例えば主面８０１と裏面８０２とを貫通する貫通配線（ビア）によって互いに電気的に接続されている。同様に、第２受信電極Ｒｂを構成する各金属薄膜は、例えば主面８０１と裏面８０２とを貫通する貫通配線（ビア）によって互いに電気的に接続されている。

　計測部８５は、複数の送信電極と複数の受信電極との間の電気力線の変化に基づいてドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測する。具体的に、実施の形態１において、計測部８５は、電極Ｔａと電極Ｒａとの間の静電容量の変化と、電極Ｔｂと電極Ｒｂとの間の静電容量の変化とに基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測する。

　計測部８５は、ハードウェア資源として、マイクロプロセッサや各種メモリから成るプログラム処理装置、アナログ／デジタル変換回路（ＡＤＣ）、デジタル／アナログ変換回路（ＤＡＣ）、パルス等の周期信号を生成する信号生成回路、および各種信号処理回路等を含んで構成されている。例えば、計測部８５は、マイクロコントローラ（ＭＣＵ）であって、少なくとも一つの半導体チップが一つのパッケージに収容された半導体集積回路（ＩＣ）として実現されている。以下の説明では、計測部８５を「半導体集積回路８５」と表記する場合がある。

　なお、左側の収容部２４に対応する計測部８５と右側の収容部２４に対応する計測部８５は、それぞれ個別の半導体集積回路によって実現してもよいし、同一の半導体集積回路によって実現してもよく、基板８００上に配置される計測部８５の実施形態は特に制限されない。本実施の形態では、一例として、左右の収容部２４にそれぞれ対応する２つの計測部８５が一つのパッケージに収められた半導体集積回路によって実現されているものとして説明する。

　図６Ａ，６Ｂに示すように、半導体集積回路８５は、例えば基板８００の裏面８０２に配置されている。半導体集積回路８５は、図示されない金属薄膜から成る配線パターンおよび貫通配線（ビア）によって、電極Ｔａ、Ｒａ、Ｔｂ、およびＲｂとそれぞれ接続されている。

　また、図６Ｂでは図示を省略しているが、基板８００の裏面８０２には、レベルセンサ８と外部機器とを電気的に接続するためのコネクタ８９（図４参照）が接続されている。

　図６Ａ，６Ｂに示すように、基板８００には、シールド部材７をベース部材２に位置決めするための切り欠き部８６０が少なくとも１つ形成されている。切り欠き部８６０は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各切り欠き部８６０は、ベース部材２の突起部２１４（図５Ｂ参照）の外径に対応した形状を有する。

　なお、基板８００には、レベルセンサ８としての機能を実現するための構成要素の他に、レベルセンサ８と外部機器と通信を行うためのインターフェース回路やその他の周辺回路が形成されていてもよい。

　次に、レベルセンサ８の機能について説明する。
　図８は、レベルセンサ８の機能ブロックの構成を示す図である。
　同図に示すように、レベルセンサ８は、電極Ｒａおよび電極Ｔａから成る異常判定用電極対８７ａと、電極Ｒｂおよび電極Ｔｂから成るレベル計測用電極対８７ｂと、計測部８５とを有する。

　計測部８５は、機能ブロックとして、制御部８５０、パルス生成部８５１ａ，８５１ｂ、レベル計測部８５２ａ，８５２ｂ、および計測結果出力部８５３を含む。これらの機能ブロックは、計測部８５を構成するハードウェア資源としての上記プログラム処理装置が上記各種メモリに記憶されたプログラムに従って各種演算を実行することにより実現される。

　制御部８５０は、計測部８５全体の統括的な制御を行う機能部である。

　パルス生成部８５１ａ，８５１ｂは、周期信号（例えばパルス）を生成する信号生成回路を含んで構成されている。本実施形態では、パルス生成部８５１ａは異常判定用電極対８７ａに対応し、パルス生成部８５１ｂはレベル計測用電極対８７ｂに対応する構成が例示される。

　パルス生成部８５１ａは、制御部８５０からの制御に基づいてパルスを生成し、異常判定用電極対８７ａの電極Ｔａに、生成したパルスを印加する。これにより、電極Ｒａと電極Ｔａとの間に発生した電気力線（電界）の変化、すなわち電極Ｒａと電極Ｔａとの間の静電容量の変化に応じた信号が、異常判定用電極対８７ａの電極Ｒａから出力される。

　パルス生成部８５１ｂは、制御部８５０からの制御に基づいてパルスを生成し、レベル計測用電極対８７ｂの電極Ｔｂに、生成したパルスを印加する。これにより、電極Ｒｂと電極Ｔｂとの間に発生した電気力線（電界）の変化、すなわち電極Ｒｂと電極Ｔｂとの間の静電容量の変化に応じた信号が、レベル計測用電極対８７ｂの電極Ｒｂから出力される。

　レベル計測部８５２ａは、異常判定用電極対８７ａの電極Ｒａから出力された信号に基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測し、第１計測値８５４ａを出力する。例えば、レベル計測部８５２ａは、電極Ｒａから出力された信号のレベル（電圧）を予め設定された少なくとも一つの閾値と比較することにより、ドリップチャンバ５００内の液体の液面のレベルを判定し、その判定結果を第１計測値８５４ａとして出力する。以下、第１計測値８５４ａを「異常判定用計測値８５４ａ」とも称する。

　レベル計測部８５２ｂは、レベル計測用電極対８７ｂの電極Ｒｂから出力された信号に基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測し、第２計測値８５４ｂを出力する。例えば、レベル計測部８５２ｂは、電極Ｒｂから出力された信号のレベル（電圧）を予め設定された少なくとも一つの閾値と比較することにより、ドリップチャンバ５００内の液体の液面のレベルを判定し、その判定結果を第２計測値８５４ｂとして出力する。以下、第２計測値８５４ｂを「レベル計測値８５４ｂ」とも称する。

　ここで、レベル計測部８５２ａおよびレベル計測部８５２ｂにおいて設定される上記閾値は、ドリップチャンバ５００内の内容物のレベルを計測する目盛に対応する値である。予め、上記閾値を複数用意しておくことにより、レベルセンサ８によるレベル計測の分解能が高くなり、レベル計測の精度を上げることが可能となる。

　計測結果出力部８５３は、レベル計測部８５２ａから出力された異常判定用計測値８５４ａと、レベル計測部８５２ｂから出力されたレベル計測値８５４ｂとに基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物の計測結果に関する信号を出力する機能部である。計測結果出力部８５３から出力された計測結果に関する信号は、上述した血液透析システム内の上位の制御装置等に送信される。

　具体的に、計測結果出力部８５３は、異常判定用計測値８５４ａが第１基準値より低いか否かを判定するとともに、レベル計測値８５４ｂが第２基準値より低いか否かを判定し、それら２つの判定結果の組み合わせに基づいて、ドリップチャンバ５００の内容物の計測結果に関する信号を出力する。

　ここで、第１基準値は、例えば血液透析システムにおいて、ドリップチャンバ５００内の液体の液面が第１基準値を下回った場合に、人体に悪影響を及ぼす（例えば、患者の生命や身体に危険がおよぶ）可能性がある値（例えば、ドリップチャンバ５００内の液体のレベルの最低値）である。以下、第１基準値を「危険レベル」とも称する。

　また、第２基準値は、第１基準値以上の値であって、例えば、第２電極対８７ｂによって計測可能な液面のレベルの下限値である。以下、第２基準値を「下限レベル」とも称する。

　好適には、下限レベル（第２基準値）は、危険レベル（第１基準値）よりも大きい。以下では、下限レベルが危険レベルより大きい場合を例にとり、説明する。

　図９は、異常判定用計測値８５４ａとレベル計測値８５４ｂの組み合わせに応じた判定条件と、各判定条件において計測結果出力部から出力される信号の一例を示す図である。図１０Ａ乃至図１０Ｃは、レベルセンサ８による計測方法を説明するための図である。図１０Ａ乃至図１０Ｃには、液体７１０が導入されたドリップチャンバ５００を収容部２４に適切に収容した保持装置１における、ｙ方向正側から見た、異常判定用電極対８７ａおよびレベル計測用電極対８７ｂと液体７１０の液面７１１との位置関係の一例がそれぞれ示されている。なお、同図では、ベース部材２、基板８００、およびシールド部材７等の図示を省略している。

　計測結果出力部８５３は、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも高い場合（図９の符号Ｃ１および符号Ｃ２で示される場合）には、レベル計測用電極対８７ｂを用いて計測されたレベル計測値８５４ｂに基づく信号を出力する。以下、図９、図１０を参照して詳述する。

　計測結果出力部８５３は、例えば、符号Ｃ１に示すように、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも高く、且つレベル計測値８５４ｂが下限レベルよりも高い場合（例えば、第１電極対８７ａおよび第２電極対８７ｂとドリップチャンバ５００内の液体７１０の液面７１１とが図１０Ａに示す位置関係にある場合）、レベル計測値８５４ｂを、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルの計測結果として出力する。ドリップチャンバ５００の液面のレベルが、危険レベルおよび下限レベルの双方よりも高い場合は、ドリップチャンバ５００に十分な量の液体が保持されていると考えられる。したがって、かかる場合には、計測結果出力部８５３は、レベル計測用電極対８７ｂを用いて計測されたレベル計測値８５４ｂに基づく信号として、「レベル計測値８５４ｂ」を出力する。

　計測結果出力部８５３は、符号Ｃ２に示すように、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも高く、且つレベル計測値８５４ｂが下限レベルよりも低い場合（第１電極対８７ａおよび第２電極対８７ｂとドリップチャンバ５００内の液体７１０の液面７１１とが図１０Ｂに示す位置関係にある場合）、警告信号（例えば、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルが下限レベルよりも低いことを示す信号）を出力する。警告信号は、以上の例示以外に、例えば、ドリップチャンバ５００内の液体の量が少ないことを示す信号でもよい。

　一方、計測結果出力部８５３は、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも低い場合（図９に符号Ｃ３、Ｃ４で示される場合）には、異常が検出されたことを示す信号を出力する。

　計測結果出力部８５３は、符号Ｃ３に示すように、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも低く、且つレベル計測値８５４ｂが下限レベルよりも高い場合には、計測結果出力部８５３は、第１異常検出信号を出力する。異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも低く、且つレベル計測値８５４ｂが下限レベルよりも高い場合とは、ドリップチャンバ５００内に必要な量の液体が存在しない（危険レベル未満）にも関わらず、十分な量の液体が存在する（下限値を上回る）、と判定されたような状況である。例えば、符号Ｃ３に示す場合としては、電極Ｔｂが故障している等の状況が挙げられる。また、符号Ｃ３に示す場合としては、ドリップチャンバ５００が収容部２４に適切に取り付けられていない（例えば、ドリップチャンバ５００が収容面２５に対して平行ではなく傾斜して取り付けられている）状況や、レベル計測機能を実現するための機能部（例えば、レベル計測用電極対８７ｂ、パルス生成部８５１ｂ、およびレベル計測部８５２ｂ）の少なくとも一つに不具合（故障）が発生している状況等が挙げられる。第１異常検出信号は、例えば、保持装置１に問題が発生していることを示す信号（問題発生信号）である。

　また、計測結果出力部８５３は、図９の符号Ｃ４に示す状態、すなわち、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも低く、且つレベル計測値８５４ｂが下限レベルよりも低い場合（例えば、第１電極対８７ａおよび第２電極対８７ｂとドリップチャンバ５００内の液体７１０の液面７１１とが図１０Ｃに示す位置関係にある場合）には、第１異常検出信号と異なる第２異常検出信号を出力する。ここで、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも低く、且つレベル計測値８５４ｂが下限レベルよりも低い場合としては、例えば、患者の生命や身体に危険がおよぶ可能性がある、緊急性が高い状況が挙げられる。第２異常検出信号は、例えば、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルが危険レベルよりも低いことを示す信号（危険信号）である。

　以上の構成によれば、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルよりも低い場合、レベル計測値８５４ｂと下限レベルとの比較に応じて、状況に適した異常検出信号（第１異常検出信号または第２異常検出信号）が計測結果出力部８５３によって出力される。具体的には、レベル計測値８５４ｂが、下限レベルより低い場合（患者の生命や身体に危険がおよぶ可能性があるような緊急性が高い場合）には第２異常検出信号（ドリップチャンバ５００の内容物のレベルが危険レベルよりも低いことを示す危険信号）が出力され、下限レベルよりも高い場合（ドリップチャンバ５００内の液体が危険レベル未満にも関わらず、十分な量の液体が存在する旨判定されたと考えられる場合）には第１異常検出信号（保持装置１に問題が発生していることを示す問題発生信号）が出力される。このように、以上の構成によれば、例えば、レベル計測用電極対８７ｂに不具合が生じていても、異常判定用計測値８５４ａに応じて、前者の場合（患者の生命や身体に危険が切迫した状況）には第２異常検出信号を出力し、後者の場合（電極Ｔｂや、計測機能を実現する機能部に不具合が生じたと考えられる場合）は第１異常検出信号を適切に出力する。これにより、計測精度が向上し、保持装置１の信頼性を向上させることが可能となる。

　次に、シールド部材７について説明する。
　シールド部材７は、レベルセンサ８への外部ノイズの影響を低減するためのものである。
　図１１Ａは、シールド部材７の斜視図である。図１１Ｂは、シールド部材７のｙ方向正側から見た平面図である。図１１Ｃは、シールド部材７のｚ方向正側から見た平面図である。

　図１１Ａ～１１Ｃに示すように、シールド部材７は、例えば、金属（例えば銅）から成る板部材を加工することによって構成されている。具体的に、シールド部材７は、開口７３ａ，７３ｂが形成された板状の底板部７０と、第１側板部７１と、第２側板部７２とを含む。底板部７０と第１側板部７１および第２側板部７２とは、上述したように同一の金属によって一体に形成されていてもよいし、別個の金属部材を接合することによって構成されていてもよい。

　底板部７０は、例えば平面視矩形状に形成されている。底板部７０に形成された開口７３ａは、異常判定用電極対８７ａに対応した開口面積を有し、底板部７０に形成された開口７３ｂは、レベル計測用電極対８７ｂに対応した開口面積を有する。例えば、開口７３ｂは、上述したベース部材２の凸部２１３の形状に対応した開口面積を有している。

　また、底板部７０には、シールド部材７をベース部材２に係止するための係止孔７４が形成されている。係止孔７４は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各係止孔７４は、ベース部材２の突起部２１４の外径に対応した内径を有する。

　第１側板部７１および第２側板部７２は、互いに対向して底板部７０から突出している。例えば、図１１Ａ～１１Ｃに示すように、第１側板部７１および第２側板部７２は、底板部７０の長手方向の２つの辺側から底板部７０の平面部分に垂直な方向（ｙ方向正側）にそれぞれ延在している。

　蓋部９は、図４に示すように、レベルセンサが形成された基板８００とシールド部材７とをベース部材２の内部空間２１０に固定して、内部空間２１０を開口２２（図１参照）と反対側（ｙ方向負側）から塞ぐものである。蓋部９は、平面視矩形状の板部材から成り、例えばベース部材２と同様の樹脂から構成されている。

　蓋部９には、コネクタ８９（図４参照）を蓋部９の外部に露出させるための開口９２が形成されている。また、蓋部９には、蓋部９をベース部材２に係止するための係止孔９１が形成されている。係止孔９１は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各係止孔９１は、ベース部材２の突起部２１４の係止孔２１４０に対応した内径を有する。

　固定部材１１は、図４に示すように、蓋部９をベース部材２に固定する部材であり、例えば、ねじである。

　次に、ベース部材２の内部空間２１０へのレベルセンサ８およびシールド部材７の収容方法について説明する。
　図１２Ａは、内部空間２１０にシールド部材７を収容した状態のベース部材２の断面斜視図である。図１２Ｂは、内部空間２１０に基板８００を収容した状態のベース部材２の断面斜視図である。

　先ず、シールド部材７をベース部材２の内部空間２１０に配置する。具体的には、図１２Ａに示すように、シールド部材７の第１側板部７１および第２側板部７２を内部空間２１０の溝空間２１２にそれぞれ挿入する。これにより、シールド部材７の底板部７０は、ベース部材２の底部２１Ｂにおける２つの溝空間２１２の間の領域に配置される。

　このとき、シールド部材７の底板部７０は、ベース部材２の凸部２１３が底板部７０の開口７３ｂから突出し、且つベース部材２の突起部２１４が対応するシールド部材７の係止孔７４からそれぞれ突出するように、底部２１Ｂに載置される。

　次に、図１２Ｂに示すように、ベース部材２の内部空間２１０に配置されたシールド部材７の底板部７０上に、レベルセンサ８の基板８００を、主面８０１とシールド部材７の底板部７０とを対向させて配置する。

　このとき、シールド部材７の開口７３ａ，７３ｂは、収容部２４と基板８００の主面８０１との間に位置している。具体的には、シールド部材７の開口７３ａは、収容空間２００側（開口２２側）から内部空間２１０側を見て（図１２Ｂのｙ方向の正側から負側をみて）、異常判定用電極対８７ａの少なくとも一部と重なるように位置している。また、シールド部材７の開口７３ｂは、収容空間２００側から内部空間２１０側を見て（図１２Ｂのｙ方向の正側から負側をみて）、レベル計測用電極対８７ｂの少なくとも一部と重なるように位置している。

　なお、コネクタ８９は、基板８００をベース部材２の内部空間２１０に収容する前に基板８００の裏面８０２に固定されていてもよいし、基板８００をベース部材２の内部空間２１０に収容した後に基板８００の裏面８０２に固定されてもよい。

　次に、蓋部９を、ベース部材２の内部空間２１０に配置された基板８００の上に配置し、固定部材１１によってベース部材２に固定する。具体的には、図４に示すように、ｙ方向負側から見て、蓋部９に形成された各係止孔９１が対応するベース部材２の突起部２１４の係止孔２１４０に重なり、且つコネクタ８９が蓋部９の開口９２から突出するように、蓋部９を基板８００上に配置する。その後、例えば固定部材１１としてのねじを、蓋部９の係止孔９１を通してベース部材２の係止孔２１４０に係止することにより、蓋部９をベース部材２に固定する。

　以上の工程により、基板８００およびシールド部材７をベース部材２の内部空間２１０に収容することができる。

　図１３は、保持装置１の斜視図である。同図では、ベース部材２の主面２１側（ｙ方向正側）から見たときのベース部材２が示され、一方の収容部２４および板状部材２０の一部の図示を省略している。

　図１３に示すように、ベース部材２の内部空間２１０において、シールド部材７の底板部７０の異常判定用電極対８７ａと対向する領域には開口７３ａが形成され、底板部７０のレベル計測用電極対８７ｂと対向する領域には開口７３ｂが形成されている。

　これによれば、保持装置１の収容部２４にドリップチャンバ５００を収容したとき、レベルセンサ８の異常判定用電極対８７ａおよびレベル計測用電極対８７ｂとドリップチャンバ５００との間には、シールド部材７を構成する金属が存在しないので、レベルセンサ８は、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルを正確に検出することができる。

　例えば、図１４Ａに示すように、レベル計測用電極対８７ｂの電極Ｔｂ，Ｒｂの周囲にシールド部材７を設けない構成では、対象物（例えば誘電体）６００が電極Ｔｂ，Ｒｂから離れた場所に存在する場合であっても、電極Ｔｂと電極Ｒｂとの間で発生している電気力線の一部が対象物６００に移り、レベルセンサ８の検出結果が変化するおそれがある。例えば、保持装置１の収容部２４の側面を人が触れたときや保持装置１の傍を人が通過したときに、レベルセンサ８の検出結果が変化するおそれがある。

　これに対し、本実施の形態に係る保持装置１によれば、図１４Ｂに示すように、レベル計測用電極対８７ｂの電極Ｔｂ，Ｒｂは、基板８００に対向する側を除いてシールド部材７によって囲まれている。これにより、対象物６００が電極Ｔｂ，Ｒｂから離れている場合には、シールド部材７によって電気力線の一部が対象物６００には移らない。一方、対象物６００が電極Ｔｂ，Ｒｂに近づいた場合、すなわちシールド部材７の開口７３ｂまで対象物６００が近づいた場合に、はじめて、電気力線の一部が対象物６００に移るようになる。これによれば、レベルセンサによる計測中に、例えば人がドリップチャンバ５００に触れた場合や人が保持装置１の傍を通過した場合であっても、レベルセンサ８の検出結果への影響を軽減することが可能となる。

　以上、実施の形態１に係る保持装置１は、チャンバ５００を収容可能な収容空間２００を画成する収容部２４を有し、収容部２４に背向する側に内部空間２１０が形成されたベース部材２と、内部空間２１０に配置され、収容部２４に収容されたチャンバ５００の内容物のレベルを計測するレベルセンサ８とを備えている。レベルセンサ８は、第１送信電極Ｔａおよび第１受信電極Ｒａを含む第１電極対（異常判定用電極対）８７ａと、第２送信電極Ｔｂおよび第２受信電極Ｒｂを含む第２電極対（レベル計測用電極対）８７ｂと、計測部８５と、を有している。計測部８５は、第１送信電極Ｔａと第１受信電極Ｒａとの間の静電容量の変化と、第２送信電極Ｔｂと第２受信電極Ｒｂとの間の静電容量の変化とに基づいて内容物のレベルを計測する。

　すなわち、保持装置１は、レベルセンサの検出部として、異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂの２組の電極対を有しているので、例えば、何れか一方の電極対に不具合が発生した場合であっても、他方の電極対を用いてドリップチャンバ５００内の液体のレベルを計測することが可能となる。これにより、レベルセンサの検出部としての電極対を一組だけ設ける場合に比べて、レベルセンサの計測精度が向上し、信頼性を向上させることが可能となる。

　また、実施の形態１に係る保持装置１において、第１電極対としての異常判定用電極対８７ａと第２電極対としてのレベル計測用電極対８７ｂとは、収容部２４が延在する方向（ｚ方向）に互いに離間して配置されている。

　これによれば、図７および図１３に示すように、ドリップチャンバ５００を収容部２４に適切に取り付けた場合、異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂとがドリップチャンバ５００のチャンバ本体５０１が延在する方向に沿って互いに離間して配置されるので、異なる２つの位置においてドリップチャンバ５００内の液体のレベルを計測することができる。そして、その２つの計測結果から推定されるドリップチャンバ５００内の液体の状態が、想定される通常の状態と矛盾しているか否かを判定することにより、保持装置１に異常が発生しているか否かを判定することが可能となる。

　このように、実施の形態１に係る保持装置１によれば、一方の電極対に不具合が発生した場合であっても他方の電極対を用いてドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測することが可能となり、且つ保持装置１の異常をも検出することが可能となるので、保持装置１の信頼性を向上させることが可能となる。

　また、実施の形態１に係る保持装置１において、計測部８５は、異常判定用電極対８７ａの第１送信電極Ｔａと第１受信電極Ｒａとの間の静電容量の変化に基づいて内容物のレベルを計測した第１計測値（異常判定用計測値）８５４ａと、レベル計測用電極対８７ｂの第２送信電極Ｔｂと第２受信電極Ｒｂとの間の静電容量の変化に基づいて内容物のレベルを計測した第２計測値（レベル計測値）８５４ｂとの組み合わせに基づいて、上記内容物の計測結果を出力する。

　これによれば、以下に示すように、保持装置１に異常が発生しているか否かを判定する異常判定機能を容易に実現することができる。
　例えば、図７等に示すように、異常判定用電極対８７ａが鉛直方向下側（ｚ方向負側）、レベル計測用電極対８７ｂが鉛直方向上側（ｚ方向正側）となるように保持装置１を設置し、その保持装置１の収容部２４に液体が導入されたドリップチャンバ５００を取り付けた状況を考える。

　この状況において、レベルセンサ８の計測部８５は、異常判定用計測値８５４ａが第１基準値（危険レベル）よりも大きい場合に、レベル計測値８５４ｂに基づく信号を出力し、異常判定用計測値８５４ａが第１基準値（危険レベル）よりも小さい場合に、異常が検出されたことを示す信号を出力する。
　これによれば、ドリップチャンバ５００内の液体のレベルが危険レベルより高い場合には、その液体のレベルの計測結果をユーザに通知し、液体のレベルが危険レベルより低下した場合には、ユーザに警報を発することができる。

　より具体的には、レベルセンサ８は、異常判定用電極対８７ａによって計測した異常判定用計測値８５４ａが第１基準値（危険レベル）よりも小さく、且つレベル計測用電極対８７ｂによって計測したレベル計測値８５４ｂが第２基準値（下限レベル（≧危険レベル））よりも小さい場合に、第２異常検出信号として、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルが危険レベルよりも低いことを示す信号（危険信号）を出力する。
　これによれば、ドリップチャンバ５００内の液体が極端に少ない危険な状況であることをユーザに通知することができる。

　一方、異常判定用電極対８７ａによって計測した異常判定用計測値８５４ａが第１基準値（危険レベル）よりも小さく、且つレベル計測用電極対８７ｂによって計測したレベル計測値８５４ｂが第２基準値（下限レベル（≧危険レベル））よりも大きい場合には、レベルセンサ８は、第１異常検出信号として、保持装置１に問題が発生していることを示す信号（問題発生信号）を出力する。
　これによれば、ドリップチャンバ５００内の液体が極端に少ない危険な状況とは別の危険な状況にあることをユーザに通知することができる。例えば、レベル計測用電極対８７ｂの故障により、ドリップチャンバ５００内の液体の量が危険レベルより低いにも関わらず、レベル計測値８５４ｂが危険レベルよりも大きい値を示している場合に、第１異常検出信号によって、保持装置１に異常が発生していることをユーザに通知することができる。これにより、血液透析システムにおいて、レベルセンサ８の一部分の故障等により、ドリップチャンバ５００内の液体の量が正確に計測できない場合であっても、患者の生命や身体に関わるような大きなトラブルの発生を防ぐことが可能となる。

　また、例えば、ドリップチャンバ５００が収容部２４に適切に取り付けられていない状態では、レベル計測値８５４ｂが下限レベル（≧危険レベル）より高い値を示しているにも関わらず、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルより低い値を示す場合がある。

　具体的には、図１５に示すように、ドリップチャンバ５００が収容面２５に対して傾斜して収容部２４に取り付けられた状況を考える。この状況において、ドリップチャンバ５００から近い位置にあるレベル計測用電極対８７ｂがドリップチャンバ５００内の液体７１０を検出することにより、レベル計測値８５４ｂが下限レベル（≧危険レベル）より高い値を示す一方で、ドリップチャンバ５００から遠い位置にある異常判定用電極対８７ａが液体７１０を検出しないことにより、異常判定用計測値８５４ａが危険レベルより低い値を示す場合がある。
　この場合にも、第１異常検出信号によって、保持装置１に異常が発生していることをユーザに通知することができるので、ドリップチャンバ５００の適切な取り付けをユーザに促すことが可能となる。

　また、実施の形態１に係る保持装置１において、異常判定用電極対８７ａの第１送信電極Ｔａおよび第１受信電極Ｒａと、レベル計測用電極対８７ｂの第２送信電極Ｔｂおよび第２受信電極Ｒｂとは、プリント基板等の基板８００に形成された金属薄膜によってそれぞれ構成されている。
　これによれば、レベルセンサ８の検出部としての電極対を複数組設けることによる製造コストの増加を抑えることが可能となる。したがって、実施の形態１に係る保持装置１によれば、製造コストを抑えつつ、信頼性を向上させることが可能となる。

　また、実施の形態１に係る保持装置１において、開口７３ａ，７３ｂを有するシールド部材７がベース部材２の内部空間２１０に収容部２４を覆うように配置されるとともに、開口７３ａが、収容空間２００側から内部空間２１０側を見て、第１電極対（異常判定用電極対）８７ａの少なくとも一部と重なるように形成され、開口７３ｂが、収容空間２００側から内部空間２１０側を見て、第２電極対（レベル計測用電極対）８７ｂの少なくとも一部と重なるように形成されている。

　これによれば、収容部２４にドリップチャンバ５００を取り付けた場合、異常判定用電極対８７ａおよびレベル計測用電極対８７ｂとドリップチャンバ５００とが対向する空間を除いて、異常判定用電極対８７ａおよびレベル計測用電極対８７ｂがシールド部材７によって囲まれるので、上述したように、レベルセンサ８近傍に存在する対象物のみを検知し、レベルセンサ８から離れた距離に有る対象物は検知しないようにすることが可能となる。これにより、収容部２４に取り付けられたドリップチャンバ５００の内容物のレベルをより正確に計測することが可能となるので、保持装置１の信頼性を更に向上させることが可能となる。

　≪実施の形態１の拡張≫
　以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態１に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

　例えば、上記実施の形態では、一つの収容部２４に対して、異常判定用電極対（第１電極対）８７ａを一組設ける場合を例示したが、異常判定用電極対８７ａを複数組設けてもよい。
　具体的には、図１６Ａ，１６Ｂに示すように、基板８００の主面８０１における一つの収容部２４に対応する領域に、２組の異常判定用電極対８７ａ＿１，８７ａ＿２を設けてもよい。図１６Ａには、異常判定用電極対８７ａ＿１と異常判定用電極対８７ａ＿２を、基板８００の主面８０１上の上下方向（ｚ方向）に並べて配置した場合が示され、図１６Ｂには、異常判定用電極対８７ａ＿１と異常判定用電極対８７ａ＿２を、基板８００の主面８０１上の左右方向（ｘ方向）に並べて配置した場合が示されている。

　図１６Ａ，１６Ｂに示すように２組の異常判定用電極対８７ａ＿１，８７ａ＿２を設けた場合、計測部８５は、電極Ｔａと電極Ｒａとの間の静電容量の変化を異常判定用電極対８７ａ＿１，８７ａ＿２毎に検出し、各異常判定用電極対８７ａ＿１，８７ａ＿２の検出結果に基づいて異常判定用計測値８５４ａを生成すればよい。

　例えば、レベル計測部８５２ａは、異常判定用電極対８７ａ＿１，８７ａ＿２から検出した信号に基づいて計測値８５４ａ＿１および計測値８５４ａ＿２をそれぞれ算出する。計測結果出力部８５３は、計測値８５４ａ＿１と第１基準値（危険レベル）と比較し、第１比較結果を生成するとともに、計測値８５４ａ＿２と第１基準値（危険レベル）と比較し、第２比較結果を生成する。そして、計測結果出力部８５３は、第１比較結果と第２比較結果の論理積または論理和を異常判定用計測値８５４ａとし、上述した図９における判定条件に用いる。

　このように、異常判定用電極対８７ａを複数組設けた構成では、何れか一つの異常判定用電極対８７ａが故障した場合であっても、他の異常判定用電極対８７ａで検出された信号を用いて異常判定を行うことができるので、保持装置１の信頼性を更に向上させることが可能となる。

　また、異常判定用電極対８７ａを３組以上設けた場合には、上述の異常判定用電極対８７ａを２組設けた場合と同様に、それぞれの異常判定用電極対８７ａに基づく計測値と第１基準値（危険レベル）との比較結果の論理積または論理和を演算し、その演算結果を異常判定用計測値８５４ａとしてもよい。あるいは、各異常判定用電極対８７ａに基づく比較結果の多数決をとり、過半数を超える比較結果を異常判定用計測値８５４ａとしてもよい。

　また、上記実施の形態では、異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂを同一の基板８００に形成する場合を例示したが、異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂとをそれぞれ別々の基板に形成してもよい。以下に具体例を示す。

　図１７Ａは、実施の形態１に係る保持装置１におけるレベルセンサのハードウェア構成の別の一例を示す図である。
　図１７Ａに示すレベルセンサ８Ａは、基板８００に加えて基板８００Ａを更に有する。
　基板８００Ａは、主面８０１Ａと、主面８０１Ａと背向する裏面８０２Ａとを含む。基板８００Ａの主面８０１Ａには、レベル計測用電極対８７ｂが形成されている。一方、基板８００の主面８０１には、異常判定用電極対８７ａが形成されている。

　基板８００は、ベース部材２の内部空間２１０において、主面８０１が収容部２４を向いた状態で配置される。一方、基板８００Ａは、ベース部材２の内部空間２１０において、主面８０１Ａが基板８００の主面８０１に対して傾斜し、且つ収容部２４を向いた状態で配置されている。例えば、基板８００Ａは、主面８０１Ａが基板８００の主面８０１と垂直、且つ主面８０１Ａが収容部２４を向くように、基板８００の主面８０１上に配置される。

　このとき、基板８００Ａに形成されたレベル計測用電極対８７ｂは、基板８００に形成された異常判定用電極対８７ａよりも上側（Ｚ方向正側）に配置される。

　上述の構成を有するレベルセンサ８Ａによれば、異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂを一つの基板８００に形成した場合と同様の効果が得られる。なお、以上の構成（図１７Ａ）をもとに、複数の異常判定用電極対８７（図１６Ａ，図１６Ｂの異常判定用電極対８７ａ＿１，８７ａ＿２）を設けた構成も、好適に採用され得る。

　図１７Ｂは、保持装置におけるレベルセンサのハードウェア構成の更に別の一例を示す図である。
　図１７Ｂに示すレベルセンサ８Ｂは、基板８００に加えて基板８００Ａ，基板８００Ｂを更に有する。基板８００Ａは、主面８０１Ａと、主面８０１Ａと背向する裏面８０２Ａとを含み、基板８００Ｂは、主面８０１Ｂと、主面８０１Ｂと背向する裏面８０２Ｂとを含む。

　基板８００の主面８０１には、異常判定用電極対８７ａとレベル計測用電極対８７ｂ＿１とが形成されている。また、基板８００Ａの主面８０１Ａには、レベル計測用電極対８７ｂ＿２が形成され、基板８００Ｂの主面８０１Ｂには、レベル計測用電極対８７ｂ＿３が形成されている。

　基板８００は、ベース部材２の内部空間２１０において、主面８０１が収容部２４を向いた状態で配置される。基板８００Ａは、ベース部材２の内部空間２１０において、主面８０１Ａが基板８００の主面８０１に対して傾斜し、且つ収容部２４を向いた状態で配置されている。例えば、基板８００Ａは、主面８０１Ａが基板８００の主面８０１と垂直、且つ主面８０１Ａが収容部２４を向いた状態で、基板８００の主面８０１上に配置される。

　基板８００Ｂは、基板８００Ａと同様に、ベース部材２の内部空間２１０において、主面８０１Ａが基板８００の主面８０１に対して傾斜し、且つ収容部２４を向いた状態で配置されている。例えば、基板８００Ｂは、主面８０１Ｂが基板８００の主面８０１と垂直、且つ主面８０１Ｂが基板８００Ａの主面８０１Ａと対向した状態で、基板８００の主面８０１上に配置される。

　このとき、レベル計測用電極対８７ｂ＿１～８７ｂ＿３は、異常判定用電極対８７ａよりも上側（Ｚ方向正側）に配置されている。

　上述した構成を有するレベルセンサ８Ｂによれば、ドリップチャンバ５００の内容物のレベルを複数方向から計測することができるので、保持装置１の信頼性を更に向上させることが可能となる。
　例えば、液体が、管５０４からチャンバ本体５０１のレベル計測用電極対８７ｂ＿１側の内壁面をつたって流れ込んでいる状況を考える。このような状況では、チャンバ本体５０１に十分な量の液体が溜まっていないにも関わらず、レベル計測用電極対８７ｂ＿１によって検出された計測値が下限レベルよりも高い数値を示すおそれがある。この場合に、レベル計測用電極対８７ｂ＿１のみを用いると、正確なレベル計測を行うことができない。

　これに対し、図１７Ｂに示すレベルセンサ８Ｂによれば、互いに異なる方向を向いて配置された複数のレベル計測用電極対８７ｂ＿１，８７ｂ＿２，８７ｂ＿３を用いて、チャンバ本体５０１内の液体のレベルを複数方向から計測することができる。これにより、上述したように、一組のレベル計測用電極対８７ｂ＿１では正確な計測ができない場合であっても、その他のレベル計測用電極対８７ｂ＿２，８７ｂ＿３を用いることで、正確な計測を行うことが可能となる。
　したがって、図１７Ｂに示すレベルセンサ８Ｂによれば、レベル計測用電極対８７ｂを一組設ける場合に比べて、保持装置１の信頼性を更に向上させることが可能となる。

　なお、この場合、シールド部材７は、各レベル計測用電極対８７ｂ＿１～８７ｂ＿３に対応する複数の開口７３ｂを適切な位置に有している。

　なお、図１７Ｂでは、基板８００、基板８００Ａ、および基板８００Ｂに、レベル計測用電極対８７ｂをそれぞれ形成する場合を例示したが、基板８００、基板８００Ａ、および基板８００Ｂの少なくとも２つの基板に、レベル計測用電極対８７ｂを形成した構成としてもよい。

　例えば、基板８００の主面８０１と基板８００Ａの主面８０１Ａに、レベル計測用電極対８７ｂ＿１とレベル計測用電極対８７ｂ＿２をそれぞれ形成してもよいし、基板８００Ａの主面８０１Ａと基板８００Ｂの主面８０１Ｂに、レベル計測用電極対８７ｂ＿１とレベル計測用電極対８７ｂ＿２をそれぞれ形成してもよい。

　また、上記実施の形態において、保持部材３によってドリップチャンバ５００を保持する保持機構を例示したが、ドリップチャンバ５００を収容空間２００に保持することができれば、別の構成を有する保持機構であってもよい。

　また、上記実施の形態において、第１送信電極Ｔａ，第１受信電極Ｒａ，第２送信電極Ｔｂ、第２受信電極Ｒｂとしての金属薄膜のパターン形状は、上述の例に限定されるものではなく、その目的を達成することができるのであれば、種々のパターン形状を採用することができる。

　また、上記実施の形態では、レベルセンサ８を構成する計測部８５が一つの半導体集積回路によって実現される場合を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、計測部８５を構成するマイクロプロセッサと、その周辺のアナログ信号を処理する回路とを別々の半導体集積回路によって実現してもよいし、複数のディスクリート部品等を組み合わせて実現してもよい。また、計測部８５としての半導体集積回路は、基板８００の主面８０１に配置されていてもよいし、レベルセンサ８を構成する一部の回路が主面８０１に配置され、残りの回路が裏面８０２に配置されて、主面８０１と裏面８０２を貫通する貫通配線（ビア）によって互いに電気的に接続されるように構成されていてもよい。

　また、上記実施の形態では、ベース部材２の内部空間２１０に収容部２４を覆うようにシールド部材７を配置する場合を例示したが、外部ノイズの影響が無視できる場合には、保持装置１においてシールド部材７を設けなくてもよい。

　≪実施の形態２≫
　図１８は、実施の形態２に係る保持装置の主面側から見た分解斜視図である。
　図１９は、実施の形態２に係る保持装置１Ｃの蓋部９側から見た分解斜視図である。
　図１８および図１９に示すように、保持装置１Ｃは、ドリップチャンバ５００内の液体の液面の高さを検出するための構成要素として、ベース部材２、シールド部材７Ｃ、レベルセンサ８Ｃ（基板ユニット８０）、蓋部９、および固定部材１１を備えている。

　レベルセンサ８Ｃは、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物の高さ（レベル）を検出する。レベルセンサ８Ｃは、例えば相互容量方式の静電容量型のレベルセンサである。

　図２０Ａ，図２０Ｂ，図２０Ｃ，および図２０Ｄは、レベルセンサ８Ｃのハードウェア構成を示す図である。
　図２０Ａには、レベルセンサ８Ｃを構成する基板ユニット８０の斜視図が示され、図２０Ｂには、基板ユニット８０のｙ方向正側から見た平面図が示され、図２０Ｃには、基板ユニット８０のｙ方向負側から見た平面図が示され、図２０Ｄには、基板ユニット８０の分解斜視図が示されている。

　図２０Ａ～２０Ｄに示すように、レベルセンサ８Ｃは、第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、第２送信電極Ｔ２、第２受信電極Ｒ２、および計測部８５が、基板ユニット８０に搭載されることによって実現される。

　なお、図２０Ａ～２０Ｄでは、レベルセンサ８Ｃを構成する構成要素のうち第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、第２送信電極Ｔ２、第２受信電極Ｒ２、および計測部８５等の一部の構成要素が図示され、各電極と計測部８５とを接続する配線パターン等のその他の構成要素については、図示を省略している。

　また、以下の説明では、第１送信電極Ｔ１および第２送信電極Ｔ２を「電極Ｔ１，Ｔ２」と、第１受信電極Ｒ１および第２受信電極Ｒ２を「電極Ｒ１，Ｒ２」と、それぞれ称する場合がある。

　図２０Ａ～２０Ｄに示すように、基板ユニット８０は、一つのメイン基板８１０と複数のサブ基板８２０，８３０とを含む。メイン基板８１０およびサブ基板８２０、８３０は、例えばプリント基板である。

　メイン基板（第１基板）８１０は、電極Ｔ１，Ｒ１が形成された主面８１１と、主面８１１に背向する裏面８１２とを有する。サブ基板（第２基板）８２０は、電極Ｔ２が形成された主面８２１と、主面８２１に背向する裏面８２２とを有する。サブ基板（第３基板）８３０は、電極Ｒ２が形成された主面８３１と、主面８３１に背向する裏面８３２とを有する。

　レベルセンサ８Ｃは、電極Ｔ１、電極Ｒ１、電極Ｔ２、電極Ｒ２および計測部８５Ｃを収容部２４毎に有しており、それぞれの収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを個別に計測することが可能となっている。

　例えば、図２０Ａ～２０Ｄに示すように、保持装置１Ｃにおける一方（ｘ方向正側）の収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測するために、メイン基板８１０のｘ方向正側に、電極Ｔ１および電極Ｒ１が形成され、且つ電極Ｔ２が形成されたサブ基板８２０と電極Ｒ２が形成されたサブ基板８３０とが設けられている。また、保持装置１Ｃにおける他方（ｘ方向負側）の収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測するために、メイン基板８１０のｘ方向負側に、電極Ｔ１および電極Ｒ１が形成され、且つ電極Ｔ２が形成されたサブ基板８２０と電極Ｒ２が形成されたサブ基板８３０とが設けられている。

　メイン基板８１０およびサブ基板８２０，８３０は、例えばプリント基板である。図２０Ａ～２０Ｄに示すように、メイン基板８１０は、電極Ｔ１，Ｒ１が形成された主面８１１と、主面８１１に背向する裏面８１２とを有する。サブ基板８２０は、電極Ｔ２が形成された主面８２１と、主面８２１に背向する裏面８２２とを有する。サブ基板８３０は、電極Ｒ２が形成された主面８３１と、主面８３１に背向する裏面８３２とを有する。

　電極Ｔ１，Ｒ１，Ｔ２，およびＲ２は、例えば、公知のプリント基板作製技術によってプリント基板上に形成された金属の膜（金属薄膜）によって構成されている。上記金属としては、銅、アルミ、および金等を主成分とする金属を例示することができる。

　電極Ｔ１および電極Ｒ１は、内部空間２１０において、蓋部９側ではなく、収容部２４側（ｙ方向正側）を向いて配置される。また、電極Ｔ２は、内部空間２１０において、電極Ｔ１，Ｒ１と異なる方向から収容部２４側を向いて（ｘ方向正側を向いて）配置される。電極Ｒ２は、電極Ｔ１、電極Ｒ１、および電極Ｔ２と異なる方向から収容部２４側を向いて（ｘ方向負側を向いて）配置されている。

　サブ基板８２０，８３０は、メイン基板８１０と直交するように配置される。例えば、メイン基板８１０の主面８１１がｘ－ｚ平面と平行に配置された場合、サブ基板８２０，８３０の主面８２１，８３１がｙ－ｚ平面と平行に配置される。

　具体的には、図２０Ｄに示すように、サブ基板８２０に形成された突起部８２５をメイン基板８１０に形成された溝部８１５に係合し、サブ基板８３０に形成された突起部８３６をメイン基板８１０に形成された溝部８１６に係合することにより、サブ基板８２０，８３０のそれぞれの主面８２１，８３１がメイン基板８１０の主面８１１と直交するように配置される。これにより、サブ基板８２０に形成された電極Ｔ２とサブ基板８３０に形成された電極Ｒ２とが、収容空間２００を挟んで、互いに対向して配置される。

　図２１は、実施の形態２に係る保持装置１Ｃの送信電極および受信電極を示す図である。
　同図には、保持装置１Ｃが備える基板ユニット８０の一部が図示されている。具体的には、メイン基板８１０の主面８１１における第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が形成された一部の領域が示され、主面８２１側から見たサブ基板８２０が示され、主面８３１側から見たサブ基板８３０が示されている。

　なお、図２１では、理解を容易にするために、送信電極および受信電極をハッチングを付して図示している。

　図２１に示すように、メイン基板８１０の電極Ｔ１は、主面８１１上において、例えば電極Ｒ１を囲む態様で配置されている。電極Ｒ１を構成する各金属薄膜は、例えば、主面８１１と裏面８１２とを貫通する貫通配線（ビア）によって互いに電気的に接続されている。

　サブ基板８２０の主面８２１には、電極Ｔ２が形成されている。電極Ｔ２は、表面積ができるだけ大きくなるように、主面８２１の全面に渡って形成することが好ましい。例えば、図２１に示すように、電極Ｔ２は、べたパターンの金属薄膜によって形成することが好ましい。

　サブ基板８３０の主面８３１には、電極Ｒ２が形成されている。電極Ｒ２は、表面積が大きくなるように、主面８３１の全面に渡って形成することが好ましい。ただし、電極Ｒ２は、単なるべたパターンではなく、スリット８３３が形成されたパターンによって形成することが好ましい。例えば、図２１に示すように、櫛状のパターンの金属薄膜によって電極Ｒ２を形成することで、電極Ｒ２を構成する金属薄膜間に適宜スリット８３３を設けることが好ましい。

　なお、スリット８３３の形状、数、および位置等は、図２１に示す例に限定されず、適宜変更可能である。

　このように電極Ｔ２，Ｒ２を形成することにより、互いに対向配置される電極Ｔ２，Ｒ２において、電極Ｒ２を構成する金属薄膜のパターンの総面積は、電極Ｔ２の金属薄膜のパターンの総面積よりも小さくなる。

　計測部８５Ｃは、複数の送信電極と複数の受信電極との間の電気力線の変化に基づいてドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測する。具体的に、実施の形態２において、計測部８５Ｃは、送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間の静電容量の変化に基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測する。

　計測部８５Ｃは、ハードウェア資源として、マイクロプロセッサや各種メモリから成るプログラム処理装置、アナログ／デジタル変換回路（ＡＤＣ）、デジタル／アナログ変換回路（ＤＡＣ）、パルス等の周期信号を生成する信号生成回路、および各種信号処理回路等を含んで構成されている。
　例えば、計測部８５Ｃは、上述した計測部８５と同様に、マイクロコントローラ（ＭＣＵ）であって、少なくとも一つの半導体チップが一つのパッケージに収容された半導体集積回路（ＩＣ）として実現されている。以下の説明では、計測部８５Ｃを「半導体集積回路８５Ｃ」と表記する場合がある。

　なお、左側の収容部２４に対応する計測部８５Ｃと右側の収容部２４に対応する計測部８５Ｃは、それぞれ個別の半導体集積回路によって実現してもよいし、同一の半導体集積回路によって実現してもよく、メイン基板８１０上に配置される計測部８５Ｃの実施形態は特に制限されない。本実施の形態では、一例として、左右の収容部２４にそれぞれ対応する２つの計測部８５Ｃが一つのパッケージに収められた半導体集積回路によって実現されているものとして説明する。

　図２０Ａ～２０Ｄに示すように、半導体集積回路８５Ｃは、例えばメイン基板８１０の裏面８１２に配置されている。半導体集積回路８５Ｃは、図示されない金属薄膜から成る配線パターンおよび貫通配線（ビア）によって、電極Ｔ１，Ｔ２，Ｒ１，Ｒ２とそれぞれ接続されている。

　また、図２０Ａ～２０Ｄでは図示を省略しているが、メイン基板８１０の裏面８１２には、レベルセンサ８Ｃと外部機器とを電気的に接続するためのコネクタ８９（図１９参照）が接続されている。

　図２０Ａ～２０Ｄに示すように、メイン基板８１０には、基板ユニット８０をベース部材２に位置決めするための切り欠き部８６０が少なくとも１つ形成されている。切り欠き部８６０は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各切り欠き部８６０は、ベース部材２の突起部２１４（図５Ｂ参照）の外径に対応した形状を有する。

　なお、基板ユニット８０には、レベルセンサ８Ｃとしての機能を実現するための構成要素の他に、レベルセンサ８Ｃと外部機器と通信を行うためのインターフェース回路やその他の周辺回路が形成されていてもよい。

　次に、レベルセンサ８Ｃの機能について説明する。
　図２２は、レベルセンサ８Ｃの機能ブロックの構成を示す図である。
　同図に示すように、レベルセンサ８Ｃは、電極Ｔ１，Ｒ１，Ｔ２，およびＴ２と、計測部８５Ｃとを有する。

　計測部８５Ｃは、機能ブロックとして、制御部８７０、パルス生成部８７１ａ，８７１ｂ、信号受信部８７２ａ，８７２ｂ、およびレベル計測部８７３を含む。これらの機能ブロックは、計測部８５Ｃを構成するハードウェア資源としての上記プログラム処理装置が上記各種メモリに記憶されたプログラムに従って各種演算を実行することにより実現される。

　制御部８７０は、計測部８５Ｃ全体の統括的な制御を行う機能部である。

　パルス生成部８７１ａ，８７１ｂは、周期信号（例えばパルス）を生成する信号生成回路を含んで構成されている。パルス生成部８７１ａは、制御部８７０からの制御に基づいてパルスを生成し、生成したパルスを電極Ｔ１に印加する。同様に、パルス生成部８７１ｂは、制御部８７０からの制御に基づいてパルスを生成し、生成したパルスを電極Ｔ２に印加する。

　なお、図２２では、パルス生成部８７１ａ，８７１ｂをそれぞれ別個に設ける場合を例示しているが、これに限られない。例えば、電極Ｔ１と電極Ｔ２に同一のパルスを印加する場合には、共通のパルス生成部を設け、その共通のパルス生成部から電極Ｔ１と電極Ｔ２にそれぞれ共通のパルスを印加するようにしてもよい。

　これにより、送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間に発生した電気力線（電界）の変化、すなわち送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間の静電容量の変化に応じた信号が、電極Ｒ１，Ｒ２からそれぞれ出力される。

　信号受信部８７２ａは、電極Ｒ１から出力された信号を検知する機能部であり、信号受信部８７２ｂは、電極Ｒ２から出力された信号を検知する機能部である。

　レベル計測部８７３は、信号受信部８７２ａ，８７２ｂによってそれぞれ受信した信号に基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測する機能部である。例えば、レベル計測部８７３は、電極Ｒ１，Ｒ２からそれぞれ出力された信号のレベル（電圧）を予め設定された少なくとも一つの閾値と比較することにより、ドリップチャンバ５００内の液体の液面のレベルを判定し、その判定結果を計測値として出力する。

　ここで、レベル計測部８７３において設定される上記閾値は、ドリップチャンバ５００内の内容物のレベルを計測する“目盛”に対応する値である。予め、上記閾値を複数用意しておくことにより、レベルセンサ８によるレベル計測の分解能が高くなり、レベル計測の精度を上げることが可能となる。

　レベル計測部８７３から出力された計測結果は、上述した血液透析システム内の上位の制御装置等に送信される。

　次に、シールド部材７Ｃについて説明する。
　シールド部材７Ｃは、レベルセンサ８Ｃへの外部ノイズの影響を低減するためのものである。
　図２３Ａは、シールド部材７Ｃの斜視図である。図２３Ｂは、シールド部材７Ｃのｙ方向正側から見た平面図である。図２３Ｃは、シールド部材７Ｃのｚ方向正側から見た平面図である。

　図２３Ａ～２３Ｃに示すように、シールド部材７Ｃは、例えば、金属（例えば銅）から成る板部材を加工することによって構成されている。具体的に、シールド部材７Ｃは、開口７３が形成された板状の底板部７０と、第１側板部７１と、第２側板部７２とを含む。底板部７０と第１側板部７１および第２側板部７２とは、上述したように同一の金属によって一体に形成されていてもよいし、別個の金属部材を接合することによって構成されていてもよい。

　底板部７０は、例えば平面視矩形状に形成されている。底板部７０に形成された開口７３は、電極Ｔ１および電極Ｒ１が形成された領域に対応した開口面積を有する。例えば、開口７３は、上述したベース部材２の凸部２１３の形状に対応した開口面積を有している。

　また、底板部７０には、シールド部材７Ｃをベース部材２に係止するための係止孔７４が形成されている。係止孔７４は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各係止孔７４は、ベース部材２の突起部２１４の外径に対応した内径を有する。

　第１側板部７１および第２側板部７２は、互いに対向して底板部７０から突出している。例えば、図２３Ａ～２３Ｃに示すように、第１側板部７１および第２側板部７２は、底板部７０の長手方向の２つの辺側から底板部７０の平面部分に垂直な方向（ｙ方向正側）にそれぞれ延在している。

　次に、図１９と図２４Ａ，２４Ｂを用いて、ベース部材２の内部空間２１０へのレベルセンサ８Ｃおよびシールド部材７Ｃの収容方法について説明する。
　図２４Ａは、内部空間２１０にシールド部材７Ｃを収容した状態のベース部材２の断面斜視図である。図２４Ｂは、内部空間２１０に基板ユニット８０を収容した状態のベース部材２の断面斜視図である。

　先ず、シールド部材７Ｃをベース部材２の内部空間２１０に配置する。具体的には、図２４Ａに示すように、シールド部材７Ｃの第１側板部７１および第２側板部７２を内部空間２１０の溝空間２１２にそれぞれ挿入する。これにより、シールド部材７Ｃの底板部７０は、ベース部材２の底部２１Ｂにおける２つの溝空間２１２の間の領域に配置される。

　このとき、シールド部材７Ｃの底板部７０は、ベース部材２の凸部２１３が底板部７０の開口７３から突出し、且つベース部材２の突起部２１４が対応するシールド部材７の係止孔７４からそれぞれ突出するように、底部２１Ｂに載置される。

　次に、図２４Ｂに示すように、ベース部材２の内部空間２１０に配置されたシールド部材７Ｃの底板部７０上に、レベルセンサ８Ｃの基板ユニット８０を、メイン基板８１０の主面８１１とシールド部材７Ｃの底板部７０とを対向させて配置する。

　このとき、シールド部材７Ｃの開口７３は、収容部２４とメイン基板８１０の主面８１１との間に位置している。具体的には、シールド部材７Ｃの開口７３は、収容空間２００側から内部空間２１０側を見て（図２４Ｂのｙ方向の正側から負側をみて）、電極Ｔ１，Ｒ１が形成された領域の少なくとも一部と重なるように位置している。

　サブ基板８２０，８３０は、溝空間２１２にそれぞれ配置される。
　具体的には、図２４Ｂに示すように、サブ基板８２０は、ｘ方向負側の溝空間２１２において、電極Ｔ２が形成された主面８２１が収容部２４の内壁２１２０Ａと対面するように、シールド部材７Ｃの第１側板部７１と収容部２４の内壁２１２０Ａとの間に設けられる。

　また、図２４Ｂに示すように、サブ基板８３０は、ｘ方向正側の溝空間２１２において、電極Ｒ２が形成された主面８３１が収容部２４の内壁２１２０Ｂと対面するように、シールド部材７Ｃの第２側板部７２と収容部２４の内壁２１２０Ｂとの間に設けられる。

　なお、コネクタ８９（図４参照）は、基板ユニット８０をベース部材２の内部空間２１０に収容する前にメイン基板８１０の裏面８１２に固定されていてもよいし、メイン基板８１０をベース部材２の内部空間２１０に収容した後にメイン基板８１０の裏面８１２に固定されてもよい。

　次に、図１９に示すように、蓋部９を、ベース部材２の内部空間２１０に配置されたメイン基板８１０の上に配置し、固定部材１１によってベース部材２に固定する。

　蓋部９は、レベルセンサが形成された基板ユニット８０とシールド部材７Ｃとをベース部材２の内部空間２１０に固定して、内部空間２１０を開口２２（図９参照）と反対側（ｙ方向負側）から塞ぐ。

　具体的には、図１９に示すように、ｙ方向負側から見て、蓋部９に形成された各係止孔９１が対応するベース部材２の突起部２１４の係止孔２１４０に重なり、且つコネクタ８９が蓋部９の開口９２から突出するように、蓋部９をメイン基板８１０上に配置する。その後、例えば固定部材１１としてのねじを、蓋部９の係止孔９１を通してベース部材２の係止孔２１４０に係止することにより、蓋部９をベース部材２に固定する。

　以上の工程により、基板ユニット８０およびシールド部材７Ｃをベース部材２の内部空間２１０に収容することができる。

　図２５は、実施の形態２に係る保持装置１Ｃの斜視図である。
　同図では、ベース部材２の主面２１側（ｙ方向正側）から見たときのベース部材２が示され、一方の収容部２４および板状部材２０の一部の図示を省略している。

　図２６は、実施の形態２に係る保持装置１Ｃにおける送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間に発生する電界を模式的に示す図である。
　図２７は、実施の形態２に係る保持装置１Ｃの比較例として、メイン基板８１０にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置１Ｘにおける送信電極と受信電極間に発生する電界を模式的に示す図である。

　図２７に示すように、メイン基板８１０にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置１Ｘにおいて、送信電極と受信電極との間に発生する電気力線は、ドリップチャンバ５００のメイン基板８１０側に集中する。そのため、保持装置１Ｘでは、メイン基板８１０から離れる程、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度が低下する。

　これに対し、実施の形態２に係る保持装置１Ｃでは、図２５に示すように、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００を囲むように送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２が配置される。これにより、図２６に示すように、保持装置１Ｃにおいて電極Ｔ１と電極Ｒ１との間に発生する電気力線に加えて、電極Ｔ２と電極Ｒ２との間にも電気力線が発生する。すなわち、保持装置１Ｃによれば、ドリップチャンバ５００を横切る電気力線が発生するので、ドリップチャンバ５００全体を検出可能範囲とすることができ、上述した比較例の保持装置１Ｘに比べて、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。

　図２８は、実施の形態２に係る保持装置１Ｃの実験結果を示す図である。
　同図には、保持装置１Ｃで保持したドリップチャンバ５００の内容物の量を、空の状態（ＥＭＰＴＹ）から最大値（ＦＵＬＬ）まで増加させた後に、再び空の状態（ＥＭＰＴＹ）まで変化させたときの、受信電極で検出された電界の強さの変化を示す実験結果が示されている。

　同図において、横軸はドリップチャンバ５００の内容物のレベルの変化を表し、縦軸は、電界の強さの初期値を０（ゼロ）としたときの電界の強さの変化の割合を表している。同図において、参照符号６０１は、受信電極Ｒ１によって検出した電界の強さの変化を表し、参照符号６０２は、受信電極Ｒ２によって検出した電界の強さの変化を表している。また、参照符号６０３は、比較例として、メイン基板８１０にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置１Ｘにおける受信電極で検出した電界の強さの変化を表している。

　図２８に示すように、実施の形態２に係る保持装置１Ｃでは、比較例に係る保持装置１Ｘと比べて、ドリップチャンバ５００の内容物の変化に対して、電極Ｒ１，Ｒ２で検出される電界の強さが大きく変化する。このことから理解されるように、実施の形態２に係る保持装置１Ｃによれば、保持装置１Ｘに比べて、保持したドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。

　また、図２５に示すように、保持装置１Ｃの内部空間２１０において、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２は、シールド部材７Ｃによって外側から覆われる。
　これによれば、例えば、保持装置１Ｃの収容部２４の側面を人が触れたときや保持装置１Ｃの傍を人が通過した場合であっても、送信電極から発生した電気力線の一部が人に移ることを防止することが可能となる。これにより、保持したドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を更に向上させることが可能となる。

　以上、実施の形態２に係る保持装置１Ｃにおいて、静電容量型のレベルセンサ８Ｃは、第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、第２送信電極Ｔ２、および第２受信電極Ｒ２を備えている。図２５等に示すように、第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１は、収容部２４側を向いて配置され、第２送信電極Ｔ２は、第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１と異なる方向から収容部２４側を向いて配置され、第２受信電極Ｒ２は、第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、および第２送信電極Ｔ２と異なる方向から収容部２４側を向いて配置されている。

　これによれば、上述したように、保持装置１において電極Ｔ１，Ｔ２と電極Ｒ１，Ｒ２との間に発生する電気力線がドリップチャンバ５００の内側全体を通過するので、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。

　また、保持装置１Ｃにおいて、第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が第１基板としてのメイン基板８１０に形成され、第２送信電極Ｔ２が第２基板としてのサブ基板８２０に形成され、第２受信電極Ｒ２が第３基板としてのサブ基板８３０に形成されている。これによれば、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２をドリップチャンバ５００を囲むように配置することが容易となる。

　また、保持装置１Ｃにおいて、第２送信電極Ｔ２と第２受信電極Ｒ２とは収容空間２００を挟んで互いに対向して配置されている。これによれば、第２送信電極Ｔ２から第２受信電極Ｒ２に向かう電気力線が収容空間２００に配置されたドリップチャンバ５００を確実に通過するので、レベルセンサ８の検出精度を確実に向上させることが可能となる。

　また、サブ基板８２０，８３０をメイン基板８１０と直交するように配置することにより、収容空間２００を挟んで第２送信電極Ｔ２と第２受信電極Ｒ２とを対向配置することが容易となる。

　更に、保持装置１Ｃは、内部空間２１０において収容部２４を覆うように配置されたシールド部材７Ｃを備え、シールド部材７Ｃの開口７３は、収容空間２００側から内部空間２１０側を見て、第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１の少なくとも一部と重なるように形成されている。
　これによれば、上述したように、レベルセンサ８Ｃが外乱の影響を受け難くなるので、保持したドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を更に向上させることが可能となる。

　≪実施の形態３≫
　実施の形態２において、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２を構成する金属薄膜のパターン形状や送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２の面積比等は、レベルセンサ８として要求される検出精度に応じて変更してもよい。以下に一例を示す。

　図２９は、実施の形態３に係る保持装置１Ｄの送信電極および受信電極を示す図である。
　同図には、保持装置１Ｄが備えるレベルセンサ８Ｄの基板ユニット８０Ｄの一部が図示されている。具体的に、メイン基板８１０の主面８１１における第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が形成された一部の領域が示され、主面８２１側から見たサブ基板８２０が示され、主面８３１側から見たサブ基板８３０が示されている。

　なお、図２９では、理解を容易にするために、送信電極および受信電極をハッチングを付して図示している。

　図３０は、図２９に示した送信電極および受信電極を有する保持装置１Ｄの実験結果を示す図である。
　同図には、図２８と同様の実験を行ったときの特性が示されている。図３０において、参照符号７０１は、受信電極Ｒ１によって検出した電界の強さの変化を表し、参照符号７０２は、受信電極Ｒ２によって検出した電界の強さの変化を表している。

　図２９に示すように、メイン基板８１０の送信電極Ｔ１の表面積が受信電極Ｒ１の表面積よりも十分に大きくなるように送信電極Ｔ１および受信電極Ｒ１を形成した場合、図３０に示すように、受信電極Ｒ１よりも受信電極Ｒ２の方が電界の受信感度が高くなる。

　このように、各電極を構成する金属薄膜のパターンを適宜変更することにより、電界の検出感度を調整することができるので、所望の特性を有するレベルセンサ８を実現することが可能となる。

　≪実施の形態４≫
　上記実施の形態では、サブ基板８２０，８３０に送信電極および受信電極の何れか一方を形成する場合を例示したが、これに限られず、サブ基板８２０，８３０に送信電極および受信電極の双方を夫々形成してもよい。以下に一例を示す。

　図３１は、実施の形態４に係る保持装置１Ｅの送信電極および受信電極を示す図である。
　同図には、保持装置１Ｅが備えるレベルセンサ８Ｅの基板ユニット８０Ｅの一部が図示されている。具体的に、メイン基板８１０の主面８１１における第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が形成された一部の領域が示され、主面８２１側から見たサブ基板８２０が示され、主面８３１側から見たサブ基板８３０が示されている。

　なお、図３１では、理解を容易にするために、送信電極および受信電極をハッチングを付して図示している。

　図３２は、図３１に示した送信電極Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３と受信電極Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３との間に発生する電界を模式的に示す図である。

　図３１に示すように、サブ基板８２０に第２送信電極Ｔ２および第３受信電極Ｒ３を形成し、サブ基板８３０に第２送信電極Ｔ２および第３受信電極Ｒ３を形成する。これによれば、図３２に示すように、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００のメイン基板８１０側のみならず、サブ基板８２０，８３０側にも電気力線が通過するので、上述した比較例の保持装置１Ｘに比べて、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。

　ただし、電界は、互いに近くに配置された送信電極および受信電極間で生じる傾向があるため、サブ基板８２０，８３０に送信電極および受信電極をそれぞれ形成した場合、上述した図３１に示した電極配置例に比べて、ドリップチャンバ５００を横切るような電気力線（図２６参照）は少なくなると考えられる。

　≪実施の形態２乃至４の拡張≫
　以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態２乃至４に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

　例えば、上記実施の形態では、基板ユニット８０がメイン基板８１０と２つのサブ基板８２０，８３０によって実現される場合を例示したが、これに限られない。例えば、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２を形成した一つのフレキシブル基板を内部空間２１０において収容空間２００を囲むように配置してもよい。

　ただし、この場合には、計測中にフレキシブル基板が変形または移動しないように、内部空間２１０に確実に固定しておく必要がある。

　また、上記実施の形態において、各送信電極および受信電極を構成する金属薄膜のパターンの形状は、上述の例に限定されるものではなく、その目的を達成することができるのであれば、種々の形状を採用することができる。

　また、上記実施の形態では、レベルセンサ８Ｃ，８Ｄ，８Ｅを構成する計測部８５Ｃが一つの半導体集積回路によって実現される場合を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、計測部８５Ｃを構成するマイクロプロセッサと、その周辺のアナログ信号を処理する回路とを別々の半導体集積回路によって実現してもよいし、複数のディスクリート部品等を組み合わせて実現してもよい。また、計測部８５Ｃとしての半導体集積回路は、メイン基板８１０の主面８１１に配置されていてもよいし、レベルセンサ８Ｃを構成する一部の回路が主面８１１に配置され、残りの回路が裏面８１２に配置されて、主面８１１と裏面８１２を貫通する貫通配線（ビア）によって互いに電気的に接続されるように構成されていてもよい。

　また、上記実施の形態では、ベース部材２の内部空間２１０に収容部２４を覆うようにシールド部材７Ｃを配置する場合を例示したが、外部ノイズの影響が無視できる場合には、シールド部材７Ｃを設けなくてもよい。

　１，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…保持装置、２…ベース部材、３…保持部材、４，１１…固定部材、７，７Ｃ…シールド部材、８，８Ａ～８Ｅ…レベルセンサ、９…蓋部、２０…板状部材、２１…主面、２１Ｂ…底部、２１Ｃ…側壁部、２２…開口、２４…収容部、２５…収容面、２７Ａ，２７Ｂ…突出部、７０…底板部、７１…第１側板部、７２…第２側板部、７３，７３ａ，７３ｂ…開口、８０，８０Ｄ，８０Ｅ…基板ユニット、８００，８００Ａ，８００Ｂ…基板、８０１，８０１Ａ，８０１Ｂ…主面、８０２，８０２Ａ，８０２Ｂ…裏面、８５，８５Ｃ…計測部（半導体集積回路）、８７ｂ，８７ｂ＿１，８７ｂ＿２，８７ｂ＿３…第２電極対（レベル計測用電極対）、８５０，８７０…制御部、８５１ａ，８５１ｂ，８７１ａ，８７１ｂ…パルス生成部、８５２ａ，８５２ｂ，８７３…レベル計測部、８５３…計測結果出力部、８５４ａ…第１計測値（異常判定用計測値）、８５４ｂ…第２計測値（レベル計測値）、８７２ａ，８７２ｂ…信号受信部、８７ａ，８７ａ＿１，８７ａ＿２…第１電極対（異常判定用電極対）、８１０…メイン基板（第１基板）、８１１…第１主面、８２０…サブ基板（第２基板）、８２１…第２主面、８３０…サブ基板（第３基板）、８３１…第３主面、８３３…スリット、Ｒ１…第１受信電極、Ｒ２…第２受信電極、Ｒ３…第３受信電極、Ｔ１…第１送信電極、Ｔ２…第２送信電極、Ｔ３…第３送信電極、Ｔａ…第１送信電極、Ｔｂ…第２送信電極、Ｒａ…第１受信電極、Ｒｂ…第２受信電極、２００…収容空間、２１０…内部空間、２１２…溝空間、５００…ドリップチャンバ。

Claims

　保持対象のチャンバを収容可能な収容空間を画成する収容部を有し、前記収容部に背向する側に内部空間が形成されたベース部材と、
　前記内部空間に配置され、前記収容部に収容された前記チャンバの内容物のレベルを計測するレベルセンサと、を備え、
　前記レベルセンサは、
　複数の送信電極と、
　複数の受信電極と、
　前記複数の送信電極と前記複数の受信電極との間の電気力線の変化に基づいて、前記内容物のレベルを計測する計測部と、を有する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項１に記載の保持装置において、
　前記複数の送信電極として第１送信電極および第２送信電極を含み、
　前記複数の受信電極として第１受信電極および第２受信電極を含み、
　前記計測部は、前記第１送信電極と前記第１受信電極との間の静電容量の変化と、前記第２送信電極と前記第２受信電極との間の静電容量の変化とに基づいて、前記内容物のレベルを計測し、
　前記第１送信電極および前記第１受信電極を含む第１電極対と前記第２送信電極および前記第２受信電極を含む第２電極対とは、前記収容部が延在する方向に互いに離間して配置されている
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項２に記載の保持装置において、
　前記計測部は、前記第１送信電極と前記第１受信電極との間の静電容量の変化に基づいて前記内容物のレベルを計測した第１計測値と、前記第２送信電極と前記第２受信電極との間の静電容量の変化に基づいて前記内容物のレベルを計測した第２計測値との組み合わせに基づいて、前記内容物の計測結果を出力する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項３に記載の保持装置において、
　前記計測部は、前記第１計測値が第１基準値よりも大きい場合に、前記第２計測値に基づく信号を出力し、前記第１計測値が前記第１基準値よりも小さい場合に、異常が検出されたことを示す信号を出力する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項４に記載の保持装置において、
　前記計測部は、前記第１計測値が前記第１基準値よりも小さく、且つ前記第２計測値が前記第１基準値以上の第２基準値よりも大きい場合に、第１異常検出信号を出力する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項５に記載の保持装置において、
　前記計測部は、前記第１計測値が前記第１基準値よりも小さく、且つ前記第２計測値が前記第２基準値も小さい場合に、前記第１異常検出信号と異なる第２異常検出信号を出力する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項６に記載の保持装置において、
　前記計測部は、前記第１計測値が前記第１基準値よりも大きく、且つ前記第２計測値が前記第２基準値よりも小さい場合に、警告信号を出力する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項３乃至７の何れか一項に記載の保持装置において、
　前記第１電極対を複数組含み、
　前記計測部は、前記第１送信電極と前記第１受信電極との間の静電容量の変化を前記第１電極対毎に検出し、それぞれの前記第１電極対の検出結果に基づいて前記第１計測値を生成する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項２乃至８の何れか一項に記載の保持装置において、
　前記レベルセンサは、
　主面と、前記主面と背向する裏面とを含む基板を有し、
　前記第１送信電極、前記第１受信電極、前記第２送信電極、および前記第２受信電極は、前記主面に形成された金属薄膜によってそれぞれ構成され、
　前記基板は、前記内部空間において、前記主面が前記収容部を向いた状態で配置される
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項２乃至８の何れか一項に記載の保持装置において、
　前記レベルセンサは、
　第１主面と、前記第１主面と背向する第１裏面とを含む第１基板と、
　第２主面と、前記第２主面と背向する第２裏面とを含む第２基板と、を更に有し、
　前記第１送信電極および前記第１受信電極は、前記第１基板の前記第１主面に形成された金属薄膜によってそれぞれ構成され、
　前記第２送信電極および前記第２受信電極は、前記第２基板の前記第２主面に形成された金属薄膜によってそれぞれ構成され、
　前記第１基板は、前記内部空間において、前記第１主面が前記収容部を向いた状態で配置され、
　前記第２基板は、前記内部空間において、前記第２主面が前記第１基板の前記第１主面に対して傾斜し、且つ前記収容部を向いた状態で配置されている
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項２乃至８の何れか一項に記載の保持装置において、
　前記レベルセンサは、
　第１主面と、前記第１主面と背向する第１裏面とを含む第１基板と、
　第２主面と、前記第２主面と背向する第２裏面とを含む第２基板と、
　第３主面と、前記第３主面と背向する第３裏面とを含む第３基板と、を更に有し、
　前記第１基板は、前記内部空間において、前記第１主面が前記収容部を向いた状態で配置され、
　前記第２基板は、前記内部空間において、前記第２主面が前記第１基板の前記第１主面に対して傾斜し、且つ前記収容部を向いた状態で配置され、
　前記第３基板は、前記内部空間において、前記第２主面が前記第１基板の前記第１主面に対して傾斜し、且つ前記第３主面が前記第２基板の前記第２主面と対向した状態で配置され、
　前記第１電極対は、前記第１基板の前記第１主面に形成され、
　前記第２電極対は、前記第１主面、前記第２主面、および前記第３主面のうち少なくとも２つの面に形成され、
　前記第１送信電極、前記第１受信電極、前記第２送信電極、および前記第２受信電極は、金属薄膜によってそれぞれ構成されている
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項２乃至１１の何れか一項に記載の保持装置において、
　前記内部空間において前記収容部を覆うように配置されたシールド部材を更に備え、
　前記シールド部材は、第１開口および第２開口を有し、
　前記第１開口は、前記収容空間側から前記内部空間側を見て、前記第１電極対の少なくとも一部と重なるように形成され、
　前記第２開口は、前記収容空間側から前記内部空間側を見て、前記第２電極対の少なくとも一部と重なるように形成されている
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項１に記載の保持装置において、
　前記複数の送信電極として第１送信電極および第２送信電極を含み、
　前記複数の受信電極として第１受信電極および第２受信電極を含み、
　前記内部空間において、前記第１送信電極および前記第１受信電極は前記収容部側を向いて配置され、
　前記内部空間において、前記第２送信電極は、前記第１送信電極および前記第１受信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置され、
　前記内部空間において、前記第２受信電極は、前記第１送信電極、前記第１受信電極、および前記第２送信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置されている
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項１３に記載の保持装置において、
　前記第２送信電極と前記第２受信電極とは、前記収容空間を挟んで互いに対向して配置されている
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項１３または１４に記載の保持装置において、
　前記レベルセンサは、
　前記第１送信電極および前記第１受信電極が形成された第１主面を有する第１基板と、
　前記第２送信電極が形成された第２主面を有する第２基板と、
　前記第２受信電極が形成された第３主面を有する第３基板と、を有する
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項１５に記載の保持装置において、
　前記第２基板および前記第３基板は、前記第２主面および前記第３主面と前記第１主面とが直交するように配置される
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項１５または１６に記載の保持装置において、
　前記第２受信電極を構成する金属薄膜の表面積は、前記第２送信電極の表面積より小さい
　ことを特徴とする保持装置。
　請求項１５乃至１７の何れか一項に記載の保持装置において、
　前記第２受信電極を構成する金属薄膜には、スリットが形成されている
　ことを特徴とする保持装置。